JP2910914B2 - 半導体レーザアレイ - Google Patents
半導体レーザアレイInfo
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- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
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- H01L2224/484—Connecting portions
- H01L2224/48463—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
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- H01S5/04—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping, e.g. by electron beams
- H01S5/042—Electrical excitation ; Circuits therefor
- H01S5/0425—Electrodes, e.g. characterised by the structure
- H01S5/04256—Electrodes, e.g. characterised by the structure characterised by the configuration
- H01S5/04257—Electrodes, e.g. characterised by the structure characterised by the configuration having positive and negative electrodes on the same side of the substrate
-
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- H01S5/40—Arrangement of two or more semiconductor lasers, not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
- H01S5/4018—Lasers electrically in series
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体レーザアレイ
の構造に関し、特に大容量光ＣＡＴＶに用いる多波長Ｓ
ＣＭ（sub-carrier multiplexing）光伝送用半導体レー
ザアレイの構造に関する。
の構造に関し、特に大容量光ＣＡＴＶに用いる多波長Ｓ
ＣＭ（sub-carrier multiplexing）光伝送用半導体レー
ザアレイの構造に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、光ＣＡＴＶシステムは、１１０ｃ
ｈさらには１５０ｃｈへと大容量化が進められ、その光
源となる半導体レーザ（ＬＤ）にも次第に高度な性能が
要求されるようになってきている。例えば、１５０ｃｈ
全アナログ変調方式のＣＡＴＶシステムでは、ＬＤに要
求される特性としては、ＣＳＯ（composite second ord
er；複合二次歪）≦−６０ｄＢｃ、ＣＴＢ（composite
triple beat ；複合三次歪）≦−６５ｄＢｃ、ＰO ≧２
０ｍＷであり、このような規格を満足する素子の歩留り
は現在のところ非常に小さい。
ｈさらには１５０ｃｈへと大容量化が進められ、その光
源となる半導体レーザ（ＬＤ）にも次第に高度な性能が
要求されるようになってきている。例えば、１５０ｃｈ
全アナログ変調方式のＣＡＴＶシステムでは、ＬＤに要
求される特性としては、ＣＳＯ（composite second ord
er；複合二次歪）≦−６０ｄＢｃ、ＣＴＢ（composite
triple beat ；複合三次歪）≦−６５ｄＢｃ、ＰO ≧２
０ｍＷであり、このような規格を満足する素子の歩留り
は現在のところ非常に小さい。
【０００３】これに対して我々は複数の多波長レーザを
同時に変調し、個々のレーザからの光を合成することに
より、実効的に個々の素子に要求される歪みの規格を緩
和することができるマルチＬＤ方式を提案している。こ
のマルチＬＤ方式では個々のレーザに対する歪みの規格
が緩和される分、素子の歩留りは改善できる。
同時に変調し、個々のレーザからの光を合成することに
より、実効的に個々の素子に要求される歪みの規格を緩
