JP3302157B2 - Method for manufacturing fluorinated polyimide optical waveguide - Google Patents

Method for manufacturing fluorinated polyimide optical waveguide

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JP3302157B2
JP3302157B2 JP1696794A JP1696794A JP3302157B2 JP 3302157 B2 JP3302157 B2 JP 3302157B2 JP 1696794 A JP1696794 A JP 1696794A JP 1696794 A JP1696794 A JP 1696794A JP 3302157 B2 JP3302157 B2 JP 3302157B2
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Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、フッ素化ポリイミド光
導波路の製造方法に関し、特に簡易なフッ素化ポリイミ
ド光導波路の製造方法に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for manufacturing a fluorinated polyimide optical waveguide, and more particularly to a method for manufacturing a simple fluorinated polyimide optical waveguide.

【0002】[0002]

【従来の技術】低損失光ファイバの開発による光通信シ
ステムの実用化に伴い、種々の光通信用部品の開発が望
まれている。またこれら光部品を高密度に実装する光配
線技術、特に光導波路技術の確立が望まれている。一般
に、光導波路には、光損失が小さい、製造が容易、コア
とクラッドの屈折率を制御できる、耐熱性に優れてい
る、等の条件が要求される。低損失な光導波路としては
石英系が主に検討されている。光ファイバで実証済みの
ように石英は光透過性が極めて良好であるため導波路と
した場合も波長が1.3μmにおいて0.1dB/cm
以下の低損失化が達成されている。しかしその光導波路
作製には長時間を必要とする、作製時に高温が必要であ
る、大面積化が困難であるなどの製造上の問題がある。
一方耐熱性に優れているポリイミドは電子部品の絶縁
膜、フレキシブルプリント配線板などの電子材料として
多く用いられているが、これまで光導波路などの光学部
品への適用についての実績はほとんどない。このような
観点に立ち、本発明者らはポリイミド光学材料について
研究開発を進めている。本発明者らは特開平4−873
4号公報でフッ素化ポリイミドを共重合させることによ
り光導波路の形成に必要な屈折率制御が可能であること
を明らかにしている。またこれらのフッ素化ポリイミド
を用いた光導波路については特開平4−9807号、同
4−235505号、同4−235506号各公報で明
らかにしている。これらのポリイミド光導波路の製造方
法は、半導体作製プロセスで用いられているリアクティ
ブ イオン エッチング(RIE)を用いる方法であり
作製工程が多く、作製に長時間を必要とする欠点があっ
た。これらのポリイミド光導波路の作製方法に代る、作
製工程が少なく、短時間で作製可能な光導波路の作製方
法が望まれている。本発明者らはこれらの問題を解決す
るため特願平5−271216号明細書でポリイミドに
放射光を照射することにより屈折率を変化させることが
可能であることを明らかにし、更に放射光照射ポリイミ
ドをコア、放射光未照射ポリイミドをクラッドとしたポ
リイミド光導波路を明らかにした。しかし既に報告した
方法によりポリイミド光導波路を作製する場合、作製工
程にポリイミドフィルム同士を接着する、若しくは基板
からはく離したポリイミドフィルムにスピンコートを行
う工程が含まれるため、より簡便な製造方法が更に必要
となった。
2. Description of the Related Art With the practical use of optical communication systems by the development of low-loss optical fibers, development of various optical communication components has been desired. It is also desired to establish an optical wiring technology for mounting these optical components at a high density, particularly an optical waveguide technology. In general, optical waveguides are required to have conditions such as low optical loss, easy manufacture, control of the refractive index of the core and clad, and excellent heat resistance. As a low-loss optical waveguide, a silica-based optical waveguide is mainly studied. Quartz has a very good light transmittance as demonstrated in an optical fiber, so that even when used as a waveguide, 0.1 dB / cm at a wavelength of 1.3 μm.
The following low loss has been achieved. However, there are manufacturing problems such as a long time required for the production of the optical waveguide, a high temperature during the production, and difficulty in increasing the area.
On the other hand, polyimide having excellent heat resistance is widely used as an electronic material for an insulating film of an electronic component, a flexible printed wiring board, and the like, but there has been almost no record of application to an optical component such as an optical waveguide. From such a viewpoint, the present inventors are conducting research and development on polyimide optical materials. The present inventors have disclosed JP-A-4-873.
No. 4 discloses that by copolymerizing a fluorinated polyimide, it is possible to control the refractive index required for forming an optical waveguide. The optical waveguides using these fluorinated polyimides are disclosed in JP-A-4-98007, JP-A-4-235505 and JP-A-4-235506. The manufacturing method of these polyimide optical waveguides is a method using reactive ion etching (RIE) used in a semiconductor manufacturing process, has many manufacturing steps, and has a drawback that a long time is required for the manufacturing. There is a demand for a method of manufacturing an optical waveguide which can be manufactured in a short time with a small number of manufacturing steps, instead of the method of manufacturing these polyimide optical waveguides. In order to solve these problems, the present inventors have disclosed in Japanese Patent Application No. 5-271216 that it is possible to change the refractive index by irradiating a polyimide with radiation, and furthermore, to irradiate radiation. A polyimide optical waveguide with a polyimide core and a non-radiated polyimide clad was clarified. However, when preparing a polyimide optical waveguide by the method already reported, a simpler manufacturing method is further required because the manufacturing process includes a step of bonding the polyimide films to each other or spin coating the polyimide film separated from the substrate. It became.

【0003】[0003]

【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、フッ
素化ポリイミド光導波路の簡便な製造方法を提供するこ
とにある。
An object of the present invention is to provide a fluoride
An object of the present invention is to provide a simple manufacturing method of a light - polyimide optical waveguide.

