JP3823658B2 - Electro-optical device driving circuit, driving method, electro-optical device, and electronic apparatus - Google Patents

Electro-optical device driving circuit, driving method, electro-optical device, and electronic apparatus Download PDF

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Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、時間軸上における変調によって階調表示を行う電気光学装置の駆動回路、駆動方法及び電気光学装置、並びに電子機器に関する。
【0002】
【従来の技術】
液晶ディスプレイ、発光ダイオード、プラズマディスプレイ、EL(エレクトロルミネセンス)ディスプレイ等の平面ディスプレイは、一般に、複数のデータ線と複数の走査線との各交差点に複数の画素を設け、印加する電圧を制御することで各画素に光学変化を生じさせ、これを利用して画像表示を行うものである。このような電気光学装置において、階調表示を行う駆動方式の1つに時間軸変調方式がある。時間軸変調方式(あるいは、パルス幅変調方式、マルチプレックス階調駆動方式、時分割階調駆動方式等とも呼ばれる。)は、1フィールド(あるいは1フレーム)を複数のサブフィールド(あるいはサブフレーム)に分割し、各サブフィールドに階調に応じたオン時間を割り当てるとともに、サブフィールド単位でオンまたはオフ状態に各画素の印加電圧を2値制御することで、1フィールド(あるいは1フレーム)における累積的なオン時間幅を階調に応じて制御するものである。このような時間軸変調方式の一例が、特開平10−49097号公報「表示装置、駆動回路、及び階調表示方法」、特開平11−38928号公報「表示装置」等に記載されている。
【0003】
上記のような時間軸変調方式では、階調値によらず、データ線に印加される電圧がオンまたはオフ状態の2値に制御される。したがって、データ線に各画素の階調値に応じた大きさの電圧を印加するアクティブマトリクス駆動方式に比べて、駆動回路の構成を簡易にすることができる等の利点がある。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
時間軸変調方式では、各サブフィールド毎に各画素のオンオフ状態が制御される。データ線および走査線を駆動制御する駆動回路は、各サブフィールド単位で各走査線の走査を繰り返し行うとともに、各走査毎に各データ線の印加電圧をオンオフ制御して、各走査線上の各画素に対してオンオフ状態を設定する。従来の時間軸変調方式の駆動回路では、各走査線上の各画素のオンオフ状態を指示する情報が各走査線の走査毎にシリアルデータとして外部から入力され、入力されたシリアルデータは、シフトレジスタ等を用いた変換回路によってデータ線群に対応するパラレルデータに変換された後、走査線の走査に同期してデータ線群に印加される。この場合、1フィールド期間に、サブフィールドの分割数、走査線の数、およびデータ線の数に応じたオンオフデータの転送が行われる。1フィールド期間のデータ転送回数は、サブフィールドの分割数に比例して増加する。したがって、階調数を増加させた場合にはさらにデータ転送周波数が増加することが考えられる。
【0005】
上述したように、従来の時間軸変調方式による駆動回路は、構成を簡易化できるなどの効果を有するものの、外部回路から入力される階調データの転送周波数が高くなる傾向を有しているので、その周波数上昇によるノイズや消費電力の増大といった課題が生じていた。これらの課題は、階調数の増加や画素数の増加といった要求に加え、低ノイズや低消費電力への要求が高い電気光学装置や電子機器において顕著な問題となっていた。
【0006】
そこで、本発明は、時間軸変調方式によって各画素の印加電圧を駆動制御する駆動回路に対して外部から入力される各画素のオンオフ状態を指示する情報の転送周波数を、従来に比べて低下させることができる電気光学装置の駆動回路、駆動方法及び電気光学装置、並びに電子機器を提供することを目的としている。
【0007】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するため、この発明は、複数のデータ線と複数の走査線との各交差に対応して配設された各画素に対し、1フィールドを分割した複数のサブフィールド単位でオン状態とオフ状態とを制御するとともに、各前記サブフィールドで前記各画素がオン状態となる時間が当該画素の階調に対応して重み付けされていることで階調表示を行わせる電気光学装置の駆動回路において、各画素に対応して設けられた記憶領域内に各サブフィールドにおける当該画素の前記オン状態または前記オフ状態を指示するデータを記憶する複数のメモリセルを備えた記憶手段と、前記複数の走査線をサブフィールド毎にクロック信号によって指示される選択タイミングに基づいて順次選択する走査線側駆動手段と、前記走査線側駆動手段によって選択される走査線に対応した複数の画素に与えるべき前記データを前記記憶手段内の前記メモリセルから読み出す読み出し手段と、前記読み出し手段によって読み出されたデータに基づいて、前記複数のデータ線を介して各画素を前記オン状態または前記オフ状態にする電圧を供給するデータ線側駆動手段と、を備え前記読み出し手段は、各サブフィールドにおいて選択された走査線に対応する複数の画素に供給される前記データを記憶するメモリセルを選択するための選択回路を備え、当該選択回路は、前記クロック信号と同一のパルス信号及び各前記サブフィールドで前記各画素がオン状態となる時間に対応してオンレベルとなる所定信号が供給され、前記所定信号がオンレベルとなる期間に含まれる、前記クロック信号と同一のパルス信号を前記メモリセルに供給することで、当該メモリセルの選択を行う一方、前記所定信号がオフレベルの期間には、前記クロック信号と同一のパルス信号を前記メモリセルに供給しないことで当該メモリセルの選択を行わず、当該選択されたメモリセルは供給された前記クロック信号と同一のパルス信号に基づいて前記データを出力することを特徴とする電気光学装置の駆動回路を提供するものである。
【0008】
かかる発明によれば、各画素のオンオフ状態を指示するデータが転送回路内の記憶手段に記憶されるので、いずれかの画素に対応したデータに変化が生じたときのみ当該データの書き換えを行えばよく、データを駆動回路に転送するときの転送周波数(転送レート)を低下させ、消費電力を低くすることができる。
【0009】
この発明の好適な態様では、前記記憶手段内の複数の記憶領域のうち任意に選択した画素に対応する記憶領域に、各サブフィールドに対応するデータを書き込む書き込み手段がさらに設けられる。
【0010】
この場合において、前記読み出し手段が、第1の選択手段によって前記記憶手段の複数の記憶領域を選択してデータを読み出し、前記書き込み手段が、第1の選択手段とは独立した第2の選択手段によって前記記憶手段における任意の画素に対応した記憶領域を選択してデータを書き込むようにしてもよい。
【0011】
また、前記記憶手段には、(画素数)×(サブフィールド数)の数の2値信号が記憶され、各2値信号が画素のオン状態及びオフ状態を示すので、記憶手段には上記した数の2値信号のメモリセルを必要とすればよい。
【0012】
また、この発明は、複数のデータ線と複数の走査線との各交差に対応して配設された各画素を、1フィールドを分割した複数のサブフィールド単位でオン状態とオフ状態とを制御するとともに、各前記サブフィールドで前記各画素がオン状態となる時間が当該画素の階調に対応して重み付けすることで階調表示を行わせる電気光学装置の駆動方法において、各サブフィールドにおける各画素の前記オン状態または前記オフ状態を指示するデータを記憶手段に各画素に対応して設けられた記憶領域内の複数のメモリセルのそれぞれに記憶し、前記複数の走査線をサブフィールド毎にクロック信号によって指示される選択タイミングに基づいて順次選択し、前記クロック信号と同一のパルス信号及び各前記サブフィールドで前記各画素がオン状態となる時間に対応してオンレベルとなる所定信号を用いて、前記所定信号がオンレベルとなる期間に含まれる、前記クロック信号と同一のパルス信号を前記メモリセルに供給することで、当該メモリセルの選択を行う一方、前記所定信号がオフレベルの期間には、前記クロック信号と同一のパルス信号を前記メモリセルに供給しないことで当該メモリセルの選択を行わないことで、当該同一のパルス信号に基づいて前記メモリセルから、選択された走査線に対応した複数の画素に与えるべきデータを読み出し、この読み出されたデータに基づいて、前記複数のデータ線を介して当該複数の画素をオン状態またはオフ状態にする電圧を供給し、いずれかの画素に対応した階調データに変化が生じた場合に、前記記憶手段に記憶された各画素に対応したデータのうち当該画素に対応したデータを書き換えることを特徴とする電気光学装置の駆動方法を提供するものである。
【0013】
また、この発明は、以上掲げたような駆動回路として実施される他、これらの駆動回路によって駆動制御される電気光学装置として実施され得る。
【0014】
さらにこの発明は、これらの電気光学装置を表示装置として備える電子機器として実施され得る。
【0015】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照して本発明の一実施の形態について説明する。図1は、本発明による駆動回路100とその周辺回路とを示すブロック図であり、駆動回路100は、コントローラ200から入力される階調データDI等の制御信号に基づいて、液晶パネル300に接続されているN本のデータ線X1〜XNとM本の走査線Y1〜YMを駆動制御して、時間軸変調方式による液晶パネル300の階調制御を行う。なお、本実施形態においては、電気光学装置の一例として液晶表示装置における液晶パネルを基に説明を行なう。駆動回路100は、液晶パネル300のN本のデータ線X1〜XNに印加する電圧を制御するデータ線側駆動回路(以下、Xドライバという)110と、M本のデータ線Y1〜YNに印加する電圧を制御する走査線側駆動回路(以下、Yドライバという)120とから構成されている。Xドライバ110は、液晶パネル300に表示する1フレーム(1画面走査期間、すなわち一垂直走査期間)分の表示データを記憶するフレームメモリ111と、液晶パネル300の走査線Y1〜YMの選択(走査ともいう)に同期したタイミングで各走査線上の複数の画素に対応する表示データを選択する選択回路112とから構成されている。Yドライバ120は、シフトレジスタ、複数のラッチ回路から構成されていて、コントローラ200から入力されるクロック信号CLYに基づいてシフトレジスタを走査し、それに応じた出力により走査線Y1〜YMを順次選択して、順次所定の選択電圧を走査線に印加する。
【0016】
コントローラ200は、マイクロプロセッサ、メモリ、クロック信号発生回路等から構成されていて、所定のプログラムに従って、あるいはさらに外部の装置から供給される信号に従って、複数の制御信号を発生して駆動回路100へ供給する。図1では、コントローラ200から駆動回路100へ供給される主な信号として、走査線Y1〜YMの選択のタイミングを指示するクロック信号CLY、1フレーム毎にレベル反転を繰り返す信号である交流化駆動信号FR、1フィールドを分割する各サブフィールドのフレーム番号に対応する信号SF、フレームメモリ111のアクセス先のメモリアドレスを指示するアドレス信号ADおよびアドレス信号ADによって指示したアクセス先のメモリアドレスへ書き込むデータ信号DIとを図示している。ここで、アドレス信号ADとデータ信号DIは、複数ビットからなる信号であり、複数本の信号線バスによって転送される。
【0017】
なお、本実施の形態では、1フィールドを互いにオン時間幅の異なる8個のサブフィールドに分割して各サブフィールド単位で各画素のオンオフ状態を制御することとする。
【0018】
液晶パネル300は、後述するように素子基板と対向基板の間に液晶を挟持してなり、図2に示すように素子基板上の表示領域301a上に、N本のデータ線X1〜XNとM本の走査線Y1〜YMが互いに直交するように形成され、構成されている。そして、走査線Y1と各データ線X1〜XNの各交差点には画素P11〜PN1が、走査線Y2と各データ線X1〜XNの各交差点には画素P12〜PN2が、そして、走査線YMと各データ線X1〜XNの各交差点には画素P1M〜PNMが、というように、全体でN×M個の画素P11〜PNMが各交差点に対応して設けられている。
【0019】
画素P11〜PNMには、それぞれ、例えば図3に示すように、走査線Yk(kは1〜Mのいずれかの整数)にゲートが、データ線Xj(jは1〜Nの整数のいずれかの整数)にソースが、そして、画素電極P103にドレインが、それぞれ接続されるトランジスタP101が設けられている。画素電極P103と、透明電極である対向電極P105との間には電気光学材料である液晶P104が液晶層を形成するように挟まれて保持されている。また、画素電極P103と共通電位LCcomの間には蓄積容量P102が形成されている。蓄積容量P102は、トランジスタP101を介して画素電極P103に電圧が印加された後、この印加電圧を必要な時間だけほぼ一定に保持するために設けられた容量である。なお、蓄積容量P102は画素に書き込まれた電圧を保持すればよいので、共通電位LCcomの他の電位と画素電極P103との間に設けられても構わない。また、トランジスタP101は、Nチャネルトランジスタ単体ではなく、相補型トランジスタのトランスミッションゲート構造としても構わない。但し、その場合には、1対の相補型信号を相補型トランジスタに与えて同時にオンオフ制御する必要がある。
【0020】
