JP5627130B2 - 正イオンを含有したエレクトレットの形成方法 - Google Patents
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Description
本発明による正イオンを含有したエレクトレットの形成方法(以下本発明の方法と略称する)とこれを用いた立体型櫛歯エレクトレット電極の製造方法の原理を説明するために、基本的な製造過程を簡単に説明し、さらに個々の製造工程につき更に詳細に説明する。次にエレクトレット電極の性能を改善する方法について説明する。その後、本発明の方法を用いて立体型櫛歯エレクトレット電極を製造する方法ついて説明し、最後にこの立体型櫛歯エレクトレット電極での本方法の効果について説明する。
なお、以下では説明のため、正イオンとしてK+イオンを用いた場合の例について説明する。
図1(a)〜(e)は、本発明の方法におけるエレクトレット電極の製造方法の原理を示す製造ステップを示す。すなわち図1では、簡単のため平面型のエレクトレットの構造で説明している。
以上により、K+イオンを含むSiO2層のエレクトレットを備えた、エレクトレット基板Bが形成される。
上記で説明したエレクトレット基板Bには、K+イオンが注入されたSiO2層が形成されているが、この櫛歯電極を長時間空気中に曝すと、空気中の水分とK+イオンが反応して次第に中和され、エレクトレットとしての機能が低下する。
このようなK+イオンの中和を防ぐために、SiO2層の表面にさらに撥水性被膜6を形成する(図1(e))。この状態の基板を基板Cとする。
以上で、正イオンを含有したエレクトレットの形成方法とこれを用いた立体型櫛歯エレクトレット電極の製造方法の原理を分かり易いように、その全製造過程を簡単に説明した。以下では、上記で説明した個々の製造ステップで、本発明の方法の特徴となる部分についてさらに詳細に説明する。
図2は、図1(a)のSi基板に、K+イオンを拡散したSiO2層2を形成し、基板Aとするためのウェット酸化法の原理を簡単に示す。この方法は、熱酸化によってSi基板にSiO2層を形成する方法を利用して、K+イオンを含有したSiO2層を形成する方法である。
図1(c)で説明したBT処理を水素雰囲気で行うと、K+イオンの移動によって生じるエレクトレット電圧を更に高くすることができる。図3は、水素雰囲気でBT処理を行うための処理装置(H−BT装置と略称)40の概略図である。
エレクトレット電極製造の最後のステップ(図1(e))で形成する撥水膜には、たとえば特開2008−110436号公報で記載されているような化学吸着単分子膜を用いる。この方法では、SiO2層の上に、たとえばフッ化炭素基と炭化水素基とアルコキシシリル基とを主成分とする化学物質を用いて、化学吸着単分子膜を容易に形成することができる。
以下で本発明の方法を用いて立体型櫛歯電極にエレクトレットを形成する方法を説明する。
図5は、本発明の方法を用いて形成されたエレクトレットを備えた立体型櫛歯電極からなる振動発電素子20の全体構造を簡略化して示したものである。櫛歯電極の櫛歯の数は振動発電素子の出力の仕様に対応して適宜増減して作製される。
なお、以下では説明のため、BT処理を用いて可動櫛歯電極にK+イオンからなるエレクトレットを形成する場合を説明する。したがって、可動櫛歯電極21の櫛歯部23のSiO2層のK+イオンを表面に移動させるように、可動櫛歯電極21および固定櫛歯電極22の間に電圧VBを印加する。K+イオンからなるエレクトレットを固定櫛歯電極22に形成することも可能であり、この場合は、可動櫛歯電極21および固定櫛歯電極22の間に以下の説明とは正負を逆にした電圧VBを印加する。
図7は、図6と同様に、図5に示す振動発電素子20を上面から見た図である。本発明の方法を用いて立体型櫛歯電極にエレクトレットを形成する方法を分かり易く説明するため、立体型櫛歯電極の可動櫛歯電極21は1個の櫛歯部23のみを、また固定櫛歯電極22では2個の櫛歯部24のみを示している。
しかしながら、上記のような形状の立体型櫛歯電極に100V程度以上のバイアス電圧VBを印加すると、可動櫛歯電極21の櫛歯部23と固定櫛歯電極22の櫛歯部24の間の電界による引力で、可動櫛歯電極の櫛歯部23が固定櫛歯電極の櫛歯部24に引き寄せられて接触した状態となってしまうプルイン現象が発生する。図8では、固定櫛歯電極22の下側の櫛歯部24aにプルインされた状態を示す。
図11は、ABT処理を水素雰囲気で行った場合の効果を示す例である。
バイアス電圧の印加は、図8に示す場合と同様に行っているが、エレクトレット電圧の増加も、図10に示す場合に比べ約2倍であった。なお、図10に示すデータは、大気中でABT処理を行った場合のものである。
なお、この水素雰囲気での処理によって大きなエレクトレット電圧が得られる効果は、ABT処理に限らず通常のBT処理においても同様に得られる。したがって、図1を参照した上記の説明から分かるように、H−BT処理を用いて平面型エレクトレットを製造する場合にもこの効果が得られる。
上記で説明したように、この立体型櫛歯電極の櫛歯の数は、振動発電素子として要求される発電量(電圧、電流)に対応して適宜決定される。また当然ながら、各々の櫛歯の大きさ(長さ、高さ)も、この要求される発電量に対応して適宜設計可能である。
2・・・SiO2層
3・・・電極
4・・・電極
5・・・ヒーター
6・・・撥水性被膜
10・・・N2ガス
11・・・水酸化カリウム溶液
12・・・加熱炉
13・・・ヒーター
20・・・振動発電素子
21・・・立体型可動櫛歯電極
22・・・立体型固定櫛歯電極
23・・・立体型可動櫛歯電極櫛歯部
24、24a、24b・・・立体型固定櫛歯電極櫛歯部
25・・・出力端子
26・・・出力端子
27・・・出力抵抗
30・・・バネ部
31・・・バイアス電源
40・・・H−BT処理装置
41・・・真空チャンバ
42・・・圧力計
43・・・真空ポンプ
44・・・サンプル
45・・・希釈水素ガス
46・・・観察窓
47・・・顕微鏡
48・・・プローバ針
50・・・撥水膜形成装置
51・・・撥水膜処理液
52・・・N2ガス
53・・・サンプル
Claims (3)
- 加熱したSi基板に正の電荷を有するイオンを含む水蒸気を触れさせて、前記Si基板の上に、前記イオンを含む酸化膜を形成する第1の工程と、
前記酸化膜において前記Si基板と接していない側を負側とし、前記Si基板において前記酸化膜に接していない側を正側とする電界を印加するとともに、前記酸化膜を形成した前記Si基板を水素雰囲気中で加熱し、前記酸化膜に含まれる前記イオンを前記酸化膜において前記Si基板に接していない側に移動させる第2の工程と、
前記第2の工程に続いて、不活性ガス雰囲気中で、前記酸化膜が形成された前記Si基板を撥水性の化学吸着単分子膜を形成する化学物質を含む水蒸気に接触させて、前記酸化膜の表面に撥水性の被膜を形成する第3の工程を含み、
前記第2の工程と前記第3の工程は、1つの共通な容器の中で続けて行われることを特徴とする正イオンを含有したエレクトレットの形成方法。 - 請求項1に記載の正イオンを含有したエレクトレットの形成方法において、
前記正イオンは、アルカリイオンであることを特徴とする正イオンを含有したエレクトレットの形成方法。 - 請求項2に記載の正イオンを含有したエレクトレットの形成方法において、
前記アルカリイオンは、K+イオンであることを特徴とする正イオンを含有したエレクトレットの形成方法。
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