JP2010056314A - 発光ダイオードの駆動回路、それを用いた発光装置および照明装置 - Google Patents

Abstract

【課題】広い電圧範囲で、ＬＥＤを安定に駆動する。
【解決手段】駆動回路１００は、直列に接続された複数のＬＥＤ４を含むＬＥＤアレイ２を駆動する。電源３０は、複数のＬＥＤ４に直流の駆動電圧Ｖｄｒｖを供給する。第１定電流回路１０は、複数のＬＥＤ４の駆動経路上に設けられ、ＬＥＤ４に流れる駆動電流Ｉｄｒｖを安定化させる。バイパススイッチＳＷ１は、複数のＬＥＤ４の少なくともひとつＬＥＤ４＿ｎと並列に設けられる。制御部２０は、バイパススイッチＳＷ１のオン、オフを制御する。
【選択図】図１

Description

本発明は、発光ダイオードの駆動技術に関する。

近年、蛍光ランプに代えて、高効率、長寿命が期待される発光ダイオード（Light Emitting Diode、以下、ＬＥＤと略す）を照明器具として利用する技術が提案されている。たとえば特許文献１には、商用交流電圧を整流し、平滑キャパシタを含む平滑回路によって平滑化して、負荷であるＬＥＤのアレイに供給するＬＥＤ点灯装置が開示される。同文献記載のＬＥＤ点灯装置によれば、発光ダイオードの駆動に必要な電圧を安定に供給し続けることができる。
特開２００４−２７３２６７号公報

商用交流電圧は、１００Ｖや２００Ｖ程度の所定の定格電圧で供給されるが、実際には変動することが知られている。ＬＥＤアレイを安定した輝度で駆動するためには、ＬＥＤアレイの駆動経路上に定電流回路を設け、駆動電流を一定として輝度を安定化させる必要がある。商用交流電圧を平滑化してＬＥＤアレイを駆動する場合、商用交流電圧が低下すると、定電流回路の両端間の電圧（電圧降下）が低下し、所望の輝度を得るために必要な駆動電流を生成できなくなってしまう。

この問題を解決するために、商用交流電圧が低下することを前提として、定格時における定電流回路の両端間の電圧（電圧降下）を高くすることも考えられる。しかしながらこの場合、定電流回路における消費電力が大きくなってしまうという別の問題が発生する。

本発明はこうした状況に鑑みてなされたものであり、その目的のひとつは、安定した輝度でＬＥＤを駆動する技術の提供にある。

本発明のある態様は、直列に接続された複数の発光ダイオードを駆動する駆動回路に関する。この駆動回路は、複数の発光ダイオードに駆動電圧を供給する電源と、複数の発光ダイオードの駆動経路上に設けられた第１定電流回路と、複数の発光ダイオードの少なくともひとつと並列に設けられたバイパススイッチと、バイパススイッチのオン、オフを制御する制御部と、を備える。

駆動電圧が低下するに従い、定電流回路の両端間の電圧が小さくなって所定の定電流を生成できなくなり、個々の発光ダイオードの電圧降下が低下して輝度が低下しはじめる。この際に、発光ダイオードの少なくともひとつをバイパスすることによって、定電流回路の両端間の電圧が大きくなり、個々の発光ダイオードの電圧降下が増大するため、個々の発光ダイオードの輝度を維持することができる。

制御部は、駆動電圧をモニタし、駆動電圧が所定のしきい値電圧を下回ると、バイパススイッチをオンしてもよい。

制御部は、複数の発光ダイオードに流れる電流に応じた検出電流をモニタし、検出電流が所定のしきい値を下回ると、バイパススイッチをオンしてもよい。

制御部は、複数の発光ダイオードの輝度が所定のしきい値を下回ると、バイパススイッチをオンしてもよい。

バイパススイッチは、電界効果トランジスタであってもよい。制御部は、バイパススイッチのゲートを、バイパススイッチがオンするレベルにバイアスするバイアス回路と、バイパススイッチのゲートとソースの間に設けられた制御スイッチと、発光ダイオードの状態に応じて、制御スイッチのオン、オフを制御する状態監視部と、を備えてもよい。

