JP2009222524A - Rotation detecting apparatus - Google Patents

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Yutaka Hayakawa
裕 早川
Yoshihiko Isobe
良彦 磯部
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Denso Corp
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a rotation detecting apparatus miniaturized, improving the degree of freedom for disposing a rotating body, and accurately detecting a rotating state. <P>SOLUTION: The rotation detecting apparatus 100 is disposed adjacent to an outer circumference of the rotating body 1, measures a change in a bias magnetic field due to a rotation of the rotating body 1, detects the rotating state of the rotating body 1. The rotation detecting apparatus 100 includes: a multilayer wiring board 50 disposed adjacent to the outer circumference of the rotating body 1; and multilayer wired coils La, Lb embedded in the multilayer wiring board 50 and formed at an end adjacent to the outer circumference of the rotating body 1. <P>COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT

Description

本発明は、回転体の外周に近接して配置され、回転体の回転に伴うバイアス磁界の変化を計測して該回転体の回転状態を検出する回転検出装置に関する。   The present invention relates to a rotation detection device that is disposed in the vicinity of the outer periphery of a rotating body and detects a rotation state of the rotating body by measuring a change in a bias magnetic field accompanying the rotation of the rotating body.

回転体の外周に近接して配置され、回転体の回転に伴うバイアス磁界の変化を計測して該回転体の回転状態を検出する回転検出装置が、例えば、特開平11−237256号公報(特許文献1)と特開2007−101230号公報(特許文献2)に開示されている。   For example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 11-237256 (Patent Document) discloses a rotation detection device that is arranged in the vicinity of the outer periphery of a rotating body and detects a rotation state of the rotating body by measuring a change in a bias magnetic field accompanying the rotation of the rotating body. Document 1) and Japanese Patent Application Laid-Open No. 2007-101230 (Patent Document 2).

図7は、特許文献1に開示された回転検出装置80の主要部の斜視模式図である。   FIG. 7 is a schematic perspective view of the main part of the rotation detection device 80 disclosed in Patent Document 1. As shown in FIG.

図7に示す回転検出装置80は、歯車形状(ギア歯1a)のギア1、バイアス磁石2及びICチップ3を備えている。ギア1は、その外周面がバイアス磁石2に対向するように配置されており、ギア1の外周面に向けてバイアス磁石2がバイアス磁界を発生するようになっている。   A rotation detection device 80 shown in FIG. 7 includes a gear 1 having a gear shape (gear tooth 1 a), a bias magnet 2, and an IC chip 3. The gear 1 is arranged such that its outer peripheral surface faces the bias magnet 2, and the bias magnet 2 generates a bias magnetic field toward the outer peripheral surface of the gear 1.

中空形状をなすバイアス磁石2は、ギア1に近い端面がN極、遠い端面がS極となるように着磁されており、かつ中空形状の中心軸(図中の2点鎖線)上に概ねギア1の回転軸(図中の1点鎖線)が位置するように配置されている。   The bias magnet 2 having a hollow shape is magnetized so that the end face close to the gear 1 is N-pole and the far end face is S-pole, and is generally on the hollow central axis (two-dot chain line in the figure). It arrange | positions so that the rotating shaft (one-dot chain line in a figure) of the gear 1 may be located.

ICチップ3の表面上には、2つの磁気抵抗素子(MRE、Magneto Resistive Element)4、5がそれぞれ異なった方向性を有して形成されている。2つのMRE4、5はそれぞれ、長手方向がバイアス磁界の磁気的中心(バイアス磁石2の中心軸)に対して45度と−45度の角度を成すように、すなわち互いに直交するハの字状になるように配置されている。ICチップ3は、バイアス磁石2が発生するバイアス磁界の方向の検出を行うべく、バイアス磁石2とギア1の外周面との間に配置されている。また、ICチップ3は、ギア1の両端面1bが形成する平面の間に2つのMRE4、5が位置するように配置されている。   On the surface of the IC chip 3, two magnetoresistive elements (MRE) 4 and 5 are formed with different directions. Each of the two MREs 4 and 5 has an angle of 45 degrees and −45 degrees with respect to the magnetic center of the bias magnetic field (the central axis of the bias magnet 2), that is, in the shape of a letter C that is orthogonal to each other. It is arranged to be. The IC chip 3 is disposed between the bias magnet 2 and the outer peripheral surface of the gear 1 so as to detect the direction of the bias magnetic field generated by the bias magnet 2. Further, the IC chip 3 is arranged so that the two MREs 4 and 5 are located between the planes formed by the both end faces 1 b of the gear 1.

MRE4、5には、それぞれの長手方向に電流が流れるように配線処理がなされている。そして、これら2つのMRE4、5が互いに直列接続されて1組のMREブリッジ6を成している。このMREブリッジ6に対して、MRE5からMRE4に向けて電流が流れるようになっており、直列接続された2つのMRE4、5の中点電位をMREブリッジ6の出力として、バイアス磁石2が発生するバイアス磁界の変化、すなわちギア1の回転を検出するようになっている。   The MREs 4 and 5 are subjected to wiring processing so that currents flow in the respective longitudinal directions. These two MREs 4 and 5 are connected in series to form a set of MRE bridges 6. A current flows from the MRE 5 to the MRE 4 with respect to the MRE bridge 6, and the bias magnet 2 is generated with the midpoint potential of the two MREs 4 and 5 connected in series as the output of the MRE bridge 6. A change in the bias magnetic field, that is, rotation of the gear 1 is detected.

図8は、特許文献2に開示された車載エンジンのクランク角センサ等の回転検出に用いられる回転検出装置で、図8(a)は、回転検出装置90の断面構造を模式的に示した図であり、図8(b)は、回転検出装置90の構成部品を模式的に示した分解斜視図である。   FIG. 8 is a rotation detection device used for detecting rotation of a crank angle sensor or the like of an in-vehicle engine disclosed in Patent Document 2. FIG. 8A is a diagram schematically showing a cross-sectional structure of the rotation detection device 90. FIG. 8B is an exploded perspective view schematically showing the components of the rotation detecting device 90.

図8(a)に示す回転検出装置90においては、ベアチップからなるチップ10および磁石(バイアス磁石)30が、ケース20およびキャップ(部材)40により構成されるハウジング内に密閉されて、外部雰囲気から保護される構造となっている。   In the rotation detection device 90 shown in FIG. 8 (a), the chip 10 and the magnet (bias magnet) 30 made of a bare chip are sealed in a housing constituted by the case 20 and the cap (member) 40, so that an external atmosphere is maintained. It has a protected structure.

