JP2008293226A - Semiconductor device - Google Patents

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嘉郁 川村
Yoichi Sato
陽一 佐藤
Takashi Koba
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a semiconductor device capable of dealing with a memory circuit for attaining a variable logic function, as a circuit equivalent to a logic circuit, and capable of providing the variable logic function with a small chip occupation area. <P>SOLUTION: This semiconductor device is provided with a plurality of function reconstitution cells having respectively the memory circuit (20) and a control circuit (21) in order to attain the variable logic function, and controls autonomously a read address of the memory circuit for storing a truth value data. The control circuit can perform random-access to a data field (27_D) and a control field (27_C), based on address information supplied from an interface control circuit, in the first operation mode, feedback-inputs control information (DAT_C) from the control field read together with the data field, in the second operation mode, and allows logic operation, by repeating operations for updating sequentially the read addresses of the data field and the control field according to input logic control information. <P>COPYRIGHT: (C)2009,JPO&INPIT

Description

本発明は記憶回路を用いて可変可能に論理機能を実現することができる半導体装置に関し、例えばプログラマブルに周辺機能を実現することができる可変論理モジュールを備えた半導体データ処理装置に適用して有効な技術に関する。   The present invention relates to a semiconductor device capable of variably realizing a logic function using a memory circuit, and is effective when applied to, for example, a semiconductor data processing device including a variable logic module capable of realizing a peripheral function in a programmable manner. Regarding technology.

可変論理モジュール若しくは可変論理デバイス(リコンフィギュラブルデバイス)としてPLD(プログラマブル・ロジック・デバイス)若しくはFPLD(フィールドPLD)が既に利用されている。代表的なPLDとしてはFPGA(フィールド・プログラマブル・ゲート・アレイ)などのプログラマブル・デバイスがある。FPGAはルックアップ・テーブルを基本にしてそれにフリップ・フロップを併せ持たせたCLB(コンフィギャラブル・ロジック・ブロック)をMOSスイッチでプログラマブルに接続させて大規模ロジックを構成するものである。FPGAは基本的に書き換え可能な論理回路と可変スイッチ回路を持たせた素子である。特許文献1にはFPGAについて記載がある。FPGAの基本である論理回路は例えば4入力のLUT(ルック・アップ・テーブル)で構成され、最終段にF/F(フリップ・フロップ)を有し、それを2段2層の論理構造で持っている。これをCLBと呼んでいる。例えば、1メガ(M)ゲート相当をプログラマブルに論理を構成するためには1キロ(k)以上のCLBを集合させ、このCLBの論理情報をSRAM(スタティック・ランダム・アクセス・メモリ)に持たせて書き換え可能にしている。これらのCLBはお互いの接続をプログラマブルにする為にスイッチマトリックスを有している。そのスイッチは方向性を持たせる為に、6MOSのスイッチMOSで構成され、このスイッチMOSのオン/オフ制御情報もSRAMに持たせているので、1Mゲート相当に対して1.7Mビット程度の情報量が必要である。また、特許文献2にはメモリに所定の真理値データを格納させることによって任意の論理を構成可能な複数の可変論理回路をマトリクス状に配置し、それらをX、Y方向の配線に可変スイッチ回路で可変可能に接続するようにした半導体装置について記載がある。   As a variable logic module or a variable logic device (reconfigurable device), a PLD (programmable logic device) or an FPLD (field PLD) has already been used. A typical PLD is a programmable device such as an FPGA (Field Programmable Gate Array). The FPGA is based on a look-up table, and CLB (configurable logic block), which has flip-flops on it, is connected by a MOS switch in a programmable manner to constitute a large-scale logic. The FPGA is basically an element having a rewritable logic circuit and a variable switch circuit. Patent Document 1 describes FPGA. The logic circuit that is the basis of the FPGA is composed of, for example, a 4-input LUT (Look Up Table), has an F / F (Flip-Flop) at the final stage, and has a 2-stage 2-layer logic structure. ing. This is called CLB. For example, in order to programmably configure the logic equivalent to 1 mega (M) gate, CLB of 1 kilo (k) or more is assembled and the logical information of this CLB is held in SRAM (Static Random Access Memory). Can be rewritten. These CLBs have a switch matrix to make their connections programmable. In order to provide directionality, the switch is composed of 6 MOS switch MOS, and the on / off control information of the switch MOS is also provided in the SRAM. A quantity is needed. Further, in Patent Document 2, a plurality of variable logic circuits capable of configuring arbitrary logic by storing predetermined truth value data in a memory are arranged in a matrix, and these are arranged as variable switch circuits in wiring in the X and Y directions. There is a description of a semiconductor device that is variably connected to the device.

特開平04−242825号公報Japanese Patent Laid-Open No. 04-242825 特開2003−149300号公報JP 2003-149300 A

しかしながら上記FPGAに代表されるように多数のCLBをスイッチマトリクスを用いて接続することによって可変論理モジュールを構成する場合には、必要な論理規模の増大にしたがってCLBの数やスイッチマトリクスのスイッチ素子が多くなり、実装面積の改善に限界のあることが本発明者によって見出された。すなわち、複雑な論理やシーケンスをプログラムする場合には必要な論理規模に比例して多数のスイッチマトリクスを用いて多数のCLBの接続を設定しなければならない。SRAMに論理構成用の真理値データを格納するとき、SRAMからリードした真理値データを単に論理構成のためのスタティックな情報としてしか利用しない場合には、必要な論理規模に比例してSRAMの記憶容量を増大しなければならない。また、従来技術においては、周辺回路のような実回路に可変論理モジュールを適用することについて何ら着眼されていない。   However, when a variable logic module is configured by connecting a large number of CLBs using a switch matrix, as represented by the above-mentioned FPGA, the number of CLBs and the switch elements of the switch matrix are changed as the required logic scale increases. The inventors have found that there is a limit to improvement of the mounting area. That is, when programming a complicated logic or sequence, it is necessary to set a large number of CLB connections using a large number of switch matrices in proportion to the required logical scale. When storing truth value data for logical configuration in the SRAM, if the truth value data read from the SRAM is only used as static information for the logical configuration, the SRAM storage is proportional to the required logical scale. Capacity must be increased. In the prior art, no consideration is given to applying the variable logic module to an actual circuit such as a peripheral circuit.

本発明の目的は、可変論理機能を実現するための記憶回路を論理回路と等価な回路として扱うことができる半導体装置を提供することにある。   An object of the present invention is to provide a semiconductor device capable of handling a memory circuit for realizing a variable logic function as a circuit equivalent to a logic circuit.

本発明の別の目的は、小さなチップ占有面積で可変論理機能を実現可能な半導体装置を提供することにある。   Another object of the present invention is to provide a semiconductor device capable of realizing a variable logic function with a small chip occupation area.

本発明の前記並びにその他の目的と新規な特徴は本明細書の記述及び添付図面から明らかになるであろう。   The above and other objects and novel features of the present invention will be apparent from the description of this specification and the accompanying drawings.

本願において開示される発明のうち代表的なものの概要を簡単に説明すれば下記の通りである。   The following is a brief description of an outline of typical inventions disclosed in the present application.

すなわち、本発明に係る半導体装置は、可変論理機能を実現するためにそれぞれ記憶回路と制御回路を有する複数の機能再構成セルを備え、真理値データを格納する記憶回路の読み出しアドレスを機能再構成セルの記憶情報によって自律的に制御する。例えば前記制御回路は、第1動作モードでは前記インタフェース制御回路から供給されるアドレス情報に基づいて前記データフィールドと制御フィールドをランダムアクセス可能とし、第2動作モードでは前記データフィールドと一緒にリードされた制御フィールドからの制御情報を帰還入力し、入力した制御情報に従ってデータフィールド及び制御フィールドのリードアドレスを順次更新する動作を繰り返してロジック動作を可能とする。これにより、可変論理機能を実現するための記憶回路を論理回路と等価な回路として扱うことができるから、実現可能な論理構成や論理規模に融通性を得ることができ、また、小さなチップ占有面積で大きな論理規模にも対応可能な可変論理機能を実現可能になる。   That is, a semiconductor device according to the present invention includes a plurality of function reconfigurable cells each having a memory circuit and a control circuit to realize a variable logic function, and a function reconfiguration of a read address of a memory circuit storing truth value data It is controlled autonomously by the stored information of the cell. For example, the control circuit can randomly access the data field and the control field based on address information supplied from the interface control circuit in the first operation mode, and is read together with the data field in the second operation mode. The control information from the control field is fed back and the operation of sequentially updating the data field and the read address of the control field according to the input control information is repeated to enable the logic operation. As a result, the memory circuit for realizing the variable logic function can be handled as a circuit equivalent to the logic circuit, so that flexibility in the realizable logic configuration and logic scale can be obtained, and a small chip occupation area can be obtained. This makes it possible to implement variable logic functions that can handle large logic scales.

本願において開示される発明のうち代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば下記のとおりである。   The effects obtained by the representative ones of the inventions disclosed in the present application will be briefly described as follows.

