JP2682997B2 - Liquid crystal display device with auxiliary capacitance and method of manufacturing liquid crystal display device with auxiliary capacitance - Google Patents
Liquid crystal display device with auxiliary capacitance and method of manufacturing liquid crystal display device with auxiliary capacitanceInfo
- Publication number
- JP2682997B2 JP2682997B2 JP28644087A JP28644087A JP2682997B2 JP 2682997 B2 JP2682997 B2 JP 2682997B2 JP 28644087 A JP28644087 A JP 28644087A JP 28644087 A JP28644087 A JP 28644087A JP 2682997 B2 JP2682997 B2 JP 2682997B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- liquid crystal
- display device
- crystal display
- semiconductor layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、液晶表示装置に係り、特に、表示品質及び
信頼性の高い、補助容量付液晶表示装置及び補助容量付
液晶表示装置の製造方法に関する。
〔従来の技術〕
液晶表示装置、特に、アクテイブマトリクス型の液晶
表示装置は、各画素毎にスイツチング素子を備えて構成
されており、大容量，高画質の表示が可能である。そし
て、この表示装置は、理想的には、非常に大画面の表示
を実現することも可能であるが、一般には、スイツチン
グ素子のリーク、液晶を介してのリーク等のため、画面
の大きさが制限され、これらのリークが、表示画面のコ
ントラスト等の画質を低下させる原因となつていた。こ
の対策として、画素毎に補助容量を付加する方法が提案
されている。
この種液晶表示装置の従来技術として、例えば、特開
昭61−242784号公報、エス アイ デイー84 デイゼス
ト、312頁、“ア240×360 エレメント アクテイブ マ
トリクス エル シー デイー ウイズ インテグレー
テツド ゲート バス ドライバース ユージング ポ
リシリコン テイー エフ テイー”」（SID 84 DIG
EST、PP.312、“A240×360 Element Active Matrix LC
D with Integrated Gate−Bus Drivers Using Poly−Si
TFT′s"）等に記載された技術が知られている。
第５図はこの種従来技術による表示装置における薄膜
半導体素子及び補助容量部の断面図であり、以下、この
図により従来技術による表示装置について説明する。第
５図において、１はガラス基板、２は下地膜、３は多結
晶シリコン、４はゲート、５は保護膜、6cは容量電極、
７は容量絶縁膜、８は画素電極、９はソース電極、10は
ドレイン電極である。
第５図の断面図は、表示装置の一画素の表示素子の構
成を示しており、他の全ての表示素子と共に次のように
製造される。
（１） ガラス基板１上に下地膜２を形成し、この下地
膜２の上にスイツチング素子としての薄膜トランジスタ
となる多結晶シリコン３を形成する。
（２） 次に、ゲート絶縁膜とゲート４を形成し、イオ
ン注入により、多結晶シリコン３内にソース及びドレイ
ンを形成後、さらに、この上に素子の保護膜５を形成す
る。
（３） その後、画素電極８とほぼ同一の位置に補助容
量を形成するための透明電極である容量電極6cを形成
し、この上に容量絶縁膜７を形成する。
（４） 最後に、画素電極８を形成すると共に、ドレイ
ン及びソースの上にコンタクトホールを形成して、ドレ
イン電極10及びソース電極９を形成する。
前述において、容量電極6a及び画素電極８は、ITO（I
ndium Tin Oxide）による透明電極であり、下地膜２、
保護膜５及び容量絶縁膜７は、SiO2により形成される。
そして、このような表示素子による表示部は、図示の電
極８〜10の上方に配置される電極板との間に液晶を充填
して構成される。このような構成とすることにより、薄
膜トランジスタのドレイン電極10からソース電極９に伝
達た信号電圧は、画素電極８に印加され、液晶を駆動す
ることになる。このとき、容量電極6cと容量絶縁膜７と
により、補助容量が構成される。この補助容量は、画素
電極８と容量電極6cの面積をほぼ同一とし、容量絶縁膜
７の厚さを、液晶層の厚さの約10分の１とすると、液晶
容量の数倍となる。
このような、従来技術による液晶表示装置は、この補
助容量により、スイツチング素子としての薄膜トランジ
スタのリーク電流が大きい場合、及び、温度上昇等によ
り液晶の抵抗が下がり、液晶のリーク電流が大きくなつ
た場合に、液晶に印加された電圧の降下を補償すること
ができ、環境の変化に対して安定な表示品質を得ること
ができるものである。
〔発明が解決しようとする問題点〕
しかし、前記従来技術は、前述の補助容量を構成する
ことにより、その製造上、次のような問題点を生ずる。
すなわち、前記従来技術は、容量電極6c、容量絶縁膜８
を形成する工程が増加し、多結晶シリコン３の島と、容
量電極6c、画素電極８とのパターン合わせが増加すると
いう問題点を有し、さらに、このパターン合わせの寸法
に所定の余裕を持たせる必要があり、このため、画素の
縮少化が困難であるという問題点を有する。
本発明の目的は、製造工程が簡単で、パターン配置精
度の高い、補助容量付液晶表示装置及び補助容量付液晶
