JP2006294707A - Semiconductor integrated circuit and method of wiring the same - Google Patents

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Daisaku Sudo
大策 須藤
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To solve problems associated with microfabrication of semiconductor processes such as wiring congestion, crosstalk, and timing errors, without any increase in area. <P>SOLUTION: When it is determined that there is wiring congestion (step S202) after arrangement/wiring (step S201), the suspected area is specified (step S203), and only that area is locally expanded until the value of a necessary wiring amount/maximum wiring amount ratio in this area becomes less than 1 to locally secure wiring resources (step S204). When the value of the necessary wiring amount/maximum wiring amount ratio becomes less than 1, the wiring grid width is determined (step S205) and rearrangement and rewiring are conducted (step S206). <P>COPYRIGHT: (C)2007,JPO&INPIT

Description

本発明は、配線混雑、タイミング、クロストークの問題解決を図る半導体集積回路の配線方法及び半導体集積回路に関する。   The present invention relates to a wiring method for a semiconductor integrated circuit and a semiconductor integrated circuit that can solve the problems of wiring congestion, timing, and crosstalk.

近年、半導体プロセスの微細化に伴い、いろいろな機能を搭載したSystem On Chip(以下SOCと呼ぶ)が主流となっている。SOCでは今まで数チップが必要とされていたシステムを1チップで置き換えることができる。1チップ化することにより、チップ間の配線を省くことができると共に、実装チップ数が少なくなることにより省スペース化を図ることができ、コスト削減が実現される。また、コンピュータの高速化によって大規模なデータを扱えるようになり、SOCは階層設計ではなく、フラット設計される機会が多くなっている。フラット設計の利点は、階層の境界における面積ロスがないことと、配線リソースが全て使用できることと、個々の階層ごとの制約を作成する手間が省けることである。   In recent years, with the miniaturization of semiconductor processes, System On Chip (hereinafter referred to as SOC) equipped with various functions has become mainstream. In SOC, a system that previously required several chips can be replaced with one chip. By using a single chip, wiring between chips can be omitted, and by reducing the number of mounted chips, space can be saved, and cost reduction can be realized. In addition, it has become possible to handle a large amount of data by increasing the speed of the computer, and there are many opportunities for the SOC to be designed flat rather than hierarchically. The advantages of the flat design are that there is no area loss at the boundary of the hierarchy, that all the wiring resources can be used, and that it is possible to save time and effort for creating constraints for each hierarchy.

しかしながら、半導体プロセスの微細化には問題も含まれる。その一つとして挙げられるのが、近年の半導体プロセスの微細化によって配線の厚さや配線幅が小さくなったため、高周波動作する配線パターンに耐性の低下が生じるということである。すなわち、動作周波数の高速化に伴って電流密度が増加するため、高速化は微細な配線パターンへの負担を大きくし、回路の信頼性を低くする原因の一つとなっている。このような課題を解消するためには、配線パターンを太く設計する必要があるが、配線パターンを太くするためには、配線間隔を広くとらなければならない。しかし、配線間隔を広くするためには面積を増大させなければならず、面積的にロスが生じてしまう。ここで、特許文献1では、このような高速化による回路の信頼性低下と面積的にロスを生じるという課題を解決するために、全体の面積を大きくすることなく、配線パターンを太くする手段として、回路中の高周波動作領域には、他の領域と異なる幅の広い配線グリッドを設定し、配線幅を太くする方法を提案している。
特開昭61−10253号公報
However, miniaturization of semiconductor processes also includes problems. One of the reasons is that since the wiring thickness and wiring width have become smaller due to the recent miniaturization of semiconductor processes, the resistance of the wiring pattern that operates at a high frequency is reduced. That is, since the current density increases as the operating frequency increases, increasing the speed increases the burden on fine wiring patterns and is one of the causes of reducing circuit reliability. In order to solve such a problem, it is necessary to design the wiring pattern to be thick, but in order to make the wiring pattern thick, it is necessary to widen the wiring interval. However, in order to widen the wiring interval, the area must be increased, resulting in a loss in area. Here, in Patent Document 1, in order to solve the problem that the circuit reliability is reduced and the area is lost due to such high speed, as a means of thickening the wiring pattern without increasing the entire area. In the high-frequency operation region in the circuit, a method is proposed in which a wide wiring grid different from other regions is set to increase the wiring width.
Japanese Patent Laid-Open No. 61-10253

また、半導体プロセスの微細化に伴う問題点として、フロアプランによっては、遠くのブロックの配線が回りこんできて、局所的に配線混雑が起こることが挙げられる。ここで、最小の配線間隔はプロセスの実力によって決まる値であり、レイアウトツールはこの最小の配線間隔を基準として配線を行う。この基準を配線グリッドと呼ぶ。配線層に設定された配線グリッドはレイアウトの最初に設定されてからは変更されることはない。そして、配線は網の目のような配線グリッド上に配線される。従って、配線混雑が生じた場合、これを解消するためには面積を広げ、あらためて全体に対する配線をやり直す必要がある。しかし、このような方法では面積的にロスすることになる。   Another problem associated with the miniaturization of the semiconductor process is that, depending on the floor plan, the wiring of distant blocks can wrap around and local wiring congestion occurs. Here, the minimum wiring interval is a value determined by the ability of the process, and the layout tool performs wiring based on the minimum wiring interval. This reference is called a wiring grid. The wiring grid set in the wiring layer is not changed after it is set at the beginning of the layout. And wiring is wired on the wiring grid like a mesh. Therefore, when wiring congestion occurs, in order to eliminate this, it is necessary to widen the area and to redo the wiring for the whole. However, such a method results in an area loss.

ここで、面積を広げることなく、配線グリッドを複数種類設ける方法を提案する特許文献1の技術に着目して、配線混雑を解消する方法も考えられるが、特許文献1に記載される方法は、レイアウト前の段階における回路動作に着目し、予めグリッド幅を決定しておく方法である。従って、この場合にも、レイアウトの最初に設定された配線グリッドに対して後から変更することができないという従来の課題を同様に有しているため、レイアウト段階に生じる配線混雑の問題解消には利用できない。   Here, focusing on the technique of Patent Document 1 that proposes a method of providing a plurality of types of wiring grids without increasing the area, a method of eliminating wiring congestion is also conceivable, but the method described in Patent Document 1 This is a method in which the grid width is determined in advance by paying attention to the circuit operation at the stage before layout. Therefore, in this case as well, there is a conventional problem that the wiring grid set at the beginning of the layout cannot be changed later, so that the problem of wiring congestion occurring in the layout stage can be solved. Not available.

また、半導体の微細プロセスに起因した問題が顕著になっている例として、更に挙げられるのが、クロストークの影響による誤動作である。この誤動作は、微細化が進むことによって同一配線層内の配線間隔が短くなり、この結果、サイドカップリング容量が大きくなって、クロストークの影響を受けやすくなるために生じる。これを回避するために、配線間隔を大きくとって配線グリッドを設定した場合には、クロストークの問題やタイミングの問題が起こりにくくなるが、配線間隔が大きくなり、配線グリッドが少なくなると、配線リソースも少なくなる。そして、配線リソースが少なくなると、SOCのような大規模でいくつものブロックからなるレイアウトにおいては、局所的に配線混雑を引き起こす可能性がある。従って、もしクロストークの問題が起きた場合には、配線リソースを確保しつつサイドカップリング容量を減らすために配線間隔を広げる、つまり、配線間隔を大きくとるために面積を広げて配線グリッド間隔をあけることで回避している。しかしその広げた分だけ、上記の配線混雑解消の場合と同様に、面積的にロスすることになる。   Further, as an example in which a problem caused by a fine process of a semiconductor is remarkable, a malfunction due to the influence of crosstalk is further given. This malfunction occurs because the wiring interval in the same wiring layer is shortened as the miniaturization progresses, and as a result, the side coupling capacitance becomes large and is easily affected by crosstalk. In order to avoid this, if the wiring grid is set with a large wiring interval, crosstalk problems and timing problems are less likely to occur. However, if the wiring interval increases and the wiring grid decreases, the wiring resources Less. When the wiring resources are reduced, there is a possibility of locally causing wiring congestion in a large-scale layout such as an SOC including a number of blocks. Therefore, if a crosstalk problem occurs, increase the wiring interval to reduce the side coupling capacity while securing the wiring resources, that is, increase the area to increase the wiring interval and reduce the wiring grid interval. It is avoided by opening it. However, in the same way as in the case of the above-described elimination of wiring congestion, the area is lost by the increased amount.

本発明は、上記課題を解決するために、面積を増加させることなく、配線の間隔が狭くなることに起因する配線混雑、クロストーク又はタイミングエラーの不具合を解消することを目的とする。   In order to solve the above-described problems, an object of the present invention is to solve the problems of wiring congestion, crosstalk, or timing error caused by the narrowing of the wiring interval without increasing the area.

上記目的を達成するために、本発明では、所定の領域毎に、配線数の関数の、配線リソース数の関数に対する比を算出し、この算出結果に基づく値を用いて、各々の所定の領域に対する新たな配線グリッドを決定することにより、半導体集積回路の面積を増加させることなく、例えば、配線混雑のような再配線を必要とするエラーを解消する。   In order to achieve the above object, in the present invention, a ratio of a function of the number of wirings to a function of the number of wiring resources is calculated for each predetermined area, and a value based on the calculation result is used to calculate each predetermined area. By determining a new wiring grid for the above, an error that requires rewiring such as wiring congestion is eliminated without increasing the area of the semiconductor integrated circuit.

すなわち、請求項1記載の発明の半導体集積回路の配線方法は、複数種類のピッチの配線グリッドを用いて設計される、複数の回路ブロックからなる半導体集積回路の配線方法において、配置及び配線を行った前記半導体集積回路内のエラーによる再配線の必要性の有無を検証する再配線検証工程と、前記再配線検証工程にて得られた検証結果により再配線が必要な領域を含む所定の領域を指定すると共に、前記所定の領域についての配線数に基づく値と配線リソース数に基づく値との比率を算出する再配線領域指定工程と、前記再配線領域指定工程により算出された前記比率に基づいて、配線層全体に設定された基準配線グリッドとは異なる新たな配線グリッドを決定する配線グリッド幅決定工程とを含むことを特徴とする。   In other words, the wiring method for a semiconductor integrated circuit according to the first aspect of the present invention is the wiring method for a semiconductor integrated circuit composed of a plurality of circuit blocks, which is designed using a wiring grid having a plurality of types of pitches. In addition, a rewiring verification step for verifying the necessity of rewiring due to an error in the semiconductor integrated circuit, and a predetermined region including a region requiring rewiring based on a verification result obtained in the rewiring verification step Based on the ratio calculated in the rewiring area designating step, the rewiring area designating process for calculating the ratio between the value based on the number of wirings and the value based on the number of wiring resources for the predetermined area And a wiring grid width determining step for determining a new wiring grid different from the reference wiring grid set for the entire wiring layer.

