JP2007025394A - Pattern forming method - Google Patents

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正伸 高島
Katsuto Sumi
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a pattern forming method by tilting a light modulating means to image for exposure, by which a permanent pattern such as a wiring pattern is efficiently formed with high definition by forming a desired imaged pattern on an exposure face of a photosensitive layer while suppressing production of jaggy without decreasing an exposure speed. <P>SOLUTION: The pattern forming method is characterized in that: at least one of the arrangement pitch (a), tilt angle (b), drawing pitch (c) and phase difference (d) of drawn pixels is set so as to control at least either the jaggy pitch or the jaggy amplitude of jaggy produced by reproducing an image in the pixels formed by imaging units to a specified value or smaller; and the imaging units are controlled by modulation at a predetermined timing based on the pattern information. <P>COPYRIGHT: (C)2007,JPO&INPIT

Description

本発明は、感光層の被露光面に沿った所定の走査方向へ相対移動される露光ヘッドを用い、前記感光層に対し、パターン情報に基づいて露光を行うことを含むパターン形成方法に関する。   The present invention relates to a pattern forming method including performing exposure on a photosensitive layer based on pattern information using an exposure head that is relatively moved in a predetermined scanning direction along a surface to be exposed of the photosensitive layer.

従来より、光変調手段として、デジタル・マイクロミラー・デバイス(DMD)等の空間光変調素子を利用し、パターン情報(画像データ)に応じて変調された光ビームで描画パターン(画像)を形成するように露光を行う露光装置が種々提案されている。
前記DMDは、制御信号に応じて反射面の角度を変化させる多数のマイクロミラーをシリコン等の半導体基板上に二次元状に配列したミラーデバイスであり、このDMDを備えた露光ヘッドを被露光面に沿った走査方向に相対移動させることで、所望の範囲に対する露光が行われる。
Conventionally, as a light modulation means, a spatial light modulation element such as a digital micromirror device (DMD) is used to form a drawing pattern (image) with a light beam modulated in accordance with pattern information (image data). Various exposure apparatuses for performing exposure have been proposed.
The DMD is a mirror device in which a number of micromirrors that change the angle of the reflecting surface in accordance with a control signal are two-dimensionally arranged on a semiconductor substrate such as silicon, and an exposure head equipped with this DMD is placed on an exposed surface. By performing relative movement in the scanning direction along the line, exposure to a desired range is performed.

一般に、DMDのマイクロミラーは、各行の並び方向と各列の並び方向とが直交するように配列されている。このようなDMDを、走査方向に対して傾斜させて配置することにより、走査線の間隔が密になり、解像度を上げることができる。   In general, the DMD micromirrors are arranged so that the arrangement direction of each row and the arrangement direction of each column are orthogonal to each other. By arranging such a DMD so as to be inclined with respect to the scanning direction, the interval between the scanning lines becomes close and the resolution can be increased.

例えば、特許文献1には、複数の光弁を備えたサブ領域(空間光変調素子:イメージ源)へと光を導く照明システムにおいて、前記サブ領域を走査線上への投影に対して傾斜させることにより、解像度を高められることが記載されている。
この方法によれば、走査方向と直交する方向の解像度を高めることができる。また、走査方向の解像度は、通常、走査速度と空間光変調素子の変調速度によって決定されるため、露光速度(走査速度)を遅くするか、若しくは、空間光変調素子の変調速度を速めることで解像度を高めることが可能である。
For example, in Patent Document 1, in an illumination system that guides light to a sub-region (spatial light modulation element: image source) having a plurality of light valves, the sub-region is inclined with respect to the projection on the scanning line. Describes that the resolution can be increased.
According to this method, the resolution in the direction orthogonal to the scanning direction can be increased. Further, since the resolution in the scanning direction is usually determined by the scanning speed and the modulation speed of the spatial light modulation element, the exposure speed (scanning speed) is decreased or the modulation speed of the spatial light modulation element is increased. It is possible to increase the resolution.

ところで、形成される描画パターンの解像度を高めるために、前記特許文献1の方法のように、前記光照射手段(空間光変調素子)を傾斜させて描画を行うと、描画パターンによっては、無視できないジャギーが発生してしまうおそれがある。
例えば、走査方向又はそれと直交する方向に延在する直線状の描画パターンを形成する場合、前記空間光変調素子によって形成される各描画画素の位置と、描画パターンの所望の描画位置との間のずれがジャギーとして認められることがある。
すなわち、離散的な多数の画素の集合によって構成された描画パターンは、描素部に対応した離散的な描画画素により再現されるため、再現された画像の端部には、ギザギザ状のジャギーが発生したり、パターン情報に基づく描画パターンの線幅の精度が低下する等の不具合が発生したりするおそれがある。このような描画パターンで感光層を露光し、その後現像等を行うことによりレジストパターン等を形成した場合、高精細なパターンが得られないという問題がある。
By the way, in order to increase the resolution of the formed drawing pattern, when drawing is performed with the light irradiation means (spatial light modulation element) tilted as in the method of Patent Document 1, some drawing patterns cannot be ignored. There is a risk of jaggy.
For example, when forming a linear drawing pattern extending in the scanning direction or a direction orthogonal to the scanning direction, the position between each drawing pixel formed by the spatial light modulator and a desired drawing position of the drawing pattern Misalignment may be recognized as jaggy.
That is, a drawing pattern constituted by a set of a large number of discrete pixels is reproduced by discrete drawing pixels corresponding to the pixel part, and therefore, jagged jaggy is formed at the edge of the reproduced image. There is a risk that such a problem may occur that the line width of the drawing pattern based on the pattern information is reduced. When a resist pattern or the like is formed by exposing the photosensitive layer with such a drawing pattern and then performing development or the like, there is a problem that a high-definition pattern cannot be obtained.

よって、露光速度を低下させることなく、ジャギーが低減された所望の描画パターンを被露光面上に形成することにより、配線パターン等の永久パターンを高精細に、かつ効率よく形成可能なパターン形成方法は未だ提供されておらず、更なる改良開発が望まれているのが現状である。   Therefore, a pattern forming method that can form a permanent pattern such as a wiring pattern with high definition and efficiency by forming a desired drawing pattern with reduced jaggies on the exposed surface without reducing the exposure speed. Has not been provided yet, and further improvements and development are desired.

特表2001−500628号公報Special table 2001-500628 gazette

本発明は、かかる現状に鑑みてなされたものであり、従来における前記諸問題を解決し、以下の目的を達成することを課題とする。即ち、本発明は、前記光変調手段を傾斜させて描画を行う露光を行うパターン形成方法において、露光速度を低下させることなく、感光層の被露光面上にジャギーの発生が抑制された所望の描画パターンを形成することにより、配線パターン等の永久パターンを高精細に、かつ効率よく形成可能なパターン形成方法を提供することを目的とする。   This invention is made | formed in view of this present condition, and makes it a subject to solve the said various problems in the past and to achieve the following objectives. That is, the present invention provides a pattern forming method in which exposure is performed by tilting the light modulation means to perform drawing, and a desired jaggy is suppressed on the exposed surface of the photosensitive layer without reducing the exposure speed. It is an object of the present invention to provide a pattern forming method capable of forming a permanent pattern such as a wiring pattern with high definition and efficiency by forming a drawing pattern.

前記課題を解決するための手段としては、以下の通りである。即ち、
<1> 支持体上に感光層を有するパターン形成材料における該感光層を、被処理基体上に積層した後、該感光層に対し、
光照射手段、及び前記光照射手段からの光を受光し出射するn個(ただし、nは2以上の自然数)の2次元状に配列された描素部を有し、パターン情報に応じて前記描素部を制御可能な光変調手段を備えた露光ヘッドであって、該露光ヘッドの走査方向に対し、前記描素部の列方向が所定の傾斜角度をなすように配置された露光ヘッドを用い、該露光ヘッドを走査方向に相対的に移動させて露光を行うことを少なくとも含み、
該露光が、
前記パターン情報に対応する描画パターンにおいて、前記描素部により形成された描画画素で再現されることにより生じるジャギーのジャギーピッチ及びジャギー振幅の少なくともいずれかが所定値以下となるよう、
(a)隣接する前記描素部により形成される前記描画画素の配列ピッチ、
(b)複数の前記描画画素からなる二次元状の描画画素群の前記走査方向に対する傾斜角度、
(c)前記走査方向に対する前記描画画素の描画ピッチ、及び
(d)前記走査方向と略直交する方向に隣接して形成される前記描画画素の前記走査方向に対する描画位置の位相差、
の少なくともいずれかを設定し、前記パターン情報に基づいて前記描素部を所定のタイミングで変調制御して行われることを特徴とするパターン形成方法である。該<1>に記載のパターン形成方法においては、前記感光層に対し、光変調手段を備えた露光ヘッドを前記感光層の被露光面上に沿った所定の走査方向へ相対移動して、前記パターン情報に基づいて露光が行われ、該露光が、ジャギーピッチ及びジャギー振幅の少なくともいずれかが所定値以下となるよう、(a)配列ピッチ、(b)傾斜角度、(c)描画ピッチ、及び(d)位相差の少なくともいずれかを設定し、前記パターン情報にしたがって前記各描素部を所定のタイミングで変調制御して行われるため、単位面積当たりの描画画素数を増加させる等の手段を講じることなく、また、露光速度(描画速度)を低下させることなく、最適な描画条件を設定し、ジャギーの発生を抑制した描画パターン(画像)を描画することができる。この結果、前記パターン形成材料への露光が高精細に行われる。例えば、その後、前記感光層を現像することにより、高精細なパターンが形成される。
<2> 光変調手段が、空間光変調素子である前記<1>に記載のパターン形成方法である。
<3> 空間光変調素子が、デジタル・マイクロミラー・デバイス(DMD)である前記<1>から<2>のいずれかに記載のパターン形成方法である。
Means for solving the problems are as follows. That is,
<1> After laminating the photosensitive layer in the pattern forming material having the photosensitive layer on the support on the substrate to be processed,
A light irradiating means, and n (where n is a natural number of 2 or more) two-dimensionally arranged picture elements that receive and emit light from the light irradiating means, and according to the pattern information, An exposure head provided with a light modulation means capable of controlling a picture element portion, wherein the exposure head is arranged such that a column direction of the picture element portion forms a predetermined inclination angle with respect to a scanning direction of the exposure head. And performing exposure by moving the exposure head relative to the scanning direction,
The exposure is
In the drawing pattern corresponding to the pattern information, at least one of jaggy pitch and jaggy amplitude generated by being reproduced by the drawing pixel formed by the picture element portion is equal to or less than a predetermined value,
(A) an arrangement pitch of the drawing pixels formed by the adjacent picture element portions;
(B) an inclination angle of the two-dimensional drawing pixel group composed of a plurality of the drawing pixels with respect to the scanning direction;
(C) a drawing pitch of the drawing pixels with respect to the scanning direction, and (d) a phase difference of a drawing position with respect to the scanning direction of the drawing pixels formed adjacent to a direction substantially orthogonal to the scanning direction,
The pattern forming method is characterized in that at least one of the above is set and modulation of the picture element portion is controlled at a predetermined timing based on the pattern information. In the pattern forming method according to <1>, an exposure head provided with a light modulation unit is moved relative to the photosensitive layer in a predetermined scanning direction along the exposed surface of the photosensitive layer, and Exposure is performed based on the pattern information, and (a) the arrangement pitch, (b) the tilt angle, (c) the drawing pitch, and so that at least one of the jaggy pitch and the jaggy amplitude is equal to or less than a predetermined value. (D) Since at least one of the phase differences is set, and each pixel part is modulated and controlled at a predetermined timing according to the pattern information, means for increasing the number of drawing pixels per unit area, etc. It is possible to draw a drawing pattern (image) in which optimum drawing conditions are set and generation of jaggies is suppressed without taking or reducing the exposure speed (drawing speed). As a result, the pattern forming material is exposed with high definition. For example, a high-definition pattern is formed by developing the photosensitive layer thereafter.
<2> The pattern forming method according to <1>, wherein the light modulation unit is a spatial light modulation element.
<3> The pattern forming method according to any one of <1> to <2>, wherein the spatial light modulation element is a digital micromirror device (DMD).

<4> 露光が、描画画素群回転手段、描画倍率変更手段、描画タイミング変更手段、移動速度変更手段、及び位相差変更手段の少なくともいずれかを備えた露光装置を用いて行われる前記<1>から<3>のいずれかに記載のパターン形成方法である。
<5> 描画画素群回転手段により、露光ヘッドの全体、及び光変調手段のいずれかを回転させ、傾斜角度(b)を変更する前記<1>から<4>のいずれかに記載のパターン形成方法である。
<6> 描画倍率変更手段により、感光層の被露光面上に形成される描画画素の描画倍率を変更し、配列ピッチ(a)、及び描画ピッチ(c)のいずれかを調整する前記<1>から<4>のいずれかに記載のパターン形成方法である。
<7> 描画タイミング変更手段により、描素部による感光層の被露光面上への描画タイミングを変更し、描画ピッチ(c)を調整する前記<1>から<4>のいずれかに記載のパターン形成方法である。
<8> 移動速度変更手段により、感光層の被露光面に対する露光ヘッドの相対移動速度を変更し、描画ピッチ(c)を調整する前記<1>から<4>のいずれかに記載のパターン形成方法である。
<9> 位相差変更手段により、隣接する描素部の変調制御のタイミングの位相差を変更し、位相差(d)を変更する前記<1>から<4>のいずれかに記載のパターン形成方法である。
<4> The exposure is performed using an exposure apparatus including at least one of a drawing pixel group rotating unit, a drawing magnification changing unit, a drawing timing changing unit, a moving speed changing unit, and a phase difference changing unit. To <3>.
<5> The pattern formation according to any one of <1> to <4>, wherein either the entire exposure head or the light modulation unit is rotated by the drawing pixel group rotation unit to change the tilt angle (b). Is the method.
<6> The drawing magnification changing means changes the drawing magnification of the drawing pixels formed on the exposed surface of the photosensitive layer, and adjusts either the arrangement pitch (a) or the drawing pitch (c). > To <4>.
<7> The timing according to any one of <1> to <4>, wherein the drawing timing changing unit changes the drawing timing of the photosensitive layer on the exposed surface of the photosensitive layer and adjusts the drawing pitch (c). This is a pattern forming method.
<8> The pattern formation according to any one of <1> to <4>, wherein the moving speed changing unit changes the relative moving speed of the exposure head with respect to the exposed surface of the photosensitive layer to adjust the drawing pitch (c). Is the method.
<9> The pattern formation according to any one of <1> to <4>, wherein the phase difference changing unit changes the phase difference of the modulation control timing of adjacent pixel parts to change the phase difference (d). Is the method.

<10> ジャギーピッチ及びジャギー振幅の所定値が、感光層の被露光面に形成される描画画素のドット径である前記<1>から<9>のいずれかに記載のパターン形成方法である。
<11> 複数の描素部からなる描画画素群を複数有し、前記各描素部群において、配列ピッチ(a)、傾斜角度(b)、描画ピッチ(c)、及び位相差(d)の少なくともいずれかを個別に設定する前記<1>から<10>のいずれかに記載のパターン形成方法である。
<12> 複数の描素部からなる描画画素群を複数有し、前記各描素部群で生じるジャギーピッチ及びジャギー振幅のいずれかの平均値が所定値以下となるよう、配列ピッチ(a)、傾斜角度(b)、描画ピッチ(c)、及び位相差(d)の少なくともいずれかを設定する前記<1>から<10>のいずれかに記載のパターン形成方法である。
<13> 描画パターンに応じて、配列ピッチ(a)、傾斜角度(b)、描画ピッチ(c)、及び位相差(d)の少なくともいずれかを設定する前記<1>から<12>のいずれかに記載のパターン形成方法である。
<14> 描画パターンの走査方向に対する傾斜角度に応じて、配列ピッチ(a)、傾斜角度(b)、描画ピッチ(c)、及び位相差(d)の少なくともいずれかを設定する前記<1>から<13>のいずれかに記載のパターン形成方法である。
<15> 走査方向と直交、又は略直交する方向の描画パターンにおいて生じるジャギーのジャギーピッチ及びジャギー振幅のいずれかが、所定値以下になるよう、配列ピッチ(a)、傾斜角度(b)、描画ピッチ(c)、及び位相差(d)の少なくともいずれかを設定する前記<1>から<14>のいずれかに記載のパターン形成方法である。
<10> The pattern forming method according to any one of <1> to <9>, wherein the predetermined values of the jaggy pitch and the jaggy amplitude are a dot diameter of a drawing pixel formed on the exposed surface of the photosensitive layer.
<11> A plurality of drawing pixel groups each including a plurality of picture element portions, and in each of the picture element portion groups, an arrangement pitch (a), an inclination angle (b), a drawing pitch (c), and a phase difference (d) The pattern forming method according to any one of <1> to <10>, wherein at least one of the above is individually set.
<12> An arrangement pitch (a) having a plurality of drawing pixel groups each including a plurality of pixel parts, and an average value of jaggy pitches and jaggy amplitudes generated in each of the pixel parts groups being equal to or less than a predetermined value. The pattern forming method according to any one of <1> to <10>, wherein at least one of tilt angle (b), drawing pitch (c), and phase difference (d) is set.
<13> Any one of <1> to <12> in which at least one of the arrangement pitch (a), the inclination angle (b), the drawing pitch (c), and the phase difference (d) is set according to the drawing pattern The pattern forming method according to claim 1.
<14> The at least one of the arrangement pitch (a), the inclination angle (b), the drawing pitch (c), and the phase difference (d) is set according to the inclination angle of the drawing pattern with respect to the scanning direction. To <13>.
<15> Arrangement pitch (a), inclination angle (b), and drawing so that any one of jaggy pitch and jaggy amplitude generated in a drawing pattern orthogonal or substantially orthogonal to the scanning direction is equal to or less than a predetermined value. The pattern forming method according to any one of <1> to <14>, wherein at least one of pitch (c) and phase difference (d) is set.

<16> 配列ピッチ(a)、傾斜角度(b)、描画ピッチ(c)、及び位相差(d)の調整が、
前記描素部により前記感光層の被露光面上に形成される描画画素の中心点として規定される制御点の
(e)前記制御点の略走査方向に沿った制御点列のピッチ、
(f)前記制御点列の並び方向、
(g)前記制御点の前記走査方向に対するピッチ、及び
(h)前記走査方向と略直交する方向に隣接する前記制御点の前記走査方向に対する位相差、
の少なくともいずれかを、描画パターンのジャギーが低減されるように制御することにより行われる前記<1>から<15>のいずれかに記載のパターン形成方法である。
<17> 制御点列のピッチ(e)、並び方向(f)、前記制御点の前記走査方向に対するピッチ(g)、及び位相差(h)の少なくともいずれかと、ジャギーピッチ及びジャギー振幅の少なくともいずれかにより規定されるジャギーの形状との相関関係を求め、
該相関関係に基づいて前記(e)〜(h)のいずれかを設定、又は変更する前記<16>に記載のパターン形成方法である。
<18> ジャギーの形状が許容範囲内となる制御点列のピッチ(e)、並び方向(f)、前記制御点の前記走査方向に対するピッチ(g)、及び位相差(h)の少なくともいずれかの条件を、選択条件として規定する前記<16>から<17>のいずれかに記載のパターン形成方法。
<19> ジャギーの形状が許容範囲外となる制御点列のピッチ(e)、並び方向(f)、前記制御点の前記走査方向に対するピッチ(g)、及び位相差(h)の少なくともいずれかの条件を、禁止条件として規定する前記<16>から<17>のいずれかに記載のパターン形成方法である。
<20> 描画パターンの方向に対応して、制御点列のピッチ(e)、並び方向(f)、前記制御点の前記走査方向に対するピッチ(g)、及び位相差(h)の少なくともいずれかと、ジャギーピッチ及びジャギー振幅の少なくともいずれかにより規定されるジャギーの形状との相関関係を求める前記<16>から<18>のいずれかに記載のパターン形成方法である。
<21> 描画パターンの方向が、前記描画パターンの所定の領域内に含まれる前記描画パターンの代表的な方向である前記<20>に記載のパターン形成方法である。
<22> 描画パターンの代表的な方向が、描画パターンの所定の領域内に含まれ、走査方向と直交又は略直交する方向である前記<21>に記載のパターン形成方法である。
<23> 所定の領域内の描画パターン毎に、制御点列のピッチ(e)、並び方向(f)、前記制御点の前記走査方向に対するピッチ(g)、及び位相差(h)の少なくともいずれかと、ジャギーピッチ及びジャギー振幅の少なくともいずれかにより規定されるジャギーの形状との相関関係を求める前記<17>から<18>のいずれかに記載のパターン形成方法である。
<24> 所定の領域内の描画パターン毎に、制御点列のピッチ(e)、並び方向(f)、前記制御点の前記走査方向に対するピッチ(g)、及び位相差(h)の少なくともいずれかを設定、又は変更する前記<23>に記載のパターン形成方法である。
<16> Adjustment of arrangement pitch (a), inclination angle (b), drawing pitch (c), and phase difference (d)
(E) the pitch of the control point sequence along the substantially scanning direction of the control point, the control point defined as the center point of the drawing pixel formed on the exposed surface of the photosensitive layer by the picture element unit,
(F) the arrangement direction of the control point sequence;
(G) a pitch of the control points with respect to the scanning direction, and (h) a phase difference of the control points adjacent to the direction substantially orthogonal to the scanning direction with respect to the scanning direction,
The pattern forming method according to any one of <1> to <15>, which is performed by controlling at least one of the method so that jaggy of a drawing pattern is reduced.
<17> At least one of the pitch (e), the arrangement direction (f) of the control point sequence, the pitch (g) of the control point with respect to the scanning direction, and the phase difference (h), and at least one of the jaggy pitch and the jaggy amplitude Find the correlation with the shape of the jaggy defined by
The pattern forming method according to <16>, wherein any one of (e) to (h) is set or changed based on the correlation.
<18> At least one of the pitch (e) of the control point sequence in which the jaggy shape falls within the allowable range, the arrangement direction (f), the pitch (g) of the control point with respect to the scanning direction, and the phase difference (h) The pattern forming method according to any one of <16> to <17>, wherein the condition is defined as a selection condition.
<19> At least one of the pitch (e) of the control point sequence where the jaggy shape is outside the allowable range, the arrangement direction (f), the pitch (g) of the control point with respect to the scanning direction, and the phase difference (h) The pattern forming method according to any one of <16> to <17>, wherein the condition is defined as a prohibited condition.
<20> Corresponding to the direction of the drawing pattern, at least one of the pitch (e) of the control point sequence, the arrangement direction (f), the pitch (g) of the control points with respect to the scanning direction, and the phase difference (h) The pattern forming method according to any one of <16> to <18>, wherein a correlation with a jaggy shape defined by at least one of a jaggy pitch and a jaggy amplitude is obtained.
<21> The pattern forming method according to <20>, wherein a direction of the drawing pattern is a representative direction of the drawing pattern included in a predetermined region of the drawing pattern.
<22> The pattern forming method according to <21>, wherein a representative direction of the drawing pattern is included in a predetermined region of the drawing pattern and is a direction orthogonal or substantially orthogonal to the scanning direction.
<23> For each drawing pattern in a predetermined area, at least one of the pitch (e) of the control point sequence, the arrangement direction (f), the pitch (g) of the control points with respect to the scanning direction, and the phase difference (h) The pattern forming method according to any one of <17> to <18>, wherein the correlation between the shape and the shape of the jaggy defined by at least one of the jaggy pitch and the jaggy amplitude is obtained.
<24> For each drawing pattern in a predetermined region, at least one of the pitch (e) of the control point sequence, the arrangement direction (f), the pitch (g) of the control points with respect to the scanning direction, and the phase difference (h) It is a pattern formation method as described in said <23> which sets or changes these.

<25> 制御点列のピッチ(e)、並び方向(f)、前記制御点の前記走査方向に対するピッチ(g)、及び位相差(h)の少なくともいずれかと、ジャギーピッチ及びジャギー振幅の少なくともいずれかにより規定されるジャギーの形状との相関関係を、
制御点列のピッチ(e)、並び方向(f)、前記制御点の前記走査方向に対するピッチ(g)、及び位相差(h)の少なくともいずれかから求めた計算値に基づいて求める前記<17>から<24>のいずれかに記載のパターン形成方法である。
<26> あらかじめ設定した制御点列のピッチ(e)、並び方向(f)、前記制御点の前記走査方向に対するピッチ(g)、及び位相差(h)による描画パターンから、制御点列のピッチ(e)、並び方向(f)、前記制御点の前記走査方向に対するピッチ(g)、及び位相差(h)の少なくともいずれかと、ジャギーピッチ及びジャギー振幅の少なくともいずれかにより規定されるジャギーの形状との相関関係を計測して求める前記<17>から<24>のいずれかに記載のパターン形成方法である。
<25> At least one of the pitch (e), the arrangement direction (f) of the control point sequence, the pitch (g) of the control point with respect to the scanning direction, and the phase difference (h), and at least one of the jaggy pitch and the jaggy amplitude Correlation with the shape of jaggy defined by
<17 obtained based on a calculated value obtained from at least one of the pitch (e) of the control point sequence, the arrangement direction (f), the pitch (g) of the control point with respect to the scanning direction, and the phase difference (h). > To <24>.
<26> The pitch of the control point sequence from the preset pattern (e), the arrangement direction (f), the pitch of the control point with respect to the scanning direction (g), and the drawing pattern based on the phase difference (h) (E) Jagged shape defined by at least one of the arrangement direction (f), the pitch (g) of the control points with respect to the scanning direction, and the phase difference (h), and at least one of the jaggy pitch and the jaggy amplitude. The pattern forming method according to any one of <17> to <24>, wherein the correlation is obtained by measuring a correlation with the pattern.

<30> 光照射手段が、半導体レーザ素子から発せられたレーザ光を出射する前記<1>から<29>のいずれかに記載のパターン形成方法である。
<31> 光照射手段が、2以上の光を合成して照射可能である前記<30>に記載のパターン形成方法である。
<30> The pattern forming method according to any one of <1> to <29>, wherein the light irradiation unit emits laser light emitted from the semiconductor laser element.
<31> The pattern forming method according to <30>, wherein the light irradiation unit can synthesize and irradiate two or more lights.

<32> 露光が行われた後、感光層の現像を行う前記<1>から<31>のいずれかに記載のパターン形成方法である。
<33> 現像が行われた後、永久パターンの形成を行う前記<1>から<32>のいずれかに記載のパターン形成方法である。
<34> 永久パターンが配線パターンであり、該永久パターンの形成がエッチング処理及びメッキ処理の少なくともいずれかにより行われる前記<33>に記載のパターン形成方法である。
<32> The pattern forming method according to any one of <1> to <31>, wherein the photosensitive layer is developed after the exposure.
<33> The pattern forming method according to any one of <1> to <32>, wherein a permanent pattern is formed after development.
<34> The pattern forming method according to <33>, wherein the permanent pattern is a wiring pattern, and the formation of the permanent pattern is performed by at least one of an etching process and a plating process.

<35> 感光層が、バインダーと、重合性化合物と、光重合開始剤とを含む前記<1>から<34>のいずれかに記載のパターン形成方法である。
<36> バインダーが、酸性基を有する前記<35>に記載のパターン形成方法である。
<37> バインダーが、ビニル共重合体である前記<35>から<36>のいずれかに記載のパターン形成方法である。
<38> バインダーの酸価が、70〜250mgKOH/gである前記<35>から<37>のいずれかに記載のパターン形成方法である。
<39> 重合性化合物が、ウレタン基及びアリール基の少なくともいずれかを有するモノマーを含む前記<35>から<38>のいずれかに記載のパターン形成方法である。
<40> 光重合開始剤が、ハロゲン化炭化水素誘導体、ヘキサアリールビイミダゾール、オキシム誘導体、有機過酸化物、チオ化合物、ケトン化合物、芳香族オニウム塩及びメタロセン類から選択される少なくとも1種を含む前記<35>から<39>のいずれかに記載のパターン形成方法である。
<41> 感光層が、バインダーを10〜90質量%含有し、重合性化合物を5〜90質量%含有する前記<1>から<40>のいずれかに記載のパターン形成方法である。
<42> 感光層の厚みが、1〜100μmである前記<1>から<41>のいずれかに記載のパターン形成方法である。
<43> 支持体が、合成樹脂を含み、かつ透明である前記<1>から<42>のいずれかに記載のパターン形成方法である。
<44> 支持体が、長尺状である前記<1>から<43>のいずれかに記載のパターン形成方法である。
<45> パターン形成材料が、長尺状であり、ロール状に巻かれてなる前記<1>から<44>のいずれかに記載のパターン形成方法である。
<46> パターン形成材料における感光層上に保護フィルムを形成する前記<1>から<45>のいずれかに記載のパターン形成方法である。
<35> The pattern forming method according to any one of <1> to <34>, wherein the photosensitive layer includes a binder, a polymerizable compound, and a photopolymerization initiator.
<36> The pattern forming method according to <35>, wherein the binder has an acidic group.
<37> The pattern forming method according to any one of <35> to <36>, wherein the binder is a vinyl copolymer.
<38> The pattern forming method according to any one of <35> to <37>, wherein the binder has an acid value of 70 to 250 mgKOH / g.
<39> The pattern forming method according to any one of <35> to <38>, wherein the polymerizable compound includes a monomer having at least one of a urethane group and an aryl group.
<40> The photopolymerization initiator includes at least one selected from halogenated hydrocarbon derivatives, hexaarylbiimidazoles, oxime derivatives, organic peroxides, thio compounds, ketone compounds, aromatic onium salts, and metallocenes. The pattern forming method according to any one of <35> to <39>.
<41> The pattern forming method according to any one of <1> to <40>, wherein the photosensitive layer contains 10 to 90% by mass of a binder and 5 to 90% by mass of a polymerizable compound.
<42> The pattern forming method according to any one of <1> to <41>, wherein the photosensitive layer has a thickness of 1 to 100 μm.
<43> The pattern forming method according to any one of <1> to <42>, wherein the support includes a synthetic resin and is transparent.
<44> The pattern forming method according to any one of <1> to <43>, wherein the support has a long shape.
<45> The pattern forming method according to any one of <1> to <44>, wherein the pattern forming material is long and wound in a roll shape.
<46> The pattern forming method according to any one of <1> to <45>, wherein a protective film is formed on the photosensitive layer in the pattern forming material.

本発明によると、従来における問題を解決することができ、前記光変調手段を傾斜させて描画を行う露光を行うパターン形成方法において、露光速度を低下させることなく、感光層の被露光面上にジャギーの発生が抑制された所望の描画パターンを形成することにより、配線パターン等の永久パターンを高精細に、かつ効率よく形成可能なパターン形成方法を提供することができる。   According to the present invention, a conventional problem can be solved, and in the pattern forming method for performing exposure by drawing the light modulation means while tilting the light modulation means, on the exposed surface of the photosensitive layer without reducing the exposure speed. By forming a desired drawing pattern in which the occurrence of jaggies is suppressed, a pattern forming method capable of forming a permanent pattern such as a wiring pattern with high definition and efficiency can be provided.

(パターン形成方法)
本発明のパターン形成方法は、パターン形成材料における感光層を、被処理基体上に積層した後、該感光層に対し、露光を行う露光工程を少なくとも含み、適宜選択したその他の工程を含む。
(Pattern formation method)
The pattern forming method of the present invention includes at least an exposure step of exposing the photosensitive layer after laminating the photosensitive layer in the pattern forming material on the substrate to be processed, and includes other steps appropriately selected.

[露光工程]
前記露光工程は、前記感光層に対し、光照射手段、及び前記光照射手段からの光を受光し出射するn個(ただし、nは2以上の自然数)の2次元状に配列された描素部を有し、パターン情報に応じて前記描素部を制御可能な光変調手段を備えた露光ヘッドであって、該露光ヘッドの走査方向に対し、前記描素部の列方向が所定の傾斜角度をなすように配置された露光ヘッドを用い、該露光ヘッドを走査方向に相対的に移動させて露光を行う工程である。
[Exposure process]
In the exposing step, the photosensitive layer is irradiated with light, and n (where n is a natural number of 2 or more) two-dimensionally arranged pixels that receive and emit light from the light irradiating means. An exposure head having a light modulation means capable of controlling the drawing unit according to pattern information, wherein a column direction of the drawing unit is inclined at a predetermined inclination with respect to a scanning direction of the exposure head. This is a step of performing exposure by using an exposure head arranged at an angle and moving the exposure head relatively in the scanning direction.

前記露光は、前記パターン情報に対応する描画パターンにおいて、前記描素部により形成された描画画素で再現されることにより生じるジャギーのジャギーピッチ及びジャギー振幅の少なくともいずれかが所定値以下となるよう、
(a)隣接する前記描素部により形成される前記描画画素の配列ピッチ、
(b)複数の前記描画画素からなる二次元状の描画画素群の前記走査方向に対する傾斜角度、
(c)前記走査方向に対する前記描画画素の描画ピッチ、及び
(d)前記走査方向と略直交する方向に隣接して形成される前記描画画素の前記走査方向に対する描画位置の位相差、
の少なくともいずれかを設定し、前記パターン情報に基づいて前記描素部を所定のタイミングで変調制御して行われる。
In the drawing pattern corresponding to the pattern information, the exposure is performed so that at least one of the jaggy pitch and the jaggy amplitude of jaggy generated by being reproduced by the drawing pixels formed by the picture element portion is a predetermined value or less.
(A) an arrangement pitch of the drawing pixels formed by the adjacent picture element portions;
(B) an inclination angle of the two-dimensional drawing pixel group composed of a plurality of the drawing pixels with respect to the scanning direction;
(C) a drawing pitch of the drawing pixels with respect to the scanning direction, and (d) a phase difference of a drawing position with respect to the scanning direction of the drawing pixels formed adjacent to a direction substantially orthogonal to the scanning direction,
Is set, and the pixel part is modulated and controlled at a predetermined timing based on the pattern information.

本発明のパターン形成方法の露光工程に係る露光装置の一例について、以下、図面を参照しながら説明する。前記露光工程における露光方法は、前記露光装置の説明を通じて明らかにする。   Hereinafter, an example of an exposure apparatus related to the exposure process of the pattern forming method of the present invention will be described with reference to the drawings. The exposure method in the exposure step will be clarified through the description of the exposure apparatus.

<露光装置の構成>
<<露光装置の外観>>
図1は、本発明の実施形態に係る描画装置であるフラットベッドタイプの露光装置10を示す。
露光装置10は、複数の脚部12によって支持された変形の極めて小さい定盤14を備え、この定盤14上には、2本のガイドレール16を介して露光ステージ18が矢印方向に往復移動可能に設置されている。なお、露光ステージ18には、前記パターン形成材料における該感光層を、被処理基体上に積層してなる積層体(以下、「感光材料」ということがある)であるシートフイルムFの貼着された基板が吸着保持される。
<Configuration of exposure apparatus>
<< Appearance of exposure apparatus >>
FIG. 1 shows an exposure apparatus 10 of a flat bed type that is a drawing apparatus according to an embodiment of the present invention.
The exposure apparatus 10 includes a surface plate 14 that is supported by a plurality of legs 12 and is extremely small in deformation. On the surface plate 14, an exposure stage 18 reciprocates in the direction of an arrow via two guide rails 16. It is installed as possible. The exposure stage 18 is attached with a sheet film F, which is a laminate (hereinafter also referred to as “photosensitive material”) in which the photosensitive layer of the pattern forming material is laminated on a substrate to be processed. The substrate is sucked and held.

定盤14の中央部には、ガイドレール16を跨ぐようにして門型のコラム20が設置されている。このコラム20の一方の側部には、シートフイルムFに記録されたアラインメントマークを検出するカメラ22a、22bが固定され、他方の側部には、シートフイルムFに対して描画パターン(画像)を形成する複数の露光ヘッド24a〜24j(描画ヘッド)が位置決め保持されたスキャナ26が固定されている。   A gate-shaped column 20 is installed at the center of the surface plate 14 so as to straddle the guide rail 16. Cameras 22 a and 22 b for detecting alignment marks recorded on the sheet film F are fixed to one side of the column 20, and a drawing pattern (image) for the sheet film F is fixed to the other side. A scanner 26 in which a plurality of exposure heads 24a to 24j (drawing heads) to be formed is positioned and held is fixed.

図2に、各露光ヘッド24a〜24jの構成を示す。
露光ヘッド24a〜24jには、例えば、前記光照射手段としての光源ユニット28を構成する複数の半導体レーザから出力されたレーザビームLが、合波されて光ファイバ30を介して導入される。レーザビームLが導入された光ファイバ30の出射端には、ロッドレンズ32、反射ミラー34、及びデジタル・マイクロミラー・デバイス(DMD)36が順に配列されている。
FIG. 2 shows the configuration of each of the exposure heads 24a to 24j.
For example, laser beams L output from a plurality of semiconductor lasers constituting the light source unit 28 serving as the light irradiation unit are combined and introduced into the exposure heads 24 a to 24 j through the optical fiber 30. A rod lens 32, a reflection mirror 34, and a digital micromirror device (DMD) 36 are arranged in order at the exit end of the optical fiber 30 into which the laser beam L is introduced.

DMD36は、図3に示すように、SRAMセル(メモリセル)38の上に格子状に配列された多数のマイクロミラー40(描画素子)を揺動可能な状態で配置したものであり、各マイクロミラー40の表面には、アルミニウム等の反射率の高い材料が蒸着されている。SRAMセル38に描画データに従ったデジタル信号が書き込まれると、その信号の状態に応じて、図4及び図5に示すように、各マイクロミラー40が対角線を中心とする所定方向に傾斜する。
図4は、マイクロミラー40がオン状態の方向に傾斜した場合を示し、図5は、マイクロミラー40がオフ状態の方向に傾斜した場合を示す。従って、制御ユニット42から供給されるパターン情報(描画データ)に基づく変調信号でDMD36の各マイクロミラー40の傾きを制御することにより、描画データに応じてレーザビームLを選択的にシートフイルムFに導き、所望の描画パターン(画像)を描画することができる。
As shown in FIG. 3, the DMD 36 includes a large number of micromirrors 40 (drawing elements) arranged in a lattice on an SRAM cell (memory cell) 38 in a swingable state. A material having high reflectivity such as aluminum is deposited on the surface of the mirror 40. When a digital signal according to the drawing data is written in the SRAM cell 38, each micromirror 40 is inclined in a predetermined direction centered on a diagonal line as shown in FIGS. 4 and 5 according to the state of the signal.
4 shows a case where the micromirror 40 is tilted in the direction of the on state, and FIG. 5 shows a case where the micromirror 40 is tilted in the direction of the off state. Therefore, by controlling the inclination of each micromirror 40 of the DMD 36 with the modulation signal based on the pattern information (drawing data) supplied from the control unit 42, the laser beam L is selectively transferred to the sheet film F according to the drawing data. Thus, a desired drawing pattern (image) can be drawn.

オン状態のマイクロミラー40によって反射されたレーザビームLの射出方向には、拡大光学系である第1結像光学レンズ44及び46、DMD36の各マイクロミラー40に対応して多数のレンズを配設したマイクロレンズアレー48、ズーム光学系である第2結像光学レンズ50及び52が順に配列されている。
なお、マイクロレンズアレー48の前後には、迷光を除去するとともに、レーザビームLを所定の径に調整するためのマイクロアパーチャアレー54、56が配設される。
In the emission direction of the laser beam L reflected by the micromirror 40 in the on state, a large number of lenses are arranged corresponding to the first imaging optical lenses 44 and 46 that are the magnifying optical system and each micromirror 40 of the DMD 36. The microlens array 48 and the second imaging optical lenses 50 and 52, which are a zoom optical system, are sequentially arranged.
Before and after the micro lens array 48, micro aperture arrays 54 and 56 for removing stray light and adjusting the laser beam L to a predetermined diameter are disposed.

