JP2009239190A - Dicing die-bonding tape - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、半導体チップの製造に用いられるダイシング・ダイボンディングテープに関し、より詳細には、半導体ウェーハが接合され、該半導体ウェーハをレーザーダイシングするのに用いられるダイシング・ダイボンディグテープ、並びに該ダイシング・ダイボンディングテープを用いた半導体チップの製造方法に関する。 The present invention relates to a dicing die bonding tape used for manufacturing a semiconductor chip, and more particularly, a dicing die bonding tape used for laser dicing a semiconductor wafer to which the semiconductor wafer is bonded, and the dicing tape. The present invention relates to a method of manufacturing a semiconductor chip using a die bonding tape.
従来、半導体ウェーハから半導体チップを切り出すに際しては、半導体ウェーハをダイシングテープに接合した後、半導体ウェーハをレーザーダイシングしていた。 Conventionally, when a semiconductor chip is cut out from a semiconductor wafer, the semiconductor wafer is bonded to a dicing tape, and then the semiconductor wafer is laser-diced.
上記ダイシングテープの一例として、下記の特許文献１には、支持シートを含む基材と、該基材の片面に積層された粘着剤層とを備えるダイシングテープが開示されている。この粘着剤層は、レーザー光吸収性付与剤等を含むため、レーザー光の照射により切断され得る。一方、支持シートは、レーザー光の照射により切断されないように構成されている。
As an example of the dicing tape,
また、近年、半導体チップを基板等に実装する作業を容易とするために、ダイシングフィルムにダイボンディングフィルムが積層されているダイシング・ダイボンディングテープが用いられてきている。 In recent years, a dicing die bonding tape in which a die bonding film is laminated on a dicing film has been used to facilitate the work of mounting a semiconductor chip on a substrate or the like.
上記ダイシング・ダイボンディングテープの一例として、下記の特許文献２には、基材フィルム上に、ダイボンディングフィルムとしての接着剤層が積層されたダイシング・ダイボンディングテープが開示されている。この基材フィルムは、３５５ｎｍでの全光線透過率が７０％以上、かつ平行光線透過率が３０％以上とされている。そのため、基材フィルムを介してダイボンディングフィルムにレーザー光を照射すると、レーザー光が基材フィルムを透過する。従って、基材フィルムが切断されることなく、ダイボンディングフィルムを切断することができる。
As an example of the dicing die bonding tape, the following
また、下記の特許文献３には、基材フィルム上に、ダイボンディングフィルムとしての粘着剤層が積層されたダイシング・ダイボンディングテープが開示されている。ここでは、エッチング速度をエネルギーフルエンスで割った値をエッチング率としたときに、粘着剤層のエッチング率よりも基材フィルムのエッチング率の方が小さくされている。基材フィルムはエッチング率が小さいので、レーザー光の照射により切断され難い。
また、特許文献３には、上記エッチング率が「０」である基材フィルムとして、ポリエチレン、ポリテトラフルオロエチレン、又はエチレン・ビニルアルコール共重合体（ＥＶＡ）からなる基材フィルムが記載されている。
一方、下記の特許文献４には、ポリプロピレン樹脂を含有する樹脂組成物からなる表面を有する基材フィルム上に、ダイボンディングフィルムとしての粘接着剤層が積層されたダイシング・ダイボンディングテープが開示されている。ここでは、ダイボンディングフィルムは、アクリル系、ゴム系、ポリウレタン系、シリコーン系もしくはポリエステル系などの各種の粘着剤、または放射線硬化性粘着剤からなる粘着剤層を有する。
しかしながら、特許文献１に記載のダイシングテープは、ダイボンディングフィルムを有していなかった。半導体ウェーハをダイシングテープの粘着剤層に接合し、半導体ウェーハをレーザーダイシングした後に、半導体チップは粘着剤層から剥離されていた。すなわち、粘着剤層は、半導体チップのダイボンディングに用いられていなかった。
However, the dicing tape described in
一方、特許文献２では、予め切り込みが形成された半導体ウェーハをダイシング・ダイボンディングテープのダイボンディングフィルムに接合し、半導体ウェーハを切り込み部分まで研削することにより、半導体ウェーハが切断されていた。そして、半導体ウェーハの切断工程とは別の工程で、ダイボンディングフィルムがレーザーダイシングされていた。従って、特許文献２に記載のダイシング・ダイボンディングテープは、半導体ウェーハをレーザーダイシングするのに用いられていなかった。
On the other hand, in
また、特許文献３には、レーザー光の照射により切断され難い上記エッチング率が「０」である基材フィルムとして、ポリエチレン、ポリテトラフルオロエチレン、又はエチレン・ビニルアルコール共重合体（ＥＶＡ）からなる基材フィルムが記載されている。しかしながら、これらの基材フィルムを用いた場合であっても、基材フィルムの種類やその貯蔵弾性率、あるいはレーザー光の出力等によっては、レーザー光の照射により基材フィルムに切り込みが容易に形成されることがあった。切り込みが形成されると、基材フィルムのエキスパンド性が確保できないことがあり、半導体チップを好適にピックアップできない場合があった。さらに、基材フィルムにレーザー光が照射された際に、局所的に加熱されて基材フィルムが溶融することがあり、基材フィルムが溶融することによっても、半導体ウェーハ及びダイボンディングフィルムを精度良く切断することができないことがあった。
また、特許文献４に記載のダイシング・ダイボンディングテープでも、基材フィルムの種類やその貯蔵弾性率、あるいはレーザー光の出力等によっては、レーザー光の照射により基材フィルムに切り込みが容易に形成されることがあった。
Further, even with the dicing die bonding tape described in
さらに、特許文献４では、ダイボンディングフィルムは、アクリル系、ゴム系、ポリウレタン系、シリコーン系もしくはポリエステル系などの各種の粘着剤、または放射線硬化性粘着剤からなる粘着剤層を有する。
Furthermore, in
ダイボンディングフィルムが上記各種の粘着剤からなる粘着剤層を有する場合には、レーザーダイシング後に、ダイボンディングフィルムが基材フィルムから容易に剥離しないことがあった。また、ダイボンディングフィルムが放射線硬化型粘着剤からなる粘着剤層を有する場合には、レーザー光の照射によりダイボンディングフィルムが変質したり、溶融したりすることがあった。そのため、ダイボンディングフィルムを精度良く切断することができないことがあった。 When the die bonding film has an adhesive layer composed of the above various adhesives, the die bonding film may not be easily peeled off from the base film after laser dicing. In addition, when the die bonding film has a pressure-sensitive adhesive layer made of a radiation curable pressure-sensitive adhesive, the die bonding film may be altered or melted by irradiation with laser light. Therefore, the die bonding film may not be cut with high accuracy.
近年、半導体装置の小型化・薄型化が進行している。それに伴って、半導体チップを製造するのに、小型かつ薄型の半導体ウェーハが用いられてきている。この場合、特に、高い精度でレーザーダイシングすることが必要であり、従って、高い精度でレーザーダイシングすることが可能なダイシング・ダイボンディングテープが強く求められていた。 In recent years, semiconductor devices have been reduced in size and thickness. Accordingly, small and thin semiconductor wafers have been used to manufacture semiconductor chips. In this case, in particular, it is necessary to perform laser dicing with high accuracy. Therefore, a dicing die bonding tape capable of performing laser dicing with high accuracy has been strongly demanded.
本発明の目的は、上述した従来技術の現状に鑑み、レーザーダイシング用のダイシング・ダイボンディングテープであって、レーザーダイシングするに際し、非粘着フィルムに切り込みが形成され難く、半導体ウェーハとダイボンディングフィルムとを精度良く切断することができ、かつ、レーザーダイシングした後に、半導体チップをダイボンディングフィルムごと容易に剥離して、取り出すことを可能とするダイシング・ダイボンディングテープ、並びに該ダイシング・ダイボンディングテープを用いた半導体チップの製造方法を提供することにある。 An object of the present invention is a dicing die bonding tape for laser dicing in view of the current state of the above-described prior art, and it is difficult to form a cut in a non-adhesive film when laser dicing, and a semiconductor wafer and a die bonding film A dicing die-bonding tape that can be cut with high accuracy, and after semiconductor dicing, the semiconductor chip can be easily peeled off and removed together with the die-bonding film, and the dicing die-bonding tape is used. Another object of the present invention is to provide a method for manufacturing a semiconductor chip.
本発明によれば、半導体ウェーハをレーザーダイシングし、半導体チップを得、半導体チップをダイボンディングするのに用いられるレーザーダイシング用のダイシング・ダイボンディングテープであって、ダイボンディングフィルムと、前記ダイボンディングフィルムの一方の面に貼付された非粘着フィルムとを有し、前記ダイボンディングフィルムが、熱硬化性化合物と、熱硬化剤とを含み、前記非粘着フィルムは、樹脂架橋体を主成分として含み、２５℃における貯蔵弾性率が１〜１０００ＭＰａの範囲にあり、かつ６０℃における貯蔵弾性率が１ＭＰａ以上であることを特徴とする、ダイシング・ダイボンディングテープが提供される。 According to the present invention, there is provided a dicing die bonding tape for laser dicing used for laser dicing a semiconductor wafer to obtain a semiconductor chip and die bonding of the semiconductor chip, the die bonding film and the die bonding film. A non-adhesive film affixed to one side of the die bonding film, the die bonding film includes a thermosetting compound and a thermosetting agent, and the non-adhesive film includes a resin crosslinked body as a main component, A dicing die bonding tape is provided, wherein the storage elastic modulus at 25 ° C. is in the range of 1 to 1000 MPa, and the storage elastic modulus at 60 ° C. is 1 MPa or more.
なお、上記非粘着フィルムのダイボンディングフィルムが貼付された面とは反対側の面には、例えば、ダイシングフィルムが貼付されて、レーザーダイシングが行われてもよい。あるいは、上記非粘着フィルム自体がダイシングフィルムとして用いられてもよい。上記のように、本発明の「ダイシング・ダイボンディングテープ」とは、レーザーダイシング及びダイボンディングに用いられるテープであり、上記ダイボンディングフィルムと非粘着フィルムとを必須の構成として含み、ダイシングフィルムを別途有していてもよく、有していなくともよい。ダイシング・ダイボンディングテープがダイシングフィルムを有しない場合には、ダイシングに際しダイシングフィルムが別途用意される。該ダイシングフィルムが非粘着フィルムのダイボンディングフィルムが貼付された面とは反対側の面に貼付され、レーザーダイシングが行われる。この場合、ダイシング・ダイボンディングテープはダイシングフィルムを有しないが、ダイシング時においても用いられるものであるため、ダイシング・ダイボンディングテープである。 For example, a dicing film may be attached to the surface of the non-adhesive film opposite to the surface to which the die bonding film is attached, and laser dicing may be performed. Alternatively, the non-adhesive film itself may be used as a dicing film. As described above, the “dicing die bonding tape” of the present invention is a tape used for laser dicing and die bonding, and includes the die bonding film and the non-adhesive film as essential components, and the dicing film is separately provided. It may or may not have. When the dicing die bonding tape does not have a dicing film, a dicing film is separately prepared for dicing. The dicing film is attached to the surface opposite to the surface to which the die bonding film of the non-adhesive film is attached, and laser dicing is performed. In this case, the dicing die bonding tape does not have a dicing film, but is a dicing die bonding tape because it is also used during dicing.
本発明では、前記樹脂架橋体は、（メタ）アクリル樹脂架橋体、又はオレフィン系樹脂架橋体であることが好ましく、（メタ）アクリル樹脂架橋体であることがより好ましい。この場合、レーザー光の照射により非粘着フィルムに切り込みがより一層形成され難い。従って、半導体ウェーハ及びダイボンディングフィルムをより一層精度良く切断することができる。 In this invention, it is preferable that the said resin crosslinked body is a (meth) acrylic resin crosslinked body or an olefin resin crosslinked body, and it is more preferable that it is a (meth) acrylic resin crosslinked body. In this case, it is more difficult to form a cut in the non-adhesive film by laser light irradiation. Therefore, the semiconductor wafer and the die bonding film can be cut even more accurately.
また、上記（メタ）アクリル樹脂架橋体は、好ましくは、炭素数１〜１８のアルキル基を有する（メタ）アクリル酸エステルポリマーを含む。該（メタ）アクリル酸エステルポリマーは、アクリル酸ブチルと、アクリル酸エチルとの内の少なくとも一方を重合させて得られた（メタ）アクリル酸エステルポリマーであることがより好ましい。 The (meth) acrylic resin crosslinked product preferably contains a (meth) acrylic acid ester polymer having an alkyl group having 1 to 18 carbon atoms. The (meth) acrylic acid ester polymer is more preferably a (meth) acrylic acid ester polymer obtained by polymerizing at least one of butyl acrylate and ethyl acrylate.
本発明のダイシング・ダイボンディングテープのある特定の局面では、前記ダイボンディングフィルムの熱硬化前の２５℃における貯蔵弾性率は、１０６〜１０９Ｐａの範囲にある。 On the specific situation with the dicing die-bonding tape of this invention, the storage elastic modulus in 25 degreeC before thermosetting of the said die-bonding film exists in the range of 10 < 6 > -10 < 9 > Pa.
本発明のダイシング・ダイボンディングテープの他の特定の局面では、前記ダイボンディングフィルムは、前記熱硬化性化合物としてエポキシ樹脂と、エポキシ基と反応する官能基を有する高分子ポリマーと、前記熱硬化剤とを含む。前記エポキシ樹脂の分子量は、１０００以下であることが好ましい。 In another specific aspect of the dicing die bonding tape of the present invention, the die bonding film comprises an epoxy resin as the thermosetting compound, a polymer having a functional group that reacts with an epoxy group, and the thermosetting agent. Including. The molecular weight of the epoxy resin is preferably 1000 or less.
また、前記ダイボンディングフィルムは、前記エポキシ樹脂１００重量部に対して、前記エポキシ基と反応する官能基を有する高分子ポリマーを１０〜１００重量部の割合で含むことが好ましい。 Moreover, it is preferable that the said die bonding film contains the high molecular polymer which has a functional group which reacts with the said epoxy group with respect to 100 weight part of said epoxy resins in the ratio of 10-100 weight part.
本発明のダイシング・ダイボンディングテープのさらに他の特定の局面では、前記非粘着フィルムの前記ダイボンディングフィルムが貼付された面とは反対側の面に、ダイシングフィルムが貼付されている。 In still another specific aspect of the dicing die bonding tape of the present invention, a dicing film is attached to the surface of the non-adhesive film opposite to the surface to which the die bonding film is attached.
