JP2008076184A - Mounting state inspection method for electronic component, mounting state inspection device for electronic component, and manufacturing method of electronic device - Google Patents

Mounting state inspection method for electronic component, mounting state inspection device for electronic component, and manufacturing method of electronic device Download PDF

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To certainly, automatically determine goodness/badness of a mounting state of an electronic component mounted on a transparent substrate using an anisotropic conductive film. <P>SOLUTION: This mounting state inspection method of the electronic component comprises a process (S4) of performing differentiation filter processing of emphasizing a projecting section formed on an electrode disposed on the transparent substrate when the electronic component is mounted on a real transparent electrode via an anisotropic conductive film, a process (S5) of pattern-matching the projecting section emphasized by the differentiation filter processing with a previously prepared indentation model and extracting, as an indentation candidate, the projecting section whose matching rate is a set value or more, processes (S6 and S7) of determining the projecting section when difference between the contrast values of the projecting section extracted as the indentation candidate is a set value or more, a process (S9) of counting the number of projecting sections determined to be indentations, and processes (S11 and S12) of determining the goodness/badness of the mounting state of the electronic component mounted on the transparent substrate according to whether the counted number as the indentations is the set value or more. <P>COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT

Description

本発明は、電子部品の実装状態検査方法、電子部品の実装状態検査装置及び電子機器の製造方法に関し、特に、電極が設けられた透明基板に異方性導電膜を介して電子部品を熱圧着により実装した場合における、電子部品の実装状態検査方法、電子部品の実装状態検査装置及び電子機器の製造方法に関する。   The present invention relates to an electronic component mounting state inspection method, an electronic component mounting state inspection device, and an electronic device manufacturing method, and more particularly to thermocompression bonding of an electronic component to a transparent substrate provided with electrodes via an anisotropic conductive film. The present invention relates to an electronic component mounting state inspection method, an electronic component mounting state inspection device, and an electronic device manufacturing method.

電極が設けられた基板上に実装される電子部品の実装状態を検査する方法として、実装状態が不良である場合には電気的な抵抗値が高くなることを利用する方法が知られている。この検査方法には、実装部分の電気抵抗値を計測する方法と、実装状態が良好である場合に達成できる機能を確認する方法とがある。後者の例としては、液晶ディスプレイのガラス基板上に液晶ディスプレイの表示制御用電子部品を実装する場合であれば、実装した表示制御用電子部品を駆動させて液晶ディスプレイの画面表示を行い、表示される画面の状態から実装状態の良否を判定する。   As a method for inspecting the mounting state of an electronic component mounted on a substrate provided with electrodes, there is known a method that utilizes the fact that the electrical resistance value increases when the mounting state is defective. This inspection method includes a method of measuring an electrical resistance value of a mounting portion and a method of confirming a function that can be achieved when the mounting state is good. As an example of the latter, if the liquid crystal display display control electronic component is mounted on the liquid crystal display glass substrate, the mounted display control electronic component is driven to display the liquid crystal display on the screen. The quality of the mounting state is determined from the screen state.

近年、電極が設けられた透明基板上に、導電性粒子を含む異方性導電膜を介して電子部品を実装する場合が増えている。この場合における電子部品の実装状態の良否を判定する方法として、微分干渉顕微鏡を用いる方法が知られている。具体的には、電子部品が実装された透明基板を電子部品の実装方向の裏面側から微分干渉顕微鏡で観察し、導電性粒子に押されることにより電極に形成される圧痕の数を数えている。圧痕の数が多い場合には、実装状態が良好であると判定される。微分干渉顕微鏡による観察は、実装状態の良否を判定する検査員により行われる。   In recent years, electronic parts are increasingly mounted on a transparent substrate provided with electrodes via an anisotropic conductive film containing conductive particles. In this case, a method using a differential interference microscope is known as a method for determining whether the electronic component is mounted properly. Specifically, the transparent substrate on which the electronic component is mounted is observed with a differential interference microscope from the back side in the mounting direction of the electronic component, and the number of indentations formed on the electrode by counting against the conductive particles is counted. . When the number of indentations is large, it is determined that the mounting state is good. The observation by the differential interference microscope is performed by an inspector who determines whether the mounting state is good or bad.

さらに、電極に形成される圧痕を観察することによる実装状態の良否の判定を自動的に行う発明として、下記特許文献1、2に記載された発明が知られている。   Furthermore, the invention described in the following Patent Documents 1 and 2 is known as an invention for automatically determining the quality of a mounted state by observing an indentation formed on an electrode.

特許文献1に記載された発明は、微分干渉顕微鏡により映される電極の画像を撮像し、撮像した画像中に存在する隆起部の形状をもとにその隆起部が圧痕であるか否かを判定するものである。但し、圧痕であるか否かを判定する具体的な判定方法については説明されていない。   The invention described in Patent Document 1 captures an image of an electrode projected by a differential interference microscope, and determines whether or not the raised portion is an indentation based on the shape of the raised portion present in the captured image. Judgment. However, a specific determination method for determining whether or not an impression is present is not described.

特許文献2に記載された発明は、微分干渉顕微鏡により映される電極の画像を撮像し、撮像した画像の濃淡値を白黒二値化し、二値化された白又は黒の面積と形状とから圧痕であるか否かを判定している。又は、撮影した画像の濃淡値の標準偏差から圧痕であるか否かを判定している。
特開2003−269934号公報 特開2005−227217号公報
The invention described in Patent Document 2 captures an image of an electrode projected by a differential interference microscope, binarizes the gray value of the captured image, and binarizes white and black areas and shapes. It is determined whether or not there is an indentation. Or it is determined whether it is an impression from the standard deviation of the gray value of the image | photographed image.
JP 2003-269934 A JP 2005-227217 A

しかしながら、上述の公報に記載さたれ発明においては、以下の点について配慮がなされていない。   However, in the invention described in the above publication, the following points are not considered.

特許文献2に記載されたように、二値化した際の白又は黒の面積及び形状から圧痕と判定する場合には、実装時に電子部品のバンプと電極との間に挟まれる異物やバンプ自体の変形が原因となって生じる電極の凸状部を、圧痕であると判定する場合がある。   As described in Patent Document 2, when determining an indentation from the area and shape of white or black when binarized, a foreign matter or a bump itself sandwiched between a bump and an electrode of an electronic component at the time of mounting In some cases, the convex portion of the electrode caused by the deformation is determined as an indentation.

また、画像の濃淡値の標準偏差から圧痕を判定する場合も同様に、実装時に電子部品のバンプと電極との間に挟まれる異物やバンプ自体の変形が濃淡値の標準偏差に影響を与え、圧痕でない部分を圧痕であると判定する場合がある。   Similarly, when determining the indentation from the standard deviation of the gray value of the image, the foreign matter sandwiched between the bump and the electrode of the electronic component during mounting and the deformation of the bump itself affect the standard deviation of the gray value, A portion that is not indented may be determined to be indented.

つまり、電極に形成された凸状部を検査担当者が見れば、形状や濃淡から圧痕でないと判定できる場合であっても、自動化することにより圧痕であると誤って判定する場合が生じる。   That is, if the person in charge of inspection looks at the convex portion formed on the electrode, even if it can be determined that it is not an indentation from the shape or shading, it may be erroneously determined as an indentation by automation.

本発明はこのような課題を解決するためになされたもので、その目的は、異方性導電膜を用いて透明基板に実装した電子部品の実装状態を自動的に検査する場合に、異方性導電膜中の導電性粒子により押されることにより電極に形成される圧痕を確実に判定することができる電子部品の実装状態検査方法、電子部品の実装状態検査装置及び電子機器の製造方法を提供することである。   The present invention has been made to solve such a problem, and its object is to provide an anisotropic method for automatically inspecting the mounting state of an electronic component mounted on a transparent substrate using an anisotropic conductive film. Provided are an electronic component mounting state inspection method, an electronic component mounting state inspection device, and an electronic device manufacturing method capable of reliably determining an indentation formed on an electrode by being pressed by conductive particles in the conductive film It is to be.

本発明の実施の形態に係る第1の特徴は、電子部品の実装状態検査方法において、異方性導電膜を介して電子部品が実装された透明基板を前記電子部品が実装された面の裏面側から微分干渉顕微鏡により映して撮像する工程と、撮像された画像の中から、前記透明基板に設けられている電極の位置を予め登録されている前記電極の形状を用いて検出する工程と、前記電極に形成された凸状部を強調する微分フィルタ処理を施す工程と、前記微分フィルタ処理により強調された前記凸状部と予め用意してある圧痕モデルとをパターンマッチングし、マッチング率が設定値以上である前記凸状部を圧痕候補として抽出する工程と、圧痕候補として抽出された前記凸状部の濃淡値の差が設定値以上である場合に前記凸状部を圧痕であると判定する工程と、圧痕であると判定された個数をカウントする工程と、圧痕としてカウントされた数が設定値以上であるか否かにより前記透明基板への前記電子部品の実装状態の良否を判定する工程と、を備えることである。   A first feature according to an embodiment of the present invention is that, in the electronic component mounting state inspection method, a transparent substrate on which the electronic component is mounted via an anisotropic conductive film is disposed on the back surface of the surface on which the electronic component is mounted. A step of imaging by imaging with a differential interference microscope from the side, a step of detecting the position of the electrode provided on the transparent substrate from the captured image using the shape of the electrode registered in advance, Pattern matching between the step of performing differential filter processing for emphasizing the convex portion formed on the electrode, and the indented model prepared in advance with the convex portion emphasized by the differential filter processing, and the matching rate is set When the difference between the step of extracting the convex portion that is equal to or greater than the value as an indentation candidate and the gray value of the convex portion extracted as the indentation candidate is equal to or greater than a set value, the convex portion is determined to be an indentation. Craft And a step of counting the number of indentations determined, and a step of determining whether the electronic component is mounted on the transparent substrate according to whether or not the number counted as indentations is equal to or greater than a set value. Is.