このうち、チップ10は、磁気抵抗素子対を有するセンシングチップ11と、集積回路化されて前記磁気抵抗素子対により検出される信号の各種処理を行う処理回路チップ12とから構成されている。また、ケース20は、樹脂等の非磁性体材料からなり、円盤状の基盤部25と、該基盤部25の一面から突き出るように一体形成された板状の舌状保持部(舌部)21とを備えている。舌状保持部21には、リードフレーム13をはじめ、センシングチップ11や処理回路チップ12の実装面が一体に鋳込まれている。そしてこの舌状保持部21に、これらセンシングチップ11および処理回路チップ12が、リードフレームと電気的に接続されるかたちでそれぞれ実装(搭載)されている。   Of these, the chip 10 includes a sensing chip 11 having a magnetoresistive element pair, and a processing circuit chip 12 which is integrated into an integrated circuit and performs various processing of signals detected by the magnetoresistive element pair. The case 20 is made of a non-magnetic material such as resin, and has a disk-like base portion 25 and a plate-like tongue-shaped holding portion (tongue portion) 21 integrally formed so as to protrude from one surface of the base portion 25. And. A mounting surface for the sensing chip 11 and the processing circuit chip 12 as well as the lead frame 13 is integrally cast in the tongue-shaped holding portion 21. The sensing chip 11 and the processing circuit chip 12 are mounted (mounted) on the tongue-shaped holding portion 21 in such a manner as to be electrically connected to the lead frame.

一方、上記磁石30は、例えば円柱の長手方向内部に四角形状の中空部31を有する筒状に形成されており、上記チップ10共々、ケース20の舌状保持部21を覆う態様で挿入されている。この磁石30は、センシングチップ11に組み込まれている上記磁気抵抗素子対に対してバイアス磁界を付与するものである。   On the other hand, the magnet 30 is formed in a cylindrical shape having, for example, a rectangular hollow portion 31 inside the longitudinal direction of a cylinder, and is inserted in a manner covering the tongue-shaped holding portion 21 of the case 20 together with the chip 10. Yes. The magnet 30 applies a bias magnetic field to the magnetoresistive element pair incorporated in the sensing chip 11.

また、有底筒状の非磁性体材料からなるキャップ40は、その開口端部41が円錐状に開いた内面からなるテーパ面41tを有しており、該テーパ面41tが、対向するケース20の基盤部25の継ぎ手面25tに当接し、該基盤部25にレーザ溶接される。これによって、センサチップ11共々舌状保持部21および磁石30が外部雰囲気から保護される。   Further, the cap 40 made of a bottomed cylindrical nonmagnetic material has a tapered surface 41t having an inner surface with an open end 41 opened conically, and the tapered surface 41t is opposed to the case 20. The base portion 25 abuts on the joint surface 25t and is laser welded to the base portion 25. Thereby, the tongue-shaped holding part 21 and the magnet 30 together with the sensor chip 11 are protected from the external atmosphere.

当該回転検出装置90においては、図7に示した回転検出装置80と同様に、先端部(図8(a)の右端)に対向して配置される回転体の回転時に、上記バイアス磁界と協働して生じる磁気ベクトルの変化が、上記磁気抵抗素子対の抵抗値変化として感知される。
特開平11−237256号公報 特開2007−101230号公報
In the rotation detection device 90, as with the rotation detection device 80 shown in FIG. 7, the rotation magnetic field cooperates with the bias magnetic field during rotation of the rotating body arranged facing the tip (the right end in FIG. 8A). The change in the magnetic vector caused by the action is detected as a change in the resistance value of the magnetoresistive element pair.
Japanese Patent Laid-Open No. 11-237256 JP 2007-101230 A

図7と図8に示した回転検出装置80,90は、いずれも、回転体の回転に伴い筒状磁石が発生するバイアス磁界の変化を、半導体チップに形成されたMRE等の磁気検出素子により測定し、前記回転体の回転状態を検出する回転検出装置である。従来の回転検出装置80,90において回転体の回転状態の検出精度を高めるためには、回転検出装置80,90を、できるだけ回転体(ギア1)に近接させるる必要がある。しかしながら、従来の回転検出装置80,90は、いずれも磁気検出素子6,10と磁石2,30を共にケース内に収容しており、ASSYが大型化してしまうため、近接配置するには制約が大きい。   The rotation detection devices 80 and 90 shown in FIGS. 7 and 8 both change the bias magnetic field generated by the cylindrical magnet with the rotation of the rotating body by a magnetic detection element such as an MRE formed on the semiconductor chip. It is a rotation detection device that measures and detects the rotation state of the rotating body. In order to increase the detection accuracy of the rotation state of the rotating body in the conventional rotation detecting devices 80 and 90, it is necessary to bring the rotation detecting devices 80 and 90 as close to the rotating body (gear 1) as possible. However, the conventional rotation detection devices 80 and 90 both contain the magnetic detection elements 6 and 10 and the magnets 2 and 30 in the case, and the ASSY becomes large, so there are restrictions on the close arrangement. large.

そこで本発明は、回転体の外周に近接して配置され、回転体の回転に伴うバイアス磁界の変化を計測して該回転体の回転状態を検出する回転検出装置であって、小型化が可能で回転体に対する配置自由度が高く、高精度な回転状態の検出が可能な回転検出装置を提供することを目的としている。   Therefore, the present invention is a rotation detection device that is arranged close to the outer periphery of the rotating body and measures the change of the bias magnetic field accompanying the rotation of the rotating body to detect the rotating state of the rotating body, and can be miniaturized. Therefore, an object of the present invention is to provide a rotation detection device that has a high degree of freedom in arrangement with respect to a rotating body and can detect a highly accurate rotation state.

請求項1に記載の発明は、回転体の外周に近接して配置され、前記回転体の回転に伴うバイアス磁界の変化を計測して該回転体の回転状態を検出する回転検出装置であって、前記回転体の外周に近接して配置される多層配線基板を有してなり、該多層配線基板における前記回転体の外周に近接する端部に、多層配線によるコイルが埋め込み形成されてなることを特徴としている。   The invention according to claim 1 is a rotation detection device that is disposed in the vicinity of the outer periphery of the rotating body and detects a rotation state of the rotating body by measuring a change in a bias magnetic field accompanying the rotation of the rotating body. And a multilayer wiring board disposed in the vicinity of the outer periphery of the rotating body, and a coil made of the multilayer wiring is embedded in an end portion of the multilayer wiring board close to the outer periphery of the rotating body. It is characterized by.

