JP2006120985A - Illumination optical device, and exposure apparatus and method - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、照明光学装置、露光装置、および露光方法に関し、特に半導体素子、撮像素子、液晶表示素子、薄膜磁気ヘッド等のマイクロデバイスをリソグラフィー工程で製造するための露光装置に好適な照明光学装置に関するものである。 The present invention relates to an illumination optical apparatus, an exposure apparatus, and an exposure method, and particularly to an illumination optical apparatus suitable for an exposure apparatus for manufacturing a microdevice such as a semiconductor element, an imaging element, a liquid crystal display element, and a thin film magnetic head in a lithography process. It is about.
この種の典型的な露光装置においては、光源から射出された光束が、オプティカルインテグレータとしてのフライアイレンズ(またはマイクロフライアイレンズ)を介して、多数の光源からなる実質的な面光源としての二次光源を形成する。二次光源からの光束は、コンデンサーレンズにより集光された後、所定のパターンが形成されたマスクを重畳的に照明する。 In a typical exposure apparatus of this type, a light beam emitted from a light source passes through a fly-eye lens (or micro fly-eye lens) as an optical integrator, and is used as a substantial surface light source composed of a number of light sources. The next light source is formed. The light beam from the secondary light source is condensed by the condenser lens and then illuminates the mask on which a predetermined pattern is formed in a superimposed manner.
マスクのパターンを透過した光は、投影光学系を介してウェハ上に結像する。こうして、感光性基板としてのウェハ上には、マスクパターンが投影露光(転写)される。なお、マスク上に設けられる回路パターンの高密度化に伴い、露光光(照明光)の短波長化、投影光学系の高開口数化、高感度レジストの開発などが盛んである。一般に、露光装置において高スループットを維持することは生産性の観点から重要である。 The light transmitted through the mask pattern forms an image on the wafer via the projection optical system. Thus, the mask pattern is projected and exposed (transferred) onto the wafer as the photosensitive substrate. As the circuit pattern provided on the mask is increased in density, the exposure light (illumination light) has a shorter wavelength, the projection optical system has a higher numerical aperture, and the development of a highly sensitive resist. Generally, maintaining a high throughput in an exposure apparatus is important from the viewpoint of productivity.
従来技術では、たとえばArFエキシマレーザ光源から射出された光束の光路を90度折り曲げるための光路折曲げ手段として、全反射45度プリズム(直角プリズム)を用いることが多い。しかしながら、全反射45度プリズムでは、反射面への物質の付着等に起因して反射率が低下し易い。また、全反射45度プリズムでは、高エネルギ密度の光束の入射に起因して反射面が光化学反応等による損傷を受け易い。 In the prior art, for example, a 45-degree total reflection prism (right angle prism) is often used as an optical path bending means for bending the optical path of a light beam emitted from an ArF excimer laser light source by 90 degrees. However, in the total reflection 45-degree prism, the reflectivity tends to decrease due to adhesion of a substance to the reflection surface. In the total reflection 45 degree prism, the reflection surface is easily damaged by a photochemical reaction or the like due to incidence of a light beam having a high energy density.
本発明は、前述の課題に鑑みてなされたものであり、高い反射率を安定的に維持することのできる耐久性の高い光路折曲げ手段を備えた照明光学装置を提供することを目的とする。また、本発明は、高い反射率を安定的に維持することのできる耐久性の高い光路折曲げ手段を備えた照明光学装置を用いて、高スループットな露光を安定的に行うことのできる露光装置および露光方法を提供することを目的とする。 The present invention has been made in view of the above-described problems, and an object thereof is to provide an illumination optical apparatus provided with a highly durable optical path bending means capable of stably maintaining a high reflectance. . The present invention also provides an exposure apparatus capable of stably performing high-throughput exposure using an illumination optical apparatus having a highly durable optical path bending means capable of stably maintaining high reflectivity. And an exposure method.
前記課題を解決するために、本発明の第1形態では、光源から供給される光束に基づいて被照射面を照明する照明光学装置において、
前記光源と前記被照射面との間の光路中に配置されて光路を所定角度だけ折り曲げるためのプリズムを備え、
前記プリズムは、前記照明光学装置の光軸に沿って前記プリズムの内部に入射した光線を前記プリズムの内部において反射するための第1反射面と、該第1反射面で反射された光線を前記プリズムの内部において反射するための第2反射面とを有することを特徴とする照明光学装置を提供する。
In order to solve the above-mentioned problem, in the first embodiment of the present invention, in the illumination optical device that illuminates the illuminated surface based on the light beam supplied from the light source,
A prism disposed in the optical path between the light source and the irradiated surface for bending the optical path by a predetermined angle;
The prism includes a first reflecting surface for reflecting a light beam incident on the prism along the optical axis of the illumination optical device, and a light beam reflected by the first reflecting surface. An illumination optical device comprising a second reflecting surface for reflecting inside a prism is provided.
本発明の第2形態では、光源から供給される光束に基づいて被照射面を照明する照明光学装置において、
前記光源と前記被照射面との間の光路中に配置されて光路を所定角度だけ折り曲げるためのプリズムを備え、
前記プリズムは、前記照明光学装置の光軸に対する垂直面から実質的に傾いた入射面と、該入射面から前記プリズムの内部に入射した光線を前記プリズムの内部において反射するための内部反射面とを有し、
前記入射面および前記内部反射面は、前記光軸に沿って前記入射面に入射した光線が前記入射面で屈折されて45度よりも実質的に大きい入射角度で前記内部反射面に入射するように設定されていることを特徴とする照明光学装置を提供する。
In the second embodiment of the present invention, in the illumination optical device that illuminates the irradiated surface based on the light flux supplied from the light source,
A prism disposed in the optical path between the light source and the irradiated surface for bending the optical path by a predetermined angle;
The prism includes an incident surface substantially tilted from a plane perpendicular to the optical axis of the illumination optical device, and an internal reflection surface for reflecting the light incident on the prism from the incident surface inside the prism. Have
The incident surface and the internal reflection surface are configured such that light incident on the incident surface along the optical axis is refracted by the incident surface and is incident on the internal reflection surface at an incident angle substantially greater than 45 degrees. The illumination optical device is characterized in that it is set as follows.
