JP2005340605A - Aligner and its adjusting method - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、露光装置およびその調整方法に関し、特に複数の投影光学ユニットからなる投影系(投影光学系)に対してマスクと感光性基板とを移動させつつマスクのパターンを感光性基板上に投影露光するマルチ走査型投影露光装置に関するものである。 The present invention relates to an exposure apparatus and an adjustment method thereof, and in particular, projects a mask pattern onto a photosensitive substrate while moving the mask and the photosensitive substrate relative to a projection system (projection optical system) including a plurality of projection optical units. The present invention relates to a multi-scanning projection exposure apparatus that performs exposure.
近年、パソコンやテレビ等の表示素子として、液晶表示パネルが多用されている。液晶表示パネルは、プレート上に透明薄膜電極をフォトリソグラフィの手法で所望の形状にパターニングすることによって製造される。このフォトリソグラフィ工程のための装置として、マスク上に形成された原画パターンを、投影光学系を介してプレート上のフォトレジスト層に投影露光する投影露光装置が用いられている。 In recent years, liquid crystal display panels are frequently used as display elements for personal computers and televisions. The liquid crystal display panel is manufactured by patterning a transparent thin film electrode on a plate into a desired shape by a photolithography technique. As an apparatus for this photolithography process, a projection exposure apparatus that projects and exposes an original pattern formed on a mask onto a photoresist layer on a plate through a projection optical system is used.
なお、最近では、液晶表示パネルの大面積化の要求が高まっており、その要求に伴ってこの種の投影露光装置においても露光領域の拡大が望まれている。そこで、露光領域を拡大するために、いわゆるマルチ走査型投影露光装置が提案されている(たとえば特許文献1を参照)。マルチ走査型投影露光装置では、複数の投影光学ユニットに対してマスクとプレートとを移動させつつ、マスクのパターンをプレート上に投影露光する。 Recently, there is an increasing demand for a liquid crystal display panel having a large area, and in accordance with this demand, it is desired to expand the exposure area in this type of projection exposure apparatus. In order to enlarge the exposure area, a so-called multi-scanning projection exposure apparatus has been proposed (see, for example, Patent Document 1). In a multi-scanning projection exposure apparatus, a mask pattern is projected and exposed on a plate while moving the mask and the plate with respect to a plurality of projection optical units.
たとえばマルチ走査型投影露光装置において、サイズの大きなマスクを用いると、その撓みの影響を無視することができなくなる。すなわち、マスクの撓みに起因してマスクのパターン面が湾曲するため、形成されるマスクパターン像も湾曲(像面湾曲)する。また、特に端部に配置された投影光学ユニットでは、マスクの撓みに起因してマスクのパターン面が傾くため、形成されるマスクパターン像も傾斜(像面傾斜)する。 For example, in a multi-scanning projection exposure apparatus, if a large size mask is used, the influence of the deflection cannot be ignored. That is, because the mask pattern surface is curved due to the bending of the mask, the formed mask pattern image is also curved (curved surface). In particular, in the projection optical unit disposed at the end, the mask pattern surface is inclined due to the bending of the mask, so that the formed mask pattern image is also inclined (image surface inclination).
本発明は、前述の課題に鑑みてなされたものであり、たとえば複数の投影光学ユニットにおいてマスクの撓みに起因して発生する像面湾曲や像面傾斜が良好に調整された露光装置を提供することを目的とする。 The present invention has been made in view of the above problems, and provides an exposure apparatus in which, for example, a plurality of projection optical units have well-adjusted field curvature and field tilt caused by mask deflection. For the purpose.
また、本発明は、たとえば複数の投影光学ユニットを備えたマルチ走査型投影露光装置において、マスクの撓みに起因して発生する像面湾曲や像面傾斜を良好に調整することのできる調整方法を提供することを目的とする。 In addition, the present invention provides an adjustment method capable of satisfactorily adjusting the curvature of field and the inclination of the image plane caused by the deflection of the mask, for example, in a multi-scanning projection exposure apparatus including a plurality of projection optical units. The purpose is to provide.
前記課題を解決するために、本発明の第1形態では、投影光学系に対して第1基板および第2基板を第1方向に相対移動させて、前記第1基板に形成されたパターンを前記投影光学系を介して前記第2基板上へ投影露光する露光装置において、
前記投影光学系は、前記第1方向を横切る所定方向に沿って配列されて、前記第1基板のパターンの像を前記第2基板上に形成するための複数の投影光学ユニットを有し、
前記複数の投影光学ユニットのうちの少なくとも1つの投影光学ユニットは、当該投影光学ユニットに対応する前記第1基板の撓み成分の影響を補償するために、前記第1基板または前記第2基板の近傍に配置されて前記撓み成分に応じた所要の曲面状に形成された撓み補償光学面を有することを特徴とする露光装置を提供する。
In order to solve the above-mentioned problem, in the first embodiment of the present invention, the first substrate and the second substrate are moved relative to each other in the first direction with respect to the projection optical system, and the pattern formed on the first substrate is In an exposure apparatus that performs projection exposure onto the second substrate via a projection optical system,
The projection optical system has a plurality of projection optical units arranged along a predetermined direction crossing the first direction and for forming an image of the pattern of the first substrate on the second substrate,
At least one projection optical unit of the plurality of projection optical units is arranged in the vicinity of the first substrate or the second substrate in order to compensate for the influence of the deflection component of the first substrate corresponding to the projection optical unit. The exposure apparatus is characterized in that it has a deflection compensating optical surface that is arranged in a predetermined curved shape corresponding to the deflection component.
本発明の第2形態では、投影光学系に対して第1基板および第2基板を第1方向に相対移動させて、前記第1基板に形成されたパターンを前記投影光学系を介して前記第2基板上へ投影露光する露光装置において、
前記投影光学系は、前記第1方向を横切る所定方向に沿って配列されて、前記第1基板のパターンの像を前記第2基板上に形成するための複数の投影光学ユニットを有し、
前記複数の投影光学ユニットのうちの少なくとも1つの投影光学ユニットは、当該投影光学ユニットに対応する前記第1基板の傾斜成分の影響を補償するために、前記第1基板または前記第2基板の近傍に配置されて前記傾斜成分に応じた所要の傾斜平面状に形成された傾斜補償光学面を有することを特徴とする露光装置を提供する。
In the second aspect of the present invention, the first substrate and the second substrate are moved relative to the projection optical system in the first direction, and the pattern formed on the first substrate is moved through the projection optical system. In an exposure apparatus that performs projection exposure on two substrates,
The projection optical system has a plurality of projection optical units arranged along a predetermined direction crossing the first direction and for forming an image of the pattern of the first substrate on the second substrate,
At least one projection optical unit of the plurality of projection optical units is arranged in the vicinity of the first substrate or the second substrate in order to compensate for the influence of the tilt component of the first substrate corresponding to the projection optical unit. And an inclination compensation optical surface formed in a required inclination plane shape corresponding to the inclination component.
本発明の第3形態では、投影光学系に対して第1基板および第2基板を第1方向に相対移動させて、前記第1基板に形成されたパターンを前記投影光学系を介して前記第2基板上へ投影露光する露光装置の調整方法において、
前記投影光学系は、前記第1方向を横切る所定方向に沿って配列されて、前記第1基板のパターンの像を前記第2基板上に形成するための複数の投影光学ユニットを有し、
前記複数の投影光学ユニットのうちの少なくとも1つの投影光学ユニットにおいて、当該投影光学ユニットに対応する前記第1基板の撓み成分の影響を補償するために、前記第1基板または前記第2基板の近傍に配置された所定の光学面を前記撓み成分に応じた所要の曲面状に調整する撓み調整工程を含むことを特徴とする調整方法を提供する。
In the third aspect of the present invention, the first substrate and the second substrate are moved relative to the projection optical system in the first direction, and the pattern formed on the first substrate is moved through the projection optical system. In a method for adjusting an exposure apparatus that performs projection exposure on two substrates,
The projection optical system has a plurality of projection optical units arranged along a predetermined direction crossing the first direction and for forming an image of a pattern of the first substrate on the second substrate,
In at least one projection optical unit of the plurality of projection optical units, in order to compensate for the influence of the deflection component of the first substrate corresponding to the projection optical unit, the vicinity of the first substrate or the second substrate An adjustment method is provided that includes a deflection adjustment step of adjusting a predetermined optical surface arranged in a predetermined curved surface according to the deflection component.
本発明の第4形態では、投影光学系に対して第1基板および第2基板を第1方向に相対移動させて、前記第1基板に形成されたパターンを前記投影光学系を介して前記第2基板上へ投影露光する露光装置の調整方法において、
前記投影光学系は、前記第1方向を横切る所定方向に沿って配列されて、前記第1基板のパターンの像を前記第2基板上に形成するための複数の投影光学ユニットを有し、
前記複数の投影光学ユニットのうちの少なくとも1つの投影光学ユニットにおいて、当該投影光学ユニットに対応する前記第1基板の傾斜成分の影響を補償するために、前記第1基板または前記第2基板の近傍に配置された所定の光学平面を前記傾斜成分に応じた所要の傾斜平面状に調整する傾斜調整工程を含むことを特徴とする調整方法を提供する。
In the fourth aspect of the present invention, the first substrate and the second substrate are moved relative to the projection optical system in the first direction, and the pattern formed on the first substrate is transferred to the first optical system via the projection optical system. In a method for adjusting an exposure apparatus that performs projection exposure on two substrates,
The projection optical system has a plurality of projection optical units arranged along a predetermined direction crossing the first direction and for forming an image of the pattern of the first substrate on the second substrate,
In at least one projection optical unit of the plurality of projection optical units, in order to compensate for the influence of the tilt component of the first substrate corresponding to the projection optical unit, the vicinity of the first substrate or the second substrate An adjustment method is provided that includes an inclination adjustment step of adjusting a predetermined optical plane arranged in a predetermined inclination plane according to the inclination component.
