JP3176644B2 - 光波形の測定装置 - Google Patents
光波形の測定装置Info
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J11/00—Measuring the characteristics of individual optical pulses or of optical pulse trains
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光サンプリング法を用
いて高速光パルス等の光波形を測定するための測定装置
に関する。
いて高速光パルス等の光波形を測定するための測定装置
に関する。
【０００２】
【従来の技術】光波形の測定装置の従来技術として、
（ａ）ホトダイオード、光電子増倍管（以下ＰＭＴと称
す。）等の光検出器とオシロスコープとを組み合わせた
測定装置と、（ｂ）ストリークカメラを用いた測定装置
と、（ｃ）和周波発生による光−光サンプリングを用い
た測定装置が存在する。
（ａ）ホトダイオード、光電子増倍管（以下ＰＭＴと称
す。）等の光検出器とオシロスコープとを組み合わせた
測定装置と、（ｂ）ストリークカメラを用いた測定装置
と、（ｃ）和周波発生による光−光サンプリングを用い
た測定装置が存在する。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、（ａ）の光検
出器及びオシロスコープを組み合わせたもでは、高い時
間分解能が得られず（数１０ｐＳ程度にとどまる）、波
形歪も生じる。また、（ｂ）のストリークカメラを用い
たものでは、測定装置が高価なものとなる。さらに、
（ｃ）の光−光サンプリングを用いたものでは、和周波
発生に非線形光学結晶を用いるが、このような結晶は潮
解性のゆえに取扱いが困難である。なおさらに、このよ
うな結晶に光を入射させる際に位相整合を行う必要があ
るといった問題や、結晶自体が高価であるといった問題
があった。
出器及びオシロスコープを組み合わせたもでは、高い時
間分解能が得られず（数１０ｐＳ程度にとどまる）、波
形歪も生じる。また、（ｂ）のストリークカメラを用い
たものでは、測定装置が高価なものとなる。さらに、
（ｃ）の光−光サンプリングを用いたものでは、和周波
発生に非線形光学結晶を用いるが、このような結晶は潮
解性のゆえに取扱いが困難である。なおさらに、このよ
うな結晶に光を入射させる際に位相整合を行う必要があ
るといった問題や、結晶自体が高価であるといった問題
があった。
【０００４】そこで、本発明は、高分解能で、簡易で、
かつ、取扱い上の問題が残る非線形光学結晶を必要とし
ない光波形の測定装置を提供することを目的とする。
かつ、取扱い上の問題が残る非線形光学結晶を必要とし
ない光波形の測定装置を提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明に係る光波形の測定装置は、所定の波長範囲
内で１光子吸収に応じた１光電子放出の感度を有する光
電面を備える電子管と、所定の波長範囲外で所定波長の
サンプリング光パルスを発生するパルス光源と、上記所
定の波長範囲外の所定波長である被測定光またはサンプ
リング光パルスの一方の光電面への入射時期に対応し
て、被測定光またはサンプリング光パルスの他方の入射
時期を変化させる遅延手段と、を備え、光電面は、被測
定光とサンプリング光パルスとが電子管の光電面上に遅
延手段によって合致して入射させられたときに、多光子
吸収に応じて１光電子をサンプリング出力として放出
し、サンプリング出力に基づいて、被測定光の光波形を
測定することを特徴とする。
に、本発明に係る光波形の測定装置は、所定の波長範囲
内で１光子吸収に応じた１光電子放出の感度を有する光
