JP3642823B2 - 側面発光装置 - Google Patents
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- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 22
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 22
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims description 8
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 3
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 abstract 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 16
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 description 7
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 229920000106 Liquid crystal polymer Polymers 0.000 description 2
- 239000004977 Liquid-crystal polymers (LCPs) Substances 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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- H01L33/483—Containers
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- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
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- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
- H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/484—Connecting portions
- H01L2224/48463—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】
本発明は、側面発光装置に関し、詳しくは側面発光装置の電極形状に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来のチップ型の側面発光装置は、図４の斜視図に示されるように、直方体状の基台１０の一面に凹部１１が形成されている。この凹部１１が形成される面とその裏面、そして、基台１０の端面に一組の電極１２、１２が形成されている。この電極１２、１２には先端部１２ａ、１２ｂが基台１０の凹部１１の底面で対向するように延出されている。この先端部１２ａに発光素子１３が電気的に接続されるように実装されており、この発光素子１３の表面電極（図示せず）と電極の先端部１２ｂがボンディングワイヤ１４にて電気的に接続されている。そして、発光素子１３とボンディングワイヤ１４を保護する透光性の樹脂（図示せず）が凹部１１に充填されて構成される側面発光装置は、公開実用新案公報の平成４年第６５４６５号（以下実開平４−６５４６５号公報と称す）に記載されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
このような側面発光装置が実装される状態は、図５の説明図に示すように側面発光装置の凹部１１の形成された面が側面に位置するように、基台１０の電極の形成されていない面を実装面として電子機器等の基板１５上の配線パターン１６に向けて搭載し、半田１７で側面発光装置の各電極１２、１２を接続している。
【０００４】
近年、側面発光装置を含む電子部品の外形寸法の小型化が進んでおり、それにともない側面発光装置の電極も微細な寸法になってきている。
しかし、上述の実開平４−６５４６５号公報に示されるような従来の側面発光装置では、側面発光装置の小さな端面の電極と側面発光装置の使用される電子機器等の基板の配線パターンが線で接触する状態で半田で固定されている。
【０００５】
そのため、側面発光装置の基板への固着力が充分でなく、電子機器等の組み立て時に基板を治具等で固定した際に、側面発光装置に外力が加わると基板から脱落してしまうという問題点があった。
本発明は、上述の問題点に鑑み、側面発光装置の接続性が向上する電極形状を有する側面発光装置を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
