JP2013131724A - レーザ装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】レーザ装置は、第1レーザ光を出力するように構成された少なくとも1つのオシレータと、前記第1レーザ光が入射する少なくとも1つの第1波長フィルタであって、当該第1波長フィルタは、当該第1波長フィルタへ入射する光の波長及び偏光方向の両方に応じた光透過特性を備えるフィルタ装置、及び波長分散素子を含むフィルタ装置のいずれか一方のフィルタ装置であり、前記第1波長フィルタから出射される第2レーザ光を増幅し、第3レーザ光を出力するように構成された少なくとも1つの第1増幅器と、を含んでもよい。
【選択図】図4
Description
目次
1.概要
2.用語の説明
3.波長フィルタを含むレーザ装置(実施の形態1)
3.1 構成
3.2 動作
3.3 作用
3.4 波長フィルタ
3.4.1 偏光方向および波長の双方に依存性を有する透過型偏光素子を用いた波長フィルタ
3.4.1.1 透過型偏光素子の構成例
3.4.1.2 ダイクロイックミラーへ入射する光の偏光方向に応じた透過率の波長依存性
3.4.1.3 波長フィルタの構成
3.4.1.4 波長フィルタの動作
3.4.1.5 作用
3.4.2 偏光方向および波長の双方に依存性を有する反射型偏光素子を用いた波長フィルタ
3.4.2.1 反射型偏光素子の構成
3.4.2.2 ミラーへ入射する光の偏光方向に応じた反射率の波長依存性
3.4.2.3 波長フィルタの構成
3.4.2.4 波長フィルタの動作
3.4.2.5 作用
3.4.3 波長分散素子を用いた波長フィルタ
3.4.3.1 波長フィルタの構成
3.4.3.2 波長分散素子の透過率の波長依存性
3.4.3.3 作用
3.4.4 グレーティングとスリットとを組み合わせた波長フィルタ
3.4.4.1 波長フィルタの構成
3.4.4.2 グレーティングとスリットとを組み合わせた波長フィルタの波長選択特性
3.4.4.3 作用
3.5 波長フィルタと偏光フィルタとを組み合わせたフィルタ装置
3.5.1 1つの波長フィルタと1つの偏光フィルタとを組み合わせたフィルタ装置
3.5.1.1 構成
3.5.1.2 各光学素子の偏光特性に対する反射率の波長依存性
3.5.1.3 動作
3.5.1.4 作用
3.5.2 複数の波長フィルタと複数の偏光フィルタとを組み合わせたフィルタ装置
4.レーザ装置とともに用いられるEUV光生成装置
4.1 例示的なレーザ生成プラズマ式EUV光生成装置
4.1.1 構成
4.1.2 動作
4.2 波長フィルタを含むレーザ装置とともに用いられるEUV光生成装置(実施の形態2)
4.2.1 構成
4.2.2 動作
4.2.3 作用
5.その他
5.1 増幅器(PA)の実施形態
5.1.1 高速軸流型増幅器
5.1.2 スラブ型増幅器
5.1.3 3軸直交型増幅器
5.2 発振器(MO)の実施形態
5.2.1 CO2レーザ
5.2.2 分布帰還型レーザ
実施の形態の概要について、以下に説明する。以下の実施の形態では、パルスレーザ光を出力するマスタオシレータと、そのパルスレーザ光を増幅する1つ以上の増幅装置とを備えたレーザ装置が例に挙げられている。このようなレーザ装置は、たとえばレーザ生成プラズマ式EUV光生成装置(以下、LPP式EUV光生成装置と称する)とともに用いられ得る。
つぎに、本開示において使用される用語を、以下のように定義する。「プラズマ生成領域」とは、ターゲット物質にパルスレーザ光が照射されることによってプラズマが生成される領域である。「ドロップレット」は、液滴であり球体である。「光路」とは、レーザ光が通過する経路である。「光路長」とは、実際に光が通過する距離と、光が通過した媒質の屈折率の積である。「増幅波長領域」とは、増幅領域をレーザ光が通過したときに増幅可能な波長帯域である。
まず、実施の形態1にかかるレーザ装置について、図面を参照して詳細に説明する。
図1は、実施の形態1にかかるレーザ装置の構成を概略的に示す。図1に示されるように、レーザ装置300は、マスタオシレータ301と、波長フィルタ310−1〜310−nと、増幅器320−1〜320−nと、電源321−1〜321−nと、制御部302とを備えてもよい。ただし、レーザ装置300は、少なくとも1つの波長フィルタを備えていればよい。以下の説明において、波長フィルタ310−2〜310−nを区別しない場合、その符号を310とする。同様に、増幅器320−1〜320−nおよび電源321−1〜321−nを区別しない場合、それらの符号を320および321とする。
図1に示されるレーザ装置300では、制御部302からマスタオシレータ301に、所定の繰返し周波数でトリガ信号が入力されてもよい。これにより、マスタオシレータ301から所定の繰返し周波数でパルスレーザ光L1が出力されてもよい。また、各増幅器320内のCO2レーザガスには、各電源321から電力が供給されてもよい。これにより、増幅器320内に増幅領域が形成されてもよい。各電源321から各増幅器320への電力供給は、マスタオシレータ301がパルスレーザ光L1を出力する期間に限られなくてよい。たとえば、パルスレーザ光L1が出力されない期間中も、各電源321から各増幅器320へ電力が供給されてもよい。これにより、各増幅器320によるパルスレーザ光L2の増幅を安定化できる場合がある。
以上のように、各増幅器320−1〜320−nの間の光路上に波長フィルタ310−2〜310−nが配置されることで、それらの各増幅器で発生したASE光がそれらの増幅器の上流または下流に位置する光学要素に入射することを抑制し得る。光学要素は、マスタオシレータ301、増幅器320等であってよい。それにより、増幅されたASE光がレーザ装置300から出力されることが低減され得る。