以上のように構成される露光ヘッド24a〜24jは、図6に示すように、シートフイルムFの走査方向(露光ステージ18の移動方向)と直交する方向に2列で千鳥状に配列される。
各露光ヘッド24a〜24jに組み込まれるDMD36は、図7に示すように、高い解像度を実現すべく、走査方向に対して所定角度傾斜した状態に設定される。すなわち、DMD36をシートフイルムFの走査方向に対して傾斜させることにより、DMD36を構成するマイクロミラー40の走査方向と直交する方向に対する間隔が狭くなり、これによって、走査方向と直交する方向に対する解像度を高くすることができる。
なお、露光ヘッド24a〜24j間の継ぎ目が生じることのないよう、各露光ヘッド24a〜24jによる露光エリア58a〜58jが走査方向と直交する方向に重畳するように設定される。
As shown in FIG. 6, the exposure heads 24 a to 24 j configured as described above are arranged in a staggered pattern in two rows in a direction orthogonal to the scanning direction of the sheet film F (the moving direction of the exposure stage 18).
As shown in FIG. 7, the DMD 36 incorporated in each of the exposure heads 24a to 24j is set in a state inclined at a predetermined angle with respect to the scanning direction in order to achieve a high resolution. That is, by inclining the DMD 36 with respect to the scanning direction of the sheet film F, the interval with respect to the direction orthogonal to the scanning direction of the micromirrors 40 constituting the DMD 36 is narrowed, thereby reducing the resolution with respect to the direction orthogonal to the scanning direction. Can be high.
It should be noted that the exposure areas 58a to 58j by the exposure heads 24a to 24j are set so as to overlap in a direction orthogonal to the scanning direction so that a joint between the exposure heads 24a to 24j does not occur.

図8は、露光装置10の制御回路の要部構成ブロック図である。露光装置10を制御する制御ユニット42(制御手段)は、エンコーダ62により検出した露光ステージ18の位置データに基づいて同期信号を生成する同期信号生成部64と、生成された同期信号に基づいて露光ステージ18を走査方向に移動させる露光ステージ駆動部66と、シートフイルムFに描画される描画パターン(画像)の描画データを記憶する描画データ記憶部68と、同期信号及び描画データに基づいてDMD36のSRAMセル38を変調制御し、マイクロミラー40を駆動するDMD変調部70とを備える。   FIG. 8 is a block diagram of the main part of the control circuit of the exposure apparatus 10. A control unit 42 (control means) that controls the exposure apparatus 10 includes a synchronization signal generator 64 that generates a synchronization signal based on the position data of the exposure stage 18 detected by the encoder 62, and exposure based on the generated synchronization signal. An exposure stage driving unit 66 that moves the stage 18 in the scanning direction, a drawing data storage unit 68 that stores drawing data of a drawing pattern (image) drawn on the sheet film F, and the DMD 36 based on the synchronization signal and the drawing data. A DMD modulation unit 70 that controls the modulation of the SRAM cell 38 and drives the micromirror 40 is provided.

また、制御ユニット42は、同期信号生成部64により生成される同期信号を調整する周波数変更部72(描画タイミング変更手段)、位相差変更部74(位相差変更手段)及び移動速度変更部75(移動速度変更手段)を備えることが好ましい。   The control unit 42 also adjusts the synchronization signal generated by the synchronization signal generation unit 64, such as a frequency changing unit 72 (drawing timing changing unit), a phase difference changing unit 74 (phase difference changing unit), and a moving speed changing unit 75 ( It is preferable that a moving speed changing means is provided.

前記描画タイミング変更手段としての周波数変更部72は、DMD36を構成するマイクロミラー40の走査方向に対するオンオフ制御のタイミングを決定する周波数を変更して同期信号生成部64に供給し、シートフイルムFに描画される画素の走査方向の間隔を調整する。
前記位相差変更手段としての位相差変更部74は、走査方向と略直交する方向に隣接して配列されたマイクロミラー40のオンオフ制御のタイミングの位相差を変更して同期信号生成部64に供給し、シートフイルムFに描画される画素の走査方向に対する位相差を調整する。
前記移動速度変更手段としての移動速度変更部75は、露光ステージ18の移動速度を変更して同期信号生成部64に供給することで露光ステージ18の移動速度を調整する。
The frequency changing unit 72 serving as the drawing timing changing unit changes the frequency for determining the on / off control timing with respect to the scanning direction of the micromirror 40 constituting the DMD 36 and supplies the same to the synchronization signal generating unit 64 for drawing on the sheet film F. The interval in the scanning direction of the pixels to be adjusted is adjusted.
The phase difference changing unit 74 as the phase difference changing unit changes the phase difference of the on / off control timings of the micromirrors 40 arranged adjacent to each other in a direction substantially orthogonal to the scanning direction and supplies the same to the synchronization signal generating unit 64. Then, the phase difference of the pixels drawn on the sheet film F with respect to the scanning direction is adjusted.
The moving speed changing unit 75 as the moving speed changing unit adjusts the moving speed of the exposure stage 18 by changing the moving speed of the exposure stage 18 and supplying the changed moving speed to the synchronization signal generating unit 64.

さらに、制御ユニット42には、必要に応じて、露光ヘッド回転駆動部76(描画画素群回転手段)、及び光学倍率変更部78(描画倍率変更手段)を配設することが好ましい。   Further, the control unit 42 is preferably provided with an exposure head rotation driving unit 76 (drawing pixel group rotating unit) and an optical magnification changing unit 78 (drawing magnification changing unit) as necessary.

前記描画画素群回転手段としての露光ヘッド回転駆動部76は、露光ヘッド24a〜24jをレーザビームLの光軸の回りに所定角度回転させ、シートフイルムF上に形成される画素配列の走査方向に対する傾斜角度を調整する。なお、露光ヘッド24a〜24jの一部の光学部材を回転させることによって、画素配列の傾斜角度を調整するようにしてもよい。
前記描画倍率変更手段としての光学倍率変更部78は、露光ヘッド24a〜24jの第2結像光学レンズ50、52により構成されるズーム光学系79を制御して光学倍率を変更し、隣接するマイクロミラー40によりシートフイルムF上に形成される画素の配列ピッチ又は同一のマイクロミラー40による描画ピッチを調整する。
The exposure head rotation driving unit 76 serving as the drawing pixel group rotating unit rotates the exposure heads 24a to 24j by a predetermined angle around the optical axis of the laser beam L, and the scanning direction of the pixel array formed on the sheet film F is changed. Adjust the tilt angle. Note that the inclination angle of the pixel array may be adjusted by rotating some of the optical members of the exposure heads 24a to 24j.
The optical magnification changing unit 78 as the drawing magnification changing means controls the zoom optical system 79 constituted by the second imaging optical lenses 50 and 52 of the exposure heads 24a to 24j to change the optical magnification, and the adjacent micro The arrangement pitch of pixels formed on the sheet film F by the mirror 40 or the drawing pitch by the same micromirror 40 is adjusted.

<<露光装置の動作>>
露光装置10は、基本的には以上のように構成されるものであり、以下に、該露光装置を用いて露光を行う際の動作について説明する。
露光ステージ18にシートフイルムFを吸着保持させた後、制御ユニット42は、露光ステージ駆動部66を駆動し、露光ステージ18を定盤14のガイドレール16に沿って一方の方向に移動させる。露光ステージ18がコラム20間を通過する際、カメラ22a、22bがシートフイルムFの所定位置に記録されているアライメントマークを読み取る。制御ユニット42は、読み取ったアライメントマークの位置データに基づき、シートフイルムFの位置補正データを算出する。
<< Operation of exposure apparatus >>
The exposure apparatus 10 is basically configured as described above, and the operation when performing exposure using the exposure apparatus will be described below.
After the sheet film F is sucked and held on the exposure stage 18, the control unit 42 drives the exposure stage drive unit 66 to move the exposure stage 18 in one direction along the guide rail 16 of the surface plate 14. When the exposure stage 18 passes between the columns 20, the cameras 22 a and 22 b read the alignment marks recorded at predetermined positions on the sheet film F. The control unit 42 calculates the position correction data of the sheet film F based on the read position data of the alignment mark.

位置補正データが算出された後、制御ユニット42は、露光ステージ18を他方の方向に移動させ、スキャナ26によりシートフイルムFに対する描画パターン(画像)の露光を開始する。   After the position correction data is calculated, the control unit 42 moves the exposure stage 18 in the other direction, and starts exposure of the drawing pattern (image) on the sheet film F by the scanner 26.

すなわち、前記光照射手段としての光源ユニット28から出力されたレーザビームLは、光ファイバ30を介して各露光ヘッド24a〜24jに導入される。導入されたレーザビームLは、ロッドレンズ32から反射ミラー34を介してDMD36に入射する。   That is, the laser beam L output from the light source unit 28 as the light irradiating means is introduced into each exposure head 24 a to 24 j via the optical fiber 30. The introduced laser beam L enters the DMD 36 from the rod lens 32 via the reflection mirror 34.

一方、描画データ記憶部68から読み出され、位置補正データにより補正された描画データ(パターン情報)は、DMD変調部70において、同期信号生成部64から供給される同期信号に従ったタイミングで変調されてDMD36に供給される。この結果、DMD36を構成する各マイクロミラー40が描画データに従い同期信号に応じたタイミングでオンオフ制御される。   On the other hand, the drawing data (pattern information) read from the drawing data storage unit 68 and corrected by the position correction data is modulated by the DMD modulation unit 70 at a timing according to the synchronization signal supplied from the synchronization signal generation unit 64. And supplied to the DMD 36. As a result, each micromirror 40 constituting the DMD 36 is on / off controlled at a timing according to the synchronization signal according to the drawing data.

図4及び図5に示すように、DMD36を構成する各マイクロミラー40により所望の方向に選択的に反射されたレーザビームLは、第1結像光学レンズ44及び46によって拡大された後、マイクロアパーチャアレー54、マイクロレンズアレー48、マイクロアパーチャアレー56を介して所定の径に調整され、次いで、光学倍率変更部78を構成する第2結像光学レンズ50及び52により所定の倍率に調整されてシートフイルムFに導かれる。   As shown in FIGS. 4 and 5, the laser beam L selectively reflected in the desired direction by each micromirror 40 constituting the DMD 36 is expanded by the first imaging optical lenses 44 and 46, and then microscopically reflected. It is adjusted to a predetermined diameter via the aperture array 54, the microlens array 48, and the microaperture array 56, and then adjusted to a predetermined magnification by the second imaging optical lenses 50 and 52 constituting the optical magnification changing unit 78. Guided to the sheet film F.

この場合、露光ステージ18は、定盤14に沿って移動し、シートフイルムFには、露光ステージ18の移動方向と直交する方向に配列される複数の露光ヘッド24a〜24jにより所望の二次元パターン(以下、「二次元画像」という)が描画される。   In this case, the exposure stage 18 moves along the surface plate 14, and a desired two-dimensional pattern is formed on the sheet film F by a plurality of exposure heads 24a to 24j arranged in a direction orthogonal to the moving direction of the exposure stage 18. (Hereinafter referred to as “two-dimensional image”) is drawn.

ところで、前記のようにしてシートフイルムF上に描画される二次元画像は、DMD36を構成するマイクロミラー40に基づく離散的な多数の画素の集合によって構成されている。この場合、描画前のオリジナル画像は、シートフイルムF上の離散的な描画点にマッピングされて再現されるため、前記オリジナル画像と描画点の配置との関係で、描素部に対応したピクセルからなる再現画像において、該画像の端部がギザギザ状となった状態であるジャギーが発生する、あるいは、前記オリジナル画像の線幅の精度が低下する等の不具合が発生するおそれがある。   By the way, the two-dimensional image drawn on the sheet film F as described above is constituted by a set of a large number of discrete pixels based on the micromirrors 40 constituting the DMD 36. In this case, the original image before drawing is reproduced by being mapped to discrete drawing points on the sheet film F, and therefore, from the pixel corresponding to the pixel part, depending on the relationship between the original image and the arrangement of the drawing points. In such a reproduced image, there is a risk that a jaggy having a jagged end portion of the image may occur, or a defect such as a decrease in line width accuracy of the original image may occur.

本発明のパターン形成方法における前記露光方法は、シートフイルムF上に形成される描画画素の配置を調整することにより、ジャギーの発生を抑制し、適切な描画パターンの形成を可能とするものである。
前記描画画素の配置を規定するパラメータとしては、(a)隣接する前記描素部により形成される前記描画画素の配列ピッチ、(b)複数の前記描画画素からなる二次元状の描画画素群の前記走査方向に対する傾斜角度、(c)前記走査方向に対する前記描画画素の描画ピッチ、及び(d)前記走査方向と略直交する方向に隣接して形成される前記描画画素の前記走査方向に対する描画位置の位相差、の4つが挙げられ、これらの少なくともいずれかを設定し、前記描素部を所定のタイミングで変調制御することにより、ジャギーの発生を抑制することができる。
前記(a)〜(d)のパラメータを調整する方法としては、前記描素部により前記感光層の被露光面上に形成される描画画素の中心点として制御点を規定し、該制御点の(e)前記制御点の略走査方向に沿った制御点列のピッチ、(f)前記制御点列の並び方向、(g)前記制御点の前記走査方向に対するピッチ、及び(h)前記走査方向と略直交する方向に隣接する前記制御点の前記走査方向に対する位相差、の4つが挙げられ、これらの少なくともいずれかを、描画パターンのジャギーが低減されるように制御する方法が挙げられる。
以下、その一例として、1つのDMD36によって生じるジャギーを抑制する場合について説明する。
The exposure method in the pattern forming method of the present invention is to adjust the arrangement of the drawing pixels formed on the sheet film F, thereby suppressing the occurrence of jaggies and making it possible to form an appropriate drawing pattern. .
The parameters that define the arrangement of the drawing pixels include (a) an arrangement pitch of the drawing pixels formed by the adjacent pixel parts, and (b) a two-dimensional drawing pixel group composed of a plurality of the drawing pixels. An inclination angle with respect to the scanning direction, (c) a drawing pitch of the drawing pixels with respect to the scanning direction, and (d) a drawing position with respect to the scanning direction of the drawing pixels formed adjacent to a direction substantially orthogonal to the scanning direction. Of at least one of them, and by setting at least one of these and controlling the modulation of the picture element portion at a predetermined timing, the occurrence of jaggy can be suppressed.
As a method of adjusting the parameters (a) to (d), a control point is defined as a center point of a drawing pixel formed on the exposed surface of the photosensitive layer by the picture element unit. (E) the pitch of the control point sequence along the substantially scanning direction of the control point, (f) the arrangement direction of the control point sequence, (g) the pitch of the control point with respect to the scanning direction, and (h) the scanning direction. And a phase difference with respect to the scanning direction of the control points adjacent to each other in a direction substantially perpendicular to the scanning direction, and a method of controlling at least one of them so that the jaggy of the drawing pattern is reduced.
Hereinafter, as an example, a case where jaggy caused by one DMD 36 is suppressed will be described.

図9は、1つのDMD36を構成する多数のマイクロミラー40の配列を模式的に示した図である。
図9において、シートフイルムFの走査方向をy、走査方向yと直交する方向をxとし、略走査方向yに沿って配列されるマイクロミラー40の列をスワス77と定義する。この場合、スワス77は、描画される画像のx方向に対する解像度を高めるため、x方向に対して所定の角度θs(以下、スワス傾斜角度θs(≠90゜)という)に設定される。なお、スワス77上で隣接する2つのマイクロミラー40をDMD画素A、Bとする。
FIG. 9 is a diagram schematically showing the arrangement of a large number of micromirrors 40 constituting one DMD 36.
In FIG. 9, the scanning direction of the sheet film F is defined as y, the direction orthogonal to the scanning direction y is defined as x, and the row of micromirrors 40 arranged substantially along the scanning direction y is defined as a swath 77. In this case, the swath 77 is set to a predetermined angle θs with respect to the x direction (hereinafter referred to as a swath inclination angle θs (≠ 90 °)) in order to increase the resolution of the drawn image in the x direction. Two micromirrors 40 adjacent on the swath 77 are designated as DMD pixels A and B.

図10は、図9に示すように、DMD36により形成され、シートフイルムF上に形成される描画画素の中心点として規定される制御点(以下、「アドレス格子点」という)と、前記パターン情報に基づく所望の描画パターン(以下、「オリジナル画像」という)との関係を模式的に示した図である。図9において、前記アドレス格子点は、実線丸及び点線丸で示され、前記オリジナル画像80は直線状の描画パターンとして示されている。
この場合、オリジナル画像80は、実線丸で示される複数のアドレス格子点によって再現される。なお、レーザビームLは、各アドレス格子点を中心とする所定のビーム径(ドット径)で画素を形成する。従って、シートフイルムF上に実際に形成される画像は、外郭線82で示すように、実線で示すアドレス格子点の輪郭よりも広がった画像となる。
FIG. 10 shows a control point (hereinafter referred to as an “address grid point”) defined by the DMD 36 and defined as the center point of the drawing pixel formed on the sheet film F, as shown in FIG. FIG. 6 is a diagram schematically showing a relationship with a desired drawing pattern (hereinafter referred to as “original image”). In FIG. 9, the address lattice points are indicated by solid circles and dotted circles, and the original image 80 is indicated as a linear drawing pattern.
In this case, the original image 80 is reproduced by a plurality of address lattice points indicated by solid line circles. The laser beam L forms pixels with a predetermined beam diameter (dot diameter) centering on each address lattice point. Accordingly, the image actually formed on the sheet film F is an image that is wider than the outline of the address lattice points indicated by the solid line, as indicated by the outline line 82.

アドレス格子点の並びには、図10に示すように、格子点列1、格子点列2、及び格子点列3の3種類がある。各格子点列を特徴づけるパラメータとしては、格子点列1〜3のx方向に対する傾斜角度θgi(i=1〜3)、格子点列1〜3を構成するアドレス格子点の格子点ピッチpgi(i=1〜3)、及び、格子点列1〜3の列ピッチdgi(i=1〜3)がある。   As shown in FIG. 10, there are three types of address lattice points, lattice point sequence 1, lattice point sequence 2, and lattice point sequence 3. The parameters characterizing each grid point sequence include the inclination angle θgi (i = 1 to 3) of the grid point sequence 1 to 3 with respect to the x direction, and the grid point pitch pgi ( i = 1 to 3) and the row pitch dgi (i = 1 to 3) of the lattice point rows 1 to 3.

これらのパラメータは、スワス77上での隣接するDMD画素A、B(図9参照)によりシートフイルムF上に形成されるアドレス格子点(以下、アドレス格子点A、Bとも言う。)の配列ピッチps(制御点列のピッチ(e))、スワス傾斜角度θs(制御点列の並び方向(f))(ただし、x方向を基準として反時計回りを+とする。)、各アドレス格子点のy方向に対する描画ピッチpy(制御点の走査方向に対するピッチ(g))により決定される。以下、これらのパラメータ間の関係を説明する。   These parameters are the arrangement pitch of address lattice points (hereinafter also referred to as address lattice points A and B) formed on the sheet film F by the adjacent DMD pixels A and B (see FIG. 9) on the swath 77. ps (pitch of control point sequence (e)), swath inclination angle θs (arrangement direction of control point sequence (f)) (however, counterclockwise with respect to the x direction as +), and each address lattice point It is determined by the drawing pitch py with respect to the y direction (pitch (g) with respect to the scanning direction of the control point). Hereinafter, the relationship between these parameters will be described.

<(I)傾斜角度θgi(i=1〜3)>
図11に示す3つの隣接するアドレス格子点A、B′、B″を考える。格子点列3の傾斜角度θg3は、
θg3=90゜ 式(1)
である。また、格子点列1、2の傾斜角度θg1、θg2については、
N1=integer(ps・sinθs/py)
(integerは、切り捨て演算を表す。)
N2=N1+1
とすると、アドレス格子点Aに対するアドレス格子点B′、B″のy方向の距離Δy1、
Δy2(前記走査方向と略直交する方向に隣接する前記制御点の前記走査方向に対する位相差(h))は、
Δyi=ps・sinθs−py・N1 (i=1、2)
となる。また、アドレス格子点A、B′、B″のx方向の描画ピッチpxは、
px=ps・cosθs
であるから、
tanθgi=Δyi/py (i=1、2) 式(2)
となる。従って、格子点列1〜3の傾斜角度θg1、θg2は、
θgi=tan-1{(ps・sinθs−py・Ni)/(ps・cosθs)}
(i=1、2) 式(3)
として求まる。
<(I) Inclination angle θgi (i = 1 to 3)>
Consider three adjacent address grid points A, B ′, B ″ shown in FIG. 11. The tilt angle θg3 of the grid point array 3 is:
θg3 = 90 ° Formula (1)
It is. In addition, regarding the inclination angles θg1 and θg2 of the grid points 1 and 2,
N1 = integer (ps · sin θs / py)
(Integer represents a truncation operation.)
N2 = N1 + 1
Then, the distance Δy1 in the y direction of the address grid points B ′ and B ″ with respect to the address grid point A,
Δy2 (the phase difference (h) of the control point adjacent to the direction substantially orthogonal to the scanning direction with respect to the scanning direction) is
Δyi = ps · sin θs−py · N1 (i = 1, 2)
It becomes. Further, the drawing pitch px in the x direction of the address lattice points A, B ′, B ″ is
px = ps · cos θs
Because
tan θgi = Δyi / py (i = 1, 2) Equation (2)
It becomes. Therefore, the inclination angles θg1 and θg2 of the lattice point rows 1 to 3 are
θgi = tan −1 {(ps · sin θs−py · Ni) / (ps · cos θs)}
(I = 1, 2) Formula (3)
It is obtained as

<(II)格子点ピッチpgi(i=1〜3)>
格子点列3は、y方向に配列されたアドレス格子点で構成されるから、
pg3=py 式(4)
である。また、
pgi=px/cosθgi (i=1、2) 式(5)
である。
<(II) Lattice point pitch pgi (i = 1 to 3)>
Since the lattice point sequence 3 is composed of address lattice points arranged in the y direction,
pg3 = py Formula (4)
It is. Also,
pgi = px / cos θgi (i = 1, 2) Equation (5)
It is.

<(III)列ピッチdgi(i=1〜3)>
格子点列3の列ピッチdg3は、
dg3=px 式(6)
である。また、
dgi=py・cosθgi (i=1、2) 式(7)
である。
<(III) row pitch dgi (i = 1 to 3)>
The row pitch dg3 of the lattice point row 3 is
dg3 = px equation (6)
It is. Also,
dgi = py · cos θgi (i = 1, 2) Equation (7)
It is.

一方、オリジナル画像80をアドレス格子点によって再現した際に発生するジャギーは、格子点列1〜3によって発生するため、上記で求めた格子点列1〜3のパラメータ及びオリジナル画像80のx方向に対する傾斜角度θLを用いて定義することができる。
この場合、ジャギーは、ジャギーピッチpj1〜pj3、及びジャギー振幅aj1〜aj3により規定される。
On the other hand, jaggies that are generated when the original image 80 is reproduced by the address lattice points are generated by the lattice point sequences 1 to 3, and therefore, the parameters of the lattice point sequences 1 to 3 obtained above and the x direction of the original image 80 are determined. It can be defined using the inclination angle θL.
In this case, jaggy is defined by jaggy pitches pj1 to pj3 and jaggy amplitudes aj1 to aj3.

<(IV)ジャギーピッチpji(i=1〜3)>
ジャギーピッチpjiは、格子点列1〜3の列ピッチdgiと、格子点列1〜3の傾斜角度θgi及びオリジナル画像80の傾斜角度θLの差(θgi−θL)とにより決定される。
この場合、各格子点列1〜3上にアドレス格子点が連続的に形成されるものと仮定して、平均値としてのジャギーピッチpjiは、
pji=dgi/sin(θgi−θL) (i=1〜3) 式(8)
となる。
<(IV) Jaggy pitch pji (i = 1 to 3)>
The jaggy pitch pji is determined by the row pitch dgi of the lattice point rows 1 to 3 and the difference between the inclination angle θgi of the lattice point rows 1 to 3 and the inclination angle θL of the original image 80 (θgi−θL).
In this case, assuming that address lattice points are continuously formed on each lattice point sequence 1 to 3, the jaggy pitch pji as an average value is
pji = dgi / sin (θgi−θL) (i = 1 to 3) Equation (8)
It becomes.

<(V)ジャギー振幅aji(i=1〜3)>
図12は、格子点列1とオリジナル画像80との間で発生するジャギーの説明図である。この場合、オリジナル画像80の境界と格子点列1との交点間の距離がジャギーピッチpj1となる。
また、ジャギー振幅aj1は、格子点列1及び格子点列2と、格子点列1及び格子点列3との間でそれぞれ定義できる。これらのジャギー振幅aj1のうち、小さい方を代表値としてのジャギー振幅aj1に選択すると、図12に示す関係から、
aj1=pj1・tanθ′1・tanθ′2/(tanθ′2−tanθ′1)
(θ′1=θg1−θL)
となる。従って、ジャギー振幅ajiは、
aji=pji・tanθ′i・tanθ′k/(tanθ′k−tanθ′i)
(i=1〜3、θ′i=θgi−θL、k=1〜3、i≠k)
式(9)
である。なお、θ′kは、選択されたジャギー振幅ajiの小さい格子点列とオリジナル画像80とのなす角度である。
<(V) Jaggy amplitude aji (i = 1 to 3)>
FIG. 12 is an explanatory diagram of jaggy that occurs between the grid point sequence 1 and the original image 80. In this case, the distance between the intersections of the boundary of the original image 80 and the grid point row 1 is the jaggy pitch pj1.
Further, the jaggy amplitude aj1 can be defined between the lattice point sequence 1 and the lattice point sequence 2, and the lattice point sequence 1 and the lattice point sequence 3. When the smaller one of these jaggy amplitudes aj1 is selected as the jaggy amplitude aj1 as a representative value, from the relationship shown in FIG.
aj1 = pj1 · tan θ′1 · tan θ′2 / (tan θ′2−tan θ′1)
(Θ′1 = θg1−θL)
It becomes. Therefore, the jaggy amplitude aji is
aji = pji · tan θ′i · tan θ′k / (tan θ′k−tan θ′i)
(I = 1 to 3, θ′i = θgi−θL, k = 1 to 3, i ≠ k)
Formula (9)
It is. Θ′k is an angle formed by the selected lattice point sequence having a small jaggy amplitude aji and the original image 80.

シートフイルムF上に再現される描画パターンにおけるジャギーは、ジャギーピッチpji及びジャギー振幅ajiがともにある程度大きい場合に視認される。
描画パターンを構成する各画素は、図10に示すアドレス格子点を中心として、レーザビームLのビーム径に基づく所定の径で描画されるため、ジャギーピッチpjiが小さい場合には、ジャギー振幅ajiが大きくてもジャギーが視認されることはない。従って、ジャギーの視認を低下させるためには、ジャギーピッチpji又はジャギー振幅ajiのいずれかが所定値以下となるように、パラメータを設定すればよいことになる。
なお、前記ジャギーピッチ及びジャギー振幅の所定値としては、感光層の被露光面に形成される描画画素のドット径、すなわち、レーザビームLのビーム径とすることができる。
Jaggy in the drawing pattern reproduced on the sheet film F is visually recognized when both the jaggy pitch pji and the jaggy amplitude aji are large to some extent.
Since each pixel constituting the drawing pattern is drawn with a predetermined diameter based on the beam diameter of the laser beam L with the address lattice point shown in FIG. 10 as the center, when the jaggy pitch pji is small, the jaggy amplitude aji is Even if it is large, no jaggy is visible. Therefore, in order to reduce the visibility of jaggy, it is only necessary to set parameters so that either the jaggy pitch pji or the jaggy amplitude aji is equal to or less than a predetermined value.
The predetermined values of the jaggy pitch and the jaggy amplitude can be the dot diameter of the drawing pixel formed on the exposed surface of the photosensitive layer, that is, the beam diameter of the laser beam L.

ジャギーピッチpji及びジャギー振幅ajiは、式(1)〜(9)から、オリジナル画像80のx方向に対する傾斜角度θL、スワス傾斜角度θs、スワス77上での隣接するDMDにより形成される描画画素A及びBの配列ピッチps、アドレス格子点のy方向に対する描画ピッチpyの各パラメータによって決定される。
従って、これらのパラメータに対応する(a)隣接する前記描素部により形成される前記描画画素の配列ピッチ、(b)複数の前記描画画素からなる二次元状の描画画素群の前記走査方向に対する傾斜角度、(c)前記走査方向に対する前記描画画素の描画ピッチ、及び(d)前記走査方向と略直交する方向に隣接して形成される前記描画画素の前記走査方向に対する描画位置の位相差の各パラメータを調整することにより、ジャギーの発生を抑制し、ジャギーを低減させた画像を再現することができる。なお、各パラメータは、個別に調整して設定してもよく、複数のパラメータを同時に調整してもよい。
The jaggy pitch pji and the jaggy amplitude aji are obtained from the equations (1) to (9), and the drawing pixel A formed by the DMD adjacent on the inclination angle θL, swath inclination angle θs, and swath 77 with respect to the x direction of the original image 80. And the arrangement pitch ps of B and the drawing pitch py with respect to the y direction of the address lattice points.
Accordingly, (a) an arrangement pitch of the drawing pixels formed by the adjacent picture element portions corresponding to these parameters, and (b) a two-dimensional drawing pixel group composed of a plurality of the drawing pixels with respect to the scanning direction. An inclination angle, (c) a drawing pitch of the drawing pixels with respect to the scanning direction, and (d) a phase difference of a drawing position with respect to the scanning direction of the drawing pixels formed adjacent to a direction substantially orthogonal to the scanning direction. By adjusting each parameter, it is possible to suppress the occurrence of jaggy and reproduce an image with reduced jaggy. Each parameter may be individually adjusted and set, or a plurality of parameters may be adjusted simultaneously.

この場合、傾斜角度θL、すなわち、複数の前記描画画素からなる二次元状の描画画素群の前記走査方向に対する傾斜角度(b)は、シートフイルムFに形成するオリジナル画像80によって予め決まっている。
スワス傾斜角度θsは、露光ヘッド24a〜24jに組み込まれたDMD36の傾斜角度によって決定されるが、この傾斜角度は、露光ヘッド回転駆動部76により露光ヘッド24a〜24jを光軸の回りに所定角度回転させて調整することができる。なお、露光ヘッド24a〜24jの一部の光学部材、例えば、マイクロレンズアレー48、マイクロアパーチャアレー54、56を回転させることで前記傾斜角度を調整することもできる。また、光学像を回転させるダブプリズム等の像回転素子を配設し、この像回転素子を回転させて前記傾斜角度を調整することもできる。像回転素子は、第2結像光学レンズ50、52の後に配置することができる。また、第2結像光学レンズ50、52を配設することなく、マイクロレンズアレー48により直接シートフイルムF上にレーザビームLを結像させるような装置構成の場合、像回転素子をマイクロレンズアレー48の後に配置することができる。
In this case, the inclination angle θL, that is, the inclination angle (b) of the two-dimensional drawing pixel group composed of a plurality of drawing pixels with respect to the scanning direction is determined in advance by the original image 80 formed on the sheet film F.
The swath tilt angle θs is determined by the tilt angle of the DMD 36 incorporated in the exposure heads 24a to 24j. This tilt angle is determined by the exposure head rotation drive unit 76 by moving the exposure heads 24a to 24j around the optical axis by a predetermined angle. It can be adjusted by rotating. Note that the tilt angle can be adjusted by rotating some of the optical members of the exposure heads 24a to 24j, for example, the microlens array 48 and the microaperture arrays 54 and 56. It is also possible to arrange an image rotating element such as a Dove prism for rotating the optical image and adjust the tilt angle by rotating the image rotating element. The image rotation element can be disposed after the second imaging optical lenses 50 and 52. In the case of an apparatus configuration in which the laser beam L is directly imaged on the sheet film F by the microlens array 48 without providing the second imaging optical lenses 50 and 52, the image rotation element is connected to the microlens array. 48 can be placed after.

配列ピッチps、すなわち、隣接する前記描素部により形成される前記描画画素の配列ピッチ(a)は、DMD36を構成するマイクロミラー40の間隔に依存しているが、光学倍率変更部78によりズーム光学系79を構成する第2結像光学レンズ50、52の位置を変更させることで、シートフイルムF上での配列ピッチpsを調整することができる。
描画ピッチpy、すなわち、前記走査方向に対する前記描画画素の描画ピッチ(c)は、同期信号生成部64により生成される同期信号の出力タイミングを周波数変更部72からの周波数変更信号によって調整し、あるいは、移動速度変更部75からの移動速度変更信号を同期信号生成部64に供給して同期信号の出力タイミングを変更し、露光ステージ駆動部66により露光ステージ18のy方向への移動速度を変更することで調整することができる。
The arrangement pitch ps, that is, the arrangement pitch (a) of the drawing pixels formed by the adjacent picture element portions depends on the interval between the micromirrors 40 constituting the DMD 36, but is zoomed by the optical magnification changing unit 78. The arrangement pitch ps on the sheet film F can be adjusted by changing the positions of the second imaging optical lenses 50 and 52 constituting the optical system 79.
The drawing pitch py, that is, the drawing pitch (c) of the drawing pixels with respect to the scanning direction is adjusted by the frequency change signal from the frequency changing unit 72 by adjusting the output timing of the synchronizing signal generated by the synchronizing signal generating unit 64, or Then, the moving speed change signal from the moving speed changing unit 75 is supplied to the synchronization signal generating unit 64 to change the output timing of the synchronizing signal, and the exposure stage driving unit 66 changes the moving speed of the exposure stage 18 in the y direction. Can be adjusted.

なお、傾斜角度θLがy方向の位置によって変化するオリジナル画像80に対しては、スワス傾斜角度θsをオリジナル画像80の傾斜角度θLに応じて迅速に変更することは困難であるため、例えば、周波数変更部72によって描画ピッチpyを変更するのが適当である。   For the original image 80 in which the inclination angle θL changes depending on the position in the y direction, it is difficult to quickly change the swath inclination angle θs according to the inclination angle θL of the original image 80. It is appropriate to change the drawing pitch py by the changing unit 72.

さらに、ジャギーピッチpji及びジャギー振幅ajiは、例えば、図10において、DMDにより形成される描画画素A及びBを同時に描画するのではなく、位相差変更部74によってy方向に対するDMD画素A及びBの描画タイミングを所定時間ずらすことにより、DMD画素Aのx方向に隣接して形成されるDMD画素B′、B″の位相差Δyi、すなわち、前記走査方向と略直交する方向に隣接して形成される前記描画画素の前記走査方向に対する描画位置の位相差(d)を変更し、この結果として傾斜角度θgiを変更して調整することもできる。   Further, the jaggy pitch pji and the jaggy amplitude aji, for example, in FIG. 10, do not draw the drawing pixels A and B formed by DMD at the same time, but instead of drawing the DMD pixels A and B in the y direction by the phase difference changing unit 74. By shifting the drawing timing by a predetermined time, the phase difference Δyi between the DMD pixels B ′ and B ″ formed adjacent to the DMD pixel A in the x direction, that is, adjacent to the scanning direction is formed. The phase difference (d) of the drawing position of the drawing pixel with respect to the scanning direction can be changed, and as a result, the inclination angle θgi can be changed and adjusted.

図13〜図15及び図16〜図18は、各パラメータを所定の値に設定し、前記式(8)及び式(9)に従って、各格子点列1〜3のジャギーピッチpji及びジャギー振幅ajiを計算した結果を示している。
なお、格子点列間で生じるジャギー振幅については、小さい方の値の絶対値を選択するものとする。また、ジャギーピッチpjiの許容範囲を−5μm〜+5μm、ジャギー振幅ajiの許容範囲を−1μm〜+1μmとする。
FIGS. 13 to 15 and FIGS. 16 to 18 show that the respective parameters are set to predetermined values, and the jaggy pitches pji and the jaggy amplitudes aji of the respective lattice point sequences 1 to 3 are set according to the equations (8) and (9). The calculation result is shown.
Note that the absolute value of the smaller value is selected for the jaggy amplitude generated between grid point sequences. Further, the allowable range of the jaggy pitch pji is -5 μm to +5 μm, and the allowable range of the jaggy amplitude aji is −1 μm to +1 μm.

図13に示す格子点列1では、オリジナル画像80の傾斜角度θL=0゜〜55゜の範囲で許容されないジャギーが発生し、図14に示す格子点列2では、オリジナル画像80の傾斜角度θL=110゜〜135゜の範囲で許容されないジャギーが発生し、図15に示す格子点列3では、ジャギーが発生しないことが予測される。この場合、例えば、オリジナル画像80に傾斜角度15゜前後の直線が含まれていると、この直線に格子点列1に起因する許容できないジャギーが発生するおそれがある。   In the grid point sequence 1 shown in FIG. 13, an unacceptable jaggy occurs in the range of the tilt angle θL = 0 ° to 55 ° of the original image 80, and in the grid point sequence 2 shown in FIG. An unacceptable jaggy occurs in the range of 110 ° to 135 °, and it is predicted that no jaggy occurs in the lattice point array 3 shown in FIG. In this case, for example, if the original image 80 includes a straight line having an inclination angle of about 15 °, there is a possibility that an unacceptable jaggy due to the grid point sequence 1 may occur on the straight line.

これに対して、パラメータを変更した図16〜図18に示す格子点列1〜3では、オリジナル画像80の傾斜角度15゜の前後でいずれもジャギーが発生することがなく、従って、良好な描画パターンが得られることが期待される。   On the other hand, in the grid point sequences 1 to 3 shown in FIGS. 16 to 18 in which the parameters are changed, jaggies do not occur before and after the inclination angle 15 ° of the original image 80, and therefore, good drawing is achieved. It is expected that a pattern will be obtained.

以上、1つのDMD36によって生じるジャギーを抑制する場合について説明したが、複数の露光ヘッド24a〜24jを構成する各DMD36に対し、同様の調整を行うことができることは勿論である。すなわち、複数の描素部からなる描画画素群を複数有し、前記各描素部群で生じるジャギーピッチ及びジャギー振幅のいずれかの平均値が所定値以下となるように調整することができる。
この場合、露光ヘッド24a〜24jの各DMD毎に個別に各パラメータの調整を行ってもよいが、描画される画像全体としてジャギーを低減させるため、各露光ヘッド24a〜24jによって生じるジャギーのジャギーピッチ又はジャギー振幅の平均値が所定値以下となるように、例えば、露光ステージ18の移動速度を調整するようにしてもよい。
As described above, the case of suppressing jaggy caused by one DMD 36 has been described, but it is needless to say that the same adjustment can be performed on each DMD 36 constituting the plurality of exposure heads 24a to 24j. In other words, a plurality of drawing pixel groups each having a plurality of picture element portions can be provided, and the average value of any one of the jaggy pitch and the jaggy amplitude generated in each picture element portion group can be adjusted to be a predetermined value or less.
In this case, each parameter may be adjusted individually for each DMD of the exposure heads 24a to 24j. However, in order to reduce jaggies in the entire drawn image, the jaggy pitch of the jaggy generated by each exposure head 24a to 24j. Alternatively, for example, the moving speed of the exposure stage 18 may be adjusted so that the average value of the jaggy amplitude is not more than a predetermined value.

