JP3339422B2 - Wiring board and manufacturing method thereof - Google Patents

Wiring board and manufacturing method thereof

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JP3339422B2 JP27498698A JP27498698A JP3339422B2 JP 3339422 B2 JP3339422 B2 JP 3339422B2 JP 27498698 A JP27498698 A JP 27498698A JP 27498698 A JP27498698 A JP 27498698A JP 3339422 B2 JP3339422 B2 JP 3339422B2
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insulating layer
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metal
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義雄 有光
英之 栗田
章 堤
浩全 太田
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    • H01L2224/15Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/161Disposition
    • H01L2224/16151Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/16221Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/16225Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation

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  • Wire Bonding (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、ICチップを搭載
するために適した配線基板及びその製造方法に関する。
The present invention relates to a wiring board suitable for mounting an IC chip and a method for manufacturing the same.

【0002】[0002]

【従来の技術】ICチップのチップサイズパッケージン
グを意図した配線基板として、図4に示す構造の配線基
板が提案されている(特公平07−60840号公報、
実施例1参照)。この配線基板は、ポリイミド基材41
と、その裏面に形成された銅パターン42と、ポリイミ
ド基材41に設けられ、銅パターン42に達する貫通孔
Aを充填し且つポリイミド基材41の表面より突出した
銅バンプ43とから構成されている。
2. Description of the Related Art A wiring board having a structure shown in FIG. 4 has been proposed as a wiring board intended for chip size packaging of an IC chip (Japanese Patent Publication No. 07-60840,
See Example 1). This wiring board is made of a polyimide substrate 41
And a copper pattern 42 formed on the back surface thereof, and a copper bump 43 provided on the polyimide substrate 41 and filling the through hole A reaching the copper pattern 42 and protruding from the surface of the polyimide substrate 41. I have.

【0003】また、この配線基板は図5に示すように作
製されている。
[0003] This wiring board is manufactured as shown in FIG.

【0004】まず、ポリイミド基材41裏面に張合わさ
れた銅箔を常法に従ってパターニングして銅パターン4
2を形成する(図5(a))。
First, a copper foil adhered to the back surface of a polyimide base material 41 is patterned in a conventional manner to form a copper pattern 4.
2 is formed (FIG. 5A).

【0005】次に、ポリイミド基材41の表面側からレ
ーザー加工により銅パターン42に達する貫通孔Aを形
成する(図5(b))。
Next, a through hole A reaching the copper pattern 42 is formed from the surface of the polyimide substrate 41 by laser processing (FIG. 5B).

【0006】次に、銅パターン42をマスキングテープ
でマスクし、銅パターン42をカソードとして電解銅メ
ッキを行い、ポリイミド基材41に形成された貫通孔A
を銅で充填しつつポリイミド基材41の表面より突出さ
せて銅バンプ43を形成し、その後マスキングテープを
除去することにより配線基板が得られる(図5
(c))。
Next, the copper pattern 42 is masked with a masking tape, electrolytic copper plating is performed using the copper pattern 42 as a cathode, and the through holes A formed in the polyimide base material 41 are formed.
The wiring board is obtained by forming a copper bump 43 by projecting from the surface of the polyimide base material 41 while filling with copper, and then removing the masking tape (FIG. 5).
(C)).

【0007】この配線基板によれば、貫通孔Aの形成時
の位置合わせ精度を過度に高くする必要がなく、銅バン
プを低コストで導入することができるとされている。
According to this wiring board, it is not necessary to excessively increase the positioning accuracy when forming the through holes A, and it is said that copper bumps can be introduced at low cost.

【0008】[0008]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、レーザ
ー加工によりポリイミド基材41に貫通孔Aを設ける場
合、エキシマレーザーを使用すると、加工コストが高く
なりすぎるという問題がある。また、加工コストがエキ
シマレーザーより比較的低いYAGレーザーなどの通常
のレーザーを使用すると、貫通孔Aの底部の銅パターン
42の露出表面にポリイミド末が付着してしまうので、
それを除去すべく過マンガン塩水溶液による煩雑なデス
ミア処理が必要となるという問題がある。
However, when the through holes A are provided in the polyimide substrate 41 by laser processing, the use of an excimer laser causes a problem that the processing cost becomes too high. Also, if a normal laser such as a YAG laser whose processing cost is relatively lower than an excimer laser is used, the polyimide powder will adhere to the exposed surface of the copper pattern 42 at the bottom of the through hole A,
There is a problem that complicated desmear treatment with an aqueous solution of permanganate is required to remove it.

【0009】また、図4の配線基板にICチップを実装
する際には、それらの間に異方性導電接着フィルムや異
方性導電ペースト等を挟持させて熱圧着させざるを得
ず、実装工程の簡略化と低コスト化とのために、配線基
板とICチップとを直接接合できるようにすることが求
められていた。
Further, when mounting an IC chip on the wiring board shown in FIG. 4, an anisotropic conductive adhesive film, an anisotropic conductive paste, or the like must be sandwiched between them to perform thermocompression bonding. In order to simplify the process and reduce the cost, it has been demanded that the wiring substrate and the IC chip can be directly joined.

【0010】本発明は、従来の技術の課題を解決するも
のであり、ICチップを搭載するために適した配線基板
であって、異方性導電接着フィルムや異方性導電ペース
トを使用することなくICチップ等の電子部品を直接接
合して搭載できる配線基板を提供することを目的とす
る。
[0010] The present invention is to solve the problems of the prior art, and is a wiring board suitable for mounting an IC chip, using an anisotropic conductive adhesive film or an anisotropic conductive paste. It is an object of the present invention to provide a wiring board on which electronic components such as an IC chip can be directly bonded and mounted.