上述の問題点を解決するために、本願の請求項１に記載した発明は、発光素子が実装された凹部を有し、反射型の樹脂とメッキ可能な樹脂とを２重成形したチップ状の基台と、該基台の前記メッキ可能な樹脂表面に形成され且つ前記発光素子と接続される一組のメッキ電極と、を有する発光装置であって、前記メッキ可能な樹脂は、端面近傍の凹部の形成されている面とそれに連なる両側面、及び凹部の一部表面と凹部の形成された面の裏面に露出するように形成され、前記反射型の樹脂は、凹部内の前記メッキ可能な樹脂が露出するように形成された一部表面以外の面に露出するように形成され、前記凹部から延設されたそれぞれのメッキ電極が、前記基台の両端面近傍表面に周設されていることを特徴とする。
【０００７】
一方、本願の請求項２に記載した発明は、請求項１に記載した側面発光装置であって、周設されたそれぞれの電極が基台の実装面とそれに隣接する面に形成されていることを特徴とする。
【０００８】
【発明の作用及び効果】
側面発光装置の電極を基台の両端面近傍表面に周設したことで、側面発光装置が実装される基板の配線パターンと側面発光装置の電極が面で接触する状態となる。それにより、側面発光装置の電極と基板の配線パターンを少量の半田で効率良く接続することが可能になるだけでなく、電気導電性も良好になるという効果を有する。
【０００９】
そして、側面発光装置の周設された電極が基台の実装面とそれに隣接する面に形成されていることで、側面発光装置の電極とそれが実装される基板の配線パターンの間に半田を介在させて接続することが可能となるだけでなく、配線パターンと対向する実装面に隣接する面にも半田が回り込んで接続される。それにより、側面発光装置の電極と基板の配線パターンとの接続性がより向上し、側面発光装置の基板への固着力が一層強固になるだけでなく、電気導電性もより良好になるという効果を有する。また、メッキ電極形成部にメッキ可能な樹脂が形成されているため、電極の形成にメッキ法を用いることが可能となり、凹部内に延出する端部の電極とその電極から凹部内に延出する先端部とを同時にメッキにより形成することができ、従来の工程を大幅に変更することがなく、容易に製造することができるという効果も奏する。
【００１０】
【実施例】
以下本発明の側面発光装置を図面を用いて説明する。
図１は本発明の側面発光装置の製造プロセスを示す説明図で、液晶ポリマー等を成分とする反射型の樹脂とメッキ可能な樹脂の２種類を２重成形した直方体状の基台１は、一面に後述の発光素子が実装される凹部２を有するように成形する（図１（ａ））。この基台１は端面近傍の凹部２の形成されている面とそれに連なる両側面、及び凹部２の一部表面と凹部２の形成された面の裏面にメッキ可能な樹脂が露出するように成形する。
【００１１】
基台１の触媒処理されたメッキ可能な樹脂の表面に、表層に金を有する層よりなる一組の帯状の電極３、３をメッキにより基台１の両端面近傍表面に周設する（図１（ｂ））。この電極３、３には基台１の凹部２の底面で対向するように先端部３ａ、３ｂを延出している。
先端部３ａに電気的・機械的に接続されるように発光素子４は導電性ペースト（図示せず）を用いて実装している。この発光素子４の表面電極（図示せず）と電極の先端部３ｂを金よりなるボンディングワイヤ５にて電気的に接続している（図１（ｃ））。この発光素子４とボンディングワイヤ５を保護する為にエポキシ系の透光性樹脂（図示せず）を凹部２に充填して側面発光装置は形成されている。尚、この実施例の側面発光装置の実装面は１ａ及びその対面である１ｂのどちらでも良い。
【００１２】
次に、本発明の側面発光装置（図１（ｃ）の１ｂを実装面とした時）の実装状態を図２（ａ）を用いて説明すると、側面発光装置の凹部２の形成されている面が側面となる向きで、ガラス−エポキシ樹脂よりなる基板６の一組の配線パターン７に半田８を用いて実装されている。この状態のＡ−Ａ’断面を図２（ｂ）を用いて説明すると、側面発光装置の電極３は底面、即ち実装面にも形成されており、基板６の配線パターン７と半田８を介して電気的・機械的に接続されている。
【００１３】
前述の実施例において、側面発光装置の電極３は端面近傍の凹部の形成されている一面とそれに連なる両側面、及び凹部の一部表面と凹部の形成された一面の裏面に帯状に周設されているが、それらの面に連なる端面に形成されても良く、基台の実装面とそれに隣接する面だけに形成してもよい。
更に、本発明の他の実施例を図３の斜視図を用いて説明すると、図３（ａ）及び図３（ｂ）共に前述の実施例と同様の材料を用いて、同様のプロセスで凹部２の形成されている面と略直交する方向の面が少なくとも１面以上有するように、且つ電極３の一部が基台１の実装面に接する面に形成されるように製造されている。図３（ａ）の側面発光装置は基台１が略５角柱状に成形されており、この側面発光装置の実装面は凹部２が形成されている面と略直交する方向の面１ａ及び１ｂである。更に実装面に隣接する側面発光装置の１ａ’及び１ｂ’を実装面とした場合には、発光方向を斜め上方向の側面発光も可能となる。そして、図３（ｂ）の側面発光装置は基台１が略８角柱状に成形されており、この側面発光装置の実装面は同じく凹部２が形成されている面と略直交する方向の面１ａ及び１ｂである。更に実装面に隣接する側面発光装置の１ａ’及び１ｂ’と、１ａ”及び１ｂ”を実装面とした場合には、発光方向を斜め上及び斜め下方向の側面発光も可能となる。
