JP2012201846A - Pressure-sensitive adhesive tape for semiconductor wafer processing - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、バックグラインド工程で使用する、半導体ウエハの回路パターンが形成された面を保護しかつ工程終了後に容易にバックグラインドされた半導体ウエハを剥離できる半導体ウエハ加工用粘着テープ、ウエハダイシング工程で使用する、パターン形成した半導体ウエハを一つ一つのパターン毎に裁断し半導体素子として分割できる半導体ウエハ加工用粘着テープ、及びパッケージダイシング工程で使用する、分割された半導体素子を樹脂などで封入した基板を一つ一つのパターン毎に裁断し分割できる半導体ウエハ加工用粘着テープに関するものである。 The present invention relates to an adhesive tape for processing a semiconductor wafer used in a back grinding process, which protects the surface of a semiconductor wafer on which a circuit pattern is formed and can easily peel off a back ground semiconductor wafer after the process is completed. Used semiconductor wafer processing pressure-sensitive adhesive tape that can be used to cut a semiconductor wafer with a pattern formed into individual patterns and divide it into semiconductor elements, and a substrate in which the divided semiconductor elements are encapsulated with resin, etc. The present invention relates to an adhesive tape for processing a semiconductor wafer that can be cut and divided into individual patterns.
半導体製造プロセスは、高純度シリコン単結晶等をスライスして半導体ウエハとした後、イオン注入、エッチング等により該ウエハ表面に集積回路が形成される。次に、この集積回路が形成された半導体ウエハの裏面を研削することで、半導体ウエハを所望の厚さにし（バックグラインド工程）、その半導体ウエハを一つ一つのパターン毎に裁断し半導体素子として分割するダイシングが行われる。その後ダイシング工程で分割された半導体素子を樹脂などで封入し、基板を一つ一つのパターン毎に裁断することで半導体が製造される。この際、バックグラインド工程、ダイシング工程で一般的に半導体ウエハ加工用粘着テープが使用される。 In the semiconductor manufacturing process, a high-purity silicon single crystal or the like is sliced to obtain a semiconductor wafer, and then an integrated circuit is formed on the wafer surface by ion implantation, etching, or the like. Next, by grinding the back surface of the semiconductor wafer on which the integrated circuit is formed, the semiconductor wafer is made to have a desired thickness (back grinding process), and the semiconductor wafer is cut into each pattern as a semiconductor element. Dicing to be divided is performed. Thereafter, the semiconductor element divided in the dicing process is encapsulated with a resin or the like, and the substrate is cut into each pattern to manufacture a semiconductor. At this time, an adhesive tape for processing a semiconductor wafer is generally used in the back grinding process and the dicing process.
バックグラインド工程で使用される半導体ウエハ加工用粘着テープには、ウエハ上に形成された回路やウエハ本体へのダメージを防止すること、剥離後の回路上への粘着剤付着がないことが必要である。近年では、回路の微細化、ウエハ形状の変化によりウエハ全体の凹凸が増え、剥離後の回路上への粘着剤付着が発生しやすい状況となっている。 The semiconductor wafer processing adhesive tape used in the back grinding process must prevent damage to the circuit formed on the wafer and the wafer body, and be free of adhesive on the circuit after peeling. is there. In recent years, the unevenness of the entire wafer has increased due to the miniaturization of the circuit and the change of the wafer shape, and the adhesive is likely to adhere to the circuit after peeling.
ダイシングを行う際は、ウエハの固定に半導体ウエハ加工用粘着テープを用いるピックアップ方式が一般的である。この方式においては、大径のウエハは半導体ウエハ加工用粘着テープに貼着、固定した状態でチップ状にダイシングされ、洗浄、乾燥後、ピックアップの工程を経た後、レジン封止によりパッケージ化される。 When dicing, a pick-up system using a semiconductor wafer processing adhesive tape for fixing the wafer is generally used. In this method, a large-diameter wafer is bonded to a semiconductor wafer processing adhesive tape and diced into a chip shape in a fixed state, washed, dried, picked up, and then packaged by resin sealing. .
ダイシングにおいては、ＩＣ等の所定の回路パターンが形成された半導体ウエハ、樹脂で一括封止されたパッケージは、その背面に半導体ウエハ加工用粘着テープが貼合された後、金属粒子分散のブレードを高速回転させるなどの回転刃を介し所定のチップサイズにダイシング処理されるが、その処理に際しては、半導体ウエハ加工用粘着テープの一部（５〜４０μｍ）に達する切断を行ってウエハをフルカットする方法が一般的に採用されている（例えば、特許文献１、２参照）。 In dicing, a semiconductor wafer on which a predetermined circuit pattern such as an IC is formed, and a package encapsulated with a resin are bonded with a semiconductor wafer processing adhesive tape on the back surface, and then a metal particle dispersing blade is used. A dicing process is performed to a predetermined chip size through a rotary blade such as a high-speed rotation. In this process, a part of the adhesive tape for processing a semiconductor wafer (5 to 40 μm) is cut to fully cut the wafer. A method is generally employed (see, for example, Patent Documents 1 and 2).
しかしながら、従来の半導体ウエハ加工用粘着テープにあっては、ダイシング時の衝撃や振動等によりウエハ、パッケージが保持されず飛散する（以下、「ダイフライ」という。）問題が生じるため、不具合が生じないように柔軟な粘着剤が使用されるのが一般的である。 However, in the conventional adhesive tape for processing a semiconductor wafer, there is a problem in that the wafer and the package are not held and scattered (hereinafter referred to as “die fly”) due to impact or vibration during dicing, and hence no problem occurs. Such a flexible adhesive is generally used.
しかしながらこのような柔軟な粘着剤を使用することにより、ダイシングによるウエハ、パッケージに捺印されているレーザーマークへの粘着剤付着やパッケージ側面への粘着剤付着という問題が生じており、歩留まりが大幅に低下するという不具合発生している。そのため、この点の改良が望まれていた。 However, the use of such flexible adhesives has caused problems such as adhesion of adhesives to wafers by dicing and laser marks imprinted on packages, and adhesion of adhesives to side surfaces of packages, resulting in a significant increase in yield. There is a problem that it drops. Therefore, improvement of this point has been desired.
それに対して、粘着剤層に界面活性剤を添加する（特許文献１、２）、または粘着剤層に硬化促進剤として有機スズ化合物を添加する方法が知られている。しかしながら、前者においては、界面活性剤のブリードによるウエハ、パッケージへの汚染性が、後者においては、近年欧州を発端とした有機スズ化合物に関する環境規制動向のため、新たな解決手段が望まれていた。 On the other hand, a method of adding a surfactant to the pressure-sensitive adhesive layer (Patent Documents 1 and 2) or adding an organotin compound as a curing accelerator to the pressure-sensitive adhesive layer is known. However, in the former, contamination of wafers and packages due to the bleed of surfactants has occurred, and in the latter, a new solution has been desired due to recent trends in environmental regulations related to organotin compounds originating in Europe. .
本発明は、前述した問題点に鑑みてなされたもので、粘着剤層に、界面活性剤や、硬化促進剤としての有機スズ化合物を含まず、半導体ウエハ加工用粘着テープを使用する際に発生する、粘着剤層の一部がウエハ表面、パッケージ側面に残る現象（以下、前者を「表面糊残り」、後者を「側面糊残り」という。）において優れた防止性能を発揮し、かつ、ウエハ、パッケージに捺印されているレーザーマークにおいて発生する糊残り（以下、「ＬＭ糊残り」という。）についても優れた防止性能を発揮する半導体ウエハ加工用粘着テープを提供することを目的とする。
表面糊残りとは、ウエハと半導体ウエハ加工用粘着テープが密着している状態で剥離する際、粘着剤の一部または全てがウエハ上に残る現象である。
側面糊残りとは、パッケージをダイシングする際回転丸刃により粘着剤が掻き揚げられ、これがパッケージ側面につく現象である。
The present invention has been made in view of the above-described problems, and does not include a surfactant or an organotin compound as a curing accelerator in an adhesive layer, and occurs when an adhesive tape for processing semiconductor wafers is used. In the phenomenon that a part of the pressure-sensitive adhesive layer remains on the wafer surface and the side surface of the package (hereinafter, the former is referred to as “surface adhesive residue” and the latter is referred to as “side adhesive residue”), An object of the present invention is to provide an adhesive tape for processing a semiconductor wafer that exhibits excellent prevention performance against adhesive residue (hereinafter referred to as “LM adhesive residue”) generated in a laser mark stamped on a package.