【0011】[0011]

【課題を解決するための手段】本発明者らは、配線基板
のバンプ側表面に接着層を設けることによりICチップ
と配線基板とを直接接合でき、また接着層並びにその下
層の絶縁層に貫通孔を設ける際に、絶縁層にフォトリソ
グラフ法を利用して化学エッチングにより孔を形成した
後に、電解メッキ法により孔へ金属プラグを充填し、更
にその金属プラグを金属バンプに成長させた後に接着層
を全面に設け、その接着層を化学エッチバックすること
により、絶縁層に形成された孔に正確に位置合わせした
孔を接着層にわざわざ形成することなく、しかも孔をレ
ーザー加工により形成することなく、低コストで配線基
板表面にバンプを形成できることを見出し、本発明を完
成させるに至った。
SUMMARY OF THE INVENTION The present inventors have provided an adhesive layer on the bump-side surface of a wiring board so that an IC chip and a wiring board can be directly bonded to each other. When forming a hole, after forming a hole in the insulating layer by chemical etching using photolithography, filling the hole with a metal plug by electrolytic plating, further growing the metal plug on a metal bump and bonding By forming a layer on the whole surface and chemically etching back the adhesive layer, the hole precisely formed with the hole formed in the insulating layer is not formed on the adhesive layer, and the hole is formed by laser processing. The present inventors have found that bumps can be formed on the surface of a wiring board at low cost, and have completed the present invention.

【0012】即ち、本発明は、導電層の両面にそれぞれ
絶縁層及びその上に接着層が形成され、該接着層及び該
絶縁層には、該導電層に達する孔が設けられており、そ
の孔内には電解メッキ法により金属プラグが形成されて
おり、この金属プラグの先端が接着層より突出した金属
バンプを構成していることを特徴とする配線基板を提供
する。
That is, according to the present invention, an insulating layer is formed on both sides of a conductive layer and an adhesive layer is formed thereon, and the adhesive layer and the insulating layer are provided with holes reaching the conductive layer. A metal board is formed in the hole by an electrolytic plating method, and a tip of the metal plug forms a metal bump protruding from an adhesive layer.

【0013】また、本発明は、導電層上に絶縁層及びそ
の上に接着層が形成され、該接着層及び該絶縁層には、
該導電層に達する孔が設けられており、その孔内には電
解メッキ法により金属プラグが形成されており、この金
属プラグの先端が接着層より突出した金属バンプを構成
している配線基板の製造方法であって、以下の工程
(a)〜(d): (a)導電層上の絶縁層に、フォトリソグラフ法を利用
して化学エッチングにより導電層に至る孔を形成する工
程; (b)導電層をカソードとする電解メッキ法により絶縁
層の孔内に金属プラグを形成しつつ、更に連続的にその
金属プラグを電解メッキ法により成長させて、その先端
を絶縁層の表面から突出した金属バンプとする工程; (c)金属バンプが形成された絶縁層の表面上に、金属
バンプが埋没するように接着層を形成する工程; 及び (d)接着層の表面を、金属バンプの先端が接着層より
突出するように化学エッチバックする工程を含んでなる
ことを特徴とする製造方法を提供する。
Further, the present invention provides an insulating layer and an insulating layer on a conductive layer.
An adhesive layer is formed on the adhesive layer, the adhesive layer and the insulating layer,
A hole reaching the conductive layer is provided.
Metal plugs are formed by the unplating method.
Metal bumps with metal plug protruding from adhesive layer
A method for manufacturing a wiring board, comprising the steps of: (a) forming a hole in a dielectric layer on a conductive layer by chemical etching using a photolithographic method; (B) forming a metal plug in the hole of the insulating layer by electrolytic plating using the conductive layer as a cathode, and further continuously growing the metal plug by electrolytic plating, and insulating the tip of the metal plug; Forming a metal bump protruding from the surface of the layer; (c) forming an adhesive layer on the surface of the insulating layer on which the metal bump is formed so that the metal bump is buried; and (d) surface of the adhesive layer. The tip of the metal bump is
Provided is a manufacturing method, which comprises a step of chemically etching back so as to protrude .

【0014】[0014]

【発明の実施の形態】以下、本発明を詳細に説明する。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Hereinafter, the present invention will be described in detail.

【0015】図1は、本発明の配線基板10の概略断面
図である。この配線基板10は、導電層1上に絶縁層2
及びその上に接着層3が形成された構造を有する。ここ
で、接着層3及び絶縁層2には、導電層1に達する孔A
が設けられており、その孔A内には電解メッキ法により
金属プラグ4が形成されており、この金属プラグ4の先
端は、接着層3より突出して金属バンプ5を構成してい
る。
FIG. 1 is a schematic sectional view of a wiring board 10 according to the present invention. This wiring board 10 has an insulating layer 2 on a conductive layer 1.
And an adhesive layer 3 formed thereon. Here, a hole A reaching the conductive layer 1 is formed in the adhesive layer 3 and the insulating layer 2.
The metal plug 4 is formed in the hole A by electrolytic plating, and the tip of the metal plug 4 projects from the adhesive layer 3 to form a metal bump 5.

【0016】配線基板10とICチップとを接合する場
合、ICチップのパッドと配線基板10の金属バンプ5
とを対向させて熱圧着すると、パッド及び金属バンプ5
が変形して潰れ、それに伴って接着層3がICチップ表
面と接触して接着する。従って、本発明の配線基板10
を用いることにより、ICチップを配線基板に、異方性
導電接着フィルムや異方性導電ペースト等を使用せずに
直接接合することが可能となる。
When bonding the wiring board 10 and the IC chip, the pads of the IC chip and the metal bumps 5 of the wiring board 10 are bonded together.
Are pressed to face each other, and the pad and the metal bump 5
Are deformed and crushed, and accordingly, the adhesive layer 3 comes into contact with and adheres to the IC chip surface. Therefore, the wiring board 10 of the present invention
By using the method, the IC chip can be directly joined to the wiring substrate without using an anisotropic conductive adhesive film, an anisotropic conductive paste, or the like.