【００１４】
上述の実施例において、実装面に電極３が形成されていることにより、基板６の配線パターン７と半田８を介して側面発光装置の電極３が接続される。それにより、従来よりも電極３と配線パターン７の導通を充分確保することができるだけでなく、半田８が電極３及び配線パターン７と合金を形成するので側面発光装置の基板に対する固着力を向上させることができる。
【００１５】
又、液晶ポリマー等を成分とする反射型の樹脂とメッキ可能な樹脂の２種類の樹脂を２ショットモールド法により成形した基台１を用いたことにより、電極３の形成にメッキ法を用いることが可能になり、電極３とそれに連なり凹部２の底面で対向する３ａ、３ｂを同時に形成することができる。それにより側面発光装置の製造を大幅に変更することなく、容易に製造することが可能になる。
【００１６】
更に、側面発光装置の電極３の一部が基台１の実装面に接する面に形成されていることにより、基台１を凹部２の形成されている面と略直交する方向の面が少なくとも１面以上有する多角柱状に成形した場合、実装面に隣接する面にも電極が形成されているので、実装面に隣接する面を実装面とする事が可能となる。それにより、従来では側面発光装置の実装される基板に略平行な方向の発光しかできなかったのが、１つの側面発光装置で２方向以上の側面方向に発光することが可能となる。
【００１７】
尚、本発明の側面発光装置は上述の実施例に記載の形状及び材料、方法等に特に限定されるものではない。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施例の側面発光装置の製造プロセスを示す説明図
【図２】本発明の一実施例の側面発光装置の実装状態を示す説明図
【図３】本発明の他の実施例を示す斜視図
【図４】従来の側面発光装置を示す斜視図
【図５】従来の側面発光装置の実装状態を示す説明図
【符号の説明】
１・・・・基台
２・・・・凹部
３・・・・電極
４・・・・発光装置
５・・・・ボンディングワイヤ
６・・・・基板
７・・・・配線パターン
８・・・・半田
出願人 ローム株式会社
【産業上の利用分野】
本発明は、側面発光装置に関し、詳しくは側面発光装置の電極形状に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来のチップ型の側面発光装置は、図４の斜視図に示されるように、直方体状の基台１０の一面に凹部１１が形成されている。この凹部１１が形成される面とその裏面、そして、基台１０の端面に一組の電極１２、１２が形成されている。この電極１２、１２には先端部１２ａ、１２ｂが基台１０の凹部１１の底面で対向するように延出されている。この先端部１２ａに発光素子１３が電気的に接続されるように実装されており、この発光素子１３の表面電極（図示せず）と電極の先端部１２ｂがボンディングワイヤ１４にて電気的に接続されている。そして、発光素子１３とボンディングワイヤ１４を保護する透光性の樹脂（図示せず）が凹部１１に充填されて構成される側面発光装置は、公開実用新案公報の平成４年第６５４６５号（以下実開平４−６５４６５号公報と称す）に記載されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
このような側面発光装置が実装される状態は、図５の説明図に示すように側面発光装置の凹部１１の形成された面が側面に位置するように、基台１０の電極の形成されていない面を実装面として電子機器等の基板１５上の配線パターン１６に向けて搭載し、半田１７で側面発光装置の各電極１２、１２を接続している。
【０００４】
近年、側面発光装置を含む電子部品の外形寸法の小型化が進んでおり、それにともない側面発光装置の電極も微細な寸法になってきている。
しかし、上述の実開平４−６５４６５号公報に示されるような従来の側面発光装置では、側面発光装置の小さな端面の電極と側面発光装置の使用される電子機器等の基板の配線パターンが線で接触する状態で半田で固定されている。
【０００５】
そのため、側面発光装置の基板への固着力が充分でなく、電子機器等の組み立て時に基板を治具等で固定した際に、側面発光装置に外力が加わると基板から脱落してしまうという問題点があった。
本発明は、上述の問題点に鑑み、側面発光装置の接続性が向上する電極形状を有する側面発光装置を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
