JP2017171748A - Cured film, display element, material for forming cured film and method for forming cured film - Google Patents

Cured film, display element, material for forming cured film and method for forming cured film Download PDF

Info

Publication number
JP2017171748A
JP2017171748A JP2016057660A JP2016057660A JP2017171748A JP 2017171748 A JP2017171748 A JP 2017171748A JP 2016057660 A JP2016057660 A JP 2016057660A JP 2016057660 A JP2016057660 A JP 2016057660A JP 2017171748 A JP2017171748 A JP 2017171748A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
group
cured film
compound
formula
mass
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2016057660A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP6607109B2 (en
Inventor
朗人 成子
Akito Naruko
朗人 成子
政宏 清水
Masahiro Shimizu
政宏 清水
杉田 光
Hikari Sugita
光 杉田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
JSR Corp
Original Assignee
JSR Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by JSR Corp filed Critical JSR Corp
Priority to JP2016057660A priority Critical patent/JP6607109B2/en
Publication of JP2017171748A publication Critical patent/JP2017171748A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP6607109B2 publication Critical patent/JP6607109B2/en
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a cured film having low dielectric property and high heat resistant transparency and capable of enhancing display performance of a display element or the like, the display element having the cured film, a material for forming the cured film capable of forming the cured film and a method for forming the cured film.SOLUTION: There is provided a cured film formed from a material for forming the cured film containing a compound having a group represented by the following formula (1) or formula (2) and a carboxyl group in same or different molecule and having relative dielectric constant at 10 kHz of 2.5 to 3.0. In the formula (1), Ris a 3,4-epoxycyclohexyl group or the like and Ris a single bond or a bivalent hydrocarbon group. In the formula (2), Ris an oxiranyl group and Ris a trivalent hydrocarbon group having 2 or more carbon atoms.SELECTED DRAWING: None

Description

本発明は、硬化膜、表示素子、硬化膜形成用材料及び硬化膜の形成方法に関する。   The present invention relates to a cured film, a display element, a material for forming a cured film, and a method for forming a cured film.

液晶表示素子等の表示素子には、一般に層間絶縁膜、スペーサー、保護膜、カラーフィルタ用着色パターン等の硬化膜が用いられている。この層間絶縁膜等の硬化膜には、硬度が高いこと、誘電率が低いこと、電圧保持率が高いこと、耐熱透明性に優れること等が要求される。このような硬化膜の形成材料としては、パターンを形成するための工程数が少なく、かつ高い表面硬度が得られることから、感放射線性樹脂組成物が広く使用されている。   Generally, a cured film such as an interlayer insulating film, a spacer, a protective film, and a color filter coloring pattern is used for a display element such as a liquid crystal display element. The cured film such as the interlayer insulating film is required to have high hardness, low dielectric constant, high voltage holding ratio, and excellent heat-resistant transparency. As a material for forming such a cured film, a radiation-sensitive resin composition is widely used because the number of steps for forming a pattern is small and a high surface hardness is obtained.

硬化膜形成用の感放射線性樹脂組成物(硬化膜形成用材料)としては、エポキシ基及びカルボキシ基を含む共重合体を含有するものが知られている(特開2001−354822号公報参照)。この感放射線性樹脂組成物においては、エポキシ基とカルボキシ基とが反応することで表面硬度の高い硬化膜が得られるように構成されている。また、この共重合体においてエポキシ基を有する構造単位を与える単量体としてはメタクリル酸グリシジル等が用いられ、カルボキシ基を有する構造単位を与える単量体としてはメタクリル酸等が用いられている。しかし、このような硬化膜形成用材料から得られた硬化膜は、誘電率が十分に低いものではない。硬化膜の誘電率が低くない場合、表示素子の表示性能等に影響を与える。   As a radiation-sensitive resin composition (cured film forming material) for forming a cured film, one containing a copolymer containing an epoxy group and a carboxy group is known (see JP-A-2001-354822). . This radiation-sensitive resin composition is configured such that a cured film having a high surface hardness can be obtained by a reaction between an epoxy group and a carboxy group. In this copolymer, glycidyl methacrylate or the like is used as a monomer that gives a structural unit having an epoxy group, and methacrylic acid or the like is used as a monomer that gives a structural unit having a carboxy group. However, a cured film obtained from such a material for forming a cured film does not have a sufficiently low dielectric constant. When the dielectric constant of the cured film is not low, the display performance of the display element is affected.

特開2001−354822号公報JP 2001-354822 A

本発明は、以上のような事情に基づいてなされたものであり、その目的は、低い誘電性及び高い耐熱透明性を有し、表示素子の表示性能等を高めることができる硬化膜、この硬化膜を備える表示素子、並びに上記硬化膜を形成することができる硬化膜形成用材料及び硬化膜の形成方法を提供することである。   The present invention has been made based on the circumstances as described above, and the object thereof is a cured film having low dielectric properties and high heat-resistant transparency, which can enhance the display performance and the like of the display element, and this curing. It is providing the display element provided with a film | membrane, the cured film formation material which can form the said cured film, and the formation method of a cured film.

上記課題を解決するためになされた発明は、同一又は異なる分子中に、下記式(1)又は式(2)で表される基及びカルボキシ基を有する化合物(以下、「[A]化合物」ともいう。)を含有する硬化膜形成用材料から形成され、10kHzにおける比誘電率が2.5以上3.2以下である硬化膜である。

Figure 2017171748
(式(1)中、Rは、オキシラニル基、3,4−エポキシシクロヘキシル基、3,4−エポキシノルボルニル基、下記式(3−1)で表される基、又は下記式(3−2)で表される基である。Rは、単結合又は2価の炭化水素基である。但し、Rがオキシラニル基の場合、Rは炭素数2以上の2価の炭化水素基である。
式(2)中、Rは、オキシラニル基である。Rは、炭素数2以上の3価の炭化水素基である。)
Figure 2017171748
(式(3−1)及び(3−2)中、*は結合部位を示す。) The invention made in order to solve the above-mentioned problem is a compound having a group represented by the following formula (1) or formula (2) and a carboxy group in the same or different molecule (hereinafter referred to as “[A] compound”). A cured film having a relative dielectric constant of 2.5 or more and 3.2 or less at 10 kHz.
Figure 2017171748
(In the formula (1), R 1 represents an oxiranyl group, a 3,4-epoxycyclohexyl group, a 3,4-epoxynorbornyl group, a group represented by the following formula (3-1), or the following formula (3 -2) R 2 is a single bond or a divalent hydrocarbon group, provided that when R 1 is an oxiranyl group, R 2 is a divalent hydrocarbon having 2 or more carbon atoms. It is a group.
In formula (2), R 3 is an oxiranyl group. R 4 is a trivalent hydrocarbon group having 2 or more carbon atoms. )
Figure 2017171748
(In formulas (3-1) and (3-2), * represents a binding site.)

上記課題を解決するためになされた別の発明は、当該硬化膜を備える表示素子である。   Another invention made to solve the above problems is a display element comprising the cured film.

上記課題を解決するためになされた更に別の発明は、同一又は異なる分子中に、下記式(1)又は式(2)で表される基及びカルボキシ基を有する化合物を含有し、硬化して得られる硬化膜の10kHzにおける比誘電率が2.5以上3.2以下である硬化膜形成用材料である。

Figure 2017171748
(式(1)中、Rは、オキシラニル基、3,4−エポキシシクロヘキシル基、3,4−エポキシノルボルニル基、下記式(3−1)で表される基、又は下記式(3−2)で表される基である。Rは、単結合又は2価の炭化水素基である。但し、Rがオキシラニル基の場合、Rは炭素数2以上の2価の炭化水素基である。
式(2)中、Rは、オキシラニル基である。Rは、炭素数2以上の3価の炭化水素基である。)
Figure 2017171748
(式(3−1)及び(3−2)中、*は結合部位を示す。) Still another invention made in order to solve the above-mentioned problems contains a compound having a group represented by the following formula (1) or formula (2) and a carboxy group in the same or different molecule, and is cured. This is a cured film forming material having a relative dielectric constant of 2.5 or more and 3.2 or less at 10 kHz of the obtained cured film.
Figure 2017171748
(In the formula (1), R 1 represents an oxiranyl group, a 3,4-epoxycyclohexyl group, a 3,4-epoxynorbornyl group, a group represented by the following formula (3-1), or the following formula (3 -2) R 2 is a single bond or a divalent hydrocarbon group, provided that when R 1 is an oxiranyl group, R 2 is a divalent hydrocarbon having 2 or more carbon atoms. It is a group.
In formula (2), R 3 is an oxiranyl group. R 4 is a trivalent hydrocarbon group having 2 or more carbon atoms. )
Figure 2017171748
(In formulas (3-1) and (3-2), * represents a binding site.)

上記課題を解決するためになされた更に別の発明は、基板上に塗膜を形成する工程、及び上記塗膜を加熱する工程を備える硬化膜の形成方法であって、上記塗膜を当該硬化膜形成用材料を用いて形成することを特徴とする。   Yet another invention made in order to solve the above problems is a method for forming a cured film comprising a step of forming a coating film on a substrate and a step of heating the coating film, wherein the coating film is cured. It is formed using a film forming material.

本発明は、低い誘電性及び高い耐熱透明性を有し、表示素子の表示性能等を高めることができる硬化膜、この硬化膜を備える表示素子、並びに上記硬化膜を形成することができる硬化膜形成用材料及び硬化膜の形成方法を提供することができる。従って、本発明は、フレキシブルディスプレイ等の電子デバイスの製造プロセスなどに好適に使用することができる。   The present invention relates to a cured film having low dielectric properties and high heat-resistant transparency and capable of improving the display performance of a display element, a display element including the cured film, and a cured film capable of forming the cured film. A forming material and a method for forming a cured film can be provided. Therefore, the present invention can be suitably used for a manufacturing process of an electronic device such as a flexible display.

<硬化膜>
本発明の一実施形態に係る硬化膜は、[A]化合物を含有する硬化膜形成用材料から形成され、10kHzにおける比誘電率が2.5以上3.0以下である硬化膜である。当該硬化膜は、比誘電率が低く、かつ耐熱透明性が高い。また、当該硬化膜は、良好な耐薬品性等を発揮することもできる。従って、当該硬化膜は、例えば表示素子等の電子デバイスの層間絶縁膜、平坦化膜、発光層を形成するための領域を規定するバンク(隔壁)、スペーサー、保護膜、カラーフィルタ用着色パターン等に使用できる。これらの中でも、低誘電性及び高耐熱透明性の利点を特に十分に享受できる層間絶縁膜として用いられることが好ましい。
<Curing film>
The cured film which concerns on one Embodiment of this invention is a cured film which is formed from the material for cured film containing [A] compound, and whose relative dielectric constant in 10 kHz is 2.5 or more and 3.0 or less. The cured film has a low relative dielectric constant and high heat resistant transparency. The cured film can also exhibit good chemical resistance and the like. Accordingly, the cured film includes, for example, an interlayer insulating film, a planarization film, a bank (partition) for defining a region for forming a light emitting layer, a spacer, a protective film, a color pattern for a color filter, etc. Can be used for Among these, it is preferable to be used as an interlayer insulating film that can particularly sufficiently enjoy the advantages of low dielectric properties and high heat-resistant transparency.

当該硬化膜の比誘電率の上限は3.0であるが、2.9が好ましく、2.8がより好ましく、2.7がさらに好ましく、2.6が特に好ましい。当該硬化膜の比誘電率がこのように低い場合、層間絶縁膜等の硬化膜としての適正がより高まる。なお、この比誘電率は、実施例に記載の方法により周波数10kHzで測定される値とする。   The upper limit of the relative dielectric constant of the cured film is 3.0, preferably 2.9, more preferably 2.8, further preferably 2.7, and particularly preferably 2.6. When the relative dielectric constant of the cured film is so low, suitability as a cured film such as an interlayer insulating film is further increased. The relative permittivity is a value measured at a frequency of 10 kHz by the method described in the examples.

<硬化膜形成用材料>
以下には、当該硬化膜の形成材料である硬化膜形成用材料について詳説する。当該硬化膜形成用材料は、[A]化合物を含有し、硬化して得られる硬化膜の10kHzにおける比誘電率が2.5以上3.0以下である。当該硬化膜形成用材料は、[B]感光剤を含有することが好ましい。さらに、当該硬化膜形成用材料は、その他の任意成分を含有することができる。但し、その他の上記任意成分は含有されていなくてもよい。
<Curing film forming material>
Below, the cured film formation material which is the formation material of the said cured film is explained in full detail. The cured film forming material contains the [A] compound, and the cured film obtained by curing has a relative dielectric constant of 2.5 or more and 3.0 or less at 10 kHz. The cured film forming material preferably contains [B] a photosensitizer. Furthermore, the cured film forming material can contain other optional components. However, the other optional components may not be contained.

なお、当該硬化膜形成用材料から形成される硬化膜の比誘電率を測定する際の硬化膜の形成は、以下の手順で行ったものとする。当該硬化膜形成用材料を用い、基板上に平均厚さ3μmの塗膜を形成する。この塗膜をホットプレート上で90℃にて2分間プレベークする。次いで、300mJ/cmの紫外線(ghi線混合)を塗膜全面に照射した後、オーブンにて230℃で30分間加熱して硬化膜を得る。 In addition, formation of the cured film at the time of measuring the dielectric constant of the cured film formed from the said cured film formation material shall be performed in the following procedures. Using the cured film forming material, a coating film having an average thickness of 3 μm is formed on the substrate. This coating film is pre-baked on a hot plate at 90 ° C. for 2 minutes. Next, after irradiating the entire surface of the coating film with 300 mJ / cm 2 of ultraviolet rays (mixed ghi rays), it is heated in an oven at 230 ° C. for 30 minutes to obtain a cured film.

当該硬化膜形成用材料は、低誘電性及び高耐熱透明性を有する硬化膜を得ることができる。また、当該硬化膜形成用材料は、耐薬品性に優れる硬化膜を得ることもでき、良好なテーパー形状を有する硬化膜を得ることもできる。さらに、当該硬化膜形成用材料は、良好な放射線感度を有することもできる。以下、当該硬化膜形成用材料の各成分について詳説する。   The cured film forming material can provide a cured film having low dielectric properties and high heat-resistant transparency. Moreover, the said cured film formation material can also obtain the cured film which is excellent in chemical resistance, and can also obtain the cured film which has a favorable taper shape. Furthermore, the cured film forming material can also have good radiation sensitivity. Hereinafter, each component of the cured film forming material will be described in detail.

<[A]化合物>
[A]化合物は、同一又は異なる分子中に、下記式(1)又は式(2)で表される基(以下、「特定エポキシ含有基」とも言う。)及びカルボキシ基を有する。
<[A] Compound>
The compound [A] has a group represented by the following formula (1) or formula (2) (hereinafter also referred to as “specific epoxy-containing group”) and a carboxy group in the same or different molecules.

Figure 2017171748
Figure 2017171748

式(1)中、Rは、オキシラニル基(3員環の環状エーテル基:エポキシ基)、3,4−エポキシシクロヘキシル基、3,4−エポキシノルボルニル基、下記式(3−1)で表される基、又は下記式(3−2)で表される基である。Rは、単結合又は2価の炭化水素基である。但し、Rがオキシラニル基の場合、Rは炭素数2以上の2価の炭化水素基である。 In formula (1), R 1 is an oxiranyl group (3-membered cyclic ether group: epoxy group), 3,4-epoxycyclohexyl group, 3,4-epoxynorbornyl group, and the following formula (3-1) Or a group represented by the following formula (3-2). R 2 is a single bond or a divalent hydrocarbon group. However, when R 1 is an oxiranyl group, R 2 is a divalent hydrocarbon group having 2 or more carbon atoms.

式(2)中、Rは、オキシラニル基である。Rは、炭素数2以上の3価の炭化水素基である。 In formula (2), R 3 is an oxiranyl group. R 4 is a trivalent hydrocarbon group having 2 or more carbon atoms.

Figure 2017171748
Figure 2017171748

式(3−1)及び(3−2)中、*は結合部位を示す。   In formulas (3-1) and (3-2), * indicates a binding site.

上記Rとしては、3,4−エポキシシクロヘキシル基、3,4−エポキシノルボルニル基、上記式(3−1)で表される基、及び上記式(3−2)で表される基が好ましく、3,4−エポキシシクロヘキシル基がより好ましい。 Examples of R 1 include a 3,4-epoxycyclohexyl group, a 3,4-epoxynorbornyl group, a group represented by the above formula (3-1), and a group represented by the above formula (3-2). Is preferable, and a 3,4-epoxycyclohexyl group is more preferable.

上記Rで表される2価の炭化水素基としては、2価の脂肪族炭化水素基及び2価の芳香族炭化水素基が挙げられる。2価の脂肪族炭化水素基としては、2価の鎖状炭化水素基や、2価の脂環式炭化水素基を挙げることができる。 Examples of the divalent hydrocarbon group represented by R 2 include a divalent aliphatic hydrocarbon group and a divalent aromatic hydrocarbon group. Examples of the divalent aliphatic hydrocarbon group include a divalent chain hydrocarbon group and a divalent alicyclic hydrocarbon group.

2価の鎖状炭化水素基としては、例えば
メタンジイル基、エタンジイル基、プロパンジイル基、ブタンジイル基、ペンタンジイル基等のアルカンジイル基;
エテンジイル基、プロペンジイル基、ブテンジイル基、ペンテンジイル基等のアルケンジイル基;
エチンジイル基、プロピンジイル基、ブチンジイル基、ペンチンジイル基等のアルキンジイル基等を挙げることができる。
Examples of the divalent chain hydrocarbon group include alkanediyl groups such as methanediyl group, ethanediyl group, propanediyl group, butanediyl group, pentanediyl group;
Alkenediyl groups such as ethenediyl group, propenediyl group, butenediyl group, pentenediyl group;
Examples thereof include alkynediyl groups such as ethynediyl group, propynediyl group, butynediyl group, and pentynediyl group.

2価の脂環式炭化水素基としては、例えば
シクロプロパンジイル基、シクロペンタンジイル基、シクロヘキサンジイル基等のシクロアルカンジイル基;
シクロプロペンジイル基、シクロペンテンジイル基、シクロヘキセンジイル基等のシクロアルケンジイル基;
ノルボルナンジイル基、アダマンタンジイル基、ノルボルネンジイル基等の2価の橋かけ環炭化水素基等を挙げることができる。
Examples of the divalent alicyclic hydrocarbon group include cycloalkanediyl groups such as cyclopropanediyl group, cyclopentanediyl group, and cyclohexanediyl group;
Cycloalkenediyl groups such as cyclopropenediyl group, cyclopentenediyl group, cyclohexenediyl group;
And divalent bridged ring hydrocarbon groups such as a norbornanediyl group, an adamantanediyl group, and a norbornenediyl group.

2価の芳香族炭化水素基としては、例えばベンゼンジイル基、ナフタレンジイル基、アントラセンジイル基等を挙げることができる。   Examples of the divalent aromatic hydrocarbon group include a benzenediyl group, a naphthalenediyl group, and an anthracenediyl group.

上記Rとしては、炭素数2以上の2価の炭化水素基が好ましく、炭素数2〜10の2価の炭化水素基がより好ましく、炭素数2〜4の2価の炭化水素基がさらに好ましい。また、上記Rとしては、2価の鎖状炭化水素基が好ましく、アルカンジイル基がより好ましく、エタン−1,2−ジイル基がさらに好ましい。また、上記Rとしては、単結合、メタンジイル基及びエタン−1,2−ジイル基が好ましいこともあり、単結合及びメタンジイル基がさらに好ましいこともある。 R 2 is preferably a divalent hydrocarbon group having 2 or more carbon atoms, more preferably a divalent hydrocarbon group having 2 to 10 carbon atoms, and further a divalent hydrocarbon group having 2 to 4 carbon atoms. preferable. In addition, as R 2 , a divalent chain hydrocarbon group is preferable, an alkanediyl group is more preferable, and an ethane-1,2-diyl group is more preferable. In addition, as R 2 , a single bond, a methanediyl group, and an ethane-1,2-diyl group may be preferable, and a single bond and a methanediyl group may be more preferable.

上記Rで表される炭素数2以上の3価の炭化水素基としては、炭素数2以上の3価の脂肪族炭化水素基及び炭素数2以上の3価の芳香族炭化水素基が挙げられる。炭素数2以上の3価の脂肪族炭化水素基としては、炭素数2以上の3価の鎖状炭化水素基や、炭素数2以上の3価の脂環式炭化水素基を挙げることができる。 Examples of the trivalent hydrocarbon group having 2 or more carbon atoms represented by R 4 include a trivalent aliphatic hydrocarbon group having 2 or more carbon atoms and a trivalent aromatic hydrocarbon group having 2 or more carbon atoms. It is done. Examples of the trivalent aliphatic hydrocarbon group having 2 or more carbon atoms include a trivalent chain hydrocarbon group having 2 or more carbon atoms and a trivalent alicyclic hydrocarbon group having 2 or more carbon atoms. .

3価の炭化水素基の具体例としては、上述した2価の炭化水素基の具体的な基のうちの炭素数が2以上のもののから、さらに水素原子を1つ除いた基を挙げることができる。上記Rとしては、炭素数2〜10の3価の炭化水素基が好ましく、炭素数4〜10の3価の脂環式炭化水素基がより好ましく、炭素数4〜10のシクロアルカントリイル基がさらに好ましく、シクロヘキサントリイル基が特に好ましい。 Specific examples of the trivalent hydrocarbon group include a group obtained by removing one hydrogen atom from the above-described specific groups of the divalent hydrocarbon group having 2 or more carbon atoms. it can. R 4 is preferably a trivalent hydrocarbon group having 2 to 10 carbon atoms, more preferably a trivalent alicyclic hydrocarbon group having 4 to 10 carbon atoms, and a cycloalkanetriyl having 4 to 10 carbon atoms. A group is more preferred, and a cyclohexanetriyl group is particularly preferred.

上記特定エポキシ含有基としては、上記式(1)で表される基が好ましい。さらには、式(1)におけるRが3,4−エポキシシクロヘキシル基であり、Rがエタン−1,2−ジイル基である基、すなわち、2−(3,4−エポキシシクロヘキシル)エチル基が好ましい。 The specific epoxy-containing group is preferably a group represented by the above formula (1). Further, in the formula (1), R 1 is a 3,4-epoxycyclohexyl group and R 2 is an ethane-1,2-diyl group, that is, a 2- (3,4-epoxycyclohexyl) ethyl group. Is preferred.