The surface adhesive residue is a phenomenon in which a part or all of the pressure-sensitive adhesive remains on the wafer when the wafer and the semiconductor wafer processing pressure-sensitive adhesive tape are peeled off in close contact with each other.
The side adhesive residue is a phenomenon in which the adhesive is lifted by a rotating round blade when dicing the package, and this is attached to the side surface of the package.
本発明者らは、上記目的を達成するために鋭意検討を行った結果、第４族の金属元素の有機金属化合物が各糊残りを防止する効果があることを見出した。本発明は、これらの知見に基づきなされたものである。 As a result of intensive studies to achieve the above object, the present inventors have found that an organometallic compound of a Group 4 metal element has an effect of preventing each adhesive residue. The present invention has been made based on these findings.
本願は、以下の発明を提供する。
（１）基材フィルム上に、少なくとも一層の粘着剤層が積層された半導体ウエハ加工用テープであって、前記粘着剤層が放射線硬化型粘着剤を含み、元素の周期表における第４族の金属元素の有機金属化合物が、前記放射線硬化型粘着剤の全重量に対して、０．００１〜１０重量％の割合で含まれていることを特徴とする半導体ウエハ加工用粘着テープ。
（２）前記有機金属化合物がチタンアルコキシド、チタンキレート、ジルコニウムアルコキシド、ジルコニウムキレートのうち少なくとも１種類以上を主成分とすることを特徴とする（１）記載の半導体ウエハ加工用粘着テープ。
（３）前記粘着剤層にイソシアネート化合物を含んでいることを特徴とする（１）または（２）に記載の半導体ウエハ加工用粘着テープ。
（４）前記基材フィルムが、金属イオンで架橋されたエチレン系アイオノマー樹脂を含むことを特徴とする（１）〜（３）のいずれか１項に記載の半導体ウエハ加工用粘着テープ。
The present application provides the following inventions.
(1) A semiconductor wafer processing tape in which at least one pressure-sensitive adhesive layer is laminated on a base film, wherein the pressure-sensitive adhesive layer contains a radiation-curable pressure-sensitive adhesive, and is a group 4 element in the periodic table of elements. An adhesive tape for processing a semiconductor wafer, wherein an organometallic compound of a metal element is contained in a proportion of 0.001 to 10% by weight with respect to the total weight of the radiation curable adhesive.
(2) The adhesive tape for semiconductor wafer processing according to (1), wherein the organometallic compound contains at least one of titanium alkoxide, titanium chelate, zirconium alkoxide, and zirconium chelate as a main component.
(3) The adhesive tape for processing a semiconductor wafer according to (1) or (2), wherein the adhesive layer contains an isocyanate compound.
(4) The adhesive tape for semiconductor wafer processing according to any one of (1) to (3), wherein the base film contains an ethylene ionomer resin crosslinked with metal ions.
本発明により、粘着剤層に、界面活性剤や、硬化促進剤としての有機スズ化合物を含まず、表面糊残り、側面糊残りにおいて優れた防止性能を発揮し、かつ、ＬＭ糊残りについても優れた防止性能を発揮する半導体ウエハ加工用粘着テープを提供することができる。 According to the present invention, the pressure-sensitive adhesive layer does not contain a surfactant or an organotin compound as a curing accelerator, exhibits excellent prevention performance on the surface adhesive residue and the side adhesive residue, and is excellent also in the LM adhesive residue. It is possible to provide a pressure-sensitive adhesive tape for processing semiconductor wafers that exhibits high prevention performance.
以下、本発明の実施の形態について説明する。図１は、本発明の半導体ウエハ加工用粘着テープの一実施態様を示す断面図であり、基材フィルム（樹脂層）５の表面に粘着剤層３が積層され、半導体ウエハ加工用粘着テープ１が形成されている。 Embodiments of the present invention will be described below. FIG. 1 is a cross-sectional view showing an embodiment of an adhesive tape for processing a semiconductor wafer according to the present invention, in which an adhesive layer 3 is laminated on the surface of a base film (resin layer) 5 and the adhesive tape 1 for processing a semiconductor wafer. Is formed.
（粘着剤層）
粘着剤層３を構成する放射線硬化型粘着剤の１つとしては、アルキル基の炭素数が２以上の（メタ）アクリル酸アルキルエステルモノマーから導かれる分子内に不飽和炭化水素を持つポリマーが、イソシアネート化合物により架橋されたものであり、かつ、周期表４族の金属元素からなる有機金属化合物が放射線硬化型粘着剤の全重量に対して、０．００１〜１０重量％の割合で含まれる。
(Adhesive layer)
As one of the radiation curable pressure-sensitive adhesives constituting the pressure-sensitive adhesive layer 3, a polymer having an unsaturated hydrocarbon in a molecule derived from a (meth) acrylic acid alkyl ester monomer having an alkyl group having 2 or more carbon atoms, An organometallic compound that is cross-linked with an isocyanate compound and composed of a metal element of Group 4 of the periodic table is contained in a proportion of 0.001 to 10% by weight with respect to the total weight of the radiation curable pressure-sensitive adhesive.
ここで、アルキル基の炭素数が２以上の（メタ）アクリル酸アルキルエステルモノマーとしては、（メタ）アクリル酸エチル、（メタ）アクリル酸プロピル、（メタ）アクリル酸ブチル、（メタ）アクリル酸ヘキシル、（メタ）アクリル酸オクチル、（メタ）アクリル酸２−メチルプロピル、（メタ）アクリル酸２−メチルブチル、（メタ）アクリル酸２−エチルブチル、（メタ）アクリル酸２−メチルヘキシル、（メタ）アクリル酸２−エチルヘキシル、（メタ）アクリル酸１，２−ジメチルブチル、（メタ）アクリル酸ラウリルなどが挙げられる。 Here, (meth) acrylic acid alkyl ester monomers having 2 or more carbon atoms in the alkyl group include ethyl (meth) acrylate, propyl (meth) acrylate, butyl (meth) acrylate, and hexyl (meth) acrylate. , Octyl (meth) acrylate, 2-methylpropyl (meth) acrylate, 2-methylbutyl (meth) acrylate, 2-ethylbutyl (meth) acrylate, 2-methylhexyl (meth) acrylate, (meth) acrylic Examples include 2-ethylhexyl acid, 1,2-dimethylbutyl (meth) acrylate, and lauryl (meth) acrylate.
また、粘着剤層３を構成する放射線硬化型粘着剤の他の１つとしては、通常のゴム系あるいはアクリル系の感圧性ベース樹脂に対して、光重合性炭素−炭素二重結合を少なくとも２個有する化合物を配合したものであり、かつ、周期表４族の金属元素からなる有機金属化合物が放射線硬化型粘着剤の全重量に対して、０．００１〜１０重量％の割合で含まれる。 Further, as another radiation curable pressure-sensitive adhesive constituting the pressure-sensitive adhesive layer 3, at least two photopolymerizable carbon-carbon double bonds are formed with respect to a normal rubber-based or acrylic pressure-sensitive base resin. An organic metal compound composed of a compound having a group and containing a metal element of Group 4 of the periodic table is contained in a proportion of 0.001 to 10% by weight with respect to the total weight of the radiation curable pressure-sensitive adhesive.
ここで光重合性炭素−炭素二重結合を少なくとも２個有する化合物としては、放射線の照射により硬化して三次元網状化するものであれば特に制限なく使用することができる。該化合物の分子量としては、重量平均分子量が２０，０００以下のものが好ましい。放射線の照射による粘着剤層の三次元網状化が効率よくなされるように、分子量が５，０００以下でかつ分子内の放射線重合性の炭素−炭素二重結合の数が２〜６個である低分子量化合物が好ましい。 As the compound having at least two photopolymerizable carbon-carbon double bonds, any compound can be used without particular limitation as long as it is cured by irradiation with radiation to form a three-dimensional network. As the molecular weight of the compound, those having a weight average molecular weight of 20,000 or less are preferred. The molecular weight is 5,000 or less and the number of radiation-polymerizable carbon-carbon double bonds in the molecule is 2 to 6 so that the three-dimensional network of the pressure-sensitive adhesive layer can be efficiently formed by radiation irradiation. Low molecular weight compounds are preferred.
