JP4691456B2 - Positive photosensitive composition and pattern forming method using the same - Google Patents

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本発明は、IC等の半導体製造工程、液晶、サーマルヘッド等の回路基板の製造、さらにその他のフォトファブリケーション工程に使用されるポジ型感光性組成物及びそれを用いたパターン形成方法に関するものである。さらに詳しくは250nm以下、好ましくは220nm以下の遠紫外線などの露光光源、および電子線などによる照射源とする場合に好適なポジ型感光性組成物及びそれを用いたパターン形成方法に関するものである。   The present invention relates to a positive photosensitive composition used in a semiconductor manufacturing process such as an IC, a circuit board such as a liquid crystal or a thermal head, and other photofabrication processes, and a pattern forming method using the same. is there. More specifically, the present invention relates to a positive photosensitive composition suitable for use as an exposure light source such as far ultraviolet rays of 250 nm or less, preferably 220 nm or less, and an irradiation source using an electron beam, and a pattern forming method using the same.

化学増幅系感光性組成物は、遠紫外光等の放射線の照射により露光部に酸を生成させ、この酸を触媒とする反応によって、活性放射線の照射部と非照射部の現像液に対する溶解性を変化させ、パターンを基板上に形成させるパターン形成材料である。   The chemically amplified photosensitive composition generates an acid in the exposed area by irradiation with radiation such as far ultraviolet light, and the acid-catalyzed reaction causes the solubility of the active radiation irradiated area and non-irradiated area in the developer. This is a pattern forming material for changing the pattern to form a pattern on the substrate.

KrFエキシマレーザーを露光光源とする場合には、主として248nm領域での吸収の小さい、ポリ(ヒドロキシスチレン)を基本骨格とする樹脂を主成分に使用するため、高感度、高解像度で、且つ良好なパターンを形成し、従来のナフトキノンジアジド/ノボラック樹脂系に比べて良好な系となっている。   When a KrF excimer laser is used as an exposure light source, a resin having a basic skeleton of poly (hydroxystyrene) having a small absorption mainly in the 248 nm region is used as a main component. A pattern is formed, which is a better system than the conventional naphthoquinone diazide / novolak resin system.

一方、更なる短波長の光源、例えばArFエキシマレーザー(193nm)を露光光源として使用する場合は、芳香族基を有する化合物が本質的に193nm領域に大きな吸収を示すため、上記化学増幅系でも十分ではなかった。
このため、脂環炭化水素構造を有する樹脂を含有するArFエキシマレーザー用レジストが開発されてきている。特許文献1(特開2002−202604公報)にはアクリルアミドなどアミド構造を有する繰り返し単位を含有する樹脂が記載されている。線幅100nm以下のような微細なパターンを形成する際には、解像性能が優れていても、形成したラインパターンが倒れてしまい、デバイス製造時の欠陥となってしまうパターン倒れの問題や、ラインパターンのラインエッジラフネス性能の改良が求められていた。
ここで、ラインエッジラフネスとは、レジストの特性に起因して、レジストのラインパターンと基板界面のエッジが、ライン方向と垂直な方向に不規則に変動した形状を呈することをいう。このパターンを真上から観察するとエッジが凸凹(±数nm〜数十nm程度)に見える。この凸凹は、エッチング工程により基板に転写されるため、凸凹が大きいと電気特性不良を引き起こし、歩留まりを低下させることになる。
On the other hand, when a further short wavelength light source, for example, an ArF excimer laser (193 nm) is used as an exposure light source, the compound having an aromatic group exhibits a large absorption in the 193 nm region. It wasn't.
For this reason, an ArF excimer laser resist containing a resin having an alicyclic hydrocarbon structure has been developed. Patent Document 1 (Japanese Patent Application Laid-Open No. 2002-202604) describes a resin containing a repeating unit having an amide structure such as acrylamide. When forming a fine pattern such as a line width of 100 nm or less, even if the resolution performance is excellent, the formed line pattern collapses, and the problem of pattern collapse that becomes a defect during device manufacturing, Improvements in line edge roughness performance of line patterns have been demanded.
Here, the line edge roughness means that the resist line pattern and the edge of the substrate interface exhibit irregular shapes in a direction perpendicular to the line direction due to the characteristics of the resist. When this pattern is observed from directly above, the edges appear to be uneven (± several nm to several tens of nm). Since the unevenness is transferred to the substrate by an etching process, if the unevenness is large, an electrical characteristic defect is caused and the yield is lowered.

特開2002−202604公報JP 2002-202604 A

従って、本発明の目的は、100nm以下の微細パターンの形成においても、ラインエッジラフネス、パターン倒れが改良されたポジ型感光性組成物及びそれを用いたパターン形成方法を提供することにある。   Accordingly, an object of the present invention is to provide a positive photosensitive composition having improved line edge roughness and pattern collapse even in the formation of a fine pattern of 100 nm or less, and a pattern forming method using the same.

<1> (A)一般式(I−1)または(I−2)で表される部分構造を少なくとも一つ含有する繰り返し単位を有する、酸の作用により分解し、アルカリ現像液中での溶解度が増大する樹脂、及び、(B)活性光線または放射線の照射により酸を発生する化合物を含有するポジ型感光性組成物。
Xbは、n +1価の単環または多環である、脂環の環状炭化水素連結基を表す。
Ra 〜Ra は、各々独立に、水素原子、水酸基または有機基を表す。
Ra とRa は結合して環構造を形成しても良い。
は1または2を表す。
<2> 樹脂(A)が、一般式(I−1a)または(I−2a)で表される繰り返し単位を含有する樹脂である上記<1>に記載のポジ型感光性組成物。
Rxは、水素原子、アルキル基またはシアノ基を表す。
Xcは一般式(I−1)または(I−2)で表される基を表す。
Ra 〜Ra は、各々独立に、水素原子または有機基を表す。
は、0または1を表す。
<3> 樹脂(A)が、更に脂環炭化水素構造を有する酸分解性基を有する繰り返し単位を含有することを特徴とする上記<1>または<2>に記載のポジ型感光性組成物。
<4> 樹脂(A)が、更にラクトン構造を有する繰り返し単位を含有することを特徴とする上記<1>〜<3>のいずれか一項に記載のポジ型感光性組成物。
<5> 上記<1>〜<4>のいずれか一項に記載のポジ型感光性組成物より形成された感光性膜。
<6> 上記<5>に記載の感光性膜を、露光、現像することを特徴とするパターン形成方法。
<7> 該感光性膜を、液浸液を介して露光を行うことを特徴とする上記<6>に記載のパターン形成方法。
本発明は、上記<1>〜<7>に係る発明であるが、以下、他の事項も含めて記載している。
(A)一般式(I−1)または(I−2)で表される部分構造を少なくとも一つ含有する繰り返し単位を有する、酸の作用により分解し、アルカリ現像液中での溶解度が増大する樹脂、及び、(B)活性光線または放射線の照射により酸を発生する化合物を含有するポジ型感光性組成物。
<1> (A) Solubility in an alkali developer by decomposition by the action of an acid having a repeating unit containing at least one partial structure represented by formula (I-1) or (I-2) A positive photosensitive composition containing a resin in which the acid increases, and (B) a compound that generates an acid upon irradiation with actinic rays or radiation.
Xb represents an n 1 +1 valent monocyclic or polycyclic alicyclic cyclic hydrocarbon linking group.
Ra 1 to Ra 4 each independently represents a hydrogen atom, a hydroxyl group or an organic group.
Ra 1 and Ra 2 may combine to form a ring structure.
n 1 represents 1 or 2.
<2> The positive photosensitive composition according to <1>, wherein the resin (A) is a resin containing a repeating unit represented by the general formula (I-1a) or (I-2a).
Rx represents a hydrogen atom, an alkyl group or a cyano group.
Xc represents a group represented by general formula (I-1) or (I-2).
Ra 5 to Ra 7 each independently represent a hydrogen atom or an organic group.
n 2 represents 0 or 1.
<3> The positive photosensitive composition as described in <1> or <2> above, wherein the resin (A) further contains a repeating unit having an acid-decomposable group having an alicyclic hydrocarbon structure. .
<4> The positive photosensitive composition according to any one of <1> to <3>, wherein the resin (A) further contains a repeating unit having a lactone structure.
<5> A photosensitive film formed from the positive photosensitive composition according to any one of <1> to <4>.
<6> A pattern forming method comprising exposing and developing the photosensitive film according to <5>.
<7> The pattern forming method as described in <6> above, wherein the photosensitive film is exposed through an immersion liquid.
Although this invention is invention which concerns on said <1>-<7>, hereafter, other matters are also described.
(A) Decomposing by the action of an acid having a repeating unit containing at least one partial structure represented by formula (I-1) or (I-2), and increasing the solubility in an alkaline developer. A positive photosensitive composition comprising a resin and (B) a compound that generates an acid upon irradiation with actinic rays or radiation.

Xbは、n価の単環または多環の環状炭化水素連結基を表す。
Ra〜Raは、各々独立に、水素原子、水酸基または有機基を表す。
RaとRaは結合して環構造を形成しても良い。
は1または2を表す。
Xb represents a n 1 monovalent monocyclic or polycyclic hydrocarbon linking group.
Ra 1 to Ra 4 each independently represents a hydrogen atom, a hydroxyl group or an organic group.
Ra 1 and Ra 2 may combine to form a ring structure.
n 1 represents 1 or 2.

(2)樹脂(A)が、一般式(I−1a)または(I−2a)で表される繰り返し単位を含有する樹脂である上記(1)に記載のポジ型感光性組成物。 (2) The positive photosensitive composition as described in (1) above, wherein the resin (A) is a resin containing a repeating unit represented by the general formula (I-1a) or (I-2a).

Rxは、水素原子、アルキル基(置換アルキル基として、特にトリフロロメチル基、−CH−ORaを挙げることができる。Raは、水素原子、アルキル基、アシル基またはラクトン基を表す。)またはシアノ基を表す。
Xcは一般式(I−1)または(I−2)で表される基を表す。
Ra〜Raは、各々独立に、水素原子または有機基を表す。
は、0または1を表す。
Rx may be a hydrogen atom or an alkyl group (in particular, a substituted alkyl group may be a trifluoromethyl group or —CH 2 —ORa 8. Ra 8 represents a hydrogen atom, an alkyl group, an acyl group or a lactone group. ) Or a cyano group.
Xc represents a group represented by general formula (I-1) or (I-2).
Ra 5 to Ra 7 each independently represents a hydrogen atom or an organic group.
n 2 represents 0 or 1.

(3)樹脂(A)が、更に脂環炭化水素構造を有する酸分解性基を有する繰り返し単位を含有することを特徴とする上記(1)または(2)に記載のポジ型感光性組成物。
(4)樹脂(A)が、更にラクトン構造を有する繰り返し単位を有する樹脂であることを特徴とする上記(1)〜(3)のいずれかに記載のポジ型感光性組成物。
(5)上記(1)〜(4)のいずれかに記載のポジ型感光性組成物を用いて、感光性膜を形成し、該感光性膜を、露光、現像することを特徴とするパターン形成方法。
(3) The positive photosensitive composition as described in (1) or (2) above, wherein the resin (A) further contains a repeating unit having an acid-decomposable group having an alicyclic hydrocarbon structure. .
(4) The positive photosensitive composition as described in any one of (1) to (3) above, wherein the resin (A) is a resin further having a repeating unit having a lactone structure.
(5) A pattern characterized by forming a photosensitive film using the positive photosensitive composition according to any one of (1) to (4) above, and exposing and developing the photosensitive film. Forming method.

(6)上記一般式(I−1)または(I−2)で表される部分構造を有する重合性化合物及び下記一般式(I−1b)または(I−2b)で表される重合性化合物。 (6) A polymerizable compound having a partial structure represented by the general formula (I-1) or (I-2) and a polymerizable compound represented by the following general formula (I-1b) or (I-2b) .



(7)上記一般式(I−1)または(I−2)で表される部分構造を有する繰り返し単位を有する樹脂及び上記一般式(I−1a)または(I−2a)で表される繰り返し単位を有する樹脂。


(7) Resin having a repeating unit having a partial structure represented by the general formula (I-1) or (I-2) and a repeating represented by the general formula (I-1a) or (I-2a) Resin having units.

本発明により、100nm以下の微細パターンの形成においても、ラインエッジラフネス、パターン倒れが著しく軽減され、良好なパターンを生産性良く形成することができる。   According to the present invention, even when a fine pattern of 100 nm or less is formed, line edge roughness and pattern collapse are remarkably reduced, and a good pattern can be formed with high productivity.

〔1〕酸の作用により分解し、アルカリ現像液中での溶解度が増大する樹脂(A成分)
本発明の感光性組成物は、一般式(I−1)または(I−2)で表される構造を有する繰り返し単位を含有する、酸の作用により分解し、アルカリ現像液中での溶解度が増大する樹脂(酸分解性樹脂)を含有する。
[1] Resin that decomposes by the action of acid and increases its solubility in an alkaline developer (component A)
The photosensitive composition of the present invention contains a repeating unit having a structure represented by formula (I-1) or (I-2), decomposes by the action of an acid, and has a solubility in an alkali developer. Contains increasing resin (acid-decomposable resin).

Xbは、n+1価の単環または多環の環状炭化水素連結基を表す。
Ra〜Raは、各々独立に、水素原子、水酸基または有機基を表す。
RaとRaは結合して環構造を形成しても良い。
は1または2を表す。
Xb represents an n 1 +1 monovalent or polycyclic cyclic hydrocarbon linking group.
Ra 1 to Ra 4 each independently represents a hydrogen atom, a hydroxyl group or an organic group.
Ra 1 and Ra 2 may combine to form a ring structure.
n 1 represents 1 or 2.

Xbとしての単環または多環の環状炭化水素連結基は、環構造を有する炭化水素基(好ましくは炭素数4〜20)であり、環構造自体がn+1価の基となったものでも、環構造とアルキレンなど鎖状構造から形成されるような、環構造を含有するn+1価の炭化水素基であってもよい。
環構造としては、例えば、芳香環及び脂環が挙げられ、脂環が好ましい。
また、単環として、炭素数4〜10の単環が好ましく、脂環としてはシクロペンタン、シクロヘキサンが好ましく、芳香環としてはベンゼンが好ましい。
多環として、炭素数7〜20の多環が好ましく、炭素数7〜15の多環がより好ましい。脂環としてはノルボルナン、アダマンタン、ジアマンタン、トリシクロデカン、テトラシクロドデカンが好ましく、芳香環としてはナフタレンが好ましい。
The monocyclic or polycyclic hydrocarbon linking group as Xb is a hydrocarbon group having a ring structure (preferably having 4 to 20 carbon atoms), and the ring structure itself is an n 1 +1 valent group. Or an n 1 +1 valent hydrocarbon group containing a ring structure and formed from a chain structure such as a ring structure and alkylene.
Examples of the ring structure include an aromatic ring and an alicyclic ring, and an alicyclic ring is preferable.
The monocyclic ring is preferably a monocyclic ring having 4 to 10 carbon atoms, the alicyclic ring is preferably cyclopentane or cyclohexane, and the aromatic ring is preferably benzene.
The polycycle is preferably a polycyclic group having 7 to 20 carbon atoms, and more preferably a polycyclic group having 7 to 15 carbon atoms. The alicyclic ring is preferably norbornane, adamantane, diamantane, tricyclodecane or tetracyclododecane, and the aromatic ring is preferably naphthalene.

a1〜Ra4としての有機基は、シアノ基、アルキル基(置換アルキル基としては、特にフロオロアルキル基が挙げられる。)、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル
基、アルコキシル基、アルコキシカルボニル基などが挙げられる。
アルキル基およびシクロアルキル基としては、炭素数1〜20の直鎖又は分岐アルキル基が好ましく、具体的にはメチル基、エチル基、n−プロピル基、i−プロピル基、n−ブチル基、i−イソブチル基、t−ブチル基、ヘキシル基、オクチル基、ドデシル基などの鎖状アルキル基が挙げられる。
シクロアルキル基としては、炭素数20以下のシクロアルキル基が好ましく、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、ノルボルニル基、アダマンチル基、テトラシクロドデシル基、トリシクロデシル基などが挙げられる。
アリール基としてはフェニル基、ナフチル基、チオフェン基、フラン基、ピロール基、インドール基などが挙げられる。
アラルキル基としては上記アリール基が炭素数1〜4のアルキル基で連結された基をあげることができる。
The organic group as R a1 to R a4 is a cyano group, an alkyl group (the substituted alkyl group includes a fluoroalkyl group in particular), a cycloalkyl group, an aryl group, an aralkyl group, an alkoxyl group, an alkoxycarbonyl group. Etc.
As the alkyl group and the cycloalkyl group, a linear or branched alkyl group having 1 to 20 carbon atoms is preferable. Specifically, a methyl group, an ethyl group, an n-propyl group, an i-propyl group, an n-butyl group, i -Chain alkyl groups, such as isobutyl group, t-butyl group, hexyl group, octyl group, dodecyl group, are mentioned.
The cycloalkyl group is preferably a cycloalkyl group having 20 or less carbon atoms, such as cyclopropyl group, cyclobutyl group, cyclopentyl group, cyclohexyl group, cycloheptyl group, norbornyl group, adamantyl group, tetracyclododecyl group, tricyclodecyl group, etc. Is mentioned.
Examples of the aryl group include a phenyl group, a naphthyl group, a thiophene group, a furan group, a pyrrole group, and an indole group.
Examples of the aralkyl group include groups in which the aryl group is linked with an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms.

アルコキシル基としては炭素数1〜20の直鎖、分岐、環状アルコキシル基が好ましく、具体的にはメトキシ基、エトキシ基、n−プロポキシ基、i−プロポキシ基、n−ブトキシ基、2−メチルプロポキシ基、1−メチルプロポキシ基、t−ブトキシ基、n−ペンチルオキシ基、n−ヘキシルオキシ基、シクロペンチルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基等の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルコキシル基;ヒドロキシメトキシ基、2−ヒドロキシエトキシ基、3−ヒドロキシプロポキシ基、4−ヒドロキシブトキシ基、3−ヒドロキシシクロペンチルオキシ基、4−ヒドロキシシクロヘキシルオキシ基等の直鎖状、分岐状もしくは環状のヒドロキシアルコキシル基が挙げられる。
アルコキシカルボニル基としては、炭素数1〜20の直鎖、分岐、環状アルコキシル基が好ましく、具体的にはメトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、n−プロポキシカルボニル基、i−プロポキシカルボニル基、n−ブトキシカルボニル基、2−メチルプロポキシカルボニル基、1−メチルプロポキシカルボニル基、t−ブトキシカルボニル基、n−ペンチルオキシカルボニル基、n−ヘキシルオキシカルボニル基、シクロペンチルオキシカルボニル基、シクロヘキシルオキシカルボニル基などが挙げられる。
フルオロアルキル基としては炭素数1〜20の直鎖、分岐、環状フルオロアルキル基が好ましく、具体的にはジフルオロメチル基、トリフルオロメチル基、ヘキサフルオロエチル基、トリフロロエチル基、ヘプタフルオロプロピル基などの鎖状フルオロアルキル基、フルオロシクロプロピル基、フルオロシクロブチル基、フルオロシクロペンチル基、フルオロシクロヘキシル基などの環状フルオロアルキル基が挙げられる。
The alkoxyl group is preferably a linear, branched or cyclic alkoxyl group having 1 to 20 carbon atoms, specifically, a methoxy group, an ethoxy group, an n-propoxy group, an i-propoxy group, an n-butoxy group or a 2-methylpropoxy group. A linear, branched or cyclic alkoxyl group such as a group, 1-methylpropoxy group, t-butoxy group, n-pentyloxy group, n-hexyloxy group, cyclopentyloxy group, cyclohexyloxy group; Examples thereof include linear, branched or cyclic hydroxyalkoxyl groups such as 2-hydroxyethoxy group, 3-hydroxypropoxy group, 4-hydroxybutoxy group, 3-hydroxycyclopentyloxy group and 4-hydroxycyclohexyloxy group.
As the alkoxycarbonyl group, a linear, branched, or cyclic alkoxyl group having 1 to 20 carbon atoms is preferable. Specifically, a methoxycarbonyl group, an ethoxycarbonyl group, an n-propoxycarbonyl group, an i-propoxycarbonyl group, or n-butoxy. Examples include carbonyl group, 2-methylpropoxycarbonyl group, 1-methylpropoxycarbonyl group, t-butoxycarbonyl group, n-pentyloxycarbonyl group, n-hexyloxycarbonyl group, cyclopentyloxycarbonyl group, cyclohexyloxycarbonyl group and the like. .
The fluoroalkyl group is preferably a linear, branched or cyclic fluoroalkyl group having 1 to 20 carbon atoms, specifically a difluoromethyl group, a trifluoromethyl group, a hexafluoroethyl group, a trifluoroethyl group, a heptafluoropropyl group. And a cyclic fluoroalkyl group such as a chain fluoroalkyl group, a fluorocyclopropyl group, a fluorocyclobutyl group, a fluorocyclopentyl group, and a fluorocyclohexyl group.