状態監視部は、駆動電圧をモニタし、駆動電圧が所定のしきい値電圧を下回ると、制御スイッチをオフしてもよい。

状態監視部は、複数の発光ダイオードに流れる電流に応じた検出電流をモニタし、検出電流が所定のしきい値を下回ると、制御スイッチをオフしてもよい。

状態監視部は、複数の発光ダイオードの輝度が所定のしきい値を下回ると、制御スイッチをオフしてもよい。

状態監視部は、複数の発光ダイオードおよび第１定電流回路を含む駆動経路と並列に設けられ、直列接続された定電圧ダイオードおよび第２定電流回路を含み、定電圧ダイオードと第２定電流回路の接続点が、制御スイッチのゲートに接続されてもよい。

第１定電流回路と第２定電流回路は、定電流ダイオードであってもよい。

電源は、交流電圧を整流する整流ブリッジ回路と、整流ブリッジ回路の出力電圧を平滑化し、駆動対象の負荷へと供給する平滑キャパシタと、を含んでもよい。

本発明の別の態様は、発光装置である。この発光装置は、直列に接続された複数の発光ダイオードと、複数の発光ダイオードを駆動する上述のいずれかの駆動回路と、を備える。発光装置は、照明装置であってもよい。

この態様によれば、駆動電圧が低下した場合であっても、輝度の低下を抑制することができる。

なお、以上の構成要素の任意の組み合わせ、本発明の表現を、方法、装置などの間で変換したものもまた、本発明の態様として有効である。

本発明によれば、電源電圧の変動に対し、安定した輝度でＬＥＤを駆動できる。

以下、本発明を好適な実施の形態をもとに図面を参照しながら説明する。各図面に示される同一または同等の構成要素、部材、処理には、同一の符号を付するものとし、適宜重複した説明は省略する。また、実施の形態は、発明を限定するものではなく例示であって、実施の形態に記述されるすべての特徴やその組み合わせは、必ずしも発明の本質的なものであるとは限らない。

本明細書において、「部材Ａが部材Ｂに接続された状態」とは、部材Ａと部材Ｂが物理的に直接的に接続される場合や、部材Ａと部材Ｂが、電気的な接続状態に影響を及ぼさない他の部材を介して間接的に接続される場合も含む。同様に、「部材Ｃが、部材Ａと部材Ｂの間に設けられた状態」とは、部材Ａと部材Ｃ、あるいは部材Ｂと部材Ｃが直接的に接続される場合のほか、電気的な接続状態に影響を及ぼさない他の部材を介して間接的に接続される場合も含む。

図１は、実施の形態に係る発光装置２００の構成を示す回路図である。発光装置２００は、ＬＥＤアレイ２と、駆動回路１００を備える。発光装置２００はたとえば室内照明、車両のヘッドライト、電光掲示板などとして利用可能であるが、その用途は特に限定されない。

ＬＥＤアレイ２は、直列に接続されたｎ個（ｎは２以上の整数）のＬＥＤモジュール４＿１〜４＿ｎ（以下、単にＬＥＤ４と総称する）を備える。図１において各ＬＥＤ４は単一のＬＥＤとして示されているが、それぞれが、直列および並列に接続された複数のＬＥＤを含んでも良い。各ＬＥＤ４は、その内部に直列に接続されるＬＥＤの個数に応じた順方向電圧Ｖｆを有している。高輝度が得られるハイパワー用のＬＥＤ４としては、Ｖｆ＝９．７５Ｖ（２５０ｍＡ）〜１０．４Ｖ（３５０ｍＡ）程度のものが、ローパワー用のＬＥＤ４としては、Ｖｆ＝３Ｖ程度のものが市販されている。以下では、Ｖｆ＝１０Ｖ程度のハイパワー用のＬＥＤ４を用いる場合について説明する。

