JP3200251B2 - Semiconductor device and epoxy resin composition used therefor - Google Patents
Semiconductor device and epoxy resin composition used thereforInfo
- Publication number
- JP3200251B2 JP3200251B2 JP19568893A JP19568893A JP3200251B2 JP 3200251 B2 JP3200251 B2 JP 3200251B2 JP 19568893 A JP19568893 A JP 19568893A JP 19568893 A JP19568893 A JP 19568893A JP 3200251 B2 JP3200251 B2 JP 3200251B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- epoxy resin
- embedded image
- reaction product
- resin composition
- semiconductor device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
- H01L24/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/14—Integrated circuits
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/30—Technical effects
- H01L2924/35—Mechanical effects
- H01L2924/351—Thermal stress
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
- Epoxy Resins (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Die Bonding (AREA)
Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】この発明は信頼性に優れた半導体
装置およびそれに用いるエポキシ樹脂組成物に関するも
のである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor device having excellent reliability and an epoxy resin composition used therefor .
【０００２】[0002]
【従来の技術】トランジスター、ＩＣおよびＬＳＩ等の
半導体素子は、従来セラミックパッケージ等によって封
止され、半導体装置化されていたが、最近では、コスト
および量産性の観点から、プラスチックパッケージを用
いた樹脂封止が主流になっている。2. Description of the Related Art Semiconductor devices such as transistors, ICs, and LSIs have conventionally been encapsulated in a ceramic package or the like to form a semiconductor device. However, recently, from the viewpoint of cost and mass productivity, a resin using a plastic package has been developed. Sealing has become mainstream.
【０００３】しかしながら、半導体分野の技術革新によ
って集積度の向上と共に素子サイズの大型化、配線の微
細化が進み、パッケージも小型化、薄型化する傾向にあ
り、これに伴って封止樹脂に対してより以上の信頼性
（得られる半導体装置の熱応力の低減、耐湿信頼性およ
び耐熱衝撃試験に対する信頼性等）の向上が要求されて
いる。However, due to technological innovation in the field of semiconductors, the degree of integration has been increased, the element size has been increased, and the wiring has been miniaturized, and the packages have also become smaller and thinner. Therefore, it is required to further improve reliability (reduction of thermal stress of the obtained semiconductor device, reliability of moisture resistance, reliability against thermal shock test, and the like).
【０００４】特に近年、半導体素子サイズは益々大型化
する傾向にあり、封止樹脂の性能評価用の加速試験であ
る熱サイクル試験（ＴＣＴテスト）性能のさらなる向上
が要求されている。また、半導体パッケージの実装方法
として表面実装が主流となってきており、このために半
導体パッケージを吸湿させた上で半田溶融液に浸漬して
も封止樹脂にクラックやふくれが発生しないという特性
が要求されている。In particular, in recent years, the size of semiconductor elements has been increasing, and there is a demand for further improvement in the performance of a thermal cycle test (TCT test), which is an accelerated test for evaluating the performance of a sealing resin. In addition, surface mounting has become the mainstream semiconductor package mounting method. For this reason, even if the semiconductor package is absorbed and then immersed in a solder melt, the sealing resin does not crack or bulge. Has been requested.
【０００５】これに関して、従来から、ＴＣＴテストで
評価される各特性の向上のために、封止樹脂の熱応力を
低減させること、また、半田浸漬時の耐クラック性の向
上のためにリードフレームとの密着性の向上等が検討さ
れてきた。さらにこの他、低粘度樹脂使用により充填剤
含有量を増やし、低線膨張係数化、低吸湿化による上記
両特性改善の検討がなされてきたが、その効果はいまだ
充分ではない。[0005] In this regard, conventionally, the thermal stress of the sealing resin has been reduced in order to improve the characteristics evaluated in the TCT test, and the lead frame has been conventionally improved in order to improve the crack resistance during solder immersion. Improving the adhesiveness with the like has been studied. In addition, studies have been made to improve the above properties by increasing the filler content by using a low-viscosity resin, lowering the coefficient of linear expansion, and reducing moisture absorption, but the effect is still not sufficient.
【０００６】[0006]
【発明が解決しようとする課題】上記のように、これま
での封止樹脂の改良だけでは、ＴＣＴテストや半田浸漬
時の耐クラック性の特性が充分でなかった。このために
上記の半導体素子サイズの大型化や表面実装化に対応で
きるように、封止樹脂の改良に加えて、新たな技術革新
が望まれている。As described above, the improvement of the sealing resin to date has not been sufficient in the properties of crack resistance during the TCT test or solder immersion. Therefore, in order to cope with the above-mentioned increase in the size of the semiconductor element and surface mounting, a new technical innovation is desired in addition to the improvement of the sealing resin.
【０００７】この発明は、このような事情に鑑みなされ
たもので、ＴＣＴテストで評価される各特性の向上およ
び半田溶融液浸漬時の耐クラック性に優れた半導体装置
およびそれに用いるエポキシ樹脂組成物の提供を目的と
する。The present invention has been made in view of the above circumstances, and a semiconductor device having improved characteristics evaluated by a TCT test and excellent crack resistance when immersed in a solder melt.