上記回転検出装置におけるコイルは、電磁石としての利用や例えばフラックスゲート型の磁気検出素子としての利用が可能であり、従来の回転検出装置における永久磁石に代えてバイアス磁界を発生するために用いたり、磁気抵抗素子(MRE)に代えてバイアス磁界の変化を計測するために用いたりすることができる。また、該コイルは、多層配線基板に埋め込み形成されているため、上記回転検出装置のASSYの小型化が可能である。従って、上記回転検出装置は、従来の回転検出装置に較べて、回転体に対する配置の自由度が高く、回転体に対してより近接して配置することができるため、より高精度で回転体の回転状態の検出することができる。   The coil in the rotation detection device can be used as an electromagnet, for example, as a fluxgate type magnetic detection element, and used to generate a bias magnetic field instead of a permanent magnet in a conventional rotation detection device, Instead of the magnetoresistive element (MRE), it can be used to measure a change in the bias magnetic field. Further, since the coil is embedded in the multilayer wiring board, the ASSY of the rotation detecting device can be miniaturized. Therefore, the rotation detection device has a higher degree of freedom of arrangement with respect to the rotating body than the conventional rotation detection device, and can be arranged closer to the rotating body. The rotation state can be detected.

以上のようにして、上記回転検出装置は、回転体の外周に近接して配置され、回転体の回転に伴うバイアス磁界の変化を計測して該回転体の回転状態を検出する回転検出装置であって、小型化が可能で回転体に対する配置自由度が高く、高精度な回転状態の検出が可能な回転検出装置とすることができる。   As described above, the rotation detection device is a rotation detection device that is disposed in the vicinity of the outer periphery of the rotating body, and detects a rotation state of the rotating body by measuring a change in the bias magnetic field accompanying the rotation of the rotating body. Thus, it is possible to provide a rotation detection device that can be downsized, has a high degree of freedom in arrangement with respect to the rotating body, and can detect a highly accurate rotation state.

上記回転検出装置は、例えば請求項2に記載のように、前記多層配線基板が、シリコン基板上に、層間絶縁膜を介して金属薄膜からなる配線パターンが多層に形成され、異なる層にある前記配線パターン同士がビアホール内に埋め込み形成された接続導体で層間接続されてなる多層配線基板であり、前記コイルが、前記配線パターンと前記接続導体で形成されてなる構成とすることができる。該回転検出装置のコイルを製造するにあたっては、一般的な半導体製造技術を利用することができるため、高い寸法精度で該コイルを製造することができる。   In the rotation detection device, for example, as described in claim 2, the multilayer wiring board is formed on a silicon substrate, in which a wiring pattern made of a metal thin film is formed in multiple layers via an interlayer insulating film, and the multilayer wiring board is in a different layer. It is a multilayer wiring board in which wiring patterns are connected to each other by connecting conductors embedded in via holes, and the coil is formed by the wiring pattern and the connecting conductor. In manufacturing the coil of the rotation detecting device, since a general semiconductor manufacturing technique can be used, the coil can be manufactured with high dimensional accuracy.

また、上記回転検出装置は、請求項3に記載のように、前記多層配線基板が、表面に金属箔からなる配線パターンが形成された熱可塑性樹脂からなる複数枚の樹脂フィルムが相互に貼り合わされて、前記配線パターンが多層に形成され、異なる層にある前記配線パターン同士が導電ペーストの焼結体からなる接続導体で層間接続されてなる多層配線基板であり、前記コイルが、前記配線パターンと前記接続導体で形成されてなる構成とすることも可能である。該回転検出装置の多層配線基板を製造するにあたっては、加熱加圧により上記配線パターンが形成された樹脂フィルムの貼り合わせと上記導電ペーストの焼結を一括して行うことができるため、該多層配線基板を安価に製造することができる。   Further, in the rotation detection device, as described in claim 3, the multilayer wiring board is formed by laminating a plurality of resin films made of a thermoplastic resin having a wiring pattern made of a metal foil on the surface. The wiring patterns are formed in multiple layers, and the wiring patterns in different layers are interlayer-connected with a connection conductor made of a sintered body of a conductive paste, and the coil is connected to the wiring pattern It is also possible to adopt a configuration formed by the connection conductor. When manufacturing the multilayer wiring board of the rotation detecting device, the resin film on which the wiring pattern is formed and the sintering of the conductive paste can be collectively performed by heating and pressing. The substrate can be manufactured at a low cost.

上記回転検出装置における前記コイルは、請求項4に記載のように、前記多層配線基板に複数形成されてなることが好ましい。   As described in claim 4, it is preferable that a plurality of the coils in the rotation detection device are formed on the multilayer wiring board.

MRE等の磁気検出素子を回転体の外周に近接して配置し、該磁気検出素子により前記回転体の回転に伴うバイアス磁界の変化を計測して回転体の回転状態を検出する一般的な回転検出装置にあっては、磁気検出素子を複数とすることで、例えば該複数の磁気検出素子の差動出力を判定することができ、1個の場合より高精度な回転状態の検出が可能である。従って、上記回転検出装置において多層配線基板に埋め込み形成された前記コイルを例えば磁気検出素子として用いる場合も、前記コイルを複数とすることで、1個の場合より高精度な回転状態の検出が可能となる。また、前記コイルを永久磁石の代わりにバイアス磁界を発生するための電磁石として用いる場合についても、上記複数の磁気検出素子のそれぞれに前記コイルを配置することで、より高精度な回転状態の検出が可能となる。   A general rotation in which a magnetic detection element such as an MRE is disposed in the vicinity of the outer periphery of the rotating body, and the rotation state of the rotating body is detected by measuring a change in the bias magnetic field accompanying the rotation of the rotating body by the magnetic detection element. In the detection device, by using a plurality of magnetic detection elements, for example, the differential output of the plurality of magnetic detection elements can be determined, and the rotation state can be detected with higher accuracy than in the case of one. is there. Therefore, even when the coil embedded in the multilayer wiring board in the rotation detection device is used as a magnetic detection element, for example, by using a plurality of the coils, it is possible to detect a rotation state with higher accuracy than in the case of a single coil. It becomes. In addition, even when the coil is used as an electromagnet for generating a bias magnetic field instead of a permanent magnet, a more accurate rotation state can be detected by arranging the coil in each of the plurality of magnetic detection elements. It becomes possible.

上記回転検出装置は、請求項5に記載のように、前記コイル内に、軟磁性体が挿入配置されてなる構成とすることも可能である。   As described in claim 5, the rotation detection device may be configured such that a soft magnetic material is inserted into the coil.

