JP2803800B2 - Wiring method for semiconductor integrated circuit device - Google Patents

Wiring method for semiconductor integrated circuit device

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JP2803800B2
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浩代 黒田
裕子 光安
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松下電子工業株式会社
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Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、半導体集積回路装置の
配線処理方法に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a wiring processing method for a semiconductor integrated circuit device.

【0002】[0002]

【従来の技術】近年、デジタル・アナログICの大規模
化に伴い開発期間の短縮が重要な課題となり、自動的に
マスクレイアウトが行われる半導体集積回路装置が開
発、利用されている。
2. Description of the Related Art In recent years, as the scale of digital / analog ICs has increased, shortening the development period has become an important issue, and semiconductor integrated circuit devices in which mask layout is automatically performed have been developed and used.

【0003】以下に従来の半導体集積回路装置の配線処
理方法について説明する。図4は従来の半導体集積回路
装置の配線処理方法によって得られた、マスクレイアウ
ト図を示すものである。図4において、1は半導体基
板、2は半導体基板1上に所定の間隔を開けて形成され
た矩形ブロック行、3は矩形ブロック行2に挟まれた空
間である矩形チャネル行、4は各矩形ブロック行2内に
隣接して配置されている機能マスクブロック、5は機能
マスクブロック4の輪郭を定めた機能マスクブロック外
枠、6は機能マスクブロック4内の配線禁止領域、7は
矩形ブロック行2上を上下方向に通過するフィードスル
ー配線、8は矩形チャネル行3におけるチャネル配線、
9は概略配線処理により決定されたフィードスルー配線
7の概略位置である。
A conventional wiring processing method for a semiconductor integrated circuit device will be described below. FIG. 4 shows a mask layout diagram obtained by a conventional wiring processing method for a semiconductor integrated circuit device. In FIG. 4, 1 is a semiconductor substrate, 2 is a rectangular block row formed on the semiconductor substrate 1 at a predetermined interval, 3 is a rectangular channel row which is a space sandwiched between the rectangular block rows 2, and 4 is each rectangle. A functional mask block adjacently arranged in the block row 2, a functional mask block outer frame 5 defining the outline of the functional mask block 4, a wiring prohibited area 6 in the functional mask block 4, and a rectangular block row 7 2, a feed-through wiring passing vertically on 2, 8 a channel wiring in a rectangular channel row 3,
Reference numeral 9 denotes a schematic position of the feed-through wiring 7 determined by the general wiring processing.

【0004】図4を用いて、以下、半導体集積回路装置
の配線処理方法について説明する。半導体基板1上に複
数の矩形ブロック行2を所定の間隔(矩形チャネル行3
の幅)を開けて形成し、各矩形ブロック行2内に機能マ
スクブロック4を隣接して配置させる。矩形ブロック行
2内を上下方向に通過するフィードスルー配線7の設定
は、設計者が機能マスクブロック4を設計する際、一緒
に行うか、または計算機処理により、機能マスクブロッ
ク4上に先に自動生成しておく。この状態で、概略配線
処理により決定されたフィードスルー配線7の概略位置
9付近のフィードスルー配線7を選択し、チャネル配線
によって選ばれたフィードスルー配線どうしのチャネル
配線8を行うという配線処理方法が取られていた。
[0004] Referring to FIG. 4, a wiring processing method for a semiconductor integrated circuit device will be described below. A plurality of rectangular block rows 2 are formed on a semiconductor substrate 1 at predetermined intervals (rectangular channel rows 3
), And a functional mask block 4 is arranged adjacent to each rectangular block row 2. The setting of the feed-through wiring 7 passing vertically through the rectangular block row 2 is performed together when the designer designs the functional mask block 4 or automatically set on the functional mask block 4 first by computer processing. Generate it. In this state, a wiring processing method of selecting the feed-through wiring 7 near the approximate position 9 of the feed-through wiring 7 determined by the general wiring processing and performing the channel wiring 8 between the feed-through wirings selected by the channel wiring. Had been taken.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記従来
の配線処理方法では、先に機能マスクブロック4上にフ
ィードスルー配線7の設定を行うため、対向する矩形ブ
ロック行2間(矩形チャネル行3内)で選ばれたフィー
ドスルー配線7の位置がずれており、チャネル配線8を
行った際、矩形チャネル行3内に矩形ブロック行2に平
行な方向(以下、横方向とする)の配線(以下、幹線と
言う)が多く発生する。このため、矩形チャネル行3の
矩形ブロック行2に垂直な方向(以下、縦方向とする)
の幅が増大し、その結果、縦方向のチップサイズが増大
してしまうという問題点があった。
However, in the above-described conventional wiring processing method, since the feedthrough wiring 7 is first set on the functional mask block 4, the space between the opposing rectangular block rows 2 (within the rectangular channel rows 3) is set. The position of the feedthrough wiring 7 selected in the above is shifted, and when the channel wiring 8 is performed, the wiring (hereinafter, referred to as the horizontal direction) in the rectangular channel row 3 in the direction parallel to the rectangular block row 2 (hereinafter, referred to as the horizontal direction). (Referred to as a main line). Therefore, a direction perpendicular to the rectangular block row 2 of the rectangular channel row 3 (hereinafter, referred to as a vertical direction).
Has a problem that the chip size in the vertical direction increases as a result.

