JP2012096286A - Laser irradiation apparatus, laser irradiation method, and insulating film forming apparatus - Google Patents

Laser irradiation apparatus, laser irradiation method, and insulating film forming apparatus Download PDF

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To form a resist pattern with high quality.SOLUTION: The laser irradiation apparatus includes: a laser light source emitting a pulsed laser beam; a stage for holding a substrate; a coating apparatus for coating a resist material on the substrate held by the stage; a first propagation optical system for collecting and propagating the pulsed layer beam emitted from the laser light source onto the resist material coated by the coating apparatus and curing the resist material in a propagation position; a second propagation optical system for propagating the pulsed laser beam emitted from the laser light source onto the resist material cured by the pulsed laser beam propagated by the first propagation optical system and removing the resist material in the propagation position; and an optical path switching apparatus for making the pulsed laser beam emitted from the laser light source selectively incident on the first propagation optical system or the second propagation optical system.

Description

本発明は、レーザビームを照射する装置、方法、及び絶縁膜を形成する装置に関する。   The present invention relates to an apparatus and a method for irradiating a laser beam, and an apparatus for forming an insulating film.

ソルダーレジストは、基材に導体配線が形成されたプリント配線板のはんだ付けのために、必要な導体(銅箔)部分を露出し、はんだ付けが不要な部分にはんだが付かないように配線板上に形成される絶縁膜である。   Solder resist is a circuit board that exposes the necessary conductor (copper foil) for soldering a printed wiring board with conductor wiring formed on the base material, and prevents solder from attaching to the parts that do not require soldering. It is an insulating film formed on top.

プリント配線板上にソルダーレジストパターンを形成する方法として、たとえば以下の方法が知られている。まずソルダーレジストの密着性を向上させるため、プリント配線板を研磨する。次にレジスト材料を配線板全面に塗布し、溶媒を蒸発させる(仮乾燥)。そしてマスクを介して露光を行い、露光された部分のレジストを硬化させた後、現像により未露光部を除去する。更に熱を加えレジストを硬化させる(熱乾燥)。本明細書においては、便宜上、このソルダーレジスト形成方法を全面塗布法と呼ぶこととする。全面塗布法を用いてプリント配線板を作製する場合、ソルダーレジストパターン部に欠陥のある配線板は廃棄される。   As a method for forming a solder resist pattern on a printed wiring board, for example, the following methods are known. First, the printed wiring board is polished in order to improve the adhesion of the solder resist. Next, a resist material is applied to the entire surface of the wiring board, and the solvent is evaporated (temporary drying). And after exposing through a mask and hardening the resist of the exposed part, an unexposed part is removed by image development. Further, heat is applied to cure the resist (heat drying). In this specification, for the sake of convenience, this solder resist forming method will be referred to as a whole surface coating method. When a printed wiring board is produced using the whole surface coating method, a wiring board having a defect in the solder resist pattern portion is discarded.

また、レジスト材料(インク)をレジストパターンの形成領域とその近傍のみに、たとえばインクジェットプリンタを用いて塗布し、硬化させるソルダーレジストパターンの形成方法も公知である(たとえば、特許文献1参照)。この形成方法を部分塗布法と呼ぶこととする。部分塗布法は全面塗布法にくらべ、大幅な工程数の削減とグリーン化を実現することが可能である。   Also, a method for forming a solder resist pattern in which a resist material (ink) is applied only to a resist pattern formation region and its vicinity using, for example, an ink jet printer and cured is also known (see, for example, Patent Document 1). This forming method is referred to as a partial coating method. Compared with the full surface coating method, the partial coating method can achieve a significant reduction in the number of steps and greening.

しかし、部分塗布法に使用されるインク液滴量は、最小でも数ピコリットルであり、これがプリント配線板に着弾したときのサイズは、たとえば図10(A)に示すように、40μm〜50μm径となる。したがってこの着弾サイズのインクでソルダーレジストパターンを形成すると、プリント配線板に表面実装部品を実装するときのパット(ランド)開口径は200μm程度が限界となり、パッケージ基板に求められる50μm程度の開口径は、図10(B)に示すように、真円度の悪化のため実現困難である。このため、部分塗布法の実用化は難しく、現在産業技術総合研究所を中心に、インク吐出量がフェムトリットルオーダーのスーパーインクジェットの開発が行われているが、いまだ実用化の目途は立っていない。   However, the amount of ink droplets used in the partial coating method is a few picoliters at the minimum, and the size when the ink droplets land on the printed wiring board is, for example, 40 μm to 50 μm in diameter as shown in FIG. It becomes. Therefore, when the solder resist pattern is formed with this landing-size ink, the pad (land) opening diameter is limited to about 200 μm when the surface mounting component is mounted on the printed wiring board, and the opening diameter of about 50 μm required for the package substrate is As shown in FIG. 10B, it is difficult to realize due to the deterioration of roundness. For this reason, practical application of the partial coating method is difficult, and super-ink jets with an ink discharge amount of femtoliter order are currently being developed mainly by the National Institute of Advanced Industrial Science and Technology. .

特開平7−263845号公報JP-A-7-263845

本発明の目的は、レジストパターンを高品質に形成することができるレーザ照射装置及びレーザ照射方法を提供することである。   An object of the present invention is to provide a laser irradiation apparatus and a laser irradiation method capable of forming a resist pattern with high quality.

また、欠陥部のない絶縁膜パターンを形成することができる絶縁膜形成装置を提供することである。   It is another object of the present invention to provide an insulating film forming apparatus capable of forming an insulating film pattern having no defect.

本発明の一観点によると、パルスレーザビームを出射するレーザ光源と、基板を保持するステージと、前記ステージに保持された基板上にレジスト材料を塗布する塗布装置と、前記レーザ光源を出射したパルスレーザビームを、前記塗布装置によって塗布された前記レジスト材料上に集光して伝搬し、伝搬位置の前記レジスト材料を硬化させる第1の伝搬光学系と、前記レーザ光源を出射したパルスレーザビームを、前記第1の伝搬光学系によって伝搬されたパルスレーザビームによって硬化された前記レジスト材料上に伝搬し、伝搬位置の前記レジスト材料を除去する第2の伝搬光学系と、前記レーザ光源を出射したパルスレーザビームを前記第1の伝搬光学系または前記第2の伝搬光学系に選択的に入射させる光路切り替え装置とを有するレーザ照射装置が提供される。   According to one aspect of the present invention, a laser light source that emits a pulsed laser beam, a stage that holds a substrate, a coating apparatus that applies a resist material onto the substrate held on the stage, and a pulse that emits the laser light source A first propagation optical system for condensing and propagating a laser beam on the resist material applied by the coating apparatus and curing the resist material at a propagation position, and a pulse laser beam emitted from the laser light source A second propagation optical system that propagates on the resist material cured by the pulsed laser beam propagated by the first propagation optical system and removes the resist material at the propagation position; and the laser light source is emitted. An optical path switching device that selectively makes a pulse laser beam incident on the first propagation optical system or the second propagation optical system. Laser irradiation apparatus is provided.

また、本発明の他の観点によると、パルスレーザビームを出射するレーザ光源と、基板を保持するステージと、前記ステージに保持された基板上にレジスト材料を塗布する塗布装置と、前記レーザ光源を出射したパルスレーザビームを、前記レジスト材料上に集光して伝搬する伝搬光学系とを有し、前記伝搬光学系によって伝搬されるパルスレーザビームによって、前記塗布装置で塗布された前記レジスト材料の硬化、及び該硬化されたレジスト材料の部分的な除去を行うレーザ照射装置が提供される。   According to another aspect of the present invention, a laser light source that emits a pulsed laser beam, a stage that holds a substrate, a coating apparatus that applies a resist material onto the substrate held on the stage, and the laser light source include: A propagation optical system that condenses and propagates the emitted pulsed laser beam on the resist material, and the resist material applied by the coating apparatus by the pulsed laser beam propagated by the propagation optical system. A laser irradiation apparatus is provided that performs curing and partial removal of the cured resist material.

更に、本発明の他の観点によると、パルスレーザビームを出射するレーザ光源と、基板を保持するステージと、前記ステージに保持された基板上にレジスト材料を塗布する塗布装置と、前記塗布装置によって前記基板上に塗布されたレジスト材料を硬化させる光を出射する硬化用光源と、前記硬化用光源を出射した光によって硬化された前記レジスト材料に、前記レーザ光源を出射したパルスレーザビームを伝搬し、伝搬位置の前記レジスト材料を除去する伝搬光学系とを有するレーザ照射装置が提供される。   Furthermore, according to another aspect of the present invention, a laser light source that emits a pulsed laser beam, a stage that holds a substrate, a coating apparatus that applies a resist material onto the substrate held on the stage, and the coating apparatus A curing light source that emits light for curing the resist material applied on the substrate and a pulse laser beam emitted from the laser light source are propagated to the resist material that is cured by the light emitted from the curing light source. There is provided a laser irradiation apparatus having a propagation optical system for removing the resist material at the propagation position.

また、本発明の他の観点によると、パルスレーザビームを出射するレーザ光源と、レジストが形成された加工対象物を保持するステージと、前記レーザ光源を出射したパルスレーザビームを、前記加工対象物のレジスト上に伝搬し、伝搬位置の前記レジストを除去する第1の伝搬光学系と、前記ステージに保持された加工対象物上にレジスト材料を塗布する塗布装置と、前記レーザ光源を出射したパルスレーザビームを、前記塗布装置によって塗布された前記レジスト材料上に集光して伝搬し、伝搬位置の前記レジスト材料を硬化させる第2の伝搬光学系と、前記レーザ光源を出射したパルスレーザビームを前記第1の伝搬光学系または前記第2の伝搬光学系に選択的に入射させる光路切り替え装置とを有するレーザ照射装置が提供される。   According to another aspect of the present invention, a laser light source that emits a pulse laser beam, a stage that holds a processing object on which a resist is formed, and a pulse laser beam that is emitted from the laser light source are converted into the processing object. A first propagation optical system that propagates onto the resist and removes the resist at the propagation position, a coating device that applies a resist material onto the workpiece held on the stage, and a pulse emitted from the laser light source A second propagation optical system for condensing and propagating a laser beam on the resist material applied by the coating apparatus and curing the resist material at a propagation position; and a pulsed laser beam emitted from the laser light source. There is provided a laser irradiation apparatus having an optical path switching device that selectively enters the first propagation optical system or the second propagation optical system.

更に、本発明の他の観点によると、パルスレーザビームを出射するレーザ光源と、レジストが形成された加工対象物を保持するステージと、前記ステージに保持された加工対象物上にレジスト材料を塗布する塗布装置と、前記レーザ光源を出射したパルスレーザビームを、前記ステージに保持された加工対象物上に集光して伝搬する伝搬光学系とを有し、前記伝搬光学系によって伝搬されるパルスレーザビームによって、(i)前記加工対象物上に形成されたレジストの部分的な除去、(ii)前記塗布装置で前記加工対象物上に塗布されたレジスト材料の硬化の少なくとも一方を行うレーザ照射装置が提供される。   Furthermore, according to another aspect of the present invention, a laser light source that emits a pulsed laser beam, a stage that holds a processing object on which a resist is formed, and a resist material is applied on the processing object that is held on the stage And a propagating optical system for condensing and propagating the pulse laser beam emitted from the laser light source onto the workpiece held on the stage, the pulse propagating by the propagating optical system Laser irradiation for performing at least one of (i) partial removal of the resist formed on the processing object and (ii) curing of the resist material applied on the processing object by the coating apparatus by the laser beam. An apparatus is provided.

また、本発明の他の観点によると、パルスレーザビームを出射するレーザ光源と、レジストが形成された加工対象物を保持するステージと、前記加工対象物上に形成されたレジストに、前記レーザ光源を出射したパルスレーザビームを伝搬し、伝搬位置のレジストを除去する伝搬光学系と、前記ステージに保持された加工対象物上にレジスト材料を塗布する塗布装置と、前記塗布装置によって前記加工対象物上に塗布されたレジスト材料を硬化させる光を出射する硬化用光源とを有するレーザ照射装置が提供される。   According to another aspect of the present invention, a laser light source that emits a pulsed laser beam, a stage that holds a processing object on which a resist is formed, and a resist that is formed on the processing object include the laser light source A propagation optical system that propagates the pulse laser beam emitted from the substrate and removes the resist at the propagation position, a coating apparatus that applies a resist material onto the processing object held on the stage, and the processing object by the coating apparatus There is provided a laser irradiation apparatus having a curing light source that emits light for curing a resist material applied thereon.

更に、本発明の他の観点によると、(a)基板上にレジスト材料を塗布する工程と、(b)塗布された前記レジスト材料を硬化させる工程と、(c)前記工程(b)で硬化されたレジスト材料にパルスレーザビームを入射させ、入射位置のレジスト材料を除去してパターニングを行う工程とを有するレーザ照射方法が提供される。   Further, according to another aspect of the present invention, (a) a step of applying a resist material on a substrate, (b) a step of curing the applied resist material, and (c) curing in the step (b). And a step of patterning by removing the resist material at the incident position, and applying a laser beam to the resist material.

また、本発明の他の観点によると、(a)レジストが形成された加工対象物であって、レジスト部に欠陥を有する加工対象物を準備する工程と、(b)前記加工対象物上に形成されたレジストの欠陥部にレーザビームを入射させて、入射位置のレジストを除去する工程、または、(c)レジストの不形成による欠陥部にレジスト材料を塗布し、集光されたレーザビームを照射して硬化させ、レジストを形成する工程の少なくとも一方を有するレーザ照射方法が提供される。   According to another aspect of the present invention, (a) a process object on which a resist is formed, the process object having a defect in the resist portion, and (b) on the process object. A step of removing the resist at the incident position by causing a laser beam to enter the defective portion of the formed resist, or (c) applying a resist material to the defective portion due to non-formation of the resist, and then focusing the focused laser beam There is provided a laser irradiation method including at least one of a step of forming a resist by irradiation and curing.

更に、本発明の他の観点によると、基板上に絶縁材を塗布し、絶縁膜を形成する塗布装置と、前記塗布装置による絶縁膜の形成が適正に行われているか否かを検査し、絶縁膜の形成が適正に行われていない位置を検出する検査装置と、前記検査装置で検出された、絶縁膜の形成が適正に行われていない位置を適正な状態にする修復装置とを有する絶縁膜形成装置が提供される。   Furthermore, according to another aspect of the present invention, an insulating material is applied on a substrate, an insulating film is formed on a coating apparatus, and whether or not the insulating film is properly formed by the coating apparatus is inspected. An inspection apparatus that detects a position where the insulating film is not properly formed; and a repair apparatus that detects a position where the insulating film is not properly formed, which is detected by the inspection apparatus. An insulating film forming apparatus is provided.

本発明によれば、レジストパターンを高品質に形成することが可能なレーザ照射装置及びレーザ照射方法を提供することができる。   ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the laser irradiation apparatus and laser irradiation method which can form a resist pattern with high quality can be provided.

