JP2719856B2 - Backfire helical antenna - Google Patents
Backfire helical antennaInfo
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Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】この発明は、たとえばＧＰＳ等の
ナビゲーションシステムで使用されるバックファイアヘ
リカルアンテナに関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a backfire helical antenna used in a navigation system such as a GPS.
【０００２】[0002]
【従来の技術】近年情報化社会の発達と共に、移動体通
信、衛星通信が盛んになるとともに、人工衛星の電波を
受信し移動体の位置、速度を検出するＧＰＳ等のナビゲ
ーションシステムが実用化されている。ＧＰＳでは、Ｌ
バンド帯の周波数の電波が使用され、受信アンテナとし
てはバックファイアヘリカルアンテナやスパイラルアン
テナ等が実用化されている。2. Description of the Related Art With the development of the information society in recent years, mobile communication and satellite communication have become popular, and navigation systems such as GPS that receive radio waves from artificial satellites and detect the position and speed of a mobile object have been put to practical use. ing. In GPS, L
A radio wave of a band frequency is used, and a backfire helical antenna, a spiral antenna, or the like has been put into practical use as a receiving antenna.
【０００３】図６は、従来のバックファイアヘリカルア
ンテナの斜視図である。円筒形状をし、誘電体であるボ
ビン１の外周には、フレキシブル基板フィルム３が巻付
けられている。ボビン１はフレキシブル基板フィルム３
を円筒状に保持する役目を有する。フレキシブル基板フ
ィルム３の表面には、螺旋状をした４本の螺旋放射導体
５、７、９、１１がエッチングによって形成されてい
る。FIG. 6 is a perspective view of a conventional backfire helical antenna. A flexible substrate film 3 is wound around the outer periphery of a bobbin 1 which is cylindrical and is a dielectric. Bobbin 1 is flexible board film 3
In a cylindrical shape. On the surface of the flexible substrate film 3, four spiral radiation conductors 5, 7, 9, and 11 having a spiral shape are formed by etching.
【０００４】ボビン１の円筒の中心軸の位置には、同軸
ケーブル３８が配置されている。同軸ケーブル３８は、
同軸中心導体３９と、同軸中心導体３９の周囲に設けら
れた絶縁体４１と、絶縁体４１の周囲に設けられた同軸
外導体４３とを備えている。[0004] A coaxial cable 38 is arranged at the position of the center axis of the cylinder of the bobbin 1. The coaxial cable 38
A coaxial center conductor 39, an insulator 41 provided around the coaxial center conductor 39, and an outer coaxial conductor 43 provided around the insulator 41 are provided.
【０００５】同軸中心導体３９の第１端部には、アーム
１３が半田４５によって半田付けされている。アーム１
３の第１端部１５には、螺旋放射導体５の第１端部２３
が半田１９によって半田付けされている。アーム１３の
第２端部１７には、螺旋放射導体７の第１端部２５が半
田（図示せず）によって半田付けされている。The arm 13 is soldered to the first end of the coaxial center conductor 39 by solder 45. Arm 1
3 has a first end 23 of the spiral radiation conductor 5.
Are soldered by solder 19. The first end 25 of the spiral radiation conductor 7 is soldered to the second end 17 of the arm 13 by solder (not shown).
【０００６】同軸外導体４３の第１端部には、アーム２
７が半田４７によって半田付けされている。アーム２７
の第１端部２９には、螺旋放射導体９の第１端部３５が
半田３３によって半田付けされている。アーム２７の第
２端部３１には、螺旋放射導体１１の第１端部３７が半
田（図示せず）によって半田付けされている。The first end of the outer coaxial conductor 43 has an arm 2
7 is soldered by solder 47. Arm 27
The first end 35 of the spiral radiating conductor 9 is soldered to the first end 29 by solder 33. The first end 37 of the spiral radiating conductor 11 is soldered to the second end 31 of the arm 27 by solder (not shown).
【０００７】同軸外導体４３には、後部接続片４９が半
田によって半田付けされている。後部接続片４９の第１
接続部５１、第２接続部５３、第３接続部５５、第４接
続部５７には、それぞれ、螺旋放射導体１１の第２端部
５９、螺旋放射導体７の第２端部６１、螺旋放射導体５
の第２端部６３、螺旋放射導体９の第２端部６５が半田
付けされている。６７、６９は半田である。螺旋放射導
体５、７、９、１１はボビン１の周りを巻くように形成
されている。A rear connection piece 49 is soldered to the outer coaxial conductor 43 by soldering. First of the rear connection pieces 49
The connection portion 51, the second connection portion 53, the third connection portion 55, and the fourth connection portion 57 have a second end 59 of the spiral radiation conductor 11, a second end 61 of the spiral radiation conductor 7, and a spiral radiation, respectively. Conductor 5
The second end 63 of the spiral radiation conductor 9 is soldered. 67 and 69 are solders. The spiral radiation conductors 5, 7, 9, 11 are formed so as to be wound around the bobbin 1.
