JP4259871B2 - ヒドロキシプロピルセルロースのアリールウレタン類を含む熱硬化性の反射防止コーティング - Google Patents
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Description
関連出願
本願は、1998年4月29日付で出願された米国特許出願第09/069,573号の継続出願である、2000年8月22日付で出願された米国特許出願第09/643,695号の一部継続出願である。
【0002】
発明の背景
発明の分野
本発明は、マイクロエレクトロニックデバイスの製造時に使用される反射防止組成物を作成するのに使用可能な新規のポリマー類に関する。本発明のポリマー類は、アリールイソシアネートと反応させたヒドロキシアルキルセルロースよりなる。
【0003】
従来技術の説明
集積回路の製造者は、歩留まりを改善し、ユニットケース(unit case)を減らし、かつオンチップ計算出力(on−tip computing power)を向上させるために、基板サイズの最大化およびデバイス形状(device feature)のディメンションの最小化を常に追求している。シリコンまたは他のチップ上におけるデバイス形状のサイズは、最新の遠紫外線(DUV)マイクロリソグラフィックプロセスの出現で、サブミクロンサイズとなっている。
【0004】
しかし、半導体デバイスの製造時に、活性放射線が基板から、その上に形成されたフォトレジストへと戻り反射する問題がしばしば発生している。このような戻り反射は、ブラードパターン(blurred pattern)を生じさせ、フォトレジストの解像度を劣化させる。この問題を解決する1つの方法は、基板とフォトレジストの間に反射防止コーティング(ARC)を設けることである。
【0005】
通常の照射波長で高い光学濃度(optical density)を有し、ARC層を形成する組成物が既に使用されている。該ACR組成物は、通常コーティング特性を与える有機ポリマーと、光を吸収する染料からなる。染料は、組成物にブレンドされるか、または組成物に化学的に結合される。熱硬化性のARCは、該ポリマーおよび染料に加えて、架橋剤を含む。架橋剤は、イニシエートされる(initialted)ことが必要であり、通常これは組成物中に存在する酸触媒によってなされる。
【0006】
これらのARCは、フォトレジストへと戻り反射する光の量を減少させるのに有効であるが、従来技術の大半のARC組成物は、高いエッチングレートを有していないという欠点を有している。その結果、従来技術のARCは、サブミクロン(例えば、0.3μm)での使用が困難または不可能であるという、大きな制約があった。したがって、関連のある波長で光を吸収しつつ、サブミクロン構造を有する集積回路を作成するのに効果的に使用することができる改善されたARCへの需要が存在する。
【0007】
発明の要約
本発明は、概してマイクロエレクトロニックデバイスの製造時に使用される反射防止組成物を作成するのに使用可能な新規のポリマーに関する。この新規のポリマーは、アリールイソシアネートと反応させたヒドロキシアルキルセルロースよりなる。
【0008】
より具体的には、該ポリマーは、下記式の部分(moiety)を含む。
【化5】
式中、Rは、各々独立して、−OH、−CH2OH、−R1−O−X、−CH2−O−R1−Xからなる群から選択される。好ましくは、該Rのうち少なくとも1つは、−R1−O−Xまたは−CH2−O−R1−Xである。R1は、各々独立して、分岐した、もしくは分岐を有しない、置換された、もしくは置換されていないアルキル基(好ましくは炭素数1〜8であり、より好ましくは炭素数1〜4である。)からなる群から選択され、Xは、各々下記式で表される。
【化6】
式中、Arは置換された、もしくは置換されていないアリールイソシアネート類(好ましくは炭素数6〜12である。)からなる群から選択される。最も好ましいアリールイソシアネート類は、フェニルイソシアネート類、ベンジルイソシアネート類、2−メトキシフェニルイソシアネート類および2−ニトロフェニルイソシアネート類を含む。
【0009】
好ましくは、該ポリマーは、その合計質量を100質量%とした場合に、該イソシアネートモノマーを約41〜66質量%、より好ましくは約47〜58質量%含む。
【0010】
