JP5656987B2 - Method and apparatus for manufacturing organic EL element - Google Patents
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Description
本発明は、例えば有機EL(Electro Luminescence)ディスプレイ等に利用可能な有機EL素子の製造方法及び製造装置に関する。 The present invention relates to a manufacturing method and a manufacturing apparatus of an organic EL element that can be used for an organic EL (Electro Luminescence) display, for example.
近年、フラットパネルディスプレイの大型化、高画質化、低消費電力化が求められており、低電圧で駆動でき、高画質な有機ELディスプレイは高い注目を浴びている。例えばフルカラーのアクティブマトリクス方式の有機ELディスプレイでは、TFT(薄膜トランジスタ)が設けられた基板上に薄膜状の有機EL素子が設けられている。有機EL素子では、一対の電極の間に赤(R)、緑(G)、青(B)の発光層を含む有機EL層が積層されている。一対の電極の一方にTFTが接続されている。そして、一対の電極間に電圧を印加して各発光層を発光させることにより画像表示が行われる。 In recent years, there has been a demand for flat panel displays that are large in size, high in image quality, and low in power consumption. Organic EL displays that can be driven at a low voltage and have high image quality are attracting a great deal of attention. For example, in a full-color active matrix organic EL display, a thin-film organic EL element is provided on a substrate on which a TFT (thin film transistor) is provided. In the organic EL element, an organic EL layer including red (R), green (G), and blue (B) light emitting layers is laminated between a pair of electrodes. A TFT is connected to one of the pair of electrodes. An image is displayed by applying a voltage between the pair of electrodes to cause each light emitting layer to emit light.
有機EL素子を製造するためには、各色に発光する有機発光材料からなる発光層を所定パターンで形成する必要がある。 In order to manufacture an organic EL element, it is necessary to form a light emitting layer made of an organic light emitting material that emits light of each color in a predetermined pattern.
発光層を所定パターンで形成する方法としては、例えば、真空蒸着法、インクジェット法、レーザ転写法が知られている。例えば、低分子型有機ELディスプレイ(OLED)では、真空蒸着法が用いられることが多い。 As a method for forming the light emitting layer in a predetermined pattern, for example, a vacuum deposition method, an ink jet method, and a laser transfer method are known. For example, a vacuum evaporation method is often used in a low molecular organic EL display (OLED).
真空蒸着法では、所定パターンの開口が形成されたマスク(シャドウマスクとも称される)が使用される。マスクが密着固定された基板の被蒸着面を蒸着源に対向させる。そして、蒸着源からの蒸着粒子(成膜材料)を、マスクの開口を通して被蒸着面に蒸着させることにより、所定パターンの薄膜が形成される。蒸着は発光層の色ごとに行われる(これを「塗り分け蒸着」という)。 In the vacuum deposition method, a mask (also referred to as a shadow mask) in which openings having a predetermined pattern are formed is used. The deposition surface of the substrate to which the mask is closely fixed is opposed to the deposition source. Then, vapor deposition particles (film forming material) from the vapor deposition source are vapor deposited on the vapor deposition surface through the opening of the mask, thereby forming a thin film having a predetermined pattern. Vapor deposition is performed for each color of the light emitting layer (this is called “separate vapor deposition”).
例えば特許文献1,2には、基板に対してマスクを順次移動させて各色の発光層の塗り分け蒸着を行う方法が記載されている。このような方法では、基板と同等の大きさのマスクが使用され、蒸着時にはマスクは基板の被蒸着面を覆うように固定される。
For example,
このような従来の塗り分け蒸着法では、基板が大きくなればそれに伴ってマスクも大型化する必要がある。しかしながら、マスクを大きくすると、マスクの自重撓みや延びにより、基板とマスクとの間に隙間が生じ易い。そのため、高精度なパターンニングを行うのが難しく、蒸着位置のズレや混色が発生して高精細化の実現が困難である。 In such a conventional separate vapor deposition method, as the substrate becomes larger, it is necessary to enlarge the mask accordingly. However, when the mask is enlarged, a gap is likely to be generated between the substrate and the mask due to deflection or extension of the mask due to its own weight. For this reason, it is difficult to perform high-precision patterning, and it is difficult to realize high definition due to the occurrence of misalignment of deposition positions and color mixing.
また、マスクを大きくすると、マスクやこれを保持するフレーム等が巨大になってその重量も増加するため、取り扱いが困難になり、生産性や安全性に支障をきたすおそれがある。また、蒸着装置やそれに付随する装置も同様に巨大化、複雑化するため、装置設計が困難になり、設置コストも高額になる。 In addition, when the mask is enlarged, the mask and the frame for holding the mask become enormous and the weight of the mask increases, which makes handling difficult and may impair productivity and safety. In addition, since the vapor deposition apparatus and its accompanying apparatus are similarly enlarged and complicated, the apparatus design becomes difficult and the installation cost becomes high.
そのため、従来の塗り分け蒸着法では大型基板への対応が難しく、例えば、60インチサイズを超えるような大型基板に対しては量産レベルで塗り分け蒸着できる方法が実現できていない。 Therefore, it is difficult to cope with a large substrate by the conventional separate deposition method, and for example, a method capable of separate deposition at a mass production level cannot be realized for a large substrate exceeding 60 inch size.
一方、有機ELディスプレイでは、大型化に加えて高解像度化及び高輝度化が強く望まれている。そのためには、有機EL素子の画素ピッチを小さくし、開口率を大きくする必要がある。 On the other hand, in an organic EL display, high resolution and high brightness are strongly desired in addition to an increase in size. For this purpose, it is necessary to reduce the pixel pitch of the organic EL element and increase the aperture ratio.
本発明は、画素ピッチを広げたり、開口率を低くしたりすることなく、大型の基板にも適用可能である有機EL素子の製造方法及び製造装置を提供することを目的とする。 An object of the present invention is to provide a method and an apparatus for manufacturing an organic EL element that can be applied to a large substrate without increasing the pixel pitch or reducing the aperture ratio.
本発明の有機EL素子の製造方法は、基板上に所定パターンの被膜を有する有機EL素子の製造方法であって、前記基板上に蒸着粒子を付着させて前記被膜を形成する蒸着工程を有する。前記蒸着工程は、前記蒸着粒子を放出する蒸着源開口を備えた蒸着源と、前記蒸着源開口と前記基板との間に配置された蒸着マスクとを備えた蒸着ユニットを用いて、前記基板と前記蒸着マスクとを一定間隔だけ離間させた状態で、前記基板及び前記蒸着ユニットのうちの一方を他方に対して相対的に移動させながら、前記蒸着マスクに形成された複数のマスク開口を通過した前記蒸着粒子を前記基板に付着させる工程である。前記基板及び前記蒸着ユニット間の相対的移動方向を第1方向、前記第1方向に直交する方向を第2方向としたとき、前記蒸着ユニットは、前記蒸着源開口と前記蒸着マスクとの間に前記第2方向の位置が異なる複数の制限板を備える。前記複数の制限板のそれぞれは、前記複数のマスク開口のそれぞれに入射する前記蒸着粒子の前記第1方向に沿って見たときの入射角度を制限することを特徴とする。 The method for producing an organic EL element of the present invention is a method for producing an organic EL element having a film with a predetermined pattern on a substrate, and includes a vapor deposition step in which vapor deposition particles are deposited on the substrate to form the film. The vapor deposition step uses a vapor deposition unit including a vapor deposition source having a vapor deposition source opening that emits the vapor deposition particles, and a vapor deposition mask disposed between the vapor deposition source opening and the substrate, In a state where the deposition mask is spaced apart from the deposition mask by a predetermined distance, one of the substrate and the deposition unit is moved relative to the other while passing through a plurality of mask openings formed in the deposition mask. It is a step of attaching the vapor deposition particles to the substrate. When the relative movement direction between the substrate and the vapor deposition unit is a first direction and the direction perpendicular to the first direction is a second direction, the vapor deposition unit is located between the vapor deposition source opening and the vapor deposition mask. A plurality of limiting plates having different positions in the second direction are provided. Each of the plurality of limiting plates limits an incident angle when the vapor deposition particles incident on each of the plurality of mask openings are viewed along the first direction.
本発明の有機EL素子の製造装置は、基板上に所定パターンの被膜を有する有機EL素子の製造装置であって、前記被膜を形成するための蒸着粒子を放出する蒸着源開口を備えた蒸着源、及び、前記蒸着源開口と前記基板との間に配置された蒸着マスクを備えた蒸着ユニットと、前記基板と前記蒸着マスクとを一定間隔だけ離間させた状態で、前記基板及び前記蒸着ユニットのうちの一方を他方に対して相対的に移動させる移動機構とを備える。前記蒸着マスクには、前記蒸着源開口から放出された前記蒸着粒子が通過する複数のマスク開口が形成されている。前記基板及び前記蒸着ユニット間の相対的移動方向を第1方向、前記第1方向に直交する方向を第2方向としたとき、前記蒸着ユニットは、前記蒸着源開口と前記蒸着マスクとの間に前記第2方向の位置が異なる複数の制限板を更に備える。前記複数の制限板のそれぞれは、前記複数のマスク開口のそれぞれに入射する前記蒸着粒子の前記第1方向に沿って見たときの入射角度を制限することを特徴とする。 The organic EL element manufacturing apparatus of the present invention is an organic EL element manufacturing apparatus having a film with a predetermined pattern on a substrate, and includes a vapor deposition source provided with a vapor deposition source opening for emitting vapor deposition particles for forming the film. And a deposition unit having a deposition mask disposed between the deposition source opening and the substrate, and the substrate and the deposition unit are spaced apart from each other by a predetermined interval. And a moving mechanism for moving one of them relative to the other. The vapor deposition mask has a plurality of mask openings through which the vapor deposition particles emitted from the vapor deposition source opening pass. When the relative movement direction between the substrate and the vapor deposition unit is a first direction and the direction perpendicular to the first direction is a second direction, the vapor deposition unit is located between the vapor deposition source opening and the vapor deposition mask. A plurality of limiting plates having different positions in the second direction are further provided. Each of the plurality of limiting plates limits an incident angle when the vapor deposition particles incident on each of the plurality of mask openings are viewed along the first direction.
本発明によれば、基板及び蒸着ユニットのうちの一方を他方に対して相対的に移動させながら、蒸着マスクに形成されたマスク開口を通過した蒸着粒子を基板に付着させるので、基板より小さな蒸着マスクを使用することができる。従って、大型基板に対しても塗り分け蒸着してストライプ状の被膜を形成することができる。 According to the present invention, the vapor deposition particles that have passed through the mask opening formed in the vapor deposition mask are attached to the substrate while moving one of the substrate and the vapor deposition unit relative to the other, so that the vapor deposition is smaller than the substrate. A mask can be used. Accordingly, it is possible to form a stripe-shaped film by separately coating even a large substrate.
また、制限板がマスク開口に入射する蒸着粒子の第1方向に沿って見たときの入射角度を制限するので、マスク開口を通過する蒸着粒子の進行方向を管理することができる。従って、蒸着マスクと基板とが離間していても、ストライプ状の被膜の両端縁のボヤケの発生を抑えることができる。その結果、ストライプ状の被膜の間隔を拡大させたり、その幅を狭くしたりする必要がない。 Further, since the limiting plate limits the incident angle when viewed along the first direction of the vapor deposition particles incident on the mask opening, the traveling direction of the vapor deposition particles passing through the mask opening can be managed. Therefore, even when the vapor deposition mask and the substrate are separated from each other, it is possible to suppress the occurrence of blurring at both ends of the striped film. As a result, it is not necessary to increase the interval between the stripe-shaped films or reduce the width thereof.
よって、本発明によれば、画素ピッチを広げたり、開口率を低くしたりすることなく、大型の基板に有機EL素子を形成することができる。その結果、高解像度且つ高輝度の大型の有機ELディスプレイを製造することが可能となる。 Therefore, according to the present invention, an organic EL element can be formed on a large substrate without increasing the pixel pitch or decreasing the aperture ratio. As a result, a large-sized organic EL display with high resolution and high brightness can be manufactured.
本発明の上記の有機EL素子の製造方法において、前記制限板は、前記制限板に対して前記第2方向の一方の側において前記蒸着源開口から放出された蒸着粒子が、前記第2方向の他方の側に配置された前記マスク開口に入るのを防止することが好ましい。これにより、マスク開口を通過する蒸着粒子の進行方向をより容易に管理することができるので、ストライプ状の被膜の両端縁のボヤケの発生を更に抑えることができる。 In the method for manufacturing an organic EL element according to the aspect of the invention, the restriction plate may be configured such that vapor deposition particles emitted from the vapor deposition source opening on one side of the second direction with respect to the restriction plate are in the second direction. It is preferred to prevent entry into the mask opening arranged on the other side. Thereby, since the advancing direction of the vapor deposition particle which passes a mask opening can be managed more easily, generation | occurrence | production of the blurring of the both-ends edge of a striped film can be suppressed further.
前記第2方向において隣り合う前記制限板の間に前記蒸着源開口が配置されていることが好ましい。これにより、制限板に付着する蒸着粒子を少なくすることができるので、蒸着材料の無駄を少なくすることができる。 It is preferable that the vapor deposition source opening is disposed between the limiting plates adjacent in the second direction. Thereby, since the vapor deposition particles adhering to the limiting plate can be reduced, the waste of the vapor deposition material can be reduced.
前記蒸着源開口の数が複数であることが好ましい。そして、前記複数の蒸着源開口と前記複数の制限板とは前記第2方向におけるピッチが略同一であることが好ましい。これにより、隣り合う一対の制限板の間に1つの蒸着源開口が配置することができる。従って、マスク開口を通過する蒸着粒子の進行方向をより容易に管理することができるので、ストライプ状の被膜の両端縁のボヤケの発生を更に抑えることができる。また、隣り合う一対の制限板と、この間に配置された1つの蒸着源開口及びマスク開口とを含む同一構成の複数の蒸着ブロックを第2方向に配置することができるので、第2方向の広い範囲にわたって均一な有機EL素子を製造することができる。 It is preferable that the number of the vapor deposition source openings is plural. The plurality of vapor deposition source openings and the plurality of limiting plates preferably have substantially the same pitch in the second direction. Thereby, one vapor deposition source opening can be arrange | positioned between a pair of adjacent restriction | limiting plates. Therefore, since the traveling direction of the vapor deposition particles passing through the mask opening can be more easily managed, it is possible to further suppress the occurrence of blurring at both end edges of the striped film. In addition, since a plurality of vapor deposition blocks having the same configuration including a pair of adjacent limiting plates and one vapor deposition source opening and a mask opening arranged therebetween can be arranged in the second direction, the second direction is wide. A uniform organic EL element can be manufactured over a range.
前記第2方向において隣り合う前記制限板の間に配置された前記複数のマスク開口の前記第2方向における幅は、前記第2方向において隣り合う前記制限板の間に配置された前記蒸着源開口の前記第2方向における位置から前記第2方向に遠ざかるにしたがって大きくなることが好ましい。これにより、基板の被蒸着面に、同一幅の複数のストライプ状の被膜を容易に形成することができる。 The width in the second direction of the plurality of mask openings arranged between the restricting plates adjacent in the second direction is the second width of the vapor deposition source opening arranged between the restricting plates adjacent in the second direction. It is preferable that the distance increases as the distance from the position in the direction increases in the second direction. Thereby, a plurality of stripe-shaped films having the same width can be easily formed on the deposition surface of the substrate.
前記第2方向において隣り合う前記制限板の間に配置された前記複数のマスク開口の前記第1方向における長さは、前記第2方向において隣り合う前記制限板の間に配置された前記蒸着源開口の前記第2方向における位置から前記第2方向に遠ざかるにしたがって長くなることが好ましい。これにより、基板の被蒸着面に、同一厚さの複数のストライプ状の被膜を容易に形成することができる。 The length in the first direction of the plurality of mask openings arranged between the restriction plates adjacent in the second direction is the first length of the vapor deposition source opening arranged between the restriction plates adjacent in the second direction. It is preferable that the length increases as the distance from the position in the two directions increases in the second direction. As a result, a plurality of stripe-shaped films having the same thickness can be easily formed on the deposition surface of the substrate.
前記第2方向において隣り合う前記制限板の間に配置された前記複数のマスク開口の前記第2方向におけるピッチは一定であることが好ましい。これにより、基板の被蒸着面に、第2方向のピッチが一定である複数のストライプ状の被膜を容易に形成することができる。 It is preferable that the pitch in the second direction of the plurality of mask openings arranged between the limiting plates adjacent in the second direction is constant. Thereby, a plurality of striped films having a constant pitch in the second direction can be easily formed on the deposition surface of the substrate.
前記第2方向において隣り合う前記制限板の間に配置された前記複数のマスク開口の前記第2方向におけるピッチは、前記基板上に形成される前記被膜の前記第2方向におけるピッチより小さいことが好ましい。これにより、基板の被蒸着面に、第2方向のピッチが一定である複数のストライプ状の被膜を容易に形成することができる。 It is preferable that a pitch in the second direction of the plurality of mask openings arranged between the limiting plates adjacent in the second direction is smaller than a pitch in the second direction of the coating formed on the substrate. Thereby, a plurality of striped films having a constant pitch in the second direction can be easily formed on the deposition surface of the substrate.
前記第1方向の位置が異なる複数列に沿って複数の前記蒸着源開口が配置されていてもよい。この場合、前記複数の蒸着源開口の位置に対応して前記複数列に沿って前記複数のマスク開口及び前記複数の制限板が配置されていることが好ましい。これにより、複数の蒸着源開口、複数の制限板、及び、複数のマスク開口に関する設計の自由度が増大する。 A plurality of the vapor deposition source openings may be arranged along a plurality of rows having different positions in the first direction. In this case, it is preferable that the plurality of mask openings and the plurality of limiting plates are arranged along the plurality of rows corresponding to the positions of the plurality of vapor deposition source openings. Thereby, the freedom degree of design regarding a some vapor deposition source opening, a some restricting board, and a some mask opening increases.
上記において、前記複数列のうちの少なくとも1つの列は、前記蒸着源開口、前記マスク開口、及び前記制限板の前記第2方向における位置に関して、他の少なくとも1つの列と異なることが好ましい。これにより、第2方向に隣り合う蒸着源開口間の距離を拡大することができるので、制限板に関する設計、製作、保守等が容易になる。また、制限板に付着する蒸着材料の量を少なくすることができるので、蒸着材料の無駄を少なくすることができる。 In the above, at least one of the plurality of rows is preferably different from at least one other row with respect to the positions of the vapor deposition source opening, the mask opening, and the limiting plate in the second direction. Thereby, since the distance between the vapor deposition source openings adjacent to each other in the second direction can be increased, the design, production, maintenance and the like related to the limiting plate are facilitated. Moreover, since the amount of the vapor deposition material adhering to the limiting plate can be reduced, waste of the vapor deposition material can be reduced.
前記複数列のうち前記第1方向に隣り合う2列において、前記複数の蒸着源開口が千鳥配置されていることが好ましい。これにより、蒸着源に複数の蒸着源開口を効率よく配置することができる。更に、第2方向に隣り合う蒸着源開口間の距離を拡大することができるので、制限板に関する設計、製作、保守等が容易になる。また、制限板に付着する蒸着材料の量を少なくすることができるので、蒸着材料の無駄を少なくすることができる。 In the two rows adjacent in the first direction among the plurality of rows, it is preferable that the plurality of vapor deposition source openings are arranged in a staggered manner. Thereby, a plurality of vapor deposition source openings can be efficiently arranged in the vapor deposition source. Furthermore, since the distance between the vapor deposition source openings adjacent to each other in the second direction can be increased, the design, production, maintenance, etc. relating to the limiting plate are facilitated. Moreover, since the amount of the vapor deposition material adhering to the limiting plate can be reduced, waste of the vapor deposition material can be reduced.
