JP2015151564A - Atomic layer deposition film formation apparatus - Google Patents

Atomic layer deposition film formation apparatus Download PDF

Info

Publication number
JP2015151564A
JP2015151564A JP2014025160A JP2014025160A JP2015151564A JP 2015151564 A JP2015151564 A JP 2015151564A JP 2014025160 A JP2014025160 A JP 2014025160A JP 2014025160 A JP2014025160 A JP 2014025160A JP 2015151564 A JP2015151564 A JP 2015151564A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
precursor
reaction chamber
atomic layer
layer deposition
reaction
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2014025160A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
瞬也 南郷
Shunya Nango
瞬也 南郷
雄介 小賦
Yusuke Obu
雄介 小賦
真平 奥山
Shimpei Akuyama
真平 奥山
成 川原
Shigeru Kawahara
成 川原
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toyo Seikan Group Holdings Ltd
Original Assignee
Toyo Seikan Group Holdings Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toyo Seikan Group Holdings Ltd filed Critical Toyo Seikan Group Holdings Ltd
Priority to JP2014025160A priority Critical patent/JP2015151564A/en
Publication of JP2015151564A publication Critical patent/JP2015151564A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Landscapes

  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an atomic layer deposition film formation apparatus capable of recovering effectively and reusing a precursor unused for film formation and discharged from a reaction chamber (2), and thereby reducing film formation cost.SOLUTION: A raw material gas exhaust path (26) connected to a reaction chamber (2) is disposed separately from a reaction gas exhaust path (28) and a purge gas exhaust path (30), and precursor collection means (36) is disposed on the raw material gas exhaust path (26).

Description

本発明は、原子層堆積（atomic layer deposition）法によって基材表面上に所要膜を形成するための原子層堆積成膜装置に関する。   The present invention relates to an atomic layer deposition film forming apparatus for forming a required film on a substrate surface by an atomic layer deposition method.

近時においては、合成樹脂フィルム或いは半導体ウエーハの如き基材上に所要膜を形成する成膜法として原子層堆積法が提案され、実用に供されるようになってきた。下記特許文献１乃至３には、原子層堆積法によって基材上に膜を形成するための原子層堆積成膜装置が開示されている。かかる原子層堆積成膜装置は、成膜すべき基材が収容される反応チャンバ、プリカーサ（前駆体）と共に通常はキャリアガスを含む原料ガスを反応チャンバ内に供給するための原料ガス供給手段、水蒸気の如き反応ガスを反応チャンバ内に供給するための反応ガス供給手段、不活性パージガスを反応チャンバ内に供給するためのパージガス供給手段、及び反応チャンバ内を排気するための排気手段を具備している。反応チャンバ内に原料ガスを供給する原料ガス供給工程、反応チャンバ内にパージガスを供給するパージガス供給工程、反応チャンバ内に反応ガスを供給する反応ガス供給工程、反応チャンバ内にパージガスを供給するパージガス供給工程が順次に繰り返し遂行される。そして、原料ガス供給工程、パージガス供給工程及び反応ガス供給工程の各々には、反応チャンバ内を排気する排気工程が適宜のタイミングで追従せしめられる。   Recently, an atomic layer deposition method has been proposed and put into practical use as a film forming method for forming a required film on a substrate such as a synthetic resin film or a semiconductor wafer. Patent Documents 1 to 3 below disclose an atomic layer deposition film forming apparatus for forming a film on a substrate by an atomic layer deposition method. Such an atomic layer deposition film forming apparatus includes a reaction chamber in which a base material to be formed is accommodated, a precursor gas (precursor) and a source gas supply means for supplying a source gas usually containing a carrier gas into the reaction chamber, A reaction gas supply means for supplying a reaction gas such as water vapor into the reaction chamber; a purge gas supply means for supplying an inert purge gas into the reaction chamber; and an exhaust means for exhausting the reaction chamber. Yes. A source gas supply step for supplying a source gas into the reaction chamber, a purge gas supply step for supplying a purge gas into the reaction chamber, a reaction gas supply step for supplying a reaction gas into the reaction chamber, and a purge gas supply for supplying a purge gas into the reaction chamber The process is repeated sequentially. Then, each of the source gas supply process, the purge gas supply process, and the reaction gas supply process is followed by an exhaust process for exhausting the reaction chamber at an appropriate timing.