放射線重合性化合物としては、たとえば、トリメチロールプロパントリアクリレート、テトラメチロールメタンテトラアクリレート、ペンタエリスリトールトリアクリレート、ペンタエリスリトールテトラアクリレート、ジペンタエリスリトールモノヒドロキシペンタアクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート、１，４−ブチレングリコールジアクリレート、１，６−ヘキサンジオールジアクリレート、ポリエチレングリコールジアクリレート、オルガノポリシロキサン組成物、市販のオリゴエステルアクリレート、ウレタンアクリレートなどが挙げられる。 Examples of radiation-polymerizable compounds include trimethylolpropane triacrylate, tetramethylolmethane tetraacrylate, pentaerythritol triacrylate, pentaerythritol tetraacrylate, dipentaerythritol monohydroxypentaacrylate, dipentaerythritol hexaacrylate, 1,4-butylene. Examples include glycol diacrylate, 1,6-hexanediol diacrylate, polyethylene glycol diacrylate, organopolysiloxane composition, commercially available oligoester acrylate, and urethane acrylate.
光重合性炭素−炭素二重結合を少なくとも２個有する低分子量化合物は、１種を単独で用いても、２種以上を併用してもよい。配合量は、放射線硬化型粘着剤全重量に対して、１〜７５重量％である。好ましくは、放射線硬化型粘着剤全重量に対し、２３〜６６重量％、さらに好ましくは、３３〜６０重量％である。この量が少なすぎると、粘着剤層の放射線の照射による三次元網状化が不十分となり、被着体から剥離しにくくなり糊残りが発生しやすくなる。この量が多すぎると、放射線による重合反応が過度に進み、放射線の照射による硬化収縮が発生する。その結果、粘着剤層が被着体の表面に追従して食い込み、被着体から剥離しにくくなり糊残りが発生しやすくなる。また、放射線重合性化合物の量が多すぎると、粘着剤層の形状を保持しにくくなり、厚み精度が悪くなるなどの問題がある。 The low molecular weight compound having at least two photopolymerizable carbon-carbon double bonds may be used alone or in combination of two or more. The amount is 1 to 75% by weight based on the total weight of the radiation curable adhesive. Preferably, it is 23 to 66% by weight, more preferably 33 to 60% by weight, based on the total weight of the radiation curable pressure-sensitive adhesive. If this amount is too small, the pressure-sensitive adhesive layer will not be sufficiently three-dimensionally formed by irradiation with radiation, and it will be difficult to peel off from the adherend, and adhesive residue will easily occur. If this amount is too large, the polymerization reaction due to radiation proceeds excessively and curing shrinkage due to radiation irradiation occurs. As a result, the pressure-sensitive adhesive layer bites the surface of the adherend and becomes difficult to peel off from the adherend, so that adhesive residue is likely to occur. Moreover, when there is too much quantity of a radiation polymerizable compound, there exists a problem that it becomes difficult to hold | maintain the shape of an adhesive layer and thickness accuracy worsens.
また、粘着剤層の厚さは、バックグラインド工程用半導体ウエハ加工用粘着テープであれば５〜４００μｍであるものが好ましく、１０〜１００μｍであるものがより好ましい。一方、ダイシング工程用半導体ウエハ加工用粘着テープであれば３〜５０μｍであるのが好ましく、より好ましくは５〜２０μｍである。これらの数字は半導体ウエハ加工用粘着テープに必要な機械特性、熱収縮などの観点から導き出されたものである。 Further, the thickness of the pressure-sensitive adhesive layer is preferably 5 to 400 μm, more preferably 10 to 100 μm, as long as it is a back-grinding semiconductor wafer processing pressure-sensitive adhesive tape. On the other hand, if it is the adhesive tape for semiconductor wafer processing for a dicing process, it is preferable that it is 3-50 micrometers, More preferably, it is 5-20 micrometers. These numbers are derived from the viewpoints of mechanical properties, heat shrinkage, and the like necessary for an adhesive tape for processing semiconductor wafers.
（有機金属化合物）
上記粘着剤において、周期表４族の金属元素からなる有機金属化合物が放射線硬化型粘着剤の全重量に対して、０．００１〜１０重量％、好ましくは０．００５〜１０重量％、より好ましくは０．１〜１０重量％含まれるものである。周期表４族の金属元素からなる有機金属化合物の割合が少なすぎると粘着剤の架橋反応が鈍化してしまい、十分な特性を得ることができず、多すぎると粘着剤組成物を混合し、基材フィルムに塗布するまでのポットライフが短くなり、本発明の半導体ウエハ加工用粘着テープを製造する場合に支障が生じるからである。
(Organic metal compound)
In the above pressure-sensitive adhesive, the organometallic compound composed of a metal element of Group 4 of the periodic table is 0.001 to 10% by weight, preferably 0.005 to 10% by weight, more preferably, based on the total weight of the radiation curable pressure-sensitive adhesive. Is contained in an amount of 0.1 to 10% by weight. If the ratio of the organometallic compound composed of a metal element of Group 4 of the periodic table is too small, the crosslinking reaction of the pressure-sensitive adhesive is slowed down, and sufficient characteristics cannot be obtained, and if it is too large, the pressure-sensitive adhesive composition is mixed, This is because the pot life until it is applied to the base film is shortened, which causes a problem when the pressure-sensitive adhesive tape for processing a semiconductor wafer of the present invention is produced.
また、周期表４族の金属元素としては、チタン、ジルコニウム、ハフニウムが挙げられ、周期表４族の金属元素からなる有機金属化合物としては、これら金属元素のアルコキシド、キレート、アシレートなどが挙げられ、その中でもチタンアルコキシド、チタンキレート、ジルコニウムアルコキシド、ジルコニウムキレートのうち少なくとも１種類以上を主成分とすることが好ましい。なお、主成分とするとは、全体の５０重量％以上を占めるこという。 In addition, examples of the metal element of Group 4 of the periodic table include titanium, zirconium, and hafnium. Examples of the organometallic compound composed of the metal element of Group 4 of the periodic table include alkoxides, chelates, and acylates of these metal elements. Of these, at least one of titanium alkoxide, titanium chelate, zirconium alkoxide, and zirconium chelate is preferably used as a main component. The term “main component” refers to 50% by weight or more of the total.
（イソシアネート化合物）
本発明においては、粘着剤を構成する放射線硬化型粘着剤は、イソシアネート化合物により架橋されていることが好ましい。
イソシアネート化合物としては、特に制限がなく、例えば、４，４′−ジフェニルメタンジイソシアネート、トリレンジイソシアネート、キシリレンジイソシアネート、４，４′−ジフェニルエーテルジイソシアネート、４，４′−〔２，２−ビス（４−フェノキシフェニル）プロパン〕ジイソシアネート等の芳香族イソシアネート、ヘキサメチレンジイソシアネート、２，２，４−トリメチル−ヘキサメチレンジイソシアネート、イソフォロンジイソシアネート、４，４′−ジシクロヘキシルメタンジイソシアネート、２，４′−ジシクロヘキシルメタンジイソシアネート、リジンジイソシアネート、リジントリイソシアネート等が挙げられる。具体的には、市販品として、コロネートＬ（商品名、日本ポリウレタン社製）等を用いることができる。
(Isocyanate compound)
In the present invention, the radiation curable pressure-sensitive adhesive constituting the pressure-sensitive adhesive is preferably crosslinked with an isocyanate compound.
