JP4514409B2

JP4514409B2 - 半導体ウエハの仮固定方法及び電子部品、回路基板

Info

Publication number: JP4514409B2
Application number: JP2003042394A
Authority: JP
Inventors: 秋桐村田; 一之木内; 道朗川西
Original assignee: Nitto Denko Corp
Current assignee: Nitto Denko Corp
Priority date: 2003-02-20
Filing date: 2003-02-20
Publication date: 2010-07-28
Anticipated expiration: 2023-02-20
Also published as: JP2004253612A

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体ウエハを加熱剥離型粘着シートに仮固定する方法に関し、より詳細には、加熱処理により容易に剥離することができ、しかも剥離後の半導体ウエハ表面の汚染を低減することができる半導体ウエハの仮固定方法に関する。また、この仮固定方法を利用して作製された半導体チップが使用されている電子部品及び回路基板に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、基材上に熱膨張性微小球などの発泡剤又は膨張剤を含む粘着剤層を設けた加熱剥離型粘着シートが知られている（特許文献１〜特許文献５参照）。この加熱剥離型粘着シートは、接着性と使用後の剥離性とを両立させた粘着シートであり、加熱により発泡剤等を発泡又は膨張させることで接着力が低下し、シリコンウエハなどの被着体より容易に剥離できるという特徴を有する。そのため、電子部品の製造工程時における仮固定手段などで用いられている。
【０００３】
しかしながら、このような従来の加熱剥離型粘着シートを、半導体ウエハ（シリコンウエハなど）のダイシングや裏面研磨等に用いた場合、加熱処理して粘着シートを剥離した半導体ウエハの表面には、肉眼では視認できない程度の極微細な汚染（特に、有機汚染）が多数残存する汚染問題が生じ、しかも製造された電子部品は実用に適さない場合もあり、大きな問題となっていた。
【０００４】
【特許文献１】
特公昭５０−１３８７８号公報
【特許文献２】
特公昭５１−２４５３４号公報
【特許文献３】
特開昭５６−６１４６８号公報
【特許文献４】
特開昭５６−６１４６９号公報
【特許文献５】
特開昭６０−２５２６８１号公報
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
このような汚染問題は、加熱前後の汚染状況の比較したところ、加熱処理により汚染物が飛躍的に増大していると考えられる。なお、レーザー表面検査装置を介した４インチのシリコンウエハ上でのパーティクル数測定において、加熱前のシートの剥離時では１０００個未満であったものが、加熱後には１００００個を超える１０倍以上に汚染度が増大していることが確認された例もある。
【０００６】
従って、本発明の目的は、加熱処理により粘着シートを容易に剥離することができ、しかも剥離後の半導体ウエハ表面の汚染を低減することができる半導体ウエハの仮固定方法および、この仮固定方法を利用して作製された半導体チップが使用されている電子部品並びに回路基板を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは、前記目的を達成するため鋭意検討した結果、半導体ウエハを粘着シートに仮固定する際に、粘着シートとして加熱剥離型粘着シートを用いるとともに、半導体ウエハの加熱剥離型粘着シート貼着面に特定の層を形成すると、加熱により容易に剥離することができ、しかも剥離後の半導体ウエハの表面の汚染度を低減することができることを見出した。本発明はこれらの知見に基づいて完成されたものである。
【０００８】
すなわち、本発明は、半導体ウエハを、基材の少なくとも一方の面に熱膨張性微小球を含有する熱膨張性粘着層が形成された加熱剥離型粘着シートに仮固定する方法であって、半導体ウエハを、半導体ウエハ表面に予め設けられた水溶性樹脂により形成された水溶性保護層を介して加熱剥離型粘着シートの熱膨張性粘着層の面に貼付して仮固定することを特徴とする半導体ウエハの仮固定方法を提供する。
【０００９】
この半導体ウエハの仮固定方法では、さらに、加熱剥離型粘着シートにおける基材の熱膨張性粘着層に対して反対側の面に支持台座用粘着層が形成されており、該支持台座用粘着層の面に支持台座を貼付することが好適である。
【００１０】
本発明では、半導体ウエハから加熱剥離型粘着シートを加熱して剥離させ、さらに半導体ウエハ表面に予め設けられた水溶性樹脂により形成された水溶性保護層を除去した後の、ＸＰＳによる半導体ウエハの表面における炭素元素比率Ｒ_C1（％）が、以下の関係式（１）を満足することが好ましい。
Ｒ_C1≦３０＋Ｒ_C2 （１）
［関係式（１）において、Ｒ_C2は、加熱剥離型粘着シートに貼付される前で且つ水溶性保護層が設けられる前の、ＸＰＳによる半導体ウエハの表面による半導体ウエハの表面における炭素元素比率（％）を示す。］
【００１１】
また、半導体ウエハがシリコンウエハであり、且つ、シリコンウエハから加熱剥離型粘着シートを加熱して剥離させ、さらに半導体ウエハ表面に予め設けられた水溶性樹脂により形成された水溶性保護層を除去した後の、ＸＰＳによるシリコンウエハの表面における炭素元素比率Ｒ_C1 ^Siが、以下の関係式（２）を満足することが好ましい。
Ｒ_C1 ^Si≦２．５Ｒ_Si （２）
［関係式（２）において、Ｒ_Siは、シリコンウエハから加熱剥離型粘着シートを加熱して剥離させ、さらに半導体ウエハ表面に予め設けられた水溶性樹脂により形成された水溶性保護層を除去した後の、ＸＰＳによるシリコンウエハの表面におけるケイ素元素比率（％）を示す。］
【００１２】
なお、本発明は、また、前記半導体ウエハの仮固定方法を利用して、半導体ウエハを仮固定した後、加工して作製された半導体チップが使用されていることを特徴とする電子部品や回路基板を提供する。
【００１３】
【発明の実施の形態】
以下に、本発明の実施の形態を、必要に応じて図面を参照しつつ詳細に説明する。なお、同一の部材や部分などには同一の符号を付している場合がある。
