JP4443898B2 - Photosensitive composition and pattern forming method using the same - Google Patents

Photosensitive composition and pattern forming method using the same Download PDF

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Description

本発明は、IC等の半導体製造工程、液晶、サーマルヘッド等の回路基板の製造、さらにその他のフォトファブリケーション工程等に使用される感光性組成物及びそれを用いたパターン形成方法に関するものである。   The present invention relates to a photosensitive composition used in a semiconductor manufacturing process such as an IC, a circuit board such as a liquid crystal or a thermal head, and other photofabrication processes, and a pattern forming method using the same. .

上記感光性組成物は、活性光線又は放射線の照射部と非照射部の現像液に対する溶解性を変化させ、パターンを基板上に形成させるパターン形成材料として使用される。
このような感光性組成物に於いて、活性光線又は放射線の照射により酸を発生する種々の酸発生剤が提案されている。
The above-mentioned photosensitive composition is used as a pattern forming material for changing the solubility of actinic ray or radiation irradiated portion and non-irradiated portion with respect to a developer to form a pattern on a substrate.
In such a photosensitive composition, various acid generators that generate an acid upon irradiation with actinic rays or radiation have been proposed.

特許文献1〜5は、解像力、露光マージンなど種々のレジスト性能を向上すべく、特定のスルホン酸を発生する化合物を含有するレジスト組成物を開示している。   Patent Documents 1 to 5 disclose resist compositions containing a compound that generates a specific sulfonic acid in order to improve various resist performances such as resolution and exposure margin.

しかしながら、未だ不十分な点が多く、種々の改善が望まれている。例えば、口径が大きいウエハーを使用する場合、露光後のホットプレートなどによる加熱(PEB)における温度のばらつきが、得られるパターンに影響を及ぼすことがわかってきており、良好なプロファイルとともに、このようなPEB温度依存性を改善することが望まれている。
更にPEB温度依存性の改良と露光ラチチュードの拡大を両立することが困難であり、PEB温度依存性と露光ラチチュードを同時に改良することが望まれている。
However, there are still many inadequacies and various improvements are desired. For example, when using a wafer having a large diameter, it has been found that temperature variations in heating (PEB) using a hot plate after exposure affect the resulting pattern. It is desired to improve the PEB temperature dependency.
Furthermore, it is difficult to achieve both improvement in PEB temperature dependency and expansion of exposure latitude, and it is desired to improve PEB temperature dependency and exposure latitude at the same time.

特開2002−131897号公報JP 2002-131897 A 特開2002−214774号公報JP 2002-214774 A 特開2003−140332号公報JP 2003-140332 A 欧州特許出願公開第1270553号明細書European Patent Application No. 1270553 国際公開第02/42845号パンフレットInternational Publication No. 02/42845 Pamphlet

従って、本発明の目的は、250nm以下、特にArFエキシマレーザー光(
193nm)、F2エキシマレーザー光(157nm)の露光波長において、PEB温度依存性が小さく、露光ラチチュードが大きい、良好な感光性組成物及びそれを用いたパターン形成方法を提供することにある。
Therefore, the object of the present invention is to make an ArF excimer laser light (
193 nm), and an exposure wavelength of F 2 excimer laser light (157 nm). It is an object to provide a good photosensitive composition having a small PEB temperature dependency and a large exposure latitude, and a pattern forming method using the same.

本発明は、下記の構成であり、これにより本発明の上記目的が達成される。   The present invention has the following configuration, whereby the above object of the present invention is achieved.

(1)(A)活性光線または放射線の照射により、一般式(X)で表され、かつ一般式(Xa)、(Xb)及び(Xg)のいずれかで表されるスルホン酸を発生する化合物、及び(B)下記一般式(AI)で表される繰り返し単位及び水酸基を2つ以上有する繰り返し単位を含有し、酸の作用により分解し、アルカリ現像液中での溶解度が増大する樹脂を含有する感光性組成物。 (1) (A) A compound that generates a sulfonic acid represented by the general formula (X) and represented by any one of the general formulas (Xa), (Xb), and (Xg) upon irradiation with actinic rays or radiation. And (B) a resin containing a repeating unit represented by the following general formula (AI) and a repeating unit having two or more hydroxyl groups, decomposed by the action of an acid, and increased in solubility in an alkali developer A photosensitive composition.

式(X)中、R1a〜R13a、各々独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、
ハロゲン原子または水酸基を表す。
1及びA2は、各々独立に、ヘテロ原子を有する2価の連結基または単結合を表す。但し、A1及びA2が同時に単結合の場合、R1a〜R13aの全てが同時にフッ素原子を表すこ
とはなく、またR1a〜R13aの全てが同時に水素原子を表すことはない。
1〜m5は、各々独立に0〜12の整数を表す。pは0〜4の整数を表す。
Rbは少なくとも1つの水素原子を有する基である。
n1〜n4は、各々独立に、1〜10の整数を表す。
Rcは、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基又はアラルキル基を表す。
一般式(AI)中、R b0 は、水素原子、ハロゲン原子、又は炭素数1〜4のアルキル基を表す。
b は、単結合、エーテル基、エステル基、カルボニル基、アルキレン基、又はこれら
を組み合わせた2価の基を表す。
Vは、下記一般式(V−1)で示される基を表す。
一般式(V−1)において、R 1b 〜R 5b は、各々独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、アルコキシカルボニル基、アルキルスルホニルイミノ基又はアルケニル基を表す。R 1b 〜R 5b の内の2つは、結合して環を形成してもよい。
In formula (X), R 1a to R 13a are each independently a hydrogen atom, an alkyl group, a cycloalkyl group,
Represents a halogen atom or a hydroxyl group.
A 1 and A 2 each independently represent a divalent linking group having a hetero atom or a single bond. However, when A 1 and A 2 are simultaneously a single bond, all of R 1a to R 13a do not simultaneously represent a fluorine atom, and all of R 1a to R 13a do not simultaneously represent a hydrogen atom.
m 1 ~m 5 represents each independently an integer from 0-12. p represents an integer of 0 to 4.
Rb is a group having at least one hydrogen atom.
n1 to n4 each independently represents an integer of 1 to 10.
Rc represents a hydrogen atom, a halogen atom, an alkyl group, a cycloalkyl group, an aryl group or an aralkyl group.
In general formula (AI), R b0 represents a hydrogen atom, a halogen atom, or an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms.
A b is a single bond, an ether group, an ester group, a carbonyl group, an alkylene group, or these
Represents a divalent group in which
V represents a group represented by the following general formula (V-1).
In General Formula (V-1), R 1b to R 5b each independently represent a hydrogen atom, an alkyl group, a cycloalkyl group, an alkoxy group, an alkoxycarbonyl group, an alkylsulfonylimino group, or an alkenyl group. Two of R 1b to R 5b may combine to form a ring.

(2)(A)活性光線または放射線の照射により、上記一般式(X)で表され、かつ一般式(Xa−1)または(Xb−1)で表されるスルホン酸を発生する化合物、及び(B)水酸基を2つ以上有する繰り返し単位を含有し、酸の作用により分解し、アルカリ現像液中での溶解度が増大する樹脂を含有する感光性組成物。 (2) (A) a compound that generates a sulfonic acid represented by the general formula (X) and represented by the general formula (Xa-1) or (Xb-1) by irradiation with actinic rays or radiation; and (B) A photosensitive composition containing a resin containing a repeating unit having two or more hydroxyl groups, decomposed by the action of an acid, and increased in solubility in an alkaline developer .

Axは炭素数3以上の連結基を表す。
Ayは単結合または酸素原子を表す。
Rgはアルキル基、シクロアルキル基、アリール基又はアラルキル基を表す。
n5は1〜4の整数を表す。
n6は1〜4の整数を表す。
n7は1〜4の整数を表す。
Ax represents a linking group having 3 or more carbon atoms.
Ay represents a single bond or an oxygen atom.
Rg represents an alkyl group, a cycloalkyl group, an aryl group or an aralkyl group.
n5 represents an integer of 1 to 4.
n6 represents an integer of 1 to 4.
n7 represents an integer of 1 to 4.

(3) 更に、水酸基を含有する溶剤及び水酸基を含有しない溶剤を含有することを特徴とする上記(1)または(2)に記載の感光性組成物。
(4)(A)活性光線または放射線の照射により、一般式(X)で表され、かつ一般式(Xa)で表されるスルホン酸を発生する化合物、(D)アルカリ現像液に可溶な樹脂、(E)酸の作用により該アルカリ現像液に可溶な樹脂と架橋する酸架橋剤、水酸基を含有する溶剤及び水酸基を含有しない溶剤を含有することを特徴とする感光性組成物。
Rbは、少なくとも1つの水素原子を有するアルキル基又はアラルキル基を表す。
n1は、1〜10の整数を表す。
(5)(A)活性光線または放射線の照射により、一般式(X)で表され、かつ一般式(Xa−1)または(Xb−1)で表されるスルホン酸を発生する化合物、(D)アルカリ現像液に可溶な樹脂、及び(E)酸の作用により該アルカリ現像液に可溶な樹脂と架橋する酸架橋剤、水酸基を含有する溶剤及び水酸基を含有しない溶剤を含有することを特徴とする感光性組成物。
式(Xa−1)におけるAxは炭素数3以上の直鎖又は分岐アルキレン基を表す。
式(Xb−1)におけるAxは炭素数3以上の連結基を表す。
Ayは単結合または酸素原子を表す。
Rgはアルキル基、シクロアルキル基、アリール基又はアラルキル基を表す。
n5は1〜4の整数を表す。
n6は1〜4の整数を表す。
n7は1〜4の整数を表す。
(6)活性光線または放射線の照射により一般式(Xa−1)または(Xb−1)で表されるスルホン酸を発生する化合物。


式(Xa−1)におけるAxは炭素数3以上の直鎖又は分岐アルキレン基を表す。
式(Xb−1)におけるAxは炭素数3以上の連結基を表す。
一般式(Xa−1)におけるAyは酸素原子を表し、一般式(Xb−1)におけるAyは単結合または酸素原子を表す。
Rgはアルキル基、シクロアルキル基、アリール基又はアラルキル基を表す。
n5は1〜4の整数を表す。
n6及びn7は、各々独立に1〜10の整数を表す。
(3) The photosensitive composition as described in (1) or (2) above, further comprising a solvent containing a hydroxyl group and a solvent not containing a hydroxyl group.
(4) (A) a compound that generates a sulfonic acid represented by the general formula (X) and represented by the general formula (Xa) by irradiation with actinic rays or radiation, (D) soluble in an alkali developer A photosensitive composition comprising a resin, (E) an acid crosslinking agent that crosslinks with a resin soluble in the alkali developer by the action of an acid, a hydroxyl group-containing solvent, and a hydroxyl group-free solvent.
Rb represents an alkyl group or an aralkyl group having at least one hydrogen atom.
n1 represents an integer of 1 to 10.
(5) (A) A compound that generates a sulfonic acid represented by the general formula (X) and represented by the general formula (Xa-1) or (Xb-1) by irradiation with actinic rays or radiation, (D A) a resin soluble in an alkali developer, and (E) an acid crosslinking agent that crosslinks with the resin soluble in the alkali developer by the action of an acid, a solvent containing a hydroxyl group, and a solvent not containing a hydroxyl group. A photosensitive composition.
Ax in the formula (Xa-1) represents a linear or branched alkylene group having 3 or more carbon atoms.
Ax in Formula (Xb-1) represents a linking group having 3 or more carbon atoms.
Ay represents a single bond or an oxygen atom.
Rg represents an alkyl group, a cycloalkyl group, an aryl group or an aralkyl group.
n5 represents an integer of 1 to 4.
n6 represents an integer of 1 to 4.
n7 represents an integer of 1 to 4.
(6) A compound that generates a sulfonic acid represented by the general formula (Xa-1) or (Xb-1) upon irradiation with an actinic ray or radiation.


Ax in the formula (Xa-1) represents a linear or branched alkylene group having 3 or more carbon atoms.
Ax in Formula (Xb-1) represents a linking group having 3 or more carbon atoms.
Ay in the general formula (Xa-1) represents an oxygen atom, and Ay in the general formula (Xb-1) represents a single bond or an oxygen atom.
Rg represents an alkyl group, a cycloalkyl group, an aryl group or an aralkyl group.
n5 represents an integer of 1 to 4.
n6 and n7 each independently represents an integer of 1 to 10.

更に、好ましい様態として以下の構成が挙げられる。   Furthermore, the following structures are mentioned as a preferable aspect.

(7)(B)の水酸基を2つ以上有する繰り返し単位がジヒドロキシアダマンタン構造またはトリヒドロキシアダマンタン構造を含有する繰り返し単位である上記(1)〜(3)のいずれかに記載のポジ型感光性組成物。 (7) The positive photosensitive composition according to any one of the above (1) to (3), wherein the repeating unit having two or more hydroxyl groups in (B) is a repeating unit containing a dihydroxyadamantane structure or a trihydroxyadamantane structure. object.

(8)(B)が単環または多環の環状炭化水素構造を有する繰り返し単位を含有する上記(1)〜(3)のいずれかに記載のポジ型感光性組成物。
(9)(B)がラクトン構造を有する繰り返し単位を含有する樹脂である上記(1)〜(3)のいずれかに記載のポジ型感光性組成物。
(10)樹脂(B)がメタクリル酸エステルまたはメタクリル酸に由来する繰り返し単位を少なくとも1種とアクリル酸エステルまたはアクリル酸に由来する繰り返し単位を少なくとも1種を含有する樹脂を含有する樹脂である上記(1)〜(3)のいずれかに記載のポジ型感光性組成物。
(8) The positive photosensitive composition as described in any one of (1) to (3) above, wherein (B) contains a repeating unit having a monocyclic or polycyclic hydrocarbon structure.
(9) The positive photosensitive composition according to any one of (1) to (3), wherein (B) is a resin containing a repeating unit having a lactone structure.
(10) Resin (B) is a resin containing a resin containing at least one repeating unit derived from at least one acrylic acid ester or acrylic acid repeating units derived from methacrylic acid ester or methacrylic acid above (1) -Positive photosensitive composition in any one of (3) .

(11) 樹脂(B)が、主鎖あるいは側鎖にフッ素原子を有することを特徴とする上記(1)〜(3)のいずれかに記載のポジ型感光性組成物。
(12) 樹脂(B)が、ヘキサフロロイソプロパノール構造を有することを特徴とする上記(1)〜(3)のいずれかに記載のポジ型感光性組成物。
(13) 更に、(C)酸の作用により分解してアルカリ現像液中での溶解度が増大する、分子量3000以下の溶解阻止化合物を含有することを特徴とする上記(1)〜(3)のいずれかに記載のポジ型感光性組成物。
(11) The positive photosensitive composition as described in any one of (1) to (3) above, wherein the resin (B) has a fluorine atom in the main chain or side chain.
(12) The positive photosensitive composition as described in any one of (1) to (3) above , wherein the resin (B) has a hexafluoroisopropanol structure.
(13) Further comprising (C) a dissolution inhibiting compound having a molecular weight of 3000 or less, which decomposes by the action of an acid and increases the solubility in an alkaline developer , The positive photosensitive composition in any one .

(14) 更に、(F)塩基性化合物及び/又は(G)フッ素及び/又はシリコン系界面活性剤を含有することを特徴とする上記(1)〜(5)、(7)〜(13)のいずれかに記載の感光性組成物。
(15) 上記(1)〜(5)、(7)〜(14)のいずれかに記載の感光性組成物より膜を形成し、該膜を露光、現像することを特徴とするパターン形成方法。
(14) The above (1) to (5), (7) to (13), further comprising (F) a basic compound and / or (G) fluorine and / or a silicon surfactant. The photosensitive composition in any one of.
(15) A pattern forming method comprising forming a film from the photosensitive composition according to any one of (1) to (5) and (7) to (14) , and exposing and developing the film. .

(16)(B)成分が2−アルキル−2−アダマンチル(メタ)アクリレートまたはジアルキル(1−アダマンチル)メチル(メタ)アクリレートから選ばれる繰り返し単位少なくとも1種、ラクトン構造を有する繰り返し単位少なくとも1種、および水酸基を2つ以上有する繰り返し単位少なくとも1種を含有することを特徴とする上記(1)〜(3)のいずれかに記載の感光性組成物。 (16) The component (B) is at least one repeating unit selected from 2-alkyl-2-adamantyl (meth) acrylate or dialkyl (1-adamantyl) methyl (meth) acrylate, at least one repeating unit having a lactone structure, And at least one repeating unit having two or more hydroxyl groups. The photosensitive composition as described in any one of (1) to (3) above.

(17)(B)成分が更にカルボキシル基を有する繰り返し単位を含有することを特徴とする上記(16)に記載の感光性組成物。 (17) The photosensitive composition as described in (16) above, wherein the component (B) further contains a repeating unit having a carboxyl group.

(18)(B)成分が2−アルキル−2−アダマンチル(メタ)アクリレートまたはジアルキル(1−アダマンチル)メチル(メタ)アクリレートから選ばれる繰り返し単位少なくとも1種、およびヒドロキシスチレン構造を有する繰り返し単位少なくとも1種を含有することを特徴とする上記(1)〜(3)のいずれかに記載の感光性組成物。 (18) The component (B) is at least one repeating unit selected from 2-alkyl-2-adamantyl (meth) acrylate or dialkyl (1-adamantyl) methyl (meth) acrylate, and at least one repeating unit having a hydroxystyrene structure. The photosensitive composition as described in any one of (1) to (3) above, which contains a seed.

250nm以下の露光波長において、PEB温度依存性が小さく、露光ラチチュードが大きい、良好な感光性組成物及びそれを用いたパターン形成方法を提供することができる。   It is possible to provide a good photosensitive composition having a small PEB temperature dependency and a large exposure latitude at an exposure wavelength of 250 nm or less, and a pattern forming method using the same.

以下、本発明について詳細に説明する。
尚、本明細書における基(原子団)の表記において、置換及び無置換を記していない表記は、置換基を有さないものと共に置換基を有するものをも包含するものである。例えば「アルキル基」とは、置換基を有さないアルキル基(無置換アルキル基)のみならず、置換基を有するアルキル基(置換アルキル基)をも包含するものである。
Hereinafter, the present invention will be described in detail.
In addition, in the description of group (atomic group) in this specification, the description which is not describing substitution and non-substitution includes what has a substituent with what does not have a substituent. For example, the “alkyl group” includes not only an alkyl group having no substituent (unsubstituted alkyl group) but also an alkyl group having a substituent (substituted alkyl group).

〔1〕活性光線又は放射線の照射により一般式(X)で表されるスルホン酸を発生する化合物(A)
本発明の感光性組成物は、活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物(光酸発生剤)として、一般式(X)で表されるスルホン酸を発生する化合物(以下、(A)成分又はスルホン酸発生剤ともいう)を含有する。
[1] Compound (A) that generates a sulfonic acid represented by the general formula (X) upon irradiation with an actinic ray or radiation
The photosensitive composition of the present invention is a compound that generates a sulfonic acid represented by the general formula (X) (hereinafter referred to as (A)) as a compound that generates an acid upon irradiation with actinic rays or radiation (photoacid generator). Component or sulfonic acid generator).

一般式(X)中、R1a〜R13a、各々独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、ハロゲン原子または水酸基を表す。
1及びA2は、各々独立に、ヘテロ原子を有する2価の連結基または単結合を表す。但し、A1及びA2が同時に単結合の場合、R1a〜R13aの全てが同時にフッ素原子を表すことはなく、またR1a〜R13aの全てが同時に水素原子を表すことはない。
1〜m5は、各々独立に0〜12の整数を表す。pは0〜4の整数を表す。
In general formula (X), R < 1a > -R < 13a > respectively independently represents a hydrogen atom, an alkyl group, a cycloalkyl group, a halogen atom, or a hydroxyl group.
A 1 and A 2 each independently represent a divalent linking group having a hetero atom or a single bond. However, when A 1 and A 2 are simultaneously a single bond, all of R 1a to R 13a do not simultaneously represent a fluorine atom, and all of R 1a to R 13a do not simultaneously represent a hydrogen atom.
m 1 ~m 5 represents each independently an integer from 0-12. p represents an integer of 0 to 4.

一般式(X)で表されるスルホン酸として、下記一般式(X′)で表されるスルホン酸が好ましい。   As the sulfonic acid represented by the general formula (X), a sulfonic acid represented by the following general formula (X ′) is preferable.

一般式(X′)中、R1a〜R13aはそれぞれ水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、ハロゲン原子または水酸基を表す。
Aは、ヘテロ原子を有する2価の連結基または単結合を表す。但し、Aが単結合の場合、R1a〜R13aの全てが同時にフッ素原子を表すことはなく、またR1a〜R13aの全てが同時に水素原子を表すことはない。
mは0〜12の整数を表す。nは0〜12の整数を表す。qは1〜3の整数を表す。
In general formula (X ′), R 1a to R 13a each represent a hydrogen atom, an alkyl group, a cycloalkyl group, a halogen atom, or a hydroxyl group.
A represents a divalent linking group having a hetero atom or a single bond. However, when A is a single bond, all of R 1a to R 13a do not simultaneously represent a fluorine atom, and all of R 1a to R 13a do not simultaneously represent a hydrogen atom.
m represents an integer of 0 to 12. n represents an integer of 0 to 12. q represents an integer of 1 to 3.

式(X)または(X′)中、R1a〜R13aのアルキル基としては、置換基を有してもよく、好ましくは炭素数1〜20、例えばメチル基、エチル基、プロピル基、n−ブチル基、sec−ブチル基、t−ブチル基、ヘキシル基、オクチル基、2−エチルヘキシル基、ドデシル基等が挙げられる。 In the formula (X) or (X ′), the alkyl group represented by R 1a to R 13a may have a substituent, and preferably has 1 to 20 carbon atoms, for example, a methyl group, an ethyl group, a propyl group, n -Butyl group, sec-butyl group, t-butyl group, hexyl group, octyl group, 2-ethylhexyl group, dodecyl group and the like can be mentioned.

1a〜R13aのシクロアルキル基としては単環型でも多環型でもよく、置換基を有していてもよい。単環型としては好ましくは炭素数3〜8のものであって、例えばシクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基を好ましく挙げることができる。多環型としては好ましくは炭素数6〜20個のものであって、例えばアダマンチル基、ノルボルニル基、イソボロニル基、カンファニル基、ジシクロペンチル基、α−ピレニル基、トリシクロデカニル基、テトラシクロデカニル基、アンドロスタニル基等を挙げることができる。但し、上記単環又は多環のシクロアルキル基中の炭素原子が酸素原子等のヘテロ原子に置換されていてもよい。 The cycloalkyl group of R 1a to R 13a may be monocyclic or polycyclic and may have a substituent. The monocyclic type is preferably one having 3 to 8 carbon atoms, and preferred examples include a cyclopropyl group, a cyclopentyl group, a cyclohexyl group, a cycloheptyl group, and a cyclooctyl group. The polycyclic type preferably has 6 to 20 carbon atoms. For example, an adamantyl group, norbornyl group, isobornyl group, camphanyl group, dicyclopentyl group, α-pyrenyl group, tricyclodecanyl group, tetracyclodecane group, and the like. A nyl group, an androstanyl group, etc. can be mentioned. However, the carbon atom in the monocyclic or polycyclic cycloalkyl group may be substituted with a heteroatom such as an oxygen atom.

1a〜R13aのハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、沃素原子等が挙げられる。
1a〜R13aのアルキル基及びシクロアルキル基が有していてもよい置換基として好ましくは、シクロアルキル基(好ましくは炭素数5〜20)、ハロゲン原子(フッ素原子、塩素原子、沃素原子)、アルコキシ基(好ましくは炭素数1〜4個)、アリール基(好ましくは炭素数6〜10)、アルケニル基(好ましくは炭素数2〜6)、シアノ基、ヒドロキシ基、カルボキシ基、アルコキシカルボニル基(好ましくは炭素数2〜20)、ニトロ基、酸分解性基(3級エステル基、アセタールエーテル基、アセタールエステル基、シリルエーテル基)が挙げられる。
シクロアルキル基については、置換基として更にアルキル基(好ましくは炭素数1〜5)を挙げることができる。
Examples of the halogen atom for R 1a to R 13a include a fluorine atom, a chlorine atom, and an iodine atom.
As the substituent that the alkyl group and cycloalkyl group of R 1a to R 13a may have, a cycloalkyl group (preferably having 5 to 20 carbon atoms), a halogen atom (a fluorine atom, a chlorine atom, an iodine atom) are preferable. , Alkoxy groups (preferably having 1 to 4 carbon atoms), aryl groups (preferably having 6 to 10 carbon atoms), alkenyl groups (preferably having 2 to 6 carbon atoms), cyano groups, hydroxy groups, carboxy groups, alkoxycarbonyl groups (Preferably having 2 to 20 carbon atoms), a nitro group, and an acid-decomposable group (tertiary ester group, acetal ether group, acetal ester group, silyl ether group).
As for the cycloalkyl group, examples of the substituent further include an alkyl group (preferably having 1 to 5 carbon atoms).

1、A2またはAにおけるヘテロ原子を有する2価の連結基としては、酸素原子、硫黄原子、−CO−、−COO−、−CONR−、−SO2NR−、−CONRCO−、−SO2NRCO−、−SO2NRSO2−、−OCONR−等が挙げられる。ここで、Rは水素原子、アルキル基(好ましくは炭素数1〜10)を表す。Rのアルキル基は、ハロゲン原子、水酸基、アルコキシ基(好ましくは炭素数1〜4)で置換されていてもよい。RはR1a〜R13aのうちのいずれか1つ以上と結合して環を形成していてもよい。またその環のなかに酸素原子、窒素原子、硫黄原子、−CO−などの連結基を含有していてもよい。 Examples of the divalent linking group having a hetero atom in A 1 , A 2 or A include an oxygen atom, a sulfur atom, —CO—, —COO—, —CONR—, —SO 2 NR—, —CONCCO—, —SO 2 NRCO -, - SO 2 NRSO 2 -, - OCONR- , and the like. Here, R represents a hydrogen atom or an alkyl group (preferably having 1 to 10 carbon atoms). The alkyl group of R may be substituted with a halogen atom, a hydroxyl group, or an alkoxy group (preferably having 1 to 4 carbon atoms). R may combine with any one or more of R 1a to R 13a to form a ring. Further, the ring may contain a linking group such as an oxygen atom, a nitrogen atom, a sulfur atom, and —CO—.

上記一般式(X)または(X′)で表されるスルホン酸としては、R1a〜R13aの少なくとも1つがハロゲン原子を表すものが好ましく、さらに好ましくはR1a〜R13aの少なくとも1つがフッ素原子を表すものが好ましく、特に好ましくはR12a及びR13aのうちの1つまたは両方がフッ素原子であることが好ましい。 As the sulfonic acid represented by the general formula (X) or (X ′), one in which at least one of R 1a to R 13a represents a halogen atom is preferable, and more preferably at least one of R 1a to R 13a is fluorine. What represents an atom is preferable, It is especially preferable that one or both of R < 12a> and R <13a> are fluorine atoms.

上記の中でも、さらに好ましくは、CF3(CF2)k[A(CF2)k']qSO3H、CF3(CF2)k(CH2)k'SO3H、CH3(CH2)k(CF2)k'SO3H{ここで、kは0〜12の整数を表す。k′は1〜12の整数を表す。A及びqは前述と同義である}、又は下記式で表されるで表されるスルホン酸である。 Among these, CF 3 (CF 2 ) k [A (CF 2 ) k ′ ] q SO 3 H, CF 3 (CF 2 ) k (CH 2 ) k ′ SO 3 H, CH 3 (CH 2) k (CF 2) k 'SO 3 H { here, k is an integer of 0 to 12. k ′ represents an integer of 1 to 12. A and q are as defined above} or a sulfonic acid represented by the following formula.

式(X”)中、R2a、R10a、R11a、R13a、ml及びA1は、式(X)におけるのと同様である。
m1は、好ましくは0〜3の整数、より好ましくは0または1を表し、A1は単結合、酸素原子、−CONR−又は−COO−が好ましい。
In the formula (X ″), R 2a , R 10a , R 11a , R 13a , ml and A 1 are the same as those in the formula (X).
m1 is preferably an integer of 0 to 3, more preferably 0 or 1, A 1 is a single bond, an oxygen atom, -CONR- or -COO- are preferred.

更に一般式(X)で表されるスルホン酸として最も好ましくは下記一般式(Xa)〜(Xh)で表されるスルホン酸である。   Further, the sulfonic acid represented by the general formula (X) is most preferably a sulfonic acid represented by the following general formulas (Xa) to (Xh).

Rbは少なくとも1つの水素原子を有する基である。好ましくは水素原子、アルキル基(好ましくは炭素数1〜20)、シクロアルキル基(好ましくは炭素数5〜20)、アリール基(好ましくは炭素数6〜10)、アラルキル基(好ましくは炭素数7〜15)、水酸基を表し、少なくとも1つの水素原子を有する。
Rbにおけるアルキル基、シクロアルキル基としてはR1a〜R13aで挙げたアルキル基、シクロアルキル基を挙げることができる。
Rbにおけるアリール基としてはフェニル基、ナフチル基をあげることができる。
Rb is a group having at least one hydrogen atom. Preferably a hydrogen atom, an alkyl group (preferably 1 to 20 carbon atoms), a cycloalkyl group (preferably 5 to 20 carbon atoms), an aryl group (preferably 6 to 10 carbon atoms), an aralkyl group (preferably 7 carbon atoms). -15) represents a hydroxyl group and has at least one hydrogen atom.
Examples of the alkyl group and cycloalkyl group in Rb include the alkyl groups and cycloalkyl groups mentioned in R 1a to R 13a .
Examples of the aryl group in Rb include a phenyl group and a naphthyl group.

Rbにおけるアラルキル基としてはベンジル基、フェネチル基、ナフチルメチル基、ナフチルエチル基をあげることができる。
Rfはフッ素原子又はフッ素原子を有する基であり、Rfとしてのフッ素原子を有する基は、好ましくは炭素原子数1〜5、好ましくはフッ素原子数1〜11、より好ましくは1〜9、更に好ましくは3〜7である。Rfは、好ましくはフッ素原子、フロロアルキル基(好ましくは炭素数1〜4)、より好ましくはフッ素原子、トリフロロメチル、ペンタフロロエチル、ヘプタフロロプロピルである。
Rhは水素原子又はアルキル基(好ましくは炭素数1〜10)を表す。
Examples of the aralkyl group in Rb include a benzyl group, a phenethyl group, a naphthylmethyl group, and a naphthylethyl group.
Rf is a fluorine atom or a group having a fluorine atom, and the group having a fluorine atom as Rf is preferably 1 to 5 carbon atoms, preferably 1 to 11 fluorine atoms, more preferably 1 to 9, and still more preferably. Is 3-7. Rf is preferably a fluorine atom or a fluoroalkyl group (preferably having 1 to 4 carbon atoms), more preferably a fluorine atom, trifluoromethyl, pentafluoroethyl or heptafluoropropyl.
Rh represents a hydrogen atom or an alkyl group (preferably having 1 to 10 carbon atoms).

n1〜n4は1〜10の整数を表す。好ましくは2〜4の整数である。
Rc、Rd及びReは、それぞれ同一でも異なっていてもよく、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基(好ましくは炭素数1〜20)、シクロアルキル基(好ましくは炭素数5〜20)、アリール基(好ましくは炭素数6〜10)、アラルキル基(好ましくは炭素数7〜15)を表す。
Rc、Rd及びReにおけるアルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基としては、Rbで挙げたアルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基を挙げることができる。
n1-n4 represents the integer of 1-10. Preferably it is an integer of 2-4.
Rc, Rd and Re may be the same or different, and are each a hydrogen atom, a halogen atom, an alkyl group (preferably having 1 to 20 carbon atoms), a cycloalkyl group (preferably having 5 to 20 carbon atoms), an aryl group ( Preferably it represents C6-C10 and an aralkyl group (preferably C7-C15).
Examples of the alkyl group, cycloalkyl group, aryl group, and aralkyl group in Rc, Rd, and Re include the alkyl group, cycloalkyl group, aryl group, and aralkyl group mentioned in Rb.

Rb、Rc、Rd及びReにおけるアルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基は、置換されていてもよく、またアルキル鎖中に酸素原子、硫黄原子などの連結基を有していてもよい。
Rb、Rc、Rd及びReが有していてもよい好ましい置換基としては、シクロアルキル基(好ましくは炭素数5〜20)、アルコキシ基(好ましくは炭素数1〜4)、ハロゲン原子(フッ素原子、塩素原子、沃素原子)、アリール基(好ましくは炭素数6〜10)、アルケニル基(好ましくは炭素数2〜6)、シアノ基、ヒドロキシ基、カルボキシ基、アルコキシカルボニル基(好ましくは炭素数2〜15)、ニトロ基、酸分解基(3級エステル基、アセタールエーテル基、アセタールエステル基、シリルエーテル基など)等が挙げられる。
これらの基におけるシクロ環、アリール環などの環状構造については、置換基として更にアルキル基(好ましくは炭素数1〜5)を挙げることができる。
The alkyl group, cycloalkyl group, aryl group and aralkyl group in Rb, Rc, Rd and Re may be substituted, and may have a linking group such as an oxygen atom or a sulfur atom in the alkyl chain. .
Preferred substituents that Rb, Rc, Rd and Re may have include a cycloalkyl group (preferably having 5 to 20 carbon atoms), an alkoxy group (preferably having 1 to 4 carbon atoms), a halogen atom (fluorine atom). , Chlorine atom, iodine atom), aryl group (preferably having 6 to 10 carbon atoms), alkenyl group (preferably having 2 to 6 carbon atoms), cyano group, hydroxy group, carboxy group, alkoxycarbonyl group (preferably having 2 carbon atoms) -15), nitro groups, acid-decomposable groups (tertiary ester groups, acetal ether groups, acetal ester groups, silyl ether groups, etc.) and the like.
As for the cyclic structure such as a cyclo ring and an aryl ring in these groups, examples of the substituent further include an alkyl group (preferably having a carbon number of 1 to 5).

一般式(Xa)〜(Xg)で表されるスルホン酸の中でも一般式(Xa)又は(Xb)で表されるスルホン酸が好ましく、さらに好ましくは下記一般式(Xa−1)又は(Xb−1)で表されるスルホン酸であり、最も好ましくは下記一般式(Xb−2)で表されるスルホン酸である。   Among the sulfonic acids represented by the general formulas (Xa) to (Xg), the sulfonic acid represented by the general formula (Xa) or (Xb) is preferable, and the following general formula (Xa-1) or (Xb- The sulfonic acid represented by 1), and most preferably the sulfonic acid represented by the following general formula (Xb-2).