【0017】なお、接合に際し、異方性導電接着フィル
ムや異方性導電ペースト等を使用してもよい。
At the time of joining, an anisotropic conductive adhesive film or an anisotropic conductive paste may be used.

【0018】導電層1としては、銅箔が一般的である
が、他の金属、金、銀、アルミニウム、はんだ、ニッケ
ル等やそれらの合金等から形成してもよい。
The conductive layer 1 is generally made of copper foil, but may be made of other metals, such as gold, silver, aluminum, solder, nickel, or alloys thereof.

【0019】導電層1の厚みは配線基板の使用目的に応
じて適宜決定することができる。また、導電層1は必要
に応じてパターン化してもよい。
The thickness of the conductive layer 1 can be appropriately determined according to the purpose of use of the wiring board. In addition, the conductive layer 1 may be patterned as necessary.

【0020】本発明においては、絶縁層2としては、一
般的な配線基板の絶縁層と同様の構成とすることがで
き、好ましくは絶縁特性、耐熱性、耐湿性及び耐電圧特
性に優れたポリイミド層を好ましく使用できる。特に好
ましくは、ポリアミック酸をイミド化したポリイミド層
を使用することができる。これは、イミド化前におい
て、化学エッチングにより孔を正確且つ簡便に形成しや
すいからである。
In the present invention, the insulating layer 2 can have the same structure as the insulating layer of a general wiring board, and is preferably a polyimide having excellent insulating properties, heat resistance, moisture resistance and voltage resistance. Layers can be used preferably. Particularly preferably, a polyimide layer obtained by imidizing a polyamic acid can be used. This is because holes can be easily and accurately formed by chemical etching before imidization.

【0021】また、絶縁層2の厚みは配線基板の使用目
的に応じて適宜決定することができる。
The thickness of the insulating layer 2 can be appropriately determined according to the intended use of the wiring board.

【0022】接着層3としては、一般的な配線基板を作
製する際に用いられる接着剤からなる接着層を使用する
ことができる。好ましくは、絶縁層2との親和性、絶縁
特性、耐熱性、耐湿性及び耐電圧特性に優れた絶縁性の
熱可塑性ポリイミド層を好ましく使用できる。
As the adhesive layer 3, an adhesive layer made of an adhesive used for manufacturing a general wiring board can be used. Preferably, an insulating thermoplastic polyimide layer having excellent affinity with the insulating layer 2, insulating properties, heat resistance, moisture resistance and withstand voltage properties can be preferably used.

【0023】また、接着層3の厚みは配線基板の使用目
的に応じて適宜決定することができる。
The thickness of the adhesive layer 3 can be appropriately determined according to the purpose of use of the wiring board.

【0024】孔A内に充填される金属プラグ4並びに接
着層3より突出したその先端の金属バンプ5としては、
電解メッキ法により形成された金属物質であり、好まし
くは電解銅メッキプラグ(電解銅メッキバンプ)を利用
することができる。
The metal plug 4 filled in the hole A and the metal bump 5 at the tip protruding from the adhesive layer 3 include:
It is a metal material formed by an electrolytic plating method, and preferably, an electrolytic copper plating plug (electrolytic copper plating bump) can be used.

【0025】金属プラグ4の径や高さ、金属バンプ5の
径や高さは、配線基板の使用目的に応じて適宜決定する
ことができる。
The diameter and height of the metal plug 4 and the diameter and height of the metal bump 5 can be appropriately determined according to the purpose of use of the wiring board.

【0026】金属バンプ5の表面には、導通信頼性の向
上のために、必要に応じて金などの貴金属メッキ層を適
宜形成してもよい。
A noble metal plating layer such as gold may be appropriately formed on the surface of the metal bump 5 as needed to improve conduction reliability.

【0027】次に本発明の配線基板の製造方法について
図面を参照しながら工程毎に説明する。
Next, a method of manufacturing a wiring board according to the present invention will be described step by step with reference to the drawings.

【0028】工程(a) 導電層1上の絶縁層2に、フォトリソグラフ法を利用し
て化学エッチングにより導電層1に至る孔Aを形成する
(図2(c))。より具体的には、導電層1上に、ポリ
アミック酸を塗布し、乾燥して絶縁層前駆体層6を形成
する(図2(a))。そしてその上に感光性レジストを
塗布し乾燥して感光性レジスト層7を形成し、更にその
上に保護フィルム8を積層する(図2(b))。そし
て、開孔すべき孔に応じたフォトマスクを介して露光
し、現像して感光性レジスト層7をパターニングし、パ
ターニングした感光性レジスト層7をエッチングマスク
として絶縁層前駆体層6を化学エッチングする。エッチ
ング終了後に常法に従ってイミド化し、感光性レジスト
層7と保護フィルム8とを除去することにより孔Aを有
する絶縁層2を形成する(図2(c))。
Step (a) A hole A reaching the conductive layer 1 is formed in the insulating layer 2 on the conductive layer 1 by chemical etching using photolithography (FIG. 2C). More specifically, a polyamic acid is applied on the conductive layer 1 and dried to form an insulating layer precursor layer 6 (FIG. 2A). Then, a photosensitive resist is applied thereon and dried to form a photosensitive resist layer 7, and a protective film 8 is further laminated thereon (FIG. 2B). Then, the photosensitive resist layer 7 is exposed and exposed through a photomask corresponding to the hole to be opened, developed and patterned, and the insulating layer precursor layer 6 is chemically etched using the patterned photosensitive resist layer 7 as an etching mask. I do. After the etching is completed, the insulating layer 2 having the holes A is formed by removing the photosensitive resist layer 7 and the protective film 8 by imidization according to a conventional method (FIG. 2C).