前記蒸着ユニットは、前記蒸着源開口と前記蒸着マスクとの間に第2制限板を更に備えていても良い。この場合、前記第2制限板は、前記第2制限板に対して前記第1方向の一方の側において前記蒸着源開口から放出された蒸着粒子が、前記第1方向の他方の側に配置された前記マスク開口に入るのを防止することが好ましい。これにより、マスク開口を通過する蒸着粒子の進行方向をより容易に管理することができるので、ストライプ状の被膜の両端縁のボヤケの発生を更に抑えることができる。 The vapor deposition unit may further include a second limiting plate between the vapor deposition source opening and the vapor deposition mask. In this case, the second restriction plate is arranged such that the vapor deposition particles emitted from the vapor deposition source opening on one side in the first direction with respect to the second restriction plate are arranged on the other side in the first direction. Further, it is preferable to prevent entry into the mask opening. Thereby, since the advancing direction of the vapor deposition particle which passes a mask opening can be managed more easily, generation | occurrence | production of the blurring of the both-ends edge of a striped film can be suppressed further.
前記第1方向に隣り合う2列のそれぞれに配置された前記蒸着源開口は前記第2方向に沿って見たとき逆向きに傾斜して開口していてもよい。これにより、隣り合う2列のうちの一方の列の蒸着源開口から放出され、他方の列のマスク開口に入る蒸着粒子を少なくすることができるので、ストライプ状の被膜の両端縁のボヤケの発生を更に抑えることができる。 The vapor deposition source openings arranged in each of the two rows adjacent to each other in the first direction may be inclined and opened in opposite directions when viewed along the second direction. As a result, it is possible to reduce the number of vapor deposition particles that are emitted from the vapor deposition source opening of one of the two adjacent rows and enter the mask opening of the other row. Can be further suppressed.
前記蒸着源開口の前記第1方向におけるピッチが一定でないことが好ましい。例えば、蒸着源開口が蒸着粒子を放出する向きを列ごとに変える場合には、蒸着源開口の第1方向におけるピッチを異ならせることで、隣り合う2列のうちの一方の列の蒸着源開口から放出され、他方の列のマスク開口に入る蒸着粒子を少なくすることができる。 It is preferable that the pitch of the vapor deposition source openings in the first direction is not constant. For example, when the direction in which the vapor deposition source opening emits vapor deposition particles is changed for each column, the pitch in the first direction of the vapor deposition source opening is varied to thereby change the vapor deposition source aperture in one of the two adjacent columns. It is possible to reduce the number of vapor deposition particles emitted from the gas and entering the mask openings of the other row.
前記複数列のうちの少なくとも2つの列に属する少なくとも2つの前記マスク開口を通過した前記蒸着粒子によって、前記基板上に共通する被膜を形成してもよい。これにより、マスク開口や、制限板、蒸着源開口等の設計の自由度が増大する。 A common film may be formed on the substrate by the vapor deposition particles that have passed through at least two of the mask openings belonging to at least two of the plurality of rows. Thereby, the freedom degree of design, such as a mask opening, a limiting plate, and a vapor deposition source opening, increases.
前記第2制限板がジグザグ状に折れ曲がっていてもよい。これにより、蒸着源開口の配置密度を増大させ、蒸着ユニットを小型化することができる。 The second restriction plate may be bent in a zigzag shape. Thereby, the arrangement | positioning density of a vapor deposition source opening can be increased and a vapor deposition unit can be reduced in size.
前記複数の制限板の少なくとも一部を冷却することが好ましい。これにより、制限板に付着した蒸着粒子の再蒸発を防止することができるので、ストライプ状の被膜の両端縁のボヤケの発生を更に抑えることができる。なお、「制限板を冷却する」とは、制限板を直接的に冷却する場合の他、他の部材を冷却し熱伝導等を利用して制限板を間接的に冷却する場合を含む。 It is preferable to cool at least a part of the plurality of limiting plates. Thereby, since re-evaporation of the vapor deposition particles adhering to the limiting plate can be prevented, it is possible to further suppress the occurrence of blurring at both end edges of the striped film. “Cooling the limiting plate” includes not only directly cooling the limiting plate, but also cooling the limiting plate indirectly by cooling other members and utilizing heat conduction or the like.
前記第2制限板の少なくとも一部を冷却することが好ましい。これにより、第2制限板に付着した蒸着粒子の再蒸発を防止することができるので、ストライプ状の被膜の両端縁のボヤケの発生を更に抑えることができる。なお、「第2制限板を冷却する」とは、第2制限板を直接的に冷却する場合の他、他の部材を冷却し熱伝導等を利用して第2制限板を間接的に冷却する場合を含む。 It is preferable to cool at least a part of the second restriction plate. Thereby, since re-evaporation of the vapor deposition particles adhering to the 2nd restriction board can be prevented, generation | occurrence | production of the blur of the both-ends edge of a striped film can further be suppressed. Note that “cooling the second restriction plate” means cooling the second restriction plate indirectly by cooling other members and using heat conduction or the like in addition to directly cooling the second restriction plate. Including the case of
前記複数の制限板が一体化されていることが好ましい。これにより、複数の制限板のそれぞれの位置調整が不要となり、制限板の位置精度が向上する。また、複数の制限板の交換作業が容易になる。なお、「複数の制限板が一体化されている」とは、単一の材料から複数の制限板が一体的に作成されている場合、及び、別個に作成された複数の制限板が組み合わされて一体化されている場合を含む。 It is preferable that the plurality of limiting plates are integrated. This eliminates the need to adjust the position of each of the plurality of limiting plates and improves the positional accuracy of the limiting plates. In addition, it is easy to replace the plurality of limiting plates. Note that “a plurality of restriction plates are integrated” means that a plurality of restriction plates are integrally formed from a single material, and a plurality of restriction plates that are separately produced are combined. And integrated.
前記複数の制限板及び前記第2制限板が一体化されていることが好ましい。これにより、複数の制限板及び第2制限板のそれぞれの位置調整が不要となる。また、複数の制限板及び第2制限板の交換作業が容易になる。なお、「複数の制限板及び複数の第2制限板が一体化されている」とは、単一の材料から複数の制限板及び複数の第2制限板が一体的に作成されている場合、及び、別個に作成された複数の制限板及び複数の第2制限板が組み合わされて一体化されている場合を含む。 It is preferable that the plurality of limiting plates and the second limiting plate are integrated. Thereby, the position adjustment of each of the plurality of limiting plates and the second limiting plate is not necessary. In addition, the replacement work of the plurality of limiting plates and the second limiting plate is facilitated. In addition, “a plurality of limiting plates and a plurality of second limiting plates are integrated” means that when a plurality of limiting plates and a plurality of second limiting plates are integrally formed from a single material, And the case where the some restriction | limiting board produced separately and the some 2nd restriction | limiting board are combined and integrated is included.
前記制限板の前記第2方向の厚みは、前記第2方向に隣り合う前記制限板の間隔より大きくてもよい。これにより、制限板の蒸着源に対向する面を蒸着粒子を遮るシャッターとして利用することができる。 The thickness of the limiting plate in the second direction may be larger than the interval between the limiting plates adjacent in the second direction. Thereby, the surface facing the vapor deposition source of the limiting plate can be used as a shutter that blocks vapor deposition particles.
前記第2方向において隣り合う前記制限板の間に、前記第2方向の位置が異なる複数のマスク開口列が配置されていてもよい。この場合、前記複数のマスク開口列のそれぞれは、前記第1方向に沿って配置された前記複数のマスク開口を含むことが好ましい。これにより、複数のマスク開口を形成することによる蒸着マスクの強度の低下を少なくすることができる。また、蒸着マスクの寸法安定性や熱伝導性が向上する。 A plurality of mask opening rows having different positions in the second direction may be arranged between the restriction plates adjacent in the second direction. In this case, it is preferable that each of the plurality of mask opening rows includes the plurality of mask openings arranged along the first direction. Thereby, the fall of the intensity | strength of the vapor deposition mask by forming several mask opening can be decreased. Further, the dimensional stability and thermal conductivity of the vapor deposition mask are improved.
上記において、前記複数のマスク開口列のそれぞれに含まれる前記複数のマスク開口の前記第1方向の合計寸法は、前記第2方向において隣り合う前記制限板の間に配置された前記蒸着源開口の前記第2方向における位置から前記第2方向に遠ざかるにしたがって大きくなることが好ましい。これにより、基板の被蒸着面に、同一厚さの複数のストライプ状の被膜を容易に形成することができる。 In the above, the total dimension in the first direction of the plurality of mask openings included in each of the plurality of mask opening rows is the first dimension of the vapor deposition source openings disposed between the limiting plates adjacent in the second direction. It is preferable that the distance increases as the distance from the position in the two directions increases in the second direction. As a result, a plurality of stripe-shaped films having the same thickness can be easily formed on the deposition surface of the substrate.
前記蒸着源開口が、前記第1方向に延びたスリット状の開口であってもよい。これにより、蒸着源開口の開口面積が拡大し、放出される蒸着粒子が増大するので、蒸着レートが増大し、量産時のスループットを向上させることができる。 The vapor deposition source opening may be a slit-like opening extending in the first direction. As a result, the opening area of the vapor deposition source opening is enlarged and the vapor deposition particles released are increased, so that the vapor deposition rate is increased and the throughput in mass production can be improved.
前記蒸着源開口が、前記制限板を前記第2方向に横切るように延設されていてもよい。これにより、蒸着源開口の開口面積が拡大し、放出される蒸着粒子が増大するので、蒸着レートが増大し、量産時のスループットを向上させることができる。また、複数の制限板及び蒸着マスクに対する蒸着源の第2方向における位置精度を緩和することができる。 The vapor deposition source opening may extend so as to cross the limiting plate in the second direction. As a result, the opening area of the vapor deposition source opening is enlarged and the vapor deposition particles released are increased, so that the vapor deposition rate is increased and the throughput in mass production can be improved. Moreover, the position accuracy of the vapor deposition source in the second direction with respect to the plurality of limiting plates and the vapor deposition mask can be relaxed.
この場合、前記第2方向において隣り合う前記制限板の間に配置された前記複数のマスク開口の前記第1方向における長さは、前記制限板までの前記第2方向の距離が短くなるにしたがって長くなることが好ましい。これにより、基板の被蒸着面に、同一厚さの複数のストライプ状の被膜を容易に形成することができる。 In this case, the length in the first direction of the plurality of mask openings arranged between the restriction plates adjacent in the second direction becomes longer as the distance in the second direction to the restriction plate becomes shorter. It is preferable. As a result, a plurality of stripe-shaped films having the same thickness can be easily formed on the deposition surface of the substrate.
前記被膜が発光層であることが好ましい。これにより、高解像度且つ高輝度の大型の有機ELディスプレイを製造することが可能となる。 The coating is preferably a light emitting layer. This makes it possible to manufacture a large organic EL display with high resolution and high brightness.
以下に、本発明を好適な実施形態を示しながら詳細に説明する。但し、本発明は以下の実施形態に限定されないことはいうまでもない。以下の説明において参照する各図は、説明の便宜上、本発明の実施形態の構成部材のうち、本発明を説明するために必要な主要部材のみを簡略化して示したものである。従って、本発明は以下の各図に示されていない任意の構成部材を備え得る。また、以下の各図中の部材の寸法は、実際の構成部材の寸法および各部材の寸法比率等を忠実に表したものではない。 Below, this invention is demonstrated in detail, showing suitable embodiment. However, it goes without saying that the present invention is not limited to the following embodiments. For convenience of explanation, the drawings referred to in the following description show only the main members necessary for explaining the present invention in a simplified manner among the constituent members of the embodiment of the present invention. Therefore, the present invention can include arbitrary components not shown in the following drawings. In addition, the dimensions of the members in the following drawings do not faithfully represent the actual dimensions of the constituent members and the dimensional ratios of the members.
(有機ELディスプレイの構成)
本発明を適用して製造可能な有機ELディスプレイの一例を説明する。この有機ELディスプレイは、TFT基板側から光を取り出すボトムエミッション型で、赤(R)、緑(G)、青(B)の各色からなる画素(サブ画素)の発光を制御することによりフルカラーの画像表示を行う有機ELディスプレイである。(Configuration of organic EL display)
An example of an organic EL display that can be manufactured by applying the present invention will be described. This organic EL display is a bottom emission type that extracts light from the TFT substrate side, and is a full color by controlling light emission of pixels (sub-pixels) composed of red (R), green (G), and blue (B) colors. This is an organic EL display that displays an image.
まず、上記有機ELディスプレイの全体構成について以下に説明する。 First, the overall configuration of the organic EL display will be described below.
図1は、有機ELディスプレイの概略構成を示す断面図である。図2は、図1に示す有機ELディスプレイを構成する画素の構成を示す平面図である。図3は、図2の3−3線に沿った有機ELディスプレイを構成するTFT基板の矢視断面図である。 FIG. 1 is a cross-sectional view showing a schematic configuration of an organic EL display. FIG. 2 is a plan view showing a configuration of pixels constituting the organic EL display shown in FIG. FIG. 3 is a cross-sectional view of the TFT substrate constituting the organic EL display along the line 3-3 in FIG.
図1に示すように、有機ELディスプレイ1は、TFT12(図3参照)が設けられたTFT基板10上に、TFT12に接続された有機EL素子20、接着層30、封止基板40がこの順に設けられた構成を有している。有機ELディスプレイ1の中央が画像表示を行う表示領域19であり、この表示領域19内に有機EL素子20が配置されている。
As shown in FIG. 1, the organic EL display 1 includes an
有機EL素子20は、当該有機EL素子20が積層されたTFT基板10を、接着層30を用いて封止基板40と貼り合わせることで、これら一対の基板10,40間に封入されている。このように有機EL素子20がTFT基板10と封止基板40との間に封入されていることで、有機EL素子20への酸素や水分の外部からの浸入が防止されている。
The
TFT基板10は、図3に示すように、支持基板として、例えばガラス基板等の透明な絶縁基板11を備える。但し、トップエミッション型の有機ELディスプレイでは、絶縁基板11は透明である必要はない。
As shown in FIG. 3, the
絶縁基板11上には、図2に示すように、水平方向に敷設された複数のゲート線と、垂直方向に敷設され、ゲート線と交差する複数の信号線とからなる複数の配線14が設けられている。ゲート線には、ゲート線を駆動する図示しないゲート線駆動回路が接続され、信号線には、信号線を駆動する図示しない信号線駆動回路が接続されている。絶縁基板11上には、これら配線14で囲まれた各領域に、赤(R)、緑(G)、青(B)の色の有機EL素子20からなるサブ画素2R,2G,2Bが、マトリクス状に配置されている。
On the insulating
サブ画素2Rは赤色光を発射し、サブ画素2Gは緑色光を発射し、サブ画素2Bは青色光を発射する。列方向(図2の上下方向)には同色のサブ画素が配置され、行方向(図2の左右方向)にはサブ画素2R,2G,2Bからなる繰り返し単位が繰り返して配置されている。行方向の繰り返し単位を構成するサブ画素2R,2G,2Bが画素2(すなわち、1画素)を構成する。
The
各サブ画素2R,2G,2Bは、各色の発光を担う発光層23R,23G,23Bを備える。発光層23R,23G,23Bは、列方向(図2の上下方向)にストライプ状に延設されている。
Each sub-pixel 2R, 2G, 2B includes a light-emitting
TFT基板10の構成を説明する。
The configuration of the
TFT基板10は、図3に示すように、ガラス基板等の透明な絶縁基板11上に、TFT12(スイッチング素子)、配線14、層間膜13(層間絶縁膜、平坦化膜)、エッジカバー15等を備える。
As shown in FIG. 3, the
TFT12はサブ画素2R,2G,2Bの発光を制御するスイッチング素子として機能するものであり、サブ画素2R,2G,2Bごとに設けられる。TFT12は配線14に接続される。
The
層間膜13は、平坦化膜としても機能するものであり、TFT12及び配線14を覆うように絶縁基板11上の表示領域19の全面に積層されている。
The
層間膜13上には、第1電極21が形成されている。第1電極21は、層間膜13に形成されたコンタクトホール13aを介して、TFT12に電気的に接続されている。
A
エッジカバー15は、層間膜13上に、第1電極21のパターン端部を被覆するように形成されている。エッジカバー15は、第1電極21のパターン端部で有機EL層27が薄くなったり電界集中が起こったりすることで、有機EL素子20を構成する第1電極21と第2電極26とが短絡することを防止するための絶縁層である。
The
エッジカバー15には、サブ画素2R,2G,2B毎に開口15R,15G,15Bが設けられている。このエッジカバー15の開口15R,15G,15Bが、各サブ画素2R,2G,2Bの発光領域となる。言い換えれば、各サブ画素2R,2G,2Bは、絶縁性を有するエッジカバー15によって仕切られている。エッジカバー15は、素子分離膜としても機能する。
The
有機EL素子20について説明する。
The
有機EL素子20は、低電圧直流駆動による高輝度発光が可能な発光素子であり、第1電極21、有機EL層27、第2電極26をこの順に備える。
The
第1電極21は、有機EL層27に正孔を注入(供給)する機能を有する層である。第1電極21は、前記したようにコンタクトホール13aを介してTFT12と接続されている。
The
有機EL層27は、図3に示すように、第1電極21と第2電極26との間に、第1電極21側から、正孔注入層兼正孔輸送層22、発光層23R,23G,23B、電子輸送層24、電子注入層25をこの順に備える。
As shown in FIG. 3, the
本実施形態では、第1電極21を陽極とし、第2電極26を陰極としているが、第1電極21を陰極とし、第2電極26を陽極としてもよく、この場合は有機EL層27を構成する各層の順序は反転する。
In this embodiment, the
正孔注入層兼正孔輸送層22は、正孔注入層としての機能と正孔輸送層としての機能とを併せ持つ。正孔注入層は、発光層23R,23G,23Bへの正孔注入効率を高める機能を有する層である。正孔輸送層は、発光層23R,23G,23Bへの正孔輸送効率を高める機能を有する層である。正孔注入層兼正孔輸送層22は、第1電極21およびエッジカバー15を覆うように、TFT基板10における表示領域19の全面に一様に形成されている。
The hole injection layer / hole transport layer 22 has both a function as a hole injection layer and a function as a hole transport layer. The hole injection layer is a layer having a function of increasing the efficiency of hole injection into the
本実施形態では、正孔注入層と正孔輸送層とが一体化された正孔注入層兼正孔輸送層22を設けているが、本発明はこれに限定されず、正孔注入層と正孔輸送層とが互いに独立した層として形成されていてもよい。 In this embodiment, the hole injection layer / hole transport layer 22 in which the hole injection layer and the hole transport layer are integrated is provided. However, the present invention is not limited to this, and The hole transport layer may be formed as a layer independent of each other.