The isocyanate compound is not particularly limited. For example, 4,4′-diphenylmethane diisocyanate, tolylene diisocyanate, xylylene diisocyanate, 4,4′-diphenyl ether diisocyanate, 4,4 ′-[2,2-bis (4- Aromatic isocyanate such as phenoxyphenyl) propane] diisocyanate, hexamethylene diisocyanate, 2,2,4-trimethyl-hexamethylene diisocyanate, isophorone diisocyanate, 4,4'-dicyclohexylmethane diisocyanate, 2,4'-dicyclohexylmethane diisocyanate, Examples include lysine diisocyanate and lysine triisocyanate. Specifically, Coronate L (trade name, manufactured by Nippon Polyurethane Co., Ltd.) or the like can be used as a commercial product.
本発明において、粘着剤層中、イソシアネート化合物の含有量は、放射線硬化型粘着剤の全重量に対して、０．０１〜１０重量％が好ましく、さらに好ましくは０．１〜８重量％である。イソシアネート化合物の含有量割合が少なすぎると粘着剤の架橋反応が鈍化してしまい、十分な特性を得ることができず、多すぎると粘着剤組成物を混合し、基材フィルムに塗布するまでのポットライフが短くなり、本発明の半導体ウエハ加工用粘着テープを製造する場合に支障が生じるからである。 In the present invention, the content of the isocyanate compound in the pressure-sensitive adhesive layer is preferably 0.01 to 10% by weight, more preferably 0.1 to 8% by weight, based on the total weight of the radiation-curable pressure-sensitive adhesive. . If the content ratio of the isocyanate compound is too small, the crosslinking reaction of the pressure-sensitive adhesive is slowed down, and sufficient characteristics cannot be obtained. If it is too large, the pressure-sensitive adhesive composition is mixed and applied to the base film. This is because the pot life is shortened and a trouble occurs when the pressure-sensitive adhesive tape for processing a semiconductor wafer of the present invention is produced.
（基材フィルム）
図１に示される本発明に用いられる基材フィルム５は、特に限定されるものではなく公知のプラスチックなどの樹脂を用いることができる。一般に基材フィルム５としては熱可塑性のプラスチックフィルムが用いられている。基材フィルム５は、市販のものを用いても良いし、押出成形等により製膜したものであっても良い。基材フィルム５の厚さは通常３０〜３００μｍ、より好ましくは５０〜２００μｍである。これらの数字は半導体ウエハ加工用粘着テープに必要な機械特性、熱収縮などの観点から導き出されたものである。
(Base film)
The base film 5 used in the present invention shown in FIG. 1 is not particularly limited, and a known resin such as plastic can be used. In general, a thermoplastic plastic film is used as the base film 5. The base film 5 may be a commercially available one or may be formed by extrusion or the like. The thickness of the base film 5 is usually 30 to 300 μm, more preferably 50 to 200 μm. These numbers are derived from the viewpoints of mechanical properties, heat shrinkage, and the like necessary for an adhesive tape for processing semiconductor wafers.
バックグラインド工程用半導体ウエハ加工用粘着テープの基材フィルム５としては、ポリエチレン、ポリプロピレンおよびポリブテンのようなポリオレフィン、エチレン−酢酸ビニル共重合体、エチレン−（メタ）アクリル酸共重合体およびエチレン−（メタ）アクリル酸エステル共重合体のようなエチレン共重合体、軟質ポリ塩化ビニル、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、半硬質ポリ塩化ビニル、ポリエステル、ポリウレタン、ポリアミド、ポリイミド、天然ゴムならびに合成ゴムなどの高分子材料が好ましい。そして、これらは単層フィルム、またはそれぞれの複層フィルムとして用いられる。 As the base film 5 of the adhesive tape for processing a semiconductor wafer for back grinding process, polyolefins such as polyethylene, polypropylene and polybutene, ethylene-vinyl acetate copolymer, ethylene- (meth) acrylic acid copolymer and ethylene- ( High in ethylene copolymers such as (meth) acrylic acid ester copolymers, soft polyvinyl chloride, polyethylene terephthalate, polyethylene naphthalate, semi-rigid polyvinyl chloride, polyester, polyurethane, polyamide, polyimide, natural rubber and synthetic rubber Molecular materials are preferred. And these are used as a single layer film or each multilayer film.
ダイシング工程用半導体ウエハ加工用粘着テープの基材フィルム５を形成する樹脂は、高温状態における糸状の切削屑の発生を防止するため、切削熱により溶融状態になることが好ましい。通常、半導体ウエハダイシング時には、回転丸刃がウエハを切削する時に発生する熱を冷却しかつウエハ表面を洗浄するために、ウエハ表面の切削点に切削水が供給されるが、被切削物はウエハの切削熱により、切削水の沸点の１００℃近くまで上昇する。また、ダイシング工程用半導体ウエハ加工用粘着テープへの回転丸刃の切り込み深さが深い場合、切削水の供給は不十分となり、概略テープ厚さの表面２０μｍ程度までしか十分な冷却効果は期待できず、それ以上の深さの部分では切削水の供給量不足により被切削物の温度が１００℃以上まで上昇することがある。
このため、従来のダイシング工程用半導体ウエハ加工用粘着テープでは、基材フィルムの樹脂が切削時に溶融・延伸され、糸状の切削屑が発生していた。これに対し、切削熱により溶融状態になる樹脂を用いた本発明のテープでは、このような高温状態における糸状の切削屑の発生を防止することができる。
The resin forming the base film 5 of the adhesive tape for processing a semiconductor wafer for dicing process is preferably in a molten state by cutting heat in order to prevent generation of thread-like cutting waste in a high temperature state. Normally, during semiconductor wafer dicing, cutting water is supplied to the cutting point on the wafer surface in order to cool the heat generated when the rotating round blade cuts the wafer and to clean the wafer surface. With the cutting heat, the boiling point of the cutting water rises to near 100 ° C. Moreover, when the cutting depth of the rotary round blade to the adhesive tape for semiconductor wafer processing for dicing process is deep, the supply of cutting water becomes insufficient, and a sufficient cooling effect can be expected only to about 20 μm of the surface of the tape thickness. However, at a depth greater than that, the temperature of the workpiece may rise to 100 ° C. or more due to insufficient supply of cutting water.
For this reason, in the conventional adhesive tape for semiconductor wafer processing for dicing processes, the resin of the base film is melted and stretched at the time of cutting, and thread-like cutting waste is generated. On the other hand, in the tape of the present invention using the resin that is melted by cutting heat, it is possible to prevent the generation of thread-like cutting waste in such a high temperature state.