表示装置の製造方法を提供することにある。
〔問題点を解決するための手段〕
本発明によれば前記目的は、一対の基板と、その一対
の基板に挟持された液晶層とを有し、前記一対の基板の
一方にはドレイン電極、ゲート電極及びソース電極が接
続された複数の薄膜トランジスタと、前記ソース電極に
接続され、ITOにより形成された画素電極と、その画素
電極の下方に形成された容量電極とを有する補助容量付
液晶表示装置において、前記画素電極が前記容量電極と
の間に絶縁膜を介して容量を形成し、前記容量電極が前
記薄膜トランジスタを構成する半導体層と間隔を空けて
分離された半導体層であることにより達成される。
〔作用〕
容量電極とスイツチング素子を形成する半導体層の島
とが同時に形成されるため、容量電極の被着工程を省略
することができる。また、容量電極は、スイツチング素
子を形成すると同一の半導体層を分離するだけで、精度
よく形成することができる。さらに、容量電極を形成す
る薄い半導体層は、可視光に対し実用的な光の透過率を
有し、充分に透明電極として作用できる。
〔実施例〕
以下、本発明による補助容量付液晶表示装置の一実施
例を図面により詳細に説明する。
第１図は本発明の一実施例を示す表示素子の断面図、
第２図（ａ）〜（ｄ）はその製造工程を説明する図であ
る。第１図，第２図（ａ）〜（ｄ）において、６は容量
電極であり、他の符号は第５図の場合と同一である。
本発明による液晶表示装置の１個の表示素子は、第１
図に示すように、ガラス基板１上の下地膜２の上に同時
に形成され分離された、薄膜トランジスタを構成する半
導体層３と、容量電極６とにより形成される。薄膜トラ
ンジスタは、半導体層３内に形成されるソース及びドレ
インと、半導体層３の上にゲート絶縁膜を介して設けら
れたゲート４とにより構成される。また、容量電極６
は、半導体層３と同一の多結晶シリコンで形成され、そ
の上に、容量絶縁膜７が形成されて構成される。薄膜ト
ランジスタのソース，ドレインには従来技術の場合と同
様に、ソース電極9,ドレイン電極10が設けられ、さら
に、容量絶縁膜７の上に画素電極が形成され、表示素子
とされる。
次に、第２図（ａ）〜（ｄ）により、表示素子の製造
工程を詳細に説明する。
（１） ガラス基板１にSiO2から成る下地膜２を1000Å
の厚さに形成し、その上に200Åの厚さに多結晶シリコ
ン膜を600℃で形成する。この多結晶シリコン膜をドラ
イエツチングで分離し、薄膜トランジスタが構成される
多結晶シリコン３と、多結晶シリコンから成る容量電極
６を形成する。多結晶シリコン３と容量電極６との間隔
は、３〜５μｍと非常に精密に加工することができる
〔第２図（ａ）〕。
（２） 多結晶シリコン３の上にSiO2のゲート絶縁膜及
び多結晶シリコンのゲート４を形成し、イオン注入によ
り、n+のソース及びドレインを形成する。このとき、容
量電極６及びゲート４にも、イオン注入が行われ、これ
らが導電性を持つようになり、電極としての機能を持た
せることが可能となる。また、200Åの多結晶シリコン
による容量電極は、可視光に対する透過性も充分持つて
おり、透明電極として作用させることができる〔第２図
（ｂ）〕。
（３） 次に、全面にSiO2による保護膜５を形成する。
この保護膜５は、補助容量部では容量絶縁膜７となる。
この容量絶縁膜７の上に、従来技術の場合と同様に、IT
Oを用いた画素電極８を形成する〔第２図（ｃ）〕。
（４） 次に、多結晶シリコン３内に形成された薄膜ト
ランジスタのソース，ドレインにコンタクトホールを開
け、ソース電極９を画素電極８にコンタクトするように
形成すると共に、ドレイン電極10を形成する〔第２図
（ｄ）〕。
前述した本発明の一実施例は、スイツチング素子とな
る薄膜トランジスタを構成する多結晶シリコンと、補助
容量を構成する容量電極とを同時に形成することができ
るので、容量電極の別の工程で形成する従来技術に比較
し、その製造工程を減少して簡略化することができ、し
かも、同時に形成した多結晶シリコンを分離するだけで
容量電極を構成できるので、容量電極形成のための位置
合わせを必要とせず、薄膜トランジスタと補助容量との
形成間隔を短縮することができ、これにより、開口率の
高い画素、あるいは、微細な画素を持つた液晶表示装置
を構成できるという効果を有する。
第３図は本発明の他の実施例を示す表示素子の断面図
である。第３図において、6aは容量電極であり、他の符
号は第１図，第２図の場合と同一である。
この実施例は、容量電極6aを第１図，第２図により説
明した実施例の場合と同様に、多結晶シリコンを用いて
形成し、その形成をゲート４と同一のプロセスで行う点
に特徴を有する。
以下、その製造方法を簡単に説明する。
まず、下地膜２の上にスイツチング素子である薄膜ト
ランジスタを構成する多結晶シリコン３を形成し、この
多結晶シリコン３の上に、ゲート絶縁膜と多結晶シリコ
ンによるゲート４を形成する。このとき、ゲート絶縁膜
とゲート４の形成と同時に、同一のプロセスにより、容
量電極6aを形成する。その後、イオン注入により、多結
晶シリコン３内にソースとドレインを形成し、同時にゲ
ート４及び容量電極6aの多結晶シリコンをN+層として導
電性を持たせる。さらに、その後は、第２図（ｃ），
（ｄ）で説明したと同様に、保護膜５、画素電極８、ソ
ース電極９、ドレイン電極10を形成して、表示素子を完
成させる。
前述した第３図に示す本発明の実施例は、容量電極6a
の下部に、ゲート絶縁膜と同一のSiO2膜が存在する点
で、第１図に示す実施例と相違するが、この実施例も、
第１図に示す実施例と同様な効果を奏することができ
る。
第４図は本発明のさらに他の実施例を示す表示素子の
断面図である。第４図において、４′はゲート、6bは容
量電極、11はゲート絶縁膜、12は非晶質シリコンｉ層、
13は非晶質シリコンn+層であり、他の符号は第１図，第
２図の場合と同一である。
この実施例は、スイツチング素子として、逆スタガ構
