JP2005283680A - Image forming material - Google Patents

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JP2005283680A
JP2005283680A JP2004093801A JP2004093801A JP2005283680A JP 2005283680 A JP2005283680 A JP 2005283680A JP 2004093801 A JP2004093801 A JP 2004093801A JP 2004093801 A JP2004093801 A JP 2004093801A JP 2005283680 A JP2005283680 A JP 2005283680A
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Yusuke Hatanaka
優介 畠中
Ippei Nakamura
一平 中村
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Fujifilm Holdings Corp
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Fuji Photo Film Co Ltd
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an image forming material which has high sensitivity and large development latitude and suppressed deterioration in performance over time. <P>SOLUTION: The image forming material is obtained by disposing on a support a plurality of image recording layers containing a water-insoluble but alkali-soluble resin, wherein the top one of the plurality of image recording layers has an infrared absorbent represented by formula (I). <P>COPYRIGHT: (C)2006,JPO&NCIPI

Description

本発明は、熱によりアルカリ性水溶液に対する溶解性が変化する画像記録層を有した画像形成材料に関し、詳細にはコンピュータ等のデジタル信号に基づいて赤外線レーザ光を走査することにより直接製版できる、所謂ダイレクト製版可能なポジ型の重層感材型平版印刷版原版等の画像形成材料に関する。   The present invention relates to an image forming material having an image recording layer whose solubility in an alkaline aqueous solution is changed by heat, and more specifically, so-called direct plate making which can be directly made by scanning infrared laser light based on a digital signal from a computer or the like. The present invention relates to an image forming material such as a positive type multi-layer sensitive material type lithographic printing plate precursor capable of making a plate.

近年画像形成技術の発展に伴い、細くビームを絞ったレーザ光をその版面上に走査させ、文字原稿、画像原稿等を直接版面上に形成させ、フイルム原稿を用いず直接製版することが可能となった。
しかし、レーザ光照射により画像記録層中で光熱変換を起こすことによって、画像記録層のアルカリ可溶化を引き起こしポジ画像を形成する、所謂サーマルポジ型の平版印刷版原版においては、画像形成原理として、レーザ露光による画像記録層中のバインダーの分子間相互作用の微妙な変化を利用しているために、露光/未露光部分のアルカリ可溶化のオン/オフの程度の差が小さくなるという問題がある。
With the development of image forming technology in recent years, it is possible to scan a plate with a narrowly focused laser beam and form a text document, an image document, etc. directly on the plate surface, and make a plate directly without using a film document. became.
However, in the so-called thermal positive type lithographic printing plate precursor that forms a positive image by causing photothermal conversion in the image recording layer by laser light irradiation to cause alkali solubilization of the image recording layer, as an image forming principle, There is a problem that the difference in the degree of on / off of alkali solubilization in the exposed / unexposed portion is reduced because the subtle interaction of the intermolecular interaction of the binder in the image recording layer due to laser exposure is utilized. .

このため、実用に耐える明確な露光/未露光部分のアルカリ溶解性のディスクリミネーションを得る目的で、複数の記録層を積層し、その最上層に現像液に対する表面難溶性を付与して、未露光部の現像溶解性を抑えるという手段が用いられている(例えば、特許文献1参照)。   For this reason, for the purpose of obtaining an alkali-soluble discrimination in clear exposed / unexposed portions that can be used practically, a plurality of recording layers are laminated, and the uppermost layer is provided with surface insolubility in a developing solution, so that Means for suppressing the development solubility of the exposed portion is used (for example, see Patent Document 1).

しかしながら、このような平版印刷版原版では、様々な使用条件におけるディスクリミネーションに改良の余地があり、使用条件による現像安定性(現像ラチチュード)、特に経時による画像記録層の溶解性(経時安定性)の改良が望まれていた。   However, in such a lithographic printing plate precursor, there is room for improvement in the discrimination under various use conditions, and development stability (development latitude) depending on use conditions, in particular, solubility of the image recording layer over time (stability over time). ) Was desired.

また、上記のような重層型構造の記録層ではなく、例えば、単層型構造の記録層に、記録層全体のアルカリ現像液に対する溶解性を低下させ得る赤外線吸収剤を用いる方法が提案されている(例えば、特許文献2参照)。これにより、例えば高濃度現像液を使用したような場合に発生していた過剰現像は改善できるが、一方で、露光部の現像性(感度)の向上が望まれており、また、上記の経時安定性についても未だ改良の余地がある。
特開平11−218914号公報 特開2000−275828号公報
Also, a method has been proposed in which an infrared absorber that can reduce the solubility of the entire recording layer in an alkaline developer is used, for example, in a recording layer having a single layer structure, instead of the recording layer having a multilayer structure as described above. (For example, refer to Patent Document 2). As a result, overdevelopment that has occurred when, for example, a high-concentration developer is used can be improved. There is still room for improvement in terms of stability.
JP 11-218914 A JP 2000-275828 A

本発明の目的は、高感度で、現像ラチチュードが広く、且つ、経時による性能劣化を抑制した画像形成材料を提供することにある。   An object of the present invention is to provide an image forming material having high sensitivity, wide development latitude, and suppressing performance deterioration with time.

本発明者は鋭意研究の結果、重層型の画像記録層の最上層に特定の構造を有する赤外線吸収剤を添加することにより、上記課題目的が達成される条件を見出した。
つまり、具体的に本発明は、
支持体上に、水不溶性且つアルカリ可溶性の樹脂を含む複数の画像記録層を設け、該複数の画像記録層のうち、最上層に、下記一般式(I)で表される赤外線吸収剤を有するこ
とを特徴とする画像形成材料である。
As a result of diligent research, the present inventor has found a condition under which the above object object can be achieved by adding an infrared absorber having a specific structure to the uppermost layer of the multilayer image recording layer.
In other words, specifically, the present invention
A plurality of image recording layers containing a water-insoluble and alkali-soluble resin are provided on a support, and an infrared absorber represented by the following general formula (I) is provided as the uppermost layer among the plurality of image recording layers. An image forming material characterized in that.

Figure 2005283680
Figure 2005283680

一般式(I)中、R1〜R4は各々独立に、水素原子、アルキル基、又はアリール基を
示す。R5及びR6は各々独立に、アルキル基、置換オキシ基、又はハロゲン原子を示す。n及びmは各々独立に0〜4の整数を示す。R1とR2、又はR3とR4は各々結合して環を形成していてもよく、また、R1及び/又はR2とR5、或いはR3及び/又はR4とR6は各々結合して環を形成していてもよく、更にn又はmが2以上の場合、複数存在するR5同士或いはR6同士が互いに結合して環を形成していてもよい。Z1及びZ2は各々独立に、水素原子、アルキル基又はアリール基を示す。Qはトリメチン基又はペンタメチン基を示し、それらは2価の有機基とともに形成した環構造を有するものであってもよい。X-はカウンターアニオンを示す。
In general formula (I), R < 1 > -R < 4 > shows a hydrogen atom, an alkyl group, or an aryl group each independently. R 5 and R 6 each independently represents an alkyl group, a substituted oxy group, or a halogen atom. n and m each independently represent an integer of 0 to 4. R 1 and R 2 , or R 3 and R 4 may be bonded to each other to form a ring, and R 1 and / or R 2 and R 5 , or R 3 and / or R 4 and R 6 May be bonded to each other to form a ring, and when n or m is 2 or more, a plurality of R 5 or R 6 may be bonded to each other to form a ring. Z 1 and Z 2 each independently represent a hydrogen atom, an alkyl group or an aryl group. Q represents a trimethine group or a pentamethine group, which may have a ring structure formed with a divalent organic group. X represents a counter anion.

本発明の作用は明確にはなっていないが、上記一般式(I)の構造を有する赤外線吸収
剤を、複数の画像記録層のうち最上層に含有させることで、その両末端に存在するアミド構造に起因して、露光部においては溶解性が増加し高感度化が促され、また未露光部においては、現像液浸透抑制効果によりアルカリ現像液に対する溶解抑止作用が強まり、現像ラチチュードが広がる。更に、画像記録層の表面部分(最上層)の溶解抑止作用を特に強めることで、経時による現像ラチチュードの劣化を抑制しているものと推測される。
Although the action of the present invention has not been clarified, by containing an infrared absorber having the structure of the above general formula (I) in the uppermost layer of the plurality of image recording layers, amides present at both ends thereof Due to the structure, solubility is increased in the exposed area and high sensitivity is promoted, and in the unexposed area, the dissolution inhibiting action on the alkaline developer is strengthened by the effect of suppressing the penetration of the developer, and the development latitude is widened. Further, it is presumed that deterioration of the development latitude over time is suppressed by particularly enhancing the dissolution inhibiting action of the surface portion (uppermost layer) of the image recording layer.

本発明によれば、露光部は優れた現像液溶解性を発現し、未露光部は高濃度現像液の浸透抑制作用を発現し、且つ該浸透抑制作用の経時による劣化が抑制できる画像形成材料、即ち、高感度で、現像ラチチュードが広く、且つ、経時による性能劣化を抑制した画像形成材料を得ることができる。   According to the present invention, the exposed portion exhibits excellent developer solubility, the unexposed portion exhibits a penetration inhibitory action of the high-concentration developer, and the degradation of the penetration inhibitory action over time can be suppressed. That is, it is possible to obtain an image forming material with high sensitivity, wide development latitude, and suppressed performance deterioration with time.

本発明の画像形成材料は、支持体上に、水不溶性且つアルカリ可溶性の樹脂を含む複数の画像記録層を設け、該複数の画像記録層のうち最上層(支持体から最も離れた層。以下、単に「最上層」という。)に、下記一般式(I)で表される赤外線吸収剤を有すること
を特徴とする。
In the image forming material of the present invention, a plurality of image recording layers containing a water-insoluble and alkali-soluble resin are provided on a support, and the uppermost layer (the layer farthest from the support. And simply referred to as the “uppermost layer”) having an infrared absorber represented by the following general formula (I).

Figure 2005283680
Figure 2005283680

一般式(I)中、R1〜R4は各々独立に、水素原子、アルキル基、又はアリール基を
示す。R5及びR6は各々独立に、アルキル基、置換オキシ基、又はハロゲン原子を示す。n及びmは各々独立に0〜4の整数を示す。R1とR2、又はR3とR4は各々結合して環を形成していてもよく、また、R1及び/又はR2とR5、或いはR3及び/又はR4とR6は各々結合して環を形成していてもよく、更にn又はmが2以上の場合、複数存在するR5同士或いはR6同士が互いに結合して環を形成していてもよい。Z1及びZ2は各々独立に、水素原子、アルキル基又はアリール基を示す。Qはトリメチン基又はペンタメチン基を示し、それらは2価の有機基とともに形成した環構造を有するものであってもよい。X-はカウンターアニオンを示す。
In general formula (I), R < 1 > -R < 4 > shows a hydrogen atom, an alkyl group, or an aryl group each independently. R 5 and R 6 each independently represents an alkyl group, a substituted oxy group, or a halogen atom. n and m each independently represent an integer of 0 to 4. R 1 and R 2 , or R 3 and R 4 may be bonded to each other to form a ring, and R 1 and / or R 2 and R 5 , or R 3 and / or R 4 and R 6 May be bonded to each other to form a ring, and when n or m is 2 or more, a plurality of R 5 or R 6 may be bonded to each other to form a ring. Z 1 and Z 2 each independently represent a hydrogen atom, an alkyl group or an aryl group. Q represents a trimethine group or a pentamethine group, which may have a ring structure formed with a divalent organic group. X represents a counter anion.

なお、上記画像記録層は、各々の構成成分が異なる複数の層からなる重層構造を有し、且つ、その最上層が、特定の赤外線吸収剤を含有するものであればその層構成に特に制限はなく、例えば、該最上層以外の下層部分(最上層より支持体側の層。以下、単に「下層」という。)は、1層であっても、それぞれの組成や機能が異なる2層以上の層で構成されていてもよい。ここでは、本発明において特に好ましい態様である、アルカリ可溶性樹脂を含む下層と、アルカリ可溶性樹脂及び特定の赤外線吸収剤を含む上層(この構成では最上層となる)と、の2層構造からなるポジ型の画像記録材料を例に挙げて詳細に述べる。   The image recording layer has a multi-layer structure composed of a plurality of layers having different constituent components, and the uppermost layer contains a specific infrared absorber. For example, even if the lower layer portion other than the uppermost layer (the layer on the support side of the uppermost layer; hereinafter simply referred to as “lower layer”) is a single layer, there are two or more layers having different compositions and functions. It may be composed of layers. Here, a positive layer consisting of a two-layer structure comprising a lower layer containing an alkali-soluble resin and an upper layer containing an alkali-soluble resin and a specific infrared absorber (which is the uppermost layer in this configuration), which is a particularly preferred embodiment of the present invention. The image recording material of the mold will be described in detail as an example.

<最上層>
まず、本発明の重要な要件である赤外線吸収剤について説明する。
〔赤外線吸収剤〕
本発明の画像形成材料は、支持体上に設けた、水不溶性且つアルカリ可溶性の樹脂を含む複数の画像記録層のうち最上層に、下記一般式(I)で表される赤外線吸収剤を含有する。
赤外線吸収剤とは、700nm以上、好ましくは750〜1200nmの赤外域に光吸収域を有し、この範囲の波長域の光により、光/熱変換能を発現する物質を指す。具体的には、上記波長域の光を吸収し熱を発生する下記一般式(I)の構造を有する染料を用い
ることができる。
<Top layer>
First, the infrared absorbent which is an important requirement of the present invention will be described.
[Infrared absorber]
The image forming material of the present invention contains an infrared absorber represented by the following general formula (I) in the uppermost layer among a plurality of image recording layers containing a water-insoluble and alkali-soluble resin provided on a support. To do.
The infrared absorber refers to a substance that has a light absorption region in the infrared region of 700 nm or more, preferably 750 to 1200 nm, and exhibits light / heat conversion ability by light in the wavelength region of this range. Specifically, a dye having a structure of the following general formula (I) that absorbs light in the above wavelength range and generates heat can be used.