また、Ra1とRa2が相互に結合して形成した環構造は、一般式(I-1)に表示した窒素原子以外に、例えば酸素原子、窒素原子等のヘテロ原子を環中に1個以上あるいは1種以上有することができる。
a1〜Ra2は、好ましくは、水素原子、アルキル基、アルコキシル基、シアノ基、フルオロアルキル基などを挙げることができる。より好ましくは、一方の置換基に水素原子、もう一方に水素原子、アルキル基、アルコキシル基、シアノ基、フルオロアルキル基などを挙げることができる。さらに好ましくは一方の置換基に水素原子、もう一方に水素原子、メチル基、エチル基、シアノ基、トリフルオロメチル基、トリフルオロエチル基などを挙げることができる。
a3は、好ましくは、水素原子、アルキル基、アルコキシル基、シアノ基、フルオロアルキル基などを挙げることができる。より好ましくは、水素原子、アルキル基、シアノ基、フルオロアルキル基などを挙げることができる。さらに好ましくは、水素原子を挙げることができる。
a4は、好ましくは、水素原子、アルキル基、アルコキシル基、シアノ基、フルオロアルキル基などを挙げることができる。より好ましくは、水素原子、炭素数1〜3のアルキル基、シアノ基、炭素数1〜3のフルオロアルキル基などを挙げることができる。
放射線に対する透明性が高く、パターン形状に優れる点で、Ra1〜Ra3として、水素原子、メチル基、シアノ基、トリフルオロメチル基またはトリフルオロエチル基が好ましい。
In addition, the ring structure formed by bonding R a1 and R a2 to each other includes, for example, one hetero atom such as an oxygen atom or a nitrogen atom in the ring in addition to the nitrogen atom represented by the general formula (I-1). One or more kinds can be included.
R a1 to R a2 are preferably a hydrogen atom, an alkyl group, an alkoxyl group, a cyano group, a fluoroalkyl group, and the like. More preferably, one substituent may be a hydrogen atom, and the other may be a hydrogen atom, an alkyl group, an alkoxyl group, a cyano group, a fluoroalkyl group, or the like. More preferably, one substituent includes a hydrogen atom, and the other includes a hydrogen atom, a methyl group, an ethyl group, a cyano group, a trifluoromethyl group, and a trifluoroethyl group.
R a3 is preferably a hydrogen atom, an alkyl group, an alkoxyl group, a cyano group, a fluoroalkyl group, or the like. More preferable examples include a hydrogen atom, an alkyl group, a cyano group, and a fluoroalkyl group. More preferably, a hydrogen atom can be mentioned.
R a4 is preferably a hydrogen atom, an alkyl group, an alkoxyl group, a cyano group, a fluoroalkyl group, or the like. More preferably, a hydrogen atom, a C1-C3 alkyl group, a cyano group, a C1-C3 fluoroalkyl group, etc. can be mentioned.
As R a1 to R a3 , a hydrogen atom, a methyl group, a cyano group, a trifluoromethyl group, or a trifluoroethyl group is preferable because of its high transparency to radiation and excellent pattern shape.

式(I−1)および(I−2)で表される部分構造を有する繰り返し単位として好ましくは、下式(I−1a)または(I−2a)で表される繰り返し単位をあげることができる。さらに好ましくは下式(I−1a)で表される繰り返し単位を挙げることができる。   Preferred examples of the repeating unit having a partial structure represented by formulas (I-1) and (I-2) include the repeating units represented by the following formulas (I-1a) or (I-2a). . More preferred examples include a repeating unit represented by the following formula (I-1a).

Rxは、水素原子、アルキル基(置換アルキル基として、特にトリフロロメチル基、−CH−ORaを挙げることができる。Raは、水素原子、アルキル基、アシル基またはラクトン基を表す。)、または、シアノ基を表す。
Xcは一般式(I−1)または(I−2)で表される基を表す。
Ra〜Raは各々独立に、水素原子または有機基を表す。
は、0または1を表す。
Rx may be a hydrogen atom or an alkyl group (in particular, a substituted alkyl group may be a trifluoromethyl group or —CH 2 —ORa 8. Ra 8 represents a hydrogen atom, an alkyl group, an acyl group or a lactone group. ) Or a cyano group.
Xc represents a group represented by general formula (I-1) or (I-2).
Ra 5 to Ra 7 each independently represents a hydrogen atom or an organic group.
n 2 represents 0 or 1.

上記繰り返し単位は下記重合性化合物を重合することによって得ることができる。   The repeating unit can be obtained by polymerizing the following polymerizable compound.


上記重合性化合物は例えば、対応するカルボニルクロリドと対応するアミンを塩基性条件下で反応させる方法や対応するカルボン酸と対応するアミンをジシクロヘキシルカルボジイミドやカルボニルジイミダゾールなどの縮合剤を用いて反応させることにより得ることができる。   For example, the polymerizable compound may be prepared by reacting the corresponding carbonyl chloride with the corresponding amine under basic conditions or reacting the corresponding carboxylic acid with the corresponding amine using a condensing agent such as dicyclohexylcarbodiimide or carbonyldiimidazole. Can be obtained.


R、R’は上記重合性化合物に対応する基を表す。   R and R 'each represent a group corresponding to the polymerizable compound.

樹脂(A)は、酸の作用により分解し、アルカリ現像液中での溶解度が増大する樹脂(酸分解性樹脂)であり、酸の作用により分解してアルカリ可溶性基を生じる基(酸分解性基)を有する。
すなわち、樹脂(A)は、酸分解性基を、樹脂の主鎖又は側鎖、或いは、主鎖及び側鎖の両方に有してもよいが、側鎖に有するほうが好ましい。
酸分解性基として好ましい基は、−COOH基、−OH基等のアルカリ可溶性基の水素原子を酸で脱離する基で置換した基である。
酸で脱離する基としては、例えば、−C(R36)(R37)(R38)、−C(R36)(R37)(OR39)、−C(R01)(R02)(OR39)等を挙げることができる。
式中、R36〜R39は、各々独立に、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基又はアルケニル基表す。R36とR37、R36とR39とは、互いに結合して環を形成してもよい。
01〜R02は、各々独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基又はアルケニル基を表す。
本発明においては、酸分解性基は、アセタール基又は3級エステル基が好ましい。
樹脂(A)は、酸分解性基をいかなる繰り返し単位に有していてもよいが、後述の脂環炭化水素構造を有する繰り返し単位中に有することが好ましい。
Resin (A) is a resin (acid-decomposable resin) that is decomposed by the action of an acid and has increased solubility in an alkali developer, and is a group (acid-decomposable) that decomposes by the action of an acid to produce an alkali-soluble group. Group).
That is, the resin (A) may have an acid-decomposable group in the main chain or side chain of the resin, or in both the main chain and the side chain, but it is preferable to have the group in the side chain.
A preferred group as the acid-decomposable group is a group in which a hydrogen atom of an alkali-soluble group such as a —COOH group or a —OH group is substituted with a group capable of leaving with an acid.
Examples of the group leaving with an acid include -C (R 36 ) (R 37 ) (R 38 ), -C (R 36 ) (R 37 ) (OR 39 ), -C (R 01 ) (R 02 ). ) (OR 39 ) and the like.
In the formula, R 36 to R 39 each independently represents an alkyl group, a cycloalkyl group, an aryl group, an aralkyl group, or an alkenyl group. R 36 and R 37 , R 36 and R 39 may be bonded to each other to form a ring.
R 01 and R 02 each independently represents a hydrogen atom, an alkyl group, a cycloalkyl group, an aryl group, an aralkyl group or an alkenyl group.
In the present invention, the acid-decomposable group is preferably an acetal group or a tertiary ester group.
Although resin (A) may have an acid-decomposable group in any repeating unit, it is preferable to have in the repeating unit which has an alicyclic hydrocarbon structure mentioned later.

本発明のポジ型感光性組成物に特にArFエキシマレーザー光を照射する場合には、樹脂(A)は、一般式(I−1)または(I−2)で表される部分構造を有する繰り返し単位を有するとともに、更に脂環炭化水素構造を有する繰り返し単位を含有することが好ましい。
また、脂環炭化水素構造を有する繰り返し単位において、脂環炭化水素構造は、酸の作用により分解して、脱離基とともに樹脂にアルカリ可溶性基を生じる基(酸分解性基)における、脱離基中に含まれることが好ましい。
When the positive photosensitive composition of the present invention is irradiated with ArF excimer laser light in particular, the resin (A) is a repeating having a partial structure represented by the general formula (I-1) or (I-2) It is preferable to have a repeating unit having an alicyclic hydrocarbon structure as well as having a unit.
In addition, in a repeating unit having an alicyclic hydrocarbon structure, the alicyclic hydrocarbon structure is decomposed by the action of an acid and eliminated in a group (acid-decomposable group) that generates an alkali-soluble group in the resin together with the leaving group. It is preferably contained in the group.

脂環炭化水素構造を有する繰り返し単位としては、下記一般式(pI)〜一般式(pV)で示される脂環式炭化水素を含む部分構造を有する繰り返し単位及び下記一般式(II-AB)で示される繰り返し単位の群から選択される少なくとも1種が好ましい。   As the repeating unit having an alicyclic hydrocarbon structure, a repeating unit having a partial structure containing an alicyclic hydrocarbon represented by the following general formula (pI) to general formula (pV) and the following general formula (II-AB) At least one selected from the group of repeating units shown is preferred.

一般式(pI)〜(pV)中、
11は、メチル基、エチル基、n−プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、イソブチル基又はsec−ブチル基を表し、Zは、炭素原子とともにシクロアルキル基を形成するのに必要な原子団を表す。
12〜R16は、各々独立に、炭素数1〜4個の、直鎖もしくは分岐のアルキル基又はシクロアルキル基を表し、但し、R12〜R14のうち少なくとも1つ、もしくはR15、R16のいずれかはシクロアルキル基を表す。
17〜R21は、各々独立に、水素原子、炭素数1〜4個の、直鎖もしくは分岐のアルキ
ル基又はシクロアルキル基を表し、但し、R17〜R21のうち少なくとも1つはシクロアルキル基を表す。また、R19、R21のいずれかは炭素数1〜4個の、直鎖もしくは分岐のアルキル基又はシクロアルキル基を表す。
22〜R25は、各々独立に、水素原子、炭素数1〜4個の、直鎖もしくは分岐のアルキル基又はシクロアルキル基を表し、但し、R22〜R25のうち少なくとも1つはシクロアルキル基を表す。また、R23とR24は、互いに結合して環を形成していてもよい。
In general formulas (pI) to (pV),
R 11 represents a methyl group, an ethyl group, an n-propyl group, an isopropyl group, an n-butyl group, an isobutyl group or a sec-butyl group, and Z is an atom necessary for forming a cycloalkyl group together with a carbon atom. Represents a group.
R 12 to R 16 each independently represents a linear or branched alkyl group or cycloalkyl group having 1 to 4 carbon atoms, provided that at least one of R 12 to R 14 , or R 15 , Any of R 16 represents a cycloalkyl group.
R 17 to R 21 each independently represents a hydrogen atom, a linear or branched alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, or a cycloalkyl group, provided that at least one of R 17 to R 21 is cyclo Represents an alkyl group. Further, either R 19 or R 21 represents a linear or branched alkyl group or cycloalkyl group having 1 to 4 carbon atoms.
R 22 to R 25 each independently represents a hydrogen atom, a linear or branched alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, or a cycloalkyl group, provided that at least one of R 22 to R 25 is cyclo Represents an alkyl group. R 23 and R 24 may be bonded to each other to form a ring.

式(II-AB)中、
11'及びR12'は、各々独立に、水素原子、シアノ基、ハロゲン原子又はアルキル基を表す。 Z'は、結合した2つの炭素原子(C−C)を含み、脂環式構造を形成するための原子団を表す。
In the formula (II-AB),
R 11 ′ and R 12 ′ each independently represents a hydrogen atom, a cyano group, a halogen atom or an alkyl group. Z ′ represents an atomic group for forming an alicyclic structure containing two bonded carbon atoms (C—C).

また、上記一般式(II-AB)は、下記一般式(II−AB1)又は一般式(II−AB2)であることが更に好ましい。   The general formula (II-AB) is more preferably the following general formula (II-AB1) or general formula (II-AB2).

式(II−AB1)(II−AB2)中、
13'〜R16'は、各々独立に、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、−COOH、−COOR5、酸の作用により分解する基、−C(=O)−X−A'−R17'、アルキル基あるいはシクロアルキル基を表す。
ここで、R5は、アルキル基、シクロアルキル基又はラクトン構造を有する基を表す。
Xは、酸素原子、硫黄原子、−NH−、−NHSO2−又は−NHSO2NH−を表す。
A'は単結合又は2価の連結基を表す。
また、Rl3'〜R16'のうち少なくとも2つが結合して環を形成してもよい。nは0又は1を表す。
17'は、−COOH、−COOR5、−CN、水酸基、アルコキシ基、−CO−NH−R6、−CO−NH−SO2−R6又はラクトン構造を有する基を表す。
6は、アルキル基又はシクロアルキル基を表す。
In the formula (II-AB1) (II-AB2),
R 13 ′ to R 16 ′ each independently represents a hydrogen atom, a halogen atom, a cyano group, —COOH, —COOR 5 , a group that decomposes by the action of an acid, —C (═O) —XA′—R. 17 ′ represents an alkyl group or a cycloalkyl group.
Here, R 5 represents an alkyl group, a cycloalkyl group, or a group having a lactone structure.
X represents an oxygen atom, a sulfur atom, -NH -, - NHSO 2 - or an -NHSO 2 NH-.
A ′ represents a single bond or a divalent linking group.
Further, at least two of R 13 ′ to R 16 ′ may be bonded to form a ring. n represents 0 or 1.
R 17 ′ represents —COOH, —COOR 5 , —CN, a hydroxyl group, an alkoxy group, —CO—NH—R 6 , —CO—NH—SO 2 —R 6 or a group having a lactone structure.
R 6 represents an alkyl group or a cycloalkyl group.

一般式(pI)〜(pV)において、R12〜R25におけるアルキル基としては、1〜4個の炭素原子を有する直鎖もしくは分岐のアルキル基を表す。 In the general formulas (pI) to (pV), the alkyl group in R 12 to R 25 represents a linear or branched alkyl group having 1 to 4 carbon atoms.

11〜R25におけるシクロアルキル基或いはZと炭素原子が形成するシクロアルキル基は、単環式でも、多環式でもよい。具体的には、炭素数5以上のモノシクロ、ビシクロ、トリシクロ、テトラシクロ構造等を有する基を挙げることができる。その炭素数は6〜3
0個が好ましく、特に炭素数7〜25個が好ましい。これらのシクロアルキル基は置換基を有していてもよい。
The cycloalkyl group in R 11 to R 25 or the cycloalkyl group formed by Z and the carbon atom may be monocyclic or polycyclic. Specific examples include groups having a monocyclo, bicyclo, tricyclo, tetracyclo structure or the like having 5 or more carbon atoms. Its carbon number is 6-3
0 is preferable, and 7 to 25 carbon atoms are particularly preferable. These cycloalkyl groups may have a substituent.

好ましいシクロアルキル基としては、アダマンチル基、ノルアダマンチル基、デカリン残基、トリシクロデカニル基、テトラシクロドデカニル基、ノルボルニル基、セドロール基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基、シクロデカニル基、シクロドデカニル基を挙げることができる。より好ましくは、アダマンチル基、ノルボルニル基、シクロヘキシル基、シクロペンチル基、テトラシクロドデカニル基、トリシクロデカニル基を挙げることができる。   Preferred cycloalkyl groups include adamantyl group, noradamantyl group, decalin residue, tricyclodecanyl group, tetracyclododecanyl group, norbornyl group, cedrol group, cyclopentyl group, cyclohexyl group, cycloheptyl group, cyclooctyl group, A cyclodecanyl group and a cyclododecanyl group can be mentioned. More preferable examples include an adamantyl group, norbornyl group, cyclohexyl group, cyclopentyl group, tetracyclododecanyl group, and tricyclodecanyl group.

これらのアルキル基、シクロアルキル基の更なる置換基としては、アルキル基(炭素数1〜4)、ハロゲン原子、水酸基、アルコキシ基(炭素数1〜4)、カルボキシル基、アルコキシカルボニル基(炭素数2〜6)が挙げられる。上記のアルキル基、アルコキシ基、アルコキシカルボニル基等が、更に有していてもよい置換基としては、水酸基、ハロゲン原子、アルコキシ基を挙げることができる。   As further substituents of these alkyl groups and cycloalkyl groups, alkyl groups (1 to 4 carbon atoms), halogen atoms, hydroxyl groups, alkoxy groups (1 to 4 carbon atoms), carboxyl groups, alkoxycarbonyl groups (carbon numbers) 2-6). Examples of the substituent that the alkyl group, alkoxy group, alkoxycarbonyl group and the like may further have include a hydroxyl group, a halogen atom, and an alkoxy group.

一般式(pI)〜(pV)で示される構造は、アルカリ可溶性基の保護基として使用して、酸分解性基を形成することができる。アルカリ可溶性基としては、この技術分野において公知の種々の基が挙げられる。   The structure represented by the general formulas (pI) to (pV) can be used as a protective group for an alkali-soluble group to form an acid-decomposable group. Examples of the alkali-soluble group include various groups known in this technical field.

具体的には、カルボン酸基、スルホン酸基、フェノール基、チオール基の水素原子が一般式(pI)〜(pV)で表される構造で置換された構造などが挙げられ、好ましくはカルボン酸基、スルホン酸基の水素原子が一般式(pI)〜(pV)で表される構造で置換された構造である。   Specific examples include a structure in which a hydrogen atom of a carboxylic acid group, a sulfonic acid group, a phenol group, or a thiol group is substituted with a structure represented by the general formulas (pI) to (pV), preferably a carboxylic acid Group, a hydrogen atom of a sulfonic acid group is substituted with a structure represented by general formulas (pI) to (pV).

一般式(pI)〜(pV)で示される構造で保護されたアルカリ可溶性基を有する繰り返し単位としては、下記一般式(pA)で示される繰り返し単位が好ましい。   As the repeating unit having an alkali-soluble group protected by the structure represented by the general formulas (pI) to (pV), a repeating unit represented by the following general formula (pA) is preferable.

ここで、Rは、水素原子、ハロゲン原子又は1〜4個の炭素原子を有する直鎖もしくは分岐のアルキル基を表す。複数のRは、各々同じでも異なっていてもよい。
Aは、単結合、アルキレン基、エーテル基、チオエーテル基、カルボニル基、エステル基、アミド基、スルホンアミド基、ウレタン基、又はウレア基よりなる群から選択される単独あるいは2つ以上の基の組み合わせを表す。好ましくは単結合である。
Rp1は、上記式(pI)〜(pV)のいずれかの基を表す。
Here, R represents a hydrogen atom, a halogen atom, or a linear or branched alkyl group having 1 to 4 carbon atoms. A plurality of R may be the same or different.
A represents a single bond, an alkylene group, an ether group, a thioether group, a carbonyl group, an ester group, an amide group, a sulfonamide group, a urethane group, or a urea group, or a combination of two or more groups. Represents. A single bond is preferable.
Rp1 represents any group of the above formulas (pI) to (pV).

一般式(pA)で表される繰り返し単位は、最も好ましくは、2−アルキル−2−アダマンチル(メタ)アクリレート、ジアルキル(1−アダマンチル)メチル(メタ)アクリレートによる繰り返し単位である。   The repeating unit represented by the general formula (pA) is most preferably a repeating unit of 2-alkyl-2-adamantyl (meth) acrylate and dialkyl (1-adamantyl) methyl (meth) acrylate.

以下、一般式(pA)で示される繰り返し単位の具体例を示す。   Specific examples of the repeating unit represented by the general formula (pA) are shown below.

上記R11'、R12'におけるハロゲン原子としては、塩素原子、臭素原子、フッ素原子、沃素原子等を挙げることができる。 Examples of the halogen atom in R 11 ′ and R 12 ′ include a chlorine atom, a bromine atom, a fluorine atom, and an iodine atom.

上記R11'、R12'におけるアルキル基としては、炭素数1〜10個の直鎖状あるいは分岐状アルキル基が挙げられる。 Examples of the alkyl group in R 11 ′ and R 12 ′ include a linear or branched alkyl group having 1 to 10 carbon atoms.