特開２００９−０５２０６３号公報JP 2009-052063 A 特表２００９−５４０１２２号公報Special table 2009-540122 特開２０１１−１７１５６６号公報JP 2011-171666 A

周知の如く、原子層堆積法による成膜においては、プリカーサの一部のみが成膜に利用され、プリカーサの相当部分は成膜に利用されることなく反応チャンバから排出される。そして、従来の原子層堆積成膜装置においては、成膜に利用されることなく反応チャンバから排出されるプリカーサは再使用されることなく破棄され、従って比較的高価なプリカーサの相当量が無駄に消費され、成膜コストを増大せしめていた。   As is well known, in film formation by atomic layer deposition, only a part of the precursor is used for film formation, and a substantial part of the precursor is discharged from the reaction chamber without being used for film formation. In the conventional atomic layer deposition film forming apparatus, the precursor discharged from the reaction chamber without being used for film formation is discarded without being reused, and therefore a considerable amount of the relatively expensive precursor is wasted. It was consumed and the film formation cost was increased.

本発明は上記事実に鑑みてなされたものであり、その主たる技術的課題は、成膜に使用されることなく反応チャンバから排出されるプリカーサを効果的に回収して再使用することを可能にし、かくして成膜コストを低減せしめることができる、新規且つ改良された原子層堆積成膜装置を提供することである。   The present invention has been made in view of the above-mentioned facts, and its main technical problem is to enable the precursor discharged from the reaction chamber to be effectively recovered and reused without being used for film formation. Thus, it is an object of the present invention to provide a new and improved atomic layer deposition film forming apparatus which can reduce the film forming cost.

本発明者等は、鋭意検討の結果、反応ガス及びパージガス排気路とは別個に反応チャンバに接続された原料ガス排気路を配設し、かかる原料ガス排気路にプリカーサ捕集手段を配設することによって、上記主たる技術的課題を達成することができることを見出した。   As a result of intensive studies, the present inventors have disposed a source gas exhaust path connected to the reaction chamber separately from the reaction gas and purge gas exhaust path, and have a precursor collecting means disposed in the source gas exhaust path. It has been found that the main technical problem can be achieved.

即ち、本発明によれば、上記主たる技術的課題を達成する原子層堆積成膜装置として、 反応チャンバと、該反応チャンバ内に原料ガスを供給するための原料ガス供給手段と、該反応チャンバ内に反応ガスを供給するための反応ガス供給手段と、該反応チャンバ内にパージガスを供給するためのパージガス供給手段と、該反応チャンバ内を排気するための排気手段とを具備する原子層堆積成膜装置において、
該排気手段は、反応ガス及びパージガス排気路とは別個に該反応チャンバに接続された原料ガス排気路を含み、該原料ガス排気路にはプリカーサ捕集手段が配設されている、ことを特徴とする原子層堆積成膜装置が提供される。 That is, according to the present invention, as an atomic layer deposition film forming apparatus that achieves the main technical problem, a reaction chamber, source gas supply means for supplying a source gas into the reaction chamber, An atomic layer deposition film comprising: a reaction gas supply means for supplying a reaction gas to the substrate; a purge gas supply means for supplying a purge gas into the reaction chamber; and an exhaust means for exhausting the reaction chamber. In the device
The exhaust means includes a source gas exhaust path connected to the reaction chamber separately from the reaction gas and purge gas exhaust path, and a precursor collecting means is disposed in the source gas exhaust path. An atomic layer deposition film forming apparatus is provided.

該プリカーサ捕集手段を該原料ガス供給手段に連通する再供給路が配設されているのが好ましい。好適実施形態においては、該プリカーサ捕集手段は少なくとも２個のプリカーサ捕集器を含み、該プリカーサ捕集器の各々が選択的に該原料ガス排気路を介して該反応チャンバに連通され、該再供給路を介して該原料ガス供給手段に連通される。   It is preferable that a resupply path for communicating the precursor collecting means with the source gas supply means is provided. In a preferred embodiment, the precursor collecting means includes at least two precursor collectors, each of the precursor collectors being selectively communicated to the reaction chamber via the source gas exhaust passage, It communicates with the source gas supply means via a resupply path.