本発明の第3形態では、マスクを照明するための第1形態または第2形態の照明光学装置を備え、前記マスクのパターンを感光性基板上に露光することを特徴とする露光装置を提供する。 According to a third aspect of the present invention, there is provided an exposure apparatus comprising the illumination optical apparatus according to the first or second aspect for illuminating a mask, and exposing the pattern of the mask onto a photosensitive substrate. .
本発明の第4形態では、第1形態または第2形態の照明光学装置を用いてマスクを照明する照明工程と、前記マスクのパターンを感光性基板上に露光する露光工程とを含むことを特徴とする露光方法を提供する。 According to a fourth aspect of the present invention, the method includes an illumination step of illuminating a mask using the illumination optical apparatus of the first or second aspect, and an exposure step of exposing the pattern of the mask onto a photosensitive substrate. An exposure method is provided.
本発明の典型的な態様にしたがう照明光学装置では、光路折曲げ手段としてのプリズムが2つの内部反射面を有するので、入射光軸に沿って入射面からプリズム内部に入射した光線の反射面に対する入射角度を双方の反射面において45度よりも実質的に大きく設定することができる。その結果、高エネルギ密度の光束が入射しても反射面が光化学反応等による損傷を従来技術よりも受け難くなり、ひいては光照射に対する耐久性が向上する。また、双方の反射面において全反射するように構成することが従来技術よりも容易になり、ひいては高い反射率を安定的に維持することができる。また、反射面の外側面にゴミのような物質が付着しても反射面の反射率が従来技術よりも低下し難くなり、ひいては高い反射率を安定的に維持することができる。 In the illumination optical apparatus according to the typical aspect of the present invention, the prism as the optical path bending means has two internal reflection surfaces, so that the light incident on the inside of the prism from the incident surface along the incident optical axis is reflected on the reflection surface. The incident angle can be set substantially larger than 45 degrees on both reflecting surfaces. As a result, even if a light beam having a high energy density is incident, the reflecting surface is less likely to be damaged by a photochemical reaction or the like than the prior art, and the durability against light irradiation is improved. In addition, it is easier than the conventional technology to make total reflection on both reflection surfaces, and as a result, high reflectance can be stably maintained. Further, even if a substance such as dust adheres to the outer surface of the reflecting surface, the reflectance of the reflecting surface is less likely to be lower than that of the prior art, and as a result, a high reflectance can be stably maintained.
こうして、本発明では、高い反射率を安定的に維持することのできる耐久性の高い光路折曲げプリズム(光路折曲げ手段)を備えた照明光学装置を実現することができる。したがって、本発明の露光装置および露光方法では、高い反射率を安定的に維持することのできる耐久性の高い光路折曲げプリズムを備えた照明光学装置を用いて、高スループットな露光を安定的に行うことができ、ひいては良好なマイクロデバイスを高スループットで製造することができる。 Thus, according to the present invention, an illumination optical apparatus including a highly durable optical path bending prism (optical path bending means) that can stably maintain a high reflectance can be realized. Therefore, in the exposure apparatus and the exposure method of the present invention, high-throughput exposure can be stably performed using an illumination optical apparatus including a highly durable optical path bending prism that can stably maintain high reflectance. And thus good microdevices can be manufactured with high throughput.
本発明の実施形態を、添付図面に基づいて説明する。図1は、本発明の実施形態にかかる露光装置の構成を概略的に示す図である。図1を参照すると、本実施形態の露光装置は、露光光(照明光)を供給するための光源1として、たとえば約193nmの波長を有する光を供給するArFエキシマレーザ光源を備えている。
Embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings. FIG. 1 is a drawing schematically showing a configuration of an exposure apparatus according to an embodiment of the present invention. Referring to FIG. 1, the exposure apparatus of this embodiment includes an ArF excimer laser light source that supplies light having a wavelength of about 193 nm, for example, as a
光源1から射出されたほぼ平行な光束は、光路折曲げプリズム2により90度偏向された後、周知の構成を有するビーム送光系3に入射する。光路折曲げプリズム2の詳細な構成および作用については後述する。ビーム送光系3に入射した光束は、所定の矩形状の断面を有する光束に整形された後、ビーム形状可変部4を介して、マイクロフライアイレンズ(またはフライアイレンズ)5に入射する。
The substantially parallel light beam emitted from the
ビーム送光系3は、入射光束を適切な大きさおよび形状の断面を有する光束に変換しつつビーム形状可変部4へ導くとともに、後段のビーム形状可変部4へ入射する光束の位置変動および角度変動をアクティブに補正する機能を有する。ビーム形状可変部4は、たとえば回折光学素子や変倍光学系などを含み、マイクロフライアイレンズ5の入射面に形成される照野の大きさおよび形状を、ひいてはマイクロフライアイレンズ5の後側焦点面(照明瞳面)に形成される面光源の大きさおよび形状を変化させる機能を有する。
The
一方、マイクロフライアイレンズ5は、たとえば縦横に且つ稠密に配列された多数の正屈折力を有する微小レンズからなる光学素子であり、平行平面板にエッチング処理を施して微小レンズ群を形成することによって構成される。ここで、マイクロフライアイレンズを構成する各微小レンズは、フライアイレンズを構成する各レンズエレメントよりも微小である。