Axは炭素数3以上の連結基であり、好ましくは炭素数3〜20の連結基、より好ましくは炭素数3〜15の芳香環を有さない連結基、最も好ましくは炭素数3〜15の直鎖、分岐、環状アルキレン基である。このアルキレン基は置換されていてもよく、またアルキル鎖中に酸素原子、硫黄原子などの連結基を有していてもよい。   Ax is a linking group having 3 or more carbon atoms, preferably a linking group having 3 to 20 carbon atoms, more preferably a linking group having no aromatic ring having 3 to 15 carbon atoms, most preferably 3 to 15 carbon atoms. A linear, branched, or cyclic alkylene group. This alkylene group may be substituted, and may have a linking group such as an oxygen atom or a sulfur atom in the alkyl chain.

Axとしては、例えばフェニレン基、ナフチレン基などのアリーレン基、ベンジレン基、キシリレン基などのアラルキレン基、好ましくはプロピレン基、ジメチルメチレン基、ブチレン基、イソブチレン基、ヘキシレン基、シクロヘキシレン基、アダマンチレン基などの直鎖、分岐、環状アルキレン基が挙げられる。より好ましくはプロピレン基である。   As Ax, for example, arylene groups such as phenylene group and naphthylene group, aralkylene groups such as benzylene group and xylylene group, preferably propylene group, dimethylmethylene group, butylene group, isobutylene group, hexylene group, cyclohexylene group, adamantylene group And straight chain, branched, and cyclic alkylene groups. More preferably, it is a propylene group.

Ayは単結合または酸素原子を表し、好ましくは酸素原子である。
Rgはアルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基を表す。Rgにおけるアルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基としては、Rbで挙げたアルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基を挙げることができる。これらアルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基は置換されていてもよく、またアルキル鎖中に酸素原子、硫黄原子などの連結基を有していてもよい。
好ましい置換基としては、シクロアルキル基(好ましくは炭素数5〜20)、アルコキシ基(好ましくは炭素数1〜4)、ハロゲン原子(フッ素原子、塩素原子、沃素原子)、アリール基(好ましくは炭素数6〜10)、アルケニル基(好ましくは炭素数2〜6)、シアノ基、ヒドロキシ基、カルボキシ基、アルコキシカルボニル基(好ましくは炭素数2〜15)、ニトロ基、酸分解基(3級エステル基、アセタールエーテル基、アセタールエステル基、シリルエーテル基など)等が挙げられる。
これらの基におけるシクロ環、アリール環などの環状構造については、置換基として更にアルキル基(好ましくは炭素数1〜5)を挙げることができる。
Ay represents a single bond or an oxygen atom, preferably an oxygen atom.
Rg represents an alkyl group, a cycloalkyl group, an aryl group, or an aralkyl group. Examples of the alkyl group, cycloalkyl group, aryl group and aralkyl group in Rg include the alkyl group, cycloalkyl group, aryl group and aralkyl group mentioned in Rb. These alkyl group, cycloalkyl group, aryl group and aralkyl group may be substituted, and may have a linking group such as an oxygen atom or a sulfur atom in the alkyl chain.
Preferred substituents include cycloalkyl groups (preferably having 5 to 20 carbon atoms), alkoxy groups (preferably having 1 to 4 carbon atoms), halogen atoms (fluorine atoms, chlorine atoms, iodine atoms), aryl groups (preferably carbon atoms). 6 to 10), alkenyl group (preferably 2 to 6 carbon atoms), cyano group, hydroxy group, carboxy group, alkoxycarbonyl group (preferably 2 to 15 carbon atoms), nitro group, acid-decomposable group (tertiary ester) Group, acetal ether group, acetal ester group, silyl ether group, etc.).
As for the cyclic structure such as a cyclo ring and an aryl ring in these groups, examples of the substituent further include an alkyl group (preferably having a carbon number of 1 to 5).

Rgは、好ましくは、炭素数6〜20である直鎖もしくは分岐アルキル基又はシクロアルキル基、炭素数7〜20であるエーテル連結基を2つ以上有する直鎖もしくは分岐アルキル基又はシクロアルキル基、炭素数7〜20である、シクロアルキル基で置換されたアルキル基であり、例えば、ヘキシル基、オクチル基、ドデシル基、ヘキサデシル基、シクロヘキシル基、アダマンチル基、ノルボルニル基、イソボロニル基、カンファニル基、ジシクロペンチル基、α−ピレニル基、トリシクロデカニル基、テトラシクロデカニル基、メトキシエトキシエチル基、メトキシエトキシエトキシエチル基、アダマンチルメチル基、アダマンチルエチル基、シクロヘキシルメチル基、シクロヘキシルエチル基等が挙げられる。
ここでAxとRgの炭素数の和が4〜40であることが好ましく、より好ましいAxとRgの炭素数の和は6〜30であり、更に好ましくは8〜25であり最も好ましくは10〜20である。AxおよびRgの炭素数を調整することによりレジスト膜中での酸の拡散を制御でき、解像力、プロファイル、露光マージンが向上する。
Rg is preferably a linear or branched alkyl group or cycloalkyl group having 6 to 20 carbon atoms, a linear or branched alkyl group or cycloalkyl group having two or more ether linking groups having 7 to 20 carbon atoms, An alkyl group substituted with a cycloalkyl group having 7 to 20 carbon atoms, for example, a hexyl group, an octyl group, a dodecyl group, a hexadecyl group, a cyclohexyl group, an adamantyl group, a norbornyl group, an isobornyl group, a camphanyl group, a diphenyl group Examples include cyclopentyl group, α-pyrenyl group, tricyclodecanyl group, tetracyclodecanyl group, methoxyethoxyethyl group, methoxyethoxyethoxyethyl group, adamantylmethyl group, adamantylethyl group, cyclohexylmethyl group, cyclohexylethyl group and the like. .
Here, the sum of the carbon numbers of Ax and Rg is preferably 4 to 40, more preferably the sum of the carbon numbers of Ax and Rg is 6 to 30, more preferably 8 to 25, and most preferably 10 to 10. 20. By adjusting the carbon number of Ax and Rg, the acid diffusion in the resist film can be controlled, and the resolution, profile, and exposure margin are improved.

n5は1〜4の整数を表す。
n6及びn7は、各々独立に、1〜4の整数、好ましくは2〜4の整数、更に好ましくは2又は3、最も好ましくは2である。
n5 represents an integer of 1 to 4.
n6 and n7 are each independently an integer of 1 to 4, preferably an integer of 2 to 4, more preferably 2 or 3, and most preferably 2.

一般式(X)、(X’)、(X”)、(Xa)〜(Xg)、(Xa−1)、(Xb−1)又は(Xb−2)で表されるスルホン酸の総炭素数は4〜40が好ましく、より好ましくは炭素数6〜30、更に好ましくは炭素数8〜25、最も好ましくは炭素数10〜20である。   Total carbon of the sulfonic acid represented by the general formula (X), (X ′), (X ″), (Xa) to (Xg), (Xa-1), (Xb-1) or (Xb-2) The number is preferably 4 to 40, more preferably 6 to 30 carbon atoms, still more preferably 8 to 25 carbon atoms, and most preferably 10 to 20 carbon atoms.

一般式(X)で表されるスルホン酸に含有されるフッ素原子の数は20個以下が好ましく、更に好ましくは15個以下、最も好ましくは9個以下である。また、一般式(X)で表されるスルホン酸に含有されるフッ素原子の数が、水素原子の数より少ないものが、酸発生剤の親水性が向上し、現像欠陥が低減する。   The number of fluorine atoms contained in the sulfonic acid represented by the general formula (X) is preferably 20 or less, more preferably 15 or less, and most preferably 9 or less. Moreover, when the number of fluorine atoms contained in the sulfonic acid represented by the general formula (X) is less than the number of hydrogen atoms, the hydrophilicity of the acid generator is improved and development defects are reduced.

一般式(X)、(X’)、(X”)、(Xa)〜(Xg)、(Xa−1)、(Xb−1)又は(Xb−2)で表されるスルホン酸に含有される芳香環数は1つ以下が好ましく、更には芳香環を含有しないことが好ましい。   It is contained in the sulfonic acid represented by the general formula (X), (X ′), (X ″), (Xa) to (Xg), (Xa-1), (Xb-1) or (Xb-2). The number of aromatic rings is preferably 1 or less, and further preferably does not contain an aromatic ring.

以下に一般式(X)で表されるスルホン酸の具体例を示す。   Specific examples of the sulfonic acid represented by the general formula (X) are shown below.

より好ましい一般式(Xa−1)又は(Xb−1)で表されるスルホン酸の具体例を以下に示す。   Specific examples of the sulfonic acid represented by the more preferred general formula (Xa-1) or (Xb-1) are shown below.

(A)活性光線または放射線の照射により一般式(X)で表されるスルホン酸を発生する化合物としては、一般式(X)で表されるスルホン酸のスルホニウム塩化合物またはヨードニウム塩化合物から選ばれる1種、または一般式(X)で表されるスルホン酸のエステル化合物から選ばれる1種が好ましく、更に好ましくは一般式(A1)〜(5)のいずれかで表される化合物である。 (A) The compound that generates the sulfonic acid represented by the general formula (X) upon irradiation with actinic rays or radiation is selected from a sulfonium salt compound or an iodonium salt compound of the sulfonic acid represented by the general formula (X). 1 type or 1 type chosen from the ester compound of the sulfonic acid represented by general formula (X) is preferable, More preferably, it is a compound represented by either of general formula (A1)-(5).

活性光線または放射線の照射により一般式(Xa−1)または(Xb−1)で表されるスルホン酸を発生する化合物としては、例えば、一般式(Xa−1)または(Xb−1)で表されるスルホン酸のスルホニウム塩化合物またはヨードニウム塩化合物又は一般式(Xa−1)または(Xb−1)で表されるスルホン酸のエステル化合物を挙げることができ、好ましくは下記一般式(A1)又は(A2)で表される化合物においてX−が一般式(Xa−1)または(Xb−1)で表されるスルホン酸アニオンである化合物、または下記一般式(A3)〜(A5)で表される化合物においてX1が一般式(Xa−1)または(Xb−1)で表されるスルホン酸の−SO3Hの水素原子がとれて1価の基として結合した化合物を挙げることができる。 As a compound which generate | occur | produces the sulfonic acid represented by general formula (Xa-1) or (Xb-1) by irradiation of actinic light or a radiation, it represents with general formula (Xa-1) or (Xb-1), for example. Examples thereof include sulfonium salt compounds or iodonium salt compounds of sulfonic acids, and ester compounds of sulfonic acids represented by the general formula (Xa-1) or (Xb-1), preferably the following general formula (A1) or In the compound represented by (A2), X- is a sulfonate anion represented by the general formula (Xa-1) or (Xb-1), or represented by the following general formulas (A3) to (A5) X 1 in the compound the general formula (Xa-1) or (Xb-1) represented -SO 3 H hydrogen atoms of the acid is taken as to be able to include the compounds bound as the monovalent group that .

上記一般式(A1)において、R201、R202及びR203は、各々独立に有機基を表す。
-は一般式(X)のスルホン酸の−SO3Hの水素原子がとれたスルホン酸アニオンを表す。
201、R202及びR203としての有機基の炭素数は、一般的に1〜30、好ましくは1〜20である。
また、R201〜R203のうち2つが結合して環構造を形成してもよく、環内に酸素原子、硫黄原子、エステル結合、アミド結合又はカルボニル基を含んでいてもよい。
201〜R203の内の2つが結合して形成する基としては、アルキレン基(例えば、ブチレン基、ペンチレン基)を挙げることができる。
201、R202及びR203としての有機基の具体例としては、後述する化合物(A1a)、(A1b)、及び(A1c)における対応する基を挙げることができる。
In the general formula (A1), R 201 , R 202 and R 203 each independently represents an organic group.
X - represents a general formula -SO 3 H sulfonate anion resulting from removal of the hydrogen atom of the sulfonic acid (X).
The carbon number of the organic group as R 201 , R 202 and R 203 is generally 1-30, preferably 1-20.
It is also possible to form the two members ring structure of R 201 to R 203, an oxygen atom, a sulfur atom, an ester bond, or an amide bond or a carbonyl group.
The two of the group formed by bonding of the R 201 to R 203, there can be mentioned an alkylene group (e.g., butylene, pentylene).
Specific examples of the organic group as R 201 , R 202 and R 203 include corresponding groups in the compounds (A1a), (A1b) and (A1c) described later.

尚、一般式(A1)で表される構造を複数有する化合物であってもよい。例えば、一般式(A1)で表される化合物のR201〜R203の少なくともひとつが、一般式(A1)で表されるもうひとつの化合物のR201〜R203の少なくともひとつと結合した構造を有する化合物であってもよい。
更に好ましい(A1)成分として、以下に説明する化合物(A1a)、(A1b)、及び(A1c)を挙げることができる。
In addition, the compound which has two or more structures represented by general formula (A1) may be sufficient. For example, the general formula at least one of R 201 to R 203 of a compound represented by (A1) is at least one bond with structure of R 201 to R 203 of another compound represented by formula (A1) It may be a compound.
More preferred components (A1) include compounds (A1a), (A1b), and (A1c) described below.

化合物(A1a)は、上記一般式(A1)のR201〜R203の少なくとも1つがアリール基である、アリールスルホニム化合物、即ち、アリールスルホニウムをカチオンとする化合物である。
アリールスルホニウム化合物は、R201〜R203の全てがアリール基でもよいし、R201〜R203の一部がアリール基で、残りがアルキル基又はシクロアルキル基でもよい。
アリールスルホニウム化合物としては、例えば、トリアリールスルホニウム化合物、ジアリールアルキルスルホニウム化合物、アリールジアルキルスルホニウム化合物、また、これらの化合物におけるアルキル基がシクロアルキル基である化合物を挙げることができる。
アリールスルホニウム化合物のアリール基としてはフェニル基、ナフチル基が好ましく、更に好ましくはフェニル基である。アリールスルホニム化合物が2つ以上のアリール基を有する場合に、2つ以上あるアリール基は同一であっても異なっていてもよい。
アリールスルホニウム化合物が必要に応じて有しているアルキル基又はシクロアルキル基は、炭素数1〜15の直鎖又は分岐アルキル基又は炭素数3〜15のシクロアルキル基が好ましく、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、n−ブチル基、sec−ブチル基、t−ブチル基、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロヘキシル基等を挙げることができる。
Compound (A1a) is at least one of the aryl groups R 201 to R 203 in formula (A1), arylsulfonium compound, i.e., a compound having arylsulfonium as a cation.
In the arylsulfonium compound, all of R 201 to R 203 may be an aryl group, or a part of R 201 to R 203 may be an aryl group with the remaining being an alkyl group or a cycloalkyl group.
Examples of the arylsulfonium compounds include triarylsulfonium compounds, diarylalkylsulfonium compounds, aryldialkylsulfonium compounds, and compounds in which the alkyl group in these compounds is a cycloalkyl group.
The aryl group of the arylsulfonium compound is preferably a phenyl group or a naphthyl group, and more preferably a phenyl group. When the arylsulfonium compound has two or more aryl groups, the two or more aryl groups may be the same or different.
The alkyl group or cycloalkyl group that the arylsulfonium compound has as necessary is preferably a linear or branched alkyl group having 1 to 15 carbon atoms or a cycloalkyl group having 3 to 15 carbon atoms, such as a methyl group, Examples thereof include an ethyl group, a propyl group, an n-butyl group, a sec-butyl group, a t-butyl group, a cyclopropyl group, a cyclobutyl group, and a cyclohexyl group.

201〜R203のアリール基、アルキル基、シクロアルキル基が有してもよい置換基としては、シクロアルキル基(例えば炭素数3〜15)、アリール基(例えば炭素数6〜14)、アルコキシ基(例えば炭素数1〜15)、ハロゲン原子、水酸基、フェニルチオ基などを挙げることができる。また、各基におけるアリール環、シクロ環などの環状構造については、置換基として更にアルキル基(例えば炭素数1〜15)を挙げることができる。 Aryl group R 201 to R 203, an alkyl group, the cycloalkyl group substituent which may be possessed by, a cycloalkyl group (for example, 3 to 15 carbon atoms), an aryl group (for example, 6 to 14 carbon atoms), alkoxy Examples thereof include a group (for example, having 1 to 15 carbon atoms), a halogen atom, a hydroxyl group, and a phenylthio group. Moreover, about cyclic structures, such as an aryl ring and a cyclo ring in each group, an alkyl group (for example, C1-C15) can be further mentioned as a substituent.

好ましい置換基としては炭素数1〜12の直鎖又は分岐アルキル基、炭素数3〜12のシクロアルキル基、炭素数1〜12の直鎖、分岐又は環状のアルコキシ基であり、最も好ましくは炭素数1〜4のアルキル基、炭素数1〜4のアルコキシ基である。置換基は、3つのR201〜R203のうちのいずれか1つに置換していてもよいし、3つ全てに置換していてもよい。また、アリール基については、さらに置換基としてアルキル基(例えば炭素数1〜15)を挙げることができる。また、置換基はアリール基のp−位に置換していることが好ましい。 Preferred substituents are linear or branched alkyl groups having 1 to 12 carbon atoms, cycloalkyl groups having 3 to 12 carbon atoms, and linear, branched or cyclic alkoxy groups having 1 to 12 carbon atoms, most preferably carbon. These are an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms and an alkoxy group having 1 to 4 carbon atoms. The substituent may be substituted with any one of the three R 201 to R 203 , or may be substituted with all three. Moreover, about an aryl group, an alkyl group (for example, C1-C15) can be mentioned as a substituent further. The substituent is preferably substituted at the p-position of the aryl group.

次に、化合物(A1b)について説明する。
化合物(A1b)は、式(A1)におけるR201〜R203が、各々独立に、芳香環を含有しない有機基を表す場合の化合物である。ここで芳香環とは、ヘテロ原子を含有する芳香族環も包含するものである。
201〜R203としての芳香環を含有しない有機基は、一般的に炭素数1〜30、好ましくは炭素数1〜20である。
201〜R203は、各々独立に、好ましくはアルキル基(置換アルキル基として特にアルコキシカルボニルメチル基)、シクロアルキル基、鎖中に2重結合を有していてもよい直鎖、分岐、環状オキソアルキル基、アリル基、ビニル基であり、更に好ましくは直鎖、分岐、環状2−オキソアルキル基、最も好ましくは直鎖、分岐2−オキソアルキル基である。
201〜R203としてのアルキル基は、直鎖、分岐のいずれであってもよく、好ましくは、炭素数1〜20の直鎖又は分岐アルキル基(例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基)である。
201〜R203としてのシクロアルキル基は、好ましくは炭素数3〜10のシクロアルキル基(シクロペンチル基、シクロヘキシル基、ノルボニル基)を挙げることができる。
Next, the compound (A1b) will be described.
Compound (A1b) is a compound in the case where R 201 to R 203 in formula (A1) each independently represents an organic group containing no aromatic ring. Here, the aromatic ring includes an aromatic ring containing a hetero atom.
The organic group having no aromatic ring as R 201 to R 203 generally has 1 to 30 carbon atoms, preferably 1 to 20 carbon atoms.
R 201 to R 203 are each independently preferably an alkyl group (particularly an alkoxycarbonylmethyl group as a substituted alkyl group), a cycloalkyl group, a linear, branched or cyclic group which may have a double bond in the chain. It is an oxoalkyl group, an allyl group or a vinyl group, more preferably a linear, branched or cyclic 2-oxoalkyl group, and most preferably a linear or branched 2-oxoalkyl group.
The alkyl group as R 201 to R 203 may be either linear or branched, and is preferably a linear or branched alkyl group having 1 to 20 carbon atoms (for example, a methyl group, an ethyl group, a propyl group, Butyl group, pentyl group).
The cycloalkyl group as R 201 to R 203 may preferably be mentioned a cycloalkyl group having 3 to 10 carbon atoms (e.g., cyclopentyl, cyclohexyl, norbornyl).

201〜R203としての2−オキソアルキル基は、直鎖、分岐、環状のいずれであってもよく、好ましくは、上記のアルキル基の2位に>C=Oを有する基を挙げることができる。
201〜R203の置換アルキル基としてのアルコキシカルボニルメチル基におけるアルコキシ基としては、好ましくは炭素数1〜5のアルキル基(メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基)を挙げることができる。
201〜R203としての各基は、ハロゲン原子、アルコキシ基(例えば炭素数1〜5)、水酸基、シアノ基、ニトロ基等によって置換されていてもよい。
201〜R203のうち2つが結合して環構造を形成してもよく、環内に酸素原子、硫黄原子、エステル結合、アミド結合、カルボニル基を含んでいてもよい。R201〜R203の内の2つが結合して形成する基としては、アルキレン基(例えば、ブチレン基、ペンチレン基)を挙げることができる。
The 2-oxoalkyl group as R 201 to R 203 may be linear, branched or cyclic, and preferably includes a group having> C═O at the 2-position of the above alkyl group. it can.
The alkoxy group in the alkoxycarbonylmethyl group as the substituted alkyl group for R 201 to R 203 is preferably an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms (methyl group, ethyl group, propyl group, butyl group, pentyl group). Can do.
Each group as R 201 to R 203 is a halogen atom, an alkoxy group (for example, 1 to 5 carbon atoms), a hydroxyl group, a cyano group, may be substituted by nitro group.
Two members out of R 201 to R 203 may combine to form a ring structure, and the ring may contain an oxygen atom, a sulfur atom, an ester bond, an amide bond, or a carbonyl group. The two of the group formed by bonding of the R 201 to R 203, there can be mentioned an alkylene group (e.g., butylene, pentylene).

化合物(A1c)とは、以下の一般式(A1c)で表される化合物であり、アリールアシルスルフォニウム塩構造を有する化合物である。   The compound (A1c) is a compound represented by the following general formula (A1c), and is a compound having an arylacylsulfonium salt structure.

213はアリール基を表し、置換基を有していてもよく、好ましくはフェニル基又はナフチル基である。R213のアリール基が有してもよい置換基としては、例えば、アルキル基、アルコキシ基、アシル基、ニトロ基、水酸基、アルコキシカルボニル基、カルボキシ基が挙げられる。
214及びR215は、水素原子、アルキル基又はシクロアルキル基を表す。
201及びY202は、各々独立に、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基又はビニル基を表す。
R213 represents an aryl group, which may have a substituent, and is preferably a phenyl group or a naphthyl group. Examples of the substituent which may be possessed by the aryl group R 213, e.g., an alkyl group, an alkoxy group, an acyl group, a nitro group, a hydroxyl group, an alkoxycarbonyl group and a carboxy group.
R 214 and R 215 represents a hydrogen atom, an alkyl group or a cycloalkyl group.
Y 201 and Y 202 each independently represents an alkyl group, a cycloalkyl group, an aryl group or a vinyl group.

213とR214は結合して環構造を形成しても良く、R214とR215は結合して環構造を形成しても良く、Y201とY202は、それぞれ結合して環構造を形成しても良い。これらの環構造は、酸素原子、硫黄原子、エステル結合、アミド結合を含んでいてもよい。
201及びY202としてのアルキル基は、置換基を有していてもよく、アルキレン鎖中にオキソ基を有していてもよく、炭素数1〜20の直鎖又は分岐アルキル(例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、n−ブチル基、sec−ブチル基、t−ブチル基)が好ましい。
置換基を有するアルキル基としては、アルコキシカルボニルアルキル基、カルボキシアルキル基を挙げることができ、オキソ基を有するアルキル基としては、
2−オキソアルキル基を挙げることができる。
R 213 and R 214 may combine to form a ring structure, R 214 and R 215 may combine to form a ring structure, and Y 201 and Y 202 each combine to form a ring structure. It may be formed. These ring structures may contain an oxygen atom, a sulfur atom, an ester bond, or an amide bond.
The alkyl group as Y 201 and Y 202 may have a substituent, may have an oxo group in the alkylene chain, and is a linear or branched alkyl group having 1 to 20 carbon atoms (for example, (Methyl group, ethyl group, propyl group, n-butyl group, sec-butyl group, t-butyl group) are preferred.
Examples of the alkyl group having a substituent include an alkoxycarbonylalkyl group and a carboxyalkyl group. As the alkyl group having an oxo group,
A 2-oxoalkyl group can be mentioned.

2−オキソアルキル基は、アルキル基の2位に>C=Oを有する基を挙げることができる。
アルコキシカルボニルアルキル基におけるアルコキシカルボニル基については、炭素数2〜20アルコキシカルボニル基が好ましい。
Examples of the 2-oxoalkyl group include a group having> C═O at the 2-position of the alkyl group.
The alkoxycarbonyl group in the alkoxycarbonylalkyl group is preferably an alkoxycarbonyl group having 2 to 20 carbon atoms.

201及びY202としてのシクロアルキル基は、炭素数3〜20のシクロアルキル基(例えば、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロヘキシル基)が好ましく、上記アルキル基と同様に、置換基を有していてもよく、アルキレン鎖中にオキソ基を有していてもよい。 The cycloalkyl group as Y 201 and Y 202 is preferably a cycloalkyl group having 3 to 20 carbon atoms (for example, a cyclopropyl group, a cyclobutyl group, a cyclohexyl group), and has a substituent similarly to the above alkyl group. The alkylene chain may have an oxo group.

201及びY202としてのアリール基はフェニル基、ナフチル基が好ましく、更に好ましくはフェニル基である。 The aryl group as Y 201 and Y 202 is preferably a phenyl group or a naphthyl group, more preferably a phenyl group.

201及びY202が結合して形成する基としては、ブチレン基、ペンチレン基等を挙げることができる。 Examples of the group formed by combining Y 201 and Y 202 include a butylene group and a pentylene group.

214、R215、Y201及びY202としての各基は、置換基を有していてもよく、置換基としては、例えば、アリール基(例えば炭素数6〜15)、アルコキシ基(例えば炭素数1〜15)、ハロゲン原子、水酸基、フェニルチオ基等を挙げることができる。また、各基におけるアリール環、シクロ環などの環状構造については、置換基として更にアルキル基(例えば炭素数1〜15)を挙げることができる。 Each group as R 214 , R 215 , Y 201 and Y 202 may have a substituent, and examples of the substituent include an aryl group (for example, 6 to 15 carbon atoms), an alkoxy group (for example, carbon Mathematical formulas 1 to 15), halogen atoms, hydroxyl groups, phenylthio groups and the like. Moreover, about cyclic structures, such as an aryl ring and a cyclo ring in each group, an alkyl group (for example, C1-C15) can be further mentioned as a substituent.

201及びY202は、好ましくは炭素数4個以上のアルキル基又はシクロアルキル基であり、より好ましくは4から16、更に好ましくは4から12のアルキル基又はシクロアルキル基である。
また、R214または215の少なくとも1つはアルキル基又はシクロアルキル基であることが好ましく、更に好ましくはR214、R215の両方がアルキル基又はシクロアルキル基である。
Y 201 and Y 202 are preferably an alkyl group or cycloalkyl group having 4 or more carbon atoms, more preferably an alkyl group or cycloalkyl group having 4 to 16, and more preferably 4 to 12.
Further, at least one of R 214 or 215 is preferably an alkyl group or a cycloalkyl group, and more preferably both R 214 and R 215 are an alkyl group or a cycloalkyl group.

一般式(A2)中、R204及びR205は、各々独立に、アリール基、アルキル基又はシクロアルキル基を表す。
204及びR205のアリール基としてはフェニル基、ナフチル基が好ましく、更に好ましくはフェニル基である。
204及びR205としてのアルキル基及びシクロアルキル基としては、好ましくは、炭素数1〜10の直鎖又は分岐アルキル基(例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基)、炭素数3〜10のシクロアルキル基(シクロペンチル基、シクロヘキシル基、ノルボニル基)を挙げることができる。
In general formula (A2), R204 and R205 each independently represents an aryl group, an alkyl group, or a cycloalkyl group.
The aryl group for R 204 and R 205 is preferably a phenyl group or a naphthyl group, more preferably a phenyl group.
The alkyl group and cycloalkyl group as R 204 and R 205, preferably a linear or branched alkyl group having 1 to 10 carbon atoms (e.g., methyl group, ethyl group, propyl group, butyl group, pentyl group), Examples thereof include a cycloalkyl group having 3 to 10 carbon atoms (cyclopentyl group, cyclohexyl group, norbornyl group).

一般式(A3)中、
Aは、アルキレン基、アルケニレン基又はアリーレン基を表す。
1は一般式(X)のスルホン酸の−SO3Hの水素原子がとれて1価の基となったものを表す。
In general formula (A3),
A represents an alkylene group, an alkenylene group or an arylene group.
X 1 represents a monovalent group by removing the —SO 3 H hydrogen atom of the sulfonic acid of the general formula (X).

式(A4)中、
208はアルキル基、シクロアルキル基又はアリール基を表す。
209はアルキル基、シクロアルキル基、シアノ基又はアルコキシカルボニル基を表し、好ましくはハロゲン置換アルキル基もしくはシクロアルキル基、又はシアノ基である。
In formula (A4),
R 208 represents an alkyl group, a cycloalkyl group, or an aryl group.
R 209 represents an alkyl group, a cycloalkyl group, a cyano group or an alkoxycarbonyl group, preferably a halogen-substituted alkyl group, a cycloalkyl group or a cyano group.

209としてのアルキル基及びシクロアルキル基は、アルキレン鎖中にオキソ基を有するオキソアルキル基であってもよい。 The alkyl group and cycloalkyl group as R 209 may be an oxoalkyl group having an oxo group in the alkylene chain.

式(A5)中、
210及びR211は、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、シアノ基、ニトロ基又はアルコキシカルボニル基を表し、好ましくはハロゲン置換アルキル基もしくはシクロアルキル基、ニトロ基又はシアノ基である。
In formula (A5),
R 210 and R 211 represent a hydrogen atom, an alkyl group, a cycloalkyl group, a cyano group, a nitro group or an alkoxycarbonyl group, and preferably a halogen-substituted alkyl group, a cycloalkyl group, a nitro group or a cyano group.

212は水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、シアノ基又はアルコキシカルボニル基を表す。 R212 represents a hydrogen atom, an alkyl group, a cycloalkyl group, a cyano group or an alkoxycarbonyl group.

上記一般式(A2)〜(A5)における各基は、置換基を有していてもよく、置換基としては、例えば、アリール基(例えば炭素数6〜15)、アルコキシ基(例えば炭素数1〜15)、ハロゲン原子、水酸基、フェニルチオ基等を挙げることができる。また、各基におけるアリール環、シクロ環などの環状構造については、置換基として更にアルキル基(例えば炭素数1〜15)を挙げることができる。   Each group in the general formulas (A2) to (A5) may have a substituent. Examples of the substituent include an aryl group (for example, 6 to 15 carbon atoms) and an alkoxy group (for example, 1 carbon atom). -15), halogen atoms, hydroxyl groups, phenylthio groups and the like. Moreover, about cyclic structures, such as an aryl ring and a cyclo ring in each group, an alkyl group (for example, C1-C15) can be further mentioned as a substituent.

好ましくは、一般式(A1)で表される化合物であり、更に好ましくは一般式(A1a)〜(A1c)で表される化合物である。   Preferably, it is a compound represented by general formula (A1), More preferably, it is a compound represented by general formula (A1a)-(A1c).

好ましい(A)成分の具体例を以下に挙げる。   Specific examples of the preferred component (A) are given below.

より好ましい(A)成分を以下に挙げる。   More preferred components (A) are listed below.

(A)成分の化合物は一般式(X)で表されるスルホン酸の誘導体を合成した後、オニウムハライドあるいはオニウムカルボキシレートなどと塩交換あるいは水酸基含有化合物とエステル化することによって合成できる。一般式(X)で表されるスルホン酸の誘導体は、例えばTetrahedron Vol.50,No.35,(1994) ,p10459などに記載の方法を用いヨウ素置換スルホン酸誘導体とオレフィン化合物をパラジウム化合物または3級ホスフィン化合物またはハイドロサルファイト塩またはパーオキソ硫酸塩などを用いてラジカルカップリングし、必要に応じて亜鉛、テトラフェニルジシラン、トリブチルチンヒドリドなどで還元することにより合成することができる。   The compound of the component (A) can be synthesized by synthesizing a sulfonic acid derivative represented by the general formula (X) and then salt-exchange with onium halide or onium carboxylate or esterifying with a hydroxyl group-containing compound. The derivative of the sulfonic acid represented by the general formula (X) can be prepared by using, for example, a method described in Tetrahedron Vol. 50, No. 35, (1994), p10459, etc. It can be synthesized by radical coupling using a secondary phosphine compound, hydrosulfite salt or peroxosulfate, and reducing with zinc, tetraphenyldisilane, tributyltin hydride or the like, if necessary.

(A)成分の化合物は、1種単独で又は2種以上を組み合わせて使用することができる。
(A)成分の化合物の本発明の感光性組成物中の含量は、組成物の固形分を基準として、0.1〜20質量%が好ましく、より好ましくは0.5〜10質量%、更に好ましくは1〜7質量%である。
(A) The compound of a component can be used individually by 1 type or in combination of 2 or more types.
The content of the compound (A) in the photosensitive composition of the present invention is preferably 0.1 to 20% by mass, more preferably 0.5 to 10% by mass, based on the solid content of the composition. Preferably it is 1-7 mass%.

(併用酸発生剤)
本発明においては、(A)成分以外に、活性光線又は放射線の照射により分解して酸を発生する化合物を更に併用してもよい。
(Combination acid generator)
In the present invention, in addition to the component (A), a compound that decomposes upon irradiation with actinic rays or radiation to generate an acid may be used in combination.

併用しうる光酸発生剤の使用量は、モル比((A)成分/その他の酸発生剤)で、通常100/0〜20/80、好ましくは100/0〜40/60、更に好ましくは100/0〜50/50である。   The amount of the photoacid generator that can be used in combination is usually 100/0 to 20/80, preferably 100/0 to 40/60, and more preferably in molar ratio (component (A) / other acid generator). 100/0 to 50/50.

そのような併用可能な光酸発生剤としては、光カチオン重合の光開始剤、光ラジカル重合の光開始剤、色素類の光消色剤、光変色剤、あるいはマイクロレジスト等に使用されている活性光線又は放射線の照射により酸を発生する公知の化合物及びそれらの混合物を適宜に選択して使用することができる。   As such photoacid generators that can be used in combination, they are used in photocationic photoinitiators, photoinitiators of radical photopolymerization, photodecolorants of dyes, photochromic agents, or microresists. Known compounds that generate acids upon irradiation with actinic rays or radiation and mixtures thereof can be appropriately selected and used.

たとえば、ジアゾニウム塩、ホスホニウム塩、スルホニウム塩、ヨードニウム塩、イミドスルホネート、オキシムスルホネート、ジアゾジスルホン、ジスルホン、o−ニトロベンジルスルホネートを挙げることができる。   Examples thereof include diazonium salts, phosphonium salts, sulfonium salts, iodonium salts, imide sulfonates, oxime sulfonates, diazodisulfones, disulfones, and o-nitrobenzyl sulfonates.