当該硬化膜形成用材料によれば、[A]化合物を含有することにより、誘電率が低く、かつ耐熱透明性の高い硬化膜を得ることができる。この理由は定かでは無いが、得られる硬化膜の誘電性が低くなる理由として、以下の理由が推測される。従来の一般的なエポキシ基及びカルボキシ基を含む共重合体は、上述のように、メタクリル酸グリシジル(GMA)等に由来する構造単位と、メタクリル酸(MA)等に由来する構造単位とを有する。このような共重合体を含む材料を硬化させる場合、エポキシ基とカルボキシ基との反応により架橋が生じる。この際、下記スキームに示すように、極性の高い2つのカルボニルオキシ基(−COO−)とこの間の水酸基(−OH)とが比較的密に存在する架橋構造が形成される。このため、大きな配向分極が生じ、誘電率が高まるものと推測される。   According to the cured film forming material, by containing the [A] compound, a cured film having a low dielectric constant and high heat-resistant transparency can be obtained. Although this reason is not certain, the following reasons are presumed as the reason why the dielectric property of the obtained cured film is lowered. A conventional copolymer containing a general epoxy group and carboxy group has a structural unit derived from glycidyl methacrylate (GMA) and the like and a structural unit derived from methacrylic acid (MA) and the like as described above. . When a material containing such a copolymer is cured, crosslinking occurs due to a reaction between an epoxy group and a carboxy group. At this time, as shown in the following scheme, a crosslinked structure is formed in which two carbonyloxy groups (—COO—) having high polarity and hydroxyl groups (—OH) therebetween are present relatively densely. For this reason, it is estimated that a large orientation polarization occurs and the dielectric constant increases.

Figure 2017171748
Figure 2017171748

これに対し、上記特定エポキシ含有基を有する[A]化合物を用いた場合、架橋反応で生じる架橋構造において、極性基同士(カルボニルオキシ基及び水酸基)の密接性が低下し、配向分極が小さくなる。これにより、得られる硬化膜の誘電率が低下するものと推察される。   On the other hand, when the [A] compound having the specific epoxy-containing group is used, in the cross-linked structure generated by the cross-linking reaction, the closeness of polar groups (carbonyloxy group and hydroxyl group) is lowered and the orientation polarization is reduced. . Thereby, it is guessed that the dielectric constant of the obtained cured film falls.

[A]化合物としては、上記特定エポキシ含有基を有する化合物(エポキシ成分)と、カルボキシ基を有する化合物(カルボン酸成分)との混合物であってもよいし、上記特定エポキシ含有基とカルボキシ基との双方を有する化合物(エポキシ−カルボン酸成分)からなる場合などであってもよい。また、[A]化合物は、重合体であってもよく、重合体以外の化合物であってもよい。   [A] The compound may be a mixture of the compound having the specific epoxy-containing group (epoxy component) and the compound having a carboxy group (carboxylic acid component), or the specific epoxy-containing group and the carboxy group. It may be the case where it consists of a compound (epoxy-carboxylic acid component) having both. [A] The compound may be a polymer or a compound other than a polymer.

上記特定エポキシ含有基を有する化合物(エポキシ成分)としては、上記特定エポキシ含有基を有するシロキサン化合物、上記特定エポキシ含有基を含む構造単位(I)を有する重合体(α)などを挙げることができる。[A]化合物としては、上記特定エポキシ含有基を有するシロキサン化合物を含むことが好ましい。上記特定エポキシ含有基を有するシロキサン化合物を用いることで、硬化膜における低誘電性に加え、耐熱透明性、耐薬品性、パターン形成性などを高めることができる。   Examples of the compound having the specific epoxy-containing group (epoxy component) include a siloxane compound having the specific epoxy-containing group and a polymer (α) having the structural unit (I) including the specific epoxy-containing group. . [A] The compound preferably contains a siloxane compound having the specific epoxy-containing group. By using the siloxane compound having the specific epoxy-containing group, in addition to low dielectric properties in the cured film, heat-resistant transparency, chemical resistance, pattern formability, and the like can be improved.

上記カルボキシ基を有する化合物(カルボン酸成分)としては、カルボキシ基を含む構造単位(II)を有する重合体(β)を挙げることができる。また、上記特定エポキシ含有基とカルボキシ基との双方を有する化合物(エポキシ−カルボン酸成分)としては、上記特定エポキシ含有基を含む構造単位(I)とカルボキシ基を含む構造単位(II)とを有する重合体(γ)を挙げることができる。このように[A]化合物が、カルボキシ基を含む構造単位(II)を有する重合体を含むことで、硬化膜の諸特性や、放射線感度を高めることなどができる。   Examples of the compound having a carboxy group (carboxylic acid component) include a polymer (β) having a structural unit (II) containing a carboxy group. The compound having both the specific epoxy-containing group and the carboxy group (epoxy-carboxylic acid component) includes the structural unit (I) containing the specific epoxy-containing group and the structural unit (II) containing a carboxy group. And a polymer (γ) having the same. As described above, when the compound [A] includes the polymer having the structural unit (II) containing a carboxy group, various properties of the cured film and radiation sensitivity can be increased.

好ましい[A]化合物の形態としては、
特定エポキシ含有基を有するシロキサン化合物と、カルボキシ基を含む構造単位(II)を有する重合体(β)との混合物;
特定エポキシ含有基を有する構造単位(I)を有する重合体(α)と、カルボキシ基を含む構造単位(II)を有する重合体(β)との混合物;及び
上記特定エポキシ含有基を含む構造単位(I)とカルボキシ基を含む構造単位(II)とを有する重合体(γ)
を挙げることができる。これらの中でも、特定エポキシ含有基を有するシロキサン化合物と、カルボキシ基を含む構造単位(II)を有する重合体(β)との混合物であることがより好ましい。
As a preferable form of the compound [A],
A mixture of a siloxane compound having a specific epoxy-containing group and a polymer (β) having a structural unit (II) containing a carboxy group;
A mixture of a polymer (α) having a structural unit (I) having a specific epoxy-containing group and a polymer (β) having a structural unit (II) containing a carboxy group; and a structural unit containing the specific epoxy-containing group Polymer (γ) having (I) and structural unit (II) containing carboxy group
Can be mentioned. Among these, a mixture of a siloxane compound having a specific epoxy-containing group and a polymer (β) having a structural unit (II) containing a carboxy group is more preferable.

<シロキサン化合物:エポキシ成分(1)>
シロキサン化合物とは、シロキサン結合(−Si−O−Si−)を有する化合物をいう。上記特定エポキシ含有基を有するシロキサン化合物としては、ポリオルガノシロキサンなどを挙げることができる。シロキサン化合物を用いることで、得られる硬化膜の耐熱透明性などをより高めることができる。
<Siloxane compound: Epoxy component (1)>
A siloxane compound refers to a compound having a siloxane bond (—Si—O—Si—). Examples of the siloxane compound having the specific epoxy-containing group include polyorganosiloxane. By using a siloxane compound, the heat-resistant transparency of the obtained cured film can be further enhanced.

上記特定エポキシ含有基を有するポリオルガノシロキサンは、上記特定エポキシ含有基(通常、上記式(1)で表される基)を有するシラン化合物、あるいは上記特定エポキシ含有基を有するシラン化合物と他のシラン化合物との混合物を、好ましくは適当な有機溶媒、水及び触媒の存在下において加水分解又は加水分解縮合することにより得ることができる。   The polyorganosiloxane having the specific epoxy-containing group is a silane compound having the specific epoxy-containing group (usually a group represented by the formula (1)), or a silane compound having the specific epoxy-containing group and another silane. The mixture with the compound can be obtained by hydrolysis or hydrolytic condensation, preferably in the presence of a suitable organic solvent, water and a catalyst.

(構造単位(i))
上記特定エポキシ含有基を有するポリオルガノシロキサンとしては、上記特定エポキシ含有基、好ましくは、上記式(1)で表される基を有する限り特に限定されないが、下記式(4)で表される構造単位(i)を有することが好ましい。
(Structural unit (i))
The polyorganosiloxane having the specific epoxy-containing group is not particularly limited as long as it has the specific epoxy-containing group, preferably the group represented by the formula (1), but the structure represented by the following formula (4) It is preferable to have the unit (i).

Figure 2017171748
Figure 2017171748

式(4)中、Rは、上記式(1)で表される基である。このRすなわち、上記式(1)で表される基の好ましい形態は上述したとおりであり、2−(3,4−エポキシシクロヘキシル)エチル基であることが特に好ましい。 In the formula (4), R 5 is a group represented by the above formula (1). This R 5, that is, the preferred form of the group represented by the formula (1) is as described above, and is particularly preferably a 2- (3,4-epoxycyclohexyl) ethyl group.

上記ポリオルガノシロキサンがこのような構造単位(i)を有することで、硬化膜の耐熱性や耐薬品性などを高めることができる。   When the polyorganosiloxane has such a structural unit (i), the heat resistance and chemical resistance of the cured film can be improved.

上記構造単位(i)は、上記特定エポキシ含有基を有するシラン化合物として、3官能のシラン化合物を用いることで形成することができる。特定エポキシ含有基を有する3官能のシラン化合物としては、2−(3,4−エポキシシクロヘキシル)エチルトリメトキシシラン、2−(3,4−エポキシシクロヘキシル)エチルトリエトキシシラン、3,4−エポキシシクロヘキシルメチルトリメトキシシラン、3,4−エポキシシクロヘキシルメチルトリメトキシシラン、2−オキシラニルエチルトリメトキシシラン、3−オキシラニルプロピルトリメトキシシランなどを挙げることができる。これらの中でも、2−(3,4−エポキシシクロヘキシル)エチル基を有する3官能のシラン化合物が好ましい。これらのシラン化合物は、1種を単独で、又は2種以上を混合して用いることができる。   The structural unit (i) can be formed by using a trifunctional silane compound as the silane compound having the specific epoxy-containing group. Examples of the trifunctional silane compound having a specific epoxy-containing group include 2- (3,4-epoxycyclohexyl) ethyltrimethoxysilane, 2- (3,4-epoxycyclohexyl) ethyltriethoxysilane, and 3,4-epoxycyclohexyl. Examples thereof include methyltrimethoxysilane, 3,4-epoxycyclohexylmethyltrimethoxysilane, 2-oxiranylethyltrimethoxysilane, and 3-oxiranylpropyltrimethoxysilane. Among these, a trifunctional silane compound having a 2- (3,4-epoxycyclohexyl) ethyl group is preferable. These silane compounds can be used individually by 1 type or in mixture of 2 or more types.

上記ポリオルガノシロキサンの全構造単位に対する上記構造単位(i)の含有率の下限としては、50質量%が好ましく、70質量%がより好ましく、90質量%がさらに好ましく、95質量%がよりさらに好ましく、99質量%がよりさらに好ましく、100質量%が特に好ましい。一方、この上限としては100質量%であってよい。構造単位(i)の含有率を上記範囲とすることで、耐熱性や耐薬品性などをより高めることなどができる。なお、ポリオルガノシロキサンにおける各構造単位の含有量は、モノマーとして対応するシラン化合物の仕込量と同一とみなすことができる。   As a minimum of the content rate of the above-mentioned structural unit (i) to all the structural units of the above-mentioned polyorganosiloxane, 50 mass% is preferred, 70 mass% is more preferred, 90 mass% is still more preferred, and 95 mass% is still more preferred. 99 mass% is still more preferable, and 100 mass% is especially preferable. On the other hand, the upper limit may be 100% by mass. By making the content rate of structural unit (i) into the said range, heat resistance, chemical-resistance, etc. can be improved more. The content of each structural unit in the polyorganosiloxane can be regarded as the same as the charged amount of the corresponding silane compound as a monomer.

なお、上記ポリオルガノシロキサンが上記構造単位(i)のみから構成される場合、すなわち、上記特定エポキシ含有基を有する3官能のシラン化合物のみから合成される場合、かご型のシルセスキオキサン化合物が形成されうる。このようなシルセスキオキサン化合物としては、例えば、(SiO3/2(Rは、式(4)と同義である。)などを挙げることができる。 When the polyorganosiloxane is composed only of the structural unit (i), that is, synthesized from only the trifunctional silane compound having the specific epoxy-containing group, a cage-type silsesquioxane compound is obtained. Can be formed. Examples of such a silsesquioxane compound include (SiO 3/2 R 5 ) 8 (R 5 has the same meaning as in formula (4)).

(構造単位(ii))
上記ポリオルガノシロキサンは、上記構造単位(i)以外の構造単位(ii)を有することができる。この構造単位(ii)を与えるシラン化合物としては、
テトラメトキシシラン、テトラエトキシシラン、テトラクロロシラン等の4官能のシラン化合物;
メチルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、エチルトリメトキシシラン、エチルトリエトキシシラン、3−(メタ)アクリロキシプロピルトリメトキシシラン、3−(メタ)アクリロキシプロピルトリメトキシシラン、3−メルカプトプロピルトリエトキシシラン、ビニルトリメトキシシラン、アリルトリメトキシシラン等の3官能のシラン化合物;
ジメチルジメトキシシラン、ジメチルジメトキシシラン、ジエチルジメトキシシラン、ジ3−(メタ)アクリロキシプロピルジメトキシシラン、ジ2−(3,4−エポキシシクロヘキシル)エチルジメトキシシラン等の2官能のシラン化合物
などを挙げることができる。これらのシラン化合物は、1種を単独で、又は2種以上を混合して用いることができる。
(Structural unit (ii))
The polyorganosiloxane may have a structural unit (ii) other than the structural unit (i). As a silane compound which gives this structural unit (ii),
Tetrafunctional silane compounds such as tetramethoxysilane, tetraethoxysilane, tetrachlorosilane;
Methyltrimethoxysilane, methyltriethoxysilane, ethyltrimethoxysilane, ethyltriethoxysilane, 3- (meth) acryloxypropyltrimethoxysilane, 3- (meth) acryloxypropyltrimethoxysilane, 3-mercaptopropyltriethoxy Trifunctional silane compounds such as silane, vinyltrimethoxysilane and allyltrimethoxysilane;
Bifunctional silane compounds such as dimethyldimethoxysilane, dimethyldimethoxysilane, diethyldimethoxysilane, di3- (meth) acryloxypropyldimethoxysilane, and di-2- (3,4-epoxycyclohexyl) ethyldimethoxysilane. it can. These silane compounds can be used individually by 1 type or in mixture of 2 or more types.

これらの中でも、4官能のシラン化合物及び3官能のシラン化合物が好ましい。3官能のシラン化合物としては、非加水分解性基としてアルキル基又は反応性基を有するシラン化合物が好ましい。なお、上記反応性基としては、例えば(メタ)アクリロキシ基、ビニル基等の不飽和二重結合を有する基、メルカプト基などを挙げることができる。   Among these, a tetrafunctional silane compound and a trifunctional silane compound are preferable. As the trifunctional silane compound, a silane compound having an alkyl group or a reactive group as a non-hydrolyzable group is preferable. Examples of the reactive group include a group having an unsaturated double bond such as a (meth) acryloxy group and a vinyl group, and a mercapto group.

上記ポリオルガノシロキサンが構造単位(ii)を有する場合、上記ポリオルガノシロキサンの全構造単位に対する上記構造単位(ii)の含有率の下限としては、1質量%が好ましく、5質量%がより好ましく、10質量%がさらに好ましい。一方、この上限としては30質量%が好ましい。   When the polyorganosiloxane has a structural unit (ii), the lower limit of the content of the structural unit (ii) with respect to all the structural units of the polyorganosiloxane is preferably 1% by mass, more preferably 5% by mass, 10 mass% is more preferable. On the other hand, the upper limit is preferably 30% by mass.

上記ポリオルガノシロキサンのGPCによるポリスチレン換算重量平均分子量(Mw)の下限値としては1,000が好ましく、1,500がより好ましい。一方、この上限値としては、10,000が好ましく、5,000がより好ましい。   The lower limit of the weight average molecular weight (Mw) in terms of polystyrene by GPC of the polyorganosiloxane is preferably 1,000, and more preferably 1,500. On the other hand, the upper limit is preferably 10,000, and more preferably 5,000.

上記ポリオルガノシロキサン(シラン化合物)としては、環状シロキサン化合物であってもよい。この環状シロキサン化合物としては、信越化学工業社の「X−40−2670」などが挙げられる。   The polyorganosiloxane (silane compound) may be a cyclic siloxane compound. Examples of the cyclic siloxane compound include “X-40-2670” manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.

<構造単位(I)を有する重合体(α):エポキシ成分(2)>
上記構造単位(I)を有する重合体(α)は、上記構造単位(I)を与える不飽和単量体の単独重合、又は上記構造単位(I)を与える不飽和単量体とその他の構造単位(III)を与える不飽和単量体との共重合により得ることができる。この重合又は共重合は、適当な溶媒及び適当な重合開始剤の存在下、公知の方法、例えばラジカル重合によって得ることができる。このような重合体(α)を用いることで、得られる硬化膜の低誘電性及び高耐熱透明性をより高めることなどができる。
<Polymer (α) having structural unit (I): Epoxy component (2)>
The polymer (α) having the structural unit (I) is a homopolymerization of an unsaturated monomer that gives the structural unit (I), or an unsaturated monomer that gives the structural unit (I) and other structures. It can be obtained by copolymerization with an unsaturated monomer giving the unit (III). This polymerization or copolymerization can be obtained by a known method such as radical polymerization in the presence of a suitable solvent and a suitable polymerization initiator. By using such a polymer (α), it is possible to further improve the low dielectric property and high heat-resistant transparency of the obtained cured film.

(構造単位(I))
上記構造単位(I)は、上記式(1)又は(2)で表される特定エポキシ含有基を有する構造単位である。
(Structural unit (I))
The structural unit (I) is a structural unit having a specific epoxy-containing group represented by the formula (1) or (2).

上記構造単位(I)を与える不飽和単量体は、上記特定エポキシ含有基を有する不飽和単量体である。このような不飽和単量体としては、例えば
3,4−エポキシブチルアクリレート、6,7−エポキシヘプチルアクリレート、3,4−エポキシシクロヘキシルアクリレート、3,4−エポキシシクロヘキシルメチルアクリレート、3,4−エポキシノルボニニルアクリレート、α−エチルアクリル酸−6,7−エポキシヘプチル等のアクリル酸エステル;
3,4−エポキシブチルメタクリレート、6,7−エポキシヘプチルメタクリレート、3,4−エポキシシクロヘキシルメタクリレート、3,4−エポキシシクロヘキシルメチルメタクリレート、3,4−エポキシノルボニニルメタクリレート等のメタクリル酸エステル;
などを挙げることができる。上記不飽和単量体は、1種を単独で、又は2種以上を混合して用いることができる。
The unsaturated monomer that gives the structural unit (I) is an unsaturated monomer having the specific epoxy-containing group. Examples of such unsaturated monomers include 3,4-epoxybutyl acrylate, 6,7-epoxyheptyl acrylate, 3,4-epoxycyclohexyl acrylate, 3,4-epoxycyclohexylmethyl acrylate, and 3,4-epoxy. Acrylic esters such as norboninyl acrylate, α-ethylacrylic acid-6,7-epoxyheptyl;
Methacrylic acid esters such as 3,4-epoxybutyl methacrylate, 6,7-epoxyheptyl methacrylate, 3,4-epoxycyclohexyl methacrylate, 3,4-epoxycyclohexylmethyl methacrylate, 3,4-epoxynorbornyl methacrylate;
And so on. The said unsaturated monomer can be used individually by 1 type or in mixture of 2 or more types.

重合体(α)の全構造単位に対する構造単位(I)の含有率の下限は50質量%が好ましく、70質量%がより好ましく、80質量%がさらに好ましい。一方、この上限は、100質量%であってよいが、99質量%であってよく、95質量%であってもよい。なお、重合体における構造単位の含有率は、対応する不飽和単量体の仕込比と同一とみなすことができる(以下、同様である)。   50 mass% is preferable, as for the minimum of the content rate of structural unit (I) with respect to all the structural units of a polymer ((alpha)), 70 mass% is more preferable, and 80 mass% is further more preferable. On the other hand, the upper limit may be 100% by mass, 99% by mass, or 95% by mass. In addition, the content rate of the structural unit in a polymer can be considered that it is the same as the preparation ratio of a corresponding unsaturated monomer (hereinafter, it is the same).

