JP2006039789A - Non-contact data carrier with temperature change detecting function - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、温度変化検出機能付き非接触型のデータキャリアに関する。 The present invention relates to a non-contact type data carrier with a temperature change detection function.
情報の機密性の面からICカードが次第に普及されつつ中、近年では、読み書き装置(リーダライタ)と接触せずに情報の授受を行う非接触型のICカードが提案され、中でも、外部の読み書き装置との信号交換を、あるいは信号交換と電力供給とを電磁波により行う方式のものが実用化されつつある。
このような中、データを搭載したICを、アンテナコイルと接続した、シート状ないし札状の非接触式のICタグが、近年、種々提案され、商品や包装箱等に付け、万引き防止、物流システム、商品管理等に利用されるようになってきた。
勿論、ICを持たない単なる共振タグも物品の存在感知に用いられている。
In recent years, IC cards are becoming increasingly popular in terms of information confidentiality, and in recent years, contactless IC cards that exchange information without contacting a reader / writer have been proposed. A system in which signal exchange with an apparatus or signal exchange and power supply is performed by electromagnetic waves is being put into practical use.
Under these circumstances, various types of non-contact IC tags in the form of sheets or bills, in which ICs with data are connected to antenna coils, have been recently proposed and attached to products and packaging boxes to prevent shoplifting, logistics It has come to be used for systems and product management.
Of course, a simple resonance tag having no IC is also used to detect the presence of an article.
上記ICを持たない単なる共振タグやICタグは、いずれも、物品の存在感知や、物品の識別を行うもので、外的要因の変化をとらえるものではない。
個別に設定した共振周波数を持つ共振タグの場合も、物品の存在感知や、物品の識別を行うもので、外的要因の変化をとらえるものではない。
物品の温度の変化を把握するために、たとえば、温度センサとCPU、メモリと電池を内蔵したボタン型の温度モニタデバイスの使用も考えられるが、センサ、CPU、メモリ、電池を内蔵するため1ケ数千円と高価で、内蔵電池で動くため寿命が短い。
また、温度変化により色変化するサーモラベルのようなものがあるが、自動で個別識別する機能はなく、ひとつひとつ目視による確認が必要であり、簡便に検出することができない。
このように、従来、タグは、物品の存在感知や物品の識別を行うために専ら用いられ、物品の温度等環境の変化を把握するためには、温度モニタデバイスのように高価であったり、あるいは、サーモラベルのように扱いに手間がかかるため、物品の環境変化を把握するためには用いられていなかった。
尚、共振タグの周波数識別方法としては、従来から、特開2000−49655号公報(特許文献1)に記載のように、ディップメーター方式とエコー波感知方式等が知られている。
In the case of a resonance tag having an individually set resonance frequency, the presence of an article is detected and the article is identified, and a change in external factors is not captured.
In order to grasp the change in the temperature of the article, for example, the use of a button-type temperature monitoring device incorporating a temperature sensor and CPU, memory and battery is conceivable. It is expensive at several thousand yen and has a short life because it runs on an internal battery.
In addition, there is a thermo label that changes color due to temperature change, but there is no automatic individual identification function, and visual confirmation is required one by one, and detection is not easy.
Thus, conventionally, the tag is exclusively used for sensing the presence of an article and identifying the article, and in order to grasp changes in the environment such as the temperature of the article, it is expensive like a temperature monitor device, Or, since it takes time to handle like a thermo label, it has not been used to grasp the environmental change of an article.
Conventionally, as a frequency identification method of a resonance tag, a dip meter method, an echo wave detection method, and the like are known as described in JP 2000-49655 A (Patent Document 1).