【0006】本発明は上記従来の問題点を解決するもの
で、対向する矩形ブロック行間(矩形チャネル行内)に
おけるフィードスルー配線位置を一致させることによ
り、チャネル配線を行った際の幹線の発生を最小にし、
縦方向のチップ面積を縮小することができる半導体集積
回路装置の配線方法を提供することを目的とする。
The present invention solves the above-mentioned conventional problems. By matching feed-through wiring positions between opposed rectangular block rows (within rectangular channel rows), the generation of a trunk line when performing channel wiring is minimized. West,
It is an object of the present invention to provide a wiring method for a semiconductor integrated circuit device capable of reducing a vertical chip area.

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に本発明の半導体集積回路装置の配線方法は、複数の矩
形ブロック行上を通過するフィードスルー配線の概略配
線位置を決定する概略配線処理工程と、前記概略配線位
置が前記複数の矩形ブロック行の1つである第1の矩形
ブロック行上の配線禁止領域にあれば、前記配線禁止領
域を回避して前記フィードスルー配線を前記概略配線位
置から最短距離の第1の位置に設定し直す第1の詳細配
線処理工程と、前記第1の矩形ブロック行に対向する少
なくとも1つの第2の矩形ブロック行の前記概略配線位
置を前記第1の位置に対向する第2の位置に設定変更す
る概略配線位置変更工程と、前記第2の位置を通り前記
第2の矩形ブロック行上の前記概略配線位置を設定し直
す第2の詳細配線処理工程と、上記概略配線位置変更工
程と詳細配線処理工程を、前記複数の矩形ブロック行の
全てについて行う工程とからなる。
In order to achieve this object, a wiring method for a semiconductor integrated circuit device according to the present invention comprises a general wiring process for determining a general wiring position of a feed-through wiring passing over a plurality of rectangular block rows. And if the general wiring position is in a wiring prohibited area on a first rectangular block row that is one of the plurality of rectangular block rows, the feedthrough wiring is bypassed to avoid the wiring prohibited area. A first detailed wiring processing step of resetting the position to a first position which is the shortest distance from the position, and the general wiring position of at least one second rectangular block row facing the first rectangular block row is set to the first position. A general wiring position changing step of changing the setting to a second position opposite to the second position, and a second detailed wiring for resetting the general wiring position on the second rectangular block row passing through the second position And management step, the schematic wiring position changing step and the detailed routing process, and a step of performing all of the plurality of rectangular block row.

【0008】[0008]

【作用】この構成によってフィードスルー配線が、対向
する矩形ブロック行間で縦方向を同一座標に設定するこ
とが可能となるため、チャネル配線を行った際の幹線の
発生を最小にし、縦方向のチップ面積を縮小することが
できる。
With this configuration, the feed-through wiring can set the same coordinate in the vertical direction between the opposing rectangular block rows, so that the generation of the trunk line when the channel wiring is performed is minimized, and the chip in the vertical direction is formed. The area can be reduced.

【0009】[0009]

【実施例】以下、本発明の一実施例について図面を参照
しながら説明する。
An embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings.