つぎに、図1に示される波長フィルタ310について、以下にその具体例を挙げて説明する。なお、以下の説明において、波長フィルタに対して上流の増幅器の符号を320aとし、下流の増幅器の符号を320bとする。増幅器320aおよび320bは、増幅器320と同等であってよい。また、上流の増幅器320aから出射したパルスレーザ光の符号をLaとし、波長フィルタを通過したパルスレーザ光の波長をLcとする。
まず、偏光方向および波長の双方に依存性を有する透過型の偏光素子を用いた波長フィルタが例に挙げられる。このような偏光素子としては、たとえば特定の波長の光を高効率で透過し、他の特定の波長の光を高反射率で反射するダイクロイックミラーを挙げることができる。ただし、これに限るものではない。
図2は、波長フィルタに用いられるダイクロイックミラーの構成例を示す。図2に示されるように、ダイクロイックミラー40Aは、たとえば10.6μmの波長の光L10.6と9.6μmの波長の光L9.6との両方を高効率で透過することができる透明基板41を有してもよい。透明基板41の一方の面(パルスレーザ光L1の入射する面)は、9.3μm程度よりも短い波長のP偏光の光を実質的に反射し、それよりも長い波長のP偏光の光を実質的に透過し得る膜41aでコーティングされていてもよい。この膜41aは、9.6μm程度よりも短い波長のS偏光の光を実質的に反射し、それよりも長い波長のS偏光の光を実質的に透過してもよい。透明基板41の他方の面(パルスレーザ光L1の出射面)は、光を高透過する透過膜41bでコーティングされていてもよい。
図3に、図2に示されるダイクロイックミラーの偏光方向に対する透過率の波長依存性を示す。図3において、実線Tpは、P偏光の光に対する透過率を示す。破線Tsは、S偏光の光に対する透過率を示す。図3に示される例では、ダイクロイックミラー40Aは、P偏光の光に対しては、9.3μm程度よりも短い波長の光を実質的に反射し、それよりも長い波長の光を実質的に透過し得る。一方、S偏光の光に対しては、ダイクロイックミラー40Aは、9.6μm程度よりも短い波長の光を実質的に反射し、それよりも長い波長の光を実質的に透過し得る。このように、ダイクロイックミラー40Aは、P偏光の光に対する透過率の波長依存性と、S偏光の光に対する透過率の波長依存性とが異なる場合がある。
図4は、第1例による波長フィルタ310Aの構成を概略的に示す。図4に示されるように、波長フィルタ310Aは、少なくとも2つのダイクロイックミラー311および312を含んでもよい。各ダイクロイックミラー311および312は、それぞれ図2に示されるダイクロイックミラー40Aと同様の構成を備え、図3に示される特性を有していてもよい。
図4に示される波長フィルタ310Aでは、ダイクロイックミラー311に入射したパルスレーザ光Laのうち、9.3μm程度よりも短い波長のP偏光の光と、9.6μm程度よりも短い波長のS偏光の光とは、ダイクロイックミラー311によって反射され得る。したがって、パルスレーザ光Laに含まれる波長9.6μmのASE光(無偏光)のうち、偏光方向がX方向の成分(S偏光成分)は、パルスレーザ光Lb1として反射され得る。一方、ダイクロイックミラー311に入射したパルスレーザ光Laのうち、9.3μm程度よりも長い波長のP偏光の光と、9.6μm程度よりも長い波長のS偏光の光とは、ダイクロイックミラー311を透過してダイクロイックミラー312に入射し得る。前記9.3μm程度よりも長い波長のP偏光の光には、波長9.6μmのASE光における偏光方向がY方向の成分(P偏光成分)も含まれ得る。
このように、波長フィルタ310Aは、ダイクロイックミラー311および312それぞれの偏光特性に対する透過率の波長依存性を用いて、目的外の波長の光(波長9.6μmのASE光等)の通過を効果的に抑制しつつ、目的の波長の光(パルスレーザ光L1等)を効率的に通過させ得る。その結果、ASE光によるレーザ装置300の自励発振を抑制することが可能となる。
つぎに、偏光方向および波長の双方に依存性を有する反射型の偏光素子を用いた波長フィルタが例に挙げられる。このような偏光素子としては、たとえば特定の波長の光を反射するように構成された偏光ミラーを挙げることができる。ただし、これに限るものではない。
図5は、波長フィルタに用いられる偏光ミラーの構成例を示す。図5に示されるように、偏光ミラー40Bは、基板42を備えてもよい。基板42の一方の面は、9.3μm程度よりも短い波長のS偏光の光を実質的に吸収または透過し、それよりも長い波長のS偏光の光を実質的に反射し得る膜42aでコーティングされていてもよい。この膜42aは、9.6μm程度よりも短い波長のP偏光の光を実質的に吸収または透過し、それよりも長い波長のP偏光の光を実質的に反射してもよい。
図6に、図5に示されるミラーの偏光方向に対する透過率の波長依存性を示す。図6において、実線Rs1は、S偏光の光に対する反射率を示す。破線Rp1は、P偏光の光に対する反射率を示す。図6に示される例では、偏光ミラー40Bは、S偏光の光に対しては、9.3μm程度よりも短い波長の光を実質的に吸収または透過し、それよりも長い波長の光を実質的に反射し得る。一方、P偏光の光に対しては、偏光ミラー40Bは、9.6μm程度より短い波長の光を実質的に吸収または透過し、それよりも長い波長の光を実質的に反射し得る。このように、偏光ミラー40Bは、P偏光の光に対する反射率の波長依存性と、S偏光の光に対する反射率の波長依存性とが異なる場合がある。