上述の問題点を解決するために、本願の請求項１に記載した発明は、発光素子が実装された凹部を有し、反射型の樹脂とメッキ可能な樹脂とを２重成形したチップ状の基台と、該基台の前記メッキ可能な樹脂表面に形成され且つ前記発光素子と接続される一組のメッキ電極と、を有する発光装置であって、前記メッキ可能な樹脂は、端面近傍の凹部の形成されている面とそれに連なる両側面、及び凹部の一部表面と凹部の形成された面の裏面に露出するように形成され、前記反射型の樹脂は、凹部内の前記メッキ可能な樹脂が露出するように形成された一部表面以外の面に露出するように形成され、前記凹部から延設されたそれぞれのメッキ電極が、前記基台の両端面近傍表面に周設されていることを特徴とする。
【０００７】
一方、本願の請求項２に記載した発明は、請求項１に記載した側面発光装置であって、周設されたそれぞれの電極が基台の実装面とそれに隣接する面に形成されていることを特徴とする。
【０００８】
【発明の作用及び効果】
側面発光装置の電極を基台の両端面近傍表面に周設したことで、側面発光装置が実装される基板の配線パターンと側面発光装置の電極が面で接触する状態となる。それにより、側面発光装置の電極と基板の配線パターンを少量の半田で効率良く接続することが可能になるだけでなく、電気導電性も良好になるという効果を有する。
【０００９】
そして、側面発光装置の周設された電極が基台の実装面とそれに隣接する面に形成されていることで、側面発光装置の電極とそれが実装される基板の配線パターンの間に半田を介在させて接続することが可能となるだけでなく、配線パターンと対向する実装面に隣接する面にも半田が回り込んで接続される。それにより、側面発光装置の電極と基板の配線パターンとの接続性がより向上し、側面発光装置の基板への固着力が一層強固になるだけでなく、電気導電性もより良好になるという効果を有する。また、メッキ電極形成部にメッキ可能な樹脂が形成されているため、電極の形成にメッキ法を用いることが可能となり、凹部内に延出する端部の電極とその電極から凹部内に延出する先端部とを同時にメッキにより形成することができ、従来の工程を大幅に変更することがなく、容易に製造することができるという効果も奏する。
【００１０】
【実施例】
以下本発明の側面発光装置を図面を用いて説明する。
図１は本発明の側面発光装置の製造プロセスを示す説明図で、液晶ポリマー等を成分とする反射型の樹脂とメッキ可能な樹脂の２種類を２重成形した直方体状の基台１は、一面に後述の発光素子が実装される凹部２を有するように成形する（図１（ａ））。この基台１は端面近傍の凹部２の形成されている面とそれに連なる両側面、及び凹部２の一部表面と凹部２の形成された面の裏面にメッキ可能な樹脂が露出するように成形する。
【００１１】
基台１の触媒処理されたメッキ可能な樹脂の表面に、表層に金を有する層よりなる一組の帯状の電極３、３をメッキにより基台１の両端面近傍表面に周設する（図１（ｂ））。この電極３、３には基台１の凹部２の底面で対向するように先端部３ａ、３ｂを延出している。
先端部３ａに電気的・機械的に接続されるように発光素子４は導電性ペースト（図示せず）を用いて実装している。この発光素子４の表面電極（図示せず）と電極の先端部３ｂを金よりなるボンディングワイヤ５にて電気的に接続している（図１（ｃ））。この発光素子４とボンディングワイヤ５を保護する為にエポキシ系の透光性樹脂（図示せず）を凹部２に充填して側面発光装置は形成されている。尚、この実施例の側面発光装置の実装面は１ａ及びその対面である１ｂのどちらでも良い。
【００１２】
次に、本発明の側面発光装置（図１（ｃ）の１ｂを実装面とした時）の実装状態を図２（ａ）を用いて説明すると、側面発光装置の凹部２の形成されている面が側面となる向きで、ガラス−エポキシ樹脂よりなる基板６の一組の配線パターン７に半田８を用いて実装されている。この状態のＡ−Ａ’断面を図２（ｂ）を用いて説明すると、側面発光装置の電極３は底面、即ち実装面にも形成されており、基板６の配線パターン７と半田８を介して電気的・機械的に接続されている。
【００１３】
前述の実施例において、側面発光装置の電極３は端面近傍の凹部の形成されている一面とそれに連なる両側面、及び凹部の一部表面と凹部の形成された一面の裏面に帯状に周設されているが、それらの面に連なる端面に形成されても良く、基台の実装面とそれに隣接する面だけに形成してもよい。
更に、本発明の他の実施例を図３の斜視図を用いて説明すると、図３（ａ）及び図３（ｂ）共に前述の実施例と同様の材料を用いて、同様のプロセスで凹部２の形成されている面と略直交する方向の面が少なくとも１面以上有するように、且つ電極３の一部が基台１の実装面に接する面に形成されるように製造されている。図３（ａ）の側面発光装置は基台１が略５角柱状に成形されており、この側面発光装置の実装面は凹部２が形成されている面と略直交する方向の面１ａ及び１ｂである。更に実装面に隣接する側面発光装置の１ａ’及び１ｂ’を実装面とした場合には、発光方向を斜め上方向の側面発光も可能となる。そして、図３（ｂ）の側面発光装置は基台１が略８角柱状に成形されており、この側面発光装置の実装面は同じく凹部２が形成されている面と略直交する方向の面１ａ及び１ｂである。更に実装面に隣接する側面発光装置の１ａ’及び１ｂ’と、１ａ”及び１ｂ”を実装面とした場合には、発光方向を斜め上及び斜め下方向の側面発光も可能となる。