和することができるマルチＬＤ方式を提案している。こ
のマルチＬＤ方式では個々のレーザに対する歪みの規格
が緩和される分、素子の歩留りは改善できる。
【０００４】図５は、このマルチＬＤ方式を採用した従
来のレーザアレイの平面図である。半導体ペレット１の
表面には、内部の活性層ストライプに対応してストライ
プ電極２が形成されており、裏面には共通の電極が形成
されている。このレーザアレイでは、各レーザ素子は各
素子毎にボンディングワイヤ３を介して給電され、テー
パ光ファイバ４を介して光が取り出される。
来のレーザアレイの平面図である。半導体ペレット１の
表面には、内部の活性層ストライプに対応してストライ
プ電極２が形成されており、裏面には共通の電極が形成
されている。このレーザアレイでは、各レーザ素子は各
素子毎にボンディングワイヤ３を介して給電され、テー
パ光ファイバ４を介して光が取り出される。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、マルチ
ＬＤ方式を採用した従来のレーザアレイでは、各レーザ
素子の電極が分離されているため、各素子毎にボンディ
ングワイヤにて電気的に接続する必要があり、そして、
各々の素子の間隔は通常２５０μｍ乃至３００μｍある
ので、ボンディングワイヤが長くなり、大きなインダク
タンスを持つようになるので、変調帯域が制限される欠
点があった。また、各ストライプ電極毎にボンディング
パッドを設ける必要があるため、トータルの電極面積が
広くなり、さらにボンディングワイヤの延長長さも長く
なることから、寄生容量が増加しこのことも変調帯域の
制限要因となっていた。
ＬＤ方式を採用した従来のレーザアレイでは、各レーザ
素子の電極が分離されているため、各素子毎にボンディ
ングワイヤにて電気的に接続する必要があり、そして、
各々の素子の間隔は通常２５０μｍ乃至３００μｍある
ので、ボンディングワイヤが長くなり、大きなインダク
タンスを持つようになるので、変調帯域が制限される欠
点があった。また、各ストライプ電極毎にボンディング
パッドを設ける必要があるため、トータルの電極面積が
広くなり、さらにボンディングワイヤの延長長さも長く
なることから、寄生容量が増加しこのことも変調帯域の
制限要因となっていた。
【０００６】さらに、従来のレーザアレイは、ｎ型基板
あるいはｐ型基板上に形成されており、いずれか一方の
電極が共通となるために、電気的には並列接続しか許さ
れなかった。レーザ素子単体のインピーダンスは通常約
１０Ω程度であるので、５０Ω系の変調信号回路にイン
ピーダンス整合を取る場合には、図４（ａ）に示すよう
に、４０Ω程度の抵抗Ｒを直列に繋ぐ必要がある。この
場合変調信号パワーの８０％はこの直列抵抗で消費さ
れ、レーザ素子ＬＤには２０％のパワーが入力される。
あるいはｐ型基板上に形成されており、いずれか一方の
電極が共通となるために、電気的には並列接続しか許さ
れなかった。レーザ素子単体のインピーダンスは通常約
１０Ω程度であるので、５０Ω系の変調信号回路にイン
ピーダンス整合を取る場合には、図４（ａ）に示すよう
に、４０Ω程度の抵抗Ｒを直列に繋ぐ必要がある。この
場合変調信号パワーの８０％はこの直列抵抗で消費さ
れ、レーザ素子ＬＤには２０％のパワーが入力される。
【０００７】これに対して従来の並列接続レーザアレイ
では、全体でのインピーダンスは４ｃｈの場合で約２．
５Ωとなり、５０Ω系にインピーダンス整合を取るため
には、図４（ｂ）に示すように、４７．５Ωの抵抗Ｒを
直列に挿入する必要がある。この場合、変調ＲＦパワー
の約９５％はこの抵抗で消費されてしまい、残り僅か５
％しかレーザに入力されないので、非常に変調効率が悪
くなる。したがって、従来のマルチＬＤ方式では非常に
大きな変調ＲＦパワーが必要であった。
では、全体でのインピーダンスは４ｃｈの場合で約２．
５Ωとなり、５０Ω系にインピーダンス整合を取るため
には、図４（ｂ）に示すように、４７．５Ωの抵抗Ｒを
直列に挿入する必要がある。この場合、変調ＲＦパワー
の約９５％はこの抵抗で消費されてしまい、残り僅か５
％しかレーザに入力されないので、非常に変調効率が悪
くなる。したがって、従来のマルチＬＤ方式では非常に
大きな変調ＲＦパワーが必要であった。
【０００８】したがって、本発明の目的は、第１に、ボ
ンディングワイヤ長を短くできるようにしてインダクタ
ンスを下げ、さらに電極に係る寄生容量を削減して広帯
域特性を実現することであり、第２に、５０Ω系の変調
回路とのインピーダンス整合を大きなロスを伴うことな
く取れるようにし、レーザアレイの変調効率を高めるこ
とである。
ンディングワイヤ長を短くできるようにしてインダクタ