また、欠陥部のない絶縁膜パターンを形成することが可能な絶縁膜形成装置を提供することができる。   Further, it is possible to provide an insulating film forming apparatus capable of forming an insulating film pattern having no defect.

第1の実施例によるレーザ照射装置を示す概略図である。It is the schematic which shows the laser irradiation apparatus by a 1st Example. 直径50μmの円形状に形成されたランドを示す平面図である。It is a top view which shows the land formed in the circular shape of diameter 50 micrometers. (A)〜(C)は、第2の実施例によるレーザ照射装置を示す概略図である。(A)-(C) are schematic which shows the laser irradiation apparatus by a 2nd Example. 第2の実施例によるレーザ照射装置の変形例を示す概略図である。It is the schematic which shows the modification of the laser irradiation apparatus by 2nd Example. 第3の実施例によるレーザ照射装置を示す概略図である。It is the schematic which shows the laser irradiation apparatus by a 3rd Example. (A)及び(B)は、レーザビームの照射位置を示すプリント配線板60の概略的な平面図である。(A) And (B) is a schematic top view of the printed wiring board 60 which shows the irradiation position of a laser beam. 第3の実施例によるレーザ照射装置を用いて行うレーザ照射方法の他の例を示す概略図である。It is the schematic which shows the other example of the laser irradiation method performed using the laser irradiation apparatus by a 3rd Example. (A)及び(B)は、第4の実施例によるレーザ照射装置を示す概略図である。(A) And (B) is the schematic which shows the laser irradiation apparatus by the 4th Example. プリント配線板のソルダーレジストパターンの欠陥部修復(リペア)の概略について示す工程図である。It is process drawing shown about the outline of the defect part repair (repair) of the soldering resist pattern of a printed wiring board. (A)及び(B)は、従来技術の問題点を示す概略図である。(A) And (B) is the schematic which shows the problem of a prior art. (A)は、ソルダーレジストパターンに欠陥部を有するプリント配線板60の一例を示す概略的な平面図であり、(B)は、プリント配線板60に対応して定義される座標の一例を示す図であり、(C)は、領域60Aのレジスト付着状態を示す概略的な平面図である。(A) is a schematic plan view showing an example of a printed wiring board 60 having a defective portion in a solder resist pattern, and (B) shows an example of coordinates defined corresponding to the printed wiring board 60. (C) is a schematic plan view showing a resist adhesion state in the region 60A. 実施例による絶縁膜形成システム(ソルダーレジスト形成装置)の概略を示す平面図である。It is a top view which shows the outline of the insulating film formation system (solder resist formation apparatus) by an Example.

図1は、第1の実施例によるレーザ照射装置を示す概略図である。第1の実施例によるレーザ照射装置は、レーザ光源21、マスク22、折り返しミラー23、ガルバノスキャナ24、fθレンズ25、制御装置30、インクジェットプリンタ40、ランプ光源45、及びステージ50を含んで構成される。   FIG. 1 is a schematic view showing a laser irradiation apparatus according to the first embodiment. The laser irradiation apparatus according to the first embodiment includes a laser light source 21, a mask 22, a folding mirror 23, a galvano scanner 24, an fθ lens 25, a control device 30, an inkjet printer 40, a lamp light source 45, and a stage 50. The

制御装置30は、たとえばメモリである記憶装置30aを含む。ステージ50は保持対象物であるプリント配線板(基板)60を吸着保持するためのチャックプレート50aを含み、プリント配線板60をその面内方向に移動させることができる。ステージ50は、たとえばXYθステージである。第1の実施例によるレーザ照射装置を用いて、ステージ50に保持されたプリント配線板60上に、部分塗布法を用いてソルダーレジストパターンを形成する。   Control device 30 includes a storage device 30a which is a memory, for example. The stage 50 includes a chuck plate 50a for attracting and holding a printed wiring board (substrate) 60, which is an object to be held, and can move the printed wiring board 60 in the in-plane direction. The stage 50 is, for example, an XYθ stage. Using the laser irradiation apparatus according to the first embodiment, a solder resist pattern is formed on the printed wiring board 60 held on the stage 50 by using a partial coating method.

ステージ50は、プリント配線板60を一定速度でX軸正方向に移動させる。インクジェットプリンタ40は、紫外線硬化性インク(レジスト材料)41をプリント配線板60上の一部(プリント配線板60上の所定領域)に塗布する。   The stage 50 moves the printed wiring board 60 in the X axis positive direction at a constant speed. The ink jet printer 40 applies an ultraviolet curable ink (resist material) 41 to a part of the printed wiring board 60 (a predetermined region on the printed wiring board 60).

記憶装置30aには、プリント配線板60上においてソルダーレジストを形成すべき領域やランドを形成すべき位置等のデータ(ガーバデータ)が記憶されている。制御装置30は、記憶装置30aの記憶内容に基いて、プリント配線板60上の所定領域にインク41が塗布されるように、インクジェットプリンタ40によるインク41の出射(吐出)、及びステージ50による配線板60の移動を制御する。ここで所定領域とは、たとえばレジストを形成すべき位置とランドを形成する位置を含む領域である。   The storage device 30a stores data (gerber data) such as a region where a solder resist is to be formed and a position where a land is to be formed on the printed wiring board 60. The control device 30 emits (discharges) the ink 41 by the ink jet printer 40 and performs wiring by the stage 50 so that the ink 41 is applied to a predetermined area on the printed wiring board 60 based on the stored contents of the storage device 30a. The movement of the plate 60 is controlled. Here, the predetermined area is, for example, an area including a position where a resist is to be formed and a position where a land is to be formed.

プリント配線板60にインク41が塗布される位置を基準として、配線板60が移動される方向に、ランプ光源45が配置される。ランプ光源45は拡散する紫外光を出射し、プリント配線板60上に塗布されたインク41を硬化させる。硬化されたインク41により、プリント配線板60の所定領域にソルダーレジストパターンの概略が形成される。インク41の厚さは、たとえば20μm〜30μmである。   The lamp light source 45 is arranged in the direction in which the wiring board 60 is moved with reference to the position where the ink 41 is applied to the printed wiring board 60. The lamp light source 45 emits diffusing ultraviolet light, and cures the ink 41 applied on the printed wiring board 60. An outline of the solder resist pattern is formed in a predetermined region of the printed wiring board 60 by the cured ink 41. The thickness of the ink 41 is, for example, 20 μm to 30 μm.

レーザ光源21は、たとえばNd:YAGレーザ発振器及び非線形光学結晶を含み、制御装置30から与えられる制御信号に応じて、Nd:YAGレーザの3倍高調波(波長355nm)であるパルスレーザビーム(紫外光)を出射する。発振周波数は、たとえば10kHz〜100kHzである。レーザ光源21から出射するレーザビームを用いて、ソルダーレジストパターンの概略(インク41)に対し、ランド形成等のパターニングを行う。   The laser light source 21 includes, for example, an Nd: YAG laser oscillator and a nonlinear optical crystal, and a pulse laser beam (ultraviolet) that is a third harmonic (wavelength 355 nm) of the Nd: YAG laser in accordance with a control signal supplied from the control device 30. Light). The oscillation frequency is, for example, 10 kHz to 100 kHz. Using a laser beam emitted from the laser light source 21, patterning such as land formation is performed on the outline of the solder resist pattern (ink 41).

レーザビームは、透光領域と遮光領域をもち、透光領域の形状でレーザビームの断面形状を整形するマスク22に入射する。マスク22の透光領域は、たとえば円形状である。マスク22の透光領域を透過したレーザビームは折り返しミラー23で反射され、ガルバノスキャナ24に入射する。ガルバノスキャナ24は、2枚の揺動ミラーを含んで構成され、入射したレーザビームの出射方向を2次元方向に変化させて出射する。   The laser beam has a light-transmitting region and a light-shielding region, and is incident on a mask 22 that shapes the cross-sectional shape of the laser beam in the shape of the light-transmitting region. The translucent region of the mask 22 is, for example, circular. The laser beam transmitted through the light transmitting region of the mask 22 is reflected by the folding mirror 23 and enters the galvano scanner 24. The galvano scanner 24 includes two oscillating mirrors, and changes the emission direction of the incident laser beam in a two-dimensional direction for emission.

ガルバノスキャナ24を出射したレーザビームは、fθレンズ25で集光されてインク41上に照射される。fθレンズ25は、マスク22の透光領域の形状をインク41上に転写する。レーザビームはたとえば直径が50μmの円形状の入射領域を形成して、インク41上に入射し、入射位置のインク41をアブレーションにより除去する。   The laser beam emitted from the galvano scanner 24 is condensed by the fθ lens 25 and irradiated onto the ink 41. The fθ lens 25 transfers the shape of the translucent area of the mask 22 onto the ink 41. The laser beam forms, for example, a circular incident region having a diameter of 50 μm, is incident on the ink 41, and the ink 41 at the incident position is removed by ablation.

ガルバノスキャナ24を出射するレーザビームの出射方向及びインク41上の入射位置は制御装置30により制御される。制御装置30は、記憶装置30aに記憶されている、ランドを形成すべき位置のデータに基いて、プリント配線板60上の所定位置にレーザビームが入射し、ランドが形成されるように、ガルバノスキャナ24及びステージ50の動作を制御する。   The emission direction of the laser beam emitted from the galvano scanner 24 and the incident position on the ink 41 are controlled by the control device 30. Based on the data on the position where the land is to be formed, which is stored in the storage device 30a, the control device 30 galvanometers so that the laser beam is incident on a predetermined position on the printed wiring board 60 and the land is formed. The operations of the scanner 24 and the stage 50 are controlled.

インク41上の同一位置に、複数ショットのレーザパルスが連続して照射され、インク41層を貫通する円形状の穴が形成される。穴の底面に、インク41の下層にある銅箔が直径50μmの円形状に露出し、ランドが形成される。図2に、直径50μmの円形状に形成されたランド(レーザビーム入射領域、インク41除去領域)の平面図を示した。   A plurality of shots of laser pulses are continuously irradiated at the same position on the ink 41 to form a circular hole penetrating the ink 41 layer. On the bottom surface of the hole, the copper foil under the ink 41 is exposed in a circular shape having a diameter of 50 μm, and a land is formed. FIG. 2 shows a plan view of lands (laser beam incident area, ink 41 removal area) formed in a circular shape having a diameter of 50 μm.

レーザビームの照射はステージ50が停止した状態で行われる。ガルバノスキャナ24のビーム走査範囲の複数の所定位置にランドが形成されたら、ステージ50によってプリント配線板60を移動し、プリント配線板60上の異なる位置にランドを形成する。   Laser beam irradiation is performed with the stage 50 stopped. When lands are formed at a plurality of predetermined positions in the beam scanning range of the galvano scanner 24, the printed wiring board 60 is moved by the stage 50, and lands are formed at different positions on the printed wiring board 60.

インク41に入射するレーザビームのパルスエネルギ密度は、硬化されたインク41が除去される値以上、銅が加工(アブレーション)される値未満、たとえば1J/cmとされる。 The pulse energy density of the laser beam incident on the ink 41 is not less than the value at which the cured ink 41 is removed and less than the value at which copper is processed (ablated), for example, 1 J / cm 2 .

第1の実施例によるレーザ照射装置を用いると、ランド形成位置に塗布されたインク41にレーザビームを照射して、たとえば開口径が50μmのランドを形成する等の高精度、高解像度のパターニングを行うことができる。たとえばインクジェットプリンタ40より吐出されたインク液滴の分解能以上の分解能でレジストパターンを形成することができる。このため、高品質にソルダーレジストパターンを形成することが可能となる。また、ガルバノスキャナ24でレーザビームを走査するため、高速な加工を実現することができる。   When the laser irradiation apparatus according to the first embodiment is used, high-precision and high-resolution patterning such as forming a land having an opening diameter of 50 μm is performed by irradiating the ink 41 applied to the land formation position with a laser beam. It can be carried out. For example, the resist pattern can be formed with a resolution higher than the resolution of the ink droplets ejected from the inkjet printer 40. For this reason, it becomes possible to form a solder resist pattern with high quality. In addition, since the galvano scanner 24 scans the laser beam, high-speed processing can be realized.

なお、実施例においては、プリント配線板60上の所定領域にインク41を塗布し、硬化させ、プリント配線板60全体にソルダーレジストパターンの概略を形成した後、レーザビームを照射して照射位置のインク41を除去し、ランドを形成するが、レーザビームの照射は、インク41の塗布、硬化と並行して行うこともできる。すなわち、プリント配線板60の一部に、その部分におけるレジストパターンの概略を形成した後、その部分についてランドを形成することが可能である。また、Nd:YAGレーザの2倍高調波等、紫外領域以外の波長のレーザビームを使用可能である。   In the embodiment, the ink 41 is applied to a predetermined region on the printed wiring board 60 and cured, and after the outline of the solder resist pattern is formed on the entire printed wiring board 60, the laser beam is irradiated to irradiate the irradiation position. The ink 41 is removed to form a land, but the laser beam irradiation can be performed in parallel with the application and curing of the ink 41. That is, after forming the outline of the resist pattern in a part of the printed wiring board 60, a land can be formed in that part. In addition, a laser beam having a wavelength other than the ultraviolet region, such as a second harmonic of an Nd: YAG laser, can be used.

図3(A)〜(C)は、第2の実施例によるレーザ照射装置を示す概略図である。第1の実施例においては、プリント配線板60上に塗布されたインク41の硬化を、ランプ光源45を用いて行ったが、第2の実施例においては、レーザ光源21を出射したレーザビームによって行う。   3A to 3C are schematic views showing a laser irradiation apparatus according to the second embodiment. In the first embodiment, the ink 41 applied on the printed wiring board 60 is cured using the lamp light source 45, but in the second embodiment, the laser beam emitted from the laser light source 21 is used. Do.

第2の実施例によるレーザ照射装置は、光路切り替え装置26、ホモジナイザ27、折り返しミラー28を含む。光路切り替え装置26は、折り返しミラー26a、26bを含んで構成される。   The laser irradiation apparatus according to the second embodiment includes an optical path switching device 26, a homogenizer 27, and a folding mirror 28. The optical path switching device 26 includes folding mirrors 26a and 26b.

