JP2006031599A - Semiconductor device and production method therefor - Google Patents
Semiconductor device and production method therefor Download PDFInfo
- Publication number
- JP2006031599A JP2006031599A JP2004212853A JP2004212853A JP2006031599A JP 2006031599 A JP2006031599 A JP 2006031599A JP 2004212853 A JP2004212853 A JP 2004212853A JP 2004212853 A JP2004212853 A JP 2004212853A JP 2006031599 A JP2006031599 A JP 2006031599A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnetic layer
- resin
- chip
- inlet
- antenna
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Landscapes
- Credit Cards Or The Like (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
Description
本発明は、半導体装置およびその製造方法に関し、特に、ベース基材上にICチップが搭載されてなる半導体基板が樹脂により封止された半導体装置およびその製造方法に関するものである。 The present invention relates to a semiconductor device and a manufacturing method thereof, and more particularly to a semiconductor device in which a semiconductor substrate having an IC chip mounted on a base substrate is sealed with a resin and a manufacturing method thereof.
近年、情報管理や決済、あるいは商品などの管理、非接触状態にて情報の書き込みおよび読み出しが可能な非接触型ICタグや非接触型ICラベル、あるいは非接触型ICカードなどのRDIFメディアが利用されている。これらのRFIDメディアは、非接触状態にて情報の書き込みおよび読み出しが可能であるとともに、仕様によっては、複数のRFIDメディアに対して情報の書き込みおよび読み出しを同時に行うことができるため、急速に普及しつつある。 In recent years, RDIF media such as non-contact type IC tags, non-contact type IC labels, or non-contact type IC cards that can write and read information in a non-contact state can be used. Has been. Since these RFID media can write and read information in a non-contact state, and depending on the specifications, information can be written and read simultaneously on a plurality of RFID media, it is rapidly spreading. It's getting on.
図11は、従来の非接触型ICタグの一例を示す概略図であり、(a)は内部構造を示す平面図、(b)は(a)のC−C線に沿う断面図である。
この例の非接触型ICタグ100は、樹脂シート101上にアンテナ102が形成されるとともにICチップ103が搭載されてなるインレット110と、このインレット110上に粘着剤111を介して接着されている表面シート112とから構成されている。
11A and 11B are schematic views showing an example of a conventional non-contact IC tag, in which FIG. 11A is a plan view showing an internal structure, and FIG. 11B is a cross-sectional view taken along the line CC of FIG.
The non-contact
アンテナ102は、樹脂シート101上にコイル状に形成され、その両端が接点104によってICチップ103に接続されている。また、ICチップ103は、アンテナ102を介して非接触状態にて情報の書き込みおよび読み出しが可能なものである。また、表面シート112は、樹脂フィルムなどからなり、インレット110のICチップ103が搭載された面側に接着されることにより、ICチップ103を保護している。
The
非接触型ICタグ100において、外部に設けられた情報書込/読出装置(図示略)に近接させると、情報書込/読出装置からの電磁誘導によりアンテナ102に電流が流れ、この電流がアンテナ102から接点104を介してICチップ103に供給され、それにより、非接触状態において、情報書込/読出装置からICチップ103に情報が書き込まれたり、ICチップ103に書き込まれた情報が情報書込/読出装置にて読み出される。
When the non-contact
ここで、非接触型ICタグ100のように、ベース基材上にICチップが搭載されてなる半導体基板においては、ICチップが搭載された面に表面シートなどの保護部材を接着しておくことにより、ICチップが保護されている。
Here, in a semiconductor substrate in which an IC chip is mounted on a base substrate like the
また、ICチップが搭載された半導体基板のICチップが搭載されていない面を樹脂で被覆しておき、その後、半導体基板のICチップが搭載された面を樹脂で被覆し、それにより、ICチップを保護する技術が考案されている(例えば、特許文献1参照。)。この技術においては、まず、ICチップが搭載された半導体基板のICチップが搭載されていない面を樹脂で被覆し、その後、この半導体基板上に金型を設置し、この金型内に樹脂を注入して半導体基板のICチップが搭載された面を樹脂により被覆する。これにより、ICチップが搭載された半導体基板が樹脂によって封止されることになり、半導体基板上に表面シートなどの保護部材が接着されたものと比べて、ICチップに対する保護強化を図ることができる。 Further, the surface of the semiconductor substrate on which the IC chip is mounted is covered with a resin, and then the surface of the semiconductor substrate on which the IC chip is mounted is covered with a resin, whereby the IC chip Has been devised (see, for example, Patent Document 1). In this technology, first, a surface of a semiconductor substrate on which an IC chip is mounted is covered with a resin, then a mold is placed on the semiconductor substrate, and the resin is placed in the mold. The surface of the semiconductor substrate on which the IC chip is mounted is coated with resin. As a result, the semiconductor substrate on which the IC chip is mounted is sealed with resin, so that the protection against the IC chip can be enhanced compared to the case where a protective member such as a surface sheet is bonded on the semiconductor substrate. it can.
また、ベース基材にアンテナが巻かれるとともにICチップが搭載された基板を金型内に固定し、この金型内に樹脂を注入することにより、ベース基材にアンテナが巻かれるとともにICチップが搭載された基板が樹脂により封止されたRFID用タグを製造する技術が考案されている(例えば、特許文献2参照。)。この技術においても、半導体基板上に表面シートなどの保護部材が接着されたものと比べて、ICチップに対する保護強化を図ることができる。 In addition, the antenna is wound around the base substrate and the substrate on which the IC chip is mounted is fixed in the mold, and the resin is injected into the mold, whereby the antenna is wound around the base substrate and the IC chip is mounted. A technique for manufacturing an RFID tag in which a mounted substrate is sealed with a resin has been devised (see, for example, Patent Document 2). Also in this technique, the protection against the IC chip can be enhanced as compared with the case where a protective member such as a surface sheet is bonded on the semiconductor substrate.
しかしながら、上述したように、ベース基材にICチップが搭載された半導体基板上に樹脂を供給し、その樹脂によって半導体基板を封止することによりICチップを保護するものにおいては、半導体基板上に樹脂が供給された際に、樹脂の供給による圧力や熱によってICチップが破損してしまったり、ベース基材上に形成された配線とICチップとの接続が断線してしまったりするおそれがある。 However, as described above, in the case where the IC chip is protected by supplying the resin onto the semiconductor substrate on which the IC chip is mounted on the base substrate and sealing the semiconductor substrate with the resin, When resin is supplied, the IC chip may be damaged by the pressure or heat generated by the resin supply, or the connection between the wiring formed on the base substrate and the IC chip may be broken. .
また、ベース基材上にICチップが搭載されている半導体基板が樹脂により封止された半導体装置においては、製造後、周囲の環境の変化、特に、周囲温度の上昇によって樹脂が膨張し、膨張した樹脂によってICチップに圧が加わり、ICチップが破損してしまったり、ベース基材上に形成された配線とICチップとの接続が断線してしまったりするおそれがある。 In addition, in a semiconductor device in which a semiconductor substrate on which an IC chip is mounted on a base substrate is sealed with a resin, the resin expands due to a change in the surrounding environment, in particular, an increase in the ambient temperature after the manufacture. There is a possibility that pressure is applied to the IC chip by the resin and the IC chip is damaged, or the connection between the wiring formed on the base substrate and the IC chip is broken.
また、特許文献1または2では、非接触型ICタグを取り付ける物品の種類については検討されてない。非接触型ICタグが作動するためには、情報書込/読出装置から発信された電磁波が非接触型ICタグのアンテナに十分に取り込まれて、ICチップの作動起電力以上の起電力が誘導されなければならないが、非接触型ICタグを金属製物品の表面に取り付けた場合、金属製物品の表面では磁束が金属製物品の表面に平行になる。このため、非接触型ICタグのアンテナを横切る磁束が減少して誘導起電力が低下するため、ICチップの作動起電力を下回り、ICチップが作動しなくなるという問題があった。
本発明は、前記事情に鑑みてなされたもので、ベース基材上にICチップが搭載されてなる半導体基板が樹脂により封止された半導体装置の製造時あるいは製造後に、ICチップが破損してしまったり、ベース基材上に形成された配線とICチップとの接続が断線してしまったりする可能性を低減し、さらには、半導体基板における機能の低下を抑制した半導体装置およびその製造方法を提供することを目的とする。 The present invention has been made in view of the above circumstances, and the IC chip is damaged during or after the manufacture of the semiconductor device in which the semiconductor substrate on which the IC chip is mounted on the base substrate is sealed with resin. A semiconductor device and a method for manufacturing the same that reduce the possibility that the connection between the wiring formed on the base substrate and the IC chip will be broken, and further suppress the deterioration of the function of the semiconductor substrate. The purpose is to provide.
本発明は、上記課題を解決するために、ベース基材とその一方の面に設けられ互いに電気的に接続されたアンテナおよびICチップからなるインレットと、前記インレットを構成するアンテナおよびICチップを覆うように配される磁性体層と、前記磁性体層を配したインレットを包み込むように設けられた樹脂からなる筐体と、を備えた半導体装置を提供する。 In order to solve the above-described problems, the present invention covers a base substrate, an inlet provided on one surface of the base substrate and an antenna and an IC chip, and an antenna and an IC chip constituting the inlet. There is provided a semiconductor device comprising a magnetic layer arranged in this manner, and a housing made of a resin provided so as to enclose an inlet in which the magnetic layer is arranged.