【００１４】
上述の実施例において、実装面に電極３が形成されていることにより、基板６の配線パターン７と半田８を介して側面発光装置の電極３が接続される。それにより、従来よりも電極３と配線パターン７の導通を充分確保することができるだけでなく、半田８が電極３及び配線パターン７と合金を形成するので側面発光装置の基板に対する固着力を向上させることができる。
【００１５】
又、液晶ポリマー等を成分とする反射型の樹脂とメッキ可能な樹脂の２種類の樹脂を２ショットモールド法により成形した基台１を用いたことにより、電極３の形成にメッキ法を用いることが可能になり、電極３とそれに連なり凹部２の底面で対向する３ａ、３ｂを同時に形成することができる。それにより側面発光装置の製造を大幅に変更することなく、容易に製造することが可能になる。
【００１６】
更に、側面発光装置の電極３の一部が基台１の実装面に接する面に形成されていることにより、基台１を凹部２の形成されている面と略直交する方向の面が少なくとも１面以上有する多角柱状に成形した場合、実装面に隣接する面にも電極が形成されているので、実装面に隣接する面を実装面とする事が可能となる。それにより、従来では側面発光装置の実装される基板に略平行な方向の発光しかできなかったのが、１つの側面発光装置で２方向以上の側面方向に発光することが可能となる。
【００１７】
尚、本発明の側面発光装置は上述の実施例に記載の形状及び材料、方法等に特に限定されるものではない。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施例の側面発光装置の製造プロセスを示す説明図
【図２】本発明の一実施例の側面発光装置の実装状態を示す説明図
【図３】本発明の他の実施例を示す斜視図
【図４】従来の側面発光装置を示す斜視図
【図５】従来の側面発光装置の実装状態を示す説明図
【符号の説明】
１・・・・基台
２・・・・凹部
３・・・・電極
４・・・・発光装置
５・・・・ボンディングワイヤ
６・・・・基板
７・・・・配線パターン
８・・・・半田
出願人 ローム株式会社
Claims (2)
- 発光素子が実装された凹部を有し、反射型の樹脂とメッキ可能な樹脂とを２重成形したチップ状の基台と、該基台の前記メッキ可能な樹脂表面に形成され且つ前記発光素子と接続される一組のメッキ電極と、を有する発光装置であって、
前記メッキ可能な樹脂は、端面近傍の凹部の形成されている面とそれに連なる両側面、及び凹部の一部表面と凹部の形成された面の裏面に露出するように形成され、
前記反射型の樹脂は、凹部内の前記メッキ可能な樹脂が露出するように形成された一部表面以外の面に露出するように形成され、
前記凹部から延設されたそれぞれのメッキ電極が、前記基台の両端面近傍表面に周設されていることを特徴とする発光装置。 - 請求項１に記載の側面発光装置であって、周設されたそれぞれの電極が基台の実装面とそれに隣接する面に形成されていることを特徴とする発光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP06729995A JP3642823B2 (ja) | 1995-03-27 | 1995-03-27 | 側面発光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP06729995A JP3642823B2 (ja) | 1995-03-27 | 1995-03-27 | 側面発光装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08264842A JPH08264842A (ja) | 1996-10-11 |
| JP3642823B2 true JP3642823B2 (ja) | 2005-04-27 |
Family
ID=13340990
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP06729995A Expired - Fee Related JP3642823B2 (ja) | 1995-03-27 | 1995-03-27 | 側面発光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3642823B2 (ja) |
Families Citing this family (20)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4023698B2 (ja) * | 1996-11-15 | 2007-12-19 | シチズン電子株式会社 | 下面電極付き側面使用電子部品の製造方法 |
| JP2003234507A (ja) * | 2002-02-07 | 2003-08-22 | Koha Co Ltd | 側面発光型ｌｅｄランプ |