図7は、第2例による波長フィルタ310Bの構成を概略的に示す。図7に示されるように、波長フィルタ310Bは、図4に示される波長フィルタ310Aにおける少なくとも2つのダイクロイックミラー311および312が、少なくとも2つの偏光ミラー313および314に置き換えられた構成を有してもよい。各偏光ミラー313および314は、それぞれ図5に示される偏光ミラー40Bと同様の構成を備え、図6に示される特性を有していてもよい。また、波長フィルタ310Bは、各偏光ミラー313および314を冷却する冷却機構を備えてもよい。各冷却機構は、冷却装置313aまたは314aと、配管313bまたは314bとを含んでもよい。
図7に示される波長フィルタ310Bでは、偏光ミラー313に入射したパルスレーザ光Laのうち、9.3μm程度よりも短い波長のS偏光の光と、9.6μm程度よりも短い波長のP偏光の光とは、偏光ミラー313によってほぼ吸収されるか、または偏光ミラー313を透過し得る。前記9.6μm程度よりも短い波長のP偏光の光には、パルスレーザ光Laに含まれる波長9.6μmのASE光の無偏光のうち、偏光方向がY方向の成分(P偏光成分)も含まれる場合がある。一方、偏光ミラー313に入射したパルスレーザ光Laのうち、9.3μm程度よりも長い波長のS偏光の光と、9.6μm程度よりも長い波長のP偏光の光とは、偏光ミラー313によって反射されて偏光ミラー314に入射し得る。前記偏光ミラー313に入射したパルスレーザ光Laのうち、9.3μm程度よりも長い波長のS偏光の光には、波長9.6μmのASE光における偏光方向がX方向の成分(S偏光成分)も含まれ得る。
このように、波長フィルタ310Bは、偏光ミラー313および314それぞれの偏光方向および波長の双方に依存する反射率を用いて、目的外の波長の光(波長9.6μmのASE光等)の通過を効果的に抑制しつつ、目的の波長の光(パルスレーザ光L1等)を効率的に通過させ得る。その結果、ASE光によるレーザ装置300の自励発振を抑制することが可能となる。また、光吸収による偏光ミラー313および314の温度上昇を冷却機構を用いて抑制することが可能であるため、波長フィルタ310Bのフィルタ特性を安定化させることが可能となる。
つぎに、波長分散素子を用いた波長フィルタが例に挙げられる。波長分散素子としては、たとえばエタロンなどを挙げることができる。ただし、これに限るものではない。
図8は、第3例による波長フィルタ310Cの構成を概略的に示す。図8に示されるように、波長フィルタ310Cは、エタロン315を含んでもよい。エタロン315は、増幅器320aおよび320b間の光路上に配置されてもよい。エタロン315は、たとえばパルスレーザ光L1が透過し得る互いに平行な2つの基板を含んでもよい。2つの基板は、互いの間隔が距離dとなるようなスペーサを挟んで組み立てられていてもよい。各基板は、例えばCO2レーザが発振し得る波長範囲(たとえば8μm〜11μm程度)に含まれる光に対してほぼ同じ反射率となる部分反射膜でコーティングされていてもよい。
FSR=λ2/(2nd) ・・・(1)
上記式(1)において、屈折率nを1、フリースペクトラルレンジFSRを2μmとすると、距離dは、28.1μmと求められる。
図9に、図8に示されるエタロン315の透過スペクトルを示す。図9に示されるように、波長10.6μmの光が透過し且つ9.6μmの光が反射されるような角度でエタロン315が設置され、そのフリースペクトラルレンジFSRが2μmである場合、エタロン315の透過スペクトルは、2μm間隔で複数の透過帯域が出現する形状となり得る。複数の透過帯域には、波長10.6μmを含む帯域も含まれ得る。したがって、エタロン315に入射したパルスレーザ光Laのうち、波長9.6μmのASE光は、エタロン315をほぼ透過しない。一方、波長10.6μmのパルスレーザ光L1は、エタロン315を透過して、パルスレーザ光Lcとして下流の増幅器320bに入射し得る。
このように、エタロン315のような透過率が波長に依存する波長分散素子を用いて波長フィルタ310Cを構成することで、目的外の波長の光(波長9.6μmのASE光等)を実質的に透過せず、目的の波長の光(パルスレーザ光L1等)を効率的に通過させることが可能となる。
つぎに、グレーティングを用いた波長フィルタが例に挙げられる。
図10は、第4例による波長フィルタ310Dの構成を概略的に示す。図10に示されるように、波長フィルタ310Dは、グレーティング316と、スリット317とを含んでもよい。図10に示される例では、透過型のグレーティング316が用いられているが、反射型のグレーティングが用いられてもよい。
図11に、図10に示される波長フィルタ310Dの波長選択特性を示す。グレーティング316による光の回折角度は、グレーティング316の回折面へのパルスレーザ光Laの入射角度と、その入射光の波長と、グレーティング316の溝のピッチとに依存し得る。そのため、前記入射角度が一定の場合、波長10.6μmのパルスレーザ光L1の次数ごとの回折光の出射方向は、各次数に応じた一定の値となり得る。そこで、パルスレーザ光Laの1次回折光を選択的に通過させる位置関係となるようにグレーティング316とスリット317とを組み合わせることで、図11に示されるように、パルスレーザ光Laの1次回折光をパルスレーザ光Lcとして通過させ得る波長フィルタ310Dを構成することができる。
このように、グレーティング316とスリット317とを組み合わせて波長フィルタ310Dを構成することで、目的外の波長の光(波長9.6μmのASE光等)の通過を実質的に遮断し、増幅されるべき目的の波長の光を効率的に通過させることが可能となる。