【０００８】図６に示すヘリカルアンテナ動作を以下説
明する。螺旋放射導体５、１１、アーム１３、２７およ
び後部接続片４９により構成される第１のループの全長
が使用する波長よりやや長く設定されるとともに、螺旋
放射導体７、９、アーム１３、２７および後部接続片４
９により構成される第２のループの全長が使用する波長
よりもやや短く設定されており、使用波長において、長
いほうの第１のループが容量性インピーダンスを呈する
とともに、短いほうの第２のループが誘導性インピーダ
ンスを呈する。The operation of the helical antenna shown in FIG. 6 will be described below. The total length of the first loop constituted by the spiral radiation conductors 5, 11, the arms 13, 27 and the rear connection piece 49 is set slightly longer than the wavelength to be used, and the spiral radiation conductors 7, 9, the arms 13, 27 and Rear connection piece 4
9, the total length of the second loop is set to be slightly shorter than the wavelength to be used. At the wavelength to be used, the longer first loop exhibits capacitive impedance and the shorter second loop Exhibit inductive impedance.
【０００９】このため、両ループの全長の長さに適宜の
差を設けることにより、両ループが並列に給電されてい
るにもかかわらず、互いに隣接する螺旋放射導体５、
７、９、１１に流れる各電流の間に互いに９０度の位相
差を持たせることができ、円偏波が効率よく放射され
る。For this reason, by providing an appropriate difference in the total length of the two loops, the spiral radiating conductors 5 adjacent to each other can be provided even though both loops are fed in parallel.
Each of the currents flowing through 7, 9, and 11 can have a phase difference of 90 degrees from each other, and circularly polarized waves are efficiently emitted.
【００１０】図７は、同軸中心導体３９の断面図で、図
８は絶縁体４１の断面図である。同軸中心導体３９は、
アーム１３との接続部である給電部７５からλg ／４の
長さだけ直径が異なる構成をしている。この部分を１／
４波長変成器７１という。１／４波長変成器７１は、同
軸ケーブル３８のインピーダンスと螺旋放射導体５、
７、９、１１のインピーダンスとの整合をとる役目を果
たす。絶縁体４１の同軸中心導体３９が挿入される空洞
部７３は、同軸中心導体３９の形状に合うように加工さ
れている。FIG. 7 is a sectional view of the coaxial center conductor 39, and FIG. 8 is a sectional view of the insulator 41. The coaxial center conductor 39 is
The configuration is such that the diameter differs from the power supply portion 75, which is the connection portion with the arm 13, by the length of λ g / 4. This part is 1 /
It is called a four-wavelength transformer 71. Quarter-wave transformer 71 is provided with impedance of coaxial cable 38 and spiral radiation conductor 5,
It serves to match the impedances of 7, 9, and 11 with each other. The cavity 73 of the insulator 41 into which the coaxial center conductor 39 is inserted is machined to match the shape of the coaxial center conductor 39.
【００１１】[0011]
【発明が解決しようとする課題】しかし、同軸中心導体
３９や空洞部７３を図７、図８に示すような形状に加工
するのは難しく、このためバックファイアヘリカルアン
テナの生産性が悪かった。However, it is difficult to process the coaxial center conductor 39 and the cavity 73 into the shapes shown in FIGS. 7 and 8, and therefore, the productivity of the backfire helical antenna is poor.
【００１２】この発明は、従来の問題点を解決するため
になされたものである。この発明の目的は、生産性の向
上を図ることができ、小型化が可能なバックファイアヘ
リカルアンテナを提供することである。The present invention has been made to solve the conventional problems. An object of the present invention is to provide a backfire helical antenna that can improve productivity and can be downsized.