ンスを下げ、さらに電極に係る寄生容量を削減して広帯
域特性を実現することであり、第２に、５０Ω系の変調
回路とのインピーダンス整合を大きなロスを伴うことな
く取れるようにし、レーザアレイの変調効率を高めるこ
とである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本願の第１発明による半
導体レーザアレイは、基板側と反対側のストライプ状の
電極を共通に接続して、これによりトータルの電極面積
を削減し、またボンディングを簡素化できるようにす
る。
導体レーザアレイは、基板側と反対側のストライプ状の
電極を共通に接続して、これによりトータルの電極面積
を削減し、またボンディングを簡素化できるようにす
る。
【００１０】第２発明の半導体レーザアレイは、半絶縁
性基板上に形成し、個々のレーザ素子の半導体層を半絶
縁性基板まで到達する溝によって分離するようにし、こ
れにより直列接続のマルチＬＤを実現できるようにす
る。
性基板上に形成し、個々のレーザ素子の半導体層を半絶
縁性基板まで到達する溝によって分離するようにし、こ
れにより直列接続のマルチＬＤを実現できるようにす
る。
【００１１】
【発明の実施の形態】第１発明の半導体レーザアレイ
は、半導体基板の一方の面に共通電極が形成され、他方
の面に個々のレーザ素子毎のストライプ状の電極が形成
されており、各ストライプ状の電極が電極の横方向の延
長部により共通に接続され、そして、個々のレーザ素子
の活性層ストライプのピッチが１０μｍ以上５０μｍ以
下であるようになされている。
は、半導体基板の一方の面に共通電極が形成され、他方
の面に個々のレーザ素子毎のストライプ状の電極が形成
されており、各ストライプ状の電極が電極の横方向の延
長部により共通に接続され、そして、個々のレーザ素子
の活性層ストライプのピッチが１０μｍ以上５０μｍ以
下であるようになされている。
【００１２】第２発明の半導体レーザアレイは、半絶縁
性基板上に第１導電型クラッド層、ストライプ状活性層
および第２導電型クラッド層を備えるレーザ素子が複数
個形成されており、個々のレーザ素子はレーザ素子間に
形成された半導体層表面から前記半絶縁性基板表面に到
達する溝により電気的に分離され、かつ、直列抵抗が変
調回路のインピーダンスを越えない範囲で各レーザ素子
が直列に接続され必要に応じて前記変調回路に直列にイ
ンピーダンス素子が接続されて変調回路とのインピーダ
ンス整合が図られていることを特徴としている。
性基板上に第１導電型クラッド層、ストライプ状活性層
および第２導電型クラッド層を備えるレーザ素子が複数
個形成されており、個々のレーザ素子はレーザ素子間に
形成された半導体層表面から前記半絶縁性基板表面に到
達する溝により電気的に分離され、かつ、直列抵抗が変
調回路のインピーダンスを越えない範囲で各レーザ素子
が直列に接続され必要に応じて前記変調回路に直列にイ
ンピーダンス素子が接続されて変調回路とのインピーダ
ンス整合が図られていることを特徴としている。
【００１３】第１発明の半導体レーザアレイによれば、
各々のレーザ素子の電極が電気的に共通に接続されたこ
とにより、１本のボンディングワイヤで全ての素子に通
電できるようになる。そして、ボンディングワイヤの長
さが短くなったことによりインダクタンスが低減化され
る。さらに、ボンディングパッドを共通化したことによ
り電極面積が低減化され、またボンディングワイヤが短
くなったことにより寄生容量が削減され、広帯域化を実
現することができる。
各々のレーザ素子の電極が電気的に共通に接続されたこ
とにより、１本のボンディングワイヤで全ての素子に通
電できるようになる。そして、ボンディングワイヤの長
さが短くなったことによりインダクタンスが低減化され
る。さらに、ボンディングパッドを共通化したことによ
り電極面積が低減化され、またボンディングワイヤが短
くなったことにより寄生容量が削減され、広帯域化を実
現することができる。
【００１４】このようにインダクタンスと寄生容量が削
減されたことにより、変調帯域は１ＧＨｚ程度と広くな
り、光ＣＡＴＶにおいて、１５０ｃｈ分の番組が送れる
ようになる。しかしながら、素子間隔が５μｍ程度以下
になると、各々の素子の光の電界が結合するようにな
り、従来のレーザとは全く異なる動作を示すようにな
る。このような一例としては、位相同期レーザアレイが
よく知られている。したがって、素子間隔は１０μｍ以
上であることが望ましい。また、電極面積を狭くして広
帯域化を実現するために５０μｍ以下に抑えることが望
ましい。
減されたことにより、変調帯域は１ＧＨｚ程度と広くな
り、光ＣＡＴＶにおいて、１５０ｃｈ分の番組が送れる
