JP2012064886A - 半導体レーザ - Google Patents

Abstract

【課題】端面保護膜により発生する応力が緩和され長期信頼性を確保することが可能な半導体レーザを提供する。
【解決手段】基板１０上に、下部クラッド層２１、活性層２２、上部クラッド層２３およびコンタクト層２４をこの順に含む半導体層２０（レーザ構造部）を積層し、上部クラッド層２３の上部に帯状の突条部（リッジ）２０Ａを形成する。突条部２０Ａの上面，側面および裾部に上部電極３１を形成すると共に、基板１０の裏面に下部電極３２を形成する。前端面Ｓ１の突条部２０Ａの両側に２対の凹部２０Ｂ設けたのち、前端面Ｓ１の表面に保護膜４１を形成する。これにより前端面Ｓ１に形成する保護膜４１の接触面積が少なくなり、前端面Ｓ１に発生する応力が低減される。
【選択図】図１

Description

本発明は、突条部（リッジ）の延在方向の両端に端面保護膜を有する端面発光型の半導体レーザに関する。

半導体レーザ（Laser Diode ；ＬＤ）は、ＣＤ（Compact Disk）、ＤＶＤ（Digital Versatile Disk）またはブルーレイディスク（Blu-ray Disc；ＢＤ）のような光ディスク装置における再生用および記録用の光源としての用途に用いられている。その他、光通信、固体レーザ励起、材料加工、センサ、測定器、医療、印刷機器またはディスプレイなど様々な分野に応用されている。

端面発光型の半導体レーザは、例えばｎ型半導体基板上に、共振器として順次エピタキシャル成長させたｎ型半導体層、活性層（発光層）およびｐ型半導体層が積層されると共に、上部に帯状の突条部（リッジ）が設けられている。更に、ｐ型半導体層上にはｐ型電極、ｎ型半導体基板の裏面にはｎ型電極がそれぞれ形成されている。このような端面発光レーザでは、高出力化を実現するために、例えば特許文献１のように共振器のミラーとして機能する反射端面（後端面）および反射端面と対向する出射端面（前端面）に窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、酸化アルミニウム（Ａｌ２ Ｏ３ ）あるいは酸化ケイ素（ＳｉＯ２ ）等による保護膜が形成されている。劈開面にこのような保護膜を設けることにより、共振器端面における光の反射率を制御できると共に異物の混入および端面の酸化を防ぐことができる。

特開２００７−３１８０８８号公報

しかしながら、従来の半導体レーザでは、劈開面（端面）に保護膜を成膜することにより次のような問題があった。即ち、この保護膜と半導体層との熱膨張率の差に起因してリッジ周辺に応力（圧縮応力）が加わり、そのためリッジ周辺のエネルギーギャップが収縮し、端面における光吸収が発生する。このような光吸収が発生すると、特に高出力半導体レーザでは端面破壊に至り、突然発振が停止する虞があり、長期信頼性を確保することが困難であった。このため、大きな応力が発生するような薄膜を用いることが難しく、薄膜の種類およびその製造方法に制約を生じていた。特に、ＡｌＮ等の応力の高い窒化物を酸素拡散防止膜や端面保護膜として厚く成膜することが極めて難しく、端面保護膜としての選択の自由度が得られなかった。

本発明はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その目的は、端面保護膜により発生する応力が緩和され長期信頼性を確保することが可能な半導体レーザを提供することにある。

本発明の半導体レーザは、突条部を有し、突条部の延在方向の両端の一方からレーザ光を射出するレーザ構造部と、レーザ構造部の端面のうち少なくとも出射側端面の突条部の両側に設けられた凹部と、凹部を有する端面に設けられた保護膜と、を備えたものである。

本発明の半導体レーザでは、突条部の両側に凹部を有することによりレーザ構造部の端面と保護膜との接触面積が少なく、これによって保護膜の成膜に起因して突条部周辺に発生する圧縮応力が緩和される。