本発明の実施の形態に係る第2の特徴は、電子部品の実装状態検査方法において、異方性導電膜を介して電子部品が実装された透明基板を前記電子部品が実装された面の裏面側から微分干渉顕微鏡により映して撮像する工程と、撮像された画像の中から、前記透明基板に設けられている電極の位置を予め登録されている前記電極の形状を用いて検出する工程と、検出した前記電極に形成された凸状部の画像の濃淡値を二値化した場合、閾値以上である部分の面積が設定値以上である場合に異物有りと判定する工程と、検出した前記電極に形成された凸状部の画像の濃淡値を二値化した場合、閾値以下である部分の面積が設定値以上である場合に異物ありと判定する工程と、前記電極に形成された前記凸状部にエッジを強調するラプラシアンフィルタ処理を施した後、前記異方性導電膜中の導電性粒子に押されて形成された前記凸状部を取り除いた後の画像の濃淡値を二値化した場合、閾値以下である部分の面積が設定値以上である場合に異物有りと判定する工程と、前記微分干渉顕微鏡の濃淡変化が出現する方向に、異物サイズに合わせた微分フィルタ処理を施した後の画像の濃淡値を二値化した場合、閾値以上である部分の面積が設定値以上である場合に異物と判定する工程と、を備えることである。   A second feature of the embodiment of the present invention is that, in the electronic component mounting state inspection method, a transparent substrate on which the electronic component is mounted via an anisotropic conductive film is disposed on the back surface of the surface on which the electronic component is mounted. A step of imaging by imaging with a differential interference microscope from the side, a step of detecting the position of the electrode provided on the transparent substrate from the captured image using the shape of the electrode registered in advance, When binarizing the gray value of the image of the convex portion formed on the detected electrode, a step of determining that there is a foreign object when the area of a portion that is equal to or greater than a threshold is equal to or greater than a set value, and the detected electrode When the gray value of the image of the convex portion formed in the binarization is binarized, the step of determining that there is a foreign object when the area of the portion that is equal to or smaller than the threshold is equal to or larger than the set value, and the convex Laplacian to emphasize the edges A portion that is equal to or less than a threshold value when binarizing the gray value of the image after removing the convex portions formed by being pressed by the conductive particles in the anisotropic conductive film after performing the filtering process And determining the presence or absence of foreign matter when the area of the image is equal to or larger than a set value, and the gray value of the image after performing differential filter processing in accordance with the size of the foreign matter in the direction in which the shade change of the differential interference microscope appears. A step of determining a foreign object when the area of a portion that is equal to or greater than a threshold value is equal to or greater than a set value.

本発明の実施の形態に係る第3の特徴は、電子部品の実装状態検査装置において、異方性導電膜を介して電子部品が実装された透明基板を前記電子部品が実装された面の裏面側から映す微分干渉顕微鏡と、前記微分干渉顕微鏡により映される画像を撮像する撮像部と、撮像された画像の中から、前記透明基板に設けられている電極の位置を予め登録されている前記電極の形状を用いて検出する電極位置検出手段と、前記電極に形成された凸状部を強調する微分フィルタ処理を施す微分フィルタ処理手段と、前記微分フィルタ処理により強調された前記凸状部と予め用意してある圧痕モデルとをパターンマッチングし、マッチング率が設定値以上である前記凸状部を圧痕候補として抽出する圧痕候補抽出手段と、圧痕候補として抽出された前記凸状部の濃淡値の差が設定値以上である場合に前記凸状部を圧痕であると判定する圧痕判定手段と、圧痕であると判定された個数をカウントするカウント手段と、圧痕としてカウントされた数が設定値以上であるか否かにより前記透明基板への前記電子部品の実装状態の良否を判定する良否判定手段と、を備えることである。   According to a third aspect of the present invention, in the electronic component mounting state inspection apparatus, the transparent substrate on which the electronic component is mounted via the anisotropic conductive film is used as the back surface of the surface on which the electronic component is mounted. The differential interference microscope projected from the side, the imaging unit that captures an image projected by the differential interference microscope, and the positions of the electrodes provided on the transparent substrate are registered in advance from the captured images Electrode position detecting means for detecting using the shape of the electrode, differential filter processing means for performing differential filter processing for emphasizing the convex portion formed on the electrode, and the convex portion emphasized by the differential filter processing; Pattern matching with an indentation model prepared in advance, and an indentation candidate extracting means for extracting the convex portion having a matching rate equal to or higher than a set value as an indentation candidate, and the extracted indentation candidate When the difference between the shade values of the shape portion is equal to or greater than a set value, the indentation determining means for determining that the convex portion is an indentation, the counting means for counting the number of indentations determined to be indentations, and the indentation are counted as indentations. And pass / fail judgment means for judging pass / fail of the mounting state of the electronic component on the transparent substrate depending on whether or not the number is equal to or greater than a set value.

本発明の実施の形態に係る第4の特徴は、電子部品の実装状態検査装置において、異方性導電膜を介して電子部品が実装された透明基板を前記電子部品が実装された面の裏面側から映す微分干渉顕微鏡と、前記微分干渉顕微鏡により映される画像を撮像する撮像部と、撮像された画像の中から、前記透明電極に設けられている電極の位置を予め登録されている前記電極の形状を用いて検出する電極位置検出手段と、検出した前記電極に形成された凸状部の画像の濃淡値を二値化した場合、閾値以上である部分の面積が設定値以上である場合に異物有りと判定する第1の異物判定手段と、検出した前記電極に形成された凸状部の画像の濃淡値を二値化した場合、閾値以下である部分の面積が設定値以上である場合に異物有りと判定する第2の異物判定手段と、前記電極に形成された前記凸状部にエッジを強調するラプラシアンフィルタ処理を施した後、前記異方性導電膜中の導電性粒子に押されて形成された前記凸状部を取り除いた後の画像の濃淡値を二値化した場合、閾値以下である部分の面積が設定値以上である場合に異物有りと判定する第3の異物判定手段と、前記微分干渉顕微鏡の濃淡変化が出現する方向に、異物サイズに合わせた微分フィルタ処理を施した後の画像の濃淡値を二値化した場合、閾値以上である部分の面積が設定値以上である場合に異物有りと判定する第4の異物判定手段と、を備えることである。   According to a fourth aspect of the present invention, in the electronic component mounting state inspection apparatus, the transparent substrate on which the electronic component is mounted via the anisotropic conductive film is used as the back surface of the surface on which the electronic component is mounted. The differential interference microscope projected from the side, the imaging unit that captures the image projected by the differential interference microscope, and the position of the electrode provided on the transparent electrode from the captured image are registered in advance When binarizing the gray value of the detected image of the convex portion formed on the electrode position detecting means and the detected electrode using the shape of the electrode, the area of the portion that is equal to or greater than the threshold is equal to or greater than the set value In the case of binarizing the gray value of the detected image of the convex portion formed on the electrode and the first foreign matter determining means that determines that there is a foreign matter in the case, the area of the portion that is less than or equal to the threshold is greater than or equal to the set value The second difference that determines that there is a foreign object in some cases The convex portion formed by pressing the conductive particles in the anisotropic conductive film after performing a Laplacian filter processing for emphasizing an edge on the convex portion formed on the electrode with a determination unit When the gray value of the image after removal is binarized, a third foreign matter determination unit that determines that there is a foreign matter when the area of the portion that is equal to or smaller than the threshold is equal to or larger than a set value, and the light intensity change of the differential interference microscope If the gray value of the image after applying the differential filter processing in accordance with the size of the foreign object in the direction in which the image appears is binarized, it is determined that there is a foreign object if the area of the part that is equal to or greater than the threshold is equal to or greater than the set value. And a fourth foreign matter determining means.

本発明の実施の形態に係る第5の特徴は、電子機器の製造方法において、電極が設けられた透明基板に異方性導電膜を介して電子部品が実装された部品を用いる電子機器の製造工程中に、請求項1ないし6のいずれか一記載の電子部品の実装状態検査方法により検査する工程が含まれていることである。   According to a fifth aspect of the present invention, in the method for manufacturing an electronic device, the electronic device is manufactured using a component in which the electronic component is mounted on the transparent substrate on which the electrode is provided via an anisotropic conductive film. The process includes a step of inspecting by the electronic component mounting state inspection method according to any one of claims 1 to 6.

本発明によれば、異方性導電膜を用いて行われる透明基板への電子部品の実装状態の良否の判定を精度良く行うことができる。   ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the quality determination of the mounting state of the electronic component on the transparent substrate performed using an anisotropic conductive film can be performed accurately.

(第1の実施の形態)
本発明の第1の実施の形態について、図1ないし図6を参照して説明する。
(First embodiment)
A first embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS.

本発明の第1の実施の形態に係る電子部品の実装状態検査装置Xには、図1に示すように、透明基板1に異方性導電膜2を介して電子部品3が実装された検査対象物4が載置されるXYステージ5と、微分干渉顕微鏡6と、撮像部であるCCDカメラ7と、検査内容や検査結果が表示される表示部8と、クリーニング装置9と、制御部10とが設けられている。   In the electronic component mounting state inspection apparatus X according to the first embodiment of the present invention, as shown in FIG. 1, an inspection in which an electronic component 3 is mounted on a transparent substrate 1 via an anisotropic conductive film 2 is used. An XY stage 5 on which the object 4 is placed, a differential interference microscope 6, a CCD camera 7 as an imaging unit, a display unit 8 for displaying inspection contents and inspection results, a cleaning device 9, and a control unit 10. And are provided.