ようになる。しかしながら、素子間隔が５μｍ程度以下
になると、各々の素子の光の電界が結合するようにな
り、従来のレーザとは全く異なる動作を示すようにな
る。このような一例としては、位相同期レーザアレイが
よく知られている。したがって、素子間隔は１０μｍ以
上であることが望ましい。また、電極面積を狭くして広
帯域化を実現するために５０μｍ以下に抑えることが望
ましい。
【００１５】また、第２発明の半導体レーザアレイで
は、半絶縁性基板上にレーザアレイを形成し、各レーザ
素子の間に半絶縁性基板に到達する素子分離用溝を形成
しているので、各レーザ素子の両電極を電気的に独立さ
せることが可能になり、各素子を直列接続することが可
能になる。マルチＬＤを直列接続で実現した場合には、
４ｃｈの場合全体のインピーダンスは約４０Ωになるの
で、図４（ｃ）に示すように、１０Ω程度の抵抗Ｒを挿
入すれば、５０Ω系の変調回路とインピーダンス整合を
取ることができる。この場合は、加えたＲＦパワーの８
０％がレーザに入力されることになり、従来の並列接続
レーザアレイに比べて非常に変調効率がよくなる。すな
わち、少ないＲＦパワーで変調が可能になる。
は、半絶縁性基板上にレーザアレイを形成し、各レーザ
素子の間に半絶縁性基板に到達する素子分離用溝を形成
しているので、各レーザ素子の両電極を電気的に独立さ
せることが可能になり、各素子を直列接続することが可
能になる。マルチＬＤを直列接続で実現した場合には、
４ｃｈの場合全体のインピーダンスは約４０Ωになるの
で、図４（ｃ）に示すように、１０Ω程度の抵抗Ｒを挿
入すれば、５０Ω系の変調回路とインピーダンス整合を
取ることができる。この場合は、加えたＲＦパワーの８
０％がレーザに入力されることになり、従来の並列接続
レーザアレイに比べて非常に変調効率がよくなる。すな
わち、少ないＲＦパワーで変調が可能になる。
【００１６】チャネル数を５ｃｈとした場合、直列接続
されたレーザ素子インピーダンスは約５０Ωとなり、直
列抵抗を挿入しなくてもインピーダンス整合が取れるの
でさらによいようにも考えられるが、この直列抵抗はレ
ーザの定電流駆動を安定化させるためにある程度は必要
であり、直列抵抗０とするのは好ましくない。また各レ
ーザ素子からの光を合波することを考えると、２ｃｈ、
４ｃｈ、８ｃｈ、…というように２ｃｈの倍数ｃｈの構
成が好ましく、この意味で５ｃｈは中途半端であり、好
ましくない。したがって、直列接続レーザアレイでは４
ｃｈの構成が最も望ましい。
されたレーザ素子インピーダンスは約５０Ωとなり、直
列抵抗を挿入しなくてもインピーダンス整合が取れるの
でさらによいようにも考えられるが、この直列抵抗はレ
ーザの定電流駆動を安定化させるためにある程度は必要
であり、直列抵抗０とするのは好ましくない。また各レ
ーザ素子からの光を合波することを考えると、２ｃｈ、
４ｃｈ、８ｃｈ、…というように２ｃｈの倍数ｃｈの構
成が好ましく、この意味で５ｃｈは中途半端であり、好
ましくない。したがって、直列接続レーザアレイでは４
ｃｈの構成が最も望ましい。
【００１７】
【実施例】次に、本発明の実施例について図面を参照し
て説明する。 ［第１の実施例］図１は、本発明の第１の実施例として
の電極を共通にした４ｃｈレーザアレイの平面図であ
る。同図に示されるように、半導体ペレット１上には、
ペレット内に形成された活性層ストライプに対応してス
トライプ電極２が４本形成されており、これらの電極は
電極延長部により共通に接続されている。また、基板裏
面には共通電極が形成されている。各ストライプ電極２
には１本のボンディングワイヤ３により給電が行われ
る。また、各レーザ素子からの出射光はテーパ光ファイ
バ４を介して取り出される。本実施例のレーザアレイに
おいては、各レーザ素子の間隔（ピッチ）は１０〜５０
μｍと狭くなされる（従来例での間隔は２５０〜３００
μｍ）。
て説明する。 ［第１の実施例］図１は、本発明の第１の実施例として
の電極を共通にした４ｃｈレーザアレイの平面図であ
る。同図に示されるように、半導体ペレット１上には、
ペレット内に形成された活性層ストライプに対応してス
トライプ電極２が４本形成されており、これらの電極は
電極延長部により共通に接続されている。また、基板裏
面には共通電極が形成されている。各ストライプ電極２
には１本のボンディングワイヤ３により給電が行われ
る。また、各レーザ素子からの出射光はテーパ光ファイ
バ４を介して取り出される。本実施例のレーザアレイに
おいては、各レーザ素子の間隔（ピッチ）は１０〜５０
μｍと狭くなされる（従来例での間隔は２５０〜３００
μｍ）。
【００１８】［第２の実施例］図２は、本発明の第２の