本発明の仮固定方法では、図１や図２に示されるように、水溶性保護層を介して、半導体ウエハを加熱剥離型粘着シートに貼付して仮固定を行っている。図１及び図２は、それぞれ、本発明の仮固定方法により、半導体ウエハを加熱剥離型粘着シートに仮固定した状態の例を部分的に示す概略断面図である。図１及び２において、１は加熱剥離型粘着シート、１ａは加熱剥離型粘着シート１の基材、１ｂは加熱剥離型粘着シート１の熱膨張性粘着層、１ｃは加熱剥離型粘着シート１の支持台座用粘着層、２は半導体ウエハ、３は水溶性保護層、４は支持台座である。
【００１４】
図１で示される半導体ウエハの仮固定状態では、半導体ウエハ２は、水溶性保護層３を介して、加熱剥離型粘着シート１の熱膨張性粘着層１ｂの面に貼付された構成となっている。
【００１５】
また、図２で示される半導体ウエハの仮固定状態では、加熱剥離型粘着シート１の熱膨張性粘着層１ｂの面には、水溶性保護層３を介して、半導体ウエハ２が貼付され、支持台座用粘着層１ｃの面には、支持台座４が貼付された構成となっている。従って、この図２で示される仮固定方法では、半導体ウエハ２は、水溶性保護層３を介して加熱剥離型粘着シート１に仮固定されているとともに、支持台座４により支持されている。
【００１６】
［水溶性保護層］
前記水溶性保護層３は、水溶性を有する層であり、半導体ウエハ２を加熱剥離型粘着シート１に貼付する前に、半導体ウエハ２の表面（加熱剥離型粘着シート１への貼着面）に予め設けることができる。水溶性保護層３は、水を利用した除去方法（例えば、水洗などの除去方法）により、半導体ウエハ表面から容易に除去することができる。
【００１７】
なお、水溶性保護層３は、水溶性であるとともに、半導体ウエハ２の表面を加熱剥離型粘着シート１による汚染から保護することができる特性（又は機能）を有していることが重要である。
【００１８】
また、水溶性保護層３は、半導体ウエハ２への密着性が良好であることも重要である。半導体ウエハ２と水溶性保護層３との密着性が低いと、該水溶性保護層３を介して半導体ウエハ２を加熱剥離型粘着シート１に仮固定した後に、半導体ウエハ２を加工する際に、半導体ウエハ２から、加熱剥離型粘着シート１が水溶性保護層３とともに剥離し易くなるためである。
【００１９】
水溶性保護層は、水溶性材料により形成することができる。このような水溶性材料としては、水溶性保護層を形成することができる材料であれば特に制限されないが、半導体ウエハの保護特性や、半導体ウエハへの密着性などの観点から、水溶性樹脂を好適に用いることができる。該水溶性樹脂としては、例えば、ポリビニルアルコール等のポリビニルアルコール系樹脂；ポリビニルブチラール等のポリビニルアセタール系樹脂；ポリエチレングリコール、ポリプロピレングリコール等のポリアルキレングリコール系樹脂などが挙げられる。なお、水溶性樹脂などの水溶性材料は単独で又は２種以上組み合わせて使用することができる。
【００２０】
水溶性保護層の形成方法としては、特に制限されないが、例えば、半導体ウエハの表面に水溶性材料を塗布する方法や、離型フィルム上に予め形成された水溶性保護層を半導体ウエハの表面に転写する方法などが挙げられる。なお、水溶性材料の塗布に際しては、公知乃至慣用のコーター（例えば、スピンコーターなど）を用いることができる。
【００２１】
水溶性保護層の厚みとしては、特に制限されず、半導体ウエハ表面を保護することができる厚みであればよく、具体的には、半導体ウエハが加熱剥離型粘着シートに所定時間貼付された後、該加熱剥離型粘着シートを加熱剥離した際に、半導体ウエハ表面における加熱剥離型粘着シートによる汚染が生じない又は低減できる厚みであることが重要である。しかしながら、加熱により加熱剥離型粘着シートを剥離させた後に、該水溶性保護層の除去作業性（例えば、水洗による除去作業性）を考慮すると、あまり厚すぎると除去作業性が低下するので、水溶性保護層の厚みの上限としては、２０μｍ程度であることが望ましい。より具体的には、水溶性保護層の厚みとしては、０．１〜１０μｍが好ましく、特に１〜５μｍが好適である。なお、半導体ウエハ表面に、パターンなどの凹凸がある場合は、水溶性保護層の厚みは、この限りではなく、該半導体ウエハ表面の凹凸を吸収することができるだけの厚みが必要である。
【００２２】
［加熱剥離型粘着シート］
図１に係る加熱剥離型粘着シート１は、基材１ａと、該基材１ａの一方の面に形成された熱膨張性粘着層１ｂとで構成されており、図２に係る加熱剥離型粘着シート１は、基材１ａと、該基材１ａの一方の面に形成された熱膨張性粘着層１ｂと、他方の面に形成された支持台座用粘着層１ｃとで構成されている。すなわち、加熱剥離型粘着シート１としては、図３や図４で示されているように、基材１ａと、該基材１ａの少なくとも一方の面に形成された熱膨張性粘着層１ｂとを少なくとも有するものを用いることができる。図３及び図４は、それぞれ、本発明で使用される加熱剥離型粘着シートの例を部分的に示す概略断面図である。図３及び図４において、１ｅは加熱剥離型粘着シート１のセパレータであり、１、１ａ〜１ｃは前記に同じである。
【００２３】
具体的には、図３で示される加熱剥離型粘着シート１は、基材１ａと、該基材１ａの一方の面に形成された熱膨張性粘着層１ｂと、さらに、前記熱膨張性粘着層１ｂ上に形成されたセパレータ１ｅとで構成されている。図４で示される加熱剥離型粘着シート１は、基材１ａと、該基材１ａの一方の面に形成された熱膨張性粘着層１ｂと、他方の面に形成された支持台座用粘着層１ｃと、さらに、前記熱膨張性粘着層１ｂ上に形成されたセパレータ１ｅと、支持台座用粘着層１ｃ上に形成されたセパレータ１ｅとで構成されている。
【００２４】
［熱膨張性粘着層］
熱膨張性粘着層１ｂは、少なくとも、粘着性を付与するための粘着剤と、熱膨張性を付与するための熱膨張性微小球（マイクロカプセル）とを含んでいる。そのため、加熱剥離型粘着シート１を半導体ウエハ２に貼着した後、任意なときに熱膨張性粘着層１ｂを加熱して、熱膨張性微小球を発泡及び／又は膨張処理させることにより、熱膨張性粘着層１ｂが膨張し、この膨張により、熱膨張性粘着層１ｂと半導体ウエハ２との接着面積が減少し、熱膨張性粘着層１ｂによる接着力が減少して、加熱剥離型粘着シート１を容易に半導体ウエハ２から剥離させることができる。