本発明の原子層堆積成膜装置においては、原料ガスの排出のための専用排出路、従って実質上原料ガスのみが流動せしめられる原料ガス排出路に配設されているプリカーサ捕集手段によってプリカーサが効果的に捕集される。それ故に、プリカーサを無駄に破棄することなく再使用することができ、成膜コストを低減することができる。   In the atomic layer deposition film forming apparatus of the present invention, the precursor is collected by the precursor collecting means disposed in the exclusive discharge path for discharging the source gas, and hence the source gas discharge path in which only the source gas is allowed to flow. It is collected effectively. Therefore, the precursor can be reused without being wasted, and the film formation cost can be reduced.

本発明に従って構成された原子層堆積成膜装置の好適実施形態を示す簡略図。1 is a simplified diagram showing a preferred embodiment of an atomic layer deposition film forming apparatus configured according to the present invention. 本発明に従って構成された原子層堆積成膜装置の他の好適実施形態を示す簡略図。FIG. 4 is a simplified diagram showing another preferred embodiment of an atomic layer deposition film forming apparatus configured according to the present invention.

以下、添付図面を参照して、本発明に従って構成された原子層堆積成膜装置の好適実施形態について詳述する。   Hereinafter, with reference to the attached drawings, a preferred embodiment of an atomic layer deposition film-forming apparatus configured according to the present invention will be described in detail.

図１を参照して説明すると、本発明に従って構成された図示の原子層堆積成膜装置は反応チャンバ２を具備している。この反応チャンバ２には開閉動せしめられる扉(図示していない)が配設されており、開動された扉を通して反応チャンバ２内には表面に原子層堆積法によって膜を形成すべき基材４が搬入され、適宜の支持手段（図示していない）によって所要位置に保持される。基材４は、例えば合成樹脂フィルム或いは半導体ウエーハから構成される。扉は原子層堆積成膜装置の作動開始に先立って閉動され、反応チャンバ２が密閉される。   Referring to FIG. 1, the illustrated atomic layer deposition apparatus constructed in accordance with the present invention comprises a reaction chamber 2. The reaction chamber 2 is provided with a door (not shown) that can be opened and closed, and a base material 4 on which a film is to be formed by atomic layer deposition on the surface of the reaction chamber 2 through the opened door. Is carried in and held in a required position by appropriate support means (not shown). The substrate 4 is made of, for example, a synthetic resin film or a semiconductor wafer. Prior to the start of the operation of the atomic layer deposition apparatus, the door is closed, and the reaction chamber 2 is sealed.

上記反応チャンバ２には、原料ガス供給手段６、反応ガス供給手段８及びパージガス供給手段１０が付設されている。原料ガス供給手段６は開閉弁１２を備えた原料ガス供給路１４を介して反応チャンバ２に接続されている。反応ガス供給手段８は開閉弁１６を備えた反応ガス供給路１８を介して反応チャンバ２に接続されている。パージガス供給手段１０は開閉弁２０を備えたパージガス供給路２２を介して反応チャンバ２に接続されている。   The reaction chamber 2 is provided with source gas supply means 6, reaction gas supply means 8, and purge gas supply means 10. The source gas supply means 6 is connected to the reaction chamber 2 via a source gas supply path 14 having an on-off valve 12. The reaction gas supply means 8 is connected to the reaction chamber 2 via a reaction gas supply path 18 provided with an on-off valve 16. The purge gas supply means 10 is connected to the reaction chamber 2 via a purge gas supply path 22 having an on-off valve 20.

原料ガス供給手段６は、例えばテトラキスエチルメチルアミノジルコニウムの如き金属化合物プリカーサの気化手段を含んでおり、気化したプリカーサと共にアルゴン等のキャリアガスを含む原料ガスを反応チャンバ２内に供給する。反応ガス供給手段８は、例えば気化器で発生させた水蒸気やオゾン発生器で発生させたオゾン等の反応ガスを反応チャンバ２内に供給する。また、パージガス供給手段１０は、アルゴンの如き不活性ガスから構成されたパージガスを反応チャンバ２内に供給する。   The source gas supply means 6 includes a vaporization means of a metal compound precursor such as tetrakisethylmethylaminozirconium, for example, and supplies a source gas containing a carrier gas such as argon together with the vaporized precursor into the reaction chamber 2. The reaction gas supply means 8 supplies reaction gas such as water vapor generated by a vaporizer or ozone generated by an ozone generator into the reaction chamber 2. The purge gas supply means 10 supplies a purge gas made of an inert gas such as argon into the reaction chamber 2.