実施例である直列接続されたレーザアレイの断面図であ
る。このレーザアレイを作製するには、まず半絶縁性基
板５上にｎ−ＩｎＰクラッド層（厚さ５μｍ程度）６を
成長させ、その上にＩｎＧａＡｓＰからなる活性層７、
ｐ−Ｉｎｐクラッド層８の順に成長させて、ダブルヘテ
ロ構造を形成する。ここで、ＤＦＢレーザを作るのであ
れば、活性層の上あるいは下側に適切なプロセスにより
回折格子を形成する。また、活性層７は多重量子井戸構
造とすることができる。
実施例である直列接続されたレーザアレイの断面図であ
る。このレーザアレイを作製するには、まず半絶縁性基
板５上にｎ−ＩｎＰクラッド層（厚さ５μｍ程度）６を
成長させ、その上にＩｎＧａＡｓＰからなる活性層７、
ｐ−Ｉｎｐクラッド層８の順に成長させて、ダブルヘテ
ロ構造を形成する。ここで、ＤＦＢレーザを作るのであ
れば、活性層の上あるいは下側に適切なプロセスにより
回折格子を形成する。また、活性層７は多重量子井戸構
造とすることができる。
【００１９】次に、ｎ−ＩｎＰクラッド層６の途中まで
エッチングしてストライプ状のメサ構造を形成し、その
エッチング部分にｐ−ＩｎＰ、ｎ−ＩｎＰ、ｐ−ＩｎＰ
を順次成長させて、ｐ−ＩｎＰ電流ブロック層９、ｎ−
ＩｎＰ電流ブロック層１０を形成する。その上にｐ+ −
ＩｎＰキャップ層１１を形成した後、電極形成のために
素子間のキャップ層、電流ブロック層をエッチング除去
してｎ−ＩｎＰクラッド層６の表面を露出させる。さら
に、ｎ−ＩｎＰクラッド層６を貫通して半絶縁性基板５
に到達する素子分離用溝１２を形成する。そして、ｐ+
−ＩｎＰキャップ層１１上にｐ側電極１３を、ｎ−Ｉｎ
Ｐクラッド層６上にｎ側電極１４を形成して、本実施例
のレーザアレイの製造工程が完了する。
エッチングしてストライプ状のメサ構造を形成し、その
エッチング部分にｐ−ＩｎＰ、ｎ−ＩｎＰ、ｐ−ＩｎＰ
を順次成長させて、ｐ−ＩｎＰ電流ブロック層９、ｎ−
ＩｎＰ電流ブロック層１０を形成する。その上にｐ+ −
ＩｎＰキャップ層１１を形成した後、電極形成のために
素子間のキャップ層、電流ブロック層をエッチング除去
してｎ−ＩｎＰクラッド層６の表面を露出させる。さら
に、ｎ−ＩｎＰクラッド層６を貫通して半絶縁性基板５
に到達する素子分離用溝１２を形成する。そして、ｐ+
−ＩｎＰキャップ層１１上にｐ側電極１３を、ｎ−Ｉｎ
Ｐクラッド層６上にｎ側電極１４を形成して、本実施例
のレーザアレイの製造工程が完了する。
【００２０】このレーザアレイを実装する場合には、両
端の電極を筐体の電極とボンディングワイヤ３で接続す
るとともに、隣接する素子同士のｎ側電極１４とｐ側電
極１３とをボンディングワイヤ３で接続する。上記実施
例では、ＩｎＧａＡｓＰ系の長波長材料を用いた例につ
いて説明したが、ＡｌＧａＡｓ系の短波長材料や、Ａｌ
ＧａＩｎＰ系の可視光材料を用いる場合にも本発明を適
用することができる。
端の電極を筐体の電極とボンディングワイヤ３で接続す
るとともに、隣接する素子同士のｎ側電極１４とｐ側電
極１３とをボンディングワイヤ３で接続する。上記実施
例では、ＩｎＧａＡｓＰ系の長波長材料を用いた例につ
いて説明したが、ＡｌＧａＡｓ系の短波長材料や、Ａｌ
ＧａＩｎＰ系の可視光材料を用いる場合にも本発明を適
用することができる。
【００２１】［第３の実施例］図３は、本発明の第３の
実施例である直列接続されたレーザアレイの断面図であ
る。本実施例のレーザアレイを作製するには、第２の実
施例と同様の方法により、素子分離用溝１２の形成まで
の工程を行う。その後、ＳｉＯ2 またはＳｉ3Ｎ4 を堆
積して絶縁膜１５を形成し、電極用の窓開けを行った
後、アレイの両端にｐ側電極１３とｎ側電極を形成し、
素子間には、ｎ−ＩｎＰクラッド層６とｐ+ −ＩｎＰキ
ャップ層１１との間を接続する接続電極１６を形成す
る。
実施例である直列接続されたレーザアレイの断面図であ
る。本実施例のレーザアレイを作製するには、第２の実
施例と同様の方法により、素子分離用溝１２の形成まで
の工程を行う。その後、ＳｉＯ2 またはＳｉ3Ｎ4 を堆
積して絶縁膜１５を形成し、電極用の窓開けを行った
後、アレイの両端にｐ側電極１３とｎ側電極を形成し、
素子間には、ｎ−ＩｎＰクラッド層６とｐ+ −ＩｎＰキ
ャップ層１１との間を接続する接続電極１６を形成す
る。
【００２２】
【発明の効果】以上説明したように、第１発明の半導体
レーザアレイによれば、寄生容量を減少することができ
るできるとともにボンディングワイヤを短くすることに
よりインダクタンスを低減できるため、広帯域特性を実
現できる。また、第２発明によれば、５０Ω系の変調回
路とのインピーダンス整合が取りやすくなり、変調効率