| TWI292961B (en) | 2002-09-05 | 2008-01-21 | Nichia Corp | Semiconductor device and an optical device using the semiconductor device |
| JP2006108333A (ja) | 2004-10-04 | 2006-04-20 | Toyoda Gosei Co Ltd | ランプ |
| DE102005017527A1 (de) * | 2005-04-15 | 2006-11-02 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Oberflächenmontierbares optoelektronisches Bauelement |
| KR100638876B1 (ko) * | 2005-07-22 | 2006-10-27 | 삼성전기주식회사 | 보호 소자의 배치 구성을 개선한 측면형 발광 다이오드 |
| JP2007134602A (ja) * | 2005-11-11 | 2007-05-31 | Stanley Electric Co Ltd | 表面実装型半導体発光装置 |
| KR100780176B1 (ko) | 2005-11-25 | 2007-11-27 | 삼성전기주식회사 | 측면 방출 발광다이오드 패키지 |
| TWI338385B (en) * | 2006-12-13 | 2011-03-01 | Silicon Base Dev Inc | Side light package structure of light diode and its producing method |
| JP5037683B2 (ja) * | 2007-05-25 | 2012-10-03 | モレックス インコーポレイテド | 発熱体及び電源用のヒートシンク |
| KR102123039B1 (ko) | 2013-07-19 | 2020-06-15 | 니치아 카가쿠 고교 가부시키가이샤 | 발광 장치 및 그 제조 방법 |
| US9673364B2 (en) | 2013-07-19 | 2017-06-06 | Nichia Corporation | Light emitting device and method of manufacturing the same |
| JP2015207754A (ja) | 2013-12-13 | 2015-11-19 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
| JP2015149448A (ja) * | 2014-02-07 | 2015-08-20 | ローム株式会社 | 発光モジュール、発光装置および発光モジュールの製造方法 |
| US10090448B2 (en) | 2014-02-07 | 2018-10-02 | Rohm Co., Ltd. | Light-emitting module, light-emitting device and method of making light-emitting module |
| JP6318844B2 (ja) | 2014-05-20 | 2018-05-09 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
| US9660151B2 (en) | 2014-05-21 | 2017-05-23 | Nichia Corporation | Method for manufacturing light emitting device |
| JP6464877B2 (ja) | 2014-05-21 | 2019-02-06 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置の製造方法 |
| JP6521681B2 (ja) * | 2015-03-13 | 2019-05-29 | シチズン電子株式会社 | 側面実装型発光装置 |
| DE102019127783A1 (de) * | 2019-10-15 | 2021-04-15 | OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Optoelektronisches bauelement und verfahren zur herstellung eines solchen |
-
1995
- 1995-03-27 JP JP06729995A patent/JP3642823B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH08264842A (ja) | 1996-10-11 |
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| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |