JP2007019145A - シリコン酸窒化膜の形成方法、シリコン酸窒化膜の形成装置及びプログラム - Google Patents

シリコン酸窒化膜の形成方法、シリコン酸窒化膜の形成装置及びプログラム Download PDF

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Abstract


【課題】 低温下で、ステップカバレッジのよいシリコン酸窒化膜を形成することができるシリコン酸窒化膜の形成方法、シリコン酸窒化膜の形成装置及びプログラムを提供する。
【解決手段】 まず、反応管２内にＤＣＳを供給し、半導体ウエハＷにＤＣＳを吸着させる。次に、反応管２内に酸素ラジカルを供給して、吸着したＤＣＳを酸化させ、半導体ウエハＷにシリコン酸化膜を形成する。続いて、反応管２内にアンモニアラジカルを供給して、形成されたシリコン酸化膜を窒化させ、半導体ウエハＷにシリコン酸窒化膜を形成する。この処理を複数回繰り返すことにより所望のシリコン酸窒化膜を形成することができる。
【選択図】 図１

Description

本発明は、シリコン酸窒化膜の形成方法、シリコン酸窒化膜の形成装置及びプログラムに関する。
近年、半導体ウエハにシリコン酸窒化膜やシリコン酸化膜等を形成する場合、例えば、５００℃以下のような低温下で処理を行うことが求められている。シリコン酸窒化膜の形成においては、例えば、５００℃以下のような低温下で、テトラエトキシシラン（ＴＥＯＳ：Ｓｉ（ＯＣ２Ｈ５）４）を用いたＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法により、半導体ウエハにシリコン酸化膜を形成した後、このシリコン酸化膜を窒化してシリコン酸窒化膜を形成している。
しかし、デバイスの微細化に伴い、例えば、ゲート間のギャップが狭くなると、この方法ではゲート間ギャップを埋めることが困難となり、ステップカバレッジが悪くなってしまうという問題がある。低温化で、ステップカバレッジのよい薄膜を形成する方法としては、例えば、原子層蒸着（ＡＬＤ：Atomic Layer Deposition）法が考えられる。
ＡＬＤ法は、ある成膜条件（温度、時間等）の下で、成膜に用いる２種類（またはそれ以上）の原料となるガスを１種類ずつ交互に基板上に供給し、１原子層単位で吸着させ、表面反応を利用して成膜を行う手法である。例えば、被処理体上に第１の原料ガスと第２の原料ガスとを交互に、被処理体表面に沿った流れの形で供給し、第１の原料ガス中の原料ガス分子を被処理体表面に吸着させ、この吸着した第１の原料ガス中の原料ガス分子に第２の原料ガス中の原料ガス分子を反応させることにより、一分子層分の厚さの膜を形成する。そして、このプロセスを繰り返すことにより、被処理体表面に高品質な誘電体膜、特に、高誘電体膜を形成することができる。
このようなＡＬＤ法を用いた薄膜の成形については様々な方法が提案されている。例えば、特許文献１には、ＡＬＤ法を用いて、３００℃〜６００℃の低温でシリコン窒化膜が成膜できることが開示されている。
特開２００４−２８１８５３号公報
しかし、ＡＬＤ法を用いて、シリコン酸窒化膜を形成する方法については、全く提案されていない。このため、低温下で、ステップカバレッジのよいシリコン酸窒化膜を形成することができる方法が求められている。
本発明は、上記問題に鑑みてなされたものであり、低温下で、ステップカバレッジのよいシリコン酸窒化膜を形成することができるシリコン酸窒化膜の形成方法、シリコン酸窒化膜の形成装置及びプログラムを提供することを目的とする。
上記目的を達成するため、本発明の第１の観点に係るシリコン酸窒化膜の形成方法は、
被処理体が収容された反応室内にジクロロシランを供給し、前記被処理体に前記ジクロロシランを吸着させる吸着ステップと、
前記反応室内に酸化ガスのラジカルを供給し、前記吸着ステップで吸着されたジクロロシランを酸化させ、前記被処理体にシリコン酸化膜を形成するシリコン酸化膜形成ステップと、
前記反応室内に窒化ガスのラジカルを供給し、前記シリコン酸化膜形成ステップで形成されたシリコン酸化膜を窒化させ、前記被処理体にシリコン酸窒化膜を形成するシリコン酸窒化膜形成ステップと、を備え、
前記吸着ステップと、前記シリコン酸化膜形成ステップと、前記シリコン酸窒化膜形成ステップとを、この順に複数回繰り返す、ことを特徴とする。
前記反応室内を４００℃〜５５０℃に設定することが好ましい。
前記シリコン酸化膜形成ステップでは、前記酸化ガスとして、例えば、酸素、酸化窒素、または、一酸化二窒素を用いる。
前記シリコン酸窒化膜形成ステップでは、前記窒化ガスとして、例えば、アンモニアを用いる。
前記吸着ステップでは、前記反応室内を４００Ｐａ〜１２００Ｐａに設定することが好ましい。
前記吸着ステップでは、前記反応室内にジクロロシランを０．５ｓｌｍ〜２ｓｌｍ供給することが好ましい。
前記シリコン酸化膜形成ステップでは、前記反応室内を４０Ｐａ〜４００Ｐａに設定することが好ましい。
前記シリコン酸化膜形成ステップでは、７０Ｐａ〜４００Ｐａに設定されたプラズマ発生室に酸化ガスを供給して酸化ガスのラジカルを形成し、形成した酸化ガスのラジカルを前記プラズマ発生室から前記反応室内に供給してもよい。
前記シリコン酸化膜形成ステップでは、前記プラズマ発生室に酸化ガスを０．５ｓｌｍ〜５ｓｌｍ供給することが好ましい。
前記シリコン酸窒化膜形成ステップでは、前記反応室内を４０Ｐａ〜１００Ｐａに設定することが好ましい。
前記シリコン酸窒化膜形成ステップでは、７０Ｐａ〜６００Ｐａに設定されたプラズマ発生室に窒化ガスを供給して窒化ガスのラジカルを形成し、形成した窒化ガスのラジカルを前記プラズマ発生室から前記反応室内に供給してもよい。
前記シリコン酸窒化膜形成ステップでは、前記プラズマ発生室に窒化ガスを１ｓｌｍ〜８ｓｌｍ供給することが好ましい。
本発明の第２の観点に係るシリコン酸窒化膜の形成装置は、
被処理体を収容する反応室と、
前記反応室内のガスを排気する排気手段と、
前記反応室内にジクロロシランを供給するジクロロシラン供給手段と、
前記反応室内に酸化ガスのラジカルを供給する酸化ガスラジカル供給手段と、
前記反応室内に窒化ガスのラジカルを供給する窒化ガスラジカル供給手段と、
装置の各部を制御する制御手段と、を備え、
前記制御手段は、
前記ジクロロシラン供給手段を制御して前記反応室内にジクロロシランを供給し、前記反応室内に収容された被処理体に前記ジクロロシランを吸着させ、
前記酸化ガスラジカル供給手段を制御して前記反応室内に酸化ガスのラジカルを供給し、前記吸着されたジクロロシランを酸化させて前記被処理体にシリコン酸化膜を形成し、
前記窒化ガスラジカル供給手段を制御して前記反応室内に窒化ガスのラジカルを供給し、前記シリコン酸化膜を窒化させて前記被処理体にシリコン酸窒化膜を形成する、
処理を複数回繰り返す、ことを特徴とする。
本発明の第３の観点に係るプログラムは、
コンピュータに、
被処理体が収容された反応室内にジクロロシランを供給し、前記被処理体に前記ジクロロシランを吸着させる吸着ステップと、
前記反応室内に酸化ガスのラジカルを供給し、前記吸着ステップで吸着されたジクロロシランを酸化させ、前記被処理体にシリコン酸化膜を形成するシリコン酸化膜形成ステップと、
前記反応室内に窒化ガスのラジカルを供給し、前記シリコン酸化膜形成ステップで形成されたシリコン酸化膜を窒化させ、前記被処理体にシリコン酸窒化膜を形成するシリコン酸窒化膜形成ステップとを、
この順に複数回繰り返す手順、
を実行させることを特徴とする。
本発明によれば、低温下で、ステップカバレッジのよいシリコン酸窒化膜を形成することができる。
