JP2006195901A - Semiconductor device - Google Patents

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Takayuki Tanaka
崇之 田中
Tetsuro Yoshimoto
哲朗 吉本
Yoshinori Mizushima
美紀 水嶋
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Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a memory card with a contactless communication function which can perform contactless communication stably in any power supply state of a power source for a memory card, in the memory card with the contactless communication function having a plurality of interfaces such as a communication circuit for a memory card of a usual memory card, a contactless communication circuit, and the like. <P>SOLUTION: A system selection circuit 109 selects a system from systems stored in a system storing section 108 based on the detection result of a power source voltage sensor 106 for a memory card and a contactless communication power source voltage sensor 107. A VCO 110 is controlled in oscillation and stop according to the selected system. A clock selection/reset generation circuit 111 generates reset according to the selected system to each of a CPU 114, a flash controller 113 and an encryption circuit 112 for contactless communication and selects either of a clock supplied from the contactless communication circuit 105 or a clock supplied from the VCO 110. <P>COPYRIGHT: (C)2006,JPO&NCIPI

Description

この発明は、半導体装置、特に非接触ICカードに関するものであり、非接触通信回路に加え、通常のメモリカードが持つ有線方式のメモリカード用通信回路など複数のインターフェースを設けることで、非接触通信機能付きメモリカードの改良を図ったものに関する。   The present invention relates to a semiconductor device, and more particularly to a non-contact IC card. In addition to a non-contact communication circuit, a non-contact communication is provided by providing a plurality of interfaces such as a wired memory card communication circuit of a normal memory card. It relates to the improvement of the memory card with function.

近年、鉄道・交通系アプリケーションのほか、電子マネー・電子チケット・会員証・公共交通機関の改札や、レジでの支払いなどにおいて非接触通信技術による非接触ICカードが広く用いられている。非接触ICカードは財布やパスケース等からカードを取り出すことなくカードリーダーにかざしたりタッチするだけで、非接触通信(無線通信)により認証、決済ができる(例えば、特許文献1参照)。その形状もカード形状のものやカートリッジ形状、機器形状がある。   In recent years, in addition to railway / transportation applications, contactless IC cards based on contactless communication technology have been widely used in electronic money, electronic tickets, membership cards, ticket gates for public transportation, payment at cash registers, and the like. A non-contact IC card can be authenticated and settled by non-contact communication (wireless communication) simply by holding or touching the card reader without taking out the card from a wallet, pass case or the like (see, for example, Patent Document 1). There are card shapes, cartridge shapes, and device shapes.

カード形状は非接触ICカードそれ自体である。カートリッジ形状は非接触ICカード用LSIのカートリッジであり、他の装置に装着される場合である。機器形状はアンテナを携帯電話機に埋め込んだ非接触ICカード機能付き携帯電話機などの機器自体の場合である。
ところで、非接触ICカードでは、データ容量が小さい、カード形状であるためにカード内部へのデータアクセスに専用の端末が必要で利便性が悪い、などの欠点があった。
これに対し、非接触ICカード機能付き携帯電話機では、非接触ICカードの欠点であったカード内部の情報を携帯電話機画面に呼び出せるなどの利点がある。その反面、カード内部情報へのアクセス中は非接触通信ができない、携帯電話機からの電力供給がないと非接触通信が行えない、という課題があった。
The card shape is a non-contact IC card itself. The cartridge shape is an LSI cartridge for a non-contact IC card and is mounted in another device. The device shape is the case of a device itself such as a mobile phone with a non-contact IC card function in which an antenna is embedded in a mobile phone.
By the way, the non-contact IC card has drawbacks such as a small data capacity and a card shape, which requires a dedicated terminal for data access to the inside of the card and is not convenient.
On the other hand, the mobile phone with a non-contact IC card function has an advantage that information inside the card, which has been a drawback of the non-contact IC card, can be called on the mobile phone screen. On the other hand, there is a problem that contactless communication cannot be performed while accessing the card internal information, and contactless communication cannot be performed without power supply from the mobile phone.

一方、非接触ICカード機能を搭載したメモリカードという形態がある。このメモリカードは非接触ICカードとして単体で動作し、メモリカードのもつ大容量フラッシュメモリを利用できる。またメモリカードが装着される機器、例えば携帯電話機などでカード内部のデータアクセスが可能となるため従来の非接触ICカードの欠点を解決することができる。
特開2003−36427号公報(第4頁 図1,図2)
On the other hand, there is a form of a memory card equipped with a non-contact IC card function. This memory card operates alone as a non-contact IC card, and the large-capacity flash memory of the memory card can be used. In addition, since the data inside the card can be accessed by a device to which the memory card is attached, such as a mobile phone, the disadvantages of the conventional contactless IC card can be solved.
Japanese Patent Laying-Open No. 2003-36427 (page 4, FIGS. 1 and 2)

このように、非接触通信を採用することで、カードをリーダやライタに近づけたり軽く接触したりするだけでカードの内容の読み書きが可能であり、読み書きの都度、カードをリーダやライタのスロットに挿入する手間を省くことができる。
しかしながら、非接触通信の場合、単にデータだけではなくメモリカードの電源やクロックも電波により送受信されるため、近づけ方が不十分であったり、電波の状況が悪いと動作が不安定になる。またメモリカードの電源やクロックの供給状態は、ホストからのアクセスがない場合には電源供給が停止するなど、非接触通信とは無関係に変化するため、非接触ICカードの通信を安定して行うことは困難であった。
In this way, by adopting non-contact communication, it is possible to read and write the contents of the card simply by bringing the card close to the reader or writer or touching it lightly, and the card is loaded into the slot of the reader or writer whenever it is read or written. The trouble of inserting can be saved.
However, in the case of non-contact communication, not only data but also the power and clock of the memory card are transmitted / received by radio waves, so that the operation becomes unstable if the approach is insufficient or the radio wave condition is bad. In addition, the power supply state of the memory card and the clock supply state change independently of non-contact communication, such as the power supply being stopped when there is no access from the host. It was difficult.

この発明は、上記のような従来のものの問題点を解決するためになされたもので、非接触通信機能を有するメモリカードにおいて、ホスト機器からの通信がいかなる状態であっても、安定した通信が可能な半導体装置を提供することにある。   The present invention has been made to solve the above-described conventional problems, and in a memory card having a non-contact communication function, stable communication is possible regardless of the state of communication from the host device. An object of the present invention is to provide a possible semiconductor device.

本願の請求項1の発明に係る半導体装置は、カード型の半導体装置であって、外部から接触通信にて電源供給を受け、データの送受信を行う接触通信部と、該第1の通信部から出力される、接触通信により供給される電源の状態を検知する第1の電源状態検知部と、外部から非接触通信にて電源およびクロック信号の供給を受け、データの送受信を行う非接触通信部と、該第2の通信部から出力される、非接触通信により供給される電源の状態を検知する第2の電源状態検知部と、電源供給の状態に応じたクロック信号およびリセット信号の制御方法(以下、方式と称す)を複数格納した方式格納部と、前記第1の電源状態検知部および前記第2の電源状態検知部の検知結果に応じて、前記方式格納部に格納されている複数の方式の中から一つを選択する方式選択部と、前記接触通信部より電力供給を受けクロック信号を発振する発振部と、前記方式選択部が選択した方式に従い、前記第2の通信部から供給されるクロック信号と前記発振部から供給されるクロック信号のいずれかを選択し、リセット信号を生成するクロック選択/リセット生成部とを備えたことを特徴とするものである。   A semiconductor device according to claim 1 of the present application is a card-type semiconductor device, which receives power supply from the outside by contact communication and transmits / receives data, and the first communication unit. A first power supply state detection unit that detects a state of power supplied by contact communication and a contactless communication unit that receives power and clock signals from the outside through contactless communication and transmits / receives data A second power supply state detection unit for detecting a state of power supplied from the second communication unit supplied by non-contact communication, and a method for controlling a clock signal and a reset signal according to the state of power supply A method storage unit storing a plurality of (hereinafter referred to as methods), and a plurality of items stored in the method storage unit according to detection results of the first power supply state detection unit and the second power supply state detection unit One of the methods A method selection unit for selecting a signal, an oscillation unit for receiving a power supply from the contact communication unit and oscillating a clock signal, a clock signal supplied from the second communication unit according to a method selected by the method selection unit, and the A clock selection / reset generation unit that selects any one of the clock signals supplied from the oscillation unit and generates a reset signal is provided.

また、本願の請求項2の発明に係る半導体装置は、外部から接触通信にて電源供給を受け、データの送受信を行う接触通信部と、外部から非接触通信にて電源およびクロック信号の供給を受け、データの送受信を行う非接触通信部と、前記接触通信部より電力供給を受けクロック信号を発振する発振部と、前記接触通信および前記非接触通信が同時に行われる場合、前記非接触通信部から供給されるクロック信号と前記発振部から供給されるクロック信号のいずれかを選択するクロック信号選択部とを備えたことを特徴とするものである。   The semiconductor device according to the invention of claim 2 of the present application receives a power supply from outside by contact communication and transmits and receives data, and supplies power and a clock signal from outside by non-contact communication. A contactless communication unit that receives and transmits / receives data, an oscillation unit that receives power from the contact communication unit and oscillates a clock signal, and when the contact communication and the contactless communication are performed simultaneously, the contactless communication unit And a clock signal selection unit for selecting one of the clock signals supplied from the oscillation unit.

また、本願の請求項3の発明に係る半導体装置は、非接触通信機能付きのカード型半導体装置において、外部から接触通信にて電源供給を受け、データの送受信を行うメモリカード用通信回路と、該メモリカード用通信回路から出力されるメモリカード用電源の状態を検知するメモリカード用電源電圧センサーと、外部から非接触通信にて電源およびクロック信号の供給を受け、データの送受信を行う非接触通信回路と、該非接触通信回路から出力される非接触通信電源の状態を検知する非接触電源電圧センサーと、電源供給の状態に応じてクロック信号およびリセット信号の供給についての方式情報を複数格納した方式格納部と、前記メモリカード用電源電圧センサーの検知結果と、前記非接触電源電圧センサーの検知結果より、前記方式格納部に格納されている方式情報の中から一つを選択する方式選択回路と、前記メモリカード用通信回路より電力供給を受けクロック信号を発振するVCOと、各種演算処理を行うCPUと、前記CPUにより制御されるフラッシュコントローラと、前記フラッシュコントローラによりデータのやりとりを行うフラッシュメモリと、非接触通信時の暗号処理を行う非接触通信用暗号回路と、前記方式選択回路が選択した方式情報に従い、前記CPU、前記フラッシュコントローラ、前記非接触通信用暗号回路のそれぞれに対して、前記非接触通信回路から供給されるクロック信号と前記VCOから供給されるクロック信号のいずれかを選択し、かつ上記各回路に入力するリセット信号を生成するクロック選択/リセット生成回路とを備えたことを特徴とするものである。   Further, a semiconductor device according to the invention of claim 3 of the present application is a card type semiconductor device with a non-contact communication function, a memory card communication circuit which receives power supply from the outside by contact communication and transmits / receives data; A power supply voltage sensor for the memory card that detects the state of the power supply for the memory card output from the communication circuit for the memory card, and a contactless transmission / reception of data by receiving power and clock signals from the outside through contactless communication A communication circuit, a non-contact power supply voltage sensor that detects the state of a non-contact communication power source output from the non-contact communication circuit, and a plurality of system information about supply of a clock signal and a reset signal according to a power supply state are stored. From the method storage unit, the detection result of the power supply voltage sensor for the memory card, and the detection result of the non-contact power supply voltage sensor, the method A method selection circuit for selecting one of the method information stored in the storage unit, a VCO that receives power from the memory card communication circuit and oscillates a clock signal, a CPU that performs various arithmetic processes, According to the flash controller controlled by the CPU, the flash memory that exchanges data with the flash controller, the encryption circuit for contactless communication that performs encryption processing during contactless communication, and the method information selected by the method selection circuit, For each of the CPU, the flash controller, and the encryption circuit for non-contact communication, a clock signal supplied from the non-contact communication circuit or a clock signal supplied from the VCO is selected, and each of the above-mentioned A clock selection / reset generation circuit that generates a reset signal to be input to the circuit. The one in which the features.

また、本願の請求項4の発明に係る半導体装置は、請求項3に記載の半導体装置において、メモリカード用電源状態と非接触通信電源状態の遷移に応じた拡張ビットを付与するビット拡張部をさらに備え、前記方式選択回路は前記電源状態の遷移に基づいて最適な方式を選択する際、該拡張ビットをも考慮して選択を行うことを特徴とするものである。   According to a fourth aspect of the present invention, there is provided a semiconductor device according to the third aspect, wherein the bit expansion unit for applying an expansion bit according to a transition between the power state for the memory card and the non-contact communication power state is provided. Further, the method selection circuit is characterized in that when selecting an optimum method based on the transition of the power supply state, the selection is performed in consideration of the extension bits.

また、本願の請求項5の発明に係る半導体装置は、請求項4に記載の半導体装置において、前記拡張ビットの付与の方法を示す拡張ビット付与情報を格納した第1のROMをさらに備え、前記拡張部は前記メモリカード用電源と非接触通信電源の少なくとも一方が供給された場合に、該第1のROMに格納された情報のロードを要求することを特徴とするものである。   According to a fifth aspect of the present invention, there is provided a semiconductor device according to the fourth aspect, further comprising: a first ROM that stores extension bit assignment information indicating a method of assigning the extension bit. The expansion unit requests loading of information stored in the first ROM when at least one of the memory card power supply and the non-contact communication power supply is supplied.

また、本願の請求項6の発明に係る半導体装置は、請求項4に記載の半導体装置において、前記拡張ビットの付与の方法を示す拡張ビット付与情報を格納した不揮発性メモリをさらに備え、前記拡張部は前記メモリカード用電源と非接触通信電源の少なくとも一方が供給された場合に、該不揮発性メモリに格納された情報のロードを要求することを特徴とするものである。   The semiconductor device according to claim 6 of the present application is the semiconductor device according to claim 4, further comprising a nonvolatile memory storing extension bit grant information indicating a method of granting the extension bit, and the extension The unit requests loading of information stored in the nonvolatile memory when at least one of the power supply for the memory card and the non-contact communication power supply is supplied.

また、本願の請求項7の発明に係る半導体装置は、請求項4に記載の半導体装置において、前記拡張ビットの付与の方法を示す拡張ビット付与情報を外部からの通信により受信する拡張ビット付与情報通信回路をさらに備え、該拡張ビット付与情報通信回路は該外部からの通信を検出した際に、前記拡張部に該拡張ビット付与情報をロードすることを特徴とするものである。   Further, in the semiconductor device according to claim 7 of the present application, in the semiconductor device according to claim 4, the extension bit grant information for receiving the extension bit grant information indicating the extension bit grant method by external communication. A communication circuit is further provided, and the extension bit grant information communication circuit is characterized in that the extension bit grant information is loaded into the extension unit when communication from the outside is detected.

また、本願の請求項8の発明に係る半導体装置は、請求項6に記載の半導体装置において、前記前記メモリカード用電源と非接触通信電源のいずれか一方の供給時間を計測するタイマーをさらに備え、前記拡張部は該タイマーからの供給時間情報に応じて前記不揮発性メモリに格納された拡張ビット付与情報の中から該拡張部にロードする情報を決定することを特徴とするものである。   The semiconductor device according to an eighth aspect of the present invention is the semiconductor device according to the sixth aspect, further comprising a timer for measuring a supply time of either the memory card power source or the non-contact communication power source. The extension unit determines information to be loaded into the extension unit from the extension bit grant information stored in the nonvolatile memory in accordance with the supply time information from the timer.

また、本願の請求項9の発明に係る半導体装置は、請求項8に記載の半導体装置において、電源供給状態と前記タイマーからの供給時間情報より、頻繁に生じる電源供給状態を学習する学習器をさらに備え、該学習器は学習した内容に応じて前記不揮発性メモリに格納された拡張ビット付与情報の中から前記拡張部にロードする情報を決定することを特徴とするものである。   According to a ninth aspect of the present invention, there is provided a semiconductor device according to the eighth aspect, wherein a learning device that learns a power supply state that frequently occurs from a power supply state and supply time information from the timer is provided. Further, the learning device is characterized in that information to be loaded into the extension unit is determined from the extension bit assignment information stored in the nonvolatile memory according to the learned content.

また、本願の請求項10の発明に係る半導体装置は、請求項8に記載の半導体装置において、電源状態の遷移のパターンを監視し、不正パターンと照合する不正パターン照合器をさらに備え、電源状態の遷移が不正パターンに該当するか否かを前記CPUに通知することを特徴とするものである。   A semiconductor device according to claim 10 of the present application is the semiconductor device according to claim 8, further comprising a fraud pattern collator that monitors a power state transition pattern and collates it with a fraud pattern. The CPU is notified of whether or not the transition corresponds to an illegal pattern.

また、本願の請求項11の発明に係る半導体装置は、請求項3に記載の半導体装置において、前記方式格納部に格納された方式情報以外の方式情報を格納した第2のROMをさらに備え、前記方式格納部は前記第2のROMへ格納した方式情報を、該方式格納部にロードすることを特徴とするものである。   Further, a semiconductor device according to an invention of claim 11 of the present application further includes a second ROM that stores method information other than the method information stored in the method storage unit in the semiconductor device according to claim 3, The method storage unit loads the method information stored in the second ROM into the method storage unit.