図3(A)を参照する。ホモジナイザ27は、インクジェットプリンタ40によってプリント配線板60上の所定領域に塗布されたインク41上に、レーザ光源21を出射したレーザビーム(波長355nmのNd:YAGレーザの3倍高調波)を集光する。また、インク41上のビーム入射領域の形状を、たとえば長軸方向(図面Y軸方向)30mm、短軸方向(図面X軸方向)0.1mmの矩形状に整形するとともに、入射領域内のレーザビームの強度を均一化する。パルスレーザビームは、プリント配線板60に対して垂直な方向から、たとえば20mJ/cmのパルスエネルギ密度、短軸方向に重複率20%で、プリント配線板60に照射される。レーザビームが照射された位置のインク41は硬化する。ステージ50によって、プリント配線板60をX軸正方向に一定速度で移動しながら、インクジェットプリンタ40によるインク41の塗布、及び、ホモジナイザ27を経由したレーザビームの照射を行い、プリント配線板60全体にソルダーレジストパターンの概略を形成する。 Reference is made to FIG. The homogenizer 27 condenses the laser beam (third harmonic of the Nd: YAG laser having a wavelength of 355 nm) emitted from the laser light source 21 on the ink 41 applied to a predetermined region on the printed wiring board 60 by the inkjet printer 40. To do. Further, the shape of the beam incident area on the ink 41 is shaped into, for example, a rectangular shape having a major axis direction (Y-axis direction in the drawing) of 30 mm and a minor axis direction (X-axis direction in the drawing) of 0.1 mm, and a laser in the incident area. Uniform beam intensity. The pulsed laser beam is applied to the printed wiring board 60 from a direction perpendicular to the printed wiring board 60, for example, with a pulse energy density of 20 mJ / cm 2 and an overlapping rate of 20% in the minor axis direction. The ink 41 at the position irradiated with the laser beam is cured. The stage 50 applies the ink 41 by the inkjet printer 40 and irradiates the laser beam via the homogenizer 27 while moving the printed wiring board 60 in the positive direction of the X axis at a constant speed. An outline of the solder resist pattern is formed.

図3(B)は、レーザビームの入射領域とインク41の塗布位置との関係を示す概略的な平面図である。   FIG. 3B is a schematic plan view showing the relationship between the laser beam incident area and the ink 41 application position.

インクジェットプリンタ40のインクジェットノズル(インク出射部、インク吐出部)はY軸方向に沿って配列されている。レーザビームの入射位置とインク41の塗布位置とは、X軸方向に20mm〜30mm離れている。レーザビーム入射領域の長軸方向(Y軸方向)の長さは、インク41の塗布が行われる領域のY軸方向に沿う長さ(ノズルの配列方向の長さ)と等しいか、それよりも幾分長い。   Inkjet nozzles (ink ejection portions, ink ejection portions) of the inkjet printer 40 are arranged along the Y-axis direction. The incident position of the laser beam and the application position of the ink 41 are separated by 20 mm to 30 mm in the X-axis direction. The length of the laser beam incident area in the major axis direction (Y axis direction) is equal to or longer than the length along the Y axis direction of the area where the ink 41 is applied (the length in the nozzle arrangement direction). Somewhat long.

図3(C)を参照する。プリント配線板60全体にソルダーレジストパターンの概略を形成した後、記憶装置30aに記憶されている、ランドを形成すべき位置のデータに基いて、プリント配線板60上の所定位置にレーザビームを照射してランドを形成する。   Reference is made to FIG. After the outline of the solder resist pattern is formed on the entire printed wiring board 60, a laser beam is irradiated to a predetermined position on the printed wiring board 60 based on the data on the position where the land is to be stored, which is stored in the storage device 30a. To form a land.

折り返しミラー26aは、レーザ光源21とホモジナイザ27との間のレーザビームの光路上に着脱が可能である。折り返しミラー26aが光路上に配置されないとき、図3(A)に示したように、レーザビームはホモジナイザ27を経由してインク41に入射し、入射位置のインク41を硬化させる。折り返しミラー26aが光路上に配置されるとき、図3(C)に示すように、レーザビームは折り返しミラー26a、26bで順に反射されてマスク22に入射する。折り返しミラー26bは、折り返しミラー26aがレーザビームの光路上に配置されたとき、レーザ光源21を出射し、折り返しミラー26aで反射されたレーザビームが入射する固定ミラーである。光路切り替え装置26(折り返しミラー26aの光路への着脱)によるレーザビームの光路の切り替えの制御は、制御装置30により行われる。   The folding mirror 26 a can be attached and detached on the optical path of the laser beam between the laser light source 21 and the homogenizer 27. When the folding mirror 26a is not disposed on the optical path, the laser beam is incident on the ink 41 through the homogenizer 27 as shown in FIG. 3A, and the ink 41 at the incident position is cured. When the folding mirror 26a is arranged on the optical path, the laser beam is sequentially reflected by the folding mirrors 26a and 26b and enters the mask 22 as shown in FIG. The folding mirror 26b is a fixed mirror that emits the laser light source 21 and receives the laser beam reflected by the folding mirror 26a when the folding mirror 26a is disposed on the optical path of the laser beam. Control of switching of the optical path of the laser beam by the optical path switching device 26 (attachment / detachment of the folding mirror 26a to / from the optical path) is performed by the control device 30.

マスク22を出射した後のレーザビームの進路及び作用は、図1に示す第1の実施例の場合と等しい。レーザビームは、ガルバノスキャナ24で走査され、たとえば直径が50μmの円形状の入射領域を形成して、プリント配線板60上に塗布、硬化されたインク41上に入射し、入射位置のインク41をアブレーションにより除去することで、プリント配線板60の銅箔を露出させ、ランドを形成する。   The course and action of the laser beam after exiting the mask 22 are the same as in the first embodiment shown in FIG. The laser beam is scanned by the galvano scanner 24 to form, for example, a circular incident region having a diameter of 50 μm, and is incident on the ink 41 applied and cured on the printed wiring board 60. By removing by ablation, the copper foil of the printed wiring board 60 is exposed and a land is formed.

なおレーザビームは、インク41を硬化させる場合は、相対的に小さいパルスエネルギ密度(たとえば20mJ/cm)、硬化されたインク41を除去する場合は、相対的に大きいパルスエネルギ密度(たとえば1J/cm)で、インク41に入射させる。 The laser beam has a relatively small pulse energy density (for example, 20 mJ / cm 2 ) when the ink 41 is cured, and a relatively large pulse energy density (for example, 1 J / cm) when the cured ink 41 is removed. cm 2 ) to be incident on the ink 41.

第2の実施例によるレーザ照射装置は、ホモジナイザ27とインク41との間のレーザビームの光路上に、集光レンズを含んでもよい。また光路の切り替えは、音響光学素子やガルバノミラーを用いて行うことが可能である。   The laser irradiation apparatus according to the second embodiment may include a condenser lens on the optical path of the laser beam between the homogenizer 27 and the ink 41. The optical path can be switched using an acousto-optic element or a galvanometer mirror.

第2の実施例によるレーザ照射装置は、塗布されたインク41の硬化と、硬化されたインク41の除去(ランドの形成等のパターニング)の双方を、レーザ光源21から出射されたレーザビームを用いて行う。このため、第1の実施例が奏する効果に加え、ランプ光源45が不要である。   The laser irradiation apparatus according to the second embodiment uses a laser beam emitted from the laser light source 21 for both curing of the applied ink 41 and removal of the cured ink 41 (patterning such as land formation). Do it. For this reason, in addition to the effect which 1st Example has, the lamp light source 45 is unnecessary.

また、第2の実施例によるレーザ照射装置は、ランプ光源45から出射される拡散光ではなく、集光されたレーザビーム(収束光)をインク41に照射して硬化させるので、たとえばインク41で反射されたレーザビームが、インクジェットプリンタ40のノズルに入射して生じるノズル詰まりを防止することができる。   Further, the laser irradiation apparatus according to the second embodiment irradiates the ink 41 with a focused laser beam (converged light) instead of the diffused light emitted from the lamp light source 45 and cures it. Nozzle clogging caused by the reflected laser beam entering the nozzles of the inkjet printer 40 can be prevented.

なお、第2の実施例においては、ホモジナイザ27を経由したレーザビームを、プリント配線板60に対して垂直な方向から入射させた。レーザビームは、インク41の塗布位置(インクジェットプリンタ40のノズル配設位置)に向かわない方向に入射させることが好ましい。たとえば図3(B)に示す態様においては、レーザビームの入射は、X軸負方向に向かう成分をもたないように行うことが好ましい。   In the second embodiment, the laser beam that has passed through the homogenizer 27 is incident from a direction perpendicular to the printed wiring board 60. The laser beam is preferably incident in a direction that does not face the application position of the ink 41 (nozzle placement position of the ink jet printer 40). For example, in the embodiment shown in FIG. 3B, it is preferable that the laser beam is incident so as not to have a component in the negative X-axis direction.

図4は、第2の実施例によるレーザ照射装置の変形例を示す概略図である。変形例は、インクジェットプリンタ40のノズル部に、遮光機能を有する光ガード部材40aを備える点において第2の実施例と異なる。光ガード部材40aは、ホモジナイザ27を経由したレーザビームの入射位置を向く方向に設置される。変形例によるレーザ照射装置は、光ガード部材40aを備えるため、プリント配線板60に塗布されたインク41を硬化させるためのレーザビームを、インク41の塗布位置に向かう方向に入射させた場合であっても、ノズルへのレーザビームの入射が防止され、ノズル詰まりが生じない。   FIG. 4 is a schematic view showing a modification of the laser irradiation apparatus according to the second embodiment. The modification differs from the second embodiment in that a light guard member 40a having a light shielding function is provided in the nozzle portion of the inkjet printer 40. The light guard member 40 a is installed in a direction facing the incident position of the laser beam via the homogenizer 27. Since the laser irradiation apparatus according to the modification includes the light guard member 40a, the laser beam for curing the ink 41 applied to the printed wiring board 60 is incident in the direction toward the application position of the ink 41. However, the laser beam is prevented from entering the nozzle and nozzle clogging does not occur.

更には、光ガード部材40aは、ガルバノスキャナ24を経由したレーザビームの入射位置を向く方向に設置してもよい。ホモジナイザ27を経由したレーザビームの入射位置、ガルバノスキャナ24を経由したレーザビームの入射位置の少なくとも一方を向く方向に設置することで、ノズル詰まり防止の効果を奏することができる。   Furthermore, the light guard member 40a may be installed in a direction facing the incident position of the laser beam via the galvano scanner 24. By installing at least one of the incident position of the laser beam via the homogenizer 27 and the incident position of the laser beam via the galvano scanner 24, an effect of preventing nozzle clogging can be achieved.

図5は、第3の実施例によるレーザ照射装置を示す概略図である。第3の実施例は、インク41を硬化させるためのレーザビームを2次元方向に走査してインク41に入射させる点において、第2の実施例と異なる。   FIG. 5 is a schematic view showing a laser irradiation apparatus according to the third embodiment. The third embodiment is different from the second embodiment in that a laser beam for curing the ink 41 is scanned in a two-dimensional direction and incident on the ink 41.

第3の実施例においては、折り返しミラー26aがビーム光路上に配置されないとき、レーザ光源21を出射したレーザビームは、透光領域と遮光領域をもち、透光領域の形状でレーザビームの断面形状を整形するマスク31に入射する。マスク31の透光領域は、たとえば正方形状である。マスク31の透光領域を透過したレーザビームは折り返しミラー32で反射され、集光レンズ33で集光されてガルバノスキャナ34に入射する。ガルバノスキャナ34は、入射したレーザビームの出射方向を2次元方向に変化させて出射する。ガルバノスキャナ34を出射したレーザビームはプリント配線板60上を走査され、レーザビーム入射位置のインク41を硬化させる。ガルバノスキャナ34を出射するレーザビームの出射方向及びプリント配線板60上の入射位置は、制御装置30により制御される。   In the third embodiment, when the folding mirror 26a is not disposed on the beam optical path, the laser beam emitted from the laser light source 21 has a translucent area and a light-shielding area, and has a cross-sectional shape of the laser beam in the shape of the translucent area. Is incident on a mask 31 for shaping The translucent region of the mask 31 is, for example, a square shape. The laser beam that has passed through the light-transmitting region of the mask 31 is reflected by the folding mirror 32, condensed by the condenser lens 33, and enters the galvano scanner 34. The galvano scanner 34 changes the emission direction of the incident laser beam in a two-dimensional direction and emits it. The laser beam emitted from the galvano scanner 34 is scanned on the printed wiring board 60 to cure the ink 41 at the laser beam incident position. The emission direction of the laser beam emitted from the galvano scanner 34 and the incident position on the printed wiring board 60 are controlled by the control device 30.

図6(A)及び(B)は、レーザビームの照射位置を示すプリント配線板60の概略的な平面図である。図6(A)に示すように、マスク31の透光領域の形状が集光レンズ33によって転写され、レーザビームはたとえば一辺が2mmの正方形状の入射領域を形成して、プリント配線板60に塗布されたインク41上に入射する。レーザビームは、ガルバノスキャナ34によりプリント配線板60上を、たとえば矢印方向に、重複率が20%となるように走査される。矢印方向は、Y軸負方向に対して時計回りに角度θをなす方向である。角度θを設けることで、図6(B)に示すように、レーザビームの照射領域を、ステージ50によるプリント配線板60の一定速度移動方向(X軸正方向)と直交させる。レーザビームの走査は、Y軸負方向に対して時計回りに角度θをなす方向に、かつ、プリント配線板60上においてY軸方向に延びるレーザビームの照射領域が、X軸方向に20%の重複率で形成されるように、繰り返される。レーザビームが照射されることで、塗布されたインク41が硬化され、ソルダーレジストパターンの概略が形成される。   6A and 6B are schematic plan views of the printed wiring board 60 showing the irradiation position of the laser beam. As shown in FIG. 6A, the shape of the translucent area of the mask 31 is transferred by the condenser lens 33, and the laser beam forms a square-shaped incident area with a side of 2 mm, for example, on the printed wiring board 60. It is incident on the applied ink 41. The laser beam is scanned by the galvano scanner 34 on the printed wiring board 60 in the direction of the arrow, for example, so that the overlapping rate is 20%. The arrow direction is a direction that forms an angle θ clockwise with respect to the Y-axis negative direction. By providing the angle θ, as shown in FIG. 6B, the irradiation region of the laser beam is orthogonal to the constant speed movement direction (X-axis positive direction) of the printed wiring board 60 by the stage 50. Laser beam scanning is performed in such a manner that the irradiation area of the laser beam extending in the Y-axis direction on the printed wiring board 60 in the direction that forms an angle θ clockwise with respect to the negative Y-axis direction is 20% in the X-axis direction Repeated to form at the overlap rate. By irradiating the laser beam, the applied ink 41 is cured, and an outline of the solder resist pattern is formed.

プリント配線板60全体にソルダーレジストパターンの概略を形成した後、制御装置30によって折り返しミラー26aをビーム光路上に配置して光路を切り替え、ガルバノスキャナ24の動作によって、ランドを形成する。   After the outline of the solder resist pattern is formed on the entire printed wiring board 60, the control device 30 places the folding mirror 26a on the beam optical path to switch the optical path, and the land is formed by the operation of the galvano scanner 24.

第3の実施例によるレーザ照射装置は、マスク31を用いない構成とすることができる。この場合インク硬化用のレーザビームは、たとえば直径2mmの円形状の入射領域を形成してインク41上に入射する。   The laser irradiation apparatus according to the third embodiment can be configured not to use the mask 31. In this case, the laser beam for curing the ink is incident on the ink 41 by forming a circular incident region having a diameter of 2 mm, for example.

図7は、第3の実施例によるレーザ照射装置を用いて行うレーザ照射方法の他の例を示す概略図である。   FIG. 7 is a schematic view showing another example of a laser irradiation method performed using the laser irradiation apparatus according to the third embodiment.