かかる構成によれば、外部からの衝撃を磁性体層により吸収することができる上に、外部からの衝撃によりインレットを構成するアンテナやICチップが振動するのを防止することができるので、アンテナおよびICチップが破壊されることを効果的に防止することができる。また、磁性体層を配したインレットを包み込むように樹脂からなる筐体が設けられ、ベース基材のアンテナおよびICチップが設けられている面を覆うように磁性体層が設けられているから、本発明の半導体装置を曲げた場合には、磁性体層を配したインレット全体に均一に力が加わるので、本発明の半導体装置は可撓性を有するものとなる。さらに、アンテナおよびICチップを覆うように設けられた磁性体層が磁性体として機能するので、磁束が磁性体層を通ってアンテナに捕捉されるため、情報書込/読出装置からの電磁誘導により、アンテナにICチップを作動させるのに十分な誘導起電力を発生させることができる。また、樹脂の供給によってICチップに直接加わる圧力を磁性体層で吸収することができるので、ICチップが破損したり、ベース基材上に設けられたアンテナとICチップが接点にて断線したりするのを効果的に防止することができる。 According to such a configuration, it is possible to absorb an external impact by the magnetic layer and to prevent the antenna and the IC chip constituting the inlet from vibrating due to the external impact. It is possible to effectively prevent the IC chip from being destroyed. In addition, since a housing made of resin is provided so as to wrap an inlet in which a magnetic layer is arranged, and a magnetic layer is provided so as to cover the surface of the base substrate on which the antenna and the IC chip are provided, When the semiconductor device of the present invention is bent, force is uniformly applied to the entire inlet provided with the magnetic layer, so that the semiconductor device of the present invention has flexibility. Further, since the magnetic layer provided so as to cover the antenna and the IC chip functions as a magnetic body, the magnetic flux is captured by the antenna through the magnetic layer, so that electromagnetic induction from the information writing / reading device causes Inductive electromotive force sufficient to operate the IC chip on the antenna can be generated. In addition, the pressure directly applied to the IC chip by supplying the resin can be absorbed by the magnetic layer, so that the IC chip is damaged, or the antenna provided on the base substrate and the IC chip are disconnected at the contact point. Can be effectively prevented.
本発明は、ベース基材とその一方の面に設けられ互いに電気的に接続されたアンテナおよびICチップからなるインレットと、前記インレットを構成するベース基材の他方の面を覆うように配される磁性体層と、前記磁性体層を配したインレットを包み込むように設けられた樹脂からなる筐体と、を備えた半導体装置を提供する。 The present invention is arranged so as to cover a base substrate, an inlet made of an antenna and an IC chip, which are provided on one surface of the base substrate and electrically connected to each other, and the other surface of the base substrate constituting the inlet. Provided is a semiconductor device comprising a magnetic layer and a housing made of a resin provided so as to enclose an inlet provided with the magnetic layer.
かかる構成によれば、外部からの衝撃を磁性体層により吸収することができる上に、外部からの衝撃によりインレットを構成するアンテナやICチップが振動するのを防止することができるので、アンテナおよびICチップが破壊されることを効果的に防止することができる。また、磁性体層を配したインレットを包み込むように樹脂からなる筐体が設けられ、ベース基材のアンテナおよびICチップが設けられている面とは反対の面を覆うように磁性体層が設けられ、アンテナやICチップで形成される間隙が第二の樹脂部材で埋められているから、本発明の半導体装置を曲げた場合には、磁性体層を配したインレット全体に均一に力が加わるので、本発明の半導体装置は可撓性を有するものとなる。さらに、ベース基材のアンテナおよびICチップが設けられている面とは反対の面を覆うように設けられた磁性体層が磁性体として機能するので、磁束が磁性体層を通ってアンテナに捕捉されるため、情報書込/読出装置からの電磁誘導により、アンテナにICチップを作動させるのに十分な誘導起電力を発生させることができる。 According to such a configuration, it is possible to absorb an external impact by the magnetic layer and to prevent the antenna and the IC chip constituting the inlet from vibrating due to the external impact. It is possible to effectively prevent the IC chip from being destroyed. In addition, a housing made of resin is provided so as to enclose the inlet with the magnetic material layer, and a magnetic material layer is provided so as to cover the surface of the base substrate opposite to the surface on which the antenna and IC chip are provided. Since the gap formed by the antenna and IC chip is filled with the second resin member, when the semiconductor device of the present invention is bent, force is uniformly applied to the entire inlet provided with the magnetic layer. Therefore, the semiconductor device of the present invention has flexibility. Furthermore, since the magnetic layer provided to cover the surface opposite to the surface on which the antenna and IC chip of the base substrate are provided functions as a magnetic material, magnetic flux is captured by the antenna through the magnetic material layer. Therefore, it is possible to generate an induced electromotive force sufficient to operate the IC chip in the antenna by electromagnetic induction from the information writing / reading device.
上記構成の半導体装置において、前記磁性体層は、結合剤と、磁性体粉末または磁性体フレークとからなる複合体であることが好ましい。 In the semiconductor device configured as described above, the magnetic layer is preferably a composite made of a binder and magnetic powder or magnetic flakes.
かかる構成によれば、磁性体層をなす複合体によって、アンテナやICチップを損傷することなく、かつ、アンテナやICチップで形成される間隙を効率よく、容易に埋めることができる。 According to such a configuration, the complex formed of the magnetic layer can efficiently and easily fill the gap formed by the antenna or IC chip without damaging the antenna or IC chip.
本発明は、ベース基材の一方の面に互いに電気的に接続されたアンテナおよびICチップを設けてインレットを形成する工程と、前記インレットを構成するアンテナおよびICチップを覆うように磁性体層を配する工程と、前記磁性体層を配したインレットの少なくとも一部を嵌め込む凹部を具備し、前記磁性体層を配したインレットのうち、少なくとも磁性体層の一部を覆うための第一の樹脂部材を成型する工程と、前記磁性体層を配したインレットのうち、少なくとも磁性体層の一部を前記凹部に嵌め込む工程と、前記第一の樹脂部材に嵌め込まれた前記磁性体層を配したインレット上に樹脂を供給し、該樹脂により第二の樹脂部材を成型し、該第二の樹脂部材によって前記磁性体層を配したインレットのうち前記第一の樹脂部材で覆われていない部分を覆い、第一の樹脂部材および第二の樹脂部材からなる筐体を形成して、該筐体により前記磁性体層を配したインレットを包み込む工程を有する半導体装置の製造方法を提供する。 The present invention includes a step of forming an inlet by providing an antenna and an IC chip that are electrically connected to each other on one surface of a base substrate, and a magnetic material layer so as to cover the antenna and the IC chip constituting the inlet. A first step for covering at least a part of the magnetic layer among the inlets provided with the magnetic layer, and a recess for fitting at least a portion of the inlet where the magnetic layer is disposed. A step of molding a resin member, a step of fitting at least a part of the magnetic layer of the inlet provided with the magnetic layer, and the magnetic layer fitted in the first resin member. Resin is supplied onto the arranged inlet, a second resin member is molded with the resin, and the second resin member covers the magnetic layer with the first resin member. Provided is a method for manufacturing a semiconductor device, which includes a step of covering a non-covered portion, forming a housing made of a first resin member and a second resin member, and enclosing the inlet in which the magnetic layer is arranged by the housing To do.
かかる構成によれば、第一の樹脂部材に設けられた凹部に、磁性体層の少なくとも一部を収容するように、磁性体層が配されたインレットを収容した後、第一の樹脂部材で覆われていない部分を覆うように、インレットのうちアンテナおよびICチップが設けられていない面側から樹脂を供給するから、樹脂の供給によってICチップに直接加わる圧力が低減するので、ICチップが破損したり、ベース基材上に設けられたアンテナとICチップが接点にて断線したりするのを効果的に防止することができる。また、樹脂の供給によってICチップに直接加わる圧力を磁性体層で吸収することができるので、ICチップが破損したり、ベース基材上に設けられたアンテナとICチップが接点にて断線したりするのを効果的に防止することができる。 According to this configuration, after the inlet in which the magnetic layer is disposed is accommodated in the recess provided in the first resin member so that at least a part of the magnetic layer is accommodated, the first resin member Since the resin is supplied from the side of the inlet where the antenna and the IC chip are not provided so as to cover the uncovered portion, the pressure directly applied to the IC chip by the supply of the resin is reduced, so the IC chip is damaged. It is possible to effectively prevent the antenna and the IC chip provided on the base substrate from being disconnected at the contact points. In addition, the pressure directly applied to the IC chip by supplying the resin can be absorbed by the magnetic layer, so that the IC chip is damaged, or the antenna provided on the base substrate and the IC chip are disconnected at the contact point. Can be effectively prevented.
本発明は、ベース基材の一方の面に互いに電気的に接続されたアンテナおよびICチップを設けてインレットを形成する工程と、前記インレットを構成するベース基材の他方の面を覆うように磁性体層を配する工程と、前記インレットの他方の面に配された磁性体層の少なくとも一部を嵌め込む凹部を具備し、前記磁性体層を配したインレットのうち、少なくとも磁性体層の一部を覆うための第一の樹脂部材を成型する工程と、前記磁性体層を配したインレットのうち、少なくとも磁性体層の一部を前記凹部に嵌め込む工程と、前記第一の樹脂部材に嵌め込まれた前記磁性体層を配したインレット上に樹脂を供給し、該樹脂により第二の樹脂部材を成型し、該第二の樹脂部材によって前記磁性体層を配したインレットのうち前記第一の樹脂部材で覆われていない部分を覆い、第一の樹脂部材および第二の樹脂部材からなる筐体を形成して、該筐体により前記磁性体層を配したインレットを包み込む工程を有する半導体装置の製造方法を提供する。 The present invention provides a step of forming an inlet by providing an antenna and an IC chip that are electrically connected to each other on one surface of a base substrate, and magnetically covers the other surface of the base substrate that constitutes the inlet. A step of arranging a body layer, and a recess for fitting at least a part of the magnetic layer disposed on the other surface of the inlet, and at least one of the magnetic layers among the inlets disposed with the magnetic layer. A step of molding a first resin member for covering the portion, a step of fitting at least a part of the magnetic layer into the recess among the inlets in which the magnetic layer is disposed, and the first resin member A resin is supplied onto the inlet in which the magnetic material layer fitted is arranged, a second resin member is molded with the resin, and the first resin is provided among the inlets in which the magnetic material layer is arranged with the second resin member. Resin part Manufacturing a semiconductor device comprising a step of covering a portion not covered with a first resin member, forming a housing made of a first resin member and a second resin member, and enclosing the inlet in which the magnetic layer is arranged by the housing Provide a method.