このような中、最近では、電源を有しない温度変化検出機能付きICタグ(以下、センサタグとも言う)も出てくるようになり、例えば、特開平10−227702(特許文献2)に記載されている「温度依存性の大きな強誘電体を用いて形成した強誘電体キャパシタを容量性素子として組み込んだ共振回路を構成し、前期強誘電体キャパシタの容量の温度依存性に起因して変化する前記共振回路の共振回路の共振周波数を検知する事により、温度を計測」する形態のものが挙げられる。
また、特開2001−251687号公報(特許文献2)には、温度センサ、CPU、電源などを搭載し、温度を逐一監視し、ある一定温度を超えたときに、携帯電話等に情報を送信する方式のものが記載されているが、この方式の場合、温度センサの情報として、全ての時間の温度をサンプリングする形態を取っていて、そのデータを格納する大規模な不揮発メモリが必要であった。
また、温度情報サンプリング時において、電源供給を電池のみでまかなう為、すぐに電池交換しなければならないという問題があった。
In addition, when temperature information is sampled, there is a problem that the battery must be replaced immediately because power is supplied only by the battery.
上記のように、従来の電源を有しない温度変化検出機能付きのセンサタグは、共振周波数を測定するディップメータなどの測定器と組で使用する為、周囲に測定器の無い環境では、該センサタグに所定の温度環境変化があったか否かを保証することができず、その対応が求められていた。
また、従来の電源を搭載する温度変化検出機能付きのセンサタグは、大規模な不揮発メモリが必要であり、電源供給を電池のみでまかなう為、すぐに電池交換しなければならないという問題があった。
本発明はこれに対応するもので、具体的には、メモリを有するICチップを内蔵し、スイッチング素子をセンサとして用いて温度変化検出部を形成している、温度変化検出機能付き非接触型のデータキャリアで、且つ、該温度変化検出部を動作する電池の消耗を少なくでき、大規模な不揮発メモリを必要とせず、特別の測定器を用いることなく、確実に、その所定の温度環境変化の有無情報を確認することができ、情報を改ざんすることが難しい非接触型のデータキャリアを提供しようとするものである。
As described above, a sensor tag with a temperature change detection function that does not have a conventional power supply is used in combination with a measuring instrument such as a dip meter that measures the resonance frequency. It could not be guaranteed whether or not there was a predetermined temperature environment change, and a response was required.
In addition, a conventional sensor tag equipped with a temperature change detection function equipped with a power supply requires a large-scale non-volatile memory, and has a problem that the battery must be replaced immediately because power is supplied only by the battery.
The present invention corresponds to this, and specifically, a non-contact type with a temperature change detection function, which has a built-in IC chip having a memory and forms a temperature change detection unit using a switching element as a sensor. It is possible to reduce the consumption of the battery that operates the temperature change detection unit with the data carrier, without requiring a large-scale nonvolatile memory, and without using a special measuring device, it is possible to reliably change the predetermined temperature environment change. It is intended to provide a non-contact type data carrier that can confirm presence / absence information and is difficult to falsify information.
本発明の温度変化検出機能付き非接触型のデータキャリアは、メモリを有するICチップを内蔵した非接触型のデータキャリアで、且つ、スイッチング素子をセンサとして用いて温度変化検出部を形成している、温度変化検出機能付き非接触型のデータキャリアであって、温度変化検出部は、前記スイッチング素子と、該スイッチング素子に直列接続された電池と、前記ICチップ内部に設けられた以下の、クロック信号を生成するクロック生成回路部と、温度情報を蓄積するための不揮発メモリ部と、前記クロック生成回路により発生されたクロックの制御の下、前記不揮発メモリ部への書き込み、読み込み動作を制御するメモリ制御回路部とを、その構成部とし、その各部はスイッチング素子のON状態で前記電池をその電圧源とするもので、スイッチング素子のON状態に対応して、クロック生成回路によりクロック信号が生成され、該クロック信号にもとづく指示でメモリ制御回路部を動作し、メモリ制御回路部の制御のもとに、不揮発メモリ部に温度変化有りの温度情報を書き込むものであり、前記スイッチング素子は、ある温度以上になるとスイッチONで導通となり、また、ある温度以下になるとスイッチOFFで非導通となる、あるいは、ある温度以下になるとスイッチONで導通となり、また、ある温度以上になるとスイッチOFFで非導通となるスイッチング素子であることを特徴とするものである。
そして、上記の温度変化検出機能付き非接触型のデータキャリアであって、不揮発メモリの所定のアドレスには、温度情報を書き込む不揮発メモリのアドレス情報が格納されており、メモリ制御回路部は、クロック生成回路部からのクロック信号にて、カウンターを動作し、カウンターが決められた値になったとき、制御信号を発生し、不揮発メモリ部の前記所定のアドレスにあるアドレス情報を読み出し、更に、読み出したアドレスにカウンターの情報を書き込むとともに、不揮発メモリ部の前記所定のアドレスに、次の書込みアドレスを書き込むものであることを特徴とするものである。
そして、上記のいずれかの温度変化検出機能付き非接触型のデータキャリアであって、非接触型のICタグであることを特徴とするものである。
尚、温度情報を書き込む不揮発メモリのアドレス情報が格納されている、所定のアドレスとしては、通常、先頭番地を用いる。