【００２５】
（熱膨張性微小球）
熱膨張性微小球としては、公知の熱膨張性微小球から適宜選択することができる。熱膨張性微小球としては、マイクロカプセル化されている発泡剤を好適に用いることができる。このような熱膨張性微小球としては、例えば、イソブタン、プロパン、ペンタンなどの加熱により容易にガス化して膨張する物質を、弾性を有する殻内に内包させた微小球などが挙げられる。前記殻は、熱溶融性物質や熱膨張により破壊する物質で形成される場合が多い。前記殻を形成する物質として、例えば、塩化ビニリデン−アクリロニトリル共重合体、ポリビニルアルコール、ポリビニルブチラール、ポリメチルメタクリレート、ポリアクリロニトリル、ポリ塩化ビニリデン、ポリスルホンなどが挙げられる。熱膨張性微小球は、慣用の方法、例えば、コアセルベーション法、界面重合法などにより製造できる。なお、熱膨張性微小球には、例えば、商品名「マツモトマイクロスフェア」［松本油脂製薬（株）製］などの市販品もある。
【００２６】
加熱処理により、熱膨張性粘着層の接着力を効率よく且つ安定して低下させるため、体積膨張率が５倍以上、なかでも７倍以上、特に１０倍以上となるまで破裂しない適度な強度を有する熱膨張性微小球が好ましい。
【００２７】
熱膨張性微小球の配合量は、熱膨張性粘着層の膨張倍率や接着力の低下性などに応じて適宜設定しうるが、一般には熱膨張性粘着層を形成する粘着剤のベースポリマー１００重量部に対して、例えば１〜１５０重量部、好ましくは１０〜１３０重量部、さらに好ましくは２５〜１００重量部である。
【００２８】
熱膨張性微小球の粒径（平均粒子径）としては、熱膨張性粘着層の厚みなどに応じて適宜選択することができる。熱膨張性微小球の平均粒子径としては、例えば、１００μｍ以下（好ましくは８０μｍ以下、さらに好ましくは１〜５０μｍ、特に１〜３０μｍ）の範囲から選択することができる。なお、熱膨張性微小球の粒径の調整は、熱膨張性微小球の生成過程で行われていてもよく、生成後、分級などの手段により行われてもよい。
【００２９】
（粘着剤）
熱膨張性粘着層１ｂにおいて用いられている粘着剤としては、加熱時に熱膨張性微小球の発泡及び／又は膨張を可及的に拘束しないようなものが好ましい。該粘着剤としては、例えば、ゴム系粘着剤、アクリル系粘着剤、ビニルアルキルエーテル系粘着剤、シリコーン系粘着剤、ポリエステル系粘着剤、ポリアミド系粘着剤、ウレタン系粘着剤、フッ素系粘着剤、スチレン−ジエンブロック共重合体系粘着剤、これらの粘着剤に融点が約２００℃以下の熱溶融性樹脂を配合したクリ−プ特性改良型粘着剤などの公知の粘着剤を１種又は２種以上組み合わせて用いることができる（例えば、特開昭５６−６１４６８号公報、特開昭６１−１７４８５７号公報、特開昭６３−１７９８１号公報、特開昭５６−１３０４０号公報等参照）。また、粘着剤としては、放射線硬化型粘着剤（又はエネルギー線硬化型粘着剤）を用いることもできる。これらの粘着剤は単独で又は２種以上組み合わせて使用することができる。なお、粘着剤は、粘着性成分（ベースポリマー）等のポリマー成分などのほかに、粘着剤の種類等に応じて、架橋剤（例えば、ポリイソシアネート、アルキルエーテル化メラミン化合物など）、粘着付与剤（例えば、ロジン誘導体樹脂、ポリテルペン樹脂、石油樹脂、油溶性フェノール樹脂などからなる常温で固体、半固体あるいは液状のもの）、可塑剤、充填剤、老化防止剤などの適宜な添加剤を含んでいてもよい。
【００３０】
なお、加熱処理前の適度な接着力と加熱処理後の接着力の低下性のバランスの点から、より好ましい粘着剤は、動的弾性率が常温から１５０℃において０．５〜１００（Ｐａ）［５万〜１，０００万（ｄｙｎ／ｃｍ²）］の範囲にあるポリマーをベースとした粘着剤である。
【００３１】
熱膨張性粘着層は、例えば、粘着剤と、熱膨張性微小球と、必要に応じて溶媒やその他の添加剤などとを混合して、シート状の層に形成する慣用の方法により形成することができる。具体的には、例えば、粘着剤、熱膨張性微小球、および必要に応じて溶媒やその他の添加剤の混合物を、基材や、後述するゴム状有機弾性層上に塗布する方法、適当なセパレータ（剥離紙など）上に前記混合物を塗布して熱膨張性粘着層を形成し、これを基材又はゴム状有機弾性層上に転写（移着）する方法などにより、熱膨張性粘着層を形成することができる。なお、熱膨張性粘着層は単層、複層の何れであってもよい。
【００３２】
熱膨張性粘着層の厚さは、接着力の低減性などにより適宜に選択することができ、例えば、３００μｍ以下（好ましくは２００μｍ以下、さらに好ましくは１５０μｍ以下）程度である。厚さが過大であると、加熱処理後の剥離時に、熱膨張性粘着層に凝集破壊が生じて、粘着剤が半導体ウエハに残存し、半導体ウエハが過度に汚染されやすくなる。一方、熱膨張性粘着層の厚さが過小であると、加熱処理による熱膨張性粘着層の変形度が小さく、接着力が円滑に低下しにくくなったり、添加する熱膨張性微小球の粒径を過度に小さくする必要が生じる。かかる点より、熱膨張性粘着層の厚さは２μｍ以上、なかでも５μｍ以上、特に１０μｍ以上であるのが好ましい。
【００３３】
［基材］
基材１ａは、熱膨張性粘着層１ｂ等の支持母体として用いることができる。なお、基材１ａは単層の形態を有していてもよく、積層された形態を有していてもよい。
【００３４】
基材としては、例えば、紙などの紙系基材；布、不織布、ネットなどの繊維系基材；金属箔、金属板などの金属系基材；プラスチックのフィルムやシートなどのプラスチック系基材；ゴムシートなどのゴム系基材；発泡シートなどの発泡体や、これらの積層体（特に、プラスチック系基材と他の基材との積層体や、プラスチックフィルム（又はシート）同士の積層体など）等の適宜な薄葉体を用いることができる。基材としては、熱膨張性粘着層の加熱処理温度で溶融しない耐熱性に優れるものが、加熱後の取扱性などの点より好ましい。基材としては、プラスチックのフィルムやシートなどのプラスチック系基材を好適に用いることができる。このようなプラスチック材における素材としては、例えば、ポリエチレン（ＰＥ）、ポリプロピレン（ＰＰ）、エチレン−プロピレン共重合体、エチレン−酢酸ビニル共重合体（ＥＶＡ）等のα−オレフィンをモノマー成分とするオレフィン系樹脂；ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリブチレンテレフタレート（ＰＢＴ）等のポリエステル；ポリ塩化ビニル（ＰＶＣ）；ポリフェニレンスルフィド（ＰＰＳ）；ポリアミド（ナイロン）、全芳香族ポリアミド（アラミド）等のアミド系樹脂；ポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）などが挙げられる。これらの素材は単独で又は２種以上組み合わせて使用することができる。