【0010】図1は本発明の一実施例における半導体集
積回路装置の配線方法によって得られたマスクレイアウ
ト図を示すものである。図1において、1は半導体基
板、2は半導体基板1上に所定の間隔を開けて形成され
た矩形ブロック行、3は矩形ブロック行2に挟まれる空
間で矩形チャネル行、4は各矩形ブロック行2内に隣接
して配置されている機能マスクブロック、5は機能マス
クブロック4の輪郭を定めた機能マスクブロック外枠で
あり、6は機能マスクブロック4内の配線禁止領域、1
7は矩形ブロック行2上を上下方向に通過するフィード
スルー配線、18は矩形チャネル行3におけるチャネル
配線である。
FIG. 1 shows a mask layout diagram obtained by a wiring method of a semiconductor integrated circuit device according to an embodiment of the present invention. In FIG. 1, 1 is a semiconductor substrate, 2 is a rectangular block row formed on the semiconductor substrate 1 at a predetermined interval, 3 is a rectangular channel row in a space sandwiched between the rectangular block rows 2, and 4 is each rectangular block row Function mask blocks 2 and 5 are disposed adjacent to each other, 5 is a function mask block outer frame defining an outline of the function mask block 4, and 6 is a wiring prohibited area in the function mask block 4 and 1
Reference numeral 7 denotes a feed-through wiring that passes over the rectangular block row 2 in the vertical direction, and reference numeral 18 denotes a channel wiring in the rectangular channel row 3.

【0011】図2はフィードスルー配線の配線方法を示
す工程図である。図2において、21、22、23は半
導体基板1上に形成された矩形ブロック行、19は概略
配線により決定されたフィードスルー配線17の概略配
線位置、10はフィードスルー配線17の概略配線位置
19が矩形ブロック行21、22、23と交差する交点
であるフィードスルー配線ピン位置である。その他の半
導体回路装置の各構成の番号はすべて図1と同様であ
る。
FIG. 2 is a process chart showing a wiring method of the feedthrough wiring. 2, reference numerals 21, 22, and 23 denote rectangular block rows formed on the semiconductor substrate 1, reference numeral 19 denotes a general wiring position of the feed-through wiring 17 determined by general wiring, and reference numeral 10 denotes a general wiring position 19 of the feed-through wiring 17. Are feedthrough wiring pin positions which are intersections intersecting the rectangular block rows 21, 22, and 23. The numbers of the other components of the semiconductor circuit device are all the same as in FIG.

【0012】半導体集積回路装置の配線方法について、
図2を用いて説明する。半導体基板1上に矩形ブロック
行21、22、23を形成し、各矩形ブロック行21、
22、23内に機能マスクブロック4を隣接して配置さ
せる(図示せず)。この際、各矩形ブロック行21、2
2、23の配置座標、矩形ブロック行21、22、23
内における機能マスクブロック4の配置座標、機能マス
クブロック4内の配線禁止領域6等の情報を半導体集積
回路装置内に登録しておく。
[0012] Regarding a wiring method of a semiconductor integrated circuit device,
This will be described with reference to FIG. Rectangular block rows 21, 22, and 23 are formed on the semiconductor substrate 1, and each rectangular block row 21,
The functional mask blocks 4 are arranged adjacent to each other in the insides 22 and 23 (not shown). At this time, each rectangular block row 21, 2
Arrangement coordinates of 2, 23, rectangular block rows 21, 22, 23
The information such as the arrangement coordinates of the functional mask block 4 in the device and the wiring prohibited area 6 in the functional mask block 4 is registered in the semiconductor integrated circuit device.

【0013】次にフィードスルー配線17の概略配線処
理により、図2(a)に示すような配線が矩形ブロック
行21、22、23内を上下方向に通過するフィードス
ルー配線17の概略配線位置19が決定される。このフ
ィードスルー配線17の概略配線位置19に基づいて、
矩形ブロック行単位でフィードスルー配線17の設定を
行う。
Next, the schematic wiring processing of the feed-through wiring 17 causes the wiring as shown in FIG. 2A to pass through the rectangular block rows 21, 22, and 23 in the vertical direction. Is determined. Based on the approximate wiring position 19 of the feedthrough wiring 17,
The feedthrough wiring 17 is set for each rectangular block row.