The non-contact type data carrier with a temperature change detection function of the present invention is a non-contact type data carrier incorporating an IC chip having a memory, and a temperature change detection unit is formed using a switching element as a sensor. A non-contact type data carrier with a temperature change detection function, wherein the temperature change detection unit includes the switching element, a battery connected in series to the switching element, and a clock provided in the IC chip as follows: A clock generation circuit unit for generating a signal, a nonvolatile memory unit for storing temperature information, and a memory for controlling writing and reading operations to the nonvolatile memory unit under control of a clock generated by the clock generation circuit The control circuit unit is a component, and each unit uses the battery as its voltage source when the switching element is ON. In response to the ON state of the switching element, a clock signal is generated by the clock generation circuit, the memory control circuit unit is operated in accordance with an instruction based on the clock signal, and the nonvolatile memory is controlled under the control of the memory control circuit unit. The temperature information with temperature change is written in the part, and the switching element is turned on when the temperature is higher than a certain temperature, and is turned off when the temperature is lower than a certain temperature, or is not turned on when the temperature is lower than a certain temperature. In this case, the switching element is turned on when the switch is turned on, and is turned off and turned off when the temperature is higher than a certain temperature.
The non-contact type data carrier with the temperature change detection function described above, the address information of the non-volatile memory to which the temperature information is written is stored in the predetermined address of the non-volatile memory. The counter is operated with the clock signal from the generation circuit unit, and when the counter reaches a predetermined value, the control signal is generated, the address information at the predetermined address of the nonvolatile memory unit is read, and further read The counter information is written to a predetermined address, and the next write address is written to the predetermined address of the nonvolatile memory section.
And any one of the above-mentioned non-contact type data carriers with a temperature change detecting function, which is a non-contact type IC tag.
Note that the head address is usually used as the predetermined address in which the address information of the nonvolatile memory to which the temperature information is written is stored.
(作用)
本発明の温度センサ機能付き非接触型のデータキャリアは、このような構成にすることにより、メモリを有するICチップを内蔵し、スイッチング素子をセンサとして用いて温度変化検出部を形成している、温度変化検出機能付き非接触型のデータキャリアで、且つ、該温度変化検出部を動作する電池の消耗を少なくでき、大規模な不揮発メモリを必要とせず、特別の測定器を用いることなく、確実に、その所定の温度環境変化の有無情報を確認することができ、情報を改ざんすることが難しい非接触型のICタグ、非接触型のICカード等の非接触型のデータキャリアを提供を可能としている。
具体的には、温度変化検出部は、前記スイッチング素子と、該スイッチング素子に直列接続された電池と、前記ICチップ内部に設けられた以下の、クロック信号を生成するクロック生成回路部と、温度情報を蓄積するための不揮発メモリ部と、前記クロック生成回路により発生されたクロック信号の制御の下、前記不揮発メモリ部への書き込み、読み込み動作を制御するメモリ制御回路部とを、その構成部とし、その各部はスイッチング素子のON状態で前記電池をその電圧源とするもので、スイッチング素子のON状態に対応して、クロック生成回路によりクロック信号が生成され、該クロック信号にもとづく指示でメモリ制御回路部を動作し、メモリ制御回路部の制御のもとに、不揮発メモリ部に温度変化有りの温度情報を書き込むものであり、前記スイッチング素子は、ある温度以上になるとスイッチONで導通となり、また、ある温度以下になるとスイッチOFFで非導通となる、あるいは、ある温度以下になるとスイッチONで導通となり、また、ある温度以上になるとスイッチOFFで非導通となるスイッチング素子であることにより、これを達成している。
即ち、スイッチング素子がONした時のみに、温度変化検出部の各部は電池から電圧を供給されて、スイッチON状態の情報を不揮発性メモリに書き込むため、構造的には、情報を書き込むための不揮発メモリの容量を小さくでき、また、電池の消費を抑制でき、電池を長時間使用できることを可能にできる。
(Function)
