JP5414546B2 - 容量検出型の電気機械変換素子 - Google Patents
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Description
例えば、検体からの超音波を検出するために、1画素が2mmの幅を持ち、約3mmピッチで、全590画素で配置されたPVDFセンサ(約75mm角)が用いられている。PVDFセンサは、PZTセンサに比べて、広帯域であるという特徴を有している。
このCMUTは半導体プロセスを応用して形成しているため、低コスト化が可能である特徴がある。CMUTでは、測定対象の周波数帯域により250μm〜400μmの画素幅が用いられる。
しかし、本発明者らが鋭意検討した結果、CMUTの画素サイズをそのまま大きくする(1画素を構成するセル(又はエレメント)の数を増加させる)と、次のような課題が生じることを見出した。
静電容量検出型のセンサであるCMUTは、容量変化による電流変化を検出する検出回路を有している。
従来のCMUTで用いられている画素サイズを拡大し、乳房腫瘍診断装置用のサイズに広げようとすると、CMUTにおける1画素での容量負荷が大きくなる。そのため、検出回路への負荷が大きくなり、検出回路を安定に動作させるために、検出する帯域を狭くすることが必要となるという課題が生じる。
前記第1の電極と前記第2の電極との間の容量変化により、振動膜の変位の検出が可能な検出回路と、を備えた容量検出型の電気機械変換素子であって、
前記セルが複数備えられ、該複数のセルにおける少なくとも二つのセルの前記第1の電極又は第2の電極同士が、同一の検出回路に接続されてなる構成を1グループとするグループを複数有し、
前記複数のグループにおける各検出回路の信号を合算して1つの情報として出力する合算回路を備え、1つの検出回路に掛かる容量負荷を分散させて構成されていることを特徴とする。
図1を用いて、第1の実施の形態の容量検出型の電気機械変換素子を構成するCMUTについて説明する。
本実施形態のCMUTにおいて、振動膜101で受信した超音波の情報を平均化した1つの情報として出力する領域を、以下において1画素と記す。
1画素内では、超音波の持つ振幅や位相情報は平均化されており、装置側では画素単位での振幅や位相情報を元に検体の画像化を行なう。
振動膜101は基板106上に形成された支持部103により支持されている。振動膜101と支持部103、基板106は絶縁体で形成されている。
本実施形態のCMUTは、基板106に配された検出電極(第1の電極)105と、この検出電極105と間隙104を介して設けられた振動膜101に検出電極105と対向するように配されたバイアス電極(第2の電極)102とによる構成を備えている。
このような基板に配された検出電極と、該検出電極と間隙を介して設けられた振動膜に、該検出電極と対向するように配されたバイアス電極とによる1組の構成を、以下においてセルと記す。
バイアス電極102には、一定のDC電圧が印加されるように構成されている。なお、間隙104部分は大気圧より減圧されている。
振動膜101が超音波により振動すると、バイアス電極と検出電極間の静電容量がその振動に応じて変化する。
この静電容量の変化と、バイアス電極に印加されたバイアス電圧により、検出電極105に誘導電荷が発生し、微小な電流が流れる。
セルの振動膜のサイズ(厚さ、直径)は、検出したい超音波について、振動膜が振動しやすい周波数になるように決定されている。また、1画素の大きさは、検出したい超音波の波長の長さより決定される。
一般的に、セルの直径は10μmから数10μm程度であり、1画素の大きさは、背景技術で述べたようにPhotoacoustic効果を応用した乳房腫瘍診断装置では2mm程度である。
そのため、複数(上記の例では、100〜4000個程度)のセルにより1画素が形成される構成となっている。
具体的には、検出電極105の電極同士(第1の電極同士)を配線で接続して、同一の検出回路107に接続されている構成、を1つのグループとし、このようなグループを複数有する。