請求項2に記載したように、シリコン基板上の層間絶縁膜を介して金属薄膜からなる配線パターンとビアホール内に埋め込み形成された接続導体で前記コイルを形成する場合には、例えば前記軟磁性体も薄膜で形成する。また、請求項3に記載したように、複数枚の樹脂フィルムが相互に貼り合わされて形成される多層配線基板において異なる層にある配線パターンと導電ペーストの焼結体からなる接続導体で前記コイルを形成する場合には、例えば前記軟磁性体をチップ部品として、相互に貼り合わされた複数枚の樹脂フィルム中に埋め込み形成することができる。いずれにおいても、上記軟磁性体をコイル内に挿入配置することで、コイルが発生するバイアス磁界またはコイルが検出するバイアス磁界を上記軟磁性体で収束し(フラックスゲート型の磁気検出素子)、回転体の回転状態の検出に効果的に利用することができる。   When the coil is formed of a wiring pattern made of a metal thin film and a connection conductor embedded in a via hole via an interlayer insulating film on a silicon substrate as described in claim 2, for example, the soft magnetic material Is also formed of a thin film. According to a third aspect of the present invention, the coil is formed of a connection conductor made of a sintered body of a wiring pattern and a conductive paste in different layers in a multilayer wiring board formed by bonding a plurality of resin films to each other. In the case of forming, for example, the soft magnetic material can be embedded as a chip component in a plurality of resin films bonded to each other. In either case, the soft magnetic material is inserted and arranged in the coil so that the bias magnetic field generated by the coil or the bias magnetic field detected by the coil is converged by the soft magnetic material (flux gate type magnetic detection element) and rotated. It can be effectively used to detect the rotational state of the body.

請求項6に記載のように、上記回転検出装置における前記コイルは、前述したように永久磁石の代わりとして、前記バイアス磁界を発生するために用いることが可能である。当該回転検出装置は、従来の回転検出装置におけるバイアス磁界を発生するための永久磁石をなくすことができるため、大幅な小型化が可能となる。   As described in claim 6, the coil in the rotation detecting device can be used to generate the bias magnetic field in place of the permanent magnet as described above. Since the rotation detection device can eliminate the permanent magnet for generating the bias magnetic field in the conventional rotation detection device, it can be greatly reduced in size.

また、請求項7に記載のように、上記回転検出装置における前記コイルは、前述したようにMREの代わりとして、前記バイアス磁界の変化を計測するために用いることも可能である。このように、前記コイルを磁気検出素子として利用する場合、該コイルの径や長さを回転体の形状や回転速度に合わせて適宜設定することができるため、MRE等の他の磁気検出素子に較べて設計自由度が高く、測定対象である回転体に合わせた最適設計が可能となる。   In addition, as described in claim 7, the coil in the rotation detection device can be used to measure a change in the bias magnetic field in place of the MRE as described above. As described above, when the coil is used as a magnetic detection element, the diameter and length of the coil can be appropriately set according to the shape and rotation speed of the rotating body. Compared to this, the degree of freedom in design is high, and it is possible to perform optimal design according to the rotating body to be measured.

以上のようにして、上記回転検出装置は、いずれも、回転体の外周に近接して配置され、回転体の回転に伴うバイアス磁界の変化を計測して該回転体の回転状態を検出する回転検出装置であって、小型化が可能で回転体に対する配置自由度が高く、高精度な回転状態の検出が可能な回転検出装置となっている。   As described above, each of the above rotation detection devices is disposed in the vicinity of the outer periphery of the rotating body, and measures the change in the bias magnetic field accompanying the rotation of the rotating body to detect the rotating state of the rotating body. This is a detection device that can be miniaturized, has a high degree of freedom in arrangement with respect to a rotating body, and can detect a rotation state with high accuracy.

従って、上記回転検出装置は、請求項8に記載のように、小型で高精度な回転状態の検出が要求される車載用の回転検出装置として特に好適である。   Therefore, as described in claim 8, the rotation detection device is particularly suitable as a vehicle-mounted rotation detection device that is required to detect a small and highly accurate rotation state.

以下、本発明を実施するための最良の形態を、図に基づいて説明する。   The best mode for carrying out the present invention will be described below with reference to the drawings.

図1は、本発明の回転検出装置の一例で、図1(a)は、回転検出装置100の模式的な上面図であり、図1(b)は、図1(a)における一点鎖線A−Aでの断面図である。尚、以下に示す各例においては、被検出対象である回転体(ギア)1を、図7と同じ符号を用いて示した。   FIG. 1 is an example of the rotation detection device of the present invention, FIG. 1 (a) is a schematic top view of the rotation detection device 100, and FIG. 1 (b) is an alternate long and short dash line A in FIG. 1 (a). It is sectional drawing in -A. In each example shown below, a rotating body (gear) 1 that is an object to be detected is indicated by the same reference numeral as in FIG.

図1に示す回転検出装置100は、回転体1の外周に近接して配置され、回転体1の回転に伴うバイアス磁界の変化を計測して該回転体1の回転状態を検出する回転検出装置である。回転検出装置100は、回転体1の外周に近接して配置される多層配線基板50を有している。また、該多層配線基板50における回転体1の外周に近接する端部には、図中に二点差線で示した中心軸が回転体1の外周に向うようにして、多層配線によるコイルLa,Lbが埋め込み形成されている。   A rotation detection device 100 shown in FIG. 1 is disposed in the vicinity of the outer periphery of the rotating body 1 and measures a change in the bias magnetic field accompanying the rotation of the rotating body 1 to detect the rotation state of the rotating body 1. It is. The rotation detection device 100 includes a multilayer wiring board 50 that is disposed in the vicinity of the outer periphery of the rotating body 1. Further, at the end of the multilayer wiring board 50 that is close to the outer periphery of the rotating body 1, the central axis indicated by the two-dot chain line in the figure faces the outer periphery of the rotating body 1, so that the coils La, Lb is embedded and formed.

回転検出装置100の多層配線基板50は、図1(b)に示すように、シリコン基板51上に、酸化シリコン(SiO)膜等の層間絶縁膜52を介して、金属薄膜からなる配線パターン53が多層に形成されてなる多層配線基板である。多層配線基板50では、異なる層にある配線パターン53同士がビアホール内に埋め込み形成された接続導体54で層間接続されており、コイルLa,Lbが該配線パターン53と接続導体54で形成されている。回転検出装置100のコイルLa,Lbを製造するにあたっては、一般的な半導体製造技術を利用することができるため、高い寸法精度で該コイルLa,Lbを製造することができる。 As shown in FIG. 1B, the multi-layer wiring board 50 of the rotation detecting device 100 has a wiring pattern made of a metal thin film on a silicon substrate 51 via an interlayer insulating film 52 such as a silicon oxide (SiO 2 ) film. 53 is a multilayer wiring board formed in multiple layers. In the multilayer wiring board 50, wiring patterns 53 in different layers are connected to each other by connection conductors 54 embedded in via holes, and coils La and Lb are formed by the wiring patterns 53 and connection conductors 54. . In manufacturing the coils La and Lb of the rotation detecting device 100, since a general semiconductor manufacturing technique can be used, the coils La and Lb can be manufactured with high dimensional accuracy.