電面を備える電子管と、所定の波長範囲外で所定波長の
サンプリング光パルスを発生するパルス光源と、上記所
定の波長範囲外の所定波長である被測定光またはサンプ
リング光パルスの一方の光電面への入射時期に対応し
て、被測定光またはサンプリング光パルスの他方の入射
時期を変化させる遅延手段と、を備え、光電面は、被測
定光とサンプリング光パルスとが電子管の光電面上に遅
延手段によって合致して入射させられたときに、多光子
吸収に応じて１光電子をサンプリング出力として放出
し、サンプリング出力に基づいて、被測定光の光波形を
測定することを特徴とする。
【０００６】
【作用】本発明に係る光波形の測定装置によれば、遅延
手段によって被測定光とサンプリングパルス光とが光電
面上に合致して入射したときに、多光子吸収に応じて１
光電子をサンプリング出力として放出し、このサンプリ
ング出力に基づいて、被測定光の光波形を測定すること
としている。ここで、光電面よりサンプリング出力とし
て放出された光電子は、サンプリング光パルスの強度の
みに対応した出力ではなく、被測定光及びサンプリング
光パルスの各強度の積に対応した出力を有する。よっ
て、電子管の出力を観察するならば、非線形光学結晶等
を用いないで光−光サンプリングが可能になる。
手段によって被測定光とサンプリングパルス光とが光電
面上に合致して入射したときに、多光子吸収に応じて１
光電子をサンプリング出力として放出し、このサンプリ
ング出力に基づいて、被測定光の光波形を測定すること
としている。ここで、光電面よりサンプリング出力とし
て放出された光電子は、サンプリング光パルスの強度の
みに対応した出力ではなく、被測定光及びサンプリング
光パルスの各強度の積に対応した出力を有する。よっ
て、電子管の出力を観察するならば、非線形光学結晶等
を用いないで光−光サンプリングが可能になる。
【０００７】
【実施例】具体的な実施例の説明に前に、本発明に係る
光波形の測定装置の基本概念について簡単に説明する。
光波形の測定装置の基本概念について簡単に説明する。
【０００８】図１は本発明の一態様の概念的構成を示し
たものである。多光子吸収型（または非線形型）の電子
管２の光電面は、所定の波長帯域（光電面が通常の感度
を有する範囲）内で１光子の吸収に応じて１光電子を放
出するが、この波長帯域外では１光子吸収１光電子放出
の感度を実質上有しない。ただし、電子管２の光電面感
度の上限波長よりも入射光波長が長ければ、２光子以上
の入射に対して１光電子が放出されることとなる。以下
に詳細は説明するが、このような２光子吸収１光電子放
出によって光−光サンプリングが可能になる。光パルス
発生装置４は、光電面感度の上限波長よりも更に長い波
長のサンプリング光パルスを発生する。遅延装置６は、
被測定光の電子管２への入射時期に同期させて、このサ
ンプリング光パルスの電子管２への入射時期を変化させ
る。ハーフミラー８は、遅延装置６をへたサンプリング
光パルスと外部からの被測定光とを光電面上で重なるよ
うに電子管２の光電面上に導く。電子管２からの出力
は、サンプリング光パルスの入射時期における被測定光
の入射強度に対応したもの（サンプリング出力）となっ
ている。電子管２からのサンプリング出力は、オシロス
コープ等の表示装置１０に入力される。制御装置１２
は、遅延装置６を制御してサンプリング光パルスの電子
管２への入射時期を逐次シフトさせるとともに、サンプ
リング光パルスに同期して表示装置１０の動作を制御す
る。これにより、電子管２からの一連のサンプリング出
力を被測定光の光波形に変換して表示させることができ
る。
たものである。多光子吸収型（または非線形型）の電子
管２の光電面は、所定の波長帯域（光電面が通常の感度
を有する範囲）内で１光子の吸収に応じて１光電子を放