【0029】化学エッチング条件は、絶縁層前駆体層6
の材質、開孔すべき孔のサイズ等に応じて適宜決定する
ことができる。
The conditions of the chemical etching are as follows.
And the size of the hole to be opened, and the like.

【0030】ここで、化学エッチングにより形成される
孔Aの開孔径にバラツキがあると、孔Aに作り込む金属
バンプの径だけでなくバンプ高さにもバラツキが生じ、
接続信頼性が低下するおそれがある。そこで、そのバラ
ツキを抑制するために、絶縁層2の層厚と孔Aの開孔径
との間のアスペクト比を、好ましくは1:20〜50、
より好ましくは1:30〜40に設定する。これは、絶
縁層2の層厚が相対的に薄すぎると絶縁不良が生ずるお
それがあり、厚すぎると孔Aの開孔径のバラツキが大き
くなり過ぎ好ましくないためである。
Here, if there is a variation in the opening diameter of the hole A formed by the chemical etching, a variation occurs not only in the diameter of the metal bump formed in the hole A but also in the bump height.
Connection reliability may be reduced. Therefore, in order to suppress the variation, the aspect ratio between the layer thickness of the insulating layer 2 and the opening diameter of the hole A is preferably 1:20 to 50,
More preferably, it is set to 1:30 to 40. This is because if the thickness of the insulating layer 2 is relatively too thin, insulation failure may occur, and if it is too thick, the variation in the opening diameter of the hole A becomes too large, which is not preferable.

【0031】工程(b) 次に、導電層1をカソードとする電解メッキ法により絶
縁層2の孔A内に金属プラグ4を形成しつつ、更に連続
的にその金属プラグ4を電解メッキ法により成長させ
て、その先端を絶縁層2の表面から突出した金属バンプ
5とする(図2(d))。この場合、導体層1の外側面
1aをマスキングテープで被覆しておくことが好ましい
(図示せず)。また、このマスキングテープは工程
(c)に先だって除去してもよく、図示しないが最終工
程までその状態に保持してもよい。
Step (b) Next, while forming the metal plug 4 in the hole A of the insulating layer 2 by the electrolytic plating method using the conductive layer 1 as a cathode, the metal plug 4 is further continuously formed by the electrolytic plating method. The metal bump 5 is grown, and its tip is formed as a metal bump 5 protruding from the surface of the insulating layer 2 (FIG. 2D). In this case, it is preferable to cover the outer surface 1a of the conductor layer 1 with a masking tape (not shown). Further, this masking tape may be removed prior to the step (c), and may be kept in that state until the final step (not shown).

【0032】なお、電解メッキ条件としては、メッキ金
属の種類や孔径、形成すべきプラグサイズ等に応じて適
宜決定することができる。
The electroplating conditions can be appropriately determined according to the type of plating metal, the hole diameter, the size of the plug to be formed, and the like.

【0033】工程(c) 次に、金属バンプ5が形成された絶縁層2の表面上に、
金属バンプ5が埋没するように接着層3を形成する(図
2(e))。
Step (c) Next, on the surface of the insulating layer 2 on which the metal bumps 5 are formed,
The adhesive layer 3 is formed so that the metal bumps 5 are buried (FIG. 2E).

【0034】接着層3の形成は、例えば、熱可塑性ポリ
イミド溶液を、ナイフコーターで塗布し乾燥することに
より行うことができる。
The adhesive layer 3 can be formed, for example, by applying a thermoplastic polyimide solution with a knife coater and drying.

【0035】工程(d) 次に、接着層3の表面を、金属バンプ5が所定の高さに
なるように化学エッチバックする。これにより、図2
(f)に示す配線基板が得られる。
Step (d) Next, the surface of the adhesive layer 3 is chemically etched back so that the metal bumps 5 have a predetermined height. As a result, FIG.
The wiring board shown in (f) is obtained.

【0036】接着層3の化学エッチバック条件は、接着
層3の材質、金属バンプ5の材質、必要なエッチバック
量等に応じて適宜決定することができる。例えば、接着
層3が熱可塑性ポリイミド層である場合には、エッチャ
ントとしてアルカリ水溶液を使用することができる。
The conditions for the chemical etch-back of the adhesive layer 3 can be appropriately determined according to the material of the adhesive layer 3, the material of the metal bump 5, the necessary amount of etch-back, and the like. For example, when the adhesive layer 3 is a thermoplastic polyimide layer, an alkaline aqueous solution can be used as an etchant.

【0037】なお、図2の例では、導電層の片面に金属
バンプを形成した例を示したが、図3(a)に示すよう
に、導電層1の両面にそれぞれ形成された絶縁層2及び
その上の接着層3からなる両面配線基板であって、それ
ぞれの接着層3及び絶縁層2には導電層1に達する孔A
が設けられており、その孔内に電解メッキ法により金属
プラグ4が形成され、この金属プラグ4の先端が接着層
3より突出した金属バンプ5を構成している両面配線基
板も本発明に含まれる。
In the example of FIG. 2, an example is shown in which metal bumps are formed on one side of the conductive layer. However, as shown in FIG. 3A, the insulating layers 2 formed on both sides of the conductive layer 1 are formed. And a double-sided wiring board comprising an adhesive layer 3 thereon, wherein each of the adhesive layer 3 and the insulating layer 2 has a hole A reaching the conductive layer 1.
The present invention also includes a double-sided wiring board in which metal plugs 4 are formed in the holes by electrolytic plating, and the metal plugs 4 constitute metal bumps 5 protruding from the adhesive layer 3. It is.