【0014】次に図2(b)に示すように、先ず複数の
矩形ブロック行2の中から、一番最初にフィードスルー
配線処理を行う第1の矩形ブロック行を選ぶ。本実施例
においては、矩形ブロック行22が選ばれたとする。矩
形ブロック行22内のフィードスルー配線17の概略配
線位置19周辺の配線禁止領域6を読み取り、このデー
タを回避してフィードスルー配線ピン位置10から最短
距離位置にフィードスルー配線17を設定(詳細配線処
理)する。
Next, as shown in FIG. 2B, first, a first rectangular block row to be subjected to the feed-through wiring processing is first selected from a plurality of rectangular block rows 2. In this embodiment, it is assumed that the rectangular block row 22 is selected. The wiring prohibited area 6 around the approximate wiring position 19 of the feedthrough wiring 17 in the rectangular block row 22 is read, and the data is avoided to set the feedthrough wiring 17 at the shortest distance from the feedthrough wiring pin position 10 (detailed wiring). Process).

【0015】次に第1の矩形ブロック行22に対向する
第2の矩形ブロック行21、23について、概略配線処
理で決定したフィードスルー配線ピン位置10の変更を
行う。第2の矩形ブロック行21下辺のフィードスルー
配線ピン位置10は、第1の矩形ブロック行22に設定
されたフィードスルー配線17が矩形ブロック行22の
上辺と交わる横方向同座標の位置に、第2の矩形ブロッ
ク行23上辺のフィードスルー配線ピン位置10は、第
1の矩形ブロック行22に設定されたフィードスルー配
線17が矩形ブロック行22の下辺と交わる横方向同座
標の位置にそれぞれ変更される。第2の矩形ブロック行
21下辺、矩形ブロック行23上辺のフィードスルー配
線ピン位置10の変更は行わない。
Next, for the second rectangular block rows 21 and 23 opposed to the first rectangular block row 22, the feedthrough wiring pin positions 10 determined by the general wiring processing are changed. The feedthrough wiring pin position 10 on the lower side of the second rectangular block row 21 is located at the same coordinate position in the horizontal direction where the feedthrough wiring 17 set in the first rectangular block row 22 intersects the upper side of the rectangular block row 22. The feedthrough wiring pin position 10 on the upper side of the second rectangular block row 23 is changed to a position at the same horizontal coordinate where the feedthrough wiring 17 set in the first rectangular block row 22 intersects the lower side of the rectangular block row 22. You. The feedthrough wiring pin positions 10 on the lower side of the second rectangular block row 21 and the upper side of the rectangular block row 23 are not changed.

【0016】以上の様に概略配線処理で決定したフィー
ドスルー配線ピン位置10の変更を行った後、第2の矩
形ブロック行21、23において詳細配線処理を行う。
その結果を図2(c)に示す。
After the feedthrough wiring pin position 10 determined by the general wiring processing is changed as described above, detailed wiring processing is performed on the second rectangular block rows 21 and 23.
The result is shown in FIG.

【0017】以上の様に本実施例によれば、概略配線処
理工程と、第1の矩形ブロック行22における詳細配線
工程と、第一の矩形ブロック行22に対向する第2の矩
形ブロック行21、23におけるフィードスルー配線1
7の概略配線位置変更工程と詳細配線処理工程とによ
り、矩形チャネル行3において対向する矩形ブロック行
間の配線を行う際、可能な限り直線の経路で配線でき
る。これにより矩形チャネル行3における幹線の発生を
最小、即ち矩形チャネル行の縦方向を最小にする事がで
き、縦方向のチップ面積を縮小する事ができる。
As described above, according to the present embodiment, the schematic wiring processing step, the detailed wiring step in the first rectangular block row 22, and the second rectangular block row 21 facing the first rectangular block row 22 are performed. , Feed-through wiring 1 in 23
By the general wiring position changing step 7 and the detailed wiring processing step 7, when wiring is performed between rectangular block rows facing each other in the rectangular channel row 3, the wiring can be routed as straight as possible. As a result, the generation of trunk lines in the rectangular channel row 3 can be minimized, that is, the vertical direction of the rectangular channel row can be minimized, and the chip area in the vertical direction can be reduced.

