JP4513963B2 - Electro-optical device manufacturing method and electronic apparatus - Google Patents
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Description
本発明は有機EL表示装置などの電気光学装置に関し、特に、2枚の基板を貼り合わせて製造される電気光学装置の製造方法に関する。 The present invention relates to an electro-optical device such as an organic EL display device, and more particularly to a method for manufacturing an electro-optical device manufactured by bonding two substrates.
薄膜トランジスタ(TFT)回路基板と有機EL基板とを別々に作って接合材料によって貼り合わせて1つの有機EL表示装置を作成する製造技術が提案されている。このようにすると、薄膜トランジスタ(TFT)回路基板を高温プロセスで作成することができ、耐熱性の低い有機EL基板を低温プロセスで作成することができて都合がよい。また、トップエミッション構造を容易に実現することができる。例えば、特開平11−3048号公報、特開2004−95251号公報には、このような例が記載されている。 A manufacturing technique has been proposed in which a thin film transistor (TFT) circuit substrate and an organic EL substrate are separately manufactured and bonded together with a bonding material to form one organic EL display device. In this way, a thin film transistor (TFT) circuit board can be produced by a high temperature process, and an organic EL substrate having low heat resistance can be produced by a low temperature process. In addition, a top emission structure can be easily realized. For example, Japanese Patent Laid-Open Nos. 11-3048 and 2004-95251 describe such examples.
上述したTFT回路基板と有機EL基板との貼り合わせに際しては、2つの基板間のギャップを一定に維持して基板相互間の電気的接続を保ち、あるいは基板同士が直接接触して損傷等が生ずることを回避する必要がある。このため、特開平11−3048号公報記載のものでは、2つの基板間に柔らかい材質のもの(スペーサ)を介して貼り合わせている。また、特開2004−95251号公報記載のものでは2つの基板間の電気接続端子部を基板間のギャップ確保に利用している。
しかしながら、柔らかい材質のスペーサや端子間接続材料では大画面の表示装置を作成しようとすると、基板間のギャップにバラツキが生じやすくなり、基板相互間の電気接続の不良の原因となる。また、硬い材質のスペーサを2つの基板間に分散して2つの基板を貼り合わせた場合には、有機EL素子上に配置された硬いスペーサが有機EL素子を構成する電極層や有機EL層の薄膜を破壊し、画素欠陥の原因となる。 However, if an attempt is made to produce a large-screen display device using a soft spacer or inter-terminal connection material, the gap between the substrates tends to vary, which causes a failure in electrical connection between the substrates. In addition, when a spacer made of a hard material is dispersed between two substrates and the two substrates are bonded to each other, the hard spacer disposed on the organic EL element is used as an electrode layer or an organic EL layer constituting the organic EL element. It destroys the thin film and causes pixel defects.
よって、本発明は2つの基板の貼り合わせで作製される有機EL表示装置(電気光学装置)の画素欠落を減じることを目的とする。 Therefore, an object of the present invention is to reduce pixel omission in an organic EL display device (electro-optical device) manufactured by bonding two substrates.
また、本発明は2つの基板の貼り合わせで作製される有機EL表示装置(電気光学装置)の画素欠落を減じ得る有機ELの製造方法を提供することを目的とする。 Another object of the present invention is to provide an organic EL manufacturing method capable of reducing pixel omission in an organic EL display device (electro-optical device) manufactured by bonding two substrates.
上記目的を達成するため本発明の有機EL表示装置は、複数の画素が隔壁に囲まれてマトリクス状に配列された第1の基板と、上記第1の基板に対向して配置され、上記画素に導電性接続体を介して接続される駆動回路が複数形成された第2の基板と、上記第1及び第2の基板相互間をスペーサを介して固定する固定手段と、を備え、上記スペーサが上記複数の画素以外の領域に配置される。 In order to achieve the above object, an organic EL display device of the present invention includes a first substrate in which a plurality of pixels are surrounded by partition walls and arranged in a matrix, and is disposed to face the first substrate. A second substrate on which a plurality of drive circuits connected to each other through a conductive connection body are formed, and a fixing means for fixing the first and second substrates to each other via a spacer. Is arranged in a region other than the plurality of pixels.