も高くなるので、レーザ駆動用ドライバ回路への負担を
軽くできる。したがって、本発明によれば、マルチＬＤ
方式に適した、今後のＣＡＴＶの多チャンネル化にも十
分対応できるレーザアレイを提供することができる。
レーザアレイによれば、寄生容量を減少することができ
るできるとともにボンディングワイヤを短くすることに
よりインダクタンスを低減できるため、広帯域特性を実
現できる。また、第２発明によれば、５０Ω系の変調回
路とのインピーダンス整合が取りやすくなり、変調効率
も高くなるので、レーザ駆動用ドライバ回路への負担を
軽くできる。したがって、本発明によれば、マルチＬＤ
方式に適した、今後のＣＡＴＶの多チャンネル化にも十
分対応できるレーザアレイを提供することができる。
【図１】本発明の第１の実施例の平面図。
【図２】本発明の第２の実施例の断面図。
【図３】本発明の第３の実施例の断面図。
【図４】レーザ素子単体または並列もしくは直列接続さ
れたレーザアレイと変調回路とのマッチングを取るため
に必要な抵抗の接続状態を示す回路図。
れたレーザアレイと変調回路とのマッチングを取るため
に必要な抵抗の接続状態を示す回路図。
【図５】従来例の平面図。
１ 半導体ペレット ２ ストライプ電極 ３ ボンディングワイヤ ４ テーパ光ファイバ ５ 半絶縁性基板 ６ ｎ−ＩｎＰクラッド層 ７ 活性層 ８ ｐ−ＩｎＰクラッド層 ９ ｐ−ＩｎＰ電流ブロック層 １０ ｎ−ＩｎＰ電流ブロック層 １１ ｐ+ −ＩｎＰキャップ層 １２ 素子分離用溝 １３ ｐ側電極 １４ ｎ側電極 １５ 絶縁膜 １６ 接続電極
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平１−136387（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−199486（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−133980（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−201633（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−260878（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−237187（ＪＰ，Ａ) 特開 平８−46279（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−214081（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H01S 3/18
Claims (3)
- 【請求項１】 半導体基板の一方の面に共通電極が形成
され、他方の面に個々のレーザ素子毎のストライプ状の
電極が形成されており、各ストライプ状の電極が電極の
横方向の延長部により共通に接続されている半導体レー
ザ素子アレイであって、個々のレーザ素子の活性層スト
ライプのピッチが１０μｍ以上５０μｍ以下であること
を特徴とする半導体レーザアレイ。 - 【請求項２】 半絶縁性基板上に、第１導電型クラッド
層、ストライプ状活性層および第２導電型クラッド層を
備えるレーザ素子が複数個形成されており、個々のレー
ザ素子はレーザ素子間に形成された半導体層表面から前
記半絶縁性基板表面に到達する溝により電気的に分離さ
れ、かつ、直列抵抗が変調回路のインピーダンスを越え
ない範囲で各レーザ素子が直列に接続され必要に応じて
前記変調回路に直列にインピーダンス素子が接続されて
変調回路とのインピーダンス整合が図られていることを
特徴とする半導体レーザアレイ。 - 【請求項３】 個々のレーザ素子毎に第１導電型クラッ
ド層上に第１の電極が、第２導電型クラッド層上に第２
の電極が形成されており、隣接するレーザ素子同士で第
１の電極と第２の電極とがボンディングワイヤ乃至電極
延長部によって接続されていることを特徴とする請求項
２記載の半導体レーザアレイ。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7347016A JP2910914B2 (ja) | 1995-12-14 | 1995-12-14 | 半導体レーザアレイ |
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| EP96119812A EP0779690A2 (en) | 1995-12-14 | 1996-12-10 | Semiconductor laser array |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7347016A JP2910914B2 (ja) | 1995-12-14 | 1995-12-14 | 半導体レーザアレイ |