このような樹脂であれば特に限定されないが、例えば、重合体構成単位としてカルボキシル基を有する化合物を含む樹脂が用いられ、エチレン−（メタ）アクリル酸共重合体のアイオノマー樹脂などを用いることができる。さらに、理由は定かではないが、切削屑の糸状化を防止するうえ基材フィルムの樹脂として、エチレン、（メタ）アクリル酸及び（メタ）アクリル酸アルキルエステルを重合体の構成単位とする３元共重合体であると、より効果がある。３元共重合体アイオノマー樹脂として、三井・デュポンポリケミカル社から市販されているハイミランＡＭ７３１６（Ｚｎ）などがある。この３元共重合体において、エチレン成分は好ましくは５０〜９０重量％、（メタ）アクリル酸成分は好ましくは５〜２０重量％、（メタ）アクリル酸アルキルエステル成分は好ましくは５〜３０重量％とする。２元または３元共重合体の（メタ）アクリル酸アルキルエステルとしては、アルキル部の炭素数が３以上８以下のアルキルエステルが好ましく用いられ、具体的には、（メタ）アクリル酸プロピル、（メタ）アクリル酸ブチル、（メタ）アクリル酸ヘキシル、（メタ）アクリル酸オクチル、（メタ）アクリル酸２−メチルプロピル、（メタ）アクリル酸２−エチルプロピル、（メタ）アクリル酸２−メチルブチル、（メタ）アクリル酸２−エチルブチル、（メタ）アクリル酸２−メチルヘキシル、（メタ）アクリル酸２−エチルヘキシル、（メタ）アクリル酸１，２−ジメチルブチル等が挙げられる。また、前記２元または３元共重合体のカルボキシル基を陽イオンで一部中和したアイオノマー樹脂を主成分とするとより効果があり好ましい。ここで主成分とするとは、好ましくは樹脂中、５０重量％以上含有することをいう。カルボキシル基を中和する陽イオンとしては、金属イオン、有機アミンが通常用いられるが、その中でも主にＮａ＋、Ｋ＋、Ｌｉ＋、Ｍｇ２＋、Ｚｎ２＋等の金属イオンが用いられる。なお、半導体ウエハへの悪影響を防止するためには陽イオンとしてＺｎ２＋を用いたアイオノマーが好ましく用いられる。カルボキシル基の陽イオンによる中和度は好ましくは５〜９０ｍｏｌ％である。
アイオノマー樹脂としては、金属イオン含有量やカルボキシル基数の異なる樹脂を複数配合し、適切な金属イオン含有量やカルボキシル基数とすることができる。
Although it will not specifically limit if it is such resin, For example, resin containing the compound which has a carboxyl group as a polymer structural unit is used, and ionomer resin of an ethylene- (meth) acrylic acid copolymer etc. can be used. . Furthermore, although the reason is not clear, it is a ternary element that prevents threading of cutting waste and uses ethylene, (meth) acrylic acid, and (meth) acrylic acid alkyl ester as a structural unit of the polymer as a resin for the base film. A copolymer is more effective. As the ternary copolymer ionomer resin, there is Himiran AM 7316 (Zn) commercially available from Mitsui DuPont Polychemical Co., Ltd. In this terpolymer, the ethylene component is preferably 50 to 90% by weight, the (meth) acrylic acid component is preferably 5 to 20% by weight, and the (meth) acrylic acid alkyl ester component is preferably 5 to 30% by weight. And As the (meth) acrylic acid alkyl ester of the binary or ternary copolymer, an alkyl ester having 3 to 8 carbon atoms in the alkyl part is preferably used. Specifically, propyl (meth) acrylate, ( Meth) butyl acrylate, hexyl (meth) acrylate, octyl (meth) acrylate, 2-methylpropyl (meth) acrylate, 2-ethylpropyl (meth) acrylate, 2-methylbutyl (meth) acrylate, ( Examples include 2-ethylbutyl (meth) acrylate, 2-methylhexyl (meth) acrylate, 2-ethylhexyl (meth) acrylate, 1,2-dimethylbutyl (meth) acrylate, and the like. Further, it is more effective and preferable to use an ionomer resin in which the carboxyl group of the binary or ternary copolymer is partially neutralized with a cation as a main component. As used herein, the term “main component” refers to preferably containing 50% by weight or more in the resin. As the cation for neutralizing the carboxyl group, a metal ion or an organic amine is usually used. Among them, metal ions such as Na + , K + , Li + , Mg 2+ and Zn 2+ are mainly used. In order to prevent an adverse effect on the semiconductor wafer, an ionomer using Zn 2+ as a cation is preferably used. The neutralization degree of the carboxyl group with a cation is preferably 5 to 90 mol%.
As the ionomer resin, a plurality of resins having different metal ion contents and different numbers of carboxyl groups can be blended to obtain an appropriate metal ion content and number of carboxyl groups.
本発明においては、前記基材フィルム５が、バックグラインド工程用半導体ウエハ加工用粘着テープではポリエチレン、ポリプロピレンおよびポリブテンのようなポリオレフィン、エチレン−酢酸ビニル共重合体、エチレン−（メタ）アクリル酸共重合体およびエチレン−（メタ）アクリル酸エステル共重合体のようなエチレン共重合体、軟質ポリ塩化ビニル、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、半硬質ポリ塩化ビニル、ポリエステル、ポリウレタン、ポリアミド、ポリイミド、天然ゴムならびに合成ゴムなどの高分子材料が好ましく、ダイシング工程用半導体ウエハ加工用粘着テープではエチレン、（メタ）アクリル酸および（メタ）アクリル酸アクリルエステルを重合体の構成成分とする３元共重合体からなり、該３元共重合体は金属イオンで架橋されているアイオノマー樹脂を主成分とすることが好ましい。 In the present invention, the base film 5 is a polyolefin such as polyethylene, polypropylene and polybutene, an ethylene-vinyl acetate copolymer, an ethylene- (meth) acrylic acid copolymer in the adhesive tape for processing a semiconductor wafer for back grinding. Copolymers and ethylene copolymers such as ethylene- (meth) acrylic ester copolymers, soft polyvinyl chloride, polyethylene terephthalate, polyethylene naphthalate, semi-rigid polyvinyl chloride, polyester, polyurethane, polyamide, polyimide, natural rubber and Polymer materials such as synthetic rubber are preferable, and the adhesive tape for processing semiconductor wafers for dicing process consists of a terpolymer having ethylene, (meth) acrylic acid, and (meth) acrylic acid acrylic ester as polymer components. , Terpolymer is preferably composed mainly of ionomer resin crosslinked with a metal ion.
以下、実施例に基づき、本発明をさらに詳細に説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。なお、ポリマーの重量平均分子量は、テトラヒドロフランに溶解して得た１％溶液を、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ウオータース社製、商品名：１５０−Ｃ ＡＬＣ／ＧＰＣ）により測定した値をポリスチレン換算して算出したものである。 EXAMPLES Hereinafter, although this invention is demonstrated further in detail based on an Example, this invention is not limited to this. In addition, the weight average molecular weight of a polymer is a polystyrene conversion value obtained by dissolving a 1% solution obtained by dissolving in tetrahydrofuran by gel permeation chromatography (trade name: 150-C ALC / GPC, manufactured by Waters). Calculated.
［実施例１］ 粘着テープＡ
基材フィルム（基材層）として、ノバテックＥＶＡ ＬＶ３４２（商品名、日本ポリエチレン株式会社製）を使用し、厚さ１５０μｍのフィルム（基材フィルムＡ）を押出成形で作成した。ポリマー（ブチルアクリレート７５重量％、２−ヒドロキシエチルアクリレート２０重量％を構成単位として、２−メタクリロイルオキシエチルイソシアネートを付与したものであり、重量平均分子量は６００，０００であった。）に、放射線硬化型粘着剤の全重量に対して光重合性開始剤が１重量％、イソシアネート系硬化剤が２重量％、ジルコニウムキレートであるＺＣ−１５０（商品名、松本ファインケミカル社製）が０．００１重量％になるようそれぞれ加え混合することで放射線硬化型粘着剤を製造し、基材フィルムＡの表面に乾燥後３０μｍの厚さになるように塗工し、図１に示すと同様のテープを作成した。
[Example 1] Adhesive tape A
Novatec EVA LV342 (trade name, manufactured by Nippon Polyethylene Co., Ltd.) was used as the base film (base layer), and a 150 μm-thick film (base film A) was formed by extrusion molding. Radiation curing of a polymer (75% by weight of butyl acrylate, 20% by weight of 2-hydroxyethyl acrylate and having 2-methacryloyloxyethyl isocyanate as a constituent unit and a weight average molecular weight of 600,000). 1% by weight of photopolymerizable initiator, 2% by weight of isocyanate curing agent, and ZC-150 (trade name, manufactured by Matsumoto Fine Chemical Co., Ltd.), which is a zirconium chelate, are 0.001% by weight based on the total weight of the pressure-sensitive adhesive. A radiation-curable pressure-sensitive adhesive was produced by adding and mixing each so as to be, and coated on the surface of the base film A so as to have a thickness of 30 μm after drying, and a tape similar to that shown in FIG. 1 was prepared. .
［実施例２］ 粘着テープＢ
放射性硬化型粘着剤の全重量に対して、ジルコニウムキレートであるＺＣ−１５０（商品名、松本ファインケミカル社製）が０．１重量％になるようにする以外は、実施例１と同様のテープを作成した。
[Example 2] Adhesive tape B
A tape similar to that in Example 1 except that ZC-150 (trade name, manufactured by Matsumoto Fine Chemical Co., Ltd.), which is a zirconium chelate, is 0.1% by weight based on the total weight of the radiation curable pressure-sensitive adhesive. Created.
［実施例３］ 粘着テープＣ
放射性硬化型粘着剤の全重量に対して、ジルコニウムキレートであるＺＣ−１５０（商品名、松本ファインケミカル社製）が１０重量％になるようにする以外は、実施例１と同様のテープを作成した。
[Example 3] Adhesive tape C
A tape similar to Example 1 was prepared except that ZC-150 (trade name, manufactured by Matsumoto Fine Chemical Co., Ltd.), which is a zirconium chelate, was 10% by weight with respect to the total weight of the radiation curable pressure-sensitive adhesive. .