反応チャンバ２には、更に、全体を番号２４で示す排気手段が付設されている。かかる排気手段２４は、反応ガス及びパージガスを搬出するための排出路とは別個に反応チャンバ２に接続された原料ガス排気路を含み、この原料ガス排気路にはプリカーサ捕集手段が配設されていることが重要である。   The reaction chamber 2 is further provided with an evacuation means generally indicated by numeral 24. The exhaust means 24 includes a source gas exhaust path connected to the reaction chamber 2 separately from the exhaust path for carrying out the reaction gas and the purge gas, and a precursor collecting means is disposed in the source gas exhaust path. It is important that

図１に示す実施形態においては、原料ガス排気路２６、反応ガス排気路２８及びパージガス排気路３０が夫々別個に反応チャンバ２に接続されている。原料ガス排気路２６、反応ガス排気路２８及びパージガス排気路３０の下流端は真空ポンプ３２を介して大気に接続されている。原料ガス排気路２６には、開閉弁３４、プリカーサ捕集器３６及び開閉弁３８が配設されている。プリカーサ捕集手段３６は、流入せしめられた原料ガスを冷却して原料ガス中のプリカーサを凝縮乃至凝固し液化乃至固化して捕集する捕集器から構成することができる。反応ガス排気路２８には、開閉弁４０と共に水蒸気トラップ手段４２が配設されている。反応ガスとして水蒸気を使用する場合、水蒸気トラップ手段４２は排気される反応ガスから水蒸気を分離してトラップし、真空ポンプ３２に水蒸気が流入して真空ポンプ３２が損傷せしめられるのを防止する。パージガス排気路３０には開閉弁４４が配設されている。   In the embodiment shown in FIG. 1, the source gas exhaust path 26, the reaction gas exhaust path 28, and the purge gas exhaust path 30 are separately connected to the reaction chamber 2. The downstream ends of the source gas exhaust path 26, the reaction gas exhaust path 28 and the purge gas exhaust path 30 are connected to the atmosphere via a vacuum pump 32. An open / close valve 34, a precursor collector 36, and an open / close valve 38 are disposed in the source gas exhaust path 26. The precursor collecting means 36 can be constituted by a collector that cools the introduced raw material gas, condenses or solidifies the precursor in the raw material gas, liquefies or solidifies it, and collects it. In the reaction gas exhaust path 28, a steam trap means 42 is disposed together with the on-off valve 40. When water vapor is used as the reaction gas, the water vapor trap means 42 separates and traps the water vapor from the exhausted reaction gas and prevents the water from flowing into the vacuum pump 32 and damaging the vacuum pump 32. An open / close valve 44 is disposed in the purge gas exhaust passage 30.

次に、上述したとおりの原子層堆積成膜装置の作動様式の一例を説明する。最初に、成膜する基材４を反応チャンバ２内に設置し、扉を閉めて密閉し、次いで開閉弁４４を開いて反応チャンバ２内を真空状態とする。しかる後に、開閉弁４４を閉じると共に、開閉弁１２及び３４及び３８を開いて、反応チャンバ２内にプリカーサとキャリアガスを含有した原料ガスを供給する（原料ガス供給工程）。この工程で、成膜する基材４の表面にプリカーサが原子一層分だけ吸着し、余剰の原料ガス及び原料ガス吸着時の副生成物は排気路２６を通して排出される。プリカーサ捕集手段３６に流入した原料ガスは冷却され、プリカーサが凝縮乃至凝固されて液化乃至固化され、キャリアガスから分離されて捕集される。原料ガス吸着時の副生成物は、一般的にプリカーサよりも蒸気圧が高いため、冷却温度を制御することで、プリカーサのみを選択的に捕集することができる。プリカーサ捕集手段３６に捕集されたプリカーサはプリカーサ捕集手段３６から回収して再使用することができる。プリカーサが分離されたキャリアガスは真空ポンプ３２を通して大気に排出される。   Next, an example of the operation mode of the atomic layer deposition film forming apparatus as described above will be described. First, the base material 4 to be formed is placed in the reaction chamber 2, the door is closed and sealed, and then the on-off valve 44 is opened to bring the reaction chamber 2 into a vacuum state. Thereafter, the on-off valve 44 is closed and the on-off valves 12, 34, and 38 are opened, and the source gas containing the precursor and the carrier gas is supplied into the reaction chamber 2 (source gas supply process). In this step, the precursor is adsorbed by one atomic layer on the surface of the substrate 4 on which the film is formed, and the surplus raw material gas and by-products generated during the raw material gas adsorption are discharged through the exhaust passage 26. The raw material gas flowing into the precursor collecting means 36 is cooled, and the precursor is condensed or solidified to be liquefied or solidified, and separated from the carrier gas and collected. Since the by-product during the raw material gas adsorption generally has a vapor pressure higher than that of the precursor, only the precursor can be selectively collected by controlling the cooling temperature. The precursor collected by the precursor collecting means 36 can be recovered from the precursor collecting means 36 and reused. The carrier gas from which the precursor has been separated is discharged to the atmosphere through the vacuum pump 32.