正孔注入層兼正孔輸送層22上には、発光層23R,23G,23Bが、エッジカバー15の開口15R,15G,15Bを覆うように、それぞれ、サブ画素2R,2G,2Bの列に対応して形成されている。発光層23R,23G,23Bは、第1電極21側から注入されたホール(正孔)と第2電極26側から注入された電子とを再結合させて光を出射する機能を有する層である。発光層23R,23G,23Bは、それぞれ、低分子蛍光色素や金属錯体等の発光効率が高い材料を含む。
On the hole injection layer / hole transport layer 22, the
電子輸送層24は、第2電極26から発光層23R,23G,23Bへの電子輸送効率を高める機能を有する層である。
The
電子注入層25は、第2電極26から発光層23R,23G,23Bへの電子注入効率を高める機能を有する層である。
The
電子輸送層24は、発光層23R,23G,23Bおよび正孔注入層兼正孔輸送層22を覆うように、これら発光層23R,23G,23Bおよび正孔注入層兼正孔輸送層22上に、TFT基板10における表示領域19の全面にわたって一様に形成されている。また、電子注入層25は、電子輸送層24を覆うように、電子輸送層24上に、TFT基板10における表示領域19の全面にわたって一様に形成されている。
The
本実施形態では、電子輸送層24と電子注入層25とは互いに独立した層として設けられているが、本発明はこれに限定されず、両者が一体化された単一の層(即ち、電子輸送層兼電子注入層)として設けられていてもよい。
In the present embodiment, the
第2電極26は、有機EL層27に電子を注入する機能を有する層である。第2電極26は、電子注入層25を覆うように、電子注入層25上に、TFT基板10における表示領域19の全面にわたって一様に形成されている。
The
なお、発光層23R,23G,23B以外の有機層は有機EL層27として必須ではなく、要求される有機EL素子20の特性に応じて取捨選択すればよい。また、有機EL層27は、必要に応じて、キャリアブロッキング層を更に有していてもよい。例えば、発光層23R,23G,23Bと電子輸送層24との間にキャリアブロッキング層として正孔ブロッキング層を追加することで、正孔が電子輸送層24に抜けるのを阻止し、発光効率を向上することができる。
Note that organic layers other than the
有機EL素子20は、例えば、下記(1)〜(8)に示すような層構成を採用することができる。
(1)第1電極/発光層/第2電極
(2)第1電極/正孔輸送層/発光層/電子輸送層/第2電極
(3)第1電極/正孔輸送層/発光層/正孔ブロッキング層/電子輸送層/第2電極
(4)第1電極/正孔輸送層/発光層/正孔ブロッキング層/電子輸送層/電子注入層/第2電極
(5)第1電極/正孔注入層/正孔輸送層/発光層/電子輸送層/電子注入層/第2電極
(6)第1電極/正孔注入層/正孔輸送層/発光層/正孔ブロッキング層/電子輸送層/第2電極
(7)第1電極/正孔注入層/正孔輸送層/発光層/正孔ブロッキング層/電子輸送層/電子注入層/第2電極
(8)第1電極/正孔注入層/正孔輸送層/電子ブロッキング層(キャリアブロッキング層)/発光層/正孔ブロッキング層/電子輸送層/電子注入層/第2電極
上記の層構成において、例えば正孔注入層と正孔輸送層とは一体化された単一層であってもよい。また、電子輸送層と電子注入層とは一体化された単一層であってもよい。For example, the
(1) First electrode / light emitting layer / second electrode (2) First electrode / hole transport layer / light emitting layer / electron transport layer / second electrode (3) First electrode / hole transport layer / light emitting layer / Hole blocking layer / electron transport layer / second electrode (4) first electrode / hole transport layer / light emitting layer / hole blocking layer / electron transport layer / electron injection layer / second electrode (5) first electrode / Hole injection layer / hole transport layer / light emitting layer / electron transport layer / electron injection layer / second electrode (6) first electrode / hole injection layer / hole transport layer / light emitting layer / hole blocking layer / electron Transport layer / second electrode (7) first electrode / hole injection layer / hole transport layer / light emitting layer / hole blocking layer / electron transport layer / electron injection layer / second electrode (8) first electrode / positive Hole injection layer / hole transport layer / electron blocking layer (carrier blocking layer) / light emitting layer / hole blocking layer / electron transport layer / electron injection layer / second electrode In the above layer configuration, for example, the hole injection layer and the hole transport layer may be an integrated single layer. Further, the electron transport layer and the electron injection layer may be an integrated single layer.
また、有機EL素子20の構成は、上記例示の層構成(1)〜(8)に限定されず、例えば有機EL素子20に要求される特性に応じて所望の層構成を採用することができる。
Further, the configuration of the
(有機ELディスプレイの製造方法)
次に、有機ELディスプレイ1の製造方法について以下に説明する。(Method for manufacturing organic EL display)
Next, the manufacturing method of the organic EL display 1 will be described below.
図4は、上記の有機ELディスプレイ1の製造工程を工程順に示すフローチャートである。 FIG. 4 is a flowchart showing manufacturing steps of the organic EL display 1 in the order of steps.
図4に示すように、本実施形態にかかる有機ELディスプレイ1の製造方法は、例えば、TFT基板・第1電極の作製工程S1、正孔注入層・正孔輸送層の形成工程S2、発光層の形成工程S3、電子輸送層の形成工程S4、電子注入層の形成工程S5、第2電極の形成工程S6、封止工程S7をこの順に備えている。 As shown in FIG. 4, the manufacturing method of the organic EL display 1 according to the present embodiment includes, for example, a TFT substrate / first electrode manufacturing step S1, a hole injection layer / hole transport layer forming step S2, and a light emitting layer. Formation step S3, electron transport layer formation step S4, electron injection layer formation step S5, second electrode formation step S6, and sealing step S7 are provided in this order.
以下に、図4の各工程を説明する。但し、以下に示す各構成要素の寸法、材質、形状等はあくまで一例に過ぎず、本発明はこれに限定されるものではない。また、本実施形態では第1電極21を陽極とし、第2電極26を陰極としており、これとは逆に第1電極21を陰極とし、第2電極26を陽極とする場合には、有機EL層の積層順は以下の説明と反転する。同様に、第1電極21および第2電極26を構成する材料も以下の説明と反転する。
Below, each process of FIG. 4 is demonstrated. However, the dimensions, materials, shapes, and the like of the components shown below are merely examples, and the present invention is not limited to these. In the present embodiment, the
最初に、絶縁基板11上に公知の方法でTFT12及び配線14等を形成する。絶縁基板11としては、例えば透明なガラス基板あるいはプラスチック基板等を用いることができる。絶縁基板11の厚さは例えば0.7〜1.1mm、縦横寸法は例えば500mm×400mmとすることができるが、これに限定されない。一実施例では、厚さが約1mm、縦横寸法が500×400mmの矩形形状のガラス板を用いることができる。
First, the
次いで、TFT12及び配線14を覆うように絶縁基板11上に感光性樹脂を塗布し、フォトリソグラフィ技術によりパターニングを行うことで、層間膜13を形成する。層間膜13の材料としては、例えばアクリル樹脂やポリイミド樹脂等の絶縁性材料を用いることができる。アクリル樹脂としては、例えば、JSR株式会社製のオプトマーシリーズが挙げられる。また、ポリイミド樹脂としては、例えば、東レ株式会社製のフォトニースシリーズが挙げられる。但し、ポリイミド樹脂は一般に透明ではなく、有色である。このため図3に示すようなボトムエミッション型の有機ELディスプレイ1を製造する場合には、層間膜13としてはアクリル樹脂等の透明性樹脂を用いることが好ましい。層間膜13の厚さは、TFT12の上面の段差を解消することができればよく、特に限定されない。一実施例では、アクリル樹脂を用いて厚さ約2μmの層間膜13を形成することができる。
Next, a photosensitive resin is applied on the insulating
次に、層間膜13に、第1電極21をTFT12に電気的に接続するためのコンタクトホール13aを形成する。
Next, a
次に、層間膜13上に、第1電極21を形成する。即ち、層間膜13上に導電膜(電極膜)として、例えばITO(Indium Tin Oxide:インジウム錫酸化物)膜を、スパッタ法等により、例えば100nmの厚さで成膜する。次いで、ITO膜上にフォトレジストを塗布し、フォトリソグラフィ技術を用いてパターニングを行った後、塩化第二鉄をエッチング液として、ITO膜をエッチングする。その後、レジスト剥離液を用いてフォトレジストを剥離し、さらに基板洗浄を行う。これにより、層間膜13上にマトリクス状の第1電極21が得られる。
Next, the
第1電極21に用いられる導電膜材料としては、ITO以外に、IZO(Indium Zinc Oxide:インジウム亜鉛酸化物)、ガリウム添加酸化亜鉛(GZO)等の透明導電材料;金(Au)、ニッケル(Ni)、白金(Pt)等の金属材料;を用いることもできる。
As the conductive film material used for the
導電膜の積層方法としては、スパッタ法以外に、真空蒸着法、CVD(chemical vapor deposition、化学蒸着)法、プラズマCVD法、印刷法等を用いることができる。 As a method for laminating the conductive film, in addition to the sputtering method, a vacuum deposition method, a CVD (chemical vapor deposition) method, a plasma CVD method, a printing method, or the like can be used.
一実施例では、スパッタ法により、ITOを用いて、厚さ約100nmの第1電極21を形成することができる。
In one embodiment, the
次に、所定パターンのエッジカバー15を形成する。エッジカバー15は、例えば層間膜13と同様の絶縁材料を使用することができ、層間膜13と同様の方法でパターニングすることができる。一実施例では、アクリル樹脂を用いて、厚さ約1μmの層間膜13を形成することができる。
Next, the
以上により、TFT基板10および第1電極21が作製される(工程S1)。
As described above, the
次に、工程S1を経たTFT基板10を、脱水のために減圧ベーク処理し、更に第1電極21の表面洗浄のために酸素プラズマ処理する。
Next, the
次に、上記TFT基板10上に、正孔注入層および正孔輸送層(本実施形態では正孔注入層兼正孔輸送層22)を、TFT基板10の表示領域19の全面に蒸着法により形成する(S2)。
Next, a hole injection layer and a hole transport layer (in this embodiment, a hole injection layer / hole transport layer 22) are formed on the entire surface of the
具体的には、表示領域19の全面が開口したオープンマスクを、TFT基板10に密着固定し、TFT基板10とオープンマスクとを共に回転させながら、オープンマスクの開口を通じて正孔注入層および正孔輸送層の材料をTFT基板10の表示領域19の全面に蒸着する。
Specifically, an open mask having the
正孔注入層と正孔輸送層とは、前記したように一体化されていてもよく、互いに独立した層であってもよい。層の厚みは、一層あたり例えば10〜100nmである。 The hole injection layer and the hole transport layer may be integrated as described above, or may be layers independent of each other. The thickness of the layer is, for example, 10 to 100 nm per layer.
正孔注入層および正孔輸送層の材料としては、例えば、ベンジン、スチリルアミン、トリフェニルアミン、ポルフィリン、トリアゾール、イミダゾール、オキサジアゾール、ポリアリールアルカン、フェニレンジアミン、アリールアミン、オキザゾール、アントラセン、フルオレノン、ヒドラゾン、スチルベン、トリフェニレン、アザトリフェニレン、およびこれらの誘導体;ポリシラン系化合物;ビニルカルバゾール系化合物;チオフェン系化合物、アニリン系化合物等の、複素環式共役系のモノマー、オリゴマー、またはポリマー;等が挙げられる。 Examples of the material for the hole injection layer and the hole transport layer include benzine, styrylamine, triphenylamine, porphyrin, triazole, imidazole, oxadiazole, polyarylalkane, phenylenediamine, arylamine, oxazole, anthracene, and fluorenone. , Hydrazone, stilbene, triphenylene, azatriphenylene, and derivatives thereof; polysilane compounds; vinyl carbazole compounds; thiophene compounds, aniline compounds, and the like, heterocyclic conjugated monomers, oligomers, or polymers; It is done.
一実施例では、4,4’−ビス[N−(1−ナフチル)−N−フェニルアミノ]ビフェニル(α−NPD)を使用して、厚さ30nmの正孔注入層兼正孔輸送層22を形成することができる。 In one embodiment, 4,4′-bis [N- (1-naphthyl) -N-phenylamino] biphenyl (α-NPD) is used to form a hole injection layer / hole transport layer 22 having a thickness of 30 nm. Can be formed.
次に、正孔注入層兼正孔輸送層22上に、エッジカバー15の開口15R,15G,15Bを覆うように、発光層23R,23G,23Bをストライプ状に形成する(S3)。発光層23R,23G,23Bは、赤、緑、青の各色別に、所定領域を塗り分けるように蒸着される(塗り分け蒸着)。
Next, light emitting
発光層23R,23G,23Bの材料としては、低分子蛍光色素、金属錯体等の発光効率が高い材料が用いられる。例えば、アントラセン、ナフタレン、インデン、フェナントレン、ピレン、ナフタセン、トリフェニレン、アントラセン、ペリレン、ピセン、フルオランテン、アセフェナントリレン、ペンタフェン、ペンタセン、コロネン、ブタジエン、クマリン、アクリジン、スチルベン、およびこれらの誘導体;トリス(8−キノリノラト)アルミニウム錯体;ビス(ベンゾキノリノラト)ベリリウム錯体;トリ(ジベンゾイルメチル)フェナントロリンユーロピウム錯体;ジトルイルビニルビフェニル;等が挙げられる。
As the material of the
発光層23R,23G,23Bの厚さは、例えば10〜100nmにすることができる。
The thickness of the
本発明の有機EL素子の製造方法及び製造装置は、この発光層23R,23G,23Bの塗り分け蒸着に特に好適に使用することができる。本発明を使用した発光層23R,23G,23Bの形成方法の詳細は後述する。
The manufacturing method and the manufacturing apparatus of the organic EL element of the present invention can be particularly preferably used for the separate vapor deposition of the
次に、正孔注入層兼正孔輸送層22および発光層23R,23G,23Bを覆うように、TFT基板10の表示領域19の全面に電子輸送層24を蒸着法により形成する(S4)。電子輸送層24は、上記した正孔注入層・正孔輸送層の形成工程S2と同様の方法により形成することができる。
Next, an
次に、電子輸送層24を覆うように、TFT基板10の表示領域19の全面に電子注入層25を蒸着法により形成する(S5)。電子注入層25は、上記した正孔注入層・正孔輸送層の形成工程S2と同様の方法により形成することができる。
Next, an
電子輸送層24および電子注入層25の材料としては、例えば、キノリン、ペリレン、フェナントロリン、ビススチリル、ピラジン、トリアゾール、オキサゾール、オキサジアゾール、フルオレノン、およびこれらの誘導体や金属錯体;LiF(フッ化リチウム);等を用いることができる。
Examples of the material of the
前記したように電子輸送層24と電子注入層25とは、一体化された単一層として形成されてもよく、または独立した層として形成されてもよい。各層の厚さは、例えば1〜100nmである。また、電子輸送層24および電子注入層25の合計厚さは、例えば20〜200nmである。
As described above, the
一実施例では、Alq(トリス(8−ヒドロキシキノリン)アルミニウム)を使用して厚さ30nmの電子輸送層24を形成し、LiF(フッ化リチウム)を使用して厚さ1nmの電子注入層25を形成することができる。
In one embodiment, Alq (tris (8-hydroxyquinoline) aluminum) is used to form a 30 nm thick
次に、電子注入層25を覆うように、TFT基板10の表示領域19の全面に第2電極26を蒸着法により形成する(S6)。第2電極26は、上記した正孔注入層・正孔輸送層の形成工程S2と同様の方法により形成することができる。第2電極26の材料(電極材料)としては、仕事関数の小さい金属等が好適に用いられる。このような電極材料としては、例えば、マグネシウム合金(MgAg等)、アルミニウム合金(AlLi、AlCa、AlMg等)、金属カルシウム等が挙げられる。第2電極26の厚さは、例えば50〜100nmである。一実施例では、アルミニウムを用いて厚さ50nmの第2電極26を形成することができる。
Next, the
第2電極26上には、第2電極26を覆うように、外部から酸素や水分が有機EL素子20内に浸入することを阻止するために、保護膜を更に設けてもよい。保護膜の材料としては、絶縁性や導電性を有する材料を用いることができ、例えば窒化シリコンや酸化シリコンが挙げられる。保護膜の厚さは、例えば100〜1000nmである。
A protective film may be further provided on the
以上により、TFT基板10上に、第1電極21、有機EL層27、および第2電極26からなる有機EL素子20を形成できる。
As described above, the
次いで、図1に示すように、有機EL素子20が形成されたTFT基板10と、封止基板40とを、接着層30にて貼り合わせ、有機EL素子20を封入する。封止基板40としては、例えば厚さが0.4〜1.1mmのガラス基板あるいはプラスチック基板等の絶縁基板を用いることができる。
Next, as shown in FIG. 1, the
かくして、有機ELディスプレイ1が得られる。 Thus, the organic EL display 1 is obtained.
このような有機ELディスプレイ1において、配線14からの信号入力によりTFT12をON(オン)させると、第1電極21から有機EL層27へ正孔が注入される。一方、第2電極26から有機EL層27へ電子が注入される。正孔と電子とは発光層23R,23G,23B内で再結合し、エネルギーを失活する際に所定の色の光を出射する。各サブ画素2R,2G,2Bの発光輝度を制御することで、表示領域19に所定の画像を表示することができる。
In such an organic EL display 1, when the
以下に、発光層23R,23G,23Bを塗り分け蒸着により形成する工程S3を説明する。
Below, process S3 which forms the
(新蒸着法)
発光層23R,23G,23Bを塗り分け蒸着する方法として、本発明者らは、特許文献1,2のような、蒸着時に基板と同等の大きさのマスクを基板に固定する蒸着方法に代えて、蒸着源及び蒸着マスクに対して基板を移動させながら蒸着を行う新規な蒸着方法(以下、「新蒸着法」という)を検討した。(New vapor deposition method)
As a method for separately depositing the
図5は、新蒸着法の基本概念を示した斜視図である。 FIG. 5 is a perspective view showing the basic concept of the new vapor deposition method.