【0038】図3(a)に示すような両面配線基板は、
図2(f)の配線基板の金属バンプ5側をマスキングし
た上で、導電層1の外表面1aに対し、工程(a)〜
(f)を繰り返し行った上でマスキングテープを取り除
くことにより製造することができる。また、工程(a)
〜(f)を同時に導電層1の両面に施すことにより製造
することもできる。
A double-sided wiring board as shown in FIG.
After masking the metal bump 5 side of the wiring board in FIG. 2F, the steps (a) to (c) are performed on the outer surface 1a of the conductive layer 1.
It can be manufactured by removing the masking tape after repeatedly performing (f). Step (a)
To (f) may be simultaneously applied to both surfaces of the conductive layer 1 to produce the conductive layer.

【0039】このような両面配線基板を用いることによ
り、両面にICチップ(IC)を実装することができる
(図3(b))。また、図3(c)に示すように、簡便
に多層化することができる。
By using such a double-sided wiring board, an IC chip (IC) can be mounted on both sides (FIG. 3B). Further, as shown in FIG. 3C, it is possible to easily form a multilayer.

【0040】[0040]

【実施例】以下、本発明を実施例により具体的に説明す
る。
The present invention will be described below in more detail with reference to examples.

【0041】実施例1 厚さ18μmの銅箔の片面に、ピロメリット酸二無水物
1.01モルと4,4′−ジアミノジフェニルエーテル
1.0モルとを、溶媒であるN−メチル−2−ピロリド
ンに溶解して得られたポリアミック酸溶液を乾燥厚で1
0μm厚となるように塗布し、乾燥した。
Example 1 On one side of a copper foil having a thickness of 18 μm, 1.01 mol of pyromellitic dianhydride and 1.0 mol of 4,4′-diaminodiphenyl ether were added with N-methyl-2-solvent as a solvent. The polyamic acid solution obtained by dissolving in pyrrolidone is dried to a thickness of 1
It was applied to a thickness of 0 μm and dried.

【0042】このポリアミック酸層上に、感光性レジス
ト(NR−41(ナイロン−オリゴエステル系レジス
ト)、ソニーケミカル社製)を乾燥厚で8μmとなるよ
うに塗布し乾燥させ、更にその上に厚さ12μmの保護
フィルム(ポリエステルフィルム、東レ社製)を積層し
た。
On this polyamic acid layer, a photosensitive resist (NR-41 (nylon-oligoester based resist), manufactured by Sony Chemical Co., Ltd.) is applied so as to have a dry thickness of 8 μm, and dried. A protective film (polyester film, manufactured by Toray Industries, Inc.) having a thickness of 12 μm was laminated.

【0043】保護フィルム側から、ネガフィルムをフォ
トマスクとして波長365nmの光で照射することによ
り感光性レジストを露光し、水で現像することにより感
光性レジストをパターニングした。
The photosensitive resist was exposed from the protective film side by irradiating it with light having a wavelength of 365 nm using a negative film as a photomask, and developed with water to pattern the photosensitive resist.

【0044】パターニングされた感光性レジストをエッ
チングマスクとして、ポリアミック酸層をアルカリ溶液
で化学エッチング(エッチング温度 25℃,エッチン
グ時間 15秒間)し、ポリアミック酸層に孔を形成し
た。孔の底部は銅箔が露出しており、底部の径は50μ
mであり、ポリアミック酸層表面の孔の径は80μmで
あった。
Using the patterned photosensitive resist as an etching mask, the polyamic acid layer was chemically etched with an alkaline solution (etching temperature 25 ° C., etching time 15 seconds) to form holes in the polyamic acid layer. Copper foil is exposed at the bottom of the hole, and the diameter of the bottom is 50μ.
m, and the diameter of the pores on the surface of the polyamic acid layer was 80 μm.

【0045】次に、孔が形成されたポリアミック酸層を
イミド化して絶縁層とした(イミド化加熱温度 350
℃,イミド化加熱時間 10分間)。
Next, the polyamic acid layer in which the holes were formed was imidized to form an insulating layer (an imidization heating temperature of 350
° C, imidization heating time 10 minutes).

【0046】次に、銅箔の外表面をマスキングテープで
被覆した後、銅箔をカソードとして電解銅メッキ(硫酸
銅メッキ浴,メッキ浴温度 30℃,メッキ電流密度
15A/dm2,メッキ時間 30分間)を行った。その
結果、絶縁層表面より20μmの高さまで突出した銅バ
ンプを形成できた。
Next, after covering the outer surface of the copper foil with a masking tape, electrolytic copper plating (copper sulfate plating bath, plating bath temperature of 30 ° C., plating current density) was performed using the copper foil as a cathode.
15A / dm2 , plating time 30 minutes). As a result, a copper bump protruding from the surface of the insulating layer to a height of 20 μm could be formed.