また、これらの活性光線又は放射線の照射により酸を発生する基、あるいは化合物をポリマーの主鎖又は側鎖に導入した化合物、たとえば、米国特許第3,849,137号、独国特許第3914407号、特開昭63−26653号、特開昭55−164824号、特開昭62−69263号、特開昭63−146038号、特開昭63−163452号、特開昭62−153853号、特開昭63−146029号等に記載の化合物を用いることができる。   Further, a group that generates an acid upon irradiation with these actinic rays or radiation, or a compound in which a compound is introduced into the main chain or side chain of the polymer, for example, US Pat. No. 3,849,137, German Patent No. 3914407. JP, 63-26653, JP, 55-164824, JP, 62-69263, JP, 63-146038, JP, 63-163452, JP, 62-153853, The compounds described in JP-A 63-146029 can be used.

さらに米国特許第3,779,778号、欧州特許第126,712号等に記載の光により酸を発生する化合物も使用することができる。   Furthermore, compounds capable of generating an acid by light described in US Pat. No. 3,779,778, European Patent 126,712 and the like can also be used.

併用してもよい活性光線又は放射線の照射により分解して酸を発生する化合物の内で好ましい化合物として、下記一般式(ZI)、(ZII)、(ZIII)で表される化合物を挙げることができる。   Among the compounds that can be used in combination and decompose upon irradiation with actinic rays or radiation to generate an acid, compounds represented by the following general formulas (ZI), (ZII), and (ZIII) are mentioned. it can.

上記一般式(ZI)において、R301、R302及びR303は、各々独立に有機基を表す。
301、R302及びR303としての有機基の炭素数は、一般的に1〜30、好ましくは1〜20である。
また、R301、R302及びR303のうち2つが結合して環構造を形成してもよく、環内に酸素原子、硫黄原子、エステル結合、アミド結合、カルボニル基を含んでいてもよい。
301、R302及びR303の内の2つが結合して形成する基としては、アルキレン基(例えば、ブチレン基、ペンチレン基)を挙げることができる。
-は、非求核性アニオンを表す。
In the general formula (ZI), R 301 , R 302 and R 303 each independently represents an organic group.
The organic group as R 301 , R 302 and R 303 generally has 1 to 30 carbon atoms, preferably 1 to 20 carbon atoms.
Two of R 301 , R 302 and R 303 may be bonded to form a ring structure, and the ring may contain an oxygen atom, a sulfur atom, an ester bond, an amide bond or a carbonyl group.
Examples of the group formed by combining two of R 301 , R 302, and R 303 include an alkylene group (eg, butylene group, pentylene group).
Z represents a non-nucleophilic anion.

-としての非求核性アニオンとしては、例えば、スルホン酸アニオン、カルボン酸アニオン、スルホニルイミドアニオン、ビス(アルキルスルホニル)イミドアニオン、トリス(アルキルスルホニル)メチルアニオン等を挙げることができる。 Examples of the non-nucleophilic anion as Z include a sulfonate anion, a carboxylate anion, a sulfonylimide anion, a bis (alkylsulfonyl) imide anion, and a tris (alkylsulfonyl) methyl anion.

非求核性アニオンとは、求核反応を起こす能力が著しく低いアニオンであり、分子内求核反応による経時分解を抑制することができるアニオンである。これによりレジストの経時安定性が向上する。   A non-nucleophilic anion is an anion that has an extremely low ability to cause a nucleophilic reaction, and is an anion that can suppress degradation over time due to an intramolecular nucleophilic reaction. This improves the temporal stability of the resist.

スルホン酸アニオンとしては、例えば、アルキルスルホン酸アニオン、アリールスルホン酸アニオン、カンファースルホン酸アニオンなどが挙げられる。   Examples of the sulfonate anion include an alkyl sulfonate anion, an aryl sulfonate anion, and a camphor sulfonate anion.

カルボン酸アニオンとしては、例えば、アルキルカルボン酸アニオン、アリールカルボン酸アニオン、アラルキルカルボン酸アニオンなどが挙げられる。   Examples of the carboxylate anion include an alkylcarboxylate anion, an arylcarboxylate anion, and an aralkylcarboxylate anion.

アルキルスルホン酸アニオンにおけるアルキル部位はアルキル基であってもシクロアルキル基であってもよく、好ましくは炭素数1〜30のアルキル基及び炭素数3〜30のシクロアルキル基、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、イソブチル基、sec−ブチル基、ペンチル基、ネオペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ウンデシル基、ドデシル基、トリデシル基、テトラデシル基、ペンタデシル基、ヘキサデシル基、ヘプタデシル基、オクタデシル基、ノナデシル基、エイコシル基、シクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、アダマンチル基、ノルボニル基、ボロニル基等を挙げることができる。   The alkyl moiety in the alkyl sulfonate anion may be an alkyl group or a cycloalkyl group, and preferably an alkyl group having 1 to 30 carbon atoms and a cycloalkyl group having 3 to 30 carbon atoms, such as a methyl group or an ethyl group. Group, propyl group, isopropyl group, n-butyl group, isobutyl group, sec-butyl group, pentyl group, neopentyl group, hexyl group, heptyl group, octyl group, nonyl group, decyl group, undecyl group, dodecyl group, tridecyl group Tetradecyl group, pentadecyl group, hexadecyl group, heptadecyl group, octadecyl group, nonadecyl group, eicosyl group, cyclopropyl group, cyclopentyl group, cyclohexyl group, adamantyl group, norbornyl group, boronyl group and the like.

アリールスルホン酸アニオンにおけるアリール基としては、好ましくは炭素数6〜14のアリール基、例えば、フェニル基、トリル基、ナフチル基等を挙げることができる。   The aryl group in the aryl sulfonate anion is preferably an aryl group having 6 to 14 carbon atoms, such as a phenyl group, a tolyl group, and a naphthyl group.

上記アルキルスルホン酸アニオン及びアリールスルホン酸アニオンにおけるアルキル基、シクロアルキル基及びアリール基は、置換基を有していてもよい。   The alkyl group, cycloalkyl group, and aryl group in the alkyl sulfonate anion and aryl sulfonate anion may have a substituent.

このような置換基としては、例えば、ニトロ基、ハロゲン原子(フッ素原子、塩素原子、臭素原子、沃素原子)、カルボキシル基、水酸基、アミノ基、シアノ基、アルコキシ基(好ましくは炭素数1〜5)、シクロアルキル基(好ましくは炭素数3〜15)、アリール基(好ましくは炭素数6〜14)、アルコキシカルボニル基(好ましくは炭素数2〜7)、アシル基(好ましくは炭素数2〜12)、アルコキシカルボニルオキシ基(好ましくは炭素数2〜7)等を挙げることができる。各基が有するアリール基及び環構造については、置換基としてさらにアルキル基(好ましくは炭素数1〜15)を挙げることができる。   Examples of such substituents include nitro groups, halogen atoms (fluorine atoms, chlorine atoms, bromine atoms, iodine atoms), carboxyl groups, hydroxyl groups, amino groups, cyano groups, and alkoxy groups (preferably having 1 to 5 carbon atoms). ), A cycloalkyl group (preferably 3 to 15 carbon atoms), an aryl group (preferably 6 to 14 carbon atoms), an alkoxycarbonyl group (preferably 2 to 7 carbon atoms), an acyl group (preferably 2 to 12 carbon atoms). ), An alkoxycarbonyloxy group (preferably having 2 to 7 carbon atoms), and the like. About the aryl group and ring structure which each group has, an alkyl group (preferably C1-C15) can further be mentioned as a substituent.

アルキルカルボン酸アニオンにおけるアルキル部位としては、アルキルスルホン酸アニオンにおけるアルキル基及びシクロアルキル基と同様のものを挙げることができる。   Examples of the alkyl moiety in the alkylcarboxylate anion include those similar to the alkyl group and cycloalkyl group in the alkylsulfonate anion.

アリールカルボン酸アニオンにおけるアリール基としては、アリールスルホン酸アニオンにおけるアリール基と同様のものを挙げることができる。   Examples of the aryl group in the arylcarboxylate anion include the same aryl groups as in the arylsulfonate anion.

アラルキルカルボン酸アニオンにおけるアラルキル基としては、好ましくは炭素数6〜12のアラルキル基、例えば、ベンジル基、フェネチル基、ナフチルメチル基、ナフチルエチル基、ナフチルメチル基等を挙げることができる。   The aralkyl group in the aralkyl carboxylate anion is preferably an aralkyl group having 6 to 12 carbon atoms, such as a benzyl group, a phenethyl group, a naphthylmethyl group, a naphthylethyl group, and a naphthylmethyl group.

上記アルキルカルボン酸アニオン、アリールカルボン酸アニオン及びアラルキルカルボン酸アニオンにおけるアルキル基、シクロアルキル基、アリール基及びアラルキル基は置換基を有していてもよく、置換基としては、例えば、アリールスルホン酸アニオンにおけると同様のハロゲン原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基等を挙げることができる。   The alkyl group, cycloalkyl group, aryl group and aralkyl group in the alkylcarboxylate anion, arylcarboxylate anion and aralkylcarboxylate anion may have a substituent. Examples of the substituent include an arylsulfonate anion. And the same halogen atom, alkyl group, cycloalkyl group, alkoxy group, alkylthio group and the like as in.

スルホニルイミドアニオンとしては、例えば、サッカリンアニオンを挙げることができる。   Examples of the sulfonylimide anion include saccharin anion.

ビス(アルキルスルホニル)イミドアニオン、トリス(アルキルスルホニル)メチルアニオンにおけるアルキル基は、炭素数1〜5のアルキル基が好ましく、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、イソブチル基、sec−ブチル基、ペンチル基、ネオペンチル基等を挙げることができる。これらのアルキル基は、置換基を有していてもよく、置換基としてはハロゲン原子、ハロゲン原子で置換されたアルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基等を挙げることができ、フッ素原子で置換されたアルキル基が好ましい。   The alkyl group in the bis (alkylsulfonyl) imide anion and tris (alkylsulfonyl) methyl anion is preferably an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, such as a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an isopropyl group, an n-butyl group, An isobutyl group, a sec-butyl group, a pentyl group, a neopentyl group, and the like can be given. These alkyl groups may have a substituent, and examples of the substituent include a halogen atom, an alkyl group substituted with a halogen atom, an alkoxy group, an alkylthio group, and the like, which are substituted with a fluorine atom. Alkyl groups are preferred.

その他の非求核性アニオンとしては、例えば、弗素化燐、弗素化硼素、弗素化アンチモン等を挙げることができる。   Examples of other non-nucleophilic anions include fluorinated phosphorus, fluorinated boron, and fluorinated antimony.

-の非求核性アニオンとしては、スルホン酸のα位がフッ素原子で置換されたアルカンスルホン酸アニオン、フッ素原子又はフッ素原子を有する基で置換されたアリールスルホン酸アニオン、アルキル基がフッ素原子で置換されたビス(アルキルスルホニル)イミドアニオン、アルキル基がフッ素原子で置換されたトリス(アルキルスルホニル)メチドアニオンが好ましい。非求核性アニオンとして、特に好ましくは炭素数4〜8のパーフロロアルカンスルホン酸アニオン、フッ素原子を有するベンゼンスルホン酸アニオン、最も好ましくはノナフロロブタンスルホン酸アニオン、パーフロロオクタンスルホン酸アニオン、ペンタフロロベンゼンスルホン酸アニオン、3,5−ビス(トリフロロメチル)ベンゼンスルホン酸アニオンである。 Examples of the non-nucleophilic anion of Z include an alkanesulfonic acid anion in which the α-position of the sulfonic acid is substituted with a fluorine atom, an arylsulfonic acid anion substituted with a fluorine atom or a group having a fluorine atom, and an alkyl group having a fluorine atom And a tris (alkylsulfonyl) methide anion in which the alkyl group is substituted with a fluorine atom. The non-nucleophilic anion is particularly preferably a perfluoroalkanesulfonic acid anion having 4 to 8 carbon atoms, a benzenesulfonic acid anion having a fluorine atom, most preferably nonafluorobutanesulfonic acid anion, perfluorooctanesulfonic acid anion, penta Fluorobenzenesulfonate anion, 3,5-bis (trifluoromethyl) benzenesulfonate anion.

301、R302及びR303としての有機基の具体例としては、後述する化合物(Z1−1)、(Z1−2)、(Z1−3)における対応する基を挙げることができる。 Specific examples of the organic group as R 301 , R 302 and R 303 include corresponding groups in the compounds (Z1-1), (Z1-2) and (Z1-3) described later.

尚、一般式(ZI)で表される構造を複数有する化合物であってもよい。例えば、一般式(ZI)で表される化合物のR301、R302及びR303の少なくともひとつが、一般式(ZI)で表されるもうひとつの化合物のR301、R302及びR303の少なくともひとつと結合した構造を有する化合物であってもよい。 In addition, the compound which has two or more structures represented by general formula (ZI) may be sufficient. For example, at least one of R 301 , R 302 and R 303 of the compound represented by the general formula (ZI) is at least one of R 301 , R 302 and R 303 of the other compound represented by the general formula (ZI). A compound having a structure bonded to one may be used.

更に好ましい(ZI)成分として、以下に説明する化合物(Z1−1)、(Z1−2)、及び(Z1−3)を挙げることができる。   More preferable examples of the (ZI) component include compounds (Z1-1), (Z1-2), and (Z1-3) described below.

化合物(Z1−1)は、上記一般式(ZI)のR301、R302及びR303の少なくとも1つがアリール基である、アリールスルホニム化合物、即ち、アリールスルホニウムをカチオンとする化合物である。 The compound (Z1-1) is an arylsulfonium compound in which at least one of R 301 , R 302 and R 303 in the general formula (ZI) is an aryl group, that is, a compound having arylsulfonium as a cation.

アリールスルホニウム化合物は、R301、R302及びR303の全てがアリール基でもよいし、R201〜R203の一部がアリール基で、残りがアルキル基又はシクロアルキル基でもよい。 In the arylsulfonium compound, all of R 301 , R 302 and R 303 may be an aryl group, or a part of R 201 to R 203 may be an aryl group and the rest may be an alkyl group or a cycloalkyl group.

アリールスルホニウム化合物としては、例えば、トリアリールスルホニウム化合物、ジアリールアルキルスルホニウム化合物、アリールジアルキルスルホニウム化合物を挙げることができる。   Examples of the arylsulfonium compound include a triarylsulfonium compound, a diarylalkylsulfonium compound, and an aryldialkylsulfonium compound.

アリールスルホニウム化合物のアリール基としてはフェニル基、ナフチル基が好ましく、更に好ましくはフェニル基である。アリールスルホニム化合物が2つ以上のアリール基を有する場合に、2つ以上あるアリール基は同一であっても異なっていてもよい。   The aryl group of the arylsulfonium compound is preferably a phenyl group or a naphthyl group, and more preferably a phenyl group. When the arylsulfonium compound has two or more aryl groups, the two or more aryl groups may be the same or different.

アリールスルホニウム化合物が必要に応じて有しているアルキル基又はシクロアルキル基は、炭素数1〜15の直鎖又は分岐アルキル基及び炭素数3〜15のシクロアルキル基が好ましく、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、n−ブチル基、sec−ブチル基、t−ブチル基、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロヘキシル基等を挙げることができる。   The alkyl group or cycloalkyl group that the arylsulfonium compound has as necessary is preferably a linear or branched alkyl group having 1 to 15 carbon atoms and a cycloalkyl group having 3 to 15 carbon atoms, such as a methyl group, Examples thereof include an ethyl group, a propyl group, an n-butyl group, a sec-butyl group, a t-butyl group, a cyclopropyl group, a cyclobutyl group, and a cyclohexyl group.

301〜R303のアリール基、アルキル基、シクロアルキル基は、アルキル基(例えば炭素数1〜15)、シクロアルキル基(例えば炭素数3〜15)、アリール基(例えば炭素数6〜14)、アルコキシ基(例えば炭素数1〜15)、ハロゲン原子、水酸基、フェニルチオ基を置換基として有してもよい。好ましい置換基としては炭素数1〜12の直鎖又は分岐アルキル基、炭素数3〜12のシクロアルキル基、炭素数1〜12の直鎖、分岐又は環状のアルコキシ基であり、最も好ましくは炭素数1〜4のアルキル基、炭素数1〜4のアルコキシ基である。置換基は、3つのR301〜R303のうちのいずれか1つに置換していてもよいし、3つ全てに置換していてもよい。また、R301〜R303がアリール基の場合に、置換基はアリール基のp−位に置換していることが好ましい。 The aryl group, alkyl group, and cycloalkyl group of R 301 to R 303 are an alkyl group (for example, 1 to 15 carbon atoms), a cycloalkyl group (for example, 3 to 15 carbon atoms), an aryl group (for example, 6 to 14 carbon atoms). , An alkoxy group (for example, having 1 to 15 carbon atoms), a halogen atom, a hydroxyl group, or a phenylthio group may be substituted. Preferred substituents are linear or branched alkyl groups having 1 to 12 carbon atoms, cycloalkyl groups having 3 to 12 carbon atoms, and linear, branched or cyclic alkoxy groups having 1 to 12 carbon atoms, most preferably carbon. These are an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms and an alkoxy group having 1 to 4 carbon atoms. The substituent may be substituted with any one of three R 301 to R 303 , or may be substituted with all three. Further, when R 301 to R 303 are an aryl group, the substituent is preferably substituted at the p-position of the aryl group.

次に、化合物(Z1−2)について説明する。
化合物(Z1−2)は、式(ZI)におけるR301〜R303が、各々独立に、芳香環を含有しない有機基を表す場合の化合物である。ここで芳香環とは、ヘテロ原子を含有する芳香族環も包含するものである。
Next, the compound (Z1-2) will be described.
Compound (Z1-2) is a compound in the case where R 301 to R 303 in formula (ZI) each independently represents an organic group containing no aromatic ring. Here, the aromatic ring includes an aromatic ring containing a hetero atom.

301〜R303としての芳香環を含有しない有機基は、一般的に炭素数1〜30、好ましくは炭素数1〜20である。 The organic group not containing an aromatic ring as R 301 to R 303 generally has 1 to 30 carbon atoms, preferably 1 to 20 carbon atoms.

301〜R303は、各々独立に、好ましくはアルキル基、シクロアルキル基、アリル基、ビニル基であり、更に好ましくは直鎖又は分岐の2−オキソアルキル基、2−オキソシクロアルキル基、アルコキシカルボニルメチル基、最も好ましくは直鎖又は分岐2−オキソアルキル基である。 R 301 to R 303 are each independently preferably an alkyl group, a cycloalkyl group, an allyl group, or a vinyl group, more preferably a linear or branched 2-oxoalkyl group, 2-oxocycloalkyl group, alkoxy group. A carbonylmethyl group, most preferably a linear or branched 2-oxoalkyl group.

301〜R303のアルキル基及びシクロアルキル基としては、好ましくは、炭素数1〜10の直鎖又は分岐アルキル基(例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基)、炭素数3〜10のシクロアルキル基(シクロペンチル基、シクロヘキシル基、ノルボニル基)を挙げることができる。アルキル基として、より好ましくは2−オキソアルキル基、アルコキシカルボニルメチル基を挙げることができる。 The alkyl group and cycloalkyl group represented by R 301 to R 303 are preferably a linear or branched alkyl group having 1 to 10 carbon atoms (for example, methyl group, ethyl group, propyl group, butyl group, pentyl group), carbon Examples thereof include cycloalkyl groups of several 3 to 10 (cyclopentyl group, cyclohexyl group, norbornyl group). More preferred examples of the alkyl group include a 2-oxoalkyl group and an alkoxycarbonylmethyl group.

2−オキソアルキル基は、直鎖又は分岐のいずれであってもよく、好ましくは、上記のアルキル基の2位に>C=Oを有する基を挙げることができる。
2−オキソシクロアルキル基は、好ましくは、上記のシクロアルキル基の2位に>C=Oを有する基を挙げることができる。
The 2-oxoalkyl group may be either linear or branched, and a group having> C = O at the 2-position of the above alkyl group is preferable.
The 2-oxocycloalkyl group is preferably a group having> C═O at the 2-position of the cycloalkyl group.

アルコキシカルボニルメチル基におけるアルコキシ基としては、好ましくは炭素数1〜5のアルキル基(メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基)を挙げることができる。   The alkoxy group in the alkoxycarbonylmethyl group is preferably an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms (methyl group, ethyl group, propyl group, butyl group, pentyl group).

301〜R303は、ハロゲン原子、アルコキシ基(例えば炭素数1〜5)、水酸基、シアノ基、ニトロ基によって更に置換されていてもよい。 R 301 to R 303 may be further substituted with a halogen atom, an alkoxy group (eg, having 1 to 5 carbon atoms), a hydroxyl group, a cyano group, or a nitro group.

301〜R303のうち2つが結合して環構造を形成してもよく、環内に酸素原子、硫黄原子、エステル結合、アミド結合、カルボニル基を含んでいてもよい。R301〜R303の内の2つが結合して形成する基としては、アルキレン基(例えば、ブチレン基、ペンチレン基)を挙げることができる。 Two of R 301 to R 303 may be bonded to form a ring structure, and the ring may contain an oxygen atom, a sulfur atom, an ester bond, an amide bond, or a carbonyl group. Examples of the group formed by combining two of R 301 to R 303 include an alkylene group (eg, butylene group, pentylene group).

化合物(Z1−3)とは、以下の一般式(Z1−3)で表される化合物であり、フェナシルスルフォニウム塩構造を有する化合物である。   The compound (Z1-3) is a compound represented by the following general formula (Z1-3), and is a compound having a phenacylsulfonium salt structure.

1c〜R5cは、各々独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基又はハロゲン原子を表す。
6c及びR7cは、水素原子、アルキル基又はシクロアルキル基を表す。
Rx及びRyは、各々独立に、アルキル基、シクロアルキル基、アリル基又はビニル基を表す。
R 1c to R 5c each independently represents a hydrogen atom, an alkyl group, a cycloalkyl group, an alkoxy group or a halogen atom.
R 6c and R 7c represent a hydrogen atom, an alkyl group, or a cycloalkyl group.
Rx and Ry each independently represents an alkyl group, a cycloalkyl group, an allyl group or a vinyl group.

1c〜R5c中のいずれか2つ以上、及びRxとRyは、それぞれ結合して環構造を形成しても良く、この環構造は、酸素原子、硫黄原子、エステル結合、アミド結合を含んでいてもよい。 Any two or more of R 1c to R 5c , and R x and R y may be bonded to each other to form a ring structure, and this ring structure includes an oxygen atom, a sulfur atom, an ester bond, and an amide bond. May be included.

Zc-は、非求核性アニオンを表し、一般式(ZI)に於けるZ-の非求核性アニオンと同様のものを挙げることができる。 Zc represents a non-nucleophilic anion, and examples thereof include the same as the non-nucleophilic anion of Z − in formula (ZI).

1c〜R5cとしてのアルキル基は、直鎖又は分岐のいずれであってもよく、例えば炭素数1〜20個のアルキル基、好ましくは炭素数1〜12個の直鎖及び分岐アルキル基(例えば、メチル基、エチル基、直鎖又は分岐プロピル基、直鎖又は分岐ブチル基、直鎖又は分岐ペンチル基)
シクロアルキル基としては、例えば炭素数3〜8個の環状アルキル基(例えば、シクロペンチル基、シクロヘキシル基)を挙げることができる。
The alkyl group as R 1c to R 5c may be either linear or branched, for example, an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, preferably a linear or branched alkyl group having 1 to 12 carbon atoms ( For example, methyl group, ethyl group, linear or branched propyl group, linear or branched butyl group, linear or branched pentyl group)
Examples of the cycloalkyl group include a cyclic alkyl group having 3 to 8 carbon atoms (for example, a cyclopentyl group and a cyclohexyl group).

1c〜R5cとしてのアルコキシ基は、直鎖、分岐、環状のいずれであってもよく、例えば炭素数1〜10のアルコキシ基、好ましくは、炭素数1〜5の直鎖及び分岐アルコキシ基(例えば、メトキシ基、エトキシ基、直鎖又は分岐プロポキシ基、直鎖又は分岐ブトキシ基、直鎖又は分岐ペントキシ基)、炭素数3〜8の環状アルコキシ基(例えば、シクロペンチルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基)を挙げることができる。 The alkoxy group as R 1c to R 5c may be linear, branched or cyclic, for example, an alkoxy group having 1 to 10 carbon atoms, preferably a linear or branched alkoxy group having 1 to 5 carbon atoms. (For example, methoxy group, ethoxy group, linear or branched propoxy group, linear or branched butoxy group, linear or branched pentoxy group), C3-C8 cyclic alkoxy group (for example, cyclopentyloxy group, cyclohexyloxy group) ).

好ましくはR1c〜R5cのうちいずれかが直鎖又は分岐アルキル基、シクロアルキル基又は直鎖、分岐もしくは環状アルコキシ基であり、更に好ましくはR1cからR5cの炭素数の和が2〜15である。これにより、より溶剤溶解性が向上し、保存時にパーティクルの発生が抑制される。 Preferably, any one of R 1c to R 5c is a linear or branched alkyl group, a cycloalkyl group, or a linear, branched or cyclic alkoxy group, and more preferably the sum of the carbon number of R 1c to R 5c is 2 to 2. 15. Thereby, solvent solubility improves more and generation | occurrence | production of a particle is suppressed at the time of a preservation | save.

x及びRyとしてのアルキル基及びシクロアルキル基は、R1c〜R5cとしてのアルキル基及びシクロアルキル基と同様のものを挙げることができ、2−オキソアルキル基、2−オキソシクロアルキル基、アルコキシカルボニルメチル基がより好ましい。 Examples of the alkyl group and cycloalkyl group as R x and R y include the same alkyl groups and cycloalkyl groups as R 1c to R 5c, such as a 2-oxoalkyl group and a 2-oxocycloalkyl group. An alkoxycarbonylmethyl group is more preferable.

2−オキソアルキル基及び2−オキソシクロアルキル基は、R1c〜R5cとしてのアルキル基及びシクロアルキル基の2位に>C=Oを有する基を挙げることができる。 Examples of the 2-oxoalkyl group and 2-oxocycloalkyl group include a group having> C═O at the 2-position of the alkyl group or cycloalkyl group as R 1c to R 5c .

アルコキシカルボニルメチル基におけるアルコキシ基については、R1c〜R5cとしてのアルコキシ基と同様のものを挙げることができる。 Examples of the alkoxy group in the alkoxycarbonylmethyl group include the same alkoxy groups as R 1c to R 5c .

x及びRyが結合して形成する基としては、ブチレン基、ペンチレン基等を挙げることができる。 Examples of the group formed by combining R x and R y include a butylene group and a pentylene group.

x及びRyは、好ましくは炭素数4個以上のアルキル基又はシクロアルキル基であり、より好ましくは6個以上、更に好ましくは8個以上のアルキル基又はシクロアルキル基である。 R x and R y are preferably an alkyl group or cycloalkyl group having 4 or more carbon atoms, more preferably 6 or more, and still more preferably 8 or more alkyl groups or cycloalkyl groups.

一般式(ZII)、(ZIII)中、R304〜R307は、各々独立に、アリール基、アルキル基又はシクロアルキル基を表す。 In the general formulas (ZII) and (ZIII), R 304 to R 307 each independently represents an aryl group, an alkyl group, or a cycloalkyl group.

304〜R307のアリール基としてはフェニル基、ナフチル基が好ましく、更に好ましくはフェニル基である。 The aryl group of R 304 to R 307 is preferably a phenyl group or a naphthyl group, and more preferably a phenyl group.

304〜R307としてのアルキル基及びシクロアルキル基は、好ましくは、炭素数1〜10の直鎖又は分岐アルキル基(例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基)、炭素数3〜10の環状アルキル基(シクロペンチル基、シクロヘキシル基、ノルボニル基)を挙げることができる。 The alkyl group and cycloalkyl group as R 304 to R 307 are preferably a linear or branched alkyl group having 1 to 10 carbon atoms (for example, methyl group, ethyl group, propyl group, butyl group, pentyl group), carbon A cyclic alkyl group (cyclopentyl group, cyclohexyl group, norbornyl group) of several 3 to 10 can be exemplified.

304〜R307が有していてもよい置換基としては、例えば、アルキル基(例えば炭素数1〜15)、シクロアルキル基(例えば炭素数3〜15)、アリール基(例えば炭素数6〜15)、アルコキシ基(例えば炭素数1〜15)、ハロゲン原子、水酸基、フェニルチオ基等を挙げることができる。 Examples of the substituent that R 304 to R 307 may have include, for example, an alkyl group (for example, 1 to 15 carbon atoms), a cycloalkyl group (for example, 3 to 15 carbon atoms), and an aryl group (for example, 6 to 6 carbon atoms). 15), alkoxy groups (for example, having 1 to 15 carbon atoms), halogen atoms, hydroxyl groups, phenylthio groups and the like.

-は、非求核性アニオンを表し、一般式(ZI)に於けるZ-の非求核性アニオンと同様のものを挙げることができる。 Z represents a non-nucleophilic anion, and examples thereof include the same as the non-nucleophilic anion of Z − in formula (ZI).

併用してもよい活性光線又は放射線の照射により分解して酸を発生する化合物の内で好ましい化合物として、更に、下記一般式(ZIV)、(ZV)、(ZVI)で表される化合物を挙げることができる。   Among the compounds that can be used in combination and decomposed by irradiation with actinic rays or radiation, preferred compounds further include compounds represented by the following general formulas (ZIV), (ZV), and (ZVI). be able to.

一般式(ZIV)〜(ZVI)中、Ar3及びAr4は、各々独立に、アリール基を表す。 In general formulas (ZIV) to (ZVI), Ar 3 and Ar 4 each independently represents an aryl group.

306、R307及びR308は、アルキル基又はアリール基を表す。
Aは、アルキレン基、アルケニレン基又はアリーレン基を表す。
R 306 , R 307 and R 308 represent an alkyl group or an aryl group.
A represents an alkylene group, an alkenylene group or an arylene group.

併用してもよい活性光線又は放射線の照射により分解して酸を発生する化合物の内でより好ましくは、一般式(ZI)〜(ZIII)で表される化合物である。
また、併用してもよい活性光線又は放射線の照射により分解して酸を発生する化合物として、スルホン酸基を1つ有するスルホン酸を発生する化合物が好ましく、さらに好ましくは1価のパーフルオロアルカンスルホン酸を発生する化合物、またはフッ素原子またはフッ素原子を含有する基で置換された芳香族スルホン酸を発生する化合物である。
Of the compounds that may be used in combination and decompose upon irradiation with actinic rays or radiation to generate an acid, compounds represented by general formulas (ZI) to (ZIII) are more preferable.
Further, as a compound that decomposes upon irradiation with actinic rays or radiation that may be used in combination, a compound that generates a sulfonic acid having one sulfonic acid group is preferable, and a monovalent perfluoroalkanesulfone is more preferable. A compound that generates an acid, or a compound that generates an aromatic sulfonic acid substituted with a fluorine atom or a group containing a fluorine atom.

併用してもよい活性光線又は放射線の照射により分解して酸を発生する化合物の中で、特に好ましいものの例を以下に挙げる。   Examples of particularly preferable compounds among the compounds that are decomposed by irradiation with actinic rays or radiation that may be used in combination are listed below.

〔2〕(B)酸の作用により分解し、アルカリ現像液中での溶解度が増大する樹脂(以下、「(B)成分」ともいう)
本発明のポジ型感光性組成物に用いられる酸により分解し、アルカリ現像液中での溶解度が増大する樹脂としては、樹脂の主鎖又は側鎖、あるいは、主鎖及び側鎖の両方に、酸で分解し得る基(以下、「酸分解性基」ともいう)を有する樹脂である。この内、酸で分解し得る基を側鎖に有する樹脂がより好ましい。
[2] (B) Resin that decomposes by the action of an acid and increases the solubility in an alkaline developer (hereinafter also referred to as “component (B)”)
As a resin that is decomposed by the acid used in the positive photosensitive composition of the present invention and has increased solubility in an alkaline developer, the main chain or side chain of the resin, or both the main chain and side chain, It is a resin having a group that can be decomposed by an acid (hereinafter also referred to as “acid-decomposable group”). Among these, a resin having a group capable of decomposing with an acid in the side chain is more preferable.

酸で分解し得る基として好ましい基は、−COOH基、−OH基の水素原子を酸で脱離する基で置換した基である。
本発明においては、酸分解性基は、アセタール基又は3級エステル基である。
A group preferable as a group that can be decomposed by an acid is a group in which a hydrogen atom of a —COOH group or —OH group is substituted with a group capable of leaving with an acid.
In the present invention, the acid-decomposable group is an acetal group or a tertiary ester group.

これら酸で分解し得る基が側鎖として結合する場合の母体樹脂としては、側鎖に−OHもしくは−COOH基を有するアルカリ可溶性樹脂である。例えば、後述するアルカリ可溶性樹脂を挙げることができる。   The base resin in the case where these acid-decomposable groups are bonded as side chains is an alkali-soluble resin having —OH or —COOH groups in the side chains. For example, the alkali-soluble resin mentioned later can be mentioned.

これらアルカリ可溶性樹脂のアルカリ溶解速度は、0.261Nテトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド(TMAH)で測定(23℃)して170A/秒以上のものが好ましい。特に好ましくは330A/秒以上のものである(Aはオングストローム)。   The alkali dissolution rate of these alkali-soluble resins is preferably 170 A / second or more as measured with 0.261 N tetramethylammonium hydroxide (TMAH) (23 ° C.). Particularly preferred is 330 A / second or more (A is angstrom).

このような観点から、特に好ましいアルカリ可溶性樹脂は、o−,m−,p−ポリ(ヒドロキシスチレン)及びこれらの共重合体、水素化ポリ(ヒドロキシスチレン)、ハロゲンもしくはアルキル置換ポリ(ヒドロキシスチレン)、ポリ(ヒドロキシスチレン)の一部、O−アルキル化もしくはO−アシル化物、スチレン−ヒドロキシスチレン共重合体、α−メチルスチレン−ヒドロキシスチレン共重合体、水素化ノボラック樹脂等のヒドロキシスチレン構造単位を有するアルカリ可溶性樹脂である。   From this point of view, particularly preferred alkali-soluble resins are o-, m-, p-poly (hydroxystyrene) and copolymers thereof, hydrogenated poly (hydroxystyrene), halogen or alkyl-substituted poly (hydroxystyrene). Hydroxystyrene structural units such as a part of poly (hydroxystyrene), O-alkylated or O-acylated product, styrene-hydroxystyrene copolymer, α-methylstyrene-hydroxystyrene copolymer, hydrogenated novolak resin, etc. It is an alkali-soluble resin.

本発明に於ける好ましい酸分解性基を有する繰り返し単位としては、例えば、t−ブトキシカルボニルオキシスチレン、1−アルコキシエトキシスチレン、(メタ)アクリル酸3級アルキルエステル等を挙げることができる。   Preferred examples of the repeating unit having an acid-decomposable group in the present invention include t-butoxycarbonyloxystyrene, 1-alkoxyethoxystyrene, (meth) acrylic acid tertiary alkyl ester and the like.

