JP3243596B2 - Oxygen analyzer - Google Patents

Oxygen analyzer

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JP3243596B2
JP3243596B2 JP03954896A JP3954896A JP3243596B2 JP 3243596 B2 JP3243596 B2 JP 3243596B2 JP 03954896 A JP03954896 A JP 03954896A JP 3954896 A JP3954896 A JP 3954896A JP 3243596 B2 JP3243596 B2 JP 3243596B2
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Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】この発明は、測定対象のガス
中の酸素濃度を測定する酸素分析計に関する。
The present invention relates to an oxygen analyzer for measuring the concentration of oxygen in a gas to be measured.

【0002】[0002]

【従来の技術】酸素を分析する手法として磁気を用いる
ものがある。酸素の常磁性はファラデーにより1851
年に発見されているが、この酸素の常磁性を利用した分
析計として、磁気風式酸素計がある。図3は、この磁気
風式酸素計の概略的な構成を示す構成図である。同図に
おいて、31は試料導入部、32は試料排出部、33は
参照側フィラメント34が配置されるセル、35は測定
側フィラメント36が配置されるセル、37はセル35
側に配置される磁石である。参照側フィラメント34と
測定側フィラメント36はホーイストンブリッジの腕の
一部をなしている。
2. Description of the Related Art As a technique for analyzing oxygen, there is a technique using magnetism. The paramagnetism of oxygen is 1851 according to Faraday.
A magnetic wind oximeter is one of the analyzers that was discovered in 2000, and uses the paramagnetism of oxygen. FIG. 3 is a configuration diagram showing a schematic configuration of the magnetic wind oximeter. In the figure, 31 is a sample introduction part, 32 is a sample discharge part, 33 is a cell in which a reference side filament 34 is arranged, 35 is a cell in which a measurement side filament 36 is arranged, and 37 is a cell 35
It is a magnet arranged on the side. The reference side filament 34 and the measurement side filament 36 form a part of the arm of the Hoiston bridge.

【0003】以上の構成において、試料導入部31より
導入され試料排出部32より出ていく試料ガス中に酸素
が含まれていない場合、試料ガスはセル33とセル35
両方に等しく拡散し、参照側フィラメント34と測定側
フィラメント36によるブリッジは平衡を保つ。ここ
で、試料ガス中に酸素が存在すると、その酸素は磁石3
7による磁場に引きつけられ、セル35内に吸引され
る。しかし、この酸素は測定側フィラメント36により
加熱され温度が上昇すると磁化率が低下し、流れている
試料ガス中の温度の低い酸素によって置換される。以上
のことによって生じる対流,すなわち磁気風は、測定側
フィラメント36の温度を低下させ、ブリッジは不平衡
となり、このことを検出することで酸素の分析が行え
る。
In the above configuration, when oxygen is not contained in the sample gas introduced from the sample introduction section 31 and exiting from the sample discharge section 32, the sample gas is supplied to the cells 33 and 35.
Both diffuse equally and the bridge by the reference filament 34 and the measurement filament 36 balances. Here, if oxygen exists in the sample gas, the oxygen is
It is attracted to the magnetic field by 7 and is sucked into the cell 35. However, when this oxygen is heated by the measurement side filament 36 and the temperature rises, the magnetic susceptibility decreases and is replaced by the low-temperature oxygen in the flowing sample gas. The convection caused by the above, that is, the magnetic wind lowers the temperature of the measurement side filament 36, and the bridge becomes unbalanced. By detecting this, oxygen can be analyzed.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】従来は以上のように構
成されていたので、以下に示すような問題点があった。
まず、第1に、上述した従来の酸素計においては、測定
側フィラメントが配置されるセル内に酸素が充満してし
まえば、それ以上の濃度を測定することができない。ま
た、第2に、従来の酸素計では、その校正のためには試
料ガスの流路に校正のための基準ガスを流す必要があ
り、手間がかかるという問題があった。
Conventionally, the above-mentioned configuration has the following problems.
First, in the above-described conventional oximeter, if the cell in which the measurement-side filament is arranged is filled with oxygen, it is not possible to measure a further concentration. Secondly, the conventional oxygen meter has a problem in that it requires a reference gas for calibration to flow through the flow path of the sample gas for calibration, which is troublesome.