【００１３】[0013]
【課題を解決するための手段】請求項１に記載の発明
は、螺旋状に配置された第１および第２放射導体を備え
たバックファイアヘリカルアンテナであって、主表面お
よび裏面を有する誘電体基板と、主表面上に形成された
ストリップ線路と、裏面に形成された導電性地板とを有
するストリップ線路と、主表面上に形成され第１および
第２放射導体のインピーダンスとストリップ線路のイン
ピーダンスとの整合をとる変成手段とを備えている。According to a first aspect of the present invention, there is provided a backfire helical antenna having first and second radiating conductors arranged in a spiral shape, the dielectric having a main surface and a back surface. A strip line having a substrate, a strip line formed on the main surface, and a conductive ground plate formed on the back surface; an impedance of the first and second radiation conductors formed on the main surface and an impedance of the strip line; Metamorphosis means for matching
【００１４】第１および第２放射導体は、変成手段を含
むストリップ線路を中心としてストリップ線路を覆うよ
うに螺旋状に配置されている。第１放射導体の第１端部
は変成手段と接続され、第２端部は導電性地板と接続さ
れている。第２放射導体の第１および第２端部は導電性
地板と接続されている。請求項２に記載の発明は、請求
項１記載のバックファイアヘリカルアンテナであって、
誘電体基板はさらに主表面上にストリップ線路と変成手
段との間に低雑音増幅器が形成される。The first and second radiating conductors are spirally arranged so as to cover the strip line around the strip line including the transformation means. A first end of the first radiation conductor is connected to the transformation means, and a second end is connected to the conductive ground plane. First and second ends of the second radiation conductor are connected to the conductive ground plane. The invention according to claim 2 is the backfire helical antenna according to claim 1,
The dielectric substrate further has a low noise amplifier formed on the main surface between the stripline and the transformation means.
【００１５】[0015]
【作用】この発明に従ったバックファイアヘリカルアン
テナは、同軸ケーブルの代わりにスリップ線路を用いて
いる。誘電体基板の主表面上に形成されるストリップ導
電体はエッチングによって形成できるので、変成手段も
エッチングによって形成できる。したがって、変成手段
を容易に形成することができる。また、誘電体基板の主
表面上にストリップ線路と変成手段との間に低雑音増幅
器を形成するので、アンテナを小型化することができ
る。The backfire helical antenna according to the present invention uses a slip line instead of a coaxial cable. Since the strip conductor formed on the main surface of the dielectric substrate can be formed by etching, the transformation means can also be formed by etching. Therefore, the shifting means can be easily formed. Further, since the low noise amplifier is formed between the strip line and the transformation means on the main surface of the dielectric substrate, the antenna can be downsized.
【００１６】[0016]
【実施例】図１は、この発明に従ったバックファイアヘ
リカルアンテナの斜視図である。円筒形状をし、誘電体
であるボビン１の外周には、フレキシブル基板フィルム
３が巻付けられている。ボビン１はフレキシブル基板フ
ィルム３を円筒状に保持する役目を有する。フレキシブ
ル基板フィルム３の表面には螺旋状をした４本の螺旋放
射導体５、７、９、１１がエッチングにて形成されてい
る。ボビン１内には、マイクロストリップ線路１２が配
置されている。マイクロストリップ線路１２は、ガラス
エポキシ等からなる誘電体基板２と、誘電体基板２の主
表面上に形成された銅箔からなる１／４波長変成器７
１、銅箔からなるストリップ導体４と、誘電体基板２の
裏面に形成された銅箔からなる地板（図１には図示せ
ず）とからなる。1 is a perspective view of a backfire helical antenna according to the present invention. A flexible substrate film 3 is wound around the outer periphery of a bobbin 1 which is cylindrical and is a dielectric. The bobbin 1 has a role of holding the flexible substrate film 3 in a cylindrical shape. On the surface of the flexible substrate film 3, four spiral radiating conductors 5, 7, 9, and 11 are formed by etching. In the bobbin 1, a microstrip line 12 is arranged. The microstrip line 12 includes a dielectric substrate 2 made of glass epoxy or the like and a quarter-wave transformer 7 made of copper foil formed on the main surface of the dielectric substrate 2
1. A strip conductor 4 made of copper foil and a ground plate (not shown in FIG. 1) made of copper foil formed on the back surface of the dielectric substrate 2.
【００１７】１／４波長変成器７１には、アーム１３が
半田４５によって半田付けされている。アーム１３の第
１端部１５には、螺旋放射導体５の第１端部２３が半田
１９によって半田付けされている。アーム１３の第２端
部１７には、螺旋放射導体７の第１端部２５が半田（図
示せず）によって半田付けされている。The arm 13 is soldered to the quarter-wave transformer 71 by solder 45. The first end 23 of the spiral radiation conductor 5 is soldered to the first end 15 of the arm 13 with solder 19. The first end 25 of the spiral radiation conductor 7 is soldered to the second end 17 of the arm 13 by solder (not shown).