次いで、開閉弁１２を閉じ、開閉弁３４及び３８を閉じた後に或いはこれに先立って、開閉弁４４及び開閉弁１６を開いて、反応チャンバ２内にパージガスを供給するる（パージガス供給工程）。しかる後に、開閉弁４４を閉じ開閉弁１６を閉じた後に或いはこれに先立って、開閉弁２０及び４０を開いて反応チャンバ２内に反応ガスを供給する（反応ガス供給工程）。供給された反応ガスは基材４上に吸着したプリカーサと反応し、原子一層分の膜となる。余剰の反応ガスと共に反応ガスとプリカーサの反応の副生成物は排気路２８を通して大気に排出される。この際、水蒸気トラップ手段４２において反応ガス中の水蒸気が除外される。   Next, the on-off valve 12 is closed, and after the on-off valves 34 and 38 are closed or in advance, the on-off valve 44 and the on-off valve 16 are opened to supply purge gas into the reaction chamber 2 (purge gas supply process). Thereafter, after the on-off valve 44 is closed and the on-off valve 16 is closed or prior to this, the on-off valves 20 and 40 are opened to supply the reaction gas into the reaction chamber 2 (reaction gas supply step). The supplied reaction gas reacts with the precursor adsorbed on the substrate 4 to form a film of one atomic layer. By-products of the reaction of the reaction gas and the precursor together with the excess reaction gas are discharged to the atmosphere through the exhaust passage 28. At this time, the water vapor trap means 42 excludes water vapor in the reaction gas.

次に、開閉弁２０を閉じ、開閉弁４０を閉じた後に或いはこれに先立って、開閉弁１６及び４４を開いて反応チャンバ２内にパージガスを供給する（パージガス供給工程）。   Next, the on-off valve 20 is closed, and after the on-off valve 40 is closed or prior to this, the on-off valves 16 and 44 are opened to supply the purge gas into the reaction chamber 2 (purge gas supply process).

上述したとおりの各工程を所要回数繰り返し遂行し、かくして基板４上に原子層を堆積せしめて所要厚さの膜を形成する。表面に膜が形成された基板４は、作動停止した原子層堆積成膜装置における反応チャンバ２の扉（図示していない）を開動して反応チャンバ２から取り出すことができる。   Each process as described above is repeated a required number of times, and thus an atomic layer is deposited on the substrate 4 to form a film having a required thickness. The substrate 4 with the film formed on the surface can be taken out from the reaction chamber 2 by opening the door (not shown) of the reaction chamber 2 in the atomic layer deposition film forming apparatus whose operation has been stopped.

図１に図示する実施形態においては、パージガス排気路３０と反応ガス排気路２８とを別個に配設しているが、所望ならばパージガスと反応ガスとを共通の排気路を通して排気することもできる。   In the embodiment shown in FIG. 1, the purge gas exhaust passage 30 and the reactive gas exhaust passage 28 are separately provided, but the purge gas and the reactive gas can be exhausted through a common exhaust passage if desired. .