図1では、基板106上に配された電極105を検出電極である第1の電極とした構成を例示しているが、本発明においては、当該第1の電極105と、バイアス電極である第2の電極102とを入れ替えて、第2の電極を検出電極とすることもできる。この場合には、検出電極102の電極同士(第2の電極同士)を配線で接続して、同一の検出回路107に接続されている構成、を1つのグループとし、このようなグループを複数有する構成とすれば良い。
本発明のCMUTでは、1画素内にN個のグループ毎に検出回路が1個(全部でN個)備えていることを特徴としている。
これにより、1つの検出回路に掛かる容量負荷を分散することができるため、該検出回路による検出信号が安定に動作する周波数帯域を広くすることができる。そのため、画素サイズを大きくしても、検出帯域が狭くなることなく、Photoacoustic効果を応用した乳房腫瘍診断装置においても広帯域化を図ることが可能なCMUTを提供することができる。
合算回路108は、1画素において備えているN個の検出回路の出力信号をすべて合算して、合算信号をCMUTの出力信号端子に出力する。
1画素毎に合算回路108を有することにより、CMUTの外部に引き出す配線の数を減らすことができる。
これにより、CMUTの小型化や、信頼性を向上させることができる。また、CMUTにおける信号を受信する装置の負荷を低減することができる。
図2を用いて、第2の実施の形態の容量検出型の電気機械変換素子を構成するCMUTについて説明する。
図2にトランスインピーダンス回路の構成図を示す。
図2において、201はオペアンプ、202、204は抵抗、203、205はコンデンサである。なお、図1に対応する構成については図1を用いて説明することとする。
本実施形態は、検出回路の構成と、分割数の関係以外は、第1の実施形態と同じである。
ここで検出回路107は、振動膜の振動によって発生した微小電流を検出するための回路である。
本実施形態では、微小電流の変化を電圧に変化する電流−電圧変換回路であるトランスインピーダンス回路を用いている。
図2では、オペアンプ201は正負電源VDD、VSSに接続されている。
オペアンプ201の反転入力端子(−IN)は、CMUTの検出電極105からの配線で接続されている。
また、オペアンプ201の出力端子(OUT)は、並列に接続された抵抗202とコンデンサ203に反転入力端子(−IN)接続されて、出力信号がフィードバックされる構成になっている。
オペアンプ201の非反転入力端子(+IN)は、並列に接続された抵抗204とコンデンサ205により、グランド端子(GND)に接続されている。
グランド端子(GND)の電圧は、正電源VDDと負電源VSS間の中間電位となっている。
抵抗202と204の抵抗値、コンデンサ203と205の容量値は、それぞれ同じ値である。
トランスインピーダンス回路は、他の回路構成に比べて、帯域が広く取れる特徴を有している。
また、検出回路107からの出力信号は電圧値として出力されるため、合算回路までの配線での信号劣化が起こりにくい。
また、合算回路108は電圧加算回路であり、検出回路107からの出力電圧を加算して、出力端子より外部へ出力を行う。
ここで、オペアンプ201の利得帯域幅をGBW、抵抗202、204の抵抗値をRF、コンデンサの容量値をCF、オペアンプの非反転入力端子(+IN)に寄生する容量をCinとする。
オペアンプを図2で示した回路でトランスインピーダンス動作する際には、入力された信号がRFとCFを介して負帰還となっているため、回路全体の安定性を考慮する必要がある。入力端子に寄生している容量Cinが大きいと、負帰還回路が不安定になり、回路自体が発振してしまうことがある。この状態となると、本来の電流−電圧変換を行うことができなくなくなるため、Cinの値に対して回路の安定性を考慮して、最適なGBW、RF、CFを選択する必要がある。
入力端子の寄生容量Cinは、検出電極105部分に寄生する容量であるCmutや接続配線に寄生する容量をCwiringと、1画素内での分割数Nを用いて、式(2)で表すことができる。
本実施形態のCMUTでは、式(3)を用いて、1画素内の分割数Nを決定することが特徴である。
このように、トランスインピーダンス回路の所定の利得帯域幅、帰還容量、抵抗値に基づいて、
オペアンプの利得帯域幅と1つの情報当たりの検出電極を構成する検出電極に発生する寄生容量と、該検出電極と検出回路間の配線に発生する寄生容量から、分割数Nと検出回路の数を決定することができる。