検査対象物4は、図2に示すように、透明基板1の一面に電極11が設けられ、この電極11が設けられた側に電子部品3が異方性導電膜2を介して実装されている。電子部品3の実装は、熱圧着により行われている。異方性導電膜2は、絶縁性を有する接着性樹脂2aの中に導電性粒子2bが分散されている。電子部品3を実装した場合に、電子部品3のバンプ3aと電極11との間に導電性粒子2bが挟まれて潰されることにより、バンプ3aと電極11とが通電可能な状態となる。また、バンプ3aと電極11との間に挟まれた導電性粒子2bが押圧されることにより、電極11には導電性粒子2bにより押された痕跡である圧痕11aが形成される。   As shown in FIG. 2, the inspection object 4 includes an electrode 11 provided on one surface of the transparent substrate 1, and an electronic component 3 is mounted on the side where the electrode 11 is provided via an anisotropic conductive film 2. Yes. The electronic component 3 is mounted by thermocompression bonding. In the anisotropic conductive film 2, conductive particles 2b are dispersed in an adhesive resin 2a having insulating properties. When the electronic component 3 is mounted, the conductive particles 2b are sandwiched between the bumps 3a and the electrodes 11 of the electronic component 3 and crushed, so that the bumps 3a and the electrodes 11 can be energized. In addition, when the conductive particles 2b sandwiched between the bumps 3a and the electrodes 11 are pressed, the electrodes 11 are formed with indentations 11a that are the marks pressed by the conductive particles 2b.

微分干渉顕微鏡6は、図3に示すように、通常の光学顕微鏡に干渉装置である1組の楔形状のプリズム12a、12bを組み込んだものであり、試料の屈折率や厚みの変化を濃淡差に換えて観察可能な従来から公知の顕微鏡である。したがって、微分干渉顕微鏡6を用いることにより、通常の光学顕微鏡では観察できない電極11の微小な凸状部、例えば、圧痕11aを濃淡差として観察することができる。微分干渉顕微鏡6は、電子部品3が実装された透明基板1における電子部品3が実装された側の裏面側から透明基板1を映す向きに配置されている。   As shown in FIG. 3, the differential interference microscope 6 incorporates a pair of wedge-shaped prisms 12a and 12b, which are interference devices, in an ordinary optical microscope. It is a conventionally known microscope that can be observed instead. Therefore, by using the differential interference microscope 6, it is possible to observe a minute convex portion of the electrode 11, which cannot be observed with a normal optical microscope, for example, an indentation 11a as a difference in light and shade. The differential interference microscope 6 is arranged in a direction in which the transparent substrate 1 is projected from the back side of the transparent substrate 1 on which the electronic component 3 is mounted on the side on which the electronic component 3 is mounted.

微分干渉顕微鏡6には、一方の固定側のプリズム12aに対して可動側のプリズム12bの位置を調節する調整機構(図示せず)が設けられている。この調節機構によってプリズム12bを移動させることにより、観察できる濃淡差を調整することができる。したがって、微分干渉顕微鏡6の製造時において、プリズム12bの位置を調節することにより、各微分干渉顕微鏡6が同一の検査対象物4を映す場合に、同じ濃淡差を得ることができるようになる。   The differential interference microscope 6 is provided with an adjustment mechanism (not shown) for adjusting the position of the movable prism 12b with respect to one fixed prism 12a. By moving the prism 12b by this adjusting mechanism, the observable contrast can be adjusted. Therefore, by adjusting the position of the prism 12b at the time of manufacturing the differential interference microscope 6, when each differential interference microscope 6 projects the same inspection object 4, the same gray level difference can be obtained.

また、微分干渉顕微鏡6の照明の明るさについては、撮像した画像の濃淡値の平均や、照度計を利用して一定になるように調節することが可能である。この照度調節を行うことにより、各微分干渉顕微鏡6が同一の検査対象物4を映す場合に、同じ濃淡差を得ることができるようになる。   Further, the brightness of the illumination of the differential interference microscope 6 can be adjusted so as to be constant by using an average of gray values of captured images or using an illuminometer. By performing this illuminance adjustment, when the differential interference microscopes 6 project the same inspection object 4, the same light / dark difference can be obtained.

撮像部であるCCDカメラ7は、微分干渉顕微鏡6と一体となって設けられており、微分干渉顕微鏡6により映される画像を撮像する。   The CCD camera 7 that is an imaging unit is provided integrally with the differential interference microscope 6 and captures an image projected by the differential interference microscope 6.

クリーニング装置9は、微分干渉顕微鏡6により映される側の透明基板1の面をクリーニングする。透明基板1の微分干渉顕微鏡6により映される側の面にゴミが付着すると、その影響で電極11の画像を撮像するのに支障をきたし、圧痕11aを検出できなかったり、異物が電極11とバンプ3aとの間に挟まれていると判定してしまう場合がある。このような不具合を防止するために、事前に透明基板1をクリーニングすることが考えられる。また、ゴミの付着の発生頻度が低い場合には、圧痕11aを検出できなかったり、異物が電極11とバンプ3aとの間に挟まれているとして不良判定した場合のみ、その部分をクリーニングする方法もある。クリーニング方法としては、気体を吹きかけてごみを排除する方法や、逆に吸引による方法、ブラシにより払いのける方法などが考えられる。特に、ブラシによるクリーニングの場合、ブラシの回転と平行移動とを組み合わせて行うことが効果的である。回転のみだと、回転中心が速度ゼロになるので、この部分にある異物を除去できない。また、平行移動のみだと、隣接する検査範囲にごみを移動させる可能性がある。   The cleaning device 9 cleans the surface of the transparent substrate 1 on the side projected by the differential interference microscope 6. If dust adheres to the surface of the transparent substrate 1 projected by the differential interference microscope 6, it will interfere with the imaging of the electrode 11 due to the influence, and the indentation 11 a cannot be detected, or foreign matter may be in contact with the electrode 11. It may be determined that the object is sandwiched between the bumps 3a. In order to prevent such a problem, it is conceivable to clean the transparent substrate 1 in advance. In addition, when the frequency of dust adhesion is low, a method of cleaning the portion only when the indentation 11a cannot be detected or when it is determined that a foreign object is sandwiched between the electrode 11 and the bump 3a. There is also. As a cleaning method, a method of removing dust by blowing gas, a method of suctioning, a method of removing with a brush, and the like can be considered. In particular, in the case of cleaning with a brush, it is effective to combine the rotation and translation of the brush. With only rotation, the center of rotation becomes zero speed, so the foreign matter in this part cannot be removed. Moreover, if only parallel movement is performed, there is a possibility that dust may be moved to an adjacent inspection range.

制御部10は、各種のプログラムや各種の固定データが格納されたROMと、微分干渉顕微鏡6やCCDカメラ7から入力されるデータを一時的に格納するRAMと、ROMに格納されたプログラムや固定データとRAMに格納されたデータとを用いて各種の演算処理を行うCPUと、入力されたデータの一部やCPUでの演算結果を検査対象物4と関連付けて記録する記録部とを備えている。   The control unit 10 includes a ROM that stores various programs and various fixed data, a RAM that temporarily stores data input from the differential interference microscope 6 and the CCD camera 7, and a program and fixed data stored in the ROM. A CPU that performs various arithmetic processes using the data and data stored in the RAM, and a recording unit that records a part of the input data and the arithmetic result of the CPU in association with the inspection object 4 are provided. Yes.

図1に示す電子部品3の実装状態検査装置Xは、電子機器の製造ラインの一部に配置されている。電子機器の製造ラインでは、電子部品3が透明基板1に異方性導電膜2を介して実装される実装装置の下流側に、電子部品の実装状態検査装置Xが配置されている。   The mounting state inspection device X for the electronic component 3 shown in FIG. 1 is disposed in a part of a manufacturing line for electronic devices. In the electronic equipment manufacturing line, an electronic component mounting state inspection device X is disposed on the downstream side of the mounting device on which the electronic component 3 is mounted on the transparent substrate 1 via the anisotropic conductive film 2.

電子部品3が透明基板1に異方性導電膜2を介して実装された検査対象物4に対して行われる実装状態検査装置Xでの実装状態の検査について、図4に示すフローチャート及び図5に示す工程図を参照して説明する。なお、実装状態の検査は、制御部10の制御の元で行われる。   FIG. 4 is a flowchart illustrating the mounting state inspection performed by the mounting state inspection apparatus X performed on the inspection object 4 in which the electronic component 3 is mounted on the transparent substrate 1 with the anisotropic conductive film 2 interposed therebetween. It demonstrates with reference to the process drawing shown in FIG. Note that the inspection of the mounting state is performed under the control of the control unit 10.

制御部10では、検査対象物4が微分干渉顕微鏡6により映される検査位置まで搬送されたか否かが判断される(S1)。検査対象物4が検査位置まで搬送された場合には(S1のYES)、微分干渉顕微鏡6により映された画像がCCDカメラ7により撮像される(S2)。図5(a)には、CCDカメラ7により撮像された撮像画像が示されている。撮影画像中の電極11には、複数の凸状部13が現れている。これらの凸状部13には、電子部品3の実装時に導電性粒子2bに押されることにより生じた圧痕11aが含まれている。   In the control unit 10, it is determined whether or not the inspection object 4 has been transported to the inspection position projected by the differential interference microscope 6 (S1). When the inspection object 4 is conveyed to the inspection position (YES in S1), an image projected by the differential interference microscope 6 is captured by the CCD camera 7 (S2). FIG. 5A shows a captured image captured by the CCD camera 7. A plurality of convex portions 13 appear on the electrode 11 in the captured image. These convex portions 13 include indentations 11 a generated by being pressed by the conductive particles 2 b when the electronic component 3 is mounted.