【００１８】地板（図１には図示せず）には、アーム２
７が半田４７によって半田付けされている。アーム２７
の第１端部２９には、螺旋放射導体９の第１端部３５が
半田３３によって半田付けされている。アーム２７の第
２端部３１は、螺旋放射導体１１の第１端部３７が半田
（図示せず）によって半田付けされている。An arm 2 is provided on the main plate (not shown in FIG. 1).
7 is soldered by solder 47. Arm 27
The first end 35 of the spiral radiating conductor 9 is soldered to the first end 29 by solder 33. The second end 31 of the arm 27 is soldered to the first end 37 of the spiral radiation conductor 11 by solder (not shown).
【００１９】地板には、後部接続片４９が半田によって
半田付けされている。後部接続片４９の第１接続部５
１、第２接続部５３、第３接続部５５、第４接続部５７
には、それぞれ、螺旋放射導体１１の第２端部５９、螺
旋放射導体７の第２端部６１、螺旋放射導体５の第２端
部６３、螺旋放射導体９の第２端部６５が半田付けされ
ている。６７、６９は半田である。螺旋放射導体５、
７、９、１１はボビン１の周りを巻くように形成されて
いる。A rear connecting piece 49 is soldered to the base plate by soldering. First connection portion 5 of rear connection piece 49
1, second connection portion 53, third connection portion 55, fourth connection portion 57
Respectively, the second end 59 of the spiral radiation conductor 11, the second end 61 of the spiral radiation conductor 7, the second end 63 of the spiral radiation conductor 5, and the second end 65 of the spiral radiation conductor 9 are soldered. Is attached. 67 and 69 are solders. Spiral radiation conductor 5,
7, 9, 11 are formed so as to wind around the bobbin 1.
【００２０】図２は、マイクロストリップ線路１２の平
面図である。ストリップ導体４と１／４波長変成器７１
とは、誘電体基板２の主表面上に形成された銅箔をエッ
チングすることによって形成される。FIG. 2 is a plan view of the microstrip line 12. Strip conductor 4 and quarter-wave transformer 71
Is formed by etching a copper foil formed on the main surface of the dielectric substrate 2.
【００２１】図３は、後部接続片４９の平面図である。
誘電体基板２の裏面に形成された地板６は後部接続片４
９と接続されているが、ストリップ導体４と後部接続片
４９とは空間部８があるため接続されていない。FIG. 3 is a plan view of the rear connecting piece 49.
The ground plate 6 formed on the back surface of the dielectric substrate 2 is
9, the strip conductor 4 and the rear connection piece 49 are not connected due to the space 8.
【００２２】図４は、この発明に従ったバックファイア
ヘリカルアンテナの第２実施例に備えられるマイクロス
トリップ線路の斜視図である。このマイクロストリップ
線路においては、１／４波長変成器の代わりにバランを
用いている。４はストリップ導体、６は地板を示してい
る。このマイクロストリップ線路は空気を誘電体にして
いるが、ストリップ導体４と地板６との間に誘電体基板
を設けてもよい。第２実施例はマイクロストリップ線路
の構造以外は第１実施例と同じであり、ストリップ導体
４のａで示す部分にはアーム１３（図１参照）が接続さ
れ、地板６のｂで示す部分にはアーム２７（図１参照）
が接続され、地板６のｃで示す部分には後部接続片４９
（図１参照）が接続される。このバランはエッチングに
よって形成できるのでバランを容易に形成できる。FIG. 4 is a perspective view of a microstrip line provided in a second embodiment of the backfire helical antenna according to the present invention. In this microstrip line, a balun is used instead of the quarter-wave transformer. Reference numeral 4 denotes a strip conductor, and 6 denotes a ground plane. Although the microstrip line uses air as a dielectric, a dielectric substrate may be provided between the strip conductor 4 and the ground plane 6. The second embodiment is the same as the first embodiment except for the structure of the microstrip line. An arm 13 (see FIG. 1) is connected to a portion indicated by a of the strip conductor 4, and a portion indicated by b of the base plate 6 is Is the arm 27 (see FIG. 1)
Is connected to the portion of the main plate 6 indicated by c,
(See FIG. 1) is connected. Since this balun can be formed by etching, the balun can be easily formed.