マスタオシレータ301や増幅器320が出力し得るASE光には、波長9.6μmの光に限らず、たとえば波長10.6μmの光が含まれ得る。例えば、前記図4の説明の中で「波長フィルタ310Aからパルスレーザ光Lcとして出射して、下流の増幅器320bに入射し得る光は、P偏光で、且つ波長が9.6μm程度よりも長い成分が主成分の光となり得る」と述べた。このパルスレーザ光Lcには波長10.6μmのASE成分も残留している。このような波長10.6μmのASE光は、波長フィルタ(例えば図4、図7、図8、または図10に示した波長フィルタ)に他種のフィルタを組み合わせることで、効果的に低減することが可能である。以下の説明において、他種のフィルタとしては、偏光フィルタを例示するが、これに限るものではない。
まず、1つの波長フィルタと1つの偏光フィルタとを組み合わせたフィルタ装置が例に挙げられる。
図12は、1つの波長フィルタと1つの偏光フィルタとを組み合わせて構成されたフィルタ装置の構成を概略的に示す。図12に示されるように、フィルタ装置410Aは、波長フィルタ310B1と、偏光フィルタ361とを含んでもよい。波長フィルタ310B1は、図7に示される波長フィルタ310Bであってもよい。図12では、波長フィルタ310B1の各偏光ミラー313および314に冷却機構が図示されていないが、図7と同様に、冷却機構が設けられてもよい。
図13は、フィルタ装置410Aにおける各光学素子へ入射する光の偏光方向および波長が透過率に与える影響を示す。図13において、実線Rs1は、偏光ミラー313および314のS偏光の光に対する反射率を示す。破線Rp1は、偏光ミラー313および314のP偏光の光に対する反射率を示す。実線Rs2は、偏光フィルタ361のS偏光の光に対する反射率を示す。破線Rp2は、偏光フィルタ361のP偏光の光に対する反射率を示す。図13に示されるように、波長フィルタ310B1における偏光ミラー313および314の反射率の波長依存性は、図6に示される反射率の波長依存性と特性と同様であってよい。一方、偏光フィルタ361は、S偏光の光に対しては、10.3μm程度よりも短い波長の光を実質的に吸収し、それよりも長い波長の光を実質的に反射し得る。一方、P偏光の光に対しては、偏光フィルタ361は、10.6μm程度よりも短い波長の光を実質的に吸収し、それよりも長い波長の光を実質的に反射し得る。このように、フィルタ装置410Aは、波長10.6μmの光のP偏光成分とS偏光成分との両方を実質的に反射し得る波長フィルタ310B1に、波長10.6μmの光の実質的にS偏光の光のみを反射し得る偏光フィルタ361を組み合わせて構成されてもよい。
図12および図13を用いて説明したように、波長フィルタ310B1は、波長10.6μmの光を通過させ得る。そのため、波長フィルタ310B1からは、パルスレーザ光Ldの他に、波長10.6μmのASE光が出力される場合がある。この波長10.6μmのASE光は、通常、P偏光の光である。一方、偏光フィルタ361は、たとえば入射したパルスレーザ光LcのうちS偏光成分を高反射させ、P偏光成分を高吸収率で吸収し、または高透過率で透過させ得る。従って、波長10.6μmのP偏光のASE光はほぼ増幅器320bに入力されない。
偏光方向とは、その偏光の電場ベクトルの方向である。光の進行する方向に直行する直交座標系(X−Y座標系)において、前記電場ベクトルは、X方向とY方向との2方向の2つのベクトルの合成ベクトルである。同様に、無偏光のレーザ光に含まれる全ての電場ベクトルも、X方向とY方向との2方向の2つのベクトルの合成ベクトルである。それらのX方向のベクトルの大きさの和とY方向のベクトルの大きさの和はほぼ同じ値である。従って、増幅器内部の無偏光の波長10.6μmのASE光のS偏光成分とP偏光成分とは、通常50%ずつであり得る。そのため、偏光フィルタ361は、波長10.6μmのASE光を実質的に半分に低減し得る。その結果、波長9.6μmのASE光による自励発振を抑制するだけでなく、波長10.6μmのASE光による自励発振を低減することが可能となる。
また、複数の波長フィルタと複数の偏光フィルタとを組み合わせて、フィルタ装置を構成することも可能である。
つぎに、EUV光生成装置(EUV光生成装置と称する)について、いくつか例を挙げて説明する。
まず、EUV光生成装置の典型的な例について、以下に図面を用いて詳細に説明する。
図15は、例示的なレーザ生成プラズマ式EUV光生成装置(以下、LPP式EUV光生成装置と称する)1000の構成を概略的に示す。LPP式EUV光生成装置1000は、レーザ装置3と共に用いることができる(LPP式EUV光生成装置1及びレーザ装置3を含むシステムを、以下、EUV光生成システムと称する)。図15に示し、かつ以下に詳細に説明するように、LPP式EUV光生成装置1000は、チャンバ2を含むことができる。チャンバ2内は好ましくは真空である。あるいは、チャンバ2の内部にEUV光の透過率が高いガスが存在していてもよい。また、LPP式EUV光生成装置1000は、ターゲット供給システム(例えばドロップレット生成器26)を更に含むことができる。ターゲット供給システムは、例えばチャンバ2の壁に取り付けられていてもよい。ターゲット供給システムは、ターゲットの材料となるスズ、テルビウム、ガドリニウム、リチウム、キセノン、又はそれらのいずれかの組合せを含むことができるが、ターゲットの材料はこれらに限定されない。
図15を参照に、レーザ装置3から出力されたパルスレーザ光31は、ビームデリバリーシステム34を経てウィンドウ21を透過してチャンバ2内に入射してもよい。パルスレーザ光31は、レーザ装置3から少なくとも1つのレーザビーム経路に沿ってチャンバ2内に進み、レーザ集光光学系22で反射されて少なくとも1つのターゲットに照射されてもよい。