本発明の第5形態では、第1基板に形成されたパターンを投影光学系を介して第2基板上へ投影露光する露光装置において、
前記投影光学系は、前記第1基板の撓み成分の影響を補償するために、前記第1基板または前記第2基板の近傍に配置されて前記撓み成分に応じた所要の曲面状に形成された撓み補償光学面を有することを特徴とする露光装置を提供する。
In the fifth aspect of the present invention, in the exposure apparatus for projecting and exposing the pattern formed on the first substrate onto the second substrate via the projection optical system,
The projection optical system is disposed in the vicinity of the first substrate or the second substrate to compensate for the influence of the deflection component of the first substrate, and is formed in a required curved surface shape corresponding to the deflection component. An exposure apparatus having a deflection compensation optical surface is provided.
本発明の第6形態では、第1基板に形成されたパターンを投影光学系を介して第2基板上へ投影露光する露光装置の調整方法において、
前記投影光学系において前記第1基板の撓み成分の影響を補償するために、前記第1基板または前記第2基板の近傍に配置された所定の光学面を前記撓み成分に応じた所要の曲面状に調整する撓み調整工程を含むことを特徴とする調整方法を提供する。
In a sixth aspect of the present invention, in an adjustment method for an exposure apparatus that projects and exposes a pattern formed on a first substrate onto a second substrate via a projection optical system,
In order to compensate the influence of the deflection component of the first substrate in the projection optical system, a predetermined optical surface arranged in the vicinity of the first substrate or the second substrate is formed into a required curved surface shape corresponding to the deflection component. The adjustment method characterized by including the bending adjustment process adjusted to (3) is provided.
本発明の典型的な形態では、複数の投影光学ユニットを備えたマルチ走査型投影露光装置において、マスク(第1基板)または感光性基板(第2基板)の近傍に配置されてマスクの撓み成分(湾曲成分)に応じた所要の曲面状に形成された撓み補償光学面を導入している。したがって、たとえば設計光学面にマスクの撓み方向と逆方向に湾曲したトーリック面または球面を付加して得られる撓み補償光学面の作用により、マスクの撓みに起因して発生する像面湾曲を良好に調整して、対応するマスクの撓み成分の影響を補償することができる。 In a typical embodiment of the present invention, in a multi-scanning projection exposure apparatus including a plurality of projection optical units, the mask deflection component is disposed near the mask (first substrate) or the photosensitive substrate (second substrate). A deflection compensating optical surface formed in a required curved surface shape corresponding to (curving component) is introduced. Therefore, for example, by the action of a deflection compensating optical surface obtained by adding a toric surface or a spherical surface curved in a direction opposite to the bending direction of the mask to the designed optical surface, the curvature of field generated due to the bending of the mask is improved. Adjustments can be made to compensate for the effects of the corresponding mask deflection components.
また、マスクまたは感光性基板の近傍に配置されてマスクの傾斜成分に応じた所要の傾斜平面状に形成された傾斜補償光学面を導入している。したがって、たとえば設計光学平面にマスクの傾斜方向と逆方向に傾斜した傾斜平面を付加して得られる傾斜平面状の傾斜補償光学面の作用により、マスクの撓みに起因して発生する像面傾斜を良好に調整して、対応するマスクの傾斜成分の影響を補償することができる。その結果、本発明の露光装置では、マスクの微細パターンを高精度に露光することができ、ひいては良好なマイクロデバイスとして高精度な液晶表示素子などを製造することができる。 In addition, an inclination compensation optical surface is introduced which is arranged in the vicinity of the mask or the photosensitive substrate and is formed in a required inclination plane according to the inclination component of the mask. Therefore, for example, the tilt of the image plane caused by the deflection of the mask is caused by the action of the tilt-compensating optical surface having a tilted flat surface obtained by adding a tilted plane inclined in the direction opposite to the tilt direction of the mask to the design optical plane. It can be adjusted well to compensate for the influence of the corresponding mask tilt component. As a result, in the exposure apparatus of the present invention, the fine pattern of the mask can be exposed with high accuracy, and as a result, a highly accurate liquid crystal display element or the like can be manufactured as a good microdevice.
本発明の実施形態を、添付図面に基づいて説明する。
図1は、本発明の実施形態にかかる露光装置の全体構成を概略的に示す斜視図である。本実施形態では、複数の投影光学ユニットからなる投影系(投影光学系)に対してマスクとプレートとを移動させつつマスクのパターンをプレート上に投影露光するマルチ走査型投影露光装置に本発明を適用している。
Embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.
FIG. 1 is a perspective view schematically showing the overall configuration of an exposure apparatus according to an embodiment of the present invention. In the present embodiment, the present invention is applied to a multi-scanning projection exposure apparatus that projects and exposes a mask pattern onto a plate while moving the mask and the plate relative to a projection system (projection optical system) including a plurality of projection optical units. Applicable.
換言すると、本実施形態では、マルチ走査型投影露光装置に本発明の調整方法を適用している。なお、図1では、所定の回路パターンが形成されたマスクおよびレジストが塗布されたプレート(感光性基板)を移動させる方向(走査方向)に沿ってX軸を設定している。また、マスクの平面内でX軸と直交する方向(走査直交方向)に沿ってY軸を、プレートの法線方向に沿ってZ軸を設定している。 In other words, in the present embodiment, the adjustment method of the present invention is applied to a multi-scanning projection exposure apparatus. In FIG. 1, the X axis is set along a direction (scanning direction) in which a mask (photosensitive substrate) coated with a mask on which a predetermined circuit pattern is formed and a resist is moved. In the plane of the mask, the Y axis is set along the direction (scanning orthogonal direction) perpendicular to the X axis, and the Z axis is set along the normal direction of the plate.
本実施形態の露光装置は、マスクステージ(不図示)MS上においてマスクホルダ(不図示)を介してXY平面に平行に支持されたマスクMを均一に照明するための照明系ILを備えている。図1を参照すると、照明系ILは、たとえば超高圧水銀ランプからなる光源1を備えている。光源1は、回転楕円面からなる反射面を有する楕円鏡2の第1焦点位置に位置決めされている。したがって、光源1から射出された照明光束は、反射鏡(平面鏡)3を介して、楕円鏡2の第2焦点位置に光源像を形成する。この第2焦点位置には、シャッター(不図示)が配置されている。
The exposure apparatus of this embodiment includes an illumination system IL for uniformly illuminating a mask M supported in parallel to the XY plane via a mask holder (not shown) on a mask stage (not shown) MS. . Referring to FIG. 1, the illumination system IL includes a
楕円鏡2の第2焦点位置に形成された光源像からの発散光束は、リレーレンズ系4を介して再び結像する。リレーレンズ系4の瞳面の近傍には、所望の波長域の光束のみを透過させる波長選択フィルター(不図示)が配置されている。波長選択フィルターでは、g線(436nm)の光とh線(405nm)とi線(365nm)の光とが露光光として同時に選択される。なお、波長選択フィルターでは、たとえばg線の光とh線の光とを同時に選択することもできるし、h線の光とi線の光とを同時に選択することもできるし、さらにi線の光だけを選択することもできる。
The divergent light beam from the light source image formed at the second focal position of the
リレーレンズ系4による光源像の形成位置の近傍に、ライトガイド5の入射端5aが配置されている。ライトガイド5は、多数のファイバ素線をランダムに束ねて構成されたランダムライトガイドファイバであって、光源1の数(図1では1つ)と同じ数の入射端5aと、投影系(投影光学系)PLを構成する投影光学ユニットの数(図1では5つ)と同じ数の射出端5b〜5fとを備えている。こうして、ライトガイド5の入射端5aへ入射した光は、その内部を伝播した後、5つの射出端5b〜5fから射出される。
An
ライトガイド5の射出端5bから射出された発散光束は、コリメートレンズ(不図示)によりほぼ平行な光束に変換された後、フライアイ・インテグレーター(オプティカルインテグレータ)6bに入射する。フライアイ・インテグレーター6bは、多数の正レンズエレメントをその中心軸線が光軸AXに沿って延びるように縦横に且つ稠密に配列することによって構成されている。したがって、フライアイ・インテグレーター6bに入射した光束は、多数のレンズエレメントにより波面分割され、その後側焦点面(すなわち射出面の近傍)にレンズエレメントの数と同数の光源像からなる二次光源を形成する。
The divergent light beam emitted from the
すなわち、フライアイ・インテグレーター6bの後側焦点面には、多数の光源像からなる実質的な面光源が形成される。なお、オプティカルインテグレータ(6b〜6f)は、フライアイ・インテグレーターに限定されることなく、回折光学素子、微小レンズ要素の集合体で構成されるマイクロフライアイレンズ、あるいは内面反射型のロッド状インテグレーター(中空パイプまたは光パイプ、棒状ガラスロッドなど)を含む構成を採用してもよい。
That is, a substantial surface light source composed of a large number of light source images is formed on the rear focal plane of the fly-
二次光源からの光束は、フライアイ・インテグレーター6bの後側焦点面の近傍に配置された開口絞り(不図示)により制限された後、コンデンサーレンズ系7bに入射する。なお、開口絞りは、対応する投影光学ユニットPL1の瞳面と光学的にほぼ共役な位置に配置され、照明に寄与する二次光源の範囲を規定するための可変開口部を有する。開口絞りは、この可変開口部の開口径を変化させることにより、照明条件を決定するσ値(投影系PLを構成する各投影光学ユニットPL1〜PL5の瞳面の開口径に対するその瞳面上での二次光源像の口径の比)を所望の値に設定する。
The light beam from the secondary light source is limited by an aperture stop (not shown) disposed in the vicinity of the rear focal plane of the fly-
コンデンサーレンズ系7bを介した光束は、所定の転写パターンが形成されたマスクMを重畳的に照明する。同様に、ライトガイド5の他の射出端5c〜5fから射出された発散光束も、各コリメートレンズ、フライアイ・インテグレーター6c〜6f(参照符号は不図示)、各開口絞り、およびコンデンサーレンズ系7c〜7f(参照符号は不図示)を介して、マスクMをそれぞれ重畳的に照明する。すなわち、照明系ILは、マスクM上においてY方向に並んだ複数(図1では合計で5つ)の台形状の領域(投影光学ユニットの視野領域)を照明する。
The light flux through the
なお、上述の例では、照明系ILにおいて、1つの光源1からの照明光をライトガイド5を介して5つの照明光に等分割しているが、光源の数および投影光学ユニットの数に限定されることなく、様々な変形例が可能である。すなわち、必要に応じて2つ以上の光源を設け、これら2つ以上の光源からの照明光をランダム性の良好なライトガイドを介して所要数(投影光学ユニットの数)の照明光に等分割することもできる。この場合、ライトガイドは、光源の数と同数の入射端を有し、投影光学ユニットの数と同数の射出端を有することになる。
In the above example, in the illumination system IL, the illumination light from one
マスクM上の各照明領域からの光は、各照明領域に対応するようにY方向に沿って配列された複数(図1では合計で5つ)の投影光学ユニットPL1〜PL5からなる投影系PLに入射する。ここで、各投影光学ユニットPL1〜PL5の構成は、互いに同じである。以下、本実施形態における各投影光学ユニットの構成について具体的に説明する。 The light from each illumination area on the mask M is a projection system PL including a plurality (five in total in FIG. 1) of projection optical units PL1 to PL5 arranged along the Y direction so as to correspond to each illumination area. Is incident on. Here, the configuration of each of the projection optical units PL1 to PL5 is the same. The configuration of each projection optical unit in the present embodiment will be specifically described below.
