JP3907571B2 - Method and apparatus for manufacturing image display device - Google Patents
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Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、画像表示装置の製造方法に関し、特に、画像表示装置内の高真空化に関する。
【0002】
【従来の技術】
電子源より放出された電子ビームを画像表示部材である蛍光体に照射し、蛍光体を発光させて画像を表示する装置においては、電子源と画像表示部材を内包する真空容器の内部を高真空に保持しなければならない。それは、真空容器内部にガスが発生し圧力が上昇すると、ガスの種類により程度は異なるが電子放出量を低下させ、明るい画像の表示ができなくなるためである。また、発生したガスが電子ビームでイオン化し、電界で加速されて電子源に衝突すると、電子源に損傷を与えることもある。さらに、内部で放電が生じる場合もあり、画像表示装置が破壊することもある。
【0003】
従来、CRTなどの画像表示装置を形成する真空容器の圧力維持は、真空容器内に設置されたゲッタによって行われていた。ゲッタ膜とは、Baを主成分とする合金を、真空容器内で通電あるいは高周波により加熱し、蒸着により容器内壁に形成されたガス吸着膜である。
【0004】
一方近年は、多数の電子放出素子を平面基板上に配列した平面状ディスプレイの開発が進んでいる。真空の問題については、画像表示部材から発生したガスが、画像表示エリア外に設置されたゲッタまでのコンダクタンスが小さいためなかなか到達できず、電子源近傍に集まり局所的な圧力上昇が発生することが挙げられる。そのため電子源劣化が特徴的な問題となっている。
【0005】
この問題の一つの解決策が開示されている(例えば、特許文献1参照)。これは、真空チャンバー内で脱ガス、ゲッタ形成、封着(真空容器化)を一連の作業で行うことで、画像表示領域内に排気特性の良いゲッタを配置し、真空容器内全体を低い圧力に維持しようとするものである。この場合、蒸発型ゲッタが表示領域以外に付着しないように、蓋状(ボックス状)の飛散防止治具を画像表示基板(フェースプレート)にかぶせてフラッシュを行う。
【0006】
図12には、蓋状治具203の内側天井部に、ゲッタコンテナ101を配置した例を示す。それぞれのコンテナ101には、端子205を介して供給される電流によって加熱され、コンテナ101が所定の温度を越えるとフラッシュされるゲッタ材が備えられ、それは画像表示基板に成膜される。
【0007】
図13には、画像表示基板201や蒸発型ゲッタの飛散を防ぐ蓋状治具203を、搬送治具202に載せて真空チャンバー200内に導入した様子を示す。蓋状治具203は右側のみ基板201を覆っている状態を示している。配線・端子・電極である204、205、206、207を介して、蓋状治具203にセットされたリング状の蒸発型ゲッタのコンテナに電流を流せるようになっている。
【0008】
【特許文献1】
特開2000−315458号公報
【0009】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、一般にゲッタフラッシュの際にはCO、CO2、H2O、O2などの酸化物ガス、CH4を始めとする炭化水素ガス、水素などが大量に放出される。蓋状治具203は所定の場所以外にゲッタが飛散しないためのものであるが、図13の右側のように基板201に密着すると、ゲッタフラッシュで放出されたガスが蓋状治具内203に閉じ込められてしまう。
【0010】
蒸発型ゲッタをフラッシュしたときに、蓋状治具203と基板201の隙間から漏れてきたガスの圧力変化を調べた。H2O、O2、CO2はゲッタのフラッシュの回数を重ねるごとに圧力上昇が小さくなり、成膜されたゲッタ膜が吸っていることがわかった。即ち本工程でゲッタの吸着能力が減じられる。一方H2、CH系のガスはフラッシュごとに同程度の圧力上昇が見られ、フラッシュ後も圧力の減衰は鈍いので、チャンバー空間への拡散と、基板などへの吸着が起きていると考えられる。特に分子量の大きいCH系のガスは、大部分が基板などの部材へ吸着する。この結果ゲッタの排気特性の劣化や、画像表示装置の駆動時にガスの再放出が起こり、真空容器内の圧力を低く保てなくなる問題が生じる。さらにそれによって素子特性の経時変化が目立つような問題も発生する。
【0011】
真空容器としての画像表示装置の初期圧力は、ゲッタを成膜した後にフェースプレートとリアプレートを真空封着する際の圧力で決定される。この初期圧力が高いとゲッタの排気特性の劣化を早め、画像表示する際にガスの再放出が起こり、真空容器内の圧力を低く保てなくなる問題が生じる。更にそれによって素子特性の寿命が短くなるという問題も発生する。
【0012】
そして第2の問題としては、形成されたゲッタ膜上に粗大粒子(以後パーティクルと呼ぶ)が堆積するという問題があった。このパーティクルは膜形成時に蓋状治具内に付着した粒子が堆積して厚膜化し、剥離したものから生じるものと、蓋状冶具の天井部やゲッタコンテナに付着した異物(ゴミ)の落下によるものである。このパーティクルの中には直径が数10ミクロン程度にまで達するものがあり、これが基板上に堆積すると、画像表示に際し画像表示装置に高圧を印加した時、放電現象を引き起こし、表示品位を劣化させる原因となる問題があった。
【0013】
本発明の目的は、ゲッタフラッシュにともなうガスを排気することで真空容器内の圧力を低く保ち、かつ、ゲッタ膜にパーティクルが発生しない、画像表示装置の製造方法を提供することにある。
【0014】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本発明は、減圧状態のチャンバー内で、蛍光体膜とアノード電極を有する画像表示基板の少なくとも一部を蓋状治具で覆い、蓋状治具の内部に配置された蒸発型ゲッタをフラッシュさせることにより、画像表示基板上にゲッタ膜を成膜する工程と、複数の電子放出素子が配列された電子源基板と、ゲッタ膜が成膜された画像表示基板とを、ゲッタ膜の成膜工程を行ったチャンバー内で封着する工程と、を有し、フラッシュは、蒸発型ゲッタと画像表示基板の間に、フラッシュしたゲッタ剤の一部が通過する複数の開口部とゲッタ剤の他の一部が付着する部分とを有する部材を画像表示基板から離して配置した状態で行われる、画像表示装置の製造方法を提供する。
【0015】
上記本発明によれば、ゲッタを成膜する際に、蓋状冶具内に複数の開口を有する部材を設置することにより、垂直及び垂直に近い方向からのゲッタ蒸着粒子は開口部を通過しフェースプレート基板に成膜されるが、他のゲッタ蒸着粒子は複数の開口を有する部材に成膜され、ゲッタ吸着面積が増える。それにより真空処理室の排気速度が大きくなり、真空処理室で封着する際の圧力をより低くする事が可能となる。更に、複数の開口を有する部材として金属部材を用いれば、金属部材表面をエンボス加工することで表面積が増大し、排気速度が更に向上する。従って、画像表示装置を真空封着する時の圧力をより低くすることが可能となる。
【0016】