CCDカメラ7による撮像が終了すると、撮像された画像の中から、透明基板1に設けられている電極11の位置が、予め登録されている電極11の形状を用いてパターンマッチングにより検出される(S3)。ここに、電極位置検出手段が実行される。図5(b)には、電極位置が破線で示す目印で囲まれた状態が示されている。   When the imaging by the CCD camera 7 is completed, the position of the electrode 11 provided on the transparent substrate 1 is detected from the captured image by pattern matching using the shape of the electrode 11 registered in advance ( S3). Here, the electrode position detecting means is executed. FIG. 5B shows a state where the electrode positions are surrounded by marks indicated by broken lines.

電極位置が検出されると、電極11に形成されている凸状部13の凸状態を強調するための微分フィルタ処理が行われる(S4)。ここに、微分フィルタ処理手段が実行される。図5(c)には、微分フィルタ処理が行われることにより、凸状部13の凸状態が強調され、凸状部13が鮮明に表示された状態が示されている。   When the electrode position is detected, differential filter processing for enhancing the convex state of the convex portion 13 formed on the electrode 11 is performed (S4). Here, differential filter processing means is executed. FIG. 5C shows a state in which the convex state of the convex portion 13 is emphasized and the convex portion 13 is clearly displayed by performing differential filter processing.

微分フィルタ処理が行われた後、凸状態を強調された凸状部13と予め用意してある圧痕モデル14とがパターンマッチングされ、マッチング率が設定値以上である凸状部13が圧痕候補として抽出される(S5)。ここに、圧痕候補抽出手段が実行される。この圧痕候補の抽出では、圧痕11aとなりうる凸状部13を、形状に基づいて抽出している。図5(d)には、圧痕候補として抽出された凸状部13が、四角の目印で囲まれた状態が示されている。   After the differential filter processing is performed, the convex portion 13 in which the convex state is emphasized and the indentation model 14 prepared in advance are pattern-matched, and the convex portion 13 having a matching rate equal to or higher than a set value is used as an indentation candidate. Extracted (S5). Here, indentation candidate extraction means is executed. In the extraction of the indentation candidate, the convex portion 13 that can become the indentation 11a is extracted based on the shape. FIG. 5D shows a state in which the convex portion 13 extracted as the indentation candidate is surrounded by square marks.

パターンマッチングで使用する圧痕モデル14は、図6に示すように、実際の圧痕を撮像した複数の画像(圧痕画像)15を重ね合わせ、平均値を求めることにより作製されている。圧痕11aの形状は,導電性粒子2bの形状、材質、大きさや実装時の加圧条件により異なるため、理論的な方法で圧痕モデルを作製する方法では,実際の圧痕形状を代表するものを得ることが困難である。さらに、実際の圧痕画像15を用いる際に、複数の圧痕画像15を重ね合わせて用いることで、個々の圧痕の形状の変化による影響を軽減することができる。重ね合わせるという意味は、各圧痕画像15の同一座標の濃淡値の和をとり、圧痕画像15の枚数で割り算をすることである。   As shown in FIG. 6, the indentation model 14 used in pattern matching is created by superimposing a plurality of images (indentation images) 15 obtained by capturing actual indentations to obtain an average value. Since the shape of the indentation 11a varies depending on the shape, material, size of the conductive particles 2b and the pressurizing conditions at the time of mounting, a method of creating an indentation model by a theoretical method obtains a representative of the actual indentation shape. Is difficult. Furthermore, when the actual impression image 15 is used, the influence due to the change in the shape of each impression can be reduced by using the plurality of impression images 15 in an overlapping manner. The meaning of overlapping is to take the sum of the gray values of the same coordinates of each impression image 15 and divide by the number of impression images 15.

圧痕候補の抽出が終了した後は、圧痕候補として抽出された凸状部13の濃淡値の差が設定値以上であるか否かが判断される(S6)。凸状部13の濃淡値の差が設定値以上である場合には(S6のYES)、その凸状部13は圧痕11aであると判定される(S7)。ここに、圧痕判定手段が実行される。一方、凸状部13の濃淡値の差が設定値以下である場合は(S6のNO)、その凸状部13は圧痕11aでないと判定される(S8)。図5(e)には、圧痕11aであると判定された凸状部13は四角の目印が残され、圧痕11aでないと判定された凸状部13から四角の目印が消去された状態が示されている。   After the extraction of the indentation candidate is completed, it is determined whether or not the difference between the shade values of the convex portion 13 extracted as the indentation candidate is equal to or larger than a set value (S6). When the difference between the shade values of the convex portion 13 is equal to or larger than the set value (YES in S6), the convex portion 13 is determined to be the indentation 11a (S7). Here, indentation determination means is executed. On the other hand, when the difference between the shade values of the convex portion 13 is equal to or smaller than the set value (NO in S6), it is determined that the convex portion 13 is not the indentation 11a (S8). FIG. 5E shows a state in which the square mark is left on the convex portion 13 determined to be the indentation 11a and the square mark is erased from the convex portion 13 determined not to be the indentation 11a. Has been.

抽出された凸状部13が圧痕であるとの判定(S7)と、抽出された凸状部13が圧痕でないとの判定(S8)とが行われた後、圧痕であると判定された凸状部13の個数がカウントされる(S9)。ここに、圧痕11aの個数をカウントするカウント手段が実行される。   After the determination that the extracted convex portion 13 is an indentation (S7) and the determination that the extracted convex portion 13 is not an indentation (S8), the convexity that is determined to be an indentation is determined. The number of the shaped portions 13 is counted (S9). Here, a counting means for counting the number of indentations 11a is executed.

圧痕11aの個数がカウントされた後は、カウントされた圧痕11aの個数が設定値以上であるか否かが判断される(S10)。カウントされた圧痕11aの個数が設定値上である場合には(S10のYES)、実装状態が良好であると判定され(S11)、カウントされた圧痕11aの個数が設定値以下で場合には(S10のNO)、実装状態が不良であると判定される(S12)。ここに、カウントされた圧痕11aの個数が設定値以上であるか否かにより透明基板1への電子部品3の実装状態の良否を判定する、良否判定手段が実行される。   After the number of indentations 11a is counted, it is determined whether or not the counted number of indentations 11a is equal to or greater than a set value (S10). If the counted number of indentations 11a is above the set value (YES in S10), it is determined that the mounting state is good (S11), and if the counted number of indentations 11a is equal to or less than the set value. (NO in S10), it is determined that the mounting state is defective (S12). Here, a pass / fail judgment means for judging pass / fail of the mounting state of the electronic component 3 on the transparent substrate 1 based on whether or not the counted number of indentations 11a is equal to or larger than a set value is executed.

このような構成において、この電子部品の実装状態検査装置Xでは、異方性導電膜2を介して電子部品3を透明基板1に実装した場合に電極11に生じる凸状部13を、その凸状部13が圧痕11aであるか否かの判定を自動的に行っている。この自動的な判定では、まず、凸状部13と圧痕モデル14とのパターンマッチングを行い、外形が圧痕11aに似ている凸状部13を圧痕候補として抽出し(図4のフローチャート中のS5)、つぎに、抽出した圧痕候補の中から濃淡差が設定値以上のものを圧痕11aと判定している(図4のフローチャート中のS6〜S8)。このような2段階の判定を行うことにより、検査員が視覚により判定した場合と同様に圧痕11aであるか否かを判定することができる。   In such a configuration, in the electronic component mounting state inspection apparatus X, when the electronic component 3 is mounted on the transparent substrate 1 via the anisotropic conductive film 2, the convex portion 13 generated in the electrode 11 is changed to the convex portion 13. Whether or not the shape portion 13 is the indentation 11a is automatically determined. In this automatic determination, first, pattern matching between the convex portion 13 and the indentation model 14 is performed, and the convex portion 13 whose outer shape is similar to the indentation 11a is extracted as an indentation candidate (S5 in the flowchart of FIG. 4). Next, from the extracted indentation candidates, the indentation 11a is determined to have an intensity difference equal to or greater than a set value (S6 to S8 in the flowchart of FIG. 4). By performing such a two-stage determination, it is possible to determine whether or not the impression 11a is the same as when the inspector visually determines.

そして、圧痕11aであると判定された個数をカウントし(図4のフローチャート中のS9)、カウント数が設定値以上である場合には、実装状態が良好であると判定している(図4のフローチャート中のS10〜S11)。   Then, the number determined to be the indentation 11a is counted (S9 in the flowchart of FIG. 4), and when the count number is equal to or larger than the set value, it is determined that the mounting state is good (FIG. 4). In steps S10 to S11).

したがって、透明基板1への電子部品3の実装状態が良好であるか不良であるかの自動的な判定を、精度良く行うことができる。   Therefore, automatic determination as to whether the electronic component 3 is mounted on the transparent substrate 1 is good or bad can be made with high accuracy.

(第2の実施の形態)
本発明の第2の実施の形態について、図7及び図8を参照して説明する。なお、第2の実施の形態及びこれ以降の実施の形態において、第1の実施の形態において説明した構成要素と同じ構成要素には同じ符号を付け、重複する説明は省略する。
(Second Embodiment)
A second embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. Note that, in the second embodiment and subsequent embodiments, the same components as those described in the first embodiment are denoted by the same reference numerals, and redundant descriptions are omitted.

第2の実施の形態の実装状態検査装置Xの基本的な構造は第1の実施の形態と同じであり、第2の実施の形態には、電極位置修正手段が追加されている。電極位置修正手段は、制御部10により実行される処理であり、同じ撮像画像内に位置する複数の電極11の位置を検出する場合に、他の電極11に比べて検出結果が設定値以上異なる電極11について、他の電極11の検出結果をもとに検出位置を修正する処理である。   The basic structure of the mounting state inspection apparatus X of the second embodiment is the same as that of the first embodiment, and electrode position correcting means is added to the second embodiment. The electrode position correcting means is a process executed by the control unit 10, and when detecting the positions of a plurality of electrodes 11 located in the same captured image, the detection result differs from the other electrodes 11 by a set value or more. This is a process of correcting the detection position of the electrode 11 based on the detection result of the other electrode 11.