図２には本発明に従って構成された原子層堆積成膜装置の他の好適実施形態を図示している。図２に示す実施形態においては、排気手段２４には２個のプリカーサ捕集手段３６ａ及び３６ｂが配設されている。プリカーサ捕集手段３６ａは副排気路２６ａ−１及び三方弁４６を介して原料ガス排気路２６の上流部分に接続され、そしてまた副排気路２６ａ−２を介して原料ガス排気路２６の下流部分に接続されている。プリカーサ捕集手段３６ｂは副排気路２６ｂ−１及び三方弁４６を介して原料ガス排気路２６の上流部分に接続され、副排気路２６ｂ−２を介して原料ガス排気路２６の下流部分に接続されている。三方弁４６は原料ガス排出路を閉塞する閉状態、原料ガス排気路２６の上流部分を副排気路２６ａ−１に接続する第一の開状態及び原料ガス排気路２６の上流部分を副排気路６ｂ−１に接続する第二の開状態のいずれかに選択的に設定される。副排気路２６ａ−２及び２６ｂ−２には夫々開閉弁３８ａ及び３８ｂが配設されている（原料ガス排気路２６の下流部分には開閉弁が存在しない）。更に、プリカーサ捕集手段３６ａは副再供給路５０ａ及び最供給路４８を介して原料ガス供給手段６に接続され、プリカーサ捕集手段３６ｂは副再供給路５０ｂ及び再供給路４８を介して原料ガス供給手段６に接続されている。副再供給路５０ａ及び５０ｂには夫々開閉弁５２ａ及び５２ｂが配設されている。図２に示す原子層堆積成膜装置における上述した構成以外の構成は、図１に示す原子層堆積装置と実質上同一である。   FIG. 2 shows another preferred embodiment of an atomic layer deposition apparatus constructed according to the present invention. In the embodiment shown in FIG. 2, the exhaust means 24 is provided with two precursor collecting means 36a and 36b. The precursor collecting means 36a is connected to the upstream portion of the raw material gas exhaust passage 26 via the auxiliary exhaust passage 26a-1 and the three-way valve 46, and is also connected to the downstream portion of the raw material gas exhaust passage 26 via the auxiliary exhaust passage 26a-2. It is connected to the. The precursor collecting means 36b is connected to the upstream portion of the raw material gas exhaust passage 26 through the auxiliary exhaust passage 26b-1 and the three-way valve 46, and is connected to the downstream portion of the raw material gas exhaust passage 26 through the auxiliary exhaust passage 26b-2. Has been. The three-way valve 46 is in a closed state that closes the raw material gas discharge passage, a first open state that connects the upstream portion of the raw material gas exhaust passage 26 to the auxiliary exhaust passage 26a-1, and an upstream portion of the raw material gas exhaust passage 26 in the auxiliary exhaust passage It is selectively set to one of the second open states connected to 6b-1. On-off valves 38a-2 and 26b-2 are provided with on-off valves 38a and 38b, respectively (no on-off valve is present in the downstream portion of the source gas exhaust passage 26). Further, the precursor collecting means 36a is connected to the raw material gas supply means 6 via the auxiliary resupply path 50a and the most supply path 48, and the precursor collecting means 36b is connected to the raw material via the auxiliary resupply path 50b and the resupply path 48. The gas supply means 6 is connected. Open / close valves 52a and 52b are disposed in the sub-resupply paths 50a and 50b, respectively. The configuration other than the above-described configuration in the atomic layer deposition film forming apparatus shown in FIG. 2 is substantially the same as the atomic layer deposition apparatus shown in FIG.

図２に示す原子層堆積成膜装置においては、上記原料ガス排気工程の際には三方弁４６が上記第一の開状態と上記第二の開状態とのいずれかに設定され、プリカーサ捕集手段３６ａとプリカーサ捕集手段３６ｂとのいずれか一方に原料ガスが流入せしめられ、原料ガスからプリカーサが分離され捕集される。排気される原料ガスが流入することがない、プリカーサ捕集手段３６ａとプリカーサ捕集手段３６ｂとの他方は、適宜の時期に開閉弁５２ａ又は５２ｂが開かれ、副再供給路５０ａ又は５０ｂと共に再供給路４８を介して原料ガス供給手段に接続され、捕集したプリカーサを再使用のために原料ガス供給手段６に返送する。   In the atomic layer deposition film forming apparatus shown in FIG. 2, the three-way valve 46 is set to either the first open state or the second open state during the source gas exhaust process, and the precursor collection is performed. The source gas is caused to flow into either one of the means 36a and the precursor collecting means 36b, and the precursor is separated and collected from the source gas. The other of the precursor collecting means 36a and the precursor collecting means 36b, in which the exhausted raw material gas does not flow, is reopened together with the auxiliary resupply path 50a or 50b by opening the on-off valve 52a or 52b at an appropriate time. Connected to the source gas supply means via the supply path 48, the collected precursor is returned to the source gas supply means 6 for reuse.