And an epoxy resin composition used therefor .
【０００８】[0008]
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、この発明の半導体装置は、下記の（Ａ）〜（Ｃ）
成分を含有するエポキシ樹脂組成物を半導体素子／ダイ
ボンドプレート間の接着に使用し、なおかつ飽和吸水率
０．４重量％以下の封止樹脂を用いて半導体素子を封止
するという構成をとる。 （Ａ）化９、化１０および化１１より選ばれる少なくと
も一種を用いるエポキシ樹脂と化１２で表されるシリコ
ーン化合物を反応させて得られる反応物。In order to achieve the above object, a semiconductor device according to the present invention comprises the following (A) to (C).
An epoxy resin composition containing the components is used for bonding between the semiconductor element and the die bond plate, and the semiconductor element is sealed with a sealing resin having a saturated water absorption of 0.4% by weight or less. (A) A reaction product obtained by reacting an epoxy resin using at least one selected from chemical formulas 9, 10 and 11 with a silicone compound represented by chemical formula 12 .
【化９】 Embedded image
【化１０】 Embedded image
【化１１】 Embedded image
【化１２】 （Ｂ）硬化剤。 （Ｃ）平均粒子径５μｍ以下の充填剤。Embedded image (B) a curing agent. (C) a filler having an average particle size of 5 μm or less.
【０００９】すなわち、本発明者らは、ＴＣＴテストに
よって評価される各特性および半田浸漬時の耐クラック
特性を持つ半導体装置を得るために一連の研究を重ね
た。その結果、上記のような特殊なエポキシ樹脂組成物
をダイボンド剤に使用し、かつ飽和吸水率０．４重量％
以下の封止樹脂と組み合わせることによって、その相乗
作用でＴＣＴテストで評価される特性および半田浸漬時
の耐クラック特性の双方に極めて優れた半導体装置が得
られることを見出し、この発明に到達した。That is, the present inventors have conducted a series of studies in order to obtain a semiconductor device having various characteristics evaluated by the TCT test and crack resistance during solder immersion. As a result, the above-mentioned special epoxy resin composition was used for the die bonding agent, and the saturated water absorption was 0.4% by weight.
The present inventors have found that a combination of the sealing resin described below can provide a semiconductor device which is extremely excellent in both properties evaluated by a TCT test due to its synergistic effect and crack resistance during solder immersion, and has reached the present invention.
【００１０】上記（Ａ）成分において、エポキシ樹脂の
構造は化９、化１０あるいは化１１で表されるが、エポ
キシ樹脂全体のうち、これらの構造のエポキシ樹脂を合
計で５０重量％以上、好ましくは８０重量％以上含んで
いれば他のエポキシ樹脂を併用しても構わない。そのよ
うなエポキシ樹脂としては、フェノールノボラック型エ
ポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、お
よびナフトールノボラック型エポキシ樹脂等が挙げられ
る。In the above-mentioned component (A), the structure of the epoxy resin is represented by the following chemical formula (9), (10) or (11). May be used in combination with another epoxy resin as long as it contains 80% by weight or more. Examples of such an epoxy resin include a phenol novolak epoxy resin, a cresol novolak epoxy resin, and a naphthol novolak epoxy resin.
【００１１】またシリコーン化合物の構造は化１２で表
されるが、ｎ数は分子量が２００〜２００００、好まし
くは５００〜１００００の範囲になる数が好ましい。ま
た官能基当量は２００〜２００００、好ましくは３００
〜６０００の範囲になることが好ましい。シリコーン化
合物の粘度は１０００センチポアズ（２５℃）以下であ
ることが好ましく、さらに好ましくは２００センチポア
ズ（２５℃）以下である。The structure of the silicone compound is represented by the following chemical formula (12), and the number n is preferably such that the molecular weight is in the range of 200 to 20,000, preferably 500 to 10,000. The functional group equivalent is 200 to 20,000, preferably 300.
It is preferably in the range of 〜6000. The viscosity of the silicone compound is preferably 1,000 centipoise (25 ° C.) or less, more preferably 200 centipoise (25 ° C.) or less.
【００１２】さらにエポキシ樹脂とシリコーン化合物の
配合比は、シリコーン化合物がエポキシ樹脂１００部に
対して２０部から２５０部が好ましく、さらに好ましく
は５０部から２００部とすることであり、部数をｐ、官
能基当量ｑとしたときｐ／ｑ＜０．２とすることが望ま
しい。ｐ／ｑ＞０．２の場合、ゲル化する可能性がある
からである。The mixing ratio of the epoxy resin to the silicone compound is preferably from 20 to 250 parts, more preferably from 50 to 200 parts, based on 100 parts of the epoxy resin. It is desirable that p / q <0.2 when the functional group equivalent is q. If p / q> 0.2, gelation may occur.