【0047】次に、銅バンプ側の絶縁層の全面に、乾燥
厚で20μmとなる熱可塑性ポリイミド層(接着層)が
形成できるように、3,4,3′,4′−ビフェニルテ
トラカルボン酸二無水物1.01モルと1,3−ビス
(3−アミノフェノキシ)ベンゼン1.0モルとを、溶
媒であるN−メチル−2−ピロリドンに溶解して得られ
たポリアミック酸溶液をナイフコーターを用いて塗布
し、乾燥した。
Next, 3,4,3 ', 4'-biphenyltetracarboxylic acid was formed on the entire surface of the insulating layer on the copper bump side so that a thermoplastic polyimide layer (adhesive layer) having a dry thickness of 20 μm could be formed. A polyamic acid solution obtained by dissolving 1.01 mol of dianhydride and 1.0 mol of 1,3-bis (3-aminophenoxy) benzene in N-methyl-2-pyrrolidone as a solvent is used as a knife coater. And dried.

【0048】次に、接着層の表面を、銅バンプの露出高
さが10μmとなるようにアルカリ水溶液を用いて化学
エッチバック(エッチング温度 25℃,エッチング時
間15秒間)した後に、ポリアミック酸をイミド化し
て、熱可塑性ポリイミド層を完成させ、これにより、図
1に示すような配線基板が得られた。
Next, the surface of the adhesive layer was chemically etched back (etching temperature: 25 ° C., etching time: 15 seconds) using an alkaline aqueous solution so that the exposed height of the copper bump became 10 μm. Thus, a thermoplastic polyimide layer was completed, whereby a wiring board as shown in FIG. 1 was obtained.

【0049】この配線基板上に、ICチップをフリップ
チップ実装(接合温度 260℃,接合時間 10秒
間)したところ、接着強度と導通信頼性の高い接合が可
能であった。
When an IC chip was flip-chip mounted on the wiring board (bonding temperature: 260 ° C., bonding time: 10 seconds), bonding having high adhesive strength and high conduction reliability was possible.

【0050】実施例2 厚さ18μmの銅箔の片面に、ピロメリット酸二無水物
1.01モルと4,4′−ジアミノジフェニルエーテル
1.0モルとを、溶媒であるN−メチル−2−ピロリド
ンに溶解して得られたポリアミック酸溶液をイミド化後
に2μm厚となるように塗布し乾燥した。
Example 2 On one side of a copper foil having a thickness of 18 μm, 1.01 mol of pyromellitic dianhydride and 1.0 mol of 4,4′-diaminodiphenyl ether were added with N-methyl-2-solvent as a solvent. The polyamic acid solution obtained by dissolving in pyrrolidone was applied to a thickness of 2 μm after imidization and dried.

【0051】このポリアミック酸層上に、感光性レジス
ト(NR−41(ナイロン−オリゴエステル系レジス
ト)、ソニーケミカル社製)を乾燥厚で12μmとなる
ように塗布し乾燥(加熱温度 100℃,加熱時間 2
分)させ、更にその上に厚さ12μmの保護フィルム
(ポリエステルフィルム、東レ社製)を積層した。
On this polyamic acid layer, a photosensitive resist (NR-41 (nylon-oligoester based resist), manufactured by Sony Chemical Co., Ltd.) is applied to a dry thickness of 12 μm and dried (heating temperature: 100 ° C., heating temperature: 100 ° C.) Time 2
And a protective film (polyester film, manufactured by Toray Industries, Ltd.) having a thickness of 12 μm was further laminated thereon.

【0052】保護フィルム側から、ネガフィルムをフォ
トマスクとして波長365nmの光で照射することによ
り感光性レジストを露光(12mJ)し、水で現像(現
像温度 25℃,現像時間 2分)することにより感光
性レジストをパターニングした(アートワーク40μm
□)。
The photosensitive resist is exposed to light (12 mJ) from the protective film side by irradiating it with light having a wavelength of 365 nm using a negative film as a photomask, and is developed with water (developing temperature 25 ° C., developing time 2 minutes). Patterned photosensitive resist (artwork 40 μm
□).

【0053】パターニングされた感光性レジストをエッ
チングマスクとして、ポリアミック酸層をアルカリ溶液
で化学エッチング(エッチング温度 35℃,エッチン
グ時間 1.5分)し、ポリアミック酸層に孔を形成し
た。孔の底部は銅箔が露出していた。
Using the patterned photosensitive resist as an etching mask, the polyamic acid layer was chemically etched with an alkaline solution (etching temperature 35 ° C., etching time 1.5 minutes) to form holes in the polyamic acid layer. The copper foil was exposed at the bottom of the hole.

【0054】次に、孔が形成されたポリアミック酸層を
イミド化して絶縁層とした(イミド化加熱温度 280
℃,イミド化加熱時間 10分間)。形成された孔の開
孔径は、60μm±5μmのバラツキの小さなものであ
り、絶縁層2の層厚と孔の開孔径とのアスペクト比は
1:30であった。
Next, the polyamic acid layer in which the holes were formed was imidized to form an insulating layer (an imidization heating temperature of 280).
° C, imidization heating time 10 minutes). The hole diameter of the formed holes was as small as 60 μm ± 5 μm, and the aspect ratio between the layer thickness of the insulating layer 2 and the hole diameter was 1:30.

【0055】次に、銅箔の外表面をマスキングテープで
被覆した後、銅箔をカソードとして電解銅メッキ(硫酸
銅メッキ浴,メッキ浴温度 30℃,メッキ電流密度
15A/dm2,メッキ時間 30分間)を行った。そ
の結果、絶縁層表面より10μmの高さまで突出した銅
バンプを形成できた。
Next, after covering the outer surface of the copper foil with a masking tape, electrolytic copper plating (a copper sulfate plating bath, a plating bath temperature of 30 ° C., a plating current density) was performed using the copper foil as a cathode.
15 A / dm 2 , plating time 30 minutes). As a result, a copper bump protruding from the surface of the insulating layer to a height of 10 μm could be formed.

