JP2008076184A - Mounting state inspection method for electronic component, mounting state inspection device for electronic component, and manufacturing method of electronic device - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、電子部品の実装状態検査方法、電子部品の実装状態検査装置及び電子機器の製造方法に関し、特に、電極が設けられた透明基板に異方性導電膜を介して電子部品を熱圧着により実装した場合における、電子部品の実装状態検査方法、電子部品の実装状態検査装置及び電子機器の製造方法に関する。 The present invention relates to an electronic component mounting state inspection method, an electronic component mounting state inspection device, and an electronic device manufacturing method, and more particularly to thermocompression bonding of an electronic component to a transparent substrate provided with electrodes via an anisotropic conductive film. The present invention relates to an electronic component mounting state inspection method, an electronic component mounting state inspection device, and an electronic device manufacturing method.
電極が設けられた基板上に実装される電子部品の実装状態を検査する方法として、実装状態が不良である場合には電気的な抵抗値が高くなることを利用する方法が知られている。この検査方法には、実装部分の電気抵抗値を計測する方法と、実装状態が良好である場合に達成できる機能を確認する方法とがある。後者の例としては、液晶ディスプレイのガラス基板上に液晶ディスプレイの表示制御用電子部品を実装する場合であれば、実装した表示制御用電子部品を駆動させて液晶ディスプレイの画面表示を行い、表示される画面の状態から実装状態の良否を判定する。 As a method for inspecting the mounting state of an electronic component mounted on a substrate provided with electrodes, there is known a method that utilizes the fact that the electrical resistance value increases when the mounting state is defective. This inspection method includes a method of measuring an electrical resistance value of a mounting portion and a method of confirming a function that can be achieved when the mounting state is good. As an example of the latter, if the liquid crystal display display control electronic component is mounted on the liquid crystal display glass substrate, the mounted display control electronic component is driven to display the liquid crystal display on the screen. The quality of the mounting state is determined from the screen state.
近年、電極が設けられた透明基板上に、導電性粒子を含む異方性導電膜を介して電子部品を実装する場合が増えている。この場合における電子部品の実装状態の良否を判定する方法として、微分干渉顕微鏡を用いる方法が知られている。具体的には、電子部品が実装された透明基板を電子部品の実装方向の裏面側から微分干渉顕微鏡で観察し、導電性粒子に押されることにより電極に形成される圧痕の数を数えている。圧痕の数が多い場合には、実装状態が良好であると判定される。微分干渉顕微鏡による観察は、実装状態の良否を判定する検査員により行われる。 In recent years, electronic parts are increasingly mounted on a transparent substrate provided with electrodes via an anisotropic conductive film containing conductive particles. In this case, a method using a differential interference microscope is known as a method for determining whether the electronic component is mounted properly. Specifically, the transparent substrate on which the electronic component is mounted is observed with a differential interference microscope from the back side in the mounting direction of the electronic component, and the number of indentations formed on the electrode by counting against the conductive particles is counted. . When the number of indentations is large, it is determined that the mounting state is good. The observation by the differential interference microscope is performed by an inspector who determines whether the mounting state is good or bad.
さらに、電極に形成される圧痕を観察することによる実装状態の良否の判定を自動的に行う発明として、下記特許文献1、2に記載された発明が知られている。
Furthermore, the invention described in the following
特許文献1に記載された発明は、微分干渉顕微鏡により映される電極の画像を撮像し、撮像した画像中に存在する隆起部の形状をもとにその隆起部が圧痕であるか否かを判定するものである。但し、圧痕であるか否かを判定する具体的な判定方法については説明されていない。
The invention described in
特許文献2に記載された発明は、微分干渉顕微鏡により映される電極の画像を撮像し、撮像した画像の濃淡値を白黒二値化し、二値化された白又は黒の面積と形状とから圧痕であるか否かを判定している。又は、撮影した画像の濃淡値の標準偏差から圧痕であるか否かを判定している。
しかしながら、上述の公報に記載さたれ発明においては、以下の点について配慮がなされていない。 However, in the invention described in the above publication, the following points are not considered.
特許文献2に記載されたように、二値化した際の白又は黒の面積及び形状から圧痕と判定する場合には、実装時に電子部品のバンプと電極との間に挟まれる異物やバンプ自体の変形が原因となって生じる電極の凸状部を、圧痕であると判定する場合がある。
As described in
また、画像の濃淡値の標準偏差から圧痕を判定する場合も同様に、実装時に電子部品のバンプと電極との間に挟まれる異物やバンプ自体の変形が濃淡値の標準偏差に影響を与え、圧痕でない部分を圧痕であると判定する場合がある。 Similarly, when determining the indentation from the standard deviation of the gray value of the image, the foreign matter sandwiched between the bump and the electrode of the electronic component during mounting and the deformation of the bump itself affect the standard deviation of the gray value, A portion that is not indented may be determined to be indented.
つまり、電極に形成された凸状部を検査担当者が見れば、形状や濃淡から圧痕でないと判定できる場合であっても、自動化することにより圧痕であると誤って判定する場合が生じる。 That is, if the person in charge of inspection looks at the convex portion formed on the electrode, even if it can be determined that it is not an indentation from the shape or shading, it may be erroneously determined as an indentation by automation.
本発明はこのような課題を解決するためになされたもので、その目的は、異方性導電膜を用いて透明基板に実装した電子部品の実装状態を自動的に検査する場合に、異方性導電膜中の導電性粒子により押されることにより電極に形成される圧痕を確実に判定することができる電子部品の実装状態検査方法、電子部品の実装状態検査装置及び電子機器の製造方法を提供することである。 The present invention has been made to solve such a problem, and its object is to provide an anisotropic method for automatically inspecting the mounting state of an electronic component mounted on a transparent substrate using an anisotropic conductive film. Provided are an electronic component mounting state inspection method, an electronic component mounting state inspection device, and an electronic device manufacturing method capable of reliably determining an indentation formed on an electrode by being pressed by conductive particles in the conductive film It is to be.