【００２３】図５は、この発明に従ったバックファイア
ヘリカルアンテナの第３実施例に備えられる誘電体基板
の平面図である。誘電体基板２には、電界効果トランジ
スタ７７等からなる低雑音増幅回路が形成されている。FIG. 5 is a plan view of a dielectric substrate provided in a third embodiment of the backfire helical antenna according to the present invention. On the dielectric substrate 2, a low noise amplifier circuit including a field effect transistor 77 and the like is formed.
【００２４】誘電体基板２には、ストリップ導体４、１
／４波長変成器７１、配線パターン７９ａ〜７９ｆが形
成されている。これらはエッチングによって同時に形成
された。誘電体基板２のうち、ストリップ導体４と１／
４波長変成器７１との間にある部分には電界効果トラン
ジスタ７７が形成されている。電界効果トランジスタ７
７のゲートはリード８３ｃによって配線パターン７９ｄ
と接続されている。ドレインはリード８３ａによって配
線パターン７９ｂと接続されている。ソースはリード８
３ｂ、８３ｄによってそれぞれ配線パターン７９ｆ、７
９ｃに接続されている。On the dielectric substrate 2, strip conductors 4, 1
A / 4 wavelength transformer 71 and wiring patterns 79a to 79f are formed. These were formed simultaneously by etching. In the dielectric substrate 2, the strip conductors 4 and 1 /
A field effect transistor 77 is formed in a portion between the four-wavelength transformer 71. Field effect transistor 7
The gate 7 is provided with a wiring pattern 79d by a lead 83c.
Is connected to The drain is connected to the wiring pattern 79b by the lead 83a. Source is Lead 8
The wiring patterns 79f, 7d are respectively formed by 3b, 83d.
9c.
【００２５】配線パターン７９ａと配線パターン７９ｂ
とはチップ部品８１ａ、８１ｇによって接続され、配線
パターン７９ｃと配線パターン７９ｄとはチップ部品８
１ｂ、８１ｃによって接続され、配線パターン７９ｄと
１／４波長変成器７１とはチップ部品８１ｄによって接
続され、配線パターン７９ｆと配線パターン７９ｅとは
チップ部品８１ｆによって接続されている。チップ部品
とは、チップ状をした抵抗やコンデンサ等のことであ
る。配線パターン７９ｄ，７９ｅはそれぞれスルーホー
ル８５ａ，８５ｂを通して誘電体基板２の裏面の地板６
と接続されている。低雑音増幅回路はシールドケース８
７によって覆われている。シールドケース８７は低雑音
増幅回路の構成がわかるように一部が切欠かれている
が、実際はこのような切欠はない。The wiring pattern 79a and the wiring pattern 79b
Are connected by the chip components 81a and 81g, and the wiring pattern 79c and the wiring pattern 79d are connected by the chip component 8
1b and 81c, the wiring pattern 79d and the quarter-wave transformer 71 are connected by a chip component 81d, and the wiring pattern 79f and the wiring pattern 79e are connected by a chip component 81f. The chip component is a chip-shaped resistor, capacitor, or the like. The wiring patterns 79d and 79e are connected to the ground plate 6 on the back surface of the dielectric substrate 2 through the through holes 85a and 85b, respectively.
Is connected to Low noise amplifier circuit is shield case 8
7. The shield case 87 is partially cut out so that the configuration of the low-noise amplifier circuit can be understood, but there is actually no such cut-out.
【００２６】１／４波長変成器７１を伝送された信号
は、低雑音増幅回路で増幅されストリップ導体４に伝送
される。この第３実施例においては低雑音増幅回路を誘
電体基板２に形成しているので、アンテナの小型化を図
ることが可能となる。The signal transmitted through the quarter-wave transformer 71 is amplified by a low noise amplifier circuit and transmitted to the strip conductor 4. In the third embodiment, since the low-noise amplifier circuit is formed on the dielectric substrate 2, it is possible to reduce the size of the antenna.
【００２７】第１、第２、第３実施例においては４線式
バックファイアヘリカルアンテナについて説明したが、
この発明においてはこれに限定されるわけではなく、２
線式、６線式等であってもよい。In the first, second, and third embodiments, the four-wire backfire helical antenna has been described.
The present invention is not limited to this.
It may be a wire system, a 6-wire system, or the like.