【0005】この発明は、以上のような問題点を解消す
るためになされたものであり、より高い酸素濃度を測定
可能とし、また、校正をより簡略化できるようにするこ
とを目的とする。
The present invention has been made to solve the above problems, and has as its object to enable measurement of a higher oxygen concentration and to further simplify calibration.

【0006】[0006]

【課題を解決するための手段】この発明の酸素分析計
は、測定対象のガスが流れる流路に配置されたセルと、
セルに酸素とは熱伝導率の異なるガスからなるパージガ
スを導入するパージガス導入部と、パージガス導入部に
設置されパージガスの導入を制御するバルブと、セル内
のガスを排出する排出部と、セルと流路内とを仕切りガ
スは通過するガス交換膜と、セル内に配置された熱伝導
率検出手段と、熱伝導率検出手段後部よりガス交換膜に
向かって磁場を発生させる磁石とを備えるようにした。
このため、セル内に測定対象のガスが取り入れられる
と、その中の酸素が磁石に引きつけられて他より速く熱
伝導率検出手段に到達する。
An oxygen analyzer according to the present invention comprises: a cell disposed in a flow path through which a gas to be measured flows;
A purge gas introduction unit for introducing a purge gas made of a gas having a different thermal conductivity from oxygen to the cell, a valve installed in the purge gas introduction unit to control the introduction of the purge gas, a discharge unit for discharging gas in the cell, and a cell. It is provided with a gas exchange membrane through which a partition gas passes through the flow path, a thermal conductivity detecting means disposed in the cell, and a magnet for generating a magnetic field from the rear of the thermal conductivity detecting means toward the gas exchange membrane. I made it.
For this reason, when the gas to be measured is introduced into the cell, the oxygen therein is attracted to the magnet and reaches the thermal conductivity detecting means faster than the others.

【0007】[0007]

【発明の実施の形態】以下この発明の実施の形態を図を
参照して説明する。図1は、この発明の実施の形態にお
ける酸素分析計の構成を示す構成図であり、1は測定対
象のプロセスガスが通過する流路、2はTCDセンサ3
(熱伝導率検出手段)が配置されるセル、4はセル2上
部に配置され流路1とセル2とを仕切るガス交換膜、5
はセル2内にパージガスを導入するパージガス導入部、
6はセル2内のガスを排出する排出部、7はパージガス
導入部5に取り付けられたバルブ、8はセル2内のTC
Dセンサ3の配置された領域にガス交換膜4に向かって
磁場を与える永久磁石である。パージガスとしては、測
定対象の酸素ガスとは熱伝導率の異なるヘリウムガスや
窒素ガスを用いればよい。また、ガス交換膜4として
は、燒結金属やフッ素樹脂による膜を用いればよい。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 is a configuration diagram showing a configuration of an oxygen analyzer according to an embodiment of the present invention, wherein 1 is a flow path through which a process gas to be measured passes, and 2 is a TCD sensor 3.
A cell 4 in which (thermal conductivity detecting means) is disposed is a gas exchange membrane disposed above the cell 2 and separating the flow path 1 and the cell 2 from each other.
Is a purge gas introduction unit for introducing a purge gas into the cell 2,
6 is a discharge unit for discharging gas in the cell 2, 7 is a valve attached to the purge gas introduction unit 5, and 8 is a TC in the cell 2.
It is a permanent magnet that applies a magnetic field toward the gas exchange membrane 4 in the area where the D sensor 3 is arranged. Helium gas or nitrogen gas having a different thermal conductivity from the oxygen gas to be measured may be used as the purge gas. As the gas exchange membrane 4, a membrane made of a sintered metal or a fluororesin may be used.