Figure 2005283680
Figure 2005283680

一般式(I)中、R1〜R4は各々独立に、水素原子、アルキル基、又はアリール基を
示す。R5及びR6は各々独立に、アルキル基、置換オキシ基、又はハロゲン原子を示す。n及びmは各々独立に0〜4の整数を示す。R1とR2、又はR3とR4は各々結合して環を形成していてもよく、また、R1及び/又はR2とR5、或いはR3及び/又はR4とR6は各々結合して環を形成していてもよく、更にn又はmが2以上の場合、複数存在するR5同士或いはR6同士が互いに結合して環を形成していてもよい。Z1及びZ2は各々独立に、水素原子、アルキル基又はアリール基を示す。Qはトリメチン基又はペンタメチン基を示し、それらは2価の有機基とともに形成した環構造を有するものであってもよい。X-はカウンターアニオンを示す。
尚、Z1及びZ2の少なくとも一方は水素原子又はアルキル基であることが好ましい。
In general formula (I), R < 1 > -R < 4 > shows a hydrogen atom, an alkyl group, or an aryl group each independently. R 5 and R 6 each independently represents an alkyl group, a substituted oxy group, or a halogen atom. n and m each independently represent an integer of 0 to 4. R 1 and R 2 , or R 3 and R 4 may be bonded to each other to form a ring, and R 1 and / or R 2 and R 5 , or R 3 and / or R 4 and R 6 May be bonded to each other to form a ring, and when n or m is 2 or more, a plurality of R 5 or R 6 may be bonded to each other to form a ring. Z 1 and Z 2 each independently represent a hydrogen atom, an alkyl group or an aryl group. Q represents a trimethine group or a pentamethine group, which may have a ring structure formed with a divalent organic group. X represents a counter anion.
Note that at least one of Z 1 and Z 2 is preferably a hydrogen atom or an alkyl group.

まず、上記一般式(I)で表される赤外線吸収剤の置換基について説明する。なお、本
発明はこれらの具体例に制限されるものではない。
R1〜R4、R5及びR6、並びにZ1及びZ2におけるアルキル基としては、炭素数が1から20までの直鎖状、分岐状、又は環状のアルキル基が挙げられる。具体的には、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ウンデシル基、ドデシル基、トリデシル基、ヘキサデシル基、オクタデシル基、エイコシル基、イソプロピル基、イソブチル基、s−ブチル基、t−ブチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、1−メチルブチル基、イソヘキシル基、2−エチルヘキシル基、2−メチルヘキシル基、シクロヘキシル基、シクロペンチル基、2−ノルボルニル基を挙げることができる。これらの中では、炭素数1から12までの直鎖状、炭素数3から12までの分岐状、並びに炭素数5から10までの環状のアルキル基がより好ましい。
First, the substituent of the infrared absorber represented by the general formula (I) will be described. The present invention is not limited to these specific examples.
Examples of the alkyl group in R 1 to R 4 , R 5 and R 6 , and Z 1 and Z 2 include linear, branched, or cyclic alkyl groups having 1 to 20 carbon atoms. Specifically, methyl, ethyl, propyl, butyl, pentyl, hexyl, heptyl, octyl, nonyl, decyl, undecyl, dodecyl, tridecyl, hexadecyl, octadecyl, Eicosyl group, isopropyl group, isobutyl group, s-butyl group, t-butyl group, isopentyl group, neopentyl group, 1-methylbutyl group, isohexyl group, 2-ethylhexyl group, 2-methylhexyl group, cyclohexyl group, cyclopentyl group, A 2-norbornyl group can be mentioned. Of these, linear alkyl groups having 1 to 12 carbon atoms, branched alkyl groups having 3 to 12 carbon atoms, and cyclic alkyl groups having 5 to 10 carbon atoms are more preferable.

これらのアルキル基は置換基を有していてもよく、置換基としては、水素を除く一価の非金属原子団が用いられる。好ましい例としては、ハロゲン原子(−F、−Br、−C1、−I)、ヒドロキシル基、アルコキシ基、アリーロキシ基、メルカプト基、アルキルチオ基、アリールチオ基、アルキルジチオ基、アリールジチオ基、アミノ基、N−アルキルアミノ基、N,N−ジアルキルアミノ基、N−アリールアミノ基、N,N−ジアリールアミノ基、N−アルキル−N−アリールアミノ基、アシルオキシ基、カルバモイルオキシ基、N−アルキルカルバモイルオキシ基、N−アリールカルバモイルオキシ基、N,N−ジアルキルカルバモイルオキシ基、N,N−ジアリールカルバモイルオキシ基、N−アルキル−N−アリールカルバモイルオキシ基、アルキルスルホキシ基、アリールスルホキシ基、アシルチオ基、アシルアミノ基、N−アルキルアシルアミノ基、N−アリールアシルアミノ基、ウレイド基、N’−アルキルウレイド基、N’,N’−ジアルキルウレイド基、N’−アリールウレイド基、N’,N’−ジアリールウレイド基、N’−アルキル−N’−アリ−ルウレイド基、N−アルキルウレイド基、N−アリールウレイド基、N’−アルキル−N−アルキルウレイド基、N’−アルキル−N−アリールウレイド基、N’,N’−ジアルキル−N−アルキルウレイド基、N’,N’−ジアルキル−N−アリールウレイド基、N’−アリール−N−アルキルウレイド基、N’−アリール−N−アリールウレイド基、N’,N’−ジアリール−N−アルキルウレイド基、N’,N’−ジアリール−N−アリールウレイド基、N’−アルキル−N’−アリール−N−アルキルウレイド基、N’−アルキル−N’−アリール−N−アリールウレイド基、アルコキシカルボニルアミノ基、アリーロキシカルボニルアミノ基、N−アルキル−N−アルコキシカルボニルアミノ基、N−アルキル−N−アリーロキシカルボニルアミノ基、N−アリール−N−アルコキシカルボニルアミノ基、N−アリール−N−アリーロキシカルボニルアミノ基、ホルミル基、カルボキシル基、及びその共役塩基基、アルコキシカルボニル基、アリーロキシカルボニル基、カルバモイル基、N−アルキルカルバモイル基、N,N−ジアルキルカルバモイル基、N−アリールカルバモイル基、N,N−ジアリールカルバモイル基、N−アルキル−N−アリールカルバモイル基、アルキルスルフィニル基、アリールスルフィニル基、アルキルスルホニル基、アリールスルホニル基、スルホ基(−SO3H)及びその共役塩基(以下、「スルホナト基」という。)、アルコキシスルホニル基、アリーロキシスルホニル基、スルフィナモイル基、N−アルキルスルフィナモイル基、N,N−ジアルキルスルフィナモイル基、N−アリールスルフィナモイル基、N,N−ジアリールスルフィナモイル基、N−アルキル−N−アリールスルフィナモイル基、スルファモイル基、N−アルキルスルファモイル基、N,N−ジアルキルスルファモイル基、N−アリールスルファモイル基、N,N−ジアリールスルファモイル基、N−アルキル−N−アリールスルファモイル基、N−アシルスルファモイル基及びその共役塩基基、N−アルキルスルホニルスルファモイル基(−SO2NHSO2R、Rはアルキル基を表す。)及びその共役塩基基、N−アリールスルホニルスルファモイル基(−SO2NHSO2Ar、Arはアリール基を表す。)及びその共役塩基基、N−アルキルスルホニルカルバモイル基(−CONHSO2R、Rはアルキル基を表す。)及びその共役塩基基、N−アリ−ルスルホニルカルバモイル基(−CONHSO2Ar、Arはアリール基を表す。)及びその共役塩基基、アルコキシシリル基(−Si(OR)3、Rはアルキル基を表す。)、アリーロキシシリル基(−Si(OAr)3、Arはアリール基を表す。)、ヒドロキシシリル基(−Si(OH)3)及びその共役塩基基、ホスホノ基(−PO32)及びその共役塩基基(以下、「ホスホナト基」という。)、ジアルキルホスホノ基(−PO32、Rはアルキル基を表す。)、ジアリールホスホノ基(−PO3Ar2、Arはアリール基を表す。)、アルキルアリールホスホノ基(−PO3(R)(Ar)、Rはアルキル基、Arはアリール基を表す。)、モノアルキルホスホノ基(−PO3H(R)、Rはアルキル基を表す。)及びその共役塩基基(以下、「アルキルホスホナト基」という。)、モノアリールホスホノ基(−PO3H(Ar)、Arはアリール基を表す。)及びその共役塩基基(以下、「アリールホスホナト基」という。)、ホスホノオキシ基(−OPO32)及びその共役塩基基(以下、「ホスホナトオキシ基」という。)、ジアルキルホスホノオキシ基(−OPO32、Rはアルキル基を表す。)、ジアリールホスホノオキシ基(−OPO3Ar2、Arはアリール基を表す。)、アルキルアリールホスホノオキシ基(−OPO3(R)(Ar)、Rはアルキル基、Arはアリール基を表す。)、モノアルキルホスホノオキシ基(−OPO3H(R)、Rはアルキル基を表す。)及びその共役塩基基、モノアリールホスホノオキシ基(−OPO3H(Ar)、Arはアリール基を表す。)及びその共役塩基基、シアノ基、ニトロ基、アリール基(例えば、フェニル基、ビフェニル基、ナフチル基、トリル基、キシリル基、メシチル基、クメニル基、フルオロフェニル基、クロロフェニル基、ブロモフェニル基、クロロメチルフェニル基、ヒドロキシフェニル基、メトキシフェニル基、エトキシフェニル基、フェノキシフェニル基、アセトキシフェニル基、ベンゾイロキシフェニル基、メチルチオフェニル基、フェニルチオフェニル基、メチルアミノフェニル基、ジメチルアミノフェニル基、アセチルアミノフェニル基、カルボキシフェニル基、メトキシカルボニルフェニル基、エトキシカルボニルフェニル基、フェノキシカルボニルフェニル基、N−フェニルカルバモイルフェニル基、フェニル基、ニトロフェニル基、シアノフェニル基、スルホフェニル基、スルホナトフェニル基、ホスホノフェニル基、ホスホナトフェニル基等が挙げられる。)、アルケニル基(例えば、ビニル基、1−プロペニル基、1−ブテニル基、シンナミル基、2−クロロ−1−エテニル基等が挙げられる。)、アルキニル基(例えば、エチニル基、1−プロピニル基、1−ブチニル基、トリメチルシリルエチニル基、フェニルエチニル基等が挙げられる。)、アシル基(R7CO−;R7としては、水素原子を挙げることができ、また、前記R1〜R4、R5及びR6、並びにZ1及びZ2におけるアルキル基、前記アルキル基の置換基として挙げたアリール基、同アルケニル基、同アルキニル基等と同様のものを挙げることができる。)等が挙げられる。 These alkyl groups may have a substituent, and a monovalent nonmetallic atomic group excluding hydrogen is used as the substituent. Preferred examples include a halogen atom (—F, —Br, —C1, —I), a hydroxyl group, an alkoxy group, an aryloxy group, a mercapto group, an alkylthio group, an arylthio group, an alkyldithio group, an aryldithio group, an amino group, N-alkylamino group, N, N-dialkylamino group, N-arylamino group, N, N-diarylamino group, N-alkyl-N-arylamino group, acyloxy group, carbamoyloxy group, N-alkylcarbamoyloxy Group, N-arylcarbamoyloxy group, N, N-dialkylcarbamoyloxy group, N, N-diarylcarbamoyloxy group, N-alkyl-N-arylcarbamoyloxy group, alkylsulfoxy group, arylsulfoxy group, acylthio group , Acylamino group, N-alkyl acyla Group, N-arylacylamino group, ureido group, N′-alkylureido group, N ′, N′-dialkylureido group, N′-arylureido group, N ′, N′-diarylureido group, N′- Alkyl-N'-arylureido group, N-alkylureido group, N-arylureido group, N'-alkyl-N-alkylureido group, N'-alkyl-N-arylureido group, N ', N'- Dialkyl-N-alkylureido group, N ′, N′-dialkyl-N-arylureido group, N′-aryl-N-alkylureido group, N′-aryl-N-arylureido group, N ′, N′- Diaryl-N-alkylureido group, N ′, N′-diaryl-N-arylureido group, N′-alkyl-N′-aryl-N-alkylureido group, N′-alkyl-N′-aryl- -Arylureido group, alkoxycarbonylamino group, aryloxycarbonylamino group, N-alkyl-N-alkoxycarbonylamino group, N-alkyl-N-aryloxycarbonylamino group, N-aryl-N-alkoxycarbonylamino group, N-aryl-N-aryloxycarbonylamino group, formyl group, carboxyl group, and its conjugate base group, alkoxycarbonyl group, aryloxycarbonyl group, carbamoyl group, N-alkylcarbamoyl group, N, N-dialkylcarbamoyl group, N-arylcarbamoyl group, N, N-diarylcarbamoyl group, N-alkyl-N-arylcarbamoyl group, alkylsulfinyl group, arylsulfinyl group, alkylsulfonyl group, arylsulfonyl group, sulfo group (-S O 3 H) and its conjugate base (hereinafter referred to as “sulfonate group”). ), Alkoxysulfonyl group, aryloxysulfonyl group, sulfinamoyl group, N-alkylsulfinamoyl group, N, N-dialkylsulfinamoyl group, N-arylsulfinamoyl group, N, N-diarylsulfinamoyl group, N-alkyl-N-arylsulfinamoyl group, sulfamoyl group, N-alkylsulfamoyl group, N, N-dialkylsulfamoyl group, N-arylsulfamoyl group, N, N-diarylsulfamoyl group , N- alkyl -N- arylsulfamoyl group, N- acylsulfamoyl group and a conjugate base group, N- alkylsulfonylsulfamoyl group (representing -SO 2 NHSO 2 R, R is an alkyl group.) and a conjugated base group, N- aryl sulfonylsulfamoyl group (-SO 2 NHSO 2 A , Ar represents an aryl group) and a conjugated base group, N- alkylsulfonylcarbamoyl group (-CONHSO 2 R, R represents an alkyl group) and a conjugated base group, N- ants -.. Rusuru Honi carbamoyl group ( —CONHSO 2 Ar, Ar represents an aryl group) and its conjugate base group, alkoxysilyl group (—Si (OR) 3 , R represents an alkyl group), aryloxysilyl group (—Si (OAr) 3 , Ar represents an aryl group), a hydroxysilyl group (—Si (OH) 3 ) and its conjugate base group, a phosphono group (—PO 3 H 2 ) and its conjugate base group (hereinafter referred to as “phosphonate group”). ), dialkylphosphono group (-PO 3 R 2, R represents an alkyl group.), diarylphosphono group (-PO 3 Ar 2, Ar represents an aryl group.), alkyl Riruhosuhono group (-PO 3 (R) (Ar ), R is an alkyl group, Ar represents an aryl group.), Monoalkyl phosphono group (-PO 3 H (R), R represents an alkyl group.) And Its conjugated base group (hereinafter referred to as “alkylphosphonate group”), monoarylphosphono group (—PO 3 H (Ar), Ar represents an aryl group) and its conjugated base group (hereinafter referred to as “arylphosphonate”). Nato group ”), phosphonooxy group (—OPO 3 H 2 ) and its conjugate base group (hereinafter referred to as“ phosphonatoxy group ”), dialkylphosphonooxy group (—OPO 3 R 2 , R represents an alkyl group) ), A diarylphosphonooxy group (—OPO 3 Ar 2 , Ar represents an aryl group). ), An alkylarylphosphonooxy group (—OPO 3 (R) (Ar), R represents an alkyl group, Ar represents an aryl group), a monoalkylphosphonooxy group (—OPO 3 H (R), R is Represents an alkyl group) and its conjugate base group, monoarylphosphonooxy group (—OPO 3 H (Ar), Ar represents an aryl group) and its conjugate base group, cyano group, nitro group, aryl group ( For example, phenyl group, biphenyl group, naphthyl group, tolyl group, xylyl group, mesityl group, cumenyl group, fluorophenyl group, chlorophenyl group, bromophenyl group, chloromethylphenyl group, hydroxyphenyl group, methoxyphenyl group, ethoxyphenyl group , Phenoxyphenyl group, acetoxyphenyl group, benzoyloxyphenyl group, methylthiophenyl group, phenyl Ophenyl group, methylaminophenyl group, dimethylaminophenyl group, acetylaminophenyl group, carboxyphenyl group, methoxycarbonylphenyl group, ethoxycarbonylphenyl group, phenoxycarbonylphenyl group, N-phenylcarbamoylphenyl group, phenyl group, nitrophenyl group , Cyanophenyl group, sulfophenyl group, sulfonatophenyl group, phosphonophenyl group, phosphonatophenyl group, etc.), alkenyl group (for example, vinyl group, 1-propenyl group, 1-butenyl group, cinnamyl group) , 2-chloro-1-ethenyl group, etc.), alkynyl group (for example, ethynyl group, 1-propynyl group, 1-butynyl group, trimethylsilylethynyl group, phenylethynyl group, etc.), acyl group. (R 7 C -; the R 7, there may be mentioned hydrogen atom, also the R 1 ~R 4, R 5 and R 6, and the alkyl group in Z 1 and Z 2, mentioned as the substituent for the alkyl group aryl Group, the same alkenyl group, the same alkynyl group, etc.).