上記回転検出装置100におけるコイルLa,Lbは、後述するように、電磁石としての利用や例えばフラックスゲート型の磁気検出素子としての利用が可能であり、図7および図8に示した従来の回転検出装置80,90における永久磁石2,30に代えてバイアス磁界を発生するために用いたり、磁気抵抗素子(MRE)4〜6,11に代えてバイアス磁界の変化を計測するために用いたりすることができる。また、該コイルLa,Lbは、多層配線基板50に埋め込み形成されているため、該回転検出装置100のASSYの小型化が可能である。従って、該回転検出装置100は、図7および図8に示した従来の回転検出装置80,90に較べて、回転体1に対する配置の自由度が高く、回転体1に対してより近接して配置することができるため、より高精度で回転体1の回転状態の検出することができる。   As will be described later, the coils La and Lb in the rotation detection device 100 can be used as an electromagnet, for example, as a fluxgate type magnetic detection element, and the conventional rotation detection shown in FIGS. Used to generate a bias magnetic field in place of the permanent magnets 2 and 30 in the devices 80 and 90, or to measure changes in the bias magnetic field in place of the magnetoresistive elements (MRE) 4 to 6 and 11. Can do. Further, since the coils La and Lb are embedded in the multilayer wiring board 50, the ASSY of the rotation detecting device 100 can be downsized. Therefore, the rotation detecting device 100 has a higher degree of freedom in arrangement with respect to the rotating body 1 and closer to the rotating body 1 than the conventional rotation detecting devices 80 and 90 shown in FIGS. Since it can arrange | position, the rotation state of the rotary body 1 can be detected with higher precision.

図2は、上記した図1の回転検出装置100のコイルLa,Lbをバイアス磁界の発生に用いる場合の例である。図2(a)は、回転検出装置101の模式的な上面図であり、図2(b)は、図2(a)における一点鎖線B−Bでの断面図である。   FIG. 2 shows an example in which the coils La and Lb of the rotation detecting device 100 shown in FIG. 1 are used for generating a bias magnetic field. FIG. 2A is a schematic top view of the rotation detection device 101, and FIG. 2B is a cross-sectional view taken along one-dot chain line BB in FIG.

図2に示す回転検出装置101は、図1に示した回転検出装置100と同様で、回転体1の外周に近接して配置される多層配線基板50aを有しており、該多層配線基板50aにおける回転体1の外周に近接する端部には、多層配線によるコイルLc,Ldが埋め込み形成されている。回転検出装置101におけるコイルLc,Ldは、電磁石としての利用され、それぞれ、図2(a)中に細線矢印で示したバイアス磁界Bc,Bdを発生するために用いられている。また、図2の回転検出装置101における多層配線基板50aには、回転体1に対向するコイルLc,Ldの前方に、磁気検出素子Sc,Sdが形成されている。該磁気検出素子Sc,Sdによって、回転体1の回転に伴うバイアス磁界Bc,Bdの変化を計測し、回転体1の回転状態を検出する。コイルLc,Ldが発生するバイアス磁界Bc,Bdの強度は、100〜200G程度に設定される。   The rotation detection device 101 shown in FIG. 2 is similar to the rotation detection device 100 shown in FIG. 1, and has a multilayer wiring board 50a arranged close to the outer periphery of the rotating body 1, and the multilayer wiring board 50a. Coils Lc and Ld made of multilayer wiring are embedded in the end portion of the rotating body 1 close to the outer periphery. The coils Lc and Ld in the rotation detector 101 are used as electromagnets and are used to generate bias magnetic fields Bc and Bd indicated by thin line arrows in FIG. In addition, magnetic detection elements Sc and Sd are formed in front of the coils Lc and Ld facing the rotating body 1 on the multilayer wiring board 50a in the rotation detecting device 101 of FIG. The magnetic detection elements Sc and Sd measure changes in the bias magnetic fields Bc and Bd accompanying the rotation of the rotating body 1 to detect the rotating state of the rotating body 1. The strengths of the bias magnetic fields Bc and Bd generated by the coils Lc and Ld are set to about 100 to 200G.

このように、図2の回転検出装置101におけるコイルLc,Ldは、図7および図8に示した回転検出装置80,90の永久磁石2,30に代えて、バイアス磁界を発生するために用いたものである。従って、図2の回転検出装置101では、図7および図8の回転検出装置80,90にあったバイアス磁界を発生するための永久磁石2,30をなくすことができるため、図7および図8の回転検出装置80,90に較べて大幅な小型化が可能である。   As described above, the coils Lc and Ld in the rotation detection device 101 of FIG. 2 are used to generate a bias magnetic field in place of the permanent magnets 2 and 30 of the rotation detection devices 80 and 90 shown in FIGS. It was. Therefore, in the rotation detection device 101 of FIG. 2, the permanent magnets 2 and 30 for generating a bias magnetic field that are the same as those of the rotation detection devices 80 and 90 of FIGS. 7 and 8 can be eliminated. Compared to the rotation detectors 80 and 90, the size can be greatly reduced.

図3は、図1の回転検出装置100のコイルLa,Lbをバイアス磁界の変化の検出に用いる場合の例で、回転検出装置102の模式的な上面図である。   FIG. 3 is an example of the case where the coils La and Lb of the rotation detection device 100 of FIG. 1 are used for detecting a change in the bias magnetic field, and is a schematic top view of the rotation detection device 102.