さらに、ゲッタを成膜する際に、垂直及び垂直に近い方向のゲッタ蒸着粒子は開口部を通過するが、他のゲッタ蒸着粒子は複数の開口を有する部材に成膜されることでゲッタが成膜される表面積が増大する。この複数の開口を有する部材に金属部材を用いれば、金属部材の表面をエンボス加工することで表面積が更に増加し、単位面積当たりのゲッタ蒸着粒子の付着量を減少せしめ、付着量増大に伴う内部応力の増大を抑制し、付着膜の亀裂による剥離を低減することができる。従って、フェースプレート上にゲッタ膜を形成する際に、パーティクルがより少ないゲッタ膜を形成することが可能となる。また、ゲッタコンテナ及び蓋状治具天井部に付着した異物(ゴミ)が落下しても、複数の開口を有する部材に捕捉され、フェースプレート上に落下する異物の数が減少する。
【0017】
フラッシュしたゲッタ剤の一部が通過する複数の開口部とゲッタ剤の他の一部が付着する部分とを有する部材は、セラミックスから構成されてもよい。
【0018】
さらに、蓋状治具内に非蒸発型ゲッタを設けるとよい。活性化された非蒸発型ゲッタはH 2 O、O 2 、CO、CO 2 などのガスに対しては室温でも排気能力が大きいので、これらのガスは成膜されたBaなどの蒸発型ゲッタへの再吸着が低減され、蒸発型ゲッタの排気特性劣化が抑えられる。さらに、非蒸発型ゲッタは高温、特に400℃以上にすると、CH 4 など室温では殆ど吸着しない炭化水素ガスに対しても大きな排気能力をもつようになる。さらに、フラッシュ前後も含め、蒸発型ゲッタをフラッシュさせるタイミングに合わせ非蒸発型ゲッタを連続的に通電加熱させると、駆動時に放出されることになるガスを極めて効果的に排除できる。この結果、電子源素子の経時変化の要因となるガスを、画像形成装置の真空容器内に持ち込まないようにできるため、経時変化の小さい画像形成装置が提供できる。
【0019】
【発明の実施の形態】
次に、本発明の実施の形態について、図面を参照して説明する。
【0020】
図1を参照すると、参考形態の製造装置のゲッタ飛散防止治具(以下、蓋状治具とする)203の内部構成が示されている。なお、図1は、画像表示基板(フェースプレート)側から蓋状治具203の内部を見た模式図である。
【0021】
蓋状治具203内には、5つの蒸発型ゲッタコンテナ101と、4本の板状の非蒸発型ゲッタ102が設置されている。
【0022】
蒸発型ゲッタコンテナ101に搭載される蒸発型ゲッタとしては、Ba、Mg、Ca、Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、W等の金属及びこれらの合金を用いることができる。蒸気圧が低く、取り扱い易いアルカリ土類金属であるBa、Mg、Ca及びこれらの合金が好ましい。中でも安価で、ゲッタ材料を保持している金属製カプセルから容易に蒸発できる、工業的にも製造が容易なBa又はBaを含む合金が好ましい。蒸発型ゲッタコンテナ101には、結線のための端子205が設けられている。
【0023】
4本の非蒸発型ゲッタ102は、蓋状治具203内側天井部の周辺に設置されている。4隅の接続部は、碍子などの絶縁体であり、蓋状治具203から電気的に絶縁されている。それぞれの非蒸発型ゲッタ102は、碍子上に設置されたL字状の金属片などの導電体に溶接などで接続され、電気的に直列に接続されている。全ての非蒸発型ゲッタ102を直列につなぐ必要はなく、引き回すことのできる配線の数に応じ、単独の引出しや並列の引出しにしてもかまわない。また、非蒸発型ゲッタ102の配置は図1の例に限られるわけではなく、蓋状治具203の側壁など、蒸発型ゲッタの膜が付きにくい位置になるべく多くの面積が稼げるように付けられるのが望ましい。非蒸発型ゲッタ102には、結線のための端子208が設けられている。
【0024】
図2を参照すると、真空チャンバー200内において、蒸発型ゲッタコンテナ101の端子205と、非蒸発型ゲッタ102の端子208が結線され、搬送治具202によって画像表示基板(フェースプレート)201が導入された様子を示す模式図((a)が断面図、(b)が上面図)が示されている。蓋状治具203は、ゲッタフラッシュ時以外は、左側の蓋状治具203のように基板201上からはずれた位置(待避位置)に置かれる。図2では蓋状治具203が左右2体に分かれた形に設計されているが、空間的に無理がなく、機能的に所定の個所にゲッタ膜を形成することができれば、1体型でも良いし2体より多くてもかまわない。
【0025】
蓋状治具203の端子205、208から引き出された配線204、209は、搬送治具202が所定の位置に置かれると、搬送治具202に取り付けられた接触用電極206、210が、チャンバーにフランジなどを設けて付けられたフィードスルー電極207、211に接触することにより、チャンバー外部の電源(不図示)につながれる。これにより、蒸発型ゲッタコンテナ101および非蒸発型ゲッタ102を通電・加熱することができる。
【0026】
図3を参照すると、本発明の製造装置で用いられる蓋状治具203の移動方式について、いくつかの例が模式的に示されている。蓋状治具203の移動については空間的な余裕と、他の操作との干渉がない範囲で適当に選ばれる。例えば、待避位置からフラッシュ位置までレール301上をスライド式に移動させてもかまわないし(a)、支柱302を立てて左右に開閉するなどのようにしても良い(b)。また、水平軸303を中心に回転させて、軸の辺側から覆いかぶせるなどしてもよい(c)。
【0027】
図4を参照すると、ロードロック式の真空チャンバー200の一例が示されている。ゲートバルブ703で仕切られたロード室701から処理室200への基板の導入及び搬出は、搬送治具202を用いて行われる。ロード室、処理室にはそれぞれ排気装置704、705が備えられている。処理室200では主にベーキング、ゲッタ形成(フラッシュ)、封着が行われるが、電子銃を装備してフェースプレートに電子照射して行う脱ガス操作を含むこともできる。なお、真空チャンバーとしては、バッチ式を用いてもよい。
【0028】
図5を参照すると、本参考形態の製造装置によって製造される画像表示装置413の一例である、表面伝導型電子放出素子をマトリクス配置(例えば、800行×4000列)した画像表示装置の模式図が示されている。リアプレート401上に下配線(X配線)406と、層間絶縁層407と、上配線(Y配線)408で形成されたマトリクス配線に、素子電極404、405を介して、複数の表面伝導型電子放出素子が、単純マトリクス配線された電子源409として接続されている。410、411、412はフェースプレート201上に形成された蛍光体、メタルバック、蒸発型ゲッタ膜である。
【0029】
支持枠403は予め、フェースプレート201ないしはリアプレート401の所定の位置にガラスフリットなどで取り付けられる。もう一方のプレートの、支持枠と対応する位置には、接合部材(例えば、InまたはInを含む合金)を基板に配置しておく。これらの両基板が以下に示す真空チャンバー内の工程によって真空容器化される。図6には一例として、フェースプレート201の周縁部に配置したAg膜601上にIn602を塗布した場合が示されている。図6(a)はフェースプレート表面、(b)はそのB−B’断面を示す。
【0030】
図7を参照すると、マトリクス配線、素子電極、素子がつながれている様子が模式的に示されている。(a)は平面図、(b)は(a)の図のA−A’断面図を示す。ここで、401はリアプレート、408はY配線または上配線、406はX配線または下配線、409は電子放出部420を含む電子源409、404、405は素子電極、407は層間絶縁層である。
【0031】
