JP3299017B2 - Polyimide optical waveguide - Google Patents

Polyimide optical waveguide

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JP3299017B2
JP3299017B2 JP27121693A JP27121693A JP3299017B2 JP 3299017 B2 JP3299017 B2 JP 3299017B2 JP 27121693 A JP27121693 A JP 27121693A JP 27121693 A JP27121693 A JP 27121693A JP 3299017 B2 JP3299017 B2 JP 3299017B2
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Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、ポリイミドの屈折率を
簡便に変化させ、ポリイミド光導波路に用い、特にコア
として屈折率を制御したポリイミドを用いた光導波路に
関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an optical waveguide in which the refractive index of polyimide is easily changed and used for a polyimide optical waveguide.

【0002】[0002]

【従来の技術】ポリイミドは耐熱性、電気的性質、機械
的性質に優れているため電子部品の絶縁膜、フレキシブ
ルプリント配線板などの電子材料として多く用いられて
いる。一方、光通信システムの進展に伴い、高性能、高
機能な種々の光部品の開発が期待される中で各々の光学
部品に適合した性能を有する光学材料が必要になってい
る。これまで光通信用の光学材料としては光ファイバの
材料でもある石英が主に検討され、種々の光学部品が開
発されている。しかし石英系光学材料を用いた光部品の
作製には1000℃以上の高温が必要であることから作
製できる基板が限定され、またフレキシブル性に欠ける
などの欠点もあり、万能な光学材料ではない。石英に代
表される無機光学材料に対してフレキシブル性、製造性
に優れたプラスチック光学材料、特に信頼性、プロセス
適合性の観点から耐熱性に優れたプラスチック光学材料
が期待される。光ファイバで実証済のように石英は光透
過性が極めて良好であるため導波路とした場合も波長が
1.3μmにおいて0.1dB/cm以下の低光損失化
が達成されている。しかしその光導波路作製に長時間を
必要とする、作製時に高温が必要である、大面積化が困
難であるなど製造上の問題点がある。これに対してポリ
メチルメタクリレート(PMMA)などのプラスチック
系光導波路は低い温度で成形が可能であり、低価格が期
待できるなどの長所がある一方耐熱性に劣るという欠点
がある。そのようなことから耐熱性に優れたプラスチッ
ク系光導波路が期待されるに至った。一方、耐熱性に優
れているポリイミドは電子部品の絶縁膜、フレキシブル
プリント配線板などの電子材料として多く用いられてい
るが、これまで光導波路などの光学部品への適用につい
ての実績はほとんどない。
2. Description of the Related Art Polyimide is widely used as an electronic material for insulating films of electronic parts and flexible printed wiring boards because of its excellent heat resistance, electrical properties, and mechanical properties. On the other hand, with the development of optical communication systems, development of various optical components having high performance and high functionality is expected, and optical materials having performances suitable for each optical component are required. So far, as an optical material for optical communication, quartz, which is also a material of an optical fiber, has been mainly studied, and various optical components have been developed. However, the production of an optical component using a quartz-based optical material requires a high temperature of 1000 ° C. or higher, which limits the substrate that can be produced, and has drawbacks such as lack of flexibility, and is not a universal optical material. Plastic optical materials excellent in flexibility and manufacturability with respect to inorganic optical materials typified by quartz, especially plastic optical materials excellent in heat resistance from the viewpoint of reliability and process compatibility are expected. Quartz has a very good light transmittance as demonstrated in an optical fiber. Therefore, even when used as a waveguide, a low optical loss of 0.1 dB / cm or less is achieved at a wavelength of 1.3 μm. However, there are manufacturing problems such as a long time required for manufacturing the optical waveguide, a high temperature required for manufacturing, and difficulty in increasing the area. On the other hand, a plastic optical waveguide such as polymethyl methacrylate (PMMA) can be molded at a low temperature and has advantages such as low cost, but has a drawback of poor heat resistance. Therefore, a plastic optical waveguide excellent in heat resistance has been expected. On the other hand, polyimide having excellent heat resistance is widely used as an electronic material for an insulating film of an electronic component, a flexible printed wiring board, and the like, but there has been almost no record of application to an optical component such as an optical waveguide.

【0003】このような観点に立ち、本発明者らはポリ
イミド光学材料について研究開発を進めている。ポリイ
ミドを光学材料として適用していく上で光の透過性に優
れていること、屈折率を自由に制御できることの二点が
特に重要である。本発明者らは特開平3−72528号
公報でフッ素化ポリイミドを共重合することにより例え
ば光導波路の形成に必要な屈折率制御が可能であること
を明らかにしている。またこのフッ素化ポリイミドを用
いた光導波路については特開平4−9807号、同4−
235505号、同4−235506号各公報で明らか
にしている。これらの光導波路において光を通す役割を
持つコアと光を閉じ込める役割を持つクラッドの間の屈
折率差の制御は、ポリイミドに含有するフッ素の含量を
調節して行っている。すなわちコア用とクラッド用の屈
折率の異なる2種類のフッ素化ポリイミドを使用してい
る。そのためコアとクラッドの間の熱的な特性が異な
る、複屈折が異なるなどある種の光導波路においては問
題となることもある。同じポリイミドを用いて屈折率を
自由に制御できれば、これまでにないポリイミド光導波
路の形成が可能となる。また従来のポリイミド光導波路
の製造方法は、半導体作製プロセスで用いられているリ
アクティブ イオン エッチング(RIE)を用いる方
法が主流であり作製行程が多く、作製に長時間を必要と
する欠点があった。これらのポリイミド光導波路の作製
方法に代る、作製行程が少なく、短時間で作製可能な光
導波路の作製方法が望まれている。
[0003] From such a viewpoint, the present inventors are conducting research and development on polyimide optical materials. When polyimide is used as an optical material, it is particularly important to have excellent light transmittance and to be able to freely control the refractive index. The present inventors have disclosed in JP-A-3-72528 that copolymerization of fluorinated polyimide makes it possible to control the refractive index necessary for forming an optical waveguide, for example. The optical waveguide using the fluorinated polyimide is disclosed in JP-A-4-9807 and JP-A-4-9807.
No. 235505 and 4-235506. In these optical waveguides, the refractive index difference between the core having the role of transmitting light and the cladding having the role of confining light is controlled by adjusting the content of fluorine contained in the polyimide. That is, two types of fluorinated polyimides having different refractive indexes for the core and the clad are used. For this reason, a problem may occur in certain types of optical waveguides, such as different thermal characteristics between the core and the clad and different birefringence. If the refractive index can be freely controlled by using the same polyimide, it is possible to form an unprecedented polyimide optical waveguide. In addition, the conventional method of manufacturing a polyimide optical waveguide mainly employs a method using reactive ion etching (RIE) used in a semiconductor manufacturing process, and has a drawback that the manufacturing process is many and requires a long time for manufacturing. . There is a demand for a method of fabricating an optical waveguide which can be fabricated in a short time with a small number of fabrication steps in place of the method for fabricating these polyimide optical waveguides.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、ポリ
イミドフィルムの屈折率を簡便に変化させる方法を提供
し、コアとクラッドの熱的特性差や複屈折差の問題がな
い新規なポリイミド光導波路を提供することにある。
SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to provide a method for easily changing the refractive index of a polyimide film, and to provide a novel polyimide light guide which is free from the problem of thermal property difference between core and clad and birefringence difference. To provide a wave path.