請求項2記載の発明は、請求項1記載の半導体集積回路の配線方法において、前記再配線領域指定工程は、前記再配線検証工程にて得られた前記検証結果により前記再配線が必要な領域を含む所定の領域を指定する領域指定工程と、前記領域指定工程により指定された前記所定の領域について、前記配線数の関数の、前記配線リソース数の関数に対する比に基づく評価値を算出し、算出した前記評価値が所定の範囲内にあるか否かを判定し、前記所定の範囲内にない場合は前記領域指定工程の処理に戻す評価工程とを備え、前記領域指定工程は、前記評価工程から処理を戻されたとき、前記評価工程による判定後の前記所定の領域を含み、且つ拡張した新たな所定の領域を指定し、前記配線グリッド幅決定工程は、前記評価工程における判定により、前記評価値が前記所定の範囲内にあると判定された場合に、前記評価値に基づいて前記新たな所定の領域に設定する前記新たな配線グリッドを決定することを特徴とする。   According to a second aspect of the present invention, in the wiring method for a semiconductor integrated circuit according to the first aspect, the rewiring area designating step is an area where the rewiring is required based on the verification result obtained in the rewiring verification process. Calculating an evaluation value based on a ratio of a function of the number of wirings to a function of the number of wiring resources for the predetermined area specified by the area specifying step; An evaluation step of determining whether or not the calculated evaluation value is within a predetermined range and returning to the processing of the region specifying step when the calculated value is not within the predetermined range, wherein the region specifying step includes the evaluation When the process is returned from the process, the new predetermined area including the predetermined area after the determination by the evaluation process is specified, and the wiring grid width determination process is determined in the evaluation process. More, when the evaluation value is determined to be within the predetermined range, and determines the new wiring grid to be set to the new predetermined area based on the evaluation value.

請求項3記載の発明は、請求項2記載の半導体集積回路の配線方法において、前記再配線検証工程は配線混雑による再配線の必要性の有無を検証し、前記領域指定工程は、前記再配線検証工程にて得られた前記検証結果により配線混雑の生じている領域を含む領域を前記所定の領域として指定することを特徴とする。   According to a third aspect of the present invention, in the wiring method for a semiconductor integrated circuit according to the second aspect, the rewiring verification step verifies the necessity of rewiring due to wiring congestion, and the region designation step includes the rewiring. According to the verification result obtained in the verification process, a region including a region where wiring congestion occurs is designated as the predetermined region.

請求項4記載の発明は、請求項2記載の半導体集積回路の配線方法において、前記再配線検証工程はクロストークによる再配線の必要性の有無を検証し、前記領域指定工程は、前記再配線検証工程にて得られた前記検証結果によりクロストークの生じている領域を含む領域を前記所定の領域として指定することを特徴とする。   According to a fourth aspect of the present invention, in the wiring method for a semiconductor integrated circuit according to the second aspect, the rewiring verification step verifies the necessity of rewiring due to crosstalk, and the region designation step includes the rewiring. A region including a region where crosstalk occurs is designated as the predetermined region based on the verification result obtained in the verification step.

請求項5記載の発明は、請求項2記載の半導体集積回路の配線方法において、前記再配線検証工程はタイミングエラーによる再配線の必要性の有無を検証し、前記領域指定工程は、前記再配線検証工程にて得られた前記検証結果によりタイミングエラーの生じている領域を含む領域を前記所定の領域として指定することを特徴とする。   According to a fifth aspect of the present invention, in the wiring method for a semiconductor integrated circuit according to the second aspect, the rewiring verification step verifies the necessity of rewiring due to a timing error, and the region designation step includes the rewiring. A region including a region where a timing error has occurred is designated as the predetermined region based on the verification result obtained in the verification step.

請求項6記載の発明の半導体集積回路の配線方法は、複数種類のピッチの配線グリッドを用いて設計される、複数の回路ブロックからなる半導体集積回路の配線方法において、配置及び配線を行った前記半導体集積回路内のエラーによる再配線の必要性の有無を検証する再配線検証工程と、前記再配線検証工程により得られた前記エラーを解消する新たな配線グリッドを決定する配線グリッド幅決定工程と、前記再配線検証工程にて得られた検証結果により再配線が必要な領域を含む所定の領域を指定する領域指定工程と、前記領域指定工程により指定された前記所定の領域について、配線数の関数の、配線リソース数の関数に対する比に基づく評価値を算出し、算出した前記評価値が所定の範囲内にあるか否かを判定し、前記所定の範囲内にない場合は前記領域指定工程の処理に戻し、また、前記所定の範囲内にある場合は前記所定の領域を確定する評価工程とを含み、前記領域指定工程は、前記評価工程から処理を戻されたとき、前記評価工程による判定後の前記所定の領域を含み、且つ拡張した新たな所定の領域を指定することを特徴とする。   A wiring method for a semiconductor integrated circuit according to a sixth aspect of the present invention is the wiring method for a semiconductor integrated circuit composed of a plurality of circuit blocks, which is designed by using a wiring grid having a plurality of types of pitches. A rewiring verification step for verifying the necessity of rewiring due to an error in the semiconductor integrated circuit, and a wiring grid width determination step for determining a new wiring grid for eliminating the error obtained by the rewiring verification step; An area designating step for designating a predetermined area including an area that requires rewiring based on the verification result obtained in the rewiring verification process; and for the predetermined area designated by the area designating process, An evaluation value based on a ratio of the function to the function of the number of wiring resources is calculated, it is determined whether the calculated evaluation value is within a predetermined range, and within the predetermined range If there is not, the process returns to the process of the area designating step, and if it is within the predetermined range, the process of determining the predetermined area is included, and the process of designating the area is returned from the evaluation process. In this case, a new predetermined area including the predetermined area after the determination in the evaluation step is specified.

請求項7記載の発明は、請求項6記載の半導体集積回路の配線方法において、前記再配線検証工程はクロストークによる再配線の必要性の有無を検証し、前記領域指定工程は、前記再配線検証工程にて得られた検証結果によりクロストークの生じている領域を含む領域を前記所定の領域として指定することを特徴とする。   According to a seventh aspect of the present invention, in the wiring method for a semiconductor integrated circuit according to the sixth aspect, the rewiring verification step verifies the necessity of rewiring due to crosstalk, and the region designation step includes the rewiring. A region including a region where crosstalk occurs is designated as the predetermined region based on the verification result obtained in the verification step.

請求項8記載の発明は、請求項6記載の半導体集積回路の配線方法において、前記再配線検証工程はタイミングエラーによる再配線の必要性の有無を検証し、前記領域指定工程は、前記再配線検証工程にて得られた検証結果によりタイミングエラーの生じている領域を含む領域を前記所定の領域として指定することを特徴とする。   According to an eighth aspect of the present invention, in the wiring method for a semiconductor integrated circuit according to the sixth aspect, the rewiring verification step verifies the necessity of rewiring due to a timing error, and the region designation step includes the rewiring. A region including a region where a timing error has occurred is designated as the predetermined region based on the verification result obtained in the verification step.

請求項9記載の発明の半導体集積回路の配線方法は、複数種類のピッチの配線グリッドを用いて設計される、複数の回路ブロックからなる半導体集積回路の配線方法において、配線層全体に設定された基準配線グリッドを所定ピッチの配線グリッドへ一律に変更する一律配線グリッド変更工程と、前記一律配線グリッド変更工程により変更された前記所定ピッチの配線グリッドに基づいて配置及び配線が行われた後の前記半導体集積回路について、配線混雑による再配線の必要性の有無を検証する再配線検証工程と、前記再配線検証工程にて得られた検証結果により再配線が必要な領域を含む所定の領域を指定すると共に、前記所定の領域についての配線数に基づく値と配線リソース数に基づく値との比率を算出する再配線領域指定工程と、前記再配線領域指定工程により算出された前記比率に基づいて、前記所定ピッチの配線グリッドとは異なる新たな配線グリッドを決定する配線グリッド幅決定工程とを含むことを特徴とする。   According to a ninth aspect of the present invention, there is provided a wiring method for a semiconductor integrated circuit according to a ninth aspect of the present invention, wherein the wiring method is set for the entire wiring layer in a wiring method for a semiconductor integrated circuit composed of a plurality of circuit blocks. A uniform wiring grid changing step for uniformly changing a reference wiring grid to a wiring grid of a predetermined pitch, and the placement and wiring after the placement and wiring are performed based on the wiring grid of the predetermined pitch changed by the uniform wiring grid changing step For a semiconductor integrated circuit, a rewiring verification process for verifying the necessity of rewiring due to wiring congestion, and a predetermined area including an area that requires rewiring are specified by the verification result obtained in the rewiring verification process. And a rewiring area designating step for calculating a ratio between a value based on the number of wirings for the predetermined area and a value based on the number of wiring resources, Serial based on the ratio calculated by rewiring region specifying step, characterized in that it comprises a wire grid width determining step of determining a different new wiring grid and the wiring grid of the predetermined pitch.

請求項10記載の発明は、請求項9記載の半導体集積回路の配線方法において、前記再配線領域指定工程は、前記再配線検証工程にて得られた前記検証結果により再配線が必要な領域を含む前記所定の領域を指定する領域指定工程と、前記領域指定工程により指定された前記所定の領域について、前記配線数の関数の、前記配線リソース数の関数に対する比に基づく評価値を算出し、算出した前記評価値が所定の範囲内にあるか否かを判定し、前記所定の範囲内にない場合は前記領域指定工程の処理に戻す評価工程とを備え、前記領域指定工程は、前記評価工程から処理を戻されたとき、前記評価工程による判定後の前記所定の領域を含み、且つ拡張した新たな所定の領域を指定し、前記配線グリッド幅決定工程は、前記評価工程における判定により、前記評価値が前記所定の範囲内にあると判定された場合に、前記評価値に基づいて前記所定の領域に設定する新たな配線グリッドを決定することを特徴とする。   According to a tenth aspect of the present invention, in the wiring method for a semiconductor integrated circuit according to the ninth aspect, in the rewiring area designating step, an area requiring rewiring is determined based on the verification result obtained in the rewiring verification process. Calculating an evaluation value based on a ratio of a function of the number of wirings to a function of the number of wiring resources for the predetermined area specified by the area specifying step; An evaluation step of determining whether or not the calculated evaluation value is within a predetermined range and returning to the processing of the region specifying step when the calculated value is not within the predetermined range, wherein the region specifying step includes the evaluation When the process is returned from the process, a new predetermined area that is expanded and includes the predetermined area after the determination in the evaluation process is designated, and the wiring grid width determination process is performed in the evaluation process. Accordingly, when the evaluation value is determined to be within the predetermined range, and determining a new routing grid to be set to the predetermined region based on the evaluation value.