ステージ50はプリント配線板60を保持し、X軸正方向に移動させる。インクジェットプリンタ40は、インク41をプリント配線板60上の所定領域に塗布する。制御装置30は、記憶装置30aに記憶されている、ソルダーレジスト及びランドを形成すべき位置のデータ(インク41を塗布すべきプリント配線板60上の領域のデータ)に基いて、プリント配線板60上の所定領域にインク41が塗布されるように、インクジェットプリンタ40によるインク41の出射(吐出)、及びステージ50による配線板60の移動を制御する。また制御装置30は、プリント配線板60上のインク41が塗布された領域にレーザビームが入射するように、記憶装置30aに記憶されているデータに基づいて、ガルバノスキャナ34及びステージ50の動作を制御する。この場合、たとえばステージ50は、インク41の塗布領域が、レーザビームの走査線上にあるときには所定の一定速度で、ないときには可能な最大速度で、プリント配線板60を移動させてもよい。   The stage 50 holds the printed wiring board 60 and moves it in the positive direction of the X axis. The ink jet printer 40 applies the ink 41 to a predetermined area on the printed wiring board 60. The controller 30 prints the printed wiring board 60 on the basis of the data (position data on the printed wiring board 60 on which the ink 41 is to be applied) stored in the storage device 30a. The ejection (ejection) of the ink 41 by the inkjet printer 40 and the movement of the wiring board 60 by the stage 50 are controlled so that the ink 41 is applied to the upper predetermined region. Further, the control device 30 operates the galvano scanner 34 and the stage 50 based on the data stored in the storage device 30a so that the laser beam is incident on the area on the printed wiring board 60 where the ink 41 is applied. Control. In this case, for example, the stage 50 may move the printed wiring board 60 at a predetermined constant speed when the application area of the ink 41 is on the scanning line of the laser beam, and at the maximum possible speed when there is not.

レーザビームは、ガルバノスキャナ34により、インク41上に照射され、インク41が塗布されていないプリント配線板60上には照射されないように走査される。レーザビームが照射された位置のインク41は硬化される。   The laser beam is radiated onto the ink 41 by the galvano scanner 34 and scanned so as not to irradiate the printed wiring board 60 to which the ink 41 is not applied. The ink 41 at the position irradiated with the laser beam is cured.

プリント配線板60の所定領域に塗布されたインク41の硬化が終了し、プリント配線板60全体にソルダーレジストパターンの概略が形成された後、制御装置30によって折り返しミラー26aをビーム光路上に配置して光路を切り替え、ガルバノスキャナ24の動作によって、ランドを形成する。   After the curing of the ink 41 applied to a predetermined area of the printed wiring board 60 is completed and the outline of the solder resist pattern is formed on the entire printed wiring board 60, the control device 30 places the folding mirror 26a on the beam optical path. Then, the optical path is switched, and the land is formed by the operation of the galvano scanner 24.

本例においては、ガルバノスキャナ34及びステージ50の動作を制御し、インク41が塗布された領域にレーザビームを入射させたが、これはガルバノスキャナ34、ステージ50のいずれか一方の動作制御で行うことも可能である。   In this example, the operations of the galvano scanner 34 and the stage 50 are controlled, and the laser beam is incident on the area where the ink 41 is applied. This is performed by controlling the operation of either the galvano scanner 34 or the stage 50. It is also possible.

本例のレーザ照射方法によれば、レジストパターン形成を高速に、高エネルギ効率で行うことができる。また、プリント配線板60のインク41非塗布部はたとえば銅箔で形成されるため、紫外領域の光の吸収率が高い。したがって、インク41硬化のためのレーザビームの照射による非塗布部の劣化を防ぎ、加工品質を向上させることが可能である。更に、インク41を硬化させる際に、インク41にレーザビームを照射し、吸収させるので、反射光のインクジェットプリンタ40のノズルへの入射防止の効果もある。   According to the laser irradiation method of this example, resist pattern formation can be performed at high speed and with high energy efficiency. Moreover, since the ink 41 non-application part of the printed wiring board 60 is formed, for example with copper foil, the absorption factor of the light of an ultraviolet region is high. Therefore, it is possible to prevent deterioration of the non-coated portion due to irradiation of the laser beam for curing the ink 41 and improve the processing quality. Further, when the ink 41 is cured, the ink 41 is irradiated with a laser beam and absorbed, so that there is an effect of preventing the reflected light from entering the nozzles of the ink jet printer 40.

なお、銅がエネルギを吸収しない波長のレーザビームを使用することで、非塗布部にレーザビームが入射しても、非塗布部の品質を保持することが可能である。   Note that, by using a laser beam having a wavelength at which copper does not absorb energy, the quality of the non-coated portion can be maintained even when the laser beam is incident on the non-coated portion.

図8(A)及び(B)は、第4の実施例によるレーザ照射装置を示す概略図である。第3の実施例においては、塗布されたインク41を硬化させるレーザビームの光路と、硬化されたインク41をアブレーションにより除去するレーザビームの光路とを光路切り替え装置26で切り替えたが、第4の実施例においては、インク41を硬化させる場合も除去する場合も、同一のガルバノスキャナ34で走査して、レーザビームをインク41に入射させる。このため、第4の実施例は、光路切り替え装置26、マスク22、折り返しミラー23、ガルバノスキャナ24、及びfθレンズ25を有しない。他方、エキスパンダ35及びフィールドレンズ36を含む。   FIGS. 8A and 8B are schematic views showing a laser irradiation apparatus according to the fourth embodiment. In the third embodiment, the optical path of the laser beam for curing the applied ink 41 and the optical path of the laser beam for removing the cured ink 41 by ablation are switched by the optical path switching device 26. In the embodiment, both when the ink 41 is cured and when it is removed, scanning is performed by the same galvano scanner 34 and the laser beam is incident on the ink 41. For this reason, the fourth embodiment does not include the optical path switching device 26, the mask 22, the folding mirror 23, the galvano scanner 24, and the fθ lens 25. On the other hand, an expander 35 and a field lens 36 are included.

エキスパンダ35は、入射するレーザビームのビーム径を拡大率可変に拡大して出射する。ビーム径を変化させることにより、エキスパンダ35を出射するレーザビームのエネルギ密度、及びインク41に入射するレーザビームのエネルギ密度を変化させることができる。エキスパンダ35のビーム径の拡大率は制御装置30により制御することができる。   The expander 35 expands the beam diameter of the incident laser beam so that the expansion ratio is variable, and emits the beam. By changing the beam diameter, the energy density of the laser beam emitted from the expander 35 and the energy density of the laser beam incident on the ink 41 can be changed. The expansion ratio of the beam diameter of the expander 35 can be controlled by the control device 30.

図8(A)は、レーザビームの照射により、塗布されたインク41を硬化させる場合を示す。レーザ光源21を出射したレーザビームは、エキスパンダ35でビーム径を拡大されてマスク31に入射する。マスク31の透光領域は、たとえば正方形状である。マスク31の透光領域を透過したレーザビームは、折り返しミラー32で反射され、集光レンズ33で集光され、ガルバノスキャナ34で出射方向を2次元方向に変化されて、プリント配線板60上のインク41上を走査する。マスク31の透光領域の形状は、集光レンズ33によりインク41上に転写される。   FIG. 8A shows a case where the applied ink 41 is cured by laser beam irradiation. The laser beam emitted from the laser light source 21 is expanded in beam diameter by the expander 35 and enters the mask 31. The translucent region of the mask 31 is, for example, a square shape. The laser beam that has passed through the light transmitting region of the mask 31 is reflected by the folding mirror 32, collected by the condenser lens 33, and the emission direction is changed to a two-dimensional direction by the galvano scanner 34. The ink 41 is scanned. The shape of the translucent area of the mask 31 is transferred onto the ink 41 by the condenser lens 33.

フィールドレンズ36は、マスク31と集光レンズ33との間のレーザビームの光路上に着脱可能である。フィールドレンズ36の光路上への着脱は、制御装置30により行われる。フィールドレンズ36と集光レンズ33とは、マスク31の透光領域の形状をインク41上に、転写倍率可変に転写する転写倍率変化光学系を構成する。   The field lens 36 is detachable on the optical path of the laser beam between the mask 31 and the condenser lens 33. The control device 30 attaches / detaches the field lens 36 to / from the optical path. The field lens 36 and the condensing lens 33 constitute a transfer magnification changing optical system that transfers the shape of the translucent region of the mask 31 onto the ink 41 in a variable transfer magnification manner.

インク41を硬化させる用途においては、フィールドレンズ36は、マスク31と集光レンズ33との間のレーザビームの光路上に配置されない。このとき、レーザビームは、たとえば一辺が2mmの正方形状の入射領域(相対的に大きいサイズの入射領域)を形成してインク41に入射する。入射面におけるパルスエネルギ密度は、たとえば20mJ/cm(相対的に小さいパルスエネルギ密度)である。レーザビームは、図6(A)及び(B)または図7を参照して説明した態様または方法で、インク41上を走査される。 In an application for curing the ink 41, the field lens 36 is not disposed on the optical path of the laser beam between the mask 31 and the condenser lens 33. At this time, the laser beam is incident on the ink 41 by forming, for example, a square-shaped incident area (relatively large incident area) having a side of 2 mm. The pulse energy density at the incident surface is, for example, 20 mJ / cm 2 (relatively small pulse energy density). The laser beam is scanned over the ink 41 in the manner or method described with reference to FIGS. 6A and 6B or FIG.

図8(B)は、レーザビームの照射により、硬化されたインク41を除去する場合を示す。レーザ光源21を出射したレーザビームは、エキスパンダ35でビーム径を拡大されてマスク31に入射する。ビーム径の拡大率は、インク41を硬化させる場合よりも大きい。このときエキスパンダ35を出射するレーザビームのエネルギ密度は、インク41を硬化させる場合より小さくなる。   FIG. 8B shows a case where the cured ink 41 is removed by laser beam irradiation. The laser beam emitted from the laser light source 21 is expanded in beam diameter by the expander 35 and enters the mask 31. The expansion ratio of the beam diameter is larger than when the ink 41 is cured. At this time, the energy density of the laser beam emitted from the expander 35 is smaller than when the ink 41 is cured.

マスク31の透光領域を透過したレーザビームは、フィールドレンズ36、折り返しミラー32、集光レンズ33を経由し、ガルバノスキャナ34で出射方向を2次元方向に変化されて、硬化されたインク41上を走査する。マスク31の透光領域の形状は、フィールドレンズ36及び集光レンズ33によりインク41上に転写される。フィールドレンズ36がレーザビームの光路上に配置されることにより、転写倍率が小さく(縮小率が大きく)なり、レーザビームは一辺が0.1mmの正方形状の入射領域(相対的に小さいサイズの入射領域)を形成してインク41上に入射し、入射位置のインク41をアブレーションにより除去する。入射面におけるパルスエネルギ密度は、たとえば1J/cm(相対的に大きいパルスエネルギ密度)である。 The laser beam that has passed through the light-transmitting region of the mask 31 passes through the field lens 36, the folding mirror 32, and the condenser lens 33, and the emission direction is changed to a two-dimensional direction by the galvano scanner 34. Scan. The shape of the translucent area of the mask 31 is transferred onto the ink 41 by the field lens 36 and the condenser lens 33. Since the field lens 36 is arranged on the optical path of the laser beam, the transfer magnification is reduced (the reduction ratio is increased), and the laser beam is incident on a square-shaped incident area having a side of 0.1 mm (incident with a relatively small size). Region) is formed and incident on the ink 41, and the ink 41 at the incident position is removed by ablation. The pulse energy density at the incident surface is, for example, 1 J / cm 2 (relatively high pulse energy density).

制御装置30は、レーザビームの光路上にフィールドレンズ36を配置したときのインク41上におけるパルスエネルギ密度が1J/cmとなり、配置しないときのパルスエネルギ密度が20mJ/cmとなるように、フィールドレンズ36の光路上への着脱(転写倍率)と、エキスパンダ35によるビーム径の拡大率を制御する。 The control device 30 is configured so that the pulse energy density on the ink 41 when the field lens 36 is disposed on the optical path of the laser beam is 1 J / cm 2 and the pulse energy density when the field lens 36 is not disposed is 20 mJ / cm 2 . The attachment / detachment (transfer magnification) of the field lens 36 on the optical path and the expansion rate of the beam diameter by the expander 35 are controlled.

第4の実施例によるレーザ照射装置は、ガルバノスキャナ等の光学部材を少なくすることができる。   The laser irradiation apparatus according to the fourth embodiment can reduce the number of optical members such as a galvano scanner.

たとえば第4の実施例によるレーザ照射装置を用いて、プリント配線板の欠陥部の修復(リペア)を行うことも可能である。   For example, it is possible to repair (repair) a defective portion of the printed wiring board using the laser irradiation apparatus according to the fourth embodiment.

図9は、プリント配線板のソルダーレジストパターンの欠陥部修復(リペア)の概略について示す工程図である。全面塗布法または部分塗布法によって、ソルダーレジストパターンが形成された配線板は、まずステップS101の検査工程に付される。検査工程において欠陥が検出されない場合は、修復工程に進まず終了する。   FIG. 9 is a process diagram illustrating an outline of defect repair (repair) of a solder resist pattern of a printed wiring board. The wiring board on which the solder resist pattern is formed by the whole surface coating method or the partial coating method is first subjected to an inspection process in step S101. If no defect is detected in the inspection process, the process ends without proceeding to the repair process.

欠陥が検出された場合、ステップS102に進み、検出された欠陥の情報、たとえば欠陥の位置及び内容、欠陥に対して施されるべき修復内容等を、たとえば制御装置30の記憶装置30aに記憶させる(欠陥情報設定)。また、欠陥情報が設定されたプリント配線板を準備する(欠陥配線板準備)。制御装置30は、記憶装置30aの記憶内容に基いてレーザ照射装置の各部の動作を制御し、プリント配線板のソルダーレジストパターンの欠陥を修復する。   If a defect is detected, the process proceeds to step S102, and information on the detected defect, for example, the position and content of the defect, the repair content to be applied to the defect, and the like are stored in the storage device 30a of the control device 30, for example. (Defect information setting). Also, a printed wiring board in which defect information is set is prepared (defective wiring board preparation). The control device 30 controls the operation of each part of the laser irradiation device based on the stored contents of the storage device 30a, and repairs the defect of the solder resist pattern of the printed wiring board.