【0018】図3はフィードスルー配線を行った結果を
示すものである。図3において、31、32は半導体基
板1上に形成された矩形ブロック行である。その他の半
導体回路装置の各構成の番号はすべて図1と同様であ
る。
FIG. 3 shows the result of performing feed-through wiring. In FIG. 3, reference numerals 31 and 32 are rectangular block rows formed on the semiconductor substrate 1. The numbers of the other components of the semiconductor circuit device are all the same as in FIG.

【0019】ここで、第1の矩形ブロック行の選択方法
を図3を用いて説明する。概略配線処理工程で決定され
たフィードスルー配線17の概略配線位置19を図3
(a)に示す。
Here, a method of selecting the first rectangular block row will be described with reference to FIG. The schematic wiring position 19 of the feedthrough wiring 17 determined in the schematic wiring processing step is shown in FIG.
(A).

【0020】次に、第1の矩形ブロック行に、矩形ブロ
ック行内のフィードスルー配線本数が一番少ない矩形ブ
ロック行32を選んで、上記半導体回路装置の配線方法
を実行した結果を図3(b)に示す。第1の矩形ブロッ
ク行32のフィードスルー配線73位置に基づいて行っ
た第2の矩形ブロック行31のフィードスルー配線71
により、第2の矩形ブロック行31の次のフィードスル
ー配線72の配線経路がふさがれ、第2の矩形ブロック
31上に設定不可能となってしまう場合が生じる。
Next, the result of selecting the rectangular block row 32 having the least number of feedthrough wirings in the rectangular block row as the first rectangular block row and executing the wiring method of the semiconductor circuit device is shown in FIG. ). The feedthrough wiring 71 of the second rectangular block row 31 performed based on the position of the feedthrough wiring 73 of the first rectangular block row 32
As a result, the wiring path of the feedthrough wiring 72 next to the second rectangular block row 31 may be blocked, and the setting on the second rectangular block 31 may not be possible.

【0021】この様な事態を避けるため、第1の矩形ブ
ロック行の選択は一番設定条件が厳しい矩形ブロック、
即ち矩形ブロック行内のフィードスルー配線本数の一番
多い矩形ブロックを選ぶように決定する。矩形ブロック
行内のフィードスルー配線本数が一番多い矩形ブロック
行31を選んで、本発明の半導体回路装置の配線方法を
実行した結果を図3(c)に示す。この場合は全てのフ
ィードスルー配線の設定が可能である。
In order to avoid such a situation, the selection of the first rectangular block row is performed by selecting the rectangular block whose setting condition is strictest.
That is, it is determined that the rectangular block having the largest number of feedthrough wirings in the rectangular block row is selected. FIG. 3C shows the result of selecting the rectangular block row 31 having the largest number of feedthrough wirings in the rectangular block row and executing the wiring method of the semiconductor circuit device of the present invention. In this case, all the feedthrough wirings can be set.

【0022】なお、矩形ブロック行が4行以上の場合は
既にフィードスルー配線の設定が完了した矩形ブロック
行を第1の矩形ブロックとみなし、同様に概略配線位置
変更工程と詳細配線処理工程を、複数の矩形ブロック行
の全てについて繰り返すことによって全矩形ブロック行
のフィードスルー配線の設定が完了する。
If there are four or more rectangular block rows, the rectangular block row for which feedthrough wiring has already been set is regarded as the first rectangular block, and the general wiring position changing step and the detailed wiring processing step are similarly performed. By repeating the process for all of the plurality of rectangular block rows, the setting of the feedthrough wiring for all the rectangular block rows is completed.

【0023】[0023]

【発明の効果】本発明は、矩形ブロック行毎のフィード
スルー配線処理において、フィードスルー配線処理済み
矩形ブロック行の配線結果を考慮して、目標とするフィ
ードスルー配線の概略配線位置の変更を行う。これによ
り矩形チャネル行における幹線の発生を最小、即ち矩形
チャネル行の縦方向を最小にすることができ、縦方向の
チップ面積を縮小する事ができる優れた半導体集積回路
装置を実現できるものである。
According to the present invention, in the feed-through wiring processing for each rectangular block row, the approximate wiring position of the target feed-through wiring is changed in consideration of the wiring result of the rectangular block row that has been subjected to the feed-through wiring processing. . As a result, the generation of a trunk line in a rectangular channel row can be minimized, that is, the vertical direction of the rectangular channel row can be minimized, and an excellent semiconductor integrated circuit device capable of reducing the chip area in the vertical direction can be realized. .