図2は、本実施形態にかかる投影光学ユニットの構成を概略的に示す図である。本実施形態の投影光学ユニット(典型的には投影光学ユニットPL1など)は、図2に示すように、マスクMからの光に基づいてマスクパターンの一次像(中間像)を形成する第1結像光学系K1と、この一次像からの光に基づいてマスクパターンの等倍の正立正像(二次像)をプレートP上に形成する第2結像光学系K2とを有する。ここで、第1結像光学系K1と第2結像光学系K2とは、基本的に同じ構成を有する。なお、マスクパターンの一次像の形成位置(中間像面)の近傍には、マスクM上における投影光学ユニットの視野領域(照明領域)およびプレートP上における投影光学ユニットの投影領域(露光領域)を規定する視野絞りFSが設けられている。なお、照明系ILが照明視野絞りを備えており、この照明視野絞りによってマスクM上の照明領域が規定される場合には、照明視野絞りFSを省くこともできる。 FIG. 2 is a diagram schematically showing the configuration of the projection optical unit according to the present embodiment. As shown in FIG. 2, the projection optical unit of this embodiment (typically, the projection optical unit PL1 or the like) forms a primary image (intermediate image) of the mask pattern based on the light from the mask M, as shown in FIG. The image optical system K1 and a second image-forming optical system K2 that forms an erect image (secondary image) of the same size as the mask pattern on the plate P based on the light from the primary image. Here, the first imaging optical system K1 and the second imaging optical system K2 have basically the same configuration. In addition, in the vicinity of the primary image formation position (intermediate image plane) of the mask pattern, there are a field area (illumination area) of the projection optical unit on the mask M and a projection area (exposure area) of the projection optical unit on the plate P. A field stop FS to be defined is provided. If the illumination system IL includes an illumination field stop and an illumination area on the mask M is defined by the illumination field stop, the illumination field stop FS can be omitted.
第1結像光学系K1は、マスクMから−Z方向に沿って入射する光を−X方向に反射するようにマスク面(XY平面)に対して45°の角度で斜設された第1反射面P1aを有する第1直角プリズムP1を備えている。また、第1結像光学系K1は、第1直角プリズムP1側から順に、第1屈折光学系S1と、第1直角プリズムP1側に凹面を向けた第1凹面反射鏡M1とを備えている。ここで、第1屈折光学系S1は、第1凹面反射鏡M1が形成する往復光路中に配置された5つのレンズL11〜L15を備えている。 The first imaging optical system K1 is obliquely arranged at an angle of 45 ° with respect to the mask surface (XY plane) so as to reflect light incident along the −Z direction from the mask M in the −X direction. A first right-angle prism P1 having a reflecting surface P1a is provided. The first imaging optical system K1 includes, in order from the first right-angle prism P1 side, a first refractive optical system S1 and a first concave reflecting mirror M1 having a concave surface directed to the first right-angle prism P1 side. . Here, the first refractive optical system S1 includes five lenses L11 to L15 arranged in a reciprocating optical path formed by the first concave reflecting mirror M1.
具体的には、第1屈折光学系S1は、第1直角プリズムP1側から順に、両凸レンズL11と、第1直角プリズムP1側に凹面を向けた負メニスカスレンズL12と、両凸レンズL13と、両凹レンズL14と、第1直角プリズムP1側に凹面を向けた正メニスカスレンズレンズL15とにより構成されている。第1屈折光学系S1と第1凹面反射鏡M1とはX方向に延びる光軸AX1に沿って配置され、全体として第1反射屈折光学系を構成している。この第1反射屈折光学系から+X方向に沿って第1直角プリズムP1に入射した光は、マスク面(XY平面)に対して45°の角度で斜設された第2反射面P1bによって−Z方向に反射される。 Specifically, the first refractive optical system S1 includes, in order from the first right-angle prism P1 side, a biconvex lens L11, a negative meniscus lens L12 having a concave surface facing the first right-angle prism P1 side, a biconvex lens L13, The lens includes a concave lens L14 and a positive meniscus lens lens L15 having a concave surface facing the first right-angle prism P1. The first refractive optical system S1 and the first concave reflecting mirror M1 are disposed along an optical axis AX1 extending in the X direction, and constitute a first catadioptric optical system as a whole. The light incident on the first right-angle prism P1 along the + X direction from the first catadioptric optical system is -Z by the second reflecting surface P1b obliquely provided at an angle of 45 ° with respect to the mask surface (XY plane). Reflected in the direction.
一方、第2結像光学系K2は、第1直角プリズムP1の第2反射面P1bから−Z方向に沿って入射する光を−X方向に反射するようにプレート面(XY平面)に対して45°の角度で斜設された第1反射面P2aを有する第2直角プリズムP2を備えている。また、第2結像光学系K2は、第2直角プリズムP2側から順に、第2屈折光学系S2と、第2直角プリズムP2側に凹面を向けた第2凹面反射鏡M2とを備えている。ここで、第2屈折光学系S2は、第2凹面反射鏡M2が形成する往復光路中に配置された5つのレンズL21〜L25を備えている。 On the other hand, the second imaging optical system K2 reflects light incident along the −Z direction from the second reflecting surface P1b of the first right-angle prism P1 with respect to the plate surface (XY plane) so as to reflect in the −X direction. A second right-angle prism P2 having a first reflecting surface P2a inclined at an angle of 45 ° is provided. The second imaging optical system K2 includes, in order from the second right-angle prism P2 side, a second refractive optical system S2 and a second concave reflecting mirror M2 having a concave surface directed to the second right-angle prism P2 side. . Here, the second refractive optical system S2 includes five lenses L21 to L25 arranged in a round-trip optical path formed by the second concave reflecting mirror M2.
具体的には、第2屈折光学系S2は、第2直角プリズムP2側から順に、両凸レンズL21と、第2直角プリズムP2側に凹面を向けた負メニスカスレンズL22と、両凸レンズL23と、両凹レンズL24と、第2直角プリズムP2側に凹面を向けた正メニスカスレンズレンズL25とにより構成されている。第2屈折光学系S2と第2凹面反射鏡M2とはX方向に延びる光軸AX2に沿って配置され、全体として第2反射屈折光学系を構成している。この第2反射屈折光学系から+X方向に沿って第2直角プリズムP2に入射した光は、プレート面(XY平面面)に対して45°の角度で斜設された第2反射面P2bによって−Z方向に反射され、最終像面に設定されたプレートPに達する。 Specifically, the second refractive optical system S2 includes, in order from the second right-angle prism P2 side, a biconvex lens L21, a negative meniscus lens L22 having a concave surface facing the second right-angle prism P2, a biconvex lens L23, The lens includes a concave lens L24 and a positive meniscus lens lens L25 having a concave surface facing the second right-angle prism P2. The second refractive optical system S2 and the second concave reflecting mirror M2 are disposed along the optical axis AX2 extending in the X direction, and constitute a second catadioptric optical system as a whole. The light incident on the second right-angle prism P2 along the + X direction from the second catadioptric optical system is − by the second reflecting surface P2b obliquely provided at an angle of 45 ° with respect to the plate surface (XY plane surface). Reflected in the Z direction and reaches the plate P set at the final image plane.