たとえば不要または有害な位置にレジストが形成されていた場合や、適切な位置に形成されていた場合であっても塗布不良が生じていた場合には、ステップS103に進む。まず欠陥情報が設定されたプリント配線板をステージ50に保持し、修復箇所(欠陥位置)をガルバノスキャナ34の走査範囲に移動する。そしてレーザビームを照射し、不要または有害な位置や塗布不良箇所に形成されたレジストをアブレーションにより除去する。レジストを除去する際は、レーザビームの光路上にフィールドレンズ36を配置し、レーザビームがレジスト上に、たとえば1J/cmのパルスエネルギ密度で照射されるように、エキスパンダ35でビーム径を調整する。たとえばビーム入射領域が一辺0.1mmの正方形であるレーザビームをガルバノスキャナ34で走査して、不要または有害な位置や塗布不良箇所のレジストを除去する。 For example, if a resist is formed at an unnecessary or harmful position, or if a coating failure has occurred even when the resist is formed at an appropriate position, the process proceeds to step S103. First, the printed wiring board on which defect information is set is held on the stage 50, and the repaired portion (defect position) is moved to the scanning range of the galvano scanner 34. Then, the laser beam is irradiated, and the resist formed at unnecessary or harmful positions or defective coating positions is removed by ablation. When removing the resist, a field lens 36 is disposed on the optical path of the laser beam, and the beam diameter is adjusted by the expander 35 so that the laser beam is irradiated onto the resist with a pulse energy density of, for example, 1 J / cm 2. adjust. For example, a laser beam whose beam incident area is a square having a side of 0.1 mm is scanned by the galvano scanner 34 to remove an unnecessary or harmful position or a resist at a poorly applied position.

なお、除去するレジストの範囲の外形(輪郭)が直線で形成される場合にはレーザビームの入射領域を正方形とし、曲線で形成される場合には、円形状の透光領域を備えるマスク31を用いてビーム入射領域を円形状に整形することで、より高品質な修復を実現することができる。   When the outer shape (contour) of the range of the resist to be removed is formed with a straight line, the incident region of the laser beam is a square, and when formed with a curve, the mask 31 having a circular light transmitting region is provided. By using and shaping the beam incident area into a circular shape, a higher quality restoration can be realized.

不要または有害な位置にレジストが形成されていた場合、その箇所の修復はこれで終了する。   If a resist is formed at an unnecessary or harmful position, the repair of that portion is completed.

塗布不良の場合には、不良箇所のレジストを除去した後、その位置にインクを再塗布(ステップS104)し、硬化(ステップS105)させる。インクの再塗布は、ステージ50で、修復箇所をインクジェットプリンタ40のインク塗布位置に配置して行う。インクの硬化は、ステージ50で再塗布位置(修復箇所)をガルバノスキャナ34の走査範囲に移動し、レーザビームをレジスト除去の場合よりも小さいパルスエネルギ密度でインクの再塗布位置に照射して行う。   In the case of poor application, after removing the resist at the defective portion, the ink is reapplied to the position (step S104) and cured (step S105). Ink re-application is performed on the stage 50 by placing the repaired portion at the ink application position of the inkjet printer 40. The ink is cured by moving the reapplication position (restoration point) to the scanning range of the galvano scanner 34 on the stage 50 and irradiating the ink reapplication position with a pulse energy density smaller than that in the case of resist removal. .

インクを硬化させる際には、レーザビームの光路上からフィールドレンズ36を取り除き、レーザビームがインク上に、20mJ/cmのパルスエネルギ密度で照射されるように、エキスパンダ35でビーム径を調整する。たとえばビーム入射領域が一辺2mmの正方形であるレーザビームがガルバノスキャナ34でインク上を走査され、再塗布されたインクを硬化させる。 When curing the ink, the field lens 36 is removed from the optical path of the laser beam, and the beam diameter is adjusted by the expander 35 so that the laser beam is irradiated onto the ink at a pulse energy density of 20 mJ / cm 2. To do. For example, a laser beam whose beam incident area is a square having a side of 2 mm is scanned over the ink by the galvano scanner 34 to cure the reapplied ink.

欠陥内容がたとえばレジストの不形成である場合、ステップS102からステップS106に進む。不形成部分にインクを塗布し(ステップS106)、硬化する(ステップS107)ことでレジストを形成する。インクの塗布は、ステージ50で、レジストの不形成部分をインクジェットプリンタ40のインク塗布位置に配置して行う。インクの硬化は、ステージ50でインク塗布部分をガルバノスキャナ34の走査範囲に移動し、インクにレーザビームをたとえば20mJ/cmで照射して行う。 If the defect content is, for example, no formation of a resist, the process proceeds from step S102 to step S106. Ink is applied to the non-formed portion (step S106) and cured (step S107) to form a resist. Ink application is performed by placing a resist non-formation portion on the ink application position of the inkjet printer 40 on the stage 50. The ink is cured by moving the ink application portion to the scanning range of the galvano scanner 34 on the stage 50 and irradiating the ink with a laser beam at 20 mJ / cm 2 , for example.

修復対象物となるプリント配線板のすべての欠陥に対し、施されるべき修復がなされたら(ステップS108)、ステップS101に戻って再検査を行う。欠陥が検出されない場合、修復は終了し、欠陥が検出された場合は、ステップS102に進んで上記工程を繰り返す。   When all the defects of the printed wiring board to be repaired are repaired to be performed (step S108), the process returns to step S101 to perform re-inspection. If no defect is detected, the repair is completed, and if a defect is detected, the process proceeds to step S102 and the above process is repeated.

なお、プリント配線板の欠陥部の修復は、他の実施例によるレーザ照射装置を用いても行うことができる。欠陥部を修復し、高品質にレジストパターンを形成することが可能である。   The defective part of the printed wiring board can also be repaired by using a laser irradiation apparatus according to another embodiment. It is possible to repair a defective portion and form a resist pattern with high quality.

この場合、たとえば図7を参照して説明したレーザ照射方法を行うときは、制御装置30は、記憶装置30aに記憶された欠陥の情報に基づいて、レーザビームが入射するプリント配線板60上の位置を制御する。   In this case, for example, when the laser irradiation method described with reference to FIG. 7 is performed, the control device 30 is on the printed wiring board 60 on which the laser beam is incident based on the defect information stored in the storage device 30a. Control the position.

図11(A)は、ソルダーレジストパターンに欠陥部を有するプリント配線板60の一例を示す概略的な平面図である。プリント配線板60上には、描画すべきパターンが画定されている。図11(A)においては、ソルダーレジストを付着させる領域にハッチングを付して示し、付着させない領域は白抜きとして示した。ソルダーレジストを付着させない領域は、たとえば、四角形、円形、ある幅を有する直線等のパターンの内側領域である。   FIG. 11A is a schematic plan view showing an example of a printed wiring board 60 having a defective portion in a solder resist pattern. A pattern to be drawn is defined on the printed wiring board 60. In FIG. 11A, a region to which the solder resist is to be attached is shown with hatching, and a region to which the solder resist is not attached is shown as white. The region where the solder resist is not attached is, for example, an inner region of a pattern such as a quadrangle, a circle, or a straight line having a certain width.

図11(B)に、プリント配線板60に対応して定義される座標の一例を示す。プリント配線板60には、たとえば配線板60の横方向(行方向)に沿ってX座標、縦方向(列方向)に沿ってY座標が、行列状に配置される複数のピクセル60Bによって規定されている。本図においては、左上のピクセル内の領域の座標は[X000,Y000]で表される。   FIG. 11B shows an example of coordinates defined corresponding to the printed wiring board 60. In the printed wiring board 60, for example, the X coordinate along the horizontal direction (row direction) of the wiring board 60 and the Y coordinate along the vertical direction (column direction) are defined by a plurality of pixels 60B arranged in a matrix. ing. In the figure, the coordinates of the area in the upper left pixel are represented by [X000, Y000].

図11(C)は、図11(A)における領域(プリント配線板60の一部領域)60Aのレジスト付着状態を示す概略的な平面図である。本図においては、ソルダーレジストの付着している領域に斜線を付した。レジストを付着させるべき位置にもかかわらず、レジストが付着していない領域を、レジスト不形成箇所61として示した。また、レジストを付着させることが不要または有害であるにもかかわらず、レジストが付着している領域を、レジスト不要または有害箇所62として示した。   FIG. 11C is a schematic plan view showing a resist adhesion state in a region (a partial region of the printed wiring board 60) 60A in FIG. In this figure, the area where the solder resist is attached is hatched. A region where the resist is not attached despite the position where the resist is to be attached is shown as a resist non-formation portion 61. In addition, although the resist is not necessary or harmful, a region where the resist is adhered is shown as a resist unnecessary or harmful portion 62.

図12は、実施例による絶縁膜形成システム(ソルダーレジスト形成装置)の概略を示す平面図である。たとえば本図に示すシステムを使用して、プリント配線板60上に、欠陥部のないソルダーレジストパターンを形成することができる。たとえばソルダーレジストが形成されていないプリント配線板60に、ソルダーレジストを塗布する工程で、図11(C)に示す欠陥が生じた場合であっても、欠陥部は修復され、欠陥のないソルダーレジストパターンが形成される。   FIG. 12 is a plan view schematically illustrating an insulating film forming system (solder resist forming apparatus) according to an embodiment. For example, a solder resist pattern having no defective portion can be formed on the printed wiring board 60 using the system shown in FIG. For example, even if the defect shown in FIG. 11C occurs in the step of applying the solder resist to the printed wiring board 60 on which the solder resist is not formed, the defective portion is repaired and the solder resist without the defect A pattern is formed.

実施例による絶縁膜形成システムは、アライメント装置70、塗布装置71、第1本硬化装置72、検査装置(検査台)73、リペア装置74、第2本硬化装置75、アーム76、コンベヤ77、78、及び制御装置79を含んで構成される。   The insulating film forming system according to the embodiment includes an alignment device 70, a coating device 71, a first main curing device 72, an inspection device (inspection table) 73, a repair device 74, a second main curing device 75, an arm 76, and conveyors 77 and 78. , And a control device 79.

コンベヤ77は、システム外部からアライメント装置70に、ソルダーレジスト未形成のプリント配線板60を搬送する搬送手段であり、コンベヤ78は、検査装置73からシステム外部に、ソルダーレジストが適切に塗布されたプリント配線板60を搬送する搬送手段である。アーム76は、各装置70〜75間におけるプリント配線板60の搬送を行う。制御装置79は、各装置70〜75における配線板60に対する処理、及び、アーム76、コンベヤ77、78による配線板60の搬送を制御する。制御装置79は、たとえばメモリである記憶装置79aを含む。   The conveyor 77 is a conveying means for conveying the printed wiring board 60 on which the solder resist is not formed to the alignment device 70 from the outside of the system, and the conveyor 78 is a print in which the solder resist is appropriately applied from the inspection device 73 to the outside of the system. It is a transport means for transporting the wiring board 60. The arm 76 carries the printed wiring board 60 between the devices 70 to 75. The control device 79 controls the processing for the wiring board 60 in each of the devices 70 to 75 and the conveyance of the wiring board 60 by the arm 76 and the conveyors 77 and 78. The control device 79 includes a storage device 79a that is a memory, for example.

アライメント装置70は、コンベヤ77によって搬入されたプリント配線板60の表面に形成されているアライメントマークを検出し、検出結果に基いて、プリント配線板60のアライメントを行う。アライメント装置70は、ステージ、及び、アライメントマーク検出器として、たとえばCCDカメラを備える。ステージ上に載置されたプリント配線板60のアライメントマークがCCDカメラによって撮影される。CCDカメラによる撮像は、制御装置79によって制御される。また、CCDカメラによって得られた画像データ(検出結果)は、制御装置79に送信される。   The alignment device 70 detects the alignment mark formed on the surface of the printed wiring board 60 carried in by the conveyor 77, and aligns the printed wiring board 60 based on the detection result. The alignment apparatus 70 includes, for example, a CCD camera as a stage and an alignment mark detector. An alignment mark of the printed wiring board 60 placed on the stage is photographed by the CCD camera. Imaging by the CCD camera is controlled by the control device 79. Further, the image data (detection result) obtained by the CCD camera is transmitted to the control device 79.

制御装置79は、CCDカメラによって取得された画像データを処理し、プリント配線板60の位置、及び、配線板60面内(水平面内)方向における姿勢(向き)を把握する。アライメント装置70は、制御装置79の制御により、プリント配線板60の、水平面内方向における姿勢を補正(変更)する(θ補正)。   The control device 79 processes the image data acquired by the CCD camera, and grasps the position of the printed wiring board 60 and the posture (orientation) in the direction in the plane of the wiring board 60 (in the horizontal plane). The alignment device 70 corrects (changes) the posture of the printed wiring board 60 in the horizontal plane direction under the control of the control device 79 (θ correction).

θ補正の施されたプリント配線板60は、アーム76により、θ補正後の水平面内方向における向きを維持した状態で、塗布装置71に搬送される。   The printed wiring board 60 subjected to θ correction is conveyed by the arm 76 to the coating device 71 in a state in which the orientation in the horizontal plane direction after θ correction is maintained.

塗布装置71は、プリント配線板60を保持するステージと、ステージに対向し、ステージ上に保持された配線板60に向けて絶縁性のインク(レジスト材料)を液滴として吐出する複数のノズルを備えるノズルユニット(インクジェットプリンタ40)を含む。インクは、たとえば紫外線硬化性を有する。塗布装置71によって、プリント配線板60には、たとえば図11(A)に斜線を付して示す領域(ソルダーレジストを付着させるべき領域)に向けてインクが吐出され、ソルダーレジストパターンが形成される。塗布装置71は、紫外光を照射する光源を含んでいてもよい。光源からの紫外光をプリント配線板60上に塗布されたソルダーレジストに照射し、ソルダーレジストの仮硬化を行うことができる。   The coating device 71 includes a stage that holds the printed wiring board 60 and a plurality of nozzles that discharge the insulating ink (resist material) as droplets toward the wiring board 60 that faces the stage and is held on the stage. The nozzle unit (inkjet printer 40) provided is included. The ink has, for example, ultraviolet curable properties. For example, ink is ejected onto the printed wiring board 60 by the coating device 71 toward a region shown by hatching in FIG. 11A (a region where a solder resist is to be attached), thereby forming a solder resist pattern. . The coating device 71 may include a light source that emits ultraviolet light. The solder resist applied on the printed wiring board 60 can be irradiated with ultraviolet light from a light source, and the solder resist can be temporarily cured.

なお、アライメント装置70でθ補正が行われているため、塗布装置71ではθ補正を行わず処理が開始される。   In addition, since θ correction is performed in the alignment apparatus 70, the coating apparatus 71 starts the process without performing θ correction.

ソルダーレジストが塗布されたプリント配線板60は、アーム76により、第1本硬化装置72に搬送される。第1本硬化装置72は、紫外光を照射する光源を含む。光源から、プリント配線板60のソルダーレジストが塗布された面に紫外光を照射して、ソルダーレジストの本硬化を行う。本硬化によって、プリント配線板60のソルダーレジストは、その内部まで固化される。本硬化においては、仮硬化におけるよりも強いエネルギ密度でプリント配線板60に紫外光が照射される。なお、仮硬化は、ソルダーレジストの表面領域を固化させ、たとえば拡散を防止する処理であり、仮硬化によってはソルダーレジストの内部領域は完全には固化していない。   The printed wiring board 60 to which the solder resist is applied is conveyed to the first main curing device 72 by the arm 76. The first main curing device 72 includes a light source that emits ultraviolet light. The surface of the printed wiring board 60 on which the solder resist is applied is irradiated with ultraviolet light from a light source to perform the main curing of the solder resist. By the main curing, the solder resist of the printed wiring board 60 is solidified to the inside. In the main curing, the printed wiring board 60 is irradiated with ultraviolet light at a higher energy density than in the temporary curing. The temporary curing is a process for solidifying the surface region of the solder resist, for example, preventing diffusion, and the internal region of the solder resist is not completely solidified by the temporary curing.