【0008】また、図1(b)は定温度差駆動としたT
CDセンサ3の構成を示す構成図であり、11は測定対
象ガスの給送通路に配置された測温抵抗体(TCD)、
R1,R2,R3,RR2は抵抗、13は比較器であり、
点線の領域内の測温抵抗体11と抵抗RR2が、直接また
は間接的に測定対象のガスに触れる測定部となる。そし
て、TCD11,抵抗R1,R2,R3によりホイート
ストンブリッジが組まれ、このブリッジと比較器13か
らなる回路により、TCD11の温度が常に一定となる
ように電流制御がなされている。また、抵抗RR2は温度
測定のための抵抗であり、抵抗R1,R2,R3を所定
の値に設定することにより、TCD11の発熱温度TRh
と、周囲温度TRR2 との温度差が一定値となるように、
TCD11へ流れる電流iを制御する。
FIG. 1 (b) shows a constant temperature difference drive T
FIG. 2 is a configuration diagram showing a configuration of a CD sensor 3, wherein a reference numeral 11 denotes a resistance temperature detector (TCD) arranged in a supply passage of a gas to be measured;
R1, R2, R3, R R2 are resistors, 13 is a comparator,
The resistance bulb 11 and the resistance R R2 in the area indicated by the dotted line constitute a measurement section that directly or indirectly touches the gas to be measured. A Wheatstone bridge is formed by the TCD 11 and the resistors R1, R2, and R3, and a circuit including the bridge and the comparator 13 controls the current so that the temperature of the TCD 11 is always constant. The resistance R R2 is a resistance for temperature measurement. By setting the resistances R1, R2, and R3 to predetermined values, the heat generation temperature T Rh of the TCD 11 is obtained.
And the temperature difference from the ambient temperature T RR2 becomes a constant value,
The current i flowing to the TCD 11 is controlled.

【0009】以下、まず熱伝導率の測定に関して説明す
る。測定対象ガスが図1に示したTCDセンサ3に給送
されると、そのガスの熱伝導率に比例した熱をTCDセ
ンサ3内のTCD11より奪う。これにより、常に一定
温度にしておこうとするTCD11の発熱温度TRhが変
化し、その抵抗値Rhが変化する。このとき、抵抗R1
とTCD11との接続点に生ずる電圧は、出力電圧Vと
して比較器13の反転入力へ与えられる。一方、抵抗R
2(およびRR2)と抵抗R3の接続点に生ずる電圧は比
較器13の非反転入力へ与えられる。そして、TCD1
1の温度変化が出力電圧Vの変化ΔVとして検出され
る。
Hereinafter, measurement of the thermal conductivity will be described first. When the gas to be measured is supplied to the TCD sensor 3 shown in FIG. 1, heat proportional to the thermal conductivity of the gas is taken from the TCD 11 in the TCD sensor 3. As a result, the heat generation temperature T Rh of the TCD 11 that is to be kept at a constant temperature changes, and the resistance value Rh changes. At this time, the resistance R1
The voltage generated at the connection point between TCD11 and TCD11 is applied to the inverting input of comparator 13 as output voltage V. On the other hand, the resistance R
2 (and R R2 ) and the voltage at the connection point of the resistor R 3 are applied to the non-inverting input of the comparator 13. And TCD1
1 is detected as a change ΔV in the output voltage V.

【0010】比較器13は、この検出した出力電圧Vの
変化ΔVに基づいて、TCD11へ流れる電流iを制御
し、TCD11の抵抗値Rhを一定(Rh=(R1×R
2)/R3)に保つ。これにより、出力電圧Vが変化し
てTCD11の発熱温度TRhが一定に保たれる。TCD
11の発熱温度TRhが一定に保たれることは、下記
(1)式を見ても分かる。すなわち、TCD11は白金
などの薄膜による抵抗体であり、その抵抗値Rhは
(1)式で示され、TCD11の抵抗値Rhを一定に制
御すれば、同時に発熱温度TRhも一定に保たれる。
The comparator 13 controls the current i flowing to the TCD 11 on the basis of the detected change ΔV of the output voltage V to make the resistance Rh of the TCD 11 constant (Rh = (R1 × R
2) Keep at / R3). As a result, the output voltage V changes, and the heat generation temperature Rh of the TCD 11 is kept constant. TCD
The fact that the exothermic temperature T Rh of No. 11 is kept constant can also be seen from the following equation (1). That is, the TCD 11 is a resistor made of a thin film such as platinum, and its resistance value Rh is expressed by the equation (1). When the resistance value Rh of the TCD 11 is controlled to be constant, the heat generation temperature T Rh is also kept constant. .

