JP4598845B2 - 窒化物半導体レーザ装置 - Google Patents
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Description
図1は、本発明の実施形態にかかる青色の窒化物半導体レーザ装置100の斜視図である。
本発明による実施形態2の窒化物半導体レーザ装置200を図4Aおよび図4Bを参照して説明する。図4Aは実施形態2の窒化物半導体レーザ装置200の斜視図であり、図4Bは図4Aの4B−4B’線に沿った断面図である。
本発明による実施形態3の窒化物半導体レーザ装置300の断面図を図5に示す。窒化物半導体レーザ装置300は、反射層30bの構成が実施形態2の窒化物半導体レーザ装置200と異なる。窒化物半導体レーザ装置300のその他の構成は、窒化物半導体レーザ装置200と同様なので、実質的に同じ機能を有する構成要素は同じ参照符号で示し、その詳細な説明は省略する。
本発明による実施形態4の窒化物半導体レーザ装置400の断面図を図6に示す。窒化物半導体レーザ装置400は、半導体レーザダイオード10の後面に形成されている保護層20cの構成が実施形態2の窒化物半導体レーザ装置200と異なる。窒化物半導体レーザ装置400のその他の構成は、窒化物半導体レーザ装置200と同様なので、実質的に同じ機能を有する構成要素は同じ参照符号で示し、その詳細な説明は省略する。
本発明による実施形態5の窒化物半導体レーザ装置500の断面図を図8に示す。窒化物半導体レーザ装置500は、半導体レーザダイオード10の後面に形成されている反射層40の構成が実施形態2の窒化物半導体レーザ装置200と異なる。窒化物半導体レーザ装置500のその他の構成は、窒化物半導体レーザ装置200と同様なので、実質的に同じ機能を有する構成要素は同じ参照符号で示し、その詳細な説明は省略する。
本発明の実施形態6は、実施形態5の窒化物半導体レーザ装置500において、半導体レーザダイオード10の後面に設けられた保護層(GaN)20bを省略し、半導体レーザダイオード10の後面にAl0.5Ga0.5N層41(0.01μm)/AlN層42(0.03μm)/Al0.5Ga0.5N層41(0.01μm)/GaN層43(0.04μm)の4層積層体を16対堆積する。この構成によっても、高い反射率を有する反射層を得ることができる。
11 n型電極
12 基板
13、15 クラッド層
14 MQW活性層
16 電極形成層
17 p型電極
20a、20b、20c 保護層
30a、30b、40 反射層
31 AlN層
32 GaN層
33 SiO2層
34 TiO2層
41 Al0.5Ga0.5N層
42 AlN層
43 GaN層
60、70 レーザダイオード
61、72 サファイア基板
62 電極形成層
62a 下部電極形成層
62b 上部電極形成層
63、65、73、75 クラッド層
64、74 MQW活性層
66 電極形成層
67 n型電極
68 p型電極
69 保護層
76 N電極形成層
77 Ni/Au電極
90 反射層
91 SiO2層
92 TiO2層
100、200、300、400、500 窒化物半導体レーザ装置
600、700 窒化物半導体レーザ装置
Claims (2)
- 窒化物半導体レーザダイオードと、前記窒化物半導体レーザダイオードのレーザ端面に設けられた保護層とを有し、
前記保護層は、前記窒化物レーザダイオードが発振する光に対して透明であるAl1-x-y-zGaxInyBzN(0≦x、y、z≦1、且つ、0≦x+y+z≦1)からなり、
前記保護層はAlを含み、
前記保護層は前記窒化物半導体レーザダイオードと熱膨張係数の整合をとるように設けられており、
前記保護層に接して、前記窒化物レーザダイオードが発振する光を反射する反射層を更に有し、
前記反射層は、屈折率が互いに異なる第1および第2層が交互に積層された積層構造を有し、
前記第1層と第2層との間に第3層をさらに有し、前記第1層、第2層および第3層は結晶層であって、前記第1層と前記第3層との格子定数の差は、前記第1層と前記第2層との格子定数の差よりも小さいことを特徴とする窒化物半導体レーザ装置。 - 前記第1層/第3層/第2層からなる前記反射層がGaN/AlGaN/AlN積層構造を有する請求項1に記載の窒化物半導体レーザ装置。
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