駆動回路１００はＬＥＤアレイ２を駆動する。具体的には、駆動電圧Ｖｄｒｖを供給し、ＬＥＤアレイ２に流れる駆動電流Ｉｄｒｖを輝度に応じて設定、制御する。駆動回路１００は、第１定電流回路１０、制御部２０、電源３０を備える。

電源３０は、ＬＥＤアレイ２に駆動電圧Ｖｄｒｖを供給する。たとえば電源３０は、交流電源３４、整流回路３６、平滑用キャパシタＣｓを含む。交流電源３４は交流電圧Ｖａｃを生成し、整流回路３６は交流電圧Ｖａｃを整流する。整流回路３６としてたとえばダイオードブリッジを用いてもよい。この場合、整流回路３６によって交流電圧Ｖａｃが半波整流される。交流電圧Ｖａｃとして、商用交流電圧を利用する場合、交流電源３４は駆動回路１００の外部に設けられる。

整流回路３６の出力端子には、平滑用キャパシタＣｓが接続され、半波整流された駆動電圧Ｖａｃが、平滑化されて直流の駆動電圧Ｖｄｒｖが生成される。定格１００Ｖの交流電圧Ｖａｃを整流して得られる駆動電圧Ｖｄｒｖは、１４１Ｖ程度となる。

ＬＥＤアレイ２に含まれるＬＥＤ４の個数ｎは、順方向電圧Ｖｆと、駆動電圧Ｖｄｒｖの関係に応じて設計される。Ｖｄｒｖ≒１４１Ｖ、Ｖｆ≒９．８Ｖのとき、ｎ＝１０となる。

第１定電流回路１０は、ＬＥＤアレイ２の駆動経路上に設けられる。図１では、ＬＥＤアレイ２のアノード側に設けられる構成が示されるが、カソード側に設けられてもよい。定電流回路１０の構成は特に限定されるものではなく、公知の回路を利用すればよい。もっとも簡易には、図１に示すように第１定電流回路１０として定電流ダイオード（CRD:Current Regulative Diode）を用いることができる。駆動電流Ｉｄｒｖを所定の値に設定するために、電流経路上にスイッチング素子を設け、ＰＷＭ（パルス幅変調）信号にもとづいてそのスイッチング素子をスイッチング駆動し、駆動電流の時間的な平均値を調節する機構を設けてもよい。

バイパススイッチＳＷ１は、ＬＥＤアレイ２を構成する複数のＬＥＤ４のうち、ｍ個（ｍは自然数）に対して並列に設けられる。図１はｍ＝１の場合を示しており、バイパススイッチＳＷ１は最も低電位側のＬＥＤ４＿ｎと並列に、つまり最も低電位側のＬＥＤ４＿ｎのアノードとカソードの間に設けられる。バイパススイッチＳＷ１の位置は図１に限定されず、別の位置のＬＥＤ４と並列に設けられてもよい。

制御部２０は、バイパススイッチＳＷ１のオン、オフを制御する。バイパススイッチＳＷ１のオン、オフ制御は、以下のいくつかの制御方法によって実現できる。

制御方法１
制御部２０は、駆動電圧Ｖｄｒｖをモニタし、駆動電圧Ｖｄｒｖが所定のしきい値電圧より高いときバイパススイッチＳＷ１をオフし、駆動電圧Ｖｄｒｖがしきい値電圧を下回ると、バイパススイッチＳＷ１をオンする。

制御方法２
制御部２０は、複数のＬＥＤ４に流れる駆動電流Ｉｄｒｖに応じた検出電流をモニタし、検出電流が所定のしきい値より高いとき、バイパススイッチＳＷ１をオン状態とし、検出電流がしきい値を下回ると、バイパススイッチＳＷ１をオンする。

駆動電圧Ｖｄｒｖと駆動電流Ｉｄｒｖ（検出電流）は互いに相関がある。つまり駆動電圧Ｖｄｒｖが低下すれば、駆動電流Ｉｄｒｖは減少するし、反対もまた成り立つ。したがって制御方法１、２のいずれの方法を採った場合であっても、実質的には同じ制御が実現できる。