【0005】[0005]

【課題を解決するための手段】本発明を概説すれば、本
明は、ポリイミド光導波路に関する発明であって、そ
のコアとして放射光照射により屈折率を制御したポリイ
ミドを用いることを特徴とする。
If it outlined present invention According to an aspect of the present <br/> onset Ming is the invention relates to polyimide optical waveguide, using the polyimide having a controlled refractive index by synchrotron radiation as the core It is characterized by.

【0006】前記のような状況にかんがみ本発明者らは
鋭意検討を行った結果ポリイミドに放射光を照射させる
ことによりポリイミドの屈折率を変化させることを見い
だし本発明を完成するに至った。
In view of the above-mentioned situation, the present inventors have made intensive studies and as a result have found that the refractive index of the polyimide can be changed by irradiating the polyimide with radiation, thereby completing the present invention.

【0007】本発明に用いるポリイミドは、例えば以下
に示すテトラカルボン酸又はその誘導体とジアミンから
製造することができ、ポリイミド単体、ポリイミド共重
合体、ポリイミド混合物及びこれらに必要に応じて添加
材等を添加したものなどがある。
The polyimide used in the present invention can be produced, for example, from the following tetracarboxylic acid or a derivative thereof and a diamine. A polyimide alone, a polyimide copolymer, a polyimide mixture and, if necessary, additives such as an additive. There are those added.

【0008】テトラカルボン酸並びにその誘導体として
の酸無水物、酸塩化物、エステル化物等としては次のよ
うなものが挙げられる。ここではテトラカルボン酸とし
ての例を挙げる。(トリフルオロメチル)ピロメリット
酸、ジ(トリフルオロメチル)ピロメリット酸、ジ(ヘ
プタフルオロプロピル)ピロメリット酸、ペンタフルオ
ロエチルピロメリット酸、ビス{3,5−ジ(トリフル
オロメチル)フェノキシ}ピロメリット酸、2,3,
3’,4’−ビフェニルテトラカルボン酸、3,3’,
4,4’−テトラカルボキシジフェニルエーテル、2,
3,3’,4’−テトラカルボキシジフェニルエーテ
ル、3,3’,4,4’−ベンゾフェノンテトラカルボ
ン酸、2,3,6,7−テトラカルボキシナフタレン、
1,4,5,7−テトラカルボキシナフタレン、1,
4,5,6−テトラカルボキシナフタレン、3,3’,
4,4’−テトラカルボキシジフェニルメタン、3,
3’,4,4’−テトラカルボキシジフェニルスルホ
ン、2,2−ビス(3,4−ジカルボキシフェニル)プ
ロパン、2,2−ビス(3,4−ジカルボキシフェニ
ル)ヘキサフルオロプロパン、5,5’−ビス(トリフ
ルオロメチル)−3,3’,4,4’−テトラカルボキ
シビフェニル、2,2’,5,5’−テトラキス(トリ
フルオロメチル)−3,3’,4,4’−テトラカルボ
キシビフェニル、5,5’−ビス(トリフルオロメチ
ル)−3,3’,4,4’−テトラカルボキシジフェニ
ルエーテル、5,5’−ビス(トリフルオロメチル)−
3,3’,4,4’−テトラカルボキシベンゾフェノ
ン、ビス{(トリフルオロメチル)ジカルボキシフェノ
キシ}ベンゼン、ビス{(トリフルオロメチル)ジカル
ボキシフェノキシ}(トリフルオロメチル)ベンゼン、
ビス(ジカルボキシフェノキシ)(トリフルオロメチ
ル)ベンゼン、ビス(ジカルボキシフェノキシ)ビス
(トリフルオロメチル)ベンゼン、ビス(ジカルボキシ
フェノキシ)テトラキス(トリフルオロメチル)ベンゼ
ン、3,4,9,10−テトラカルボキシペリレン、
2,2−ビス{4−(3,4−ジカルボキシフェノキ
シ)フェニル}プロパン、ブタンテトラカルボン酸、シ
クロペンタンテトラカルボン酸、2,2−ビス{4−
(3,4−ジカルボキシフェノキシ)フェニル}ヘキサ
フルオロプロパン、ビス{(トリフルオロメチル)ジカ
ルボキシフェノキシ}ビフェニル、ビス{(トリフルオ
ロメチル)ジカルボキシフェノキシ}ビス(トリフルオ
ロメチル)ビフェニル、ビス{(トリフルオロメチル)
ジカルボキシフェノキシ}ジフェニルエーテル、ビス
(ジカルボキシフェノキシ)ビス(トリフルオロメチ
ル)ビフェニル、ビス(3,4−ジカルボキシフェニ
ル)ジメチルシラン、1,3−ビス(3,4−ジカルボ
キシフェニル)テトラメチルジシロキサン、ジフルオロ
ピロメリット酸、1,4−ビス(3,4−ジカルボキシ
トリフルオロフェノキシ)テトラフルオロベンゼン、
1,4−ビス(3,4−ジカルボキシトリフルオロフェ
ノキシ)オクタフルオロビフェニルなどである。
[0008] Examples of the tetracarboxylic acid and its derivatives such as acid anhydrides, acid chlorides, and esterified compounds include the following. Here, an example of tetracarboxylic acid will be given. (Trifluoromethyl) pyromellitic acid, di (trifluoromethyl) pyromellitic acid, di (heptafluoropropyl) pyromellitic acid, pentafluoroethylpyromellitic acid, bis {3,5-di (trifluoromethyl) phenoxy} Pyromellitic acid, 2,3
3 ′, 4′-biphenyltetracarboxylic acid, 3,3 ′,
4,4′-tetracarboxydiphenyl ether, 2,
3,3 ′, 4′-tetracarboxydiphenyl ether, 3,3 ′, 4,4′-benzophenonetetracarboxylic acid, 2,3,6,7-tetracarboxynaphthalene,
1,4,5,7-tetracarboxynaphthalene, 1,
4,5,6-tetracarboxynaphthalene, 3,3 ′,
4,4′-tetracarboxydiphenylmethane, 3,
3 ', 4,4'-tetracarboxydiphenyl sulfone, 2,2-bis (3,4-dicarboxyphenyl) propane, 2,2-bis (3,4-dicarboxyphenyl) hexafluoropropane, 5,5 '-Bis (trifluoromethyl) -3,3', 4,4'-tetracarboxybiphenyl, 2,2 ', 5,5'-tetrakis (trifluoromethyl) -3,3', 4,4'- Tetracarboxybiphenyl, 5,5'-bis (trifluoromethyl) -3,3 ', 4,4'-tetracarboxydiphenyl ether, 5,5'-bis (trifluoromethyl)-
3,3 ′, 4,4′-tetracarboxybenzophenone, bis {(trifluoromethyl) dicarboxyphenoxy} benzene, bis {(trifluoromethyl) dicarboxyphenoxy} (trifluoromethyl) benzene,
Bis (dicarboxyphenoxy) (trifluoromethyl) benzene, bis (dicarboxyphenoxy) bis (trifluoromethyl) benzene, bis (dicarboxyphenoxy) tetrakis (trifluoromethyl) benzene, 3,4,9,10-tetra Carboxyperylene,
2,2-bis {4- (3,4-dicarboxyphenoxy) phenyl} propane, butanetetracarboxylic acid, cyclopentanetetracarboxylic acid, 2,2-bis {4-
(3,4-dicarboxyphenoxy) phenyl {hexafluoropropane, bis (trifluoromethyl) dicarboxyphenoxy} biphenyl, bis {(trifluoromethyl) dicarboxyphenoxy} bis (trifluoromethyl) biphenyl, bis} ( Trifluoromethyl)
Dicarboxyphenoxy diphenyl ether, bis (dicarboxyphenoxy) bis (trifluoromethyl) biphenyl, bis (3,4-dicarboxyphenyl) dimethylsilane, 1,3-bis (3,4-dicarboxyphenyl) tetramethyldi Siloxane, difluoropyromellitic acid, 1,4-bis (3,4-dicarboxytrifluorophenoxy) tetrafluorobenzene,
1,4-bis (3,4-dicarboxytrifluorophenoxy) octafluorobiphenyl and the like.