本発明の半導体チップの製造方法は、本発明のレーザーダイシング用のダイシング・ダイボンディングテープと、半導体ウェーハとを用意する工程と、ダイシング・ダイボンディングテープの前記ダイボンディングフィルムの前記非粘着フィルムが貼付された面とは反対側の面に半導体ウェーハを接合する工程と、ダイシング・ダイボンディングテープが接合された半導体ウェーハを前記ダイボンディングフィルムごとレーザー光の照射により切断し、個々の半導体チップに分割する工程と、ダイシング後に、前記半導体チップが接合された前記ダイボンディングフィルムを前記非粘着フィルムから剥離し、ダイボンディングフィルムごと半導体チップを取り出す工程とを備えることを特徴とする。 The semiconductor chip manufacturing method of the present invention includes a step of preparing a dicing die bonding tape for laser dicing of the present invention and a semiconductor wafer, and the non-adhesive film of the die bonding film of the dicing die bonding tape is attached. A step of bonding a semiconductor wafer to a surface opposite to the formed surface, and cutting the semiconductor wafer bonded with a dicing die bonding tape together with the die bonding film by irradiation with laser light to divide into individual semiconductor chips. And a step of, after dicing, separating the die bonding film to which the semiconductor chip is bonded from the non-adhesive film and taking out the semiconductor chip together with the die bonding film.
本発明に係る半導体チップの製造方法のある特定の局面では、前記個々の半導体チップに分割する工程において、レーザー光の照射により、前記非粘着フィルムが切断されることなく、かつ前記非粘着フィルムに切り込みが形成されることなく、前記半導体ウェーハ及び前記ダイボンディングフィルムが切断される。 In a specific aspect of the method for manufacturing a semiconductor chip according to the present invention, in the step of dividing into the individual semiconductor chips, the non-adhesive film is not cut by irradiation with laser light, and the non-adhesive film is formed. The semiconductor wafer and the die bonding film are cut without forming a cut.
また、本発明の半導体チップの製造方法では、好ましくは、前記半導体チップを取り出す工程において、前記ダイボンディングフィルムと前記非粘着フィルムとの間の剥離力を変化させることなく、半導体チップが取り出される。 In the semiconductor chip manufacturing method of the present invention, preferably, in the step of taking out the semiconductor chip, the semiconductor chip is taken out without changing the peeling force between the die bonding film and the non-adhesive film.
なお、本明細書において剥離力を変化させないとは、例えば、光の照射や加熱によりダイシング・ダイボンディングテープのいずれかの層を硬化させて粘着力を下げることにより剥離力を変化させる工程、または、いずれかの層を収縮させて剥離力を変化させる工程、あるいは、いずれかの層を発泡させて剥離力を変化させる工程等の剥離力を変化させる処理を実施しないことを意味する。 In this specification, not changing the peeling force means, for example, a step of changing the peeling force by lowering the adhesive force by curing any layer of the dicing die bonding tape by light irradiation or heating, or This means that the process of changing the peeling force, such as the step of contracting any layer to change the peeling force, or the step of foaming any layer to change the peeling force, is not performed.
本発明に係るダイシング・ダイボンディングテープでは、ダイボンディングフィルムに非粘着フィルムが貼付されており、該非粘着フィルムが樹脂架橋体を主成分として含み、かつ２５℃及び６０℃における貯蔵弾性率が上記特定の範囲にあるので、レーザーダイシングに際し、レーザー光の照射により非粘着フィルムに切り込みが形成されるのを抑制することができる。従って、レーザー光の照射により半導体ウェーハとダイボンディングフィルムとを精度良く切断することができる。 In the dicing die bonding tape according to the present invention, a non-adhesive film is affixed to the die bonding film, the non-adhesive film contains a resin crosslinked body as a main component, and the storage elastic modulus at 25 ° C. and 60 ° C. is specified above. Therefore, when laser dicing is performed, it is possible to suppress the formation of cuts in the non-adhesive film due to laser light irradiation. Therefore, the semiconductor wafer and the die bonding film can be cut with high precision by laser light irradiation.
さらに、レーザーダイシング後に、ダイボンディングフィルムを非粘着フィルムから、容易に剥離することができる。そのため、ダイシング後に、半導体チップをダイボンディングフィルムごと取り出す際に、ダイボンディングフィルムが欠けたり、半導体チップが破損したりするのを抑制することができる。 Furthermore, the die bonding film can be easily peeled off from the non-adhesive film after laser dicing. Therefore, when the semiconductor chip is taken out together with the die bonding film after dicing, it is possible to prevent the die bonding film from being chipped or the semiconductor chip from being damaged.
本発明に係る半導体チップの製造方法では、本発明のダイシング・ダイボンディングテープが接合された半導体ウェーハをダイボンディングフィルムごとレーザーダイシングにより個々の半導体チップに分割するので、半導体ウェーハ及びダイボンディングフィルムを精度よく切断することができる。さらに、半導体チップが接合されたダイボンディングフィルムを、非粘着フィルムから容易に剥離して取り出すことができる。 In the semiconductor chip manufacturing method according to the present invention, the semiconductor wafer to which the dicing die bonding tape of the present invention is bonded is divided into individual semiconductor chips by laser dicing together with the die bonding film. Can be cut well. Furthermore, the die bonding film to which the semiconductor chip is bonded can be easily peeled off from the non-adhesive film.
以下、図面を参照しつつ、本発明の具体的な実施形態を説明することにより、本発明を明らかにする。 Hereinafter, the present invention will be clarified by describing specific embodiments of the present invention with reference to the drawings.
図１（ａ），（ｂ）に、本発明の一実施形態に係るレーザーダイシング用のダイシング・ダイボンディングテープを部分切欠正面断面図及び部分切欠平面図で示す。 1 (a) and 1 (b) show a dicing die bonding tape for laser dicing according to an embodiment of the present invention in a partially cutaway front sectional view and a partially cutaway plan view.
図１（ａ），（ｂ）に示すように、ダイシング・ダイボンディングテープ１は、長尺状の離型フィルム２を有する。離型フィルム２の上面２ａに、ダイボンディングフィルム３、非粘着フィルム４及びダイシングフィルム５がこの順に積層されている。ダイボンディングフィルム３の離型フィルム２が貼付された表面３ａは、半導体ウェーハが接合される面である。
As shown in FIGS. 1A and 1B, a dicing die
ダイボンディングフィルム３、非粘着フィルム４及びダイシングフィルム５は、円形の平面形状を有する。ダイシングフィルム５は、ダイボンディングフィルム３及び非粘着フィルム４よりも大きな径を有する。なお、ダイボンディングフィルム３の径は、非粘着フィルム４の径と等しくされている。もっとも、両者の径は異なっていてもよい。
The
ダイシングフィルム５は、基材５ａと、基材５ａの片面に塗布された粘着剤５ｂとを有する。ダイシングフィルム５は、非粘着フィルム４のダイボンディングフィルム３が貼付された表面４ａとは反対側の表面４ｂに、粘着剤５ｂ側から貼付されている。ダイシングフィルム５は、非粘着フィルム４を介して、ダイボンディングフィルム３に間接的に貼付されている。
The
ダイシングフィルム５は、ダイボンディングフィルム３及び非粘着フィルム４よりも大きな径を有するので、図１（ｂ）に示すように、ダイシングフィルム５は、ダイボンディングフィルム３及び非粘着フィルム４の外周縁を超えるように延ばされている延長部５ｃを有する。該延長部５ｃの一面が、粘着剤５ｂにより離型フィルム２の上面２ａに貼付されている。すなわち、ダイボンディングフィルム３及び非粘着フィルム４の外周縁よりも外側の領域において、ダイシングフィルム５が離型フィルム２の上面２ａに貼付されている。
Since the
ダイシングフィルム５がダイボンディングフィルム３及び非粘着フィルム４よりも大きな径を有するのは、ダイボンディングフィルム３の表面３ａに半導体ウェーハを接合する際に、延長部５ｃに位置している粘着剤５ｂにダイシングリングを貼付するためである。
The
図１（ｂ）に示すように、長尺状の離型フィルム２の長さ方向において、ダイボンディングフィルム３、非粘着フィルム４及びダイシングフィルム５からなる複数の積層体が等間隔に配置されている。なお、ダイシングフィルム５の側方の領域において、必ずしも設ける必要はないが、離型フィルム２の上面２ａに保護シート６，７が設けられている。保護シート６，７が設けられている場合には、ダイシング・ダイボンディングテープ１が例えばロール状に巻回されることによってダイボンディングフィルム３、非粘着フィルム４及びダイシングフィルム５に加わる圧力が、保護シート６，７の存在により軽減される。
As shown in FIG.1 (b), in the length direction of the
なお、離型フィルム２の厚みや形状は特に限定されない。例えば正方形の形状の離型フィルムが用いられてもよい。その場合には、離型フィルム上にダイボンディングフィルム、非粘着フィルム及びダイシングフィルムからなる１つの積層体のみが配置されていてもよい。また、上記積層体は、該離型フィルムと共に、上述のようにロール状に巻回されていなくてもよい。また、ダイボンディングフィルム、非粘着フィルム及びダイシングフィルムの厚みや形状も特に限定されない。
In addition, the thickness and shape of the
ダイシング・ダイボンディングテープ１では、ダイボンディングフィルム３付き半導体チップを取り出す際に、ダイボンディングフィルム３と非粘着フィルム４との剥離力は、非粘着フィルム４とダイシングフィルム５との剥離力よりも小さくされていることが好ましい。この場合、ダイボンディングフィルム３を非粘着フィルム４から両者の界面で剥離し易くなる。従って、ダイボンディングフィルム３ごと半導体チップを、非粘着フィルム４からより一層容易に剥離して、取り出すことができる。
In the dicing die
ダイボンディングフィルム３ごと半導体チップを、非粘着フィルム４から剥離して、取り出す際には、ダイボンディングフィルム３と非粘着フィルム４との剥離強度は、１５Ｎ／ｍ以下が好ましく、７Ｎ／ｍ以下がより好ましく、５Ｎ／ｍ以下がさらに好ましい。剥離強度が大きすぎると、非粘着フィルム４からのダイボンディングフィルム３の剥離が困難となることがある。剥離強度の好ましい下限は、１Ｎ／ｍである。剥離強度が小さすぎると、ダイシングの際に半導体チップが剥離してしまう（チップ飛びという）ことがある。
When the semiconductor chip is peeled off from the
（非粘着フィルム）
上記非粘着フィルム４は、ダイボンディングフィルム３と非粘着フィルム４との界面で、ダイボンディングフィルム３を非粘着フィルム４から剥離するために設けられている。
(Non-adhesive film)
The
非粘着フィルム４は、非粘着性を有する。なお、本明細書において、「非粘着性フィルム」とは、表面が粘着性を有しないフィルムだけでなく、表面を指で触ったときにくっつかないフィルムをも含むものとする。具体的には、「非粘着性フィルム」における「非粘着」とは、非粘着フィルムをステンレス板に貼り付けて、非粘着フィルムを３００ｍｍ／分の剥離速度で剥離したときに、剥離力が５ｇ／２５ｍｍ幅以下であることを意味する。
The
本実施形態の特徴は、非粘着フィルム４が、樹脂架橋体を主成分として含み、さらに非粘着フィルム４の２５℃における貯蔵弾性率が１〜１０００ＭＰａの範囲にあり、かつ６０℃における貯蔵弾性率が１ＭＰａ以上である。
The feature of this embodiment is that the
非粘着フィルム４が樹脂架橋体を主成分として含むことにより、レーザー光が照射された際に、非粘着フィルム４が溶融し難くなり、かつアブレーションが生じ難くなる。そのため、レーザーダイシングするに際し、非粘着フィルム４に切り込みが形成され難くなる。さらに、非粘着フィルム４が樹脂架橋体を主成分として含むことにより、レーザーダイシング後のダイボンディングフィルム３の非粘着フィルム４からの剥離性を高めることができる。
When the
また、非粘着フィルム４の２５℃及び６０℃における貯蔵弾性率が上記特定の範囲にあることによっても、室温及び加熱時の両方において適度な硬さを有するため、レーザーダイシングするに際し、非粘着フィルム４に切り込みが形成され難くなり、かつ、レーザーダイシング後のダイボンディングフィルム３のダイシングフィルムからの剥離性を高めることができる。
In addition, since the
非粘着フィルム４の２５℃における貯蔵弾性率が、１ＭＰａ未満であると、レーザー光の照射により局所的に加熱された場合に非粘着フィルムが柔らかくなりすぎて溶融し、切り込みが形成され易くなり、１０００ＭＰａを超えると、非粘着フィルムが硬すぎて、エキスパンド性が不足し、ピックアップ性に劣ることがある。非粘着フィルム４の２５℃における貯蔵弾性率の好ましい上限は６００ＭＰａ、更に好ましい上限は４００ＭＰａであり、好ましい下限は３ＭＰａである。
When the storage elastic modulus at 25 ° C. of the
非粘着フィルム４の６０℃における貯蔵弾性率が１ＭＰａ未満であると、レーザー光の照射により局所的に加熱された場合に非粘着フィルムが柔らかくなりすぎて溶融し、切り込みが形成され易くなったり、切断面においてダイボンディング層と融着して切断面が汚染されたりすることがある。好ましい上限は、５００ＭＰａである。５００ＭＰａを超えると、材料の選択性に劣り、結果、ピックアップ性に悪影響を及ぼす場合がある。
好ましい下限は１．５ＭＰａである。
When the storage elastic modulus at 60 ° C. of the
A preferred lower limit is 1.5 MPa.
非粘着フィルム４は、樹脂架橋体を主成分として含む。この場合、非粘着フィルム４は、樹脂架橋体を５０重量％以上含む。非粘着フィルム４に主成分として含まれている上記樹脂架橋体としては、（メタ）アクリル樹脂架橋体、又はポリオレフィン樹脂架橋体等が挙げられる。なかでも、レーザーダイシング後のエキスパンド性を高めることができるので、（メタ）アクリル樹脂架橋体またはポリオレフィン樹脂架橋体が好ましい。
The
上記樹脂架橋体としては、（メタ）アクリル樹脂架橋体がより好ましい。樹脂架橋体が（メタ）アクリル樹脂架橋体である場合、表面エネルギーや弾性率を容易に調整することができ、さらにレーザー光の照射により非粘着フィルムに切り込みがより一層形成され難く、従って半導体ウェーハ及びダイボンディングフィルムをより一層精度良く切断することができる。 As the resin crosslinked body, a (meth) acrylic resin crosslinked body is more preferable. When the resin crosslinked body is a (meth) acrylic resin crosslinked body, the surface energy and the elastic modulus can be easily adjusted, and further, it is difficult to form a cut in the non-adhesive film by the laser light irradiation. In addition, the die bonding film can be cut with higher accuracy.