つぎに、図15に示されるEUV光生成装置1000に、上述したレーザ装置300が適用された場合を、図面を参照して詳細に説明する。
図16は、実施の形態2によるEUV光生成装置1000Aの構成を概略的に示す。図16に示されるように、EUV光生成装置1000Aは、図15に示されるEUV光生成装置1000と同様の構成を備えてもよい。ただし、レーザ装置3がレーザ装置300に置き換えられてもよい。また、EUV光生成制御システム5は、EUV光生成制御部51と、基準クロック生成器52と、ターゲット制御部53と、ターゲット生成ドライバ54と、遅延回路55とを含んでもよい。
つづいて、図16に示されるEUV光生成装置1000Aの動作を説明する。EUV光生成装置1000Aは、EUV光生成制御システム5の制御にしたがって動作してもよい。
以上のように、自励発振によるレーザ光の出力が抑えられたレーザ装置300をEUV光生成装置1000Aに組み合わせることで、EUV光生成装置1000Aの不要なパルスレーザ光による誤動作を低減することが可能になるとともに、EUV光生成装置1000Aを熱的に安定させることが可能となる。その結果、安定したEUV光252の生成が可能となる。
5.1 増幅器(PA)の実施形態
ここで、上述した実施の形態における増幅器320の構成例を、以下にいくつかの例を挙げて説明する。
図17は、高速軸流型増幅器320Aの構成を概略的に示す。図17に示されるように、高速軸流型増幅器320Aは、放電管411と、入射ウィンドウ412と、出射ウィンドウ413と、2つの電極414および415と、RF電源416と、ガス管417と、熱交換器418と、送風機419と、を備えてもよい。増幅対象のパルスレーザ光L2は、入射ウィンドウ412から入射し、放電管411内を通過して、出射ウィンドウ413から出射してもよい。放電管411内では、ガス管417および送風機419によって、ガス状の増幅媒体が循環していてもよい。放電管411を挟む位置に配置された2つの電極414および415にRF電源416からRF電圧が印加されることで、放電管411内の増幅媒体が励起され得る。それにより、放電管411内部を通過するパルスレーザ光31が増幅され得る。なお、放電により増幅媒体に蓄積される熱は、ガス管417上に配置された熱交換器418によって放熱されてもよい。
図18は、スラブ型増幅器320Bの構成を概略的に示す。なお、図18では、内部構成を示すため、スラブ型増幅器320Bの外部筐体(気密容器)を省略する。図18に示されるように、スラブ型増幅器320Bは、入力側ウィンドウ511と、互いに対向する2つの放電電極515および516と、2つの凹球面ミラー513および514と、出力側ウィンドウ512と、を備えてもよい。一方の放電電極516はたとえば接地されていてもよい。他方の放電電極515には、たとえばRF電源518からRF電圧が印加されてもよい。この2つの放電電極515および516の間には、ガス状の増幅媒体が充填されていてもよい。放電電極515へ電圧を印加することで、放電電極515および516の間の空間に、放電領域517が形成され得る。放電領域517では、放電により増幅媒体が励起されていてもよい。パルスレーザ光L2は、入力側ウィンドウ511を介してスラブ型増幅器320Bに入射してもよい。2つの凹球面ミラー513および514は、入射したパルスレーザ光L2を反射してもよい。反射されたパルスレーザ光L2は、放電領域517内を往復してもよい。パルスレーザ光L2は、放電領域517を通過する際にエネルギーを付与されて増幅され得る。その後、増幅されたパルスレーザ光L2は、出力側ウィンドウ512より出力されてもよい。2つの放電電極515および516内には、不図示の冷却装置から供給された冷却媒体519が流れる流路が形成されていてもよい。冷却装置から供給された冷却媒体519は、放電電極515および516内の不図示の内部流路を通過する際に、放電電極515および516内の、放電によって蓄積された熱を奪い、その後、排水520として放電電極515および516から流出してもよい。
図19は、3軸直交型増幅器320Cの概略構成を示す。図20は、図19のXVIII−XVIII線における断面図を示す。図19および図20に示すように、3軸直交型増幅器320Cは、チャンバ611と、入射ウィンドウ612と、出射ウィンドウ613と、対向する2つの電極614および615と、クロスフローファン617と、熱交換器622と、を備えてもよい。チャンバ611内部には、ガス状の増幅媒体が充填されていてもよい。2つの電極614および615は、RF電源621に接続されていてもよい。RF電源621を用いて2つの電極614および615間にRF電圧が印加されることで、2つの電極614および615間の増幅媒体が励起され得る。これにより、2つの電極614および615間の空間に、増幅領域616が形成され得る。入射ウィンドウ612を介して入射したパルスレーザ光L2は、2つの電極614および615間の増幅領域616を通過する際に増幅され、その後、出射ウィンドウ613から出射してもよい。クロスフローファン617は、チャンバ611外部または内部に設けられた回転軸619を介してモータ618と連結されていてもよい。モータ618を駆動してクロスフローファン617を回転させることで、チャンバ611内部で増幅媒体が循環し得る。放電によって増幅媒体に蓄積された熱は、循環過程において熱交換器622を通過する際に、熱交換器622によって奪われてもよい。