(構造単位(III))
構造単位(III)を与える不飽和単量体としては、例えば
メタクリル酸メチル、メタクリル酸エチル、メタクリル酸n−ブチル、メタクリル酸sec−ブチル、メタクリル酸t−ブチル、メタクリル酸2−エチルヘキシル、メタクリル酸イソデシル、メタクリル酸n−ラウリル、メタクリル酸トリデシル、メタクリル酸n−ステアリル等のメタクリル酸鎖状アルキルエステル;
メタクリル酸シクロヘキシル、メタクリル酸2−メチルシクロヘキシル、メタクリル酸トリシクロ[5.2.1.02,6]デカン−8−イル、メタクリル酸トリシクロ[5.2.1.02,6]デカン−8−イルオキシエチル、メタクリル酸イソボルニル等のメタクリル酸環状アルキルエステル;
アクリル酸メチル、アクリル酸エチル、アクリル酸n−ブチル、アクリル酸sec−ブチル、アクリル酸t−ブチル、アクリル酸2−エチルヘキシル、アクリル酸イソデシル、アクリル酸n−ラウリル、アクリル酸トリデシル、アクリル酸n−ステアリル等のアクリル酸鎖状アルキルエステル;
アクリル酸シクロヘキシル、アクリル酸−2−メチルシクロヘキシル、アクリル酸トリシクロ[5.2.1.02,6]デカン−8−イル、アクリル酸トリシクロ[5.2.1.02,6]デカン−8−イルオキシエチル、アクリル酸イソボルニル等のアクリル酸環状アルキルエステル;
メタクリル酸フェニル、メタクリル酸ベンジル等のメタクリル酸アリールエステル;
アクリル酸フェニル、アクリル酸ベンジル等のアクリル酸アリールエステル;
マレイン酸ジエチル、フマル酸ジエチル、イタコン酸ジエチル等の不飽和ジカルボン酸ジエステル;
N−フェニルマレイミド、N−シクロヘキシルマレイミド、N−ベンジルマレイミド、N−(4−ヒドロキシフェニル)マレイミド、N−(4−ヒドロキシベンジル)マレイミド、N−スクシンイミジル−3−マレイミドベンゾエート、N−スクシンイミジル−4−マレイミドブチレート、N−スクシンイミジル−6−マレイミドカプロエート、N−スクシンイミジル−3−マレイミドプロピオネート、N−(9−アクリジニル)マレイミド等のマレイミド化合物;
スチレン、α−メチルスチレン、m−メチルスチレン、p−メチルスチレン、ビニルトルエン、p−メトキシスチレン等の不飽和芳香族化合物;
1,3−ブタジエン、イソプレン、2,3−ジメチル−1,3−ブタジエン等の共役ジエン;
メタクリル酸テトラヒドロフルフリル、2−メタクリロイルオキシ−プロピオン酸テトラヒドロフルフリルエステル、3−(メタ)アクリロイルオキシテトラヒドロフラン−2−オン等のテトラヒドロフラン骨格を含有する不飽和単量体;
その他、アクリロニトリル、メタクリロニトリル、塩化ビニル、塩化ビニリデン、アクリルアミド、メタクリルアミド、酢酸ビニル等が挙げられる。これらの中でも、(メタ)アクリル酸エステルが好ましく、(メタ)アクリル酸鎖状アルキルエステルがより好ましい。上記不飽和単量体は、1種を単独で、又は2種以上を混合して用いることができる。
(Structural unit (III))
Examples of the unsaturated monomer that gives the structural unit (III) include methyl methacrylate, ethyl methacrylate, n-butyl methacrylate, sec-butyl methacrylate, t-butyl methacrylate, 2-ethylhexyl methacrylate, and methacrylic acid. Methacrylic acid chain alkyl esters such as isodecyl, n-lauryl methacrylate, tridecyl methacrylate, n-stearyl methacrylate;
Cyclohexyl methacrylate, 2-methylcyclohexyl methacrylate, tricyclo [5.2.1.0 2,6 ] decan-8-yl methacrylate, tricyclo [5.2.1.0 2,6 ] decane-8 methacrylate -Cyclic alkyl esters of methacrylic acid such as yloxyethyl, isobornyl methacrylate;
Methyl acrylate, ethyl acrylate, n-butyl acrylate, sec-butyl acrylate, t-butyl acrylate, 2-ethylhexyl acrylate, isodecyl acrylate, n-lauryl acrylate, tridecyl acrylate, n-acrylate Acrylic acid chain alkyl esters such as stearyl;
Cyclohexyl acrylate, 2-methylcyclohexyl acrylate, tricyclo [5.2.1.0 2,6 ] decan-8-yl acrylate, tricyclo [5.2.1.0 2,6 ] decane-acrylate Acrylic acid cyclic alkyl esters such as 8-yloxyethyl, isobornyl acrylate;
Methacrylic acid aryl esters such as phenyl methacrylate and benzyl methacrylate;
Acrylic acid aryl esters such as phenyl acrylate and benzyl acrylate;
Unsaturated dicarboxylic acid diesters such as diethyl maleate, diethyl fumarate, diethyl itaconate;
N-phenylmaleimide, N-cyclohexylmaleimide, N-benzylmaleimide, N- (4-hydroxyphenyl) maleimide, N- (4-hydroxybenzyl) maleimide, N-succinimidyl-3-maleimidobenzoate, N-succinimidyl-4- Maleimide compounds such as maleimide butyrate, N-succinimidyl-6-maleimidocaproate, N-succinimidyl-3-maleimide propionate, N- (9-acridinyl) maleimide;
Unsaturated aromatic compounds such as styrene, α-methylstyrene, m-methylstyrene, p-methylstyrene, vinyltoluene, p-methoxystyrene;
Conjugated dienes such as 1,3-butadiene, isoprene, 2,3-dimethyl-1,3-butadiene;
Unsaturated monomers containing a tetrahydrofuran skeleton such as tetrahydrofurfuryl methacrylate, 2-methacryloyloxy-propionic acid tetrahydrofurfuryl ester, 3- (meth) acryloyloxytetrahydrofuran-2-one;
Other examples include acrylonitrile, methacrylonitrile, vinyl chloride, vinylidene chloride, acrylamide, methacrylamide, and vinyl acetate. Among these, (meth) acrylic acid ester is preferable, and (meth) acrylic acid chain alkyl ester is more preferable. The said unsaturated monomer can be used individually by 1 type or in mixture of 2 or more types.

重合体(α)が構造単位(III)を有する場合、重合体(α)の全構造単位に対する構造単位(III)の含有率の下限は1質量%が好ましく、5質量%がより好ましい。一方、この上限は、20質量%が好ましい。   When the polymer (α) has the structural unit (III), the lower limit of the content of the structural unit (III) with respect to all the structural units of the polymer (α) is preferably 1% by mass, and more preferably 5% by mass. On the other hand, the upper limit is preferably 20% by mass.

重合体(α)は、ポリエーテル構造を有する重合体であってもよい。このような重合体としては、下記式(5)で表される構造単位を有する重合体を挙げることができる。   The polymer (α) may be a polymer having a polyether structure. An example of such a polymer is a polymer having a structural unit represented by the following formula (5).

Figure 2017171748
Figure 2017171748

上記式(5)中のR及びRは、上記式(2)と同義である。このような重合体としては、ダイセル社の「EHPE3150」等の市販品を用いることもできる。 R 3 and R 4 in the above formula (5) have the same meaning as in the above formula (2). As such a polymer, commercially available products such as “EHPE3150” manufactured by Daicel Corporation can also be used.

重合体(α)のGPCによるポリスチレン換算重量平均分子量(Mw)の下限値としては2,000が好ましく、5,000がより好ましい。一方、この上限値としては、20,000が好ましく、15,000がより好ましい。Mwを上記下限値以上とすることで、成膜性を良好にすることなどができる。一方、Mwを上記上限値以下とすることによって、現像性の低下を防止することなどができる。   The lower limit of the weight average molecular weight (Mw) in terms of polystyrene by GPC of the polymer (α) is preferably 2,000, more preferably 5,000. On the other hand, the upper limit is preferably 20,000, and more preferably 15,000. By setting Mw to be equal to or higher than the above lower limit value, the film formability can be improved. On the other hand, by making Mw equal to or less than the above upper limit value, it is possible to prevent a decrease in developability.

<その他のエポキシ成分>
上記特定エポキシ含有基を有する化合物としては、上述したシロキサン化合物や、重合体(α)以外の化合物を挙げることができる。このような化合物としては、3’,4’−エポキシシクロヘキシルメチル3,4−エポキシシクロヘキサンカルボキシレート、ブタンテトラカルボン酸テトラ(3,4−エポキシシクロヘキシルメチル)修飾ε−カプロラクトン、2−(3,4−エポキシシクロヘキシル)エチルトリメトキシシラン、3,4−エポキシシクロヘキシルメチル(メタ)アクリレートなどを挙げることができる。
<Other epoxy components>
Examples of the compound having the specific epoxy-containing group include siloxane compounds described above and compounds other than the polymer (α). Such compounds include 3 ', 4'-epoxycyclohexylmethyl 3,4-epoxycyclohexanecarboxylate, butanetetracarboxylic acid tetra (3,4-epoxycyclohexylmethyl) modified ε-caprolactone, 2- (3,4 -Epoxycyclohexyl) ethyltrimethoxysilane, 3,4-epoxycyclohexylmethyl (meth) acrylate and the like.

<カルボキシ基を含む構造単位(II)を有する重合体(β):カルボン酸成分>
上記構造単位(II)を有する重合体(β)は、上記構造単位(II)を与える不飽和単量体の単独重合、又は上記構造単位(II)を与える不飽和単量体とその他の構造単位(III)を与える不飽和単量体との共重合により得ることができる。この重合又は共重合は、適当な溶媒及び適当な重合開始剤の存在下、公知の方法、例えばラジカル重合によって得ることができる。
<Polymer (β) having carboxy group-containing structural unit (II): carboxylic acid component>
The polymer (β) having the structural unit (II) is a homopolymerization of an unsaturated monomer that gives the structural unit (II), or an unsaturated monomer that gives the structural unit (II) and other structures. It can be obtained by copolymerization with an unsaturated monomer giving the unit (III). This polymerization or copolymerization can be obtained by a known method such as radical polymerization in the presence of a suitable solvent and a suitable polymerization initiator.

(構造単位(II))
上記構造単位(II)を与える不飽和単量体は、カルボキシ基を有する不飽和単量体である。このような不飽和単量体としては、例えば
アクリル酸、メタクリル酸、クロトン酸、4−ビニル安息香酸等の不飽和モノカルボン酸;
マレイン酸、フマル酸、シトラコン酸、メサコン酸、イタコン酸等の不飽和ジカルボン酸;
上記不飽和ジカルボン酸の無水物
等が挙げられる。上記不飽和単量体は、1種を単独で、又は2種以上を混合して用いることができる。
(Structural unit (II))
The unsaturated monomer that gives the structural unit (II) is an unsaturated monomer having a carboxy group. Examples of such unsaturated monomers include unsaturated monocarboxylic acids such as acrylic acid, methacrylic acid, crotonic acid, and 4-vinylbenzoic acid;
Unsaturated dicarboxylic acids such as maleic acid, fumaric acid, citraconic acid, mesaconic acid, itaconic acid;
The anhydride of the said unsaturated dicarboxylic acid etc. are mentioned. The said unsaturated monomer can be used individually by 1 type or in mixture of 2 or more types.

重合体(β)の全構造単位に対する構造単位(II)の含有率の下限としては、5質量%が好ましく、10質量%がより好ましく、15質量%がさらに好ましい。一方、この上限は、50質量%が好ましく、40質量%がより好ましく、30質量%がさらに好ましい。構造単位(II)の含有率を上記範囲とすることによって、硬化性、現像性、感度、低誘電性等をバランスよく良好にすることができる。   As a minimum of the content rate of structural unit (II) with respect to all the structural units of a polymer (beta), 5 mass% is preferable, 10 mass% is more preferable, and 15 mass% is further more preferable. On the other hand, this upper limit is preferably 50% by mass, more preferably 40% by mass, and even more preferably 30% by mass. By making the content rate of structural unit (II) into the said range, sclerosis | hardenability, developability, a sensitivity, low dielectric constant, etc. can be made favorable with sufficient balance.

(構造単位(III)
重合体(β)が有していてもよいその他の構造単位(III)は、重合体(α)の構造体単位(III)と同様である。
(Structural unit (III)
The other structural unit (III) that the polymer (β) may have is the same as the structural unit (III) of the polymer (α).

重合体(β)が構造単位(III)を有する場合、重合体(β)の全構造単位に対する構造単位(III)の含有率の下限は50質量%が好ましく、70質量%がより好ましい。一方、この上限は、95質量%が好ましく、90質量%がより好ましい。   When the polymer (β) has the structural unit (III), the lower limit of the content of the structural unit (III) with respect to all the structural units of the polymer (β) is preferably 50% by mass, and more preferably 70% by mass. On the other hand, the upper limit is preferably 95% by mass, and more preferably 90% by mass.

重合体(β)のGPCによるポリスチレン換算重量平均分子量(Mw)の下限値としては2,000が好ましく、5,000がより好ましい。一方、この上限値としては、20,000が好ましく、15,000がより好ましい。Mwを上記下限値以上とすることで、成膜性を良好にすることなどができる。一方、Mwを上記上限値以下とすることによって、現像性の低下を防止することなどができる。   The lower limit of the weight average molecular weight (Mw) in terms of polystyrene by GPC of the polymer (β) is preferably 2,000, and more preferably 5,000. On the other hand, the upper limit is preferably 20,000, and more preferably 15,000. By setting Mw to be equal to or higher than the above lower limit value, the film formability can be improved. On the other hand, by making Mw equal to or less than the above upper limit value, it is possible to prevent a decrease in developability.

<構造単位(I)と構造単位(II)とを有する重合体(γ):エポキシ−カルボン酸成分>
重合体(γ)は、同一の分子中に上記特定エポキシ含有基とカルボキシ基との双方を有する重合体である。重合体(γ)は、上記特定エポキシ含有基を有する構造単位(I)を与える不飽和単量体、カルボキシ基を有する構造単位(II)を与える不飽和単量体、及び必要に応じてその他の構造単位(III)を与える不飽和単量体の共重合により得ることができる。この共重合は、適当な溶媒及び適当な重合開始剤の存在下、公知の方法、例えばラジカル重合によって得ることができる。
<Polymer (γ) having structural unit (I) and structural unit (II): epoxy-carboxylic acid component>
The polymer (γ) is a polymer having both the specific epoxy-containing group and the carboxy group in the same molecule. The polymer (γ) includes an unsaturated monomer that gives the structural unit (I) having the specific epoxy-containing group, an unsaturated monomer that gives the structural unit (II) having a carboxy group, and other if necessary. It can be obtained by copolymerization of an unsaturated monomer giving the structural unit (III). This copolymerization can be obtained by a known method such as radical polymerization in the presence of a suitable solvent and a suitable polymerization initiator.

上記構造単位(I)〜(III)を与える各不飽和単量体単位は、重合体(α)及び重合体(β)中の構造単位として上述したとおりである。   The unsaturated monomer units giving the structural units (I) to (III) are as described above as the structural units in the polymer (α) and the polymer (β).

重合体(γ)の全構造単位に対する構造単位(I)の含有率の下限としては、5質量%が好ましく、10質量%が好ましく、15質量%がさらに好ましい。一方、この構造単位(I)の含有率の上限としては、50質量%が好ましく、40質量%がより好ましく、30質量%がさらに好ましい。また、重合体(γ)の全構造単位に対する構造単位(II)の含有率の下限としては、5質量%が好ましく、10質量%が好ましく、15質量%がさらに好ましい。一方、この構造単位(II)の含有率の上限としては、50質量%が好ましく、40質量%がより好ましく、30質量%がさらに好ましい。なお、重合体(γ)において、構造単位(I)の含有率(質量%)が、構造単位(II)の含有率(質量%)より高いことが好ましい。   As a minimum of the content rate of structural unit (I) with respect to all the structural units of a polymer (gamma), 5 mass% is preferable, 10 mass% is preferable, and 15 mass% is more preferable. On the other hand, as an upper limit of the content rate of this structural unit (I), 50 mass% is preferable, 40 mass% is more preferable, and 30 mass% is further more preferable. Moreover, as a minimum of the content rate of structural unit (II) with respect to all the structural units of a polymer ((gamma)), 5 mass% is preferable, 10 mass% is preferable, and 15 mass% is more preferable. On the other hand, as an upper limit of the content rate of this structural unit (II), 50 mass% is preferable, 40 mass% is more preferable, 30 mass% is further more preferable. In the polymer (γ), the content (mass%) of the structural unit (I) is preferably higher than the content (mass%) of the structural unit (II).

重合体(γ)が構造単位(III)を有する場合、重合体(γ)の全構造単位に対する構造単位(III)の含有率の下限は20質量%が好ましく、40質量%がより好ましい。一方、この上限は、90質量%が好ましく、80質量%がより好ましい。   When the polymer (γ) has the structural unit (III), the lower limit of the content of the structural unit (III) with respect to all the structural units of the polymer (γ) is preferably 20% by mass, and more preferably 40% by mass. On the other hand, the upper limit is preferably 90% by mass, and more preferably 80% by mass.

重合体(γ)のGPCによるポリスチレン換算重量平均分子量(Mw)の下限値としては2,000が好ましく、5,000がより好ましい。一方、この上限値としては、20,000が好ましく、15,000がより好ましい。Mwを上記下限値以上とすることで、成膜性を良好にすることなどができる。一方、Mwを上記上限値以下とすることによって、現像性の低下を防止することなどができる。   The lower limit of the weight average molecular weight (Mw) in terms of polystyrene by GPC of the polymer (γ) is preferably 2,000, and more preferably 5,000. On the other hand, the upper limit is preferably 20,000, and more preferably 15,000. By setting Mw to be equal to or higher than the above lower limit value, the film formability can be improved. On the other hand, by making Mw equal to or less than the above upper limit value, it is possible to prevent a decrease in developability.

<[A]化合物の含有量等>
当該硬化膜形成用材料中の全固形分中の[A]重合体成分の含有率の下限としては、例えば50質量%とすることができ、70質量%が好ましい。一方、この上限としては、例えば95質量%とすることができ、90質量%が好ましい。[A]重合体成分の含有率を上記範囲とすることで、感度や得られる硬化膜の硬度等をより良好なものとすることなどができる。
<Content of [A] compound, etc.>
As a minimum of the content rate of the [A] polymer component in the total solid in the said cured film formation material, it can be set as 50 mass%, for example, and 70 mass% is preferable. On the other hand, as this upper limit, it can be 95 mass%, for example, and 90 mass% is preferable. [A] By making the content rate of a polymer component into the said range, a sensitivity, the hardness of the cured film obtained, etc. can be made more favorable.

[A]化合物として、エポキシ成分とカルボン酸成分との混合物を用いる場合、カルボン酸成分100質量部に対するエポキシ成分の含有量の下限としては、30質量部が好ましく、50質量部がより好ましく、75質量部であってもよい。一方、このカルボン酸成分100質量部に対するエポキシ成分の含有量の上限としては、200質量部が好ましく、150質量部がより好ましく、75質量部であってもよい。   [A] When using the mixture of an epoxy component and a carboxylic acid component as a compound, as a minimum of content of the epoxy component with respect to 100 mass parts of carboxylic acid components, 30 mass parts is preferable, 50 mass parts is more preferable, 75 A mass part may be sufficient. On the other hand, as an upper limit of content of the epoxy component with respect to 100 mass parts of this carboxylic acid component, 200 mass parts is preferable, 150 mass parts is more preferable, and 75 mass parts may be sufficient.

なお、[A]化合物、すなわちエポキシ成分、カルボン酸成分及びエポキシ−カルボン酸成分は、フェノール性水酸基を実質的に有さない化合物であることが好ましい。フェノール性水酸基は、加熱等で酸化されるため、得られる硬化膜の着色が生じやすくなる。従って、[A]化合物として、フェノール性水酸基を実質的に有さない化合物を用いることで、耐熱透明性等により優れる硬化膜を得ることができる。   In addition, it is preferable that an [A] compound, ie, an epoxy component, a carboxylic acid component, and an epoxy-carboxylic acid component, is a compound which does not have a phenolic hydroxyl group substantially. Since the phenolic hydroxyl group is oxidized by heating or the like, the resulting cured film is likely to be colored. Therefore, by using a compound having substantially no phenolic hydroxyl group as the [A] compound, a cured film that is superior in heat-resistant transparency can be obtained.

<[B]感光剤>
[B]感光剤(感放射線性化合物)が当該硬化膜形成用材料に含有されている場合、当該硬化膜形成用材料は、放射線(可視光線、紫外線、遠紫外線等)の照射によりポジ型又はネガ型のパターンを形成することができる。[B]感光剤としては、[B1]酸発生剤、[B2]重合開始剤、[B3]塩基発生剤等を挙げることができ、[B1]酸発生剤、[B2]重合開始剤及びこれらの組み合わせが好ましい。これらは、一種を単独で、又は二種以上を混合して用いることができる。[B]感光剤として[B1]酸発生剤や[B3]塩基発生剤が用いられている場合、露光部の現像液に対する溶解性が変化することにより、ポジ型又はネガ型のパターンを形成することができる。また、[B1]酸発生剤や[B3]塩基発生剤が、硬化触媒として機能し、露光部の硬化が促進される場合、ネガ型のパターンを形成することもできる。一方、[B]感光剤として[B2]重合開始剤が用いられている場合、ビニル基や(メタ)アクリロイル基を有する化合物(後述する[C]架橋剤等)との反応などにより、露光部の硬化が促進され、ネガ型のパターンを形成することができる。
<[B] Photosensitive agent>
[B] When a photosensitive agent (radiation-sensitive compound) is contained in the cured film forming material, the cured film forming material is positive or negative by irradiation with radiation (visible light, ultraviolet light, far ultraviolet light, etc.). A negative pattern can be formed. [B] Photosensitive agents include [B1] acid generators, [B2] polymerization initiators, [B3] base generators, [B1] acid generators, [B2] polymerization initiators, and these The combination of is preferable. These can be used individually by 1 type or in mixture of 2 or more types. [B] When [B1] acid generator or [B3] base generator is used as the photosensitive agent, the positive or negative pattern is formed by changing the solubility of the exposed portion in the developer. be able to. In addition, when the [B1] acid generator or the [B3] base generator functions as a curing catalyst and curing of the exposed part is promoted, a negative pattern can be formed. On the other hand, when the [B2] polymerization initiator is used as the [B] photosensitizer, the exposed portion is caused by reaction with a compound having a vinyl group or a (meth) acryloyl group ([C] cross-linking agent etc. described later). Is accelerated, and a negative pattern can be formed.

<[B1]酸発生剤>
[B1]酸発生剤(感放射線性酸発生剤)は、放射線に感応して酸を発生する化合物である。[B1]酸発生剤としては、例えばオキシムスルホネート化合物、オニウム塩、スルホンイミド化合物、スルホン酸エステル化合物、キノンジアジド化合物、ハロゲン含有化合物、ジアゾメタン化合物、カルボン酸エステル化合物などが挙げられる。これらの[B1]酸発生剤は、単独で使用してもよいし、2種以上を混合して使用してもよい。
<[B1] Acid generator>
[B1] The acid generator (radiation sensitive acid generator) is a compound that generates an acid in response to radiation. [B1] Examples of the acid generator include oxime sulfonate compounds, onium salts, sulfonimide compounds, sulfonic acid ester compounds, quinone diazide compounds, halogen-containing compounds, diazomethane compounds, and carboxylic acid ester compounds. These [B1] acid generators may be used alone or in admixture of two or more.

オキシムスルホネート化合物としては、下記式(6)で表されるオキシムスルホネート基を含む化合物が好ましい。   As the oxime sulfonate compound, a compound containing an oxime sulfonate group represented by the following formula (6) is preferable.

Figure 2017171748
Figure 2017171748

上記式(6)中、Rは、炭素数1〜12のアルキル基、炭素数1〜12のフルオロアルキル基、炭素数4〜12の脂環式炭化水素基又は炭素数6〜20のアリール基である。これらのアルキル基、脂環式炭化水素基及びアリール基が有する水素原子の一部又は全部は置換基で置換されていてもよい。 In the above formula (6), R a is an alkyl group having 1 to 12 carbon atoms, a fluoroalkyl group having 1 to 12 carbon atoms, an alicyclic hydrocarbon group having 4 to 12 carbon atoms, or an aryl having 6 to 20 carbon atoms. It is a group. Some or all of the hydrogen atoms of these alkyl groups, alicyclic hydrocarbon groups and aryl groups may be substituted with substituents.