請求項11記載の発明の半導体集積回路は、複数の回路ブロックからなる半導体集積回路において、前記複数の回路ブロックは、互いに異なるピッチを用いてそれぞれ配線された複数の領域を備えた回路ブロックを少なくとも1つ含むことを特徴とする。   The semiconductor integrated circuit according to claim 11 is a semiconductor integrated circuit comprising a plurality of circuit blocks, wherein the plurality of circuit blocks include at least a circuit block having a plurality of regions respectively wired with different pitches. It is characterized by including one.

請求項12記載の発明は、請求項11記載の半導体集積回路において、前記複数の領域を備えた回路ブロックは、前記複数の領域のうち、互いに隣接する領域同士の境界線を含み、且つ、前記異なるピッチの配線同士を接続する接続配線を有する接続領域を備えることを特徴とする。   According to a twelfth aspect of the present invention, in the semiconductor integrated circuit according to the eleventh aspect, the circuit block including the plurality of regions includes a boundary line between adjacent regions among the plurality of regions, and the A connection region having connection wirings for connecting wirings having different pitches is provided.

請求項13記載の発明は、請求項12記載の半導体集積回路において、前記接続配線は、斜め配線を含むことを特徴とする。   According to a thirteenth aspect of the present invention, in the semiconductor integrated circuit according to the twelfth aspect, the connection wiring includes oblique wiring.

請求項14記載の発明は、請求項11記載の半導体集積回路において、前記複数の領域のうち、互いに隣接する領域同士の境界線は、前記互いに隣接する領域のそれぞれが有する前記異なるピッチの配線の何れか一方の上のみにコンタクトを備えることを特徴とする。   According to a fourteenth aspect of the present invention, in the semiconductor integrated circuit according to the eleventh aspect, a boundary line between adjacent regions of the plurality of regions is the wiring of the different pitches included in each of the adjacent regions. A contact is provided only on one of the two.

以上により、請求項1〜5記載の発明では、配線に基づくエラーを生じている領域のみを検出し、この検出したエラー領域を含む所定の領域のみを拡張することにより、所定の領域のエラーを解消できる配線リソース数を確保し、この配線リソース数が確保できた所定の領域に対する配線数に基づく値及び配線リソース数に基づく値を用いた比で表される評価値により、新たな配線グリッドを決定し、半導体集積回路の面積を増加することなく、局所的に配線に基づくエラーを解消する。   As described above, according to the first to fifth aspects of the present invention, only an area in which an error based on the wiring is generated is detected, and an error in the predetermined area is corrected by expanding only the predetermined area including the detected error area. The number of wiring resources that can be eliminated is secured, and a new wiring grid is created based on an evaluation value expressed by a ratio using a value based on the number of wirings and a value based on the number of wiring resources for a predetermined area where the number of wiring resources can be secured. Determine and eliminate errors based on wiring locally without increasing the area of the semiconductor integrated circuit.

請求項6〜8記載の発明では、配線に基づくエラーを生じている領域のみを検出し、配線に基づくエラーを解消できる新たな配線グリッドを予め決定し、エラーの生じている領域を含む所定の領域を指定する。そして、新たな配線グリッドを用いた場合の所定の領域を、この所定の領域に対する配線数に基づく値及び配線リソース数に基づく値を用いた比で表される評価値に基づいて調節し、エラーを解消できる配線リソース数を確保する。これにより、半導体集積回路の面積を増加させることなく、局所的に配線に基づくエラーを解消する。   According to the sixth to eighth aspects of the present invention, only a region in which an error based on wiring is detected is detected, a new wiring grid that can eliminate the error based on wiring is determined in advance, Specify an area. Then, the predetermined area when the new wiring grid is used is adjusted based on an evaluation value represented by a ratio using a value based on the number of wirings and a value based on the number of wiring resources for the predetermined area, Ensure the number of wiring resources that can solve the problem. Thereby, the error based on the wiring is locally eliminated without increasing the area of the semiconductor integrated circuit.

請求項9、10記載の発明では、一律に配線グリッドを変更した後、配線混雑の有無を判定し、更に、配線混雑が生じている領域のみに対して、局所的に配線グリッドの変更をするので、例えば、クロストーク等の問題を考慮して、予め一律に配線グリッド間隔を広めに設定した後、配線混雑が生じている領域のみの配線グリッドの変更を行うことができる。
請求項11〜14記載の発明では、配線グリッドの間隔が異なる領域を局所的に設定することができるので、局所的な配線混雑を、全体の面積を増加させることなく解消する場合に対応できる。
According to the ninth and tenth aspects of the present invention, after the wiring grid is uniformly changed, the presence / absence of wiring congestion is determined, and the wiring grid is locally changed only for the area where the wiring congestion occurs. Therefore, for example, in consideration of problems such as crosstalk, it is possible to change the wiring grid only in an area where wiring congestion occurs after the wiring grid interval is set to be wider in advance.
In the inventions according to claims 11 to 14, since regions having different wiring grid intervals can be set locally, it is possible to deal with a case where local wiring congestion is eliminated without increasing the entire area.

以上説明したように、請求項1〜8記載の発明によれば、配線に基づくエラーを生じている領域のみ拡張することにより、エラーを解消するのに十分な配線リソース数を確保できるので、半導体プロセスの微細化に起因して発生する配線に基づくエラーを、半導体集積回路の面積を増加させることなく、指定した所定の領域に対してのみ、局所的に解消することができる。   As described above, according to the first to eighth aspects of the invention, by expanding only the region in which an error has occurred based on the wiring, it is possible to secure a sufficient number of wiring resources to eliminate the error. An error based on the wiring caused by the miniaturization of the process can be locally solved only for a predetermined region without increasing the area of the semiconductor integrated circuit.

請求項9、10記載の発明によれば、予め、半導体集積回路全体の基準配線グリッドを、例えば、クロストークのような配線に基づくエラーを生じないような配線グリッドに変更しておき、この状態の下で、配線混雑が生じている領域のみを局所的に指定して、配線リソース数を確保できるように配線グリッドを変更するので、クロストークやタイミングエラー等を考慮してサイドカップリング容量を低減させた上で、配線混雑のために配線リソースが必要な領域だけ、配線グリッドを小さくしてレイアウトすることができる。   According to the ninth and tenth aspects of the present invention, the reference wiring grid of the entire semiconductor integrated circuit is changed in advance to a wiring grid that does not cause an error based on wiring such as crosstalk. Since the wiring grid is changed so that only the area where the wiring congestion occurs is specified locally and the number of wiring resources can be secured, the side coupling capacitance is set in consideration of crosstalk and timing errors. In addition, the wiring grid can be laid out in a smaller area only in an area where wiring resources are required due to wiring congestion.

請求項11〜14記載の発明によれば、局所的に異なる配線グリッドを設定することができるので、面積を大きくすることなく、配線混雑が生じている領域のみ配線グリッドを変更し、配線混雑を解消する場合に対応できる。   According to the invention described in claims 11 to 14, since different wiring grids can be set locally, the wiring grid is changed only in a region where the wiring congestion occurs without increasing the area, thereby reducing the wiring congestion. It can cope with the case to resolve.

(第1の実施の形態)
図1は、複数の回路ブロックから構成される半導体集積回路のうち、例えば、高周波回路ブロックのような1つの回路ブロックを示している。そして、この図1では、半導体集積回路の配線層全体に一律に定義されている配線グリッド(以下基準配線グリッドという)の中において、所定の領域に対して配線グリッドを変更して配線した様子を示している。この基準配線グリッドは、プロセスの実力によって決まる最小の配線間隔(配線ピッチ)から設定される。
(First embodiment)
FIG. 1 shows one circuit block such as a high-frequency circuit block among semiconductor integrated circuits composed of a plurality of circuit blocks. FIG. 1 shows a state in which the wiring is changed with respect to a predetermined area in a wiring grid (hereinafter referred to as a reference wiring grid) that is uniformly defined in the entire wiring layer of the semiconductor integrated circuit. Show. The reference wiring grid is set from the minimum wiring interval (wiring pitch) determined by the ability of the process.

13は、配線層全体に一律に定義されている基準配線グリッドの間隔であり、10、11及び12は、基準配線グリッドの間隔13とは異なる間隔になるように、局所的に設定された配線グリッドの領域である。領域10を拡大した部分図において、Wは配線を、また、14はこの領域10の配線グリッドの間隔を示している。   Reference numeral 13 denotes a reference wiring grid interval uniformly defined in the entire wiring layer, and 10, 11 and 12 are locally set wirings so as to be different from the reference wiring grid interval 13. This is the grid area. In the enlarged partial view of the region 10, W indicates a wiring, and 14 indicates the interval of the wiring grid in the region 10.

本実施の形態では、配線混雑を起こしているレイアウトにおいて、上記の配線グリッドを局所的に変更して配線を行う方法について説明する。   In the present embodiment, a method of performing wiring by locally changing the wiring grid in a layout causing wiring congestion will be described.

レイアウトにおける配線混雑は、通常、局所的に配線が集中して起こる。そして、この原因はセル配置によるところも大きい。回避策としては混雑が生じやすい領域に対して、元の基準配線グリッドより大きい配線グリッドを設定し、配線しにくい領域であることをレイアウトツールに認識させたあと、配置・配線を再実行することで局所的な配線混雑を回避することができる。   Wiring congestion in the layout usually occurs due to local concentration of wiring. This is largely due to the cell arrangement. As a workaround, set a wiring grid that is larger than the original reference wiring grid for areas that are likely to be congested, and let the layout tool recognize that the area is difficult to route, and then re-execute placement and routing Thus, local wiring congestion can be avoided.

図2に、局所的に配線グリッド間隔を変更することにより、局所的な配線混雑を解消する配線方法のフローチャートを示す。   FIG. 2 shows a flowchart of a wiring method for eliminating local wiring congestion by locally changing the wiring grid interval.