【００１３】上記エポキシ樹脂とシリコーン化合物の反
応は例えば以下の方法で行う。 （１）エポキシ樹脂およびシリコーン化合物がともに可
溶な有機溶剤（例えばメチルイソブチルケトン／キシレ
ン混合溶液）にエポキシ樹脂の全部または一部を溶か
す。 （２）１００℃〜１５０℃で加熱攪拌しながら徐々にシ
リコーン化合物を滴下する。 （３）そのまま５〜１５時間加熱攪拌を行い、既知の方
法で脱溶媒を行う。The reaction between the epoxy resin and the silicone compound is carried out, for example, by the following method. (1) Dissolve all or part of the epoxy resin in an organic solvent in which both the epoxy resin and the silicone compound are soluble (for example, a mixed solution of methyl isobutyl ketone / xylene). (2) While heating and stirring at 100 ° C to 150 ° C, the silicone compound is gradually added dropwise. (3) The mixture is heated and stirred for 5 to 15 hours, and the solvent is removed by a known method.
【００１４】（Ｂ）成分である硬化剤は特に制限するも
のではなく従来公知のものが用いられる。The curing agent (B) is not particularly limited, and a conventionally known curing agent is used.
【００１５】例えば、フェノール樹脂系硬化剤として
は、フェノールノボラック樹脂、ナフトールノボラック
樹脂、ビスフェノール型樹脂あるいはビフェノール樹脂
等が挙げられる。また、アミン系硬化剤としては、ジエ
チレントリアミン、トリエチレンテトラミン、ジエチル
アミノプロピルアミン、Ｎ−アミノエチルピペラジン、
ベンジルジメチルアミン、メタフェニレンジアミン、ジ
アミノジフェニルメタン、ジアミノジフェニルスルホ
ン、ジシアンジアミドあるいはメンタンジアミンキシリ
レン等が挙げられる。また、酸無水物系硬化剤として
は、無水フタル酸、無水マレイン酸、無水ドデシルコハ
ク酸、無水ヘキサヒドロフタル酸および無水メチルナジ
ック酸等が挙げられる。この中でも分子中にアミノ基ま
たはフェノール基が存在することが好ましい。For example, examples of the phenol resin-based curing agent include a phenol novolak resin, a naphthol novolak resin, a bisphenol resin or a biphenol resin. Examples of the amine-based curing agent include diethylenetriamine, triethylenetetramine, diethylaminopropylamine, N-aminoethylpiperazine,
Examples include benzyldimethylamine, metaphenylenediamine, diaminodiphenylmethane, diaminodiphenylsulfone, dicyandiamide, and menthanediaminexylylene. Examples of the acid anhydride-based curing agent include phthalic anhydride, maleic anhydride, dodecylsuccinic anhydride, hexahydrophthalic anhydride, and methylnadic anhydride. Among them, an amino group or a phenol group is preferably present in the molecule.
【００１６】上記硬化剤の配合量は（Ａ）成分である反
応物のエポキシ当量に対して０．８〜１．２当量加える
のが好ましく、０．８８〜１．１２当量加えるのが更に
好ましい。The amount of the curing agent is preferably 0.8 to 1.2 equivalents, more preferably 0.88 to 1.12 equivalents, based on the epoxy equivalent of the reactant (A). .
【００１７】（Ｃ）成分である充填剤は特に限定するも
のではなく従来公知のものが用いられるが、銀またはシ
リカを使用するのが好ましい。また平均粒子径は５μｍ
以下が好ましく、２μｍ以下であることが更に好まし
い。これらの充填剤量は、エポキシ樹脂組成物全体、す
なわちダイボンド剤全体に対して、銀の場合は６０重量
％から９０重量％が好ましく、さらに好ましくは７０重
量％から８０重量％が好ましい。シリカを使用する場合
は、ダイボンド剤全体に対して３０重量％から６５重量
％が好ましく、更に好ましくは４０重量％から５５重量
％にするのがよい。The filler as the component (C) is not particularly limited, and a conventionally known filler can be used, but silver or silica is preferably used. The average particle size is 5 μm
Or less, more preferably 2 μm or less. The amount of these fillers is preferably 60% by weight to 90% by weight, more preferably 70% by weight to 80% by weight, in the case of silver, based on the entire epoxy resin composition, that is, the entire die bonding agent. When silica is used, it is preferably from 30% by weight to 65% by weight, more preferably from 40% by weight to 55% by weight, based on the whole die bonding agent.
【００１８】この発明に用いられるダイボンド剤は、上
記（Ａ）〜（Ｃ）成分とを用いて得られるエポキシ樹脂
組成物であり、通常、ペースト状である。また、その使
用方法は、ダイボンダーを用いてダイボンドプレートに
塗布されるか、または、一旦フィルム状に加工して用い
られる。The die bonding agent used in the present invention is an epoxy resin composition obtained by using the above components (A) to (C), and is usually in the form of a paste. In addition, the method of using it is to apply it to a die bond plate using a die bonder or to process it once into a film.