出するが、この波長帯域外では１光子吸収１光電子放出
の感度を実質上有しない。ただし、電子管２の光電面感
度の上限波長よりも入射光波長が長ければ、２光子以上
の入射に対して１光電子が放出されることとなる。以下
に詳細は説明するが、このような２光子吸収１光電子放
出によって光−光サンプリングが可能になる。光パルス
発生装置４は、光電面感度の上限波長よりも更に長い波
長のサンプリング光パルスを発生する。遅延装置６は、
被測定光の電子管２への入射時期に同期させて、このサ
ンプリング光パルスの電子管２への入射時期を変化させ
る。ハーフミラー８は、遅延装置６をへたサンプリング
光パルスと外部からの被測定光とを光電面上で重なるよ
うに電子管２の光電面上に導く。電子管２からの出力
は、サンプリング光パルスの入射時期における被測定光
の入射強度に対応したもの（サンプリング出力）となっ
ている。電子管２からのサンプリング出力は、オシロス
コープ等の表示装置１０に入力される。制御装置１２
は、遅延装置６を制御してサンプリング光パルスの電子
管２への入射時期を逐次シフトさせるとともに、サンプ
リング光パルスに同期して表示装置１０の動作を制御す
る。これにより、電子管２からの一連のサンプリング出
力を被測定光の光波形に変換して表示させることができ
る。
【０００９】以下、図１の測定装置の動作について説明
する。電子管２の光電面に適当な波長の被測定光のパル
スが入射している状態で、入射時期を調節された相対的
に短時間のサンプリング光パルスが光電面の同一の位置
に入射すると、例えば被測定光とサンプリング光パルス
との各光子の入射によって１光電子が放出される。この
光電子はサンプリング出力として電子管２から出力され
る。この場合、電子管２の光電面の材料を適当に選択す
れば、被測定光の入射強度とサンプリング光パルスの入
射強度との和の２乗に比例したサンプリング出力（非線
形出力）が得られる。したがって、この出力を適当に処
理すれば、サンプリング光パルス及び被測定光の重複時
における被測定光の入射強度を検出することができ、サ
ンプリング光パルスによる被測定光のサンプリングが可
能になる。つまり、上記のような光電面を用いた方法で
も、非線形光学結晶を用いて第２光調波を発生する方法
を用いた光−光サンプリングと同様の効果を得ることが
できる。制御装置１２は、サンプリング光パルスの入射
時期を遅延装置６によって適当にシフトさせながらこの
ような光−光サンプリングを繰り返させる。被測定光の
光波形の各時刻における光−光サンプリングの結果をつ
ないでいけば、被測定光の光波形のプロファイルを得る
ことができ、これを表示装置１０に表示することができ
る。なお、本手法はサンプリング光パルスの強度と被測
定光パルス強度の相互相関であるので、電子管の出力は
被測定光パルスの時間幅と比較して十分長い時間積分す
る必要があるが、これは言い換えれば電子管の応答する
帯域が広い必要はないことを意味している。
する。電子管２の光電面に適当な波長の被測定光のパル
スが入射している状態で、入射時期を調節された相対的
に短時間のサンプリング光パルスが光電面の同一の位置
に入射すると、例えば被測定光とサンプリング光パルス
との各光子の入射によって１光電子が放出される。この
光電子はサンプリング出力として電子管２から出力され
る。この場合、電子管２の光電面の材料を適当に選択す
れば、被測定光の入射強度とサンプリング光パルスの入
射強度との和の２乗に比例したサンプリング出力（非線
形出力）が得られる。したがって、この出力を適当に処
理すれば、サンプリング光パルス及び被測定光の重複時
における被測定光の入射強度を検出することができ、サ
ンプリング光パルスによる被測定光のサンプリングが可
能になる。つまり、上記のような光電面を用いた方法で