なお、マスクMと第1直角プリズムP1との間の光路中には、一対のくさび形状の偏角プリズム21aおよび21bからなるフォーカス調整部材21が配置されている。一対の偏角プリズム21aおよび21bは、その基準状態ではXZ平面において互いに相補的なくさび状の断面形状を有するように設定されている。そして、第2偏角プリズム21bは、X方向に沿って往復移動可能に構成されている。したがって、第2偏角プリズム21bをX方向に沿って往復移動させることにより、マスクMと第1直角プリズムP1の第1反射面P1aとの間の光路長が変化し、ひいては第1結像光学系K1および第2結像光学系K2を介して形成されるマスクパターン像の形成位置がZ方向に移動する。
In the optical path between the mask M and the first right-angle prism P1, a
その結果、フォーカス調整部材21では、第2偏角プリズム21bのX方向移動により、投影光学ユニットの物像点間距離を調整すること、すなわちフォーカス調整を行うことができる。なお、フォーカス調整部材21では、たとえば第1偏角プリズム21aの頂角側と反対側(図2では左側)をZ方向に往復移動可能に構成することもできる。この場合、第1偏角プリズム21aのY軸廻りの回転により、第1結像光学系K1および第2結像光学系K2を介して形成されるマスクパターン像のX方向の寸法のみが変化する。こうして、フォーカス調整部材21では、第1偏角プリズム21aのY軸廻りの回転(第1偏角プリズム21aのチルト)により、投影光学ユニットのX方向倍率のみを調整すること、すなわち非等方的倍率調整を行うことができる。
As a result, the
また、フォーカス調整部材21と第1直角プリズムP1との間の光路中には、一対の平行平面板22aおよび22bからなる像シフト部材22が配置されている。一対の平行平面板22aおよび22bは、その基準状態では各光学平面がXY平面に平行になるように設定されている。そして、第1平行平面板22aはX軸廻りに回転可能に構成され、第2平行平面板22bはY軸廻りに回転可能に構成されている。したがって、第1平行平面板22aのX軸廻りの回転により、第1結像光学系K1および第2結像光学系K2を介して形成されるマスクパターン像の形成位置がY方向に移動(像シフト)する。
An
同様に、第2平行平面板22bのY軸廻りの回転により、第1結像光学系K1および第2結像光学系K2を介して形成されるマスクパターン像の形成位置がX方向に移動(像シフト)する。こうして、像シフト部材22では、第1平行平面板22aのX軸廻りの回転と第2平行平面板22bのY軸廻りの回転との組み合わせにより、第1結像光学系K1および第2結像光学系K2を介して形成されるマスクパターン像の形成位置をXY平面内において二次元的に移動させること、すなわち投影光学ユニットの像形成位置を二次元的にシフトさせることができる。
Similarly, the position of the mask pattern image formed via the first imaging optical system K1 and the second imaging optical system K2 moves in the X direction by the rotation of the second plane
一方、第2直角プリズムP2とプレートPとの間の光路中には、3つのレンズ成分23a〜23cからなる倍率調整部材23が配置されている。倍率調整部材23は、たとえば第2直角プリズムP2側から順に、負レンズ23aと正レンズ23bと負レンズ23cとにより構成されている。ここで、各レンズ成分23a〜23cは、光軸方向(Z方向)に沿って相対的に移動可能に構成されている。
On the other hand, in the optical path between the second right-angle prism P2 and the plate P, a magnification adjusting member 23 including three
したがって、倍率調整部材23では、各レンズ成分23a〜23cの光軸方向に沿った相対的移動により、第1結像光学系K1および第2結像光学系K2を介して形成されるマスクパターン像の寸法をXY平面内において等方的に変化させること、すなわち投影光学ユニットの等方的倍率調整を行うことができる。また、倍率調整部材23とプレートPとの間の光路中には、ほぼ平行平面状の撓み補償部材24が配置されている。撓み補償部材24の具体的な構成および作用については後述する。
Therefore, in the magnification adjusting member 23, a mask pattern image formed via the first imaging optical system K1 and the second imaging optical system K2 by the relative movement of the
以下、本実施形態における各投影光学ユニットの基本的な動作について説明する。前述したように、マスクM上に形成されたパターンは、照明系ILからの照明光(露光光)により、ほぼ均一な照度で照明される。マスクM上の各照明領域に形成されたマスクパターンから−Z方向に沿って進行した光は、フォーカス調整部材21および像シフト部材22を介して、各投影光学ユニットの第1結像光学系K1に入射し、第1直角プリズムP1の第1反射面P1aにより90°だけ偏向される。
The basic operation of each projection optical unit in the present embodiment will be described below. As described above, the pattern formed on the mask M is illuminated with substantially uniform illuminance by the illumination light (exposure light) from the illumination system IL. The light traveling in the −Z direction from the mask pattern formed in each illumination area on the mask M passes through the
第1直角プリズムP1の第1反射面P1aにより−X方向に反射された光は、第1屈折光学系S1を介して、第1凹面反射鏡M1に達する。第1凹面反射鏡M1で反射された光は、再び第1屈折光学系S1を介して、+X方向に沿って第1直角プリズムP1の第2反射面P1bに入射する。第1直角プリズムP1の第2反射面P1bで90°だけ偏向されて−Z方向に沿って進行した光は、視野絞りFSの近傍にマスクパターンの一次像を形成する。なお、一次像のX方向における横倍率はほぼ+1倍であり、Y方向おける横倍率はほぼ−1倍である。 The light reflected in the −X direction by the first reflecting surface P1a of the first right-angle prism P1 reaches the first concave reflecting mirror M1 via the first refractive optical system S1. The light reflected by the first concave reflecting mirror M1 is incident on the second reflecting surface P1b of the first right-angle prism P1 along the + X direction again through the first refractive optical system S1. The light that is deflected by 90 ° on the second reflecting surface P1b of the first right-angle prism P1 and travels along the −Z direction forms a primary image of the mask pattern in the vicinity of the field stop FS. The lateral magnification in the X direction of the primary image is approximately +1 times, and the lateral magnification in the Y direction is approximately -1.
マスクパターンの一次像から−Z方向に沿って進行した光は、第2結像光学系K2に入射し、第2直角プリズムP2の第1反射面P2aにより90°だけ偏向される。第2直角プリズムP2により−X方向に反射された光は、第2屈折光学系S2を介して、第2凹面反射鏡M2に達する。第2凹面反射鏡M2で反射された光は、再び第2屈折光学系S2を介して、+X方向に沿って第2直角プリズムP2の第2反射面P2bに入射する。 The light traveling along the −Z direction from the primary image of the mask pattern enters the second imaging optical system K2, and is deflected by 90 ° by the first reflecting surface P2a of the second right-angle prism P2. The light reflected in the −X direction by the second right-angle prism P2 reaches the second concave reflecting mirror M2 via the second refractive optical system S2. The light reflected by the second concave reflecting mirror M2 enters the second reflecting surface P2b of the second right-angle prism P2 along the + X direction again through the second refractive optical system S2.
第2直角プリズムP2の第2反射面P2bで90°だけ偏向されて−Z方向に沿って進行した光は、倍率調整部材23および撓み補償部材24を介して、プレートP上において対応する露光領域にマスクパターンの二次像を形成する。ここで、二次像のX方向における横倍率およびY方向における横倍率はともに+1倍である。すなわち、各投影光学ユニットを介してプレートP上に形成されるマスクパターン像は等倍の正立正像であり、各投影光学ユニットは等倍正立系を構成している。また、各投影光学ユニットは、マスクM側およびプレートP側の双方にほぼテレセントリックな光学系である。
The light that has been deflected by 90 ° on the second reflecting surface P2b of the second right-angle prism P2 and traveled along the −Z direction corresponds to the corresponding exposure region on the plate P via the magnification adjusting member 23 and the
こうして、複数の投影光学ユニットPL1〜PL5から構成された投影系PLを介した光は、プレートステージ(不図示)PS上においてプレートホルダを介してXY平面に平行に支持されたプレートP上にマスクパターン像を形成する。すなわち、上述したように、各投影光学ユニットPL1〜PL5は等倍正立系として構成されているので、感光性基板であるプレートP上において各照明領域に対応するようにY方向に並んだ複数の台形状の露光領域には、マスクパターンの等倍の正立正像が形成される。 In this way, the light passing through the projection system PL composed of the plurality of projection optical units PL1 to PL5 is masked on the plate P supported in parallel to the XY plane via the plate holder on the plate stage (not shown) PS. A pattern image is formed. That is, as described above, each of the projection optical units PL1 to PL5 is configured as an equal-magnification erecting system. In the trapezoidal exposure area, an erect image that is the same size as the mask pattern is formed.
ところで、マスクステージMSには、このステージを走査方向であるX方向に沿って移動させるための長いストロークを有する走査駆動系(不図示)が設けられている。また、マスクステージMSを走査直交方向であるY方向に沿って微小量だけ移動させるとともにZ軸廻りに微小量だけ回転させるための一対のアライメント駆動系(不図示)が設けられている。そして、マスクステージMSの位置座標が移動鏡を用いたレーザー干渉計MIFによって計測され且つ位置制御されるように構成されている。 Incidentally, the mask stage MS is provided with a scanning drive system (not shown) having a long stroke for moving the stage along the X direction which is the scanning direction. In addition, a pair of alignment drive systems (not shown) are provided for moving the mask stage MS by a minute amount along the Y direction which is the scanning orthogonal direction and rotating the mask stage MS by a minute amount around the Z axis. The position coordinate of the mask stage MS is measured by a laser interferometer MIF using a moving mirror and the position is controlled.
同様の駆動系が、プレートステージPSにも設けられている。すなわち、プレートステージPSを走査方向であるX方向に沿って移動させるための長いストロークを有する走査駆動系(不図示)、プレートステージPSを走査直交方向であるY方向に沿って微小量だけ移動させるとともにZ軸廻りに微小量だけ回転させるための一対のアライメント駆動系(不図示)が設けられている。そして、プレートステージPSの位置座標が移動鏡を用いたレーザー干渉計PIFによって計測され且つ位置制御されるように構成されている。 A similar drive system is also provided in the plate stage PS. That is, a scanning drive system (not shown) having a long stroke for moving the plate stage PS along the X direction which is the scanning direction, and the plate stage PS is moved by a minute amount along the Y direction which is the scanning orthogonal direction. In addition, a pair of alignment drive systems (not shown) are provided for rotating the Z axis by a minute amount. The position coordinate of the plate stage PS is measured by a laser interferometer PIF using a moving mirror, and the position is controlled.