造の非晶質シリコン薄膜トランジスタを用いるもので、
容量電極6aとして、非晶質シリコンn+層を用いている点
を特徴とする。
以下、その製造方法を簡単に説明する。
まず、ガラス基板１上のゲート４′を形成し、基板１
及びゲート４′を含む全面にSiO2によるゲート絶縁膜11
を形成する。このゲート絶縁膜11は、ゲート４′以外の
部分で、下地膜となる。次に、連続CVD法により、非晶
質シリコンｉ層12と、非晶質シリコンn+層13を形成し、
これを分離して、薄膜トランジスタを構成する部分と、
容量電極6bとなる部分を形成する。ゲート４′の上の部
分の非晶質シリコンn+層を除去し、両側の非晶質シリコ
ンn+層を夫々ソース及びドレインとする。その後、第２
図（ｃ），（ｄ）と同様に、保護膜５、画素電極８、ソ
ース電極９、ドレイン電極10を形成して、表示素子を完
成させる。
この第４図に示す本発明の実施例は、容量電極6bが、
非晶質シリコンn+層で構成され、その下層に非晶質シリ
コンｉ層が存在するが、これらの層も、充分透明電極と
して作用し、第１図に示す実施例と同様な効果を奏す
る。
〔発明の効果〕
以上説明したように、本発明によれば、補助容量を、
スイツチング素子となる薄膜半導体層と同一の半導体層
で同時に形成し、分離するだけで形成することができる
ので、その形成工程を簡略化できると同時に、パターン
合わせを不要とし、形成間隔も短縮することができるの
で、開口率の高い画素、あるいは微細な画素を有する液
晶表示装置を形成することができる。Description: BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a liquid crystal display device, and more particularly to a liquid crystal display device with a storage capacitor and a method for manufacturing a liquid crystal display device with a storage capacitor, which have high display quality and reliability. Regarding [Prior Art] A liquid crystal display device, in particular, an active matrix liquid crystal display device is provided with a switching element for each pixel, and is capable of displaying a large capacity and high image quality. Then, this display device can ideally realize display of a very large screen, but in general, due to leakage of the switching element, leakage through the liquid crystal, etc., the size of the screen is reduced. However, these leaks have been a cause of deterioration of image quality such as contrast of a display screen. As a countermeasure against this, a method of adding an auxiliary capacitance to each pixel has been proposed. As a conventional technique of this type of liquid crystal display device, for example, Japanese Patent Laid-Open No. 61-242784, S.I.D. 84 D. Zeist, p. 312, "A 240.times.360 Element Active Matrix L.C.D. Polysilicon TFE "" (SID 84 DIG
EST, PP.312, “A240 × 360 Element Active Matrix LC
D with Integrated Gate−Bus Drivers Using Poly−Si
The technology described in TFT's "), etc. is known. Fig. 5 is a cross-sectional view of a thin film semiconductor element and an auxiliary capacitance portion in a display device according to this type of conventional technology. The display device will be described with reference to Fig. 5. In Fig. 5, 1 is a glass substrate, 2 is a base film, 3 is polycrystalline silicon, 4 is a gate, 5 is a protective film, 6c is a capacitor electrode,