も、非線形光学結晶を用いて第２光調波を発生する方法
を用いた光−光サンプリングと同様の効果を得ることが
できる。制御装置１２は、サンプリング光パルスの入射
時期を遅延装置６によって適当にシフトさせながらこの
ような光−光サンプリングを繰り返させる。被測定光の
光波形の各時刻における光−光サンプリングの結果をつ
ないでいけば、被測定光の光波形のプロファイルを得る
ことができ、これを表示装置１０に表示することができ
る。なお、本手法はサンプリング光パルスの強度と被測
定光パルス強度の相互相関であるので、電子管の出力は
被測定光パルスの時間幅と比較して十分長い時間積分す
る必要があるが、これは言い換えれば電子管の応答する
帯域が広い必要はないことを意味している。
【００１０】電子管２の光電面の材料として、例えばＡ
ｕ、ＣｓＩ等を用いることができる。ＣｓＩの光電面に
おいては、サンプリング光パルス及び被測定光が６００
ｎｍ近傍の波長を有する場合、これらサンプリング光パ
ルス及び被測定光の入射光強度の和の２乗に比例したサ
ンプリング出力が得られる。また、Ａｕの光電面におい
ても、サンプリング光パルス及び被測定光が紫外光であ
る場合、これらサンプリング光パルス及び被測定光の入
射光強度の和の２乗に比例したサンプリング出力（非線
形出力）が得られる。したがって、このサンプリング出
力のバックグラウンド成分（サンプリング光パルスの入
射強度の２乗の時間積分と被測定光の入射強度の２乗の
時間積分との和）を除去すれば、サンプリング光パルス
の入射時における被測定光の強度に比例する信号を得る
ことができる。このような光−光サンプリングを繰り返
せば、被測定光の各時刻の強度検出が可能になるので、
これをつなげていけば被測定光の光波形のプロファイル
を得ることができる。
ｕ、ＣｓＩ等を用いることができる。ＣｓＩの光電面に
おいては、サンプリング光パルス及び被測定光が６００
ｎｍ近傍の波長を有する場合、これらサンプリング光パ
ルス及び被測定光の入射光強度の和の２乗に比例したサ
ンプリング出力が得られる。また、Ａｕの光電面におい
ても、サンプリング光パルス及び被測定光が紫外光であ
る場合、これらサンプリング光パルス及び被測定光の入
射光強度の和の２乗に比例したサンプリング出力（非線
形出力）が得られる。したがって、このサンプリング出
力のバックグラウンド成分（サンプリング光パルスの入
射強度の２乗の時間積分と被測定光の入射強度の２乗の
時間積分との和）を除去すれば、サンプリング光パルス
の入射時における被測定光の強度に比例する信号を得る
ことができる。このような光−光サンプリングを繰り返
せば、被測定光の各時刻の強度検出が可能になるので、
これをつなげていけば被測定光の光波形のプロファイル
を得ることができる。
【００１１】さらに、サンプリング光パルス及び被測定
光の入射光強度の和の３乗に比例したサンプリング出力
が得られる光電面を利用した場合、サンプリング出力の
バックグラウンド成分を除去する。これによって、サン
プリング光パルス及び被測定光の相対的強度比に応じ
て、サンプリング光パルスの入射時おける被測定光の強
度又はその２乗に対応する信号を得ることができる。こ
のような光−光サンプリングを繰り返せば、上記の場合
と同様に被測定光の光波形を測定することができる。
光の入射光強度の和の３乗に比例したサンプリング出力
が得られる光電面を利用した場合、サンプリング出力の
バックグラウンド成分を除去する。これによって、サン
プリング光パルス及び被測定光の相対的強度比に応じ
て、サンプリング光パルスの入射時おける被測定光の強
度又はその２乗に対応する信号を得ることができる。こ
のような光−光サンプリングを繰り返せば、上記の場合
と同様に被測定光の光波形を測定することができる。
【００１２】電子管２としては、光電管、ＰＭＴ等の使