【0009】ジアミンとしては、例えば次のものが挙げ
られる。m−フェニレンジアミン、2,4−ジアミノト
ルエン、2,4−ジアミノキシレン、2,4−ジアミノ
デュレン、4−(1H,1H,11H−エイコサフルオ
ロウンデカノキシ)−1,3−ジアミノベンゼン、4−
(1H,1H−パーフルオロ−1−ブタノキシ)−1,
3−ジアミノベンゼン、4−(1H,1H−パーフルオ
ロ−1−ヘプタノキシ)−1,3−ジアミノベンゼン、
4−(1H,1H−パーフルオロ−1−オクタノキシ)
−1,3−ジアミノベンゼン、4−ペンタフルオロフェ
ノキシ−1,3−ジアミノベンゼン、4−(2,3,
5,6−テトラフルオロフェノキシ)−1,3−ジアミ
ノベンゼン、4−(4−フルオロフェノキシ)−1,3
−ジアミノベンゼン、4−(1H,1H,2H,2H−
パーフルオロ−1−ヘキサノキシ)−1,3−ジアミノ
ベンゼン、4−(1H,1H,2H,2H−パーフルオ
ロ−1−ドデカノキシ)−1,3−ジアミノベンゼン、
p−フェニレンジアミン、2,5−ジアミノトルエン、
2,3,5,6−テトラメチル−p−フェニレンジアミ
ン、2,5−ジアミノベンゾトリフルオライド、ビス
(トリフルオロメチル)フェニレンジアミン、ジアミノ
テトラ(トリフルオロメチル)ベンゼン、ジアミノ(ペ
ンタフルオロエチル)ベンゼン、2,5−ジアミノ(パ
ーフルオロヘキシル)ベンゼン、2,5−ジアミノ(パ
ーフルオロブチル)ベンゼン、ベンジジン、2,2’−
ジメチルベンジジン、3,3’−ジメチルベンジジン、
3,3’−ジメトキシベンジジン、2,2’−ジメトキ
シベンジジン、3,3’,5,5’−テトラメチルベン
ジジン、3,3’−ジアセチルベンジジン、2,2’−
ビス(トリフルオロメチル)−4,4’−ジアミノビフ
ェニル、オクタフルオロベンジジン、3,3’−ビス
(トリフルオロメチル)−4,4’−ジアミノビフェニ
ル、4,4’−ジアミノジフェニルエーテル、4,4’
−ジアミノジフェニルメタン、4,4’−ジアミノジフ
ェニルスルホン、2,2−ビス(p−アミノフェニル)
プロパン、3,3’−ジメチル−4,4’−ジアミノジ
フェニルエーテル、3,3’−ジメチル−4,4’−ジ
アミノジフェニルメタン、1,2−ビス(アニリノ)エ
タン、2,2−ビス(p−アミノフェニル)ヘキサフル
オロプロパン、1,3−ビス(アニリノ)ヘキサフルオ
ロプロパン、1,4−ビス(アニリノ)オクタフルオロ
ブタン、1,5−ビス(アニリノ)デカフルオロペンタ
ン、1,7−ビス(アニリノ)テトラデカフルオロヘプ
タン、2,2’−ビス(トリフルオロメチル)−4,
4’−ジアミノジフェニルエーテル、3,3’−ビス
(トリフルオロメチル)−4,4’−ジアミノジフェニ
ルエーテル、3,3’,5,5’−テトラキス(トリフ
ルオロメチル)−4,4’−ジアミノジフェニルエーテ
ル、3,3’−ビス(トリフルオロメチル)−4,4’
−ジアミノベンゾフェノン、4,4’’−ジアミノ−p
−テルフェニル、1,4−ビス(p−アミノフェニル)
ベンゼン、p−ビス(4−アミノ−2−トリフルオロメ
チルフェノキシ)ベンゼン、ビス(アミノフェノキシ)
ビス(トリフルオロメチル)ベンゼン、ビス(アミノフ
ェノキシ)テトラキス(トリフルオロメチル)ベンゼ
ン、4,4’’’−ジアミノ−p−クオーターフェニ
ル、4,4’−ビス(p−アミノフェノキシ)ビフェニ
ル、2,2−ビス{4−(p−アミノフェノキシ)フェ
ニル}プロパン、4,4’−ビス(3−アミノフェノキ
シフェニル)ジフェニルスルホン、2,2−ビス{4−
(4−アミノフェノキシ)フェニル}ヘキサフルオロプ
ロパン、2,2−ビス{4−(3−アミノフェノキシ)
フェニル}ヘキサフルオロプロパン、2,2−ビス{4
−(2−アミノフェノキシ)フェニル}ヘキサフルオロ
プロパン、2,2−ビス{4−(4−アミノフェノキ
シ)−3,5−ジメチルフェニル}ヘキサフルオロプロ
パン、2,2−ビス{4−(4−アミノフェノキシ)−
3,5−ジトリフルオロメチルフェニル}ヘキサフルオ
ロプロパン、4,4’−ビス(4−アミノ−2−トリフ
ルオロメチルフェノキシ)ビフェニル、4,4’−ビス
(4−アミノ−3−トリフルオロメチルフェノキシ)ビ
フェニル、4,4’−ビス(4−アミノ−2−トリフル
オロメチルフェノキシ)ジフェニルスルホン、4,4’
−ビス(3−アミノ−5−トリフルオロメチルフェノキ
シ)ジフェニルスルホン、2,2−ビス{4−(4−ア
ミノ−3−トリフルオロメチルフェノキシ)フェニル}
ヘキサフルオロプロパン、ビス{(トリフルオロメチ
ル)アミノフェノキシ}ビフェニル、ビス〔{(トリフ
ルオロメチル)アミノフェノキシ}フェニル〕ヘキサフ
ルオロプロパン、ジアミノアントラキノン、1,5−ジ
アミノナフタレン、2,6−ジアミノナフタレン、ビス
{2−〔(アミノフェノキシ)フェニル〕ヘキサフルオ
ロイソプロピル}ベンゼン、ビス(2,3,5,6−テ
トラフルオロ−4−アミノフェニル)エーテル、ビス
(2,3,5,6−テトラフルオロ−4−アミノフェニ
ル)スルフィド、1,3−ビス(3−アミノプロピル)
テトラメチルジシロキサン、1,4−ビス(3−アミノ
プロピルジメチルシリル)ベンゼン、ビス(4−アミノ
フェニル)ジエチルシラン、1,3−ジアミノテトラフ
ルオロベンゼン、1,4−ジアミノテトラフルオロベン
ゼン、4,4’−ビス(テトラフルオロアミノフェノキ
シ)オクタフルオロビフェニル等がある。
The following are examples of the diamine. m-phenylenediamine, 2,4-diaminotoluene, 2,4-diaminoxylene, 2,4-diaminodulene, 4- (1H, 1H, 11H-eicosafluoroundecanooxy) -1,3-diaminobenzene, 4-
(1H, 1H-perfluoro-1-butanoxy) -1,
3-diaminobenzene, 4- (1H, 1H-perfluoro-1-heptanoxy) -1,3-diaminobenzene,
4- (1H, 1H-perfluoro-1-octanoxy)
-1,3-diaminobenzene, 4-pentafluorophenoxy-1,3-diaminobenzene, 4- (2,3
5,6-tetrafluorophenoxy) -1,3-diaminobenzene, 4- (4-fluorophenoxy) -1,3
-Diaminobenzene, 4- (1H, 1H, 2H, 2H-