また、本願の請求項12の発明に係る半導体装置は、請求項3に記載の半導体装置において、 電源供給状態をモニターし、メモリカード用電源が必要と判断した場合前記メモリカード用通信回路に電力供給を要求する電源要求部をさらに備えたことを特徴とするものである。   A semiconductor device according to a twelfth aspect of the present invention is the semiconductor device according to the third aspect, wherein when the power supply state is monitored and it is determined that a power supply for the memory card is necessary, power is supplied to the communication circuit for the memory card. A power supply requesting unit that requests supply is further provided.

本願の請求項1の発明によれば、カード型の半導体装置において、外部から接触通信にて電源供給を受ける接触通信部と外部から非接触通信にて電源およびクロック信号の供給を受ける非接触通信部とを有し、電源供給状態を検知することにより、外部からのクロック信号あるいは外部から供給された電源により内部で発振したクロック信号のいずれを使用するかを選択できるようにしたので、カードの使用状況に応じて安定したクロック信号あるいはリセット信号を使用できる効果がある。   According to the first aspect of the present invention, in the card-type semiconductor device, the contact communication unit that receives power supply from the outside by contact communication and the contactless communication that receives the power supply and clock signal from the outside by contactless communication. By detecting the power supply state, it is possible to select either the clock signal from the outside or the clock signal oscillated internally by the power supplied from the outside. There is an effect that a stable clock signal or reset signal can be used according to the use situation.

また、本願の請求項2の発明によれば、カード型の半導体装置において、外部から接触通信にて電源供給を受ける接触通信部と外部から非接触通信にて電源およびクロック信号の供給を受ける非接触通信部とを有し、電源供給状態を検知することにより、外部からのクロック信号あるいは外部から供給された電源により内部で発振したクロック信号のいずれを使用するかを選択できるようにしたので、カードの使用状況に応じて安定したクロック信号を使用できる効果がある。   According to the invention of claim 2 of the present application, in the card-type semiconductor device, the contact communication unit that receives power supply from outside by contact communication and the non-contact communication that receives power supply and clock signal from outside. Since it has a contact communication unit, and by detecting the power supply state, it is possible to select which of the clock signal from the outside or the clock signal oscillated internally by the power supplied from the outside is used. There is an effect that a stable clock signal can be used according to the use situation of the card.

また、本願の請求項3の発明によれば、非接触機能付きメモリカードは、メモリカードコントローラと、コイルアンテナと、フラッシュメモリとを有し、メモリカードコントローラは、メモリカード用通信回路と,非接触通信回路と、メモリカード用電源電圧センサーと、非接触通信電源電圧センサーと、方式格納部と、方式選択回路と、VCOと、クロック選択/リセット生成回路と、非接触通信用暗号回路と、フラッシュコントローラと、CPUとを有し、方式選択回路は、メモリカード用電源電圧センサーと、非接触通信電源電圧センサーの検知結果によって、方式格納部に格納されている方式の中から1つを選択する。VCOは選択された方式に従って発振・停止制御される。クロック選択/リセット生成回路は、選択された方式に従ってCPU,フラッシュコントローラ,非接触通信用暗号回路それぞれに対しリセット信号を生成し、非接触通信回路から供給されるクロック信号とVCOから供給されるクロック信号のいずれかを選択するようにしたので、上記非接触機能付きメモリカードは、非接触通信電源が供給されている状態において、メモリカード用電源の供給が開始・停止しても、CPU,フラッシュコントローラ,非接触通信用暗号回路には常に安定したクロック信号とリセット信号が供給されるため、安定した非接触通信が可能となる効果がある。   According to the invention of claim 3 of the present application, the memory card with a non-contact function includes a memory card controller, a coil antenna, and a flash memory, and the memory card controller includes a memory card communication circuit, Contact communication circuit, memory card power supply voltage sensor, contactless communication power supply voltage sensor, method storage unit, method selection circuit, VCO, clock selection / reset generation circuit, contactless communication encryption circuit, It has a flash controller and a CPU, and the method selection circuit selects one of the methods stored in the method storage unit according to the detection result of the memory card power supply voltage sensor and the non-contact communication power supply voltage sensor. To do. The VCO is controlled to oscillate and stop according to the selected method. The clock selection / reset generation circuit generates a reset signal for each of the CPU, the flash controller, and the contactless communication encryption circuit according to the selected method, and a clock signal supplied from the contactless communication circuit and a clock supplied from the VCO. Since any one of the signals is selected, the memory card with the non-contact function can be used even if the power supply for the memory card is started / stopped in the state where the non-contact communication power is supplied. Since a stable clock signal and reset signal are always supplied to the controller and the non-contact communication encryption circuit, there is an effect that stable non-contact communication is possible.

また、本願の請求項4の発明によれば、請求項3に記載の半導体装置において、上記非接触機能付きメモリカードは拡張部をさらに備え、拡張部はメモリカード用電源供給状態と非接触通信電源供給状態の遷移に応じて拡張ビットを付与し、方式選択回路は、電源状態の遷移に基づいて最適な方式を選択する際、拡張ビットをも考慮して選択するようにしたので、電源供給状態の遷移に応じて最適な方式を選択してクロック信号とリセット信号を制御することが可能となり、安定した通信が可能となる効果がある。   According to a fourth aspect of the present invention, in the semiconductor device according to the third aspect, the memory card with a non-contact function further includes an expansion unit, and the expansion unit is in contact with the power supply state for the memory card and non-contact communication. An extension bit is assigned according to the transition of the power supply state, and the method selection circuit selects the optimum method based on the transition of the power state, so that the extension bit is also taken into consideration. It is possible to control the clock signal and the reset signal by selecting an optimum method according to the state transition, and there is an effect that stable communication is possible.

また、本願の請求項5の発明によれば、請求項4に記載の半導体装置において、上記非接触機能付きメモリカードは拡張部の拡張ビットの付与の方法を格納したROMをさらに備え、ROMは拡張ビットの付与の方法を格納しており、拡張部からのロード要求に応じて、拡張部へ拡張ビットの付与の方法をロードするようにしたので、ROMのデータを書き換えることで、電源供給状態の遷移に応じてより柔軟にクロック信号とリセット信号を制御することが可能となり、安定した通信が可能となる効果がある。   According to the invention of claim 5 of the present application, in the semiconductor device according to claim 4, the memory card with a non-contact function further includes a ROM storing a method of providing an extension bit of the extension unit, The extension bit assignment method is stored, and the extension bit assignment method is loaded to the extension unit in response to a load request from the extension unit. It is possible to control the clock signal and the reset signal more flexibly according to the transition of the signal, and there is an effect that stable communication is possible.

また、本願の請求項6の発明によれば、請求項4に記載の半導体装置において、上記非接触機能付きメモリカードは拡張部の拡張ビットの付与の方法を格納した不揮発性メモリをさらに備え、不揮発性メモリはCPUにより随時書き換えが可能であり、拡張部からのロード要求に応じて、拡張部へ拡張ビットの付与の方法をロードするようにしたので、必要に応じて、不揮発性メモリ内部に格納されている拡張ビットの付与の方法を変更することで、不揮発性メモリのデータを書き換えることで、電源供給状態の遷移に応じてより柔軟にクロック信号とリセット信号を制御することが可能となり、安定した通信が可能となる効果がある。   According to claim 6 of the present application, in the semiconductor device according to claim 4, the memory card with a non-contact function further includes a nonvolatile memory storing a method of providing an extension bit of the extension unit, The nonvolatile memory can be rewritten at any time by the CPU, and in response to a load request from the extension unit, the extension bit assignment method is loaded into the extension unit. By changing the method of applying the stored extension bit, it is possible to control the clock signal and the reset signal more flexibly according to the transition of the power supply state by rewriting the data in the nonvolatile memory, There is an effect of enabling stable communication.

また、本願の請求項7の発明によれば、請求項4に記載の半導体装置において、上記非接触機能付きメモリカードは拡張ビットの付与の方法を外部からの通信より受信し、拡張部にロードするようにしたので、外部機器から電源の供給状態に応じて方式の選択方法を任意のものに変更することが可能となり、安定した通信が可能となる効果がある。   According to claim 7 of the present application, in the semiconductor device according to claim 4, the memory card with a non-contact function receives a method of providing an extension bit from an external communication and loads it to the extension unit. Thus, it is possible to change the method selection method to an arbitrary one according to the power supply state from the external device, and there is an effect that stable communication is possible.

また、本願の請求項8の発明に係る半導体装置によれば、請求項6に記載の半導体装置において、上記非接触機能付きメモリカードはタイマーをさらに備え、タイマーは電源供給状態の継続時間を測定するようにしたので、より柔軟にクロック信号とリセット信号を制御することができ、電源が供給されている時間の長さに応じて最適な方式の選択方法を任意に変更することができ、より柔軟にクロック信号とリセット信号を制御することができ、安定した通信が可能となる効果がある。   According to the semiconductor device of claim 8 of the present application, in the semiconductor device according to claim 6, the memory card with a non-contact function further includes a timer, and the timer measures the duration of the power supply state. Since the clock signal and the reset signal can be controlled more flexibly, the selection method of the optimum method can be arbitrarily changed according to the length of time that power is supplied, The clock signal and the reset signal can be controlled flexibly, and there is an effect that stable communication is possible.

また、本願の請求項9の発明に係る半導体装置によれば、請求項8に記載の半導体装置において、上記非接触機能付きメモリカードは学習器をさらに備え、学習器は、電源供給状態とタイマーからの時間情報より、頻繁に生じる電源供給状態を学習するようにしたので、使用者が頻繁に使用する条件を学習し、最適な方式の選択方法に変更することが可能となり、より柔軟にクロック信号とリセット信号を制御することが可能となり、安定した通信が可能となる効果がある。   According to the semiconductor device of claim 9 of the present application, in the semiconductor device according to claim 8, the memory card with a non-contact function further includes a learning device, and the learning device includes a power supply state and a timer. Since the power supply status that occurs frequently is learned from the time information from the time, it is possible to learn the conditions frequently used by the user and change to the method of selecting the optimal method, more flexible clock The signal and the reset signal can be controlled, and there is an effect that stable communication is possible.

また、本願の請求項10の発明に係る半導体装置によれば、請求項8に記載の半導体装置において、上記非接触機能付きメモリカードは不正パターン照合器をさらに備え、不正パターン照合器は、あらかじめ格納された電源供給状態の不正パターンと、実際の電源供給状態とを比較し、合致した場合CPUに不正情報を出力するようにしたので、通常想定される使用状況とは異なった使用を繰り返し、不正行為ならびにその予備行為と見なせる場合はCPUが不正対策処理を行えるので、安定した通信が行えるばかりでなく安全面での対策がなされたものが得られる効果がある。   According to the semiconductor device of the invention of claim 10 of the present application, in the semiconductor device according to claim 8, the memory card with a non-contact function further includes an illegal pattern collator, Compare the stored power supply status fraud pattern with the actual power supply status, and if it matches, the fraud information is output to the CPU. When it can be regarded as a fraudulent act and its preliminary act, the CPU can carry out a fraud countermeasure process, so that there is an effect that not only stable communication can be performed but also a safe measure can be obtained.

また、本願の請求項11の発明に係る半導体装置によれば、請求項3に記載の半導体装置において、上記非接触機能付きメモリカードは方式を格納したROMをさらに備え、ROMは、電源供給状態に応じた方式を格納しており、方式格納部からのロード要求に対し、格納されている方式を方式にロードするようにしたので、方式格納部に格納されている方式情報自体を差し替えることが可能となり、より柔軟にクロック信号とリセット信号を制御することが可能となり、安定した通信が可能となる効果がある。   According to the semiconductor device of claim 11 of the present application, in the semiconductor device according to claim 3, the memory card with a non-contact function further includes a ROM storing a method, and the ROM is in a power supply state. In response to a load request from the method storage unit, the stored method is loaded into the method, so that the method information stored in the method storage unit itself can be replaced. As a result, the clock signal and the reset signal can be controlled more flexibly, and stable communication is possible.

また、本願の請求項12の発明に係る半導体装置によれば、請求項3に記載の半導体装置において、上記非接触機能付きメモリカードは電源要求部をさらに備え、電源要求部は、電源供給状態をモニターし、メモリカード用電源が必要と判断した場合に、メモリカード用通信回路に対し、電力要求信号を出力するようにしたので、電力要求信号を発することにより、非接触通信号中の電源供給が安定し、より安定した通信が可能となる効果がある。   According to a semiconductor device of a twelfth aspect of the present invention, in the semiconductor device according to the third aspect, the memory card with a non-contact function further includes a power request unit, and the power request unit is in a power supply state. The power request signal is output to the memory card communication circuit when it is determined that a power supply for the memory card is necessary. By issuing the power request signal, the power supply in the non-contact communication signal is output. There is an effect that supply is stable and more stable communication is possible.

以下、この発明の実施の形態を図面を参照して詳しく説明する。なお、図中同一または相当部分には同一の符号を付しその説明は繰り返さない。
(実施の形態1)
<非接触通信機能付きメモリカードの全体構成>
図1は、この発明の実施の形態1による半導体装置としての非接触通信機能付きメモリカードの全体構成を示すブロック図である。
図2は、この図1では一部を省略した電源供給系統およびデータの流れの全体を示すものである。
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. In the drawings, the same or corresponding parts are denoted by the same reference numerals, and description thereof will not be repeated.
(Embodiment 1)
<Overall configuration of memory card with contactless communication function>
1 is a block diagram showing an overall configuration of a memory card with a non-contact communication function as a semiconductor device according to a first embodiment of the present invention.
FIG. 2 shows the entire power supply system and data flow, some of which are omitted in FIG.

この図1の構成による非接触通信機能付きメモリカードは非接触通信用の非接触通信回路とともに、接触通信用のメモリカード用通信回路を設けたものである。
このような非接触通信と接触通信の両方に対応したメモリカードの使用形態として、図3に示すような状況が想定される。
The memory card with a non-contact communication function according to the configuration of FIG. 1 is provided with a non-contact communication circuit for non-contact communication and a memory card communication circuit for contact communication.
As a usage pattern of the memory card corresponding to both the non-contact communication and the contact communication, a situation as shown in FIG. 3 is assumed.

この図3に示す状況では、たとえば、PDA(Personal Digital Assistant)・携帯型オーディオ・携帯電話機MPなどのデジタル機器のスロットSLTに非接触通信機能付きメモリカード100を挿入して、デジタル機器と非接触通信機能付きメモリカードとの間でデータのやりとりが行われる。このやりとりは接触通信で行われる。
またたとえば、このようなデジタル機器のスロットに装着した非接触通信機能付きメモリカード100を、鉄道の自動改札機ATG・商店のサービスポイント(いわゆるポイント)カードリーダライタなどの非接触通信ホスト機器の電波到達範囲内まで近づけたりタッチしたりすると、非接触通信ホスト機器と非接触通信機能付きメモリカードなどの間でデータのやりとりが行われる。このやりとりは非接触通信で行われる。
In the situation shown in FIG. 3, for example, a memory card 100 with a non-contact communication function is inserted into a slot SLT of a digital device such as a PDA (Personal Digital Assistant), a portable audio device, or a mobile phone MP, and the digital device is contacted. Data is exchanged with the memory card with communication function. This exchange is performed by contact communication.
Further, for example, the memory card 100 with a non-contact communication function installed in the slot of such a digital device is used as a radio wave of a non-contact communication host device such as a railway automatic ticket gate ATG / shop service point (so-called point) card reader / writer. When approaching or touching within the reachable range, data is exchanged between the non-contact communication host device and a memory card with a non-contact communication function. This exchange is performed by non-contact communication.

<非接触通信機能付きメモリカード>
図1において、非接触通信機能付きメモリカード100は、メモリカードコントローラ101と、コイルアンテナ102と、フラッシュメモリ103とを有する。
メモリカードコントローラ101は、ワンチップマイコンに相当するもので、メモリカード用通信回路(接触通信部)104と,非接触通信回路(非接触通信部)105と、メモリカード用電源電圧センサー(第1の電源状態検知部)106と、非接触電源電圧センサー(第2の電源状態検知部)107と、方式格納部108と、方式選択回路(方式選択部)109と、VCO(発振部)110と、クロック選択/リセット生成回路(クロック選択/リセット生成部,クロック選択部)111と、非接触通信用暗号回路112と、フラッシュコントローラ113と、CPU114とを備える。
<Memory card with non-contact communication function>
In FIG. 1, the memory card 100 with a non-contact communication function includes a memory card controller 101, a coil antenna 102, and a flash memory 103.
The memory card controller 101 corresponds to a one-chip microcomputer, and includes a memory card communication circuit (contact communication unit) 104, a non-contact communication circuit (non-contact communication unit) 105, and a memory card power supply voltage sensor (first Power supply state detection unit) 106, non-contact power supply voltage sensor (second power supply state detection unit) 107, method storage unit 108, method selection circuit (method selection unit) 109, VCO (oscillation unit) 110, A clock selection / reset generation circuit (clock selection / reset generation unit, clock selection unit) 111, a non-contact communication encryption circuit 112, a flash controller 113, and a CPU 114.