On the other hand, the micro fly's
また、マイクロフライアイレンズは、互いに隔絶されたレンズエレメントからなるフライアイレンズとは異なり、多数の微小レンズ(微小屈折面)が互いに隔絶されることなく一体的に形成されている。しかしながら、レンズ要素が縦横に配置されている点でマイクロフライアイレンズはフライアイレンズと同じ波面分割型のオプティカルインテグレータである。なお、マイクロフライアイレンズ5に代えて、回折光学素子や角柱状のロッド型インテグレータのようなオプティカルインテグレータを用いることもできる。
Further, unlike a fly-eye lens composed of lens elements isolated from each other, a micro fly-eye lens is formed integrally with a large number of micro lenses (micro refractive surfaces) without being isolated from each other. However, the micro fly's eye lens is the same wavefront division type optical integrator as the fly's eye lens in that the lens elements are arranged vertically and horizontally. Instead of the micro fly's
マイクロフライアイレンズ5に入射した光束は多数の微小レンズにより二次元的に分割され、光束が入射した各微小レンズの後側焦点面には光源がそれぞれ形成される。こうして、マイクロフライアイレンズ5の後側焦点面には、多数の光源からなる実質的な面光源(以下、「二次光源」という)が形成される。マイクロフライアイレンズ5の後側焦点面に形成された二次光源からの光束は、コンデンサー光学系6を介した後、マスクブラインド7を重畳的に照明する。
The light beam incident on the micro fly's
なお、マイクロフライアイレンズ5の後側または前側に開口絞りを配置して光束を制限することも可能である。こうして、照明視野絞りとしてのマスクブラインド7には、マイクロフライアイレンズ5を構成する各微小レンズの形状と焦点距離とに応じた矩形状の照野が形成される。マスクブラインド7の矩形状の開口部(光透過部)を介した光束は、結像光学系8の集光作用を受けた後、所定のパターンが形成されたマスク(レチクル)Mを重畳的に照明する。
It is also possible to limit the luminous flux by arranging an aperture stop at the rear side or the front side of the micro fly's
すなわち、結像光学系8は、マスクブラインド7の矩形状開口部の像をマスクM上に形成することになる。マスクMのパターンを透過した光束は、投影光学系PLを介して、感光性基板であるウェハW上にマスクパターンの像を形成する。こうして、投影光学系PLの光軸AXと直交する平面内においてウェハWを二次元的に駆動制御しながら一括露光またはスキャン露光を行うことにより、ウェハWの各露光領域にはマスクMのパターンが逐次露光される。 That is, the imaging optical system 8 forms an image of the rectangular opening of the mask blind 7 on the mask M. The light beam that has passed through the pattern of the mask M forms an image of the mask pattern on the wafer W, which is a photosensitive substrate, via the projection optical system PL. In this way, the pattern of the mask M is formed in each exposure region of the wafer W by performing batch exposure or scan exposure while two-dimensionally driving and controlling the wafer W in a plane orthogonal to the optical axis AX of the projection optical system PL. Sequential exposure is performed.
以上のように、光源1から供給される光束に基づいて被照射面としてのマスクMを照明する照明光学装置(1〜8)において、ビーム送光系3、ビーム形状可変部4およびマイクロフライアイレンズ5は、光源1からの光束の光強度分布を平均化するための平均化手段を構成している。そして、光路折曲げプリズム2は、光源1と平均化手段10との間の光路中に配置されている。
As described above, in the illumination optical apparatus (1-8) that illuminates the mask M as the irradiated surface based on the light flux supplied from the
図2は、本実施形態における光路折曲げプリズムの構成および作用を説明する図である。図2を参照すると、本実施形態の光路折曲げプリズム2は、入射光軸AX1に対して垂直な入射面2aと、入射光軸AX1に沿って入射面2aからプリズム内部に入射した光線をプリズム内部において反射するための第1反射面2bと、第1反射面2bで反射された光線をプリズム内部において反射するための第2反射面2cと、射出光軸AX2に対して垂直な射出面2dとを有する。なお、入射光軸AX1と射出光軸AX2とは90度をなすように設定されている。また、光路折曲げプリズム2は、使用光(ArFエキシマレーザ光)に対して所要の透過率を有する光学材料として、たとえば蛍石(フッ化カルシウム)により形成されている。
FIG. 2 is a diagram illustrating the configuration and operation of the optical path bending prism in the present embodiment. Referring to FIG. 2, the optical
本実施形態の光路折曲げプリズム2では、入射光軸AX1に沿って入射面2aに垂直入射した光線が、入射面2aで屈折作用を受けることなくプリズム内部を直進した後に、45度よりも実質的に大きい入射角度で第1反射面2bに入射する。第1反射面2bに入射した上記光線は、第1反射面2bで反射され、プリズム内部を伝搬した後に、45度よりも実質的に大きい入射角度で第2反射面2cに入射する。第2反射面2cに入射した上記光線は、第2反射面2cで反射され、プリズム内部を伝搬した後に、射出面2dで屈折作用を受けることなく射出面2dから射出光軸AX2に沿って射出される。こうして、光路折曲げプリズム2は、入射光軸AX1と射出光軸AX2とがなす角度、すなわち90度だけ光路を折り曲げる機能を有する。
In the optical
ところで、従来技術において光路折曲げ手段として用いられる全反射45度プリズム(直角プリズム)も、本実施形態の光路折曲げプリズム2と同様に、90度だけ光路を折り曲げる機能を有する。しかしながら、全反射45度プリズムは内部反射面を1つしか有しないのに対し、光路折曲げプリズム2では2つの内部反射面(2b,2c)を有する。したがって、入射光軸に沿って入射面からプリズム内部に入射した光線の反射面に対する入射角度は、全反射45度プリズムでは45度であるが、光路折曲げプリズム2では双方の反射面(2b,2c)において45度よりも実質的に大きく設定することができる。
Incidentally, the total reflection 45 degree prism (right angle prism) used as the optical path bending means in the prior art also has a function of bending the optical path by 90 degrees, like the optical
このように、本実施形態の光路折曲げプリズム2では、反射面(2b,2c)に対する光線の入射角度が従来技術よりも大きくなるので、プリズムに入射する光束の断面形状が同じであれば反射面(2b,2c)における光束の断面積が従来技術よりも大きくなる。その結果、本実施形態の光路折曲げプリズム2では、プリズムに入射する光束の単位面積当りのエネルギが同じであれば反射面(2b,2c)に入射する光束の単位面積当りのエネルギが従来技術よりも小さくなるので、高エネルギ密度の光束がプリズムに入射しても反射面(2b,2c)が光化学反応等による損傷を従来技術よりも受け難くなり、ひいては光照射に対する耐久性が向上する。
As described above, in the optical