本発明の半導体発光素子によれば、突条部の両側に凹部を形成するようにしたので、レーザ構造部の端面と保護膜との接触面積が少なくなり、保護膜により発生する突条部周辺の圧縮応力が緩和される。従って、突条部周辺のエネルギーギャップの収縮が抑制され、長期信頼性が向上する。

本発明の一実施の形態に係る半導体レーザの構成を表す断面図および斜視図である。 図１に示した半導体レーザの凹部の加工位置を説明するための図である。 図１に示した半導体レーザの製造方法を工程順に表す断面図である。 従来例における光吸収による端面破壊を説明する図である。 実施例および比較例における作動電流の変化を表す特性図である。 実施例および比較例におけるＣＯＤの経時変化を表す特性図である。 変形例１に係る半導体レーザの概略構成を表す斜視図である。 変形例２に係る半導体レーザの概略構成を表す斜視図である。 変形例３に係る半導体レーザの概略構成を表す斜視図である。 変形例４に係る半導体レーザの概略構成を表す斜視図である。 変形例５に係る半導体レーザの概略構成を表す斜視図である。 変形例６に係る半導体レーザの概略構成を表す斜視図である。 変形例７に係る半導体レーザの概略構成を表す斜視図である。

以下、本発明の実施の形態について、図面を参照して詳細に説明する。なお、説明は以下の順序で行う。
［実施の形態］
（１）基本構成
（２）製造方法
［変形例１〜７］

［実施の形態］
（基本構成）
図１（Ａ）は、本発明の一実施の形態に係る半導体レーザ１（半導体発光素子）の断面構造（ストライプ方向に直交する断面の構造、以下同様）を表すものである。図１（Ｂ）は、半導体レーザ１の概略構成を斜視的に表したものである。この半導体レーザ１は、例えば、パーソナルコンピュータや家庭用ゲーム機等のＢＤ再生用レーザとして用いられる発振波長約５００ｎｍ以下、例えば４００ｎｍ前後の青・青紫半導体レーザである。なお、図１（Ａ），（Ｂ）は模式的に表したものであり、実際の寸法，形状とは異なっている。

本実施の形態の半導体レーザ１は、帯状の突条部（リッジ）２０Ａを有する端面発光型の半導体レーザであり、例えば、基板１０上に、下部クラッド層２１、活性層２２、上部クラッド層２３およびコンタクト層２４をこの順に含む半導体層２０（レーザ構造部）を備えている。半導体層２０には、上記した層以外の層（例えば、バッファ層やガイド層など）がさらに設けられていてもよい。

基板１０は、例えばＧａＮなどのＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体からなる。ここで、「ＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体」とは、短周期型周期率表における３Ｂ族元素群のうちの少なくとも１種と、短周期型周期率表における５Ｂ族元素のうちの少なくともＮとを含むものを指している。ＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体としては、例えば、ＧａとＮとを含んだ窒化ガリウム系化合物が挙げられる。窒化ガリウム系化合物には、例えば、ＧａＮ，ＡｌＧａＮ，ＡｌＧａＩｎＮなどが含まれる。ＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体には、必要に応じてＳｉ，Ｇｅ，Ｏ，ＳｅなどのＩＶ族またはＶＩ族元素のｎ型不純物、または、Ｍｇ，Ｚｎ，ＣなどのＩＩ族またはＩＶ族元素のｐ型不純物がドープされている。

半導体層２０は、例えば、ＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体を主に含んで構成されている。下部クラッド層２１は、例えばＡｌＧａＮにより構成されている。活性層２２は、例えば、組成比の互いに異なるＧａＩｎＮによりそれぞれ形成された井戸層およびバリア層を交互に積層してなる多重量子井戸構造となっている。上部クラッド層２３は、例えばＡｌＧａＮにより構成されている。コンタクト層２４は例えばＧａＮにより構成されている。

半導体層２０の上部、具体的には、上部クラッド層２３の上部およびコンタクト層２４には帯状の突条部２０Ａが形成されている。突条部２０Ａは、半導体層２０のうち突条部２０Ａの両脇の部分と共に光導波路（図示なし）を構成している。この突条部２０Ａは、横方向（共振器方向と直交する方向）の屈折率差を利用して横方向の光閉じ込めを行うと共に、半導体層２０へ注入される電流を狭窄するものである。活性層２２のうち上述の光導波路の直下の部分が、電流注入領域に対応しており、この電流注入領域が発光領域２２Ａとなる。

半導体層２０の前端面Ｓ１および後端面Ｓ２は、例えば劈開によって形成された劈開面であり、これら前端面Ｓ１および後端面Ｓ２によって共振器が構成されている。前端面Ｓ１はレーザ光を射出する面、即ち出射側端面であり、後端面Ｓ２はレーザ光を反射する面である。前端面Ｓ１および後端面Ｓ２の表面にはそれぞれ後述する保護膜４１，４２が設けられている。

半導体層２０の前端面Ｓ１には凹部２０Ｂが設けられている。この凹部２０Ｂは、突条部２０Ａを間にして、その両側にそれぞれ２個設けられている。凹部２０Ｂの数はここでは２対としているが、それに限らず、１対でもよくあるいは３対以上でもよい。これら凹部２０Ｂは半導体層２０の上面から下面にかけて貫通しているが、必ずしも貫通していなくてもよい。本実施の形態では、このような凹部２０Ｂが設けられることにより前端面Ｓ１の表面積が低減されている。即ち、前端面Ｓ１の表面積を少なくすることで、前端面Ｓ１の表面に形成される保護膜４１との接触面積が少なくなり、これにより突条部２０Ａ周辺に発生する応力が低減されるものである。凹部２０Ｂを設けていない場合と比較して、保護膜４１と前端面Ｓ１との接触面積は少なくとも５０％以上、より好ましくは９０％まで低減することが望ましい。

なお、保護膜４１は前端面Ｓ１との接触面のみに形成され、凹部２０Ｂの内部および前面には形成されていないことが望ましいが、後述のようなスパッタリングなどの製造プロセスの都合上、保護膜４１全体が繋がり、あるいは凹部２０Ｂに保護材料が入る込むことがあるが、その程度は許容される。

凹部２０Ｂは、光強度分布に影響を与えない範囲で、突条部２０Ａの両側の近傍に形成されていることが望ましい。具体的には図２（Ａ）に示した遠視野像（Far Field Pattern ；ＦＦＰ）を逆フーリエ変換して求められた光強度分布（位相分布）の端よりも外側に形成することが好ましい。具体的には、凹部２０Ｂの位置は例えば突条部２０Ａの底部から１．５μｍ外側に設けることが好ましい。

突条部２０Ａの上面（コンタクト層２４の表面）には上部電極３１が設けられている。この上部電極３１は、例えばＴｉ，ＰｔおよびＡｕをこの順に積層して構成されており、コンタクト層２４と電気的に接続されている。一方、基板１０の裏面には下部電極３２が設けられている。この下部電極３２は、例えばＡｕとＧｅとの合金，ＮｉおよびＡｕを基板１０側から順に積層して構成されており、基板１０と電気的に接続されている。なお、ここでは上部電極３１はコンタクト層２４の表面および突条部側面を覆うように形成したが、これに限らずコンタクト層２４の表面のみに形成してもよい。

保護膜４１，４２は、異物の混入、端面の酸化および水分等による劣化を防ぐと共に、共振器端面における光の反射率を制御するためのものである。保護膜４１，４２の材料としては例えば、酸化アルミニウム（Ａｌ₂Ｏ₃），酸化ケイ素（ＳｉＯ₂），酸化チタン（ＴｉＯ₂），酸化タンタル（Ｔａ₂Ｏ₅），酸化ジルコニア（ＺｒＯ₂），酸化ハフニウム（Ｈｆ₂），窒化アルミニウム（ＡｌＮ），窒化ケイ素（Ｓｉ₃Ｎ₄），窒化ホウ素（ＢＮ）または酸化イットリウム（Ｙ₂Ｏ₅）を用いることができる。

保護膜４１，４２のうち、出射端面側の前端面Ｓ１の保護膜４１は、反射率が低くなるように調整されており、具体的には例えばＡｌ₂Ｏ₃の単層膜であり、反射率は例えば約１０％程度となるように調整されている。一方、後方端面側の後端面Ｓ２の保護膜４２は、反射率が高くなるように調整されており、具体的には例えばＡｌ₂Ｏ₃／ＴｉＯ₂を４組積層した多層膜であり、反射率は例えば約８０％となるように構成されている。これにより、活性層２２において発生した光は前端面Ｓ１および後端面Ｓ２の間を往復して増幅され、低反射率の前端面Ｓ１からレーザビームとして射出される。また、保護膜４１，４２の膜厚は、後端面Ｓ２の反射率に応じて後端面Ｓ２の電界強度が最小となるように調整される。なお、保護膜４１は単層に限らず、２層以上の膜を含む多層膜でもよく、同様に保護膜４２も多層膜に限らず、単層でもよい。また、保護膜４１にはＡｌ₂Ｏ₃のほかに活性層２２のエネルギーギャップ（Ｅｇ）よりも大きい誘電体材料、例えばＡｌＮ等を用いてもよい。ＡｌＮはＡｌ₂Ｏ₃よりも熱伝導率が高く、発光により発生した熱を分散しやすい。

［半導体レーザ１の製造方法］
このような構成を有する半導体レーザ１は、例えば次のようにして製造することができる。

まず、図３（Ａ）に示したように、ＭＯＣＶＤ（Molecular Organic Chemical Vaper Deposition ）装置にて基板１０上に半導体レーザ構造を有する積層膜を形成したのち、一般的な半導体プロセスを用いて半導体発光素子パターンを形成する。具体的には、例えば基板１０の表面を例えばサーマルクリーニングにより清浄する。次に、清浄された基板１０上に、例えばＭＯＣＶＤ法により、下部クラッド層２１、活性層２２、上部クラッド層２３およびコンタクト層２４を順次成長させて、半導体層２０を形成する。次に半導体層２０上に帯状のマスクを形成する。続いて、例えばドライエッチングにより、上部クラッド層２３の上部およびコンタクト層２４を選択的に除去する。これにより上部クラッド層２３の上部およびコンタクト層２４に帯状の突条部２０Ａが形成される。次に、マスクを除去したのち、上部クラッド層２３およびコンタクト層の一部に絶縁層２５を形成する。続いて突条部２０Ａの上面，側面および裾部に上部電極３１を形成すると共に、基板１０の裏面に下部電極３２を形成する。

次に、前端面Ｓ１側の突条部２０Ａの両側に凹部２０Ｂを形成する。具体的には、まず図３（Ｂ）に示したように、上部に半導体露光プロセスを用いて凹部２０Ｂを形成するためのマスク２６を形成する。なお、ここではマスクとしてレジストパターンを用いるが、ＳｉＯ₂でもよく、エッチングする物質との選択性が得られるのであればこれに限らない。

続いて、図３（Ｃ）に示したようにマスク２６を用いたドライエッチングにより半導体層２０を選択的に除去することにより凹部２０Ｂを形成する。エッチングガスとしては例えば塩素（Ｃｌ₂）を用いるが、Ｃｌ₂とアルゴン（Ａｒ）の混合ガスを用いてもよい。この他、表面自然酸化膜の影響による面荒れや突起物の生成を防止するために塩化ボロン（ＢＣｌ）や塩化ケイ素（ＳｉＣｌ₄）を添加してもよい。

最後に、図３（Ｄ）に示したように凹部２０Ｂを形成した基板１０を横方向にバー状に劈開して前端面Ｓ１および後端面Ｓ２を形成したのち、ＥＣＲ（Electron Cyclotron Resonance）スパッタ装置を用いて前端面Ｓ１および後端面Ｓ２に前述の材料からなる保護膜４１，４２を形成する。このようにして本実施の形態の半導体レーザ１が完成する。

［半導体レーザ１の作用・効果］
次に、本実施の形態の半導体レーザ１の作用および効果について説明する。

本実施の形態の半導体レーザ１では、上部電極３１および下部電極３２に所定の電流が供給されると、突条部２０Ａにより電流狭窄された電流が活性層２２の電流注入領域（発光領域）２２Ａに注入され、これにより電子と正孔の再結合による発光が生じる。この光は、前端面Ｓ１および後端面Ｓ２に形成された保護膜４１，４２により反射され、所定の波長でレーザ発振を生じ、前端面Ｓ１側からビームとして外部に射出される。

ところで前端面Ｓ１および後端面Ｓ２に形成された保護膜４１，４２は、互いの熱膨張率の差に起因してそれぞれが形成された端面Ｓ１，Ｓ２に応力（圧縮応力）を発生させる。従来の半導体レーザでは、突条部周辺に応力が発生すると図４に示したようにエネルギーギャップ（Ｅｇ）が収縮することにより、前端面Ｓ１および後端面Ｓ２において光吸収が発生する。これにより前端面Ｓ１および後端面Ｓ２に熱が集中し被膜を損傷することで突然の劣化、即ち長期信頼性の低下を招いていた。これに対して、本実施の形態では、前端面Ｓ１の突条部２０Ａの両側に例えば２対の凹部２０Ｂが設けられているため、前端面Ｓ１の表面に形成される保護膜４１との接触面積が少なくなり、これにより前端面Ｓ１に発生する応力が低減される。具体的には、例えば３インチのシリコン基板上に保護膜４１，４２として１００ｎｍの厚みで成膜した場合、下記式（１）または式（２）で表わされる応力（σ）の値は、０．０５Ｇｐａ以上３Ｇｐａ以下、更に０．０５Ｇｐａ以上０．５Ｇｐａ以下であることが好ましい。

（数１）
σ＝Ｅ／２（１＋ν）COSθ・π／１８０・Δ（２θ）／Δ（sin²φ）・・・（１）
（σ＝応力（残留），Ｅ：ヤング率，ν：ポアソン比，θ：ブラック角，φ：資料面法線Ｎと格子面法線Ｎ'のなす角）

（数２）
σ＝Ｅ_s・ｔ_s ²／｛６（１−Ｖ_s）ｒｔ_F｝・・・・・・・・・・・・・・・（２）
（σ：応力，ｔ_s：基板の厚さ，Ｖ_s：基板のポアソン比，ｒ：曲率半径，ｔ_F：薄膜の厚み，Ｅ_s：ヤング率，）

図５は、Ｔｃ８０℃，ＣＷ１２０ｍＷにおける駆動時の作動電圧の経時変化を表したものである。なお、図５（Ａ）は本実施の形態の半導体レーザ素子１の結果であり、図５（Ｂ）は出射端面に凹部が形成されていない従来の半導体レーザでの結果である。図５（Ｂ）からわかるように従来の半導体レーザでは約３００時間程度から突然作動電圧が０、即ちレーザを発振しなくなる素子が複数みられる。これに対して、本実施の形態の半導体レーザ素子では従来例のような突然の発振不良は見られない。また、図６は半導体レーザ１および従来例のＣＯＤ（Catastrophic Optical Damage)の経時変化を表したものである。図６からわかるように、本実施の形態の半導体レーザ素子１は一貫して従来の半導体レーザ素子よりも高いＣＯＤレベルを保っていることがわかる。これらのことから高出力に対する耐性および長期信頼性が向上していることがわかる。

以上のように、本実施の形態では、前端面Ｓ１の突条部２０Ａの両側に凹部２０Ｂを設けるようにしたので、前端面Ｓ１に形成される保護膜４１との接触面積が少なくなる。これにより前端面Ｓ１に発生する圧縮応力が緩和される。よって突条部２０Ａ周辺のエネルギーギャップ（Ｅｇ）の収縮が抑制され、前端面Ｓ１における光吸収が抑えられて前端面Ｓ１の破壊が低減される。即ち、ＣＯＤレベルが向上および長期信頼性が向上する。

また、保護膜４１の形成によって発生する前端面Ｓ１への応力の大きさを考慮することなく保護膜４１の材料を選択することが可能となる。従って、半導体層２０への酸素の拡散を抑制する能力は高いものの、高い応力を有することで用いることが困難であったＡｌＮのような窒化物を用いることが可能となるため、より長期信頼性を改善することができる。

更に、保護膜４１として多層膜を用いることも可能となるため、劈開面と保護膜４１，４２との電界強度の制御が容易となる。更にまた、応力が高くバルクに近い膜を保護膜４１に用いることが可能となるため、従来の多結晶膜やアモルファス膜と比較して突条部２０Ａ周辺の端面の排熱を向上させることができる。

次に、上記実施の形態の変形例１〜７について説明する。以下では、上記第１の実施の形態と同様の構成要素については同一の符号を付し、適宜説明を省略する。

図７に示した半導体レーザ２（変形例１）は、前端面Ｓ１の端面に上から見て矩形状の凹部３０Ｂが突条部２０Ａを中心に３対形成されていること以外は、上記実施の形態と同様の構成となっている。

図８に示した半導体レーザ３（変形例２）は、前端面Ｓ１および後端面Ｓ２の両方の端面に、上から見て三角状の凹部４０Ｂが突条部４０Ａを中心にそれぞれ２対形成されている。図９に示した半導体レーザ４（変形例３）は、前端面Ｓ１の両端を半導体層５０の積層方向にエッチングして形成した凹部５０Ｂによって前端面Ｓ１の面積を小さくしている。

図１０に示した半導体レーザ５（変形例４）は、前端面Ｓ１および後端面Ｓ２の両方の端面に、上から見て前端面Ｓ１および後端面Ｓ２に対して垂直な１辺を有する三角状の凹部６０Ｂを形成したものである。なお、ここでは端面Ｓ１，Ｓ２に対して垂直な一辺が両端側に形成されているがこれに限らず、内部側に形成してもよい。

図１１に示した半導体レーザ６（変形例５）は、前端面Ｓ１および後端面Ｓ２の両方の端面に、上から見て突条部７０Ａの延在方向に長辺を有する矩形状の凹部７０Ｂをそれぞれ３対形成したものである。

図１２に示した半導体レーザ７（変形例６）は、前端面Ｓ１および後端面Ｓ２の両方の端面に、上から見て半円状の凹部８０Ｂを突条部８０Ａを中心にそれぞれ２対形成したものである。なお、ここでは凹部８０Ｂを半円状としたがこれに限らず、半楕円としてもよい。その場合、楕円の長軸方向は突条部８０Ａの延在方向または交差方向どちらでもよい。

図１３に示した半導体レーザ８（変形例７）は、前端面Ｓ１および後端面Ｓ２の両方の端面に、上から見て突条部９０Ａの延在方向に対して垂直方向に長辺を有する矩形状の凹部９０Ｂを形成したものである。

上記変形例１〜７のような凹部３０Ｂ〜９０Ｂを形成した場合であっても、上記実施の形態と同様の効果を得ることができる。また、上記変形例１〜７に示した態様の他に、前端面Ｓ１と後端面Ｓ２とで凹部の形状を異ならせるようにしてもよい。