図3に示す回転検出装置102も、図1に示した回転検出装置100と同様で、回転体1の外周に近接して配置される多層配線基板50bを有しており、該多層配線基板50bにおける回転体1の外周に近接する端部には、多層配線によるコイルLe,Lfが埋め込み形成されている。図3の回転検出装置101におけるコイルLe,Lfは、図7および図8に示した回転検出装置80,90の磁気抵抗素子(MRE)4〜6,11に代えて、図中に細線矢印で示したバイアス磁界B0の変化を計測するために用いられている。すなわち、図3の回転検出装置101では、コイルLe,Lfが、図7および図8に示した永久磁石2,30と同様の永久磁石(図示省略)が発生する、バイアス磁界B0の回転体1の回転に伴う変化を計測する。このように、図3に示す回転検出装置102は、多層配線基板50bに埋め込み形成されたコイルLe,Lfを磁気検出素子として利用するものである。   The rotation detection device 102 shown in FIG. 3 is similar to the rotation detection device 100 shown in FIG. 1, and has a multilayer wiring board 50 b arranged close to the outer periphery of the rotating body 1. The multilayer wiring board 50 b Coils Le and Lf made of multilayer wiring are embedded in the end portion of the rotating body 1 close to the outer periphery. The coils Le and Lf in the rotation detection device 101 of FIG. 3 are indicated by thin line arrows in the drawing instead of the magnetoresistive elements (MRE) 4 to 6 and 11 of the rotation detection devices 80 and 90 shown in FIGS. It is used to measure the change in the indicated bias magnetic field B0. In other words, in the rotation detection device 101 of FIG. 3, the coils Le and Lf have a rotating magnetic body 1 with a bias magnetic field B0 generated by permanent magnets (not shown) similar to the permanent magnets 2 and 30 shown in FIGS. Measure the change with the rotation of. As described above, the rotation detection device 102 shown in FIG. 3 uses the coils Le and Lf embedded in the multilayer wiring board 50b as magnetic detection elements.

図4(a)〜(c)は、コイルを磁気検出素子として利用する場合において、径dと長さxの異なるコイルLg〜Liの出力特性を比較して示した図である。図4(a)〜(c)の各出力特性を比較してわかるように、コイルの径dが小さくなるほど回転に対してシャープな出力時間特性が得られ、コイルの長さxが大きくなるほど高い感度が得られる。   4 (a) to 4 (c) are diagrams comparing the output characteristics of the coils Lg to Li having different diameters d and lengths x when the coils are used as magnetic detection elements. As can be seen by comparing the output characteristics of FIGS. 4A to 4C, the output time characteristics that are sharp with respect to the rotation are obtained as the coil diameter d decreases, and the coil length x increases as the coil length x increases. Sensitivity is obtained.

従って、図3の回転検出装置102では、コイルLe,Lfの径や長さを回転体1の形状や回転速度に合わせて、出力特性を適宜設定することができる。このため、MRE等の他の磁気検出素子に較べて設計自由度が高く、測定対象である回転体1に合わせた最適設計が可能である。   Therefore, in the rotation detection device 102 of FIG. 3, the output characteristics can be appropriately set according to the diameter and length of the coils Le and Lf in accordance with the shape and rotation speed of the rotating body 1. For this reason, the degree of freedom in design is higher than that of other magnetic detection elements such as MRE, and optimum design in accordance with the rotating body 1 to be measured is possible.

図5は、別の回転検出装置の例で、図5(a)は、回転検出装置103の模式的な上面図であり、図5(b)は、図5(a)における一点鎖線C−Cでの断面図である。   FIG. 5 is an example of another rotation detection device, FIG. 5 (a) is a schematic top view of the rotation detection device 103, and FIG. 5 (b) is an alternate long and short dash line C- in FIG. 5 (a). It is sectional drawing in C.

図1の回転検出装置100の多層配線基板50は、シリコン基板51上に層間絶縁膜52を介して金属薄膜からなる配線パターン53が多層に形成され、コイルLa,Lbが、異なる層にある配線パターン53とビアホール内に埋め込み形成された接続導体54とで形成されていた。   In the multilayer wiring board 50 of the rotation detecting device 100 of FIG. 1, a wiring pattern 53 made of a metal thin film is formed on a silicon substrate 51 via an interlayer insulating film 52, and the coils La and Lb are in different layers. The pattern 53 and the connection conductor 54 embedded in the via hole were formed.

これに対して、図5の回転検出装置103の多層配線基板50cは、表面に金属箔からなる配線パターン56が形成された熱可塑性樹脂からなる複数枚の樹脂フィルム55a〜55fが相互に貼り合わされて、配線パターン56が多層に形成されてなる多層配線基板である。多層配線基板50cでは、異なる層にある配線パターン56同士が導電ペーストの焼結体からなる接続導体57で層間接続されており、コイルLj,Lkが該配線パターン56と該接続導体57で形成された構造となっている。回転検出装置103の多層配線基板50cを製造するにあたっては、加熱加圧により配線パターン56が形成された樹脂フィルム55a〜55fの貼り合わせと上記導電ペーストの焼結を一括して行うことができるため、該多層配線基板50cを安価に製造することができる。   On the other hand, in the multilayer wiring board 50c of the rotation detecting device 103 of FIG. 5, a plurality of resin films 55a to 55f made of a thermoplastic resin having a wiring pattern 56 made of a metal foil formed on the surface are bonded to each other. Thus, the wiring pattern 56 is a multilayer wiring board formed in multiple layers. In the multilayer wiring board 50c, the wiring patterns 56 in different layers are connected to each other by a connection conductor 57 made of a sintered body of conductive paste, and the coils Lj and Lk are formed by the wiring pattern 56 and the connection conductor 57. It has a structure. In manufacturing the multilayer wiring board 50c of the rotation detecting device 103, the resin films 55a to 55f on which the wiring patterns 56 are formed can be bonded together and sintered with the conductive paste by heating and pressurizing. The multilayer wiring board 50c can be manufactured at low cost.

尚、図5に示す回転検出装置103も、図1に示した回転検出装置100と同様で、回転体1の外周に近接して配置される多層配線基板50cを有しており、該多層配線基板50cにおける回転体1の外周に近接する端部には、多層配線によるコイルLj,Lkが埋め込み形成されている。従って、図5に示す回転検出装置103も、図1に示した回転検出装置100と同様に、電磁石としての利用や磁気検出素子としての利用が可能であり、バイアス磁界を発生するために用いたり、バイアス磁界の変化を計測するために用いたりすることが可能であることは言うまでもない。   The rotation detection device 103 shown in FIG. 5 is also similar to the rotation detection device 100 shown in FIG. 1, and has a multilayer wiring board 50c disposed in the vicinity of the outer periphery of the rotating body 1. Coils Lj and Lk made of multilayer wiring are embedded in the end portion of the substrate 50c close to the outer periphery of the rotating body 1. Therefore, similarly to the rotation detection device 100 shown in FIG. 1, the rotation detection device 103 shown in FIG. 5 can be used as an electromagnet or a magnetic detection element, and can be used to generate a bias magnetic field. Needless to say, it can be used to measure changes in the bias magnetic field.