また、本実施形態の光路折曲げプリズム2では、反射面(2b,2c)に対する光線の入射角度が従来技術よりも大きくなるので、屈折率の比較的小さい光学材料を用いてプリズムを形成しても反射面(2b,2c)における全反射条件を満たすことが容易になる。その結果、本実施形態の光路折曲げプリズム2では、第1反射面2bおよび第2反射面2cに入射するすべての有効光線が第1反射面2bおよび第2反射面2cによりそれぞれ全反射されるように構成することが従来技術よりも容易になり、ひいては第1反射面2bおよび第2反射面2cにおける光損失を回避して高い反射率を安定的に維持することができる。換言すれば、本実施形態の光路折曲げプリズム2では、使用可能な光学材料の選択の幅が従来技術よりも増えることになる。
Further, in the optical
また、本実施形態の光路折曲げプリズム2では、反射面に対する光線の入射角度が従来技術よりも大きくなるので、反射面(2b,2c)の外側面にゴミのような物質が付着しても反射面(2b,2c)の反射率が従来技術よりも低下し難くなり、ひいては高い反射率を安定的に維持することができる。これは、第1反射面2bおよび第2反射面2cに入射するすべての有効光線が第1反射面2bおよび第2反射面2cによりそれぞれ全反射されることを許容する付着物質の屈折率の最大値が従来技術よりも高くなるからである。
Further, in the optical
こうして、本実施形態では、高い反射率を安定的に維持することのできる耐久性の高い光路折曲げプリズム2を備えた照明光学装置(1〜8)を実現することができる。したがって、本実施形態の露光装置では、高い反射率を安定的に維持することのできる耐久性の高い光路折曲げプリズム2を備えた照明光学装置(1〜8)を用いて、高スループットな露光を安定的に行うことができる。
Thus, in the present embodiment, it is possible to realize the illumination optical devices (1 to 8) including the highly durable optical
なお、上述の実施形態では、入射面2aを入射光軸AX1に対して垂直に設定し、射出面2dを射出光軸AX2に対して垂直に設定している。しかしながら、これに限定されることなく、入射面2aを入射光軸AX1に対する垂直面から実質的に傾けたり、射出面2dを射出光軸AX2に対する垂直面から実質的に傾けたりすることもできる。
In the above-described embodiment, the
また、上述の実施形態では、光路折曲げプリズムが2つの内部反射面を有する例を示したが、これに限定されることなく、たとえば図3に示すように1つの内部反射面しか有しない構成も可能である。図3は、本実施形態の変形例にかかる光路折曲げプリズムの構成および作用を説明する図である。図3の変形例にかかる光路折曲げプリズム20は、入射光軸AX1に対する垂直面から実質的に傾いた入射面20aと、入射光軸AX1に沿って入射面20aからプリズム内部に入射した光線をプリズム内部において反射するための内部反射面20bと、射出光軸AX2に対する垂直面から実質的に傾いた射出面20cとを有する。また、図3の変形例では図2の実施形態と同様に、入射光軸AX1と射出光軸AX2とが90度をなすように設定され、光路折曲げプリズム20が例えば蛍石により形成されている。
In the above-described embodiment, the example in which the optical path bending prism has two internal reflection surfaces has been described. However, the present invention is not limited to this. For example, a configuration having only one internal reflection surface as shown in FIG. Is also possible. FIG. 3 is a diagram for explaining the configuration and operation of an optical path bending prism according to a modification of the present embodiment. The optical path bending prism 20 according to the modification of FIG. 3 includes an
変形例にかかる光路折曲げプリズム20では、入射光軸AX1に沿って入射面20aに入射した光線が、入射面2aで屈折作用を受け、プリズム内部を直進した後に、45度よりも実質的に大きい入射角度で内部反射面20bに入射する。内部反射面20bで反射された上記光線は、プリズム内部を伝搬した後に、射出面20cで屈折作用を受け、射出面20cから射出光軸AX2に沿って射出される。こうして、変形例にかかる光路折曲げプリズム20も、入射光軸AX1と射出光軸AX2とがなす角度、すなわち90度だけ光路を折り曲げる機能を有する。
In the optical path bending prism 20 according to the modification, the light beam incident on the
変形例にかかる光路折曲げプリズム20では、入射光軸AX1に沿って入射面20aに入射した光線が45度よりも実質的に大きい入射角度で内部反射面20bに入射するように、入射面20aが入射光軸AX1に対する垂直面から実質的に傾いて設定されている。このように、変形例にかかる光路折曲げプリズム20においても図2の実施形態と同様に、反射面20bに対する光線の入射角度が従来技術よりも大きくなるので、高エネルギ密度の光束がプリズムに入射しても反射面20bが光化学反応等による損傷を従来技術よりも受け難くなり、ひいては光照射に対する耐久性が向上する。
In the optical path bending prism 20 according to the modified example, the
また、変形例にかかる光路折曲げプリズム20では図2の実施形態と同様に、内部反射面20bに入射するすべての有効光線が内部反射面20bにより全反射されるように構成することが従来技術よりも容易になり、ひいては内部反射面20bにおける光損失を回避して高い反射率を安定的に維持することができる。さらに、変形例にかかる光路折曲げプリズム20では図2の実施形態と同様に、内部反射面20bの外側面にゴミのような物質が付着しても反射面20bの反射率が従来技術よりも低下し難くなり、ひいては高い反射率を安定的に維持することができる。
Further, in the optical path bending prism 20 according to the modified example, as in the embodiment of FIG. 2, it is configured that all effective rays incident on the
なお、上述の変形例では、射出面20cを射出光軸AX2に対する垂直面から実質的に傾けて設定している。しかしながら、これに限定されることなく、射出面20cを射出光軸AX2に対してほぼ垂直に設定することもできる。
In the above-described modification, the
また、上述の実施形態および変形例では、入射光軸AX1と射出光軸AX2とが90度をなすように設定し、光路折曲げプリズム(2,20)が光路を90度だけ折り曲げるように構成している。しかしながら、これに限定されることなく、光路折曲げプリズム(2,20)が90度とは実質的に異なる所定角度だけ光路を折り曲げるように構成することもできる。また、上述の実施形態および変形例では、光路折曲げプリズム(2,20)において有効光束の通過しない部分を切り落とすこともできる。 In the above-described embodiment and modification, the incident optical axis AX1 and the outgoing optical axis AX2 are set to form 90 degrees, and the optical path bending prism (2, 20) is configured to bend the optical path by 90 degrees. is doing. However, the present invention is not limited to this, and the optical path bending prism (2, 20) may be configured to bend the optical path by a predetermined angle substantially different from 90 degrees. Moreover, in the above-mentioned embodiment and modification, the part where an effective light beam does not pass can also be cut off in the optical path bending prism (2, 20).