【0004】[0004]

【課題を解決するための手段】本発明を概説すれば、本
発明の第1の発明はフッ素化ポリイミド光導波路の製造
方法に関する発明であって、350℃以上の温度による
熱処理工程を含んで作製されたフッ素化ポリイミドに
放射光を照射し、下部クラッドの上部部分に光導波路
深さ方向に屈折率が変化したコアを作製することを特
徴とする。そして、本発明の第2の発明は、他のフッ素
ポリイミド光導波路の製造方法に関する発明であっ
て、350℃以上の温度による熱処理工程を含んで作製
されたフッ素化ポリイミドに直接放射光を照射し、下部
クラッドの上部部分に光導波路の深さ方向に屈折率が変
化したコアを作製し、更に該フッ素化ポリイミド上に
ッ素化ポリイミドからなるクラッドを形成することを特
徴とする。
If outlined present invention, in order to solve the problems], according to the first invention is an invention relates to a method for producing a fluorinated polyimide optical waveguide, 350 ° C. or higher temperatures of this invention
Direct treatment of fluorinated polyimide produced by heat treatment
It is characterized in that a core having a refractive index changed in the depth direction of the optical waveguide is formed on the upper part of the lower clad by irradiating tangential radiation. The second invention of the present invention relates to another fluorine
The invention relates to a method for manufacturing a polyimide polyimide optical waveguide , comprising a heat treatment step at a temperature of 350 ° C. or more
The fluorinated polyimide is irradiated directly with radiation, and the refractive index changes in the depth direction of the optical waveguide in the upper part of the lower clad.
To produce a phased core, further off onto the fluorinated polyimide
A clad made of fluorinated polyimide is formed.

【0005】前記のような状況にかんがみ、本発明者ら
は鋭意検討を行った結果、ポリイミド膜に放射光照射を
行ってコアを作製する時、ポリイミド膜の裏面まで透過
しない条件で放射光照射を行うことにより、前記目的を
達成できることを見いだし本発明を完成するに至った。
In view of the above situation, the present inventors have conducted intensive studies. As a result, when a polyimide film is irradiated with radiated light to produce a core, the irradiated light is irradiated under the condition that the back surface of the polyimide film is not transmitted. As a result, the present inventors have found that the object can be achieved, and have completed the present invention.

【0006】本発明に用いるポリイミドは、例えば以下
に示すテトラカルボン酸又はその誘導体とジアミンから
製造することができ、ポリイミド単体、ポリイミド共重
合体、ポリイミド混合物及びこれらに必要に応じて添加
材等を添加したものなどがある。
The polyimide used in the present invention can be produced, for example, from the following tetracarboxylic acid or a derivative thereof and a diamine. A polyimide alone, a polyimide copolymer, a polyimide mixture and, if necessary, additives such as an additive. There are those added.