蒸着源960と蒸着マスク970とで蒸着ユニット950を構成する。蒸着源960と蒸着マスク970との相対的位置は一定である。基板10が、蒸着マスク970に対して蒸着源960とは反対側を一定速度で一方向10aに移動する。蒸着源960の上面には、それぞれが蒸着粒子991を放出する複数の蒸着源開口961が形成されており、蒸着マスク970には、複数のマスク開口971が形成されている。蒸着源開口961から放出された蒸着粒子991は、マスク開口971を通過して基板10に付着する。発光層23R,23G,23Bの各色別に繰り返して蒸着を行うことにより、発光層23R,23G,23Bの塗り分け蒸着を行うことができる。
The
このような新蒸着法によれば、蒸着マスク970の、基板10の移動方向10aの寸法Dを、基板10の同方向の寸法とは無関係に設定することができる。従って、基板10よりも小さい蒸着マスク970を用いることができる。このため、基板10を大型化しても蒸着マスク970を大型化する必要がないので、蒸着マスク970の自重撓みや延びの問題が発生しない。また、蒸着マスク970やこれを保持するフレーム等が巨大化・重量化することもない。従って、特許文献1,2に記載された従来の蒸着法の問題が解決され、大型基板に対する塗り分け蒸着が可能になる。
According to such a new vapor deposition method, the dimension D of the
しかしながら、本発明者らの更なる検討の結果、図5に示した新蒸着法は、特許文献1,2の蒸着法に比べて、形成される被膜(蒸着膜)の端縁にボヤケが生じやすいという問題があることが判明した。この問題の発生原因を以下に説明する。
However, as a result of further studies by the present inventors, the new vapor deposition method shown in FIG. 5 is blurred at the edge of the formed film (vapor deposition film) as compared with the vapor deposition methods of
図6は、基板10の移動方向10aと平行な方向に沿って見た、図5の蒸着装置の正面図である。図6の紙面の左右方向に、複数の蒸着源開口961及び複数のマスク開口971が並んでいる。各蒸着源開口961から蒸着粒子991はある広がり(指向性)をもって放出される。即ち、図6において、蒸着源開口961から放出される蒸着粒子991の数は、蒸着源開口961の真上方向において最も多く、真上方向に対してなす角度(出射角度)が大きくなるにしたがって徐々に少なくなる。蒸着源開口961から放出された各蒸着粒子991は、それぞれの放出方向に向かって直進する。図6では、蒸着源開口961から放出される蒸着粒子991の流れを矢印で概念的に示している。従って、各マスク開口971には、その真下に位置する蒸着源開口961から放出された蒸着粒子991が最も多く飛来するが、これに限定されず、斜め下方に位置する蒸着源開口961から放出された蒸着粒子991も飛来する。
FIG. 6 is a front view of the vapor deposition apparatus of FIG. 5 viewed along a direction parallel to the moving
図7は、あるマスク開口971を通過した蒸着粒子991によって基板10上に形成される被膜990の、図6と同様に基板10の移動方向10aと平行な方向に沿って見た断面図である。上述したように、様々な方向から飛来した蒸着粒子991がマスク開口971を通過する。基板10の被蒸着面10eに到達する蒸着粒子991の数は、マスク開口971の真上の領域で最も多く、これから遠くなるにしたがって徐々に少なくなる。従って、図7に示すように、基板10の被蒸着面10eには、マスク開口971の真上の領域に、厚さが一定且つ最大である一定厚み部分990cが形成され、その両側に、一定厚み部分990cより遠くなるにしたがって徐々に薄くなる厚み漸減部分990eが形成される。そして、この厚み漸減部分990eが被膜990の端縁のボヤケを生じさせる。
FIG. 7 is a cross-sectional view of the
厚み漸減部分990eの幅Weを小さくするためには、蒸着マスク970と基板10との間隔を小さくすればよい。しかしながら、新蒸着法では、蒸着マスク970に対して基板10を相対的に移動させる必要があるので、蒸着マスク970と基板10との間隔をゼロにすることはできない。
In order to reduce the width We of the gradually decreasing
厚み漸減部分990eの幅Weが大きいと、隣の異なる色の発光層材料が付着して「混色」を生じさせる。混色を生じさせないために、隣り合う発光層の間隔を拡大すれば解像度が低下し、また、発光層の幅を狭くすれば開口率が低下し輝度が低下してしまう。
When the width We of the gradually decreasing
本発明者らは、新蒸着法の上記の問題を解決するべく鋭意検討し、本発明を完成するに至った。以下に、本発明の好適な実施形態を説明する。 The present inventors diligently studied to solve the above problems of the new vapor deposition method, and have completed the present invention. The preferred embodiments of the present invention will be described below.
(実施形態1)
図8は、本発明の実施形態1に係る有機EL素子の製造装置の概略構成を示した斜視図である。図9は、本実施形態1に係る有機EL素子の製造装置を、基板10の幅方向(第2方向)と垂直な方向に沿って見た正面図である。以下の説明の便宜のため、基板10の幅方向に沿った水平方向軸をX軸、X軸と垂直な水平方向軸をY軸、X軸及びY軸に平行な上下方向軸をZ軸とするXYZ直交座標系を設定する。XY面は基板10の被蒸着面10eと平行である。(Embodiment 1)
FIG. 8 is a perspective view showing a schematic configuration of the organic EL element manufacturing apparatus according to Embodiment 1 of the present invention. FIG. 9 is a front view of the organic EL element manufacturing apparatus according to Embodiment 1 as viewed along a direction perpendicular to the width direction (second direction) of the
蒸着源60に対してZ軸方向に対向して蒸着マスク70が配置されている。蒸着源60と蒸着マスク70との間に複数の制限板81が配置されている。蒸着源60、蒸着マスク70、複数の制限板81の相対的位置は少なくとも塗り分け蒸着を行う期間中は一定であり、これらは蒸着ユニット50を構成する。複数の制限板81は、お互いの相対的位置や姿勢は一定に維持されるように、図示しない治具等によって保持されていてもよく、又は、一体化(例えば後述する図21参照)されていてもよい。
A
基板10は、保持装置55により保持される。保持装置55としては、例えば、基板10の被蒸着面10eとは反対側の面を静電気力で保持する静電チャックを用いることができる。これにより、基板10の自重による撓みが実質的にない状態で基板10を保持することができる。但し、基板10を保持する保持装置55は、静電チャックに限定されず、これ以外の装置であってもよい。
The
保持装置55に保持された基板10は、移動機構56によって、蒸着マスク70に対して蒸着源60とは反対側を、蒸着マスク70から一定間隔だけ離間した状態で、一定速度で一方向(第1方向)10aに移動(走査)される。本実施形態1では、基板10の移動方向は、Y軸の正の方向と一致する。但し、基板10の移動は、往復移動であってもよく、あるいは、いずれか一方のみに向かう単方向移動であってもよい。移動機構56の構成は特に制限はない。例えばモータで送りネジを回転させる送りネジ機構やリニアモータ等、公知の搬送駆動機構を用いることができる。
The
上記の蒸着ユニット50と、基板10と、基板10を保持する保持装置55と、基板10を移動させる移動機構56とは、図示しない真空チャンバ内に収納される。真空チャンバは密封された容器であり、その内部空間は減圧されて所定の低圧力状態に維持される。
The
本実施形態では、蒸着源60と複数の制限板81とは離間している。また、複数の制限板81と蒸着マスク70とは離間している。これは、放熱のため、及び、隣り合う制限板81に挟まれた空間を所定の真空度に維持するためである。これらの観点において問題がないのであれば、蒸着源60と複数の制限板81とは接触又は一体化されていてもよく、及び/又は、複数の制限板81と蒸着マスク70とは接触又は一体化されていてもよい。
In the present embodiment, the
蒸着源60は、その上面(即ち、蒸着マスク70に対向する面)に、複数の蒸着源開口61を備える。複数の蒸着源開口61は、X軸に沿って等間隔で配置されている。各蒸着源開口61は、Z軸に沿って上方に向かって開口しており、蒸着マスク70に向かって、発光層の材料となる蒸着粒子91を放出する。
The
蒸着マスク70には、X軸方向の異なる位置に複数のマスク開口71が形成されている。複数のマスク開口71はX軸方向に沿って配置されている。蒸着源開口61から放出された蒸着粒子91は、マスク開口71を通過して、基板10の被蒸着面(即ち、基板10の蒸着マスク70に対向する側の面)10eに付着して被膜90を形成する。
In the
複数の制限板81は、X軸方向に沿って、X軸方向の異なる位置に配置されている。複数の制限板81は、同一寸法の薄板であり、各制限板81は、基板10の被蒸着面10eに対して垂直であり、且つ、Y軸方向と平行である。
The plurality of limiting
図10は、蒸着ユニット50をZ軸に沿って蒸着マスク70の側から見た平面図である。蒸着源60、複数の制限板81、蒸着マスク70の相対的関係が理解できるように、透視図として示している。
FIG. 10 is a plan view of the
図10に示されているように、複数の制限板81は、X軸方向に、複数の蒸着源開口61と同一ピッチで配置されている。Z軸と平行な方向に沿って見たとき、X軸方向に隣り合う一対の制限板81の間に1つの蒸着源開口61が配置される。各蒸着源開口61のX軸方向位置は、これをX軸方向に挟む一対の制限板81のX軸方向の中央位置に一致する。また、Z軸と平行な方向に沿って見たとき、X軸方向に隣り合う一対の制限板81の間に複数のマスク開口71が配置されている。各マスク開口71は、Y軸方向を長手方向とするスリット状の開口である。各マスク開口71のY軸方向の中央位置は、蒸着源開口61のY軸方向位置と一致する。X軸方向に隣り合う一対の制限板81と、一対の制限板81の間に配された1つの蒸着源開口61と、一対の制限板81の間に配された複数のマスク開口71とは、1つの蒸着ブロック51を構成する。本発明の蒸着ユニット50は、X軸方向に沿って配置された複数の蒸着ブロック51を備える。複数の蒸着ブロック51は同一構成を有する。
As shown in FIG. 10, the plurality of limiting
以上のように構成された本実施形態の有機EL素子の製造装置を用いて、発光層23R,23G,23Bは以下のようにして形成される。
Using the organic EL element manufacturing apparatus of the present embodiment configured as described above, the
蒸着源60の複数の蒸着源開口61から蒸着粒子91を放出した状態において、基板10をY軸方向に移動させる。各蒸着ブロック51において、蒸着源開口61から放出された蒸着粒子91は、X軸方向に隣り合う一対の制限板81の間を通過し、更に、蒸着マスク70に形成された複数のマスク開口71を通過して、基板10の被蒸着面10eに到達する。その結果、基板10の被蒸着面10eに蒸着粒子91が付着して、Y軸方向に平行な複数のストライプ状の被膜90が形成される。複数の被膜90のX軸方向位置及び幅(X軸方向寸法)は、蒸着源開口61と、マスク開口71と、基板10の被蒸着面10eとの相対的な位置関係や、マスク開口71の幅(X軸方向寸法)などによって決定される。被膜90の厚さは、蒸着源開口61から放出される蒸着粒子量、マスク開口71の長さ(Y軸方向寸法)、及び、基板10の蒸着ユニット50に対する相対速度などによって決定される。
In a state where the
赤、緑、青の各色別に蒸着材料91を変えて3回の蒸着(塗り分け蒸着)を行うことにより、基板10の被蒸着面10eに赤、緑、青の各色に対応したストライプ状の被膜90(即ち、発光層23R,23G,23B)を形成することができる。
By changing the
本実施形態の有機EL素子の製造装置の効果を説明する。 The effects of the organic EL device manufacturing apparatus of this embodiment will be described.
図5及び図6に示した新蒸着法では、蒸着源開口961から斜め方向に放出された蒸着粒子991が、この蒸着源開口961から遠く離れたマスク開口971を通過して基板10に到達する。換言すれば、各マスク開口971を、複数の蒸着源開口961から飛来した蒸着粒子991が通過する。従って、図7に示したような厚み漸減部分990eが生じ、被膜990の端縁のボヤケを生じさせる。
In the new vapor deposition method shown in FIGS. 5 and 6,
本実施形態においても、上記の新蒸着法と同様に、蒸着源開口61から蒸着粒子91がある広がり(指向性)をもって放出される。図9では、蒸着源開口61から放出される蒸着粒子91の流れを矢印で概念的に示している。しかしながら、本実施形態では、蒸着源60と蒸着マスク70との間に複数の制限板81が配置されている。従って、図9に示されているように、蒸着源開口61から放出された蒸着粒子91のうち、その速度ベクトルのX軸方向成分が大きな蒸着粒子91は、制限板81に衝突し付着して、マスク開口71に到達することはできない。即ち、制限板81は、XZ面への投影図において、マスク開口71に入射する蒸着粒子91の入射角度を制限する。ここで、「入射角度」は、XZ面への投影図において、蒸着粒子91の進行方向がZ軸に対してなす角度で定義される。このように、本実施形態では、大きな入射角度でマスク開口71を通過する蒸着粒子91が低減する。従って、図7に示した厚み漸減部分990eの幅Weが小さくなり、好ましくは厚み漸減部分990eが実質的に発生しなくなるので、ストライプ状の被膜90の両側の端縁のボヤケの発生が大幅に抑制される。また、マスク開口71に対する被膜90のX軸方向における位置ズレ量を小さく抑えることができる。
Also in this embodiment, similarly to the above-described new vapor deposition method, the
制限板81として薄板を用いることにより、X軸方向に隣り合う制限板81間の間隔を大きくすることができる。これにより、制限板81間の開口面積が大きくなるので、制限板81に付着する蒸着粒子量を少なくすることができ、その結果、蒸着材料の無駄を少なくすることができる。また、制限板81に蒸着材料が付着することによる目詰まりが発生しにくくなるので、長時間の連続使用が可能となり、有機EL素子の量産性が向上する。更に、制限板81間の開口面積が大きいので、制限板81に付着した蒸着材料の洗浄が容易であり、保守が簡単となり、生産におけるストップロスが少なく、量産性が更に向上する。
By using a thin plate as the limiting
複数の制限板81は、構造が簡単であり、また、ミクロンオーダーの微細加工は不要であるので、製作が容易であり、低コストである。
The plurality of limiting
本実施形態のように、1つの蒸着源開口61に対して、一対の制限板81及び複数のマスク開口71を配置して蒸着ブロック51を構成し、この蒸着ブロック51を複数配置することにより、高精度且つ高裕度の設計が可能となる。そして、基板10の被蒸着面10eに、広範囲に亘って均一な被膜90を形成することができる。
Like this embodiment, with respect to one vapor deposition source opening 61, a pair of limiting
図11は、蒸着源開口61を通るXZ面に平行な面(図10の11−11線を含む面)での蒸着ブロック51内の蒸着粒子91の流れを示した断面図である。また、図12は、蒸着源開口61を通り、XZ面に対して45度をなす面(図10の12−12線を含む面)での蒸着ブロック51内の蒸着粒子91の流れを示した断面図である。
FIG. 11 is a cross-sectional view showing the flow of the
好ましくは、図11、図12に示されているように、制限板81は、この制限板81に対してX軸方向の一方の側に位置する蒸着源開口61から放出された蒸着粒子91が、他方の側に位置するマスク開口71に入るのを防止する。これにより、各蒸着ブロック51に属するいずれのマスク開口71にも、当該蒸着ブロック51に属する蒸着源開口61から飛来した蒸着粒子91のみが入射し、例えばX軸方向に隣に位置する蒸着ブロック51に属する蒸着源開口61から飛来した蒸着粒子91は入射しない。
Preferably, as shown in FIGS. 11 and 12, the limiting
従って、蒸着源開口61の真上方向に位置するマスク開口71には、蒸着粒子91はZ軸とほぼ平行に入射するので、基板10の被蒸着面10eに、当該マスク開口71の開口幅とほぼ同一幅のストライプ状の被膜90が、当該マスク開口71のほぼ真上の位置に形成される。この被膜90は、その真下に位置する蒸着源開口61から飛来した蒸着粒子91のみによって形成されるから、被膜90の両側の端縁にはボヤケはほとんど発生しない。
Accordingly, since the
一方、蒸着源開口61に対して斜め上方に位置するマスク開口71には、蒸着粒子91は相対的に大きな入射角度で入射する。従って蒸着粒子91は、基板10の被蒸着面10eに、当該マスク開口71の真上の位置より外側(蒸着源開口61を通りZ軸と平行な直線からX軸方向に遠くなる側)に僅かに外れた位置に形成される。
On the other hand, the
図6に示した新蒸着法では、1つのマスク開口971を、複数の蒸着源開口961から飛来した蒸着粒子91が通過するので、基板10の被蒸着面には、当該複数の蒸着源開口961に一対一に対応する複数の被膜が幅方向に僅かにずれて重畳されて被膜990が形成される。これが被膜990の両側に厚み漸減部分990eが形成される原因となっていた。
In the new vapor deposition method shown in FIG. 6, since the
これに対して、本実施形態では、各マスク開口71を通過する蒸着粒子91は、このマスク開口71が属する蒸着ブロック51に属するただ1つの蒸着源開口61から飛来したものに限られる。従って、基板10の被蒸着面10eに形成されるいずれの被膜90も、単一の蒸着源開口61から飛来した蒸着粒子91のみによって形成される。よって、蒸着源開口61に対して斜め上方に位置するマスク開口71に対応して形成されるストライプ状の被膜90についても、その両側の端縁にはボヤケはほとんど発生しない。また、マスク開口71に入射する蒸着粒子91の入射角度は所定の上限値以下であるから、マスク開口71とこれに対応する被膜90のとのX軸方向における位置ズレ量は小さい。
On the other hand, in this embodiment, the
図13は、蒸着ブロック51をZ軸に沿って蒸着マスク70の側から見た平面図である。蒸着ブロック51を構成する蒸着源開口61、一対の制限板81、マスク開口71のみを透視図として示している。図13に示す蒸着ブロック51が、図10に示すようにX軸方向に繰り返して配置されている。なお、図10は簡単化されており、マスク開口71の個数は図13と一致していない。図13を用いて、マスク開口71の好ましい構成を説明する。
FIG. 13 is a plan view of the
図11において説明したように、本実施形態では、蒸着源開口61に対して真上に位置するマスク開口71を通過した蒸着粒子91によって形成される被膜90のX軸方向位置は、当該マスク開口71のX軸方向位置と一致する。一方、蒸着源開口61のX軸方向位置からX軸方向にずれた位置のマスク開口71を通過した蒸着粒子91によって形成される被膜90のX軸方向位置は、当該マスク開口71に対して蒸着源開口61のX軸方向位置とは反対側にずれる。マスク開口71とこれに対応する被膜90のとのX軸方向における位置ズレ量は、マスク開口71と蒸着源開口61とのX軸方向における距離に比例する。
As described with reference to FIG. 11, in the present embodiment, the X-axis direction position of the
そこで、本実施形態では、蒸着ブロック51を構成する複数のマスク開口71のX軸方向におけるピッチは、基板10の被蒸着面10eに形成しようとする複数のストライプ状の被膜90のX軸方向におけるピッチよりも小さく設定される。更に、図13に示すように、蒸着ブロック51を構成する複数のマスク開口71のX軸方向におけるピッチは一定である。ここで、マスク開口71及び被膜90のX軸方向におけるピッチは、マスク開口71及び被膜90のX軸方向の中央位置を通るY軸方向に平行な中心軸のX軸方向間隔によって定義される。このような好ましい構成により、基板10の被蒸着面に、複数のストライプ状の被膜90を、X軸方向に等ピッチで容易に形成することができる。本実施形態がこのように等ピッチの被膜90を容易に形成することができるのは、制限板81によって、マスク開口71を通過できる蒸着粒子91を放出する蒸着源開口61を制限したためである。上記の構成において、複数のマスク開口71のX軸方向における最適ピッチは、蒸着源開口61と蒸着マスク70と基板10との相対的な位置関係や、蒸着マスク70の厚さ、マスク開口71の内周面のXZ断面図での形状、形成しようとする複数の被膜90のX軸方向位置などを考慮して幾何学的計算により容易に得ることができる。
Therefore, in this embodiment, the pitch in the X-axis direction of the plurality of
蒸着マスク70はある厚みを有している。従って、図11より理解できるように、蒸着源開口61から見たマスク開口71の実効幅Wxは、当該マスク開口71のX軸方向位置によって異なる。より詳細には、蒸着源開口61の真上に位置するマスク開口71の実効幅Wxは、当該マスク開口71のX軸方向寸法とほぼ同じであるが、マスク開口71が蒸着源開口61の真上の位置からX軸方向に遠ざかるにしたがって、マスク開口71の実効幅Wxは、当該マスク開口71のX軸方向寸法よりも小さくなる。ここで、マスク開口71の「実効幅Wx」とは、マスク開口71を通過できる蒸着粒子91の流れの束(蒸着粒子流束)のX軸方向幅で定義される。
The
そこで、本実施形態では、図13に示したように、マスク開口71の幅(即ち、X軸方向寸法)を、蒸着源開口61の真上に位置するマスク開口71で最も小さくし、蒸着源開口61のX軸方向位置からX軸方向により遠くに位置するマスク開口71ほど(即ち、マスク開口71と制限板81とのX軸方向距離が小さくなるにしたがって)大きくしている。蒸着源開口61の真上に位置するマスク開口71の幅は、形成しようとする被膜90の幅とほぼ同じに設定される。このような構成により、蒸着ブロック51に属する全てのマスク開口71の実効幅Wxが同一になるので、基板10の被蒸着面上に、同一幅の複数のストライプ状の被膜90を容易に形成することができる。本実施形態がこのように同一幅の被膜90を容易に形成することができるのは、制限板81によって、マスク開口71を通過できる蒸着粒子91を放出する蒸着源開口61を制限したためである。上記の構成において、複数のマスク開口71のそれぞれの最適幅は、蒸着源開口61とマスク開口71と基板10との相対的な位置関係や、蒸着マスク70の厚さ、マスク開口71の内周面のXZ断面図での形状、形成しようとする複数の被膜90のX軸方向位置や幅などを考慮して幾何学的計算により容易に得ることができる。
Therefore, in the present embodiment, as shown in FIG. 13, the width of the mask opening 71 (that is, the dimension in the X-axis direction) is made the smallest at the
上述したように、蒸着源開口61から蒸着粒子91はある広がり(指向性)をもって放出される。即ち、蒸着源開口61から放出される蒸着粒子91の数は、蒸着源開口61の開口方向(即ち、Z軸と平行な方向)において最多となり、開口方向となす角度(出射角度)が大きくなるにしたがって徐々に少なくなる。従って、図13のようにZ軸と平行な方向に沿って見たとき、マスク開口71を通過する蒸着粒子の密度(XY面と平行な単位面積を通過する蒸着粒子の数)は、蒸着源開口61からX軸方向に遠いマスク開口71ほど少なくなる。
As described above, the
そこで、本実施形態では、図13に示すように、マスク開口71の長さ(即ち、Y軸方向寸法)を、蒸着源開口61の真上に位置するマスク開口71で最も短くし、蒸着源開口61のX軸方向位置からX軸方向により遠くに位置するマスク開口71ほど(即ち、マスク開口71と制限板81とのX軸方向距離が小さくなるにしたがって)長くしている。マスク開口71の長さは、基板10をY軸方向に移動させたときに、マスク開口71を通過した蒸着粒子にさらされる時間に比例するので、上記のようにマスク開口71の長さを異ならせることにより、マスク開口71を通過する蒸着粒子数が蒸着ブロック51に属する全てのマスク開口71間で同じになる。従って、基板10の被蒸着面10e上に、同一厚さの複数のストライプ状の被膜90を容易に形成することができる。本実施形態がこのように同一厚さの被膜90を容易に形成することができるのは、制限板81によって、マスク開口71を通過できる蒸着粒子91を放出する蒸着源開口61を制限したためである。上記の構成において、複数のマスク開口71のそれぞれの最適長さは、蒸着源開口61とマスク開口71と基板10との相対的な位置関係や、蒸着マスク70の厚さ、マスク開口71の内周面のXZ断面図での形状、形成しようとする複数の被膜90のX軸方向位置などを考慮して幾何学的計算により容易に得ることができる。
Therefore, in the present embodiment, as shown in FIG. 13, the length of the mask opening 71 (that is, the dimension in the Y-axis direction) is the shortest at the
上記の実施形態は一例であって、適宜変更することができる。 The above embodiment is an example, and can be changed as appropriate.