また、上記樹脂架橋体が（メタ）アクリル樹脂架橋体である場合には、レーザーダイシング後のダイボンディングフィルム３の非粘着フィルム４からの剥離性をより一層高めることができる。特に、薄型の半導体チップを用いた場合に、ダイボンディングフィルム３の非粘着フィルム４からの剥離性を大きく高めることができる。さらに、上記樹脂架橋体が（メタ）アクリル樹脂架橋体である場合、該（メタ）アクリル樹脂架橋体を適宜選択することにより、非粘着フィルム４の極性を低めたり、弾性率を低めたり、破断伸度を容易に制御したりすることができる。
Moreover, when the said resin crosslinked body is a (meth) acrylic resin crosslinked body, the peelability from the
さらに、樹脂架橋体が（メタ）アクリル樹脂架橋体である場合には、樹脂架橋体がポリオレフィン系樹脂架橋体である場合に比べて、非粘着フィルム４とダイボンディングフィルム３との界面の融合を防ぐことができるので、レーザーダイシング後のダイボンディングフィルム３の非粘着フィルム４からの剥離性をより一層高めることができる。
Furthermore, when the resin cross-linked body is a (meth) acrylic resin cross-linked body, the fusion of the interface between the
なお、本明細書において、「架橋体」とは、３次元的に架橋された状態を意味する。架橋体としては、化学的架橋に加えて、紫外線、電子線、又は加熱等により後架橋処理された架橋体が好ましい。高架橋体が得られるためである。 In the present specification, “crosslinked body” means a three-dimensionally crosslinked state. As a crosslinked body, in addition to chemical crosslinking, a crosslinked body subjected to post-crosslinking treatment by ultraviolet rays, electron beams, heating, or the like is preferable. This is because a highly crosslinked product is obtained.
樹脂架橋体の架橋度としては、以下の方法で測定されるゲル分率が９０％以上であることが好ましい。９０％未満であると、架橋が不充分となり、上述の弾性率挙動が得られなかったり、ピックアップ性が劣ったりする場合がある。より好ましくは、９５％以上である。 As a crosslinking degree of a resin crosslinked body, it is preferable that the gel fraction measured by the following method is 90% or more. If it is less than 90%, crosslinking may be insufficient, and the above elastic modulus behavior may not be obtained, or the pickup property may be inferior. More preferably, it is 95% or more.
上記ゲル分率の測定方法としては、樹脂架橋体を非粘着フィルムと同じ厚みのフィルム状にし、そこから５０ｍｍ×１００ｍｍの平面長方形状の試験片を切り出し、この試験片を酢酸エチル中に２３℃にて２４時間浸漬する。その後、試験片を酢酸エチルから取り出して、１１０℃の条件下で１時間乾燥させる。そして、乾燥後の試験片の重量を測定し、下記式を用いてゲル分率を算出する。 As a method for measuring the gel fraction, the cross-linked resin is formed into a film having the same thickness as that of the non-adhesive film, a flat rectangular test piece of 50 mm × 100 mm is cut out therefrom, and the test piece is placed in ethyl acetate at 23 ° C. Soak for 24 hours. Thereafter, the test piece is taken out from ethyl acetate and dried at 110 ° C. for 1 hour. And the weight of the test piece after drying is measured, and a gel fraction is computed using a following formula.
ゲル分率（重量％）＝１００×（Ｗ２／Ｗ１）
（Ｗ１：浸漬前の試験片の重量、Ｗ２：浸漬、乾燥後の試験片の重量）
また、本明細書において、「（メタ）アクリル」とは、「メタクリル酸又はアクリル酸」を意味する。
Gel fraction (% by weight) = 100 × (W 2 / W 1 )
(W 1 : Weight of test piece before immersion, W 2 : Weight of test piece after immersion and drying)
In the present specification, “(meth) acryl” means “methacrylic acid or acrylic acid”.
非粘着フィルム４を構成する材料としては、特に限定されないが、光硬化性樹脂であってもよく、あるいは熱硬化性樹脂であってもよい。上記光硬化性樹脂や熱硬化性樹脂を用いた場合、光硬化もしくは熱硬化させることにより、非粘着フィルム４が形成される。形成された非粘着フィルム４においては、これらの樹脂の硬化は既に完了していることが望ましい。樹脂の硬化が完了していない場合には、例えばレーザー光が照射された際に、非粘着フィルム４が溶融し、溶融した非粘着フィルム４がダイシングフィルム３に付着するおそれがある。
Although it does not specifically limit as a material which comprises the
また、半導体チップの製造に際しては、好ましくは、レーザーダイシング後に非粘着フィルム４に対するダイボンディングフィルム３の剥離力を変化させずにピックアップが行われる。この場合、光の照射等によって非粘着フィルム４が硬化されないことが望ましく、従って、上記光硬化性樹脂や熱硬化性樹脂を用いて形成された非粘着フィルム４においては、これらの硬化性樹脂はすでに硬化されていることが望ましい。
In manufacturing a semiconductor chip, preferably, pick-up is performed without changing the peeling force of the
非粘着フィルム４を構成する材料としては、樹脂架橋体に加えて、エポキシ樹脂、ウレタン樹脂、シリコーン樹脂またはポリイミド樹脂等の他の合成樹脂を用いてもよい。
As a material constituting the
上記（メタ）アクリル樹脂架橋体は、例えば架橋剤を用いて、（メタ）アクリル樹脂を架橋させることにより得ることができる。また、上記ポリオレフィン系樹脂架橋体は、例えば光ラジカル重合剤を配合した樹脂組成物に、電子線を照射し、半ば強制的に架橋可能な基を架橋させることにより得ることができる。 The said (meth) acrylic resin crosslinked body can be obtained by bridge | crosslinking a (meth) acrylic resin, for example using a crosslinking agent. Moreover, the said polyolefin resin crosslinked body can be obtained by, for example, irradiating the resin composition which mix | blended the radical radical polymerizer with an electron beam and bridge | crosslinking the group which can be bridge | crosslinked forcibly.
上記（メタ）アクリル樹脂架橋体としては、特に限定されないが、（メタ）アクリル酸エステルポリマーが好ましい。非粘着フィルム４の主成分が（メタ）アクリル酸エステルポリマーである場合には、レーザーダイシング後に、ダイボンディングフィルム３を非粘着フィルム４から剥離するに際し、ダイボンディングフィルム３の欠けをより一層生じ難くすることができる。さらに、（メタ）アクリル酸エステルポリマーを用いた場合、貯蔵弾性率と破断伸度とを容易に制御することができる。
Although it does not specifically limit as said (meth) acrylic resin crosslinked body, (meth) acrylic acid ester polymer is preferable. When the main component of the
上記（メタ）アクリル酸エステルポリマーとしては、特に限定されないが、炭素数１〜１８のアルキル基を有する（メタ）アクリル酸エステルポリマーが好ましい。炭素数１〜１８のアルキル基を有する（メタ）アクリル酸エステルポリマーを用いた場合には、極性が充分に低められ、非粘着フィルム４の表面エネルギーを低くすることができ、ダイボンディングフィルム３の非粘着フィルム４からの剥離性をより一層高めることができる。アルキル基の炭素数が１８を超えると、溶液重合が困難となり、非粘着フィルム４の製造が困難となることがある。アルキル基の炭素数は、より好ましくは６以上であり、それによって極性がより一層低められる。
Although it does not specifically limit as said (meth) acrylic acid ester polymer, The (meth) acrylic acid ester polymer which has a C1-C18 alkyl group is preferable. When the (meth) acrylic acid ester polymer having an alkyl group having 1 to 18 carbon atoms is used, the polarity is sufficiently lowered, the surface energy of the
上記（メタ）アクリル酸エステルポリマーとしては、炭素数１〜１８のアルキル基を有する（メタ）アクリル酸アルキルエステルモノマーを主モノマーとし、これと官能基含有モノマーと、更に必要に応じてこれらと共重合可能な他の改質用モノマーとを常法により共重合させて得られた（メタ）アクリル酸エステルポリマーが好ましい。この場合、（メタ）アクリル酸アルキルエステルモノマーのアルキル基の炭素数は２以上がより好ましく、６以上が特に好ましい。 As the (meth) acrylic acid ester polymer, a (meth) acrylic acid alkyl ester monomer having an alkyl group having 1 to 18 carbon atoms is used as a main monomer, and this is combined with a functional group-containing monomer and, if necessary, these. A (meth) acrylic acid ester polymer obtained by copolymerizing with other polymerizable monomers capable of polymerization by a conventional method is preferred. In this case, the number of carbon atoms of the alkyl group of the (meth) acrylic acid alkyl ester monomer is more preferably 2 or more, and particularly preferably 6 or more.
上記（メタ）アクリル酸エステルポリマーの重量平均分子量は、２０万〜２００万の範囲が好ましい。２０万未満では、塗工成形時に外観欠点を多量に生じることがあり、２００万を超えると、製造時に増粘しすぎてポリマー溶液を取り出すことが出来なくなることがある。 The weight average molecular weight of the (meth) acrylic acid ester polymer is preferably in the range of 200,000 to 2,000,000. If it is less than 200,000, a large amount of appearance defects may occur at the time of coating molding, and if it exceeds 2 million, it may become too thick at the time of production to make it impossible to take out the polymer solution.
上記（メタ）アクリル酸エステルポリマーとしては、ガラス転移温度が比較的低く、かつ柔軟性に優れているので、アクリル酸ブチルとアクリル酸エチルとの内の少なくとも一方を含む成分を架橋させて得られた（メタ）アクリル酸エステルポリマーが好ましい。この場合、非粘着フィルム４のダイボンディングフィルム３に対する密着性を高めることができる。
The (meth) acrylate polymer is obtained by crosslinking a component containing at least one of butyl acrylate and ethyl acrylate because it has a relatively low glass transition temperature and excellent flexibility. (Meth) acrylic acid ester polymers are preferred. In this case, the adhesion of the
上記改質用モノマーとしては特に限定はされないが、カルボキシル基を含有するモノマーではないことが好ましい。カルボキシル基を含有するモノマーを使用すると、非粘着フィルム４の極性が高くなり、ピックアップ性に悪影響を及ぼす場合がある。
The modifying monomer is not particularly limited, but is preferably not a monomer containing a carboxyl group. When the monomer containing a carboxyl group is used, the polarity of the
上記改質用モノマーとして使用し得るモノマーとしては、例えば、二重結合を有するブタジエン、スチレン、イソプレン、またはアクリロニトリルなどが挙げられる。 Examples of the monomer that can be used as the modifying monomer include butadiene, styrene, isoprene, and acrylonitrile having a double bond.
上記（メタ）アクリル酸アルキルエステルモノマーとしては、特に限定されないが、炭素数１〜１８のアルキル基を有する一級又は二級のアルキルアルコールと、（メタ）アクリル酸とのエステル化反応により得られた（メタ）アクリル酸アルキルエステルモノマーが好ましい。 Although it does not specifically limit as said (meth) acrylic-acid alkylester monomer, It obtained by esterification reaction of the primary or secondary alkyl alcohol which has a C1-C18 alkyl group, and (meth) acrylic acid. (Meth) acrylic acid alkyl ester monomers are preferred.
上記（メタ）アクリル酸アルキルエステルモノマーとしては、具体的には、（メタ）アクリル酸メチル、（メタ）アクリル酸エチル、（メタ）アクリル酸プロピル、（メタ）アクリル酸イソプロピル、（メタ）アクリル酸ｎ−ブチル、（メタ）アクリル酸ｔ−ブチル、（メタ）アクリル酸２−エチルヘキシル、（メタ）アクリル酸オクチル、または（メタ）アクリル酸ラウリル等が挙げられる。なかでも、アルキル基の炭素数が４以上の（メタ）アクリル酸アルキルエステルモノマーが特に好ましい。（メタ）アクリル酸アルキルエステルモノマーは、単独で用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。 Specific examples of the (meth) acrylic acid alkyl ester monomer include methyl (meth) acrylate, ethyl (meth) acrylate, propyl (meth) acrylate, isopropyl (meth) acrylate, and (meth) acrylic acid. Examples include n-butyl, t-butyl (meth) acrylate, 2-ethylhexyl (meth) acrylate, octyl (meth) acrylate, or lauryl (meth) acrylate. Of these, (meth) acrylic acid alkyl ester monomers having an alkyl group with 4 or more carbon atoms are particularly preferred. A (meth) acrylic-acid alkylester monomer may be used independently and 2 or more types may be used together.
上記（メタ）アクリル酸エステルポリマーの酸価は、２以下であることが望ましい。酸価が２以下であると、表面エネルギーを小さくすることができ、剥離性をより一層高めることができる。 The acid value of the (meth) acrylic acid ester polymer is desirably 2 or less. When the acid value is 2 or less, the surface energy can be reduced and the peelability can be further enhanced.
上記酸価を２以下に調整する方法としては特に限定はされないが、上記改質用モノマーとして、カルボキシル基を含有するモノマーを使用しない方法、または重合反応過程においてエステルの加水分解が生じないように反応を調整する方法が好ましい。 The method for adjusting the acid value to 2 or less is not particularly limited. However, as the modifying monomer, a method in which a monomer containing a carboxyl group is not used, or an ester hydrolysis is not caused in the polymerization reaction process. A method of adjusting the reaction is preferred.
尚、本明細書において酸価とは、（メタ）アクリル酸エステルポリマー１ｇ中に含まれる遊離酸を中和するのに要する水酸化カリウムのミリグラム数である。 In the present specification, the acid value is the number of milligrams of potassium hydroxide required to neutralize the free acid contained in 1 g of (meth) acrylic acid ester polymer.