本発明に用いられる(B)成分は、欧州特許254853号、特開平2−25850号、同3−223860号、同4−251259号等に開示されているように、アルカリ可溶性樹脂に酸で分解し得る基の前駆体を反応させる、もしくは、酸で分解し得る基の結合したアルカリ可溶性樹脂モノマーを種々のモノマーと共重合して得ることができる。   Component (B) used in the present invention is decomposed with an acid into an alkali-soluble resin, as disclosed in European Patent No. 254853, JP-A-2-25850, JP-A-3-223860, JP-A-4-251259 and the like. It is possible to obtain an alkali-soluble resin monomer having a group capable of being decomposed or reacting with an acid-decomposable group by copolymerization with various monomers.

本発明に使用される(B)成分の具体例を以下に示すが、これらに限定されるものではない。
p−t−ブトキシスチレン/p−ヒドロキシスチレン共重合体、
p−(t−ブトキシカルボニルオキシ)スチレン/p−ヒドロキシスチレン共重合体、
p−(t−ブトキシカルボニルメチルオキシ)スチレン/p−ヒドロキシスチレン共重合体、
4−(t−ブトキシカルボニルメチルオキシ)−3−メチルスチレン/4−ヒドロキシ−3−メチルスチレン共重合体、
p−(t−ブトキシカルボニルメチルオキシ)スチレン/p−ヒドロキシスチレン(10%水素添加物)共重合体、
m−(t−ブトキシカルボニルメチルオキシ)スチレン/m−ヒドロキシスチレン共重合体、
o−(t−ブトキシカルボニルメチルオキシ)スチレン/o−ヒドロキシスチレン共重合体、
p−(クミルオキシカルボニルメチルオキシ)スチレン/p−ヒドロキシスチレン共重合体、
クミルメタクリレート/メチルメタクリレート共重合体、
4−t−ブトキシカルボニルスチレン/マレイン酸ジメチル共重合体、
ベンジルメタクリレート/テトラヒドロピラニルメタクリレート、
p−(t−ブトキシカルボニルメチルオキシ)スチレン/p−ヒドロキシスチレン/スチレン共重合体、
p−t−ブトキシスチレン/p−ヒドロキシスチレン/フマロニトリル共重合体、
t−ブトキシスチレン/ヒドロキシエチルメタクリレート共重合体、
スチレン/N−(4−ヒドロキシフェニル)マレイミド/N−(4−t−ブトキシカルボニルオキシフェニル)マレイミド共重合体、
p−ヒドロキシスチレン/t−ブチルメタクリレート共重合体、
スチレン/p−ヒドロキシスチレン/t−ブチルメタクリレート共重合体、
p−ヒドロキシスチレン/t−ブチルアクリレート共重合体、
スチレン/p−ヒドロキシスチレン/t−ブチルアクリレート共重合体、
p−(t−ブトキシカルボニルメチルオキシ)スチレン/p−ヒドロキシスチレン/N−メチルマレイミド共重合体、
t−ブチルメタクリレート/1−アダマンチルメチルメタクリレート共重合体、p−ヒドロキシスチレン/t−ブチルアクリレート/p−アセトキシスチレン共重合体、
p−ヒドロキシスチレン/t−ブチルアクリレート/p−(t−ブトキシカルボニルオキシ)スチレン共重合体、
p−ヒドロキシスチレン/t−ブチルアクリレート/p−(t−ブトキシカルボニルメチルオキシ)スチレン共重合体、
Although the specific example of (B) component used for this invention is shown below, it is not limited to these.
pt-butoxystyrene / p-hydroxystyrene copolymer,
p- (t-butoxycarbonyloxy) styrene / p-hydroxystyrene copolymer,
p- (t-butoxycarbonylmethyloxy) styrene / p-hydroxystyrene copolymer,
4- (t-butoxycarbonylmethyloxy) -3-methylstyrene / 4-hydroxy-3-methylstyrene copolymer,
p- (t-butoxycarbonylmethyloxy) styrene / p-hydroxystyrene (10% hydrogenated) copolymer,
m- (t-butoxycarbonylmethyloxy) styrene / m-hydroxystyrene copolymer,
o- (t-butoxycarbonylmethyloxy) styrene / o-hydroxystyrene copolymer,
p- (cumyloxycarbonylmethyloxy) styrene / p-hydroxystyrene copolymer,
Cumyl methacrylate / methyl methacrylate copolymer,
4-t-butoxycarbonylstyrene / dimethyl maleate copolymer,
Benzyl methacrylate / tetrahydropyranyl methacrylate,
p- (t-butoxycarbonylmethyloxy) styrene / p-hydroxystyrene / styrene copolymer,
pt-butoxystyrene / p-hydroxystyrene / fumaronitrile copolymer,
t-butoxystyrene / hydroxyethyl methacrylate copolymer,
Styrene / N- (4-hydroxyphenyl) maleimide / N- (4-t-butoxycarbonyloxyphenyl) maleimide copolymer,
p-hydroxystyrene / t-butyl methacrylate copolymer,
Styrene / p-hydroxystyrene / t-butyl methacrylate copolymer,
p-hydroxystyrene / t-butyl acrylate copolymer,
Styrene / p-hydroxystyrene / t-butyl acrylate copolymer,
p- (t-butoxycarbonylmethyloxy) styrene / p-hydroxystyrene / N-methylmaleimide copolymer,
t-butyl methacrylate / 1-adamantyl methyl methacrylate copolymer, p-hydroxystyrene / t-butyl acrylate / p-acetoxystyrene copolymer,
p-hydroxystyrene / t-butyl acrylate / p- (t-butoxycarbonyloxy) styrene copolymer,
p-hydroxystyrene / t-butyl acrylate / p- (t-butoxycarbonylmethyloxy) styrene copolymer,

上記具体例において、tBuはt−ブチル基を表す。   In the above specific example, tBu represents a t-butyl group.

酸で分解し得る基の含有率は、樹脂中の酸で分解し得る基の数(B)と酸で脱離する基で保護されていないアルカリ可溶性基の数(S)をもって、B/(B+S)で表される。酸で分解し得る基の含有率は、好ましくは0.01〜0.7、より好ましくは0.05〜0.50、更に好ましくは0.05〜0.40である。   The content of the group that can be decomposed by an acid is determined by the number of groups (B) that can be decomposed by an acid in the resin and the number of alkali-soluble groups that are not protected by a group capable of leaving by an acid (S). B + S). The content of the group capable of decomposing with an acid is preferably 0.01 to 0.7, more preferably 0.05 to 0.50, and still more preferably 0.05 to 0.40.

本発明のポジ型感光性組成物にArFエキシマレーザー光を照射する場合には、(B)成分の樹脂は、単環又は多環の脂環炭化水素構造を有し、酸の作用により分解し、アルカリ現像液に対する溶解度が増加する樹脂であることが好ましい。また、この場合、樹脂はArF光への透明性の点から芳香族基を有さないことが好ましい。   When the positive photosensitive composition of the present invention is irradiated with ArF excimer laser light, the resin of component (B) has a monocyclic or polycyclic alicyclic hydrocarbon structure and is decomposed by the action of an acid. A resin that increases the solubility in an alkali developer is preferable. In this case, the resin preferably has no aromatic group from the viewpoint of transparency to ArF light.

単環又は多環の脂環炭化水素構造を有し、酸の作用により分解し、アルカリ現像液に対する溶解度が増加する樹脂(以下、「脂環炭化水素系酸分解性樹脂」ともいう)としては、下記一般式(pI)〜一般式(pVI)で示される脂環式炭化水素を含む部分構造を有する繰り返し単位及び下記一般式(II-AB)で示される繰り返し単位の群から選択される少なくとも1種を含有する樹脂であることが好ましい。   As a resin that has a monocyclic or polycyclic alicyclic hydrocarbon structure, decomposes by the action of an acid, and increases its solubility in an alkaline developer (hereinafter also referred to as “alicyclic hydrocarbon-based acid-decomposable resin”) , At least selected from the group consisting of repeating units having a partial structure containing an alicyclic hydrocarbon represented by the following general formula (pI) to general formula (pVI) and repeating units represented by the following general formula (II-AB) It is preferable that it is resin containing 1 type.

(式中、R11は、メチル基、エチル基、n−プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、イソブチル基又はsec−ブチル基を表し、Zは、炭素原子とともに脂環式炭化水素基を形成するのに必要な原子団を表す。
12〜R16は、各々独立に、炭素数1〜4個の、直鎖もしくは分岐のアルキル基又は脂環式炭化水素基を表し、但し、R12〜R14のうち少なくとも1つ、もしくはR15、R16のいずれかは脂環式炭化水素基を表す。
17〜R21は、各々独立に、水素原子、炭素数1〜4個の、直鎖もしくは分岐のアルキル基又は脂環式炭化水素基を表し、但し、R17〜R21のうち少なくとも1つは脂環式炭化水素基を表す。また、R19、R21のいずれかは炭素数1〜4個の、直鎖もしくは分岐のアルキル基又は脂環式炭化水素基を表す。
22〜R25は、各々独立に、水素原子、炭素数1〜4個の、直鎖もしくは分岐のアルキル基又は脂環式炭化水素基を表し、但し、R22〜R25のうち少なくとも1つは脂環式炭化水素基を表す。また、R23とR24は、互いに結合して環を形成していてもよい。)
(Wherein R 11 represents a methyl group, an ethyl group, an n-propyl group, an isopropyl group, an n-butyl group, an isobutyl group or a sec-butyl group, and Z represents an alicyclic hydrocarbon group together with a carbon atom. Represents the atomic group necessary to form.
R 12 to R 16 each independently represents a linear or branched alkyl group or alicyclic hydrocarbon group having 1 to 4 carbon atoms, provided that at least one of R 12 to R 14 , or Either R 15 or R 16 represents an alicyclic hydrocarbon group.
R 17 to R 21 each independently represents a hydrogen atom, a linear or branched alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, or an alicyclic hydrocarbon group, provided that at least one of R 17 to R 21 Represents an alicyclic hydrocarbon group. Further, either R 19 or R 21 represents a linear or branched alkyl group or alicyclic hydrocarbon group having 1 to 4 carbon atoms.
R 22 to R 25 each independently represents a hydrogen atom, a linear or branched alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, or an alicyclic hydrocarbon group, provided that at least one of R 22 to R 25 Represents an alicyclic hydrocarbon group. R 23 and R 24 may be bonded to each other to form a ring. )

式(II-AB)中:
11',R12'は、各々独立に、水素原子、シアノ基、ハロゲン原子又はアルキル基を表す。
Z'は、結合した2つの炭素原子(C−C)を含み、脂環式構造を形成するための原子団を表す。
In formula (II-AB):
R 11 ′ and R 12 ′ each independently represents a hydrogen atom, a cyano group, a halogen atom or an alkyl group.
Z ′ represents an atomic group for forming an alicyclic structure containing two bonded carbon atoms (C—C).

また、上記一般式(II-AB)は、下記一般式(II−A)又は一般式(II−B)であることが更に好ましい。   The general formula (II-AB) is more preferably the following general formula (II-A) or general formula (II-B).

式(II−A)、(II−B)中:
13'〜R16'は、各々独立に、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、−COOH、−COOR5、酸の作用により分解する基、−C(=O)−X−A'−R17'、アルキル基あるいは環状炭化水素基を表す。
ここで、R5は、アルキル基、環状炭化水素基又は下記の−Y基を表す。
Xは、酸素原子、硫黄原子、−NH−、−NHSO2−又は−NHSO2NH−を表す。
A'は単結合又は2価の連結基を表す。
また、Rl3'〜R16'のうち少なくとも2つが結合して環を形成してもよい。nは0又は1を表す。
17'は、−COOH、−COOR5、−CN、水酸基、アルコキシ基、−CO−NH−R6、−CO−NH−SO2−R6又は下記の−Y基を表す。
6は、アルキル基又は環状炭化水素基を表す。
In formulas (II-A) and (II-B):
R 13 ′ to R 16 ′ each independently represents a hydrogen atom, a halogen atom, a cyano group, —COOH, —COOR 5 , a group that decomposes by the action of an acid, —C (═O) —XA′—R. 17 ′ represents an alkyl group or a cyclic hydrocarbon group.
Wherein, R 5 represents an alkyl group, cyclic hydrocarbon group, or -Y group shown below.
X represents an oxygen atom, a sulfur atom, -NH -, - NHSO 2 - or an -NHSO 2 NH-.
A ′ represents a single bond or a divalent linking group.
Further, at least two of R 13 ′ to R 16 ′ may be bonded to form a ring. n represents 0 or 1.
R 17 ′ represents —COOH, —COOR 5 , —CN, a hydroxyl group, an alkoxy group, —CO—NH—R 6 , —CO—NH—SO 2 —R 6 or the following —Y group.
R 6 represents an alkyl group or a cyclic hydrocarbon group.

−Y基;   The -Y group;

(−Y基中、R21'〜R30'は、各々独立に、水素原子又はアルキル基を表す。a,bは1又は2を表す。) (In the —Y group, R 21 ′ to R 30 ′ each independently represents a hydrogen atom or an alkyl group. A and b represent 1 or 2.)

一般式(pI)〜(pVI)において、R12〜R25におけるアルキル基としては、1〜4個の炭素原子を有する直鎖もしくは分岐のアルキル基を表す。そのアルキル基としては、例えばメチル基、エチル基、n−プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、イソブチル基、sec−ブチル基、t−ブチル基等が挙げられる。 In the general formulas (pI) to (pVI), the alkyl group in R 12 to R 25 represents a linear or branched alkyl group having 1 to 4 carbon atoms. Examples of the alkyl group include a methyl group, an ethyl group, an n-propyl group, an isopropyl group, an n-butyl group, an isobutyl group, a sec-butyl group, and a t-butyl group.

また、上記各アルキル基及びアルコキシ基が有してもよい置換基としては、炭素数1〜4個のアルコキシ基、ハロゲン原子(フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子)、アシル基、アシロキシ基、シアノ基、水酸基、カルボキシ基、アルコキシカルボニル基、ニトロ基等を挙げることができる。   In addition, examples of the substituent that each alkyl group and alkoxy group may have include an alkoxy group having 1 to 4 carbon atoms, a halogen atom (a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom, and an iodine atom), an acyl group, and an acyloxy group. Group, cyano group, hydroxyl group, carboxy group, alkoxycarbonyl group, nitro group and the like.

11〜R25における脂環式炭化水素基或いはZと炭素原子が形成する脂環式炭化水素基としては、単環式でも、多環式でもよい。具体的には、炭素数5以上のモノシクロ、ビシクロ、トリシクロ、テトラシクロ構造等を有する基を挙げることができる。その炭素数は6〜30個が好ましく、特に炭素数7〜25個が好ましい。これらの脂環式炭化水素基は置換基を有していてもよい。 The alicyclic hydrocarbon group in R 11 to R 25 or the alicyclic hydrocarbon group formed by Z and a carbon atom may be monocyclic or polycyclic. Specific examples include groups having a monocyclo, bicyclo, tricyclo, tetracyclo structure or the like having 5 or more carbon atoms. The carbon number is preferably 6-30, and particularly preferably 7-25. These alicyclic hydrocarbon groups may have a substituent.

脂環式炭化水素基の好ましいものとしては、アダマンチル基、ノルアダマンチル基、デカリン残基、トリシクロデカニル基、テトラシクロドデカニル基、ノルボルニル基、セドロール基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基、シクロデカニル基、シクロドデカニル基を挙げることができる。より好ましくは、アダマンチル基、デカリン残基、ノルボルニル基、セドロール基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基、シクロデカニル基、シクロドデカニル基である。   Preferred examples of the alicyclic hydrocarbon group include an adamantyl group, a noradamantyl group, a decalin residue, a tricyclodecanyl group, a tetracyclododecanyl group, a norbornyl group, a cedrol group, a cyclohexyl group, a cycloheptyl group, and a cyclooctyl group. Group, cyclodecanyl group, and cyclododecanyl group. More preferred are an adamantyl group, a decalin residue, a norbornyl group, a cedrol group, a cyclohexyl group, a cycloheptyl group, a cyclooctyl group, a cyclodecanyl group, and a cyclododecanyl group.

これらの脂環式炭化水素基の置換基としては、アルキル基、ハロゲン原子、水酸基、アルコキシ基、カルボキシル基、アルコキシカルボニル基が挙げられる。アルキル基としてはメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基等の低級アルキル基が好ましく、更に好ましくはメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基よりなる群から選択される。上記アルコキシ基としてはメトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基等の炭素数1〜4個のものを挙げることができる。上記のアルキル基、アルコキシ基、アルコキシカルボニル基等が、更に有していてもよい置換基としては、水酸基、ハロゲン原子、アルコキシ基を挙げることができる。   Examples of the substituent for these alicyclic hydrocarbon groups include an alkyl group, a halogen atom, a hydroxyl group, an alkoxy group, a carboxyl group, and an alkoxycarbonyl group. The alkyl group is preferably a lower alkyl group such as a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an isopropyl group, or a butyl group, and more preferably selected from the group consisting of a methyl group, an ethyl group, a propyl group, and an isopropyl group. Examples of the alkoxy group include those having 1 to 4 carbon atoms such as a methoxy group, an ethoxy group, a propoxy group, and a butoxy group. Examples of the substituent that the alkyl group, alkoxy group, alkoxycarbonyl group and the like may further have include a hydroxyl group, a halogen atom, and an alkoxy group.

上記樹脂における一般式(pI)〜(pVI)で示される構造は、アルカリ可溶性基の保護に使用することができる。アルカリ可溶性基としては、この技術分野において公知の種々の基が挙げられる。   The structures represented by the general formulas (pI) to (pVI) in the resin can be used for protecting alkali-soluble groups. Examples of the alkali-soluble group include various groups known in this technical field.

具体的には、カルボン酸基、スルホン酸基、フェノール基、チオール基などが挙げられ、好ましくはカルボン酸基、スルホン酸基である。   Specific examples include a carboxylic acid group, a sulfonic acid group, a phenol group, and a thiol group, and a carboxylic acid group and a sulfonic acid group are preferable.

上記樹脂における一般式(pI)〜(pVI)で示される構造で保護されたアルカリ可溶性基としては、好ましくはカルボキシル基の水素原子が一般式(pI)〜(pVI)で表される構造で置換された構造が挙げられる。   As the alkali-soluble group protected by the structure represented by the general formulas (pI) to (pVI) in the above resin, the hydrogen atom of the carboxyl group is preferably substituted with the structure represented by the general formula (pI) to (pVI). Structure.

一般式(pI)〜(pVI)で示される構造で保護されたアルカリ可溶性基を有する繰り返し単位としては、下記一般式(pA)で示される繰り返し単位が好ましい。   As the repeating unit having an alkali-soluble group protected by the structure represented by the general formulas (pI) to (pVI), a repeating unit represented by the following general formula (pA) is preferable.

ここで、Rは、水素原子、ハロゲン原子又は1〜4個の炭素原子を有する直鎖もしくは分岐のアルキル基を表す。複数のRは、各々同じでも異なっていてもよい。
Aは、単結合、アルキレン基、エーテル基、チオエーテル基、カルボニル基、エステル基、アミド基、スルフォンアミド基、ウレタン基、又はウレア基よりなる群から選択される単独あるいは2つ以上の基の組み合わせを表す。
Raは、上記式(pI)〜(pVI)のいずれかの基を表す。
Here, R represents a hydrogen atom, a halogen atom, or a linear or branched alkyl group having 1 to 4 carbon atoms. A plurality of R may be the same or different.
A is a single bond, a group selected from the group consisting of an alkylene group, an ether group, a thioether group, a carbonyl group, an ester group, an amide group, a sulfonamide group, a urethane group, or a urea group, or a combination of two or more groups. Represents.
Ra represents any group of the above formulas (pI) to (pVI).

一般式(pA)で表される繰り返し単位は、最も好ましくは、2−アルキル−2−アダマンチル(メタ)アクリレート、ジアルキル(1−アダマンチル)メチル(メタ)アクリレートによる繰り返し単位である。   The repeating unit represented by the general formula (pA) is most preferably a repeating unit of 2-alkyl-2-adamantyl (meth) acrylate and dialkyl (1-adamantyl) methyl (meth) acrylate.

以下、一般式(pA)で示される繰り返し単位の具体例を示す。   Specific examples of the repeating unit represented by the general formula (pA) are shown below.

上記一般式(II-AB)において、R11'、R12'は、各々独立に、水素原子、シアノ基、ハロゲン原子、又はアルキル基を表す。
Z'は、結合した2つの炭素原子(C−C)を含み、脂環式構造を形成するための原子団を表す。
In the general formula (II-AB), R 11 ′ and R 12 ′ each independently represent a hydrogen atom, a cyano group, a halogen atom, or an alkyl group.
Z ′ represents an atomic group for forming an alicyclic structure containing two bonded carbon atoms (C—C).

上記R11'、R12'におけるハロゲン原子としては、塩素原子、臭素原子、フッ素原子、沃素原子等を挙げることができる。 Examples of the halogen atom in R 11 ′ and R 12 ′ include a chlorine atom, a bromine atom, a fluorine atom, and an iodine atom.

上記R11'、R12'、R21'〜R30'におけるアルキル基としては、炭素数1〜10個の直鎖状あるいは分岐状アルキル基が好ましく、より好ましくは炭素数1〜6個の直鎖状あるいは分岐状アルキル基であり、更に好ましくはメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、イソブチル基、sec−ブチル基、t−ブチル基である。 As the alkyl group in R 11 ′, R 12 ′, and R 21 ′ to R 30 ′, a linear or branched alkyl group having 1 to 10 carbon atoms is preferable, and more preferably 1 to 6 carbon atoms. It is a linear or branched alkyl group, more preferably a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an isopropyl group, an n-butyl group, an isobutyl group, a sec-butyl group, or a t-butyl group.

上記のアルキル基における更なる置換基としては、水酸基、ハロゲン原子、カルボキシル基、アルコキシ基、アシル基、シアノ基、アシルオキシ基等を挙げることができる。ハロゲン原子としては塩素原子、臭素原子、フッ素原子、沃素原子等を挙げることができ、アルコキシ基としてはメトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基等の炭素数1〜4個のものを挙げることができ、アシル基としてはホルミル基、アセチル基等を挙げる
ことができ、アシルオキシ基としてはアセトキシ基等を挙げることができる。
Examples of the further substituent in the above alkyl group include a hydroxyl group, a halogen atom, a carboxyl group, an alkoxy group, an acyl group, a cyano group, and an acyloxy group. Examples of the halogen atom include a chlorine atom, a bromine atom, a fluorine atom, and an iodine atom. Examples of the alkoxy group include those having 1 to 4 carbon atoms such as a methoxy group, an ethoxy group, a propoxy group, and a butoxy group. Examples of the acyl group include a formyl group and an acetyl group, and examples of the acyloxy group include an acetoxy group.

上記Z'の脂環式構造を形成するための原子団は、置換基を有していてもよい脂環式炭化水素の繰り返し単位を樹脂に形成する原子団であり、中でも有橋式の脂環式炭化水素の繰り返し単位を形成する有橋式脂環式構造を形成するための原子団が好ましい。   The atomic group for forming the alicyclic structure of Z ′ is an atomic group that forms a repeating unit of an alicyclic hydrocarbon which may have a substituent in a resin, and among them, a bridged type alicyclic group. An atomic group for forming a bridged alicyclic structure forming a cyclic hydrocarbon repeating unit is preferred.

形成される脂環式炭化水素の骨格としては、一般式(pI)〜(pVI)に於けるR11〜R25の脂環式炭化水素基と同様のものが挙げられる。 Examples of the skeleton of the alicyclic hydrocarbon formed include the same alicyclic hydrocarbon groups as R 11 to R 25 in the general formulas (pI) to (pVI).

上記脂環式炭化水素の骨格には置換基を有していてもよい。そのような置換基としては、前記一般式(II−A)あるいは(II−B)中のR13'〜R16'を挙げることができる。 The alicyclic hydrocarbon skeleton may have a substituent. Examples of such a substituent include R 13 ′ to R 16 ′ in the general formula (II-A) or (II-B).

上記有橋式の脂環式炭化水素を有する繰り返し単位の中でも、上記一般式(II−A)あるいは(II−B)で表される繰り返し単位が更に好ましい。   Among the repeating units having the bridged alicyclic hydrocarbon, the repeating unit represented by the general formula (II-A) or (II-B) is more preferable.

本発明に係わる脂環炭化水素系酸分解性樹脂において、酸分解性基は、前記−C(=O)−X−A'−R17'に含まれてもよいし、一般式(II-AB)のZ'の置換基として含まれてもよい。 In the alicyclic hydrocarbon-based acid-decomposable resin according to the present invention, the acid-decomposable group may be contained in the aforementioned —C (═O) —XA′—R 17 ′, or may be represented by the general formula (II- AB) may be included as a substituent for Z ′.

酸分解性基の構造としては、−C(=O)−X1−R0 で表される。
式中、R0 としては、t−ブチル基、t−アミル基等の3級アルキル基、イソボロニル基、1−エトキシエチル基、1−ブトキシエチル基、1−イソブトキシエチル基、1−シクロヘキシロキシエチル基等の1−アルコキシエチル基、1−メトキシメチル基、1−エトキシメチル基等のアルコキシメチル基、3−オキソアルキル基、テトラヒドロピラニル基、テトラヒドロフラニル基、トリアルキルシリルエステル基、3−オキソシクロヘキシルエステル基、2−メチル−2−アダマンチル基、メバロニックラクトン残基等を挙げることができる。X1は、上記Xと同義である。
The structure of the acid-decomposable group is represented by —C (═O) —X 1 —R 0 .
In the formula, R 0 is a tertiary alkyl group such as t-butyl group or t-amyl group, isobornyl group, 1-ethoxyethyl group, 1-butoxyethyl group, 1-isobutoxyethyl group, 1-cyclohexyloxy. 1-alkoxyethyl group such as ethyl group, 1-methoxymethyl group, alkoxymethyl group such as 1-ethoxymethyl group, 3-oxoalkyl group, tetrahydropyranyl group, tetrahydrofuranyl group, trialkylsilyl ester group, 3- An oxocyclohexyl ester group, a 2-methyl-2-adamantyl group, a mevalonic lactone residue and the like can be mentioned. X 1 has the same meaning as X above.

上記R13'〜R16'におけるハロゲン原子としては、塩素原子、臭素原子、フッ素原子、沃素原子等を挙げることができる。 Examples of the halogen atom in R 13 ′ to R 16 ′ include a chlorine atom, a bromine atom, a fluorine atom, and an iodine atom.

上記R5、R6、R13'〜R16'におけるアルキル基としては、炭素数1〜10個の直鎖状あるいは分岐状アルキル基が好ましく、より好ましくは炭素数1〜6個の直鎖状あるいは分岐状アルキル基であり、更に好ましくはメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、イソブチル基、sec−ブチル基、t−ブチル基である。 The alkyl group in R 5 , R 6 and R 13 ′ to R 16 ′ is preferably a linear or branched alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, more preferably a linear chain having 1 to 6 carbon atoms. Or a branched alkyl group, more preferably a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an isopropyl group, an n-butyl group, an isobutyl group, a sec-butyl group, or a t-butyl group.

上記R5、R6、R13'〜R16'における環状炭化水素基としては、例えば環状アルキル基、有橋式炭化水素であり、シクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、アダマンチル基、2−メチル−2−アダマンチル基、ノルボルニル基、ボロニル基、イソボロニル基、トリシクロデカニル基、ジシクロペンテニル基、ノボルナンエポキシ基、メンチル基、イソメンチル基、ネオメンチル基、テトラシクロドデカニル基等を挙げることができる。 Examples of the cyclic hydrocarbon group in R 5 , R 6 and R 13 ′ to R 16 ′ include a cyclic alkyl group and a bridged hydrocarbon group, such as a cyclopropyl group, a cyclopentyl group, a cyclohexyl group, an adamantyl group, 2- List methyl-2-adamantyl group, norbornyl group, boronyl group, isobornyl group, tricyclodecanyl group, dicyclopentenyl group, nobornane epoxy group, menthyl group, isomenthyl group, neomenthyl group, tetracyclododecanyl group, etc. Can do.

上記R13'〜R16'のうち少なくとも2つが結合して形成する環としては、シクロペンテン、シクロヘキセン、シクロヘプタン、シクロオクタン等の炭素数5〜12の環が挙げられる。 Examples of the ring formed by combining at least two of R 13 ′ to R 16 ′ include rings having 5 to 12 carbon atoms such as cyclopentene, cyclohexene, cycloheptane, and cyclooctane.

上記R17'におけるアルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基等の炭素数1〜4個のものを挙げることができる。 Examples of the alkoxy group for R 17 ′ include those having 1 to 4 carbon atoms such as a methoxy group, an ethoxy group, a propoxy group, and a butoxy group.

上記アルキル基、環状炭化水素基、アルコキシ基における更なる置換基としては、水酸基、ハロゲン原子、カルボキシル基、アルコキシ基、アシル基、シアノ基、アシルオキシ基、アルキル基、環状炭化水素基等を挙げることができる。ハロゲン原子としては、塩素原子、臭素原子、フッ素原子、沃素原子等を挙げることができる。アルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基等の炭素数1〜4個のものが挙げることができ、アシル基としてはホルミル基、アセチル基等を挙げることができ、アシルオキシ基としてはアセトキシ基等を挙げることができる。   Examples of further substituents in the alkyl group, cyclic hydrocarbon group, and alkoxy group include a hydroxyl group, a halogen atom, a carboxyl group, an alkoxy group, an acyl group, a cyano group, an acyloxy group, an alkyl group, and a cyclic hydrocarbon group. Can do. Examples of the halogen atom include a chlorine atom, a bromine atom, a fluorine atom, and an iodine atom. Examples of the alkoxy group include those having 1 to 4 carbon atoms such as a methoxy group, an ethoxy group, a propoxy group and a butoxy group. Examples of the acyl group include a formyl group and an acetyl group. Examples thereof include an acetoxy group.

また、アルキル基、環状炭化水素基は、上記で挙げたものが挙げられる。   Examples of the alkyl group and cyclic hydrocarbon group include those listed above.

上記A'の2価の連結基としては、アルキレン基、エーテル基、チオエーテル基、カルボニル基、エステル基、アミド基、スルフォンアミド基、ウレタン基、ウレア基よりなる群から選択される単独あるいは2つ以上の基の組み合わせが挙げられる。   The divalent linking group for A ′ is one or two selected from the group consisting of an alkylene group, an ether group, a thioether group, a carbonyl group, an ester group, an amide group, a sulfonamide group, a urethane group, and a urea group. Combinations of the above groups can be mentioned.

本発明に係る脂環炭化水素系酸分解性樹脂においては、酸の作用により分解する基は、前記一般式(pI)〜一般式(pVI)で示される脂環式炭化水素を含む部分構造を有する繰り返し単位、一般式(II-AB)で表される繰り返し単位、及び後記共重合成分の繰り返し単位のうち少なくとも1種の繰り返し単位に含有することができる。   In the alicyclic hydrocarbon-based acid-decomposable resin according to the present invention, the group decomposed by the action of an acid has a partial structure containing the alicyclic hydrocarbon represented by the general formula (pI) to the general formula (pVI). It can be contained in at least one type of repeating unit among the repeating unit having, the repeating unit represented by the general formula (II-AB), and the repeating unit of the copolymerization component described later.

上記一般式(II−A)あるいは一般式(II−B)におけるR13'〜R16'の各種置換基は、上記一般式(II-AB)における脂環式構造を形成するための原子団ないし有橋式脂環式構造を形成するための原子団Zの置換基ともなるものである。 Various substituents of R 13 ′ to R 16 ′ in the general formula (II-A) or the general formula (II-B) are atomic groups for forming an alicyclic structure in the general formula (II-AB). Or it becomes a substituent of atomic group Z for forming a bridged alicyclic structure.

上記一般式(II−A)あるいは一般式(II−B)で表される繰り返し単位の具体例として次のものが挙げられるが、本発明はこれらの具体例に限定されるものではない。   Specific examples of the repeating unit represented by the general formula (II-A) or the general formula (II-B) include the following, but the present invention is not limited to these specific examples.

本発明の脂環炭化水素系酸分解性樹脂は、ラクトン基を有することが好ましく、より好ましくは下記一般式(Lc)又は下記一般式(V−1)〜(V−5)のいずれかで表されるラクトン構造を有する基を有する繰り返し単位を有することであり、ラクトン構造を有する基が主鎖に直接結合していてもよい。   The alicyclic hydrocarbon-based acid-decomposable resin of the present invention preferably has a lactone group, and more preferably any of the following general formulas (Lc) and general formulas (V-1) to (V-5) below. It has a repeating unit having a group having a lactone structure represented, and the group having a lactone structure may be directly bonded to the main chain.

一般式(Lc)中、Ra1、Rb1、Rc1、Rd1及びRe1は、各々独立に、水素原子又はアルキル基を表す。m及びnは各々独立に0〜3の整数を表し、m+nは、2以上6以下である。 In the general formula (Lc), Ra 1, Rb 1, Rc 1, Rd 1 and Re 1 each independently represent a hydrogen atom or an alkyl group. m and n each independently represents an integer of 0 to 3, and m + n is 2 or more and 6 or less.

一般式(V−1)〜(V−5)において、R1b〜R5bは、各々独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、アルコキシカルボニル基、アルキルスルホニルイミノ基又はアルケニル基を表す。R1b〜R5bの内の2つは、結合して環を形成してもよい。 In the general formulas (V-1) to (V-5), R 1b to R 5b each independently represent a hydrogen atom, an alkyl group, a cycloalkyl group, an alkoxy group, an alkoxycarbonyl group, an alkylsulfonylimino group, or an alkenyl group. Represents. Two of R 1b to R 5b may combine to form a ring.

一般式(Lc)に於けるRa1〜Re1のアルキル基及び一般式(V−1)〜(V−5)に於けるR1b〜R5bのアルキル基、アルコキシ基、アルコキシカルボニル基、アルキルスルホニルイミノ基におけるアルキル基としては、直鎖状、分岐状のアルキル基が挙げられ、置換基を有していてもよい。 R 1 to Re 1 alkyl groups in general formula (Lc) and R 1b to R 5b alkyl groups, alkoxy groups, alkoxycarbonyl groups, alkyl groups in general formulas (V-1) to (V-5) Examples of the alkyl group in the sulfonylimino group include linear and branched alkyl groups, which may have a substituent.

一般式(Lc)又は一般式(V−1)〜(V−5)のいずれかで表されるラクトン構造を有する基を有する繰り返し単位としては、上記一般式(II−A)又は(II−B)中のR13'〜R16'のうち少なくとも1つが一般式(Lc)又は一般式(V−1)〜(V−5)で表される基を有するもの(例えば−COOR5のR5が一般式(Lc)又は一般式(V−1)〜(V−5)で表される基を表す)、又は下記一般式(AI)で表される繰り返し単位等を挙げることができる。 As the repeating unit having a group having a lactone structure represented by general formula (Lc) or any one of general formulas (V-1) to (V-5), the above general formula (II-A) or (II- B) wherein at least one of R 13 ′ to R 16 ′ has a group represented by general formula (Lc) or general formula (V-1) to (V-5) (for example, R in —COOR 5 ) 5 represents a group represented by general formula (Lc) or general formulas (V-1) to (V-5)), or a repeating unit represented by the following general formula (AI).