また、各パラメータは、オリジナル画像80のパターン、例えば、各オリジナル画像80のy方向に対する傾斜角度θLに応じて設定又は変更するようにしてもよい。
特に、オリジナル画像80のパターンがジャギーの目立ち易いx方向又はx方向に近い方向に延在するライン状のパターンである場合、このパターンに対するジャギーが最も低減されるようにパラメータを調整すると好適である。
Each parameter may be set or changed according to the pattern of the original image 80, for example, the inclination angle θL with respect to the y direction of each original image 80.
In particular, when the pattern of the original image 80 is a line pattern extending in the x direction or the direction close to the x direction in which jaggy is conspicuous, it is preferable to adjust the parameters so that the jaggy with respect to this pattern is reduced most. .

また、ジャギーピッチ又はジャギー振幅によって規定されるオリジナル画像80のジャギーの形状と、ジャギーを調整するための各パラメータとの相関関係を求めておき、この相関関係に基づいて最適なパラメータを設定し、あるいは、パラメータが既に設定されている場合には、そのパラメータを変更することにより、適切な画像を容易に得ることが可能となる。   In addition, the correlation between the jaggy shape of the original image 80 defined by the jaggy pitch or the jaggy amplitude and each parameter for adjusting the jaggy is obtained, and an optimum parameter is set based on this correlation. Alternatively, if a parameter has already been set, an appropriate image can be easily obtained by changing the parameter.

また、前記ジャギーの形状を許容範囲内とすることのできる各パラメータの条件を選択条件として求めておき、オリジナル画像80に応じた所望のパラメータを選択して設定し、あるいは、前記ジャギーの形状を許容範囲外とする各パラメータの条件を禁止条件として求めておき、オリジナル画像80に応じて当該パラメータの選択を禁止するようにすることもできる。
なお、許容範囲としては、任意の範囲を設定することができるが、例えば、形成されるパターンの線幅精度やエッジラフネスを基準として設定することができる。
In addition, a condition for each parameter capable of keeping the shape of the jaggy within an allowable range is obtained as a selection condition, and a desired parameter corresponding to the original image 80 is selected and set, or the shape of the jaggy is determined. It is also possible to obtain a parameter condition outside the allowable range as a prohibition condition, and prohibit the selection of the parameter according to the original image 80.
As an allowable range, an arbitrary range can be set. For example, the allowable range can be set based on the line width accuracy and edge roughness of the pattern to be formed.

オリジナル画像80と前記(e)〜(h)の各パラメータとの相関関係は、オリジナル画像80を構成するパターンの方向、例えば、オリジナル画像80の所定の領域内における支配的なパターンの方向、平均値、方向のヒストグラムが最大となる方向等を選択して求めることができる。なお、オリジナル画像80を複数の領域に分割し、各領域毎に前記相関関係を求め、各領域毎にジャギーを低減することのできるパラメータを設定するようにしてもよい。   The correlation between the original image 80 and each of the parameters (e) to (h) indicates the direction of the pattern constituting the original image 80, for example, the direction of the dominant pattern in a predetermined region of the original image 80, the average The direction in which the histogram of values and directions becomes maximum can be selected and obtained. The original image 80 may be divided into a plurality of regions, the correlation is obtained for each region, and a parameter capable of reducing jaggy is set for each region.

さらに、ジャギーを低減させるためのパラメータは、初期パラメータを設定した状態で画像を描画し、その画像から、各パラメータとジャギー形状等との相関関係を計測し、最適なパラメータを探索して設定することも可能である。
すなわち、あらかじめ設定した制御点列のピッチ(e)、並び方向(f)、前記制御点の前記走査方向に対するピッチ(g)、及び位相差(h)による描画パターンから、制御点列のピッチ(e)、並び方向(f)、前記制御点の前記走査方向に対するピッチ(g)、及び位相差(h)の少なくともいずれかと、ジャギーピッチ及びジャギー振幅の少なくともいずれかにより規定されるジャギーの形状との相関関係を計測して求めることができる。
Furthermore, parameters for reducing jaggies are set by drawing an image with initial parameters set, measuring the correlation between each parameter and the jaggy shape, etc., and searching for the optimum parameters. It is also possible.
That is, the control point sequence pitch (e), the arrangement direction (f), the pitch of the control points with respect to the scanning direction (g), and the drawing pattern based on the phase difference (h), the pitch of the control point sequence ( e) at least one of the alignment direction (f), the pitch (g) of the control points with respect to the scanning direction, and the phase difference (h), and the jaggy shape defined by at least one of the jaggy pitch and the jaggy amplitude; Can be obtained by measuring the correlation.

上述の露光方法においては、マイクロミラー40を直交する格子上に配列したDMD36を使用し、これを傾斜させて露光を行う形態について説明したが、傾斜角度θsで交差する格子上にマイクロミラー40を配列したDMDを使用すれば、DMDを傾斜させることなく露光ヘッド24a〜24jに組み込んでジャギーの抑制された画像を形成することができる。   In the above-described exposure method, the DMD 36 in which the micromirrors 40 are arranged on orthogonal grids is used, and the exposure is performed by inclining them. If the arranged DMDs are used, the DMDs can be incorporated into the exposure heads 24a to 24j without tilting to form an image in which jaggies are suppressed.

また、上述の露光方法において、前記光変調手段としては、反射型空間光変調素子であるDMD36を用いた場合について説明したが、前記DMD以外の前記光変調手段として、透過型空間光変調素子(LCD)を使用することもできる。例えば、MEMS(Micro Electro Mechanical Systems)タイプの空間光変調素子(SLM:Spacial Light Modulator)や、電気光学効果により透過光を変調する光学素子(PLZT素子)や液晶光シャッタ(FLC)等の液晶シャッターアレイ等、MEMSタイプ以外の空間光変調素子を用いることも可能である。なお、MEMSとは、IC製造プロセスを基盤としたマイクロマシニング技術によるマイクロサイズのセンサ、アクチュエータ、制御回路を集積化した微細システムの総称であり、MEMSタイプの空間光変調素子とは、静電気力を利用した電気機械動作により駆動される空間光変調素子を意味している。
さらに、グレーティングライトバルブ(GLV:Grating Light Valve)を複数ならべて二次元状に構成したものを用いることもできる。これらの反射型空間光変調素子(GLV)や透過型空間光変調素子(LCD)を使用する構成においては、前記光照射手段として、レーザの他にランプ等を光源として使用することができる。
In the above-described exposure method, the DMD 36 that is a reflective spatial light modulator is used as the light modulator. However, as the light modulator other than the DMD, a transmissive spatial light modulator ( LCD) can also be used. For example, a liquid crystal shutter such as a MEMS (Micro Electro Mechanical Systems) type spatial light modulator (SLM), an optical element (PLZT element) that modulates transmitted light by an electro-optic effect, or a liquid crystal shutter (FLC). It is also possible to use a spatial light modulation element other than the MEMS type, such as an array. Note that MEMS is a general term for micro systems that integrate micro-sized sensors, actuators, and control circuits based on micro-machining technology based on IC manufacturing processes, and MEMS-type spatial light modulators have an electrostatic force. It means a spatial light modulation element that is driven by the electromechanical operation used.
Further, a plurality of grating light valves (GLVs) arranged in a two-dimensional shape can be used. In the configuration using these reflective spatial light modulation elements (GLV) and transmissive spatial light modulation elements (LCD), a lamp or the like can be used as a light source in addition to a laser as the light irradiation means.

また、上述の露光方法において、前記光照射手段としては、半導体レーザを光源とする態様について説明したが、前記半導体レーザ以外に、例えば、固体レーザ、紫外LD、赤外LD等を用いることもできる。さらに、複数の発光点が二次元状に配列された光源(例えば、LDアレイ、有機ELアレイ等)を使用することもできる。   In the above-described exposure method, the light irradiation means has been described with respect to a mode in which a semiconductor laser is used as a light source. However, in addition to the semiconductor laser, for example, a solid laser, ultraviolet LD, infrared LD, or the like can be used. . Furthermore, a light source (for example, an LD array, an organic EL array, etc.) in which a plurality of light emitting points are arranged two-dimensionally can also be used.

前記露光装置としては、フラットベッドタイプの露光装置10を例に挙げたが、フラットベッドタイプ以外の露光装置であってもよく、例えば、感光材料がドラムの外周面に巻きつけられるアウタードラムタイプの露光装置、感光材料がシリンダの内周面に装着されるインナードラムタイプの露光装置であってもよい。   As the exposure apparatus, the flat bed type exposure apparatus 10 is taken as an example, but an exposure apparatus other than the flat bed type may be used. For example, an outer drum type in which a photosensitive material is wound around the outer peripheral surface of the drum. The exposure apparatus may be an inner drum type exposure apparatus in which a photosensitive material is mounted on the inner peripheral surface of the cylinder.

<積層体>
前記露光の対象としては、支持体上に感光層を有するパターン形成材料における該感光層であって、被処理基体上に積層されてなる該感光層である限り、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。前記積層体としては、例えば、前記パターン形成材料における感光層以外の他の層が積層されてなるものであってもよい。
<Laminated body>
The subject of the exposure is not particularly limited as long as it is the photosensitive layer in the pattern forming material having a photosensitive layer on the support and is laminated on the substrate to be processed. Can be selected as appropriate. As the laminate, for example, a layer other than the photosensitive layer in the pattern forming material may be laminated.

<パターン形成材料>
前記パターン形成材料としては、支持体上に感光層を有する限り、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。
<Pattern forming material>
The pattern forming material is not particularly limited as long as it has a photosensitive layer on a support, and can be appropriately selected according to the purpose.

前記感光層としては、特に制限はなく、公知のパターン形成材料の中から適宜選択することができるが、例えば、バインダーと、重合性化合物と、光重合開始剤とを含み、適宜選択したその他の成分を含むものが好ましい。
また、感光層の積層数としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、1層であってもよく、2層以上であってもよい。
The photosensitive layer is not particularly limited and can be appropriately selected from known pattern forming materials. For example, the photosensitive layer includes a binder, a polymerizable compound, and a photopolymerization initiator, and other selected appropriately. Those containing components are preferred.
Moreover, there is no restriction | limiting in particular as the number of lamination | stacking of a photosensitive layer, According to the objective, it can select suitably, For example, one layer may be sufficient and two or more layers may be sufficient.

<<バインダー>>
前記バインダーとしては、例えば、アルカリ性水溶液に対して膨潤性であることが好ましく、アルカリ性水溶液に対して可溶性であることがより好ましい。
アルカリ性水溶液に対して膨潤性又は溶解性を示すバインダーとしては、例えば、酸性基を有するものが好適に挙げられる。
<< Binder >>
For example, the binder is preferably swellable in an alkaline aqueous solution, and more preferably soluble in an alkaline aqueous solution.
As the binder exhibiting swellability or solubility with respect to the alkaline aqueous solution, for example, those having an acidic group are preferably exemplified.

前記酸性基としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、カルボキシル基、スルホン酸基、リン酸基などが挙げられ、これらの中でもカルボキシル基が好ましい。
カルボキシル基を有するバインダーとしては、例えば、カルボキシル基を有するビニル共重合体、ポリウレタン樹脂、ポリアミド酸樹脂、変性エポキシ樹脂などが挙げられ、これらの中でも、塗布溶媒への溶解性、アルカリ現像液への溶解性、合成適性、膜物性の調整の容易さ等の観点からカルボキシル基を有するビニル共重合体が好ましい。また、現像性の観点から、スチレン及びスチレン誘導体の少なくともいずれかの共重合体も好ましい。
There is no restriction | limiting in particular as said acidic group, According to the objective, it can select suitably, For example, a carboxyl group, a sulfonic acid group, a phosphoric acid group etc. are mentioned, Among these, a carboxyl group is preferable.
Examples of the binder having a carboxyl group include a vinyl copolymer having a carboxyl group, a polyurethane resin, a polyamic acid resin, and a modified epoxy resin. Among these, the solubility in a coating solvent, the solubility in an alkali developer, and the like. A vinyl copolymer having a carboxyl group is preferable from the viewpoint of solubility, suitability for synthesis, ease of adjustment of film properties, and the like. From the viewpoint of developability, a copolymer of at least one of styrene and a styrene derivative is also preferable.

前記カルボキシル基を有するビニル共重合体は、少なくとも(1)カルボキシル基を有するビニルモノマー、及び(2)これらと共重合可能なモノマーとの共重合により得ることができる。   The vinyl copolymer having a carboxyl group can be obtained by copolymerization of at least (1) a vinyl monomer having a carboxyl group, and (2) a monomer copolymerizable therewith.

前記カルボキシル基を有するビニルモノマーとしては、例えば、(メタ)アクリル酸、ビニル安息香酸、マレイン酸、マレイン酸モノアルキルエステル、フマル酸、イタコン酸、クロトン酸、桂皮酸、アクリル酸ダイマー、水酸基を有する単量体(例えば、2−ヒドロキシエチル(メタ)アクリレート等)と環状無水物(例えば、無水マレイン酸や無水フタル酸、シクロヘキサンジカルボン酸無水物)との付加反応物、ω−カルボキシ−ポリカプロラクトンモノ(メタ)アクリレートなどが挙げられる。これらの中でも、共重合性やコスト、溶解性などの観点から(メタ)アクリル酸が特に好ましい。
また、カルボキシル基の前駆体として無水マレイン酸、無水イタコン酸、無水シトラコン酸等の無水物を有するモノマーを用いてもよい。
Examples of the vinyl monomer having a carboxyl group include (meth) acrylic acid, vinyl benzoic acid, maleic acid, maleic acid monoalkyl ester, fumaric acid, itaconic acid, crotonic acid, cinnamic acid, acrylic acid dimer, and hydroxyl group. An addition reaction product of a monomer (for example, 2-hydroxyethyl (meth) acrylate) and a cyclic anhydride (for example, maleic anhydride, phthalic anhydride, cyclohexanedicarboxylic anhydride), ω-carboxy-polycaprolactone mono Examples include (meth) acrylate. Among these, (meth) acrylic acid is particularly preferable from the viewpoints of copolymerizability, cost, solubility, and the like.
Moreover, you may use the monomer which has anhydrides, such as maleic anhydride, itaconic anhydride, and citraconic anhydride, as a precursor of a carboxyl group.

前記その他の共重合可能なモノマーとしては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、例えば、(メタ)アクリル酸エステル類、クロトン酸エステル類、ビニルエステル類、マレイン酸ジエステル類、フマル酸ジエステル類、イタコン酸ジエステル類、(メタ)アクリルアミド類、ビニルエーテル類、ビニルアルコールのエステル類、スチレン類(例えば、スチレン、スチレン誘導体等)、(メタ)アクリロニトリル、ビニル基が置換した複素環式基(例えば、ビニルピリジン、ビニルピロリドン、ビニルカルバゾール等)、N−ビニルホルムアミド、N−ビニルアセトアミド、N−ビニルイミダゾール、ビニルカプロラクトン、2−アクリルアミド−2−メチルプロパンスルホン酸、リン酸モノ(2―アクリロイルオキシエチルエステル)、リン酸モノ(1−メチル−2―アクリロイルオキシエチルエステル)、官能基(例えば、ウレタン基、ウレア基、スルホンアミド基、フェノール基、イミド基)を有するビニルモノマーなどが挙げられ、これらの中でも配線パターンなどの永久パターンを高精細に形成することができる点、及び前記パターンのテント性を向上させることができる点で、前記スチレン類(スチレン及びスチレン誘導体)が好ましい。   The other copolymerizable monomer is not particularly limited and may be appropriately selected depending on the intended purpose. Examples thereof include (meth) acrylic acid esters, crotonic acid esters, vinyl esters, and maleic acid diesters. , Fumaric acid diesters, itaconic acid diesters, (meth) acrylamides, vinyl ethers, esters of vinyl alcohol, styrenes (eg styrene, styrene derivatives, etc.), (meth) acrylonitrile, complex substituted with vinyl groups Cyclic groups (for example, vinylpyridine, vinylpyrrolidone, vinylcarbazole, etc.), N-vinylformamide, N-vinylacetamide, N-vinylimidazole, vinylcaprolactone, 2-acrylamido-2-methylpropanesulfonic acid, monophosphate ( 2-Acryllo Ciethyl ester), phosphoric acid mono (1-methyl-2-acryloyloxyethyl ester), vinyl monomers having a functional group (for example, urethane group, urea group, sulfonamide group, phenol group, imide group) and the like. Among these, the styrenes (styrene and styrene derivatives) are preferable in that a permanent pattern such as a wiring pattern can be formed with high definition and the tent property of the pattern can be improved.

前記(メタ)アクリル酸エステル類としては、例えば、メチル(メタ)アクリレート、エチル(メタ)アクリレート、n−プロピル(メタ)アクリレート、イソプロピル(メタ)アクリレート、n−ブチル(メタ)アクリレート、イソブチル(メタ)アクリレート、t−ブチル(メタ)アクリレート、n−ヘキシル(メタ)アクリレート、シクロヘキシル(メタ)アクリレート、t−ブチルシクロヘキシル(メタ)アクリレート、2−エチルヘキシル(メタ)アクリレート、t−オクチル(メタ)アクリレート、ドデシル(メタ)アクリレート、オクタデシル(メタ)アクリレート、アセトキシエチル(メタ)アクリレート、フェニル(メタ)アクリレート、2−ヒドロキシエチル(メタ)アクリレート、2−メトキシエチル(メタ)アクリレート、2−エトキシエチル(メタ)アクリレート、2−(2−メトキシエトキシ)エチル(メタ)アクリレート、3−フェノキシ−2−ヒドロキシプロピル(メタ)アクリレート、ベンジル(メタ)アクリレート、ジエチレングリコールモノメチルエーテル(メタ)アクリレート、ジエチレングリコールモノエチルエーテル(メタ)アクリレート、ジエチレングリコールモノフェニルエーテル(メタ)アクリレート、トリエチレングリコールモノメチルエーテル(メタ)アクリレート、トリエチレングリコールモノエチルエーテル(メタ)アクリレート、ポリエチレングリコールモノメチルエーテル(メタ)アクリレート、ポリエチレングリコールモノエチルエーテル(メタ)アクリレート、β−フェノキシエトキシエチルアクリレート、ノニルフェノキシポリエチレングリコール(メタ)アクリレート、ジシクロペンタニル(メタ)アクリレート、ジシクロペンテニル(メタ)アクリレート、ジシクロペンテニルオキシエチル(メタ)アクリレート、トリフロロエチル(メタ)アクリレート、オクタフロロペンチル(メタ)アクリレート、パーフロロオクチルエチル(メタ)アクリレート、トリブロモフェニル(メタ)アクリレート、トリブロモフェニルオキシエチル(メタ)アクリレートなどが挙げられる。   Examples of the (meth) acrylic acid esters include methyl (meth) acrylate, ethyl (meth) acrylate, n-propyl (meth) acrylate, isopropyl (meth) acrylate, n-butyl (meth) acrylate, and isobutyl (meth) ) Acrylate, t-butyl (meth) acrylate, n-hexyl (meth) acrylate, cyclohexyl (meth) acrylate, t-butylcyclohexyl (meth) acrylate, 2-ethylhexyl (meth) acrylate, t-octyl (meth) acrylate, Dodecyl (meth) acrylate, octadecyl (meth) acrylate, acetoxyethyl (meth) acrylate, phenyl (meth) acrylate, 2-hydroxyethyl (meth) acrylate, 2-methoxyethyl (meth) acrylate 2-ethoxyethyl (meth) acrylate, 2- (2-methoxyethoxy) ethyl (meth) acrylate, 3-phenoxy-2-hydroxypropyl (meth) acrylate, benzyl (meth) acrylate, diethylene glycol monomethyl ether (meta ) Acrylate, diethylene glycol monoethyl ether (meth) acrylate, diethylene glycol monophenyl ether (meth) acrylate, triethylene glycol monomethyl ether (meth) acrylate, triethylene glycol monoethyl ether (meth) acrylate, polyethylene glycol monomethyl ether (meth) acrylate , Polyethylene glycol monoethyl ether (meth) acrylate, β-phenoxyethoxyethyl acrylate, Nylphenoxypolyethylene glycol (meth) acrylate, dicyclopentanyl (meth) acrylate, dicyclopentenyl (meth) acrylate, dicyclopentenyloxyethyl (meth) acrylate, trifluoroethyl (meth) acrylate, octafluoropentyl (meth) Examples thereof include acrylate, perfluorooctylethyl (meth) acrylate, tribromophenyl (meth) acrylate, and tribromophenyloxyethyl (meth) acrylate.

前記クロトン酸エステル類としては、例えば、クロトン酸ブチル、クロトン酸ヘキシルなどが挙げられる。   Examples of the crotonic acid esters include butyl crotonate and hexyl crotonate.

前記ビニルエステル類としては、例えば、ビニルアセテート、ビニルプロピオネート、ビニルブチレート、ビニルメトキシアセテート、安息香酸ビニルなどが挙げられる。   Examples of the vinyl esters include vinyl acetate, vinyl propionate, vinyl butyrate, vinyl methoxyacetate, vinyl benzoate, and the like.

前記マレイン酸ジエステル類としては、例えば、マレイン酸ジメチル、マレイン酸ジエチル、マレイン酸ジブチルなどが挙げられる。   Examples of the maleic acid diesters include dimethyl maleate, diethyl maleate, and dibutyl maleate.

前記フマル酸ジエステル類としては、例えば、フマル酸ジメチル、フマル酸ジエチル、フマル酸ジブチルなどが挙げられる。   Examples of the fumaric acid diesters include dimethyl fumarate, diethyl fumarate, dibutyl fumarate and the like.

前記イタコン酸ジエステル類としては、例えば、イタコン酸ジメチル、イタコン酸ジエチル、イタコン酸ジブチルなどが挙げられる。   Examples of the itaconic acid diesters include dimethyl itaconate, diethyl itaconate, and dibutyl itaconate.

前記(メタ)アクリルアミド類としては、例えば、(メタ)アクリルアミド、N−メチル(メタ)アクリルアミド、N−エチル(メタ)アクリルアミド、N−プロピル(メタ)アクリルアミド、N−イソプロピル(メタ)アクリルアミド、N−n−ブチルアクリル(メタ)アミド、N−t−ブチル(メタ)アクリルアミド、N−シクロヘキシル(メタ)アクリルアミド、N−(2−メトキシエチル)(メタ)アクリルアミド、N,N−ジメチル(メタ)アクリルアミド、N,N−ジエチル(メタ)アクリルアミド、N−フェニル(メタ)アクリルアミド、N−ベンジル(メタ)アクリルアミド、(メタ)アクリロイルモルホリン、ジアセトンアクリルアミドなどが挙げられる。   Examples of the (meth) acrylamides include (meth) acrylamide, N-methyl (meth) acrylamide, N-ethyl (meth) acrylamide, N-propyl (meth) acrylamide, N-isopropyl (meth) acrylamide, N- n-butylacryl (meth) amide, Nt-butyl (meth) acrylamide, N-cyclohexyl (meth) acrylamide, N- (2-methoxyethyl) (meth) acrylamide, N, N-dimethyl (meth) acrylamide, Examples thereof include N, N-diethyl (meth) acrylamide, N-phenyl (meth) acrylamide, N-benzyl (meth) acrylamide, (meth) acryloylmorpholine, diacetone acrylamide and the like.

前記スチレン類としては、例えば、スチレン、メチルスチレン、ジメチルスチレン、トリメチルスチレン、エチルスチレン、イソプロピルスチレン、ブチルスチレン、ヒドロキシスチレン、メトキシスチレン、ブトキシスチレン、アセトキシスチレン、クロロスチレン、ジクロロスチレン、ブロモスチレン、クロロメチルスチレン、酸性物質により脱保護可能な基(例えば、t−Boc等)で保護されたヒドロキシスチレン、ビニル安息香酸メチル、α−メチルスチレンなどが挙げられる。   Examples of the styrenes include styrene, methyl styrene, dimethyl styrene, trimethyl styrene, ethyl styrene, isopropyl styrene, butyl styrene, hydroxy styrene, methoxy styrene, butoxy styrene, acetoxy styrene, chlorostyrene, dichlorostyrene, bromostyrene, chloro Examples include methylstyrene, hydroxystyrene protected with a group that can be deprotected by an acidic substance (for example, t-Boc and the like), methyl vinylbenzoate, α-methylstyrene, and the like.

前記ビニルエーテル類としては、例えば、メチルビニルエーテル、ブチルビニルエーテル、ヘキシルビニルエーテル、メトキシエチルビニルエーテルなどが挙げられる。   Examples of the vinyl ethers include methyl vinyl ether, butyl vinyl ether, hexyl vinyl ether, and methoxyethyl vinyl ether.

前記官能基を有するビニルモノマーの合成方法としては、例えば、イソシアナート基と水酸基又はアミノ基の付加反応が挙げられ、具体的には、イソシアナート基を有するモノマーと、水酸基を1個含有する化合物又は1級若しくは2級アミノ基を1個有する化合物との付加反応、水酸基を有するモノマー又は1級若しくは2級アミノ基を有するモノマーと、モノイソシアネートとの付加反応が挙げられる。   Examples of the method for synthesizing the vinyl monomer having a functional group include an addition reaction of an isocyanate group and a hydroxyl group or an amino group, specifically, a monomer having an isocyanate group and a compound containing one hydroxyl group. Alternatively, an addition reaction with a compound having one primary or secondary amino group, an addition reaction between a monomer having a hydroxyl group or a monomer having a primary or secondary amino group, and a monoisocyanate can be given.

前記イソシアナート基を有するモノマーとしては、例えば、下記構造式(1)〜(3)で表される化合物が挙げられる。   Examples of the monomer having an isocyanate group include compounds represented by the following structural formulas (1) to (3).

但し、前記構造式(1)〜(3)中、Rは水素原子又はメチル基を表す。 However, in the above structural formula (1) ~ (3), R 1 represents a hydrogen atom or a methyl group.

前記モノイソシアネートとしては、例えば、シクロヘキシルイソシアネート、n−ブチルイソシアネート、トルイルイソシアネート、ベンジルイソシアネート、フェニルイソシアネート等が挙げられる。   Examples of the monoisocyanate include cyclohexyl isocyanate, n-butyl isocyanate, toluyl isocyanate, benzyl isocyanate, and phenyl isocyanate.

前記水酸基を有するモノマーとしては、例えば、下記構造式(4)〜(12)で表される化合物が挙げられる。   Examples of the monomer having a hydroxyl group include compounds represented by the following structural formulas (4) to (12).

但し、前記構造式(4)〜(12)中、Rは水素原子又はメチル基を表し、nは1以上の整数を表す。 However, in the structural formulas (4) to (12), R 1 represents a hydrogen atom or a methyl group, and n represents an integer of 1 or more.

前記水酸基を1個含有する化合物としては、例えば、アルコール類(例えば、メタノール、エタノール、n−プロパノール、i―プロパノール、n−ブタノール、sec−ブタノール、t−ブタノール、n−ヘキサノール、2−エチルヘキサノール、n−デカノール、n−ドデカノール、n−オクタデカノール、シクロペンタノール、シクロへキサノール、ベンジルアルコール、フェニルエチルアルコール等)、フェノール類(例えば、フェノール、クレゾール、ナフトール等)、更に置換基を含むものとして、フロロエタノール、トリフロロエタノール、メトキシエタノール、フェノキシエタノール、クロロフェノール、ジクロロフェノール、メトキシフェノール、アセトキシフェノール等が挙げられる。   Examples of the compound containing one hydroxyl group include alcohols (for example, methanol, ethanol, n-propanol, i-propanol, n-butanol, sec-butanol, t-butanol, n-hexanol, 2-ethylhexanol). , N-decanol, n-dodecanol, n-octadecanol, cyclopentanol, cyclohexanol, benzyl alcohol, phenylethyl alcohol, etc.), phenols (eg, phenol, cresol, naphthol, etc.), and further containing substituents Examples thereof include fluoroethanol, trifluoroethanol, methoxyethanol, phenoxyethanol, chlorophenol, dichlorophenol, methoxyphenol, acetoxyphenol, and the like.

前記1級又は2級アミノ基を有するモノマーとしては、例えば、ビニルベンジルアミンなどが挙げられる。   Examples of the monomer having a primary or secondary amino group include vinylbenzylamine.

前記1級又は2級アミノ基を1個含有する化合物としては、例えば、アルキルアミン(メチルアミン、エチルアミン、n−プロピルアミン、i―プロピルアミン、n−ブチルアミン、sec−ブチルアミン、t−ブチルアミン、ヘキシルアミン、2−エチルヘキシルアミン、デシルアミン、ドデシルアミン、オクタデシルアミン、ジメチルアミン、ジエチルアミン、ジブチルアミン、ジオクチルアミン)、環状アルキルアミン(シクロペンチルアミン、シクロへキシルアミン等)、アラルキルアミン(ベンジルアミン、フェネチルアミン等)、アリールアミン(アニリン、トルイルアミン、キシリルアミン、ナフチルアミン等)、更にこれらの組合せ(N−メチル−N−ベンジルアミン等)、更に置換基を含むアミン(トリフロロエチルアミン、ヘキサフロロイソプロピルアミン、メトキシアニリン、メトキシプロピルアミン等)などが挙げられる。   Examples of the compound containing one primary or secondary amino group include alkylamines (methylamine, ethylamine, n-propylamine, i-propylamine, n-butylamine, sec-butylamine, t-butylamine, hexyl). Amine, 2-ethylhexylamine, decylamine, dodecylamine, octadecylamine, dimethylamine, diethylamine, dibutylamine, dioctylamine), cyclic alkylamine (cyclopentylamine, cyclohexylamine, etc.), aralkylamine (benzylamine, phenethylamine, etc.), Arylamines (aniline, toluylamine, xylylamine, naphthylamine, etc.), combinations thereof (N-methyl-N-benzylamine, etc.), and amines containing further substituents (trifluoroethylamino) , Hexafluoro isopropyl amine, methoxyaniline, methoxypropylamine and the like) and the like.

また、上記以外の前記その他の共重合可能なモノマーとしては、例えば、(メタ)アクリル酸メチル、(メタ)アクリル酸エチル、(メタ)アクリル酸ブチル、(メタ)アクリル酸ベンジル、(メタ)アクリル酸2−エチルヘキシル、スチレン、クロルスチレン、ブロモスチレン、ヒドロキシスチレンなどが好適に挙げられる。   Examples of the other copolymerizable monomers other than those described above include, for example, methyl (meth) acrylate, ethyl (meth) acrylate, butyl (meth) acrylate, benzyl (meth) acrylate, and (meth) acrylic. Preferable examples include 2-ethylhexyl acid, styrene, chlorostyrene, bromostyrene, and hydroxystyrene.

前記その他の共重合可能なモノマーは、1種単独で使用してもよく、2種以上を併用してもよい。   The said other copolymerizable monomer may be used individually by 1 type, and may use 2 or more types together.

前記ビニル共重合体は、それぞれ相当するモノマーを公知の方法により常法に従って共重合させることで調製することができる。例えば、前記モノマーを適当な溶媒中に溶解し、ここにラジカル重合開始剤を添加して溶液中で重合させる方法(溶液重合法)を利用することにより調製することができる。また、水性媒体中に前記モノマーを分散させた状態でいわゆる乳化重合等で重合を利用することにより調製することができる。   The vinyl copolymer can be prepared by copolymerizing the corresponding monomers by a known method according to a conventional method. For example, it can be prepared by using a method (solution polymerization method) in which the monomer is dissolved in a suitable solvent and a radical polymerization initiator is added thereto to polymerize in a solution. Moreover, it can prepare by utilizing superposition | polymerization by what is called emulsion polymerization etc. in the state which disperse | distributed the said monomer in the aqueous medium.

前記溶液重合法で用いられる適当な溶媒としては、特に制限はなく、使用するモノマー、及び生成する共重合体の溶解性等に応じて適宜選択することができ、例えば、メタノール、エタノール、プロパノール、イソプロパノール、1−メトキシ−2−プロパノール、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、メトキシプロピルアセテート、乳酸エチル、酢酸エチル、アセトニトリル、テトラヒドロフラン、ジメチルホルムアミド、クロロホルム、トルエンなどが挙げられる。これらの溶媒は、1種単独で使用してもよく、2種以上を併用してもよい。   The suitable solvent used in the solution polymerization method is not particularly limited and may be appropriately selected depending on the monomer used and the solubility of the copolymer to be produced. For example, methanol, ethanol, propanol, Examples include isopropanol, 1-methoxy-2-propanol, acetone, methyl ethyl ketone, methyl isobutyl ketone, methoxypropyl acetate, ethyl lactate, ethyl acetate, acetonitrile, tetrahydrofuran, dimethylformamide, chloroform, toluene and the like. These solvents may be used alone or in combination of two or more.

前記ラジカル重合開始剤としては、特に制限はなく、例えば、2,2′−アゾビス(イソブチロニトリル)(AIBN)、2,2′−アゾビス−(2,4′−ジメチルバレロニトリル)等のアゾ化合物、ベンゾイルパーオキシド等の過酸化物、過硫酸カリウム、過硫酸アンモニウム等の過硫酸塩などが挙げられる。   The radical polymerization initiator is not particularly limited, and examples thereof include 2,2′-azobis (isobutyronitrile) (AIBN) and 2,2′-azobis- (2,4′-dimethylvaleronitrile). Examples thereof include peroxides such as azo compounds and benzoyl peroxide, and persulfates such as potassium persulfate and ammonium persulfate.

前記ビニル共重合体におけるカルボキシル基を有する重合性化合物の含有率としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、例えば、5〜50モル%が好ましく、10〜40モル%がより好ましく、15〜35モル%が特に好ましい。
前記含有率が、5モル%未満であると、アルカリ水への現像性が不足することがあり、50モル%を超えると、硬化部(画像部)の現像液耐性が不足することがある。
There is no restriction | limiting in particular as content rate of the polymeric compound which has a carboxyl group in the said vinyl copolymer, Although it can select suitably according to the objective, For example, 5-50 mol% is preferable, 10-40 mol % Is more preferable, and 15 to 35 mol% is particularly preferable.
If the content is less than 5 mol%, the developability to alkaline water may be insufficient, and if it exceeds 50 mol%, the developer resistance of the cured portion (image portion) may be insufficient.

前記カルボキシル基を有するバインダーの分子量としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、例えば、質量平均分子量として、2,000〜300,000が好ましく、4,000〜150,000がより好ましい。
前記質量平均分子量が、2,000未満であると、膜の強度が不足しやすく、また安定な製造が困難になることがあり、300,000を超えると、現像性が低下することがある。
There is no restriction | limiting in particular as molecular weight of the binder which has the said carboxyl group, Although it can select suitably according to the objective, For example, 2,000-300,000 are preferable as a mass mean molecular weight, 4,000-150 1,000 is more preferable.
When the mass average molecular weight is less than 2,000, the strength of the film tends to be insufficient and stable production may be difficult, and when it exceeds 300,000, developability may be deteriorated.

前記カルボキシル基を有するバインダーは、1種単独で使用してもよく、2種以上を併用してもよい。前記バインダーを2種以上併用する場合としては、例えば、異なる共重合成分からなる2種以上のバインダー、異なる質量平均分子量の2種以上のバインダー、及び異なる分散度の2種以上のバインダーなどの組合せが挙げられる。   The binder which has the said carboxyl group may be used individually by 1 type, and may use 2 or more types together. When two or more binders are used in combination, for example, a combination of two or more binders composed of different copolymer components, two or more binders having different mass average molecular weights, and two or more binders having different dispersities Is mentioned.

前記カルボキシル基を有するバインダーは、そのカルボキシル基の一部又は全部が塩基性物質で中和されていてもよい。また、前記バインダーは、さらにポリエステル樹脂、ポリアミド樹脂、ポリウレタン樹脂、エポキシ樹脂、ポリビニルアルコール、ゼラチン等の構造の異なる樹脂を併用してもよい。   The binder having a carboxyl group may be partially or entirely neutralized with a basic substance. The binder may be used in combination with resins having different structures such as polyester resin, polyamide resin, polyurethane resin, epoxy resin, polyvinyl alcohol, and gelatin.

また、前記バインダーとしては、特許2873889号等に記載のアルカリ水溶液に可溶な樹脂などを用いることができる。   Moreover, as the binder, a resin soluble in an alkaline aqueous solution described in Japanese Patent No. 2873889 and the like can be used.

前記感光層における前記バインダーの含有量としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、例えば、10〜90質量%が好ましく、20〜80質量%がより好ましく、40〜80質量%が特に好ましい。
前記含有量が10質量%未満であると、アルカリ現像性やプリント配線板形成用基板(例えば、銅張積層板)との密着性が低下することがあり、90質量%を超えると、現像時間に対する安定性や、硬化膜(テント膜)の強度が低下することがある。なお、前記含有量は、前記バインダーと必要に応じて併用される高分子結合剤との合計の含有量であってもよい。
There is no restriction | limiting in particular as content of the said binder in the said photosensitive layer, Although it can select suitably according to the objective, For example, 10-90 mass% is preferable, 20-80 mass% is more preferable, 40- 80% by mass is particularly preferred.
When the content is less than 10% by mass, alkali developability and adhesion to a printed wiring board forming substrate (for example, a copper-clad laminate) may be deteriorated. Stability and strength of the cured film (tent film) may be reduced. The content may be the total content of the binder and the polymer binder used in combination as necessary.

前記バインダーがガラス転移温度(Tg)を有する物質である場合、該ガラス転移温度としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、例えば、前記パターン形成材料のタック及びエッジフュージョンの抑制、並びに前記支持体の剥離性向上の、少なくともいずれかの観点から、80℃以上が好ましく、100℃以上がより好ましく、120℃以上が特に好ましい。
前記ガラス転移温度が、80℃未満であると、前記パターン形成材料のタックやエッジフュージョンが増加したり、前記支持体の剥離性が悪化したりすることがある。
When the binder is a substance having a glass transition temperature (Tg), the glass transition temperature is not particularly limited and may be appropriately selected depending on the intended purpose. For example, tack and edge of the pattern forming material 80 degreeC or more is preferable, 100 degreeC or more is more preferable, and 120 degreeC or more is especially preferable from the viewpoint of at least any one of suppression of fusion and the peelability improvement of the said support body.
When the glass transition temperature is less than 80 ° C., tack and edge fusion of the pattern forming material may increase, or the peelability of the support may deteriorate.

前記バインダーの酸価としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、例えば、70〜250(mgKOH/g)が好ましく、90〜200(mgKOH/g)がより好ましく、100〜180(mgKOH/g)が特に好ましい。
前記酸価が、70(mgKOH/g)未満であると、現像性が不足したり、解像性が劣り、配線パターン等の永久パターンを高精細に得ることができないことがあり、250(mgKOH/g)を超えると、パターンの耐現像液性及び密着性の少なくともいずれかが悪化し、配線パターン等の永久パターンを高精細に得ることができないことがある。
The acid value of the binder is not particularly limited and may be appropriately selected depending on the intended purpose. For example, it is preferably 70 to 250 (mgKOH / g), more preferably 90 to 200 (mgKOH / g), 100 to 180 (mg KOH / g) is particularly preferable.
When the acid value is less than 70 (mgKOH / g), developability may be insufficient, resolution may be inferior, and permanent patterns such as wiring patterns may not be obtained with high definition. / G), at least one of the developer resistance and adhesion of the pattern deteriorates, and a permanent pattern such as a wiring pattern may not be obtained with high definition.

<<重合性化合物>>
前記重合性化合物としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、例えば、ウレタン基及びアリール基の少なくともいずれかを有するモノマー又はオリゴマーが好適に挙げられる。また、これらは、重合性基を2種以上有することが好ましい。
<< polymerizable compound >>
There is no restriction | limiting in particular as said polymeric compound, Although it can select suitably according to the objective, For example, the monomer or oligomer which has at least any one of a urethane group and an aryl group is mentioned suitably. Moreover, it is preferable that these have 2 or more types of polymeric groups.