非粘着フィルム４は、上記主成分としての（メタ）アクリル樹脂架橋体の他に、アクリル基と反応可能な二重結合性基を有し、重量平均分子量が５００〜５００００の範囲にあり、ガラス転移点Ｔｇが２５℃以下であるオリゴマーをさらに含むことが好ましい。このオリゴマーを用いた場合には、非粘着フィルム４に対するダイボンディングフィルム３の剥離性がより一層高められる。また、非粘着フィルム４の破断伸度を５〜１００％の範囲に容易に設計することができる。上記オリゴマーの重量平均分子量が５００未満であると、オリゴマーの配合による効果が充分に得られないことがあり、５００００を超えると、非粘着フィルム４に対するダイボンディングフィルム３の剥離性が低下することがある。
The
上記オリゴマーは、特に限定されないが、柔軟性を有する骨格、例えば、ポリエーテル骨格、ポリエステル骨格、ブタジエン骨格、ポリウレタン骨格、シリケート骨格またはジシクロペンタジエン骨格を有することが好ましい。柔軟性を有する骨格とは、上記オリゴマーのＴｇが２５℃以下となる骨格をいうものとする。 The oligomer is not particularly limited, but preferably has a flexible skeleton such as a polyether skeleton, a polyester skeleton, a butadiene skeleton, a polyurethane skeleton, a silicate skeleton, or a dicyclopentadiene skeleton. The skeleton having flexibility means a skeleton having a Tg of 25 ° C. or less.
また、上記オリゴマーとしては、ポリエーテル骨格またはポリエステル骨格を有するアクリルオリゴマーがより好ましい。上記ポリエーテル骨格またはポリエステル骨格を有するアクリルオリゴマーとしては、ポリプロピレンオキシドジアクリレート、またはポリエーテル系ウレタンアクリルオリゴマーが挙げられる。その市販品としては、Ｍ−２２５（東亜合成社製）、ＵＮ−７６００（根上工業社製）などが挙げられる。 The oligomer is more preferably an acrylic oligomer having a polyether skeleton or a polyester skeleton. Examples of the acrylic oligomer having a polyether skeleton or a polyester skeleton include polypropylene oxide diacrylate or polyether urethane acryl oligomer. Examples of the commercially available products include M-225 (manufactured by Toa Gosei Co., Ltd.), UN-7600 (manufactured by Negami Kogyo Co., Ltd.), and the like.
上記オリゴマーのアクリル基と反応可能な二重結合性基としては特に限定はされず、アクリル基、メタクリル基、ビニル基またはアリル基等が挙げられる。中でも、アクリル基が好ましい。上記オリゴマーは、アクリル基と反応可能な二重結合性基を２以上有することが好ましい。 The double bond group capable of reacting with the acrylic group of the oligomer is not particularly limited, and examples thereof include an acrylic group, a methacryl group, a vinyl group, and an allyl group. Of these, an acrylic group is preferable. The oligomer preferably has two or more double bondable groups capable of reacting with an acrylic group.
また、上記アクリル基と反応可能な二重結合性基は、分子の両末端に２個存在してもよく、分子鎖の途中に存在していてもよい。中でも、分子の両末端のみに上記アクリル基と反応可能な二重結合性基が２個存在することが好ましく、分子の両末端のみにアクリル基が２個存在することがより好ましい。また、分子の両末端及び分子鎖中に上記アクリル基と反応可能な二重結合性基が存在することも好ましい。 In addition, two double bond groups capable of reacting with the acrylic group may be present at both ends of the molecule, or may be present in the middle of the molecular chain. Among them, it is preferable that two double bondable groups capable of reacting with the acrylic group exist only at both ends of the molecule, and it is more preferable that two acrylic groups exist only at both ends of the molecule. Moreover, it is also preferable that the double bondable group which can react with the said acrylic group exists in the both terminal and molecular chain of a molecule | numerator.
上記ポリエーテル骨格としては、例えばポリプロピレンオキシド骨格またはポリエチレンオキシド骨格などが挙げられる。 Examples of the polyether skeleton include a polypropylene oxide skeleton and a polyethylene oxide skeleton.
上記ポリエーテル骨格を有し、かつ分子の両末端のみにアクリル基を有するアクリルオリゴマーとしては、ポリプロピレンオキシドジアクリレートまたはポリエステル系ウレタンアクリルオリゴマーが挙げられる。その市販品としては、ＵＡ３４０Ｐ、ＵＡ４２００（以上、いずれも中村化学工業社製）；アロニックスＭ−１６００、アロニックスＭ−２２０（以上、いずれも東亜合成社製）などが挙げられる。 Examples of the acrylic oligomer having a polyether skeleton and having an acrylic group only at both ends of the molecule include polypropylene oxide diacrylate or polyester-based urethane acrylic oligomer. Examples of the commercially available products include UA340P and UA4200 (all are manufactured by Nakamura Chemical Co., Ltd.); Aronix M-1600 and Aronix M-220 (all are manufactured by Toa Gosei Co., Ltd.).
また、上記アクリルオリゴマーとして、３〜１０官能のウレタンアクリルオリゴマーが好適に用いられる。ウレタンアクリルオリゴマーが３〜１０官能であると、骨格が適度な柔軟性を有するものとなる。ウレタンアクリルオリゴマーが３官能未満であると、柔軟性が低くなりすぎることがあり、１０官能を超えると、柔軟性が高くなりすぎることがある。 Moreover, a 3-10 functional urethane acrylic oligomer is used suitably as said acrylic oligomer. When the urethane acrylic oligomer has 3 to 10 functionalities, the skeleton has appropriate flexibility. If the urethane acrylic oligomer is less than trifunctional, the flexibility may be too low, and if it exceeds 10 functions, the flexibility may be too high.
上記３〜１０官能のウレタンアクリルオリゴマーとしては、ポリプロピレンオキシド主鎖のウレタンアクリルオリゴマー等が挙げられる。上記３〜１０官能のウレタンアクリルオリゴマーの市販品としては、Ｕ−２ＰＰＡ、Ｕ−４ＨＡ、Ｕ−６ＨＡ、Ｕ−１５ＨＡ、ＵＡ−３２Ｐ、Ｕ−３２４Ａ Ｕ−１０８Ａ、Ｕ−２００ＡＸ、ＵＡ−４４００、ＵＡ−２２３５ＰＥ、ＵＡ−１６０ＴＭ、ＵＡ−６１００（以上、いずれも新中村化学工業社製）；ＵＮ−７６００、ＵＮ−７７００、ＵＮ−３３３、ＵＮ−１２５５（以上、いずれも根上工業社製）などが挙げられる。 Examples of the 3 to 10 functional urethane acrylic oligomer include a urethane oxide oligomer having a polypropylene oxide main chain. As a commercial item of the said 3-10 functional urethane acrylic oligomer, U-2PPA, U-4HA, U-6HA, U-15HA, UA-32P, U-324A U-108A, U-200AX, UA-4400, UA-2235PE, UA-160TM, UA-6100 (all manufactured by Shin-Nakamura Chemical Co., Ltd.); UN-7600, UN-7700, UN-333, UN-1255 (all manufactured by Negami Industrial Co., Ltd.), etc. Is mentioned.
上記オリゴマーの配合割合は、特に限定されないが、オリゴマーを配合した効果を得るには、（メタ）アクリル酸エステルポリマー１００重量部に対して、１重量部以上が望ましい。好ましい上限は５０重量部である。上記オリゴマーが多すぎると、原料が溶解せず、非粘着フィルム４の製造が不可能となることがある。
The blending ratio of the oligomer is not particularly limited, but is preferably 1 part by weight or more with respect to 100 parts by weight of the (meth) acrylic acid ester polymer in order to obtain the effect of blending the oligomer. A preferred upper limit is 50 parts by weight. When there are too many said oligomers, a raw material will not melt | dissolve and manufacture of the
両末端にアクリル基を有するオリゴマーを用いる場合には、該オリゴマーの配合割合は、（メタ）アクリル酸エステルポリマー１００重量部に対して、１〜１００重量部が好ましく、１〜５０重量部がより好ましい。多官能のウレタンアクリルオリゴマーの場合には、該オリゴマーの配合割合は、（メタ）アクリル酸エステルポリマー１００重量部に対して、１〜５０重量部が好ましく、１〜３０重量部がより好ましい。 When using an oligomer having an acrylic group at both ends, the blending ratio of the oligomer is preferably 1 to 100 parts by weight and more preferably 1 to 50 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the (meth) acrylic acid ester polymer. preferable. In the case of a polyfunctional urethane acrylic oligomer, the blending ratio of the oligomer is preferably 1 to 50 parts by weight and more preferably 1 to 30 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the (meth) acrylic acid ester polymer.
上記樹脂架橋体を得るのに用いられる架橋剤としては特に限定されず、光重合架橋剤を用いてもよく、熱重合架橋剤を用いてもよい。なかでも、光重合架橋剤が好ましく、それによって、モノマーを含む溶液の塗膜を形成した後、モノマーを室温で重合させることにより、樹脂架橋体を主成分として含む非粘着フィルムを容易に得ることができる。特に、非粘着フィルム４に、該非粘着フィルム４とは別にダイシングフィルム５を積層する場合には、光重合架橋剤を用いることが好ましい。
It does not specifically limit as a crosslinking agent used for obtaining the said resin crosslinked body, A photopolymerization crosslinking agent may be used and a thermopolymerization crosslinking agent may be used. Among these, a photopolymerization cross-linking agent is preferable, whereby a non-adhesive film containing a resin cross-linked body as a main component can be easily obtained by forming a coating film of a solution containing the monomer and then polymerizing the monomer at room temperature. Can do. In particular, when the
上記光重合架橋剤としては特に限定されず、例えば、光ラジカル発生剤又は光カチオン発生剤等を用いることができる。 The photopolymerization crosslinking agent is not particularly limited, and for example, a photo radical generator or a photo cation generator can be used.
上記光ラジカル発生剤の市販品としては、例えば、イルガキュア１８４、イルガキュア２９５９、イルガキュア９０７、イルガキュア８１９、イルガキュア６５１、イルガキュア３６９、又はイルガキュア３７９（以上、いずれもチバ・スペシャリティーケミカルズ社製）；ベンゾインメチルエーテル；ベンゾインエチルエーテル；ベンゾインイソプロピルエーテル；ルシリンＴＰＯ（ＢＡＳＦ Ｊａｐａｎ社製）等が挙げられる。 Examples of commercially available photo radical generators include Irgacure 184, Irgacure 2959, Irgacure 907, Irgacure 819, Irgacure 651, Irgacure 369, and Irgacure 379 (all of which are manufactured by Ciba Specialty Chemicals); benzoin methyl Examples include ether; benzoin ethyl ether; benzoin isopropyl ether; Lucillin TPO (manufactured by BASF Japan).
上記光カチオン発生剤としては、例えば芳香族ジアゾニウム塩、芳香族ハロニウム塩、又は芳香族スルホニウム塩等のオニウム塩類；鉄−アレン錯体、チタノセン錯体、又はアリールシラノール−アルミニウム錯体等の有機金属錯体類等が挙げられる。 Examples of the photocation generator include onium salts such as aromatic diazonium salts, aromatic halonium salts, and aromatic sulfonium salts; organometallic complexes such as iron-allene complexes, titanocene complexes, and arylsilanol-aluminum complexes. Is mentioned.
上記熱重合架橋剤としては、例えば、熱ラジカル発生剤等が挙げられる。 Examples of the thermal polymerization crosslinking agent include a thermal radical generator.
上記熱ラジカル発生剤としては、例えばクメンハイドロパーオキサイド、ジイソプロピルベンゼンパーオキサイド、ジ−ｔ−ブチルパーオキサイド、ラウリルパーオキサイド、ベンゾイルパーオキサイド、ｔ−ブチルパーオキシイソプロピルカーボネート、ｔ−ブチルパーオキシ−２−エチルヘキサノエート、又はｔ−アミルパーオキシ−２−エチルヘキサノエート等の有機過酸化物；２，２’−アゾビス（イソブチロニトリル）、１，１’−アゾビス（シクロヘキサンカルボニトリル）、２，２’−アゾビス（２，４−ジメチルバレロニトリル）、又はジメチル−２，２’−アゾビス（２−メチルプロピオネート）等のアゾ化合物等が挙げられる。 Examples of the thermal radical generator include cumene hydroperoxide, diisopropylbenzene peroxide, di-t-butyl peroxide, lauryl peroxide, benzoyl peroxide, t-butylperoxyisopropyl carbonate, and t-butylperoxy-2. -Organic peroxides such as ethylhexanoate or t-amylperoxy-2-ethylhexanoate; 2,2'-azobis (isobutyronitrile), 1,1'-azobis (cyclohexanecarbonitrile) Azo compounds such as 2,2′-azobis (2,4-dimethylvaleronitrile) or dimethyl-2,2′-azobis (2-methylpropionate).
非粘着フィルム４は、フィラーをさらに含むことが好ましい。フィラーを含むことにより、ピックアップ性をより一層高めることができる。
It is preferable that the
上記フィラーの平均粒径は、好ましくは０．１〜１０μｍ、より好ましくは０．１〜５μｍである。平均粒径が大きすぎると、非粘着フィルム４の面内厚みがばらつくことがあり、小さすぎると、ピックアップ性を充分に高めることができないことがある。
The average particle diameter of the filler is preferably 0.1 to 10 μm, more preferably 0.1 to 5 μm. If the average particle size is too large, the in-plane thickness of the
上記フィラーとしては、特に限定されないが、シリカまたはアルミナ等が用いられる。フィラーの配合割合は、フィラーを除く非粘着フィルム４を構成する材料の合計１００重量部に対して、０．１〜１５０重量部が好ましい。フィラーの配合割合が多すぎると、非粘着フィルム４がエキスパンド時に破断してしまうことがあり、少なすぎると、ピックアップ性を充分に高めることができないことがある。
The filler is not particularly limited, and silica or alumina is used. The blending ratio of the filler is preferably 0.1 to 150 parts by weight with respect to a total of 100 parts by weight of the material constituting the
非粘着フィルム４の作製方法としては特に限定されないが、非粘着フィルム４を構成する材料を離型フィルム上に塗布し、光の照射及び／又は加熱を行い、離型フィルム上に非粘着フィルム４を形成した後、離型フィルムを剥離する方法が挙げられる。
Although it does not specifically limit as a preparation method of the
非粘着フィルム４の厚みは特に限定されないが、３０〜１００μｍが好ましい。厚みが３０μｍ未満であると、充分なエキスパンド性が得られないことがあり、厚みが１００μｍを超えると、均一な厚みとすることが困難なことがある。厚みにばらつきがあると、半導体チップを製造する際にレーザーダイシングを適切に行えないことがある。
Although the thickness of the
非粘着フィルム４のダイボンディングフィルム３が貼付されている表面４ａの表面エネルギーは、４０Ｎ／ｍ以下であることが好ましい。非粘着フィルム４が非粘着性を有し、かつ表面４ａの表面エネルギーが４０Ｎ／ｍ以下であると、ダイボンディングフィルム３を非粘着フィルム４からより一層容易に剥離することができる。さらに、剥離の際に、ダイボンディングフィルムの一部が欠けてフィルム片として分離し、該フィルム片が非粘着フィルム４に付着し難い。よって、ダイボンディングフィルム３の欠けが生じ難いので、ダイボンディングをより一層確実に行うことができる。
The surface energy of the
非粘着フィルム４の表面４ａの表面エネルギーは、３０〜３５Ｎ／ｍの範囲がより好ましい。表面エネルギーが高すぎると、ピックアップ時に剥離不良が生じることがあり、低すぎると、ダイシング時の水圧によってチップ飛びが発生することがある。
The surface energy of the
上記表面エネルギーは、例えば濡れ性試薬を用いて、ＪＩＳ Ｋ６７９８に準拠して測定することができる。 The surface energy can be measured according to JIS K6798 using, for example, a wettability reagent.