図6も、別の回転検出装置の例で、図6(a),(b)は、それぞれ、回転検出装置104,105の断面図であり、図6(c)は、回転検出装置104の模式的な上面図である。図6(a)に示す回転検出装置104の断面図は、図6(c)の一点鎖線D−Dにおける断面図に相当する。   FIG. 6 is another example of the rotation detection device. FIGS. 6A and 6B are cross-sectional views of the rotation detection devices 104 and 105, respectively. FIG. It is a typical top view. The cross-sectional view of the rotation detection device 104 shown in FIG. 6A corresponds to the cross-sectional view taken along the alternate long and short dash line DD in FIG.

図6(a),(b)に示す回転検出装置104,105は、それぞれ、図2と図4に示した回転検出装置101,103の構造と比較してわかるように、多層配線基板50d,50eに埋め込み形成されたコイルLl,Lm,Ln,Lo内に、軟磁性体58,59が挿入配置された構造となっている。図6(a)の回転検出装置104のように、シリコン基板上の層間絶縁膜を介して金属薄膜からなる配線パターンとビアホール内に埋め込み形成された接続導体でコイルLl,Lmを形成する場合には、例えば軟磁性体58も薄膜で形成する。また、図6(a)の回転検出装置104のように、複数枚の樹脂フィルムが相互に貼り合わされて形成される多層配線基板50eにおいて異なる層にある配線パターンと導電ペーストの焼結体からなる接続導体でコイルLn,Loを形成する場合には、例えば軟磁性体59をチップ部品として、相互に貼り合わされた複数枚の樹脂フィルム中に埋め込み形成することができる。いずれにおいても、上記軟磁性体58,59をコイルLl,Lm,Ln,Lo内に挿入配置することで、図6(c)のコイルLl,Lmが発生するバイアス磁界Bl,Bmで例示したように、コイルLl,Lm,Ln,Loが発生するバイアス磁界またはコイルLl,Lm,Ln,Loが検出するバイアス磁界を上記軟磁性体58,59で収束し(フラックスゲート型の磁気検出素子)、回転体1の回転状態の検出に効果的に利用することができる。   The rotation detection devices 104 and 105 shown in FIGS. 6A and 6B can be compared with the structures of the rotation detection devices 101 and 103 shown in FIGS. 2 and 4, respectively. The soft magnetic bodies 58 and 59 are inserted and arranged in the coils Ll, Lm, Ln, and Lo embedded in 50e. When the coils Ll and Lm are formed by a wiring pattern made of a metal thin film and a connection conductor embedded in a via hole through an interlayer insulating film on a silicon substrate as in the rotation detection device 104 in FIG. For example, the soft magnetic material 58 is also formed of a thin film. Further, as in the rotation detection device 104 in FIG. 6A, the multilayer wiring board 50e formed by bonding a plurality of resin films to each other is composed of a sintered body of wiring patterns and conductive pastes in different layers. When the coils Ln and Lo are formed with the connection conductor, for example, the soft magnetic material 59 can be embedded as a chip component in a plurality of resin films bonded to each other. In any case, the soft magnetic bodies 58 and 59 are inserted and arranged in the coils Ll, Lm, Ln, and Lo, so that the bias magnetic fields Bl and Bm generated by the coils Ll and Lm in FIG. Furthermore, the bias magnetic field generated by the coils Ll, Lm, Ln, Lo or the bias magnetic field detected by the coils Ll, Lm, Ln, Lo is converged by the soft magnetic bodies 58, 59 (flux gate type magnetic detection element), It can be effectively used to detect the rotational state of the rotating body 1.

以上に例示した回転検出装置100〜105においては、いずれも、多層配線基板50a〜50eに、コイルLa〜Loが2個ずつ形成されていた。これに限らず、コイルは、多層配線基板に1個形成するだけであってもよいが、複数形成するほうがより好ましい。   In the rotation detection devices 100 to 105 exemplified above, two coils La to Lo are formed on each of the multilayer wiring boards 50a to 50e. However, the present invention is not limited to this, and only one coil may be formed on the multilayer wiring board, but it is more preferable to form a plurality of coils.

MRE等の磁気検出素子を回転体の外周に近接して配置し、該磁気検出素子により回転体の回転に伴うバイアス磁界の変化を計測して回転体の回転状態を検出する一般的な回転検出装置にあっては、磁気検出素子を複数とすることで、例えば該複数の磁気検出素子の差動出力を判定することができ、1個の場合より高精度な回転状態の検出が可能である。従って、本発明の回転検出装置において多層配線基板に埋め込み形成されたコイルを例えば磁気検出素子として用いる場合も、コイルを複数とすることで、1個の場合より高精度な回転状態の検出が可能となる。また、コイルを永久磁石の代わりにバイアス磁界を発生するための電磁石として用いる場合についても、上記複数の磁気検出素子のそれぞれにコイルを配置することで、より高精度な回転状態の検出が可能となる。   General rotation detection in which a magnetic detection element such as an MRE is arranged close to the outer periphery of the rotating body, and a change in the bias magnetic field accompanying the rotation of the rotating body is measured by the magnetic detection element to detect the rotating state of the rotating body. In the apparatus, by using a plurality of magnetic detection elements, for example, the differential output of the plurality of magnetic detection elements can be determined, and the rotation state can be detected with higher accuracy than in the case of one. . Therefore, even when a coil embedded in a multilayer wiring board is used as, for example, a magnetic detection element in the rotation detection device of the present invention, by using a plurality of coils, it is possible to detect a rotation state with higher accuracy than a single coil. It becomes. In addition, even when the coil is used as an electromagnet for generating a bias magnetic field instead of a permanent magnet, it is possible to detect the rotational state with higher accuracy by arranging the coil in each of the plurality of magnetic detection elements. Become.

以上のようにして、上記した回転検出装置は、いずれも、回転体の外周に近接して配置され、回転体の回転に伴うバイアス磁界の変化を計測して該回転体の回転状態を検出する回転検出装置であって、小型化が可能で回転体に対する配置自由度が高く、高精度な回転状態の検出が可能な回転検出装置となっている。   As described above, each of the rotation detection devices described above is arranged in the vicinity of the outer periphery of the rotating body, and detects the rotation state of the rotating body by measuring the change in the bias magnetic field accompanying the rotation of the rotating body. The rotation detection device is a rotation detection device that can be reduced in size, has a high degree of freedom in arrangement with respect to a rotating body, and can detect a rotation state with high accuracy.

従って、上記回転検出装置は、小型で高精度な回転状態の検出が要求される車載用の回転検出装置として特に好適である。   Therefore, the rotation detection device is particularly suitable as a vehicle-mounted rotation detection device that is required to detect a small and highly accurate rotation state.