【００２８】[0028]
【発明の効果】この発明に従ったバックファイアヘリカ
ルアンテナにおいては、インピーダンスの整合をとるた
めの変成手段がエッチングによってアンテナ内部に形成
できるので、アンテナの生産性を向上させることが可能
となる。また、低雑音増幅器を誘電体基板上に形成する
ので、アンテナを小型化することが可能になる。In the backfire helical antenna according to the present invention, since the transformation means for matching the impedance can be formed inside the antenna by etching, the productivity of the antenna can be improved. Further, since the low noise amplifier is formed on the dielectric substrate, it is possible to reduce the size of the antenna.
【図１】この発明に従ったバックファイアヘリカルアン
テナの第１実施例の斜視図である。FIG. 1 is a perspective view of a first embodiment of a backfire helical antenna according to the present invention.
【図２】第１実施例に備えられたマイクロストリップ線
路の平面図である。FIG. 2 is a plan view of a microstrip line provided in the first embodiment.
【図３】第１実施例に備えられた後部接続片の平面図で
ある。FIG. 3 is a plan view of a rear connection piece provided in the first embodiment.
【図４】この発明に従ったバックファイアヘリカルアン
テナの第２実施例に備えられたマイクロストリップ線路
の斜視図である。FIG. 4 is a perspective view of a microstrip line provided in a second embodiment of the backfire helical antenna according to the present invention.
【図５】この発明に従ったバックファイアヘリカルアン
テナの第３実施例に備えられたマイクロストリップ線路
の平面図である。FIG. 5 is a plan view of a microstrip line provided in a third embodiment of the backfire helical antenna according to the present invention.
【図６】従来のバックファイアヘリカルアンテナの斜視
図である。FIG. 6 is a perspective view of a conventional backfire helical antenna.
【図７】従来のバックファイアヘリカルアンテナの同軸
ケーブルの同軸中心導体の断面図である。FIG. 7 is a sectional view of a coaxial center conductor of a coaxial cable of a conventional backfire helical antenna.
【図８】従来のバックファイアヘリカルアンテナの同軸
ケーブルの絶縁体の断面図である。FIG. 8 is a sectional view of an insulator of a coaxial cable of a conventional backfire helical antenna.
２ 誘電体基板 ４ ストリップ導体 ５、７、９、１１ 螺旋放射導体 ６ 地板 １２ マイクロストリップ線路 ７１ １／４波長変成器 2 Dielectric substrate 4 Strip conductor 5, 7, 9, 11 Spiral radiation conductor 6 Ground plane 12 Microstrip line 71 1/4 wavelength transformer
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭63−26004（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−25301（ＪＰ，Ａ) 実開 昭61−187106（ＪＰ，Ｕ) ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuation of front page (56) References JP-A-63-26004 (JP, A) JP-A-61-25301 (JP, A)
Claims (2)
導体を備えたバックファイアヘリカルアンテナであっ
て、 主表面および裏面を有する誘電体基板と、前記主表面上
に形成されたストリップ導体と、前記裏面に形成された
導電性地板とを有するストリップ線路と、 前記主表面上に形成され、前記第１および第２放射導体
のインピーダンスと前記ストリップ線路のインピーダン
スとの整合をとる変成手段とを備え、 前記第１および第２放射導体は前記変成手段を含むスト
リップ線路を中心として、該ストリップ線路を覆うよう
に螺旋状に配置されており、 前記第１放射導体の第１端部は前記変成手段と接続さ
れ、第２端部は前記導電性地板と接続されており、 前記第２放射導体の第１および第２端部は前記導電性地
板と接続されている、バックファイアヘリカルアンテ
ナ。1. A backfire helical antenna having first and second radiating conductors arranged in a spiral, comprising: a dielectric substrate having a main surface and a back surface; and a strip conductor formed on the main surface. A strip line having a conductive ground plane formed on the back surface; and a transformation means formed on the main surface to match the impedance of the first and second radiation conductors with the impedance of the strip line. Wherein the first and second radiating conductors are spirally arranged so as to cover the strip line around the strip line including the transformation means, and a first end of the first radiating conductor is A second end is connected to the conductive ground plane, and first and second ends of the second radiating conductor are connected to the conductive ground plane. Click fire helical antenna.
に前記ストリップ線路と前記変成手段との間に低雑音増
幅器が形成される、請求項１記載のバックファイアヘリ
カルアンテナ。2. The backfire helical antenna according to claim 1, wherein said dielectric substrate further has a low noise amplifier formed on said main surface between said stripline and said transformation means.
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