先ず、ステップS201にて、所定の素子の配置と配線とを実施したのち、ステップS202(再配線検証工程)にて、配線層全体の中に配線により生じた配線混雑によるエラーが起きている領域を探す。ここで、もしステップS202の検証結果にて配線混雑が起きており、再配線が必要な領域が示された場合は、ステップS203(領域指定工程)へ進み、その配線混雑が起きている領域を含む所定の領域を指定する。指定した所定の領域において、最大配線量と必要配線量とを数える。   First, in step S201, predetermined elements are arranged and wired, and then in step S202 (rewiring verification process), an error occurs due to wiring congestion caused by wiring in the entire wiring layer. Search for. Here, if the wiring congestion has occurred in the verification result of step S202 and an area requiring rewiring is indicated, the process proceeds to step S203 (area specifying step), and the area where the wiring congestion has occurred is determined. Specify a predetermined area to include. In the designated predetermined area, the maximum wiring amount and the necessary wiring amount are counted.

ここで、最大配線量と必要配線量とについて、図3を用いて説明する。   Here, the maximum wiring amount and the necessary wiring amount will be described with reference to FIG.

一般的に、配線層ごとに配線の方向が決まっているので、その方向を考慮に入れる。例えば、図3(a)に示すように、縦方向に6グリッド分、横方向に7グリッド分の領域を領域指定した場合、この領域における縦方向の配線は最大7本であり、これら配線のそれぞれにはグリッドが6グリッドずつ含まれているので、この図3(a)の領域には全部で42グリッド分が含まれている。ここで、この図3(a)の領域の最大配線量は、配線リソース数に基づく値(配線リソース数の関数)として42グリッドであると定義される。また、必要配線量は、その領域に実際に存在する配線に対する配線量として定義される。図3(a)と同じ範囲であり、実際に配線された図3(b)の領域を例にとると、図3(b)には、縦方向に配線が4本存在するので、これらの配線全体に対する配線量は24グリッドである。従って、図3(b)の必要配線量は、実際の配線数に基づく値(配線数の関数)として24グリッドと定義される。同様に考えて、図3(c)の場合は21グリッドとなる。このとき配線の方向が縦方向なので、横方向の配線に対するグリッドは無視する。配線混雑の場合は配線が2重に重なる場合があるが、そのときはそれぞれを計上するものとする。同様に横方向の場合を図3(d)、(e)、(f)に示す。ここで、所定の領域における実際の配線数の関数と配線リソース数の関数との比率に基づく必要配線量/最大配線量を評価関数(評価値)とする。この評価関数により必要配線量及び最大配線量が定義される所定の領域における配線混雑の程度が示される。配線混雑が起きている領域を含む所定の領域を指定するステップS203の工程に続くステップS204(評価工程)では、所定の領域に対する評価関数の値を算出すると共に、算出した評価関数値が所定の範囲内にあるかどうかにより配線混雑の程度を判定する。具体的には、この評価関数の値が1を超えるなら配線できないので、1を超えない範囲(所定の範囲)にあるかどうかを判定して、1を超えた場合はステップS203へ戻り、さらに領域を広げた新たな所定の領域に対して再度判定を行う。ただし、実際には、所定の範囲としては1を超えない範囲に設定すると厳しいので0.7〜0.5ほどになるような値に設定し、所定の領域を拡大するとよい。ステップS203とS204との間の繰り返し工程(再配線領域指定工程)による所定の領域の大きさの調節で評価関数の値が0.7〜0.5になり、新たな所定の領域が確定したら、次は、ステップS205(配線グリッド幅決定工程)に移行して配線グリッドの変更が行われる。この変更する新たな配線グリッドの間隔は、1より小さい値となった評価関数値の逆数(評価値に基づく値)を現在の配線グリッドの間隔の値に掛けることで決定される。このようにして得られた新たな配線グリッドに基づいて、続くステップS206にて、再度配置・配線を実行する。これにより、局所的に配線混雑が生じていた領域の配線数を制限し、その情報を考慮してセルが配置されて、配線混雑が抑えられる。   Generally, since the wiring direction is determined for each wiring layer, the direction is taken into consideration. For example, as shown in FIG. 3A, when an area for 6 grids in the vertical direction and 7 grids in the horizontal direction are designated, the maximum number of vertical wirings in this area is seven. Since each grid includes 6 grids, the area of FIG. 3A includes 42 grids in total. Here, the maximum wiring amount in the region of FIG. 3A is defined as 42 grids as a value based on the number of wiring resources (a function of the number of wiring resources). The necessary wiring amount is defined as a wiring amount with respect to wiring actually existing in the area. Taking the region of FIG. 3B that is in the same range as FIG. 3A and being actually wired as an example, FIG. 3B has four wires in the vertical direction. The wiring amount for the entire wiring is 24 grids. Therefore, the necessary wiring amount in FIG. 3B is defined as 24 grids as a value based on the actual number of wirings (a function of the number of wirings). In the same way, in the case of FIG. 3C, there are 21 grids. At this time, since the wiring direction is vertical, the grid for the horizontal wiring is ignored. In the case of wiring congestion, there are cases where the wiring overlaps twice. Similarly, the case of the horizontal direction is shown in FIGS. 3 (d), (e), and (f). Here, the necessary wiring amount / maximum wiring amount based on the ratio between the function of the actual number of wirings and the function of the number of wiring resources in a predetermined region is defined as an evaluation function (evaluation value). This evaluation function indicates the degree of wiring congestion in a predetermined area where the required wiring amount and the maximum wiring amount are defined. In step S204 (evaluation process) following the process of step S203 for designating a predetermined area including an area where wiring congestion occurs, the evaluation function value for the predetermined area is calculated, and the calculated evaluation function value is a predetermined value. The degree of wiring congestion is determined based on whether or not it is within the range. Specifically, if the value of this evaluation function exceeds 1, wiring is not possible, so it is determined whether or not it is in a range not exceeding 1 (predetermined range). If it exceeds 1, the process returns to step S203, and further The determination is performed again for a new predetermined area that has been expanded. However, in practice, since it is difficult to set the predetermined range to a value that does not exceed 1, it is preferable to set the value to be about 0.7 to 0.5 and enlarge the predetermined area. When the value of the evaluation function becomes 0.7 to 0.5 by adjusting the size of the predetermined area by the repetitive process (rewiring area specifying process) between steps S203 and S204, and a new predetermined area is determined. Next, the process proceeds to step S205 (wiring grid width determining step), and the wiring grid is changed. The interval between the new wiring grids to be changed is determined by multiplying the reciprocal of the evaluation function value (value based on the evaluation value) that is smaller than 1 by the current wiring grid interval value. Based on the new wiring grid obtained in this way, the placement / wiring is executed again in the next step S206. As a result, the number of wirings in a region where wiring congestion has occurred locally is limited, and cells are arranged in consideration of the information, thereby suppressing wiring congestion.

(第2の実施の形態)
次に、本実施の形態においては、クロストークエラーを起こしているレイアウトに対して、クロストークエラーを解消するために配線グリッドを変更する配線の方法を適用する場合を、図4のフローチャートを用いて説明する。
(Second Embodiment)
Next, in the present embodiment, the case where the wiring method for changing the wiring grid in order to eliminate the crosstalk error is applied to the layout in which the crosstalk error has occurred will be described with reference to the flowchart of FIG. I will explain.

図4は、配置及び配線を行うステップS401に続くステップS402にてタイミングエラー検証を含むクロストークの検証を行い、続いてステップS403にて、クロストークの有無の判定を行う点で、第1の実施の形態のフローチャートの図2とは異なる。   FIG. 4 shows the first point in that crosstalk verification including timing error verification is performed in step S402 following step S401 in which arrangement and wiring are performed, and then in step S403, the presence or absence of crosstalk is determined. It differs from FIG. 2 of the flowchart of embodiment.

クロストークエラーを引き起こしているレイアウトでは、最小スペース幅のまま長配線が行われ、これによりサイドカップリング容量が大きくなることが原因で、クロストークの影響を受けやすい状態となっている。   In the layout causing the crosstalk error, the long wiring is performed with the minimum space width, and the side coupling capacitance is increased, thereby being easily affected by the crosstalk.

ステップS401にて配置・配線が実施された後、ステップS402でクロストークの検証が行われ、その結果がステップS403にて確認される。この一連のステップS402〜S403(再配線検証工程)にて配線に基づいたクロストークが発生し、再配線が必要であると判定された場合は、クロストークが発生しているネット付近の領域に注目し、その領域を含む所定の領域がステップS404(領域指定工程)で領域指定される。次に、ステップS405(評価工程)にて、第1の実施の形態で説明した最大配線量と必要配線量を数え、必要配線量/最大配線量が評価関数値として算出される。そして、その値が0.7〜0.5ほどになるまでステップS404〜S405(再配線領域指定工程)にて所定の領域が拡大される。所定の領域が確定したら、続くステップS406(配線グリッド幅決定工程)に移行し、配線グリッド幅の変更が行われる。本実施の形態においても、1より小さい値とした評価関数値の逆数を現在の配線グリッド幅に掛けることにより変更する配線グリッド幅が決定される。次のステップS407では、この状態で再度配線及び配置が実行される。これにより、クロストークの影響を受ける配線付近の配線グリッドが大きくなり、その結果カップリング容量が減るため、半導体集積回路の面積を広げることなく、局所的にクロストークエラーを解決することができる。   After placement and wiring are performed in step S401, crosstalk is verified in step S402, and the result is confirmed in step S403. In the series of steps S402 to S403 (rewiring verification step), when crosstalk based on wiring occurs and it is determined that rewiring is necessary, the area near the net where crosstalk occurs is determined. Attention is paid and a predetermined area including the area is designated in step S404 (area designation step). Next, in step S405 (evaluation step), the maximum wiring amount and the necessary wiring amount described in the first embodiment are counted, and the necessary wiring amount / maximum wiring amount is calculated as an evaluation function value. Then, the predetermined area is enlarged in steps S404 to S405 (rewiring area designating step) until the value becomes about 0.7 to 0.5. When the predetermined area is determined, the process proceeds to the subsequent step S406 (wiring grid width determining step), and the wiring grid width is changed. Also in the present embodiment, the wiring grid width to be changed is determined by multiplying the current wiring grid width by the reciprocal of the evaluation function value set to a value smaller than 1. In the next step S407, wiring and arrangement are executed again in this state. As a result, the wiring grid in the vicinity of the wiring affected by the crosstalk is increased, and as a result, the coupling capacitance is reduced, so that the crosstalk error can be locally solved without increasing the area of the semiconductor integrated circuit.