【００３５】
なお、基材として、プラスチック系基材が用いられている場合は、延伸処理等により伸び率などの変形性を制御していてもよい。また、基材としては、熱膨張性粘着層などに放射線硬化性の物質を使用する際は、放射線の透過を阻害しないものを使用することが好ましい。
【００３６】
基材の厚さは、強度や柔軟性、使用目的などに応じて適宜に選択でき、例えば、一般的には１０００μｍ以下（例えば、１〜１０００μｍ）、好ましくは１〜５００μｍ、さらに好ましくは３〜３００μｍ、特に５〜２５０μｍ程度であるが、これらに限定されない。
【００３７】
基材の表面は、熱膨張性粘着層等との密着性を高めるため、慣用の表面処理、例えば、クロム酸処理、オゾン暴露、火炎暴露、高圧電撃暴露、イオン化放射線処理等の化学的又は物理的方法による酸化処理等が施されていてもよく、下塗り剤によるコーティング処理等が施されていてもよい。また、熱膨張性粘着層等との剥離性を付与するために、例えば、シリコーン系樹脂やフッ素系樹脂等の剥離剤などによるコーティング処理が施されていてもよい。
【００３８】
なお、本発明では、図１や図２に示されているように、基材の少なくとも一方の面（片面または両面）に熱膨張性粘着層を設けることができ、基材を熱膨張性粘着層の内部に埋設した形態などとすることもできる。
【００３９】
［支持台座用粘着層］
本発明では、加熱剥離型粘着シート１としては、図２や図４で示されているように、支持台座用粘着層１ｃを有していてもよい。すなわち、支持台座用粘着層１ｃは任意に設けることができる。支持台座用粘着層１ｃが具備されていると、該支持台座用粘着層１ｃを利用して半導体ウエハ２を支持台座４により支持させることができ、半導体ウエハ２の加工をより一層容易に行うことができる。
【００４０】
支持台座用粘着層１ｃを形成するための粘着剤としては、特に制限されず、上記熱膨張性粘着層１ｂにおいて用いられる粘着剤として例示された粘着剤（例えば、ゴム系粘着剤、アクリル系粘着剤、ビニルアルキルエーテル系粘着剤、シリコーン系粘着剤、ポリエステル系粘着剤、ポリアミド系粘着剤、ウレタン系粘着剤、フッ素系粘着剤、スチレン−ジエンブロック共重合体系粘着剤、クリ−プ特性改良型粘着剤、放射線硬化型粘着剤など）等の公知乃至慣用の粘着剤を用いることができる。これらの粘着剤は単独で又は２種以上組み合わせて使用することができる。なお、該支持台座用粘着層は、半導体ウエハの貼付には用いられないので、低汚染性を有していなくてもよい。支持台座用粘着層を形成するための粘着剤には、例えば、可塑剤、充填剤、界面活性剤、老化防止剤、粘着性付与剤などの公知乃至慣用の添加剤が配合されていてもよい。
【００４１】
支持台座用粘着層の厚さとしては、例えば、３００μｍ以下（例えば、１〜３００μｍ、好ましくは５〜１００μｍ）であってもよい。なお、支持台座用粘着層の形成方法としては、前記熱膨張性粘着層と同様の方法（例えば、基材上に塗布する方法、セパレータ上に塗布して粘着剤層を形成した後、これを基材上に転写する方法など）を利用することができる。なお、支持台座用粘着層は単層、複層の何れであってもよい。
【００４２】
［中間層］
本発明では、基材と熱膨張性粘着層の間に１層又は２層以上の中間層を設けることもできる。該中間層は、前述のように、剥離性の付与を目的とした剥離剤のコーティング層や、密着力の向上を目的とした下塗り剤のコーティング層などが挙げられる。なお、剥離剤のコーティング層や下塗り剤のコーティング層以外の中間層としては、例えば、良好な変形性の付与を目的とした層、半導体ウエハへの接着面積の増大を目的とした層、接着力の向上を目的とした層、半導体ウエハの表面形状に良好に追従させることを目的とした層、加熱による接着力低減の処理性の向上を目的とした層、加熱後の半導体ウエハよりの剥離性の向上を目的とした層などが挙げられる。
【００４３】
特に、加熱剥離型粘着シートの変形性の付与や加熱後の剥離性の向上などの点より、基材と熱膨張性粘着層との間の中間層として、例えば、図５や図６で示されるように、ゴム状有機弾性層を設けることができる。図５及び図６は、それぞれ、本発明で使用される加熱剥離型粘着シートの例を部分的に示す概略断面図である。図５及び図６において、１ｄは加熱剥離型粘着シート１のゴム状有機弾性層であり、１、１ａ〜１ｃ、１ｅは前記に同じである。具体的には、図５及び６で示される加熱剥離型粘着シート１では、基材１ａと、熱膨張性粘着層１ｂとの間に、ゴム状有機弾性層１ｄが形成されている。
【００４４】
このように、ゴム状有機弾性層１ｄを設けることにより、加熱剥離型粘着シート１を半導体ウエハ２に水溶性保護層３を介して接着する際に、前記加熱剥離型粘着シート１の表面（熱膨張性粘着層１ｂの表面）を半導体ウエハ２の表面形状に良好に追従させて、接着面積を大きくすることができ、また、前記加熱剥離型粘着シート１を半導体ウエハ２から加熱剥離する際に、熱膨張性粘着層１ｂの加熱膨張を高度に（精度よく）コントロールし、熱膨張性粘着層１ｂを厚さ方向へ優先的に且つ均一に膨張させることができる。なお、ゴム状有機弾性層１ｄは、必要に応じて設けられる層であり、必ずしも設けられていなくてもよい。
【００４５】
ゴム状有機弾性層１ｄは、図５や６で示されるように、熱膨張性粘着層１ｂの基材１ａ側の面に、熱膨張性粘着層１ｂに重畳させた形態で設けることが好ましい。なお、基材１ａと熱膨張性粘着層１ｂとの間の中間層以外の層としても設けることができる。ゴム状有機弾性層１ｄは、基材１ａの片面又は両面に介在させることができる。
【００４６】
ゴム状有機弾性層１ｄは、例えば、ＡＳＴＭＤ−２２４０に基づくＤ型シュアーＤ型硬度が、５０以下、特に４０以下の天然ゴム、合成ゴム又はゴム弾性を有する合成樹脂により形成することが好ましい。
【００４７】