メモリカード用通信回路104は、図示しないデジタル機器から有線で供給されるメモリカード用電源115を、メモリカード用電源電圧116としてメモリカード用電源電圧センサー106に出力する。また、デジタル機器から受信したメモリカード用データ117をCPU114に出力し、CPU114から出力されたメモリカード用データ117をデジタル機器へ送信する。   The memory card communication circuit 104 outputs, to the memory card power supply voltage sensor 106, a memory card power supply 115 that is supplied in a wired manner from a digital device (not shown) as a memory card power supply voltage 116. The memory card data 117 received from the digital device is output to the CPU 114, and the memory card data 117 output from the CPU 114 is transmitted to the digital device.

非接触通信回路105は、非接触通信ホスト機器からコイルアンテナ102を介して電磁誘導で供給された非接触通信電源118を、非接触電源電圧119として非接触電源電圧センサー107に出力する。   The non-contact communication circuit 105 outputs the non-contact communication power supply 118 supplied by electromagnetic induction from the non-contact communication host device via the coil antenna 102 to the non-contact power supply voltage sensor 107 as a non-contact power supply voltage 119.

また、非接触通信ホスト機器からコイルアンテナ102を介して供給された非接触通信クロック(クロック信号)120をクロック選択/リセット生成回路(クロック選択/リセット生成部)111に出力する。また、非接触通信ホスト機器からコイルアンテナ102を介して受信した非接触通信データ121をCPU114に出力し、CPU114から出力された非接触通信データ121をコイルアンテナ102を介して非接触通信ホスト機器へ送信する。   Further, the non-contact communication clock (clock signal) 120 supplied from the non-contact communication host device via the coil antenna 102 is output to the clock selection / reset generation circuit (clock selection / reset generation unit) 111. Also, the non-contact communication data 121 received from the non-contact communication host device via the coil antenna 102 is output to the CPU 114, and the non-contact communication data 121 output from the CPU 114 is output to the non-contact communication host device via the coil antenna 102. Send.

メモリカード用電源電圧センサー106は、メモリカード用通信回路104より与えられるメモリカード用電源電圧116を検知し、メモリカード用電源115が供給されていない状態か、供給されている状態かをメモリカード用電圧状態信号122として方式選択回路109に出力する。   The memory card power supply voltage sensor 106 detects the memory card power supply voltage 116 supplied from the memory card communication circuit 104, and determines whether the memory card power supply 115 is not supplied or is supplied. This is output to the system selection circuit 109 as a voltage state signal 122 for use.

ここでは、
a) メモリカード用電源115が供給されている場合、
メモリカード用電圧状態信号122=1
b) メモリカード用電源115が供給されていない場合、
メモリカード用電圧状態信号122=0
を出力する。
なお、メモリカード用電圧状態信号122は複数本の信号であってもかまわない。
here,
a) When the memory card power supply 115 is supplied,
Memory card voltage state signal 122 = 1
b) When the memory card power supply 115 is not supplied,
Memory card voltage state signal 122 = 0
Is output.
The memory card voltage state signal 122 may be a plurality of signals.

非接触電源電圧センサー107は、非接触通信回路105より与えられる非接触電源電圧119を検知し、非接触通信電源118が供給されていない状態か、供給されている状態かを非接触電圧状態信号123として方式選択回路109に出力する。
ここでは、
c) 非接触通信電源118が供給されている場合、
非接触電圧状態信号123=1
d) 非接触通信電源118が供給されていない場合、
非接触電圧状態信号123=0
を出力する。
なお、非接触電圧状態信号123は複数本の信号であってもかまわない。
The non-contact power supply voltage sensor 107 detects the non-contact power supply voltage 119 supplied from the non-contact communication circuit 105 and determines whether the non-contact communication power supply 118 is not supplied or is supplied. 123 is output to the method selection circuit 109.
here,
c) When the non-contact communication power supply 118 is supplied,
Non-contact voltage state signal 123 = 1
d) When the non-contact communication power supply 118 is not supplied,
Non-contact voltage state signal 123 = 0
Is output.
The non-contact voltage state signal 123 may be a plurality of signals.

方式格納部108には、電源供給状態に応じて、VCO110、CPU114、フラッシュコントローラ113、非接触通信用暗号回路112のクロック、およびリセットの制御方法(いわゆるリソース(資源))を示す方式情報A、方式情報B、方式情報C(方式A、方式B、方式C)が格納されている。なお、以下では方式情報Xを単に方式Xと記す。   In the method storage unit 108, method information A indicating the clock of the VCO 110, the CPU 114, the flash controller 113, the non-contact communication encryption circuit 112, and the reset control method (so-called resource) according to the power supply state, Method information B and method information C (method A, method B, method C) are stored. Hereinafter, method information X is simply referred to as method X.

ここでは、
α) 方式Aとして、
「非接触通信電源118のみ供給されている場合、即ち、メモリカード用電圧状態信号122=0 かつ 非接触電圧状態信号123=1の場合、VCO110を停止させ、非接触通信クロック120を用いてCPU114と非接触通信用暗号回路112とを動作させる」、
β) 方式Bとして、
「非接触通信電源118およびメモリカード用電源115が供給されている場合、即ち、メモリカード用電圧状態信号122=1 かつ 非接触電圧状態信号123=1の場合、VCO110を発振させ、VCOクロック124を用いてCPU114とフラッシュコントローラ113と非接触通信用暗号回路112とを動作させる」
γ) 方式Cとして、
「メモリカード用電源115のみ供給されている場合、即ち、メモリカード用電圧状態信号122=1 かつ 非接触電圧状態信号123=0の場合、VCO110を発振させ、VCOクロック124を用いてCPU114とフラッシュコントローラ113とを動作させる」
旨の情報が格納されている。
here,
α) As method A,
“When only the non-contact communication power supply 118 is supplied, that is, when the memory card voltage state signal 122 = 0 and the non-contact voltage state signal 123 = 1, the VCO 110 is stopped and the CPU 114 is used using the non-contact communication clock 120. And the non-contact communication encryption circuit 112 ”
β) As method B,
“When the non-contact communication power source 118 and the memory card power source 115 are supplied, that is, when the memory card voltage state signal 122 = 1 and the non-contact voltage state signal 123 = 1, the VCO 110 is oscillated and the VCO clock 124 The CPU 114, the flash controller 113, and the non-contact communication encryption circuit 112 are operated using the "
γ) As method C,
“When only the memory card power supply 115 is supplied, that is, when the memory card voltage state signal 122 = 1 and the non-contact voltage state signal 123 = 0, the VCO 110 is oscillated and flashed with the CPU 114 using the VCO clock 124. Operate controller 113 "
Information to that effect is stored.

方式選択回路109は、メモリカード用電圧状態信号122および非接触電圧状態信号123とで表わされる電源供給状態により、方式格納部108に格納されている、現在の電源供給状態に該当する方式情報を選択し、対応する方式信号125をVCO110およびクロック選択/リセット生成回路111に出力する。すなわち、メモリカード用電圧状態信号122が、「メモリカード用電源115が供給されていない状態」を示し、非接触電圧状態信号123が、「非接触通信電源118が供給されている状態」を示した場合、方式選択回路109は、方式Aを選択し、「VCO110を停止させ、非接触通信クロック120を用いてCPU114と非接触通信用暗号回路112を動作させる」要求を示す方式信号125を、VCO110およびクロック選択/リセット生成回路111に出力する。   The method selection circuit 109 stores the method information corresponding to the current power supply state stored in the method storage unit 108 according to the power supply state represented by the memory card voltage state signal 122 and the non-contact voltage state signal 123. The selected method signal 125 is output to the VCO 110 and the clock selection / reset generation circuit 111. That is, the memory card voltage state signal 122 indicates “the state where the memory card power source 115 is not supplied”, and the non-contact voltage state signal 123 indicates “the state where the non-contact communication power source 118 is supplied”. In this case, the method selection circuit 109 selects the method A and outputs a method signal 125 indicating a request “stop the VCO 110 and operate the CPU 114 and the non-contact communication encryption circuit 112 using the non-contact communication clock 120”. The data is output to the VCO 110 and the clock selection / reset generation circuit 111.

VCO110は、方式選択回路109から与えられる方式信号125によって発振を行いあるいは停止し、発振する場合はVCOクロック124をクロック選択/リセット生成回路111に出力する。すなわち、方式選択回路109が方式Aを選択した場合、方式信号125は「VCO110停止」要求を示しており、VCO110は発振を行わない。   The VCO 110 oscillates or stops in response to the system signal 125 supplied from the system selection circuit 109, and outputs the VCO clock 124 to the clock selection / reset generation circuit 111 when oscillating. That is, when the method selection circuit 109 selects the method A, the method signal 125 indicates a “VCO 110 stop” request, and the VCO 110 does not oscillate.

クロック選択/リセット生成回路111は、方式選択回路109より与えられる方式信号125に従い、クロック信号(以下、クロックと称す)の選択とリセット信号(以下、リセットと称す)の生成を行い、CPU114、フラッシュコントローラ113、非接触通信用暗号回路112にそれぞれクロックとリセットを供給する。クロックの選択については、方式信号125に応じて、VCO110より与えられるVCOクロック124と、非接触通信回路105から与えられる非接触クロックのいずれかを選択し、CPU114、フラッシュコントローラ113、非接触通信用暗号回路112それぞれへ、CPUクロック126、フラッシュコントローラクロック127、非接触通信用暗号回路クロック128を出力する。また、リセット生成については、方式信号125に応じて、CPU114、フラッシュコントローラ113、非接触通信用暗号回路112それぞれへリセット解除状態、およびリセット状態を示すCPUリセット129、フラッシュコントローラリセット130、非接触通信用暗号回路リセット131を出力する。   The clock selection / reset generation circuit 111 selects a clock signal (hereinafter referred to as a clock) and generates a reset signal (hereinafter referred to as a reset) in accordance with the system signal 125 supplied from the system selection circuit 109, and performs a CPU 114, a flash A clock and a reset are supplied to the controller 113 and the non-contact communication encryption circuit 112, respectively. Regarding the selection of the clock, either the VCO clock 124 supplied from the VCO 110 or the non-contact clock supplied from the non-contact communication circuit 105 is selected according to the system signal 125, and the CPU 114, the flash controller 113, and the non-contact communication are selected. The CPU clock 126, the flash controller clock 127, and the non-contact communication encryption circuit clock 128 are output to each of the encryption circuits 112. As for reset generation, the CPU 114, the flash controller 113, and the non-contact communication encryption circuit 112 are reset to the CPU 114, the flash controller 113, and the non-contact communication encryption circuit 112, respectively. The cryptographic circuit reset 131 is output.

すなわち、方式選択回路109が方式Aを選択した場合、方式信号125は、「非接触通信クロック120を用いてCPU114と非接触通信用暗号回路112を動作させる」要求を示しており、CPUリセット129を解除し、CPUクロック126へ非接触通信クロック120を選択して出力する。また、非接触通信用暗号回路リセット131を解除し、非接触通信用暗号回路クロック128へ非接触通信クロック120を選択して出力する。また、フラッシュコントローラリセット130は解除せず、クロック供給を行わない。これにより、CPU114は、クロック選択/リセット生成回路111によって与えられるCPUクロック126、及びCPUリセット129によって動作する。またCPU114は、メモリカード用通信回路104とメモリカード用データ117をやりとりする。またCPU114は、非接触通信回路105と非接触通信データ121をやりとりする。またCPU114は、フラッシュコントローラ113を介して、フラッシュメモリ103とデータをやりとりする。   That is, when the method selection circuit 109 selects the method A, the method signal 125 indicates a request to “operate the CPU 114 and the non-contact communication encryption circuit 112 using the non-contact communication clock 120”, and the CPU reset 129. And the non-contact communication clock 120 is selected and output to the CPU clock 126. Further, the non-contact communication encryption circuit reset 131 is canceled, and the non-contact communication clock 120 is selected and output to the non-contact communication encryption circuit clock 128. Further, the flash controller reset 130 is not canceled and no clock is supplied. As a result, the CPU 114 is operated by the CPU clock 126 and the CPU reset 129 given by the clock selection / reset generation circuit 111. The CPU 114 also exchanges the memory card data 117 with the memory card communication circuit 104. Further, the CPU 114 exchanges non-contact communication data 121 with the non-contact communication circuit 105. The CPU 114 also exchanges data with the flash memory 103 via the flash controller 113.

フラッシュコントローラ113は、クロック選択/リセット生成回路111によって与えられるフラッシュコントローラクロック127、及びフラッシュコントローラリセット130によって動作する。またフラッシュコントローラ113は、CPU114と、フラッシュメモリ103との間でデータのやりとりを行う。
非接触通信用暗号回路112は、クロック選択/リセット生成回路111によって与えられる非接触通信用暗号回路クロック128、及び非接触通信用暗号回路リセット131によって動作する。
The flash controller 113 is operated by the flash controller clock 127 provided by the clock selection / reset generation circuit 111 and the flash controller reset 130. The flash controller 113 exchanges data between the CPU 114 and the flash memory 103.
The contactless communication encryption circuit 112 is operated by the contactless communication encryption circuit clock 128 and the contactless communication encryption circuit reset 131 provided by the clock selection / reset generation circuit 111.

<フラッシュメモリ>
フラッシュメモリは、フラッシュコントローラ113により制御され、データの記録と読み出しをおこなう。
<非接触通信電源118のみ供給されている場合>
まず非接触通信電源118のみ供給されている場合について説明する。非接触電源電圧センサー107は、非接触通信電源118が供給されると、非接触電源電圧119のモニターを開始し、「非接触通信電源118が供給されている状態」として非接触電圧状態信号123=1を出力する。
<Flash memory>
The flash memory is controlled by the flash controller 113 and records and reads data.
<When only the non-contact communication power supply 118 is supplied>
First, the case where only the non-contact communication power supply 118 is supplied will be described. When the non-contact communication power supply 118 is supplied, the non-contact power supply voltage sensor 107 starts monitoring the non-contact power supply voltage 119 and sets the non-contact voltage state signal 123 as “a state where the non-contact communication power supply 118 is supplied”. = 1 is output.

メモリカード用電源電圧センサー106は、メモリカード用電源115が供給されていないため、「メモリカード用電源115が供給されていない状態」として、メモリカード用電源電圧状態信号=0を出力する。方式選択回路109は、非接触電圧状態信号123=1かつメモリカード用電圧状態信号122=0であることから、「非接触通信電源118のみが供給されている状態」であることを認識し、この状態に一致する方式A「VCO110を停止させ、非接触通信クロック120を用いてCPU114と非接触通信用暗号回路112を動作させる」を、方式格納部108から選択し、方式Aに従って、VCO110、クロック選択/リセット生成回路111に方式信号125を出力する。VCO110は、方式選択回路109の出力する方式Aによる方式信号125によって発振制御される。   Since the memory card power supply voltage sensor 106 is not supplied with the memory card power supply 115, the memory card power supply voltage state signal = 0 is output as "the state where the memory card power supply 115 is not supplied". Since the non-contact voltage state signal 123 = 1 and the memory card voltage state signal 122 = 0, the method selection circuit 109 recognizes that “only the non-contact communication power supply 118 is supplied”. The method A corresponding to this state “stop the VCO 110 and operate the CPU 114 and the non-contact communication encryption circuit 112 using the non-contact communication clock 120” is selected from the method storage unit 108, and the VCO 110, The system signal 125 is output to the clock selection / reset generation circuit 111. The VCO 110 is controlled in oscillation by a method signal 125 based on the method A output from the method selection circuit 109.

方式Aの場合、VCO110は停止し、クロック選択/リセット生成回路111へVCOクロック124を出力しない。クロック選択/リセット生成回路111は、方式選択回路109の出力する方式Aによる方式信号125によってクロックの選択、リセットの生成を行う。方式Aでは、クロック選択/リセット生成回路111は、CPU114に対して非接触通信クロック120をCPUクロック126として選択し、CPUリセット129を解除する。またクロック選択/リセット生成回路111は、フラッシュコントローラ113に対してフラッシュコントローラクロック127を停止し、フラッシュコントローラリセット130を解除しない。またクロック選択/リセット生成回路111は、非接触通信用暗号回路112に対して非接触通信クロック120を非接触通信用暗号回路クロック128として選択し、非接触通信用暗号回路リセット131を解除する。   In the case of method A, the VCO 110 stops and does not output the VCO clock 124 to the clock selection / reset generation circuit 111. The clock selection / reset generation circuit 111 performs clock selection and reset generation based on the method signal 125 based on the method A output from the method selection circuit 109. In method A, the clock selection / reset generation circuit 111 selects the non-contact communication clock 120 as the CPU clock 126 for the CPU 114 and cancels the CPU reset 129. The clock selection / reset generation circuit 111 stops the flash controller clock 127 for the flash controller 113 and does not release the flash controller reset 130. The clock selection / reset generation circuit 111 selects the non-contact communication clock 120 as the non-contact communication encryption circuit clock 128 for the non-contact communication encryption circuit 112 and cancels the non-contact communication encryption circuit reset 131.

<非接触通信電源118およびメモリカード用電源115が供給されている場合>
次に非接触通信電源118およびメモリカード用電源115が供給されている場合について説明する。
非接触電源電圧センサー107は、非接触通信電源118が供給されると、非接触電源電圧119のモニターを開始し、「非接触通信電源118が供給されている状態」として非接触電圧状態信号123=1を出力する。メモリカード用電源電圧センサー106は、メモリカード用電源115が供給されると、メモリカード用電源電圧116のモニターを開始し、「メモリカード用電源115が供給されている状態」としてメモリカード用電圧状態信号122=1を出力する。方式選択回路109は、非接触電圧状態信号123=1かつメモリカード用電圧状態信号122=1であることから、「非接触通信電源118およびメモリカード用電源115が供給されている状態」であることを認識し、この状態に一致する方式B「VCO110を発振させ、VCOクロック124を用いてCPU114とフラッシュコントローラ113を動作させる」を、方式格納部108から選択し、方式Bに従って、VCO110、クロック選択/リセット生成回路111に方式信号125を出力する。
<When non-contact communication power supply 118 and memory card power supply 115 are supplied>
Next, the case where the non-contact communication power source 118 and the memory card power source 115 are supplied will be described.
When the non-contact communication power supply 118 is supplied, the non-contact power supply voltage sensor 107 starts monitoring the non-contact power supply voltage 119 and sets the non-contact voltage state signal 123 as “a state where the non-contact communication power supply 118 is supplied”. = 1 is output. When the memory card power supply voltage 115 is supplied, the memory card power supply voltage sensor 106 starts monitoring the memory card power supply voltage 116 and sets the memory card power supply voltage as “the state where the memory card power supply 115 is supplied”. A status signal 122 = 1 is output. Since the non-contact voltage state signal 123 = 1 and the memory card voltage state signal 122 = 1, the system selection circuit 109 is in a “state in which the non-contact communication power source 118 and the memory card power source 115 are supplied”. Recognize this, and select the method B “oscillate the VCO 110 and operate the CPU 114 and the flash controller 113 using the VCO clock 124” from the method storage unit 108 in accordance with this state. A method signal 125 is output to the selection / reset generation circuit 111.

VCO110は、方式選択回路109の出力する方式Bによる方式信号125によって発振制御される。方式Bの場合VCO110は発振し、クロック選択/リセット生成回路111へVCOクロック124を出力する。クロック選択/リセット生成回路111は、方式選択回路109の出力する方式Bによる方式信号125によってクロックの選択、リセットの生成を行う。方式Bでは、クロック選択/リセット生成回路111は、CPU114に対してVCO110のクロックをCPUクロック126として選択し、CPUリセット129を解除する。またクロック選択/リセット生成回路111は、フラッシュコントローラ113に対してVCOクロック124をフラッシュコントローラクロック127として選択し、フラッシュコントローラリセット130を解除する。またクロック選択/リセット生成回路111は、非接触通信用暗号回路112に対してVCOクロック124を非接触通信用暗号回路クロック128として選択し、非接触通信用暗号回路リセット131を解除する。   The VCO 110 is controlled in oscillation by a method signal 125 based on the method B output from the method selection circuit 109. In the case of method B, the VCO 110 oscillates and outputs the VCO clock 124 to the clock selection / reset generation circuit 111. The clock selection / reset generation circuit 111 performs clock selection and reset generation based on the method signal 125 based on the method B output from the method selection circuit 109. In method B, the clock selection / reset generation circuit 111 selects the clock of the VCO 110 as the CPU clock 126 for the CPU 114 and cancels the CPU reset 129. The clock selection / reset generation circuit 111 selects the VCO clock 124 as the flash controller clock 127 for the flash controller 113 and cancels the flash controller reset 130. The clock selection / reset generation circuit 111 selects the VCO clock 124 as the contactless communication encryption circuit clock 128 for the contactless communication encryption circuit 112 and cancels the contactless communication encryption circuit reset 131.

<メモリカード用電源115のみ供給されている場合>
更に、メモリカード用電源115のみ供給されている場合について説明する。メモリカード用電源電圧センサー106は、メモリカード用電源115が供給されると、メモリカード用電源電圧116のモニターを開始し、「メモリカード用電源115が供給されている状態」としてメモリカード用電圧状態信号122=1を出力する。
<When only the memory card power supply 115 is supplied>
Further, a case where only the memory card power supply 115 is supplied will be described. When the memory card power supply voltage 115 is supplied, the memory card power supply voltage sensor 106 starts monitoring the memory card power supply voltage 116 and sets the memory card power supply voltage as “the state where the memory card power supply 115 is supplied”. A status signal 122 = 1 is output.

非接触電源電圧センサー107は、非接触通信電源118が供給されていないため、「非接触通信電源118が供給されていない状態」として、非接触電源電圧状態信号=0を出力する。方式選択回路109は、非接触電圧状態信号123=0かつメモリカード用電圧状態信号122=1であることから、「メモリカード用電源115のみが供給されている状態」であることを認識し、この状態に一致する方式C「VCO110を発振させ、VCOクロック124を用いてCPU114とフラッシュコントローラ113を動作させる」を、方式格納部108から選択し、方式Cに従って、VCO110、クロック選択/リセット生成回路111に方式信号125を出力する。VCO110は、方式選択回路109の出力する方式Cによる方式信号125によって発振制御される。   The non-contact power supply voltage sensor 107 outputs a non-contact power supply voltage state signal = 0 as “a state in which the non-contact communication power supply 118 is not supplied” because the non-contact communication power supply 118 is not supplied. Since the non-contact voltage state signal 123 = 0 and the memory card voltage state signal 122 = 1, the method selection circuit 109 recognizes that “only the power source 115 for the memory card is supplied”. The method C corresponding to this state “oscillate VCO 110 and operate CPU 114 and flash controller 113 using VCO clock 124” is selected from method storage unit 108, and VCO 110, clock selection / reset generation circuit according to method C The system signal 125 is output to 111. The VCO 110 is controlled in oscillation by a method signal 125 based on the method C output from the method selection circuit 109.

方式Cの場合、VCO110は発振し、クロック選択/リセット生成回路111へVCOクロック124を出力する。クロック選択/リセット生成回路111は、方式選択回路109の出力する方式Cによる方式信号125によってクロックの選択、リセットの生成を行う。方式Cでは、クロック選択/リセット生成回路111は、CPU114に対してVCOクロック124をCPUクロック126として選択し、CPUリセット129を解除する。またクロック選択/リセット生成回路111は、フラッシュコントローラ113に対してVCOクロック124をフラッシュコントローラクロック127として選択し、フラッシュコントローラリセット130を解除する。またクロック選択/リセット生成回路111は、非接触通信用暗号回路112に対して非接触通信用暗号回路クロック128を停止し、非接触通信用暗号回路リセット131を解除しない。   In the case of method C, the VCO 110 oscillates and outputs the VCO clock 124 to the clock selection / reset generation circuit 111. The clock selection / reset generation circuit 111 performs clock selection and reset generation based on the method signal 125 based on the method C output from the method selection circuit 109. In method C, the clock selection / reset generation circuit 111 selects the VCO clock 124 as the CPU clock 126 for the CPU 114 and cancels the CPU reset 129. The clock selection / reset generation circuit 111 selects the VCO clock 124 as the flash controller clock 127 for the flash controller 113 and cancels the flash controller reset 130. The clock selection / reset generation circuit 111 stops the non-contact communication encryption circuit clock 128 for the non-contact communication encryption circuit 112 and does not release the non-contact communication encryption circuit reset 131.

従って、非接触通信電源118が供給されている状態において、メモリカード用電源115の供給が開始・停止するように遷移したとしても、CPU114,フラッシュコントローラ113,非接触通信用暗号回路112には常に安定したクロックとリセット信号が供給されるため、安定した通信が可能な非接触通信機能付きメモリカードを提供できる。   Accordingly, even when the supply of the memory card power supply 115 is started and stopped in a state where the contactless communication power supply 118 is supplied, the CPU 114, the flash controller 113, and the contactless communication encryption circuit 112 are always provided. Since a stable clock and reset signal are supplied, a memory card with a non-contact communication function capable of stable communication can be provided.

<効果>
以上のように、本実施の形態1では、非接触通信電源118のみが供給されている状態、非接触通信電源118およびメモリカード用電源115が供給されている場合、メモリカード用電源115のみが供給されている場合のそれぞれの状態に対応する方式を用意し、これらの方式を選択可能としているため、各方式をそれぞれの状態に対し最適な方式としておくことで、最適なクロック・リセット制御が可能となる効果がある。
<Effect>
As described above, in the first embodiment, when only the non-contact communication power supply 118 is supplied, or when the non-contact communication power supply 118 and the memory card power supply 115 are supplied, only the memory card power supply 115 is used. Since a method corresponding to each state when it is supplied is prepared and these methods can be selected, the optimum clock reset control can be performed by setting each method to the optimum method for each state. There is a possible effect.

(実施の形態2)
図4は、この発明の実施の形態2による非接触通信機能付きメモリカードの構成を示すブロック図である。このブロック図は図1に示した非接触通信機能付きメモリカードに対し新たに設けた構成部分のみを示すものである。即ち、この図4は図1に示した非接触通信機能付きメモリカードに加えて、さらに拡張部201を備える。なお、実施の形態3以降でもその構成を示すブロック図は、図1に示した非接触通信機能付きメモリカードに対し新たに設けた構成部分のみを示すものとする。また、方式格納部108は、図1の方式A、方式B、方式Cと一部が同様の処理を行う方式D,方式E,方式F,方式Gを格納する。
(Embodiment 2)
FIG. 4 is a block diagram showing the configuration of a memory card with a non-contact communication function according to Embodiment 2 of the present invention. This block diagram shows only the components newly provided for the memory card with the non-contact communication function shown in FIG. That is, FIG. 4 further includes an expansion unit 201 in addition to the memory card with a non-contact communication function shown in FIG. It should be noted that the block diagram showing the configuration in the third and subsequent embodiments also shows only the components newly provided for the memory card with the non-contact communication function shown in FIG. Further, the method storage unit 108 stores a method D, a method E, a method F, and a method G that partially perform the same processing as the method A, the method B, and the method C in FIG.

拡張部201は、メモリカード用電源電圧センサー106から与えられるメモリカード用電圧状態信号122と、非接触電源電圧センサー107から与えられる非接触電圧状態信号123によって、電源供給状態の遷移を記憶し、電源供給状態の遷移パターンの違いによって、方式選択回路109に対して、異なる拡張ビットを付加した拡張部状態信号202を出力する。   The expansion unit 201 stores the transition of the power supply state based on the memory card voltage state signal 122 provided from the memory card power supply voltage sensor 106 and the non-contact voltage state signal 123 provided from the non-contact power supply voltage sensor 107. Depending on the transition pattern of the power supply state, the extension unit state signal 202 with different extension bits added is output to the method selection circuit 109.

ここでは、
拡張部状態信号202[2:0]=
[メモリカード用電圧状態信号122:非接触電圧状態信号123:拡張ビット]
として、
非接触通信電源118のみが供給されている状態から非接触通信電源118およびメモリカード用電源115の両方が供給されている状態に遷移した場合、
即ち、メモリカード用電圧状態信号122=0 かつ 非接触電圧状態信号123=1
の電源供給状態から、
メモリカード用電圧状態信号122=1 かつ 非接触電圧状態信号123=1
に遷移した場合は、
拡張部状態信号202=110(すなわち拡張ビットは0)を、
メモリカード用電源115のみが供給されている状態から非接触通信電源118およびメモリカード用電源115の両方が供給されている状態に遷移した場合、
即ちメモリカード用電圧状態信号122=1 かつ 非接触電圧状態信号123=0
の電源供給状態から、
メモリカード用電圧状態信号122=1 かつ 非接触電圧状態信号123=1
に遷移した場合は、
拡張部状態信号202=111(すなわち拡張ビットは1)を、
それぞれ出力する。
here,
Extension unit status signal 202 [2: 0] =
[Voltage state signal 122 for memory card: non-contact voltage state signal 123: extension bit]
As
When the state where only the non-contact communication power supply 118 is supplied transitions to the state where both the non-contact communication power supply 118 and the memory card power supply 115 are supplied,
That is, the voltage state signal 122 for the memory card and the non-contact voltage state signal 123 = 1
From the power supply state of
Memory card voltage state signal 122 = 1 and non-contact voltage state signal 123 = 1
When transitioning to
The extension state signal 202 = 110 (ie, the extension bit is 0),
When the state where only the memory card power supply 115 is supplied transitions to the state where both the non-contact communication power supply 118 and the memory card power supply 115 are supplied,
That is, the voltage state signal 122 for the memory card and the non-contact voltage state signal 123 = 0
From the power supply state of
Memory card voltage state signal 122 = 1 and non-contact voltage state signal 123 = 1
When transitioning to
The extension part status signal 202 = 111 (that is, the extension bit is 1),
Output each.

また、拡張ビットは、上記以外の遷移パターンでは常に0である。
方式格納部108にはVCO110、CPU114、フラッシュコントローラ113、非接触通信用暗号回路クロック128、およびリセットの制御方法である方式D、方式E、方式F、方式Gが格納されている。
The extension bit is always 0 in transition patterns other than the above.
The method storage unit 108 stores the VCO 110, CPU 114, flash controller 113, non-contact communication encryption circuit clock 128, and method D, method E, method F, and method G that are reset control methods.

ここでは、
方式Dには、「非接触通信電源118のみ供給されている場合、即ち、拡張部状態信号202=010の場合、
VCO110を停止させ、非接触通信クロック120を用いてCPU114と非接触通信用暗号回路112とを動作させる」、
方式Eには、「非接触通信電源118のみ供給されている状態から、非接触通信電源118およびメモリカード用電源115が供給されている状態に遷移した場合、即ち、拡張部状態信号202=110の場合、VCO110を停止させ、非接触通信クロック120を用いてCPU114と非接触通信用暗号回路112とを動作させる」、
方式Fには、「メモリカード用電源115のみ供給されている状態から、非接触通信電源118およびメモリカード用電源115が供給されている状態に遷移した場合、即ち、拡張部状態信号202=111の場合、VCO110を発振させ、VCOクロック124を用いてCPU114とフラッシュコントローラ113と非接触通信用暗号回路112とを動作させる」
方式Gには、「メモリカード用電源115のみ供給されている場合、即ち、拡張部状態信号202=100、VCO110を発振させ、VCOクロック124を用いてCPU114とフラッシュコントローラ113とを動作させる」、
の情報が格納されている。
なお、これら以外に、さらに多くの方式を格納してもかまわない。
here,
In the method D, “when only the non-contact communication power supply 118 is supplied, that is, when the extension unit state signal 202 = 010,
The VCO 110 is stopped, and the CPU 114 and the non-contact communication encryption circuit 112 are operated using the non-contact communication clock 120. "
In the system E, “when the state where only the non-contact communication power supply 118 is supplied is changed to the state where the non-contact communication power supply 118 and the memory card power supply 115 are supplied, that is, the expansion unit state signal 202 = 110. In this case, the VCO 110 is stopped and the CPU 114 and the non-contact communication encryption circuit 112 are operated using the non-contact communication clock 120. "
In the system F, “when only the memory card power supply 115 is supplied is changed to the state where the non-contact communication power supply 118 and the memory card power supply 115 are supplied, that is, the expansion unit state signal 202 = 111. In this case, the VCO 110 is oscillated, and the CPU 114, the flash controller 113, and the non-contact communication encryption circuit 112 are operated using the VCO clock 124. "
In the system G, “when only the memory card power supply 115 is supplied, that is, the expansion unit state signal 202 = 100, the VCO 110 is oscillated, and the CPU 114 and the flash controller 113 are operated using the VCO clock 124”.
Is stored.
In addition to these, more methods may be stored.

以下、上記各方式での動作について説明する。
方式Dおよび方式Gは実施の形態1における方式Aおよび方式Cと同様であるので、説明を省略する。
Hereinafter, the operation in each of the above methods will be described.
Since method D and method G are the same as method A and method C in the first embodiment, description thereof is omitted.

<方式E;最初に非接触通信電源118が供給されている状態から非接触通信電源118およびメモリカード用電源115が供給されている状態に遷移した場合>
まず、非接触通信電源118のみが供給されている状態において、非接触電源電圧センサー107は、非接触通信電源118が供給されると、非接触電源電圧119のモニターを開始し、非接触電圧状態信号123=1を出力する。メモリカード用電源電圧センサー106は、メモリカード用電源115が供給されていないため、メモリカード用電源電圧状態信号=0を出力する。拡張部201は非接触電圧状態信号123=1かつメモリカード用電圧状態信号122=0の状態が遷移していないため拡張ビット=0とし、方式選択回路109に対して、拡張部状態信号202=010を出力する。方式選択回路109は、拡張部状態信号202=010であることから、この状態に一致する方式Dを、方式格納部108から選択し、方式Dに従って、VCO110、クロック選択/リセット生成回路111に方式信号125を出力する。VCO110およびクロック選択/リセット生成回路111は、方式選択回路109の出力する方式Dによる方式信号125によって制御される。即ち、VCO110を停止させ、非接触通信クロック120を用いてCPU114と非接触通信用暗号回路112を動作させる。
<Method E: When the state where the non-contact communication power source 118 is first supplied is changed to the state where the non-contact communication power source 118 and the memory card power source 115 are supplied>
First, when only the non-contact communication power supply 118 is supplied, the non-contact power supply voltage sensor 107 starts monitoring the non-contact power supply voltage 119 when the non-contact communication power supply 118 is supplied. The signal 123 = 1 is output. The memory card power supply voltage sensor 106 outputs a memory card power supply voltage state signal = 0 because the memory card power supply 115 is not supplied. Since the state of the non-contact voltage state signal 123 = 1 and the memory card voltage state signal 122 = 0 has not changed, the expansion unit 201 sets expansion bit = 0, and the expansion unit state signal 202 = 010 is output. Since the extension unit state signal 202 = 010, the method selection circuit 109 selects the method D that matches this state from the method storage unit 108, and sends the method to the VCO 110 and the clock selection / reset generation circuit 111 according to the method D. The signal 125 is output. The VCO 110 and the clock selection / reset generation circuit 111 are controlled by a system signal 125 based on the system D output from the system selection circuit 109. That is, the VCO 110 is stopped, and the CPU 114 and the non-contact communication encryption circuit 112 are operated using the non-contact communication clock 120.