図２に示す実施形態においては２個のプリカーサ捕集手段３６ａ及び３６ｂを配設しているが、所望ならば３個以上のプリカーサ捕集手段を配設することもできる。   In the embodiment shown in FIG. 2, two precursor collecting means 36a and 36b are provided. However, if desired, three or more precursor collecting means may be provided.

２：反応チャンバ
４：基材
６：原料ガス供給手段
８：反応ガス供給手段
１０：パージガス供給手段
１４：原料ガス供給路
１８：反応ガス供給路
２２：パージガス供給路
２４：排出手段
２６：原料ガス排気路
２８：反応ガス排気路
３０：パージガス排気路
３２：真空ポンプ
３６：プリカーサ捕集手段
３６ａ：プリカーサ捕集手段
３６ｂ：プリカーサ捕集手段
４８：再供給路 2: Reaction chamber 4: Base material 6: Source gas supply means 8: Reaction gas supply means 10: Purge gas supply means 14: Source gas supply path 18: Reaction gas supply path 22: Purge gas supply path 24: Discharge means 26: Source gas Exhaust path 28: Reaction gas exhaust path 30: Purge gas exhaust path 32: Vacuum pump 36: Precursor collecting means 36a: Precursor collecting means 36b: Precursor collecting means 48: Resupply path

Claims (3)

反応チャンバと、該反応チャンバ内に原料ガスを供給するための原料ガス供給手段と、該反応チャンバ内に反応ガスを供給するための反応ガス供給手段と、該反応チャンバ内にパージガスを供給するためのパージガス供給手段と、該反応チャンバ内を排気するための排気手段とを具備する原子層堆積成膜装置において、
該排気手段は、反応ガス及びパージガス排気路とは別個に該反応チャンバに接続された原料ガス排気路を含み、該原料ガス排気路にはプリカーサ捕集手段が配設されている、ことを特徴とする原子層堆積成膜装置。 A reaction chamber, source gas supply means for supplying a source gas into the reaction chamber, reaction gas supply means for supplying a reaction gas into the reaction chamber, and purge gas into the reaction chamber In the atomic layer deposition film forming apparatus comprising the purge gas supply means and the exhaust means for exhausting the reaction chamber,
The exhaust means includes a source gas exhaust path connected to the reaction chamber separately from the reaction gas and purge gas exhaust path, and a precursor collecting means is disposed in the source gas exhaust path. An atomic layer deposition film forming apparatus. 該プリカーサ捕集手段を該原料ガス供給手段に連通する再供給路が配設されている、請求項１記載の原子層堆積成膜装置。   2. The atomic layer deposition film forming apparatus according to claim 1, wherein a resupply path for communicating the precursor collecting means with the source gas supply means is provided. 該プリカーサ捕集手段は少なくとも２個のプリカーサ捕集器を含み、該プリカーサ捕集器の各々が選択的に該原料ガス排気路を介して該反応チャンバに連通され、該再供給路を介して該原料ガス供給手段に連通される、請求項１又は２記載の原子層堆積成膜装着。   The precursor collecting means includes at least two precursor collectors, each of the precursor collectors being selectively communicated to the reaction chamber via the source gas exhaust path, and via the refeed path. The atomic layer deposition film-forming installation according to claim 1, wherein the atomic layer deposition film-mounting means is in communication with the source gas supply means.
JP2014025160A 2014-02-13 2014-02-13 Atomic layer deposition film formation apparatus Pending JP2015151564A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2014025160A JP2015151564A (en) 2014-02-13 2014-02-13 Atomic layer deposition film formation apparatus

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2014025160A JP2015151564A (en) 2014-02-13 2014-02-13 Atomic layer deposition film formation apparatus

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2015151564A true JP2015151564A (en) 2015-08-24

Family

ID=53894163

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2014025160A Pending JP2015151564A (en) 2014-02-13 2014-02-13 Atomic layer deposition film formation apparatus

