JP2008277518A - Substrate cleaning device and substrate cleaning method - Google Patents

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元宏 河野
Sanenobu Matsunaga
実信 松永
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暁俊 生田
Kunshichiro Tsuji
勲七郎 辻
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a substrate cleaning device and a substrate cleaning method, which are capable of nicely removing foreign matter adhered firmly to the edge part of a substrate without polishing the substrate itself. <P>SOLUTION: The substrate cleaning device 1 removes the foreign matter adhered to the edge part E by abutting an abutting member 32, constituted of an elastic material having a compression elasticity not less than 0.3 MPa and not more than 2.7 MPa, against the edge part E of the substrate W. Accordingly, the foreign matter, such as metallic film, slurry or the like which is adhered firmly to the edge part E, can be removed nicely without polishing the edge part of the substrate W. On the other hand, silica is mixed into the elastic material for constituting the abutting member 32 as an abrasive grain whereby the foreign matter adhered firmly to the edge part E can be removed nicely while peeling the same. <P>COPYRIGHT: (C)2009,JPO&INPIT

Description

本発明は、基板洗浄ブラシを用いた基板処理装置および基板処理方法に関する。処理の対象となる基板には、たとえば、半導体ウエハ、液晶表示装置用基板、プラズマディスプレイ用基板、FED(Field Emission Display)用基板、光ディスク、または磁気ディスクなどが含まれ、特に、半導体ウエハ等の円板形状の基板のエッジ部に付着した異物を除去する基板洗浄装置および基板洗浄方法に関する。   The present invention relates to a substrate processing apparatus and a substrate processing method using a substrate cleaning brush. Substrates to be processed include, for example, semiconductor wafers, liquid crystal display substrates, plasma display substrates, FED (Field Emission Display) substrates, optical disks, magnetic disks, etc. The present invention relates to a substrate cleaning apparatus and a substrate cleaning method for removing foreign matter adhering to an edge portion of a disk-shaped substrate.

従来より、半導体ウエハ等の基板を製造する工程では、基板Wのエッジ部に付着した異物を除去する基板洗浄装置が使用されている。図12は、従来の基板洗浄装置の一例を示した図である。図12の基板洗浄装置は、基板Wを保持部110上に保持しつつ回転させ、回転する基板Wのエッジ部Eに研磨テープ120を当接させることにより、基板Wのエッジ部Eから異物を除去する。研磨テープ120の表面にはダイヤモンド等の砥粒が接着されているため、研磨テープ120は、基板Wのエッジ部Eを研磨しつつエッジ部E上の異物を除去することができる。また、図13は、従来の基板洗浄装置の他の一例を示した図である。図13の基板洗浄装置は、基板Wを保持部210上に保持しつつ回転させ、回転する基板Wのエッジ部Eに樹脂製のブラシ220を当接させることにより、基板Wのエッジ部Eから異物を除去する。   Conventionally, in a process of manufacturing a substrate such as a semiconductor wafer, a substrate cleaning apparatus that removes foreign matter adhering to the edge portion of the substrate W has been used. FIG. 12 is a diagram showing an example of a conventional substrate cleaning apparatus. The substrate cleaning apparatus of FIG. 12 rotates the substrate W while holding it on the holding unit 110, and makes the polishing tape 120 abut against the edge E of the rotating substrate W, thereby removing foreign matter from the edge E of the substrate W. Remove. Since abrasive grains such as diamond are adhered to the surface of the polishing tape 120, the polishing tape 120 can remove foreign matters on the edge portion E while polishing the edge portion E of the substrate W. FIG. 13 is a view showing another example of a conventional substrate cleaning apparatus. The substrate cleaning apparatus of FIG. 13 rotates the substrate W while holding it on the holding unit 210, and brings the resin brush 220 into contact with the edge portion E of the rotating substrate W so that the edge W of the substrate W Remove foreign material.

このような従来の基板洗浄装置については、例えば、特許文献1に開示されている。   Such a conventional substrate cleaning apparatus is disclosed in Patent Document 1, for example.

特開2004−241434号公報JP 2004-241434 A

しかしながら、図12に示した従来の基板洗浄装置は、研磨テープ120によって基板Wのエッジ部E自体を研磨しつつ、エッジ部E上の異物を除去するものであった。このため、研磨により発生した研磨屑を除去するために二次洗浄を行う必要があり、洗浄処理の工程数が増加してしまうという問題があった。   However, the conventional substrate cleaning apparatus shown in FIG. 12 removes foreign matter on the edge portion E while polishing the edge portion E itself of the substrate W with the polishing tape 120. For this reason, it is necessary to perform secondary cleaning in order to remove polishing scraps generated by polishing, and there has been a problem that the number of cleaning processing steps increases.

一方、図13に示した基板洗浄装置では、基板Wのエッジ部Eを研磨してしまうことはないものの、樹脂製のブラシが柔らかすぎるため、金属膜やスラリーのようにエッジ部Eに強固に付着した異物を除去することはできなかった。近年では、搬送時のクロスコンタミネーションを防止するため、基板Wのエッジ部Eに付着したタングステン等の金属膜やCMPプロセスの残渣スラリーを良好に除去したいという技術的要請が高まっている。   On the other hand, in the substrate cleaning apparatus shown in FIG. 13, the edge portion E of the substrate W is not polished, but since the resin brush is too soft, the edge portion E is firmly attached to the edge portion E like a metal film or slurry. The adhered foreign matter could not be removed. In recent years, in order to prevent cross-contamination at the time of transport, there is an increasing technical demand to favorably remove a metal film such as tungsten and a CMP process residue slurry adhering to the edge E of the substrate W.

本発明は、このような事情に鑑みなされたものであり、基板自体を研磨してしまうことなく、基板のエッジ部に強固に付着した異物を良好に除去することができる基板洗浄装置および基板洗浄方法を提供することを目的とする。   The present invention has been made in view of such circumstances, and a substrate cleaning apparatus and a substrate cleaning device that can satisfactorily remove foreign matters firmly adhered to an edge portion of a substrate without polishing the substrate itself. It aims to provide a method.

上記課題を解決するため、請求項1に係る発明は、基板のエッジ部を洗浄する基板洗浄装置であって、基板のエッジ部に当接部材を当接させる当接手段と、基板を保持しつつ当接部材と相対移動させる相対移動手段と、を備え、前記当接部材は、0.3MPa以上かつ2.7MPa以下の圧縮弾性率を有する弾性材料により構成されていることを特徴とする。   In order to solve the above-mentioned problem, an invention according to claim 1 is a substrate cleaning apparatus for cleaning an edge portion of a substrate, comprising a contact means for contacting a contact member to the edge portion of the substrate, and a substrate. And a relative movement means for moving the contact member relative to the contact member, wherein the contact member is made of an elastic material having a compression elastic modulus of 0.3 MPa or more and 2.7 MPa or less.

請求項2に係る発明は、請求項1に記載の基板洗浄装置であって、前記当接部材は、前記弾性材料にシリカを混入させたことを特徴とする。   A second aspect of the present invention is the substrate cleaning apparatus according to the first aspect, wherein the contact member includes silica mixed in the elastic material.

請求項3に係る発明は、請求項2に記載の基板洗浄装置であって、基板の主面にリンス液を供給するリンス液供給手段を更に備え、前記リンス液供給手段は、リンス液として純水を供給することを特徴とする。   The invention according to claim 3 is the substrate cleaning apparatus according to claim 2, further comprising a rinse liquid supply means for supplying a rinse liquid to the main surface of the substrate, wherein the rinse liquid supply means is pure as a rinse liquid. It is characterized by supplying water.

請求項4に係る発明は、請求項1から請求項3までのいずれかに記載の基板洗浄装置であって、非洗浄時に前記当接部材を液体中に浸漬した状態で待機させる待機部を更に備えることを特徴とする。   The invention according to claim 4 is the substrate cleaning apparatus according to any one of claims 1 to 3, further comprising a standby unit that waits in a state in which the contact member is immersed in the liquid at the time of non-cleaning. It is characterized by providing.

請求項5に係る発明は、請求項1から請求項4までのいずれかに記載の基板洗浄装置であって、前記当接手段は、基板のエッジ部の異なる領域に当接する複数の前記当接部材を有することを特徴とする。   A fifth aspect of the present invention is the substrate cleaning apparatus according to any one of the first to fourth aspects, wherein the abutting means is a plurality of the abutments that abut against different regions of the edge portion of the substrate. It has the member.

請求項6に係る発明は、請求項5に記載の基板洗浄装置であって、前記複数の当接部材は、基板のエッジ部の一方の傾斜面に当接する第1当接部材と、基板のエッジ部の頂部に当接する第2当接部材と、基板のエッジ部の他方の傾斜面に当接する第3当接部材と、を含むことを特徴とする。   The invention according to claim 6 is the substrate cleaning apparatus according to claim 5, wherein the plurality of contact members include a first contact member that contacts one inclined surface of the edge portion of the substrate, and a substrate It includes a second contact member that contacts the top of the edge portion and a third contact member that contacts the other inclined surface of the edge portion of the substrate.

請求項7に係る発明は、請求項1から請求項6までのいずれかに記載の基板洗浄装置であって、前記当接部材の当接面を撮影する撮影手段と、前記撮影手段により取得された画像データに基づいて前記当接部材に付着した汚れを検出する検出手段と、を更に備えることを特徴とする。   The invention according to claim 7 is the substrate cleaning apparatus according to any one of claims 1 to 6, wherein the substrate cleaning apparatus is acquired by an imaging unit that images the contact surface of the contact member, and the imaging unit. Detecting means for detecting dirt adhering to the contact member based on the image data.

請求項8に係る発明は、請求項7に記載の基板洗浄装置であって、前記当接手段は、前記検出手段の検出結果に基づいて、基板のエッジ部に対する前記当接部材の当接位置を変更することを特徴とする。   The invention according to claim 8 is the substrate cleaning apparatus according to claim 7, wherein the contact means is a contact position of the contact member with respect to an edge portion of the substrate based on a detection result of the detection means. It is characterized by changing.

請求項9に係る発明は、請求項1から請求項8までのいずれかに記載の基板洗浄装置であって、基板は円形基板であり、前記相対移動手段は、基板を中心軸周りに回転させることにより基板のエッジ部と前記当接部材とを相対移動させることを特徴とする。   The invention according to claim 9 is the substrate cleaning apparatus according to any one of claims 1 to 8, wherein the substrate is a circular substrate, and the relative movement means rotates the substrate around a central axis. Thus, the edge portion of the substrate and the contact member are relatively moved.