上記置換基中において、Rで表されるアルキル基の具体例としては、前記R1〜R4、R5及びR6、並びにZ1及びZ2におけるアルキル基と同様のものが挙げられ、またArで表されるアリール基の具体例としては、前記アルキル基の置換基として挙げたアリール基と同様のものが挙げられる。 In the above substituents, specific examples of the alkyl group represented by R include those similar to the alkyl groups in R 1 to R 4 , R 5 and R 6 , and Z 1 and Z 2 . Specific examples of the aryl group represented by Ar include the same aryl groups listed as substituents for the alkyl group.

これら置換基のうち、更に好ましいものとしては、ハロゲン原子(−F、−Br、−C1、−I)、アルコキシ基、アリーロキシ基、アルキルチオ基、アリールチオ基、N−アルキルアミノ基、N,N−ジアルキルアミノ基、アシルオキシ基、N−アルキルカルバモイルオキシ基、N−アリールカルバモイルオキシ基、アシルアミノ基、ホルミル基、カルボキシル基、アルコキシカルボニル基、アリーロキシカルボニル基、カルバモイル基、N−アルキルカルバモイル基、N,N−ジアルキルカルバモイル基、N−アリールカルバモイル基、N−アルキル−N−アリールカルバモイル基、スルホ基、スルホナト基、スルファモイル基、N−アルキルスルファモイル基、N,N−ジアルキルスルファモイル基、N−アリールスルファモイル基、N−アルキル−N−アリールスルファモイル基、ホスホノ基、ホスホナト基、ジアルキルホスホノ基、ジアリールホスホノ基、モノアルキルホスホノ基、アルキルホスホナト基、モノアリールホスホノ基、アリールホスホナト基、ホスホノオキシ基、ホスホナトオキシ基、アリール基、アルケニル基、アシル基等を挙げることができる。   Among these substituents, more preferred are a halogen atom (—F, —Br, —C1, —I), an alkoxy group, an aryloxy group, an alkylthio group, an arylthio group, an N-alkylamino group, N, N— Dialkylamino group, acyloxy group, N-alkylcarbamoyloxy group, N-arylcarbamoyloxy group, acylamino group, formyl group, carboxyl group, alkoxycarbonyl group, aryloxycarbonyl group, carbamoyl group, N-alkylcarbamoyl group, N, N-dialkylcarbamoyl group, N-arylcarbamoyl group, N-alkyl-N-arylcarbamoyl group, sulfo group, sulfonate group, sulfamoyl group, N-alkylsulfamoyl group, N, N-dialkylsulfamoyl group, N An arylsulfamoyl group, -Alkyl-N-arylsulfamoyl group, phosphono group, phosphonato group, dialkylphosphono group, diarylphosphono group, monoalkylphosphono group, alkylphosphonato group, monoarylphosphono group, arylphosphonato group, phosphonooxy Groups, phosphonatoxy groups, aryl groups, alkenyl groups, acyl groups and the like.

一方、置換アルキル基において、置換基と組み合わせて置換アルキル基を構成するアルキレン基としては、前述の炭素数1から20までのアルキル基上の水素原子のいずれか1つを除し、2価の有機残基としたものを挙げることができ、好ましくは炭素数1から12までの直鎖状、炭素数3から12までの分岐状並びに炭素数5から10までの環状のアルキレン基を挙げることができる。該置換基とアルキレン基を組み合わせることにより得られる置換アルキル基の好ましい具体例としては、クロロメチル基、ブロモメチル基、2−クロロエチル基、トリフルオロメチル基、メトキシメチル基、メトキシエトキシエチル基、アリルオキシメチル基、フェノキシメチル基、メチルチオメチル基、トリルチオメチル基、エチルアミノエチル基、ジエチルアミノプロピル基、モルホリノプロピル基、アセチルオキシメチル基、ベンゾイルオキシメチル基、N−シクロヘキシルカルバモイルオキシエチル基、N−フェニルカルバモイルオキシエチル基、アセチルアミノエチル基、N−メチルベンゾイルアミノプロピル基、2−オキソエチル基、2−オキソプロピル基、カルボキシプロピル基、メトキシカルボニルエチル基、メトキシカルボニルメチル基、メトキシカルボニルブチル基、アリルオキシカルボニルブチル基、クロロフェノキシカルボニルメチル基、カルバモイルメチル基、N−メチルカルバモイルエチル基、N,N−ジプロピルガルバモイルメチル基、N−(メトキシフェニル)ガルバモイルエチル基、N−メチル−N−(スルホフェニル)ガルバモイルメチル基、スルホプロピル基、スルホブチル基、スルホナトブチル基、スルファモイルブチル基、N−エチルスルファモイルメチル基、N,N−ジプロピルスルファモイルプロピル基、N−トリルスルファモイルプロピル基、N−メチル−N−(ホスホノフェニル)スルファイルオクチル基、ホスホノブチル基、ホスホナトヘキシル基、ジエチルホスホノブチル基、ジフェニルホスホノプロピル基、メチルホスホノブチル基、メチルホスホナトブチル基、トリルホスホノヘキシル基、トリルホスホナトヘキシル基、ホスホノオキシプロピル基、ホスホナトオキシブチル基、ベンジル基、フェネチル基、α−メチルベンジル基、1−メチル−1−フェニルエチル基、p−メチルベンジル基、シンナミル基、アリル基、1−プロペニルメチル基、2−ブテニル基、2−メチルアリル基、2−メチルプロペニルメチル基、2−プロピニル基、2−ブチニル基、3−ブチニル基等を挙げることができる。   On the other hand, in the substituted alkyl group, as the alkylene group constituting the substituted alkyl group in combination with the substituent, any one of the aforementioned hydrogen atoms on the alkyl group having 1 to 20 carbon atoms is removed, and Examples include organic residues, preferably, linear alkylene groups having 1 to 12 carbon atoms, branched alkylene groups having 3 to 12 carbon atoms, and cyclic alkylene groups having 5 to 10 carbon atoms. it can. Preferred specific examples of the substituted alkyl group obtained by combining the substituent and the alkylene group include a chloromethyl group, a bromomethyl group, a 2-chloroethyl group, a trifluoromethyl group, a methoxymethyl group, a methoxyethoxyethyl group, and allyloxy. Methyl group, phenoxymethyl group, methylthiomethyl group, tolylthiomethyl group, ethylaminoethyl group, diethylaminopropyl group, morpholinopropyl group, acetyloxymethyl group, benzoyloxymethyl group, N-cyclohexylcarbamoyloxyethyl group, N-phenyl Carbamoyloxyethyl group, acetylaminoethyl group, N-methylbenzoylaminopropyl group, 2-oxoethyl group, 2-oxopropyl group, carboxypropyl group, methoxycarbonylethyl group, methoxycal Nylmethyl group, methoxycarbonylbutyl group, allyloxycarbonylbutyl group, chlorophenoxycarbonylmethyl group, carbamoylmethyl group, N-methylcarbamoylethyl group, N, N-dipropylgalvamoylmethyl group, N- (methoxyphenyl) galvamoyl Ethyl group, N-methyl-N- (sulfophenyl) galvamoylmethyl group, sulfopropyl group, sulfobutyl group, sulfonatobutyl group, sulfamoylbutyl group, N-ethylsulfamoylmethyl group, N, N-dipropylsulfa Moylpropyl group, N-tolylsulfamoylpropyl group, N-methyl-N- (phosphonophenyl) sulfyl octyl group, phosphonobutyl group, phosphonatohexyl group, diethylphosphonobutyl group, diphenylphosphonopropyl group, methylphos Nobutyl group, methylphosphonatobutyl group, tolylphosphonohexyl group, tolylphosphonatohexyl group, phosphonooxypropyl group, phosphonatoxybutyl group, benzyl group, phenethyl group, α-methylbenzyl group, 1-methyl-1 -Phenylethyl group, p-methylbenzyl group, cinnamyl group, allyl group, 1-propenylmethyl group, 2-butenyl group, 2-methylallyl group, 2-methylpropenylmethyl group, 2-propynyl group, 2-butynyl group, A 3-butynyl group etc. can be mentioned.

R1〜R4、Z1及びZ2におけるアリール基としては、ベンゼン環、2個から3個のベンゼン環が縮合環を形成したもの、該ベンゼン環若しくは縮合環と5員不飽和環が縮合環を形成したものを挙げることができ、具体例としては、フェニル基、ナフチル基、アントリル基、フェナントリル基、インデニル基、アセナブテニル基、フルオレニル基を挙げることができ、これらの中でも、フェニル基、ナフチル基がより好ましい。 As the aryl group in R 1 to R 4 , Z 1 and Z 2 , a benzene ring, two to three benzene rings forming a condensed ring, the benzene ring or condensed ring and a 5-membered unsaturated ring are condensed Specific examples include a ring group, and specific examples include a phenyl group, a naphthyl group, an anthryl group, a phenanthryl group, an indenyl group, an acenaphthenyl group, and a fluorenyl group. Among these, a phenyl group, a naphthyl group Groups are more preferred.

置換アリール基としては、前述のアリール基の環形成炭素原子上に置換基として、水素を除く一価の非金属原子団を有するものが用いられる。好ましい置換基の例としては前記のアルキル基、置換アルキル基、置換アルキル基における置換基として示したものを挙げることができる。このような、置換アリール基の好ましい具体例としては、ビフェニル基、トリル基、キシリル基、メシチル基、クメニル基、クロロフェニル基、ブロモフェニル基、フルオロフェニル基、クロロメチルフェニル基、トリフルオロメチルフェニル基、ヒドロキシフェニル基、メトキシフェニル基、メトキシエトキシフェニル基、アリルオキシフェニル基、フェノキシフェニル基、メチルチオフェニル基、トリルチオフェニル基、フェニルチオフェニル基、エチルアミノフェニル基、ジメチルアミノフェニル基、ジエチルアミノフェニル基、モルホリノフェニル基、アセチルオキシフェニル基、ベンゾイルオキシフェニル基、N−シクロヘキシルカルバモイルオキシフェニル基、N−フェニルカルバモイルオキシフェニル基、アセチルアミノフェニル基、N−メチルベンゾイルアミノフェニル基、カルボキシフェニル基、メトキシカルボニルフェニル基、アリルオキシカルボニルフェニル基、クロロフェノキシカルボニルフェニル基、ガルバモイルフェニル基、N−メチルガルバモイルフェニル基、N,N−ジプロピルカルバモイルフェニル基、N−(メトキシフェニル)ガルバモイルフェニル基、N−メチル−N−(スルホフェニル)カルバモイルフェニル基、スルホフェニル基、スルホナトフェニル基、スルファモイルフェニル基、N−エチルスルファモイルフェニル基、N,N−ジプロピルスルファモイルフェニル基、N−トリルスルファモイルフェニル基、N−メチル−N−(ホスホノフェニル)スルファモイルフェニル基、ホスホノフェニル基、ホスホナトフェニル基、ジエチルホスホノフェニル基、ジフェニルホスホノフェニル基、メチルホスホノフェニル基、メチルホスホナトフェニル基、トリルホスホノフェニル基、トリルホスホナトフェニル基、アリルフェニル基、1−プロペニルメチルフェニル基、2−ブテニルフェニル基、2−メチルアリルフェニル基、2−メチルプロペニルフェニル基、2−プロピニルフェニル基、2−ブチニルフェニル基、3−ブチニルフェニル基等を挙げることができる。   As the substituted aryl group, those having a monovalent non-metallic atomic group excluding hydrogen as a substituent on the ring-forming carbon atom of the aforementioned aryl group are used. Preferred examples of the substituent include the alkyl groups, substituted alkyl groups, and substituents shown in the substituted alkyl group. Preferred examples of such a substituted aryl group include biphenyl group, tolyl group, xylyl group, mesityl group, cumenyl group, chlorophenyl group, bromophenyl group, fluorophenyl group, chloromethylphenyl group, trifluoromethylphenyl group. , Hydroxyphenyl group, methoxyphenyl group, methoxyethoxyphenyl group, allyloxyphenyl group, phenoxyphenyl group, methylthiophenyl group, tolylthiophenyl group, phenylthiophenyl group, ethylaminophenyl group, dimethylaminophenyl group, diethylaminophenyl group Morpholinophenyl group, acetyloxyphenyl group, benzoyloxyphenyl group, N-cyclohexylcarbamoyloxyphenyl group, N-phenylcarbamoyloxyphenyl group, acetylaminophenol Group, N-methylbenzoylaminophenyl group, carboxyphenyl group, methoxycarbonylphenyl group, allyloxycarbonylphenyl group, chlorophenoxycarbonylphenyl group, galvamoylphenyl group, N-methylgalvamoylphenyl group, N, N-di Propylcarbamoylphenyl group, N- (methoxyphenyl) galvamoylphenyl group, N-methyl-N- (sulfophenyl) carbamoylphenyl group, sulfophenyl group, sulfonatophenyl group, sulfamoylphenyl group, N-ethylsulfa Moylphenyl group, N, N-dipropylsulfamoylphenyl group, N-tolylsulfamoylphenyl group, N-methyl-N- (phosphonophenyl) sulfamoylphenyl group, phosphonophenyl group, phosphonatophenyl group Jie Ruphosphonophenyl group, diphenylphosphonophenyl group, methylphosphonophenyl group, methylphosphonatophenyl group, tolylphosphonophenyl group, tolylphosphonatophenyl group, allylphenyl group, 1-propenylmethylphenyl group, 2-butyl Examples thereof include a tenenylphenyl group, a 2-methylallylphenyl group, a 2-methylpropenylphenyl group, a 2-propynylphenyl group, a 2-butynylphenyl group, and a 3-butynylphenyl group.