すなわち、可変論理機能を実現するための記憶回路を論理回路と等価な回路として扱うことができる。   That is, a memory circuit for realizing a variable logic function can be handled as a circuit equivalent to a logic circuit.

また、小さなチップ占有面積で可変論理機能を実現可能になる。また、論理機能をダイナミックに再構成することが容易になる。   In addition, a variable logic function can be realized with a small chip occupation area. Further, it becomes easy to dynamically reconfigure the logic function.

1.実施の形態の概要
先ず、本願において開示される発明の代表的な実施の形態について概要を説明する。代表的な実施の形態についての概要説明で括弧を付して参照する図面中の参照符号はそれが付された構成要素の概念に含まれるものを例示するに過ぎない。
1. First, an outline of a typical embodiment of the invention disclosed in the present application will be described. Reference numerals in the drawings referred to in parentheses in the outline description of the representative embodiments merely exemplify what are included in the concept of the components to which the reference numerals are attached.

〔1〕本発明の代表的な実施の形態に係る半導体装置は、記憶回路(20)と制御回路(21)を有する複数の機能再構成セル(10)と、アクセス要求に応答して前記機能再構成セルを制御するインタフェース制御回路(13〜17)とを備える。前記記憶回路は前記制御回路から出力されるアドレス情報に基づいてアクセス可能なデータフィールド(27_D)と制御フィールド(27_C)を有する。前記制御回路は、第1動作モードでは前記インタフェース制御回路から供給されるアドレス情報に基づいて前記データフィールドと制御フィールドをランダムアクセス可能とし、第2動作モードでは前記データフィールドと一緒にリードされた制御フィールドからの制御情報(DAT_C)を帰還入力し、入力した制御情報に従ってデータフィールド及び制御フィールドのリードアドレスを順次更新する動作を繰り返してロジック動作を可能とする。   [1] A semiconductor device according to a representative embodiment of the present invention includes a plurality of function reconfigurable cells (10) having a memory circuit (20) and a control circuit (21), and the function in response to an access request. Interface control circuits (13 to 17) for controlling the reconfigurable cells. The memory circuit has a data field (27_D) and a control field (27_C) accessible based on address information output from the control circuit. The control circuit enables random access to the data field and the control field based on address information supplied from the interface control circuit in the first operation mode, and the control read together with the data field in the second operation mode. The control information (DAT_C) from the field is fed back and the operation of sequentially updating the data field and the read address of the control field according to the input control information is repeated to enable the logic operation.

上記より、記憶回路の読み出しを機能再構成セルの記憶情報に従って自律的に制御することができるから、可変論理機能を実現するための記憶回路を論理回路と等価な回路として扱うことができる。したがって、実現可能な論理構成や論理規模に融通性を得ることができ、また、小さなチップ占有面積で大きな論理規模にも対応可能な可変論理機能を実現可能になる。   As described above, since the reading of the memory circuit can be autonomously controlled according to the memory information of the function reconfigurable cell, the memory circuit for realizing the variable logic function can be handled as a circuit equivalent to the logic circuit. Therefore, it is possible to obtain flexibility in the feasible logic configuration and logic scale, and it is possible to realize a variable logic function that can cope with a large logic scale with a small chip occupation area.

一つの具体的な形態として、前記インタフェース制御回路は、アドレス信号の上位側情報を用いて対応する前記機能再構成セルを指定し、これによって指定された機能再構成セルの前記制御回路は、前記第1モードでは前記アドレス信号の下位側情報を用いて対応するデータフィールドと制御フィールドを指定する。これによってデータフィールドと制御フィールドがランダムアクセスされる。また、前記第2モードでは帰還入力された制御情報に従ってデータフィールドと制御フィールドに対するリードアドレス更新の順次進行、リードアドレスの初期値復帰、又はリードアドレス更新の停止を制御する。これによって、記憶回路の記憶情報に従ったロジック動作が行われる。   As one specific form, the interface control circuit designates the corresponding function reconfigurable cell using the higher-order side information of the address signal, and the control circuit of the function reconfigurable cell designated thereby In the first mode, the corresponding data field and control field are designated using the lower-order information of the address signal. As a result, the data field and the control field are randomly accessed. Further, in the second mode, the sequential control of read address update, return of the initial value of the read address, or stop of the read address update is controlled in accordance with the control information inputted in feedback. Thereby, a logic operation according to the storage information of the storage circuit is performed.

更に具体的な形態として、前記インタフェース制御回路は前記リードアドレス更新を停止したとき割込み信号(IRQ)を出力する。これにより、割込み応答処理に基づいてロジック動作の結果を外部から容易に取得することができる。   As a more specific form, the interface control circuit outputs an interrupt signal (IRQ) when the read address update is stopped. Thereby, the result of the logic operation can be easily acquired from the outside based on the interrupt response process.

別の具体的な形態として、前記複数の機能再構成セルは、アドレス信号の上位側情報を用いて指定された前記機能再構成セルの前記データフィールドと制御フィールドのランダムアクセスに用いる第1バス(MBUS)と、アドレス信号の上位側情報を用いて指定された前記機能再構成セルの前記ロジック動作に用いる第2バス(LBUS)とに共通接続される。情報の入出力形態が相違されるランダムアクセス動作とロジック動作に応じた入出力制御を容易化することが可能になる。   As another specific form, the plurality of function reconfigurable cells may include a first bus used for random access of the data field and the control field of the function reconfigurable cell specified by using higher-order information of an address signal. MBUS) and a second bus (LBUS) used for the logic operation of the function reconfigurable cell designated by using higher-order information of the address signal. It becomes possible to facilitate the input / output control according to the random access operation and the logic operation in which the information input / output modes are different.

更に具体的な形態として、前記記憶回路とは異なるアドレスにマッピングされ前記第2バスに接続されたバッファレジスタ(MBuff)を有し、アクセス要求に応答して前記インタフェース制御回路が前記バッファレジスタの出力動作を制御する。ロジック動作による動作結果を、メモリマップドIOと同様のレジスタアクセスによって取得することが可能になる。   As a more specific form, it has a buffer register (MBuff) mapped to an address different from that of the storage circuit and connected to the second bus, and the interface control circuit outputs the output of the buffer register in response to an access request. Control the behavior. The operation result by the logic operation can be acquired by register access similar to the memory mapped IO.

別の具体的な形態として、前記機能再構成セルは、前記データフィールド及び制御フィールドから読出された情報を他の機能再構成セル又は前記第2のバスに伝達する経路を可変可能に選択する接続経路選択回路(22〜23)を更に有する。複数の機能再構成セルを直列的又は並列的に動作させてロジック動作される動作形態を容易に実現できるようになる。このとき、前記接続経路選択回路は、例えば前記経路を選択するスイッチ回路(22)と、前期スイッチ回路のスイッチ状態を決定するスイッチ制御情報(DAT_R)を書換え可能に保持する接続用記憶回路(23)とを備えて構成される。   In another specific form, the function reconfigurable cell is configured to variably select a path for transmitting information read from the data field and the control field to another function reconfigurable cell or the second bus. It further has a route selection circuit (22-23). It is possible to easily realize an operation mode in which a plurality of function reconfigurable cells are operated in series or in parallel to perform logic operation. At this time, the connection path selection circuit, for example, a switch circuit (22) that selects the path and a connection storage circuit (23) that retains rewritable switch control information (DAT_R) that determines the switch state of the previous switch circuit. ).

〔2〕本発明の別の実施の形態に係る半導体装置は、アクセス要求主体となり得るロジック回路(2)と、前記ロジック回路からのアクセス要求に応答して動作する機能再構成メモリ(8)とを有する。前記機能再構成メモリは、記憶回路(20)と制御回路(21)を有する複数の機能再構成セル(10)と、前記ロジック回路からのアクセス要求に応答して機能再構成セルを制御するインタフェース制御回路(13〜17)と、を備える。前記記憶回路は前記半導体装置のアドレス空間中に前記ロジック回路からメモリとしてアクセス可能にアドレス割付(第1のアドレス範囲)をされると共に、ロジック動作をさせるために必要な情報の入出力のためにIOとしてアクセス可能にアドレス割付(第2のアドレス範囲)される。また前記記憶回路は前記制御回路から出力されるアドレス情報に基づいてアクセス可能なデータフィールドと制御フィールドを有する。前記制御回路は、第1動作モードでは前記インタフェース制御回路から供給されるアドレス情報に基づいて前記データフィールドと制御フィールドをランダムアクセス可能とし、第2動作モードでは前記データフィールドと一緒にリードされた制御フィールドからの制御情報を帰還入力し、入力した制御情報に従ってデータフィールド及び制御フィールドのリードアドレスを順次更新する動作を繰り返してロジック動作を可能とする。上記同様に、可変論理機能を実現するための記憶回路を論理回路と等価な回路として扱うことができ、実現可能な論理構成に融通性があり、小さなチップ占有面積で大きな論理規模にも対応可能な可変論理機能を実現可能になる。アクセス要求主体とは例えば中央処理装置やダイレクト・メモリ・アクセス・コントローラ等のバスマスタモジュールである。   [2] A semiconductor device according to another embodiment of the present invention includes a logic circuit (2) that can be an access request subject, and a function reconfiguration memory (8) that operates in response to an access request from the logic circuit. Have The function reconfigurable memory includes a plurality of function reconfigurable cells (10) having a storage circuit (20) and a control circuit (21), and an interface for controlling the function reconfigurable cells in response to an access request from the logic circuit. And a control circuit (13-17). The memory circuit is assigned an address (first address range) so that it can be accessed as a memory from the logic circuit in the address space of the semiconductor device, and for input / output of information necessary for performing a logic operation. An address is allocated (second address range) so as to be accessible as an IO. The storage circuit has a data field and a control field accessible based on address information output from the control circuit. The control circuit enables random access to the data field and the control field based on address information supplied from the interface control circuit in the first operation mode, and the control read together with the data field in the second operation mode. The control information from the field is fed back and the operation of sequentially updating the read address of the data field and the control field according to the input control information is repeated to enable the logic operation. Similarly to the above, the memory circuit for realizing the variable logic function can be handled as a circuit equivalent to the logic circuit, the logic configuration that can be realized is flexible, and it can support a large logic scale with a small chip occupation area. Variable logic functions can be realized. The access request subject is, for example, a bus master module such as a central processing unit or a direct memory access controller.