制御方法１、２を概念的に捉えると、以下の制御方法３が導かれる。
制御方法３
制御部２０は、複数のＬＥＤ４の輝度が所定のしきい値より高いとき、バイパススイッチＳＷ１をオフ状態とし、輝度がしきい値を下回ると、バイパススイッチＳＷ１をオンする。

したがって、制御部２０は、制御方法１〜３のいずれかを実現可能な回路として構成でき、当業者であれば想到可能な回路は発明に含まれる。たとえば制御方法１の場合、駆動電圧Ｖｄｒｖに応じた検出電圧を、所定のしきい値電圧と比較する手段を設け、比較結果に応じてバイパススイッチＳＷ１を制御すればよい。また制御方法２の場合、駆動電流Ｉｄｒｖに応じた検出電流を、所定のしきい値電流と比較する手段を設け、比較結果に応じてバイパススイッチＳＷ１を制御すればよい。

図１の制御部２０の構成を詳細に説明する。バイパススイッチＳＷ１は、ＮチャンネルのＭＯＳＦＥＴ（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）であり、ソースが最も低電位側のＬＥＤ４＿ｎのカソードに、ドレインがＬＥＤ４＿ｎのアノードと接続される。

制御部２０は、バイアス回路２２、制御スイッチＳＷ２、状態監視部２４を備える。バイアス回路２２は、バイパススイッチＳＷ１のゲートを、バイパススイッチＳＷ１がオンするレベルにバイアスする。図１の回路では、バイアス回路２２は抵抗Ｒ１と抵抗Ｒ２を含み、駆動電圧Ｖｄｒｖを分圧して、バイパススイッチＳＷ１のゲート電圧Ｖｇ１を生成する。ゲート電圧Ｖｇ１は、バイパススイッチＳＷ１のゲートソース間のしきい値電圧Ｖｔｈ１より高く設定すればよい。

制御スイッチＳＷ２はバイパススイッチＳＷ１のゲートとソースの間に設けられる。制御スイッチＳＷ２がオンすると、バイパススイッチＳＷ１のゲート電圧Ｖｇ１が０Ｖ付近となるため、バイパススイッチＳＷ１がオフする。制御スイッチＳＷ２がオフのときは、バイパススイッチＳＷ１のゲート電圧Ｖｇ１は、バイアス回路２２で設定された電圧となる。

状態監視部２４は、ＬＥＤ４の状態に応じて、制御スイッチＳＷ２のオン、オフを制御する。ＬＥＤ４の状態は、駆動電圧Ｖｄｒｖや駆動電流Ｉｄｒｖを介して間接的にモニタリングできる。つまり状態監視部２４は、制御方法１や制御方法２にしたがって制御スイッチＳＷ２を制御する。

状態監視部２４は定電圧ダイオード２６および第２定電流回路２８を含む。定電圧ダイオード２６および第２定電流回路２８は、第１定電流回路１０およびＬＥＤアレイ２を含む経路と並列に設けられる。第２定電流回路２８によって定電流Ｉｃが生成され、定電流Ｉｃが定電圧ダイオード２６に逆方向に流れることにより、電圧降下Ｖｚが発生する。定電流Ｉｃが流れることにより電圧降下Ｖｚが発生した状態において、制御スイッチＳＷ２のゲート電圧Ｖｇ２は、Ｖｇ２＝Ｖｄｒｖ−Ｖｚとなる。定電圧ダイオード２６は駆動電圧Ｖｄｒｖを、逆方向電圧Ｖｚだけシフトするレベルシフト回路と把握することもできる。このゲート電圧Ｖｇ２＝Ｖｄｒｖ−Ｖｚは、ＭＯＳＦＥＴのゲートソース間のしきい値電圧Ｖｔｈ２より高く設定される。つまり、駆動電圧Ｖｄｒｖが十分に高いとき制御スイッチＳＷ２はオンし、バイパススイッチＳＷ１はオフとなる。