かかる構成とすることによって、スペーサによる画素の破壊を回避しつつ、基板相互間のギャップを一定に保って基板相互の電気接続の断線を回避することが可能となる。 By adopting such a configuration, it is possible to avoid disconnection of electrical connection between the substrates by keeping the gap between the substrates constant while avoiding the destruction of the pixels due to the spacers.
好ましくは、上記スペーサは上記隔壁上に配置される。 Preferably, the spacer is disposed on the partition wall.
好ましくは、上記スペーサが上記隔壁同士が交差する部分の隔壁上に配置される。 Preferably, the spacer is disposed on a partition wall where the partition wall intersects.
また、本発明の電気光学装置の製造方法は、第1の基板上に隔壁に囲まれた複数の画素をマトリクス状に形成する工程と、第2の基板上に上記複数の画素を駆動する駆動回路を形成する工程と、上記第1の基板上の上記隔壁に対応する上記第2の基板上の位置に接着剤を塗布する工程と、上記第2の基板上に塗布された上記接着剤上にスペーサを分散させる工程と、上記スペーサを介して前記第1及び第2の基板を貼り合わせる工程と、を含む。 In the electro-optical device manufacturing method of the present invention, a step of forming a plurality of pixels surrounded by a partition on a first substrate in a matrix shape, and a driving for driving the plurality of pixels on a second substrate. Forming a circuit, applying an adhesive at a position on the second substrate corresponding to the partition on the first substrate, and on the adhesive applied on the second substrate And a step of bonding the first and second substrates through the spacer.
かかる製造方法を採用することによって、スペーサによる画素の破壊を回避しつつ、基板相互間のギャップを一定に保って基板相互の電気接続の断線を回避し得る電気光学装置を作成することが可能となる。 By adopting such a manufacturing method, it is possible to create an electro-optical device capable of avoiding breakage of the electrical connection between the substrates by keeping the gap between the substrates constant while avoiding the destruction of the pixels due to the spacers. Become.
好ましくは、上記接着剤の塗布と上記スペーサの分散とがそれぞれ液滴吐出法によってなされる。先にスペーサを配置すべき部分に接着剤を塗布しておくことによって吐出あるいは散布(分散)されたスペーサの所定配置位置からの落下、移動を防止する。 Preferably, the application of the adhesive and the dispersion of the spacers are respectively performed by a droplet discharge method. By applying an adhesive to a portion where the spacer is to be placed first, the discharged or dispersed (dispersed) spacer is prevented from dropping or moving from a predetermined placement position.
好ましくは、上記接着剤の塗布と上記スペーサの分散とが液滴吐出法によって同時に行われる。接着剤が付いたスペーサを吐出することによってスペーサの予定配置位置に固定し、スペーサの移動、落下を防止する。 Preferably, the application of the adhesive and the dispersion of the spacers are simultaneously performed by a droplet discharge method. By discharging the spacer with the adhesive, it is fixed at a predetermined position of the spacer, and the spacer is prevented from moving and dropping.
また、本発明の電気光学装置は電子機器の表示装置として使用される。 In addition, the electro-optical device of the present invention is used as a display device for electronic equipment.
ここで、電気光学装置とは、例えば液晶素子、電気泳動粒子が分散した分散媒体を有する電気泳動素子、EL素子等を備えた装置であって、薄膜トランジスタなどを駆動回路に適用した装置をいい、このような電気光学装置を電子機器に適用しても良い。 Here, the electro-optical device refers to a device including a liquid crystal element, an electrophoretic element having a dispersion medium in which electrophoretic particles are dispersed, an EL element, and the like, and a device in which a thin film transistor or the like is applied to a drive circuit, Such an electro-optical device may be applied to an electronic apparatus.