上記Z'の脂環式構造を形成するための原子団は、置換基を有していてもよい脂環式炭
化水素の繰り返し単位を樹脂に形成する原子団であり、中でも有橋式の脂環式炭化水素の繰り返し単位を形成する有橋式脂環式構造を形成するための原子団が好ましい。
The atomic group for forming the alicyclic structure of Z ′ is an atomic group that forms a repeating unit of an alicyclic hydrocarbon which may have a substituent in a resin, and among them, a bridged type alicyclic group. An atomic group for forming a bridged alicyclic structure forming a cyclic hydrocarbon repeating unit is preferred.

形成される脂環式炭化水素の骨格としては、一般式(pI)〜(pVI)に於けるR11〜R25の脂環式炭化水素基と同様のものが挙げられる。 Examples of the skeleton of the alicyclic hydrocarbon formed include the same alicyclic hydrocarbon groups as R 11 to R 25 in the general formulas (pI) to (pVI).

上記脂環式炭化水素の骨格には置換基を有していてもよい。そのような置換基としては、前記一般式(II−AB1)あるいは(II−AB2)中のR13'〜R16'を挙げることができる。 The alicyclic hydrocarbon skeleton may have a substituent. Examples of such a substituent include R 13 ′ to R 16 ′ in the general formula (II-AB1) or (II-AB2).

酸分解性樹脂においては、酸の作用により分解する基は、前記一般式(pI)〜一般式(pV)で示される脂環式炭化水素を含む部分構造を有する繰り返し単位、一般式(II-AB)で表される繰り返し単位、及び後記共重合成分の繰り返し単位のうち少なくとも1
種の繰り返し単位に含有することができる。
In the acid-decomposable resin, the group capable of decomposing by the action of an acid is a repeating unit having a partial structure containing an alicyclic hydrocarbon represented by the general formula (pI) to general formula (pV), a general formula (II- AB) at least one of the repeating units represented by AB) and the repeating units of the copolymerization component described later
It can be contained in a seed repeating unit.

上記一般式(II−AB1)あるいは一般式(II−AB2)におけるR13'〜R16'の各種置換基は、上記一般式(II−AB)における脂環式構造を形成するための原子団ないし有橋式脂環式構造を形成するための原子団Zの置換基ともなり得る。 Various substituents of R 13 ′ to R 16 ′ in the general formula (II-AB1) or the general formula (II-AB2) are atomic groups for forming an alicyclic structure in the general formula (II-AB). It can also be a substituent of the atomic group Z for forming a bridged alicyclic structure.

上記一般式(II−AB1)あるいは一般式(II−AB2)で表される繰り返し単位として、下記具体例が挙げられるが、本発明はこれらの具体例に限定されない。   Specific examples of the repeating unit represented by the general formula (II-AB1) or (II-AB2) include the following specific examples, but the present invention is not limited to these specific examples.

酸分解性樹脂は、ラクトン基を有することが好ましい。ラクトン基としては、ラクトン構造を含有していればいずれの基でも用いることができるが、好ましくは5〜7員環ラクトン構造を含有する基であり、5〜7員環ラクトン構造にビシクロ構造、スピロ構造を形成する形で他の環構造が縮環しているものが好ましい。下記一般式(LC1−1)〜(LC1−16)のいずれかで表されるラクトン構造を有する基を有する繰り返し単位を有することがより好ましい。また、ラクトン構造を有する基が主鎖に直接結合していてもよい。好ましいラクトン構造としては(LC1−1)(LC1−4)(LC1−5)(LC1−6)(LC1−13)(LC1−14)であり、特定のラクトン構造を用いることでラインエッジラフネス、現像欠陥が良好になる。   The acid-decomposable resin preferably has a lactone group. As the lactone group, any group can be used as long as it contains a lactone structure, but it is preferably a group containing a 5- to 7-membered ring lactone structure. Those in which other ring structures are condensed to form a spiro structure are preferred. It is more preferable to have a repeating unit having a group having a lactone structure represented by any of the following general formulas (LC1-1) to (LC1-16). Further, a group having a lactone structure may be directly bonded to the main chain. Preferred lactone structures are (LC1-1) (LC1-4) (LC1-5) (LC1-6) (LC1-13) (LC1-14). By using a specific lactone structure, line edge roughness, Development defects are improved.

ラクトン構造部分は置換基(Rb2)を有していても有していなくてもよい。好ましい置換基(Rb2)としては、炭素数1〜8のアルキル基、炭素数4〜7のシクロアルキル基、炭素数1〜8のアルコキシ基、炭素数1〜8のアルコキシカルボニル基、カルボキシル基、ハロゲン原子、水酸基、シアノ基、酸分解性基などが挙げられる。n2が2以上の時、複数存在するRb2は同一でも異なっていてもよく、また、複数存在するRb2同士が結合して環を形成してもよい。   The lactone structure portion may or may not have a substituent (Rb2). As preferred substituents (Rb2), an alkyl group having 1 to 8 carbon atoms, a cycloalkyl group having 4 to 7 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 8 carbon atoms, an alkoxycarbonyl group having 1 to 8 carbon atoms, a carboxyl group, Examples thereof include a halogen atom, a hydroxyl group, a cyano group, and an acid-decomposable group. When n2 is 2 or more, a plurality of Rb2s may be the same or different, and a plurality of Rb2s may be bonded to form a ring.

一般式(LC1−1)〜(LC1−16)のいずれかで表されるラクトン構造を有する基を有する繰り返し単位としては、上記一般式(II−A)又は(II−B)中のR13'〜R16'のうち少なくとも1つが一般式(LC1−1)〜(LC1−16)で表される基を有するもの(例えば−COOR5のR5が一般式(LC1−1)〜(LC1−16)で表される基を表す)、又は下記一般式(AI)で表される繰り返し単位等を挙げることができる。 As the repeating unit having a group having a lactone structure represented by any of the general formulas (LC1-1) to (LC1-16), R 13 in the above general formula (II-A) or (II-B) may be used. Wherein at least one of 'to R 16 ' has a group represented by the general formulas (LC1-1) to (LC1-16) (for example, R 5 of -COOR 5 is represented by the general formulas (LC1-1) to (LC1) -16) or a repeating unit represented by the following general formula (AI).

一般式(AI)中、Rb0は、水素原子、ハロゲン原子、又は炭素数1〜4のアルキル基を表す。Rb0のアルキル基が有していてもよい好ましい置換基としては、水酸基、ハロゲン原子が挙げられる。 In general formula (AI), R b0 represents a hydrogen atom, a halogen atom, or an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms. Preferable substituents that the alkyl group for R b0 may have include a hydroxyl group and a halogen atom.

b0のハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、沃素原子を挙げるこ
とができる。Rb0は水素原子、メチル基が好ましい。
Examples of the halogen atom for R b0 include a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom, and an iodine atom. R b0 is preferably a hydrogen atom or a methyl group.

bは、アルキレン基、単環または多環の脂環炭化水素構造を有する2価の連結基、単結合、エーテル基、エステル基、カルボニル基、カルボキシル基、又はこれらを組み合わせた2価の基を表す。好ましくは単結合、−Ab−CO−で表される連結基である。
Ab1は直鎖、分岐アルキレン基、単環または多環のシクロアルキレン基であり、好ましくはメチレン基、エチレン基、シクロヘキシル基、アダマンチル基、ノルボルニル基である。
A b is an alkylene group, a divalent linking group having a monocyclic or polycyclic alicyclic hydrocarbon structure, a single bond, an ether group, an ester group, a carbonyl group, a carboxyl group, or a divalent group obtained by combining these. Represents. A single bond and a linking group represented by -Ab 1 -CO 2- are preferred.
Ab1 is a linear, branched alkylene group, monocyclic or polycyclic cycloalkylene group, preferably a methylene group, an ethylene group, a cyclohexyl group, an adamantyl group, or a norbornyl group.

Vは、一般式(LC1−1)〜(LC1−16)のうちのいずれかで示される基を表す。   V represents a group represented by any one of the general formulas (LC1-1) to (LC1-16).

ラクトン構造を有する繰り返し単位は通常光学異性体が存在するが、いずれの光学異性体を用いてもよい。また、1種の光学異性体を単独で用いても、複数の光学異性体混合して用いてもよい。1種の光学異性体を主に用いる場合、その光学純度(ee)が90以上のものが好ましく、より好ましくは95以上である。
ラクトン構造を有する基を有する繰り返し単位の具体例を以下に挙げるが、本発明はこれらに限定されない。
The repeating unit having a lactone structure usually has an optical isomer, but any optical isomer may be used. One optical isomer may be used alone, or a plurality of optical isomers may be mixed and used. When one kind of optical isomer is mainly used, the optical purity (ee) thereof is preferably 90 or more, more preferably 95 or more.
Specific examples of the repeating unit having a group having a lactone structure are given below, but the present invention is not limited thereto.

(式中RxはH、CH、CHOH、またはCF (Wherein Rx is H, CH 3 , CH 2 OH, or CF 3 )

酸分解性樹脂は、極性基で置換された脂環炭化水素構造を有する繰り返し単位を含有していることが好ましい。これにより基板密着性、現像液親和性が向上する。極性基で置換された脂環炭化水素構造の脂環炭化水素構造としてはアダマンチル基、ジアマンチル基、ノルボルナン基が好ましい。極性基としては水酸基、シアノ基が好ましい。好ましい極性基で置換された脂環炭化水素構造としては(VIIa)〜(VIId)で表される部分構造が好ましい。   The acid-decomposable resin preferably contains a repeating unit having an alicyclic hydrocarbon structure substituted with a polar group. This improves the substrate adhesion and developer compatibility. The alicyclic hydrocarbon structure of the alicyclic hydrocarbon structure substituted with a polar group is preferably an adamantyl group, a diamantyl group, or a norbornane group. The polar group is preferably a hydroxyl group or a cyano group. As the alicyclic hydrocarbon structure substituted with a preferable polar group, partial structures represented by (VIIa) to (VIId) are preferable.

一般式(VIIa)〜(VIIc)中、R2c〜R4cは、各々独立に水素原子又は水酸基、シアノ基を表す。ただし、R2c〜R4cのうち少なくとも1つは水酸基、シアノ基を表す。好ましくはR2c〜R4cのうち1つまたは2つが水酸基で残りが水素原子である。(VIIa)において更に好ましくはR2c〜R4cのうち2つが水酸基で残りが水素原子である。 In general formulas (VIIa) to (VIIc), R 2c to R 4c each independently represents a hydrogen atom, a hydroxyl group, or a cyano group. However, at least one of R 2c to R 4c represents a hydroxyl group or a cyano group. Preferably, one or two of R 2c to R 4c are a hydroxyl group and the rest are hydrogen atoms. In (VIIa), more preferably, two of R 2c to R 4c are a hydroxyl group and the remainder is a hydrogen atom.

一般式(VIIa)〜(VIId)で表される基を有する繰り返し単位としては、上記一般式(II−A)又は(II−B)中のR13'〜R16'のうち少なくとも1つが上記一般式(VII)で表される基を有するもの(例えば−COOR5のR5が一般式(VII)で表される基を表す)、又は下記一般式(AIIa)〜(AIId)で表される繰り返し単位等を挙げることができる。 As the repeating unit having a group represented by the general formulas (VIIa) to (VIId), at least one of R 13 ′ to R 16 ′ in the general formula (II-A) or (II-B) is the above. Those having a group represented by the general formula (VII) (for example, R 5 of —COOR 5 represents a group represented by the general formula (VII)), or represented by the following general formulas (AIIa) to (AIId) And the like.

一般式(AIIa)または(AIIb)中、R1cは、水素原子、メチル基、トリフロロメチル基、ヒドロキメチル基を表す。 In general formula (AIIa) or (AIIb), R 1c represents a hydrogen atom, a methyl group, a trifluoromethyl group, or a hydroxymethyl group.

一般式(AIIa)または(AIIb)で表される構造を有する繰り返し単位の具体例を以下に挙げるが、本発明はこれらに限定されない。   Specific examples of the repeating unit having a structure represented by the general formula (AIIa) or (AIIb) are shown below, but the present invention is not limited thereto.

酸分解性樹脂は、下記一般式(VIII)で表される繰り返し単
位を含有してもよい。
The acid-decomposable resin may contain a repeating unit represented by the following general formula (VIII).

上記一般式(VIII)に於いて、Z2は、−O−又は−N(R41)−を表す。R41は、水素原子、水酸基、アルキル基又は−OSO2−R42を表す。R42は、アルキル基、シクロアルキル基又は樟脳残基を表す。R41及びR42のアルキル基は、ハロゲン原子(好ましくはフッ素原子)等で置換されていてもよい。 In the general formula (VIII), Z 2 represents —O— or —N (R 41 ) —. R 41 represents a hydrogen atom, a hydroxyl group, an alkyl group, or —OSO 2 —R 42 . R 42 represents an alkyl group, a cycloalkyl group or a camphor residue. The alkyl group of R 41 and R 42 may be substituted with a halogen atom (preferably a fluorine atom) or the like.

上記一般式(VIII)で表される繰り返し単位として、以下の具体例が挙げられるが、本発明はこれらに限定されない。   Examples of the repeating unit represented by the general formula (VIII) include the following specific examples, but the present invention is not limited thereto.


酸分解性樹脂は、アルカリ可溶性基を有する繰り返し単位を有することが好ましく、カルボキシル基を有する繰り返し単位を有することがより好ましい。これを含有することによりコンタクトホール用途での解像性が増す。カルボキシル基を有する繰り返し単位としては、アクリル酸、メタクリル酸による繰り返し単位のような樹脂の主鎖に直接カルボキシル基が結合している繰り返し単位、あるいは連結基を介して樹脂の主鎖にカルボキシル基が結合している繰り返し単位、さらにはアルカリ可溶性基を有する重合開始剤や連鎖移動剤を重合時に用いてポリマー鎖の末端に導入、のいずれも好ましく、連結基は単環または多環の環状炭化水素構造を有していてもよい。最も好ましくはアクリル酸、メタクリル酸である。   The acid-decomposable resin preferably has a repeating unit having an alkali-soluble group, and more preferably has a repeating unit having a carboxyl group. By containing this, the resolution in contact hole applications increases. The repeating unit having a carboxyl group includes a repeating unit in which a carboxyl group is directly bonded to the main chain of the resin, such as a repeating unit of acrylic acid or methacrylic acid, or a carboxyl group in the main chain of the resin through a linking group. Either a repeating unit that is bonded, or a polymerization initiator or chain transfer agent having an alkali-soluble group is introduced at the end of the polymer chain at the time of polymerization, and the linking group is a monocyclic or polycyclic hydrocarbon. You may have a structure. Most preferred are acrylic acid and methacrylic acid.

酸分解性樹脂は、更に一般式(F1)で表される基を1〜3個有する繰り返し単位を有していてもよい。これによりラインエッジラフネス性能が向上する。   The acid-decomposable resin may further have a repeating unit having 1 to 3 groups represented by the general formula (F1). This improves line edge roughness performance.

一般式(F1)中、R50〜R55は、それぞれ独立に、水素原子、フッ素原子又はアルキル基を表す。但し、R50〜R55の内、少なくとも1つは、フッ素原子又は少なくとも1つの水素原子がフッ素原子で置換されたアルキル基を表す。Rxは水素原子または有機基(好ましくは酸分解性保護基、アルキル基、シクロアルキル基、アシル基、アルコキシカルボニル基)を表す。 In general formula (F1), R 50 to R 55 each independently represents a hydrogen atom, a fluorine atom or an alkyl group. However, at least one of R 50 to R 55 represents a fluorine atom or an alkyl group in which at least one hydrogen atom is substituted with a fluorine atom. Rx represents a hydrogen atom or an organic group (preferably an acid-decomposable protecting group, an alkyl group, a cycloalkyl group, an acyl group, or an alkoxycarbonyl group).

50〜R55のアルキル基は、フッ素原子等のハロゲン原子、シアノ基等で置換されていてもよく、好ましくは炭素数1〜3のアルキル基、例えば、メチル基、トリフルオロメチル基を挙げることができる。R50〜R55は、すべてフッ素原子であることが好ましい。 The alkyl group of R 50 to R 55 may be substituted with a halogen atom such as a fluorine atom, a cyano group, etc., preferably an alkyl group having 1 to 3 carbon atoms, such as a methyl group or a trifluoromethyl group. be able to. R 50 to R 55 are preferably all fluorine atoms.

Rxが表わす有機基としては、酸分解性保護基、置換基を有していてもよい、アルキル基、シクロアルキル基、アシル基、アルキルカルボニル基、アルコキシカルボニル基、アルコキシカルボニルメチル基、アルコキシメチル基、1−アルコキシエチル基が好ましい。   Examples of the organic group represented by Rx include an acid-decomposable protective group and an optionally substituted alkyl group, cycloalkyl group, acyl group, alkylcarbonyl group, alkoxycarbonyl group, alkoxycarbonylmethyl group, alkoxymethyl group. , 1-alkoxyethyl group is preferable.

一般式(F1)を有する繰り返し単位として好ましくは下記一般式(F2)で表される繰り返し単位である。   The repeating unit having the general formula (F1) is preferably a repeating unit represented by the following general formula (F2).

式中、Rxは水素原子、ハロゲン原子、又は炭素数1〜4のアルキル基を表す。Rxのアルキル基が有していてもよい好ましい置換基としては、水酸基、ハロゲン原子が挙げられる。
Faは単結合、直鎖または分岐のアルキレン基(好ましくは単結合)を表す。
Fbは単環または多環の環状炭化水素基を表す。
Fcは単結合、直鎖または分岐のアルキレン基(好ましくは単結合、メチレン基)を表す。
F1は一般式(F1)で表される基を表す。
P1は1〜3を表す。
Fbにおける環状炭化水素基としてはシクロペンチル基、シクロヘキシル基、ノルボルニル基が好ましい。
一般式(F1)の構造を有する繰り返し単位の具体例を示す。
In the formula, Rx represents a hydrogen atom, a halogen atom, or an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms. Preferable substituents that the alkyl group of Rx may have include a hydroxyl group and a halogen atom.
Fa represents a single bond or a linear or branched alkylene group (preferably a single bond).
Fb represents a monocyclic or polycyclic hydrocarbon group.
Fc represents a single bond or a linear or branched alkylene group (preferably a single bond or a methylene group).
F1 represents a group represented by the general formula (F1).
P1 represents 1-3.
The cyclic hydrocarbon group for Fb is preferably a cyclopentyl group, a cyclohexyl group, or a norbornyl group.
Specific examples of the repeating unit having the structure of the general formula (F1) are shown.

酸分解性樹脂は、更に脂環炭化水素構造を有し、酸分解性を示さない繰り返し単位を含有してもよい。これにより液浸露光時にレジスト膜から液浸液への低分子成分の溶出が低減できる。このような繰り返し単位として、例えば1−アダマンチル(メタ)アクリレート、トリシクロデカニル(メタ)アクリレート、シクロヘキシル(メタ)アクリレートなどが挙げられる。   The acid-decomposable resin may further contain a repeating unit that has an alicyclic hydrocarbon structure and does not exhibit acid-decomposability. This can reduce the elution of low molecular components from the resist film to the immersion liquid during immersion exposure. Examples of such a repeating unit include 1-adamantyl (meth) acrylate, tricyclodecanyl (meth) acrylate, and cyclohexyl (meth) acrylate.

酸分解性樹脂は、上記の繰り返し構造単位以外に、ドライエッチング耐性や標準現像液適性、基板密着性、レジストプロファイル、さらにレジストの一般的な必要な特性である解像力、耐熱性、感度等を調節する目的で様々な繰り返し構造単位を含有することができる。   In addition to the above repeating structural units, acid-decomposable resins adjust dry etching resistance, standard developer suitability, substrate adhesion, resist profile, and general required properties of resist, such as resolution, heat resistance, and sensitivity. For this purpose, various repeating structural units can be contained.

このような繰り返し構造単位としては、下記の単量体に相当する繰り返し構造単位を挙げることができるが、これらに限定されるものではない。   Examples of such repeating structural units include, but are not limited to, repeating structural units corresponding to the following monomers.

これにより、酸分解性樹脂に要求される性能、特に、
(1)塗布溶剤に対する溶解性、
(2)製膜性(ガラス転移点)、
(3)アルカリ現像性、
(4)膜べり(親疎水性、アルカリ可溶性基選択)、
(5)未露光部の基板への密着性、
(6)ドライエッチング耐性、
等の微調整が可能となる。
Thereby, the performance required for the acid-decomposable resin, in particular,
(1) Solubility in coating solvent,
(2) Film formability (glass transition point),
(3) Alkali developability,
(4) Membrane slip (hydrophobic, alkali-soluble group selection),
(5) Adhesion of unexposed part to substrate,
(6) Dry etching resistance,
Etc. can be finely adjusted.