非粘着フィルム４は、２３℃における貯蔵弾性率が１〜１０００ＭＰａの範囲にあることが好ましい。貯蔵弾性率が１ＭＰａ未満であると、エキスパンド性が低下することがあり、１０００ＭＰａを超えると、ピックアップ性が低下することがある。より好ましくは１０〜１０００ＭＰａである。
The
非粘着フィルム４の破断点での伸度、すなわち破断伸度の好ましい下限は５％、より好ましい下限は１０％である。破断伸度が５％以上であると、エキスパンド性が高められ、半導体チップのピックアップ性がより一層高められる。非粘着フィルム４の破断伸度の好ましい上限は１００％である。破断伸度が１００％を超えると、ピックアップ性が劣ることがある。非粘着フィルム４の破断伸度のより好ましい上限は６０％である。
The preferable lower limit of the elongation at the breaking point of the
（ダイボンディングフィルム）
上記ダイボンディングフィルム３は、レーザーダイシングに際し、半導体ウェーハごと切断される。ダイボンディングフィルム３は、レーザーダイシング後に半導体チップごと取り出され、半導体チップのダイボンディングに用いられる。
(Die bonding film)
The
上記ダイボンディングフィルム３は、熱硬化性化合物と、熱硬化剤とを含む熱硬化性樹脂組成物を用いて形成される。熱硬化前の上記熱硬化性組成物は十分に柔らかく、従って外力により容易に変形する。もっとも、半導体チップを得た後に、ダイボンディングフィルム３に熱や光のエネルギーを与えて硬化させることで、基板等の被着体に半導体チップを強固に接合させることができる。
The
上記熱硬化性化合物としては、特に限定されないが、例えばエポキシ樹脂、またはポリウレタン樹脂等が挙げられる。これらの熱硬化性樹脂は、単独で用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。 Although it does not specifically limit as said thermosetting compound, For example, an epoxy resin or a polyurethane resin etc. are mentioned. These thermosetting resins may be used alone or in combination of two or more.
また、ダイボンディングフィルム３は、熱硬化性化合物としてエポキシ樹脂と、エポキシ基と反応する官能基を有する高分子ポリマーと、熱硬化剤とを含むことが好ましい。この場合、ダイボンディングフィルム３を用いて接合された半導体チップと基板との間、あるいは複数の半導体チップ間における接合信頼性をより一層高めることができる。なお、エポキシ樹脂とは、一般的には、１分子中にエポキシ基を２個以上もつ分子量３００〜８０００程度の比較的低分子のポリマー（プレポリマー）、およびそのエポキシ基の開環反応によって生じた熱硬化性樹脂を示す。
The
ダイボンディングフィルム３は、エポキシ樹脂１００重量部に対して、エポキシ基と反応する官能基を有する高分子ポリマーを１０〜１００重量部の割合で含むことが好ましい。上記高分子ポリマーの配合割合は、さらに好ましくは１５〜５０重量部である。上記高分子ポリマーが多すぎると、流動性が不足して、ダイボンディングフィルム３と半導体ウェーハとの密着性が低下することがある。高分子ポリマーが少なすぎると、ダイボンディングフィルム３の成形時に外観不良を引き起こすことがある。
The
上記エポキシ樹脂としては特に限定されないが、多環式炭化水素骨格を主鎖に有するエポキシ樹脂が好ましい。多環式炭化水素骨格を主鎖に有するエポキシ樹脂を用いた場合、剛直となり、分子の運動が阻害されるので、硬化物の機械的強度や耐熱性が高められるとともに、耐湿性も高められる。 The epoxy resin is not particularly limited, but an epoxy resin having a polycyclic hydrocarbon skeleton in the main chain is preferable. When an epoxy resin having a polycyclic hydrocarbon skeleton in the main chain is used, it becomes rigid and the movement of the molecule is hindered, so that the mechanical strength and heat resistance of the cured product are enhanced and the moisture resistance is also enhanced.
上記多環式炭化水素骨格を主鎖に有するエポキシ樹脂としては、特に限定されないが、例えば、ジシクロペンタジエンジオキシド、ジシクロペンタジエン骨格を有するフェノールノボラックエポキシ樹脂等のジシクロペンタジエン骨格を有するエポキシ樹脂（以下、「ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂」と記す）、１−グリシジルナフタレン、２−グリシジルナフタレン、１，２−ジグリジジルナフタレン、１，５−ジグリシジルナフタレン、１，６−ジグリシジルナフタレン、１，７−ジグリシジルナフタレン、２，７−ジグリシジルナフタレン、トリグリシジルナフタレン、１，２，５，６−テトラグリシジルナフタレン等のナフタレン骨格を有するエポキシ樹脂（以下、「ナフタレン型エポキシ樹脂」と記す）、テトラヒドロキシフェニルエタン型エポキシ樹脂、テトラキス（グリシジルオキシフェニル）エタン、または３，４−エポキシ−６−メチルシクロヘキシルメチル−３，４−エポキシ−６−メチルシクロヘキサンカルボネート等が挙げられる。なかでも、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂やナフタレン型エポキシ樹脂が好適に用いられる。 The epoxy resin having the polycyclic hydrocarbon skeleton in the main chain is not particularly limited. For example, an epoxy resin having a dicyclopentadiene skeleton such as dicyclopentadiene dioxide and a phenol novolac epoxy resin having a dicyclopentadiene skeleton. (Hereinafter referred to as “dicyclopentadiene type epoxy resin”), 1-glycidylnaphthalene, 2-glycidylnaphthalene, 1,2-diglycidylnaphthalene, 1,5-diglycidylnaphthalene, 1,6-diglycidylnaphthalene, 1 Epoxy resins having a naphthalene skeleton such as 1,7-diglycidylnaphthalene, 2,7-diglycidylnaphthalene, triglycidylnaphthalene, 1,2,5,6-tetraglycidylnaphthalene (hereinafter referred to as “naphthalene type epoxy resin”) , Tetrahydroxy Eniruetan type epoxy resins, tetrakis (glycidyloxyphenyl) ethane or 3,4-epoxy-6-methylcyclohexyl-3,4-epoxy-6-methylcyclohexane carbonate and the like, can be mentioned. Of these, dicyclopentadiene type epoxy resins and naphthalene type epoxy resins are preferably used.
これらの多環式炭化水素骨格を主鎖に有するエポキシ樹脂は、単独で用いられてもよいし、２種類以上が併用されてもよい。また、上記ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂及びナフタレン型エポキシ樹脂は、それぞれ単独で用いられてもよいし、両者が併用されてもよい。 These epoxy resins having a polycyclic hydrocarbon skeleton in the main chain may be used alone or in combination of two or more. Moreover, the said dicyclopentadiene type | mold epoxy resin and naphthalene type | mold epoxy resin may each be used independently, and both may be used together.
上記多環式炭化水素骨格を主鎖に有するエポキシ樹脂の重量平均分子量の好ましい下限は５００であり、好ましい上限は１０００である。重量平均分子量が５００未満であると、硬化後の硬化物の機械的強度、耐熱性及び／又は耐湿性等が十分に向上しないことがあり、重量平均分子量が１０００を超えると、硬化物が剛直になりすぎて、脆くなることがある。 The minimum with a preferable weight average molecular weight of the epoxy resin which has the said polycyclic hydrocarbon skeleton in a principal chain is 500, and a preferable upper limit is 1000. When the weight average molecular weight is less than 500, the mechanical strength, heat resistance and / or moisture resistance of the cured product after curing may not be sufficiently improved. When the weight average molecular weight exceeds 1000, the cured product is rigid. May become too brittle.
上記エポキシ基と反応する官能基を有する高分子ポリマーとしては特に限定されないが、例えば、アミノ基、ウレタン基、イミド基、水酸基、カルボキシル基、またはエポキシ基等を有するポリマーが挙げられる。なかでも、エポキシ基を有する高分子ポリマーが好ましい。エポキシ基を有する高分子ポリマーを用いた場合、硬化物の可撓性が高められる。 Although it does not specifically limit as a high molecular polymer which has a functional group which reacts with the said epoxy group, For example, the polymer which has an amino group, a urethane group, an imide group, a hydroxyl group, a carboxyl group, or an epoxy group is mentioned. Among these, a polymer having an epoxy group is preferable. When a polymer having an epoxy group is used, the flexibility of the cured product is improved.
また、多環式炭化水素骨格を主鎖に有するエポキシ樹脂と、エポキシ基を有する高分子ポリマーとを用いた場合、硬化物では、上記多環式炭化水素骨格を主鎖に有するエポキシ樹脂により機械的強度、耐熱性、及び耐湿性が高められるとともに、上記エポキシ基を有する高分子ポリマーにより可撓性も高められる。 In addition, when an epoxy resin having a polycyclic hydrocarbon skeleton in the main chain and a polymer having an epoxy group are used, the cured product is machined by the epoxy resin having the polycyclic hydrocarbon skeleton in the main chain. Strength, heat resistance, and moisture resistance are enhanced, and flexibility is also enhanced by the polymer having the epoxy group.
上記エポキシ基を有する高分子ポリマーの分子量は、重量平均分子量で１０万〜２００万の範囲のものが用いられる。該エポキシ基を有する高分子ポリマーとしては、末端及び／又は側鎖（ペンダント位）にエポキシ基を有する高分子ポリマーであれば良く、特に限定されないが、例えば、エポキシ基含有アクリルゴム、エポキシ基含有ブタジエンゴム、ビスフェノール型高分子量エポキシ樹脂、エポキシ基含有フェノキシ樹脂、エポキシ基含有アクリル樹脂、エポキシ基含有ウレタン樹脂、またはエポキシ基含有ポリエステル樹脂等が挙げられる。なかでも、硬化物の機械的強度や耐熱性を高め得ることから、エポキシ基含有アクリル樹脂が好適に用いられる。これらのエポキシ基を有する高分子ポリマーは、単独で用いられてもよいし、２種類以上が併用されてもよい。 The molecular weight of the polymer having an epoxy group is in the range of 100,000 to 2,000,000 in terms of weight average molecular weight. The polymer having an epoxy group is not particularly limited as long as it is a polymer having an epoxy group at the terminal and / or side chain (pendant position). For example, an epoxy group-containing acrylic rubber, an epoxy group-containing polymer Examples thereof include butadiene rubber, bisphenol type high molecular weight epoxy resin, epoxy group-containing phenoxy resin, epoxy group-containing acrylic resin, epoxy group-containing urethane resin, and epoxy group-containing polyester resin. Especially, since the mechanical strength and heat resistance of hardened | cured material can be improved, an epoxy-group-containing acrylic resin is used suitably. These polymer polymers having an epoxy group may be used alone or in combination of two or more.
上記熱硬化剤としては、特に限定されるものではないが、例えば、トリアルキルテトラヒドロ無水フタル酸等の加熱硬化型酸無水物系硬化剤、フェノール系硬化剤、アミン系硬化剤、ジシアンジアミド等の潜在性硬化剤、またはカチオン系触媒型硬化剤等が挙げられる。これらの熱硬化剤は、単独で用いられてもよいし、２種類以上が併用されてもよい。 The thermosetting agent is not particularly limited. For example, a thermosetting acid anhydride curing agent such as trialkyltetrahydrophthalic anhydride, a phenolic curing agent, an amine curing agent, and a latent such as dicyandiamide. For example, a cationic curing agent or a cationic catalyst-type curing agent. These thermosetting agents may be used alone or in combination of two or more.
上記熱硬化剤のなかでも、常温で液状の加熱硬化型硬化剤や、多官能であり、当量的に添加量が少量で良いジシアンジアミド等の潜在性硬化剤が好適に用いられる。このような硬化剤を用いることにより、硬化前のダイボンディングフィルムの常温での柔軟性が高められ、かつハンドリング性が高められる。 Among the above-mentioned thermosetting agents, a thermosetting curing agent that is liquid at normal temperature and a latent curing agent such as dicyandiamide that is multifunctional and may be added in a small amount equivalently are preferably used. By using such a hardening | curing agent, the softness | flexibility at normal temperature of the die-bonding film before hardening is improved, and handling property is improved.
上記常温で液状の加熱硬化型硬化剤の代表的なものとしては、例えば、メチルテトラヒドロ無水フタル酸、メチルヘキサヒドロ無水フタル酸、メチルナジック酸無水物、またはトリアルキルテトラヒドロ無水フタル酸等の酸無水物系硬化剤が挙げられる。なかでも、疎水化されていることから、メチルナジック酸無水物やトリアルキルテトラヒドロ無水フタル酸が好適に用いられる。これらの酸無水物系硬化剤は、単独で用いられてもよいし、２種類以上が併用されてもよい。 Typical examples of the thermosetting curing agent that is liquid at room temperature include acid anhydrides such as methyltetrahydrophthalic anhydride, methylhexahydrophthalic anhydride, methylnadic anhydride, or trialkyltetrahydrophthalic anhydride. Examples thereof include physical curing agents. Of these, methylnadic acid anhydride and trialkyltetrahydrophthalic anhydride are preferably used because they are hydrophobized. These acid anhydride curing agents may be used alone or in combination of two or more.
上記熱硬化性樹脂組成物においては、硬化速度や硬化物の物性等を調整するために、上記熱硬化剤とともに、硬化促進剤を併用してもよい。 In the said thermosetting resin composition, in order to adjust a cure rate, the physical property of hardened | cured material, etc., you may use a hardening accelerator together with the said thermosetting agent.