前記重合性基としては、例えば、エチレン性不飽和結合(例えば、(メタ)アクリロイル基、(メタ)アクリルアミド基、スチリル基、ビニルエステルやビニルエーテル等のビニル基、アリルエーテルやアリルエステル等のアリル基など)、重合可能な環状エーテル基(例えば、エポキシ基、オキセタン基等)などが挙げられ、これらの中でもエチレン性不飽和結合が好ましい。   Examples of the polymerizable group include an ethylenically unsaturated bond (for example, (meth) acryloyl group, (meth) acrylamide group, styryl group, vinyl group such as vinyl ester and vinyl ether, allyl group such as allyl ether and allyl ester). Etc.) and a polymerizable cyclic ether group (for example, epoxy group, oxetane group, etc.) and the like. Among these, an ethylenically unsaturated bond is preferable.

−ウレタン基を有するモノマー−
前記ウレタン基を有するモノマーとしては、ウレタン基を有する限り、特に制限は無く、目的に応じて適宜選択することができるが、例えば、特公昭48−41708、特開昭51−37193、特公平5−50737、特公平7−7208、特開2001−154346、特開2001−356476号公報等に記載されている化合物などが挙げられ、例えば、分子中に2個以上のイソシアネート基を有するポリイソシアネート化合物と分子中に水酸基を有するビニルモノマーとの付加物などが挙げられる。
-Monomer having a urethane group-
The monomer having a urethane group is not particularly limited as long as it has a urethane group, and can be appropriately selected depending on the purpose. For example, JP-B-48-41708, JP-A-51-37193, JP-B-5 -50737, Japanese Patent Publication No. 7-7208, Japanese Patent Application Laid-Open No. 2001-154346, Japanese Patent Application Laid-Open No. 2001-356476, and the like. For example, a polyisocyanate compound having two or more isocyanate groups in the molecule And an adduct of a vinyl monomer having a hydroxyl group in the molecule.

前記分子中に2個以上のイソシアネート基を有するポリイソシアネート化合物としては、例えば、ヘキサメチレンジイソシアネート、トリメチルヘキサメチレンジイソシアネート、イソホロンジイソシアネート、キシレンジイソシアネート、トルエンジイソシアネート、フェニレンジイソシアネート、ノルボルネンジイソシアネート、ジフェニルジイソシアネート、ジフェニルメタンジイソシアネート、3,3′ジメチル−4,4′−ジフェニルジイソシアネート等のジイソシアネート;該ジイソシアネートを更に2官能アルコールとの重付加物(この場合も両末端はイソシアネート基);該ジイソシアネートのビュレット体やイソシアヌレート等の3量体;該ジイソシアネート若しくはジイソシアネート類と、トリメチロールプロパン、ペンタエリトリトール、グリセリン等の多官能アルコール、又はこれらのエチレンオキシド付加物等の得られる他官能アルコールとの付加体などが挙げられる。   Examples of the polyisocyanate compound having two or more isocyanate groups in the molecule include hexamethylene diisocyanate, trimethylhexamethylene diisocyanate, isophorone diisocyanate, xylene diisocyanate, toluene diisocyanate, phenylene diisocyanate, norbornene diisocyanate, diphenyl diisocyanate, diphenylmethane diisocyanate, Diisocyanates such as 3,3′dimethyl-4,4′-diphenyl diisocyanate; polyadducts of the diisocyanate with bifunctional alcohols (in this case, both ends are isocyanate groups); burettes and isocyanurates of the diisocyanate; Trimer; the diisocyanate or diisocyanates and trimethylolpropane, pe Taeritoritoru, polyfunctional alcohols such as glycerin, or the like adducts of other functional alcohol obtained of such these ethylene oxide adducts and the like.

前記分子中に水酸基を有するビニルモノマーとしては、例えば、2−ヒドロキシエチル(メタ)アクリレート、2−ヒドロキシプロピル(メタ)アクリレート、4−ヒドロキシブチル(メタ)アクリレート、ジエチレングリコールモノ(メタ)アクリレート、トリエチレングリコールモノ(メタ)アクリレート、テトラエチレングリコールモノ(メタ)アクリレート、オクタエチレングリコールモノ(メタ)アクリレート、ポリエチレングリコールモノ(メタ)アクリレート、ジプロピレングリコールモノ(メタ)アクリレート、トリプロピレングリコールモノ(メタ)アクリレート、テトラプロピレングリコールモノ(メタ)アクリレート、オクタプロピレングリコールモノ(メタ)アクリレート、ポリプロピレングリコールモノ(メタ)アクリレート、ジブチレングリコールモノ(メタ)アクリレート、トリブチレングリコールモノ(メタ)アクリレート、テトラブチレングリコールモノ(メタ)アクリレート、オクタブチレングリコールモノ(メタ)アクリレート、ポリブチレングリコールモノ(メタ)アクリレート、トリメチロールプロパンジ(メタ)アクリレート、ペンタエリトリトールトリ(メタ)アクリレートなどが挙げられる。また、エチレンオキシドとプロピレンオキシドの共重合体(ランダム、ブロック等)などの異なるアルキレンオキシド部を有するジオール体の片末端(メタ)アクリレート体などが挙げられる。   Examples of the vinyl monomer having a hydroxyl group in the molecule include 2-hydroxyethyl (meth) acrylate, 2-hydroxypropyl (meth) acrylate, 4-hydroxybutyl (meth) acrylate, diethylene glycol mono (meth) acrylate, and triethylene. Glycol mono (meth) acrylate, tetraethylene glycol mono (meth) acrylate, octaethylene glycol mono (meth) acrylate, polyethylene glycol mono (meth) acrylate, dipropylene glycol mono (meth) acrylate, tripropylene glycol mono (meth) acrylate , Tetrapropylene glycol mono (meth) acrylate, octapropylene glycol mono (meth) acrylate, polypropylene glycol mono (meth) Chryrate, dibutylene glycol mono (meth) acrylate, tributylene glycol mono (meth) acrylate, tetrabutylene glycol mono (meth) acrylate, octabutylene glycol mono (meth) acrylate, polybutylene glycol mono (meth) acrylate, trimethylolpropane Examples include di (meth) acrylate and pentaerythritol tri (meth) acrylate. Moreover, the one terminal (meth) acrylate body of the diol body which has different alkylene oxide parts, such as a copolymer (random, a block, etc.) of ethylene oxide and propylene oxide, etc. are mentioned.

また、前記ウレタン基を有するモノマーとしては、トリ((メタ)アクリロイルオキシエチル)イソシアヌレート、ジ(メタ)アクリル化イソシアヌレート、エチレンオキシド変性イソシアヌル酸のトリ(メタ)アクリレート等のイソシアヌレート環を有する化合物が挙げられる。これらの中でも、下記構造式式(13)、又は構造式(14)で表される化合物が好ましく、テント性の観点から、前記構造式(14)で示される化合物を少なくとも含むことが特に好ましい。また、これらの化合物は、1種単独で使用してもよく、2種以上を併用してもよい。   In addition, examples of the monomer having a urethane group include compounds having an isocyanurate ring such as tri ((meth) acryloyloxyethyl) isocyanurate, di (meth) acrylated isocyanurate, and tri (meth) acrylate of ethylene oxide-modified isocyanuric acid. Is mentioned. Among these, the compound represented by the following structural formula (13) or the structural formula (14) is preferable, and it is particularly preferable that at least the compound represented by the structural formula (14) is included from the viewpoint of tent properties. Moreover, these compounds may be used individually by 1 type, and may use 2 or more types together.

前記構造式(13)及び(14)中、R〜Rは、それぞれ水素原子又はメチル基を表す。X〜Xは、アルキレンオキサイドを表し、1種単独でもよく、2種以上を併用してもよい。 In the structural formulas (13) and (14), R 1 to R 3 each represent a hydrogen atom or a methyl group. X 1 to X 3 represents an alkylene oxide, may be alone or in combination of two or more thereof.

前記アルキレンオキサイド基としては、例えば、エチレンオキサイド基、プロピレンオキサイド基、ブチレンオキサイド基、ペンチレンオキサイド基、ヘキシレンオキサイド基、これらを組み合わせた基(ランダム、ブロックのいずれに組み合わされてもよい)などが好適に挙げられ、これらの中でも、エチレンオキサイド基、プロピレンオキサイド基、ブチレンオキサイド基、又はこれらの組み合わせた基が好ましく、エチレンオキサイド基、プロピレンオキサイド基がより好ましい。   Examples of the alkylene oxide group include an ethylene oxide group, a propylene oxide group, a butylene oxide group, a pentylene oxide group, a hexylene oxide group, and a group in which these are combined (may be combined in any of random or block). Among these, an ethylene oxide group, a propylene oxide group, a butylene oxide group, or a combination thereof is preferable, and an ethylene oxide group and a propylene oxide group are more preferable.

前記構造式(13)及び(14)中、m1〜m3は、1〜60の整数を表し、2〜30が好ましく、4〜15がより好ましい。   In the structural formulas (13) and (14), m1 to m3 represent an integer of 1 to 60, preferably 2 to 30, and more preferably 4 to 15.

前記構造式(13)及び(14)中、Y及びYは、炭素原子数2〜30の2価の有機基を表し、例えば、アルキレン基、アリーレン基、アルケニレン基、アルキニレン基、カルボニル基(−CO−)、酸素原子(−O−)、硫黄原子(−S−)、イミノ基(−NH−)、イミノ基の水素原子が1価の炭化水素基で置換された置換イミノ基、スルホニル基(−SO−)又はこれらを組み合わせた基などが好適に挙げられ、これらの中でも、アルキレン基、アリーレン基、又はこれらを組み合わせた基が好ましい。 In the structural formulas (13) and (14), Y 1 and Y 2 represent a divalent organic group having 2 to 30 carbon atoms, for example, an alkylene group, an arylene group, an alkenylene group, an alkynylene group, a carbonyl group. (—CO—), an oxygen atom (—O—), a sulfur atom (—S—), an imino group (—NH—), a substituted imino group in which the hydrogen atom of the imino group is substituted with a monovalent hydrocarbon group, Preferred examples include a sulfonyl group (—SO 2 —) or a combination thereof, and among these, an alkylene group, an arylene group, or a combination thereof is preferable.

前記アルキレン基は、分岐構造又は環状構造を有していてもよく、例えば、メチレン基、エチレン基、プロピレン基、イソプロピレン基、ブチレン基、イソブチレン基、ペンチレン基、ネオペンチレン基、ヘキシレン基、トリメチルヘキシレン基、シクロへキシレン基、ヘプチレン基、オクチレン基、2−エチルヘキシレン基、ノニレン基、デシレン基、ドデシレン基、オクタデシレン基、又は下記に示すいずれかの基などが好適に挙げられる。   The alkylene group may have a branched structure or a cyclic structure, for example, methylene group, ethylene group, propylene group, isopropylene group, butylene group, isobutylene group, pentylene group, neopentylene group, hexylene group, trimethyl hexene. Preferable examples include a xylene group, a cyclohexylene group, a heptylene group, an octylene group, a 2-ethylhexylene group, a nonylene group, a decylene group, a dodecylene group, an octadecylene group, or any of the groups shown below.

前記アリーレン基としては、炭化水素基で置換されていてもよく、例えば、フェニレン基、トリレン基、ジフェニレン基、ナフチレン基、又は下記に示す基などが好適に挙げられる。   The arylene group may be substituted with a hydrocarbon group, and examples thereof include a phenylene group, a tolylene group, a diphenylene group, a naphthylene group, and the groups shown below.

前記これらを組み合わせた基としては、例えば、キシリレン基などが挙げられる。   Examples of the group in which these are combined include a xylylene group.

前記アルキレン基、アリーレン基、又はこれらを組み合わせた基としては、更に置換基を有していてもよく、該置換基としては、例えば、ハロゲン原子(例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子)、アリール基、アルコキシ基(例えば、メトキシ基、エトキシ基、2−エトキシエトキシ基)、アリールオキシ基(例えば、フェノキシ基)、アシル基(例えば、アセチル基、プロピオニル基)、アシルオキシ基(例えば、アセトキシ基、ブチリルオキシ基)、アルコキシカルボニル基(例えば、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基)、アリールオキシカルボニル基(例えば、フェノキシカルボニル基)などが挙げられる。   The alkylene group, arylene group, or a combination thereof may further have a substituent. Examples of the substituent include a halogen atom (for example, fluorine atom, chlorine atom, bromine atom, iodine). Atom), aryl group, alkoxy group (for example, methoxy group, ethoxy group, 2-ethoxyethoxy group), aryloxy group (for example, phenoxy group), acyl group (for example, acetyl group, propionyl group), acyloxy group (for example, , Acetoxy group, butyryloxy group), alkoxycarbonyl group (for example, methoxycarbonyl group, ethoxycarbonyl group), aryloxycarbonyl group (for example, phenoxycarbonyl group) and the like.

前記構造式(13)及び(14)中、nは3〜6の整数を表し、重合性モノマーを合成するための原料供給性などの観点から、3、4又は6が好ましい。   In the structural formulas (13) and (14), n represents an integer of 3 to 6, and 3, 4 or 6 is preferable from the viewpoint of feedability of raw materials for synthesizing a polymerizable monomer.

前記構造式(13)及び(14)中、Zはn価(3価〜6価)の連結基を表し、例えば、下記に示すいずれかの基などが挙げられる。   In the structural formulas (13) and (14), Z represents an n-valent (trivalent to hexavalent) linking group, and examples thereof include any of the groups shown below.

但し、Xはアルキレンオキサイドを表す。m4は、1〜20の整数を表す。nは、3〜6の整数を表す。Aは、n価(3価〜6価)の有機基を表す。 However, X 4 represents an alkylene oxide. m4 represents an integer of 1 to 20. n represents an integer of 3 to 6. A represents an n-valent (trivalent to hexavalent) organic group.

前記Aとしては、例えば、n価の脂肪族基、n価の芳香族基、又はこれらとアルキレン基、アリーレン基、アルケニレン基、アルキニレン基、カルボニル基、酸素原子、硫黄原子、イミノ基、イミノ基の水素原子が1価の炭化水素基で置換された置換イミノ基、又はスルホニル基とを組み合わせた基が好ましく、n価の脂肪族基、n価の芳香族基、又はこれらとアルキレン基、アリーレン基、酸素原子とを組み合わせた基がより好ましく、n価の脂肪族基、n価の脂肪族基とアルキレン基、酸素原子とを組み合わせた基が特に好ましい。   Examples of A include an n-valent aliphatic group, an n-valent aromatic group, and an alkylene group, an arylene group, an alkenylene group, an alkynylene group, a carbonyl group, an oxygen atom, a sulfur atom, an imino group, and an imino group. Are preferably a combination of a substituted imino group in which the hydrogen atom is substituted with a monovalent hydrocarbon group or a sulfonyl group, an n-valent aliphatic group, an n-valent aromatic group, or an alkylene group or arylene A group in which a group and an oxygen atom are combined is more preferable, and an n-valent aliphatic group, and a group in which an n-valent aliphatic group is combined with an alkylene group and an oxygen atom are particularly preferable.

前記Aの炭素原子数としては、例えば、1〜100の整数が好ましく、1〜50の整数がより好ましく、3〜30の整数が特に好ましい。   As the number of carbon atoms of A, for example, an integer of 1 to 100 is preferable, an integer of 1 to 50 is more preferable, and an integer of 3 to 30 is particularly preferable.

前記n価の脂肪族基としては、分岐構造又は環状構造を有していてもよい。
前記脂肪族基の炭素原子数としては、例えば、1〜30の整数が好ましく、1〜20の整数がより好ましく、3〜10の整数が特に好ましい。
前記芳香族基の炭素原子数としては、6〜100の整数が好ましく、6〜50の整数がより好ましく、6〜30の整数が特に好ましい。
The n-valent aliphatic group may have a branched structure or a cyclic structure.
As a carbon atom number of the said aliphatic group, the integer of 1-30 is preferable, for example, the integer of 1-20 is more preferable, and the integer of 3-10 is especially preferable.
The number of carbon atoms of the aromatic group is preferably an integer of 6 to 100, more preferably an integer of 6 to 50, and particularly preferably an integer of 6 to 30.

前記n価の脂肪族基、又は芳香族基は、更に置換基を有していてもよく、該置換基としては、例えば、ヒドロキシル基、ハロゲン原子(例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子)、アリール基、アルコキシ基(例えば、メトキシ基、エトキシ基、2−エトキシエトキシ基)、アリールオキシ基(例えば、フェノキシ基)、アシル基(例えば、アセチル基、プロピオニル基)、アシルオキシ基(例えば、アセトキシ基、ブチリルオキシ基)、アルコキシカルボニル基(例えば、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基)、アリールオキシカルボニル基(例えば、フェノキシカルボニル基)などが挙げられる。   The n-valent aliphatic group or aromatic group may further have a substituent. Examples of the substituent include a hydroxyl group, a halogen atom (for example, a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom, Iodine atom), aryl group, alkoxy group (for example, methoxy group, ethoxy group, 2-ethoxyethoxy group), aryloxy group (for example, phenoxy group), acyl group (for example, acetyl group, propionyl group), acyloxy group ( Examples thereof include an acetoxy group, a butyryloxy group), an alkoxycarbonyl group (for example, a methoxycarbonyl group, an ethoxycarbonyl group), an aryloxycarbonyl group (for example, a phenoxycarbonyl group), and the like.

前記アルキレン基は、分岐構造又は環状構造を有していてもよい。
前記アルキレン基の炭素原子数としては、例えば、1〜18の整数が好ましく、1〜10の整数がより好ましい。
The alkylene group may have a branched structure or a cyclic structure.
As a carbon atom number of the said alkylene group, the integer of 1-18 is preferable, for example, and the integer of 1-10 is more preferable.

前記アリーレン基は、炭化水素基で更に置換されていてもよい。
前記アリーレン基の炭素原子数としては、6〜18の整数が好ましく、6〜10の整数がより好ましい。
The arylene group may be further substituted with a hydrocarbon group.
As the number of carbon atoms of the arylene group, an integer of 6 to 18 is preferable, and an integer of 6 to 10 is more preferable.

前記置換イミノ基の1価の炭化水素基の炭素原子数としては、1〜18の整数が好ましく、1〜10の整数がより好ましい。   As a carbon atom number of the monovalent hydrocarbon group of the said substituted imino group, the integer of 1-18 is preferable and the integer of 1-10 is more preferable.

前記Aの好ましい例は以下の通りである。   Preferred examples of A are as follows.

前記構造式(13)及び(14)で表される化合物としては、例えば下記構造式(15)〜(34)で表される化合物などが挙げられる。   Examples of the compounds represented by the structural formulas (13) and (14) include compounds represented by the following structural formulas (15) to (34).

但し、前記構造式(15)〜(34)中、n、n1、n2及びmは、1〜60を意味し、lは、1〜20を意味し、Rは、水素原子又はメチル基を表す。   However, in said structural formula (15)-(34), n, n1, n2 and m mean 1-60, l means 1-20, R represents a hydrogen atom or a methyl group. .

−−アリール基を有するモノマー−−
前記アリール基を有するモノマーとしては、アリール基を有する限り、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、例えば、アリール基を有する多価アルコール化合物、多価アミン化合物及び多価アミノアルコール化合物の少なくともいずれかと不飽和カルボン酸とのエステル又はアミドなどが挙げられる。
--Monomer having an aryl group--
The monomer having an aryl group is not particularly limited as long as it has an aryl group, and can be appropriately selected depending on the purpose. For example, a polyhydric alcohol compound having a aryl group, a polyvalent amine compound, and a polyvalent Examples thereof include esters or amides of at least one of amino alcohol compounds and unsaturated carboxylic acid.

前記アリール基を有する多価アルコール化合物、多価アミン化合物又は多価アミノアルコール化合物としては、例えば、ポリスチレンオキサイド、キシリレンジオール、ジ−(β−ヒドロキシエトキシ)ベンゼン、1,5−ジヒドロキシ−1,2,3,4−テトラヒドロナフタレン、2、2−ジフェニル−1,3−プロパンジオール、ヒドロキシベンジルアルコール、ヒドロキシエチルレゾルシノール、1−フェニル−1,2−エタンジオール、2,3,5,6−テトラメチル−p−キシレン−α,α′−ジオール、1,1,4,4−テトラフェニル−1,4−ブタンジオール、1,1,4,4−テトラフェニル−2−ブチン−1,4−ジオール、1,1′−ビ−2−ナフトール、ジヒドロキシナフタレン、1,1′−メチレン−ジ−2−ナフトール、1,2,4−ベンゼントリオール、ビフェノール、2,2′−ビス(4−ヒドロキシフェニル)ブタン、1,1−ビス(4−ヒドロキシフェニル)シクロヘキサン、ビス(ヒドロキシフェニル)メタン、カテコール、4−クロルレゾルシノール、ハイドロキノン、ヒドロキシベンジルアルコール、メチルハイドロキノン、メチレン−2,4,6−トリヒドロキシベンゾエート、フロログリシノール、ピロガロール、レゾルシノール、α−(1−アミノエチル)−p−ヒドロキシベンジルアルコール、α−(1−アミノエチル)−p−ヒドロキシベンジルアルコール、3−アミノ−4−ヒドロキシフェニルスルホンなどが挙げられる。また、この他、キシリレンビス(メタ)アクリルアミド、ノボラック型エポキシ樹脂やビスフェノールAジグリシジルエーテル等のグリシジル化合物にα、β−不飽和カルボン酸を付加して得られる化合物、フタル酸やトリメリット酸などと分子中に水酸基を含有するビニルモノマーから得られるエステル化物、フタル酸ジアリル、トリメリット酸トリアリル、ベンゼンジスルホン酸ジアリル、重合性モノマーとしてカチオン重合性のジビニルエーテル類(例えば、ビスフェノールAジビニルエーテル)、エポキシ化合物(例えば、ノボラック型エポキシ樹脂、ビスフェノールAジグリシジルエーテル等)、ビニルエステル類(例えば、ジビニルフタレート、ジビニルテレフタレート、ジビニルベンゼン−1,3−ジスルホネート等)、スチレン化合物(例えば、ジビニルベンゼン、p−アリルスチレン、p−イソプロペンスチレン等)が挙げられる。これらの中でも下記構造式(35)で表される化合物が好ましい。   Examples of the polyhydric alcohol compound, polyamine compound or polyhydric amino alcohol compound having an aryl group include polystyrene oxide, xylylene diol, di- (β-hydroxyethoxy) benzene, 1,5-dihydroxy-1, 2,3,4-tetrahydronaphthalene, 2,2-diphenyl-1,3-propanediol, hydroxybenzyl alcohol, hydroxyethyl resorcinol, 1-phenyl-1,2-ethanediol, 2,3,5,6-tetra Methyl-p-xylene-α, α'-diol, 1,1,4,4-tetraphenyl-1,4-butanediol, 1,1,4,4-tetraphenyl-2-butyne-1,4- Diol, 1,1'-bi-2-naphthol, dihydroxynaphthalene, 1,1'-methylene-di-2-naphth 1,2,4-benzenetriol, biphenol, 2,2'-bis (4-hydroxyphenyl) butane, 1,1-bis (4-hydroxyphenyl) cyclohexane, bis (hydroxyphenyl) methane, catechol, 4-chlororesorcinol, hydroquinone, hydroxybenzyl alcohol, methyl hydroquinone, methylene-2,4,6-trihydroxybenzoate, phloroglicinol, pyrogallol, resorcinol, α- (1-aminoethyl) -p-hydroxybenzyl alcohol, α -(1-aminoethyl) -p-hydroxybenzyl alcohol, 3-amino-4-hydroxyphenylsulfone and the like can be mentioned. In addition, compounds obtained by adding α, β-unsaturated carboxylic acid to glycidyl compounds such as xylylene bis (meth) acrylamide, novolac epoxy resin and bisphenol A diglycidyl ether, phthalic acid, trimellitic acid, etc. Esterified products obtained from vinyl monomers containing hydroxyl groups in the molecule, diallyl phthalate, triallyl trimellitic acid, diallyl benzenedisulfonate, cationically polymerizable divinyl ethers (for example, bisphenol A divinyl ether), epoxy as a polymerizable monomer Compound (for example, novolac type epoxy resin, bisphenol A diglycidyl ether, etc.), vinyl ester (for example, divinyl phthalate, divinyl terephthalate, divinylbenzene-1,3-disulfonate, etc.), styrene Compounds such as divinylbenzene, p-allylstyrene, p-isopropenestyrene, and the like. Among these, a compound represented by the following structural formula (35) is preferable.

前記構造式(35)中、R4、Rは、水素原子又はアルキル基を表す。 In the structural formula (35), R 4 and R 5 represent a hydrogen atom or an alkyl group.

前記構造式(35)中、X及びXは、アルキレンオキサイド基を表し、1種単独でもよく、2種以上を併用してもよい。該アルキレンオキサイド基としては、例えば、エチレンオキサイド基、プロピレンオキサイド基、ブチレンオキサイド基、ペンチレンオキサイド基、ヘキシレンオキサイド基、これらを組み合わせた基(ランダム、ブロックのいずれに組み合わされてもよい)、などが好適に挙げられ、これらの中でも、エチレンオキサイド基、プロピレンオキサイド基、ブチレンオキサイド基、又はこれらを組み合わせた基が好ましく、エチレンオキサイド基、プロピレンオキサイド基がより好ましい。 In the structural formula (35), X 5 and X 6 represent an alkylene oxide group, which may be used alone or in combination of two or more. Examples of the alkylene oxide group include an ethylene oxide group, a propylene oxide group, a butylene oxide group, a pentylene oxide group, a hexylene oxide group, a group in which these are combined (which may be combined in any of random and block), Among these, an ethylene oxide group, a propylene oxide group, a butylene oxide group, or a group combining these is preferable, and an ethylene oxide group and a propylene oxide group are more preferable.

前記構造式(35)中、m5、m6は、1〜60の整数が好ましく、2〜30の整数がより好ましく、4〜15の整数が特に好ましい。   In the structural formula (35), m5 and m6 are preferably an integer of 1 to 60, more preferably an integer of 2 to 30, and particularly preferably an integer of 4 to 15.

前記構造式(35)中、Tは、2価の連結基を表し、例えば、メチレン、エチレン、MeCMe、CFCCF、CO、SOなどが挙げられる。 In the structural formula (35), T represents a divalent linking group, and examples thereof include methylene, ethylene, MeCMe, CF 3 CCF 3 , CO, and SO 2 .

前記構造式(35)中、Ar、Arは、置換基を有していてもよいアリール基を表し、例えば、フェニレン、ナフチレンなどが挙げられる。前記置換基としては、例えば、アルキル基、アリール基、アラルキル基、ハロゲン基、アルコキシ基、又はこれらの組合せなどが挙げられる。 In the structural formula (35), Ar 1 and Ar 2 represent an aryl group which may have a substituent, and examples thereof include phenylene and naphthylene. Examples of the substituent include an alkyl group, an aryl group, an aralkyl group, a halogen group, an alkoxy group, or a combination thereof.

前記アリール基を有するモノマーの具体例としては、2,2−ビス〔4−(3−(メタ)アクリルオキシ−2−ヒドロキシプロポキシ)フェニル〕プロパン、2,2−ビス〔4−((メタ)アクリルオキシエトキシ)フェニル〕プロパン、フェノール性のOH基1個に置換したエトキシ基の数が2から20である2,2−ビス(4−((メタ)アクリロイルオキシポリエトキシ)フェニル)プロパン(例えば、2,2−ビス(4−((メタ)アクリロイルオキシジエトキシ)フェニル)プロパン、2,2−ビス(4−((メタ)アクリロイルオキシテトラエトキシ)フェニル)プロパン、2,2−ビス(4−((メタ)アクリロイルオキシペンタエトキシ)フェニル)プロパン、2,2−ビス(4−((メタ)アクリロイルオキシデカエトキシ)フェニル)プロパン、2,2−ビス(4−((メタ)アクリロイルオキシペンタデカエトキシ)フェニル)プロパン等)、2,2−ビス〔4−((メタ)アクリルオキシプロポキシ)フェニル〕プロパン、フェノール性のOH基1個に置換させたエトキシ基の数が2から20である2,2−ビス(4−((メタ)アクリロイルオキシポリプロポキシ)フェニル)プロパン(例えば、2,2−ビス(4−((メタ)アクリロイルオキシジプロポキシ)フェニル)プロパン、2,2−ビス(4−((メタ)アクリロイルオキシテトラプロポキシ)フェニル)プロパン、2,2−ビス(4−((メタ)アクリロイルオキシペンタプロポキシ)フェニル)プロパン、2,2−ビス(4−((メタ)アクリロイルオキシデカプロポキシ)フェニル)プロパン、2,2−ビス(4−((メタ)アクリロイルオキシペンタデカプロポキシ)フェニル)プロパン等)、又はこれらの化合物のポリエーテル部位として同一分子中にポリエチレンオキシド骨格とポリプロピレンオキシド骨格の両方を含む化合物(例えば、WO01/98832号公報に記載の化合物等、又は、市販品として、新中村化学工業社製、BPE−200、BPE−500、BPE−1000)、ビスフェノール骨格とウレタン基とを有する重合性化合物などが挙げられる。なお、これらは、ビスフェノールA骨格に由来する部分をビスフェノールF又はビスフェノールS等に変更した化合物であってもよい。   Specific examples of the monomer having an aryl group include 2,2-bis [4- (3- (meth) acryloxy-2-hydroxypropoxy) phenyl] propane, 2,2-bis [4-((meth)). (Acryloxyethoxy) phenyl] propane, 2,2-bis (4-((meth) acryloyloxypolyethoxy) phenyl) propane (for example, 2 to 20 ethoxy groups substituted with one phenolic OH group) 2,2-bis (4-((meth) acryloyloxydiethoxy) phenyl) propane, 2,2-bis (4-((meth) acryloyloxytetraethoxy) phenyl) propane, 2,2-bis (4 -((Meth) acryloyloxypentaethoxy) phenyl) propane, 2,2-bis (4-((meth) acryloyloxydecaetoxy) ) Phenyl) propane, 2,2-bis (4-((meth) acryloyloxypentadecaethoxy) phenyl) propane), 2,2-bis [4-((meth) acryloxypropoxy) phenyl] propane, phenol 2,2-bis (4-((meth) acryloyloxypolypropoxy) phenyl) propane (for example, 2,2-bis (4 -((Meth) acryloyloxydipropoxy) phenyl) propane, 2,2-bis (4-((meth) acryloyloxytetrapropoxy) phenyl) propane, 2,2-bis (4-((meth) acryloyloxypenta) Propoxy) phenyl) propane, 2,2-bis (4-((meth) acryloyloxydecapropoxy) phenyl) Lopan, 2,2-bis (4-((meth) acryloyloxypentadecapropoxy) phenyl) propane, or the like, or a polyether moiety of these compounds contains both a polyethylene oxide skeleton and a polypropylene oxide skeleton in the same molecule Compound having a bisphenol skeleton and a urethane group (for example, a compound described in WO01 / 98832 or a commercially available product, Shin-Nakamura Chemical Co., Ltd., BPE-200, BPE-500, BPE-1000) Compound. These compounds may be compounds obtained by changing the part derived from the bisphenol A skeleton to bisphenol F or bisphenol S.

前記ビスフェノール骨格とウレタン基とを有する重合性化合物としては、例えば、ビスフェノールとエチレンオキシド又はプロピレンオキシド等の付加物、重付加物として得られる末端に水酸基を有する化合物にイソシアネート基と重合性基とを有する化合物(例えば、2−イソシアネートエチル(メタ)アクリレート、α、α−ジメチル−ビニルベンジルイソシアネート等)などが挙げられる。   Examples of the polymerizable compound having a bisphenol skeleton and a urethane group include an isocyanate group and a polymerizable group in a compound having a hydroxyl group at the terminal obtained as an adduct such as bisphenol and ethylene oxide or propylene oxide, or a polyaddition product. Examples thereof include compounds (for example, 2-isocyanatoethyl (meth) acrylate, α, α-dimethyl-vinylbenzyl isocyanate, etc.).

−その他の重合性モノマー−
本発明のパターン形成方法には、前記パターン形成材料としての特性を悪化させない範囲で、前記ウレタン基を含有するモノマー、アリール基を有するモノマー以外の重合性モノマーを併用してもよい。
-Other polymerizable monomers-
In the pattern forming method of the present invention, a polymerizable monomer other than the monomer containing the urethane group and the monomer having an aryl group may be used in combination as long as the characteristics as the pattern forming material are not deteriorated.

前記ウレタン基を含有するモノマー、芳香環を含有するモノマー以外の重合性モノマーとしては、例えば、不飽和カルボン酸(例えば、アクリル酸、メタクリル酸、イタコン酸、クロトン酸、イソクロトン酸、マレイン酸等)と脂肪族多価アルコール化合物とのエステル、不飽和カルボン酸と多価アミン化合物とのアミドなどが挙げられる。   Examples of the polymerizable monomer other than the monomer containing a urethane group and the monomer containing an aromatic ring include unsaturated carboxylic acids (for example, acrylic acid, methacrylic acid, itaconic acid, crotonic acid, isocrotonic acid, maleic acid, etc.) And an ester of an aliphatic polyhydric alcohol compound and an amide of an unsaturated carboxylic acid and a polyvalent amine compound.

前記不飽和カルボン酸と脂肪族多価アルコール化合物とのエステルのモノマーとしては、例えば、(メタ)アクリル酸エステルとして、エチレングリコールジ(メタ)アクリレート、エチレン基の数が2〜18であるポリエチレングリコールジ(メタ)アクリレート(例えば、ジエチレングリコールジ(メタ)アクリレート、トリエチレングリコールジ(メタ)アクリレート、テトラエチレングリコールジ(メタ)アクリレート、ノナエチレングリコールジ(メタ)アクリレート、ドデカエチレングリコールジ(メタ)アクリレート、テトラデカエチレングリコールジ(メタ)アクリレート等)、プロピレングリコールジ(メタ)アクリレート、プロピレン基の数が2から18であるポリプロピレングリコールジ(メタ)アクリレート(例えば、ジプロピレングリコールジ(メタ)アクリレート、トリプロピレングリコールジ(メタ)アクリレート、テトラプロピレングリコールジ(メタ)アクリレート、ドデカプロピレングリコールジ(メタ)アクリレート等)、ネオペンチルグリコールジ(メタ)アクリレート、エチレンオキシド変性ネオペンチルグリコールジ(メタ)アクリレート、プロピレンオキシド変性ネオペンチルグリコールジ(メタ)アクリレート、トリメチロールプロパントリ(メタ)アクリレート、トリメチロールプロパンジ(メタ)アクリレート、トリメチロールプロパントリ((メタ)アクリロイルオキシプロピル)エーテル、トリメチロールエタントリ(メタ)アクリレート、1,3−プロパンジオールジ(メタ)アクリレート、1,3−ブタンジオールジ(メタ)アクリレート、1,4−ブタンジオールジ(メタ)アクリレート、1,6−ヘキサンジオールジ(メタ)アクリレート、テトラメチレングリコールジ(メタ)アクリレート、1,4−シクロヘキサンジオールジ(メタ)アクリレート、1,2,4−ブタントリオールトリ(メタ)アクリレート、1,5−ベンタンジオール(メタ)アクリレート、ペンタエリトリトールジ(メタ)アクリレート、ペンタエリトリトールトリ(メタ)アクリレート、ペンタエリトリトールテトラ(メタ)アクリレート、ジペンタエリトリトールペンタ(メタ)アクリレート、ジペンタエリトリトールヘキサ(メタ)アクリレート、ソルビトールトリ(メタ)アクリレート、ソルビトールテトラ(メタ)アクリレート、ソルビトールペンタ(メタ)アクリレート、ソルビトールヘキサ(メタ)アクリレート、ジメチロールジシクロペンタンジ(メタ)アクリレート、トリシクロデカンジ(メタ)アクリレート、ネオペンチルグリコールジ(メタ)アクリレート、ネオペンチルグリコール変性トリメチロールプロパンジ(メタ)アクリレート、エチレングリコール鎖/プロピレングリコール鎖を少なくとも各々一つずつ有するアルキレングリコール鎖のジ(メタ)アクリレート(例えば、WO01/98832号公報に記載の化合物等)、エチレンオキサイド及びプロピレンオキサイドの少なくともいずれかを付加したトリメチロールプロパンのトリ(メタ)アクリル酸エステル、ポリブチレングリコールジ(メタ)アクリレート、グリセリンジ(メタ)アクリレート、グリセリントリ(メタ)アクリレート、キシレノールジ(メタ)アクリレートなどが挙げられる。   Examples of the monomer of the ester of the unsaturated carboxylic acid and the aliphatic polyhydric alcohol compound include (meth) acrylic acid ester, ethylene glycol di (meth) acrylate, and polyethylene glycol having 2 to 18 ethylene groups. Di (meth) acrylate (for example, diethylene glycol di (meth) acrylate, triethylene glycol di (meth) acrylate, tetraethylene glycol di (meth) acrylate, nonaethylene glycol di (meth) acrylate, dodecaethylene glycol di (meth) acrylate , Tetradecaethylene glycol di (meth) acrylate, etc.), propylene glycol di (meth) acrylate, polypropylene glycol di (meth) acrylate having 2 to 18 propylene groups (for example, , Dipropylene glycol di (meth) acrylate, tripropylene glycol di (meth) acrylate, tetrapropylene glycol di (meth) acrylate, dodecapropylene glycol di (meth) acrylate, etc.), neopentyl glycol di (meth) acrylate, ethylene oxide modified Neopentyl glycol di (meth) acrylate, propylene oxide modified neopentyl glycol di (meth) acrylate, trimethylolpropane tri (meth) acrylate, trimethylolpropane di (meth) acrylate, trimethylolpropane tri ((meth) acryloyloxypropyl) ) Ether, trimethylolethane tri (meth) acrylate, 1,3-propanediol di (meth) acrylate, 1,3-butanediol (Meth) acrylate, 1,4-butanediol di (meth) acrylate, 1,6-hexanediol di (meth) acrylate, tetramethylene glycol di (meth) acrylate, 1,4-cyclohexanediol di (meth) acrylate, 1,2,4-butanetriol tri (meth) acrylate, 1,5-bentanediol (meth) acrylate, pentaerythritol di (meth) acrylate, pentaerythritol tri (meth) acrylate, pentaerythritol tetra (meth) acrylate, di Pentaerythritol penta (meth) acrylate, dipentaerythritol hexa (meth) acrylate, sorbitol tri (meth) acrylate, sorbitol tetra (meth) acrylate, sorbitol penta (meth) acrylate Rate, sorbitol hexa (meth) acrylate, dimethylol dicyclopentane di (meth) acrylate, tricyclodecane di (meth) acrylate, neopentyl glycol di (meth) acrylate, neopentyl glycol modified trimethylolpropane di (meth) acrylate A di (meth) acrylate of an alkylene glycol chain having at least one ethylene glycol chain / propylene glycol chain (for example, a compound described in WO01 / 98832), at least one of ethylene oxide and propylene oxide Trimethylolpropane tri (meth) acrylate, polybutylene glycol di (meth) acrylate, glycerol di (meth) acrylate, glycerol tri (meth) acrylate Examples include relate and xylenol di (meth) acrylate.