図8を参照すると、本参考形態の製造装置によって製造される画像表示装置413の別の例である、スピント型電子放出素子をマトリクス配置(例えば、800行×4000列)した画像表示装置の模式図が示されている。リアプレート401上にカソード504と、層間絶縁膜505と、ゲート506と、エミッタ507が順次形成されて電子源部をなしている。カソード504及びゲート506はそれぞれX、Y配線も兼ね、図5の画像表示装置と同様に順次、素子の走査ができる。また、真空容器となったパネルが大気圧でつぶれないようにスペーサ508が設けられる。
【0032】
本参考形態の製造装置によって製造される画像表示装置は上記例に限られたものではなく、真空容器中で電子放出素子から放出される電子の照射によって画像が形成される種々の画像表示装置でもよい。
【0033】
図9を参照すると、参考形態に対応した、参考形態の製造方法のうち、画像表示装置において、電子源部の形成されたリアプレート(電子源基板)401と、蛍光体・メタルバック(アノード電極膜)などが形成されたフェースプレート(画像表示基板)201と、必要に応じて用いられる支持枠403を、真空チャンバー200内で加熱脱ガス(ベーキング)、ゲッタ形成、封着することにより、真空容器化する操作の概要が示されている。
【0034】
まず(a)で、導入されたフェースプレート201、リアプレート401を上下のホットプレート1003、1004で挟み込み、ベーキングにより部材からの脱ガスを行う。
【0035】
次に(b)で、ホットプレート1003、1004を上下に逃がしながら、同時にリアプレート401も上昇させ、フェースプレート201上に空間を空ける。この空間に蓋状治具203を移動し、端子205、接触用電極204、フィードスルー電極207を通して電流を供給して、フェースプレート201上に蒸発型ゲッタを形成する。
【0036】
このあと(c)で、再びホットプレートで両基板を挟み込み、予め支持枠403を取り付けてあるリアプレート401と、所定の位置にIn合金などの接合剤を配置したフェースプレート201を加熱ながら荷重をかけ、その後冷却して封着(真空容器化)を完了する。
【0037】
最後に(d)で、再びホットプレートを上下に逃がし、ロード室に搬出する。
【0038】
本参考形態においては、蒸発型ゲッタのほかに、非蒸発型ゲッタが真空チャンバー内で活性化される。非蒸発型ゲッタの活性化においては、蒸発型ゲッタと同様、通電加熱によることが容易で、チャンバー外部の電流供給電源につながれ、適切なタイミングで必要な電流を所定の時間流して行われる。非蒸発型ゲッタの加熱温度や時間はゲッタを構成する材料により異なるが、温度は450℃から900℃、時間は10分から1時間くらいが適当な条件である。但し温度は高いほど、時間は長いほど効果は高い。
【0039】
以上のように非蒸発型ゲッタの通電加熱活性化を、蒸発型ゲッタフラッシュの前またはフラッシュ中に行い、その後封着・実装・エージングなどの工程を行って画像表示装置を形成する。それぞれの画像表示装置については、一般的に提唱されている手法や条件が適用される。
【0040】
図10を参照すると、本発明の第1の実施形態の製造装置の蓋状治具203の内部構成が示されている。画像表示基板(フェースプレート)201と蓋状治具203内に配置された蒸発型ゲッタコンテナ101との間に複数の開口部を有する部材104が配置される。図10は、画像表示基板201上に蓋状治具203を配置した際に、その様子を横方向から見た模式図が示されている。
【0041】
図11を参照すると、蓋状治具203で覆われる、画像表示基板(フェースプレート)201側から蓋状治具203内部を見た際に見られる複数の開口部601を有する部材104の模式図が示されている。
【0042】
本実施形態の製造装置は、参考形態の製造装置の非蒸発ゲッタのかわりに、複数の開口部601を有する部材104を用いる点が異なる。
【0043】
101は蒸発型ゲッタが充填されたゲッタコンテナであり、105は蒸発型ゲッタがフラッシュされた際にゲッタ剤が飛翔する方向を模式的に示したものである。ゲッタコンテナ101から放出されたゲッタ材は、複数の開口を有する部材104を経てフェースプレート201上に到達し、付着し、ゲッタ膜となる。開口部を通過するゲッタ剤以外は蓋状冶具203の内壁と複数の開口を有する部材104の表面に付着する。ゲッタフラッシュ終了後、処理室200の放出ガスレートをQ(Pa・m3/sec)、排気装置の排気速度をS0 (m 3/sec)、蓋状冶具203の内壁に付着したゲッタによるガス吸着速度をG1 (m3/sec)、複数の開口を有する部材104に付着したゲッタによるガス吸着速度をG2とすると、処理室の圧力P(Pa)はP=Q/(S0+G1+G2)で表すことができる。従って、分母であるG2のガス吸着速度の分だけ封着時の圧力を低くすることが可能となる。
【0044】
複数の開口部を有する部材104は、金属板又は金属合金板を格子状に組み立てることにより作成する。用いる金属板又は金属合金は真空材料として使用可能であれば何でも良く、Fe、Ni、Cu、Al、Au、Mo、Ti、Zn等又はこれらの合金から適宜選択することができる。更に、前記金属板又は金属合金板の表面にエンボス加工、即ち金属板又は合金板に、例えばプレス加工、ロールフォーミング等の成形加工によりランダムな或いは規則性のある凹凸を形成したものを施すことで、ゲッタの付着する表面積が増え、ガス吸着速度G2が増加する。また、同一のガス吸着速度を得るためのゲッタ膜の単位面積あたりの付着量は少なくてすむので、付着量増大に伴う内部応力増大を抑制し、付着膜の亀裂剥離の現象を生じにくくすることができ、パーティクル発生を抑制することができる。金属板又は合金板の表面加工はエンボス加工に限らず、同様な効果が得られればどのような方法でもよく、他の方法としては、銅板を用いた場合はトリート電解銅板(電解銅板のマット面上に更に電解処理を施してマット面に存在する微小な塊状の突出部に銅又は銅酸化物の微細粒をランダムに追加析出させたもの)、金属溶射板、電解SUS板等を適宜使用することができる。
【0045】
さらに、複数の開口部を有する部材104は、セラミック板を格子状に作成することで達成できる。用いるセラミック板は真空材料として使用可能であれば何でも良く、ステアタイト、フォルステライト、ジルコン磁気、アルミナセラミック、ジルコニアセラミック、ベリリアセラミック、パイロセラム、サービット、ガラスセラミック等から適宜選択することができる。
【0046】
なお、本実施形態の製造装置に対応した製造方法は、非蒸発ゲッタを通電加熱しない点を除けば、参考形態の製造方法と同様である。
【0047】
本発明の第2の実施形態の製造装置は、参考形態の非蒸発型ゲッタ102と、第1の実施形態の複数の開口部を有する部材104の双方を内包した蓋状治具203が用いられた装置である。また、本実施形態の製造装置に対応した製造方法は、参考形態の製造方法と同様である。
【0048】
【実施例】
以下、実施例を挙げて本発明をさらに詳細に説明する。
【0049】
(参考例1)
以下に、図5の表面伝導型電子放出素子が配列された画像表示装置を製造する、参考形態の製造方法に対応した参考例について説明する。
【0050】
工程a1(ガラス基板と素子電極の形成)
ガラス基板401を十分に洗浄し、この上にチタンと白金を成膜し、フォトリソグラフィー法により所望の形状にパターニングして、素子電極404、405を形成する。
【0051】
工程b1
X配線(下配線)406は、素子電極の一方404に接し、かつ、それらを連結するようにライン状のパターンで形成する。銀ペーストインキをスクリーン印刷し、乾燥後、所定のパターンに露光し現像する。この後焼成して配線を形成する。