【0056】次に、銅バンプ側の絶縁層の全面に、イミ
ド化後に10μm厚の熱可塑性ポリイミド層(接着層)
が形成できるように、3,4,3′,4′−ビフェニル
テトラカルボン酸二無水物1.01モルと1,3−ビス
(3−アミノフェノキシ)ベンゼン1.0モルとを、溶
媒であるN−メチル−2−ピロリドンに溶解して得られ
たポリアミック酸溶液をナイフコーターを用いて塗布
し、乾燥した(乾燥温度70℃,乾燥時間 10分)。
Next, a 10 μm-thick thermoplastic polyimide layer (adhesion layer) after imidization was formed on the entire surface of the insulating layer on the copper bump side.
Is formed by adding 1.01 mol of 3,4,3 ', 4'-biphenyltetracarboxylic dianhydride and 1.0 mol of 1,3-bis (3-aminophenoxy) benzene as a solvent. The polyamic acid solution obtained by dissolving in N-methyl-2-pyrrolidone was applied using a knife coater and dried (drying temperature 70 ° C., drying time 10 minutes).

【0057】次に、接着層の表面をアルカリ水溶液を用
いてソフトエッチしてバンプの表面を露出させた後に、
ポリアミック酸をイミド化して、熱可塑性ポリイミド層
を完成させ、これにより、図1に示すような配線基板が
得られた。
Next, after the surface of the adhesive layer is soft-etched using an alkaline aqueous solution to expose the surface of the bump,
The polyamic acid was imidized to complete a thermoplastic polyimide layer, whereby a wiring board as shown in FIG. 1 was obtained.

【0058】この配線基板の金属バンプの表面に金フラ
ッシュメッキを行った後に、ICチップをフリップチッ
プ実装(接合温度 260℃,接合時間 10秒間)し
たところ、接着強度と導通信頼性の高い接合が可能であ
った。
After gold flash plating was performed on the surface of the metal bumps of the wiring board, the IC chip was flip-chip mounted (bonding temperature: 260 ° C., bonding time: 10 seconds). It was possible.

【0059】しかも、本実施例の配線基板は、実施例1
の配線基板に比べて絶縁層が薄いので、絶縁層の層厚と
孔の開孔径とのアスペクト比を大きくすることができ、
従って開口径のバラツキの程度を小さくすることが可能
であった。加えて金属バンプの高さも抑制することがで
きるので、製造コストの削減も可能であった。
Moreover, the wiring board of this embodiment is the same as that of the first embodiment.
Since the insulating layer is thinner than that of the wiring board, the aspect ratio between the thickness of the insulating layer and the hole diameter of the hole can be increased,
Therefore, it was possible to reduce the degree of variation in the opening diameter. In addition, since the height of the metal bumps can be suppressed, the manufacturing cost can be reduced.

【0060】[0060]

【発明の効果】本発明によれば、異方性導電接着フィル
ムや異方性導電ペーストを使用することなくICチップ
と配線基板とを直接接合できる。従って、本発明の配線
基板を使用することにより、ICチップのチップサイズ
パッケージが可能となる。また、これらの基板から多層
基板、リジット−フレキ基板も作製することができる。
According to the present invention, an IC chip and a wiring substrate can be directly joined without using an anisotropic conductive adhesive film or an anisotropic conductive paste. Therefore, by using the wiring board of the present invention, a chip size package of an IC chip becomes possible. In addition, a multilayer substrate and a rigid-flexible substrate can be manufactured from these substrates.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の配線基板の概略断面図である。FIG. 1 is a schematic sectional view of a wiring board of the present invention.

【図2】本発明の配線基板の製造工程図である。FIG. 2 is a manufacturing process diagram of the wiring board of the present invention.

【図3】両面に金属バンプが形成された本発明の配線基
板の概略断面図(同図(a))、その好ましい利用形態
の説明図(同図(b)及び(c))である。
FIG. 3 is a schematic cross-sectional view (FIG. 3 (a)) of a wiring board of the present invention having metal bumps formed on both surfaces, and an explanatory view of the preferred use thereof (FIG. 3 (b) and (c)).

【図4】従来の配線基板の概略断面図である。FIG. 4 is a schematic sectional view of a conventional wiring board.

【図5】従来の配線基板の製造工程図である。FIG. 5 is a manufacturing process diagram of a conventional wiring board.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 導電層、2 絶縁層、3 接着層、4 金属プラ
グ、5 金属バンプ、10 配線基板
Reference Signs List 1 conductive layer, 2 insulating layer, 3 adhesive layer, 4 metal plug, 5 metal bump, 10 wiring board

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 堤 章 栃木県鹿沼市さつき町12−3 ソニーケ ミカル株式会社内 (72)発明者 太田 浩全 栃木県鹿沼市さつき町12−3 ソニーケ ミカル株式会社内 (72)発明者 熊倉 晋 栃木県鹿沼市さつき町12−3 ソニーケ ミカル株式会社内 (72)発明者 高橋 敏 栃木県鹿沼市さつき町12−3 ソニーケ ミカル株式会社内 (56)参考文献 特開 平3−177034(JP,A) 特開 平4−328890(JP,A) 特開 平10−270505(JP,A) 特開 平9−148479(JP,A) 特開 平9−162246(JP,A) 特開2000−12731(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H01L 21/60 H01L 23/12 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuing on the front page (72) Inventor Akira Tsutsumi 12-3 Satsukicho, Kanuma City, Tochigi Prefecture Inside Sony Chemical Corporation (72) Inventor Hirozen Ota 12-3 Satsukicho, Kanuma City, Tochigi Prefecture Inside Sony Chemical Corporation (72) Inventor Susumu Kumakura 12-3 Satsuki-cho, Kanuma-city, Tochigi Prefecture Inside Sony Chemical Corporation (72) Inventor Satoshi 12-3 Satsuki-cho, Kanuma-shi, Tochigi Prefecture Inside Sony Chemical Corporation (56) References JP 3-177034 (JP, A) JP-A-4-328890 (JP, A) JP-A-10-270505 (JP, A) JP-A-9-148479 (JP, A) JP-A-9-162246 (JP, A A) JP-A-2000-12731 (JP, A) (58) Fields investigated (Int. Cl. 7 , DB name) H01L 21/60 H01L 23/12