つぎに、非接触通信電源118およびメモリカード用電源115が供給されている状態に遷移したものとする。
非接触電源電圧センサー107は、非接触通信電源118が供給されると、非接触電源電圧119のモニターを開始し、非接触電圧状態信号123=1を出力する。メモリカード用電源電圧センサー106は、メモリカード用通信電源が供給されると、メモリカード用電源電圧116のモニターを開始し、メモリカード用電圧状態信号122=1を出力する。拡張部201は非接触電圧状態信号123=1かつメモリカード用電圧状態信号122=0の状態から、非接触電圧状態信号123=1かつメモリカード用電圧状態信号122=1の状態に遷移したため、拡張ビット=0とし、方式選択回路109に対して、拡張部状態信号202=110を出力する。方式選択回路109は、拡張部状態信号202=110であることから、この状態に一致する方式Eを、方式格納部108から選択し、方式Eに従って、VCO110、クロック選択/リセット生成回路111に方式信号125を出力する。VCO110およびクロック選択/リセット生成回路111は、方式選択回路109の出力する方式Eによる方式信号125によって制御される。即ち、VCO110を停止させ、非接触通信クロック120を用いてCPU114と非接触通信用暗号回路112とを動作させる。
Next, it is assumed that the state is changed to a state where the non-contact communication power source 118 and the memory card power source 115 are supplied.
When the non-contact power supply voltage 118 is supplied, the non-contact power source voltage sensor 107 starts monitoring the non-contact power source voltage 119 and outputs a non-contact voltage state signal 123 = 1. When the memory card communication power is supplied, the memory card power supply voltage sensor 106 starts monitoring the memory card power supply voltage 116 and outputs a memory card voltage state signal 122 = 1. Since the expansion unit 201 transitions from the state of the non-contact voltage state signal 123 = 1 and the memory card voltage state signal 122 = 0 to the state of the non-contact voltage state signal 123 = 1 and the memory card voltage state signal 122 = 1, The extension bit = 0 is set, and the extension unit state signal 202 = 110 is output to the method selection circuit 109. Since the extension unit state signal 202 = 110, the method selection circuit 109 selects the method E that matches this state from the method storage unit 108, and the method is supplied to the VCO 110 and the clock selection / reset generation circuit 111 according to the method E. The signal 125 is output. The VCO 110 and the clock selection / reset generation circuit 111 are controlled by a system signal 125 based on the system E output from the system selection circuit 109. That is, the VCO 110 is stopped and the CPU 114 and the non-contact communication encryption circuit 112 are operated using the non-contact communication clock 120.

<方式F;最初にメモリカード用電源115が供給されている状態から非接触通信電源118およびメモリカード用電源115が供給されている状態に遷移した場合>
まず、メモリカード用電源115のみが供給されている状態において非接触電源電圧センサー107は、非接触通信電源118が供給されていないため、非接触電源電圧状態信号=0を出力する。メモリカード用電源電圧センサー106は、メモリカード用電源115が供給されると、メモリカード用電源電圧116のモニターを開始し、メモリカード用電圧状態信号122=1を出力する。拡張部201は非接触電圧状態信号123=0かつメモリカード用電圧状態信号122=1の状態が遷移していないため拡張ビット=0とし、方式選択回路109に対して、拡張部状態信号202=100を出力する。方式選択回路109は、拡張部状態信号202=100であることから、この状態に一致する方式Gを、方式格納部108から選択し、方式Gに従って、VCO110、クロック選択/リセット生成回路111に方式信号125を出力する。即ち、VCO110を発振させ、VCOクロック124を用いてCPU114とフラッシュコントローラ113とを動作させる。VCO110およびクロック選択/リセット生成回路111は、方式選択回路109の出力する方式Gによる方式信号125によって制御される。
<Method F: When a transition is made from the state in which the memory card power source 115 is first supplied to the state in which the non-contact communication power source 118 and the memory card power source 115 are supplied>
First, the contactless power supply voltage sensor 107 outputs a contactless power supply voltage state signal = 0 because the contactless power supply 118 is not supplied in a state where only the memory card power supply 115 is supplied. When the memory card power supply 115 is supplied, the memory card power supply voltage sensor 106 starts monitoring the memory card power supply voltage 116 and outputs a memory card voltage state signal 122 = 1. Since the state of the non-contact voltage state signal 123 = 0 and the memory card voltage state signal 122 = 1 has not changed, the expansion unit 201 sets expansion bit = 0, and the expansion unit state signal 202 = 100 is output. Since the extension unit state signal 202 = 100, the method selection circuit 109 selects the method G that matches this state from the method storage unit 108 and supplies the method to the VCO 110 and the clock selection / reset generation circuit 111 according to the method G. The signal 125 is output. That is, the VCO 110 is oscillated, and the CPU 114 and the flash controller 113 are operated using the VCO clock 124. The VCO 110 and the clock selection / reset generation circuit 111 are controlled by a method signal 125 based on the method G output from the method selection circuit 109.

つぎに、非接触通信電源118およびメモリカード用電源115が供給されている状態に遷移したものとする。
非接触電源電圧センサー107は、非接触通信電源118が供給されると、非接触電源電圧119のモニターを開始し、非接触電圧状態信号123=1を出力する。メモリカード用電源電圧センサー106は、メモリカード用通信電源が供給されると、メモリカード用電源電圧116のモニターを開始し、メモリカード用電圧状態信号122=1を出力する。拡張部201は非接触電圧状態信号123=0かつメモリカード用電圧状態信号122=1の状態から非接触電圧状態信号123=1かつメモリカード用電圧状態信号122=1の状態に遷移したため、拡張ビット=1とし、方式選択回路109に対して、拡張部状態信号202=111を出力する。方式選択回路109は、拡張部状態信号202=111であることから、この状態に一致する方式Fを、方式格納部108から選択し、方式Fに従って、VCO110、クロック選択/リセット生成回路111に方式信号125を出力する。VCO110およびクロック選択/リセット生成回路111は、方式選択回路109の出力する方式Fによる方式信号125によって制御される。即ち、VCO110を発振させ、VCOクロック124を用いてCPU114とフラッシュコントローラ113と非接触通信用暗号回路112とを動作させる
Next, it is assumed that the state is changed to a state where the non-contact communication power source 118 and the memory card power source 115 are supplied.
When the non-contact power supply voltage 118 is supplied, the non-contact power source voltage sensor 107 starts monitoring the non-contact power source voltage 119 and outputs a non-contact voltage state signal 123 = 1. When the memory card communication power is supplied, the memory card power supply voltage sensor 106 starts monitoring the memory card power supply voltage 116 and outputs a memory card voltage state signal 122 = 1. Since the expansion unit 201 transitions from the state of the non-contact voltage state signal 123 = 0 and the voltage state signal 122 for the memory card to the state of the non-contact voltage state signal 123 = 1 and the voltage state signal 122 for the memory card, the expansion unit 201 Bit = 1 is set, and the extension state signal 202 = 111 is output to the method selection circuit 109. Since the extension unit state signal 202 = 111, the method selection circuit 109 selects the method F that matches this state from the method storage unit 108, and sends the method to the VCO 110 and the clock selection / reset generation circuit 111 according to the method F. The signal 125 is output. The VCO 110 and the clock selection / reset generation circuit 111 are controlled by a method signal 125 by the method F output from the method selection circuit 109. That is, the VCO 110 is oscillated, and the CPU 114, the flash controller 113, and the non-contact communication encryption circuit 112 are operated using the VCO clock 124.

図5は、メモリカード用電圧状態信号122と、非接触電圧状態信号123の遷移を表したものである。パターン1は方式Eに該当し、<最初に非接触通信電源118が供給されている状態から非接触通信電源118およびメモリカード用電源115が供給されている状態に遷移した場合>を示す。また、パターン2は方式Fに該当し、<最初にメモリカード用電源115が供給されている状態から非接触通信電源118およびメモリカード用電源115が供給されている状態に遷移した場合>を示す。   FIG. 5 shows transitions between the memory card voltage state signal 122 and the non-contact voltage state signal 123. Pattern 1 corresponds to method E, and shows <when the state is changed from the state in which the non-contact communication power supply 118 is first supplied to the state in which the non-contact communication power supply 118 and the memory card power supply 115 are supplied>. Pattern 2 corresponds to method F, and indicates <when the memory card power supply 115 is first supplied to the state where the non-contact communication power supply 118 and the memory card power supply 115 are supplied>. .

各々のパターンでは、最終的には同じ電源供給状態(メモリカード用電源115、非接触通信電源118がともに供給)になっているが、電源遷移としては異なっているため、選択される方式も異なり、VCO110、CPU114、フラッシュコントローラ113、非接触通信用暗号回路112も異なった動作を行う。パターン1では、非接触通信電源118の供給中にメモリカード用電源115が供給されるが、VCO110を停止し、クロックの切り替えを行わずに、以前の状態を維持することで電源変動によるノイズの影響などを抑え、非接触通信を安定して行う。またパターン2では、メモリカード用電源115の供給中に非接触通信電源118が供給されるが、VCO110の発振を維持し、さらに非接触通信用暗号回路112もVCOクロック124で動作させることにより、より安定して非接触通信を行う。   Each pattern is finally in the same power supply state (memory card power supply 115 and non-contact communication power supply 118 are both supplied), but the power supply transition is different, so the selected method is different. The VCO 110, the CPU 114, the flash controller 113, and the non-contact communication encryption circuit 112 also perform different operations. In pattern 1, the memory card power 115 is supplied while the non-contact communication power supply 118 is being supplied. However, the VCO 110 is stopped and the previous state is maintained without switching the clock. Suppress the impact, etc., and perform non-contact communication stably. In the pattern 2, the contactless communication power supply 118 is supplied while the memory card power supply 115 is supplied. However, by maintaining the oscillation of the VCO 110 and further operating the contactless communication encryption circuit 112 with the VCO clock 124, Non-contact communication is performed more stably.

<効果>
以上のように、本実施の形態2では、拡張部201を備えたことにより、電源供給状態の遷移によって、各々最適な方式、即ち、最初に非接触通信電源が供給されている状態から非接触通信電源およびメモリカード用電源が供給されている状態に遷移する場合は、VCOを停止した状態を維持して非接触通信クロックを用いてCPUと非接触通信用暗号回路とを動作させることで、電源変動によるノイズの影響を抑える方式、および、最初にメモリカード用電源が供給されている状態から非接触通信電源およびメモリカード用電源が供給されている状態に遷移する場合は、VCOの発振を維持し、CPUとフラッシュコントローラと非接触通信用暗号回路とを安定したVCOクロックで動作させることにより、より安定した非接触通信を行う方式とを選択し、CPU114、フラッシュコントローラ113、非接触通信用暗号回路112に対し、クロックとリセットを制御することができるため、安定した通信が可能な非接触機能付きメモリカードを提供できる。
<Effect>
As described above, in the second embodiment, since the expansion unit 201 is provided, each of the optimal methods, i.e., the state in which the non-contact communication power is first supplied, is contactless by the transition of the power supply state. When transitioning to a state where communication power and memory card power are being supplied, maintaining the VCO stopped and operating the CPU and the non-contact communication encryption circuit using the non-contact communication clock, A method that suppresses the effects of noise due to power fluctuations, and when transitioning from the state in which memory card power is first supplied to the state in which contactless communication power and memory card power are being supplied, By maintaining the CPU, the flash controller, and the encryption circuit for contactless communication with a stable VCO clock, more stable contactless communication is performed. Select the formula, CPU 114, the flash controller 113, for non-contact communication encryption circuit 112, it is possible to control the clock and reset, it is possible to provide a non-contact function memory card capable of stable communication.

(実施の形態3)
図6は、この発明の実施の形態3による非接触通信機能付きメモリカードの構成を示すブロック図であり、図4に示した非接触通信機能付きメモリカードの構成に加えて、拡張部201に対して拡張情報をロードできるROM(第1のROM)401をさらに備える。
ROM401は、電源供給状態の遷移パターン毎にどのように拡張ビットを付与するかという情報を格納しており、拡張部201に対して拡張情報信号402を出力する。拡張部201は、メモリカード用電源電圧センサー106から与えられるメモリカード用電圧状態信号122と、非接触電源電圧センサー107から与えられる非接触電圧状態信号123によって、電源供給状態の遷移を記憶し、ROM401から与えられる拡張情報信号402によりロードした拡張情報に従って、方式選択回路109に対して、拡張ビットを付加した拡張部状態信号202を出力する。
(Embodiment 3)
FIG. 6 is a block diagram showing the configuration of the memory card with contactless communication function according to Embodiment 3 of the present invention. In addition to the configuration of the memory card with contactless communication function shown in FIG. In addition, a ROM (first ROM) 401 that can load extended information is further provided.
The ROM 401 stores information on how to add an extension bit for each transition pattern of the power supply state, and outputs an extension information signal 402 to the extension unit 201. The expansion unit 201 stores the transition of the power supply state based on the memory card voltage state signal 122 provided from the memory card power supply voltage sensor 106 and the non-contact voltage state signal 123 provided from the non-contact power supply voltage sensor 107. In accordance with the extension information loaded by the extension information signal 402 given from the ROM 401, the extension part state signal 202 with the extension bit added is output to the method selection circuit 109.

このような構成の非接触通信機能付きメモリカードにおいて、メモリカード用電源115あるいは非接触通信電源118が供給されると、拡張部201は直ちにROM401に対して拡張情報のロード要求を出力(図示しない)する。ROM401は拡張部201からのロード要求に対し、格納されている、電源供給状態の遷移パターン毎の拡張情報を読み出し、拡張部201に対して拡張情報信号402を出力する。拡張部201は、拡張情報信号402によって与えられる拡張情報を拡張部201内部にストアする。拡張部201はその後電源供給状態が遷移すると、ストアした拡張情報に従って、方式選択回路109に対して、拡張部状態信号202を出力する。   In the memory card with the non-contact communication function configured as described above, when the memory card power 115 or the non-contact communication power 118 is supplied, the expansion unit 201 immediately outputs a load request for expansion information to the ROM 401 (not shown). ) In response to the load request from the extension unit 201, the ROM 401 reads the stored extension information for each power supply state transition pattern, and outputs the extension information signal 402 to the extension unit 201. The extension unit 201 stores the extension information given by the extension information signal 402 in the extension unit 201. When the power supply state transitions thereafter, the expansion unit 201 outputs an expansion unit state signal 202 to the method selection circuit 109 according to the stored expansion information.

<効果>
以上のように、本実施の形態3では、拡張部201に拡張情報をロードできるROM401を備えたことにより、ROMデータの変更によって、電源供給状態の遷移に応じた方式の選択方法を変更することができる。従って、例えば元の選択方法であれば方式Dを方式Eに変更していたものを、方式Gに変更できる等、より柔軟にCPU114、フラッシュコントローラ113、非接触通信用暗号回路112に対し、クロックとリセットを制御することができるため、安定した通信が可能な非接触機能付きメモリカードを提供できる。
<Effect>
As described above, in the third embodiment, the ROM 401 that can load the extension information is provided in the extension unit 201, so that the selection method of the method corresponding to the transition of the power supply state is changed by changing the ROM data. Can do. Therefore, for example, if the original selection method is changed from method D to method E, the method can be changed to method G. For example, the CPU 114, the flash controller 113, and the non-contact communication encryption circuit 112 can be clocked more flexibly. Since the reset can be controlled, a memory card with a non-contact function capable of stable communication can be provided.

(実施の形態4)
図7は、この発明の実施の形態4による非接触通信機能付きメモリカードの構成を示すブロック図である。この図7は図6に示した非接触通信機能付きメモリカードの構成において、ROM401を不揮発性メモリ501に置き換えたものである。この不揮発性メモリはメモリカードコントローラ101内部に設けるものである。
(Embodiment 4)
FIG. 7 is a block diagram showing a configuration of a memory card with a non-contact communication function according to Embodiment 4 of the present invention. FIG. 7 is obtained by replacing the ROM 401 with a nonvolatile memory 501 in the configuration of the memory card with a non-contact communication function shown in FIG. This nonvolatile memory is provided inside the memory card controller 101.