R5及びR6における置換オキシ基としては、酸素原子に結合する基が水素を除く一価の非金属原子団であるものを用いることができる。好ましい置換オキシ基としては、アルコキシ基、アリーロキシ基、アシルオキシ基、カルバモイルオキシ基、N−アルキルカルバモイルオキシ基、N−アリールカルバモイルオキシ基、N,N−ジアルキルカルバモイルオキシ基、N,N−ジアリールカルバモイルオキシ基、N−アルキル−N−アリールカルバモイルオキシ基、アルキルスルホキシ基、アリールスルホキシ基、ホスホノオキシ基、ホスホナトオキシ基が挙げられる。
これらにおけるアルキル基、並びにアリール基としては、前記R1〜R4、R5及びR6、並びにZ1及びZ2におけるアルキル基、同置換アルキル基、前記R1〜R4、Z1及びZ2におけるアリール基、並びに同置換アリール基として例示したものが挙げられる。また、アシルオキシ基におけるアシル基(R8CO−)としては、R8が、上記のアルキル基、置換アルキル基、アリール基、並びに置換アリール基として例示したものが挙げられる。
これらの置換オキシ基の中では、アルコキシ基、アリーロキシ基、アシルオキシ基、アリールスルホキシ基がより好ましく、具体的には、メトキシ基、エトキシ基、プロピルオキシ基、イソプロピルオキシ基、ブチルオキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、ドデシルオキシ基、ベンジルオキシ基、アリルオキシ基、フェネチルオキシ基、カルボキシエチルオキシ基、メトキシカルボニルエチルオキシ基、エトキシカルボニルエチルオキシ基、メトキシエトキシ基、フェノキシエトキシ基、メトキシエトキシエトキシ基、エトキシエトキシエトキシ基、モルホリノエトキシ基、モルホリノプロピルオキシ基、アリロキシエトキシエトキシ基、フェノキシ基、トリルオキシ基、キシリルオキシ基、メシチルオキシ基、クメニルオキシ基、メトキシフェニルオキシ基、エトキシフェニルオキシ基、クロロフェニルオキシ基、ブロモフェニルオキシ基、アセチルオキシ基、ベンゾイルオキシ基、ナフチルオキシ基、フェニルスルホニルオキシ基、ホスホノオキシ基、ホスホナトオキシ基等が挙げられる。
As the substituted oxy group for R 5 and R 6, those in which the group bonded to the oxygen atom is a monovalent nonmetallic atomic group excluding hydrogen can be used. Preferred substituted oxy groups include alkoxy groups, aryloxy groups, acyloxy groups, carbamoyloxy groups, N-alkylcarbamoyloxy groups, N-arylcarbamoyloxy groups, N, N-dialkylcarbamoyloxy groups, N, N-diarylcarbamoyloxy groups. Group, N-alkyl-N-arylcarbamoyloxy group, alkylsulfoxy group, arylsulfoxy group, phosphonooxy group, and phosphonatoxy group.
As the alkyl group and aryl group in these, the R 1 to R 4 , R 5 and R 6 , the alkyl group in Z 1 and Z 2 , the same substituted alkyl group, the R 1 to R 4 , Z 1 and Z The aryl group in 2 and those exemplified as the substituted aryl group can be mentioned. Examples of the acyl group (R 8 CO—) in the acyloxy group include those exemplified for R 8 as the above alkyl group, substituted alkyl group, aryl group, and substituted aryl group.
Among these substituted oxy groups, an alkoxy group, an aryloxy group, an acyloxy group, and an arylsulfoxy group are more preferable. Specifically, a methoxy group, an ethoxy group, a propyloxy group, an isopropyloxy group, a butyloxy group, a pentyloxy group Group, hexyloxy group, dodecyloxy group, benzyloxy group, allyloxy group, phenethyloxy group, carboxyethyloxy group, methoxycarbonylethyloxy group, ethoxycarbonylethyloxy group, methoxyethoxy group, phenoxyethoxy group, methoxyethoxyethoxy group , Ethoxyethoxyethoxy group, morpholinoethoxy group, morpholinopropyloxy group, allyloxyethoxyethoxy group, phenoxy group, tolyloxy group, xylyloxy group, mesityloxy group, cumenyloxy group Methoxyphenyl group, ethoxyphenyl group, chlorophenyl group, bromophenyl group, acetyloxy group, benzoyloxy group, naphthyloxy group, a phenylsulfonyloxy group, a phosphonooxy group, phosphonatoxy group, and the like.

また、R5及びR6におけるハロゲン原子としては、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素等を挙げることができる。
R1とR2、又はR3とR4は各々結合して環を形成してもよく、また、R1又はR2とR5が、またR3又はR4とR6が結合して環を形成してもよく、更に、R1及びR2が各々別のR5と結合して、或いはR3及びR4が各々別のR6と結合して環を形成してもよい。また、n又はmが2以上の場合、R5同士或いはR6同士は互いに結合して環を形成してもよい。また、n、mは各々独立に0〜4の整数を示す。また、Z1又はZ2の少なくとも一方は、水素原子又はアルキル基であることが好ましい。
Examples of the halogen atom in R 5 and R 6 include fluorine, chlorine, bromine, iodine and the like.
R 1 and R 2 , or R 3 and R 4 may be bonded to form a ring, R 1 or R 2 and R 5 may be bonded, and R 3 or R 4 and R 6 may be bonded. A ring may be formed, and R 1 and R 2 may be bonded to another R 5 , or R 3 and R 4 may be bonded to another R 6 to form a ring. When n or m is 2 or more, R 5 or R 6 may be bonded to each other to form a ring. N and m each independently represents an integer of 0 to 4. At least one of Z 1 or Z 2 is preferably a hydrogen atom or an alkyl group.

Qにおけるトリメチン基、ペンタメチン基は置換基を有していてもよく、該置換基としては、水素を除く一価の非金属原子団が用いられる。好ましい例としては、まず置換基を有していてもよいアルキル基、アリール基、アルケニル基及びアルキニル基が挙げられる。上記アルキル基及びアリール基の具体例としては、前記R1〜R4、R5及びR6、並びにZ1及びZ2におけるアルキル基、前記R1〜R4、Z1及びZ2におけるアリール基として挙げた例が好ましく挙げられる。また、前記アルケニル基としては、例えばビニル基、フェニルビニル基、ジアルキルアミノフェニルビニル基、1−プロペニル基、1−ブテニル基、シンナミル基、2−クロロ−1−エテニル基等が挙げられ、また前記アルキニル基としては、例えばエチニル基、1−プロピニル基、1−ブチニル基、トリメチルシリルエチニル基、フェニルエチニル基等が挙げられる。
更にQの置換基の好ましい例として、ハロゲン原子(−F、−Br、−C1、−I)、ヒドロキシル基、アルコキシ基、アリーロキシ基、メルカプト基、アルキルチオ基、アリールチオ基、アルキルジチオ基、アリールジチオ基、アミノ基、N−アルキルアミノ基、N,N−ジアルキルアミノ基、N−アリールアミノ基、N,N−ジアリールアミノ基、N−アルキル−N−アリールアミノ基、アシルオキシ基、カルバモイルオキシ基、N−アルキルカルバモイルオキシ基、N−アリールカルバモイルオキシ基、N,N−ジアルキルカルバモイルオキシ基、N,N−ジアリールカルバモイルオキシ基、N−アルキル−N−アリールカルバモイルオキシ基、アルキルスルホキシ基、アリールスルホキシ基、アシルチオ基、アシルアミノ基、N−アルキルアシルアミノ基、N−アリールアシルアミノ基、ウレイド基、N’−アルキルウレイド基、N’,N’−ジアルキルウレイド基、N’−アリールウレイド基、N’,N’−ジアリールウレイド基、N’−アルキル−N’−アリ−ルウレイド基、N−アルキルウレイド基、N−アリールウレイド基、N’−アルキル−N−アルキルウレイド基、N’−アルキル−N−アリールウレイド基、N’,N’−ジアルキル−N−アルキルウレイド基、N’,N’−ジアルキル−N−アリールウレイド基、N’−アリール−N−アルキルウレイド基、N’−アリール−N−アリールウレイド基、N’,N’−ジアリール−N−アルキルウレイド基、N’,N’−ジアリール−N−アリールウレイド基、N’−アルキル−N’−アリール−N−アルキルウレイド基、N’−アルキル−N’−アリール−N−アリールウレイド基、アルコキシカルボニルアミノ基、アリーロキシカルボニルアミノ基、N−アルキル−N−アルコキシカルボニルアミノ基、N−アルキル−N−アリーロキシカルボニルアミノ基、N−アリール−N−アルコキシカルボニルアミノ基、N−アリール−N−アリーロキシカルボニルアミノ基、ホルミル基、カルボキシル基、及びその共役塩基基、アルコキシカルボニル基、アリーロキシカルボニル基、カルバモイル基、N−アルキルカルバモイル基、N,N−ジアルキルカルバモイル基、N−アリールカルバモイル基、N,N−ジアリールカルバモイル基、N−アルキル−N−アリールカルバモイル基、アルキルスルフィニル基、アリールスルフィニル基、アルキルスルホニル基、アリールスルホニル基、スルホ基(−SO3H)及びその共役塩基(以下、「スルホナト基」という。)、アルコキシスルホニル基、アリーロキシスルホニル基、スルフィナモイル基、N−アルキルスルフィナモイル基、N,N−ジアルキルスルフィナモイル基、N−アリールスルフィナモイル基、N,N−ジアリールスルフィナモイル基、N−アルキル−N−アリールスルフィナモイル基、スルファモイル基、N−アルキルスルファモイル基、N,N−ジアルキルスルファモイル基、N−アリールスルファモイル基、N,N−ジアリールスルファモイル基、N−アルキル−N−アリールスルファモイル基、N−アシルスルファモイル基及びその共役塩基基、N−アルキルスルホニルスルファモイル基(−SO2NHSO2R、Rはアルキル基を表す。)及びその共役塩基基、N−アリールスルホニルスルファモイル基(−SO2NHSO2Ar、Arはアリール基を表す。)及びその共役塩基基、N−アルキルスルホニルカルバモイル基(−CONHSO2R、Rはアルキル基を表す。)及びその共役塩基基、N−アリ−ルスルホニルカルバモイル基(−CONHSO2Ar、Arはアリール基を表す。)及びその共役塩基基、アルコキシシリル基(−Si(OR)3、Rはアルキル基を表す。)、アリーロキシシリル基(−Si(OAr)3、Arはアリール基を表す。)、ヒドロキシシリル基(−Si(OH)3)及びその共役塩基基、ホスホノ基(−PO32)及びその共役塩基基(以下、「ホスホナト基」という。)、ジアルキルホスホノ基(−PO32、Rはアルキル基を表す。)、ジアリールホスホノ基(−PO3Ar2、Arはアリール基を表す。)、アルキルアリールホスホノ基(−PO3(R)(Ar)、Rはアルキル基、Arはアリール基を表す。)、モノアルキルホスホノ基(−PO3H(R)、Rはアルキル基を表す。)及びその共役塩基基(以下、「アルキルホスホナト基」という。)、モノアリールホスホノ基(−PO3H(Ar)、Arはアリール基を表す。)及びその共役塩基基(以下、「アリールホスホナト基」という。)、ホスホノオキシ基(−OPO32)及びその共役塩基基(以下、「ホスホナトオキシ基」という。)、ジアルキルホスホノオキシ基(−OPO32、Rはアルキル基を表す。)、ジアリールホスホノオキシ基(−OPO3Ar2、Arはアリール基を表す。)、アルキルアリールホスホノオキシ基(−OPO3(R)(Ar)、Rはアルキル基、Arはアリール基を表す。)、モノアルキルホスホノオキシ基(−OPO3H(R)、Rはアルキル基を表す。)及びその共役塩基基、モノアリールホスホノオキシ基(−OPO3H(Ar)、Arはアリール基を表す。)及びその共役塩基基、シアノ基、ニトロ基、アシル基(R10CO−;R10としては、水素原子を挙げることができ、また、前記R1〜R4、R5及びR6、並びにZ1及びZ2におけるアルキル基、前記アルキル基の置換基として挙げたアリール基、同アルケニル基、同アルキニル基等と同様のものを挙げることができる。)等が挙げられる。
The trimethine group and the pentamethine group in Q may have a substituent, and as the substituent, a monovalent nonmetallic atomic group excluding hydrogen is used. Preferable examples include an alkyl group, aryl group, alkenyl group and alkynyl group which may have a substituent. Specific examples of the alkyl group and aryl group, wherein R 1 ~R 4, R 5 and R 6, and the alkyl group in Z 1 and Z 2, wherein R 1 to R 4, the aryl group in Z 1 and Z 2 The example given as is preferred. Examples of the alkenyl group include a vinyl group, a phenyl vinyl group, a dialkylaminophenyl vinyl group, a 1-propenyl group, a 1-butenyl group, a cinnamyl group, and a 2-chloro-1-ethenyl group. Examples of the alkynyl group include ethynyl group, 1-propynyl group, 1-butynyl group, trimethylsilylethynyl group, phenylethynyl group and the like.
Further, as preferred examples of the substituent for Q, a halogen atom (-F, -Br, -C1, -I), hydroxyl group, alkoxy group, aryloxy group, mercapto group, alkylthio group, arylthio group, alkyldithio group, aryldithio Group, amino group, N-alkylamino group, N, N-dialkylamino group, N-arylamino group, N, N-diarylamino group, N-alkyl-N-arylamino group, acyloxy group, carbamoyloxy group, N-alkylcarbamoyloxy group, N-arylcarbamoyloxy group, N, N-dialkylcarbamoyloxy group, N, N-diarylcarbamoyloxy group, N-alkyl-N-arylcarbamoyloxy group, alkylsulfoxy group, arylsulfo Xyl group, acylthio group, acylamino group, N-a Killacylamino group, N-arylacylamino group, ureido group, N′-alkylureido group, N ′, N′-dialkylureido group, N′-arylureido group, N ′, N′-diarylureido group, N '-Alkyl-N'-arylureido group, N-alkylureido group, N-arylureido group, N'-alkyl-N-alkylureido group, N'-alkyl-N-arylureido group, N', N '-Dialkyl-N-alkylureido group, N', N'-dialkyl-N-arylureido group, N'-aryl-N-alkylureido group, N'-aryl-N-arylureido group, N ', N '-Diaryl-N-alkylureido group, N', N'-diaryl-N-arylureido group, N'-alkyl-N'-aryl-N-alkylureido group, N'-alkyl-N '-Aryl-N-arylureido group, alkoxycarbonylamino group, aryloxycarbonylamino group, N-alkyl-N-alkoxycarbonylamino group, N-alkyl-N-aryloxycarbonylamino group, N-aryl-N- Alkoxycarbonylamino group, N-aryl-N-aryloxycarbonylamino group, formyl group, carboxyl group, and its conjugate base group, alkoxycarbonyl group, aryloxycarbonyl group, carbamoyl group, N-alkylcarbamoyl group, N, N -Dialkylcarbamoyl group, N-arylcarbamoyl group, N, N-diarylcarbamoyl group, N-alkyl-N-arylcarbamoyl group, alkylsulfinyl group, arylsulfinyl group, alkylsulfonyl group, arylsulfonyl group, A sulfo group (—SO 3 H) and its conjugate base (hereinafter referred to as “sulfonato group”). ), Alkoxysulfonyl group, aryloxysulfonyl group, sulfinamoyl group, N-alkylsulfinamoyl group, N, N-dialkylsulfinamoyl group, N-arylsulfinamoyl group, N, N-diarylsulfinamoyl group, N-alkyl-N-arylsulfinamoyl group, sulfamoyl group, N-alkylsulfamoyl group, N, N-dialkylsulfamoyl group, N-arylsulfamoyl group, N, N-diarylsulfamoyl group , N- alkyl -N- arylsulfamoyl group, N- acylsulfamoyl group and a conjugate base group, N- alkylsulfonylsulfamoyl group (representing -SO 2 NHSO 2 R, R is an alkyl group.) and a conjugated base group, N- aryl sulfonylsulfamoyl group (-SO 2 NHSO 2 A , Ar represents an aryl group) and a conjugated base group, N- alkylsulfonylcarbamoyl group (-CONHSO 2 R, R represents an alkyl group) and a conjugated base group, N- ants -.. Rusuru Honi carbamoyl group ( —CONHSO 2 Ar, Ar represents an aryl group) and its conjugate base group, alkoxysilyl group (—Si (OR) 3 , R represents an alkyl group), aryloxysilyl group (—Si (OAr) 3 , Ar represents an aryl group), a hydroxysilyl group (—Si (OH) 3 ) and its conjugate base group, a phosphono group (—PO 3 H 2 ) and its conjugate base group (hereinafter referred to as “phosphonate group”). ), dialkylphosphono group (-PO 3 R 2, R represents an alkyl group.), diarylphosphono group (-PO 3 Ar 2, Ar represents an aryl group.), alkyl Riruhosuhono group (-PO 3 (R) (Ar ), R is an alkyl group, Ar represents an aryl group.), Monoalkyl phosphono group (-PO 3 H (R), R represents an alkyl group.) And Its conjugated base group (hereinafter referred to as “alkylphosphonate group”), monoarylphosphono group (—PO 3 H (Ar), Ar represents an aryl group) and its conjugated base group (hereinafter referred to as “arylphosphonate”). Nato group ”), phosphonooxy group (—OPO 3 H 2 ) and its conjugate base group (hereinafter referred to as“ phosphonatoxy group ”), dialkylphosphonooxy group (—OPO 3 R 2 , R represents an alkyl group) ), A diarylphosphonooxy group (—OPO 3 Ar 2 , Ar represents an aryl group). ), An alkylarylphosphonooxy group (—OPO 3 (R) (Ar), R represents an alkyl group, Ar represents an aryl group), a monoalkylphosphonooxy group (—OPO 3 H (R), R is Represents an alkyl group) and its conjugate base group, monoarylphosphonooxy group (—OPO 3 H (Ar), Ar represents an aryl group) and its conjugate base group, cyano group, nitro group, acyl group ( R 10 CO—; R 10 may include a hydrogen atom, R 1 to R 4 , R 5 and R 6 , an alkyl group in Z 1 and Z 2, and a substituent for the alkyl group Examples thereof include the same aryl groups, alkenyl groups, and alkynyl groups mentioned above.