【0011】 Rh=Rh20{1+α20・(TRh−20)+β20・(TRh−20)2 } ・・・(1) なお、(1)式において、Rh20は20℃におけるTC
D11の抵抗値(Ω)、α20は20℃におけるTCD1
1の1次抵抗温度係数、β20は20℃におけるTCD1
1の2次抵抗温度係数である。
Rh = Rh 20 {1 + α 20 · (T Rh− 20) + β 20 · (T Rh− 20) 2 } (1) In the formula (1), Rh 20 is TC at 20 ° C.
The resistance value (Ω) of D11 and α 20 are TCD1 at 20 ° C.
1 of the primary resistance-temperature coefficient, TCD 1 in beta 20 is 20 ° C.
1 is the secondary resistance temperature coefficient.

【0012】ここで、TCD11から周囲に伝わる熱量
T は、下記(2)式で示される。なお、(2)式にお
いて、QG は熱伝導により測定対象ガスに伝わる熱量、
S はTCD11を構築するダイヤフラム(シリコン)
および抵抗パターンを通してそのシリコン台座に伝わる
熱量、QC は対流(強制対流および自然対流)により伝
わる熱量、QR は輻射により伝わる熱量である。 QT =QG +QS +QC +QR ・・・(2)
Here, the amount of heat Q T transmitted from the TCD 11 to the surroundings is expressed by the following equation (2). In equation (2), Q G is the amount of heat transmitted to the gas to be measured by heat conduction,
Q S diaphragm to build a TCD11 (silicon)
And amount of heat transferred to the silicon base through the resistor pattern, Q C is the amount of heat transferred by convection (forced convection and natural convection), Q R is the amount of heat transferred by radiation. Q T = Q G + Q S + Q C + Q R (2)

【0013】そして、(2)式における熱量QT は、さ
らに、下記(3)式として表現される。なお、この式に
おいて、TRR2 は雰囲気の温度(℃)、λmは測定対象
ガスの熱伝導率(w/k・m)、Gは装置定数(m)、
λsiはダイヤフラムおよび抵抗パターンの熱伝導率(w
/k・m)、GS はダイヤフラムおよび抵抗パターンに
おける装置定数(m)である。 QT=(TRh-TRR2)・λm・G+(TRh-TRR2)・λsi・GS+QC+QR ・・・(3)
The heat quantity Q T in the equation (2) is further expressed as the following equation (3). In this equation, T RR2 is the temperature of the atmosphere (° C.), λm is the thermal conductivity of the gas to be measured (w / km), G is the device constant (m),
λ si is the thermal conductivity of the diaphragm and the resistor pattern (w
/ K · m), G S is a device constant in the diaphragm and resistor pattern (m). Q T = (T Rh -T RR2 ) · λm · G + (T Rh -T RR2) · λ si · G S + Q C + Q R ··· (3)

【0014】この(3)式において、GおよびGS はガ
ス組成によって変化せず、QC ,QR はQG ,QS に比
べて十分小さな値(または一定値)であり、λsiも一定
と考えられる。また、TRh,TRR2 はほぼ一定にコント
ロールされていれば、上記(3)式はA,Bを固有の装
置定数(運転状態を含めた形状係数)として、下記
(4)式で示され、一方で下記(5)式でも示すことが
できる。 QT =A・λm+B ・・・(4) QT =i2 ・Rh=V2 /Rh ・・・(5)
[0014] In this equation (3), G and G S is not changed by the gas composition, Q C, Q R is sufficiently small value compared to the Q G, Q S (or constant value), lambda si also It is considered constant. If T Rh and T RR2 are controlled to be substantially constant, the above equation (3) can be expressed by the following equation (4), where A and B are intrinsic device constants (shape factors including the operating state). On the other hand, it can also be expressed by the following equation (5). Q T = A · λm + B (4) Q T = i 2 · Rh = V 2 / Rh (5)