このような単量体として、例えばアクリル酸エステル類、メタクリル酸エステル類、アクリルアミド類、メタクリルアミド類、アリル化合物、ビニルエーテル類、ビニルエステル類等から選ばれる付加重合性不飽和結合を1個有する化合物等を挙げることができる。   As such a monomer, for example, a compound having one addition polymerizable unsaturated bond selected from acrylic acid esters, methacrylic acid esters, acrylamides, methacrylamides, allyl compounds, vinyl ethers, vinyl esters, etc. Etc.

その他にも、上記種々の繰り返し構造単位に相当する単量体と共重合可能である付加重合性の不飽和化合物であれば、共重合されていてもよい。   In addition, any addition-polymerizable unsaturated compound that can be copolymerized with monomers corresponding to the above various repeating structural units may be copolymerized.

酸分解性樹脂において、各繰り返し構造単位の含有モル比は、ドライエッチング耐性や標準現像液適性、基板密着性、パターンプロファイル、さらには、一般的な必要性能である解像力、耐熱性、感度等を調節するために適宜設定される。   In the acid-decomposable resin, the content molar ratio of each repeating structural unit has a dry etching resistance, standard developer suitability, substrate adhesion, pattern profile, and general required performance such as resolution, heat resistance, and sensitivity. Appropriately set for adjustment.

酸分解性樹脂の好ましい態様としては、以下のものが挙げられる。
(1)上記一般式(pI)〜(pV)で表される脂環式炭化水素を含む部分構造を有する繰り返し単位を含有するもの(側鎖型)。好ましくは(pI)〜(pV)の構造を有する(メタ)アクリレート繰り返し単位を含有するもの。
(2)一般式(II-AB)で表される繰り返し単位を含有するもの(主鎖型)但し、(2)においては例えば、更に以下のものが挙げられる。
(3)一般式(II-AB)で表される繰り返し単位、無水マレイン酸誘導体及び(メタ)アクリレート構造を有するもの(ハイブリッド型)。
Preferred embodiments of the acid-decomposable resin include the following.
(1) What contains the repeating unit which has a partial structure containing the alicyclic hydrocarbon represented by said general formula (pI)-(pV) (side chain type). Preferably those containing (meth) acrylate repeating units having a structure of (pI) to (pV).
(2) Those containing a repeating unit represented by the general formula (II-AB) (main chain type) However, in (2), for example, the following may be further mentioned.
(3) Those having a repeating unit represented by formula (II-AB), a maleic anhydride derivative and a (meth) acrylate structure (hybrid type).

樹脂(A)中、一般式(I−1)または(I−2)で表される基を有する繰り返し単位の含有量は、総量として、全繰り返し構造単位中1〜50モル%が好ましく、より好ましくは5〜40モル%、更に好ましくは10〜30モル%である。   In the resin (A), the content of the repeating unit having a group represented by the general formula (I-1) or (I-2) is preferably 1 to 50 mol% in all repeating structural units as a total amount, Preferably it is 5-40 mol%, More preferably, it is 10-30 mol%.

樹脂(A)中、酸分解性基を有する繰り返し単位の含有量は、全繰り返し構造単位中10〜60モル%が好ましく、より好ましくは20〜50モル%、更に好ましくは25〜40モル%である。   In the resin (A), the content of the repeating unit having an acid-decomposable group is preferably 10 to 60 mol%, more preferably 20 to 50 mol%, still more preferably 25 to 40 mol% in all repeating structural units. is there.

樹脂(A)中、一般式(pI)〜(pV)で表される脂環式炭化水素を含む部分構造を有する繰り返し単位の含有量は、全繰り返し構造単位中20〜70モル%が好ましく、より好ましくは20〜50モル%、更に好ましくは25〜40モル%である。   In the resin (A), the content of the repeating unit having a partial structure containing an alicyclic hydrocarbon represented by the general formulas (pI) to (pV) is preferably 20 to 70 mol% in all repeating structural units, More preferably, it is 20-50 mol%, More preferably, it is 25-40 mol%.

樹脂(A)中、一般式(II−AB)で表される繰り返し単位の含有量は、全繰り返し構造単位中10〜60モル%が好ましく、より好ましくは15〜55モル%、更に好ましくは20〜50モル%である。   In the resin (A), the content of the repeating unit represented by the general formula (II-AB) is preferably 10 to 60 mol%, more preferably 15 to 55 mol%, still more preferably 20 in all repeating structural units. ˜50 mol%.

ラクトン構造を有する繰り返し単位の含有量は、全繰り返し構造単位中10〜70モル%が好ましく、より好ましくは15〜60モル%、更に好ましくは20〜50モル%である。
極性基で置換された脂環炭化水素構造を有する繰り返し単位の含有量は、全繰り返し構造単位中5〜50モル%が好ましく、より好ましくは10〜40モル%、更に好ましくは15〜30モル%である。
As for content of the repeating unit which has a lactone structure, 10-70 mol% is preferable in all the repeating structural units, More preferably, it is 15-60 mol%, More preferably, it is 20-50 mol%.
The content of the repeating unit having an alicyclic hydrocarbon structure substituted with a polar group is preferably 5 to 50 mol%, more preferably 10 to 40 mol%, still more preferably 15 to 30 mol% in all repeating structural units. It is.

また、上記更なる共重合成分の単量体に基づく繰り返し構造単位の樹脂中の含有量も、所望のレジストの性能に応じて適宜設定することができるが、一般的に、上記一般式(pI)〜(pV)で表される脂環式炭化水素を含む部分構造を有する繰り返し構造単位と上記一般式(II-AB)で表される繰り返し単位の合計した総モル数に対して99モル%以下が好ましく、より好ましくは90モル%以下、さらに好ましくは80モル%以下である。   In addition, the content of the repeating structural unit based on the monomer of the further copolymer component in the resin can also be appropriately set according to the performance of the desired resist. ) To 99 p% with respect to the total number of moles of the repeating structural unit having a partial structure containing an alicyclic hydrocarbon represented by (pV) and the repeating unit represented by the general formula (II-AB). The following is preferable, More preferably, it is 90 mol% or less, More preferably, it is 80 mol% or less.

本発明の組成物がArF露光用であるとき、ArF光への透明性の点から樹脂は芳香族基を有さないことが好ましい。
樹脂(A)として好ましくは、繰り返し単位のすべてが(メタ)アクリレート繰り返し単位で構成されたものである。この場合、繰り返し単位のすべてがメタクリレート、繰り返し単位のすべてがアクリレート、メタクリレート/アクリレート混合のいずれのものでも用いることができるが、アクリレート繰り返し単位が全繰り返し単位の50mol%以下であることが好ましい。
より好ましくは一般式(pI)〜(pV)で表される脂環式炭化水素を含む部分構造を有する繰り返し単位20〜50%、上記ラクトン構造を含有する繰り返し単位20〜50%、一般式(I‐1)または(I-2)で表される基を有する繰り返し単位5〜30%含有する3元共重合ポリマー、更に上記極性基で置換された脂環炭化水素構造を有する繰り返し単位0〜30%、またはその他の繰り返し単位を0〜20%含む4元共重合ポリマーである。
最も好ましい樹脂としては、ARA−1〜ARA−5で表される酸分解性基を有する繰り返し単位20〜50%、ARL−1〜ARL−6で表されるラクトン基を有する繰り返し単位20〜50%、一般式(I‐1)で表される基を有する繰り返し単位5〜30%含有する3元共重合ポリマー、または更にカルボキシル基、あるいは一般式(F1)で表される構造を含有する繰り返し単位、脂環炭化水素構造を有し、酸分解性を示さない繰り返し単位を5〜20%含む4元共重合ポリマーである。
When the composition of the present invention is for ArF exposure, the resin preferably has no aromatic group from the viewpoint of transparency to ArF light.
The resin (A) is preferably one in which all of the repeating units are composed of (meth) acrylate repeating units. In this case, all of the repeating units may be methacrylate, all of the repeating units may be acrylate, or a mixture of methacrylate / acrylate, but the acrylate repeating unit is preferably 50 mol% or less of the entire repeating unit.
More preferably 20 to 50% of repeating units having a partial structure containing an alicyclic hydrocarbon represented by general formulas (pI) to (pV), 20 to 50% of repeating units containing the lactone structure, I-1) or a terpolymer having 5 to 30% of repeating units having a group represented by (I-2), and further repeating units 0 to 0 having an alicyclic hydrocarbon structure substituted with the above polar group It is a quaternary copolymer containing 30% or other repeating units of 0 to 20%.
As the most preferable resin, 20 to 50% of repeating units having an acid-decomposable group represented by ARA-1 to ARA-5, and 20 to 50 of repeating units having a lactone group represented by ARL-1 to ARL-6 %, A terpolymer having 5 to 30% of repeating units having a group represented by formula (I-1), or a carboxyl group or a repeating unit containing a structure represented by formula (F1) It is a quaternary copolymer having 5 to 20% of repeating units having a unit and an alicyclic hydrocarbon structure and not exhibiting acid decomposability.

(式中Rxy1は水素原子またはメチル基、Rxa1、Rxb1はメチル基またはエチル基を表す。) (In the formula, Rxy1 represents a hydrogen atom or a methyl group, and Rxa1 and Rxb1 represent a methyl group or an ethyl group.)



本発明に用いる樹脂(A)は、常法に従って(例えばラジカル重合)合成することができる。例えば、一般的合成方法としては、モノマー種および開始剤を溶剤に溶解させ、加熱することにより重合を行う一括重合法、加熱溶剤にモノマー種と開始剤の溶液を1〜10時間かけて滴下して加える滴下重合法などが挙げられ、滴下重合法が好ましい。反応溶媒としては、例えばテトラヒドロフラン、1,4−ジオキサン、ジイソプロピルエーテルなどのエーテル類やメチルエチルケトン、メチルイソブチルケトンのようなケトン類、酢酸エチルのようなエステル溶媒、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミドなどのアミド溶剤、さらには後述のプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテル、シクロヘキサノンのような本発明の組成物を溶解する溶媒が挙げられる。より好ましくは本発明の組成物に用いられる溶剤と同一の溶剤を用いて重合することが好ましい。これにより保存時のパーティクルの発生が抑制できる。   The resin (A) used in the present invention can be synthesized according to a conventional method (for example, radical polymerization). For example, as a general synthesis method, a monomer polymerization method in which a monomer species and an initiator are dissolved in a solvent and heating is performed, and a solution of the monomer species and the initiator is dropped into the heating solvent over 1 to 10 hours. The dropping polymerization method is added, and the dropping polymerization method is preferable. Examples of the reaction solvent include ethers such as tetrahydrofuran, 1,4-dioxane, diisopropyl ether, ketones such as methyl ethyl ketone and methyl isobutyl ketone, ester solvents such as ethyl acetate, amide solvents such as dimethylformamide and dimethylacetamide, Furthermore, the solvent which melt | dissolves the composition of this invention like the below-mentioned propylene glycol monomethyl ether acetate, propylene glycol monomethyl ether, and cyclohexanone is mentioned. More preferably, the polymerization is performed using the same solvent as the solvent used in the composition of the present invention. Thereby, generation | occurrence | production of the particle at the time of a preservation | save can be suppressed.

重合反応は窒素やアルゴンなど不活性ガス雰囲気下で行われることが好ましい。重合開始剤としては市販のラジカル開始剤(アゾ系開始剤、パーオキサイドなど)を用いて重合を開始させる。ラジカル開始剤としてはアゾ系開始剤が好ましく、エステル基、シアノ基、カルボキシル基を有するアゾ系開始剤が好ましい。好ましい開始剤としては、アゾビスイソブチロニトリル、アゾビスジメチルバレロニトリル、ジメチル2,2‘−アゾビス(2−メチルプロピオネート)などが挙げられる。所望により開始剤を追加、あるいは分割で添加し、反応終了後、溶剤に投入して粉体あるいは固形回収等の方法で所望のポリマーを回収する。反応の濃度は5〜50質量%であり、好ましくは10〜30質量%である。反応温度は、通常10℃〜150℃であり、好ましくは30℃〜120℃、さらに好ましくは60〜100℃である。   The polymerization reaction is preferably performed in an inert gas atmosphere such as nitrogen or argon. As a polymerization initiator, a commercially available radical initiator (azo initiator, peroxide, etc.) is used to initiate the polymerization. As the radical initiator, an azo initiator is preferable, and an azo initiator having an ester group, a cyano group, or a carboxyl group is preferable. Preferred initiators include azobisisobutyronitrile, azobisdimethylvaleronitrile, dimethyl 2,2′-azobis (2-methylpropionate) and the like. If desired, an initiator is added or added in portions, and after completion of the reaction, it is put into a solvent and a desired polymer is recovered by a method such as powder or solid recovery. The concentration of the reaction is 5 to 50% by mass, preferably 10 to 30% by mass. The reaction temperature is usually 10 ° C to 150 ° C, preferably 30 ° C to 120 ° C, more preferably 60-100 ° C.

樹脂(A)の重量平均分子量は、GPC法によりポリスチレン換算値として、好ましくは1,000〜200,000であり、更に好ましくは3,000〜20,000、最も好ましくは5,000〜15,000である。重量平均分子量を、1,000〜200,000とすることにより、耐熱性やドライエッチング耐性の劣化を防ぐことができ、且つ現像性が劣化したり、粘度が高くなって製膜性が劣化することを防ぐことができる。 分子量分布は通常1〜5であり、好ましくは1〜3、更に好ましくは1〜2の範囲のものが使用される。分子量分布の小さいものほど、解像度、パターン形状が優れ、且つパターンの側壁がスムーズであり、ラフネス性に優れる。   The weight average molecular weight of the resin (A) is preferably from 1,000 to 200,000, more preferably from 3,000 to 20,000, and most preferably from 5,000 to 15, as a polystyrene-converted value by the GPC method. 000. By setting the weight average molecular weight to 1,000 to 200,000, deterioration of heat resistance and dry etching resistance can be prevented, developability is deteriorated, and viscosity is increased, resulting in deterioration of film forming property. Can be prevented. The molecular weight distribution is usually 1 to 5, preferably 1 to 3, more preferably 1 to 2. The smaller the molecular weight distribution, the better the resolution and pattern shape, the smoother the side walls of the pattern, and the better the roughness.

本発明の感光性組成物において、本発明に係わる全ての樹脂の組成物全体中の配合量は、全固形分中50〜99.9質量%が好ましく、より好ましくは60〜99.0質量%である。
また、本発明において、樹脂は、1種で使用してもよいし、複数併用してもよい。
In the photosensitive composition of the present invention, the blending amount of all the resins according to the present invention in the entire composition is preferably 50 to 99.9% by mass, more preferably 60 to 99.0% by mass in the total solid content. It is.
In the present invention, the resins may be used alone or in combination.

〔2〕活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物(B成分)
本発明の感光性組成物は活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物を含有する。そのような光酸発生剤としては、光カチオン重合の光開始剤、光ラジカル重合の光
開始剤、色素類の光消色剤、光変色剤、あるいはマイクロレジスト等に使用されている活性光線又は放射線の照射により酸を発生する公知の化合物及びそれらの混合物を適宜に選択して使用することができる。
[2] Compound that generates acid upon irradiation with actinic rays or radiation (component B)
The photosensitive composition of this invention contains the compound which generate | occur | produces an acid by irradiation of actinic light or a radiation. Examples of such photoacid generators include photoinitiators for photocationic polymerization, photoinitiators for photoradical polymerization, photodecolorants for dyes, photochromic agents, actinic rays used in microresists, etc. Known compounds that generate an acid upon irradiation with radiation and mixtures thereof can be appropriately selected and used.

たとえば、ジアゾニウム塩、ホスホニウム塩、スルホニウム塩、ヨードニウム塩、イミドスルホネート、オキシムスルホネート、ジアゾジスルホン、ジスルホン、o−ニトロベンジルスルホネートを挙げることができる。   Examples thereof include diazonium salts, phosphonium salts, sulfonium salts, iodonium salts, imide sulfonates, oxime sulfonates, diazodisulfones, disulfones, and o-nitrobenzyl sulfonates.

また、これらの活性光線又は放射線の照射により酸を発生する基、あるいは化合物をポリマーの主鎖又は側鎖に導入した化合物、たとえば、米国特許第3,849,137号、独国特許第3914407号、特開昭63−26653号、特開昭55−164824号、特開昭62−69263号、特開昭63−146038号、特開昭63−163452号、特開昭62−153853号、特開昭63−146029号等に記載の化合物を用いることができる。   Further, a group that generates an acid upon irradiation with these actinic rays or radiation, or a compound in which a compound is introduced into the main chain or side chain of the polymer, for example, US Pat. No. 3,849,137, German Patent No. 3914407. JP, 63-26653, JP, 55-164824, JP, 62-69263, JP, 63-146038, JP, 63-163452, JP, 62-153853, The compounds described in JP-A 63-146029 can be used.

さらに米国特許第3,779,778号、欧州特許第126,712号等に記載の光により酸を発生する化合物も使用することができる。   Furthermore, compounds capable of generating an acid by light described in US Pat. No. 3,779,778, European Patent 126,712 and the like can also be used.

併用してもよい活性光線又は放射線の照射により分解して酸を発生する化合物の内で好ましい化合物として、下記一般式(ZI)、(ZII)、(ZIII)で表される化合物を挙げることができる。   Among the compounds that may be used in combination and decomposed by irradiation with actinic rays or radiation, preferred compounds include compounds represented by the following general formulas (ZI), (ZII), and (ZIII). it can.

上記一般式(ZI)において、R201、R202及びR203は、各々独立に有機基を表す。
-は、非求核性アニオンを表し、好ましくはスルホン酸アニオン、カルボン酸アニオン、ビス(アルキルスルホニル)アミドアニオン、トリス(アルキルスルホニル)メチドアニオン、BF 、PF 、SbF などが挙げられ、好ましくは炭素原子を含有する有機アニオンである。
好ましい有機アニオンとしては下式AN1〜AN4に示す有機アニオンが挙げられる。
In the above general formula (ZI), R 201 , R 202 and R 203 each independently represents an organic group.
X represents a non-nucleophilic anion, preferably sulfonate anion, carboxylate anion, bis (alkylsulfonyl) amide anion, tris (alkylsulfonyl) methide anion, BF 4 , PF 6 , SbF 6 − and the like. Preferably, it is an organic anion containing a carbon atom.
Preferable organic anions include organic anions represented by the following formulas AN1 to AN4.

Rc1は有機基を表す。
Rd1は水素原子またはアルキル基を表す。
Rc1における有機基として炭素数1〜30のものが挙げられ好ましくは置換していてもよいアルキル基、アリール基、またはこれらの複数が、単結合、−O−、−CO−、
−S−、−SO−、−SON(Rd)−などの連結基で連結された基を挙げることができる。
Rc1 represents an organic group.
Rd1 represents a hydrogen atom or an alkyl group.
Examples of the organic group in Rc1 include those having 1 to 30 carbon atoms, and preferably an alkyl group, an aryl group, or a plurality thereof, which may be substituted, is a single bond, —O—, —CO 2 —,
-S -, - SO 3 -, - SO 2 N (Rd 1) - can be exemplified linked group a linking group such as.

Rdは水素原子、アルキル基を表し、結合しているアルキル基、アリール基と環構造を形成してもよい。
Rcの有機基としてより好ましくは1位がフッ素原子またはフロロアルキル基で置換されたアルキル基、フッ素原子またはフロロアルキル基で置換されたフェニル基である。フッ素原子またはフロロアルキル基を有することにより、光照射によって発生した酸の酸性度が上がり、感度が向上する。Rc1において炭素原子を5個以上有する時、少なくとも1つの炭素原子は水素原子で置換されていることが好ましく、水素原子の数がフッ素原子より多いことがより好ましい。炭素数5以上のパーフロロアルキル基を有さないことにより生態への毒性が軽減する。
Rc1の最も好ましい様態としては、下記一般式で表される基である。
Rd 1 represents a hydrogen atom or an alkyl group, and may form a ring structure with the bonded alkyl group or aryl group.
The organic group of Rc 1 is more preferably an alkyl group substituted at the 1-position with a fluorine atom or a fluoroalkyl group, or a phenyl group substituted with a fluorine atom or a fluoroalkyl group. By having a fluorine atom or a fluoroalkyl group, the acidity of the acid generated by light irradiation is increased and the sensitivity is improved. When Rc1 has 5 or more carbon atoms, at least one carbon atom is preferably substituted with a hydrogen atom, and more preferably, the number of hydrogen atoms is larger than that of fluorine atoms. By not having a perfluoroalkyl group having 5 or more carbon atoms, ecotoxicity is reduced.
The most preferred embodiment of Rc1 is a group represented by the following general formula.