オキシムスルホネート化合物の具体的な例としては、(5−プロピルスルフォニルオキシイミノ−5H−チオフェン−2−イリデン)−(2−メチルフェニル)アセトニトリル、(5−オクチルスルフォニルオキシイミノ−5H−チオフェン−2−イリデン)−(2−メチルフェニル)アセトニトリル、(カンファースルフォニルオキシイミノ−5H−チオフェン−2−イリデン)−(2−メチルフェニル)アセトニトリル、(5−p−トルエンスルフォニルオキシイミノ−5H−チオフェン−2−イリデン)−(2−メチルフェニル)アセトニトリル、2−(オクチルスルホニルオキシイミノ)−2−(4−メトキシフェニル)アセトニトリル等を挙げることができ、これらは市販品として入手することができる。   Specific examples of the oxime sulfonate compound include (5-propylsulfonyloxyimino-5H-thiophen-2-ylidene)-(2-methylphenyl) acetonitrile, (5-octylsulfonyloxyimino-5H-thiophen-2-yl). Ylidene)-(2-methylphenyl) acetonitrile, (camphorsulfonyloxyimino-5H-thiophen-2-ylidene)-(2-methylphenyl) acetonitrile, (5-p-toluenesulfonyloxyimino-5H-thiophene-2- Examples include ylidene)-(2-methylphenyl) acetonitrile, 2- (octylsulfonyloxyimino) -2- (4-methoxyphenyl) acetonitrile, and the like, which are commercially available.

オニウム塩としては、例えばジフェニルヨードニウム塩、トリフェニルスルホニウム塩、スルホニウム塩、ベンゾチアゾニウム塩、テトラヒドロチオフェニウム塩、ベンジルスルホニウム塩等が挙げられる。オニウム塩としては、テトラヒドロチオフェニウム塩及びスルホニウム塩が好ましい。   Examples of the onium salt include diphenyliodonium salt, triphenylsulfonium salt, sulfonium salt, benzothiazonium salt, tetrahydrothiophenium salt, and benzylsulfonium salt. As the onium salt, a tetrahydrothiophenium salt and a sulfonium salt are preferable.

スルホンイミド化合物としては、例えばN−(トリフルオロメチルスルホニルオキシ)スクシンイミド、N−(カンファスルホニルオキシ)スクシンイミド、N−(4−メチルフェニルスルホニルオキシ)スクシンイミド、N−(2−トリフルオロメチルフェニルスルホニルオキシ)スクシンイミド、N−(4−フルオロフェニルスルホニルオキシ)スクシンイミド、N−(トリフルオロメチルスルホニルオキシ)フタルイミド、N−(カンファスルホニルオキシ)フタルイミド、N−(2−トリフルオロメチルフェニルスルホニルオキシ)フタルイミド、N−(2−フルオロフェニルスルホニルオキシ)フタルイミド、N−(トリフルオロメチルスルホニルオキシ)ジフェニルマレイミド、N−(カンファスルホニルオキシ)ジフェニルマレイミド、4−メチルフェニルスルホニルオキシ)ジフェニルマレイミド、トリフルオロメタンスルホン酸−1,8−ナフタルイミド等が挙げられる。   Examples of the sulfonimide compound include N- (trifluoromethylsulfonyloxy) succinimide, N- (camphorsulfonyloxy) succinimide, N- (4-methylphenylsulfonyloxy) succinimide, N- (2-trifluoromethylphenylsulfonyloxy). ) Succinimide, N- (4-fluorophenylsulfonyloxy) succinimide, N- (trifluoromethylsulfonyloxy) phthalimide, N- (camphorsulfonyloxy) phthalimide, N- (2-trifluoromethylphenylsulfonyloxy) phthalimide, N -(2-fluorophenylsulfonyloxy) phthalimide, N- (trifluoromethylsulfonyloxy) diphenylmaleimide, N- (camphorsulfonyloxy) diphenyl monomer Imides, 4-methylphenyl sulfonyloxy) diphenyl maleimide, trifluoromethanesulfonic acid 1,8-naphthalimide and the like.

スルホン酸エステル化合物としては、ハロアルキルスルホン酸エステル等を挙げることができ、N−ヒドロキシナフタルイミド−トリフルオロメタンスルホン酸エステルが好ましい。   Examples of the sulfonic acid ester compound include haloalkyl sulfonic acid esters and the like, and N-hydroxynaphthalimide-trifluoromethanesulfonic acid ester is preferable.

キノンジアジド化合物としては、例えばフェノール性化合物又はアルコール性化合物(以下、「母核」ともいう)と、1,2−ナフトキノンジアジドスルホン酸ハライド又は1,2−ナフトキノンジアジドスルホン酸アミドとの縮合物を用いることができる。   As the quinonediazide compound, for example, a condensate of a phenolic compound or an alcoholic compound (hereinafter also referred to as “mother nucleus”) and 1,2-naphthoquinonediazidesulfonic acid halide or 1,2-naphthoquinonediazidesulfonic acid amide is used. be able to.

上記母核としては、例えばトリヒドロキシベンゾフェノン、テトラヒドロキシベンゾフェノン、ペンタヒドロキシベンゾフェノン、ヘキサヒドロキシベンゾフェノン、(ポリヒドロキシフェニル)アルカン等が挙げられる。   Examples of the mother nucleus include trihydroxybenzophenone, tetrahydroxybenzophenone, pentahydroxybenzophenone, hexahydroxybenzophenone, (polyhydroxyphenyl) alkane, and the like.

上記の母核の具体例としては、例えば
トリヒドロキシベンゾフェノンとして、2,3,4−トリヒドロキシベンゾフェノン、2,4,6−トリヒドロキシベンゾフェノン等;
テトラヒドロキシベンゾフェノンとして、2,2’,4,4’−テトラヒドロキシベンゾフェノン、2,3,4,3’−テトラヒドロキシベンゾフェノン、2,3,4,4’−テトラヒドロキシベンゾフェノン、2,3,4,2’−テトラヒドロキシ−4’−メチルベンゾフェノン、2,3,4,4’−テトラヒドロキシ−3’−メトキシベンゾフェノン等;
ペンタヒドロキシベンゾフェノンとして、2,3,4,2’,6’−ペンタヒドロキシベンゾフェノン等;
ヘキサヒドロキシベンゾフェノンとして、2,4,6,3’,4’,5’−ヘキサヒドロキシベンゾフェノン、3,4,5,3’,4’,5’−ヘキサヒドロキシベンゾフェノン等;
(ポリヒドロキシフェニル)アルカンとして、ビス(2,4−ジヒドロキシフェニル)メタン、ビス(p−ヒドロキシフェニル)メタン、トリス(p−ヒドロキシフェニル)メタン、1,1,1−トリス(p−ヒドロキシフェニル)エタン、ビス(2,3,4−トリヒドロキシフェニル)メタン、2,2−ビス(2,3,4−トリヒドロキシフェニル)プロパン、1,1,3−トリス(2,5−ジメチル−4−ヒドロキシフェニル)−3−フェニルプロパン、4,4’−〔1−〔4−〔1−〔4−ヒドロキシフェニル〕−1−メチルエチル〕フェニル〕エチリデン〕ビスフェノール、ビス(2,5−ジメチル−4−ヒドロキシフェニル)−2−ヒドロキシフェニルメタン、3,3,3’,3’−テトラメチル−1,1’−スピロビインデン−5,6,7,5’,6’,7’−ヘキサノール、2,2,4−トリメチル−7,2’,4’−トリヒドロキシフラバン等;
を挙げることができる。
Specific examples of the mother nucleus include, for example, 2,3,4-trihydroxybenzophenone, 2,4,6-trihydroxybenzophenone and the like as trihydroxybenzophenone;
As tetrahydroxybenzophenone, 2,2 ′, 4,4′-tetrahydroxybenzophenone, 2,3,4,3′-tetrahydroxybenzophenone, 2,3,4,4′-tetrahydroxybenzophenone, 2,3,4 2,2'-tetrahydroxy-4'-methylbenzophenone, 2,3,4,4'-tetrahydroxy-3'-methoxybenzophenone, etc .;
As pentahydroxybenzophenone, 2,3,4,2 ′, 6′-pentahydroxybenzophenone and the like;
As hexahydroxybenzophenone, 2,4,6,3 ′, 4 ′, 5′-hexahydroxybenzophenone, 3,4,5,3 ′, 4 ′, 5′-hexahydroxybenzophenone, etc .;
As (polyhydroxyphenyl) alkane, bis (2,4-dihydroxyphenyl) methane, bis (p-hydroxyphenyl) methane, tris (p-hydroxyphenyl) methane, 1,1,1-tris (p-hydroxyphenyl) Ethane, bis (2,3,4-trihydroxyphenyl) methane, 2,2-bis (2,3,4-trihydroxyphenyl) propane, 1,1,3-tris (2,5-dimethyl-4- Hydroxyphenyl) -3-phenylpropane, 4,4 '-[1- [4- [1- [4-hydroxyphenyl] -1-methylethyl] phenyl] ethylidene] bisphenol, bis (2,5-dimethyl-4 -Hydroxyphenyl) -2-hydroxyphenylmethane, 3,3,3 ', 3'-tetramethyl-1,1'-spirobiindene-5,6 , 7,5 ′, 6 ′, 7′-hexanol, 2,2,4-trimethyl-7,2 ′, 4′-trihydroxyflavan and the like;
Can be mentioned.

その他の母核としては、例えば2−メチル−2−(2,4−ジヒドロキシフェニル)−4−(4−ヒドロキシフェニル)−7−ヒドロキシクロマン、1−[1−(3−{1−(4−ヒドロキシフェニル)−1−メチルエチル}−4,6−ジヒドロキシフェニル)−1−メチルエチル]−3−(1−(3−{1−(4−ヒドロキシフェニル)−1−メチルエチル}−4,6−ジヒドロキシフェニル)−1−メチルエチル)ベンゼン、4,6−ビス{1−(4−ヒドロキシフェニル)−1−メチルエチル}−1,3−ジヒドロキシベンゼン等が挙げられる。   Examples of other mother nuclei include 2-methyl-2- (2,4-dihydroxyphenyl) -4- (4-hydroxyphenyl) -7-hydroxychroman, 1- [1- (3- {1- (4 -Hydroxyphenyl) -1-methylethyl} -4,6-dihydroxyphenyl) -1-methylethyl] -3- (1- (3- {1- (4-hydroxyphenyl) -1-methylethyl} -4 , 6-dihydroxyphenyl) -1-methylethyl) benzene, 4,6-bis {1- (4-hydroxyphenyl) -1-methylethyl} -1,3-dihydroxybenzene, and the like.

これらの中で、母核としては、2,3,4,4’−テトラヒドロキシベンゾフェノン、1,1,1−トリス(p−ヒドロキシフェニル)エタン、及び4,4’−〔1−〔4−〔1−〔4−ヒドロキシフェニル〕−1−メチルエチル〕フェニル〕エチリデン〕ビスフェノールが好ましい。   Of these, 2,3,4,4′-tetrahydroxybenzophenone, 1,1,1-tris (p-hydroxyphenyl) ethane, and 4,4 ′-[1- [4- [1- [4-Hydroxyphenyl] -1-methylethyl] phenyl] ethylidene] bisphenol is preferred.

1,2−ナフトキノンジアジドスルホン酸ハライドとしては、1,2−ナフトキノンジアジドスルホン酸クロリドが好ましく、1,2−ナフトキノンジアジド−4−スルホン酸クロリド及び1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホン酸クロリドがより好ましく、1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホン酸クロリドがさらに好ましい。   As the 1,2-naphthoquinonediazidesulfonic acid halide, 1,2-naphthoquinonediazidesulfonic acid chloride is preferable, and 1,2-naphthoquinonediazide-4-sulfonic acid chloride and 1,2-naphthoquinonediazide-5-sulfonic acid chloride are preferable. More preferred is 1,2-naphthoquinonediazide-5-sulfonic acid chloride.

1,2−ナフトキノンジアジドスルホン酸アミドとしては、2,3,4−トリアミノベンゾフェノン−1,2−ナフトキノンジアジド−4−スルホン酸アミドが好ましい。   As the 1,2-naphthoquinonediazide sulfonic acid amide, 2,3,4-triaminobenzophenone-1,2-naphthoquinonediazide-4-sulfonic acid amide is preferable.

フェノール性化合物又はアルコール性化合物(母核)と、1,2−ナフトキノンジアジドスルホン酸ハライド又は1,2−ナフトキノンジアジドスルホン酸アミドとの縮合反応においては、母核中のOH基数に対して、好ましくは30モル%以上85モル%以下に相当する1,2−ナフトキノンジアジドスルホン酸ハライド又は1,2−ナフトキノンジアジドスルホン酸アミドを用いることが好ましい。なお、上記縮合反応は、公知の方法によって実施することができる。   In the condensation reaction between a phenolic compound or an alcoholic compound (mother nucleus) and 1,2-naphthoquinone diazide sulfonic acid halide or 1,2-naphthoquinone diazide sulfonic acid amide, it is preferable for the number of OH groups in the mother nucleus. 1,2-naphthoquinone diazide sulfonic acid halide or 1,2-naphthoquinone diazide sulfonic acid amide corresponding to 30 mol% or more and 85 mol% or less is preferably used. In addition, the said condensation reaction can be implemented by a well-known method.

[B1]酸発生剤としては、当該硬化膜形成用材料がポジ型である場合、キノンジアジド化合物が好ましい。一方、当該硬化膜形成用材料がネガ型である場合、キノンジアジド化合物以外の酸発生剤が好ましく、オニウム塩及びスルホンイミド化合物がより好ましい。[B1]酸発生剤を上記化合物とすることで、感度等をより良好なものとすることができる。   [B1] The acid generator is preferably a quinonediazide compound when the cured film forming material is a positive type. On the other hand, when the cured film forming material is a negative type, an acid generator other than a quinonediazide compound is preferable, and an onium salt and a sulfonimide compound are more preferable. [B1] By using the acid generator as the above compound, the sensitivity and the like can be improved.

[B1]酸発生剤の含有量の下限としては、[A]化合物100質量部に対して、1質量部が好ましく、5質量部がより好ましく、10質量部がさらに好ましい。一方、この上限としては、50質量部が好ましく、30質量部がより好ましい。[B1]酸発生剤の含有量を上記範囲とすることで感度を最適化し、諸特性により優れる硬化膜を形成できる。   [B1] The lower limit of the content of the acid generator is preferably 1 part by mass, more preferably 5 parts by mass, and still more preferably 10 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the compound [A]. On the other hand, as this upper limit, 50 mass parts is preferable and 30 mass parts is more preferable. [B1] By setting the content of the acid generator within the above range, the sensitivity can be optimized, and a cured film having better characteristics can be formed.

<[B2]重合開始剤>
[B2]重合開始剤(感放射線性ラジカル重合開始剤)は、放射線に感応してラジカルを発生し、重合を開始できる化合物である。[B2]重合開始剤としては、O−アシルオキシム化合物、アセトフェノン化合物、ビイミダゾール化合物等が挙げられる。これらの化合物は、単独で使用してもよいし、2種以上を混合して使用してもよい。
<[B2] Polymerization initiator>
[B2] A polymerization initiator (radiation-sensitive radical polymerization initiator) is a compound capable of initiating polymerization by generating radicals in response to radiation. [B2] Examples of the polymerization initiator include O-acyloxime compounds, acetophenone compounds, biimidazole compounds, and the like. These compounds may be used alone or in combination of two or more.

O−アシルオキシム化合物としては、例えば1,2−オクタンジオン1−[4−(フェニルチオ)−2−(O−ベンゾイルオキシム)]、エタノン−1−〔9−エチル−6−(2−メチルベンゾイル)−9H−カルバゾール−3−イル〕−1−(O−アセチルオキシム)、1−(9−エチル−6−ベンゾイル−9.H.−カルバゾール−3−イル)−オクタン−1−オンオキシム−O−アセテート、1−〔9−エチル−6−(2−メチルベンゾイル)−9.H.−カルバゾール−3−イル〕−エタン−1−オンオキシム−O−ベンゾエート、1−〔9−n−ブチル−6−(2−エチルベンゾイル)−9.H.−カルバゾール−3−イル〕−エタン−1−オンオキシム−O−ベンゾエート、エタノン−1−[9−エチル−6−(2−メチル−4−テトラヒドロフラニルベンゾイル)−9.H.−カルバゾール−3−イル]−1−(O−アセチルオキシム)、エタノン−1−〔9−エチル−6−(2−メチル−4−テトラヒドロピラニルベンゾイル)−9.H.−カルバゾール−3−イル〕−1−(O−アセチルオキシム)、エタノン−1−〔9−エチル−6−(2−メチル−5−テトラヒドロフラニルベンゾイル)−9.H.−カルバゾール−3−イル〕−1−(O−アセチルオキシム)、エタノン−1−〔9−エチル−6−{2−メチル−4−(2,2−ジメチル−1,3−ジオキソラニル)メトキシベンゾイル}−9.H.−カルバゾール−3−イル〕−1−(O−アセチルオキシム)等が挙げられる。   Examples of the O-acyloxime compound include 1,2-octanedione 1- [4- (phenylthio) -2- (O-benzoyloxime)], ethanone-1- [9-ethyl-6- (2-methylbenzoyl). ) -9H-carbazol-3-yl] -1- (O-acetyloxime), 1- (9-ethyl-6-benzoyl-9.H.-carbazol-3-yl) -octane-1-one oxime-O -Acetate, 1- [9-ethyl-6- (2-methylbenzoyl) -9. H. -Carbazol-3-yl] -ethane-1-one oxime-O-benzoate, 1- [9-n-butyl-6- (2-ethylbenzoyl) -9. H. -Carbazol-3-yl] -ethane-1-one oxime-O-benzoate, ethanone-1- [9-ethyl-6- (2-methyl-4-tetrahydrofuranylbenzoyl) -9. H. -Carbazol-3-yl] -1- (O-acetyloxime), ethanone-1- [9-ethyl-6- (2-methyl-4-tetrahydropyranylbenzoyl) -9. H. -Carbazol-3-yl] -1- (O-acetyloxime), ethanone-1- [9-ethyl-6- (2-methyl-5-tetrahydrofuranylbenzoyl) -9. H. -Carbazole-3-yl] -1- (O-acetyloxime), ethanone-1- [9-ethyl-6- {2-methyl-4- (2,2-dimethyl-1,3-dioxolanyl) methoxybenzoyl } -9. H. -Carbazol-3-yl] -1- (O-acetyloxime) and the like.

O−アシルオキシム化合物の市販品としては、NCI−831、NCI−930(以上、株式会社ADEKA社製)、DFI−020、DFI−091(以上、ダイトーケミックス株式会社製)等を使用することもできる。   As commercially available O-acyloxime compounds, NCI-831, NCI-930 (above, manufactured by ADEKA Corporation), DFI-020, DFI-091 (above, manufactured by Daito Chemix Corporation), and the like can also be used. .

アセトフェノン化合物としては、例えばα−アミノケトン化合物、α−ヒドロキシケトン化合物等が挙げられる。   Examples of acetophenone compounds include α-aminoketone compounds and α-hydroxyketone compounds.

α−アミノケトン化合物としては、例えば2−ベンジル−2−ジメチルアミノ−1−(4−モルホリノフェニル)−ブタン−1−オン、2−ジメチルアミノ−2−(4−メチルベンジル)−1−(4−モルフォリン−4−イル−フェニル)−ブタン−1−オン、2−メチル−1−(4−メチルチオフェニル)−2−モルフォリノプロパン−1−オン等が挙げられる。   Examples of the α-aminoketone compound include 2-benzyl-2-dimethylamino-1- (4-morpholinophenyl) -butan-1-one, 2-dimethylamino-2- (4-methylbenzyl) -1- (4 -Morpholin-4-yl-phenyl) -butan-1-one, 2-methyl-1- (4-methylthiophenyl) -2-morpholinopropan-1-one, and the like.

α−ヒドロキシケトン化合物としては、例えば1−フェニル−2−ヒドロキシ−2−メチルプロパン−1−オン、1−(4−i−プロピルフェニル)−2−ヒドロキシ−2−メチルプロパン−1−オン、4−(2−ヒドロキシエトキシ)フェニル−(2−ヒドロキシ−2−プロピル)ケトン、1−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトンなどが挙げられる。   Examples of the α-hydroxyketone compound include 1-phenyl-2-hydroxy-2-methylpropan-1-one, 1- (4-i-propylphenyl) -2-hydroxy-2-methylpropan-1-one, 4- (2-hydroxyethoxy) phenyl- (2-hydroxy-2-propyl) ketone, 1-hydroxycyclohexyl phenylketone and the like can be mentioned.

アセトフェノン化合物としては、α−アミノケトン化合物が好ましく、2−ベンジル−2−ジメチルアミノ−1−(4−モルホリノフェニル)−ブタン−1−オン、2−ジメチルアミノ−2−(4−メチルベンジル)−1−(4−モルフォリン−4−イル−フェニル)−ブタン−1−オン及び2−メチル−1−(4−メチルチオフェニル)−2−モルフォリノプロパン−1−オンがより好ましい。   As the acetophenone compound, an α-aminoketone compound is preferable, and 2-benzyl-2-dimethylamino-1- (4-morpholinophenyl) -butan-1-one, 2-dimethylamino-2- (4-methylbenzyl)- 1- (4-morpholin-4-yl-phenyl) -butan-1-one and 2-methyl-1- (4-methylthiophenyl) -2-morpholinopropan-1-one are more preferred.

ビイミダゾール化合物としては、例えば2,2’−ビス(2−クロロフェニル)−4,4’,5,5’−テトラフェニル−1,2’−ビイミダゾール、2,2’−ビス(2,4−ジクロロフェニル)−4,4’,5,5’−テトラフェニル−1,2’−ビイミダゾールまたは2,2’−ビス(2,4,6−トリクロロフェニル)−4,4’,5,5’−テトラフェニル−1,2’−ビイミダゾール等を挙げることができる。これらの中でも、2,2’−ビス(2,4−ジクロロフェニル)−4,4’,5,5’−テトラフェニル−1,2’−ビイミダゾールが好ましい。   Examples of the biimidazole compound include 2,2′-bis (2-chlorophenyl) -4,4 ′, 5,5′-tetraphenyl-1,2′-biimidazole, 2,2′-bis (2,4 -Dichlorophenyl) -4,4 ', 5,5'-tetraphenyl-1,2'-biimidazole or 2,2'-bis (2,4,6-trichlorophenyl) -4,4', 5,5 Examples include '-tetraphenyl-1,2'-biimidazole. Among these, 2,2'-bis (2,4-dichlorophenyl) -4,4 ', 5,5'-tetraphenyl-1,2'-biimidazole is preferable.