かかる構成によれば、第一の樹脂部材に設けられた凹部に、磁性体層の少なくとも一部を収容するように、磁性体層が配されたインレットを収容した後、第一の樹脂部材で覆われていない部分を覆うように、インレットのうちアンテナおよびICチップが搭載されている面側から樹脂を供給し、磁性体層が衝撃吸収材として機能し、樹脂の供給によってICチップに直接加わる圧力を磁性体層で分散することができるので、ICチップが破損したり、ベース基材上に設けられたアンテナとICチップが接点にて断線したりするのを効果的に防止することができる。 According to this configuration, after the inlet in which the magnetic layer is disposed is accommodated in the recess provided in the first resin member so that at least a part of the magnetic layer is accommodated, the first resin member Resin is supplied from the side of the inlet where the antenna and IC chip are mounted so as to cover the uncovered portion, and the magnetic layer functions as a shock absorber, and is directly applied to the IC chip by supplying the resin. Since the pressure can be dispersed by the magnetic material layer, it is possible to effectively prevent the IC chip from being damaged or the antenna provided on the base substrate and the IC chip from being disconnected at the contact point. .
本発明の半導体装置は、ベース基材とその一方の面に設けられ互いに電気的に接続されたアンテナおよびICチップからなるインレットと、前記インレットを構成するアンテナおよびICチップを覆うように配される磁性体層と、前記磁性体層を配したインレットを包み込むように設けられた樹脂からなる筐体と、を備えているから、外部からの衝撃を磁性体層により吸収することができる上に、外部からの衝撃によりインレットを構成するアンテナやICチップが振動するのを防止することができるので、アンテナおよびICチップが破壊されることを効果的に防止することができる。また、磁性体層を配したインレットを包み込むように樹脂からなる筐体が設けられ、ベース基材のアンテナおよびICチップが設けられている面を覆うように磁性体層が設けられているから、本発明の半導体装置を曲げた場合には、磁性体層を配したインレット全体に均一に力が加わるので、本発明の半導体装置は可撓性を有するものとなる。また、アンテナおよびICチップを覆うように設けられた磁性体層が磁性体として機能するので、磁束が磁性体層を通ってアンテナに捕捉されるため、情報書込/読出装置からの電磁誘導により、アンテナにICチップを作動させるのに十分な誘導起電力を発生させることができる。また、樹脂の供給によってICチップに直接加わる圧力を磁性体層で吸収することができるので、ICチップが破損したり、ベース基材上に設けられたアンテナとICチップが接点にて断線したりするのを効果的に防止することができる。さらに、アンテナとICチップの接合部は衝撃や圧力に対する耐久性が弱いため、磁性体層をICチップとアンテナを覆うように設けることにより、より耐久性が増す。 The semiconductor device of the present invention is arranged so as to cover the base substrate and an inlet made of an antenna and an IC chip which are provided on one surface of the base substrate and electrically connected to each other, and cover the antenna and the IC chip constituting the inlet. Since it includes a magnetic layer and a housing made of a resin provided so as to enclose the inlet in which the magnetic layer is arranged, an external impact can be absorbed by the magnetic layer. Since it is possible to prevent the antenna and the IC chip constituting the inlet from vibrating due to an external impact, it is possible to effectively prevent the antenna and the IC chip from being destroyed. In addition, since a housing made of resin is provided so as to wrap an inlet in which a magnetic layer is arranged, and a magnetic layer is provided so as to cover the surface of the base substrate on which the antenna and the IC chip are provided, When the semiconductor device of the present invention is bent, force is uniformly applied to the entire inlet provided with the magnetic layer, so that the semiconductor device of the present invention has flexibility. Further, since the magnetic layer provided so as to cover the antenna and the IC chip functions as a magnetic body, the magnetic flux is captured by the antenna through the magnetic layer, so that electromagnetic induction from the information writing / reading device causes Inductive electromotive force sufficient to operate the IC chip on the antenna can be generated. In addition, the pressure directly applied to the IC chip by supplying the resin can be absorbed by the magnetic layer, so that the IC chip is damaged, or the antenna provided on the base substrate and the IC chip are disconnected at the contact point. Can be effectively prevented. Furthermore, since the joint between the antenna and the IC chip is weak in durability against impact and pressure, the durability can be further increased by providing the magnetic layer so as to cover the IC chip and the antenna.
本発明の半導体装置は、ベース基材とその一方の面に設けられ互いに電気的に接続されたアンテナおよびICチップからなるインレットと、前記インレットを構成するベース基材の他方の面を覆うように配される磁性体層と、前記磁性体層を配したインレットを包み込むように設けられた樹脂からなる筐体と、を備えているから、外部からの衝撃を磁性体層により吸収することができる上に、外部からの衝撃によりインレットを構成するアンテナやICチップが振動するのを防止することができるので、アンテナおよびICチップが破壊されることを効果的に防止することができる。また、磁性体層を配したインレットを包み込むように樹脂からなる筐体が設けられ、ベース基材のアンテナおよびICチップが設けられている面とは反対の面を覆うように磁性体層が設けられ、アンテナやICチップで形成される間隙が第二の樹脂部材で埋められているから、本発明の半導体装置を曲げた場合には、磁性体層を配したインレット全体に均一に力が加わるので、本発明の半導体装置は可撓性を有するものとなる。さらに、ベース基材のアンテナおよびICチップが設けられている面とは反対の面を覆うように設けられた磁性体層が磁性体として機能するので、磁束が磁性体層を通ってアンテナに捕捉されるため、情報書込/読出装置からの電磁誘導により、アンテナにICチップを作動させるのに十分な誘導起電力を発生させることができる。 The semiconductor device of the present invention covers a base substrate, an inlet made of an antenna and an IC chip provided on one surface of the base substrate, and the other surface of the base substrate constituting the inlet. Since the magnetic material layer and the housing made of resin provided so as to enclose the inlet provided with the magnetic material layer are provided, it is possible to absorb external impacts by the magnetic material layer. In addition, since it is possible to prevent the antenna and the IC chip constituting the inlet from vibrating due to an external impact, it is possible to effectively prevent the antenna and the IC chip from being destroyed. In addition, a housing made of resin is provided so as to enclose the inlet with the magnetic material layer, and a magnetic material layer is provided so as to cover the surface of the base substrate opposite to the surface on which the antenna and IC chip are provided. Since the gap formed by the antenna and IC chip is filled with the second resin member, when the semiconductor device of the present invention is bent, force is uniformly applied to the entire inlet provided with the magnetic layer. Therefore, the semiconductor device of the present invention has flexibility. Furthermore, since the magnetic layer provided to cover the surface opposite to the surface on which the antenna and IC chip of the base substrate are provided functions as a magnetic material, magnetic flux is captured by the antenna through the magnetic material layer. Therefore, it is possible to generate an induced electromotive force sufficient to operate the IC chip in the antenna by electromagnetic induction from the information writing / reading device.
本発明の半導体装置の製造方法は、ベース基材の一方の面に互いに電気的に接続されたアンテナおよびICチップを設けてインレットを形成する工程と、前記インレットを構成するアンテナおよびICチップを覆うように磁性体層を配する工程と、前記磁性体層を配したインレットの少なくとも一部を嵌め込む凹部を具備し、前記磁性体層を配したインレットのうち、少なくとも磁性体層の一部を覆うための第一の樹脂部材を成型する工程と、前記磁性体層を配したインレットのうち、少なくとも磁性体層の一部を前記凹部に嵌め込む工程と、前記第一の樹脂部材に嵌め込まれた前記磁性体層を配したインレット上に樹脂を供給し、該樹脂により第二の樹脂部材を成型し、該第二の樹脂部材によって前記磁性体層を配したインレットのうち前記第一の樹脂部材で覆われていない部分を覆い、第一の樹脂部材および第二の樹脂部材からなる筐体を形成して、該筐体により前記磁性体層を配したインレットを包み込む工程を有するから、第一の樹脂部材に設けられた凹部に、磁性体層の少なくとも一部を収容するように、磁性体層が配されたインレットを収容した後、第一の樹脂部材で覆われていない部分を覆うように、インレットのうちアンテナおよびICチップが設けられていない面側から樹脂を供給するから、樹脂の供給によってICチップに直接加わる圧力が低減するので、ICチップが破損したり、ベース基材上に設けられたアンテナとICチップが接点にて断線したりするのを効果的に防止することができる。また、樹脂の供給によってICチップに直接加わる圧力を磁性体層で吸収することができるので、ICチップが破損したり、ベース基材上に設けられたアンテナとICチップが接点にて断線したりするのを効果的に防止することができる。 The method for manufacturing a semiconductor device of the present invention includes a step of forming an inlet by providing an antenna and an IC chip that are electrically connected to each other on one surface of a base substrate, and covering the antenna and the IC chip that constitute the inlet. A step of arranging the magnetic layer and a recess into which at least a part of the inlet provided with the magnetic layer is fitted, and at least a part of the magnetic layer is provided among the inlets provided with the magnetic layer. A step of molding a first resin member for covering, a step of fitting at least a part of the magnetic layer in the inlet provided with the magnetic layer, and a step of fitting into the first resin member. A resin is supplied onto the inlet on which the magnetic layer is arranged, a second resin member is molded with the resin, and the front of the inlet on which the magnetic layer is arranged with the second resin member. Covering a portion not covered with the first resin member, forming a housing made of the first resin member and the second resin member, and enclosing the inlet in which the magnetic layer is arranged by the housing; The first resin member is covered with the first resin member after accommodating the inlet in which the magnetic layer is disposed so that at least a part of the magnetic layer is accommodated in the recess provided in the first resin member. Since the resin is supplied from the side of the inlet where the antenna and the IC chip are not provided so as to cover the unexposed portion, the pressure directly applied to the IC chip by the supply of the resin is reduced. It is possible to effectively prevent the antenna provided on the base substrate and the IC chip from being disconnected at the contact point. In addition, the pressure directly applied to the IC chip by supplying the resin can be absorbed by the magnetic layer, so that the IC chip is damaged, or the antenna provided on the base substrate and the IC chip are disconnected at the contact point. Can be effectively prevented.