【００１９】また、本発明のダイボンド剤にはこれらの
（Ａ）〜（Ｃ）成分の他に硬化促進剤、保存剤、着色剤
あるいは安定剤などの成分を適宜加えてもよい。Further, the die bonding agent of the present invention in addition to the curing promoting agent of the (A) ~ (C) component, a preservative, a component such as the colorant or stabilizer may be added as appropriate.
【００２０】また、この発明に用いられる封止樹脂は飽
和吸水率（８５℃／８５％）が０．４重量％以下のもの
であれば特に限定されるものではないが、封止樹脂にお
ける主剤と硬化剤の組み合わせにより、すなわち〔化１
３と化１４〕、〔化１５と化１６〕、〔化１７と化１
８〕および〔化１９と化２０〕の組み合わせ、かつシリ
カ充填剤量が封止樹脂全体の８０重量％以上であるもの
が挙げられる。特に好ましくは、上記の組合せで、シリ
カ充填剤量が８４重量％以上のものである。なお封止樹
脂の飽和吸水率は、厚さ１ｍｍ、直径４０ｍｍの円盤状
成型物を作製し、恒温恒湿器を用い８５℃／８５％の条
件で３３６時間後の吸水量から求めたものである。The sealing resin used in the present invention is not particularly limited as long as it has a saturated water absorption (85 ° C./85%) of 0.4% by weight or less. And a curing agent, that is,
3 and 14], [15 and 16], [17 and 1
8] and [Chemical Formula 19 and Chemical Formula 20], and the amount of silica filler is 80% by weight or more of the whole sealing resin. Particularly preferably, in the above combination, the amount of the silica filler is 84% by weight or more. The saturated water absorption of the sealing resin was determined from a water absorption after 336 hours under conditions of 85 ° C./85% using a thermo-hygrostat prepared by preparing a disk-shaped molded product having a thickness of 1 mm and a diameter of 40 mm. is there.
【化１３】 Embedded image
【化１４】 Embedded image
【化１５】 Embedded image
【化１６】 Embedded image
【化１７】 Embedded image
【化１８】 Embedded image
【化１９】 Embedded image
【化２０】 Embedded image
【００２１】このような封止樹脂を用いての半導体素子
の封止などは特に限定するものではなく、通常のトラン
スファー成形等の公知のモールド方法によって行うこと
ができる。The sealing of the semiconductor element using such a sealing resin is not particularly limited, and can be performed by a known molding method such as ordinary transfer molding.
【００２２】このようにして得られる半導体装置は、特
殊なダイボンド剤を用い、さらに吸湿特性の優れた封止
樹脂によって封止されているためＴＣＴテストで評価さ
れる特性が向上し、また半田浸漬時における優れた耐ク
ラック性を有している。The semiconductor device thus obtained is sealed with a special die bonding agent and a sealing resin having excellent moisture absorption properties, so that the characteristics evaluated by the TCT test are improved, and the solder immersion is improved. It has excellent crack resistance at the time.
【００２３】[0023]
【発明の効果】以上のように、この発明の半導体装置
は、特殊なダイボンド剤および低吸湿性に優れた封止樹
脂が使われているため、ＴＣＴテストにおいて評価され
る特性が向上し、長寿命となる。また、吸湿後、半田溶
融液に浸漬しても、半導体装置の封止樹脂のクラックの
発生が防止される。従って、上記ダイボンド剤と封止樹
脂を併用して用いた８ピン以上、特に１６ピン以上の、
もしくは半導体素子の長辺の長さが４ｍｍ以上の大型の
半導体装置は、高い信頼性が得られるようになる。As described above, since the semiconductor device of the present invention uses the special die bonding agent and the sealing resin having excellent low moisture absorption, the characteristics evaluated in the TCT test are improved, It is life. Further, even if the semiconductor device is immersed in a solder melt after absorbing moisture, cracks in the sealing resin of the semiconductor device are prevented from occurring. Therefore, 8 pins or more, especially 16 pins or more, using the die bonding agent and the sealing resin in combination,
Alternatively, a large-sized semiconductor device in which the long side of the semiconductor element has a length of 4 mm or more can achieve high reliability.
【００２４】[0024]
【実施例】次に実施例について比較例と合わせて説明す
る。先ず、実験に先立って以下の材料を準備した。 （１）「エポキシ樹脂Ａ」 化２１で表され、２５℃のＩＣＩ粘度が１１０ポアズで
あり、エポキシ当量１９０である。EXAMPLES Next, examples will be described together with comparative examples. First, the following materials were prepared prior to the experiment. (1) “Epoxy resin A” It is represented by Chemical formula 21 and has an ICI viscosity at 25 ° C. of 110 poise and an epoxy equivalent of 190.