本発明のポリマー類は、溶媒系でヒドロキシアルキルセルロースをアリールイソシアネートと反応させることで作成される。好ましい溶媒系は、プロピレングリコールメチルエーテルアセテート(PGMEA)、プロピレングリコールメチルエーテル(PGME)、プロピレングリコール−n−プロピルエーテル、2−ヘプタノン、N−メチルピロリジノン(methylpyrollidinone)、およびこれらの混合物である。好ましくは、反応は約55〜145℃(より好ましくは約80〜120℃)の温度で、約2〜24時間(より好ましくは約4時間)実施する。
【0011】
これらの条件下におけるヒドロキシアルキルセルロースとアリールイソシアネートの反応は、イソシアネートのC=O基の炭素原子とセルロースの−OH基とを結合させ、それらの間にウレタン結合を生じさせる。さらに、過剰量のイソシアネートの存在下で反応を実施した場合、イソシアネート基の少なくとも一部と、ウレタン結合の少なくとも一部との反応を生じさせる。ポリマーの作成に関わる本発明の方法は、全ての反応が1つの反応容器内で行われるので好ましい。すなわち、この反応時には、いかなる中間化合物も分離する必要がない。
【0012】
本発明のポリマーは、好適な溶媒系に溶解させて反射防止組成物を作成するのに使用することができる。溶媒系は、約118〜202℃の沸点を有し、好ましくは約118〜160℃の沸点を有する。溶媒系に溶解しているポリマーの量は、組成物の合計質量を100質量%とした場合に、約7.5〜20質量%であり、好ましくは約9〜15質量%である。溶媒系は、組成物の合計質量を100質量%とした場合に、約80〜92.5質量%、好ましくは約85〜91質量%の含量で使用する。好ましい溶媒系は、PGMEA、2−ヘプタノン、N−メチルピロリジノン、およびこれらの混合物からなる群から選択される溶媒を含む。
【0013】
好ましくは、本発明の組成物は、さらに架橋剤と触媒を含む。架橋剤は、ポリマーとは独立したものであってもよく、または架橋部分が“ビルトイン”されたポリマーであってもよい。好ましい架橋剤は、アミノ樹脂(例えばPowderlink(登録商標名)1174、Cymel(登録商標名)303LF)を含む。架橋剤または架橋部分は、組成物の合計質量を100質量%とした場合に、約0.25〜1.40質量%、好ましくは0.3〜1.2質量%の含量で該組成物中に存在することが望ましい。これにより、本発明の組成物は、約125〜225℃の温度、より好ましくは約150〜205℃で架橋することが望ましい。
【0014】
好ましい触媒は、p−トルエンスルホン酸、ピリジウムトシレート、4,4’−スルホニルジフェノール、およびこれらの混合物からなる群から選択される。触媒は、組成物の合計質量を100質量%とした場合に、約0.025〜0.20質量%、好ましくは0.03〜0.15質量%の含量で該組成物中に存在することが望ましい。
【0015】
得られたARC組成物は、その後スピンコーティングのような従来の方法で基板(例えば、シリコンウェハ)表面に適用され、基板上に反射防止コーティングを形成する。基板および層の組み合わせは、少なくとも約150℃でベークされる。ベークされた層は、いずれの場所においても通常約250〜1500Åを有する。次に、ARC層にフォトレジストを適用し、公知の手順でフォトレジスト層に所望の波長の光を照射して、照射されたフォトレジスト層を現像し、現像したフォトレジスト層をエッチングする。
【0016】
本発明のARCは高いエッチングレートを有する。すなわち、本発明のARCは、エッチャントガスとしてHBr/O2 を使用した場合に、レジストに対して少なくとも約1、好ましくは少なくとも約1.2のエッチング選択比(すなわち、ARCのエッチングレートをフォトレジストのエッチングレートで割った値)を有する。さらに、本発明のARCは193nmで少なくとも約0.3、好ましくは約0.35のk値(すなわち、屈折率の複素数インデックスの仮想コンポーネント(the imaginary component of the complex index of refraction)を有し、少なくとも約1.5、好ましくは少なくとも約1.6のn値(すなわち、特定の材料を通過する光の速度に対する真空中を通過する光の速度の比)を有する。すなわち、本発明の組成物から作成されたキュアリングされた層は、波長193nmの光を少なくとも約96%、好ましくは少なくとも約99%吸収する。さらに、本明細書で定義するストリッピング試験を実施した場合、本発明のARCは、好ましくは約10Å未満、より好ましくは約5Å未満のストリッピング量を有する。