上述においては、所定の領域を決定してから配線グリッドを決定する方法を説明したが、配線グリッドを決定してから所定の領域を設定してもよい。これを図5のフローチャートに示す。図5のフローチャートでは、クロストークエラーの検証結果を確認するステップS503までは、図4のフローチャートにおけるステップS403までの工程と同じであるが、ステップS503にて、クロストークエラーが起きていると判定された場合に、領域指定を行わず、ステップS504(配線グリッド幅決定工程)でクロストークエラーが生じないような配線グリッド幅が決定される。そして、このステップS504にて配線グリッド幅が決定された後、この決定された配線グリッドを用いるクロストークの発生している所定の領域がステップS505(領域指定工程)で指定される。つまり、ステップS504では、クロストークエラーが起きている場所のカップリング容量を調べ、そのカップリング容量をどの程度まで減らせばクロストークエラーがなくなるかが計算され、そこから配線グリッド幅が決定される。そして、ステップS505にて、そのクロストークエラーが起きている所定の領域が設定される。ステップS505で領域指定された所定の領域に対して、次のステップS506(評価工程)では、第1の実施の形態と同様に、評価関数が算出され、この算出された評価関数が1より小さい範囲(所定の範囲)内に入っているかどうかにより、配線混雑の程度が判定される。ここで、一連のステップS505〜S506(再配線領域指定工程)により、評価関数が所定の範囲内に収まるまで、所定の領域を更に広げて新たな所定の領域を設定し、判定するという処理が繰り返される。そして、評価関数の値が所定の範囲内に収まったとき、ステップS507において再配線が行われる。このように、クロストークエラーをなくすカップリング容量を実現するために予め配線グリッド幅を決定し、この状態の下で再配線を実施して配線混雑を局所的に解消することにより、半導体集積回路の面積を増加することなく、必ずクロストークエラーが発生しなくなるだけの配線幅を確保して配線することができる。   In the above description, the method of determining the wiring grid after determining the predetermined area has been described. However, the predetermined area may be set after determining the wiring grid. This is shown in the flowchart of FIG. In the flowchart of FIG. 5, the process up to step S503 for confirming the verification result of the crosstalk error is the same as the process up to step S403 in the flowchart of FIG. 4, but it is determined in step S503 that a crosstalk error has occurred. In such a case, the area designation is not performed, and a wiring grid width that does not cause a crosstalk error is determined in step S504 (wiring grid width determination step). Then, after the wiring grid width is determined in step S504, a predetermined area where crosstalk using the determined wiring grid is generated is specified in step S505 (area specifying step). That is, in step S504, the coupling capacitance at the place where the crosstalk error occurs is checked, and the extent to which the crosstalk error is eliminated is calculated, and the wiring grid width is determined therefrom. . In step S505, a predetermined area where the crosstalk error has occurred is set. In the next step S506 (evaluation process) for the predetermined region designated in step S505, an evaluation function is calculated as in the first embodiment, and the calculated evaluation function is smaller than 1. The degree of wiring congestion is determined depending on whether or not it is within the range (predetermined range). Here, through a series of steps S505 to S506 (rewiring area designating step), the predetermined area is further expanded and a new predetermined area is set and judged until the evaluation function falls within the predetermined range. Repeated. When the value of the evaluation function falls within the predetermined range, rewiring is performed in step S507. In this way, the wiring grid width is determined in advance in order to realize a coupling capacity that eliminates the crosstalk error, and rewiring is performed under this state to locally eliminate wiring congestion, thereby providing a semiconductor integrated circuit. Without increasing the area, it is possible to secure the wiring width so that the crosstalk error does not occur without fail.

(第3の実施の形態)
次に、本実施の形態においては、タイミングエラーを起こしているレイアウトに対して、配線混雑を解消するために配線グリッドを変更する配線の方法を適用する場合を、図6のフローチャートを用いて説明する。
(Third embodiment)
Next, in the present embodiment, a case where a wiring method for changing a wiring grid in order to eliminate wiring congestion is applied to a layout causing a timing error will be described with reference to the flowchart of FIG. To do.

図6のフローチャートでは、ステップS601の配置・配線工程、ステップS602のクロストーク検証を含むタイミング検証を行う工程及びクロストーク検証の結果からクロストークエラーの有無を判定するS603の工程までは、図4に示したフローチャートと同じであるが、ステップS603にてタイミングエラーがあると判定された場合に、配線グリッド幅を変更するための領域を変更するための工程に移るのではなく、負荷容量の大きい配線の選択を行うステップS604へ移行する工程においてのみ、図4のフローチャートと異なる。   In the flowchart of FIG. 6, the arrangement and wiring process in step S601, the process of performing timing verification including crosstalk verification in step S602, and the process of S603 for determining the presence / absence of a crosstalk error from the crosstalk verification result are shown in FIG. However, when it is determined in step S603 that there is a timing error, the process does not move to a process for changing the area for changing the wiring grid width, but the load capacity is large. 4 is different from the flowchart of FIG. 4 only in the process of moving to step S604 for selecting wiring.

タイミングエラーが生じているレイアウトでは、最小スペース幅のまま最長配線が行われ、これによりサイドカップリング容量が大きくなり、負荷容量が大きくなることが原因で、各セルの遅延が増大し、タイミングエラーが生じやすい状態となっている。   In a layout where a timing error occurs, the longest wiring is performed with the minimum space width, which increases the side coupling capacity and increases the load capacity. Is prone to occur.

ステップS601にて配置・配線を実施したのち、ステップS602でタイミング検証(STA)を実施し、その結果をステップS603にて確認する。この一連のステップS602〜S603(再配線検証工程)にて配線に基づくタイミングエラーが発生していると判定された場合は、次のステップS604において、負荷容量が大きいためにタイミングエラーを引き起こしている配線が選択される。続いて、ステップS605(領域指定工程)にて、そのタイミングエラーが生じている領域を含む所定の領域が指定される。次のステップS606(評価工程)では、第1の実施の形態で説明した最大配線量と必要配線量とが数えられ、同様に、必要配線量/最大配線量が評価関数とされる。そして、その値が0.7〜0.5ほどの所定の範囲になるように一連のステップS605〜S606(再配線領域指定工程)の繰り返し処理にて所定の領域が拡大される。所定の領域が確定したら、ステップS607(配線グリッド幅決定工程)へ移行し、配線グリッドの変更が行われる。本実施の形態においても、1より小さい値とした評価関数値の逆数を現在の配線グリッド数に掛けることで変更する配線グリッド幅が決定される。次のステップS608では、この状態で再度配線及び配置が実行される。これにより、負荷容量を低減することで各セルの遅延値が下がり、タイミングエラーを修正することができる。   After placement and wiring in step S601, timing verification (STA) is performed in step S602, and the result is confirmed in step S603. If it is determined in this series of steps S602 to S603 (rewiring verification process) that a timing error based on wiring has occurred, a timing error is caused in the next step S604 because the load capacity is large. A wiring is selected. Subsequently, in step S605 (area specifying step), a predetermined area including the area where the timing error has occurred is specified. In the next step S606 (evaluation step), the maximum wiring amount and the necessary wiring amount described in the first embodiment are counted, and similarly, the necessary wiring amount / maximum wiring amount is used as an evaluation function. Then, the predetermined area is enlarged by repeating the series of steps S605 to S606 (rewiring area specifying step) so that the value falls within a predetermined range of about 0.7 to 0.5. When the predetermined area is determined, the process proceeds to step S607 (wiring grid width determination step), and the wiring grid is changed. Also in this embodiment, the wiring grid width to be changed is determined by multiplying the current number of wiring grids by the reciprocal of the evaluation function value set to a value smaller than 1. In the next step S608, wiring and placement are executed again in this state. Thereby, by reducing the load capacity, the delay value of each cell is lowered, and the timing error can be corrected.

また、第2の実施の形態で説明したように、配線グリッドを決定してから所定の領域を設定してもよい。これを図7のフローチャートに示す。   Further, as described in the second embodiment, a predetermined region may be set after the wiring grid is determined. This is shown in the flowchart of FIG.

図7のフローチャートでは、タイミングエラーの検証結果を確認するステップS703までは、図6のフローチャートにおけるステップS603までの工程と同じであるが、一連のステップS702〜S703(再配線検証工程)において、タイミングエラーが起きていると判定された場合に、領域指定を行わず、ステップS704(配線グリッド幅決定工程)で配線グリッド幅を決定している。そして、このステップS704にて、どのくらい負荷容量を減らせばいいかが計算されて新たな配線グリッド幅が決定された後、ステップS705で負荷容量の大きい配線が選択される。ステップS706(領域指定工程)では、ステップS705で選択された負荷容量の大きい配線を含む所定の領域が設定される。ステップS707(評価工程)では、ステップS706にて範囲設定されたタイミングエラーが生じている所定の領域に対して、評価関数(必要配線量/最大配線量)を算出し、この評価関数の値が所定の範囲内に収まるまでステップS706〜S707(再配線領域指定工程)の処理を繰り返し、評価関数が所定の範囲内に収まったとき、このときの所定の領域と新たな配線グリッドとに基づいて再配線を行う。このように、予め配線グリッドを決定し、再配線を実施することにより、負荷容量を減らすことができ、タイミング改善を実現することが出来る。   In the flowchart of FIG. 7, the process up to step S703 for confirming the verification result of the timing error is the same as the process up to step S603 in the flowchart of FIG. 6, but in the series of steps S702 to S703 (rewiring verification process), If it is determined that an error has occurred, the area designation is not performed, and the wiring grid width is determined in step S704 (wiring grid width determination step). In step S704, the amount of load capacity to be reduced is calculated and a new wiring grid width is determined. Then, in step S705, a wiring having a large load capacity is selected. In step S706 (area specifying step), a predetermined area including the wiring having a large load capacity selected in step S705 is set. In step S707 (evaluation step), an evaluation function (necessary wiring amount / maximum wiring amount) is calculated for the predetermined region where the timing error set in step S706 has occurred, and the value of this evaluation function is calculated. The processes in steps S706 to S707 (rewiring area specifying step) are repeated until the evaluation function falls within the predetermined range until the evaluation function falls within the predetermined range, based on the predetermined area and the new wiring grid. Perform rewiring. Thus, by determining the wiring grid in advance and performing rewiring, the load capacity can be reduced and the timing can be improved.