塗布されたソルダーレジストが本硬化されたプリント配線板60は、アーム76によって、第1本硬化装置72から検査装置(検査台)73に搬送される。検査装置73は、塗布装置71によるソルダーレジストの形成が適正に行われているか否かを検査し、ソルダーレジストの形成が適正に行われていない位置を検出する。   The printed wiring board 60 in which the applied solder resist is finally cured is conveyed from the first main curing device 72 to the inspection device (inspection table) 73 by the arm 76. The inspection device 73 inspects whether or not the solder resist is properly formed by the coating device 71 and detects a position where the solder resist is not properly formed.

検査装置73は、たとえばプリント配線板60を保持するステージと、プリント配線板60上に塗布されたソルダーレジストの欠陥を検出する検出器、一例としてCCDカメラを備える。CCDカメラは、ステージに保持されたプリント配線板60上のソルダーレジストを撮影する。CCDカメラによる撮像は、制御装置79によって制御される。撮影された画像データ(検出結果)は、制御装置79に送信される。   The inspection device 73 includes, for example, a stage that holds the printed wiring board 60, a detector that detects a defect of a solder resist applied on the printed wiring board 60, and a CCD camera as an example. The CCD camera photographs the solder resist on the printed wiring board 60 held on the stage. Imaging by the CCD camera is controlled by the control device 79. The captured image data (detection result) is transmitted to the control device 79.

制御装置79は、CCDカメラによって取得された画像データを処理し、形成されたソルダーレジストパターンにおける欠陥部の有無を判定する(たとえば図9のステップS101)。欠陥部が検出されなかった場合、プリント配線板60はコンベヤ78によって、検査装置73から、システムの外部へ搬出される。   The control device 79 processes the image data acquired by the CCD camera, and determines the presence or absence of a defective portion in the formed solder resist pattern (for example, step S101 in FIG. 9). When no defective portion is detected, the printed wiring board 60 is carried out of the system from the inspection device 73 by the conveyor 78.

欠陥部が検出された場合、検出結果に基いて、プリント配線板60の修復(リペア)が行われる。制御装置79は、欠陥情報を設定する(たとえば図9のステップS102)。たとえば図11(C)に示す欠陥を検出したときには、レジスト不形成箇所61は、レジストが塗布されるべき位置であるにもかかわらず塗布が行われていないという欠陥を有する領域であり、レジストを塗布する修復を行うという情報を記憶装置79aに記憶させる。また、レジスト不形成箇所61の位置(レジスト不形成箇所61に対応する、単数または複数のピクセル60Bの座標)を、記憶装置79aに記憶させる。更に、レジスト不要または有害箇所62は、レジストを塗布することが不要または有害な位置であるにもかかわらず、塗布がなされているという欠陥を有する領域であり、レジストを除去する修復を行うという情報を記憶装置79aに記憶させる。また、レジスト不要または有害箇所62の位置(レジスト不要または有害箇所62に対応する、単数または複数のピクセル60Bの座標)を、記憶装置79aに記憶させる。   When a defective portion is detected, the printed wiring board 60 is repaired (repaired) based on the detection result. The control device 79 sets defect information (for example, step S102 in FIG. 9). For example, when the defect shown in FIG. 11C is detected, the resist non-formation portion 61 is a region having a defect that application is not performed even though the resist is to be applied. The storage device 79a stores information that the application repair is performed. Further, the position of the resist non-formed portion 61 (the coordinates of the pixel 60B or the pixel 60B corresponding to the resist non-formed portion 61) is stored in the storage device 79a. Further, the resist unnecessary or harmful portion 62 is a region having a defect that the resist is applied even though the resist is unnecessary or harmful, and information that repair is performed to remove the resist. Is stored in the storage device 79a. Further, the position of the resist unnecessary or harmful place 62 (the coordinates of the pixel 60B or the pixel 60B corresponding to the resist unnecessary or harmful place 62) is stored in the storage device 79a.

欠陥情報の設定されたプリント配線板60は、アーム76により、検査装置73からリペア装置74に搬送される。リペア装置74は、検査装置73で検出された、ソルダーレジストの形成が適正に行われていない位置を適正な状態にする。   The printed wiring board 60 in which the defect information is set is conveyed from the inspection device 73 to the repair device 74 by the arm 76. The repair device 74 puts the position detected by the inspection device 73 where the solder resist is not properly formed into an appropriate state.

リペア装置74は、ソルダーレジストが形成されるべき位置であるのに形成されていない位置にインクを塗布し、ソルダーレジストを形成する塗布機能、少なくともソルダーレジストを形成する必要のない位置(ソルダーレジストを形成すべきでない位置を含む。)であるのにソルダーレジストが形成されている位置にレーザビームを照射して、ソルダーレジストを除去する除去機能のうち、少なくとも一方、好ましくは両方を備える。   The repair device 74 applies an ink to a position where the solder resist is to be formed but is not formed, and an application function for forming the solder resist, at least a position where the solder resist does not need to be formed (solder resist is removed). However, it has at least one, preferably both, of the removal function of removing the solder resist by irradiating the position where the solder resist is formed with a laser beam.

リペア装置74は、たとえば欠陥情報の設定された配線板60に向けて絶縁性のインクを液滴として吐出する複数のノズルを備えるノズルユニットを含む塗布装置、及び、欠陥情報の設定された配線板60にレーザビームを伝搬し、伝搬箇所のレジストを除去する除去装置とからなる。塗布機能と除去機能の双方を備えた1台の装置としてもよい。いずれの場合も、修復としてインクを塗布する領域は、ソルダーレジストを形成する全領域に比べると狭いことから、塗布装置のノズルユニットにおけるノズルの数は、ソルダーレジスト未形成のプリント配線板60にレジスト塗布を行う塗布装置71のノズルの数より少なくすることが可能である。なお、リペア装置74を、塗布機能と除去機能のうち一方のみを備える装置としてもよい。   The repair device 74 includes, for example, a coating device including a nozzle unit including a plurality of nozzles that discharge insulating ink as droplets toward the wiring board 60 in which defect information is set, and the wiring board in which defect information is set 60 includes a removing device that propagates the laser beam to 60 and removes the resist at the propagation point. It is good also as one apparatus provided with both the application | coating function and the removal function. In any case, since the area where ink is applied as a repair is narrower than the entire area where the solder resist is formed, the number of nozzles in the nozzle unit of the coating apparatus is not limited to the printed wiring board 60 where the solder resist is not formed. It is possible to make the number smaller than the number of nozzles of the coating device 71 that performs coating. The repair device 74 may be a device having only one of the application function and the removal function.

設定された欠陥情報(記憶装置79aに記憶された記憶内容)に基き、リペア装置74の有する塗布機能で、レジスト不形成箇所61に向けてインクが吐出され、レジスト不形成箇所61にレジストが塗布される(たとえば図9のステップS106)。また、リペア装置74の有する除去機能でレジスト不要または有害箇所62にレーザビームが照射され、レジスト不要または有害箇所62のレジストが除去される(たとえば図9のステップS103)。   Based on the set defect information (stored contents stored in the storage device 79a), ink is ejected toward the resist non-formation portion 61 by the application function of the repair device 74, and the resist is applied to the resist non-formation portion 61. (For example, step S106 in FIG. 9). Further, the removal function of the repair device 74 irradiates the laser beam to the resist unnecessary or harmful place 62, and the resist unnecessary or harmful place 62 is removed (for example, step S103 in FIG. 9).

プリント配線板60は、アーム76によって、リペア装置74から第2本硬化装置75に搬送される。第2本硬化装置75は、紫外光を照射する光源を含み、光源から、プリント配線板60(レジストが塗布された後のレジスト不形成箇所61)に紫外光を照射して、塗布されたソルダーレジストの本硬化を行う(たとえば図9のステップS107)。   The printed wiring board 60 is conveyed from the repair device 74 to the second main curing device 75 by the arm 76. The second main curing device 75 includes a light source that irradiates ultraviolet light, and the printed wiring board 60 (the resist non-formation portion 61 after the resist is applied) is irradiated with ultraviolet light from the light source and applied solder. The resist is fully cured (for example, step S107 in FIG. 9).

その後、プリント配線板60は、アーム76によって第2本硬化装置75から検査装置73に搬送され、ソルダーレジストが適正に塗布されているか否かが再検査される(たとえば図9のステップS101)。適正に塗布されている場合、プリント配線板60はコンベヤ78により、システムの外部へ搬出される。適正な塗布がなされていない場合は、再度リペア装置74に搬送され、不適正な箇所の修復が行われる。   Thereafter, the printed wiring board 60 is conveyed from the second main curing device 75 to the inspection device 73 by the arm 76, and re-inspected whether or not the solder resist is properly applied (for example, step S101 in FIG. 9). When properly applied, the printed wiring board 60 is carried out of the system by the conveyor 78. If the proper application has not been performed, it is transported again to the repair device 74 to repair the inappropriate portion.

なお、修復内容が、レジストの除去だけでレジストの塗布を含まない場合、第2本硬化装置75を経由せず、リペア装置74から、直接検査装置73に搬送する。また、第2本硬化装置75を備えない構成とし、リペア装置74でレジストの塗布が行われた場合には、プリント配線板60を第1本硬化装置72に搬送して、修復として塗布したソルダーレジストの本硬化を行ってもよい。更に、検査装置73での再検査を行わず、コンベヤ78でシステム外に搬出することも可能である。   If the repair content is only removal of the resist and does not include application of the resist, the repair content is transferred directly from the repair device 74 to the inspection device 73 without passing through the second main curing device 75. Further, when the second main curing device 75 is not provided and the resist is applied by the repair device 74, the printed wiring board 60 is transported to the first main curing device 72 and applied as a repair. The resist may be fully cured. Furthermore, it is possible to carry out the system by the conveyor 78 without performing re-inspection by the inspection device 73.

図9(C)に示した例は、塗布不良の欠陥を含まなかったが、塗布不良の欠陥がある場合は、プリント配線板60を検査装置73からリペア装置74に搬送し、塗布不良箇所のレジストを除去(たとえば図9のステップS103)した後、レジストを塗布(たとえば図9のステップS104)し、第2本硬化装置75で、塗布したレジストの本硬化(たとえば図9のステップS105)を行えばよい。   The example shown in FIG. 9C did not include a defective coating, but when there is a defective coating, the printed wiring board 60 is transported from the inspection device 73 to the repairing device 74, and the defective coating portion is detected. After removing the resist (for example, step S103 in FIG. 9), the resist is applied (for example, step S104 in FIG. 9), and the second main curing device 75 performs main curing (for example, step S105 in FIG. 9) of the applied resist. Just do it.

以上実施例に沿って本発明を説明したが、本発明はこれらに制限されるものではない。   Although the present invention has been described with reference to the embodiments, the present invention is not limited thereto.

たとえば、実施例においては、レジスト材料としてインクを用いたが樹脂であってもかまわない。   For example, in the embodiment, ink is used as the resist material, but resin may be used.

また、実施例においては、照射するレーザビームとしてNd:YAGレーザの3倍高調波を用いたが、Nd:YLFレーザ等の他の固体レーザや半導体レーザから出射される紫外光を使用することができる。   In the embodiment, the third harmonic of the Nd: YAG laser is used as the laser beam to be irradiated, but it is possible to use ultraviolet light emitted from another solid-state laser such as an Nd: YLF laser or a semiconductor laser. it can.

更に、たとえば第2の実施例に限らず、他の実施例によるレーザ照射装置に、光ガード部材40aを設けてもよい。また、すべての実施例によるレーザ照射装置を用いて行うレーザ照射方法を、インク41を硬化させるレーザビーム、更にはインク41(レジスト)を除去するレーザビームを、インク41の塗布位置に向かわない方向に入射させて行ってもよい。   Further, for example, the light guard member 40a may be provided in a laser irradiation apparatus according to another embodiment, not limited to the second embodiment. Further, the laser irradiation method performed using the laser irradiation apparatus according to all the embodiments is a direction in which the laser beam for curing the ink 41 and further the laser beam for removing the ink 41 (resist) are not directed to the application position of the ink 41. You may make it inject into.

また、実施例においては、ガルバノスキャナでレーザビームを走査して、硬化したインク(レジスト)を除去したが、ステージでプリント配線板を移動させて除去することも可能である。   In the embodiment, the cured ink (resist) is removed by scanning the laser beam with a galvano scanner. However, it is also possible to remove the ink by moving the printed wiring board on the stage.

その他、種々の変更、改良、組み合わせ等が可能なことは当業者には自明であろう。   It will be apparent to those skilled in the art that other various modifications, improvements, combinations, and the like are possible.

たとえば、ソルダーレジストパターンの形成に利用することができる。   For example, it can be used for forming a solder resist pattern.