本発明の半導体装置の製造方法は、ベース基材の一方の面に互いに電気的に接続されたアンテナおよびICチップを設けてインレットを形成する工程と、前記インレットを構成するベース基材の他方の面を覆うように磁性体層を配する工程と、前記インレットの他方の面に配された磁性体層の少なくとも一部を嵌め込む凹部を具備し、前記磁性体層を配したインレットのうち、少なくとも磁性体層の一部を覆うための第一の樹脂部材を成型する工程と、前記磁性体層を配したインレットのうち、少なくとも磁性体層の一部を前記凹部に嵌め込む工程と、前記第一の樹脂部材に嵌め込まれた前記磁性体層を配したインレット上に樹脂を供給し、該樹脂により第二の樹脂部材を成型し、該第二の樹脂部材によって前記磁性体層を配したインレットのうち前記第一の樹脂部材で覆われていない部分を覆い、第一の樹脂部材および第二の樹脂部材からなる筐体を形成して、該筐体により前記磁性体層を配したインレットを包み込む工程を有するから、第一の樹脂部材に設けられた凹部に、磁性体層の少なくとも一部を収容するように、磁性体層が配されたインレットを収容した後、第一の樹脂部材で覆われていない部分を覆うように、インレットのうちアンテナおよびICチップが搭載されている面側から樹脂を供給し、磁性体層が衝撃吸収材として機能し、樹脂の供給によってICチップに直接加わる圧力を磁性体層で分散することができるので、ICチップが破損したり、ベース基材上に設けられたアンテナとICチップが接点にて断線したりするのを効果的に防止することができる。 The method of manufacturing a semiconductor device of the present invention includes a step of forming an inlet by providing an antenna and an IC chip that are electrically connected to one surface of a base substrate, and the other of the base substrates constituting the inlet. A step of disposing a magnetic layer so as to cover the surface, and a recess into which at least a part of the magnetic layer disposed on the other surface of the inlet is fitted, and the inlet including the magnetic layer, A step of molding a first resin member for covering at least a part of the magnetic layer, a step of fitting at least a portion of the magnetic layer into the recess of the inlet provided with the magnetic layer, Resin is supplied onto the inlet having the magnetic layer fitted in the first resin member, the second resin member is molded with the resin, and the magnetic layer is disposed with the second resin member. Inlet A portion that is not covered with the first resin member is covered, a housing made of the first resin member and the second resin member is formed, and the inlet in which the magnetic layer is arranged is wrapped by the housing. Since the process has a step, the inlet provided with the magnetic layer is accommodated in the recess provided in the first resin member so as to accommodate at least a part of the magnetic layer, and then covered with the first resin member. Resin is supplied from the side of the inlet where the antenna and IC chip are mounted so as to cover the unexposed portion, and the magnetic layer functions as a shock absorber, and pressure applied directly to the IC chip by supplying the resin Therefore, it is possible to effectively prevent the IC chip from being broken or the antenna provided on the base substrate and the IC chip from being disconnected at the contact point.
以下、本発明を実施した
について、図面を参照して説明する。
The present invention will be described below with reference to the drawings.
(第一の実施形態)
図1は、本発明に係る半導体装置の第一の実施形態として、非接触型ICタグを示す概略図であり、(a)は内部構造を示す平面図、(b)は(a)のA−A線に沿う断面図である。
(First embodiment)
1A and 1B are schematic views showing a non-contact type IC tag as a first embodiment of a semiconductor device according to the present invention. FIG. 1A is a plan view showing an internal structure, and FIG. It is sectional drawing which follows the -A line.
図1中、符号10は非接触型ICタグ、11はベース基材、12はアンテナ、13はICチップ、14は接点、15はインレット、20は磁性体層、21は第一の樹脂部材、22は凹部、23は第二の樹脂部材、25は筐体をそれぞれ示している。
In FIG. 1,
この非接触型ICタグ10は、ベース基材11とその一方の面に設けられ互いに電気的に接続されたアンテナ12およびICチップ13からなるインレット15と、このインレット15を構成するアンテナ12およびICチップ13を覆うように配される磁性体層20と、磁性体層20を配したインレット15を包み込むように設けられた第一の樹脂部材21および第二の樹脂部材23からなる筐体25とから概略構成されている。
This non-contact
非接触型ICタグ10では、アンテナ12が、ベース基材11の一方の面にコイル状に形成され、その両端が接点14によってICチップ13に電気的に接続されている。
また、磁性体層20は、ベース基材11の一方の面に設けられたアンテナ12およびICチップ13、並びに、ベース基材11の一方の面の全域を覆うように配されている。なお、磁性体層20は、少なくともアンテナ12またはICチップ13の厚さを僅かに上回る程度に設けられていればよい。
In the non-contact
The
第一の樹脂部材21は、磁性体層20を配したインレット15の少なくとも一部、すなわち、インレット15を構成するアンテナ12およびICチップ13を覆う磁性体層20の少なくとも一部を収容するために十分な大きさの凹部22を有している。そして、磁性体層20のベース基材11と接している面とは反対の面20aが凹部22の底面22aと接し、かつ、磁性体層20の側面20bの少なくとも一部が凹部22の内側面22bと接するように、磁性体層20の少なくとも一部が凹部22に収容されて、磁性体層20の少なくとも一部が第一の樹脂部材21で覆われている。また、第二の樹脂部材23は、第一の樹脂部材21と対向し、かつ、第一の樹脂部材21と連続するように配され、磁性体層20を配したインレット15のうち、第一の樹脂部材21で覆われていない部分を覆っている。これにより、磁性体層20を配したインレット15が第一の樹脂部材21および第二の樹脂部材23からなる筐体25によって封止された構造となっている。
The
ベース基材11としては、少なくともアンテナ12およびICチップ13が設けられる面が電気絶縁性の材料からなるものが用いられる。このようなベース基材11としては、例えば、ガラス繊維、アルミナ繊維などの無機繊維またはポリエステル繊維、ポリアミド繊維などの有機繊維からなる織布、不織布、マット、紙あるいはこれらを組み合わせたもの、あるいはこれらに樹脂ワニスを含浸させて成形した複合基材、ポリアミド系樹脂基材、ポリエステル系樹脂基材、ポリオレフィン系樹脂基材、ポリイミド系樹脂基材、エチレン−ビニルアルコール共重合体系樹脂基材、ポリビニルアルコール系樹脂基材、ポリ塩化ビニル系樹脂基材、ポリ塩化ビニリデン系樹脂基材、ポリスチレン系樹脂基材、ポリカーボネート系樹脂基材、アクリロニトリル−ブタジエンスチレン共重合体系樹脂基材、ポリエーテルスルホン系樹脂基材などのプラスチック基材、あるいはこれらにマット処理、コロナ放電処理、プラズマ処理、紫外線照射処理、電子線照射処理、フレームプラズマ処理およびオゾン処理、あるいは各種易接着処理などの表面処理を施したものなどの公知のものから選択して用いることができる。これらの中でも、ポリエチレンテレフタレート(PET)またはポリイミドからなるフィルムまたはシートが好適に用いられる。
As the
アンテナ12は、導電性ペーストからなる導電性の膜、導電性の箔などからなる導電体である。
アンテナ12を形成する導電体をなす導電性ペーストとしては、例えば、銀粉末、金粉末、白金粉末、アルミニウム粉末、パラジウム、ロジウムなどの粉末、カーボン粉末(カーボンブラック、カーボンナノチューブなど)などの導電微粒子を樹脂組成物に配合したものが挙げられる。この導電性ペーストをなす樹脂組成物としては、熱硬化型樹脂組成物、光硬化型樹脂組成物、浸透乾燥型樹脂組成物、溶剤揮発型樹脂組成物が挙げられる。
The
Examples of the conductive paste forming the conductor forming the
上記の樹脂組成物として熱硬化型樹脂組成物を用いた場合、200℃以下、例えば100〜150℃程度で塗膜を得ることができ、得られた塗膜の電気の流れる経路は導電微粒子の接触によるものであり、10-5Ω・cmオーダーの抵抗値が得られる。
また、上記の樹脂組成物として光硬化型樹脂組成物を用いた場合、導電性ペーストの硬化時間を短縮して、製造効率を向上させることができる。
When a thermosetting resin composition is used as the above resin composition, a coating film can be obtained at 200 ° C. or lower, for example, about 100 to 150 ° C. This is due to contact, and a resistance value on the order of 10 −5 Ω · cm is obtained.
Moreover, when a photocurable resin composition is used as said resin composition, the hardening time of an electrically conductive paste can be shortened and manufacturing efficiency can be improved.
