JP2008089614A - Radar sensor - Google Patents

Radar sensor Download PDF

Info

Publication number
JP2008089614A
JP2008089614A JP2007336338A JP2007336338A JP2008089614A JP 2008089614 A JP2008089614 A JP 2008089614A JP 2007336338 A JP2007336338 A JP 2007336338A JP 2007336338 A JP2007336338 A JP 2007336338A JP 2008089614 A JP2008089614 A JP 2008089614A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
circuit
antenna
transmission
radar sensor
resin package
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2007336338A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP4861303B2 (en
Inventor
Toshiyuki Nagasaku
俊幸 永作
Hiroshi Kondo
博司 近藤
Hiroshi Shinoda
博史 篠田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Priority to JP2007336338A priority Critical patent/JP4861303B2/en
Publication of JP2008089614A publication Critical patent/JP2008089614A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP4861303B2 publication Critical patent/JP4861303B2/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Images

Landscapes

  • Radar Systems Or Details Thereof (AREA)

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a sensor module that is optimized for miniaturization and cost reduction, in a radar sensor that utilizes millimeter-wave signalsof 20 GHz or higher or quasi-millimeter-wave signals. <P>SOLUTION: An oscillator comprising the radar sensor, an active circuit, such as mixer and antenna are formed integrally on the same semiconductor substrate, to constitute a single-chip MMIC 3. Furthermore, the MMIC 3 is encapsulated inside a resin package 1. A dielectric lens 2 is mounted on the upper side of the antenna to obtain a desired radiation angle. The lens and the resin package can be formed integrally by a metal mold, and cost reduction can be effected. <P>COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT

Description

本発明は、レーダセンサ、さらに詳しく言えば、送信信号を放射し、この送信信号が物体により反射された反射信号を受信することで、物体有無、位置、物体または自分の移動速度等を検出するレーダ装置の送信信号放射及び反射信号を受信する受信部の装置(レーダセンサ)に関し、特に、送信信号に20GHz以上のミリ波や準ミリ波の信号を利用するレーダセンサに関する。   The present invention detects a radar sensor, more specifically, a transmission signal, and detects the presence / absence of an object, a position, an object, or its own moving speed by receiving a reflection signal reflected by the object. The present invention relates to a receiver device (radar sensor) that receives transmission signal radiation and reflection signals of a radar device, and more particularly to a radar sensor that uses a millimeter wave or quasi-millimeter wave signal of 20 GHz or more as a transmission signal.

従来より、電磁波を放射し、その電磁波が目標物により反射された反射波を受信し、目標物の検出を行なうレーダ装置(以下、レーダと略称)が広く利用されている。近年、この電磁波にミリ波や準ミリ波等の超高周波信号が利用されるようになってきている。この種のミリ波を用いたレーダの代表的なものに自動車の車間距離警報システムに用いられる自動車レーダが挙げられる。   2. Description of the Related Art Conventionally, radar devices (hereinafter, abbreviated as “radars”) that emit electromagnetic waves, receive a reflected wave reflected by a target, and detect the target have been widely used. In recent years, ultra-high frequency signals such as millimeter waves and quasi-millimeter waves have been used for the electromagnetic waves. A typical example of this type of radar using millimeter waves is an automobile radar used in an inter-vehicle distance warning system.

これらのシステムに利用されるミリ波モジュールは、発振器や混合器等の能動回路をベースプレート上に実装し、さらに、外部の雑音を遮蔽するために、導電性のパッケージで気密封止することが多い。また、これらの能動素子には、ダイオード等の個別部品も利用されるが、近年では、モジュールの小型化・軽量化等を目的に、MMIC(Monolithic Microwave Integrated Circuit)が利用されてきている。   Millimeter-wave modules used in these systems often have an active circuit such as an oscillator or a mixer mounted on a base plate and are hermetically sealed with a conductive package in order to shield external noise. . In addition, individual components such as diodes are also used for these active elements, but in recent years, MMICs (Monolithic Microwave Integrated Circuits) have been used for the purpose of reducing the size and weight of modules.

しかし、上記導電性のパッケージで気密封止すると、アンテナは導電性パッケージの外部に配置する必要があり、モジュールの形状が大きくなるという問題がある。また、導電性パッケージ内部の能動回路と外部のアンテナを接続する必要があり、モジュールの低コスト化に不向きであるという問題があった。このような問題を回避するため、例えば、特許文献1に開示されている技術では、図5に示すように、能動回路25が実装されているベースプレート26とアンテナ24とを、同一の金属製ベースプレート21の同一面上に実装するものが知られている。図5の例では、ベースプレート26上に平面アンテナ24が形成されている。また、アンテナ24の上部には、アンテナ24からの電磁波を放射するための放射窓22が設けられている。放射窓22は、非導電性の材料で形成され、気密封止するために導電性パッケージ23と溶接されている。また、放射窓22は、電磁波の放射角を所望の角度に集光するため誘電体レンズの働きもしている。   However, when hermetically sealing with the above conductive package, the antenna needs to be arranged outside the conductive package, and there is a problem that the shape of the module becomes large. In addition, it is necessary to connect an active circuit inside the conductive package and an external antenna, which is not suitable for cost reduction of the module. In order to avoid such a problem, for example, in the technique disclosed in Patent Document 1, as shown in FIG. 5, the base plate 26 on which the active circuit 25 is mounted and the antenna 24 are connected to the same metal base plate. What is mounted on the same surface of 21 is known. In the example of FIG. 5, the planar antenna 24 is formed on the base plate 26. In addition, a radiation window 22 for radiating electromagnetic waves from the antenna 24 is provided above the antenna 24. The radiation window 22 is formed of a non-conductive material and is welded to the conductive package 23 for hermetic sealing. The radiation window 22 also functions as a dielectric lens for condensing the radiation angle of electromagnetic waves to a desired angle.

特開平11−4118号公報Japanese Patent Laid-Open No. 11-4118

車載用レーダ等では、装置の小型化と同時に製造コストの低減が極めて重要となる。前述の従来技術では、小型化には適していが、導電性のパッケージに放射窓を設けなければならず、さらに、気密封止するために、放射窓と導電性のパッケージを溶接しなければならない等、依然としてパッケージ構造が複雑で、製造工程も多くなる。従って、低製造工とコストのミリ波レーダセンサを実現するのは難しい。   In in-vehicle radars and the like, it is extremely important to reduce the manufacturing cost as well as to reduce the size of the device. In the above-mentioned prior art, although suitable for miniaturization, a radiation window must be provided in the conductive package, and further, the radiation window and the conductive package must be welded for hermetic sealing. However, the package structure is still complicated and the manufacturing process is increased. Therefore, it is difficult to realize a millimeter wave radar sensor with a low manufacturing cost and cost.

本発明の目的は、ミリ波で動作するレーダセンサを小型、且つ、低コストで実現することである。   An object of the present invention is to realize a radar sensor operating at millimeter waves in a small size and at a low cost.

上記目的を達成するために、本発明のレーダセンサは、アンテナとアンテナと結合される発振器、混合器等の能動回路をMMIC(モノリシックマイクロ波集積回路)で構成し、このMMICとアンテナを樹脂パッケージで封止して構成される。   In order to achieve the above object, the radar sensor according to the present invention comprises an active circuit such as an oscillator and a mixer coupled to an antenna and an antenna as an MMIC (monolithic microwave integrated circuit), and the MMIC and the antenna are packaged in a resin package. It is configured with sealing.

本発明の好ましい実施形態では、前記アンテナ近傍の前記樹脂パッケージの一部にレンズを形成する。前記レンズは前記樹脂パッケージと同じ材料で、一体的に構成してもよく、またレンズを置換可能に形成してもよい。   In a preferred embodiment of the present invention, a lens is formed on a part of the resin package near the antenna. The lens may be made of the same material as that of the resin package and may be integrally formed, or the lens may be formed to be replaceable.