図7(a)には、CCDカメラ7により撮像され、複数の電極11が存在する撮像画像が示されている。図7(b)には、予め登録されている電極11の形状を用いてパターンマッチングされ、電極11の位置が検出された状態が示されている。破線で囲まれた範囲が、電極11が位置するとして検出された範囲である。   FIG. 7A shows a captured image captured by the CCD camera 7 and having a plurality of electrodes 11. FIG. 7B shows a state in which the position of the electrode 11 is detected by pattern matching using the shape of the electrode 11 registered in advance. A range surrounded by a broken line is a range detected as the electrode 11 is located.

図7(a)の撮像画像には、異方性導電膜2の貼付けの際に発生した泡16が、Dの電極11の近くに存在することが撮像されている。このため、電極11の位置を検出した際に、図7(b)に示すように、泡16の影響でDの電極11の位置が誤って検出されている。   In the captured image of FIG. 7A, it is captured that the bubbles 16 generated when the anisotropic conductive film 2 is attached exist near the D electrode 11. For this reason, when the position of the electrode 11 is detected, the position of the electrode 11 of D is erroneously detected due to the influence of the bubble 16 as shown in FIG.

そこで、このDの電極11の検出位置を、他の電極11の検出結果に基づいて電極位置修正手段により修正している。図7(c)には、Dの電極11の検出位置を修正した後の各電極11の電極位置が破線で示されている。   Therefore, the detection position of the D electrode 11 is corrected by the electrode position correcting means based on the detection result of the other electrode 11. In FIG. 7C, the electrode positions of the electrodes 11 after correcting the detection positions of the D electrodes 11 are indicated by broken lines.

電極位置修正手段による電極位置の修正の具体的な手順について、図8を参照して説明する。   A specific procedure for correcting the electrode position by the electrode position correcting means will be described with reference to FIG.

図8は、全ての電極11の検出位置と、修正した電極11の位置とを示すグラフである。まず、全ての電極11について検出位置の平均値を求め、破線で示す平均値線を引く。   FIG. 8 is a graph showing the detection positions of all the electrodes 11 and the corrected positions of the electrodes 11. First, an average value of detection positions is obtained for all the electrodes 11, and an average value line indicated by a broken line is drawn.

平均値線を引いた後、この平均値線に対して予め設定してある設定値以上に離れている電極11を探す。ここでは、Dの電極11が平均値線から設定値以上離れているものとする。   After the average value line is drawn, the electrode 11 that is more than the set value preset for the average value line is searched for. Here, it is assumed that the D electrode 11 is separated from the average value line by a set value or more.

平均値線から設定値以上離れている電極11が存在する場合には、その電極11を省いた他の電極11について検出位置の平均値を求め、実線で示す修正平均値線を引く。   If there is an electrode 11 that is more than the set value from the average value line, the average value of the detection positions is obtained for the other electrodes 11 excluding the electrode 11, and a corrected average value line indicated by a solid line is drawn.

修正平均値線を引いた後、Dの電極11の位置を、修正平均値線上に位置するように修正する。   After drawing the corrected average value line, the position of the D electrode 11 is corrected so as to be positioned on the corrected average value line.

したがって、泡16などの異物が原因となって電極11の位置を誤検出した場合でも、電極11の検出位置を修正することができる。このため、電極11を位置を誤検出したことが原因となって、電極11内の圧痕11aの数が少なく、実装状態が不良であると判定されるということを防止することができる。   Therefore, even when the position of the electrode 11 is erroneously detected due to a foreign matter such as the bubble 16, the detection position of the electrode 11 can be corrected. For this reason, it can be prevented that the number of indentations 11a in the electrode 11 is small and the mounting state is determined to be defective due to the erroneous detection of the position of the electrode 11.

(第3の実施の形態)
本発明の第3の実施の形態について、図9を参照して説明する。
(Third embodiment)
A third embodiment of the present invention will be described with reference to FIG.

第3の実施の形態の実装状態検査装置Xの基本的な構造は第1の実施の形態と同じであり、第3の実施の形態には、一つの電極11内の明るさの変化の平均的な傾向を求める手段と、求められた明るさの変化の平均的な傾向を電極11内の明るさから減算する手段とが追加されている。これらの手段は、制御部10により実行される処理である。   The basic structure of the mounting state inspection apparatus X of the third embodiment is the same as that of the first embodiment. In the third embodiment, the average brightness change in one electrode 11 is the same. And a means for subtracting the average tendency of the obtained change in brightness from the brightness in the electrode 11. These means are processes executed by the control unit 10.

微分干渉顕微鏡6の特性により、透明基板1が全体的に傾き、同一の電極11内の明るさが変化する場合がある。そして、同一の電極11内の明るさが変化することにより、電極11内の圧痕11aの濃淡値が変化し、圧痕11aが異物と判定される場合がある。この現象の対策として、同一の電極11の明るさ変化の平均的な傾向を求め、電極11の元の明るさから減算することにより、電極11内の明るさ変化の影響を軽減している。   Depending on the characteristics of the differential interference microscope 6, the transparent substrate 1 may be entirely tilted and the brightness within the same electrode 11 may change. Then, when the brightness in the same electrode 11 changes, the gray value of the indentation 11a in the electrode 11 changes, and the indentation 11a may be determined as a foreign object. As a countermeasure against this phenomenon, the average tendency of the brightness change of the same electrode 11 is obtained and subtracted from the original brightness of the electrode 11 to reduce the influence of the brightness change in the electrode 11.

図9(a)には、同一の電極11内の明るさが変化している撮像画像が示されている。図9(b)には、電極11に形成されている圧痕11aを含む凸状部13を消去して平滑化し、圧痕11aの明るさの変化の傾向のみが抽出された画像が示されている。図9(c)には、図9(a)に示された撮像画像から、図9(b)に示された電極11内の明るさの変化を減算することにより、電極11内の明るさの変化の影響を軽減した画像が示されている。   FIG. 9A shows a captured image in which the brightness within the same electrode 11 is changed. FIG. 9B shows an image in which the convex portion 13 including the indentation 11a formed on the electrode 11 is erased and smoothed, and only the brightness change tendency of the indentation 11a is extracted. . FIG. 9C shows the brightness in the electrode 11 by subtracting the change in brightness in the electrode 11 shown in FIG. 9B from the captured image shown in FIG. 9A. An image in which the influence of the change is reduced is shown.

このような構成において、微分干渉顕微鏡6の特性により同一の電極11内の明るさが変化する場合でも、同一電極11内の明るさの変化の影響を軽減して精度の高い圧痕11aの判定を行うことができ、電子部品3の実装状態の良否の判定の精度を高めることができる。   In such a configuration, even when the brightness in the same electrode 11 changes due to the characteristics of the differential interference microscope 6, the influence of the change in the brightness in the same electrode 11 is reduced and the indentation 11a is determined with high accuracy. This can be performed, and the accuracy of determining whether the electronic component 3 is mounted or not can be improved.

(第4の実施の形態)
本発明の第4の実施の形態について、図10を参照して説明する。
(Fourth embodiment)
A fourth embodiment of the present invention will be described with reference to FIG.

第4の実施の形態の基本的な構造は第1の実施の形態と同じであり、第4の実施の形態の実装状態検査装置Xには、NGラベルプリンタ17と、記録部18と、再検査装置19とが追加されている。   The basic structure of the fourth embodiment is the same as that of the first embodiment, and the mounting state inspection apparatus X of the fourth embodiment includes an NG label printer 17, a recording unit 18, and a re-use unit. An inspection device 19 is added.

NGラベルプリンタ17は、ある検査対象物4が電子部品3の実装状態が不良であると判定された場合、その検査対象物4に貼付けられるバーコード付きのNGラベルをプリントする。   The NG label printer 17 prints an NG label with a bar code attached to the inspection object 4 when it is determined that the inspection object 4 has a bad mounting state of the electronic component 3.

記録部18には、ある検査対象物4が電子部品3の実装状態が不良であると判定された場合、その検査対象物4に貼付けられるバーコードの情報と、不良であるとの判定結果、具体的には、不良判定箇所、不良判定内容、不良判定画像などの情報とが関連付けて記録される。   In the recording unit 18, when it is determined that a certain inspection object 4 has a bad mounting state of the electronic component 3, the barcode information pasted on the inspection object 4 and the determination result that it is defective, Specifically, information such as a defect determination location, defect determination content, and a defect determination image is recorded in association with each other.

再検査装置19には、バーコードリーダ20と、表示部21と、微分干渉顕微鏡22とが設けられている。バーコードリーダ20はNGラベルのバーコードを読取り可能である。検査対象物4に貼付けられているNGラベルのバーコードをバーコードリーダ20により読取ると、バーコードと関連付けて記録部18に記録されている不良判定結果が表示部21に表示され、ここに、表示手段が実行される。   The re-inspection apparatus 19 is provided with a barcode reader 20, a display unit 21, and a differential interference microscope 22. The barcode reader 20 can read the barcode of the NG label. When the barcode of the NG label attached to the inspection object 4 is read by the barcode reader 20, the defect determination result recorded in the recording unit 18 in association with the barcode is displayed on the display unit 21, Display means are executed.