また、上述の実施形態および変形例では、光源1からの光束の光強度分布を平均化する平均化手段10(3〜5)と光源1との間の光路中に光路折曲げプリズム(2,20)を配置している。しかしながら、これに限定されることなく、光源1と被照射面であるマスクMとの間の光路中に光路折曲げプリズム(2,20)を配置することもできる。ただし、光源1と平均化手段10との間の光路中に光路折曲げプリズム(2,20)を配置した場合、入射する光束のエネルギ密度が比較的高くなるので、光路折曲げプリズム(2,20)の効果を有効利用することができる。
In the above-described embodiment and modification, the optical path bending prism (2, 2) is included in the optical path between the
ところで、上述の実施形態および変形例では、入射光軸AX1に沿って入射面(2a,20a)に入射した光線が45度よりも実質的に大きい入射角度で内部反射面(2b,2c;20b)に入射するように構成している。具体的には、光照射に対する反射面(2b,2c;20b)の耐久性の観点から、入射光軸AX1に沿って入射面(2a,20a)に入射した光線が例えば60度以上の入射角度で内部反射面(2b,2c;20b)に入射するように構成することが好ましい。 By the way, in the above-mentioned embodiment and modification, the internal reflection surface (2b, 2c; 20b) is incident at an incident angle where the light beam incident on the incident surface (2a, 20a) along the incident optical axis AX1 is substantially larger than 45 degrees. ). Specifically, from the viewpoint of durability of the reflecting surface (2b, 2c; 20b) with respect to light irradiation, an incident angle at which a light beam incident on the incident surface (2a, 20a) along the incident optical axis AX1 is, for example, 60 degrees or more. It is preferable that the light beam is incident on the internal reflection surfaces (2b, 2c; 20b).
また、上述の実施形態および変形例では、反射面(2b,2c;20b)への有害物(ゴミなど)の付着を防ぐための保護膜を反射面(2b,2c;20b)の外側面に形成することが好ましい。この構成により、反射面(2b,2c;20b)への物質の付着に起因する反射率の低下を回避することができる。なお、反射面(2b,2c;20b)における光損失を回避して高い反射率を安定的に維持するために、反射面(2b,2c;20b)における全反射条件を満足する所要の屈折率を有する物質により保護膜を形成することが好ましい。 Moreover, in the above-mentioned embodiment and modification, the protective film for preventing adhesion of harmful substances (dust etc.) to the reflective surface (2b, 2c; 20b) is provided on the outer surface of the reflective surface (2b, 2c; 20b). It is preferable to form. With this configuration, it is possible to avoid a decrease in reflectivity due to the adhesion of a substance to the reflecting surface (2b, 2c; 20b). In addition, in order to avoid the optical loss in the reflecting surface (2b, 2c; 20b) and stably maintain a high reflectance, the required refractive index satisfying the total reflection condition in the reflecting surface (2b, 2c; 20b) is satisfied. It is preferable to form a protective film with a substance having
また、上述の実施形態および変形例では、入射面(2a,20a)および射出面(2d,20c)における光損失を回避するために、入射面(2a,20a)および射出面(2d,20c)に反射防止コートを形成することが好ましい。また、上述の実施形態および変形例では、反射面(2b,2c;20b)への有害物(ゴミなど)の付着を防ぐために、反射面(2b,2c;20b)に接する空間を密閉することが好ましい。 Further, in the above-described embodiment and modification, in order to avoid light loss at the entrance surface (2a, 20a) and the exit surface (2d, 20c), the entrance surface (2a, 20a) and the exit surface (2d, 20c). It is preferable to form an antireflection coating on the surface. Moreover, in the above-described embodiment and modification, in order to prevent adhesion of harmful substances (dust etc.) to the reflective surface (2b, 2c; 20b), the space in contact with the reflective surface (2b, 2c; 20b) is sealed. Is preferred.
また、上述の実施形態および変形例では、反射面(2b,2c;20b)への有害物(ゴミなど)の付着を防ぐために、反射面(2b,2c;20b)に接する空間が不活性ガス(たとえば窒素ガスなど)またはクリーンドライエアーのような清浄な気体により(たとえば気体の循環などにより)随時置換されるように構成することが好ましい。さらに、反射面(2b,2c;20b)への有害物(ゴミなど)の付着を防ぐために、反射面(2b,2c;20b)に接する空間の気圧を大気圧よりも実質的に小さく設定することが好ましい。 Moreover, in the above-mentioned embodiment and modification, in order to prevent adhesion of harmful substances (dust etc.) to the reflective surface (2b, 2c; 20b), the space in contact with the reflective surface (2b, 2c; 20b) is an inert gas. It is preferable that the gas is replaced at any time by a clean gas (for example, nitrogen gas) or clean gas such as clean dry air (for example, by circulation of gas). Furthermore, in order to prevent harmful substances (dust etc.) from adhering to the reflecting surface (2b, 2c; 20b), the air pressure in the space in contact with the reflecting surface (2b, 2c; 20b) is set to be substantially smaller than the atmospheric pressure. It is preferable.