Perfluoro-1-hexanoxy) -1,3-diaminobenzene, 4- (1H, 1H, 2H, 2H-perfluoro-1-dodecanoxy) -1,3-diaminobenzene,
p-phenylenediamine, 2,5-diaminotoluene,
2,3,5,6-tetramethyl-p-phenylenediamine, 2,5-diaminobenzotrifluoride, bis (trifluoromethyl) phenylenediamine, diaminotetra (trifluoromethyl) benzene, diamino (pentafluoroethyl) benzene , 2,5-diamino (perfluorohexyl) benzene, 2,5-diamino (perfluorobutyl) benzene, benzidine, 2,2'-
Dimethylbenzidine, 3,3′-dimethylbenzidine,
3,3′-dimethoxybenzidine, 2,2′-dimethoxybenzidine, 3,3 ′, 5,5′-tetramethylbenzidine, 3,3′-diacetylbenzidine, 2,2′-
Bis (trifluoromethyl) -4,4′-diaminobiphenyl, octafluorobenzidine, 3,3′-bis (trifluoromethyl) -4,4′-diaminobiphenyl, 4,4′-diaminodiphenyl ether, 4,4 '
-Diaminodiphenylmethane, 4,4'-diaminodiphenylsulfone, 2,2-bis (p-aminophenyl)
Propane, 3,3'-dimethyl-4,4'-diaminodiphenyl ether, 3,3'-dimethyl-4,4'-diaminodiphenylmethane, 1,2-bis (anilino) ethane, 2,2-bis (p- Aminophenyl) hexafluoropropane, 1,3-bis (anilino) hexafluoropropane, 1,4-bis (anilino) octafluorobutane, 1,5-bis (anilino) decafluoropentane, 1,7-bis (anilino ) Tetradecafluoroheptane, 2,2′-bis (trifluoromethyl) -4,
4'-diaminodiphenyl ether, 3,3'-bis (trifluoromethyl) -4,4'-diaminodiphenyl ether, 3,3 ', 5,5'-tetrakis (trifluoromethyl) -4,4'-diaminodiphenyl ether , 3,3'-bis (trifluoromethyl) -4,4 '
-Diaminobenzophenone, 4,4 ''-diamino-p
-Terphenyl, 1,4-bis (p-aminophenyl)
Benzene, p-bis (4-amino-2-trifluoromethylphenoxy) benzene, bis (aminophenoxy)
Bis (trifluoromethyl) benzene, bis (aminophenoxy) tetrakis (trifluoromethyl) benzene, 4,4 ′ ″-diamino-p-quarterphenyl, 4,4′-bis (p-aminophenoxy) biphenyl, , 2-bis {4- (p-aminophenoxy) phenyl} propane, 4,4'-bis (3-aminophenoxyphenyl) diphenylsulfone, 2,2-bis {4-
(4-aminophenoxy) phenyl} hexafluoropropane, 2,2-bis {4- (3-aminophenoxy)
Phenyl {hexafluoropropane, 2,2-bis} 4
-(2-aminophenoxy) phenyl} hexafluoropropane, 2,2-bis {4- (4-aminophenoxy) -3,5-dimethylphenyl} hexafluoropropane, 2,2-bis {4- (4- Aminophenoxy)-
3,5-ditrifluoromethylphenyl @ hexafluoropropane, 4,4'-bis (4-amino-2-trifluoromethylphenoxy) biphenyl, 4,4'-bis (4-amino-3-trifluoromethylphenoxy) ) Biphenyl, 4,4′-bis (4-amino-2-trifluoromethylphenoxy) diphenylsulfone, 4,4 ′
-Bis (3-amino-5-trifluoromethylphenoxy) diphenylsulfone, 2,2-bis {4- (4-amino-3-trifluoromethylphenoxy) phenyl}
Hexafluoropropane, bis {(trifluoromethyl) aminophenoxy} biphenyl, bis [{(trifluoromethyl) aminophenoxy} phenyl] hexafluoropropane, diaminoanthraquinone, 1,5-diaminonaphthalene, 2,6-diaminonaphthalene, Bis {2-[(aminophenoxy) phenyl] hexafluoroisopropyl} benzene, bis (2,3,5,6-tetrafluoro-4-aminophenyl) ether, bis (2,3,5,6-tetrafluoro- 4-aminophenyl) sulfide, 1,3-bis (3-aminopropyl)
Tetramethyldisiloxane, 1,4-bis (3-aminopropyldimethylsilyl) benzene, bis (4-aminophenyl) diethylsilane, 1,3-diaminotetrafluorobenzene, 1,4-diaminotetrafluorobenzene, 4, 4'-bis (tetrafluoroaminophenoxy) octafluorobiphenyl and the like.