一般式(AI)中、Rb0は、水素原子、ハロゲン原子、又は炭素数1〜4のアルキル基を表す。 In general formula (AI), R b0 represents a hydrogen atom, a halogen atom, or an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms.

b0のハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、沃素原子を挙げることができる。Rb0は水素原子が好ましい。 Examples of the halogen atom for R b0 include a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom, and an iodine atom. R b0 is preferably a hydrogen atom.

bは、単結合、エーテル基、エステル基、カルボニル基、アルキレン基、又はこれらを組み合わせた2価の基を表す。 A b represents a single bond, an ether group, an ester group, a carbonyl group, an alkylene group, or a divalent group obtained by combining these.

Vは、一般式(Lc)又は一般式(V−1)〜(V−5)のうちのいずれかで示される基を表す。   V represents a group represented by any one of the general formula (Lc) and the general formulas (V-1) to (V-5).

以下に、ラクトン構造を有する基を有する繰り返し単位の具体例を挙げるが、本発明がこれに限定されるものではない。   Specific examples of the repeating unit having a group having a lactone structure are shown below, but the present invention is not limited thereto.

本発明の脂環炭化水素系酸分解性樹脂は、下記一般式(VII)で表される基を有する繰り返し単位を含有することが好ましい。   The alicyclic hydrocarbon-based acid-decomposable resin of the present invention preferably contains a repeating unit having a group represented by the following general formula (VII).

一般式(VII)中、R2c〜R4cは、各々独立に水素原子又は水酸基を表す。ただし、R2c〜R4cのうち少なくとも1つは水酸基を表す。 In general formula (VII), R 2 c to R 4 c each independently represents a hydrogen atom or a hydroxyl group. However, at least one of R 2 c to R 4 c represents a hydroxyl group.

一般式(VII)で表される基は、好ましくはジヒドロキシ体、モノヒドロキシ体であり、より好ましくはジヒドロキシ体である。   The group represented by the general formula (VII) is preferably a dihydroxy form or a monohydroxy form, and more preferably a dihydroxy form.

一般式(VII)で表される基を有する繰り返し単位としては、上記一般式(II−A)又は(II−B)中のR13'〜R16'のうち少なくとも1つが上記一般式(VII)で表される基を有するもの(例えば−COOR5のR5が一般式(VII)で表される基を表す)、又は下記一般式(AII)で表される繰り返し単位等を挙げることができる。 As the repeating unit having a group represented by the general formula (VII), at least one of R 13 ′ to R 16 ′ in the general formula (II-A) or (II-B) is the above general formula (VII ) (For example, R 5 in —COOR 5 represents a group represented by the general formula (VII)), or a repeating unit represented by the following general formula (AII). it can.

一般式(AII)中、R1cは、水素原子又はメチル基を表す。
2c〜R4cは、各々独立に水素原子又は水酸基を表す。ただし、R2c〜R4cのうち少なくとも1つは水酸基を表す。R2c〜R4cのうちの二つが水酸基であるものが好ましい。
In general formula (AII), R 1 c represents a hydrogen atom or a methyl group.
R 2 c to R 4 c each independently represents a hydrogen atom or a hydroxyl group. However, at least one of R 2 c to R 4 c represents a hydroxyl group. Two of R 2 c to R 4 c are preferably hydroxyl groups.

以下に、一般式(AII)で表される構造を有する繰り返し単位の具体例を挙げるが、これらに限定されるものではない。   Although the specific example of the repeating unit which has a structure represented by general formula (AII) below is given, it is not limited to these.

本発明の脂環炭化水素系酸分解性樹脂は、下記一般式(VIII)で表される繰り返し単位を含有してもよい。   The alicyclic hydrocarbon-based acid-decomposable resin of the present invention may contain a repeating unit represented by the following general formula (VIII).

上記一般式(VIII)に於いて、Z2は、−O−又は−N(R41)−を表す。R41は、水素原子、水酸基、アルキル基又は−OSO2−R42を表す。R42は、アルキル基、シクロアルキル基又は樟脳残基を表す。R41及びR42のアルキル基は、ハロゲン原子(好ましくはフッ素原子)等で置換されていてもよい。 In the general formula (VIII), Z 2 represents —O— or —N (R 41 ) —. R 41 represents a hydrogen atom, a hydroxyl group, an alkyl group, or —OSO 2 —R 42 . R 42 represents an alkyl group, a cycloalkyl group or a camphor residue. The alkyl group of R 41 and R 42 may be substituted with a halogen atom (preferably a fluorine atom) or the like.

上記一般式(VIII)で表される繰り返し単位として、以下の具体例が挙げられるが、これらに限定されるものではない。   Examples of the repeating unit represented by the general formula (VIII) include the following specific examples, but are not limited thereto.

本発明の脂環炭化水素系酸分解性樹脂は、上記の繰り返し構造単位以外に、ドライエッチング耐性や標準現像液適性、基板密着性、レジストプロファイル、さらにレジストの一般的な必要な特性である解像力、耐熱性、感度等を調節する目的で様々な繰り返し構造単位を含有することができる。   In addition to the above repeating structural units, the alicyclic hydrocarbon-based acid-decomposable resin of the present invention has a dry etching resistance, standard developer suitability, substrate adhesion, resist profile, and resolving power that is a general necessary characteristic of a resist. Various repeating structural units can be contained for the purpose of adjusting heat resistance, sensitivity, and the like.

このような繰り返し構造単位としては、下記の単量体に相当する繰り返し構造単位を挙げることができるが、これらに限定されるものではない。   Examples of such a repeating structural unit include, but are not limited to, repeating structural units corresponding to the following monomers.

これにより、脂環炭化水素系酸分解性樹脂に要求される性能、特に、
(1)塗布溶剤に対する溶解性、
(2)製膜性(ガラス転移点)、
(3)アルカリ現像性、
(4)膜べり(親疎水性、アルカリ可溶性基選択)、
(5)未露光部の基板への密着性、
(6)ドライエッチング耐性、
等の微調整が可能となる。
Thereby, performance required for the alicyclic hydrocarbon-based acid-decomposable resin, in particular,
(1) Solubility in coating solvent,
(2) Film formability (glass transition point),
(3) Alkali developability,
(4) Membrane slip (hydrophobic, alkali-soluble group selection),
(5) Adhesion of unexposed part to substrate,
(6) Dry etching resistance,
Etc. can be finely adjusted.

このような単量体として、例えばアクリル酸エステル類、メタクリル酸エステル類、アクリルアミド類、メタクリルアミド類、アリル化合物、ビニルエーテル類、ビニルエステル類等から選ばれる付加重合性不飽和結合を1個有する化合物等を挙げることができる。   As such a monomer, for example, a compound having one addition polymerizable unsaturated bond selected from acrylic acid esters, methacrylic acid esters, acrylamides, methacrylamides, allyl compounds, vinyl ethers, vinyl esters, etc. Etc.

その他にも、上記種々の繰り返し構造単位に相当する単量体と共重合可能である付加重合性の不飽和化合物であれば、共重合されていてもよい。   In addition, any addition-polymerizable unsaturated compound that can be copolymerized with monomers corresponding to the above various repeating structural units may be copolymerized.

脂環炭化水素系酸分解性樹脂において、各繰り返し構造単位の含有モル比はレジストのドライエッチング耐性や標準現像液適性、基板密着性、レジストプロファイル、さらにはレジストの一般的な必要性能である解像力、耐熱性、感度等を調節するために適宜設定される。   In alicyclic hydrocarbon-based acid-decomposable resins, the molar ratio of each repeating structural unit is the resist's dry etching resistance, standard developer suitability, substrate adhesion, resist profile, and resolution that is a general required performance of resists. In order to adjust heat resistance, sensitivity, etc., it is set appropriately.

本発明の脂環炭化水素系酸分解性樹脂の好ましい態様としては、以下のものが挙げられる。
(1) 上記一般式(pI)〜(pVI)で表される脂環式炭化水素を含む部分構造を有す
る繰り返し単位を含有するもの(側鎖型)
(2) 一般式(II-AB)で表される繰り返し単位を含有するもの(主鎖型)
但し、(2)においては例えば、更に以下のものが挙げられる。
(3) 一般式(II-AB)で表される繰り返し単位、無水マレイン酸誘導体及び(メタ)アクリレート構造を有するもの(ハイブリッド型)
脂環炭化水素系酸分解性樹脂中、酸分解性基を有する繰り返し単位の含有量は、全繰り返し構造単位中10〜60モル%が好ましく、より好ましくは20〜50モル%、更に好ましくは25〜40モル%である。
Preferred embodiments of the alicyclic hydrocarbon-based acid-decomposable resin of the present invention include the following.
(1) Containing a repeating unit having a partial structure containing an alicyclic hydrocarbon represented by the general formulas (pI) to (pVI) (side chain type)
(2) Containing repeating units represented by general formula (II-AB) (main chain type)
However, in (2), for example, the following can be further mentioned.
(3) A repeating unit represented by the general formula (II-AB), a maleic anhydride derivative and a (meth) acrylate structure (hybrid type)
In the alicyclic hydrocarbon-based acid-decomposable resin, the content of the repeating unit having an acid-decomposable group is preferably 10 to 60 mol%, more preferably 20 to 50 mol%, still more preferably 25 in all repeating structural units. -40 mol%.

脂環炭化水素系酸分解性樹脂中、一般式(pI)〜(pVI)で表される脂環式炭化水素を含む部分構造を有する繰り返し単位の含有量は、全繰り返し構造単位中30〜70モル%が好ましく、より好ましくは35〜65モル%、更に好ましくは40〜60モル%である。   In the alicyclic hydrocarbon-based acid-decomposable resin, the content of the repeating unit having a partial structure containing the alicyclic hydrocarbon represented by the general formulas (pI) to (pVI) is 30 to 70 in all the repeating structural units. The mol% is preferable, more preferably 35 to 65 mol%, and still more preferably 40 to 60 mol%.

脂環炭化水素系酸分解性樹脂中、一般式(II-AB)で表される繰り返し単位の含有量は、全繰り返し構造単位中10〜60モル%が好ましく、より好ましくは15〜55モル%、更に好ましくは20〜50モル%である。   In the alicyclic hydrocarbon-based acid-decomposable resin, the content of the repeating unit represented by the general formula (II-AB) is preferably 10 to 60 mol%, more preferably 15 to 55 mol% in all repeating structural units. More preferably, it is 20-50 mol%.

また、上記更なる共重合成分の単量体に基づく繰り返し構造単位の樹脂中の含有量も、所望のレジストの性能に応じて適宜設定することができるが、一般的に、上記一般式(pI)〜(pVI)で表される脂環式炭化水素を含む部分構造を有する繰り返し構造単位と上記一般式(II-AB)で表される繰り返し単位の合計した総モル数に対して99モル%以下が好ましく、より好ましくは90モル%以下、さらに好ましくは80モル%以下である。   In addition, the content of the repeating structural unit based on the monomer of the further copolymer component in the resin can also be appropriately set according to the performance of the desired resist. 99 mol% with respect to the total number of moles of the repeating structural unit having a partial structure containing the alicyclic hydrocarbon represented by (pVI) and the repeating unit represented by the above general formula (II-AB) The following is preferable, More preferably, it is 90 mol% or less, More preferably, it is 80 mol% or less.

本発明の組成物がArF露光用であるとき、ArF光への透明性の点から樹脂
は芳香族基を有さないことが好ましい。
When the composition of the present invention is for ArF exposure, the resin preferably has no aromatic group from the viewpoint of transparency to ArF light.

また、本発明において使用する酸分解性樹脂は、水酸基を2つ以上有する繰り返し単位を含有することが好ましい。   The acid-decomposable resin used in the present invention preferably contains a repeating unit having two or more hydroxyl groups.

水酸基を2つ以上有する繰り返し単位としては、特に限定されないが、炭素数5〜30の単環または多環の環状炭化水素基に水酸基が2つ以上置換した構造を含有する繰り返し単位が好ましく、より好ましくは多環の環状炭化水素基に水酸基が2つ以上置換した構造を含有する繰り返しである。
水酸基が置換した環状炭化水素基としてはシクロペンタン、シクロヘキサンなどの単環の環状炭化水素基、ノルボルナン、アダマンタンなどのビシクロ、トリシクロまたはテトラシクロ構造を有する多環の環状炭化水素基が挙げられる。
2つ以上存在する水酸基の相互の置換位置はいずれのものでもよいが、1,2−または1,3−ジオール構造の位置に置換したものが好ましい。
水酸基を2つ以上有する繰り返し単位として、例えば、前述の一般式(AII)で表される繰り返し単位において、R2c〜R4cの内の少なくとも二つが水酸基である繰り返し単位を挙げることができる。
The repeating unit having two or more hydroxyl groups is not particularly limited, but a repeating unit containing a structure in which two or more hydroxyl groups are substituted on a monocyclic or polycyclic hydrocarbon group having 5 to 30 carbon atoms is preferable. Preferably, it is a repetition containing a structure in which two or more hydroxyl groups are substituted on a polycyclic hydrocarbon group.
Examples of the cyclic hydrocarbon group substituted with a hydroxyl group include monocyclic cyclic hydrocarbon groups such as cyclopentane and cyclohexane, and polycyclic cyclic hydrocarbon groups having a bicyclo, tricyclo or tetracyclo structure such as norbornane and adamantane.
Any two or more hydroxyl groups may be substituted with each other, but those substituted at the position of 1,2- or 1,3-diol structure are preferred.
Examples of the repeating unit having two or more hydroxyl groups include a repeating unit in which at least two of R 2 c to R 4 c are hydroxyl groups in the repeating unit represented by the general formula (AII). .

特に、水酸基を2つ以上有する繰り返し単位として、式(I−A)の構造を含有する繰り返し単位が好ましい。   In particular, as the repeating unit having two or more hydroxyl groups, a repeating unit containing the structure of the formula (IA) is preferable.

Rxは、水酸基、水素原子、アルキル基、アルコキシ基又はアルコキシカルボニル基を表す。   Rx represents a hydroxyl group, a hydrogen atom, an alkyl group, an alkoxy group or an alkoxycarbonyl group.

式(I−A)の構造を含有する繰り返し単位として、式(I−B)で表される繰り返し単位が好ましい。   As the repeating unit containing the structure of the formula (IA), a repeating unit represented by the formula (IB) is preferable.

Rxは、水酸基、水素原子、アルキル基、アルコキシ基又はアルコキシカルボニル基を表す。
Ryは、水素原子、アルキル基、フッ素原子又はフロロアルキル基を表す。
Rx represents a hydroxyl group, a hydrogen atom, an alkyl group, an alkoxy group or an alkoxycarbonyl group.
Ry represents a hydrogen atom, an alkyl group, a fluorine atom or a fluoroalkyl group.

Rx及びRyとしてのアルキル基は、置換基を有していてもよく、好ましくは炭素数1〜5、より好ましくは炭素数1〜3、例えば、メチル基、エチル基を挙げることができる。
Rxとしてのアルコキシ基は、置換基を有していてもよく、好ましくは炭素数1〜5、より好ましくは炭素数1〜3、例えば、メトキシ基、エトキシ基を挙げることができる。
Rxとしてのアルコキシカルボニル基は、置換基を有していてもよく、好ましくは炭素数2〜6、より好ましくは炭素数2〜4、例えばメトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基を挙げることができる。
Ryとしてのフロロアルキル基は、置換基を有していてもよく、好ましくは炭素数1〜5、より好ましくは炭素数1〜3、例えば、トリフルオロメチル基、パーフルオロエチル基を挙げることができる。
置換基としては、水酸基、シアノ基、ハロゲン原子、カルボキシル基、アルコキシ基(好ましくは炭素数1〜5)などを挙げることができる。
The alkyl group as Rx and Ry may have a substituent, and preferably has 1 to 5 carbon atoms, more preferably 1 to 3 carbon atoms, for example, a methyl group or an ethyl group.
The alkoxy group as Rx may have a substituent, and preferably has 1 to 5 carbon atoms, more preferably 1 to 3 carbon atoms, such as a methoxy group and an ethoxy group.
The alkoxycarbonyl group as Rx may have a substituent, and preferably has 2 to 6 carbon atoms, more preferably 2 to 4 carbon atoms, such as a methoxycarbonyl group and an ethoxycarbonyl group.
The fluoroalkyl group as Ry may have a substituent, preferably having 1 to 5 carbon atoms, more preferably 1 to 3 carbon atoms, such as a trifluoromethyl group or a perfluoroethyl group. it can.
Examples of the substituent include a hydroxyl group, a cyano group, a halogen atom, a carboxyl group, and an alkoxy group (preferably having 1 to 5 carbon atoms).

Rxは水酸基が好ましい。   Rx is preferably a hydroxyl group.

以下に具体例を挙げるが、これらに限定されるものではない。   Although a specific example is given below, it is not limited to these.

また、酸分解性樹脂は、メタクリル酸エステルまたはメタクリル酸に由来する繰り返し単位を少なくとも1種とアクリル酸エステルまたはアクリル酸に由来する繰り返し単位少なくとも1種を含有する樹脂であることが好ましい。
なお、これらの繰り返し単位は、酸分解性樹脂が含有する繰り返し単位であれば、いかなる繰り返し単位であってもよく、上述の酸分解性基を有する繰り返し単位、水酸基を2つ以上有する繰り返し単位、ラクトン構造を有する繰り返し単位、環状炭化水素構造を有する繰り返し単位であってもよいし、その他の繰り返し単位であってもよい。
アクリル酸エステルまたはアクリル酸に由来する繰り返し単位とアクリル酸エステルとメタクリル酸エステルまたはメタクリル酸に由来する繰り返し単位の比率(モル比)は、通常10/90〜90/10、好ましくは20/80〜80/20、更に好ましくは30/70〜70/30、最も好ましくは40/60〜60/40である。
The acid-decomposable resin is preferably a resin containing at least one repeating unit derived from methacrylic acid ester or methacrylic acid and at least one repeating unit derived from acrylic acid ester or acrylic acid.
These repeating units may be any repeating unit as long as they are a repeating unit contained in an acid-decomposable resin, the above-mentioned repeating unit having an acid-decomposable group, a repeating unit having two or more hydroxyl groups, It may be a repeating unit having a lactone structure, a repeating unit having a cyclic hydrocarbon structure, or another repeating unit.
The ratio (molar ratio) of the acrylic acid ester or the repeating unit derived from acrylic acid to the repeating unit derived from the acrylic acid ester and methacrylic acid ester or methacrylic acid is usually 10/90 to 90/10, preferably 20/80 to 80/20, more preferably 30/70 to 70/30, most preferably 40/60 to 60/40.

本発明に用いる脂環炭化水素系酸分解性樹脂は、常法に従って(例えばラジカル重合)合成することができる。例えば、一般的合成方法としては、モノマー種を、一括であるいは反応途中で反応容器に仕込み、これを必要に応じ反応溶媒、例えばテトラヒドロフラン、1,4−ジオキサン、ジイソプロピルエーテルなどのエーテル類やメチルエチルケトン、メチルイソブチルケトンのようなケトン類、酢酸エチルのようなエステル溶媒、さらには後述のプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートのような本発明の組成物を溶解する溶媒に溶解させ均一とした後、窒素やアルゴンなど不活性ガス雰囲気下で必要に応じ加熱、市販のラジカル開始剤(アゾ系開始剤、パーオキサイドなど)を用いて重合を開始させる。所望により開始剤を追加、あるいは分割で添加し、反応終了後、溶剤に投入
して粉体あるいは固形回収等の方法で所望のポリマーを回収する。反応の濃度は20質量%以上であり、好ましくは30質量%以上、さらに好ましくは40質量%以上である。反応温度は10℃〜150℃であり、好ましくは30℃〜120℃、さらに好ましくは50〜100℃である。
The alicyclic hydrocarbon-based acid-decomposable resin used in the present invention can be synthesized according to a conventional method (for example, radical polymerization). For example, as a general synthesis method, monomer species are charged into a reaction vessel in a batch or in the course of reaction, and if necessary, a reaction solvent such as ethers such as tetrahydrofuran, 1,4-dioxane, diisopropyl ether, methyl ethyl ketone, A ketone such as methyl isobutyl ketone, an ester solvent such as ethyl acetate, and the composition of the present invention such as propylene glycol monomethyl ether acetate described below are dissolved in a solvent that dissolves uniformly and then nitrogen, argon, etc. Polymerization is started using a commercially available radical initiator (azo initiator, peroxide, etc.) as necessary under an inert gas atmosphere. If desired, an initiator is added or added in portions, and after completion of the reaction, it is put into a solvent and a desired polymer is recovered by a method such as powder or solid recovery. The concentration of the reaction is 20% by mass or more, preferably 30% by mass or more, and more preferably 40% by mass or more. The reaction temperature is 10 ° C to 150 ° C, preferably 30 ° C to 120 ° C, more preferably 50-100 ° C.

本発明の組成物を多層レジストの上層レジストに使用する場合に、(B)成分の樹脂は、シリコン原子を有することが好ましい。   When the composition of the present invention is used for the upper resist of the multilayer resist, the resin as the component (B) preferably has a silicon atom.

シリコン原子を有し、酸の作用により分解し、アルカリ現像液中での溶解度を増大する樹脂としては、シリコン原子を主鎖及び側鎖の少なくとも一方に有する樹脂のいずれも用いることができる。樹脂の側鎖にシロキサン構造を有する樹脂として、例えば、シリコン原子を側鎖に有するオレフィン系単量体、無水マレイン酸及び酸分解性基を側鎖に有する(メタ)アクリル酸系単量体の共重合体を挙げることができる。   As the resin having a silicon atom and decomposing by the action of an acid to increase the solubility in an alkaline developer, any of resins having a silicon atom in at least one of a main chain and a side chain can be used. Examples of the resin having a siloxane structure in the side chain of the resin include, for example, an olefin monomer having a silicon atom in the side chain, maleic anhydride and a (meth) acrylic acid monomer having an acid-decomposable group in the side chain. Mention may be made of copolymers.

シリコン原子を有する樹脂としてはトリアルキルシリル構造、単環または多環の環状シロキサン構造を含有する樹脂が好ましく、以下のSS−1〜SS−4で表される構造を有する繰り返しを含有する樹脂がより好ましく、更に好ましくはSS−1〜SS−4で表される構造を有する(メタ)アクリル酸エステル繰り返し単位、またはSS−1〜SS−4で表される構造を有するビニルまたはアリル繰り返し単位である。   As the resin having a silicon atom, a resin containing a trialkylsilyl structure or a monocyclic or polycyclic siloxane structure is preferable, and a resin containing a repeat having a structure represented by SS-1 to SS-4 below. More preferably, (meth) acrylate repeating units having a structure represented by SS-1 to SS-4, or vinyl or allyl repeating units having a structure represented by SS-1 to SS-4 is there.

シリコン原子を有する樹脂としてはトリアルキルシリル構造、単環または多環の環状シロキサン構造を含有する樹脂が好ましく、以下のSS−1〜SS−4で表される構造を有する繰り返しを含有する樹脂がより好ましく、更に好ましくはSS−1〜SS−4で表される構造を有する(メタ)アクリル酸エステル繰り返し単位、またはSS−1〜SS−4で表される構造を有するビニルまたはアリル繰り返し単位である。   As the resin having a silicon atom, a resin containing a trialkylsilyl structure or a monocyclic or polycyclic siloxane structure is preferable, and a resin containing a repeat having a structure represented by SS-1 to SS-4 below. More preferably, (meth) acrylate repeating units having a structure represented by SS-1 to SS-4, or vinyl or allyl repeating units having a structure represented by SS-1 to SS-4 is there.

本発明のポジ型感光性組成物にF2エキシマレーザー光を照射する場合に、(B)成分の樹脂は、ポリマー骨格の主鎖及び/又は側鎖にフッ素原子が置換した構造を有し、且つ酸の作用により分解し、アルカリ現像液に対する溶解度を増大する樹脂(以下、フッ素基含有樹脂ともいう)が好ましく、さらに好ましくは1位がフッ素原子またはフロロアルキル基で置換された水酸基または1位がフッ素原子またはフロロアルキル基で置換された水酸基を酸分解基で保護した基を含有する樹脂であり、最も好ましくはヘキサフロロ−2−プロパノール構造またはヘキサフロロ−2−プロパノールの水酸基を酸分解基で保護した構造を含有する樹脂である。フッ素原子を導入することで遠紫外光、特にF2(157nm)光に対する透明性を向上させることができる。 When irradiating the positive photosensitive composition of the present invention with F 2 excimer laser light, the resin of component (B) has a structure in which fluorine atoms are substituted on the main chain and / or side chains of the polymer skeleton, In addition, a resin that decomposes by the action of an acid and increases the solubility in an alkali developer (hereinafter also referred to as a fluorine group-containing resin) is preferable, and more preferably, a hydroxyl group substituted with a fluorine atom or a fluoroalkyl group at the 1-position or the 1-position Is a resin containing a group in which a hydroxyl group substituted with a fluorine atom or a fluoroalkyl group is protected with an acid-decomposable group, and most preferably the hexafluoro-2-propanol structure or the hydroxyl group of hexafluoro-2-propanol is protected with an acid-decomposable group The resin containing the structure. By introducing fluorine atoms, it is possible to improve transparency to far ultraviolet light, particularly F 2 (157 nm) light.

(B)酸分解性樹脂におけるフッ素基含有樹脂として、例えば、下記一般式(FA)〜(FG)で示される繰り返し単位を少なくとも一つ有する樹脂を好ましく挙げることができる。   (B) Preferred examples of the fluorine group-containing resin in the acid-decomposable resin include resins having at least one repeating unit represented by the following general formulas (FA) to (FG).

前記一般式中、
100-R103はそれぞれ水素原子、フッ素原子、アルキル基またはアリール基を表す。
104およびR106はそれぞれ水素原子、フッ素原子またはアルキル基であり、R104およびR106の少なくとも1方がフッ素原子またはフルオロアルキル基である。R104およびR106は好ましくは両方トリフルオロメチル基である。
105は水素原子、アルキル基、アシル基、アルコキシカルボニル基または酸の作用により分解する基である。
1は単結合、2価の連結基、例えば直鎖、分岐、環状アルキレン基、アルケニレン基、アリーレン基、−OCO−、−COO−、または−CON(R24)−、およびこれらのうちの複数を含有する連結基である。R24は水素原子またはアルキル基である。
107,R108はそれぞれ水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、アルコキシカルボニル基または酸の作用により分解する基である。
109は水素原子、アルキル基、酸の作用により分解する基である。
bは、0、1又は2である。
In the general formula,
R 100 to R 103 each represent a hydrogen atom, a fluorine atom, an alkyl group or an aryl group.
R 104 and R 106 are each a hydrogen atom, a fluorine atom or an alkyl group, and at least one of R 104 and R 106 is a fluorine atom or a fluoroalkyl group. R 104 and R 106 are preferably both trifluoromethyl groups.
R 105 is a hydrogen atom, an alkyl group, an acyl group, an alkoxycarbonyl group or a group that decomposes under the action of an acid.
A 1 is a single bond, a divalent linking group, for example, a linear, branched, cyclic alkylene group, alkenylene group, arylene group, —OCO—, —COO—, or —CON (R 24 ) —, and of these It is a linking group containing a plurality. R 24 is a hydrogen atom or an alkyl group.
R 107 and R 108 are each a hydrogen atom, a halogen atom, an alkyl group, an alkoxy group, an alkoxycarbonyl group or a group that decomposes under the action of an acid.
R 109 is a hydrogen atom, an alkyl group, or a group that decomposes under the action of an acid.
b is 0, 1 or 2;

一般式(FA)〜(FG)で表される繰り返し単位は、一繰り返し単位あたりに少なくとも1つ、好ましくは3つ以上のフッ素原子を含む。   The repeating units represented by the general formulas (FA) to (FG) contain at least one, preferably three or more fluorine atoms per one repeating unit.

上記一般式(FA)〜(FG)において、アルキル基としては、例えば炭素数1〜8個のアルキル基であって、具体的には、メチル基、エチル基、プロピル基、n−ブチル基、sec−ブチル基、ヘキシル基、2−エチルヘキシル基、オクチル基を好ましく挙げることができる。   In the general formulas (FA) to (FG), the alkyl group is, for example, an alkyl group having 1 to 8 carbon atoms, specifically, a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an n-butyl group, Preferred examples include sec-butyl group, hexyl group, 2-ethylhexyl group, and octyl group.

シクロアルキル基としては単環型でもよく、多環型でもよい。単環型としては炭素数3〜8個のものであって、例えばシクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロへプチル基、シクロオクチル基を好ましく挙げることができる。多環型としては炭素数6〜20個のものであって、例えばアダマンチル基、ノルボルニル基、イソボロニル基、カンファニル基、ジシクロペンチル基、α−ピネル基、トリシクロデカニル基、テトシクロドデシル基、アンドロスタニル基等を好ましく挙げることができる。但し、上記の単環又は多環のシクロアルキル基中の炭素原子が、酸素原子等のヘテロ原子に置換されていてもよい。   The cycloalkyl group may be monocyclic or polycyclic. The monocyclic type has 3 to 8 carbon atoms, and preferred examples include a cyclopropyl group, a cyclopentyl group, a cyclohexyl group, a cycloheptyl group, and a cyclooctyl group. The polycyclic type has 6 to 20 carbon atoms, and includes, for example, an adamantyl group, norbornyl group, isobornyl group, camphanyl group, dicyclopentyl group, α-pinel group, tricyclodecanyl group, tetocyclododecyl group, An androstanyl group etc. can be mentioned preferably. However, the carbon atom in the monocyclic or polycyclic cycloalkyl group may be substituted with a heteroatom such as an oxygen atom.

フルオロアルキル基としては、例えば炭素数1〜12個のものであって、具体的にはトリフルオロメチル基、パーフルロエチル基、パーフルオロプロピル基、パーフルオロブチル基、パーフルオロヘキシル基、パーフルオロオクチル基、パーフルオロオクチルエチル基、パーフルオロドデシル基等を好ましくあげることができる。   Examples of the fluoroalkyl group include those having 1 to 12 carbon atoms, specifically, a trifluoromethyl group, a perfluoroethyl group, a perfluoropropyl group, a perfluorobutyl group, a perfluorohexyl group, and a perfluorooctyl group. A perfluorooctylethyl group, a perfluorododecyl group and the like can be preferably exemplified.

アリール基としては、例えば炭素数6〜15個のアリール基であって、具体的には、フェニル基、トリル基、ジメチルフェニル基、2,4,6−トリメチルフェニル基、ナフチル基、アントリル基、9,10−ジメトキシアントリル基等を好ましく挙げることができる。   As the aryl group, for example, an aryl group having 6 to 15 carbon atoms, specifically, phenyl group, tolyl group, dimethylphenyl group, 2,4,6-trimethylphenyl group, naphthyl group, anthryl group, Preferable examples include 9,10-dimethoxyanthryl group.

アラルキル基としては、例えば炭素数7〜12個のアラルキル基であって、具体的には、ベンジル基、フェネチル基、ナフチルメチル基等を好ましく挙げることができる。   As the aralkyl group, for example, an aralkyl group having 7 to 12 carbon atoms, specifically, a benzyl group, a phenethyl group, a naphthylmethyl group, and the like can be preferably exemplified.

アルケニル基としては、例えば炭素数2〜8個のアルケニル基であって、具体的には、ビニル基、アリル基、ブテニル基、シクロヘキセニル基を好ましく挙げることができる。   As an alkenyl group, it is a C2-C8 alkenyl group, for example, Specifically, a vinyl group, an allyl group, a butenyl group, and a cyclohexenyl group can be mentioned preferably.

アルコキシ基としては、例えば炭素数1〜8個のアルコキシ基であって、具体的には、メトキシ基、エトキシ基、n−プロポキシ基、iso−プロポキシ基、ブトキシ基、ペントキシ基、アリルオキシ基、オクトキシ基等を好ましく挙げることができる。   Examples of the alkoxy group include an alkoxy group having 1 to 8 carbon atoms, and specifically include a methoxy group, an ethoxy group, an n-propoxy group, an iso-propoxy group, a butoxy group, a pentoxy group, an allyloxy group, and an octoxy group. Preferred examples include groups.

アシル基としては、例えば炭素数1〜10個のアシル基であって、具体的には、ホルミル基、アセチル基、プロパノイル基、ブタノイル基、ピバロイル基、オクタノイル基、ベンゾイル基等を好ましく挙げることができる。   As the acyl group, for example, an acyl group having 1 to 10 carbon atoms, specifically, a formyl group, an acetyl group, a propanoyl group, a butanoyl group, a pivaloyl group, an octanoyl group, a benzoyl group and the like can be preferably exemplified. it can.

アシロキシ基としては、炭素数2〜12個のアシロキシ基が好ましく、例えばアセトキシ基、プロピオニルオキシ基、ベンゾイルオキシ基等を挙げることができる。   The acyloxy group is preferably an acyloxy group having 2 to 12 carbon atoms, and examples thereof include an acetoxy group, a propionyloxy group, and a benzoyloxy group.

アルキニル基としては、炭素数2〜5のアルキニル基が好ましく、例えばエチニル基、プロピニル基、ブチニル基等を挙げることができる。   The alkynyl group is preferably an alkynyl group having 2 to 5 carbon atoms, and examples thereof include an ethynyl group, a propynyl group, and a butynyl group.

アルコキシカルボニル基としては、i−プロポキシカルボニル基、t−ブトキシカルボニル基、t−アミロキシカルボニル基、1−メチル−1−シクロヘキシルオキシカルボニル基等、好ましくは2級、より好ましくは3級のアルコキシカルボニル基が挙げられる。   Examples of the alkoxycarbonyl group include i-propoxycarbonyl group, t-butoxycarbonyl group, t-amyloxycarbonyl group, 1-methyl-1-cyclohexyloxycarbonyl group and the like, preferably secondary, more preferably tertiary alkoxycarbonyl. Groups.

ハロゲン原子としては、例えばフッ素原子、塩素原子、臭素原子、沃素原子等を挙げることができる。   Examples of the halogen atom include a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom, and an iodine atom.

アルキレン基としては、好ましくは置換基を有していてもよいメチレン基、エチレン基、プロピレン基、ブチレン基、ヘキシレン基、オクチレン基等の炭素数1〜8個のものが挙げられる。   Examples of the alkylene group preferably include those having 1 to 8 carbon atoms such as a methylene group, ethylene group, propylene group, butylene group, hexylene group and octylene group which may have a substituent.

アルケニレン基としては、好ましくは置換基を有していてもよいエテニレン基、プロペニレン基、ブテニレン基等の炭素数2〜6個のものが挙げられる。   The alkenylene group is preferably an alkenylene group having 2 to 6 carbon atoms such as an optionally substituted ethenylene group, propenylene group, butenylene group.