(第4の実施の形態)
上記実施の形態では、配置・配線を実施した後、クロストークやタイミング等の各種検証を実施し、その結果に問題があれば対応するという方法をとってきた。本実施の形態では、予めクロストーク、タイミングに対する予防策として適用する配線の方法を図8のフローチャートを用いて説明する。
(Fourth embodiment)
In the above embodiment, after placement and wiring, various verifications such as crosstalk and timing are performed, and if there is a problem in the result, a method has been adopted. In this embodiment, a wiring method that is applied in advance as a precaution against crosstalk and timing will be described with reference to the flowchart of FIG.

図8では、先ず、ステップS801にて配線層全体の配線グリッドを一律に最小幅より大きくする。一律に配線グリッド幅を大きくすることで、サイドカップリング容量を減らし、クロストーク、タイミングのエラーが起こりにくいようにする。しかし、一律配線グリッドを大きくした場合、配線リソースが減ってしまうので、配線混雑が起こる可能性が大きい。したがって、配線混雑が起きている領域のみ、配線グリッドを小さくするか最小グリッドに戻すことによって配線リソースを確保し、配線混雑を解決しなければならない。ステップS801以降は、第1の実施の形態において図2に示したフローチャートと同様であるが、図2では、ステップS203にて配線グリッド幅が広くなるよう領域を広げる領域指定を行うことにより配線混雑を解消したのに対して、本実施の形態では、逆に、配線グリッド幅を、元の基準配線グリッド幅に戻すか又は狭くすることにより配線リソースを確保し、これにより配線混雑の解消を図る点において、第1の実施の形態とは異なる。   In FIG. 8, first, in step S801, the wiring grid of the entire wiring layer is uniformly made larger than the minimum width. By uniformly increasing the wiring grid width, the side coupling capacitance is reduced and crosstalk and timing errors are less likely to occur. However, when the uniform wiring grid is increased, the wiring resources are reduced, so there is a high possibility that wiring congestion will occur. Therefore, only in the area where the wiring congestion occurs, it is necessary to secure the wiring resources by reducing the wiring grid or returning to the minimum grid to solve the wiring congestion. Step S801 and subsequent steps are the same as those in the flowchart shown in FIG. 2 in the first embodiment, but in FIG. 2, wiring congestion is performed by specifying a region to widen the wiring grid width in step S203. On the other hand, in the present embodiment, the wiring grid width is restored to the original reference wiring grid width or narrowed to secure wiring resources, thereby eliminating wiring congestion. This is different from the first embodiment.

すなわち、先ず、ステップS801(一律配線グリッド変更工程)にて全体の基準配線グリッドを所定間隔の配線グリッドへ一律に大きくして、この広くなった所定間隔の配線グリッドに対してステップS802にて配置・配線が実施される。その結果、ステップS803(再配線検証工程)にて配線混雑が起きており、再配線の必要があるという検証結果が出された場合、ステップS804(領域指定工程)にて、その配線混雑が起きている領域を含むさらに広い領域が指定される。そして、次のステップS805(評価工程)にて、第1の実施の形態で説明した最大配線量と必要配線量とを数え、同様に評価関数の値を算出すると共に、算出された評価関数の値が配線混雑の生じない所定の範囲にあるかどうか、すなわち、本実施の形態では、値1を超えている(所定の範囲)かどうかを判定する。この一連のステップS804〜S805においては、評価関数の値が1を超えていても、配線グリッド幅を小さくした場合、評価関数の値が1より小さくなるような領域が選択される。そして、配線混雑が発生しており且つ配線グリッド幅を小さくすることにより評価関数の値が1より小さくなるような領域、すなわち、配線混雑が解消される領域が選択されたとき、続くステップS806(配線グリッド幅決定工程)にて、実際に小さくする新たな配線グリッド幅が決定される。そして、これにより、配線混雑が生じている領域に対して局所的に配線リソースを確保することができ、次のステップS807にて再配線が行われる。このようにすることで、配線層内のほとんどの領域で配線グリッドの間隔を広げた効果、すなわち、サイドカップリング容量を低減させる効果を得ることができると共に、半導体集積回路の面積を拡張することなく、配線混雑のために配線リソースが必要な領域だけ配線グリッドを小さくしてレイアウトすることができる。   That is, first, in step S801 (uniform wiring grid changing step), the entire reference wiring grid is uniformly enlarged to a wiring grid having a predetermined interval, and the widened wiring grid having a predetermined interval is arranged in step S802.・ Wiring is performed. As a result, wiring congestion has occurred in step S803 (rewiring verification process), and if a verification result indicating that rewiring is necessary is issued, the wiring congestion has occurred in step S804 (area designation process). A wider area is specified, including the current area. In the next step S805 (evaluation process), the maximum wiring amount and the necessary wiring amount described in the first embodiment are counted, and the value of the evaluation function is calculated in the same manner. It is determined whether or not the value is in a predetermined range where no wiring congestion occurs, that is, in this embodiment, whether or not the value exceeds 1 (predetermined range). In the series of steps S804 to S805, even if the value of the evaluation function exceeds 1, when the wiring grid width is reduced, an area where the value of the evaluation function is smaller than 1 is selected. When a region where wiring congestion has occurred and the value of the evaluation function becomes smaller than 1 by reducing the wiring grid width, that is, a region where wiring congestion is eliminated is selected, the following step S806 ( In the wiring grid width determination step), a new wiring grid width to be actually reduced is determined. As a result, a wiring resource can be secured locally in a region where wiring congestion occurs, and rewiring is performed in the next step S807. By doing this, it is possible to obtain the effect of widening the spacing of the wiring grids in almost all regions in the wiring layer, that is, the effect of reducing the side coupling capacitance, and to expand the area of the semiconductor integrated circuit. In addition, the wiring grid can be laid out in a small area only in an area where wiring resources are required due to wiring congestion.

(第5の実施の形態)
これまで説明してきた実施の形態では、配線グリッドを変更した領域と元の配線グリッドの領域との境界には何も考慮していなかった。しかし、最小限の配線修正を行う場合、例えば元の配線グリッドの領域の配線を動かさずに、変更した配線グリッドの領域だけ配線を修正するような場合、双方の領域間の配線を接続するための領域が必要となる。この接続領域を設けた例を図9に示す。
(Fifth embodiment)
In the embodiments described so far, no consideration is given to the boundary between the area where the wiring grid is changed and the area of the original wiring grid. However, when performing the minimum wiring correction, for example, when the wiring is corrected only in the changed wiring grid area without moving the wiring in the original wiring grid area, the wiring between both areas is connected. Area is required. An example in which this connection region is provided is shown in FIG.

元の配線Wが配線層全体について設定された基準配線グリッドに基づいて、図9(a)のようになっていた場合、図9(b)のように、先ず、新しい配線グリッドの領域10を設定する。そして、配線方向が縦方向の場合、縦方向の配線Wが連続しているところを探す。図9(b)の場合では3本存在する。本実施の形態では、この数から1を引いた数のグリッド分だけ、接続領域として設定する。   When the original wiring W is as shown in FIG. 9A based on the reference wiring grid set for the entire wiring layer, first, as shown in FIG. Set. When the wiring direction is the vertical direction, a search is made for a place where the vertical wiring W is continuous. In the case of FIG. 9B, there are three. In the present embodiment, the number of grids obtained by subtracting 1 from this number is set as the connection area.

図9(c)では点線部分の領域20と新しい配線グリッドの領域10との間の領域が接続領域であり、3から1を引いた2グリッド分の幅の領域が示されている。この例では接続領域として元の配線グリッド領域を設定したが、新しい配線グリッドの領域を広げて接続領域としてもよい。また接続領域においては、必ず配線グリッドを通る必要はなく、必要ならば元の配線グリッド領域の配線、新しい配線グリッド領域の配線の延長でも引けるものとする。このようにして設定した接続領域において、境界の配線Wをそれぞれの配線方向と直交する方向の接続配線W1により接続する。   In FIG. 9C, a region between the dotted line region 20 and the new wiring grid region 10 is a connection region, and a region having a width of 2 grids obtained by subtracting 1 from 3 is shown. In this example, the original wiring grid area is set as the connection area, but the area of the new wiring grid may be expanded to be the connection area. In the connection area, it is not always necessary to pass through the wiring grid, and if necessary, the wiring in the original wiring grid area and the wiring in the new wiring grid area can be extended. In the connection region thus set, the boundary wiring W is connected by the connection wiring W1 in a direction orthogonal to the respective wiring directions.

図9(d)では上記の連続する3本の配線Wが接続領域で折り曲げられて接続されている。3本の配線のうちの1本は、領域10と全体の基準配線グリッド領域との境界線上にて接続配線W1を用いて接続され、残りの2本は、接続領域内における水平方向の2本の配線リソースを用いて接続配線W1にて接続される。しかし、このように、連続する配線Wのかたまりが複数存在し、それらの間隔が十分でないときは接続領域をさらに広げて設定したほうがよい。   In FIG. 9D, the three continuous wirings W are bent and connected in the connection region. One of the three wirings is connected using the connection wiring W1 on the boundary line between the region 10 and the entire reference wiring grid region, and the remaining two are connected in the horizontal direction within the connection region. Are connected by the connection wiring W1. However, in this way, when there are a plurality of clusters of continuous wiring W and the interval between them is not sufficient, it is better to set the connection area further wide.

図9では、接続領域で配線グリッドを使用した接続配線W1を用いて接続する例を示したが、必ずしも配線グリッド上の配線で接続する必要はない。例えば斜め配線で接続する例を図10に示す。   Although FIG. 9 shows an example of connection using the connection wiring W1 using the wiring grid in the connection region, the connection on the wiring grid is not necessarily required. For example, FIG. 10 shows an example of connection by oblique wiring.

図10(a)に示す元の配線Wは図9(a)と同じであり、また、新しい配線グリッドの領域10を決定する図10(b)と接続領域を設定する図10(c)までは図9と変わらないが、この図10では、元の配線グリッド上の配線Wと新しい配線グリッド上の配線Wとを接続するときに、斜め配線W2が使用されている。グリッド幅、最小スペーシング幅にも影響を受けるが、図9のようにグリッド上の配線W1を用いて接続するより、少ない領域で接続できる可能性がある。少ない領域で接続できるということは、元の配線Wから変更が少ないということなので、特に元の配線Wを極力動かしたくない場合に有効となる。   The original wiring W shown in FIG. 10 (a) is the same as FIG. 9 (a). Further, FIG. 10 (b) for determining a new wiring grid area 10 and FIG. 10 (c) for setting a connection area. 9 is the same as FIG. 9, but in FIG. 10, when the wiring W on the original wiring grid is connected to the wiring W on the new wiring grid, the diagonal wiring W2 is used. Although affected by the grid width and the minimum spacing width, there is a possibility that the connection can be made in a smaller area than the connection using the wiring W1 on the grid as shown in FIG. The fact that the connection can be made in a small area means that there is little change from the original wiring W, which is particularly effective when it is not desired to move the original wiring W as much as possible.