以下、本発明の実施の形態に係るシリコン酸窒化膜の形成方法、シリコン酸窒化膜の形成装置及びプログラムについて説明する。本実施の形態では、シリコン酸窒化膜（ＳｉＯＮ膜）の形成装置として、バッチ式の縦型処理装置を用いた場合を例に説明する。図１に本実施の形態の処理装置の構成を示す。また、図２に本実施の形態の処理装置の断面構成を示す。
図１に示すように、処理装置１は、長手方向が垂直方向に向けられた、有天井で略円筒状の反応管２を備えている。反応管２は、耐熱及び耐腐食性に優れた材料、例えば、石英により形成されている。
反応管２の一側方には、反応管２内のガスを排気するための排気部３が配置されている。排気部３は、反応管２に沿って上方に延びるように形成され、図示しない反応管２の側壁に設けられた開口を介して、反応管２と連通する。排気部３の上端は、反応管２の上部に配置された排気口４に接続されている。この排気口４には図示しない排気管が接続され、排気管には図示しないバルブや後述する真空ポンプ１２７などの圧力調整機構が設けられている。この圧力調整機構により、反応管２内のガスが、開口、排気部３、排気口４を介して、排気管に排気され、反応管２内が所望の圧力（真空度）に制御される。
反応管２の下方には、蓋体５が配置されている。蓋体５は、耐熱及び耐腐食性に優れた材料、例えば、石英により形成されている。また、蓋体５は、後述するボートエレベータ１２８により上下動可能に構成されている。そして、ボートエレベータ１２８により蓋体５が上昇すると、反応管２の下方側（炉口部分）が閉鎖され、ボートエレベータ１２８により蓋体５が下降すると、反応管２の下方側（炉口部分）が開口される。
蓋体５の上には、ウエハボート６が載置されている。ウエハボート６は、例えば、石英により形成されている。ウエハボート６は、半導体ウエハＷが垂直方向に所定の間隔をおいて複数枚、収容可能に構成されている。なお、蓋体５の上部に、反応管２の炉口部分から反応管２内の温度が低下することを防止する保温筒や、半導体ウエハＷを収容するウエハボート６を回転可能に載置する回転テーブルを設け、これらの上にウエハボート６を載置してもよい。これらの場合、ウエハボート６に収容された半導体ウエハＷを均一な温度に制御しやすくなる。
反応管２の周囲には、反応管２を取り囲むように、例えば、抵抗発熱体からなる昇温用ヒータ７が設けられている。この昇温用ヒータ７により反応管２の内部が所定の温度に加熱され、この結果、反応管２の内部に収容された半導体ウエハＷが所定の温度に加熱される。
反応管２の下端近傍の側面には、反応管２内に処理ガス（例えば、ジクロロシラン（ＤＣＳ：ＳｉＨ２Ｃｌ２）、酸化ガス（例えば、酸素（Ｏ２））、窒化ガス（例えば、アンモニア（ＮＨ３））、窒素（Ｎ２））を供給する、処理ガス供給管８、９が複数挿通されている。各処理ガス供給管８、９は、後述するマスフローコントローラ（ＭＦＣ）１２５を介して、図示しない処理ガス供給源に接続されている。なお、図１では、後述するプラズマ処理を行う処理ガスを供給する処理ガス供給管８（本実施の形態では、酸素やアンモニアを供給する処理ガス供給管）のみを図示している。また、図２では、この酸素やアンモニアを供給する処理ガス供給管８と、後述するプラズマ処理を行わない処理ガスを供給する処理ガス供給管９（本実施の形態では、ＤＣＳや窒素を供給する処理ガス供給管）と、を図示している。処理ガス供給管９としては、例えば、分散インジェクタが用いられる。
反応管２の他側方、すなわち、排気部３が配置されている反応管２の一側方の反対側には、プラズマ発生部１０が設けられている。プラズマ発生部１０は、酸素やアンモニアを供給する処理ガス供給管８や、一対の電極１１等から構成されている。処理ガス供給管８は、一対の電極１１間に酸素やアンモニアを供給できるように、例えば、一対の電極１１間に配置されている。一対の電極１１は、図示しない高周波電源、整合器等に接続されている。そして、一対の電極１１間に高周波電源から整合器を介して高周波電力を印加することにより、一対の電極１１間に供給された酸素等をプラズマ励起（活性化）させ、酸素ラジカル（Ｏ２ ＊）等を生成する。このように生成された酸素ラジカル（Ｏ２ ＊）等がプラズマ発生部１０から反応管２内に供給される。
また、反応管２内には、反応管２内の温度を測定する、例えば、熱電対からなる温度センサ１２２、及び、反応管２内の圧力を測定する圧力計１２３が複数本配置されている。
また、処理装置１は、装置各部の制御を行う制御部１００を備えている。図３に制御部１００の構成を示す。図３に示すように、制御部１００には、操作パネル１２１、温度センサ（群）１２２、圧力計（群）１２３、ヒータコントローラ１２４、ＭＦＣ１２５、バルブ制御部１２６、真空ポンプ１２７、ボートエレベータ１２８、プラズマ制御部１２９等が接続されている。
操作パネル１２１は、表示画面と操作ボタンとを備え、オペレータの操作指示を制御部１００に伝え、また、制御部１００からの様々な情報を表示画面に表示する。
温度センサ（群）１２２は、反応管２内及び排気管内などの各部の温度を測定し、その測定値を制御部１００に通知する。
圧力計（群）１２３は、反応管２内及び排気管内などの各部の圧力を測定し、その測定値を制御部１００に通知する。
ヒータコントローラ１２４は、昇温用ヒータ７を個別に制御するためのものであり、制御部１００からの指示に応答して、昇温用ヒータ７に通電してこれらを加熱し、また、昇温用ヒータ７の消費電力を個別に測定して、制御部１００に通知する。
ＭＦＣ１２５は、処理ガス供給管８、９等の各配管に配置され、各配管を流れるガスの流量を制御部１００から指示された量に制御するとともに、実際に流れたガスの流量を測定して、制御部１００に通知する。
バルブ制御部１２６は、各配管に配置され、各配管に配置された弁の開度を制御部１００から指示された値に制御する。
真空ポンプ１２７は、排気管に接続され、反応管２内のガスを排気する。
ボートエレベータ１２８は、蓋体５を上昇させることにより、ウエハボート６（半導体ウエハＷ）を反応管２内にロードし、蓋体５を下降させることにより、ウエハボート６（半導体ウエハＷ）を反応管２内からアンロードする。
プラズマ制御部１２９は、プラズマ発生部１０を制御するためのものであり、制御部１００からの指示に応答して、プラズマ発生部１０を制御し、プラズマ発生部１０内に供給された、例えば、酸素を活性化し、酸素ラジカル（Ｏ２ ＊）を生成させる。
制御部１００は、レシピ記憶部１１１と、ＲＯＭ１１２と、ＲＡＭ１１３と、Ｉ／Ｏポート１１４と、ＣＰＵ１１５と、これらを相互に接続するバス１１６とから構成されている。
レシピ記憶部１１１には、セットアップ用レシピと複数のプロセス用レシピとが記憶されている。処理装置１の製造当初は、セットアップ用レシピのみが格納される。セットアップ用レシピは、各処理装置に応じた熱モデル等を生成する際に実行されるものである。プロセス用レシピは、ユーザが実際に行う熱処理（プロセス）毎に用意されるレシピであり、反応管２への半導体ウエハＷのロードから、処理済みの半導体ウエハＷをアンロードするまでの、各部の温度の変化、反応管２内の圧力変化、処理ガスの供給の開始及び停止のタイミングと供給量などを規定する。
ＲＯＭ１１２は、ＥＥＰＲＯＭ、フラッシュメモリ、ハードディスクなどから構成され、ＣＰＵ１１５の動作プログラム等を記憶する記録媒体である。
ＲＡＭ１１３は、ＣＰＵ１１５のワークエリアなどとして機能する。
Ｉ／Ｏポート１１４は、操作パネル１２１、温度センサ１２２、圧力計１２３、ヒータコントローラ１２４、ＭＦＣ１２５、バルブ制御部１２６、真空ポンプ１２７、ボートエレベータ１２８、プラズマ制御部１２９等に接続され、データや信号の入出力を制御する。
ＣＰＵ（Central Processing Unit)１１５は、制御部１００の中枢を構成し、ＲＯＭ１１２に記憶された制御プログラムを実行し、操作パネル１２１からの指示に従って、レシピ記憶部１１１に記憶されているレシピ（プロセス用レシピ）に沿って、処理装置１の動作を制御する。すなわち、ＣＰＵ１１５は、温度センサ（群）１２２、圧力計（群）１２３、ＭＦＣ１２５等に反応管２内及び排気管内などの各部の温度、圧力、流量等を測定させ、この測定データに基づいて、ヒータコントローラ１２４、ＭＦＣ１２５、バルブ制御部１２６、真空ポンプ１２７等に制御信号等を出力し、上記各部がプロセス用レシピに従うように制御する。