【化２１】 （２）「エポキシ樹脂Ｂ」 化２２で表され、１５０℃のＩＣＩ粘度が０．２ポアズ
であり、エポキシ当量１９０である。Embedded image (2) "Epoxy resin B" The epoxy resin B has an ICI viscosity at 150 ° C of 0.2 poise and an epoxy equivalent of 190.
【化２２】 （３）「エポキシ樹脂Ｃ」 化２３で表され、２５℃のＩＣＩ粘度が８０ポアズであ
り、エポキシ当量１６５である。Embedded image (3) “Epoxy resin C” The compound has the ICI viscosity at 25 ° C. of 80 poise and the epoxy equivalent of 165 as represented by Chemical formula 23.
【化２３】 （４）「エポキシ樹脂Ｄ」 化２４で表され、１５０℃のＩＣＩ粘度が４ポアズであ
り、エポキシ当量１９５、又ｎは３〜８の整数である。Embedded image (4) "Epoxy resin D" represented by Chemical Formula 24, having an ICI viscosity at 150 ° C of 4 poise, an epoxy equivalent of 195, and n being an integer of 3 to 8.
【化２４】 Embedded image
【００２５】（５）「硬化剤Ｅ」 化２５で表されるフェノール樹脂で、１５０℃のＩＣＩ
粘度が２．５ポアズであり、フェノール当量１７０、又
ｎは１〜３、ｍは１〜３の整数（ｎ＋ｍ＝２〜６の整
数）である。(5) "Curing agent E" A phenolic resin represented by the following formula:
The viscosity is 2.5 poise, the phenol equivalent is 170, n is 1 to 3, and m is an integer of 1 to 3 (n + m = an integer of 2 to 6).
【化２５】 （６）「硬化剤Ｆ」 化２６で表されるアミン系樹脂で、２５℃のＩＣＩ粘度
が２２センチポアズであり、アミン当量２００、又ｎは
５〜６の整数である。Embedded image (6) "Curing agent F" An amine resin represented by Chemical formula 26, having an ICI viscosity at 25 ° C of 22 centipoise, an amine equivalent of 200, and n being an integer of 5 to 6.
【化２６】 Embedded image
【００２６】（７）「シリコーン化合物Ｇ」 化２７で表されるアミン末端シリコーン樹脂で、２５℃
のＩＣＩ粘度が２９センチポアズであり、アミン当量８
４０、またｎは８〜９の整数である。(7) "Silicone compound G" An amine-terminated silicone resin represented by the following formula:
Has an ICI viscosity of 29 centipoise and an amine equivalent of 8
40 and n is an integer of 8-9.
【化２７】 （８）「シリコーン化合物Ｈ」 化２７で表されるアミン末端シリコーン樹脂で、２５℃
のＩＣＩ粘度が５４センチポアズであり、アミン当量１
５００、また、ｎは１７〜１８の整数である。Embedded image (8) "Silicone compound H" An amine-terminated silicone resin represented by the following formula:
Has an ICI viscosity of 54 centipoise and an amine equivalent of 1
500, and n is an integer of 17-18.
【００２７】以下に上記エポキシ樹脂と上記シリコーン
化合物との反応生成物を示す。 （９）「反応生成物Ｉ」 １００ｇのエポキシ樹脂Ａと１００ｇのシリコーン化合
物Ｇを反応させて得られた反応生成物である。 （１０）「反応生成物Ｊ」 １００ｇのエポキシ樹脂Ａと１０ｇのシリコーン化合物
Ｈを反応させて得られた反応生成物である。 （１１）「反応生成物Ｋ」 １００ｇのエポキシ樹脂Ａと１００ｇのシリコーン化合
物Ｈを反応させて得られた反応生成物である。 （１２）「反応生成物Ｌ」 １００ｇのエポキシ樹脂Ａと３００ｇのシリコーン化合
物Ｈを反応させて得られた反応生成物である。 （１３）「反応生成物Ｍ」 １００ｇのエポキシ樹脂Ｂと１００ｇのシリコーン化合
物Ｇを反応させて得られた反応生成物である。 （１４）「反応生成物Ｎ」 １００ｇのエポキシ樹脂Ｂと１０ｇのシリコーン化合物
Ｈを反応させて得られた反応生成物である。 （１５）「反応生成物Ｏ」 １００ｇのエポキシ樹脂Ｂと１００ｇのシリコーン化合
物Ｈを反応させて得られた反応生成物である。 （１６）「反応生成物Ｐ」 １００ｇのエポキシ樹脂Ｂと３００ｇのシリコーン化合
物Ｈを反応させて得られた反応生成物である。 （１７）「反応生成物Ｑ」 １００ｇのエポキシ樹脂Ｃと１００ｇのシリコーン化合
物Ｇを反応させて得られた反応生成物である。 （１８）「反応生成物Ｒ」 １００ｇのエポキシ樹脂Ｃと１０ｇのシリコーン化合物
Ｈを反応させて得られた反応生成物である。 （１９）「反応生成物Ｓ」 １００ｇのエポキシ樹脂Ｃと１００ｇのシリコーン化合
物Ｈを反応させて得られた反応生成物である。 （２０）「反応生成物Ｔ」 １００ｇのエポキシ樹脂Ｃと３００ｇのシリコーン化合
物Ｈを反応させて得られた反応生成物である。 （２１）「反応生成物Ｕ」 １００ｇのエポキシ樹脂Ｄと１００ｇのシリコーン化合
物Ｇを反応させて得られた反応生成物である。 （２２）「反応生成物Ｖ」 １００ｇのエポキシ樹脂Ｄと１００ｇのシリコーン化合