【0010】特に好ましくは酸二無水物、ジアミンのい
ずれか又は双方にフッ素原子が結合したものから得られ
るフッ素化ポリイミドを用いることである。
[0010] It is particularly preferable to use a fluorinated polyimide obtained by bonding a fluorine atom to one or both of an acid dianhydride and a diamine.

【0011】シリコンウェハなどの基板上に作製したポ
リイミドフィルムに放射光を照射することにより屈折率
を変化させたポリイミドフィルムを得ることができる。
ポリイミドフィルムが放射光照射方向で吸収する放射光
の線吸収係数はポリイミドの組成と放射光のエネルギー
によって決り、ポリイミドの組成、放射光のエネルギ
ー、放射光の強度に応じて屈折率も変化する。しかし屈
折率の変化の度合はポリイミドの化学構造によって異な
る。
By irradiating the polyimide film formed on a substrate such as a silicon wafer with radiated light, a polyimide film having a changed refractive index can be obtained.
The linear absorption coefficient of the radiation absorbed by the polyimide film in the radiation irradiation direction is determined by the composition of the polyimide and the energy of the radiation, and the refractive index also changes according to the composition of the polyimide, the energy of the radiation, and the intensity of the radiation. However, the degree of change in the refractive index depends on the chemical structure of the polyimide.

【0012】放射光のエネルギーによってポリイミドフ
ィルムの線吸収係数の値は大きく異なり例えば300e
V程度のエネルギーであると約1μm-1となり、屈折率
変化の領域も1μm付近までとなる。またもっと高エネ
ルギーになると線吸収係数の値は小さくなり、深い領域
まで屈折率が変化する。また照射量を多くするとそれに
応じて屈折率変化も大きくなる。しかし照射量を多くし
過ぎるとポリイミドの化学構造によっては材料破壊を引
起こす場合もある。このようにポリイミドの化学構造、
放射光のエネルギー、照射量を制御することにより屈折
率の変化する領域に種々のプロファイルを持たせるよう
に屈折率を変化させることが可能である。
The value of the linear absorption coefficient of the polyimide film varies greatly depending on the energy of the emitted light.
When the energy is about V, the energy is about 1 μm −1 , and the area of the change in the refractive index is also about 1 μm. When the energy becomes higher, the value of the linear absorption coefficient decreases, and the refractive index changes to a deep region. Also, when the irradiation amount is increased, the change in the refractive index increases accordingly. However, if the irradiation amount is too large, material destruction may occur depending on the chemical structure of the polyimide. Thus, the chemical structure of polyimide,
By controlling the energy of the emitted light and the irradiation amount, the refractive index can be changed so that the region where the refractive index changes has various profiles.