一つの具体的な形態として、前記ロジック回路は前記第1動作モードを指定するための前記第1のアドレス範囲に対するライトアクセス要求を行なうことにより、そのアクセス要求に係るアドレスが割り当てられている機能再構成セルの前記記憶回路をメモリとしてアクセスして、前記機能再構成セルの記憶回路に所定の論理機能を実現するための情報を書き込む。これにより、アクセス要求主体は第1のアドレス範囲のアドレスを指定するランダムアクセスによって記憶回路に書き込みを行って機能再構成セルの論理構成を定義することができる。   As one specific form, the logic circuit performs a write access request for the first address range for designating the first operation mode, whereby a function reassignment to which an address related to the access request is assigned. The memory circuit of the constituent cell is accessed as a memory, and information for realizing a predetermined logic function is written in the memory circuit of the function reconfigurable cell. Thereby, the access request subject can define the logical configuration of the function reconfigurable cell by writing to the storage circuit by random access designating the address in the first address range.

また、前記ロジック回路は前記第2の動作モードを指定するための前記第2のアドレス範囲にリードアクセス要求を行なうことにより、そのアクセス要求に係るアドレスの機能再構成セルに前記ロジック動作を開始させる。これにより、アクセス要求主体は論理機能が設定された機能再構成セルによる論理動作を開始させることができる。   Further, the logic circuit makes a read access request to the second address range for designating the second operation mode, thereby causing the function reconfigurable cell of the address related to the access request to start the logic operation. . Thereby, the access request subject can start the logical operation by the function reconfigurable cell in which the logical function is set.

また、前記ロジック動作により機能再構成セルが出力する情報を保持すると共に第3のアドレス範囲にマッピングされたバッファレジスタを更に有する。前記ロジック回路は前記第3のアドレス範囲に対するリードアクセス要求を行なって前記ロジック動作による結果を前記バッファレジスタからリードする。これにより、アクセス要求主体は、第2のアドレス範囲のアドレスを指定することにより、機能再構成セルによるロジック動作の結果を、メモリマップドIOと同様のレジスタアクセスによって簡単に取得することができる。   The information processing apparatus further includes a buffer register that holds information output from the function reconfigurable cell by the logic operation and is mapped to the third address range. The logic circuit makes a read access request for the third address range and reads the result of the logic operation from the buffer register. Thereby, the access request subject can easily obtain the result of the logic operation by the function reconfigurable cell by register access similar to the memory mapped IO by designating the address in the second address range.

前記記憶回路に対するランダムアクセス用のアドレスマッピング(第1のアドレス範囲)に対し、機能設定された機能再構成セルによる論理動作結果を取得するために機能再構成セルに割り当てたメモリマップドI/Oアドレスのようなリードアドレス(第3のアドレス範囲のアドレス)を個別化することにより、機能再構成セルに対する論理機能をダイナミックに再構成してもそれによる論理動作結果を取得するためのリードアドレスに変更を生ぜず、機能再構成セルに対する論理機能をダイナミックに再構成することが容易になる。   A memory mapped I / O assigned to a function reconfigurable cell in order to obtain a logical operation result by a function reconfigurable cell with a function set for address mapping (first address range) for random access to the memory circuit By individualizing the read address (address in the third address range) such as an address, even if the logic function for the function reconfigurable cell is dynamically reconfigured, the read address for acquiring the logic operation result is obtained. It is easy to dynamically reconfigure logic functions for function reconfigurable cells without causing changes.

2.実施の形態の詳細
実施の形態について更に詳述する。
2. Details of Embodiments Embodiments will be further described in detail.

図2には本発明の一例に係るデータプロセッサ(DPCU)1が例示される。同図に示されるデータプロセッサは、特に制限されないが、相補型MOS集積回路製造技術により単結晶シリコンのような1個の半導体基板に形成されている。   FIG. 2 illustrates a data processor (DPCU) 1 according to an example of the present invention. The data processor shown in the figure is not particularly limited, but is formed on a single semiconductor substrate such as single crystal silicon by a complementary MOS integrated circuit manufacturing technique.

データプロセッサ1は、特に制限されないが、プログラムに従って命令をフェッチして実行する中央処理装置(CPU)2、CPU2が実行するプログラム等が格納されたリード・オンリ・メモリ(ROM)3、CPU2のワーク領域等に用いられるランダム・アクセス・メモリ(RAM)4、外部インタフェース回路(EXIO)5、バスステートコントローラ(BSC)6、割込みコントローラ(INTC)7及び機能再構成メモリ(RCFGM)8を有し、それらは内部バス(IBUS)9に接続される。CPU2等のバスマスタモジュールがアクセス要求を発行すると、BSC6はそのアクセス要求に係る回路のマッピングアドレスに応じて、バス制御ストローブ信号等を出力して、アクセスに必要なバスサイクル数や並列データビット数等のバス制御を行う。   The data processor 1 is not particularly limited, but includes a central processing unit (CPU) 2 that fetches and executes instructions according to a program, a read-only memory (ROM) 3 that stores programs executed by the CPU 2, and a work of the CPU 2 A random access memory (RAM) 4, an external interface circuit (EXIO) 5, a bus state controller (BSC) 6, an interrupt controller (INTC) 7 and a function reconfigurable memory (RCFGM) 8 used for areas and the like; They are connected to an internal bus (IBUS) 9. When a bus master module such as the CPU 2 issues an access request, the BSC 6 outputs a bus control strobe signal or the like according to the mapping address of the circuit related to the access request, and the number of bus cycles or the number of parallel data bits necessary for access Performs bus control.

前記機能再構成メモリ8はCPU2等により内部バス9から書き込まれた論理機能設定情報(コンフィグレーション情報)に従って可変可能に論理機能が設定され、設定された論理機能に対してデータの入出力が可能にされる。   The function reconfigurable memory 8 is variably set in accordance with logic function setting information (configuration information) written from the internal bus 9 by the CPU 2 or the like, and data can be input / output to / from the set logic function. To be.

同図には割込み信号としてINTが代表的に示され、割込みコントローラ7は割込み信号に対する割り込みマスク制御や優先レベル制御を行って割込み信号を受け付け、受け付けた割込み信号に応ずるベクタを発行すると共に、CPU2に割込み要求信号IRQを発行し、前記ベクタが示す割込み処理プログラムをCPU2に実行させる。   In the figure, INT is representatively shown as an interrupt signal, and the interrupt controller 7 performs interrupt mask control and priority level control on the interrupt signal, receives the interrupt signal, issues a vector corresponding to the received interrupt signal, and CPU 2 Interrupt request signal IRQ is issued to cause CPU 2 to execute the interrupt processing program indicated by the vector.