[B2]重合開始剤としては、これらの中でもO−アシルオキシム化合物が好ましい。   [B2] Among these, an O-acyloxime compound is preferable as the polymerization initiator.

[B2]重合開始剤は、単独で又は2種以上を混合して使用できる。[B2]重合開始剤の含有量の下限としては、[A]化合物100質量部に対して、1質量部が好ましく、3質量部がより好ましく、5質量部がさらに好ましい。一方、この上限としては、20質量部が好ましく、10質量部がより好ましい。[B2]重合開始剤の含有割合を上記範囲とすることで、良好な硬化性等を発揮することができる。   [B2] The polymerization initiators can be used alone or in admixture of two or more. [B2] The lower limit of the content of the polymerization initiator is preferably 1 part by mass, more preferably 3 parts by mass, and still more preferably 5 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the [A] compound. On the other hand, as this upper limit, 20 mass parts is preferable and 10 mass parts is more preferable. [B2] By setting the content ratio of the polymerization initiator in the above range, good curability and the like can be exhibited.

<[B3]塩基発生剤>
[B3]塩基発生剤(感放射線性塩基発生剤)は、放射線に感応して塩基を発生する化合物である。[C3]塩基発生剤としては、例えば[〔(2,6−ジニトロベンジル)オキシ〕カルボニル]シクロヘキシルアミン、2−ニトロベンジルシクロヘキシルカルバメート、N−(2−ニトロベンジルオキシカルボニル)ピロリジン、ビス[〔(2−ニトロベンジル)オキシ〕カルボニル]ヘキサン−1,6−ジアミン、トリフェニルメタノール、O−カルバモイルヒドロキシアミド、O−カルバモイルオキシム、4−(メチルチオベンゾイル)−1−メチル−1−モルホリノエタン、(4−モルホリノベンゾイル)−1−ベンジル−1−ジメチルアミノプロパン、2−ベンジル−2−ジメチルアミノ−1−(4−モルホリノフェニル)−ブタノン、ヘキサアンミンコバルト(III)トリス(トリフェニルメチルボレート)等が挙げられる。
<[B3] Base generator>
[B3] The base generator (radiation sensitive base generator) is a compound that generates a base in response to radiation. [C3] Examples of the base generator include [[(2,6-dinitrobenzyl) oxy] carbonyl] cyclohexylamine, 2-nitrobenzylcyclohexylcarbamate, N- (2-nitrobenzyloxycarbonyl) pyrrolidine, bis [[( 2-nitrobenzyl) oxy] carbonyl] hexane-1,6-diamine, triphenylmethanol, O-carbamoylhydroxyamide, O-carbamoyloxime, 4- (methylthiobenzoyl) -1-methyl-1-morpholinoethane, (4 -Morpholinobenzoyl) -1-benzyl-1-dimethylaminopropane, 2-benzyl-2-dimethylamino-1- (4-morpholinophenyl) -butanone, hexaamminecobalt (III) tris (triphenylmethylborate) and the like. Can be mentioned.

<その他の成分>
当該硬化膜形成用材料は、上述した[A]化合物及び[B]感光剤の他、他の成分をさらに含有することができる。このような他の成分としては、例えば後述の溶媒の他、[C]架橋剤、[D]密着助剤、[E]酸化防止剤、[F]界面活性剤等が挙げられる。なお、当該硬化膜形成用材料は、上記各成分を単独で又は2種以上を組み合わせて用いてもよい。
<Other ingredients>
The cured film forming material may further contain other components in addition to the above-described [A] compound and [B] photosensitive agent. Examples of such other components include [C] cross-linking agents, [D] adhesion assistants, [E] antioxidants, and [F] surfactants in addition to the solvents described below. In addition, the said cured film formation material may use said each component individually or in combination of 2 or more types.

<[C]架橋剤>
[C]架橋剤とは、通常、複数の架橋性基を有する化合物である。但し、[C]架橋剤には、上記[A]化合物は含まれない。この上記架橋性基としては、ビニル基、(メタ)アクリロイル基、ヒドロキシメチルフェニル基等を挙げることができる。これらの中でも、ビニル基及び(メタ)アクリロイル基が好ましい。このような架橋性基を有する[C]架橋剤を[B2]重合開始剤と併用することにより、露光部の硬化が促進され、ネガ型のパターンを効率的に形成することなどができる。
<[C] Crosslinking agent>
[C] The crosslinking agent is usually a compound having a plurality of crosslinkable groups. However, the above [A] compound is not included in the [C] crosslinking agent. Examples of the crosslinkable group include a vinyl group, a (meth) acryloyl group, and a hydroxymethylphenyl group. Among these, a vinyl group and a (meth) acryloyl group are preferable. By using the [C] crosslinker having such a crosslinkable group in combination with the [B2] polymerization initiator, curing of the exposed area is promoted, and a negative pattern can be efficiently formed.

[C]架橋剤としては、2官能(メタ)アクリル酸エステルや、3官能以上の(メタ)アクリル酸エステル等の多官能(メタ)アクリル酸エステルを例示することができる。   [C] As a crosslinking agent, polyfunctional (meth) acrylic acid ester, such as bifunctional (meth) acrylic acid ester and (meth) acrylic acid ester more than trifunctional, can be illustrated.

2官能(メタ)アクリル酸エステルとしては、例えばエチレングリコールジ(メタ)アクリレート、プロピレングリコールジアクリレート、プロピレングリコールジメタクリレート、エチレングリコールジメタクリレート、ジエチレングリコールジアクリレート、ジエチレングリコールジメタクリレート、テトラエチレングリコールジアクリレート、テトラエチレングリコールジメタクリレート、1,6−ヘキサンジオールジアクリレート、1,6−ヘキサンジオールジメタクリレート、1,9−ノナンジオールジアクリレート、1,9−ノナンジオールジメタクリレート等が挙げられる。   Examples of the bifunctional (meth) acrylic acid ester include ethylene glycol di (meth) acrylate, propylene glycol diacrylate, propylene glycol dimethacrylate, ethylene glycol dimethacrylate, diethylene glycol diacrylate, diethylene glycol dimethacrylate, tetraethylene glycol diacrylate, tetra Examples include ethylene glycol dimethacrylate, 1,6-hexanediol diacrylate, 1,6-hexanediol dimethacrylate, 1,9-nonanediol diacrylate, and 1,9-nonanediol dimethacrylate.

3官能以上の(メタ)アクリル酸エステルとしては、例えばトリメチロールプロパントリアクリレート、トリメチロールプロパントリメタクリレート、ペンタエリスリトールトリアクリレート、ペンタエリスリトールトリメタクリレート、ペンタエリスリトールテトラアクリレート、ペンタエリスリトールテトラメタクリレート、ジペンタエリスリトールペンタアクリレート、ジペンタエリスリトールペンタメタクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート、ジペンタエリスリトールペンタアクリレートとジペンタエリスリトールヘキサアクリレートとの混合物、ジペンタエリスリトールヘキサメタクリレート、エチレンオキサイド変性ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート、トリ(2−アクリロイルオキシエチル)フォスフェート、トリ(2−メタクリロイルオキシエチル)フォスフェート、コハク酸変性ペンタエリスリトールトリアクリレート、コハク酸変性ジペンタエリスリトールペンタアクリレートの他、直鎖アルキレン基及び脂環式構造を有し、かつ2個以上のイソシアネート基を有する化合物と、分子内に1個以上のヒドロキシ基とを有し、かつ3個、4個又は5個の(メタ)アクリロイルオキシ基を有する化合物と反応させて得られる多官能ウレタンアクリレート系化合物等が挙げられる。   Examples of the tri- or higher functional (meth) acrylic acid ester include trimethylolpropane triacrylate, trimethylolpropane trimethacrylate, pentaerythritol triacrylate, pentaerythritol trimethacrylate, pentaerythritol tetraacrylate, pentaerythritol tetramethacrylate, dipentaerythritol penta Acrylate, dipentaerythritol pentamethacrylate, dipentaerythritol hexaacrylate, a mixture of dipentaerythritol pentaacrylate and dipentaerythritol hexaacrylate, dipentaerythritol hexamethacrylate, ethylene oxide modified dipentaerythritol hexaacrylate, tri (2-acryloyloxy) Ethyl) Pho Fete, tri (2-methacryloyloxyethyl) phosphate, succinic acid modified pentaerythritol triacrylate, succinic acid modified dipentaerythritol pentaacrylate, linear alkylene group and alicyclic structure, and two or more Polyfunctional urethane acrylate obtained by reacting with a compound having an isocyanate group and one or more hydroxy groups in the molecule and having 3, 4, or 5 (meth) acryloyloxy groups System compounds and the like.

[C]架橋剤は、重合体であってもよい。このような重合体としては、(メタ)アクリロイル基やビニル基を有する構造単位を含む重合体を挙げることができる。   [C] The crosslinking agent may be a polymer. Examples of such a polymer include a polymer containing a structural unit having a (meth) acryloyl group or a vinyl group.

当該硬化膜形成用材料における[C]架橋剤の含有量としては特に限定されないが、[A]化合物100質量部に対する下限としては、10質量部が好ましく、20質量部がより好ましい。一方、この上限としては、100質量部が好ましく、50質量部がより好ましい。当該硬化膜形成用材料における[C]架橋剤の含有量を上記範囲とすることにより、得られる硬化膜の諸特性をより効果的に高めることなどができる。   The content of the [C] crosslinking agent in the cured film forming material is not particularly limited, but the lower limit relative to 100 parts by mass of the [A] compound is preferably 10 parts by mass, and more preferably 20 parts by mass. On the other hand, as this upper limit, 100 mass parts is preferable and 50 mass parts is more preferable. By setting the content of the [C] crosslinking agent in the cured film forming material in the above range, various characteristics of the obtained cured film can be more effectively enhanced.

<[D]密着助剤>
[D]密着助剤は、得られる硬化膜と基板との接着性を向上させる成分である。[D]接着助剤としては、カルボキシ基、メタクリロイル基、ビニル基、イソシアネート基、オキシラニル基等の反応性官能基を有する官能性シランカップリング剤が好ましい。但し、[D]密着助剤には、[A]化合物は含まれない。
<[D] Adhesion aid>
[D] The adhesion aid is a component that improves the adhesion between the obtained cured film and the substrate. [D] As the adhesion assistant, a functional silane coupling agent having a reactive functional group such as a carboxy group, a methacryloyl group, a vinyl group, an isocyanate group, or an oxiranyl group is preferable. However, the [D] adhesion assistant does not include the [A] compound.

上記官能性シランカップリング剤としては、例えばトリメトキシシリル安息香酸、γ−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、ビニルトリアセトキシシラン、ビニルトリメトキシシラン、γ−イソシアナートプロピルトリエトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン等が挙げられる。   Examples of the functional silane coupling agent include trimethoxysilylbenzoic acid, γ-methacryloxypropyltrimethoxysilane, vinyltriacetoxysilane, vinyltrimethoxysilane, γ-isocyanatopropyltriethoxysilane, and γ-glycidoxy. And propyltrimethoxysilane.

[D]接着助剤の含有量としては、[A]化合物100質量部に対して、0.1質量部以上5質量部以下が好ましい。   [D] The content of the adhesion assistant is preferably 0.1 parts by mass or more and 5 parts by mass or less with respect to 100 parts by mass of the [A] compound.

<[E]酸化防止剤>
[E]酸化防止剤は、露光や加熱により発生したラジカル、又は酸化によって生成した過酸化物を分解し、重合体分子の結合の解裂を防止することができる成分である。その結果、得られる硬化膜は経時的な酸化劣化が防止され、例えば硬化膜の膜厚変化を抑制することができる。
<[E] Antioxidant>
[E] Antioxidant is a component capable of decomposing radicals generated by exposure or heating, or peroxide generated by oxidation, and preventing the bond breakage of polymer molecules. As a result, the obtained cured film is prevented from oxidative deterioration over time, and for example, changes in the film thickness of the cured film can be suppressed.

[E]酸化防止剤としては、例えばヒンダードフェノール構造を有する化合物、ヒンダードアミン構造を有する化合物、アルキルホスファイト構造を有する化合物、チオエーテル構造を有する化合物等が挙げられる。これらの中で、[E]酸化防止剤としては、ヒンダードフェノール構造を有する化合物が好ましい。   [E] Examples of the antioxidant include a compound having a hindered phenol structure, a compound having a hindered amine structure, a compound having an alkyl phosphite structure, and a compound having a thioether structure. In these, as [E] antioxidant, the compound which has a hindered phenol structure is preferable.

<[F]界面活性剤>
[F]界面活性剤は、膜形成性を向上させる成分である。[F]界面活性剤としては、例えばフッ素系界面活性剤、シリコーン系界面活性剤、及びその他の界面活性剤が挙げられる。
<[F] Surfactant>
[F] Surfactant is a component that improves film-forming properties. [F] Surfactants include, for example, fluorine-based surfactants, silicone-based surfactants, and other surfactants.

上記フッ素系界面活性剤としては、末端、主鎖及び側鎖の少なくともいずれかの部位にフルオロアルキル基及び/又はフルオロアルキレン基を有する化合物が好ましく、例えば1,1,2,2−テトラフロロ−n−オクチル(1,1,2,2−テトラフロロ−n−プロピル)エーテル、1,1,2,2−テトラフロロ−n−オクチル(n−ヘキシル)エーテル、ヘキサエチレングリコールジ(1,1,2,2,3,3−ヘキサフロロ−n−ペンチル)エーテル、オクタエチレングリコールジ(1,1,2,2−テトラフロロ−n−ブチル)エーテル、ヘキサプロピレングリコールジ(1,1,2,2,3,3−ヘキサフロロ−n−ペンチル)エーテル、オクタプロピレングリコールジ(1,1,2,2−テトラフロロ−n−ブチル)エーテル、パーフロロ−n−ドデカンスルホン酸ナトリウム、1,1,2,2,3,3−ヘキサフロロ−n−デカン、1,1,2,2,8,8,9,9,10,10−デカフロロ−n−ドデカンや、フロロアルキルベンゼンスルホン酸ナトリウム、フロロアルキルリン酸ナトリウム、フロロアルキルカルボン酸ナトリウム、ジグリセリンテトラキス(フロロアルキルポリオキシエチレンエーテル)、フロロアルキルアンモニウムヨージド、フロロアルキルベタイン、他のフロロアルキルポリオキシエチレンエーテル、パーフロロアルキルポリオキシエタノール、パーフロロアルキルアルコキシレート、カルボン酸フロロアルキルエステル等が挙げられる。   The fluorine-based surfactant is preferably a compound having a fluoroalkyl group and / or a fluoroalkylene group in at least one of the terminal, main chain and side chain, for example, 1,1,2,2-tetrafluoro-n. -Octyl (1,1,2,2-tetrafluoro-n-propyl) ether, 1,1,2,2-tetrafluoro-n-octyl (n-hexyl) ether, hexaethylene glycol di (1,1,2, 2,3,3-hexafluoro-n-pentyl) ether, octaethylene glycol di (1,1,2,2-tetrafluoro-n-butyl) ether, hexapropylene glycol di (1,1,2,2,3, 3-hexafluoro-n-pentyl) ether, octapropylene glycol di (1,1,2,2-tetrafluoro-n-butyl) ether Sodium perfluoro-n-dodecanesulfonate, 1,1,2,2,3,3-hexafluoro-n-decane, 1,1,2,2,8,8,9,9,10,10-decafluoro-n -Dodecane, sodium fluoroalkylbenzenesulfonate, sodium fluoroalkylphosphate, sodium fluoroalkylcarboxylate, diglycerin tetrakis (fluoroalkylpolyoxyethylene ether), fluoroalkylammonium iodide, fluoroalkylbetaine, other fluoroalkylpolyoxy Examples thereof include ethylene ether, perfluoroalkyl polyoxyethanol, perfluoroalkyl alkoxylate, and carboxylic acid fluoroalkyl ester.

上記フッ素系界面活性剤の市販品としては、例えばBM−1000、BM−1100(以上、BM CHEMIE社)、メガファックF142D、同F172、同F173、同F183、同F178、同F191、同F471、同F476(以上、大日本インキ化学工業社)、フロラードFC−170C、同−171、同−430、同−431(以上、住友スリーエム社)、サーフロンS−112、同−113、同−131、同−141、同−145、同−382、サーフロンSC−101、同−102、同−103、同−104、同−105、同−106(以上、旭硝子社)、エフトップEF301、同303、同352(以上、新秋田化成社)、フタージェントFT−100、同−110、同−140A、同−150、同−250、同−251、同−300、同−310、同−400S、FTX−218、同−251(以上、ネオス社)等が挙げられる。   Examples of commercially available fluorosurfactants include BM-1000, BM-1100 (above, BM CHEMIE), MegaFuck F142D, F172, F173, F183, F178, F191, F191, F471, F476 (above, Dainippon Ink & Chemicals, Inc.), Florard FC-170C, -171, -430, -431 (above, Sumitomo 3M), Surflon S-112, -113, -131, -141, -145, -382, Surflon SC-101, -102, -103, -104, -105, and -106 (Asahi Glass Co., Ltd.), Ftop EF301, and 303, 352 (above, Shin-Akita Kasei Co., Ltd.), Aftergent FT-100, -110, -140A, -150, -250, 51, the same -300, the -310, the -400S, FTX-218, the -251 (or, Neos Co., Ltd.).

上記シリコーン系界面活性剤の市販品としては、例えばトーレシリコーンDC3PA、同DC7PA、同SH11PA、同SH21PA、同SH28PA、同SH29PA、同SH30PA、同SH−190、同SH−193、同SZ−6032、同SF−8428、同DC−57、同DC−190(以上、東レ・ダウコーニング・シリコーン社)、TSF−4440、TSF−4300、TSF−4445、TSF−4446、TSF−4460、TSF−4452(以上、GE東芝シリコーン社)、オルガノシロキサンポリマーKP341(信越化学工業社)等が挙げられる。   Examples of commercially available silicone surfactants include Toresilicone DC3PA, DC7PA, SH11PA, SH21PA, SH28PA, SH29PA, SH30PA, SH-190, SH-193, SZ-6032, SF-8428, DC-57, DC-190 (above, Toray Dow Corning Silicone), TSF-4440, TSF-4300, TSF-4445, TSF-4446, TSF-4460, TSF-4442 ( As mentioned above, GE Toshiba Silicone), organosiloxane polymer KP341 (Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) and the like can be mentioned.

上記その他の界面活性剤としては、例えばポリオキシエチレンラウリルエーテル、ポリオキシエチレンステアリルエーテル、ポリオキシエチレンオレイルエーテル等のポリオキシエチレンアルキルエーテル;ポリオキシエチレン−n−オクチルフェニルエーテル、ポリオキシエチレン−n−ノニルフェニルエーテル等のポリオキシエチレンアリールエーテル;ポリオキシエチレンジラウレート、ポリオキシエチレンジステアレート等のポリオキシエチレンジアルキルエステルなどのノニオン系界面活性剤等が挙げられる。   Examples of the other surfactants include polyoxyethylene alkyl ethers such as polyoxyethylene lauryl ether, polyoxyethylene stearyl ether, and polyoxyethylene oleyl ether; polyoxyethylene-n-octylphenyl ether, polyoxyethylene-n -Polyoxyethylene aryl ethers such as nonylphenyl ether; Nonionic surfactants such as polyoxyethylene dialkyl esters such as polyoxyethylene dilaurate and polyoxyethylene distearate.

上記その他の界面活性剤の市販品としては、例えば(メタ)アクリル酸系共重合体ポリフローNo.57、同No.95(以上、共栄社化学社)等が挙げられる。   Examples of other commercially available surfactants include (meth) acrylic acid copolymer polyflow No. 57, no. 95 (above, Kyoeisha Chemical Co., Ltd.).

<硬化膜形成用材料の調製方法>
当該硬化膜形成用材料は、[A]化合物、[B]感光剤、及び必要に応じてその他の成分を所定の割合で混合し、好ましくは適当な[G]溶媒に溶解して調製できる。調製した硬化膜形成用材料は、例えば孔径0.2μm程度のフィルタでろ過することが好ましい。当該硬化膜形成用材料の固形分濃度としては、例えば10質量%以上50質量%以下とすることができる。
<Method for preparing cured film forming material>
The cured film forming material can be prepared by mixing the [A] compound, [B] photosensitizer, and other components as required, in a predetermined ratio, and preferably dissolving in an appropriate [G] solvent. The prepared cured film forming material is preferably filtered with a filter having a pore diameter of about 0.2 μm, for example. As solid content concentration of the said cured film formation material, it can be 10 mass% or more and 50 mass% or less, for example.

<[G]溶媒>
[G]溶媒としては、当該硬化膜形成用材料が含有する各成分を均一に溶解又は分散し、上記各成分と反応しないものが用いられる。
<[G] solvent>
[G] As the solvent, a solvent that uniformly dissolves or disperses each component contained in the cured film forming material and does not react with each of the above components is used.

[G]溶媒としては、例えば
メタノール、エタノール、イソプロピルアルコール、ブタノール、オクタノール等のアルコール;
酢酸エチル、酢酸ブチル、乳酸エチル、γ−ブチロラクトン、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート、3−メトキシプロピオン酸メチル、3−エトキシプロピオン酸エチル等のエステル;
エチレングリコールモノブチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、エチレンジグリコールモノメチルエーテル、エチレンジグリコールエチルメチルエーテル等のエーテル;
ジメチルフォルムアミド、N,N−ジメチルアセトアミド、N−メチルピロリドン等のアミド;
アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン;
ベンゼン、トルエン、キシレン、エチルベンゼン等の芳香族炭化水素
などを用いることができる。[G]溶媒は、1種又は2種以上を混合して用いることができる。
[G] Examples of the solvent include alcohols such as methanol, ethanol, isopropyl alcohol, butanol and octanol;
Esters such as ethyl acetate, butyl acetate, ethyl lactate, γ-butyrolactone, propylene glycol monomethyl ether acetate, propylene glycol monoethyl ether acetate, methyl 3-methoxypropionate, ethyl 3-ethoxypropionate;
Ethers such as ethylene glycol monobutyl ether, propylene glycol monomethyl ether, ethylene diglycol monomethyl ether, ethylene diglycol ethyl methyl ether;
Amides such as dimethylformamide, N, N-dimethylacetamide, N-methylpyrrolidone;
Ketones such as acetone, methyl ethyl ketone, methyl isobutyl ketone, cyclohexanone;
Aromatic hydrocarbons such as benzene, toluene, xylene, and ethylbenzene can be used. [G] The solvent may be used alone or in combination of two or more.