【0007】テトラカルボン酸並びにその誘導体として
の酸無水物、酸塩化物、エステル化物等としては次のよ
うなものが挙げられる。ここではテトラカルボン酸とし
ての例を挙げる。(トリフルオロメチル)ピロメリット
酸、ジ(トリフルオロメチル)ピロメリット酸、ジ(ヘ
プタフルオロプロピル)ピロメリット酸、ペンタフルオ
ロエチルピロメリット酸、ビス{3,5−ジ(トリフル
オロメチル)フェノキシ}ピロメリット酸、2,3,
3’,4’−ビフェニルテトラカルボン酸、3,3’,
4,4’−テトラカルボキシジフェニルエーテル、2,
3,3’,4’−テトラカルボキシジフェニルエーテ
ル、3,3’,4,4’−ベンゾフェノンテトラカルボ
ン酸、2,3,6,7−テトラカルボキシナフタレン、
1,4,5,7−テトラカルボキシナフタレン、1,
4,5,6−テトラカルボキシナフタレン、3,3’,
4,4’−テトラカルボキシジフェニルメタン、3,
3’,4,4’−テトラカルボキシジフェニルスルホ
ン、2,2−ビス(3,4−ジカルボキシフェニル)プ
ロパン、2,2−ビス(3,4−ジカルボキシフェニ
ル)ヘキサフルオロプロパン、5,5’−ビス(トリフ
ルオロメチル)−3,3’,4,4’−テトラカルボキ
シビフェニル、2,2’,5,5’−テトラキス(トリ
フルオロメチル)−3,3’,4,4’−テトラカルボ
キシビフェニル、5,5’−ビス(トリフルオロメチ
ル)−3,3’,4,4’−テトラカルボキシジフェニ
ルエーテル、5,5’−ビス(トリフルオロメチル)−
3,3’,4,4’−テトラカルボキシベンゾフェノ
ン、ビス{(トリフルオロメチル)ジカルボキシフェノ
キシ}ベンゼン、ビス{(トリフルオロメチル)ジカル
ボキシフェノキシ}(トリフルオロメチル)ベンゼン、
ビス(ジカルボキシフェノキシ)(トリフルオロメチ
ル)ベンゼン、ビス(ジカルボキシフェノキシ)ビス
(トリフルオロメチル)ベンゼン、ビス(ジカルボキシ
フェノキシ)テトラキス(トリフルオロメチル)ベンゼ
ン、3,4,9,10−テトラカルボキシペリレン、
2,2−ビス{4−(3,4−ジカルボキシフェノキ
シ)フェニル}プロパン、ブタンテトラカルボン酸、シ
クロペンタンテトラカルボン酸、2,2−ビス{4−
(3,4−ジカルボキシフェノキシ)フェニル}ヘキサ
フルオロプロパン、ビス{(トリフルオロメチル)ジカ
ルボキシフェノキシ}ビフェニル、ビス{(トリフルオ
ロメチル)ジカルボキシフェノキシ}ビス(トリフルオ
ロメチル)ビフェニル、ビス{(トリフルオロメチル)
ジカルボキシフェノキシ}ジフェニルエーテル、ビス
(ジカルボキシフェノキシ)ビス(トリフルオロメチ
ル)ビフェニル、ビス(3,4−ジカルボキシフェニ
ル)ジメチルシラン、1,3−ビス(3,4−ジカルボ
キシフェニル)テトラメチルジシロキサン、ジフルオロ
ピロメリット酸、1,4−ビス(3,4−ジカルボキシ
トリフルオロフェノキシ)テトラフルオロベンゼン、
1,4−ビス(3,4−ジカルボキシトリフルオロフェ
ノキシ)オクタフルオロビフェニルなどである。
[0007] Examples of the tetracarboxylic acid and its derivatives such as acid anhydrides, acid chlorides and esterified compounds are as follows. Here, an example of tetracarboxylic acid will be given. (Trifluoromethyl) pyromellitic acid, di (trifluoromethyl) pyromellitic acid, di (heptafluoropropyl) pyromellitic acid, pentafluoroethylpyromellitic acid, bis {3,5-di (trifluoromethyl) phenoxy} Pyromellitic acid, 2,3
3 ′, 4′-biphenyltetracarboxylic acid, 3,3 ′,
4,4′-tetracarboxydiphenyl ether, 2,
3,3 ′, 4′-tetracarboxydiphenyl ether, 3,3 ′, 4,4′-benzophenonetetracarboxylic acid, 2,3,6,7-tetracarboxynaphthalene,
1,4,5,7-tetracarboxynaphthalene, 1,
4,5,6-tetracarboxynaphthalene, 3,3 ′,
4,4′-tetracarboxydiphenylmethane, 3,
3 ', 4,4'-tetracarboxydiphenyl sulfone, 2,2-bis (3,4-dicarboxyphenyl) propane, 2,2-bis (3,4-dicarboxyphenyl) hexafluoropropane, 5,5 '-Bis (trifluoromethyl) -3,3', 4,4'-tetracarboxybiphenyl, 2,2 ', 5,5'-tetrakis (trifluoromethyl) -3,3', 4,4'- Tetracarboxybiphenyl, 5,5'-bis (trifluoromethyl) -3,3 ', 4,4'-tetracarboxydiphenyl ether, 5,5'-bis (trifluoromethyl)-
3,3 ′, 4,4′-tetracarboxybenzophenone, bis {(trifluoromethyl) dicarboxyphenoxy} benzene, bis {(trifluoromethyl) dicarboxyphenoxy} (trifluoromethyl) benzene,
Bis (dicarboxyphenoxy) (trifluoromethyl) benzene, bis (dicarboxyphenoxy) bis (trifluoromethyl) benzene, bis (dicarboxyphenoxy) tetrakis (trifluoromethyl) benzene, 3,4,9,10-tetra Carboxyperylene,
2,2-bis {4- (3,4-dicarboxyphenoxy) phenyl} propane, butanetetracarboxylic acid, cyclopentanetetracarboxylic acid, 2,2-bis {4-
(3,4-dicarboxyphenoxy) phenyl {hexafluoropropane, bis (trifluoromethyl) dicarboxyphenoxy} biphenyl, bis {(trifluoromethyl) dicarboxyphenoxy} bis (trifluoromethyl) biphenyl, bis} ( Trifluoromethyl)
Dicarboxyphenoxy diphenyl ether, bis (dicarboxyphenoxy) bis (trifluoromethyl) biphenyl, bis (3,4-dicarboxyphenyl) dimethylsilane, 1,3-bis (3,4-dicarboxyphenyl) tetramethyldi Siloxane, difluoropyromellitic acid, 1,4-bis (3,4-dicarboxytrifluorophenoxy) tetrafluorobenzene,
1,4-bis (3,4-dicarboxytrifluorophenoxy) octafluorobiphenyl and the like.