The non-contact type data carrier with a temperature sensor function of the present invention has such a configuration, so that an IC chip having a memory is built in, and a temperature change detection unit is formed using a switching element as a sensor. It is a non-contact data carrier with temperature change detection function, can reduce the consumption of the battery that operates the temperature change detection unit, does not require a large-scale non-volatile memory, and without using a special measuring instrument. In addition, it is possible to check the presence / absence information of the predetermined temperature environment change, and to provide non-contact type data carriers such as non-contact type IC tags and non-contact type IC cards that are difficult to tamper with. It is said.
Specifically, the temperature change detection unit includes the switching element, a battery connected in series to the switching element, a clock generation circuit unit that generates the following clock signal provided in the IC chip, and a temperature The nonvolatile memory unit for storing information and the memory control circuit unit that controls the writing and reading operations to the nonvolatile memory unit under the control of the clock signal generated by the clock generation circuit are the components. Each part uses the battery as its voltage source when the switching element is in an ON state, and a clock signal is generated by a clock generation circuit corresponding to the ON state of the switching element, and the memory is controlled by an instruction based on the clock signal. Operate the circuit unit and write temperature information with temperature change to the non-volatile memory unit under the control of the memory control circuit unit. The switching element is turned on when the switch is turned on when the temperature is higher than a certain temperature, is turned off when the temperature is lower than a certain temperature, or is turned off when the temperature is lower than a certain temperature. This is achieved by the switching element that becomes non-conductive when the temperature is higher than the temperature when the switch is turned off.
That is, only when the switching element is turned on, each part of the temperature change detection unit is supplied with a voltage from the battery, and the switch ON state information is written to the nonvolatile memory. The memory capacity can be reduced, the battery consumption can be suppressed, and the battery can be used for a long time.
本発明は、上記のように、電池の消耗を少なくでき、大規模な不揮発メモリを必要とせず、特別の測定器を用いることなく、確実に、その所定の温度環境変化の有無情報を確認することができ、該情報を改ざんすることが難しい非接触型のICタグ、非接触型のICカード等の非接触型のデータキャリアの提供を可能とした。 As described above, the present invention can reduce battery consumption, does not require a large-scale nonvolatile memory, and reliably confirms whether there is a change in the predetermined temperature environment without using a special measuring instrument. Therefore, it is possible to provide a non-contact type data carrier such as a non-contact type IC tag or a non-contact type IC card that is difficult to falsify the information.
本発明の実施の形態例を図に基づいて説明する。
図1は、本発明の温度変化検出機能付き非接触型のデータキャリアの実施の形態の1例の概略構成図で、図2は温度変化検出部の処理フローの1例を示したフロー図である。
尚、図2中、S11〜S18は処理ステップを示す。
図1中、100はICタグ、101は基材、110はICチップ、111はアナログRF部、112はICタグ制御回路部、113はメモリ制御回路部、114は不揮発性メモリ部、115はクロック生成回路部、120はコイル、130はスイッチング素子、140は温度変化検出部、150は電池である。
Embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.
FIG. 1 is a schematic configuration diagram of an example of an embodiment of a non-contact type data carrier with a temperature change detection function according to the present invention, and FIG. 2 is a flowchart showing an example of a processing flow of a temperature change detection unit. is there.
In FIG. 2, S11 to S18 indicate processing steps.