シクロアルキレン基としては、好ましくは置換基を有していてもよいシクロペンチレン基、シクロヘキシレン基等の炭素数5〜8個のものが挙げられる。   Preferred examples of the cycloalkylene group include those having 5 to 8 carbon atoms such as a cyclopentylene group and a cyclohexylene group which may have a substituent.

アリーレン基としては、好ましくは置換基を有していてもよいフェニレン基、トリレン基、ナフチレン基等の炭素数6〜15個のものが挙げられる。   The arylene group is preferably an arylene group having 6 to 15 carbon atoms such as an optionally substituted phenylene group, tolylene group or naphthylene group.

またこれらの基は置換基を有していてもよく、置換基としては、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アミノ基、アミド基、ウレイド基、ウレタン基、ヒドロキシル基、カルボキシル基等の活性水素を有するものや、ハロゲン原子(フッ素原子、塩素原子、臭素原子、沃素原子)、アルコキシ基(メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基等)、チオエーテル基、アシル基(アセチル基、プロパノイル基、ベンゾイル基等)、アシロキシ基(アセトキシ基、プロパノイルオキシ基、ベンゾイルオキシ基等)、アルコキシカルボニル基(メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、プロポキシカルボニル基等)、シアノ基、ニトロ基等が挙げられる。   These groups may have a substituent. Examples of the substituent include activities such as alkyl group, cycloalkyl group, aryl group, amino group, amide group, ureido group, urethane group, hydroxyl group, and carboxyl group. Those having hydrogen, halogen atoms (fluorine atom, chlorine atom, bromine atom, iodine atom), alkoxy groups (methoxy group, ethoxy group, propoxy group, butoxy group, etc.), thioether group, acyl group (acetyl group, propanoyl group) Benzoyl group, etc.), acyloxy group (acetoxy group, propanoyloxy group, benzoyloxy group etc.), alkoxycarbonyl group (methoxycarbonyl group, ethoxycarbonyl group, propoxycarbonyl group etc.), cyano group, nitro group, etc. .

ここで、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基は上記で示したものが挙げられるが、アルキル基は、更にフッ素原子、シクロアルキル基で置換されていてもよい。   Here, examples of the alkyl group, cycloalkyl group, and aryl group include those described above, but the alkyl group may be further substituted with a fluorine atom or a cycloalkyl group.

本発明のフッ素基含有樹脂に含まれる、酸の作用により分解しアルカリ可溶性を示す基としては、例えば−O−C(R36)(R37)(R38)、−O−C(R36)(R37)(OR39)、−O−COO−C(R36)(R37)(R38)、−O−C(R01)(R02)COO−C(R36)(R37)(R38)、−COO−C(R36)(R37)(R38)、−COO−C(R36)(R37)(OR39)等が挙げられる。 Fluorine-containing are contained in the resin of the present invention, examples of the group in a disassembled alkali solubility by the action of an acid, for example, -O-C (R 36) ( R 37) (R 38), - O-C (R 36 ) (R 37 ) (OR 39 ), —O—COO—C (R 36 ) (R 37 ) (R 38 ), —O—C (R 01 ) (R 02 ) COO—C (R 36 ) (R 37) (R 38), - COO-C (R 36) (R 37) (R 38), - COO-C (R 36) (R 37) (OR 39) , and the like.

36〜R39は、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基又はアルケニル基を表し、R01、R02は、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、アラルキル基又はアリール基を表す。 R 36 to R 39 represent an alkyl group, a cycloalkyl group, an aryl group, an aralkyl group or an alkenyl group, and R 01 and R 02 are a hydrogen atom, an alkyl group, a cycloalkyl group, an alkenyl group, an aralkyl group or an aryl group. Represents.

好ましい具体例としては、t−ブチル基、t−アミル基、1−アルキル−1−シクロヘキシル基、2−アルキル−2−アダマンチル基、2−アダマンチル−2−プロピル基、2−(4−メチルシクロヘキシル)−2−プロピル基等の3級アルキル基のエーテル基又はエステル基、1−アルコキシ−1−エトキシ基、テトラヒドロピラニル基等のアセタール基又はアセタールエステル基、t−アルキルカーボネート基、t−アルキルカルボニルメトキシ基等が好ましく挙げられる。   Preferable specific examples include t-butyl group, t-amyl group, 1-alkyl-1-cyclohexyl group, 2-alkyl-2-adamantyl group, 2-adamantyl-2-propyl group, 2- (4-methylcyclohexyl). ) Ether group or ester group of tertiary alkyl group such as 2-propyl group, acetal group or acetal ester group such as 1-alkoxy-1-ethoxy group, tetrahydropyranyl group, t-alkyl carbonate group, t-alkyl A carbonylmethoxy group etc. are mentioned preferably.

以下に一般式(FA)〜(FG)で表される繰り返し構造単位の具体例を示すが、本発明はこれに限定されるものではない。   Specific examples of the repeating structural units represented by the general formulas (FA) to (FG) are shown below, but the present invention is not limited thereto.

一般式(FA)〜(FG)で示される繰り返し単位の含量の合計は、樹脂を構成する全繰り返し単位に対して、一般的に10〜80モル%、好ましくは30〜70モル%、更に好ましくは35〜65モル%の範囲で使用される。   The total content of the repeating units represented by formulas (FA) to (FG) is generally 10 to 80 mol%, preferably 30 to 70 mol%, more preferably based on all repeating units constituting the resin. Is used in the range of 35 to 65 mol%.

本発明(B)の樹脂は、上記のような繰り返し構造単位以外にも、更に本発明のレジストの性能を向上させる目的で、他の重合性モノマーを共重合させてもよい。   In addition to the above repeating structural units, the resin of the present invention (B) may be copolymerized with other polymerizable monomers for the purpose of further improving the performance of the resist of the present invention.

使用することができる共重合モノマーとしては、以下に示すものが含まれる。例えば、上記以外のアクリル酸エステル類、アクリルアミド類、メタクリル酸エステル類、メタクリルアミド類、アリル化合物、ビニルエーテル類、ビニルエステル類、スチレン類、クロトン酸エステル類などから選ばれる付加重合性不飽和結合を1個有する化合物である。   Examples of copolymerizable monomers that can be used include those shown below. For example, an addition polymerizable unsaturated bond selected from acrylic acid esters, acrylamides, methacrylic acid esters, methacrylamides, allyl compounds, vinyl ethers, vinyl esters, styrenes, crotonic acid esters other than the above. A compound having one.

このようなフッ素含有樹脂には、ドライエッチング耐性向上、アルカリ可溶性調節、基板密着性向上などの観点から、前記フッ素原子を有する繰り返し単位の他に共重合成分として他の繰り返し単位を含有することが好ましい。他の繰り返し単位として好ましいものとしては:
1)前記一般式(pI)〜(pVI)及び(II−AB)に示す脂環炭化水素構造を有する繰り返し単位。具体的には前記1〜23の繰り返し単位および[II−1]〜[II−32]の繰り返し単位。好ましくは上記具体例1〜23のうちRxがCF3のものである。
Such a fluorine-containing resin may contain other repeating units as a copolymerization component in addition to the repeating unit having fluorine atoms, from the viewpoint of improving dry etching resistance, adjusting alkali solubility, and improving substrate adhesion. preferable. Preferred as other repeating units are:
1) A repeating unit having an alicyclic hydrocarbon structure represented by the general formulas (pI) to (pVI) and (II-AB). Specifically, the repeating units 1 to 23 and the repeating units [II-1] to [II-32]. Of the above specific examples 1 to 23, Rx is preferably CF 3 .

2)前記一般式(Lc)及び(V−1)〜(V−5)に示すラクトン構造を有する繰り返し単位。具体的には前記(IV−1)〜(IV−16)の繰り返し単位および(Ib−1)〜(Ib−11)の繰り返し単位。   2) A repeating unit having a lactone structure represented by the general formulas (Lc) and (V-1) to (V-5). Specifically, the repeating units (IV-1) to (IV-16) and the repeating units (Ib-1) to (Ib-11).

3)無水マレイン酸、ビニルエーテルまたはシアノ基を有するビニル化合物から由来される下記一般式(XV)(XVI)(XVII)、具体的には(C−1)〜(C−15)に挙げられる繰り返し単位が挙げられる。これら他の繰り返し単位中にはフッ素原子を含んでいてもいなくてもよい。   3) The following general formula (XV) (XVI) (XVII) derived from a maleic anhydride, vinyl ether or a vinyl compound having a cyano group, specifically the repetitions listed in (C-1) to (C-15) Units are listed. These other repeating units may or may not contain a fluorine atom.

式中、R41は、アルキル基、シクロアルキル基、アラルキル基もしくはアリール基を表す。R41のアルキル基は、アリール基で置換されていてもよい。
42は、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基又はアルキル基を表す。
5は単結合、2価のアルキレン基、アルケニレン基、シクロアルキレン基もしくはアリーレン基、又は−O−CO−R22−、−CO−O−R23−、−CO−N(R24)−R25−を表す。
22、R23、R25は同じでも異なっていてもよく、単結合、又はエーテル基、エステル基、アミド基、ウレタン基もしくはウレイド基を有してもよい、2価のアルキレン基、アルケニレン基、シクロアルキレン基又はアリーレン基を表す。
24は水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アラルキル基又はアリール基を表す。
nは0又は1を表し、x、y、zは0〜4の整数を表す。
ここで、各置換基の例は、前記一般式(FA)〜(FG)の置換基と同様のものがあげられる。
In the formula, R 41 represents an alkyl group, a cycloalkyl group, an aralkyl group or an aryl group. The alkyl group of R 41 may be substituted with an aryl group.
R 42 represents a hydrogen atom, a halogen atom, a cyano group or an alkyl group.
A 5 is a single bond, a divalent alkylene group, an alkenylene group, a cycloalkylene group or an arylene group, or —O—CO—R 22 —, —CO—O—R 23 —, —CO—N (R 24 ) —. R 25 -is represented.
R 22 , R 23 and R 25 may be the same or different and each may have a single bond, an ether group, an ester group, an amide group, a urethane group or a ureido group, a divalent alkylene group, an alkenylene group Represents a cycloalkylene group or an arylene group.
R 24 represents a hydrogen atom, an alkyl group, a cycloalkyl group, an aralkyl group or an aryl group.
n represents 0 or 1, and x, y, z represents an integer of 0 to 4.
Here, examples of each substituent include those similar to the substituents of the general formulas (FA) to (FG).

また一般式(XVI)〜(XVII)で表される繰り返し構造単位の具体例を示すが、本発明はこれに限定されるものではない。   Specific examples of the repeating structural units represented by the general formulas (XVI) to (XVII) are shown below, but the present invention is not limited thereto.

一般式(XV)〜(XVII)で表される繰り返し単位等その他繰り返し単位の含量は、樹脂を構成する全繰り返し単位に対して、一般的に0〜70モル%、好ましくは10〜60モル%、更に好ましくは20〜50モル%の範囲で使用される。   The content of other repeating units such as the repeating units represented by the general formulas (XV) to (XVII) is generally 0 to 70 mol%, preferably 10 to 60 mol%, based on all repeating units constituting the resin. More preferably, it is used in the range of 20 to 50 mol%.

(B)酸分解性樹脂としてのフッ素基含有樹脂は酸分解性基をいかなる繰り返し単位に含んでいてもよい。
酸分解性基を有する繰り返し単位の含有量は、全繰り返し単位に対して、10〜70モル%が好ましく、より好ましくは20〜60モル%、更に好ましくは30〜60モル%である。
(B) The fluorine group-containing resin as the acid-decomposable resin may contain an acid-decomposable group in any repeating unit.
As for content of the repeating unit which has an acid-decomposable group, 10-70 mol% is preferable with respect to all the repeating units, More preferably, it is 20-60 mol%, More preferably, it is 30-60 mol%.

フッ素基含有樹脂は、脂環炭化水素系酸分解性樹脂とほぼ同様にラジカル重合によって合成することができる。   The fluorine group-containing resin can be synthesized by radical polymerization in substantially the same manner as the alicyclic hydrocarbon-based acid-decomposable resin.

本発明に係る(B)成分の樹脂の重量平均分子量は、GPC法によりポリスチレン換算値として、好ましくは1,000〜200,000である。重量平均分子量を1,000以上とすることにより、耐熱性、ドライエッチング耐性を向上させることができ、また、重量平均分子量を200,000以下とすることにより、現像性を向上させることができ、且つ、粘度が極めて低くなるために製膜性を向上させることができる。   The weight average molecular weight of the resin of the component (B) according to the present invention is preferably 1,000 to 200,000 as a polystyrene conversion value by the GPC method. By making the weight average molecular weight 1,000 or more, heat resistance and dry etching resistance can be improved, and by making the weight average molecular weight 200,000 or less, developability can be improved. In addition, since the viscosity is extremely low, the film forming property can be improved.

本発明のポジ型感光性組成物において、本発明に係わる(B)成分の樹脂の組成物全体中の配合量は、全固形分中40〜99.99質量%が好ましく、より好ましくは50〜99.97質量%である。   In the positive photosensitive composition of the present invention, the blending amount of the resin of the component (B) according to the present invention in the entire composition is preferably 40 to 99.99% by mass in the total solid content, more preferably 50 to 50%. It is 99.97 mass%.

〔3〕(C)酸の作用により分解してアルカリ現像液中での溶解度が増大する、分子量3000以下の溶解阻止化合物(以下、「(C)成分」或いは「溶解阻止化合物」ともいう)
(C)酸の作用により分解してアルカリ現像液中での溶解度が増大する、分子量3000以下の溶解阻止化合物としては、220nm以下の透過性を低下させないため、Proceeding of SPIE, 2724,355 (1996)に記載されている酸分解性基を含むコール酸誘導体の様な、酸分解性基を含有する脂環族又は脂肪族化合物が好ましい。酸分解性基、脂環式構造としては、上記脂環炭化水素系酸分解性樹脂のところで説明したものと同様のものが挙げられる。
[3] (C) Dissolution-inhibiting compound having a molecular weight of 3000 or less (hereinafter also referred to as “(C) component” or “dissolution-inhibiting compound”) that is decomposed by the action of an acid to increase the solubility in an alkaline developer.
(C) As a dissolution-inhibiting compound having a molecular weight of 3000 or less that decomposes by the action of an acid and increases its solubility in an alkaline developer, the transmittance of 220 nm or less is not lowered, so Proceeding of SPIE, 2724,355 (1996) An alicyclic or aliphatic compound containing an acid-decomposable group is preferred, such as a cholic acid derivative containing an acid-decomposable group described in 1). Examples of the acid-decomposable group and alicyclic structure are the same as those described above for the alicyclic hydrocarbon-based acid-decomposable resin.

本発明の感光性組成物をKrFエキシマレーザーで露光するか、或いは電子線で照射する場合には、フェノール化合物のフェノール性水酸基を酸分解基で置換した構造を含有するものが好ましい。フェノール化合物としてはフェノール骨格を1〜9個含有するものが好ましく、さらに好ましくは2〜6個含有するものである。   When exposing the photosensitive composition of this invention with a KrF excimer laser, or irradiating with an electron beam, what contains the structure which substituted the phenolic hydroxyl group of the phenol compound by the acid-decomposable group is preferable. As a phenol compound, what contains 1-9 phenol frame | skeleton is preferable, More preferably, it contains 2-6 pieces.

本発明における溶解阻止化合物の分子量は、3000以下であり、好ましくは300〜3000、更に好ましくは500〜2500である。   The molecular weight of the dissolution inhibiting compound in the present invention is 3000 or less, preferably 300 to 3000, and more preferably 500 to 2500.

溶解阻止化合物の添加量は、感光性組成物の固形分に対し、好ましくは3〜50質量%であり、より好ましくは5〜40質量%である。   The addition amount of the dissolution inhibiting compound is preferably 3 to 50% by mass, more preferably 5 to 40% by mass, based on the solid content of the photosensitive composition.

以下に溶解阻止化合物の具体例を示すが、これらに限定されない。   Specific examples of the dissolution inhibiting compound are shown below, but are not limited thereto.

〔4〕(D)アルカリ現像液に可溶な樹脂(以下、「(D)成分」あるいは「アルカリ可溶性樹脂」ともいう)
アルカリ可溶性樹脂のアルカリ溶解速度は、0.261Nテトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド(TMAH)で測定(23℃)して20Å/秒以上のものが好ましい。特に好ましくは200Å/秒以上のものである(Åはオングストローム)。
[4] (D) Resin soluble in alkali developer (hereinafter also referred to as “component (D)” or “alkali-soluble resin”)
The alkali dissolution rate of the alkali-soluble resin is preferably 20 測定 / sec or more as measured with 0.261N tetramethylammonium hydroxide (TMAH) (23 ° C.). Particularly preferred is 200 Å / sec or more (Å is angstrom).

本発明に用いられるアルカリ可溶性樹脂としては、例えばノボラック樹脂、水素化ノボラツク樹脂、アセトン−ピロガロール樹脂、o−ポリヒドロキシスチレン、m−ポリヒドロキシスチレン、p−ポリヒドロキシスチレン、水素化ポリヒドロキシスチレン、ハロゲンもしくはアルキル置換ポリヒドロキシスチレン、ヒドロキシスチレン−N−置換マレイミド共重合体、o/p−及びm/p−ヒドロキシスチレン共重合体、ポリヒドロキシスチレンの水酸基に対する一部O−アルキル化物(例えば、5〜30モル%のO−メチル化物、O−(1−メトキシ)エチル化物、O−(1−エトキシ)エチル化物、O−2−テトラヒドロピラニル化物、O−(t−ブトキシカルボニル)メチル化物等)もしくはO−アシル化物(例えば、5〜30モル%のo−アセチル化物、O−(t−ブトキシ)カルボニル化物等)、スチレン−無水マレイン酸共重合体、スチレン−ヒドロキシスチレン共重合体、α−メチルスチレン−ヒドロキシスチレン共重合体、カルボキシル基含有メタクリル系樹脂及びその誘導体、ポリビニルアルコール誘導体を挙げることができるが、これらに限定されるものではない。   Examples of the alkali-soluble resin used in the present invention include novolak resin, hydrogenated novolak resin, acetone-pyrogalol resin, o-polyhydroxystyrene, m-polyhydroxystyrene, p-polyhydroxystyrene, hydrogenated polyhydroxystyrene, and halogen. Alternatively, alkyl-substituted polyhydroxystyrene, hydroxystyrene-N-substituted maleimide copolymer, o / p- and m / p-hydroxystyrene copolymer, partially O-alkylated product of hydroxyl group of polyhydroxystyrene (for example, 5- 30 mol% O-methylated product, O- (1-methoxy) ethylated product, O- (1-ethoxy) ethylated product, O-2-tetrahydropyranylated product, O- (t-butoxycarbonyl) methylated product, etc.) Or O-acylated product (for example, 5 to 30 mol) O-acetylated product, O- (t-butoxy) carbonylated product, etc.), styrene-maleic anhydride copolymer, styrene-hydroxystyrene copolymer, α-methylstyrene-hydroxystyrene copolymer, carboxyl group-containing methacrylic acid Examples thereof include, but are not limited to, resins and derivatives thereof, and polyvinyl alcohol derivatives.

特に好ましいアルカリ可溶性樹脂はノボラック樹脂及びo−ポリヒドロキシスチレン、m−ポリヒドロキシスチレン、p−ポリヒドロキシスチレン及びこれらの共重合体、アルキル置換ポリヒドロキシスチレン、ポリヒドロキシスチレンの一部O−アルキル化、もしくはO−アシル化物、スチレン−ヒドロキシスチレン共重合体、α−メチルスチレン−ヒドロキシスチレン共重合体である。   Particularly preferred alkali-soluble resins are novolak resins and o-polyhydroxystyrene, m-polyhydroxystyrene, p-polyhydroxystyrene and copolymers thereof, alkyl-substituted polyhydroxystyrenes, partially O-alkylated polyhydroxystyrenes, Alternatively, O-acylated product, styrene-hydroxystyrene copolymer, and α-methylstyrene-hydroxystyrene copolymer.

該ノボラック樹脂は所定のモノマーを主成分として、酸性触媒の存在下、アルデヒド類と付加縮合させることにより得られる。   The novolak resin is obtained by subjecting a predetermined monomer as a main component to addition condensation with an aldehyde in the presence of an acidic catalyst.

また、アルカリ溶解性樹脂の重量平均分子量は、通常2000以上、好ましくは5000〜200000、より好ましくは5000〜100000である。   Moreover, the weight average molecular weight of alkali-soluble resin is 2000 or more normally, Preferably it is 5000-200000, More preferably, it is 5000-100000.

ここで、重量平均分子量はゲルパーミエーションクロマトグラフィーのポリスチレン換算値をもって定義される。   Here, the weight average molecular weight is defined as a polystyrene equivalent value of gel permeation chromatography.

本発明におけるこれらの(D)アルカリ可溶性樹脂は2種類以上組み合わせて使用してもよい。   These (D) alkali-soluble resins in the present invention may be used in combination of two or more.

アルカリ可溶性樹脂の使用量は、感光性組成物の全組成物の固形分に対し、40〜97質量%、好ましくは60〜90質量%である。   The usage-amount of alkali-soluble resin is 40-97 mass% with respect to solid content of the whole composition of a photosensitive composition, Preferably it is 60-90 mass%.

(5)(E)酸の作用により上記アルカリ可溶性樹脂と架橋する酸架橋剤(以下「(E)成分」或いは「架橋剤」ともいう)
本発明のネガ型感光性組成物には、架橋剤が使用される。
(5) (E) An acid crosslinking agent that crosslinks with the alkali-soluble resin by the action of an acid (hereinafter also referred to as “(E) component” or “crosslinking agent”).
A crosslinking agent is used in the negative photosensitive composition of the present invention.

架橋剤としては酸の作用によりアルカリ現像液に可溶な樹脂を架橋する化合物であればいずれも用いることができるが、以下の(1)〜(3)が好ましい。
(1)フェノール誘導体のヒドロキシメチル体、アルコキシメチル体、アシルオキシメチル体。
(2)N−ヒドロキシメチル基、N−アルコキシメチル基、N−アシルオキシメチル基を有する化合物。
(3)エポキシ基を有する化合物。
Any crosslinking agent can be used as long as it is a compound that crosslinks a resin soluble in an alkaline developer by the action of an acid, but the following (1) to (3) are preferred.
(1) Hydroxymethyl, alkoxymethyl, and acyloxymethyl forms of phenol derivatives.
(2) A compound having an N-hydroxymethyl group, an N-alkoxymethyl group, or an N-acyloxymethyl group.
(3) A compound having an epoxy group.

アルコキシメチル基としては炭素数6個以下、アシルオキシメチル基としては炭素数6個以下が好ましい。   The alkoxymethyl group preferably has 6 or less carbon atoms, and the acyloxymethyl group preferably has 6 or less carbon atoms.

これらの架橋剤の内、特に好ましいものを以下に挙げる。   Of these crosslinking agents, particularly preferred are listed below.

(式中、L1〜L8は、同じであっても異なっていてもよく、水素原子、ヒドロキシメチル基、メトキシメチル基、エトキシメチル基又は炭素数1〜6個のアルキル基を示す。)
架橋剤は、感光性組成物の固形分中、通常3〜70質量%、好ましくは5〜50質量%の添加量で用いられる。
(In formula, L < 1 > -L < 8 > may be same or different and shows a hydrogen atom, a hydroxymethyl group, a methoxymethyl group, an ethoxymethyl group, or a C1-C6 alkyl group.)
The crosslinking agent is generally used in an amount of 3 to 70% by mass, preferably 5 to 50% by mass, in the solid content of the photosensitive composition.

<その他の成分>
〔5〕(F)塩基性化合物
本発明の感光性組成物は、露光から加熱までの経時による性能変化を低減するために、(F)塩基性化合物を含有することが好ましい。
塩基性化合物としてフェノールよりも塩基性が強い化合物が好ましい。
<Other ingredients>
[5] (F) Basic compound The photosensitive composition of the present invention preferably contains (F) a basic compound in order to reduce a change in performance over time from exposure to heating.
As the basic compound, a compound having a stronger basicity than phenol is preferable.

塩基性化合物が有する好ましい構造として、下記式(A)〜(E)で示される構造を挙げることができる。   As a preferable structure which a basic compound has, the structure shown by following formula (A)-(E) can be mentioned.

ここでR250、R251及びR252は、各々独立に、水素原子、炭素数1〜20のアルキル基、炭素数3〜20のシクロアルキル基又は炭素数6〜20のアリール基であり、ここでR250とR251は互いに結合して環を形成してもよい。これらはは置換基を有していてもよく、置換基を有するアルキル基及びシクロアルキル基としては、炭素数1〜20のアミノアルキル基又は炭素数3〜20のシクロアルキル基、炭素数1〜20のヒドロキシアルキル基又は炭素数3〜20のシクロアルキル基が好ましい。
また、これらはアルキル鎖中に酸素原子、硫黄原子、窒素原子を含んでも良い。
Here, R 250 , R 251 and R 252 are each independently a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, a cycloalkyl group having 3 to 20 carbon atoms or an aryl group having 6 to 20 carbon atoms, And R 250 and R 251 may combine with each other to form a ring. These may have a substituent. Examples of the alkyl group and cycloalkyl group having a substituent include an aminoalkyl group having 1 to 20 carbon atoms, a cycloalkyl group having 3 to 20 carbon atoms, and 1 to 1 carbon atoms. A 20 hydroxyalkyl group or a cycloalkyl group having 3 to 20 carbon atoms is preferred.
These may contain an oxygen atom, a sulfur atom, or a nitrogen atom in the alkyl chain.

(式中、R253、R254、R255及びR256は、各々独立に、炭素数1〜6のアルキル基又は炭素数3〜6のシクロアルキル基を示す)。 (Wherein R 253 , R 254 , R 255 and R 256 each independently represents an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms or a cycloalkyl group having 3 to 6 carbon atoms).

好ましい化合物として、グアニジン、アミノピロリジン、ピラゾール、ピラゾリン、ピペラジン、アミノモルホリン、アミノアルキルモルフォリン、ピペリジンを挙げることができ、置換基を有していてもよい。更に好ましい化合物として、イミダゾール構造、ジアザビシクロ構造、オニウムヒドロキシド構造、オニウムカルボキシレート構造、トリアルキルアミン構造、アニリン構造又はピリジン構造を有する化合物、水酸基及び/又はエーテル結合を有するアルキルアミン誘導体、水酸基及び/又はエーテル結合を有するアニリン誘導体等を挙げることができる。   Preferable compounds include guanidine, aminopyrrolidine, pyrazole, pyrazoline, piperazine, aminomorpholine, aminoalkylmorpholine, and piperidine, and may have a substituent. More preferable compounds include compounds having an imidazole structure, a diazabicyclo structure, an onium hydroxide structure, an onium carboxylate structure, a trialkylamine structure, an aniline structure or a pyridine structure, an alkylamine derivative having a hydroxyl group and / or an ether bond, a hydroxyl group and / or Or the aniline derivative which has an ether bond etc. can be mentioned.

イミダゾール構造を有する化合物としてはイミダゾール、2、4、5−トリフェニルイミダゾール、ベンズイミダゾール等があげられる。ジアザビシクロ構造を有する化合物としては1、4−ジアザビシクロ[2,2,2]オクタン、1、5−ジアザビシクロ[4,3,0]ノナー5−エン、1、8−ジアザビシクロ[5,4,0]ウンデカー7−エンなどがあげられる。オニウムヒドロキシド構造を有する化合物としてはトリアリールスルホニウムヒドロキシド、フェナシルスルホニウムヒドロキシド、2−オキソアルキル基を有するスルホニウムヒドロキシド、具体的にはトリフェニルスルホニウムヒドロキシド、トリス(t−ブチルフェニル)スルホニウムヒドロキシド、ビス(t−ブチルフェニル)ヨードニウムヒドロキシド、フェナシルチオフェニウムヒドロキシド、2−オキソプロピルチオフェニウムヒドロキシドなどがあげられる。オニウムカルボキシレート構造を有する化合物としてはオニウムヒドロキシド構造を有する化合物のアニオン部がカルボキシレートになったものであり、例えばアセテート、アダマンタンー1−カルボキシレート、パーフロロアルキルカルボキシレート等があげられる。トリアルキルアミン構造を有する化合物としては、トリ(n−ブチル)アミン、トリ(n−オクチル)アミン等を挙げることができる。アニリン化合物としては、2,6−ジイソプロピルアニリン、N,N−ジメチルアニリン等を挙げることができる。水酸基及び/又はエーテル結合を有するアルキルアミン誘導体としては、エタノールアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン、トリス(メトキシエトキシエチル)アミン等を挙げることができる。水酸基及び/又はエーテル結合を有するアニリン誘導体としては、N,N−ビス(ヒドロキシエチル)アニリン等を挙げることができる。   Examples of the compound having an imidazole structure include imidazole, 2,4,5-triphenylimidazole, benzimidazole, and the like. The compound having a diazabicyclo structure is 1,4-diazabicyclo [2,2,2] octane, 1,5-diazabicyclo [4,3,0] noner-5-ene, 1,8-diazabicyclo [5,4,0]. Undecar 7-ene. Examples of the compound having an onium hydroxide structure include triarylsulfonium hydroxide, phenacylsulfonium hydroxide, sulfonium hydroxide having a 2-oxoalkyl group, specifically triphenylsulfonium hydroxide, tris (t-butylphenyl) sulfonium. Examples thereof include hydroxide, bis (t-butylphenyl) iodonium hydroxide, phenacylthiophenium hydroxide, and 2-oxopropylthiophenium hydroxide. The compound having an onium carboxylate structure is a compound having an onium hydroxide structure in which the anion moiety is converted to a carboxylate, and examples thereof include acetate, adamantane-1-carboxylate, and perfluoroalkylcarboxylate. Examples of the compound having a trialkylamine structure include tri (n-butyl) amine and tri (n-octyl) amine. Examples of aniline compounds include 2,6-diisopropylaniline and N, N-dimethylaniline. Examples of the alkylamine derivative having a hydroxyl group and / or an ether bond include ethanolamine, diethanolamine, triethanolamine, and tris (methoxyethoxyethyl) amine. Examples of aniline derivatives having a hydroxyl group and / or an ether bond include N, N-bis (hydroxyethyl) aniline.

これらの塩基性化合物は、単独であるいは2種以上で用いられる。塩基性化合物の使用量は、感光性組成物の固形分を基準として、通常0.001〜10質量%、好ましくは0.01〜5質量%である。十分な添加効果を得る上で0.001質量%以上が好ましく、感度や非露光部の現像性の点で10質量%以下が好ましい。   These basic compounds are used alone or in combination of two or more. The usage-amount of a basic compound is 0.001-10 mass% normally on the basis of solid content of a photosensitive composition, Preferably it is 0.01-5 mass%. In order to obtain a sufficient addition effect, 0.001% by mass or more is preferable, and 10% by mass or less is preferable in terms of sensitivity and developability of the non-exposed area.

〔6〕(G)フッ素系及び/又はシリコン系界面活性剤
本発明の感光性組成物は、更に、フッ素系及び/又はシリコン系界面活性剤(フッ素系界面活性剤及びシリコン系界面活性剤、フッ素原子と珪素原子の両方を含有する界面活性剤)のいずれか、あるいは2種以上を含有することが好ましい。
[6] (G) Fluorine-based and / or silicon-based surfactant The photosensitive composition of the present invention further includes a fluorine-based and / or silicon-based surfactant (fluorine-based surfactant and silicon-based surfactant, It is preferable to contain any one of surfactants containing both fluorine atoms and silicon atoms, or two or more thereof.

本発明の感光性組成物がフッ素及び/又はシリコン系界面活性剤とを含有することにより、250nm以下、特に220nm以下の露光光源の使用時に、良好な感度及び解像度で、密着性及び現像欠陥の少ないレジストパターンを与えることが可能となる。   When the photosensitive composition of the present invention contains fluorine and / or a silicon-based surfactant, adhesion and development defects can be obtained with good sensitivity and resolution when using an exposure light source of 250 nm or less, particularly 220 nm or less. A small resist pattern can be provided.

これらのフッ素及び/又はシリコン系界面活性剤として、例えば特開昭62−36663号公報、特開昭61−226746号公報、特開昭61−226745号公報、特開昭62−170950号公報、特開昭63−34540号公報、特開平7−230165号公報、特開平8−62834号公報、特開平9−54432号公報、特開平9−5988号公報、特開2002−277862号公報、米国特許第5405720号明細書、同5360692号明細書、同5529881号明細書、同5296330号明細書、同5436098号明細書、同5576143号明細書、同 5294511号明細書、同5824451号明細書記載の界面活性剤を挙げることができ、下記市販の界面活性剤をそのまま用いることもできる。   Examples of these fluorine and / or silicon surfactants include, for example, JP-A No. 62-36663, JP-A No. 61-226746, JP-A No. 61-226745, JP-A No. 62-170950, JP 63-34540 A, JP 7-230165 A, JP 8-62834 A, JP 9-54432 A, JP 9-5988 A, JP 2002-277862 A, US Patent Nos. 5,405,720, 5,360,692, 5,529,881, 5,296,330, 5,436,098, 5,576,143, 5,294,511, 5,824,451 Surfactant can be mentioned, The following commercially available surfactant can also be used as it is.

使用できる市販の界面活性剤として、例えばエフトップEF301、EF303、(新秋田化成(株)製)、フロラードFC430、431(住友スリーエム(株)製)、メガファックF171、F173、F176、F189、R08(大日本インキ化学工業(株)製)、サーフロンS−382、SC101、102、103、104、105、106(旭硝子(株)製)、トロイゾルS−366(トロイケミカル(株)製)等のフッ素系界面活性剤又はシリコン系界面活性剤を挙げることができる。またポリシロキサンポリマーKP−341(信越化学工業(株)製)もシリコン系界面活性剤として用いることができる。   Examples of commercially available surfactants that can be used include EFTOP EF301 and EF303 (manufactured by Shin-Akita Kasei Co., Ltd.), Florard FC430 and 431 (manufactured by Sumitomo 3M Co., Ltd.), MegaFuck F171, F173, F176, F189, and R08. (Dainippon Ink Chemical Co., Ltd.), Surflon S-382, SC101, 102, 103, 104, 105, 106 (Asahi Glass Co., Ltd.), Troisol S-366 (Troy Chemical Co., Ltd.), etc. Fluorine type surfactant or silicon type surfactant can be mentioned. Polysiloxane polymer KP-341 (manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) can also be used as the silicon surfactant.

また、界面活性剤としては、上記に示すような公知のものの他に、テロメリゼーション法(テロマー法ともいわれる)もしくはオリゴメリゼーション法(オリゴマー法ともいわれる)により製造されたフルオロ脂肪族化合物から導かれたフルオロ脂肪族基を有する重合体を用いた界面活性剤を用いることが出来る。フルオロ脂肪族化合物は、特開2002−90991号公報に記載された方法によって合成することが出来る。   In addition to the known surfactants described above, the surfactant is derived from a fluoroaliphatic compound produced by a telomerization method (also called telomer method) or an oligomerization method (also called oligomer method). A surfactant using a polymer having a fluoroaliphatic group can be used. The fluoroaliphatic compound can be synthesized by the method described in JP-A-2002-90991.