不揮発性メモリ501は、電源供給状態の遷移パターン毎にどのように拡張ビットを付与するかという情報(以下、拡張情報と称す)を格納しており、拡張部201に対して拡張情報信号402を出力する。このような構成の非接触通信機能付きメモリカードにおいて、メモリカード用電源115あるいは非接触通信電源118が供給されると、拡張部201は直ちに不揮発性メモリ501に対して拡張情報のロード要求を出力(図示しない)する。不揮発性メモリ501は拡張部201からのロード要求に対し、格納されている、電源供給状態の遷移パターン毎の拡張情報を読み出し、拡張部201に対して拡張情報信号402を出力する。拡張部201は、拡張情報信号402によって与えられる拡張情報を拡張部201内部にストアする。拡張部201はその後電源供給状態が遷移すると、ストアした拡張情報に従って、方式選択回路109に対して、拡張部状態信号202を出力する。なお不揮発性メモリ501は、CPU114からアクセス可能であり、CPU114動作後は拡張情報を任意に変更することが可能である。   The nonvolatile memory 501 stores information (hereinafter referred to as extension information) on how to add extension bits for each transition pattern of the power supply state, and sends an extension information signal 402 to the extension unit 201. Output. In the memory card with a non-contact communication function having such a configuration, when the memory card power 115 or the non-contact communication power 118 is supplied, the expansion unit 201 immediately outputs a load request for expansion information to the nonvolatile memory 501. (Not shown). In response to the load request from the extension unit 201, the nonvolatile memory 501 reads the stored extension information for each transition pattern of the power supply state and outputs the extension information signal 402 to the extension unit 201. The extension unit 201 stores the extension information given by the extension information signal 402 in the extension unit 201. When the power supply state transitions thereafter, the expansion unit 201 outputs an expansion unit state signal 202 to the method selection circuit 109 according to the stored expansion information. The nonvolatile memory 501 can be accessed from the CPU 114, and the extended information can be arbitrarily changed after the CPU 114 operates.

<効果>
以上のように、本実施の形態4では、拡張部201に拡張情報をロードでき、拡張情報を変更可能な不揮発性メモリ501を備えたことにより、システムの動作中に電源供給状態の遷移に応じた方式の選択方法を任意に変更することができる。このため、不揮発性メモリを書き換えることで、元の選択方法であれば方式Dを方式Eに変更していたものを、方式Gに変更できる等、より柔軟に方式格納部に格納された方式情報の選択方法を変更できるため、CPU114、フラッシュコントローラ113、非接触通信用暗号回路112に対し、クロックとリセットを制御することが可能となり、安定した通信が可能な非接触機能付きメモリカードを提供できる。
<Effect>
As described above, in the fourth embodiment, the extension information can be loaded into the extension unit 201 and the nonvolatile memory 501 capable of changing the extension information is provided, so that the power supply state can be changed during system operation. The selection method of the selected method can be arbitrarily changed. For this reason, the method information stored in the method storage unit more flexibly, such as by rewriting the non-volatile memory, the method D can be changed to the method E if it is the original selection method. Since the selection method can be changed, the clock and reset can be controlled for the CPU 114, the flash controller 113, and the non-contact communication encryption circuit 112, and a memory card with a non-contact function capable of stable communication can be provided. .

(実施の形態5)
図8は、この発明の実施の形態5による非接触通信機能付きメモリカードの構成を示すブロック図であり、図1に示した非接触通信機能付きメモリカードの構成のメモリカード用通信回路104に替えて、拡張部201に対して拡張情報をロードできるロード機能付きメモリカード用通信回路(拡張ビット付与情報通信回路)601をさらに備える。
(Embodiment 5)
FIG. 8 is a block diagram showing a configuration of a memory card with a non-contact communication function according to Embodiment 5 of the present invention. The memory card communication circuit 104 having the configuration of the memory card with a non-contact communication function shown in FIG. Instead, it further includes a memory card communication circuit (an extension bit addition information communication circuit) 601 with a load function capable of loading extension information to the extension unit 201.

ロード機能付きメモリカード用通信回路601は、デジタル機器(図示せず)から与えられるメモリカード用データ117を受信し、受信データに含まれる拡張情報を検出・抽出し、拡張部201に対して拡張情報信号402を出力する。このような構成の非接触通信機能付きメモリカードにおいて、デジタル機器(図示せず)は、拡張情報(電源供給状態の遷移パターン毎にどのように拡張ビットを付与するかという情報)を、メモリカード用データ117としてロード機能付きメモリカード用通信回路601に対して送信する。ロード機能付きメモリカード用通信回路601は、デジタル機器から送られてくるメモリカード用データ117に拡張情報を検出すると、拡張情報を抽出し、拡張部201に対して拡張情報信号402を出力する。拡張部201は、拡張情報信号402によって与えられる拡張情報を拡張部201内部にストアする。拡張部201はその後電源供給状態が遷移すると、ストアした拡張情報に従って、方式選択回路109に対して、拡張部状態信号202を出力する。   A memory card communication circuit 601 with a load function receives memory card data 117 provided from a digital device (not shown), detects and extracts extension information included in the received data, and extends the extension unit 201. An information signal 402 is output. In the memory card with a non-contact communication function having such a configuration, the digital device (not shown) transmits extension information (information on how to add an extension bit for each power supply state transition pattern) to the memory card. Is transmitted to the memory card communication circuit 601 with a load function as the data for use 117. When detecting the extension information in the memory card data 117 sent from the digital device, the memory card communication circuit 601 with a load function extracts the extension information and outputs the extension information signal 402 to the extension unit 201. The extension unit 201 stores the extension information given by the extension information signal 402 in the extension unit 201. When the power supply state transitions thereafter, the expansion unit 201 outputs an expansion unit state signal 202 to the method selection circuit 109 according to the stored expansion information.

なお、ロード機能付きメモリカード用通信回路601は、拡張部201に拡張情報をロードできるロード機能付き非接触通信回路、メモリカード用データ117は非接触通信データ121とし、外部デジタル機器を外部の非接触通信ホスト機器としてもよい。   Note that the memory card communication circuit 601 with a load function is a non-contact communication circuit with a load function capable of loading extension information into the expansion unit 201, the memory card data 117 is non-contact communication data 121, and an external digital device is connected to an external non-contact device. It may be a contact communication host device.

<効果>
以上のように、本実施の形態5では、拡張部201に拡張情報をロードできるロード機能付きメモリカード用通信回路601を備えたことにより、外部のデジタル機器から、電源供給状態の遷移に応じた方式の選択方法を任意に変更することができる。このため、メモリカードを装着した外部機器からの制御等により方式の選択方法の変更が可能となり、より柔軟にCPU114、フラッシュコントローラ113、非接触通信用暗号回路112に対し、クロックとリセットを制御することができるため、安定した通信が可能な非接触機能付きメモリカードを提供できる。
<Effect>
As described above, in the fifth embodiment, the expansion unit 201 includes the memory card communication circuit 601 with a load function that can load the extension information, so that the external digital device can respond to the power supply state transition. The method of selecting a method can be arbitrarily changed. For this reason, the method selection method can be changed by control from an external device equipped with a memory card, and the clock and reset are controlled more flexibly with respect to the CPU 114, the flash controller 113, and the non-contact communication encryption circuit 112. Therefore, a memory card with a non-contact function capable of stable communication can be provided.

(実施の形態6)
図9は、この発明の実施の形態6による非接触通信機能付きメモリカードの構成を示すブロック図であり、図7に示した非接触通信機能付きメモリカードの構成に加えて、タイマー701をさらに備える。
(Embodiment 6)
FIG. 9 is a block diagram showing a configuration of a memory card with a non-contact communication function according to Embodiment 6 of the present invention. In addition to the configuration of the memory card with a non-contact communication function shown in FIG. Prepare.

タイマー701は、メモリカード用電源電圧センサー106から与えられるメモリカード用電圧状態信号122と、非接触電源電圧センサー107から与えられる非接触電圧状態信号123によって、カウンターのリセットを行う。また、タイマー701はカウンターが設定値に達すると、時間情報信号702を不揮発性メモリ501に対して出力する。
不揮発性メモリ501は、電源供給状態の遷移パターン毎にどのように拡張ビットを付与するかという情報(拡張情報)を格納しており、タイマー701より与えられる時間情報信号702に従って拡張部201に対して拡張情報信号402を出力する。
The timer 701 resets the counter based on the memory card voltage state signal 122 provided from the memory card power supply voltage sensor 106 and the non-contact voltage state signal 123 provided from the non-contact power supply voltage sensor 107. The timer 701 outputs a time information signal 702 to the nonvolatile memory 501 when the counter reaches a set value.
The nonvolatile memory 501 stores information (extended information) on how to add an extension bit for each transition pattern of the power supply state, and the extension unit 201 is instructed according to the time information signal 702 given by the timer 701. The extended information signal 402 is output.

このような構成の非接触通信機能付きメモリカードにおいて、メモリカード用電源115あるいは非接触通信電源118が供給されると、タイマー701は直ちにカウントを開始する。タイマー701のカウンター設定値に達するまでの間に、メモリカード用電圧状態信号122あるいは非接触電圧状態信号123が変化すると、タイマー701はカウンターをリセットし、再びカウントを開始する。タイマー701のカウンター設定値に達するまでの間に、メモリカード用電圧状態信号122あるいは非接触電圧状態信号123が変化しなかった場合、タイマー701は不揮発性メモリ501に対して、時間情報信号702を出力する。不揮発性メモリ501はタイマー701より与えられる時間情報信号702によって、格納されている、電源供給状態の遷移パターン毎の拡張情報を読み出し、拡張部201に対して拡張情報信号402を出力する。拡張部201は、拡張情報信号402によって与えられる拡張情報を拡張部201内部にストアする。拡張部201はその後電源供給状態が遷移すると、ストアした拡張情報に従って、方式選択回路109に対して、拡張部状態信号202を出力する。   In the memory card with the non-contact communication function having such a configuration, when the memory card power 115 or the non-contact communication power 118 is supplied, the timer 701 starts counting immediately. If the memory card voltage state signal 122 or the non-contact voltage state signal 123 changes before reaching the counter set value of the timer 701, the timer 701 resets the counter and starts counting again. If the memory card voltage state signal 122 or the non-contact voltage state signal 123 does not change before reaching the counter set value of the timer 701, the timer 701 sends a time information signal 702 to the nonvolatile memory 501. Output. The nonvolatile memory 501 reads the stored extended information for each transition pattern of the power supply state by the time information signal 702 given from the timer 701, and outputs the extended information signal 402 to the expansion unit 201. The extension unit 201 stores the extension information given by the extension information signal 402 in the extension unit 201. When the power supply state transitions thereafter, the expansion unit 201 outputs an expansion unit state signal 202 to the method selection circuit 109 according to the stored expansion information.

たとえば、図5のパターン1の電源供給状態遷移において、タイマー701は、非接触通信電源118が供給されている状態でのみカウントし、非接触通信電源118が供給されていない状態では、カウンターをリセットするとする。パターン1の思想は、非接触通信電源118が供給されている間は電源やクロックの切り替えを行わず、非接触通信の安定性を優先して、メモリカード通信は保留するというものである。このようなパターン1において、非接触通信ホスト機器からの通信がいつまでも終了せず、メモリカード用電源115が供給される(デジタル機器によりメモリカードに対してアクセスが起こる)と、メモリカードはフラッシュコントローラ113のクロックを停止したままの状態になり、メモリカード通信を開始することができない。この時、タイマー701は非接触通信電源118が供給されている状態の時間を測定し、カウンター設定値になったときに、時間情報信号702を不揮発性メモリ501に出力する。不揮発性メモリ501は時間情報信号702によって、現在方式Eを表わしている拡張情報信号402を方式Fに変更し、拡張部201に出力する。これにより、タイマー設定値、即ち非接触通信電源の供給時間に達したか否かに応じて非接触通信が破綻しているか否かを判断でき、破綻したと判断した場合にメモリカードは非接触通信を中止し、クロックとしてVCOクロックを使用してメモリカード通信を開始することができる。   For example, in the power supply state transition of the pattern 1 of FIG. 5, the timer 701 counts only when the non-contact communication power supply 118 is supplied, and resets the counter when the non-contact communication power supply 118 is not supplied. Then. The idea of pattern 1 is that the power supply and the clock are not switched while the non-contact communication power supply 118 is supplied, and the memory card communication is put on hold with priority given to the stability of the non-contact communication. In such pattern 1, when the communication from the non-contact communication host device does not end indefinitely and the memory card power supply 115 is supplied (access to the memory card by the digital device), the memory card becomes a flash controller. 113 remains stopped, and memory card communication cannot be started. At this time, the timer 701 measures the time when the non-contact communication power supply 118 is supplied, and outputs a time information signal 702 to the nonvolatile memory 501 when the counter setting value is reached. The non-volatile memory 501 changes the extended information signal 402 representing the current method E to the method F by the time information signal 702 and outputs it to the extension unit 201. This makes it possible to determine whether or not contactless communication has failed depending on the timer setting value, i.e. whether or not the supply time of the contactless communication power supply has been reached. Communication can be stopped and memory card communication can be started using the VCO clock as the clock.

<効果>
以上のように、本実施の形態6では、電源供給状態の時間を測定するタイマー701を備えたことにより、電源が供給されている時間の長さによって、最適な方式の選択方法を任意に変更することができ、より柔軟にCPU114、フラッシュコントローラ113、非接触通信用暗号回路112に対し、クロックとリセットを制御することができるため、安定した通信が可能な非接触機能付きメモリカードを提供できる。
<Effect>
As described above, in the sixth embodiment, the timer 701 for measuring the time of the power supply state is provided, so that the optimum method selection method can be arbitrarily changed according to the length of time during which the power is supplied. It is possible to control the clock and reset for the CPU 114, the flash controller 113, and the non-contact communication encryption circuit 112 more flexibly, so that a memory card with a non-contact function capable of stable communication can be provided. .

(実施の形態7)
図10は、この発明の実施の形態7による非接触通信機能付きメモリカードの構成を示すブロック図であり、図9に示した非接触通信機能付きメモリカードの構成に加えて、学習器801をさらに備える。
(Embodiment 7)
FIG. 10 is a block diagram showing a configuration of a memory card with a non-contact communication function according to Embodiment 7 of the present invention. In addition to the configuration of the memory card with a non-contact communication function shown in FIG. Further prepare.

学習器801は、タイマー701から与えられる時間情報信号702をモニターし、時間情報信号702の発生する頻度を学習する。また学習器801は、学習した結果に基づき学習情報信号802を不揮発性メモリ501に対して出力する。不揮発性メモリ501は、電源供給状態の遷移パターン毎にどのように拡張ビットを付与するかという情報(拡張情報)を格納しており、学習器801により与えられる学習情報信号802およびタイマー701より与えられる時間情報信号702に従って拡張部201に対して拡張情報信号402を出力する。   The learning device 801 monitors the time information signal 702 given from the timer 701 and learns how often the time information signal 702 is generated. The learning device 801 outputs a learning information signal 802 to the nonvolatile memory 501 based on the learning result. The nonvolatile memory 501 stores information (extended information) on how to add an extension bit for each transition pattern of the power supply state, and is given from a learning information signal 802 and a timer 701 given by the learning device 801. The extended information signal 402 is output to the extension unit 201 in accordance with the time information signal 702 to be transmitted.

このような構成の非接触通信機能付きメモリカードにおいて、学習器801は、タイマー701が出力する時間情報信号702をモニターし、時間情報信号702の発生する頻度を学習する。学習器801は、時間情報信号702の発生する頻度が多いと学習すると、不揮発性メモリ501に対して、学習情報信号802を出力する。不揮発性メモリ501は通常、タイマー701より与えられる時間情報信号702によって、格納されている、電源供給状態の遷移パターン毎の拡張情報を読み出し、拡張部201に対して拡張情報信号402を出力するが、学習器801から学習情報信号802が出力された場合は、学習情報信号802を優先しその情報に従って拡張部201に対して拡張情報信号402を出力する。拡張部201は、拡張情報信号402によって与えられる拡張情報を拡張部201内部にストアする。拡張部201はその後電源供給状態が遷移すると、ストアした拡張情報に従って、方式選択回路109に対して、拡張部状態信号202を出力する。   In the memory card with the non-contact communication function configured as described above, the learning device 801 monitors the time information signal 702 output from the timer 701 and learns the frequency with which the time information signal 702 is generated. When the learning device 801 learns that the time information signal 702 is generated frequently, the learning device 801 outputs the learning information signal 802 to the nonvolatile memory 501. The nonvolatile memory 501 normally reads the stored extended information for each power supply state transition pattern by the time information signal 702 given from the timer 701 and outputs the extended information signal 402 to the expansion unit 201. When the learning information signal 802 is output from the learning device 801, the learning information signal 802 is prioritized and the extension information signal 402 is output to the extension unit 201 according to the information. The extension unit 201 stores the extension information given by the extension information signal 402 in the extension unit 201. When the power supply state transitions thereafter, the expansion unit 201 outputs an expansion unit state signal 202 to the method selection circuit 109 according to the stored expansion information.