In FIG. 1, 100 is an IC tag, 101 is a substrate, 110 is an IC chip, 111 is an analog RF unit, 112 is an IC tag control circuit unit, 113 is a memory control circuit unit, 114 is a non-volatile memory unit, and 115 is a clock. A generation circuit unit, 120 is a coil, 130 is a switching element, 140 is a temperature change detection unit, and 150 is a battery.
本発明の温度変化検出機能付き非接触型のデータキャリアの実施の形態の1例を図1に基づいて説明する。
本例の温度変化検出機能付き非接触型のデータキャリアは、メモリを有するICチップ110を内蔵した非接触型のデータキャリアで、且つ、スイッチング素子130をセンサとして用いて所定の昇温変化を検出する温度変化検出部140を形成している、温度変化検出機能付き非接触型のICタグ100である。
そして、通常の非接触ICタグと同様に物品に添付して用いられ、コイル120に接続して外部機器(リーダライタ)と電磁波により信号の授受およびエネルギー供給がなされ、非接触にてデータの授受を行うが、これに加え、所定の昇温変化の有無を確認できるものである。
本例の温度変化検出機能付き非接触型のデータキャリアは、図1に示すように、ICチップ110、コイル120、スイッチング素子130、電池150を基材101に配設したもので、ICチップ110には、通常の非接触ICタグと同様に、コイル120に接続して、外部機器(リーダライタ)との信号の送受信を行うための送信回路、受信回路や、外部回路から供給されたエネルギーを元に各部に動作電圧を供給するための電源部等を備えたアナログRF部111、データを蓄積するための不揮発性メモリ部114とICタグの動作を制御するためのICタグ制御回路部112を備え、更にこれに加え、温度変化検出部140の構成部としての、メモリ制御回路部113、クロック生成回路部115とを備えたもので、不揮発性メモリ部114は、温度変化検出部140の構成部としても利用されるものである。
メモリ内に書き込まれた温度情報は、通常の非接触型の動作で外部機器(リーダライタ)に通信することが可能である。
An example of an embodiment of a non-contact type data carrier with a temperature change detection function of the present invention will be described with reference to FIG.
The non-contact type data carrier with a temperature change detection function of this example is a non-contact type data carrier incorporating an IC chip 110 having a memory, and detects a predetermined temperature rise change using the switching element 130 as a sensor. This is a non-contact type IC tag 100 with a temperature change detection function, which forms a temperature change detection unit 140 that performs the same.
Then, it is used attached to an article in the same manner as a normal non-contact IC tag, and is connected to the coil 120 to exchange signals and supply energy by an external device (reader / writer) and electromagnetic waves, and exchange data without contact. In addition to this, the presence or absence of a predetermined temperature rise change can be confirmed.
As shown in FIG. 1, the non-contact type data carrier with a temperature change detection function in this example has an IC chip 110, a coil 120, a switching element 130, and a battery 150 arranged on a substrate 101. In the same manner as in a normal non-contact IC tag, the energy supplied from a transmission circuit, a reception circuit, or an external circuit for transmitting / receiving a signal to / from an external device (reader / writer) is connected to the coil 120. An analog RF unit 111 originally provided with a power supply unit for supplying an operating voltage to each unit, a nonvolatile memory unit 114 for storing data, and an IC tag control circuit unit 112 for controlling the operation of the IC tag In addition to this, a memory control circuit unit 113 and a clock
The temperature information written in the memory can be communicated to an external device (reader / writer) by a normal non-contact type operation.
本例の温度変化検出機能付き非接触型のデータキャリアにおける温度変化検出部140は、スイッチング素子130と、該スイッチング素子130に直列接続された電池150と、ICチップ110の内部に設けられた、クロックを発生するクロック生成回路部115と、温度情報を蓄積するための不揮発メモリ部114と、該不揮発メモリ部114への書き込み、読み込み動作を制御するメモリ制御回路部113とを、その構成部としている。
そして、温度変化検出部140の、クロック生成回路部115、メモリ制御回路部113、不揮発メモリ部114は、いずれも、スイッチング素子130のON状態で電池150をその電圧源とするもので、スイッチング素子130のON状態に対応して、クロック生成回路115によりクロックが生成され、該クロックにもとづく指示でメモリ制御回路部113を動作し、メモリ制御回路部113の制御のもとに、不揮発メモリ部114に温度変化有りの温度情報を書き込むものである。
ここでのスイッチング素子130は、ある温度T1以上になるとスイッチONで導通となり、また、ある温度T2以下になるとスイッチOFFで非導通となるバイメタル方式のスイッチング素子である。
The temperature change detection unit 140 in the non-contact type data carrier with a temperature change detection function of this example is provided in the switching element 130, the battery 150 connected in series to the switching element 130, and the IC chip 110. A clock
The clock
Here, the switching element 130 is a bimetallic switching element that is turned on when the switch is turned on when the temperature is higher than a certain temperature T1, and is turned off when the temperature is lower than a certain temperature T2.
本例の温度変化検出機能付き非接触型のデータキャリアにおける温度変化検出部140の、所定の昇温変化を検出する動作を、以下、図2に基づいて簡単に説明しておく。
先ず、温度T0(常温)の初期状態においてスイッチング素子130のスイッチはOFF状態で非導通である。(S11)
この後、環境温度が上昇しこれに伴い、スイッチング素子130は温度T1を越えたとすると、スイッチング素子130の温度がT1に達した時点で、スイッチONとなる。(S12)
スイッチング素子130のスイッチがONとなると、これに直列接続されている電池150の電圧が、ICチップ110内の温度変化検出部140を構成するクロック生成回路部115、メモリ制御回路部113、不揮発性メモリ部114へ供給され、これら各部は動作可能状態となる。
そして、まず、クロック生成回路部115はクロック信号を生成することとなるが(S13)、このクロック信号の生成のもとにメモリ制御回路部113が動作する。
そして、メモリ制御回路部113は、クロック信号にて、そのカウンターを動作する。(S14)
前記カウンターが決められた値になったとき、メモリ制御回路部113は、不揮発メモリ部114への制御信号を発生し、情報を読み出し、書き込みを行うが、先ず、その先頭番地(先頭アドレスとも言う)のメモリ情報を読み出す。(S15)
先頭番地には、時間等の温度情報を示す前記カウンターのカウント値を書き込む不揮発メモリのアドレスが格納されている。
その後、読み出したアドレスに時間等の温度情報を示すカウンターのカウンターの情報を書き込む(S16)。
次いで、前記先頭番地に、次のスイッチング素子130のスイッチON時のメモリ書込み場所を示すアドレスを不揮発メモリ部114内に書き込む。(S17)
この後、環境温度が温度T2以下に下降したとし、環境温度の下降に伴い、スイッチング素子130は温度T2より降温し、スイッチング素子130の温度がT2に達した時点で、スイッチOFFとなる。(S12)
この後、スイッチング素子130の温度が昇温して温度T1に達した場合には、上記と同様に、S12〜S17の処理ステップを繰り返し、また、温度T1に達しない場合には、処理は行わず電池は消耗しない。
上記のように、この例の場合は、スイッチング素子130の温度に対応して、図2に示す処理ステップを行う。
このようにすることにより、特に、スイッチング素子130がスイッチON、スイッチOFF動作を繰り返す場合等において、そのON状態の時のみに、各回路部113〜115に電池150による電圧印加をONし、またその時の温度情報をメモリに書き込むため、電池150の消耗が減る。
また、不揮発性メモリ部114は大きな容量を必要としない。
The operation for detecting a predetermined temperature rise change of the temperature change detection unit 140 in the non-contact type data carrier with the temperature change detection function of this example will be briefly described below with reference to FIG.
