JP2008187329A - Variable gain amplifier circuit and input impedance matching method for variable gain amplifier - Google Patents
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Abstract
Description
この発明は、可変利得増幅回路および可変利得アンプの入力インピーダンスマッチング方法に関する。 The present invention relates to a variable gain amplifier circuit and an input impedance matching method for a variable gain amplifier.
増幅器の入出力端間に抵抗負帰還路を設け、その負帰還抵抗の抵抗値を、入力信号源のインピーダンスとマッチングする所定の値とすることで、入力のインピーダンスマッチング(インピーダンス整合)を行なって、低雑音の増幅器を実現することができることが知られている(例えば、特許文献1(特開2001−203544号公報)参照)。 Impedance matching (impedance matching) of the input is performed by providing a resistance negative feedback path between the input and output terminals of the amplifier and setting the resistance value of the negative feedback resistance to a predetermined value that matches the impedance of the input signal source. It is known that a low-noise amplifier can be realized (see, for example, Patent Document 1 (Japanese Patent Laid-Open No. 2001-203544)).
この場合、負帰還抵抗の抵抗値をRf、増幅器の入力インピーダンスをRin、増幅器の利得をAとすると、
Rin=Rf/(1+A) ・・・(式1)
を満足するように、負帰還抵抗の抵抗値Rfは選定される。
In this case, assuming that the resistance value of the negative feedback resistor is Rf, the input impedance of the amplifier is Rin, and the gain of the amplifier is A,
Rin = Rf / (1 + A) (Formula 1)
The resistance value Rf of the negative feedback resistor is selected so as to satisfy
ところで、例えばテレビジョン受像機の高周波増幅器として、上述のような低雑音の増幅器が良く用いられるが、その場合には、増幅器を可変利得増幅器として自動利得制御(AGC(Automatic Gain Control))機能が付加される。 By the way, for example, a low-noise amplifier as described above is often used as a high-frequency amplifier of a television receiver. In this case, an automatic gain control (AGC (Automatic Gain Control)) function is performed using the amplifier as a variable gain amplifier. Added.
ところが、増幅器を可変利得増幅器とした場合には、上記の(式1)において、利得Aが変化するので、増幅器の入力インピーダンスRinも利得制御に応じて変化してしまい、増幅器の入力でのインピーダンスマッチングが取れなくなってしまうという問題点がある。 However, when the amplifier is a variable gain amplifier, the gain A changes in the above (Equation 1), so that the input impedance Rin of the amplifier also changes according to the gain control, and the impedance at the input of the amplifier. There is a problem that matching cannot be obtained.
そこで、上記の特許文献1においては、次のようにして、この問題点を解決している。すなわち、図8は、特許文献1に示されている可変利得増幅回路を示すもので、これは、可変利得アンプ1の前段に、利得が−Aの固定利得アンプ2を設け、この固定利得アンプ2の入出力端間に負帰還抵抗Rfを接続することで、入力信号源のインピーダンスとのマッチングを取るようにしたものである。
Therefore, in the above-mentioned
また、特許文献2(特許第3562977号公報)には、PINダイオードによる可変インピーダンスと可変利得アンプとを組み合わせ、利得制御による可変利得アンプの利得の低下に伴い、PINダイオードのインピーダンスを変えて、入力インピーダンスを一定に保つ技術が開示されている。 In Patent Document 2 (Japanese Patent No. 3562777), a variable impedance by a PIN diode and a variable gain amplifier are combined, and the impedance of the PIN diode is changed as the gain of the variable gain amplifier is reduced by gain control. A technique for keeping the impedance constant is disclosed.
さらに、特許文献3(特開2006−245843号公報)には、アンプの利得を減衰させながら、帰還抵抗を同時に可変し、入力インピーダンスマッチングを崩さないようにする回路例が開示されている。 Further, Patent Document 3 (Japanese Patent Laid-Open No. 2006-245843) discloses a circuit example in which the feedback resistance is simultaneously varied while the gain of the amplifier is attenuated so as not to break the input impedance matching.
上記の特許文献は、次の通りである。
しかしながら、特許文献1および特許文献2に記載の可変利得増幅回路は、いずれも、アンプの出力に可変減衰回路を組み合わせたものであり、入力アンプ(例えば図8の入力アンプ2)には、インピーダンスマッチングを考慮して、そのまま入力信号が印加される。この場合の入力アンプの利得は、入力整合の条件を満足させるようにするために、一定のゲインとする必要があり、そのため、大きな入力のときに出力が飽和しないようにするためには、入力アンプへの供給電圧を高くして出力ダイナミックレンジを大きくする必要がある。
However, each of the variable gain amplifier circuits described in
入力アンプの利得を減衰することができれば、この入力アンプの出力レベルは小さくなり、出力ダイナミックレンジは小さくてよくなるので、アンプを構成するデバイスの歪み特性が良好な低電圧での動作が可能となる。 If the gain of the input amplifier can be attenuated, the output level of the input amplifier will be reduced and the output dynamic range may be reduced. Therefore, the device constituting the amplifier can be operated at a low voltage with good distortion characteristics. .
しかし、特許文献1および特許文献2の場合には、上述のように、出力ダイナミックレンジを大きくする必要があるので、入力アンプへの供給電圧を高くしなければならず、可変利得増幅回路の動作電圧の低電圧化の障害となるという問題がある。
However, in the case of
したがって、IC(Integrated Circuit;集積回路)化に際しては、低電圧動作が、使用するデバイスの耐圧や、消費電力の低減から望まれるが、従来の回路構成では、低電圧化が困難であるので、IC化しにくくなるという問題がある。 Therefore, when IC (Integrated Circuit) is made, low voltage operation is desired from the withstand voltage of the device to be used and the reduction of power consumption, but it is difficult to reduce the voltage in the conventional circuit configuration. There is a problem that it becomes difficult to make an IC.
また、特許文献3の回路例の方式の場合には、帰還用の可変抵抗素子に非常に直線性の良いデバイスが必要であるが、例えばMOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)を帰還用の可変抵抗に用いた場合には歪みが大きすぎて、例えばテレビチューナなどの高周波アンプとしては使用ができない。帰還用可変抵抗にMOSFETを使用すると、従来のMOSFETを用いた可変利得アンプよりも歪みが増加してしまう。このように、この特許文献3の回路構成は、要求する特性のデバイスの入手が困難であるため、実現が困難なものである。
In the case of the circuit example system disclosed in
そして、例えばテレビジョン信号の受信においては、多チャネル妨害を考慮して、大きな入力でも低歪みが要求されると共に、電波の強いアナログ放送信号と混在する比較的弱いデジタル放送信号を、妨害無く受信するようにする必要があるが、そのためには、上記の回路構成では特性が不満足であるという問題もある。 For example, when receiving a television signal, low distortion is required even with a large input in consideration of multi-channel interference, and relatively weak digital broadcast signals mixed with strong analog broadcast signals can be received without interference. However, for this purpose, there is a problem that the above circuit configuration is unsatisfactory in characteristics.
この発明は、以上のような問題点を解決することができる可変利得増幅回路を提供することを目的とする。 An object of this invention is to provide the variable gain amplifier circuit which can solve the above problems.
上記の課題を解決するために、請求項1の発明においては、
利得制御信号により利得が可変される可変利得アンプと、
前記可変利得アンプの入出力端間に設けられる負帰還抵抗と、
入力信号源インピーダンスに等しいまたはほぼ等しい抵抗値の第1の抵抗と、
前記可変利得アンプの利得制御を行なわないときには、前記負帰還抵抗により、入力のインピーダンスマッチングを取るようにし、前記利得制御信号により前記可変利得アンプの利得制御をするときには、前記負帰還抵抗による負帰還路を切断すると共に、前記第1の抵抗により、入力のインピーダンスマッチングを取るように制御する制御部と、
を備える可変利得増幅回路を提供する。
In order to solve the above problems, in the invention of
A variable gain amplifier whose gain is variable by a gain control signal;
A negative feedback resistor provided between the input and output terminals of the variable gain amplifier;
A first resistor having a resistance value equal to or approximately equal to the input signal source impedance;
When gain control of the variable gain amplifier is not performed, input impedance matching is obtained by the negative feedback resistor. When gain control of the variable gain amplifier is performed by the gain control signal, negative feedback by the negative feedback resistor is performed. A control unit for cutting the path and controlling the impedance matching of the input by the first resistor;
A variable gain amplifier circuit is provided.
上記の構成の請求項1の発明によれば、可変利得アンプの利得制御が行なわれない固定利得の状態のときには、負帰還抵抗により、可変利得アンプの入力のインピーダンスマッチングが良好に行なわれる。そして、可変利得アンプが利得制御される状態になると、抵抗負帰還路が切断され、その代わりに、入力信号源のインピーダンスに等しいまたはほぼ等しい抵抗値の第1の抵抗により、可変利得アンプの入力のインピーダンスマッチングが行なわれる。 According to the first aspect of the present invention, when the gain of the variable gain amplifier is not controlled, the impedance matching of the input of the variable gain amplifier is favorably performed by the negative feedback resistor. When the variable gain amplifier is in a gain-controlled state, the resistance negative feedback path is disconnected, and instead, the first resistor having a resistance value equal to or approximately equal to the impedance of the input signal source is used to input the variable gain amplifier. Impedance matching is performed.
したがって、請求項1の発明によれば、固定利得アンプと可変減衰回路とを組み合わせたものを用いなくても、入力のインピーダンスマッチングを崩さずに、利得を可変することができる可変利得増幅回路を実現することができる。 Therefore, according to the first aspect of the present invention, there is provided a variable gain amplifier circuit capable of varying the gain without destroying the input impedance matching without using a combination of a fixed gain amplifier and a variable attenuation circuit. Can be realized.