以上、実施の形態および変形例を挙げて本発明を説明したが、本発明は上記実施の形態等に限定されるものではなく、種々の変形が可能である。例えば、前端面Ｓ１には、共振器の側から、高屈折率の保護膜と、反射率調整用の保護膜との積層膜を形成してもよい。高屈折率の保護膜が反射率調整用の保護膜よりも屈折率の高い材料により構成されていることにより、前端面Ｓ１、即ち出射側端面の電界強度を下げ、端面への熱の集中を抑えて突然劣化を抑制することができる。

高屈折率の保護膜は、例えば、Ｔａ₂Ｏ₅，ＨｆＯ₂，ＺｒＯ₂，酸化ニオブ（Ｎｂ₂Ｏ₅）およびＴｉＯ₂などの酸化物，ＡｌＮ，Ｓｉ₃Ｎ₄，ＢＮ，窒化ハフニウム（ＨｆＮ）および窒化ジルコニウム（ＺｒＮ）などの窒化物、並びに炭化ケイ素（ＳｉＣ），ダイヤモンド，ダイヤモンド状炭素（ＤＬＣ；Diamond-like Carbon ）などの炭化物からなる群のうちの少なくとも１種により構成される。なかでも、窒化物または炭化物が好ましく、具体的には窒化アルミニウム（ＡｌＮ）が好ましい。電界強度を調整する機能と共に、反射率調整用の保護膜に含まれる酸素がレーザ構造部１０の内部に拡散するのを防ぐ酸素ブロッキング層としての機能も有することができるからである。

反射率調整用の保護膜は、例えば、Ａｌ₂Ｏ₃の単層膜であり、前端面Ｓ１の反射率は例えば約５％とする。反射率調整用の保護膜は、単層に限らず、２層以上の膜を含む多層構造でもよく、その場合には、高屈折率の保護膜は、反射率調整用の保護膜のうち最も共振器に近い膜よりも屈折率の高い材料により構成されていればよい。

１〜８…半導体レーザ、１０…基板、２０…半導体層、２０Ａ…突条部、２０Ｂ…凹部、２１…下部クラッド層、２２…活性層、２２Ａ…発光領域、２３…上部クラッド層、２４…コンタクト層、２５…絶縁層、２６…マスク、３１…上部電極、３２…下部電極、４１，４２…保護膜、Ｓ１…前端面（出射側端面）、Ｓ２…後端面

Claims (6)

1. 突条部を有し、前記突条部の延在方向の両端の一方からレーザ光を射出するレーザ構造部と、
   前記レーザ構造部の端面のうち少なくとも出射側端面の前記突条部の両側に設けられた凹部と、
   前記凹部を有する端面に設けられた保護膜と
   を備えた半導体レーザ。
2. 前記保護膜は、前記凹部を除く前記端面の表面に接して設けられている、請求項１に記載の半導体レーザ。
3. 前記凹部は前記突条部の延在方向に平行に凹み、その横断面形状が矩形、三角形、半円または半楕円である、請求項１または２に記載の半導体レーザ。
4. 前記凹部は、前記レーザ光の遠視野像を逆フーリエ変換して求められた光強度分布（位相分布）の端よりも外側に形成されている、請求項１乃至３のいずれか１項に記載の半導体レーザ。
5. 前記凹部は、前記突条部の底部の端より少なくとも１．５μｍ以上離れた位置に形成されている、請求項１乃至３のいずれか１項に記載の半導体レーザ。
6. 前記保護膜は、酸化アルミニウム（Ａｌ₂Ｏ₃），酸化ケイ素（ＳｉＯ₂），酸化チタン（ＴｉＯ₂），酸化タンタル（Ｔａ₂Ｏ₅），酸化ジルコニア（ＺｒＯ₂），酸化ハフニウム（ＨｆＯ₂），窒化アルミニウム（ＡｌＮ），窒化ケイ素（Ｓｉ₃Ｎ₄），窒化ホウ素（ＢＮ）または酸化イットリウム（Ｙ₂Ｏ₅）のうちの少なくとも１種よりなる、請求項１に記載の半導体レーザ。

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