物Ｈを反応させて得られた反応生成物である。The reaction products of the above epoxy resin and the above silicone compound are shown below. (9) "Reaction product I" This is a reaction product obtained by reacting 100 g of epoxy resin A with 100 g of silicone compound G. (10) "Reaction product J" A reaction product obtained by reacting 100 g of epoxy resin A with 10 g of silicone compound H. (11) “Reaction product K” A reaction product obtained by reacting 100 g of the epoxy resin A with 100 g of the silicone compound H. (12) "Reaction product L" A reaction product obtained by reacting 100 g of the epoxy resin A with 300 g of the silicone compound H. (13) “Reaction product M” A reaction product obtained by reacting 100 g of the epoxy resin B with 100 g of the silicone compound G. (14) “Reaction product N” This is a reaction product obtained by reacting 100 g of epoxy resin B with 10 g of silicone compound H. (15) “Reaction product O” A reaction product obtained by reacting 100 g of epoxy resin B with 100 g of silicone compound H. (16) "Reaction product P" This is a reaction product obtained by reacting 100 g of epoxy resin B with 300 g of silicone compound H. (17) “Reaction product Q” A reaction product obtained by reacting 100 g of epoxy resin C with 100 g of silicone compound G. (18) "Reaction product R" A reaction product obtained by reacting 100 g of epoxy resin C with 10 g of silicone compound H. (19) "Reaction product S" A reaction product obtained by reacting 100 g of epoxy resin C with 100 g of silicone compound H. (20) "Reaction product T" This is a reaction product obtained by reacting 100 g of epoxy resin C with 300 g of silicone compound H. (21) "Reaction product U" This is a reaction product obtained by reacting 100 g of epoxy resin D with 100 g of silicone compound G. (22) "Reaction product V" This is a reaction product obtained by reacting 100 g of epoxy resin D with 100 g of silicone compound H.
【００２８】以下にダイボンド剤に使用される充填剤を
示す。 （２３）「銀粉」 平均粒子径が１．３μｍ、純度は９８％である。 （２４）「銀粉」 平均粒子径が２５μｍ、純度は９９％である。 （２５）「シリカ」 平均粒子径が０．５μｍ、形状は球状である。 （２６）「シリカ」 平均粒子径が３μｍ、形状は球状である。 （２７）「シリカ」 平均粒子径が１０μｍ、形状は球状である。The fillers used in the die bonding agent are shown below. (23) “Silver powder” The average particle diameter is 1.3 μm and the purity is 98%. (24) “Silver powder” The average particle diameter is 25 μm and the purity is 99%. (25) “Silica” The average particle diameter is 0.5 μm and the shape is spherical. (26) “Silica” The average particle diameter is 3 μm and the shape is spherical. (27) “Silica” The average particle diameter is 10 μm, and the shape is spherical.
【００２９】以下に硬化促進剤を示す。 （２８）「トリフェニルホスフィン」 ＴＰＰと略す。The curing accelerators are shown below. (28) “Triphenylphosphine” Abbreviated as TPP.
【００３０】以下に封止樹脂を示す。 （２９）「ＭＰ７０００Ｈ 日東電工社製」 飽和吸水率が０．３５％、Ｔｇが１３０℃、弾性率は１
６７５ｋｇ／ｍｍ2 である。 （３０）「ＭＰ１５０ＳＧＣ 日東電工社製」 飽和吸水率 ０．４８％、Ｔｇ １５０℃、弾性率 １
２００ｋｇ／ｍｍ2 である。 （３１）「ＭＰ１０ＸＬ 日東電工社製」 飽和吸水率 ０．４８％、Ｔｇ １５０℃、弾性率 １
２００ｋｇ／ｍｍ2 である。The sealing resin is shown below. (29) "MP7000H manufactured by Nitto Denko Corporation" Saturated water absorption 0.35%, Tg 130 ° C, elastic modulus 1
675 kg / mm 2 . (30) “MP150SGC manufactured by Nitto Denko Corporation” Saturated water absorption 0.48%, Tg 150 ° C, elastic modulus 1
It is 200 kg / mm 2 . (31) "MP10XL manufactured by Nitto Denko Corporation" Saturated water absorption 0.48%, Tg 150 ° C, elastic modulus 1
It is 200 kg / mm 2 .