これによりN個に設定された検出回路により、画素サイズが大きくなったとしても、検出回路を広い帯域まで安定して動作させることができる。
図3を用いて、第3の実施の形態の容量検出型の電気機械変換素子を構成するCMUTについて説明する。
本実施形態は、検出回路と合算回路の構成以外は、第1の実施形態から第2の実施形態と同じである。
301は電流増幅回路、302は電流加算回路、303は電流−電圧変換回路である。検出回路107は、電流増幅回路301によって構成される。
また、合算回路108は、電流加算回路302と電流−電圧変換回路303によって構成される。
電流増幅回路301は、検出回路107からの微小電流を増幅し、インピーダンス変換をして、合算回路108に出力する。
合算回路108では、入力された複数の電流を電流加算回路302により、電流加算を行う。
加算された電流は、電流−電圧変換回路で、対応する電圧信号に変換され、CMUTの外部に出力される。
本実施形態のCMUTを用いることで、画素サイズを大きくしても、検出帯域が狭くなることなく、より小さな回路面積であるCMUTを提供することができる。
図4を用いて、第4の実施の形態の容量検出型の電気機械変換素子を構成するCMUTについて説明する。
本実施形態は、検出回路と合算回路が形成されている基板についての構成以外は、第1の実施形態から第3の実施形態と同じである。
図4に、本実施形態に係るCMUTの構成図を示す。
図4において、401は第1の基板、402は第2の基板、403は貫通配線、404は検出回路の出力端子、405は合算回路の入力端子、406はバンプである。
すなわち、一方の面上に検出電極105を含むセルにより構成される画素が形成されている。
また、基板の他方の面(複数のグループから構成されるセルが配設された反対側の面)上に複数のグループにおける各検出回路が形成されている。すなわち、1画素についてN個の検出回路107が形成されている。
第1の基板401は、画素数P×1画素内のセル数の基板を貫通する配線を有しており、貫通配線により1グループ毎の検出電極が対応した検出回路(CMUT全体でP×N個)に接続されている。
第2の基板402上には、画素数分のP個の合算回路が形成されている。
第1の基板401上に形成された検出回路の出力端子と、上記第2の基板上に形成された合算回路の入力端子405は、これらの入力端子間が画素毎にバンプによって電気的に接続されている。
CMUTの出力信号は、第2の基板402上に形成された画素数分の配線により、画素数分(P本)の端子まで引き出されている。
そのため、より検出回路への負荷を減らすことができ、広帯域なCMUTを提供することができる。
図5を用いて、第5の実施の形態の容量検出型の電気機械変換素子を構成するCMUTについて説明する。
本実施形態は、基板上に検出回路が形成されている位置の構成以外は、第4の実施形態と同じである。
第1の基板401は、画素数×N本の基板を貫通する配線を有しており、貫通配線により1グループ毎の検出回路(CMUT全体でP×N個)の出力端子が、もう一方側の対応した電極407に接続されている。第2の基板402上には、画素数分のP個の合算回路が形成されている。
第1の基板401上の電極407と、第2の基板402上に形成された合算回路の入力端子405は、画素毎にバンプによって電気的に接続されている。
CMUTの出力信号は、第2の基板402上に形成された画素数分の配線により、画素数分(P本)の端子まで引き出されている。
図6を用いて、第6の実施の形態の容量検出型の電気機械変換素子を構成するCMUTについて説明する。
本実施形態は、検出回路と合算回路が形成されている位置の構成以外は、第1の実施形態から第3の実施形態と同じである。
基板401上には、1画素に対応する領域内にN個の検出回路107と1個の合算回路108が形成されたこれらの回路上に、検出電極105を含むセルにより構成される画素が形成されて2次元アレイ状に配置されている。
CMUTの出力信号は、基板401上に形成された画素数分の配線により、画素数分(P本)の端子まで引き出されている。