<硬化膜の形成方法>
本発明の一実施形態に係る硬化膜の形成方法は、
(1)基板上に塗膜を形成する工程(以下、「工程(1)」ともいう)、
(2)上記塗膜の一部に放射線を照射する工程(以下、「工程(2)」ともいう)、
(3)上記放射線が照射された塗膜を現像する工程(以下、「工程(3)」ともいう)、及び
(4)上記現像された塗膜を加熱する工程(以下、「工程(4)」ともいう)
を備える硬化膜の形成方法であって、
上記塗膜を当該硬化膜形成用材料を用いて形成することを特徴とする。なお、パターンを有さない硬化膜を形成する場合などは、上記工程(2)及び工程(3)を省略することができる。すなわち、当該形成方法は、基板上に塗膜を形成する工程(1)、及び上記塗膜を加熱する工程(4)を少なくとも備えていればよい。
<Method for forming cured film>
A method for forming a cured film according to an embodiment of the present invention includes:
(1) A step of forming a coating film on a substrate (hereinafter, also referred to as “step (1)”),
(2) A step of irradiating a part of the coating film (hereinafter also referred to as “step (2)”),
(3) a step of developing the coating film irradiated with the radiation (hereinafter also referred to as “step (3)”), and (4) a step of heating the developed coating film (hereinafter referred to as “step (4)”). Is also called)
A cured film forming method comprising:
The coating film is formed using the cured film forming material. In addition, when forming the cured film which does not have a pattern, the said process (2) and process (3) can be abbreviate | omitted. That is, the forming method may include at least a step (1) of forming a coating film on a substrate and a step (4) of heating the coating film.

当該硬化膜の形成方法によれば、誘電率が低く、かつ耐熱透明性に優れ、層間絶縁膜等として好適な硬化膜を形成することができる。以下、各工程について詳述する。   According to the method of forming the cured film, a cured film having a low dielectric constant and excellent heat-resistant transparency and suitable as an interlayer insulating film or the like can be formed. Hereinafter, each process is explained in full detail.

[工程(1)]
本工程では、当該硬化膜形成用材料を用い、基板上に塗膜を形成する。具体的には、溶液状の当該硬化膜形成用材料を基板表面に塗布し、好ましくはプレベークを行うことにより溶媒を除去して塗膜を形成する。上記基板としては、例えばガラス基板、シリコン基板、プラスチック基板、及びこれらの表面に各種金属薄膜が形成された基板等が挙げられる。上記プラスチック基板としては、例えばポリエチレンテレフタレート(PET)、ポリブチレンテレフタレート(PBT)、ポリエーテルスルホン、ポリカーボネート、ポリイミド等のプラスチックからなる樹脂基板が挙げられる。
[Step (1)]
In this step, a coating film is formed on the substrate using the cured film forming material. Specifically, a solution-like material for forming a cured film is applied to the surface of the substrate, and preferably a prebake is performed to remove the solvent and form a coating film. Examples of the substrate include a glass substrate, a silicon substrate, a plastic substrate, and a substrate on which various metal thin films are formed. Examples of the plastic substrate include a resin substrate made of plastic such as polyethylene terephthalate (PET), polybutylene terephthalate (PBT), polyethersulfone, polycarbonate, polyimide, and the like.

塗布方法としては、例えばスプレー法、ロールコート法、回転塗布法(スピンコート法)、スリットダイ塗布法、バー塗布法、インクジェット法等の適宜の方法を採用することができる。これらの中で、塗布方法としては、スピンコート法、バー塗布法及びスリットダイ塗布法が好ましい。上記プレベークの条件としては、各成分の種類、使用割合等によっても異なるが、例えば60℃以上130℃以下で30秒以上10分以下程度とすることができる。形成される塗膜の膜厚は、プレベーク後の値として、0.1μm以上8μm以下が好ましい。   As a coating method, for example, an appropriate method such as a spray method, a roll coating method, a spin coating method (spin coating method), a slit die coating method, a bar coating method, or an ink jet method can be employed. Of these, spin coating, bar coating, and slit die coating are preferred as the coating method. The pre-baking conditions vary depending on the type of each component, the use ratio, and the like, but can be, for example, 60 ° C. or higher and 130 ° C. or lower and 30 seconds or longer and 10 minutes or shorter. The film thickness of the coating film to be formed is preferably 0.1 μm or more and 8 μm or less as a value after pre-baking.

[工程(2)]
本工程では、上記塗膜の一部に放射線を照射する。具体的には、工程(1)で形成した塗膜に所定のパターンを有するマスクを介して放射線を照射する。このとき用いられる放射線としては、例えば紫外線、遠紫外線、X線、荷電粒子線等が挙げられる。
[Step (2)]
In this step, a part of the coating film is irradiated with radiation. Specifically, the coating film formed in step (1) is irradiated with radiation through a mask having a predetermined pattern. Examples of the radiation used at this time include ultraviolet rays, far ultraviolet rays, X-rays, and charged particle beams.

上記紫外線としては、例えばg線(波長436nm)、i線(波長365nm)等が挙げられる。遠紫外線としては、例えばKrFエキシマレーザー光等が挙げられる。X線としては、例えばシンクロトロン放射線等が挙げられる。荷電粒子線としては、例えば電子線等が挙げられる。これらの放射線のうち、紫外線が好ましく、紫外線の中でもg線、h線及び/又はi線を含む放射線がより好ましい。放射線の露光量としては、0.1J/m以上20,000J/m以下が好ましい。 Examples of the ultraviolet rays include g-line (wavelength 436 nm), i-line (wavelength 365 nm), and the like. Examples of the far ultraviolet light include KrF excimer laser light. Examples of X-rays include synchrotron radiation. Examples of the charged particle beam include an electron beam. Among these radiations, ultraviolet rays are preferable, and among the ultraviolet rays, radiation containing g-line, h-line and / or i-line is more preferable. The exposure dose of radiation is preferably 0.1 J / m 2 or more and 20,000 J / m 2 or less.

[工程(3)]
本工程では、上記放射線が照射された塗膜を現像する。具体的には、工程(2)で放射線が照射された塗膜に対し、現像液により現像を行って放射線の照射部分を除去する。上記現像液としては、例えば水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、ケイ酸ナトリウム、メタケイ酸ナトリウム、アンモニア、エチルアミン、n−プロピルアミン、ジエチルアミン、ジエチルアミノエタノール、ジ−n−プロピルアミン、トリエチルアミン、メチルジエチルアミン、ジメチルエタノールアミン、トリエタノールアミン、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド(TMAH)、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド、ピロール、ピペリジン、1,8−ジアザビシクロ〔5,4,0〕−7−ウンデセン、1,5−ジアザビシクロ〔4,3,0〕−5−ノナンなどのアルカリ(塩基性化合物)の水溶液等が挙げられる。また、上記アルカリの水溶液にメタノール、エタノール等の水溶性有機溶媒や界面活性剤を適当量添加した水溶液、又は当該硬化膜形成用材料を溶解可能な各種有機溶媒を少量含むアルカリ水溶液を現像液として用いてもよい。
[Step (3)]
In this step, the coating film irradiated with the radiation is developed. Specifically, the coating film irradiated with radiation in the step (2) is developed with a developer to remove the radiation irradiated portion. Examples of the developer include sodium hydroxide, potassium hydroxide, sodium carbonate, sodium silicate, sodium metasilicate, ammonia, ethylamine, n-propylamine, diethylamine, diethylaminoethanol, di-n-propylamine, triethylamine, methyl Diethylamine, dimethylethanolamine, triethanolamine, tetramethylammonium hydroxide (TMAH), tetraethylammonium hydroxide, pyrrole, piperidine, 1,8-diazabicyclo [5,4,0] -7-undecene, 1,5-diazabicyclo Examples thereof include an aqueous solution of an alkali (basic compound) such as [4,3,0] -5-nonane. In addition, an aqueous solution obtained by adding an appropriate amount of a water-soluble organic solvent such as methanol or ethanol or a surfactant to the alkaline aqueous solution, or an alkaline aqueous solution containing a small amount of various organic solvents capable of dissolving the cured film forming material is used as a developer. It may be used.

現像方法としては、例えば液盛り法、ディッピング法、揺動浸漬法、シャワー法等の適宜の方法を採用することができる。現像時間としては、当該硬化膜形成用材料の組成によって異なるが、例えば30秒以上120秒以下とすることができる。なお、現像工程の後、パターニングされた塗膜に対して流水洗浄によるリンス処理を行い、次いで、高圧水銀灯等による放射線を全面に照射(後露光)することにより、塗膜中に残存する[B]感光剤の分解処理を行うことが好ましい。この後露光における露光量としては、2,000J/m以上5,000J/m以下が好ましい。 As a developing method, for example, an appropriate method such as a liquid piling method, a dipping method, a rocking dipping method, or a shower method can be employed. The development time varies depending on the composition of the cured film forming material, but can be, for example, 30 seconds or longer and 120 seconds or shorter. After the development step, the patterned coating film is rinsed with running water, and then exposed to a whole surface with a high-pressure mercury lamp or the like (post-exposure) to remain in the coating film [B It is preferable to decompose the photosensitizer. The exposure amount in this post-exposure is preferably 2,000 J / m 2 or more and 5,000 J / m 2 or less.

[工程(4)]
本工程では、上記現像された塗膜を加熱する。加熱方法としては特に限定されないが、例えばオーブンやホットプレート等の加熱装置を用いて加熱することができる。本工程における加熱温度としては、例えば120℃以上250℃以下とすることができる。加熱時間としては、加熱機器の種類により異なるが、例えばホットプレート上で加熱処理を行う場合には5分以上40分以下、オーブン中で加熱処理を行う場合には30分以上80分以下とすることができる。このようにして、目的とする層間絶縁膜等の硬化膜を基板上に形成することができる。
[Step (4)]
In this step, the developed coating film is heated. Although it does not specifically limit as a heating method, For example, it can heat using heating apparatuses, such as oven and a hotplate. As heating temperature in this process, it can be set as 120 to 250 degreeC, for example. The heating time varies depending on the type of heating equipment, but for example, when heat treatment is performed on a hot plate, it is 5 minutes to 40 minutes, and when heat treatment is performed in an oven, it is 30 minutes to 80 minutes. be able to. In this manner, a desired cured film such as an interlayer insulating film can be formed on the substrate.

<表示素子>
本発明の一実施形態に係る表示素子は、当該硬化膜を備えている。当該表示素子としては、液晶表示素子、有機ELディスプレイ等が挙げられる。これらの表示素子において、硬化膜は、例えば配線間を絶縁する層間絶縁膜、スペーサー、保護膜、カラーフィルタ用着色パターン等として用いられる。当該表示素子は、低誘電性かつ高耐熱透明性である当該硬化膜を備えるため、表示性能等の実用面で要求される一般的特性に優れる。
<Display element>
A display element according to an embodiment of the present invention includes the cured film. Examples of the display element include a liquid crystal display element and an organic EL display. In these display elements, the cured film is used as, for example, an interlayer insulating film that insulates between wirings, a spacer, a protective film, a color filter coloring pattern, or the like. Since the display element includes the cured film having low dielectric properties and high heat-resistant transparency, the display element is excellent in general characteristics required in practical aspects such as display performance.

当該表示素子の一例である液晶表示素子においては、例えば液晶配向膜が表面に形成された2枚のTFTアレイ基板が、TFTアレイ基板の周辺部に設けられたシール剤を介して液晶配向膜側で対向して配置されており、これら2枚のTFTアレイ基板間に液晶が充填されている。上記TFTアレイ基板は、層状に配置される配線を有し、この配線間を層間絶縁膜としての当該硬化膜により絶縁しているものである。   In the liquid crystal display element which is an example of the display element, for example, two TFT array substrates having a liquid crystal alignment film formed on the surface are arranged on the liquid crystal alignment film side through a sealant provided in the peripheral portion of the TFT array substrate. The liquid crystal is filled between these two TFT array substrates. The TFT array substrate has wirings arranged in layers, and the wirings are insulated by the cured film as an interlayer insulating film.

以下、本発明を実施例に基づいて具体的に説明するが、本発明は、これらの実施例に限定されるものではない。各物性値の測定方法を以下に示す。   EXAMPLES Hereinafter, although this invention is demonstrated concretely based on an Example, this invention is not limited to these Examples. The measuring method of each physical property value is shown below.

[重量平均分子量(Mw)及び数平均分子量(Mn)]
下記条件によるゲルパーミエーションクロマトグラフィー(GPC)によりMw及びMnを測定した。また、分子量分布(Mw/Mn)は得られたMw及びMnより算出した。
装置:昭和電工社のGPC−101
GPCカラム:島津ジーエルシー社のGPC−KF−801、GPC−KF−802、GPC−KF−803及びGPC−KF−804を結合
移動相:テトラヒドロフラン
カラム温度:40℃
流速:1.0mL/分
試料濃度:1.0質量%
試料注入量:100μL
検出器:示差屈折計
標準物質:単分散ポリスチレン
[Weight average molecular weight (Mw) and number average molecular weight (Mn)]
Mw and Mn were measured by gel permeation chromatography (GPC) under the following conditions. The molecular weight distribution (Mw / Mn) was calculated from the obtained Mw and Mn.
Equipment: GPC-101 from Showa Denko
GPC column: GPC-KF-801, GPC-KF-802, GPC-KF-803 and GPC-KF-804 manufactured by Shimadzu GL Corp. Combined mobile phase: Tetrahydrofuran Column temperature: 40 ° C.
Flow rate: 1.0 mL / min Sample concentration: 1.0 mass%
Sample injection volume: 100 μL
Detector: Differential refractometer Standard material: Monodisperse polystyrene

<[A]化合物の合成>
[合成例1](重合体(AEP−1)の合成)
還流冷却管、滴下漏斗、温度計及び攪拌機を備えたフラスコに、2−(3,4−エポキシシクロヘキシル)エチルトリメトキシシラン100質量部、メチルイソブチルケトン500質量部及びトリエチルアミン10質量部を仕込み、室温で混合した。次いで、脱イオン水100質量部を滴下漏斗より30分かけて滴下した後、還流下で撹拌しつつ、80℃まで昇温し6時間反応を行った。反応終了後、有機層を取り出し、0.2質量%硝酸アンモニウム水溶液により洗浄後の水が中性になるまで洗浄した後、減圧下で溶媒及び水を留去することにより、エポキシ基を有するポリオルガノシロキサン(AEP−1)を粘調な透明液体として得た。
<Synthesis of [A] Compound>
[Synthesis Example 1] (Synthesis of polymer ( AEP- 1))
A flask equipped with a reflux condenser, a dropping funnel, a thermometer, and a stirrer was charged with 100 parts by mass of 2- (3,4-epoxycyclohexyl) ethyltrimethoxysilane, 500 parts by mass of methyl isobutyl ketone, and 10 parts by mass of triethylamine. Mixed with. Next, 100 parts by mass of deionized water was added dropwise from the dropping funnel over 30 minutes, and then the mixture was heated to 80 ° C. and reacted for 6 hours while stirring under reflux. After completion of the reaction, the organic layer is taken out and washed with a 0.2% by mass aqueous ammonium nitrate solution until the water after washing becomes neutral, and then the solvent and water are distilled off under reduced pressure, whereby a polyorgano having an epoxy group is obtained. siloxane (a EP -1) was obtained as a viscous transparent liquid.

[合成例2〜4、比較合成例1〜2](重合体(AEP−2)〜(AEP−4)、(CAEP−1)〜(CAEP−2)の合成)
仕込み原料(シラン化合物)を表1に示すとおりとした以外は、合成例1と同様にしてエポキシ基を有するポリオルガノシロキサン(AEP−2)〜(AEP−4)、(CAEP−1)及び(CAEP−2)をそれぞれ粘調な透明液体として得た。得られたポリオルガノシロキサンのポリスチレン換算重量平均分子量(Mw)を表1に示した。
[Synthesis Examples 2-4, Comparative Synthesis Examples 1-2] (Synthesis of Polymers ( AEP- 2) to ( AEP- 4), ( CAEP- 1) to ( CAEP- 2))
Polyorganosiloxanes having epoxy groups ( AEP- 2) to ( AEP- 4) and ( CAEP- 1) in the same manner as in Synthesis Example 1 except that the raw materials (silane compounds) are as shown in Table 1. ) And (CA EP- 2) were obtained as viscous transparent liquids, respectively. Table 1 shows the polystyrene-reduced weight average molecular weight (Mw) of the obtained polyorganosiloxane.

表1において、シラン化合物の略称は、それぞれ以下の意味であり、表中の「−」は、含有しないことを示す。
ECHETMS:2−(3,4−エポキシシクロヘキシル)エチルトリメトキシシラン
GPTMS:3−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン
MTMS:メチルトリメトキシシラン
TMOS:テトラメトキシシラン
APTMS:アクリロキシプロピルトリメトキシシラン
In Table 1, the abbreviations of the silane compounds have the following meanings, and “-” in the table indicates that they are not contained.
ECHETMS: 2- (3,4-epoxycyclohexyl) ethyltrimethoxysilane GPTMS: 3-glycidoxypropyltrimethoxysilane MTMS: methyltrimethoxysilane TMOS: tetramethoxysilane APTMS: acryloxypropyltrimethoxysilane

Figure 2017171748
Figure 2017171748

[合成例5](重合体(AEP−5)の合成)
冷却管及び攪拌機を備えたフラスコに、2,2’−アゾビス(2,4−ジメチルバレロニトリル)7質量部、及びプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート200質量部を仕込んだ。引き続き3,4−エポキシシクロヘキシルメチルメタクリレート90質量部、及びメタクリル酸メチル10質量部を仕込み窒素置換した後、ゆるやかに撹拌を始めた。溶液の温度を80℃に上昇させ、この温度を6時間保持し重合体(AEP−5)を含む重合体溶液を得た。重合体(AEP−5)のポリスチレン換算重量平均分子量(Mw)は10,000であった。
[Synthesis Example 5] (Synthesis of polymer ( AEP- 5))
A flask equipped with a condenser and a stirrer was charged with 7 parts by mass of 2,2′-azobis (2,4-dimethylvaleronitrile) and 200 parts by mass of propylene glycol monomethyl ether acetate. Subsequently, after 90 parts by mass of 3,4-epoxycyclohexylmethyl methacrylate and 10 parts by mass of methyl methacrylate were charged and purged with nitrogen, stirring was started gently. The temperature of the solution was raised to 80 ° C., and this temperature was maintained for 6 hours to obtain a polymer solution containing a polymer ( AEP- 5). The polymer ( AEP- 5) had a weight average molecular weight (Mw) in terms of polystyrene of 10,000.

[合成例6、比較合成例3](重合体(AEP−6)、(CAEP−3)の合成)
それぞれ表2に記載のモノマー組成に基づき、合成例5と同様の手法で重合体を作成した。得られた重合体のポリスチレン換算重量平均分子量(Mw)を表2に示した。
[Synthesis Example 6, Comparative Synthesis Example 3] (Synthesis of Polymer ( AEP- 6) and ( CAEP- 3))
Based on the monomer compositions shown in Table 2, polymers were prepared in the same manner as in Synthesis Example 5. Table 2 shows the polystyrene equivalent weight average molecular weight (Mw) of the obtained polymer.

表2において、モノマーの略称は、それぞれ以下の意味であり、表中の「−」は、含有しないことを示す。
ECHMA:3,4−エポキシシクロヘキシルメチルメタクリレート
ENMA:3,4−エポキシノルボルニルメタクリレート
GMA:メタクリル酸グリシジル
MMA:メタクリル酸メチル
In Table 2, the abbreviations of the monomers have the following meanings, and “-” in the table indicates that they are not contained.
ECHMA: 3,4-epoxycyclohexylmethyl methacrylate ENMA: 3,4-epoxynorbornyl methacrylate GMA: glycidyl methacrylate MMA: methyl methacrylate

Figure 2017171748
Figure 2017171748

[合成例7](重合体(ACA−1)の合成)
冷却管及び攪拌機を備えたフラスコに、2,2’−アゾビス(2,4−ジメチルバレロニトリル)7質量部、及びプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート200質量部を仕込んだ。引き続きメタクリル酸15質量部、及びメタクリル酸メチル85質量部を仕込み窒素置換した後、ゆるやかに撹拌を始めた。溶液の温度を70℃に上昇させ、この温度を6時間保持し重合体(ACA−1)を含む重合体溶液を得た。重合体(ACA−1)のポリスチレン換算重量平均分子量(Mw)は12,000であった。
[Synthesis Example 7] (Synthesis of polymer (A CA -1))
A flask equipped with a condenser and a stirrer was charged with 7 parts by mass of 2,2′-azobis (2,4-dimethylvaleronitrile) and 200 parts by mass of propylene glycol monomethyl ether acetate. Subsequently, 15 parts by weight of methacrylic acid and 85 parts by weight of methyl methacrylate were charged and purged with nitrogen, and then gently stirring was started. The temperature of the solution was raised to 70 ° C., and this temperature was maintained for 6 hours to obtain a polymer solution containing a polymer (A CA -1). The polymer (A CA -1) had a polystyrene equivalent weight average molecular weight (Mw) of 12,000.

[合成例8〜14、比較合成例4〜5](重合体(ACA−2)〜重合体(ACA−4)、(AEP−CA−1)〜(AEP−CA−4)、(CACA−1)〜(CACA−2)の合成)
それぞれ表3に記載のモノマー組成に基づき、合成例7と同様の手法で重合体を作成した。得られた重合体のポリスチレン換算重量平均分子量(Mw)を表3に示した。
[Synthesis Examples 8 to 14, Comparative Synthesis Examples 4 to 5] (Polymer (A CA- 2) to Polymer (A CA -4), (A EP-CA -1) to (A EP-CA -4) , (CA CA- 1) to (CA CA- 2) synthesis)
Polymers were prepared in the same manner as in Synthesis Example 7 based on the monomer compositions shown in Table 3, respectively. Table 3 shows the polystyrene equivalent weight average molecular weight (Mw) of the obtained polymer.