バス１１６は、各部の間で情報を伝達する。
次に、以上のように構成された処理装置１を用いたシリコン酸窒化膜の形成方法について、図４に示すレシピを参照して説明する。本実施の形態のシリコン酸窒化膜の形成方法では、原子層蒸着（ＡＬＤ：Atomic Layer Deposition）法により、半導体ウエハＷ上にシリコン酸窒化膜を形成する。
図４に示すレシピは、ＤＣＳを供給するＤＣＳ供給ステップと、酸化膜を形成する酸化膜形成ステップと、酸化膜を窒化する窒化ステップとを備えており、これらのステップがＡＬＤ法の１サイクルを示している。この図４のレシピに示すサイクルを複数回、例えば、２００サイクル実行する（繰り返す）ことにより、半導体ウエハＷ上に所望のシリコン酸窒化膜が形成される。
なお、以下の説明において、処理装置１を構成する各部の動作は、制御部１００（ＣＰＵ１１５）により制御されている。また、各処理における反応管２内の温度、圧力、ガスの流量等は、前述のように、制御部１００（ＣＰＵ１１５）がヒータコントローラ１２４（昇温用ヒータ７）、ＭＦＣ１２５（処理ガス供給管８、９）、バルブ制御部１２６、真空ポンプ１２７、プラズマ制御部１２９（プラズマ発生部１０）等を制御することにより、図４に示すレシピ（タイムシーケンス）に従った条件になる。
まず、被処理体としての半導体ウエハＷを反応管２内に収容（ロード）する。具体的には、昇温用ヒータ７により反応管２内を所定のロード温度に維持し、反応管２内に所定量の窒素を供給する。また、半導体ウエハＷを収容したウエハボート６を蓋体５上に載置する。そして、ボートエレベータ１２８により蓋体５を上昇させ、半導体ウエハＷ（ウエハボート６）を反応管２内にロードする。
次に、ＤＣＳを供給するＤＣＳ供給ステップを実行する。図４（ｃ）に示すように、例えば、処理ガス供給管９から反応管２内に所定量、例えば、０．５ｓｌｍの窒素を供給するとともに、昇温用ヒータ７により反応管２内を所定の温度、例えば、図４（ａ）に示すように、４５０℃に設定する。また、反応管２内のガスを排出し、反応管２を所定の圧力、例えば、図４（ｂ）に示すように、４００Ｐａに設定する。そして、この操作を、反応管２が所定の圧力及び温度で安定するまで行う（安定化工程）。
反応管２内が所定の圧力及び温度で安定すると、処理ガス供給管９からＤＣＳを所定量、例えば、図４（ｄ）に示すように、１ｓｌｍと、窒素を所定量、例えば、図４（ｃ）に示すように、０．５ｓｌｍを反応管２内に供給する（フロー工程）。反応管２内に供給されたＤＣＳは、反応管２内で加熱されてＤＣＳが活性化し、半導体ウエハＷの表面に吸着する。
ここで、反応管２内の温度は、４００℃〜５５０℃にすることが好ましい。４００℃より低くなると、シリコン酸窒化膜を成膜することができなくなるおそれが生じ、反応管２内の温度が５５０℃より高くなると、形成されるシリコン酸窒化膜の膜質や膜厚均一性等が悪化してしまうおそれが生じるためである。反応管２内の温度は、４５０℃〜５００℃にすることがさらに好ましい。かかる範囲の温度にすることにより、形成されるシリコン酸窒化膜の膜質や膜厚均一性等をさらに向上させることができるためである。
また、シリコン酸窒化膜の形成方法においては、成膜シーケンス上、反応管２内の温度を変化させないことが好ましい。このため、本実施の形態では、後述するように、酸化膜形成ステップ及び窒化ステップにおいても反応管２内の温度を変化させず、４５０℃に設定している。
反応管２内の圧力は、４００Ｐａ〜１２００Ｐａにすることが好ましい。かかる範囲の圧力にすることにより、半導体ウエハＷ表面とＤＣＳとの反応を促進することができるためである。反応管２内の圧力は、８００Ｐａ〜１０００Ｐａにすることがさらに好ましい。かかる範囲の圧力にすることにより、反応管２内の圧力制御が容易になるためである。
ＤＣＳの供給量は、０．５ｓｌｍ〜２ｓｌｍにすることが好ましい。０．５ｓｌｍより少ないと半導体ウエハＷ表面に十分なＤＣＳが供給されないおそれが生じ、２ｓｌｍより多いと半導体ウエハＷ表面に反応に寄与しないＤＣＳが多くなってしまうおそれが生じるためである。ＤＣＳの供給量は、１ｓｌｍ〜２ｓｌｍにすることがさらに好ましい。かかる範囲にすることにより、半導体ウエハＷ表面とＤＣＳとの反応が促進されるためである。
半導体ウエハＷの表面に所定量のＤＣＳが吸着されると、処理ガス供給管９からのＤＣＳの供給を停止する。そして、反応管２内のガスを排出するとともに、例えば、処理ガス供給管９から反応管２内に所定量、例えば、図４（ｃ）に示すように、５ｓｌｍの窒素を反応管２内に供給して反応管２内のガスを反応管２外に排出する（パージ、Vacuum工程）。
続いて、酸化膜を形成する酸化膜形成ステップを実行する。酸化膜形成ステップは、ＤＣＳ供給ステップで、半導体ウエハＷ上に吸着されたＤＣＳに酸化ガスを供給して酸化させることにより、半導体ウエハＷ上にシリコン酸化膜を形成する工程である。本実施の形態では、半導体ウエハＷ上に酸素（酸素ラジカル）を供給することによりＤＣＳを酸化している。
図４（ｃ）に示すように、例えば、処理ガス供給管９から反応管２内に所定量、例えば、０．５ｓｌｍの窒素を供給するとともに、昇温用ヒータ７により反応管２内を所定の温度、例えば、図４（ａ）に示すように、４５０℃に設定する。また、反応管２内のガスを排出し、反応管２を所定の圧力、例えば、図４（ｂ）に示すように、４００Ｐａに設定する。そして、この操作を、反応管２が所定の圧力及び温度で安定するまで行う（安定化工程）。
反応管２内が所定の圧力及び温度で安定すると、図４（ｇ）に示すように、電極１１間に図示しない高周波電源から整合器を介して高周波電力を印加（ＲＦ：ＯＮ）するとともに、処理ガス供給管８から酸素を所定量、例えば、図４（ｅ）に示すように、３ｓｌｍを一対の電極１１間（プラズマ発生部１０内）に供給する。一対の電極１１間に供給された酸素はプラズマ励起（活性化）され、酸素ラジカル（Ｏ２ ＊、Ｏ＊）を生成する。このように生成された酸素ラジカルがプラズマ発生部１０から反応管２内に供給される。また、処理ガス供給管９から窒素を所定量、例えば、図４（ｃ）に示すように、０．５ｓｌｍを反応管２内に供給する（フロー工程）。反応管２内に酸素ラジカルが供給されると、半導体ウエハＷ上に吸着されたＤＣＳが酸化され、半導体ウエハＷ上にシリコン酸化膜が形成される。
ここで、酸素の供給量は、０．５ｓｌｍ〜５ｓｌｍにすることが好ましい。かかる範囲にすることにより、プラズマを問題なく発生できるとともにシリコン酸化膜を形成するのに十分な酸素ラジカルを供給できるためである。酸素の供給量は、２．５ｓｌｍ〜３．５ｓｌｍにすることがさらに好ましい。かかる範囲にすることにより、酸素プラズマを安定して発生させることができるためである。
ＲＦパワーは、１０Ｗ〜１５００Ｗにすることが好ましい。１０Ｗより少ないと、酸素ラジカルが生成しにくくなり、１５００Ｗを超えると、プラズマ発生部１０を構成する石英壁がダメージを受けるおそれが生じるためである。ＲＦパワーは、３００Ｗ〜５００Ｗとすることがさらに好ましい。かかる範囲にすることにより、酸素ラジカルを効率的に生成することができるためである。
反応管２内の圧力は、４０Ｐａ〜４００Ｐａにすることが好ましい。かかる範囲の圧力にすることにより、酸素ラジカルが発生しやすく、かつ、半導体ウエハＷが置かれた空間における酸素ラジカルの平均自由行程が大きくなるためである。反応管２内の圧力は、５０Ｐａ〜７０Ｐａにすることがさらに好ましい。かかる範囲の圧力にすることにより、反応管２内の圧力制御が容易になるためである。