Reference numeral 7 is a capacitive insulating film, 8 is a pixel electrode, 9 is a source electrode, and 10 is a drain electrode. The sectional view of FIG. 5 shows the structure of the display element of one pixel of the display device, and is manufactured together with all the other display elements as follows. (1) The base film 2 is formed on the glass substrate 1, and the polycrystalline silicon 3 to be a thin film transistor as a switching element is formed on the base film 2. (2) Next, the gate insulating film and the gate 4 are formed, and after the source and the drain are formed in the polycrystalline silicon 3 by ion implantation, the protective film 5 of the element is further formed thereon. (3) After that, a capacitor electrode 6c, which is a transparent electrode for forming an auxiliary capacitor, is formed at substantially the same position as the pixel electrode 8, and a capacitor insulating film 7 is formed thereon. (4) Finally, the pixel electrode 8 is formed, contact holes are formed on the drain and the source, and the drain electrode 10 and the source electrode 9 are formed. In the above description, the capacitor electrode 6a and the pixel electrode 8 are ITO (I
a transparent electrode made of ndium tin oxide)
Protective film 5 and the capacitor insulating film 7 is formed by S i O 2.
Then, the display portion constituted by such a display element is constituted by filling the liquid crystal with the electrode plate arranged above the illustrated electrodes 8 to 10. With such a configuration, the signal voltage transmitted from the drain electrode 10 of the thin film transistor to the source electrode 9 is applied to the pixel electrode 8 to drive the liquid crystal. At this time, the capacitance electrode 6c and the capacitance insulating film 7 form an auxiliary capacitance. If the area of the pixel electrode 8 and the capacity electrode 6c are substantially the same and the thickness of the capacity insulating film 7 is about 1/10 of the thickness of the liquid crystal layer, this auxiliary capacity is several times the liquid crystal capacity. In such a conventional liquid crystal display device, when the leakage current of the thin film transistor as a switching element is large due to this auxiliary capacitance, and when the resistance of the liquid crystal is lowered due to temperature rise and the like, the leakage current of the liquid crystal becomes large. In addition, it is possible to compensate for the drop in the voltage applied to the liquid crystal and obtain stable display quality with respect to changes in the environment. [Problems to be Solved by the Invention] However, the above-mentioned related art causes the following problems in manufacturing the auxiliary capacitance by configuring the auxiliary capacitance.