フルオロ脂肪族基を有する重合体としては、フルオロ脂肪族基を有するモノマーと(ポリ(オキシアルキレン))アクリレート及び/又は(ポリ(オキシアルキレン))メタクリレートとの共重合体が好ましく、不規則に分布しているものでも、ブロック共重合していてもよい。また、ポリ(オキシアルキレン)基としては、ポリ(オキシエチレン)基、ポリ(オキシプロピレン)基、ポリ(オキシブチレン)基などが挙げられ、また、ポリ(オキシエチレンとオキシプロピレンとオキシエチレンとのブロック連結体)やポリ(オキシエチレンとオキシプロピレンとのブロック連結体)など同じ鎖長内に異なる鎖長のアルキレンを有するようなユニットでもよい。さらに、フルオロ脂肪族基を有するモノマーと(ポリ(オキシアルキレン))アクリレート(又はメタクリレート)との共重合体は2元共重合体ばかりでなく、異なる2種以上のフルオロ脂肪族基を有するモノマーや、異なる2種以上の(ポリ(オキシアルキレン))アクリレート(又はメタクリレート)などを同時に共重合した3元系以上の共重合体でもよい。   As the polymer having a fluoroaliphatic group, a copolymer of a monomer having a fluoroaliphatic group and (poly (oxyalkylene)) acrylate and / or (poly (oxyalkylene)) methacrylate is preferable and distributed irregularly. Or may be block copolymerized. Examples of the poly (oxyalkylene) group include a poly (oxyethylene) group, a poly (oxypropylene) group, a poly (oxybutylene) group, and the like, and a poly (oxyethylene, oxypropylene, and oxyethylene group). A unit having different chain lengths in the same chain length, such as a block link) or poly (block link of oxyethylene and oxypropylene) may be used. Furthermore, a copolymer of a monomer having a fluoroaliphatic group and (poly (oxyalkylene)) acrylate (or methacrylate) is not only a binary copolymer but also a monomer having two or more different fluoroaliphatic groups, Further, it may be a ternary or higher copolymer obtained by simultaneously copolymerizing two or more different (poly (oxyalkylene)) acrylates (or methacrylates).

例えば、市販の界面活性剤として、メガファックF178、F−470、F−473、F−475、F−476、F−472(大日本インキ化学工業(株)製)を挙げることができる。さらに、C613基を有するアクリレート(又はメタクリレート)と(ポリ(オキシアルキレン))アクリレート(又はメタクリレート)との共重合体、C613基を有するアクリレート(又はメタクリレート)と(ポリ(オキシエチレン))アクリレート(又はメタクリレート)と(ポリ(オキシプロピレン))アクリレート(又はメタクリレート)との共重合体、C817基を有するアクリレート(又はメタクリレート)と(ポリ(オキシアルキレン))アクリレート(又はメタクリレート)との共重合体、C817基を有するアクリレート(又はメタクリレート)と(ポリ(オキシエチレン))アクリレート(又はメタクリレート)と(ポリ(オキシプロピレン))アクリレート(又はメタクリレート)との共重合体、などを挙げることができる。 Examples of commercially available surfactants include Megafac F178, F-470, F-473, F-475, F-476, and F-472 (Dainippon Ink Chemical Co., Ltd.). Further, a copolymer of an acrylate (or methacrylate) having a C 6 F 13 group and (poly (oxyalkylene)) acrylate (or methacrylate), an acrylate (or methacrylate) having a C 6 F 13 group and (poly (oxy) (Ethylene)) acrylate (or methacrylate) and (poly (oxypropylene)) acrylate (or methacrylate) copolymer, acrylate (or methacrylate) and (poly (oxyalkylene)) acrylate having C 8 F 17 groups (or Copolymer of acrylate (or methacrylate), (poly (oxyethylene)) acrylate (or methacrylate), and (poly (oxypropylene)) acrylate (or methacrylate) having a C 8 F 17 group Coalesce, etc. Can.

フッ素及び/又はシリコン系界面活性剤の使用量は、感光性組成物の全量(溶剤を除く)に対して、好ましくは0.0001〜2質量%、より好ましくは0.001〜1質量%である。   The amount of fluorine and / or silicon surfactant used is preferably 0.0001 to 2% by mass, more preferably 0.001 to 1% by mass, based on the total amount of the photosensitive composition (excluding the solvent). is there.

〔7〕(H)有機溶剤
本発明の感光性組成物は、上記の成分を所定の有機溶剤に溶解して用いる。
[7] (H) Organic solvent The photosensitive composition of the present invention is used by dissolving the above components in a predetermined organic solvent.

使用し得る有機溶剤としては、例えば、エチレンジクロライド、シクロヘキサノン、シクロペンタノン、2−ヘプタノン、γ−ブチロラクトン、メチルエチルケトン、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、2−メトキシエチルアセテート、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、トルエン、酢酸エチル、乳酸メチル、乳酸エチル、メトキシプロピオン酸メチル、エトキシプロピオン酸エチル、ピルビン酸メチル、ピルビン酸エチル、ピルビン酸プロピル、N,N−ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、N−メチルピロリドン、テトラヒドロフラン等を挙げることができる。   Examples of the organic solvent that can be used include ethylene dichloride, cyclohexanone, cyclopentanone, 2-heptanone, γ-butyrolactone, methyl ethyl ketone, ethylene glycol monomethyl ether, ethylene glycol monoethyl ether, 2-methoxyethyl acetate, ethylene glycol monoethyl. Ether acetate, propylene glycol monomethyl ether, propylene glycol monomethyl ether acetate, toluene, ethyl acetate, methyl lactate, ethyl lactate, methyl methoxypropionate, ethyl ethoxypropionate, methyl pyruvate, ethyl pyruvate, propyl pyruvate, N, N -Dimethylformamide, dimethyl sulfoxide, N-methylpyrrolidone, tetrahydrofuran, etc.

本発明において、有機溶剤としては、単独で用いても混合して用いても良いが、構造中に水酸基を含有する溶剤と、水酸基を含有しない溶剤とを混合した混合溶剤を使用することが好ましい。これによりレジスト液保存時のパーティクル発生を軽減することができる。   In the present invention, the organic solvent may be used alone or in combination, but it is preferable to use a mixed solvent in which a solvent containing a hydroxyl group in the structure and a solvent not containing a hydroxyl group are mixed. . Thereby, the generation of particles during storage of the resist solution can be reduced.

水酸基を含有する溶剤としては、例えば、エチレングリコール、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコール、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、乳酸エチル等を挙げることができ、これらの内でプロピレングリコールモノメチルエーテル、乳酸エチルが特に好ましい。   Examples of the solvent containing a hydroxyl group include ethylene glycol, ethylene glycol monomethyl ether, ethylene glycol monoethyl ether, propylene glycol, propylene glycol monomethyl ether, propylene glycol monoethyl ether, ethyl lactate, and the like. Particularly preferred are propylene glycol monomethyl ether and ethyl lactate.

水酸基を含有しない溶剤としては、例えば、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチルエトキシプロピオネート、2−ヘプタノン、γ−ブチロラクトン、シクロヘキサノン、酢酸ブチル、N−メチルピロリドン、N,N−ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホキシド等を挙げることができ、これらの内で、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチルエトキシプロピオネート、2−ヘプタノン、γ−ブチロラクトン、シクロヘキサノン、酢酸ブチルが特に好ましく、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチルエトキシプロピオネート、2−ヘプタノンが最も好ましい。   Examples of the solvent not containing a hydroxyl group include propylene glycol monomethyl ether acetate, ethyl ethoxypropionate, 2-heptanone, γ-butyrolactone, cyclohexanone, butyl acetate, N-methylpyrrolidone, N, N-dimethylacetamide, dimethyl sulfoxide and the like. Among these, propylene glycol monomethyl ether acetate, ethyl ethoxypropionate, 2-heptanone, γ-butyrolactone, cyclohexanone, and butyl acetate are particularly preferred, and propylene glycol monomethyl ether acetate, ethyl ethoxypropionate. 2-heptanone is most preferred.

水酸基を含有する溶剤と水酸基を含有しない溶剤との混合比(質量)は、1/99〜99/1、好ましくは10/90〜90/10、更に好ましくは20/80〜60/40である。水酸基を含有しない溶剤を50質量%以上含有する混合溶剤が塗布均一性の点で特に好ましい。   The mixing ratio (mass) of the solvent containing a hydroxyl group and the solvent not containing a hydroxyl group is 1/99 to 99/1, preferably 10/90 to 90/10, more preferably 20/80 to 60/40. . A mixed solvent containing 50% by mass or more of a solvent not containing a hydroxyl group is particularly preferred from the viewpoint of coating uniformity.

〔8〕その他の添加剤
本発明の感光性組成物には、必要に応じてさらに染料、可塑剤、上記(G)成分以外の界面活性剤、光増感剤、及び現像液に対する溶解性を促進させる化合物等を含有させることができる。
[8] Other Additives The photosensitive composition of the present invention further has solubility in dyes, plasticizers, surfactants other than the above component (G), photosensitizers, and developers as necessary. A compound to be promoted and the like can be contained.

本発明で使用できる現像液に対する溶解促進性化合物は、フェノール性OH基を2個以上、又はカルボキシ基を1個以上有する分子量1,000以下の低分子化合物である。カルボキシ基を有する場合は脂環族又は脂肪族化合物が好ましい。   The dissolution accelerating compound for the developer that can be used in the present invention is a low molecular weight compound having a molecular weight of 1,000 or less and having two or more phenolic OH groups or one or more carboxy groups. When it has a carboxy group, an alicyclic or aliphatic compound is preferable.

これら溶解促進性化合物の好ましい添加量は、(B)成分の樹脂又は(D)成分の樹脂に対して2〜50質量%であり、さらに好ましくは5〜30質量%である。現像残渣抑制、現像時パターン変形防止の点で50質量%以下が好ましい。   A preferable addition amount of these dissolution promoting compounds is 2 to 50% by mass, and more preferably 5 to 30% by mass with respect to the resin of the component (B) or the resin of the component (D). 50 mass% or less is preferable at the point of development residue suppression and the pattern deformation prevention at the time of image development.

このような分子量1000以下のフェノール化合物は、例えば、特開平4−122 938、特開平2−28531、米国特許第4916210、欧州特許第219294等に記載の方法を参考にして、当業者において容易に合成することができる。   Such phenolic compounds having a molecular weight of 1000 or less can be easily obtained by those skilled in the art with reference to the methods described in JP-A-4-122938, JP-A-2-28531, US Pat. Can be synthesized.

カルボキシル基を有する脂環族、又は脂肪族化合物の具体例としてはコール酸、デオキシコール酸、リトコール酸などのステロイド構造を有するカルボン酸誘導体、アダマンタンカルボン酸誘導体、アダマンタンジカルボン酸、シクロヘキサンカルボン酸、シクロヘキサンジカルボン酸などが挙げられるがこれらに限定されるものではない。   Specific examples of alicyclic or aliphatic compounds having a carboxyl group include carboxylic acid derivatives having a steroid structure such as cholic acid, deoxycholic acid, lithocholic acid, adamantane carboxylic acid derivatives, adamantane dicarboxylic acid, cyclohexane carboxylic acid, cyclohexane Examples thereof include, but are not limited to, dicarboxylic acids.

本発明においては、上記(G)フッ素系及び/又はシリコン系界面活性剤以外の他の界面活性剤を加えることもできる。具体的には、ポリオキシエチレンアルキルエーテル類、ポリオキシエチレンアルキルアリルエーテル類、ポリオキシエチレン・ポリオキシプロピレンブロックコポリマー類、ソルビタン脂肪族エステル類、ポリオキシエチレンソルビタン脂肪族エステル類等のノニオン系界面活性剤を挙げることができる。   In the present invention, a surfactant other than the above (G) fluorine-based and / or silicon-based surfactant may be added. Specifically, nonionic interfaces such as polyoxyethylene alkyl ethers, polyoxyethylene alkyl allyl ethers, polyoxyethylene / polyoxypropylene block copolymers, sorbitan aliphatic esters, polyoxyethylene sorbitan aliphatic esters, etc. Mention may be made of activators.

これらの界面活性剤は単独で添加してもよいし、また、いくつかの組み合わせで添加することもできる。   These surfactants may be added alone or in some combination.

〔9〕使用方法
本発明の感光性組成物は、上記の成分を所定の有機溶剤、好ましくは前記混合溶剤に溶解し、次のように所定の支持体上に塗布して用いる。
[9] Method of Use The photosensitive composition of the present invention is used by dissolving the above components in a predetermined organic solvent, preferably the mixed solvent, and applying the solution on a predetermined support as follows.

例えば、感光性組成物を精密集積回路素子の製造に使用されるような基板(例:シリコン/二酸化シリコン被覆)上にスピナー、コーター等の適当な塗布方法により塗布、乾燥し、感光性膜を形成する。
当該感光性膜に、所定のマスクを通して活性光線又は放射線を照射し、好ましくはベーク(加熱)を行い、現像する。これにより良好なパターンを得ることができる。
For example, the photosensitive composition is applied onto a substrate (eg, silicon / silicon dioxide coating) used for the manufacture of precision integrated circuit elements by an appropriate coating method such as a spinner or a coater, and dried to form a photosensitive film. Form.
The photosensitive film is irradiated with actinic rays or radiation through a predetermined mask, preferably baked (heated) and developed. Thereby, a good pattern can be obtained.

活性光線又は放射線としては、赤外光、可視光、紫外光、遠紫外光、X線、電子線等を挙げることができるが、好ましくは250nm以下、より好ましくは220nm以下の波長の遠紫外光、具体的には、KrFエキシマレーザー(248nm)、ArFエキシマレーザー(193nm)、F2エキシマレーザー(157nm)、X線、電子ビーム等であり、ArFエキシマレーザー、F2エキシマレーザー、EUV(13nm)が好ましい。 Examples of the actinic ray or radiation include infrared light, visible light, ultraviolet light, far ultraviolet light, X-ray, electron beam, etc., but preferably far ultraviolet light having a wavelength of 250 nm or less, more preferably 220 nm or less. Specifically, KrF excimer laser (248 nm), ArF excimer laser (193 nm), F 2 excimer laser (157 nm), X-ray, electron beam, etc. ArF excimer laser, F 2 excimer laser, EUV (13 nm) Is preferred.

現像工程では、アルカリ現像液を次のように用いる。レジスト組成物のアルカリ現像液としては、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、ケイ酸ナトリウム、メタケイ酸ナトリウム、アンモニア水等の無機アルカリ類、エチルアミン、n−プロピルアミン等の第一アミン類、ジエチルアミン、ジ−n−ブチルアミン等の第二アミン類、トリエチルアミン、メチルジエチルアミン等の第三アミン類、ジメチルエタノールアミン、トリエタノールアミン等のアルコールアミン類、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド等の第四級アンモニウム塩、ピロール、ピヘリジン等の環状アミン類等のアルカリ性水溶液を使用することができる。   In the development step, an alkaline developer is used as follows. As an alkaline developer of the resist composition, inorganic hydroxides such as sodium hydroxide, potassium hydroxide, sodium carbonate, sodium silicate, sodium metasilicate, and aqueous ammonia, primary amines such as ethylamine and n-propylamine, Secondary amines such as diethylamine and di-n-butylamine, tertiary amines such as triethylamine and methyldiethylamine, alcohol amines such as dimethylethanolamine and triethanolamine, tetramethylammonium hydroxide, tetraethylammonium hydroxide and the like Alkaline aqueous solutions such as quaternary ammonium salts, cyclic amines such as pyrrole and pihelidine can be used.

さらに、上記アルカリ現像液にアルコール類、界面活性剤を適当量添加して使用することもできる。   Furthermore, alcohols and surfactants can be added in appropriate amounts to the alkaline developer.

アルカリ現像液のアルカリ濃度は、通常0.1〜20質量%である。
アルカリ現像液のpHは、通常10.0〜15.0である。
The alkali concentration of the alkali developer is usually from 0.1 to 20% by mass.
The pH of the alkali developer is usually from 10.0 to 15.0.

以下、本発明を実施例により更に詳細に説明するが、本発明の内容がこれにより限定さ
れるものではない。
実施例1〜3、5、8、10、11、13、14、17〜36、38、39、41〜44、46〜56、65、67〜75、85は参考例である。
EXAMPLES Hereinafter, although an Example demonstrates this invention still in detail, the content of this invention is not limited by this.
Examples 1-3, 5, 8, 10, 11, 13, 14, 17-36, 38, 39, 41-44, 46-56, 65, 67-75, 85 are reference examples.

(1)(A)成分の合成例
〔化合物(A−34)の合成〕
5−ヨードオクタフルオロ−3−オキサペンタンスルホニルフロリド 7.67g (18 mmol)、1−ドデセン 3.33 g (19.8 mmol)、ハイドロサルファイトナトリウム3.84 g (22.1 mmol)、炭酸水素ナトリウム2.65 g (31.5 mmol)、アセトニトリル40 mL、水15 mLを加え室温で3時間攪拌した。反応溶液に酢酸エチル150 mLを加え、有機層を水で洗浄し、硫酸マグネシウムによって乾燥した。溶媒を除去し無色透明オイルを得た。これにトリブチルチンヒドリド7.0 mL (26.5 mmol)、2、2'−アゾビス(イソブチロニトリル)1.16 g (7.06 mmol)、トルエン50 mLを加え窒素気流下70℃で3時間攪拌した。有機層を飽和フッ化カリウム水溶液、水で順次洗浄し硫酸ナトリウムによって乾燥後溶媒を除去して無色透明オイルを得た。これに水酸化ナトリウム3.0 g (75 mmol)、エタノール50 mLを加え室温で3時間攪拌した。溶媒を除去し酢酸エチルで抽出することによって白色固体を得た。これをアセトニトリル 50mlに溶解させトリフェニルスルホニウムアセテイト溶液を加え室温で2時間攪拌した。溶媒を除去しカラムクロマトグラフィー(SiO2, クロロホルム/メタノール = 5/1)により精製し、無色透明オイルの化合物(A−34)(9.27 g, 12.7 mmol, 71 %)を得た。
(1) Synthesis Example of Component (A) [Synthesis of Compound (A-34)]
5-Iodooctafluoro-3-oxapentanesulfonyl fluoride 7.67 g (18 mmol), 1-dodecene 3.33 g (19.8 mmol), hydrosulfite sodium 3.84 g (22.1 mmol), sodium bicarbonate 2.65 g (31.5 mmol) , Acetonitrile (40 mL) and water (15 mL) were added, and the mixture was stirred at room temperature for 3 hr. 150 mL of ethyl acetate was added to the reaction solution, and the organic layer was washed with water and dried over magnesium sulfate. The solvent was removed to obtain a colorless transparent oil. To this, 7.0 mL (26.5 mmol) of tributyltin hydride, 1.16 g (7.06 mmol) of 2,2′-azobis (isobutyronitrile) and 50 mL of toluene were added, and the mixture was stirred at 70 ° C. for 3 hours under a nitrogen stream. The organic layer was washed successively with a saturated aqueous potassium fluoride solution and water, dried over sodium sulfate, and then the solvent was removed to obtain a colorless transparent oil. To this was added 3.0 g (75 mmol) of sodium hydroxide and 50 mL of ethanol, and the mixture was stirred at room temperature for 3 hours. A white solid was obtained by removing the solvent and extracting with ethyl acetate. This was dissolved in 50 ml of acetonitrile, a triphenylsulfonium acetate solution was added, and the mixture was stirred at room temperature for 2 hours. The solvent was removed by column chromatography (SiO 2, chloroform / methanol = 5/1) to afford compound as colorless transparent oil (A-34) (9.27 g , 12.7 mmol, 71%).

なお、トリフェニルスルホニウムアセテート溶液は、トリフェニルスルホニウムヨージド 6.64 g (17 mmol)、酢酸銀 3.00 g(18 mmol)、アセトニトリル150 mL、水75 mLを加え室温で1時間攪拌し、反応溶液を濾過し調製した。   The triphenylsulfonium acetate solution was added with 6.64 g (17 mmol) of triphenylsulfonium iodide, 3.00 g (18 mmol) of silver acetate, 150 mL of acetonitrile and 75 mL of water and stirred at room temperature for 1 hour, and the reaction solution was filtered. Prepared.

NMR分析の結果は以下のとおりであった。
1H-NMR (300 MHz, CDCl3) δ 0.876 (t, 3H), 1.243 (bs, 18H), 1.511 (q, 2H),2.086 (m, 2H), 7.740 (m, 15H)
19F-NMR (300 MHz, CDCl3) δ-118.8 (t, 2F), δ-118.2(m,2F), δ-89.0 (t, 2F),-82.9 (t, 2F)
The results of NMR analysis were as follows.
1 H-NMR (300 MHz, CDCl 3 ) δ 0.876 (t, 3H), 1.243 (bs, 18H), 1.511 (q, 2H), 2.086 (m, 2H), 7.740 (m, 15H)
19 F-NMR (300 MHz, CDCl 3 ) δ-118.8 (t, 2F), δ-118.2 (m, 2F), δ-89.0 (t, 2F), -82.9 (t, 2F)

〔化合物(A−35)の合成〕
1-(アダマンタニルメチルオキシ) プロパン-2-エンから同様の方法で合成した。(収率62 %)
NMR分析の結果は以下のとおりであった。
1H-NMR (300 MHz, CDCl3) δ 1.499-2.181 (m, 19H), 2.934 (s, 2H), 3.397 (t, 2H), 7.714(m, 15H)
19F-NMR (300 MHz, CDCl3) δ-118.2 (m, 4F),δ-88.7 (t, 2F),-82.8 (t, 2F)
[Synthesis of Compound (A-35)]
1- (adamantanylmethyloxy) propan-2-ene was synthesized in the same manner. (Yield 62%)
The results of NMR analysis were as follows.
1 H-NMR (300 MHz, CDCl 3 ) δ 1.499-2.181 (m, 19H), 2.934 (s, 2H), 3.397 (t, 2H), 7.714 (m, 15H)
19 F-NMR (300 MHz, CDCl 3 ) δ-118.2 (m, 4F), δ-88.7 (t, 2F), -82.8 (t, 2F)

〔化合物(A−38)の合成〕
1-(2-(2-(2- メトキシエチルオキシ)エチルオキシ)エチルオキシ)プロパン-2-エンから同様の方法で合成した。(収率60 %)
NMR分析の結果は以下のとおりであった。
1H-NMR (300 MHz, CDCl3) δ 1.824 (m, 2H), 2.173 (m, 2H), 3.369 (s, 3H), 3.469-3.661 (m, 14H), 7.720 (m, 15H)
19F-NMR (300 MHz, CDCl3) δ-118.4 (t, 2F), δ-118.3 (m, 2F), δ-88.8 (t, 2F),-82.9 (t, 2F)
[Synthesis of Compound (A-38)]
Synthesized in a similar manner from 1- (2- (2- (2-methoxyethyloxy) ethyloxy) ethyloxy) propan-2-ene. (Yield 60%)
The results of NMR analysis were as follows.
1 H-NMR (300 MHz, CDCl 3 ) δ 1.824 (m, 2H), 2.173 (m, 2H), 3.369 (s, 3H), 3.469-3.661 (m, 14H), 7.720 (m, 15H)
19 F-NMR (300 MHz, CDCl 3 ) δ-118.4 (t, 2F), δ-118.3 (m, 2F), δ-88.8 (t, 2F), -82.9 (t, 2F)

(2)樹脂の合成
〔樹脂(1)の合成〕
2−メチル−2−アダマンチルメタクリレート及びブチロラクトンメタクリレートを50/50(モル比)の割合で仕込みメチルエチルケトン/テトラヒドロフラン=5/5(質量比)に溶解し、固形分濃度20質量%の溶液100mLを調製した。この溶液に和光純薬工業(株)製重合開始剤V−65を2mol%加え、これを窒素雰囲気下、4時間かけて60℃に加熱したメチルエチルケトン10mLに滴下した。滴下終了後、反応液を4時間加熱、再度V−65を1mol%添加し、4時間攪拌した。反応終了後、反応液を室温まで冷却し、蒸留水/ISOプロピルアルコール=1/1(質量比)の混合溶媒3Lに晶析、析出した白色粉体である樹脂(1)を回収した。
13NMRから求めたポリマー組成比(モル比)は51/49であった。また、GPC測定により求めた標準ポリスチレン換算の質量平均分子量は9700であった。
(2) Synthesis of resin [synthesis of resin (1)]
2-methyl-2-adamantyl methacrylate and butyrolactone methacrylate were charged at a ratio of 50/50 (molar ratio) and dissolved in methyl ethyl ketone / tetrahydrofuran = 5/5 (mass ratio) to prepare 100 mL of a solution having a solid content concentration of 20 mass%. . To this solution, 2 mol% of a polymerization initiator V-65 manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd. was added, and this was added dropwise to 10 mL of methyl ethyl ketone heated to 60 ° C. over 4 hours in a nitrogen atmosphere. After completion of the dropwise addition, the reaction solution was heated for 4 hours, 1 mol% of V-65 was added again, and the mixture was stirred for 4 hours. After completion of the reaction, the reaction solution was cooled to room temperature, and the resin (1) which was a white powder crystallized and precipitated in 3 L of a mixed solvent of distilled water / ISO propyl alcohol = 1/1 (mass ratio) was recovered.
The polymer composition ratio (molar ratio) determined from C 13 NMR was 51/49. Moreover, the standard polystyrene conversion mass mean molecular weight calculated | required by GPC measurement was 9700.

同様にして樹脂(2)〜(21)を合成した。   Resins (2) to (21) were synthesized in the same manner.

以下、樹脂(1)〜(21)の構造及び分子量を示す。   Hereinafter, the structures and molecular weights of the resins (1) to (21) are shown.


<フッ素基含有樹脂>
以下、実施例で使用されるフッ素基含有樹脂(FII−1)〜(FII−40)の構造を示す。
<Fluorine group-containing resin>
Hereinafter, the structures of the fluorine group-containing resins (FII-1) to (FII-40) used in the examples are shown.

また、下記表1〜2にフッ素基含有樹脂(FII−1)〜(FII−40)の重量平均分子量等を示す。   Tables 1 and 2 below show the weight average molecular weights and the like of the fluorine group-containing resins (FII-1) to (FII-40).

実施例1〜21及び比較例1及び2
<レジスト調製>
下記表3〜5に示す成分を溶剤に溶解させ固形分濃度12質量%の溶液を調製し、これを0.1μmのポリテトラフルオロエチレンフィルターまたはポリエチレンフィルターでろ過してポジ型レジスト溶液を調製した。調製したポジ型レジスト溶液を下記の方法で評価し、結果を表3〜5に示した。
Examples 1-21 and Comparative Examples 1 and 2
<Resist preparation>
The components shown in Tables 3 to 5 below were dissolved in a solvent to prepare a solution having a solid content concentration of 12% by mass, and this was filtered through a 0.1 μm polytetrafluoroethylene filter or a polyethylene filter to prepare a positive resist solution. . The prepared positive resist solution was evaluated by the following method, and the results are shown in Tables 3 to 5.

以下、各表における略号は次の通りである。下記以外の樹脂、酸発生剤は先に例示したものである。また、各表に於いて樹脂又は溶剤を複数使用した場合の比は質量比である。   Hereinafter, the abbreviations in each table are as follows. Resins and acid generators other than those listed below are those exemplified above. In each table, the ratio when a plurality of resins or solvents are used is a mass ratio.

〔酸発生剤〕
本発明の化合物(A)及び併用酸発生剤は先に例示したものである。
TPSN: トリフェニルスルホニウムノナフロロブタンスルホネート
TPSO: トリフェニルスルホニウムパーフロロオクタンスルホネート
[Acid generator]
The compound (A) and the combined acid generator of the present invention are those exemplified above.
TPSN: Triphenylsulfonium nonafluorobutane sulfonate TPSO: Triphenylsulfonium perfluorooctane sulfonate

〔塩基性化合物〕
DBN;1,5−ジアザビシクロ[4.3.0]ノナ−5−エン
TPI;2,4,5−トリフェニルイミダゾール
TPSA;トリフェニルスルホニウムアセテート
HEP;N−ヒドロキシエチルピペリジン
DIA;2,6−ジイソプロピルアニリン
DCMA;ジシクロヘキシルメチルアミン
TPA;トリペンチルアミン
TOA;トリ−n−オクチルアミン
HAP;ヒドロキシアンチピリン
TBAH;テトラブチルアンモニウムヒドロキシド
TMEA;トリス(メトキシエトキシエチル)アミン
PEA;N−フェニルジエタノールアミン
[Basic compounds]
DBN; 1,5-diazabicyclo [4.3.0] non-5-ene TPI; 2,4,5-triphenylimidazole TPSA; triphenylsulfonium acetate HEP; N-hydroxyethylpiperidine DIA; 2,6-diisopropyl Aniline DCMA; dicyclohexylmethylamine TPA; tripentylamine TOA; tri-n-octylamine HAP; hydroxyantipyrine TBAH; tetrabutylammonium hydroxide TMEA; tris (methoxyethoxyethyl) amine PEA; N-phenyldiethanolamine

〔界面活性剤〕
W−1;メガファックF176(大日本インキ化学工業(株)製)(フッ素系)
W−2;メガファックR08(大日本インキ化学工業(株)製)
(フッ素及びシリコン系)
W−3;ポリシロキサンポリマーKP−341(信越化学工業(株)製)
(シリコン系)
W‐4;トロイゾルS−366(トロイケミカル(株)製)
[Surfactant]
W-1; Megafac F176 (Dainippon Ink Chemical Co., Ltd.) (Fluorine)
W-2; Megafuck R08 (Dainippon Ink Chemical Co., Ltd.)
(Fluorine and silicon)
W-3: Polysiloxane polymer KP-341 (manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.)
(Silicon)
W-4; Troisol S-366 (manufactured by Troy Chemical Co., Ltd.)

〔溶剤〕
A1;プロピレングリコールメチルエーテルアセテート
A2;2−ヘプタノン
A3;エチルエトキシプロピオネート
A4;γ−ブチロラクトン
A5;シクロヘキサノン
B1;プロピレングリコールメチルエーテル
B2;乳酸エチル
〔solvent〕
A1; propylene glycol methyl ether acetate A2; 2-heptanone A3; ethyl ethoxypropionate A4; γ-butyrolactone A5; cyclohexanone B1; propylene glycol methyl ether B2;

〔溶解阻止剤〕
LCB;リトコール酸t−ブチル
[Dissolution inhibitor]
LCB; t-butyl lithocholic acid

<レジスト評価>
スピンコーターにてヘキサメチルジシラザン処理を施したシリコン基板上にブリューワーサイエンス社製反射防止膜DUV−42を600オングストローム均一に塗布し、100℃で90秒間ホットプレート上で乾燥した後、190℃で240秒間加熱乾燥を行った。その後、各ポジ型レジスト溶液をスピンコーターで塗布し120℃で90秒乾燥を行い0.30μmのレジスト膜を形成させた。
このレジスト膜に対し、マスクを通してArFエキシマレーザーステッパー(ISI社製 NA=0.6)で露光し、露光後直ぐに120℃で90秒間ホットプレート上で加熱した。さらに2.38質量%テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液で23℃で60秒間現像し、30秒間純水にてリンスした後、乾燥し、ラインパターンを得た。
<Resist evaluation>
An anti-reflective coating DUV-42 manufactured by Brewer Science Co., Ltd. was uniformly applied on a silicon substrate subjected to hexamethyldisilazane treatment with a spin coater, dried at 100 ° C. for 90 seconds on a hot plate, and then at 190 ° C. Heat drying was performed for 240 seconds. Thereafter, each positive resist solution was applied by a spin coater and dried at 120 ° C. for 90 seconds to form a 0.30 μm resist film.
The resist film was exposed with an ArF excimer laser stepper (NA = 0.6 manufactured by ISI) through a mask, and immediately after the exposure, it was heated on a hot plate at 120 ° C. for 90 seconds. Further, the resist film was developed with an aqueous 2.38 mass% tetramethylammonium hydroxide solution at 23 ° C. for 60 seconds, rinsed with pure water for 30 seconds, and then dried to obtain a line pattern.

(PEB温度依存性)
120℃で90秒後加熱した際にマスクサイズ130nmのラインアンドスペース1/1を再現する露光量を最適露光量とし、次に最適露光量で露光を行った後に、後加熱温度に対して、+2℃及び−2℃(122℃、118℃)の2つの温度で後加熱を行い、各々得られたラインアンドスペースを測長し、それらの線幅L1及びL2を求めた。PEB温度依存性をPEB温度変化1℃あたりの線幅の変動と定義し、下記の式により算出した。
PEB温度依存性(nm/℃)=|L1−L2|/4
値が小さいほど温度変化に対する性能変化が小さく良好であることを示す。
(PEB temperature dependence)
The exposure amount that reproduces the line-and-space 1/1 with a mask size of 130 nm when heated at 120 ° C. for 90 seconds is set as the optimal exposure amount, and after performing exposure at the optimal exposure amount, Post-heating was performed at two temperatures of + 2 ° C. and −2 ° C. (122 ° C., 118 ° C.), and the obtained line and space were measured to determine their line widths L 1 and L 2 . The PEB temperature dependency was defined as the fluctuation of the line width per PEB temperature change of 1 ° C., and was calculated by the following formula.
PEB temperature dependency (nm / ° C.) = | L 1 −L 2 | / 4
The smaller the value, the smaller the performance change with respect to the temperature change.

(露光ラチチュード)
線幅0.13μmのラインアンドスペースのマスクパターンを再現する露光量を最適露光量とし、露光量を変化させた際にパターンサイズが0.13μm±10%を許容する露光量幅を求め、この値を最適露光量で割って百分率表示した。値が大きいほど露光量変化による性能変化が小さく、露光ラチチュードが良好である。
(Exposure latitude)
The exposure amount that reproduces a line-and-space mask pattern with a line width of 0.13 μm is set as the optimal exposure amount, and when the exposure amount is changed, an exposure amount width that allows a pattern size of 0.13 μm ± 10% is obtained. The value was divided by the optimum exposure and displayed as a percentage. The larger the value, the smaller the change in performance due to the change in exposure amount, and the better the exposure latitude.

表3〜5の結果より、ArF露光において本発明の感光性組成物は、PEB温度依存性が小さく露光ラチチュードが広く優れていることが明らかである。   From the results of Tables 3 to 5, it is clear that the photosensitive composition of the present invention has small PEB temperature dependency and excellent exposure latitude in ArF exposure.