【0013】光導波路の製造方法としてはいくつかの方
法が考えられる。最も簡便にはコアはX線マスクを用い
ることにより形成することができる。すなわち、まずシ
リコンなどの基板上にポリアミド酸溶液をスピンコート
した後加熱キュアし、ポリイミドフィルムを得る。次に
これにX線マスクを通して所定の屈折率、所定の寸法に
なるように放射光を照射する。このフィルムの上に同じ
ポリアミド酸溶液をスピンコートした後加熱キュアし、
シリコン基板からはがし、コア層が形成された2層構造
のポリイミドフィルムを得る。このポリイミドフィルム
を放射光照射フィルム側を上面にしてシリコン基板に密
着させる。そして最後に上部クラッドとして同じポリア
ミド酸溶液をスピンコートした後加熱キュアし、埋め込
み型光導波路を得る。また埋め込み型導波路の形成はク
ラッドとなるポリイミドフィルムをコア層フィルムの上
下から挟み込んで圧着又は非常に薄い接着剤層を介して
接着させることでも可能である。光導波路構造としては
スラブ型、リッジ型、その他一般に製造されている種々
の光導波路構造を製造することが可能である。また光伝
播モードとしてシングルモード型、マルチモード型とも
コアとクラッドの屈折率差をコントロールすることによ
り、製造が可能である。
There are several methods for manufacturing an optical waveguide. Most simply, the core can be formed by using an X-ray mask. That is, first, a polyamic acid solution is spin-coated on a substrate such as silicon and then cured by heating to obtain a polyimide film. Next, this is irradiated with radiation light so as to have a predetermined refractive index and a predetermined size through an X-ray mask. After spin-coating the same polyamic acid solution on this film, it is cured by heating,
The polyimide film is peeled off from the silicon substrate and has a two-layer structure in which a core layer is formed. This polyimide film is adhered to the silicon substrate with the radiation irradiation film side facing upward. Finally, the same polyamic acid solution as the upper clad is spin-coated and cured by heating to obtain a buried optical waveguide. The buried waveguide can also be formed by sandwiching a polyimide film serving as a clad from above and below the core layer film and bonding the polyimide film via a very thin adhesive layer. As the optical waveguide structure, a slab type, a ridge type, and various other types of optical waveguide structures generally manufactured can be manufactured. In addition, both the single mode type and the multi mode type as the light propagation mode can be manufactured by controlling the refractive index difference between the core and the clad.

【0014】[0014]

【実施例】以下、いくつかの実施例を用いて本発明を詳
しく説明する。なお本発明はこれらの実施例のみに限定
されるものではない。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The present invention will be described below in detail with reference to several embodiments. Note that the present invention is not limited to only these examples.

【0015】実施例1 三角フラスコに2,2−ビス(3,4−ジカルボキシフ
ェニル)ヘキサフルオロプロパン二無水物88.8g
(0.2mol)と2,2’−ビス(トリフルオロメチ
ル)−4,4’−ジアミノビフェニル64.0g(0.
2mol)及びN,N−ジメチルアセトアミド1000
gを加えた。この混合物を窒素雰囲気下、室温で3日間
かくはんし、濃度約15wt%のポリアミド酸溶液を得
た。このポリアミド酸溶液をシリコンウェハ上にスピン
コートした後オーブン中で70℃で2時間、160℃で
1時間、250℃で30分、350℃で1時間加熱し、
イミド化を行い、厚さ10μmのポリイミドフィルムを
得た。このシリコン基板上のポリイミドフィルムに27
5eVにピークをもつ200eV〜1000eVの放射
光を5分間照射した。このポリイミドフィルムの屈折率
変化を測定した結果膜厚方向の平均で0.3%であっ
た。
EXAMPLE 1 88.8 g of 2,2-bis (3,4-dicarboxyphenyl) hexafluoropropane dianhydride was placed in an Erlenmeyer flask.
(0.2 mol) and 64.0 g of 2,2'-bis (trifluoromethyl) -4,4'-diaminobiphenyl (0.
2 mol) and N, N-dimethylacetamide 1000
g was added. This mixture was stirred under a nitrogen atmosphere at room temperature for 3 days to obtain a polyamic acid solution having a concentration of about 15 wt%. This polyamic acid solution is spin-coated on a silicon wafer and then heated in an oven at 70 ° C. for 2 hours, 160 ° C. for 1 hour, 250 ° C. for 30 minutes, and 350 ° C. for 1 hour,
By imidation, a polyimide film having a thickness of 10 μm was obtained. This polyimide film on the silicon substrate has 27
Irradiation light of 200 eV to 1000 eV having a peak at 5 eV was applied for 5 minutes. As a result of measuring the change in the refractive index of this polyimide film, it was 0.3% on average in the film thickness direction.