Rc6は炭素数4以下、より好ましくは2〜4、更に好ましくは2〜3のパーフロロアルキレン基、3〜5個のフッ素原子及び/または1〜3個のフロロアルキル基で置換されたフェニレン基である。
Axは連結基(好ましくは単結合、−O−、−CO−、−S−、−SO−、−SON(Rd)−)。Rdは水素原子、アルキル基を表し、Rc7と結合して環構造を形成してもよい。
Rc7:水素原子、フッソ原子、置換していてもよい直鎖、分岐、単環または多環環状アルキル基、置換していてもよいアリール基。置換していてもよいアルキル基、アリール基は置換基としてフッソ原子を含有しないことが好ましい。
Rc3、Rc4、Rc5は有機基を表す。
Rc3、Rc4、Rc5の有機基として好ましくはRc1における好ましい有機基と同じものを挙げることができる。
Rc3とRc4が結合して環を形成していてもよい。
Rc3とRc4が結合して形成される基としてはアルキレン基、アリーレン基が挙げられる。好ましくは炭素数2〜4のパーフロロアルキレン基である。Rc3とRc4が結合して環を形成することにより光照射によって発生した酸の酸性度が上がり、感度が向上し好ましい。
Rc6 is a phenylene group substituted with a perfluoroalkylene group having 4 or less carbon atoms, more preferably 2 to 4 carbon atoms, more preferably 2 to 3 carbon atoms, 3 to 5 fluorine atoms and / or 1 to 3 fluoroalkyl groups. It is.
Ax is a linking group (preferably a single bond, —O—, —CO 2 —, —S—, —SO 3 —, —SO 2 N (Rd 1 ) —). Rd 1 represents a hydrogen atom or an alkyl group, and may combine with Rc7 to form a ring structure.
Rc7: a hydrogen atom, a fluorine atom, a linear, branched, monocyclic or polycyclic alkyl group which may be substituted, or an aryl group which may be substituted. The optionally substituted alkyl group and aryl group preferably do not contain a fluorine atom as a substituent.
Rc3, Rc4 and Rc5 represent an organic group.
Preferred examples of the organic group for Rc3, Rc4, and Rc5 include the same organic groups as those for Rc1.
Rc3 and Rc4 may be bonded to form a ring.
Examples of the group formed by combining Rc3 and Rc4 include an alkylene group and an arylene group. Preferably, it is a C2-C4 perfluoroalkylene group. By combining Rc3 and Rc4 to form a ring, the acidity of the acid generated by light irradiation is increased, and the sensitivity is preferably improved.

201、R202及びR203としての有機基の炭素数は、一般的に1〜30、好ましくは1〜20である。
また、R201〜R203のうち2つが結合して環構造を形成してもよく、環内に酸素原子、硫黄原子、エステル結合、アミド結合、カルボニル基を含んでいてもよい。
201〜R203の内の2つが結合して形成する基としては、アルキレン基(例えば、ブチレン基、ペンチレン基)を挙げることができる。
201、R202及びR203としての有機基の具体例としては、後述する化合物(ZI−1)、(ZI−2)、(ZI−3)における対応する基を挙げることができる。
The carbon number of the organic group as R 201 , R 202 and R 203 is generally 1-30, preferably 1-20.
Two of R 201 to R 203 may be bonded to form a ring structure, and the ring may contain an oxygen atom, a sulfur atom, an ester bond, an amide bond, or a carbonyl group.
The two of the group formed by bonding of the R 201 to R 203, there can be mentioned an alkylene group (e.g., butylene, pentylene).
Specific examples of the organic group as R 201 , R 202 and R 203 include corresponding groups in the compounds (ZI-1), (ZI-2) and (ZI-3) described later.

尚、一般式(Z1)で表される構造を複数有する化合物であってもよい。例えば、一般式(ZI)で表される化合物のR201〜R203の少なくともひとつが、一般式(ZI)で表されるもうひとつの化合物のR201〜R203の少なくともひとつと結合した構造を有する化合物であってもよい。 In addition, the compound which has two or more structures represented by general formula (Z1) may be sufficient. For example, the general formula at least one of R 201 to R 203 of a compound represented by (ZI) is, at least one bond with structure of R 201 to R 203 of another compound represented by formula (ZI) It may be a compound.

更に好ましい(Z1)成分として、以下に説明する化合物(ZI−1)、(ZI−2)、及び(ZI−3)を挙げることができる。   Further preferred examples of the component (Z1) include compounds (ZI-1), (ZI-2), and (ZI-3) described below.

化合物(ZI−1)は、上記一般式(ZI)のR201〜R203の少なくとも1つがアリール基である、アリールスルホニム化合物、即ち、アリールスルホニウムをカチオンとする化合物である。
アリールスルホニウム化合物は、R201〜R203の全てがアリール基でもよいし、R201〜R203の一部がアリール基で、残りがアルキル基でもよい。
アリールスルホニウム化合物としては、例えば、トリアリールスルホニウム化合物、ジアリールアルキルスルホニウム化合物、アリールジアルキルスルホニウム化合物を挙げることができる。
アリールスルホニウム化合物のアリール基としてはフェニル基、ナフチル基などのアリール基、インドール残基、ピロール残基、などのヘテロアリール基が好ましく、更に好ましくはフェニル基、インドール残基である。アリールスルホニム化合物が2つ以上のアリール基を有する場合に、2つ以上あるアリール基は同一であっても異なっていてもよい。
アリールスルホニウム化合物が必要に応じて有しているアルキル基は、炭素数1〜15の直鎖、分岐又は環状アルキル基が好ましく、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、n−ブチル基、sec−ブチル基、t−ブチル基、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロヘキシル基等を挙げることができる。
201〜R203のアリール基、アルキル基は、アルキル基(例えば炭素数1〜15)、アリール基(例えば炭素数6−から14)、アルコキシ基(例えば炭素数1〜15)、ハロゲン原子、水酸基、フェニルチオ基を置換基として有してもよい。好ましい置換基としては炭素数1〜12の直鎖、分岐又は環状アルキル基、炭素数1〜12の直鎖、分岐又は環状のアルコキシ基であり、最も好ましくは炭素数1〜4のアルキル基、炭素数1〜4のアルコキシ基である。置換基は、3つのR201〜R203のうちのいずれか1つに置換していてもよいし、3つ全てに置換していてもよい。また、R201〜R203がアリール基の場合に、置換基はアリール基のp−位に置換していることが好ましい。
The compound (ZI-1) is at least one of the aryl groups R 201 to R 203 in formula (ZI), arylsulfonium compound, i.e., a compound having arylsulfonium as a cation.
Arylsulfonium compound, all of R 201 to R 203 may be an aryl group or a part of R 201 to R 203 may be an aryl group with the remaining being an alkyl group.
Examples of the arylsulfonium compound include a triarylsulfonium compound, a diarylalkylsulfonium compound, and an aryldialkylsulfonium compound.
The aryl group of the arylsulfonium compound is preferably an aryl group such as a phenyl group or a naphthyl group, or a heteroaryl group such as an indole residue or a pyrrole residue, more preferably a phenyl group or an indole residue. When the arylsulfonium compound has two or more aryl groups, the two or more aryl groups may be the same or different.
The alkyl group that the arylsulfonium compound has as necessary is preferably a linear, branched or cyclic alkyl group having 1 to 15 carbon atoms, such as a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an n-butyl group, sec. -Butyl group, t-butyl group, cyclopropyl group, cyclobutyl group, cyclohexyl group and the like can be mentioned.
Aryl group R 201 to R 203, an alkyl group, an alkyl group (for example, 1 to 15 carbon atoms), an aryl group (e.g., carbon number 6 to 14), an alkoxy group (for example, 1 to 15 carbon atoms), a halogen atom, You may have a hydroxyl group and a phenylthio group as a substituent. Preferred substituents are linear, branched or cyclic alkyl groups having 1 to 12 carbon atoms, linear, branched or cyclic alkoxy groups having 1 to 12 carbon atoms, most preferably alkyl groups having 1 to 4 carbon atoms, It is a C1-C4 alkoxy group. The substituent may be substituted with any one of the three R 201 to R 203 , or may be substituted with all three. When R 201 to R 203 are an aryl group, the substituent is preferably substituted at the p-position of the aryl group.

次に、化合物(ZI−2)について説明する。
化合物(ZI−2)は、式(ZI)におけるR201〜R203が、各々独立に、芳香環を含有しない有機基を表す場合の化合物である。ここで芳香環とは、ヘテロ原子を含有する芳香族環も包含するものである。
201〜R203としての芳香環を含有しない有機基は、一般的に炭素数1〜30、好ましくは炭素数1〜20である。
201〜R203は、各々独立に、好ましくはアルキル基、2−オキソアルキル基、アルコキシカルボニルメチル基、アリル基、ビニル基であり、更に好ましくは直鎖、分岐、環状2−オキソアルキル基、アルコキシカルボニルメチル基、最も好ましくは直鎖、分岐2−オキソアルキル基である。
Next, the compound (ZI-2) will be described.
Compound (ZI-2) is a compound in the case where R 201 to R 203 in formula (ZI) each independently represents an organic group containing no aromatic ring. Here, the aromatic ring includes an aromatic ring containing a hetero atom.
The organic group having no aromatic ring as R 201 to R 203 generally has 1 to 30 carbon atoms, preferably 1 to 20 carbon atoms.
R 201 to R 203 are each independently preferably an alkyl group, a 2-oxoalkyl group, an alkoxycarbonylmethyl group, an allyl group, or a vinyl group, more preferably a linear, branched, or cyclic 2-oxoalkyl group, An alkoxycarbonylmethyl group, most preferably a linear, branched 2-oxoalkyl group.

201〜R203としてのアルキル基は、直鎖、分岐、環状のいずれであってもよく、好ましくは、炭素数1〜10の直鎖又は分岐アルキル基(例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基)、炭素数3〜10の環状アルキル基(シクロペンチル基、シクロヘキシル基、ノルボニル基)を挙げることができる。
201〜R203としての2−オキソアルキル基は、直鎖、分岐、環状のいずれであってもよく、好ましくは、上記のアルキル基の2位に>C=Oを有する基を挙げることができる。
201〜R203としてのアルコキシカルボニルメチル基におけるアルコキシ基としては、好ましくは炭素数1〜5のアルキル基(メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基)を挙げることができる。
201〜R203は、ハロゲン原子、アルコキシ基(例えば炭素数1〜5)、水酸基、シア
ノ基、ニトロ基によって更に置換されていてもよい。
201〜R203のうち2つが結合して環構造を形成してもよく、環内に酸素原子、硫黄原子、エステル結合、アミド結合、カルボニル基を含んでいてもよい。R201〜R203の内の2つが結合して形成する基としては、アルキレン基(例えば、ブチレン基、ペンチレン基)を挙げることができる。
The alkyl group as R 201 to R 203 may be linear, branched, or cyclic, preferably a linear or branched alkyl group (e.g., methyl group having 1 to 10 carbon atoms, an ethyl group, a propyl Group, butyl group, pentyl group) and cyclic alkyl groups having 3 to 10 carbon atoms (cyclopentyl group, cyclohexyl group, norbornyl group).
The 2-oxoalkyl group as R 201 to R 203 may be linear, branched or cyclic, and preferably includes a group having> C═O at the 2-position of the above alkyl group. it can.
The alkoxy group in the alkoxycarbonylmethyl group as R 201 to R 203, preferred examples include an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms (methyl group, ethyl group, propyl group, butyl group, pentyl group).
R 201 to R 203 may be further substituted with a halogen atom, an alkoxy group (for example, having 1 to 5 carbon atoms), a hydroxyl group, a cyano group, or a nitro group.
Two members out of R 201 to R 203 may combine to form a ring structure, and the ring may contain an oxygen atom, a sulfur atom, an ester bond, an amide bond, or a carbonyl group. The two of the group formed by bonding of the R 201 to R 203, there can be mentioned an alkylene group (e.g., butylene, pentylene).

化合物(ZI−3)とは、以下の一般式(ZI−3)で表される化合物であり、フェナシルスルフォニウム塩構造を有する化合物である。   The compound (ZI-3) is a compound represented by the following general formula (ZI-3), and is a compound having a phenacylsulfonium salt structure.

1c〜R5cは、各々独立に、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、又はハロゲン原子を表す。
6c及びR7cは、水素原子又はアルキル基を表す。
Rx及びRyは、各々独立に、アルキル基、2−オキソアルキル基、アルコキシカルボニルメチル基、アリル基、又はビニル基を表す。
1c〜R5c中のいずれか2つ以上、及びRxとRyは、それぞれ結合して環構造を形成しても良く、この環構造は、酸素原子、硫黄原子、エステル結合、アミド結合を含んでいてもよい。
R 1c to R 5c each independently represents a hydrogen atom, an alkyl group, an alkoxy group, or a halogen atom.
R 6c and R 7c represent a hydrogen atom or an alkyl group.
Rx and Ry each independently represents an alkyl group, a 2-oxoalkyl group, an alkoxycarbonylmethyl group, an allyl group, or a vinyl group.
Any two or more of R 1c to R 5c , and R x and R y may be bonded to each other to form a ring structure, and this ring structure includes an oxygen atom, a sulfur atom, an ester bond, and an amide bond. May be included.

1c〜R5cとしてのアルキル基は、直鎖、分岐、環状のいずれであってもよく、例えば炭素数1〜20個のアルキル基、好ましくは炭素数1〜12個の直鎖及び分岐アルキル基(例えば、メチル基、エチル基、直鎖又は分岐プロピル基、直鎖又は分岐ブチル基、直鎖又は分岐ペンチル基)、炭素数3〜8個の環状アルキル基(例えば、シクロペンチル基、シクロヘキシル基)を挙げることができる。
1c〜R5cとしてのアルコキシ基は、直鎖、分岐、環状のいずれであってもよく、例えば炭素数1〜10のアルコキシ基、好ましくは、炭素数1〜5の直鎖及び分岐アルコキシ基(例えば、メトキシ基、エトキシ基、直鎖又は分岐プロポキシ基、直鎖又は分岐ブトキシ基、直鎖又は分岐ペントキシ基)、炭素数3〜8の環状アルコキシ基(例えば、シクロペンチルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基)を挙げることができる。
好ましくはR1c〜R5cのうちいずれかが直鎖、分岐、環状アルキル基、又は直鎖、分岐、環状アルコキシ基であり、更に好ましくはR1cからR5cの炭素数の和が2〜15である。これにより、より溶剤溶解性が向上し、保存時にパーティクルの発生が抑制される。
The alkyl group as R 1c to R 5c may be linear, branched or cyclic, for example, an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, preferably a linear or branched alkyl group having 1 to 12 carbon atoms. Group (for example, methyl group, ethyl group, linear or branched propyl group, linear or branched butyl group, linear or branched pentyl group), C3-C8 cyclic alkyl group (for example, cyclopentyl group, cyclohexyl group) ).
The alkoxy group as R 1c to R 5c may be linear, branched or cyclic, for example, an alkoxy group having 1 to 10 carbon atoms, preferably a linear or branched alkoxy group having 1 to 5 carbon atoms. (For example, methoxy group, ethoxy group, linear or branched propoxy group, linear or branched butoxy group, linear or branched pentoxy group), C3-C8 cyclic alkoxy group (for example, cyclopentyloxy group, cyclohexyloxy group) ).
Preferably either a straight chain of R 1c to R 5c, branched, cyclic alkyl group, or a linear, branched or cyclic alkoxy group, more preferably the sum of the carbon atoms of R 5c from R 1c 2 to 15 It is. Thereby, solvent solubility improves more and generation | occurrence | production of a particle is suppressed at the time of a preservation | save.

x及びRyとしてのアルキル基は、R1c〜R5cとしてのアルキル基と同様のものを挙げることができる。
2−オキソアルキル基は、R1c〜R5cとしてのアルキル基の2位に>C=Oを有する基を挙げることができる。
アルコキシカルボニルメチル基におけるアルコキシ基については、R1c〜R5cとしてのアルコキシ基と同様のものを挙げることができる。
x及びRyが結合して形成する基としては、ブチレン基、ペンチレン基等を挙げることができる。
Examples of the alkyl group as R x and R y include the same alkyl groups as R 1c to R 5c .
Examples of the 2-oxoalkyl group include a group having> C═O at the 2-position of the alkyl group as R 1c to R 5c .
Examples of the alkoxy group in the alkoxycarbonylmethyl group include the same alkoxy groups as R 1c to R 5c .
Examples of the group formed by combining R x and R y include a butylene group and a pentylene group.

x、Ryは、好ましくは炭素数4個以上のアルキル基であり、より好ましくは6個以上、更に好ましくは8個以上のアルキル基である。 R x and R y are preferably an alkyl group having 4 or more carbon atoms, more preferably 6 or more, and still more preferably 8 or more.

一般式(ZII)、(ZIII)中、R204〜R207は、各々独立に、置換基を有しててもよいアリール基又は置換基を有していてもよいアルキル基を表す。
204〜R207のアリール基としてはフェニル基、ナフチル基が好ましく、更に好ましくはフェニル基である。
204〜R207としてのアルキル基は、直鎖、分岐、環状のいずれであってもよく、好ましくは、炭素数1〜10の直鎖又は分岐アルキル基(例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基)、炭素数3〜10の環状アルキル基(シクロペンチル基、シクロヘキシル基、ノルボニル基)を挙げることができる。
204〜R207が有していてもよい置換基としては、例えば、アルキル基(例えば炭素数1〜15)、アリール基(例えば炭素数6〜15)、アルコキシ基(例えば炭素数1〜15)、ハロゲン原子、水酸基、フェニルチオ基等を挙げることができる。
-は、非求核性アニオンを表し、一般式(I)に於けるX-の非求核性アニオンと同様のものを挙げることができる。
In formula (ZII), (ZIII), R 204 ~R 207 each independently represents an alkyl group which may have an optionally substituted aryl group or a substituent.
Phenyl group and a naphthyl group are preferred as the aryl group of R 204 to R 207, more preferably a phenyl group.
The alkyl group as R 204 to R 207 may be linear, branched or cyclic, and is preferably a linear or branched alkyl group having 1 to 10 carbon atoms (for example, methyl group, ethyl group, propyl group). Group, butyl group, pentyl group) and cyclic alkyl groups having 3 to 10 carbon atoms (cyclopentyl group, cyclohexyl group, norbornyl group).
The R 204 to R 207 are substituents which may have, for example, an alkyl group (for example, 1 to 15 carbon atoms), an aryl group (e.g. having 6 to 15 carbon atoms), an alkoxy group (for example, 1 to 15 carbon atoms ), Halogen atoms, hydroxyl groups, phenylthio groups, and the like.
X represents a non-nucleophilic anion, and examples thereof include the same as the non-nucleophilic anion of X − in formula (I).

併用してもよい活性光線又は放射線の照射により分解して酸を発生する化合物の内で好ましい化合物として、更に、下記一般式(ZIV)、(ZV)、(ZVI)で表される化合物を挙げることができる。   Of the compounds that decompose upon irradiation with actinic rays or radiation that may be used in combination, preferred compounds further include compounds represented by the following general formulas (ZIV), (ZV), and (ZVI). be able to.

一般式(ZIV)〜(ZVI)中、Ar3及びAr4は、各々独立に、置換若しくは未置換のアリール基を表す。
206は、置換若しくは未置換のアルキル基又は置換若しくは未置換のアリール基を表す。
207及びR208置換若しくは未置換のアルキル基又は置換若しくは未置換のアリール基、電子吸引性基を表す。R207として好ましくは置換若しくは未置換のアリール基である。
208として好ましくは電子吸引性基であり、より好ましくはシアノ基、フロロアルキル基である。
Aは、置換若しくは未置換のアルキレン基、置換若しくは未置換のアルケニレン基又は置換若しくは未置換のアリーレン基を表す。
In general formulas (ZIV) to (ZVI), Ar 3 and Ar 4 each independently represent a substituted or unsubstituted aryl group.
R 206 represents a substituted or unsubstituted alkyl group or a substituted or unsubstituted aryl group.
R207 and R208 each represents a substituted or unsubstituted alkyl group, a substituted or unsubstituted aryl group, or an electron-withdrawing group. R 207 is preferably a substituted or unsubstituted aryl group.
R 208 is preferably an electron-withdrawing group, more preferably a cyano group or a fluoroalkyl group.
A represents a substituted or unsubstituted alkylene group, a substituted or unsubstituted alkenylene group, or a substituted or unsubstituted arylene group.

活性光線又は放射線の照射により分解して酸を発生する化合物の内でより好ましくは、一般式(ZI)〜(ZIII)で表される化合物であり、更に好ましくは(ZI)で表される化合物であり、最も好ましくは(ZI−1)〜(ZI−3)で表される化合物である。
更に、活性光線又は放射線の照射により、下記一般式AC1〜AC3で表される酸を発生する化合物が好ましい。
Of the compounds that decompose upon irradiation with actinic rays or radiation to generate an acid, more preferred are compounds represented by general formulas (ZI) to (ZIII), and even more preferred are compounds represented by (ZI). Most preferred are compounds represented by (ZI-1) to (ZI-3).
Furthermore, the compound which generate | occur | produces the acid represented by the following general formula AC1-AC3 by irradiation of actinic light or a radiation is preferable.