さらに、マスクMとプレートPとをXY平面に沿って相対的に位置合わせするための手段として、一対のアライメント系ALがマスクMの上方に配置されている。アライメント系ALとして、たとえばマスクM上に形成されたマスクアライメントマークとプレートP上に形成されたプレートアライメントマークとの相対位置を画像処理により求める方式のアライメント系を用いることができる。 Further, as a means for relatively aligning the mask M and the plate P along the XY plane, a pair of alignment systems AL is disposed above the mask M. As the alignment system AL, for example, an alignment system in which a relative position between a mask alignment mark formed on the mask M and a plate alignment mark formed on the plate P is obtained by image processing can be used.
こうして、マスクステージMS側の走査駆動系およびプレートステージPS側の走査駆動系の作用により、複数の投影光学ユニットPL1〜PL5からなる投影系PLに対してマスクMとプレートPとを一体的に同一方向(X方向)に沿って移動させることによって、マスクP上のパターン領域の全体がプレートP上の露光領域の全体に転写(走査露光)される。なお、複数の台形状の露光領域の形状および配置、ひいては複数の台形状の照明領域の形状および配置については、たとえば特開平7−183212号公報などに詳細な説明が記載されており重複する説明は省略する。 Thus, the mask M and the plate P are integrated with each other in the projection system PL including the plurality of projection optical units PL1 to PL5 by the action of the scanning drive system on the mask stage MS side and the scanning drive system on the plate stage PS side. By moving along the direction (X direction), the entire pattern area on the mask P is transferred (scanned exposure) to the entire exposure area on the plate P. The shape and arrangement of the plurality of trapezoidal exposure areas, and the shape and arrangement of the plurality of trapezoidal illumination areas, are described in detail in, for example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 7-183212, etc. Is omitted.
前述したように、本実施形態の露光装置においてサイズの大きなマスクMを用いると、マスクMの撓みに起因してマスクMのパターン面が湾曲および傾斜するため、マスクパターン像も湾曲(像面湾曲)および傾斜(像面傾斜)する。図3は、本実施形態の露光装置においてサイズの大きなマスクを用いたときのマスク撓みの影響を説明する図である。本実施形態において、走査方向(X方向)と直交する走査直交方向すなわちY方向に大きな寸法を有するマスクMを用いる場合、図3に示すようにマスクMがY方向に沿って比較的大きく撓み、この撓みの影響を無視することができなくなる。 As described above, when the mask M having a large size is used in the exposure apparatus of the present embodiment, the pattern surface of the mask M is curved and tilted due to the deflection of the mask M, so that the mask pattern image is also curved (field curvature). ) And tilt (image plane tilt). FIG. 3 is a view for explaining the influence of mask deflection when a large mask is used in the exposure apparatus of the present embodiment. In the present embodiment, when a mask M having a large dimension in the scanning orthogonal direction, that is, the Y direction orthogonal to the scanning direction (X direction) is used, the mask M bends relatively large along the Y direction as shown in FIG. The influence of this bending cannot be ignored.
たとえば中央に配置された投影光学ユニットPL3に着目すると、この投影光学ユニットPL3に対応するマスクMのパターン領域では、マスクMの撓みに起因して曲線C3で示すようにY方向に沿ってマスクのパターン面が湾曲するため、投影光学ユニットPL3を介して最終的に形成されるマスクパターン像もY方向に沿って湾曲(像面湾曲)することになる。したがって、投影光学ユニットPL3では、対応するマスクMの撓み成分(湾曲成分)の影響を補償するために像面湾曲補正(撓み補償調整)を行う必要がある。同様に、投影光学ユニットPL3以外の他の投影光学ユニットにおいても、必要に応じて、対応するマスクMの撓み成分の影響を補償するために像面湾曲補正を行う必要がある。 For example, when paying attention to the projection optical unit PL3 disposed in the center, in the pattern area of the mask M corresponding to the projection optical unit PL3, the mask is aligned along the Y direction as indicated by the curve C3 due to the deflection of the mask M. Since the pattern surface is curved, the mask pattern image finally formed through the projection optical unit PL3 is also curved (curved field) along the Y direction. Therefore, in the projection optical unit PL3, it is necessary to perform field curvature correction (deflection compensation adjustment) in order to compensate for the influence of the deflection component (curvature component) of the corresponding mask M. Similarly, in other projection optical units other than the projection optical unit PL3, it is necessary to perform field curvature correction in order to compensate for the influence of the deflection component of the corresponding mask M as necessary.
また、たとえば端部に配置された投影光学ユニットPL1(またはPL5)に着目すると、この投影光学ユニットPL1に対応するマスクMのパターン領域では、マスクMの撓みに起因して曲線C1で示すようにY方向に沿ってマスクのパターン面が湾曲しながら傾くため、投影光学ユニットPL1を介して最終的に形成されるマスクパターン像もY方向に沿って湾曲しつつ傾斜(像面傾斜)することになる。したがって、投影光学ユニットPL1(またはPL5)では、対応するマスクMの傾斜成分の影響を補償するために像面傾斜補正(傾斜補償調整)を行う必要がある。同様に、中央に配置された投影光学ユニットPL3以外の他の投影光学ユニット(PL2,PL4)においても、必要に応じて、対応するマスクMの傾斜成分の影響を補償するために像面傾斜補正を行う必要がある。 Further, for example, when attention is paid to the projection optical unit PL1 (or PL5) arranged at the end, in the pattern region of the mask M corresponding to the projection optical unit PL1, as indicated by the curve C1 due to the deflection of the mask M. Since the mask pattern surface is tilted while being curved along the Y direction, the mask pattern image finally formed via the projection optical unit PL1 is also tilted (image surface tilted) while being curved along the Y direction. Become. Therefore, in the projection optical unit PL1 (or PL5), it is necessary to perform image plane tilt correction (tilt compensation adjustment) in order to compensate for the influence of the tilt component of the corresponding mask M. Similarly, in other projection optical units (PL2, PL4) other than the projection optical unit PL3 arranged in the center, image plane tilt correction is performed to compensate for the influence of the tilt component of the corresponding mask M as necessary. Need to do.
そこで、本実施形態では、各投影光学ユニットPL1〜PL5において、対応するマスク(第1基板)Mのパターン領域における撓み成分(湾曲成分)の影響を補償するために、プレート(第2基板)Pの近傍に撓み補償部材24を導入している。撓み補償部材24は、マスクMに撓みのないことを前提として設計された場合(あるいはマスクMの撓みによる湾曲成分を無視して設計された場合)、平行平面状になるべき光学部材である。本実施形態では、図4(a)に示すように、撓み補償部材24のプレートP側の面(図中下側の面)を、撓み補償光学面24aとしてマスクMの撓み成分に応じた所要の曲面状に形成している。
Therefore, in the present embodiment, in each of the projection optical units PL1 to PL5, in order to compensate for the influence of the deflection component (curved component) in the pattern area of the corresponding mask (first substrate) M, the plate (second substrate) P The
具体的には、撓み補償光学面24aは、マスクMに撓みのないことを前提として設計された設計光学面である平面(図中破線で示す)24bに、マスクMの撓み方向(−Z方向)と逆方向(+Z方向)に湾曲したトーリック面(直交する方向にパワーの異なる面)を付加することにより得られる曲面状、すなわちトーリック面状に形成されている。このように、投影光学ユニットの像面の近傍に配置されてマスクMの撓み成分に応じた所要の曲面状に形成された撓み補償光学面24aの作用により、たとえば歪曲収差や倍率収差のような副作用を抑えつつ、マスクMの撓みに起因して発生する像面湾曲を良好に調整して、対応するマスクMの撓み成分(湾曲成分)の影響を補償することができる。なお、副作用として歪曲収差が発生した場合には、たとえば第1直角プリズムP1をX方向に微動させて補正することができる。また、副作用として倍率収差が発生した場合には、たとえば倍率調整部材23の等方的な倍率調整作用を利用して補正することができる。
Specifically, the deflection compensation
また、本実施形態では、中央に配置された投影光学ユニットPL3以外の各投影光学ユニット(PL1,PL2,PL4,PL5)において、対応するマスクMのパターン領域における傾斜成分の影響を補償するために、マスクMの近傍に傾斜補償光学面25を導入している。傾斜補償光学面25は、フォーカス調整部材21を構成する第2偏角プリズム21bの第1直角プリズムP1側に形成されている。第2偏角プリズム21bの第1直角プリズムP1側の面は、マスクMに撓みのないことを前提として設計された場合(あるいはマスクMの撓みによる傾斜成分を無視して設計された場合)、平面状になるべき光学面である。本実施形態では、図4(b)に示すように、第2偏角プリズム21bの第1直角プリズムP1側(図中下側の面)の面を、傾斜補償光学面25としてマスクMの傾斜成分に応じた所要の傾斜平面状に形成されている。
In the present embodiment, in order to compensate for the influence of the inclination component in the pattern area of the corresponding mask M in each projection optical unit (PL1, PL2, PL4, PL5) other than the projection optical unit PL3 arranged in the center. The tilt compensation optical surface 25 is introduced in the vicinity of the mask M. The tilt compensation optical surface 25 is formed on the first right-angle prism P <b> 1 side of the