上記のような導電性微粒子を樹脂組成物に配合した導電性ペーストとしては、具体的には、導電微粒子を60質量%以上含有し、熱可塑性樹脂のみ、あるいは熱可塑性樹脂と架橋性樹脂(特にポリエステルとイソシアネートによる架橋系樹脂など)とのブレンド樹脂組成物とし、ポリエステル系樹脂を10質量%以上含有するもの、すなわち溶剤揮発型あるいは架橋/熱可塑併用型(但し熱可塑性樹脂を50質量%以上含有するもの)のものや、導電性微粒子を50質量%以上含有し、架橋性樹脂(エポキシ樹脂のフェノール硬化系、あるいはエポキシ樹脂のスルホニウム塩硬化系など)のみ、あるいは熱可塑性樹脂と架橋性樹脂とのブレンド樹脂組成物としたもの、すなわち架橋型かあるいは架橋/熱可塑併用型のものなどが好適に用いられる。 Specifically, the conductive paste in which the conductive fine particles as described above are blended with the resin composition contains 60% by mass or more of the conductive fine particles, and includes only the thermoplastic resin or the thermoplastic resin and the crosslinkable resin (particularly, Blended resin composition of polyester and isocyanate-based crosslinked resin, etc., containing polyester resin at 10% by mass or more, that is, solvent volatile type or cross-linked / thermoplastic combined type (however, thermoplastic resin at 50% by mass or more) Containing) or conductive fine particles in an amount of 50% by mass or more, and only a crosslinkable resin (such as a phenol-cured epoxy resin or a sulfonium salt-cured epoxy resin), or a thermoplastic resin and a crosslinkable resin. A blended resin composition, ie, a cross-linked type or a cross-linked / thermoplastic type is preferably used. That.
また、非接触型ICタグ10において耐折り曲げ性がさらに要求される場合には、導電性ペーストに可撓性付与剤を配合することができる。可撓性付与剤としては、例えば、ポリエステル系可撓性付与剤、アクリル系可撓性付与剤、ウレタン系可撓性付与剤、ポリ酢酸ビニル系可撓性付与剤、熱可塑性エラストマー系可撓性付与剤、天然ゴム系可撓性付与剤、合成ゴム系可撓性付与剤などが挙げられる。本発明の半導体装置においては、これらの可撓性付与剤が単独で、あるいは2種以上が組み合わせられて用いられる。
Further, when the non-contact
アンテナ12を形成する導電体をなす導電性の箔としては、銅箔、銀箔、金箔、白金箔などが挙げられる。
Examples of the conductive foil that forms the conductor forming the
ICチップ13としては、特に限定されず、アンテナ12を介して非接触状態にて情報の書き込みおよび読み出しが可能なものであれば、非接触型ICタグや非接触型ICラベル、あるいは非接触型ICカードなどのRDIFメディアに適用可能なものであればいかなるものでも用いられる。
The
磁性体層20は、結合剤と、磁性材料からなる粉末(以下、「磁性体粉末」とも言う。)または磁性材料からなるフレーク(以下、「磁性体フレーク」とも言う。)とからなる複合体である。
この複合体においては、磁性体粉末または磁性体フレークが結合剤にほぼ均一に分散しており、磁性体層20は、その全域に渡って均一に磁性体として機能する。また、磁性体層20は、以下に示すような弾性を有する結合剤を含むから、弾性体としても機能する。
The
In this composite, magnetic powder or magnetic flakes are dispersed almost uniformly in the binder, and the
磁性体粉末としては、カーボニル鉄粉末、パーマロイなどのアトマイズ粉末、還元鉄粉末などが挙げられる。
磁性体フレークとしては、カーボニル鉄粉末、パーマロイなどのアトマイズ粉末、還元鉄粉末などをボールミルなどで微細化して微粉末とした後、この微粉末を機械的に扁平化して得られたフレークや、鉄系またはコバルト系アモルファス合金の溶湯を水冷銅板に衝突させて得られたフレークなどが挙げられる。
Examples of the magnetic powder include carbonyl iron powder, atomized powder such as permalloy, and reduced iron powder.
As magnetic flakes, carbonyl iron powder, atomized powder such as permalloy, reduced iron powder, etc., are refined with a ball mill etc. to make a fine powder, and then the flakes obtained by mechanically flattening this fine powder or iron And flakes obtained by colliding a molten metal of a cobalt-based or cobalt-based amorphous alloy with a water-cooled copper plate.
結合剤としては、弾性を有する材料が用いられ、このような材料としては、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂、反応型樹脂などが挙げられる。
上記の熱可塑性樹脂としては、例えば、塩化ビニル、酢酸ビニル、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、塩化ビニル−塩化ビニリデン共重合体、塩化ビニル−アクリロニトリル共重合体、アクリル酸エステル−アクリロニトリル共重合体、アクリル酸エステル−塩化ビニル−塩化ビニリデン共重合体、アクリル酸エステル−塩化ビニリデン共重合体、メタクリル酸エステル−塩化ビニリデン共重合体、メタクリル酸エステル−塩化ビニル共重合体、メタクリル酸エステル−エチレン共重合体、ポリ弗化ビニル、塩化ビニリデン−アクリロニトリル共重合体、アクリロニトリル−ブタジエン共重合体、ポリアミド樹脂、ポリビニルブチラール、セルロース誘導体(セルロースアセテートブチレート、セルロースダイアセテート、セルローストリアセテート、セルロースプロピオネート、ニトロセルロース)、スチレンブタジエン共重合体、ポリウレタン樹脂、ポリエステル樹脂、アミノ樹脂、あるいは、スチレン系ゴム、フッ素系ゴム、シリコン系ゴム、エチレン−プロピレン共重合体ゴムなどのポリマー系の合成ゴム材料などが挙げられる。
As the binder, an elastic material is used, and examples of such a material include thermoplastic resins, thermosetting resins, and reactive resins.
Examples of the thermoplastic resin include vinyl chloride, vinyl acetate, vinyl chloride-vinyl acetate copolymer, vinyl chloride-vinylidene chloride copolymer, vinyl chloride-acrylonitrile copolymer, acrylate ester-acrylonitrile copolymer. , Acrylic ester-vinyl chloride-vinylidene chloride copolymer, acrylic ester-vinylidene chloride copolymer, methacrylic ester-vinylidene chloride copolymer, methacrylic ester-vinyl chloride copolymer, methacrylic ester-ethylene copolymer Polymer, polyvinyl fluoride, vinylidene chloride-acrylonitrile copolymer, acrylonitrile-butadiene copolymer, polyamide resin, polyvinyl butyral, cellulose derivative (cellulose acetate butyrate, cellulose diacetate, cellulose tria Tate, cellulose propionate, nitrocellulose), styrene butadiene copolymer, polyurethane resin, polyester resin, amino resin, or polymers such as styrene rubber, fluorine rubber, silicon rubber, ethylene-propylene copolymer rubber Synthetic rubber materials and the like.
上記の熱硬化性樹脂または反応型樹脂としては、例えば、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、ポリウレタン硬化型樹脂、尿素樹脂、メラミン樹脂、アルキッド樹脂、シリコーン樹脂、ポリアミン樹脂、尿素ホルムアルデヒド樹脂などが挙げられる。 Examples of the thermosetting resin or reactive resin include phenol resin, epoxy resin, polyurethane curable resin, urea resin, melamine resin, alkyd resin, silicone resin, polyamine resin, urea formaldehyde resin, and the like.
第一の樹脂部材21および第二の樹脂部材23をなす材料としては、例えば、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリエステル、ポリアミド、ポリスチロール、ポリビニルアルコール、塩化ビニリデン、ポリエチレンテレフタレートなどの熱可塑性樹脂が挙げられる。
Examples of the material forming the
なお、この実施形態では、アンテナ12をベース基材11の一方の面にコイル状に形成したインレット15を例示したが、本発明の半導体装置はこれに限定されない。本発明の半導体装置にあっては、インレットを構成するアンテナがベース基材上にポール状、ループ状に形成されていてもよい。
In this embodiment, the
また、この実施形態では、磁性体層20が、ベース基材11の一方の面に設けられたアンテナ12およびICチップ13、並びに、ベース基材11の一方の面の全域を覆うように配されている例を示したが、本発明の半導体装置はこれに限定されない。本発明の半導体装置にあっては、少なくともベース基材の一方の面に設けられたアンテナおよびICチップが覆われるように磁性体層が配されていればよい。
In this embodiment, the
また、この実施形態では、磁性体層20のベース基材11と接している面とは反対の面20aおよび側面20bの一部が第一の樹脂部材21で覆われている例を示したが、本発明の半導体装置はこれに限定されない。本発明の半導体装置にあっては、第一の樹脂部材によって、磁性体層の側面の全部、あるいは、磁性体層の側面の全部およびベース基材の側面の一部または全部を覆っていてもよい。