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|---|---|
| JPH09167878A JPH09167878A (ja) | 1997-06-24 |
| JP2910914B2 true JP2910914B2 (ja) | 1999-06-23 |
Family
ID=18387355
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7347016A Expired - Lifetime JP2910914B2 (ja) | 1995-12-14 | 1995-12-14 | 半導体レーザアレイ |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5887012A (ja) |
| EP (1) | EP0779690A2 (ja) |
| JP (1) | JP2910914B2 (ja) |
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| KR20070039110A (ko) * | 2004-07-30 | 2007-04-11 | 노바룩스 인코포레이티드 | 표면 발산 레이저 어레이의 접합 절연을 위한 장치, 시스템및 방법 |
| JP4578989B2 (ja) * | 2005-01-24 | 2010-11-10 | 日本電信電話株式会社 | 光集積デバイス |
| KR101142938B1 (ko) * | 2005-03-07 | 2012-05-10 | 서울반도체 주식회사 | 발광 소자의 제조 방법 |
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| CN104485576A (zh) * | 2014-12-12 | 2015-04-01 | 中国工程物理研究院流体物理研究所 | 一种多芯组高功率塑封脉冲半导体激光二极管 |
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| WO2020174949A1 (ja) * | 2019-02-26 | 2020-09-03 | パナソニックセミコンダクターソリューションズ株式会社 | 半導体レーザ装置及び半導体レーザ素子 |
| DE102019121384A1 (de) * | 2019-08-07 | 2021-02-11 | Forschungsverbund Berlin E.V. | Optischer Pulsgenerator und Verfahren zum Betrieb eines optischen Pulsgenerators hoher Leistung und kurzen Pulsen |
| WO2021210464A1 (ja) * | 2020-04-16 | 2021-10-21 | ヌヴォトンテクノロジージャパン株式会社 | アレー型半導体レーザ装置 |
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| US11557874B2 (en) * | 2021-05-18 | 2023-01-17 | Trumpf Photonics, Inc. | Double-sided cooling of laser diodes |
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-
1995
- 1995-12-14 JP JP7347016A patent/JP2910914B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1996
- 1996-12-09 US US08/762,319 patent/US5887012A/en not_active Expired - Fee Related
- 1996-12-10 EP EP96119812A patent/EP0779690A2/en not_active Withdrawn
Also Published As
| Publication number | Publication date |
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