また、プラズマ発生部１０内の圧力は、７０Ｐａ〜４００Ｐａにすることが好ましく、３５０Ｐａ〜４００Ｐａにすることがさらに好ましい。かかる範囲の圧力にすることにより、プラズマを問題なく発生できるとともにシリコン酸化膜を形成するのに十分な酸素ラジカルを供給できるためである。
半導体ウエハＷ上にシリコン酸化膜が形成されると、処理ガス供給管８から酸素の供給を停止するとともに、図示しない高周波電源からの高周波電力の印加を停止する。そして、反応管２内のガスを排出するとともに、例えば、処理ガス供給管９から反応管２内に窒素を所定量、例えば、図４（ｃ）に示すように、０．５ｓｌｍを反応管２内に供給して反応管２内のガスを反応管２外に排出する（Vacuum工程）。
次に、酸化膜を窒化する窒化ステップを実行する。窒化ステップは、酸化膜形成ステップで、半導体ウエハＷ上に形成されたシリコン酸化膜に窒化ガスを供給して窒化し、シリコン酸窒化膜を形成する工程である。本実施の形態では、半導体ウエハＷ（シリコン酸化膜）上にアンモニア（アンモニアラジカル）を供給することによりシリコン酸窒化膜を窒化している。
まず、図４（ｃ）に示すように、例えば、処理ガス供給管９から反応管２内に所定量、例えば、０．５ｓｌｍの窒素を供給するとともに、昇温用ヒータ７により反応管２内を所定の温度、例えば、図４（ａ）に示すように、４５０℃に設定する。また、反応管２内のガスを排出し、反応管２を所定の圧力、例えば、図４（ｂ）に示すように、４０Ｐａに設定する。そして、この操作を、反応管２が所定の圧力及び温度で安定するまで行う（安定化工程）。
反応管２内が所定の圧力及び温度で安定すると、図４（ｇ）に示すように、電極１１間に図示しない高周波電源から整合器を介して高周波電力を印加（ＲＦ：ＯＮ）するとともに、処理ガス供給管８からアンモニア（ＮＨ３）を所定量、例えば、図４（ｆ）に示すように、３ｓｌｍを一対の電極１１間（プラズマ発生部１０内）に供給する。一対の電極１１間に供給されたアンモニアはプラズマ励起（活性化）され、アンモニアラジカル（ＮＨ３ ＊）を生成する。このように生成されたアンモニアラジカルがプラズマ発生部１０から反応管２内に供給される。また、処理ガス供給管９から窒素を所定量、例えば、図４（ｃ）に示すように、０．５ｓｌｍを反応管２内に供給する（フロー工程）。
ここで、アンモニアの供給量は、１ｓｌｍ〜８ｓｌｍにすることが好ましい。かかる範囲にすることにより、プラズマを問題なく発生できるとともにシリコン酸化膜を窒化するのに十分なアンモニアラジカルを供給できるためである。アンモニアの供給量は、３ｓｌｍ〜４ｓｌｍにすることがさらに好ましい。かかる範囲にすることにより、アンモニアプラズマを安定して発生させることができるためである。
ＲＦパワーは、１０Ｗ〜１５００Ｗにすることが好ましい。１０Ｗより少ないと、アンモニアラジカルが生成しにくくなり、１５００Ｗを超えると、プラズマ発生部１０を構成する石英壁がダメージを受けるおそれが生じるためである。ＲＦパワーは、３００Ｗ〜５００Ｗとすることがさらに好ましい。かかる範囲にすることにより、アンモニアラジカルを効率的に生成することができるためである。
反応管２内の圧力は、４０Ｐａ〜１００Ｐａにすることが好ましい。かかる範囲の圧力にすることにより、アンモニアラジカルが発生しやすく、かつ、半導体ウエハＷが置かれた空間におけるアンモニアラジカルの平均自由行程が大きくなるためである。反応管２内の圧力は、５０Ｐａ〜７０Ｐａにすることがさらに好ましい。かかる範囲の圧力にすることにより、反応管２内の圧力制御が容易になるためである。
また、プラズマ発生部１０内の圧力は、７０Ｐａ〜６００Ｐａにすることが好ましく、２８０Ｐａ〜３３０Ｐａにすることがさらに好ましい。かかる範囲の圧力にすることにより、プラズマを問題なく発生できるとともにシリコン酸化膜を窒化するのに十分なアンモニアラジカルを供給できるためである。
反応管２内にアンモニアラジカルが供給されると、半導体ウエハＷ上に形成されたシリコン酸化膜が窒化され、半導体ウエハＷ上にシリコン酸窒化膜が形成される。これにより、ＤＣＳを供給するＤＣＳ供給ステップと、酸化膜を形成する酸化膜形成ステップと、酸化膜を窒化する窒化ステップとからなる、ＡＬＤ法の１サイクルが終了する。
続いて、再び、ＤＣＳを供給するＤＣＳ供給ステップから始まるＡＬＤ法の１サイクルを開始する。そして、このサイクルを複数回、例えば、２００回繰り返す。これにより、半導体ウエハＷ上に所望のシリコン酸窒化膜が形成される。
ここで、酸化膜を窒化する窒化ステップ後には、半導体ウエハＷ上にシリコン酸窒化膜が形成されるので、シリコン酸窒化膜の表面には−ＮＨ２基が存在する。これは、半導体ウエハＷ上に形成されたシリコン酸化膜をアンモニアラジカルで窒化することにより、半導体ウエハＷ上では、シリコン酸化膜の表面に存在する−ＯＨ基の一部と−Ｈ基の一部とが−ＮＨ２基に置換されるためである。この−ＮＨ２基が存在する状態でＤＣＳを供給しているので、シリコン酸窒化膜の表面では、反応式１に示す反応が起こり、ＤＣＳの吸着が促進される。このため、シリコン酸窒化膜の成膜速度を向上させることができる。
（反応式１）
−ＮＨ２＋ＳｉＨ２Ｃｌ２ → −ＮＨ（ＳｉＨ２Ｃｌ）＋ＨＣｌ
半導体ウエハＷ上に所望のシリコン酸窒化膜が形成されると、半導体ウエハＷをアンロードする。具体的には、処理ガス供給管９から反応管２内に所定量の窒素を供給して、反応管２内の圧力を常圧に戻すとともに、昇温用ヒータ７により反応管２内を所定温度に維持する。そして、ボートエレベータ１２８により蓋体５を下降させることにより、半導体ウエハＷがアンロードされる。
このように形成されたシリコン酸窒化膜について、ステップカバレッジを確認したところ、ほぼ１００％近いステップカバレッジであることが確認できた。また、膜厚均一性も良好であった。このため、低温下で、ステップカバレッジのよいシリコン酸窒化膜が形成されていることが確認できた。
以上説明したように、本実施の形態によれば、ＤＣＳを供給するＤＣＳ供給ステップと、酸化膜を形成する酸化膜形成ステップと、酸化膜を窒化する窒化ステップとからなるサイクルを複数回繰り返しているので、低温下で、ステップカバレッジのよいシリコン酸窒化膜を形成することができる。
なお、本発明は、上記の実施の形態に限られず、種々の変形、応用が可能である。以下、本発明に適用可能な他の実施の形態について説明する。
上記実施の形態では、酸化ガスとして酸素を用いた場合を例に本発明を説明したが、酸化ガスは、半導体ウエハＷ上に吸着されたＤＣＳを酸化してシリコン酸化膜を形成可能なものであればよく、例えば、酸化窒素（ＮＯ）や一酸化二窒素（Ｎ２Ｏ）であってもよい。
上記実施の形態では、窒化ガスとしてアンモニアを用いた場合を例に本発明を説明したが、窒化ガスは、半導体ウエハＷ上に形成されたシリコン酸化膜を窒化してシリコン酸窒化膜を形成可能なものであればよく、アンモニアに限定されるものではない。
上記実施の形態では、２００サイクル実行することにより、半導体ウエハＷ上にシリコン酸窒化膜を形成した場合を例に本発明を説明したが、例えば、５０サイクル、１００サイクルのように、サイクル数を少なくしてもよい。また、３００サイクル、４００サイクルのように、サイクル数を多くしてもよい。この場合にも、サイクル数に応じて、例えば、ＤＣＳ、酸素及びアンモニアの供給量、ＲＦパワー等を調整することにより、所望の厚さのシリコン酸窒化膜の形成が可能である。
上記実施の形態では、プラズマにより酸素ラジカル及びアンモニアラジカルを発生させた場合を例に本発明を説明したが、本発明は、酸素及びアンモニアを活性化させることができるものであればよく、例えば、磁力、紫外線などを用いてもよい。