Further, in this embodiment, an example in which a part of the
この実施形態の非接触型ICタグ10では、インレット15を構成するアンテナ12およびICチップ13を覆い、ベース基材11のアンテナ12およびICチップ13が設けられている面の全域を覆うように磁性体層20が設けられ、アンテナ12やICチップ13で形成される間隙が磁性体層20で埋められ、磁性体層20が結合剤と、磁性体粉末または磁性体フレークとからなる複合体であり、弾性体として機能するから、外部からの衝撃を磁性体層20により吸収することができる上に、外部からの衝撃によりアンテナ12やICチップ13が振動するのを防止することができるので、アンテナ12およびICチップ13が破壊されることを効果的に防止することができる。
In the non-contact
また、非接触型ICタグ10では、磁性体層20を配したインレット15を包み込むように樹脂からなる筐体25が設けられ、ベース基材11のアンテナ12およびICチップ13が設けられている面の全域を覆うように軟質磁性材料からなる磁性体層20が設けられ、アンテナ12やICチップ13で形成される間隙が磁性体層20で埋められているから、非接触型ICタグ10を曲げた場合には、磁性体層20を配したインレット15全体に均一に力が加わるので、非接触型ICタグ10は可撓性を有するものとすることができる。
Further, in the non-contact
さらに、非接触型ICタグ10では、アンテナ12およびICチップ13を覆うように設けられた磁性体層20が磁性体としても機能するので、磁束が磁性体層20を通ってアンテナ12に捕捉されるため、情報書込/読出装置からの電磁誘導により、アンテナ12にICチップ13を作動させるのに十分な誘導起電力を発生させることができる。しかも、磁性体層20は、アンテナ12またはICチップ13の厚みを僅かに上回る程度に設けられていればよいから、磁性体層20とアンテナ12およびICチップ13を合わせた厚みを薄くすることができるので、従来の非接触型ICタグよりも厚みを薄くすることができる。
Further, in the non-contact
次に、図2〜図5を参照して、本発明に係る半導体装置の製造方法の第一の実施形態として、上記の非接触型ICタグ10の製造方法を説明する。
この実施形態では、まず、ベース基材11の一方の面11aに、スクリーン印刷により導電性ペーストを所定のパターンに印刷した後、導電性ペーストを乾燥するか、あるいは、導電性の箔を貼り付けた後、エッチングすることにより、図2(a)に示すような所定のパターンをなすアンテナ12を形成する。
Next, with reference to FIGS. 2 to 5, a method for manufacturing the non-contact
In this embodiment, first, a conductive paste is printed in a predetermined pattern by screen printing on one
アンテナ12を、ベース基材11の一方の面11aに導電性の箔を貼り付けた後、エッチングにより形成する場合には、まず、ベース基材11の一方の面11aの全面に導電性の箔を貼り付ける。次いで、この導電性の箔に耐エッチング塗料をシルクスクリーン法により、所定のパターンに印刷する。通常、アンテナ12は、コイル状、ポール状、ループ状に形成されるため、耐エッチング塗料を、コイル状、ポール状、ループ状に印刷する。この耐エッチング塗料を乾燥、固化させた後、エッチング液に浸して、導電性の箔のうち、耐エッチング塗料が塗布されていない部分を溶解除去し、耐エッチング塗料が塗布されている部分をベース基材11の一方の面11aに残存させることにより、アンテナ12を形成する。
When the
次いで、アンテナ12に設けられた接点に、ICチップ13に設けられた接点が重なるように、導電性の接着剤を介して、ICチップ13をベース基材11の一方の面11aの所定の位置に載置し、ICチップ13に所定の圧力をかけることによってICチップ13をベース基材11に接着し、アンテナ12に設けられた接点とICチップ13に設けられた接点を介して、アンテナ12とICチップ13を互いに電気的に接合することにより、図2(b)に示すようなインレット15を形成する。
Next, the
次いで、スクリーン印刷法などにより、磁性体粉末または磁性体フレークと、結合剤とを含む磁性塗料を、ベース基材11の一方の面に設けられたアンテナ12およびICチップ13、並びに、ベース基材11の一方の面の全域を覆うように塗布する。磁性塗料を塗布した後、室温で放置するか、または所定の温度で、所定の時間、磁性塗料を加熱して、乾燥、固化することによって、図2(c)に示すように、ベース基材11の一方の面に設けられたアンテナ12およびICチップ13、並びに、ベース基材11の一方の面の全域を覆う磁性体層20を形成する。
Next, the
上記の磁性塗料としては、少なくとも磁性体粉末または磁性体フレークと、結合剤とを有機溶媒に分散してなる液状体が用いられる。 As the magnetic coating material, a liquid material is used in which at least magnetic powder or magnetic flakes and a binder are dispersed in an organic solvent.
次いで、図3(a)に示すように、第一の樹脂部材を成型するために、凹部31aが設けられた第一の金型31と、凸部32aおよび樹脂の供給口32bが設けられた第二の金型32とを、凹部31aと凸部32aとが対向するように型閉じる。これにより、第一の金型31および第二の金型32によって空間33が形成される。
Next, as shown in FIG. 3A, in order to mold the first resin member, a
なお、第一の金型31に設けられた凹部31aは、第一の樹脂部材の厚みと同一の深さをなし、かつ、第一の樹脂部材の外形形状と同一の形状をなしている。
また、第二の金型32に設けられた凸部32aは、第一の樹脂部材に形成される凹部の深さと同一の高さをなし、かつ、凹部の形状と同一の外形形状をなしている。
さらに、第二の金型32に設けられた供給口32bは、第二の金型32の凸部32aが設けられている面とは反対の面、すなわち、第二の金型32の外面から凸部32aに渡って第二の金型32を貫通し、第一の金型31に設けられた凹部31aに対向する位置に設けられている。
In addition, the recessed
Further, the
Further, the
次いで、この状態において、第二の金型32に設けられた供給口32bから、第一の樹脂部材を成型するため樹脂を供給して、第一の金型31と第二の金型32とによって形成された空間33に樹脂を充填し、図3(b)に示すように、凹部22を有する第一の樹脂部材21を成型する。
Next, in this state, a resin is supplied from the
なお、供給口32bから空間33に樹脂を供給する方法は、射出による方法でも注入による方法でもよいが、射出による方法の方が生産効率を向上させることができるので望ましい。
The method of supplying the resin from the
次いで、第一の金型31から第二の金型32を取り外した後、図4(a)に示すように、第一の金型31の凹部31a内に成型され第一の樹脂部材21における第二の金型32の凸部32aによって形成された凹部22に、磁性体層20のベース基材11と接している面とは反対の面20aが凹部22の底面22aと接し、磁性体層20の側面20bの少なくとも一部が凹部22の内側面22bと接し、かつ、磁性体層20の少なくとも一部を収容するように、磁性体層20が配されたインレット15を収容する。
Next, after removing the
この際、第一の樹脂部材21に形成された凹部22は、インレット15の一方の面11aに配された磁性体層20の厚みと同等の深さをなし、かつ、磁性体層20の外形形状と同等の形状をなすように形成されている。すなわち、第二の金型32に設けられた凸部32aは、磁性体層20の厚みと同等の高さをなし、かつ、磁性体層20の外形形状と同等の外形形状をなしている。
At this time, the
次いで、図4(b)に示すように、第一の樹脂部材21の凹部22に収容された磁性体層20を配したインレット15のうち、第一の樹脂部材21で覆われていない部分を覆う第二の樹脂部材を成型するために、凹部34aおよび樹脂の供給口34bが設けられた第三の金型34と、第一の金型31とを、第一の樹脂部材21の凹部22に収容された磁性体層20を配したインレット15が凹部34a内に入り込むように型閉じする。これにより、インレット15、第一の樹脂部材21および第三の金型34によって空間35が形成される。
Next, as shown in FIG. 4B, a portion of the
なお、第三の金型34に設けられた凹部34aは、第二の樹脂部材の厚みと同一の深さをなし、かつ、第二の樹脂部材の外形形状と同一の形状をなしている。
また、第三の金型34に設けられた供給口34bは、第三の金型34の凹部34aが設けられている面とは反対の面、すなわち、第三の金型34の外面から凹部34aに渡って第三の金型34を貫通し、第一の金型31と第三の金型34を合わせて型閉じした際に第一の金型31に設けられた凹部31aに対向する位置に設けられている。
In addition, the recessed
Further, the
次いで、この状態において、第三の金型34に設けられた供給口34bから、第一の樹脂部材21を成型した樹脂と同一の樹脂を供給して、インレット15、第一の樹脂部材21および第三の金型34によって形成された空間35に樹脂を充填し、図5(a)に示すように、第二の樹脂部材23を成型するとともに、第一の樹脂部材21と第二の樹脂部材23を一体化して筐体25を形成し、この筐体25によって磁性体層20を配したインレット15を封止する。
Next, in this state, the same resin as the resin obtained by molding the
なお、供給口34bから空間35に樹脂を供給する方法は、射出による方法でも注入による方法でもよいが、射出による方法の方が生産効率を向上させることができるので望ましい。
The method of supplying the resin from the
その後、第一の金型31および第三の金型34を取り外し、図5(b)に示すような非接触型ICタグ10を得る。
Thereafter, the
この実施形態では、第一の樹脂部材21に設けられた凹部22に、磁性体層20の少なくとも一部を収容するように、磁性体層20が配されたインレット15を収容した後、第一の樹脂部材21で覆われていない部分を覆うように、インレット15のうちアンテナ12およびICチップ13が搭載されていない面側から樹脂を供給するから、樹脂の供給によってICチップ13に直接加わる圧力が低減するので、ICチップ13が破損したり、ベース基材11上に設けられたアンテナ12とICチップ13が接点にて断線したりするのを効果的に防止することができる。また、樹脂の供給による圧力を弾性体からなる磁性体層20で吸収することができるので、ICチップ13が破損したり、ベース基材11上に設けられたアンテナ12とICチップ13が接点14にて断線したりするのをより効果的に防止することができる。
In this embodiment, after accommodating the
(第二の実施形態)
図6は、本発明に係る半導体装置の第二の実施形態として、非接触型ICタグを示す概略図であり、(a)は内部構造を示す平面図、(b)は(a)のB−B線に沿う断面図である。
(Second embodiment)
FIG. 6 is a schematic view showing a non-contact type IC tag as a second embodiment of the semiconductor device according to the present invention, where (a) is a plan view showing the internal structure, and (b) is B in (a). It is sectional drawing which follows the -B line.