具体的に、たとえば図3の投影光学ユニットPL1における傾斜補償光学面25は、マスクMに撓みのないことを前提として設計された設計光学平面25aに、マスクMの傾斜方向(+Y方向に上昇する傾斜方向)と逆方向(+Y方向に下降する傾斜方向)に傾斜した傾斜平面を付加することにより得られる傾斜平面状に形成されている。このように、投影光学ユニットの物体面の近傍に配置されてマスクMの傾斜成分に応じた所要の傾斜平面状に形成された傾斜補償光学面25の作用により、収差に関する副作用を抑えつつ、マスクMの撓みに起因して発生する像面傾斜を良好に調整して、対応するマスクMの傾斜成分の影響を補償することができる。
Specifically, for example, the tilt compensation optical surface 25 in the projection optical unit PL1 of FIG. 3 rises in the tilt direction (+ Y direction) of the mask M to the design
本実施形態では、マスクMに撓みのないことを前提とした設計(あるいはマスクMの撓みを無視した設計)に基づいて各投影光学ユニットを製造した後に、すなわち露光装置に搭載される前の投影光学ユニット単体時に、あるいは投影光学ユニットが露光装置に搭載された後に、撓み補償部材24の初期的に平面状に形成されたプレートP側の光学面をマスクMの撓み成分に応じた所要の曲面状に調整したり、第2偏角プリズム21bの初期的に光軸に対して垂直な平面状に形成された第1直角プリズムP1側の光学面をマスクMの傾斜成分に応じた所要の傾斜平面状に調整したりすることができる。なお、露光装置に搭載される前の投影光学ユニット単体時に、上述の撓み補償調整に伴って発生する歪曲収差や倍率収差のような副作用の補正を行うことが好ましい。
In the present embodiment, the projection optical unit is manufactured based on a design on the assumption that the mask M is not bent (or a design that ignores the deflection of the mask M), that is, the projection before being mounted on the exposure apparatus. When the optical unit is used alone or after the projection optical unit is mounted on the exposure apparatus, the optical surface on the plate P side, which is initially formed in a flat shape of the
具体的には、初期的に平面平面板として製造された撓み補償部材24を、マスクMの撓み成分に応じた所要の曲面状に形成された撓み補償光学面24aを有する撓み補償部材24と交換調整したり、初期的に通常の偏向プリズムとして製造された第2偏角プリズム21bを、マスクMの傾斜成分に応じた所要の傾斜平面状に形成された傾斜補償光学面25を有する第2偏角プリズム21bと交換調整したりすることができる。あるいは、初期的に平面状に製造された撓み補償部材24のプレートP側の光学面を、マスクMの撓み成分に応じた所要の曲面状の撓み補償光学面24aに加工調整したり、初期的に平面状に製造された第2偏角プリズム21bの第1直角プリズムP1側の光学面を、マスクMの傾斜成分に応じた所要の傾斜平面状の傾斜補償光学面25に加工調整したりすることができる。
Specifically, the
さらに、マスクMの撓みを予め考慮して、各投影光学ユニットの設計を行うこともできる。この場合、マスクMの撓み成分に応じた所要の曲面状に形成された撓み補償光学面24aを有する撓み補償部材24、およびマスクMの傾斜成分に応じた所要の傾斜平面状の傾斜補償光学面25を有する第2偏角プリズム21bを、マスクMの撓みを予め考慮した設計にしたがって製造する。そして、製造された撓み補償部材24および第2偏角プリズム21bを用いて、各投影光学ユニットを組立てることになる。
Furthermore, each projection optical unit can be designed in consideration of the bending of the mask M in advance. In this case, the
なお、上述の実施形態では、撓み補償部材24のプレートP側に撓み補償光学面24aを形成しているが、これに限定されることなく、撓み補償部材24の第2直角プリズムP2側に撓み補償光学面を形成することもできる。また、たとえば倍率調整部材23を構成するレンズ成分23a、レンズ成分23bまたはレンズ成分23cに撓み補償光学面を形成することもできる。この場合、撓み補償光学面は、マスクMに撓みのないことを前提として設計された設計光学面に、マスクMの撓み方向と逆方向に湾曲したトーリック面を付加することにより得られる。
In the above-described embodiment, the deflection compensation
また、上述の実施形態では、プレートPの近傍すなわち投影光学ユニットの像面の近傍に配置された撓み補償部材24に撓み補償光学面24aを形成している。しかしながら、マスクMの近傍すなわち投影光学ユニットの物体面の近傍に配置された光学部材(第1偏角プリズム21a、第2偏角プリズム21b、第1平行平面板22aまたは第2平行平面板22b)に撓み補償光学面を形成することもできる。この場合も、撓み補償光学面は、マスクMに撓みのないことを前提として設計された設計光学面に、マスクMの撓み方向と逆方向に湾曲したトーリック面を付加することにより得られる。
In the above-described embodiment, the deflection compensation
また、上述の実施形態では、マスクMの撓み方向と逆方向に湾曲したトーリック面を設計光学面に付加することにより得られる撓み補償光学面24aを用いている。しかしながら、各投影光学ユニットに対応するマスクM上の照明領域およびプレートP上の露光領域がY方向に沿って細長く延びる台形状であり且つX方向に沿ったスキャン露光を行うため、たとえばマスクMの撓み方向と逆方向に湾曲した球面を設計光学面に付加することにより得られる撓み補償光学面を用いても、トーリック面を付加して得られる撓み補償光学面の場合とほぼ等価な効果が得られる。
In the above-described embodiment, the deflection compensating
また、上述の実施形態では、第2偏角プリズム21bの第1直角プリズムP1側に傾斜補償光学面25を形成しているが、これに限定されることなく、第1偏角プリズム21aのマスクM側に傾斜補償光学面を形成することもできる。ただし、第1偏角プリズム21aの第1直角プリズムP1側の面に垂直な軸線廻りに第1偏角プリズム21aを微小回転させることにより、像面傾斜の微調整を行うことができる。
In the above-described embodiment, the tilt compensation optical surface 25 is formed on the first right-angle prism P1 side of the
したがって、傾斜補償光学面を利用して像面傾斜の粗調整を行い、第1偏角プリズム21aを微小回転させて像面傾斜の細調整を行う場合には、光軸廻りの回転成分の影響を受けるように構成された第1偏角プリズム21aのマスクM側に傾斜補償光学面を形成することは好ましくない。一般に、光軸廻りに回転する光学部材(光軸廻りの回転成分の影響を受けるように構成された光学部材を含む広い概念)に傾斜補償光学面を形成することは好ましくない。また、たとえば像シフト部材22を構成する第1平行平面板22aまたは第2平行平面板22bに、傾斜補償光学面を形成することもできる。
Therefore, when coarse adjustment of the image plane tilt is performed using the tilt compensation optical surface and fine adjustment of the image plane tilt is performed by slightly rotating the
また、上述の実施形態では、マスクMの近傍すなわち投影光学ユニットの物体面の近傍に配置された第2偏角プリズム21bに傾斜補償光学面25を形成している。しかしながら、プレートPの近傍すなわち投影光学ユニットの像面の近傍に配置された光学部材(たとえば撓み補償部材24)に傾斜補償光学面を形成することもできる。すなわち、マスクMの近傍またはプレートPの近傍に配置された1つの光学部材に、撓み補償光学面および傾斜補償光学面の双方を形成することもできる。この場合、1つの光学面が光学部材撓み補償光学面と傾斜補償光学面とを兼用することも可能である。
In the above-described embodiment, the tilt compensation optical surface 25 is formed on the
また、上述の実施形態では、すべての投影光学ユニットPL1〜PL5において、撓み補償光学面24aを利用してマスクMの撓み成分(湾曲成分)の影響を補償している。しかしながら、これに限定されることなく、所要の投影光学ユニットにのみ撓み補償光学面を導入することも可能である。また、上述の実施形態では、投影光学ユニットPL3以外のすべての投影光学ユニット(PL1,PL2,PL4,PL5)において、傾斜補償光学面25を利用してマスクMの傾斜成分の影響を補償している。しかしながら、これに限定されることなく、所要の投影光学ユニットにのみ傾斜補償光学面を導入することも可能である。
In the above-described embodiment, in all the projection optical units PL1 to PL5, the influence of the deflection component (curvature component) of the mask M is compensated using the deflection compensation
ところで、再び図3を参照して、たとえば中央に配置された投影光学ユニットPL3に着目すると、マスクMの中央撓み量DF3だけ物像点間距離が設計値(マスクMの撓みを想定することなく設定された物像点間距離)よりも短くなる。したがって、投影光学ユニットPL3では、マスクMの撓みの影響を補償するためにフォーカス調整を行う必要がある。同様に、他の投影光学ユニットにおいても、必要に応じて、マスクMの撓みの影響を補償するためにフォーカス調整を行う必要がある。 Now, referring again to FIG. 3, for example, when focusing on the projection optical unit PL3 arranged at the center, the distance between the object image points is the design value (without assuming the deflection of the mask M) by the central deflection amount DF3 of the mask M. It becomes shorter than the set distance between object image points). Therefore, in the projection optical unit PL3, it is necessary to perform focus adjustment in order to compensate for the influence of the deflection of the mask M. Similarly, in other projection optical units, it is necessary to perform focus adjustment to compensate for the influence of the deflection of the mask M as necessary.
各投影光学ユニットにおけるフォーカス調整の手法として、たとえば対応するマスクMの撓み量の約1/2に相当する移動量だけ第1直角プリズムP1を+X方向へ(光軸AX1に沿って第1凹面反射鏡M1と反対側へ:図2を参照)移動させる手法を用いることができる。ただし、この手法では、第1直角プリズムP1のX方向移動によりC字ディストーション(像高の変化に対して倍率誤差がC字状に変化する非線形倍率誤差)が発生する場合がある。このようなC字ディストーションが発生する場合には、第1結像光学系K1中の特定のレンズ(たとえばレンズL15)と、第2結像光学系K2中の対応する特定のレンズ(たとえばレンズL25)とを光軸方向に且つ逆方向へ同じ移動量だけ移動させて、C字ディストーションを補正すればよい。 As a focus adjustment method in each projection optical unit, for example, the first right-angle prism P1 is moved in the + X direction by a movement amount corresponding to about ½ of the deflection amount of the corresponding mask M (first concave reflection along the optical axis AX1). A method of moving to the opposite side of the mirror M1 (see FIG. 2) can be used. However, in this method, there is a case where C-shaped distortion (nonlinear magnification error in which the magnification error changes in a C shape with respect to the change in image height) is generated by the movement of the first right-angle prism P1 in the X direction. When such C-shaped distortion occurs, a specific lens (for example, the lens L15) in the first imaging optical system K1 and a corresponding specific lens (for example, the lens L25) in the second imaging optical system K2. ) Is moved in the optical axis direction and in the opposite direction by the same amount of movement to correct the C-shaped distortion.