【００３１】次に準備した上記の材料を用い、ダイボン
ド剤を表１〜表４に示す割合で配合した。ダイボンド剤
は（３２）〜（６７）で示されている。なお、上記表内
に使用されているカッコの数字は、上記準備した材料の
カッコの数字に対応している。Next, using the above prepared materials, a die bonding agent was blended at a ratio shown in Tables 1 to 4. The die bonding agent is shown in (32) to (67). The numbers in parentheses used in the above table correspond to the numbers in parentheses of the prepared materials.
【表１】 [Table 1]
【表２】 [Table 2]
【表３】 [Table 3]
【表４】 [Table 4]
【００３２】以上の表１〜表４のように配合されたダイ
ボンド剤を用いて８０ピンＱＦＰフレーム（ダイパッド
サイズ８×８ｍｍ）に半導体素子のダイボンドを行っ
た。Using a die bonding agent compounded as shown in Tables 1 to 4, a semiconductor device was die-bonded to an 80-pin QFP frame (die pad size 8 × 8 mm).
【００３３】次に、これらの半導体素子を搭載した８０
ピンＱＦＰフレームを封止樹脂（２９）〜（３１）を用
いてトランスファー成型（条件：１７５℃×２分、圧力
５０ｋｇｆ／ｃｍ2 、１７５℃×５時間後硬化）するこ
とにより半導体装置を得た。この半導体装置は８０ピン
ＱＦＰ（サイズ２０×１４×２ｍｍ）である。Next, 80 equipped with these semiconductor elements
A semiconductor device was obtained by subjecting the pin QFP frame to transfer molding (conditions: 175 ° C. × 2 minutes, pressure 50 kgf / cm 2 , 175 ° C. × 5 hours post-curing) using sealing resins (29) to (31). . This semiconductor device is an 80-pin QFP (size 20 × 14 × 2 mm).
【００３４】このようにして得られた半導体装置につい
て、−５０℃／５分〜１５０℃／５分のＴＣＴテストを
行った。また、８５℃／８５％相対湿度の恒温槽中にそ
れぞれ４８時間、９６時間、１２０時間放置して吸湿さ
せた後に、２６０℃の半田溶融液に１０秒間浸漬する試
験を行った。この結果を表５〜表１６に示した。The semiconductor device thus obtained was subjected to a TCT test at −50 ° C./5 minutes to 150 ° C./5 minutes. In addition, a test was performed in which the samples were left in a constant temperature bath at 85 ° C./85% relative humidity for 48 hours, 96 hours, and 120 hours to absorb moisture, and then immersed in a 260 ° C. solder melt for 10 seconds. The results are shown in Tables 5 to 16 .
【表５】 [Table 5]
【表６】 [Table 6]
【表７】 [Table 7]
【表８】 [Table 8]
【表９】 [Table 9]
【表１０】 [Table 10]
【表１１】 [Table 11]
【表１２】 [Table 12]
【表１３】 [Table 13]
【表１４】 [Table 14]
【表１５】 [Table 15]
【表１６】 [Table 16]
【００３５】上記表５〜表１６の結果から、実施例１〜
１８品（太線内部）のＴＣＴテストおよび半田溶融液へ
の浸漬時の耐クラック性〔すなわち、封止樹脂（２９）
とダイボンド剤（３７）〜（６４）の組み合わせ〕が従
来の組み合わせに較べて著しく優れていることが明らか
である。From the results of Tables 5 to 16 , Examples 1 to
18 products (inside of bold line) TCT test and crack resistance when immersed in solder melt [namely, sealing resin (29)
And the die bond agents (37) to (64)] are remarkably superior to the conventional combination.
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 執行 ひとみ 大阪府茨木市下穂積１丁目１番２号 日 東電工株式会社内 (56)参考文献 特開 平３−174744（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−275713（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/52,23/29,23/31 C08G 59/00 - 59/72 C08L 63/00 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (72) Inventor Hitomi 1-1-2 Shimohozumi, Ibaraki-shi, Osaka Nitto Denko Corporation (56) References JP-A-3-174744 (JP, A) JP-A Hei 3-275713 (JP, A) (58) Fields investigated (Int. Cl. 7 , DB name) H01L 21 / 52,23 / 29,23 / 31 C08G 59/00-59/72 C08L 63/00
Claims (2)
ポキシ樹脂組成物を半導体素子／ダイボンドプレート間
の接着に使用し、なおかつ飽和吸水率０．４重量％以下
の封止樹脂を用いて封止された半導体装置。 （Ａ）化１、化２および化３より選ばれる少なくとも一
種を用いるエポキシ樹脂と化４で表されるシリコーン化
合物を反応させて得られる反応物。 【化１】 【化２】 【化３】 【化４】 （Ｂ）硬化剤。 （Ｃ）平均粒子径５μｍ以下の充填剤。An epoxy resin composition containing the following components (A) to (C) is used for bonding between a semiconductor element and a die bond plate, and a sealing resin having a saturated water absorption of 0.4% by weight or less is used. A semiconductor device sealed by using. (A) A reaction product obtained by reacting an epoxy resin using at least one selected from chemical formulas 1, 2, and 3 with a silicone compound represented by chemical formula 4. Embedded image Embedded image Embedded image Embedded image (B) a curing agent. (C) a filler having an average particle size of 5 μm or less.