機能再構成メモリ8はマトリクス状に配置された複数の機能再構成セル10を有する。更に、外部からのアクセス要求に応答して前記機能再構成セル10を制御するインタフェース制御回路として、バスインタフェース(BUSIF)13、アクセス制御回路(ACCNT)14、入力回路(INP)15、出力回路(OUTP)16、及びアドレスデコーダ(ADEC)17を備える。機能再構成セル10はCPU2等により内部バス9からランダムアクセスにより書き込まれた論理機能用のコンフィグレーション情報に従って可変可能に論理機能が設定される。例えば、FIFOバッファ、16ビットパルス幅変調回路、8ビットパルス幅変調回路、シリアル送信ユニット、シリアル受信ユニット等の論理機能が設定されている。論理機能が設定されない残りの機能再構成セル10は内部バス9を介してランダムアクセス可能な内部メモリとして利用可能にされる。アドレスデコーダ17はアドレス信号で指定される機能再構成セルを選択する選択信号CEX,CEYを生成する。選択信号CEX,CEYによって選択された機能再構成セルは外部から制御を受けて動作可能にされる。設定された論理動作に用いるプリセットデータの書込み、論理動作結果のデータリードは内部バス9経由で行われる。   The function reconfigurable memory 8 has a plurality of function reconfigurable cells 10 arranged in a matrix. Further, as an interface control circuit for controlling the function reconfigurable cell 10 in response to an access request from the outside, a bus interface (BUSIF) 13, an access control circuit (ACCNT) 14, an input circuit (INP) 15, an output circuit ( OUTP) 16 and an address decoder (ADEC) 17. In the function reconfigurable cell 10, the logic function is variably set according to the configuration information for the logic function written by random access from the internal bus 9 by the CPU 2 or the like. For example, logical functions such as a FIFO buffer, a 16-bit pulse width modulation circuit, an 8-bit pulse width modulation circuit, a serial transmission unit, and a serial reception unit are set. The remaining function reconfigurable cells 10 to which no logic function is set are made available as an internal memory that can be randomly accessed via the internal bus 9. The address decoder 17 generates selection signals CEX and CEY for selecting the function reconfigurable cell specified by the address signal. The function reconfigurable cell selected by the selection signals CEX and CEY is made operable under the control of the outside. Writing of preset data used for the set logical operation and data reading of the logical operation result are performed via the internal bus 9.

図1には機能再構成セル10の一例が示される。機能再構成セル10は記憶回路(MRY)20、制御回路(MCONT)21、経路選択用のスイッチ回路(RTSW)22及び経路選択レジスタ(RTREG)23を有する。マトリクス配置された機能再構成セル10のアレイ内には、機能再構成セル10の行単位でアドレスバスABUS、メモリバスMBUS及びロジックバスLBUSが配置される。   An example of a function reconfigurable cell 10 is shown in FIG. The function reconfigurable cell 10 includes a memory circuit (MRY) 20, a control circuit (MCONT) 21, a path selection switch circuit (RTSW) 22, and a path selection register (RTREG) 23. In the array of function reconfigurable cells 10 arranged in matrix, an address bus ABUS, a memory bus MBUS, and a logic bus LBUS are arranged in units of rows of the function reconfigurable cells 10.

スイッチ回路22は、上下の隣接行に配置された同一列の機能再構成セルのスイッチ回路22に接続可能にされると共に、同一行に配置された次段の機能再構成セル10の制御回路21と、ロジックバスLBUSに接続可能にされる。何れの接続形態を採るかは経路選択レジスタ23にセットされるスイッチ制御情報に従ってプログラマブルにされる。   The switch circuit 22 can be connected to the switch circuit 22 of the function reconfigurable cell in the same column arranged in the upper and lower adjacent rows, and the control circuit 21 of the function reconfigurable cell 10 in the next stage arranged in the same row. To the logic bus LBUS. Which connection form is adopted is programmable according to switch control information set in the route selection register 23.

前記記憶回路20は例えばシングルポートのスタティック・ランダム・アクセスメモリ(SRAM)によって構成される。記憶回路20は制御回路21から供給されるアドレス信号によってアクセスされるデータフィールド(DFLD)27_Dと制御フィールド(CFLD)27_Cを有する。アドレスデコーダ(SDEC)28は入力されるアドレス信号をデコードして、データフィールド(DFLD)27_D及び制御フィールド(CFLD)27_Cの夫々からアクセス単位のメモリセルを選択する。夫々の機能再構成セル10には記憶回路20の記憶容量分のアドレスがマッピングされる。マッピングされたアドレスの上位側が機能再構成セル10の選択情報、当該アドレスの下位側が記憶回路20内におけるアクセス単位の選択情報(ADD)とみなされる。前記アドレスの上位側アドレス情報がアドレスデコーダ17でデコードされることによって前記選択信号CEX,CEYが生成される。制御回路21は、対応する機能再構成セルの選択信号CEX,CEYにより選択されることによって活性化される。R/Wはリード・ライト信号(メモリモード、レジスタ設定モードではR/Wが有効であるが、ロジックモード時はリードのみ有効となる)、CLKは機能再構成セル10の同期クロック信号、MODはモード信号である。   The storage circuit 20 is constituted by, for example, a single port static random access memory (SRAM). The memory circuit 20 has a data field (DFLD) 27_D and a control field (CFLD) 27_C that are accessed by an address signal supplied from the control circuit 21. The address decoder (SDEC) 28 decodes an input address signal and selects a memory cell in an access unit from each of the data field (DFLD) 27_D and the control field (CFLD) 27_C. Addresses corresponding to the storage capacity of the storage circuit 20 are mapped to each function reconfigurable cell 10. The higher order side of the mapped address is regarded as selection information of the function reconfigurable cell 10, and the lower order side of the address is regarded as access unit selection information (ADD) in the storage circuit 20. The selection signals CEX and CEY are generated by the upper address information of the address being decoded by the address decoder 17. The control circuit 21 is activated by being selected by the selection signals CEX and CEY of the corresponding function reconfigurable cell. R / W is a read / write signal (R / W is valid in the memory mode and register setting mode, but only read is valid in the logic mode), CLK is a synchronous clock signal of the function reconfigurable cell 10, and MOD is Mode signal.

活性化された制御回路21は、モード信号MODによってメモリモードが指定されているとき、図3に例示されるように、アドレスバスABUSからの下位側アドレス情報ADDで指定される記憶回路20の記憶領域に対して、リード・ライト信号R/Wに従って、リード動作、又はライト動作を制御する。リードデータはメモリバスMBUSに出力され、ライトデータはメモリバスMBUSから供給される。2点鎖線は当該動作モードにおける主な信号の流れを意味する。   When the memory mode is designated by the mode signal MOD, the activated control circuit 21 stores the storage circuit 20 designated by the low-order address information ADD from the address bus ABUS as illustrated in FIG. A read operation or a write operation is controlled for the area in accordance with the read / write signal R / W. Read data is output to the memory bus MBUS, and write data is supplied from the memory bus MBUS. A two-dot chain line means a main signal flow in the operation mode.

制御回路21が選択信号CEX,CEYにより活性化されたとき、モード信号MODによってロジックモードが指定される(周辺回路に対する動作イネーブルビットのセット動作の指示に対応する)。このとき、図4に例示されるように、制御回路21は記憶回路20の先頭アドレスに対するリード動作を開始し、リードされた制御フィールド27_Cからのロジック制御情報DAT_Cを帰還入力し、帰還入力したロジック制御情報DAT_Cに従ってデータフィールド27_D及び制御フィールド27_Cのリードアドレスを順次更新する動作を繰り返すことによって、ロジック動作を制御する。前記ロジック動作におけるアドレスの順次更新動作は、例えばロジック制御情報の値に応じた、リードアドレス更新の順次進行、リードアドレスの初期値復帰、又はリードアドレス更新の停止である。制御回路21からのリード動作指示と記憶回路20からのリード動作、リードされた情報の制御回路21への帰還入力、の動作を繰り返すことから、配線遅延等の影響によりロジック動作中の動作が同期クロックCLKの1サイクル動作に間に合わないことも考えられる。制御回路21は記憶回路20へのリード動作指示を同期クロックCLKの1サイクル〜1/2サイクル先行して発行するように制御することで、記憶回路20からのリード動作と帰還入力に基づく次のアクセスアドレス判定をパイプライン化することが可能となる。データフィールド27_Dから読出された情報DAT_DがロジックバスLBUSを介して出力回路16の出力データレジスタ(MBuff)にロードされるようにスイッチ回路22が設定されている場合、ロジックモードにおける論理動作の結果は、出力回路16の前記出力データレジスタに対するメモリマップドIOレジスタアクセスと同様のCPU2によるレジスタリード動作によって取得可能である。即ち、制御回路21が選択信号CEX,CEYにより活性化されたとき、モード信号MODによってロジックモードが指定されること(周辺回路のメモリマップドIOレジスタに対するリード動作の指示に対応する)によって読出し可能にされる。   When the control circuit 21 is activated by the selection signals CEX and CEY, the logic mode is designated by the mode signal MOD (corresponding to the instruction for setting the operation enable bit for the peripheral circuit). At this time, as illustrated in FIG. 4, the control circuit 21 starts a read operation with respect to the head address of the memory circuit 20, inputs the logic control information DAT_C from the read control field 27_C, and inputs the feedback input logic. The logic operation is controlled by repeating the operation of sequentially updating the read addresses of the data field 27_D and the control field 27_C according to the control information DAT_C. The sequential address update operation in the logic operation is, for example, sequential progress of read address update, return of the initial value of the read address, or stop of read address update in accordance with the value of the logic control information. Since the operation of the read operation from the control circuit 21, the read operation from the storage circuit 20, and the feedback input of the read information to the control circuit 21 are repeated, the operation during the logic operation is synchronized due to the influence of wiring delay and the like. It is also conceivable that the one-cycle operation of the clock CLK is not in time. The control circuit 21 controls so that the read operation instruction to the storage circuit 20 is issued in advance of 1 cycle to 1/2 cycle of the synchronous clock CLK, so that the next operation based on the read operation from the storage circuit 20 and the feedback input is performed. It is possible to pipeline access address determination. When the switch circuit 22 is set so that the information DAT_D read from the data field 27_D is loaded to the output data register (MBuff) of the output circuit 16 via the logic bus LBUS, the result of the logic operation in the logic mode is It can be obtained by a register read operation by the CPU 2 similar to the memory mapped IO register access to the output data register of the output circuit 16. That is, when the control circuit 21 is activated by the selection signals CEX and CEY, it can be read by designating the logic mode by the mode signal MOD (corresponding to the read operation instruction to the memory mapped IO register of the peripheral circuit). To be.