また、電子機器とは、本発明に係る電気光学装置を備えた一定の機能を奏する機器一般をいい、例えば電気光学装置やメモリを備えて構成される。その構成に特に限定は無いが、例えばICカード、携帯電話、ビデオカメラ、パーソナルコンピュータ、ヘッドマウントディスプレイ、リア型またはフロント型のプロジェクター、さらに表示機能付きファックス装置、デジタルカメラのファインダ、携帯型TV、DSP装置、PDA、電子手帳、電光掲示板、宣伝広告用ディスプレイ等が含まれる。 The electronic apparatus refers to a general apparatus having a certain function provided with the electro-optical device according to the present invention, and includes, for example, an electro-optical device and a memory. The configuration is not particularly limited, but for example, an IC card, a mobile phone, a video camera, a personal computer, a head-mounted display, a rear-type or front-type projector, a fax machine with a display function, a digital camera finder, a portable TV, A DSP device, PDA, electronic notebook, electronic bulletin board, advertising display, etc. are included.
以下、図面を参照しつつ本発明の実施例について説明する。 Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.
図5は、本発明の有機EL表示装置(電気光学装置)を示している。有機EL表示装置1は、複数の画素203が隔壁206に囲まれてマトリクス状に配列された有機EL基板(第1の基板)20と、複数の画素203に導電性接続体120を介して接続されるべき駆動回路12が形成されたTFT回路基板(第2の基板)10と、TFT回路基板10及び有機EL基板20を導電性接続体120を介して画素203と駆動回路12とが接続されるように、スペーサ122を介して両基板の図示しない外周部で接着剤で貼り合わせる接合固定手段と、を備えている。スペーサ122は複数の画素203以外の領域である隔壁206上や図示しない表示パネルの外周領域やインタフェース領域に配置されている。
FIG. 5 shows an organic EL display device (electro-optical device) of the present invention. The organic
スペーサ122が画素領域以外の部分に配置されることによって、画素がスペーサによって押されてダメージを受けることが防止される。また、スペーサ122によって画素電極205、導電性接続体120、接続電極113の距離が一定に維持されて電気接続の遮断が防止される。
By disposing the
図1乃至図5は、本発明の有機EL装置の製造過程を説明する工程図である。図1はTFT回路基板10を示している。また、図8はTFT回路基板10の一部を拡大して示している。
1 to 5 are process charts for explaining the manufacturing process of the organic EL device of the present invention. FIG. 1 shows a
TFT回路基板10は、ガラスや樹脂などの基板101を下地基板としている。この基板の上に絶縁保護膜102を形成する。保護膜102は、例えば、シリコン酸化膜やシリコン窒化膜などによって形成することができる。この保護膜102の上にCVD法等によって非晶質シリコン膜を成膜し、レーザ照射やランプアニールなどによる熱処理を行ってポリシリコン膜(半導体膜)103を形成する。このポリシリコン膜103を熱酸化しあるいはポリシリコン膜103上にTEOS等を材料としてCVD法によってシリコン酸化膜を成膜し、ゲート絶縁膜104を形成する。次に、トランジスタの閾値調整用のイオン注入を行う。ポリシリコン膜103及びゲート絶縁膜104をパターニングして素子分離を行い、トランジスタ領域(アイランド)を形成する。この上にゲート配線膜を形成する。例えば、ゲート配線膜はアルミニウムなどの金属をスパッタ法、蒸着法などによって堆積し、パターニングを行ってゲート電極配線105を形成することができる。また、ポリシリコンを堆積し、導電性を持たせるためにイオン注入を行い、この後、パターニングを行ってゲート電極配線105形成してもよい。
The
ゲート電極105をマスクとして不純物イオン注入を行い、熱処理を行って不純物を活性化し、ソース・ドレイン領域106を形成する。更に、ゲート電極105、ゲート絶縁膜104を覆うように、基板全体にCVD法等によってシリコン酸化膜を成膜して層間絶縁膜108を形成する。層間絶縁膜108のソース・ドレインに対応する位置にコンタクトホール109を開口する。このコンタクトホール109を埋設し基板を覆うようにし、アルミニウム等の金属膜をスパッタ法、蒸着法などによって成膜し、これをパターニングして接続配線110を形成する。