前記能動回路とアンテナは、複数のMMICチップとアンテナで構成することも可能であるが、必要な能動回路を1チップのMMICで実現してもよい。   The active circuit and the antenna can be configured by a plurality of MMIC chips and antennas, but a necessary active circuit may be realized by a single chip MMIC.

さらに、前記アンテナを能動回路と同一の半導体基板上に構成し、アンテナと能動回路を1チップ化してもよい。   Furthermore, the antenna may be configured on the same semiconductor substrate as the active circuit, and the antenna and the active circuit may be integrated into one chip.

本発明によれば、樹脂パッケージは、通常、金型による成形が可能であり、製造コストを著しく低減でき、さらに、樹脂パッケージは非導電性であるため、アンテナの上方に放射窓等の特別な構造を有する必要がないため、この点からも低コスト化に適している。   According to the present invention, the resin package can usually be molded by a mold, and the manufacturing cost can be significantly reduced. Further, since the resin package is non-conductive, a special structure such as a radiation window is provided above the antenna. Since it is not necessary to have a structure, this is also suitable for cost reduction.

特に、20GHz以上の高周波信号を放射し、前記高周波信号が物体により反射された反射信号を受信するレーダセンサを実現する場合、樹脂パッケージに誘電体レンズを設けることにより、マイクロストリップパッチアンテナのような平面アンテナの面積を小さくし、レーダセンサを小形化できると同時に、アンテナの電波の放射角設定を容易にできる。即ち、マイクロストリップパッチアンテナのような平面アンテナの場合、通常、これらのアンテナは複数のアンテナ素子で電力を合成し、所望の放射角を得る。ICの面積はコストに比例するため、アンテナの素子数は少ない方が望ましい。従って、本発明のレーダセンサでは、少ないアンテナ素子(究極的には1個)を持たせ、アンテナの上方に誘電体レンズを装着することで、所望の放射角を得る構成をとる。   In particular, when realizing a radar sensor that radiates a high-frequency signal of 20 GHz or more and receives a reflected signal in which the high-frequency signal is reflected by an object, a dielectric lens is provided in a resin package so that a microstrip patch antenna or the like is provided. The area of the planar antenna can be reduced, the radar sensor can be downsized, and at the same time, the radiation angle of the antenna can be easily set. That is, in the case of a planar antenna such as a microstrip patch antenna, these antennas usually combine power with a plurality of antenna elements to obtain a desired radiation angle. Since the area of the IC is proportional to the cost, it is desirable that the number of antenna elements is small. Therefore, the radar sensor of the present invention has a configuration in which a desired radiation angle is obtained by providing a small number of antenna elements (ultimately one) and mounting a dielectric lens above the antenna.

さらに、前記誘電体レンズと前記樹脂パッケージを別に作成し、これらをはり合わせて作成する場合、複数の形状の誘電体レンズを製造し、利用するアプリケーションに応じて最適なものを選択し、樹脂パッケージに接着することで、各アプリケーションに適したレーダセンサを構成することができる。   Further, when the dielectric lens and the resin package are separately prepared and bonded together, a plurality of shapes of dielectric lenses are manufactured, and the most suitable one is selected according to the application to be used. By adhering to, a radar sensor suitable for each application can be configured.

誘電体レンズや樹脂パッケージの材料はレンズの大きさの観点より比誘電率が3から6程度のものが望ましい。   It is desirable that the dielectric lens and the resin package have a relative dielectric constant of about 3 to 6 from the viewpoint of the size of the lens.

本発明によれば、ミリ波や準ミリ波等の超高周波信号を利用するレーダセンサにおいて、レーダセンサ用MMICを樹脂パッケージで封止し、これと誘電体レンズを組み合わせることにより、低コストなレーダセンサを製造することが可能である。   According to the present invention, in a radar sensor that uses an ultra-high frequency signal such as a millimeter wave or a quasi-millimeter wave, the MMIC for the radar sensor is sealed with a resin package, and this is combined with a dielectric lens, thereby reducing the cost of the radar. Sensors can be manufactured.

さらに、この誘電体レンズを樹脂パッケージと一体形成とすることで、低コストで大量生産することが可能である。   Furthermore, mass production is possible at low cost by integrally forming the dielectric lens with the resin package.

以下、本発明の実施例を図面を用いて説明する。
図1から図3は、本発明によるレーダセンサの第一の実施例を示している。図1は本レーダセンサの断面図を、図2は本レーダセンサの外観平面図、図3はパッケージの上部を除いた場合の平面図を示す。本実施例において、送信用IC3と受信用IC4は、同一の樹脂パッケージ1内に実装されている。送信用IC3は図3に示すように、送信用の能動回路7と送信アンテナ5をもち、同一の半導体基板上に形成された1チップのMMICである。同様に、受信用IC4は受信用能動回路8と受信アンテナ6もち、同一の半導体基板上に形成された1チップのMMICである。送信用IC3と受信用IC4はベースプレート14上に固着される。送信用IC3と受信用IC4とモジュール外の回路との接続は、MMICの電極パッドとモジュールの外周に固定された接続ピン15を介してワイヤ1
6で接続される。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.
1 to 3 show a first embodiment of a radar sensor according to the present invention. FIG. 1 is a cross-sectional view of the radar sensor, FIG. 2 is an external plan view of the radar sensor, and FIG. 3 is a plan view when the upper portion of the package is removed. In this embodiment, the transmission IC 3 and the reception IC 4 are mounted in the same resin package 1. As shown in FIG. 3, the transmission IC 3 is a one-chip MMIC having an active circuit 7 for transmission and a transmission antenna 5 and formed on the same semiconductor substrate. Similarly, the reception IC 4 is a one-chip MMIC formed on the same semiconductor substrate with the reception active circuit 8 and the reception antenna 6. The transmitting IC 3 and the receiving IC 4 are fixed on the base plate 14. The connection between the transmitting IC 3 and the receiving IC 4 and the circuit outside the module is performed by connecting the wire 1 via the electrode pad of the MMIC and the connection pin 15 fixed to the outer periphery of the module.
6 is connected.

本実施例では、送信アンテナ5及び受信アンテナ6を構成するマイクロストリップパッチアンテナによる平面アンテナの上部の樹脂パッケージ1上に、樹脂パッケージ1と別に用意された誘電体レンズ2を装着している。送信アンテナ5、受信アンテナ6ともにアンテナ素子を1個とし、電磁波を集光することによって、チップ面積の縮小、即ち、コストの低減を行っている。   In this embodiment, a dielectric lens 2 prepared separately from the resin package 1 is mounted on the resin package 1 above the planar antenna formed by the microstrip patch antenna constituting the transmitting antenna 5 and the receiving antenna 6. Both the transmitting antenna 5 and the receiving antenna 6 have one antenna element, and by collecting electromagnetic waves, the chip area is reduced, that is, the cost is reduced.

図4は上記実施例のチップ2及び5の等価回路図を示し、図4(a)は、送信用IC3の回路ブロック図、図4(b)に受信用IC4の回路ブロック図を示す。送信用IC3は、発振器9により高周波信号を発生し、増幅器10で増幅した後、送信アンテナ5から信号を放射する。この信号は、目標物により反射されるが、この反射信号を受信用IC4の受信アンテナ6により受信し、低雑音増幅器13で増幅した後、混合器12で局部信号発生器11で生成した高周波信号と混合されIF信号を発生する。IC3及び4において、増幅器10を使用しなくても十分な送信電力が得られる場合は、増幅器10は省略してよい。同様に、低雑音増幅器13を使用しなくても、十分な受信感度が得られる場合は、低雑音増幅器13は省略できる。   FIG. 4 shows an equivalent circuit diagram of the chips 2 and 5 of the above embodiment, FIG. 4 (a) shows a circuit block diagram of the transmitting IC 3, and FIG. 4 (b) shows a circuit block diagram of the receiving IC 4. FIG. The transmitting IC 3 generates a high-frequency signal by the oscillator 9, amplifies it by the amplifier 10, and then radiates the signal from the transmitting antenna 5. This signal is reflected by the target, but this reflected signal is received by the receiving antenna 6 of the receiving IC 4, amplified by the low noise amplifier 13, and then the high frequency signal generated by the local signal generator 11 by the mixer 12. To generate an IF signal. In the ICs 3 and 4, if sufficient transmission power can be obtained without using the amplifier 10, the amplifier 10 may be omitted. Similarly, the low noise amplifier 13 can be omitted if sufficient reception sensitivity can be obtained without using the low noise amplifier 13.

本実施例では、MMICであるIC3及び4が樹脂パッケージ1内に封止されているが、樹脂パッケージ1は金型により一体成形が可能であるため、実装コストを低く抑えることが可能である。さらに、誘電体レンズと樹脂パッケージに同一の材料を使用することで、金型により誘電体レンズと樹脂パッケージを一体成形することができ、低コストで大量生産ができる。   In this embodiment, the ICs 3 and 4 which are MMICs are sealed in the resin package 1. However, since the resin package 1 can be integrally formed with a mold, the mounting cost can be kept low. Furthermore, by using the same material for the dielectric lens and the resin package, the dielectric lens and the resin package can be integrally molded by a mold, and mass production can be achieved at low cost.

また、送信アンテナ5を送信用IC3内に、受信アンテナ6を受信用IC4内に形成してあり、ボンディング部に高周波信号が流れないため、特別な実装技術を必要としない。   Further, since the transmission antenna 5 is formed in the transmission IC 3 and the reception antenna 6 is formed in the reception IC 4, a high frequency signal does not flow through the bonding portion, so that no special mounting technique is required.

本実施例において、樹脂パッケージ1と誘電体レンズ2は、一体成形により低コスト化ができるが、これを別々に成形する場合は、利用する用途に応じて、即ち、高周波の周波数、アンテナの形状、放射電磁波のビームの形状など最適化されたレンズを複数種類作製しておけば、その用途に応じて、多種類のアプリケーションに対応することができ、少量多品種の製品を作る場合に適している。   In the present embodiment, the resin package 1 and the dielectric lens 2 can be reduced in cost by being integrally molded. However, when they are separately molded, depending on the application to be used, that is, the frequency of the high frequency, the shape of the antenna If multiple types of optimized lenses such as the shape of the radiation electromagnetic wave beam are prepared, it can be used for various types of applications depending on the application. Yes.

図6は、本発明によるレーダセンサの他の実施例の平面図である。本実施例は送信用IC及び受信用ICを1チップで実現したものである。本実施例では、送信用回路と受信用回路の両者を含む能動回路部33と送信アンテナ37と受信アンテナ38を同一の半導体基板31上に形成し、能動回路部33中心に送信アンテナ37と受信アンテナ38とが対象になるように配列しモノリシック化してレーダ用IC31を構成している。   FIG. 6 is a plan view of another embodiment of a radar sensor according to the present invention. In this embodiment, the transmitting IC and the receiving IC are realized by one chip. In this embodiment, the active circuit unit 33 including both the transmission circuit and the reception circuit, the transmission antenna 37 and the reception antenna 38 are formed on the same semiconductor substrate 31, and the transmission antenna 37 and the reception antenna are centered on the active circuit unit 33. The radar IC 31 is configured by monolithic arrangement so that the antenna 38 is a target.

図7は、上記他の実施例のレーダ用IC31で形成される回路の等価回路図を示す。本実施例では、送信信号を生成するための発振器と混合器に入力する局部信号発生器に同一の発振器を用いる。発振器34で生成された高周波信号は電力分配器17で分配され、一方は送信信号として、他方は混合器に入力する局部信号として利用される。上記送信信号は増幅器10で増幅された後、送信アンテナ37から送信される。反射信号は、受信アンテナ38により受信され、低雑音増幅器13を介して混合器12でIF信号が生成される。本実施例においても、十分な送信電力が得られる場合は増幅器10を十分な受信感度が得られる場合は低雑音増幅器13を省略してもよい。本実施例によれば、レーダセンサ用のICが1チップのMMIC31で構成されており、実装にかかるコストをさらに低減できる。なお、本実施例は、図8のように送信と受信を兼用したアンテナ39を用い、アイソレータ19を用いることで簡略化することができる。   FIG. 7 shows an equivalent circuit diagram of a circuit formed by the radar IC 31 of the other embodiment. In the present embodiment, the same oscillator is used as the oscillator for generating the transmission signal and the local signal generator that is input to the mixer. The high-frequency signal generated by the oscillator 34 is distributed by the power distributor 17, and one is used as a transmission signal and the other is used as a local signal to be input to the mixer. The transmission signal is amplified by the amplifier 10 and then transmitted from the transmission antenna 37. The reflected signal is received by the receiving antenna 38, and an IF signal is generated by the mixer 12 via the low noise amplifier 13. Also in this embodiment, the amplifier 10 may be omitted when sufficient transmission power is obtained, and the low noise amplifier 13 may be omitted when sufficient reception sensitivity is obtained. According to the present embodiment, the IC for the radar sensor is composed of the one-chip MMIC 31, and the cost for mounting can be further reduced. In addition, a present Example can be simplified by using the antenna 39 which used both transmission and reception as shown in FIG.

図9は本発明によるレーダセンサを構成するMMIC31の実施例の構成を示す回路図である。本回路は、等価回路(a)のように自己発振混合器40と送受信兼用アンテナ39を用いることで回路を簡略化できる。図(b)に示すように、単一のFETと、FETのドレイン端子に分布定数線45−2を介しアンテナ39が接続されている。また、ドレイン端子には分布定数線45−1を電源端子Vdが接続されている。電源端子Vdは中間周波出力を兼ねる。FETのゲート端子には抵抗48介しVgが接続されている。またゲート端子にはインピーダンス素子47も接続されている。FETのソース端子にはオープンスタブ型の共振器45−3が接続されており、更にその先端には周波数調整用のバラクタダイオード46が接続されている。バラクタダイオード46には抵抗49を介して制御電圧用端子が接続されている。さらに、FETのソース端子はλ/4分布定数線45−4を介し、接地される。図中Eは接地を表し、MMICの基板に接地される。   FIG. 9 is a circuit diagram showing a configuration of an embodiment of the MMIC 31 constituting the radar sensor according to the present invention. This circuit can be simplified by using the self-oscillation mixer 40 and the transmitting / receiving antenna 39 as in the equivalent circuit (a). As shown in FIG. 5B, an antenna 39 is connected to a single FET and the drain terminal of the FET via a distributed constant line 45-2. Further, a distributed constant line 45-1 and a power supply terminal Vd are connected to the drain terminal. The power supply terminal Vd also serves as an intermediate frequency output. Vg is connected to the gate terminal of the FET through a resistor 48. An impedance element 47 is also connected to the gate terminal. An open stub type resonator 45-3 is connected to the source terminal of the FET, and a varactor diode 46 for frequency adjustment is connected to the tip of the resonator. A control voltage terminal is connected to the varactor diode 46 via a resistor 49. Furthermore, the source terminal of the FET is grounded via the λ / 4 distributed constant line 45-4. In the figure, E represents grounding and is grounded to the MMIC substrate.

図10は、本発明によるレーダセンサの更に他の実施例の側断面図を示す。本実施例は樹脂パッケージ1内に、センサ用IC31と信号処理用IC42を実装している。信号処理用IC42は、例えば、レーダセンサで生成されたIF信号をFFT(フーリエ変換)信号処理するためのICである。   FIG. 10 shows a side sectional view of still another embodiment of the radar sensor according to the present invention. In this embodiment, a sensor IC 31 and a signal processing IC 42 are mounted in a resin package 1. The signal processing IC 42 is, for example, an IC for processing an FFT (Fourier transform) signal on an IF signal generated by a radar sensor.