このような構成において、再検査を行う検査員は、検査対象物4に貼付けられているNGラベルのバーコードをバーコードリーダ20で読取ることにより、不良であるとの判定結果を表示部21に表示させることができる。さらに、必要な場合には、表示された判定結果に基づき、不良であると判定された箇所を微分干渉顕微鏡22を用いた再検査することができ、再検査を効率良く行うことができる。   In such a configuration, the inspector who performs the re-inspection reads the barcode of the NG label attached to the inspection object 4 with the barcode reader 20, and displays the determination result that is defective on the display unit 21. Can be displayed. Furthermore, if necessary, a portion determined to be defective can be reinspected using the differential interference microscope 22 based on the displayed determination result, and reinspection can be performed efficiently.

なお、透明基板1にチップIDと呼ばれるシリアル番号が付けられている場合には、チップIDを専用のリーダー読取る構造とすることができ、NGラベルをプリントするNGラベルプリンタは不要となる。   When a serial number called a chip ID is attached to the transparent substrate 1, the chip ID can be read by a dedicated reader, and an NG label printer for printing an NG label is not necessary.

(第5の実施の形態)
本発明の第5の実施の形態について、図11を参照して説明する。
(Fifth embodiment)
A fifth embodiment of the present invention will be described with reference to FIG.

第5の実施の形態の基本的な構造は第1の実施の形態と同じであり、第5の実施の形態の実装状態検査装置Xには、再検査用の微分干渉顕微鏡22と、検査対象物4が載置されるXYステージ5を微分干渉顕微鏡6による観察位置から微分干渉顕微鏡22による観察位置へ搬送する搬送機構23とが追加されている。   The basic structure of the fifth embodiment is the same as that of the first embodiment. The mounting state inspection apparatus X of the fifth embodiment includes a differential interference microscope 22 for re-inspection and an inspection object. A transport mechanism 23 for transporting the XY stage 5 on which the object 4 is placed from the observation position by the differential interference microscope 6 to the observation position by the differential interference microscope 22 is added.

XYステージ5上に載置された検査対象物4が微分干渉顕微鏡6により観察され、実装状態状態が不良であると判定された場合には、搬送機構23によりXYステージ5が検査対象物4と共に微分干渉顕微鏡22による観察位置に搬送され、検査員による実装状態の再検査が行われる。   When the inspection object 4 placed on the XY stage 5 is observed by the differential interference microscope 6 and the mounting state is determined to be defective, the conveyance mechanism 23 causes the XY stage 5 together with the inspection object 4 to be inspected. It is transported to an observation position by the differential interference microscope 22 and re-inspection of the mounting state is performed by an inspector.

このような構成において、実装状態の良否を自動的に判定する工程において、実装状態が不良であると判定された検査対象物4は、検査員による再検査が行われる位置に自動的に搬送されるため、再検査を容易に行うことができる。   In such a configuration, in the step of automatically determining the quality of the mounting state, the inspection object 4 determined to be defective in the mounting state is automatically transported to a position where re-inspection is performed by an inspector. Therefore, reinspection can be easily performed.

(第6の実施の形態)
本発明の第6の実施の形態について、図12を参照して説明する。
(Sixth embodiment)
A sixth embodiment of the present invention will be described with reference to FIG.

第6の実施の形態の基本的構造は第5の実施の形態と同じであり、第6の実施の形態では、再検査の対象となった検査対象物4についての、実装状態の検査結果と、再検査に関する情報とを関連付けて記録する記録部24が設けられている。   The basic structure of the sixth embodiment is the same as that of the fifth embodiment. In the sixth embodiment, the inspection result of the mounting state of the inspection object 4 that is the object of re-inspection A recording unit 24 is provided for recording information relating to re-examination in association with each other.

再検査の対象となった検査対象物4についての実装状態の検査結果とは、不良判定箇所、不良判定内容、不良判定画像などである。再検査に関する情報としては、再検査の結果、再検査の検査員の氏名等が挙げられる。   The inspection result of the mounting state of the inspection object 4 that has been subject to re-inspection includes a defect determination location, a defect determination content, a defect determination image, and the like. Information on the reexamination includes the name of the reexamination inspector as a result of the reexamination.

このような構成において、再検査の対象となった検査対象物4についての実装状態の検査結果と、再検査に関する情報とを関連付けて記録しておくことにより、再検査で実装状態が良好であると判定された検査対象物4が後に不良となった場合、記録部24に記録されている各種の情報から、不良となった原因の究明に役立てることが可能となる。   In such a configuration, the mounting state inspection result for the inspection object 4 that has been subject to re-inspection and information related to re-inspection are recorded in association with each other, so that the mounting state is good in re-inspection. If the inspection object 4 determined to be later becomes defective, it can be used for investigation of the cause of the defect from various information recorded in the recording unit 24.

(第7の実施の形態)
本発明の第7の実施の形態について、図13及び図14を参照して説明する。
(Seventh embodiment)
A seventh embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS.

第7の実施の形態の基本的構造は、第1の実施の形態と同じであり、第7の実施の形態では、検査対象物4の実装箇所に異物が含まれているか否かを判定する異物判定手段が追加されている。   The basic structure of the seventh embodiment is the same as that of the first embodiment. In the seventh embodiment, it is determined whether or not a foreign object is included in the mounting location of the inspection object 4. Foreign matter determination means is added.

異方性導電膜2を用いて透明基板1へ電子部品3を実装した場合に、実装部分に異物が入り込んだ製品を実際の生産現場で収集し、分類したところ、(1)異物部分の輝度が高いもの。(2)異物部分の輝度が低いもの。(3)はっきりした凸形状のもの。(4)ゆるやかな凸形状のもの。に分類することができた。そこで、これらの4つに分類される異物の有無について、異物判定手段により判定することとした。   When the electronic component 3 is mounted on the transparent substrate 1 using the anisotropic conductive film 2, products in which foreign matter has entered the mounting portion are collected and classified at the actual production site. (1) Brightness of the foreign matter portion Is expensive. (2) The foreign matter portion has a low luminance. (3) Clear convex shape. (4) A gently convex shape. Could be classified. Therefore, the presence or absence of foreign substances classified into these four is determined by the foreign substance determination means.

異物判定手段による異物の有無の判定について、図13に示すフローチャート及び図14に示す工程図を参照して説明する。なお、この異物判定は、実装状態検査装置Xの制御部10の制御の元で行われる。   Determination of the presence / absence of a foreign substance by the foreign substance determination unit will be described with reference to a flowchart shown in FIG. 13 and a process diagram shown in FIG. This foreign matter determination is performed under the control of the control unit 10 of the mounting state inspection apparatus X.

制御部10では、検査対象物4が微分干渉顕微鏡6により映される検査位置まで搬送されたか否かが判断される(S1)。検査対象物4が検査位置まで搬送された場合には(S1のYES)、微分干渉顕微鏡6により映された画像がCCDカメラ7により撮像される(S2)。図14(1−a)には輝度の高い異物30を含む撮像画像が示され、(2−a)には輝度の低い異物31を含む撮像画像が示され、(3−a)にははっきりした凸形状の異物32を含む撮像画像が示され、(4−a)にはゆるやかな凸形状の異物33を含む撮像画像が示されている。   In the control unit 10, it is determined whether or not the inspection object 4 has been transported to the inspection position projected by the differential interference microscope 6 (S1). When the inspection object 4 is conveyed to the inspection position (YES in S1), an image projected by the differential interference microscope 6 is captured by the CCD camera 7 (S2). In FIG. 14 (1-a), a captured image including a foreign object 30 with a high luminance is shown, (2-a) shows a captured image including a foreign object 31 with a low luminance, and (3-a) is clearly shown. The captured image including the convex foreign material 32 is shown, and the captured image including the gently convex foreign material 33 is shown in (4-a).

CCDカメラ7による撮像が終了すると、撮像された画像の中から、透明基板1に設けられている電極11の位置が、予め登録されている電極11の形状を用いてパターンマッチングにより検出される(S3)。ここに、電極位置検出手段が実行される。図13(1−b)、(2−b)、(3−b)、(4−b)には、電極位置が破線で示す目印で囲まれた状態が示されている。   When the imaging by the CCD camera 7 is completed, the position of the electrode 11 provided on the transparent substrate 1 is detected from the captured image by pattern matching using the shape of the electrode 11 registered in advance ( S3). Here, the electrode position detecting means is executed. FIGS. 13 (1-b), (2-b), (3-b), and (4-b) show states in which the electrode positions are surrounded by marks indicated by broken lines.

電極位置が検出された後は、第1の異物判定手段(S21)、第2の異物判定手段(S22)、第3の異物判定手段(S23)、第4の異物判定手段(S24)が実行される。   After the electrode position is detected, the first foreign matter determining means (S21), the second foreign matter determining means (S22), the third foreign matter determining means (S23), and the fourth foreign matter determining means (S24) are executed. Is done.

第1の異物判定手段においては、撮像された電極11の画像の濃淡値が二値化され(図14(1−c))、閾値以上である部分34の面積が設定値以上である場合に異物有りと判定される。   In the first foreign matter determining means, the grayscale value of the imaged electrode 11 is binarized (FIG. 14 (1-c)), and the area of the portion 34 that is greater than or equal to the threshold is greater than or equal to the set value. It is determined that there is a foreign object.

第2の異物判定手段においては、撮像された電極11の画像の濃淡値が二値化され(図14(2−c))、閾値以下である部分35の面積が設定値以上である場合に異物有りと判定される。   In the second foreign matter determination means, the gray value of the imaged electrode 11 is binarized (FIG. 14 (2-c)), and the area of the portion 35 that is equal to or smaller than the threshold is equal to or larger than the set value. It is determined that there is a foreign object.