〔実施例22〜26及び比較例3及び4〕
(1)下層レジスト層の形成
6インチシリコンウエハにFHi−028DDレジスト(富士フィルムオーリン社製i線用レジスト)を東京エレクトロン社製スピンコーターMark8を用い塗布し、90℃、90秒間ベークし、膜厚0.55μmの均一膜を得た。
これを更に200℃、3分間加熱し、膜厚0.40μmの下層レジスト層を形成させた。
[Examples 22 to 26 and Comparative Examples 3 and 4]
(1) Formation of lower resist layer FHi-028DD resist (resist for i-line manufactured by Fuji Film Orin) was applied to a 6-inch silicon wafer using a spin coater Mark8 manufactured by Tokyo Electron, and baked at 90 ° C. for 90 seconds to form a film. A uniform film having a thickness of 0.55 μm was obtained.
This was further heated at 200 ° C. for 3 minutes to form a lower resist layer having a thickness of 0.40 μm.

(2)上層レジスト層の形成
下記表6に示す成分を溶剤に溶解させ、固形分濃度11質量%の溶液を調製し、口径0.1μmのメンブレンフィルターで精密ろ過して上層レジスト組成物を調製した。
下層レジスト層の上に上層レジスト組成物を同様に塗布し、130℃、90秒間加熱して、膜厚0.20μmの上層レジスト層を形成させた。
(2) Formation of upper resist layer The components shown in Table 6 below are dissolved in a solvent to prepare a solution having a solid content of 11% by mass, and an upper resist composition is prepared by microfiltration with a membrane filter having a diameter of 0.1 μm. did.
The upper resist composition was similarly applied onto the lower resist layer and heated at 130 ° C. for 90 seconds to form an upper resist layer having a thickness of 0.20 μm.

表6に於ける樹脂(SI−1)〜(SI−5)は、下記のとおりである。   Resins (SI-1) to (SI-5) in Table 6 are as follows.

(3)レジスト評価
こうして得られたウエハに、ISI社製ArFエキシマステッパー9300に解像力マスクを装填して露光量を変化させながら露光した。
次いで、120℃、90秒間加熱した後、テトラヒドロアンモニウムヒドロキシド現像液(2.38質量%)で60秒間現像し、蒸留水でリンスし、乾燥して上層パターンを得た。
(3) Resist evaluation The wafer obtained in this manner was exposed to an ArF excimer stepper 9300 manufactured by ISI with a resolution mask and the exposure amount varied.
Subsequently, after heating at 120 ° C. for 90 seconds, the film was developed with a tetrahydroammonium hydroxide developer (2.38 mass%) for 60 seconds, rinsed with distilled water, and dried to obtain an upper layer pattern.

実施例1〜21におけるのと同様にして、PEB温度依存性及び露光ラチチュードを評価した。結果を表6に示した。   In the same manner as in Examples 1 to 21, the PEB temperature dependency and the exposure latitude were evaluated. The results are shown in Table 6.

表6における結果から、本発明の感光性組成物は、2層レジストとして使用した場合も、PEB温度依存性が小さく露光ラチチュードが広く優れていることが明らかである。   From the results in Table 6, it is clear that the photosensitive composition of the present invention has a low PEB temperature dependency and a wide range of exposure latitude even when used as a two-layer resist.

〔実施例27〜46及び比較例5及び6〕
<レジスト調製>
下記表7〜8に示した成分を溶剤に溶解させ、固形分濃度5質量%の溶液を作成し、これを0.1μmのポリエチレンフィルターでろ過し、レジスト液を調製した。
スピンコーターにより各レジスト液をヘキサメチルジシラザン処理を施したシリコンウエハーに塗布し、120℃で90秒間、真空密着型ホットプレートで加熱乾燥して膜厚0.1μmのレジスト膜を得た。
得られたレジスト膜に対し、F2エキシマレーザーステッパー(157nm)を用いてパターン露光し、露光後直ぐに120℃で90秒間ホットプレートで加熱した。2.38質量%テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液で60秒間現像し、純水でリンスし、サンプルウエハーを得た。これらについてPEB温度依存性、露光ラチチュードを評価した。
[Examples 27 to 46 and Comparative Examples 5 and 6]
<Resist preparation>
The components shown in Tables 7 to 8 below were dissolved in a solvent to prepare a solution having a solid concentration of 5% by mass, and this was filtered through a 0.1 μm polyethylene filter to prepare a resist solution.
Each resist solution was applied to a silicon wafer subjected to hexamethyldisilazane treatment by a spin coater and dried by heating on a vacuum contact hot plate at 120 ° C. for 90 seconds to obtain a resist film having a thickness of 0.1 μm.
The obtained resist film was subjected to pattern exposure using an F 2 excimer laser stepper (157 nm), and immediately after the exposure, it was heated on a hot plate at 120 ° C. for 90 seconds. The sample was developed with a 2.38 mass% tetramethylammonium hydroxide aqueous solution for 60 seconds and rinsed with pure water to obtain a sample wafer. About these, PEB temperature dependence and exposure latitude were evaluated.

(PEB温度依存性)
120℃で90秒後加熱した際にマスクサイズ80nmのラインアンドスペース1/1を再現する露光量を最適露光量とし、次に最適露光量で露光を行った後に、後加熱温度に対して、+2℃及び−2℃(122℃、118℃)の2つの温度で後加熱を行い、各々得られたラインアンドスペースを測長し、それらの線幅L1及びL2を求めた。PEB温度依存性をPEB温度変化1℃あたりの線幅の変動と定義し、下記の式により算出した。
PEB温度依存性(nm/℃)=|L1−L2|/4
値が小さいほど温度変化に対する性能変化が小さく良好であることを示す。
(PEB temperature dependence)
The exposure amount that reproduces the line-and-space 1/1 with a mask size of 80 nm when heated at 120 ° C. for 90 seconds is set as the optimal exposure amount, and after performing exposure at the optimal exposure amount, Post-heating was performed at two temperatures of + 2 ° C. and −2 ° C. (122 ° C., 118 ° C.), and the obtained line and space were measured to determine their line widths L 1 and L 2 . The PEB temperature dependency was defined as the fluctuation of the line width per 1 ° C. PEB temperature change, and was calculated by the following formula.
PEB temperature dependency (nm / ℃) = | L 1 -L 2 | / 4
The smaller the value, the smaller the performance change with respect to the temperature change.

(露光ラチチュード)
線幅80nmのラインアンドスペースのマスクパターンを再現する露光量を最適露光量とし、露光量を変化させた際にパターンサイズが80nm±10%を許容する露光量幅を求め、この値を最適露光量で割って百分率表示した。値が大きいほど露光量変化による性能変化が小さく、露光ラチチュードが良好である。
結果を表7〜8に示す。
(Exposure latitude)
The exposure amount that reproduces a line-and-space mask pattern with a line width of 80 nm is set as the optimal exposure amount, and when the exposure amount is changed, an exposure amount width that allows the pattern size to be 80 nm ± 10% is obtained, and this value is the optimal exposure. Divided by the amount and expressed as a percentage. The larger the value, the smaller the change in performance due to the change in exposure amount, and the better the exposure latitude.
The results are shown in Tables 7-8.

表7〜8の結果より、F2エキシマレーザー露光においても本発明の感光性組成物は、PEB温度依存性が小さく露光ラチチュードが広く優れていることがわかる。 From the results of Tables 7 to 8, it can be seen that the photosensitive composition of the present invention has small PEB temperature dependency and excellent exposure latitude in F 2 excimer laser exposure.

〔実施例47〜56及び比較例7及び8〕
<レジスト調製>
下記表10に示した成分を溶剤に溶解させ、これを0.1μmのポリテトラフルオロエチレンフィルターによりろ過して固形分濃度14質量%のポジ型レジスト溶液を調製した。
調製したポジ型レジスト溶液につき下記の方法で評価を行い、結果を表10に示した。
[Examples 47 to 56 and Comparative Examples 7 and 8]
<Resist preparation>
The components shown in Table 10 below were dissolved in a solvent and filtered through a 0.1 μm polytetrafluoroethylene filter to prepare a positive resist solution having a solid content concentration of 14% by mass.
The prepared positive resist solution was evaluated by the following method, and the results are shown in Table 10.

下記表9に、表10に於ける樹脂(R−2)〜(R−24)のモル比、重量平均分子量
を示す。
Table 9 below shows the molar ratios and weight average molecular weights of the resins (R-2) to (R-24) in Table 10.

PHS: ポリヒドロキシスチレン VP−8000(日本曹達(株)製)   PHS: Polyhydroxystyrene VP-8000 (manufactured by Nippon Soda Co., Ltd.)

表9に於ける溶解阻止化合物、(C−1)及び(C−2)の構造は、下記の通
りである。
The structures of dissolution inhibiting compounds (C-1) and (C-2) in Table 9 are as follows.

<レジスト評価>
調製したポジ型レジスト溶液を、スピンコーターを用いて、ヘキサメチルジシラザン処理を施したシリコン基板上に均一に塗布し、120℃で90秒間ホットプレート上で加熱乾燥を行い、0.6μmのレジスト膜を形成させた。
このレジスト膜に対し、KrFエキシマレーザーステッパー(NA=0.63)を用いラインアンドスペース用マスクを使用してパターン露光し、露光後すぐに110℃で90秒間ホットプレート上て加熱した。更に2.38質量%テトラメチルアンモニウムヒドロオキサイド水溶液で23℃下60秒間現像し、30秒間純水にてリンスした後、乾燥し、ラインパターンを形成し、PEB温度依存性、露光ラチチュードを評価した。
<Resist evaluation>
The prepared positive resist solution is uniformly applied on a silicon substrate subjected to hexamethyldisilazane treatment using a spin coater, and is heated and dried on a hot plate at 120 ° C. for 90 seconds to obtain a 0.6 μm resist. A film was formed.
The resist film was subjected to pattern exposure using a line and space mask using a KrF excimer laser stepper (NA = 0.63), and heated on a hot plate at 110 ° C. for 90 seconds immediately after the exposure. Further, the film was developed with an aqueous 2.38 mass% tetramethylammonium hydroxide solution at 23 ° C. for 60 seconds, rinsed with pure water for 30 seconds, dried, a line pattern was formed, and PEB temperature dependency and exposure latitude were evaluated. .

(PEB温度依存性)
110℃で90秒後加熱した際にマスクサイズ130nmのラインアンドスペース1/1を再現する露光量を最適露光量とし、次に最適露光量で露光を行った後に、後加熱温度に対して、+2℃及び−2℃(112℃、108℃)の2つの温度で後加熱を行い、各々得られたラインアンドスペースを測長し、それらの線幅L1及びL2を求めた。PEB温度依存性をPEB温度変化1℃あたりの線幅の変動と定義し、下記の式により算出した。
PEB温度依存性(nm/℃)=|L1−L2|/4
値が小さいほど温度変化に対する性能変化が小さく良好であることを示す。
(PEB temperature dependence)
The exposure amount that reproduces a line-and-space 1/1 with a mask size of 130 nm when heated at 110 ° C. for 90 seconds is set as the optimal exposure amount, and then the exposure is performed with the optimal exposure amount. Post-heating was performed at two temperatures of + 2 ° C. and −2 ° C. (112 ° C., 108 ° C.), and the obtained line and space were measured to determine their line widths L 1 and L 2 . The PEB temperature dependency was defined as the fluctuation of the line width per 1 ° C. PEB temperature change, and was calculated by the following formula.
PEB temperature dependency (nm / ℃) = | L 1 -L 2 | / 4
The smaller the value, the smaller the performance change with respect to the temperature change.

(露光ラチチュード)
線幅0.13μmのラインアンドスペースのマスクパターンを再現する露光量を最適露光量とし、露光量を変化させた際にパターンサイズが0.13μm±10%を許容する露光量幅を求め、この値を最適露光量で割って百分率表示した。値が大きいほど露光量変化による性能変化が小さく、露光ラチチュードが良好である。
(Exposure latitude)
The exposure amount that reproduces a line-and-space mask pattern with a line width of 0.13 μm is set as the optimal exposure amount, and when the exposure amount is changed, an exposure amount width that allows a pattern size of 0.13 μm ± 10% is obtained. The value was divided by the optimum exposure and displayed as a percentage. The larger the value, the smaller the change in performance due to the change in exposure amount, and the better the exposure latitude.

表10における結果より、本発明の感光性組成物は、KrFエキシマレーザー露光におけるポジ型レジスト組成物としても、PEB温度依存性が小さく露光ラチチュードが広く優れていることがわかる。   From the results in Table 10, it can be seen that the photosensitive composition of the present invention has a small PEB temperature dependency and a wide range of exposure latitude as a positive resist composition in KrF excimer laser exposure.

〔実施例57〜66及び比較例9及び10〕
<レジスト調製>
下記表11に示した成分を溶剤に溶解させ、これを0.1μmのポリテトラフルオロエチレンフィルターによりろ過して固形分濃度14質量%のネガ型レジスト溶液を調製した。
調製したネガ型レジスト溶液につき実施例47〜56におけるのと同様の方法で評価を行い、結果を表11に示した。
[Examples 57 to 66 and Comparative Examples 9 and 10]
<Resist preparation>
The components shown in Table 11 below were dissolved in a solvent, which was filtered through a 0.1 μm polytetrafluoroethylene filter to prepare a negative resist solution having a solid concentration of 14% by mass.
The prepared negative resist solution was evaluated in the same manner as in Examples 47 to 56, and the results are shown in Table 11.

以下に、表11におけるアルカリ可溶性樹脂の構造、分子量及び分子量分布を示す。   The structure, molecular weight, and molecular weight distribution of the alkali-soluble resin in Table 11 are shown below.

以下に、表11における架橋剤の構造を示す。   The structure of the crosslinking agent in Table 11 is shown below.

表11の結果より、本発明の感光性組成物は、KrFエキシマレーザー露光におけるネガ型レジスト組成物としても、PEB温度依存性が小さく露光ラチチュードが広く優れていることがわかる。   From the results in Table 11, it can be seen that the photosensitive composition of the present invention has a small PEB temperature dependency and a wide range of exposure latitude as a negative resist composition in KrF excimer laser exposure.

〔実施例67〜76及び比較例11及び12〕
<レジスト調製>
表12に示した成分を溶剤に溶解させ、これを0.1μmのポリテトラフルオロエチレンフィルターによりろ過して固形分濃度12質量%のポジ型レジスト溶液を調製した。
調製したポジ型レジスト溶液につき下記の方法で評価を行い、結果を表12に示した。
[Examples 67 to 76 and Comparative Examples 11 and 12]
<Resist preparation>
The components shown in Table 12 were dissolved in a solvent, and this was filtered through a 0.1 μm polytetrafluoroethylene filter to prepare a positive resist solution having a solid content concentration of 12% by mass.
The prepared positive resist solution was evaluated by the following method, and the results are shown in Table 12.

<レジスト評価>
調製したポジ型レジスト溶液を、スピンコーターを用いて、ヘキサメチルジシラザン処理を施したシリコン基板上に均一に塗布し、120℃で60秒間ホットプレート上で加熱乾燥を行い、0.3μmのレジスト膜を形成させた。
このレジスト膜を、ニコン社製電子線プロジェクションリソグラフィー装置(加速電圧100keV)で照射し、照射後直ぐに110℃で90秒間ホットプレート上て加熱した
。更に濃度2.38質量%のテトラメチルアンモニウムヒドロオキサイド水溶液を用いて23℃で60秒間現像し、30秒間純水にてリンスした後、乾燥し、コンタクトホールパターンを形成した。
<Resist evaluation>
The prepared positive resist solution is uniformly applied on a silicon substrate subjected to hexamethyldisilazane treatment using a spin coater, and is heated and dried on a hot plate at 120 ° C. for 60 seconds to obtain a 0.3 μm resist. A film was formed.
This resist film was irradiated with an electron beam projection lithography apparatus (acceleration voltage 100 keV) manufactured by Nikon Corporation, and immediately after the irradiation, it was heated on a hot plate at 110 ° C. for 90 seconds. Further, development was performed at 23 ° C. for 60 seconds using an aqueous tetramethylammonium hydroxide solution having a concentration of 2.38% by mass, rinsed with pure water for 30 seconds, and then dried to form a contact hole pattern.

(PEB温度依存性)
110℃で90秒後加熱した際に110nmの密集ラインアンドスペース(ピッチ200nm)を再現する照射量を最適照射量とし、次に最適照射量で露光を行った後に、後加熱温度に対して、+2℃及び−2℃(112℃、108℃)の2つの温度で後加熱を行い、各々得られたラインアンドスペースを測長し、それらの線幅L1及びL2を求めた。PEB温度依存性をPEB温度変化1℃あたりの線幅の変動と定義し、下記の式により算出した。
PEB温度依存性(nm/℃)=|L1−L2|/4
値が小さいほど温度変化に対する性能変化が小さく良好であることを示す。
(PEB temperature dependence)
When the post-heating at 110 ° C. is performed for 90 seconds, the irradiation dose that reproduces the dense line and space of 110 nm (pitch 200 nm) is set as the optimal exposure dose, and after performing exposure at the optimal exposure dose, Post-heating was performed at two temperatures of + 2 ° C. and −2 ° C. (112 ° C., 108 ° C.), and the obtained line and space were measured to determine their line widths L 1 and L 2 . The PEB temperature dependency was defined as the fluctuation of the line width per 1 ° C. PEB temperature change, and was calculated by the following formula.
PEB temperature dependency (nm / ℃) = | L 1 -L 2 | / 4
The smaller the value, the smaller the performance change with respect to the temperature change.

(露光ラチチュード)
100nmの密集コンタクトホール(ピッチ300nm)を解像する照射量を最適照射量とし、照射量を変化させた際にパターンサイズが100nm±10%を許容する照射量幅を求め、この値を最適照射量で割って百分率表示した。値が大きいほど露光量変化による性能変化が小さく、露光ラチチュードが良好である。
(Exposure latitude)
The irradiation dose for resolving 100 nm dense contact holes (pitch 300 nm) is set as the optimum dose, and when the dose is changed, the dose width that allows the pattern size to be 100 nm ± 10% is obtained, and this value is set as the optimum dose. Divided by the amount and expressed as a percentage. The larger the value, the smaller the change in performance due to the change in exposure amount, and the better the exposure latitude.

表12の結果より、本発明の感光性組成物は、電子線照射においてポジ型レジスト組成物としてもPEB温度依存性が小さく露光ラチチュードが広く優れていることがわかる。   From the results shown in Table 12, it can be seen that the photosensitive composition of the present invention has a low PEB temperature dependency and a wide range of exposure latitude as a positive resist composition in electron beam irradiation.

〔実施例77〜86及び比較例13及び14〕
<レジスト調製>
表13に示した成分を溶剤に溶解させ、これを0.1μmのポリテトラフルオロエチレンフィルターによりろ過して固形分濃度12質量%のネガ型レジスト溶液を調製した。
調製したネガ型レジスト溶液につき下記の方法で評価を行い、結果を表13に示した。
[Examples 77 to 86 and Comparative Examples 13 and 14]
<Resist preparation>
The components shown in Table 13 were dissolved in a solvent, and this was filtered through a 0.1 μm polytetrafluoroethylene filter to prepare a negative resist solution having a solid concentration of 12% by mass.
The prepared negative resist solution was evaluated by the following method, and the results are shown in Table 13.

<レジスト評価>
調製したネガ型レジスト溶液を、スピンコーターを用いて、ヘキサメチルジシラザン処理を施したシリコン基板上に均一に塗布し、120℃で60秒間ホットプレート上で加熱乾燥を行い、0.3μmのレジスト膜を形成させた。
このレジスト膜を、ニコン社製電子線プロジェクションリソグラフィー装置(加速電圧100keV)で照射し、照射後直ぐに110℃で90秒間ホットプレート上て加熱した。更に濃度2.38質量%のテトラメチルアンモニウムヒドロオキサイド水溶液を用いて23℃で60秒間現像し、30秒間純水にてリンスした後、乾燥し、ラインアンドスペースパターンを形成した。
<Resist evaluation>
The prepared negative resist solution is uniformly applied on a silicon substrate subjected to hexamethyldisilazane treatment using a spin coater, and is heated and dried on a hot plate at 120 ° C. for 60 seconds to obtain a 0.3 μm resist. A film was formed.
This resist film was irradiated with an electron beam projection lithography apparatus (acceleration voltage 100 keV) manufactured by Nikon Corporation, and immediately after the irradiation, it was heated on a hot plate at 110 ° C. for 90 seconds. Further, development was performed at 23 ° C. for 60 seconds using an aqueous tetramethylammonium hydroxide solution having a concentration of 2.38% by mass, rinsed with pure water for 30 seconds, and then dried to form a line and space pattern.

(PEB温度依存性)
110℃で90秒後加熱した際に110nmの密集ラインアンドスペース(ピッチ200nm)を再現する照射量を最適照射量とし、次に最適照射量で露光を行った後に、後加熱温度に対して、+2℃及び−2℃(112℃、108℃)の2つの温度で後加熱を行い、各々得られたラインアンドスペースを測長し、それらの線幅L1及びL2を求めた。PEB温度依存性をPEB温度変化1℃あたりの線幅の変動と定義し、下記の式により算出した。
PEB温度依存性(nm/℃)=|L1−L2|/4
値が小さいほど温度変化に対する性能変化が小さく良好であることを示す。
(PEB temperature dependence)
When the post-heating at 110 ° C. is performed for 90 seconds, the irradiation dose that reproduces the dense line and space of 110 nm (pitch 200 nm) is set as the optimal exposure dose, and after performing exposure at the optimal exposure dose, Post-heating was performed at two temperatures of + 2 ° C. and −2 ° C. (112 ° C., 108 ° C.), and the obtained line and space were measured to determine their line widths L 1 and L 2 . The PEB temperature dependency was defined as the fluctuation of the line width per 1 ° C. PEB temperature change, and was calculated by the following formula.
PEB temperature dependency (nm / ℃) = | L 1 -L 2 | / 4
The smaller the value, the smaller the performance change with respect to the temperature change.

(露光ラチチュード)
100nmの密集ラインアンドスペース(ピッチ200nm)を解像する照射量を最適照射量とし、照射量を変化させた際にパターンサイズが100nm±10%を許容する照射量幅を求め、この値を最適照射量で割って百分率表示した。値が大きいほど露光量変化による性能変化が小さく、露光ラチチュードが良好である。
(Exposure latitude)
The irradiation dose that resolves 100 nm dense line and space (pitch 200 nm) is the optimum irradiation dose, and when changing the irradiation dose, the dose width that allows the pattern size to be 100 nm ± 10% is obtained, and this value is optimal The percentage was displayed by dividing by the irradiation amount. The larger the value, the smaller the change in performance due to the change in exposure amount, and the better the exposure latitude.

表13の結果より、本発明の感光性組成物は、電子線照射においてネガ型レジスト組成物としてもPEB温度依存性が小さく露光ラチチュードが広く優れていることがわかる。   From the results shown in Table 13, it can be seen that the photosensitive composition of the present invention has a small PEB temperature dependency and a wide range of exposure latitude as a negative resist composition in electron beam irradiation.

Claims (7)

(A)活性光線または放射線の照射により、一般式(X)で表され、かつ一般式(Xa)、(Xb)及び(Xg)のいずれかで表されるスルホン酸を発生する化合物、及び(B)下記一般式(AI)で表される繰り返し単位及び水酸基を2つ以上有する繰り返し単位を含有し、酸の作用により分解し、アルカリ現像液中での溶解度が増大する樹脂を含有する感光性組成物。
式(X)中、R1a〜R13a、各々独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、
ハロゲン原子または水酸基を表す。
1及びA2は、各々独立に、ヘテロ原子を有する2価の連結基または単結合を表す。但し、A1及びA2が同時に単結合の場合、R1a〜R13aの全てが同時にフッ素原子を表すこ
とはなく、またR1a〜R13aの全てが同時に水素原子を表すことはない。
1〜m5は、各々独立に0〜12の整数を表す。pは0〜4の整数を表す。
Rbは少なくとも1つの水素原子を有する基である。
n1〜n4は、各々独立に、1〜10の整数を表す。
Rcは、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基又はアラルキル基を表す。
一般式(AI)中、R b0 は、水素原子、ハロゲン原子、又は炭素数1〜4のアルキル基を表す。
b は、単結合、エーテル基、エステル基、カルボニル基、アルキレン基、又はこれら
を組み合わせた2価の基を表す。
Vは、下記一般式(V−1)で示される基を表す。
一般式(V−1)において、R 1b 〜R 5b は、各々独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、アルコキシカルボニル基、アルキルスルホニルイミノ基又はアルケニル基を表す。R 1b 〜R 5b の内の2つは、結合して環を形成してもよい。
(A) a compound that generates a sulfonic acid represented by the general formula (X) and represented by any one of the general formulas (Xa), (Xb), and (Xg) by irradiation with actinic rays or radiation; B) Photosensitivity containing a resin containing a repeating unit represented by the following general formula (AI) and a repeating unit having two or more hydroxyl groups, and decomposed by the action of an acid to increase the solubility in an alkaline developer. Composition.
In formula (X), R 1a to R 13a are each independently a hydrogen atom, an alkyl group, a cycloalkyl group,
Represents a halogen atom or a hydroxyl group.
A 1 and A 2 each independently represent a divalent linking group having a hetero atom or a single bond. However, when A 1 and A 2 are simultaneously a single bond, all of R 1a to R 13a do not simultaneously represent a fluorine atom, and all of R 1a to R 13a do not simultaneously represent a hydrogen atom.
m 1 ~m 5 represents each independently an integer from 0-12. p represents an integer of 0 to 4.
Rb is a group having at least one hydrogen atom.
n1 to n4 each independently represents an integer of 1 to 10.
Rc represents a hydrogen atom, a halogen atom, an alkyl group, a cycloalkyl group, an aryl group or an aralkyl group.
In general formula (AI), R b0 represents a hydrogen atom, a halogen atom, or an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms.
A b is a single bond, an ether group, an ester group, a carbonyl group, an alkylene group, or these
Represents a divalent group in which
V represents a group represented by the following general formula (V-1).
In General Formula (V-1), R 1b to R 5b each independently represent a hydrogen atom, an alkyl group, a cycloalkyl group, an alkoxy group, an alkoxycarbonyl group, an alkylsulfonylimino group, or an alkenyl group. Two of R 1b to R 5b may combine to form a ring.
(A)活性光線または放射線の照射により、一般式(X)で表され、かつ一般式(Xa−1)または(Xb−1)で表されるスルホン酸を発生する化合物、及び(B)水酸基を2つ以上有する繰り返し単位を含有し、酸の作用により分解し、アルカリ現像液中での溶解度が増大する樹脂を含有する感光性組成物。
式(X)中、R 1a 〜R 13a 、各々独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、
ハロゲン原子または水酸基を表す。
1 及びA 2 は、各々独立に、ヘテロ原子を有する2価の連結基または単結合を表す。但し、A 1 及びA 2 が同時に単結合の場合、R 1a 〜R 13a の全てが同時にフッ素原子を表すこ
とはなく、またR 1a 〜R 13a の全てが同時に水素原子を表すことはない。
1 〜m 5 は、各々独立に0〜12の整数を表す。pは0〜4の整数を表す。
Axは炭素数3以上の連結基を表す。
Ayは単結合または酸素原子を表す。
Rgはアルキル基、シクロアルキル基、アリール基又はアラルキル基を表す。
n5は1〜4の整数を表す。
n6は1〜4の整数を表す。
n7は1〜4の整数を表す。
(A) a compound that generates a sulfonic acid represented by the general formula (X) and represented by the general formula (Xa-1) or (Xb-1) by irradiation with actinic rays or radiation, and (B) a hydroxyl group A photosensitive composition containing a resin which contains a repeating unit having two or more, decomposes by the action of an acid, and increases the solubility in an alkaline developer.
In formula (X), R 1a to R 13a are each independently a hydrogen atom, an alkyl group, a cycloalkyl group,
Represents a halogen atom or a hydroxyl group.
A 1 and A 2 each independently represent a divalent linking group having a hetero atom or a single bond. However, when A 1 and A 2 are simultaneously a single bond , all of R 1a to R 13a may simultaneously represent a fluorine atom.
And all of R 1a to R 13a do not represent hydrogen atoms at the same time.
m 1 ~m 5 represents each independently an integer from 0-12. p represents an integer of 0 to 4.
Ax represents a linking group having 3 or more carbon atoms.
Ay represents a single bond or an oxygen atom.
Rg represents an alkyl group, a cycloalkyl group, an aryl group or an aralkyl group.
n5 represents an integer of 1 to 4.
n6 represents an integer of 1 to 4.
n7 represents an integer of 1 to 4.
更に、水酸基を含有する溶剤及び水酸基を含有しない溶剤を含有することを特徴とする請求項1または2に記載の感光性組成物。   Furthermore, the photosensitive composition of Claim 1 or 2 containing the solvent containing a hydroxyl group and the solvent which does not contain a hydroxyl group. (A)活性光線または放射線の照射により、一般式(X)で表され、かつ一般式(Xa)で表されるスルホン酸を発生する化合物、(D)アルカリ現像液に可溶な樹脂、(E)酸の作用により該アルカリ現像液に可溶な樹脂と架橋する酸架橋剤、水酸基を含有する溶剤及び水酸基を含有しない溶剤を含有することを特徴とする感光性組成物。
式(X)中、R1a〜R13a、各々独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、
ハロゲン原子または水酸基を表す。
1及びA2は、各々独立に、ヘテロ原子を有する2価の連結基または単結合を表す。但し、A1及びA2が同時に単結合の場合、R1a〜R13aの全てが同時にフッ素原子を表すこ
とはなく、またR1a〜R13aの全てが同時に水素原子を表すことはない。
1〜m5は、各々独立に0〜12の整数を表す。pは0〜4の整数を表す。
Rbは少なくとも1つの水素原子を有するアルキル基又はアラルキル基を表す。
n1は、1〜10の整数を表す。
(A) a compound that generates a sulfonic acid represented by the general formula (X) and represented by the general formula (Xa) by irradiation with actinic rays or radiation, (D) a resin that is soluble in an alkali developer, ( E) A photosensitive composition comprising an acid crosslinking agent that crosslinks with a resin soluble in the alkali developer by the action of an acid, a solvent containing a hydroxyl group, and a solvent not containing a hydroxyl group.
In formula (X), R 1a to R 13a are each independently a hydrogen atom, an alkyl group, a cycloalkyl group,
Represents a halogen atom or a hydroxyl group.
A 1 and A 2 each independently represent a divalent linking group having a hetero atom or a single bond. However, when A 1 and A 2 are simultaneously a single bond, all of R 1a to R 13a do not simultaneously represent a fluorine atom, and all of R 1a to R 13a do not simultaneously represent a hydrogen atom.
m 1 ~m 5 represents each independently an integer from 0-12. p represents an integer of 0 to 4.
Rb represents an alkyl group or an aralkyl group having at least one hydrogen atom .
n1 represents an integer of 1 to 10.
(A)活性光線または放射線の照射により、一般式(X)で表され、かつ一般式(Xa−1)または(Xb−1)で表されるスルホン酸を発生する化合物、(D)アルカリ現像液に可溶な樹脂、及び(E)酸の作用により該アルカリ現像液に可溶な樹脂と架橋する酸架橋剤、水酸基を含有する溶剤及び水酸基を含有しない溶剤を含有することを特徴とする
感光性組成物。
式(X)中、R 1a 〜R 13a 、各々独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、
ハロゲン原子または水酸基を表す。
1 及びA 2 は、各々独立に、ヘテロ原子を有する2価の連結基または単結合を表す。但し、A 1 及びA 2 が同時に単結合の場合、R 1a 〜R 13a の全てが同時にフッ素原子を表すこ
とはなく、またR 1a 〜R 13a の全てが同時に水素原子を表すことはない。
1 〜m 5 は、各々独立に0〜12の整数を表す。pは0〜4の整数を表す。
式(Xa−1)におけるAxは炭素数3以上の直鎖又は分岐アルキレン基を表す。
式(Xb−1)におけるAxは炭素数3以上の連結基を表す。
Ayは単結合または酸素原子を表す。
Rgはアルキル基、シクロアルキル基、アリール基又はアラルキル基を表す。
n5は1〜4の整数を表す。
n6は1〜4の整数を表す。
n7は1〜4の整数を表す。
(A) a compound that generates a sulfonic acid represented by the general formula (X) and represented by the general formula (Xa-1) or (Xb-1) by irradiation with actinic rays or radiation, (D) alkali development A resin soluble in the liquid, and (E) an acid crosslinking agent that crosslinks with the resin soluble in the alkaline developer by the action of an acid, a solvent containing a hydroxyl group, and a solvent not containing a hydroxyl group. Photosensitive composition.
In formula (X), R 1a to R 13a are each independently a hydrogen atom, an alkyl group, a cycloalkyl group,
Represents a halogen atom or a hydroxyl group.
A 1 and A 2 each independently represent a divalent linking group having a hetero atom or a single bond. However, when A 1 and A 2 are simultaneously a single bond , all of R 1a to R 13a may simultaneously represent a fluorine atom.
And all of R 1a to R 13a do not represent hydrogen atoms at the same time.
m 1 ~m 5 represents each independently an integer from 0-12. p represents an integer of 0 to 4.
Ax in the formula (Xa-1) represents a linear or branched alkylene group having 3 or more carbon atoms.
Ax in Formula (Xb-1) represents a linking group having 3 or more carbon atoms.
Ay represents a single bond or an oxygen atom.
Rg represents an alkyl group, a cycloalkyl group, an aryl group or an aralkyl group.
n5 represents an integer of 1 to 4.
n6 represents an integer of 1 to 4.
n7 represents an integer of 1 to 4.
請求項1〜5のいずれかに記載の感光性組成物より膜を形成し、該膜を露光、現像することを特徴とするパターン形成方法。   A pattern forming method comprising forming a film from the photosensitive composition according to claim 1, and exposing and developing the film. 活性光線または放射線の照射により一般式(Xa−1)または(Xb−1)で表されるスルホン酸を発生する化合物。
式(Xa−1)におけるAxは炭素数3以上の直鎖又は分岐アルキレン基を表す。
式(Xb−1)におけるAxは炭素数3以上の連結基を表す。
一般式(Xa−1)におけるAyは酸素原子を表し、一般式(Xb−1)におけるAyは単結合または酸素原子を表す。
Rgはアルキル基、シクロアルキル基、アリール基又はアラルキル基を表す。
n5は1〜4の整数を表す。
n6及びn7は、各々独立に1〜10の整数を表す。
The compound which generate | occur | produces the sulfonic acid represented by general formula (Xa-1) or (Xb-1) by irradiation of actinic light or a radiation.
Ax in the formula (Xa-1) represents a linear or branched alkylene group having 3 or more carbon atoms.
Ax in Formula (Xb-1) represents a linking group having 3 or more carbon atoms.
Ay in the general formula (Xa-1) represents an oxygen atom, and Ay in the general formula (Xb-1) represents a single bond or an oxygen atom.
Rg represents an alkyl group, a cycloalkyl group, an aryl group or an aralkyl group.
n5 represents an integer of 1 to 4.
n6 and n7 each independently represents an integer of 1 to 10.
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