すなわち、最も好ましい(B)成分の様態としては一般式(ZI)の構造においてX−がAN1、AN3、AN4から選ばれるアニオンである化合物である。   That is, the most preferable embodiment of the component (B) is a compound in which X- is an anion selected from AN1, AN3 and AN4 in the structure of the general formula (ZI).

活性光線又は放射線の照射により分解して酸を発生する化合物の中で、特に好ましいものの例を以下に挙げる。   Among the compounds that decompose upon irradiation with actinic rays or radiation to generate an acid, examples of particularly preferable compounds are listed below.


酸発生剤は、1種単独で又は2種以上を組み合わせて使用することができる。2種以上を組み合わせて使用する際には、水素原子を除く全原子数が2以上異なる2種の有機酸を発生する化合物を組み合わせることが好ましい。
酸発生剤の組成物中の含量は、感光性組成物の全固形分を基準として、0.1〜20質量%が好ましく、より好ましくは0.5〜10質量%、更に好ましくは1〜7質量%である。
An acid generator can be used individually by 1 type or in combination of 2 or more types. When two or more types are used in combination, it is preferable to combine two types of compounds that generate two types of organic acids that differ in the total number of atoms excluding hydrogen atoms by two or more.
The content of the acid generator in the composition is preferably 0.1 to 20% by mass, more preferably 0.5 to 10% by mass, and still more preferably 1 to 7%, based on the total solid content of the photosensitive composition. % By mass.

〔3〕溶解制御化合物
(C)アルカリ可溶性基、親水基、酸分解性基から選ばれるすくなくとも1つを有する、分子量3000以下の溶解制御化合物(以下、「(C)成分」或いは「溶解制御化合物」ともいう)を加えてもよい。
[3] Dissolution Control Compound (C) A dissolution control compound having a molecular weight of 3000 or less (hereinafter referred to as “component (C)” or “dissolution control compound” having at least one selected from alkali-soluble groups, hydrophilic groups, and acid-decomposable groups. May also be added.

(C)溶解制御化合物としては、カルボキシル基、スルホニルイミド基、α位がフロロ
アルキル基で置換された水酸基などのようなアルカリ可溶性基を有する化合物、水酸基やラクトン基、シアノ基、アミド基、ピロリドン基、スルホンアミド基、などの親水性基を有する化合物、または酸の作用により分解し、アルカリ可溶性基または親水性基を放出する基を含有する化合物が好ましい。酸の作用により分解し、アルカリ可溶性基または親水性基を放出する基としてはカルボキシル基あるいは水酸基を酸分解性基で保護した基が好ましい。溶解制御化合物としては220nm以下の透過性を低下させないため、芳香環を含有しない化合物を用いるか、芳香環を有する化合物を組成物の固形分に対し20質量%以下の添加量で用いることが好ましい。
好ましい溶解制御化合物としてはアダマンタン(ジ)カルボン酸、ノルボルナンカルボン酸、コール酸などの脂環炭化水素構造を有するカルボン酸化合物、またはそのカルボン酸を酸分解性基で保護した化合物、糖類などのポリオール、またはその水酸基を酸分解性基で保護した化合物が好ましい。
(C) The dissolution control compound includes a carboxyl group, a sulfonylimide group, a compound having an alkali-soluble group such as a hydroxyl group substituted at the α-position with a fluoroalkyl group, a hydroxyl group, a lactone group, a cyano group, an amide group, or a pyrrolidone. A compound having a hydrophilic group such as a group or a sulfonamide group, or a compound containing a group that decomposes by the action of an acid to release an alkali-soluble group or a hydrophilic group is preferable. The group capable of decomposing by the action of an acid to release an alkali-soluble group or a hydrophilic group is preferably a group in which a carboxyl group or a hydroxyl group is protected with an acid-decomposable group. In order not to lower the permeability of 220 nm or less as the dissolution control compound, it is preferable to use a compound that does not contain an aromatic ring or to use a compound having an aromatic ring in an amount of 20% by mass or less based on the solid content of the composition. .
Preferred dissolution control compounds include carboxylic acid compounds having an alicyclic hydrocarbon structure such as adamantane (di) carboxylic acid, norbornane carboxylic acid, and cholic acid, or compounds in which the carboxylic acid is protected with an acid-decomposable group, and polyols such as saccharides. Or a compound having its hydroxyl group protected with an acid-decomposable group is preferred.

本発明における溶解制御化合物の分子量は、3000以下であり、好ましくは300〜3000、更に好ましくは500〜2500である。   The molecular weight of the dissolution controlling compound in the present invention is 3000 or less, preferably 300 to 3000, and more preferably 500 to 2500.

溶解制御化合物の添加量は、感光性組成物の固形分に対し、好ましくは3〜40質量%であり、より好ましくは5〜20質量%である。   The addition amount of the dissolution control compound is preferably 3 to 40% by mass, more preferably 5 to 20% by mass, based on the solid content of the photosensitive composition.

以下に溶解制御化合物の具体例を示すが、本発明はこれらに限定されない。   Specific examples of the dissolution control compound are shown below, but the present invention is not limited thereto.

〔4〕塩基性化合物(D成分)
本発明のポジ型感光性組成物は、露光から加熱までの経時による性能変化を低減あるいは、露光によって発生した酸の膜中拡散性を制御するために、(D)塩基性化合物を含有することが好ましい。
[4] Basic compound (component D)
The positive photosensitive composition of the present invention contains (D) a basic compound in order to reduce the change in performance over time from exposure to heating or to control the diffusibility of the acid generated by exposure in the film. Is preferred.

塩基性化合物としては含窒素塩基性化合物、オニウム塩化合物を挙げることができる。好ましい含窒素塩基性化合物構造として、下記式(A)〜(E)で示される部分構造を有する化合物を挙げることができる。   Examples of basic compounds include nitrogen-containing basic compounds and onium salt compounds. Preferable nitrogen-containing basic compound structures include compounds having partial structures represented by the following formulas (A) to (E).

ここでR250、R251及びR252は、各々独立に、水素原子、アルキル基(好ましくは炭素数1〜20)、シクロアルキル基(好ましくは炭素数3〜20)又はアリール基(好ましくは炭素数6〜20)であり、ここでR250とR251は互いに結合して環を形成してもよい。これらは置換基を有していてもよく、置換基を有するアルキル基及びシクロアルキル基としては、炭素数1〜20のアミノアルキル基又は炭素数3〜20のアミノシクロアルキル基、炭素数1〜20のヒドロキシアルキル基又は炭素数3〜20のヒドロキシシクロアルキル基が好ましい。
また、これらはアルキル鎖中に酸素原子、硫黄原子、窒素原子を含んでも良い。
Here, R 250 , R 251 and R 252 are each independently a hydrogen atom, an alkyl group (preferably having 1 to 20 carbon atoms), a cycloalkyl group (preferably having 3 to 20 carbon atoms) or an aryl group (preferably carbon). Where R 250 and R 251 may combine with each other to form a ring. These may have a substituent. Examples of the alkyl group and cycloalkyl group having a substituent include an aminoalkyl group having 1 to 20 carbon atoms, an aminocycloalkyl group having 3 to 20 carbon atoms, and 1 to 1 carbon atoms. A 20 hydroxyalkyl group or a C 3-20 hydroxycycloalkyl group is preferred.
These may contain an oxygen atom, a sulfur atom, or a nitrogen atom in the alkyl chain.

式中、R253、R254、R255及びR256は、各々独立に、アルキル基(好ましくは炭素数1〜6)又はシクロアルキル基(好ましくは炭素数3〜6)を示す。 In the formula, R 253 , R 254 , R 255 and R 256 each independently represents an alkyl group (preferably having 1 to 6 carbon atoms) or a cycloalkyl group (preferably having 3 to 6 carbon atoms).

好ましい化合物として、グアニジン、アミノピロリジン、ピラゾール、ピラゾリン、ピペラジン、アミノモルホリン、アミノアルキルモルフォリン、ピペリジンを挙げることができ、置換基を有していてもよい。更に好ましい化合物として、イミダゾール構造、ジアザビシクロ構造、オニウムヒドロキシド構造、オニウムカルボキシレート構造、トリアルキルアミン構造、アニリン構造又はピリジン構造を有する化合物、水酸基及び/又はエーテル結合を有するアルキルアミン誘導体、水酸基及び/又はエーテル結合を有するアニリン誘導体等を挙げることができる。   Preferable compounds include guanidine, aminopyrrolidine, pyrazole, pyrazoline, piperazine, aminomorpholine, aminoalkylmorpholine, and piperidine, and may have a substituent. More preferable compounds include compounds having an imidazole structure, a diazabicyclo structure, an onium hydroxide structure, an onium carboxylate structure, a trialkylamine structure, an aniline structure or a pyridine structure, an alkylamine derivative having a hydroxyl group and / or an ether bond, a hydroxyl group and / or Or the aniline derivative which has an ether bond etc. can be mentioned.

イミダゾール構造を有する化合物としてはイミダゾール、2、4、5−トリフェニルイミダゾール、ベンズイミダゾール等があげられる。ジアザビシクロ構造を有する化合物としては1、4−ジアザビシクロ[2,2,2]オクタン、1、5−ジアザビシクロ[4,3,0]ノナ−5−エン、1、8−ジアザビシクロ[5,4,0]ウンデカ−7−エンなどがあげられる。オニウムヒドロキシド構造を有する化合物としてはトリアリールスルホニウムヒドロキシド、フェナシルスルホニウムヒドロキシド、2−オキソアルキル基を有するスルホニウムヒドロキシド、具体的にはトリフェニルスルホニウムヒドロキシド、トリス(t−ブチルフェニル)スルホニウムヒドロキシド、ビス(t−ブチルフェニル)ヨードニウムヒドロキシド、フェナシルチオフェニウムヒドロキシド、2−オキソプロピルチオフェニウムヒドロキシドなどがあげられる。オニウムカルボキシレート構造を有する化合物としてはオニウムヒドロキシド構造を有する化合物のアニオン部がカルボキシレートになったものであり、例えばアセテート、アダマンタン−1−カルボキシレート、パーフロロアルキルカルボキシレート等があげられる。トリアルキルアミン構造を有する化合物としては、トリ(n−ブチル)アミン、トリ(n−オクチル)アミン等を挙げることができる。アニリン化合物としては、2,6−ジイソプロピルアニリン、N,N−ジメチルアニリン等を挙げることができる。水酸基及び/又はエーテル結合を有するアルキルアミン誘導体としては、エタノールアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン、トリス(メトキシエトキシエチル)アミン等を挙げることができる。水酸基及び/又はエーテル結合を有するアニリン誘導体としては、N,N−ビス(ヒドロキシエチル)アニリン等を挙げることができる。   Examples of the compound having an imidazole structure include imidazole, 2,4,5-triphenylimidazole, benzimidazole, and the like. Examples of the compound having a diazabicyclo structure include 1,4-diazabicyclo [2,2,2] octane, 1,5-diazabicyclo [4,3,0] non-5-ene, and 1,8-diazabicyclo [5,4,0. ] Undec-7-ene. Examples of the compound having an onium hydroxide structure include triarylsulfonium hydroxide, phenacylsulfonium hydroxide, sulfonium hydroxide having a 2-oxoalkyl group, specifically triphenylsulfonium hydroxide, tris (t-butylphenyl) sulfonium. Examples thereof include hydroxide, bis (t-butylphenyl) iodonium hydroxide, phenacylthiophenium hydroxide, and 2-oxopropylthiophenium hydroxide. The compound having an onium carboxylate structure is a compound having an onium hydroxide structure in which the anion moiety is converted to a carboxylate, and examples thereof include acetate, adamantane-1-carboxylate, and perfluoroalkylcarboxylate. Examples of the compound having a trialkylamine structure include tri (n-butyl) amine and tri (n-octyl) amine. Examples of aniline compounds include 2,6-diisopropylaniline and N, N-dimethylaniline. Examples of the alkylamine derivative having a hydroxyl group and / or an ether bond include ethanolamine, diethanolamine, triethanolamine, and tris (methoxyethoxyethyl) amine. Examples of aniline derivatives having a hydroxyl group and / or an ether bond include N, N-bis (hydroxyethyl) aniline.

これらの塩基性化合物は、単独であるいは2種以上で用いられる。塩基性化合物の使用量は、ポジ型感光性組成物の固形分を基準として、通常0.001〜10質量%、好ましくは0.01〜5質量%である。十分な添加効果を得る上で0.001質量%以上が好ましく、感度や非露光部の現像性の点で10質量%以下が好ましい。   These basic compounds are used alone or in combination of two or more. The usage-amount of a basic compound is 0.001-10 mass% normally based on solid content of a positive photosensitive composition, Preferably it is 0.01-5 mass%. In order to obtain a sufficient addition effect, 0.001% by mass or more is preferable, and 10% by mass or less is preferable in terms of sensitivity and developability of the non-exposed area.

〔5〕フッ素及び/又はシリコン系界面活性剤(E成分)
本発明のポジ型感光性組成物は、更に、フッ素系及び/又はシリコン系界面活性剤(フッ素系界面活性剤及びシリコン系界面活性剤、フッ素原子と珪素原子の両方を含有する界面活性剤)のいずれか、あるいは2種以上を含有することが好ましい。
[5] Fluorine and / or silicon surfactant (E component)
The positive photosensitive composition of the present invention further includes a fluorine-based and / or silicon-based surfactant (fluorine-based surfactant and silicon-based surfactant, a surfactant containing both fluorine and silicon atoms). It is preferable to contain any one of these or 2 or more types.

本発明のポジ型感光性組成物がフッ素及び/又はシリコン系界面活性剤とを含有することにより、250nm以下、特に220nm以下の露光光源の使用時に、良好な感度及び解像度で、密着性及び現像欠陥の少ないパターンを与えることが可能となる。   When the positive photosensitive composition of the present invention contains fluorine and / or a silicon-based surfactant, adhesion and development with good sensitivity and resolution when using an exposure light source of 250 nm or less, particularly 220 nm or less. A pattern with few defects can be provided.

これらのフッ素及び/又はシリコン系界面活性剤として、例えば特開昭62−36663号公報、特開昭61−226746号公報、特開昭61−226745号公報、特開昭62−170950号公報、特開昭63−34540号公報、特開平7−230165号公報、特開平8−62834号公報、特開平9−54432号公報、特開平9−5988号公報、特開2002−277862号公報、米国特許第5405720号明細書、同5360692号明細書、同5529881号明細書、同5296330号明細書、同5436098号明細書、同5576143号明細書、同5294511号明細書、同5824451号明細書記載の界面活性剤を挙げることができ、下記市販の界面活性剤をそのまま用いることもできる。   Examples of these fluorine and / or silicon surfactants include, for example, JP-A No. 62-36663, JP-A No. 61-226746, JP-A No. 61-226745, JP-A No. 62-170950, JP 63-34540 A, JP 7-230165 A, JP 8-62834 A, JP 9-54432 A, JP 9-5988 A, JP 2002-277862 A, US Patent Nos. 5,405,720, 5,360,692, 5,529,881, 5,296,330, 5,436,098, 5,576,143, 5,294,511, 5,824,451 Surfactant can be mentioned, The following commercially available surfactant can also be used as it is.

使用できる市販の界面活性剤として、例えばエフトップEF301、EF303、(新秋田化成(株)製)、フロラードFC430、431(住友スリーエム(株)製)、メガファックF171、F173、F176、F189、R08(大日本インキ化学工業(株)製)、サーフロンS−382、SC101、102、103、104、105、106(旭硝子(株)製)、トロイゾルS−366(トロイケミカル(株)製)等のフッ素系界面活性剤又はシリコン系界面活性剤を挙げることができる。またポリシロキサンポリマーKP−341(信越化学工業(株)製)もシリコン系界面活性剤として用いることができる。   Examples of commercially available surfactants that can be used include EFTOP EF301 and EF303 (manufactured by Shin-Akita Kasei Co., Ltd.), Florard FC430 and 431 (manufactured by Sumitomo 3M Co., Ltd.), MegaFuck F171, F173, F176, F189, and R08. (Dainippon Ink Chemical Co., Ltd.), Surflon S-382, SC101, 102, 103, 104, 105, 106 (Asahi Glass Co., Ltd.), Troisol S-366 (Troy Chemical Co., Ltd.), etc. Fluorine type surfactant or silicon type surfactant can be mentioned. Polysiloxane polymer KP-341 (manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) can also be used as a silicon-based surfactant.

また、界面活性剤としては、上記に示すような公知のものの他に、テロメリゼーション法(テロマー法ともいわれる)もしくはオリゴメリゼーション法(オリゴマー法ともいわれる)により製造されたフルオロ脂肪族化合物から導かれたフルオロ脂肪族基を有する重合体を用いた界面活性剤を用いることが出来る。フルオロ脂肪族化合物は、特開2002−90991号公報に記載された方法によって合成することが出来る。   In addition to the known surfactants described above, the surfactant is derived from a fluoroaliphatic compound produced by a telomerization method (also called telomer method) or an oligomerization method (also called oligomer method). A surfactant using a polymer having a fluoroaliphatic group can be used. The fluoroaliphatic compound can be synthesized by the method described in JP-A-2002-90991.

フルオロ脂肪族基を有する重合体としては、フルオロ脂肪族基を有するモノマーと(ポ
リ(オキシアルキレン))アクリレート及び/又は(ポリ(オキシアルキレン))メタクリレートとの共重合体が好ましく、不規則に分布していても、ブロック共重合していてもよい。また、ポリ(オキシアルキレン)基としては、ポリ(オキシエチレン)基、ポリ(オキシプロピレン)基、ポリ(オキシブチレン)基などが挙げられ、また、ポリ(オキシエチレンとオキシプロピレンとオキシエチレンとのブロック連結体)やポリ(オキシエチレンとオキシプロピレンとのブロック連結体)など同じ鎖長内に異なる鎖長のアルキレンを有するようなユニットでもよい。さらに、フルオロ脂肪族基を有するモノマーと(ポリ(オキシアルキレン))アクリレート(又はメタクリレート)との共重合体は2元共重合体ばかりでなく、異なる2種以上のフルオロ脂肪族基を有するモノマーや、異なる2種以上の(ポリ(オキシアルキレン))アクリレート(又はメタクリレート)などを同時に共重合した3元系以上の共重合体でもよい。
As the polymer having a fluoroaliphatic group, a copolymer of a monomer having a fluoroaliphatic group and (poly (oxyalkylene)) acrylate and / or (poly (oxyalkylene)) methacrylate is preferable and distributed irregularly. It may be block copolymerized. Examples of the poly (oxyalkylene) group include a poly (oxyethylene) group, a poly (oxypropylene) group, a poly (oxybutylene) group, and the like, and a poly (oxyethylene, oxypropylene, and oxyethylene group). A unit having different chain lengths in the same chain length, such as a block link) or poly (block link of oxyethylene and oxypropylene) may be used. Furthermore, a copolymer of a monomer having a fluoroaliphatic group and (poly (oxyalkylene)) acrylate (or methacrylate) is not only a binary copolymer but also a monomer having two or more different fluoroaliphatic groups, Further, it may be a ternary or higher copolymer obtained by simultaneously copolymerizing two or more different (poly (oxyalkylene)) acrylates (or methacrylates).

例えば、市販の界面活性剤として、メガファックF178、F−470、F−473、F−475、F−476、F−472(大日本インキ化学工業(株)製)を挙げることができる。さらに、C613基を有するアクリレート(又はメタクリレート)と(ポリ(オキシアルキレン))アクリレート(又はメタクリレート)との共重合体、C613基を有するアクリレート(又はメタクリレート)と(ポリ(オキシエチレン))アクリレート(又はメタクリレート)と(ポリ(オキシプロピレン))アクリレート(又はメタクリレート)との共重合体、C817基を有するアクリレート(又はメタクリレート)と(ポリ(オキシアルキレン))アクリレート(又はメタクリレート)との共重合体、C817基を有するアクリレート(又はメタクリレート)と(ポリ(オキシエチレン))アクリレート(又はメタクリレート)と(ポリ(オキシプロピレン))アクリレート(又はメタクリレート)との共重合体、などを挙げることができる。 Examples of commercially available surfactants include Megafac F178, F-470, F-473, F-475, F-476, and F-472 (Dainippon Ink Chemical Co., Ltd.). Further, a copolymer of an acrylate (or methacrylate) having a C 6 F 13 group and (poly (oxyalkylene)) acrylate (or methacrylate), an acrylate (or methacrylate) having a C 6 F 13 group and (poly (oxy) (Ethylene)) acrylate (or methacrylate) and (poly (oxypropylene)) acrylate (or methacrylate) copolymer, acrylate (or methacrylate) and (poly (oxyalkylene)) acrylate having C 8 F 17 groups (or Copolymer of acrylate (or methacrylate), (poly (oxyethylene)) acrylate (or methacrylate), and (poly (oxypropylene)) acrylate (or methacrylate) having a C 8 F 17 group Coalesce, etc. Can.