本発明の回転検出装置の一例で、(a)は、回転検出装置100の模式的な上面図であり、(b)は、(a)における一点鎖線A−Aでの断面図である。In the example of the rotation detection device of the present invention, (a) is a schematic top view of the rotation detection device 100, and (b) is a cross-sectional view taken along a dashed line AA in (a). 図1の回転検出装置100のコイルLa,Lbをバイアス磁界の発生に用いる場合の例で、(a)は、回転検出装置101の模式的な上面図であり、(b)は、(a)における一点鎖線B−Bでの断面図である。FIG. 1 is an example in which the coils La and Lb of the rotation detection device 100 of FIG. 1 are used for generating a bias magnetic field, where (a) is a schematic top view of the rotation detection device 101, and (b) is (a). It is sectional drawing in the dashed-dotted line BB in FIG. 図1の回転検出装置100のコイルLa,Lbをバイアス磁界の変化の検出に用いる場合の例で、回転検出装置102の模式的な上面図である。FIG. 2 is a schematic top view of the rotation detection device 102 in an example in which the coils La and Lb of the rotation detection device 100 of FIG. (a)〜(c)は、コイルを磁気検出素子として利用する場合において、径dと長さxの異なるコイルLg〜Liの出力特性を比較して示した図である。(A)-(c) is the figure which compared and showed the output characteristic of the coils Lg-Li from which diameter d differs in length x, when using a coil as a magnetic detection element. 別の回転検出装置の例で、(a)は、回転検出装置103の模式的な上面図であり、(b)は、(a)における一点鎖線C−Cでの断面図である。In another example of the rotation detection device, (a) is a schematic top view of the rotation detection device 103, and (b) is a cross-sectional view taken along one-dot chain line CC in (a). 別の回転検出装置の例で、(a),(b)は、それぞれ、回転検出装置104,105の断面図であり、(c)は、回転検出装置104の模式的な上面図である。In another example of the rotation detection device, (a) and (b) are cross-sectional views of the rotation detection devices 104 and 105, respectively, and (c) is a schematic top view of the rotation detection device 104. 特許文献1に開示された回転検出装置80の主要部の斜視模式図である。It is a perspective schematic diagram of the principal part of the rotation detection apparatus 80 disclosed by patent document 1. FIG. 特許文献2に開示された車載エンジンのクランク角センサ等の回転検出に用いられる回転検出装置で、(a)は、回転検出装置90の断面構造を模式的に示した図であり、(b)は、回転検出装置90の構成部品を模式的に示した分解斜視図である。A rotation detection device used for rotation detection of a crank angle sensor or the like of an in-vehicle engine disclosed in Patent Document 2, (a) schematically shows a cross-sectional structure of the rotation detection device 90, and (b) These are the exploded perspective views which showed typically the component of the rotation detection apparatus 90. FIG.

符号の説明Explanation of symbols

80,90,100〜105 回転検出装置
50,50a〜50e 多層配線基板
La〜Lo コイル
58,59 軟磁性体
1 回転体(ギア)
80, 90, 100 to 105 Rotation detection device 50, 50a to 50e Multi-layer wiring board La to Lo coil 58, 59 Soft magnetic body 1 Rotating body (gear)

Claims (8)

回転体の外周に近接して配置され、前記回転体の回転に伴うバイアス磁界の変化を計測して該回転体の回転状態を検出する回転検出装置であって、
前記回転体の外周に近接して配置される多層配線基板を有してなり、
該多層配線基板における前記回転体の外周に近接する端部に、多層配線によるコイルが埋め込み形成されてなることを特徴とする回転検出装置。
A rotation detection device that is disposed in the vicinity of the outer periphery of the rotating body and measures a change in a bias magnetic field accompanying the rotation of the rotating body to detect the rotating state of the rotating body,
It has a multilayer wiring board arranged close to the outer periphery of the rotating body,
A rotation detecting device, wherein a coil made of a multilayer wiring is embedded in an end portion of the multilayer wiring board close to the outer periphery of the rotating body.
前記多層配線基板が、
シリコン基板上に層間絶縁膜を介して金属薄膜からなる配線パターンが多層に形成され、
異なる層にある前記配線パターン同士がビアホール内に埋め込み形成された接続導体で層間接続されてなる多層配線基板であり、
前記コイルが、
前記配線パターンと前記接続導体とで形成されてなることを特徴とする請求項1に記載の回転検出装置。
The multilayer wiring board is
A wiring pattern made of a metal thin film is formed in multiple layers on the silicon substrate via an interlayer insulating film,
It is a multilayer wiring board in which the wiring patterns in different layers are interlayer-connected with connection conductors embedded in via holes,
The coil is
The rotation detection device according to claim 1, wherein the rotation detection device is formed of the wiring pattern and the connection conductor.
前記多層配線基板が、
表面に金属箔からなる配線パターンが形成された熱可塑性樹脂からなる複数枚の樹脂フィルムが相互に貼り合わされて前記配線パターンが多層に形成され、
異なる層にある前記配線パターン同士が導電ペーストの焼結体からなる接続導体で層間接続されてなる多層配線基板であり、
前記コイルが、
前記配線パターンと前記接続導体とで形成されてなることを特徴とする請求項1に記載の回転検出装置。
The multilayer wiring board is
A plurality of resin films made of a thermoplastic resin having a wiring pattern made of a metal foil formed on the surface are bonded together to form the wiring pattern in multiple layers,
A multilayer wiring board in which the wiring patterns in different layers are interlayer-connected with a connection conductor made of a sintered body of a conductive paste,
The coil is
The rotation detection device according to claim 1, wherein the rotation detection device is formed of the wiring pattern and the connection conductor.
前記コイルが、前記多層配線基板に複数形成されてなることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか一項に記載の回転検出装置。   4. The rotation detection device according to claim 1, wherein a plurality of the coils are formed on the multilayer wiring board. 5. 前記コイル内に、軟磁性体が挿入配置されてなることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか一項に記載の回転検出装置。   The rotation detecting device according to any one of claims 1 to 4, wherein a soft magnetic material is inserted and arranged in the coil. 前記コイルが、前記バイアス磁界を発生するために用いられてなることを特徴とする請求項1乃至5のいずれか一項に記載の回転検出装置。   The rotation detection apparatus according to claim 1, wherein the coil is used to generate the bias magnetic field. 前記コイルが、前記バイアス磁界の変化を計測するために用いられてなることを特徴とする請求項1乃至5のいずれか一項に記載の回転検出装置。   The rotation detection device according to claim 1, wherein the coil is used to measure a change in the bias magnetic field. 前記回転検出装置が、車載用であることを特徴とする請求項1乃至7のいずれか一項に記載の回転検出装置。   The rotation detection device according to claim 1, wherein the rotation detection device is for vehicle use.
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