駆動電圧Ｖｄｒｖが低下すると、制御スイッチＳＷ２のゲート電圧Ｖｇ２が低下し、制御スイッチＳＷ２のゲートソース間電圧が、ＭＯＳＦＥＴのしきい値電圧Ｖｔより小さくなり、制御スイッチＳＷ２がオフとなる。その結果、バイパススイッチＳＷ１のゲート電圧Ｖｇ１はしきい値電圧Ｖｔｈ１より高くなり、このときバイパススイッチＳＷ１はオンとなり、ＬＥＤ４＿ｎがバイパスされる。

第２定電流回路２８は、第１定電流回路１０と同様に、定電流ダイオードで構成できる。

つまり状態監視部２４は、駆動電圧Ｖｄｒｖが、Ｖｔ＋Ｖｚで与えられる所定のしきい値電圧Ｖｔｈ１より低くなると、制御スイッチＳＷ２をオフ状態とする。状態監視部２４は、駆動電圧Ｖｄｒｖを監視する代わりに、駆動電流Ｉｄｒｖに応じた検出電流（駆動電流そのものであってもよい）を監視し、この検出電流としきい値の比較結果にもとづいて制御スイッチＳＷ２を制御してもよい。別の観点から見れば、状態監視部２４は、ＬＥＤ４の輝度が所定のしきい値を下回ると、制御スイッチＳＷ２をオフしてもよい。

以上のように構成された駆動回路１００の動作について説明する。

本発明の効果を明確とするため、はじめに、比較技術としてバイパススイッチＳＷ１を備えない回路の動作を説明する。

第１定電流回路１０の両端間の電圧Ｖｓ１と、ｎ個のＬＥＤ４と、駆動電圧Ｖｄｒｖの間には、以下の関係式が成り立つ。
Ｖｄｒｖ＝Ｖｓ１＋ｎ×Ｖｆ …（１）
式（１）を変形すると、式（２）を得る。
Ｖｓ１＝Ｖｄｒｖ−ｎ×Ｖｆ …（２）

第１定電流回路１０は、その両端間の電圧Ｖｓ１が十分に高いとき、所定の駆動電流Ｉｄｒｖを生成することができ、その結果、ｎ個のＬＥＤ４が駆動電流Ｉｄｒｖに応じた輝度で発光する。

駆動電圧Ｖｄｒｖが定格の１４１Ｖから低下すると、第１定電流回路１０の両端間の電圧Ｖｓ１が徐々に低下していき、あるしきい値（Ｖｓａｔ）を境界として安定した一定の駆動電流Ｉｄｒｖを供給不能となる。第１定電流回路１０としてＣＲＤを用いた場合、しきい値Ｖｓａｔ≒３Ｖ程度である。つまり、安定した駆動電流Ｉｄｒｖを生成し、ＬＥＤ４を所望の輝度で発光させるための条件は、
Ｖｄｒｖ＞Ｖｓａｔ＋ｎ×Ｖｆ …（３）
となる。駆動電圧Ｖｄｒｖが低下し、（Ｖｓａｔ＋ｎ×Ｖｆ）より低い領域となると、駆動電流Ｉｄｒｖの値が急激に減少し、ｎ個のＬＥＤ４の輝度が低下してしまう。
たとえば、交流電圧Ｖａｃが定格１００Ｖを中心として±１０％で変動するとき、駆動電圧Ｖｄｒｖは１４１Ｖを中心として±１４Ｖで変動することになる。Ｖｓａｔ＝３Ｖ、Ｖｆ＝９．８Ｖ、ｎ＝１０の場合、交流電圧Ｖａｃが定格から１０％低下すると、式（３）を満たさなくなるため、ＬＥＤ４の輝度は著しく低下する。たとえば各ＬＥＤ４の輝度がそれぞれ定格時の１／２（＝５０％）にまで低下した場合、ＬＥＤアレイ２全体としての光度も１／２まで低下する。以上がバイパススイッチＳＷ１を備えない回路の動作である。