共通電位LCcomは、各画素P11〜PNMに共通の電位である。共通電位LCcomは、コントローラ200から供給される交流化駆動信号FRに基づき、図1において駆動回路100内の図示していない電圧制御回路によって、各画素にフレーム単位で交流電圧が印加されるように、フレーム毎に異なった電位となるように制御される。すなわち、交流化駆動信号FRに基づいて、共通電極の電位LCcomが、例えば0V、5V、0V、…という具合にフレーム切り換えに合わせて2つの電圧レベルで交互に切り換えられる。そして、電位LCcom=0Vのフレームでは、各画素に、オン電圧として5V、オフ電圧として0Vが印加され、LCcom=5Vのフレームでは、オン電圧として0V、オフ電圧として5Vが印加される。これによって、各画素の印加電圧の交流駆動が行われる。各画素のオン・オフ電圧の切り替えは、後述するXドライバ110内の排他的論理和(負論理)XNORゲートOG1〜OGN(図4)を用いて交流化駆動信号FRが‘1’か‘0’かでデータ線X1〜XNへの出力値を反転するか否かを切り換えることによって行われる。
【0021】
次に、図4を参照して、図1に示すXドライバ110の構成例について説明する。なお、図4に示す例では、フレームメモリ111は、液晶パネル300のN×M個の画素に対応する記憶領域として、N×M個のメモリセルブロックB11〜BNMが設けられている。この場合、メモリセルブロックB11,B21,…,BNMは、それぞれ、図2に示す画素P11,P21,…,PNMに対応するものである。各メモリセルブロックB11,B21,…,BN1,B12,B22,…,BN2,…,B1M,B2M,…,BNMは、それぞれ8ビットのメモリセルC111〜C118,C211〜C218,…,CN11〜CN18,…,C121〜C128,C221〜C228,…,CN21〜CN28,…,C1M1〜C1M8,C2M1〜C2M8,…,CNM1〜CNM8から構成されている。これらの各メモリセルブロックBjkを構成する各8個のメモリセルCjk1〜8には(jは1〜Nの整数,kは1〜Mの整数)、それぞれ、各サブフィールド1〜8における各画素Pjkのオン(“1”)またはオフ(“0”)状態を指示する2値データが記憶される。また、各メモリセルCjk1〜8へは、8本の信号線DI1〜DI8を介して、8ビットのデータ信号DIが書き込まれる。この場合、信号線DI1〜DI8上には、データ信号DIの最下位ビット〜最上位ビットの信号がそれぞれ伝送される。
【0022】
信号線DI1〜DI8は、それぞれインバータIG1〜IG8によって反転されて、それぞれが正論理および負論理の1対の信号線となり、各16本の信号線として、M個のXIゲートブロックXG1〜XGMへそれぞれ入力される。XIゲートXG1〜XGMは、メモリ用XIデコーダ1111から供給されるアドレス線XI1〜XIM上の信号に従っていずれか1つが選択され、選択されたゲートがオンするようになっている。すなわち、アドレス信号XIk(k=1〜M)が“1”レベルとなった場合、XIゲートXGkが選択されて、XIゲートXGkの内部に構成されている各16個のトランスファーゲートがオン状態とされ、信号線DI1〜8およびインバータIG1〜IG8の出力端からの16本の信号が、各1対の信号線からなる8組のビット線群BIk1〜BIk8にそれぞれ接続される。例えば、アドレス信号XI1が“1”となった場合には、XIゲート1がオン状態となり、信号線群BI11〜BI18が、信号線DI1〜8とインバータIG1〜IG8の出力とに接続される。
【0023】
例えば、ビット線群BI11がN個のメモリセルC111,C211,…,CN11に、ビット線群BI18がN個のメモリセルC118,C218,…,CN18に、そして、ビット線群BI28がN個のメモリセルC128,C228,…,CN28へ接続されるように、ビット信号線群BIkmは(k=1〜M,m=1〜8(mはビット位置に対応))、図2の液晶パネル300において同一走査線Yk上の画素P1k〜PNkに対応するそれぞれN個のメモリセルC1km〜CNkmに共通に接続されている。一方、メモリ用XIデコーダは、コントローラ200から供給されるアドレス信号ADをデコードして、アドレス信号線XI1〜XIMのいずれか1本の信号線を“1”レベル(アクティブ)とする信号処理を行う。
【0024】
アドレス信号ADはN×M個のメモリセルブロックB11〜BNMのいずれか1つを任意に選択する信号であって、アドレス信号ADに基づき、メモリ用XIデコーダ1111によってアドレス線XI1〜XIMのいずれか1つが選択され、XIゲートXG1〜XGMのいずれか1つがオン状態とされるので、M組のビット線群BI1m〜BIMm(m=1〜8)のいずれか1組のビット線群BIkm(BIk1〜BIk8)が選択されることになる。また、同時に、アドレス信号ADに基づき、メモリ用YIデコーダ1112によってアドレス線YI1〜YIMのいずれか1つのアドレス線YIj(j=1〜Mの整数)が選択され、M個のメモリセルブロックBj1〜BjMが選択される。メモリ用YIデコーダ1112によって制御される各アドレス線YIj(j=1〜M)は、例えばアドレス線YI1がメモリセルB11〜B1MのすべてのメモリセルC111,…,C118〜C1M1,…,C1M8に接続されるというように、図2の液晶パネル300において同一データ線Xj上の画素Pj1〜PjMに対応するすべての階調データすなわちM×8個(8はビット数)のメモリセルCj1m〜CjMm(m=1〜8)に共通に接続されている。
【0025】
したがって、図1のコントローラ200は、アドレス信号ADによってメモリセルブロックB11〜BNMのいずれか1つのメモリセルブロックBjkを選択し、また、データ信号DIの各ビットに各サブフィールドにおける画素Pjkのオンオフ状態を設定することで、各メモリセルCjkmに、画素Pjkの各サブフィールドmにおけるオンオフ状態を記憶させることができる。図5は、メモリセルCjkmの構成を示す回路図である。
【0026】
図5に示すメモリセルCjkm(j=1〜N,k=1〜M,m=1〜8)は、メモリセルを2ポートCMOSスタティックメモリとする構成の一例を示している。メモリセルCjkmは、互いに他方の入力に出力を接続した2個のインバータ501および502と、インバータ501の入力またはインバータ502の入力にそれぞれソースが接続されたトランジスタ(トランスファゲート)503,504と、インバータ501の出力にドレインが接続されたトランジスタ506とから構成されている。トランジスタ503のドレインと、トランジスタ504のドレインは、それぞれ、ビット線群BIkmの正論理ビット線BIT(データ線DImと同一レベルの信号線)と、負論理のビット線(BITの反転信号)に接続されるとともに、トランジスタ503およびトランジスタ504の各ゲートが、ともにワード線(WORD1)として機能するアドレス線YIjに接続されている。また、ビット線群BIkmは、XIゲートXGk内のトランジスタ(トランスファゲート)510および511を介してデータ線DImおよびインバータIGmに接続されている。したがって、アドレス線XIkを“1”レベルとしてトランジスタ510および511をオンするとともに、アドレス線YIjを“1”レベルとしてトランジスタ503および504をオンすることによって、インバータ501および502からなる記憶回路に、ビット線群BIkm上の信号、すなわち、データ線DIm上の信号レベルを書き込むことができる。
【0027】
一方、トランジスタ506は、ゲートが図4のメモリ用YOデコーダ112から供給されるアドレス線YOkmに接続されているとともに、ソースがデータ線DOjに接続されている。トランジスタ506は、トランジスタ503および504がデータ線DImに対するデータ入出力用(本実施の形態では入力動作のみ行う。)のポートを構成するのに対して、データ線DOjに対する出力ポートを構成する。すなわち、第2のワード線(WORD2)として機能するアドレス線YOkmが“1”レベルとなった場合に、トランジスタ506がオンするので、インバータ501および502からなる記憶回路に保持されている信号レベル(ただし、インバータ501の出力は負論理)が、データ線DOj上に出力されることになる。ここでデータ線DOjは、負論理出力の排他的論理和ゲートOGjの一方の入力に接続されている。負論理出力の排他的論理和ゲートOGjの他方の入力には、交流化駆動信号FRが入力されているので、排他的論理和ゲートOGjの出力である出力線Xjには、メモリセルCjkmのインバータ501および502からなる記憶回路に記憶されているデータが、フレーム単位で繰り返し反転されて出力されることになる。
【0028】
一方、図4に示すように、メモリ用YOデコーダ112の出力であるアドレス信号YO11〜YO18,YO21〜YO28,…,YOM1〜YOM8は、それぞれN個のメモリセル(例えば、C111,C211,…,CN11からなるN個のメモリセルやC118,C218,…,CN18からなるN個のメモリセルに対して共通のアドレス信号(図5のWORD2)となるように接続されている。すなわち、アドレス信号YOkm(k=1〜M,m=1〜8)は、各N個のメモリセルC1km〜CNkmに共通に接続さている。N個のメモリセルC1km〜CNkmは、図2の液晶パネル300の1つの走査線Yk上のN個の画素P1k〜PNkの1つのサブフィールドmにそれぞれ対応するオンオフデータを保持する記憶領域である。したがって、メモリ用YOデコーダ112によって各アドレス信号YOkmを選択することで、各走査線Yk毎に、サブフィールドm単位で、その走査線Yk上のN個の画素P1k〜PNkに対応するオンオフデータ(負論理のデータ)が、各メモリセルC1km〜CNkmからデータ線DO1〜DONに出力され、負論理出力の排他的論理和ゲートOG1〜OGNを介して、液晶パネル300の各データ線X1〜XNに印加されることになる。
【0029】
図6は、図4のメモリ用YOデコーダ112の構成を説明するための機能ブロック図である。走査線Ykの選択タイミングを指示する信号であるクロック信号CLYに同期して、かつ、走査線Ykのその時点における走査線の位置(あるいは走査線番号)kと等しい出力kをM個の出力1〜Mから順次選択する1:Mの選択回路SAと、サブフィールド信号SFの変化時、すなわちサブフィールド期間の切り替わりに同期して、かつ、その時点におけるサブフィールド番号と等しい番号の出力を出力1〜8から順次選択する1:8のセレクタであるM個の選択回路SB1〜SBMとから構成されている。M個の選択回路SB1〜SBMは、それぞれ、選択回路SAの出力1〜Mに接続されていて、各選択回路SB1,SB2,…,SBMの各8本の出力は、アドレス線YO18〜YO11,YO28〜YO21,…,YOM8〜YOM1に接続されている。この図に示す例では、選択回路SAの入力をクロック信号CLYとしているので、各アドレス線YO18〜YO11,YO28〜YO21,…,YOM8〜YOM1には、クロック信号CLYと同一のパルス信号が出力される。
【0030】
なお、図6に示すメモリ用YOデコーダ112の構成は、メモリ用YOデコーダ112の機能を説明するためのものであって、各選択回路SA、SB1〜SBMは、図6に示すように、1:Mまたは1:8のスイッチから構成するものに限らず、各選択回路SA、SB1〜SBMを、クロック信号CLYまたは信号SFに同期してシフト動作を行うシフト回路、カウンタ回路等と、トランスファゲートや複数のゲート回路の組み合わせによって構成することができる。
【0031】
次に、図7を参照して、図4および図6を参照して説明したメモリ用YOデコーダ112の動作例について説明する。図7に示す例では、1フィールドを8個のサブフィールドに分割する際に各サブフィールドの時間幅を階調に応じた重みに対応するように異ならせている。すなわち、サブフィールド1,2,3,…,8の期間をそれぞれ期間Tsf1,Tsf1の2倍,Tsf1の4倍,…,Tsf1の128倍とすることで、各サブフィールドに2の(SF−1)乗に対応する時間幅を割り当てている。この場合、各フィールド単位で2の8乗(=256)階調の階調制御が可能となる。例えば、図7の最下部に示すように、階調G=255のときにはすべてのサブフィールド1〜8をオン状態とするように画素の印加電圧を制御し、階調G=130のときにはサブフィールド2および8(時間幅:(2+128)×Tsf1=130Tsf)をオン状態とするように画素の印加電圧を制御し、また、階調G=5のときにはサブフィールド1および3(時間幅:(1+4)×Tsf1=5Tsf)をオン状態とするように画素の印加電圧を制御する。
【0032】
各走査線Y1〜YMの走査は、各サブフィールド単位で繰り返して行う。したがって、走査線Y1〜YMの走査を指示するクロック信号CLYは、最も短いサブフィールド1の時間幅Tsf1以下の時間幅T0内に走査線の数に対応するY個のパルス信号PY1〜PYMを含むように、コントローラ200内で生成される。この例では、パルス信号PY1〜PYMは、各サブフィールドの切り替わり時点から時間T0内で順次出力されるように設定されている。このようなクロック信号CLYおよびサブフィールド信号SFが入力された場合、メモリ用YOデコーダ112は、サブフィールド1では、各選択回路SB1〜SBMの選択出力を1番目の出力1とするとともに、選択回路SAの出力を、クロック信号CLYに応じて順次切り替えて、選択回路SB1〜SBMへと出力する。すなわち、図7に示すように、アドレス線YO11,YO12,…,YOM1からは、クロック信号CLYをいずれかのアドレス線に対して選択した各1個のパルス信号が、順次、出力されることになる。なお、図7では、アドレス線YO11,YO12,…,YOM1等の記載順序は、パルスの出力順に合わせてあり、図4および図6に示すブロック図における記載順序(上下関係)とは異ならせている。上述したように、アドレス線YO11,YO12,…,YOM1は、メモリセルC111〜CN11,C121〜CN21,…,C1M1〜CNM1を一括して選択する。メモリセルC111〜CN11,C121〜CN21,…,C1M1〜CNM1には、同一走査線Y1,Y2,…,YM上の各N個の画素P11〜PN1,P12〜PN2,…,P1M〜PNMのサブフィールド1のオンオフデータが記憶されているので、データ線X1〜XNには、アドレス線YO11,YO12,…,YOM1の選択タイミングで、同一走査線Y1,Y2,…,YM上のN個の画素P11〜PN1,P11〜PN1,…,P11〜PN1のサブフィールド1に対応するオンオフデータがすべて出力されることになる。
【0033】