例えば、上記の実施形態では、蒸着源開口61のX軸方向ピッチと制限板81のX軸方向ピッチとが同一であるが、本発明はこれに限定されない。例えば、制限板81のX軸方向ピッチを蒸着源開口61のX軸方向ピッチの整数倍にして、X軸方向に隣り合う一対の制限板81の間に複数の蒸着源開口61を配置してもよい。
For example, in the above embodiment, the X-axis direction pitch of the vapor
制限板81のX軸方向に沿って見た形状は、矩形である必要はなく、例えば、蒸着源60側の辺が小さく、蒸着マスク70側の辺が大きな、略台形であってもよい。また、制限板81は、平板である必要はなく、例えば屈曲または湾曲していてもよく、あるいは波板であってもよい。
The shape of the limiting
制限板81の厚さ(X軸方向寸法)は、マスク開口71を実質的に塞ぐことがなく、基板10の所望する位置に被膜90を形成することができれば、任意に設定することができる。また、制限板81の厚さは一定である必要はなく、例えば、蒸着源60側で厚く、蒸着マスク70側で薄い、テーパ状断面を有していてもよい。
The thickness (dimension in the X-axis direction) of the limiting
複数の制限板81のZ軸方向及びY軸方向の寸法は、特に制限はない。蒸着源開口61から、隣の蒸着ブロック51に属するマスク開口71が見通すことができないように、制限板81の寸法が設定されていることが好ましい。更に、制限板81の下端を蒸着源60にまで延長し、及び/又は、制限板81の上限を蒸着マスク70にまで延長してもよい。この場合には、隣の蒸着ブロック51からの蒸着粒子の侵入を大幅に低減することができるので、混色を大幅に低減することができ、発光層の配置など有機EL素子の設計の裕度が向上する。
The dimensions of the plurality of limiting
制限板81を冷却してもよい。これにより、制限板81に付着した蒸着粒子が再蒸発するのを防ぐことができるので、マスク開口71を通過する蒸着粒子91の進行方向や量の管理が容易になり、その結果、高品位の被膜90を形成することができる。制限板81を冷却する方法は特に制限はないが、例えば水冷方式を用いることができる。制限板81自身に冷却装置を取り付けてもよいし、制限板81を保持する治具などに冷却装置を取り付けて熱伝導を利用して制限板81を冷却してもよい。
The limiting
制限板81の作成方法は特に制限はない。例えば、複数の制限板81を別個に作成し、これを治具等に溶接等により固定してもよい。あるいは、後述する制限板ブロック85(図21参照)のように、厚板に複数の貫通穴を一直線上に形成して、隣り合う貫通穴間の隔壁を制限板81として利用してもよい。
There are no particular restrictions on the method of creating the limiting
蒸着マスク70に形成したマスク開口71のパターンは上記の実施形態に限定されない。マスク開口71のパターンは、蒸着源開口61と蒸着マスク70と基板10との相対的な位置関係、蒸着マスク70の厚さ、マスク開口71の内周面のXZ断面図での形状、形成しようとする複数の被膜90のX軸方向位置や幅などを考慮した幾何学的計算により算出することができる。従って、マスク開口71のパターンを上記の実施形態以外に自由に設計変更することが可能である。
The pattern of the
上記の実施形態では、蒸着源開口61の開口形状は、小径の円形穴であるが、本発明はこれに限定されない。例えば、楕円形、矩形、スリット状などの任意の形状の穴であってもよい。また、開口の寸法も任意に設定することができる。但し、蒸着源開口61の開口形状や寸法に応じて、蒸着源開口61から放出される蒸着粒子の広がり(指向性)が変わるので、制限板81やマスク開口71の設計を見直す必要が生じる可能性がある。
In the above embodiment, the opening shape of the vapor deposition source opening 61 is a small-diameter circular hole, but the present invention is not limited to this. For example, the hole may be an arbitrary shape such as an ellipse, a rectangle, or a slit. Moreover, the dimension of an opening can also be set arbitrarily. However, since the spread (directivity) of the vapor deposition particles emitted from the vapor deposition source opening 61 changes depending on the shape and size of the vapor deposition source opening 61, it is necessary to review the design of the limiting
蒸着源開口61が放出する蒸着粒子91の広がり(指向性)の程度は、自由に設定することができる。蒸着粒子91の広がりに応じて、制限板81やマスク開口71を適宜変更することができる。
The degree of spread (directivity) of the
上記の実施形態では、蒸着ブロック51を、X軸と平行な一直線上に並べて配置したが、本発明はこれに限定されない。例えば、千鳥配置してもよく(例えば後述する図14参照)、また、X軸と平行な直線に沿って並んだ蒸着ブロック51の列をY軸方向に複数配置してもよい(例えば後述する図14、図17、図19、図20を参照)。 In the above embodiment, the vapor deposition blocks 51 are arranged on a straight line parallel to the X axis, but the present invention is not limited to this. For example, a zigzag arrangement may be used (see, for example, FIG. 14 described later), and a plurality of columns of the vapor deposition blocks 51 arranged along a straight line parallel to the X axis may be arranged in the Y axis direction (for example, described later). (See FIGS. 14, 17, 19, and 20).
上記の実施形態では、不動の蒸着ユニット50に対して基板10が移動したが、本発明はこれに限定されず、蒸着ユニット50及び基板10のうちの一方を他方に対して相対的に移動させればよい。例えば、基板10の位置を一定とし、蒸着ユニット50を移動させてもよく、あるいは、蒸着ユニット50及び基板10の両方を移動させてもよい。
In said embodiment, although the board |
上記の実施形態では、蒸着ユニット50の上方に基板10を配置したが、蒸着ユニット50と基板10との相対的位置関係はこれに限定されない。例えば、蒸着ユニット50の下方に基板10を配置してもよく、あるいは、蒸着ユニット50と基板10とを水平方向に対向して配置してもよい。
In said embodiment, although the board |
(実施形態2)
実施形態1と相違する点を中心に本実施形態2を説明する。(Embodiment 2)
The second embodiment will be described with a focus on differences from the first embodiment.
図14は、本発明の実施形態2に係る有機EL素子の製造装置を構成する蒸着ユニット50をZ軸に沿って蒸着マスク70側から見た平面図である。図10と同様に、蒸着源60、複数の制限板81、蒸着マスク70の相対的関係が理解できるように、透視図として示している。
FIG. 14 is a plan view of the
本実施形態では、蒸着源60に形成された複数の蒸着源開口61が2列に千鳥配置されている点で、実施形態1と異なる。即ち、図14に示すように、蒸着ユニット50に対する基板10の移動方向の上流側の第I列に、複数の蒸着源開口61がX軸と平行な方向に等ピッチで配置されており、蒸着ユニット50に対する基板10の移動方向の下流側の第II列に、複数の蒸着源開口61がX軸と平行な方向に等ピッチで配置されている。第I列と第II列とで、蒸着源開口61のX軸方向のピッチは同一である。但し、X軸方向には、第I列の蒸着源開口61と第II列の蒸着源開口61とが交互に配置されている。
The present embodiment is different from the first embodiment in that a plurality of vapor
実施形態1と同様に、第I列及び第II列のそれぞれにおいて、蒸着源開口61のそれぞれをX軸方向に挟むように、複数の制限板81がX軸方向に沿ってX軸方向の異なる位置に配置されている。
As in the first embodiment, in each of the first row and the second row, the plurality of limiting
第I列の制限板81と第II列の制限板81との間に、X軸方向に延びた第2制限板82が設けられている。第I列の制限板81の第II列側の端縁と、第II列の制限板81の第I列側の端縁とは、第2制限板82に接続されている。第2制限板82のZ軸方向の上側端縁は複数の制限板81のZ軸方向の上側端縁よりも蒸着マスク70側に突出しており、第2制限板82のZ軸方向の下側端縁は複数の制限板81のZ軸方向の下側端縁よりも蒸着源60側に突出している(後述する図15を参照)。
A second limiting
蒸着マスク70には、実施形態1と同様に、各蒸着源開口61に対応して複数のマスク開口71が形成されている。複数のマスク開口71も、X軸と平行な第I列及び第II列の2列に沿って配置されている。第I列と第II列とではマスク開口71のX軸方向位置は異なる。各マスク開口71は、Y軸方向を長手方向とするスリット状の開口である。蒸着マスク70に形成された複数のマスク開口71は、基板10の被蒸着面に形成しようとする複数のストライプ状の被膜10に一対一に対応する。
In the
実施形態1と同様に、本実施形態においても、X軸方向に隣り合う一対の制限板81と、一対の制限板81の間に配された1つの蒸着源開口61と、一対の制限板81の間に配された複数のマスク開口71とは、1つの蒸着ブロック51を構成する。本実施形態では、複数の蒸着ブロック51が千鳥配置されている。
Similar to the first embodiment, also in the present embodiment, a pair of limiting
図15は、蒸着源開口61を通るXZ面に平行な面(図14の15−15線を含む面)での蒸着ブロック51内の蒸着粒子91の流れを示した断面図である。本実施形態においても、実施形態1と同様に、制限板81は、XZ面への投影図において、マスク開口71に入射する蒸着粒子91の入射角度を制限する。好ましくは、制限板81は、この制限板81に対してX軸方向の一方の側に位置する蒸着源開口61から放出された蒸着粒子91が、他方の側に位置するマスク開口71に入るのを防止する。図15は第II列を構成する蒸着源開口61内での蒸着粒子91の流れを示したが、第I列を構成する蒸着源開口61内での蒸着粒子91の流れも図15と同じである。
15 is a cross-sectional view showing the flow of the
また、図示を省略するが、第2制限板82は、第2制限板82に対してY軸方向の一方の側において蒸着源開口61から放出された蒸着粒子が、Y軸方向の他方の側に配置されたマスク開口71に入るのを防止する。好ましくは、第I列の蒸着ブロック51と第II列の蒸着ブロック51との間で蒸着粒子の行き来を防止する。本実施形態では、複数の蒸着ブロック51が千鳥配置されているので、第2制限板82は、制限板81と同様に、XZ面への投影図において、マスク開口71に入射する蒸着粒子の入射角度を制限する。
Although not shown, the second limiting
本実施形態においても、実施形態1と同様に、複数の蒸着源開口61から蒸着粒子91を放出した状態において、基板10をY軸方向に移動させることで、基板10の被蒸着面10eに蒸着粒子91を付着させ、Y軸方向に平行な複数のストライプ状の被膜90を形成する。
Also in the present embodiment, as in the first embodiment, in a state where the
本実施形態によれば、制限板81及び第2制限板82を設けたことにより、実施形態1と同様に、基板10の被蒸着面10eに形成されるストライプ状の被膜90の両側の端縁のボヤケの発生を抑制することができる。
According to the present embodiment, by providing the limiting
更に、本実施形態は以下の効果を奏する。 Furthermore, this embodiment has the following effects.
本実施形態では、複数の蒸着ブロック51が千鳥配置されているので、X軸方向に並ぶ蒸着ブロック51(あるいは蒸着源開口61)のX軸方向ピッチを、実施形態1よりも大きくすることができる。即ち、X軸方向に隣り合う2つの蒸着ブロック51のうちの一方に属する蒸着源開口61と、他方に属するマスク開口71とのX軸方向距離を、実施形態1よりも大きくすることができる。従って、制限板81に対してX軸方向の一方の側に配置された蒸着源開口61から放出された蒸着粒子91が、制限板81を越えて、他方の側に配置されたマスク開口71に入る可能性は、実施形態1よりも低い。よって、制限板81に対する設計の自由度が実施形態1よりも広がる。例えば、制限板81のZ軸方向の寸法を短くしたり、X軸方向に隣り合う制限板81間の間隔を大きくしたり、制限板81の厚さ(X軸方向寸法)を厚くしたりすることが可能となり、制限板81の設計、製作、保守等が容易になる。
In the present embodiment, since the plurality of vapor deposition blocks 51 are arranged in a staggered manner, the pitch in the X-axis direction of the vapor deposition blocks 51 (or the vapor deposition source openings 61) arranged in the X-axis direction can be made larger than that in the first embodiment. . That is, the distance in the X-axis direction between the vapor deposition source opening 61 belonging to one of the two vapor deposition blocks 51 adjacent in the X-axis direction and the
設計に関しては、制限板81自身の設計が容易になることに加えて、その周辺構造の設計も容易になる。例えば、制限板81のZ軸方向の寸法を短くすることにより、制限板81と蒸着源60との間、または、制限板81と蒸着マスク70との間に、蒸着の開始/停止を切り替えるシャッターを配置することが容易になる。また、X軸方向に隣り合う制限板81間の間隔を大きくしたり、制限板81の厚さを厚くしたりすることにより、制限板81を冷却するために冷却装置(例えば冷却水が通過する冷却水配管)を制限板81に設置することが容易になる。
Regarding design, in addition to the design of the limiting
製作に関しては、実施形態1に比べて、隣り合う制限板81の間隔を大きくし、且つ、要求される寸法精度を緩和することができるので、簡単且つ低コストで制限板81を製作できる。
As for manufacturing, compared to the first embodiment, the interval between adjacent limiting
保守に関しては、制限板81間の開口面積を拡大することができるので、目詰まりが発生しにくく、長時間の連続使用が可能になるので、有機EL素子の量産性が向上する。また、制限板81に付着した蒸着材料を容易に洗浄して除去することができるようになるので、保守が簡単となり、量産時のストップロスが少なく、量産性が更に向上する。
Regarding maintenance, since the opening area between the restricting
また、制限板81のZ軸方向の寸法を短くしたり、X軸方向に隣り合う制限板81間の間隔を拡大したりすることにより、制限板81に付着する蒸着材料の量を少なくすることができるので、蒸着材料の無駄を少なくすることができる。
Further, the amount of vapor deposition material adhering to the limiting
また、X軸方向に隣り合う蒸着ブロック51間で蒸着粒子91の行き来が実施形態1よりも少なくなるので、基板10の被蒸着面10eに形成されるストライプ状の被膜90の両側の端縁のボヤケの発生を更に抑制することができ、有機EL素子をより高精度で作成することができる。
Further, since the number of
また、X軸方向に隣り合う蒸着ブロック51間で蒸着粒子91の行き来が実施形態1よりも少なくなるので、蒸着源60に設けることができる蒸着源開口61のX軸方向ピッチを狭くすることができる。従って、蒸着レートを向上させることができ、スループットが向上する。また、薄膜50のX軸方向ピッチの微細化にも容易に対応することができ、高解像度の有機ELディスプレイを容易に製造することができる。
Further, since the number of
図16は、蒸着ブロック51をZ軸に沿って蒸着マスク70の側から見た平面図である。図13と同様に、蒸着ブロック51を構成する蒸着源開口61、制限板81、第2制限板82、マスク開口71のみを透視図として示している。なお、図14は簡単化されており、マスク開口71の個数は図16と一致していない。本実施形態のマスク開口71のパターン(即ち、ピッチ、幅、長さ)は、実施形態1と同様の考え方に基づいて設計されている。これを以下に説明する。
FIG. 16 is a plan view of the
蒸着ブロック51を構成する複数のマスク開口71のX軸方向におけるピッチは、基板10の被蒸着面に形成しようとする複数のストライプ状の被膜90のX軸方向におけるピッチよりも小さいことが好ましい(図15参照)。更に、蒸着ブロック51を構成する複数のマスク開口71のX軸方向におけるピッチは一定であることが好ましい。このような好ましい構成により、基板10の被蒸着面に、複数のストライプ状の被膜90を、X軸方向に等ピッチで容易に形成することができる。
The pitch in the X-axis direction of the plurality of
また、マスク開口71の幅(X軸方向寸法)は、蒸着源開口61の真上に位置するマスク開口71で最も小さく、蒸着源開口61のX軸方向位置からX軸方向により遠くに位置するマスク開口71ほど大きいことが好ましい。このような構成により、基板10の被蒸着面上に、同一幅の複数のストライプ状の被膜90を容易に形成することができる。
Further, the width (dimension in the X-axis direction) of the
更に、マスク開口71の長さ(Y軸方向寸法)は、蒸着源開口61の真上に位置するマスク開口71で最も短く、蒸着源開口61のX軸方向位置からX軸方向により遠くに位置するマスク開口71ほど長いことが好ましい。このような好ましい構成により、基板10の被蒸着面上に、同一厚さの複数のストライプ状の被膜90を容易に形成することができる。
Further, the length (dimension in the Y-axis direction) of the
本実施形態によれば、上述したように、第I列及び第II列のそれぞれにおいて蒸着ブロック51のX軸方向ピッチを、実施形態1よりも大きくすることができる。従って、X軸方向に隣り合う一対の蒸着ブロック51に属する2群のマスク開口間の間隔が大きくなるので、マスク開口パターンの設計の自由度が増す。 According to the present embodiment, as described above, the pitch in the X-axis direction of the vapor deposition blocks 51 in each of the first column and the second column can be made larger than that in the first embodiment. Accordingly, since the distance between the two groups of mask openings belonging to the pair of vapor deposition blocks 51 adjacent in the X-axis direction is increased, the degree of freedom in designing the mask opening pattern is increased.