着に用いられるエポキシ樹脂組成物であって、下記の
（Ａ）〜（Ｃ）成分を含有することを特徴とするエポキ
シ樹脂組成物。 （Ａ）化５、化６および化７より選ばれる少なくとも一
種を用いるエポキシ樹脂と化８で表されるシリコーン化
合物を反応させて得られる反応物。 【化５】 【化６】 【化７】 【化８】 （Ｂ）硬化剤。 （Ｃ）平均粒子径５μｍ以下の充填剤。2. A contact between a semiconductor element and a die bond plate.
An epoxy resin composition used for wear, epoxy <br/> sheet resin composition characterized by containing (A) ~ (C) the following ingredients. (A) A reaction product obtained by reacting an epoxy resin using at least one selected from the chemical formulas 5, 6, and 7 with a silicone compound represented by the chemical formula 8. Embedded image Embedded image Embedded image Embedded image (B) a curing agent. (C) a filler having an average particle size of 5 μm or less.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19568893A JP3200251B2 (en) | 1993-08-06 | 1993-08-06 | Semiconductor device and epoxy resin composition used therefor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19568893A JP3200251B2 (en) | 1993-08-06 | 1993-08-06 | Semiconductor device and epoxy resin composition used therefor |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0750365A JPH0750365A (en) | 1995-02-21 |
| JP3200251B2 true JP3200251B2 (en) | 2001-08-20 |
Family
ID=16345347
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19568893A Expired - Fee Related JP3200251B2 (en) | 1993-08-06 | 1993-08-06 | Semiconductor device and epoxy resin composition used therefor |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3200251B2 (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6607865B2 (en) | 2000-07-31 | 2003-08-19 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Positive photosensitive resin composition |
| US8346150B2 (en) | 2009-04-21 | 2013-01-01 | Ricoh Company, Ltd. | Fixing device, image forming apparatus, and image forming method |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5482104B2 (en) | 2009-09-15 | 2014-04-23 | 株式会社リコー | Fixing apparatus and image forming apparatus |
| JP4962554B2 (en) * | 2009-11-27 | 2012-06-27 | オムロン株式会社 | One-part epoxy resin composition and use thereof |
-
1993
- 1993-08-06 JP JP19568893A patent/JP3200251B2/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6607865B2 (en) | 2000-07-31 | 2003-08-19 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Positive photosensitive resin composition |
| US8346150B2 (en) | 2009-04-21 | 2013-01-01 | Ricoh Company, Ltd. | Fixing device, image forming apparatus, and image forming method |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0750365A (en) | 1995-02-21 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP1558678B1 (en) | Toughened epoxy / polyanhydride no- flow underfill encapsulant composition | |
| JP2001519838A (en) | Die adhesive or encapsulant of epoxysiloxane and polyepoxy resin | |
| WO2004074344A1 (en) | Epoxy resin composition and semiconductor device | |
| US7642661B2 (en) | Liquid epoxy resin composition | |
| JPH05148411A (en) | Thermosetting resin composition and semiconductor device | |
| JPH07268186A (en) | Epoxy resin composition | |
| JPH0597970A (en) | Thermosetting resin composition and semiconductor device | |
| JP3200251B2 (en) | Semiconductor device and epoxy resin composition used therefor | |
| JP3240861B2 (en) | Epoxy resin composition and semiconductor device | |
| JPH0597969A (en) | Thermosetting resin composition and semiconductor device | |
| JP3565118B2 (en) | Epoxy resin composition for semiconductor encapsulation | |
| JP3003887B2 (en) | Resin composition for semiconductor encapsulation | |
| JPH11130936A (en) | Epoxy resin composition and semiconductor device | |
| JP2001270932A (en) | Epoxy resin composition and semiconductor device | |
| JPH03166220A (en) | Epoxy resin composition for sealing semiconductor | |
| JPH05148410A (en) | Thermosetting resin composition and semiconductor device | |
| JP3176502B2 (en) | Semiconductor device and epoxy resin composition for semiconductor encapsulation used therein | |
| JPH06196513A (en) | Adhesive and semiconductor device | |
| JP3206317B2 (en) | Method for producing epoxy resin composition and epoxy resin composition | |
| JP3770993B2 (en) | Liquid resin composition and semiconductor device manufactured using the liquid resin composition | |
| JPH03174745A (en) | Semiconductor device | |
| JP2985706B2 (en) | Epoxy resin composition for sealing and semiconductor device using the same | |
| JPH11106612A (en) | Epoxy resin composition and semiconductor device | |
| JP3093051B2 (en) | Epoxy resin composition | |
| JP3537859B2 (en) | Semiconductor device and epoxy resin composition used therein |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130615 Year of fee payment: 12 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |