JP2010112936A - 電流センサ、磁気検出方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】磁気検出を用いた電流計測における電流検出範囲を広げることを可能とする技術を提供することを目的の一つとする。
【解決手段】電流センサ(1)は、磁束密度に応じた電気信号を出力する磁電変換素子(10)と、上記磁電変換素子の周辺に配置された磁石(12)と、を備え、上記磁電変換素子及び上記磁石を、ギャップ(3)を有する磁心(2)の当該ギャップに配置して用いられる。上記磁石のリコイル透磁率が1より大きいことも好ましい。また、上記磁石がボンド磁石であることも好ましい。
【選択図】 図1
【解決手段】電流センサ(1)は、磁束密度に応じた電気信号を出力する磁電変換素子(10)と、上記磁電変換素子の周辺に配置された磁石(12)と、を備え、上記磁電変換素子及び上記磁石を、ギャップ(3)を有する磁心(2)の当該ギャップに配置して用いられる。上記磁石のリコイル透磁率が1より大きいことも好ましい。また、上記磁石がボンド磁石であることも好ましい。
【選択図】 図1
Description
本発明は、磁界の強度に応じた電気信号を出力する電流センサの改良技術等に関する。
磁界の強度に応じた電気信号を出力する電流センサが知られており、例えば非接触での電流計測などに応用されている。具体的には、特開昭62−222607号公報(特許文献1)における第4図には、電流の流れる電線の周囲を取り囲むようにして、一部が切り欠かれた略円筒形状の鉄心(環形状磁心)を設け、この鉄心の切り欠き部(ギャップ)にホール素子が配置されてなる電流検出素子が開示されている。この従来例の電流検出素子においては、電線に流れる電流に比例した磁束が鉄心に収束され、当該磁束が切り欠き部に挿入されたホール素子を貫通することによるホール効果によって発生するホール電圧を検出することによって、電線を流れる電流の大きさを測定する。このような電流検出素子は、検出可能な電流範囲は1Aから5000Aを超えるものも一般化しており、産業用、車載用など幅広い分野で用いられている。例えば、インバータで制御するモータでは、モータ回転速度等を自由かつ連続的に、効率よく変化させるために、上記のような電流検出素子を相数に応じて複数用い、モータに流れる電流を検出する方式が一般的である。このような背景から、電流検出等に用いられる電流センサには、検出可能電流範囲を維持した小型化、高検出精度化等の要求が高まっている。
上記従来例のような電流計測技術において、検出可能な電流範囲を決める主な要因としては、磁心の飽和磁化、発生する磁界の磁束密度、磁束と直交する磁心断面積の大きさ、がある。このうち、磁心の飽和磁化については磁心の材料特性によって定まるものであり、現時点での上限値はパーメンジュールにおける2.5Tである。一般的には、磁心損失やコスト等の観点から大電流測定用にはSi−Fe系の珪素鋼板が用いられることが多く、その場合の飽和磁化は2.0T以下となる。このため、検出可能な電流範囲を広げるには磁心断面積をより大きくする必要があり、磁心のダウンサイズが難しいという不都合が生じていた。
これに対し、特開2005−221492号公報(特許文献2)には、上記従来例と同様にリング状の磁路の一部を切り欠いた部分にMI素子を配置した電流センサにおいて、MI素子を配置するための切り欠き部分とは別のエアギャップを磁路中に設けること等によって、磁気飽和を回避し、電流の検出レンジを拡大する技術が開示されている。しかしながら、この特許文献2に係る従来例においては、電流の検出レンジをより拡大するにはエアギャップをより広げる必要があるという不都合がある。また、エアギャップを広げることで、電流に対する検出磁束の変化量を低減していため、高感度のMI素子で補償しようとする考え方であるが、高感度化により、外乱によるロバスト性が低下するという問題も発生する。
本発明に係る具体的態様は、磁気検出を用いた電流計測における電流検出範囲を広げることを可能とする技術を提供することを目的の一つとする。
本発明に係る一態様の電流センサは、磁束密度に応じた電気信号を出力する磁電変換素子と、上記磁電変換素子の周辺に配置された磁石と、を備え、上記磁電変換素子及び上記磁石を、ギャップを有する磁心の当該ギャップに配置して用いられる、電流センサである。
かかる構成によれば、磁石の発生する磁束(磁界)により磁心の磁束飽和を緩和することができる。その結果として、磁電変換素子によって検出可能な電流範囲の上限を高めることが可能となる。
上記の磁気センサにおいて、上記磁石のリコイル透磁率が1より大きいことも好ましい。例えば、リコイル透磁率は1.05〜1.4程度の値をとり得る。
リコイル透磁率が1より大きい磁石をギャップに配置することにより、当該磁石が配置された部位においては比透磁率がより大きくなる。このため、磁界を発生する電流が同じである場合でも、ギャップにおける磁束密度がより高くなる。それにより、磁電変換素子に検知される磁束密度がより高くなり、磁気センサ全体としての検出感度が向上するという利点が得られる。さらに、検出感度が向上しても外乱によるロバスト性が低下するという問題も生じない、というメリットもある。
上記の電流センサにおいて、上記磁石がボンド磁石であることも好ましい。
ボンド磁石を用いることにより、渦電流による損失、成形の容易さ、寸法精度の高さ、形状自由度の高さ、機械的特性(欠け難さ等)などの利点が得られる。また、後述するような種々の態様の磁石を実現しやすい。
上記の電流センサにおいては、例えば、上記磁電変換素子と上記磁石とが相互に接して配置されてもよいし、上記磁電変換素子と上記磁石とが相互に離間して配置されてもよい。磁電変換素子と磁石との位置関係についても、両者を重畳して配置する態様、磁電変換素子の周囲を磁石によって囲む態様など種々の態様が考えられる。すなわち、磁電変換素子の周囲に何らかの状態で磁石が配置され、これらが磁心のギャップに配置されていればよい。また、必ずしも磁電変換素子や磁石の全体がギャップ内に納まっている必要はなく、少なくとも一部が収まっていればよい。
また、上記磁心が上記ギャップに配置された中間磁心を更に有している場合においては、上記磁石と上記磁電変換素子とは、上記中間磁心を挟んで配置されることも好ましい。別言すれば、磁心が複数のギャップを有している場合においては、何れのギャップに磁電変換素子が配置され、他のギャップに磁石が配置されることも好ましい。
上記の電流センサにおいて、上記磁電変換素子は、例えばホール素子である。なお、磁束密度に応じた電気信号を生成し得る限りにおいて、磁気インピーダンス等の他の素子を磁電変換素子として用いてもよい。
本発明に係る一態様の磁気検出方法は、ギャップを有する磁心の当該ギャップに、磁電変換素子及び磁石を配置し、上記ギャップにおける磁束密度に応じた電気信号を上記磁電変換素子によって検出する、磁気検出方法である。
かかる方法によれば、磁石の発生する磁束により磁心の磁束飽和を緩和することができる。その結果として、磁電変換素子によって検出可能な電流範囲の上限を高めることが可能となる。
本発明に係る電流センサ等によれば、磁電変換素子による電流検出範囲を広げることが可能となる。
以下、本発明の実施の形態について図面を参照しながら説明する。
図1は、一実施形態の磁気センサ(電流センサ)の構成を模式的に示す側面図である。図1に示す本実施形態の磁気センサ1は、鉄などの磁性体(強磁性体)からなる環状磁心2のギャップ(切り欠き部)3に配置して用いられるものであり、磁束密度に応じた電気信号を出力する磁電変換素子10と、この磁電変換素子10の周囲に配置された磁石12と、を含んで構成されている。環状磁心2の略中央を通る電流Ioにより発生する磁束密度を磁電変換素子10によって検出し、この磁束密度に応じた電気信号を得ることにより、間接的に電流Ioの値を計測することができる。すなわち、本実施形態に係る磁気センサ1は、環状磁心2と組み合わせることによって電流検出装置として用いることができる。ここで、図1に例示した環状磁心2は円環状であるが、環状磁心2の形状はこれに限定されず、楕円環状や角型環状などの形状であってもよい。さらに、磁電変換素子と磁石は、別々に形成したギャップに別々に配置してもよい。
磁電変換素子10は、所定の感磁部(感磁面)を有しており、この感磁部を磁界が通ったときにその磁束密度に応じた電気信号を出力する。ここでいう電気信号とは、電圧信号または電流信号をいう。磁電変換素子10としては、例えば、ホール効果を利用して磁気−電気変換を行うホール素子が好適に用いられる。また、磁電変換素子10によって検出された電気信号を増幅、整形する等の信号処理を行う電気回路を磁気センサ1に備えるようにしてもよい。
なお、磁電変換素子10としてホール素子以外のもの、例えば磁気抵抗効果素子、磁気インピーダンス素子、フラックス・ゲートセンサなどを用いてもよい。
磁石(永久磁石)12は、磁電変換素子10の周辺(周囲)に設けられる。この磁石12は、磁化の方向がギャップ3を通る磁束とほぼ平行になるように配置されることが最も好ましい。磁石12の形状や配置状態には種々の態様が考えられ、それらについては後ほど例示する。磁石12を磁電変換素子10と組み合わせて環状磁心2のギャップ3に配置することで、磁石12の発生する磁束によって環状磁心2の磁束飽和を緩和することができる。その結果として、磁電変換素子10によって検出可能な電流範囲の上限を高めることができる。
ここで、磁石12としては、保磁力が10kOe以上、残留磁束密度Brが3kG以上の特性のものを用いることが好ましい。また、磁石12は、リコイル透磁率が1より大きいこと、より好ましくはリコイル透磁率が1.1以上であることが好ましい。環状磁心2のギャップ3における比透磁率は、磁石12を介在させない場合には空気の値である1.0であるが、リコイル透磁率が1より大きい磁石12を介在させることにより、当該磁石12が配置された部位においては比透磁率がより大きくなる。このため、磁界を発生する電流Ioが同じである場合でも、ギャップ3における磁束密度がより高くなる。例えば、リコイル透磁率が1.2の磁石12を用いた場合には、ギャップ3が空気で満たされている場合に比べて、ギャップ3に発生する磁束密度が理論上1.2倍近くになる。このため、磁電変換素子10によって検出される電気信号の値も種々の損失等を無視すれば理論上1.2倍となる。すなわち、リコイル透磁率が1より大きい磁石12を用いることにより、磁気センサ1全体としての検出感度が向上するという利点が得られる。なお、ここでは説明の便宜上、ギャップ3の全体が磁石12に占められているという簡単なモデルで検討したが、実際には後述するように磁石12の配置態様は種々考えられる。しかし、それら何れの場合であっても程度の差はあるが同質の効果が得られる。
磁石12としては如何なるものを用いてもよいが、整形の容易さ、寸法精度の高さ、形状自由度の高さ、機械的特性(欠け難さ等)、渦電流による損失を低減するといった観点からは、例えばボンド磁石を用いることが好ましい。ここでボンド磁石とは、磁石粉末をバインダー(結着剤)で固化成形したものの総称である。なお、磁石12として、ボンド磁石以外の磁石を用いてもよい。
次に、図2及び図3に基づいて、磁電変換素子とその周辺に設けられる磁石の形状についての種々の態様を説明する。
図2においては、磁電変換素子と1つの板状の磁石を組み合わせるいくつかの態様が模式的な斜視図により示されている。例えば、図2(A)には、磁電変換素子10とほぼ同じ形状および同じ大きさの板状の磁石12を磁電変換素子10と互いに接した状態で一体に構成した磁気センサ1が示されている。この図2(A)に示す磁気センサ1の全体の大きさは、環状磁心2のギャップ3にちょうど隙間なく収まる大きさであってもよいし、図示のように環状磁心2から隙間が生じる大きさであってもよい。さらに、磁電変換素子と磁石は、別々に形成したギャップに別々に配置してもよい。なお、以下に説明する他の態様も同様である。
図2(B)には、磁電変換素子10とほぼ同じ形状および同じ大きさの板状の磁石12を磁電変換素子10と互いに離間した状態で構成した磁気センサ1が示されている。このように磁電変換素子10と磁石12とをある程度離れて配置することも可能である。それにより、磁気センサ1の配置の自由度を高めることができる。図2(B)に示すような構成の磁気センサ1は、図1に例示した環状磁心2と組み合わせて用いる場合のほか、例えば図4に示すような態様の環状磁心2aと組み合わせて用いることも好適である。
具体的には、図4に例示する環状磁心2aは、ギャップ3aに配置された中間磁心4を有している。この場合、中間磁心4を挟んで磁石12と磁電変換素子10とを配置することができる。別言すれば、図4に例示する環状磁心2aにおけるギャップ3aは、中間磁心4を挟んで設けられた2つのギャップを有している。そして、当該2つのギャップのうち一方のギャップに磁電変換素子10が配置され、他方のギャップに磁石12が配置される。
図5に例示する環状磁心2bは、別々に形成された2つのギャップ3b、3cを有している。詳細には、これらのギャップ3b、3cは、環状磁心2bの中心部を挟んで対向した位置にある。そして、一方のギャップ3bに磁電変換素子10が配置され、他方のギャップ3cに磁石12が配置されている。このような構成の環状磁心2bは、半円状の磁心を2つ組み合わせることによって得られるので作製しやすいという利点がある。また、磁心が安定するという利点もある。なお、ギャップ3bとギャップ3cとは必ずしも対向配置されていなくてもよい。
図2(C)には、磁電変換素子10よりも磁石12のほうが大きい場合が例示されている。反対に、図2(D)には、磁電変換素子10よりも磁石12のほうが小さい場合が例示されている。これら各図に示すように、磁電変換素子10と磁石12との大小関係は特に限定されず、自由に設定することが可能である。なお、磁電変換素子10と磁石12とが互いに離間した状態であってもよく、その場合には図4に示すような環状磁心2aと組みあわて用いることも好適であることは上記図2(B)に例示した場合と同様である。
図3においては、磁電変換素子と2つの磁石とを組み合わせる態様および磁電変換素子と中空の磁石とを組み合わせる態様が模式的な斜視図により示されている。例えば、図3(A)には、磁電変換素子10とほぼ同じ形状および同じ大きさの2つの磁石12a、12bによって磁電変換素子10が挟まれ、かつ各磁石12a、12bのそれぞれと磁電変換素子10とが互いに接した状態で一体に構成された磁気センサ1が示されている。
図3(B)には、磁電変換素子10とほぼ同じ形状および同じ大きさの2つの磁石12a、12bによって磁電変換素子10が挟まれ、かつ各磁石12a、12bのそれぞれと磁電変換素子10とが互いに離間した状態で構成された磁気センサ1が示されている。なお、2つの磁石12a、12bの何れか一方が磁電変換素子10と互いに接した状態で一体に構成されていてもよい。その場合には、図4に示したような環状磁心2aと組みあわて用いることも好適である。具体的には、いずれか一方の磁石(例えば磁石12a)と磁電変換素子10とが中間磁心4の一端側に設けられ、他方の磁石(例えば磁石12b)が中間磁心4の他端側に設けられる。
図3(C)には、磁電変換素子10の両端に2つの磁石12c、12dを配置した状態で構成された磁気センサ1が示されている。なお、2つの磁石12c、12dのそれぞれと磁電変換素子10とは互いに接していなくてもよい(離間していてもよい)。また、図示の例では磁電変換素子10の2辺を覆うように各磁石12c、12dが配置されているが、磁電変換素子10の4辺を覆うように磁石を配置してもよい(図示省略)。
図3(D)には、中空部を有する磁石12eの内部に磁電変換素子10が挿入された状態に構成された磁気センサ1が示されている。別言すれば、磁電変換素子10はその周囲の4面を覆う状態で磁石12eによって包まれている。なお、中空部の内部に挿入された磁電変換素子10と磁石12eとの間に隙間を生じるようにして磁気センサ1を構成してもよい。また、磁電変換素子10の周囲の全体を覆うように磁石を構成してもよい(図示省略)。
以上のような本実施形態によれば、磁石の発生する磁束により磁心の磁束飽和を緩和することができる。その結果として、磁電変換素子によって検出可能な電流範囲の上限を高めることが可能となる。
なお、本発明は上述した実施形態の内容に限定されず、本発明の要旨の範囲内において種々に変形して実施をすることが可能である。
1 磁気センサ
2、2a、2b 環状磁心
3、3a、3b、3c ギャップ(切り欠き部)
4 中間磁心
10 磁電変換素子
12、12a、12b、12c、12d、12e 磁石
2、2a、2b 環状磁心
3、3a、3b、3c ギャップ(切り欠き部)
4 中間磁心
10 磁電変換素子
12、12a、12b、12c、12d、12e 磁石
Claims (8)
- 磁束密度に応じた電気信号を出力する磁電変換素子と、
前記磁電変換素子の周辺に配置された磁石と、を備え、
前記磁電変換素子及び前記磁石を、ギャップを有する磁心の当該ギャップに配置して用いられる、電流センサ。 - 前記磁石のリコイル透磁率が1より大きい、
請求項1に記載の電流センサ。 - 前記磁石がボンド磁石である、
請求項1又は2に記載の電流センサ。 - 前記磁電変換素子と前記磁石とが離間して配置された、
請求項1乃至3の何れか1項に記載の電流センサ。 - 前記磁電変換素子と前記磁石とが接して配置された、
請求項1乃至3の何れか1項に記載の電流センサ。 - 前記磁心は、前記ギャップに配置された中間磁心を更に有しており、
前記磁石と前記磁電変換素子とが前記中間磁心を挟んで配置される、
請求項1乃至3の何れか1項に記載の電流センサ。 - 前記磁電変換素子がホール素子である、
請求項1乃至6の何れか1項に記載の電流センサ。 - ギャップを有する磁心の当該ギャップに、磁電変換素子及び磁石を配置し、前記ギャップにおける磁束密度に応じた電気信号を前記磁電変換素子によって出力する、磁気検出方法。
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2008
- 2008-11-10 JP JP2008288145A patent/JP2010112936A/ja active Pending
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