前記合成ゴム又はゴム弾性を有する合成樹脂としては、例えば、ニトリル系、ジエン系、アクリル系などの合成ゴム；ポリオレフィン系、ポリエステル系などの熱可塑性エラストマー；エチレン−酢酸ビニル共重合体、ポリウレタン、ポリブタジエン、軟質ポリ塩化ビニルなどのゴム弾性を有する合成樹脂などが挙げられる。なお、ポリ塩化ビニルなどのように本質的には硬質系ポリマーであっても、可塑剤や柔軟剤等の配合剤との組み合わせによりゴム弾性が発現しうる。このような組成物も、前記ゴム状有機弾性層の構成材料として使用できる。また、熱膨張性粘着層を構成する粘着剤等の粘着性物質などもゴム状有機弾性層の構成材料として好ましく用いることができる。
【００４８】
ゴム状有機弾性層は、例えば、前記天然ゴム、合成ゴム又はゴム弾性を有する合成樹脂などのゴム状有機弾性層形成材を含むコーティング液を基材上に塗布する方式（コーティング法）、前記ゴム状有機弾性層形成材からなるフィルム、又は予め１層以上の熱膨張性粘着層上に前記ゴム状有機弾性層形成材からなる層を形成した積層フィルムを基材と接着する方式（ドライラミネート法）、基材の構成材料を含む樹脂組成物と前記ゴム状有機弾性層形成材を含む樹脂組成物とを共押出しする方式（共押出し法）などの形成方法により形成することができる。
【００４９】
ゴム状有機弾性層の厚さは、一般的には５００μｍ以下（例えば、１〜５００μｍ）、好ましくは３〜３００μｍ、さらに好ましくは５〜１５０μｍ程度である。ゴム状有機弾性層は単層であってもよく、２以上の層で構成してもよい。
【００５０】
なお、ゴム状有機弾性層は、天然ゴムや合成ゴム又はゴム弾性を有する合成樹脂を主成分とする粘着性物質で形成されていてもよく、また、かかる成分を主体とする発泡フィルム等で形成されていてもよい。発泡は、慣用の方法、例えば、機械的な攪拌による方法、反応生成ガスを利用する方法、発泡剤を使用する方法、可溶性物質を除去する方法、スプレーによる方法、シンタクチックフォームを形成する方法、焼結法などにより行うことができる。
【００５１】
また、ゴム状有機弾性層としては、熱膨張性粘着層や支持台座用粘着層に放射線硬化性の物質を使用する際は、放射線の透過を阻害しないものを使用することが好ましい。
【００５２】
なお、前記中間層（ゴム状有機弾性層等）は、基材と支持台座用粘着層との間などの他の部位に設けることも可能である。
【００５３】
［セパレータ］
本発明では、セパレータ１ｅとしては、慣用の剥離紙などを使用できる。セパレータ１ｅは熱膨張性粘着層１ｂや支持台座用粘着層１ｃの保護材として用いられており、加熱剥離型粘着シート１を半導体ウエハ２や支持台座４に貼着する際に剥がされる。セパレータ１ｅは必ずしも設けられていなくてもよい。
【００５４】
セパレータとしては、例えば、シリコーン系、長鎖アルキル系、フッ素系、硫化モリブデン等の剥離剤により表面処理されたプラスチックフィルムや紙等の剥離層を有する基材；ポリテトラフルオロエチレン、ポリクロロトリフルオロエチレン、ポリフッ化ビニル、ポリフッ化ビニリデン、テトラフルオロエチレン・ヘキサフルオロプロピレン共重合体、クロロフルオロエチレン・フッ化ビニリデン共重合体等のフッ素系ポリマーからなる低接着性基材；オレフィン系樹脂（例えば、ポリエチレン、ポリプロピレンなど）等の無極性ポリマーからなる低接着性基材などを用いることができる。なお、セパレータは、熱膨張性粘着層を支持するための基材として用いることも可能である。
【００５５】
なお、セパレータは公知乃至慣用の方法により形成することができる。また、セパレータの厚さ等も特に制限されない。
【００５６】
加熱剥離型粘着シートは、前述のような層構成を有しており、例えば、商品名「リバアルファ」（日東電工社製）などが市販されている。
【００５７】
加熱剥離型粘着シートは、シート状、テープ状などの形態を有することができる。加熱剥離型粘着シートは、熱膨張性粘着層の粘着剤により、半導体ウエハに水溶性保護層を介して接着させる際には予め設定した接着力で接着でき、熱膨張性粘着層の熱膨張性微小球により、接着状態を解きたいときには加熱処理により容易に剥離乃至分離できる。
【００５８】
また、基材と熱膨張性粘着層との間にゴム状有機弾性層が設けられた加熱剥離型粘着シートでは、加熱剥離型粘着シートを半導体ウエハに接着する際には、ゴム状有機弾性層の弾性により、加熱剥離型粘着シートの表面（熱膨張性粘着層の表面）が半導体ウエハの表面形状に良好に追従して大きな接着面積が得られ、接着強度を高めることができると共に、加熱剥離させる際には、熱膨張性粘着層の膨張（体積変化）を精度よくコントロールでき、厚さ方向に優先して且つ均一に膨張させることができ、剥離が一層容易となる。また、熱膨張性粘着層に含まれる熱膨張性微小球の粒径が多少大きくても、それに起因する凹凸がゴム状有機弾性層により吸収されるので、熱膨張性粘着層の表面粗さを小さくなるように調整することができる。
【００５９】
［半導体ウエハ］
半導体ウエハ２としては、公知乃至慣用の半導体ウエハであれば特に限定はないが、例えば、シリコンウエハを好適に用いることができる。なお、本発明の仮固定方法のポイントである「水溶性保護層を介して加熱剥離型粘着シートの熱膨張性粘着層の面に貼付して仮固定する方法」は、半導体ウエハ以外の部品（例えば、多層基板、積層セラミック、一括封止モジュールなど）を仮固定する方法としても利用することができる。すなわち、本発明は、「仮固定用電子系部品を、水溶性保護層を介して、基材の少なくとも一方の面に熱膨張性微小球を含有する熱膨張性粘着層が形成された加熱剥離型粘着シートの熱膨張性粘着層の面に貼付して仮固定する方法」にも関している。もちろん、前記仮固定用電子系部品としては、前述のように、半導体ウエハ以外の部品（多層基板、積層セラミック、一括封止モジュールなど）が用いられる。また、これらの仮固定用電子系部品は、前記仮固定方法により仮固定した後に、加工を行うことができる。
【００６０】
［支持台座］
支持台座４としては、半導体ウエハ２を支持することができるものであれば特に制限されず、半導体ウエハを加工する際に用いられている公知乃至慣用の支持台座を用いることができる。具体的には、支持台座としては、ステンレス板、ガラス板、ダミーウエハなどが挙げられる。支持台座は、半導体ウエハの種類、半導体ウエハの加工方法などに応じて適宜選択することができる。
【００６１】