請求項10に係る発明は、基板のエッジ部を洗浄する基板洗浄方法であって、基板のエッジ部に当接部材を当接させる当接工程と、前記当接工程を継続しつつ、基板を保持しつつ基板と当接部材を相対移動させる相対移動工程と、を備え、前記当接部材は、0.3MPa以上かつ2.7MPa以下の圧縮弾性率を有する弾性材料により構成されていることを特徴とする。   According to a tenth aspect of the present invention, there is provided a substrate cleaning method for cleaning an edge portion of a substrate, a contact step of contacting a contact member with the edge portion of the substrate, and a substrate while continuing the contact step. A relative movement step of relatively moving the substrate and the contact member while holding the contact member, wherein the contact member is made of an elastic material having a compression elastic modulus of 0.3 MPa or more and 2.7 MPa or less. Features.

請求項11に係る発明は、請求項10に記載の基板洗浄方法であって、前記当接部材は、前記弾性材料にシリカを混入させたことを特徴とする。   According to an eleventh aspect of the present invention, in the substrate cleaning method according to the tenth aspect, the contact member includes silica mixed in the elastic material.

請求項12に係る発明は、請求項11に記載の基板洗浄方法であって、前記当接工程においては、前記基板の主面にリンス液の供給を行うもので、リンス液として純水を供給することを特徴とする。   A twelfth aspect of the present invention is the substrate cleaning method according to the eleventh aspect, wherein in the contact step, a rinse liquid is supplied to the main surface of the substrate, and pure water is supplied as a rinse liquid. It is characterized by doing.

請求項13に係る発明は、請求項10から請求項12までのいずれかに記載の基板洗浄方法であって、前記当接部材を液体中に浸漬した状態で待機させる待機工程を更に備えることを特徴とする。   The invention according to claim 13 is the substrate cleaning method according to any one of claims 10 to 12, further comprising a standby step of waiting in a state where the contact member is immersed in a liquid. Features.

請求項14に係る発明は、請求項10から請求項13までのいずれかに記載の基板洗浄方法であって、前記当接工程においては、複数の前記当接部材がそれぞれ基板のエッジ部の異なる領域に当接することを特徴とする。   The invention according to claim 14 is the substrate cleaning method according to any one of claims 10 to 13, wherein in the contact step, the plurality of contact members have different edge portions of the substrate, respectively. It abuts on the region.

請求項15に係る発明は、請求項14に記載の基板洗浄方法であって、前記複数の当接部材は、基板のエッジ部の一方の傾斜面に当接する第1当接部材と、基板のエッジ部の頂部に当接する第2当接部材と、基板のエッジ部の他方の傾斜面に当接する第3当接部材と、を含むことを特徴とする。   The invention according to claim 15 is the substrate cleaning method according to claim 14, wherein the plurality of contact members include a first contact member that contacts one inclined surface of the edge portion of the substrate, It includes a second contact member that contacts the top of the edge portion and a third contact member that contacts the other inclined surface of the edge portion of the substrate.

請求項16に係る発明は、請求項10から請求項15までのいずれかに記載の基板洗浄方法であって、前記当接部材の当接面を撮影する撮影工程と、前記撮影工程において取得された画像データに基づいて前記当接部材に付着した汚れを検出する汚れ検出工程と、を更に備えることを特徴とする。   The invention according to claim 16 is the substrate cleaning method according to any one of claims 10 to 15, wherein the method is acquired in an imaging step of imaging the contact surface of the contact member, and the imaging step. And a dirt detecting step of detecting dirt adhering to the contact member based on the image data.

請求項17に係る発明は、請求項16に記載の基板洗浄方法であって、前記当接工程においては、前記汚れ検出工程の検出結果に基づいて、基板のエッジ部に対する前記当接部材の当接位置を変更することを特徴とする。   The invention according to claim 17 is the substrate cleaning method according to claim 16, wherein, in the contact step, the contact of the contact member against the edge portion of the substrate is based on a detection result of the dirt detection step. The contact position is changed.

請求項18に係る発明は、請求項10から請求項17までのいずれかに記載の基板洗浄方法であって、基板は円形基板であり、前記相対移動工程においては、基板を中心軸周りに回転させることにより基板のエッジ部と前記当接部材とを相対移動させることを特徴とする。   The invention according to claim 18 is the substrate cleaning method according to any one of claims 10 to 17, wherein the substrate is a circular substrate, and the substrate is rotated around a central axis in the relative movement step. Accordingly, the edge portion of the substrate and the abutting member are moved relative to each other.

請求項1または請求項10に記載の発明によれば、0.3MPa以上かつ2.7MPa以下の圧縮弾性率を有する弾性材料により構成された当接部材を基板のエッジ部に当接させることにより、エッジ部に付着した異物を除去する。このため、基板のエッジ部を研磨してしまうことなくエッジ部に強固に付着した金属膜やスラリー等の異物を良好に除去することができる。   According to the invention described in claim 1 or claim 10, the contact member made of an elastic material having a compression elastic modulus of 0.3 MPa or more and 2.7 MPa or less is brought into contact with the edge portion of the substrate. Remove foreign matter adhering to the edge part. For this reason, it is possible to satisfactorily remove foreign matters such as a metal film and slurry firmly adhered to the edge portion without polishing the edge portion of the substrate.

特に、請求項2または請求項11に記載の発明によれば、シリカを混入させた弾性材料により構成された当接部材を基板のエッジ部に当接させることにより、エッジ部に付着した異物を除去する。このため、基板のエッジ部に付着した異物をより良好に除去することができる。   In particular, according to the invention described in claim 2 or claim 11, by bringing a contact member made of an elastic material mixed with silica into contact with the edge portion of the substrate, foreign matter adhering to the edge portion is removed. Remove. For this reason, the foreign material adhering to the edge part of a board | substrate can be removed more favorably.

特に、請求項3または請求項12に記載の発明によれば、リンス液として純水を供給する。このため、リンス液を除去するための二次洗浄を行う必要はない。   In particular, according to the invention described in claim 3 or claim 12, pure water is supplied as the rinse liquid. For this reason, it is not necessary to perform the secondary cleaning for removing the rinse liquid.

特に、請求項4または請求項13に記載の発明によれば、非洗浄時に当接部材を液体中に浸漬した状態で待機させる。このため、当接部材は、所定の圧縮弾性率を維持することができる。   In particular, according to the invention described in claim 4 or claim 13, the abutting member is kept in a state of being immersed in the liquid when not washed. For this reason, the contact member can maintain a predetermined compression elastic modulus.

特に、請求項5または請求項14に記載の発明によれば、複数の前記当接部材をそれぞれ基板のエッジ部の異なる領域に当接させる。このため、基板のエッジ部の複数の領域に付着した異物をそれぞれ効率よく除去することができる。   In particular, according to the invention described in claim 5 or claim 14, the plurality of contact members are brought into contact with different regions of the edge portion of the substrate, respectively. For this reason, each foreign substance adhering to a plurality of regions of the edge portion of the substrate can be efficiently removed.

特に、請求項6または請求項15に記載の発明によれば、基板のエッジ部の一方の傾斜面、頂部、および他方の傾斜面に付着した異物を、それぞれ効率よく除去することができる。   In particular, according to the invention described in claim 6 or claim 15, foreign substances adhering to one inclined surface, the top portion, and the other inclined surface of the edge portion of the substrate can be efficiently removed.

特に、請求項7または請求項16に記載の発明によれば、当接部材の当接面を撮影し、取得された画像データに基づいて当接部材に付着した汚れを検出する。このため、当接部材上の汚れを情報として認識することができる。   In particular, according to the invention described in claim 7 or claim 16, the contact surface of the contact member is photographed, and the dirt attached to the contact member is detected based on the acquired image data. For this reason, the dirt on the contact member can be recognized as information.

特に、請求項8または請求項17に記載の発明によれば、当接部材の汚れの程度に応じて、基板のエッジ部に対する当接部材の当接位置を変更する。このため、当接部材を交換することなく、当接部材から基板への異物の再付着を防止することができる。   In particular, according to the invention described in claim 8 or claim 17, the contact position of the contact member with respect to the edge portion of the substrate is changed according to the degree of contamination of the contact member. For this reason, it is possible to prevent the reattachment of foreign matter from the contact member to the substrate without replacing the contact member.

特に、請求項9または請求項18に記載の発明によれば、円形基板を中心軸周りに回転させることにより基板のエッジ部と当接部材とを相対移動させる。このため、基板のエッジ部と当接部材とを容易に相対移動させることができる。   In particular, according to the invention described in claim 9 or claim 18, the edge portion of the substrate and the contact member are relatively moved by rotating the circular substrate around the central axis. For this reason, the edge part of a board | substrate and a contact member can be moved relatively easily.

以下、本発明の好適な実施形態について、図面を参照しつつ説明する。   Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.

<1.第1実施形態>
図1は、本発明の第1実施形態に係る基板洗浄装置1の上面図である。また、図2は、基板洗浄装置1を図1のII−II線で切断した縦断面図である。この基板洗浄装置1は、円板形状の基板Wのエッジ部(辺縁部)Eを洗浄することにより、エッジ部Eに付着した金属膜やスラリー等の異物を除去するための装置である。図1および図2に示したように、基板洗浄装置1は、主として、基板保持回転部10と、純水供給部20と、エッジ当接機構30と、制御部40とを備えている。
<1. First Embodiment>
FIG. 1 is a top view of a substrate cleaning apparatus 1 according to the first embodiment of the present invention. 2 is a longitudinal sectional view of the substrate cleaning apparatus 1 cut along the line II-II in FIG. The substrate cleaning apparatus 1 is an apparatus for removing foreign matters such as a metal film and slurry attached to the edge portion E by cleaning the edge portion (edge portion) E of the disk-shaped substrate W. As shown in FIGS. 1 and 2, the substrate cleaning apparatus 1 mainly includes a substrate holding / rotating unit 10, a pure water supply unit 20, an edge contact mechanism 30, and a control unit 40.