表3において、モノマーの略称は、それぞれ以下の意味であり、表中の「−」は、含有しないことを示す。
MA:メタクリル酸
MMA:メタクリル酸メチル
ST:スチレン
DCM:トリシクロデシルメタクリレート
DMI:イタコン酸ジメチル
GMA:メタクリル酸グリシジル
ECHMA:3,4−エポキシシクロヘキシルメチルメタクリレート
ENMA:3,4−エポキシノルボルニルメタクリレート
In Table 3, the abbreviations for the monomers have the following meanings, and “-” in the table indicates that they are not contained.
MA: methacrylic acid MMA: methyl methacrylate ST: styrene DCM: tricyclodecyl methacrylate DMI: dimethyl itaconate GMA: glycidyl methacrylate ECHMA: 3,4-epoxycyclohexylmethyl methacrylate ENMA: 3,4-epoxynorbornyl methacrylate

Figure 2017171748
Figure 2017171748

<硬化膜形成用材料の調製>
実施例及び比較例の硬化膜形成用材料の調製に用いた成分を以下に示す。
[A]化合物
(エポキシ成分)
EP−1〜AEP−6:合成例1〜6で合成した重合体(AEP−1)〜(AEP−6)
CAEP−1〜CAEP−3:比較合成例1〜3で合成した重合体(CAEP−1)〜(CAEP−3)
EP−1:下記式で表される構造を有する化合物(信越化学工業社の「X−40−2670」)
<Preparation of cured film forming material>
The components used for preparing the cured film forming materials of Examples and Comparative Examples are shown below.
[A] Compound (epoxy component)
A EP -1~A EP -6: synthesized polymer in Synthesis Example 1~6 (A EP -1) ~ ( A EP -6)
CA EP -1~CA EP -3: polymers synthesized in Comparative Synthesis Example 1~3 (CA EP -1) ~ ( CA EP -3)
a EP- 1: a compound having a structure represented by the following formula (“X-40-2670” manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.)

Figure 2017171748
Figure 2017171748

EP−2:下記式で表される構造を有する重合体(ダイセル社の「EHPE3150」) a EP- 2: a polymer having a structure represented by the following formula ("EHPE3150" manufactured by Daicel)

Figure 2017171748
Figure 2017171748

EP−3:3,4−エポキシシクロヘキシルメチル3,4−エポキシシクロヘキサンカルボキシラート(ダイセル社の「セロキサイド 2021P」)
caEP−1:フェノールノボラック型エポキシ樹脂(三菱化学社の「jER152」)
caEP−2:ビスフェノールA型エポキシ樹脂(三菱化学社の「jER828」)
a EP- 3: 3,4-epoxycyclohexylmethyl 3,4-epoxycyclohexanecarboxylate ("Celoxide 2021P" from Daicel)
ca EP -1: phenol novolac type epoxy resin ("jER152" manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation)
ca EP- 2: bisphenol A type epoxy resin ("jER828" manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation)

(カルボン酸成分)
CA−1〜ACA−4:合成例7〜10で合成した重合体(ACA−1)〜(ACA−4)
CACA−1〜CACA−2:比較合成例4〜5で合成した重合体(CACA−1)〜(CACA−2)
caCA−1:CIC酸(四国化成工業社)
(Carboxylic acid component)
A CA -1~A CA -4: synthesized polymer in Synthesis Example 7~10 (A CA -1) ~ ( A CA -4)
CA CA- 1 to CA CA- 2: Polymers synthesized in Comparative Synthesis Examples 4 to 5 (CA CA- 1) to (CA CA- 2)
ca CA- 1: CIC acid (Shikoku Chemicals)

(エポキシ−カルボン酸成分)
EP−CA−1〜AEP−CA−4:合成例11〜14で合成した重合体(AEP−CA−1)〜(AEP−CA−4)
(Epoxy-carboxylic acid component)
AEP -CA-1 to AEP -CA- 4: Polymers synthesized in Synthesis Examples 11 to 14 (AEP -CA - 1) to (AEP -CA- 4)

[B]感光剤
B−1:4,4’−[1−[4−[1−[4−ヒドロキシフェニル]−1−メチルエチル]フェニル]エチリデン]ビスフェノール(1.0モル)と1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホン酸クロリド(2.0モル)との縮合物(酸発生剤)
B−2:重合開始剤(O−アシルオキシム化合物:ADEKA社の「NCI−930」)
[B] Photosensitizer B-1: 4,4 ′-[1- [4- [1- [4-hydroxyphenyl] -1-methylethyl] phenyl] ethylidene] bisphenol (1.0 mol) and 1,2 -Condensation product (acid generator) with naphthoquinonediazide-5-sulfonic acid chloride (2.0 mol)
B-2: Polymerization initiator (O-acyl oxime compound: “NCI-930” manufactured by ADEKA)

[C]架橋剤
C−1:ジペンタエリスリトールペンタ/ヘキサアクリレート(東亞合成社の「アロニックス M−402」)
[C] Crosslinking agent C-1: Dipentaerythritol penta / hexaacrylate (“Aronix M-402” manufactured by Toagosei Co., Ltd.)

[D]密着助剤
D−1:3−グリシジルオキシプロピルトリメトキシシラン
[D] Adhesion aid D-1: 3-glycidyloxypropyltrimethoxysilane

[G]溶媒
G−1:エチレンジグリコールメチルエチルエーテル(EDM)
G−2:プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート(PGMEA)
[G] Solvent G-1: Ethylene diglycol methyl ethyl ether (EDM)
G-2: Propylene glycol monomethyl ether acetate (PGMEA)

[実施例1]
化合物(AEP−1)100質量部(固形分)に相当する量に対して、化合物(ACA−1)100質量部、感光剤としての酸発生剤(B−1)30質量部及び密着助剤(D−1)3質量部を混合し、固形分濃度が30質量%となるように溶媒(G−1)に溶解させた後、孔径0.2μmのメンブランフィルタで濾過して、硬化膜形成用材料(S−1)を調製した。
[Example 1]
Relative to the amount corresponding to the compound (A EP -1) 100 parts by weight (solids), the compound (A CA -1) 100 parts by weight, acid generator as a photosensitive agent (B-1) 30 parts by weight and the adhesive After mixing 3 parts by weight of auxiliary agent (D-1) and dissolving in solvent (G-1) so that the solid content concentration is 30% by mass, it is filtered through a membrane filter having a pore size of 0.2 μm and cured. A film-forming material (S-1) was prepared.

[実施例2〜40及び比較例1〜8]
下記表4に示す種類の各成分を用いた以外は実施例1と同様に操作し、実施例2〜40及び比較例1〜8の硬化膜形成用材料(S−2)〜(S−40)、(CS−1)〜(CS−8)を調製した。
[Examples 2 to 40 and Comparative Examples 1 to 8]
Except having used each component of the kind shown in following Table 4, it operated similarly to Example 1, the cured film formation material (S-2)-(S-40) of Examples 2-40 and Comparative Examples 1-8. ), (CS-1) to (CS-8) were prepared.

Figure 2017171748
Figure 2017171748

[実施例41]
化合物(AEP−1)50質量部(固形分)に相当する量に対して、化合物(ACA−1)100質量部、感光剤としての重合開始剤(B−2)10質量部、架橋剤(C−1)50質量部及び密着助剤(D−1)3質量部を混合し、固形分濃度が30質量%となるように溶媒(G−2)に溶解させた後、孔径0.2μmのメンブランフィルタで濾過して、硬化膜形成用材料(S−41)を調製した。
[Example 41]
Relative to the amount corresponding to the compound (A EP -1) 50 parts by weight (solids), the compound (A CA -1) 100 parts by weight, the polymerization initiator as a photosensitive agent (B-2) 10 parts by weight, crosslinking 50 parts by mass of the agent (C-1) and 3 parts by mass of the adhesion assistant (D-1) were mixed and dissolved in the solvent (G-2) so that the solid content concentration was 30% by mass. A cured film forming material (S-41) was prepared by filtration through a 2 μm membrane filter.

[実施例42〜80及び比較例9〜16]
下記表5に示す種類の各成分を用いた以外は実施例41と同様に操作し、実施例42〜80及び比較例9〜16の硬化膜形成用材料(S−42)〜(S−80)、(CS−9)〜(CS−16)を調製した。
[Examples 42 to 80 and Comparative Examples 9 to 16]
Except having used each component of the kind shown in following Table 5, it operated similarly to Example 41, and the cured film formation material (S-42)-(S-80) of Examples 42-80 and Comparative Examples 9-16 ), (CS-9) to (CS-16) were prepared.

Figure 2017171748
Figure 2017171748

<ポジ評価>
実施例1〜40及び比較例1〜8の硬化膜形成用材料を用いて、放射線感度、硬化膜の誘電率、硬化膜の耐熱透明性、硬化膜の耐薬品性、及びホール・パターンのテーパー形状評価を実施した。評価結果を表6に示す。
<Positive evaluation>
Using the cured film forming materials of Examples 1 to 40 and Comparative Examples 1 to 8, radiation sensitivity, cured film dielectric constant, cured film heat-resistant transparency, cured film chemical resistance, and hole pattern taper Shape evaluation was performed. The evaluation results are shown in Table 6.

[放射線感度の評価]
シリコン基板上に、硬化膜形成用材料をスピンナを用いて塗布した後、90℃にて2分間ホットプレート上でプレベークして膜厚3.0μmの塗膜を形成した。続いて、露光機(キヤノン社の「MPA−600FA」(ghi線混合))を用い、10μmのライン・アンド・スペースのパターンを有するマスクを介して、塗膜に対し露光量を変量として放射線を照射した。その後、2.38質量%のテトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液にて23℃において60秒間液盛り法で現像した。次いで、超純水で1分間流水洗浄を行い、その後乾燥することによりパターンを形成した。このとき、10μmのスペース・パターンが完全に溶解するために必要な露光量を調べた。上記露光量について、A:100mJ/cm未満、B:100mJ/cm以上150mJ/cm未満、C:150mJ/cm以上200mJ/cm未満、及びD:200mJ/cm以上として評価した。
[Evaluation of radiation sensitivity]
A cured film forming material was applied on a silicon substrate using a spinner, and then prebaked on a hot plate at 90 ° C. for 2 minutes to form a coating film having a thickness of 3.0 μm. Subsequently, using an exposure machine (Canon's “MPA-600FA” (ghi line mixing)), the exposure dose was changed to the coating film through a mask having a 10 μm line and space pattern. Irradiated. Then, it developed by the piling method for 60 seconds at 23 degreeC with 2.38 mass% tetramethylammonium hydroxide aqueous solution. Next, running water was washed with ultrapure water for 1 minute and then dried to form a pattern. At this time, the exposure amount necessary for completely dissolving the 10 μm space pattern was examined. For the exposure, A: 100 mJ / cm less than 2, B: 100 mJ / cm 2 or more 150 mJ / cm less than 2, C: 150 mJ / cm 2 or more 200 mJ / cm less than 2, and D: was evaluated as 200 mJ / cm 2 or more .

[電気特性評価基板の作製]
硬化膜形成用材料を用い、それぞれをITO膜付のガラス基板であるITO基板上に膜厚3μmとなるようにスピンコータで塗布した後、ホットプレート上で90℃にて2分間プレベークし、有機溶媒等を蒸発させて各塗膜を形成した。次いで、電気特性測定のための電極取出し部位として、硬化膜形成用材料を塗布した基板の端の一部をアセトンで拭きとり下地のITOを露出させた。プロキシミティ露光機(キヤノン社の「MA−1200」(ghi線混合))を用いて300mJ/cmの光を基板全面に照射した後、オーブンにて230℃で30分間加熱(ポストベーク)して硬化させ、ITO基板上に絶縁膜を形成した。
[Fabrication of electrical property evaluation board]
Using a cured film forming material, each was coated on an ITO substrate, which is a glass substrate with an ITO film, with a spin coater to a film thickness of 3 μm, then pre-baked on a hot plate at 90 ° C. for 2 minutes to obtain an organic solvent. Etc. were evaporated to form each coating film. Next, as an electrode extraction site for measuring electrical characteristics, a part of the edge of the substrate coated with the cured film forming material was wiped with acetone to expose the underlying ITO. Using a proximity exposure machine (Canon's “MA-1200” (ghi line mixing)), the entire surface of the substrate was irradiated with 300 mJ / cm 2 light, and then heated (post-baked) at 230 ° C. for 30 minutes in an oven. And an insulating film was formed on the ITO substrate.

[比誘電率の評価]
上述した[電気特性評価基板の作製]に記載された方法で作製された各電気特性評価基板の絶縁膜上に、静電容量を測定するためのAl(アルミニウム)電極を真空蒸着装置(JEOL VACUUM EVAPORATOR JEE−420)を用いて作製した。次いで、予め露出させておいたITO部分に電極接続用のリード線をハンダ付けし、そのリード線と真空蒸着装置で作製したAl電極とをそれぞれLCRメータ(HEWLETT PACKARD 4284A PRECISION LCR METER)のプラス端子とマイナス端子に接続し、印可電圧100mV、周波数10kHzの条件で絶縁膜の静電容量Cを測定した。測定した静電容量Cの値と、Al電極の面積S(m)と、硬化膜の膜厚d(m)を以下の式に代入し、誘電率εの値を求め、これより比誘電率を算出した。
誘電率ε=静電容量C×硬化膜の膜厚d(m)÷電極面積S(m
比誘電率が3.0以下であるとき、低誘電性が良好であるとした。
[Evaluation of relative permittivity]
An Al (aluminum) electrode for measuring the capacitance is formed on a vacuum deposition apparatus (JEOL VACUUM) on the insulating film of each electrical property evaluation substrate produced by the method described in [Production of electrical property evaluation substrate]. It was prepared using EVAPROTOR JEE-420). Next, a lead wire for electrode connection is soldered to the ITO portion exposed in advance, and the lead wire and the Al electrode produced by the vacuum deposition apparatus are respectively positive terminals of an LCR meter (HEWRET PACKARD 4284A PRECISION LCR METER) The capacitance C of the insulating film was measured under the conditions of an applied voltage of 100 mV and a frequency of 10 kHz. Substituting the measured capacitance C value, Al electrode area S (m 2 ), and cured film thickness d (m) into the following equation, the value of dielectric constant ε is obtained, and from this, the relative dielectric constant The rate was calculated.
Dielectric constant ε = capacitance C × cured film thickness d (m) ÷ electrode area S (m 2 )
When the relative dielectric constant is 3.0 or less, the low dielectric constant is considered good.

[硬化膜の耐熱透明性の評価]
硬化膜の耐熱透明性は、硬化膜の400nmにおける透過率として評価した。ガラス基板上に、硬化膜形成用材料をスピンナを用いて塗布した後、90℃にて2分間ホットプレート上でプレベークして膜厚3.0μmの塗膜を形成した。続いて、プロキシミティ露光機(キヤノン社の「MA−1200」(ghi線混合))を用いて300mJ/cmの光を基板全面に照射した後、230℃に加温したオーブンを用いて30分間焼成し、硬化膜を形成した。この膜を窒素充填したグローブ・ボックス内にて、300℃に加温したホットプレート上で30分間焼成した。この膜の透過率を紫外可視分光光度計(日本分光社の「V−670」)を用いて25℃で測定し、透明性の指標とした。400nmにおける透過率を、A:透過率95%以上、B:透過率90%以上95%未満、C:透過率85%以上90%未満、D:透過率85%未満とし、A〜Cの場合、耐熱透明性は良好であり、A又はBの場合、耐熱透明性は特に良好であると評価した。
[Evaluation of heat-resistant transparency of cured film]
The heat resistant transparency of the cured film was evaluated as the transmittance at 400 nm of the cured film. A cured film forming material was applied onto a glass substrate using a spinner, and then prebaked on a hot plate at 90 ° C. for 2 minutes to form a coating film having a thickness of 3.0 μm. Subsequently, the entire surface of the substrate was irradiated with 300 mJ / cm 2 light using a proximity exposure machine (“MA-1200” manufactured by Canon Inc. (mixed with ghi line)), and then heated using an oven heated to 230 ° C. Baking for a minute to form a cured film. This film was baked for 30 minutes on a hot plate heated to 300 ° C. in a nitrogen-filled glove box. The transmittance of this film was measured at 25 ° C. using an ultraviolet-visible spectrophotometer (“V-670” manufactured by JASCO Corporation), and used as an index of transparency. In the case of A to C, the transmittance at 400 nm is A: transmittance 95% or more, B: transmittance 90% or more and less than 95%, C: transmittance 85% or more and less than 90%, D: transmittance 85% or less The heat-resistant transparency was good. In the case of A or B, it was evaluated that the heat-resistant transparency was particularly good.

[硬化膜の耐薬品性の評価]
硬化膜の耐薬品性は、剥離液による膨潤として評価した。シリコン基板上に、硬化膜形成用材料をスピンナを用いて塗布した後、90℃にて2分間ホットプレート上でプレベークして膜厚3.0μmの塗膜を形成した。続いて、プロキシミティ露光機(キヤノン社の「MA−1200」(ghi線混合))を用いて300mJ/cmの光を基板全面に照射した後、230℃に加温したオーブンを用いて30分間焼成し、硬化膜を形成した。この膜を40℃に加温したN−メチルピロリドン溶剤中に6分間浸漬させ、浸漬前後の膜厚変化率(%)を求め、耐薬品性の指標とした。膜厚変化率を、A:膜厚変化率5%未満、B:膜厚変化率5%以上10%未満、C:膜厚変化率10%以上15%未満、D:膜厚変化率15%以上とし、A〜Cの場合、耐薬品性は良好であり、A又はBの場合、耐薬品性は特に良好であると評価した。膜厚は、光干渉式膜厚測定装置(ラムダエース VM−1010)を用いて25℃で測定した。
[Evaluation of chemical resistance of cured film]
The chemical resistance of the cured film was evaluated as swelling due to the stripping solution. A cured film forming material was applied on a silicon substrate using a spinner, and then prebaked on a hot plate at 90 ° C. for 2 minutes to form a coating film having a thickness of 3.0 μm. Subsequently, the entire surface of the substrate was irradiated with 300 mJ / cm 2 of light using a proximity exposure machine (“MA-1200” manufactured by Canon Inc. (ghi line mixing)), and then heated using an oven heated to 230 ° C. Baking for a minute to form a cured film. This film was immersed in an N-methylpyrrolidone solvent heated to 40 ° C. for 6 minutes, and the rate of change in film thickness (%) before and after immersion was obtained as an index of chemical resistance. The film thickness change rate is as follows: A: film thickness change rate of less than 5%, B: film thickness change rate of 5% or more and less than 10%, C: film thickness change rate of 10% or more and less than 15%, D: film thickness change rate of 15% In the case of A to C, the chemical resistance was good, and in the case of A or B, the chemical resistance was evaluated to be particularly good. The film thickness was measured at 25 ° C. using an optical interference type film thickness measuring device (Lambda Ace VM-1010).

[テーパー形状の評価]
シリコン基板上に、硬化膜形成用材料をスピンナを用いて塗布した後、90℃にて2分間ホットプレート上でプレベークして膜厚3.0μmの塗膜を形成した。続いて、露光機(キヤノン社の「MPA−600FA」(ghi線混合))を用い、5μmのコンタクトホールのパターンを有するマスクを介して、塗膜に対し上述の感度評価で求めた露光量の放射線を照射した。その後、2.38質量%のテトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液にて23℃において60秒間液盛り法で現像した。次いで、超純水で1分間流水洗浄を行い、その後乾燥することによりパターンを形成した。このパターンに、プロキシミティ露光機(キヤノン社の「MA−1200」(ghi線混合))を用いて300mJ/cmの光を基板全面に照射した後、230℃に加温したオーブンを用いて30分間焼成し、硬化膜を形成した。このコンタクトホール・パターンのテーパー形状を観察するため、基板ごとホール・パターンの断面を切り取り、真空蒸着装置を用いてパターン表面に白金(プラチナ)を蒸着した後、走査型電子顕微鏡で観察した。このとき、基板との接点におけるパターンの角度を、A:65度以上、B:65度未満60度以上、C:60度未満50度以上、D:50度未満とし、A又はBの場合、テーパー形状は特に良好であると評価した。
[Taper shape evaluation]
A cured film forming material was applied on a silicon substrate using a spinner, and then prebaked on a hot plate at 90 ° C. for 2 minutes to form a coating film having a thickness of 3.0 μm. Subsequently, using an exposure machine (Canon's “MPA-600FA” (ghi line mixing)), the exposure amount obtained by the above-described sensitivity evaluation for the coating film through a mask having a 5 μm contact hole pattern. Irradiated. Then, it developed by the piling method for 60 seconds at 23 degreeC with 2.38 mass% tetramethylammonium hydroxide aqueous solution. Next, running water was washed with ultrapure water for 1 minute and then dried to form a pattern. This pattern was irradiated with 300 mJ / cm 2 light on the entire surface of the substrate using a proximity exposure machine (Canon “MA-1200” (ghi line mixing)) and then heated to 230 ° C. using an oven. The cured film was formed by baking for 30 minutes. In order to observe the tapered shape of the contact hole pattern, the hole pattern was cut along with the substrate, and platinum was deposited on the pattern surface using a vacuum deposition apparatus, and then observed with a scanning electron microscope. At this time, the angle of the pattern at the contact point with the substrate is A: 65 degrees or more, B: less than 65 degrees 60 degrees or more, C: less than 60 degrees 50 degrees or more, D: less than 50 degrees, The taper shape was evaluated as particularly good.