制御回路21が選択信号CEX,CEYにより活性化されたとき、モード信号MODによってレジスタ設定モードが指定され且つリード・ライト信号R/Wによりライト動作が指示されている場合は、図5に例示されるように、制御回路21は対応する経路選択レジスタ23を選択してロジックバスLBUSからの接続制御情報DAT_Rを経路選択レジスタ23に格納する。経路選択レジスタ23に格納された接続制御情報DAT_Rはスイッチ回路22に供給されて経路選択を決定する。更に経路選択レジスタ23に格納された接続制御情報DAT_Rは制御回路21にも供給され、ロジック制御情報DAT_Cの帰還入力及びロジックバスLBUSからの入力を遮断選択してメモリモードだけで利用される機能再構成セル10の制御回路21に無用な情報が入力されるのを遮断し、また、メモリバスMBUSからの入力を遮断選択してロジックモードだけで利用される機能再構成セル10の制御回路21に無用な情報が入力されるのを遮断するようにされる。かかる制御により機能再構成セルのロジック動作の誤動作防止に役立つ。   When the control circuit 21 is activated by the selection signals CEX and CEY, the register setting mode is designated by the mode signal MOD and the write operation is instructed by the read / write signal R / W is illustrated in FIG. As described above, the control circuit 21 selects the corresponding path selection register 23 and stores the connection control information DAT_R from the logic bus LBUS in the path selection register 23. The connection control information DAT_R stored in the route selection register 23 is supplied to the switch circuit 22 to determine route selection. Further, the connection control information DAT_R stored in the path selection register 23 is also supplied to the control circuit 21, and the function re-use that is used only in the memory mode by selecting the feedback input of the logic control information DAT_C and the input from the logic bus LBUS. Blocking the input of unnecessary information to the control circuit 21 of the configuration cell 10 and selecting to block the input from the memory bus MBUS to the control circuit 21 of the function reconfigurable cell 10 used only in the logic mode. The input of unnecessary information is blocked. Such control is useful for preventing malfunction of the logic operation of the function reconfigurable cell.

上記機能再構成セル10によれば、記憶回路20の読み出しを機能再構成セル10が保持するロジック制御情報によって自律的に制御することができる。例えば、前記制御回路21は記憶回路20の次の読出しアドレスを先に記憶回路20から読出した制御フィールドCFDLの情報DAT_Cに基づいて歩進させるか、初期値に復帰させるか、又は停止させるかを自律的に制御することが可能である。これにより、可変論理機能を実現するための記憶回路20を論理回路と等価な回路として扱うことができる。したがって、実現可能な論理構成や論理規模に融通性を得ることができ、また、小さなチップ占有面積で大きな論理規模にも対応可能な可変論理機能を実現可能になる。   According to the function reconfigurable cell 10, reading of the memory circuit 20 can be autonomously controlled by the logic control information held by the function reconfigurable cell 10. For example, the control circuit 21 determines whether to advance the next read address of the storage circuit 20 based on the information DAT_C of the control field CFDL previously read from the storage circuit 20, return to the initial value, or stop. It can be controlled autonomously. Thereby, the memory circuit 20 for realizing the variable logic function can be handled as a circuit equivalent to the logic circuit. Therefore, it is possible to obtain flexibility in the feasible logic configuration and logic scale, and it is possible to realize a variable logic function that can cope with a large logic scale with a small chip occupation area.

図6には機能再構成メモリ8の全体的な構成が例示される。同図において25は機能再構成セル10のアレイである。アドレスバスABUSは図示を省略してある。入力回路15はメモリバス及びアドレスバス用入力回路(MINP)15_Mとロジックバス用入力回路(LINP)15_Lとによって構成される。入力回路15_Mはバスインタフェース回路13にメイン入力メモリアドレスバスGIMABを介して接続され、メイン入力メモリアドレスバスGIMABを選択的にメモリバスMBUS及びアドレスバスABUSに接続する入力セレクタスイッチMSWを有する。入力回路15_Lはバスインタフェース回路13にメイン入力ロジックバスGILBを介して接続され、メイン入力ロジックバスGILBを選択的にロジックバスLBUSに接続する入力セレクタスイッチLSWを有する。出力回路16はメモリバス用出力回路(MOUTP)16_Mとロジックバス用出力回路16_Lとによって構成される。出力回路16_Mは各メモリバスMBUSに対応してデータ出力レジスタMBuffを有し、メモリリードデータを一時的に保持し、保持されたリードデータは選択的にメイン出力データバスGOMABに出力可能にされる。出力回路16_Lは各ロジックバスMBUSに対応してデータ出力レジスタLBuffを有し、ロジックデータを一時的に保持し、保持されたロジックデータは選択的にメイン出力ロジックバスGOLBに出力可能にされる。特に制限されないがデータ出力レジスタLBuff及び前記経路選択レジスタ23はメモリマップドIOレジスタとされる。   FIG. 6 illustrates the overall configuration of the function reconfiguration memory 8. In the figure, reference numeral 25 denotes an array of function reconfigurable cells 10. The address bus ABUS is not shown. The input circuit 15 includes a memory bus and address bus input circuit (MINP) 15_M and a logic bus input circuit (LINP) 15_L. The input circuit 15_M is connected to the bus interface circuit 13 via the main input memory address bus GITAB, and has an input selector switch MSW that selectively connects the main input memory address bus GITAB to the memory bus MBUS and the address bus ABUS. The input circuit 15_L is connected to the bus interface circuit 13 via the main input logic bus GILB, and has an input selector switch LSW that selectively connects the main input logic bus GILB to the logic bus LBUS. The output circuit 16 includes a memory bus output circuit (MOUTP) 16_M and a logic bus output circuit 16_L. The output circuit 16_M has a data output register MBuff corresponding to each memory bus MBUS, temporarily holds memory read data, and the held read data can be selectively output to the main output data bus GOMAB. . The output circuit 16_L has a data output register LBuff corresponding to each logic bus MBUS, temporarily holds the logic data, and the held logic data can be selectively output to the main output logic bus GOLB. Although not particularly limited, the data output register LBuff and the path selection register 23 are memory mapped IO registers.

前記アドレスデコーダ17はアドレス信号ADRSをデコードして選択信号CEX,CEYを生成する。このとき、前記メモリモードではアドレスデコーダ17は選択信号CEYで選択する列に対応する入力セレクタスイッチMSWを選択信号SBSで選択動作させ、リード動作が指定されているときは更にデータ出力レジスタMBuffの出力動作を選択信号SBSで選択する。前記ロジックモードではアドレスデコーダ17は選択信号CEYで選択する列に対応するデータ出力レジスタLBuffの出力動作を選択信号SBSで選択する。前記レジスタ設定モードではアドレスデコーダ17は選択信号CEYで選択する列に対応する入力セレクタスイッチLSWを選択信号SBSで選択動作させ、対応するロジックバスLBUS経由で経路選択レジスタ23に接続制御情報をセット可能にする。   The address decoder 17 decodes the address signal ADRS to generate selection signals CEX and CEY. At this time, in the memory mode, the address decoder 17 selects the input selector switch MSW corresponding to the column selected by the selection signal CEY with the selection signal SBS, and further outputs the data output register MBuff when the read operation is designated. The operation is selected by the selection signal SBS. In the logic mode, the address decoder 17 selects the output operation of the data output register LBuff corresponding to the column selected by the selection signal CEY by the selection signal SBS. In the register setting mode, the address decoder 17 can select the input selector switch LSW corresponding to the column selected by the selection signal CEY with the selection signal SBS, and set the connection control information to the path selection register 23 via the corresponding logic bus LBUS. To.