本実施形態では、複数の蒸着源開口をY軸方向位置が異なる2列に配置したが、蒸着源開口の列の数は2つに限定されず、これより多くてもよい。例えば、複数の蒸着源開口を、Z軸に沿って見たときノコギリ刃状になるように複数列に配置してもよい。複数の蒸着源開口を、そのX軸方向位置が同一にならないように複数列に配置した場合、蒸着源開口の列数が増えると、X軸方向に隣り合う蒸着源開口の間隔は更に拡大する。 In the present embodiment, the plurality of vapor deposition source openings are arranged in two rows having different positions in the Y-axis direction, but the number of the vapor deposition source openings is not limited to two and may be larger than this. For example, a plurality of vapor deposition source openings may be arranged in a plurality of rows so as to have a saw blade shape when viewed along the Z axis. When a plurality of vapor deposition source openings are arranged in a plurality of rows so that the positions in the X-axis direction are not the same, as the number of vapor deposition source apertures increases, the interval between the vapor deposition source apertures adjacent in the X-axis direction further increases. .
本実施形態は、上記以外は実施形態1と同じであり、実施形態1と同様の効果を奏する。また、実施形態1で言及した各種変更を、本実施形態にも、そのまま又は適宜変更を加えて適用することができる。 The present embodiment is the same as the first embodiment except for the above, and has the same effects as the first embodiment. The various modifications mentioned in the first embodiment can be applied to the present embodiment as they are or with appropriate modifications.
(実施形態3)
実施形態1,2と相違する点を中心に本実施形態3を説明する。(Embodiment 3)
The third embodiment will be described with a focus on differences from the first and second embodiments.
図17は、本発明の実施形態3に係る有機EL素子の製造装置を構成する蒸着ユニット50をZ軸に沿って蒸着マスク70側から見た平面図である。図10、図14と同様に、蒸着源60、複数の制限板81、蒸着マスク70の相対的関係が理解できるように、透視図として示している。図18は、図17の18−18線を含むYZ面と平行な面に沿った蒸着ユニット50の矢視断面図である。
FIG. 17: is the top view which looked at the
本実施形態では、図17に示されているように、実施形態2と同様に、蒸着源60に形成された複数の蒸着源開口は千鳥配置されている。但し、図18に示されているように、X軸に沿って見たとき、第I列の蒸着源開口61と第II列の蒸着源開口61とは互いに逆向きに傾斜して開口している。従って、第I列の蒸着源開口61は基板10の移動方向の上流側に斜め上方に蒸着粒子91を放出し、第II列の蒸着源開口61は、基板10の移動方向の下流側に斜め上方に蒸着粒子91を放出する。
In the present embodiment, as shown in FIG. 17, the plurality of vapor deposition source openings formed in the
複数の制限板81、蒸着マスク70の構成は、実施形態2と同じである。第2制限板82の上下方向寸法は、実施形態2より短く、複数の制限板81と同じに設定されている。
The configurations of the plurality of limiting
本実施形態によれば、特に第2制限板82に対してY軸方向の一方の側から他方の側へ移動する蒸着粒子91を、実施形態2に比べて少なくすることができる。即ち、第I列の蒸着ブロック51と第II列の蒸着ブロック51との間で蒸着粒子91の行き来を、実施形態2よりも少なくすることができる。
According to the present embodiment, it is possible to reduce the number of
従って、例えば第2制限板82のZ軸方向寸法を短くするなど、制限板81及び第2制限板82の設計の自由度が増す。また、蒸着マスク70のマスク開口パターンの設計の自由度も増す。
Accordingly, the degree of freedom in designing the limiting
また、基板10の被蒸着面10eに形成されるストライプ状の被膜90の両側の端縁のボヤケの発生を、実施形態2に比べて容易に抑制することができ、有機EL素子をより高精度で作成することができる。
In addition, it is possible to easily suppress the blurring of the edges on both sides of the
また、第2制限板82に付着する蒸着材料の量が少なくなるので、蒸着材料の無駄を少なくすることができる。
Moreover, since the amount of the vapor deposition material adhering to the
本実施形態は、上記以外は実施形態2と同じであり、実施形態2と同様の効果を奏する。また、実施形態1,2で言及した各種変更を、本実施形態にも、そのまま又は適宜変更を加えて適用することができる。 The present embodiment is the same as the second embodiment except for the above, and has the same effects as the second embodiment. Further, the various modifications mentioned in the first and second embodiments can be applied to the present embodiment as it is or with appropriate modifications.
(実施形態4)
実施形態1〜3と相違する点を中心に本実施形態4を説明する。(Embodiment 4)
The fourth embodiment will be described with a focus on differences from the first to third embodiments.
図19は、本発明の実施形態4に係る有機EL素子の製造装置を構成する蒸着ユニット50をZ軸に沿って蒸着マスク70の側から見た平面図である。図10、図14、図17と同様に、蒸着源60、複数の制限板81、蒸着マスク70の相対的関係が理解できるように、透視図として示している。
FIG. 19 is a plan view of the
蒸着源60に形成された複数の蒸着源開口61が、実施形態2では図14に示すようにX軸と平行な2列に沿って配置されていたのに対して、本実施形態では図19に示すようにX軸と平行な4列に沿って配置されている。
The plurality of vapor
即ち、蒸着ユニット50に対する基板10の移動方向の上流側から下流側に向かって順に並ぶ第I列、第II列、第III列、第IV列のそれぞれにおいて、複数の蒸着源開口61がX軸と平行な方向に等ピッチで配置されている。蒸着源開口50の配置に対応して、複数の制限板81及びマスク開口71もX軸に平行な4列に沿って配置されている。実施形態1,2と同様に、本実施形態においても、X軸方向に隣り合う一対の制限板81と、一対の制限板81の間に配された1つの蒸着源開口61と、一対の制限板81の間に配された複数のマスク開口71とは、1つの蒸着ブロック51を構成する。
That is, in each of the first row, the second row, the third row, and the fourth row arranged in order from the upstream side to the downstream side in the moving direction of the
複数の蒸着ブロック51は、Y軸方向に互いに隣り合う2列において千鳥配置されている。第I列と第III列とでは、蒸着ブロック51及びこれを構成する蒸着源開口61、制限板81、マスク開口71のX軸方向位置は同じである。また、第II列と第IV列とでは、蒸着ブロック51及びこれを構成する蒸着源開口61、制限板81、マスク開口71のX軸方向位置は同じである。
The plurality of vapor deposition blocks 51 are staggered in two rows adjacent to each other in the Y-axis direction. In the first row and the third row, the positions of the
第I列の制限板81と第II列の制限板81との間には、X軸方向に延びた第2制限板82aが設けられており、第II列の制限板81と第III列の制限板81との間には、X軸方向に延びた第2制限板82bが設けられており、第III列の制限板81と第IV列の制限板81との間には、X軸方向に延びた第2制限板82cが設けられている。第2制限板82a,82b,82cは、第2制限板82a,82b,82cに対してY軸方向の一方の側において蒸着源開口61から放出された蒸着粒子が、Y軸方向の他方の側に配置されたマスク開口71に入るのを防止する。
A second limiting
実施形態3(図18参照)と同様に、X軸に沿って見たとき、第I列の蒸着源開口61と第II列の蒸着源開口61とは互いに逆向きに傾斜して開口している。また、X軸に沿って見たとき、第III列の蒸着源開口61と第IV列の蒸着源開口61とは互いに逆向きに傾斜して開口している。
As in the third embodiment (see FIG. 18), when viewed along the X axis, the first row of vapor
蒸着源開口61がこのように傾斜しているので、特に、第2制限板82bに対してY軸方向の一方の側において蒸着源開口61から放出された蒸着粒子が、Y軸方向の他方の側に配置されたマスク開口71に入るのを防止するために、第II列と第III列とのY軸方向の間隔を、第I列と第II列とのY軸方向間隔及び第III列と第IV列とのY軸方向間隔に比べて大きくしている。これは、特に蒸着源開口61のY軸方向のピッチにおいて認められる。更に、第II列及び第III列のマスク開口71のY軸方向の長さを、第I列及び第IV列のマスク開口71のY軸方向長さよりも短くしている。
Since the vapor deposition source opening 61 is inclined in this way, in particular, the vapor deposition particles emitted from the vapor deposition source opening 61 on one side in the Y-axis direction with respect to the second limiting
従って、第2制限板82bの厚さ(Y軸方向寸法)は第2制限板82a,82cの厚さより厚くすることが可能となり、例えば、第2制限板82bに冷却装置(例えば冷却水が通過する冷却水配管)を設置することが容易になる。この場合、第I列〜第IV列の制限板81は、第2制限板82bに対する熱伝導を通じて冷却することができる。
Therefore, the thickness (Y-axis direction dimension) of the second limiting
本実施形態においても、実施形態1〜3と同様に、複数の蒸着源開口61から蒸着粒子を放出した状態において、基板10をY軸方向に移動させることで、基板10の被蒸着面に蒸着粒子を付着させ、Y軸方向に平行な複数のストライプ状の被膜90を形成する。
Also in the present embodiment, as in the first to third embodiments, in a state where the vapor deposition particles are released from the plurality of vapor
本実施形態によれば、制限板81及び第2制限板82a,82b,82cを設けたことにより、実施形態1〜3と同様に、基板10の被蒸着面に形成されるストライプ状の被膜90の両側の端縁のボヤケの発生を抑制することができる。
According to the present embodiment, by providing the limiting
更に、本実施形態は以下の効果を奏する。 Furthermore, this embodiment has the following effects.
本実施形態では、第I列及び第III列のX軸方向位置を同じくする2つのマスク開口71が共通する1つの被膜90の形成を担い、第II列及び第IV列のX軸方向位置を同じくする2つのマスク開口71が共通する1つの被膜90の形成を担う。即ち、基板10に形成される全ての被膜90はいずれもX軸方向位置を同じくする2つのマスク開口71を通過した蒸着粒子によって形成される。X軸方向位置を同じくする2つのマスク開口71のY軸方向の合計長さは、形成しようとする被膜90の厚さを考慮して設定される。換言すれば、所望する厚さの被膜90を形成するために必要なマスク開口71のY軸方向の全長さを、X軸方向位置を同じくする、異なる列に属する2つのマスク開口71にどのように配分するかは自由に設定することができる。同様に、各列の蒸着源開口61や制限板81の各種条件は、所望する被膜90を形成するために必要な条件下で自由に設定することができる。このように、被膜90を、列が異なる2つのマスク開口71を用いて2段階に分けて形成することにより、各列の蒸着ブロック51を構成するマスク開口71、制限板81、蒸着源開口61等の設計の自由度が増す。
In the present embodiment, two
図20は、本発明の実施形態4に係る有機EL素子の製造装置を構成する別の蒸着ユニット50をZ軸に沿って蒸着マスク70の側から見た平面図である。図19と同様に、蒸着源60、複数の制限板81、第2制限板82a,82b,82c、蒸着マスク70の相対的関係が理解できるように、透視図として示している。
FIG. 20 is a plan view of another
図20では、第2制限板82a,82b,82cをジグザク状に折り曲げて、各列のY軸方向ピッチを小さくしている点で図19と異なる。従って、蒸着源開口61の配置密度が増大し、蒸着ユニット50の小型化が可能となる。図20では、全ての蒸着源開口61はZ軸方向の上側に向かって開口している。
20 is different from FIG. 19 in that the second limiting
また、図20では、蒸着マスク70のマスク開口71のパターンは図19とは異なっており、Y軸方向にほぼ一直線上に並ぶ第I列〜第IV列の4つのマスク開口71を通過した蒸着粒子によって1つの被膜90が形成される。図20の蒸着ユニット50は、列が異なる4つのマスク開口71を用いて4段階に分けて被膜90を形成するので、各列の蒸着ブロック51を構成するマスク開口71、制限板81、蒸着源開口61等の設計の自由度が更に増大する。また、有機EL素子の量産時のスループットが向上する。
In FIG. 20, the pattern of the
図19、図20では、複数の蒸着ブロック51を4列に配置したが、本発明はこれに限定されず、蒸着ブロック51を3列又は5列以上に配置してもよい。また、1つの被膜90の形成を担うマスク開口71の数は、図19の2つや図20の4つに限定されず、3つ又は5つ以上であってもよい。1つの被膜90の形成を担うマスク開口71の数が多いほど、マスク開口71を含む蒸着ブロック51の構成の設計の自由度は一般に増大する。
19 and 20, the plurality of vapor deposition blocks 51 are arranged in four rows, but the present invention is not limited to this, and the vapor deposition blocks 51 may be arranged in three rows or five rows or more. Further, the number of
本実施形態は、上記以外は実施形態1〜3と同じであり、実施形態1〜3と同様の効果を奏する。また、実施形態1〜3で言及した各種変更を、本実施形態にも、そのまま又は適宜変更を加えて適用することができる。 Except for the above, this embodiment is the same as Embodiments 1 to 3, and has the same effects as Embodiments 1 to 3. Further, the various modifications mentioned in the first to third embodiments can be applied to the present embodiment as it is or with appropriate modifications.
(実施形態5)
実施形態1と相違する点を中心に本実施形態5を説明する。(Embodiment 5)
The fifth embodiment will be described with a focus on differences from the first embodiment.
図21は、本発明の実施形態5に係る有機EL素子の製造装置の概略構成を示した斜視図である。図22は、本実施形態において、蒸着源開口61を通るXZ面に平行な面での蒸着ブロック51内の蒸着粒子91の流れを示した断面図である。
FIG. 21 is a perspective view showing a schematic configuration of an organic EL element manufacturing apparatus according to Embodiment 5 of the present invention. FIG. 22 is a cross-sectional view showing the flow of the
本実施形態では、制限板ブロック85に複数の制限板86が一体的に形成されている点で実施形態1と異なる。制限板86は、実施形態1の制限板81と同様に機能する。
This embodiment is different from the first embodiment in that a plurality of
例えば、所定の厚さを有する板材に、蒸着粒子91が通過する複数の貫通穴を形成することにより、複数の制限板86を有する制限板ブロック85を作成することができる。貫通穴を形成するための加工上の制約等のために、制限板ブロック85の厚さ(Z軸方向寸法)を大きくすることが困難である場合があるかも知れない。あるいは、制限板86の厚さ(X軸方向寸法)を薄くすることが困難である場合があるかも知れない。そのような場合には、図22に示すように、制限板ブロック85を蒸着源60に接近させて配置する等により、制限板86の機能を確保することができる。
For example, the limiting
制限板86のZ軸方向の寸法を大きくするために、複数の制限板ブロック85をZ軸方向に積み重ねてもよい。
In order to increase the size of the limiting
本実施形態は、上記以外は実施形態1と同じである。本実施形態においても、実施形態1と同様に、複数の蒸着源開口61から蒸着粒子91を放出した状態において、基板10をY軸方向に移動させることで、基板10の被蒸着面10eに蒸着粒子91を付着させ、Y軸方向に平行な複数のストライプ状の被膜90を形成する。
The present embodiment is the same as the first embodiment except for the above. Also in the present embodiment, as in the first embodiment, in a state where the
本実施形態によれば、複数の制限板86が制限板ブロック85に一体的に形成されている。従って、個々の制限板86の位置調整が不要であり、制限板86の位置精度が増す。また、制限板86の交換は、複数の制限板86を含む制限板ブロック85を交換することで可能であるので、制限板86の交換作業が容易であり、量産時の保守負担を軽減することができる。
According to the present embodiment, the plurality of limiting
また、制限板86を冷却するための冷却装置(例えば冷却水が通過する冷却水配管)等の付加装置の設置が容易である。例えば、複数の制限板86を取り囲む制限板ブロック85の額縁状部分に冷却水配管を設置することができる。また、複数の制限板86が一体化されているので、良好な熱伝導特性が得られ、冷却性能を向上させることができる。
Further, it is easy to install additional devices such as a cooling device for cooling the limiting plate 86 (for example, cooling water piping through which cooling water passes). For example, the cooling water pipe can be installed in the frame-shaped portion of the
制限板ブロック85の各部の寸法によっては、制限板ブロック85をX軸方向又はY軸方向に移動させる機構を付加することにより、制限板ブロック85を蒸着粒子91を遮るシャッターとして利用することができる。
Depending on the size of each part of the limiting
例えば、上述したように制限板86の厚さ(X軸方向寸法)が厚い場合(特に、制限板86の厚さがX軸方向に隣り合う制限板86間の間隔よりも大きい場合)、制限板ブロック85をX軸方向に移動させることによって、制限板86の蒸着源60に対向する下面で蒸着粒子91を遮ってもよい。
For example, as described above, when the thickness (the dimension in the X-axis direction) of the limiting
あるいは、制限板ブロック85をY軸方向に移動させることによって、制限板ブロック85の周囲の額縁状部分のうち、X軸に平行な部分の下面で蒸着粒子91を遮ってもよい。
Alternatively, by moving the limiting
上述したように、本実施形態では、制限板ブロック85の厚さを大きくすることが困難な場合があるかも知れない。しかしながら、この場合には、制限板ブロック85と蒸着源60との間の空間、及び/又は、制限板ブロック85と蒸着マスク70との間の空間が拡大する。従って、制限板86の周囲の真空度の維持が容易となり、真空ポンプの負荷を低減することができる。また、コンタミネーションを低減することができるので、欠陥の少ない被膜90を形成することができる。更に、制限板86の放熱や、制限板ブロック85の交換作業性の観点からも有利である。
As described above, in this embodiment, it may be difficult to increase the thickness of the limiting
本実施形態は、上記以外は実施形態1と同じであり、実施形態1と同様の効果を奏する。また、実施形態1で言及した各種変更を、本実施形態にも、そのまま又は適宜変更を加えて適用することができる。 The present embodiment is the same as the first embodiment except for the above, and has the same effects as the first embodiment. The various modifications mentioned in the first embodiment can be applied to the present embodiment as they are or with appropriate modifications.