用が可能である。ただし、ＰＭＴを用いることにより、
Ｓ／Ｎ比の良い測定が可能になる。
用が可能である。ただし、ＰＭＴを用いることにより、
Ｓ／Ｎ比の良い測定が可能になる。
【００１３】光パルス発生装置４としては、短パルス光
を発生するものであれば、固体レーザ、色素レーザ、気
体レーザ、半導体レーザ等のいずれであっても使用する
ことができる。
を発生するものであれば、固体レーザ、色素レーザ、気
体レーザ、半導体レーザ等のいずれであっても使用する
ことができる。
【００１４】また、サンプリング光パルスと被測定光と
の入射時期の調節は、サンプリング光パルスの光電面へ
の入射時期ではなく、被測定光の光電面への入射時期を
変化させてもよい。
の入射時期の調節は、サンプリング光パルスの光電面へ
の入射時期ではなく、被測定光の光電面への入射時期を
変化させてもよい。
【００１５】さらに、被測定光を増幅する光増幅器を電
子管２の前段に設け、電子管２に高強度の被測定光を入
射させれば、よりＳ／Ｎの高い測定が可能になる。
子管２の前段に設け、電子管２に高強度の被測定光を入
射させれば、よりＳ／Ｎの高い測定が可能になる。
【００１６】さらに、適当なチョッパとロックインアン
プとの組み合わせを用いる事により、Ｓ／Ｎの良い測定
が可能になる。
プとの組み合わせを用いる事により、Ｓ／Ｎの良い測定
が可能になる。
【００１７】以下、光波形の測定装置の具体的実施例に
ついて説明する。
ついて説明する。
【００１８】図２は第１実施例の測定装置の構成を模式
的に示した図である。ハーフミラー２２に入射した被測
定光は、その一部がこれを透過してシングルモードファ
イバカプラ（以下、ＳＭＦカプラと称す）２３の一入力
端に導かれる。被測定光の残りは、ハーフミラー２２で
反射されてＰＭＴ２４に入射する。ＰＭＴ２４は被測定
光に対して通常の１光子吸収１光電子放出の感度を有す
る。したがって、被測定光はＰＭＴ２４で電気信号に線
形変換され、さらにアンプ２５で増幅される。この電気
信号は、周波数変調装置２６でΔｆの周波数変調を受け
る。つまり、被測定光の繰り返し周波数をｆとすると繰
り返し周波数がｆ＋Δｆの電気信号が発生する。この電
気信号で分布帰還型（ＤＦＢ）レーザダイオード２７を
励起し、その利得スイッチによって繰り返し周波数がｆ
＋Δｆの単色光パルスを発生させる。この単色光パルス
のパルス幅をファイバ等からなるパルス圧縮器２８で圧
縮し、被測定光のパルス幅に比較して極めて短いパルス
幅を有するサンプリング光パルスを得る。このサンプリ
ング光パルスは、ＳＭＦカプラ２３で被測定光と合波さ
れた後、非線形ＰＭＴ２９に入射する。非線形ＰＭＴ２
９の光電面にその通常の感度範囲外の波長の被測定光と
サンプリング光パルスとが入射すると、これらの入射強
度の和の２乗に比例したサンプリング出力が得られる。
オシロスコープ３０には、サンプリング出力が入力され
るとともに、周波数変調装置２６から繰り返し周波数Δ
ｆの電気信号が入力される。したがって、サンプリング
出力のＡＣ成分を繰り返し周波数Δｆで掃引すれば、被
測定光の光波形を表示することができる。尚、非線形Ｐ
ＭＴ２９の光電面が蒸着される基板の蒸着する側を粗面
状態にしてもよく、この場合は、光電面における光−電
子変換効率を向上することができる。また、光電面をポ
ーラス状に蒸着すれば、光−電子変換効率を一層向上す
ることができる。光電面をポーラス状に蒸着するには、
光電面材料をＡｒ、Ｈ2等の冷媒ガス中で蒸着すればよ
い。
的に示した図である。ハーフミラー２２に入射した被測
定光は、その一部がこれを透過してシングルモードファ
イバカプラ（以下、ＳＭＦカプラと称す）２３の一入力
端に導かれる。被測定光の残りは、ハーフミラー２２で
反射されてＰＭＴ２４に入射する。ＰＭＴ２４は被測定