次に、サブフィールドが1から2へ切り替わると、選択回路SB1〜SBMは、2番目の出力2をそれぞれ入力に接続して、アドレス線YO12,YO22,…,YOM2を選択する。したがって、各アドレス線YO12,YO22,…,YOM2から順次、図7に示すような、各1個のパルス信号が出力されることになる。これによって、同一走査線Y1,Y2,…,YM上の各N個の画素P11〜PN1,P12〜PN2,…,P1M〜PNMのサブフィールド2のオンオフデータが記憶されているメモリセルC112〜CN12,C122〜CN22,…,C1M2〜CNM2の各データが、各アドレス線YO12,YO22,…,YOM2の選択タイミングで、データ線X1〜XNに出力される。
【0034】
また、サブフィールドが7から8へ切り替わると、選択回路SB1〜SBMは、8番目の出力8をそれぞれ入力に接続して、アドレス線YO18,YO28,…,YOM8を選択する。したがって、各アドレス線YO18,YO28,…,YOM8から順次、図7に示すような、各1個のパルス信号が出力されることになる。これによって、同一走査線Y1,Y2,…,YM上の各N個の画素P11〜PN1,P12〜PN2,…,P1M〜PNMのサブフィールド8のオンオフデータが記憶されているメモリセルC118〜CN18,C128〜CN28,…,C1M8〜CNM8の各データが、各アドレス線YO12,YO22,…,YOM2の選択タイミングで、データ線X1〜XNに出力される。以後、上述したようにして、サブフィールド1〜8の動作が繰り返して行われる。
【0035】
なお、以上の説明におけるサブフィールド1〜8の時間幅は、2の乗数に応じて変化させるのではなく、1フィールドにおける各画素の液晶に印加する実効電圧と透過率(または反射率)の特性カーブの非線形特性を補償して階調データの変化に応じて直線的に透過率が変化するように、各サブフィールドの時間幅を調整することが好ましい。また、サブフィールド1〜8の順序は、本実施形態に限定されることなく、どのような順序でも構わない。さらに、1フレームの最初に、画素オフ状態にするデータを全画素に書き込んでコントラストを均一化するサブフィールドを追加しても構わない。
【0036】
以上のように、本実施の形態によれば、各画素毎のサブフィールド単位のオンオフ情報をフレームメモリ111内の所定の複数のメモリセルに一括して書き込むことができるとともに、読み出し時には、各走査線および各サブフィールド単位で全データ線X1〜XNに出力すべきデータを一括して選択できるようになっている。また、その際、書き込み時には、各画素単位で全サブフィールドに対応する階調データを、走査線上の各画素の配列とは無関係に選択した画素に対応するメモリセルに書き込み、読み出し時には、書き込み時に用いたアドレス線(ワード線)と異なるアドレス線を用いることで、メモリセルの選択方法を変更し、パラレル−シリアル変換回路等の特別な変換回路を用いることなく、読み出し時において、走査線対応のオンオフデータに並べ直すことが可能となっている。
【0037】
なお、フレームメモリ111への階調データDIの書き込みは、画素の配置によらず、任意の画素に対して、かつ任意のタイミングで行うことが可能である。したがって、各画素の階調データの書き換えは、必要に応じて任意のタイミングで行ったり、あるいは最も早い周期で書き換えを行う場合にも、フレーム周期に対応、あるいは同期して行うことでフレーム単位の階調制御を行うことが可能である。また、各フレーム周期毎に、全画素の階調データを変更する必要はなく、表示階調の変更が必要な領域の画素に対応する階調データの書き換えのみを行うようにしてもよい。すなわち、本実施の形態によれば、コントローラ200から駆動回路100への階調データDIの供給の際、従来、シリアルデータによって、かつサブフィールド単位で行っていたものに比べ、各画素毎の全サブフィールドに対応する階調データをパラレルデータとして転送を行うようにしたので、転送周波数を低減することが可能である。さらに、本実施形態では、駆動回路100内に設けたランダムアクセスメモリによって構成したフレームメモリを利用することで、画素あるいはフレーム周期によらないランダムな書き込みが可能となっているので、転送データを書き換えが必要な一部の領域の画素に限定すること等の制御と組み合わせることで、大幅な転送周波数の低減効果を得ることができる。
【0038】
なお、上記の実施の形態では、各画素に対応して設けた8ビットのメモリセルをすべて用いて、8個のサブフィールドによる時間軸変調制御を行うようにしているが、例えば7〜5ビットのメモリセルのみを使用し、また、メモリ用YOデコーダ112において、選択回路SB1〜SBMの7〜5個の出力を選択するようにすることで、メモリのビット数とは異なるサブフィールド数による階調制御を行うことも可能である。
【0039】
なお、図5に示すメモリセルの構成は、2ポートメモリセルの基本的な回路構成の一例を示したものであり、メモリセルの構成を変更したり、あるいはメモリセルの選択回路を変更することで、2つのポートへの同時アクセスを防止する等の回路を設ける変更を適宜行うことが可能である。例えば、図4に示すように、メモリ用YIデコーダ1112に対して、クロック信号CLYを入力することで、メモリ用YIデコーダ1112内に例えば、クロック信号CLYが“1”レベルのときには、アドレス線YI1〜YINを選択しないような回路を設け、各メモリセルに対して同時にデータの書き込みと読み出しが行われないような回路を追加するようにすることができる。
【0040】
次に、図8および図9を参照して、上記実施の形態の変形例として、各サブフィールドの時間幅を同一にして、各サブフィールドの期間内のオン時間を階調に対応する重みを有するように異ならせることで、階調制御を行う場合の構成例について説明する。この場合、図8に示すように、例えば、1フィールド期間を同一の時間幅Tsfを有する8個のサブフィールド1〜8に分割し、各サブフィールドのオン時間を、サブフィールド1でT1時間、サブフィールド2でT1×2時間、サブフィールド3でT1×4時間、…、サブフィールド8でT1×128時間というように設定する。この場合、サブフィールド8におけるオン時間T1×128はサブフィールド期間の時間幅Tsfを超えない値とする。この実施形態では、1サブフィールド期間内に、画素のオンとオフの2回の走査線の走査が必要となるため、コントローラ200からは、各サブフィールド毎に、オン時とオフ時の2回分の走査を行うためのクロック信号CLY(それぞれM個のパルス信号YP1〜YPM)が供給される。M個のパルス信号YP1〜YPMは、オン時間の開始時と、オフ時間の開始時に発生されるが、すべてのパルス信号YP1〜YPMが、最短のオン時間T1および最短のオフ時間(サブフィールド8のオフ時間(Tsf−T1×128))より短い、時間T2内に発生されるように設定される。
【0041】
なお、以上の説明におけるサブフィールド1〜8の時間幅は、2の乗数に応じて変化させるのではなく、1フィールドにおける各画素の液晶に印加する実効電圧と透過率(または反射率)の特性カーブの非線形特性を補償して階調データの変化に応じて直線的に透過率が変化するように、各サブフィールドの時間幅を調整することが好ましい。また、サブフィールド1〜8の順序は、本実施形態に限定されることなく、どのような順序でも構わない。さらに、1フレームの最初に、画素オフ状態にするデータを全画素に書き込んでコントラストを均一化するサブフィールドを追加しても構わない。
【0042】
図9に示すように、本実施の形態では、メモリ用YOデコーダ112a内にサブフィールド信号SFを、オン時間およびオフ時間に対応してレベルが変化する信号SFPに変換するための変換回路801と、選択回路SAの入力として、クロック信号CLYと信号SFPの論理積を供給するためのANDゲート802とを設けている。これによって、クロック信号CLYとして、各サブフィールド期間に2回の走査に対応するクロックパルスが供給されるが、メモリ用YOデコーダ112aからは、信号SFPが“1”レベルの間に対応する期間内の1回の走査分のクロック信号CLYが入力信号として有効となり、これが各アドレス信号線YO11〜YOM8から選択信号が出力される。したがって、信号SFPが“1”レベルの場合には、データ線X1〜XNからフレームメモリ111内のアドレス信号線YO11〜YOM8で選択されたメモリセルC111〜CNM8のデータが出力されるが、信号SFPが“0”レベルの場合にはいずれのメモリセルC111〜CNM8も選択されなくなるので、データ線X1〜XNからは各画素をオフ状態とする信号のみが出力されることになる。
【0043】
なお、上記の実施の形態では、電気光学装置として、液晶表示装置を用いているが、例えば、エレクトロルミネッセンス(EL)ディスプレイ、フィールドエミッションディスプレイ(FED)、デジタルミラーデバイス(DMD)、プラズマディスプレイ(PDP)等の他のオンまたはオフの2値的な表示を行う画素を用いて階調表示を行う電気光学装置に適用することが可能である。ただし、例えば有機ELディスプレイ等を用いる場合には、交流駆動を行わないようにする等の変更を適宜行う。
【0044】
次に、上述した実施形態における電気光学装置(液晶パネル)300の構造について、図10および図11を参照して説明する。ここで、図10は、電気光学装置300の構成を示す平面図であり、図11は、図10におけるA−A'線の断面図である。これらの図に示されるように、電気光学装置300は、画素電極P103などが形成された素子基板301と、対向電極P105などが形成された対向基板302とが、互いにシール材304によって一定の間隙を保って貼り合わせられるとともに、この間隙に電気光学材料としての液晶P104が挟持された構造となっている。なお、実際には、シール材304には切欠部分があって、ここを介して液晶P104が封入された後、封止材により封止されるが、これらの図においては省略されている。ここで、素子基板301は、上述したように半導体基板であるため不透明である。このため、画素電極P103は、アルミニウムなどの反射性金属から形成されて、電気光学装置300は、反射型として用いられることになる。これに対して、対向基板302は、ガラスなどから構成されるので透明である。さて、素子基板301において、シール材304の内側かつ表示領域301aの外側領域には、遮光膜306が設けられている。この遮光膜306が形成される領域内のうち、領域330aにはYドライバ120が形成され、また、領域340aにはXドライバ110が形成されている。このXドライバ110には、先に説明したように、(画素数)×(サブフィールド数)の数のメモリセルが内蔵されている。すなわち、遮光膜306は、この領域に形成される駆動回路に光が入射するのを防止している。この遮光膜306には、対向電極P105とともに、交流化駆動信号FRのレベルに基づく交流電圧(LCcom)が印加される構成となっている。このため、遮光膜306が形成された領域では、液晶層への印加電圧がほぼゼロとなるので、画素電極P103の電圧無印加状態と同じ表示状態となる。また、素子基板301において、Xドライバ110が形成される領域340a外側であって、シール材304を隔てた領域307には、複数の接続端子が形成されて、外部からの制御信号や電源などを入力する構成となっている。なお、電気光学装置300は、各画素のトランジスタ及びYドライバ120、Xドライバ110の各駆動回路のトランジスタを、電気光学装置の電源入力端子から供給される単一電源電圧によっての動作させることができるので、多数の電圧レベルを生成する必要が無くなって低消費電力となり、レベルシフトも不要となって回路構成も簡単となる。液晶P104としては、TN(Twisted Nematic)型、STN(Supper Twisted Nematic)型の他、高分子分散型、強誘電型、双安定TN(Bi-stable Twisted Nematic)型、垂直配向型、ねじれの無い水平配向型、などの種々のタイプの液晶を用いることができる。
【0045】
一方、対向基板302の対向電極P105は、基板貼合部分における4隅のうち、少なくとも1箇所において設けられた導通材(図示省略)によって、素子基板301における遮光膜306および接続端子と電気的な導通が図られている。すなわち、交流化駆動信号FRに基づく電圧LCcomは、素子基板301に設けられた接続端子を介して、遮光膜306に、さらに、導通材を介して対向電極P105に、それぞれ印加される構成となっている。ほかに、対向基板302には、電気光学装置300の用途に応じて、例えば、直視型であれば、第1に、ストライプ状や、モザイク状、トライアングル状等に配列したカラーフィルタが設けられ、第2に、例えば、金属材料や樹脂などからなる遮光膜(ブラックマトリクス)が設けられる。なお、色光変調の用途の場合には、例えば、後述するプロジェクタのライトバルブとして用いる場合には、カラーフィルタは形成されない。また、直視型の場合、電気光学装置300に光を対向基板302側から照射するフロントライトが必要に応じて設けられる。くわえて、素子基板301および対向基板302の電極形成面には、それぞれ所定の方向にラビング処理された配向膜(図示省略)などが設けられて、電圧無印加状態における液晶分子の配向方向を規定する一方、対向基板301の側には、配向方向に応じた偏光子(図示省略)が設けられる。ただし、液晶P104として、高分子中に微小粒として分散させた高分子分散型液晶を用いれば、前述の配向膜や偏光子などが不要となる結果、光利用効率が高まるので、高輝度化や低消費電力化などの点において有利である。
【0046】
なお、上記実施形態においては、電気光学装置を構成する素子基板301を半導体基板とし、ここに、画素電極P103に接続されるトランジスタP106や、駆動回路の構成素子などを、MOS型FETで形成したが、本発明は、これに限られない。例えば、素子基板301を、ガラスや石英などの非晶質基板やプラスチック基板とし、ここに半導体薄膜を堆積してTFTを形成する構成としても良い。このようにTFTを用いると、素子基板301として透明基板を用いることができる。この場合、各画素のトランジスタやXドライバ及びYドライバ等の周辺回路の全部または一部を構成するトランジスタが、透明基板上にTFTで形成されることになる。
【0047】
ここで、素子基板をガラスや石英、プラスチックなどの基板とする場合に、フレームメモリ111を内蔵するXドライバ110の回路を素子基板上にTFTによって作り込むことが困難な場合もある。かかる場合には、Xドライバにおけるフレームメモリ等については半導体集積回路により構成し、データ線への出力回路部分については素子基板上のTFTによって構成し、半導体集積回路を素子基板上にCOG(Chip On Glass)方式で実装すればよい。
【0048】
さらに、電気光学材料としては、液晶のほかに、エレクトロルミネッセンス素子(EL)などを用いて、その電気光学効果により表示を行う装置に適用可能である。液晶の場合、周期的に交流駆動する必要があったが、有機ELの場合は、周期的に交流駆動しなくて良い。すなわち、本発明は、上述した構成と類似の構成を有する電気光学装置、特に、オンまたはオフの2値的な表示を行う画素を用いて、階調表示を行う電気光学装置のすべてに適用可能である。
【0049】
次に、上述した液晶装置を具体的な電子機器に用いた例のいくつかについて説明する。まず、実施形態に係る電気光学装置をライトバルブとして用いたプロジェクタについて説明する。図12は、このプロジェクタの構成を示す平面図である。この図に示されるように、プロジェクタ1100内部には、偏光照明装置1110がシステム光軸PLに沿って配置している。この偏光照明装置1110において、ランプ1112からの出射光は、リフレクタ1114による反射で略平行な光束となって、第1のインテグレータレンズ1120に入射する。これにより、ランプ1112からの出射光は、複数の中間光束に分割される。この分割された中間光束は、第2のインテグレータレンズを光入射側に有する偏光変換素子1130によって、偏光方向がほぼ揃った一種類の偏光光束(s偏光光束)に変換されて、偏光照明装置1110から出射されることとなる。
【0050】
さて、偏光照明装置1110から出射されたs偏光光束は、偏光ビームスプリッタ1140のs偏光光束反射面1141によって反射される。この反射光束のうち、青色光(B)の光束がダイクロイックミラー1151の青色光反射層にて反射され、反射型の電気光学装置300Bによって変調される。また、ダイクロイックミラー1151の青色光反射層を透過した光束のうち、赤色光(R)の光束は、ダイクロイックミラー1152の赤色光反射層にて反射され、反射型の液電気光学装置300Rによって変調される。一方、ダイクロイックミラー1151の青色光反射層を透過した光束のうち、緑色光(G)の光束は、ダイクロイックミラー1152の赤色光反射層を透過して、反射型の電気光学装置300Gによって変調される。
【0051】
このようにして、電気光学装置300R、300G、300Bによってそれぞれ色光変調された赤色、緑色、青色の光は、ダイクロイックミラー1152、1151、偏光ビームスプリッタ1140によって順次合成された後、投写光学系1160によって、スクリーン1170に投写されることとなる。なお、電気光学装置300R、300Bおよび300Gには、ダイクロイックミラー1151、1152によって、R、G、Bの各原色に対応する光束が入射するので、カラーフィルタは必要ない。
【0052】
次に、上記電気光学装置を、モバイル型のパーソナルコンピュータに適用した例について説明する。図13は、このパーソナルコンピュータの構成を示す斜視図である。図において、コンピュータ1200は、キーボード1202を備えた本体部1204と、表示ユニット1206とから構成されている。この表示ユニット1206は、先に述べた電気光学装置300の前面にフロントライトを付加することにより構成されている。
【0053】
なお、この構成では、電気光学装置300を反射直視型として用いることになるので、画素電極P103において、反射光が様々な方向に散乱するように、凹凸が形成される構成が望ましい。
【0054】
さらに、上記電気光学装置を、携帯電話に適用した例について説明する。図14は、この携帯電話の構成を示す斜視図である。図において、携帯電話1300は、複数の操作ボタン1302のほか、受話口1304、送話口1306とともに、電気光学装置300を備えるものである。この電気光学装置300にも、必要に応じてその前面にフロントライトが設けられる。また、この構成でも、電気光学装置300が反射直視型として用いられることになるので、画素電極P103に凹凸が形成される構成が望ましい。
【0055】
なお、電子機器としては、図12〜図14を参照して説明した他にも、液晶テレビや、ビューファインダ型、モニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、POS端末、タッチパネルを備えた機器等などが挙げられる。そして、これらの各種電子機器に対して、実施形態や変形例に係る電気光学装置が適用可能なのは言うまでもない。
【0056】
【発明の効果】
本発明によれば、各画素毎に各サブフィールドのオンオフデータを記憶する複数の記憶領域を有する記憶手段と、各サブフィールド毎に各走査線に対応する記憶手段の複数の記憶領域を選択に対応して一括して選択する選択手段とを設けたので、時間軸変調方式によって各画素の印加電圧を駆動制御する駆動回路に対して外部から入力される各画素のオンオフ状態を指示する情報の転送周波数を、従来に比べて低下させることが可能となる。
【0057】
また、記憶手段に記憶される(画素数)×(サブフィールド数)のデータをアドレスするだけで、線順次的に一ライン分の画素のオンオフのデータが読み出せるので、データ線側駆動回路の回路構成が簡単となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明による電気光学装置の駆動回路とその周辺回路の構成を示すブロック図。
【図2】 図1の液晶パネル300の構成を示すブロック図。
【図3】 図2の画素P11〜PNMの構成例を示すブロック図。
【図4】 図1のXドライバ110の構成例を示すブロック図。
【図5】 図4のメモリセルCjkmの構成例を示すブロック図。
【図6】 図4のメモリ用YOデコーダ(選択回路)112の構成例を示すブロック図。
【図7】 図6のメモリ用YOデコーダ112の動作例を説明するためのタイミングチャート。
【図8】 図6のメモリ用YOデコーダ112の変形例の動作を説明するためのタイミングチャート。
【図9】 図6のメモリ用YOデコーダ112の変形例の構成を示すブロック図。
【図10】 図1に示す本発明による電気光学装置(液晶パネル)300の構造を示す平面図。
【図11】 図10の電気光学装置300の構造を示す断面図。
【図12】 図10の電気光学装置300を適用した電子機器の一例であるプロジェクタの構成を示す断面図。
【図13】 図10の電気光学装置300を適用した電子機器の一例であるパーソナルコンピュータの構成を示す斜視図。
【図14】 図10の電気光学装置300を適用した電子機器の一例である携帯電話の構成を示す斜視図。
【符号の説明】
100……駆動回路
110……Xドライバ
111……フレームメモリ
112……選択回路(メモリ用YOデコーダ)
120……Yドライバ
200……コントローラ
300……液晶ディスプレイ
[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to a driving circuit, a driving method, an electro-optical device, and an electronic apparatus for an electro-optical device that performs gradation display by modulation on a time axis.
[0002]
[Prior art]
In general, a flat display such as a liquid crystal display, a light emitting diode, a plasma display, and an EL (electroluminescence) display has a plurality of pixels at each intersection of a plurality of data lines and a plurality of scanning lines, and controls an applied voltage. Thus, an optical change is generated in each pixel, and an image is displayed using this. In such an electro-optical device, there is a time axis modulation method as one of drive methods for performing gradation display. A time axis modulation method (or a pulse width modulation method, a multiplex gradation driving method, a time-division gradation driving method, or the like) converts one field (or one frame) into a plurality of subfields (or subframes). By dividing and assigning an ON time corresponding to the gradation to each subfield, and by applying binary control to the applied voltage of each pixel in an ON or OFF state in units of subfields, cumulative in one field (or one frame) The on-time width is controlled according to the gradation. An example of such a time-axis modulation method is described in Japanese Patent Application Laid-Open No. 10-49097, “Display Device, Driving Circuit, and Gradation Display Method”, Japanese Patent Application Laid-Open No. 11-38928, “Display Device”, and the like.
[0003]
In the time axis modulation method as described above, the voltage applied to the data line is controlled to be a binary value in an on or off state regardless of the gradation value. Therefore, there is an advantage that the configuration of the driving circuit can be simplified as compared with the active matrix driving method in which a voltage having a magnitude corresponding to the gradation value of each pixel is applied to the data line.
[0004]
[Problems to be solved by the invention]
In the time axis modulation method, the on / off state of each pixel is controlled for each subfield. A drive circuit that drives and controls the data lines and the scan lines repeatedly scans each scan line in each subfield unit, and controls on / off of the voltage applied to each data line for each scan so that each pixel on each scan line is controlled. Set the on / off state for. In a conventional time-axis modulation type driving circuit, information indicating the on / off state of each pixel on each scanning line is input from the outside as serial data for each scanning line, and the input serial data is a shift register or the like. After being converted into parallel data corresponding to the data line group by the conversion circuit using, the data is applied to the data line group in synchronization with scanning of the scanning line. In this case, on-off data transfer according to the number of subfield divisions, the number of scanning lines, and the number of data lines is performed in one field period. The number of data transfers in one field period increases in proportion to the number of subfield divisions. Therefore, it is conceivable that the data transfer frequency further increases when the number of gradations is increased.
[0005]
As described above, the drive circuit using the conventional time-axis modulation method has an effect of simplifying the configuration, but has a tendency to increase the transfer frequency of the gradation data input from the external circuit. There has been a problem that noise and power consumption increase due to the frequency increase. These problems have become a prominent problem in electro-optical devices and electronic devices that have high demands for low noise and low power consumption in addition to demands for an increase in the number of gradations and the number of pixels.
[0006]
Therefore, the present invention lowers the transfer frequency of information indicating the on / off state of each pixel input from the outside to the drive circuit that drives and controls the applied voltage of each pixel by the time-axis modulation method, as compared with the prior art. An object of the present invention is to provide an electro-optical device driving circuit, a driving method, an electro-optical device, and an electronic apparatus.
[0007]
[Means for Solving the Problems]
In order to solve the above-described problem, the present invention provides an ON state in units of a plurality of subfields obtained by dividing one field for each pixel arranged corresponding to each intersection of a plurality of data lines and a plurality of scanning lines. Driving an electro-optical device that controls gradation and off-state, and performs weight display by weighting the time in which each pixel is in the on-state in each subfield according to the gradation of the pixel. In the circuit, a storage means comprising a plurality of memory cells for storing data indicating the on state or the off state of the pixel in each subfield in a storage area provided corresponding to each pixel; The scanning line side driving means for sequentially selecting the scanning lines on the basis of the selection timing indicated by the clock signal for each subfield, and the scanning line side driving means Read out the data to be given to the plurality of pixels corresponding to the scanning line to be read from the memory cell in the storage unit, and based on the data read out by the readout unit, through the plurality of data lines Data line side driving means for supplying a voltage for bringing each pixel into the on state or the off state, and the reading means is supplied to the plurality of pixels corresponding to the scanning line selected in each subfield. A selection circuit for selecting a memory cell for storing data, the selection circuit being on-level corresponding to a pulse signal that is the same as the clock signal and a time during which each pixel is turned on in each subfield; The same pulse signal as the clock signal included in a period in which the predetermined signal is supplied and the predetermined signal is on level. By supplying the memory cell, the memory cell is selected. On the other hand, the pulse signal identical to the clock signal is not supplied to the memory cell while the predetermined signal is off level. The drive circuit of the electro-optical device is characterized in that the selected memory cell outputs the data based on the same pulse signal as the supplied clock signal without performing selection.
[0008]
According to this invention, since the data indicating the on / off state of each pixel is stored in the storage means in the transfer circuit, the data can be rewritten only when the data corresponding to any pixel changes. It is often possible to reduce the transfer frequency (transfer rate) when transferring data to the drive circuit and reduce the power consumption.
[0009]
In a preferred aspect of the present invention, there is further provided writing means for writing data corresponding to each subfield in a storage area corresponding to a pixel arbitrarily selected from the plurality of storage areas in the storage means.
[0010]
In this case, the reading means selects a plurality of storage areas of the storage means by the first selection means and reads data, and the writing means is a second selection means independent of the first selection means. Thus, data may be written by selecting a storage area corresponding to an arbitrary pixel in the storage means.
[0011]
Further, the storage means stores binary signals of the number of (pixels) × (number of subfields), and each binary signal indicates the on state and the off state of the pixels. It suffices to require a number of binary signal memory cells.
[0012]
Also, the present invention controls each pixel arranged corresponding to each intersection of a plurality of data lines and a plurality of scanning lines in an on state and an off state in units of a plurality of subfields obtained by dividing one field. In addition, in the driving method of the electro-optical device in which the gradation display is performed by weighting the time in which each pixel is turned on in each subfield according to the gradation of the pixel, Data indicating the on-state or the off-state of a pixel is stored in each of a plurality of memory cells in a storage area corresponding to each pixel in a storage means, and the plurality of scanning lines are stored for each subfield. The pixels are sequentially selected based on the selection timing indicated by the clock signal, and each pixel is turned on in the same pulse signal and each subfield as the clock signal. By using a predetermined signal that is on level corresponding to a certain time, and supplying the same pulse signal as the clock signal included in the period during which the predetermined signal is on level, to the memory cell, On the other hand, when the predetermined signal is in the off level, the same pulse signal is not selected by not supplying the same pulse signal as the clock signal to the memory cell. Based on the read data, data to be applied to a plurality of pixels corresponding to the selected scanning line is read out, and the plurality of pixels are turned on via the plurality of data lines based on the read data. When a voltage for turning on or off is supplied and a change occurs in gradation data corresponding to one of the pixels, each pixel stored in the storage means There is provided a method of driving an electro-optical device characterized by rewriting the data corresponding to the pixel of the data.
[0013]
Further, the present invention can be implemented as an electro-optical device that is driven and controlled by these drive circuits in addition to the drive circuits as described above.
[0014]
Furthermore, the present invention can be implemented as an electronic apparatus including these electro-optical devices as display devices.
[0015]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 1 is a block diagram showing a driving circuit 100 according to the present invention and its peripheral circuits. The driving circuit 100 is connected to a liquid crystal panel 300 based on a control signal such as gradation data DI input from a controller 200. The N data lines X1 to XN and the M scanning lines Y1 to YM are driven and controlled to perform gradation control of the liquid crystal panel 300 by the time axis modulation method. In the present embodiment, description will be made based on a liquid crystal panel in a liquid crystal display device as an example of an electro-optical device. The drive circuit 100 applies a data line side drive circuit (hereinafter referred to as an X driver) 110 that controls a voltage applied to the N data lines X1 to XN of the liquid crystal panel 300, and applies to the M data lines Y1 to YN. It is composed of a scanning line side drive circuit (hereinafter referred to as Y driver) 120 that controls the voltage. The X driver 110 selects (scans) a frame memory 111 that stores display data for one frame (one screen scanning period, that is, one vertical scanning period) to be displayed on the liquid crystal panel 300, and scanning lines Y1 to YM of the liquid crystal panel 300. And a selection circuit 112 that selects display data corresponding to a plurality of pixels on each scanning line at a timing synchronized with the other. The Y driver 120 includes a shift register and a plurality of latch circuits. The Y driver 120 scans the shift register based on the clock signal CLY input from the controller 200, and sequentially selects the scanning lines Y1 to YM according to the output corresponding thereto. Then, a predetermined selection voltage is sequentially applied to the scanning line.
[0016]
The controller 200 includes a microprocessor, a memory, a clock signal generation circuit, and the like. The controller 200 generates a plurality of control signals according to a predetermined program or a signal supplied from an external device and supplies the control signal to the drive circuit 100. To do. In FIG. 1, as a main signal supplied from the controller 200 to the drive circuit 100, a clock signal CLY for instructing the selection timing of the scanning lines Y1 to YM, and an alternating drive signal that is a signal that repeats level inversion for each frame. FR, signal SF corresponding to the frame number of each subfield dividing one field, address signal AD indicating the memory address of the access destination of the frame memory 111, and data signal to be written to the memory address of the access destination specified by the address signal AD DI is illustrated. Here, the address signal AD and the data signal DI are signals composed of a plurality of bits, and are transferred by a plurality of signal line buses.
[0017]
In the present embodiment, one field is divided into eight subfields having different on-time widths, and the on / off state of each pixel is controlled in units of each subfield.
[0018]
As will be described later, the liquid crystal panel 300 has a liquid crystal sandwiched between an element substrate and a counter substrate. As shown in FIG. 2, N data lines X1 to XN and M are displayed on a display area 301a on the element substrate. The scanning lines Y1 to YM are formed and configured to be orthogonal to each other. Then, the pixels P11 to PN1 are located at the intersections of the scanning line Y1 and the data lines X1 to XN, the pixels P12 to PN2 are located at the intersections of the scanning line Y2 and the data lines X1 to XN, and the scanning line YM. Pixels P1M to PNM are provided at each intersection of the data lines X1 to XN, and a total of N × M pixels P11 to PNM are provided corresponding to each intersection.
[0019]
For example, as shown in FIG. 3, each of the pixels P11 to PNM has a gate on the scanning line Yk (k is an integer from 1 to M) and a data line Xj (j is an integer from 1 to N). A transistor P101 having a source connected to the pixel and a drain connected to the pixel electrode P103. A liquid crystal P104, which is an electro-optic material, is sandwiched and held between the pixel electrode P103 and the counter electrode P105, which is a transparent electrode, so as to form a liquid crystal layer. A storage capacitor P102 is formed between the pixel electrode P103 and the common potential LCcom. The storage capacitor P102 is a capacitor provided to hold the applied voltage substantially constant for a necessary time after a voltage is applied to the pixel electrode P103 via the transistor P101. Note that the storage capacitor P102 only needs to hold the voltage written in the pixel, and may be provided between another potential of the common potential LCcom and the pixel electrode P103. The transistor P101 may be a transmission gate structure of a complementary transistor instead of a single N-channel transistor. In this case, however, it is necessary to apply a pair of complementary signals to the complementary transistors and simultaneously perform on / off control.
[0020]
The common potential LCcom is a potential common to the pixels P11 to PNM. The common potential LCcom is applied so that an AC voltage is applied to each pixel in units of frames by a voltage control circuit (not shown) in the drive circuit 100 in FIG. 1 based on the AC drive signal FR supplied from the controller 200. The potential is controlled to be different for each frame. That is, based on the alternating drive signal FR, the potential LCcom of the common electrode is alternately switched at two voltage levels according to frame switching, for example, 0V, 5V, 0V,. In the frame with the potential LCcom = 0V, 5V is applied to each pixel as the on voltage and 0V as the off voltage. In the frame with LCcom = 5V, 0V is applied as the on voltage and 5V is applied as the off voltage. Thereby, AC driving of the applied voltage of each pixel is performed. The on / off voltage of each pixel is switched by using an exclusive OR (negative logic) XNOR gates OG1 to OGN (FIG. 4) in the X driver 110, which will be described later, when the AC drive signal FR is' 1 'or' 0. This is done by switching whether to invert the output values to the data lines X1 to XN.
[0021]
Next, a configuration example of the X driver 110 shown in FIG. 1 will be described with reference to FIG. In the example shown in FIG. 4, the frame memory 111 is provided with N × M memory cell blocks B <b> 11 to BNM as storage areas corresponding to N × M pixels of the liquid crystal panel 300. In this case, the memory cell blocks B11, B21,..., BNM respectively correspond to the pixels P11, P21,. Each of the memory cell blocks B11, B21, ..., BN1, B12, B22, ..., BN2, ..., B1M, B2M, ..., BNM is an 8-bit memory cell C111 to C118, C211 to C218, ..., CN11 to CN18, respectively. , ..., C121 to C128, C221 to C228, ..., CN21 to CN28, ..., C1M1 to C1M8, C2M1 to C2M8, ..., CNM1 to CNM8. In each of the eight memory cells Cjk1 to 8 constituting the memory cell block Bjk (j is an integer of 1 to N, k is an integer of 1 to M), each pixel in each subfield 1 to 8 Binary data indicating the on (“1”) or off (“0”) state of Pjk is stored. In addition, an 8-bit data signal DI is written to each of the memory cells Cjk1 to 8 through 8 signal lines DI1 to DI8. In this case, signals of the least significant bit to the most significant bit of the data signal DI are transmitted on the signal lines DI1 to DI8, respectively.
[0022]
The signal lines DI1 to DI8 are inverted by inverters IG1 to IG8, respectively, so that each becomes a pair of signal lines of positive logic and negative logic, and each of 16 signal lines is connected to M XI gate blocks XG1 to XGM. Each is entered. Any one of the XI gates XG1 to XGM is selected in accordance with signals on the address lines XI1 to XIM supplied from the memory XI decoder 1111 so that the selected gate is turned on. That is, when the address signal XIk (k = 1 to M) becomes “1” level, the XI gate XGk is selected, and each of the 16 transfer gates configured in the XI gate XGk is turned on. Then, 16 signals from the output ends of the signal lines DI1 to 8 and the inverters IG1 to IG8 are connected to eight sets of bit line groups BIk1 to BIk8 each consisting of a pair of signal lines. For example, when the address signal XI1 becomes “1”, the XI gate 1 is turned on, and the signal line groups BI11 to BI18 are connected to the signal lines DI1 to 8 and the outputs of the inverters IG1 to IG8.
[0023]
For example, the bit line group BI11 has N memory cells C111, C211,..., CN11, the bit line group BI18 has N memory cells C118, C218,..., CN18, and the bit line group BI28 has N pieces. The bit signal line group BIkm (k = 1 to M, m = 1 to 8 (m corresponds to the bit position)) is connected to the memory cells C128, C228,..., CN28. Are commonly connected to N memory cells C1km to CNkm respectively corresponding to the pixels P1k to PNk on the same scanning line Yk. On the other hand, the memory XI decoder decodes the address signal AD supplied from the controller 200 and performs signal processing to set one of the address signal lines XI1 to XIM to the “1” level (active). .
[0024]
The address signal AD is a signal for arbitrarily selecting any one of the N × M memory cell blocks B11 to BNM. Based on the address signal AD, the memory XI decoder 1111 selects any one of the address lines XI1 to XIM. Since one is selected and any one of the XI gates XG1 to XGM is turned on, any one of the M sets of bit line groups BI1m to BIMm (m = 1 to 8), BIkm (BIk1) ~ BIk8) will be selected. At the same time, on the basis of the address signal AD, the memory YI decoder 1112 selects any one of the address lines YI1 to YIM (an integer from j = 1 to M), and M memory cell blocks Bj1 to Bj1 are selected. BjM is selected. Each address line YIj (j = 1 to M) controlled by the memory YI decoder 1112 is connected to all the memory cells C111,..., C118 to C1M1,..., C1M8 of the memory cells B11 to B1M, for example. 2, all the grayscale data corresponding to the pixels Pj1 to PjM on the same data line Xj in the liquid crystal panel 300 of FIG. 2, that is, M × 8 (8 is the number of bits) memory cells Cj1m to CjMm (m = 1 to 8).
[0025]
Therefore, the controller 200 in FIG. 1 selects any one of the memory cell blocks B11 to BNM by the address signal AD, and the on / off state of the pixel Pjk in each subfield is set in each bit of the data signal DI. Is set, each memory cell Cjkm can store the on / off state in each subfield m of the pixel Pjk. FIG. 5 is a circuit diagram showing a configuration of the memory cell Cjkm.
[0026]
The memory cell Cjkm (j = 1 to N, k = 1 to M, m = 1 to 8) shown in FIG. 5 shows an example of a configuration in which the memory cell is a 2-port CMOS static memory. The memory cell Cjkm includes two inverters 501 and 502 whose outputs are connected to the other input, transistors (transfer gates) 503 and 504 whose sources are connected to the input of the inverter 501 or the input of the inverter 502, respectively, The transistor 506 has a drain connected to the output of 501. The drain of the transistor 503 and the drain of the transistor 504 are connected to a positive logic bit line BIT (a signal line having the same level as the data line DIm) and a negative logic bit line (an inverted signal of BIT) of the bit line group BIkm, respectively. At the same time, the gates of the transistors 503 and 504 are both connected to an address line YIj that functions as a word line (WORD1). The bit line group BIkm is connected to the data line DIm and the inverter IGm via transistors (transfer gates) 510 and 511 in the XI gate XGk. Accordingly, the address lines XIk are set to “1” level to turn on the transistors 510 and 511, and the address line YIj is set to “1” level to turn on the transistors 503 and 504. A signal on the line group BIkm, that is, a signal level on the data line DIm can be written.
[0027]
On the other hand, the transistor 506 has a gate connected to the address line YOkm supplied from the memory YO decoder 112 of FIG. 4 and a source connected to the data line DOj. Transistor 506 constitutes an output port for data line DOj, whereas transistors 503 and 504 constitute a data input / output port for data line DIm (in this embodiment, only the input operation is performed). That is, when the address line YOkm that functions as the second word line (WORD2) becomes “1” level, the transistor 506 is turned on, so that the signal level held in the memory circuit including the inverters 501 and 502 ( However, the output of the inverter 501 is negative logic) is output on the data line DOj. Here, the data line DOj is connected to one input of an exclusive OR gate OGj having a negative logic output. Since the alternating drive signal FR is input to the other input of the exclusive OR gate OGj having the negative logic output, the output line Xj that is the output of the exclusive OR gate OGj is connected to the inverter of the memory cell Cjkm. The data stored in the storage circuit 501 and 502 is repeatedly inverted and output in units of frames.
[0028]
On the other hand, as shown in FIG. 4, the address signals YO11 to YO18, YO21 to YO28,..., YOM1 to YOM8, which are the outputs of the memory YO decoder 112, are N memory cells (for example, C111, C211,. , CN18 and the N memory cells C118, C218,..., CN18 are connected to be a common address signal (WORD2 in FIG. 5), that is, the address signal YOkm. (K = 1 to M, m = 1 to 8) are connected in common to each of the N memory cells C1km to CNkm, where N memory cells C1km to CNkm are one of the liquid crystal panels 300 of FIG. This is a storage area for holding on / off data corresponding to one subfield m of N pixels P1k to PNk on the scanning line Yk. Therefore, by selecting each address signal YOkm by the memory YO decoder 112, on-off data (N) corresponding to the N pixels P1k to PNk on the scanning line Yk in units of subfield m for each scanning line Yk. Negative logic data) is output from the memory cells C1km to CNkm to the data lines DO1 to DON, and is output to the data lines X1 to XN of the liquid crystal panel 300 via exclusive OR gates OG1 to OGN having negative logic outputs. Will be applied.
[0029]
FIG. 6 is a functional block diagram for explaining the configuration of the memory YO decoder 112 of FIG. In synchronization with the clock signal CLY, which is a signal for instructing the selection timing of the scanning line Yk, M outputs 1 of outputs k equal to the position (or scanning line number) k of the scanning line at that time of the scanning line Yk. 1 to M, which are sequentially selected from .about.M, and an output having a number equal to the subfield number at that time in synchronism with the change of the subfield signal SF, that is, switching of the subfield period. Are composed of M selection circuits SB1 to SBM which are 1: 8 selectors which are sequentially selected from .about.8. The M selection circuits SB1 to SBM are respectively connected to the outputs 1 to M of the selection circuit SA, and the eight outputs of each selection circuit SB1, SB2,..., SBM are address lines YO18 to YO11, YO28 to YO21,..., YOM8 to YOM1 are connected. In the example shown in this figure, since the input of the selection circuit SA is the clock signal CLY, the same pulse signal as the clock signal CLY is output to each of the address lines YO18 to YO11, YO28 to YO21, ..., YOM8 to YOM1. The
[0030]
The configuration of the memory YO decoder 112 shown in FIG. 6 is for explaining the function of the memory YO decoder 112, and each of the selection circuits SA and SB1 to SBM has 1 as shown in FIG. : Not limited to those composed of M or 1: 8 switches, each of the selection circuits SA, SB1 to SBM, a shift circuit that performs a shift operation in synchronization with the clock signal CLY or signal SF, a counter circuit, etc., and a transfer gate Or a combination of a plurality of gate circuits.
[0031]
Next, an operation example of the memory YO decoder 112 described with reference to FIGS. 4 and 6 will be described with reference to FIG. In the example shown in FIG. 7, when one field is divided into eight subfields, the time width of each subfield is made different so as to correspond to the weight according to the gradation. That is, the subfields 1, 2, 3,..., 8 have a period of 2 (SF−) in each subfield by setting the periods Tsf1, Tsf1 to 2 times, Tsf1 to 4 times,. 1) A time width corresponding to the power is assigned. In this case, gradation control of 2 8 (= 256) gradations is possible in each field unit. For example, as shown at the bottom of FIG. 7, the applied voltage of the pixel is controlled so that all the subfields 1 to 8 are turned on when the gradation G = 255, and the subfield when the gradation G = 130. 2 and 8 (time width: (2 + 128) × Tsf1 = 130Tsf) are controlled so that the applied voltage of the pixel is controlled. When the gradation G = 5, subfields 1 and 3 (time width: (1 + 4) ) × Tsf1 = 5Tsf), the applied voltage of the pixel is controlled.
[0032]
The scanning of each scanning line Y1 to YM is repeatedly performed for each subfield. Therefore, the clock signal CLY instructing scanning of the scanning lines Y1 to YM includes Y pulse signals PY1 to PYM corresponding to the number of scanning lines within the time width T0 which is equal to or shorter than the time width Tsf1 of the shortest subfield 1. Thus, it is generated in the controller 200. In this example, the pulse signals PY1 to PYM are set so as to be sequentially output within the time T0 from the switching time of each subfield. When the clock signal CLY and the subfield signal SF are input, the memory YO decoder 112 sets the selection output of each of the selection circuits SB1 to SBM to the first output 1 and the selection circuit in the subfield 1. The output of SA is sequentially switched according to the clock signal CLY and output to the selection circuits SB1 to SBM. That is, as shown in FIG. 7, from the address lines YO11, YO12,..., YOM1, one pulse signal in which the clock signal CLY is selected for any one of the address lines is sequentially output. Become. In FIG. 7, the description order of the address lines YO11, YO12,..., YOM1, etc. is matched with the output order of the pulses, and is different from the description order (upper and lower relations) in the block diagrams shown in FIGS. Yes. As described above, the address lines YO11, YO12,..., YOM1 collectively select the memory cells C111 to CN11, C121 to CN21,. The memory cells C111 to CN11, C121 to CN21,..., C1M1 to CNM1 include sub-pixels of N pixels P11 to PN1, P12 to PN2,. Since the ON / OFF data of field 1 is stored, N pixels on the same scanning lines Y1, Y2,..., YM are stored in the data lines X1 to XN at the selection timing of the address lines YO11, YO12,. On / off data corresponding to subfield 1 of P11 to PN1, P11 to PN1,..., P11 to PN1 are all output.
[0033]
Next, when the subfield is switched from 1 to 2, the selection circuits SB1 to SBM select the address lines YO12, YO22,..., YOM2 by connecting the second output 2 to the inputs, respectively. Therefore, one pulse signal as shown in FIG. 7 is sequentially output from each address line YO12, YO22,..., YOM2. Thereby, the memory cells C112 to CN12 in which the ON / OFF data of the subfield 2 of each of the N pixels P11 to PN1, P12 to PN2,..., P1M to PNM on the same scanning line Y1, Y2,. , C122 to CN22,..., C1M2 to CNM2 are output to the data lines X1 to XN at the selection timing of the address lines YO12, YO22,.
[0034]
When the subfield is switched from 7 to 8, the selection circuits SB1 to SBM select the address lines YO18, YO28,..., YOM8 by connecting the eighth output 8 to the inputs, respectively. Therefore, one pulse signal as shown in FIG. 7 is sequentially output from each address line YO18, YO28,..., YOM8. Thereby, the memory cells C118 to CN18 in which the ON / OFF data of the subfield 8 of each of the N pixels P11 to PN1, P12 to PN2,..., P1M to PNM on the same scanning line Y1, Y2,. , C128 to CN28,..., C1M8 to CNM8 are output to the data lines X1 to XN at the selection timing of the address lines YO12, YO22,. Thereafter, the operations in the subfields 1 to 8 are repeated as described above.
[0035]
Note that the time widths of the subfields 1 to 8 in the above description are not changed according to a multiplier of 2, but are characteristics of effective voltage and transmittance (or reflectance) applied to the liquid crystal of each pixel in one field. It is preferable to adjust the time width of each subfield so that the non-linear characteristic of the curve is compensated and the transmittance changes linearly according to the change of the gradation data. Further, the order of the subfields 1 to 8 is not limited to this embodiment, and any order may be used. Further, at the beginning of one frame, a subfield for writing the data to be in a pixel off state to all the pixels to make the contrast uniform may be added.
[0036]
As described above, according to the present embodiment, on-off information in units of subfields for each pixel can be written into a plurality of predetermined memory cells in the frame memory 111 at the same time. Data to be output to all the data lines X1 to XN can be selected in a lump for each line and each subfield. At that time, at the time of writing, the gradation data corresponding to all subfields is written to the memory cell corresponding to the selected pixel regardless of the arrangement of each pixel on the scanning line at the time of writing. By using an address line different from the used address line (word line), the memory cell selection method is changed, and a special conversion circuit such as a parallel-serial conversion circuit is not used. It can be rearranged into on-off data.
[0037]
Note that the writing of the gradation data DI to the frame memory 111 can be performed on an arbitrary pixel and at an arbitrary timing regardless of the arrangement of the pixels. Therefore, rewriting of the gradation data of each pixel is performed at an arbitrary timing as necessary, or even when rewriting at the earliest cycle, it is possible to perform frame unit by corresponding to or synchronizing with the frame cycle. It is possible to perform gradation control. In addition, it is not necessary to change the gradation data of all the pixels for each frame period, and only the gradation data corresponding to the pixels in the area where the display gradation needs to be changed may be rewritten. That is, according to the present embodiment, when the gradation data DI is supplied from the controller 200 to the drive circuit 100, the total data for each pixel is compared with the conventional method using serial data and subfield units. Since the gradation data corresponding to the subfield is transferred as parallel data, the transfer frequency can be reduced. Furthermore, in the present embodiment, by using a frame memory configured by a random access memory provided in the drive circuit 100, random writing can be performed regardless of the pixel or frame period, so that transfer data can be rewritten. In combination with control such as limiting to pixels in a part of the region that requires a large transfer frequency, a significant transfer frequency reduction effect can be obtained.
[0038]
In the above embodiment, the time axis modulation control by 8 subfields is performed using all the 8-bit memory cells provided corresponding to each pixel. For example, 7 to 5 bits are used. In addition, the memory YO decoder 112 selects 7 to 5 outputs of the selection circuits SB1 to SBM so that the number of subfields differs from the number of bits of the memory. It is also possible to perform adjustment control.
[0039]
Note that the configuration of the memory cell shown in FIG. 5 is an example of a basic circuit configuration of the 2-port memory cell, and the configuration of the memory cell is changed or the selection circuit of the memory cell is changed. Thus, it is possible to appropriately change the provision of a circuit such as preventing simultaneous access to two ports. For example, as shown in FIG. 4, when the clock signal CLY is input to the memory YI decoder 1112, for example, when the clock signal CLY is at “1” level in the memory YI decoder 1112, the address line YI 1 A circuit that does not select .about.YIN can be provided, and a circuit that does not simultaneously write and read data to each memory cell can be added.
[0040]
Next, referring to FIGS. 8 and 9, as a modification of the above embodiment, the time width of each subfield is made the same, and the on-time within the period of each subfield is set to a weight corresponding to the gradation. A description will be given of a configuration example in the case where gradation control is performed by making different. In this case, as shown in FIG. 8, for example, one field period is divided into eight subfields 1 to 8 having the same time width Tsf, and the on time of each subfield is set to T1 time in subfield 1, The subfield 2 is set to T1 × 2 hours, the subfield 3 is set to T1 × 4 hours,..., And the subfield 8 is set to T1 × 128 hours. In this case, the ON time T1 × 128 in the subfield 8 is a value that does not exceed the time width Tsf of the subfield period. In this embodiment, since the scanning of the scanning lines for turning on and off the pixels is required within one subfield period, the controller 200 receives two times of on time and off time for each subfield. Are supplied with clock signals CLY (M pulse signals YP1 to YPM, respectively). The M pulse signals YP1 to YPM are generated at the start of the on-time and at the start of the off-time, but all the pulse signals YP1 to YPM have the shortest on-time T1 and the shortest off-time (subfield 8). Is set to be generated within time T2, which is shorter than the off time (Tsf−T1 × 128)).
[0041]
Note that the time widths of the subfields 1 to 8 in the above description are not changed according to a multiplier of 2, but are characteristics of effective voltage and transmittance (or reflectance) applied to the liquid crystal of each pixel in one field. It is preferable to adjust the time width of each subfield so that the non-linear characteristic of the curve is compensated and the transmittance changes linearly according to the change of the gradation data. Further, the order of the subfields 1 to 8 is not limited to this embodiment, and any order may be used. Further, at the beginning of one frame, a subfield for writing the data to be in a pixel off state to all the pixels to make the contrast uniform may be added.
[0042]
As shown in FIG. 9, in the present embodiment, a conversion circuit 801 for converting a subfield signal SF into a signal SFP whose level changes in accordance with on-time and off-time in the memory YO decoder 112a; As an input of the selection circuit SA, an AND gate 802 for supplying a logical product of the clock signal CLY and the signal SFP is provided. As a result, a clock pulse corresponding to two scans is supplied as the clock signal CLY in each subfield period, but from the memory YO decoder 112a, the signal SFP is in a period corresponding to the “1” level. The clock signal CLY for one scan is valid as an input signal, and a selection signal is output from each of the address signal lines YO11 to YOM8. Therefore, when the signal SFP is “1” level, the data of the memory cells C111 to CNM8 selected by the address signal lines YO11 to YOM8 in the frame memory 111 are output from the data lines X1 to XN, but the signal SFP Since the memory cells C111 to CNM8 are not selected when the signal is at the “0” level, only the signals for turning off the respective pixels are output from the data lines X1 to XN.
[0043]
In the above embodiment, a liquid crystal display device is used as the electro-optical device. For example, an electroluminescence (EL) display, a field emission display (FED), a digital mirror device (DMD), a plasma display (PDP) It is possible to apply the present invention to an electro-optical device that performs gradation display using other pixels that perform binary display of ON or OFF. However, for example, when an organic EL display or the like is used, changes such as not performing AC driving are appropriately performed.
[0044]
Next, the structure of the electro-optical device (liquid crystal panel) 300 in the above-described embodiment will be described with reference to FIGS. Here, FIG. 10 is a plan view showing the configuration of the electro-optical device 300, and FIG. 11 is a cross-sectional view taken along the line AA 'in FIG. As shown in these drawings, the electro-optical device 300 includes an element substrate 301 on which a pixel electrode P103 and the like are formed, and a counter substrate 302 on which the counter electrode P105 and the like are formed with a certain gap between each other by a sealant 304. And a liquid crystal P104 as an electro-optical material is sandwiched between the gaps. Actually, the sealing material 304 has a cut-out portion, and after the liquid crystal P104 is sealed through this, the sealing material 304 is sealed with a sealing material, but is omitted in these drawings. Here, since the element substrate 301 is a semiconductor substrate as described above, it is opaque. For this reason, the pixel electrode P103 is formed of a reflective metal such as aluminum, and the electro-optical device 300 is used as a reflective type. On the other hand, since the counter substrate 302 is made of glass or the like, it is transparent. Now, in the element substrate 301, a light shielding film 306 is provided on the inner side of the sealant 304 and on the outer side of the display region 301a. In the region where the light shielding film 306 is formed, the Y driver 120 is formed in the region 330a, and the X driver 110 is formed in the region 340a. As described above, the X driver 110 includes (number of pixels) × (number of subfields) memory cells. That is, the light shielding film 306 prevents light from entering the drive circuit formed in this region. An AC voltage (LCcom) based on the level of the AC drive signal FR is applied to the light shielding film 306 along with the counter electrode P105. For this reason, in the region where the light-shielding film 306 is formed, the voltage applied to the liquid crystal layer becomes almost zero, so that the display state is the same as the voltage non-application state of the pixel electrode P103. In the element substrate 301, a plurality of connection terminals are formed in a region 307 outside the region 340 a where the X driver 110 is formed and separated from the sealant 304, so that an external control signal, a power source, and the like are supplied. It is configured to input. In the electro-optical device 300, the transistors of each pixel and the transistors of the drive circuits of the Y driver 120 and the X driver 110 can be operated by a single power supply voltage supplied from the power input terminal of the electro-optical device. Therefore, it is not necessary to generate a large number of voltage levels, so that power consumption is reduced, level shift is not required, and the circuit configuration is simplified. The liquid crystal P104 includes a TN (Twisted Nematic) type, STN (Supper Twisted Nematic) type, polymer dispersion type, ferroelectric type, bistable TN (Bi-stable Twisted Nematic) type, vertical alignment type, and no twist. Various types of liquid crystal such as a horizontal alignment type can be used.
[0045]
On the other hand, the counter electrode P105 of the counter substrate 302 is electrically connected to the light shielding film 306 and the connection terminal in the element substrate 301 by a conductive material (not shown) provided in at least one of the four corners of the substrate bonding portion. Conduction is achieved. That is, the voltage LCcom based on the AC drive signal FR is applied to the light shielding film 306 via the connection terminal provided on the element substrate 301 and further to the counter electrode P105 via the conductive material. ing. In addition, the counter substrate 302 is first provided with a color filter arranged in a stripe shape, a mosaic shape, a triangle shape, or the like according to the use of the electro-optical device 300, for example, if it is a direct view type. Second, a light shielding film (black matrix) made of, for example, a metal material or resin is provided. In the case of use of color light modulation, for example, when used as a light valve of a projector described later, no color filter is formed. In the case of the direct view type, the electro-optical device 300 is provided with a front light that emits light from the counter substrate 302 side as necessary. In addition, the electrode formation surfaces of the element substrate 301 and the counter substrate 302 are each provided with an alignment film (not shown) that is rubbed in a predetermined direction to define the alignment direction of the liquid crystal molecules when no voltage is applied. On the other hand, a polarizer (not shown) corresponding to the orientation direction is provided on the counter substrate 301 side. However, if a polymer-dispersed liquid crystal dispersed as fine particles in a polymer is used as the liquid crystal P104, the above-described alignment film, polarizer, and the like are not required. As a result, the light utilization efficiency is increased. This is advantageous in terms of reducing power consumption.
[0046]
In the above embodiment, the element substrate 301 constituting the electro-optical device is a semiconductor substrate, and the transistor P106 connected to the pixel electrode P103, the constituent elements of the drive circuit, and the like are formed of MOS type FETs. However, the present invention is not limited to this. For example, the element substrate 301 may be an amorphous substrate such as glass or quartz, or a plastic substrate, and a semiconductor thin film may be deposited thereon to form a TFT. When TFTs are used in this way, a transparent substrate can be used as the element substrate 301. In this case, the transistors constituting all or part of the peripheral circuits such as the transistors of each pixel and the X driver and Y driver are formed of TFTs on the transparent substrate.
[0047]
Here, when the element substrate is a substrate made of glass, quartz, plastic, or the like, it may be difficult to make the circuit of the X driver 110 incorporating the frame memory 111 on the element substrate by TFT. In such a case, the frame memory or the like in the X driver is constituted by a semiconductor integrated circuit, the output circuit portion to the data line is constituted by a TFT on the element substrate, and the semiconductor integrated circuit is formed on the element substrate by a COG (Chip On Glass) method.
[0048]
Furthermore, as an electro-optic material, in addition to liquid crystal, an electroluminescence element (EL) or the like can be used for an apparatus that performs display by the electro-optic effect. In the case of liquid crystal, it is necessary to periodically drive alternating current, but in the case of organic EL, it is not necessary to periodically drive alternating current. In other words, the present invention can be applied to any electro-optical device having a configuration similar to the above-described configuration, particularly to any electro-optical device that performs gradation display using pixels that perform binary display that is on or off. It is.
[0049]
Next, some examples in which the above-described liquid crystal device is used in a specific electronic device will be described. First, a projector using the electro-optical device according to the embodiment as a light valve will be described. FIG. 12 is a plan view showing the configuration of the projector. As shown in this figure, in the projector 1100, a polarization illumination device 1110 is arranged along the system optical axis PL. In this polarization illumination device 1110, the light emitted from the lamp 1112 becomes a substantially parallel light beam as reflected by the reflector 1114, and enters the first integrator lens 1120. Thereby, the emitted light from the lamp 1112 is divided into a plurality of intermediate light beams. The divided intermediate light beam is converted into a single type of polarized light beam (s-polarized light beam) having substantially the same polarization direction by a polarization conversion element 1130 having a second integrator lens on the light incident side, and the polarized illumination device 1110 It will be emitted from.
[0050]
Now, the s-polarized light beam emitted from the polarization illumination device 1110 is reflected by the s-polarized light beam reflecting surface 1141 of the polarization beam splitter 1140. Of this reflected light beam, the blue light (B) light beam is reflected by the blue light reflecting layer of the dichroic mirror 1151 and modulated by the reflective electro-optical device 300B. Of the light beams that have passed through the blue light reflection layer of the dichroic mirror 1151, the red light (R) light beam is reflected by the red light reflection layer of the dichroic mirror 1152, and is modulated by the reflective liquid electro-optical device 300R. The On the other hand, among the light beams transmitted through the blue light reflection layer of the dichroic mirror 1151, the green light (G) light beam is transmitted through the red light reflection layer of the dichroic mirror 1152 and modulated by the reflective electro-optical device 300G. .
[0051]
In this way, the red, green, and blue lights that have been color-light modulated by the electro-optical devices 300R, 300G, and 300B are sequentially synthesized by the dichroic mirrors 1152 and 1151, and the polarization beam splitter 1140, and then are projected by the projection optical system 1160. Is projected on the screen 1170. In addition, since the luminous flux corresponding to each primary color of R, G, and B is incident on the electro-optical devices 300R, 300B, and 300G by the dichroic mirrors 1151, 1152, a color filter is not necessary.
[0052]
Next, an example in which the electro-optical device is applied to a mobile personal computer will be described. FIG. 13 is a perspective view showing the configuration of the personal computer. In the figure, a computer 1200 includes a main body 1204 having a keyboard 1202 and a display unit 1206. The display unit 1206 is configured by adding a front light to the front surface of the electro-optical device 300 described above.
[0053]
In this configuration, since the electro-optical device 300 is used as a reflection direct view type, it is desirable that the pixel electrode P103 has irregularities so that the reflected light is scattered in various directions.
[0054]
Further, an example in which the electro-optical device is applied to a mobile phone will be described. FIG. 14 is a perspective view showing the configuration of this mobile phone. In the figure, a mobile phone 1300 includes an electro-optical device 300 in addition to a plurality of operation buttons 1302, as well as an earpiece 1304 and a mouthpiece 1306. The electro-optical device 300 is also provided with a front light on the front surface as necessary. Also in this configuration, since the electro-optical device 300 is used as a reflection direct view type, it is desirable that the pixel electrode P103 has irregularities.
[0055]
In addition to the electronic devices described with reference to FIGS. 12 to 14, liquid crystal televisions, viewfinder type, monitor direct-view type video tape recorders, car navigation devices, pagers, electronic notebooks, calculators, word processors , Workstations, videophones, POS terminals, devices with touch panels, and the like. Needless to say, the electro-optical device according to the embodiment or the modification can be applied to these various electronic devices.
[0056]
【The invention's effect】
According to the present invention, a storage means having a plurality of storage areas for storing on-off data of each subfield for each pixel and a plurality of storage areas of the storage means corresponding to each scanning line are selected for each subfield. Corresponding selection means for collectively selecting information is provided, so that information indicating the on / off state of each pixel input from the outside to the drive circuit that drives and controls the applied voltage of each pixel by the time-axis modulation method is provided. The transfer frequency can be reduced compared to the conventional case.
[0057]
Further, by simply addressing (number of pixels) × (number of subfields) data stored in the storage means, pixel on / off data for one line can be read line-sequentially. The circuit configuration is simplified.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a block diagram showing a configuration of a drive circuit and its peripheral circuits of an electro-optical device according to the present invention.
FIG. 2 is a block diagram showing a configuration of the liquid crystal panel 300 of FIG.
3 is a block diagram showing a configuration example of pixels P11 to PNM in FIG. 2;
4 is a block diagram showing a configuration example of an X driver 110 in FIG. 1. FIG.
FIG. 5 is a block diagram illustrating a configuration example of a memory cell Cjkm in FIG. 4;
6 is a block diagram showing a configuration example of a memory YO decoder (selection circuit) 112 in FIG. 4;
7 is a timing chart for explaining an operation example of the memory YO decoder 112 in FIG. 6;
8 is a timing chart for explaining the operation of a modified example of the memory YO decoder 112 of FIG. 6;
9 is a block diagram showing a configuration of a modified example of the memory YO decoder 112 in FIG. 6;
10 is a plan view showing the structure of the electro-optical device (liquid crystal panel) 300 according to the present invention shown in FIG.
11 is a cross-sectional view showing the structure of the electro-optical device 300 of FIG.
12 is a cross-sectional view illustrating a configuration of a projector that is an example of an electronic apparatus to which the electro-optical device 300 of FIG. 10 is applied.
13 is a perspective view illustrating a configuration of a personal computer which is an example of an electronic apparatus to which the electro-optical device 300 in FIG. 10 is applied.
14 is a perspective view illustrating a configuration of a mobile phone as an example of an electronic apparatus to which the electro-optical device 300 in FIG. 10 is applied.
[Explanation of symbols]
100 …… Drive circuit
110 …… X driver
111 …… Frame memory
112 ... Selection circuit (memory YO decoder)
120 …… Y driver
200 …… Controller
300 …… Liquid crystal display

Claims (7)

複数のデータ線と複数の走査線との各交差に対応して配設された各画素に対し、1フィールドを分割した複数のサブフィールド単位でオン状態とオフ状態とを制御するとともに、各前記サブフィールドで前記各画素がオン状態となる時間が当該画素の階調に対応して重み付けされていることで階調表示を行わせる電気光学装置の駆動回路において、
各画素に対応して設けられた記憶領域内に各サブフィールドにおける当該画素の前記オン状態または前記オフ状態を指示するデータを記憶する複数のメモリセルを備えた記憶手段と、
前記複数の走査線をサブフィールド毎にクロック信号によって指示される選択タイミングに基づいて順次選択する走査線側駆動手段と、
前記走査線側駆動手段によって選択される走査線に対応した複数の画素に与えるべき前記データを前記記憶手段内の前記メモリセルから読み出す読み出し手段と、
前記読み出し手段によって読み出されたデータに基づいて、前記複数のデータ線を介して各画素を前記オン状態または前記オフ状態にする電圧を供給するデータ線側駆動手段と、を備え、
前記読み出し手段は、各サブフィールドにおいて選択された走査線に対応する複数の画素に供給される前記データを記憶するメモリセルを選択するための選択回路を備え、
当該選択回路は、前記クロック信号と同一のパルス信号及び各前記サブフィールドで前記各画素がオン状態となる時間に対応してオンレベルとなる所定信号が供給され、
前記所定信号がオンレベルとなる期間に含まれる、前記クロック信号と同一のパルス信号を前記メモリセルに供給することで、当該メモリセルの選択を行う一方、前記所定信号がオフレベルの期間には、前記クロック信号と同一のパルス信号を前記メモリセルに供給しないことで当該メモリセルの選択を行わず、
当該選択されたメモリセルは供給された前記クロック信号と同一のパルス信号に基づいて前記データを出力すること
を特徴とする電気光学装置の駆動回路。
For each pixel arranged corresponding to each intersection of a plurality of data lines and a plurality of scanning lines, an on state and an off state are controlled in units of a plurality of subfields obtained by dividing one field, In the drive circuit of the electro-optical device that performs gradation display by weighting the time in which each pixel is turned on in the subfield according to the gradation of the pixel,
Storage means comprising a plurality of memory cells for storing data indicating the on state or the off state of the pixel in each subfield in a storage area provided corresponding to each pixel;
Scanning line side driving means for sequentially selecting the plurality of scanning lines for each subfield based on a selection timing indicated by a clock signal;
Reading means for reading out the data to be given to a plurality of pixels corresponding to the scanning line selected by the scanning line side driving means from the memory cell in the storage means;
Data line side driving means for supplying a voltage for setting each pixel to the on state or the off state via the plurality of data lines based on the data read by the reading means;
The readout means includes a selection circuit for selecting a memory cell that stores the data supplied to a plurality of pixels corresponding to a scanning line selected in each subfield,
The selection circuit is supplied with a pulse signal that is the same as the clock signal and a predetermined signal that is turned on in response to the time that each pixel is turned on in each subfield,
The memory cell is selected by supplying the same pulse signal as the clock signal included in the period in which the predetermined signal is on level to the memory cell, while the predetermined signal is in the period in which the predetermined signal is off level. The memory cell is not selected by not supplying the same pulse signal as the clock signal to the memory cell,
The drive circuit of the electro-optical device, wherein the selected memory cell outputs the data based on the same pulse signal as the supplied clock signal.
前記記憶手段内の複数の記憶領域のうち任意に選択した画素に対応する記憶領域に、各サブフィールドに対応するデータを書き込む書き込み手段を備えることを特徴とする請求項1記載の電気光学装置の駆動回路。  2. The electro-optical device according to claim 1, further comprising writing means for writing data corresponding to each subfield into a storage area corresponding to a pixel arbitrarily selected from the plurality of storage areas in the storage means. Driving circuit. 前記読み出し手段が、第1の選択手段によって前記記憶手段の複数の記憶領域を選択してデータを読み出し、前記書き込み手段が、第1の選択手段とは独立した第2の選択手段によって前記記憶手段における任意の画素に対応した記憶領域を選択してデータを書き込むことを特徴とする請求項2記載の電気光学装置の駆動回路。  The reading means selects a plurality of storage areas of the storage means by a first selection means and reads data, and the writing means is selected by a second selection means independent of the first selection means. 3. The drive circuit for an electro-optical device according to claim 2, wherein data is written by selecting a storage area corresponding to an arbitrary pixel. 前記記憶手段には、(画素数)×(サブフィールド数)の数の2値信号が記憶され、各2値信号が画素のオン状態及びオフ状態を示すことを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載の電気光学装置の駆動回路。  4. The storage means stores (number of pixels) × (number of subfields) binary signals, and each binary signal indicates an on state and an off state of a pixel. The drive circuit for the electro-optical device according to any one of the above. 複数のデータ線と複数の走査線との各交差に対応して配設された各画素を、1フィールドを分割した複数のサブフィールド単位でオン状態とオフ状態とを制御するとともに、各前記サブフィールドで前記各画素がオン状態となる時間が当該画素の階調に対応して重み付けすることで階調表示を行わせる電気光学装置の駆動方法において、
各サブフィールドにおける各画素の前記オン状態または前記オフ状態を指示するデータを記憶手段に各画素に対応して設けられた記憶領域内の複数のメモリセルのそれぞれに記憶し、
前記複数の走査線をサブフィールド毎にクロック信号によって指示される選択タイミングに基づいて順次選択し、
前記クロック信号と同一のパルス信号及び各前記サブフィールドで前記各画素がオン状態となる時間に対応してオンレベルとなる所定信号を用いて、
前記所定信号がオンレベルとなる期間に含まれる、前記クロック信号と同一のパルス信号を前記メモリセルに供給することで、当該メモリセルの選択を行う一方、前記所定信号がオフレベルの期間には、前記クロック信号と同一のパルス信号を前記メモリセルに供給しないことで当該メモリセルの選択を行わないことで、当該同一のパルス信号に基づいて前記メモリセルから、選択された走査線に対応した複数の画素に与えるべきデータを読み出し、
この読み出されたデータに基づいて、前記複数のデータ線を介して当該複数の画素をオン状態またはオフ状態にする電圧を供給し、
いずれかの画素に対応した階調データに変化が生じた場合に、前記記憶手段に記憶された各画素に対応したデータのうち当該画素に対応したデータを書き換えることを特徴とする電気光学装置の駆動方法。
Each pixel arranged corresponding to each intersection of a plurality of data lines and a plurality of scanning lines is controlled in an on state and an off state in units of a plurality of subfields obtained by dividing one field, and In the driving method of the electro-optical device in which gradation display is performed by weighting the time during which each pixel is turned on in the field according to the gradation of the pixel,
Data indicating the on state or the off state of each pixel in each subfield is stored in each of a plurality of memory cells in a storage area provided corresponding to each pixel in the storage means,
The plurality of scanning lines are sequentially selected based on a selection timing indicated by a clock signal for each subfield,
Using the same pulse signal as the clock signal and a predetermined signal that is on level corresponding to the time that each pixel is turned on in each subfield,
The memory cell is selected by supplying the same pulse signal as the clock signal included in the period in which the predetermined signal is in the on level to the memory cell, while the predetermined signal is in the period in which the predetermined signal is in the off level. By not supplying the same pulse signal as the clock signal to the memory cell, the memory cell is not selected, so that the memory cell can be selected from the memory cell based on the same pulse signal. Read data to be given to multiple pixels,
Based on the read data, supply a voltage for turning on or off the plurality of pixels via the plurality of data lines,
An electro-optical device characterized by rewriting data corresponding to a pixel among data corresponding to each pixel stored in the storage means when a change occurs in gradation data corresponding to any pixel. Driving method.
複数のデータ線と複数の走査線との各交差に対応して配設された複数の画素を有する電気光学装置であって、
請求項1〜4のいずれかに記載の電気光学装置の駆動回路によって駆動制御されることを特徴とする電気光学装置。
An electro-optical device having a plurality of pixels arranged corresponding to each intersection of a plurality of data lines and a plurality of scanning lines,
5. An electro-optical device that is driven and controlled by the drive circuit for the electro-optical device according to claim 1.
請求項6記載の電気光学装置を表示装置として備えることを特徴とする電子機器。  An electronic apparatus comprising the electro-optical device according to claim 6 as a display device.
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