【0015】そして、QT =A・λm+B=V2 /Rh
であるので、測定対象ガスの熱伝導率λmは下記(6)
式で表されるものとなる。 λm=(V2 /Rh−B)/A ・・・(6)
Then, Q T = A · λm + B = V 2 / Rh
Therefore, the thermal conductivity λm of the gas to be measured is given by the following (6)
It is represented by the formula. λm = (V 2 / Rh-B) / A (6)

【0016】ここで、固有の装置定数A,Bが分かれ
ば、出力電圧Vを上記(6)式に代入することにより、
測定対象ガスの熱伝導率λmを求めることができる。ま
た、この回路では、前述したように、温度測定のための
抵抗RR2を設けてあり、 R1×(RR2+R2)=R3×Rh ・・・(7) R3×Rh−R1×RR2=R1×R2 ・・・(8) であり、R1×R2は一定である。RR2が変化すれば、
R3×Rh−R1×RR2 =R1×R2が成立するよう
に、TCD11へ流れる電流iが制御され、Rhの値が
変化する。したがって、周囲温度TRR2 があまり変化し
ないなら、この回路を用いることにより、恒温槽を設け
なくても、比較的精度よく雰囲気のガスの熱伝導率λm
を求めることが可能である。
Here, the unique device constants A and B are divided.
For example, by substituting the output voltage V into the above equation (6),
The thermal conductivity λm of the gas to be measured can be obtained. Ma
In this circuit, as described above,
Resistance RR2R1 × (RR2+ R2) = R3 × Rh (7) R3 × Rh−R1 × RR2= R1 × R2 (8), and R1 × R2 is constant. RR2Changes,
R3 × Rh-R1 × RR2 = R1 × R2
Then, the current i flowing to the TCD 11 is controlled, and the value of Rh is
Change. Therefore, the ambient temperature TRR2Changes so much
If not, use this circuit to set up a thermostat
Even if it is not, the thermal conductivity of the gas in the atmosphere is relatively accurately λm
Is possible.

【0017】以上に示した構成において、バルブ7を間
欠的に開閉してセル2内にパージガスの導入と停止を繰
り返すことで、流路1を流れているプロセスガス中の酸
素濃度の測定が行える。すなわち、バルブ7を閉じるこ
とで、セル2内へのパージガスの導入を停止すると、ガ
ス交換膜4を介してプロセスガスがセル2内に拡散して
くる。そして、このプロセスガスの中で、特に酸素が選
択的に永久磁石8に引き寄せられ、TCDセンサ3近傍
に来ることになる。一方、ここで、プロセスガス中に酸
素が存在しなければ、磁力により引き寄せられることな
く、プロセスガスは拡散することでTCDセンサ3近傍
に来ることになる。
In the above-described configuration, the valve 7 is intermittently opened and closed, and the introduction and stop of the purge gas into the cell 2 are repeated, whereby the oxygen concentration in the process gas flowing in the flow path 1 can be measured. . That is, when the introduction of the purge gas into the cell 2 is stopped by closing the valve 7, the process gas diffuses into the cell 2 via the gas exchange membrane 4. Then, in this process gas, particularly, oxygen is selectively attracted to the permanent magnet 8 and comes to the vicinity of the TCD sensor 3. On the other hand, if oxygen does not exist in the process gas, the process gas diffuses and comes to the vicinity of the TCD sensor 3 without being attracted by the magnetic force.