上記置換基中において、Rで表されるアルキル基の具体例としては、前記R1〜R4、R5及びR6、並びにZ1及びZ2におけるアルキル基と同様のものが挙げられ、またArで表されるアリール基の具体例としては、前記アルキル基の置換基として挙げたアリール基と同様のものが挙げられる。 In the above substituents, specific examples of the alkyl group represented by R include those similar to the alkyl groups in R 1 to R 4 , R 5 and R 6 , and Z 1 and Z 2 . Specific examples of the aryl group represented by Ar include the same aryl groups listed as substituents for the alkyl group.

これら置換基のうち、更に好ましいものとしては、アルキル基、アリール基、アルケニル基、ハロゲン原子(−F、−Br、−C1、−I)、アルコキシ基、ヒドロキシル基、アリーロキシ基、アルキルチオ基、アリールチオ基、N−アルキルアミノ基、N,N−ジアルキルアミノ基、アシルオキシ基、N−アルキルカルバモイルオキシ基、N−アリールカルバモイルオキシ基、アシルアミノ基、ホルミル基、カルボキシル基、アルコキシカルボニル基、アリーロキシカルボニル基、カルバモイル基、N−アルキルカルバモイル基、N,N−ジアルキルカルバモイル基、N−アリールカルバモイル基、N−アルキル−N−アリールカルバモイル基、スルホ基、スルホナト基、スルファモイル基、N−アルキルスルファモイル基、N,N−ジアルキルスルファモイル基、N−アリールスルファモイル基、N−アルキル−N−アリールスルファモイル基、ホスホノ基、ホスホナト基、ジアルキルホスホノ基、ジアリールホスホノ基、モノアルキルホスホノ基、アルキルホスホナト基、モノアリールホスホノ基、アリールホスホナト基、ホスホノオキシ基、ホスホナトオキシ基、アシル基等を挙げることができる。   Among these substituents, more preferred are an alkyl group, an aryl group, an alkenyl group, a halogen atom (-F, -Br, -C1, -I), an alkoxy group, a hydroxyl group, an aryloxy group, an alkylthio group, an arylthio group. Group, N-alkylamino group, N, N-dialkylamino group, acyloxy group, N-alkylcarbamoyloxy group, N-arylcarbamoyloxy group, acylamino group, formyl group, carboxyl group, alkoxycarbonyl group, aryloxycarbonyl group , Carbamoyl group, N-alkylcarbamoyl group, N, N-dialkylcarbamoyl group, N-arylcarbamoyl group, N-alkyl-N-arylcarbamoyl group, sulfo group, sulfonate group, sulfamoyl group, N-alkylsulfamoyl group , N, N-dia Killsulfamoyl group, N-arylsulfamoyl group, N-alkyl-N-arylsulfamoyl group, phosphono group, phosphonato group, dialkylphosphono group, diarylphosphono group, monoalkylphosphono group, alkylphosphonato Group, monoarylphosphono group, arylphosphonate group, phosphonooxy group, phosphonatoxy group, acyl group and the like.

また、Qは、メチン鎖に導入された置換基である2価の有機基、例えばアルキレン基、アルケニレン基等とともに環を形成してもよく、形成される環としては、原子数(水素原子を除く)が4〜7の環が挙げられる。形成した環は置換基を有していてもよく、該置換基としては前記Qにおける置換基と同様のものが挙げられる。   Q may form a ring together with a divalent organic group that is a substituent introduced into the methine chain, such as an alkylene group or an alkenylene group. Except for 4) to 7). The formed ring may have a substituent, and examples of the substituent include those similar to the substituent in Q.

前記一般式(I)において、X-はカウンターアニオンを表す。なお、分子内で電荷が
中和されている場合にはカウンターアニオンは存在しない。
カウンターアニオンとしては、例えば、式MYl -(MはB、P、As、Sb、Fe、Al、Sn、Zn、Ti、Cd、Mo、W、Zrから選択される原子であり、好ましくはB、P、As、Sbである。Yはハロゲン原子を表し、lは1〜6の整数である。)、或いは、式MYl-1(OH)-(式中、M、Y及びlは上記と同様である。)で表されるものの他、Br-、Cl-、I-、NO3 -等を挙げることができる。式MYl -で表される好ましいカウンターアニオンとしては、BF4 -、PF6 -、AsF6 -、SbF6 -等を挙げることができる。これらのうち特に好ましいものは、SbF6 -である。また、式MYl-1(OH)-で表される好ましいカウンターアニオンとしては、SbF5(OH)-等を挙げることができる。
In the general formula (I), X represents a counter anion. When the charge is neutralized in the molecule, there is no counter anion.
As the counter anion, for example, the formula MY 1 (M is an atom selected from B, P, As, Sb, Fe, Al, Sn, Zn, Ti, Cd, Mo, W, Zr, preferably B , P, As, Sb, Y represents a halogen atom, and l is an integer of 1 to 6, or the formula MY l-1 (OH) (wherein M, Y and l are the above In addition to those represented by (2), Br , Cl , I , NO 3 — and the like can be mentioned. Preferred counter anions represented by the formula MY l include BF 4 , PF 6 , AsF 6 , SbF 6 − and the like. Particularly preferred among these are, SbF 6 - is. Further, the formula MY l-1 (OH) - Preferred counter anion represented by, SbF 5 (OH) - can be exemplified.

更にその他のカウンターアニオンとしては、
1)過塩素酸塩イオン、
2)トリフルオロメチル亜硫酸イオン、
3)メタンスルホン酸イオン、
4)エタンスルホン酸イオン、
5)1−プロパンスルホン酸イオン、
6)2−プロパンスルホン酸イオン、
7)n−ブタンスルホン酸イオン、
8)アリルスルホン酸イオン、
9)10−カンファースルホン酸イオン、
10)トリフルオロメタンスルホン酸イオン、
11)ペンタフルオロエタンスルホン酸イオン、
12)ベンゼンスルホン酸イオン、
13)p−トルエンスルホン酸イオン、
14)3−メトキシベンゼンスルホン酸イオン、
15)4−メトキシベンゼンスルホン酸イオン、
16)4−ヒドロキシベンゼンスルホン酸イオン、
17)4−クロロベンゼンスルホン酸イオン、
18)3−ニトロベンゼンスルホン酸イオン、
19)4−ニトロベンゼンスルホン酸イオン、
20)4−アセチルベンゼンスルホン酸イオン、
21)ペンタフルオロベンゼンスルホン酸イオン、
22)4−ドデシルベンゼンスルホン酸イオン、
23)メシチレンスルホン酸イオン、
24)2,4,6−トリイソプロピルベンゼンスルホン酸イオン、
25)2−ヒドロキシ−4−メトキシベンゾフェノン−5−スルホン酸イオン、
26)イソフタル酸ジメチル−5−スルホン酸イオン、
27)ジフェニルアミン−4−スルホン酸イオン、
28)1−ナフタレンスルホン酸イオン、
29)2−ナフタレンスルホン酸イオン、
30)2−ナフトール−6−スルホン酸イオン、
31)2−ナフトール−7−スルホン酸イオン、
32)アントラキノン−1−スルホン酸イオン、
33)アントラキノン−2−スルホン酸イオン、
34)9,10−ジメトキシアントラセン−2−スルホン酸イオン、
35)9,10−ジエトキシアントラセン−2−スルホン酸イオン、
36)キノリン−8−スルホン酸イオン、
37)8−ヒドロキシキノリン−5−スルホン酸イオン、
38)8−アニリノ−ナフタレン−1−スルホン酸イオン
等が挙げられる。
Furthermore, as other counter anions,
1) perchlorate ion,
2) trifluoromethyl sulfite ion,
3) methanesulfonate ion,
4) ethane sulfonate ion,
5) 1-propanesulfonic acid ion,
6) 2-propanesulfonic acid ion,
7) n-butanesulfonic acid ion,
8) allyl sulfonate ion,
9) 10-camphorsulfonic acid ion,
10) trifluoromethanesulfonate ion,
11) pentafluoroethanesulfonic acid ion,
12) benzenesulfonate ion,
13) p-toluenesulfonic acid ion,
14) 3-methoxybenzenesulfonate ion,
15) 4-methoxybenzenesulfonate ion,
16) 4-hydroxybenzenesulfonate ion,
17) 4-chlorobenzenesulfonic acid ion,
18) 3-nitrobenzenesulfonate ion,
19) 4-nitrobenzenesulfonate ion,
20) 4-acetylbenzenesulfonate ion,
21) pentafluorobenzenesulfonate ion,
22) 4-dodecylbenzenesulfonate ion,
23) mesitylene sulfonate ion,
24) 2,4,6-triisopropylbenzenesulfonate ion,
25) 2-hydroxy-4-methoxybenzophenone-5-sulfonate ion,
26) Dimethyl-5-sulfonic acid ion of isophthalate,
27) Diphenylamine-4-sulfonate ion,
28) 1-naphthalenesulfonic acid ion,
29) 2-Naphthalenesulfonate ion,
30) 2-naphthol-6-sulfonate ion,
31) 2-naphthol-7-sulfonate ion,
32) Anthraquinone-1-sulfonate ion,
33) Anthraquinone-2-sulfonic acid ion,
34) 9,10-dimethoxyanthracene-2-sulfonic acid ion,
35) 9,10-diethoxyanthracene-2-sulfonic acid ion,
36) Quinoline-8-sulfonate ion,
37) 8-hydroxyquinoline-5-sulfonate ion,
38) 8-anilino-naphthalene-1-sulfonic acid ion and the like.

次に、前記一般式(I)で示される赤外線吸収剤の製造方法について説明する。前記一
般式(I)で示される赤外線吸収剤はJustus Liebigs Ann.Chem.623巻、1959
年、204〜216頁、Ukr.Khim.Zh.22巻、1956年、347〜348頁、Chem.Heterocycl.Compd.18巻、1982年、334〜336頁、J.Heterocycl.Chem.25巻、1988年、1321〜1325頁、特開昭60−231766号公報等に記載されている公知の代表的な合成法で合成することができる。以下に合成例を挙げる。
Next, a method for producing the infrared absorbent represented by the general formula (I) will be described. The infrared absorbent represented by the general formula (I) is justus Liebigs Ann. Chem. 623, 1959
Years 204-216, Ukr. Khim. Zh. 22, 1956, pp. 347-348, Chem. Heterocycl. Compd. 18, 1982, 334-336; Heterocycl. Chem. 25, 1988, pp. 1321-1325, and Japanese Laid-Open Patent Publication No. 60-231766. Synthesis examples are given below.