つぎに、上述した実施の形態におけるマスタオシレータ301の構成例を、以下にいくつかの例を挙げて説明する。
図21は、マスタオシレータ301に適用され得るCO2レーザ301Aの構成を概略的に示す。図21に示されるように、CO2レーザ301Aは、2つの共振器ミラー701および705と、チャンバ702と、偏光ビームスプリッタ703と、ポッケルスセル704とを含んでもよい。チャンバ702、偏光ビームスプリッタ703およびポッケルスセル704は、2つの共振器ミラー701および705が形成する共振器内の光路上に順番に配置されてもよい。チャンバ702内には、CO2ガスを主たる増幅媒体として含むレーザガスが充填されていてもよい。
図22は、マスタオシレータ301に適用され得る量子カスケードレーザ301Bの構成を概略的に示す。量子カスケードレーザ301Bは、図22に示されるような分布帰還型(DFB:Distributed feedback)レーザであってもよい。図22に示されるように、量子カスケードレーザ301Bは、活性層802付近にグレーティング804が形成された構成を備えてもよい。たとえば、グレーティング804は、活性層802の下または上に形成されてもよい。このような構成を備えた量子カスケードレーザ301Bでは、その反射率が最大になる波長が一般に次の式(2)で表現され得る。
λ=λb±δλ ・・・(2)
2 チャンバ
21 ウィンドウ
22、70 レーザ集光光学系
71 軸外放物面ミラー
72、74 ミラーホルダ
73 高反射ミラー
75 移動ステージ
76 移動機構
23 EUV集光ミラー
24 貫通孔
25 プラズマ生成領域
26 ドロップレット生成器
27 ターゲット
28 ターゲット回収器
29 接続部
291 壁
292 中間焦点(IF)
3 レーザ装置
4 ターゲットセンサ
5 EUV光生成制御システム
51 EUV光生成制御部
52 基準クロック生成器
53 ターゲット制御部
54 ターゲット生成ドライバ
55 遅延回路
6 露光装置
34 ビームデリバリーシステム
341、342 高反射ミラー
80 間仕切り
81 貫通孔
82 ミラーホルダ
83 支柱
84 ビームダンパ
251 光
252 EUV光
40A ダイクロイックミラー
40B 偏光ミラー
41 透明基板
41a 膜
41b 透過膜
42 基板
42a 膜
300 レーザ装置
301、301A、301B マスタオシレータ
302 制御部
310−1〜310−n、310、310B、310B1、310B2、310C、310D 波長フィルタ
311、312 ダイクロイックミラー
313、314 偏光ミラー
313a、314a 冷却装置
313b、314b 配管
315 エタロン
316 グレーティング
317 スリット
320−1〜320−n、320a、320b、320A、320B、320C 増幅器
321−1〜321−n 電源
361、362 偏光フィルタ
L1、L2、La、Lb、Lb1、Lb2、Lc、Ld、Le、Lf、31、33 パルスレーザ光
Claims (8)
- 第1レーザ光を出力するように構成された少なくとも1つのオシレータと、
前記第1レーザ光が入射する少なくとも1つの第1波長フィルタであって、当該第1波長フィルタは、当該第1波長フィルタへ入射する光の波長及び偏光方向の両方に応じた光透過特性を備えるフィルタ装置、及び波長分散素子を含むフィルタ装置のいずれか一方のフィルタ装置であり、
前記第1波長フィルタから出射される第2レーザ光を増幅し、第3レーザ光を出力するように構成された少なくとも1つの第1増幅器と、
を含むレーザ装置。 - 前記第1波長フィルタは、
前記第1レーザ光が入射する第1偏光ミラーと、
前記第1偏光ミラーを透過したレーザ光、及び反射したレーザ光のいずれか一方のレーザ光が入射する第2偏光ミラーであって、前記第1偏光ミラーの光が入射する面の法線と、前記第2偏光ミラー光が入射する面の法線は互いにほぼ直交するように配置された前記フィルタ装置と、
を含む請求項1記載のレーザ装置。 - 前記第2レーザ光の光路上に設置された少なくとも1つの偏光フィルタを更に含む請求項2記載のレーザ装置。
- 前記波長分散素子は、エタロンおよびグレーティングのいずれか一方である請求項1記載のレーザ装置。
- 第1レーザ光を出力するように構成された少なくとも1つのオシレータと、
前記第1レーザ光を増幅するように構成され、第1レーザ光の光路に沿って直列に設置されたk個(kは2以上の自然数)の増幅器であって、第(k−1)増幅器は第kレーザ光を出力するように構成され、
少なくとも前記k−1番目の増幅器と、前記第kレーザ光を増幅するように設置された前記k番目の増幅器との間に設置された少なくともひとつの波長フィルタであって、当該波長フィルタは、当該波長フィルタへ入射する光の波長及び偏光方向の両方に応じた光透過特性を備えるフィルタ装置、及び波長分散素子を含むフィルタ装置のいずれか一方のフィルタ装置である、
を含むレーザ装置。 - 前記波長フィルタは、
前記第kレーザ光が入射する第k1偏光ミラーと、
前記第k1偏光ミラーを透過したレーザ光、及び反射したレーザ光のいずれか一方のレーザ光が入射する第k2偏光ミラーであって、前記第k1偏光ミラーの光が入射する面の法線と、前記第k2偏光ミラー光が入射する面の法線は互いにほぼ直交するように配置された前記フィルタ装置と、
を含む請求項5記載のレーザ装置。 - 前記第4レーザ光の光路上に設置された少なくとも1つの偏光フィルタを更に含む請求項6記載のレーザ装置。
- 前記波長分散素子は、エタロンおよびグレーティングのいずれか一方である請求項5記載のレーザ装置。