本発明の実施の形態に係る第1の特徴は、電子部品の実装状態検査方法において、異方性導電膜を介して電子部品が実装された透明基板を前記電子部品が実装された面の裏面側から微分干渉顕微鏡により映して撮像する工程と、撮像された画像の中から、前記透明基板に設けられている電極の位置を予め登録されている前記電極の形状を用いて検出する工程と、前記電極に形成された凸状部を強調する微分フィルタ処理を施す工程と、前記微分フィルタ処理により強調された前記凸状部と予め用意してある圧痕モデルとをパターンマッチングし、マッチング率が設定値以上である前記凸状部を圧痕候補として抽出する工程と、圧痕候補として抽出された前記凸状部の濃淡値の差が設定値以上である場合に前記凸状部を圧痕であると判定する工程と、圧痕であると判定された個数をカウントする工程と、圧痕としてカウントされた数が設定値以上であるか否かにより前記透明基板への前記電子部品の実装状態の良否を判定する工程と、を備えることである。 A first feature according to an embodiment of the present invention is that, in the electronic component mounting state inspection method, a transparent substrate on which the electronic component is mounted via an anisotropic conductive film is disposed on the back surface of the surface on which the electronic component is mounted. A step of imaging by imaging with a differential interference microscope from the side, a step of detecting the position of the electrode provided on the transparent substrate from the captured image using the shape of the electrode registered in advance, Pattern matching between the step of performing differential filter processing for emphasizing the convex portion formed on the electrode, and the indented model prepared in advance with the convex portion emphasized by the differential filter processing, and the matching rate is set When the difference between the step of extracting the convex portion that is equal to or greater than the value as an indentation candidate and the gray value of the convex portion extracted as the indentation candidate is equal to or greater than a set value, the convex portion is determined to be an indentation. Craft And a step of counting the number of indentations determined, and a step of determining whether the electronic component is mounted on the transparent substrate according to whether or not the number counted as indentations is equal to or greater than a set value. Is.
本発明の実施の形態に係る第2の特徴は、電子部品の実装状態検査方法において、異方性導電膜を介して電子部品が実装された透明基板を前記電子部品が実装された面の裏面側から微分干渉顕微鏡により映して撮像する工程と、撮像された画像の中から、前記透明基板に設けられている電極の位置を予め登録されている前記電極の形状を用いて検出する工程と、検出した前記電極に形成された凸状部の画像の濃淡値を二値化した場合、閾値以上である部分の面積が設定値以上である場合に異物有りと判定する工程と、検出した前記電極に形成された凸状部の画像の濃淡値を二値化した場合、閾値以下である部分の面積が設定値以上である場合に異物ありと判定する工程と、前記電極に形成された前記凸状部にエッジを強調するラプラシアンフィルタ処理を施した後、前記異方性導電膜中の導電性粒子に押されて形成された前記凸状部を取り除いた後の画像の濃淡値を二値化した場合、閾値以下である部分の面積が設定値以上である場合に異物有りと判定する工程と、前記微分干渉顕微鏡の濃淡変化が出現する方向に、異物サイズに合わせた微分フィルタ処理を施した後の画像の濃淡値を二値化した場合、閾値以上である部分の面積が設定値以上である場合に異物と判定する工程と、を備えることである。 A second feature of the embodiment of the present invention is that, in the electronic component mounting state inspection method, a transparent substrate on which the electronic component is mounted via an anisotropic conductive film is disposed on the back surface of the surface on which the electronic component is mounted. A step of imaging by imaging with a differential interference microscope from the side, a step of detecting the position of the electrode provided on the transparent substrate from the captured image using the shape of the electrode registered in advance, When binarizing the gray value of the image of the convex portion formed on the detected electrode, a step of determining that there is a foreign object when the area of a portion that is equal to or greater than a threshold is equal to or greater than a set value, and the detected electrode When the gray value of the image of the convex portion formed in the binarization is binarized, the step of determining that there is a foreign object when the area of the portion that is equal to or smaller than the threshold is equal to or larger than the set value, and the convex Laplacian to emphasize the edges A portion that is equal to or less than a threshold value when binarizing the gray value of the image after removing the convex portions formed by being pressed by the conductive particles in the anisotropic conductive film after performing the filtering process And determining the presence or absence of foreign matter when the area of the image is equal to or larger than a set value, and the gray value of the image after performing differential filter processing in accordance with the size of the foreign matter in the direction in which the shade change of the differential interference microscope appears. A step of determining a foreign object when the area of a portion that is equal to or greater than a threshold value is equal to or greater than a set value.
本発明の実施の形態に係る第3の特徴は、電子部品の実装状態検査装置において、異方性導電膜を介して電子部品が実装された透明基板を前記電子部品が実装された面の裏面側から映す微分干渉顕微鏡と、前記微分干渉顕微鏡により映される画像を撮像する撮像部と、撮像された画像の中から、前記透明基板に設けられている電極の位置を予め登録されている前記電極の形状を用いて検出する電極位置検出手段と、前記電極に形成された凸状部を強調する微分フィルタ処理を施す微分フィルタ処理手段と、前記微分フィルタ処理により強調された前記凸状部と予め用意してある圧痕モデルとをパターンマッチングし、マッチング率が設定値以上である前記凸状部を圧痕候補として抽出する圧痕候補抽出手段と、圧痕候補として抽出された前記凸状部の濃淡値の差が設定値以上である場合に前記凸状部を圧痕であると判定する圧痕判定手段と、圧痕であると判定された個数をカウントするカウント手段と、圧痕としてカウントされた数が設定値以上であるか否かにより前記透明基板への前記電子部品の実装状態の良否を判定する良否判定手段と、を備えることである。 According to a third aspect of the present invention, in the electronic component mounting state inspection apparatus, the transparent substrate on which the electronic component is mounted via the anisotropic conductive film is used as the back surface of the surface on which the electronic component is mounted. The differential interference microscope projected from the side, the imaging unit that captures an image projected by the differential interference microscope, and the positions of the electrodes provided on the transparent substrate are registered in advance from the captured images Electrode position detecting means for detecting using the shape of the electrode, differential filter processing means for performing differential filter processing for emphasizing the convex portion formed on the electrode, and the convex portion emphasized by the differential filter processing; Pattern matching with an indentation model prepared in advance, and an indentation candidate extracting means for extracting the convex portion having a matching rate equal to or higher than a set value as an indentation candidate, and the extracted indentation candidate When the difference between the shade values of the shape portion is equal to or greater than a set value, the indentation determining means for determining that the convex portion is an indentation, the counting means for counting the number of indentations determined to be indentations, and the indentation are counted as indentations. And pass / fail judgment means for judging pass / fail of the mounting state of the electronic component on the transparent substrate depending on whether or not the number is equal to or greater than a set value.
本発明の実施の形態に係る第4の特徴は、電子部品の実装状態検査装置において、異方性導電膜を介して電子部品が実装された透明基板を前記電子部品が実装された面の裏面側から映す微分干渉顕微鏡と、前記微分干渉顕微鏡により映される画像を撮像する撮像部と、撮像された画像の中から、前記透明電極に設けられている電極の位置を予め登録されている前記電極の形状を用いて検出する電極位置検出手段と、検出した前記電極に形成された凸状部の画像の濃淡値を二値化した場合、閾値以上である部分の面積が設定値以上である場合に異物有りと判定する第1の異物判定手段と、検出した前記電極に形成された凸状部の画像の濃淡値を二値化した場合、閾値以下である部分の面積が設定値以上である場合に異物有りと判定する第2の異物判定手段と、前記電極に形成された前記凸状部にエッジを強調するラプラシアンフィルタ処理を施した後、前記異方性導電膜中の導電性粒子に押されて形成された前記凸状部を取り除いた後の画像の濃淡値を二値化した場合、閾値以下である部分の面積が設定値以上である場合に異物有りと判定する第3の異物判定手段と、前記微分干渉顕微鏡の濃淡変化が出現する方向に、異物サイズに合わせた微分フィルタ処理を施した後の画像の濃淡値を二値化した場合、閾値以上である部分の面積が設定値以上である場合に異物有りと判定する第4の異物判定手段と、を備えることである。 According to a fourth aspect of the present invention, in the electronic component mounting state inspection apparatus, the transparent substrate on which the electronic component is mounted via the anisotropic conductive film is used as the back surface of the surface on which the electronic component is mounted. The differential interference microscope projected from the side, the imaging unit that captures the image projected by the differential interference microscope, and the position of the electrode provided on the transparent electrode from the captured image are registered in advance When binarizing the gray value of the detected image of the convex portion formed on the electrode position detecting means and the detected electrode using the shape of the electrode, the area of the portion that is equal to or greater than the threshold is equal to or greater than the set value In the case of binarizing the gray value of the detected image of the convex portion formed on the electrode and the first foreign matter determining means that determines that there is a foreign matter in the case, the area of the portion that is less than or equal to the threshold is greater than or equal to the set value The second difference that determines that there is a foreign object in some cases The convex portion formed by pressing the conductive particles in the anisotropic conductive film after performing a Laplacian filter processing for emphasizing an edge on the convex portion formed on the electrode with a determination unit When the gray value of the image after removal is binarized, a third foreign matter determination unit that determines that there is a foreign matter when the area of the portion that is equal to or smaller than the threshold is equal to or larger than a set value, and the light intensity change of the differential interference microscope If the gray value of the image after applying the differential filter processing in accordance with the size of the foreign object in the direction in which the image appears is binarized, it is determined that there is a foreign object if the area of the part that is equal to or greater than the threshold is equal to or greater than the set value. And a fourth foreign matter determining means.
本発明の実施の形態に係る第5の特徴は、電子機器の製造方法において、電極が設けられた透明基板に異方性導電膜を介して電子部品が実装された部品を用いる電子機器の製造工程中に、請求項1ないし6のいずれか一記載の電子部品の実装状態検査方法により検査する工程が含まれていることである。
According to a fifth aspect of the present invention, in the method for manufacturing an electronic device, the electronic device is manufactured using a component in which the electronic component is mounted on the transparent substrate on which the electrode is provided via an anisotropic conductive film. The process includes a step of inspecting by the electronic component mounting state inspection method according to any one of
本発明によれば、異方性導電膜を用いて行われる透明基板への電子部品の実装状態の良否の判定を精度良く行うことができる。 ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the quality determination of the mounting state of the electronic component on the transparent substrate performed using an anisotropic conductive film can be performed accurately.
(第1の実施の形態)
本発明の第1の実施の形態について、図1ないし図6を参照して説明する。
(First embodiment)
A first embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS.
本発明の第1の実施の形態に係る電子部品の実装状態検査装置Xには、図1に示すように、透明基板1に異方性導電膜2を介して電子部品3が実装された検査対象物4が載置されるXYステージ5と、微分干渉顕微鏡6と、撮像部であるCCDカメラ7と、検査内容や検査結果が表示される表示部8と、クリーニング装置9と、制御部10とが設けられている。
In the electronic component mounting state inspection apparatus X according to the first embodiment of the present invention, as shown in FIG. 1, an inspection in which an
検査対象物4は、図2に示すように、透明基板1の一面に電極11が設けられ、この電極11が設けられた側に電子部品3が異方性導電膜2を介して実装されている。電子部品3の実装は、熱圧着により行われている。異方性導電膜2は、絶縁性を有する接着性樹脂2aの中に導電性粒子2bが分散されている。電子部品3を実装した場合に、電子部品3のバンプ3aと電極11との間に導電性粒子2bが挟まれて潰されることにより、バンプ3aと電極11とが通電可能な状態となる。また、バンプ3aと電極11との間に挟まれた導電性粒子2bが押圧されることにより、電極11には導電性粒子2bにより押された痕跡である圧痕11aが形成される。
As shown in FIG. 2, the
微分干渉顕微鏡6は、図3に示すように、通常の光学顕微鏡に干渉装置である1組の楔形状のプリズム12a、12bを組み込んだものであり、試料の屈折率や厚みの変化を濃淡差に換えて観察可能な従来から公知の顕微鏡である。したがって、微分干渉顕微鏡6を用いることにより、通常の光学顕微鏡では観察できない電極11の微小な凸状部、例えば、圧痕11aを濃淡差として観察することができる。微分干渉顕微鏡6は、電子部品3が実装された透明基板1における電子部品3が実装された側の裏面側から透明基板1を映す向きに配置されている。
As shown in FIG. 3, the
微分干渉顕微鏡6には、一方の固定側のプリズム12aに対して可動側のプリズム12bの位置を調節する調整機構(図示せず)が設けられている。この調節機構によってプリズム12bを移動させることにより、観察できる濃淡差を調整することができる。したがって、微分干渉顕微鏡6の製造時において、プリズム12bの位置を調節することにより、各微分干渉顕微鏡6が同一の検査対象物4を映す場合に、同じ濃淡差を得ることができるようになる。
The
また、微分干渉顕微鏡6の照明の明るさについては、撮像した画像の濃淡値の平均や、照度計を利用して一定になるように調節することが可能である。この照度調節を行うことにより、各微分干渉顕微鏡6が同一の検査対象物4を映す場合に、同じ濃淡差を得ることができるようになる。
Further, the brightness of the illumination of the
撮像部であるCCDカメラ7は、微分干渉顕微鏡6と一体となって設けられており、微分干渉顕微鏡6により映される画像を撮像する。
The
クリーニング装置9は、微分干渉顕微鏡6により映される側の透明基板1の面をクリーニングする。透明基板1の微分干渉顕微鏡6により映される側の面にゴミが付着すると、その影響で電極11の画像を撮像するのに支障をきたし、圧痕11aを検出できなかったり、異物が電極11とバンプ3aとの間に挟まれていると判定してしまう場合がある。このような不具合を防止するために、事前に透明基板1をクリーニングすることが考えられる。また、ゴミの付着の発生頻度が低い場合には、圧痕11aを検出できなかったり、異物が電極11とバンプ3aとの間に挟まれているとして不良判定した場合のみ、その部分をクリーニングする方法もある。クリーニング方法としては、気体を吹きかけてごみを排除する方法や、逆に吸引による方法、ブラシにより払いのける方法などが考えられる。特に、ブラシによるクリーニングの場合、ブラシの回転と平行移動とを組み合わせて行うことが効果的である。回転のみだと、回転中心が速度ゼロになるので、この部分にある異物を除去できない。また、平行移動のみだと、隣接する検査範囲にごみを移動させる可能性がある。
The
制御部10は、各種のプログラムや各種の固定データが格納されたROMと、微分干渉顕微鏡6やCCDカメラ7から入力されるデータを一時的に格納するRAMと、ROMに格納されたプログラムや固定データとRAMに格納されたデータとを用いて各種の演算処理を行うCPUと、入力されたデータの一部やCPUでの演算結果を検査対象物4と関連付けて記録する記録部とを備えている。
The
図1に示す電子部品3の実装状態検査装置Xは、電子機器の製造ラインの一部に配置されている。電子機器の製造ラインでは、電子部品3が透明基板1に異方性導電膜2を介して実装される実装装置の下流側に、電子部品の実装状態検査装置Xが配置されている。
The mounting state inspection device X for the
電子部品3が透明基板1に異方性導電膜2を介して実装された検査対象物4に対して行われる実装状態検査装置Xでの実装状態の検査について、図4に示すフローチャート及び図5に示す工程図を参照して説明する。なお、実装状態の検査は、制御部10の制御の元で行われる。
FIG. 4 is a flowchart illustrating the mounting state inspection performed by the mounting state inspection apparatus X performed on the
制御部10では、検査対象物4が微分干渉顕微鏡6により映される検査位置まで搬送されたか否かが判断される(S1)。検査対象物4が検査位置まで搬送された場合には(S1のYES)、微分干渉顕微鏡6により映された画像がCCDカメラ7により撮像される(S2)。図5(a)には、CCDカメラ7により撮像された撮像画像が示されている。撮影画像中の電極11には、複数の凸状部13が現れている。これらの凸状部13には、電子部品3の実装時に導電性粒子2bに押されることにより生じた圧痕11aが含まれている。
In the
CCDカメラ7による撮像が終了すると、撮像された画像の中から、透明基板1に設けられている電極11の位置が、予め登録されている電極11の形状を用いてパターンマッチングにより検出される(S3)。ここに、電極位置検出手段が実行される。図5(b)には、電極位置が破線で示す目印で囲まれた状態が示されている。
When the imaging by the
電極位置が検出されると、電極11に形成されている凸状部13の凸状態を強調するための微分フィルタ処理が行われる(S4)。ここに、微分フィルタ処理手段が実行される。図5(c)には、微分フィルタ処理が行われることにより、凸状部13の凸状態が強調され、凸状部13が鮮明に表示された状態が示されている。
When the electrode position is detected, differential filter processing for enhancing the convex state of the
微分フィルタ処理が行われた後、凸状態を強調された凸状部13と予め用意してある圧痕モデル14とがパターンマッチングされ、マッチング率が設定値以上である凸状部13が圧痕候補として抽出される(S5)。ここに、圧痕候補抽出手段が実行される。この圧痕候補の抽出では、圧痕11aとなりうる凸状部13を、形状に基づいて抽出している。図5(d)には、圧痕候補として抽出された凸状部13が、四角の目印で囲まれた状態が示されている。
After the differential filter processing is performed, the
パターンマッチングで使用する圧痕モデル14は、図6に示すように、実際の圧痕を撮像した複数の画像(圧痕画像)15を重ね合わせ、平均値を求めることにより作製されている。圧痕11aの形状は,導電性粒子2bの形状、材質、大きさや実装時の加圧条件により異なるため、理論的な方法で圧痕モデルを作製する方法では,実際の圧痕形状を代表するものを得ることが困難である。さらに、実際の圧痕画像15を用いる際に、複数の圧痕画像15を重ね合わせて用いることで、個々の圧痕の形状の変化による影響を軽減することができる。重ね合わせるという意味は、各圧痕画像15の同一座標の濃淡値の和をとり、圧痕画像15の枚数で割り算をすることである。
As shown in FIG. 6, the
圧痕候補の抽出が終了した後は、圧痕候補として抽出された凸状部13の濃淡値の差が設定値以上であるか否かが判断される(S6)。凸状部13の濃淡値の差が設定値以上である場合には(S6のYES)、その凸状部13は圧痕11aであると判定される(S7)。ここに、圧痕判定手段が実行される。一方、凸状部13の濃淡値の差が設定値以下である場合は(S6のNO)、その凸状部13は圧痕11aでないと判定される(S8)。図5(e)には、圧痕11aであると判定された凸状部13は四角の目印が残され、圧痕11aでないと判定された凸状部13から四角の目印が消去された状態が示されている。
After the extraction of the indentation candidate is completed, it is determined whether or not the difference between the shade values of the
抽出された凸状部13が圧痕であるとの判定(S7)と、抽出された凸状部13が圧痕でないとの判定(S8)とが行われた後、圧痕であると判定された凸状部13の個数がカウントされる(S9)。ここに、圧痕11aの個数をカウントするカウント手段が実行される。
After the determination that the extracted
圧痕11aの個数がカウントされた後は、カウントされた圧痕11aの個数が設定値以上であるか否かが判断される(S10)。カウントされた圧痕11aの個数が設定値上である場合には(S10のYES)、実装状態が良好であると判定され(S11)、カウントされた圧痕11aの個数が設定値以下で場合には(S10のNO)、実装状態が不良であると判定される(S12)。ここに、カウントされた圧痕11aの個数が設定値以上であるか否かにより透明基板1への電子部品3の実装状態の良否を判定する、良否判定手段が実行される。
After the number of
このような構成において、この電子部品の実装状態検査装置Xでは、異方性導電膜2を介して電子部品3を透明基板1に実装した場合に電極11に生じる凸状部13を、その凸状部13が圧痕11aであるか否かの判定を自動的に行っている。この自動的な判定では、まず、凸状部13と圧痕モデル14とのパターンマッチングを行い、外形が圧痕11aに似ている凸状部13を圧痕候補として抽出し(図4のフローチャート中のS5)、つぎに、抽出した圧痕候補の中から濃淡差が設定値以上のものを圧痕11aと判定している(図4のフローチャート中のS6〜S8)。このような2段階の判定を行うことにより、検査員が視覚により判定した場合と同様に圧痕11aであるか否かを判定することができる。
In such a configuration, in the electronic component mounting state inspection apparatus X, when the
そして、圧痕11aであると判定された個数をカウントし(図4のフローチャート中のS9)、カウント数が設定値以上である場合には、実装状態が良好であると判定している(図4のフローチャート中のS10〜S11)。
Then, the number determined to be the
したがって、透明基板1への電子部品3の実装状態が良好であるか不良であるかの自動的な判定を、精度良く行うことができる。
Therefore, automatic determination as to whether the
(第2の実施の形態)
本発明の第2の実施の形態について、図7及び図8を参照して説明する。なお、第2の実施の形態及びこれ以降の実施の形態において、第1の実施の形態において説明した構成要素と同じ構成要素には同じ符号を付け、重複する説明は省略する。
(Second Embodiment)
A second embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. Note that, in the second embodiment and subsequent embodiments, the same components as those described in the first embodiment are denoted by the same reference numerals, and redundant descriptions are omitted.
第2の実施の形態の実装状態検査装置Xの基本的な構造は第1の実施の形態と同じであり、第2の実施の形態には、電極位置修正手段が追加されている。電極位置修正手段は、制御部10により実行される処理であり、同じ撮像画像内に位置する複数の電極11の位置を検出する場合に、他の電極11に比べて検出結果が設定値以上異なる電極11について、他の電極11の検出結果をもとに検出位置を修正する処理である。
The basic structure of the mounting state inspection apparatus X of the second embodiment is the same as that of the first embodiment, and electrode position correcting means is added to the second embodiment. The electrode position correcting means is a process executed by the
図7(a)には、CCDカメラ7により撮像され、複数の電極11が存在する撮像画像が示されている。図7(b)には、予め登録されている電極11の形状を用いてパターンマッチングされ、電極11の位置が検出された状態が示されている。破線で囲まれた範囲が、電極11が位置するとして検出された範囲である。
FIG. 7A shows a captured image captured by the
図7(a)の撮像画像には、異方性導電膜2の貼付けの際に発生した泡16が、Dの電極11の近くに存在することが撮像されている。このため、電極11の位置を検出した際に、図7(b)に示すように、泡16の影響でDの電極11の位置が誤って検出されている。
In the captured image of FIG. 7A, it is captured that the
そこで、このDの電極11の検出位置を、他の電極11の検出結果に基づいて電極位置修正手段により修正している。図7(c)には、Dの電極11の検出位置を修正した後の各電極11の電極位置が破線で示されている。
Therefore, the detection position of the
電極位置修正手段による電極位置の修正の具体的な手順について、図8を参照して説明する。 A specific procedure for correcting the electrode position by the electrode position correcting means will be described with reference to FIG.
図8は、全ての電極11の検出位置と、修正した電極11の位置とを示すグラフである。まず、全ての電極11について検出位置の平均値を求め、破線で示す平均値線を引く。
FIG. 8 is a graph showing the detection positions of all the
平均値線を引いた後、この平均値線に対して予め設定してある設定値以上に離れている電極11を探す。ここでは、Dの電極11が平均値線から設定値以上離れているものとする。
After the average value line is drawn, the
平均値線から設定値以上離れている電極11が存在する場合には、その電極11を省いた他の電極11について検出位置の平均値を求め、実線で示す修正平均値線を引く。
If there is an
修正平均値線を引いた後、Dの電極11の位置を、修正平均値線上に位置するように修正する。
After drawing the corrected average value line, the position of the
したがって、泡16などの異物が原因となって電極11の位置を誤検出した場合でも、電極11の検出位置を修正することができる。このため、電極11を位置を誤検出したことが原因となって、電極11内の圧痕11aの数が少なく、実装状態が不良であると判定されるということを防止することができる。
Therefore, even when the position of the
(第3の実施の形態)
本発明の第3の実施の形態について、図9を参照して説明する。
(Third embodiment)
A third embodiment of the present invention will be described with reference to FIG.
第3の実施の形態の実装状態検査装置Xの基本的な構造は第1の実施の形態と同じであり、第3の実施の形態には、一つの電極11内の明るさの変化の平均的な傾向を求める手段と、求められた明るさの変化の平均的な傾向を電極11内の明るさから減算する手段とが追加されている。これらの手段は、制御部10により実行される処理である。
The basic structure of the mounting state inspection apparatus X of the third embodiment is the same as that of the first embodiment. In the third embodiment, the average brightness change in one
微分干渉顕微鏡6の特性により、透明基板1が全体的に傾き、同一の電極11内の明るさが変化する場合がある。そして、同一の電極11内の明るさが変化することにより、電極11内の圧痕11aの濃淡値が変化し、圧痕11aが異物と判定される場合がある。この現象の対策として、同一の電極11の明るさ変化の平均的な傾向を求め、電極11の元の明るさから減算することにより、電極11内の明るさ変化の影響を軽減している。
Depending on the characteristics of the
図9(a)には、同一の電極11内の明るさが変化している撮像画像が示されている。図9(b)には、電極11に形成されている圧痕11aを含む凸状部13を消去して平滑化し、圧痕11aの明るさの変化の傾向のみが抽出された画像が示されている。図9(c)には、図9(a)に示された撮像画像から、図9(b)に示された電極11内の明るさの変化を減算することにより、電極11内の明るさの変化の影響を軽減した画像が示されている。
FIG. 9A shows a captured image in which the brightness within the
このような構成において、微分干渉顕微鏡6の特性により同一の電極11内の明るさが変化する場合でも、同一電極11内の明るさの変化の影響を軽減して精度の高い圧痕11aの判定を行うことができ、電子部品3の実装状態の良否の判定の精度を高めることができる。
In such a configuration, even when the brightness in the
(第4の実施の形態)
本発明の第4の実施の形態について、図10を参照して説明する。
(Fourth embodiment)
A fourth embodiment of the present invention will be described with reference to FIG.
第4の実施の形態の基本的な構造は第1の実施の形態と同じであり、第4の実施の形態の実装状態検査装置Xには、NGラベルプリンタ17と、記録部18と、再検査装置19とが追加されている。
The basic structure of the fourth embodiment is the same as that of the first embodiment, and the mounting state inspection apparatus X of the fourth embodiment includes an
NGラベルプリンタ17は、ある検査対象物4が電子部品3の実装状態が不良であると判定された場合、その検査対象物4に貼付けられるバーコード付きのNGラベルをプリントする。
The
記録部18には、ある検査対象物4が電子部品3の実装状態が不良であると判定された場合、その検査対象物4に貼付けられるバーコードの情報と、不良であるとの判定結果、具体的には、不良判定箇所、不良判定内容、不良判定画像などの情報とが関連付けて記録される。
In the
再検査装置19には、バーコードリーダ20と、表示部21と、微分干渉顕微鏡22とが設けられている。バーコードリーダ20はNGラベルのバーコードを読取り可能である。検査対象物4に貼付けられているNGラベルのバーコードをバーコードリーダ20により読取ると、バーコードと関連付けて記録部18に記録されている不良判定結果が表示部21に表示され、ここに、表示手段が実行される。
The
このような構成において、再検査を行う検査員は、検査対象物4に貼付けられているNGラベルのバーコードをバーコードリーダ20で読取ることにより、不良であるとの判定結果を表示部21に表示させることができる。さらに、必要な場合には、表示された判定結果に基づき、不良であると判定された箇所を微分干渉顕微鏡22を用いた再検査することができ、再検査を効率良く行うことができる。
In such a configuration, the inspector who performs the re-inspection reads the barcode of the NG label attached to the
なお、透明基板1にチップIDと呼ばれるシリアル番号が付けられている場合には、チップIDを専用のリーダー読取る構造とすることができ、NGラベルをプリントするNGラベルプリンタは不要となる。
When a serial number called a chip ID is attached to the
(第5の実施の形態)
本発明の第5の実施の形態について、図11を参照して説明する。
(Fifth embodiment)
A fifth embodiment of the present invention will be described with reference to FIG.
第5の実施の形態の基本的な構造は第1の実施の形態と同じであり、第5の実施の形態の実装状態検査装置Xには、再検査用の微分干渉顕微鏡22と、検査対象物4が載置されるXYステージ5を微分干渉顕微鏡6による観察位置から微分干渉顕微鏡22による観察位置へ搬送する搬送機構23とが追加されている。
The basic structure of the fifth embodiment is the same as that of the first embodiment. The mounting state inspection apparatus X of the fifth embodiment includes a
XYステージ5上に載置された検査対象物4が微分干渉顕微鏡6により観察され、実装状態状態が不良であると判定された場合には、搬送機構23によりXYステージ5が検査対象物4と共に微分干渉顕微鏡22による観察位置に搬送され、検査員による実装状態の再検査が行われる。
When the
このような構成において、実装状態の良否を自動的に判定する工程において、実装状態が不良であると判定された検査対象物4は、検査員による再検査が行われる位置に自動的に搬送されるため、再検査を容易に行うことができる。
In such a configuration, in the step of automatically determining the quality of the mounting state, the
(第6の実施の形態)
本発明の第6の実施の形態について、図12を参照して説明する。
(Sixth embodiment)
A sixth embodiment of the present invention will be described with reference to FIG.
第6の実施の形態の基本的構造は第5の実施の形態と同じであり、第6の実施の形態では、再検査の対象となった検査対象物4についての、実装状態の検査結果と、再検査に関する情報とを関連付けて記録する記録部24が設けられている。
The basic structure of the sixth embodiment is the same as that of the fifth embodiment. In the sixth embodiment, the inspection result of the mounting state of the
再検査の対象となった検査対象物4についての実装状態の検査結果とは、不良判定箇所、不良判定内容、不良判定画像などである。再検査に関する情報としては、再検査の結果、再検査の検査員の氏名等が挙げられる。
The inspection result of the mounting state of the
このような構成において、再検査の対象となった検査対象物4についての実装状態の検査結果と、再検査に関する情報とを関連付けて記録しておくことにより、再検査で実装状態が良好であると判定された検査対象物4が後に不良となった場合、記録部24に記録されている各種の情報から、不良となった原因の究明に役立てることが可能となる。
In such a configuration, the mounting state inspection result for the
(第7の実施の形態)
本発明の第7の実施の形態について、図13及び図14を参照して説明する。
(Seventh embodiment)
A seventh embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS.
第7の実施の形態の基本的構造は、第1の実施の形態と同じであり、第7の実施の形態では、検査対象物4の実装箇所に異物が含まれているか否かを判定する異物判定手段が追加されている。
The basic structure of the seventh embodiment is the same as that of the first embodiment. In the seventh embodiment, it is determined whether or not a foreign object is included in the mounting location of the
異方性導電膜2を用いて透明基板1へ電子部品3を実装した場合に、実装部分に異物が入り込んだ製品を実際の生産現場で収集し、分類したところ、(1)異物部分の輝度が高いもの。(2)異物部分の輝度が低いもの。(3)はっきりした凸形状のもの。(4)ゆるやかな凸形状のもの。に分類することができた。そこで、これらの4つに分類される異物の有無について、異物判定手段により判定することとした。
When the
異物判定手段による異物の有無の判定について、図13に示すフローチャート及び図14に示す工程図を参照して説明する。なお、この異物判定は、実装状態検査装置Xの制御部10の制御の元で行われる。
Determination of the presence / absence of a foreign substance by the foreign substance determination unit will be described with reference to a flowchart shown in FIG. 13 and a process diagram shown in FIG. This foreign matter determination is performed under the control of the
制御部10では、検査対象物4が微分干渉顕微鏡6により映される検査位置まで搬送されたか否かが判断される(S1)。検査対象物4が検査位置まで搬送された場合には(S1のYES)、微分干渉顕微鏡6により映された画像がCCDカメラ7により撮像される(S2)。図14(1−a)には輝度の高い異物30を含む撮像画像が示され、(2−a)には輝度の低い異物31を含む撮像画像が示され、(3−a)にははっきりした凸形状の異物32を含む撮像画像が示され、(4−a)にはゆるやかな凸形状の異物33を含む撮像画像が示されている。
In the
CCDカメラ7による撮像が終了すると、撮像された画像の中から、透明基板1に設けられている電極11の位置が、予め登録されている電極11の形状を用いてパターンマッチングにより検出される(S3)。ここに、電極位置検出手段が実行される。図13(1−b)、(2−b)、(3−b)、(4−b)には、電極位置が破線で示す目印で囲まれた状態が示されている。
When the imaging by the
電極位置が検出された後は、第1の異物判定手段(S21)、第2の異物判定手段(S22)、第3の異物判定手段(S23)、第4の異物判定手段(S24)が実行される。 After the electrode position is detected, the first foreign matter determining means (S21), the second foreign matter determining means (S22), the third foreign matter determining means (S23), and the fourth foreign matter determining means (S24) are executed. Is done.