そして、請求項1の発明によれば、従来例として説明したような固定の利得の入力アンプを必要とせず、可変利得アンプの利得を減衰させながら、入力インピーダンスマッチングを取ることができるので、この可変利得アンプの出力レベルを小さくすることでき、出力ダイナミックレンジは小さくてよくなるので、当該可変利得アンプを構成するデバイスの歪み特性が良好な低電圧での動作が可能となる。 According to the first aspect of the present invention, it is possible to obtain input impedance matching while attenuating the gain of the variable gain amplifier without requiring a fixed gain input amplifier as described in the conventional example. Since the output level of the variable gain amplifier can be reduced and the output dynamic range can be reduced, the device constituting the variable gain amplifier can be operated at a low voltage with good distortion characteristics.
また、可変利得アンプにおける利得減衰動作時においては、第1の抵抗によって入力インピーダンスマッチングを取ることができるので、低歪みとすることができる。 Further, during the gain attenuation operation in the variable gain amplifier, since the input impedance matching can be obtained by the first resistor, the distortion can be reduced.
また、請求項2の発明は、請求項1に記載の可変利得増幅回路において、
前記負帰還抵抗は、前記第1の抵抗と、この第1の抵抗に直列に接続された第2の抵抗とからなり、
前記第1の抵抗と前記第2の抵抗との接続中点に対して、インピーダンス切り換え回路を設け、前記制御部により、前記インピーダンス切り換え回路を、前記可変利得アンプを利得制御しないときと、前記利得制御信号により前記可変利得アンプを利得制御するときとで、切り換える
ことを特徴とする可変利得増幅回路を提供する。
According to a second aspect of the present invention, in the variable gain amplifier circuit according to the first aspect,
The negative feedback resistor comprises the first resistor and a second resistor connected in series with the first resistor,
An impedance switching circuit is provided at a connection midpoint between the first resistor and the second resistor, and when the gain switching of the variable gain amplifier is not controlled by the control unit, There is provided a variable gain amplifier circuit characterized in that switching is performed when the gain of the variable gain amplifier is controlled by a control signal.
また、請求項3の発明は、請求項2に記載の可変利得増幅回路において、
前記可変利得アンプの利得を−A、前記入力信号源インピーダンスをRg、前記第1の抵抗の抵抗値をR1としたとき、第2の抵抗の抵抗値R2を、
(R1+R2)/(1+A)=Rg
を満足する抵抗値に選定してなる
ことを特徴とする可変利得増幅回路を提供する。
According to a third aspect of the present invention, in the variable gain amplifier circuit according to the second aspect,
When the gain of the variable gain amplifier is -A, the input signal source impedance is Rg, and the resistance value of the first resistor is R1, the resistance value R2 of the second resistor is
(R1 + R2) / (1 + A) = Rg
Provided is a variable gain amplifier circuit characterized in that a resistance value satisfying the above is selected.
上述の構成の請求項2の発明によれば、インピーダンス切り換え回路が、制御部により切り替え制御されて、第1および第2の抵抗からなる負帰還抵抗により、入力のインピーダンスマッチングが行なわれる状態と、負帰還路が切断されて、入力信号源インピーダンスに等しいあるいはほぼ等しい抵抗値の第1の抵抗により入力のインピーダンスマッチングが行なわれる状態とで切り換えられる。
According to the invention of
この場合において、負帰還抵抗によりインピーダンスマッチングが行なわれる状態であるときに、信号電流が第1の抵抗を流れることによりこの第1の抵抗での電圧降下は、第1の抵抗の抵抗値R1が信号源インピーダンスに等しいあるいはほぼ等しいから、信号源インピーダンスにより降下した電圧に等しいあるいはほぼ等しい。したがって、このとき第1の抵抗と第2の抵抗との接続中点では、可変利得アンプの出力の信号と入力の信号とがバランスした状態となっており、この接続中点の信号レベルは極めて小さくなる。 In this case, when the impedance matching is performed by the negative feedback resistor, the signal current flows through the first resistor, so that the voltage drop at the first resistor is the resistance value R1 of the first resistor. Since it is equal to or approximately equal to the signal source impedance, it is equal to or approximately equal to the voltage dropped by the signal source impedance. Therefore, at this time, at the midpoint of connection between the first resistor and the second resistor, the output signal and the input signal of the variable gain amplifier are balanced, and the signal level at this midpoint of connection is extremely high. Get smaller.
このため、この接続中点に接続されたインピーダンス切り換え回路に加わる信号は、非常に小さく、このインピーダンス切り換え回路によって発生する歪みは極めて小さくなり、また、寄生容量による帰還時の影響も無視できる。 For this reason, the signal applied to the impedance switching circuit connected to the midpoint of connection is very small, distortion generated by the impedance switching circuit is extremely small, and the influence of feedback due to parasitic capacitance can be ignored.
この結果、インピーダンス切り換え回路を例えばスイッチ用トランジスタで構成したときに、そのスイッチ用トランジスタのサイズを大きくすることができ、スイッチ用トランジスタのオン時のオン抵抗を充分に小さくできる。その結果、スイッチ用トランジスタのオン時に、当該スイッチ用トランジスタから発生する歪みも小さくすることが可能となる。 As a result, when the impedance switching circuit is composed of, for example, a switching transistor, the size of the switching transistor can be increased, and the on-resistance when the switching transistor is on can be sufficiently reduced. As a result, when the switch transistor is turned on, distortion generated from the switch transistor can be reduced.
この発明によれば、固定利得アンプと可変減衰回路とを組み合わせたものを用いなくても、入力のインピーダンスマッチングを崩さずに、利得を可変することができる可変利得増幅回路を実現することができる。 According to the present invention, it is possible to realize a variable gain amplifier circuit capable of changing the gain without destroying the input impedance matching without using a combination of a fixed gain amplifier and a variable attenuation circuit. .
そして、この発明によれば、動作電圧が低電圧、低消費電流で、低ノイズかつ低歪みの可変利得増幅装置が実現できる。 According to the present invention, it is possible to realize a variable gain amplifying device with low operating voltage, low current consumption, low noise and low distortion.
以下、この発明による可変利得増幅回路の実施形態を、図を参照しながら説明する。 Embodiments of a variable gain amplifier circuit according to the present invention will be described below with reference to the drawings.
[第1の実施形態]
図1は、この発明による可変利得増幅回路の第1の実施形態の原理的構成を示す等価回路を示す図である。この第1の実施形態では、利得可変アンプ101の入出力端間に、第1の抵抗器102および第2の抵抗器103の直列回路が挿入されている。そして、第1の抵抗器102と第2の抵抗器103との接続中点が、インピーダンス切り換え回路を構成するスイッチ回路104を通じて接地端に接続されている。
[First Embodiment]
FIG. 1 is a diagram showing an equivalent circuit showing the basic configuration of a variable gain amplifier circuit according to a first embodiment of the present invention. In the first embodiment, a series circuit of a
そして、信号源インピーダンスRgの入力信号源105が、可変利得アンプ101に入力される。また、AGC制御回路106が設けられ、可変利得アンプ101の出力信号が、このAGC制御回路106に供給される。
Then, the
そして、このAGC制御回路106では、可変利得アンプ101の出力信号の信号レベルに応じて、可変利得アンプ101の利得−Aを制御する自動利得制御信号(以下、AGC制御信号という)CTを生成すると共に、スイッチ回路104をオン・オフ切り替えするスイッチ制御信号SWを生成し、AGC制御信号を可変利得アンプ101に供給すると共に、スイッチ制御信号SWをスイッチ回路104に供給する。
The
この例においては、AGC制御回路106は、可変利得アンプ101の出力信号が所定レベル以下であるときには、AGC制御は行なわず、可変利得アンプのゲイン−Aが、一定となるようにする信号をAGC制御信号CTとして出力する。そして、可変利得アンプ101の出力信号が所定レベル以上になったときには、その信号レベルに応じて、可変利得アンプ101の出力信号のレベルを一定にするように可変利得アンプ101のゲイン−Aを可変制御するようにするAGC制御信号CTを生成し、可変利得アンプ101に供給する。
In this example, the
また、AGC制御回路106は、AGC制御信号CTにより可変利得アンプ101のゲイン−Aを一定とするように制御するときには、スイッチ回路104をオフとし、AGC制御信号CTにより可変利得アンプ101のゲイン−Aを可変制御するようにする信号を生成しているときには、スイッチ回路104をオンとするように、スイッチ制御信号SWを生成する。
In addition, when the
そして、第1の抵抗器102の抵抗値R1は、入力信号源105の信号源インピーダンスRgに等しいあるいはほぼ等しい値に選定されている。また、第2の抵抗器103の抵抗値R2は、スイッチ回路104がオフであるときに、負帰還抵抗により入力信号源とのインピーダンスマッチングを行なえる値とされる。すなわち、抵抗値R2は、
Rg=(R1+R2)/(1+A) ・・・(式2)
を満足する値に設定される。
The resistance value R1 of the
Rg = (R1 + R2) / (1 + A) (Formula 2)
Is set to a value that satisfies.
以上のように構成されているので、AGC制御信号CTにより可変利得アンプ101に対してAGCがかかる前、つまり、可変利得アンプ101の利得−Aが一定とされるときには、スイッチ回路104は、スイッチ制御信号SWによりオフに制御される。このときには、第1の抵抗器102および第2の抵抗器103からなる負帰還抵抗により、入力信号源105に対して、可変利得アンプ101の入力のインピーダンスマッチングが行なわれる。
Since it is configured as described above, before the AGC is applied to the
このとき、信号電流が第1の抵抗器102を流れることにより、この第1の抵抗器102での電圧降下は、第1の抵抗器102の抵抗値R1が信号源インピーダンスRgに等しいあるいはほぼ等しいから、信号源インピーダンスRgにより降下した電圧に等しい。したがって、このとき第1の抵抗器102と第2の抵抗器103との接続中点Paでは、可変利得アンプ101の出力の信号と入力の信号とがバランスした状態となっており、この接続中点Paの信号レベルは極めて小さくなる。
At this time, since the signal current flows through the
このため、この接続中点Paに接続されたスイッチ回路104に加わる信号は、非常に小さく、このスイッチ回路104によって発生する歪みは極めて小さくなり、また、寄生容量による帰還時の影響も無視できる。
For this reason, the signal applied to the
この結果、スイッチ回路104を例えばスイッチ用トランジスタで構成したときに、そのスイッチ用トランジスタのサイズを大きくすることができ、スイッチ用トランジスタのオン時のオン抵抗を充分に小さくできる。その結果、スイッチ用トランジスタのオン時に、当該スイッチ用トランジスタから発生する歪みも小さくすることが可能となる。
As a result, when the
次に、AGC制御信号CTにより可変利得アンプ101に対してAGCがかかり始め、可変利得アンプ101の利得−Aが、出力が所定のものとなるように利得制御される可変制御される状態になると、スイッチ回路104が、スイッチ制御信号SWによりオンに切り換え制御される。このため、接続中点Paが接地端に接続される状態になって、第1および第2の抵抗器102および103からなる負帰還路は切断され、入力信号源105に対しては、第1の抵抗器102によって、可変利得アンプ101の入力のインピーダンスマッチングが行なわれる。
Next, AGC starts to be applied to the
以上のようにして、この第1の実施形態によれば、固定利得アンプと可変減衰回路とを組み合わせたものを用いなくても、入力のインピーダンスマッチングを崩さずに、利得を可変することができる可変利得増幅回路を実現することができる。 As described above, according to the first embodiment, the gain can be varied without destroying the input impedance matching without using a combination of a fixed gain amplifier and a variable attenuation circuit. A variable gain amplifier circuit can be realized.