【0018】従って、図2に示すように、パージガスの
導入を停止してからのTCDセンサ3の出力(熱電導
率)の変化が、上述の2つの場合で異なり、酸素が存在
している場合の方が変化が速くなる。図2において、2
1はプロセスガス中に酸素が存在しない場合のTCDセ
ンサ3(図1)の出力波形、22はプロセスガス中に酸
素が存在する場合のTCDセンサ3の出力波形である。
測定時には、t0でセル2内へのパージガスの導入を停
止し、t2でセル2内へのパージガスの導入を再開す
る。このとき、TCDセンサ3の出力波形のt0からt
1間での立ち上がりの勾配により、この検出結果が酸素
が存在しているものを示しているのか否かを判断する。
Therefore, as shown in FIG. 2, the change in the output (thermal conductivity) of the TCD sensor 3 after the introduction of the purge gas is stopped is different between the above two cases, and the case where oxygen is present. Changes faster. In FIG. 2, 2
1 is an output waveform of the TCD sensor 3 (FIG. 1) when oxygen is not present in the process gas, and 22 is an output waveform of the TCD sensor 3 when oxygen is present in the process gas.
At the time of measurement, the introduction of the purge gas into the cell 2 is stopped at t0, and the introduction of the purge gas into the cell 2 is restarted at t2. At this time, the output waveform of the TCD sensor 3 from t0 to t
It is determined whether or not this detection result indicates that oxygen is present, based on the rising gradient between the two.

【0019】前述したように、プロセスガス中に酸素が
存在していれば、これが永久磁石8に引き寄せられ、拡
散により近寄る他のプロセスガス成分より速く、その酸
素がTCDセンサ3に検知されることになる。従って、
酸素が存在していない場合は、例えば、図2の出力波形
21に示すように、センサ出力の立ち上がりは遅い。こ
れに対して、酸素が存在していれば、例えば、図2の出
力波形22に示すように、センサ出力の立ち上がりが速
い。従って、例えば、t1時点でのセンサ出力が所定の
値以上になっているとき、酸素を検出したものと判断す
ればよい。
As described above, if oxygen is present in the process gas, the oxygen is attracted to the permanent magnet 8 and is detected by the TCD sensor 3 faster than other process gas components approaching by diffusion. become. Therefore,
When oxygen does not exist, for example, as shown in the output waveform 21 of FIG. 2, the rise of the sensor output is slow. On the other hand, when oxygen is present, the rise of the sensor output is fast as shown in the output waveform 22 of FIG. 2, for example. Therefore, for example, when the sensor output at time t1 is equal to or more than a predetermined value, it may be determined that oxygen has been detected.

【0020】例えば、図2において、t1時点でのセン
サ出力v1は、所定の値以上なのでこのときは酸素があ
るものと判断し、t1時点でのセンサ出力v2は、所定
の値以下なのでこのときは酸素が無いものと判断する。
そして、酸素があると判断されたときの出力波形22に
おいて、t2時点におけるセンサ出力v3の値で、その
ときの酸素濃度を求められる。なお、パージのときは、
ガス交換膜4をパージガスが逆流することになり、ガス
交換膜4の流路1内の面上のダストを除去することがで
きる。また、測定は、パージガスのセル内への導入が間
欠的に行われており、このパージ中はセル内に酸素がな
い状態が作り出されている。すなわち、ゼロ校正が逐次
行われていることになる。
For example, in FIG. 2, the sensor output v1 at time t1 is equal to or greater than a predetermined value, so that it is determined that oxygen is present at this time, and the sensor output v2 at time t1 is equal to or less than the predetermined value. Judge that there is no oxygen.
Then, in the output waveform 22 when it is determined that there is oxygen, the oxygen concentration at that time is obtained from the value of the sensor output v3 at the time t2. When purging,
The purge gas flows back through the gas exchange membrane 4, and dust on the surface of the gas exchange membrane 4 in the flow path 1 can be removed. In the measurement, the purge gas is intermittently introduced into the cell, and during this purge, a state is created in which there is no oxygen in the cell. That is, zero calibration is performed sequentially.