続いて、バイパススイッチＳＷ１を備える図１の回路の動作を説明する。
駆動電圧Ｖｄｒｖが定格の１４１Ｖから低下すると、第１定電流回路１０の両端間の電圧Ｖｓ１が徐々に低下していく。図１の回路では、電圧Ｖｓ１が、駆動電流Ｉｄｒｖが目標値から急激に減少しはじめるしきい値Ｖｓａｔより低くなる前に、制御部２０によってバイパススイッチＳＷ１がオンされる。

バイパススイッチＳＷ１がオンした状態では、低電位側のＬＥＤ４＿ｎバイパスされるため、
Ｖｄｒｖ＝Ｖｓ１＋（ｎ−１）×Ｖｆ …（４）
が成り立つ。したがってバイパススイッチＳＷ１がオンした状態で、ＬＥＤ４を所望の輝度で発光させるための条件として、式（５）を得る。
Ｖｄｒｖ＞Ｖｓａｔ＋（ｎ−１）×Ｖｆ …（５）

なおバイパススイッチＳＷ１によってバイパスされるＬＥＤ４の個数をｍ個と一般化すると、式（６）は、以下のように修正される。
Ｖｄｒｖ＞Ｖｓａｔ＋（ｎ−ｍ）×Ｖｆ …（６）

つまりバイパススイッチＳＷ１を設けた場合、式（６）を満たす駆動電圧Ｖｄｒｖは、バイパススイッチＳＷ１を設けない場合に比べて、ＬＥＤ４のｍ個分の順方向電圧（Ｖｆ×ｍ）だけ高くなる。
Ｖｆ＝９．７Ｖ、ｍ＝１のとき、駆動電圧Ｖｄｒｖが１３１．３Ｖまで低下しても、ＬＥＤ４の輝度を保つことができる。

このとき、ＬＥＤアレイ２全体としての光度は、発光状態にあるＬＥＤ４の個数に比例するから、定格時に比べて、（ｎ−ｍ）／ｎ倍に低下する。ｎ＝１０、ｍ＝１の場合のＬＥＤアレイ２の光度は、定格時の９０％となるが、これはバイパススイッチを設けない場合（上述の例では５０％）に比べて著しく高いことがわかる。

このように、実施の形態に係る駆動回路１００によれば、電源電圧Ｖａｃが低下した場合であっても、各ＬＥＤ４の輝度を保ち、結果としてＬＥＤアレイ２全体の光度の低下を抑制することができる。

以上、本発明について、実施の形態をもとに説明した。この実施の形態は例示であり、それらの各構成要素や各処理プロセスの組合せにいろいろな変形例が可能なこと、またそうした変形例も本発明の範囲にあることは当業者に理解されるところである。以下、こうした変形例について説明する。

ｍ＝２の場合、バイパススイッチＳＷ１は、２つのＬＥＤ４＿ｎおよび４＿（ｎ−１）を同時にバイパスしてもよい。この場合、単一のバイパススイッチＳＷ１のみによって、駆動電圧Ｖｄｒｖが１２１．６Ｖまで低下した状態までＬＥＤアレイ２の輝度を保つことができる。

また、バイパススイッチＳＷ１を複数個設けてもよい。たとえば図１の構成に加えて、ＬＥＤ４＿（ｎ−１）をバイパスする第２のバイパススイッチ（不図示）およびそのオン、オフを制御する制御部を更に設け、駆動電圧Ｖｄｒｖの低下に応じて、第１のバイパススイッチＳＷ１と、第２のバイパススイッチを２段階でオンしてもよい。さらに、３つ以上のバイパススイッチを設け、駆動電圧Ｖｄｒｖのレベルに応じて各バイパススイッチを適切に切り換えることにより、広い電圧範囲で、ＬＥＤアレイ２の輝度を安定化できる。