本実施例によれば、レーダセンサIC31が出力した信号を信号処理することで、より高度なレーダセンサを実現することが可能である。   According to the present embodiment, it is possible to realize a more advanced radar sensor by performing signal processing on the signal output from the radar sensor IC31.

図11は本発明によるレーダセンサの更に別の実施例の側断面図を示す。前述の各実施例では、パッケージ内は同一の樹脂で充填されている例を示したが、パッケージ内の一部分に別の樹脂を用いて形成しても良い。図11の実施例では、MMIC31と接する部分に別の樹脂43を用いている。特に、MMICに接する部分の材料の高周波性能は、センサ性能に大きく影響するため、この部分に誘電体損失の小さい高周波特性の良い材料を用いることで、より高性能なセンサを実現する。また、樹脂の影響を完全に除去したい場合は、この部分に樹脂を充填せず、空気や真空、または、窒素充填等の状態にしてもよい。   FIG. 11 shows a side sectional view of yet another embodiment of a radar sensor according to the present invention. In each of the above-described embodiments, the package is filled with the same resin. However, a part of the package may be formed using another resin. In the embodiment of FIG. 11, another resin 43 is used in a portion in contact with the MMIC 31. In particular, since the high frequency performance of the material in contact with the MMIC greatly affects the sensor performance, a higher performance sensor can be realized by using a material with low dielectric loss and good high frequency characteristics. Further, when it is desired to completely remove the influence of the resin, this portion may not be filled with the resin but may be in a state such as air, vacuum, or nitrogen filling.

さらに、これは、図12のようにパッケージ内の一部分の樹脂44と誘電体レンズ2に同一の材料を用いると、製造コストを下げることができる。これらの実施例のように、パッケージの一部分に別の樹脂を用いることで、より高性能なセンサを作ることができ、特にMMICに接する部分や、アンテナの上方等、高周波信号が通過する部分に高周波特性の良い材料を用いると効果的である。   Furthermore, as shown in FIG. 12, when the same material is used for a portion of the resin 44 and the dielectric lens 2 in the package, the manufacturing cost can be reduced. By using another resin for a part of the package as in these embodiments, it is possible to make a higher performance sensor, especially in a part that is in contact with the MMIC or a part where a high frequency signal passes such as above the antenna. It is effective to use a material with good high frequency characteristics.

本発明によるレーダセンサの第一の実施例の断面図。1 is a cross-sectional view of a first embodiment of a radar sensor according to the present invention. 本発明によるレーダセンサの第一の実施例の概観平面図。1 is a schematic plan view of a first embodiment of a radar sensor according to the present invention. 本発明によるレーダセンサの第一の実施例の上部を除いた平面図。The top view except the upper part of the 1st Example of the radar sensor by this invention. 本発明の第一の実施例の中のICの等価回路図。The equivalent circuit schematic of IC in the 1st Example of this invention. 従来のレーダセンサの一例の断面図。Sectional drawing of an example of the conventional radar sensor. 本発明によるレーダセンサの第二の実施例の平面図。The top view of the 2nd Example of the radar sensor by this invention. 本発明によるレーダセンサの第二の実施例の等価回路図。The equivalent circuit schematic of the 2nd Example of the radar sensor by this invention. 本発明によるレーダセンサの第三の実施例の等価回路図。The equivalent circuit schematic of the 3rd Example of the radar sensor by this invention. 本発明によるレーダセンサの第四の実施例の回路図。The circuit diagram of the 4th example of the radar sensor by the present invention. 本発明によるレーダセンサの第五の実施例の側断面図。FIG. 6 is a side sectional view of a fifth embodiment of a radar sensor according to the present invention. 本発明によるレーダセンサの第六の実施例の側断面図。FIG. 10 is a side sectional view of a sixth embodiment of a radar sensor according to the present invention. 本発明によるレーダセンサの第七の実施例の側断面図。FIG. 9 is a side sectional view of a seventh embodiment of a radar sensor according to the present invention.

符号の説明Explanation of symbols

1:樹脂パッケージ、 2:誘電体レンズ、 3:送信用IC、4:受信用IC
5:送信アンテナ、 6:受信アンテナ、 7:送信用能動回路、
8:受信用能動回路、 9:送信用発振器、 10:増幅器、
11:局部信号発生器、 12:混合器、 13:低雑音増幅器、
14:ベースプレート、 15:電極ピン、16:ワイヤ、17:電力分配器、
19:サーキュレータ、21:ベースプレート、 22:放射窓、及び、誘電体レンズ、23:導電性パッケージ、 24:アンテナ、25:能動回路、
26:ベースプレート、 31:レーダセンサ用IC、 33:送受信能動回路、34:発振器、 37:送信アンテナ、 38:受信アンテナ、
39:送受信兼用アンテナ、 40:自己発振混合器、 42:信号処理IC、
43:第二の樹脂、 44:第二の樹脂、 45:分布定数線路、46:ダイオード:47:インピーダンス素子、48、49:抵抗。
1: Resin package, 2: Dielectric lens, 3: Transmission IC, 4: Reception IC
5: transmitting antenna, 6: receiving antenna, 7: active circuit for transmission,
8: active circuit for reception, 9: oscillator for transmission, 10: amplifier,
11: Local signal generator, 12: Mixer, 13: Low noise amplifier,
14: base plate, 15: electrode pin, 16: wire, 17: power distributor,
19: Circulator, 21: Base plate, 22: Radiation window and dielectric lens, 23: Conductive package, 24: Antenna, 25: Active circuit,
26: base plate, 31: IC for radar sensor, 33: transmission / reception active circuit, 34: oscillator, 37: transmission antenna, 38: reception antenna,
39: antenna for transmitting and receiving, 40: self-oscillating mixer, 42: signal processing IC,
43: second resin, 44: second resin, 45: distributed constant line, 46: diode: 47: impedance element, 48, 49: resistance.

Claims (27)

アンテナと、
前記アンテナと結合され、かつ、MMICで構成された能動回路と、
同一の樹脂で充填され、かつ、前記能動回路に前記樹脂が接するように前記アンテナとを封止する樹脂パッケージと、
ワイヤを介して前記MMICと電気的に接続された接続ピンと
を具備して成り、
前記アンテナと前記能動回路とは互いに共通の半導体基板上に構成されて1チップ化され、
前記アンテナ近傍の前記樹脂パッケージ上に誘電体レンズが形成され、
前記接続ピンを介して前記MMICが前記樹脂パッケージの外部と電気的に接続されるよう構成されている
ことを特徴とするレーダセンサ。
An antenna,
An active circuit coupled to the antenna and configured with an MMIC;
A resin package that is filled with the same resin and that seals the antenna so that the resin contacts the active circuit;
Comprising a connection pin electrically connected to the MMIC via a wire,
The antenna and the active circuit are configured on a common semiconductor substrate to form a single chip,
A dielectric lens is formed on the resin package in the vicinity of the antenna,
A radar sensor, wherein the MMIC is electrically connected to the outside of the resin package via the connection pin.
請求項1において、
前記誘電体レンズは前記樹脂パッケージと同質材料で一体的に形成されたことを特徴とするレーダセンサ。
In claim 1,
A radar sensor, wherein the dielectric lens is integrally formed of the same material as the resin package.
請求項1において、
前記誘電体レンズは、前記樹脂パッケージとは別途構成されたものを前記樹脂パッケージ上に接着して形成されたことを特徴とするレーダセンサ。
In claim 1,
2. The radar sensor according to claim 1, wherein the dielectric lens is formed by adhering a dielectric lens separately from the resin package onto the resin package.
請求項1ないし3のいずれかにおいて、
前記誘電体レンズの材料は、その比誘電率が3から6の範囲であることを特徴とするレーダセンサ。
In any of claims 1 to 3,
A radar sensor characterized in that the dielectric lens material has a relative dielectric constant in the range of 3 to 6.
請求項1ないし4のいずれかにおいて、
前記能動回路は発振器とミキサとを備えていることを特徴とするレーダセンサ。
In any of claims 1 to 4,
The active circuit includes an oscillator and a mixer.
請求項5において、
前記能動回路から送信される送信信号の周波数は20GHzないし100GHzの周波数であることを特徴とするレーダセンサ。
In claim 5,
A radar sensor, wherein a frequency of a transmission signal transmitted from the active circuit is 20 GHz to 100 GHz.
請求項5において、
前記能動回路は、前記能動回路の出力を処理する信号処理回路を更に備えて成ることを特徴とするレーダセンサ。
In claim 5,
The active circuit further comprises a signal processing circuit for processing the output of the active circuit.
送信信号を送信する送信回路と、
前記送信信号に基づく反射信号を受信する受信回路と、
前記送信回路で生成された前記送信信号を放射する送信アンテナと、
前記反射信号を受信し、前記反射信号を前記受信回路に供給する受信アンテナと、
同一の樹脂で充填され、かつ、前記送信回路および前記受信回路に前記樹脂が接するように前記送信回路と、前記受信回路と、前記送信アンテナと、前記受信アンテナとを一体的に封止する樹脂パッケージと、
ワイヤを介して前記送信回路および前記受信回路の少なくとも一方と電気的に接続された接続ピンと
を具備して成り、
前記送信回路と、前記受信回路と、前記送信アンテナと、前記受信アンテナとは、単一のMMICチップ上に形成され、
前記送信アンテナと前記受信アンテナとを覆うように、前記樹脂パッケージ上に誘電体レンズが形成され、
前記接続ピンを介して前記送信回路および前記受信回路の少なくとも一方が前記樹脂パッケージの外部と電気的に接続されるよう構成されている
ことを特徴とするレーダセンサ。
A transmission circuit for transmitting a transmission signal;
A receiving circuit for receiving a reflected signal based on the transmitted signal;
A transmission antenna that radiates the transmission signal generated by the transmission circuit;
A receiving antenna that receives the reflected signal and supplies the reflected signal to the receiving circuit;
Resin that is filled with the same resin and that integrally seals the transmission circuit, the reception circuit, the transmission antenna, and the reception antenna so that the resin contacts the transmission circuit and the reception circuit Package and
Comprising a connection pin electrically connected to at least one of the transmission circuit and the reception circuit via a wire,
The transmission circuit, the reception circuit, the transmission antenna, and the reception antenna are formed on a single MMIC chip,
A dielectric lens is formed on the resin package so as to cover the transmitting antenna and the receiving antenna,
A radar sensor, wherein at least one of the transmission circuit and the reception circuit is electrically connected to the outside of the resin package via the connection pin.
送信信号を送信する送信回路と、
前記送信信号に基く反射信号を受信する受信回路と、
前記送信回路で生成された前記送信信号を放射し、前記送信回路と電気的に接続された送信アンテナと、
前記反射信号を受信し、前記反射信号を前記受信回路に供給する、前記受信回路と電気的に接続された受信アンテナと、
同一の樹脂で充填され、かつ、前記送信回路および前記受信回路に前記樹脂が接するように前記送信回路と、前記受信回路と、前記送信アンテナと、前記受信アンテナとを一体的に封止する樹脂パッケージと、
ワイヤを介して前記送信回路および前記受信回路の少なくとも一方と電気的に接続された接続ピンと
を具備して成り、
前記送信回路と前記送信アンテナとは、第1のMMICチップ上に形成され、
前記受信回路と前記受信アンテナとは、前記第1のMMICチップとは異なる第2のMMICチップ上に形成され、
前記送信アンテナと前記受信アンテナとを覆うように、前記樹脂パッケージ上に誘電体レンズが形成され、
前記接続ピンを介して前記送信回路および前記受信回路の少なくとも一方が前記樹脂パッケージの外部と電気的に接続されるよう構成されている
ことを特徴とするレーダセンサ。
A transmission circuit for transmitting a transmission signal;
A receiving circuit for receiving a reflected signal based on the transmitted signal;
A transmission antenna that radiates the transmission signal generated by the transmission circuit and is electrically connected to the transmission circuit;
A receiving antenna electrically connected to the receiving circuit for receiving the reflected signal and supplying the reflected signal to the receiving circuit;
Resin that is filled with the same resin and that integrally seals the transmission circuit, the reception circuit, the transmission antenna, and the reception antenna so that the resin contacts the transmission circuit and the reception circuit Package and
Comprising a connection pin electrically connected to at least one of the transmission circuit and the reception circuit via a wire,
The transmission circuit and the transmission antenna are formed on a first MMIC chip,
The receiving circuit and the receiving antenna are formed on a second MMIC chip different from the first MMIC chip,
A dielectric lens is formed on the resin package so as to cover the transmitting antenna and the receiving antenna,
A radar sensor, wherein at least one of the transmission circuit and the reception circuit is electrically connected to the outside of the resin package via the connection pin.
請求項8において、
前記送信回路および前記受信回路の少なくともどちらか一方からの出力を処理する信号処理回路を更に含んで成ることを特徴とするレーダセンサ。
In claim 8,
A radar sensor, further comprising a signal processing circuit for processing an output from at least one of the transmission circuit and the reception circuit.
請求項10において、
前記信号処理回路は、前記MMIC上に形成されていることを特徴とするレーダセンサ。
In claim 10,
The radar sensor according to claim 1, wherein the signal processing circuit is formed on the MMIC.
請求項10において、
前記信号処理回路は、前記MMICとは異なる、前記樹脂パッケージ内に搭載された信号処理チップ上に形成されていることを特徴とするレーダセンサ。
In claim 10,
2. The radar sensor according to claim 1, wherein the signal processing circuit is formed on a signal processing chip mounted in the resin package, which is different from the MMIC.
請求項9において、
前記送信回路および前記受信回路の少なくともどちらか一方からの出力を処理する信号処理回路を更に含み、
前記信号処理回路は、前記第1および前記第2のMMICチップとは異なる、前記樹脂パッケージ内に搭載された信号処理チップ上に形成されている
ことを特徴とするレーダセンサ。
In claim 9,
A signal processing circuit for processing an output from at least one of the transmission circuit and the reception circuit;
The radar sensor according to claim 1, wherein the signal processing circuit is formed on a signal processing chip mounted in the resin package, which is different from the first and second MMIC chips.
請求項8において、
前記誘電体レンズは前記樹脂パッケージと同質材料で一体的に形成されていることを特徴とするレーダセンサ。
In claim 8,
2. The radar sensor according to claim 1, wherein the dielectric lens is integrally formed of the same material as the resin package.
請求項8において、
前記誘電体レンズは、前記樹脂パッケージとは別途構成されたものを前記樹脂パッケージ上に接着して形成されたことを特徴とするレーダセンサ。
In claim 8,
2. The radar sensor according to claim 1, wherein the dielectric lens is formed by adhering a dielectric lens separately from the resin package onto the resin package.
請求項15において、
前記誘電体レンズの材料は、その比誘電率が3から6の範囲であることを特徴とするレーダセンサ。
In claim 15,
A radar sensor characterized in that the dielectric lens material has a relative dielectric constant in the range of 3 to 6.
請求項16において、
前記送信アンテナと前記受信アンテナとは、前記送信回路および前記受信回路を中心に略対称になるように配置されていることを特徴とするレーダセンサ。
In claim 16,
2. The radar sensor according to claim 1, wherein the transmitting antenna and the receiving antenna are arranged so as to be substantially symmetrical about the transmitting circuit and the receiving circuit.
請求項16において、
前記送信信号の周波数は20GHzないし100GHzの周波数であることを特徴とするレーダセンサ。
In claim 16,
The radar sensor according to claim 1, wherein the frequency of the transmission signal is 20 GHz to 100 GHz.
送信用回路と受信要回路の両者を含む能動回路部と、
前記能動回路部で生成された送信信号を放射する送信アンテナと、
前記放射された送信信号の反射信号を受信して前記能動回路部に供給する受信アンテナと、
同一の樹脂で充填され、かつ、前記能動回路に前記樹脂が接するように前記能動回路部と、前記送信アンテナと、前記受信アンテナとを一体的に封止する樹脂パッケージと、
ワイヤを介して前記能動回路部と電気的に接続された接続ピンとを具備して成り、
前記能動回路部と、前記送信アンテナと、前記受信アンテナとは、単一のMMICチップ上に一体的に形成され、
前記送信アンテナと前記受信アンテナの上方の、前記樹脂パッケージ上に誘電体レンズが形成され、
前記接続ピンを介して前記MMICが前記樹脂パッケージの外部と電気的に接続されるよう構成されている
ことを特徴とするレーダセンサ。
An active circuit unit including both a transmission circuit and a reception essential circuit;
A transmission antenna that radiates a transmission signal generated by the active circuit unit;
A receiving antenna that receives a reflected signal of the radiated transmission signal and supplies the reflected signal to the active circuit unit;
A resin package that is filled with the same resin and that integrally seals the active circuit portion, the transmitting antenna, and the receiving antenna so that the resin contacts the active circuit;
Comprising a connection pin electrically connected to the active circuit part through a wire,
The active circuit unit, the transmitting antenna, and the receiving antenna are integrally formed on a single MMIC chip,
A dielectric lens is formed on the resin package above the transmitting antenna and the receiving antenna,
A radar sensor, wherein the MMIC is electrically connected to the outside of the resin package via the connection pin.
請求項19において、
前記能動回路部からの出力を処理する信号処理回路を更に含んで成ることを特徴とするレーダセンサ。
In claim 19,
A radar sensor, further comprising a signal processing circuit for processing an output from the active circuit unit.
請求項20において、
前記信号処理回路は、前記MMIC上に形成されていることを特徴とするレーダセンサ。
In claim 20,
The radar sensor according to claim 1, wherein the signal processing circuit is formed on the MMIC.
請求項20において、
前記信号処理回路は、前記MMICとは異なる、前記樹脂パッケージ内に搭載された信号処理チップ上に形成されていることを特徴とするレーダセンサ。
In claim 20,
2. The radar sensor according to claim 1, wherein the signal processing circuit is formed on a signal processing chip mounted in the resin package, which is different from the MMIC.
請求項19において、
前記誘電体レンズは前記樹脂パッケージと同質材料で一体的に形成されていることを特徴とするレーダセンサ。
In claim 19,
2. The radar sensor according to claim 1, wherein the dielectric lens is integrally formed of the same material as the resin package.
請求項19において、
前記誘電体レンズは、前記樹脂パッケージとは別途構成されたものを前記樹脂パッケージ上に接着して形成されたことを特徴とするレーダセンサ。
In claim 19,
2. The radar sensor according to claim 1, wherein the dielectric lens is formed by adhering a dielectric lens separately from the resin package onto the resin package.
請求項24において、
前記誘電体レンズの材料は、その比誘電率が3から6の範囲であることを特徴とするレーダセンサ。
In claim 24,
A radar sensor characterized in that the dielectric lens material has a relative dielectric constant in the range of 3 to 6.
請求項25において、
前記送信アンテナと前記受信アンテナとは、前記能動回路を中心に略対称になるように配置されていることを特徴とするレーダセンサ。
In claim 25,
The radar antenna, wherein the transmitting antenna and the receiving antenna are arranged so as to be substantially symmetrical about the active circuit.
請求項25において、
前記送信信号の周波数は20GHzないし100GHzの周波数で動作することを特徴とするレーダセンサ。
In claim 25,
A radar sensor, wherein the frequency of the transmission signal operates at a frequency of 20 GHz to 100 GHz.
JP2007336338A 2007-12-27 2007-12-27 Radar sensor Expired - Lifetime JP4861303B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007336338A JP4861303B2 (en) 2007-12-27 2007-12-27 Radar sensor