【0008】ジアミンとしては、例えば次のものが挙げ
られる。m−フェニレンジアミン、2,4−ジアミノト
ルエン、2,4−ジアミノキシレン、2,4−ジアミノ
デュレン、4−(1H,1H,11H−エイコサフルオ
ロウンデカノキシ)−1,3−ジアミノベンゼン、4−
(1H,1H−パーフルオロ−1−ブタノキシ)−1,
3−ジアミノベンゼン、4−(1H,1H−パーフルオ
ロ−1−ヘプタノキシ)−1,3−ジアミノベンゼン、
4−(1H,1H−パーフルオロ−1−オクタノキシ)
−1,3−ジアミノベンゼン、4−ペンタフルオロフェ
ノキシ−1,3−ジアミノベンゼン、4−(2,3,
5,6−テトラフルオロフェノキシ)−1,3−ジアミ
ノベンゼン、4−(4−フルオロフェノキシ)−1,3
−ジアミノベンゼン、4−(1H,1H,2H,2H−
パーフルオロ−1−ヘキサノキシ)−1,3−ジアミノ
ベンゼン、4−(1H,1H,2H,2H−パーフルオ
ロ−1−ドデカノキシ)−1,3−ジアミノベンゼン、
p−フェニレンジアミン、2,5−ジアミノトルエン、
2,3,5,6−テトラメチル−p−フェニレンジアミ
ン、2,5−ジアミノベンゾトリフルオライド、ビス
(トリフルオロメチル)フェニレンジアミン、ジアミノ
テトラ(トリフルオロメチル)ベンゼン、ジアミノ(ペ
ンタフルオロエチル)ベンゼン、2,5−ジアミノ(パ
ーフルオロヘキシル)ベンゼン、2,5−ジアミノ(パ
ーフルオロブチル)ベンゼン、ベンジジン、2,2’−
ジメチルベンジジン、3,3’−ジメチルベンジジン、
3,3’−ジメトキシベンジジン、2,2’−ジメトキ
シベンジジン、3,3’,5,5’−テトラメチルベン
ジジン、3,3’−ジアセチルベンジジン、2,2’−
ビス(トリフルオロメチル)−4,4’−ジアミノビフ
ェニル、オクタフルオロベンジジン、3,3’−ビス
(トリフルオロメチル)−4,4’−ジアミノビフェニ
ル、4,4’−ジアミノジフェニルエーテル、4,4’
−ジアミノジフェニルメタン、4,4’−ジアミノジフ
ェニルスルホン、2,2−ビス(p−アミノフェニル)
プロパン、3,3’−ジメチル−4,4’−ジアミノジ
フェニルエーテル、3,3’−ジメチル−4,4’−ジ
アミノジフェニルメタン、1,2−ビス(アニリノ)エ
タン、2,2−ビス(p−アミノフェニル)ヘキサフル
オロプロパン、1,3−ビス(アニリノ)ヘキサフルオ
ロプロパン、1,4−ビス(アニリノ)オクタフルオロ
ブタン、1,5−ビス(アニリノ)デカフルオロペンタ
ン、1,7−ビス(アニリノ)テトラデカフルオロヘプ
タン、2,2’−ビス(トリフルオロメチル)−4,
4’−ジアミノジフェニルエーテル、3,3’−ビス
(トリフルオロメチル)−4,4’−ジアミノジフェニ
ルエーテル、3,3’,5,5’−テトラキス(トリフ
ルオロメチル)−4,4’−ジアミノジフェニルエーテ
ル、3,3’−ビス(トリフルオロメチル)−4,4’
−ジアミノベンゾフェノン、4,4’’−ジアミノ−p
−テルフェニル、1,4−ビス(p−アミノフェニル)
ベンゼン、p−ビス(4−アミノ−2−トリフルオロメ
チルフェノキシ)ベンゼン、ビス(アミノフェノキシ)
ビス(トリフルオロメチル)ベンゼン、ビス(アミノフ
ェノキシ)テトラキス(トリフルオロメチル)ベンゼ
ン、4,4’’’−ジアミノ−p−クオーターフェニ
ル、4,4’−ビス(p−アミノフェノキシ)ビフェニ
ル、2,2−ビス{4−(p−アミノフェノキシ)フェ
ニル}プロパン、4,4’−ビス(3−アミノフェノキ
シフェニル)ジフェニルスルホン、2,2−ビス{4−
(4−アミノフェノキシ)フェニル}ヘキサフルオロプ
ロパン、2,2−ビス{4−(3−アミノフェノキシ)
フェニル}ヘキサフルオロプロパン、2,2−ビス{4
−(2−アミノフェノキシ)フェニル}ヘキサフルオロ
プロパン、2,2−ビス{4−(4−アミノフェノキ
シ)−3,5−ジメチルフェニル}ヘキサフルオロプロ
パン、2,2−ビス{4−(4−アミノフェノキシ)−
3,5−ジトリフルオロメチルフェニル}ヘキサフルオ
ロプロパン、4,4’−ビス(4−アミノ−2−トリフ
ルオロメチルフェノキシ)ビフェニル、4,4’−ビス
(4−アミノ−3−トリフルオロメチルフェノキシ)ビ
フェニル、4,4’−ビス(4−アミノ−2−トリフル
オロメチルフェノキシ)ジフェニルスルホン、4,4’
−ビス(3−アミノ−5−トリフルオロメチルフェノキ
シ)ジフェニルスルホン、2,2−ビス{4−(4−ア
ミノ−3−トリフルオロメチルフェノキシ)フェニル}
ヘキサフルオロプロパン、ビス{(トリフルオロメチ
ル)アミノフェノキシ}ビフェニル、ビス〔{(トリフ
ルオロメチル)アミノフェノキシ}フェニル〕ヘキサフ
ルオロプロパン、ジアミノアントラキノン、1,5−ジ
アミノナフタレン、2,6−ジアミノナフタレン、ビス
{2−〔(アミノフェノキシ)フェニル〕ヘキサフルオ
ロイソプロピル}ベンゼン、ビス(2,3,5,6−テ
トラフルオロ−4−アミノフェニル)エーテル、ビス
(2,3,5,6−テトラフルオロ−4−アミノフェニ
ル)スルフィド、1,3−ビス(3−アミノプロピル)
テトラメチルジシロキサン、1,4−ビス(3−アミノ
プロピルジメチルシリル)ベンゼン、ビス(4−アミノ
フェニル)ジエチルシラン、1,3−ジアミノテトラフ
ルオロベンゼン、1,4−ジアミノテトラフルオロベン
ゼン、4,4’−ビス(テトラフルオロアミノフェノキ
シ)オクタフルオロビフェニル等がある。これらポリイ
ミドの中で、例えばフッ素、フッ素化アルキル基、フッ
素化アルコキシ基などを有するフッ素化ポリイミドが好
適である。
[0008] Examples of the diamine include the following. m-phenylenediamine, 2,4-diaminotoluene, 2,4-diaminoxylene, 2,4-diaminodulene, 4- (1H, 1H, 11H-eicosafluoroundecanooxy) -1,3-diaminobenzene, 4-
(1H, 1H-perfluoro-1-butanoxy) -1,
3-diaminobenzene, 4- (1H, 1H-perfluoro-1-heptanoxy) -1,3-diaminobenzene,
4- (1H, 1H-perfluoro-1-octanoxy)
-1,3-diaminobenzene, 4-pentafluorophenoxy-1,3-diaminobenzene, 4- (2,3
5,6-tetrafluorophenoxy) -1,3-diaminobenzene, 4- (4-fluorophenoxy) -1,3
-Diaminobenzene, 4- (1H, 1H, 2H, 2H-
Perfluoro-1-hexanoxy) -1,3-diaminobenzene, 4- (1H, 1H, 2H, 2H-perfluoro-1-dodecanoxy) -1,3-diaminobenzene,
p-phenylenediamine, 2,5-diaminotoluene,
2,3,5,6-tetramethyl-p-phenylenediamine, 2,5-diaminobenzotrifluoride, bis (trifluoromethyl) phenylenediamine, diaminotetra (trifluoromethyl) benzene, diamino (pentafluoroethyl) benzene , 2,5-diamino (perfluorohexyl) benzene, 2,5-diamino (perfluorobutyl) benzene, benzidine, 2,2'-
Dimethylbenzidine, 3,3′-dimethylbenzidine,
3,3′-dimethoxybenzidine, 2,2′-dimethoxybenzidine, 3,3 ′, 5,5′-tetramethylbenzidine, 3,3′-diacetylbenzidine, 2,2′-
Bis (trifluoromethyl) -4,4′-diaminobiphenyl, octafluorobenzidine, 3,3′-bis (trifluoromethyl) -4,4′-diaminobiphenyl, 4,4′-diaminodiphenyl ether, 4,4 '
-Diaminodiphenylmethane, 4,4'-diaminodiphenylsulfone, 2,2-bis (p-aminophenyl)
Propane, 3,3'-dimethyl-4,4'-diaminodiphenyl ether, 3,3'-dimethyl-4,4'-diaminodiphenylmethane, 1,2-bis (anilino) ethane, 2,2-bis (p- Aminophenyl) hexafluoropropane, 1,3-bis (anilino) hexafluoropropane, 1,4-bis (anilino) octafluorobutane, 1,5-bis (anilino) decafluoropentane, 1,7-bis (anilino ) Tetradecafluoroheptane, 2,2′-bis (trifluoromethyl) -4,
4'-diaminodiphenyl ether, 3,3'-bis (trifluoromethyl) -4,4'-diaminodiphenyl ether, 3,3 ', 5,5'-tetrakis (trifluoromethyl) -4,4'-diaminodiphenyl ether , 3,3'-bis (trifluoromethyl) -4,4 '
-Diaminobenzophenone, 4,4 ''-diamino-p
-Terphenyl, 1,4-bis (p-aminophenyl)
Benzene, p-bis (4-amino-2-trifluoromethylphenoxy) benzene, bis (aminophenoxy)
Bis (trifluoromethyl) benzene, bis (aminophenoxy) tetrakis (trifluoromethyl) benzene, 4,4 ′ ″-diamino-p-quarterphenyl, 4,4′-bis (p-aminophenoxy) biphenyl, , 2-bis {4- (p-aminophenoxy) phenyl} propane, 4,4'-bis (3-aminophenoxyphenyl) diphenylsulfone, 2,2-bis {4-
(4-aminophenoxy) phenyl} hexafluoropropane, 2,2-bis {4- (3-aminophenoxy)
Phenyl {hexafluoropropane, 2,2-bis} 4
-(2-aminophenoxy) phenyl} hexafluoropropane, 2,2-bis {4- (4-aminophenoxy) -3,5-dimethylphenyl} hexafluoropropane, 2,2-bis {4- (4- Aminophenoxy)-
3,5-ditrifluoromethylphenyl @ hexafluoropropane, 4,4'-bis (4-amino-2-trifluoromethylphenoxy) biphenyl, 4,4'-bis (4-amino-3-trifluoromethylphenoxy) ) Biphenyl, 4,4′-bis (4-amino-2-trifluoromethylphenoxy) diphenylsulfone, 4,4 ′
-Bis (3-amino-5-trifluoromethylphenoxy) diphenylsulfone, 2,2-bis {4- (4-amino-3-trifluoromethylphenoxy) phenyl}
Hexafluoropropane, bis {(trifluoromethyl) aminophenoxy} biphenyl, bis [{(trifluoromethyl) aminophenoxy} phenyl] hexafluoropropane, diaminoanthraquinone, 1,5-diaminonaphthalene, 2,6-diaminonaphthalene, Bis {2-[(aminophenoxy) phenyl] hexafluoroisopropyl} benzene, bis (2,3,5,6-tetrafluoro-4-aminophenyl) ether, bis (2,3,5,6-tetrafluoro- 4-aminophenyl) sulfide, 1,3-bis (3-aminopropyl)
Tetramethyldisiloxane, 1,4-bis (3-aminopropyldimethylsilyl) benzene, bis (4-aminophenyl) diethylsilane, 1,3-diaminotetrafluorobenzene, 1,4-diaminotetrafluorobenzene, 4, 4'-bis (tetrafluoroaminophenoxy) octafluorobiphenyl and the like. Among these polyimides, for example, a fluorinated polyimide having fluorine, a fluorinated alkyl group, a fluorinated alkoxy group, or the like is preferable.