前記(メタ)アクリル酸エステル類の中でも、その入手の容易さ等の観点から、エチレングリコールジ(メタ)アクリレート、ポリエチレングリコールジ(メタ)アクリレート、プロピレングリコールジ(メタ)アクリレート、ポリプロピレングリコールジ(メタ)アクリレート、エチレングリコール鎖/プロピレングリコール鎖を少なくとも各々一つずつ有するアルキレングリコール鎖のジ(メタ)アクリレート、トリメチロールプロパントリ(メタ)アクリレート、ペンタエリトリトールテトラ(メタ)アクリレート、ペンタエリトリトールトリアクリレート、ペンタエリトリトールジ(メタ)アクリレート、ジペンタエリトリトールペンタ(メタ)アクリレート、ジペンタエリトリトールヘキサ(メタ)アクリレート、グリセリントリ(メタ)アクリレート、ジグリセリンジ(メタ)アクリレート、1,3−プロパンジオールジ(メタ)アクリレート、1,2,4−ブタントリオールトリ(メタ)アクリレート、1,4−シクロヘキサンジオールジ(メタ)アクリレート、1,5−ペンタンジオール(メタ)アクリレート、ネオペンチルグリコールジ(メタ)アクリレート、エチレンオキサイド付加したトリメチロールプロパンのトリ(メタ)アクリル酸エステルなどが好ましい。   Among the (meth) acrylic acid esters, ethylene glycol di (meth) acrylate, polyethylene glycol di (meth) acrylate, propylene glycol di (meth) acrylate, polypropylene glycol di (meta) from the viewpoint of easy availability. ) Acrylate, di (meth) acrylate of alkylene glycol chain each having at least one ethylene glycol chain / propylene glycol chain, trimethylolpropane tri (meth) acrylate, pentaerythritol tetra (meth) acrylate, pentaerythritol triacrylate, penta Erythritol di (meth) acrylate, dipentaerythritol penta (meth) acrylate, dipentaerythritol hexa (meth) acrylate, glycerin tri (Meth) acrylate, diglycerin di (meth) acrylate, 1,3-propanediol di (meth) acrylate, 1,2,4-butanetriol tri (meth) acrylate, 1,4-cyclohexanediol di (meth) acrylate, 1, Preference is given to 5-pentanediol (meth) acrylate, neopentyl glycol di (meth) acrylate, trimethylolpropane tri (meth) acrylate added with ethylene oxide, and the like.

前記イタコン酸と前記脂肪族多価アルコール化合物とのエステル(イタコン酸エステル)としては、例えば、エチレングリコールジイタコネート、プロピレングリコールジイタコネート、1,3−ブタンジオールジイタコネート、1,4ーブタンジオールジイタコネート、テトラメチレングリコールジイタコネート、ペンタエリトリトールジイタコネート、及びソルビトールテトライタコネートなどが挙げられる。   Examples of the ester (itaconic acid ester) of the itaconic acid and the aliphatic polyhydric alcohol compound include ethylene glycol diitaconate, propylene glycol diitaconate, 1,3-butanediol diitaconate, 1,4- Examples include butanediol diitaconate, tetramethylene glycol diitaconate, pentaerythritol diitaconate, and sorbitol tetritaconate.

前記クロトン酸と前記脂肪族多価アルコール化合物とのエステル(クロトン酸エステル)としては、例えば、エチレングリコールジクロトネート、テトラメチレングリコールジクロトネート、ペンタエリトリトールジクロトネート、ソルビトールテトラジクロトネートなどが挙げられる。   Examples of the ester (crotonate ester) of the crotonic acid and the aliphatic polyhydric alcohol compound include ethylene glycol dicrotonate, tetramethylene glycol dicrotonate, pentaerythritol dicrotonate, and sorbitol tetradicrotonate. Can be mentioned.

前記イソクロトン酸と前記脂肪族多価アルコール化合物とのエステル(イソクロトン酸エステル)としては、例えば、エチレングリコールジイソクロトネート、ペンタエリトリトールジイソクロトネート、ソルビトールテトライソクロトネートなどが挙げられる。   Examples of the ester of the isocrotonic acid and the aliphatic polyhydric alcohol compound (isocrotonate ester) include ethylene glycol diisocrotonate, pentaerythritol diisocrotonate, sorbitol tetraisocrotonate, and the like.

前記マレイン酸と前記脂肪族多価アルコール化合物とのエステル(マレイン酸エステル)としては、例えば、エチレングリコールジマレート、トリエチレングリコールジマレート、ペンタエリトリトールジマレート、ソルビトールテトラマレートなどが挙げられる。   Examples of the ester of maleic acid and the aliphatic polyhydric alcohol compound (maleic acid ester) include ethylene glycol dimaleate, triethylene glycol dimaleate, pentaerythritol dimaleate, and sorbitol tetramaleate.

前記多価アミン化合物と前記不飽和カルボン酸類から誘導されるアミドとしては、例えば、メチレンビス(メタ)アクリルアミド、エチレンビス(メタ)アクリルアミド、1,6−ヘキサメチレンビス(メタ)アクリルアミド、オクタメチレンビス(メタ)アクリルアミド、ジエチレントリアミントリス(メタ)アクリルアミド、ジエチレントリアミンビス(メタ)アクリルアミド、などが挙げられる。   Examples of the amide derived from the polyvalent amine compound and the unsaturated carboxylic acid include methylene bis (meth) acrylamide, ethylene bis (meth) acrylamide, 1,6-hexamethylene bis (meth) acrylamide, and octamethylene bis ( And (meth) acrylamide, diethylenetriamine tris (meth) acrylamide, and diethylenetriamine bis (meth) acrylamide.

また、上記以外にも、前記重合性モノマーとして、例えば、ブタンジオール−1,4−ジグリシジルエーテル、シクロヘキサンジメタノールグリシジルエーテル、エチレングリコールジグリシジルエーテル、ジエチレングリコールジグリシジルエーテル、ジプロピレングリコールジグリシジルエーテル、ヘキサンジオールジグリシジルエーテル、トリメチロールプロパントリグリシジルエーテル、ペンタエリトリトールテトラグリシジルエーテル、グリセリントリグリシジルエーテル等のグリシジル基含有化合物にα,β−不飽和カルボン酸を付加して得られる化合物、特開昭48−64183号、特公昭49−43191号、特公昭52−30490号各公報に記載されているようなポリエステルアクリレートやポリエステル(メタ)アクリレートオリゴマー類、エポキシ化合物(例えば、ブタンジオール−1,4−ジグリシジルエーテル、シクロヘキサンジメタノールグリシジルエーテル、ジエチレングリコールジグリシジルエーテル、ジプロピレングリコールジグリシジルエーテル、ヘキサンジオールジグリシジルエーテル、トリメチロールプロパントリグリシジルエーテル、ペンタエリトリトールテトラグリシジルエーテル、グリセリントリグリシジルエーテルなど)と(メタ)アクリル酸を反応させたエポキシアクリレート類等の多官能のアクリレートやメタクリレート、日本接着協会誌vol.20、No.7、300〜308ページ(1984年)に記載の光硬化性モノマー及びオリゴマー、アリルエステル(例えば、フタル酸ジアリル、アジピン酸ジアリル、マロン酸ジアリル、ジアリルアミド(例えば、ジアリルアセトアミド等)、カチオン重合性のジビニルエーテル類(例えば、ブタンジオール−1,4−ジビニルエーテル、シクロヘキサンジメタノールジビニルエーテル、エチレングリコールジビニルエーテル、ジエチレングリコールジビニルエーテル、ジプロピレングリコールジビニルエーテル、ヘキサンジオールジビニルエーテル、トリメチロールプロパントリビニルエーテル、ペンタエリトリトールテトラビニルエーテル、グリセリントリビニルエーテル等)、エポキシ化合物(例えば、ブタンジオール−1,4−ジグリシジルエーテル、シクロヘキサンジメタノールグリシジルエーテル、エチレングリコールジグリシジルエーテル、ジエチレングリコールジグリシジルエーテル、ジプロピレングリコールジグリシジルエーテル、ヘキサンジオールジグリシジルエーテル、トリメチロールプロパントリグリシジルエーテル、ペンタエリトリトールテトラグリシジルエーテル、グリセリントリグリシジルエーテル等)、オキセタン類(例えば、1,4−ビス〔(3−エチル−3−オキセタニルメトキシ)メチル〕ベンゼン等)、エポキシ化合物、オキセタン類(例えば、WO01/22165号公報に記載の化合物)、N−β−ヒドロキシエチル−β−(メタクリルアミド)エチルアクリレート、N,N−ビス(β−メタクリロキシエチル)アクリルアミド、アリルメタクリレート等の異なったエチレン性不飽和二重結合を2個以上有する化合物などが挙げられる。   In addition to the above, as the polymerizable monomer, for example, butanediol-1,4-diglycidyl ether, cyclohexanedimethanol glycidyl ether, ethylene glycol diglycidyl ether, diethylene glycol diglycidyl ether, dipropylene glycol diglycidyl ether, Compound obtained by adding α, β-unsaturated carboxylic acid to glycidyl group-containing compound such as hexanediol diglycidyl ether, trimethylolpropane triglycidyl ether, pentaerythritol tetraglycidyl ether, glycerin triglycidyl ether, Polyester acrylate and polyester (meth) acrylate as described in JP-B-6183, JP-B-49-43191 and JP-B-52-30490. Rate oligomers, epoxy compounds (eg, butanediol-1,4-diglycidyl ether, cyclohexanedimethanol glycidyl ether, diethylene glycol diglycidyl ether, dipropylene glycol diglycidyl ether, hexanediol diglycidyl ether, trimethylolpropane triglycidyl ether , Pentaerythritol tetraglycidyl ether, glycerin triglycidyl ether, etc.) and (meth) acrylic acid and other polyfunctional acrylates and methacrylates such as epoxy acrylates, Journal of Japan Adhesion Association Vol. 20, No. 7, 300-308 Photocurable monomers and oligomers and allyl esters described in page (1984) (eg diallyl phthalate, diallyl adipate, malonic acid) Allyl, diallylamide (eg, diallylacetamide), cationically polymerizable divinyl ethers (eg, butanediol-1,4-divinyl ether, cyclohexanedimethanol divinyl ether, ethylene glycol divinyl ether, diethylene glycol divinyl ether, dipropylene glycol) Divinyl ether, hexanediol divinyl ether, trimethylolpropane trivinyl ether, pentaerythritol tetravinyl ether, glycerin trivinyl ether, etc.), epoxy compounds (eg, butanediol-1,4-diglycidyl ether, cyclohexanedimethanol glycidyl ether, ethylene glycol di) Glycidyl ether, diethylene glycol diglycidyl ether, dipropylene group Recall diglycidyl ether, hexanediol diglycidyl ether, trimethylolpropane triglycidyl ether, pentaerythritol tetraglycidyl ether, glycerin triglycidyl ether, etc.), oxetanes (for example, 1,4-bis [(3-ethyl-3-oxetanyl) Methoxy) methyl] benzene, etc.), epoxy compounds, oxetanes (for example, compounds described in WO01 / 22165), N-β-hydroxyethyl-β- (methacrylamide) ethyl acrylate, N, N-bis (β -Methacryloxyethyl) A compound having two or more different ethylenically unsaturated double bonds such as acrylamide and allyl methacrylate.

前記ビニルエステル類としては、例えば、ジビニルサクシネート、ジビニルアジペートなどが挙げられる。   Examples of the vinyl esters include divinyl succinate and divinyl adipate.

これらの多官能モノマー又はオリゴマーは、1種単独で使用してもよく、2種以上を併用してもよい。   These polyfunctional monomers or oligomers may be used alone or in combination of two or more.

前記重合性モノマーは、必要に応じて、分子内に重合性基を1個含有する重合性化合物(単官能モノマー)を併用してもよい。
前記単官能モノマーとしては、例えば、前記バインダーの原料として例示した化合物、特開平6−236031号公報に記載されている2塩基のモノ((メタ)アクリロイルオキシアルキルエステル)モノ(ハロヒドロキシアルキルエステル)等の単官能モノマー(例えば、γ−クロロ−β−ヒドロキシプロピル−β′−メタクリロイルオキシエチル−o−フタレート等)、特許2744643号公報、WO00/52529号公報、特許2548016号公報等に記載の化合物が挙げられる。
If necessary, the polymerizable monomer may be used in combination with a polymerizable compound (monofunctional monomer) containing one polymerizable group in the molecule.
Examples of the monofunctional monomer include the compounds exemplified as the raw material of the binder, and the dibasic mono ((meth) acryloyloxyalkyl ester) mono (halohydroxyalkyl ester) described in JP-A-6-236031. Monofunctional monomers such as γ-chloro-β-hydroxypropyl-β′-methacryloyloxyethyl-o-phthalate, etc., compounds described in Japanese Patent No. 2744443, WO00 / 52529, Japanese Patent No. 2548016, etc. Is mentioned.

前記感光層における重合性化合物の含有量としては、例えば、5〜90質量%が好ましく、15〜60質量%がより好ましく、20〜50質量%が特に好ましい。
前記含有量が、5質量%となると、テント膜の強度が低下することがあり、90質量%を超えると、保存時のエッジフュージョン(ロール端部からのしみだし故障)が悪化することがある。
また、重合性化合物中に前記重合性基を2個以上有する多官能モノマーの含有量としては、5〜100質量%が好ましく、20〜100質量%がより好ましく、40〜100質量%が特に好ましい。
As content of the polymeric compound in the said photosensitive layer, 5-90 mass% is preferable, for example, 15-60 mass% is more preferable, and 20-50 mass% is especially preferable.
If the content is 5% by mass, the strength of the tent film may be reduced, and if it exceeds 90% by mass, edge fusion during storage (exudation failure from the end of the roll) may be deteriorated. .
Moreover, as content of the polyfunctional monomer which has 2 or more of the said polymeric groups in a polymeric compound, 5-100 mass% is preferable, 20-100 mass% is more preferable, 40-100 mass% is especially preferable. .

<<光重合開始剤>>
前記光重合開始剤としては、前記重合性化合物の重合を開始する能力を有する限り、特に制限はなく、公知の光重合開始剤の中から適宜選択することができるが、例えば、紫外線領域から可視の光線に対して感光性を有するものが好ましく、光励起された増感剤と何らかの作用を生じ、活性ラジカルを生成する活性剤であってもよく、モノマーの種類に応じてカチオン重合を開始させるような開始剤であってもよい。
また、前記光重合開始剤は、約300〜800nm(より好ましくは330〜500nm)の範囲内に少なくとも約50の分子吸光係数を有する成分を少なくとも1種含有していることが好ましい。
<< photopolymerization initiator >>
The photopolymerization initiator is not particularly limited as long as it has the ability to initiate polymerization of the polymerizable compound, and can be appropriately selected from known photopolymerization initiators. For example, it is visible from the ultraviolet region. It is preferable to have photosensitivity to the light, and it may be an activator that produces some kind of action with a photoexcited sensitizer and generates active radicals, and initiates cationic polymerization depending on the type of monomer. Initiator may be used.
The photopolymerization initiator preferably contains at least one component having a molecular extinction coefficient of at least about 50 within a range of about 300 to 800 nm (more preferably 330 to 500 nm).

前記光重合開始剤としては、例えば、ハロゲン化炭化水素誘導体(例えば、トリアジン骨格を有するもの、オキサジアゾール骨格を有するもの等)、ヘキサアリールビイミダゾール、オキシム誘導体、有機過酸化物、チオ化合物、ケトン化合物、芳香族オニウム塩、メタロセン類などが挙げられる。これらの中でも、感光層の感度、保存性、及び感光層とプリント配線板形成用基板との密着性等の観点から、トリアジン骨格を有するハロゲン化炭化水素、オキシム誘導体、ケトン化合物、ヘキサアリールビイミダゾール系化合物が好ましい。   Examples of the photopolymerization initiator include halogenated hydrocarbon derivatives (for example, those having a triazine skeleton, those having an oxadiazole skeleton), hexaarylbiimidazoles, oxime derivatives, organic peroxides, thio compounds, Examples include ketone compounds, aromatic onium salts, and metallocenes. Among these, halogenated hydrocarbons having a triazine skeleton, oxime derivatives, ketone compounds, hexaarylbiimidazoles from the viewpoints of the sensitivity and storage stability of the photosensitive layer and the adhesion between the photosensitive layer and the printed wiring board forming substrate. System compounds are preferred.

前記ヘキサアリールビイミダゾールとしては、例えば、2,2′−ビス(2−クロロフェニル)−4,4′,5,5′−テトラフェニルビイミダゾール、2,2′−ビス(o−フロロフェニル)−4,4′,5,5′−テトラフェニルビイミダゾール、2,2′−ビス(2−ブロモフェニル)−4,4′,5,5′−テトラフェニルビイミダゾール、2,2′−ビス(2,4−ジクロロフェニル)−4,4′,5,5′−テトラフェニルビイミダゾール、2,2′−ビス(2−クロロフェニル)−4,4′,5,5′−テトラ(3−メトキシフェニル)ビイミダゾール、2,2′−ビス(2−クロロフェニル)−4,4′,5,5′−テトラ(4−メトキシフェニル)ビイミダゾール、2,2′−ビス(4−メトキシフェニル)−4,4′,5,5′−テトラフェニルビイミダゾール、2,2′−ビス(2,4−ジクロロフェニル)−4,4′,5,5′−テトラフェニルビイミダゾール、2,2′−ビス(2−ニトロフェニル)−4,4′,5,5′−テトラフェニルビイミダゾール、2,2′−ビス(2−メチルフェニル)−4,4′,5,5′−テトラフェニルビイミダゾール、2,2′−ビス(2−トリフルオロメチルフェニル)−4,4′,5,5′−テトラフェニルビイミダゾール、WO00/52529号公報に記載の化合物などが挙げられる。   Examples of the hexaarylbiimidazole include 2,2′-bis (2-chlorophenyl) -4,4 ′, 5,5′-tetraphenylbiimidazole, 2,2′-bis (o-fluorophenyl)- 4,4 ', 5,5'-tetraphenylbiimidazole, 2,2'-bis (2-bromophenyl) -4,4', 5,5'-tetraphenylbiimidazole, 2,2'-bis ( 2,4-dichlorophenyl) -4,4 ', 5,5'-tetraphenylbiimidazole, 2,2'-bis (2-chlorophenyl) -4,4', 5,5'-tetra (3-methoxyphenyl) ) Biimidazole, 2,2'-bis (2-chlorophenyl) -4,4 ', 5,5'-tetra (4-methoxyphenyl) biimidazole, 2,2'-bis (4-methoxyphenyl) -4 , 4 ', , 5'-tetraphenylbiimidazole, 2,2'-bis (2,4-dichlorophenyl) -4,4 ', 5,5'-tetraphenylbiimidazole, 2,2'-bis (2-nitrophenyl) -4,4 ', 5,5'-tetraphenylbiimidazole, 2,2'-bis (2-methylphenyl) -4,4', 5,5'-tetraphenylbiimidazole, 2,2'-bis (2-Trifluoromethylphenyl) -4,4 ', 5,5'-tetraphenylbiimidazole, compounds described in WO00 / 52529, and the like.

前記ビイミダゾール類は、例えば、Bull.Chem.Soc.Japan,33,565(1960)、及びJ.Org.Chem,36(16)2262(1971)に開示されている方法により容易に合成することができる。   The biimidazoles are described in, for example, Bull. Chem. Soc. Japan, 33, 565 (1960); Org. It can be easily synthesized by the method disclosed in Chem, 36 (16) 2262 (1971).

トリアジン骨格を有するハロゲン化炭化水素化合物としては、例えば、若林ら著、Bull.Chem.Soc.Japan,42、2924(1969)記載の化合物、英国特許1388492号明細書記載の化合物、特開昭53−133428号公報記載の化合物、独国特許3337024号明細書記載の化合物、F.C.Schaefer等によるJ.Org.Chem.;29、1527(1964)記載の化合物、特開昭62−58241号公報記載の化合物、特開平5−281728号公報記載の化合物、特開平5−34920号公報記載化合物、米国特許第4212976号明細書に記載されている化合物が挙げられる。   Examples of the halogenated hydrocarbon compound having a triazine skeleton include those described in Wakabayashi et al., Bull. Chem. Soc. Japan, 42, 2924 (1969), a compound described in British Patent 1388492, a compound described in JP-A-53-133428, a compound described in German Patent 3337024, F.I. C. J. Schaefer et al. Org. Chem. 29, 1527 (1964), compounds described in JP-A-62-258241, compounds described in JP-A-5-281728, compounds described in JP-A-5-34920, US Pat. No. 4,221,976 And compounds described in the book.

前記若林ら著、Bull.Chem.Soc.Japan,42、2924(1969)記載の化合物としては、例えば、2−フェニル−4,6−ビス(トリクロルメチル)−1,3,5−トリアジン、2−(4−クロルフェニル)−4,6−ビス(トリクロルメチル)−1,3,5−トリアジン、2−(4−トリル)−4,6−ビス(トリクロルメチル)−1,3,5−トリアジン、2−(4−メトキシフェニル)−4,6−ビス(トリクロルメチル)−1,3,5−トリアジン、2−(2,4−ジクロルフェニル)−4,6−ビス(トリクロルメチル)−1,3,5−トリアジン、2,4,6−トリス(トリクロルメチル)−1,3,5−トリアジン、2−メチル−4,6−ビス(トリクロルメチル)−1,3,5−トリアジン、2−n−ノニル−4,6−ビス(トリクロルメチル)−1,3,5−トリアジン、及び2−(α,α,β−トリクロルエチル)−4,6−ビス(トリクロルメチル)−1,3,5−トリアジンなどが挙げられる。   Wakabayashi et al., Bull. Chem. Soc. As a compound described in Japan, 42, 2924 (1969), for example, 2-phenyl-4,6-bis (trichloromethyl) -1,3,5-triazine, 2- (4-chlorophenyl) -4,6 -Bis (trichloromethyl) -1,3,5-triazine, 2- (4-tolyl) -4,6-bis (trichloromethyl) -1,3,5-triazine, 2- (4-methoxyphenyl)- 4,6-bis (trichloromethyl) -1,3,5-triazine, 2- (2,4-dichlorophenyl) -4,6-bis (trichloromethyl) -1,3,5-triazine, 2, 4,6-tris (trichloromethyl) -1,3,5-triazine, 2-methyl-4,6-bis (trichloromethyl) -1,3,5-triazine, 2-n-nonyl-4,6- Bis (trichloromethyl) 1,3,5-triazine, and 2-(alpha, alpha, beta-trichloroethyl) -4,6-bis (trichloromethyl) -1,3,5-triazine.

前記英国特許1388492号明細書記載の化合物としては、例えば、2−スチリル−4,6−ビス(トリクロルメチル)−1,3,5−トリアジン、2−(4−メチルスチリル)−4,6−ビス(トリクロルメチル)−1,3,5−トリアジン、2−(4−メトキシスチリル)−4,6−ビス(トリクロルメチル)−1,3,5−トリアジン、2−(4−メトキシスチリル)−4−アミノ−6−トリクロルメチル−1,3,5−トリアジンなどが挙げられる。   Examples of the compound described in the British Patent 1388492 include 2-styryl-4,6-bis (trichloromethyl) -1,3,5-triazine, 2- (4-methylstyryl) -4,6- Bis (trichloromethyl) -1,3,5-triazine, 2- (4-methoxystyryl) -4,6-bis (trichloromethyl) -1,3,5-triazine, 2- (4-methoxystyryl)- 4-amino-6-trichloromethyl-1,3,5-triazine and the like can be mentioned.

前記特開昭53−133428号公報記載の化合物としては、例えば、2−(4−メトキシ−ナフト−1−イル)−4,6−ビス(トリクロルメチル)−1,3,5−トリアジン、2−(4−エトキシ−ナフト−1−イル)−4,6−ビス(トリクロルメチル)−1,3,5−トリアジン、2−〔4−(2−エトキシエチル)−ナフト−1−イル〕−4,6−ビス(トリクロルメチル)−1,3,5−トリアジン、2−(4,7−ジメトキシ−ナフト−1−イル)−4,6−ビス(トリクロルメチル)−1,3,5−トリアジン、及び2−(アセナフト−5−イル)−4,6−ビス(トリクロルメチル)−1,3,5−トリアジンなどが挙げられる。   Examples of the compounds described in JP-A-53-133428 include 2- (4-methoxy-naphth-1-yl) -4,6-bis (trichloromethyl) -1,3,5-triazine, 2 -(4-Ethoxy-naphth-1-yl) -4,6-bis (trichloromethyl) -1,3,5-triazine, 2- [4- (2-ethoxyethyl) -naphth-1-yl]- 4,6-bis (trichloromethyl) -1,3,5-triazine, 2- (4,7-dimethoxy-naphth-1-yl) -4,6-bis (trichloromethyl) -1,3,5- Examples include triazine and 2- (acenaphtho-5-yl) -4,6-bis (trichloromethyl) -1,3,5-triazine.

前記独国特許3337024号明細書記載の化合物としては、例えば、2−(4−スチリルフェニル)−4、6−ビス(トリクロロメチル)−1,3,5−トリアジン、2−(4−(4−メトキシスチリル)フェニル)−4、6−ビス(トリクロロメチル)−1,3,5−トリアジン、2−(1−ナフチルビニレンフェニル)−4、6−ビス(トリクロロメチル)−1,3,5−トリアジン、2−クロロスチリルフェニル−4,6−ビス(トリクロロメチル)−1,3,5−トリアジン、2−(4−チオフェン−2−ビニレンフェニル)−4,6−ビス(トリクロロメチル)−1,3,5−トリアジン、2−(4−チオフェン−3−ビニレンフェニル)−4,6−ビス(トリクロロメチル)−1,3,5−トリアジン、2−(4−フラン−2−ビニレンフェニル)−4,6−ビス(トリクロロメチル)−1,3,5−トリアジン、及び2−(4−ベンゾフラン−2−ビニレンフェニル)−4,6−ビス(トリクロロメチル)−1,3,5−トリアジンなどが挙げられる。   Examples of the compound described in the specification of German Patent 3333724 include 2- (4-styrylphenyl) -4,6-bis (trichloromethyl) -1,3,5-triazine, 2- (4- (4 -Methoxystyryl) phenyl) -4,6-bis (trichloromethyl) -1,3,5-triazine, 2- (1-naphthylvinylenephenyl) -4,6-bis (trichloromethyl) -1,3,5 -Triazine, 2-chlorostyrylphenyl-4,6-bis (trichloromethyl) -1,3,5-triazine, 2- (4-thiophen-2-vinylenephenyl) -4,6-bis (trichloromethyl)- 1,3,5-triazine, 2- (4-thiophene-3-vinylenephenyl) -4,6-bis (trichloromethyl) -1,3,5-triazine, 2- (4-furan-2 Vinylenephenyl) -4,6-bis (trichloromethyl) -1,3,5-triazine, and 2- (4-benzofuran-2-vinylenephenyl) -4,6-bis (trichloromethyl) -1,3 5-triazine etc. are mentioned.

前記F.C.Schaefer等によるJ.Org.Chem.;29、1527(1964)記載の化合物としては、例えば、2−メチル−4,6−ビス(トリブロモメチル)−1,3,5−トリアジン、2,4,6−トリス(トリブロモメチル)−1,3,5−トリアジン、2,4,6−トリス(ジブロモメチル)−1,3,5−トリアジン、2−アミノ−4−メチル−6−トリ(ブロモメチル)−1,3,5−トリアジン、及び2−メトキシ−4−メチル−6−トリクロロメチル−1,3,5−トリアジンなどが挙げられる。   F. above. C. J. Schaefer et al. Org. Chem. 29, 1527 (1964) include, for example, 2-methyl-4,6-bis (tribromomethyl) -1,3,5-triazine, 2,4,6-tris (tribromomethyl); -1,3,5-triazine, 2,4,6-tris (dibromomethyl) -1,3,5-triazine, 2-amino-4-methyl-6-tri (bromomethyl) -1,3,5- Examples include triazine and 2-methoxy-4-methyl-6-trichloromethyl-1,3,5-triazine.

前記特開昭62−58241号公報記載の化合物としては、例えば、2−(4−フェニルエチニルフェニル)−4,6−ビス(トリクロロメチル)−1,3,5−トリアジン、2−(4−ナフチル−1−エチニルフェニル−4,6−ビス(トリクロロメチル)−1,3,5−トリアジン、2−(4−(4−トリルエチニル)フェニル)−4,6−ビス(トリクロロメチル)−1,3,5−トリアジン、2−(4−(4−メトキシフェニル)エチニルフェニル)−4,6−ビス(トリクロロメチル)−1,3,5−トリアジン、2−(4−(4−イソプロピルフェニルエチニル)フェニル)−4,6−ビス(トリクロロメチル)−1,3,5−トリアジン、2−(4−(4−エチルフェニルエチニル)フェニル)−4,6−ビス(トリクロロメチル)−1,3,5−トリアジンなどが挙げられる。   Examples of the compounds described in JP-A-62-258241 include 2- (4-phenylethynylphenyl) -4,6-bis (trichloromethyl) -1,3,5-triazine, 2- (4- Naphthyl-1-ethynylphenyl-4,6-bis (trichloromethyl) -1,3,5-triazine, 2- (4- (4-tolylethynyl) phenyl) -4,6-bis (trichloromethyl) -1 , 3,5-triazine, 2- (4- (4-methoxyphenyl) ethynylphenyl) -4,6-bis (trichloromethyl) -1,3,5-triazine, 2- (4- (4-isopropylphenyl) Ethynyl) phenyl) -4,6-bis (trichloromethyl) -1,3,5-triazine, 2- (4- (4-ethylphenylethynyl) phenyl) -4,6-bis (trichloromethyl) Le) -1,3,5-triazine.

前記特開平5−281728号公報記載の化合物としては、例えば、2−(4−トリフルオロメチルフェニル)−4,6−ビス(トリクロロメチル)−1,3,5−トリアジン、2−(2,6−ジフルオロフェニル)−4,6−ビス(トリクロロメチル)−1,3,5−トリアジン、2−(2,6−ジクロロフェニル)−4,6−ビス(トリクロロメチル)−1,3,5−トリアジン、2−(2,6−ジブロモフェニル)−4,6−ビス(トリクロロメチル)−1,3,5−トリアジンなどが挙げられる。   Examples of the compound described in JP-A-5-281728 include 2- (4-trifluoromethylphenyl) -4,6-bis (trichloromethyl) -1,3,5-triazine, 2- (2, 6-difluorophenyl) -4,6-bis (trichloromethyl) -1,3,5-triazine, 2- (2,6-dichlorophenyl) -4,6-bis (trichloromethyl) -1,3,5- Examples include triazine, 2- (2,6-dibromophenyl) -4,6-bis (trichloromethyl) -1,3,5-triazine.

前記特開平5−34920号公報記載化合物としては、例えば、2,4−ビス(トリクロロメチル)−6−[4−(N,N−ジエトキシカルボニルメチルアミノ)−3−ブロモフェニル]−1,3,5−トリアジン、米国特許第4239850号明細書に記載されているトリハロメチル−s−トリアジン化合物、更に2,4,6−トリス(トリクロロメチル)−s−トリアジン、2−(4−クロロフェニル)−4,6−ビス(トリブロモメチル)−s−トリアジンなどが挙げられる。   Examples of the compound described in JP-A-5-34920 include 2,4-bis (trichloromethyl) -6- [4- (N, N-diethoxycarbonylmethylamino) -3-bromophenyl] -1, 3,5-triazine, trihalomethyl-s-triazine compounds described in US Pat. No. 4,239,850, 2,4,6-tris (trichloromethyl) -s-triazine, 2- (4-chlorophenyl) Examples include -4,6-bis (tribromomethyl) -s-triazine.

前記米国特許第4212976号明細書に記載されている化合物としては、例えば、オキサジアゾール骨格を有する化合物(例えば、2−トリクロロメチル−5−フェニル−1,3,4−オキサジアゾール、2−トリクロロメチル−5−(4−クロロフェニル)−1,3,4−オキサジアゾール、2−トリクロロメチル−5−(1−ナフチル)−1,3,4−オキサジアゾール、2−トリクロロメチル−5−(2−ナフチル)−1,3,4−オキサジアゾール、2−トリブロモメチル−5−フェニル−1,3,4−オキサジアゾール、2−トリブロモメチル−5−(2−ナフチル)−1,3,4−オキサジアゾール;2−トリクロロメチル−5−スチリル−1,3,4−オキサジアゾール、2−トリクロロメチル−5−(4−クロルスチリル)−1,3,4−オキサジアゾール、2−トリクロロメチル−5−(4−メトキシスチリル)−1,3,4−オキサジアゾール、2−トリクロロメチル−5−(1−ナフチル)−1,3,4−オキサジアゾール、2−トリクロロメチル−5−(4−n−ブトキシスチリル)−1,3,4−オキサジアゾール、2−トリブロモメチル−5−スチリル−1,3,4−オキサジアゾール等)などが挙げられる。   Examples of the compound described in US Pat. No. 4,221,976 include compounds having an oxadiazole skeleton (for example, 2-trichloromethyl-5-phenyl-1,3,4-oxadiazole, 2- Trichloromethyl-5- (4-chlorophenyl) -1,3,4-oxadiazole, 2-trichloromethyl-5- (1-naphthyl) -1,3,4-oxadiazole, 2-trichloromethyl-5 -(2-naphthyl) -1,3,4-oxadiazole, 2-tribromomethyl-5-phenyl-1,3,4-oxadiazole, 2-tribromomethyl-5- (2-naphthyl) -1,3,4-oxadiazole; 2-trichloromethyl-5-styryl-1,3,4-oxadiazole, 2-trichloromethyl-5- (4-chlorostyryl) -1,3,4-oxadiazole, 2-trichloromethyl-5- (4-methoxystyryl) -1,3,4-oxadiazole, 2-trichloromethyl-5- (1-naphthyl) -1, 3,4-oxadiazole, 2-trichloromethyl-5- (4-n-butoxystyryl) -1,3,4-oxadiazole, 2-tribromomethyl-5-styryl-1,3,4 Oxadiazole and the like).

本発明で好適に用いられるオキシム誘導体としては、例えば、下記構造式(36)〜(69)で表される化合物が挙げられる。   Examples of the oxime derivative suitably used in the present invention include compounds represented by the following structural formulas (36) to (69).

前記ケトン化合物としては、例えば、ベンゾフェノン、2−メチルベンゾフェノン、3−メチルベンゾフェノン、4−メチルベンゾフェノン、4−メトキシベンゾフェノン、2−クロロベンゾフェノン、4−クロロベンゾフェノン、4−ブロモベンゾフェノン、2−カルボキシベンゾフェノン、2−エトキシカルボニルベンゾルフェノン、ベンゾフェノンテトラカルボン酸又はそのテトラメチルエステル、4,4′−ビス(ジアルキルアミノ)ベンゾフェノン類(例えば、4,4′−ビス(ジメチルアミノ)ベンゾフェノン、4,4′−ビスジシクロヘキシルアミノ)ベンゾフェノン、4,4′−ビス(ジエチルアミノ)ベンゾフェノン、4,4′−ビス(ジヒドロキシエチルアミノ)ベンゾフェノン、4−メトキシ−4′−ジメチルアミノベンゾフェノン、4,4′−ジメトキシベンゾフェノン、4−ジメチルアミノベンゾフェノン、4−ジメチルアミノアセトフェノン、ベンジル、アントラキノン、2−t−ブチルアントラキノン、2−メチルアントラキノン、フェナントラキノン、キサントン、チオキサントン、2−クロル−チオキサントン、2,4−ジエチルチオキサントン、フルオレノン、2−ベンジル−ジメチルアミノ−1−(4−モルホリノフェニル)−1−ブタノン、2−メチル−1−〔4−(メチルチオ)フェニル〕−2−モルホリノ−1−プロパノン、2−ヒドロキシー2−メチル−〔4−(1−メチルビニル)フェニル〕プロパノールオリゴマー、ベンゾイン、ベンゾインエーテル類(例えば、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインプロピルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、ベンゾインフェニルエーテル、ベンジルジメチルケタール)、アクリドン、クロロアクリドン、N−メチルアクリドン、N−ブチルアクリドン、N−ブチル−クロロアクリドンなどが挙げられる。   Examples of the ketone compound include benzophenone, 2-methylbenzophenone, 3-methylbenzophenone, 4-methylbenzophenone, 4-methoxybenzophenone, 2-chlorobenzophenone, 4-chlorobenzophenone, 4-bromobenzophenone, 2-carboxybenzophenone, 2-ethoxycarbonylbenzolphenone, benzophenonetetracarboxylic acid or tetramethyl ester thereof, 4,4′-bis (dialkylamino) benzophenone (for example, 4,4′-bis (dimethylamino) benzophenone, 4,4′- Bisdicyclohexylamino) benzophenone, 4,4'-bis (diethylamino) benzophenone, 4,4'-bis (dihydroxyethylamino) benzophenone, 4-methoxy-4'-dimethylamino Nzophenone, 4,4'-dimethoxybenzophenone, 4-dimethylaminobenzophenone, 4-dimethylaminoacetophenone, benzyl, anthraquinone, 2-t-butylanthraquinone, 2-methylanthraquinone, phenanthraquinone, xanthone, thioxanthone, 2-chloro -Thioxanthone, 2,4-diethylthioxanthone, fluorenone, 2-benzyl-dimethylamino-1- (4-morpholinophenyl) -1-butanone, 2-methyl-1- [4- (methylthio) phenyl] -2-morpholino -1-propanone, 2-hydroxy-2-methyl- [4- (1-methylvinyl) phenyl] propanol oligomer, benzoin, benzoin ethers (for example, benzoin methyl ether, benzoin ethyl ether, In propyl ether, benzoin isopropyl ether, benzoin phenyl ether, benzyl dimethyl ketal), acridone, chloro acridone, N- methyl acridone, N- butyl acridone, N- butyl - such as chloro acrylic pyrrolidone.

前記メタロセン類としては、例えば、ビス(η5−2,4−シクロペンタジエン−1−イル)−ビス(2,6−ジフロロ−3−(1H−ピロール−1−イル)−フェニル)チタニウム、η5−シクロペンタジエニル−η6−クメニル−アイアン(1+)−ヘキサフロロホスフェート(1−)、特開昭53−133428号公報、特公昭57−1819号公報、同57−6096号公報、及び米国特許第3615455号明細書に記載された化合物などが挙げられる。   Examples of the metallocenes include bis (η5-2,4-cyclopentadien-1-yl) -bis (2,6-difluoro-3- (1H-pyrrol-1-yl) -phenyl) titanium, η5- Cyclopentadienyl-η6-cumenyl-iron (1 +)-hexafluorophosphate (1-), JP-A-53-133428, JP-B-57-1819, JP-A-57-6096, and US Pat. Examples thereof include compounds described in the specification of 3615455.