実施の形態にもとづき、特定の語句を用いて本発明を説明したが、実施の形態は、本発明の原理、応用を示しているにすぎず、実施の形態には、請求の範囲に規定された本発明の思想を逸脱しない範囲において、多くの変形例や配置の変更が可能である。

実施の形態に係る発光装置の構成を示す回路図である。

符号の説明

１００…駆動回路、２…ＬＥＤアレイ、４…ＬＥＤ、ＳＷ１…バイパススイッチ、１０…第１定電流回路、２０…制御部、２２…バイアス回路、ＳＷ２…制御スイッチ、２４…状態監視部、２６…定電圧ダイオード、２８…第２定電流回路、３０…電源、Ｃｓ…平滑用キャパシタ、３６…整流回路。

Claims (13)

1. 直列に接続された複数の発光ダイオードを駆動する駆動回路であって、
   前記複数の発光ダイオードに駆動電圧を供給する電源と、
   前記複数の発光ダイオードの駆動経路上に設けられた第１定電流回路と、
   前記複数の発光ダイオードの少なくともひとつと並列に設けられたバイパススイッチと、
   前記バイパススイッチのオン、オフを制御する制御部と、
   を備えることを特徴とする駆動回路。
2. 前記制御部は、前記駆動電圧をモニタし、前記駆動電圧が所定のしきい値電圧を下回ると、前記バイパススイッチをオンすることを特徴とする請求項１に記載の駆動回路。
3. 前記制御部は、前記複数の発光ダイオードに流れる電流に応じた検出電流をモニタし、前記検出電流が所定のしきい値を下回ると、前記バイパススイッチをオンすることを特徴とする請求項１に記載の駆動回路。
4. 前記制御部は、前記複数の発光ダイオードの輝度が所定のしきい値を下回ると、前記バイパススイッチをオンすることを特徴とする請求項１に記載の駆動回路。
5. 前記バイパススイッチは、電界効果トランジスタであり、
   前記制御部は、
   前記バイパススイッチのゲートを、前記バイパススイッチがオンするレベルにバイアスするバイアス回路と、
   前記バイパススイッチのゲートとソースの間に設けられた制御スイッチと、
   前記発光ダイオードの状態に応じて、前記制御スイッチのオン、オフを制御する状態監視部と、
   を備えることを特徴とする請求項１に記載の駆動回路。
6. 前記状態監視部は、前記駆動電圧をモニタし、前記駆動電圧が所定のしきい値電圧を下回ると、前記制御スイッチをオフすることを特徴とする請求項５に記載の駆動回路。
7. 前記状態監視部は、前記複数の発光ダイオードに流れる電流に応じた検出電流をモニタし、前記検出電流が所定のしきい値を下回ると、前記制御スイッチをオフすることを特徴とする請求項５に記載の駆動回路。
8. 前記状態監視部は、前記複数の発光ダイオードの輝度が所定のしきい値を下回ると、前記制御スイッチをオフすることを特徴とする請求項５に記載の駆動回路。
9. 前記状態監視部は、前記複数の発光ダイオードおよび前記第１定電流回路を含む駆動経路と並列に設けられ、直列接続された定電圧ダイオードおよび第２定電流回路を含み、前記定電圧ダイオードと前記第２定電流回路の接続点が、前記制御スイッチのゲートに接続されることを特徴とする請求項５に記載の駆動回路。
10. 前記第１定電流回路と前記第２定電流回路は、定電流ダイオードであることを特徴とする請求項９に記載の駆動回路。
11. 前記電源は、
    交流電圧を整流する整流ブリッジ回路と、
    前記整流ブリッジ回路の出力電圧を平滑化し、駆動対象の負荷へと供給する平滑キャパシタと、
    を含むことを特徴とする請求項１から１０のいずれかに記載の駆動回路。
12. 直列に接続された複数の発光ダイオードと、
    前記複数の発光ダイオードを駆動する請求項１から１１のいずれかに記載の駆動回路と、
    を備えることを特徴とする発光装置。
13. 請求項１２に記載の発光装置を備えることを特徴とする照明装置。

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