【0052】
工程c1(絶縁膜形成)
Y配線(上配線)408とX配線(下配線)406の交差部を覆い、上配線(Y配線)408と素子電極405との電気的接続のためにコンタクトホールを開けるパターンとする。ガラスペーストをスクリーン印刷、焼成し、層間絶縁層を形成する。
【0053】
工程d1
絶縁膜407上に、銀ペーストインキのスクリーン印刷/乾燥を行い、焼成してY配線(上配線)408を形成する。
【0054】
工程e1
続いて素子電極間にインクジェット塗布方法により、導電性薄膜409を形成する。塗布液は有機パラジウム含有溶液を用いた。その後、基板401を加熱焼成し、酸化パラジウム(PdO)とする。
【0055】
工程f1
次に、表面伝導型電子放出素子においては、フォーミングと呼ばれる工程で、上記導電性薄膜409を通電処理して内部に亀裂を生じさせ、電子放出部420を形成する。フォーミング処理の終了判断は素子抵抗測定で行い、フォーミング処理前抵抗に対して1000倍以上の抵抗を示した時点でフォーミング終了とする。
【0056】
工程g1(活性化−カーボン堆積)
フォーミング後の素子に活性化と呼ばれる処理を行う。この処理は有機化合物が存在する適当な真空度のもとで、前記のフォーミングと同様に外部からXY配線を通じてパルス電圧を素子電極に繰り返し印加することによって行う。その結果、炭素あるいは炭素化合物を、前記亀裂近傍にカーボン膜として堆積させる工程である。本工程では、有機化合物としてトルニトリルを用いる。素子電極間を流れる電流がほぼ飽和に達した時点で、通電を停止し活性化処理を終了する。
【0057】
工程h1(支持枠貼り付け)
次に、リアプレート上の所定の位置にフリットガラスを塗り、位置あわせをして支持枠403をフェースプレートに仮止めする。このあと焼成を行い、支持枠をリアプレートに貼り付ける。
【0058】
工程i1(スペーサー立て)
Y配線上にスペーサを設置する。
【0059】
工程j1(フェースプレート形成)
ガラス基板を十分に洗浄した後、印刷法で蛍光膜410を塗布し、表面の平滑化処理をして蛍光体部を形成する。なお、蛍光膜410はストライプ状の蛍光体(R、G、B)と、黒色導電材(ブラックストライプ)が交互に配列された蛍光膜とする。更に蛍光膜410の上に、Al薄膜よりなるメタルバック411をスパッタリング法で形成する。
【0060】
工程k1(In塗布)
図6に示すように、フェースプレート201の周縁部に配置したAg膜601上にIn602を塗布する。図6(a)はフェースプレート表面、(b)はそのB−B’断面を示す。
【0061】
工程l1(ベーキング)
真空チャンバーのロード室701に、フェースプレート201とリアプレート401をセットした搬送治具202を投入する。ロード室内を3×10-5Pa程度にまで真空引きし、ゲートバルブ703を開いて搬送治具と基板を真空処理室200に導入した。次に、リアプレート401に上ホットプレート1003、フェースプレート201に下ホットプレート1004を密着させ、ベーキングを行った。
【0062】
工程m1(非蒸発型ゲッタ活性化、ゲッタフラッシュ)
次に、ゲッタフラッシュ用の蓋状治具203の内側天井部の板状の非蒸発型ゲッタ102(ST707:サエス社製)の活性化を行った。蓋状治具203は、図2に示すように、フェースプレート201の半面相当分が前後に装備されているので、両方同時に活性化を行った。続いてリアプレート401とそれを支持する搬送治具の一部を、上側のホットプレートとともに上昇させた。続いてリアプレートとフェースプレートとの間の空間に、一方の蓋状治具203を移動させ、フェースプレート201に接触させた。この状態で治具内側天井に5極設置されているバリウムゲッタのコンテナそれぞれに、電流を順次流して行き、バリウム膜をメタルバック411上に付着させた。5極のフラッシュが終了後、蓋状治具203を元の位置に戻し、他方の蓋状治具についても同じ操作を行った。
【0063】
工程n1(封着)
蓋状治具203を元の位置に戻したら、リアプレート401と支持治具、上側ホットプレート1003を元の位置まで下げたあと、リアプレート支持治具を少しずつ下げ、リア・フェース両プレート間に過重をかけた。このままホットプレートを自然冷却し、室温になるまで待って封着を完了する。
【0064】
工程o1(実装、システム化)
上記工程で形成した真空容器をフレキ実装し、その後ドライバーIC、筐体など組み付けて、画像表示装置の形態を完成する。
【0065】
(参考例2)
以下に、図8のスピントタイプの電子放出素子を用いた画像表示装置を製造する、参考形態の製造方法の参考例について説明する。
【0066】
工程a2(カソード形成)
2.8mm厚のガラス基板PD−200を十分に洗浄する。この上に厚さ0.25μmのMo膜をスパッタ法で成膜し、通常のフォトリソグラフィー法によってX配線を兼ねるカソード電極504を形成する。
【0067】
工程b2(絶縁層、ゲート形成)
この上に厚さ1μmのSiO2膜505をスパッタ法で成膜し、続けて厚さ0.25μmのMoを成膜した。このあと通常のフォトリソグラフィー法により、Mo及びSiO2膜に直径1.5μmの穴をあけ、Y配線を兼ねるゲート電極506とエミッタ形成孔を形成する。
【0068】
工程c2(エミッタ形成)
続いてこの上に厚さ1.5μmのSiO2膜をスパッタ法で成膜し、1.2μmをエッチバックする。続いて厚さ1μmのWを成膜し、残された0.3μmのSiO2膜後とリフトオフして、コーン状のエミッタ電極507を形成する。
【0069】
工程d2(支持枠貼り付け)
参考例1工程h1と共通。
工程e1(スペーサー立て)
参考例1工程i1と共通。
【0070】
工程f2(フェースプレート形成)
参考例1の工程j1と共通。
【0071】
工程g2(In塗布)
参考例1の工程k1と共通。
【0072】
工程h2(ベーキング)
参考例1の工程l1と共通。
【0073】
工程i2(非蒸発型ゲッタ活性化、ゲッタフラッシュ)
リアプレート401とそれを支持する搬送治具の一部を、上側のホットプレートとともに上昇させた。続いてリア・フェース両プレートの間の空間に、一方の蓋状治具203を移動させ、フェースプレート201に接触させた。次に参考例1と同様、バリウムゲッタのフラッシュを半面ずつ行うが、このとき同時に蓋状治具の内側天井部に、予め設置しておいた板状の非蒸発型ゲッタ102(ST122:サエス社製)の活性化を行った。バリウムゲッタは5極それぞれに、電流を順次流して行くが、その間、非蒸発型ゲッタの活性化の加熱を保持した。
【0074】
工程j2(封着)
参考例1の工程n1と共通。
【0075】
工程k2(実装、システム化)
参考例1の工程o1と共通。
【0076】
(参考比較例1)
工程A1〜L1
参考例1の工程a1〜l1と共通。
工程M1(ゲッタフラッシュ)
非蒸発型ゲッタの(設置)活性化を除いて、参考例1の工程m1と共通。
【0077】
工程N1、O1
参考例1の工程n1、o1と共通。
【0078】
以上により参考比較例1となる画像表示装置を作成した。
【0079】
(参考比較例2)
工程A2〜H2
参考例2の工程a2〜h2と共通。
【0080】
工程I2(ゲッタフラッシュ)
非蒸発型ゲッタの(設置)活性化を除いて、参考例2の工程i2と共通。
【0081】
工程J2、K2
参考例2の工程j2、k2と共通。
【0082】
以上により参考比較例2となる画像表示装置を作成した。