［実施例４］ 粘着テープＤ
基材フィルム（基材層）として、ノバテックＥＶＡ ＬＶ３４２（商品名、日本ポリエチレン株式会社製）を使用し、厚さ１５０μｍのフィルム（基材フィルムＡ）を押出成形で作成した。ポリマー（ブチルアクリレート８９質量％、メタクリル酸１質量％、２−ヒドロキシエチルアクリレート１０質量％を構成単位としてなるものであり、重量平均分子量は５５０，０００であった。）に、放射線硬化型粘着剤の全重量に対して光重合性炭素−炭素二重結合を有する化合物ペンタエリスリトールテトラアクリレートが３５重量％、光重合性開始剤が３重量％、イソシアネート系硬化剤が４重量％、ジルコニウムキレートであるＺＣ−１５０（商品名、松本ファインケミカル社製）が０．１重量％になるようそれぞれ加え混合することで放射線硬化型粘着剤を製造し、基材フィルムＡの表面に乾燥後３０μｍの厚さになるように塗工し、図１に示すと同様のテープを作成した。
[Example 4] Adhesive tape D
Novatec EVA LV342 (trade name, manufactured by Nippon Polyethylene Co., Ltd.) was used as the base film (base layer), and a 150 μm-thick film (base film A) was formed by extrusion molding. A radiation curable pressure-sensitive adhesive (polymer having 89% by mass of butyl acrylate, 1% by mass of methacrylic acid, and 10% by mass of 2-hydroxyethyl acrylate as a structural unit and having a weight average molecular weight of 550,000). The compound having a photopolymerizable carbon-carbon double bond is 35% by weight, the photopolymerizable initiator is 3% by weight, the isocyanate curing agent is 4% by weight, and the zirconium chelate. ZC-150 (trade name, manufactured by Matsumoto Fine Chemical Co., Ltd.) was added to each other so as to be 0.1% by weight and mixed to produce a radiation curable pressure-sensitive adhesive. After drying on the surface of the base film A, the thickness was 30 μm. The same tape as shown in FIG. 1 was prepared.
［比較例１］ 粘着テープＥ
放射性硬化型粘着剤に対して、ジルコニウムキレートを加えない点以外は、実施例１と同様のテープを作成した。
[Comparative Example 1] Adhesive tape E
A tape similar to Example 1 was prepared, except that zirconium chelate was not added to the radiation curable pressure-sensitive adhesive.
［比較例２］ 粘着テープＦ
放射性硬化型粘着剤の全重量に対して、ジルコニウムキレートであるＺＣ−１５０（商品名、松本ファインケミカル社製）が１１重量％になるようにする以外は、実施例１と同様のテープ作成を試みたが、粘着剤がゲル化してしまい作成不能となった。
[Comparative Example 2] Adhesive tape F
A tape was prepared in the same manner as in Example 1 except that ZC-150 (trade name, manufactured by Matsumoto Fine Chemical Co., Ltd.), which is a zirconium chelate, was 11% by weight with respect to the total weight of the radiation curable adhesive. However, the pressure-sensitive adhesive gelled and could not be prepared.
［実施例５］ 粘着テープＧ
基材フィルム（基材層）として、ハイミランＡＭ−７３１６（商品名、三井・デュポンポリケミカル社製）を使用し、厚さ１００μｍのフィルム（基材フィルムＢ）を押出成形で作成した。ポリマー（ブチルアクリレート７５重量％、２−ヒドロキシエチルアクリレート２０重量％を構成単位として、２−メタクリロイルオキシエチルイソシアネートを付与したものであり、重量平均分子量は５００，０００であった。）に、放射線硬化型粘着剤の全重量に対して光重合性開始剤が５重量％、イソシアネート系硬化剤が１．５重量％、ジルコニウムキレートであるＺＣ−１５０（商品名、松本ファインケミカル社製）が０．００１重量％になるようそれぞれ加え混合することで放射線硬化型粘着剤を製造し、基材フィルムＢの表面に乾燥後１０μｍの厚さになるように塗工し、図１に示すと同様のテープを作成した。
[Example 5] Adhesive tape G
As the base film (base layer), Himiran AM-7316 (trade name, manufactured by Mitsui DuPont Polychemical Co., Ltd.) was used, and a film (base film B) having a thickness of 100 μm was prepared by extrusion molding. Radiation curing of a polymer (75% by weight of butyl acrylate, 20% by weight of 2-hydroxyethyl acrylate and having 2-methacryloyloxyethyl isocyanate as a structural unit, and a weight average molecular weight of 500,000). 5% by weight of photopolymerizable initiator, 1.5% by weight of isocyanate curing agent, and ZC-150 (trade name, manufactured by Matsumoto Fine Chemical Co., Ltd.), which is a zirconium chelate, are 0.001 based on the total weight of the pressure-sensitive adhesive. A radiation-curable pressure-sensitive adhesive is produced by adding and mixing each so as to be in weight%, and is applied to the surface of the base film B so as to have a thickness of 10 μm after drying, and a tape similar to that shown in FIG. Created.
［実施例６］ 粘着テープＨ
放射性硬化型粘着剤の全重量に対して、ジルコニウムキレートであるＺＣ−１５０（商品名、松本ファインケミカル社製）が０．１重量％になるようにする以外は、実施例５と同様のテープを作成した。
[Example 6] Adhesive tape H
A tape similar to that in Example 5 except that ZC-150 (trade name, manufactured by Matsumoto Fine Chemical Co., Ltd.), which is a zirconium chelate, is 0.1% by weight with respect to the total weight of the radiation curable adhesive. Created.
［実施例７］ 粘着テープＩ
放射性硬化型粘着剤の全重量に対して、ジルコニウムキレートであるＺＣ−１５０（商品名、松本ファインケミカル社製）が１０重量％になるようにする以外は、実施例５と同様のテープを作成した。
[Example 7] Adhesive tape I
A tape similar to that of Example 5 was prepared except that ZC-150 (trade name, manufactured by Matsumoto Fine Chemical Co., Ltd.), which is a zirconium chelate, was 10% by weight with respect to the total weight of the radiation curable adhesive. .
［実施例８］ 粘着テープＪ
基材フィルム（基材層）として、ハイミランＡＭ−７３１６（商品名、三井・デュポンポリケミカル社製）を使用し、厚さ１００μｍのフィルム（基材フィルムＢ）を押出成形で作成した。ポリマー（ブチルアクリレート８９質量％、メタクリル酸１質量％、２−ヒドロキシエチルアクリレート１０質量％を構成単位としてなるものであり、重量平均分子量は５３０，０００であった。）に、放射線硬化型粘着剤の全重量に対して光重合性炭素−炭素二重結合を有する化合物ペンタエリスリトールテトラアクリレートが４０重量％、光重合性開始剤が６重量％、イソシアネート系硬化剤が３重量％、ジルコニウムキレートであるＺＣ−１５０（商品名、松本ファインケミカル社製）が０．１重量％になるようそれぞれ加え混合することで放射線硬化型粘着剤を製造し、基材フィルムＢの表面に乾燥後１０μｍの厚さになるように塗工し、図１に示すと同様のテープを作成した。
[Example 8] Adhesive tape J
As the base film (base layer), Himiran AM-7316 (trade name, manufactured by Mitsui DuPont Polychemical Co., Ltd.) was used, and a film (base film B) having a thickness of 100 μm was prepared by extrusion molding. A radiation curable pressure-sensitive adhesive (polymer having 89% by mass of butyl acrylate, 1% by mass of methacrylic acid, and 10% by mass of 2-hydroxyethyl acrylate as a structural unit and having a weight average molecular weight of 530,000). The compound having a photopolymerizable carbon-carbon double bond is 40% by weight, the photopolymerization initiator is 6% by weight, the isocyanate curing agent is 3% by weight, and the zirconium chelate. ZC-150 (trade name, manufactured by Matsumoto Fine Chemical Co., Ltd.) was added to each other so as to be 0.1% by weight and mixed to produce a radiation curable pressure-sensitive adhesive. After drying on the surface of the base film B, the thickness was 10 μm. The same tape as shown in FIG. 1 was prepared.