第3の異物判定手段においては、電極11に形成された凸状部にエッジを強調するラプラシアンフィルタ処理が施され(図14(3−c))、異方性導電膜2中の導電性粒子2bに押されて形成された凸状部(圧痕)を消去する処理が行われ(図14(3−d)、圧痕を消去した画像の濃淡値が二値化され(図14(3−e))、閾値以下である部分36の面積が設定値以上である場合に異物有りと判定される。   In the third foreign matter determining means, a Laplacian filter process for emphasizing the edge is performed on the convex portion formed on the electrode 11 (FIG. 14 (3-c)), and the conductive particles in the anisotropic conductive film 2. A process of erasing the convex portion (indentation) formed by being pressed by 2b is performed (FIG. 14 (3-d)), and the gray value of the image from which the indentation has been erased is binarized (FIG. 14 (3-e )), It is determined that there is a foreign object when the area of the portion 36 which is equal to or smaller than the threshold is equal to or larger than a set value.

第4の異物判定手段においては、微分干渉顕微鏡6の濃淡変化が出現する方向に、異物サイズに合わせた微分フィルタ処理が施され(図14(4−c))、微分フィルタ処理が程これた後の画像の濃淡値が二値化され(図14(4−d))、閾値以上である部分37の面積が設定値以上である場合に異物有りと判定される。   In the fourth foreign matter determination means, differential filter processing in accordance with the size of the foreign matter is performed in the direction in which the density change of the differential interference microscope 6 appears (FIG. 14 (4-c)), and differential filter processing is performed. The gray value of the subsequent image is binarized (FIG. 14 (4-d)), and it is determined that there is a foreign object when the area of the portion 37 that is equal to or greater than the threshold is equal to or greater than the set value.

ステップS21〜S24の異物判定が行われた後、いずれかのステップにおいて異物有りと判定された場合には実装状態が不良であると判定され、全てのステップにおいて異物無しと判定された場合には実装状態が良好であると判定される(S25)。   After the foreign matter determination in steps S21 to S24 is performed, if it is determined that there is a foreign matter in any step, it is determined that the mounting state is defective, and if it is determined that there is no foreign matter in all steps. It is determined that the mounting state is good (S25).

このような構成において、異方性導電膜2を用いた実装部分に異物が存在するか否かを判定することにより、実装状態の良好であるか不良であるかの自動的な判定を良好に行うことができる。   In such a configuration, the automatic determination of whether the mounting state is good or defective is good by determining whether or not a foreign substance exists in the mounting part using the anisotropic conductive film 2. It can be carried out.

この第7の実施の形態において、第3の実施の形態(図9参照)において説明した、一つの電極11内の明るさの変化の平均的な傾向を求める手段と、求められた明るさの変化の平均的な傾向を電極11内の明るさから減算する手段とを追加することが可能である。これにより、同一電極11内の明るさの変化の影響を軽減して精度の高い異物の有無判定を行うことができ、電子部品3の実装状態の良否の判定の精度を高めることができる。   In the seventh embodiment, the means for obtaining the average tendency of the change in brightness in one electrode 11 described in the third embodiment (see FIG. 9), and the obtained brightness It is possible to add a means for subtracting the average tendency of the change from the brightness in the electrode 11. Thereby, the influence of the change in the brightness within the same electrode 11 can be reduced, and the presence / absence determination of the foreign matter can be performed with high accuracy, and the accuracy of the determination of whether the electronic component 3 is mounted or not can be improved.

なお、上述した各実施の形態において説明した実装状態検査装置Xを、電子機器の製造ラインの途中に組み込むことが可能である。これにより、電極11が設けられた透明基板1に異方性導電膜2を介して電子部品3が実装された部品を用いる電子機器の製造工程中に、請求項1ないし6のいずれか一記載の電子部品の実装状態検査方法により実装状態を検査する工程を含む電子機器の製造方法を実現することができる。   Note that the mounting state inspection apparatus X described in each of the above-described embodiments can be incorporated in the middle of an electronic equipment production line. Accordingly, during the manufacturing process of the electronic device using the component in which the electronic component 3 is mounted on the transparent substrate 1 on which the electrode 11 is provided via the anisotropic conductive film 2, 7. The electronic device manufacturing method including the step of inspecting the mounting state by the electronic component mounting state inspection method can be realized.

本発明の第1の実施の形態に係る電子部品の実装状態検査装置を示す正面図である。It is a front view which shows the mounting state inspection apparatus of the electronic component which concerns on the 1st Embodiment of this invention. 異方性導電膜を介して透明基板に電子部品が実装された検査対象物を示す縦断正面図である。It is a vertical front view which shows the test target object in which the electronic component was mounted in the transparent substrate through the anisotropic conductive film. 微分干渉顕微鏡の構造を示す模式図である。It is a schematic diagram which shows the structure of a differential interference microscope. 検査対象物に対して行われる実装状態検査装置での実装状態の検査工程について説明するフローチャートである。It is a flowchart explaining the inspection process of the mounting state in the mounting state inspection apparatus performed with respect to a test target object. 検査対象物に対して行われる実装状態検査装置での実装状態の検査工程について説明する工程図である。It is process drawing explaining the inspection process of the mounting state in the mounting state inspection apparatus performed with respect to a test target object. パターンマッチングで使用する圧痕モデルの作製についての説明図である。It is explanatory drawing about preparation of the indentation model used by pattern matching. 本発明の第2の実施の形態に係る電子部品の実装状態検査装置において、検査時における電極位置修正について説明する工程図である。It is process drawing explaining the electrode position correction at the time of a test | inspection in the mounting condition inspection apparatus of the electronic component which concerns on the 2nd Embodiment of this invention. 電極位置修正手段による電極位置修正について説明するグラフである。It is a graph explaining the electrode position correction by an electrode position correction means. 本発明の第3の実施の形態に係る電子部品の実装状態検査装置において、検査時における電極内の明るさの変化の影響の軽減について説明する工程図である。FIG. 11 is a process diagram for explaining the reduction of the influence of the change in brightness in an electrode at the time of inspection in the electronic component mounting state inspection apparatus according to the third embodiment of the present invention. 第4の実施の形態に係る電子部品の実装状態検査装置を示す正面図である。It is a front view which shows the mounting state inspection apparatus of the electronic component which concerns on 4th Embodiment. 第5の実施の形態に係る電子部品の実装状態検査装置を示す正面図である。It is a front view which shows the mounting state inspection apparatus of the electronic component which concerns on 5th Embodiment. 第6の実施の形態に係る電子部品の実装状態検査装置を示す正面図である。It is a front view which shows the mounting state inspection apparatus of the electronic component which concerns on 6th Embodiment. 第7の実施の形態に係る電子部品の実装状態検査装置による異物検出の工程について説明するフローチャートである。It is a flowchart explaining the process of the foreign material detection by the mounting state inspection apparatus of the electronic component which concerns on 7th Embodiment. 異物検出の工程について説明する工程図である。It is process drawing explaining the process of a foreign material detection.

符号の説明Explanation of symbols

1…透明基板、2…異方性導電膜、3…電子部品、6…微分干渉顕微鏡、7…撮像部、9…クリーニング装置、11…電極、11a…圧痕、13…凸状部、14…圧痕モデル、21…表示部、22…微分干渉顕微鏡、23…搬送機構、24…記録部   DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Transparent substrate, 2 ... Anisotropic conductive film, 3 ... Electronic component, 6 ... Differential interference microscope, 7 ... Imaging part, 9 ... Cleaning device, 11 ... Electrode, 11a ... Indentation, 13 ... Convex part, 14 ... Indentation model, 21 ... display section, 22 ... differential interference microscope, 23 ... transport mechanism, 24 ... recording section

Claims (10)