フッ素及び/又はシリコン系界面活性剤の使用量は、ポジ型感光性組成物の全量(溶剤を除く)に対して、好ましくは0.0001〜2質量%、より好ましくは0.001〜1質量%である。   The amount of fluorine and / or silicon-based surfactant used is preferably 0.0001 to 2% by mass, more preferably 0.001 to 1% by mass, based on the total amount of the positive photosensitive composition (excluding the solvent). %.

〔6〕有機溶剤
本発明の感光性組成物は、上記の成分を所定の有機溶剤に溶解して用いる。
[6] Organic solvent The photosensitive composition of the present invention is used by dissolving the above components in a predetermined organic solvent.

使用し得る有機溶剤としては、例えば、エチレンジクロライド、シクロヘキサノン、シクロペンタノン、2−ヘプタノン、γ−ブチロラクトン、メチルエチルケトン、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、2−メトキシエチルアセテート、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、トルエン、酢酸エチル、乳酸メチル、乳酸エチル、メトキシプロピオン酸メチル、エトキシプロピオン酸エチル、ピルビン酸メチル、ピルビン酸エチル、ピルビン酸プロピル、N,N−ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、N−メチルピロリドン、テトラヒドロフラン等を挙げることができる。   Examples of the organic solvent that can be used include ethylene dichloride, cyclohexanone, cyclopentanone, 2-heptanone, γ-butyrolactone, methyl ethyl ketone, ethylene glycol monomethyl ether, ethylene glycol monoethyl ether, 2-methoxyethyl acetate, ethylene glycol monoethyl. Ether acetate, propylene glycol monomethyl ether, propylene glycol monomethyl ether acetate, toluene, ethyl acetate, methyl lactate, ethyl lactate, methyl methoxypropionate, ethyl ethoxypropionate, methyl pyruvate, ethyl pyruvate, propyl pyruvate, N, N -Dimethylformamide, dimethyl sulfoxide, N-methylpyrrolidone, tetrahydrofuran, etc.

本発明において、有機溶剤としては、単独で用いても混合して用いても良いが、異なる官能基を有する2種以上の溶剤を含有する混合溶剤を用いることが好ましい。これにより素材の溶解性が高まり、経時におけるパーティクルの発生が抑制できるだけでなく、良好なパターンプロファイルが得られる。溶剤が含有する好ましい官能基としては、エステル基、ラクトン基、水酸基、ケトン基、カーボネート基が挙げられる。異なる官能基を有する混合溶剤としては以下の(S1)〜(S5)の混合溶剤が好ましい
(S1)水酸基を含有する溶剤と、水酸基を含有しない溶剤とを混合した混合溶剤、
(S2)エステル構造を有する溶剤とケトン構造を有する溶剤とを混合した混合溶剤
(S3)エステル構造を有する溶剤とラクトン構造を有する溶剤とを混合した混合溶剤
(S4)エステル構造を有する溶剤とラクトン構造を有する溶剤と水酸基を含有する溶剤とを混合した混合溶剤
(S5)エステル構造を有する溶剤とカーボネート構造を有する溶剤と水酸基を含有する溶剤とを混合した混合溶剤
これにより感光性組成物の保存時のパーティクル発生を軽減でき、また、塗布時の欠陥の発生を抑制することができる。
In the present invention, the organic solvent may be used alone or in combination, but it is preferable to use a mixed solvent containing two or more solvents having different functional groups. As a result, the solubility of the material is increased, and not only the generation of particles over time can be suppressed, but also a good pattern profile can be obtained. Preferable functional groups contained in the solvent include ester groups, lactone groups, hydroxyl groups, ketone groups, and carbonate groups. As the mixed solvent having different functional groups, the following mixed solvents (S1) to (S5) are preferable (S1) a mixed solvent in which a solvent containing a hydroxyl group and a solvent not containing a hydroxyl group are mixed,
(S2) Mixed solvent in which a solvent having an ester structure and a solvent having a ketone structure are mixed (S3) A mixed solvent in which a solvent having an ester structure and a solvent having a lactone structure are mixed (S4) A solvent having an ester structure and a lactone Mixed solvent in which solvent having structure and solvent containing hydroxyl group are mixed (S5) Mixed solvent in which solvent having ester structure, solvent having carbonate structure and solvent containing hydroxyl group are mixed
Thereby, the generation of particles during storage of the photosensitive composition can be reduced, and the generation of defects during coating can be suppressed.

水酸基を含有する溶剤としては、例えば、エチレングリコール、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコール、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、乳酸エチル等を挙げることができ、これらの内でプロピレングリコールモノメチルエーテル、乳酸エチルが特に好ましい。   Examples of the solvent containing a hydroxyl group include ethylene glycol, ethylene glycol monomethyl ether, ethylene glycol monoethyl ether, propylene glycol, propylene glycol monomethyl ether, propylene glycol monoethyl ether, ethyl lactate, and the like. Particularly preferred are propylene glycol monomethyl ether and ethyl lactate.

水酸基を含有しない溶剤としては、例えば、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチルエトキシプロピオネート、2−ヘプタノン、γ−ブチロラクトン、シクロヘキサノン、酢酸ブチル、N−メチルピロリドン、N,N−ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホキシド等を挙げることができ、これらの内で、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチルエトキシプロピオネート、2−ヘプタノン、γ−ブチロラクトン、シクロヘキサノン、酢酸ブチルが特に好ましく、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチルエトキシプロピオネート、2−ヘプタノン、シクロヘキサノンが最も好ましい。   Examples of the solvent not containing a hydroxyl group include propylene glycol monomethyl ether acetate, ethyl ethoxypropionate, 2-heptanone, γ-butyrolactone, cyclohexanone, butyl acetate, N-methylpyrrolidone, N, N-dimethylacetamide, dimethyl sulfoxide and the like. Among these, propylene glycol monomethyl ether acetate, ethyl ethoxypropionate, 2-heptanone, γ-butyrolactone, cyclohexanone, and butyl acetate are particularly preferred, and propylene glycol monomethyl ether acetate, ethyl ethoxypropionate. 2-heptanone and cyclohexanone are most preferred.

ケトン構造を有する溶剤としてはシクロヘキサノン、2−ヘプタノンなどが挙げられ、好ましくはシクロヘキサノンである。
エステル構造を有する溶剤としてはプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチルエトキシプロピオネート、酢酸ブチルなどが挙げられ、好ましくはプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートである。
ラクトン構造を有する溶剤としてはγ−ブチロラクトンが挙げられる。
カーボネート構造を有する溶剤としてはプロピレンカーボネート、エチレンカーボネートが挙げられ、好ましくはプロピレンカーボネートである。
水酸基を含有する溶剤と水酸基を含有しない溶剤との混合比(質量)は、1/99〜99/1、好ましくは10/90〜90/10、更に好ましくは20/80〜60/40である。水酸基を含有しない溶剤を50質量%以上含有する混合溶剤が塗布均一性の点で特に好ましい。
エステル構造を有する溶剤とケトン構造を有する溶剤との混合比(質量)は、1/99〜99/1、好ましくは10/90〜90/10、更に好ましくは40/60〜80/20である。エステル構造を有する溶剤を50質量%以上含有する混合溶剤が塗布均一性の点で特に好ましい。
エステル構造を有する溶剤とラクトン構造を有する溶剤との混合比(質量)は、70/30〜99/1、好ましくは80/20〜99/1、更に好ましくは90/10〜99/1である。エステル構造を有する溶剤を70質量%以上含有する混合溶剤が経時安定性の点で特に好ましい。
エステル構造を有する溶剤とラクトン構造を有する溶剤と水酸基を含有する溶剤を混合する際は、エステル構造を有する溶剤を30〜80質量%、ラクトン構造を有する溶剤を1〜20質量%、水酸基を含有する溶剤を10〜60質量%含有することが好ましい。
エステル構造を有する溶剤とカーボネート構造を有する溶剤と水酸基を含有する溶剤を混合する際は、エステル構造を有する溶剤を30〜80質量%、カーボネート構造を有する溶剤を1〜20質量%、水酸基を含有する溶剤を10〜60質量%含有することが好ましい。
これら溶剤の好ましい様態としてはアルキレングリコールモノアルキルエーテルカルボ
キシレート(好ましくはプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート)を含有する溶剤であり、より好ましくはアルキレングリコールモノアルキルエーテルカルボキシレートと他の溶剤の混合溶剤であり、他の溶剤が水酸基、ケトン基、ラクトン基、エステル基、エーテル基、カーボネート基から選ばれる官能基、あるいはこれらのうちの複数の官能基を併せ持つ溶剤から選ばれる少なくとも1種である。最も好ましい混合溶剤は乳酸エチル、γブチロラクトン、プロピレングリコールモノメチルエーテル、酢酸ブチル、シクロヘキサノンから選ばれる少なくとも1種とプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートの混合溶剤である。
最適な溶剤を選択することにより現像欠陥性能を改良することができる。
Examples of the solvent having a ketone structure include cyclohexanone and 2-heptanone, and cyclohexanone is preferable.
Examples of the solvent having an ester structure include propylene glycol monomethyl ether acetate, ethyl ethoxypropionate, and butyl acetate, and propylene glycol monomethyl ether acetate is preferable.
Examples of the solvent having a lactone structure include γ-butyrolactone.
Examples of the solvent having a carbonate structure include propylene carbonate and ethylene carbonate, with propylene carbonate being preferred.
The mixing ratio (mass) of the solvent containing a hydroxyl group and the solvent not containing a hydroxyl group is 1/99 to 99/1, preferably 10/90 to 90/10, more preferably 20/80 to 60/40. . A mixed solvent containing 50% by mass or more of a solvent not containing a hydroxyl group is particularly preferred from the viewpoint of coating uniformity.
The mixing ratio (mass) of the solvent having an ester structure and the solvent having a ketone structure is 1/99 to 99/1, preferably 10/90 to 90/10, and more preferably 40/60 to 80/20. . A mixed solvent containing 50% by mass or more of a solvent having an ester structure is particularly preferable from the viewpoint of coating uniformity.
The mixing ratio (mass) of the solvent having an ester structure and the solvent having a lactone structure is 70/30 to 99/1, preferably 80/20 to 99/1, and more preferably 90/10 to 99/1. . A mixed solvent containing 70% by mass or more of a solvent having an ester structure is particularly preferable from the viewpoint of stability over time.
When mixing a solvent having an ester structure, a solvent having a lactone structure, and a solvent containing a hydroxyl group, the solvent having an ester structure is 30 to 80% by mass, the solvent having a lactone structure is 1 to 20% by mass, and the hydroxyl group is contained. It is preferable to contain 10-60 mass% of solvent to do.
When mixing a solvent having an ester structure, a solvent having a carbonate structure, and a solvent containing a hydroxyl group, the solvent having an ester structure is 30 to 80% by mass, the solvent having a carbonate structure is 1 to 20% by mass, and the hydroxyl group is contained. It is preferable to contain 10-60 mass% of solvent to do.
A preferable embodiment of these solvents is a solvent containing an alkylene glycol monoalkyl ether carboxylate (preferably propylene glycol monomethyl ether acetate), more preferably a mixed solvent of an alkylene glycol monoalkyl ether carboxylate and another solvent, The other solvent is at least one selected from a functional group selected from a hydroxyl group, a ketone group, a lactone group, an ester group, an ether group and a carbonate group, or a solvent having a plurality of these functional groups. The most preferred mixed solvent is a mixed solvent of propylene glycol monomethyl ether acetate and at least one selected from ethyl lactate, γ-butyrolactone, propylene glycol monomethyl ether, butyl acetate, and cyclohexanone.
The development defect performance can be improved by selecting an optimum solvent.

〔6〕その他の添加剤
本発明のポジ型感光性組成物には、必要に応じてさらに染料、可塑剤、上記(E)成分以外の界面活性剤、光増感剤等を含有させることができる。
本発明においては、上記(E)フッ素系及び/又はシリコン系界面活性剤以外の他の界面活性剤を加えることもできる。具体的には、ポリオキシエチレンアルキルエーテル類、ポリオキシエチレンアルキルアリルエーテル類、ポリオキシエチレン・ポリオキシプロピレンブロックコポリマー類、ソルビタン脂肪族エステル類、ポリオキシエチレンソルビタン脂肪族エステル類等のノニオン系界面活性剤を挙げることができる。
[6] Other Additives The positive photosensitive composition of the present invention may further contain a dye, a plasticizer, a surfactant other than the above component (E), a photosensitizer and the like as necessary. it can.
In the present invention, a surfactant other than the above (E) fluorine-based and / or silicon-based surfactant may be added. Specifically, nonionic interfaces such as polyoxyethylene alkyl ethers, polyoxyethylene alkyl allyl ethers, polyoxyethylene / polyoxypropylene block copolymers, sorbitan aliphatic esters, polyoxyethylene sorbitan aliphatic esters, etc. Mention may be made of activators.

これらの界面活性剤は単独で添加してもよいし、また、いくつかの組み合わせで添加することもできる。   These surfactants may be added alone or in some combination.

〔7〕パターン形成方法
本発明のポジ型感光性組成物は、上記の成分を所定の有機溶剤、好ましくは前記混合溶剤に溶解し、フィルター濾過した後、次のように所定の支持体上に塗布して用いる。フィルター濾過に用いるフィルターは0.1ミクロン以下、より好ましくは0.05ミクロン以下、更に好ましくは0.03ミクロン以下のポリテトラフロロエチレン製、ポリエチレン製、ナイロン製のものが好ましい。
[7] Pattern formation method
The positive photosensitive composition of the present invention is used by dissolving the above components in a predetermined organic solvent, preferably the mixed solvent, filtering the solution, and applying the solution on a predetermined support as follows. The filter used for filter filtration is preferably made of polytetrafluoroethylene, polyethylene, or nylon of 0.1 microns or less, more preferably 0.05 microns or less, and still more preferably 0.03 microns or less.

例えば、ポジ型感光性組成物を精密集積回路素子の製造に使用されるような基板(例:シリコン/二酸化シリコン被覆)上にスピナー、コーター等の適当な塗布方法により塗布、乾燥し、感光性膜を形成する。なお、感光性膜の塗設に先立って反射防止膜を塗設してもよい。
当該感光性膜に、所定のマスクを通して活性光線又は放射線を照射し、好ましくはベーク(加熱)を行い、現像、リンスする。これにより良好なパターンを得ることができる。
活性光線又は放射線の照射時に感光性膜とレンズの間に空気よりも屈折率の高い液体(液浸媒体)を満たして露光(液浸露光)を行ってもよい。これにより解像性を高めることができる。用いる液浸媒体としては空気よりも屈折率の高い液体であればいずれのものでも用いることができるが好ましくは純水である。また、液浸露光を行なう際に液浸媒体と感光性膜が直接触れ合わないようにするために感光性膜の上にさらにオーバーコート層を設けても良い。これにより感光性膜から液浸媒体への組成物の溶出が抑えられ、現像欠陥が低減する。
For example, a positive photosensitive composition is coated on a substrate (eg, silicon / silicon dioxide coating) used in the manufacture of precision integrated circuit elements by a suitable coating method such as a spinner or coater, dried, and photosensitive. A film is formed. An antireflection film may be applied prior to the application of the photosensitive film.
The photosensitive film is irradiated with actinic rays or radiation through a predetermined mask, preferably baked (heated), developed and rinsed. Thereby, a good pattern can be obtained.
Exposure (immersion exposure) may be performed by filling a liquid (immersion medium) having a higher refractive index than air between the photosensitive film and the lens during irradiation with actinic rays or radiation. Thereby, resolution can be improved. As the immersion medium to be used, any liquid can be used as long as it has a higher refractive index than air, but pure water is preferred. Further, an overcoat layer may be further provided on the photosensitive film so that the immersion medium and the photosensitive film do not come into direct contact with each other during the immersion exposure. Thereby, the elution of the composition from the photosensitive film to the immersion medium is suppressed, and development defects are reduced.

活性光線又は放射線としては、赤外光、可視光、紫外光、遠紫外光、X線、電子線等を挙げることができるが、好ましくは250nm以下、より好ましくは220nm以下の波長の遠紫外光、具体的には、KrFエキシマレーザー(248nm)、ArFエキシマレーザー(193nm)、F2エキシマレーザー(157nm)、X線、電子ビーム等であり、ArFエキシマレーザー、F2エキシマレーザー、EUV(13nm)、電子ビームが好ましい。 Examples of the actinic ray or radiation include infrared light, visible light, ultraviolet light, far ultraviolet light, X-ray, electron beam, etc., but preferably far ultraviolet light having a wavelength of 250 nm or less, more preferably 220 nm or less. Specifically, KrF excimer laser (248 nm), ArF excimer laser (193 nm), F 2 excimer laser (157 nm), X-ray, electron beam, etc. ArF excimer laser, F 2 excimer laser, EUV (13 nm) An electron beam is preferred.

現像工程では、アルカリ現像液を次のように用いる。アルカリ現像液としては、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、ケイ酸ナトリウム、メタケイ酸ナトリウム、アンモニア水等の無機アルカリ類、エチルアミン、n−プロピルアミン等の第一アミン類、ジエチルアミン、ジ−n−ブチルアミン等の第二アミン類、トリエチルアミン、メチルジエチルアミン等の第三アミン類、ジメチルエタノールアミン、トリエタノールアミン等のアルコールアミン類、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド等の第四級アンモニウム塩、ピロール、ピヘリジン等の環状アミン類等のアルカリ性水溶液を使用することができる。
さらに、上記アルカリ現像液にアルコール類、界面活性剤を適当量添加して使用することもできる。
アルカリ現像液のアルカリ濃度は、通常0.1〜20質量%である。
アルカリ現像液のpHは、通常10.0〜15.0である。
In the development step, an alkaline developer is used as follows. Examples of the alkaline developer include inorganic alkalis such as sodium hydroxide, potassium hydroxide, sodium carbonate, sodium silicate, sodium metasilicate, and aqueous ammonia, primary amines such as ethylamine and n-propylamine, diethylamine, di- Secondary amines such as n-butylamine, tertiary amines such as triethylamine and methyldiethylamine, alcohol amines such as dimethylethanolamine and triethanolamine, quaternary ammonium such as tetramethylammonium hydroxide and tetraethylammonium hydroxide Alkaline aqueous solutions such as salts, cyclic amines such as pyrrole and pihelidine can be used.
Furthermore, alcohols and surfactants can be added in appropriate amounts to the alkaline developer.
The alkali concentration of the alkali developer is usually from 0.1 to 20% by mass.
The pH of the alkali developer is usually from 10.0 to 15.0.

〔モノマーAの合成〕
合成例1:化合物I−1b−1(Rx=Me)の合成
3−カルボキシ−1−アダマンタンメタクリレート10gをトルエン100mlに溶解させ、これに塩化チオニル6.8gを加えた。混合液を90℃にて2時間反応させ、放冷後溶媒を留去した。残渣をテトラヒドフラン40mlに溶解させ、氷冷下にてアンモニア水40ml中に30分かけて滴下した。室温にて2時間反応させた後、反応液に2N−塩酸水溶液200ml加え、これを酢酸エチル100mlで3回抽出した。有機相を蒸留水で洗浄し、乾燥、濃縮すると粗生成物が得られた。これをシリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製し、化合物I−1b−1を9.0g得た。
1H−NMR:1.65(m、2H)、1.85(m、4H)、1.89(s、3H)、2.17(m、4H)2.27(m、2H)、2.34(m、2H)、5.39(br、1H)、5.50(m、1H)、5.62(br、1H)、6.01(m、1H)
[Synthesis of Monomer A]
Synthesis Example 1: Synthesis of Compound I- 1b- 1 (Rx = Me) 10 g of 3-carboxy-1-adamantane methacrylate was dissolved in 100 ml of toluene, and 6.8 g of thionyl chloride was added thereto. The mixture was reacted at 90 ° C. for 2 hours, allowed to cool and then the solvent was distilled off. The residue was dissolved in 40 ml of tetrahydrofuran and added dropwise to 40 ml of ammonia water over 30 minutes under ice cooling. After reacting at room temperature for 2 hours, 200 ml of 2N-hydrochloric acid aqueous solution was added to the reaction solution, and this was extracted three times with 100 ml of ethyl acetate. The organic phase was washed with distilled water, dried and concentrated to give a crude product. This was purified by silica gel column chromatography to obtain 9.0 g of Compound I- 1b- 1.
1H-NMR: 1.65 (m, 2H), 1.85 (m, 4H), 1.89 (s, 3H), 2.17 (m, 4H) 2.27 (m, 2H); 34 (m, 2H), 5.39 (br, 1H), 5.50 (m, 1H), 5.62 (br, 1H), 6.01 (m, 1H)


合成例2:化合物I−1b−2(Rx=Me)の合成
合成例1のアンモニア水をメチルアミン水溶液にかえ同様の操作を行い、化合物I−1b−2を合成した。
Synthesis Example 2: Synthesis of Compound I- 1b- 2 (Rx = Me) Compound I- 1b- 2 was synthesized by changing the ammonia water of Synthesis Example 1 to a methylamine aqueous solution and performing the same operation.