That is, in the above-mentioned conventional technique, the capacitive electrode 6c and the capacitive insulating film 8 are
There is a problem in that the number of processes for forming the pattern is increased, and the pattern alignment of the islands of the polycrystalline silicon 3 with the capacitor electrode 6c and the pixel electrode 8 is increased. Further, the dimension of this pattern alignment has a certain margin. Therefore, there is a problem in that it is difficult to reduce the number of pixels. An object of the present invention is to provide a liquid crystal display device with a storage capacitor and a method of manufacturing a liquid crystal display device with a storage capacitor, which has a simple manufacturing process and high pattern placement accuracy. [Means for Solving Problems] According to the present invention, the object is to have a pair of substrates and a liquid crystal layer sandwiched between the pair of substrates, and one of the pair of substrates has a drain electrode, Liquid crystal display device with auxiliary capacitance having a plurality of thin film transistors to which a gate electrode and a source electrode are connected, a pixel electrode connected to the source electrode and formed of ITO, and a capacitance electrode formed below the pixel electrode In the above, the pixel electrode forms a capacitance with the capacitance electrode via an insulating film, and the capacitance electrode is a semiconductor layer separated from the semiconductor layer forming the thin film transistor with a gap. It [Operation] Since the capacitance electrode and the island of the semiconductor layer forming the switching element are simultaneously formed, the step of depositing the capacitance electrode can be omitted. Further, the capacitor electrode can be formed with high precision only by separating the same semiconductor layer when the switching element is formed. Further, the thin semiconductor layer forming the capacitor electrode has a practical light transmittance with respect to visible light and can sufficiently act as a transparent electrode. [Embodiment] An embodiment of a liquid crystal display device with a storage capacitor according to the present invention will be described in detail below with reference to the drawings. FIG. 1 is a sectional view of a display device showing an embodiment of the present invention,
2 (a) to (d) are views for explaining the manufacturing process. In FIGS. 1 and 2 (a) to (d), reference numeral 6 is a capacitor electrode, and other reference numerals are the same as those in FIG. One display element of the liquid crystal display device according to the present invention is the first
As shown in the figure, it is formed by a semiconductor layer 3 which forms a thin film transistor and is formed at the same time on a base film 2 on a glass substrate 1 and separated, and a capacitor electrode 6. The thin film transistor includes a source and a drain formed in the semiconductor layer 3, and a gate 4 provided on the semiconductor layer 3 with a gate insulating film interposed therebetween. In addition, the capacitance electrode 6
Is made of the same polycrystalline silicon as the semiconductor layer 3, and a capacitor insulating film 7 is formed thereon. The source and drain of the thin film transistor are provided with the source electrode 9 and the drain electrode 10 as in the case of the conventional technique, and further the pixel electrode is formed on the capacitive insulating film 7 to form a display element. Next, the manufacturing process of the display device will be described in detail with reference to FIGS. (1) 1000 Å a base film 2 made of S i O 2 of the glass substrate 1
And a polycrystalline silicon film with a thickness of 200Å at 600 ° C. This polycrystalline silicon film is separated by dry etching to form polycrystalline silicon 3 which constitutes a thin film transistor and a capacitor electrode 6 which is made of polycrystalline silicon. The interval between the polycrystalline silicon 3 and the capacitor electrode 6 is 3 to 5 μm, which allows very precise processing [FIG. 2 (a)]. (2) the S i gate insulating film and a gate 4 of the polycrystalline silicon of O 2 is formed on the polycrystalline silicon 3 by ion implantation to form the source and drain of the n +. At this time, the capacitor electrode 6 and the gate 4 are also ion-implanted so that they become conductive and can have a function as an electrode. Further, the capacitor electrode made of polycrystalline silicon of 200 Å has sufficient transparency to visible light and can be made to act as a transparent electrode [Fig. 2 (b)]. (3) Next, a protective film 5 by S i O 2 on the entire surface.
The protective film 5 becomes the capacitive insulating film 7 in the auxiliary capacitance section.
On top of this capacitive insulating film 7, as in the case of the conventional technology, IT
The pixel electrode 8 using O is formed [FIG. 2 (c)]. (4) Next, contact holes are formed in the source and drain of the thin film transistor formed in the polycrystalline silicon 3, the source electrode 9 is formed so as to contact the pixel electrode 8, and the drain electrode 10 is formed. Fig. 2 (d)]. In the above-described embodiment of the present invention, the polycrystalline silicon forming the thin film transistor which becomes the switching element and the capacitance electrode forming the auxiliary capacitance can be formed at the same time. Compared with the technology, the manufacturing process can be reduced and simplified, and since the capacitive electrode can be constructed only by separating the simultaneously formed polycrystalline silicon, it is not necessary to perform alignment for forming the capacitive electrode. In addition, it is possible to shorten the formation interval between the thin film transistor and the auxiliary capacitance, which has the effect of configuring a liquid crystal display device having pixels with a high aperture ratio or fine pixels. FIG. 3 is a sectional view of a display device showing another embodiment of the present invention. In FIG. 3, reference numeral 6a is a capacitor electrode, and other reference numerals are the same as those in FIGS. This embodiment is characterized in that the capacitor electrode 6a is formed by using polycrystalline silicon and the formation is performed in the same process as the gate 4 as in the case of the embodiment described with reference to FIGS. Have. The manufacturing method will be briefly described below. First, a polycrystalline silicon 3 that forms a thin film transistor that is a switching element is formed on the base film 2, and a gate insulating film and a gate 4 made of polycrystalline silicon are formed on the polycrystalline silicon 3. At this time, at the same time when the gate insulating film and the gate 4 are formed, the capacitance electrode 6a is formed by the same process. After that, a source and a drain are formed in the polycrystalline silicon 3 by ion implantation, and at the same time, the polycrystalline silicon of the gate 4 and the capacitor electrode 6a is used as an N + layer to have conductivity. Furthermore, after that, FIG. 2 (c),
In the same manner as described in (d), the protective film 5, the pixel electrode 8, the source electrode 9, and the drain electrode 10 are formed to complete the display element. The embodiment of the present invention shown in FIG.