[第2の実施形態]
この第2の実施形態は、可変利得アンプを、複数個の可変利得アンプで構成し、入力に減衰機を挿入することで、より大きな入力信号に対しても低歪みの可変利得増幅回路を構成するようにした場合の例である。
[Second Embodiment]
In the second embodiment, a variable gain amplifier is composed of a plurality of variable gain amplifiers, and an attenuator is inserted into the input, thereby forming a variable gain amplifier circuit with low distortion even for larger input signals. It is an example in the case of doing so.
図2は、この第2の実施形態の可変利得増幅回路の一例の等価回路を示す図であり、この例の可変利得増幅回路においては、3個の可変利得アンプ1011,1012,1013が用いられて構成される。
FIG. 2 is a diagram showing an equivalent circuit of an example of the variable gain amplifier circuit of the second embodiment. In the variable gain amplifier circuit of this example, three
この例においては、3個の可変利得アンプ1011,1012,1013の出力端は、互いに共通に接続される。そして、第1の可変利得アンプ1011の入力端と、第2の可変利得アンプ1012の入力端との間に、減衰器107が設けられ、また、第2の可変利得アンプ1012の入力端と第3の可変利得アンプ1013の入力端との間に、減衰器108が設けられる。したがって、第1の可変利得アンプ1011の入力端と第3の可変利得アンプ1013との間には、直列に接続された減衰器107と減衰器108とが設けられる構成である。
In this example, the output terminals of the three
そして、この第2の実施形態では、第1の可変利得アンプ1011の入出力端間に、第1および第2の抵抗器102および103からなる負帰還抵抗が挿入され、この第1および第2の抵抗器102および103の接続中点Paと接地端との間にスイッチ回路104が接続される。また、信号源インピーダンスRgの信号源105が、可変利得アンプ1011の入力端と接地端との間に印加される。
In the second embodiment, a negative feedback resistor including the first and
そして、この第2の実施形態では、AGC制御回路106は、可変利得アンプ1011〜1013の共通出力端からの出力信号レベルに基づいて、各可変利得アンプ1011、1012、1013に対するAGC制御信号CT1,CT2,CT3(図3参照)を生成すると共に、スイッチ回路104に供給するスイッチ制御信号SWを生成する。
In the second embodiment, the
すなわち、この例では、AGC制御回路106は、第1の可変利得アンプ1011に対しては、出力信号レベルが所定値Eth1以下であるときには、利得が固定となり、出力信号レベルが所定値Eth1より大きいときには、利得を減衰させるようにするAGC制御信号CT1を生成し、供給する。
That is, in this example, for the first
また、AGC制御回路106は、第2の可変利得アンプ1012に対しては、出力信号レベルが、前記所定値Eth1よりも減衰器107での減衰レベルに応じた分だけ大きい所定値Eth2よりも大きくなったときからその利得を減衰させるようにするAGC制御信号CT2を生成し、供給する。
In addition, the
さらに、AGC制御回路107は、第3の可変利得アンプ1013に対しては、出力信号レベルが、前記所定値Eth2よりも、さらに、減衰器108での減衰レベルに応じた分(前記所定値Eth1よりも減衰器107および108での減衰レベルの和に応じた分)だけ大きい所定値Eth3よりも大きくなったときからその利得を減衰させるようにするAGC制御信号CT2を生成し、供給する。
Further, the
そして、この第2の実施形態では、AGC制御回路106は、可変利得増幅回路の出力信号レベルが、第1の可変利得アンプ1011が利得制御されずに固定利得である所定値Eth1以下である間は、スイッチ回路104をオフとし、所定値Eth1よりも大きくなって可変利得アンプ1011の利得制御が開始されるようになると、スイッチ回路104をオンとするように、スイッチ制御信号SWを生成して、スイッチ回路104に供給するようにする。
In the second embodiment, the
したがって、この第2の実施形態においても、AGC制御がかかるまでの可変利得増幅回路が固定利得である状態では、スイッチ回路104はオフであるので、負帰還抵抗(第1の抵抗器102および第2の抵抗器103の直列接続)により、入力のインピーダンスマッチングが行なわれる。そして、AGC制御が行なわれる状態になると、スイッチ回路104がオンとなって、第1の抵抗器102のみにより、入力のインピーダンスマッチングが行なわれる。
Therefore, also in the second embodiment, in the state where the variable gain amplifier circuit until the AGC control is applied has a fixed gain, the
以上の構成の第2の実施形態によれば、入力側に設けられた減衰器107および108と相俟って、入力信号源105が、第1の実施形態の場合よりも大きな入力レベルとなる場合であっても、第2の可変利得アンプ1012および第3の可変利得アンプ1013により、低歪みの可変利得増幅回路を実現することができる。
According to the second embodiment having the above configuration, in combination with the
[実施形態の可変利得増幅回路が適用される回路の具体例]
この発明による可変利得増幅回路は、テレビジョン信号を受信するチューナ部(フロントエンド回路)の高周波増幅回路に適用することができる。特に、最近は、テレビチューナとして、広い範囲に渡ってチャンネルを切り換えられるようにするものが考えられているが、この発明による可変利得増幅回路は、そのようなチューナ部の高周波増幅回路として好適である。
[Specific Example of Circuit to which Variable Gain Amplifier Circuit of Embodiment is Applied]
The variable gain amplifier circuit according to the present invention can be applied to a high frequency amplifier circuit of a tuner unit (front end circuit) that receives a television signal. In particular, recently, a television tuner that can switch channels over a wide range has been considered. The variable gain amplifier circuit according to the present invention is suitable as a high-frequency amplifier circuit for such a tuner section. is there.
テレビ放送に使用される周波数(チャンネル)は国によって様々であり、カラー方式にも、NTSC、PAL、SECAMなどがある。さらに、アナログ放送もあれば、デジタル放送もある。 The frequency (channel) used for television broadcasting varies from country to country, and color schemes include NTSC, PAL, and SECAM. In addition, there are analog broadcasting and digital broadcasting.
そこで、テレビ放送の受信信号系を、テレビ放送を受信して中間周波信号を出力するフロントエンド回路と、そのフロントエンド回路の出力を処理してカラー映像信号および音声信号を出力するベースバンド処理回路とに分割することが考えられている。つまり、そのようにすることにより、テレビ放送の放送方式の違いに対処するものである。 Therefore, a reception signal system for television broadcasting, a front-end circuit that receives television broadcasting and outputs an intermediate frequency signal, and a baseband processing circuit that processes the output of the front-end circuit and outputs color video signals and audio signals It is considered to be divided into That is, by doing so, the difference in the broadcasting system of television broadcasting is dealt with.
そのようにする場合において、この発明を適用できるフロントエンド回路の一例について説明する。以下に説明する例は、IC化により部品点数を減らすようにした場合の例である。 In such a case, an example of a front end circuit to which the present invention can be applied will be described. The example described below is an example in which the number of parts is reduced by using an IC.
[テレビチューナのフロントエンド回路の例]
図4は、各国のテレビ放送を、その放送形式にかかわらず受信できるフロントエンド回路の一例を示す。この例においては、それぞれの国のテレビ放送で使用されている周波数を、
(A)46〜147MHz(VLバンド)
(B)147〜401MHz(VHバンド)
(C)401〜887MHz(Uバンド)
の3バンドに分割し、それぞれの受信バンドにおいて、周波数を目的とするチャンネルに対応して変更できるようにした場合である。
[Example of TV tuner front-end circuit]
FIG. 4 shows an example of a front-end circuit that can receive a television broadcast of each country regardless of the broadcast format. In this example, the frequency used in the television broadcasting of each country is
(A) 46-147 MHz (VL band)
(B) 147 to 401 MHz (VH band)
(C) 401-887 MHz (U band)
In this case, the frequency can be changed corresponding to the target channel in each reception band.
すなわち、図4において、鎖線で囲った部分10が、そのフロントエンド回路を示し、これは1チップICにIC化されている。また、このIC(フロントエンド回路)10は、外部接続用の端子ピンT11〜T19を有する。 That is, in FIG. 4, a portion 10 surrounded by a chain line indicates the front end circuit, which is integrated into a one-chip IC. The IC (front end circuit) 10 has terminal pins T11 to T19 for external connection.
そして、テレビ放送の放送波信号がアンテナANTにより受信され、その受信信号が、端子ピンT11からスイッチ回路11を通じてアンテナ同調回路12A〜12Cに選択的に供給される。この場合、アンテナ同調回路12A〜12Cは、上記(A)〜(C)項の受信バンドにそれぞれ対応するものであり、同調用コンデンサの容量をデジタルデータにより変更して同調周波数を変更し、この結果、目的とする周波数(チャンネル)の受信信号に同調するように構成されている。
Then, the broadcast wave signal of the television broadcast is received by the antenna ANT, and the received signal is selectively supplied from the terminal pin T11 to the
そして、これら同調回路12A〜12Cからの受信信号が、高周波増幅回路13A〜13Cを通じ、さらに、段間同調回路14A〜14Cを通じてスイッチ回路15に供給される。このスイッチ回路15は、スイッチ回路11と連動して切り換えられるものであり、したがって、スイッチ回路15からは目的とする受信バンドの受信信号SRXが取り出される。そして、この取り出された受信信号SRXがミキサ回路12I、12Qに供給される。
The received signals from the
なお、同調回路14A〜14Cも同調回路12A〜12Cと同様に構成されているものであるが、同調回路14Aは復同調回路とされている。また、後述するように、同調回路12A〜14Cの同調用コンデンサはIC10に内蔵され、同調用コイルはIC10に外付けとされている。
Although the
また、VCO31において、所定の周波数の発振信号が形成される。このVCO31は、局部発振信号を形成するためのものであり、PLL30の一部を構成している。すなわち、VCO31の発振信号が可変分周回路32に供給されて1/N(Nは正の整数)の周波数の信号に分周され、この分周信号が位相比較回路33に供給される。さらに、外部から端子ピンT14を通じて信号形成回路34にクロック(周波数は1〜2MHz程度)が供給されて所定の周波数f34の信号に分周され、この分周信号が位相比較回路33に基準信号として供給される。
Further, in the
そして、位相比較回路33の比較出力がループフィルタ35に供給されて可変分周回路32の出力信号と、形成回路34の出力信号との位相差に対応してレベルの変化する直流電圧が取り出され、この直流電圧がVCO31に発振周波数f31の制御電圧として供給される。なお、フィルタ35には、端子ピンT15を通じて平滑用のコンデンサC11が外付けされる。
Then, the comparison output of the
したがって、VCO31の発振周波数f31は、
f31=N・f34 ・・・ (式2)
となるので、システム制御用のマイクロコンピュータ(図示せず)により分周比Nを制御すれば、VCO31の発振周波数f31を変更することができる。例えば、周波数f31は、受信バンドおよび受信周波数(受信チャンネル)に対応して1.8〜3.6GHzとされる。
Therefore, the oscillation frequency f31 of the
f31 = N · f34 (Formula 2)
Therefore, if the frequency division ratio N is controlled by a system control microcomputer (not shown), the oscillation frequency f31 of the
そして、このVCO31の発振信号が可変分周回路36に供給されて1/M(例えば、M=2、4、8、16、32)の周波数に分周され、この分周信号が分周回路37に供給されて1/2の周波数で、かつ、位相が互いに直交する分周信号SLOI、SLOQに分周され、これら信号SLOI、SLOQがミキサ回路21I、21Qに局部発振信号として供給される。
Then, the oscillation signal of the
ここで、
fLO:局部発振信号SLOI、SLOQの周波数
とすれば、
fLO=f31/(2M)
=N・f34/(2M)
=f34・N/(2M) ・・・ (式3)
となる。したがって、分周比M、Nを変更することにより、局部発振周波数fLOを、所定の周波数ステップで広い範囲にわたって変更することができる。
here,
fLO: If the frequency of the local oscillation signals SLOI, SLOQ,
fLO = f31 / (2M)
= N · f34 / (2M)
= F34 · N / (2M) (Formula 3)
It becomes. Therefore, by changing the frequency dividing ratios M and N, the local oscillation frequency fLO can be changed over a wide range at a predetermined frequency step.
また、
SRX:受信を希望する受信信号
SUD:イメージ妨害信号
とし、簡単のため、
SRX=ERX・sinωRXt
ERX:受信信号SRXの振幅
ωRX=2πfRX
fRX:受信信号SRXの中心周波数
SUD=EUD・sinωUDt
EUD:イメージ妨害信号SUDの振幅
ωUD=2πfUD
fUD:イメージ妨害信号SUDの中心周波数
とする。
Also,
SRX: Received signal desired to be received SUD: Image jamming signal
SRX = ERX ・ sinωRXt
ERX: Amplitude of received signal SRX
ωRX = 2πfRX
fRX: Center frequency of received signal SRX SUD = EUD · sinωUDt
EUD: Amplitude of image disturbance signal SUD
ωUD = 2πfUD
fUD: The center frequency of the image disturbing signal SUD.
さらに、局部発振信号SLOI、SLOQについて、
SLOI=ELO・sinωLOt
SLOQ=ELO・cosωLOt
ELO:信号SLOI、SLOQの振幅
ωLO=2πfLO
とする。
Further, regarding local oscillation signals SLOI and SLOQ,
SLOI = ELO ・ sinωLOt
SLOQ = ELO ・ cosωLOt
ELO: Amplitude of signals SLOI and SLOQ
ωLO = 2πfLO
And
ただし、このとき、
ωIF=2πfIF
fIF:中間周波数。例えば、4〜5.5MHz(放送方式により変更する)
とすれば、アッパーヘテロダイン方式の場合には、
fRX=fLO−fIF
fUD=fLO+fIF
である。
However, at this time
ωIF = 2πfIF
fIF: intermediate frequency. For example, 4 to 5.5 MHz (change according to the broadcasting system)
Then, in the case of the upper heterodyne method,
fRX = fLO-fIF
fUD = fLO + fIF
It is.
したがって、ミキサ回路21I、21Qからは、次のような信号SIFI、SIFQが出力される。すなわち、
SIFI=(SRX+SUD)×SLOI
=ERX・sinωRXt×ELO・sinωLOt
+EUD・sinωUDt×ELO・sinωLOt
=α{cos(ωRX−ωLO)t−cos(ωRX+ωLO)t}
+β{cos(ωUD−ωLO)t−cos(ωUD+ωLO)t}
SIFQ=(SRX+SUD)×SLOQ
=ERX・sinωRXt×ELO・cosωLOt
+EUD・sinωUDt×ELO・cosωLOt
=α{sin(ωRX+ωLO)t+sin(ωRX−ωLO)t}
+β{sin(ωUD+ωLO)t+sin(ωUD−ωLO)t}
α=ERX・ELO/2
β=EUD・ELO/2
の信号SIFI、SIFQが取り出される。
Therefore, the following signals SIFI and SIQQ are output from the
SIFI = (SRX + SUD) × SLOI
= ERX · sinωRXt × ELO · sinωLOt
+ EUD ・ sinωUDt × ELO ・ sinωLOt
= Α {cos (ωRX−ωLO) t−cos (ωRX + ωLO) t}
+ Β {cos (ωUD−ωLO) t−cos (ωUD + ωLO) t}
SIFQ = (SRX + SUD) × SLOQ
= ERX · sinωRXt × ELO · cosωLOt
+ EUD ・ sinωUDt × ELO ・ cosωLOt
= Α {sin (ωRX + ωLO) t + sin (ωRX−ωLO) t}
+ Β {sin (ωUD + ωLO) t + sin (ωUD−ωLO) t}
α = ERX ・ ELO / 2
β = EUD ・ ELO / 2
The signals SIFI and SIFQ are extracted.
そして、これら信号SIFI、SIFQが、映像中間周波信号および音声中間周波信号の占有帯域幅(例えば、6〜8MHz)に比べて広帯域のローパスフィルタ22に供給され、この結果、ローパスフィルタ22において、和の角周波数(ωRX+ωLO)、(ωUD+ωLO)の信号成分(および局部発振信号SLOI、SLOQ)が除去され、ローパスフィルタ22からは、
SIFI=α・cos(ωRX−ωLO)t+β・cos(ωUD−ωLO)t
=α・cosωIFt+β・cosωIFt ・・・(式4)
SIFQ=α・sin(ωRX−ωLO)t+β・sin(ωUD−ωLO)t
=−α・sinωIFt+β・sinωIFt ・・・ (式5)
が取り出される。
Then, these signals SIFI and SIFQ are supplied to a low-pass filter 22 which is wider than the occupied bandwidth (for example, 6 to 8 MHz) of the video intermediate frequency signal and the audio intermediate frequency signal. Signal components (and local oscillation signals SLOI and SLOQ) of (ωRX + ωLO) and (ωUD + ωLO) are removed, and the low-pass filter 22
SIFI = α · cos (ωRX−ωLO) t + β · cos (ωUD−ωLO) t
= Α · cosωIFt + β · cosωIFt (Formula 4)
SIFQ = α · sin (ωRX−ωLO) t + β · sin (ωUD−ωLO) t
= −α · sinωIFt + β · sinωIFt (Formula 5)
Is taken out.
そして、これら信号SIFI、SIFQが、後述する振幅位相補正回路23を通じて複素バンドパスフィルタ(ポリフェイズ・バンドパスフィルタ)24に供給される。この複素バンドパスフィルタ24は、
(a) バンドパスフィルタの周波数特性を有する。
(b) 移相特性も有し、信号SIFIを値φ(φは任意の値)だけ移相する。
(c) 同じく、信号SIFQを値(φ−90°)だけ移相する。
(d) 周波数軸上において、零周波数に対して対称の周波数f0と周波数−f0とを中心周波数とする2つのバンドパス特性を有するものであり、入力信号の相対位相によりこれを選択することができる。
の特性を有するものである。
These signals SIFI and SIFQ are supplied to a complex bandpass filter (polyphase bandpass filter) 24 through an amplitude
(a) It has a frequency characteristic of a band pass filter.
(b) The phase shift characteristic is also provided, and the signal SIFI is phase-shifted by a value φ (φ is an arbitrary value).
(c) Similarly, the signal SIFQ is phase-shifted by a value (φ−90 °).
(d) On the frequency axis, it has two bandpass characteristics with a center frequency of a frequency f0 and a frequency -f0 that are symmetrical with respect to the zero frequency, and this can be selected according to the relative phase of the input signal. it can.
It has the following characteristics.
したがって、複素バンドパスフィルタ24において、上記(b)、(c)項により信号SIFQが信号SIFIに対して90°遅相され、
SIFI=α・cosωIFt+β・cosωIFt ・・・ (式6)
SIFQ=−α・sin(ωIFt−90°)+β・sin(ωIFt−90°)
=α・cosωIFt−β・cocωIFt ・・・ (式7)
とされる。つまり、信号SIFIと、信号SIFQとの間では、信号成分α・cosωIFtは互いに同相であり、信号成分β・cocωIFtは互いに逆相である。
Therefore, in the complex band-pass filter 24, the signal SIFQ is delayed by 90 ° with respect to the signal SIFI by the above items (b) and (c).
SIFI = α · cosωIFt + β · cosωIFt (Formula 6)
SIFQ = -α · sin (ωIFt-90 °) + β · sin (ωIFt-90 °)
= Α · cosωIFt−β · cocωIFt (Expression 7)
It is said. That is, between the signal SIFI and the signal SIFQ, the signal component α · cosωIFt is in phase with each other, and the signal component β · cocωIFt is in phase with each other.
そして、この信号SIFI、SIFQがレベル補正用のアンプ25に供給されて信号SIFIと信号SIFQとが加算され、レベル補正アンプ25からは以下のような信号SIFが取り出される。 Then, the signals SIFI and SIFQ are supplied to the level correction amplifier 25, the signal SIFI and the signal SIFQ are added, and the following signal SIF is extracted from the level correction amplifier 25.
すなわち、
SIF=SIFI+SIFQ
=2α・cosωIFt
=ERX・ELO・cosωIFt ・・・ (式8)
が取り出される。この取り出された信号SIFは、信号SRXをアッパーヘテロダイン方式で受信したときの中間周波信号にほかならない。そして、この中間周波信号SIFには、イメージ妨害信号SUDは含まれていない。なお、振幅位相補正回路23は、この(式8)が十分に成立するように、すなわち、イメージ妨害信号SUDが最小となるように、信号SIFI、SIFQの振幅および位相を補正するものである。
That is,
SIF = SIFI + SIFQ
= 2α ・ cosωIFt
= ERX / ELO / cosωIFt (Equation 8)
Is taken out. This extracted signal SIF is nothing but an intermediate frequency signal when the signal SRX is received by the upper heterodyne system. The intermediate frequency signal SIF does not include the image disturbance signal SUD. The amplitude /
さらに、このとき、レベル補正用のアンプ25において、放送方式の違いにより信号SIFI、SIFQのレベルが異なっても、後述するAGC特性(特に、AGCの開始レベル)などが変化しないように、信号SIFのレベルが補正される。 Further, at this time, in the level correction amplifier 25, even if the levels of the signals SIFI and SIFQ differ depending on the broadcasting system, the signal SIF is not changed so that the AGC characteristics (particularly, the AGC start level) described later do not change. Level is corrected.
そして、この中間周波信号SIFが、AGC用の可変利得アンプ26を通じ、さらに、直流分のカット用およびエリアジング用のバンドパスフィルタ27を通じて端子ピンT12に出力される。
The intermediate frequency signal SIF is output to the terminal pin T12 through the AGC
したがって、分周比M、Nを変更すれば、(式3)にしたがって目的とする周波数(チャンネル)を選択することができ、端子ピンT12に出力された中間周波信号SIFを放送方式に対応して復調すれば、目的とする放送を視聴することができることになる。 Therefore, if the frequency dividing ratios M and N are changed, the target frequency (channel) can be selected according to (Equation 3), and the intermediate frequency signal SIF output to the terminal pin T12 corresponds to the broadcasting system. If demodulated, the target broadcast can be viewed.
こうして、このフロントエンド回路10によれば、46〜887MHzという広い周波数範囲に対して、1チップICで対応できる。また、広い周波数範囲に対して妨害特性を低下させることなく、より少ない部品点数で、フロントエンド回路10を実現できる。さらに、デジタル放送およびアナログ放送の放送方式の違いや、世界的な地域による放送方式の違いに対して、1つのフロントエンド回路10で対応することができる。 Thus, according to the front end circuit 10, it is possible to deal with a wide frequency range of 46 to 887 MHz with a single chip IC. In addition, the front end circuit 10 can be realized with a smaller number of parts without deteriorating the interference characteristics over a wide frequency range. Furthermore, the single front-end circuit 10 can cope with the difference between the broadcasting systems of digital broadcasting and analog broadcasting and the broadcasting system depending on the region in the world.
また、クロック信号の高調波などによる受信妨害が少なくなり、結果として受信感度が上昇する。さらに、PLL30は、コンデンサC11を除き、すべての回路部品のオンチップ化ができるので、外乱に強く、妨害発生の少ないPLLとすることができる。また、高周波増幅回路13A〜13Cには、同調回路14A〜14Cがそれぞれ接続されるだけなので、負荷が軽く、高周波増幅回路13A〜13Cを低歪みとすることができる。
In addition, reception interference due to clock signal harmonics or the like is reduced, resulting in an increase in reception sensitivity. Furthermore, since all the circuit components except the capacitor C11 can be made on-chip, the
〔AGCの例〕
AGC電圧VAGCが、フロントエンド回路の後段の、図示を省略するベースバンド処理回路において形成され、このAGC電圧VAGCが端子ピンT16を通じてAGC用の可変利得アンプ26にその利得の制御信号として供給される。したがって、これにより通常のAGC(中間周波数信号でのAGC)が行われる。
[Example of AGC]
The AGC voltage VAGC is formed in a baseband processing circuit (not shown) after the front end circuit, and this AGC voltage VAGC is supplied as a gain control signal to the AGC
また、例えば、目的とする受信信号SRXのレベルが大きすぎたり、受信信号SRXに大きなレベルの妨害波信号が混在したりしている場合には、上記の通常のAGCでは対応しきれなくなる。そこで、ローパスフィルタ22から出力される信号SIFI、SIFQがレベル検出回路41に供給され、AGC用アンプ26においてAGCを行う以前の信号SIFI、SIFQのレベルが所定値を越えたか否かが検出される。そして、この検出信号と、端子ピンT16のAGC電圧VAGCとが加算回路42に供給され、その加算出力が遅延AGC電圧形成回路43に供給されて遅延AGC電圧VDAGCが形成され、この遅延AGC電圧VDAGCが高周波増幅回路13A〜13Cに利得の制御信号として供給され、遅延AGCが行われる。
Further, for example, when the level of the target reception signal SRX is too large, or when the reception signal SRX contains a large level of disturbing wave signals, the above-described normal AGC cannot cope with it. Therefore, the signals SIFI and SIFQ output from the low-pass filter 22 are supplied to the
したがって、希望する受信信号の強さと、受信を希望しない多くの信号の強さとのD/Uから最適なAGC動作ができるので、デジタル放送とアナログ放送、あるいはそれらが混在していても、希望する放送を良好に受信することができる。 Accordingly, since the optimum AGC operation can be performed from the D / U of the strength of the desired received signal and the strength of many signals that are not desired to be received, it is desired even if digital broadcasting and analog broadcasting or a mixture of them is mixed. Broadcast can be received well.
〔テスト用・調整用電圧の例〕
ローパスフィルタ22から出力される信号SIFI、SIFQがリニア検波回路44に供給され、検波および平滑されることにより信号SIFI、SIFQのレベルを示す直流電圧V44とされ、この電圧V44が端子ピンT13に出力される。
[Example of test / adjustment voltage]
The signals SIFI and SIFQ output from the low-pass filter 22 are supplied to the
この端子ピンT13に出力された直流電圧V44は、フロントエンド回路10のテスト時や調整時などに使用される。例えば、入力信号(受信信号)のレベルを広い周波数範囲にわたってチェックするときに使用することができ、すなわち、狭帯域の中間周波フィルタを通した出力と違い、アンテナ端子ピンT11からミキサ回路21I、21Qまでの信号ラインについて広帯域の減衰特性を直接チェックすることができる。
The DC voltage V44 output to the terminal pin T13 is used when the front end circuit 10 is tested or adjusted. For example, it can be used when checking the level of an input signal (received signal) over a wide frequency range, that is, unlike an output through a narrow-band intermediate frequency filter, from the antenna terminal pin T11 to the
また、アンテナ同調回路12A〜12Cおよび段間同調回路14A〜14Cを調整する場合には、入力テスト信号をアンテナ端子ピンT11に加え、端子ピンT16に供給されるAGC電圧VAGCを所定値に固定すれば、直流電圧V44の変化からトラッキング調整を行うことができる。さらに、フロントエンド回路10の各機能の調整や特性の測定がデジタルデータにより行うことができ、自動調整および自動測定ができる。
When adjusting the
〔定電圧回路〕
IC10には、定電圧回路53が設けられ、端子ピンT17から電源電圧+VCCが供給される。この定電圧回路53は、PN接合のバンドギャップを利用して電源電圧+VCCから所定の値の定電圧を形成するものであり、その形成された定電圧はIC10のそれぞれの回路に供給される。なお、定電圧回路53の出力電圧は微調整可能とされる。
[Constant voltage circuit]
The IC 10 is provided with a
したがって、各回路をMOS−FETにより構成した場合でも、それらの回路に供給される電圧を高めに設定することができ、MOS−FETの性能を最大限に引き出すことができる。 Therefore, even when each circuit is constituted by MOS-FETs, the voltage supplied to these circuits can be set higher, and the performance of the MOS-FET can be maximized.
〔初期設定〕
上述の振幅位相補正回路23の補正量、複素バンドパスフィルタ24の中心周波数および通過帯域幅、レベル補正用アンプ25の利得は、受信するテレビ放送の放送方式に対応する必要があるので、可変とされるとともに、外部から設定できるようにされている。例えば、複素バンドパスフィルタ24の中心周波数は3.8〜5.5MHz、通過帯域は5.7〜8MHzの範囲で可変とされている。
〔Initial setting〕
The correction amount of the amplitude
そして、組み立て時や工場出荷時などに、これら回路23〜25の設定値が、端子ピンT18から不揮発性メモリ51に書き込まれる。また、同調回路12A〜12C、14A〜14Cのトラッキング用のデータ(同調周波数を微調整するデータ)や定電圧回路53の出力電圧を微調整するデータも、同様に端子ピンT18から不揮発性メモリ51に書き込まれる。したがって、それぞれの回路の特性を、受信するテレビ放送の放送方式に対応したものに設定することができる。
Then, the set values of these
〔使用時の動作〕
このIC10を使用した受信機の電源が投入されたときも、不揮発性メモリ51の設定値がバッファメモリ52にコピーされ、このコピーされた設定値が回路12A〜12C、14A〜14C、23〜25、53のそれぞれにデフォルト値として供給される。
[Operation during use]
Even when the power of the receiver using the IC 10 is turned on, the setting value of the
そして、ユーザがチャンネルを選択したときには、そのためのデータが、システム制御用のマイクロコンピュータ(図示せず)から端子ピンT19を通じてバッファメモリ52に供給されていったん保存され、この保存されたデータがスイッチ回路11、15、同調回路12A〜12C、14A〜14C、可変分周回路32、36に供給され、目的とするチャンネル(周波数)を含む受信バンドが選択されるとともに、その選択された受信バンドにおいて、目的とするチャンネルが選択される。
When the user selects a channel, data for that purpose is supplied from the microcomputer for system control (not shown) to the
〔この例のフロントエンド回路の特徴〕
図4に示すフロントエンド回路10によれば、(A)〜(C)項に示すように、46〜887MHzの周波数帯におけるテレビ放送を受信することができる。そして、そのとき、複素バンドパスフィルタ24の中心周波数および通過帯域幅が可変とされているの、国内の地上デジタルテレビ放送や地上アナログテレビ放送だけでなく、国外のデジタルテレビ放送やアナログテレビ放送にも対応できる。
[Features of front-end circuit in this example]
According to the front end circuit 10 shown in FIG. 4, as shown in the items (A) to (C), it is possible to receive a television broadcast in a frequency band of 46 to 887 MHz. At that time, the center frequency and passband width of the complex bandpass filter 24 are variable, so that not only domestic terrestrial digital television broadcasts and terrestrial analog television broadcasts but also overseas digital television broadcasts and analog television broadcasts. Can also respond.
〔高周波増幅回路13A〜13Cとしての実施例〕
上述したテレビチューナの高周波増幅回路(RF AGCアンプ)13A〜13Cのそれぞれは、従前のIC化されていない構成においては、単体のMOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)と、入力トラッキングフィルタによる整合回路を使用し、入力ステップアップを大きくすることで、低ノイズの高周波増幅回路としていた。
[Embodiments as the high-
Each of the above-described high-frequency amplifier circuits (RF AGC amplifiers) 13A to 13C of the TV tuner is a matching circuit using a single MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) and an input tracking filter in a configuration that is not integrated into a conventional IC. And increasing the input step-up, a low-noise high-frequency amplifier circuit has been achieved.
すなわち、入力のインピーダンスマッチングは、入力トラッキングフィルタ(同調回路)のタンク回路のロス抵抗を用いるようにしている。そして、入力トラッキングフィルタを調整して、狭帯域のフィルタとするとともに、昇圧トランスによる入力ステップアップを大きくすることで、低ノイズを実現している。 That is, the input impedance matching uses the loss resistance of the tank circuit of the input tracking filter (tuning circuit). The input tracking filter is adjusted to a narrow band filter, and the input step-up by the step-up transformer is increased to achieve low noise.
ところが、この高周波増幅回路をIC内に内蔵させる場合を考えると、IC化された可変容量と固定インダクタの小型チップインダクタでは、空芯コイルとバリキャップを使用した同調回路ほどの高い先鋭度Qは得られず、従来のような選択度は期待できないという問題がある。 However, considering the case where this high-frequency amplifier circuit is built in an IC, a small chip inductor having an IC variable capacitor and a fixed inductor has a sharpness Q that is as high as a tuning circuit using an air-core coil and a varicap. There is a problem that the conventional selectivity cannot be expected.
また、従来の構成のままでは、入力の昇圧された電圧が強い受信信号時に、ICの静電気保護回路の比直線性が原因の歪が発生し、IC化する場合には、入力の信号の昇圧比をかなり小さくせざるを得ない。また、使用する電源電圧はデバイスの耐圧から低くせざるを得ず、MOSFETを用いた高入力インピーダンスの回路で、高い利得が得られない状況にある。 Further, with the conventional configuration, when the input boosted voltage has a strong received signal, distortion due to the specific linearity of the electrostatic protection circuit of the IC occurs, and when the IC is formed, the input signal is boosted. The ratio must be made quite small. In addition, the power supply voltage to be used must be lowered from the breakdown voltage of the device, and a high input impedance circuit using MOSFET cannot obtain a high gain.
例えばNF=F(NFはNoise Figure(ノイズフィギュア)の略)のアンプを、入力のインピーダンスマッチングを行った状態で使用すると、NF=2+(F−1)/Aであるから、NF=3dB(F=2)のアンプは、NF=2+1/0.25=6と、NF=7.8dBに劣化してしまう。 For example, when an amplifier with NF = F (NF is an abbreviation of Noise Figure) is used in a state where impedance matching of the input is performed, NF = 2 + (F−1) / A, so NF = 3 dB ( The amplifier of F = 2) deteriorates to NF = 7.8 dB as NF = 2 + 1 / 0.25 = 6.
このような条件でも、デジタルテレビ放送受信には低いノイズフィギュアが要求され、入力の整合と、ノイズと耐圧から、従前の回路は用いることができず、新しい回路が必要となる。 Even under such conditions, a low noise figure is required for digital television broadcast reception, and the conventional circuit cannot be used because of input matching, noise, and withstand voltage, and a new circuit is required.
<第1の実施例>
図5は、図4のIC化されたテレビチューナのフロントエンド回路の高周波増幅回路13A〜13Cのうちの一つ、例えば高周波増幅回路13Aに、図1を用いて説明したこの発明による第1の実施形態を適用した場合の構成例である。なお、高周波増幅回路13A〜13Cのそれぞれは、すべて図5の回路構成とすることができる。なお、図5で、一点鎖線は、IC化される部分と、外付け部品との境界を示すものである。
<First embodiment>
FIG. 5 shows a first embodiment of the present invention described with reference to FIG. 1 to one of the high-
すなわち、図1の可変利得アンプ101は、図5の例においては、MOSFET(以下、単にFETという)201と202とにより構成される可変利得アンプ200とされ、FET201のドレインがコイル203を通じて、正の直流電圧+Vccの電源端子に接続されると共に、このFET201のドレインから出力端子が導出される。また、当該出力端子と接地端との間に可変コンデンサ204が接続される。
In other words, the
そして、FET201のソースが、FET202のドレイン−ソース間を通じて接地端に接続される。
The source of the
そして、入力トランス205の2次側のコイルの一端が接続される可変利得アンプ200の入力端T20が、コンデンサ206を介してFET202のゲートに接続される。
The input terminal T20 of the variable gain amplifier 200 to which one end of the secondary coil of the
また、可変利得アンプ200の入力端T20と、FET201のドレイン、つまり可変利得アンプ200の出力端との間には、第1の抵抗器207と第2の抵抗器208とコンデンサ209とが直列に接続されて、負帰還路が形成されている。可変利得アンプ200の入力端T20と接地端との間には、入力トランス205の2次側のコイルと共振回路を構成する可変コンデンサ210が接続される。
A
そして、第1の抵抗器207と第2の抵抗器208との接続中点Paは、スイッチ用FET211のドレイン−ソース間を通じて接地端に接続されている。
The connection midpoint Pa between the
そして、この例では、図1のAGC制御回路106に対応するものとして、遅延AGC電圧形成回路43で、AGC制御信号CTおよびスイッチ制御信号SWが生成される。この場合、図3の横軸の出力信号レベルは、この遅延AGC電圧形成回路43に入力されるAGC電圧となる。
In this example, the AGC control signal CT and the switch control signal SW are generated by the delayed AGC
このスイッチ用FET211のゲートには、遅延AGC電圧形成回路43からのスイッチ制御信号SWが供給される。また、遅延AGC電圧形成回路43からのAGC制御信号CTがFET201のゲートに供給されると共に、遅延AGC電圧形成回路43からのゲートバイアス電圧CBが、抵抗器212を通じてFET202のゲートに供給される。なお、FET201のゲートは、コンデンサ213を介して接地されている。
A switch control signal SW from the delayed AGC
前述したように、遅延AGC電圧形成回路43は、端子ピンT16を通じて入力されるAGC電圧と、レベル検出回路41からの、信号SIFI、SIFQのレベルが所定値を越えたか否かの検出信号との加算信号を受けて、AGC用アンプ26でAGCがかかる信号レベルよりもさらに大きい信号レベルになったときに、FET201およびFET202からなる可変利得アンプの利得を減衰させるようにするAGC制御信号CTおよびゲートバイアス電圧CBを生成し、それぞれFET201およびFET202のゲートに供給するようにする。
As described above, the delayed AGC
この場合、AGC制御信号CTにより、FET201のゲート電圧は、AGC制御により利得を下げるようにしない間は、高電圧とされる。そして、AGC制御が開始されると、AGC制御信号CTにより、FET201のゲート電圧が下げられ、ゲートバイアス電圧CBにより、FET202のゲート電圧は上昇させられる。
In this case, the gate voltage of the
FET201のゲート電圧が下げられることに伴って、FET202のドレイン−ソース間電圧が下げられて、FET202が3極管領域で動作するようになり、可変利得アンプとしての利得が減衰するように制御される。
As the gate voltage of the
そして、遅延AGC電圧形成回路43は、FET201および202からなる可変利得アンプに対してAGC制御が開始されるまでの間は、スイッチ用FET211はオフとし、AGC制御を行う状態になると、スイッチ用FET211をオンにするように、スイッチ制御信号SWを生成する。
The delay AGC
また、図5の例においては、入力信号は、入力トランス205の2次側コイルと可変コンデンサ210からなる可変同調回路によるインピーダンス変換回路によりインピーダンス変換される。そして、第1の抵抗器207は、このインピーダンス変換後の信号源インピーダンスRgに等しいあるいはほぼ等しい抵抗値R1に選定されている。
In the example of FIG. 5, the input signal is subjected to impedance conversion by an impedance conversion circuit including a variable tuning circuit including a secondary coil of the
そして、可変利得アンプの利得を−Aとしたとき、第2の抵抗器208の抵抗値R2は、Rg=(R1+R2)/(1+A)を満足する値に選定されている。
When the gain of the variable gain amplifier is -A, the resistance value R2 of the
以上のように構成されるので、図5の可変利得アンプで、AGCが行われず、固定利得となっている間は、スイッチ用FET211がオフとされ、第1の抵抗器207および第2の抵抗器208とによる負帰還抵抗により、良好に入力のインピーダンスマッチングが行われる。
Since the variable gain amplifier of FIG. 5 does not perform AGC and has a fixed gain, the switching
また、図5の可変利得アンプでAGCが行われて、利得が減衰される状態になると、スイッチ制御信号SWによりスイッチ用FET211がオンとなり、第1の抵抗器207により入力のインピーダンスマッチングが良好に行われるようになる。
When the AGC is performed by the variable gain amplifier of FIG. 5 and the gain is attenuated, the
<第2の実施例>
図6は、例えば高周波増幅回路13Aに、図2を用いて説明したこの発明による第2の実施の形態を適用した場合の構成例である。この例の場合も、高周波増幅回路13A〜13Cのそれぞれは、すべて図6の回路構成とすることができる。なお、この図6において、図5と同一部分には、同一符号を付して、その詳細な説明は省略する。なお、図6で、一点鎖線は、IC化される部分と、外付け部品との境界を示すものである。
<Second embodiment>
FIG. 6 shows a configuration example when the second embodiment according to the present invention described with reference to FIG. 2 is applied to, for example, the high-
この第2の実施例においては、図2の3個の可変利得アンプ1011,1012,103に対応する可変利得アンプ221,222,223が設けられる。これら可変利得アンプ221,222,223のそれぞれは、図5の可変利得アンプ200と同様の構成を示すものであり、可変利得アンプ221は、FET231とFET232とにより構成され、可変利得アンプ222は、FET241とFET242とにより構成され、可変利得アンプ223は、FET251とFET252とにより構成される。
In the second embodiment,
そして、FET231のドレインと、FET241のドレインと、FET251のドレインとが共通に接続されて、可変利得アンプ全体としての出力端とされ、この出力端がコイル203を介して電源電圧+Vccの電源端子に接続されると共に、可変コンデンサ204を通じて接地される。
The drain of the
また、FET231のソースがFET232のドレイン−ソース間を通じて接地され、FET241のソースがFET242のドレイン−ソース間を通じて接地され、FET251のソースがFET252のドレイン−ソース間を通じて接地される。
The source of the
そして、入力端T20を通じて入力される入力信号は、コンデンサ206を通じて可変利得アンプ221のFET232のゲートに供給されると共に、図2の減衰器107に対応する減衰器260を通じて可変利得アンプ222のFET242のゲートに供給され、さらに、減衰器260を通じた信号が図2の減衰器108に対応する減衰器270を通じて可変利得アンプ223のFET252のゲートに供給される。
The input signal input through the input terminal T20 is supplied to the gate of the
減衰器260は、入力端T20と接地端との間に接続されるコンデンサ261と262との直列回路からなり、これらコンデンサ261とコンデンサ262との接続点がFET242のゲートに接続される。したがって、入力信号がコンデンサ261と262とで容量分割されて減衰され、FET242のゲートに供給される。
The
また、減衰器270は、コンデンサ261と262との接続点と接地端との間に接続されるコンデンサ271と272との直列回路からなり、これらコンデンサ271とコンデンサ272との接続点がFET252のゲートに接続される。したがって、入力信号がコンデンサ261と262とで容量分割されて減衰されたものが、さらにコンデンサ271と272とで容量分割されて減衰されて、FET252のゲートに供給される。
The
そして、この例では、遅延AGC電圧形成回路43で、可変利得アンプ221,222,223のそれぞれに供給するAGC制御信号CT1,CT2,CT3(図3参照)が生成されて、それぞれAGC制御信号CT1が可変利得アンプ221のFET231に、AGC制御信号CT2が可変利得アンプ222のFET241に、AGC制御信号CT3が可変利得アンプ223のFET251に、供給される。ここで、FET231のゲートは、コンデンサ233を介して接地され、また、FET241のゲートは、コンデンサ243を介して接地され、FET251のゲートは、コンデンサ253を介して接地される。
In this example, the delayed AGC
また、遅延AGC電圧形成回路43では、各可変利得アンプ221,222,223のFET232,242,252のゲートに供給するバイアス電圧CB1,CB2,CB3も形成し、これらのバイアス電圧CB1,CB2,CB3を、それぞれ抵抗器234,244,254を通じて、FET232,242,252のゲートに、それぞれ供給するようにしている。
The delay AGC
さらに、この実施の形態では、遅延AGC電圧形成回路43は、スイッチ用FET211をオン・オフ制御するスイッチ制御信号SWも形成し、スイッチ用FET211のゲートに供給するようにしている。
Further, in this embodiment, the delayed AGC
この例では、入力信号レベルが所定値以上なるまでは、可変利得アンプ221〜223からなる可変利得アンプは、固定の利得アンプとして動作し、そのときには、スイッチ用FET211は、スイッチ制御信号SWによりオフとなっている。したがって、このときには、第1の抵抗器207と第2の抵抗器208とからなる負帰還抵抗により、入力のインピーダンスマッチングが行われる。
In this example, the variable gain amplifier composed of the
そして、減衰器260および270の存在と、AGC制御信号CT1,CT2,CT3とにより、前記所定値以上になると、上述した図2の例と同様にして、可変利得アンプ221〜223からなる可変利得アンプは、出力信号レベルを一定にするように利得が低減制御される。そして、そのときには、スイッチ用FET211は、スイッチ制御信号SWによりオンとされ、第1の抵抗器207のみによって、入力のインピーダンスマッチングが行われる。
When the
この第2の実施例の回路によれば、入力の整合(インピーダンスマッチング)を保ちながら、入力減衰器260,270を挿入した可変利得アンプとすることで、大きな信号レベルの入力信号でも歪みの小さい増幅が可能となる。
According to the circuit of the second embodiment, a variable gain amplifier in which the
<第3の実施例>
図7は、図6の第2の実施例における可変利得アンプ221,222,223のそれぞれを差動アンプの構成とした場合の構成例を示すものである。この図7は、可変利得アンプ221のみの部分に関するものとして示したもので、可変利得アンプ222,223に対応する部分は、図7において破線で囲んで示す部分と同様の構成となるので省略してある。なお、図7で、一点鎖線は、IC化される部分と、外付け部品との境界を示すものである。
<Third embodiment>
FIG. 7 shows a configuration example in which each of the
この第3の実施例では、可変利得アンプ221は、差動構成とされるFET2311,2312と、FET2321,2322と、電流源を構成するFET235とで構成される。
In the third embodiment, the
すなわち、FET2311のドレインがコイル2031を通じて電源電圧+Vccが得られる電源端子に接続されると共に、FET2312のドレインがコイル2032を通じて電源電圧+Vccが得られる電源端子に接続される。また、FET2311のドレインとFET2312のドレインとの間に可変コンデンサ204が接続され、この可変コンデンサ204の両端電圧として出力電圧が導出される。
That is, the drain of the
そして、FET2311のソースはFET2321のドレインに接続され、FET2312のソースはFET2322のドレインに接続される。FET2321および2322のソースは、互いに接続され、その接続点が電流源を構成するFET235のドレイン−ソース間を通じて接地端に接続される。
The source of the
また、FET2311および2312のゲートは互いに共通に接続され、それらのゲートに、遅延AGC電圧形成回路43からのAGC制御信号CT1が供給される。
The gates of the
また、この例においては、入力トランス205の2次コイルの一端側を、可変利得アンプの入力端の一方T21とし、2次コイルの他端側を入力端の他方T22とする。そして、入力端の一方T21と差動構成の一方のFET2311のドレイン(出力端の一方)との間に、第1の抵抗器2071と、第2の抵抗器2081と、コンデンサ2091との直列回路が接続され、また、入力端の他方T22と差動構成の他方のFET2312のドレイン(出力端の他方)との間に、第1の抵抗器2072と、第2の抵抗器2082と、コンデンサ2092との直列回路が接続される。
In this example, one end of the secondary coil of the
そして、第1の抵抗器2071と第2の抵抗器2081との接続中点と、第1の抵抗器2072と第2の抵抗器2082との接続中点との間に、スイッチ用FET211のドレイン−ソース間が接続される。そして、遅延AGC電圧形成回路43からのスイッチ制御信号SWが、このスイッチ用FET211のゲートに供給される。
The drain of the switching
また、入力端の一方T21は、コンデンサ2061を通じてFET2321のゲートに接続され、また、入力端の他方T22は、コンデンサ2062を通じてFET2322のゲートに接続される。
One input terminal T 21 is connected to the gate of the
そして、遅延AGC電圧形成回路43からのゲートバイアス電圧CB1が、抵抗器2121および2122をそれぞれ通じて、FET2321および2322のゲートに供給される。さらに、この例では、遅延AGC電圧形成回路43は、電流源用のFET235用のゲートバイアス電圧CI1を生成して、FET235のゲートに供給するようにする。
Then, the gate bias voltage CB1 from the delay AGC
なお、可変利得アンプ222へは、3個のコンデンサの直列回路で構成される減衰器260を通じて、入力信号が供給される。図7に示すように、可変利得アンプ222への一方の入力と他方の入力は、3個のコンデンサの直列回路におけるコンデンサ同士の接続点から取り出される。また、可変利得アンプ222の出力端の一方および他方は、図7に示すように、可変利得アンプ221の出力端の一方および他方と接続されるものである。
Note that an input signal is supplied to the
なお、可変利得アンプ223へは、さらに減衰器270を通じて入力信号が供給されるが、減衰器270は、図7では省略した。減衰器270も、この例では、3個のコンデンサの直列回路で構成され、コンデンサ同士の接続点から、可変利得アンプ223への一方の入力と他方の入力とが取り出されるものである。また、可変利得アンプ223の出力端の一方および他方は、図7に示すように、可変利得アンプ221の出力端の一方および他方と接続されるものである。
The input signal is further supplied to the
この図7の実施例では、第1の抵抗器2071および2072が、入力トランス205でインピーダンス変換された入力信号のインピーダンスと整合する抵抗である。そして、第2の抵抗器2081および2082は、スイッチ用FETがオフのときに、第1の抵抗器2071および2072と共に、入力での整合を行うための負帰還抵抗を構成する。可変利得アンプにおいて、遅延AGCが開始されて、スイッチ用FET211がオンとなると、負帰還路が切断されるのは、上述の実施例と同じである。
In the embodiment of FIG. 7, the
〔上述の実施の形態および実施例における効果〕
1.入力のインピーダンス整合を崩さずに利得を変える可変利得アンプが実現できる。
2.インピーダンスマッチングの切り替え用スイッチ素子の接続ポイントPaは、信号レベルが小さいので、スイッチ用FETの影響が小さく、歪の発生の大きなオンとオフの途中の状態でも低歪の回路となる。
3.スイッチ用FETの回路に与える影響が小さいので、充分にサイズの大きなスイッチ用FETが使用でき、スイッチ用FETのオン時の歪を充分に小さく出来る。
4.大きな入力信号が回路の入力に加わっても、スイッチ用FETのソースバックゲート間のダイオードが導通するレベルの電圧は加わらず、スイッチオフ時にプルアップする必要が無く回路が簡単になる。
5.入力整合時のノイズフィギュアを小さくすることが可能で、MOSFETを使用した可変利得アンプでの入力ステップアップを大きくせずに、ローノイズのアンプが実現できる。
6.低電圧、低消費電流で、ローノイズで低歪の可変利得アンプが実現できる。
[Effects of the above-described embodiments and examples]