21 レーザ光源
22 マスク
23 折り返しミラー
24 ガルバノスキャナ
25 fθレンズ
26 光路切り替え装置
26a、26b 折り返しミラー
27 ホモジナイザ
28 折り返しミラー
30 制御装置
30a 記憶装置
31 マスク
32 折り返しミラー
33 集光レンズ
34 ガルバノスキャナ
35 エキスパンダ
36 フィールドレンズ
40 インクジェットプリンタ
40a 光ガード部材
41 インク
50 ステージ
50a チャックプレート
60 プリント配線板
60A 領域
60B ピクセル
61 レジスト不形成箇所
62 レジスト不要または有害箇所
70 アライメント装置
71 塗布装置
72 第1本硬化装置
73 検査装置
74 リペア装置
75 第2本硬化装置
76 アーム
77、78 コンベヤ
79 制御装置
79a 記憶装置
21 Laser light source 22 Mask 23 Folding mirror 24 Galvano scanner 25 fθ lens 26 Optical path switching devices 26a and 26b Folding mirror 27 Homogenizer 28 Folding mirror 30 Control device 30a Storage device 31 Mask 32 Folding mirror 33 Condensing lens 34 Galvano scanner 35 Expander 36 Field lens 40 Inkjet printer 40a Light guard member 41 Ink 50 Stage 50a Chuck plate 60 Printed wiring board 60A Region 60B Pixel 61 Resist non-formation location 62 Resist unnecessary or harmful location 70 Alignment device 71 Coating device 72 First main curing device 73 Inspection device 74 Repair device 75 Second main curing device 76 Arm 77, 78 Conveyor 79 Control device 79a Storage device

Claims (45)