合成例5:化合物I−1b−16(Rx=Me)の合成
合成例1の3−カルボキシ−1−アダマンタンメタクリレートを2−カルボキシノルボルナンメタクリレートにかえ同様の操作を行うことで、化合物I−1b−16できる。
Synthesis Example 5 Synthesis of Compound I-1b-16 (Rx = Me)
Compound I-1b-16 can be obtained by replacing 3-carboxy-1-adamantane methacrylate of Synthesis Example 1 with 2-carboxynorbornane methacrylate and performing the same operation.

合成例6:化合物I−1b−17(Rx=Me)の合成
3−カルボキシ−1−アダマンタンメタクリレート13gをトルエン100mlに溶解させ、これに塩化チオニル8.2gを加えた。混合液を80℃にて2時間反応させ、放冷後溶媒を留去した。残渣をテトラヒドフラン30mlに溶解させ、氷冷下にてトリフルオロエチルアミン9.7gのテトラヒドロフラン溶液80mlに30分かけて滴下した。室温にて2時間反応させた後、反応液に2N−塩酸水溶液200ml加え、これを酢酸エチル100mlで3回抽出した。有機相を蒸留水で洗浄し、乾燥、濃縮すると粗生成物が得られた。これをシリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製し、化合物I−1b−1
7(Rx=Me)を16.3g得た。
1H−NMR:1.67(m、2H)、1.84(m、4H)、1.89(m、3H)、2.17(m、4H)2.27(m、2H)、2.35(m、2H)、3.92(ddd、2H)、5.50(m、1H)、5.88(br、1H)、6.02(m、1H)
Synthesis Example 6: Synthesis of Compound I-1b-17 (Rx = Me) 13 g of 3-carboxy-1-adamantane methacrylate was dissolved in 100 ml of toluene, and 8.2 g of thionyl chloride was added thereto. The mixture was reacted at 80 ° C. for 2 hours, allowed to cool and then the solvent was distilled off. The residue was dissolved in 30 ml of tetrahydrofuran and added dropwise to 80 ml of a tetrahydrofuran solution of 9.7 g of trifluoroethylamine over 30 minutes under ice cooling. After reacting at room temperature for 2 hours, 200 ml of 2N-hydrochloric acid aqueous solution was added to the reaction solution, and this was extracted three times with 100 ml of ethyl acetate. The organic phase was washed with distilled water, dried and concentrated to give a crude product. This was purified by silica gel column chromatography to give compound I-1b-1.
16.3 g of 7 ( Rx = Me) was obtained.
1H-NMR: 1.67 (m, 2H), 1.84 (m, 4H), 1.89 (m, 3H), 2.17 (m, 4H) 2.27 (m, 2H); 35 (m, 2H), 3.92 (ddd, 2H), 5.50 (m, 1H), 5.88 (br, 1H), 6.02 (m, 1H)

合成例7:化合物I−1b−52(Rx=Me)の合成
3−カルボキシ−1−アダマンタンメタクリレート13gをトルエン100mlに溶解させ、これに塩化チオニル8.2gを加えた。混合液を80℃にて2時間反応させ、放冷後溶媒を留去した。残渣をテトラヒドフラン30mlに溶解させ、氷冷下にてアミノアセトニトリル塩酸塩9.1gおよび水酸化ナトリウム3.9gの水溶液80mlに30分かけて滴下した。室温にて2時間反応させた後、反応液に2N−塩酸水溶液200ml加え、これを酢酸エチル100mlで3回抽出した。有機相を蒸留水で洗浄し、乾燥、濃縮すると粗生成物が得られた。これをシリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製し、化合物I−1b−52(Rx=Me)を10.5g得た。
1H−NMR:1.68(m、2H)、1.84(m、4H)、1.89(m、3H)、2.13(m、4H)2.28(m、2H)、2.35(m、2H)、4.18(d、2H)、5.50(m、1H)、6.01
Synthesis Example 7: Synthesis of Compound I-1b-52 (Rx = Me) 13 g of 3-carboxy-1-adamantane methacrylate was dissolved in 100 ml of toluene, and 8.2 g of thionyl chloride was added thereto. The mixture was reacted at 80 ° C. for 2 hours, allowed to cool and then the solvent was distilled off. The residue was dissolved in 30 ml of tetrahydrofuran and added dropwise over 30 minutes to 80 ml of an aqueous solution of 9.1 g of aminoacetonitrile hydrochloride and 3.9 g of sodium hydroxide under ice cooling. After reacting at room temperature for 2 hours, 200 ml of 2N-hydrochloric acid aqueous solution was added to the reaction solution, and this was extracted three times with 100 ml of ethyl acetate. The organic phase was washed with distilled water, dried and concentrated to give a crude product. This was purified by silica gel column chromatography to obtain 10.5 g of compound I-1b-52 ( Rx = Me).
1H-NMR: 1.68 (m, 2H), 1.84 (m, 4H), 1.89 (m, 3H), 2.13 (m, 4H) 2.28 (m, 2H); 35 (m, 2H), 4.18 (d, 2H), 5.50 (m, 1H), 6.01

合成例8:化合物I−2b−1の合成
合成例1の3−カルボキシ−1−アダマンタンメタクリレートを(3−カルボキシ−1−アダマンチル)−5−ノルボルネン−2−カルボキシレートにかえ同様の操作を行うことで、化合物I−2b−1を合成できる。
Synthesis Example 8 Synthesis of Compound I-2b-1
Compound I-2b-1 can be synthesized by replacing 3-carboxy-1-adamantane methacrylate of Synthesis Example 1 with (3-carboxy-1-adamantyl) -5-norbornene-2-carboxylate and performing the same operation. .

合成例9:化合物I−2b−3の合成
合成例1の3−カルボキシ−1−アダマンタンメタクリレートを(5−カルボキシ−2−ノルボルニル)−5−ノルボルネン−2−カルボキシレートにかえ同様の操作を行うことで、化合物I−2b−3を合成できる。
Synthesis Example 9 Synthesis of Compound I-2b-3
Compound I-2b-3 can be synthesized by replacing 3-carboxy-1-adamantane methacrylate of Synthesis Example 1 with (5-carboxy-2-norbornyl) -5-norbornene-2-carboxylate and performing the same operation. .

合成例10:樹脂(RA−1)の合成
窒素気流下プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート5.8g、プロピレングリコールモノメチルエーテル3.9gを3つ口フラスコに入れこれを80℃に加熱した。これに化合物I−1a−1(Rx=Me)を6.8g、γブチロラクトンメタクリレート6.8g、2−(1−アダマンチル)イソプロピル−2−メタクリレート10.5g、開始剤V−601(和光純薬工業(株)製)をモノマーに対し8mol%をプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート52gおよびプロピレングリコールモノメチルエーテル35gに溶解させたものを6時間かけて滴下した。滴下終了後、さらに80℃で2時間反応させた。反応液を放冷後ヘキサン700ml/酢酸エチル300mlに注ぎ、析出した紛体をろ取、乾燥すると樹脂(RA−1)が20g得られた。得られた樹脂の重量平均分子量は標準ポリスチレン換算で9000、分散度(Mw/Mn)は1.85であった。
Synthesis Example 10: Synthesis of Resin (RA-1) In a nitrogen stream, 5.8 g of propylene glycol monomethyl ether acetate and 3.9 g of propylene glycol monomethyl ether were placed in a three-necked flask and heated to 80 ° C. To this, 6.8 g of compound I-1a-1 (Rx = Me), 6.8 g of γ-butyrolactone methacrylate, 10.5 g of 2- (1-adamantyl) isopropyl-2-methacrylate, initiator V-601 (Wako Pure Chemical Industries, Ltd.) Kogyo Kogyo Co., Ltd.) was added dropwise over 6 hours with 8 mol% dissolved in 52 g of propylene glycol monomethyl ether acetate and 35 g of propylene glycol monomethyl ether. After completion of dropping, the reaction was further carried out at 80 ° C. for 2 hours. The reaction solution was allowed to cool and then poured into 700 ml of hexane / 300 ml of ethyl acetate, and the precipitated powder was collected by filtration and dried to obtain 20 g of Resin (RA-1). The weight average molecular weight of the obtained resin was 9000 in terms of standard polystyrene, and the dispersity (Mw / Mn) was 1.85.

<感光性組成物の調製>
下記表に示す成分を溶剤に溶解させ固形分濃度8質量%の溶液を調製し、これを0.03μmのポリエチレンフィルターでろ過してポジ型感光性組成物を調製した。下記の方法で評価し、結果を表2に示した。
<Preparation of photosensitive composition>
The components shown in the following table were dissolved in a solvent to prepare a solution having a solid content concentration of 8% by mass, and this was filtered through a 0.03 μm polyethylene filter to prepare a positive photosensitive composition. Evaluation was carried out by the following method, and the results are shown in Table 2 .

〔塩基性化合物〕
TPSA:トリフェニルスルホニウムアセテート
DIA:2,6−ジイソプロピルアニリン
DCMA:ジシクロヘキシルメチルアミン
TPA:トリペンチルアミン
HAP:ヒドロキシアンチピリン
TBAH:テトラブチルアンモニウムヒドロキシド
TMEA:トリス(メトキシエトキシエチル)アミン
PEA:N−フェニルジエタノールアミン
[Basic compounds]
TPSA: Triphenylsulfonium acetate
DIA: 2,6-diisopropylaniline
DCMA: Dicyclohexylmethylamine
TPA: Tripentylamine
HAP: Hydroxyantipyrine
TBAH: Tetrabutylammonium hydroxide
TMEA: Tris (methoxyethoxyethyl) amine
PEA: N-phenyldiethanolamine

〔界面活性剤〕
W−1:メガファックF176(大日本インキ化学工業(株)製)(フッ素系)
W−2:メガファックR08(大日本インキ化学工業(株)製) (フッ素及びシリコン系)
W−3:ポリシロキサンポリマーKP−341(信越化学工業(株)製) (シリコン系)
W‐4:トロイゾルS−366(トロイケミカル(株)製)
[Surfactant]
W-1: MegaFuck F176 (Dainippon Ink Chemical Co., Ltd.) (Fluorine)
W-2: Megafuck R08 (Dainippon Ink Chemical Co., Ltd.) (fluorine and silicon)
W-3: Polysiloxane polymer KP-341 (manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) (silicon-based)
W-4: Troisol S-366 (manufactured by Troy Chemical Co., Ltd.)

〔溶剤〕
S1:プロピレングリコールメチルエーテルアセテート
S3:シクロヘキサノン
S4: γ−ブチロラクトン
S5:プロピレングリコールメチルエーテル
S6:乳酸エチル
S7:プロピレンカーボネート
〔solvent〕
S1: Propylene glycol methyl ether acetate
S3: cyclohexanone
S4: γ-butyrolactone
S5: Propylene glycol methyl ether
S6: Ethyl lactate S7: Propylene carbonate

<評価>
スピンコーターにてヘキサメチルジシラザン処理を施したシリコン基板上にブリューワーサイエンス社製反射防止膜DUV−42を600オングストローム均一に塗布し、100℃で90秒間ホットプレート上で乾燥した後、190℃で240秒間加熱乾燥を行った。その後、各ポジ型感光性組成物をスピンコーターで塗布し110℃で90秒乾燥を行い180nmの感光性膜を形成させた。この感光性膜に対し、マスクを通してArFエキシマレーザーステッパー(ASML社製 NA=0.75、2/3輪帯)で露光し、露光後直ぐに120℃で90秒間ホットプレート上で加熱した。さらに2.38質量%テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液で23℃で60秒間現像し、30秒間純水にてリンスした後、乾燥し、ラインパターンを得た。
<Evaluation>
An anti-reflective coating DUV-42 manufactured by Brewer Science Co., Ltd. was uniformly applied to 600 angstroms on a silicon substrate subjected to hexamethyldisilazane treatment with a spin coater, dried on a hot plate at 100 ° C. for 90 seconds, and then at 190 ° C. Heat drying was performed for 240 seconds. Thereafter, each positive photosensitive composition was applied by a spin coater and dried at 110 ° C. for 90 seconds to form a 180 nm photosensitive film. The photosensitive film was exposed with an ArF excimer laser stepper (SML NA = 0.75, 2/3 ring zone) through a mask, and heated on a hot plate at 120 ° C. for 90 seconds immediately after the exposure. Further, the resist film was developed with an aqueous 2.38 mass% tetramethylammonium hydroxide solution at 23 ° C. for 60 seconds, rinsed with pure water for 30 seconds, and then dried to obtain a line pattern.

パターン倒れ評価法:
80nmのラインアンドスペース1:1のマスクパターンを再現する露光量を最適露光量とし、最適露光量からさらに露光量を増大させて形成されるラインパターンの線幅を細らせた際に、パターンが倒れずに解像する線幅をもって定義した。値が小さいほど、より微細なパターンが倒れずに解像することを表し、パターン倒れが発生しにくく、解像力が高いことを示す。
Pattern collapse evaluation method:
When the line width of the line pattern formed by increasing the exposure amount from the optimal exposure amount is reduced to the optimal exposure amount, the exposure amount for reproducing the 80 nm line and space 1: 1 mask pattern Defined with line width that resolves without falling down. The smaller the value, the finer pattern is resolved without falling, and the pattern collapse is less likely to occur and the resolution is higher.

ラインエッジラフネス評価方法:
測長走査型電子顕微鏡(SEM)を使用して80nmのラインアンドスペース1:1パターンを観察し、ラインパターンの長手方向のエッジが5μmの範囲についてエッジのあるべき基準線からの距離を測長SEM((株)日立製作所S−8840)により20ポイント測定し、標準偏差を求め、3σを算出した。値が小さいほど良好な性能であることを示す。
Line edge roughness evaluation method:
Using a length-measuring scanning electron microscope (SEM), observe a 80 nm line-and-space 1: 1 pattern and measure the distance from the reference line where the edge of the line pattern should be 5 μm long. 20 points were measured by SEM (Hitachi, Ltd. S-8840), the standard deviation was obtained, and 3σ was calculated. A smaller value indicates better performance.

(液浸露光)
<感光性組成物の調製>
表1の実施例Ar1〜Ar19比較例1及び比較例2の成分を溶剤に溶解させ固形分濃度6質量%の溶液を調製し、これを0.03μmのポリエチレンフィルターで濾過して
ポジ型感光性組成物を調製し、下記の方法で評価した。
(Immersion exposure)
<Preparation of photosensitive composition>
The components of Examples Ar1 to Ar19 in Table 1 and Comparative Example 1 and Comparative Example 2 were dissolved in a solvent to prepare a solution having a solid content concentration of 6% by mass, and this was filtered through a 0.03 μm polyethylene filter. The composition was prepared and evaluated by the following method.

<解像性評価>
シリコンウエハー上に有機反射防止膜ARC29A(日産化学社製)を塗布し、205℃、60秒ベークを行い78nmの反射防止膜を形成した。その上に調製した感光性組成物を塗布し、115℃、60秒ベークを行い150nmの感光性膜を形成した。 こうして得られたウエハーを液浸液としては純水を使用し、2光束干渉露光を行った(ウェット露光)。尚、2光束干渉露光(ウェット)では、レーザー、絞り、シャッター、3枚の反射ミラー、集光レンズを使用し、プリズム、液浸液を介してウェハーに露光を行った。レーザーの波長は、193nmを用い、65nmのラインアンドスペースパターンを形成するプリズムを使用した。露光直後に115℃、90秒加熱した後、テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド水溶液(2.38質量%)で60秒間現像し、純水でリンスした後、スピン乾燥して得たパターンについて走査型電子顕微鏡(日立製S−9260)を用い、観察した。実施例Ar1〜Ar19の組成物を用いたところ65nmのラインアンドスペースパターンがパターン倒れを発生せずに解像した。比較例1〜2の組成物を用いたところ65nmのラインアンドスペースパターンは解像するものの、一部のパターンでパターン倒れが観測された。
本願の組成物は液浸液を介した露光方法においても良好な画像形成能を有することが明らかである。
<Resolution evaluation>
An organic antireflection film ARC29A (Nissan Chemical Co., Ltd.) was applied onto a silicon wafer and baked at 205 ° C. for 60 seconds to form a 78 nm antireflection film. The photosensitive composition prepared thereon was applied and baked at 115 ° C. for 60 seconds to form a 150 nm photosensitive film. The wafer thus obtained was subjected to two-beam interference exposure (wet exposure) using pure water as the immersion liquid. In the two-beam interference exposure (wet), a laser, an aperture, a shutter, three reflecting mirrors, and a condenser lens were used, and the wafer was exposed through a prism and an immersion liquid. The laser wavelength was 193 nm, and a prism that formed a 65 nm line and space pattern was used. Immediately after the exposure, the film was heated at 115 ° C. for 90 seconds, developed with an aqueous tetramethylammonium hydroxide solution (2.38 mass%) for 60 seconds, rinsed with pure water, and then spin-dried to obtain a pattern obtained by scanning electron microscopy. (Hitachi S-9260) was used for observation. When the compositions of Examples Ar1 to Ar19 were used, a 65 nm line and space pattern was resolved without causing pattern collapse. When the compositions of Comparative Examples 1 and 2 were used, a 65 nm line and space pattern was resolved, but pattern collapse was observed in some patterns.
It is clear that the composition of the present application has a good image forming ability even in an exposure method through an immersion liquid.

Claims (7)

(A)一般式(I−1)または(I−2)で表される部分構造を少なくとも一つ含有する繰り返し単位を有する、酸の作用により分解し、アルカリ現像液中での溶解度が増大する樹脂、及び、(B)活性光線または放射線の照射により酸を発生する化合物を含有するポジ型感光性組成物。
Xbは、n +1価の単環または多環である、脂環の環状炭化水素連結基を表す。
Ra〜Raは、各々独立に、水素原子、水酸基または有機基を表す。
RaとRaは結合して環構造を形成しても良い。
は1または2を表す。
(A) Decomposing by the action of an acid having a repeating unit containing at least one partial structure represented by formula (I-1) or (I-2), and increasing the solubility in an alkaline developer. A positive photosensitive composition comprising a resin and (B) a compound that generates an acid upon irradiation with actinic rays or radiation.
Xb represents an n 1 +1 valent monocyclic or polycyclic alicyclic cyclic hydrocarbon linking group.
Ra 1 to Ra 4 each independently represents a hydrogen atom, a hydroxyl group or an organic group.
Ra 1 and Ra 2 may combine to form a ring structure.
n 1 represents 1 or 2.
樹脂(A)が、一般式(I−1a)または(I−2a)で表される繰り返し単位を含有する樹脂である請求項1に記載のポジ型感光性組成物。
Rxは、水素原子、アルキル基またはシアノ基を表す。
Xcは一般式(I−1)または(I−2)で表される基を表す。
Ra〜Raは、各々独立に、水素原子または有機基を表す。
は、0または1を表す。
The positive photosensitive composition according to claim 1, wherein the resin (A) is a resin containing a repeating unit represented by the general formula (I-1a) or (I-2a).
Rx represents a hydrogen atom, an alkyl group or a cyano group.
Xc represents a group represented by general formula (I-1) or (I-2).
Ra 5 to Ra 7 each independently represents a hydrogen atom or an organic group.
n 2 represents 0 or 1.
樹脂(A)が、更に脂環炭化水素構造を有する酸分解性基を有する繰り返し単位を含有することを特徴とする請求項1または2に記載のポジ型感光性組成物。   The positive photosensitive composition according to claim 1, wherein the resin (A) further contains a repeating unit having an acid-decomposable group having an alicyclic hydrocarbon structure. 樹脂(A)が、更にラクトン構造を有する繰り返し単位を含有することを特徴とする請求項1〜3のいずれか一項に記載のポジ型感光性組成物。 The positive photosensitive composition according to any one of claims 1 to 3, wherein the resin (A) further contains a repeating unit having a lactone structure. 請求項1〜4のいずれか一項に記載のポジ型感光性組成物より形成された感光性膜。The photosensitive film | membrane formed from the positive photosensitive composition as described in any one of Claims 1-4. 請求項5に記載の感光性膜を、露光、現像することを特徴とするパターン形成方法。 A pattern forming method comprising exposing and developing the photosensitive film according to claim 5 . 該感光性膜を、液浸液を介して露光を行うことを特徴とする請求項6に記載のパターン形成方法。The pattern forming method according to claim 6, wherein the photosensitive film is exposed through an immersion liquid.
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