(第6の実施の形態)
次に、元の配線グリッド領域と新しい配線グリッド領域との境界のコンタクト可能箇所について説明する。図11(a)に示すように新しい配線グリッド領域10を設定した場合、領域30を拡大した図11(b)に示すX印の箇所において、上下の配線層へのコンタクトが発生する可能性がある。この場合、場所によってはコンタクトを形成した時点でその配線層の最小スペーシング幅ルールを満たさないことがある。このようなコンタクトによる最小スペーシング幅エラーを起こさないために、図11(c)、図11(d)に示すように、元の配線グリッド領域と新しい配線グリッド領域10との境界ではコンタクト可能な箇所はどちらかの配線グリッド上のみにコンタクト可能箇所を統一する。最小グリッドはコンタクトを形成した時点で最小スペーシング幅エラーを起こさないように設定されるので、どちらかのグリッド上でのみコンタクト可能とすることで、少なくともコンタクトを形成した時点で最小スペーシング幅エラーが起こることが防げる。
(Sixth embodiment)
Next, contactable locations at the boundary between the original wiring grid area and the new wiring grid area will be described. When a new wiring grid area 10 is set as shown in FIG. 11 (a), there is a possibility that contacts to the upper and lower wiring layers may occur at the position indicated by X in FIG. is there. In this case, depending on the location, the minimum spacing width rule of the wiring layer may not be satisfied when the contact is formed. In order to prevent such a minimum spacing width error due to contact, contact is possible at the boundary between the original wiring grid region and the new wiring grid region 10 as shown in FIGS. 11 (c) and 11 (d). As for the location, the location where contact is possible only on one of the wiring grids is unified. Since the minimum grid is set so as not to cause a minimum spacing width error when the contact is formed, by making contact possible only on either grid, at least the minimum spacing width error at the time of forming the contact Can be prevented.

本発明にかかる半導体集積回路の配線方法及び半導体集積回路では、配線層内において、局所的に配線グリッド幅が他と異なる幅に変更されるので、面積を増加させることなく、局所的な配線混雑を解消することができ、また、クロストークやタイミングに関するエラーを解消することができるので、小面積化が重視されるような、例えばSOC等の高密度の半導体チップに有用である。   In the semiconductor integrated circuit wiring method and the semiconductor integrated circuit according to the present invention, the wiring grid width is locally changed to a different width from the others in the wiring layer, so that local wiring congestion can be achieved without increasing the area. In addition, it is possible to eliminate errors related to crosstalk and timing, which is useful for a high-density semiconductor chip such as an SOC in which reduction in area is important.

本発明の第1の実施の形態における異なる配線グリッド領域を含む配線層の構成図である。It is a block diagram of the wiring layer containing a different wiring grid area | region in the 1st Embodiment of this invention. 本発明の第1の実施の形態において配線混雑を解決する場合のフローチャート図である。It is a flowchart figure in the case of solving wiring congestion in the 1st Embodiment of this invention. 本発明の第1の実施の形態における必要配線量、最大配線量の説明図であって、(a)は縦方向配線の最大配線量の説明図、(b)は縦方向配線についての必要配線量の説明図、(c)は縦横方向配線についての必要配線量の説明図、(d)は横方向配線の最大配線量の説明図、(e)は横方向配線についての必要配線量の説明図、また、(f)は縦横方向配線についての必要配線量の説明図である。It is explanatory drawing of the required wiring amount in the 1st Embodiment of this invention, and maximum wiring amount, (a) is explanatory drawing of the maximum wiring amount of vertical wiring, (b) is required wiring about vertical wiring. (C) is an explanatory diagram of the required wiring amount for the vertical and horizontal wirings, (d) is an explanatory diagram of the maximum wiring amount of the horizontal wiring, and (e) is an explanatory diagram of the required wiring amount for the horizontal wiring. FIG. 4F is an explanatory diagram of the required wiring amount for vertical and horizontal wiring. 本発明の第2の実施の形態においてクロストークエラーを解決する場合のフローチャート図である。It is a flowchart figure in the case of solving a crosstalk error in the 2nd Embodiment of this invention. 本発明の第2の実施の形態においてクロストークエラーを解決する別の場合のフローチャート図である。It is a flowchart figure in another case which solves a crosstalk error in the 2nd Embodiment of this invention. 本発明の第3の実施の形態においてタイミングエラーを解決する場合のフローチャート図である。It is a flowchart figure in the case of solving a timing error in the 3rd Embodiment of this invention. 本発明の第3の実施の形態においてタイミングエラーを解決する別の場合のフローチャート図である。It is a flowchart figure in another case which solves a timing error in the 3rd Embodiment of this invention. 本発明の第4の実施の形態においてタイミングエラーおよびクロストークを予防する場合のフローチャート図である。It is a flowchart figure in the case of preventing a timing error and crosstalk in the 4th Embodiment of this invention. 本発明の第5の実施の形態における、接続領域の設定と接続配線の一例を示す図である。It is a figure which shows an example of the setting of a connection area | region, and connection wiring in the 5th Embodiment of this invention. 本発明の第5の実施の形態における、接続領域の設定と斜め配線を用いた接続配線の例を示す図である。It is a figure which shows the example of the connection wiring which used the setting of a connection area | region and the diagonal wiring in the 5th Embodiment of this invention. 本発明の第6の実施の形態における、元のグリッド領域と新しいグリッド領域の境界におけるコンタクト可能箇所の説明図である。It is explanatory drawing of the contact possible location in the boundary of the original grid area | region and a new grid area | region in the 6th Embodiment of this invention.

符号の説明Explanation of symbols

10、11、12 新しい配線グリッド領域(所定の領域)
13 元の配線グリッド幅(基準配線グリッド)
14 新たな配線グリッド幅
20 接続領域を含む新しい配線グリッド領域
30 コンタクト領域
S202、S402、S403
、S502、S503、S602
、S603、S702、S703
、S803 再配線検証工程
S203、S404、S505
、S605、S706、S804 領域指定工程
S204、S405、S506
、S606、S707、S805 評価工程
S205、S406、S504
、S607、S704、S806 配線グリッド幅決定工程
S206、S407、S507
、S608、S708、S807 再配置・配線工程
W 配線
W1 接続配線
W2 斜めの接続配線
10, 11, 12 New wiring grid area (predetermined area)
13 Original wiring grid width (reference wiring grid)
14 New wiring grid width 20 New wiring grid area 30 including connection area Contact areas S202, S402, S403
, S502, S503, S602
, S603, S702, S703
, S803 Rewiring verification step S203, S404, S505
, S605, S706, S804 Area designation steps S204, S405, S506
, S606, S707, S805 Evaluation steps S205, S406, S504
, S607, S704, S806 Wiring grid width determination step S206, S407, S507
, S608, S708, S807 Rearrangement / wiring process W Wiring W1 Connecting wiring W2 Diagonal connecting wiring

Claims (14)