また、各投影光学ユニットにおけるフォーカス調整の手法として、C字ディストーションが発生しないように、第1直角プリズムP1を+X方向へ(光軸AX1に沿って第1凹面反射鏡M1と反対側へ:図2を参照)移動させるとともに、第1直角プリズムP1の移動量とは異なる移動量だけ第2直角プリズムP2を−X方向へ(光軸AX2に沿って第2凹面反射鏡M2側へ:図2を参照)移動させる手法を用いることができる。 Further, as a focus adjustment method in each projection optical unit, the first right-angle prism P1 is moved in the + X direction (to the side opposite to the first concave reflecting mirror M1 along the optical axis AX1 so as not to generate C-shaped distortion: FIG. 2), and the second rectangular prism P2 is moved in the −X direction by the amount of movement different from the amount of movement of the first rectangular prism P1 (to the second concave reflecting mirror M2 side along the optical axis AX2): FIG. The method of moving can be used.
さらに、たとえば第2偏角プリズム21b(傾斜補償光学面25を有する光学部材)または撓み補償光学面24(撓み補償光学面24aを有する光学部材)の光軸に沿った長さ(光路長)を、中央に配置された投影光学ユニットPL3とその他の投影光学ユニットとの間で適宜変化させることにより、各投影光学ユニットにおけるフォーカス調整を行うこともできる。
Further, for example, the length (optical path length) along the optical axis of the
また、上述の実施形態では、投影光学ユニットが同じ構成の第1結像光学系K1と第2結像光学系K2とを有し、マスクMのパターンの等倍の正立正像をプレートP上に形成している。しかしながら、これに限定されることなく、投影光学ユニットの具体的な構成、倍率および像の姿勢などについては様々な変形例が可能である。 Further, in the above-described embodiment, the projection optical unit has the first imaging optical system K1 and the second imaging optical system K2 having the same configuration, and an upright erect image equal to the pattern of the mask M is displayed on the plate P. Is formed. However, the present invention is not limited to this, and various modifications can be made to the specific configuration, magnification, image orientation, and the like of the projection optical unit.
図1に示す本実施形態における各光学部材および各ステージ等を前述したような機能を達成するように、電気的、機械的または光学的に連結することで、本実施形態にかかる露光装置を組み上げることができる。そして、照明系ILによってマスク(レチクル)を照明し(照明工程)、投影光学ユニットPL1〜PL5からなる投影系PLを用いてマスクに形成された転写用のパターンを感光性基板に走査露光する(露光工程)ことにより、マイクロデバイス(半導体素子、撮像素子、液晶表示素子、薄膜磁気ヘッド等)を製造することができる。以下、図1に示す本実施形態の露光装置を用いて感光性基板としてのウェハ等に所定の回路パターンを形成することによって、マイクロデバイスとしての半導体デバイスを得る際の手法の一例につき図5のフローチャートを参照して説明する。 The exposure apparatus according to the present embodiment is assembled by electrically, mechanically, or optically coupling the optical members and the stages in the present embodiment shown in FIG. 1 so as to achieve the functions described above. be able to. Then, the illumination system IL illuminates the mask (reticle) (illumination process), and the photosensitive substrate is scanned and exposed with a transfer pattern formed on the mask using the projection system PL including the projection optical units PL1 to PL5 ( By the exposure step, a micro device (semiconductor element, imaging element, liquid crystal display element, thin film magnetic head, etc.) can be manufactured. FIG. 5 shows an example of a technique for obtaining a semiconductor device as a micro device by forming a predetermined circuit pattern on a wafer or the like as a photosensitive substrate using the exposure apparatus of this embodiment shown in FIG. This will be described with reference to a flowchart.
先ず、図5のステップ301において、1ロットのウェハ上に金属膜が蒸着される。次のステップ302において、その1ロットのウェハ上の金属膜上にフォトレジストが塗布される。その後、ステップ303において、上述の実施形態の露光装置を用いて、マスク上のパターンの像がその投影光学系(投影光学ユニット)を介して、その1ロットのウェハ上の各ショット領域に順次露光転写される。その後、ステップ304において、その1ロットのウェハ上のフォトレジストの現像が行われた後、ステップ305において、その1ロットのウェハ上でレジストパターンをマスクとしてエッチングを行うことによって、マスク上のパターンに対応する回路パターンが、各ウェハ上の各ショット領域に形成される。その後、更に上のレイヤの回路パターンの形成等を行うことによって、半導体素子等のデバイスが製造される。上述の半導体デバイス製造方法によれば、極めて微細な回路パターンを有する半導体デバイスをスループット良く得ることができる。 First, in step 301 of FIG. 5, a metal film is deposited on one lot of wafers. In the next step 302, a photoresist is applied on the metal film on the one lot of wafers. Thereafter, in step 303, using the exposure apparatus of the above-described embodiment, the image of the pattern on the mask is sequentially exposed to each shot area on the wafer of one lot via the projection optical system (projection optical unit). Transcribed. Thereafter, in step 304, the photoresist on the one lot of wafers is developed, and in step 305, the resist pattern is etched on the one lot of wafers to form a pattern on the mask. Corresponding circuit patterns are formed in each shot area on each wafer. Thereafter, a device pattern such as a semiconductor element is manufactured by forming a circuit pattern of an upper layer. According to the semiconductor device manufacturing method described above, a semiconductor device having an extremely fine circuit pattern can be obtained with high throughput.
また、上述の実施形態の露光装置では、プレート(ガラス基板)上に所定のパターン(回路パターン、電極パターン等)を形成することによって、マイクロデバイスとしての液晶表示素子を得ることもできる。以下、図6のフローチャートを参照して、このときの手法の一例につき説明する。図6において、パターン形成工程401では、上述の実施形態の露光装置を用いてマスクのパターンを感光性基板(レジストが塗布されたガラス基板等)に転写露光する、所謂光リソグラフィー工程が実行される。この光リソグラフィー工程によって、感光性基板上には多数の電極等を含む所定パターンが形成される。その後、露光された基板は、現像工程、エッチング工程、レジスト剥離工程等の各工程を経ることによって、基板上に所定のパターンが形成され、次のカラーフィルター形成工程402へ移行する。 In the exposure apparatus of the above-described embodiment, a liquid crystal display element as a micro device can be obtained by forming a predetermined pattern (circuit pattern, electrode pattern, etc.) on a plate (glass substrate). Hereinafter, an example of the technique at this time will be described with reference to the flowchart of FIG. In FIG. 6, in the pattern formation process 401, a so-called photolithography process is performed in which the mask pattern is transferred and exposed to a photosensitive substrate (such as a glass substrate coated with a resist) using the exposure apparatus of the above-described embodiment. . By this photolithography process, a predetermined pattern including a large number of electrodes and the like is formed on the photosensitive substrate. Thereafter, the exposed substrate undergoes steps such as a developing step, an etching step, and a resist stripping step, whereby a predetermined pattern is formed on the substrate, and the process proceeds to the next color filter forming step 402.
次に、カラーフィルター形成工程402では、R(Red)、G(Green)、B(Blue)に対応した3つのドットの組がマトリックス状に多数配列されたり、またはR、G、Bの3本のストライプのフィルターの組を複数水平走査線方向に配列したカラーフィルターを形成する。そして、カラーフィルター形成工程402の後に、セル組み立て工程403が実行される。セル組み立て工程403では、パターン形成工程401にて得られた所定パターンを有する基板、およびカラーフィルター形成工程402にて得られたカラーフィルター等を用いて液晶パネル(液晶セル)を組み立てる。 Next, in the color filter forming step 402, a large number of sets of three dots corresponding to R (Red), G (Green), and B (Blue) are arranged in a matrix or three of R, G, and B A color filter is formed by arranging a plurality of stripe filter sets in the horizontal scanning line direction. Then, after the color filter forming step 402, a cell assembly step 403 is executed. In the cell assembly step 403, a liquid crystal panel (liquid crystal cell) is assembled using the substrate having the predetermined pattern obtained in the pattern formation step 401, the color filter obtained in the color filter formation step 402, and the like.
セル組み立て工程403では、例えば、パターン形成工程401にて得られた所定パターンを有する基板とカラーフィルター形成工程402にて得られたカラーフィルターとの間に液晶を注入して、液晶パネル(液晶セル)を製造する。その後、モジュール組み立て工程404にて、組み立てられた液晶パネル(液晶セル)の表示動作を行わせる電気回路、バックライト等の各部品を取り付けて液晶表示素子として完成させる。上述の液晶表示素子の製造方法によれば、極めて微細な回路パターンを有する液晶表示素子をスループット良く得ることができる。 In the cell assembly step 403, for example, liquid crystal is injected between the substrate having the predetermined pattern obtained in the pattern formation step 401 and the color filter obtained in the color filter formation step 402, and a liquid crystal panel (liquid crystal cell) is obtained. ). Thereafter, in a module assembling step 404, components such as an electric circuit and a backlight for performing a display operation of the assembled liquid crystal panel (liquid crystal cell) are attached to complete a liquid crystal display element. According to the above-described method for manufacturing a liquid crystal display element, a liquid crystal display element having an extremely fine circuit pattern can be obtained with high throughput.