このように、本発明の半導体ウエハの仮固定方法では、半導体ウエハを水溶性保護層を介して加熱剥離型粘着シートに仮固定しているので、半導体ウエハの表面における加熱剥離型粘着シートによる汚染を低減することができる。また、加熱剥離型粘着シートは加熱により容易に剥離させることができ、一方、水溶性保護層は水を利用した除去方法（例えば、水洗など）により容易に除去することができる。従って、本発明の半導体ウエハの仮固定方法によると、仮固定に使用した粘着シートや水溶性保護層は容易に剥離又は除去することができ、しかも、半導体ウエハ表面の汚染を低減することができる。
【００６２】
具体的には、本発明の半導体ウエハの仮固定方法では、半導体ウエハから加熱剥離型粘着シートを加熱して剥離させ、さらに水溶性保護層を除去した後の、ＸＰＳによる半導体ウエハの表面における炭素元素比率Ｒ_C1（％）として、以下の関係式（１）を満足させることができる。
Ｒ_C1≦３０＋Ｒ_C2 （１）
［関係式（１）において、Ｒ_C2は、加熱剥離型粘着シートに貼付される前で且つ水溶性保護層が設けられる前の、ＸＰＳによる半導体ウエハの表面における炭素元素比率（％）を示す。］
【００６３】
すなわち、本発明の仮固定方法では、加熱剥離型粘着シートの熱膨張性粘着層の面が半導体ウエハ（シリコンウエハ等）の一方の面に予め形成されている水溶性保護層の表面に接着するように、半導体ウエハの表面に水溶性保護層を介して加熱剥離型粘着シートを貼付して仮固定を行い、必要に応じてさらに支持台座により支持させて、例えば、半導体ウエハに所望の加工を行った後、半導体ウエハから加熱剥離型粘着シートを加熱して剥離させ、さらに水溶性保護層を水洗等により除去した後の、半導体ウエハの表面（加熱剥離型粘着シートが貼付していた側の面）におけるＸＰＳによる炭素元素比率Ｒ_C1（％）と、前記加熱剥離型粘着シートが貼付される前で且つ水溶性保護層が設けられる前の半導体ウエハの表面におけるＸＰＳによる炭素元素比率Ｒ_C2（％）との差［Ｒ_C1−Ｒ_C2］（「ΔＲ_C1-2」と称する場合がある）が、３０以下であることが好適である。
【００６４】
特に、半導体ウエハがシリコンウエハである場合は、シリコンウエハから加熱剥離型粘着シートを加熱して剥離させ、さらに水溶性保護層を除去した後の、ＸＰＳによるシリコンウエハの表面における炭素元素比率Ｒ_C1 ^Siとして、以下の関係式（２）を満足させることができる。
Ｒ_C1 ^Si≦２．５Ｒ_Si （２）
［関係式（２）において、Ｒ_Siは、シリコンウエハから加熱剥離型粘着シートを加熱して剥離させ、さらに水溶性保護層を除去した後の、ＸＰＳによるシリコンウエハの表面におけるケイ素元素比率（％）を示す。］
【００６５】
すなわち、半導体ウエハがシリコンウエハである場合、加熱剥離型粘着シートの熱膨張性粘着層の面がシリコンウエハの一方の面に予め形成されている水溶性保護層の表面に接着するように、シリコンウエハの表面に水溶性保護層を介して加熱剥離型粘着シートを貼付して仮固定を行い、必要に応じてさらに支持台座により支持させて、例えば、シリコンウエハに所望の加工を行った後、シリコンウエハから加熱剥離型粘着シートを加熱して剥離させ、さらに水溶性保護層を水洗等により除去した後の、シリコンウエハの表面（加熱剥離型粘着シートが貼付していた側の面）におけるＸＰＳによる炭素元素比率Ｒ_C1 ^Si（％）と、加熱剥離型粘着シートの熱膨張性粘着層の面がシリコンウエハの一方の面に予め形成されている水溶性保護層の表面に接着するように、シリコンウエハの表面に水溶性保護層を介して加熱剥離型粘着シートを貼付して仮固定を行い、必要に応じてさらに支持台座により支持させて、例えば、シリコンウエハに所望の加工を行った後、シリコンウエハから加熱剥離型粘着シートを加熱して剥離させ、さらに水溶性保護層を水洗等により除去した後の、シリコンウエハの表面（加熱剥離型粘着シートが貼付していた側の面）におけるＸＰＳによるケイ素元素比率Ｒ_Si（％）との比［Ｒ_C1 ^Si／Ｒ_Si］（「Ｒ_C/Si」と称する場合がある）が２．５以下であることが好適である。
【００６６】
本発明では、前記関係式（１）及び（２）のうち少なくとも一方の関係式を満足していることが望ましく、特に、半導体ウエハがシリコンウエハである場合、前記関係式（１）及び（２）の両方を満足していることが好ましい。
【００６７】
なお、ΔＲ_C1-2としては、３０以下であれば特に制限されず、例えば、０〜３０［好ましくは２０以下（例えば、０．１〜２０）、さらに好ましくは５以下（例えば、０．５〜５）］の範囲から選択することができる。なお、ΔＲ_C1-2はマイナスの数値であってもよい。ΔＲ_C1-2が３０を超えると、加熱剥離型粘着シートが水溶性保護層を介して接着していた半導体ウエハの表面（水溶性保護層の除去面）における汚染度が高くなり、加工して得られる半導体チップ等の部品は不良品となり、実用することできなくなる場合がある。
【００６８】
また、Ｒ_C/Siとしては、２．５以下であれば特に制限されないが、例えば、０〜２．５［好ましくは２．２５以下（例えば、０．０５〜２．２５）、さらに好ましくは１．５以下（例えば、０．１〜１．５）、特に０．５以下（例えば、０．２〜０．５）］の範囲から選択することができる。Ｒ_C/Siが２．５を超えると、加熱剥離型粘着シートが水溶性保護層を介して接着していたシリコンウエハの表面（水溶性保護層の除去面）における汚染度が高くなり、加工して得られる半導体チップ等の部品は不良品となり、実用することできなくなる場合がある。
【００６９】
このような元素比率［炭素元素比率Ｒ_C1（半導体ウエハがシリコンウエハである場合は、炭素元素比率Ｒ_C1 ^Si）（％）、炭素元素比率Ｒ_C2（％）、ケイ素元素比率Ｒ_Si（％）など］は、ＸＰＳ（Ｘ−ｒａｙＰｈｏｔｏｅｌｅｃｔｒｏｎＳｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ；Ｘ線光電子分光分析）により測定される。具体的には、ＸＰＳによる炭素元素比率Ｒ_C1（％）やケイ素元素比率Ｒ_Si（％）は、例えば、加熱剥離型粘着シートを熱膨張性粘着層の面が半導体ウエハの表面に予め形成されている水溶性保護層の表面に接触するように、水溶性保護層を介して、加熱剥離型粘着シートを半導体ウエハに貼付させた後、１３０℃の熱風乾燥器中で１０分間加熱処理を行い、半導体ウエハから加熱剥離型粘着シートを剥離させ、さらに水洗により半導体ウエハから水溶性保護層を除去した後、Ｘ線光電子分光分析装置（アルバックファイ社製のモデル名「５４００」）を用いて、Ｘ線源：ＭｇＫα１５ＫＶ（３００Ｗ）、取りだし角：４５°、測定面積：１×３．５ｍｍの条件で、半導体ウエハにおける加熱剥離型粘着シートが貼付していた側の面のＸ線光電子分光分析を行うことにより、炭素元素比率Ｒ_C1（％）やケイ素元素比率Ｒ_Si（％）を測定することができる。一方、ＸＰＳによる炭素元素比率Ｒ_C2（％）は、例えば、Ｘ線光電子分光分析装置（アルバックファイ社製のモデル名「５４００」）を用いて、Ｘ線源：ＭｇＫα１５ＫＶ（３００Ｗ）、取りだし角：４５°、測定面積：１×３．５ｍｍの条件で［炭素元素比率Ｒ_C1（％）やケイ素元素比率Ｒ_Si（％）の測定と同一装置及び同条件で］、加熱剥離型粘着シートを貼付する前で且つ水溶性保護層が設けられる前の半導体ウエハの表面のＸ線光電子分光分析を行うことにより、炭素元素比率Ｒ_C2（％）を測定することができる。