【0009】本発明によれば、シリコンウェハなどの基
板上にスピンコートなどの方法により形成したポリイミ
ドフィルムに放射光照射を行い、任意の寸法、形状のコ
アを有するポリイミド光導波路を形成できる。この時放
射光のエネルギー、照射量等の放射光照射条件は使用す
るポリイミドフィルムの種類、厚さ、コアとクラッドの
屈折率差の設計値、深さ方向のコアの寸法によって任意
に決めることができるが放射光がポリイミド膜の裏面ま
で透過しないことが必須条件となる。これで本発明の第
1の発明が実現できるが、第2の発明はこのようにして
得られたポリイミド光導波路の上に上部クラッドとして
のポリイミド膜を形成することにより実現できる。
According to the present invention, a polyimide film formed on a substrate such as a silicon wafer by a method such as spin coating is irradiated with radiation light to form a polyimide optical waveguide having a core having an arbitrary size and shape. At this time, radiation light irradiation conditions such as radiation light energy and irradiation amount can be arbitrarily determined according to the type of polyimide film used, the thickness, the design value of the refractive index difference between the core and the clad, and the dimension of the core in the depth direction. It is an essential condition that radiated light does not penetrate to the back surface of the polyimide film. Thus, the first invention of the present invention can be realized, but the second invention can be realized by forming a polyimide film as an upper clad on the polyimide optical waveguide thus obtained.