図6中、符号40は非接触型ICタグ、41はベース基材、42はアンテナ、43はICチップ、44は接点、45はインレット、50は磁性体層、51は第一の樹脂部材、52は凹部、53は第二の樹脂部材、55は筐体をそれぞれ示している。
In FIG. 6,
この非接触型ICタグ40は、ベース基材41とその一方の面41aに設けられ互いに電気的に接続されたアンテナ42およびICチップ43からなるインレット45と、このインレット45を構成するベース基材41の他方の面41bを覆うように配される磁性体層50と、磁性体層50を配したインレット45を包み込むように設けられた第一の樹脂部材51および第二の樹脂部材53からなる筐体55とから概略構成されている。
The non-contact
非接触型ICタグ40では、アンテナ42が、ベース基材41の一方の面にコイル状に形成され、その両端が接点44によってICチップ43に電気的に接続されている。
また、磁性体層50は、ベース基材41の他方の面41bの全域を覆うように配されている。
In the non-contact
The
第一の樹脂部材51は、磁性体層50を配したインレット45の少なくとも一部、すなわち、インレット45を構成するベース基材41の他方の面41bを覆う磁性体層50の少なくとも一部を収容するために十分な大きさの凹部52を有している。そして、磁性体層50のベース基材41と接している面とは反対の面50aが凹部52の底面52aと接し、かつ、磁性体層50の側面50bの少なくとも一部が凹部52の内側面52bと接するように、磁性体層50の少なくとも一部が凹部52に収容されて、磁性体層50の少なくとも一部が第一の樹脂部材51で覆われている。また、第二の樹脂部材53は、第一の樹脂部材51と対向し、かつ、第一の樹脂部材51と連続するように配され、磁性体層50を配したインレット45のうち、第一の樹脂部材51で覆われていない部分、すなわち、ベース基材41の一方の面41aに設けられたアンテナ42およびICチップ43、並びに、ベース基材41の一方の面41aの全域を覆い、アンテナ42やICチップ43で形成される間隙を埋めている。これにより、磁性体層50を配したインレット45が第一の樹脂部材51および第二の樹脂部材53からなる筐体55によって封止された構造となっている。
The
ベース基材41としては、上記のベース基材11と同様のものが挙げられる。
アンテナ42は、上記のアンテナ12をなす導電体と同様のもので形成されている。
ICチップ43としては、上記のICチップ13と同様のものが挙げられる。
Examples of the
The
Examples of the
磁性体層50は、上記の磁性体層20と同様に、結合剤と、磁性体粉末または磁性体フレークとからなる複合体である。
この複合体においては、磁性体粉末または磁性体フレークが結合剤にほぼ均一に分散しており、磁性体層50は、その全域に渡って均一に磁性体として機能する。また、磁性体層50は、上記のような弾性を有する結合剤を含むから、弾性体としても機能する。
Similar to the
In this composite, magnetic powder or magnetic flakes are dispersed almost uniformly in the binder, and the
第一の樹脂部材51および第二の樹脂部材53をなす材料としては、上記の第一の樹脂部材21および第二の樹脂部材23をなす材料と同様のものが挙げられる。
Examples of the material forming the
なお、この実施形態では、アンテナ42をベース基材41の一方の面41aにコイル状に形成したインレット45を例示したが、本発明の半導体装置はこれに限定されない。本発明の半導体装置にあっては、インレットを構成するアンテナがベース基材上にポール状、ループ状に形成されていてもよい。
In this embodiment, the
また、この実施形態では、磁性体層50が、ベース基材41の他方の面41bの全域を覆うように配されている例を示したが、本発明の半導体装置はこれに限定されない。本発明の半導体装置にあっては、少なくともベース基材の一方の面に設けられたアンテナおよびICチップと重なるように、ベース基材の他方の面に磁性体層が配されていればよい。
In this embodiment, the
また、この実施形態では、磁性体層50のベース基材41と接している面とは反対の面50aおよび側面50bの一部が第一の樹脂部材51で覆われている例を示したが、本発明の半導体装置はこれに限定されない。本発明の半導体装置にあっては、第一の樹脂部材によって、磁性体層の側面の全部、あるいは、磁性体層の側面の全部およびベース基材の側面の一部または全部を覆っていてもよい。
Further, in this embodiment, an example is shown in which a part of the
この実施形態の非接触型ICタグ40では、インレット45を構成するベース基材41の他方の面41bの全域を覆うように磁性体層50が設けられ、磁性体層50が結合剤と、磁性体粉末または磁性体フレークとからなる複合体であり、弾性体として機能し、アンテナ42やICチップ43で形成される間隙が第二の樹脂部材53で埋められているから、外部からの衝撃を磁性体層50により吸収することができる上に、外部からの衝撃によりアンテナ42やICチップ43が振動するのを防止することができるので、アンテナ42およびICチップ43が破壊されることを効果的に防止することができる。
In the non-contact
また、非接触型ICタグ40では、磁性体層50を配したインレット45を包み込むように樹脂からなる筐体55が設けられ、ベース基材41の他方の面41bの全域を覆うように軟質磁性材料からなる磁性体層50が設けられ、アンテナ42やICチップ43で形成される間隙が第二の樹脂部材53で埋められているから、非接触型ICタグ40を曲げた場合には、磁性体層50を配したインレット45全体に均一に力が加わるので、非接触型ICタグ40は可撓性を有するものとすることができる。
Further, in the non-contact
さらに、非接触型ICタグ40では、ベース基材41の他方の面41bを覆うように設けられた磁性体層50が磁性体としても機能するので、磁束が磁性体層50を通ってアンテナ42に捕捉されるため、情報書込/読出装置からの電磁誘導により、アンテナ42にICチップ43を作動させるのに十分な誘導起電力を発生させることができる。しかも、磁性体層50は、ベース基材41の厚みよりも薄く設けられていても十分に機能するから、磁性体層50とインレット45を合わせた厚みを薄くすることができるので、従来の非接触型ICタグよりも厚みを薄くすることができる。
Further, in the non-contact
次に、図7〜図10を参照して、本発明に係る半導体装置の製造方法の第二の実施形態として、上記の非接触型ICタグ40の製造方法を説明する。
この実施形態では、まず、ベース基材41の一方の面41aに、スクリーン印刷により導電性ペーストを所定のパターンに印刷した後、導電性ペーストを乾燥するか、あるいは、導電性の箔を貼り付けた後、エッチングすることにより、図7(a)に示すような所定のパターンをなすアンテナ42を形成する。
Next, with reference to FIGS. 7 to 10, a method for manufacturing the non-contact
In this embodiment, first, a conductive paste is printed in a predetermined pattern on one
次いで、アンテナ42に設けられた接点に、ICチップ43に設けられた接点が重なるように、導電性の接着剤を介して、ICチップ43をベース基材41の一方の面41aの所定の位置に載置し、ICチップ43に所定の圧力をかけることによってICチップ43をベース基材41に接着し、アンテナ42に設けられた接点とICチップ43に設けられた接点を介して、アンテナ42とICチップ43を互いに電気的に接合することにより、図7(b)に示すようなインレット45を形成する。
Next, the
次いで、スクリーン印刷法などにより、磁性体粉末または磁性体フレークと、結合剤とを含む磁性塗料を、ベース基材41の他方の面41bの全域を覆うように塗布する。磁性塗料を塗布した後、室温で放置するか、または所定の温度で、所定の時間、磁性塗料を加熱して、乾燥、固化することによって、図7(c)に示すように、ベース基材41の他方の面41bの全域を覆う磁性体層50を形成する。
Next, a magnetic paint containing magnetic powder or magnetic flakes and a binder is applied by screen printing or the like so as to cover the entire area of the
上記の磁性塗料としては、少なくとも磁性体粉末または磁性体フレークと、結合剤とを有機溶媒に分散してなる液状体が用いられる。 As the magnetic coating material, a liquid material is used in which at least magnetic powder or magnetic flakes and a binder are dispersed in an organic solvent.