本実施形態のCMUTを用いることで、画素からの配線の長さを最小にすることができるため、配線により発生する寄生容量を大幅に小さくすることができる。そのため、より検出回路への負荷を減らすことができ、より広帯域なCMUTを提供することができる。
加えて、検出回路と合算回路間の配線距離を最小にすることができるため、検出回路からの出力を合算するまでの信号劣化を抑制することができるため、信号の劣化の少ない高性能なCMUTを提供することができる。
また、第3の実施形態では、検出回路から合算回路間を電流信号で伝送しており、電圧で伝送する方式と比べると、配線を長くするとノイズの印加や信号の劣化が発生する可能性が高い。
本実施形態は検出回路から合算回路までの配線を最小にすることができるため、本実施形態と第3の実施形態を組み合わせることで、より信号の劣化の少ない高性能なCMUTを提供することができる。
102:バイアス電極
103:支持部
104:間隙
105:検出電極
106:基板
107:検出回路
108:合算回路
Claims (6)
- 基板に配された第1の電極と、前記第1の電極と間隙を介して設けられた振動膜に前記第1の電極と対向するように配された第2の電極と、によって構成されたセルと、
前記第1の電極と前記第2の電極との間の容量変化により、振動膜の変位の検出が可能な検出回路と、を備えた容量検出型の電気機械変換素子であって、
前記セルが複数備えられ、該複数のセルにおける少なくとも二つのセルの前記第1の電極又は前記第2の電極同士が、同一の検出回路に接続されてなる構成を1グループとするグループを複数有し、
前記複数のグループにおける各検出回路の信号を合算して1つの情報として出力する合算回路を備え、1つの検出回路に掛かる容量負荷を分散させて構成されていることを特徴とする容量検出型の電気機械変換素子。 - 前記検出回路が、オペアンプを用いたトランスインピーダンス回路により構成され、前記合算回路が電圧加算回路によって構成されており、
前記検出回路の所定の周波数と、トランスインピーダンス回路の所定の帰還容量または抵抗値に基づいて、
前記オペアンプの利得帯域幅と前記1つの情報当たりの検出電極を構成する前記第1の電極又は前記第2の電極に発生する寄生容量と、前記第1の電極又は前記第2の電極と検出回路間の配線に発生する寄生容量と、から、
前記複数の検出回路の数が設定されていることを特徴とする請求項1に記載の容量検出型の電気機械変換素子。 - 前記検出回路が電流増幅回路によって構成され、
前記合算回路が電流加算回路と電流−電圧変換回路によって構成されていることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の容量検出型の電気機械変換素子。 - 第1の基板である前記基板の前記複数のグループから構成されるセルが配設された反対側の面上に、前記複数のグループから構成されるセルに対して各々の検出回路が形成され、
これらの電極と検出回路との入力端子間が、前記第1の基板を貫通する配線によって接続された構成を備えると共に、前記合算回路が第2の基板上に形成され、
前記検出回路の出力端子と前記合算回路の入力端子が、バンプにより接続されていることを特徴とする請求項1から3のいずれか1項に記載の容量検出型の電気機械変換素子。 - 第1の基板の一方の面上に、前記複数のグループにおける各検出回路が形成される一方、前記各検出回路上に、前記複数のグループにおけるセルが、該セルの前記第1の電極側を対向させて配設され、
前記検出回路の出力端子が前記第1の基板を貫通する配線によって、前記第1の基板のもう一方の面に形成された電極まで配線された構成を備えると共に、前記合算回路が第2の基板上に形成され、
前記第1の基板のもう一方の面に形成された電極と前記第2の基板上の合算回路の入力端子が、電気的にバンプにより接続されていることを特徴とする請求項1から3のいずれか1項に記載の容量検出型の電気機械変換素子。 - 前記基板上に、前記複数のグループにおける各検出回路と合算回路が形成されており、これらの回路上に前記複数のグループにおけるセルが、該セルの前記第1の電極側を対向させて2次元アレイ状に配設されていることを特徴とする請求項1から3のいずれか1項に記載の容量検出型の電気機械変換素子。
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