また、上記以外の光重合開始剤として、アクリジン誘導体(例えば、9−フェニルアクリジン、1,7−ビス(9、9′−アクリジニル)ヘプタン等)、N−フェニルグリシン等、ポリハロゲン化合物(例えば、四臭化炭素、フェニルトリブロモメチルスルホン、フェニルトリクロロメチルケトン等)、クマリン類(例えば、3−(2−ベンゾフロイル)−7−ジエチルアミノクマリン、3−(2−ベンゾフロイル)−7−(1−ピロリジニル)クマリン、3−ベンゾイル−7−ジエチルアミノクマリン、3−(2−メトキシベンゾイル)−7−ジエチルアミノクマリン、3−(4−ジメチルアミノベンゾイル)−7−ジエチルアミノクマリン、3,3′−カルボニルビス(5,7−ジ−n−プロポキシクマリン)、3,3′−カルボニルビス(7−ジエチルアミノクマリン)、3−ベンゾイル−7−メトキシクマリン、3−(2−フロイル)−7−ジエチルアミノクマリン、3−(4−ジエチルアミノシンナモイル)−7−ジエチルアミノクマリン、7−メトキシ−3−(3−ピリジルカルボニル)クマリン、3−ベンゾイル−5,7−ジプロポキシクマリン、7−ベンゾトリアゾール−2−イルクマリン、また、特開平5-19475号、特開平7-271028号、特開2002-363206号、特開2002-363207号、特開2002-363208号、特開2002-363209号公報等に記載のクマリン化合物など)、アミン類(例えば、4−ジメチルアミノ安息香酸エチル、4−ジメチルアミノ安息香酸n−ブチル、4−ジメチルアミノ安息香酸フェネチル、4−ジメチルアミノ安息香酸2−フタルイミドエチル、4−ジメチルアミノ安息香酸2−メタクリロイルオキシエチル、ペンタメチレンビス(4−ジメチルアミノベンゾエート)、3−ジメチルアミノ安息香酸のフェネチル、ペンタメチレンエステル、4−ジメチルアミノベンズアルデヒド、2−クロル−4−ジメチルアミノベンズアルデヒド、4−ジメチルアミノベンジルアルコール、エチル(4−ジメチルアミノベンゾイル)アセテート、4−ピペリジノアセトフェノン、4−ジメチルアミノベンゾイン、N,N−ジメチル−4−トルイジン、N,N−ジエチル−3−フェネチジン、トリベンジルアミン、ジベンジルフェニルアミン、N−メチル−N−フェニルベンジルアミン、4−ブロム−N,N−ジメチルアニリン、トリドデシルアミン、アミノフルオラン類(ODB,ODBII等)、クリスタルバイオレットラクトン、ロイコクリスタルバイオレット等)、アシルホスフィンオキシド類(例えば、ビス(2,4,6−トリメチルベンゾイル)−フェニルホスフィンオキシド、ビス(2,6−ジメトキシベンゾイル)−2,4,4−トリメチル−ペンチルフェニルホスフィンオキシド、LucirinTPOなど)などが挙げられる。   Further, as photopolymerization initiators other than the above, acridine derivatives (for example, 9-phenylacridine, 1,7-bis (9,9′-acridinyl) heptane, etc.), N-phenylglycine, Carbon tetrabromide, phenyltribromomethylsulfone, phenyltrichloromethylketone, etc.), coumarins (eg, 3- (2-benzofuroyl) -7-diethylaminocoumarin, 3- (2-benzofuroyl) -7- (1-pyrrolidinyl) ) Coumarin, 3-benzoyl-7-diethylaminocoumarin, 3- (2-methoxybenzoyl) -7-diethylaminocoumarin, 3- (4-dimethylaminobenzoyl) -7-diethylaminocoumarin, 3,3'-carbonylbis (5 , 7-di-n-propoxycoumarin), 3,3'-carbonylbis (7-diethylaminocoumarin), 3-benzoyl-7-methoxycoumarin, 3- (2-furoyl) -7-diethylaminocoumarin, 3- (4-diethylaminocinnamoyl) -7-diethylaminocoumarin, 7-methoxy-3- (3-pyridylcarbonyl) coumarin, 3-benzoyl-5,7-dipropoxycoumarin, 7-benzotriazol-2-ylcoumarin, JP-A-5-19475, JP-A-7-271028, JP-A-2002-363206 No., JP-A-2002-363207, JP-A-2002-363208, JP-A-2002-363209, etc.), amines (for example, ethyl 4-dimethylaminobenzoate, 4-dimethylaminobenzoate) N-butyl acid, 4-dimethylaminobenzoic acid phenethyl, 4-dimethyl 2-phthalimidoethyl tilaminobenzoate, 2-methacryloyloxyethyl 4-dimethylaminobenzoate, pentamethylenebis (4-dimethylaminobenzoate), phenethyl of 3-dimethylaminobenzoic acid, pentamethylene ester, 4-dimethylaminobenzaldehyde, 2-chloro-4-dimethylaminobenzaldehyde, 4-dimethylaminobenzyl alcohol, ethyl (4-dimethylaminobenzoyl) acetate, 4-piperidinoacetophenone, 4-dimethylaminobenzoin, N, N-dimethyl-4-toluidine, N, N-diethyl-3-phenetidine, tribenzylamine, dibenzylphenylamine, N-methyl-N-phenylbenzylamine, 4-bromo-N, N-dimethylaniline, tridodecylamine, amino Nofluoranes (ODB, ODBII, etc.), crystal violet lactone, leuco crystal violet, etc., acylphosphine oxides (for example, bis (2,4,6-trimethylbenzoyl) -phenylphosphine oxide, bis (2,6-dimethoxybenzoyl) ) -2,4,4-trimethyl-pentylphenylphosphine oxide, Lucirin TPO, etc.).

更に、米国特許第2367660号明細書に記載されているビシナルポリケタルドニル化合物、米国特許第2448828号明細書に記載されているアシロインエーテル化合物、米国特許第2722512号明細書に記載されているα−炭化水素で置換された芳香族アシロイン化合物、米国特許第3046127号明細書及び同第2951758号明細書に記載の多核キノン化合物、特開2002−229194号公報に記載の有機ホウ素化合物、ラジカル発生剤、トリアリールスルホニウム塩(例えば、ヘキサフロロアンチモンやヘキサフロロホスフェートとの塩)、ホスホニウム塩化合物(例えば、(フェニルチオフェニル)ジフェニルスルホニウム塩等)(カチオン重合開始剤として有効)、WO01/71428号公報記載のオニウム塩化合物などが挙げられる。   Further, vicinal polyketaldonyl compounds described in US Pat. No. 2,367,660, acyloin ether compounds described in US Pat. No. 2,448,828, and US Pat. No. 2,722,512 are described. An aromatic acyloin compound substituted with α-hydrocarbon, a polynuclear quinone compound described in US Pat. Nos. 3,046,127 and 2,951,758, an organoboron compound described in JP-A-2002-229194, and a radical Generator, triarylsulfonium salt (for example, salt with hexafluoroantimony or hexafluorophosphate), phosphonium salt compound (for example, (phenylthiophenyl) diphenylsulfonium salt, etc.) (effective as a cationic polymerization initiator), WO01 / 71428 Onium Such compounds.

前記光重合開始剤は、1種単独で使用してもよく、2種以上を併用してもよい。2種以上の組合せとしては、例えば、米国特許第3549367号明細書に記載のヘキサアリールビイミダゾールと4−アミノケトン類との組合せ、特公昭51−48516号公報に記載のベンゾチアゾール化合物とトリハロメチル−s−トリアジン化合物の組合せ、また、芳香族ケトン化合物(例えば、チオキサントン等)と水素供与体(例えば、ジアルキルアミノ含有化合物、フェノール化合物等)の組合せ、ヘキサアリールビイミダゾールとチタノセンとの組合せ、クマリン類とチタノセンとフェニルグリシン類との組合せなどが挙げられる。   The said photoinitiator may be used individually by 1 type, and may use 2 or more types together. Examples of the combination of two or more include, for example, a combination of hexaarylbiimidazole and 4-aminoketone described in US Pat. No. 3,549,367, a benzothiazole compound described in Japanese Patent Publication No. 51-48516, and trihalomethyl- Combinations of s-triazine compounds, combinations of aromatic ketone compounds (such as thioxanthone) and hydrogen donors (such as dialkylamino-containing compounds and phenol compounds), combinations of hexaarylbiimidazole and titanocene, and coumarins And combinations of titanocene and phenylglycines.

前記感光層における光重合開始剤の含有量としては、0.1〜30質量%が好ましく、0.5〜20質量%がより好ましく、0.5〜15質量%が特に好ましい。   As content of the photoinitiator in the said photosensitive layer, 0.1-30 mass% is preferable, 0.5-20 mass% is more preferable, 0.5-15 mass% is especially preferable.

<<その他の成分>>
前記その他の成分としては、例えば、増感剤、熱重合禁止剤、可塑剤、発色剤、着色剤などが挙げられ、更に基体表面への密着促進剤及びその他の助剤類(例えば、顔料、導電性粒子、充填剤、消泡剤、難燃剤、レベリング剤、剥離促進剤、酸化防止剤、香料、熱架橋剤、表面張力調整剤、連鎖移動剤等)を併用してもよい。これらの成分を適宜含有させることにより、目的とするパターン形成材料の安定性、写真性、焼きだし性、膜物性等の性質を調整することができる。
<< Other ingredients >>
Examples of the other components include sensitizers, thermal polymerization inhibitors, plasticizers, color formers, colorants, and the like, and further adhesion promoters to the substrate surface and other auxiliary agents (for example, pigments, Conductive particles, fillers, antifoaming agents, flame retardants, leveling agents, peeling accelerators, antioxidants, fragrances, thermal crosslinking agents, surface tension adjusting agents, chain transfer agents, etc.) may be used in combination. By appropriately containing these components, it is possible to adjust properties such as stability, photographic properties, print-out properties, and film properties of the target pattern forming material.

−増感剤−
前記増感剤は、後述する光照射手段として可視光線や紫外光・可視光レーザなどにより適宜選択することができる。
前記増感剤は、活性エネルギー線により励起状態となり、他の物質(例えば、ラジカル発生剤、酸発生剤等)と相互作用(例えば、エネルギー移動、電子移動等)することにより、ラジカルや酸等の有用基を発生することが可能である。
-Sensitizer-
The sensitizer can be appropriately selected by visible light, ultraviolet light, visible light laser, or the like as a light irradiation means to be described later.
The sensitizer is excited by active energy rays and interacts with other substances (for example, radical generator, acid generator, etc.) (for example, energy transfer, electron transfer, etc.), thereby generating radicals, acids, etc. It is possible to generate a useful group of

前記増感剤としては、特に制限はなく、公知の増感剤の中から適宜選択することができるが、例えば、公知の多核芳香族類(例えば、ピレン、ペリレン、トリフェニレン)、キサンテン類(例えば、フルオレセイン、エオシン、エリスロシン、ローダミンB、ローズベンガル)、シアニン類(例えば、インドカルボシアニン、チアカルボシアニン、オキサカルボシアニン)、メロシアニン類(例えば、メロシアニン、カルボメロシアニン)、チアジン類(例えば、チオニン、メチレンブルー、トルイジンブルー)、アクリジン類(例えば、アクリジンオレンジ、クロロフラビン、アクリフラビン)、アントラキノン類(例えば、アントラキノン)、スクアリウム類(例えば、スクアリウム)、アクリドン類(例えば、アクリドン、クロロアクリドン、N−メチルアクリドン、N−ブチルアクリドン、N−ブチル−クロロアクリドン等)、クマリン類(例えば、3−(2−ベンゾフロイル)−7−ジエチルアミノクマリン、3−(2−ベンゾフロイル)−7−(1−ピロリジニル)クマリン、3−ベンゾイル−7−ジエチルアミノクマリン、3−(2−メトキシベンゾイル)−7−ジエチルアミノクマリン、3−(4−ジメチルアミノベンゾイル)−7−ジエチルアミノクマリン、3,3′−カルボニルビス(5,7−ジ−n−プロポキシクマリン)、3,3′−カルボニルビス(7−ジエチルアミノクマリン)、3−ベンゾイル−7−メトキシクマリン、3−(2−フロイル)−7−ジエチルアミノクマリン、3−(4−ジエチルアミノシンナモイル)−7−ジエチルアミノクマリン、7−メトキシ−3−(3−ピリジルカルボニル)クマリン、3−ベンゾイル−5,7−ジプロポキシクマリン等があげられ、他に特開平5−19475号、特開平7−271028号、特開2002−363206号、特開2002−363207号、特開2002−363208号、特開2002−363209号等の各公報に記載のクマリン化合物など)が挙げられる。   The sensitizer is not particularly limited and may be appropriately selected from known sensitizers. For example, known polynuclear aromatics (for example, pyrene, perylene, triphenylene), xanthenes (for example, , Fluorescein, eosin, erythrosine, rhodamine B, rose bengal), cyanines (eg, indocarbocyanine, thiacarbocyanine, oxacarbocyanine), merocyanines (eg, merocyanine, carbomerocyanine), thiazines (eg, thionine, Methylene blue, toluidine blue), acridines (eg, acridine orange, chloroflavin, acriflavine), anthraquinones (eg, anthraquinone), squariums (eg, squalium), acridones (eg, acridone, chloroacrine) Don, N-methylacridone, N-butylacridone, N-butyl-chloroacridone, etc.), coumarins (for example, 3- (2-benzofuroyl) -7-diethylaminocoumarin, 3- (2-benzofuroyl)- 7- (1-pyrrolidinyl) coumarin, 3-benzoyl-7-diethylaminocoumarin, 3- (2-methoxybenzoyl) -7-diethylaminocoumarin, 3- (4-dimethylaminobenzoyl) -7-diethylaminocoumarin, 3,3 '-Carbonylbis (5,7-di-n-propoxycoumarin), 3,3'-carbonylbis (7-diethylaminocoumarin), 3-benzoyl-7-methoxycoumarin, 3- (2-furoyl) -7- Diethylaminocoumarin, 3- (4-diethylaminocinnamoyl) -7-diethylaminocoumarin Examples thereof include 7-methoxy-3- (3-pyridylcarbonyl) coumarin, 3-benzoyl-5,7-dipropoxycoumarin, and others, and JP-A-5-19475, JP-A-7-271028, and JP2002-2002. No. 363206, JP-A No. 2002-363207, JP-A No. 2002-363208, JP-A No. 2002-363209, and the like.

前記光重合開始剤と前記増感剤との組合せとしては、例えば、特開2001−305734号公報に記載の電子移動型開始系[(1)電子供与型開始剤及び増感色素、(2)電子受容型開始剤及び増感色素、(3)電子供与型開始剤、増感色素及び電子受容型開始剤(三元開始系)]などの組合せが挙げられる。   Examples of the combination of the photopolymerization initiator and the sensitizer include, for example, an electron transfer start system described in JP-A-2001-305734 [(1) an electron donating initiator and a sensitizing dye, (2) A combination of an electron-accepting initiator and a sensitizing dye, (3) an electron-donating initiator, a sensitizing dye and an electron-accepting initiator (ternary initiation system)], and the like.

前記増感剤の含有量としては、感光性樹脂組成物の全成分に対し、0.05〜30質量%が好ましく、0.1〜20質量%がより好ましく、0.2〜10質量%が特に好ましい。
前記含有量が、0.05質量%未満となると、活性エネルギー線への感度が低下し、露光プロセスに時間がかかり、生産性が低下することがあり、30質量%を超えると、前記感光層から保存時に析出することがある。
As content of the said sensitizer, 0.05-30 mass% is preferable with respect to all the components of the photosensitive resin composition, 0.1-20 mass% is more preferable, 0.2-10 mass% is Particularly preferred.
When the content is less than 0.05% by mass, the sensitivity to active energy rays decreases, the exposure process takes time, and the productivity may decrease. When the content exceeds 30% by mass, the photosensitive layer May precipitate during storage.

−熱重合禁止剤−
前記熱重合禁止剤は、前記感光層における前記重合性化合物の熱的な重合又は経時的な重合を防止するために添加してもよい。
前記熱重合禁止剤としては、例えば、4−メトキシフェノール、ハイドロキノン、アルキルまたはアリール置換ハイドロキノン、t−ブチルカテコール、ピロガロール、2−ヒドロキシベンゾフェノン、4−メトキシ−2−ヒドロキシベンゾフェノン、塩化第一銅、フェノチアジン、クロラニル、ナフチルアミン、β−ナフトール、2,6−ジ−t−ブチル−4−クレゾール、2,2′−メチレンビス(4−メチル−6−t−ブチルフェノール)、ピリジン、ニトロベンゼン、ジニトロベンゼン、ピクリン酸、4−トルイジン、メチレンブルー、銅と有機キレート剤反応物、サリチル酸メチル、及びフェノチアジン、ニトロソ化合物、ニトロソ化合物とAlとのキレート等が挙げられる。
-Thermal polymerization inhibitor-
The thermal polymerization inhibitor may be added to prevent thermal polymerization or temporal polymerization of the polymerizable compound in the photosensitive layer.
Examples of the thermal polymerization inhibitor include 4-methoxyphenol, hydroquinone, alkyl or aryl-substituted hydroquinone, t-butylcatechol, pyrogallol, 2-hydroxybenzophenone, 4-methoxy-2-hydroxybenzophenone, cuprous chloride, phenothiazine. , Chloranil, naphthylamine, β-naphthol, 2,6-di-tert-butyl-4-cresol, 2,2′-methylenebis (4-methyl-6-tert-butylphenol), pyridine, nitrobenzene, dinitrobenzene, picric acid 4-toluidine, methylene blue, copper and organic chelating agent reactant, methyl salicylate, phenothiazine, nitroso compound, chelate of nitroso compound and Al, and the like.

前記熱重合禁止剤の含有量としては、前記感光層の前記重合性化合物に対して0.001〜5質量%が好ましく、0.005〜2質量%がより好ましく、0.01〜1質量%が特に好ましい。
前記含有量が、0.001質量%未満であると、保存時の安定性が低下することがあり、5質量%を超えると、活性エネルギー線に対する感度が低下することがある。
As content of the said thermal-polymerization inhibitor, 0.001-5 mass% is preferable with respect to the said polymeric compound of the said photosensitive layer, 0.005-2 mass% is more preferable, 0.01-1 mass% Is particularly preferred.
When the content is less than 0.001% by mass, stability during storage may be reduced, and when it exceeds 5% by mass, sensitivity to active energy rays may be reduced.

−可塑剤−
前記可塑剤は、前記感光層の膜物性(可撓性)をコントロールするために添加してもよい。
前記可塑剤としては、例えば、ジメチルフタレート、ジブチルフタレート、ジイソブチルフタレート、ジヘプチルフタレート、ジオクチルフタレート、ジシクロヘキシルフタレート、ジトリデシルフタレート、ブチルベンジルフタレート、ジイソデシルフタレート、ジフェニルフタレート、ジアリルフタレート、オクチルカプリールフタレート等のフタル酸エステル類;トリエチレングリコールジアセテート、テトラエチレングリコールジアセテート、ジメチルグリコースフタレート、エチルフタリールエチルグリコレート、メチルフタリールエチルグリコレート、ブチルフタリールブチルグリコレート、トリエチレングリコールジカブリル酸エステル等のグリコールエステル類;トリクレジルホスフェート、トリフェニルホスフェート等のリン酸エステル類;4−トルエンスルホンアミド、ベンゼンスルホンアミド、N−n−ブチルベンゼンスルホンアミド、N−n−ブチルアセトアミド等のアミド類;ジイソブチルアジペート、ジオクチルアジペート、ジメチルセバケート、ジブチルセパケート、ジオクチルセパケート、ジオクチルアゼレート、ジブチルマレート等の脂肪族二塩基酸エステル類;クエン酸トリエチル、クエン酸トリブチル、グリセリントリアセチルエステル、ラウリン酸ブチル、4,5−ジエポキシシクロヘキサン−1,2−ジカルボン酸ジオクチル等、ポリエチレングリコール、ポリプロピレングリコール等のグリコール類が挙げられる。
-Plasticizer-
The plasticizer may be added to control film physical properties (flexibility) of the photosensitive layer.
Examples of the plasticizer include dimethyl phthalate, dibutyl phthalate, diisobutyl phthalate, diheptyl phthalate, dioctyl phthalate, dicyclohexyl phthalate, ditridecyl phthalate, butyl benzyl phthalate, diisodecyl phthalate, diphenyl phthalate, diallyl phthalate, octyl capryl phthalate, and the like. Phthalic acid esters: Triethylene glycol diacetate, tetraethylene glycol diacetate, dimethylglycol phthalate, ethyl phthalyl ethyl glycolate, methyl phthalyl ethyl glycolate, butyl phthalyl butyl glycolate, triethylene glycol dicabrylate, etc. Glycol esters of tricresyl phosphate, triphenyl phosphate, etc. Acid esters; Amides such as 4-toluenesulfonamide, benzenesulfonamide, Nn-butylbenzenesulfonamide, Nn-butylacetamide; diisobutyl adipate, dioctyl adipate, dimethyl sebacate, dibutyl sepacate, dioctyl Aliphatic dibasic acid esters such as sepacate, dioctyl azelate, dibutyl malate; triethyl citrate, tributyl citrate, glycerin triacetyl ester, butyl laurate, 4,5-diepoxycyclohexane-1,2-dicarboxylic acid Examples include glycols such as dioctyl acid, polyethylene glycol, and polypropylene glycol.

前記可塑剤の含有量としては、前記感光層の全成分に対して0.1〜50質量%が好ましく、0.5〜40質量%がより好ましく、1〜30質量%が特に好ましい。   As content of the said plasticizer, 0.1-50 mass% is preferable with respect to all the components of the said photosensitive layer, 0.5-40 mass% is more preferable, 1-30 mass% is especially preferable.

−発色剤−
前記発色剤は、露光後の前記感光層に可視像を与える(焼きだし機能)ために添加してもよい。
前記発色剤としては、例えば、トリス(4−ジメチルアミノフェニル)メタン(ロイコクリスタルバイオレット)、トリス(4−ジエチルアミノフェニル)メタン、トリス(4−ジメチルアミノ−2−メチルフェニル)メタン、トリス(4−ジエチルアミノ−2−メチルフェニル)メタン、ビス(4−ジブチルアミノフェニル)−〔4−(2−シアノエチル)メチルアミノフェニル〕メタン、ビス(4−ジメチルアミノフェニル)−2−キノリルメタン、トリス(4−ジプロピルアミノフェニル)メタン等のアミノトリアリールメタン類;3,6−ビス(ジメチルアミノ)−9−フェニルキサンチン、3−アミノ−6−ジメチルアミノ−2−メチル−9−(2−クロロフェニル)キサンチン等のアミノキサンチン類;3,6−ビス(ジエチルアミノ)−9−(2−エトキシカルボニルフェニル)チオキサンテン、3,6−ビス(ジメチルアミノ)チオキサンテン等のアミノチオキサンテン類;3,6−ビス(ジエチルアミノ)−9,10−ジヒドロ−9−フェニルアクリジン、3,6−ビス(ベンジルアミノ)−9,10−ジビドロ−9−メチルアクリジン等のアミノ−9,10−ジヒドロアクリジン類;3,7−ビス(ジエチルアミノ)フェノキサジン等のアミノフェノキサジン類;3,7−ビス(エチルアミノ)フェノチアゾン等のアミノフェノチアジン類;3,7−ビス(ジエチルアミノ)−5−ヘキシル−5,10−ジヒドロフェナジン等のアミノジヒドロフェナジン類;ビス(4−ジメチルアミノフェニル)アニリノメタン等のアミノフェニルメタン類;4−アミノ−4′−ジメチルアミノジフェニルアミン、4−アミノ−α、β−ジシアノヒドロケイ皮酸メチルエステル等のアミノヒドロケイ皮酸類;1−(2−ナフチル)−2−フェニルヒドラジン等のヒドラジン類;1,4−ビス(エチルアミノ)−2,3−ジヒドロアントラキノン類のアミノ−2,3−ジヒドロアントラキノン類;N,N−ジエチル−4−フェネチルアニリン等のフェネチルアニリン類;10−アセチル−3,7−ビス(ジメチルアミノ)フェノチアジン等の塩基性NHを含むロイコ色素のアシル誘導体;トリス(4−ジエチルアミノ−2−トリル)エトキシカルボニルメンタン等の酸化しうる水素を有していないが、発色化合物に酸化しうるロイコ様化合物;ロイコインジゴイド色素;米国特許3,042,515号及び同第3,042,517号に記載されているような発色形に酸化しうるような有機アミン類(例、4,4′−エチレンジアミン、ジフェニルアミン、N,N−ジメチルアニリン、4,4′−メチレンジアミントリフェニルアミン、N−ビニルカルバゾール)が挙げられ、これらの中でも、ロイコクリスタルバイオレット等のトリアリールメタン系化合物が好ましい。
-Color former-
The color former may be added to give a visible image (printing function) to the photosensitive layer after exposure.
Examples of the color former include tris (4-dimethylaminophenyl) methane (leuco crystal violet), tris (4-diethylaminophenyl) methane, tris (4-dimethylamino-2-methylphenyl) methane, tris (4- Diethylamino-2-methylphenyl) methane, bis (4-dibutylaminophenyl)-[4- (2-cyanoethyl) methylaminophenyl] methane, bis (4-dimethylaminophenyl) -2-quinolylmethane, tris (4-di Aminotriarylmethanes such as propylaminophenyl) methane; 3,6-bis (dimethylamino) -9-phenylxanthine, 3-amino-6-dimethylamino-2-methyl-9- (2-chlorophenyl) xanthine, etc. Aminoxanthines; 3,6-bis (diethyl Aminothioxanthenes such as mino) -9- (2-ethoxycarbonylphenyl) thioxanthene and 3,6-bis (dimethylamino) thioxanthene; 3,6-bis (diethylamino) -9,10-dihydro-9- Amino-9,10-dihydroacridine such as phenylacridine, 3,6-bis (benzylamino) -9,10-dividro-9-methylacridine; aminophenoxazine such as 3,7-bis (diethylamino) phenoxazine Aminophenothiazines such as 3,7-bis (ethylamino) phenothiazone; aminodihydrophenazines such as 3,7-bis (diethylamino) -5-hexyl-5,10-dihydrophenazine; bis (4-dimethylamino) Aminophenylmethanes such as phenyl) anilinomethane; 4-amino-4 Aminohydrocinnamic acids such as dimethylaminodiphenylamine, 4-amino-α, β-dicyanohydrocinnamic acid methyl ester; hydrazines such as 1- (2-naphthyl) -2-phenylhydrazine; 1,4-bis (Ethylamino) -2,3-dihydroanthraquinones amino-2,3-dihydroanthraquinones; N, N-diethyl-4-phenethylaniline and other phenethylanilines; 10-acetyl-3,7-bis (dimethyl Acyl derivatives of leuco dyes containing basic NH such as amino) phenothiazine; leuco-like that does not have oxidizable hydrogen such as tris (4-diethylamino-2-tolyl) ethoxycarbonylmentane but can oxidize to chromogenic compounds Compound; leucoin digoid pigment; U.S. Pat. Nos. 3,042,515 and 3,043 Organic amines that can be oxidized to a colored form as described in US Pat. No. 5,517 (eg, 4,4′-ethylenediamine, diphenylamine, N, N-dimethylaniline, 4,4′-methylenediamine triphenylamine) N-vinylcarbazole), and among these, triarylmethane compounds such as leucocrystal violet are preferable.

更に、前記発色剤は、前記ロイコ体を発色させるためなどの目的で、ハロゲン化合物と組み合わせることが一般に知られている。
前記ハロゲン化合物としては、例えば、ハロゲン化炭化水素(例えば、四臭化炭素、ヨードホルム、臭化エチレン、臭化メチレン、臭化アミル、臭化イソアミル、ヨウ化アミル、臭化イソブチレン、ヨウ化ブチル、臭化ジフェニルメチル、ヘキサクロロエタン、1,2−ジブロモエタン、1,1,2,2−テトラブロモエタン、1,2−ジブロモ−1,1,2−トリクロロエタン、1,2,3−トリブロモプロパン、1−ブロモ−4−クロロブタン、1,2,3,4−テトラブロモブタン、テトラクロロシクロプロペン、ヘキサクロロシクロペンタジエン、ジブロモシキロヘキサン、1,1,1−トリクロロ−2,2−ビス(4−クロロフェニル)エタンなど);ハロゲン化アルコール化合物(例えば、2,2,2−トリクロロエタノール、トリブロモエタノール、1,3−ジクロロ−2−プロパノール、1,1,1−トリクロロ−2−プロパノール、ジ(ヨードヘキサメチレン)アミノイソプロパノール、トリブロモ−t−ブチルアルコール、2,2,3−トリクロロブタン−1,4−ジオールなど);ハロゲン化カルボニル化合物(例えば1,1−ジクロロアセトン、1,3−ジクロロアセトン、ヘキサクロロアセトン、ヘキサブロモアセトン、1,1,3,3−テトラクロロアセトン、1,1,1−トリクロロアセトン、3,4−ジブロモ−2−ブタノン、1,4−ジクロロ−2−ブタノン−ジブロモシクロヘキサノン等);ハロゲン化エーテル化合物(例えば2−ブロモエチルメチルエーテル、2−ブロモエチルエチルエーテル、ジ(2−ブロモエチル)エーテル、1,2−ジクロロエチルエチルエーテル等);ハロゲン化エステル化合物(例えば、酢酸ブロモエチル、トリクロロ酢酸エチル、トリクロロ酢酸トリクロロエチル、2,3−ジブロモプロピルアクリレートのホモポリマー及び共重合体、ジブロモプロピオン酸トリクロロエチル、α,β−ジグロロアクリル酸エチル等);ハロゲン化アミド化合物(例えば、クロロアセトアミド、ブロモアセトアミド、ジクロロアセトアミド、トリクロロアセトアミド、トリブロモアセトアミド、トリクロロエチルトリクロロアセトアミド、2−ブロモイソプロピオンアミド、2,2,2−トリクロロプロピオンアミド、N−クロロスクシンイミド、N−ブロモスクシンイミドなど);硫黄やリンを有する化合物(例えば、トリブロモメチルフェニルスルホン、4−ニトロフェニルトリブロモメチルスルホン、4−クロルフェニルトリブロモメチルスルホン、トリス(2,3−ジブロモプロピル)ホスフェート等)、2,4−ビス(トリクロロメチル)6−フェニルトリアゾールなどが挙げられる。有機ハロゲン化合物では、同一炭素原子に結合した2個以上のハロゲン原子を持つハロゲン化合物が好ましく、1個の炭素原子に3個のハロゲン原子を持つハロゲン化合物がより好ましい。前記有機ハロゲン化合物は、1種単独で使用してもよく、2種以上を併用してもよい。これらの中でも、トリブロモメチルフェニルスルホン、2,4−ビス(トリクロロメチル)−6−フェニルトリアゾールが好ましい。
Furthermore, it is generally known that the color former is combined with a halogen compound for the purpose of coloring the leuco body.
Examples of the halogen compound include halogenated hydrocarbons (for example, carbon tetrabromide, iodoform, ethylene bromide, methylene bromide, amyl bromide, isoamyl bromide, amyl iodide, isobutylene bromide, butyl iodide, Diphenylmethyl bromide, hexachloroethane, 1,2-dibromoethane, 1,1,2,2-tetrabromoethane, 1,2-dibromo-1,1,2-trichloroethane, 1,2,3-tribromopropane 1-bromo-4-chlorobutane, 1,2,3,4-tetrabromobutane, tetrachlorocyclopropene, hexachlorocyclopentadiene, dibromocyclohexane, 1,1,1-trichloro-2,2-bis (4 -Chlorophenyl) ethane and the like; halogenated alcohol compounds (for example, 2,2,2-trichloroethanol, Libromoethanol, 1,3-dichloro-2-propanol, 1,1,1-trichloro-2-propanol, di (iodohexamethylene) aminoisopropanol, tribromo-t-butyl alcohol, 2,2,3-trichlorobutane -1,4-diol and the like; halogenated carbonyl compounds (for example, 1,1-dichloroacetone, 1,3-dichloroacetone, hexachloroacetone, hexabromoacetone, 1,1,3,3-tetrachloroacetone, 1, 1,1-trichloroacetone, 3,4-dibromo-2-butanone, 1,4-dichloro-2-butanone-dibromocyclohexanone, etc .; halogenated ether compounds (for example, 2-bromoethyl methyl ether, 2-bromoethyl ethyl) Ether, di (2-bromoethyl) ether, 1,2 Halogenated ester compounds (eg, bromoethyl acetate, ethyl trichloroacetate, trichloroethyl trichloroacetate, homopolymers and copolymers of 2,3-dibromopropyl acrylate, trichloroethyl dibromopropionate, α, β) Halogenated amide compounds (for example, chloroacetamide, bromoacetamide, dichloroacetamide, trichloroacetamide, tribromoacetamide, trichloroethyltrichloroacetamide, 2-bromoisopropionamide, 2,2,2- Trichloropropionamide, N-chlorosuccinimide, N-bromosuccinimide, etc.); compounds having sulfur or phosphorus (for example, tribromomethylphenylsulfone, 4-ni B phenyl tribromomethyl sulfone, 4-chlorophenyl tribromomethyl sulfone, tris (2,3-dibromopropyl) phosphate, etc.), e.g., 2,4-bis (trichloromethyl) 6- phenyltriazole and the like. As the organic halogen compound, a halogen compound having two or more halogen atoms bonded to the same carbon atom is preferable, and a halogen compound having three halogen atoms per carbon atom is more preferable. The said organic halogen compound may be used individually by 1 type, and may use 2 or more types together. Among these, tribromomethylphenyl sulfone and 2,4-bis (trichloromethyl) -6-phenyltriazole are preferable.

前記発色剤の含有量としては、前記感光層の全成分に対して0.01〜20質量%が好ましく、0.05〜10質量%がより好ましく、0.1〜5質量%が特に好ましい。また、前記ハロゲン化合物の含有量としては、前記感光層の全成分に対し0.001〜5質量%が好ましく、0.005〜1質量%がより好ましい。   The content of the color former is preferably 0.01 to 20% by mass, more preferably 0.05 to 10% by mass, and particularly preferably 0.1 to 5% by mass with respect to all components of the photosensitive layer. Moreover, as content of the said halogen compound, 0.001-5 mass% is preferable with respect to all the components of the said photosensitive layer, and 0.005-1 mass% is more preferable.

−染料−
前記感光層には、取り扱い性の向上のために感光性樹脂組成物を着色し、又は保存安定性を付与する目的に、染料を用いることができる。
前記染料としては、ブリリアントグリーン(例えば、その硫酸塩)、エオシン、エチルバイオレット、エリスロシンB、メチルグリーン、クリスタルバイオレット、ベイシックフクシン、フェノールフタレイン、1,3−ジフェニルトリアジン、アリザリンレッドS、チモールフタレイン、メチルバイオレット2B、キナルジンレッド、ローズベンガル、メタニル−イエロー、チモールスルホフタレイン、キシレノールブルー、メチルオレンジ、オレンジIV、ジフェニルチロカルバゾン、2,7−ジクロロフルオレセイン、パラメチルレッド、コンゴーレッド、ベンゾプルプリン4B、α−ナフチル−レッド、ナイルブルーA、フェナセタリン、メチルバイオレット、マラカイトグリーン、パラフクシン、オイルブルー#603(オリエント化学工業社製)、ローダミンB、ローダミン6G、ビクトリアピュアブルーBOHなどを挙げることができ、これらの中でもカチオン染料(例えば、マラカイトグリーンシュウ酸塩、マラカイトグリーン硫酸塩等)が好ましい。該カチオン染料の対アニオンとしては、有機酸又は無機酸の残基であればよく、例えば、臭素酸、ヨウ素酸、硫酸、リン酸、シュウ酸、メタンスルホン酸、トルエンスルホン酸等の残基(アニオン)などが挙げられる。
-Dye-
In the photosensitive layer, a dye can be used for the purpose of coloring the photosensitive resin composition for improving handleability or imparting storage stability.
Examples of the dye include brilliant green (for example, sulfate thereof), eosin, ethyl violet, erythrosine B, methyl green, crystal violet, basic fuchsin, phenolphthalein, 1,3-diphenyltriazine, alizarin red S, thymolphthalein. , Methyl violet 2B, quinaldine red, rose bengal, metanil-yellow, thymol sulfophthalein, xylenol blue, methyl orange, orange IV, diphenyltylocarbazone, 2,7-dichlorofluorescein, paramethyl red, Congo red, benzo Purpurin 4B, α-naphthyl-red, Nile blue A, phenacetalin, methyl violet, malachite green, parafuxin, oil blue # 603 (Orien Chemical Co., Ltd.), Rhodamine B, Rhodamine 6G, etc. Victoria Pure Blue BOH can be cited, among these cationic dyes (e.g., Malachite Green oxalate, malachite green sulfates) are preferable. The counter anion of the cationic dye may be a residue of an organic acid or an inorganic acid, for example, a residue such as bromic acid, iodic acid, sulfuric acid, phosphoric acid, oxalic acid, methanesulfonic acid, toluenesulfonic acid ( Anion) and the like.

前記染料の含有量としては、前記感光層の全成分に対して0.001〜10質量%が好ましく、0.01〜5質量%がより好ましく、0.1〜2質量%が特に好ましい。   As content of the said dye, 0.001-10 mass% is preferable with respect to all the components of the said photosensitive layer, 0.01-5 mass% is more preferable, 0.1-2 mass% is especially preferable.

−密着促進剤−
各層間の密着性、又はパターン形成材料と基体との密着性を向上させるために、各層に公知のいわゆる密着促進剤を用いることができる。
-Adhesion promoter-
In order to improve the adhesion between the layers or the adhesion between the pattern forming material and the substrate, a known so-called adhesion promoter can be used for each layer.

前記密着促進剤としては、例えば、特開平5−11439号公報、特開平5−341532号公報、及び特開平6−43638号公報等に記載の密着促進剤が好適挙げられる。具体的には、ベンズイミダゾール、ベンズオキサゾール、ベンズチアゾール、2−メルカプトベンズイミダゾール、2−メルカプトベンズオキサゾール、2−メルカプトベンズチアゾール、3−モルホリノメチル−1−フェニル−トリアゾール−2−チオン、3−モルホリノメチル−5−フェニル−オキサジアゾール−2−チオン、5−アミノ−3−モルホリノメチル−チアジアゾール−2−チオン、及び2−メルカプト−5−メチルチオ−チアジアゾール、トリアゾール、テトラゾール、ベンゾトリアゾール、カルボキシベンゾトリアゾール、アミノ基含有ベンゾトリアゾール、シランカップリング剤などが挙げられる。   Preferable examples of the adhesion promoter include adhesion promoters described in JP-A Nos. 5-11439, 5-341532, and 6-43638. Specifically, benzimidazole, benzoxazole, benzthiazole, 2-mercaptobenzimidazole, 2-mercaptobenzoxazole, 2-mercaptobenzthiazole, 3-morpholinomethyl-1-phenyl-triazole-2-thione, 3-morpholino Methyl-5-phenyl-oxadiazole-2-thione, 5-amino-3-morpholinomethyl-thiadiazole-2-thione, and 2-mercapto-5-methylthio-thiadiazole, triazole, tetrazole, benzotriazole, carboxybenzotriazole Amino group-containing benzotriazole, silane coupling agents, and the like.

前記密着促進剤の含有量としては、前記感光層の全成分に対して0.001質量%〜20質量%が好ましく、0.01〜10質量%がより好ましく、0.1質量%〜5質量%が特に好ましい。   As content of the said adhesion promoter, 0.001 mass%-20 mass% are preferable with respect to all the components of the said photosensitive layer, 0.01-10 mass% is more preferable, 0.1 mass%-5 mass% % Is particularly preferred.

前記感光層は、例えば、J.コーサー著「ライトセンシテイブシステムズ」第5章に記載されているような有機硫黄化合物、過酸化物、レドックス系化合物、アゾ又はジアゾ化合物、光還元性色素、有機ハロゲン化合物などを含んでいてもよい。   The photosensitive layer is, for example, J.I. It may contain organic sulfur compounds, peroxides, redox compounds, azo or diazo compounds, photoreducible dyes, organic halogen compounds, etc. as described in Chapter 5 of “Light Sensitive Systems” Good.