Impurity ion implantation is performed using the
次に、フォトレジストをスピンコートなどによって塗布し、ベークを行って平坦化膜111を形成する。なお、平坦化膜111はシリコン酸化膜を厚膜に形成し、表面を化学的機械的(CMP)研磨等によって平坦化してもよい。平坦化膜111にコンタクトホール112を開口し、平坦化膜111上にアルミニウム等の金属膜をスパッタ法、蒸着法、あるいは金属メッキ法等によって成膜して導電層を形成する。この導電層をパターニングして接続電極113を形成する。このようにして、TFT回路基板10が形成される。
Next, a photoresist is applied by spin coating or the like and baked to form the
次に、このようにして形成されたTFT回路基板10と後述の有機EL基板20とを貼り合わせるべく、TFT回路基板10上に導電性接着剤及びスペーサを配置する。
Next, a conductive adhesive and a spacer are disposed on the
図2に示すように、TFT回路基板10上の接続電極113上に導電性接着剤やハンダペースト等の電気的接続導体120をスクリーン印刷、オフセット印刷、液滴吐出法(インクジェット法)等によって形成する。導電性接着剤は金属微粒子を多量に含む樹脂や導電性ポリマによって構成される。
As shown in FIG. 2, an
また、TFT回路基板10上の有機EL基板の画素以外の領域に対応する部分、例えば、後述の有機EL基板の画素の隔壁に対応する領域にスペーサを保持するべく粘度(接着性)の高い材料、例えば接着剤や溶剤が保持膜121として液滴吐出法によって塗布される。
Further, a material having a high viscosity (adhesiveness) for holding the spacer in a portion corresponding to a region other than the pixel of the organic EL substrate on the
図3に示すように、上述した保持膜121が塗布された、有機EL基板の画素以外の領域に対応する部分(図示の例では画素の隔壁領域に対応している。)に液滴吐出法によってスペーサ122を吐出する。スペーサ122は揮発性の溶媒に分散され、走査位置が正確に制御される液滴吐出ヘッドによって吐出される。スペーサ122が保持膜121上に配置されることによって、組立中におけるスペーサ122の落下や移動が防止される。なお、スペーサが分散される溶媒の粘度(接着性)を適当に設定することによってスペーサと一緒に吐出される溶媒を保持膜121として機能させることが可能である。
As shown in FIG. 3, a droplet discharge method is applied to a portion (corresponding to a partition wall region of a pixel in the illustrated example) corresponding to a region other than the pixel of the organic EL substrate to which the above-described
スペーサ122は、例えば、サイズは直径20ミクロン程度のシリコン系粒子(ボール)やプラスチック粒子を使用することができる。このサイズは、後述の隔壁領域の幅に対応している。スペーササイズを小さくすれば、隔壁上に位置するスペーサ122の数が増え、より確実に基板間のギャップを保つことができる。スペーサ122のサイズを小さくすると、電気的接続体120の膜厚(高さ)をスペーサ122のサイズに合わせる必要がある。スクリーン印刷ではマスクの厚みと印刷位置精度はトレードオフの関係にある。スペーササイズを小さくすると、スクリーン印刷の位置精度が下がるため、単純にスペーサ122のサイズを小さくすればよいわけではない。そこで、実施例ではスペーサ122のサイズを略隔壁の幅に設定している。
As the
図4は、上述したTFT回路基板とは別途のプロセスで製造される有機EL基板20を示している。
FIG. 4 shows an
同図に示された有機EL基板20は次のようにして製造される。まず、透明なガラス又は樹脂基板201に保護膜202を形成し、ITOなどの透明な金属膜を形成し、これをパターニングして画素電極・配線203を形成する。次に、基板上にレジストを塗布し、パターニングして画素領域を画定する隔壁206を形成する。隔壁206で周囲が囲まれた画素電極上203に有機ELの発光膜204を液滴吐出法などによって形成する。次に、発光膜204の上にカルシウム/アルミニウム層からなる陰極層205を形成し、有機EL基板20が形成される。
The
次に、図5に示すように、画素の境界領域にスペーサが配置されたTFT回路基板と有機EL基板とを貼り合わせる。貼り合わせは、例えば、TFT回路基板10又は有機EL基板20の外周に図示しない硬化性樹脂をスクリーン印刷やディスペンサによってシール材として塗布し、TFT回路基板10及び有機EL基板20相互の位置合せを行って機械的に圧着する。あるいはTFT回路基板10及び有機EL基板20相互の位置合せを行った後に相互間の隙間を減圧して減圧圧着する。シール材に紫外線照射や加熱を行って硬化させて貼り合わせを完了する。この貼り合わせに際しては、非画素領域に配置されたスペーサ、例えば、図5に示された隔壁206上に位置するスペーサが画素を破壊することなく、TFT回路基板10及び有機EL基板20相互間のギャップを一定に保つように作用する。