【0083】
参考例1、2と参考比較例1、2とで作られた画像表示装置の製造工程において、ゲッタフラッシュ時の放出ガスによるガス分圧上昇を比べた。参考例1においてはH2O、O2、CO2の分圧上昇が、参考比較例1に比べ最大で約1/2に減った。さらに参考例2においては上記ガスだけでなく、CH4の分圧上昇が参考比較例2に比べ1桁以上低減された。この結果本参考例による製造装置によって、ゲッタフラッシュ時の放出ガス低減に効果があることが確認された。また本発明の製造工程によって作られた画像表示装置は、参考比較例として作られた画像表示装置に比べ、輝度の不安定性が大きく改善された。
【0084】
(実施例1)
参考例1と同様に画像表示装置を作成したが、本実施例では、工程m1において、蓋状治具内に、非蒸発型ゲッタは配置せずに、複数の開口を有する部材104を配置した。この結果、垂直及び垂直に近いBa蒸着粒子が開口部を通過し、他のBa蒸着粒子は複数の開口を有する金属部材に付着した。複数の開口を有する部材104は、厚さ2mm、高さ2mmでSUS板をロール加工でエンボスを形成した後に2mmピッチで格子状に組み立てて作成した。これ以外は参考例1と同様に画像表示装置を作成した。
【0085】
ゲッタフラッシュ終了後に、フェースプレート201のゲッタ膜412面の観察を行ったところ、パーティクルの発生は全く無かった。また、ゲッタフラッシュ後から処理室200に設置してある質量分析計(不図示)でガス分圧の変化を見たところ、参考比較例として複数の開口を有する部材104が無い時と比べ半分以下に減じていた。また、封着時の圧力は、参考比較例として複数の開口を有する部材104が無い時と比べ半分以下であった。
【0086】
本実施例によって形成された画像表示装置に接続された電圧印加装置から167μsec、60Hz、15Vの画像信号を電子放出素子に供給し、同時に高圧印加装置により10kVの高圧を印加し表面伝導型電子放出素子420を発光させ、画像表示装置413を画像表示させた。
【0087】
画像表示中の放電は1回も発生せず、また寿命評価のため画像表示装置を連続表示させ、輝度が半分になるまでの時間を測定したところ、比較例として、複数の開口を有する部材104を用いずにBaゲッタ蒸着した画像表示装置と比べ放電頻度が減少し、寿命は20%程度向上した。
【0088】
(実施例2)
本実施例では、図8に示すように電子源としてスピント型電子放出素子を用いた点、および、実施例1で示した複数の開口を有する部材を配置した蓋状治具内に参考例1で示した構成の非蒸発型ゲッタを内包させた点以外は実施例1と同様にして画像表示装置を作成した。尚、非蒸発型ゲッタの活性化などの手順については参考例1と同様に行った。
【0089】
尚、本実施例の画像表示装置では、リアプレート401は参考例1と同一のものを用い、スピント型電子放出素子をリアプレート401上に作成する。カソード電極504、ゲート電極506としてMoを用い、電界放出部507の先端角は45度、1画素に対応する電子源には100個の電子放出部507を持ち、絶縁層505として厚さ1μmのSiO2を用いた。
【0090】
複数の開口を有する金属部材104および非蒸発型ゲッタ102が配置された蓋状治具203を用いてBaゲッタ蒸着を行い、後は参考例1と全く同様にして画像表示装置を作成した。Baゲッタ蒸着後にフェースプレート201のゲッタ膜412上の表面を観察したところ、パーティクル発生は無かった。また、ゲッタフラッシュ後からのガス分圧も参考例1と同様な分圧であった。次に、画像表示装置に組み立てた後、実施例1と同様に画像表示したところ、実施例1と同様に良好な特性を得ることができた。
【0091】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、ゲッタ蒸着時のパーティクル発生が無く、封着時の圧力をより低くすることができ、画像表示時の放電が発生しない、長寿命の画像表示装置を作製できるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】参考形態の製造装置の蓋状治具203の内部構成を示す図である。
【図2】真空チャンバー200内において、蒸発型ゲッタコンテナ101の端子205と、非蒸発型ゲッタ102の端子208が結線され、搬送治具202によって画像表示基板(フェースプレート)201が導入された様子を示す模式図((a)が断面図、(b)が上面図)である。
【図3】本発明の製造装置で用いられる蓋状治具203の移動方式の3つの例を示す図である。
【図4】ロードロック式の真空チャンバーの一例を示す図である。
【図5】表面伝導型電子放出素子をマトリクス配置した画像表示装置の模式図である。
【図6】支持枠403の固定のために、フェースプレート201の周縁部に配置したAg膜601上にIn602を塗布した様子を示した図である。
【図7】フェースプレートにマトリクス配線、素子電極、素子がつながれている様子を模式的に示す図である。
【図8】スピント型電子放出素子をマトリクス配置した画像表示装置の模式図である。
【図9】フェースプレート(画像表示基板)201と、必要に応じて用いられる支持枠403を、真空チャンバー200内で加熱脱ガス(ベーキング)、ゲッタ形成、封着することにより、真空容器化する操作の概要を示す図である。
【図10】本発明の第1の実施形態の製造装置の蓋状治具203の内部構成を示す図である。
【図11】蓋状治具203で覆われる、画像表示基板(フェースプレート)201側から蓋状治具203内部を見た際に見られる複数の開口部601を有する部材104の模式図である。
【図12】従来技術の製造装置の蓋状治具203の内部構成を示す図である。
【図13】従来技術において、蒸発型ゲッタコンテナ101の端子205と、非蒸発型ゲッタ102の端子208が結線され、搬送治具202によって画像表示基板(フェースプレート)201が導入された様子を示す模式図((a)が断面図、(b)が上面図)である。
【符号の説明】
101 蒸発型ゲッタコンテナ
102 非蒸発型ゲッタ
203 蓋状治具
205 端子
208 端子
200 真空チャンバー(処理室)
201 画像表示基板(フェースプレート)
202 搬送治具
204 配線
209 配線
206 接触用電極
210 接触用電極
207 フィードスルー電極
211 フィードスルー電極
301 レール
302 支柱
303 水平軸
701 ロード室
703 ゲートバルブ
704 排気装置
705 排気装置
401 リアプレート
403 支持枠
404 素子電極
405 素子電極
406 下配線(X配線)
407 層間絶縁層
408 上配線(Y配線)
409 電子源
410 蛍光体
411 メタルバック
412 蒸発型ゲッタ
413 画像表示装置
601 Ag膜
602 In
420 電子放出部
504 カソード
505 層間絶縁体
506 ゲート
507 エミッタ
508 スペーサ
1003 ホットプレート
1004 ホットプレート
104 複数の開口部を有する部材
105 ゲッタ剤が飛翔する方向
601 開口部[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to a method for manufacturing an image display device, and more particularly to high vacuum in the image display device.