Figure 2017171748
Figure 2017171748

表6の結果から明らかなように、実施例1〜40の硬化膜形成用材料から形成された硬化膜は、低誘電性及び耐熱透明性に優れていた。このような硬化膜は、表示素子の表示性能を高めることができることがわかる。特に、実施例1〜4、実施例10〜13、実施例19〜22、実施例28〜31を見れば明らかなように、エポキシ成分(AEP−1)〜(AEP−4)を含む硬化膜形成用材料は、放射線感度に優れ、これらの硬化膜形成用材料から形成された硬化膜は、低誘電性、耐薬品性、耐熱透明性及びテーパー形状に優れていた。これに対して、比較例1〜3、比較例5〜7の硬化膜形成用材料は、低誘電性に劣ることが分かった。また、比較例4及び比較例8の結果から、エポキシ成分(caEP−1)を含む硬化膜形成用材料から形成された硬化膜は、低誘電性が良好なものの、耐熱透明性に劣ることが分かった。なお、これは、エポキシ成分(caEP−1)が上記特定エポキシ含有基を有していないことに加え、エポキシ成分(caEP−1)中に残存するフェノール性水酸基が、加熱等により酸化されることなどが要因となっているものと推察される。 As is clear from the results in Table 6, the cured films formed from the cured film forming materials of Examples 1 to 40 were excellent in low dielectric properties and heat-resistant transparency. It can be seen that such a cured film can improve the display performance of the display element. In particular, as seen in Examples 1-4, Examples 10-13, Examples 19-22, and Examples 28-31, the epoxy components ( AEP- 1) to ( AEP- 4) are included. The cured film forming material was excellent in radiation sensitivity, and the cured film formed from these cured film forming materials was excellent in low dielectric property, chemical resistance, heat-resistant transparency and tapered shape. On the other hand, it turned out that the cured film formation material of Comparative Examples 1-3 and Comparative Examples 5-7 is inferior to low dielectric constant. Further, from the results of Comparative Example 4 and Comparative Example 8, the cured film formed from the cured film forming material containing the epoxy component (ca EP -1) is inferior in heat-resistant transparency, although it has good low dielectric properties. I understood. Incidentally, this is the epoxy component (ca EP -1) is added to it does not have the specific epoxy-containing group, a phenolic hydroxyl group remaining in the epoxy component (ca EP -1) is oxidized by heating or the like This is presumed to be a factor.

<ネガ評価>
実施例41〜80及び比較例9〜16の硬化膜形成用材料を用いて、上記方法にて硬化膜の比誘電率、硬化膜の耐熱透明性、及び硬化膜の耐薬品性評価を実施した。また、以下の方法にてホール・パターンのテーパー形状評価を実施した。評価結果を表7に示す。
<Negative evaluation>
Using the cured film forming materials of Examples 41 to 80 and Comparative Examples 9 to 16, the dielectric constant of the cured film, the heat-resistant transparency of the cured film, and the chemical resistance of the cured film were evaluated by the above methods. . Moreover, taper shape evaluation of the hole pattern was implemented with the following method. Table 7 shows the evaluation results.

[テーパー形状の評価]
シリコン基板上に、硬化膜形成用材料をスピンナを用いて塗布した後、90℃にて2分間ホットプレート上でプレベークして膜厚3.0μmの塗膜を形成した。続いて、露光機(キヤノン社の「MPA−600FA」(ghi線混合))を用い、5μmのコンタクトホールのパターンを有するマスクを介して、塗膜に対し100mJ/cmの放射線を照射した。その後、2.38質量%のテトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液にて23℃において60秒間液盛り法で現像した。次いで、超純水で1分間流水洗浄を行い、その後乾燥することによりパターンを形成した。このパターンを230℃に加温したオーブンを用いて30分間焼成し、硬化膜を形成した。このコンタクトホール・パターンのテーパー形状を観察するため、基板ごとホール・パターンの断面を切り取り、真空蒸着装置を用いてパターン表面に白金(プラチナ)を蒸着した後、走査型電子顕微鏡で観察した。このとき、基板との接点におけるパターンの角度を、A:65度以上、B:65度未満60度以上、C:60度未満50度以上、D:50度未満とし、A又はBの場合、テーパー形状は特に良好であると評価した。
[Taper shape evaluation]
A cured film forming material was applied on a silicon substrate using a spinner, and then prebaked on a hot plate at 90 ° C. for 2 minutes to form a coating film having a thickness of 3.0 μm. Subsequently, the coating film was irradiated with 100 mJ / cm 2 of radiation through a mask having a 5 μm contact hole pattern using an exposure machine (“MPA-600FA” manufactured by Canon Inc. (mixed with ghi line)). Then, it developed by the piling method for 60 seconds at 23 degreeC with 2.38 mass% tetramethylammonium hydroxide aqueous solution. Next, running water was washed with ultrapure water for 1 minute and then dried to form a pattern. This pattern was baked for 30 minutes using an oven heated to 230 ° C. to form a cured film. In order to observe the tapered shape of the contact hole pattern, the hole pattern was cut along with the substrate, and platinum was deposited on the pattern surface using a vacuum deposition apparatus, and then observed with a scanning electron microscope. At this time, the angle of the pattern at the contact point with the substrate is A: 65 degrees or more, B: less than 65 degrees 60 degrees or more, C: less than 60 degrees 50 degrees or more, D: less than 50 degrees, The taper shape was evaluated as particularly good.

Figure 2017171748
Figure 2017171748

表7の結果から明らかなように、実施例41〜80の硬化膜形成用材料から形成された硬化膜は、低誘電性及び耐熱透明性に優れていた。このような硬化膜は、表示素子の表示性能を高めることができることがわかる。特に、実施例41〜44、実施例50〜53、実施例59〜62、実施例68〜71を見れば明らかなように、エポキシ成分(AEP−1)〜(AEP−4)を含む硬化膜形成用材料から形成された硬化膜は、低誘電性、耐薬品性、耐熱透明性及びテーパー形状に優れていた。これに対して、比較例9〜11、比較例13〜15の硬化膜形成用材料から形成された硬化膜は、低誘電性に劣ることがわかった。また、比較例12及び比較例16の結果から、エポキシ成分(caEP−1)を含む硬化膜形成用材料から形成された硬化膜は、低誘電性が良好なものの、耐熱透明性に劣ることが分かった。 As is clear from the results in Table 7, the cured films formed from the cured film forming materials of Examples 41 to 80 were excellent in low dielectric properties and heat-resistant transparency. It can be seen that such a cured film can improve the display performance of the display element. In particular, Example 41-44, Example 50-53, Example 59-62, as clearly seen the examples 68 to 71, an epoxy component (A EP -1) ~ (A EP -4) The cured film formed from the cured film forming material was excellent in low dielectric property, chemical resistance, heat-resistant transparency and tapered shape. On the other hand, it turned out that the cured film formed from the material for cured film formation of Comparative Examples 9-11 and Comparative Examples 13-15 is inferior in low dielectric constant. Further, from the results of Comparative Examples 12 and 16, the cured film formed from the cured film forming material containing the epoxy component (ca EP -1) has a low dielectric constant but is inferior in heat-resistant transparency. I understood.

本発明は、層間絶縁膜等、表示素子に備わる硬化膜の形成材料などとして好適に用いることができる。   The present invention can be suitably used as a material for forming a cured film provided in a display element such as an interlayer insulating film.

Claims (10)

同一又は異なる分子中に、下記式(1)又は式(2)で表される基及びカルボキシ基を有する化合物を含有する硬化膜形成用材料から形成され、
10kHzにおける比誘電率が2.5以上3.0以下である硬化膜。
Figure 2017171748
(式(1)中、Rは、オキシラニル基、3,4−エポキシシクロヘキシル基、3,4−エポキシノルボルニル基、下記式(3−1)で表される基、又は下記式(3−2)で表される基である。Rは、単結合又は2価の炭化水素基である。但し、Rがオキシラニル基の場合、Rは炭素数2以上の2価の炭化水素基である。
式(2)中、Rは、オキシラニル基である。Rは、炭素数2以上の3価の炭化水素基である。)
Figure 2017171748
(式(3−1)及び(3−2)中、*は結合部位を示す。)
In the same or different molecules, formed from a cured film forming material containing a compound having a group represented by the following formula (1) or formula (2) and a carboxy group,
A cured film having a relative dielectric constant of 2.5 or more and 3.0 or less at 10 kHz.
Figure 2017171748
(In the formula (1), R 1 represents an oxiranyl group, a 3,4-epoxycyclohexyl group, a 3,4-epoxynorbornyl group, a group represented by the following formula (3-1), or the following formula (3 -2) R 2 is a single bond or a divalent hydrocarbon group, provided that when R 1 is an oxiranyl group, R 2 is a divalent hydrocarbon having 2 or more carbon atoms. It is a group.
In formula (2), R 3 is an oxiranyl group. R 4 is a trivalent hydrocarbon group having 2 or more carbon atoms. )
Figure 2017171748
(In formulas (3-1) and (3-2), * represents a binding site.)
上記化合物が、カルボキシ基を含む構造単位を有する重合体を含む請求項1に記載の硬化膜。   The cured film of Claim 1 in which the said compound contains the polymer which has a structural unit containing a carboxy group. 上記硬化膜形成用材料が、感光剤をさらに含有する請求項1又は請求項2に記載の硬化膜。   The cured film according to claim 1, wherein the material for forming a cured film further contains a photosensitive agent. 上記化合物が、上記式(1)で表される基を有するシロキサン化合物を含む請求項1、請求項2又は請求項3に記載の硬化膜。   The cured film of Claim 1, Claim 2, or Claim 3 in which the said compound contains the siloxane compound which has group represented by the said Formula (1). 上記シロキサン化合物が下記式(4)で表される構造単位を有する請求項4に記載の硬化膜。
Figure 2017171748
(式(4)中、Rは、上記式(1)で表される基である。)
The cured film according to claim 4, wherein the siloxane compound has a structural unit represented by the following formula (4).
Figure 2017171748
(In formula (4), R 5 is a group represented by the above formula (1).)
上記式(1)におけるRが3,4−エポキシシクロヘキシル基であり、Rがエタン−1,2−ジイル基である請求項4又は請求項5に記載の硬化膜。 The cured film according to claim 4 or 5, wherein R 1 in the formula (1) is a 3,4-epoxycyclohexyl group, and R 2 is an ethane-1,2-diyl group. 層間絶縁膜である請求項1から請求項6のいずれか1項に記載の硬化膜。   The cured film according to any one of claims 1 to 6, which is an interlayer insulating film. 請求項1から請求項7のいずれか1項に記載の硬化膜を備える表示素子。   A display element provided with the cured film of any one of Claims 1-7. 同一又は異なる分子中に、下記式(1)又は式(2)で表される基及びカルボキシ基を有する化合物を含有し、
硬化して得られる硬化膜の10kHzにおける比誘電率が2.5以上3.0以下である硬化膜形成用材料。
Figure 2017171748
(式(1)中、Rは、オキシラニル基、3,4−エポキシシクロヘキシル基、3,4−エポキシノルボルニル基、下記式(3−1)で表される基、又は下記式(3−2)で表される基である。Rは、単結合又は2価の炭化水素基である。但し、Rがオキシラニル基の場合、Rは炭素数2以上の2価の炭化水素基である。
式(2)中、Rは、オキシラニル基である。Rは、炭素数2以上の3価の炭化水素基である。)
Figure 2017171748
(式(3−1)及び(3−2)中、*は結合部位を示す。)
In the same or different molecule, containing a compound having a group represented by the following formula (1) or formula (2) and a carboxy group,
A cured film-forming material having a relative dielectric constant of 2.5 or more and 3.0 or less at 10 kHz of a cured film obtained by curing.
Figure 2017171748
(In the formula (1), R 1 represents an oxiranyl group, a 3,4-epoxycyclohexyl group, a 3,4-epoxynorbornyl group, a group represented by the following formula (3-1), or the following formula (3 -2) R 2 is a single bond or a divalent hydrocarbon group, provided that when R 1 is an oxiranyl group, R 2 is a divalent hydrocarbon having 2 or more carbon atoms. It is a group.
In formula (2), R 3 is an oxiranyl group. R 4 is a trivalent hydrocarbon group having 2 or more carbon atoms. )
Figure 2017171748
(In formulas (3-1) and (3-2), * represents a binding site.)
基板上に塗膜を形成する工程、及び
上記塗膜を加熱する工程
を備える硬化膜の形成方法であって、
上記塗膜を請求項9に記載の硬化膜形成用材料を用いて形成することを特徴とする硬化膜の形成方法。
A method of forming a cured film comprising: forming a coating film on a substrate; and heating the coating film,
A method for forming a cured film, wherein the coating film is formed using the material for forming a cured film according to claim 9.
JP2016057660A 2016-03-22 2016-03-22 Cured film, display element, cured film forming material, and cured film forming method Active JP6607109B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2016057660A JP6607109B2 (en) 2016-03-22 2016-03-22 Cured film, display element, cured film forming material, and cured film forming method

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2016057660A JP6607109B2 (en) 2016-03-22 2016-03-22 Cured film, display element, cured film forming material, and cured film forming method

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2017171748A true JP2017171748A (en) 2017-09-28
JP6607109B2 JP6607109B2 (en) 2019-11-20

Family

ID=59972772

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2016057660A Active JP6607109B2 (en) 2016-03-22 2016-03-22 Cured film, display element, cured film forming material, and cured film forming method

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP6607109B2 (en)

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2018123826A1 (en) * 2016-12-28 2018-07-05 太陽インキ製造株式会社 Negative photocurable resin composition, dry film, cured product and printed wiring board
JP2018109733A (en) * 2016-12-28 2018-07-12 太陽インキ製造株式会社 Negative photocurable resin composition, dry film, cured product, and printed wiring board
CN110885401A (en) * 2018-09-10 2020-03-17 株式会社大赛璐 Copolymer, curable resin composition containing same, and cured product thereof
JP2021050290A (en) * 2019-09-26 2021-04-01 積水化学工業株式会社 Photocurable resin composition for electronic devices
KR20210040795A (en) 2019-10-04 2021-04-14 닛테츠 케미컬 앤드 머티리얼 가부시키가이샤 Curable resin composition containing siloxane resin, cured film thereof, and producing process of siloxiane resin
WO2021182232A1 (en) * 2020-03-09 2021-09-16 株式会社ダイセル Photosensitive resin composition, cured product, color filter, display device member and display device
WO2022224826A1 (en) * 2021-04-23 2022-10-27 Jsr株式会社 Photosensitive composition
JP7483416B2 (en) 2020-03-09 2024-05-15 株式会社ダイセル Colored photosensitive resin composition, color filter, and member for display device or display device

Citations (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001354822A (en) * 2000-06-12 2001-12-25 Jsr Corp Radiation sensitive resin composition, use of the composition for forming interlaminar insulation film and microlens and interlaminar insulation film and microlens made thereof
JP2008286936A (en) * 2007-05-16 2008-11-27 Jsr Corp Radiation-sensitive resin composition, interlayer insulation film and microlens and method for forming those
JP2008310044A (en) * 2007-06-14 2008-12-25 Jsr Corp Radiation-sensitive resin composition, interlayer insulation film and microlens and method for forming them
JP2009229567A (en) * 2008-03-19 2009-10-08 Jsr Corp Radiation sensitive resin composition, interlayer dielectric, and microlens, and method of producing the same
JP2010262259A (en) * 2009-04-08 2010-11-18 Fujifilm Corp Positive photosensitive resin composition, cured film, interlayer insulating film, organic electroluminescence display, and liquid crystal display
JP2012032729A (en) * 2010-08-03 2012-02-16 Nof Corp Photosensitive resin composition and usage of the same
JP2012185291A (en) * 2011-03-04 2012-09-27 Nof Corp Photosensitive resin composition and use thereof
JP2014510955A (en) * 2011-03-29 2014-05-01 ダウ コーニング コーポレーション Photopatternable and developable silsesquioxane resins for use in device manufacturing
JP2014137426A (en) * 2013-01-15 2014-07-28 Sumitomo Bakelite Co Ltd Photosensitive composition
JP2014174374A (en) * 2013-03-11 2014-09-22 Natoko Kk Photosensitive resin composition and cured product of the same
WO2015083395A1 (en) * 2013-12-03 2015-06-11 住友ベークライト株式会社 Resin composition for negative photoresists, cured film and electronic device
WO2015122293A1 (en) * 2014-02-13 2015-08-20 富士フイルム株式会社 Photosensitive resin composition, method for producing cured film, cured film, liquid crystal display device, organic el display device, and touch panel display device
JP2015161942A (en) * 2014-02-28 2015-09-07 日油株式会社 Positive photosensitive resin composition and usage of the same

Patent Citations (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001354822A (en) * 2000-06-12 2001-12-25 Jsr Corp Radiation sensitive resin composition, use of the composition for forming interlaminar insulation film and microlens and interlaminar insulation film and microlens made thereof
JP2008286936A (en) * 2007-05-16 2008-11-27 Jsr Corp Radiation-sensitive resin composition, interlayer insulation film and microlens and method for forming those
JP2008310044A (en) * 2007-06-14 2008-12-25 Jsr Corp Radiation-sensitive resin composition, interlayer insulation film and microlens and method for forming them
JP2009229567A (en) * 2008-03-19 2009-10-08 Jsr Corp Radiation sensitive resin composition, interlayer dielectric, and microlens, and method of producing the same
JP2010262259A (en) * 2009-04-08 2010-11-18 Fujifilm Corp Positive photosensitive resin composition, cured film, interlayer insulating film, organic electroluminescence display, and liquid crystal display
JP2012032729A (en) * 2010-08-03 2012-02-16 Nof Corp Photosensitive resin composition and usage of the same
JP2012185291A (en) * 2011-03-04 2012-09-27 Nof Corp Photosensitive resin composition and use thereof
JP2014510955A (en) * 2011-03-29 2014-05-01 ダウ コーニング コーポレーション Photopatternable and developable silsesquioxane resins for use in device manufacturing
JP2014137426A (en) * 2013-01-15 2014-07-28 Sumitomo Bakelite Co Ltd Photosensitive composition
JP2014174374A (en) * 2013-03-11 2014-09-22 Natoko Kk Photosensitive resin composition and cured product of the same
WO2015083395A1 (en) * 2013-12-03 2015-06-11 住友ベークライト株式会社 Resin composition for negative photoresists, cured film and electronic device
WO2015122293A1 (en) * 2014-02-13 2015-08-20 富士フイルム株式会社 Photosensitive resin composition, method for producing cured film, cured film, liquid crystal display device, organic el display device, and touch panel display device
JP2015161942A (en) * 2014-02-28 2015-09-07 日油株式会社 Positive photosensitive resin composition and usage of the same

Cited By (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2018123826A1 (en) * 2016-12-28 2018-07-05 太陽インキ製造株式会社 Negative photocurable resin composition, dry film, cured product and printed wiring board
JP2018109733A (en) * 2016-12-28 2018-07-12 太陽インキ製造株式会社 Negative photocurable resin composition, dry film, cured product, and printed wiring board
CN110885401A (en) * 2018-09-10 2020-03-17 株式会社大赛璐 Copolymer, curable resin composition containing same, and cured product thereof
CN110885401B (en) * 2018-09-10 2023-06-13 株式会社大赛璐 Copolymer, curable resin composition containing same, and cured product thereof
TWI820205B (en) * 2018-09-10 2023-11-01 日商大賽璐股份有限公司 Copolymer, curable resin composition containing the copolymer, and cured product thereof
JP2021050290A (en) * 2019-09-26 2021-04-01 積水化学工業株式会社 Photocurable resin composition for electronic devices
JP7421297B2 (en) 2019-09-26 2024-01-24 積水化学工業株式会社 Photocurable resin composition for electronic devices
KR20210040795A (en) 2019-10-04 2021-04-14 닛테츠 케미컬 앤드 머티리얼 가부시키가이샤 Curable resin composition containing siloxane resin, cured film thereof, and producing process of siloxiane resin
WO2021182232A1 (en) * 2020-03-09 2021-09-16 株式会社ダイセル Photosensitive resin composition, cured product, color filter, display device member and display device
JP7483416B2 (en) 2020-03-09 2024-05-15 株式会社ダイセル Colored photosensitive resin composition, color filter, and member for display device or display device
JP7483417B2 (en) 2020-03-09 2024-05-15 株式会社ダイセル Photosensitive resin composition and cured product thereof
WO2022224826A1 (en) * 2021-04-23 2022-10-27 Jsr株式会社 Photosensitive composition

Also Published As

Publication number Publication date
JP6607109B2 (en) 2019-11-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6607109B2 (en) Cured film, display element, cured film forming material, and cured film forming method
JP6750213B2 (en) Radiation-sensitive resin composition, method for forming cured film, cured film, semiconductor element and display element
JP5617476B2 (en) Siloxane polymer composition, cured film and method of forming cured film
JP5817717B2 (en) Positive radiation-sensitive composition, interlayer insulating film for display element, and method for forming the same
TWI437365B (en) Sensitive radiation linear resin composition, interlayer insulating film and microlens, and the like
JP6123620B2 (en) Radiation-sensitive resin composition, display element insulating film, method for forming the same, and display element
JP6070203B2 (en) Semiconductor element and display element
TWI479269B (en) Photosensitive polysiloxane composition and uses thereof
TWI470359B (en) Photosensitive resin composition, protecting film, and a device containing the protecting film
TWI649339B (en) Curable resin composition, cured film for display element, method for forming cured film for display element, and display element
JP5105073B2 (en) Radiation-sensitive resin composition, and method for producing interlayer insulating film and microlens
JP5640978B2 (en) NOVEL COMPOUND, PROCESS FOR PRODUCING THE SAME, RADIATION-SENSITIVE COMPOSITION CONTAINING THE NOVEL COMPOUND, AND CURED FILM
TWI719070B (en) Photosensitive resin composition and cured film prepared therefrom
TW200915005A (en) Radiation sensitive resin composition, interlayer dielectric and microlens, and method for producing thereof
TWI611266B (en) Negative-type radiation-radiating resin composition, cured film, method of forming the same, semiconductor element, and display element
TW201624135A (en) Positive-type photosensitive resin composition and cured film prepared therefrom
KR20150091259A (en) Process for producing cured film of display device, radiation-sensitive resin composition, cured film of display device, display device, and heating apparatus
JP2019066828A (en) Radiation sensitive resin composition and application thereof
TWI451194B (en) Radiosensitive resin composition, interlayer insulation film, microlens and methods for manufacturing them
JP5157860B2 (en) Radiation-sensitive resin composition, interlayer insulating film and microlens, and production method thereof
JP4797701B2 (en) Radiation sensitive composition
JP2017173376A (en) Radiation-sensitive resin composition, hardened film, formation method of hardened film and electronic device
TWI739767B (en) Photosensitive resin composition, cured film prepared therefrom, and method of forming pattern using the same
CN109073971B (en) Photosensitive resin composition and cured film prepared therefrom
TW201833078A (en) Positive photosensitive resin composition, display element thereof and method for forming patterns of display element thereof especially applied to the pixel define layer and column spacer for LCD or OLED with excellent sensitivity, transparency and improved adhesive force

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20180730

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20190417

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20190423

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20190605

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20190716

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20190819

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20190924

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20191007

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6607109

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250