1. A variable gain amplifier that changes the gain without destroying the input impedance matching can be realized.
2. The connection point Pa of the switching element for switching impedance matching has a low signal level, so the influence of the switching FET is small, and the circuit becomes a low distortion even in the on / off state where a large amount of distortion occurs.
3. Since the influence on the circuit of the switching FET is small, a sufficiently large switching FET can be used, and the distortion when the switching FET is turned on can be sufficiently reduced.
4). Even when a large input signal is applied to the input of the circuit, a voltage at a level at which the diode between the source and back gates of the switching FET becomes conductive is not applied, and it is not necessary to pull up when the switch is turned off.
5. The noise figure at the time of input matching can be reduced, and a low-noise amplifier can be realized without increasing the input step-up with a variable gain amplifier using a MOSFET.
6). A variable gain amplifier with low voltage, low current consumption, low noise and low distortion can be realized.
7.入力の整合を崩さずにリアクタンス減衰回路が使用可能となり、大きな入力でも低歪の可変利得増幅回路が実現できる。 7. A reactance attenuation circuit can be used without losing input matching, and a low gain variable gain amplifier circuit can be realized even with a large input.
[その他の変形例]
上述の説明における実施例は、IC化回路の場合について説明したが、この発明は、IC化回路のみに適用されるものではない。しかし、上述したように、IC化回路の場合に適用したときに、その効果が大きい。
[Other variations]
Although the embodiments in the above description have been described for the case of an IC circuit, the present invention is not applied only to the IC circuit. However, as described above, the effect is great when applied to an IC circuit.
なお、インピーダンスマッチングを切り換えるスイッチ回路は、上述の実施例では、FETとしたが、これに限られるものではない。また、可変利得アンプもMOSFETを用いた構成としたが、これに限られるものではない。 The switch circuit for switching the impedance matching is the FET in the above embodiment, but is not limited to this. Moreover, although the variable gain amplifier is configured to use the MOSFET, it is not limited to this.
101、1011,1012,1013…可変利得アンプ、104…スイッチ回路、105…入力信号源、106…AGC制御回路、102…第1の抵抗器、103…第2の抵抗器
DESCRIPTION OF
Claims (8)
前記可変利得アンプの入出力端間に設けられる負帰還抵抗と、
入力信号源インピーダンスに等しいまたはほぼ等しい抵抗値の第1の抵抗と、
前記可変利得アンプの利得制御を行なわないときには、前記負帰還抵抗により、入力のインピーダンスマッチングを取るようにし、前記利得制御信号により前記可変利得アンプの利得制御をするときには、前記負帰還抵抗による負帰還路を切断すると共に、前記第1の抵抗により、入力のインピーダンスマッチングを取るように制御する制御部と、
を備える可変利得増幅回路。 A variable gain amplifier whose gain is variable by a gain control signal;
A negative feedback resistor provided between the input and output terminals of the variable gain amplifier;
A first resistor having a resistance value equal to or approximately equal to the input signal source impedance;
When gain control of the variable gain amplifier is not performed, input impedance matching is obtained by the negative feedback resistor. When gain control of the variable gain amplifier is performed by the gain control signal, negative feedback by the negative feedback resistor is performed. A control unit for cutting the path and controlling the impedance matching of the input by the first resistor;
A variable gain amplifier circuit.
前記負帰還抵抗は、前記第1の抵抗と、この第1の抵抗に直列に接続された第2の抵抗とからなり、
前記第1の抵抗と前記第2の抵抗との接続中点に対して、インピーダンス切り換え回路を設け、前記制御部により、前記インピーダンス切り換え回路を、前記可変利得アンプを利得制御しないときと、前記利得制御信号により前記可変利得アンプを利得制御するときとで、切り換える
ことを特徴とする可変利得増幅回路。 The variable gain amplifier circuit according to claim 1,
The negative feedback resistor comprises the first resistor and a second resistor connected in series with the first resistor,
An impedance switching circuit is provided at a connection midpoint between the first resistor and the second resistor, and when the gain switching of the variable gain amplifier is not controlled by the control unit, A variable gain amplifier circuit, wherein the variable gain amplifier is switched between gain control of the variable gain amplifier by a control signal.
前記可変利得アンプの利得を−A、前記入力信号源インピーダンスをRg、前記第1の抵抗の抵抗値をR1としたとき、第2の抵抗の抵抗値R2を、
(R1+R2)/(1+A)=Rg
を満足する抵抗値に選定してなる
ことを特徴とする可変利得増幅回路。 The variable gain amplifier circuit according to claim 2,
When the gain of the variable gain amplifier is -A, the input signal source impedance is Rg, and the resistance value of the first resistor is R1, the resistance value R2 of the second resistor is
(R1 + R2) / (1 + A) = Rg
A variable gain amplifier circuit characterized by selecting a resistance value satisfying
前記可変利得アンプは、MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)を用いたソース接地アンプを使用した
ことを特徴とする可変利得増幅回路。 The variable gain amplifier circuit according to claim 1,
The variable gain amplifier uses a grounded-source amplifier using a MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor).
前記可変利得アンプは、MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)を用いた差動アンプを使用した
ことを特徴とする可変利得増幅回路。 The variable gain amplifier circuit according to claim 1,
The variable gain amplifier uses a differential amplifier using MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor).
前記可変利得アンプは、並列に接続した複数個の可変利得アンプにより構成されると共に、各可変利得アンプの前記負帰還抵抗が接続される入力端と、他の可変利得アンプの入力端との間に、可変減衰器を挿入した
ことを特徴とする可変利得増幅回路。 The variable gain amplifier circuit according to claim 1,
The variable gain amplifier includes a plurality of variable gain amplifiers connected in parallel, and is connected between an input end of each variable gain amplifier to which the negative feedback resistor is connected and an input end of another variable gain amplifier. And a variable attenuator.
前記可変利得アンプの利得制御を行なわないときには、前記可変利得アンプの入出力端に設けられる負帰還抵抗によりインピーダンスマッチングを取るようにし、前記利得制御信号により前記可変利得アンプを利得制御するときには、前記負帰還抵抗による負帰還路を切断すると共に、入力信号源インピーダンスに等しいまたはほぼ等しい抵抗値の抵抗によりインピーダンスマッチングを取るようにする
ことを特徴とする可変利得アンプの入力インピーダンスマッチング方法。
A method for performing input impedance matching of a variable gain amplifier whose gain is variable by a gain control signal,
When gain control of the variable gain amplifier is not performed, impedance matching is performed by a negative feedback resistor provided at an input / output terminal of the variable gain amplifier, and when the gain control of the variable gain amplifier is performed by the gain control signal, An input impedance matching method for a variable gain amplifier, wherein a negative feedback path by a negative feedback resistor is cut and impedance matching is performed by a resistor having a resistance value equal to or substantially equal to an input signal source impedance.
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Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012074361A (en) * | 2010-09-29 | 2012-04-12 | Advanced Micro-Fabrication Equipment Inc (Asia) | Single matching network for multi frequency matching, its construction method, and rf power supplier system using matching network |
CN111313854A (en) * | 2020-02-25 | 2020-06-19 | 广州慧智微电子有限公司 | Radio frequency power amplifier circuit and gain control method |
WO2020153777A1 (en) * | 2019-01-24 | 2020-07-30 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Amplifier having switch and switch control processor controlling switch |
-
2007
- 2007-01-29 JP JP2007017507A patent/JP2008187329A/en active Pending
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012074361A (en) * | 2010-09-29 | 2012-04-12 | Advanced Micro-Fabrication Equipment Inc (Asia) | Single matching network for multi frequency matching, its construction method, and rf power supplier system using matching network |
WO2020153777A1 (en) * | 2019-01-24 | 2020-07-30 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Amplifier having switch and switch control processor controlling switch |
US11227930B2 (en) | 2019-01-24 | 2022-01-18 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Amplifier having switch and switch control processor controlling switch |
CN111313854A (en) * | 2020-02-25 | 2020-06-19 | 广州慧智微电子有限公司 | Radio frequency power amplifier circuit and gain control method |
CN111313854B (en) * | 2020-02-25 | 2022-10-14 | 广州慧智微电子股份有限公司 | Radio frequency power amplifier circuit and gain control method |
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