光に対して通常の１光子吸収１光電子放出の感度を有す
る。したがって、被測定光はＰＭＴ２４で電気信号に線
形変換され、さらにアンプ２５で増幅される。この電気
信号は、周波数変調装置２６でΔｆの周波数変調を受け
る。つまり、被測定光の繰り返し周波数をｆとすると繰
り返し周波数がｆ＋Δｆの電気信号が発生する。この電
気信号で分布帰還型（ＤＦＢ）レーザダイオード２７を
励起し、その利得スイッチによって繰り返し周波数がｆ
＋Δｆの単色光パルスを発生させる。この単色光パルス
のパルス幅をファイバ等からなるパルス圧縮器２８で圧
縮し、被測定光のパルス幅に比較して極めて短いパルス
幅を有するサンプリング光パルスを得る。このサンプリ
ング光パルスは、ＳＭＦカプラ２３で被測定光と合波さ
れた後、非線形ＰＭＴ２９に入射する。非線形ＰＭＴ２
９の光電面にその通常の感度範囲外の波長の被測定光と
サンプリング光パルスとが入射すると、これらの入射強
度の和の２乗に比例したサンプリング出力が得られる。
オシロスコープ３０には、サンプリング出力が入力され
るとともに、周波数変調装置２６から繰り返し周波数Δ
ｆの電気信号が入力される。したがって、サンプリング
出力のＡＣ成分を繰り返し周波数Δｆで掃引すれば、被
測定光の光波形を表示することができる。尚、非線形Ｐ
ＭＴ２９の光電面が蒸着される基板の蒸着する側を粗面
状態にしてもよく、この場合は、光電面における光−電
子変換効率を向上することができる。また、光電面をポ
ーラス状に蒸着すれば、光−電子変換効率を一層向上す
ることができる。光電面をポーラス状に蒸着するには、
光電面材料をＡｒ、Ｈ2等の冷媒ガス中で蒸着すればよ
い。
【００１９】図３は第２実施例の測定装置の構成を模式
的に示した図である。ハーフミラーＭ1 には、例えばＣ
ＰＭリングレーザ、ＹＡＧレーザ、ＹＡＧ励起色素レー
ザー等からの短パルス光が入射する。ハーフミラーＭ1
に入射した短パルス光の一部は、ここで反射され、再度
ミラーＭ6 、Ｍ7 、Ｍ8 で反射された後、励起光として
サンプルセル３６に入射する。サンプルセル３６に入射
した励起光は、その内部の被測定物を励起し蛍光を発生
させる。サンプルセル３６から出射した蛍光は集光レン
ズ３８に入射する。短パルス光の残りの部分は、サンプ
リング光としてハーフミラーＭ1 を透過・直進し、その
後ミラーＭ2 に入射する。このミラーＭ2 で反射された
サンプリング光パルスは、可動プリズム３２との間を往
復することによって任意の遅延時間を与えられたのち、
ミラーＭ3 、Ｍ4 、Ｍ5 をへて集光レンズ３８に入射す
る。コントローラ３３は可動プリズム３２を変位させて
サンプリング光パルスの遅延時間を制御する。さらにコ
ントローラ３３は、サンプリング光パルスの遅延時間に
対応するスキャン信号をオシロスコープ３４のＸ軸側の
入力を与える。集光レンズ３８に入射したサンプリング
光パルス及び蛍光は、ともに非線形ＰＭＴ３９に入射す
る。サンプリング光パルス及び蛍光の波長が非線形ＰＭ
Ｔ３９の光電面の感度範囲の上限よりも長ければ、これ
らの入射強度の和の２乗に比例したサンプリング出力が
得られる。このサンプリング出力は、オシロスコープ３
４のＹ軸側に入力される。この結果、オシロスコープ３
４には、被測定物から発生する蛍光の光波形が表示され
る。これにより、例えば被測定物の蛍光寿命等の測定が
可能になる。
的に示した図である。ハーフミラーＭ1 には、例えばＣ
ＰＭリングレーザ、ＹＡＧレーザ、ＹＡＧ励起色素レー
ザー等からの短パルス光が入射する。ハーフミラーＭ1
に入射した短パルス光の一部は、ここで反射され、再度
ミラーＭ6 、Ｍ7 、Ｍ8 で反射された後、励起光として
サンプルセル３６に入射する。サンプルセル３６に入射
した励起光は、その内部の被測定物を励起し蛍光を発生