The bottom of the, in that the same S i O 2 film and the gate insulating film is present, but differs from the embodiment shown in FIG. 1, this embodiment also,
The same effect as that of the embodiment shown in FIG. 1 can be obtained. FIG. 4 is a sectional view of a display element showing still another embodiment of the present invention. In FIG. 4, 4'is a gate, 6b is a capacitor electrode, 11 is a gate insulating film, 12 is an amorphous silicon i layer,
Reference numeral 13 is an amorphous silicon n + layer, and other symbols are the same as those in FIGS. 1 and 2. In this embodiment, an amorphous silicon thin film transistor having an inverted stagger structure is used as a switching element.
The capacitor electrode 6a is characterized by using an amorphous silicon n + layer. The manufacturing method will be briefly described below. First, the gate 4'on the glass substrate 1 is formed, and then the substrate 1
And the gate insulating film 11 by S i O 2 on the entire surface including the gate 4 '
To form The gate insulating film 11 serves as a base film except for the gate 4 '. Next, an amorphous silicon i layer 12 and an amorphous silicon n + layer 13 are formed by a continuous CVD method,
By separating this, a part that constitutes a thin film transistor,
A portion to be the capacitance electrode 6b is formed. The amorphous silicon n + layer above the gate 4'is removed, and the amorphous silicon n + layers on both sides are used as a source and a drain, respectively. Then the second
Similar to FIGS. (C) and (d), the protective film 5, the pixel electrode 8, the source electrode 9, and the drain electrode 10 are formed to complete the display element. In the embodiment of the present invention shown in FIG. 4, the capacitive electrode 6b is
Although it is composed of an amorphous silicon n + layer, and an amorphous silicon i layer is present thereunder, these layers also sufficiently function as transparent electrodes and have the same effect as the embodiment shown in FIG. . [Effects of the Invention] As described above, according to the present invention, the auxiliary capacitance is
Since it can be formed at the same time with the same semiconductor layer as the thin film semiconductor layer that will be the switching element and can be formed simply by separating, the formation process can be simplified, pattern matching is not required, and the formation interval can be shortened. Therefore, a liquid crystal display device having pixels with high aperture ratio or fine pixels can be formed.
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の一実施例を示す表示素子の断面図、第
２図（ａ），（ｂ），（ｃ），（ｄ）はその製造工程を
説明する図、第３図，第４図は夫々本発明の他の実施例
の断面図、第５図は従来技術による表示素子の断面図で
ある。
１……ガラス基板、２……下地膜、３……多結晶シリコ
ン、4,4′……ゲート、５……保護膜、6,6a,6b,6c……
容量電極、７……容量絶縁膜、８……画素電極、９……
ソース電極、10……ドレイン電極、11……ゲート絶縁
膜、12……非晶質シリコンｉ層、13……非晶質シリコン
n+層。BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS FIG. 1 is a cross-sectional view of a display device showing an embodiment of the present invention, and FIGS. 2 (a), (b), (c) and (d) illustrate the manufacturing process thereof. FIGS. 3, 3 and 4 are cross-sectional views of another embodiment of the present invention, and FIG. 5 is a cross-sectional view of a conventional display device. 1 ... Glass substrate, 2 ... Base film, 3 ... Polycrystalline silicon, 4,4 '... Gate, 5 ... Protective film, 6,6a, 6b, 6c ...
Capacitance electrode, 7 ... Capacitance insulating film, 8 ... Pixel electrode, 9 ...
Source electrode, 10 ... Drain electrode, 11 ... Gate insulating film, 12 ... Amorphous silicon i layer, 13 ... Amorphous silicon
n + layers.