First, in the initial state of the temperature T0 (normal temperature), the switch of the switching element 130 is OFF and non-conductive. (S11)
Thereafter, when the environmental temperature rises and the switching element 130 exceeds the temperature T1 along with this, the switch is turned on when the temperature of the switching element 130 reaches T1. (S12)
When the switch of the switching element 130 is turned on, the voltage of the battery 150 connected in series to the switch 150 is changed to a clock
First, the clock
Then, the memory control circuit unit 113 operates the counter with the clock signal. (S14)
When the counter reaches a predetermined value, the memory control circuit unit 113 generates a control signal to the nonvolatile memory unit 114 to read and write information. First, the head address (also called the head address) is generated. ) Memory information is read out. (S15)
The head address stores the address of the non-volatile memory to which the count value of the counter indicating temperature information such as time is written.
Thereafter, the counter information indicating the temperature information such as time is written in the read address (S16).
Next, an address indicating a memory write location when the next switching element 130 is turned on is written in the nonvolatile memory unit 114 at the top address. (S17)
Thereafter, assuming that the environmental temperature falls below the temperature T2, as the environmental temperature falls, the switching element 130 falls from the temperature T2, and when the temperature of the switching element 130 reaches T2, the switch is turned off. (S12)
Thereafter, when the temperature of the switching element 130 rises and reaches the temperature T1, the processing steps of S12 to S17 are repeated as described above, and when the temperature does not reach the temperature T1, the processing is performed. The battery does not drain.
As described above, in this example, the processing steps shown in FIG. 2 are performed corresponding to the temperature of the switching element 130.
In this way, in particular, when the switching element 130 repeats the switch ON and switch OFF operations, etc., the voltage application by the battery 150 is turned on to the circuit units 113 to 115 only when the switching element 130 is in the ON state. Since the temperature information at that time is written in the memory, consumption of the battery 150 is reduced.
Further, the nonvolatile memory unit 114 does not require a large capacity.
上記、実施の形態例は1例で、本発明の温度変化検出機能付き非接触型のデータキャリアは、これに限定されない。
実施の形態例は昇温変化の場合であるが、降温変化の場合も挙げられる。
例えば、上記実施例の図1のスイッチング素子130に代え、ある温度以下になるとスイッチONで導通となり、また、ある温度以上になるとスイッチOFFで非導通となるスイッチング素子を用いて、所定の降温変化を検出することができる温度変化検出部を備えた、温度変化検出機能付き非接触型のICタグとしても良い。
また、温度特性の異なるバイメタルスイッチング素子を複数個、直列ないし並列に用いた形態のものも挙げられるが、この場合は、温度変化の範囲をより正確に記録することができる。
また、本例では、不揮発性メモリ部114をICタグの電磁波による信号の記憶のメモリ部と、温度変化検出部140の記憶のメモリ部として兼用させているが、別個としても良いことは言うまでもない。
The above embodiment is only an example, and the non-contact type data carrier with temperature change detection function of the present invention is not limited to this.
The embodiment is a case of a temperature rise change, but may also be a case of a temperature fall change.
For example, in place of the switching element 130 in FIG. 1 of the above embodiment, a predetermined temperature change using a switching element that is turned on when the temperature is lower than a certain temperature, and is turned off when the temperature is higher than a certain temperature. It is good also as a non-contact type IC tag with a temperature change detection function provided with the temperature change detection part which can detect.
Moreover, although the thing of the form which used two or more bimetal switching elements from which a temperature characteristic differs in series or parallel is mentioned, in this case, the range of a temperature change can be recorded more correctly.
Further, in this example, the nonvolatile memory unit 114 is used both as a memory unit for storing signals by electromagnetic waves of the IC tag and a memory unit for storing the temperature change detection unit 140, but it goes without saying that they may be provided separately. .
100 ICタグ
101 基材
110 ICチップ
111 アナログRF部
112 ICタグ制御回路部
113 メモリ制御回路部
114 不揮発性メモリ部
115 クロック生成回路部
120 コイル
130 スイッチング素子
140 温度変化検出部
150 電池
DESCRIPTION OF SYMBOLS 100 IC tag 101 Base material 110 IC chip 111 Analog RF part 112 IC tag control circuit part 113 Memory control circuit part 114
Claims (3)
The non-contact type data carrier with a temperature change detection function according to claim 1, wherein the non-contact type data carrier is a non-contact type IC tag. Data carrier.
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