上記実施の形態では、ＤＣＳ等の処理ガス供給時に窒素を供給する場合を例に本発明を説明したが、処理ガス供給時に窒素を供給しなくてもよい。ただし、窒素を希釈ガスとして含ませることにより処理時間の設定等が容易になることから、希釈ガスを含ませることが好ましい。希釈ガスとしては、不活性ガスであることが好ましく、窒素ガスの他に、例えば、ヘリウムガス（Ｈｅ）、ネオンガス（Ｎｅ）、アルゴンガス（Ａｒ）が適用できる。
上記実施の形態では、プラズマ処理を行う処理ガスを供給する処理ガス供給管８と、プラズマ処理を行わない処理ガスを供給する処理ガス供給管９が設けられている場合を例に本発明を説明したが、例えば、処理ガスの種類毎に処理ガス供給管が設けられていてもよい。また、複数本から同じガスが供給されるように、反応管２の下端近傍の側面に、複数本の処理ガス供給管８、９が挿通されていてもよい。この場合、複数本の処理ガス供給管８，９から反応管２内に処理ガスが供給され、反応管２内に処理ガスをより均一に供給することができる。
本実施の形態では、処理装置１として、単管構造のバッチ式の処理装置の場合を例に本発明を説明したが、例えば、反応管２が内管と外管とから構成された二重管構造のバッチ式の縦型処理装置に本発明を適用することも可能である。また、被処理体は半導体ウエハＷに限定されるものではなく、例えば、ＬＣＤ用のガラス基板であってもよい。
本発明の実施の形態にかかる制御部１００は、専用のシステムによらず、通常のコンピュータシステムを用いて実現可能である。例えば、汎用コンピュータに、上述の処理を実行するためのプログラムを格納した記録媒体（フレキシブルディスク、ＣＤ−ＲＯＭなど）から当該プログラムをインストールすることにより、上述の処理を実行する制御部１００を構成することができる。
そして、これらのプログラムを供給するための手段は任意である。上述のように所定の記録媒体を介して供給できる他、例えば、通信回線、通信ネットワーク、通信システムなどを介して供給してもよい。この場合、例えば、通信ネットワークの掲示板（ＢＢＳ）に当該プログラムを掲示し、これをネットワークを介して搬送波に重畳して提供してもよい。そして、このように提供されたプログラムを起動し、ＯＳの制御下で、他のアプリケーションプログラムと同様に実行することにより、上述の処理を実行することができる。
本発明の実施の形態の処理装置を示す図である。 図１の処理装置の断面構成を示す図である。 図１の制御部の構成を示す図である。 シリコン酸窒化膜の形成方法を説明する図である。
符号の説明
１ 処理装置
２ 反応管
３ 排気部
４ 排気口
５ 蓋体
６ ウエハボート
７ 昇温用ヒータ
８、９ 処理ガス供給管
１０ プラズマ発生部
１１ 電極
１００ 制御部
１１１ レシピ記憶部
１１２ ＲＯＭ
１１３ ＲＡＭ
１１４ Ｉ／Ｏポート
１１５ ＣＰＵ
１１６ バス
１２１ 操作パネル
１２２ 温度センサ
１２３ 圧力計
１２４ ヒータコントローラ
１２５ ＭＦＣ
１２６ バルブ制御部
１２７ 真空ポンプ
１２８ ボートエレベータ
１２９ プラズマ制御部
Ｗ 半導体ウエハ

Claims (14)

  1. 被処理体が収容された反応室内にジクロロシランを供給し、前記被処理体に前記ジクロロシランを吸着させる吸着ステップと、
    前記反応室内に酸化ガスのラジカルを供給し、前記吸着ステップで吸着されたジクロロシランを酸化させ、前記被処理体にシリコン酸化膜を形成するシリコン酸化膜形成ステップと、
    前記反応室内に窒化ガスのラジカルを供給し、前記シリコン酸化膜形成ステップで形成されたシリコン酸化膜を窒化させ、前記被処理体にシリコン酸窒化膜を形成するシリコン酸窒化膜形成ステップと、を備え、
    前記吸着ステップと、前記シリコン酸化膜形成ステップと、前記シリコン酸窒化膜形成ステップとを、この順に複数回繰り返す、ことを特徴とするシリコン酸窒化膜の形成方法。
  2. 前記反応室内を４００℃〜５５０℃に設定する、ことを特徴とする請求項１に記載のシリコン酸窒化膜の形成方法。
  3. 前記シリコン酸化膜形成ステップでは、前記酸化ガスに、酸素、酸化窒素、または、一酸化二窒素を用いる、ことを特徴とする請求項１または２に記載のシリコン酸窒化膜の形成方法。
  4. 前記シリコン酸窒化膜形成ステップでは、前記窒化ガスに、アンモニアを用いる、ことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載のシリコン酸窒化膜の形成方法。
  5. 前記吸着ステップでは、前記反応室内を４００Ｐａ〜１２００Ｐａに設定する、ことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載のシリコン酸窒化膜の形成方法。
  6. 前記吸着ステップでは、前記反応室内にジクロロシランを０．５ｓｌｍ〜２ｓｌｍ供給する、ことを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載のシリコン酸窒化膜の形成方法。
  7. 前記シリコン酸化膜形成ステップでは、前記反応室内を４０Ｐａ〜４００Ｐａに設定する、ことを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載のシリコン酸窒化膜の形成方法。
  8. 前記シリコン酸化膜形成ステップでは、７０Ｐａ〜４００Ｐａに設定されたプラズマ発生室に酸化ガスを供給して酸化ガスのラジカルを形成し、形成した酸化ガスのラジカルを前記プラズマ発生室から前記反応室内に供給する、ことを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載のシリコン酸窒化膜の形成方法。
  9. 前記シリコン酸化膜形成ステップでは、前記プラズマ発生室に酸化ガスを０．５ｓｌｍ〜５ｓｌｍ供給する、ことを特徴とする請求項８に記載のシリコン酸窒化膜の形成方法。
  10. 前記シリコン酸窒化膜形成ステップでは、前記反応室内を４０Ｐａ〜１００Ｐａに設定する、ことを特徴とする請求項１乃至９のいずれか１項に記載のシリコン酸窒化膜の形成方法。
  11. 前記シリコン酸窒化膜形成ステップでは、７０Ｐａ〜６００Ｐａに設定されたプラズマ発生室に窒化ガスを供給して窒化ガスのラジカルを形成し、形成した窒化ガスのラジカルを前記プラズマ発生室から前記反応室内に供給する、ことを特徴とする請求項１乃至１０のいずれか１項に記載のシリコン酸窒化膜の形成方法。
  12. 前記シリコン酸窒化膜形成ステップでは、前記プラズマ発生室に窒化ガスを１ｓｌｍ〜８ｓｌｍ供給する、ことを特徴とする請求項１１に記載のシリコン酸窒化膜の形成方法。
  13. 被処理体を収容する反応室と、
    前記反応室内のガスを排気する排気手段と、
    前記反応室内にジクロロシランを供給するジクロロシラン供給手段と、
    前記反応室内に酸化ガスのラジカルを供給する酸化ガスラジカル供給手段と、
    前記反応室内に窒化ガスのラジカルを供給する窒化ガスラジカル供給手段と、
    装置の各部を制御する制御手段と、を備え、
    前記制御手段は、
    前記ジクロロシラン供給手段を制御して前記反応室内にジクロロシランを供給し、前記反応室内に収容された被処理体に前記ジクロロシランを吸着させ、
    前記酸化ガスラジカル供給手段を制御して前記反応室内に酸化ガスのラジカルを供給し、前記吸着されたジクロロシランを酸化させて前記被処理体にシリコン酸化膜を形成し、
    前記窒化ガスラジカル供給手段を制御して前記反応室内に窒化ガスのラジカルを供給し、前記シリコン酸化膜を窒化させて前記被処理体にシリコン酸窒化膜を形成する、
    処理を複数回繰り返す、ことを特徴とするシリコン酸窒化膜の形成装置。
  14. コンピュータに、
    被処理体が収容された反応室内にジクロロシランを供給し、前記被処理体に前記ジクロロシランを吸着させる吸着ステップと、