【0021】[0021]

【発明の効果】以上説明したように、この発明では、測
定対象のガスが流れる流路に配置されたセルと、セルに
酸素とは熱伝導率の異なるガスからなるパージガスを導
入するパージガス導入部と、パージガス導入部に設置さ
れパージガスの導入を制御するバルブと、セル内のガス
を排出する排出部と、セルと流路内とを仕切りガスは通
過するガス交換膜と、セル内に配置された熱伝導率検出
手段と、熱伝導率検出手段後部よりガス交換膜に向かっ
て磁場を発生させる磁石とを備えるようにした。このた
め、この発明では、パージガスのセル内への導入を止め
ると、ガス交換膜を介して測定対象のガスがセル内に拡
散し、その中の酸素が磁石に引きつけられて他より速く
熱伝導率検出手段に到達する。この結果、この発明によ
れば、セル内へのパージガスの導入を間欠的にオンオフ
することで、より高い酸素濃度を測定可能とし、また、
濃度測定における校正がより簡略化できるという効果が
ある。
As described above, according to the present invention, a cell disposed in a flow path through which a gas to be measured flows, and a purge gas introduction unit for introducing a purge gas comprising a gas having a different thermal conductivity from oxygen into the cell. A valve installed in the purge gas introduction unit to control the introduction of the purge gas, a discharge unit that discharges gas in the cell, a gas exchange membrane that separates the cell from the flow path, and a gas exchange membrane that passes through the cell, and are disposed in the cell. And a magnet for generating a magnetic field from the rear of the thermal conductivity detecting means toward the gas exchange membrane. Therefore, in the present invention, when the introduction of the purge gas into the cell is stopped, the gas to be measured diffuses into the cell through the gas exchange membrane, and the oxygen in the gas is attracted to the magnet and heat conduction is performed faster than the others. It reaches the rate detecting means. As a result, according to the present invention, a higher oxygen concentration can be measured by intermittently turning on and off the introduction of the purge gas into the cell, and
There is an effect that calibration in concentration measurement can be further simplified.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】 この発明の実施の形態における酸素分析計の
構成を示す構成図である。
FIG. 1 is a configuration diagram showing a configuration of an oxygen analyzer according to an embodiment of the present invention.

【図2】 TCDセンサ3の出力の変化を示す波形図で
ある。
FIG. 2 is a waveform chart showing a change in the output of the TCD sensor 3.

【図3】 従来の磁気風式酸素計の概略的な構成を示す
構成図である。
FIG. 3 is a configuration diagram showing a schematic configuration of a conventional magnetic wind-type oximeter.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1…流路、2…セル、3…TCDセンサ(熱伝導率検出
手段)、4…ガス交換膜、5…パージガス導入部、6…
排出部、7…バルブ、8…永久磁石。
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Flow path, 2 ... Cell, 3 ... TCD sensor (thermal conductivity detection means), 4 ... Gas exchange membrane, 5 ... Purge gas introduction part, 6 ...
Discharge unit, 7: valve, 8: permanent magnet.

Claims (1)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 測定対象のガスが流れる流路に配置され
たセルと、 前記セルに酸素とは熱伝導率の異なるガスからなるパー
ジガスを導入するパージガス導入部と、 前記パージガス導入部に設置され前記パージガスの導入
を制御するバルブと、 前記セル内のガスを排出する排出部と、 前記セルと前記流路内とを仕切り、ガスは通過するガス
交換膜と、 前記セル内に配置された熱伝導率検出手段と、 前記熱伝導率検出手段後部より前記ガス交換膜に向かっ
て磁場を発生させる磁石とを備えたことを特徴とする酸
素分析計。
1. A cell disposed in a flow path through which a gas to be measured flows, a purge gas introduction unit for introducing a purge gas made of a gas having a different thermal conductivity from oxygen to the cell, and a purge gas introduction unit installed in the purge gas introduction unit. A valve for controlling the introduction of the purge gas, a discharge unit for discharging gas in the cell, a gas exchange membrane that partitions the cell and the inside of the flow path, and a gas that passes therethrough, and heat disposed in the cell. An oxygen analyzer comprising: a conductivity detector; and a magnet that generates a magnetic field from the rear of the thermal conductivity detector toward the gas exchange membrane.
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