【００７０】
なお、加熱剥離型粘着シートを半導体ウエハより剥離する際の加熱処理は、例えば、ホットプレート、熱風乾燥機、近赤外線ランプ、エアードライヤーなどの適宜な加熱手段を利用して行うことができる。加熱温度は、熱膨張性粘着層中の熱膨張性微小球の発泡開始温度以上であればよいが、加熱処理の条件は、半導体ウエハの表面状態や熱膨張性微粒子の種類等による接着面積の減少性、基材や半導体ウエハの耐熱性、加熱方法（熱容量、加熱手段等）などにより適宜設定できる。一般的な加熱処理条件は、温度１００〜２５０℃で、５〜９０秒間（ホットプレートなど）または５〜１５分間（熱風乾燥機など）である。かかる加熱条件で、通例、熱膨張性粘着層の熱膨張性微小球が膨張及び／又は発泡して熱膨張性粘着層が膨張変形することにより凹凸状変形し、接着力が低下ないし喪失する。なお、加熱処理は使用目的に応じて適宜な段階で行うことができる。また、加熱源としては、赤外線ランプや加熱水を用いることができる場合もある。
【００７１】
また、水溶性保護層を半導体ウエハから除去する際の除去処理は、水を利用した除去方法であれば特に制限されないが、例えば、流水洗浄、水中での超音波洗浄（純水超音波洗浄等）などの適当な方法を利用することができる。
【００７２】
本発明の半導体ウエハの仮固定方法は、加工時には、強い接着力で半導体ウエハを接着することができ、加工後には、その接着状態を解除することができ、しかも、半導体ウエハ表面における汚染が少ない用途で好適に利用される。
【００７３】
本発明では、前記半導体ウエハの仮固定方法により半導体ウエハを仮固定した後、半導体ウエハを加工することができる。前記半導体ウエハの加工としては、例えば、半導体ウエハの裏面研磨処理加工、ダイシング処理加工、微細加工などの種々の加工が挙げられる。なお、このような加工において、加熱剥離型粘着シートは、加工時の半導体ウエハを保護する機能も有している。
【００７４】
半導体ウエハを仮固定した後、加工することにより、例えば、半導体チップを得ることができる。本発明の加工方法により加工された半導体ウエハによる半導体チップは、その表面の汚染性が低いため、この観点からは不良品とはならず、実用に供することができ、電子部品用半導体チップ、回路基板用半導体チップなどとして有用である。すなわち、本発明の電子部品や回路基板では、前記半導体ウエハの仮固定方法を利用して、半導体ウエハを加工して作製された半導体チップが使用されている。
【００７５】
【発明の効果】
本発明の半導体ウエハの仮固定方法によれば、加熱処理により粘着シートを容易に剥離することができ、しかも剥離後の半導体ウエハ表面の汚染を低減することができる。また、この仮固定方法を利用して作製された半導体チップは、その表面の汚染が低減されているので、電子部品や回路基板に使用される半導体チップとして有用である。
【００７６】
【実施例】
以下に、実施例に基づいて本発明をより詳細に説明するが、本発明はこれらの実施例により何ら限定されるものではない。
【００７７】
（実施例１）
シリコンミラーウエハ表面に、ポリビニルアルコール水溶液［商品名「ＰＶＡ−２０５」（株）クラレ製］をスピンコーターにて乾燥後の厚さが３μｍとなるように塗布し乾燥して、ポリビニルアルコール層（厚み３μｍ）を形成した。
前記シリコンミラーウエハ表面に形成されたポリビニルアルコール層上（塗布面）に、商品名「リバアルファ『Ｎｏ．３１９５ＭＳ：１２０℃加熱剥離タイプ』」［日東電工（株）製；ポリエチレンテレフタレートを基材とする加熱剥離型粘着シート］を貼り合わせ、ダイサー（デュスコ社製のＤＦＤ−６５１型）にて、１０ｍｍ□チップにダイシングした後、熱風乾燥器［恒温器：タバイエスペック（株）製のＳＰＨ−２０１型］中で、１３０℃×１０分間加熱剥離処理し、得られたチップを回収した。その後、このチップの剥離面のポリビニルアルコール層を純水超音波洗浄にて除去し、乾燥して、シリコンミラーウエハによるチップを得た。
【００７８】
（実施例２）
ポリエチレングリコール水溶液［商品名「ＰＥＧ１５４０」第一工業製薬（株）製］を、厚さ３８μｍのシリコーン剥離処理ポリエステルフィルム［商品名「＃３８セラピール」東洋メタライジング（株）製］の剥離処理面に、乾燥後の厚さが３μｍとなるように塗布し乾燥して、ポリエチレングリコール層（厚み３μｍ）を形成し、さらに、該ポリエチレングリコール層をシリコンミラーウエハ表面に転写した。
前記シリコンミラーウエハ表面に形成されたポリエチレングリコール層上（転写面）に、商品名「リバアルファ『Ｎｏ．３１９３ＭＳ：１２０℃加熱剥離タイプ』」［日東電工（株）製；ポリエチレンテレフタレートを基材とする加熱剥離型粘着シート］を貼り合わせ、ダイサー（デュスコ社製のＤＦＤ−６５１型）にて、１０ｍｍ□チップにダイシングした後、熱風乾燥器［恒温器：タバイエスペック（株）製のＳＰＨ−２０１型］中で、１３０℃×１０分間加熱剥離処理し、得られたチップを回収した。その後、このチップの剥離面のポリエチレングリコール層を純水超音波洗浄にて除去し、乾燥して、シリコンミラーウエハによるチップを得た。
【００７９】
（比較例１）
シリコンミラーウエハ表面に、ポリビニルアルコール水溶液を塗布せず、シリコンミラーウエハ表面に直接、商品名「リバアルファ『Ｎｏ．３１９５ＭＳ：１２０℃加熱剥離タイプ』」［日東電工（株）製］の粘着層を貼り合わせたこと以外は、実施例１と同様にして、チップを回収して、シリコンミラーウエハによるチップを得た。もちろん、シリコンミラーウエハ表面にはポリビニルアルコール層が形成されていないので、純水超音波洗浄は行っていない。