第1の異物判定手段においては、撮像された電極11の画像の濃淡値が二値化され(図14(1−c))、閾値以上である部分34の面積が設定値以上である場合に異物有りと判定される。
In the first foreign matter determining means, the grayscale value of the imaged
第2の異物判定手段においては、撮像された電極11の画像の濃淡値が二値化され(図14(2−c))、閾値以下である部分35の面積が設定値以上である場合に異物有りと判定される。
In the second foreign matter determination means, the gray value of the imaged
第3の異物判定手段においては、電極11に形成された凸状部にエッジを強調するラプラシアンフィルタ処理が施され(図14(3−c))、異方性導電膜2中の導電性粒子2bに押されて形成された凸状部(圧痕)を消去する処理が行われ(図14(3−d)、圧痕を消去した画像の濃淡値が二値化され(図14(3−e))、閾値以下である部分36の面積が設定値以上である場合に異物有りと判定される。
In the third foreign matter determining means, a Laplacian filter process for emphasizing the edge is performed on the convex portion formed on the electrode 11 (FIG. 14 (3-c)), and the conductive particles in the anisotropic
第4の異物判定手段においては、微分干渉顕微鏡6の濃淡変化が出現する方向に、異物サイズに合わせた微分フィルタ処理が施され(図14(4−c))、微分フィルタ処理が程これた後の画像の濃淡値が二値化され(図14(4−d))、閾値以上である部分37の面積が設定値以上である場合に異物有りと判定される。
In the fourth foreign matter determination means, differential filter processing in accordance with the size of the foreign matter is performed in the direction in which the density change of the
ステップS21〜S24の異物判定が行われた後、いずれかのステップにおいて異物有りと判定された場合には実装状態が不良であると判定され、全てのステップにおいて異物無しと判定された場合には実装状態が良好であると判定される(S25)。 After the foreign matter determination in steps S21 to S24 is performed, if it is determined that there is a foreign matter in any step, it is determined that the mounting state is defective, and if it is determined that there is no foreign matter in all steps. It is determined that the mounting state is good (S25).
このような構成において、異方性導電膜2を用いた実装部分に異物が存在するか否かを判定することにより、実装状態の良好であるか不良であるかの自動的な判定を良好に行うことができる。
In such a configuration, the automatic determination of whether the mounting state is good or defective is good by determining whether or not a foreign substance exists in the mounting part using the anisotropic
この第7の実施の形態において、第3の実施の形態(図9参照)において説明した、一つの電極11内の明るさの変化の平均的な傾向を求める手段と、求められた明るさの変化の平均的な傾向を電極11内の明るさから減算する手段とを追加することが可能である。これにより、同一電極11内の明るさの変化の影響を軽減して精度の高い異物の有無判定を行うことができ、電子部品3の実装状態の良否の判定の精度を高めることができる。
In the seventh embodiment, the means for obtaining the average tendency of the change in brightness in one
なお、上述した各実施の形態において説明した実装状態検査装置Xを、電子機器の製造ラインの途中に組み込むことが可能である。これにより、電極11が設けられた透明基板1に異方性導電膜2を介して電子部品3が実装された部品を用いる電子機器の製造工程中に、請求項1ないし6のいずれか一記載の電子部品の実装状態検査方法により実装状態を検査する工程を含む電子機器の製造方法を実現することができる。
Note that the mounting state inspection apparatus X described in each of the above-described embodiments can be incorporated in the middle of an electronic equipment production line. Accordingly, during the manufacturing process of the electronic device using the component in which the
1…透明基板、2…異方性導電膜、3…電子部品、6…微分干渉顕微鏡、7…撮像部、9…クリーニング装置、11…電極、11a…圧痕、13…凸状部、14…圧痕モデル、21…表示部、22…微分干渉顕微鏡、23…搬送機構、24…記録部
DESCRIPTION OF
Claims (10)
撮像された画像の中から、前記透明基板に設けられている電極の位置を予め登録されている前記電極の形状を用いて検出する工程と、
前記電極に形成された凸状部を強調する微分フィルタ処理を施す工程と、
前記微分フィルタ処理により強調された前記凸状部と予め用意してある圧痕モデルとをパターンマッチングし、マッチング率が設定値以上である前記凸状部を圧痕候補として抽出する工程と、
圧痕候補として抽出された前記凸状部の濃淡値の差が設定値以上である場合に前記凸状部を圧痕であると判定する工程と、
圧痕であると判定された個数をカウントする工程と、
圧痕としてカウントされた数が設定値以上であるか否かにより前記透明基板への前記電子部品の実装状態の良否を判定する工程と、
を備えることを特徴とする電子部品の実装状態検査方法。 A step of imaging a transparent substrate on which an electronic component is mounted via an anisotropic conductive film by imaging with a differential interference microscope from the back side of the surface on which the electronic component is mounted;
Detecting the position of the electrode provided on the transparent substrate from the captured image using the shape of the electrode registered in advance;
Applying differential filter processing to emphasize the convex portions formed on the electrodes;
Pattern-matching the convex portion emphasized by the differential filter processing and an indented model prepared in advance, and extracting the convex portion having a matching rate equal to or higher than a set value as an indentation candidate;
A step of determining that the convex portion is an indentation when a difference in gray value of the convex portion extracted as an indentation candidate is a set value or more;
Counting the number of indentations determined,
Determining whether the electronic component is mounted on the transparent substrate according to whether the number counted as an indentation is a set value or more;
A mounting state inspection method for an electronic component, comprising:
撮像された画像の中から、前記透明基板に設けられている電極の位置を予め登録されている前記電極の形状を用いて検出する工程と、
検出した前記電極に形成された凸状部の画像の濃淡値を二値化した場合、閾値以上である部分の面積が設定値以上である場合に異物有りと判定する工程と、
検出した前記電極に形成された凸状部の画像の濃淡値を二値化した場合、閾値以下である部分の面積が設定値以上である場合に異物ありと判定する工程と、
前記電極に形成された前記凸状部にエッジを強調するラプラシアンフィルタ処理を施した後、前記異方性導電膜中の導電性粒子に押されて形成された前記凸状部を取り除いた後の画像の濃淡値を二値化した場合、閾値以下である部分の面積が設定値以上である場合に異物有りと判定する工程と、
前記微分干渉顕微鏡の濃淡変化が出現する方向に、異物サイズに合わせた微分フィルタ処理を施した後の画像の濃淡値を二値化した場合、閾値以上である部分の面積が設定値以上である場合に異物と判定する工程と、
を備えることを特徴とする電子部品の実装状態検査方法。 A step of imaging a transparent substrate on which an electronic component is mounted via an anisotropic conductive film by imaging with a differential interference microscope from the back side of the surface on which the electronic component is mounted;
Detecting the position of the electrode provided on the transparent substrate from the captured image using the shape of the electrode registered in advance;
When binarizing the gray value of the image of the convex portion formed on the detected electrode, the step of determining the presence of foreign matter when the area of the portion that is equal to or greater than the threshold is greater than or equal to the set value;
When binarizing the gray value of the image of the convex portion formed on the detected electrode, a step of determining that there is a foreign object when the area of a portion that is equal to or less than a threshold value is equal to or greater than a set value;
After performing Laplacian filter processing for emphasizing an edge on the convex portion formed on the electrode, the convex portion formed by being pushed by conductive particles in the anisotropic conductive film is removed. When binarizing the gray value of the image, a step of determining that there is a foreign object when the area of the portion that is equal to or less than the threshold is equal to or greater than a set value;
When binarizing the gray value of the image after performing differential filter processing in accordance with the size of the foreign material in the direction in which the gray level change of the differential interference microscope appears, the area of the portion that is equal to or larger than the threshold is equal to or larger than the set value. A step of determining a foreign object in the case,
A mounting state inspection method for an electronic component, comprising:
求められた明るさの変化の平均的な傾向を撮像された前記画像の明るさから減算する工程と、
を備えることを特徴とする請求項1ないし5のいずれか一記載の電子部品の実装状態検査方法。 Obtaining an average trend of brightness change in the electrode to be detected;
Subtracting the average trend of the determined change in brightness from the brightness of the imaged image;
The electronic component mounting state inspection method according to any one of claims 1 to 5, further comprising:
前記微分干渉顕微鏡により映される画像を撮像する撮像部と、
撮像された画像の中から、前記透明基板に設けられている電極の位置を予め登録されている前記電極の形状を用いて検出する電極位置検出手段と、
前記電極に形成された凸状部を強調する微分フィルタ処理を施す微分フィルタ処理手段と、
前記微分フィルタ処理により強調された前記凸状部と予め用意してある圧痕モデルとをパターンマッチングし、マッチング率が設定値以上である前記凸状部を圧痕候補として抽出する圧痕候補抽出手段と、
圧痕候補として抽出された前記凸状部の濃淡値の差が設定値以上である場合に前記凸状部を圧痕であると判定する圧痕判定手段と、
圧痕であると判定された個数をカウントするカウント手段と、
圧痕としてカウントされた数が設定値以上であるか否かにより前記透明基板への前記電子部品の実装状態の良否を判定する良否判定手段と、
を備えることを特徴とする電子部品の実装状態検査装置。 A differential interference microscope that reflects a transparent substrate on which an electronic component is mounted via an anisotropic conductive film from the back side of the surface on which the electronic component is mounted;
An imaging unit for imaging an image projected by the differential interference microscope;
Electrode position detection means for detecting the position of the electrode provided on the transparent substrate using the shape of the electrode registered in advance from the captured image;
Differential filter processing means for performing differential filter processing to emphasize the convex portions formed on the electrodes;
Indentation candidate extraction means for pattern-matching the convex portion emphasized by the differential filter processing and an indented model prepared in advance, and extracting the convex portion having a matching rate equal to or higher than a set value as an indentation candidate;
Indentation determining means for determining that the convex portion is an indentation when the difference in the shade value of the convex portion extracted as an indentation candidate is a set value or more,
Counting means for counting the number of indentations determined;
Pass / fail judgment means for judging pass / fail of the mounting state of the electronic component on the transparent substrate depending on whether or not the number counted as an indentation is a set value or more,
An electronic component mounting state inspection apparatus comprising:
前記微分干渉顕微鏡により映される画像を撮像する撮像部と、
撮像された画像の中から、前記透明電極に設けられている電極の位置を予め登録されている前記電極の形状を用いて検出する電極位置検出手段と、
検出した前記電極に形成された凸状部の画像の濃淡値を二値化した場合、閾値以上である部分の面積が設定値以上である場合に異物有りと判定する第1の異物判定手段と、
検出した前記電極に形成された凸状部の画像の濃淡値を二値化した場合、閾値以下である部分の面積が設定値以上である場合に異物有りと判定する第2の異物判定手段と、
前記電極に形成された前記凸状部にエッジを強調するラプラシアンフィルタ処理を施した後、前記異方性導電膜中の導電性粒子に押されて形成された前記凸状部を取り除いた後の画像の濃淡値を二値化した場合、閾値以下である部分の面積が設定値以上である場合に異物有りと判定する第3の異物判定手段と、
前記微分干渉顕微鏡の濃淡変化が出現する方向に、異物サイズに合わせた微分フィルタ処理を施した後の画像の濃淡値を二値化した場合、閾値以上である部分の面積が設定値以上である場合に異物有りと判定する第4の異物判定手段と、
を備えることを特徴とする電子部品の実装状態検査装置。 A differential interference microscope that reflects a transparent substrate on which an electronic component is mounted via an anisotropic conductive film from the back side of the surface on which the electronic component is mounted;
An imaging unit for imaging an image projected by the differential interference microscope;
Electrode position detection means for detecting the position of the electrode provided in the transparent electrode from the captured image using the shape of the electrode registered in advance,
A first foreign matter determination unit that determines that there is a foreign matter when the area of a portion that is equal to or greater than a threshold is equal to or greater than a set value when binarizing the detected shade value of the convex portion image formed on the electrode; ,
A second foreign matter judging means for judging the presence of foreign matter when the area of the portion that is equal to or smaller than the threshold is equal to or larger than a set value when binarizing the detected gradation value of the convex portion image formed on the electrode; ,
After performing Laplacian filter processing for emphasizing an edge on the convex portion formed on the electrode, the convex portion formed by being pushed by conductive particles in the anisotropic conductive film is removed. A third foreign matter determining unit that determines that there is a foreign object when the area of the portion that is equal to or smaller than the threshold is equal to or larger than a set value when the gray value of the image is binarized
When binarizing the gray value of the image after performing differential filter processing in accordance with the size of the foreign material in the direction in which the gray level change of the differential interference microscope appears, the area of the portion that is equal to or larger than the threshold is equal to or larger than the set value. A fourth foreign matter determining means for determining that there is a foreign matter in the case,
An electronic component mounting state inspection apparatus comprising:
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