Claims (10)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 導電層の両面にそれぞれ絶縁層及びその
上に接着層が形成され、該接着層及び該絶縁層には、該
導電層に達する孔が設けられており、その孔内には電解
メッキ法により金属プラグが形成されており、この金属
プラグの先端が接着層より突出した金属バンプを構成し
ていることを特徴とする配線基板。
An insulating layer is formed on both sides of a conductive layer , and an adhesive layer is formed on the insulating layer. The adhesive layer and the insulating layer are provided with holes that reach the conductive layer. A wiring board, wherein a metal plug is formed by an electrolytic plating method, and a tip of the metal plug forms a metal bump protruding from an adhesive layer.
【請求項2】 絶縁層がポリイミド層であり、接着層が
絶縁性の熱可塑性ポリイミド層であり、金属プラグが電
解銅メッキプラグである請求項1記載の配線基板。
2. The wiring board according to claim 1, wherein the insulating layer is a polyimide layer, the adhesive layer is an insulating thermoplastic polyimide layer, and the metal plug is an electrolytic copper plated plug.
【請求項3】 絶縁層が、ポリアミック酸をイミド化し
たものである請求項2記載の配線基板。
3. The wiring substrate according to claim 2, wherein the insulating layer is obtained by imidizing polyamic acid.
【請求項4】 導電層がパターニングされている請求項
1記載の配線基板。
4. The wiring board according to claim 1, wherein the conductive layer is patterned.
【請求項5】 絶縁層の層厚と絶縁層に設けられた孔の
開孔径との間のアスペクト比が、1:20〜50である
請求項1〜のいずれかに記載の配線基板。
The aspect ratio between the pore size of 5. A hole provided in the thickness of the insulating layer and the insulating layer is from 1: 20 to 50 wiring board according to any one of claims 1 to 4.
【請求項6】 導電層上に絶縁層及びその上に接着層が
形成され、該接着層及び該絶縁層には、該導電層に達す
る孔が設けられており、その孔内には電解メッキ法によ
り金属プラグが形成されており、この金属プラグの先端
が接着層より突出した金属バンプを構成している配線基
板の製造方法において、以下の工程(a)〜(d): (a)導電層上の絶縁層に、フォトリソグラフ法を利用
して化学エッチングにより導電層に至る孔を形成する工
程; (b)導電層をカソードとする電解メッキ法により絶縁
層の孔内に金属プラグを形成しつつ、更に連続的にその
金属プラグを電解メッキ法により成長させて、その先端
を絶縁層の表面から突出した金属バンプとする工程; (c)金属バンプが形成された絶縁層の表面上に、金属
バンプが埋没するように接着層を形成する工程; 及び (d)接着層の表面を、金属バンプの先端が接着層より
突出するように化学エッチバックする工程を含んでなる
ことを特徴とする製造方法。
6. An insulating layer on the conductive layer and an adhesive layer on the insulating layer.
Formed, the adhesive layer and the insulating layer reach the conductive layer
Hole is provided in the hole by electrolytic plating.
Metal plug is formed, and the tip of this metal plug is
In a method for manufacturing a wiring board having metal bumps protruding from an adhesive layer , the following steps (a) to (d) are performed: (a) Chemically applying photolithography to an insulating layer on a conductive layer; Forming a hole reaching the conductive layer by etching; (b) forming a metal plug in the hole of the insulating layer by electrolytic plating using the conductive layer as a cathode, and further continuously forming the metal plug by electrolytic plating. (C) forming an adhesive layer on the surface of the insulating layer on which the metal bumps are formed such that the metal bumps are buried; And (d) the tip of the metal bump is located on the surface of the adhesive layer from the adhesive layer.
A manufacturing method, comprising a step of chemically etching back so as to protrude .
【請求項7】 工程(a)において、導電層上にポリア
ミック酸を塗布し、フォトリソグラフ法により孔を形成
した後にイミド化することにより絶縁層が形成される請
求項記載の製造方法。
7. The method according to claim 6 , wherein in the step (a), an insulating layer is formed by applying a polyamic acid on the conductive layer, forming holes by a photolithographic method, and then imidizing the holes.
【請求項8】 工程(d)において、接着層の表面をア
ルカリ水溶液でエッチバックする請求項記載の製造方
法。
8. The method according to claim 6 , wherein in step (d), the surface of the adhesive layer is etched back with an aqueous alkali solution.
【請求項9】 請求項記載の配線基板の製造方法であ
って、導電層の両面に対し工程(a)〜(d)を実施す
る製造方法。
9. The method according to claim 6, wherein steps (a) to (d) are performed on both surfaces of the conductive layer.
【請求項10】 工程(a)において、絶縁層の層厚と
絶縁層に設けられた孔の開孔径との間のアスペクト比
が、1:20〜50である請求項のいずれかに記
載の製造方法。
10. A step (a), the aspect ratio between the opening diameter of the hole provided on the layer thickness and the insulating layer of the insulating layer is 1: any of claims 6-9 20-50 The production method described in 1.
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