【００８０】
（比較例２）
シリコンミラーウエハ表面に、ポリエチレングリコール層を転写せず、シリコンミラーウエハ表面に直接、商品名「リバアルファ『Ｎｏ．３１９３ＭＳ：１２０℃加熱剥離タイプ』」［日東電工（株）製］の粘着層を貼り合わせたこと以外は、実施例２と同様にして、チップを回収して、シリコンミラーウエハによるチップを得た。もちろん、シリコンミラーウエハ表面にはポリエチレングリコール層が形成されていないので、純水超音波洗浄は行っていない。
【００８１】
（評価）
実施例および比較例により得られたシリコンミラーウエハによるチップの表面を、Ｘ線光電子分光分析装置を用いて、ＸＰＳ（Ｘ−ｒａｙＰｈｏｔｏｅｌｅｃｔｒｏｎＳｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ；Ｘ線光電子分光分析）により、表面の炭素元素比率Ｒ_C1（％）を測定し、同時にその時の表面のケイ素元素比率Ｒ_Si（％）も測定する。また、オリジナルの鏡面処理した４吋シリコンウエハ面（粘着シートを貼着する前の鏡面処理した４吋シリコンウエハ面）を、Ｘ線光電子分光分析装置を用いて、ＸＰＳにより、表面の炭素元素比率Ｒ_C2（％）を測定する。
【００８２】
このようにして測定されたＲ_C1、Ｒ_Si、Ｒ_C2により、Ｒ_C1とＲ_C2との差［Ｒ_C1−Ｒ_C2（＝ΔＲ_C1-2）］、およびＲ_C1とＲ_Si（％）との比［Ｒ_C1／Ｒ_Si（＝Ｒ_C/Si）］を求めて、汚染性を評価した。評価結果は、表１のそれぞれの欄に示した。なお、ΔＲ_C1-2およびＲ_C/Siは、その値大きいほど、汚染度が大きいことを意味している。また、加熱前よりも加熱後の方が大きいほど、加熱処理により汚染度が増大していることを意味している。
【００８３】
Ｘ線光電子分光分析装置は、アルバックファイ社製のモデル名「５４００」を用い、Ｘ線源：ＭｇＫα１５ＫＶ（３００Ｗ）、取りだし角：４５°、測定面積：１×３．５ｍｍの条件で測定した。
【００８４】
【表１】

【００８５】
表１より、ΔＲ_C1-2は、実施例では３０以下（特に２０以下）であるが、比較例では４０以上であり、実施例による仮固定方法では、ΔＲ_C1-2を大きく低減させることができることが確認された。
【００８６】
また、Ｒ_C/Siは、実施例では２．５以下（特に１．０以下）であるが、比較例では、４．０以上であり、実施例による仮固定方法では、Ｒ_C/Siを大きく低減させることができることが確認された。
【００８７】
従って、半導体ウエハを加熱剥離型粘着シートに仮固定する際に、水溶性保護層を利用すると、加熱処理により粘着シートを容易に剥離することができるとともに、剥離後の半導体ウエハ表面の汚染を低減することができることが確認できた。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の仮固定方法により、半導体ウエハを加熱剥離型粘着シートに仮固定した状態の例を部分的に示す概略断面図である。
【図２】本発明の仮固定方法により、半導体ウエハを加熱剥離型粘着シートに仮固定した状態の例を部分的に示す概略断面図である。
【図３】本発明で使用される加熱剥離型粘着シートの例を部分的に示す概略断面図である。
【図４】本発明で使用される加熱剥離型粘着シートの例を部分的に示す概略断面図である。
【図５】本発明で使用される加熱剥離型粘着シートの例を部分的に示す概略断面図である。
【図６】本発明で使用される加熱剥離型粘着シートの例を部分的に示す概略断面図である。
【符号の説明】
１加熱剥離型粘着シート
１ａ加熱剥離型粘着シート１の基材
１ｂ加熱剥離型粘着シート１の熱膨張性粘着層
１ｃ加熱剥離型粘着シート１の支持台座用粘着層
１ｄは加熱剥離型粘着シート１のゴム状有機弾性層
１ｅは加熱剥離型粘着シート１のセパレータ
２半導体ウエハ
３水溶性保護層
４支持台座

Claims

半導体ウエハを、基材の少なくとも一方の面に熱膨張性微小球を含有する熱膨張性粘着層が形成された加熱剥離型粘着シートに仮固定する方法であって、半導体ウエハを、半導体ウエハ表面に予め設けられた水溶性樹脂により形成された水溶性保護層を介して加熱剥離型粘着シートの熱膨張性粘着層の面に貼付して仮固定することを特徴とする半導体ウエハの仮固定方法。
さらに、加熱剥離型粘着シートにおける基材の熱膨張性粘着層に対して反対側の面に支持台座用粘着層が形成されており、該支持台座用粘着層の面に支持台座を貼付する請求項１記載の半導体ウエハの仮固定方法。
半導体ウエハから加熱剥離型粘着シートを加熱して剥離させ、さらに半導体ウエハ表面に予め設けられた水溶性樹脂により形成された水溶性保護層を除去した後の、ＸＰＳによる半導体ウエハの表面における炭素元素比率Ｒ_C1（％）が、以下の関係式（１）を満足する請求項１又は２記載の半導体ウエハの仮固定方法。
Ｒ_C1≦３０＋Ｒ_C2 （１）
［関係式（１）において、Ｒ_C2は、加熱剥離型粘着シートに貼付される前で且つ水溶性保護層が設けられる前の、ＸＰＳによる半導体ウエハの表面による半導体ウエハの表面における炭素元素比率（％）を示す。］
半導体ウエハがシリコンウエハであり、且つ、シリコンウエハから加熱剥離型粘着シートを加熱して剥離させ、さらに半導体ウエハ表面に予め設けられた水溶性樹脂により形成された水溶性保護層を除去した後の、ＸＰＳによるシリコンウエハの表面における炭素元素比率Ｒ_C1 ^Siが、以下の関係式（２）を満足する請求項１〜３の何れかの項に記載の半導体ウエハの仮固定方法。
Ｒ_C1 ^Si≦２．５Ｒ_Si （２）
［関係式（２）において、Ｒ_Siは、シリコンウエハから加熱剥離型粘着シートを加熱して剥離させ、さらに半導体ウエハ表面に予め設けられた水溶性樹脂により形成された水溶性保護層を除去した後の、ＸＰＳによるシリコンウエハの表面におけるケイ素元素比率（％）を示す。］
請求項１〜４の何れかの項に記載の半導体ウエハの仮固定方法を利用して、半導体ウエハを仮固定した後、加工して作製された半導体チップが使用されていることを特徴とする電子部品。
請求項１〜４の何れかの項に記載の半導体ウエハの仮固定方法を利用して、半導体ウエハを仮固定した後、加工して作製された半導体チップが使用されていることを特徴とする回路基板。