前記アクセス制御回路14は外部からシステムリセット信号RES及びシステムクロック信号SCLKを受けると共に、前記バスステートコントローラ6から、メモリアクセスストローブ信号MAC、レジスタアクセスストローブ信号RAC、リード信号RD、及びライト信号WTを入力する。特に制限されないが、機能再構成メモリ8において、前記メモリモードのためのマッピングアドレスと、前記ロジックモードのためのマッピングアドレスと、前記レジスタ設定モードのためのマッピングアドレスとは夫々別々にされる。前述のように、ここでは、何れの動作モードにおいても選択信号CEX,CEYを生成するアドレス情報の上位側を共通利用するように、夫々のマッピングアドレスが決められている。CPU2によるアクセス要求があったとき、前記バスステートコントローラ6はアクセス対象アドレスがメモリモードのためのマッピングアドレスに対応する場合はメモリアクセスストローブ信号MACをイネーブルとし、このときライト動作が要求されていればライト信号WTをイネーブルとし、リード動作が要求されていればリード信号RDをイネーブルとし、これによってアクセス制御回路14はモード信号MODとリード・ライト信号R/Wによって前記メモリモードで内部を制御する。このようにして、論理機能を設定するためのコンフィギュレーション情報を機能再構成セル10に設定したり、ロジック動作に用いない機能再構成セルに対するランダムアクセスが可能にされる。また、前記バスステートコントローラ6はアクセス対象アドレスがロジックモードのためのマッピングアドレスに対応する場合はレジスタアクセスストローブ信号RACをイネーブルとし、このときライト動作が要求されていればライト信号WTをイネーブルとし、リード動作が要求されていればリード信号RDをイネーブルとし、これによってアクセス制御回路14はモード信号MODとリード・ライト信号R/Wによって前記レジスタモードで内部を制御する。ちなみに、ライト動作が指示されていれば、アドレスで指定された機能再構成セル10を基点にロジック動作を開始させることができ、リード動作が指示されていれば、アドレスで指定されたデータレジスタMBuffが保持するデータの読出し動作を開始することができる。また、前記バスステートコントローラ6はアクセス対象アドレスがレジスタ設定モードのためのマッピングアドレスに対応する場合はレジスタアクセスストローブ信号RAC及びライト信号WTをイネーブルとし、これによってアクセス制御回路14はモード信号MODとリード・ライト信号R/Wによって前記レジスタ設定モードで内部を制御し、レジスタ23に接続制御情報をセットする動作を開始することができる。   The access control circuit 14 receives a system reset signal RES and a system clock signal SCLK from the outside, and receives a memory access strobe signal MAC, a register access strobe signal RAC, a read signal RD, and a write signal WT from the bus state controller 6. To do. Although not particularly limited, in the function reconfiguration memory 8, the mapping address for the memory mode, the mapping address for the logic mode, and the mapping address for the register setting mode are set separately. As described above, each mapping address is determined so that the upper side of the address information for generating the selection signals CEX and CEY is commonly used in any operation mode. When there is an access request by the CPU 2, the bus state controller 6 enables the memory access strobe signal MAC if the access target address corresponds to the mapping address for the memory mode, and if a write operation is requested at this time The write signal WT is enabled and the read signal RD is enabled if a read operation is required, whereby the access control circuit 14 controls the inside in the memory mode by the mode signal MOD and the read / write signal R / W. In this way, configuration information for setting a logic function is set in the function reconfigurable cell 10, and random access to a function reconfigurable cell that is not used for logic operation is enabled. The bus state controller 6 enables the register access strobe signal RAC when the access target address corresponds to the mapping address for the logic mode, and enables the write signal WT if a write operation is requested at this time. If a read operation is requested, the read signal RD is enabled, whereby the access control circuit 14 controls the inside in the register mode by the mode signal MOD and the read / write signal R / W. Incidentally, if the write operation is instructed, the logic operation can be started based on the function reconfigurable cell 10 specified by the address, and if the read operation is instructed, the data register MBuff specified by the address The reading operation of the data held by can be started. The bus state controller 6 enables the register access strobe signal RAC and the write signal WT when the access target address corresponds to the mapping address for the register setting mode, whereby the access control circuit 14 reads the mode signal MOD and the read signal. The operation of controlling the inside in the register setting mode by the write signal R / W and setting the connection control information in the register 23 can be started.

図7には機能再構成セル10を用いて8ビットカウンタを実現する場合の例を示す。ここに示す例は256カウントを1回行って動作を終了する例である。記憶回路20に設定されるコンフィグレーション情報の例は図8に示される。データフィールド27_Dには先頭アドレス“0から順番に“add+1”の値を保有し、最終アドレス“255”の値はオール0にされる。制御フィールド27_Cには制御フラグA,B,C,Dが格納される。制御フラグAは連続カウント動作について指示し(”1”=カウントする、”0”=カウントしない)を意味し、制御フラグBは繰返しカウント動作について指示し(”1”=繰返しする、”0”=繰返ししない)、制御フラグCはキャリーフラグ(”1”でカウント終了通知)とされ、制御フラグDはトリガ信号(次段にカウンタ追加する場合の開始トリガ)とされる。図9には8ビットカウンタの実装からか動作終了までのフローチャートが例示される。最初に機能再構成メモリ8がリセットされ(S1)、ロジック動作させる機能再構成セルに前記メモリモードでコンフィギュレーション情報の書込みを行う(S2)。図7の例に従えば、図8に例示されるデータ情報DAT_Cとロジック制御情報DAT_Cを対応する機能再構成セル10に書き込む。次いで、レジスタ設定モードでスイッチ回路22による経路と、制御回路21へのロジック制御情報DAT_Cの帰還経路を設定する(S3)。この後、カウンタ動作の対象とされる機能再構成セル10が信号CEX,CEYで選択され、ロジックモードが指定されることを条件に(S4)、当該機能再構成セル10はカウンタ動作を開始する(S5)。カウント動作を開始した機能再構成セル10は帰還されるロジック制御情報DAT_Cにより、フラグA=1が続く限りアドレス歩進によるカウントアップ動作を継続し(S6)、フラグA=0、フラグB=0においてカウントが終了され、フラグC=1によって割込み信号INTが割込みコントローラ7に出力される(S7)。   FIG. 7 shows an example in which an 8-bit counter is realized using the function reconfigurable cell 10. The example shown here is an example in which the operation ends after 256 counts are performed once. An example of configuration information set in the memory circuit 20 is shown in FIG. The data field 27_D has a value of “add + 1” in order from the start address “0”, and the value of the final address “255” is set to all 0. Control flags A, B, C, and D are stored in the control field 27_C. Control flag A indicates a continuous count operation ("1" = counts, "0" = does not count), and control flag B indicates a repeat count operation ("1" = repeates) , “0” = do not repeat), the control flag C is a carry flag (“1” indicates a count end notification), and the control flag D is a trigger signal (a start trigger when a counter is added to the next stage). A flowchart from the implementation of the 8-bit counter to the end of the operation is illustrated in Fig. 9. First, the function reconfiguration memory 8 is reset (S1), and the logic operation is performed. The configuration information is written into the performance reconfigurable cell in the memory mode (S2) According to the example of Fig. 7, the function reconfigurable cell 10 corresponding to the data information DAT_C and the logic control information DAT_C illustrated in Fig. 8 Next, the path by the switch circuit 22 and the feedback path of the logic control information DAT_C to the control circuit 21 are set in the register setting mode (S3) After this, the function reconfigurable cell 10 that is the target of the counter operation. Is selected by signals CEX and CEY and the logic mode is designated (S4), the function reconfigurable cell 10 starts a counter operation (S5). Count-up operation by address step as long as flag A = 1 continues with the feedback logic control information DAT_C Continued (S6), the flag A = 0, the count in the flag B = 0 is finished, an interrupt signal INT is output to the interrupt controller 7 by the flag C = 1 (S7).

図10及び図11には機能再構成セル10を用いて8ビットカウンタを実現する場合の別の例を示す。ここに示す例は256カウントを複数回繰り返す例である。図7及び図8との相違点は、add=254のときフラグB=1とされたコンフィギュレーション情報を記憶回路20に記憶させたことである。図12には当該8ビットカウンタの実装からか動作終了までのフローチャートが例示される。図9との相違点は、カウント動作を開始した機能再構成セル10は帰還されるロジック制御情報DAT_Cにより、フラグA=1が続く限りアドレス歩進によるカウントアップ動作を継続し(S6A)、フラグA=1、フラグB=1においてアドレスaddを初期値に復帰させる(S6B)点である。   FIG. 10 and FIG. 11 show another example when an 8-bit counter is realized using the function reconfigurable cell 10. The example shown here is an example in which 256 counts are repeated a plurality of times. The difference from FIGS. 7 and 8 is that the configuration information in which the flag B = 1 is stored in the storage circuit 20 when add = 254. FIG. 12 illustrates a flowchart from the implementation of the 8-bit counter to the end of the operation. The difference from FIG. 9 is that the function reconfigurable cell 10 that has started the count operation continues the count-up operation by the address step as long as the flag A = 1 continues based on the fed back logic control information DAT_C (S6A). The point is that the address add is returned to the initial value when A = 1 and flag B = 1 (S6B).

以上説明したデータプロセッサ1によれば以下の作用効果がある。   The data processor 1 described above has the following operational effects.

(1)記憶回路20の読み出しを機能再構成セル10のロジック制御情報に従って自律的に制御することができる。したがって、可変論理機能を実現するための記憶回路20を論理回路と等価な回路として扱うことができ、実現可能な論理構成に融通性があり、小さなチップ占有面積で大きな論理規模にも対応可能な可変論理機能を実現可能になる。   (1) Reading of the memory circuit 20 can be autonomously controlled according to the logic control information of the function reconfigurable cell 10. Therefore, the memory circuit 20 for realizing the variable logic function can be handled as a circuit equivalent to the logic circuit, the logic configuration that can be realized is flexible, and it can cope with a large logic scale with a small chip occupation area. A variable logic function can be realized.

(2)CPU2は、機能再構成セル10をメモリモードでランダムアクセスすることによって前記機能再構成セル20に所定の論理機能を実現するためのコンフィギュレーション情報を任意に定義することができる。   (2) The CPU 2 can arbitrarily define configuration information for realizing a predetermined logic function in the function reconfigurable cell 20 by randomly accessing the function reconfigurable cell 10 in the memory mode.

(3)メモリモードにおける機能再構成セル10のランダムアクセス用アドレスマッピングに対し、ロジックモードによる動作結果を格納するレジスタのアドレスマッピングを個別化することにより、機能再構成セル20及びデータレジスタMBuffに対する論理機能をダイナミックに再構成してもそれによる論理動作結果を取得するためのリードアドレス等に変更を生ぜず、機能再構成セル10に対する論理機能をダイナミックに再構成することが容易になる。   (3) For the random access address mapping of the function reconfigurable cell 10 in the memory mode, the address mapping of the register for storing the operation result in the logic mode is individualized, whereby the logic for the function reconfigurable cell 20 and the data register MBuff is determined. Even if the function is dynamically reconfigured, it is easy to dynamically reconfigure the logic function for the function reconfigurable cell 10 without changing the read address or the like for acquiring the logic operation result.

以上本発明者によってなされた発明を実施形態に基づいて具体的に説明したが、本発明はそれに限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において種々変更可能であることは言うまでもない。   Although the invention made by the present inventor has been specifically described based on the embodiments, it is needless to say that the present invention is not limited thereto and can be variously modified without departing from the gist thereof.

例えば、機能再構成セル20、接続用レジスタ23、データレジスタMBuffに対するアドレスマッピングの手法、そして、メモリモード、ロジックモード及びレジスタ設定モード等の動作モードの指定手法は上記の説明に限定されず適宜変更可能である。また、機能再構成メモリが接続するバス構成は上記に限定されず、CPUが接続するCPUバスと、バスステートコントローラを介してCPUバスに接続する周辺バスとに分離された構成であってもよい。マトリクス配置された機能再構成セルとバスの接続形態として、X,Y方向にバスを配置し、X,Yのそれぞれの方向からアドレシングしてバスに接続する接続形態を採用してもよい。機能再構成セルによって実現される周辺機能は上記に限定されず適宜変更可能である。また、CPUに対する所謂周辺機能に限定されない。アクセラレータのようにCPUの負担を軽減する演算機能等を割り当てることも可能である。機能再構成メモリと一緒に半導体装置に搭載される回路は図2に限定されず、半導体集積回路の機能や用途に応じて適宜変更可能である。半導体装置はシングルチップに限定されず、マルチチップをモジュール基板に搭載して封止したシステム・イン・パッケージのような半導体装置にも適用することができる。   For example, the method of address mapping for the function reconfigurable cell 20, the connection register 23, and the data register MBuff, and the method of specifying the operation mode such as the memory mode, the logic mode, and the register setting mode are not limited to the above description, and are appropriately changed. Is possible. The bus configuration to which the function reconfigurable memory is connected is not limited to the above, and may be a configuration in which the CPU is connected to a CPU bus and a peripheral bus is connected to the CPU bus via a bus state controller. . As a connection form between the function reconfigurable cells arranged in matrix and the bus, a connection form in which buses are arranged in the X and Y directions and addressed from the X and Y directions and connected to the bus may be employed. The peripheral functions realized by the function reconfigurable cell are not limited to the above and can be changed as appropriate. Moreover, it is not limited to so-called peripheral functions for the CPU. It is also possible to assign a calculation function or the like that reduces the burden on the CPU, such as an accelerator. The circuit mounted on the semiconductor device together with the function reconfigurable memory is not limited to that shown in FIG. 2, and can be appropriately changed according to the function and application of the semiconductor integrated circuit. The semiconductor device is not limited to a single chip, and can also be applied to a semiconductor device such as a system-in-package in which a multichip is mounted on a module substrate and sealed.

本発明の半導体装置が備える機能再構成セルの一例を示すブロック図である。It is a block diagram which shows an example of the function reconfiguration cell with which the semiconductor device of this invention is provided. 本発明の一例に係るデータプロセッサのブロック図である。It is a block diagram of a data processor according to an example of the present invention. モード信号MODによってメモリモードが指定されたときの機能再構成セルにおける主な信号の流れを示すブロック図である。It is a block diagram which shows the main signal flows in the function reconfiguration cell when the memory mode is designated by the mode signal MOD. モード信号MODによってロジックモードが指定されたときの機能再構成セルにおける主な信号の流れを示すブロック図である。It is a block diagram which shows the main signal flows in the function reconfiguration cell when a logic mode is designated by the mode signal MOD. モード信号MODによってレジスタ設定モードが指定されたときの機能再構成セルにおける主な信号の流れを示すブロック図である。It is a block diagram which shows the main signal flows in the function reconfiguration cell when the register setting mode is designated by the mode signal MOD. 機能再構成メモリの全体的な構成が例示するブロック図である。It is a block diagram which illustrates the whole structure of a function reconfiguration memory. 256カウントを1回行って動作を終了する8ビットカウンタを機能再構成セルで実現する場合の例を示す概略構成図である。It is a schematic block diagram which shows the example in the case of implement | achieving an 8-bit counter which performs 256 count once and complete | finishes an operation | movement with a function reconfigurable cell. 図7の機能再構成セルの記憶回路に設定される機能構成情報を例示する説明図である。It is explanatory drawing which illustrates the function structure information set to the memory circuit of the function reconfigurable cell of FIG. 図7の8ビットカウンタの実装からか動作終了までを示すフローチャートである。It is a flowchart which shows from mounting of the 8-bit counter of FIG. 256カウントを複数回繰り返す8ビットカウンタを機能再構成セルで実現する場合の例を示す概略構成図である。It is a schematic block diagram which shows the example in the case of implement | achieving the 8-bit counter which repeats 256 counts in multiple times with a function reconfiguration | reconstruction cell. 図10の機能再構成セルの記憶回路に設定される機能構成情報を例示する説明図である。FIG. 11 is an explanatory diagram illustrating function configuration information set in the memory circuit of the function reconfigurable cell in FIG. 10. 図10の8ビットカウンタの実装からか動作終了までを示すフローチャートである。It is a flowchart which shows from the implementation of the 8-bit counter of FIG. 10 to the end of the operation.

符号の説明Explanation of symbols

1 データプロセッサ1
2 中央処理装置(CPU)
6 バスステートコントローラ(BSC)
7 割込みコントローラ(INTC)
8 機能再構成メモリ(RCFGM)
9 内部バス(IBUS)
INT 割込み信号
10 機能再構成セル
13 バスインタフェース(BUSIF)
14 アクセス制御回路(ACCNT)
15 入力回路(INP)
16 出力回路(OUTP)
17 アドレスデコーダ(ADEC)
20 記憶回路(MRY)
21 制御回路(MCONT)
22 経路選択用のスイッチ回路(RTSW)
23 経路選択レジスタ(RTREG)
ABUS アドレスバス
MBUS メモリバス
LBUS ロジックバス
27_D データフィールド(DFLD)
27_C 制御フィールド(CFLD)
28 アドレスデコーダ(SDEC)
CEX,CEY 選択信号
R/W リード・ライト信号
CLK 同期クロック信号
MOD モード信号
DAT_D データ情報
DAT_C ロジック制御情報
DAT_R 接続制御情報
1 Data processor 1
2 Central processing unit (CPU)
6 Bus state controller (BSC)
7 Interrupt controller (INTC)
8 Function reconfiguration memory (RCFGM)
9 Internal bus (IBUS)
INT interrupt signal 10 function reconfigurable cell 13 bus interface (BUSIF)
14 Access control circuit (ACCNT)
15 Input circuit (INP)
16 Output circuit (OUTP)
17 Address decoder (ADEC)
20 Memory circuit (MRY)
21 Control circuit (MCONT)
22 Switch circuit (RTSW) for route selection
23 Route selection register (RTREG)
ABUS Address bus MBUS Memory bus LBUS Logic bus 27_D Data field (DFLD)
27_C Control field (CFLD)
28 Address decoder (SDEC)
CEX, CEY selection signal R / W read / write signal CLK synchronous clock signal MOD mode signal DAT_D data information DAT_C logic control information DAT_R connection control information

Claims (14)