上述の実施形態にかかる露光装置では、照明光学装置によってマスク(レチクル)を照明し(照明工程)、投影光学系を用いてマスクに形成された転写用のパターンを感光性基板に露光する(露光工程)ことにより、マイクロデバイス(半導体素子、撮像素子、液晶表示素子、薄膜磁気ヘッド等)を製造することができる。以下、上述の実施形態の露光装置を用いて感光性基板としてのウェハ等に所定の回路パターンを形成することによって、マイクロデバイスとしての半導体デバイスを得る際の手法の一例につき図4のフローチャートを参照して説明する。 In the exposure apparatus according to the above-described embodiment, the illumination optical device illuminates the mask (reticle) (illumination process), and the projection optical system is used to expose the transfer pattern formed on the mask onto the photosensitive substrate (exposure). Step), a micro device (semiconductor element, imaging element, liquid crystal display element, thin film magnetic head, etc.) can be manufactured. Refer to the flowchart of FIG. 4 for an example of a method for obtaining a semiconductor device as a micro device by forming a predetermined circuit pattern on a wafer or the like as a photosensitive substrate using the exposure apparatus of the above-described embodiment. To explain.
先ず、図4のステップ301において、1ロットのウェハ上に金属膜が蒸着される。次のステップ302において、その1ロットのウェハ上の金属膜上にフォトレジストが塗布される。その後、ステップ303において、上述の実施形態の露光装置を用いて、マスク上のパターンの像がその投影光学系を介して、その1ロットのウェハ上の各ショット領域に順次露光転写される。その後、ステップ304において、その1ロットのウェハ上のフォトレジストの現像が行われた後、ステップ305において、その1ロットのウェハ上でレジストパターンをマスクとしてエッチングを行うことによって、マスク上のパターンに対応する回路パターンが、各ウェハ上の各ショット領域に形成される。その後、更に上のレイヤの回路パターンの形成等を行うことによって、半導体素子等のデバイスが製造される。上述の半導体デバイス製造方法によれば、極めて微細な回路パターンを有する半導体デバイスをスループット良く得ることができる。 First, in step 301 of FIG. 4, a metal film is deposited on one lot of wafers. In the next step 302, a photoresist is applied on the metal film on the one lot of wafers. Thereafter, in step 303, the image of the pattern on the mask is sequentially exposed and transferred to each shot area on the wafer of one lot through the projection optical system using the exposure apparatus of the above-described embodiment. Thereafter, in step 304, the photoresist on the one lot of wafers is developed, and in step 305, the resist pattern is etched on the one lot of wafers to form a pattern on the mask. Corresponding circuit patterns are formed in each shot area on each wafer. Thereafter, a device pattern such as a semiconductor element is manufactured by forming a circuit pattern of an upper layer. According to the semiconductor device manufacturing method described above, a semiconductor device having an extremely fine circuit pattern can be obtained with high throughput.
また、上述の実施形態の露光装置では、プレート(ガラス基板)上に所定のパターン(回路パターン、電極パターン等)を形成することによって、マイクロデバイスとしての液晶表示素子を得ることもできる。以下、図5のフローチャートを参照して、このときの手法の一例につき説明する。図5において、パターン形成工程401では、上述の実施形態の露光装置を用いてマスクのパターンを感光性基板(レジストが塗布されたガラス基板等)に転写露光する、所謂光リソグラフィー工程が実行される。この光リソグラフィー工程によって、感光性基板上には多数の電極等を含む所定パターンが形成される。その後、露光された基板は、現像工程、エッチング工程、レジスト剥離工程等の各工程を経ることによって、基板上に所定のパターンが形成され、次のカラーフィルター形成工程402へ移行する。 In the exposure apparatus of the above-described embodiment, a liquid crystal display element as a micro device can be obtained by forming a predetermined pattern (circuit pattern, electrode pattern, etc.) on a plate (glass substrate). Hereinafter, an example of the technique at this time will be described with reference to the flowchart of FIG. In FIG. 5, in the pattern forming process 401, a so-called photolithography process is performed in which the mask pattern is transferred and exposed to a photosensitive substrate (such as a glass substrate coated with a resist) using the exposure apparatus of the above-described embodiment. . By this photolithography process, a predetermined pattern including a large number of electrodes and the like is formed on the photosensitive substrate. Thereafter, the exposed substrate undergoes steps such as a developing step, an etching step, and a resist stripping step, whereby a predetermined pattern is formed on the substrate, and the process proceeds to the next color filter forming step 402.
次に、カラーフィルター形成工程402では、R(Red)、G(Green)、B(Blue)に対応した3つのドットの組がマトリックス状に多数配列されたり、またはR、G、Bの3本のストライプのフィルターの組を複数水平走査線方向に配列したカラーフィルターを形成する。そして、カラーフィルター形成工程402の後に、セル組み立て工程403が実行される。セル組み立て工程403では、パターン形成工程401にて得られた所定パターンを有する基板、およびカラーフィルター形成工程402にて得られたカラーフィルター等を用いて液晶パネル(液晶セル)を組み立てる。 Next, in the color filter forming step 402, a large number of sets of three dots corresponding to R (Red), G (Green), and B (Blue) are arranged in a matrix or three of R, G, and B A color filter is formed by arranging a plurality of stripe filter sets in the horizontal scanning line direction. Then, after the color filter forming step 402, a cell assembly step 403 is executed. In the cell assembly step 403, a liquid crystal panel (liquid crystal cell) is assembled using the substrate having the predetermined pattern obtained in the pattern formation step 401, the color filter obtained in the color filter formation step 402, and the like.