パルスレーザビームを出射するレーザ光源と、
基板を保持するステージと、
前記ステージに保持された基板上にレジスト材料を塗布する塗布装置と、
前記レーザ光源を出射したパルスレーザビームを、前記塗布装置によって塗布された前記レジスト材料上に集光して伝搬し、伝搬位置の前記レジスト材料を硬化させる第1の伝搬光学系と、
前記レーザ光源を出射したパルスレーザビームを、前記第1の伝搬光学系によって伝搬されたパルスレーザビームによって硬化された前記レジスト材料上に伝搬し、伝搬位置の前記レジスト材料を除去する第2の伝搬光学系と、
前記レーザ光源を出射したパルスレーザビームを前記第1の伝搬光学系または前記第2の伝搬光学系に選択的に入射させる光路切り替え装置と
を有するレーザ照射装置。
A laser light source for emitting a pulsed laser beam;
A stage for holding a substrate;
A coating apparatus for coating a resist material on the substrate held on the stage;
A first propagation optical system for condensing and propagating a pulsed laser beam emitted from the laser light source onto the resist material applied by the coating apparatus, and curing the resist material at a propagation position;
The second propagation that propagates the pulse laser beam emitted from the laser light source onto the resist material cured by the pulse laser beam propagated by the first propagation optical system and removes the resist material at the propagation position. Optical system,
A laser irradiation apparatus comprising: an optical path switching device that selectively makes the pulse laser beam emitted from the laser light source enter the first propagation optical system or the second propagation optical system.
前記第1の伝搬光学系は相対的に小さいパルスエネルギ密度のパルスレーザビームを前記レジスト材料上に伝搬し、前記第2の伝搬光学系は相対的に大きいパルスエネルギ密度のパルスレーザビームを硬化された前記レジスト材料上に伝搬する請求項1に記載のレーザ照射装置。   The first propagation optical system propagates a pulse laser beam having a relatively low pulse energy density onto the resist material, and the second propagation optical system is cured with a pulse laser beam having a relatively high pulse energy density. The laser irradiation apparatus according to claim 1, which propagates on the resist material. 前記第1の伝搬光学系は、パルスレーザビームを2次元方向に走査して、前記レジスト材料上に伝搬するビーム走査器を含む請求項1または2に記載のレーザ照射装置。   The laser irradiation apparatus according to claim 1, wherein the first propagation optical system includes a beam scanner that scans a pulse laser beam in a two-dimensional direction and propagates the pulse laser beam on the resist material. 更に、前記ビーム走査器によって走査されるパルスレーザビームが伝搬される前記基板上の位置を制御する制御装置と、
前記塗布装置によってレジスト材料を塗布すべき基板上の領域のデータを記憶する記憶装置と
を含み、
前記制御装置は、前記記憶装置に記憶されたデータに基いて、前記ビーム走査器によって走査されるパルスレーザビームが伝搬される前記基板上の位置を制御する請求項3に記載のレーザ照射装置。
A controller for controlling a position on the substrate through which a pulsed laser beam scanned by the beam scanner is propagated;
A storage device for storing data of a region on the substrate on which the resist material is to be applied by the coating device;
The laser irradiation apparatus according to claim 3, wherein the control device controls a position on the substrate to which a pulse laser beam scanned by the beam scanner is propagated based on data stored in the storage device.
前記塗布装置は、前記レジスト材料を吐出する部分に設けられる遮光部材であって、前記第1、第2の伝搬光学系によってパルスレーザビームが伝搬される位置の少なくとも一方を向く方向に設けられる遮光部材を備える請求項1〜4のいずれか1項に記載のレーザ照射装置。   The coating apparatus is a light shielding member provided in a portion for discharging the resist material, and is provided in a direction facing at least one of the positions where the pulse laser beam is propagated by the first and second propagation optical systems. The laser irradiation apparatus of any one of Claims 1-4 provided with a member. パルスレーザビームを出射するレーザ光源と、
基板を保持するステージと、
前記ステージに保持された基板上にレジスト材料を塗布する塗布装置と、
前記レーザ光源を出射したパルスレーザビームを、前記レジスト材料上に集光して伝搬する伝搬光学系と
を有し、
前記伝搬光学系によって伝搬されるパルスレーザビームによって、前記塗布装置で塗布された前記レジスト材料の硬化、及び該硬化されたレジスト材料の部分的な除去を行うレーザ照射装置。
A laser light source for emitting a pulsed laser beam;
A stage for holding a substrate;
A coating apparatus for coating a resist material on the substrate held on the stage;
A propagation laser system that condenses and propagates the pulse laser beam emitted from the laser light source on the resist material;
A laser irradiation apparatus that cures the resist material applied by the coating apparatus and partially removes the cured resist material by a pulsed laser beam propagated by the propagation optical system.
前記伝搬光学系は、前記レジスト材料に入射するパルスレーザビームの入射領域のサイズ、及びパルスエネルギ密度を変化させることのできる請求項6に記載のレーザ照射装置。   The laser irradiation apparatus according to claim 6, wherein the propagation optical system is capable of changing a size of an incident region of a pulse laser beam incident on the resist material and a pulse energy density. 前記伝搬光学系は、
入射するレーザビームのビーム径を拡大率可変に拡大して出射するエキスパンダと、
前記エキスパンダを出射したレーザビームが入射する位置に配置された、透光領域を備えるマスクと、
前記マスクの透光領域の形状を前記レジスト材料上に、転写倍率可変に転写する転写倍率変化光学系と
を含み、
更に、前記エキスパンダの拡大率、及び前記転写倍率変化光学系の転写倍率を制御する制御装置を備え、
前記制御装置は、前記レジスト材料を硬化させるときには、レーザビームが、相対的に大きいサイズの入射領域を形成し、相対的に小さいパルスエネルギ密度で前記レジスト材料に入射するように、前記エキスパンダの拡大率、及び前記転写倍率変化光学系の転写倍率を制御し、硬化された前記レジスト材料を除去するときには、レーザビームが、相対的に小さいサイズの入射領域を形成し、相対的に大きいパルスエネルギ密度で硬化された前記レジスト材料に入射するように、前記エキスパンダの拡大率、及び前記転写倍率変化光学系の転写倍率を制御する請求項7に記載のレーザ照射装置。
The propagation optical system is
An expander that radiates and expands the beam diameter of the incident laser beam in a variable magnification ratio;
A mask having a light-transmitting region, which is disposed at a position where a laser beam emitted from the expander is incident;
A transfer magnification changing optical system for transferring the shape of the light transmitting region of the mask onto the resist material in a variable manner.
And a control device for controlling the enlargement ratio of the expander and the transfer magnification of the transfer magnification changing optical system.
When the controller hardens the resist material, a laser beam forms a relatively large size incident region and is incident on the resist material at a relatively small pulse energy density. When removing the hardened resist material by controlling the enlargement factor and the transfer magnification of the transfer magnification changing optical system, the laser beam forms a relatively small size incident region and a relatively large pulse energy. The laser irradiation apparatus according to claim 7, wherein an enlargement ratio of the expander and a transfer magnification of the transfer magnification changing optical system are controlled so as to be incident on the resist material cured at a density.
パルスレーザビームを出射するレーザ光源と、
基板を保持するステージと、
前記ステージに保持された基板上にレジスト材料を塗布する塗布装置と、
前記塗布装置によって前記基板上に塗布されたレジスト材料を硬化させる光を出射する硬化用光源と、
前記硬化用光源を出射した光によって硬化された前記レジスト材料に、前記レーザ光源を出射したパルスレーザビームを伝搬し、伝搬位置の前記レジスト材料を除去する伝搬光学系と
を有するレーザ照射装置。
A laser light source for emitting a pulsed laser beam;
A stage for holding a substrate;
A coating apparatus for coating a resist material on the substrate held on the stage;
A curing light source that emits light for curing the resist material coated on the substrate by the coating device;
A laser irradiation apparatus comprising: a propagation optical system that propagates a pulse laser beam emitted from the laser light source to the resist material cured by light emitted from the curing light source and removes the resist material at a propagation position.
パルスレーザビームを出射するレーザ光源と、
レジストが形成された加工対象物を保持するステージと、
前記レーザ光源を出射したパルスレーザビームを、前記加工対象物のレジスト上に伝搬し、伝搬位置の前記レジストを除去する第1の伝搬光学系と、
前記ステージに保持された加工対象物上にレジスト材料を塗布する塗布装置と、
前記レーザ光源を出射したパルスレーザビームを、前記塗布装置によって塗布された前記レジスト材料上に集光して伝搬し、伝搬位置の前記レジスト材料を硬化させる第2の伝搬光学系と、
前記レーザ光源を出射したパルスレーザビームを前記第1の伝搬光学系または前記第2の伝搬光学系に選択的に入射させる光路切り替え装置と
を有するレーザ照射装置。
A laser light source for emitting a pulsed laser beam;
A stage for holding a workpiece on which a resist is formed;
A first propagation optical system that propagates the pulse laser beam emitted from the laser light source onto the resist of the workpiece and removes the resist at the propagation position;
A coating apparatus for coating a resist material on the workpiece held on the stage;
A second propagation optical system for condensing and propagating the pulse laser beam emitted from the laser light source onto the resist material applied by the coating apparatus and curing the resist material at the propagation position;
A laser irradiation apparatus comprising: an optical path switching device that selectively makes the pulse laser beam emitted from the laser light source enter the first propagation optical system or the second propagation optical system.
更に、前記加工対象物のレジストの欠陥の情報を記憶する記憶装置を含み、
前記記憶装置に記憶されたレジストの欠陥の情報に基づき、(i)前記第1の伝搬光学系によって伝搬されたパルスレーザビームによるレジストの除去、(ii)前記塗布装置によるレジスト材料の塗布、及び前記第2の伝搬光学系によって伝搬されたパルスレーザビームによる該レジスト材料の硬化の少なくとも一方を行う請求項10に記載のレーザ照射装置。
Furthermore, a storage device that stores information on resist defects of the processing object,
Based on resist defect information stored in the storage device, (i) removal of the resist with a pulsed laser beam propagated by the first propagation optical system, (ii) application of a resist material by the coating device, and The laser irradiation apparatus according to claim 10, wherein at least one of curing of the resist material is performed by a pulse laser beam propagated by the second propagation optical system.
前記第1の伝搬光学系は相対的に大きいパルスエネルギ密度のパルスレーザビームを前記レジスト上に伝搬し、前記第2の伝搬光学系は相対的に小さいパルスエネルギ密度のパルスレーザビームを前記レジスト材料上に伝搬する請求項10または11に記載のレーザ照射装置。   The first propagation optical system propagates a pulse laser beam having a relatively large pulse energy density onto the resist, and the second propagation optical system transmits a pulse laser beam having a relatively small pulse energy density to the resist material. The laser irradiation apparatus according to claim 10, which propagates upward. 前記第2の伝搬光学系は、パルスレーザビームを2次元方向に走査して、前記レジスト材料上に伝搬するビーム走査器を含む請求項10〜12のいずれか1項に記載のレーザ照射装置。   The laser irradiation apparatus according to claim 10, wherein the second propagation optical system includes a beam scanner that scans a pulse laser beam in a two-dimensional direction and propagates the pulse laser beam on the resist material. 更に、前記ビーム走査器によって走査されるパルスレーザビームが伝搬される前記基板上の位置を制御する制御装置を含み、
前記制御装置は、前記記憶装置に記憶された欠陥の情報に基いて、前記ビーム走査器によって走査されるパルスレーザビームが伝搬される前記基板上の位置を制御する請求項13に記載のレーザ照射装置。
And a controller for controlling a position on the substrate through which a pulsed laser beam scanned by the beam scanner is propagated,
The laser irradiation according to claim 13, wherein the control device controls a position on the substrate to which a pulsed laser beam scanned by the beam scanner is propagated based on defect information stored in the storage device. apparatus.
前記塗布装置は、前記レジスト材料を吐出する部分に設けられる遮光部材であって、前記第1、第2の伝搬光学系によってパルスレーザビームが伝搬される位置の少なくとも一方を向く方向に設けられる遮光部材を備える請求項10〜14のいずれか1項に記載のレーザ照射装置。   The coating apparatus is a light shielding member provided in a portion for discharging the resist material, and is provided in a direction facing at least one of the positions where the pulse laser beam is propagated by the first and second propagation optical systems. The laser irradiation apparatus of any one of Claims 10-14 provided with a member. パルスレーザビームを出射するレーザ光源と、
レジストが形成された加工対象物を保持するステージと、
前記ステージに保持された加工対象物上にレジスト材料を塗布する塗布装置と、
前記レーザ光源を出射したパルスレーザビームを、前記ステージに保持された加工対象物上に集光して伝搬する伝搬光学系と
を有し、
前記伝搬光学系によって伝搬されるパルスレーザビームによって、(i)前記加工対象物上に形成されたレジストの部分的な除去、(ii)前記塗布装置で前記加工対象物上に塗布されたレジスト材料の硬化の少なくとも一方を行うレーザ照射装置。
A laser light source for emitting a pulsed laser beam;
A stage for holding a workpiece on which a resist is formed;
A coating apparatus for coating a resist material on the workpiece held on the stage;
A propagation optical system for condensing and propagating a pulsed laser beam emitted from the laser light source onto a workpiece held on the stage;
(I) partial removal of the resist formed on the workpiece by the pulsed laser beam propagated by the propagation optical system, and (ii) a resist material applied on the workpiece by the coating apparatus. A laser irradiation apparatus that performs at least one of curing.
前記伝搬光学系は、前記加工対象物に入射するパルスレーザビームの入射領域のサイズ、及びパルスエネルギ密度を変化させることのできる請求項16に記載のレーザ照射装置。   The laser irradiation apparatus according to claim 16, wherein the propagation optical system is capable of changing a size of an incident area of a pulse laser beam incident on the workpiece and a pulse energy density. 更に、前記加工対象物のレジストの欠陥の情報を記憶する記憶装置を含み、
前記記憶装置に記憶されたレジストの欠陥の情報に基づき、前記伝搬光学系によって伝搬されるレーザビームによって、(i)前記加工対象物上に形成されたレジストの部分的な除去、(ii)前記塗布装置で前記加工対象物上に塗布されたレジスト材料の硬化の少なくとも一方を行う請求項16または17に記載のレーザ照射装置。
Furthermore, a storage device that stores information on resist defects of the processing object,
(Ii) partial removal of the resist formed on the object to be processed by the laser beam propagated by the propagation optical system based on information on the defect of the resist stored in the storage device; The laser irradiation apparatus of Claim 16 or 17 which performs at least one of hardening of the resist material apply | coated on the said workpiece with a coating device.
前記伝搬光学系は、
入射するレーザビームのビーム径を拡大率可変に拡大して出射するエキスパンダと、
前記エキスパンダを出射したレーザビームが入射する位置に配置された、透光領域を備えるマスクと、
前記マスクの透光領域の形状を前記加工対象物上に、転写倍率可変に転写する転写倍率変化光学系と
を含み、
更に、前記エキスパンダの拡大率、及び前記転写倍率変化光学系の転写倍率を制御する制御装置を備え、
前記制御装置は、前記加工対象物上に形成されているレジストを除去するときには、レーザビームが、相対的に小さいサイズの入射領域を形成し、相対的に大きいパルスエネルギ密度で前記レジストに入射するように、前記エキスパンダの拡大率、及び前記転写倍率変化光学系の転写倍率を制御し、前記塗布装置で前記加工対象物上に塗布されたレジスト材料を硬化させるときには、レーザビームが、相対的に大きいサイズの入射領域を形成し、相対的に小さいパルスエネルギ密度で前記レジスト材料に入射するように、前記エキスパンダの拡大率、及び前記転写倍率変化光学系の転写倍率を制御する請求項17または18に記載のレーザ照射装置。
The propagation optical system is
An expander that radiates and expands the beam diameter of the incident laser beam in a variable magnification ratio;
A mask having a light-transmitting region, which is disposed at a position where a laser beam emitted from the expander is incident;
A transfer magnification changing optical system for transferring the shape of the light-transmitting region of the mask onto the object to be processed, with a variable transfer magnification,
And a control device for controlling the enlargement ratio of the expander and the transfer magnification of the transfer magnification changing optical system.
When the controller removes the resist formed on the workpiece, a laser beam forms an incident area of a relatively small size and enters the resist with a relatively large pulse energy density. As described above, when the expansion ratio of the expander and the transfer magnification of the transfer magnification changing optical system are controlled and the resist material applied on the workpiece is cured by the coating apparatus, the laser beam is relatively The enlargement ratio of the expander and the transfer magnification of the transfer magnification changing optical system are controlled so that a large-sized incident area is formed on the resist material and incident on the resist material with a relatively small pulse energy density. Or the laser irradiation apparatus of 18.
パルスレーザビームを出射するレーザ光源と、
レジストが形成された加工対象物を保持するステージと、
前記加工対象物上に形成されたレジストに、前記レーザ光源を出射したパルスレーザビームを伝搬し、伝搬位置のレジストを除去する伝搬光学系と、
前記ステージに保持された加工対象物上にレジスト材料を塗布する塗布装置と、
前記塗布装置によって前記加工対象物上に塗布されたレジスト材料を硬化させる光を出射する硬化用光源と
を有するレーザ照射装置。
A laser light source for emitting a pulsed laser beam;
A stage for holding a workpiece on which a resist is formed;
A propagation optical system that propagates the pulse laser beam emitted from the laser light source to the resist formed on the object to be processed, and removes the resist at the propagation position;
A coating apparatus for coating a resist material on the workpiece held on the stage;
A laser irradiation apparatus comprising: a curing light source that emits light for curing the resist material coated on the workpiece by the coating apparatus.
更に、前記加工対象物のレジストの欠陥の情報を記憶する記憶装置を含み、
前記記憶装置に記憶されたレジストの欠陥の情報に基づき、(i)前記伝搬光学系によって伝搬されたパルスレーザビームによるレジストの除去、(ii)前記塗布装置によるレジスト材料の塗布、及び前記硬化用光源から出射される光による該レジスト材料の硬化の少なくとも一方を行う請求項20に記載のレーザ照射装置。
Furthermore, a storage device that stores information on resist defects of the processing object,
Based on resist defect information stored in the storage device, (i) resist removal by a pulsed laser beam propagated by the propagation optical system, (ii) application of resist material by the coating device, and for curing The laser irradiation apparatus according to claim 20, wherein at least one of curing of the resist material is performed by light emitted from a light source.
前記塗布装置は、前記レジスト材料を吐出する部分に設けられる遮光部材であって、前記硬化用光源から出射される光によって前記レジスト材料が硬化される位置、前記伝搬光学系によってパルスレーザビームが伝搬される位置の少なくとも一方を向く方向に設けられる遮光部材を備える請求項20または21に記載のレーザ照射装置。   The coating apparatus is a light-shielding member provided at a portion where the resist material is discharged, a position where the resist material is cured by light emitted from the curing light source, and a pulse laser beam propagates through the propagation optical system. The laser irradiation apparatus according to claim 20 or 21, further comprising a light shielding member provided in a direction facing at least one of the positions. (a)基板上にレジスト材料を塗布する工程と、
(b)塗布された前記レジスト材料を硬化させる工程と、
(c)前記工程(b)で硬化されたレジスト材料にパルスレーザビームを入射させ、入射位置のレジスト材料を除去してパターニングを行う工程と
を有するレーザ照射方法。
(A) applying a resist material on the substrate;
(B) curing the applied resist material;
(C) A laser irradiation method including a step of performing patterning by making a pulse laser beam incident on the resist material cured in the step (b), removing the resist material at the incident position.
前記工程(a)及び(b)で、前記基板の全体または一部に、レジストパターンの概略を形成する請求項23に記載のレーザ照射方法。   The laser irradiation method according to claim 23, wherein an outline of a resist pattern is formed on the whole or a part of the substrate in the steps (a) and (b). 前記工程(b)において、前記レジスト材料に集光されたレーザビームを入射させ、前記レジスト材料を硬化させる請求項23または24に記載のレーザ照射方法。   The laser irradiation method according to claim 23 or 24, wherein in the step (b), a focused laser beam is incident on the resist material to cure the resist material. 前記工程(b)において、前記レジスト材料に入射させるレーザビームと、前記工程(c)において、硬化された前記レジスト材料に入射させるレーザビームとは、同一のレーザ光源から出射されたレーザビームである請求項25に記載のレーザ照射方法。   The laser beam incident on the resist material in the step (b) and the laser beam incident on the cured resist material in the step (c) are laser beams emitted from the same laser light source. The laser irradiation method according to claim 25. 前記工程(b)においては、相対的に小さなパルスエネルギ密度のパルスレーザビームを前記レジスト材料に入射させ、前記工程(c)においては、相対的に大きなパルスエネルギ密度のパルスレーザビームを硬化された前記レジスト材料に入射させる請求項25または26に記載のレーザ照射方法。   In the step (b), a pulse laser beam having a relatively small pulse energy density is incident on the resist material, and in the step (c), the pulse laser beam having a relatively large pulse energy density is cured. 27. The laser irradiation method according to claim 25 or 26, wherein the laser beam is incident on the resist material. 前記工程(b)においては、相対的に大きなサイズの入射領域を形成してレーザビームを前記レジスト材料に入射させ、前記工程(c)においては、相対的に小さなサイズの入射領域を形成してレーザビームを硬化された前記レジスト材料に入射させる請求項25〜27のいずれか1項に記載のレーザ照射方法。   In the step (b), a relatively large size incident region is formed and a laser beam is incident on the resist material. In the step (c), a relatively small size incident region is formed. 28. The laser irradiation method according to claim 25, wherein a laser beam is incident on the cured resist material. 前記工程(b)において、レーザビームを2次元方向に走査して、前記レジスト材料に入射させる請求項25〜28のいずれか1項に記載のレーザ照射方法。   29. The laser irradiation method according to any one of claims 25 to 28, wherein in the step (b), a laser beam is scanned in a two-dimensional direction and incident on the resist material. 前記工程(b)において、前記レジスト材料上にレーザビームを入射させ、前記レジスト材料の塗布されない前記基板上にはレーザビームを入射させない請求項29に記載のレーザ照射方法。   30. The laser irradiation method according to claim 29, wherein in the step (b), a laser beam is incident on the resist material, and a laser beam is not incident on the substrate on which the resist material is not applied. 前記工程(b)において、レーザビームが、前記レジスト材料を塗布する位置に向かわない方向に入射するように、前記レジスト材料にレーザビームを入射させる請求項25〜30のいずれか1項に記載のレーザ照射方法。   The said process (b) WHEREIN: A laser beam is made to inject into the said resist material so that a laser beam may enter in the direction which does not go to the position which applies the said resist material. Laser irradiation method. 前記工程(c)において、レーザビームが、前記レジスト材料を塗布する位置に向かわない方向に入射するように、硬化された前記レジスト材料にレーザビームを入射させる請求項23〜31のいずれか1項に記載のレーザ照射方法。   32. The step (c), wherein the laser beam is incident on the cured resist material so that the laser beam is incident in a direction not directed to a position where the resist material is applied. The laser irradiation method described in 1. 前記工程(c)でパルスレーザビームを入射させる位置のレジスト材料は銅層上に塗布されており、前記工程(c)において、パルスエネルギ密度が、硬化された前記レジスト材料が除去される値以上、銅がアブレーションされる値未満であるパルスレーザビームを、硬化された前記レジスト材料に入射させる請求項23〜32のいずれか1項に記載のレーザ照射方法。   The resist material at the position where the pulse laser beam is incident in the step (c) is applied on the copper layer, and in the step (c), the pulse energy density is equal to or higher than the value at which the cured resist material is removed. The laser irradiation method according to any one of claims 23 to 32, wherein a pulsed laser beam that is less than a value at which copper is ablated is incident on the cured resist material. (a)レジストが形成された加工対象物であって、レジスト部に欠陥を有する加工対象物を準備する工程と、
(b)前記加工対象物上に形成されたレジストの欠陥部にレーザビームを入射させて、入射位置のレジストを除去する工程、
または、
(c)レジストの不形成による欠陥部にレジスト材料を塗布し、集光されたレーザビームを照射して硬化させ、レジストを形成する工程
の少なくとも一方を有するレーザ照射方法。
(A) a process object on which a resist is formed, the process of preparing a process object having a defect in the resist portion;
(B) a step of removing a resist at an incident position by making a laser beam incident on a defect portion of the resist formed on the workpiece;
Or
(C) A laser irradiation method including at least one of a step of applying a resist material to a defective portion due to non-formation of a resist, irradiating and curing a focused laser beam, and forming a resist.
更に、前記工程(b)の後に、
(d)前記レジストを除去した位置にレジスト材料を塗布し、集光されたレーザビームを照射して硬化させ、レジストを形成する工程
を含む請求項34に記載のレーザ照射方法。
Furthermore, after the step (b),
35. The laser irradiation method according to claim 34, further comprising: (d) applying a resist material at a position where the resist is removed, and irradiating and curing the focused laser beam to form a resist.
前記工程(b)〜(d)において用いるレーザビームは同一光源から出射されたレーザビームである請求項35に記載のレーザ照射装置。   36. The laser irradiation apparatus according to claim 35, wherein the laser beam used in the steps (b) to (d) is a laser beam emitted from the same light source. 前記工程(b)においては、相対的に大きなパルスエネルギ密度のパルスレーザビームを前記レジストの欠陥部に入射させ、前記工程(c)及び(d)においては、相対的に小さなパルスエネルギ密度のパルスレーザビームを塗布された前記レジスト材料に照射する請求項35または36に記載のレーザ照射方法。   In the step (b), a pulse laser beam having a relatively large pulse energy density is made incident on the defect portion of the resist. In the steps (c) and (d), a pulse having a relatively small pulse energy density is used. 37. The laser irradiation method according to claim 35 or 36, wherein a laser beam is applied to the coated resist material. 前記工程(b)においては、相対的に小さなサイズの入射領域を形成してレーザビームを前記レジストの欠陥部に入射させ、前記工程(c)及び(d)においては、相対的に大きなサイズの入射領域を形成して、レーザビームを塗布された前記レジスト材料に照射する請求項35〜37のいずれか1項に記載のレーザ照射方法。   In the step (b), an incident region having a relatively small size is formed and a laser beam is made incident on the defect portion of the resist. In the steps (c) and (d), a relatively large size is entered. The laser irradiation method according to any one of claims 35 to 37, wherein an incident region is formed and the resist material coated with a laser beam is irradiated. 前記工程(c)及び(d)において、レーザビームを2次元方向に走査して、塗布された前記レジスト材料に照射する請求項35〜38のいずれか1項に記載のレーザ照射方法。   The laser irradiation method according to any one of claims 35 to 38, wherein in the steps (c) and (d), a laser beam is scanned in a two-dimensional direction to irradiate the applied resist material. 前記工程(c)及び(d)において、レーザビームが、前記レジスト材料を塗布する位置に向かわない方向に入射するように、塗布された前記レジスト材料にレーザビームを照射する請求項35〜39のいずれか1項に記載のレーザ照射方法。   40. In the steps (c) and (d), the applied resist material is irradiated with a laser beam so that the laser beam is incident in a direction not directed to a position where the resist material is applied. The laser irradiation method according to any one of the above. 前記工程(b)において、レーザビームが、前記レジスト材料を塗布する位置に向かわない方向に入射するように、前記レジストの欠陥部にレーザビームを入射させる請求項34〜40のいずれか1項に記載のレーザ照射方法。   41. The method according to claim 34, wherein in the step (b), the laser beam is incident on a defective portion of the resist so that the laser beam is incident in a direction not directed to a position where the resist material is applied. The laser irradiation method as described. 基板上に絶縁材を塗布し、絶縁膜を形成する塗布装置と、
前記塗布装置による絶縁膜の形成が適正に行われているか否かを検査し、絶縁膜の形成が適正に行われていない位置を検出する検査装置と、
前記検査装置で検出された、絶縁膜の形成が適正に行われていない位置を適正な状態にする修復装置と
を有する絶縁膜形成装置。
A coating apparatus that coats an insulating material on a substrate and forms an insulating film;
Inspecting whether or not the formation of the insulating film by the coating apparatus is properly performed, and detecting the position where the insulating film is not properly formed, and
An insulating film forming apparatus comprising: a repairing device that detects a position where the insulating film is not properly formed, which is detected by the inspection apparatus;
前記修復装置は、絶縁膜が形成されるべき位置であるのに形成されていない位置に絶縁材を塗布し、絶縁膜を形成する絶縁材塗布機能、少なくとも絶縁膜を形成する必要のない位置であるのに絶縁膜が形成されている位置にレーザビームを照射して、絶縁膜を除去する絶縁膜除去機能のうち、少なくとも一方を備える請求項42に記載の絶縁膜形成装置。   The repair device applies an insulating material to a position where an insulating film is to be formed but is not formed, and an insulating material coating function for forming the insulating film, at least at a position where no insulating film needs to be formed. 43. The insulating film forming apparatus according to claim 42, further comprising at least one of an insulating film removing function for removing the insulating film by irradiating a position where the insulating film is formed with a laser beam. 更に、前記塗布装置で絶縁膜が形成される前の基板の基板面内方向における向きを変更するアライメント装置を含み、
前記アライメント装置で、基板面内方向における向きを変更された前記基板は、その向きを維持された状態で、前記塗布装置に搬送される請求項42または43に記載の絶縁膜形成装置。
And an alignment device that changes the orientation of the substrate in the in-plane direction before the insulating film is formed by the coating device,
44. The insulating film forming apparatus according to claim 42, wherein the substrate whose orientation in the in-plane direction of the substrate is changed by the alignment device is transported to the coating device in a state in which the orientation is maintained.
更に、前記塗布装置で形成された絶縁膜を内部まで固化させる本硬化装置を含み、
前記本硬化装置で固化された絶縁膜が形成された基板が、前記検査装置に搬送される請求項42〜44のいずれか1項に記載の絶縁膜形成装置。
Furthermore, a main curing device for solidifying the insulating film formed by the coating device to the inside,
45. The insulating film forming apparatus according to claim 42, wherein a substrate on which an insulating film solidified by the main curing apparatus is formed is transported to the inspection apparatus.
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