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007336338A JP4861303B2 (en) 2007-12-27 2007-12-27 Radar sensor

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2002125910A Division JP4523223B2 (en) 2002-04-26 2002-04-26 Radar sensor

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2008089614A true JP2008089614A (en) 2008-04-17
JP4861303B2 JP4861303B2 (en) 2012-01-25

Family

ID=39373889

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2007336338A Expired - Lifetime JP4861303B2 (en) 2007-12-27 2007-12-27 Radar sensor

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP4861303B2 (en)

Cited By (47)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2016166859A (en) * 2014-12-23 2016-09-15 インフィネオン テクノロジーズ アーゲーInfineon Technologies Ag Rf system having rfic and antenna system
US10218407B2 (en) 2016-08-08 2019-02-26 Infineon Technologies Ag Radio frequency system and method for wearable device
US10317512B2 (en) 2014-12-23 2019-06-11 Infineon Technologies Ag RF system with an RFIC and antenna system
US10399393B1 (en) 2018-05-29 2019-09-03 Infineon Technologies Ag Radar sensor system for tire monitoring
CN110361071A (en) * 2018-04-11 2019-10-22 英飞凌科技股份有限公司 The device and method for carrying out liquid detecting using millimetre-wave radar sensor
US10466772B2 (en) 2017-01-09 2019-11-05 Infineon Technologies Ag System and method of gesture detection for a remote device
US10505255B2 (en) 2017-01-30 2019-12-10 Infineon Technologies Ag Radio frequency device packages and methods of formation thereof
US10576328B2 (en) 2018-02-06 2020-03-03 Infineon Technologies Ag System and method for contactless sensing on a treadmill
US10602548B2 (en) 2017-06-22 2020-03-24 Infineon Technologies Ag System and method for gesture sensing
US10705198B2 (en) 2018-03-27 2020-07-07 Infineon Technologies Ag System and method of monitoring an air flow using a millimeter-wave radar sensor
US10725150B2 (en) 2014-12-23 2020-07-28 Infineon Technologies Ag System and method for radar
US10746625B2 (en) 2017-12-22 2020-08-18 Infineon Technologies Ag System and method of monitoring a structural object using a millimeter-wave radar sensor
US10775482B2 (en) 2018-04-11 2020-09-15 Infineon Technologies Ag Human detection and identification in a setting using millimeter-wave radar
US10794841B2 (en) 2018-05-07 2020-10-06 Infineon Technologies Ag Composite material structure monitoring system
US10795012B2 (en) 2018-01-22 2020-10-06 Infineon Technologies Ag System and method for human behavior modelling and power control using a millimeter-wave radar sensor
US10802599B2 (en) 2016-01-19 2020-10-13 Infineon Technologies Ag Device with mm-wave gesture sensing system
CN112068147A (en) * 2020-10-15 2020-12-11 联合微电子中心有限责任公司 Integrated chip and electronic device for target detection
US10903567B2 (en) 2018-06-04 2021-01-26 Infineon Technologies Ag Calibrating a phased array system
US10928501B2 (en) 2018-08-28 2021-02-23 Infineon Technologies Ag Target detection in rainfall and snowfall conditions using mmWave radar
US11039231B2 (en) 2018-11-14 2021-06-15 Infineon Technologies Ag Package with acoustic sensing device(s) and millimeter wave sensing elements
US11087115B2 (en) 2019-01-22 2021-08-10 Infineon Technologies Ag User authentication using mm-Wave sensor for automotive radar systems
US11126885B2 (en) 2019-03-21 2021-09-21 Infineon Technologies Ag Character recognition in air-writing based on network of radars
US11125869B2 (en) 2018-10-16 2021-09-21 Infineon Technologies Ag Estimating angle of human target using mmWave radar
US11183772B2 (en) 2018-09-13 2021-11-23 Infineon Technologies Ag Embedded downlight and radar system
US11278241B2 (en) 2018-01-16 2022-03-22 Infineon Technologies Ag System and method for vital signal sensing using a millimeter-wave radar sensor
US11327167B2 (en) 2019-09-13 2022-05-10 Infineon Technologies Ag Human target tracking system and method
US11336026B2 (en) 2016-07-21 2022-05-17 Infineon Technologies Ag Radio frequency system for wearable device
US11346936B2 (en) 2018-01-16 2022-05-31 Infineon Technologies Ag System and method for vital signal sensing using a millimeter-wave radar sensor
US11355838B2 (en) 2019-03-18 2022-06-07 Infineon Technologies Ag Integration of EBG structures (single layer/multi-layer) for isolation enhancement in multilayer embedded packaging technology at mmWave
US11360185B2 (en) 2018-10-24 2022-06-14 Infineon Technologies Ag Phase coded FMCW radar
US11397239B2 (en) 2018-10-24 2022-07-26 Infineon Technologies Ag Radar sensor FSM low power mode
US11416077B2 (en) 2018-07-19 2022-08-16 Infineon Technologies Ag Gesture detection system and method using a radar sensor
US11435443B2 (en) 2019-10-22 2022-09-06 Infineon Technologies Ag Integration of tracking with classifier in mmwave radar
US11454696B2 (en) 2019-04-05 2022-09-27 Infineon Technologies Ag FMCW radar integration with communication system
US11567185B2 (en) 2020-05-05 2023-01-31 Infineon Technologies Ag Radar-based target tracking using motion detection
US11585891B2 (en) 2020-04-20 2023-02-21 Infineon Technologies Ag Radar-based vital sign estimation
US11614516B2 (en) 2020-02-19 2023-03-28 Infineon Technologies Ag Radar vital signal tracking using a Kalman filter
US11614511B2 (en) 2020-09-17 2023-03-28 Infineon Technologies Ag Radar interference mitigation
US11662430B2 (en) 2021-03-17 2023-05-30 Infineon Technologies Ag MmWave radar testing
US11704917B2 (en) 2020-07-09 2023-07-18 Infineon Technologies Ag Multi-sensor analysis of food
US11719787B2 (en) 2020-10-30 2023-08-08 Infineon Technologies Ag Radar-based target set generation
US11719805B2 (en) 2020-11-18 2023-08-08 Infineon Technologies Ag Radar based tracker using empirical mode decomposition (EMD) and invariant feature transform (IFT)
US11774553B2 (en) 2020-06-18 2023-10-03 Infineon Technologies Ag Parametric CNN for radar processing
US11774592B2 (en) 2019-09-18 2023-10-03 Infineon Technologies Ag Multimode communication and radar system resource allocation
US11808883B2 (en) 2020-01-31 2023-11-07 Infineon Technologies Ag Synchronization of multiple mmWave devices
JP7434213B2 (en) 2021-06-17 2024-02-20 株式会社東芝 Radar equipment and radar systems
US11950895B2 (en) 2021-05-28 2024-04-09 Infineon Technologies Ag Radar sensor system for blood pressure sensing, and associated method

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08265039A (en) * 1995-03-24 1996-10-11 Mitsubishi Materials Corp Integrated circuit device
JPH0983240A (en) * 1995-09-12 1997-03-28 Toshiba Corp Communication module
JPH10268046A (en) * 1997-03-15 1998-10-09 Robert Bosch Gmbh Device for directional transmitting of receiving, or both of them of electromagnetic wave
JPH114118A (en) * 1997-06-13 1999-01-06 Fujitsu Ltd Semiconductor module incorporating antenna element
JPH1134553A (en) * 1997-07-18 1999-02-09 Rohm Co Ltd Ic module, its production, and ic card equipped therewith
JPH11134464A (en) * 1997-10-31 1999-05-21 Rohm Co Ltd Manufacture of ic module and ic card provided with ic module manufacture by the manufacturing method
JP2000174543A (en) * 1998-12-01 2000-06-23 Nippon Signal Co Ltd:The Antenna system and automatic train controller
JP2000201009A (en) * 1999-01-05 2000-07-18 Seiko Epson Corp High frequency element
WO2000065691A1 (en) * 1999-04-23 2000-11-02 Telefonaktiebolaget Lm Ericsson (Publ) A method and arrangement pertaining to microwave lenses

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08265039A (en) * 1995-03-24 1996-10-11 Mitsubishi Materials Corp Integrated circuit device
JPH0983240A (en) * 1995-09-12 1997-03-28 Toshiba Corp Communication module
JPH10268046A (en) * 1997-03-15 1998-10-09 Robert Bosch Gmbh Device for directional transmitting of receiving, or both of them of electromagnetic wave
JPH114118A (en) * 1997-06-13 1999-01-06 Fujitsu Ltd Semiconductor module incorporating antenna element
JPH1134553A (en) * 1997-07-18 1999-02-09 Rohm Co Ltd Ic module, its production, and ic card equipped therewith
JPH11134464A (en) * 1997-10-31 1999-05-21 Rohm Co Ltd Manufacture of ic module and ic card provided with ic module manufacture by the manufacturing method
JP2000174543A (en) * 1998-12-01 2000-06-23 Nippon Signal Co Ltd:The Antenna system and automatic train controller
JP2000201009A (en) * 1999-01-05 2000-07-18 Seiko Epson Corp High frequency element
WO2000065691A1 (en) * 1999-04-23 2000-11-02 Telefonaktiebolaget Lm Ericsson (Publ) A method and arrangement pertaining to microwave lenses