次いで、図8(a)に示すように、第一の樹脂部材を成型するために、凹部61aが設けられた第一の金型61と、凸部62aおよび樹脂の供給口62bが設けられた第二の金型62とを、凹部61aと凸部62aとが対向するように型閉じる。これにより、第一の金型61および第二の金型62によって空間63が形成される。
Next, as shown in FIG. 8A, in order to mold the first resin member, a
なお、第一の金型61に設けられた凹部61aは、第一の樹脂部材の厚みと同一の深さをなし、かつ、第一の樹脂部材の外形形状と同一の形状をなしている。
また、第二の金型62に設けられた凸部62aは、第一の樹脂部材に形成される凹部の深さと同一の高さをなし、かつ、凹部の形状と同一の外形形状をなしている。
さらに、第二の金型62に設けられた供給口62bは、第二の金型62の凸部62aが設けられている面とは反対の面、すなわち、第二の金型62の外面から凸部62aに渡って第二の金型62を貫通し、第一の金型61に設けられた凹部61aに対向する位置に設けられている。
In addition, the recessed
Further, the
Further, the
次いで、この状態において、第二の金型62に設けられた供給口62bから、第一の樹脂部材を成型するため樹脂を供給して、第一の金型61と第二の金型62とによって形成された空間63に樹脂を充填し、図8(b)に示すように、凹部52を有する第一の樹脂部材51を成型する。
Next, in this state, a resin is supplied from the
なお、供給口62bから空間63に樹脂を供給する方法は、射出による方法でも注入による方法でもよいが、射出による方法の方が生産効率を向上させることができるので望ましい。
The method of supplying the resin from the
次いで、第一の金型61から第二の金型62を取り外した後、図9(a)に示すように、第一の金型61の凹部61a内に成型され第一の樹脂部材51における第二の金型62の凸部62aによって形成された凹部52に、磁性体層50のベース基材41と接している面とは反対の面50aが凹部52の底面52aと接し、磁性体層50の側面50bの少なくとも一部が凹部52の内側面52bと接し、かつ、磁性体層50の少なくとも一部を収容するように、磁性体層50が配されたインレット45を収容する。
Next, after removing the
この際、第一の樹脂部材51に形成された凹部52は、インレット45の他方の面41bに配された磁性体層50の厚みと同等の深さをなし、かつ、磁性体層50の外形形状と同等の形状をなすように形成されている。すなわち、第二の金型62に設けられた凸部62aは、磁性体層50の厚みと同等の高さをなし、かつ、磁性体層50の外形形状と同等の外形形状をなしている。
At this time, the
次いで、図9(b)に示すように、第一の樹脂部材51の凹部52に収容された磁性体層50を配したインレット45のうち、第一の樹脂部材51で覆われていない部分を覆う第二の樹脂部材を成型するために、凹部64aおよび樹脂の供給口64bが設けられた第三の金型64と、第一の金型61とを、第一の樹脂部材51の凹部52に収容された磁性体層50を配したインレット45が凹部64a内に入り込むように型閉じする。これにより、インレット45、第一の樹脂部材51および第三の金型64によって空間65が形成される。
Next, as shown in FIG. 9B, a portion of the
なお、第三の金型64に設けられた凹部64aは、第二の樹脂部材の厚みと同一の深さをなし、かつ、第二の樹脂部材の外形形状と同一の形状をなしている。
また、第三の金型64に設けられた供給口64bは、第三の金型64の凹部64aが設けられている面とは反対の面、すなわち、第三の金型64の外面から凹部64aに渡って第三の金型64を貫通し、第一の金型61と第三の金型64を合わせて型閉じした際に第一の金型61に設けられた凹部61aに対向する位置に設けられている。
In addition, the recessed
Further, the
次いで、この状態において、第三の金型64に設けられた供給口64bから、第一の樹脂部材51を成型した樹脂と同一の樹脂を供給して、インレット45、第一の樹脂部材51および第三の金型64によって形成された空間65に樹脂を充填し、図10(a)に示すように、第二の樹脂部材53を成型するとともに、第一の樹脂部材51と第二の樹脂部材53を一体化して筐体55を形成し、この筐体55によって磁性体層50を配したインレット45を封止する。
Next, in this state, the same resin as the resin obtained by molding the
なお、供給口64bから空間65に樹脂を供給する方法は、射出による方法でも注入による方法でもよいが、射出による方法の方が生産効率を向上させることができるので望ましい。
The method of supplying the resin from the
その後、第一の金型61および第三の金型64を取り外し、図10(b)に示すような非接触型ICタグ40を得る。
Thereafter, the
この実施形態では、第一の樹脂部材51に設けられた凹部52に、磁性体層50の少なくとも一部を収容するように、磁性体層50が配されたインレット45を収容した後、第一の樹脂部材51で覆われていない部分を覆うように、インレット45のうちアンテナ42およびICチップ43が搭載されている面側から樹脂を供給するが、弾性体からなる磁性体層50が衝撃吸収材として機能し、樹脂の供給によってICチップ43に直接加わる圧力を分散するので、ICチップ43が破損したり、ベース基材411上に設けられたアンテナ42とICチップ43が接点にて断線したりするのを効果的に防止することができる。
In this embodiment, after accommodating the
10,40・・・非接触ICタグ、11,41・・・ベース基材、12,42・・・アンテナ、13,43・・・ICチップ、14,44・・・接点、15,45・・・インレット、20,50・・・磁性体層、21,51・・・第一の樹脂部材、22,52・・・凹部、23,53・・・第二の樹脂部材、25,55・・・筐体、31,61・・・第一の金型、32,62・・・第二の金型、33,63・・・空間、34,64・・・第三の金型。
10, 40 ... non-contact IC tag, 11, 41 ... base substrate, 12, 42 ... antenna, 13, 43 ... IC chip, 14, 44 ... contact, 15, 45. .... Inlet, 20, 50 ... Magnetic layer, 21, 51 ... First resin member, 22, 52 ... Recess, 23, 53 ... Second resin member, 25, 55 ..Case, 31, 61 ... first mold, 32,62 ... second mold, 33,63 ... space, 34,64 ... third mold.
Claims (5)
A step of forming an inlet by providing an antenna and an IC chip that are electrically connected to each other on one surface of the base substrate, and a magnetic layer disposed so as to cover the other surface of the base substrate constituting the inlet. And a step of fitting at least a part of the magnetic layer disposed on the other surface of the inlet to cover at least a part of the magnetic layer among the inlets disposed with the magnetic layer. The step of molding the first resin member, the step of fitting at least a part of the magnetic layer into the concave portion of the inlet provided with the magnetic layer, and the step of fitting the first resin member into the first resin member Resin is supplied onto the inlet on which the magnetic layer is arranged, a second resin member is molded with the resin, and the first resin member among the inlets on which the magnetic layer is arranged with the second resin member. Covered A semiconductor device comprising: a step of covering an uncovered portion, forming a housing made of a first resin member and a second resin member, and enclosing the inlet in which the magnetic layer is arranged by the housing. Production method.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004212853A JP2006031599A (en) | 2004-07-21 | 2004-07-21 | Semiconductor device and production method therefor |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004212853A JP2006031599A (en) | 2004-07-21 | 2004-07-21 | Semiconductor device and production method therefor |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006031599A true JP2006031599A (en) | 2006-02-02 |
Family
ID=35897833
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004212853A Pending JP2006031599A (en) | 2004-07-21 | 2004-07-21 | Semiconductor device and production method therefor |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2006031599A (en) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007286213A (en) * | 2006-04-14 | 2007-11-01 | Hitachi Ltd | Wearing band and method for manufacturing the same |
JP2007317914A (en) * | 2006-05-26 | 2007-12-06 | Asuka Electron Kk | Air core coil and electric circuit unit using the same |
JP2008210344A (en) * | 2007-02-28 | 2008-09-11 | Omron Corp | Ic tag and manufacturing method therefor |
JP2014137628A (en) * | 2013-01-15 | 2014-07-28 | Omron Corp | Rf tag and control method thereof |
JP2020110950A (en) * | 2019-01-09 | 2020-07-27 | オムロン株式会社 | Method for manufacturing rf tag, and rf tag |
JP2020110951A (en) * | 2019-01-09 | 2020-07-27 | オムロン株式会社 | Method for manufacturing rf tag, and rf tag |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH1116756A (en) * | 1997-06-25 | 1999-01-22 | Tokin Corp | Signal transmitting/receiving coil and manufacture thereof |
JP2000113142A (en) * | 1998-10-02 | 2000-04-21 | Sony Corp | Information storage device |
JP2000148947A (en) * | 1998-11-05 | 2000-05-30 | Mg:Kk | Non-contact ic card and its manufactured |
JP2000311226A (en) * | 1998-07-28 | 2000-11-07 | Toshiba Corp | Radio ic card and its production and read and write system of the same |
JP2003036431A (en) * | 2001-07-23 | 2003-02-07 | Hitachi Cable Ltd | Electronic tag and method for manufacturing the same |
-
2004
- 2004-07-21 JP JP2004212853A patent/JP2006031599A/en active Pending
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH1116756A (en) * | 1997-06-25 | 1999-01-22 | Tokin Corp | Signal transmitting/receiving coil and manufacture thereof |
JP2000311226A (en) * | 1998-07-28 | 2000-11-07 | Toshiba Corp | Radio ic card and its production and read and write system of the same |
JP2000113142A (en) * | 1998-10-02 | 2000-04-21 | Sony Corp | Information storage device |
JP2000148947A (en) * | 1998-11-05 | 2000-05-30 | Mg:Kk | Non-contact ic card and its manufactured |
JP2003036431A (en) * | 2001-07-23 | 2003-02-07 | Hitachi Cable Ltd | Electronic tag and method for manufacturing the same |
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007286213A (en) * | 2006-04-14 | 2007-11-01 | Hitachi Ltd | Wearing band and method for manufacturing the same |
JP4755524B2 (en) * | 2006-04-14 | 2011-08-24 | 株式会社日立製作所 | Wristband |
JP2007317914A (en) * | 2006-05-26 | 2007-12-06 | Asuka Electron Kk | Air core coil and electric circuit unit using the same |
JP2008210344A (en) * | 2007-02-28 | 2008-09-11 | Omron Corp | Ic tag and manufacturing method therefor |
JP2014137628A (en) * | 2013-01-15 | 2014-07-28 | Omron Corp | Rf tag and control method thereof |
JP2020110950A (en) * | 2019-01-09 | 2020-07-27 | オムロン株式会社 | Method for manufacturing rf tag, and rf tag |
JP2020110951A (en) * | 2019-01-09 | 2020-07-27 | オムロン株式会社 | Method for manufacturing rf tag, and rf tag |
JP7014190B2 (en) | 2019-01-09 | 2022-02-01 | オムロン株式会社 | RF tag manufacturing method and RF tag |
JP7014189B2 (en) | 2019-01-09 | 2022-02-01 | オムロン株式会社 | RF tag manufacturing method and RF tag |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US8042742B2 (en) | Noncontact IC label and method and apparatus for manufacturing the same | |
JP2007272806A (en) | Non-contact ic card | |
CN101351814A (en) | Electronic card and method for fabricating thereof | |
JP4684729B2 (en) | Non-contact data transmitter / receiver | |
CN101010684A (en) | Noncontact IC label and method and apparatus for manufacturing the same | |
CN101663750B (en) | RFID label and method for manufacturing same | |
JP2006031599A (en) | Semiconductor device and production method therefor | |
JP2006285709A (en) | Non-contact ic tag | |
TW201314847A (en) | Semiconductor storage device | |
JP2005011227A (en) | Ic label | |
JP4611766B2 (en) | Non-contact data transmitter / receiver | |
JPH11345299A (en) | Non-contact ic card and manufacture of the same | |
JP2004264665A (en) | Ic label to be stuck on card type cd and card type cd using same | |
JP2005084871A (en) | Ic packaged body, and component for assembling the ic packaged body | |
US9449204B1 (en) | Anti-recording card reading device | |
JP2001307049A (en) | Non-contact data carrier | |
JP2007310453A (en) | Contactless data receiving/transmitting body | |
CN212749836U (en) | IC card | |
JP2009140387A (en) | Ic card | |
JPH09315059A (en) | Ic card and its manufacture | |
JP2006301897A (en) | Manufacturing method of contactless data reception and transmission body | |
JPH1035161A (en) | Ic card and manufacture of ic card | |
JP2001256453A (en) | Non-contact type data carrier | |
KR20080084767A (en) | Electronic card module and method for fabricating thereof | |
JP4531473B2 (en) | Information carrier |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20070420 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20070420 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20100226 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100309 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20100629 |