    前記反応室内に酸化ガスのラジカルを供給し、前記吸着ステップで吸着されたジクロロシランを酸化させ、前記被処理体にシリコン酸化膜を形成するシリコン酸化膜形成ステップと、
    前記反応室内に窒化ガスのラジカルを供給し、前記シリコン酸化膜形成ステップで形成されたシリコン酸化膜を窒化させ、前記被処理体にシリコン酸窒化膜を形成するシリコン酸窒化膜形成ステップとを、
    この順に複数回繰り返す手順、
    を実行させるためのプログラム。
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KR1020060062843A KR100980127B1 (ko) 2005-07-06 2006-07-05 반도체 처리용의 성막 방법 및 장치와, 컴퓨터 판독 가능한 매체
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Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010050425A (ja) * 2007-12-26 2010-03-04 Hitachi Kokusai Electric Inc 半導体装置の製造方法および基板処理装置
JP2010166026A (ja) * 2008-12-16 2010-07-29 Elpida Memory Inc 半導体装置及びその製造方法
JP2010268007A (ja) * 2007-12-26 2010-11-25 Hitachi Kokusai Electric Inc 半導体装置の製造方法、基板処理方法および基板処理装置
WO2012060379A1 (ja) * 2010-11-04 2012-05-10 株式会社日立国際電気 半導体装置の製造方法、基板処理方法および基板処理装置
JP2013513235A (ja) * 2009-12-02 2013-04-18 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 非炭素ラジカル成分ｃｖｄ膜向けの酸素ドーピング
JP2015119045A (ja) * 2013-12-18 2015-06-25 大陽日酸株式会社 窒化ケイ素含有薄膜の形成方法
KR20200063057A (ko) * 2018-11-26 2020-06-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 옥시나이트라이드 막을 형성하는 방법
US11066744B2 (en) 2018-07-23 2021-07-20 Kokusai Electric Corporation Substrate processing apparatus, method of manufacturing semiconductor device, and recording medium
JP2022094904A (ja) * 2020-12-15 2022-06-27 ウォニク アイピーエス カンパニー リミテッド 薄膜形成方法及び装置

Families Citing this family (42)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4916257B2 (ja) * 2006-09-06 2012-04-11 東京エレクトロン株式会社 酸化膜の形成方法、酸化膜の形成装置及びプログラム
JP4476313B2 (ja) * 2007-07-25 2010-06-09 東京エレクトロン株式会社 成膜方法、成膜装置、および記憶媒体
JP5090097B2 (ja) * 2007-07-26 2012-12-05 株式会社日立国際電気 基板処理装置、半導体装置の製造方法及び基板処理方法
JP5490585B2 (ja) * 2009-05-29 2014-05-14 株式会社日立国際電気 基板処理装置、基板処理方法および半導体装置の製造方法
US9611544B2 (en) * 2010-04-15 2017-04-04 Novellus Systems, Inc. Plasma activated conformal dielectric film deposition
US9892917B2 (en) 2010-04-15 2018-02-13 Lam Research Corporation Plasma assisted atomic layer deposition of multi-layer films for patterning applications
US9390909B2 (en) 2013-11-07 2016-07-12 Novellus Systems, Inc. Soft landing nanolaminates for advanced patterning
US8956983B2 (en) 2010-04-15 2015-02-17 Novellus Systems, Inc. Conformal doping via plasma activated atomic layer deposition and conformal film deposition
US9997357B2 (en) 2010-04-15 2018-06-12 Lam Research Corporation Capped ALD films for doping fin-shaped channel regions of 3-D IC transistors
US8728956B2 (en) 2010-04-15 2014-05-20 Novellus Systems, Inc. Plasma activated conformal film deposition
US8637411B2 (en) 2010-04-15 2014-01-28 Novellus Systems, Inc. Plasma activated conformal dielectric film deposition
US9373500B2 (en) 2014-02-21 2016-06-21 Lam Research Corporation Plasma assisted atomic layer deposition titanium oxide for conformal encapsulation and gapfill applications
US9257274B2 (en) 2010-04-15 2016-02-09 Lam Research Corporation Gapfill of variable aspect ratio features with a composite PEALD and PECVD method
US9076646B2 (en) 2010-04-15 2015-07-07 Lam Research Corporation Plasma enhanced atomic layer deposition with pulsed plasma exposure
US9685320B2 (en) 2010-09-23 2017-06-20 Lam Research Corporation Methods for depositing silicon oxide
US8524612B2 (en) 2010-09-23 2013-09-03 Novellus Systems, Inc. Plasma-activated deposition of conformal films
JP6022166B2 (ja) 2011-02-28 2016-11-09 株式会社日立国際電気 半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム
US8647993B2 (en) 2011-04-11 2014-02-11 Novellus Systems, Inc. Methods for UV-assisted conformal film deposition
JP6199292B2 (ja) * 2011-09-23 2017-09-20 ノベラス・システムズ・インコーポレーテッドＮｏｖｅｌｌｕｓ Ｓｙｓｔｅｍｓ Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ プラズマ活性化されるコンフォーマル誘電体膜
US8592328B2 (en) 2012-01-20 2013-11-26 Novellus Systems, Inc. Method for depositing a chlorine-free conformal sin film
US8728955B2 (en) 2012-02-14 2014-05-20 Novellus Systems, Inc. Method of plasma activated deposition of a conformal film on a substrate surface
JP6262137B2 (ja) * 2012-09-26 2018-01-17 株式会社日立国際電気 統合管理システム、管理装置、基板処理装置の情報表示方法及びプログラム
KR102207992B1 (ko) 2012-10-23 2021-01-26 램 리써치 코포레이션 서브-포화된 원자층 증착 및 등각막 증착
JP6538300B2 (ja) 2012-11-08 2019-07-03 ノベラス・システムズ・インコーポレーテッドＮｏｖｅｌｌｕｓ Ｓｙｓｔｅｍｓ Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ 感受性基材上にフィルムを蒸着するための方法
SG2013083241A (en) 2012-11-08 2014-06-27 Novellus Systems Inc Conformal film deposition for gapfill
US9105062B2 (en) 2012-12-13 2015-08-11 Addepar, Inc. Transaction effects
US9214334B2 (en) 2014-02-18 2015-12-15 Lam Research Corporation High growth rate process for conformal aluminum nitride
US9478438B2 (en) 2014-08-20 2016-10-25 Lam Research Corporation Method and apparatus to deposit pure titanium thin film at low temperature using titanium tetraiodide precursor
US9478411B2 (en) 2014-08-20 2016-10-25 Lam Research Corporation Method to tune TiOx stoichiometry using atomic layer deposited Ti film to minimize contact resistance for TiOx/Ti based MIS contact scheme for CMOS
US9424333B1 (en) 2014-09-05 2016-08-23 Addepar, Inc. Systems and user interfaces for dynamic and interactive report generation and editing based on automatic traversal of complex data structures
US9244899B1 (en) 2014-10-03 2016-01-26 Addepar, Inc. Systems and user interfaces for dynamic and interactive table generation and editing based on automatic traversal of complex data structures including time varying attributes
US9564312B2 (en) 2014-11-24 2017-02-07 Lam Research Corporation Selective inhibition in atomic layer deposition of silicon-containing films
SG11201705569PA (en) * 2015-01-07 2017-08-30 Hitachi Int Electric Inc Method of manufacturing semiconductor device, substrate processing apparatus, and recording medium
US10566187B2 (en) 2015-03-20 2020-02-18 Lam Research Corporation Ultrathin atomic layer deposition film accuracy thickness control
US9502238B2 (en) 2015-04-03 2016-11-22 Lam Research Corporation Deposition of conformal films by atomic layer deposition and atomic layer etch
US10526701B2 (en) 2015-07-09 2020-01-07 Lam Research Corporation Multi-cycle ALD process for film uniformity and thickness profile modulation
US10732810B1 (en) 2015-11-06 2020-08-04 Addepar, Inc. Systems and user interfaces for dynamic and interactive table generation and editing based on automatic traversal of complex data structures including summary data such as time series data
US9773643B1 (en) 2016-06-30 2017-09-26 Lam Research Corporation Apparatus and method for deposition and etch in gap fill
US10062563B2 (en) 2016-07-01 2018-08-28 Lam Research Corporation Selective atomic layer deposition with post-dose treatment
US10037884B2 (en) 2016-08-31 2018-07-31 Lam Research Corporation Selective atomic layer deposition for gapfill using sacrificial underlayer
US10269559B2 (en) 2017-09-13 2019-04-23 Lam Research Corporation Dielectric gapfill of high aspect ratio features utilizing a sacrificial etch cap layer