Cited By (57)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10725150B2 (en) 2014-12-23 2020-07-28 Infineon Technologies Ag System and method for radar
US10317512B2 (en) 2014-12-23 2019-06-11 Infineon Technologies Ag RF system with an RFIC and antenna system
US11965976B2 (en) 2014-12-23 2024-04-23 Infineon Technologies Ag System and method for radar
US10408919B2 (en) 2014-12-23 2019-09-10 Infineon Technologies Ag RF system with an RFIC and antenna system
JP2016166859A (en) * 2014-12-23 2016-09-15 インフィネオン テクノロジーズ アーゲーInfineon Technologies Ag Rf system having rfic and antenna system
US11216077B2 (en) 2016-01-19 2022-01-04 Infineon Technologies Ag Device with mm-wave gesture sensing system
US10802599B2 (en) 2016-01-19 2020-10-13 Infineon Technologies Ag Device with mm-wave gesture sensing system
US11336026B2 (en) 2016-07-21 2022-05-17 Infineon Technologies Ag Radio frequency system for wearable device
US11417963B2 (en) 2016-07-21 2022-08-16 Infineon Technologies Ag Radio frequency system for wearable device
US10218407B2 (en) 2016-08-08 2019-02-26 Infineon Technologies Ag Radio frequency system and method for wearable device
US10466772B2 (en) 2017-01-09 2019-11-05 Infineon Technologies Ag System and method of gesture detection for a remote device
US10901497B2 (en) 2017-01-09 2021-01-26 Infineon Technologies Ag System and method of gesture detection for a remote device
US10505255B2 (en) 2017-01-30 2019-12-10 Infineon Technologies Ag Radio frequency device packages and methods of formation thereof
US10973058B2 (en) 2017-06-22 2021-04-06 Infineon Technologies Ag System and method for gesture sensing
US10602548B2 (en) 2017-06-22 2020-03-24 Infineon Technologies Ag System and method for gesture sensing
US10746625B2 (en) 2017-12-22 2020-08-18 Infineon Technologies Ag System and method of monitoring a structural object using a millimeter-wave radar sensor
US11346936B2 (en) 2018-01-16 2022-05-31 Infineon Technologies Ag System and method for vital signal sensing using a millimeter-wave radar sensor
US11278241B2 (en) 2018-01-16 2022-03-22 Infineon Technologies Ag System and method for vital signal sensing using a millimeter-wave radar sensor
US10795012B2 (en) 2018-01-22 2020-10-06 Infineon Technologies Ag System and method for human behavior modelling and power control using a millimeter-wave radar sensor
US10576328B2 (en) 2018-02-06 2020-03-03 Infineon Technologies Ag System and method for contactless sensing on a treadmill
US10705198B2 (en) 2018-03-27 2020-07-07 Infineon Technologies Ag System and method of monitoring an air flow using a millimeter-wave radar sensor
US10775482B2 (en) 2018-04-11 2020-09-15 Infineon Technologies Ag Human detection and identification in a setting using millimeter-wave radar
CN110361071B (en) * 2018-04-11 2024-04-19 英飞凌科技股份有限公司 Apparatus and method for liquid detection using millimeter wave radar sensor
CN110361071A (en) * 2018-04-11 2019-10-22 英飞凌科技股份有限公司 The device and method for carrying out liquid detecting using millimetre-wave radar sensor
US10761187B2 (en) 2018-04-11 2020-09-01 Infineon Technologies Ag Liquid detection using millimeter-wave radar sensor
US10794841B2 (en) 2018-05-07 2020-10-06 Infineon Technologies Ag Composite material structure monitoring system
US10399393B1 (en) 2018-05-29 2019-09-03 Infineon Technologies Ag Radar sensor system for tire monitoring
US10903567B2 (en) 2018-06-04 2021-01-26 Infineon Technologies Ag Calibrating a phased array system
US11416077B2 (en) 2018-07-19 2022-08-16 Infineon Technologies Ag Gesture detection system and method using a radar sensor
US10928501B2 (en) 2018-08-28 2021-02-23 Infineon Technologies Ag Target detection in rainfall and snowfall conditions using mmWave radar
US11183772B2 (en) 2018-09-13 2021-11-23 Infineon Technologies Ag Embedded downlight and radar system
US11125869B2 (en) 2018-10-16 2021-09-21 Infineon Technologies Ag Estimating angle of human target using mmWave radar
US11360185B2 (en) 2018-10-24 2022-06-14 Infineon Technologies Ag Phase coded FMCW radar
US11397239B2 (en) 2018-10-24 2022-07-26 Infineon Technologies Ag Radar sensor FSM low power mode
US11039231B2 (en) 2018-11-14 2021-06-15 Infineon Technologies Ag Package with acoustic sensing device(s) and millimeter wave sensing elements
US11670110B2 (en) 2019-01-22 2023-06-06 Infineon Technologies Ag User authentication using mm-wave sensor for automotive radar systems
US11087115B2 (en) 2019-01-22 2021-08-10 Infineon Technologies Ag User authentication using mm-Wave sensor for automotive radar systems
US11355838B2 (en) 2019-03-18 2022-06-07 Infineon Technologies Ag Integration of EBG structures (single layer/multi-layer) for isolation enhancement in multilayer embedded packaging technology at mmWave
US11126885B2 (en) 2019-03-21 2021-09-21 Infineon Technologies Ag Character recognition in air-writing based on network of radars
US11686815B2 (en) 2019-03-21 2023-06-27 Infineon Technologies Ag Character recognition in air-writing based on network of radars
US11454696B2 (en) 2019-04-05 2022-09-27 Infineon Technologies Ag FMCW radar integration with communication system
US11327167B2 (en) 2019-09-13 2022-05-10 Infineon Technologies Ag Human target tracking system and method
US11774592B2 (en) 2019-09-18 2023-10-03 Infineon Technologies Ag Multimode communication and radar system resource allocation
US11435443B2 (en) 2019-10-22 2022-09-06 Infineon Technologies Ag Integration of tracking with classifier in mmwave radar
US11808883B2 (en) 2020-01-31 2023-11-07 Infineon Technologies Ag Synchronization of multiple mmWave devices
US11614516B2 (en) 2020-02-19 2023-03-28 Infineon Technologies Ag Radar vital signal tracking using a Kalman filter
US11585891B2 (en) 2020-04-20 2023-02-21 Infineon Technologies Ag Radar-based vital sign estimation
US11567185B2 (en) 2020-05-05 2023-01-31 Infineon Technologies Ag Radar-based target tracking using motion detection
US11774553B2 (en) 2020-06-18 2023-10-03 Infineon Technologies Ag Parametric CNN for radar processing
US11704917B2 (en) 2020-07-09 2023-07-18 Infineon Technologies Ag Multi-sensor analysis of food
US11614511B2 (en) 2020-09-17 2023-03-28 Infineon Technologies Ag Radar interference mitigation
CN112068147A (en) * 2020-10-15 2020-12-11 联合微电子中心有限责任公司 Integrated chip and electronic device for target detection
US11719787B2 (en) 2020-10-30 2023-08-08 Infineon Technologies Ag Radar-based target set generation
US11719805B2 (en) 2020-11-18 2023-08-08 Infineon Technologies Ag Radar based tracker using empirical mode decomposition (EMD) and invariant feature transform (IFT)
US11662430B2 (en) 2021-03-17 2023-05-30 Infineon Technologies Ag MmWave radar testing
US11950895B2 (en) 2021-05-28 2024-04-09 Infineon Technologies Ag Radar sensor system for blood pressure sensing, and associated method
JP7434213B2 (en) 2021-06-17 2024-02-20 株式会社東芝 Radar equipment and radar systems

Also Published As

Publication number Publication date
JP4861303B2 (en) 2012-01-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4861303B2 (en) Radar sensor
JP4523223B2 (en) Radar sensor
US7388450B2 (en) Packaged electronic components for producing a sub-harmonic frequency signal at millimetric frequencies
US7342299B2 (en) Apparatus and methods for packaging antennas with integrated circuit chips for millimeter wave applications
US5309163A (en) Active patch antenna transmitter
US8179306B2 (en) High-frequency circuit board, high-frequency circuit module, and radar apparatus
JP4588073B2 (en) Small electronic components for microwave applications
US7567206B1 (en) Integrated circuit for measuring the distance and/or velocity of objects
US20080297283A1 (en) Mode Transition Circuit for Transferring Radio Frequency Signal and Transceiver Module Having the Same
US9917372B2 (en) Integrated circuit package with radio frequency coupling arrangement
EP2905632A1 (en) Radar module and speed measuring device using same
US20160087333A1 (en) Integrated circuit package
US20080316126A1 (en) Antenna System for a Radar Transceiver
CN109244642B (en) Method for manufacturing packaged antenna
JPH10268046A (en) Device for directional transmitting of receiving, or both of them of electromagnetic wave
US7612728B2 (en) Microwave antenna for flip-chip semiconductor modules
US9797989B2 (en) Semiconductor module having integrated antenna structures
Hasch et al. 77 GHz automotive radar sensor in low-cost PCB technology
US8390521B2 (en) Antenna array for a radar transceiver and circuit configuration for supplying an antenna array of such a radar transceiver
US20040070460A1 (en) Microwave oscillator
JP6538483B2 (en) High frequency package, transmission / reception module, and radar device
JP2003008343A (en) Power amplifier
WO2007066917A1 (en) Mode transition circuit for transferring radio frequency signal and transceiver module having the same
JP2002156441A (en) Sensor

Legal Events

Date Code Title Description
A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20110329

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20110525

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20111101

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20111104

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 4861303

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20141111

Year of fee payment: 3

EXPY Cancellation because of completion of term