[0002]
[Prior art]
In an apparatus for displaying an image by irradiating a phosphor as an image display member with an electron beam emitted from an electron source and causing the phosphor to emit light, the inside of the vacuum vessel containing the electron source and the image display member is subjected to a high vacuum. Must hold on. This is because when the gas is generated inside the vacuum vessel and the pressure is increased, the amount of emitted electrons is reduced depending on the type of gas, but a bright image cannot be displayed. Further, when the generated gas is ionized by an electron beam and accelerated by an electric field and collides with the electron source, the electron source may be damaged. Furthermore, an electric discharge may occur inside, and the image display device may be destroyed.
[0003]
Conventionally, the pressure of a vacuum vessel forming an image display device such as a CRT has been maintained by a getter installed in the vacuum vessel. A getter film is a gas adsorption film formed on the inner wall of a container by vapor deposition by heating an alloy containing Ba as a main component in a vacuum container by energization or high frequency.
[0004]
On the other hand, in recent years, development of a flat display in which a large number of electron-emitting devices are arranged on a flat substrate has been advanced. Regarding the vacuum problem, the gas generated from the image display member can hardly reach because the conductance to the getter installed outside the image display area is small, and it gathers in the vicinity of the electron source and causes a local pressure increase. Can be mentioned. Therefore, electron source deterioration has become a characteristic problem.
[0005]
One solution to this problem has been disclosed (see, for example, Patent Document 1). This is because degassing, getter formation and sealing (vacuum containerization) are performed in a series of operations in the vacuum chamber, and a getter with good exhaust characteristics is placed in the image display area, and the entire vacuum container is kept at a low pressure. To try to maintain. In this case, flashing is performed by covering the image display substrate (face plate) with a lid-shaped (box-shaped) scattering prevention jig so that the evaporative getter does not adhere to the area other than the display area.
[0006]
FIG. 12 shows an example in which the
[0007]
FIG. 13 shows a state in which a lid-
[0008]
[Patent Document 1]
JP 2000-315458 A
[0009]
[Problems to be solved by the invention]
However, in general, in the case of getter flash, CO, CO2, H2O, O2Oxide gas such as CHFourA large amount of hydrocarbon gas and hydrogen are released. The lid-
[0010]
When the evaporation type getter was flushed, the pressure change of the gas leaking from the gap between the lid-
[0011]
The initial pressure of the image display device as a vacuum container is determined by the pressure at which the face plate and the rear plate are vacuum-sealed after the getter is formed. When the initial pressure is high, the exhaust characteristics of the getter are deteriorated quickly, and when the image is displayed, the gas is re-released. Furthermore, the problem that the lifetime of an element characteristic becomes short also arises by it.
[0012]
As a second problem, there is a problem that coarse particles (hereinafter referred to as particles) are deposited on the formed getter film. These particles are deposited by depositing particles in the lid-shaped jig during film formation, resulting in a thick film and peeling, and by falling foreign matter (dust) adhering to the ceiling or getter container of the lid-shaped jig Is. Some of these particles have a diameter of up to several tens of microns, and when they are deposited on the substrate, when a high voltage is applied to the image display device when displaying an image, a discharge phenomenon is caused and the display quality is deteriorated. There was a problem.
[0013]
An object of the present invention is to provide a method for manufacturing an image display device in which the gas in the getter flash is exhausted to keep the pressure in the vacuum vessel low and no particles are generated in the getter film.
[0014]
[Means for Solving the Problems]
In order to achieve the above object, the present invention provides:By covering at least a part of the image display substrate having the phosphor film and the anode electrode with a lid-like jig in a reduced-pressure chamber and flashing the evaporative getter disposed inside the lid-like jig, an image is obtained. A chamber in which a getter film is formed on a display substrate, an electron source substrate on which a plurality of electron-emitting devices are arranged, and an image display substrate on which the getter film is formed And a flash is attached between the evaporable getter and the image display substrate with a plurality of openings through which a part of the flashed getter agent passes and another part of the getter agent. And a method for manufacturing an image display device, wherein the member having a portion to be disposed is disposed away from the image display substrate.OfferYouThe
[0015]
According to the present invention,When forming a getter, by installing a member having a plurality of openings in the lid-shaped jig, getter vapor deposition particles from the vertical and near vertical directions pass through the openings and are formed on the face plate substrate. However, other getter-deposited particles are deposited on a member having a plurality of openings, and the getter adsorption area increases. Thereby, the exhaust speed of the vacuum processing chamber is increased, and the pressure at the time of sealing in the vacuum processing chamber can be further reduced. Furthermore, when a metal member is used as a member having a plurality of openings, the surface area is increased by embossing the surface of the metal member, and the exhaust speed is further improved. Accordingly, it is possible to further reduce the pressure when vacuum-sealing the image display device.
[0016]
Further, when a getter is formed, getter vapor-deposited particles in the vertical and near-vertical directions pass through the opening, but other getter vapor-deposited particles are formed on a member having a plurality of openings to form a getter. The surface area that is filmed increases. If a metal member is used for the member having a plurality of openings, the surface area is further increased by embossing the surface of the metal member, the amount of getter vapor deposition particles per unit area is decreased, and the internal amount accompanying the increase in the amount of adhesion is increased. It is possible to suppress an increase in stress and reduce peeling due to a crack in the adhesion film. Therefore, when the getter film is formed on the face plate, it is possible to form a getter film with fewer particles. Further, even if foreign matter (dust) adhering to the getter container and the lid-shaped jig ceiling part falls, the number of foreign matters falling on the face plate is captured by a member having a plurality of openings.
[0017]
A plurality of openings through which a part of the flashed getter agent passes and a portion to which another part of the getter agent adheresThe member may be made of ceramics.