［比較例３］ 粘着テープＫ
放射性硬化型粘着剤に対して、ジルコニウムキレートを加えない点以外は、実施例５と同様のテープを作成した。
[Comparative Example 3] Adhesive tape K
A tape similar to that of Example 5 was prepared, except that zirconium chelate was not added to the radiation curable adhesive.
［比較例４］ 粘着テープＬ
放射性硬化型粘着剤の全重量に対して、ジルコニウムキレートであるＺＣ−１５０（商品名、松本ファインケミカル社製）が１１重量％になるようにする以外は、実施例５と同様のテープ作成を試みたが、粘着剤がゲル化してしまい作成不能となった。
[Comparative Example 4] Adhesive tape L
A tape was prepared in the same manner as in Example 5 except that ZC-150 (trade name, manufactured by Matsumoto Fine Chemical Co., Ltd.), which is a zirconium chelate, was 11% by weight based on the total weight of the radiation curable adhesive. However, the pressure-sensitive adhesive gelled and could not be prepared.
［実施例９］ 粘着テープＭ
ジルコニウムキレートに代えて、放射線硬化型粘着剤の全重量に対して、ジルコニウムアルコキシドであるＺＡ−４５（商品名、松本ファインケミカル社製）が０．１重量％になるよう混合する点以外は、実施例２と同様にテープを作成した。
[Example 9] Adhesive tape M
Implemented except that ZA-45 (trade name, manufactured by Matsumoto Fine Chemical Co., Ltd.), which is a zirconium alkoxide, is mixed in an amount of 0.1% by weight with respect to the total weight of the radiation curable pressure-sensitive adhesive instead of zirconium chelate. A tape was prepared as in Example 2.
［実施例１０］ 粘着テープＮ
ジルコニウムキレートに代えて、放射線硬化型粘着剤の全重量に対して、チタンキレートであるＴＣ−７５０（商品名、松本ファインケミカル社製）が０．１重量％になるよう混合する点以外は、実施例２と同様にテープを作成した。
[Example 10] Adhesive tape N
Implemented except that TC-750 (trade name, manufactured by Matsumoto Fine Chemical Co., Ltd.), which is a titanium chelate, is mixed in an amount of 0.1% by weight based on the total weight of the radiation curable pressure-sensitive adhesive instead of zirconium chelate. A tape was prepared as in Example 2.
［実施例１１］ 粘着テープＯ
ジルコニウムキレートに代えて、放射線硬化型粘着剤の全重量に対して、チタンアルコキシドであるＴＡ−１０（商品名、松本ファインケミカル社製）が０．１重量％になるよう混合する点以外は、実施例２と同様にテープを作成した。
[Example 11] Adhesive tape O
Implemented except that the titanium alkoxide TA-10 (trade name, manufactured by Matsumoto Fine Chemical Co., Ltd.) is mixed in an amount of 0.1% by weight based on the total weight of the radiation curable pressure-sensitive adhesive instead of zirconium chelate. A tape was prepared as in Example 2.
［実施例１２］ 粘着テープＰ
ジルコニウムキレートに代えて、放射線硬化型粘着剤の全重量に対して、ジルコニウムアルコキシドであるＺＡ−４５（商品名、松本ファインケミカル社製）が０．１重量％になるよう混合する点以外は、実施例６と同様にテープを作成した。
[Example 12] Adhesive tape P
Implemented except that ZA-45 (trade name, manufactured by Matsumoto Fine Chemical Co., Ltd.), which is a zirconium alkoxide, is mixed in an amount of 0.1% by weight with respect to the total weight of the radiation curable pressure-sensitive adhesive instead of zirconium chelate. A tape was prepared as in Example 6.
［実施例１３］ 粘着テープＱ
ジルコニウムキレートに代えて、放射線硬化型粘着剤の全重量に対して、チタンキレートであるＴＣ−７５０（商品名、松本ファインケミカル社製）が０．１重量％になるよう混合する点以外は、実施例６と同様にテープを作成した。
[Example 13] Adhesive tape Q
Implemented except that TC-750 (trade name, manufactured by Matsumoto Fine Chemical Co., Ltd.), which is a titanium chelate, is mixed in an amount of 0.1% by weight based on the total weight of the radiation curable pressure-sensitive adhesive instead of zirconium chelate. A tape was prepared as in Example 6.
［実施例１４］ 粘着テープＲ
ジルコニウムキレートに代えて、放射線硬化型粘着剤の全重量に対して、チタンアルコキシドであるＴＡ−１０（商品名、松本ファインケミカル社製）が０．１重量％になるよう混合する点以外は、実施例６と同様にテープを作成した。
[Example 14] Adhesive tape R
Implemented except that the titanium alkoxide TA-10 (trade name, manufactured by Matsumoto Fine Chemical Co., Ltd.) is mixed in an amount of 0.1% by weight based on the total weight of the radiation curable pressure-sensitive adhesive instead of zirconium chelate. A tape was prepared as in Example 6.
［試験例］
（バックグラインド工程用半導体ウエハ加工用粘着テープの表面糊残り評価）
実施例１、２、３、４、９、１０、１１、比較例１、２の半導体ウエハ加工用粘着テープにシリコンウエハを貼合し、バックグラインド作業を行い、紫外線を照射し、粘着テープを剥離した。この剥離したシリコンウエハの表面糊残り発生数について評価した。
[Test example]
(Evaluation of adhesive residue on the surface of adhesive tape for processing semiconductor wafers for back grinding)
A silicon wafer is bonded to the adhesive tape for semiconductor wafer processing of Examples 1, 2, 3, 4, 9, 10, 11, and Comparative Examples 1 and 2, a back grinding operation is performed, ultraviolet rays are irradiated, and the adhesive tape is attached. It peeled. The number of remaining adhesive paste on the peeled silicon wafer was evaluated.
（ダイシング工程用半導体ウエハ加工用テープの側面糊残り評価）
実施例５、６、７、８、１２、１３、１４、比較例３、４の半導体ウエハ加工用粘着テープに縦１０．０ｍｍ、横１０．０ｍｍ、厚さ１．１ｍｍ、のレーザーマークが捺印されたエポキシ系樹脂パッケージを貼合した後、ダイシング装置（ディスコ社製、商品名：ＤＦＤ６３４０）、ダイシングブレード（ディスコ社製、商品名：ＳＤ３２０Ｎ１００Ｍ４２）を使用し回転数４００００ｒｐｍ、カットスピード５０ｍｍ／ｓｅｃで１．０ｍｍ×１．０ｍｍにダイシングした。
ダイシングされたパッケージチップ１００個についてダイスピッカー装置（キャノンマシナリー社製、商品名：ＣＡＰ−３００ＩＩ）によるピックアップ作業を行い、得られたパッケージチップの側面糊残りの発生数について評価した。
(Evaluation of adhesive residue on the side of semiconductor wafer processing tape for dicing process)
Laser marks with a length of 10.0 mm, a width of 10.0 mm, and a thickness of 1.1 mm are imprinted on the adhesive tapes for processing semiconductor wafers of Examples 5, 6, 7, 8, 12, 13, 14, and Comparative Examples 3 and 4. After pasting the epoxy resin package, a dicing machine (manufactured by DISCO, product name: DFD6340) and a dicing blade (manufactured by DISCO, product name: SD320N100M42) are used at a rotation speed of 40000 rpm and a cutting speed of 50 mm / sec. Dicing was performed to 1.0 mm × 1.0 mm.
A pick-up operation using a die picker apparatus (trade name: CAP-300II, manufactured by Canon Machinery Co., Ltd.) was performed on 100 diced package chips, and the number of side adhesive residues generated on the obtained package chips was evaluated.