【0010】従来のRIEを用いる光導波路の製造方法
と比較して、本発明の放射光照射によるポリイミド光導
波路の製造方法を説明する。図1は本発明の放射光照射
による埋め込み構造のポリイミド光導波路の作製工程を
表した図である。また図2は従来のRIEを用いる埋め
込み型ポリイミド光導波路の作製工程を表した図であ
る。
A method for manufacturing a polyimide optical waveguide by irradiation of radiation according to the present invention will be described in comparison with a conventional method for manufacturing an optical waveguide using RIE. FIG. 1 is a view showing a process for producing a polyimide optical waveguide having a buried structure by irradiation with radiation light according to the present invention. FIG. 2 is a view showing a process of manufacturing a buried polyimide optical waveguide using a conventional RIE.

【0011】放射光のエネルギーを選定することによ
り、任意の深さを有し、該深さ内で深さ方向に屈折率が
変化したコアを作製できる。埋め込み型導波路を作製す
る場合、RIEを用いる方法では7工程必要であるのに
対して、本発明の放射光照射を用いる方法では3工程で
ポリイミド光導波路を作製できる。すなわちシリコンな
どの基板上にポリイミド溶液又はポリアミド酸溶液をス
ピンコートなどで塗布した後加熱し、溶媒除去及び必要
によってはキュアを行い、ポリイミドフィルムを得る。
次にこれに所定のコア深さになるように放射光のエネル
ギーを選定し、所定の屈折率、所定の寸法になるように
放射光を照射し、コアを形成する。このようにして加工
したポリイミドフィルムに更にスピンコートを行うこと
で、ポリイミドフィルム同士の張り合せやはく離したフ
ィルム上へのスピンコートなしに埋め込み構造のポリイ
ミド光導波路が形成できる。ここで示したマスクはコア
部分だけに放射光が当るように、放射光がマスキングさ
れている、透過形の1対1X線マスクを模式的に示して
いる。しかし投影光学系を介して反射形や透過形の任意
倍率のX線マスク像をポリイミドフィルム上に作って、
コアの部分のみに放射光を照射しても良い。
By selecting the energy of the emitted light, a core having an arbitrary depth and having a refractive index changed in the depth direction within the depth can be manufactured. In the case of manufacturing a buried waveguide, a method using RIE requires seven steps, whereas a method using radiation irradiation of the present invention can manufacture a polyimide optical waveguide in three steps. That is, a polyimide solution or a polyamic acid solution is applied on a substrate such as silicon by spin coating or the like, and then heated to remove a solvent and, if necessary, cure to obtain a polyimide film.
Next, the energy of the radiated light is selected so as to have a predetermined core depth, and the radiated light is irradiated so as to have a predetermined refractive index and a predetermined dimension to form a core. By further spin-coating the thus processed polyimide film, a polyimide optical waveguide having a buried structure can be formed without laminating the polyimide films or spin-coating the separated film. The mask shown here schematically shows a transmission type one-to-one X-ray mask in which the emitted light is masked so that the emitted light only strikes the core portion. However, an X-ray mask image of any magnification of reflection type or transmission type is formed on the polyimide film via the projection optical system,
The radiation may be applied only to the core portion.

【0012】また放射光を照射する材料の前処理を種々
行うことも可能である。例えばある物質に充満された雰
囲気内に放置し、放射光を照射し、放射光照射効果を顕
著にすることもできる。特定の目的に合せた前処理は自
由に設定できる。
It is also possible to perform various pretreatments of the material to be irradiated with the radiated light. For example, it may be left in an atmosphere filled with a certain substance and irradiated with radiation light to make the radiation light irradiation effect remarkable. Pre-processing according to a specific purpose can be freely set.

【0013】導波路の形状は、直線、曲線、折れ曲が
り、S字形、テーパ、分岐、交差、光方向結合器、2モ
ード導波路結合器、グレーティング等自由に設定でき
る。またコアの幅、深さも自由に設定できる。
The shape of the waveguide can be freely set such as a straight line, a curve, a bend, an S-shape, a taper, a branch, an intersection, an optical directional coupler, a two-mode waveguide coupler, and a grating. Also, the width and depth of the core can be freely set.

【0014】[0014]

【実施例】以下実施例を用いて本発明を詳しく説明す
る。なお、本発明はこれらの実施例のみに限定されるも
のではなく、材料の組合せ、導波路形状等を変えること
により多種、多様なポリイミド光導波路を製造できる
が、本実施例では代表的な例を示す。
The present invention will be described in detail with reference to the following examples. It should be noted that the present invention is not limited to only these examples, and various types and various kinds of polyimide optical waveguides can be manufactured by changing the combination of materials, the shape of the waveguide, and the like. Is shown.