異方性導電膜を介して電子部品が実装された透明基板を前記電子部品が実装された面の裏面側から微分干渉顕微鏡により映して撮像する工程と、
撮像された画像の中から、前記透明基板に設けられている電極の位置を予め登録されている前記電極の形状を用いて検出する工程と、
前記電極に形成された凸状部を強調する微分フィルタ処理を施す工程と、
前記微分フィルタ処理により強調された前記凸状部と予め用意してある圧痕モデルとをパターンマッチングし、マッチング率が設定値以上である前記凸状部を圧痕候補として抽出する工程と、
圧痕候補として抽出された前記凸状部の濃淡値の差が設定値以上である場合に前記凸状部を圧痕であると判定する工程と、
圧痕であると判定された個数をカウントする工程と、
圧痕としてカウントされた数が設定値以上であるか否かにより前記透明基板への前記電子部品の実装状態の良否を判定する工程と、
を備えることを特徴とする電子部品の実装状態検査方法。
A step of imaging a transparent substrate on which an electronic component is mounted via an anisotropic conductive film by imaging with a differential interference microscope from the back side of the surface on which the electronic component is mounted;
Detecting the position of the electrode provided on the transparent substrate from the captured image using the shape of the electrode registered in advance;
Applying differential filter processing to emphasize the convex portions formed on the electrodes;
Pattern-matching the convex portion emphasized by the differential filter processing and an indented model prepared in advance, and extracting the convex portion having a matching rate equal to or higher than a set value as an indentation candidate;
A step of determining that the convex portion is an indentation when a difference in gray value of the convex portion extracted as an indentation candidate is a set value or more;
Counting the number of indentations determined,
Determining whether the electronic component is mounted on the transparent substrate according to whether the number counted as an indentation is a set value or more;
A mounting state inspection method for an electronic component, comprising:
異方性導電膜を介して電子部品が実装された透明基板を前記電子部品が実装された面の裏面側から微分干渉顕微鏡により映して撮像する工程と、
撮像された画像の中から、前記透明基板に設けられている電極の位置を予め登録されている前記電極の形状を用いて検出する工程と、
検出した前記電極に形成された凸状部の画像の濃淡値を二値化した場合、閾値以上である部分の面積が設定値以上である場合に異物有りと判定する工程と、
検出した前記電極に形成された凸状部の画像の濃淡値を二値化した場合、閾値以下である部分の面積が設定値以上である場合に異物ありと判定する工程と、
前記電極に形成された前記凸状部にエッジを強調するラプラシアンフィルタ処理を施した後、前記異方性導電膜中の導電性粒子に押されて形成された前記凸状部を取り除いた後の画像の濃淡値を二値化した場合、閾値以下である部分の面積が設定値以上である場合に異物有りと判定する工程と、
前記微分干渉顕微鏡の濃淡変化が出現する方向に、異物サイズに合わせた微分フィルタ処理を施した後の画像の濃淡値を二値化した場合、閾値以上である部分の面積が設定値以上である場合に異物と判定する工程と、
を備えることを特徴とする電子部品の実装状態検査方法。
A step of imaging a transparent substrate on which an electronic component is mounted via an anisotropic conductive film by imaging with a differential interference microscope from the back side of the surface on which the electronic component is mounted;
Detecting the position of the electrode provided on the transparent substrate from the captured image using the shape of the electrode registered in advance;
When binarizing the gray value of the image of the convex portion formed on the detected electrode, the step of determining the presence of foreign matter when the area of the portion that is equal to or greater than the threshold is greater than or equal to the set value;
When binarizing the gray value of the image of the convex portion formed on the detected electrode, a step of determining that there is a foreign object when the area of a portion that is equal to or less than a threshold value is equal to or greater than a set value;
After performing Laplacian filter processing for emphasizing an edge on the convex portion formed on the electrode, the convex portion formed by being pushed by conductive particles in the anisotropic conductive film is removed. When binarizing the gray value of the image, a step of determining that there is a foreign object when the area of the portion that is equal to or less than the threshold is equal to or greater than a set value;
When binarizing the gray value of the image after performing differential filter processing in accordance with the size of the foreign material in the direction in which the gray level change of the differential interference microscope appears, the area of the portion that is equal to or larger than the threshold is equal to or larger than the set value. A step of determining a foreign object in the case,
A mounting state inspection method for an electronic component, comprising:
前記圧痕モデルは、圧痕を撮像した複数の画像を重ね合わせて平均値を求めることにより作製されていることを特徴とする請求項1記載の電子部品の実装状態検査方法。   2. The electronic component mounting state inspection method according to claim 1, wherein the indentation model is created by superimposing a plurality of images obtained by imaging indentations to obtain an average value. 撮像された画像内の複数の前記電極の位置を検出する場合に、他の前記電極に比べて検出結果が設定値以上異なる前記電極については、他の前記電極の検出結果をもとに前記電極の位置を修正する工程を備えることを特徴とする請求項1記載の電子部品の実装状態検査方法。   When detecting the positions of the plurality of electrodes in the captured image, the electrodes having detection results different from each other by a set value or more compared to the other electrodes are determined based on the detection results of the other electrodes. The electronic component mounting state inspection method according to claim 1, further comprising a step of correcting the position of the electronic component. 前記微分干渉顕微鏡に対向する側の前記透明基板の面をクリーニングする工程を備えることを特徴とする請求項1記載の電子部品の実装状態検査方法。   The mounting state inspection method for an electronic component according to claim 1, further comprising a step of cleaning a surface of the transparent substrate facing the differential interference microscope. 検出する前記電極内の明るさの変化の平均的な傾向を求める工程と、
求められた明るさの変化の平均的な傾向を撮像された前記画像の明るさから減算する工程と、
を備えることを特徴とする請求項1ないし5のいずれか一記載の電子部品の実装状態検査方法。
Obtaining an average trend of brightness change in the electrode to be detected;
Subtracting the average trend of the determined change in brightness from the brightness of the imaged image;
The electronic component mounting state inspection method according to any one of claims 1 to 5, further comprising:
異方性導電膜を介して電子部品が実装された透明基板を前記電子部品が実装された面の裏面側から映す微分干渉顕微鏡と、
前記微分干渉顕微鏡により映される画像を撮像する撮像部と、
撮像された画像の中から、前記透明基板に設けられている電極の位置を予め登録されている前記電極の形状を用いて検出する電極位置検出手段と、
前記電極に形成された凸状部を強調する微分フィルタ処理を施す微分フィルタ処理手段と、
前記微分フィルタ処理により強調された前記凸状部と予め用意してある圧痕モデルとをパターンマッチングし、マッチング率が設定値以上である前記凸状部を圧痕候補として抽出する圧痕候補抽出手段と、
圧痕候補として抽出された前記凸状部の濃淡値の差が設定値以上である場合に前記凸状部を圧痕であると判定する圧痕判定手段と、
圧痕であると判定された個数をカウントするカウント手段と、
圧痕としてカウントされた数が設定値以上であるか否かにより前記透明基板への前記電子部品の実装状態の良否を判定する良否判定手段と、
を備えることを特徴とする電子部品の実装状態検査装置。
A differential interference microscope that reflects a transparent substrate on which an electronic component is mounted via an anisotropic conductive film from the back side of the surface on which the electronic component is mounted;
An imaging unit for imaging an image projected by the differential interference microscope;
Electrode position detection means for detecting the position of the electrode provided on the transparent substrate using the shape of the electrode registered in advance from the captured image;
Differential filter processing means for performing differential filter processing to emphasize the convex portions formed on the electrodes;
Indentation candidate extraction means for pattern-matching the convex portion emphasized by the differential filter processing and an indented model prepared in advance, and extracting the convex portion having a matching rate equal to or higher than a set value as an indentation candidate;
Indentation determining means for determining that the convex portion is an indentation when the difference in the shade value of the convex portion extracted as an indentation candidate is a set value or more,
Counting means for counting the number of indentations determined;
Pass / fail judgment means for judging pass / fail of the mounting state of the electronic component on the transparent substrate depending on whether or not the number counted as an indentation is a set value or more,
An electronic component mounting state inspection apparatus comprising:
異方性導電膜を介して電子部品が実装された透明基板を前記電子部品が実装された面の裏面側から映す微分干渉顕微鏡と、
前記微分干渉顕微鏡により映される画像を撮像する撮像部と、
撮像された画像の中から、前記透明電極に設けられている電極の位置を予め登録されている前記電極の形状を用いて検出する電極位置検出手段と、
検出した前記電極に形成された凸状部の画像の濃淡値を二値化した場合、閾値以上である部分の面積が設定値以上である場合に異物有りと判定する第1の異物判定手段と、
検出した前記電極に形成された凸状部の画像の濃淡値を二値化した場合、閾値以下である部分の面積が設定値以上である場合に異物有りと判定する第2の異物判定手段と、
前記電極に形成された前記凸状部にエッジを強調するラプラシアンフィルタ処理を施した後、前記異方性導電膜中の導電性粒子に押されて形成された前記凸状部を取り除いた後の画像の濃淡値を二値化した場合、閾値以下である部分の面積が設定値以上である場合に異物有りと判定する第3の異物判定手段と、
前記微分干渉顕微鏡の濃淡変化が出現する方向に、異物サイズに合わせた微分フィルタ処理を施した後の画像の濃淡値を二値化した場合、閾値以上である部分の面積が設定値以上である場合に異物有りと判定する第4の異物判定手段と、
を備えることを特徴とする電子部品の実装状態検査装置。
A differential interference microscope that reflects a transparent substrate on which an electronic component is mounted via an anisotropic conductive film from the back side of the surface on which the electronic component is mounted;
An imaging unit for imaging an image projected by the differential interference microscope;
Electrode position detection means for detecting the position of the electrode provided in the transparent electrode from the captured image using the shape of the electrode registered in advance,
A first foreign matter determination unit that determines that there is a foreign matter when the area of a portion that is equal to or greater than a threshold is equal to or greater than a set value when binarizing the detected shade value of the convex portion image formed on the electrode; ,
A second foreign matter judging means for judging the presence of foreign matter when the area of the portion that is equal to or smaller than the threshold is equal to or larger than a set value when binarizing the detected gradation value of the convex portion image formed on the electrode; ,
After performing Laplacian filter processing for emphasizing an edge on the convex portion formed on the electrode, the convex portion formed by being pushed by conductive particles in the anisotropic conductive film is removed. A third foreign matter determining unit that determines that there is a foreign object when the area of the portion that is equal to or smaller than the threshold is equal to or larger than a set value when the gray value of the image is binarized
When binarizing the gray value of the image after performing differential filter processing in accordance with the size of the foreign material in the direction in which the gray level change of the differential interference microscope appears, the area of the portion that is equal to or larger than the threshold is equal to or larger than the set value. A fourth foreign matter determining means for determining that there is a foreign matter in the case,
An electronic component mounting state inspection apparatus comprising:
再検査される前記透明基板を、実装状態が検査される位置から再検査用の微分干渉顕微鏡による再検査位置へ搬送する搬送機構を備えることを特徴とする請求項7又は8記載の電子部品の実装状態検査装置。   9. The electronic component according to claim 7, further comprising a transport mechanism that transports the transparent substrate to be re-inspected from a position where the mounting state is inspected to a re-inspection position by a differential interference microscope for re-inspection. Mounting state inspection device. 電極が設けられた透明基板に異方性導電膜を介して電子部品が実装された部品を用いる電子機器の製造工程中に、請求項1ないし6のいずれか一記載の電子部品の実装状態検査方法により検査する工程が含まれていることを特徴とする電子機器の製造方法。   The electronic component mounting state inspection according to any one of claims 1 to 6, during a manufacturing process of an electronic device using a component in which an electronic component is mounted on a transparent substrate provided with an electrode via an anisotropic conductive film. The manufacturing method of the electronic device characterized by including the process to test | inspect by a method.
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