（レーザーマーク糊残り評価：ウエハ）
実施例５、６、７、８、１２、１３、１４、比較例３、４の半導体ウエハ加工用粘着テープにレーザーマークが捺印された＃２０００研磨処理シリコンウエハを貼合した後、ダイシング装置（ディスコ社製、商品名：ＤＦＤ６３４０）、ダイシングブレード（ディスコ社製、商品名：ＮＢＣ−ＺＨ ２０５Ｏ ２７ＨＥＤＤ）を使用し回転数４００００ｒｐｍ、カットスピード５０ｍｍ／ｓｅｃで１０．０ｍｍ×１０．０ｍｍにダイシングした。
ダイシングされたシリコンウエハ５０個についてダイスピッカー装置（キャノンマシナリー社製、商品名：ＣＡＰ−３００ＩＩ）によるピックアップ作業を行い、得られたシリコンウエハのレーザーマーク糊残り発生数について評価した。
(Laser mark adhesive residue evaluation: wafer)
After bonding a # 2000 polished silicon wafer with a laser mark imprinted on the semiconductor wafer processing adhesive tapes of Examples 5, 6, 7, 8, 12, 13, 14, and Comparative Examples 3 and 4, a dicing machine ( Using a disco product, trade name: DFD6340), a dicing blade (manufactured by Disco, trade name: NBC-ZH205O 27HEDD) was used to dice into 10.0 mm × 10.0 mm at a rotation speed of 40000 rpm and a cutting speed of 50 mm / sec.
A pick-up operation using a die picker apparatus (trade name: CAP-300II, manufactured by Canon Machinery Co., Ltd.) was performed on 50 diced silicon wafers, and the number of remaining laser mark adhesives on the obtained silicon wafers was evaluated.
（レーザーマーク糊残り評価：パッケージ）
実施例５、６、７、８、１２、１３、１４、比較例３、４の半導体ウエハ加工用粘着テープに縦１０．０ｍｍ、横１０．０ｍｍ、厚さ１．１ｍｍ、のレーザーマークが捺印されたエポキシ系樹脂パッケージを貼合した後、ダイシング装置（ディスコ社製、商品名：ＤＦＤ６３４０）、ダイシングブレード（ディスコ社製、商品名：ＳＤ３２０Ｎ１００Ｍ４２）を使用し回転数４００００ｒｐｍ、カットスピード５０ｍｍ／ｓｅｃで１．０ｍｍ×１．０ｍｍにダイシングした。
ダイシングされたパッケージチップ１００個についてダイスピッカー装置（キャノンマシナリー社製、商品名：ＣＡＰ−３００ＩＩ）によるピックアップ作業を行い、得られたパッケージチップのレーザーマーク糊残りの発生数について評価した。
(Laser mark adhesive residue evaluation: package)
Laser marks with a length of 10.0 mm, a width of 10.0 mm, and a thickness of 1.1 mm are imprinted on the adhesive tapes for processing semiconductor wafers of Examples 5, 6, 7, 8, 12, 13, 14, and Comparative Examples 3 and 4. After pasting the epoxy resin package, a dicing machine (manufactured by DISCO, product name: DFD6340) and a dicing blade (manufactured by DISCO, product name: SD320N100M42) are used at a rotation speed of 40000 rpm and a cutting speed of 50 mm / sec. Dicing was performed to 1.0 mm × 1.0 mm.
A pick-up operation was performed on 100 diced package chips using a die picker apparatus (trade name: CAP-300II, manufactured by Canon Machinery Co., Ltd.), and the number of remaining laser mark pastes on the obtained package chips was evaluated.
それぞれの試験結果を表１〜４に記した。なお、バックグラインド工程用半導体ウエハ加工用粘着テープの表面糊残り評価、ダイシング工程用半導体ウエハ加工用粘着テープの側面糊残り評価については、非常に良好であったものを◎、良好であったものを○、不良であったものを×で示した。また、テープ製造の可否についても記載した。 Each test result was described in Tables 1-4. In addition, the evaluation of the adhesive residue on the surface of the adhesive tape for processing semiconductor wafers for the back grinding process and the evaluation of the adhesive residue on the side surface of the adhesive tape for processing semiconductor wafers for the dicing process was excellent. Is indicated by ○, and the defective one is indicated by ×. In addition, the availability of tape production was also described.
表１の実施例１〜４からわかるようにジルコニウムキレートを０．００１〜１０重量％加えることで表面糊残りの発生数が良好になることが示された。一方、ジルコニウムキレートを添加しなかった比較例１においては、バックグラインド時の表面糊残りが不良であった。また、ジルコニウムキレートを１１重量％加えた比較例２については、粘着剤のポットライフが短くなり、粘着テープの製造が不可能であった。 As can be seen from Examples 1 to 4 in Table 1, it was shown that by adding 0.001 to 10% by weight of zirconium chelate, the number of remaining surface adhesives was improved. On the other hand, in Comparative Example 1 in which no zirconium chelate was added, the surface adhesive residue at the time of back grinding was poor. Moreover, about the comparative example 2 which added 11 weight% of zirconium chelate, the pot life of the adhesive became short and manufacture of the adhesive tape was impossible.
表２の実施例５〜８からわかるようにジルコニウムキレートを０．００１〜１０重量％加えることで側面糊残りの発生数、及びレーザーマーク糊残りが良好になることが示された。一方、ジルコニウムキレートを添加しなかった比較例３においては、側面糊残り及びＬＭ糊残りが不良であった。また、ジルコニウムキレートを１１重量％加えた比較例４については、粘着剤のポットライフが短くなり、粘着テープの製造が不可能であった。 As can be seen from Examples 5 to 8 in Table 2, it was shown that by adding 0.001 to 10% by weight of zirconium chelate, the number of side surface adhesive residues and the laser mark adhesive residue were improved. On the other hand, in Comparative Example 3 in which no zirconium chelate was added, the side surface adhesive residue and the LM adhesive residue were poor. Moreover, about the comparative example 4 which added 11 weight% of zirconium chelate, the pot life of the adhesive became short and manufacture of the adhesive tape was impossible.
表３及び表４からわかるようにジルコニウムキレート、ジルコニウムアルコキシド、チタンキレート、チタンアルコキシドを加えることで表面糊残り、側面糊残りの発生数、及びレーザーマーク糊残りが良好になることが示された。 As can be seen from Tables 3 and 4, it was shown that by adding zirconium chelate, zirconium alkoxide, titanium chelate and titanium alkoxide, the surface adhesive residue, the number of side surface adhesive residues, and the laser mark adhesive residue were improved.
また、実施例４，８が示す通り、感圧性ベース樹脂に対して、光重合性炭素−炭素二重結合を少なくとも２個有する化合物を配合した放射線硬化型粘着剤においても、ジルコニウムキレートを添加することで各種の糊残りを防止することができた。 Further, as shown in Examples 4 and 8, zirconium chelate is also added to a radiation-curable pressure-sensitive adhesive in which a compound having at least two photopolymerizable carbon-carbon double bonds is added to a pressure-sensitive base resin. As a result, various adhesive residues could be prevented.
以上、添付図面を参照しながら、本発明の好適な実施形態について説明したが、本発明は係る例に限定されない。当業者であれば、本願で開示した技術的思想の範疇内において、各種の変更例または修正例に想到しえることは明らかであり、それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。 The preferred embodiments of the present invention have been described above with reference to the accompanying drawings, but the present invention is not limited to such examples. It will be apparent to those skilled in the art that various changes and modifications can be made within the scope of the technical idea disclosed in the present application, and these are naturally within the technical scope of the present invention. Understood.
１………半導体ウエハ加工用粘着テープ
３………粘着剤層
５………基材フィルム
1 .... Adhesive tape for semiconductor wafer processing 3 .... Adhesive layer 5 .... Base film
Claims (4)
前記粘着剤層が放射線硬化型粘着剤を含み、
元素の周期表における第４族の金属元素の有機金属化合物が、前記放射線硬化型粘着剤の全重量に対して、０．００１〜１０重量％の割合で含まれていることを特徴とする半導体ウエハ加工用粘着テープ。 A semiconductor wafer processing tape in which at least one adhesive layer is laminated on a base film,
The pressure-sensitive adhesive layer contains a radiation curable pressure-sensitive adhesive,
An organic metal compound of a Group 4 metal element in the periodic table of elements is contained in a proportion of 0.001 to 10% by weight with respect to the total weight of the radiation-curable pressure-sensitive adhesive. Adhesive tape for wafer processing.
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