Next, as shown in FIG. 5, an organic EL substrate is bonded to a TFT circuit substrate in which spacers are arranged in the boundary region of the pixel. For the bonding, for example, a curable resin (not shown) is applied to the outer periphery of the
図6は、画素(ITO)203の配列とスペーサ122の配置位置例を模式的に説明する説明図である。例えば、画素203のサイズは450μm(縦)×150μm(横)、隔壁206の幅は20μm、スペーサ122の直径は20ミクロンである。同図に示されるように、マトリクス状に配置された画素領域を画定する隔壁206の上に、好ましくは隔壁206同士の交差位置にスペーサ122が配置される。また、スペーサ122は画素群による画面表示領域以外の図示しない部分(領域)にも配置され、TFT回路基板10及び有機EL基板20相互の貼り合わせの均一化が図られる。
FIG. 6 is an explanatory diagram schematically illustrating an example of the arrangement positions of the pixels (ITO) 203 and the
このように、スペーサ122は画素203上に存在せず、画素表示の妨げとならない。また、画素領域の発光層を押圧してこれを破壊することがない。
Thus, the
図7は、図6のA―A’方向(隔壁領域)における断面を示す断面図である。 FIG. 7 is a cross-sectional view showing a cross section in the A-A ′ direction (partition wall region) of FIG. 6.
同図において、図5と対応する部分には同一符号を付している。画素がマトリクス状に配置された画面表示領域ではスペーサ122が隔壁206上に並んでいる。
これにより、TFT回路基板10及び有機EL基板20相互間の配線接続が適切なギャップを保って行われ、貼り合わせた基板に凹凸が生じていない。
In the figure, parts corresponding to those in FIG.
As a result, wiring connection between the
なお、上述した実施例において、図2に示す電気接続体形成工程と図3に示すスペーサ配置工程とを逆の順序にしてもよい。 In the embodiment described above, the electrical connector forming process shown in FIG. 2 and the spacer arrangement process shown in FIG. 3 may be reversed.
電気接続体120の形成よりも先にスペーサ120を基板上に配置する場合には、スペーサの配置工程をスペーサを混ぜた適当な粘度の溶媒をスクリーン印刷やオフセット印刷で行うことができる。
In the case where the
また、接着剤を転写する型を使用してもよい。すなわち、有機EL基板の隔壁の型を予め作製する。この型に接着剤を塗布し、型とTFT回路基板との位置合せを行って、型をTFT回路基板に押し当て(スタンプ)、接着剤をTFT回路基板に転写する。このTFT回路基板にスペーサを散布して接着剤部分にスペーサを固定し、余分のものをTFT回路基板から除く(落とす)。2つの基板を貼り合わせると隔壁部分にスペーサが配置された有機EL表示装置が得られる。 Moreover, you may use the type | mold which transfers an adhesive agent. That is, a partition mold of the organic EL substrate is prepared in advance. An adhesive is applied to the mold, the mold is aligned with the TFT circuit board, the mold is pressed against the TFT circuit board (stamp), and the adhesive is transferred to the TFT circuit board. Spacers are sprayed on the TFT circuit board to fix the spacers to the adhesive portion, and extra parts are removed (dropped) from the TFT circuit board. When the two substrates are bonded to each other, an organic EL display device in which spacers are arranged on the partition walls is obtained.