記憶回路と制御回路を有する複数の機能再構成セルと、
アクセス要求に応答して前記機能再構成セルを制御するインタフェース制御回路と、を備え、
前記記憶回路は前記制御回路から出力されるアドレス情報に基づいてアクセス可能なデータフィールドと制御フィールドを有し、
前記制御回路は、第1動作モードでは前記インタフェース制御回路から供給されるアドレス情報に基づいて前記データフィールドと制御フィールドをランダムアクセス可能とし、第2動作モードでは前記データフィールドと一緒にリードされた制御フィールドからの制御情報を帰還入力し、入力した制御情報に従ってデータフィールド及び制御フィールドのリードアドレスを順次更新する動作を繰り返してロジック動作を可能とする、半導体装置。
A plurality of function reconfigurable cells having a memory circuit and a control circuit;
An interface control circuit for controlling the function reconfigurable cell in response to an access request,
The storage circuit has a data field and a control field accessible based on address information output from the control circuit,
The control circuit enables random access to the data field and the control field based on address information supplied from the interface control circuit in the first operation mode, and the control read together with the data field in the second operation mode. A semiconductor device capable of performing a logic operation by repeating an operation of feedback-inputting control information from a field and sequentially updating a read address of a data field and a control field according to the input control information.
前記第2動作モードは前記インタフェース制御回路に対する所定の外部イベント信号の活性化によって指定される、請求項1記載の半導体装置。   The semiconductor device according to claim 1, wherein the second operation mode is designated by activation of a predetermined external event signal for the interface control circuit. 前記インタフェース制御回路は、アドレス信号の上位側情報用いて対応する前記機能再構成セルを指定し、これによって指定された機能再構成セルの前記制御回路は、前記第1モードでは前記アドレス信号の下位側情報用いて対応するデータフィールドと制御フィールドを指定し、前記第2モードでは帰還入力された制御情報に従ってデータフィールドと制御フィールドに対するリードアドレス更新の順次進行、リードアドレスの初期値復帰、又はリードアドレス更新の停止を制御する、請求項2記載の半導体装置。   The interface control circuit designates the corresponding function reconfigurable cell using the higher-order side information of the address signal, and the control circuit of the function reconfigurable cell designated by this designates the lower order of the address signal in the first mode. The corresponding data field and control field are specified using the side information, and in the second mode, the read address update for the data field and the control field is sequentially progressed according to the feedback input control information, the initial value of the read address is restored, or the read address The semiconductor device according to claim 2, wherein stop of update is controlled. 前記インタフェース制御回路は前記リードアドレス更新を停止したとき割込み信号を出力する、請求項3記載の半導体装置。   4. The semiconductor device according to claim 3, wherein the interface control circuit outputs an interrupt signal when the read address update is stopped. 前記複数の機能再構成セルは、アドレス信号の上位側情報用いて指定された前記機能再構成セルの前記データフィールドと制御フィールドのランダムアクセスに用いる第1バスと、アドレス信号の上位側情報用いて指定された前記機能再構成セルの前記ロジック動作に用いる第2バスとに共通接続される、請求項3記載の半導体装置。   The plurality of function reconfigurable cells are configured to use a first bus used for random access of the data field and the control field of the function reconfigurable cell designated by using higher-order information of an address signal, and higher-order information of an address signal. 4. The semiconductor device according to claim 3, wherein the semiconductor device is commonly connected to a second bus used for the logic operation of the designated function reconfigurable cell. 前記記憶回路とは異なるアドレスにマッピングされ前記第2バスに接続されたバッファレジスタを有し、
アクセス要求に応答して前記インタフェース制御回路が前記バッファレジスタの出力動作を制御する、請求項5記載の半導体装置。
A buffer register mapped to an address different from the memory circuit and connected to the second bus;
6. The semiconductor device according to claim 5, wherein the interface control circuit controls an output operation of the buffer register in response to an access request.
前記機能再構成セルは、前記データフィールド及び制御フィールドから読出された情報を他の機能再構成セル又は前記第2のバスに伝達する経路を可変可能に選択する接続経路選択回路を更に有する請求項5記載の半導体装置。   The function reconfigurable cell further includes a connection path selection circuit that variably selects a path for transmitting information read from the data field and the control field to another function reconfigurable cell or the second bus. 5. The semiconductor device according to 5. 前記接続経路選択回路は、前記経路を選択するスイッチ回路と、前記スイッチ回路のスイッチ状態を決定するスイッチ制御情報を書換え可能に保持する接続用記憶回路とを有する、請求項7記載の半導体装置。   The semiconductor device according to claim 7, wherein the connection path selection circuit includes a switch circuit that selects the path, and a connection storage circuit that retains rewritable switch control information that determines a switch state of the switch circuit. アクセス要求主体となり得るロジック回路と、前記ロジック回路からのアクセス要求に応答して動作する機能再構成メモリとを備える半導体装置であって、
前記機能再構成メモリは、記憶回路と制御回路を有する複数の機能再構成セルと、前記ロジック回路からのアクセス要求に応答して機能再構成セルを制御するインタフェース制御回路と、を備え、
前記記憶回路は前記制御回路から出力されるアドレス情報に基づいてアクセス可能なデータフィールドと制御フィールドを有し、
前記制御回路は、第1動作モードでは前記インタフェース制御回路から供給されるアドレス情報に基づいて前記データフィールドと制御フィールドをランダムアクセス可能とし、第2動作モードでは前記データフィールドと一緒にリードされた制御フィールドからの制御情報を帰還入力し、入力した制御情報に従ってデータフィールド及び制御フィールドのリードアドレスを順次更新する動作を繰り返してロジック動作を可能とする、半導体装置。
A semiconductor device comprising a logic circuit that can be an access request subject and a function reconfigurable memory that operates in response to an access request from the logic circuit,
The function reconfigurable memory includes a plurality of function reconfigurable cells having a storage circuit and a control circuit, and an interface control circuit that controls the function reconfigurable cells in response to an access request from the logic circuit,
The storage circuit has a data field and a control field accessible based on address information output from the control circuit,
The control circuit enables random access to the data field and the control field based on address information supplied from the interface control circuit in the first operation mode, and the control read together with the data field in the second operation mode. A semiconductor device capable of performing a logic operation by repeatedly performing an operation of feedback-inputting control information from a field and sequentially updating a read address of a data field and a control field according to the input control information.
前記ロジック回路は前記第1動作モードを指定するための前記第1のアドレス範囲に対するリードアクセス要求を行なうことにより、そのアクセス要求に係るアドレスが割り当てられている機能再構成セルの前記記憶回路をランダムアクセスして、前記機能再構成セルの記憶回路に所定の論理機能を実現するための情報を書き込む、請求項9記載の半導体装置。   The logic circuit makes a read access request to the first address range for designating the first operation mode, thereby randomly setting the memory circuit of the function reconfigurable cell to which an address related to the access request is assigned. 10. The semiconductor device according to claim 9, wherein the semiconductor device is accessed to write information for realizing a predetermined logic function in a memory circuit of the function reconfigurable cell. 前記ロジック回路は前記第2動作モードを指定するための前記第2のアドレス範囲に対するライトアクセス要求を行なうことにより、そのアクセス要求に係るアドレスの機能再構成セルに前記ロジック動作を開始させる、請求項10記載の半導体装置。   The logic circuit performs a write access request for the second address range for designating the second operation mode, thereby causing the function reconfigurable cell of an address related to the access request to start the logic operation. 10. The semiconductor device according to 10. 前記ロジック動作により機能再構成セルが出力する情報を保持すると共に第3のアドレス範囲にマッピングされたバッファレジスタを更に有し、
前記ロジック回路は前記第3のアドレス範囲に対するリードアクセス要求を行なって前記ロジック動作による結果を前記バッファレジスタからリードする、請求項11記載の半導体装置。
A buffer register holding information output from the function reconfigurable cell by the logic operation and mapped to a third address range;
12. The semiconductor device according to claim 11, wherein the logic circuit makes a read access request for the third address range and reads a result of the logic operation from the buffer register.
前記インタフェース制御回路は、アドレス信号の上位側情報用いて対応する前記機能再構成セルを指定し、これによって指定された機能再構成セルの前記制御回路は、前記第1モードでは前記アドレス信号の下位側情報用いて対応するデータフィールドと制御フィールドを指定し、前記第2モードでは帰還入力された制御情報に従ってデータフィールドと制御フィールドに対するリードアドレス更新の順次進行、リードアドレスの初期値復帰、又はリードアドレス更新の停止を制御する、請求項9記載の半導体装置。   The interface control circuit designates the corresponding function reconfigurable cell using the higher-order side information of the address signal, and the control circuit of the function reconfigurable cell designated by this designates the lower order of the address signal in the first mode. The corresponding data field and control field are specified using the side information, and in the second mode, the read address update for the data field and the control field is sequentially progressed according to the feedback input control information, the initial value of the read address is restored, or the read address The semiconductor device according to claim 9, wherein the stop of update is controlled. 前記インタフェース制御回路は前記リードアドレス更新を停止したとき割込み信号を出力する、請求項13記載の半導体装置。   14. The semiconductor device according to claim 13, wherein the interface control circuit outputs an interrupt signal when the read address update is stopped.
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