たとえば、図5のパターン1の電源供給状態の遷移において、非接触通信ホスト機器からの通信がいつまでも終了せず、メモリカード用電源115が供給されると、メモリカードはフラッシュコントローラ113のクロックを停止したままの状態になり、メモリカード通信を開始することができないが、タイマー701が、時間情報信号702を不揮発性メモリ501に出力することで、不揮発性メモリ501は、現在方式Eを表わしている拡張情報信号402を方式Fに変更し、拡張部201に出力する。これにより、メモリカードはメモリカード通信を開始することができる。学習器801は、この時間情報信号702の発生する頻度を学習する。この頻度とはすなわち、非接触通信ホスト機器からの通信がいつまでも終了せず、メモリカード用電源115が供給される状態が発生する頻度を示す。このような状況は、例えば、使用者が非接触通信用のホスト機器にカードを十分近づけないとか、タッチが不十分な場合が多い場合に発生する。   For example, in the transition of the power supply state of pattern 1 in FIG. 5, if the communication from the non-contact communication host device does not end indefinitely and the memory card power 115 is supplied, the memory card stops the clock of the flash controller 113. The memory card communication cannot be started, but the timer 701 outputs the time information signal 702 to the non-volatile memory 501, so that the non-volatile memory 501 represents the current method E. The extension information signal 402 is changed to the method F and output to the extension unit 201. Thereby, the memory card can start memory card communication. The learning device 801 learns the frequency with which the time information signal 702 is generated. In other words, this frequency indicates the frequency at which communication from the non-contact communication host device does not end indefinitely and a state in which the memory card power supply 115 is supplied occurs. Such a situation occurs, for example, when the user does not sufficiently bring the card close to the host device for non-contact communication or the touch is often insufficient.

学習器801はこの頻度が多いと学習すると、利用者が頻繁に使用する条件では、例えば、現在の方式Eよりも方式Fを使うほうが最適であると判断し、次回起動時には、不揮発性メモリ501は、方式Dから方式Eを選択する拡張情報ではなく、方式Dから方式Fを選択する拡張情報を拡張部201に出力するよう、学習情報信号802を出力する。
なお、学習器は公知の学習アルゴリズムを実行するものを使用できる。
If the learning device 801 learns that the frequency is high, it is determined that, for example, it is more optimal to use the method F than the current method E under the conditions that the user frequently uses. Outputs the learning information signal 802 so that extended information for selecting the method F from the method D is output to the extension unit 201 instead of the extended information for selecting the method E from the method D.
A learning device that executes a known learning algorithm can be used.

<効果>
以上のように、本実施の形態7では、タイマー701の出力する時間情報信号702の発生する頻度を学習する学習器801を備えたことにより、使用者が頻繁に使用する条件を学習し、最適な方式の選択方法に変更することができ、より柔軟にCPU114、フラッシュコントローラ113、非接触通信用暗号回路112に対し、クロックとリセットを制御することができるため、安定した通信が可能な非接触機能付きメモリカードを提供できる。
<Effect>
As described above, in the seventh embodiment, the learning device 801 that learns the frequency of occurrence of the time information signal 702 output from the timer 701 is provided, so that the conditions frequently used by the user are learned and optimized. Since the clock and reset can be controlled more flexibly to the CPU 114, the flash controller 113, and the non-contact communication encryption circuit 112, the non-contact capable of stable communication. A memory card with functions can be provided.

(実施の形態8)
図11は、この発明の実施の形態8による非接触通信機能付きメモリカードの構成を示すブロック図であり、図9に示した非接触通信機能付きメモリカードの構成に加えて、不正パターン照合器901をさらに備える。
(Embodiment 8)
FIG. 11 is a block diagram showing a configuration of a memory card with a non-contact communication function according to Embodiment 8 of the present invention. In addition to the configuration of the memory card with a non-contact communication function shown in FIG. 901 is further provided.

不正パターン照合器901は、あらかじめ不正と認識する電源供給状態のパターンを格納しており、メモリカード用電源電圧センサー106から与えられるメモリカード用電圧状態信号122と、非接触電源電圧センサー107から与えられる非接触電圧状態信号123と、タイマー701から与えられる時間情報信号702によって、不正な電源供給状態のパターンを検出し、不正情報信号902をCPU114に対して出力する。このような構成の非接触通信機能付きメモリカードにおいて、不正パターン照合器901は、メモリカード用電源電圧センサー106から与えられるメモリカード用電圧状態信号122と、非接触電源電圧センサー107から与えられる非接触電圧状態信号123により現在の電源供給状態および、電源供給状態の遷移を認識し、タイマー701から与えられる時間情報信号702により、電源供給状態の継続時間を認識する。また不正パターン照合器901は、あらかじめ不正と認識する電源供給状態のパターンを格納しており、この不正パターンと認識した電源供給状態の遷移のパターンが一致すると不正な行為が行われていると判断し、CPU114に対して不正情報信号902を出力する。   The fraud pattern collator 901 stores a power supply state pattern that is recognized as fraud in advance, and is supplied from the memory card voltage state signal 122 supplied from the memory card power supply voltage sensor 106 and from the non-contact power supply voltage sensor 107. By using the non-contact voltage state signal 123 and the time information signal 702 given from the timer 701, an unauthorized power supply state pattern is detected and an unauthorized information signal 902 is output to the CPU 114. In the memory card with the non-contact communication function configured as described above, the illegal pattern collator 901 includes the memory card voltage state signal 122 supplied from the memory card power supply voltage sensor 106 and the non-contact power supply voltage sensor 107. The current power supply state and the transition of the power supply state are recognized from the contact voltage state signal 123, and the duration of the power supply state is recognized from the time information signal 702 given from the timer 701. The unauthorized pattern collator 901 stores a power supply state pattern that is recognized as unauthorized in advance, and determines that an unauthorized action is being performed if the unauthorized pattern matches the recognized power supply state transition pattern. The illegal information signal 902 is output to the CPU 114.

CPU114は不正情報信号902を受け、不正な行為に対する対策を実行する。
たとえば、図12はメモリカード用電源115が供給されている間に、非接触通信電源118が非接触通信の行われる時間に対して短い間隔で何度も供給される場合を示したものである。仮に一回の非接触通信電源118の供給時間が1μs以下で、これが10回以上繰り返された場合を不正パターンとする。まず不正パターン照合器901は、メモリカード用電圧状態信号122と、非接触電圧状態信号123により、現在の電源供給状態がメモリカード用電源115が供給されかつ非接触通信電源118が供給されている状態であることを認識する。またタイマー701は現在の電源供給状態の継続時間を時間情報信号702に出力し、不正パターン照合器901は、現在の継続時間を記録する。つぎに非接触通信電源118が供給されなくなると、不正パターン照合器901は、現在の電源供給状態がメモリカード用電源115のみ供給されている状態であることを認識する。またタイマー701は以前の電源供給状態の継続時間をクリアし、新たに継続時間のカウントを開始し、時間情報信号702に出力する。不正パターン照合器901は、以前の電源供給状態の継続時間がクリアされると、クリアされる直前の継続時間が1μs以下かどうかを判断する。もしも1μs以下であれば、これを1回目のフラグと記録し、引き続き監視を行う。このパターンが10回以上発生し、10回目のフラグが記録されると、不正パターンに一致したと判断し、CPU114に対して不正情報信号902を出力する。CPU114は不正情報信号902を割り込み要因として不正対策処理(例えば強制リセットをかけたり、データを全消去したり)を行う。
The CPU 114 receives the fraud information signal 902 and executes countermeasures against fraudulent acts.
For example, FIG. 12 shows a case where the non-contact communication power source 118 is supplied many times at short intervals with respect to the time during which non-contact communication is performed while the memory card power source 115 is supplied. . If the supply time of one non-contact communication power supply 118 is 1 μs or less and this is repeated 10 times or more, an illegal pattern is assumed. First, the illegal pattern collator 901 is supplied with the memory card power 115 and the non-contact communication power 118 based on the memory card voltage state signal 122 and the non-contact voltage state signal 123. Recognize that it is in a state. The timer 701 outputs the current power supply state duration to the time information signal 702, and the illegal pattern collator 901 records the current duration. Next, when the non-contact communication power supply 118 is not supplied, the unauthorized pattern collator 901 recognizes that the current power supply state is a state in which only the memory card power supply 115 is supplied. In addition, the timer 701 clears the duration of the previous power supply state, newly starts counting the duration, and outputs it to the time information signal 702. When the duration of the previous power supply state is cleared, the illegal pattern collator 901 determines whether the duration immediately before being cleared is 1 μs or less. If it is 1 μs or less, this is recorded as the first flag and monitoring is continued. When this pattern occurs ten times or more and the tenth flag is recorded, it is determined that the pattern matches the illegal pattern, and an illegal information signal 902 is output to the CPU 114. The CPU 114 performs fraud countermeasure processing (for example, forcibly resetting or erasing all data) using the fraud information signal 902 as an interrupt factor.

これにより、例えば、非接触通信ホスト機器をもちいて、解析目的で何度もアクセスを行ったり、通常使用では考えられない不自然なパターンを頻繁に繰り返し、その際の反応を見ることで、カードの内部を解析しようとする等の不正行為とその予備行為の防止が可能となる。   This makes it possible, for example, to use a contactless communication host device to access many times for the purpose of analysis, or to frequently repeat unnatural patterns that cannot be considered in normal use, and to see the reaction at that time. It is possible to prevent fraudulent acts such as trying to analyze the inside of the system and its preliminary actions.

<効果>
以上のように、実施の形態8では、不正パターン照合器901を備えたことにより、不正な電源供給状態遷移を検知することができるため、通常想定される使用状況とは異なった使用を繰り返し実行した場合のカードの反応を観察することでカード内部の解析を試みる等の、不正行為ならびにその予備行為に対しても安全で安定した通信が可能な非接触機能付きメモリカードを提供できる。
<Effect>
As described above, according to the eighth embodiment, since the unauthorized pattern collator 901 is provided, an unauthorized power supply state transition can be detected, so that the use different from the normally assumed use state is repeatedly executed. In this case, it is possible to provide a memory card with a non-contact function that enables safe and stable communication against fraudulent acts and preparatory actions such as trying to analyze the inside of the card by observing the reaction of the card.

(実施の形態9)
図13は、この発明の実施の形態9による非接触通信機能付きメモリカードの構成を示すブロック図であり、図1に示した非接触通信機能付きメモリカードの構成に加えて、方式格納部108に方式をロードするためのROM(第2のROM)1101をさらに備える。
(Embodiment 9)
FIG. 13 is a block diagram showing the configuration of the memory card with contactless communication function according to Embodiment 9 of the present invention. In addition to the configuration of the memory card with contactless communication function shown in FIG. A ROM (second ROM) 1101 for loading the method is further provided.

ROM1101は、電源供給状態に応じた、VCO110、CPU114、フラッシュコントローラ113、非接触通信用暗号回路112のクロック、およびリセットの制御方法(方式)を格納しており、方式格納部108に対して方式情報信号1102を出力する。このような構成の非接触通信機能付きメモリカードにおいて、メモリカード用電源115あるいは非接触通信電源118が供給されると、方式格納部108は直ちにROM1101に対して方式のロード要求を出力(図示しない)する。ROM1101は方式格納部108からのロード要求に対し、格納されている方式を読み出し、方式格納部108に対して方式情報信号1102を出力する。方式格納部108は、方式情報信号1102によって与えられる方式を方式格納部108にストアする。   The ROM 1101 stores the VCO 110, the CPU 114, the flash controller 113, the clock of the non-contact communication encryption circuit 112, and the reset control method (method) according to the power supply state. An information signal 1102 is output. In the memory card with the non-contact communication function having such a configuration, when the memory card power 115 or the non-contact communication power 118 is supplied, the method storage unit 108 immediately outputs a method load request to the ROM 1101 (not shown). ) The ROM 1101 reads the stored method in response to the load request from the method storage unit 108, and outputs a method information signal 1102 to the method storage unit 108. The method storage unit 108 stores the method given by the method information signal 1102 in the method storage unit 108.

<効果>
以上のように、本実施の形態9では、方式格納部108に方式をロードできるROM1101を備えたことにより、ROMデータ(ソフトウェア)の変更によって、方式格納部108に格納されている方式情報自体を差し替えることが可能となる。このため、より柔軟にCPU114、フラッシュコントローラ113、非接触通信用暗号回路112に対し、クロックとリセットを制御することが可能となり、安定した通信が可能な非接触機能付きメモリカードを提供できる。
<Effect>
As described above, in the ninth embodiment, the ROM 1101 that can load a method to the method storage unit 108 is provided, so that the method information itself stored in the method storage unit 108 is changed by changing the ROM data (software). It can be replaced. Therefore, it is possible to control the clock and reset for the CPU 114, the flash controller 113, and the non-contact communication encryption circuit 112 more flexibly, and a memory card with a non-contact function capable of stable communication can be provided.

(実施の形態10)
図14は、この発明の実施の形態10による非接触通信機能付きメモリカードの構成を示すブロック図であり、図1に示した非接触通信機能付きメモリカードの構成に加えて、電源要求部1201をさらに備える。
(Embodiment 10)
FIG. 14 is a block diagram showing a configuration of a memory card with a non-contact communication function according to Embodiment 10 of the present invention. In addition to the configuration of the memory card with a non-contact communication function shown in FIG. Is further provided.

電源要求部1201は、メモリカード用電源電圧センサー106から与えられるメモリカード用電圧状態信号122と、非接触電源電圧センサー107から与えられる非接触電圧状態信号123と、タイマー701から与えられる時間情報信号702によって、現在の電源供給状態をモニターし、メモリカード用電源115が必要と判断した場合に、メモリカード用通信回路104に対し、電力要求信号1202を出力する。このような構成の非接触通信機能付きメモリカードにおいて、非接触通信電源118のみ供給されている場合、非接触通信電源118はメモリカード用電源115に比べて電源供給能力が劣っているため、方式選択回路109では消費電力を抑えるために、動作する機能ブロックを限定したり、VCO110を停止したりする方式を選択せざるを得ない。このような場合電源要求部1201は、メモリカード用通信回路104に対し、供給能力の高いメモリカード用電源115を供給するよう、電力要求信号1202を出力する。メモリカード用通信回路104は、電源要求部1201から与えられた電力要求信号1202を受け、外部のデジタル機器(図示せず)に対して、メモリカード用データ117を出力し電源要求を行う。デジタル機器は電源要求を受けると、非接触通信機能付きメモリカードに対し、メモリカード用電源115を供給開始する。方式選択回路109では、メモリカード用電源115及び非接触通信電源118がともに供給されている状態の方式、すなわちすべての機能ブロックが動作し、VCO110を発振して高速なクロックで動作させる方式を選択する。   The power supply request unit 1201 includes a memory card voltage state signal 122 provided from the memory card power supply voltage sensor 106, a non-contact voltage state signal 123 provided from the non-contact power supply voltage sensor 107, and a time information signal provided from the timer 701. The current power supply state is monitored by 702, and when it is determined that the memory card power supply 115 is necessary, a power request signal 1202 is output to the memory card communication circuit 104. In the memory card with a non-contact communication function having such a configuration, when only the non-contact communication power supply 118 is supplied, the non-contact communication power supply 118 is inferior in power supply capability to the memory card power supply 115. In the selection circuit 109, in order to suppress power consumption, a method for limiting the function blocks to be operated or stopping the VCO 110 must be selected. In such a case, the power supply request unit 1201 outputs a power request signal 1202 to the memory card communication circuit 104 so as to supply the memory card power supply 115 having a high supply capability. The memory card communication circuit 104 receives the power request signal 1202 supplied from the power request unit 1201 and outputs memory card data 117 to an external digital device (not shown) to make a power request. When the digital device receives the power request, it starts supplying the memory card power 115 to the memory card with the non-contact communication function. The method selection circuit 109 selects a method in which both the memory card power supply 115 and the non-contact communication power supply 118 are supplied, that is, a method in which all the functional blocks operate and the VCO 110 oscillates and operates at a high-speed clock. To do.

<効果>
以上のように、本実施の形態10では、非接触通信電源118のみ供給されている場合に、メモリカード用電源115の供給を要求する電源要求部1201を備えたことによって、非接触通信中の電源供給を安定させ、VCO110を発振して高速なクロックで動作させることができるため、より安定で高速な通信が可能な非接触機能付きメモリカードを提供できる。
<Effect>
As described above, in the tenth embodiment, when only the non-contact communication power source 118 is supplied, the power request unit 1201 that requests the supply of the memory card power source 115 is provided. Since the power supply can be stabilized and the VCO 110 can be oscillated and operated with a high-speed clock, a memory card with a contactless function capable of more stable and high-speed communication can be provided.

なお、上記実施の形態1ないし10において、ソフトウエア化が可能な回路ブロックはソフトウエアにより実現してもよい。
また、上記実施の形態1ないし10においては、携帯電話機のスロットに装着される例を示したが、他の機器に装着されてもよく、あるいは、カード単体として、カードリーダライタにかざすあるいはタッチする非接触通信と、カードリーダライタのスロットに挿入する接触通信の双方に対応するものとしてもよい。
さらに、上記実施の形態1ないし10においては、自動改札や商店のサービスポイントカードリーダライタを例にとって説明したが、いわゆる電子マネーカードやクレジットカード、社員証、入退室管理等に適用してもよい。
In Embodiments 1 to 10, the circuit block that can be implemented in software may be realized by software.
In the first to tenth embodiments, an example in which the mobile phone is mounted in the slot has been described. However, the mobile phone may be mounted in another device, or the card reader / writer may be held or touched as a single card. Both non-contact communication and contact communication inserted into the slot of the card reader / writer may be supported.
Further, in Embodiments 1 to 10 described above, automatic ticket gates and service point card reader / writers of shops have been described as examples, but they may be applied to so-called electronic money cards, credit cards, employee ID cards, entrance / exit management, and the like. .