複数種類のピッチの配線グリッドを用いて設計される、複数の回路ブロックからなる半導体集積回路の配線方法において、
配置及び配線を行った前記半導体集積回路内のエラーによる再配線の必要性の有無を検証する再配線検証工程と、
前記再配線検証工程にて得られた検証結果により再配線が必要な領域を含む所定の領域を指定すると共に、前記所定の領域についての配線数に基づく値と配線リソース数に基づく値との比率を算出する再配線領域指定工程と、
前記再配線領域指定工程により算出された前記比率に基づいて、配線層全体に設定された基準配線グリッドとは異なる新たな配線グリッドを決定する配線グリッド幅決定工程とを含む
ことを特徴とする半導体集積回路の配線方法。
In a wiring method of a semiconductor integrated circuit composed of a plurality of circuit blocks designed using a wiring grid having a plurality of types of pitches,
A rewiring verification step for verifying the necessity of rewiring due to an error in the semiconductor integrated circuit that has been placed and wired; and
A predetermined area including an area requiring rewiring is specified based on the verification result obtained in the rewiring verification step, and a ratio between a value based on the number of wirings and a value based on the number of wiring resources for the predetermined area A rewiring area designating process for calculating
A wiring grid width determining step for determining a new wiring grid different from the reference wiring grid set for the entire wiring layer based on the ratio calculated by the rewiring area designating step. Integrated circuit wiring method.
請求項1記載の半導体集積回路の配線方法において、
前記再配線領域指定工程は、
前記再配線検証工程にて得られた前記検証結果により前記再配線が必要な領域を含む所定の領域を指定する領域指定工程と、
前記領域指定工程により指定された前記所定の領域について、前記配線数の関数の、前記配線リソース数の関数に対する比に基づく評価値を算出し、算出した前記評価値が所定の範囲内にあるか否かを判定し、前記所定の範囲内にない場合は前記領域指定工程の処理に戻す評価工程とを備え、
前記領域指定工程は、前記評価工程から処理を戻されたとき、前記評価工程による判定後の前記所定の領域を含み、且つ拡張した新たな所定の領域を指定し、
前記配線グリッド幅決定工程は、前記評価工程における判定により、前記評価値が前記所定の範囲内にあると判定された場合に、前記評価値に基づいて前記新たな所定の領域に設定する前記新たな配線グリッドを決定する
ことを特徴とする半導体集積回路の配線方法。
The wiring method for a semiconductor integrated circuit according to claim 1,
The rewiring area designation step includes:
An area designating step for designating a predetermined area including an area where the rewiring is necessary according to the verification result obtained in the rewiring verification process;
For the predetermined area specified in the area specifying step, an evaluation value based on a ratio of the function of the number of wirings to the function of the number of wiring resources is calculated, and whether the calculated evaluation value is within a predetermined range An evaluation step of determining whether or not to return to the processing of the region designation step if not within the predetermined range,
The area designating step designates a new predetermined area that includes the predetermined area after the determination by the evaluation process and is expanded when the process is returned from the evaluation process,
The wiring grid width determination step sets the new predetermined region based on the evaluation value when the evaluation value is determined to be within the predetermined range by the determination in the evaluation step. A wiring method for a semiconductor integrated circuit, characterized in that an appropriate wiring grid is determined.
請求項2記載の半導体集積回路の配線方法において、
前記再配線検証工程は配線混雑による再配線の必要性の有無を検証し、
前記領域指定工程は、前記再配線検証工程にて得られた前記検証結果により配線混雑の生じている領域を含む領域を前記所定の領域として指定する
ことを特徴とする半導体集積回路の配線方法。
In the wiring method of the semiconductor integrated circuit according to claim 2,
The rewiring verification process verifies the necessity of rewiring due to wiring congestion,
The wiring method for a semiconductor integrated circuit, wherein in the region designating step, a region including a region where wiring congestion is caused by the verification result obtained in the rewiring verification step is designated as the predetermined region.
請求項2記載の半導体集積回路の配線方法において、
前記再配線検証工程はクロストークによる再配線の必要性の有無を検証し、
前記領域指定工程は、前記再配線検証工程にて得られた前記検証結果によりクロストークの生じている領域を含む領域を前記所定の領域として指定する
ことを特徴とする半導体集積回路の配線方法。
In the wiring method of the semiconductor integrated circuit according to claim 2,
The rewiring verification step verifies the necessity of rewiring due to crosstalk,
The wiring method for a semiconductor integrated circuit, wherein in the region designating step, a region including a region where crosstalk is generated is designated as the predetermined region based on the verification result obtained in the rewiring verification step.
請求項2記載の半導体集積回路の配線方法において、
前記再配線検証工程はタイミングエラーによる再配線の必要性の有無を検証し、
前記領域指定工程は、前記再配線検証工程にて得られた前記検証結果によりタイミングエラーの生じている領域を含む領域を前記所定の領域として指定する
ことを特徴とする半導体集積回路の配線方法。
In the wiring method of the semiconductor integrated circuit according to claim 2,
The rewiring verification process verifies the necessity of rewiring due to a timing error,
The wiring method for a semiconductor integrated circuit, wherein the region designating step designates a region including a region where a timing error has occurred based on the verification result obtained in the rewiring verification step as the predetermined region.
複数種類のピッチの配線グリッドを用いて設計される、複数の回路ブロックからなる半導体集積回路の配線方法において、
配置及び配線を行った前記半導体集積回路内のエラーによる再配線の必要性の有無を検証する再配線検証工程と、
前記再配線検証工程により得られた前記エラーを解消する新たな配線グリッドを決定する配線グリッド幅決定工程と、
前記再配線検証工程にて得られた検証結果により再配線が必要な領域を含む所定の領域を指定する領域指定工程と、
前記領域指定工程により指定された前記所定の領域について、配線数の関数の、配線リソース数の関数に対する比に基づく評価値を算出し、算出した前記評価値が所定の範囲内にあるか否かを判定し、前記所定の範囲内にない場合は前記領域指定工程の処理に戻し、また、前記所定の範囲内にある場合は前記所定の領域を確定する評価工程とを含み、
前記領域指定工程は、前記評価工程から処理を戻されたとき、前記評価工程による判定後の前記所定の領域を含み、且つ拡張した新たな所定の領域を指定する
ことを特徴とする半導体集積回路の配線方法。
In a wiring method of a semiconductor integrated circuit composed of a plurality of circuit blocks designed using a wiring grid having a plurality of types of pitches,
A rewiring verification step for verifying the necessity of rewiring due to an error in the semiconductor integrated circuit that has been placed and wired; and
A wiring grid width determining step for determining a new wiring grid that eliminates the error obtained by the rewiring verification step;
An area designating step for designating a predetermined area including an area that requires rewiring according to the verification result obtained in the rewiring verification process;
An evaluation value based on a ratio of a function of the number of wirings to a function of the number of wiring resources is calculated for the predetermined region specified in the region specifying step, and whether or not the calculated evaluation value is within a predetermined range And if not within the predetermined range, return to the processing of the region designation step, and if within the predetermined range, including an evaluation step to determine the predetermined region,
The area designating step designates a new predetermined area that includes the predetermined area after the determination by the evaluation process and is expanded when the process is returned from the evaluation process. Wiring method.
請求項6記載の半導体集積回路の配線方法において、
前記再配線検証工程はクロストークによる再配線の必要性の有無を検証し、
前記領域指定工程は、前記再配線検証工程にて得られた検証結果によりクロストークの生じている領域を含む領域を前記所定の領域として指定する
ことを特徴とする半導体集積回路の配線方法。
The wiring method of a semiconductor integrated circuit according to claim 6,
The rewiring verification step verifies the necessity of rewiring due to crosstalk,
The method of wiring a semiconductor integrated circuit, wherein, in the region designating step, a region including a region where crosstalk has occurred is designated as the predetermined region based on a verification result obtained in the rewiring verification step.
請求項6記載の半導体集積回路の配線方法において、
前記再配線検証工程はタイミングエラーによる再配線の必要性の有無を検証し、
前記領域指定工程は、前記再配線検証工程にて得られた検証結果によりタイミングエラーの生じている領域を含む領域を前記所定の領域として指定する
ことを特徴とする半導体集積回路の配線方法。
The wiring method of a semiconductor integrated circuit according to claim 6,
The rewiring verification process verifies the necessity of rewiring due to a timing error,
The wiring method for a semiconductor integrated circuit, wherein the region designating step designates a region including a region where a timing error has occurred as a result of the verification result obtained in the rewiring verification step.
複数種類のピッチの配線グリッドを用いて設計される、複数の回路ブロックからなる半導体集積回路の配線方法において、
配線層全体に設定された基準配線グリッドを所定ピッチの配線グリッドへ一律に変更する一律配線グリッド変更工程と、
前記一律配線グリッド変更工程により変更された前記所定ピッチの配線グリッドに基づいて配置及び配線が行われた後の前記半導体集積回路について、配線混雑による再配線の必要性の有無を検証する再配線検証工程と、
前記再配線検証工程にて得られた検証結果により再配線が必要な領域を含む所定の領域を指定すると共に、前記所定の領域についての配線数に基づく値と配線リソース数に基づく値との比率を算出する再配線領域指定工程と、
前記再配線領域指定工程により算出された前記比率に基づいて、前記所定ピッチの配線グリッドとは異なる新たな配線グリッドを決定する配線グリッド幅決定工程とを含む
ことを特徴とする半導体集積回路の配線方法。
In a wiring method of a semiconductor integrated circuit composed of a plurality of circuit blocks designed using a wiring grid having a plurality of types of pitches,
A uniform wiring grid changing step for uniformly changing the reference wiring grid set for the entire wiring layer to a wiring grid of a predetermined pitch;
Rewiring verification for verifying the necessity of rewiring due to wiring congestion with respect to the semiconductor integrated circuit after being placed and wired based on the wiring grid of the predetermined pitch changed in the uniform wiring grid changing step Process,
A predetermined area including an area requiring rewiring is specified based on the verification result obtained in the rewiring verification step, and a ratio between a value based on the number of wirings and a value based on the number of wiring resources for the predetermined area A rewiring area designating process for calculating
A wiring grid width determining step of determining a new wiring grid different from the wiring grid of the predetermined pitch based on the ratio calculated by the rewiring region specifying step. Method.
請求項9記載の半導体集積回路の配線方法において、
前記再配線領域指定工程は、
前記再配線検証工程にて得られた前記検証結果により再配線が必要な領域を含む前記所定の領域を指定する領域指定工程と、
前記領域指定工程により指定された前記所定の領域について、前記配線数の関数の、前記配線リソース数の関数に対する比に基づく評価値を算出し、算出した前記評価値が所定の範囲内にあるか否かを判定し、前記所定の範囲内にない場合は前記領域指定工程の処理に戻す評価工程とを備え、
前記領域指定工程は、前記評価工程から処理を戻されたとき、前記評価工程による判定後の前記所定の領域を含み、且つ拡張した新たな所定の領域を指定し、
前記配線グリッド幅決定工程は、前記評価工程における判定により、前記評価値が前記所定の範囲内にあると判定された場合に、前記評価値に基づいて前記所定の領域に設定する新たな配線グリッドを決定する
ことを特徴とする半導体集積回路の配線方法。
In the wiring method of the semiconductor integrated circuit according to claim 9,
The rewiring area designation step includes:
A region designating step for designating the predetermined region including a region requiring rewiring according to the verification result obtained in the rewiring verification step;
For the predetermined area specified in the area specifying step, an evaluation value based on a ratio of the function of the number of wirings to the function of the number of wiring resources is calculated, and whether the calculated evaluation value is within a predetermined range An evaluation step of determining whether or not to return to the processing of the region designation step if not within the predetermined range,
The area designating step designates a new predetermined area that includes the predetermined area after the determination by the evaluation process and is expanded when the process is returned from the evaluation process,
In the wiring grid width determination step, a new wiring grid that is set in the predetermined region based on the evaluation value when the evaluation value is determined to be within the predetermined range by the determination in the evaluation step. A wiring method for a semiconductor integrated circuit, characterized in that:
複数の回路ブロックからなる半導体集積回路において、
前記複数の回路ブロックは、互いに異なるピッチを用いてそれぞれ配線された複数の領域を備えた回路ブロックを少なくとも1つ含む
ことを特徴とする半導体集積回路。
In a semiconductor integrated circuit composed of a plurality of circuit blocks,
The plurality of circuit blocks include at least one circuit block including a plurality of regions respectively wired with different pitches.
請求項11記載の半導体集積回路において、
前記複数の領域を備えた回路ブロックは、前記複数の領域のうち、互いに隣接する領域同士の境界線を含み、且つ、前記異なるピッチの配線同士を接続する接続配線を有する接続領域を備える
ことを特徴とする半導体集積回路。
The semiconductor integrated circuit according to claim 11, wherein
The circuit block including the plurality of regions includes a connection region including a boundary line between adjacent regions among the plurality of regions and having a connection wiring that connects the wirings having different pitches. A semiconductor integrated circuit.
請求項12記載の半導体集積回路において、
前記接続配線は、斜め配線を含む
ことを特徴とする半導体集積回路。
The semiconductor integrated circuit according to claim 12, wherein
The connection wiring includes oblique wiring. A semiconductor integrated circuit, wherein:
請求項11記載の半導体集積回路において、
前記複数の領域のうち、互いに隣接する領域同士の境界線は、前記互いに隣接する領域のそれぞれが有する前記異なるピッチの配線の何れか一方の上のみにコンタクトを備える
ことを特徴とする半導体集積回路。
The semiconductor integrated circuit according to claim 11, wherein
Of the plurality of regions, a boundary line between adjacent regions includes a contact only on any one of the wirings having different pitches in each of the adjacent regions. .
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