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2015151564A (en)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20170089288A (en) * 2016-01-26 2017-08-03 주성엔지니어링(주) Apparatus for processing substrate
JP2019502023A (en) * 2015-12-18 2019-01-24 コミサーリャ ア レナジー アトミック エー オー エナジー アルタナティブＣｏｍｍｉｓｓａｒｉａｔ Ａ Ｌ’Ｅｎｅｒｇｉｅ Ａｔｏｍｉｑｕｅ Ｅｔ Ａｕｘ Ｅｎｅｒｇｉｅｓ Ａｌｔｅｒｎａｔｉｖｅｓ Film formation method by DLI-MOCVD with reuse of precursor compound
JP2019505096A (en) * 2016-01-26 2019-02-21 ジュスン エンジニアリング カンパニー リミテッド Substrate processing equipment

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006524752A (en) * 2003-04-23 2006-11-02 ジーナス インコーポレーテッド Collection of unused precursors in ALD
JP2007519216A (en) * 2003-07-04 2007-07-12 株式会社荏原製作所 Substrate processing equipment
JP2008177501A (en) * 2007-01-22 2008-07-31 Elpida Memory Inc Manufacturing method and apparatus for semiconductor device

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006524752A (en) * 2003-04-23 2006-11-02 ジーナス インコーポレーテッド Collection of unused precursors in ALD
JP2007519216A (en) * 2003-07-04 2007-07-12 株式会社荏原製作所 Substrate processing equipment
JP2008177501A (en) * 2007-01-22 2008-07-31 Elpida Memory Inc Manufacturing method and apparatus for semiconductor device

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2019502023A (en) * 2015-12-18 2019-01-24 コミサーリャ ア レナジー アトミック エー オー エナジー アルタナティブＣｏｍｍｉｓｓａｒｉａｔ Ａ Ｌ’Ｅｎｅｒｇｉｅ Ａｔｏｍｉｑｕｅ Ｅｔ Ａｕｘ Ｅｎｅｒｇｉｅｓ Ａｌｔｅｒｎａｔｉｖｅｓ Film formation method by DLI-MOCVD with reuse of precursor compound
US11142822B2 (en) 2015-12-18 2021-10-12 Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives Method for depositing a coating by DLI-MOCVD with direct recycling of the precursor compound
JP6997711B2 (en) 2015-12-18 2022-02-04 コミサーリャ ア レナジー アトミック エー オー エナジー アルタナティブ Film formation method by DLI-MOCVD with reuse of precursor compound
KR20170089288A (en) * 2016-01-26 2017-08-03 주성엔지니어링(주) Apparatus for processing substrate
JP2019505096A (en) * 2016-01-26 2019-02-21 ジュスン エンジニアリング カンパニー リミテッド Substrate processing equipment
JP7008629B2 (en) 2016-01-26 2022-01-25 ジュスン エンジニアリング カンパニー リミテッド Board processing equipment
KR102567720B1 (en) * 2016-01-26 2023-08-17 주성엔지니어링(주) Apparatus for processing substrate

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4931082B2 (en) Gas head and thin film manufacturing apparatus
JP2009534574A5 (en)
JP2004006801A5 (en)
JP2008021860A (en) Processor and its cleaning method
CN112424915B (en) Method for manufacturing semiconductor device, substrate processing apparatus, and recording medium
JP3913723B2 (en) Substrate processing apparatus and semiconductor device manufacturing method
JP2015151564A (en) Atomic layer deposition film formation apparatus
JP2004047452A5 (en)
JP2006222265A (en) Substrate processing apparatus
JP6477044B2 (en) Raw material gas supply apparatus, raw material gas supply method and film forming apparatus
JP4126219B2 (en) Deposition method
JP4601975B2 (en) Deposition method
JP4677088B2 (en) Thermal CVD equipment for forming graphite nanofiber thin films
US20140335684A1 (en) Manufacturing method and manufacturing apparatus of semiconductor device
JP4963817B2 (en) Substrate processing equipment
JP2008248375A (en) Deposition method, deposition apparatus, and memory medium
KR100651599B1 (en) Atomic layer deposition device
JP4979965B2 (en) Substrate processing apparatus and semiconductor device manufacturing method
JP2013546178A5 (en)
KR102656520B1 (en) Appratus and method for processing substrate
JPH0885872A (en) Film forming device
JP2005129782A (en) Substrate treatment apparatus
JPH1192939A (en) Liquid raw material transporting device, thin coating forming device using it and formation of thin coating
JP4415005B2 (en) Substrate processing equipment
JPH07240379A (en) Method and device for forming thin film

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20170124

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20171030

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20171107

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20180529