Claims (1)
とを有し、前記一対の基板の一方にはドレイン電極、ゲ
ート電極及びソース電極が接続された複数の薄膜トラン
ジスタと、前記ソース電極に接続され、ITOにより形成
された画素電極と、その画素電極の下方に形成された容
量電極とを有する補助容量付液晶表示装置において、前
記画素電極は前記容量電極との間に絶縁膜を介して容量
を形成し、前記容量電極は前記薄膜トランジスタを構成
する半導体層と間隔を空けて分離された半導体層である
ことを特徴とする補助容量付液晶表示装置。 ２．前記薄膜トランジスタを構成する半導体層及び前記
容量電極は、多結晶シリコン、非晶質シリコン、または
単結晶シリコンの薄膜であることを特徴とする特許請求
の範囲第１項記載の補助容量付液晶表示装置。 ３．前記容量電極は、前記薄膜トランジスタの半導体層
の何れかの層を絶縁膜を介して分離した半導体層である
ことを特徴とする特許請求の範囲第１項または第２項記
載の補助容量付液晶表示装置。 ４．前記容量電極を構成する半導体層は200Å以下であ
ることを特徴とする特許請求の範囲第１項、第２項また
は第３項記載の補助容量付液晶表示装置。 ５．基板上に、スイッチング素子の半導体層と容量電極
とを分離して同時に形成する工程と、前記容量電極の上
に絶縁膜を形成する工程と、画素電極を前記絶縁膜の上
に形成する工程と、前記画素電極と前記スイッチング素
子のソース電極とをソース電極上のスルーホールを介し
て接続する工程とを有することを特徴とする補助容量付
液晶表示装置の製造方法。(57) [Claims] A pair of substrates, a liquid crystal layer sandwiched between the pair of substrates, a plurality of thin film transistors having a drain electrode, a gate electrode and a source electrode connected to one of the pair of substrates, and a source electrode In the liquid crystal display device with an auxiliary capacitor, which has a pixel electrode formed of ITO and a capacitor electrode formed below the pixel electrode, the pixel electrode is connected to the capacitor electrode with an insulating film interposed therebetween. And the capacitor electrode is a semiconductor layer separated from the semiconductor layer forming the thin film transistor with a space therebetween. 2. The liquid crystal display device with an auxiliary capacitance according to claim 1, wherein the semiconductor layer and the capacitance electrode which form the thin film transistor are thin films of polycrystalline silicon, amorphous silicon, or single crystal silicon. . 3. The liquid crystal display with auxiliary capacitance according to claim 1 or 2, wherein the capacitance electrode is a semiconductor layer obtained by separating one of the semiconductor layers of the thin film transistor via an insulating film. apparatus. 4. The liquid crystal display device with an auxiliary capacitance according to claim 1, 2, or 3, wherein the semiconductor layer forming the capacitance electrode has a thickness of 200 Å or less. 5. A step of separately forming a semiconductor layer of a switching element and a capacitor electrode on a substrate simultaneously, a step of forming an insulating film on the capacitor electrode, and a step of forming a pixel electrode on the insulating film. And a step of connecting the pixel electrode and the source electrode of the switching element via a through hole on the source electrode.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28644087A JP2682997B2 (en) | 1987-11-14 | 1987-11-14 | Liquid crystal display device with auxiliary capacitance and method of manufacturing liquid crystal display device with auxiliary capacitance |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28644087A JP2682997B2 (en) | 1987-11-14 | 1987-11-14 | Liquid crystal display device with auxiliary capacitance and method of manufacturing liquid crystal display device with auxiliary capacitance |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01129234A JPH01129234A (en) | 1989-05-22 |
| JP2682997B2 true JP2682997B2 (en) | 1997-11-26 |
Family
ID=17704416
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28644087A Expired - Lifetime JP2682997B2 (en) | 1987-11-14 | 1987-11-14 | Liquid crystal display device with auxiliary capacitance and method of manufacturing liquid crystal display device with auxiliary capacitance |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2682997B2 (en) |
Families Citing this family (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04152640A (en) * | 1990-10-17 | 1992-05-26 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Manufacture of insulated-gate type semiconductor device |
| US6979840B1 (en) * | 1991-09-25 | 2005-12-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Thin film transistors having anodized metal film between the gate wiring and drain wiring |
| US5424244A (en) | 1992-03-26 | 1995-06-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Process for laser processing and apparatus for use in the same |
| JP3587537B2 (en) | 1992-12-09 | 2004-11-10 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | Semiconductor device |