CN116133367A (zh) * 2021-08-12 2023-05-16 长鑫存储技术有限公司 一种半导体薄膜形成方法、半导体结构及存储器

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2004017383A2 (en) * 2002-08-18 2004-02-26 Aviza Technology, Inc. Low termperature deposition of silicon oxides and oxynitrides
JP2005011904A (ja) * 2003-06-17 2005-01-13 Tokyo Electron Ltd 成膜方法

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100745495B1 (ko) * 1999-03-10 2007-08-03 동경 엘렉트론 주식회사 반도체 제조방법 및 반도체 제조장치
US6566186B1 (en) * 2000-05-17 2003-05-20 Lsi Logic Corporation Capacitor with stoichiometrically adjusted dielectric and method of fabricating same
JP2002299329A (ja) 2001-03-28 2002-10-11 Tokyo Electron Ltd 熱処理装置、熱処理方法及びクリーニング方法
KR100829327B1 (ko) * 2002-04-05 2008-05-13 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키 기판 처리 장치 및 반응 용기
US7094708B2 (en) * 2003-01-24 2006-08-22 Tokyo Electron Limited Method of CVD for forming silicon nitride film on substrate
JP2004281853A (ja) 2003-03-18 2004-10-07 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置
JP4259247B2 (ja) * 2003-09-17 2009-04-30 東京エレクトロン株式会社 成膜方法
JP4541864B2 (ja) * 2004-12-14 2010-09-08 東京エレクトロン株式会社 シリコン酸窒化膜の形成方法、形成装置及びプログラム

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2004017383A2 (en) * 2002-08-18 2004-02-26 Aviza Technology, Inc. Low termperature deposition of silicon oxides and oxynitrides
JP2005011904A (ja) * 2003-06-17 2005-01-13 Tokyo Electron Ltd 成膜方法

Cited By (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8895455B2 (en) 2007-12-26 2014-11-25 Hitachi Kokusai Electric Inc. Method for manufacturing semiconductor device and substrate processing apparatus
JP2010268007A (ja) * 2007-12-26 2010-11-25 Hitachi Kokusai Electric Inc 半導体装置の製造方法、基板処理方法および基板処理装置
JP4611414B2 (ja) * 2007-12-26 2011-01-12 株式会社日立国際電気 半導体装置の製造方法、基板処理方法および基板処理装置
JP2010050425A (ja) * 2007-12-26 2010-03-04 Hitachi Kokusai Electric Inc 半導体装置の製造方法および基板処理装置
US8609551B2 (en) 2007-12-26 2013-12-17 Hitachi Kokusai Electric Inc. Method for manufacturing semiconductor device and substrate processing apparatus
JP2010166026A (ja) * 2008-12-16 2010-07-29 Elpida Memory Inc 半導体装置及びその製造方法
JP2013513235A (ja) * 2009-12-02 2013-04-18 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 非炭素ラジカル成分ｃｖｄ膜向けの酸素ドーピング
WO2012060379A1 (ja) * 2010-11-04 2012-05-10 株式会社日立国際電気 半導体装置の製造方法、基板処理方法および基板処理装置
JP5562431B2 (ja) * 2010-11-04 2014-07-30 株式会社日立国際電気 半導体装置の製造方法、基板処理方法、基板処理装置およびプログラム
US9136114B2 (en) 2010-11-04 2015-09-15 Hitachi Kokusai Electric Inc. Method of manufacturing semiconductor device, substrate processing method, computer-readable medium with program for executing a substrate processing method, and substrate processing apparatus
JP2015119045A (ja) * 2013-12-18 2015-06-25 大陽日酸株式会社 窒化ケイ素含有薄膜の形成方法
US11066744B2 (en) 2018-07-23 2021-07-20 Kokusai Electric Corporation Substrate processing apparatus, method of manufacturing semiconductor device, and recording medium
KR20200063057A (ko) * 2018-11-26 2020-06-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 옥시나이트라이드 막을 형성하는 방법
JP7405572B2 (ja) 2018-11-26 2023-12-26 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 酸窒化膜を形成する方法
KR102659379B1 (ko) 2018-11-26 2024-04-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 옥시나이트라이드 막을 형성하는 방법
JP2022094904A (ja) * 2020-12-15 2022-06-27 ウォニク アイピーエス カンパニー リミテッド 薄膜形成方法及び装置
JP7317079B2 (ja) 2020-12-15 2023-07-28 ウォニク アイピーエス カンパニー リミテッド 薄膜形成方法及び装置

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