[0018]
Further, a non-evaporable getter may be provided in the lid-shaped jig. The activated non-evaporable getter is H 2 O, O 2 , CO, CO 2 Since such a gas has a large exhaust capacity even at room temperature, the resorption of such a gas to an evaporative getter such as Ba is reduced, and deterioration of the exhaust characteristics of the evaporative getter is suppressed. Further, when the non-evaporable getter is heated to a high temperature, particularly 400 ° C. or higher, the CH Four For example, hydrocarbon gas that hardly adsorbs at room temperature has a large exhaust capacity. Furthermore, if the non-evaporable getter is continuously energized and heated at the timing of flushing the evaporative getter, including before and after the flash, the gas that is released during driving can be eliminated very effectively. As a result, it is possible to prevent a gas that causes a change with time of the electron source element from being brought into the vacuum container of the image forming apparatus, so that an image forming apparatus with a small change with time can be provided.
[0019]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
Next, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.
[0020]
Referring to FIG.referenceAn internal configuration of a getter scattering prevention jig (hereinafter referred to as a lid-like jig) 203 of the manufacturing apparatus of the embodiment is shown. FIG. 1 is a schematic view of the inside of the lid-shaped
[0021]
In the
[0022]
As the evaporable getter mounted in the
[0023]
The four
[0024]
Referring to FIG. 2, the
[0025]
The
[0026]
Referring to FIG. 3, some examples are schematically shown regarding the moving method of the lid-
[0027]
Referring to FIG. 4, an example of a load lock
[0028]
Referring to FIG.referenceThe schematic diagram of the image display apparatus which is an example of the
[0029]
The
[0030]
FIG. 7 schematically shows a state in which matrix wiring, element electrodes, and elements are connected. (A) is a top view, (b) shows the A-A 'cross section figure of the figure of (a). Here, 401 is a rear plate, 408 is a Y wiring or an upper wiring, 406 is an X wiring or a lower wiring, 409 is an
[0031]
Referring to FIG.referenceThe schematic diagram of the image display apparatus which is another example of the
[0032]
BookreferenceThe image display apparatus manufactured by the manufacturing apparatus according to the embodiment is not limited to the above example, and may be various image display apparatuses in which an image is formed by irradiation of electrons emitted from the electron-emitting device in a vacuum container.
[0033]
Referring to FIG.referenceCorresponding to the form,referenceIn the image manufacturing apparatus, the rear plate (electron source substrate) 401 on which the electron source section is formed and the face plate (image display substrate) on which the phosphor / metal back (anode electrode film) and the like are formed. ) 201 and the
[0034]
First, in (a), the introduced
[0035]
Next, in (b), while the
[0036]
Thereafter, in (c), both substrates are sandwiched again with a hot plate, and a load is applied while heating the
[0037]
Finally, in (d), the hot plate is again lifted up and down and carried out to the load chamber.
[0038]
BookreferenceIn form, in addition to the evaporative getter, a non-evaporable getter is activated in the vacuum chamber. The activation of the non-evaporable getter is easily performed by energization heating like the evaporative getter, and is connected to a current supply power source outside the chamber, and a necessary current is supplied at an appropriate timing for a predetermined time. Although the heating temperature and time of the non-evaporable getter vary depending on the material constituting the getter, the temperature is 450 ° C. to 900 ° C., and the time is about 10 minutes to 1 hour. However, the higher the temperature and the longer the time, the higher the effect.
[0039]
As described above, the energization heating activation of the non-evaporable getter is performed before or during the evaporative getter flash, and then the steps such as sealing, mounting, and aging are performed to form the image display device. For each image display apparatus, generally proposed methods and conditions are applied.
[0040]
Referring to FIG.1The internal structure of the lid-
[0041]
Referring to FIG. 11, a schematic diagram of the
[0042]
The manufacturing apparatus of this embodiment isreferenceThe difference is that a
[0043]
101Is a getter container filled with an evaporative getter, and 105 schematically shows the direction in which the getter agent flies when the evaporative getter is flushed. Getter container 101The getter material released from the light reaches the
[0044]
The
[0045]
Further, the
[0046]
In addition, the manufacturing method corresponding to the manufacturing apparatus of the present embodiment, except that the non-evaporable getter is not heated by current,referenceIt is the same as that of the manufacturing method of a form.
[0047]
First of the present invention2The manufacturing apparatus of the embodiment isreferenceA
[0048]
【Example】
Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to examples.
[0049]
(referenceExample 1)
In the following, an image display device in which the surface conduction electron-emitting devices of FIG. 5 are arranged is manufactured.referenceCorresponding to the manufacturing method of the formreferenceAn example will be described.
[0050]
Step a1(Formation of glass substrate and device electrode)
Glass substrate401 is sufficiently washed, and a film of titanium and platinum is formed thereon, and is patterned into a desired shape by a photolithography method to form
[0051]
Step b1
The X wiring (lower wiring) 406 is formed in a line pattern so as to be in contact with one of the
[0052]
Process c1(Insulating film formation)
A pattern that covers the intersection of the Y wiring (upper wiring) 408 and the X wiring (lower wiring) 406 and opens a contact hole for electrical connection between the upper wiring (Y wiring) 408 and the
[0053]
Step d1
On the insulating
[0054]
Process e1
Subsequently, a conductive thin film 409 is formed between the element electrodes by an ink jet coating method. As the coating solution, an organic palladium-containing solution was used. Then board401 is heated and fired to obtain palladium oxide (PdO).
[0055]
Process f1
Next, in the surface conduction electron-emitting device, in a process called forming, the conductive thin film 409 is energized to cause cracks therein, thereby forming the
[0056]
Process g1(Activation-Carbon deposition)
A process called activation is performed on the element after forming. This treatment is performed by repeatedly applying a pulse voltage from the outside to the device electrode through the XY wiring in the same manner as in the above-described forming under an appropriate vacuum degree in which an organic compound exists. As a result, carbon or a carbon compound is deposited as a carbon film in the vicinity of the crack. In this step, tolunitrile is used as the organic compound. When the current flowing between the device electrodes reaches almost saturation, the energization is stopped and the activation process is terminated.
[0057]
Process h1(Support frame pasting)
Next, a frit glass is applied to a predetermined position on the rear plate, the position is adjusted, and the
[0058]
Step i1(Spacer stand)
Install a spacer on the Y wiring.
[0059]
Process j1(Face plate formation)
After sufficiently washing the glass substrate, the
[0060]
Process k1(In coating)
As shown in
[0061]
Process l1(Baking)
A
[0062]
Process m1(Non-evaporable getter activation, getter flash)
Next, the plate-like non-evaporable getter 102 (ST707: manufactured by SAES) on the inner ceiling of the lid-
[0063]
Process n1(Sealing)
After the lid-
[0064]
Process o1(Implementation and systematization)
The vacuum container formed in the above process is flex-mounted and then assembled with a driver IC, a housing, etc. to complete the form of the image display device.
[0065]
(referenceExample 2)
In the following, an image display device using the Spindt type electron-emitting device of FIG. 8 is manufactured.referenceForm manufacturing methodreferenceAn example will be described.
[0066]
Step a2(Cathode formation)
The glass substrate PD-200 having a thickness of 2.8 mm is sufficiently cleaned. A Mo film having a thickness of 0.25 μm is formed thereon by sputtering, and a
[0067]
Step b2(Insulating layer, gate formation)
On top of this, 1 μm thick SiO2A film 505 was formed by a sputtering method, and subsequently Mo having a thickness of 0.25 μm was formed. Thereafter, Mo and SiO are formed by a normal photolithography method.2A hole having a diameter of 1.5 μm is formed in the film, and a
[0068]
Process c2(Emitter formation)
Subsequently, 1.5 μm thick SiO2A film is formed by sputtering, and 1.2 μm is etched back. Subsequently, a 1 μm thick W film was formed, and the remaining 0.3 μm SiO film was formed.2After the film is lifted off, a cone-shaped emitter electrode 507 is formed.