合成例1(IR−5の合成)
(1)4−N,N−ジエチルアミノベンズアルデヒド50.8g及びシクロペンタノン12.1gを200mlのエタノールに溶解させた後、10%の水酸化ナトリウム水溶液31gを加え、40℃〜50℃で攪拌下に8時間反応させ、析出した結晶を濾別し、80mlのエタノール及び200mlの水で洗浄し乾燥して、2,5−ビス(4−N,N−ジエチルアミノベンジリデン)シクロペンタノンの橙色結晶を52.5g得た。
(2)2,5−ビス(4−N,N−ジエチルアミノベンジリデン)シクロペンタノン12.1gを100gのテトラヒドロフルフリルアルコール及び150gのテトラヒドロフランの混合溶媒に溶解させ、1.1gの水素化ホウ素ナトリウムを加え、30℃〜45℃で8時間反応させた後、5.5gの48%テトラフルオロホウ酸と酢酸30gの混合液を室温で注ぎ込み、析出した暗緑色結晶を濾取し、水洗し乾燥して、赤外線吸収剤IR−5を5.5g得た。
Synthesis Example 1 (Synthesis of IR-5)
(1) After dissolving 50.8 g of 4-N, N-diethylaminobenzaldehyde and 12.1 g of cyclopentanone in 200 ml of ethanol, 31 g of 10% aqueous sodium hydroxide solution was added, and the mixture was stirred at 40 ° C. to 50 ° C. For 8 hours, the precipitated crystals were filtered off, washed with 80 ml of ethanol and 200 ml of water and dried to give 2,5-bis (4-N, N-diethylaminobenzylidene) cyclopentanone orange crystals. 52.5 g was obtained.
(2) 1,5-bis (4-N, N-diethylaminobenzylidene) cyclopentanone 12.1 g was dissolved in a mixed solvent of 100 g of tetrahydrofurfuryl alcohol and 150 g of tetrahydrofuran, and 1.1 g of sodium borohydride The mixture was reacted at 30 ° C. to 45 ° C. for 8 hours, and then 5.5 g of a 48% tetrafluoroboric acid and acetic acid 30 g mixture was poured at room temperature, and the precipitated dark green crystals were collected by filtration, washed with water and dried. As a result, 5.5 g of infrared absorber IR-5 was obtained.

合成例2(IR−18の合成)
(1)2−(N−エチルアニリノ)エタノール51.8g及びトリエチルアミン31.7gを300mlのアセトンに溶解させた後、氷水で反応液を冷却しながらアセチルクロリド25gをゆっくり加え、室温で攪拌下に6時間反応させ、200mlの水を注ぎ込んだ。酢酸エチルで有機層を抽出し、硫酸ナトリウムで乾燥した後、溶媒を減圧留去して、2−(N−エチルアニリノ)エチルアセテート64.9gを得た。
(2)ジメチルホルムアミド26.6gに、氷冷下塩化ホスホリル55.8gを加えた後、2−(N−エチルアニリノ)エチルアセテート63.0gとジメチルホルムアミド40mlの溶液を室温でゆっくり加え、室温で攪拌下に6時間反応させ、酢酸ナトリウム150gの水溶液に氷冷下に注ぎ込んだ。有機層を酢酸エチルで抽出し、溶媒を減圧留去した後に、シリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し、2−(エチル(4−ホルミルフェニル)アミノ)エチルアセテート60.2gを得た。
(3)4−N,N−ジエチルアミノベンズアルデヒド51.0g、シクロペンタノン72.7g、85%水酸化カリウムペレット19.0g及び水450mlの混合物を25時間加熱還流させた後、過剰のシクロペンタノンを常法により留去し、析出した結晶を濾別し、エタノールで再結晶しその後乾燥して、2−(4−(ジエチルアミノ)ベンジリデン)シクロペンタノンの橙色結晶を45.5g得た。
(4)2−(エチル(4−ホルミルフェニル)アミノ)エチルアセテート40.5g及び2−(4−(ジエチルアミノ)ベンジリデン)シクロペンタノン41.8gを120mlのエタノールに溶解させた後、10%の水酸化ナトリウム水溶液19gを加え、40℃〜50℃で攪拌下に6時間反応させ、析出した結晶を濾別し、50mlのエタノール及び150mlの水で洗浄し乾燥して、2−(4−(ジエチルアミノ)ベンジリデン)−5−(4−(エチル(2−ヒドロキシエチル)アミノ)ベンジリデン)シクロペンタノンの橙色結晶を38.5g得た。
(5)2−(4−(ジエチルアミノ)ベンジリデン)−5−(4−(エチル(2−ヒドロキシエチル)アミノ)ベンジリデン)シクロペンタノン10.5gを、100gのテトラヒドロフルフリルアルコール及び150gのテトラヒドロフランの混合溶媒に溶解させ、1.1gの水素化ホウ素ナトリウムを加え、30℃〜45℃で8時間反応させた後、4.2gの60%過塩素酸と酢酸3gの混合液を室温で注ぎ込み、析出した暗緑色結晶を濾取し、水洗し乾燥して、赤外線吸収剤IR−18を4.3g得た。
Synthesis Example 2 (Synthesis of IR-18)
(1) After dissolving 51.8 g of 2- (N-ethylanilino) ethanol and 31.7 g of triethylamine in 300 ml of acetone, 25 g of acetyl chloride was slowly added while cooling the reaction solution with ice water, and the mixture was stirred at room temperature for 6 hours. The reaction was continued for a period of time and 200 ml of water was poured. The organic layer was extracted with ethyl acetate and dried over sodium sulfate, and then the solvent was distilled off under reduced pressure to obtain 64.9 g of 2- (N-ethylanilino) ethyl acetate.
(2) After adding 55.8 g of phosphoryl chloride to 26.6 g of dimethylformamide under ice-cooling, a solution of 63.0 g of 2- (N-ethylanilino) ethyl acetate and 40 ml of dimethylformamide was slowly added at room temperature and stirred at room temperature. The mixture was allowed to react for 6 hours, and poured into an aqueous solution of 150 g of sodium acetate under ice cooling. The organic layer was extracted with ethyl acetate, the solvent was distilled off under reduced pressure, and the residue was purified by silica gel column chromatography to obtain 60.2 g of 2- (ethyl (4-formylphenyl) amino) ethyl acetate.
(3) A mixture of 51.0 g of 4-N, N-diethylaminobenzaldehyde, 72.7 g of cyclopentanone, 19.0 g of 85% potassium hydroxide pellets and 450 ml of water was heated to reflux for 25 hours and then excess cyclopentanone. Was distilled off by a conventional method, and the precipitated crystals were separated by filtration, recrystallized with ethanol and then dried to obtain 45.5 g of orange crystals of 2- (4- (diethylamino) benzylidene) cyclopentanone.
(4) After dissolving 40.5 g of 2- (ethyl (4-formylphenyl) amino) ethyl acetate and 41.8 g of 2- (4- (diethylamino) benzylidene) cyclopentanone in 120 ml of ethanol, 10% 19 g of an aqueous sodium hydroxide solution was added, and the mixture was reacted at 40 ° C. to 50 ° C. with stirring for 6 hours. The precipitated crystals were separated by filtration, washed with 50 ml of ethanol and 150 ml of water, dried, and 2- (4- ( 38.5 g of orange crystals of diethylamino) benzylidene) -5- (4- (ethyl (2-hydroxyethyl) amino) benzylidene) cyclopentanone were obtained.
(5) 2- (4- (diethylamino) benzylidene) -5- (4- (ethyl (2-hydroxyethyl) amino) benzylidene) cyclopentanone (10.5 g) was added to 100 g of tetrahydrofurfuryl alcohol and 150 g of tetrahydrofuran. After dissolving in a mixed solvent and adding 1.1 g of sodium borohydride and reacting at 30 ° C. to 45 ° C. for 8 hours, a mixture of 4.2 g of 60% perchloric acid and 3 g of acetic acid is poured at room temperature, The precipitated dark green crystals were collected by filtration, washed with water and dried to obtain 4.3 g of infrared absorber IR-18.

合成例3(IR−30の合成)
(1)4−(ジメチルアミノ)ベンゾフェノンフェノン49.6gをテトラヒドロフラン120mlに溶解させ、臭化メチルマグネシウムの1Nテトラヒドロフラン溶液250mlに氷冷しながら加え、反応溶液を1時間加熱還流させた後、塩化アンモニウム水溶液を加え、常法により処理をしてアルコール中間体を得た。引き続き、得られたアルコール中間体を無水酢酸200mlに溶解させ、2時間還流させた後に、溶媒を減圧留去してジメチル(4−(1−フェニルビニル)フェニル)アミン39gを得た。
(2)ジメチル(4−(1−フェニルビニル)フェニル)アミン28gと、4−ジメチルアミノけい皮アルデヒド22gを、無水酢酸200mlに溶解させ、3時間還流させた後に、反応液を室温まで冷却して、70%過塩素酸11mlと酢酸600mlの混合物をゆっくり加え、再び10分間還流させた。反応液を冷却し、水600mlを加え析出物を濾別し、水洗した後にエタノールと水との混合溶媒で再結晶し、赤外線吸収剤IR−30を12g得た。
Synthesis Example 3 (Synthesis of IR-30)
(1) 49.6 g of 4- (dimethylamino) benzophenonephenone was dissolved in 120 ml of tetrahydrofuran, added to 250 ml of 1N tetrahydrofuran solution of methylmagnesium bromide with ice cooling, and the reaction solution was heated to reflux for 1 hour, then ammonium chloride. An aqueous solution was added, and the mixture was treated by a conventional method to obtain an alcohol intermediate. Subsequently, the obtained alcohol intermediate was dissolved in 200 ml of acetic anhydride and refluxed for 2 hours, and then the solvent was distilled off under reduced pressure to obtain 39 g of dimethyl (4- (1-phenylvinyl) phenyl) amine.
(2) 28 g of dimethyl (4- (1-phenylvinyl) phenyl) amine and 22 g of 4-dimethylaminocinnamic aldehyde are dissolved in 200 ml of acetic anhydride and refluxed for 3 hours, and then the reaction solution is cooled to room temperature. Then, a mixture of 11 ml of 70% perchloric acid and 600 ml of acetic acid was slowly added and refluxed again for 10 minutes. The reaction mixture was cooled, 600 ml of water was added, the precipitate was filtered off, washed with water and then recrystallized with a mixed solvent of ethanol and water to obtain 12 g of infrared absorber IR-30.

合成例4(IR−46の合成)
(1)4−N,N−ジメチルアミノベンズアルデヒド42.8g及びシクロヘキサノン14.1gを200mlのエタノールに溶解させた後に、10%の水酸化ナトリウム水溶液31gを加え、40℃〜50℃で攪拌下に7時間反応させ、析出した結晶を濾別し、80mlのエタノール及び200mlの水で洗浄し乾燥して、2,6−ビス(4−N,N−ジメチルアミノベンジリデン)シクロヘキサノンの橙色結晶を47.2g得た。
(2)2,6−ビス(4−N,N−ジメチルアミノベンジリデン)シクロヘキサノン9.0gを100gのテトラヒドロフルフリルアルコール及び150gのテトラヒドロフランの混合溶媒に溶解させ、1.1gの水素化ホウ素ナトリウムを加え、30℃〜45℃で8時間反応させた後、p−トルエンスルホン酸−水和物4.8g、酢酸30g及び水35mlの混合液を室温で注ぎ込み、析出した暗緑色の結晶を濾取し、水洗し乾燥して。赤外線吸収剤IR−46を4.3g得た。
Synthesis Example 4 (Synthesis of IR-46)
(1) After dissolving 42.8 g of 4-N, N-dimethylaminobenzaldehyde and 14.1 g of cyclohexanone in 200 ml of ethanol, 31 g of 10% aqueous sodium hydroxide solution was added, and the mixture was stirred at 40-50 ° C. The mixture was allowed to react for 7 hours, and the precipitated crystals were filtered off, washed with 80 ml of ethanol and 200 ml of water and dried to give orange crystals of 2,6-bis (4-N, N-dimethylaminobenzylidene) cyclohexanone. 2 g was obtained.
(2) 9.0 g of 2,6-bis (4-N, N-dimethylaminobenzylidene) cyclohexanone was dissolved in a mixed solvent of 100 g of tetrahydrofurfuryl alcohol and 150 g of tetrahydrofuran, and 1.1 g of sodium borohydride was dissolved. In addition, after reacting at 30 ° C. to 45 ° C. for 8 hours, a mixture of 4.8 g of p-toluenesulfonic acid hydrate, 30 g of acetic acid and 35 ml of water was poured at room temperature, and the precipitated dark green crystals were collected by filtration. Wash with water and dry. 4.3g of infrared absorber IR-46 was obtained.

以下に、上記一般式(I)で示される赤外線吸収剤の具体例を挙げるが、本発明の赤外
線吸収剤はこれらの具体例に限定されるものではない。
Specific examples of the infrared absorbent represented by the general formula (I) are given below, but the infrared absorbent of the present invention is not limited to these specific examples.

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これらの赤外線吸収剤は、最上層の全固形分に対して0.01〜50質量%、好ましくは0.1〜20質量%、より好ましくは0.5〜15質量%の割合で添加することができる。添加量が0.01質量%より少ないとこの画像記録層において画像を形成することができず、50質量%を超えて添加すると、非画像部に汚れを生じる虞がある。
本発明においては、このような赤外線吸収剤を使用したことにより、現像液溶解性に優れ、また、最上層への添加量を少なくしても良好な画像形成性を発現する。
These infrared absorbers are added in a proportion of 0.01 to 50% by mass, preferably 0.1 to 20% by mass, more preferably 0.5 to 15% by mass, based on the total solid content of the uppermost layer. Can do. If the addition amount is less than 0.01% by mass, an image cannot be formed in this image recording layer. If the addition amount exceeds 50% by mass, the non-image area may be stained.
In the present invention, by using such an infrared absorber, the solubility of the developer is excellent, and good image forming properties are exhibited even if the amount added to the uppermost layer is reduced.

本発明における最上層には、この赤外線吸収剤に加えて、画像形成性を向上させる目的で他の赤外線吸収性を有する顔料或いは染料を添加することができる。顔料としては、市販の顔料、及びカラーインデックス(C.I.)便覧、「最新顔料便覧」(日本顔料技術協会編、1977年刊)、「最新顔料応用技術」(CMC出版、1986年刊)、「印刷インキ技術」CMC出版、1984年刊)に記載されている顔料等、公知の顔料が利用できる。   In addition to the infrared absorber, other pigments or dyes having infrared absorptivity can be added to the uppermost layer in the present invention for the purpose of improving image forming properties. Examples of pigments include commercially available pigments, Color Index (CI) Handbook, “Latest Pigment Handbook” (edited by the Japan Pigment Technology Association, published in 1977), “Latest Pigment Applied Technology” (published by CMC, published in 1986), “ Known pigments such as those described in “Printing Ink Technology”, published by CMC Publishing, 1984) can be used.

顔料の種類としては、黒色顔料、黄色顔料、オレンジ色顔料、褐色顔料、赤色顔料、紫色顔料、青色顔料、緑色顔料、蛍光顔料、金属粉顔料、ポリマー結合色素等が挙げられる。具体的には、不溶性アゾ顔料、アゾレーキ顔料、縮合アゾ顔料、キレートアゾ顔料、フタロシアニン系顔料、アントラキノン系顔料、ペリレン及びペリノン系顔料、チオインジゴ系顔料、キナクリドン系顔料、ジオキサジン系顔料、イソインドリノン系顔料、キノフタロン系顔料、染付けレーキ顔料、アジン顔料、ニトロソ顔料、ニトロ顔料、天然顔料、蛍光顔料、無機顔料、カーボンブラック等が使用できる。   Examples of the pigment include black pigments, yellow pigments, orange pigments, brown pigments, red pigments, purple pigments, blue pigments, green pigments, fluorescent pigments, metal powder pigments, and polymer-bound pigments. Specifically, insoluble azo pigments, azo lake pigments, condensed azo pigments, chelate azo pigments, phthalocyanine pigments, anthraquinone pigments, perylene and perinone pigments, thioindigo pigments, quinacridone pigments, dioxazine pigments, isoindolinone pigments In addition, quinophthalone pigments, dyed lake pigments, azine pigments, nitroso pigments, nitro pigments, natural pigments, fluorescent pigments, inorganic pigments, carbon black, and the like can be used.