前記有機硫黄化合物としては、例えば、ジ−n−ブチルジサルファイド、ジベンジルジサルファイド、2−メルカプトベンズチアゾール、2−メルカプトベンズオキサゾール、チオフェノール、エチルトリクロロメタンスルフェネート、2−メルカプトベンズイミダゾールなどが挙げられる。   Examples of the organic sulfur compound include di-n-butyl disulfide, dibenzyl disulfide, 2-mercaptobenzthiazole, 2-mercaptobenzoxazole, thiophenol, ethyltrichloromethane sulfenate, and 2-mercaptobenzimidazole. Is mentioned.

前記過酸化物としては、例えば、ジ−t−ブチルパーオキサイド、過酸化ベンゾイル、メチルエチルケトンパーオキサイドを挙げることができる。   Examples of the peroxide include di-t-butyl peroxide, benzoyl peroxide, and methyl ethyl ketone peroxide.

前記レドックス化合物は、過酸化物と還元剤の組合せからなるものであり、第一鉄イオンと過硫酸イオン、第二鉄イオンと過酸化物などを挙げることができる。   The redox compound is a combination of a peroxide and a reducing agent, and examples thereof include ferrous ions and persulfate ions, ferric ions and peroxides.

前記アゾ及びジアゾ化合物としては、例えば、α,α′−アゾビスイリブチロニトリル、2−アゾビス−2−メチルブチロニトリル、4−アミノジフェニルアミンのジアゾニウム類が挙げられる。   Examples of the azo and diazo compounds include α, α′-azobisiributyronitrile, 2-azobis-2-methylbutyronitrile, and diazonium such as 4-aminodiphenylamine.

前記光還元性色素としては、例えば、ローズベンガル、エリスロシン、エオシン、アクリフラビン、リポフラビン、チオニンが挙げられる。   Examples of the photoreducible dye include rose bengal, erythrosine, eosin, acriflavine, lipoflavin, and thionine.

−界面活性剤−
本発明の前記パターン形成材料を製造する際に発生する面状ムラを改善させるために、公知の界面活性剤を添加することができる。
前記界面活性剤としては、例えば、アニオン系界面活性剤、カチオン系界面活性剤、ノニオン系界面活性剤、両性界面活性剤、フッ素含有界面活性剤などから適宜選択できる。
-Surfactant-
In order to improve the surface unevenness generated when the pattern forming material of the present invention is produced, a known surfactant can be added.
The surfactant can be appropriately selected from, for example, an anionic surfactant, a cationic surfactant, a nonionic surfactant, an amphoteric surfactant, and a fluorine-containing surfactant.

前記界面活性剤の含有量としては、感光性樹脂組成物の固形分に対し、0.001〜10質量%が好ましい。
前記含有量が、0.001質量%未満になると、面状改良の効果が得られなくことがあり、10質量%を超えると、密着性が低下することがある。
As content of the said surfactant, 0.001-10 mass% is preferable with respect to solid content of the photosensitive resin composition.
When the content is less than 0.001% by mass, the effect of improving the surface shape may not be obtained, and when it exceeds 10% by mass, the adhesion may be deteriorated.

前記界面活性剤としては、上述の界面活性剤の他、フッ素系の界面活性剤として、炭素鎖3〜20でフッ素原子を40質量%以上含み、かつ、非結合末端から数えて少なくとも3個の炭素原子に結合した水素原子がフッ素置換されているフルオロ脂肪族基を有するアクリレート又はメタクリレートを共重合成分として有する高分子界面活性剤も好適に挙げられる。   As the surfactant, in addition to the above-mentioned surfactant, as a fluorine-based surfactant, it contains 40% by mass or more of fluorine atoms in a carbon chain of 3 to 20, and at least 3 counted from the non-bonding terminal A polymer surfactant having, as a copolymerization component, an acrylate or methacrylate having a fluoroaliphatic group in which a hydrogen atom bonded to a carbon atom is fluorine-substituted is also preferred.

前記感光層の厚みとしては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、例えば、1〜100μmが好ましく、2〜50μmがより好ましく、4〜30μmが特に好ましい。   There is no restriction | limiting in particular as thickness of the said photosensitive layer, Although it can select suitably according to the objective, For example, 1-100 micrometers is preferable, 2-50 micrometers is more preferable, and 4-30 micrometers is especially preferable.

[パターン形成材料の製造]
前記パターン形成材料は、例えば、次のようにして製造することができる。
まず、上述の各種材料を、水又は溶剤に溶解、乳化又は分散させて感光性樹脂組成物溶液を調製する。
[Manufacture of pattern forming materials]
The pattern forming material can be manufactured, for example, as follows.
First, the above-mentioned various materials are dissolved, emulsified or dispersed in water or a solvent to prepare a photosensitive resin composition solution.

前記感光性樹脂組成物溶液の溶剤としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、メタノール、エタノール、n−プロパノール、イソプロパノール、n−ブタノール、sec−ブタノール、n−ヘキサノール等のアルコール類;アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン、ジイソブチルケトンなどのケトン類;酢酸エチル、酢酸ブチル、酢酸−n−アミル、硫酸メチル、プロピオン酸エチル、フタル酸ジメチル、安息香酸エチル、及びメトキシプロピルアセテートなどのエステル類;トルエン、キシレン、ベンゼン、エチルベンゼンなどの芳香族炭化水素類;四塩化炭素、トリクロロエチレン、クロロホルム、1,1,1−トリクロロエタン、塩化メチレン、モノクロロベンゼンなどのハロゲン化炭化水素類;テトラヒドロフラン、ジエチルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、1−メトキシ−2−プロパノールなどのエーテル類;ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホオキサイド、スルホランなどが挙げられる。これらは、1種単独で使用してもよく、2種以上を併用してもよい。また、公知の界面活性剤を添加してもよい。   There is no restriction | limiting in particular as a solvent of the said photosensitive resin composition solution, According to the objective, it can select suitably, For example, methanol, ethanol, n-propanol, isopropanol, n-butanol, sec-butanol, n- Alcohols such as hexanol; ketones such as acetone, methyl ethyl ketone, methyl isobutyl ketone, cyclohexanone, diisobutyl ketone; ethyl acetate, butyl acetate, n-amyl acetate, methyl sulfate, ethyl propionate, dimethyl phthalate, ethyl benzoate, And esters such as methoxypropyl acetate; aromatic hydrocarbons such as toluene, xylene, benzene, ethylbenzene; carbon tetrachloride, trichloroethylene, chloroform, 1,1,1-trichloroethane, methylene chloride, monochlorobenze Halogenated hydrocarbons such as tetrahydrofuran, diethyl ether, ethylene glycol monomethyl ether, ethylene glycol monoethyl ether, 1-methoxy-2-propanol and the like; dimethylformamide, dimethylacetamide, dimethylsulfoxide, sulfolane and the like It is done. These may be used alone or in combination of two or more. Moreover, you may add a well-known surfactant.

次に、前記感光性樹脂組成物溶液を支持体上に塗布し、乾燥させることにより感光層を形成し、パターン形成材料を製造することができる。
前記感光性樹脂組成物溶液の塗布方法としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、例えば、スプレー法、ロールコート法、回転塗布法、スリットコート法、エクストルージョンコート法、カーテンコート法、ダイコート法、グラビアコート法、ワイヤーバーコート法、ナイフコート法等の各種の塗布方法が挙げられる。
前記乾燥の条件としては、各成分、溶媒の種類、使用割合等によっても異なるが、通常60〜110℃の温度で30秒間〜15分間程度である。
Next, the said photosensitive resin composition solution is apply | coated on a support body, a photosensitive layer is formed by making it dry, and a pattern formation material can be manufactured.
The method for applying the photosensitive resin composition solution is not particularly limited and may be appropriately selected depending on the intended purpose. Examples thereof include a spray method, a roll coating method, a spin coating method, a slit coating method, and an extrusion coating. Various coating methods such as a coating method, a curtain coating method, a die coating method, a gravure coating method, a wire bar coating method, and a knife coating method may be mentioned.
The drying conditions vary depending on each component, the type of solvent, the use ratio, and the like, but are usually about 60 to 110 ° C. for about 30 seconds to 15 minutes.

<<支持体>>
前記支持体としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、前記感光層を剥離可能であり、かつ光の透過性が良好であるものが好ましく、更に表面の平滑性が良好であることがより好ましい。
<< Support >>
The support is not particularly limited and may be appropriately selected depending on the intended purpose. However, it is preferable that the photosensitive layer is peelable and has good light transmittance, and further has a smooth surface. Is more preferable.

前記支持体は、合成樹脂製で、かつ透明であるものが好ましく、例えば、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリプロピレン、ポリエチレン、三酢酸セルロース、二酢酸セルロース、ポリ(メタ)アクリル酸アルキルエステル、ポリ(メタ)アクリル酸エステル共重合体、ポリ塩化ビニル、ポリビニルアルコール、ポリカーボネート、ポリスチレン、セロファン、ポリ塩化ビニリデン共重合体、ポリアミド、ポリイミド、塩化ビニル・酢酸ビニル共重合体、ポリテトラフロロエチレン、ポリトリフロロエチレン、セルロース系フィルム、ナイロンフィルム等の各種のプラスチックフィルムが挙げられ、これらの中でも、ポリエチレンテレフタレートが特に好ましい。これらは、1種単独で使用してもよく、2種以上を併用してもよい。   The support is preferably made of synthetic resin and transparent, for example, polyethylene terephthalate, polyethylene naphthalate, polypropylene, polyethylene, cellulose triacetate, cellulose diacetate, poly (meth) acrylic acid alkyl ester, poly ( (Meth) acrylic acid ester copolymer, polyvinyl chloride, polyvinyl alcohol, polycarbonate, polystyrene, cellophane, polyvinylidene chloride copolymer, polyamide, polyimide, vinyl chloride / vinyl acetate copolymer, polytetrafluoroethylene, polytrifluoro Various plastic films, such as ethylene, a cellulose film, and a nylon film, are mentioned, Among these, polyethylene terephthalate is particularly preferable. These may be used alone or in combination of two or more.

前記支持体の厚みとしては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、例えば、2〜150μmが好ましく、5〜100μmがより好ましく、8〜50μmが特に好ましい。   There is no restriction | limiting in particular as thickness of the said support body, Although it can select suitably according to the objective, For example, 2-150 micrometers is preferable, 5-100 micrometers is more preferable, and 8-50 micrometers is especially preferable.

前記支持体の形状としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、長尺状が好ましい。前記長尺状の支持体の長さとしては、特に制限はなく、例えば、10m〜20000mの長さのものが挙げられる。   There is no restriction | limiting in particular as a shape of the said support body, Although it can select suitably according to the objective, A long shape is preferable. There is no restriction | limiting in particular as the length of the said elongate support body, For example, the thing of length 10m-20000m is mentioned.

<<保護フィルム>>
前記パターン形成材料は、前記感光層上に保護フィルムを形成してもよい。
前記保護フィルムとしては、例えば、前記支持体に使用されるもの、紙、ポリエチレン、ポリプロピレンがラミネートされた紙、などが挙げられ、これらの中でも、ポリエチレンフィルム、ポリプロピレンフィルムが好ましい。
前記保護フィルムの厚みとしては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、例えば、5〜100μmが好ましく、8〜50μmがより好ましく、10〜30μmが特に好ましい。
前記保護フィルムを用いる場合、前記感光層及び前記支持体の接着力Aと、前記感光層及び保護フィルムの接着力Bとが、接着力A>接着力Bの関係であることが好ましい。
<< Protective film >>
The pattern forming material may form a protective film on the photosensitive layer.
Examples of the protective film include those used for the support, paper, paper laminated with polyethylene, polypropylene, and the like. Among these, polyethylene film and polypropylene film are preferable.
There is no restriction | limiting in particular as thickness of the said protective film, Although it can select suitably according to the objective, For example, 5-100 micrometers is preferable, 8-50 micrometers is more preferable, 10-30 micrometers is especially preferable.
When the protective film is used, it is preferable that the adhesive force A between the photosensitive layer and the support and the adhesive force B between the photosensitive layer and the protective film satisfy the relationship of adhesive force A> adhesive force B.

前記支持体と保護フィルムとの組合せ(支持体/保護フィルム)としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート/ポリプロピレン、ポリエチレンテレフタレート/ポリエチレン、ポリ塩化ビニル/セロフアン、ポリイミド/ポリプロピレン、ポリエチレンテレフタレート/ポリエチレンテレフタレートなどが挙げられる。また、支持体及び保護フィルムの少なくともいずれかを表面処理することにより、上述のような接着力の関係を満たすことができる。前記支持体の表面処理は、前記感光層との接着力を高めるために施されてもよく、例えば、下塗層の塗設、コロナ放電処理、火炎処理、紫外線照射処理、高周波照射処理、グロー放電照射処理、活性プラズマ照射処理、レーザ光線照射処理などを挙げることができる。   Examples of the combination of the support and the protective film (support / protective film) include polyethylene terephthalate / polypropylene, polyethylene terephthalate / polyethylene, polyvinyl chloride / cellophane, polyimide / polypropylene, polyethylene terephthalate / polyethylene terephthalate, and the like. . Moreover, the relationship of the above adhesive forces can be satisfy | filled by surface-treating at least any one of a support body and a protective film. The surface treatment of the support may be performed in order to increase the adhesive force with the photosensitive layer. For example, coating of a primer layer, corona discharge treatment, flame treatment, ultraviolet irradiation treatment, high frequency irradiation treatment, glow treatment Examples thereof include a discharge irradiation process, an active plasma irradiation process, and a laser beam irradiation process.

また、前記支持体と前記保護フィルムとの静摩擦係数としては、0.3〜1.4が好ましく、0.5〜1.2がより好ましい。
前記静摩擦係数が、0.3未満であると、滑り過ぎるため、ロール状にした場合に巻ズレが発生することがあり、1.4を超えると、良好なロール状に巻くことが困難となることがある。
Moreover, as a static friction coefficient of the said support body and the said protective film, 0.3-1.4 are preferable and 0.5-1.2 are more preferable.
When the coefficient of static friction is less than 0.3, slipping is excessive, so that winding deviation may occur when the roll is formed. Sometimes.

前記パターン形成材料は、例えば、円筒状の巻芯に巻き取って、長尺状でロール状に巻かれて保管されることが好ましい。前記長尺状のパターン形成材料の長さとしては、特に制限はなく、例えば、10m〜20,000mの範囲から適宜選択することができる。また、ユーザーが使いやすいようにスリット加工し、100m〜1,000mの範囲の長尺体をロール状にしてもよい。なお、この場合には、前記支持体が一番外側になるように巻き取られることが好ましい。また、前記ロール状のパターン形成材料をシート状にスリットしてもよい。保管の際、端面の保護、エッジフュージョンを防止する観点から、端面にはセパレーター(特に防湿性のもの、乾燥剤入りのもの)を設置することが好ましく、また梱包も透湿性の低い素材を用いる事が好ましい。   It is preferable that the pattern forming material is wound around a cylindrical core, wound into a long roll, and stored. There is no restriction | limiting in particular as length of the said elongate pattern formation material, For example, it can select suitably from the range of 10m-20,000m. Further, slitting may be performed so that the user can easily use, and a long body in the range of 100 m to 1,000 m may be formed into a roll. In this case, it is preferable that the support is wound up so as to be the outermost side. The roll-shaped pattern forming material may be slit into a sheet shape. From the viewpoint of protecting the end face and preventing edge fusion during storage, it is preferable to install a separator (especially moisture-proof and desiccant-containing) on the end face, and use a low moisture-permeable material for packaging. Things are preferable.

前記保護フィルムは、前記保護フィルムと前記感光層との接着性を調整するために表面処理してもよい。前記表面処理は、例えば、前記保護フィルムの表面に、ポリオルガノシロキサン、弗素化ポリオレフィン、ポリフルオロエチレン、ポリビニルアルコール等のポリマーからなる下塗層を形成させる。該下塗層の形成は、前記ポリマーの塗布液を前記保護フィルムの表面に塗布した後、30〜150℃(特に50〜120℃)で1〜30分間乾燥させることにより形成させることができる。また、前記感光層、前記支持体、前記保護フィルムの他に、剥離層、接着層、光吸収層、表面保護層などの層を有してもよい。   The protective film may be surface-treated in order to adjust the adhesion between the protective film and the photosensitive layer. In the surface treatment, for example, an undercoat layer made of a polymer such as polyorganosiloxane, fluorinated polyolefin, polyfluoroethylene, or polyvinyl alcohol is formed on the surface of the protective film. The undercoat layer can be formed by applying the polymer coating solution to the surface of the protective film and then drying at 30 to 150 ° C. (especially 50 to 120 ° C.) for 1 to 30 minutes. Moreover, you may have layers, such as a peeling layer, an adhesive layer, a light absorption layer, a surface protective layer, in addition to the said photosensitive layer, the said support body, and the said protective film.

<被処理基体>
前記被処理基体(以下、「基体」ということがある)としては、特に制限はなく、公知の材料の中から表面平滑性の高いものから凸凹のある表面を有するものまで適宜選択することができるが、板状の基体(基板)が好ましく、具体的には、公知のプリント配線板形成用基板(例えば、銅張積層板)、ガラス板(例えば、ソーダガラス板等)、合成樹脂性のフィルム、紙、金属板などが挙げられる。
<Substrate to be treated>
There is no restriction | limiting in particular as said to-be-processed base | substrate (henceforth a "base | substrate"), From the well-known material, what has high surface smoothness and what has an uneven surface can be selected suitably. However, a plate-like substrate (substrate) is preferable. Specifically, a known printed wiring board forming substrate (for example, a copper-clad laminate), a glass plate (for example, a soda glass plate), or a synthetic resin film , Paper, metal plate and the like.

前記基体は、該基体上に前記パターン形成材料における感光層が重なるようにして積層してなる積層体を形成して用いることができる。即ち、前記積層体におけるパターン形成材料の前記感光層に対して露光することにより、露光した領域を硬化させ、後述する現像工程によりパターンを形成することができる。   The substrate can be used by forming a laminate on which the photosensitive layer of the pattern forming material is laminated on the substrate. That is, by exposing the photosensitive layer of the pattern forming material in the laminate, the exposed region can be cured, and a pattern can be formed by a development process described later.

前記パターン形成材料は、プリント配線板、カラーフィルタや柱材、リブ材、スペーサー、隔壁などのディスプレイ用部材、ホログラム、マイクロマシン、プルーフなどのパターン形成用として広く用いることができ、特に本発明のパターン形成方法に好適に用いることができる。   The pattern forming material can be widely used for pattern formation of printed wiring boards, color filters, column materials, rib materials, spacers, partition members and other display members, holograms, micromachines, proofs, and the like. It can be suitably used for the forming method.

[その他工程]
前記その他の工程としては、特に制限はなく、公知のパターン形成における工程の中から適宜選択することが挙げられるが、例えば、現像工程、エッチング工程、メッキ工程などが挙げられる。これらは、1種単独で使用してもよく、2種以上を併用してもよい。
前記現像工程は、前記露光工程により前記感光層を露光し、該感光層の露光した領域を硬化させた後、未硬化領域を除去することにより現像し、パターンを形成する工程である。
[Other processes]
There is no restriction | limiting in particular as said other process, Although selecting suitably from the process in well-known pattern formation is mentioned, For example, a image development process, an etching process, a plating process, etc. are mentioned. These may be used alone or in combination of two or more.
The developing step is a step of forming a pattern by exposing the photosensitive layer by the exposing step, curing the exposed region of the photosensitive layer, and then developing the uncured region by removing the uncured region.

前記未硬化領域の除去方法としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、現像液を用いて除去する方法などが挙げられる。   There is no restriction | limiting in particular as the removal method of the said unhardened area | region, According to the objective, it can select suitably, For example, the method etc. which remove using a developing solution are mentioned.

前記現像液としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、例えば、アルカリ性水溶液、水系現像液、有機溶剤などが挙げられ、これらの中でも、弱アルカリ性の水溶液が好ましい。該弱アルカリ水溶液の塩基成分としては、例えば、水酸化リチウム、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸リチウム、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、炭酸水素リチウム、炭酸水素ナトリウム、炭酸水素カリウム、リン酸ナトリウム、リン酸カリウム、ピロリン酸ナトリウム、ピロリン酸カリウム、硼砂などが挙げられる。   There is no restriction | limiting in particular as said developing solution, Although it can select suitably according to the objective, For example, alkaline aqueous solution, an aqueous developing solution, an organic solvent etc. are mentioned, Among these, weakly alkaline aqueous solution is preferable. Examples of the basic component of the weak alkaline aqueous solution include lithium hydroxide, sodium hydroxide, potassium hydroxide, lithium carbonate, sodium carbonate, potassium carbonate, lithium hydrogen carbonate, sodium hydrogen carbonate, potassium hydrogen carbonate, sodium phosphate, phosphorus Examples include potassium acid, sodium pyrophosphate, potassium pyrophosphate, and borax.

前記弱アルカリ性の水溶液のpHとしては、例えば、約8〜12が好ましく、約9〜11がより好ましい。前記弱アルカリ性の水溶液としては、例えば、0.1〜5質量%の炭酸ナトリウム水溶液又は炭酸カリウム水溶液などが挙げられる。
前記現像液の温度としては、前記感光層の現像性に合わせて適宜選択することができるが、例えば、約25℃〜40℃が好ましい。
The pH of the weak alkaline aqueous solution is, for example, preferably about 8 to 12, and more preferably about 9 to 11. Examples of the weak alkaline aqueous solution include a 0.1 to 5% by mass aqueous sodium carbonate solution or an aqueous potassium carbonate solution.
The temperature of the developer can be appropriately selected according to the developability of the photosensitive layer, and is preferably about 25 ° C. to 40 ° C., for example.

前記現像液は、界面活性剤、消泡剤、有機塩基(例えば、エチレンジアミン、エタノールアミン、テトラメチルアンモニウムハイドロキサイド、ジエチレントリアミン、トリエチレンペンタミン、モルホリン、トリエタノールアミン等)や、現像を促進させるため有機溶剤(例えば、アルコール類、ケトン類、エステル類、エーテル類、アミド類、ラクトン類等)などと併用してもよい。また、前記現像液は、水又はアルカリ水溶液と有機溶剤を混合した水系現像液であってもよく、有機溶剤単独であってもよい。   The developer includes a surfactant, an antifoaming agent, an organic base (for example, ethylenediamine, ethanolamine, tetramethylammonium hydroxide, diethylenetriamine, triethylenepentamine, morpholine, triethanolamine, etc.) and development. Therefore, it may be used in combination with an organic solvent (for example, alcohols, ketones, esters, ethers, amides, lactones, etc.). The developer may be an aqueous developer obtained by mixing water or an aqueous alkali solution and an organic solvent, or may be an organic solvent alone.

前記エッチング工程としては、公知のエッチング処理方法の中から適宜選択した方法により行うことができる。
前記エッチング処理に用いられるエッチング液としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、例えば、前記金属層が銅で形成されている場合には、塩化第二銅溶液、塩化第二鉄溶液、アルカリエッチング溶液、過酸化水素系エッチング液などが挙げられ、これらの中でも、エッチングファクターの点から塩化第二鉄溶液が好ましい。
前記エッチング工程によりエッチング処理した後に前記パターンを除去することにより、前記基体の表面に永久パターンを形成することができる。
前記永久パターンとしては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、配線パターンなどが好適に挙げられる。
The etching step can be performed by a method appropriately selected from known etching methods.
There is no restriction | limiting in particular as an etching liquid used for the said etching process, Although it can select suitably according to the objective, For example, when the said metal layer is formed with copper, a cupric chloride solution, Examples thereof include a ferric chloride solution, an alkali etching solution, and a hydrogen peroxide-based etching solution. Among these, a ferric chloride solution is preferable from the viewpoint of an etching factor.
A permanent pattern can be formed on the surface of the substrate by removing the pattern after performing the etching process in the etching step.
There is no restriction | limiting in particular as said permanent pattern, According to the objective, it can select suitably, For example, a wiring pattern etc. are mentioned suitably.

前記メッキ工程としては、公知のメッキ処理の中から適宜選択した適宜選択した方法により行うことができる。
前記メッキ処理としては、例えば、硫酸銅メッキ、ピロリン酸銅メッキ等の銅メッキ、ハイフローはんだメッキ等のはんだメッキ、ワット浴(硫酸ニッケル−塩化ニッケル)メッキ、スルファミン酸ニッケル等のニッケルメッキ、ハード金メッキ、ソフト金メッキ等の金メッキなど処理が挙げられる。
前記メッキ工程によりメッキ処理した後に前記パターンを除去することにより、また更に必要に応じて不要部をエッチング処理等で除去することにより、前記基体の表面に永久パターンを形成することができる。
The plating step can be performed by an appropriately selected method selected from known plating processes.
Examples of the plating treatment include copper plating such as copper sulfate plating and copper pyrophosphate plating, solder plating such as high flow solder plating, watt bath (nickel sulfate-nickel chloride) plating, nickel plating such as nickel sulfamate, and hard gold plating. And gold plating such as soft gold plating.
A permanent pattern can be formed on the surface of the substrate by removing the pattern after the plating process in the plating process, and further removing unnecessary portions by an etching process or the like as necessary.

本発明のパターン形成方法は、前記パターン形成材料の被露光面上に形成される前記パターンの解像度のばらつきや濃度のむらを軽減し、結像させる像の歪みを抑制することにより、パターンを高精細に、かつ、効率よく形成可能であるため、高精細な露光が必要とされる各種パターンの形成などに好適に使用することができ、特に高精細な配線パターンの形成に好適に使用することができる。   The pattern forming method of the present invention reduces the variation in resolution and density of the pattern formed on the exposed surface of the pattern forming material, and suppresses distortion of the image to be formed, thereby suppressing the pattern to be formed in high definition. In addition, since it can be formed efficiently, it can be suitably used for forming various patterns that require high-definition exposure, and particularly suitable for forming high-definition wiring patterns. it can.

〔プリント配線板の製造方法〕
本発明のパターン形成方法は、プリント配線板の製造、特にスルーホール又はビアホールなどのホール部を有するプリント配線板の製造に好適に用いることができる。以下、本発明のパターン形成方法を利用したプリント配線板の製造方法について説明する。
[Method of manufacturing printed wiring board]
The pattern forming method of the present invention can be suitably used for the production of a printed wiring board, particularly for the production of a printed wiring board having a hole portion such as a through hole or a via hole. Hereinafter, the manufacturing method of the printed wiring board using the pattern formation method of this invention is demonstrated.

特に、スルーホール又はビアホールなどのホール部を有するプリント配線板の製造方法としては、(1)前記基体としてホール部を有するプリント配線板形成用基板上に、前記パターン形成材料を、その感光層が前記基体側となる位置関係にて積層して積層体形成し、(2)前記積層体の前記基体とは反対の側から、配線パターン形成領域及びホール部形成領域に光照射行い感光層を硬化させ、(3)前記積層体から前記パターン形成材料における支持体を除去し、(4)前記積層体における感光層を現像して、該積層体中の未硬化部分を除去することによりパターンを形成することができる。   In particular, as a method of manufacturing a printed wiring board having a hole portion such as a through hole or a via hole, (1) the pattern forming material is placed on the printed wiring board forming substrate having the hole portion as the base, and the photosensitive layer is (2) The photosensitive layer is cured by irradiating the wiring pattern formation region and the hole portion formation region with light from the opposite side of the laminate to the substrate. (3) The support in the pattern forming material is removed from the laminate, and (4) the photosensitive layer in the laminate is developed to form a pattern by removing uncured portions in the laminate. can do.

なお、前記(3)における前記支持体の除去は、前記(2)と前記(4)との間で行う代わりに、前記(1)と前記(2)との間で行ってもよい。   The removal of the support in (3) may be performed between (1) and (2) instead of between (2) and (4).

その後、プリント配線板を得るには、前記形成したパターンを用いて、前記プリント配線板形成用基板をエッチング処理又はメッキ処理する方法(例えば、公知のサブトラクティブ法又はアディティブ法(例えば、セミアディティブ法、フルアディティブ法))により処理すればよい。これらの中でも、工業的に有利なテンティングでプリント配線板を形成するためには、前記サブトラクティブ法が好ましい。前記処理後プリント配線板形成用基板に残存する硬化樹脂は剥離させ、また、前記セミアディティブ法の場合は、剥離後さらに銅薄膜部をエッチングすることにより、所望のプリント配線板を製造することができる。また、多層プリント配線板も、前記プリント配線板の製造法と同様に製造が可能である。   Thereafter, in order to obtain a printed wiring board, a method of etching or plating the printed wiring board forming substrate using the formed pattern (for example, a known subtractive method or additive method (for example, a semi-additive method) And the full additive method)). Among these, in order to form a printed wiring board by industrially advantageous tenting, the subtractive method is preferable. After the treatment, the cured resin remaining on the printed wiring board forming substrate is peeled off. In the case of the semi-additive method, a desired printed wiring board can be manufactured by further etching the copper thin film portion after peeling. it can. A multilayer printed wiring board can also be manufactured in the same manner as the printed wiring board manufacturing method.

次に、前記パターン形成材料を用いたスルーホールを有するプリント配線板の製造方法について、更に説明する。   Next, the manufacturing method of the printed wiring board which has a through hole using the said pattern formation material is further demonstrated.

まずスルーホールを有し、表面が金属メッキ層で覆われたプリント配線板形成用基板を用意する。前記プリント配線板形成用基板としては、例えば、銅張積層基板及びガラス−エポキシなどの絶縁基材に銅メッキ層を形成した基板、又はこれらの基板に層間絶縁膜を積層し、銅メッキ層を形成した基板(積層基板)を用いることができる。   First, a printed wiring board forming substrate having through holes and having a surface covered with a metal plating layer is prepared. As the printed wiring board forming substrate, for example, a copper-clad laminate substrate and a substrate in which a copper plating layer is formed on an insulating base material such as glass-epoxy, or an interlayer insulating film is laminated on these substrates, and a copper plating layer is formed. A formed substrate (laminated substrate) can be used.

次に、前記パターン形成材料上に保護フィルムを有する場合には、該保護フィルムを剥離して、前記パターン形成材料における感光層が前記プリント配線板形成用基板の表面に接するようにして加圧ローラを用いて圧着する(積層工程)。これにより、前記プリント配線板形成用基板と前記積層体とをこの順に有する積層体が得られる。
前記パターン形成材料の積層温度としては、特に制限はなく、例えば、室温(15〜30℃)、又は加熱下(30〜180℃)が挙げられ、これらの中でも、加温下(60〜140℃)が好ましい。
前記圧着ロールのロール圧としては、特に制限はなく、例えば、0.1〜1MPaが好ましい。
前記圧着の速度としては、特に制限はなく、1〜3m/分が好ましい。
また、前記プリント配線板形成用基板を予備加熱しておいてもよく、また、減圧下で積層してもよい。
Next, when a protective film is provided on the pattern forming material, the protective film is peeled off so that the photosensitive layer in the pattern forming material is in contact with the surface of the printed wiring board forming substrate. Is used for pressure bonding (lamination process). Thereby, the laminated body which has the said board | substrate for printed wiring board formation and the said laminated body in this order is obtained.
There is no restriction | limiting in particular as lamination | stacking temperature of the said pattern formation material, For example, room temperature (15-30 degreeC) or under heating (30-180 degreeC) is mentioned, Among these, under heating (60-140 degreeC) ) Is preferred.
There is no restriction | limiting in particular as roll pressure of the said crimping | compression-bonding roll, For example, 0.1-1 Mpa is preferable.
There is no restriction | limiting in particular as the speed | rate of the said crimping | compression-bonding, and 1-3 m / min is preferable.
The printed wiring board forming substrate may be preheated or laminated under reduced pressure.

前記積層体の形成は、前記プリント配線板形成用基板上に前記パターン形成材料における前記感光層を積層して形成する方法以外に、前記パターン形成材料の感光層を製造するための感光性樹脂組成物溶液を、前記プリント配線板形成用基板の表面に直接塗布し、乾燥させることにより形成する方法であってもよい。   In addition to the method of forming the laminate by laminating the photosensitive layer in the pattern forming material on the printed wiring board forming substrate, a photosensitive resin composition for producing the photosensitive layer of the pattern forming material is used. A method may be used in which a physical solution is directly applied to the surface of the printed wiring board forming substrate and dried.

次に、前記積層体の基体とは反対側の面から、光を照射して感光層を硬化させる。なおこの際、必要に応じて(例えば、支持体の光透過性が不十分な場合など)支持体を剥離してから露光を行ってもよい。   Next, the photosensitive layer is cured by irradiating light from the surface of the laminate opposite to the substrate. At this time, exposure may be performed after peeling the support as necessary (for example, when the light transmittance of the support is insufficient).

この時点で、前記支持体を未だ剥離していない場合には、前記積層体から該支持体を剥がす(支持体剥離工程)。   At this point, if the support has not yet been peeled off, the support is peeled off from the laminate (support peeling step).

次に、前記プリント配線板形成用基板上の感光層の未硬化領域を、適当な現像液にて溶解除去して、配線パターン形成用の硬化層とスルーホールの金属層保護用硬化層のパターンを形成し、前記プリント配線板形成用基板の表面に金属層を露出させる(現像工程)。   Next, the uncured region of the photosensitive layer on the printed wiring board forming substrate is dissolved and removed with an appropriate developer to form a pattern of the cured layer for forming the wiring pattern and the cured layer for protecting the metal layer of the through hole. And a metal layer is exposed on the surface of the printed wiring board forming substrate (developing step).

また、現像後に必要に応じて後加熱処理や後露光処理によって、硬化部の硬化反応を更に促進させる処理をおこなってもよい。現像は上記のようなウエット現像法であってもよく、ドライ現像法であってもよい。   Moreover, you may perform the process which further accelerates | stimulates the hardening reaction of a hardening part by post-heat processing or post-exposure processing as needed after image development. The development may be a wet development method as described above or a dry development method.

次いで、前記プリント配線板形成用基板の表面に露出した金属層をエッチング液で溶解除去する(エッチング工程)。スルーホールの開口部は、硬化樹脂組成物(テント膜)で覆われているので、エッチング液がスルーホール内に入り込んでスルーホール内の金属メッキを腐食することなく、スルーホールの金属メッキは所定の形状で残ることになる。これより、前記プリント配線板形成用基板に配線パターンが形成される。   Next, the metal layer exposed on the surface of the printed wiring board forming substrate is dissolved and removed with an etching solution (etching step). Since the opening of the through hole is covered with a cured resin composition (tent film), the metal plating of the through hole is predetermined without etching liquid entering the through hole and corroding the metal plating in the through hole. It will remain in the shape. Thus, a wiring pattern is formed on the printed wiring board forming substrate.

前記エッチング液としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、例えば、前記金属層が銅で形成されている場合には、塩化第二銅溶液、塩化第二鉄溶液、アルカリエッチング溶液、過酸化水素系エッチング液などが挙げられ、これらの中でも、エッチングファクターの点から塩化第二鉄溶液が好ましい。   There is no restriction | limiting in particular as said etching liquid, Although it can select suitably according to the objective, For example, when the said metal layer is formed with copper, a cupric chloride solution, a ferric chloride solution , Alkaline etching solutions, hydrogen peroxide-based etching solutions, and the like. Among these, ferric chloride solutions are preferable from the viewpoint of etching factors.

次に、強アルカリ水溶液などにて前記硬化層を剥離片として、前記プリント配線板形成用基板から除去する(硬化物除去工程)。
前記強アルカリ水溶液における塩基成分としては、特に制限はなく、例えば、水酸化ナトリウム、水酸化カリウムなどが挙げられる。
前記強アルカリ水溶液のpHとしては、例えば、約12〜14が好ましく、約13〜14がより好ましい。
前記強アルカリ水溶液としては、特に制限はなく、例えば、1〜10質量%の水酸化ナトリウム水溶液又は水酸化カリウム水溶液などが挙げられる。
Next, it removes from the said board | substrate for printed wiring board formation by making the said hardened layer into a peeling piece with strong alkaline aqueous solution etc. (hardened | cured material removal process).
There is no restriction | limiting in particular as a base component in the said strong alkali aqueous solution, For example, sodium hydroxide, potassium hydroxide, etc. are mentioned.
As pH of the said strong alkali aqueous solution, about 12-14 are preferable, for example, and about 13-14 are more preferable.
There is no restriction | limiting in particular as said strong alkali aqueous solution, For example, 1-10 mass% sodium hydroxide aqueous solution or potassium hydroxide aqueous solution etc. are mentioned.

また、プリント配線板は、多層構成のプリント配線板であってもよい。
なお、前記パターン形成材料は上記のエッチングプロセスのみでなく、メッキプロセスに使用してもよい。前記メッキ法としては、例えば、硫酸銅メッキ、ピロリン酸銅メッキ等の銅メッキ、ハイフローはんだメッキ等のはんだメッキ、ワット浴(硫酸ニッケル−塩化ニッケル)メッキ、スルファミン酸ニッケル等のニッケルメッキ、ハード金メッキ、ソフト金メッキ等の金メッキなどが挙げられる。
The printed wiring board may be a multilayer printed wiring board.
The pattern forming material may be used not only for the above etching process but also for a plating process. Examples of the plating method include copper plating such as copper sulfate plating and copper pyrophosphate plating, solder plating such as high flow solder plating, watt bath (nickel sulfate-nickel chloride) plating, nickel plating such as nickel sulfamate, and hard gold plating. And gold plating such as soft gold plating.

以下、実施例により本発明を更に具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。   EXAMPLES Hereinafter, the present invention will be described more specifically with reference to examples, but the present invention is not limited thereto.

(実施例1)
−パターン形成材料の製造−
前記支持体として20μm厚のポリエチレンテレフタレートフィルムに、下記の組成からなる感光性樹脂組成物溶液を塗布し乾燥させて、15μm厚の感光層を形成し、前記パターン形成材料を製造した。
Example 1
-Production of pattern forming material-
A photosensitive resin composition solution having the following composition was applied to a polyethylene terephthalate film having a thickness of 20 μm as the support and dried to form a photosensitive layer having a thickness of 15 μm, thereby producing the pattern forming material.

[感光性樹脂組成物溶液の組成]
・メタクリル酸/メチルメタクリレート/スチレン共重合体(共重合体組成(質量比):
29/19/52、質量平均分子量:60,000、酸価189) 11.8質量部
・下記構造式(70)で表される重合性モノマー 5.6質量部
・ヘキサメチレンジイソシアネートとペンタエチレンオキシドモノメタアクリレートの
1/2モル比付加物 5.0質量部
・ドデカプロピレングリコールジアクリレート 0.56質量部
・N−メチルアクリドン 0.11質量部
・2,2−ビス(o−クロロフェニル)−4,4′,5,5′−テトラフェニルビイミ
ダゾール 2.17質量部
・2−メルカプトベンズイミダゾール 0.23質量部
・マラカイトグリーンシュウ酸塩 0.02質量部
・ロイコクリスタルバイオレット 0.26質量部
・メチルエチルケトン 40質量部
・1−メトキシ−2−プロパノール 20質量部
[Composition of photosensitive resin composition solution]
Methacrylic acid / methyl methacrylate / styrene copolymer (copolymer composition (mass ratio):
29/19/52, mass average molecular weight: 60,000, acid value 189) 11.8 parts by mass • 5.6 parts by mass of polymerizable monomer represented by the following structural formula (70) • hexamethylene diisocyanate and pentaethylene oxide mono 1/2 mole ratio adduct of methacrylate 5.0 parts by mass, dodecapropylene glycol diacrylate 0.56 parts by mass, N-methylacridone 0.11 parts by mass, 2,2-bis (o-chlorophenyl) -4 , 4 ', 5,5'-tetraphenylbiimidazole 2.17 parts by mass, 0.23 parts by mass of 2-mercaptobenzimidazole, 0.02 parts by mass of malachite green oxalate, 0.26 parts by mass of leuco crystal violet 40 parts by mass of methyl ethyl ketone
・ 20 parts by mass of 1-methoxy-2-propanol

但し、構造式(70)中、m+nは、10を表す。なお、構造式(70)は、前記構造式(35)で表される化合物の一例である。 However, m + n represents 10 in Structural Formula (70). Structural formula (70) is an example of a compound represented by the structural formula (35).