【0016】実施例2 三角フラスコに2,2−ビス(3,4−ジカルボキシフ
ェニル)ヘキサフルオロプロパン二無水物88.8g
(0.2mol)と2,2’−ビス(トリフルオロメチ
ル)−4,4’−ジアミノビフェニル64.0g(0.
2mol)及びN,N−ジメチルアセトアミド1000
gを加えた。この混合物を窒素雰囲気下、室温で3日間
かくはんし、濃度約15wt%のポリアミド酸溶液を得
た。このポリアミド酸溶液を酸化膜付シリコンウェハ上
にスピンコートした後オーブン中で70℃で2時間、1
60℃で1時間、250℃で30分、380℃で1時間
加熱し、イミド化を行い、厚さ10μmのポリイミドフ
ィルムを得た。このシリコン基板上のポリイミドフィル
ムに275eVにピークをもつ200〜1000eVの
放射光をX線マスクを通して、5分間照射し、コア(1
0μm角)が放射光照射で形成された一層のポリイミド
光導波路を得た。作製工程を図1に示した。このコアの
屈折率変化は0.3%であった。またこの導波路に波長
1320nmの光を通し、出射端面から赤外線カメラつ
き顕微鏡で観察したところ、光が閉じ込められているこ
とが確認された。このポリイミド光導波路は二行程で作
製できた。図3に、放射光の光エネルギー(横軸、e
V)と輝度(縦軸、 photons/s/mrad2 /mA/0.
1%−bw)との関係をグラフとして示す。
Example 2 88.8 g of 2,2-bis (3,4-dicarboxyphenyl) hexafluoropropane dianhydride was placed in an Erlenmeyer flask.
(0.2 mol) and 64.0 g of 2,2'-bis (trifluoromethyl) -4,4'-diaminobiphenyl (0.
2 mol) and N, N-dimethylacetamide 1000
g was added. This mixture was stirred under a nitrogen atmosphere at room temperature for 3 days to obtain a polyamic acid solution having a concentration of about 15 wt%. This polyamic acid solution is spin-coated on a silicon wafer provided with an oxide film, and then heated in an oven at 70 ° C. for 2 hours.
Heating was performed at 60 ° C. for 1 hour, at 250 ° C. for 30 minutes, and at 380 ° C. for 1 hour to perform imidization to obtain a polyimide film having a thickness of 10 μm. The polyimide film on the silicon substrate was irradiated with radiation of 200 to 1000 eV having a peak at 275 eV for 5 minutes through an X-ray mask, and the core (1
(0 .mu.m square) was obtained by irradiating radiation light to obtain one layer of polyimide optical waveguide. The manufacturing process is shown in FIG. The change in the refractive index of this core was 0.3%. In addition, light having a wavelength of 1320 nm was passed through this waveguide, and the light was confined when observed with a microscope equipped with an infrared camera from the emission end face. This polyimide optical waveguide was manufactured in two steps. FIG. 3 shows the light energy of the emitted light (horizontal axis, e
V) and luminance (vertical axis, photons / s / mrad 2 / mA / 0.
1% -bw) is shown as a graph.

【0017】実施例3 実施例1と同様に作製したポリイミドフィルムに図2に
示すようにX線マスクを介して、実施例1と同様の条件
で5分間照射した。このポリイミドフィルムの屈折率変
化部分の屈折率変化を測定した結果膜厚方向の平均で
0.8%であった。
Example 3 A polyimide film produced in the same manner as in Example 1 was irradiated for 5 minutes through an X-ray mask under the same conditions as in Example 1 as shown in FIG. As a result of measuring the refractive index change of the refractive index change portion of this polyimide film, it was 0.8% on average in the film thickness direction.

【0018】実施例4 実施例1と同様に作製したポリイミドフィルムに実施例
1と同様の条件で15分間照射した。このポリイミドフ
ィルムの屈折率変化を測定した結果膜厚方向の平均で
0.8%であった。
Example 4 A polyimide film produced in the same manner as in Example 1 was irradiated for 15 minutes under the same conditions as in Example 1. As a result of measuring the refractive index change of this polyimide film, it was 0.8% on average in the film thickness direction.

【0019】実施例5 実施例1と同様に作製したポリイミドフィルムに実施例
1と同様の条件で30分間照射した。このポリイミドフ
ィルムの屈折率変化を測定した結果膜厚方向の平均で
1.3%であった。
Example 5 A polyimide film produced in the same manner as in Example 1 was irradiated for 30 minutes under the same conditions as in Example 1. As a result of measuring the change in the refractive index of this polyimide film, it was 1.3% on average in the film thickness direction.

【0020】実施例6 実施例1と同様に作製したポリイミドフィルムに、所定
の形状に基板をくり抜いたX線ステンシルマスクを介
し、放射光の照射を行った。X線ステンシルマスクをポ
リイミドフィルムに軟接触させた状態で実施例1と同様
の条件で放射光を5分間照射した結果、X線透過部の屈
折率のみが変化し、ステンシルマスクの透過部の形状を
有する屈折率変化範囲が得られた。
Example 6 A polyimide film produced in the same manner as in Example 1 was irradiated with radiated light through an X-ray stencil mask having a substrate of a predetermined shape. When the X-ray stencil mask was in soft contact with the polyimide film and irradiated with radiation for 5 minutes under the same conditions as in Example 1, only the refractive index of the X-ray transmission portion changed, and the shape of the transmission portion of the stencil mask was changed. Was obtained.

【0021】実施例7 実施例1と同様に作製したポリイミドフィルムに、X線
反射部と吸収部を有する反射型X線マスクを使用し、該
X線マスク上のパターン像がポリイミド面上に形成され
るよう放射光の照射を行った。実施例1と同様の条件で
放射光を5分間照射した結果、X線反射部に相当する部
分のみ選択的に屈折率を変化させることができた。
Example 7 A reflective X-ray mask having an X-ray reflecting portion and an absorbing portion was used on a polyimide film produced in the same manner as in Example 1, and a pattern image on the X-ray mask was formed on the polyimide surface. Irradiation was performed so that As a result of irradiating the emitted light for 5 minutes under the same conditions as in Example 1, it was possible to selectively change the refractive index only in the portion corresponding to the X-ray reflection portion.

【0022】実施例8 実施例2の一層の光導波路の上部に実施例2と同じポリ
アミド酸溶液をスピンコートした後オーブン中で70℃
で2時間、160℃で1時間、250℃で30分、38
0℃で1時間加熱し、イミド化を行い、下部クラッドが
SiO2 、上部クラッドがポリイミドの埋め込み型導波
路を得た。この導波路に波長1320nmの光を通し、
出射端面から赤外線カメラつき顕微鏡で観察したとこ
ろ、光が閉じ込められていることが確認された。
Example 8 The same polyamic acid solution as in Example 2 was spin-coated on the top of the one-layer optical waveguide of Example 2 and then heated to 70 ° C. in an oven.
For 2 hours, 160 ° C. for 1 hour, 250 ° C. for 30 minutes, 38
Heating was performed at 0 ° C. for 1 hour to perform imidization, thereby obtaining an embedded waveguide in which the lower clad was SiO 2 and the upper clad was polyimide. Let light of wavelength 1320 nm pass through this waveguide,
Observation with a microscope equipped with an infrared camera from the emission end face confirmed that the light was confined.