上記硬化促進剤としては、特に限定されないが、例えば、イミダゾール系硬化促進剤、３級アミン系硬化促進剤等が挙げられる。なかでも、硬化速度や硬化物の物性等の調整をするための反応系の制御をしやすいことから、イミダゾール系硬化促進剤が好ましい。これらの硬化促進剤は、単独で用いられてもよいし、２種類以上が併用されてもよい。 Although it does not specifically limit as said hardening accelerator, For example, an imidazole type hardening accelerator, a tertiary amine type hardening accelerator, etc. are mentioned. Of these, an imidazole-based curing accelerator is preferred because it is easy to control the reaction system for adjusting the curing speed and the physical properties of the cured product. These hardening accelerators may be used independently and 2 or more types may be used together.
上記イミダゾール系硬化促進剤としては、特に限定されないが、例えば、イミダゾールの１位をシアノエチル基で保護した１−シアノエチル−２−フェニルイミダゾールや、イソシアヌル酸で塩基性を保護した商品名「２ＭＡＯＫ−ＰＷ」（四国化成工業社製）等が挙げられる。これらのイミダゾール系硬化促進剤は、単独で用いられてもよいし、２種類以上が併用されてもよい。 The imidazole curing accelerator is not particularly limited. For example, 1-cyanoethyl-2-phenylimidazole in which the 1-position of imidazole is protected with a cyanoethyl group, or a trade name “2MAOK-PW” in which basicity is protected with isocyanuric acid. (Shikoku Kasei Kogyo Co., Ltd.). These imidazole type hardening accelerators may be used independently and 2 or more types may be used together.
酸無水物系硬化剤と例えばイミダゾール系硬化促進剤等の硬化促進剤とを併用する場合は、酸無水物系硬化剤の添加量をエポキシ基の当量に対して理論的に必要な当量以下とすることが好ましい。酸無水物系硬化剤の添加量が必要以上に過剰であると、水分により、熱硬化性樹脂組成物の硬化物から塩素イオンが溶出しやすくなるおそれがある。例えば、熱水を用いて、硬化後の硬化物から溶出成分を抽出した際に、抽出水のｐＨが４〜５程度まで低くなり、エポキシ樹脂から引き抜かれた塩素イオンが多量に溶出してしまうことがある。 When an acid anhydride curing agent and a curing accelerator such as an imidazole curing accelerator are used in combination, the addition amount of the acid anhydride curing agent is equal to or less than the theoretically required equivalent to the equivalent of the epoxy group. It is preferable to do. If the addition amount of the acid anhydride curing agent is excessive more than necessary, moisture may easily elute chlorine ions from the cured product of the thermosetting resin composition. For example, when elution components are extracted from the cured product after curing using hot water, the pH of the extracted water is lowered to about 4 to 5, and a large amount of chloride ions extracted from the epoxy resin is eluted. Sometimes.
また、アミン系硬化剤と例えばイミダゾール系硬化促進剤等の硬化促進剤とを併用する場合には、アミン系硬化剤の添加量をエポキシ基に対して理論的に必要な当量以下とすることが好ましい。アミン物系硬化剤の添加量が必要以上に過剰であると、熱硬化性樹脂組成物の硬化物から水分により塩素イオンが溶出しやすくなるおそれがある。例えば、熱水を用いて、硬化後の硬化物から溶出成分を抽出した際に、抽出水のｐＨが高く塩基性となり、エポキシ樹脂から引き抜かれた塩素イオンが多量に溶出してしまうことがある。 In addition, when an amine curing agent and a curing accelerator such as an imidazole curing accelerator are used in combination, the addition amount of the amine curing agent may be less than or equal to the theoretically required equivalent to the epoxy group. preferable. If the addition amount of the amine-based curing agent is excessive more than necessary, chlorine ions may be easily eluted by moisture from the cured product of the thermosetting resin composition. For example, when elution components are extracted from the cured product after curing using hot water, the pH of the extracted water becomes basic and the chloride ions extracted from the epoxy resin may be eluted in large quantities. .
上記熱硬化性樹脂組成物をフィルム状に成形し、ダイボンディングフィルム３を得る方法としては、特に限定されないが、ダイコーター、リップコーター、コンマコーター、またはグラビアコーター等が用いられる。なかでも、ダイボンディングフィルムの厚み精度が高められ、異物が混入したとしても筋状のむらなどが形成され難いので、グラビアコーターが好ましい。
The method for forming the thermosetting resin composition into a film and obtaining the
ダイボンディングフィルム３の硬化前の２５℃における貯蔵弾性率は、１０６〜１０９Ｐａの範囲が好ましい。ダイボンディングフィルム３の貯蔵弾性率が低すぎると、自己形状保持性能が低下し、ピックアップ時にダイボンディングフィルムの欠けが生じることがあり、大きすぎると、ダイボンディングフィルム３が非粘着フィルム４に充分に密着せず、ダイシング・ダイボンディングテープ１を作製することが出来ないことがある。
The storage elastic modulus at 25 ° C. before curing of the
（ダイシングフィルム）
上記ダイシングフィルム５は、ダイシングリングに貼り付けるために用いられている。また、ダイシングフィルム５は、ダイシングが行われた後のエキスパンド性を高めるために、あるいはダイボンディングフィルム３付き半導体チップのピックアップ性を高めるために用いられている。上記ダイシングフィルム５は、基材５ａと、該基材５ａの片面に粘着剤が塗布されて構成された粘着剤５ｂとを有する。ダイシング・ダイボンディングテープ１は、ダイシングフィルム５を備えているが、ダイシングフィルム５は必ずしも備えられていなくてもよい。
(Dicing film)
The
上記基材５ａとしては、特に限定されないが、ポリエチレンテレフタレートフィルム等のポリエステル系フィルム、ポリテトラフルオロエチレンフィルム、ポリエチレンフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリメチルペンテンフィルム、ポリビニルアセテートフィルム等のポリオレフィン系フィルム、ポリ塩化ビニルフィルム、またはポリイミドフィルムなどのプラスチックフィルム等が挙げられる。なかでも、エキスパンド性に優れ、環境負荷が小さいため、ポリオレフィン系フィルムが好適に用いられる。
The
上粘着剤５ｂとしては、特に限定されないが、アクリル系粘着剤、特殊合成ゴム系粘着剤、合成樹脂系粘着剤、ゴム系粘着剤等が挙げられる。なかでも、感圧タイプとしてのアクリル系粘着剤が好ましい。アクリル系粘着剤を用いた場合には、非粘着フィルム４に対する貼着力およびダイシングリングからの剥離性を高めることができ、かつコストを低減することができる。なお、粘着剤５ｂは、例えばダイシングリングを貼付し得るように構成されていることが好ましい。
Although it does not specifically limit as the
上記基材５ａを構成する材料としては、ポリオレフィンまたはポリ塩化ビニル等が特に好ましく、粘着剤５ｂとしては、アクリル系粘着剤またはゴム系粘着剤が好ましい。これらの好ましい材料を用いることにより、半導体チップのピックアップに際し、適度なエキスパンド性が得られる。
The material constituting the
（離型フィルム）
上記離型フィルム２は、半導体ウェーハが貼付されるダイボンディングフィルム３の表面３ａを保護するために用いられている。ダイシング・ダイボンディングテープ１は、離型フィルム２を備えているが、離型フィルム２は必ずしも備えられている必要はない。
(Release film)
The
離型フィルム２としては、特に限定されないが、ポリエチレンテレフタレートフィルム等のポリエステル系フィルム、ポリテトラフルオロエチレンフィルム、ポリエチレンフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリメチルペンテンフィルム、ポリビニルアセテートフィルム等のポリオレフィン系フィルム、ポリ塩化ビニルフィルム、またはポリイミドフィルムなどのプラスチックフィルム等の片面をシリコンなどで離型処理したものが挙げられる。なかでも、平滑性、厚み精度などに優れているため、ポリエチレンテレフタレートフィルムなどの合成樹脂フィルムが好ましい。
The
上記離型フィルムは、一層の上記フィルムで構成されていてもよく、上記フィルムが積層されて２層以上の積層フィルムで構成されていてもよい。離型フィルムが、複数のフィルムが積層された積層フィルムである場合、異なる２種以上の上記フィルムが積層されていてもよい。 The said release film may be comprised with the said film of one layer, and the said film may be laminated | stacked and may be comprised with the laminated | multilayer film of two or more layers. When the release film is a laminated film in which a plurality of films are laminated, two or more different types of films may be laminated.
図２に、本発明の他の実施形態に係るダイシング・ダイボンディングテープを部分切欠正面断面図で示す。 FIG. 2 is a partially cutaway front sectional view of a dicing die bonding tape according to another embodiment of the present invention.
図２に示すダイシング・ダイボンディングテープ１１では、上述した離型フィルム２、ダイボンディングフィルム３及び非粘着フィルム４がこの順で積層されている。すなわち、ダイシング・ダイボンディングテープ１１は、ダイシングフィルム５が別途設けられていないこと以外はダイシング・ダイボンディングテープ１と同様に構成されている。このように、ダイシングフィルム５は必ずしも設けられていなくてもよい。ダイシング・ダイボンディングテープ１１では、非粘着フィルム４をダイシングフィルムとして用いてもよい。
In the dicing die bonding tape 11 shown in FIG. 2, the
図３に、本発明の別の実施形態に係るダイシング・ダイボンディングテープを部分切欠正面断面図で示す。 FIG. 3 is a partially cutaway front sectional view of a dicing die bonding tape according to another embodiment of the present invention.
図３に示すダイシング・ダイボンディングテープ１５は、非粘着フィルムの構成が異なることを除いては、ダイシング・ダイボンディングテープ１と同様に構成されている。ダイシング・ダイボンディングテープ１５では、離型フィルム２、ダイボンディングフィルム３、非粘着フィルム１６及びダイシングフィルム５がこの順で積層されている。
The dicing die
非粘着フィルム１６は、非粘着性を有する。すなわち、第１の層１７及び第２の層１８は非粘着性を有する。また、非粘着フィルム１６は、樹脂架橋体を主成分として含み、２５℃における貯蔵弾性率が１〜１０００ＭＰａの範囲にあり、かつ６０℃における貯蔵弾性率が１ＭＰａ以上である。
The
非粘着フィルム１６のダイボンディングフィルム３が貼付された表面１６ａ、すなわち第１の層１７のダイボンディングフィルムが貼付された表面の表面エネルギーは、４０Ｎ／ｍ以下が好ましい。この場合、ピックアップ時に、ダイボンディングフィルムの一部が欠けてフィルム片が分離し、該フィルム片が非粘着フィルム１６に付着し難い。従って、ダイボンディングフィルム３を非粘着フィルム１６から容易に剥離することができる。また、ダイボンディングフィルム３の欠けが生じない場合には、ダイボンディングを確実に行うことができる。
The surface energy of the surface 16a to which the
ダイシング・ダイボンディングテープ１５では、非粘着フィルム１６が２つの層１７，１８が積層された２層構造を有するので、第１，第２の層１７，１８にそれぞれ異なる機能を持たせることができる。例えば、第１の層１７にダイボンディングフィルム３の非粘着フィルム１６からの剥離性を高める機能を持たせ、かつ第２の層１８にエキスパンド機能を持たせることができる。よって、非粘着フィルム１６が２層構造を有することで、ダイシング・ダイボンディングテープとして最適な物性を容易に設計することができる。
In the dicing die
（半導体チップの製造方法）
次に、上述したダイシング・ダイボンディングテープ１を用いた場合の半導体チップの製造方法を図４〜図９を用いて以下説明する。
(Semiconductor chip manufacturing method)
Next, a method for manufacturing a semiconductor chip when the above-described dicing die
先ず上述したダイシング・ダイボンディングテープ１と、図４に平面図で示す半導体ウェーハ２１とを用意する。
First, the dicing die
上記半導体ウェーハ２１は、円形の平面形状を有する。半導体ウェーハ２１の表面２１ａには、図示しないが、ストリートによってマトリックス状に区画された各領域に、個々の半導体チップを構成するための回路が形成されている。半導体ウェーハ２１は、所定の厚みとなるように裏面２１ｂが研磨されている。
The
半導体ウェーハ２１の厚みは、好ましくは３０μｍ以上である。半導体ウェーハ２１の厚みが３０μｍよりも薄いと、研削時やハンドリング時に、クラック等が発生し、破損することがある。
The thickness of the
なお、後述するダイシング時に、マトリックス状に区画された各領域ごとに半導体ウェーハ２１が分割される。
In addition, the
図５に示すように、用意した半導体ウェーハ２１を、裏返しされた状態でステージ２２上に載置する。すなわち、半導体ウェーハ２１の表面２１ａがステージ２２に接するように、半導体ウェーハ２１をステージ２２上に載置する。ステージ２２上には、半導体ウェーハ２１の外周側面２１ｃから一定間隔を隔てられて、円環状のダイシングリング２３が設けられている。ダイシングリング２３の高さは、半導体ウェーハ２１と、ダイボンディングフィルム３と、非粘着フィルム４との合計厚みと等しいか、もしくはわずかに低くされている。
As shown in FIG. 5, the
次に、図６に示すように、ダイシング・ダイボンディングテープ１のダイボンディングフィルム３の表面３ａに半導体ウェーハ２１を接合する。ダイシングフィルム５は、ダイボンディングフィルム３及び非粘着フィルム４の外周縁よりも外側に至るように延ばされている延長部５ｃを有する。図６に示すように、ダイシング・ダイボンディングテープ１の離型フィルム２を剥離しながら、露出したダイシングフィルム５の延長部５ｃの粘着剤５ｂを、ダイシングリング２３上に貼付する。さらに、露出したダイボンディングフィルム３を、半導体ウェーハ２１の裏面２１ｂに接合する。
Next, as shown in FIG. 6, the
図７に、ダイボンディングフィルム３に半導体ウェーハ２１を接合した状態を正面断面図で示す。半導体ウェーハ２１の裏面２１ｂ全体に、ダイボンディングフィルム３が接合されている。半導体ウェーハ２１に余計な力が加わらないように、ダイシングフィルム５の延長部５ｃは、ダイシングリング２３に支持されている。
In FIG. 7, the state which joined the
次に、図８に正面断面図で示すように、ステージ２２からダイボンディングフィルム３が接合された半導体ウェーハ２１を取り出し、裏返しにする。このとき、ダイシングリング２３がダイシングフィルム５に貼付された状態で取り出される。表面２１ａが上方になるように、取り出された半導体ウェーハ２１を別のステージ２４上に載置する。
Next, as shown in a front sectional view in FIG. 8, the
次に、ダイボンディングフィルム３が接合された半導体ウェーハ２１をレーザーダイシングし、個々の半導体チップに分割する。図８に矢印Ｘを付して示す方向すなわち半導体ウェーハ２１側から、レーザー光を照射することにより、半導体ウェーハ２１及びダイボンディングフィルム３がレーザーダイシングされる。
Next, the
図９に示すように、レーザーダイシング後には、半導体ウェーハ２１及びダイボンディングフィルム３は完全に切断されており、半導体ウェーハ２１及びダイボンディングフィルム３に切断面３１が形成される。また、レーザー光の照射により、非粘着フィルム４は切断されておらず、かつ非粘着フィルム４には切り込みが形成されていない。
As shown in FIG. 9, after laser dicing, the
ダイシング・ダイボンディングテープ１では、非粘着フィルム４が樹脂架橋体を主成分として含み、２５℃における貯蔵弾性率及び６０℃における貯蔵弾性率が上記特定の範囲にあるため、レーザーダイシングに際し、レーザー光の照射により非粘着フィルムに切り込みが形成され難く、半導体ウェーハとダイボンディングフィルムとを精度良く切断することができる。また、ダイシング・ダイボンディングテープ１では、非粘着フィルム４が、光の照射により粘着力が低減されるものではなく、かつ樹脂架橋体を主成分として含むため、レーザー光が照射されても溶着が生じ難い。
In the dicing die
半導体ウェーハ２１をダイシングし、個々の半導体チップに分割した後、非粘着フィルム４及びダイシングフィルム５を引き延ばして、分割された個々の半導体チップの間隔を拡張する。ダイシング・ダイボンディングテープ１はダイシングフィルム５を有するため、エキスパンド性に優れ、非粘着フィルム４及びダイシングフィルム５を容易に引き延ばすことができる。
After the
非粘着フィルム４及びダイシングフィルム５を引き伸ばした後に、半導体チップが接合された状態で、ダイボンディングフィルム３を非粘着フィルム４から剥離して取り出すことにより、半導体チップを得ることができる。ダイシング・ダイボンディングテープ１を用いた場合には、ダイボンディングフィルム３を非粘着フィルム４から、容易に剥離することができる。そのため、半導体チップをダイボンディングフィルム３ごと取り出す際に、半導体チップが破損するのを抑制することができる。また、ダイボンディングフィルム３の一部が欠けてフィルム片として分離し、該フィルム片が非粘着フィルム４に付着するのを抑制することができる。よって、得られた半導体チップには、欠けのないダイボンディングフィルムが接合されているので、ダイボンディンをより一層確実に行うことができる。
After the
なお、半導体チップが接合されたダイボンディングフィルム３を非粘着フィルム４から剥離する方法としては、半導体ウェーハ２１の裏面２１ｂ側から、多数のピンを用いて突き上げる方法や多段ピンを用いて突き上げる方法、半導体ウェーハ２１の表面２１ａ側から真空ピールする方法、または超音波振動を利用する方法等が挙げられる。
As a method of peeling the
半導体チップの破損をより一層防止することができるので、半導体ウェーハ２１とダイボンディングフィルム３との接合面に対して略直交する方向に作用する力を付与することにより、ダイボンディングフィルム３が接合された状態で半導体チップを非粘着フィルム４から剥離することが好ましい。
Since breakage of the semiconductor chip can be further prevented, the
ダイシング・ダイボンディングテープ１では、ダイボンディングフィルム３と、非粘着フィルム４との剥離性が高められている。従って、光照射等により剥離力を低下させる作業を行わなくても、ダイボンディングフィルムごと半導体チップを容易に取り出すことができる。すなわち、ダイシング・ダイボンディングテープ１では、例えば光の照射等により剥離力が低下するように非粘着フィルムを構成する必要はない。非粘着フィルムは、光照射等により剥離力が低下するものではないことが好ましい。非粘着フィルムが光照射等により剥離力が低下するものでない場合には、光照射等により剥離力を低下させる作業を行わなくてもよく、半導体チップの製造効率が高められる。なお、光の照射とは、自然光下に晒される場合を含まず、紫外線などを意図的に照射することをいう。
In the dicing die
以下に実施例を掲げて本発明を更に詳しく説明するが、本発明はこれら実施例のみに限定されるものではない。 Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to examples. However, the present invention is not limited to these examples.