セル組み立て工程403では、例えば、パターン形成工程401にて得られた所定パターンを有する基板とカラーフィルター形成工程402にて得られたカラーフィルターとの間に液晶を注入して、液晶パネル(液晶セル)を製造する。その後、モジュール組み立て工程404にて、組み立てられた液晶パネル(液晶セル)の表示動作を行わせる電気回路、バックライト等の各部品を取り付けて液晶表示素子として完成させる。上述の液晶表示素子の製造方法によれば、極めて微細な回路パターンを有する液晶表示素子をスループット良く得ることができる。 In the cell assembly step 403, for example, liquid crystal is injected between the substrate having the predetermined pattern obtained in the pattern formation step 401 and the color filter obtained in the color filter formation step 402, and a liquid crystal panel (liquid crystal cell) is obtained. ). Thereafter, in a module assembling step 404, components such as an electric circuit and a backlight for performing a display operation of the assembled liquid crystal panel (liquid crystal cell) are attached to complete a liquid crystal display element. According to the above-described method for manufacturing a liquid crystal display element, a liquid crystal display element having an extremely fine circuit pattern can be obtained with high throughput.
なお、上述の実施形態では、光源としてArFエキシマレーザ光源を用いているが、これに限定されることなく、たとえばKrFエキシマレーザ光源やF2レーザ光源のような他の適当な光源に対して本発明を適用することもできる。 In the above-described embodiment, an ArF excimer laser light source is used as the light source. However, the present invention is not limited to this, and the present invention is not limited to this, for example, other appropriate light sources such as a KrF excimer laser light source and an F 2 laser light source. The invention can also be applied.
また、上述の実施形態では、照明光学装置を備えた露光装置を例にとって本発明を説明したが、マスク以外の被照射面を照明するための一般的な照明光学装置、たとえばレーザ加工装置やレーザアニール装置などに本発明を適用することができることは明らかである。 In the above-described embodiment, the present invention has been described by taking an exposure apparatus including an illumination optical apparatus as an example. However, a general illumination optical apparatus for illuminating a surface to be irradiated other than a mask, such as a laser processing apparatus or a laser. It is clear that the present invention can be applied to an annealing apparatus or the like.
また、上述の実施形態において、投影光学系と感光性基板との間の光路中を1.1よりも大きな屈折率を有する媒体(典型的には液体)で満たす手法、所謂液浸法を適用しても良い。この場合、投影光学系と感光性基板との間の光路中に液体を満たす手法としては、国際公開番号WO99/49504号公報に開示されているような局所的に液体を満たす手法や、特開平6−124873号公報に開示されているような露光対象の基板を保持したステージを液槽の中で移動させる手法や、特開平10−303114号公報に開示されているようなステージ上に所定深さの液体槽を形成し、その中に基板を保持する手法などを採用することができる。 In the above-described embodiment, a so-called immersion method is applied in which the optical path between the projection optical system and the photosensitive substrate is filled with a medium (typically liquid) having a refractive index larger than 1.1. You may do it. In this case, as a method of filling the liquid in the optical path between the projection optical system and the photosensitive substrate, a method of locally filling the liquid as disclosed in International Publication No. WO99 / 49504, A method of moving a stage holding a substrate to be exposed as disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 6-124873 in a liquid bath, or a predetermined depth on a stage as disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 10-303114. A technique of forming a liquid tank and holding the substrate in the liquid tank can be employed.
なお、液体としては、露光光に対する透過性があってできるだけ屈折率が高く、投影光学系や基板表面に塗布されているフォトレジストに対して安定なものを用いることが好ましく、たとえばKrFエキシマレーザ光やArFエキシマレーザ光を露光光とする場合には、液体として純水、脱イオン水を用いることができる。また、露光光としてF2レーザ光を用いる場合は、液体としてはF2レーザ光を透過可能な例えばフッ素系オイルや過フッ化ポリエーテル(PFPE)等のフッ素系の液体を用いればよい。 As the liquid, it is preferable to use a liquid that is transmissive to exposure light and has a refractive index as high as possible, and is stable with respect to a photoresist applied to the projection optical system and the substrate surface, for example, KrF excimer laser light. When ArF excimer laser light is used as exposure light, pure water or deionized water can be used as the liquid. When F 2 laser light is used as exposure light, a fluorine-based liquid such as fluorine oil or perfluorinated polyether (PFPE) that can transmit the F 2 laser light may be used as the liquid.
1 光源
2,20 光路折曲げプリズム
2a,20a 入射面
2b,2c;20b 内部反射面
2d,20c 射出面
3 ビーム送光系
4 ビーム形状可変部
5 マイクロフライアイレンズ(フライアイレンズ)
6 コンデンサー光学系
7 マスクブラインド(照明視野絞り)
8 結像光学系
10 平均化手段
M マスク
PL 投影光学系
W ウェハ
DESCRIPTION OF
6
8 Imaging
Claims (17)
前記光源と前記被照射面との間の光路中に配置されて光路を所定角度だけ折り曲げるためのプリズムを備え、
前記プリズムは、前記照明光学装置の光軸に沿って前記プリズムの内部に入射した光線を前記プリズムの内部において反射するための第1反射面と、該第1反射面で反射された光線を前記プリズムの内部において反射するための第2反射面とを有することを特徴とする照明光学装置。 In the illumination optical device that illuminates the illuminated surface based on the light flux supplied from the light source,
A prism disposed in the optical path between the light source and the irradiated surface for bending the optical path by a predetermined angle;
The prism includes a first reflecting surface for reflecting a light beam incident on the prism along the optical axis of the illumination optical device, and a light beam reflected by the first reflecting surface. An illumination optical apparatus, comprising: a second reflecting surface for reflecting inside the prism.