【0015】実施例1 三角フラスコに2,2−ビス(3,4−ジカルボキシフ
ェニル)ヘキサフルオロプロパン二無水物88.8g
(0.2mol)と2,2−ビス(トリフルオロメチ
ル)−4,4’−ジアミノビフェニル64.0g(0.
2mol)及びN,N−ジメチルアセトアミド1000
gを加えた。この混合物を窒素雰囲気下、室温で3日間
かくはんし、濃度約15wt%のポリアミド酸を得た。
このポリアミド酸溶液をシリコンウェハ上にスピンコー
トした後オーブン中で70℃で2時間、160℃で1時
間、250℃で30分、350℃で1時間加熱し、イミ
ド化を行い、厚さ50μmのポリイミドフィルムを得
た。このフィルムをビームラインに接続された放射光照
射用の真空装置に導入した。更にこのフィルムにピーク
エネルギー100eVの放射光を用いて、幅8μm、長
さ30mmのパターンを作製した。得られたポリイミド
光導波路の端面を光学研磨し、波長1.3μmの光を入
射し、出射端面から赤外線カメラ付き顕微鏡で観察した
ところ、光が閉じ込められていることが確認された。
EXAMPLE 1 88.8 g of 2,2-bis (3,4-dicarboxyphenyl) hexafluoropropane dianhydride was placed in an Erlenmeyer flask.
(0.2 mol) and 64.0 g of 2,2-bis (trifluoromethyl) -4,4'-diaminobiphenyl (0.
2 mol) and N, N-dimethylacetamide 1000
g was added. The mixture was stirred under a nitrogen atmosphere at room temperature for 3 days to obtain a polyamic acid having a concentration of about 15% by weight.
This polyamic acid solution is spin-coated on a silicon wafer, and then heated in an oven at 70 ° C. for 2 hours, 160 ° C. for 1 hour, 250 ° C. for 30 minutes, and 350 ° C. for 1 hour to perform imidization to a thickness of 50 μm. Was obtained. This film was introduced into a vacuum device for radiation irradiation connected to a beam line. Further, a pattern having a width of 8 μm and a length of 30 mm was formed on the film by using emitted light having a peak energy of 100 eV. When the end face of the obtained polyimide optical waveguide was optically polished, light having a wavelength of 1.3 μm was made incident, and observed from a light emitting end face with a microscope equipped with an infrared camera, it was confirmed that the light was confined.

【0016】実施例2 三角フラスコに2,2−ビス(3,4−ジカルボキシフ
ェニル)ヘキサフルオロプロパン二無水物88.8g
(0.2mol)と2,2−ビス(トリフルオロメチ
ル)−4,4’−ジアミノビフェニル64.0g(0.
2mol)及びN,N−ジメチルアセトアミド1000
gを加えた。この混合物を窒素雰囲気下、室温で3日間
かくはんし、濃度約15wt%のポリアミド酸を得た。
このポリアミド酸溶液をシリコンウェハ上にスピンコー
トした後オーブン中で70℃で2時間、160℃で1時
間、250℃で30分、380℃で1時間加熱し、イミ
ド化を行い、厚さ50μmのポリイミドフィルムを得
た。このフィルムをビームラインに接続された放射光照
射用の真空装置に導入した。更にこのフィルムにピーク
エネルギー100eVの放射光を用いて、幅8μm、長
さ30mmのパターンを作製した。その後更にこの上に
ポリイミドスピンコート膜をスピンコートし、埋め込み
構造のポリイミド光導波路を得た。得られたポリイミド
光導波路の端面を光学研磨し、波長1.3μmの光を入
射し、出射端面から赤外線カメラ付き顕微鏡で観察した
ところ、光が閉じ込められていることが確認された。こ
の埋め込み構造のポリイミド光導波路は3工程で作製で
きた。またポリイミドフィルム同士の張り合せ、はく離
したポリイミド膜へのスピンコートなしで埋め込み構造
のポリイミド光導波路を作製できた。
Example 2 88.8 g of 2,2-bis (3,4-dicarboxyphenyl) hexafluoropropane dianhydride was placed in an Erlenmeyer flask.
(0.2 mol) and 64.0 g of 2,2-bis (trifluoromethyl) -4,4'-diaminobiphenyl (0.
2 mol) and N, N-dimethylacetamide 1000
g was added. The mixture was stirred under a nitrogen atmosphere at room temperature for 3 days to obtain a polyamic acid having a concentration of about 15% by weight.
This polyamic acid solution is spin-coated on a silicon wafer and then heated in an oven at 70 ° C. for 2 hours, at 160 ° C. for 1 hour, at 250 ° C. for 30 minutes, at 380 ° C. for 1 hour, and imidized to a thickness of 50 μm. Was obtained. This film was introduced into a vacuum device for radiation irradiation connected to a beam line. Further, a pattern having a width of 8 μm and a length of 30 mm was formed on the film by using emitted light having a peak energy of 100 eV. Thereafter, a polyimide spin coat film was further spin-coated thereon to obtain a polyimide optical waveguide having a buried structure. When the end face of the obtained polyimide optical waveguide was optically polished, light having a wavelength of 1.3 μm was made incident, and observed from a light emitting end face with a microscope equipped with an infrared camera, it was confirmed that the light was confined. The polyimide optical waveguide having this buried structure was manufactured in three steps. Also, a polyimide optical waveguide having a buried structure could be produced without laminating the polyimide films and spin-coating the separated polyimide film.

【0017】比較例1 従来のRIEを用いる埋め込み型ポリイミド光導波路の
作製工程を図2に示す。全部で7工程必要となる。
Comparative Example 1 FIG. 2 shows a process of manufacturing a buried polyimide optical waveguide using a conventional RIE. A total of seven steps are required.