また、TFT回路基板及び有機EL基板の作製法は実施例のものに限られない。例えば、液体シリコンプロセスなど種々の作製方法が適宜に採用できる。 In addition, the method of manufacturing the TFT circuit substrate and the organic EL substrate is not limited to that of the embodiment. For example, various manufacturing methods such as a liquid silicon process can be appropriately employed.
上述した実施例によれば、画素欠陥のない有機EL表示装置(電気光学装置)を得ることができる。信頼性、歩留まりも向上する。 According to the embodiment described above, an organic EL display device (electro-optical device) free from pixel defects can be obtained. Reliability and yield are also improved.
(電気光学装置及び電子機器)
上記方法により製造された電気光学装置は電子機器等に好適に用いられる。本発明の電気光学装置及び電子機器の具体例を図9を参照しながら説明する。同図は、電気光学装置1(例:有機EL表示装置)を含んで構成される各種電子機器の例を示す図である。
(Electro-optical device and electronic equipment)
The electro-optical device manufactured by the above method is suitably used for an electronic device or the like. Specific examples of the electro-optical device and the electronic apparatus according to the invention will be described with reference to FIG. FIG. 1 is a diagram illustrating examples of various electronic devices that include the electro-optical device 1 (eg, an organic EL display device).
図9(A)は携帯電話への適用例であり、当該携帯電話530はアンテナ部531、音声出力部532、音声入力部533、操作部534、および本発明の電気光学装置1を備えている。
FIG. 9A shows an application example to a mobile phone, and the
図9(B)はビデオカメラへの適用例であり、当該ビデオカメラ540は受像部541、操作部542、音声入力部543、および電気光学装置1を備えている。
FIG. 9B shows an application example to a video camera. The
図9(C)はテレビジョンへの適用例であり、当該テレビジョン550は電気光学装置1を備えている。なお、パーソナルコンピュータ等に用いられるモニタ装置に対しても同様に電気光学装置1を適用し得る。
FIG. 9C shows an application example to a television, and the
図9(D)はロールアップ式テレビジョンへの適用例であり、当該ロールアップ式テレビジョン560は電気光学装置1を備えている。
FIG. 9D illustrates an application example to a roll-up television, and the roll-up
なお、上記例では、電気光学装置の一例として有機EL表示装置を挙げたが、これに限定されるものではなく、他の種々の電気光学素子(例えば、無機EL表示装置)を用いて構成される電気光学装置の製造方法に適用することも可能である。薄膜半導体回路層(薄膜装置)の剥離転写技術を用いて形成される各種装置に広く適用することも可能である。また、電気光学装置は、上述した例に限らず、例えば、表示機能付きファックス装置、デジタルカメラのファインダ、携帯型TV、電子手帳など各種の電子機器に適用可能である。 In the above example, the organic EL display device is described as an example of the electro-optical device. However, the organic EL display device is not limited to this, and is configured using other various electro-optical elements (for example, an inorganic EL display device). The present invention can also be applied to a method for manufacturing an electro-optical device. The present invention can also be widely applied to various devices formed using a thin film semiconductor circuit layer (thin film device) peeling transfer technique. The electro-optical device is not limited to the above-described example, and can be applied to various electronic devices such as a fax machine with a display function, a digital camera finder, a portable TV, and an electronic notebook.
1 有機EL基板(電気光学装置)、10 TFT回路基板、20 有機EL基板 101 基板、102 保護膜、103 半導体膜、104 ゲート絶縁膜、105 ゲート電極・配線、106 ソース領域又はドレイン領域、108 層間絶縁膜、111 平坦化膜、113 接続電極、120 電気的接続体、122 スペーサ、201 基板、203 ITO、204 有機EL(発光)膜、205 陰極、206 隔壁
DESCRIPTION OF
Claims (7)
前記第1の基板に対向して配置され、前記画素に導電性接続体を介して接続される駆動回路が複数形成された第2の基板と、
前記第1及び第2の基板相互間を両基板間の隙間を一定に保つスペーサを介して固定する固定手段と、を備え、
前記スペーサが前記隔壁上と前記第2の基板間に配置され、
前記導電性接続体が前記隔壁で囲まれた画素上と前記第2の基板間に配置され、
前記スペーサは粒子状で前記導電性接続体よりも硬い、
ことを特徴とする電気光学装置。 A first substrate having a plurality of pixels surrounded by partition walls and arranged in a matrix;
A second substrate on which a plurality of drive circuits that are arranged to face the first substrate and are connected to the pixels via a conductive connector;
Fixing means for fixing between the first and second substrates via a spacer that keeps a gap between the substrates constant, and
The spacer is disposed on the partition and between the second substrate;
The conductive connector is disposed between the second substrate and the pixel surrounded by the partition;
The spacer is particulate and harder than the conductive connector,
An electro-optical device.