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Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2015033426A1 (ja) * | 2013-09-05 | 2015-03-12 | ギガフォトン株式会社 | レーザ増幅器、及びレーザ装置、並びに極端紫外光生成システム |
KR20190050825A (ko) * | 2016-09-20 | 2019-05-13 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 파장 기반 광학 필터링 |
JPWO2021095099A1 (ja) * | 2019-11-11 | 2021-05-20 |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11858065B2 (en) * | 2015-01-09 | 2024-01-02 | Lsp Technologies, Inc. | Method and system for use in laser shock peening and laser bond inspection process |
US10148058B1 (en) * | 2016-02-23 | 2018-12-04 | Leidos, Inc. | Emission conversion amplifier for solid state lasers |
US10524345B2 (en) | 2017-04-28 | 2019-12-31 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Residual gain monitoring and reduction for EUV drive laser |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07218755A (ja) * | 1994-02-03 | 1995-08-18 | Mitsubishi Cable Ind Ltd | 光回路装置 |
JP2001083557A (ja) * | 1999-09-10 | 2001-03-30 | Nikon Corp | レーザ装置 |
JP2002076484A (ja) * | 2000-09-04 | 2002-03-15 | Mitsubishi Cable Ind Ltd | 高出力パルス光源 |
US6411634B1 (en) * | 1998-11-12 | 2002-06-25 | Oplink Communications, Inc. | Cost-effective high precision wavelength locker |
JP2003031875A (ja) * | 2001-07-13 | 2003-01-31 | Fujikura Ltd | 偏波保持型光ファイバ増幅器 |
JP2008042048A (ja) * | 2006-08-09 | 2008-02-21 | Komatsu Ltd | 極端紫外光源装置用ドライバーレーザ |
JP2009535666A (ja) * | 2006-04-28 | 2009-10-01 | コーニング インコーポレイテッド | パルス動作uv及び可視ラマンレーザシステム |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08274399A (ja) * | 1995-04-03 | 1996-10-18 | Komatsu Ltd | パルスレーザ装置のパルスエネルギ制御装置と方法 |
KR100280968B1 (ko) * | 1997-12-10 | 2001-02-01 | 윤종용 | 동기화된에탈론필터를이용한광섬유증폭기 |
US6381256B1 (en) * | 1999-02-10 | 2002-04-30 | Lambda Physik Ag | Molecular fluorine laser with spectral linewidth of less than 1 pm |
US6765945B2 (en) * | 1999-09-27 | 2004-07-20 | Cymer, Inc. | Injection seeded F2 laser with pre-injection filter |
JP2000357836A (ja) * | 1999-06-16 | 2000-12-26 | Komatsu Ltd | 超狭帯域化フッ素レーザ装置 |
US6819429B2 (en) * | 2000-04-07 | 2004-11-16 | Exfo Electro-Optical Engineering Inc. | Multi-pass optical spectrum analyzer having a polarization-dependent tunable filter |
EP1734622A1 (en) * | 2005-06-13 | 2006-12-20 | Keopsys | Methods of reduction of amplified spontaneous emission (ASE) in pulsed Master Oscillator Pulsed Amplifier (MOPA) fiber laser systems |
JP5086677B2 (ja) * | 2006-08-29 | 2012-11-28 | ギガフォトン株式会社 | 極端紫外光源装置用ドライバーレーザ |