させる。サンプルセル３６から出射した蛍光は集光レン
ズ３８に入射する。短パルス光の残りの部分は、サンプ
リング光としてハーフミラーＭ1 を透過・直進し、その
後ミラーＭ2 に入射する。このミラーＭ2 で反射された
サンプリング光パルスは、可動プリズム３２との間を往
復することによって任意の遅延時間を与えられたのち、
ミラーＭ3 、Ｍ4 、Ｍ5 をへて集光レンズ３８に入射す
る。コントローラ３３は可動プリズム３２を変位させて
サンプリング光パルスの遅延時間を制御する。さらにコ
ントローラ３３は、サンプリング光パルスの遅延時間に
対応するスキャン信号をオシロスコープ３４のＸ軸側の
入力を与える。集光レンズ３８に入射したサンプリング
光パルス及び蛍光は、ともに非線形ＰＭＴ３９に入射す
る。サンプリング光パルス及び蛍光の波長が非線形ＰＭ
Ｔ３９の光電面の感度範囲の上限よりも長ければ、これ
らの入射強度の和の２乗に比例したサンプリング出力が
得られる。このサンプリング出力は、オシロスコープ３
４のＹ軸側に入力される。この結果、オシロスコープ３
４には、被測定物から発生する蛍光の光波形が表示され
る。これにより、例えば被測定物の蛍光寿命等の測定が
可能になる。
【００２０】
【発明の効果】上記光波形の測定装置によれば、非線形
光学結晶等を用いないで光−光サンプリングが可能にな
る。よって、高い時間分解能を有し、簡易な構成で、か
つ、取扱いが容易な光波形の測定装置を提供することが
できる。
光学結晶等を用いないで光−光サンプリングが可能にな
る。よって、高い時間分解能を有し、簡易な構成で、か
つ、取扱いが容易な光波形の測定装置を提供することが
できる。
【図１】本発明の一実施態様の概念的構成を示した図で
ある。
ある。
【図２】第１実施例に係る光波形の測定装置の構成図で
ある。
ある。
【図３】第２実施例に係る光波形の測定装置の構成図で
ある。
ある。
２…電子管 ４…パルス光源
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) G01J 11/00 G01J 1/00 G01J 1/42 - 1/44
Claims (5)
- 【請求項１】 所定の波長範囲内で１光子吸収に応じた
１光電子放出の感度を有する光電面を備える電子管と、 前記所定の波長範囲外で所定波長のサンプリング光パル
スを発生するパルス光源と、 前記所定の波長範囲外の所定波長である被測定光、また
は、前記サンプリング光パルスの一方の前記光電面への
入射時期に対応して、前記被測定光または前記サンプリ
ング光パルスの他方の入射時期を変化させる遅延手段
と、を備え、 前記光電面は、前記被測定光と前記サンプリング光パル
スとが前記電子管の光電面上に前記遅延手段によって合
致して入射させられたときに、多光子吸収に応じて１光
電子をサンプリング出力として放出し、 前記サンプリング出力に基づいて、前記被測定光の光波
形を測定することを特徴とする光波形の測定装置。 - 【請求項２】 前記被測定光と前記サンプリング光パル
スとを前記光電面上で重なるように導く光学手段をさら
に備えることを特徴とする請求項１記載の光波形の測定
装置。 - 【請求項３】 前記電子管からの出力を解析表示する表
示手段をさらに備えることを特徴とする請求項１記載の
光波形の測定装置。 - 【請求項４】 前記被測定光又は前記サンプリング光パ
ルスをチョップする手段と、前記電子管の出力をロック
イン検出するロックインアンプとをさらに備えることを
特徴とする請求項１記載の光波形の測定装置。 - 【請求項５】 前記被測定光を増幅する光増幅器を前記
電子管の前に設けたことを特徴とする請求項１記載の光
波形の測定装置。
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