【0017】
好ましい実施形態の詳細な説明
実施例
以下の実施例により、本発明の好ましい実施形態を説明する。但し、これらの実施例は例示を目的とするものであり、本発明はこれに限定されない。
【0018】
実施例1
A.ヒドロキシプロピルセルロースへのフェニルイソシアネートの添加。
250mLの三つ口フラスコに、マグネチック攪拌棒(stirring bar)、温度計、窒素インレット、および窒素アウトレットを有するコンデンサを取り付けた。該フラスコにヒドロキシプロピルセルロース5.0g(水酸基当量39.8meq)、プロピレングリコールメチルエーテルアセテート(PGMEA)88.2gを充填した。混合物は、窒素下で攪拌しながら約100℃まで加熱し、その後周囲温度まで冷却させた。混合物は、フェニルイソシアネート4.72g(39.6mmol)を添加しながら、窒素下周囲温度で攪拌させた。混合物は、周囲温度で1時間、60℃で2時間半、100℃で2時間半攪拌させた。得られた母液は、10%の固形分を含んでいた。
【0019】
B.反射防止コーティングの作成
本実施例のA部で作成したポリマー溶液約30g(ポリマー3.0g)、プロピレングリコールモノメチルエーテル(PGME)62.5g、アミノ樹脂(Powderlink(登録商標名)1174、Cytecから入手)0.66g(6.15meq)、および触媒(p−トルエンスルホン酸モノハイドレート)66mgを攪拌させて、反射防止コーティング組成物を得た。
【0020】
PGMEで洗浄された650Cビーズで脱イオン化し、およびろ過した後、組成物は200rpmで60秒間シリコンウェハ上にスピンコートされ、真空ホットプレート上205℃で60秒間キュアリングして平均膜厚1345.6Åを有する反射防止膜を作成した。
【0021】
193nmでの膜の光学濃度は10.0/μmであり、平均吸光度は1.3533であった。膜のk値は0.39であり、n値は1.67であった。Sumitomo PAR 101 193nmフォトレジストに対するエッチング選択性(エッチャントガスとしてHBr/O2 (60/40)を使用し、LAM TCP器具で測定した。)は1.2であった。このフォトレジストを用いた良好な0.14μm形状が観察された。
【0022】
フィルムの耐溶媒性は、5〜10秒間膜に溶媒(乳酸エチル)をパドリング(puddling)し、その後溶媒を除去するために30秒間5,000rpmでスピン乾燥させて測定した。膜はその後100℃で30秒間ホットプレート上でベーキングされた。楕円偏光法を用いてウェハ上の複数の点で膜厚を測定した。ストリッピング量は、開始時と最終的な平均膜厚との差として測定した。本実施例では、最終的は平均膜厚は1340Åであり、ストリッピング量は−0.427Åであった。ストリッピング後の平均吸光度は1.4386であり、193nmでの光学濃度は10.7/μmであった。
【0023】
実施例2
A.ヒドロキシプロピルセルロースへのフェニルイソシアネートの添加
本手順では、マグネチック攪拌棒、温度計、窒素インレットおよび窒素アウトレットを有するコンデンサが取り付けられた500mL三つ口フラスコにヒドロキシプロピルセルロース(Aldrichから入手した43,500−7)5.00g(39.8meq)およびPGMEA104.7gを添加した。混合物は周囲条件で5分間窒素パージした後、窒素下で98.5℃のオイルバスを用いて加熱して濁った溶液を得た。生成物はその後周囲温度条件まで冷却させた。フェニルイソシアネート約6.65g(55.8meq)を添加し、混合物を窒素下約100℃で4時間攪拌させた。収量は112.7g(96.9%回収)であった。
【0024】
B.反射防止コーティングの作成(触媒としてピリジウムトシレート)
本実施例のA部で作成したポリマー溶液約35.0g(ポリマー3.50g、ウレタン基当量11.97meq、PGMEA31.5g)、PGMEA6.7g、PGME88.9gおよびPorderlink(登録商標名)1.28g(11.94meq)を周囲温度条件で攪拌し、均質な溶液を得た。生成物は、PGMEで洗浄された650Cビーズで4時間タンブリング(tumbling)することで脱イオンした。ビーズは2層のプラスチッククロスでろ過して除去され、終点でろ過された溶液は250mLのNalgene瓶に入れられた。触媒としてピリジウムトシレート(169mg、0.672meq)を添加して、反射防止コーティング組成物は均質になるまで攪拌された。
【0025】
C.反射防止コーティングの特性
本実施例のB部で作成されたコーティングは、シリコンウェハ上に2500rpmで60秒間スピンコートされ、その後真空下205℃で60秒間キュアリングした。得られた膜は、厚さ1022Åを有し、乳酸エチルによるストリッピングは見られなかった(+2.54%厚)。193nmでの光学濃度は、10.4/μmであった。生成物はベーク工程時に煙を生じた。
【0026】
次に、エッチャントガスとしてHBr/O2 を使用し、LAM TCP器具を用いてエッチング選択性を測定した。SumitomoフォトレジストPAR101に対する反射防止コーティングの選択性は1対1.0であった。
【0027】
D.反射防止コーティングの作成(触媒としてp−トルエンスルホン酸モノブチレート)
本実施例のA部で作成したポリマー溶液35.0g(ポリマー3.50g、ウレタン基当量11.97meq、PGMEA31.5g)、PGMEA6.7g、PGME88.9g、Powderlink(登録商標名)1.28g(11.94meq)およびp−トルエンスルホン酸モノハイドレート128.2mgを周囲温度条件下で攪拌して均質な溶液を得た。生成物はPGMEで洗浄された650Cビーズで4時間タンブリングすることで脱イオン化された。ビーズは2層のプラスチッククロスを用いてろ過して除去され、溶液はエンドポイントでろ過された(最終0.2μm)。
【0028】
E.D部の反射防止コーティングの特性
本実施例のD部で作成したコーティング組成物は、2500rpmで60秒間シリコンウェハ上にスピンコートされ、その後真空ホットプレート上で250℃で60秒間キュアリングした。得られた膜は1192Åの厚さを有し、乳酸エチルによる膜のストリッピングを認められなかった。193nmでの光学濃度は9.56/μmであった。生成物はベーク工程時に煙を発生した。
【0029】
次に、エッチャントガスとしてHBr/O2 を使用し、LAM TCP器具を用いてエッチング選択性を測定した。SumitomoフォトレジストPAR101に対する反射防止コーティングの選択性は1.1であった。
【0030】
実施例3
A.ヒドロキシプロピルセルロースへのベンジルイソシアネートの添加
本手順では、マグネチック攪拌棒、温度計、窒素インレットおよび窒素アウトレットを有するコンデンサが取り付けられた250mL三つ口フラスコにヒドロキシプロピルセルロース(Aldrichから入手した43,500−7)5.00g(39.8meq)、PGMEA93.3gを添加した。混合物は窒素下で99.5〜100℃で1.1時間攪拌して、わずかに濁った溶液を得た。周囲温度条件下で終夜保持し、ポリマーを再沈殿させて十分に分離させた。約5.01g(37.6meq)のベンジルイソシアネートを窒素下で添加した。混合物は、その後周囲温度条件で1時間攪拌された。温度57〜59℃に上げて2.6時間、95〜100.5℃に上げて3時間攪拌させた。ウレタン反応生成物は、わずかに濁った溶液であり、収量は102.2g(98.9%回収)であった。
【0031】
B.反射防止コーティングの作成
本実施例のA部で作成したポリマー溶液約51.6g(固形分5.00g、水酸基またはウレタン基当量19.8meq、PGMEA46.6g)、PGME101.4g、およびPorderlink(登録商標名)1174 1.06g(9.86meq)およびp−トルエンスルホン酸ハイドレート106mgを周囲温度条件で攪拌し、均質な溶液を得た。コーティングは、PGMEで洗浄された650Cビーズ7.7gで周囲温度条件下で4時間タンブリング(tumbling)することで脱イオン化させた。ビーズは2層のプラスチッククロスでろ過して除去され、溶液はエンドポイントでろ過された。
【0032】
C.反射防止コーティングの作成
本実施例のB部で作成されたコーティングは、シリコンウェハ上に2500rpmで60秒間スピンコートされ、その後真空下205℃で60秒間キュアリングした。得られた膜は、厚さ1130.3Åを有し、乳酸エチルのストリッピングは見られなかった(厚さ−0.6Å)。193nmでの光学濃度は、9.29/μmであった。生成物はベーク工程時に煙を生じた。
【0033】
実施例4
A.ヒドロキシセルロースへの2−メトキシフェニルイソシアネートの添加。
本手順では、マグネチック攪拌棒、温度計、窒素インレットおよび窒素アウトレットを有するコンデンサが取り付けられた250mL三つ口フラスコにヒドロキシプロピルセルロース(Aldrichから入手した43,500−7)5.00g(39.8meq)およびPGMEA98.5gを添加した。混合物は窒素下で、周囲温度環境下で10分間パージした。溶液は、窒素下で104℃で攪拌させて、その後冷却させた。温度32℃の混合物に2−メトキシフェニルイソシアネート5.94g(39.8mmol)を添加した。反応混合物を窒素下102℃で4時間攪拌させた。最終生成物の質量は109.4g(98.7%回収)であった。
【0034】
B.反射防止コーティングの作成(触媒としてピリジウムトシレート)
本実施例のA部で作成したポリマー溶液約50.0g(ポリマー5.0g、ウレタン基当量18.2meq、PGMEA45.0g)、PGMEA46.8g、乳酸エチル91.8g、Powderlink(登録商標名)1174 1.96g(18.2meq)およびp−トルエンスルホン酸モノハイドレート196mgを攪拌し、均質な溶液を得た。生成物は、PGMEで洗浄された650Cビーズ9.5gで4時間タンブリング(tumbling)することで脱イオン化させた。ビーズは2層のプラスチッククロスでろ過して除去され、0.2/0.45μmエンドポイントで溶液をろ過した。
【0035】
C.反射防止コーティングの特性
本実施例のB部で作成されたコーティングは、シリコンウェハ上に2500rpmで60秒間スピンコートされ、その後真空下205℃で60秒間キュアリングした。組成物のコーティング特性は良好であった。得られた膜は、厚さ833.5Åを有し、乳酸エチルのストリッピングは見られなかった(厚さ+0.73Å、吸光度2.46%)。193nmでの光学濃度は、9.29/μmであった。生成物はベーク工程時に煙を生じた。
【0036】
次に、エッチャントガスとしてHBr/O2 を使用し、LAM TCP器具を用いてエッチング選択性を測定した。Sumitomo193nmフォトレジストPAR101に対する反射防止コーティングの選択性は1.2であった。
【0037】
実施例5
A.ヒドロキシプロピルセルロースへの2−ニトロフェニルイソシアネートの添加
本手順では、マグネチック攪拌棒、温度計、窒素インレットおよび窒素アウトレットを有するコンデンサが取り付けられた250mL三つ口フラスコにヒドロキシプロピルセルロース(Aldrichから入手した43,500−7)5.00g(39.8meq)およびPGMEA104.0gを充填した。混合物は窒素下約100℃で30分間攪拌させて、その後周囲温度条件まで冷却させた。約6.53g(39.8meq)の2−ニトロフェニルイソシアネートを窒素下で添加し、混合物を窒素下95〜100℃で4.5時間攪拌させた。最終生成物の質量は114.4g(99.0%回収)であった。
【0038】
B.反射防止コーティングの作成
本実施例のA部で作成したポリマー溶液約50.0g(ポリマー5.0g、ウレタン基当量17.25meq、PGMEA45.0g)、PGMEA27.9g、乳酸エチル72.9g、Powderlink(登録商標名)1174 0.62g(5.77meq)およびp−トルエンスルホン酸モノハイドレート62.0mgを攪拌して溶液を得た。生成物は、PGMEで洗浄された650Cビーズ9.5gで4時間タンブリング(tumbling)することで脱イオン化させた。ビーズは2層のプラスチッククロスでろ過して除去され、エンドポイントで溶液をろ過した。
【0039】
C.反射防止コーティングの特性
本実施例のB部で作成されたコーティングは、シリコンウェハ上に2500rpmで60秒間スピンコートされ、その後真空下205℃で60秒間キュアリングした。得られた膜は、厚さ846Åを有し、乳酸エチルによるストリッピングは見られなかった。193nmでの光学濃度は、8.69/μmであった。生成物はホットプレートベーク工程時に煙を生じた。顕微鏡下でのコート特性は粗く、オレンジピール状の外観を有していた。
【0040】
次に、エッチャントガスとしてHBr/O2 を使用し、LAM TCP器具を用いてエッチング選択性を測定した。Sumitomo193nmフォトレジストPAR101に対する反射防止コーティングの選択性は1.2であった。
Claims (23)
- 基板材料または基板材料に形成されたホールを保護するための反射防止組成物であって、前記組成物は、溶媒系に溶解されたポリマーを含み、