ダイシング・ダイボンディングテープの作製に際し、以下のダイボンディングフィルム、非粘着フィルム及びダイシングフィルムを用意した。 In preparing the dicing die bonding tape, the following die bonding film, non-adhesive film and dicing film were prepared.
（１）ダイボンディングフィルムの形成
（ダイボンディングフィルムＡ）
Ｇ−２０５０Ｍ（日本油脂社製、エポキシ基含有アクリル系高分子ポリマー、重量平均分子量Ｍｗ２０万）１５重量部と、ＥＸＡ−７２００ＨＨ（大日本インキ社製、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂）８０重量部と、ＨＰ−４０３２Ｄ（大日本インキ社製、ナフタレン型エポキシ樹脂）５重量部と、ＹＨ−３０９（ジャパンエポキシレジン社製、酸無水物系硬化剤）３５重量部と、２ＭＡＯＫ−ＰＷ（四国化成社製、イミダゾール）８重量部と、Ｓ３２０（チッソ社製、アミノシラン）２重量部とを配合し、配合物を得た。この配合物を溶剤としてのメチルエチルケトン（ＭＥＫ）に固形分６０％となるように添加し、攪拌し、塗液を得た。これを離型フィルムに塗布し、１１０℃で３分間オーブン中で加熱乾燥し、離型フィルム上に厚み４０μｍのダイボンディングフィルムＡを形成した。
(1) Die bonding film formation (Die bonding film A)
15 parts by weight of G-2050M (manufactured by NOF Corporation, epoxy group-containing acrylic polymer, weight average molecular weight Mw 200,000), 80 parts by weight of EXA-7200HH (manufactured by Dainippon Ink, Inc., dicyclopentadiene type epoxy resin) , HP-4032D (manufactured by Dainippon Ink, Naphthalene type epoxy resin), 5 parts by weight, YH-309 (manufactured by Japan Epoxy Resin, acid anhydride curing agent), 2 MAOK-PW (Shikoku Chemicals) Manufactured, imidazole) and 2 parts by weight of S320 (manufactured by Chisso Corporation, aminosilane) were blended to obtain a blend. This blend was added to methyl ethyl ketone (MEK) as a solvent so as to have a solid content of 60% and stirred to obtain a coating solution. This was applied to a release film and dried in an oven at 110 ° C. for 3 minutes to form a die bonding film A having a thickness of 40 μm on the release film.
（ダイボンディングフィルムＢ）
日立化成工業社製ＤＦ４０２
（２）非粘着フィルムの形成
先ず、以下のアクリルポリマーを合成した。
(Die bonding film B)
DF402 manufactured by Hitachi Chemical Co., Ltd.
(2) Formation of non-adhesive film First, the following acrylic polymers were synthesized.
（ポリマー１）
２−エチルヘキシルアクリレート９５重量部、２−ヒドロキシエチルアクリレート５重量部、光ラジカル発生剤としてのイルガキュア６５１（チバガイギ社製、５０％酢酸エチル溶液）０．２重量部、及びラウリルメルカプタン０．０１重量部を酢酸エチルに溶解させ、溶液を得た。この溶液に紫外線を照射して重合を行い、ポリマーの酢酸エチル溶液を得た。さらに、この溶液の固形分１００重量部に対して、２−メタクリロイルオキシエチルイソシアネート（昭和電工社製、カレンズＭＯＩ）を３．５重量部反応させて、（メタ）アクリル樹脂架橋体であるアクリル共重合体（ポリマー１）を得た。ポリマー１は、重量平均分子量が７０万であり、酸価が０．８６（ｍｇＫＯＨ／ｇ）であった。
(Polymer 1)
95 parts by weight of 2-ethylhexyl acrylate, 5 parts by weight of 2-hydroxyethyl acrylate, 0.2 parts by weight of Irgacure 651 (manufactured by Ciba-Gigi, 50% ethyl acetate solution) as a photo radical generator, and 0.01 parts by weight of lauryl mercaptan Was dissolved in ethyl acetate to obtain a solution. Polymerization was performed by irradiating this solution with ultraviolet rays to obtain an ethyl acetate solution of the polymer. Further, 3.5 parts by weight of 2-methacryloyloxyethyl isocyanate (manufactured by Showa Denko KK, Karenz MOI) is reacted with 100 parts by weight of the solid content of this solution to obtain an acrylic copolymer which is a crosslinked (meth) acrylic resin. A polymer (Polymer 1) was obtained. The
（ポリマー２）
２−エチルヘキシルアクリレート９４重量部、２−ヒドロキシエチルアクリレート５重量部、アクリル酸１重量部、光ラジカル発生剤としてのイルガキュア６５１（チバガイギ社製、５０％酢酸エチル溶液）０．２重量部、及びラウリルメルカプタン０．０１重量部を酢酸エチルに溶解させ、溶液を得た。この溶液に紫外線を照射して重合を行い、ポリマーの酢酸エチル溶液を得た。さらに、この溶液の固形分１００重量部に対して、２−メタクリロイルオキシエチルイソシアネート（昭和電工社製、カレンズＭＯＩ）を３．５重量部反応させて、（メタ）アクリル樹脂架橋体であるアクリル共重合体（ポリマー２）を得た。ポリマー２は、重量平均分子量が７６万であり、酸価が６．７３（ｍｇＫＯＨ／ｇ）であった。
(Polymer 2)
94 parts by weight of 2-ethylhexyl acrylate, 5 parts by weight of 2-hydroxyethyl acrylate, 1 part by weight of acrylic acid, 0.2 part by weight of Irgacure 651 (manufactured by Ciba Geigy Co., Ltd., 50% ethyl acetate solution), and lauryl 0.01 parts by weight of mercaptan was dissolved in ethyl acetate to obtain a solution. Polymerization was performed by irradiating this solution with ultraviolet rays to obtain an ethyl acetate solution of the polymer. Further, 3.5 parts by weight of 2-methacryloyloxyethyl isocyanate (manufactured by Showa Denko KK, Karenz MOI) is reacted with 100 parts by weight of the solid content of this solution to obtain an acrylic copolymer which is a crosslinked (meth) acrylic resin. A polymer (polymer 2) was obtained. The
（ポリマー３）
２−エチルヘキシルアクリレート９９重量部、２−ヒドロキシエチルアクリレート１重量部、光ラジカル発生剤としてのイルガキュア６５１（チバガイギ社製、５０％酢酸エチル溶液）０．２重量部、及びラウリルメルカプタン０．０１重量部を酢酸エチルに溶解させ、溶液を得た。この溶液に紫外線を照射して重合を行い、ポリマーの酢酸エチル溶液を得た。さらに、この溶液の固形分１００重量部に対して、２−メタクリロイルオキシエチルイソシアネート（昭和電工社製、カレンズＭＯＩ）を０．９重量部反応させて、（メタ）アクリル樹脂架橋体であるアクリル共重合体（ポリマー３）を得た。ポリマー３は、重量平均分子量が７３万であり、酸価が０．３４（ｍｇＫＯＨ／ｇ）であった。
(Polymer 3)
99 parts by weight of 2-ethylhexyl acrylate, 1 part by weight of 2-hydroxyethyl acrylate, 0.2 part by weight of Irgacure 651 (manufactured by Ciba Geigy Co., Ltd., 50% ethyl acetate solution) as a photo radical generator, and 0.01 part by weight of lauryl mercaptan Was dissolved in ethyl acetate to obtain a solution. Polymerization was performed by irradiating this solution with ultraviolet rays to obtain an ethyl acetate solution of the polymer. Furthermore, 0.9 parts by weight of 2-methacryloyloxyethyl isocyanate (produced by Showa Denko KK, Karenz MOI) was reacted with 100 parts by weight of the solid content of this solution to obtain an acrylic copolymer which is a crosslinked (meth) acrylic resin. A polymer (polymer 3) was obtained. The
（ポリマー４）
２−エチルヘキシルアクリレート９５重量部、２−ヒドロキシエチルアクリレート５重量部、光ラジカル発生剤としてのイルガキュア６５１（チバガイギ社製、５０％酢酸エチル溶液）０．２重量部、及びラウリルメルカプタン０．０１重量部を酢酸エチルに溶解させ、溶液を得た。この溶液に紫外線を照射して重合を行い、ポリマーの酢酸エチル溶液を得た。さらに、この溶液の固形分１００重量部に対して、２−メタクリロイルオキシエチルイソシアネート（昭和電工社製、カレンズＭＯＩ）を７重量部反応させて、（メタ）アクリル樹脂架橋体であるアクリル共重合体（ポリマー４）を得た。ポリマー４は、重量平均分子量が９２万であり、酸価が１．００（ｍｇＫＯＨ／ｇ）であった。
(Polymer 4)
95 parts by weight of 2-ethylhexyl acrylate, 5 parts by weight of 2-hydroxyethyl acrylate, 0.2 parts by weight of Irgacure 651 (manufactured by Ciba-Gigi, 50% ethyl acetate solution) as a photo radical generator, and 0.01 parts by weight of lauryl mercaptan Was dissolved in ethyl acetate to obtain a solution. Polymerization was performed by irradiating this solution with ultraviolet rays to obtain an ethyl acetate solution of the polymer. Further, 7 parts by weight of 2-methacryloyloxyethyl isocyanate (produced by Showa Denko Co., Ltd., Karenz MOI) is reacted with 100 parts by weight of the solid content of this solution to obtain an acrylic copolymer which is a crosslinked (meth) acrylic resin. (Polymer 4) was obtained. The
（非粘着フィルムＬ１〜Ｌ６）
得られたポリマー１〜４のいずれか１つのポリマーと、Ｕ−３２４Ａ（新中村化学工業社製、ウレタンアクリルオリゴマー）と、光ラジカル発生剤としてのイルガキュア６５１（チバガイギ社製）と、フィラーとしてのＳＥ４０５０（アドマテックス社製、シリカフィラー）とを下記表１に示す割合で配合し、酢酸エチルに溶解し、溶液を得た。この溶液を、離型ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）フィルムの上にアプリケーターを用いて塗工した。さらに１１０℃のオーブン中で３分間加熱乾燥し、厚み５０μｍのフィルムを形成した。このフィルムに、高圧水銀灯下で、３６５ｎｍの紫外線を１０００ｍＪで照射した。このようにして架橋された非粘着フィルムＬ１〜Ｌ６を得た。
(Non-adhesive films L1-L6)
Any one of the obtained
（３）ダイシングフィルム
（ダイシングフィルムＤＣ１）
ＰＥテープ＃６３１８−Ｂ：積水化学社製、ポリエチレン基材の片面にゴム系粘着剤からなる粘着剤層が形成されたＰＥテープ、基材の厚み６０μｍ、粘着剤層の厚み１０μｍ
(3) Dicing film (Dicing film DC1)
PE tape # 6318-B: manufactured by Sekisui Chemical Co., Ltd., a PE tape having a pressure-sensitive adhesive layer formed of a rubber-based pressure-sensitive adhesive on one side of a polyethylene base material, the thickness of the base material 60 μm, and the thickness of the pressure-
（実施例１）
離型フィルム上のダイボンディングフィルムＡの表面に、非粘着フィルムＬ１を６０℃でラミネートした。次に、非粘着フィルムＬ１のダイボンディングフィルムＡに貼付された面とは反対側の面に、ダイシングフィルムＤＣ１を粘着剤側から貼り付けた。このようにして、離型フィルム／ダイボンディングフィルム／非粘着フィルム／ダイシングフィルムがこの順で積層されたダイシング・ダイボンディングテープを作製した。
Example 1
The non-adhesive film L1 was laminated at 60 ° C. on the surface of the die bonding film A on the release film. Next, the dicing film DC1 was affixed from the adhesive side to the surface opposite to the surface affixed to the die bonding film A of the non-adhesive film L1. In this manner, a dicing die bonding tape in which a release film / die bonding film / non-adhesive film / dicing film was laminated in this order was produced.