なお、上述の実施形態では、光源として超高圧水銀ランプを用いているが、これに限定されることなく、他の適当な光源を用いることができる。すなわち、本発明において、露光波長は、g線、h線、i線などに特に限定されるものではない。 In the above-described embodiment, an ultrahigh pressure mercury lamp is used as the light source, but the present invention is not limited to this, and other appropriate light sources can be used. That is, in the present invention, the exposure wavelength is not particularly limited to g-line, h-line, i-line and the like.
また、上述の実施形態では、複数の投影光学ユニットから構成された投影系(投影光学系)に対してマスクおよび感光性基板を移動させながら走査露光を行うマルチ走査型投影露光装置を例にとって本発明を説明している。しかしながら、複数の投影光学ユニットから構成された投影系に対してマスクおよび感光性基板を移動させることなく一括的な露光を行う投影露光装置についても本発明を適用することができる。 In the above-described embodiment, the present invention is exemplified by a multi-scanning projection exposure apparatus that performs scanning exposure while moving a mask and a photosensitive substrate with respect to a projection system (projection optical system) constituted by a plurality of projection optical units. Describes the invention. However, the present invention can also be applied to a projection exposure apparatus that performs batch exposure without moving a mask and a photosensitive substrate with respect to a projection system composed of a plurality of projection optical units.
さらに、単一の投影光学ユニットから構成された投影系(投影光学系)に対してマスクおよび感光性基板を移動させながら走査露光を行う走査型投影露光装置や、単一の投影光学ユニットから構成された投影系に対してマスクおよび感光性基板を移動させることなく一括的な露光を行う投影露光装置について本発明を適用することもできる。ただし、この場合には、マスクの撓みによる傾斜成分の影響を考慮する必要はなく、撓み成分(湾曲成分)の影響のみを考慮すればよい。 Furthermore, it comprises a scanning projection exposure apparatus that performs scanning exposure while moving a mask and a photosensitive substrate with respect to a projection system (projection optical system) composed of a single projection optical unit, and a single projection optical unit. The present invention can also be applied to a projection exposure apparatus that performs batch exposure without moving a mask and a photosensitive substrate with respect to the projected system. However, in this case, it is not necessary to consider the influence of the inclination component due to the bending of the mask, and only the influence of the bending component (curving component) needs to be considered.
また、以上の実施形態では、マスクとして透過性基板に遮光性の所定のパターンを形成したものを用いる例を示したが、本発明はこれに限ることなく、DMD(デジタルミラーマイクロデバイス)や液晶素子等を用いたパターン表示素子をマスクとして用いることも可能である。さらに、本発明は、DMDや液晶素子以外のパターン表示装置もマスクとして用いることが可能であることは言うまでもない。 In the above embodiments, an example in which a mask having a predetermined light-shielding pattern formed on a transparent substrate is used as a mask. However, the present invention is not limited to this, and a DMD (digital mirror micro device) or a liquid crystal is used. It is also possible to use a pattern display element using an element or the like as a mask. Furthermore, it goes without saying that the present invention can also use a pattern display device other than the DMD or liquid crystal element as a mask.
1 光源
2 楕円鏡
3 反射鏡
4 リレーレンズ系
5 ライトガイド
6 フライアイ・インテグレーター
7 コンデンサーレンズ系
24 撓み補償部材
24a 撓み補償光学面
25 傾斜補償光学面
M マスク
PL 投影系(投影光学系)
PL1〜PL5 投影光学ユニット
P プレート
FS 視野絞り
S1 第1屈折光学系
S2 第2屈折光学系
M1 第1凹面反射鏡
M2 第2凹面反射鏡
K1 第1結像光学系
K2 第2結像光学系
DESCRIPTION OF
PL1 to PL5 Projection optical unit P Plate FS Field stop S1 First refractive optical system S2 Second refractive optical system M1 First concave reflecting mirror M2 Second concave reflecting mirror K1 First imaging optical system K2 Second imaging optical system
Claims (20)
前記投影光学系は、前記第1方向を横切る所定方向に沿って配列されて、前記第1基板のパターンの像を前記第2基板上に形成するための複数の投影光学ユニットを有し、
前記複数の投影光学ユニットのうちの少なくとも1つの投影光学ユニットは、当該投影光学ユニットに対応する前記第1基板の撓み成分の影響を補償するために、前記第1基板または前記第2基板の近傍に配置されて前記撓み成分に応じた所要の曲面状に形成された撓み補償光学面を有することを特徴とする露光装置。 Exposure in which the first substrate and the second substrate are moved relative to the projection optical system in the first direction, and the pattern formed on the first substrate is projected onto the second substrate via the projection optical system. In the device
The projection optical system has a plurality of projection optical units arranged along a predetermined direction crossing the first direction and for forming an image of the pattern of the first substrate on the second substrate,
At least one projection optical unit of the plurality of projection optical units is arranged in the vicinity of the first substrate or the second substrate in order to compensate for the influence of the deflection component of the first substrate corresponding to the projection optical unit. An exposure apparatus comprising: a deflection compensating optical surface disposed in a predetermined curved shape corresponding to the deflection component.
前記投影光学系は、前記第1方向を横切る所定方向に沿って配列されて、前記第1基板のパターンの像を前記第2基板上に形成するための複数の投影光学ユニットを有し、
前記複数の投影光学ユニットのうちの少なくとも1つの投影光学ユニットは、当該投影光学ユニットに対応する前記第1基板の傾斜成分の影響を補償するために、前記第1基板または前記第2基板の近傍に配置されて前記傾斜成分に応じた所要の傾斜平面状に形成された傾斜補償光学面を有することを特徴とする露光装置。 Exposure in which the first substrate and the second substrate are moved relative to the projection optical system in the first direction, and the pattern formed on the first substrate is projected onto the second substrate via the projection optical system. In the device
The projection optical system has a plurality of projection optical units arranged along a predetermined direction crossing the first direction and for forming an image of the pattern of the first substrate on the second substrate,
At least one projection optical unit of the plurality of projection optical units is arranged in the vicinity of the first substrate or the second substrate in order to compensate for the influence of the tilt component of the first substrate corresponding to the projection optical unit. And an inclination compensating optical surface formed in a required inclination plane shape corresponding to the inclination component.
前記投影光学系は、前記第1方向を横切る所定方向に沿って配列されて、前記第1基板のパターンの像を前記第2基板上に形成するための複数の投影光学ユニットを有し、
前記複数の投影光学ユニットのうちの少なくとも1つの投影光学ユニットにおいて、当該投影光学ユニットに対応する前記第1基板の撓み成分の影響を補償するために、前記第1基板または前記第2基板の近傍に配置された所定の光学面を前記撓み成分に応じた所要の曲面状に調整する撓み調整工程を含むことを特徴とする調整方法。 Exposure in which the first substrate and the second substrate are moved relative to the projection optical system in the first direction, and the pattern formed on the first substrate is projected onto the second substrate via the projection optical system. In the apparatus adjustment method,
The projection optical system has a plurality of projection optical units arranged along a predetermined direction crossing the first direction and for forming an image of the pattern of the first substrate on the second substrate,
In at least one projection optical unit of the plurality of projection optical units, in order to compensate for the influence of the deflection component of the first substrate corresponding to the projection optical unit, the vicinity of the first substrate or the second substrate An adjustment method, comprising: a deflection adjustment step of adjusting a predetermined optical surface arranged in a predetermined curved surface according to the deflection component.
前記投影光学系は、前記第1方向を横切る所定方向に沿って配列されて、前記第1基板のパターンの像を前記第2基板上に形成するための複数の投影光学ユニットを有し、
前記複数の投影光学ユニットのうちの少なくとも1つの投影光学ユニットにおいて、当該投影光学ユニットに対応する前記第1基板の傾斜成分の影響を補償するために、前記第1基板または前記第2基板の近傍に配置された所定の光学平面を前記傾斜成分に応じた所要の傾斜平面状に調整する傾斜調整工程を含むことを特徴とする調整方法。 Exposure in which the first substrate and the second substrate are moved relative to the projection optical system in the first direction, and the pattern formed on the first substrate is projected onto the second substrate via the projection optical system. In the apparatus adjustment method,
The projection optical system has a plurality of projection optical units arranged along a predetermined direction crossing the first direction and for forming an image of a pattern of the first substrate on the second substrate,
In at least one projection optical unit of the plurality of projection optical units, in order to compensate for the influence of the tilt component of the first substrate corresponding to the projection optical unit, the vicinity of the first substrate or the second substrate And a tilt adjusting step of adjusting a predetermined optical plane disposed in a predetermined tilt plane according to the tilt component.
前記投影光学系は、前記第1基板の撓み成分の影響を補償するために、前記第1基板または前記第2基板の近傍に配置されて前記撓み成分に応じた所要の曲面状に形成された撓み補償光学面を有することを特徴とする露光装置。 In an exposure apparatus that projects and exposes a pattern formed on a first substrate onto a second substrate via a projection optical system,
The projection optical system is disposed in the vicinity of the first substrate or the second substrate to compensate for the influence of the deflection component of the first substrate, and is formed in a required curved surface shape corresponding to the deflection component. An exposure apparatus having a deflection compensating optical surface.
前記投影光学系において前記第1基板の撓み成分の影響を補償するために、前記第1基板または前記第2基板の近傍に配置された所定の光学面を前記撓み成分に応じた所要の曲面状に調整する撓み調整工程を含むことを特徴とする調整方法。 In an exposure apparatus adjustment method for projecting and exposing a pattern formed on a first substrate onto a second substrate via a projection optical system,
In order to compensate the influence of the deflection component of the first substrate in the projection optical system, a predetermined optical surface arranged in the vicinity of the first substrate or the second substrate is formed into a required curved surface shape corresponding to the deflection component. The adjustment method characterized by including the bending adjustment process adjusted to (3).
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