| KR100268007B1 (en) * | 1992-12-22 | 2000-10-16 | 구본준 | Fabrication method of lcd |
| JP3486426B2 (en) * | 1993-01-18 | 2004-01-13 | キヤノン株式会社 | Semiconductor device and liquid crystal display device |
| JP4019697B2 (en) | 2001-11-15 | 2007-12-12 | 株式会社日立製作所 | Liquid crystal display |
| CN101568877B (en) * | 2006-12-18 | 2011-05-11 | 夏普株式会社 | Liquid crystal display |
| JP4702395B2 (en) | 2008-05-20 | 2011-06-15 | ソニー株式会社 | Display device and electronic device |
| KR101781532B1 (en) * | 2011-03-14 | 2017-10-24 | 삼성디스플레이 주식회사 | An organic light emitting display device and the manufacturing method thereof |
| WO2013183495A1 (en) * | 2012-06-08 | 2013-12-12 | シャープ株式会社 | Semiconductor device and method for manufacturing same |
| WO2014021356A1 (en) | 2012-08-03 | 2014-02-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
| TWI657539B (en) | 2012-08-31 | 2019-04-21 | 日商半導體能源研究所股份有限公司 | Semiconductor device |
| CN111477634B (en) | 2012-09-13 | 2023-11-14 | 株式会社半导体能源研究所 | Semiconductor device with a semiconductor device having a plurality of semiconductor chips |
| US8981372B2 (en) * | 2012-09-13 | 2015-03-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and electronic appliance |
| KR102459007B1 (en) | 2012-12-25 | 2022-10-27 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | Semiconductor device |
| US9905585B2 (en) | 2012-12-25 | 2018-02-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device comprising capacitor |
| TWI611566B (en) * | 2013-02-25 | 2018-01-11 | 半導體能源研究所股份有限公司 | Display device and electronic device |
| JP6832624B2 (en) | 2015-12-22 | 2021-02-24 | 三菱電機株式会社 | Liquid crystal display device and its manufacturing method |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5010993A (en) * | 1973-04-18 | 1975-02-04 | ||
| JPS63121886A (en) * | 1986-11-11 | 1988-05-25 | セイコーエプソン株式会社 | Active matrix panel |
-
1987
- 1987-11-14 JP JP28644087A patent/JP2682997B2/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5010993A (en) * | 1973-04-18 | 1975-02-04 | ||
| JPS63121886A (en) * | 1986-11-11 | 1988-05-25 | セイコーエプソン株式会社 | Active matrix panel |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01129234A (en) | 1989-05-22 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2682997B2 (en) | Liquid crystal display device with auxiliary capacitance and method of manufacturing liquid crystal display device with auxiliary capacitance | |
| JP3708637B2 (en) | Liquid crystal display device | |
| JP3844913B2 (en) | Active matrix type liquid crystal display device | |
| US5162901A (en) | Active-matrix display device with added capacitance electrode wire and secondary wire connected thereto | |
| US5166816A (en) | Liquid crystal display panel with reduced pixel defects | |
| JP3941032B2 (en) | Thin film transistor liquid crystal display element having vertical thin film transistor | |
| JP2625268B2 (en) | Active matrix substrate | |
| JPH061314B2 (en) | Thin film transistor array | |
| JPH08234239A (en) | Display device | |
| JPH0426084B2 (en) | ||
| JPH03280018A (en) | Liquid crystal display device | |
| US5734448A (en) | LCD having a capacitor with two lower capacitor electrodes and a reflective pixel electrode serving as an upper electrode | |
| JPH10153793A (en) | Liquid crystal display device | |
| JPH04313729A (en) | Liquid crystal display device | |
| JPH08184852A (en) | Active matrix type display device | |
| JPH08213626A (en) | Thin film semiconductor device and its manufacture | |
| JPH04265945A (en) | Active matrix substrate | |
| JPH0534709A (en) | Liquid crystal display device | |
| JP2711020B2 (en) | Liquid crystal display | |
| JPH05216067A (en) | Thin-film transistor array | |
| JPH0239103B2 (en) | ||
| JPH0656461B2 (en) | Matrix array | |
| JPS6112271B2 (en) | ||
| JPH0862629A (en) | Liquid crystal display device | |
| JP2677714B2 (en) | Active matrix substrate and manufacturing method thereof |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20070808 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080808 Year of fee payment: 11 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term | ||
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080808 Year of fee payment: 11 |