[0069]
Step d2(Support frame pasting)
referenceExample 1 step h1And common.
Process e1(Spacer stand)
referenceExample 1 step i1And common.
[0070]
Process f2(Face plate formation)
referenceStep j of Example 11And common.
[0071]
Process g2(In coating)
referenceStep k of Example 11And common.
[0072]
Process h2(Baking)
referenceStep 1 of Example 11And common.
[0073]
Step i2(Non-evaporable getter activation, getter flash)
The
[0074]
Process j2(Sealing)
referenceStep n of Example 11And common.
[0075]
Process k2(Implementation and systematization)
referenceStep o of Example 11And common.
[0076]
(referenceComparative Example 1)
Process A1~ L1
referenceStep a of Example 11~ L1And common.
Process M1(Getter Flash)
Except for the (installation) activation of non-evaporable getters,referenceProcess m of example 11And common.
[0077]
Process N1, O1
referenceStep n of Example 11, O1And common.
[0078]
As abovereferenceAn image display device as Comparative Example 1 was prepared.
[0079]
(referenceComparative Example 2)
Process A2~ H2
referenceStep a of Example 22~ H2And common.
[0080]
Process I2(Getter Flash)
Except for the (installation) activation of non-evaporable getters,referenceStep i of Example 22And common.
[0081]
Process J2, K2
referenceStep j of Example 22, K2And common.
[0082]
As abovereferenceAn image display device as Comparative Example 2 was prepared.
[0083]
referenceExamples 1 and 2referenceIn the manufacturing process of the image display device manufactured in Comparative Examples 1 and 2, the gas partial pressure increase due to the released gas during the getter flash was compared.referenceIn Example 1, H2O, O2, CO2The partial pressure ofreferenceCompared to Comparative Example 1, the maximum was reduced to about ½. furtherreferenceIn Example 2, not only the above gas but also CHFourThe partial pressure ofreferenceCompared to Comparative Example 2, it was reduced by one digit or more. This results in a bookReference exampleIt has been confirmed that the manufacturing apparatus according to the above has an effect of reducing the emission gas during the getter flash. The image display device made by the manufacturing process of the present invention isreferenceCompared with the image display device made as a comparative example, the luminance instability was greatly improved.
[0084]
(Example1)
referenceAn image display device was prepared in the same manner as in Example 1, but in this example, the process m1The
[0085]
When the getter film 412 surface of the
[0086]
An image signal of 167 μsec, 60 Hz, 15 V is supplied from the voltage application device connected to the image display device formed according to this embodiment to the electron-emitting device, and at the same time, a high voltage of 10 kV is applied by the high-voltage application device, and surface conduction electron emission is performed. The
[0087]
The discharge during the image display never occurred, and the image display device was continuously displayed for life evaluation, and the time until the luminance was reduced to half was measured. As a comparative example, the
[0088]
(Example2)
In this example,FIG.Example using a Spindt-type electron-emitting device as an electron source as shown in FIG.1In a lid-shaped jig in which members having a plurality of openings shown in FIG.referenceExample except that non-evaporable getter having the configuration shown in Example 1 was included1An image display device was produced in the same manner as described above. For procedures such as activation of non-evaporable gettersreferencePerformed as in Example 1.
[0089]
In the image display apparatus of this embodiment, the
[0090]
Ba getter deposition is performed using a lid-
[0091]
【The invention's effect】
As described above, according to the present invention, there is no generation of particles at the time of getter vapor deposition, the pressure at the time of sealing can be further reduced, and a long-life image display device that does not generate discharge at the time of image display. There is an effect that it can be produced.
[Brief description of the drawings]
[Figure 1]referenceIt is a figure which shows the internal structure of the lid-shaped jig |
FIG. 2 shows a state in which a
FIGS. 3A and 3B are diagrams showing three examples of a moving method of the lid-
FIG. 4 is a view showing an example of a load lock type vacuum chamber.
FIG. 5 is a schematic view of an image display device in which surface conduction electron-emitting devices are arranged in a matrix.
6 is a view showing a state in which In602 is applied on an
FIG. 7 is a diagram schematically showing a state where matrix wiring, element electrodes, and elements are connected to a face plate.
FIG. 8 is a schematic diagram of an image display device in which Spindt-type electron-emitting devices are arranged in a matrix.
FIG. 9 shows that a face plate (image display substrate) 201 and a
FIG. 10 shows the first of the present invention.1It is a figure which shows the internal structure of the lid-shaped jig |
FIG. 11 is a schematic diagram of a
FIG. 12 is a diagram showing an internal configuration of a lid-
13 shows a state in which the
[Explanation of symbols]
101 Evaporable getter container
102 Non-evaporable getter
203 Lid
205 terminals
208 terminals
200 Vacuum chamber (processing room)
201 Image display board (face plate)
202 Transfer jig
204 Wiring
209 Wiring
206 Contact electrode
210 Contact electrode
207 Feedthrough electrode
211 Feedthrough electrode
301 rails
302 prop
303 horizontal axis
701 Road room
703 Gate valve
704 Exhaust device
705 Exhaust device
401 Rear plate
403 Support frame
404 Device electrode
405 Element electrode
406 Lower wiring (X wiring)
407 Interlayer insulation layer
408 Upper wiring (Y wiring)
409 electron source
410 phosphor
411 metal back
412 Evaporative getter
413 Image display device
601 Ag film
602 In
420 Electron emission part
504 cathode
505 Interlayer insulator
506 gate
507 emitter
508 Spacer
1003 Hot plate
1004 Hot plate
104 Member having a plurality of openings
105 Direction of flight of getter agent
601 opening
Claims (6)
複数の電子放出素子が配列された電子源基板と、前記ゲッタ膜が成膜された前記画像表示基板とを、前記ゲッタ膜の成膜工程を行った前記チャンバー内で封着する工程と、
を有し、
前記フラッシュは、前記蒸発型ゲッタと前記画像表示基板の間に、フラッシュしたゲッタ剤の一部が通過する複数の開口部と該ゲッタ剤の他の一部が付着する部分とを有する部材を該画像表示基板から離して配置した状態で行われる、画像表示装置の製造方法。By covering at least a part of the image display substrate having the phosphor film and the anode electrode with a lid-shaped jig in a reduced-pressure chamber, and flashing the evaporation getter disposed inside the lid-shaped jig, Forming a getter film on the image display substrate;
Sealing an electron source substrate in which a plurality of electron-emitting devices are arranged and the image display substrate on which the getter film is formed in the chamber in which the getter film is formed; and
I have a,
The flash, between the image display substrate and the evaporable getter, that having a a portion other part of the plurality of openings and said getter material passing a portion of the flushed getter agent adheres portion the timber Ru done while located away from the image display substrate, a method of manufacturing an image display device.
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