【0023】実施例9 実施例8で作製した導波路をSiウェハからはく離し、
放射光照射フィルム面を上面にし、この上に同じポリア
ミド酸溶液をスピンコートした後オーブン中で70℃で
2時間、160℃で1時間、250℃で30分、350
℃で1時間加熱し、イミド化を行い、上部クラッドを形
成した。このようにしてコア、上部クラッド、及び下部
クラッド共に同一のポリイミドで構成された埋め込み型
導波路が得られた。この導波路に波長1320nmの光
を通し、出射端面から赤外線カメラつき顕微鏡で観察し
たところ、光が閉じ込められていることが確認された。
Example 9 The waveguide fabricated in Example 8 was peeled off from a Si wafer.
The radiation-irradiated film surface is turned to the upper surface, and the same polyamic acid solution is spin-coated on the film surface, and then placed in an oven at 70 ° C. for 2 hours, 160 ° C. for 1 hour, 250 ° C. for 30 minutes, 350
C. for 1 hour to perform imidization to form an upper clad. In this way, a buried waveguide in which the core, the upper clad, and the lower clad were made of the same polyimide was obtained. When light having a wavelength of 1320 nm was passed through this waveguide and observed from a light-emitting end face with a microscope equipped with an infrared camera, it was confirmed that the light was confined.

【0024】比較例1 従来のRIEを用いるリッジ型ポリイミド光導波路の作
製行程を図4に示す。全部で5行程必要となる。
Comparative Example 1 FIG. 4 shows a manufacturing process of a conventional ridge type polyimide optical waveguide using RIE. A total of 5 steps are required.

【0025】[0025]

【発明の効果】以上説明したように、放射光照射により
ポリイミドの屈折率を変化させることが可能であり、放
射光の照射量を変化させることにより屈折率の変化量を
変えることができる。したがってX線マスクを用いて所
定の形状に屈折率を変化させれば自由に光導波路等が形
成できる。また放射光のエネルギーを選択することによ
り屈折率分布も持たせることが可能であり、グレーデッ
ドインデックス型の光導波路や平面レンズの形成も可能
であるなどの効果が期待できる。また、放射光照射によ
り屈折率を制御したポリイミドをコアに用いた光導波路
は、コアとクラッドが同一の材料から形成され、材料の
相違から生じる熱的特性差や複屈折差の問題が解決でき
る効果がある。また本発明のうち、ポリイミド光導波路
においては、製造行程を減少させ、製造時間を短縮さ
せ、簡便にポリイミド光導波路を形成できるという効果
がある。
As described above, it is possible to change the refractive index of the polyimide by irradiating the emitted light, and it is possible to change the amount of change in the refractive index by changing the irradiation amount of the emitted light. Therefore, if the refractive index is changed to a predetermined shape using an X-ray mask, an optical waveguide or the like can be freely formed. Also, by selecting the energy of the emitted light, it is possible to provide a refractive index distribution, and it is possible to expect effects such as the ability to form a graded index optical waveguide and a planar lens. In addition, an optical waveguide using a polyimide whose core has a refractive index controlled by irradiation of radiation, the core and the clad are formed of the same material, and can solve the problems of a difference in thermal characteristics and a difference in birefringence caused by a difference in the material. effective. In the present invention, the polyimide optical waveguide has the effects of reducing the manufacturing process, shortening the manufacturing time, and easily forming the polyimide optical waveguide.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明による放射光照射を用いたリッジ型ポリ
イミド光導波路の作製行程を示す工程図である。
FIG. 1 is a process diagram showing a manufacturing process of a ridge-type polyimide optical waveguide using radiation light irradiation according to the present invention.

【図2】本発明におけるポリイミドの放射光照射方法の
行程を示す工程図である。
FIG. 2 is a process chart showing a process of a method for irradiating a polyimide with radiation light in the present invention.

【図3】放射光の光子エネルギーと輝度との関係を示す
グラフである。
FIG. 3 is a graph showing a relationship between photon energy of emitted light and luminance.

【図4】従来のRIEを用いたリッジ型ポリイミド光導
波路の作製行程を示す工程図である。
FIG. 4 is a process chart showing a manufacturing process of a conventional ridge type polyimide optical waveguide using RIE.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 堀内 敏行 東京都千代田区内幸町1丁目1番6号 日本電信電話株式会社内 (72)発明者 芳賀 恒之 東京都千代田区内幸町1丁目1番6号 日本電信電話株式会社内 (72)発明者 木下 博雄 東京都千代田区内幸町1丁目1番6号 日本電信電話株式会社内 (56)参考文献 特開 平1−161718(JP,A) 特開 平4−9807(JP,A) 特開 平4−235505(JP,A) 特開 平4−235506(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) C08J 7/00 - 7/18 G02B 6/12 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuing on the front page (72) Inventor Toshiyuki Horiuchi 1-1-6 Uchisaiwaicho, Chiyoda-ku, Tokyo Nippon Telegraph and Telephone Corporation (72) Inventor Tsuneyuki Haga 1-16-1 Uchisaiwaicho, Chiyoda-ku, Tokyo Nippon Telegraph and Telephone Corporation (72) Inventor Hiroo Kinoshita 1-6-1, Uchisaiwaicho, Chiyoda-ku, Tokyo Nippon Telegraph and Telephone Corporation (56) References JP-A-1-161718 (JP, A) JP-A-4 -9807 (JP, A) JP-A-4-235505 (JP, A) JP-A-4-235506 (JP, A) (58) Fields investigated (Int. Cl. 7 , DB name) C08J 7/ 00- 7/18 G02B 6/12

Claims (2)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 ポリイミドによりコアとクラッドが構成
されたポリイミド光導波路において、前記コアが、放射
光の照射されたポリイミドであることを特徴とするポリ
イミド光導波路。
1. A polyimide optical waveguide comprising a polyimide and a core and a clad, wherein the core is made of polyimide irradiated with radiation light.
【請求項2】 ポリイミドによりコアとクラッドが構成
されたポリイミド光導波路において、前記コアが、放射
光の照射されたフッ素化ポリイミドであることを特徴と
するポリイミド光導波路。
2. A polyimide optical waveguide having a core and a clad made of polyimide, wherein the core is a fluorinated polyimide irradiated with radiation light.
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