【0018】比較例2 特願平5−271216号明細書に提案した方法での埋
め込み構造のポリイミド光導波路の作製工程を図3に示
す。全部で5工程必要であり、なおかつポリイミドフィ
ルム同士の張り合せ工程を含み、張り合せ部分にボイド
が生じたりするために歩留りが悪い。
Comparative Example 2 FIG. 3 shows a process for producing a polyimide optical waveguide having a buried structure by the method proposed in Japanese Patent Application No. 5-271216. A total of five steps are required, and the method includes a step of bonding polyimide films to each other, and the yield is poor because voids are generated in the bonded portions.

【0019】[0019]

【発明の効果】以上説明したように、本発明のフッ素化
ポリイミド光導波路の製造方法を用いることにより、
ッ素化ポリイミド光導波路の作製工程数を少なくでき、
フッ素化ポリイミドフィルム同士の張り合せ若しくはは
く離したフィルム上へのスピンコート操作なしに簡便に
埋め込み構造の光導波路を形成できるという効果があ
る。
As described in the foregoing, by using the production method of fluorinated <br/> polyimide optical waveguide of the present invention, off
It is possible to reduce the number of manufacturing steps of a nitrided polyimide optical waveguide,
There is an effect that an optical waveguide having a buried structure can be easily formed without a spin coating operation on a fluorinated polyimide film or a peeled film.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の放射光照射による埋め込み構造のフッ
素化ポリイミド光導波路の作製工程を示す図である。
Fluoride of buried structure by synchrotron radiation in the present invention; FIG
It is a figure which shows the manufacturing process of a pre- polyimide optical waveguide.

【図2】従来のRIEを用いた埋め込み型ポリイミド光
導波路の作製工程を示す図である。
FIG. 2 is a diagram illustrating a process of manufacturing a buried polyimide optical waveguide using RIE according to the related art.

【図3】従来の放射光照射による埋め込み型ポリイミド
光導波路の作製工程を示す図である。
FIG. 3 is a view showing a conventional process of manufacturing a buried polyimide optical waveguide by irradiation with radiation light.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 玉村 敏昭 東京都千代田区内幸町1丁目1番6号 日本電信電話株式会社内 (72)発明者 芳賀 恒之 東京都千代田区内幸町1丁目1番6号 日本電信電話株式会社内 (72)発明者 木下 博雄 東京都千代田区内幸町1丁目1番6号 日本電信電話株式会社内 (56)参考文献 特開 平4−274402(JP,A) 特開 平5−27132(JP,A) 特開 平1−161718(JP,A) 特開 昭62−297807(JP,A) 特開 平4−9807(JP,A) 特開 平4−235506(JP,A) 特開 平4−235505(JP,A) 特開 平7−102088(JP,A) 丸尾容子 et.al.,高分子学会 予稿集,日本,1993年 5月12日,Vo l.42 No.3,p.1140 渡部浩一 et.al.,12th J apan Symposium The rmophysical Proper ties,1991年11月 6日,pp.5 −8 (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) G02B 6/12 - 6/14 C08J 7/00 - 7/18 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (72) Inventor Toshiaki Tamamura 1-1-6 Uchisaiwaicho, Chiyoda-ku, Tokyo Nippon Telegraph and Telephone Corporation (72) Inventor Tsuneyuki Haga 1-16-1 Uchisaiwaicho, Chiyoda-ku, Tokyo Nippon Telegraph and Telephone Corporation (72) Inventor Hiroo Kinoshita 1-6-6 Uchisaiwaicho, Chiyoda-ku, Tokyo Nippon Telegraph and Telephone Corporation (56) References JP-A-4-274402 (JP, A) JP-A-5 -27132 (JP, A) JP-A-1-161718 (JP, A) JP-A-62-297807 (JP, A) JP-A-4-9807 (JP, A) JP-A-4-235506 (JP, A) JP-A-4-235505 (JP, A) JP-A-7-102088 (JP, A) Yoko Maruo et. al. , Proceedings of the Society of Polymer Science, Japan, May 12, 1993, Vol. 42 No. 3, p. 1140 Koichi Watanabe et. al. , 12th Japan Symposium Thermophysical Property ties, November 6, 1991, pp. 5-8 (58) Field surveyed (Int. Cl. 7 , DB name) G02B 6/12-6/14 C08J 7 /00-7/18

Claims (2)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 350℃以上の温度による熱処理工程を
含んで作製されたフッ素化ポリイミドに放射光を照射
し、下部クラッドの上部部分に光導波路の深さ方向に屈
折率が変化したコアを作製することを特徴とするフッ素
ポリイミド光導波路の製造方法。
1. A heat treatment step at a temperature of 350 ° C. or higher.
Irradiate the fluorinated polyimide, which was manufactured to contain it, with the upper part of the lower clad and bent in the depth direction of the optical waveguide.
Fluorine characterized by producing a core with a changed folding ratio
Of manufacturing a modified polyimide optical waveguide.
【請求項2】 350℃以上の温度による熱処理工程を
含んで作製されたフッ素化ポリイミドに直接放射光を照
射し、下部クラッドの上部部分に光導波路の深さ方向に
屈折率が変化したコアを作製し、更に該フッ素化ポリイ
ミド上にフッ素化ポリイミドからなるクラッドを形成す
ることを特徴とするフッ素化ポリイミド光導波路の製造
方法。
2. A heat treatment step at a temperature of 350 ° C. or more.
Directly irradiate the fluorinated polyimide, which was made containing, with the upper part of the lower clad in the depth direction of the optical waveguide.
To prepare a core refractive index is changed, further method for producing a fluorinated polyimide optical waveguide, and forming a cladding made of fluorinated polyimide on the fluorinated Porii <br/> on bromide.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
丸尾容子 et.al.,高分子学会予稿集,日本,1993年 5月12日,Vol.42 No.3,p.1140
渡部浩一 et.al.,12th Japan Symposium Thermophysical Properties,1991年11月 6日,pp.5−8

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