前記ポリマーは、フェニルイソシアネート類、ベンジルイソシアネート類、2−メトキシフェニルイソシアネート類および2−ニトロフェニルイソシアネート類からなる群から選択されるアリールイソシアネートと反応させたヒドロキシアルキルセルロースよりなることを特徴とする反射防止組成物。 - 少なくとも1つのR1は、炭素数1〜8のアルキル基からなる群から選択される請求項2に記載の組成物。
- 少なくとも1つのR1は、エチル基およびプロピル基からなる群から選択される請求項3に記載の組成物。
- 前記ポリマーは、該ポリマーの合計質量を100質量%とした場合に、前記モノマーを41〜66質量%含む請求項2に記載の組成物。
- 前記溶媒系は、PGMEA、2−ヘプタノン、プロピレングリコール−n−プロピルエーテル、PGME、N−メチルピロリジノン、およびこれらの混合物からなる群から選択される請求項1に記載の組成物。
- 前記溶媒系は、118〜202℃の沸点を有する請求項1に記載の組成物。
- 前記組成物は、さらに、架橋剤、触媒、光減衰化合物、およびこれらの群から選択される化合物を含む請求項1に記載の組成物。
- 前記化合物は、アミノ樹脂を含む架橋剤である請求項8に記載の組成物。
- 前記化合物は、p−トルエンスルホン酸、ピリジウムトシレート、4,4′−スルホニルジフェノール、およびこれらの混合物からなる群から選択される触媒である請求項8に記載の組成物。
- 集積回路の製造過程で形成される構造体であって、前記構造体は、表面を有する基板、および、前記表面上のキュアリングされた反射防止コーティングよりなり、前記反射防止コーティングは、フェニルイソシアネート類、ベンジルイソシアネート類、2−メトキシフェニルイソシアネート類および2−ニトロフェニルイソシアネート類からなる群から選択されるアリールイソシアネートと反応させたヒドロキシアルキルセルロースよりなるポリマーを含む構造体。
- 少なくとも1つのR1は、炭素数1〜8のアルキル基からなる群から選択される請求項12に記載の構造体。
- 少なくとも1つのR1は、エチル基およびプロピル基からなる群から選択される請求項13に記載の構造体。
- 前記ポリマーは、該ポリマーの合計質量を100質量%とした場合に、前記モノマー単位を41〜66質量%含む請求項12に記載の構造体。
- 前記層は、波長193nmの光を少なくとも96%吸収する請求項11に記載の構造体。
- 集積回路の製造に使用されるプレカーサー構造を作成する方法であって、前記方法は、基板表面に反射防止層を形成するために、前記基板表面に請求項1に記載の反射防止組成物をある量適用する工程を含む方法。
- 前記適用する工程は、前記基板表面に前記組成物をスピンコートすることを含む請求項17に記載の方法。
- 前記適用する工程の実施後、さらに、少なくとも150℃の温度で前記反射防止層をベークする工程を含む請求項17に記載の方法。
- さらに、前記反射防止層にフォトレジストを適用する工程を含む請求項19に記載の方法。
- 前記フォトレジスト層の少なくとも一部に活性放射線を照射する工程と、
前記照射されたフォトレジスト層を現像する工程と、
前記現像されたフォトレジスト層をエッチングする工程と、をさらに含む請求項20に記載の方法。 - リソグラフィープロセスで使用される反射防止組成物に有用なポリマーを作成する方法であって、前記方法は、溶媒系でフェニルイソシアネート類、ベンジルイソシアネート類、2−メトキシフェニルイソシアネート類および2−ニトロフェニルイソシアネート類からなる群から選択されるアリールイソシアネートをヒドロキシアルキルセルロースを反応させる工程を含み、前記溶媒系はPGMEAを含む方法。
- リソグラフィープロセスで使用される反射防止組成物に有用なポリマーを作成する方法であって、前記方法は、過剰量のイソシアネートの存在下でフェニルイソシアネート類、ベンジルイソシアネート類、2−メトキシフェニルイソシアネート類および2−ニトロフェニルイソシアネート類からなる群から選択されるアリールイソシアネートをヒドロキシアルキルセルロースと反応させることにより、前記イソシアネートのC=O基の炭素原子と前記ヒドロキシアルキルセルロースの−OH基とを結合させて、それらの間にウレタン結合を形成すること、および、前記イソシアネートの一部と前記ウレタン結合とを反応させることを含む方法。
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