DE102006047913B4 (de) * | 2006-10-06 | 2013-08-08 | Carl Zeiss Microscopy Gmbh | Hochempfindliche spektralanalytische Einheit |
US8526472B2 (en) * | 2009-09-03 | 2013-09-03 | Axsun Technologies, Inc. | ASE swept source with self-tracking filter for OCT medical imaging |
JP2011222958A (ja) * | 2010-03-25 | 2011-11-04 | Komatsu Ltd | ミラーおよび極端紫外光生成装置 |
-
2011
- 2011-12-22 JP JP2011282134A patent/JP2013131724A/ja active Pending
-
2012
- 2012-09-19 WO PCT/IB2012/001829 patent/WO2013093577A1/en active Application Filing
-
2014
- 2014-06-20 US US14/310,845 patent/US20140300950A1/en not_active Abandoned
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07218755A (ja) * | 1994-02-03 | 1995-08-18 | Mitsubishi Cable Ind Ltd | 光回路装置 |
US6411634B1 (en) * | 1998-11-12 | 2002-06-25 | Oplink Communications, Inc. | Cost-effective high precision wavelength locker |
JP2001083557A (ja) * | 1999-09-10 | 2001-03-30 | Nikon Corp | レーザ装置 |
JP2002076484A (ja) * | 2000-09-04 | 2002-03-15 | Mitsubishi Cable Ind Ltd | 高出力パルス光源 |
JP2003031875A (ja) * | 2001-07-13 | 2003-01-31 | Fujikura Ltd | 偏波保持型光ファイバ増幅器 |
JP2009535666A (ja) * | 2006-04-28 | 2009-10-01 | コーニング インコーポレイテッド | パルス動作uv及び可視ラマンレーザシステム |
JP2008042048A (ja) * | 2006-08-09 | 2008-02-21 | Komatsu Ltd | 極端紫外光源装置用ドライバーレーザ |
Cited By (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2015033426A1 (ja) * | 2013-09-05 | 2015-03-12 | ギガフォトン株式会社 | レーザ増幅器、及びレーザ装置、並びに極端紫外光生成システム |
WO2015033830A1 (ja) * | 2013-09-05 | 2015-03-12 | ギガフォトン株式会社 | レーザ増幅器、及びレーザ装置、並びに極端紫外光生成システム |
JPWO2015033830A1 (ja) * | 2013-09-05 | 2017-03-02 | ギガフォトン株式会社 | レーザ増幅器、及びレーザ装置、並びに極端紫外光生成システム |
US9685756B2 (en) | 2013-09-05 | 2017-06-20 | Gigaphoton Inc. | Laser amplifier, laser apparatus, and extreme ultraviolet light generating system |
KR20190050825A (ko) * | 2016-09-20 | 2019-05-13 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 파장 기반 광학 필터링 |
JP2019535125A (ja) * | 2016-09-20 | 2019-12-05 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | 波長ベースの光フィルタリング |
JP7140750B2 (ja) | 2016-09-20 | 2022-09-21 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | 波長ベースの光フィルタリング |
KR102507619B1 (ko) * | 2016-09-20 | 2023-03-07 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 파장 기반 광학 필터링 |
JPWO2021095099A1 (ja) * | 2019-11-11 | 2021-05-20 | ||
WO2021095099A1 (ja) * | 2019-11-11 | 2021-05-20 | 三菱電機株式会社 | ガスレーザ増幅器、ガスレーザ装置、euv光発生装置およびeuv露光装置 |
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