これら顔料は表面処理を施して用いてもよく、表面処理の方法には樹脂やワックスを表面コートする方法、界面活性剤を付着させる方法、反応性物質(例えば、シランカップリング剤やエポキシ化合物、ポリイソシアネート等)を顔料表面に結合させる方法等が考えられる。上記の表面処理方法は、「金属石鹸の性質と応用」(幸書房)、「印刷インキ技術」(CMC出版、1984年刊)及び「最新顔料応用技術」(CMC出版、1986年刊)に記載されている。   These pigments may be used after being subjected to a surface treatment, such as a method of surface coating with a resin or wax, a method of attaching a surfactant, a reactive substance (for example, a silane coupling agent or an epoxy compound, A method of bonding a polyisocyanate or the like) to the pigment surface is conceivable. The above-mentioned surface treatment methods are described in “Characteristics and Applications of Metal Soap” (Shobobo), “Printing Ink Technology” (CMC Publishing, 1984) and “Latest Pigment Application Technology” (CMC Publishing, 1986). Yes.

顔料の粒径は0.01μm〜10μmの範囲にあることが好ましく、0.05μm〜1μmの範囲にあることが更に好ましく、特に0.1μm〜1μmの範囲にあることが好ましい。顔料の粒径が0.01μm未満のときは分散物の画像記録層塗布液中での安定性の点で好ましくなく、また、10μmを越えると画像記録層の均一性の点で好ましくない。顔料を分散する方法としては、インク製造やトナー製造等に用いられる公知の分散技術が使用できる。分散機としては、超音波分散器、サンドミル、アトライター、パールミル、スーパーミル、ボールミル、インペラー、デスパーザー、KDミル、コロイドミル、ダイナトロン、3本ロールミル、加圧ニーダー等が挙げられる。詳細は、「最新顔料応用技術」(CMC出版、1986年刊)に記載がある。   The particle size of the pigment is preferably in the range of 0.01 μm to 10 μm, more preferably in the range of 0.05 μm to 1 μm, and particularly preferably in the range of 0.1 μm to 1 μm. When the particle diameter of the pigment is less than 0.01 μm, it is not preferable from the viewpoint of stability of the dispersion in the image recording layer coating solution, and when it exceeds 10 μm, it is not preferable from the viewpoint of uniformity of the image recording layer. As a method for dispersing the pigment, a known dispersion technique used in ink production, toner production, or the like can be used. Examples of the disperser include an ultrasonic disperser, a sand mill, an attritor, a pearl mill, a super mill, a ball mill, an impeller, a disperser, a KD mill, a colloid mill, a dynatron, a three-roll mill, and a pressure kneader. Details are described in "Latest Pigment Applied Technology" (CMC Publishing, 1986).

染料としては、市販の染料、「染料便覧」(有機合成化学協会編集、昭和45年刊)に記載されている染料等、公知のものが利用できる。具体的には、アゾ染料、金属錯塩アゾ染料、ピラゾロンアゾ染料、アントラキノン染料、フタロシアニン染料、カルボニウム染料、キノンイミン染料、メチン染料、シアニン染料、ジイモニウム染料、アミニウム染料等が挙げられる。本発明において、赤外光若しくは近赤外光を発光するレーザによって画像形成する場合、これらの顔料、若しくは染料のうち赤外光、若しくは近赤外光を吸収するものが特に好ましい。   As the dye, known dyes such as commercially available dyes and dyes described in “Dye Handbook” (edited by the Society for Synthetic Organic Chemistry, published in 1970) can be used. Specific examples include azo dyes, metal complex azo dyes, pyrazolone azo dyes, anthraquinone dyes, phthalocyanine dyes, carbonium dyes, quinoneimine dyes, methine dyes, cyanine dyes, diimonium dyes, and aminium dyes. In the present invention, when an image is formed by a laser that emits infrared light or near infrared light, among these pigments or dyes, those that absorb infrared light or near infrared light are particularly preferable.

このような赤外光、若しくは近赤外光を吸収する顔料としてはカーボンブラックが好適に用いられる。また、赤外光、若しくは近赤外光を吸収する染料としては例えば特開昭58−125246号、特開昭59−84356号、特開昭59−202829号、特開昭60−78787号等公報に記載されているシアニン染料、特開昭58−173696号、特開昭58−181690号、特開昭58−194595号等公報に記載されているメチン染料、特開昭58−112793号、特開昭58−224793号、特開昭59−48187号、特開昭59−73996号、特開昭60−52940号、特開昭60−63744号等公報に記載されているナフトキノン染料、特開昭58−112792号等公報に記載されているスクワリリウム色素、英国特許434,875号明細書記載のシアニン染料、米国特許5,380,635号明細書に記載のジヒドロペリミジンスクアリリウム染料等を挙げることができる。   Carbon black is preferably used as a pigment that absorbs such infrared light or near infrared light. Examples of dyes that absorb infrared light or near infrared light include, for example, JP-A-58-125246, JP-A-59-84356, JP-A-59-202829, and JP-A-60-78787. Cyanine dyes described in JP-A-58-173696, JP-A-58-181690, JP-A-58-194595, etc., methine dyes described in JP-A-58-112793, Naphthoquinone dyes described in JP-A-58-224793, JP-A-59-48187, JP-A-59-73996, JP-A-60-52940, JP-A-60-63744, etc. Squaryllium dyes described in JP-A-58-112792, etc., cyanine dyes described in British Patent 434,875, US Pat. No. 5,380,635 Dihydroperimidine squarylium dyes described can be mentioned.

また、染料として米国特許第5,156,938号明細書記載の近赤外線吸収増感剤も好適に用いられ、また、米国特許第3,881,924号明細書記載の置換されたアリールベンゾ(チオ)ピリリウム塩、特開昭57−142645号公報(米国特許第4,327,169号明細書)記載のトリメチンチアピリリウム塩、特開昭58−181051号、同58−220143号、同59−41363号、同59−84248号、同59−84249号、同59−146063号、同59−146061号等公報に記載されているピリリウム系化合物、特開昭59−216146号公報記載のシアニン色素、米国特許第4,283,475号明細書に記載のペンタメチンチオピリリウム塩等や特公平5−13514号、同5−19702号等公報に開示されているピリリウム化合物、Epolight III−178、Epolight III−130、Epolight III−125、Epolight IV−62A等は特に好ましく用いられる。また、染料として特に好ましい別の例として米国特許第4,756,993号明細書中に式(I)、(II)として記載されている近赤外線吸収染料を挙げることができる。   Further, near-infrared absorption sensitizers described in US Pat. No. 5,156,938 are also preferably used as dyes, and substituted arylbenzos described in US Pat. No. 3,881,924 ( Thio) pyrylium salts, trimethine thiapyrylium salts described in JP-A-57-142645 (US Pat. No. 4,327,169), JP-A-58-181051, 58-220143, 59 No. 41363, 59-84248, 59-84249, 59-146063, 59-146061, and the like, and cyanine dyes described in JP-A-59-216146 And pentamethine thiopyrylium salt described in US Pat. No. 4,283,475, and Japanese Patent Publication Nos. 5-13514 and 5-19702. Pyrylium compounds disclosed in JP, Epolight III-178, Epolight III-130, Epolight III-125, Epolight IV-62A and the like are particularly preferably used. Another particularly preferable example of the dye includes near-infrared absorbing dyes described as formulas (I) and (II) in US Pat. No. 4,756,993.

これらの顔料若しくは染料は、感度と画像記録層の均一性、耐久性の観点から、最上層全固形分に対し0.01〜50質量%が好ましく、0.1〜10質量%がより好ましく、染料の場合特に0.5〜10質量%が好ましい。また、顔料の場合特に3.1〜10質量%が好ましい。   These pigments or dyes are preferably 0.01 to 50% by mass, more preferably 0.1 to 10% by mass, based on the total solid content of the uppermost layer, from the viewpoints of sensitivity, uniformity of the image recording layer, and durability. In the case of a dye, 0.5 to 10% by mass is particularly preferable. In the case of a pigment, 3.1 to 10% by mass is particularly preferable.

なお、一般式(I)で表される赤外線吸収剤と、上記他の赤外線吸収剤を併用する場合には、全赤外線吸収剤中における一般式(I)で表される赤外線吸収剤の使用量は1〜99質量%であることが好ましく、5〜95質量%であることがより好ましく、10〜90質量%であることが特に好ましい。   In addition, when using together the infrared absorber represented by general formula (I), and said other infrared absorber, the usage-amount of the infrared absorber represented by general formula (I) in all the infrared absorbers Is preferably 1 to 99% by mass, more preferably 5 to 95% by mass, and particularly preferably 10 to 90% by mass.

〔アルカリ可溶性樹脂〕
本発明の画像形成材料における最上層には、前記赤外線吸収剤の他、水不溶性且つアルカリ可溶性の樹脂(以下、単に「アルカリ可溶性樹脂」という。)が含有される。
上記アルカリ可溶性樹脂としては、樹脂中の主鎖及び/又は側鎖に酸性基を含有した樹脂を用いることができる。
ここで、上記酸性基としては、下記(1)〜(6)に挙げる酸性基が、耐現像性、アルカリ水溶液に対する溶解性の点で好ましい。
[Alkali-soluble resin]
The uppermost layer in the image forming material of the present invention contains a water-insoluble and alkali-soluble resin (hereinafter simply referred to as “alkali-soluble resin”) in addition to the infrared absorber.
As the alkali-soluble resin, a resin containing an acidic group in the main chain and / or side chain in the resin can be used.
Here, as the acidic group, acidic groups listed in the following (1) to (6) are preferable in terms of development resistance and solubility in an alkaline aqueous solution.

(1)フェノール基(−Ar−OH)
(2)スルホンアミド基(−SO2NH−R)
(3)置換スルホンアミド系酸基(以下、「活性イミド基」という。)
(−SO2NHCOR、−SO2NHSO2R、−CONHSO2R)
(4)カルボン酸基(−CO2H)
(5)スルホン酸基(−SO3H)
(6)リン酸基(−OPO32
(1) Phenol group (-Ar-OH)
(2) Sulfonamide group (—SO 2 NH—R)
(3) Substituted sulfonamide acid group (hereinafter referred to as “active imide group”)
(—SO 2 NHCOR, —SO 2 NHSO 2 R, —CONHSO 2 R)
(4) Carboxylic acid group (—CO 2 H)
(5) Sulfonic acid group (—SO 3 H)
(6) Phosphate group (—OPO 3 H 2 )

上記(1)〜(6)中、Arは置換基を有していてもよい2価のアリール連結基を表し、Rは水素原子、又は置換基を有していてもよい炭化水素基を表す。   In the above (1) to (6), Ar represents a divalent aryl linking group which may have a substituent, and R represents a hydrogen atom or a hydrocarbon group which may have a substituent. .

上記(1)〜(6)より選ばれる酸性基を有するアルカリ可溶性樹脂の中でも、(1)フェノール基、(2)スルホンアミド基及び(3)活性イミド基を有するアルカリ可溶性樹脂が好ましく、特に、(1)フェノール基又は(2)スルホンアミド基を有するアルカリ可溶性樹脂が、アルカリ性現像液に対する溶解性、現像ラチチュード、膜強度を十分に確保する点から最も好ましい。   Among the alkali-soluble resins having an acidic group selected from the above (1) to (6), (1) an alkali-soluble resin having a phenol group, (2) a sulfonamide group, and (3) an active imide group is preferable. An alkali-soluble resin having (1) a phenol group or (2) a sulfonamide group is most preferred from the viewpoint of sufficiently ensuring solubility in an alkaline developer, development latitude, and film strength.

上記(1)〜(6)より選ばれる酸性基を有するアルカリ可溶性樹脂としては、例えば、以下のものを挙げることができる。
(1)フェノール基を有するアルカリ可溶性樹脂としては、例えば、フェノールとホルムアルデヒドとの縮重合体、m−クレゾールとホルムアルデヒドとの縮重合体、p−クレゾールとホルムアルデヒドとの縮重合体、m−/p−混合クレゾールとホルムアルデヒドとの縮重合体、フェノールとクレゾール(m−、p−、又はm−/p−混合のいずれでもよい)とホルムアルデヒドとの縮重合体等のノボラック樹脂、及びピロガロールとアセトンとの縮重合体を挙げることができる。
As alkali-soluble resin which has an acidic group chosen from said (1)-(6), the following can be mentioned, for example.
(1) Examples of the alkali-soluble resin having a phenol group include a condensation polymer of phenol and formaldehyde, a condensation polymer of m-cresol and formaldehyde, a condensation polymer of p-cresol and formaldehyde, m− / p. A novolac resin such as a condensation polymer of mixed cresol and formaldehyde, a condensation polymer of phenol and cresol (m-, p- or m- / p-mixed) and formaldehyde, and pyrogallol and acetone. Can be mentioned.

更に、フェノール基を側鎖に有する化合物を共重合させた共重合体を挙げることもできる。
フェノール基を側鎖に有する化合物としては、フェノール基を側鎖に有するアクリルアミド、メタクリルアミド、アクリル酸エステル、メタクリル酸エステル、又はヒドロキシスチレン等が挙げられる。
Furthermore, the copolymer which copolymerized the compound which has a phenol group in a side chain can also be mentioned.
Examples of the compound having a phenol group in the side chain include acrylamide, methacrylamide, acrylic acid ester, methacrylic acid ester, and hydroxystyrene having a phenol group in the side chain.

(2)スルホンアミド基を有するアルカリ可溶性樹脂としては、例えば、スルホンアミド基を有する化合物に由来する最小構成単位を主要構成成分として構成される重合体を挙げることができる。上記のような化合物としては、窒素原子に少なくとも一つの水素原子が結合したスルホンアミド基と、重合可能な不飽和基と、を分子内に各々1以上有する化合物が挙げられる。中でも、アクリロイル基、アリル基、又はビニロキシ基と、アミノスルホニル基又は置換スルホニルイミノ基と、を分子内に有する低分子化合物が好ましく、例えば、下記一般式(i)〜(v)で表される化合物が挙げられる。   (2) As an alkali-soluble resin having a sulfonamide group, for example, a polymer composed of a minimum constituent unit derived from a compound having a sulfonamide group as a main constituent can be mentioned. Examples of such compounds include compounds each having at least one sulfonamide group in which at least one hydrogen atom is bonded to a nitrogen atom and one or more polymerizable unsaturated groups in the molecule. Among these, low molecular weight compounds having an acryloyl group, an allyl group, or a vinyloxy group, and an aminosulfonyl group or a substituted sulfonylimino group in the molecule are preferable. For example, they are represented by the following general formulas (i) to (v). Compounds.