基板保持回転部10は、基板Wを水平姿勢に保持しつつ基板Wの主面と垂直な軸を中心として基板Wを回転させるための機構である。図2に示したように、基板保持回転部10は、基板Wを下面側から支持するための支持部11と、支持部11を回転させるための回転駆動機構12とを有している。支持部11は、所定の吸引圧で基板Wの下面に吸着しつつ、基板Wを水平姿勢に固定保持する。回転駆動機構12は、モータ等の駆動源を有しており、支持部11および支持部11上に支持された基板Wを一体として回転させる。基板Wは、その中心を通る鉛直軸の周りに回転するため、回転中の基板Wのエッジ部Eはほぼ同一の軌跡を通る。このように、この実施形態では、支持部11、回転駆動機構12が、本発明の「相対移動手段」として機能している。   The substrate holding / rotating unit 10 is a mechanism for rotating the substrate W around an axis perpendicular to the main surface of the substrate W while holding the substrate W in a horizontal posture. As shown in FIG. 2, the substrate holding / rotating unit 10 includes a support unit 11 for supporting the substrate W from the lower surface side, and a rotation drive mechanism 12 for rotating the support unit 11. The support unit 11 holds the substrate W in a horizontal posture while adsorbing the lower surface of the substrate W with a predetermined suction pressure. The rotation drive mechanism 12 has a drive source such as a motor, and rotates the support portion 11 and the substrate W supported on the support portion 11 as a unit. Since the substrate W rotates around a vertical axis passing through the center thereof, the edge portion E of the rotating substrate W passes through substantially the same locus. Thus, in this embodiment, the support part 11 and the rotation drive mechanism 12 function as the “relative movement means” of the present invention.

純水供給部20は、基板Wの上面(主面)にリンス液としての純水を供給するための機構である。図1および図2に示したように、純水供給部20は、基板保持回転部10の支持部11の上方に配置された吐出ノズル21を有している。また、図2に示したように、吐出ノズル21は、純水供給ライン22を介して純水供給源23と接続されており、純水供給ライン22の経路途中には、開閉弁24が介挿されている。このため、開閉弁24を開放すると、純水供給源23から純水供給ライン22を通って吐出ノズル21へ純水が供給され、吐出ノズル21から基板Wの上面に向けて純水が吐出される。吐出ノズル21は、基板Wのほぼ回転中心に向けて純水を吐出する。このため、基板Wを回転させつつ純水を吐出すると、吐出された純水は、基板Wの回転中心から基板Wの上面全体に拡がりつつ基板Wのエッジ部Eまで供給される。   The pure water supply unit 20 is a mechanism for supplying pure water as a rinsing liquid to the upper surface (main surface) of the substrate W. As shown in FIGS. 1 and 2, the pure water supply unit 20 has a discharge nozzle 21 disposed above the support unit 11 of the substrate holding and rotating unit 10. As shown in FIG. 2, the discharge nozzle 21 is connected to a pure water supply source 23 via a pure water supply line 22, and an on-off valve 24 is interposed in the middle of the path of the pure water supply line 22. It is inserted. For this reason, when the on-off valve 24 is opened, pure water is supplied from the pure water supply source 23 through the pure water supply line 22 to the discharge nozzle 21, and pure water is discharged from the discharge nozzle 21 toward the upper surface of the substrate W. The The discharge nozzle 21 discharges pure water toward substantially the center of rotation of the substrate W. For this reason, when pure water is discharged while rotating the substrate W, the discharged pure water is supplied from the rotation center of the substrate W to the edge E of the substrate W while spreading over the entire upper surface of the substrate W.

エッジ当接機構30は、基板Wのエッジ部Eに対して当接部材32を当接させるための機構である。図1および図2に示したように、エッジ当接機構30は、旋回アーム31と、旋回アーム31の先端に取り付けられた当接部材32と、旋回アーム31を旋回および昇降させるための駆動機構33と、当接部材32を待機させるための待機部34とを有している。旋回アーム31は、遊端側の先端部が下方に屈曲した略L字形の剛性部材であり、その下方に屈曲した先端部の基板W側の面に当接部材32が取り付けられている。また、旋回アーム31の旋回中心側の端部には、駆動機構33が接続されている。駆動機構33は、モータ等を利用した公知の種々の機構により実現される。駆動機構33を動作させると、旋回アーム31は鉛直軸周りに旋回し、旋回アーム31の先端部に取り付けられた当接部材32は、基板Wのエッジ部Eに当接する当接位置(図1中の実線位置)と基板Wのエッジ部Eから離間した待機位置(図1中の仮想線位置)との間で進退移動する。ここで旋回アーム31は当接部材32を基板Wのエッジ部Eに対向する面で保持し、当接位置において旋回アーム31と基板Wのエッジ部Eで当接部材32を挟み込むように構成することで当接部材32の当接状態を良好なものとしている。   The edge contact mechanism 30 is a mechanism for causing the contact member 32 to contact the edge portion E of the substrate W. As shown in FIGS. 1 and 2, the edge contact mechanism 30 includes a swing arm 31, a contact member 32 attached to the tip of the swing arm 31, and a drive mechanism for swinging and lifting the swing arm 31. 33 and a standby part 34 for waiting the contact member 32. The swivel arm 31 is a substantially L-shaped rigid member whose distal end on the free end side is bent downward, and a contact member 32 is attached to the surface of the distal end bent downward on the substrate W side. A drive mechanism 33 is connected to the end of the turning arm 31 on the turning center side. The drive mechanism 33 is realized by various known mechanisms using a motor or the like. When the drive mechanism 33 is operated, the turning arm 31 turns around the vertical axis, and the contact member 32 attached to the tip of the turning arm 31 comes into contact with the edge E of the substrate W (FIG. 1). It moves forward and backward between a standby position (a virtual line position in FIG. 1) that is separated from the edge E of the substrate W. Here, the swing arm 31 is configured to hold the contact member 32 on a surface facing the edge portion E of the substrate W and sandwich the contact member 32 between the swing arm 31 and the edge portion E of the substrate W at the contact position. This makes the contact state of the contact member 32 favorable.

当接部材32は、ポリビニルアセタールやポリウレタン(PU)等の樹脂、またはそれら多孔質体に、フェノール樹脂、メラミン樹脂、エポキシ樹脂、ウレタン樹脂等の熱硬化性樹脂と後述するシリカを混合または含浸することによりその圧縮弾性率が調整された弾性材料により直方形のパッド形状に構成されている。ここで、ポリビニルアセタールはポリビニルアルコール(PVA)の水溶性樹脂にアルデヒド類を反応させ生成する。具体的には、十分に吸水させた状態で0.3MPa以上かつ2.7MPa以下の圧縮弾性率を有する弾性材料が使用されている。圧縮弾性率の測定方法には種々の方法があるが、例えばJISK7181(対応国際規格:ISO604)に規定される試験方法により上記の値を示すものであればよい。当接部材32は、このような圧縮弾性率を有する弾性材料により構成されているため、基板Wのエッジ部Eを研磨してしまうことなくエッジ部Eに強固に付着した異物を良好に除去する機能を有する。なお、当接部材32の形状は、板状のパッド形状であれば直方形に限られるものではなく、円柱状であっても良い。   The abutting member 32 mixes or impregnates a thermosetting resin such as phenol resin, melamine resin, epoxy resin, or urethane resin with silica described later in a resin such as polyvinyl acetal or polyurethane (PU) or a porous body thereof. Thus, a rectangular pad shape is formed of an elastic material whose compression elastic modulus is adjusted. Here, polyvinyl acetal is produced by reacting a water-soluble resin of polyvinyl alcohol (PVA) with an aldehyde. Specifically, an elastic material having a compression elastic modulus of 0.3 MPa or more and 2.7 MPa or less in a sufficiently absorbed state is used. There are various methods for measuring the compression elastic modulus, and any method may be used as long as it exhibits the above value by a test method defined in JIS K7181 (corresponding international standard: ISO604). Since the contact member 32 is made of an elastic material having such a compressive elastic modulus, the foreign matter firmly attached to the edge portion E can be satisfactorily removed without polishing the edge portion E of the substrate W. It has a function. The shape of the abutting member 32 is not limited to a rectangular shape as long as it is a plate-like pad shape, and may be a cylindrical shape.

後述する実施例の結果からも分かるように、当接部材32を構成する弾性材料の圧縮弾性率が0.3MPaより低すぎると、当接部材32の異物に対する除去能力が著しく低下してしまう。また、当接部材32を構成する弾性材料の圧縮弾性率が2.7MPaより高すぎると、当接部材32は、回転する基板Wのエッジ部Eに弾かれてしまい、エッジ部Eに連続して当接することが困難となる。このため、基板Wのエッジ部Eに連続して当接しつつエッジ部Eの異物を良好に除去するためには、適度な圧縮弾性率が必要となる。具体的には、弾性材料の圧縮弾性率は、十分に吸水した状態で、上記のように0.3MPa以上かつ2.7MPa以下であることが望ましく、また、1.3MPaであればより望ましい。   As can be seen from the results of the examples described later, if the compressive elastic modulus of the elastic material constituting the contact member 32 is too lower than 0.3 MPa, the ability of the contact member 32 to remove foreign matter is significantly reduced. If the compression modulus of the elastic material constituting the contact member 32 is too higher than 2.7 MPa, the contact member 32 is repelled by the edge portion E of the rotating substrate W and continues to the edge portion E. It becomes difficult to contact. For this reason, in order to satisfactorily remove the foreign matter on the edge portion E while continuously contacting the edge portion E of the substrate W, an appropriate compression elastic modulus is required. Specifically, the elastic modulus of the elastic material is desirably 0.3 MPa or more and 2.7 MPa or less as described above in a sufficiently absorbed state, and more desirably 1.3 MPa.

また、当接部材32を構成する弾性材料は、良好な吸水性を得るために、その気孔率が25体積%以上かつ90体積%以下であることが望ましく、50体積%以上かつ85体積%以下であればより望ましい。気孔率が25体積%より低いと吸水性が悪く、気孔率が90体積%を超えると弾性材料の強度が低下して使用に耐えられなくなる。また、当接部材32を構成する弾性材料は、基板Wとの摺接に対する良好な異物の除去能力を得るために、その引張破壊ひずみが3%以上かつ300%以下であることが望ましい。引張破壊ひずみが3%より低いと弾性材料の機械強度が低下して使用に耐えられなくなり、引張破壊ひずみが400%を超えると適正な除去能力が得られない。   Further, the elastic material constituting the contact member 32 preferably has a porosity of 25% by volume or more and 90% by volume or less, and 50% by volume or more and 85% by volume or less in order to obtain good water absorption. If so, it is more desirable. If the porosity is lower than 25% by volume, the water absorption is poor, and if the porosity exceeds 90% by volume, the strength of the elastic material is lowered and cannot be used. In addition, the elastic material constituting the contact member 32 desirably has a tensile fracture strain of 3% or more and 300% or less in order to obtain a good foreign matter removal capability against sliding contact with the substrate W. If the tensile fracture strain is lower than 3%, the mechanical strength of the elastic material is lowered and cannot be used, and if the tensile fracture strain exceeds 400%, an appropriate removal capability cannot be obtained.

当接部材32を構成する弾性材料の中には、砥粒としてシリカ(例えば、ヒュームドシリカやコロダイルシリカ)の粒子が混入されている。このため、当接部材32は、基板Wのエッジ部Eと摺接することにより、エッジ部Eに強固に付着した異物を良好に剥離することができる。本実施形態では、異物に対する適度な剥離能力を発揮しつつ、基板Wのエッジ部E自体を研磨してしまうことはないように、平均粒径が1μm以上かつ10μm以下の砥粒を使用している。ここで、シリカの平均粒径が1μmより小さいと異物に対する除去能力が低下してしまい、平均粒径が10μmより大きいと基板自体を研磨して傷をつけてしまう。   In the elastic material constituting the contact member 32, particles of silica (for example, fumed silica or colloidal silica) are mixed as abrasive grains. For this reason, the contact member 32 can peel off the foreign matter firmly attached to the edge portion E by sliding contact with the edge portion E of the substrate W. In the present embodiment, abrasive grains having an average particle diameter of 1 μm or more and 10 μm or less are used so that the edge portion E itself of the substrate W is not polished while exhibiting an appropriate peeling ability against foreign substances. Yes. Here, when the average particle diameter of silica is smaller than 1 μm, the ability to remove foreign substances is lowered, and when the average particle diameter is larger than 10 μm, the substrate itself is polished and scratched.

このような弾性材料は、例えば、ポリビニルアルコールの水溶液に、気孔形成材としての澱粉と、砥粒としてのシリカと、アセタール化剤としてのアルデヒド類とを混合・撹拌し、酸を加えて反応させた後、水洗、乾燥、および熱処理を行うことによりポリビニルアセタール多孔質体として作成することができる。また、主剤としてのポリオール、架橋剤としてのイソシアネート、発泡剤ならびに硬化触媒を混合して金型内にて反応硬化させることによりポリウレタン多孔質体として作製してもよい。また、これらの多孔質体について熱硬化性樹脂を反応前に混合、あるいは反応後の多孔質体に含浸して作製してもよい。ただし、本発明において使用される弾性材料は、このような製造方法により作成されたものに限定されるものではない。   Such an elastic material is, for example, an aqueous solution of polyvinyl alcohol mixed with starch as a pore-forming material, silica as an abrasive, and aldehydes as an acetalizing agent, and reacted by adding an acid. Then, it can be prepared as a polyvinyl acetal porous body by washing with water, drying, and heat treatment. Moreover, you may produce as a polyurethane porous body by mixing the polyol as a main ingredient, the isocyanate as a crosslinking agent, a foaming agent, and a curing catalyst, and making it react and harden | cure in a metal mold | die. Further, these porous bodies may be prepared by mixing a thermosetting resin before the reaction or impregnating the porous body after the reaction. However, the elastic material used in the present invention is not limited to those produced by such a manufacturing method.

図3は、旋回アーム31を基板W側に旋回させ、基板Wのエッジ部Eに当接部材32を当接させたときの状態を示した拡大縦断面図である。当接部材32は弾性材料により構成されているため、当接部材32の平坦な対向面(当接面)が基板Wのエッジ部Eに当接すると、当接部材32の当接面は、ある程度の深さまでエッジ部Eに押し込まれ、エッジ部Eの表面に沿って変形する。これにより、当接部材32は、エッジ部Eの頂部(アペックス部)だけではなく、上下に形成された傾斜面(ベベル部)にも当接することとなる。基板Wを回転させつつ基板Wのエッジ部Eに当接部材32を当接させると、当接部材32はエッジ部Eの頂部および傾斜面に摺接し、エッジ部Eの頂部および傾斜面に付着した異物を剥離する。   FIG. 3 is an enlarged vertical cross-sectional view showing a state where the turning arm 31 is turned to the substrate W side and the contact member 32 is brought into contact with the edge portion E of the substrate W. Since the contact member 32 is made of an elastic material, when the flat opposing surface (contact surface) of the contact member 32 contacts the edge E of the substrate W, the contact surface of the contact member 32 is It is pushed into the edge portion E to a certain depth and deforms along the surface of the edge portion E. Thereby, the contact member 32 will contact | abut not only the top part (apex part) of the edge part E but the inclined surface (bevel part) formed up and down. When the contact member 32 is brought into contact with the edge portion E of the substrate W while rotating the substrate W, the contact member 32 comes into sliding contact with the top portion and the inclined surface of the edge portion E and adheres to the top portion and the inclined surface of the edge portion E. Remove foreign matter.

図1および図2に戻り、待機部34は、非洗浄時に当接部材32を待機させておくための部位である。待機部34は、旋回アーム31の先端部を収容できる程度の内径を有する貯留槽34aを有しており、貯留槽34aの内部には純水が貯留されている。図4は、待機部34付近を図1のIV−IV線で切断した縦断面図である。旋回アーム31を貯留槽34aの上部まで旋回させた状態で、駆動機構33により旋回アーム31を下降させると、図4に示したように、旋回アーム31の先端部および先端部に取り付けられた当接部材32は、貯留槽34aの内部の純水中に浸漬される。当接部材32は、非洗浄時には、このように純水中に浸漬された状態で待機し、純水を十分に吸収することにより、弾性材料の圧縮弾性率を所定の値に維持する。   Returning to FIG. 1 and FIG. 2, the standby part 34 is a part for keeping the contact member 32 on standby when not being cleaned. The standby unit 34 has a storage tank 34a having an inner diameter that can accommodate the tip of the swivel arm 31, and pure water is stored inside the storage tank 34a. 4 is a longitudinal sectional view of the vicinity of the standby unit 34 taken along line IV-IV in FIG. When the swivel arm 31 is lowered by the drive mechanism 33 in a state where the swivel arm 31 is swung to the upper part of the storage tank 34a, as shown in FIG. The contact member 32 is immersed in pure water inside the storage tank 34a. When the abutting member 32 is not washed, the abutting member 32 stands by in such a state that it is immersed in pure water and sufficiently absorbs pure water, thereby maintaining the compression elastic modulus of the elastic material at a predetermined value.

制御部40は、基板洗浄装置1内の各部の動作を制御するためのコンピュータ装置である。図1および図2に示したように、制御部40は、上記の回転駆動機構12、開閉弁24、および駆動機構33と電気的に接続されている。制御部40は、所定のコンピュータプログラムに従って上記の回転駆動機構12、開閉弁24、駆動機構33等の動作を制御することにより、基板Wの洗浄処理を進行させる。   The control unit 40 is a computer device for controlling the operation of each unit in the substrate cleaning apparatus 1. As shown in FIGS. 1 and 2, the control unit 40 is electrically connected to the rotation drive mechanism 12, the on-off valve 24, and the drive mechanism 33 described above. The controller 40 advances the cleaning process of the substrate W by controlling the operations of the rotation drive mechanism 12, the on-off valve 24, the drive mechanism 33, and the like according to a predetermined computer program.

続いて、このような基板洗浄装置1における洗浄処理の流れについて、図5のフローチャートを参照しつつ説明する。この基板洗浄装置1において洗浄処理を行うときには、まず、CMP処理後の基板、メッキ配線工程の後の基板や保護膜形成のCVD直前の基板を図外の搬送ロボットによって搬送し、基板保持回転部10の支持部11上に基板Wを載置し、支持部11の上面に基板Wを吸着保持させる。そして、回転駆動機構12を動作させることにより、基板Wを鉛直軸周りに回転させる(ステップS11)。後段のステップS13において当接部材32を弾いてしまうことなく異物を良好に除去するために、制御部40は、基板Wの回転数が所定の範囲内となるように回転駆動機構12を制御する。例えば、処理対象となる基板Wの直径が200mm程度である場合には、基板Wの回転数を50rpm以上かつ200rpm以下とすることが望ましい。   Next, the flow of the cleaning process in the substrate cleaning apparatus 1 will be described with reference to the flowchart of FIG. When performing the cleaning process in the substrate cleaning apparatus 1, first, the substrate after the CMP process, the substrate after the plating wiring process, and the substrate immediately before the CVD for forming the protective film are transported by a transport robot (not shown), The substrate W is placed on the support portion 11 of the ten and the substrate W is sucked and held on the upper surface of the support portion 11. Then, by operating the rotation drive mechanism 12, the substrate W is rotated about the vertical axis (step S11). In order to satisfactorily remove foreign matter without flipping the contact member 32 in the subsequent step S13, the control unit 40 controls the rotation drive mechanism 12 so that the number of rotations of the substrate W is within a predetermined range. . For example, when the diameter of the substrate W to be processed is about 200 mm, it is desirable that the rotation speed of the substrate W be 50 rpm or more and 200 rpm or less.

次に、基板洗浄装置1は、開閉弁24を開放し、純水供給部20の吐出ノズル21から基板Wの上面に向けて純水を吐出する(ステップS12)。基板Wの上面に吐出された純水は、基板Wの回転中心から基板Wの上面全体に拡がりつつ基板Wのエッジ部Eまで供給され、基板Wのエッジ部Eの表面に沿って液流を形成した後、エッジ部Eの下方へ落下する。   Next, the substrate cleaning apparatus 1 opens the on-off valve 24 and discharges pure water from the discharge nozzle 21 of the pure water supply unit 20 toward the upper surface of the substrate W (step S12). The pure water discharged onto the upper surface of the substrate W is supplied from the rotation center of the substrate W to the edge portion E of the substrate W while spreading over the entire upper surface of the substrate W, and a liquid flow is caused along the surface of the edge portion E of the substrate W. After forming, it falls below the edge portion E.

一方、当接部材32は、貯留槽34aに貯留された純水中に浸漬された状態で待機している(待機工程)。基板Wのエッジ部Eまで純水が行き渡ると、基板洗浄装置1は、駆動機構33を動作させることにより旋回アーム31を上昇させ、貯留槽34aに貯留された純水中から当接部材32を引き上げることで待機工程から当接工程へ移行される。そして、基板洗浄装置1は、旋回アーム31を旋回させることにより、基板Wのエッジ部Eに当接部材32を当接させる当接工程を行う(ステップS13)。当接部材32は、回転する基板Wのエッジ部Eに当接することにより、ある程度(例えば0.5mm程度)の深さまで押し込まれて変形する。そして、当接部材32は、エッジ部Eの頂部および傾斜部と摺接することにより、エッジ部Eに付着した異物を剥離する。即ち、当接部材32のエッジ部Eとの摺接が本発明の相対移動工程に相当する。エッジ部Eから剥離された異物は、エッジ部Eの表面を流れる純水とともに流されて、直ちにエッジ部Eから除去される。このため、一旦剥離した異物が基板Wに再付着することはない。   On the other hand, the contact member 32 is on standby in a state where it is immersed in pure water stored in the storage tank 34a (standby step). When pure water reaches the edge portion E of the substrate W, the substrate cleaning apparatus 1 raises the turning arm 31 by operating the drive mechanism 33 to move the contact member 32 from the pure water stored in the storage tank 34a. By pulling up, the standby process is shifted to the contact process. Then, the substrate cleaning apparatus 1 performs a contact process in which the contact member 32 is brought into contact with the edge portion E of the substrate W by turning the turning arm 31 (step S13). The contact member 32 is pressed to a certain depth (for example, about 0.5 mm) and deformed by contacting the edge E of the rotating substrate W. And the contact member 32 peels the foreign material adhering to the edge part E by slidably contacting with the top part of the edge part E, and an inclination part. That is, the sliding contact with the edge portion E of the contact member 32 corresponds to the relative movement process of the present invention. The foreign matter peeled off from the edge portion E is flowed together with pure water flowing on the surface of the edge portion E, and is immediately removed from the edge portion E. For this reason, the foreign matter once peeled off does not reattach to the substrate W.

所定時間の当接処理が終了すると、基板洗浄装置1は、駆動機構33を動作させることにより旋回アーム31を待機部34側へ旋回させ、当接部材32を基板Wのエッジ部Eから引き離す(ステップS14)。そして、待機位置において旋回アーム31を下降させることにより、貯留槽34aに貯留された純水中に当接部材32を浸漬させる待機工程へ進む。当接部材32は、貯留槽34aの内部において純水を吸収することによりその弾性率を回復しつつ、次回の洗浄処理に備えて待機する。   When the contact process for a predetermined time is completed, the substrate cleaning apparatus 1 operates the drive mechanism 33 to rotate the turning arm 31 toward the standby unit 34 and pulls the contact member 32 away from the edge E of the substrate W ( Step S14). Then, by lowering the swivel arm 31 at the standby position, the process proceeds to a standby process in which the contact member 32 is immersed in the pure water stored in the storage tank 34a. The contact member 32 stands by in preparation for the next cleaning process while recovering its elastic modulus by absorbing pure water inside the storage tank 34a.

その後、基板洗浄装置1は、開閉弁24を閉鎖し、吐出ノズル21から基板Wへの純水の供給を停止する(ステップS15)。そして、基板洗浄装置1は、回転駆動機構12の回転数を上昇させることにより、基板Wを高速回転させ、基板Wの表面に残存する純水を振り切って除去する。すなわち、基板Wに対してスピン乾燥を行う(ステップS16)。所定時間のスピン乾燥が完了すると、基板洗浄装置1は、回転駆動機構12を停止させることにより基板Wの回転を停止させ(ステップS17)、1枚の基板Wに対する洗浄処理を終了する基板洗浄工程が完了する。ここで吐出ノズル21からの純水の吐出を停止するタイミングは、当接部材32が待機位置に達した後に時間をおかずに行っているが、当接部材32のエッジ部Eからの引き離しと同時に停止してもよい。   Thereafter, the substrate cleaning apparatus 1 closes the on-off valve 24 and stops the supply of pure water from the discharge nozzle 21 to the substrate W (step S15). Then, the substrate cleaning apparatus 1 rotates the substrate W at a high speed by increasing the number of rotations of the rotation drive mechanism 12, and shakes off and removes pure water remaining on the surface of the substrate W. That is, spin drying is performed on the substrate W (step S16). When the spin drying for a predetermined time is completed, the substrate cleaning apparatus 1 stops the rotation of the substrate W by stopping the rotation drive mechanism 12 (step S17), and the substrate cleaning process for ending the cleaning process for one substrate W. Is completed. Here, the timing of stopping the discharge of pure water from the discharge nozzle 21 is performed without taking a long time after the contact member 32 reaches the standby position, but simultaneously with the separation of the contact member 32 from the edge portion E. You may stop.

上記のように、本実施形態の基板洗浄装置1は、0.3MPa以上かつ2.7MPa以下の圧縮弾性率を有する弾性材料により構成された当接部材32を、基板Wのエッジ部Eに当接させることにより、エッジ部Eに付着した異物を除去する。このため、基板Wのエッジ部を研磨してしまうことなくエッジ部Eに強固に付着した金属膜やスラリー等の異物を良好に除去することができる。また、当接部材32を構成する弾性材料の中には、砥粒としてのシリカが混入されているため、エッジ部Eに強固に付着した異物を良好に剥離して除去することができる。   As described above, the substrate cleaning apparatus 1 according to the present embodiment applies the contact member 32 made of an elastic material having a compression elastic modulus of 0.3 MPa or more and 2.7 MPa or less to the edge E of the substrate W. By bringing them into contact, the foreign matter adhering to the edge portion E is removed. For this reason, it is possible to satisfactorily remove foreign matters such as a metal film and slurry firmly adhered to the edge portion E without polishing the edge portion of the substrate W. Moreover, since the silica as an abrasive grain is mixed in the elastic material which comprises the contact member 32, the foreign material firmly adhered to the edge part E can be peeled off favorably.

本実施形態の基板洗浄装置1は、基板Wのエッジ部Eを研磨するものではないため、洗浄中に研磨屑等の新たなパーティクルが発生する恐れはない。また、本実施形態では、リンス液として純水が使用されている。したがって、研磨屑やリンス液を除去するための二次洗浄を行う必要はなく、基板洗浄工程を短縮することができる。   Since the substrate cleaning apparatus 1 of the present embodiment does not polish the edge portion E of the substrate W, there is no possibility that new particles such as polishing dust are generated during cleaning. In this embodiment, pure water is used as the rinse liquid. Therefore, it is not necessary to perform secondary cleaning for removing polishing waste and rinsing liquid, and the substrate cleaning process can be shortened.

<2.実施例>
図6は、上記の基板洗浄装置1において、当接部材32を構成する弾性材料の圧縮弾性率を変化させ、それぞれの圧縮弾性率における異物の除去能力を調べた結果を示した図である。ただし、圧縮弾性率が0.01MPaの場合のみ、図13に示した従来の基板洗浄装置による洗浄処理の結果が示されている。圧縮弾性率が0.3〜130MPaの弾性材料の主成分はポリウレタン(ポリウレタン多孔質体)とし、圧縮弾性率が0.01MPaの樹脂(図13のブラシ220の構成材料)の主成分はポリビニルアルコールとした。なお、調査には直径200mmの基板Wを使用し、CVD(chemical vapor deposition)により基板Wのエッジ部Eに形成されたタングステン膜を除去対象異物とした。また、基板Wの回転数は100rpmとした。
<2. Example>
FIG. 6 is a diagram showing the results of examining the foreign substance removal ability at each compression elastic modulus by changing the compression elastic modulus of the elastic material constituting the contact member 32 in the substrate cleaning apparatus 1 described above. However, only when the compression elastic modulus is 0.01 MPa, the result of the cleaning process by the conventional substrate cleaning apparatus shown in FIG. 13 is shown. The main component of the elastic material having a compression modulus of 0.3 to 130 MPa is polyurethane (polyurethane porous body), and the main component of the resin having a compression modulus of 0.01 MPa (the constituent material of the brush 220 in FIG. 13) is polyvinyl alcohol. It was. For the investigation, a substrate W having a diameter of 200 mm was used, and a tungsten film formed on the edge E of the substrate W by CVD (chemical vapor deposition) was used as a foreign object to be removed. Moreover, the rotation speed of the board | substrate W was 100 rpm.

本調査では、図6に示したように、十分に吸水させた状態で0.3〜2.7MPaの圧縮弾性率を有する弾性材料を使用したときに、タングステン膜の良好な除去効果を確認することができた。したがって、少なくとも0.3〜2.7MPaの圧縮弾性率において、基板Wのエッジ部Eを研磨してしまうことなくエッジ部Eからタングステン膜を除去するという従来得ることができなかった効果を得られることが分かった。また、タングステン膜に対する除去能力は、1.3MPa付近において最も向上することも分かった。   In this investigation, as shown in FIG. 6, when an elastic material having a compressive elastic modulus of 0.3 to 2.7 MPa is used in a sufficiently absorbed state, a good removal effect of the tungsten film is confirmed. I was able to. Therefore, at a compression elastic modulus of at least 0.3 to 2.7 MPa, an effect that cannot be obtained in the past can be obtained by removing the tungsten film from the edge portion E without polishing the edge portion E of the substrate W. I understood that. It was also found that the removal capability with respect to the tungsten film was most improved in the vicinity of 1.3 MPa.

<3.第2実施形態>
図7は、本発明の第2実施形態に係る基板洗浄装置2の上面図である。また、図8は、基板洗浄装置2を図7のVIII−VIII線で切断した縦断面図である。本実施形態の基板洗浄装置2は、エッジ当接機構30に代えて第1当接機構51、第2当接機構52、および第3当接機構53が設けられている点を除いて、第1実施形態の基板洗浄装置1と同等の構成を有する。このため、以下では第1当接機構51、第2当接機構52、および第3当接機構53の構成を中心に説明し、他の部分については図7,図8の中に図1,図2と同一の符号を付して重複説明を省略する。
<3. Second Embodiment>
FIG. 7 is a top view of the substrate cleaning apparatus 2 according to the second embodiment of the present invention. FIG. 8 is a longitudinal sectional view of the substrate cleaning apparatus 2 taken along line VIII-VIII in FIG. The substrate cleaning apparatus 2 according to the present embodiment is different from the edge contact mechanism 30 except that a first contact mechanism 51, a second contact mechanism 52, and a third contact mechanism 53 are provided. The configuration is the same as that of the substrate cleaning apparatus 1 according to one embodiment. Therefore, in the following, the configuration of the first contact mechanism 51, the second contact mechanism 52, and the third contact mechanism 53 will be mainly described, and the other parts will be described with reference to FIGS. The same reference numerals as those in FIG.

第1当接機構51は、第1実施形態の当接部材32と同等の弾性材料により構成された第1当接部材51aを有している。第1当接部材51aは第1アーム51bの先端部に取り付けられており、第1アーム51bの他端部には第1駆動機構51cが接続されている。このため、第1駆動機構51cを動作させると、第1アーム51bが進退移動し、第1アーム51bの先端部に取り付けられた第1当接部材51aが基板Wのエッジ部Eに対して当接および離間する。図7および図8に示したように、第1当接部材51aは、基板Wとの当接面が水平方向よりもやや下方を向くような角度、本実施例では具体的に基板Wの主面とのなす角度が45度で傾斜配置されている。このため、第1当接部材51aは、基板Wのエッジ部Eのうち、主として上側の傾斜面(上ベベル面)に対して当接する。   The first contact mechanism 51 has a first contact member 51a made of an elastic material equivalent to the contact member 32 of the first embodiment. The first contact member 51a is attached to the tip of the first arm 51b, and the first drive mechanism 51c is connected to the other end of the first arm 51b. For this reason, when the first drive mechanism 51c is operated, the first arm 51b moves forward and backward, and the first contact member 51a attached to the tip of the first arm 51b contacts the edge E of the substrate W. Touch and separate. As shown in FIGS. 7 and 8, the first contact member 51a has an angle at which the contact surface with the substrate W faces slightly below the horizontal direction, specifically in this embodiment, the main contact member 51a. The angle between the surface and the surface is 45 degrees. For this reason, the first contact member 51a mainly contacts the upper inclined surface (upper bevel surface) of the edge portion E of the substrate W.

第2当接機構52は、第1実施形態の当接部材32と同等の弾性材料により構成された第2当接部材52aを有している。第2当接部材52aは第2アーム52bの先端部に取り付けられており、第2アーム52bの他端部には第2駆動機構52cが接続されている。このため、第2駆動機構52cを動作させると、第2アーム52bが進退移動し、第2アーム52bの先端部に取り付けられた第2当接部材52aが基板Wのエッジ部Eに対して当接および離間する。図7に示したように、第2当接部材52aは、基板Wとの当接面が水平方向を向くように直立配置されている。このため、第2当接部材52aは、基板Wのエッジ部Eのうち、主として頂部(アペックス部)に対して当接する。   The second contact mechanism 52 has a second contact member 52a made of an elastic material equivalent to the contact member 32 of the first embodiment. The second contact member 52a is attached to the tip of the second arm 52b, and the second drive mechanism 52c is connected to the other end of the second arm 52b. For this reason, when the second drive mechanism 52c is operated, the second arm 52b moves forward and backward, and the second contact member 52a attached to the tip of the second arm 52b contacts the edge E of the substrate W. Touch and separate. As shown in FIG. 7, the second contact member 52a is arranged upright so that the contact surface with the substrate W faces the horizontal direction. For this reason, the second contact member 52a mainly contacts the top (apex portion) of the edge portion E of the substrate W.

また、第3当接機構53は、第1実施形態の当接部材32と同等の弾性材料により構成された第3当接部材53aを有している。第3当接部材53aは第3アーム53bの先端部に取り付けられており、第3アーム53bの他端部には第3駆動機構53cが接続されている。このため、第3駆動機構53cを動作させると、第3アーム53bが進退移動し、第3アーム53bの先端部に取り付けられた第3当接部材53aが基板Wのエッジ部Eに対して当接および離間する。図7および図8に示したように、第3当接部材53aは、基板Wとの当接面が水平方向よりもやや上方を向くような角度、本実施例では具体的に基板Wの裏面とのなす角度が45度で傾斜配置されている。このため、第3当接部材53aは、基板Wのエッジ部Eのうち、主として下側の傾斜面(下ベベル面)に対して当接する。   The third contact mechanism 53 has a third contact member 53a made of an elastic material equivalent to the contact member 32 of the first embodiment. The third contact member 53a is attached to the tip of the third arm 53b, and the third drive mechanism 53c is connected to the other end of the third arm 53b. For this reason, when the third drive mechanism 53c is operated, the third arm 53b moves forward and backward, and the third contact member 53a attached to the tip of the third arm 53b contacts the edge E of the substrate W. Touch and separate. As shown in FIGS. 7 and 8, the third contact member 53a has an angle such that the contact surface with the substrate W is slightly above the horizontal direction, specifically in this embodiment, the back surface of the substrate W. The angle between the two is 45 degrees. For this reason, the third contact member 53a mainly contacts the lower inclined surface (lower bevel surface) of the edge portion E of the substrate W.

図9は、このような基板洗浄装置2における洗浄処理の流れを示したフローチャートである。基板洗浄装置2において洗浄処理を行うときには、まず、上記の第1実施形態と同じように、基板Wを支持部11上に載置して回転させ(ステップS21)、純水供給部20の吐出ノズル21から基板Wの上面に向けて純水を吐出する(ステップS22)。基板Wのエッジ部Eまで純水が行き渡ると、基板洗浄装置2は、まず、第1アーム51bを前進させ、第1当接部材51aを基板Wのエッジ部Eに当接させる(ステップS23)。これにより、基板Wのエッジ部Eのうち、主として上側の傾斜面に付着した異物が剥離除去される。そして、所定時間の当接処理が終了すると、基板洗浄装置2は、第1アーム51bを後退させ、第1当接部材51aを基板Wのエッジ部Eから引き離す(ステップS24)。   FIG. 9 is a flowchart showing the flow of the cleaning process in such a substrate cleaning apparatus 2. When performing the cleaning process in the substrate cleaning apparatus 2, first, as in the first embodiment, the substrate W is placed on the support unit 11 and rotated (step S 21), and the pure water supply unit 20 discharges. Pure water is discharged from the nozzle 21 toward the upper surface of the substrate W (step S22). When pure water reaches the edge portion E of the substrate W, the substrate cleaning apparatus 2 first advances the first arm 51b to bring the first contact member 51a into contact with the edge portion E of the substrate W (step S23). . As a result, the foreign matter adhering mainly to the upper inclined surface of the edge portion E of the substrate W is peeled and removed. Then, when the contact processing for a predetermined time is completed, the substrate cleaning apparatus 2 retracts the first arm 51b and separates the first contact member 51a from the edge portion E of the substrate W (step S24).

続いて、基板洗浄装置2は、第2アーム52bを前進させ、第2当接部材52aを基板Wのエッジ部Eに当接させる(ステップS25)。これにより、基板Wのエッジ部Eのうち、主として頂部に付着した異物が剥離除去される。そして、所定時間の当接処理が終了すると、基板洗浄装置2は、第2アーム52bを後退させ、第2当接部材52aを基板Wのエッジ部Eから引き離す(ステップS26)。更に、基板洗浄装置2は、第3アーム53bを前進させ、第3当接部材53aを基板Wのエッジ部Eに当接させる(ステップS27)。これにより、基板Wのエッジ部Eのうち、主として下側の傾斜面に付着した異物が剥離除去される。そして、所定時間の当接処理が終了すると、基板洗浄装置2は、第3アーム53bを後退させ、第3当接部材53aを基板Wのエッジ部Eから引き離す(ステップS28)。   Subsequently, the substrate cleaning apparatus 2 moves the second arm 52b forward to bring the second contact member 52a into contact with the edge E of the substrate W (step S25). Thereby, in the edge part E of the board | substrate W, the foreign material adhering mainly to the top part is peeled and removed. Then, when the contact processing for a predetermined time is completed, the substrate cleaning apparatus 2 retracts the second arm 52b and separates the second contact member 52a from the edge portion E of the substrate W (step S26). Further, the substrate cleaning apparatus 2 moves the third arm 53b forward so that the third contact member 53a contacts the edge E of the substrate W (step S27). As a result, the foreign matter adhering mainly to the lower inclined surface of the edge portion E of the substrate W is peeled and removed. Then, when the contact processing for a predetermined time is completed, the substrate cleaning apparatus 2 retracts the third arm 53b and separates the third contact member 53a from the edge portion E of the substrate W (step S28).

その後、基板洗浄装置2は、上記の第1実施形態と同じように、吐出ノズル21からの純水の吐出を停止し(ステップS29)、スピン乾燥を行った後(ステップS30)、基板Wの回転を停止させて(ステップS31)、1枚の基板Wに対する洗浄処理を終了する。   After that, the substrate cleaning apparatus 2 stops the discharge of pure water from the discharge nozzle 21 (step S29), spin-drys (step S30), and then the substrate W, as in the first embodiment. The rotation is stopped (step S31), and the cleaning process for one substrate W is completed.

本実施形態の基板洗浄装置2も、第1実施形態の基板洗浄装置1と同じように、0.3MPa以上かつ2.7MPa以下の圧縮弾性率を有する弾性材料により構成された当接部材51a,52a,53aを、基板Wのエッジ部Eに当接させることにより、エッジ部Eに付着した異物を除去する。このため、基板Wのエッジ部を研磨してしまうことなくエッジ部Eに強固に付着した金属膜やスラリー等の異物を良好に除去することができる。また、当接部材51a,52a,53aを構成する弾性材料の中には、砥粒としてのシリカが混入されているため、エッジ部Eに強固に付着した異物を良好に剥離しつつ除去することができる。   Similarly to the substrate cleaning apparatus 1 of the first embodiment, the substrate cleaning apparatus 2 of the present embodiment also has contact members 51a made of an elastic material having a compressive modulus of 0.3 MPa or more and 2.7 MPa or less. By bringing 52a and 53a into contact with the edge portion E of the substrate W, foreign matters attached to the edge portion E are removed. For this reason, it is possible to satisfactorily remove foreign matters such as a metal film and slurry firmly adhered to the edge portion E without polishing the edge portion of the substrate W. Further, since the elastic material constituting the contact members 51a, 52a, 53a is mixed with silica as abrasive grains, the foreign matter firmly attached to the edge portion E is removed while being peeled off well. Can do.

特に、本実施形態の基板洗浄装置2は、3つの当接部材51a,52a,53aをそれぞれ異なる領域に当接させ、各領域に付着した異物を各当接部材51a,52a,53aにより剥離除去する。このため、複数の領域に付着した異物をそれぞれ効率よく除去することができる。また、本実施形態の基板洗浄装置2は、3つの当接部材51a,52a,53aを1つずつ順次に当接させる。このため、基板Wに対して2方向からの押圧力が加わることはなく、基板Wの破損を防止することができる。   In particular, the substrate cleaning apparatus 2 according to the present embodiment causes the three contact members 51a, 52a, and 53a to contact with different regions, and the foreign matters attached to the regions are peeled and removed by the contact members 51a, 52a, and 53a. To do. For this reason, the foreign substances adhering to the plurality of regions can be removed efficiently. Further, the substrate cleaning apparatus 2 of the present embodiment sequentially contacts the three contact members 51a, 52a, and 53a one by one. For this reason, the pressing force from two directions is not applied to the substrate W, and damage to the substrate W can be prevented.

<4.第3実施形態>
図10は、本発明の第3実施形態に係る基板洗浄装置3の上面図である。本実施形態の基板洗浄装置3は、カメラ60が追加されていることと、エッジ当接機構30の旋回アーム31が多段階に昇降可能であることを除いて、上記第1実施形態の基板洗浄装置1と同等の構成を有する。このため、以下ではエッジ当接機構30およびカメラ60の構成を中心に説明し、他の部分については図10中に図1と同一の符号を付して重複説明を省略する。
<4. Third Embodiment>
FIG. 10 is a top view of the substrate cleaning apparatus 3 according to the third embodiment of the present invention. The substrate cleaning apparatus 3 of the present embodiment is the same as that of the first embodiment except that a camera 60 is added and the swivel arm 31 of the edge contact mechanism 30 can be raised and lowered in multiple stages. It has the same configuration as the device 1. For this reason, below, it demonstrates centering around the structure of the edge contact mechanism 30 and the camera 60, about the other part, the code | symbol same as FIG. 1 is attached | subjected in FIG. 10, and duplication description is abbreviate | omitted.

基板洗浄装置3のカメラ60は、基板Wとほぼ同一の高さに配置され、その撮影方向は貯留槽34aの上方に向けられている。このため、カメラ60は、待機部34側へ旋回アーム31が旋回したときに、貯留槽34aの上方に配置された当接部材32の当接面を撮影することができる。また、カメラ60は、制御部40と電気的に接続されており、撮影により取得された画像データを制御部40に送信することができる。一方、エッジ当接機構30の駆動機構33は、旋回アーム31を多段階に昇降させることができる。このため、旋回アーム31は、基板Wのエッジ部Eに対する当接部材32の高さ位置を調節することができる。   The camera 60 of the substrate cleaning apparatus 3 is disposed at substantially the same height as the substrate W, and the imaging direction thereof is directed above the storage tank 34a. For this reason, the camera 60 can photograph the contact surface of the contact member 32 disposed above the storage tank 34a when the turning arm 31 turns to the standby unit 34 side. The camera 60 is electrically connected to the control unit 40 and can transmit image data acquired by photographing to the control unit 40. On the other hand, the drive mechanism 33 of the edge contact mechanism 30 can raise and lower the turning arm 31 in multiple stages. For this reason, the turning arm 31 can adjust the height position of the contact member 32 with respect to the edge portion E of the substrate W.

この基板洗浄装置3は、第1実施形態の基板洗浄装置1と同じように、図5のフローチャートに従って洗浄処理を行うが、洗浄処理を繰り返すと、図11に示したように、当接部材32の当接面には異物による汚れ32aが付着する。そこで、基板洗浄装置3は、非洗浄処理時に当接部材32の当接面をカメラ60で撮影し、この撮影工程で撮影した画像データを制御部40において解析して汚れ検出をする。そして、画像データ内の汚れ32aの部分の濃度が所定の閾値以上になると汚れ検出工程の検出結果として、次回の洗浄処理時には旋回アーム31の高さを変更して、基板Wのエッジ部Eに対する当接部材32の当接位置を変更する。   The substrate cleaning apparatus 3 performs the cleaning process according to the flowchart of FIG. 5 in the same manner as the substrate cleaning apparatus 1 of the first embodiment. However, when the cleaning process is repeated, as shown in FIG. Dirt 32a due to foreign matter adheres to the contact surface. Therefore, the substrate cleaning device 3 captures the contact surface of the contact member 32 with the camera 60 during the non-cleaning process, and analyzes the image data captured in this capturing process in the control unit 40 to detect contamination. When the density of the portion of the dirt 32a in the image data exceeds a predetermined threshold value, the height of the swivel arm 31 is changed during the next cleaning process as a detection result of the dirt detection step, and the edge portion E of the substrate W is changed. The contact position of the contact member 32 is changed.

本実施形態の基板洗浄装置3も、第1実施形態の基板洗浄装置1と同じように、0.3MPa以上かつ2.7MPa以下の圧縮弾性率を有する弾性材料により構成された当接部材32を、基板Wのエッジ部Eに当接させることにより、エッジ部Eに付着した異物を除去する。このため、基板Wのエッジ部を研磨してしまうことなくエッジ部Eに強固に付着した金属膜やスラリー等の異物を良好に除去することができる。また、当接部材32を構成する弾性材料の中には、砥粒としてのシリカが混入されているため、エッジ部Eに強固に付着した異物を良好に剥離しつつ除去することができる。   Similarly to the substrate cleaning apparatus 1 of the first embodiment, the substrate cleaning apparatus 3 of the present embodiment also includes a contact member 32 made of an elastic material having a compression elastic modulus of 0.3 MPa or more and 2.7 MPa or less. The foreign matter adhering to the edge portion E is removed by bringing it into contact with the edge portion E of the substrate W. For this reason, it is possible to satisfactorily remove foreign matters such as a metal film and slurry firmly adhered to the edge portion E without polishing the edge portion of the substrate W. Moreover, since the silica as an abrasive grain is mixed in the elastic material which comprises the contact member 32, the foreign material firmly adhered to the edge part E can be removed, peeling off favorably.

特に、本実施形態の基板洗浄装置3は、カメラ60により当接部材32を撮影し、撮影により取得された画像データに基づいて当接部材32上の汚れ32aを検出する。このため、当接部材32上の汚れを情報として認識することができる。また、基板洗浄装置3は、検出された汚れ32aの程度がひどくなると、基板Wのエッジ部Eに対する当接部材32の当接位置を変更する。このため、当接部材32を交換することなく、当接部材32から基板Wへの異物の再付着を防止することができる。   In particular, the substrate cleaning apparatus 3 of the present embodiment images the contact member 32 with the camera 60 and detects the dirt 32a on the contact member 32 based on image data acquired by the image capturing. For this reason, the dirt on the contact member 32 can be recognized as information. Further, the substrate cleaning apparatus 3 changes the contact position of the contact member 32 with respect to the edge portion E of the substrate W when the degree of the detected dirt 32a becomes severe. For this reason, it is possible to prevent reattachment of foreign matters from the contact member 32 to the substrate W without replacing the contact member 32.

<5.変形例>
以上、本発明の主たる実施形態について説明したが、本発明は上記の実施形態に限定されるものではない。例えば、上記の第1実施形態〜第3実施形態では、いずれも基板Wを1方向にのみ回転させていたが、所定時間の正転および逆転を繰り返すように回転駆動機構12を制御してもよい。このようにすれば、エッジ部Eに付着した異物に対して2方向から剥離力を与えることができるため、1方向の回転のみでは剥離しにくい異物も除去することができる。また、上記の第1実施形態〜第3実施形態では、リンス液として純水を使用していたが、炭酸水やその他の洗浄液をリンス液として使用してもよい。
<5. Modification>
As mentioned above, although main embodiment of this invention was described, this invention is not limited to said embodiment. For example, in each of the first to third embodiments, the substrate W is rotated only in one direction. However, even if the rotation driving mechanism 12 is controlled to repeat normal rotation and reverse rotation for a predetermined time. Good. In this way, since the peeling force can be applied to the foreign matter attached to the edge portion E from two directions, the foreign matter that is difficult to peel off only by rotation in one direction can be removed. Moreover, in said 1st Embodiment-3rd Embodiment, although the pure water was used as a rinse liquid, you may use carbonated water and another washing | cleaning liquid as a rinse liquid.

また、上記実施形態では基板Wをその中心を通る鉛直軸の周りに回転することで基板Wのエッジ部Eに当接部材32を当接し摺接しているが、静止された基板Wに対して当接部材32を移動させるようにして相対移動工程を実施してもよい。また、上記実施形態では、当接部材32を構成する弾性材料の中に、砥粒としてシリカを混入させていたが、シリカを混入させていない弾性材料を使用してもよい。   In the above-described embodiment, the contact member 32 is brought into contact with the edge portion E of the substrate W by rotating the substrate W around the vertical axis passing through the center thereof. The relative movement process may be performed by moving the contact member 32. Moreover, in the said embodiment, although silica was mixed as an abrasive grain in the elastic material which comprises the contact member 32, you may use the elastic material which is not mixed with silica.

また、上記の第2実施形態と第3実施形態の構成を組み合わせてもよい。すなわち、複数の当接部材51a,52a,53aのそれぞれをカメラで撮影し、撮影により取得された画像データに基づいて各当接部材51a,52a,53aの汚れを検出するとともに、基板Wのエッジ部Eに対する各当接部材51a,52a,53aの当接位置を変更できるようにしてもよい。   Moreover, you may combine the structure of said 2nd Embodiment and 3rd Embodiment. That is, each of the plurality of contact members 51a, 52a, 53a is photographed with a camera, the dirt of each contact member 51a, 52a, 53a is detected based on the image data acquired by photographing, and the edge of the substrate W is detected. You may enable it to change the contact position of each contact member 51a, 52a, 53a with respect to the part E. FIG.

第1実施形態に係る基板洗浄装置の上面図である。It is a top view of the substrate cleaning apparatus according to the first embodiment. 第1実施形態に係る基板洗浄装置を図1のII−II線で切断した縦断面図である。It is the longitudinal cross-sectional view which cut | disconnected the board | substrate cleaning apparatus which concerns on 1st Embodiment by the II-II line of FIG. 基板のエッジ部に当接部材を当接させたときの状態を示した拡大縦断面図である。It is the enlarged longitudinal cross-sectional view which showed the state when a contact member is made to contact | abut to the edge part of a board | substrate. 待機部付近を図1のIV−IV線で切断した縦断面図である。It is the longitudinal cross-sectional view which cut | disconnected the standby part vicinity by the IV-IV line of FIG. 第1実施形態の洗浄処理の流れを示したフローチャートである。It is the flowchart which showed the flow of the cleaning process of 1st Embodiment. 当接部材を構成する弾性材料の圧縮弾性率を変化させ、それぞれの圧縮弾性率における異物の除去能力を調べた結果を示した図である。It is the figure which showed the result of having changed the compression elastic modulus of the elastic material which comprises a contact member, and having investigated the removal capability of the foreign material in each compression elastic modulus. 第2実施形態に係る基板洗浄装置の上面図である。It is a top view of the substrate cleaning apparatus according to the second embodiment. 第2実施形態に係る基板洗浄装置を図7のVIII−VIII線で切断した縦断面図である。It is the longitudinal cross-sectional view which cut | disconnected the board | substrate cleaning apparatus which concerns on 2nd Embodiment by the VIII-VIII line of FIG. 第2実施形態の洗浄処理の流れを示したフローチャートである。It is the flowchart which showed the flow of the washing process of 2nd Embodiment. 第3実施形態に係る基板洗浄装置の上面図である。It is a top view of the substrate cleaning apparatus according to the third embodiment. 汚れが付着した当接部材の様子を示した図である。It is the figure which showed the mode of the contact member to which dirt adhered. 従来の基板洗浄装置の一例を示した図である。It is the figure which showed an example of the conventional board | substrate cleaning apparatus. 従来の基板洗浄装置の他の一例を示した図である。It is the figure which showed another example of the conventional board | substrate cleaning apparatus.

符号の説明Explanation of symbols

1,2,3 基板洗浄装置
10 基板保持回転部
20 純水供給部
30 エッジ当接機構
31 旋回アーム
32 当接部材
33 駆動機構
34 待機部
34a 貯留槽
40 制御部
51 第1当接機構
52 第2当接機構
53 第3当接機構
51a,52a,53a 当接部材
51b,52b,53b アーム
51c,52c,53c 駆動機構
60 カメラ
W 基板
E エッジ部
1, 2 and 3 Substrate cleaning device 10 Substrate holding rotation unit 20 Pure water supply unit 30 Edge contact mechanism 31 Turning arm 32 Contact member 33 Drive mechanism 34 Standby unit 34a Storage tank 40 Control unit 51 First contact mechanism 52 First 2 contact mechanism 53 3rd contact mechanism 51a, 52a, 53a contact member 51b, 52b, 53b arm 51c, 52c, 53c drive mechanism 60 camera W substrate E edge part

Claims (18)

基板のエッジ部を洗浄する基板洗浄装置であって、
基板のエッジ部に当接部材を当接させる当接手段と、
基板を保持しつつ当接部材と相対移動させる相対移動手段と、
を備え、
前記当接部材は、0.3MPa以上かつ2.7MPa以下の圧縮弾性率を有する弾性材料により構成されていることを特徴とする基板洗浄装置。
A substrate cleaning apparatus for cleaning an edge portion of a substrate,
Contact means for contacting the contact member to the edge portion of the substrate;
Relative movement means for moving relative to the contact member while holding the substrate;
With
The substrate cleaning apparatus, wherein the contact member is made of an elastic material having a compression elastic modulus of 0.3 MPa or more and 2.7 MPa or less.
請求項1に記載の基板洗浄装置であって、
前記当接部材は、前記弾性材料にシリカを混入させたことを特徴とする基板洗浄装置。
The substrate cleaning apparatus according to claim 1,
The substrate cleaning apparatus, wherein the contact member is made by mixing silica into the elastic material.
請求項2に記載の基板洗浄装置であって、
基板の主面にリンス液を供給するリンス液供給手段を更に備え、
前記リンス液供給手段は、リンス液として純水を供給することを特徴とする基板洗浄装置。
The substrate cleaning apparatus according to claim 2,
A rinsing liquid supply means for supplying a rinsing liquid to the main surface of the substrate;
The rinsing liquid supply means supplies pure water as a rinsing liquid.
請求項1から請求項3までのいずれかに記載の基板洗浄装置であって、
非洗浄時に前記当接部材を液体中に浸漬した状態で待機させる待機部を更に備えることを特徴とする基板洗浄装置。
A substrate cleaning apparatus according to any one of claims 1 to 3, wherein
A substrate cleaning apparatus, further comprising a standby unit that waits in a state in which the contact member is immersed in a liquid during non-cleaning.
請求項1から請求項4までのいずれかに記載の基板洗浄装置であって、
前記当接手段は、基板のエッジ部の異なる領域に当接する複数の前記当接部材を有することを特徴とする基板洗浄装置。
A substrate cleaning apparatus according to any one of claims 1 to 4, wherein
The substrate cleaning apparatus, wherein the contact means includes a plurality of the contact members that contact different regions of the edge portion of the substrate.
請求項5に記載の基板洗浄装置であって、
前記複数の当接部材は、
基板のエッジ部の一方の傾斜面に当接する第1当接部材と、
基板のエッジ部の頂部に当接する第2当接部材と、
基板のエッジ部の他方の傾斜面に当接する第3当接部材と、
を含むことを特徴とする基板洗浄装置。
The substrate cleaning apparatus according to claim 5,
The plurality of contact members are:
A first contact member that contacts one inclined surface of the edge portion of the substrate;
A second contact member that contacts the top of the edge portion of the substrate;
A third contact member that contacts the other inclined surface of the edge portion of the substrate;
A substrate cleaning apparatus comprising:
請求項1から請求項6までのいずれかに記載の基板洗浄装置であって、
前記当接部材の当接面を撮影する撮影手段と、
前記撮影手段により取得された画像データに基づいて前記当接部材に付着した汚れを検出する検出手段と、
を更に備えることを特徴とする基板洗浄装置。
A substrate cleaning apparatus according to any one of claims 1 to 6,
Photographing means for photographing a contact surface of the contact member;
Detecting means for detecting dirt adhering to the contact member based on image data acquired by the photographing means;
A substrate cleaning apparatus, further comprising:
請求項7に記載の基板洗浄装置であって、
前記当接手段は、前記検出手段の検出結果に基づいて、基板のエッジ部に対する前記当接部材の当接位置を変更することを特徴とする基板洗浄装置。
The substrate cleaning apparatus according to claim 7,
The substrate cleaning apparatus, wherein the contact means changes a contact position of the contact member with respect to an edge portion of the substrate based on a detection result of the detection means.
請求項1から請求項8までのいずれかに記載の基板洗浄装置であって、
基板は円形基板であり、
前記相対移動手段は、基板を中心軸周りに回転させることにより基板のエッジ部と前記当接部材とを相対移動させることを特徴とする基板洗浄装置。
A substrate cleaning apparatus according to any one of claims 1 to 8,
The substrate is a circular substrate,
The substrate cleaning apparatus, wherein the relative movement means relatively moves the edge portion of the substrate and the contact member by rotating the substrate around a central axis.
基板のエッジ部を洗浄する基板洗浄方法であって、
基板のエッジ部に当接部材を当接させる当接工程と、
前記当接工程を継続しつつ、基板を保持しつつ基板と当接部材を相対移動させる相対移動工程と、
を備え、
前記当接部材は、0.3MPa以上かつ2.7MPa以下の圧縮弾性率を有する弾性材料により構成されていることを特徴とする基板洗浄方法。
A substrate cleaning method for cleaning an edge portion of a substrate,
A contact step of contacting the contact member to the edge portion of the substrate;
A relative movement step of relatively moving the substrate and the contact member while holding the substrate while continuing the contact step;
With
The substrate cleaning method, wherein the contact member is made of an elastic material having a compression elastic modulus of 0.3 MPa or more and 2.7 MPa or less.
請求項10に記載の基板洗浄方法であって、
前記当接部材は、前記弾性材料にシリカを混入させたことを特徴とする基板洗浄方法。
The substrate cleaning method according to claim 10, comprising:
The substrate cleaning method, wherein the contact member is made by mixing silica into the elastic material.
請求項11に記載の基板洗浄方法であって、
前記当接工程においては、前記基板の主面にリンス液の供給を行うもので、リンス液として純水を供給することを特徴とする基板洗浄方法。
The substrate cleaning method according to claim 11,
In the contact step, a rinse liquid is supplied to the main surface of the substrate, and pure water is supplied as a rinse liquid.
請求項10から請求項12までのいずれかに記載の基板洗浄方法であって、
前記当接部材を液体中に浸漬した状態で待機させる待機工程を更に備えることを特徴とする基板洗浄方法。
A substrate cleaning method according to any one of claims 10 to 12,
A substrate cleaning method, further comprising a standby step of waiting in a state where the contact member is immersed in a liquid.
請求項10から請求項13までのいずれかに記載の基板洗浄方法であって、
前記当接工程においては、複数の前記当接部材がそれぞれ基板のエッジ部の異なる領域に当接することを特徴とする基板洗浄方法。
A substrate cleaning method according to any one of claims 10 to 13, comprising:
In the abutting step, the plurality of abutting members abut on different regions of the edge portion of the substrate, respectively.
請求項14に記載の基板洗浄方法であって、
前記複数の当接部材は、
基板のエッジ部の一方の傾斜面に当接する第1当接部材と、
基板のエッジ部の頂部に当接する第2当接部材と、
基板のエッジ部の他方の傾斜面に当接する第3当接部材と、
を含むことを特徴とする基板洗浄方法。
The substrate cleaning method according to claim 14, comprising:
The plurality of contact members are:
A first contact member that contacts one inclined surface of the edge portion of the substrate;
A second contact member that contacts the top of the edge portion of the substrate;
A third contact member that contacts the other inclined surface of the edge portion of the substrate;
A substrate cleaning method comprising:
請求項10から請求項15までのいずれかに記載の基板洗浄方法であって、
前記当接部材の当接面を撮影する撮影工程と、
前記撮影工程において取得された画像データに基づいて前記当接部材に付着した汚れを検出する汚れ検出工程と、
を更に備えることを特徴とする基板洗浄方法。
A substrate cleaning method according to any one of claims 10 to 15,
A photographing step of photographing a contact surface of the contact member;
A dirt detecting step for detecting dirt attached to the contact member based on the image data acquired in the photographing step;
A substrate cleaning method, further comprising:
請求項16に記載の基板洗浄方法であって、
前記当接工程においては、前記汚れ検出工程の検出結果に基づいて、基板のエッジ部に対する前記当接部材の当接位置を変更することを特徴とする基板洗浄方法。
The substrate cleaning method according to claim 16, comprising:
In the contact step, the contact position of the contact member with respect to the edge portion of the substrate is changed based on the detection result of the dirt detection step.
請求項10から請求項17までのいずれかに記載の基板洗浄方法であって、
基板は円形基板であり、
前記相対移動工程においては、基板を中心軸周りに回転させることにより基板のエッジ部と前記当接部材とを相対移動させることを特徴とする基板洗浄方法。
A substrate cleaning method according to any one of claims 10 to 17,
The substrate is a circular substrate,
In the relative movement step, a substrate cleaning method, wherein the edge portion of the substrate and the contact member are relatively moved by rotating the substrate around a central axis.
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