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の一実施例における半導体集積回路装置
の配線方法によるマスクレイアウト図
FIG. 1 is a mask layout diagram by a wiring method of a semiconductor integrated circuit device according to an embodiment of the present invention.

【図2】本発明の一実施例における半導体集積回路装置
の配線方法を示す工程図
FIG. 2 is a process diagram showing a wiring method of a semiconductor integrated circuit device according to one embodiment of the present invention.

【図3】本発明の一実施例における半導体集積回路装置
の配線方法による配線処理結果
FIG. 3 shows a wiring processing result by a wiring method of the semiconductor integrated circuit device according to one embodiment of the present invention;

【図4】従来の半導体集積回路装置の配線方法によるマ
スクレイアウト図
FIG. 4 is a mask layout diagram according to a conventional semiconductor integrated circuit device wiring method.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 半導体基板 2 矩形ブロック行 3 矩形チャネル行 4 機能マスクブロック 5 機能マスクブロック外枠 6 配線禁止領域 7、17 フィードスルー配線 8、18 チャネル配線 9、19 概略配線位置 10 フィードスルー配線ピン位置 Reference Signs List 1 semiconductor substrate 2 rectangular block row 3 rectangular channel row 4 functional mask block 5 functional mask block outer frame 6 wiring prohibited area 7, 17 feedthrough wiring 8, 18 channel wiring 9, 19 schematic wiring position 10 feedthrough wiring pin position

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.6,DB名) H01L 21/82──────────────────────────────────────────────────の Continued on front page (58) Field surveyed (Int.Cl. 6 , DB name) H01L 21/82

Claims (2)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 複数の矩形ブロック行上を通過するフィ
ードスルー配線の概略配線位置を決定する概略配線処理
工程と、前記概略配線位置が前記複数の矩形ブロック行
の1つである第1の矩形ブロック行上の配線禁止領域に
あれば、前記配線禁止領域を回避して前記フィードスル
ー配線を前記概略配線位置から最短距離の第1の位置に
設定し直す第1の詳細配線処理工程と、前記第1の矩形
ブロック行に対向する少なくとも1つの第2の矩形ブロ
ック行の前記概略配線位置を前記第1の位置に対向する
第2の位置に設定変更する概略配線位置変更工程と、前
記第2の位置を通り前記第2の矩形ブロック行上の前記
概略配線位置を設定し直す第2の詳細配線処理工程と、
上記概略配線位置変更工程と詳細配線処理工程を、前記
複数の矩形ブロック行の全てについて行う工程とを備え
た半導体集積回路装置の配線方法。
1. A general wiring processing step of determining a general wiring position of a feed-through wiring passing over a plurality of rectangular block rows, and a first rectangle in which the general wiring position is one of the plurality of rectangular block rows. A first detailed wiring processing step of resetting the feedthrough wiring to a first position of the shortest distance from the general wiring position by avoiding the wiring prohibited area if the wiring is in the wiring prohibited area on the block row; A general wiring position changing step of setting and changing the general wiring position of at least one second rectangular block row facing the first rectangular block row to a second position facing the first position; A second detailed wiring processing step of resetting the general wiring position on the second rectangular block row passing through the position of
A wiring method for a semiconductor integrated circuit device, comprising: a step of performing the general wiring position changing step and the detailed wiring processing step for all of the plurality of rectangular block rows.
【請求項2】 複数の矩形ブロック行のうち、通過する
フィードスルー配線の本数が一番多い矩形ブロック行を
第1の矩形ブロック行とする半導体集積回路装置の配線
方法。
2. A wiring method for a semiconductor integrated circuit device, wherein, among a plurality of rectangular block rows, a rectangular block row having the largest number of feedthrough wirings passing therethrough is set as a first rectangular block row.
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