前記光源と前記被照射面との間の光路中に配置されて光路を所定角度だけ折り曲げるためのプリズムを備え、
前記プリズムは、前記照明光学装置の光軸に対する垂直面から実質的に傾いた入射面と、該入射面から前記プリズムの内部に入射した光線を前記プリズムの内部において反射するための内部反射面とを有し、
前記入射面および前記内部反射面は、前記光軸に沿って前記入射面に入射した光線が前記入射面で屈折されて45度よりも実質的に大きい入射角度で前記内部反射面に入射するように設定されていることを特徴とする照明光学装置。 In the illumination optical device that illuminates the illuminated surface based on the light flux supplied from the light source,
A prism disposed in the optical path between the light source and the irradiated surface for bending the optical path by a predetermined angle;
The prism includes an incident surface substantially tilted from a plane perpendicular to the optical axis of the illumination optical device, and an internal reflection surface for reflecting the light incident on the prism from the incident surface inside the prism. Have
The incident surface and the internal reflection surface are configured such that light incident on the incident surface along the optical axis is refracted by the incident surface and is incident on the internal reflection surface at an incident angle substantially greater than 45 degrees. An illumination optical apparatus, characterized in that
前記射出面は、前記光軸に沿って前記入射面に入射した光線が前記射出面で屈折されて前記光軸に沿って前記プリズムの外部へ導かれるように設定されていることを特徴とする請求項4に記載の照明光学装置。 The prism has an exit surface substantially inclined from a plane perpendicular to the optical axis;
The exit surface is set such that a light beam incident on the entrance surface along the optical axis is refracted by the exit surface and guided to the outside of the prism along the optical axis. The illumination optical apparatus according to claim 4.
前記プリズムは、前記光源と前記平均化手段との間の光路中に配置されていることを特徴とする請求項1乃至7のいずれか1項に記載の照明光学装置。 Further comprising an averaging means for averaging the light intensity distribution of the luminous flux from the light source,
The illumination optical apparatus according to claim 1, wherein the prism is disposed in an optical path between the light source and the averaging unit.
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Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20130271945A1 (en) | 2004-02-06 | 2013-10-17 | Nikon Corporation | Polarization-modulating element, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and exposure method |
JP2014110385A (en) * | 2012-12-04 | 2014-06-12 | Canon Inc | Exposure apparatus, and device manufacturing method |
US9341954B2 (en) | 2007-10-24 | 2016-05-17 | Nikon Corporation | Optical unit, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method |
US9423698B2 (en) | 2003-10-28 | 2016-08-23 | Nikon Corporation | Illumination optical apparatus and projection exposure apparatus |
US9678332B2 (en) | 2007-11-06 | 2017-06-13 | Nikon Corporation | Illumination apparatus, illumination method, exposure apparatus, and device manufacturing method |
US9678437B2 (en) | 2003-04-09 | 2017-06-13 | Nikon Corporation | Illumination optical apparatus having distribution changing member to change light amount and polarization member to set polarization in circumference direction |
US9885872B2 (en) | 2003-11-20 | 2018-02-06 | Nikon Corporation | Illumination optical apparatus, exposure apparatus, and exposure method with optical integrator and polarization member that changes polarization state of light |
US9891539B2 (en) | 2005-05-12 | 2018-02-13 | Nikon Corporation | Projection optical system, exposure apparatus, and exposure method |
US10101666B2 (en) | 2007-10-12 | 2018-10-16 | Nikon Corporation | Illumination optical apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method |
-
2004
- 2004-10-25 JP JP2004309538A patent/JP2006120985A/en active Pending
Cited By (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9678437B2 (en) | 2003-04-09 | 2017-06-13 | Nikon Corporation | Illumination optical apparatus having distribution changing member to change light amount and polarization member to set polarization in circumference direction |
US9885959B2 (en) | 2003-04-09 | 2018-02-06 | Nikon Corporation | Illumination optical apparatus having deflecting member, lens, polarization member to set polarization in circumference direction, and optical integrator |
US9423698B2 (en) | 2003-10-28 | 2016-08-23 | Nikon Corporation | Illumination optical apparatus and projection exposure apparatus |
US9760014B2 (en) | 2003-10-28 | 2017-09-12 | Nikon Corporation | Illumination optical apparatus and projection exposure apparatus |
US10281632B2 (en) | 2003-11-20 | 2019-05-07 | Nikon Corporation | Illumination optical apparatus, exposure apparatus, and exposure method with optical member with optical rotatory power to rotate linear polarization direction |
US9885872B2 (en) | 2003-11-20 | 2018-02-06 | Nikon Corporation | Illumination optical apparatus, exposure apparatus, and exposure method with optical integrator and polarization member that changes polarization state of light |
US10007194B2 (en) | 2004-02-06 | 2018-06-26 | Nikon Corporation | Polarization-modulating element, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and exposure method |
US10241417B2 (en) | 2004-02-06 | 2019-03-26 | Nikon Corporation | Polarization-modulating element, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and exposure method |
US10234770B2 (en) | 2004-02-06 | 2019-03-19 | Nikon Corporation | Polarization-modulating element, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and exposure method |
US20130271945A1 (en) | 2004-02-06 | 2013-10-17 | Nikon Corporation | Polarization-modulating element, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and exposure method |
US9891539B2 (en) | 2005-05-12 | 2018-02-13 | Nikon Corporation | Projection optical system, exposure apparatus, and exposure method |
US10101666B2 (en) | 2007-10-12 | 2018-10-16 | Nikon Corporation | Illumination optical apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method |
US9857599B2 (en) | 2007-10-24 | 2018-01-02 | Nikon Corporation | Optical unit, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method |
US9341954B2 (en) | 2007-10-24 | 2016-05-17 | Nikon Corporation | Optical unit, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method |
US9678332B2 (en) | 2007-11-06 | 2017-06-13 | Nikon Corporation | Illumination apparatus, illumination method, exposure apparatus, and device manufacturing method |
JP2014110385A (en) * | 2012-12-04 | 2014-06-12 | Canon Inc | Exposure apparatus, and device manufacturing method |
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