以上のように、本発明に係る半導体装置は、非接触通信と接触通信を併用するカードの通信の安定性を向上でき、この種のカードを用いる決済システムや認証システムの信頼性を向上する用途に利用可能である。   As described above, the semiconductor device according to the present invention can improve the communication stability of a card that uses both contactless communication and contact communication, and improves the reliability of a settlement system and an authentication system using this type of card. Is available.

この発明の実施の形態1による半導体装置としての非接触機能付きメモリカードの全体構成を示すブロック図である。1 is a block diagram showing an overall configuration of a memory card with a non-contact function as a semiconductor device according to a first embodiment of the present invention. この発明の実施の形態1による半導体装置としての非接触機能付きメモリカードの全体構成を、データの流れおよび電源系統の全体を含めて示すブロック図である。1 is a block diagram showing an overall configuration of a memory card with a non-contact function as a semiconductor device according to a first embodiment of the present invention, including a data flow and an entire power supply system. この発明の実施の形態1による半導体装置としての非接触機能付きメモリカードの使用状況の一例を示すである。It is an example of the use condition of the memory card with a non-contact function as a semiconductor device by Embodiment 1 of this invention. この発明の実施の形態2による半導体装置としての非接触機能付きメモリカードの構成を示すブロック図である。It is a block diagram which shows the structure of the memory card with a non-contact function as a semiconductor device by Embodiment 2 of this invention. この発明の実施の形態2における電源供給状態の遷移を示した図である。It is the figure which showed the transition of the power supply state in Embodiment 2 of this invention. この発明の実施の形態3による半導体装置としての非接触機能付きメモリカードの構成を示すブロック図である。It is a block diagram which shows the structure of the memory card with a non-contact function as a semiconductor device by Embodiment 3 of this invention. この発明の実施の形態4による半導体装置としての非接触機能付きメモリカードの構成を示すブロック図である。It is a block diagram which shows the structure of the memory card with a non-contact function as a semiconductor device by Embodiment 4 of this invention. この発明の実施の形態5による半導体装置としての非接触機能付きメモリカードの構成を示すブロック図である。It is a block diagram which shows the structure of the memory card with a non-contact function as a semiconductor device by Embodiment 5 of this invention. この発明の実施の形態6による半導体装置としての非接触機能付きメモリカードの構成を示すブロック図である。It is a block diagram which shows the structure of the memory card with a non-contact function as a semiconductor device by Embodiment 6 of this invention. この発明の実施の形態7による半導体装置としての非接触機能付きメモリカードの構成を示すブロック図である。It is a block diagram which shows the structure of the memory card with a non-contact function as a semiconductor device by Embodiment 7 of this invention. この発明の実施の形態8による半導体装置としての非接触機能付きメモリカードの構成を示すブロック図である。It is a block diagram which shows the structure of the memory card with a non-contact function as a semiconductor device by Embodiment 8 of this invention. この発明の実施の形態8における電源供給状態の遷移を示した図である。It is the figure which showed the transition of the power supply state in Embodiment 8 of this invention. この発明の実施の形態9による半導体装置としての非接触機能付きメモリカードの構成を示すブロック図である。It is a block diagram which shows the structure of the memory card with a non-contact function as a semiconductor device by Embodiment 9 of this invention. この発明の実施の形態10による半導体装置としての非接触機能付きメモリカードの構成を示すブロック図である。It is a block diagram which shows the structure of the memory card with a non-contact function as a semiconductor device by Embodiment 10 of this invention.

符号の説明Explanation of symbols

101 メモリカードコントローラ
102 コイルアンテナ
103 フラッシュメモリ
104 メモリカード用通信回路
105 非接触通信回路
106 メモリカード用電源電圧センサー
107 非接触電源電圧センサー
108 方式格納部
109 方式選択回路
110 VCO
111 クロック選択/リセット生成回路
112 非接触通信用暗号回路
113 フラッシュコントローラ
114 CPU
115 メモリカード用電源
116 メモリカード用電源電圧
117 メモリカード用データ
118 非接触通信電源
119 非接触電源電圧
120 非接触通信クロック
121 非接触通信データ
122 メモリカード用電圧状態信号
123 非接触電圧状態信号
124 VCOクロック
125 方式信号
126 CPUクロック
127 フラッシュコントローラクロック
128 非接触通信用暗号回路クロック
129 CPUリセット
130 フラッシュコントローラリセット
131 非接触通信用暗号回路リセット
201 拡張部
202 拡張状態信号
401 ROM
402 拡張情報信号
501 不揮発性メモリ
601 ロード機能付きメモリカード用通信回路
701 タイマー
702 時間情報信号
801 学習器
802 学習情報信号
901 不正パターン照合器
902 不正情報信号
1101 ROM
1102 方式情報信号
1201 電源要求部
1202 電力要求信号
101 Memory Card Controller 102 Coil Antenna 103 Flash Memory 104 Memory Card Communication Circuit 105 Non-Contact Communication Circuit 106 Memory Card Power Supply Voltage Sensor 107 Non-Contact Power Supply Voltage Sensor 108 Method Storage Unit 109 Method Selection Circuit 110 VCO
111 Clock selection / reset generation circuit 112 Non-contact communication encryption circuit 113 Flash controller 114 CPU
115 Memory Card Power Supply 116 Memory Card Power Supply Voltage 117 Memory Card Data 118 Contactless Communication Power Supply 119 Contactless Power Supply Voltage 120 Contactless Communication Clock 121 Contactless Communication Data 122 Memory Card Voltage State Signal 123 Contactless Voltage State Signal 124 VCO clock 125 System signal 126 CPU clock 127 Flash controller clock 128 Non-contact communication encryption circuit clock 129 CPU reset 130 Flash controller reset 131 Non-contact communication encryption circuit reset 201 Extension unit 202 Extension state signal 401 ROM
402 Extended information signal 501 Non-volatile memory 601 Memory card communication circuit 701 with load function Timer 702 Time information signal 801 Learning device 802 Learning information signal 901 Unauthorized pattern collator 902 Unauthorized information signal 1101 ROM
1102 Method information signal 1201 Power supply request unit 1202 Power request signal

Claims (12)

カード型の半導体装置であって、
外部から接触通信にて電源供給を受け、データの送受信を行う接触通信部と、
該第1の通信部から出力される、接触通信により供給される電源の状態を検知する第1の電源状態検知部と、
外部から非接触通信にて電源およびクロック信号の供給を受け、データの送受信を行う非接触通信部と、
該第2の通信部から出力される、非接触通信により供給される電源の状態を検知する第2の電源状態検知部と、
電源供給の状態に応じたクロック信号およびリセット信号の制御方法(以下、方式と称す)を複数格納した方式格納部と、
前記第1の電源状態検知部および前記第2の電源状態検知部の検知結果に応じて、前記方式格納部に格納されている複数の方式の中から一つを選択する方式選択部と、
前記接触通信部より電力供給を受けクロック信号を発振する発振部と、
前記方式選択部が選択した方式に従い、前記第2の通信部から供給されるクロック信号と前記発振部から供給されるクロック信号のいずれかを選択し、リセット信号を生成するクロック選択/リセット生成部とを備えた、
ことを特徴とする半導体装置。
A card-type semiconductor device,
A contact communication unit that receives power supply from outside by contact communication and transmits and receives data; and
A first power supply state detection unit that detects a state of a power supply supplied by contact communication, output from the first communication unit;
A non-contact communication unit that receives power and a clock signal from the outside by non-contact communication and transmits and receives data;
A second power supply state detection unit that detects the state of the power supply supplied by non-contact communication that is output from the second communication unit;
A method storage unit storing a plurality of clock signal and reset signal control methods (hereinafter referred to as methods) according to the power supply state;
A method selection unit that selects one of a plurality of methods stored in the method storage unit according to detection results of the first power supply state detection unit and the second power supply state detection unit;
An oscillating unit for receiving a power supply from the contact communication unit and oscillating a clock signal;
A clock selection / reset generation unit that generates a reset signal by selecting either a clock signal supplied from the second communication unit or a clock signal supplied from the oscillation unit according to the method selected by the method selection unit With
A semiconductor device.
外部から接触通信にて電源供給を受け、データの送受信を行う接触通信部と、
外部から非接触通信にて電源およびクロック信号の供給を受け、データの送受信を行う非接触通信部と、
前記接触通信部より電力供給を受けクロック信号を発振する発振部と、
前記接触通信および前記非接触通信が同時に行われる場合、前記非接触通信部から供給されるクロック信号と前記発振部から供給されるクロック信号のいずれかを選択するクロック信号選択部とを備えた、
ことを特徴とする半導体装置。
A contact communication unit that receives power supply from outside by contact communication and transmits and receives data; and
A non-contact communication unit that receives power and a clock signal from the outside by non-contact communication and transmits and receives data;
An oscillating unit for receiving a power supply from the contact communication unit and oscillating a clock signal;
When the contact communication and the non-contact communication are performed simultaneously, the clock signal selection unit for selecting either the clock signal supplied from the non-contact communication unit and the clock signal supplied from the oscillation unit,
A semiconductor device.
非接触通信機能付きのカード型半導体装置において、
外部から接触通信にて電源供給を受け、データの送受信を行うメモリカード用通信回路と、
該メモリカード用通信回路から出力されるメモリカード用電源の状態を検知するメモリカード用電源電圧センサーと、
外部から非接触通信にて電源およびクロック信号の供給を受け、データの送受信を行う非接触通信回路と、
該非接触通信回路から出力される非接触通信電源の状態を検知する非接触電源電圧センサーと、
電源供給の状態に応じてクロック信号およびリセット信号の供給についての方式情報を複数格納した方式格納部と、
前記メモリカード用電源電圧センサーの検知結果と、前記非接触電源電圧センサーの検知結果より、前記方式格納部に格納されている方式情報の中から一つを選択する方式選択回路と、
前記メモリカード用通信回路より電力供給を受けクロック信号を発振するVCOと、
各種演算処理を行うCPUと、
前記CPUにより制御されるフラッシュコントローラと、
前記フラッシュコントローラによりデータのやりとりを行うフラッシュメモリと、
非接触通信時の暗号処理を行う非接触通信用暗号回路と、
前記方式選択回路が選択した方式情報に従い、前記CPU、前記フラッシュコントローラ、前記非接触通信用暗号回路のそれぞれに対して、前記非接触通信回路から供給されるクロック信号と前記VCOから供給されるクロック信号のいずれかを選択し、かつ上記各回路に入力するリセット信号を生成するクロック選択/リセット生成回路とを備えた、
ことを特徴とする半導体装置。
In a card type semiconductor device with a non-contact communication function,
A memory card communication circuit that receives power from the outside by contact communication and transmits and receives data;
A power supply voltage sensor for the memory card that detects the state of the power supply for the memory card output from the communication circuit for the memory card;
A non-contact communication circuit that receives power and clock signals from outside and transmits and receives data; and
A non-contact power supply voltage sensor for detecting a state of a non-contact communication power source output from the non-contact communication circuit;
A method storage unit that stores a plurality of method information about the supply of clock signals and reset signals according to the state of power supply,
From the detection result of the power supply voltage sensor for the memory card and the detection result of the non-contact power supply voltage sensor, a method selection circuit that selects one of the method information stored in the method storage unit,
A VCO for receiving a power supply from the memory card communication circuit and generating a clock signal;
A CPU for performing various arithmetic processes;
A flash controller controlled by the CPU;
A flash memory that exchanges data with the flash controller;
An encryption circuit for contactless communication that performs encryption processing during contactless communication; and
A clock signal supplied from the non-contact communication circuit and a clock supplied from the VCO to each of the CPU, the flash controller, and the non-contact communication encryption circuit according to the method information selected by the method selection circuit. A clock selection / reset generation circuit that selects any one of the signals and generates a reset signal to be input to each of the circuits;
A semiconductor device.
請求項3に記載の半導体装置において、
メモリカード用電源状態と非接触通信電源状態の遷移に応じた拡張ビットを付与するビット拡張部をさらに備え、
前記方式選択回路は前記電源状態の遷移に基づいて最適な方式を選択する際、該拡張ビットをも考慮して選択を行う、
ことを特徴とする半導体装置。
The semiconductor device according to claim 3.
A bit expansion unit for adding an expansion bit according to the transition between the power state for the memory card and the non-contact communication power state;
The method selection circuit performs selection in consideration of the extension bit when selecting an optimum method based on the transition of the power state.
A semiconductor device.
請求項4に記載の半導体装置において、
前記拡張ビットの付与の方法を示す拡張ビット付与情報を格納した第1のROMをさらに備え、
前記拡張部は前記メモリカード用電源と非接触通信電源の少なくとも一方が供給された場合に、該第1のROMに格納された情報のロードを要求する、
ことを特徴とする半導体装置。
The semiconductor device according to claim 4,
A first ROM storing extension bit grant information indicating a method of giving the extension bit;
The extension unit requests loading of information stored in the first ROM when at least one of the power supply for the memory card and the non-contact communication power supply is supplied.
A semiconductor device.
請求項4に記載の半導体装置において、
前記拡張ビットの付与の方法を示す拡張ビット付与情報を格納した不揮発性メモリをさらに備え、
前記拡張部は前記メモリカード用電源と非接触通信電源の少なくとも一方が供給された場合に、該不揮発性メモリに格納された情報のロードを要求する、
ことを特徴とする半導体装置。
The semiconductor device according to claim 4,
A non-volatile memory storing extension bit grant information indicating a method of giving the extension bit;
The extension unit requests loading of information stored in the nonvolatile memory when at least one of the power source for the memory card and the non-contact communication power source is supplied.
A semiconductor device.
請求項4に記載の半導体装置において、
前記拡張ビットの付与の方法を示す拡張ビット付与情報を外部からの通信により受信する拡張ビット付与情報通信回路をさらに備え、
該拡張ビット付与情報通信回路は該外部からの通信を検出した際に、前記拡張部に該拡張ビット付与情報をロードする、
ことを特徴とする半導体装置。
The semiconductor device according to claim 4,
An extension bit grant information communication circuit for receiving the extension bit grant information indicating the extension bit grant method by communication from the outside;
The extension bit grant information communication circuit loads the extension bit grant information to the extension unit when detecting communication from the outside.
A semiconductor device.
請求項6に記載の半導体装置において、
前記前記メモリカード用電源と非接触通信電源のいずれか一方の供給時間を計測するタイマーをさらに備え、
前記拡張部は該タイマーからの供給時間情報に応じて前記不揮発性メモリに格納された拡張ビット付与情報の中から該拡張部にロードする情報を決定する、
ことを特徴とする半導体装置。
The semiconductor device according to claim 6.
A timer for measuring the supply time of either the memory card power supply or the non-contact communication power supply,
The extension unit determines information to be loaded into the extension unit from extension bit grant information stored in the nonvolatile memory according to supply time information from the timer.
A semiconductor device.
請求項8に記載の半導体装置において、
電源供給状態と前記タイマーからの供給時間情報より、頻繁に生じる電源供給状態を学習する学習器をさらに備え、
該学習器は学習した内容に応じて前記不揮発性メモリに格納された拡張ビット付与情報の中から前記拡張部にロードする情報を決定する、
ことを特徴とする半導体装置。
The semiconductor device according to claim 8,
A learning device that learns a frequently occurring power supply state from the power supply state and the supply time information from the timer,
The learning device determines information to be loaded into the extension unit from the extension bit grant information stored in the nonvolatile memory according to the learned content.
A semiconductor device.
請求項8に記載の半導体装置において、
電源状態の遷移のパターンを監視し、不正パターンと照合する不正パターン照合器をさらに備え、
電源状態の遷移が不正パターンに該当するか否かを前記CPUに通知する、
ことを特徴とする半導体装置。
The semiconductor device according to claim 8,
It further includes a fraud pattern collator that monitors power pattern transition patterns and collates with fraud patterns.
Informing the CPU whether or not the power state transition corresponds to an illegal pattern;
A semiconductor device.
請求項3に記載の半導体装置において、
前記方式格納部に格納された方式情報以外の方式情報を格納した第2のROMをさらに備え、
前記方式格納部は前記第2のROMへ格納した方式情報を、該方式格納部にロードする、
ことを特徴とする半導体装置。
The semiconductor device according to claim 3.
A second ROM that stores method information other than the method information stored in the method storage unit;
The method storage unit loads the method information stored in the second ROM into the method storage unit.
A semiconductor device.
請求項3に記載の半導体装置において、
電源供給状態をモニターし、メモリカード用電源が必要と判断した場合前記メモリカード用通信回路に電力供給を要求する電源要求部をさらに備えた、
ことを特徴とする半導体装置。
The semiconductor device according to claim 3.
The power supply state is monitored, and when it is determined that a power supply for the memory card is necessary, the power supply requesting unit that requests power supply to the memory card communication circuit is further provided.
A semiconductor device.
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