（実施例２〜５、及び比較例１）
非粘着フィルムを、下記の表１に示すフィルムにそれぞれ代えたこと以外は実施例１と同様にして、ダイシング・ダイボンディングテープを作製した。なお、貼り付けに際して、ダイシングフィルムが粘着剤層を有する場合には、ダイシングフィルムは粘着剤側から、非粘着フィルムに貼り付けた。
(Examples 2 to 5 and Comparative Example 1)
A dicing die-bonding tape was produced in the same manner as in Example 1 except that the non-adhesive film was replaced with the film shown in Table 1 below. When the dicing film had a pressure-sensitive adhesive layer during pasting, the dicing film was pasted on the non-adhesive film from the pressure-sensitive adhesive side.
（実施例６）
ダイボンディングフィルムＡを、ダイボンディングフィルムＢに代えたこと以外は実施例１と同様にして、ダイシング・ダイボンディングテープを作製した。
(Example 6)
A dicing die bonding tape was produced in the same manner as in Example 1 except that the die bonding film A was replaced with the die bonding film B.
（ダイシング・ダイボンディングテープの評価）
（１）ダイボンディングフィルムの硬化前の２５℃における貯蔵弾性率
加熱により硬化される前のダイボンディングフィルムを、厚さ０．５ｍｍｍ、幅５ｍｍ及び長さ３ｃｍの大きさに切り出し、評価サンプルを得た。得られた評価サンプルについて、アイティ計測社製ＤＶＡ−２００を用いて、１０Ｈｚ及び歪み０．１％の条件で２５℃における貯蔵弾性率を測定した。
(Evaluation of dicing die bonding tape)
(1) Storage elastic modulus at 25 ° C. before curing of die bonding film The die bonding film before being cured by heating is cut into a size of 0.5 mm in thickness, 5 mm in width and 3 cm in length to obtain an evaluation sample. It was. About the obtained evaluation sample, the storage elastic modulus in 25 degreeC was measured on condition of 10 Hz and distortion 0.1% using DVA-200 by IT measurement company.
（２）ダイボンディングフィルムと非粘着フィルムとの剥離強度
ダイボンディングフィルムの一方の面に、非粘着フィルムを６０℃でラミネートした。次に、ダイボンディングフィルムの非粘着フィルムが貼付された面とは反対側の面にステンレス板を貼り付けて、ダイボンディングフィルムとステンレス板とを接着し、評価サンプルを得た。その後、非粘着フィルムとダイボンディングフィルムとの界面で剥離が生じるように評価サンプルを固定した状態で、３００ｍｍ／分の剥離速度で、ダイボンディングフィルムと非粘着フィルムとの界面に対して１８０度方向に、非粘着フィルムをダイボンディングフィルムから剥離した。このとき剥離に要した力を、島津製作所製ＡＧＳ−１００Ｄを用いて、測定幅２５ｍｍで測定し、得られた値の平均値を剥離強度とした。
(2) Peel strength between die bonding film and non-adhesive film A non-adhesive film was laminated at 60 ° C. on one surface of the die bonding film. Next, a stainless steel plate was affixed to the surface of the die bonding film opposite to the surface to which the non-adhesive film was affixed, and the die bonding film and the stainless steel plate were adhered to obtain an evaluation sample. Then, with the evaluation sample fixed so that peeling occurs at the interface between the non-adhesive film and the die bonding film, at a peeling rate of 300 mm / min, the direction of 180 degrees with respect to the interface between the die bonding film and the non-adhesive film In addition, the non-adhesive film was peeled off from the die bonding film. At this time, the force required for peeling was measured with a measurement width of 25 mm using AGS-100D manufactured by Shimadzu Corporation, and the average value of the obtained values was defined as peeling strength.
（３）非粘着フィルムの２５℃及び６０℃における貯蔵弾性率
非粘着フィルムを厚さ０．５ｍｍ、幅５ｍｍ及び長さ３ｃｍの大きさに切り出し、評価サンプルを得た。得られた評価サンプルについて、アイティ計測社製ＤＶＡ−２００を用いて、１０Ｈｚ及び歪み０．１％の条件で、２５℃及び６０℃における貯蔵弾性率を測定した。
(3) Storage elastic modulus of non-adhesive film at 25 ° C. and 60 ° C. The non-adhesive film was cut into a size of 0.5 mm in thickness, 5 mm in width and 3 cm in length to obtain an evaluation sample. About the obtained evaluation sample, the storage elastic modulus in 25 degreeC and 60 degreeC was measured on condition of 10 Hz and distortion 0.1% using DVA-200 by IT measurement company.
（４）樹脂架橋体のゲル分率
得られたポリマー１〜４と、光ラジカル発生剤としてのイルガキュア６５１（チバガイギ社製）とを下記表１に示す割合で配合し、その他の配合物は配合せず、酢酸エチルに溶解し、溶液を得た。この溶液を、離型ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）フィルムの上にアプリケーターを用いて塗工した。さらに１１０℃のオーブン中で３分間加熱乾燥し、厚み５０μｍのフィルムを形成した。このフィルムに、高圧水銀灯下で、３６５ｎｍの紫外線を１０００ｍＪで照射し、ポリマーを架橋させた。
(4) Gel fraction of cross-linked resin The obtained
フィルムを離型ＰＥＴから剥離し、得られたフィルムを用いて、上述の方法によりゲル分率を求めた。結果を表１に示す。 The film was peeled from the release PET, and the gel fraction was determined by the above-described method using the obtained film. The results are shown in Table 1.
（５）非粘着フィルムの破断伸度
非粘着フィルム（厚さ０．５ｍｍ×幅５ｍｍ×長さ７ｃｍ）を、引張試験機ＡＧ−ＩＳ（島図製作所製）を用いて、３００ｍｍ／分の条件で引っ張り、破断に至った際の伸度を破断伸度とした。
(5) Breaking elongation of non-adhesive film Non-adhesive film (thickness 0.5
（６）非粘着フィルムの表面エネルギー
濡れ性試薬（ナカライテスク社製）を用いて、非粘着フィルムのダイボンディングフィルムに貼付される面の表面エネルギーを、ＪＩＳ Ｋ６７９８に準拠して測定した。
(6) Surface energy of non-adhesive film Using a wettability reagent (manufactured by Nacalai Tesque), the surface energy of the surface of the non-adhesive film attached to the die bonding film was measured according to JIS K6798.
（７）レーザーダイシング性評価
ダイシング・ダイボンディングテープの離型フィルムを剥離し、露出したダイボンディングフィルムを、直径８ｉｎｃｈ、厚み８０μｍのシリコンウェーハの一方の面に６０℃の温度でラミネートし、評価サンプルを作製した。
(7) Laser dicing evaluation The release film of the dicing die bonding tape was peeled off, and the exposed die bonding film was laminated on one surface of a silicon wafer having a diameter of 8 inches and a thickness of 80 μm at a temperature of 60 ° C. Was made.
レーザーダイシング装置（ディスコ社製、品番ＤＦＬ７１６０）を用いて、周波数５０ｋＨｚ、出力０．５Ｗ、焦点径６μｍ及び送り速度１００ｍｍ／秒の各条件で、波長３５５ｎｍのレーザー光をシリコンウェーハの上方から照射し、評価サンプルを１０ｍｍ×１０ｍｍのチップサイズにレーザーダイシングした。 Using a laser dicing machine (Disco, product number DFL7160), a laser beam having a wavelength of 355 nm was irradiated from above the silicon wafer under the conditions of a frequency of 50 kHz, an output of 0.5 W, a focal diameter of 6 μm, and a feed rate of 100 mm / second. The evaluation sample was subjected to laser dicing to a chip size of 10 mm × 10 mm.
レーザーダイシング後に、ダイボンダーｂｅｓｔｅｍ Ｄ−０２（キャノンマシーナリー社製）を用いて、コレットサイズ８ｍｍ角、突き上げ速度５ｍｍ／秒、及びエキスパンド４ｍｍの各条件で、分割された半導体チップの連続ピックアップを行った。 After laser dicing, using a die bonder best D-02 (manufactured by Canon Machinery Co., Ltd.), the divided semiconductor chips were continuously picked up under the conditions of a collet size of 8 mm square, a push-up speed of 5 mm / sec, and an expand of 4 mm.
上記のようにして、レーザーダイシング性、及びレーザーダイシング後のピックアップの可否を評価した。さらに、ピックアップ後に、ピックアップされた５個の半導体チップについて４辺ずつ、計２０辺においてダイボンディングフィルムの一部が欠けているか否かを観察した。辺に沿った長さが５０μｍより大きい欠けが存在しない辺の数を数えた。 As described above, the laser dicing property and the possibility of pickup after laser dicing were evaluated. Furthermore, after picking up, it was observed whether or not a part of the die bonding film was missing on a total of 20 sides of 4 picked up 5 semiconductor chips. The number of sides where there was no chip with a length of more than 50 μm along the side was counted.
なお、レーザーダイシング性は、下記の評価基準で評価した。 Laser dicing was evaluated according to the following evaluation criteria.
〔レーザーダイシング性の評価基準〕
○：非粘着フィルムに切り込みが形成されておらず、切断面において非粘着フィルムとダイボンディングフィルムとの間の融着が見られず、半導体ウェーハ及びダイボンディングフィルムを精度良く切断することができた。
[Evaluation criteria for laser dicing]
○: No cut was formed in the non-adhesive film, no fusion between the non-adhesive film and the die bonding film was observed on the cut surface, and the semiconductor wafer and the die bonding film could be cut accurately. .
△：非粘着フィルムにごく浅いが切り込みが形成されているか、又は切断面において非粘着フィルムとダイボンディングフィルムの界面に若干融着が見られた。 Δ: A very shallow cut was formed in the non-adhesive film, or a slight fusion was observed at the interface between the non-adhesive film and the die bonding film on the cut surface.
×：非粘着フィルムに切り込みが形成されおり、かつ、切断面において非粘着フィルムとダイボンディングフィルムの界面に融着が見られ、平面視した際に切断線がきれいな直線ではなかった。 X: A cut was formed in the non-adhesive film, and fusion was observed at the interface between the non-adhesive film and the die bonding film on the cut surface, and the cut line was not a clean straight line when viewed in plan.
結果を下記表１に示す。 The results are shown in Table 1 below.
１…ダイシング・ダイボンディングテープ
２…離型フィルム
２ａ…上面
３…ダイボンディングフィルム
３ａ…表面
４…非粘着フィルム
４ａ，４ｂ…表面
５…ダイシングフィルム
５ａ…基材
５ｂ…粘着剤
５ｃ…延長部
６，７…保護シート
１１…ダイシング・ダイボンディングテープ
１５…ダイシング・ダイボンディングテープ
１６…非粘着フィルム
１６ａ，１６ｂ…表面
１７…第１の層
１８…第２の層
２１…半導体ウェーハ
２１ａ…表面
２１ｂ…裏面
２１ｃ…外周側面
２２…ステージ
２３…ダイシングリング
２４…ステージ
３１…切断面
DESCRIPTION OF
Claims (13)
ダイボンディングフィルムと、前記ダイボンディングフィルムの一方の面に貼付された非粘着フィルムとを有し、
前記ダイボンディングフィルムが、熱硬化性化合物と、熱硬化剤とを含み、
前記非粘着フィルムは、樹脂架橋体を主成分として含み、２５℃における貯蔵弾性率が１〜１０００ＭＰａの範囲にあり、かつ６０℃における貯蔵弾性率が１ＭＰａ以上であることを特徴とする、ダイシング・ダイボンディングテープ。 Laser dicing a semiconductor wafer to obtain a semiconductor chip, a dicing die bonding tape for laser dicing used to die bond a semiconductor chip,
Having a die bonding film and a non-adhesive film affixed to one surface of the die bonding film;
The die bonding film includes a thermosetting compound and a thermosetting agent,
The non-adhesive film contains a resin crosslinked body as a main component, has a storage elastic modulus at 25 ° C. in the range of 1 to 1000 MPa, and has a storage elastic modulus at 60 ° C. of 1 MPa or more. Die bonding tape.
ダイシング・ダイボンディングテープの前記ダイボンディングフィルムの前記非粘着フィルムが貼付された面とは反対側の面に半導体ウェーハを接合する工程と、
ダイシング・ダイボンディングテープが接合された半導体ウェーハを前記ダイボンディングフィルムごとレーザー光の照射により切断し、個々の半導体チップに分割する工程と、
ダイシング後に、前記半導体チップが接合された前記ダイボンディングフィルムを前記非粘着フィルムから剥離し、ダイボンディングフィルムごと半導体チップを取り出す工程とを備えることを特徴とする、半導体チップの製造方法。 A step of preparing a dicing die bonding tape for laser dicing according to any one of claims 1 to 10, and a semiconductor wafer;
A step of bonding a semiconductor wafer to a surface of the die bonding film of the dicing die bonding tape opposite to the surface to which the non-adhesive film is attached;
Cutting the semiconductor wafer to which the dicing die bonding tape is bonded together with the die bonding film by irradiation with laser light, and dividing the semiconductor wafer into individual semiconductor chips;
A method of manufacturing a semiconductor chip, comprising: after dicing, peeling the die bonding film to which the semiconductor chip is bonded from the non-adhesive film and taking out the semiconductor chip together with the die bonding film.
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