前記パターン形成材料の感光層の上に、前記保護フィルムとして20μm厚のポリエチレンフィルムを積層した。
次に、前記基体として、表面を研磨、水洗、乾燥した銅張積層板(スルーホールなし、銅厚み12μm)の表面に、前記パターン形成材料の保護フィルムを剥がしながら、該パターン形成材料の感光層が前記銅張積層板に接するようにしてラミネーター(MODEL8B−720−PH、大成ラミネーター(株)製)を用いて圧着させ、前記銅張積層板と、前記感光層と、前記ポリエチレンテレフタレートフィルム(支持体)とがこの順に積層された積層体を調製した。
圧着条件は、圧着ロール温度 105℃、圧着ロール圧力 0.3MPa、ラミネート速度 1m/分とした。
A 20 μm thick polyethylene film was laminated as the protective film on the photosensitive layer of the pattern forming material.
Next, a photosensitive layer of the pattern forming material is peeled off from the surface of a copper-clad laminate (no through-hole, copper thickness 12 μm) whose surface is polished, washed and dried as the substrate. In contact with the copper-clad laminate using a laminator (MODEL8B-720-PH, manufactured by Taisei Laminator Co., Ltd.), the copper-clad laminate, the photosensitive layer, and the polyethylene terephthalate film (support) Body) was laminated in this order.
The pressure bonding conditions were a pressure roll temperature of 105 ° C., a pressure roll pressure of 0.3 MPa, and a laminating speed of 1 m / min.

前記調製した積層体におけるパターン形成材料の感光層に対して下記の露光装置を用いた方法により露光を行い、解像度、ジャギーの有無、及びエッジラフネスを以下の方法により評価した。結果を表1に示す。   The photosensitive layer of the pattern forming material in the prepared laminate was exposed by the method using the following exposure apparatus, and the resolution, the presence / absence of jaggy, and the edge roughness were evaluated by the following methods. The results are shown in Table 1.

<解像度>
(1)最短現像時間の測定方法
前記積層体から前記支持体を剥がし取り、銅張積層板上の前記感光層の全面に30℃の1質量%炭酸ナトリウム水溶液を0.15MPaの圧力にてスプレーし、炭酸ナトリウム水溶液のスプレー開始から銅張積層板上の感光層が溶解除去されるまでに要した時間を測定し、これを最短現像時間とした。
この結果、前記最短現像時間は、10秒であった。
<Resolution>
(1) Measuring method of shortest development time The support is peeled off from the laminate, and a 1 mass% sodium carbonate aqueous solution at 30 ° C. is sprayed on the entire surface of the photosensitive layer on the copper clad laminate at a pressure of 0.15 MPa. The time required from the start of spraying of the aqueous sodium carbonate solution until the photosensitive layer on the copper clad laminate was dissolved and removed was measured, and this was taken as the shortest development time.
As a result, the shortest development time was 10 seconds.

(2)感度の測定
前記調製した積層体におけるパターン形成材料の感光層に対し、前記支持体側から、以下に説明する露光装置を用いて、0.1mJ/cmから21/2倍間隔で100mJ/cmまでの光エネルギー量の異なる光を照射し、前記感光層の一部の領域を硬化させた。室温にて10分間静置した後、前記積層体から前記支持体を剥がし取り、銅張積層板上の感光層の全面に、30℃の1質量%炭酸ナトリウム水溶液をスプレー圧0.15MPaにて前記(1)で求めた最短現像時間の2倍の時間スプレーし、未硬化の領域を溶解除去して、残った硬化領域の厚みを測定した。次いで、光の照射量と、硬化層の厚さとの関係をプロットして感度曲線を得た。該感度曲線から、硬化領域の厚みが露光前の感光層と同じ15μmとなった時の光エネルギー量を、感光層を硬化させるために必要な光エネルギー量とした。
この結果、前記感光層を硬化させるために必要な光エネルギー量は、3.5mJ/cmであった。
(2) Measurement of sensitivity With respect to the photosensitive layer of the pattern forming material in the prepared laminate, from the support side, an exposure apparatus described below is used at intervals of 0.1 mJ / cm 2 to 2 1/2 times. Light with different light energy amounts up to 100 mJ / cm 2 was irradiated to cure a part of the photosensitive layer. After standing at room temperature for 10 minutes, the support was peeled off from the laminate, and a 1% by mass aqueous sodium carbonate solution at 30 ° C. was applied to the entire surface of the photosensitive layer on the copper clad laminate at a spray pressure of 0.15 MPa. Spraying was performed twice as long as the shortest development time determined in (1) above, the uncured area was dissolved and removed, and the thickness of the remaining cured area was measured. Subsequently, the relationship between the light irradiation amount and the thickness of the cured layer was plotted to obtain a sensitivity curve. From the sensitivity curve, the amount of light energy when the thickness of the cured region was 15 μm, which was the same as that of the photosensitive layer before exposure, was determined as the amount of light energy necessary for curing the photosensitive layer.
As a result, the amount of light energy necessary for curing the photosensitive layer was 3.5 mJ / cm 2 .

<<露光装置>>
前記露光装置として、図2に示した構成の露光ヘッドを備え、図1に示す外観のフラットベットタイプの露光装置を用いた。制御ユニット42は、図8に示す制御回路を有する。前記露光ヘッドは、前記光照射手段として半導体レーザ光源と、前記光変調手段として図3に概略図を示したDMD36において、マイクロミラー40が、主走査方向に1024個配列され、副走査方向に768組配列された内、1024個×256列のみを駆動するように制御したDMD36を備えている。
該露光ヘッドを、走査方向に対し、前記DMDの列方向が15°となるように配置し、該露光ヘッドを走査方向に相対的に移動させて露光を行った。
<< Exposure equipment >>
As the exposure apparatus, the flat bed type exposure apparatus having the appearance shown in FIG. 1 and the exposure head having the configuration shown in FIG. 2 was used. The control unit 42 has a control circuit shown in FIG. In the exposure head, a semiconductor laser light source as the light irradiating means, and 1024 micromirrors 40 are arranged in the main scanning direction in the DMD 36 schematically shown in FIG. 3 as the light modulating means, and 768 in the sub scanning direction. A DMD 36 controlled so as to drive only 1024 × 256 rows among the array is provided.
The exposure head was arranged so that the DMD column direction was 15 ° with respect to the scanning direction, and exposure was performed by moving the exposure head relative to the scanning direction.

各パラメータを図16に示した値と同様に設定して、露光を行った。このとき、図16から明らかなとおり、オリジナル画像80の傾斜角度15゜の前後でいずれもジャギーが発生することがなく、良好な描画パターンが得られることが期待される。   Each parameter was set in the same manner as the values shown in FIG. 16, and exposure was performed. At this time, as apparent from FIG. 16, it is expected that no jaggy occurs before and after the inclination angle of 15 ° of the original image 80 and a good drawing pattern is obtained.

(3)解像度の測定
前記(1)の最短現像時間の評価方法と同じ方法及び条件で前記積層体を作製し、室温(23℃、55%RH)にて10分間静置した。得られた積層体のポリエチレンテレフタレートフィルム(支持体)上から、前記露光装置を用いて、ライン/スペース=1/1でライン幅10μm〜50μmまで1μm刻みで各線幅の露光を行う。この際の露光量は、前記(2)で測定した前記パターン形成材料の感光層を硬化させるために必要な光エネルギー量である。室温にて10分間静置した後、前記積層体からポリエチレンテレフタレートフィルム(支持体)を剥がし取る。銅張積層板上の感光層の全面に30℃の1質量%炭酸ナトリウム水溶液をスプレー圧0.15MPaにて前記(1)で求めた最短現像時間の2倍の時間スプレーし、未硬化領域を溶解除去する。この様にして得られた硬化樹脂パターン付き銅張積層板の表面を光学顕微鏡で観察し、硬化樹脂パターンのラインにツマリ、ヨレ等の異常が無く、かつスペース形成可能な最小のライン幅を測定し、これを解像度とした。該解像度は数値が小さいほど良好である。
(3) Measurement of resolution The laminate was prepared by the same method and conditions as the evaluation method for the shortest development time in (1), and allowed to stand at room temperature (23 ° C., 55% RH) for 10 minutes. From the obtained polyethylene terephthalate film (support) of the laminate, the exposure apparatus is used to expose each line width in increments of 1 μm from 10 μm to 50 μm in line width / space = 1/1. The exposure amount at this time is the amount of light energy necessary for curing the photosensitive layer of the pattern forming material measured in (2). After standing at room temperature for 10 minutes, the polyethylene terephthalate film (support) is peeled off from the laminate. A 1 mass% sodium carbonate aqueous solution at 30 ° C. is sprayed over the entire surface of the photosensitive layer on the copper clad laminate at a spray pressure of 0.15 MPa for twice the shortest development time determined in (1) above, and the uncured area is Dissolve and remove. The surface of the copper-clad laminate with a cured resin pattern obtained in this way is observed with an optical microscope, and the cured resin pattern line is free of irregularities such as lumps and twists, and the minimum line width that allows space formation is measured. This is the resolution. The smaller the numerical value, the better the resolution.

<ジャギーの有無>
前記積層体に、前記露光装置を用いて、前記露光ヘッドの走査方向と直交する方向の横線パターンが形成されるように照射して露光し、前記感光層の一部の領域を前記解像度の測定における(3)と同様にしてパターンを形成した。
形成されたパターンのうち、ライン幅30μmのラインの任意の5箇所について、レーザ顕微鏡(VK−9500、キーエンス(株)製;対物レンズ50倍)を用いて観察し、ジャギーの有無を評価した。ジャギーピッチpjiの許容範囲は−5μm〜+5μm、ジャギー振幅ajiの許容範囲を−1μm〜+1μmとし、許容範囲を外れたものについて、ジャギー有りとして評価した。
<With or without jaggy>
Using the exposure apparatus, the laminate is exposed to light so that a horizontal line pattern perpendicular to the scanning direction of the exposure head is formed, and a part of the photosensitive layer is measured for the resolution. A pattern was formed in the same manner as in (3).
Among the formed patterns, arbitrary five portions of a line having a line width of 30 μm were observed using a laser microscope (VK-9500, manufactured by Keyence Corporation; objective lens 50 ×) to evaluate the presence or absence of jaggy. The allowable range of the jaggy pitch pji was −5 μm to +5 μm, the allowable range of the jaggy amplitude aji was −1 μm to +1 μm, and those outside the allowable range were evaluated as having jaggy.

<エッジラフネス>
前記積層体に、前記露光装置を用いて、前記露光ヘッドの走査方向と直交する方向の横線パターンが形成されるように照射して露光し、前記感光層の一部の領域を前記解像度の測定における(3)と同様にしてパターンを形成した。得られたパターンのうち、ライン幅30μmのラインの任意の5箇所について、レーザ顕微鏡(VK−9500、キーエンス(株)製;対物レンズ50倍)を用いて観察し、視野内のエッジ位置のうち、最も膨らんだ箇所(山頂部)と、最もくびれた箇所(谷底部)との差を絶対値として求め、観察した5箇所の平均値を算出し、これをエッジラフネスとした。該エッジラフネスは、値が小さい程、良好な性能を示すため好ましい。
<Edge roughness>
Using the exposure apparatus, the laminate is exposed to light so that a horizontal line pattern perpendicular to the scanning direction of the exposure head is formed, and a part of the photosensitive layer is measured for the resolution. A pattern was formed in the same manner as in (3). Among the obtained patterns, any five points of a line having a line width of 30 μm were observed using a laser microscope (VK-9500, manufactured by Keyence Corporation; objective lens 50 ×), and among the edge positions in the field of view Then, the difference between the most swollen portion (mountain peak portion) and the most constricted portion (valley bottom portion) was obtained as an absolute value, and an average value of five observed positions was calculated, and this was defined as edge roughness. The edge roughness is preferably as the value is small because it exhibits good performance.

(実施例2)
実施例1において、露光装置における前記各パラメータを、図18に示した値と同様に設定して露光を行った以外は、実施例1と同様にしてパターンを形成し、解像度、ジャギーの有無、及びエッジラフネスを評価した。結果を表1に示す。
なお、このとき、図18から明らかなとおり、オリジナル画像80の傾斜角度15゜の前後でいずれもジャギーが発生することがなく、良好な描画パターンが得られることが期待される。
(Example 2)
In Example 1, the pattern was formed in the same manner as in Example 1 except that exposure was performed by setting the respective parameters in the exposure apparatus in the same manner as the values shown in FIG. 18, and the resolution, presence / absence of jaggy, And edge roughness was evaluated. The results are shown in Table 1.
At this time, as is apparent from FIG. 18, it is expected that no jaggy occurs before and after an inclination angle of 15 ° of the original image 80 and a good drawing pattern is obtained.

(実施例3)
実施例1において、感光性樹脂組成物溶液のヘキサメチレンジイソシアネートとペンタエチレンオキシドモノメタアクリレートの1/2モル比付加物を、下記構造式(71)で表される化合物に代えた以外は実施例1と同様にしてパターン形成材料、及び積層体を調製し、パターンを形成し、解像度、ジャギーの有無、及びエッジラフネスを評価した。結果を表1に示す。
なお、最短現像時間は10秒であり、前記感光層を硬化させるために必要な光エネルギー量は3.5mJ/cmであった。また、前記構造式(71)で表される化合物は、前記構造式(24)で表される化合物の一例である。
(Example 3)
In Example 1, except that the ½ molar ratio adduct of hexamethylene diisocyanate and pentaethylene oxide monomethacrylate in the photosensitive resin composition solution was replaced with a compound represented by the following structural formula (71), Example 1 In the same manner as above, a pattern forming material and a laminate were prepared, a pattern was formed, and resolution, presence / absence of jaggies, and edge roughness were evaluated. The results are shown in Table 1.
The shortest development time was 10 seconds, and the amount of light energy necessary for curing the photosensitive layer was 3.5 mJ / cm 2 . In addition, the compound represented by the structural formula (71) is an example of the compound represented by the structural formula (24).

(実施例4)
実施例1おいて、感光性樹脂組成物溶液のヘキサメチレンジイソシアネートとペンタエチレンオキシドモノメタアクリレートの1/2モル比付加物を、下記構造式(72)に示す化合物に代えた以外は実施例1と同様にしてパターン形成材料、及び積層体を調製し、パターンを形成し、解像度、ジャギーの有無、及びエッジラフネスを評価した。結果を表1に示す。
なお、最短現像時間は10秒であり、前記感光層を硬化させるために必要な光エネルギー量は3.5mJ/cmであった。また、前記構造式(72)で表される化合物は、前記構造式(22)で表される化合物の一例である。
Example 4
In Example 1, Example 1 except that the 1/2 mole ratio adduct of hexamethylene diisocyanate and pentaethylene oxide monomethacrylate in the photosensitive resin composition solution was replaced with the compound represented by the following structural formula (72). Similarly, a pattern forming material and a laminate were prepared, a pattern was formed, and resolution, presence / absence of jaggies, and edge roughness were evaluated. The results are shown in Table 1.
The shortest development time was 10 seconds, and the amount of light energy necessary for curing the photosensitive layer was 3.5 mJ / cm 2 . Further, the compound represented by the structural formula (72) is an example of the compound represented by the structural formula (22).

(実施例5)
実施例1において、メタクリル酸/メチルメタクリレート/スチレン共重合体(共重合体組成(質量比):29/19/52、質量平均分子量:60,000、酸価189)を、メチルメタクリレート/スチレン/ベンジルメタクリレート/メタクリル酸共重合体(共重合体組成(質量比):8/30/37/25、質量平均分子量:60,000、酸価163)に代えたこと以外は実施例1と同様にしてパターン形成材料、及び積層体を調製し、パターンを形成し、解像度、ジャギーの有無、及びエッジラフネスを評価した。結果を表1に示す。
なお、最短現像時間は10秒であり、感光層を硬化させるために必要な光エネルギー量は4mJ/cmであった。
(Example 5)
In Example 1, methacrylic acid / methyl methacrylate / styrene copolymer (copolymer composition (mass ratio): 29/19/52, mass average molecular weight: 60,000, acid value 189) was converted to methyl methacrylate / styrene / Except having replaced with the benzyl methacrylate / methacrylic acid copolymer (Copolymer composition (mass ratio): 8/30/37/25, mass average molecular weight: 60,000, acid value 163), it carried out similarly to Example 1, and. Then, a pattern forming material and a laminate were prepared, a pattern was formed, and resolution, presence / absence of jaggies, and edge roughness were evaluated. The results are shown in Table 1.
The shortest development time was 10 seconds, and the amount of light energy required to cure the photosensitive layer was 4 mJ / cm 2 .

(比較例1)
実施例1において、各パラメータの設定及び変更を行わずに露光を行った以外は、実施例1と同様にして、パターン形成材料、及び積層体を調製し、パターンを形成し、解像度、ジャギーの有無、及びエッジラフネスを評価した。結果を表1に示す。
なお、最短現像時間は10秒であり、感光層を硬化させるために必要な光エネルギー量は3.5mJ/cmであった。
(Comparative Example 1)
In Example 1, except that the exposure was performed without setting and changing each parameter, the pattern forming material and the laminate were prepared and the pattern was formed in the same manner as in Example 1, and the resolution and jaggies were adjusted. Existence and edge roughness were evaluated. The results are shown in Table 1.
The shortest development time was 10 seconds, and the amount of light energy required to cure the photosensitive layer was 3.5 mJ / cm 2 .

表1の結果から、比較例1のパターンと比較して、本発明のパターン形成方法により形成された実施例1〜5のパターンは、ジャギーが抑制され、エッジラフネスも小さく、高精細であることがわかった。また、実施例1〜5のパターンを形成する露光工程において、露光速度を低下させることなく所望のパターンを形成できたことから、本発明のパターン形成方法は、効率よく高精細なパターンが形成できることがわかった。   From the results shown in Table 1, the patterns of Examples 1 to 5 formed by the pattern forming method of the present invention are suppressed in jaggies, edge roughness is small, and high definition as compared with the pattern of Comparative Example 1. I understood. Moreover, in the exposure process which forms the pattern of Examples 1-5, since the desired pattern was able to be formed, without reducing an exposure speed, the pattern formation method of this invention can form a high-definition pattern efficiently. I understood.

本発明のパターン形成方法は、露光速度を低下させることなく、ジャギーが低減された所望の描画パターンを被露光面上に形成することにより、配線パターン等の永久パターンを高精細に、かつ効率よく形成可能であるため、高精細な露光が必要とされる各種パターンの形成などに好適に使用することができ、特に高精細な配線パターンの形成に好適に使用することができる。   The pattern formation method of the present invention forms a desired drawing pattern with reduced jaggies on the exposed surface without reducing the exposure speed, thereby making it possible to efficiently and efficiently create a permanent pattern such as a wiring pattern. Since it can be formed, it can be suitably used for forming various patterns that require high-definition exposure, and particularly suitable for forming high-definition wiring patterns.

図1は、露光装置の外観斜視図である。FIG. 1 is an external perspective view of the exposure apparatus. 図2は、露光装置における露光ヘッドの概略構成図である。FIG. 2 is a schematic block diagram of an exposure head in the exposure apparatus. 図3は、光変調手段としてのデジタル・マイクロミラー・デバイス(DMD)の構成を示す部分拡大図である。FIG. 3 is a partially enlarged view showing a configuration of a digital micromirror device (DMD) as a light modulation means. 図4は、図3に示すDMDを構成するマイクロミラーがオン状態に設定されている場合の説明図である。FIG. 4 is an explanatory diagram when the micromirrors constituting the DMD shown in FIG. 3 are set to the on state. 図5は、図3に示すDMDを構成するマイクロミラーがオフ状態に設定されている場合の説明図である。FIG. 5 is an explanatory diagram when the micromirrors constituting the DMD shown in FIG. 3 are set in the OFF state. 図6は、露光装置における露光ヘッドと、露光ステージに位置決めされたシートフイルム(感光層の被露光面)との関係説明図である。FIG. 6 is a diagram illustrating the relationship between the exposure head in the exposure apparatus and the sheet film (exposed surface of the photosensitive layer) positioned on the exposure stage. 図7は、露光装置における露光ヘッドと、シートフイルム(感光層の被露光面)上の露光エリアとの関係説明図である。FIG. 7 is a diagram for explaining the relationship between the exposure head in the exposure apparatus and the exposure area on the sheet film (the exposed surface of the photosensitive layer). 図8は、露光装置の制御回路ブロック図である。FIG. 8 is a block diagram of the control circuit of the exposure apparatus. 図9は、露光装置における露光ヘッドに使用されるDMDを構成するマイクロミラーの配列状態の説明図である。FIG. 9 is an explanatory diagram of an arrangement state of micromirrors constituting a DMD used for an exposure head in the exposure apparatus. 図10は、露光ヘッドにより形成される描画パターンのパラメータの説明図である。FIG. 10 is an explanatory diagram of parameters of a drawing pattern formed by the exposure head. 図11は、露光ヘッドにより形成される描画パターンのパラメータの説明図である。FIG. 11 is an explanatory diagram of parameters of a drawing pattern formed by the exposure head. 図12は、露光ヘッドにより形成される描画パターンのパラメータの説明図である。FIG. 12 is an explanatory diagram of parameters of a drawing pattern formed by the exposure head. 図13は、露光ヘッドにより形成される描画パターンのジャギーピッチ及びジャギー振幅の計算結果説明図である。FIG. 13 is an explanatory diagram of calculation results of jaggy pitch and jaggy amplitude of a drawing pattern formed by the exposure head. 図14は、露光ヘッドにより形成される描画パターンのジャギーピッチ及びジャギー振幅の計算結果説明図である。FIG. 14 is an explanatory diagram of calculation results of jaggy pitch and jaggy amplitude of a drawing pattern formed by the exposure head. 図15は、露光ヘッドにより形成される描画パターンのジャギーピッチ及びジャギー振幅の計算結果説明図である。FIG. 15 is an explanatory diagram of calculation results of jaggy pitch and jaggy amplitude of a drawing pattern formed by the exposure head. 図16は、露光ヘッドにより形成される描画パターンのジャギーピッチ及びジャギー振幅の計算結果説明図である。FIG. 16 is an explanatory diagram of calculation results of jaggy pitch and jaggy amplitude of a drawing pattern formed by the exposure head. 図17は、露光ヘッドにより形成される描画パターンのジャギーピッチ及びジャギー振幅の計算結果説明図である。FIG. 17 is an explanatory diagram of calculation results of jaggy pitch and jaggy amplitude of a drawing pattern formed by the exposure head. 図18は、露光ヘッドにより形成される描画パターンのジャギーピッチ及びジャギー振幅の計算結果説明図である。FIG. 18 is an explanatory diagram of calculation results of jaggy pitch and jaggy amplitude of a drawing pattern formed by the exposure head.

符号の説明Explanation of symbols

10 露光装置
18 露光ステージ
24a〜24j 露光ヘッド
26 スキャナ
28 光源ユニット
36 DMD
38 SRAMセル
40 マイクロミラー
42 制御ユニット
48 マイクロレンズアレー
58a〜58j 露光エリア
64 同期信号生成部
66 露光ステージ駆動部
68 描画データ記憶部
70 DMD変調部
72 周波数変更部
74 位相差変更部
75 移動速度変更部
76 露光ヘッド回転駆動部
77 スワス
78 光学倍率変更部
79 ズーム光学系
80 オリジナル画像
F シートフイルム
L レーザビーム
DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Exposure apparatus 18 Exposure stage 24a-24j Exposure head 26 Scanner 28 Light source unit 36 DMD
38 SRAM cell 40 Micro mirror 42 Control unit 48 Micro lens array 58a to 58j Exposure area 64 Sync signal generation unit 66 Exposure stage drive unit 68 Drawing data storage unit 70 DMD modulation unit 72 Frequency change unit 74 Phase difference change unit 75 Movement speed change Section 76 Exposure head rotation drive section 77 Swath 78 Optical magnification changing section 79 Zoom optical system 80 Original image F Sheet film L Laser beam

Claims (34)

支持体上に感光層を有するパターン形成材料における該感光層を、被処理基体上に積層した後、該感光層に対し、
光照射手段、及び前記光照射手段からの光を受光し出射するn個(ただし、nは2以上の自然数)の2次元状に配列された描素部を有し、パターン情報に応じて前記描素部を制御可能な光変調手段を備えた露光ヘッドであって、該露光ヘッドの走査方向に対し、前記描素部の列方向が所定の傾斜角度をなすように配置された露光ヘッドを用い、該露光ヘッドを走査方向に相対的に移動させて露光を行うことを少なくとも含み、
該露光が、
前記パターン情報に対応する描画パターンにおいて、前記描素部により形成された描画画素で再現されることにより生じるジャギーのジャギーピッチ及びジャギー振幅の少なくともいずれかが所定値以下となるよう、
(a)隣接する前記描素部により形成される前記描画画素の配列ピッチ、
(b)複数の前記描画画素からなる二次元状の描画画素群の前記走査方向に対する傾斜角度、
(c)前記走査方向に対する前記描画画素の描画ピッチ、及び
(d)前記走査方向と略直交する方向に隣接して形成される前記描画画素の前記走査方向に対する描画位置の位相差、
の少なくともいずれかを設定し、前記パターン情報に基づいて前記描素部を所定のタイミングで変調制御して行われることを特徴とするパターン形成方法。
After laminating the photosensitive layer in the pattern forming material having the photosensitive layer on the support on the substrate to be processed,
A light irradiating means, and n (where n is a natural number of 2 or more) two-dimensionally arranged picture elements that receive and emit light from the light irradiating means, and according to the pattern information, An exposure head provided with a light modulation means capable of controlling a picture element portion, wherein the exposure head is arranged such that a column direction of the picture element portion forms a predetermined inclination angle with respect to a scanning direction of the exposure head. And performing exposure by moving the exposure head relative to the scanning direction,
The exposure is
In the drawing pattern corresponding to the pattern information, at least one of jaggy pitch and jaggy amplitude generated by being reproduced by the drawing pixel formed by the picture element portion is equal to or less than a predetermined value,
(A) an arrangement pitch of the drawing pixels formed by the adjacent picture element portions;
(B) an inclination angle of the two-dimensional drawing pixel group composed of a plurality of the drawing pixels with respect to the scanning direction;
(C) a drawing pitch of the drawing pixels with respect to the scanning direction, and (d) a phase difference of a drawing position with respect to the scanning direction of the drawing pixels formed adjacent to a direction substantially orthogonal to the scanning direction,
The pattern forming method is performed by setting at least one of the above and performing modulation control on the pixel part at a predetermined timing based on the pattern information.
光変調手段が、空間光変調素子である請求項1に記載のパターン形成方法。   The pattern forming method according to claim 1, wherein the light modulation means is a spatial light modulation element. 空間光変調素子が、デジタル・マイクロミラー・デバイス(DMD)である請求項1から2のいずれかに記載のパターン形成方法。   The pattern formation method according to claim 1, wherein the spatial light modulation element is a digital micromirror device (DMD). 露光が、描画画素群回転手段、描画倍率変更手段、描画タイミング変更手段、移動速度変更手段、及び位相差変更手段の少なくともいずれかを備えた露光装置を用いて行われる請求項1から3のいずれかに記載のパターン形成方法。   4. The exposure according to claim 1, wherein the exposure is performed using an exposure apparatus including at least one of a drawing pixel group rotating unit, a drawing magnification changing unit, a drawing timing changing unit, a moving speed changing unit, and a phase difference changing unit. A pattern forming method according to any one of the above. 描画画素群回転手段により、露光ヘッドの全体、及び光変調手段のいずれかを回転させ、傾斜角度(b)を変更する請求項1から4のいずれかに記載のパターン形成方法。   5. The pattern forming method according to claim 1, wherein the tilt angle (b) is changed by rotating either the entire exposure head or the light modulating unit by the drawing pixel group rotating unit. 描画倍率変更手段により、感光層の被露光面上に形成される描画画素の描画倍率を変更し、配列ピッチ(a)、及び描画ピッチ(c)のいずれかを調整する請求項1から4のいずれかに記載のパターン形成方法。   The drawing magnification changing means changes the drawing magnification of the drawing pixels formed on the exposed surface of the photosensitive layer, and adjusts either the arrangement pitch (a) or the drawing pitch (c). The pattern formation method in any one. 描画タイミング変更手段により、描素部による感光層の被露光面上への描画タイミングを変更し、描画ピッチ(c)を調整する請求項1から4のいずれかに記載のパターン形成方法。   5. The pattern forming method according to claim 1, wherein the drawing timing changing means changes the drawing timing of the photosensitive element on the exposed surface of the photosensitive layer and adjusts the drawing pitch (c). 移動速度変更手段により、感光層の被露光面に対する露光ヘッドの相対移動速度を変更し、描画ピッチ(c)を調整する請求項1から4のいずれかに記載のパターン形成方法。   5. The pattern forming method according to claim 1, wherein the moving speed changing means changes the relative moving speed of the exposure head with respect to the exposed surface of the photosensitive layer to adjust the drawing pitch (c). 位相差変更手段により、隣接する描素部の変調制御のタイミングの位相差を変更し、位相差(d)を変更する請求項1から4のいずれかに記載のパターン形成方法。   5. The pattern forming method according to claim 1, wherein the phase difference changing unit changes the phase difference of the timing of modulation control of the adjacent pixel parts to change the phase difference (d). 描画パターンに応じて、配列ピッチ(a)、傾斜角度(b)、描画ピッチ(c)、及び位相差(d)の少なくともいずれかを設定する請求項1から9のいずれかに記載のパターン形成方法。   The pattern formation according to any one of claims 1 to 9, wherein at least one of an arrangement pitch (a), an inclination angle (b), a drawing pitch (c), and a phase difference (d) is set according to the drawing pattern. Method. 描画パターンの走査方向に対する傾斜角度に応じて、配列ピッチ(a)、傾斜角度(b)、描画ピッチ(c)、及び位相差(d)の少なくともいずれかを設定する請求項1から10のいずれかに記載のパターン形成方法。   The arrangement pitch (a), the inclination angle (b), the drawing pitch (c), or the phase difference (d) is set according to the inclination angle with respect to the scanning direction of the drawing pattern. A pattern forming method according to any one of the above. 走査方向と直交、又は略直交する方向の描画パターンにおいて生じるジャギーのジャギーピッチ及びジャギー振幅のいずれかが、所定値以下になるよう、配列ピッチ(a)、傾斜角度(b)、描画ピッチ(c)、及び位相差(d)の少なくともいずれかを設定する請求項1から11のいずれかに記載のパターン形成方法。   The arrangement pitch (a), the inclination angle (b), and the drawing pitch (c) so that any one of the jaggy jaggy pitch and the jaggy amplitude generated in the drawing pattern orthogonal or substantially orthogonal to the scanning direction is equal to or less than a predetermined value. And at least one of the phase difference (d) is set. 配列ピッチ(a)、傾斜角度(b)、描画ピッチ(c)、及び位相差(d)の調整が、
前記描素部により前記感光層の被露光面上に形成される描画画素の中心点として規定される制御点の
(e)前記制御点の略走査方向に沿った制御点列のピッチ、
(f)前記制御点列の並び方向、
(g)前記制御点の前記走査方向に対するピッチ、及び
(h)前記走査方向と略直交する方向に隣接する前記制御点の前記走査方向に対する位相差、
の少なくともいずれかを、描画パターンのジャギーが低減されるように制御することにより行われる請求項1から12のいずれかに記載のパターン形成方法。
Adjustment of arrangement pitch (a), inclination angle (b), drawing pitch (c), and phase difference (d)
(E) the pitch of the control point sequence along the substantially scanning direction of the control point, the control point defined as the center point of the drawing pixel formed on the exposed surface of the photosensitive layer by the picture element unit,
(F) the arrangement direction of the control point sequence;
(G) a pitch of the control points with respect to the scanning direction, and (h) a phase difference of the control points adjacent to the direction substantially orthogonal to the scanning direction with respect to the scanning direction,
The pattern forming method according to claim 1, wherein the pattern forming method is performed by controlling at least one of the method so as to reduce jaggy of a drawing pattern.
制御点列のピッチ(e)、並び方向(f)、前記制御点の前記走査方向に対するピッチ(g)、及び位相差(h)の少なくともいずれかと、ジャギーピッチ及びジャギー振幅の少なくともいずれかにより規定されるジャギーの形状との相関関係を求め、
該相関関係に基づいて前記(e)〜(h)のいずれかを設定、又は変更する請求項13に記載のパターン形成方法。
Defined by at least one of pitch (e), arrangement direction (f) of control point sequence, pitch (g) of control point with respect to scanning direction, and phase difference (h), and at least one of jaggy pitch and jaggy amplitude Find the correlation with the shape of the jaggy
The pattern forming method according to claim 13, wherein any one of (e) to (h) is set or changed based on the correlation.
ジャギーの形状が許容範囲内となる制御点列のピッチ(e)、並び方向(f)、前記制御点の前記走査方向に対するピッチ(g)、及び位相差(h)の少なくともいずれかの条件を、選択条件として規定する請求項13から14のいずれかに記載のパターン形成方法。   The control point sequence pitch (e), the arrangement direction (f), the pitch (g) of the control points with respect to the scanning direction, and the phase difference (h) at which the jaggy shape falls within the allowable range is set. The pattern forming method according to claim 13, which is defined as a selection condition. ジャギーの形状が許容範囲外となる制御点列のピッチ(e)、並び方向(f)、前記制御点の前記走査方向に対するピッチ(g)、及び位相差(h)の少なくともいずれかの条件を、禁止条件として規定する請求項13から14のいずれかに記載のパターン形成方法。   The control point sequence pitch (e), the arrangement direction (f), the pitch (g) of the control points with respect to the scanning direction, and the phase difference (h) at which the jaggy shape falls outside the allowable range is set. The pattern forming method according to claim 13, which is defined as a prohibited condition. 描画パターンの方向に対応して、制御点列のピッチ(e)、並び方向(f)、前記制御点の前記走査方向に対するピッチ(g)、及び位相差(h)の少なくともいずれかと、ジャギーピッチ及びジャギー振幅の少なくともいずれかにより規定されるジャギーの形状との相関関係を求める請求項13から16のいずれかに記載のパターン形成方法。   Corresponding to the direction of the drawing pattern, at least one of the pitch (e) of the control point sequence, the arrangement direction (f), the pitch (g) of the control point with respect to the scanning direction, and the phase difference (h), and the jaggy pitch The pattern forming method according to claim 13, wherein a correlation with a jaggy shape defined by at least one of the jaggy amplitude and the jaggy amplitude is obtained. 所定の領域内の描画パターン毎に、制御点列のピッチ(e)、並び方向(f)、前記制御点の前記走査方向に対するピッチ(g)、及び位相差(h)の少なくともいずれかと、ジャギーピッチ及びジャギー振幅の少なくともいずれかにより規定されるジャギーの形状との相関関係を求める請求項14から15のいずれかに記載のパターン形成方法。   For each drawing pattern in a predetermined region, at least one of the pitch (e) of the control point sequence, the arrangement direction (f), the pitch (g) of the control points with respect to the scanning direction, and the phase difference (h), jaggy The pattern forming method according to claim 14, wherein a correlation with a jaggy shape defined by at least one of pitch and jaggy amplitude is obtained. 光照射手段が、2以上の光を合成して照射可能である請求項1から18のいずれかに記載のパターン形成方法。   The pattern forming method according to claim 1, wherein the light irradiation means can synthesize and irradiate two or more lights. 露光が行われた後、感光層の現像を行う請求項1から19のいずれかに記載のパターン形成方法。   The pattern forming method according to claim 1, wherein the photosensitive layer is developed after the exposure. 現像が行われた後、永久パターンの形成を行う請求項20に記載のパターン形成方法。   21. The pattern forming method according to claim 20, wherein a permanent pattern is formed after the development. 永久パターンが配線パターンであり、該永久パターンの形成がエッチング処理及びメッキ処理の少なくともいずれかにより行われる請求項21に記載のパターン形成方法。   The pattern formation method according to claim 21, wherein the permanent pattern is a wiring pattern, and the formation of the permanent pattern is performed by at least one of an etching process and a plating process. 感光層が、バインダーと、重合性化合物と、光重合開始剤とを含む請求項1から22のいずれかに記載のパターン形成方法。   The pattern formation method according to any one of claims 1 to 22, wherein the photosensitive layer contains a binder, a polymerizable compound, and a photopolymerization initiator. バインダーが、酸性基を有する請求項23に記載のパターン形成方法。   The pattern forming method according to claim 23, wherein the binder has an acidic group. バインダーが、ビニル共重合体である請求項23から24のいずれかに記載のパターン形成方法。   The pattern forming method according to any one of claims 23 to 24, wherein the binder is a vinyl copolymer. バインダーの酸価が、70〜250mgKOH/gである請求項23から25のいずれかに記載のパターン形成方法。   The pattern formation method according to any one of claims 23 to 25, wherein an acid value of the binder is 70 to 250 mgKOH / g. 重合性化合物が、ウレタン基及びアリール基の少なくともいずれかを有するモノマーを含む請求項23から26のいずれかに記載のパターン形成方法。   27. The pattern forming method according to claim 23, wherein the polymerizable compound contains a monomer having at least one of a urethane group and an aryl group. 光重合開始剤が、ハロゲン化炭化水素誘導体、ヘキサアリールビイミダゾール、オキシム誘導体、有機過酸化物、チオ化合物、ケトン化合物、芳香族オニウム塩及びメタロセン類から選択される少なくとも1種を含む請求項23から27のいずれかに記載のパターン形成方法。   The photopolymerization initiator includes at least one selected from halogenated hydrocarbon derivatives, hexaarylbiimidazoles, oxime derivatives, organic peroxides, thio compounds, ketone compounds, aromatic onium salts, and metallocenes. 28. The pattern forming method according to any one of the items 感光層が、バインダーを10〜90質量%含有し、重合性化合物を5〜90質量%含有する請求項1から28のいずれかに記載のパターン形成方法。   The pattern formation method according to any one of claims 1 to 28, wherein the photosensitive layer contains 10 to 90% by mass of a binder and 5 to 90% by mass of a polymerizable compound. 感光層の厚みが、1〜100μmである請求項1から29のいずれかに記載のパターン形成方法。   30. The pattern forming method according to claim 1, wherein the photosensitive layer has a thickness of 1 to 100 [mu] m. 支持体が、合成樹脂を含み、かつ透明である請求項1から30のいずれかに記載のパターン形成方法。   The pattern forming method according to claim 1, wherein the support includes a synthetic resin and is transparent. 支持体が、長尺状である請求項1から31のいずれかに記載のパターン形成方法。   32. The pattern forming method according to claim 1, wherein the support has an elongated shape. パターン形成材料が、長尺状であり、ロール状に巻かれてなる請求項1から32のいずれかに記載のパターン形成方法。   The pattern forming method according to any one of claims 1 to 32, wherein the pattern forming material is elongated and wound into a roll. パターン形成材料における感光層上に保護フィルムを形成する請求項1から33のいずれかに記載のパターン形成方法。
The pattern forming method according to claim 1, wherein a protective film is formed on the photosensitive layer in the pattern forming material.
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