本実施形態に示した、複数の制限板を一体化するコンセプトは、本明細書に記載した全ての実施形態に適用することができ、その場合には、上述した効果を得ることができる。実施形態2,3,4で説明したように複数の制限板を複数列に配置するためには、所定の厚さを有する板材に、蒸着粒子が通過する複数の貫通穴を複数列に沿って形成すればよい。これにより、制限板と第2制限板とが一体的に形成された制限板ブロックを形成することができる。 The concept of integrating a plurality of limiting plates shown in this embodiment can be applied to all the embodiments described in this specification, and in that case, the above-described effects can be obtained. In order to arrange a plurality of restriction plates in a plurality of rows as described in the second, third, and fourth embodiments, a plurality of through holes through which vapor deposition particles pass are formed along a plurality of rows in a plate material having a predetermined thickness. What is necessary is just to form. Thereby, the limiting plate block in which the limiting plate and the second limiting plate are integrally formed can be formed.
(実施形態6)
実施形態1と相違する点を中心に本実施形態6を説明する。(Embodiment 6)
The sixth embodiment will be described with a focus on differences from the first embodiment.
図23は、本発明の実施形態6に係る有機EL素子の製造装置において、蒸着ブロック51をZ軸に沿って蒸着マスク70の側から見た平面図である。図13と同様に、蒸着ブロック51を構成する蒸着源開口61、一対の制限板81、マスク開口76のみを透視図として示している。
FIG. 23 is a plan view of the
実施形態1では、図13に示すように、1つの蒸着源開口61に対して、X軸方向位置が異なる複数のマスク開口71が形成されていた。各マスク開口71は、Y軸方向に延びた1つのスリット状の開口であった。これに対して、本実施形態のマスク開口パターンは、実施形態1の各マスク開口71をY軸方向に複数に分割したのと近似した形状を有している。即ち、図23に示すように、1つの蒸着源開口61に対して、X軸方向位置が異なる複数のマスク開口列75が配置されている。各マスク開口列75は、Y軸方向に沿って配置された複数のマスク開口76で構成される。
In the first embodiment, as shown in FIG. 13, a plurality of
Y軸方向に並ぶ複数のマスク開口76は、同じ被膜90の形成を担う。基板10上に形成される複数のストライプ状の被膜90の厚さを同じにするために、マスク開口列75を構成する複数のマスク開口76のY軸方向の合計寸法を、蒸着源開口61の真上に位置するマスク開口列75で最小とし、蒸着源開口61のX軸方向位置からX軸方向により遠くに位置するマスク開口列75ほど大きくしている。図23では、このようなY軸方向に並ぶマスク開口76のY軸方向の合計寸法の変化を、マスク開口列75を構成するマスク開口76の個数を変えることによって実現している。即ち、マスク開口列75を構成するマスク開口76の個数を、蒸着源開口61の真上に位置するマスク開口列75で最少とし、蒸着源開口61のX軸方向位置からX軸方向により遠くに位置するマスク開口列75ほど多くしている。
The plurality of
各マスク開口列75のX軸方向位置や、各マスク開口列75を構成するマスク開口76の幅(X軸方向寸法)は、実施形態1と同様に決定される。
The X-axis direction position of each
図23では、Y軸方向にマスク開口76を一定ピッチで配置しているが、本発明はこれに限定されない。マスク開口76のY軸方向ピッチが、マスク開口列75内で一定でなくてもよく、また、複数のマスク開口列75間で異なっていてもよい。また、X軸方向に隣り合うマスク開口列75間で、マスク開口76のY軸方向位置が異なっていてもよい。
In FIG. 23, the
図23では、複数のマスク開口列75の全てが、2以上のマスク開口76により構成されているが、複数のマスク開口列75のうちの少なくとも一つをY軸方向に延びた単一のスリット状の開口で置き換えてもよい。
In FIG. 23, all of the plurality of
マスク開口列75を構成するマスク開口76のY軸方向の合計寸法を上記のように変化させるために、図23のようにマスク開口列75を構成するマスク開口76の個数をマスク開口列75ごとに変えるのではなく、マスク開口列75を構成するマスク開口76のY軸方向寸法をマスク開口列75ごとに変えてもよい。
In order to change the total dimension in the Y-axis direction of the
本実施形態によれば、蒸着マスク201に、Y軸方向寸法が大きなスリット状のマスク開口を形成する必要がないので、マスク開口を形成することによる蒸着マスク70の強度の低下を少なくすることができる。また、蒸着マスク70の寸法安定性が向上する。
According to the present embodiment, since it is not necessary to form a slit-shaped mask opening having a large dimension in the Y-axis direction on the vapor deposition mask 201, it is possible to reduce a decrease in strength of the
また、Y軸方向に隣り合うマスク開口76間の架橋部分の厚さ(Z軸方向寸法)を大きくしたり、この架橋部分に補強部材を付加したりして、蒸着マスク70の強度や寸法安定性を容易に向上させることができる。
Further, the thickness and dimension stability of the
更に、蒸着マスク70を冷却する場合には、Y軸方向に隣り合うマスク開口76間の架橋部分が熱伝導特性の向上に寄与するので、温度ムラを少なくすることができる。
Further, when the
本実施形態に示した、スリット状のマスク開口71を、Y軸方向に並んだ複数のマスク開口76からなるマスク開口列75に置き換えるコンセプトは、本明細書に記載した全ての実施形態に適用することができ、その場合には、上述した効果を得ることができる。
The concept of replacing the slit-
(実施形態7)
実施形態1と相違する点を中心に本実施形態7を説明する。(Embodiment 7)
The seventh embodiment will be described with a focus on differences from the first embodiment.
図24は、本発明の実施形態7に係る有機EL素子の製造装置を構成する蒸着ユニット50をZ軸に沿って蒸着マスク70の側から見た平面図である。図10と同様に、蒸着源60、複数の制限板81、蒸着マスク70の相対的関係が理解できるように、透視図として示している。
FIG. 24 is a plan view of the
蒸着源60から蒸着粒子を放出するための開口として、実施形態1では微小な円形状の蒸着源開口61を用いた。これに対して、本実施形態では、Y軸方向に延びたスリット状の蒸着源開口62を用いる。
In the first embodiment, a minute circular deposition source opening 61 is used as an opening for discharging deposition particles from the
蒸着源開口の形状が異なる以外は、本実施形態は実施形態1と同じである。但し、マスク開口71及び制限板81のY軸方向寸法は、蒸着源開口62の長さ(Y軸方向寸法)に応じて適切に設定されることが好ましい。
The present embodiment is the same as the first embodiment except that the shape of the vapor deposition source opening is different. However, the Y-axis direction dimensions of the
本実施形態においても、実施形態1と同様に、複数の蒸着源開口62から蒸着粒子を放出した状態において、基板10をY軸方向に移動させることで、基板10の被蒸着面に蒸着粒子を付着させ、Y軸方向に平行な複数のストライプ状の被膜90を形成する。
Also in the present embodiment, as in the first embodiment, in a state where the vapor deposition particles are released from the plurality of vapor
本実施形態によれば、蒸着源開口62の開口面積を、実施形態1の蒸着源開口61の開口面積よりも大きくすることができるので、蒸着源開口62から放出される蒸着粒子が増大する。従って、蒸着レートを増大させることができ、量産時のスループットを向上させることができる。 According to this embodiment, since the opening area of the vapor deposition source opening 62 can be made larger than the opening area of the vapor deposition source opening 61 of the first embodiment, the number of vapor deposition particles emitted from the vapor deposition source opening 62 increases. Therefore, the deposition rate can be increased and the throughput during mass production can be improved.
本実施形態は、上記以外は実施形態1と同じであり、実施形態1と同様の効果を奏する。また、実施形態1で言及した各種変更を、本実施形態にも、そのまま又は適宜変更を加えて適用することができる。 The present embodiment is the same as the first embodiment except for the above, and has the same effects as the first embodiment. The various modifications mentioned in the first embodiment can be applied to the present embodiment as they are or with appropriate modifications.
本実施形態に示したスリット状の蒸着源開口62を、上記の実施形態1〜6に適用することができ、その場合には、上述した効果を得ることができる。 The slit-shaped vapor deposition source opening 62 shown in the present embodiment can be applied to the first to sixth embodiments, and in that case, the above-described effects can be obtained.
(実施形態8)
実施形態1と相違する点を中心に本実施形態8を説明する。(Embodiment 8)
The eighth embodiment will be described with a focus on differences from the first embodiment.
図25は、本発明の実施形態8に係る有機EL素子の製造装置を構成する蒸着ユニット50をZ軸に沿って蒸着マスク70の側から見た平面図である。図10と同様に、蒸着源60、複数の制限板81、蒸着マスク70の相対的関係が理解できるように、透視図として示している。
FIG. 25 is a plan view of the
蒸着源60から蒸着粒子を放出するための開口として、実施形態1では微小な円形状の蒸着源開口61を用いた。これに対して、本実施形態では、X軸方向に延びたスリット状の蒸着源開口63を用いる。蒸着源開口63は、制限板81をY軸方向に横切るように、X軸方向に延びている。図25では、蒸着源開口63は、X軸方向に並ぶ複数の制限板81の両外側の制限板81間の距離よりも広い範囲にわたってX軸方向に連続して延びている。
In the first embodiment, a minute circular deposition source opening 61 is used as an opening for discharging deposition particles from the
図26は、蒸着源開口63を通るXZ面に平行な面での蒸着ブロック51内の蒸着粒子91の流れを示した断面図である。本実施形態においても、制限板81は、XZ面への投影図において、マスク開口71に入射する蒸着粒子91の入射角度を制限する。好ましくは、制限板81は、この制限板81に対してX軸方向の一方の側に位置する蒸着源開口63の部分から放出された蒸着粒子91が、他方の側に位置するマスク開口71に入るのを防止する。
FIG. 26 is a cross-sectional view showing the flow of the
本実施形態においても、実施形態1と同様に、蒸着源開口63から蒸着粒子91を放出した状態において、基板10をY軸方向に移動させることで、基板10の被蒸着面10eに蒸着粒子91を付着させ、Y軸方向に平行な複数のストライプ状の被膜90を形成する。
Also in the present embodiment, as in the first embodiment, in a state where the
本実施形態によれば、蒸着源開口63がX軸方向に延びたスリット状の開口であるので、図26より明らかなように、実施形態1に比べてマスク開口71に入射する蒸着粒子91の最大入射角度は大きくなる。従って、実施形態1に比べて、図7に示した厚み漸減部分990eの幅Weは大きくなってしまう。
According to the present embodiment, since the vapor deposition source opening 63 is a slit-like opening extending in the X-axis direction, as is apparent from FIG. 26, the
しかしながら、本実施形態では、以下のように蒸着ブロック51を設計することで、厚み漸減部分990eの幅Weが大きくなっても実質上問題は生じない。
However, in this embodiment, by designing the
上述したように、基板10の被蒸着面には、予め所定パターンのエッジカバー15(図3参照)が形成されている。被膜90はエッジカバー15の開口内に形成される。
As described above, the edge cover 15 (see FIG. 3) having a predetermined pattern is formed in advance on the deposition surface of the
そこで、第1に、少なくともエッジカバー15の開口内では、被膜90の厚みが一定となるように(即ち、エッジカバー15の開口内に厚み漸減部分990eが形成されないように)、マスク開口71や制限板81等を設計する。
Therefore, first, at least in the opening of the
第2に、マスク開口71を通過した蒸着粒子91が、このマスク開口71のほぼ真上に位置するエッジカバー15の開口に対してX軸方向の隣に位置するエッジカバー15の開口内に付着することがないように(即ち、混色が生じないように)、マスク開口71や制限板81等を設計する。
Second, the
有機EL素子の発光は、エッジカバー15の開口内のみで起こる。従って、上述したように、エッジカバー15の開口内で被膜90の厚みを一定とし、且つ、エッジカバー15の開口内で混色が発生しなければ、画素内での発光は一定となり、輝度ムラなどは生じない。
The organic EL element emits light only in the opening of the
本実施形態においても、制限板81によって蒸着粒子91が遮られるので、制限板81までのX軸方向距離が小さいマスク開口71を通過する蒸着粒子91の密度は相対的に少なくなる。そこで、実施形態1で説明したように、マスク開口71の長さ(即ち、Y軸方向寸法)を、制限板81までのX軸方向距離が短いマスク開口71ほど長くすることが好ましい。これにより、基板10の被蒸着面10e上に、同一厚さの複数のストライプ状の被膜90を容易に形成することができる。
Also in this embodiment, since the
また、制限板81によって蒸着粒子91が遮られるので、制限板81までのX軸方向距離が小さいマスク開口71と大きいマスク開口71とでは、マスク開口71とこのマスク開口71によって形成される被膜90とのX軸方向の相対的位置関係が異なるかも知れない。従って、基板10上に等間隔で被膜90が形成されるように、複数のマスク開口71のX軸方向位置が設定されることが好ましい。各マスク開口71のX軸方向位置は、蒸着源開口63と蒸着マスク70と基板10との相対的な位置関係や、蒸着マスク70の厚さ、マスク開口71の内周面のXZ断面図での形状、形成しようとする複数の被膜90のX軸方向位置などを考慮して幾何学的計算により容易に得ることができる。
Further, since the
本実施形態によれば、蒸着源開口63の開口面積を、実施形態1の蒸着源開口61の開口面積よりも大きくすることができるので、蒸着源開口63から放出される蒸着粒子が増大する。従って、蒸着レートを増大させることができ、量産時のスループットを向上させることができる。 According to this embodiment, since the opening area of the vapor deposition source opening 63 can be made larger than the opening area of the vapor deposition source opening 61 of the first embodiment, the number of vapor deposition particles emitted from the vapor deposition source opening 63 increases. Therefore, the deposition rate can be increased and the throughput during mass production can be improved.
また、蒸着源開口63がX軸方向に延びたスリット状の開口であるので、複数の制限板81及び蒸着マスク70に対する蒸着源60のX軸方向における位置合わせ精度を緩和することができる。従って、蒸着ユニット50の組立が容易となる。
Further, since the vapor deposition source opening 63 is a slit-shaped opening extending in the X-axis direction, the alignment accuracy of the
図25では、X軸方向に並ぶ複数の制限板81の両外側の制限板81間の距離よりも長い1本のスリット状の蒸着源開口63を用いたが、本発明はこれに限定されない。例えば、X軸方向に延びる複数のスリット状の蒸着源開口を、X軸方向に一直線上に並べてもよい。また、X軸方向に延びる複数のスリット状の蒸着源開口を、Y軸方向の異なる位置に配置してもよい。
In FIG. 25, one slit-like deposition source opening 63 that is longer than the distance between the limiting
蒸着源開口63のY軸方向の開口幅を拡大して、蒸着源開口63の開口形状をX軸方向を長軸方向とする略矩形状又は長穴形状にしてもよい。これにより、蒸着源開口63から放出される蒸着粒子が更に増大する。 The opening width of the vapor deposition source opening 63 in the Y-axis direction may be enlarged, and the shape of the vapor deposition source opening 63 may be a substantially rectangular shape or a long hole shape with the X-axis direction being the major axis direction. Thereby, the vapor deposition particles emitted from the vapor deposition source opening 63 further increase.
本実施形態は、上記以外は実施形態1と同じであり、実施形態1と同様の効果を奏する。また、実施形態1で言及した各種変更を、本実施形態にも、そのまま又は適宜変更を加えて適用することができる。 The present embodiment is the same as the first embodiment except for the above, and has the same effects as the first embodiment. The various modifications mentioned in the first embodiment can be applied to the present embodiment as they are or with appropriate modifications.
本実施形態に示した蒸着源開口63の開口形状を、上記の実施形態1〜6に適用することができ、その場合には、上述した効果を得ることができる。 The opening shape of the vapor deposition source opening 63 shown in the present embodiment can be applied to the first to sixth embodiments, and in that case, the above-described effects can be obtained.
以上に説明した実施形態は、いずれもあくまでも本発明の技術的内容を明らかにする意図のものであって、本発明はこのような具体例にのみ限定して解釈されるものではなく、その発明の精神と請求の範囲に記載する範囲内でいろいろと変更して実施することができ、本発明を広義に解釈すべきである。 Each of the embodiments described above is intended to clarify the technical contents of the present invention, and the present invention is not construed as being limited to such specific examples. The present invention should be construed broadly, with various modifications within the spirit and scope of the appended claims.
本発明の利用分野は特に制限はなく、有機EL素子を用いるあらゆる装置に利用することができる。中でも、有機ELディスプレイに特に好ましく利用することができる。 The field of application of the present invention is not particularly limited, and can be used for any apparatus using an organic EL element. Especially, it can utilize especially preferably for an organic EL display.
23R,23G,23B 発光層
10 基板
10e 被蒸着面
50 蒸着ユニット
51 蒸着ブロック
60 蒸着源
61,62,63 蒸着源開口
70 蒸着マスク
71,76 マスク開口
75 マスク開口列
81,86 制限板
85 制限板ブロック
82,82a,82b,82c 第2制限板
90 被膜
91 蒸着粒子23R, 23G, 23B
Claims (28)
前記基板上に蒸着粒子を付着させて前記被膜を形成する蒸着工程を有し、
前記蒸着工程は、前記蒸着粒子を放出する蒸着源開口を備えた蒸着源と、前記蒸着源開口と前記基板との間に配置された蒸着マスクとを備えた蒸着ユニットを用いて、前記基板と前記蒸着マスクとを一定間隔だけ離間させた状態で、前記基板及び前記蒸着ユニットのうちの一方を他方に対して相対的に移動させながら、前記蒸着マスクに形成された複数のマスク開口を通過した前記蒸着粒子を前記基板に付着させる工程であり、
前記基板及び前記蒸着ユニット間の相対的移動方向を第1方向、前記第1方向に直交する方向を第2方向としたとき、前記蒸着ユニットは、前記蒸着源開口と前記蒸着マスクとの間に前記第2方向の位置が異なる複数の制限板を備え、
前記複数の制限板のそれぞれは、前記複数のマスク開口のそれぞれに入射する前記蒸着粒子の前記第1方向に沿って見たときの入射角度を制限し、
前記第1方向の位置が異なる複数列に沿って複数の前記蒸着源開口が配置され、
前記複数の蒸着源開口の位置に対応して前記複数列に沿って前記複数のマスク開口及び前記複数の制限板が配置されており、
前記複数列のうち前記第1方向に隣り合う2列において、前記複数の蒸着源開口が千鳥配置されていることを特徴とする有機EL素子の製造方法。 A method for producing an organic EL element having a film with a predetermined pattern on a substrate,
Having a vapor deposition step of depositing vapor deposition particles on the substrate to form the film;
The vapor deposition step uses a vapor deposition unit including a vapor deposition source having a vapor deposition source opening that emits the vapor deposition particles, and a vapor deposition mask disposed between the vapor deposition source opening and the substrate, In a state where the deposition mask is spaced apart from the deposition mask by a predetermined distance, one of the substrate and the deposition unit is moved relative to the other while passing through a plurality of mask openings formed in the deposition mask. A step of attaching the vapor deposition particles to the substrate;
When the relative movement direction between the substrate and the vapor deposition unit is a first direction and the direction perpendicular to the first direction is a second direction, the vapor deposition unit is located between the vapor deposition source opening and the vapor deposition mask. A plurality of limiting plates having different positions in the second direction;
Each of the plurality of limiting plates limits an incident angle when viewed along the first direction of the vapor deposition particles incident on each of the plurality of mask openings,
A plurality of the vapor deposition source openings are arranged along a plurality of rows having different positions in the first direction,
The plurality of mask openings and the plurality of limiting plates are arranged along the plurality of rows corresponding to the positions of the plurality of vapor deposition source openings,
The method of manufacturing an organic EL element, wherein the plurality of vapor deposition source openings are arranged in a staggered manner in two rows adjacent in the first direction among the plurality of rows.