第2の基板上に前記画素を駆動する駆動回路と、該駆動回路と前記画素とを接続する導電性接続体と、を複数形成する工程と、
前記第1の基板上の前記隔壁に対応する前記第2の基板上の位置に接着剤を塗布する工程と、
前記第2の基板上に塗布された前記接着剤上に前記導電性接続体よりも硬い粒子状のスペーサを分散させ、余分のスペーサを除く工程と、
前記スペーサを介して前記第1及び第2の基板を貼り合わせ、前記画素と前記導電性接続体とを接続する工程と、
を含む、電気光学装置の製造方法。 Forming a plurality of pixels surrounded by partition walls in a matrix on a first substrate;
Forming a plurality of drive circuits for driving the pixels on the second substrate , and a conductive connector for connecting the drive circuits and the pixels ;
Applying an adhesive to a position on the second substrate corresponding to the partition on the first substrate;
Dispersing the spacers in the form of particles harder than the conductive connector on the adhesive applied on the second substrate, and removing excess spacers ;
Bonding the first and second substrates through the spacer and connecting the pixel and the conductive connector;
A method for manufacturing an electro-optical device.
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Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2003053109A1 (en) * | 2001-12-18 | 2003-06-26 | Seiko Epson Corporation | Light-emitting device, its manufacturing method, electro-optical device, and electronic device |
JP2003323986A (en) * | 2002-05-03 | 2003-11-14 | Lg Phillips Lcd Co Ltd | Organic electroluminescent element and its manufacturing method |
JP2003332064A (en) * | 2002-05-09 | 2003-11-21 | Casio Comput Co Ltd | El panel and its manufacturing method |
WO2004030417A1 (en) * | 2002-09-24 | 2004-04-08 | Sharp Kabushiki Kaisha | Method and apparatus for manufacturing active-matrix organic el display, active-matrix organic el display, method for manufacturing liquid crystal array, liquid crystal array, method and apparatus for manufacturing color filter substrate, and color filter substrate |
JP2004342432A (en) * | 2003-05-15 | 2004-12-02 | Nec Corp | Organic el (electroluminescence) display device |
JP2005183056A (en) * | 2003-12-17 | 2005-07-07 | Seiko Epson Corp | Electrooptical device and electronic equipment |
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Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2003053109A1 (en) * | 2001-12-18 | 2003-06-26 | Seiko Epson Corporation | Light-emitting device, its manufacturing method, electro-optical device, and electronic device |
JP2003323986A (en) * | 2002-05-03 | 2003-11-14 | Lg Phillips Lcd Co Ltd | Organic electroluminescent element and its manufacturing method |
JP2003332064A (en) * | 2002-05-09 | 2003-11-21 | Casio Comput Co Ltd | El panel and its manufacturing method |
WO2004030417A1 (en) * | 2002-09-24 | 2004-04-08 | Sharp Kabushiki Kaisha | Method and apparatus for manufacturing active-matrix organic el display, active-matrix organic el display, method for manufacturing liquid crystal array, liquid crystal array, method and apparatus for manufacturing color filter substrate, and color filter substrate |
JP2004342432A (en) * | 2003-05-15 | 2004-12-02 | Nec Corp | Organic el (electroluminescence) display device |
JP2005183056A (en) * | 2003-12-17 | 2005-07-07 | Seiko Epson Corp | Electrooptical device and electronic equipment |
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