前記基板上に蒸着粒子を付着させて前記被膜を形成する蒸着工程を有し、
前記蒸着工程は、前記蒸着粒子を放出する蒸着源開口を備えた蒸着源と、前記蒸着源開口と前記基板との間に配置された蒸着マスクとを備えた蒸着ユニットを用いて、前記基板と前記蒸着マスクとを一定間隔だけ離間させた状態で、前記基板及び前記蒸着ユニットのうちの一方を他方に対して相対的に移動させながら、前記蒸着マスクに形成された複数のマスク開口を通過した前記蒸着粒子を前記基板に付着させる工程であり、
前記基板及び前記蒸着ユニット間の相対的移動方向を第1方向、前記第1方向に直交する方向を第2方向としたとき、前記蒸着ユニットは、前記蒸着源開口と前記蒸着マスクとの間に前記第2方向の位置が異なる複数の制限板を備え、
前記複数の制限板のそれぞれは、前記複数のマスク開口のそれぞれに入射する前記蒸着粒子の前記第1方向に沿って見たときの入射角度を制限し、
前記第1方向の位置が異なる複数列に沿って複数の前記蒸着源開口が配置され、
前記複数の蒸着源開口の位置に対応して前記複数列に沿って前記複数のマスク開口及び前記複数の制限板が配置されており、
前記蒸着ユニットは、前記蒸着源開口と前記蒸着マスクとの間に第2制限板を更に備え、
前記第2制限板は、前記第2制限板に対して前記第1方向の一方の側において前記蒸着源開口から放出された蒸着粒子が、前記第1方向の他方の側に配置された前記マスク開口に入るのを防止し、
前記複数の制限板と前記第2制限板とは直交して配置されており、
前記複数列のうち前記第1方向に隣り合う2列において、前記複数の蒸着源開口が千鳥配置されていることを特徴とする有機EL素子の製造方法。 A method for producing an organic EL element having a film with a predetermined pattern on a substrate,
Having a vapor deposition step of depositing vapor deposition particles on the substrate to form the film;
The vapor deposition step uses a vapor deposition unit including a vapor deposition source having a vapor deposition source opening that emits the vapor deposition particles, and a vapor deposition mask disposed between the vapor deposition source opening and the substrate, In a state where the deposition mask is spaced apart from the deposition mask by a predetermined distance, one of the substrate and the deposition unit is moved relative to the other while passing through a plurality of mask openings formed in the deposition mask. A step of attaching the vapor deposition particles to the substrate;
When the relative movement direction between the substrate and the vapor deposition unit is a first direction and the direction perpendicular to the first direction is a second direction, the vapor deposition unit is located between the vapor deposition source opening and the vapor deposition mask. A plurality of limiting plates having different positions in the second direction;
Each of the plurality of limiting plates limits an incident angle when viewed along the first direction of the vapor deposition particles incident on each of the plurality of mask openings,
A plurality of the vapor deposition source openings are arranged along a plurality of rows having different positions in the first direction,
The plurality of mask openings and the plurality of limiting plates are arranged along the plurality of rows corresponding to the positions of the plurality of vapor deposition source openings,
The vapor deposition unit further includes a second limiting plate between the vapor deposition source opening and the vapor deposition mask,
The second restriction plate is a mask in which vapor deposition particles emitted from the vapor deposition source opening on one side in the first direction with respect to the second restriction plate are arranged on the other side in the first direction. To prevent opening,
The plurality of limiting plates and the second limiting plate are arranged orthogonally ,
The method of manufacturing an organic EL element , wherein the plurality of vapor deposition source openings are arranged in a staggered manner in two rows adjacent in the first direction among the plurality of rows .
前記基板上に蒸着粒子を付着させて前記被膜を形成する蒸着工程を有し、
前記蒸着工程は、前記蒸着粒子を放出する蒸着源開口を備えた蒸着源と、前記蒸着源開口と前記基板との間に配置された蒸着マスクとを備えた蒸着ユニットを用いて、前記基板と前記蒸着マスクとを一定間隔だけ離間させた状態で、前記基板及び前記蒸着ユニットのうちの一方を他方に対して相対的に移動させながら、前記蒸着マスクに形成された複数のマスク開口を通過した前記蒸着粒子を前記基板に付着させる工程であり、
前記基板及び前記蒸着ユニット間の相対的移動方向を第1方向、前記第1方向に直交する方向を第2方向としたとき、前記蒸着ユニットは、前記蒸着源開口と前記蒸着マスクとの間に前記第2方向の位置が異なる複数の制限板を備え、
前記複数の制限板のそれぞれは、前記複数のマスク開口のそれぞれに入射する前記蒸着粒子の前記第1方向に沿って見たときの入射角度を制限し、
前記制限板の前記第2方向の厚みは、前記第2方向に隣り合う前記制限板の間隔より大きいことを特徴とする有機EL素子の製造方法。 A method for producing an organic EL element having a film with a predetermined pattern on a substrate,
Having a vapor deposition step of depositing vapor deposition particles on the substrate to form the film;
The vapor deposition step uses a vapor deposition unit including a vapor deposition source having a vapor deposition source opening that emits the vapor deposition particles, and a vapor deposition mask disposed between the vapor deposition source opening and the substrate, In a state where the deposition mask is spaced apart from the deposition mask by a predetermined distance, one of the substrate and the deposition unit is moved relative to the other while passing through a plurality of mask openings formed in the deposition mask. A step of attaching the vapor deposition particles to the substrate;
When the relative movement direction between the substrate and the vapor deposition unit is a first direction and the direction perpendicular to the first direction is a second direction, the vapor deposition unit is located between the vapor deposition source opening and the vapor deposition mask. A plurality of limiting plates having different positions in the second direction;
Each of the plurality of limiting plates limits an incident angle when viewed along the first direction of the vapor deposition particles incident on each of the plurality of mask openings,
The method of manufacturing an organic EL element, wherein a thickness of the limiting plate in the second direction is larger than an interval between the limiting plates adjacent in the second direction.
前記基板上に蒸着粒子を付着させて前記被膜を形成する蒸着工程を有し、
前記蒸着工程は、前記蒸着粒子を放出する蒸着源開口を備えた蒸着源と、前記蒸着源開口と前記基板との間に配置された蒸着マスクとを備えた蒸着ユニットを用いて、前記基板と前記蒸着マスクとを一定間隔だけ離間させた状態で、前記基板及び前記蒸着ユニットのうちの一方を他方に対して相対的に移動させながら、前記蒸着マスクに形成された複数のマスク開口を通過した前記蒸着粒子を前記基板に付着させる工程であり、
前記基板及び前記蒸着ユニット間の相対的移動方向を第1方向、前記第1方向に直交する方向を第2方向としたとき、前記蒸着ユニットは、前記蒸着源開口と前記蒸着マスクとの間に前記第2方向の位置が異なる複数の制限板を備え、
前記複数の制限板のそれぞれは、前記複数のマスク開口のそれぞれに入射する前記蒸着粒子の前記第1方向に沿って見たときの入射角度を制限し、
前記蒸着源開口が、前記第1方向に延びたスリット状の開口であることを特徴とする有機EL素子の製造方法。 A method for producing an organic EL element having a film with a predetermined pattern on a substrate,
Having a vapor deposition step of depositing vapor deposition particles on the substrate to form the film;
The vapor deposition step uses a vapor deposition unit including a vapor deposition source having a vapor deposition source opening that emits the vapor deposition particles, and a vapor deposition mask disposed between the vapor deposition source opening and the substrate, In a state where the deposition mask is spaced apart from the deposition mask by a predetermined distance, one of the substrate and the deposition unit is moved relative to the other while passing through a plurality of mask openings formed in the deposition mask. A step of attaching the vapor deposition particles to the substrate;
When the relative movement direction between the substrate and the vapor deposition unit is a first direction and the direction perpendicular to the first direction is a second direction, the vapor deposition unit is located between the vapor deposition source opening and the vapor deposition mask. A plurality of limiting plates having different positions in the second direction;
Each of the plurality of limiting plates limits an incident angle when viewed along the first direction of the vapor deposition particles incident on each of the plurality of mask openings,
The method of manufacturing an organic EL element, wherein the vapor deposition source opening is a slit-like opening extending in the first direction.
前記複数の蒸着源開口と前記複数の制限板とは前記第2方向におけるピッチが略同一である請求項1、2、7、または9に記載の有機EL素子の製造方法。 The number of the evaporation source openings is plural,
The method for manufacturing an organic EL element according to claim 1, 2, 7, or 9, wherein the plurality of vapor deposition source openings and the plurality of limiting plates have substantially the same pitch in the second direction.
前記複数のマスク開口列のそれぞれは、前記第1方向に沿って配置された前記複数のマスク開口を含む請求項1、2、7、または9に記載の有機EL素子の製造方法。 A plurality of mask opening rows having different positions in the second direction are arranged between the limiting plates adjacent in the second direction,
10. The method of manufacturing an organic EL element according to claim 1, wherein each of the plurality of mask opening rows includes the plurality of mask openings arranged along the first direction.
前記被膜を形成するための蒸着粒子を放出する蒸着源開口を備えた蒸着源、及び、前記蒸着源開口と前記基板との間に配置された蒸着マスクを備えた蒸着ユニットと、
前記基板と前記蒸着マスクとを一定間隔だけ離間させた状態で、前記基板及び前記蒸着ユニットのうちの一方を他方に対して相対的に移動させる移動機構とを備え、
前記蒸着マスクには、前記蒸着源開口から放出された前記蒸着粒子が通過する複数のマスク開口が形成されており、
前記基板及び前記蒸着ユニット間の相対的移動方向を第1方向、前記第1方向に直交する方向を第2方向としたとき、前記蒸着ユニットは、前記蒸着源開口と前記蒸着マスクとの間に前記第2方向の位置が異なる複数の制限板を更に備え、
前記複数の制限板のそれぞれは、前記複数のマスク開口のそれぞれに入射する前記蒸着粒子の前記第1方向に沿って見たときの入射角度を制限し、
前記第1方向の位置が異なる複数列に沿って複数の前記蒸着源開口が配置され、
前記複数の蒸着源開口の位置に対応して前記複数列に沿って前記複数のマスク開口及び前記複数の制限板が配置されており、
前記複数列のうち前記第1方向に隣り合う2列において、前記複数の蒸着源開口が千鳥配置されていることを特徴とする有機EL素子の製造装置。 An apparatus for manufacturing an organic EL element having a film with a predetermined pattern on a substrate,
A deposition source having a deposition source opening for emitting deposition particles for forming the coating; and a deposition unit having a deposition mask disposed between the deposition source opening and the substrate;
A moving mechanism for moving one of the substrate and the vapor deposition unit relative to the other in a state where the substrate and the vapor deposition mask are spaced apart by a predetermined interval;
In the vapor deposition mask, a plurality of mask openings through which the vapor deposition particles emitted from the vapor deposition source opening pass are formed,
When the relative movement direction between the substrate and the vapor deposition unit is a first direction and the direction perpendicular to the first direction is a second direction, the vapor deposition unit is located between the vapor deposition source opening and the vapor deposition mask. A plurality of limiting plates having different positions in the second direction;
Each of the plurality of limiting plates limits an incident angle when viewed along the first direction of the vapor deposition particles incident on each of the plurality of mask openings,
A plurality of the vapor deposition source openings are arranged along a plurality of rows having different positions in the first direction,
The plurality of mask openings and the plurality of limiting plates are arranged along the plurality of rows corresponding to the positions of the plurality of vapor deposition source openings,
The apparatus for manufacturing an organic EL element, wherein the plurality of vapor deposition source openings are arranged in a staggered manner in two rows adjacent to each other in the first direction among the plurality of rows.
前記被膜を形成するための蒸着粒子を放出する蒸着源開口を備えた蒸着源、及び、前記蒸着源開口と前記基板との間に配置された蒸着マスクを備えた蒸着ユニットと、
前記基板と前記蒸着マスクとを一定間隔だけ離間させた状態で、前記基板及び前記蒸着ユニットのうちの一方を他方に対して相対的に移動させる移動機構とを備え、
前記蒸着マスクには、前記蒸着源開口から放出された前記蒸着粒子が通過する複数のマスク開口が形成されており、
前記基板及び前記蒸着ユニット間の相対的移動方向を第1方向、前記第1方向に直交する方向を第2方向としたとき、前記蒸着ユニットは、前記蒸着源開口と前記蒸着マスクとの間に前記第2方向の位置が異なる複数の制限板を更に備え、
前記複数の制限板のそれぞれは、前記複数のマスク開口のそれぞれに入射する前記蒸着粒子の前記第1方向に沿って見たときの入射角度を制限し、
前記第1方向の位置が異なる複数列に沿って複数の前記蒸着源開口が配置され、
前記複数の蒸着源開口の位置に対応して前記複数列に沿って前記複数のマスク開口及び前記複数の制限板が配置されており、
前記蒸着ユニットは、前記蒸着源開口と前記蒸着マスクとの間に第2制限板を更に備え、
前記第2制限板は、前記第2制限板に対して前記第1方向の一方の側において前記蒸着源開口から放出された蒸着粒子が、前記第1方向の他方の側に配置された前記マスク開口に入るのを防止し、
前記複数の制限板と前記第2制限板とは直交して配置されており、
前記複数列のうち前記第1方向に隣り合う2列において、前記複数の蒸着源開口が千鳥配置されていることを特徴とする有機EL素子の製造装置。 An apparatus for manufacturing an organic EL element having a film with a predetermined pattern on a substrate,
A deposition source having a deposition source opening for emitting deposition particles for forming the coating; and a deposition unit having a deposition mask disposed between the deposition source opening and the substrate;
A moving mechanism for moving one of the substrate and the vapor deposition unit relative to the other in a state where the substrate and the vapor deposition mask are spaced apart by a predetermined interval;
In the vapor deposition mask, a plurality of mask openings through which the vapor deposition particles emitted from the vapor deposition source opening pass are formed,
When the relative movement direction between the substrate and the vapor deposition unit is a first direction and the direction perpendicular to the first direction is a second direction, the vapor deposition unit is located between the vapor deposition source opening and the vapor deposition mask. A plurality of limiting plates having different positions in the second direction;
Each of the plurality of limiting plates limits an incident angle when viewed along the first direction of the vapor deposition particles incident on each of the plurality of mask openings,
A plurality of the vapor deposition source openings are arranged along a plurality of rows having different positions in the first direction,
The plurality of mask openings and the plurality of limiting plates are arranged along the plurality of rows corresponding to the positions of the plurality of vapor deposition source openings,
The vapor deposition unit further includes a second limiting plate between the vapor deposition source opening and the vapor deposition mask,
The second restriction plate is a mask in which vapor deposition particles emitted from the vapor deposition source opening on one side in the first direction with respect to the second restriction plate are arranged on the other side in the first direction. To prevent opening,
The plurality of limiting plates and the second limiting plate are arranged orthogonally ,
The apparatus for manufacturing an organic EL element , wherein the plurality of vapor deposition source openings are arranged in a staggered manner in two rows adjacent to each other in the first direction among the plurality of rows .
前記被膜を形成するための蒸着粒子を放出する蒸着源開口を備えた蒸着源、及び、前記蒸着源開口と前記基板との間に配置された蒸着マスクを備えた蒸着ユニットと、
前記基板と前記蒸着マスクとを一定間隔だけ離間させた状態で、前記基板及び前記蒸着ユニットのうちの一方を他方に対して相対的に移動させる移動機構とを備え、
前記蒸着マスクには、前記蒸着源開口から放出された前記蒸着粒子が通過する複数のマスク開口が形成されており、
前記基板及び前記蒸着ユニット間の相対的移動方向を第1方向、前記第1方向に直交する方向を第2方向としたとき、前記蒸着ユニットは、前記蒸着源開口と前記蒸着マスクとの間に前記第2方向の位置が異なる複数の制限板を更に備え、
前記複数の制限板のそれぞれは、前記複数のマスク開口のそれぞれに入射する前記蒸着粒子の前記第1方向に沿って見たときの入射角度を制限し、
前記制限板の前記第2方向の厚みは、前記第2方向に隣り合う前記制限板の間隔より大きいことを特徴とする有機EL素子の製造装置。 An apparatus for manufacturing an organic EL element having a film with a predetermined pattern on a substrate,
A deposition source having a deposition source opening for emitting deposition particles for forming the coating; and a deposition unit having a deposition mask disposed between the deposition source opening and the substrate;
A moving mechanism for moving one of the substrate and the vapor deposition unit relative to the other in a state where the substrate and the vapor deposition mask are spaced apart by a predetermined interval;
In the vapor deposition mask, a plurality of mask openings through which the vapor deposition particles emitted from the vapor deposition source opening pass are formed,
When the relative movement direction between the substrate and the vapor deposition unit is a first direction and the direction perpendicular to the first direction is a second direction, the vapor deposition unit is located between the vapor deposition source opening and the vapor deposition mask. A plurality of limiting plates having different positions in the second direction;
Each of the plurality of limiting plates limits an incident angle when viewed along the first direction of the vapor deposition particles incident on each of the plurality of mask openings,
2. The organic EL element manufacturing apparatus according to claim 1, wherein a thickness of the limiting plate in the second direction is larger than an interval between the limiting plates adjacent in the second direction.
前記被膜を形成するための蒸着粒子を放出する蒸着源開口を備えた蒸着源、及び、前記蒸着源開口と前記基板との間に配置された蒸着マスクを備えた蒸着ユニットと、
前記基板と前記蒸着マスクとを一定間隔だけ離間させた状態で、前記基板及び前記蒸着ユニットのうちの一方を他方に対して相対的に移動させる移動機構とを備え、
前記蒸着マスクには、前記蒸着源開口から放出された前記蒸着粒子が通過する複数のマスク開口が形成されており、
前記基板及び前記蒸着ユニット間の相対的移動方向を第1方向、前記第1方向に直交する方向を第2方向としたとき、前記蒸着ユニットは、前記蒸着源開口と前記蒸着マスクとの間に前記第2方向の位置が異なる複数の制限板を更に備え、
前記複数の制限板のそれぞれは、前記複数のマスク開口のそれぞれに入射する前記蒸着粒子の前記第1方向に沿って見たときの入射角度を制限し、
前記蒸着源開口が、前記第1方向に延びたスリット状の開口であることを特徴とする有機EL素子の製造装置。 An apparatus for manufacturing an organic EL element having a film with a predetermined pattern on a substrate,
A deposition source having a deposition source opening for emitting deposition particles for forming the coating; and a deposition unit having a deposition mask disposed between the deposition source opening and the substrate;
A moving mechanism for moving one of the substrate and the vapor deposition unit relative to the other in a state where the substrate and the vapor deposition mask are spaced apart by a predetermined interval;
In the vapor deposition mask, a plurality of mask openings through which the vapor deposition particles emitted from the vapor deposition source opening pass are formed,
When the relative movement direction between the substrate and the vapor deposition unit is a first direction and the direction perpendicular to the first direction is a second direction, the vapor deposition unit is located between the vapor deposition source opening and the vapor deposition mask. A plurality of limiting plates having different positions in the second direction;
Each of the plurality of limiting plates limits an incident angle when viewed along the first direction of the vapor deposition particles incident on each of the plurality of mask openings,
The organic EL element manufacturing apparatus, wherein the vapor deposition source opening is a slit-like opening extending in the first direction.
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