Figure 2005283680
Figure 2005283680

〔一般式(i)〜(v)中、X11及びX12は、各々独立に−O−又は−NR17を表す。R11及びR14は、各々独立に水素原子又は−CH3を表す。R12、R15、R19、R22及びR26は、各々独立に置換基を有していてもよい炭素数1〜12のアルキレン基、シクロアルキレン基、アリーレン基又はアラルキレン基を表す。R13、R17及びR23は、各々独立に水素原子、置換基を有していてもよい炭素数1〜12のアルキル基、シクロアルキル基、アリール基又はアラルキル基を表す。また、R16及びR27は、各々独立に置換基を有していてもよい炭素数1〜12のアルキル基、シクロアルキル基、アリール基、又はアラルキル基を表す。R18、R20及びR24は、各々独立に水素原子又は−CH3を表す。R21及びR25は、各々独立に単結合又は置換基を有していてもよい炭素数1〜12のアルキレン基、シクロアルキレン基、アリーレン基又はアラルキレン基を表す。Y11及びY12は、各々独立に単結合又は−CO−を表す。〕 [In the general formulas (i) to (v), X 11 and X 12 each independently represent —O— or —NR 17 . R 11 and R 14 each independently represents a hydrogen atom or —CH 3 . R 12 , R 15 , R 19 , R 22 and R 26 each independently represent a C 1-12 alkylene group, cycloalkylene group, arylene group or aralkylene group which may have a substituent. R 13 , R 17 and R 23 each independently represent a hydrogen atom, an optionally substituted alkyl group having 1 to 12 carbon atoms, a cycloalkyl group, an aryl group or an aralkyl group. R 16 and R 27 each independently represent a C 1-12 alkyl group, cycloalkyl group, aryl group, or aralkyl group that may have a substituent. R 18 , R 20 and R 24 each independently represents a hydrogen atom or —CH 3 . R 21 and R 25 each independently represent a C 1-12 alkylene group, cycloalkylene group, arylene group or aralkylene group which may have a single bond or a substituent. Y 11 and Y 12 each independently represents a single bond or —CO—. ]

一般式(i)〜(v)で表される化合物のうち、本発明におけるアルカリ可溶性樹脂に用いられる化合物としては、特に、m−アミノスルホニルフェニルメタクリレート、N−(p−アミノスルホニルフェニル)メタクリルアミド、N−(p−アミノスルホニルフェニル)アクリルアミド等を好適に使用することができる。   Among the compounds represented by the general formulas (i) to (v), the compounds used for the alkali-soluble resin in the present invention include, in particular, m-aminosulfonylphenyl methacrylate and N- (p-aminosulfonylphenyl) methacrylamide. N- (p-aminosulfonylphenyl) acrylamide and the like can be preferably used.

(3)活性イミド基を有するアルカリ可溶性樹脂としては、例えば、活性イミド基を有する化合物に由来する最小構成単位を主要構成成分として構成される重合体を挙げることができる。上記のような化合物としては、下記構造式で表される活性イミド基と、重合可能な不飽和基と、を分子内に各々1以上有する化合物を挙げることができる。   (3) As an alkali-soluble resin having an active imide group, for example, a polymer composed of a minimum constituent unit derived from a compound having an active imide group as a main constituent can be mentioned. Examples of such compounds include compounds each having one or more active imide groups represented by the following structural formula and polymerizable unsaturated groups.

Figure 2005283680
Figure 2005283680

具体的には、N−(p−トルエンスルホニル)メタクリルアミド、N−(p−トルエンスルホニル)アクリルアミド等を好適に使用することができる。   Specifically, N- (p-toluenesulfonyl) methacrylamide, N- (p-toluenesulfonyl) acrylamide and the like can be preferably used.

(4)カルボン酸基を有するアルカリ可溶性樹脂としては、例えば、カルボン酸基と、重合可能な不飽和基と、を分子内に各々1以上有する化合物に由来する最小構成単位を主要構成成分として構成される重合体を挙げることができる。
(5)スルホン酸基を有するアルカリ可溶性樹脂としては、例えば、スルホン酸基と、重合可能な不飽和基と、を分子内に各々1以上有する化合物に由来する最小構成単位を主要構成成分として構成される重合体を挙げることができる。
(6)リン酸基を有するアルカリ可溶性樹脂としては、例えば、リン酸基と、重合可能な不飽和基と、を分子内に各々1以上有する化合物に由来する最小構成単位を主要構成成分として構成される重合体を挙げることができる。
(4) As an alkali-soluble resin having a carboxylic acid group, for example, a minimum structural unit derived from a compound having at least one carboxylic acid group and one or more polymerizable unsaturated groups in the molecule is used as a main constituent component. Can be mentioned.
(5) As an alkali-soluble resin having a sulfonic acid group, for example, a minimum structural unit derived from a compound having one or more sulfonic acid groups and polymerizable unsaturated groups in the molecule is used as a main constituent component. Can be mentioned.
(6) As an alkali-soluble resin having a phosphoric acid group, for example, a minimum structural unit derived from a compound having at least one phosphoric acid group and a polymerizable unsaturated group in the molecule is used as a main constituent component. Can be mentioned.

本発明に係るアルカリ可溶性樹脂としては、前記(1)〜(6)より選ばれる酸性基を有するモノマーのうち2種類以上を重合させた高分子化合物であることが好ましい。   The alkali-soluble resin according to the present invention is preferably a polymer compound obtained by polymerizing two or more of monomers having an acidic group selected from the above (1) to (6).

また更に、前記(1)〜(6)より選ばれる酸性基を有するモノマーのうち1種或いは2種類以上の重合性モノマーの他に、他の重合性モノマーを共重合させて得られる高分子化合物であることが好ましい。この場合の共重合比としては、アルカリ可溶性を付与するモノマーを10モル%以上含むことが好ましく、20モル%以上含むものがより好ましい。アルカリ可溶性を付与するモノマーの共重合成分が10モル%より少ないと、アルカリ可溶性が不十分となりやすく、現像ラチチュードが低下する傾向にある。
ここで、使用可能な他の重合性モノマーとしては、下記(m1)〜(m12)に挙げる化合物を例示することができるが、本発明はこれらに限定されるものではない。
Furthermore, in addition to one or two or more polymerizable monomers among the monomers having an acidic group selected from the above (1) to (6), a polymer compound obtained by copolymerizing other polymerizable monomers It is preferable that As a copolymerization ratio in this case, it is preferable that the monomer which provides alkali solubility is contained 10 mol% or more, and what contains 20 mol% or more is more preferable. When the copolymerization component of the monomer that imparts alkali solubility is less than 10 mol%, alkali solubility tends to be insufficient, and the development latitude tends to decrease.
Here, as other polymerizable monomers that can be used, the following compounds (m1) to (m12) can be exemplified, but the present invention is not limited to these.

(m1)2−ヒドロキシエチルアクリレート又は2−ヒドロキシエチルメタクリレート等の脂肪族水酸基を有するアクリル酸エステル類、及びメタクリル酸エステル類。
(m2)アクリル酸メチル、アクリル酸エチル、アクリル酸プロピル、アクリル酸ブチル、アクリル酸アミル、アクリル酸ヘキシル、アクリル酸オクチル、アクリル酸ベンジル、アクリル酸−2−クロロエチル、グリシジルアクリレート、等のアルキルアクリレート。
(m3)メタクリル酸メチル、メタクリル酸エチル、メタクリル酸プロピル、メタクリル酸ブチル、メタクリル酸アミル、メタクリル酸ヘキシル、メタクリル酸シクロヘキシル、メタクリル酸ベンジル、メタクリル酸−2−クロロエチル、グリシジルメタクリレート、等のアルキルメタクリレート。
(m4)アクリルアミド、メタクリルアミド、N−メチロールアクリルアミド、N−エチルアクリルアミド、N−ヘキシルメタクリルアミド、N−シクロヘキシルアクリルアミド、N−ヒドロキシエチルアクリルアミド、N−フェニルアクリルアミド、N−ニトロフェニルアクリルアミド、N−エチル−N−フェニルアクリルアミド等のアクリルアミド若しくはメタクリルアミド。
(m5)エチルビニルエーテル、2−クロロエチルビニルエーテル、ヒドロキシエチルビニルエーテル、プロピルビニルエーテル、ブチルビニルエーテル、オクチルビニルエーテル、フェニルビニルエーテル等のビニルエーテル類。
(m6)ビニルアセテート、ビニルクロロアセテート、ビニルブチレート、安息香酸ビニル等のビニルエステル類。
(m7)スチレン、α−メチルスチレン、メチルスチレン、クロロメチルスチレン等のスチレン類。
(m8)メチルビニルケトン、エチルビニルケトン、プロピルビニルケトン、フェニルビニルケトン等のビニルケトン類。
(m9)エチレン、プロピレン、イソブチレン、ブタジエン、イソプレン等のオレフィン類。
(m10)N−ビニルピロリドン、アクリロニトリル、メタクリロニトリル等。
(m11)マレイミド、N−アクリロイルアクリルアミド、N−アセチルメタクリルアミド、N−プロピオニルメタクリルアミド、N−(p−クロロベンゾイル)メタクリルアミド等の不飽和イミド。
(m12)アクリル酸、メタクリル酸、無水マレイン酸、イタコン酸等の不飽和カルボン酸。
(M1) Acrylic acid esters and methacrylic acid esters having an aliphatic hydroxyl group such as 2-hydroxyethyl acrylate or 2-hydroxyethyl methacrylate.
(M2) Alkyl acrylates such as methyl acrylate, ethyl acrylate, propyl acrylate, butyl acrylate, amyl acrylate, hexyl acrylate, octyl acrylate, benzyl acrylate, 2-chloroethyl acrylate, and glycidyl acrylate.
(M3) Alkyl methacrylates such as methyl methacrylate, ethyl methacrylate, propyl methacrylate, butyl methacrylate, amyl methacrylate, hexyl methacrylate, cyclohexyl methacrylate, benzyl methacrylate, 2-chloroethyl methacrylate, and glycidyl methacrylate.
(M4) Acrylamide, methacrylamide, N-methylol acrylamide, N-ethyl acrylamide, N-hexyl methacrylamide, N-cyclohexyl acrylamide, N-hydroxyethyl acrylamide, N-phenyl acrylamide, N-nitrophenyl acrylamide, N-ethyl- Acrylamide or methacrylamide such as N-phenylacrylamide.
(M5) Vinyl ethers such as ethyl vinyl ether, 2-chloroethyl vinyl ether, hydroxyethyl vinyl ether, propyl vinyl ether, butyl vinyl ether, octyl vinyl ether, and phenyl vinyl ether.
(M6) Vinyl esters such as vinyl acetate, vinyl chloroacetate, vinyl butyrate and vinyl benzoate.
(M7) Styrenes such as styrene, α-methylstyrene, methylstyrene, chloromethylstyrene.
(M8) Vinyl ketones such as methyl vinyl ketone, ethyl vinyl ketone, propyl vinyl ketone, and phenyl vinyl ketone.
(M9) Olefins such as ethylene, propylene, isobutylene, butadiene and isoprene.
(M10) N-vinylpyrrolidone, acrylonitrile, methacrylonitrile and the like.
(M11) Unsaturated imides such as maleimide, N-acryloylacrylamide, N-acetylmethacrylamide, N-propionylmethacrylamide, N- (p-chlorobenzoyl) methacrylamide.
(M12) Unsaturated carboxylic acids such as acrylic acid, methacrylic acid, maleic anhydride and itaconic acid.

本発明におけるアルカリ可溶性樹脂としては、前記の(1)フェノール基、(2)スルホンアミド基、又は(3)活性イミド基を有する重合性モノマーの単独重合体或いは共重合体が好ましく、特にm−アミノスルホニルフェニルメタクリレート、N−(p−アミノスルホニルフェニル)メタクリルアミド、N−(p−アミノスルホニルフェニル)アクリルアミド等の、スルホンアミド基を有する重合性モノマーの単独重合体或いは共重合体のものが好ましい。
また、アルカリ可溶性樹脂の重量平均分子量は2,000以上、数平均分子量は500以上のものが好ましい。更に好ましくは、重量平均分子量が5,000〜300,000で、数平均分子量が800〜250,000であり、分散度(重量平均分子量/数平均分子量)が1.1〜10のものが好ましい。
また、本発明においてアルカリ可溶性樹脂がフェノールホルムアルデヒド樹脂、クレゾールアルデヒド樹脂等の樹脂である場合には、重量平均分子量が500〜20,000であり、数平均分子量が200〜10,000のものが好ましい。
The alkali-soluble resin in the present invention is preferably a homopolymer or copolymer of a polymerizable monomer having (1) a phenol group, (2) a sulfonamide group, or (3) an active imide group. Preferred is a homopolymer or copolymer of a polymerizable monomer having a sulfonamide group, such as aminosulfonylphenyl methacrylate, N- (p-aminosulfonylphenyl) methacrylamide, N- (p-aminosulfonylphenyl) acrylamide. .
The alkali-soluble resin preferably has a weight average molecular weight of 2,000 or more and a number average molecular weight of 500 or more. More preferably, the weight average molecular weight is 5,000 to 300,000, the number average molecular weight is 800 to 250,000, and the dispersity (weight average molecular weight / number average molecular weight) is 1.1 to 10. .
In the present invention, when the alkali-soluble resin is a resin such as a phenol formaldehyde resin or a cresol aldehyde resin, the weight average molecular weight is 500 to 20,000, and the number average molecular weight is preferably 200 to 10,000. .

これらアルカリ可溶性樹脂は、各々1種類或いは2種類以上を組合せて使用してもよい。アルカリ可溶性樹脂の添加量は、感度、画像記録層の耐久性の観点から、最上層の全固形分中30〜99質量%が好ましく、40〜95質量%がより好ましく、50〜90質量%が特に好ましい。   These alkali-soluble resins may be used alone or in combination of two or more. The addition amount of the alkali-soluble resin is preferably 30 to 99% by mass, more preferably 40 to 95% by mass, and more preferably 50 to 90% by mass in the total solid content of the uppermost layer from the viewpoint of sensitivity and durability of the image recording layer. Particularly preferred.

〔溶解抑止剤〕
本発明に係る最上層には、現像液に対する溶解性を調節するために、オニウム塩、芳香族スルホン化合物、芳香族スルホン酸エステル化合物、多官能アミン化合物等の、アルカリ可溶性樹脂の現像液への溶解阻止機能を向上させる、所謂溶解抑止剤を添加することが好ましい。中でも、熱分解性であって、分解していない状態ではアルカリ可溶性樹脂の溶解性を実質的に低下させるという性質から、オニウム塩、o−キノンジアジド化合物、スルホン酸アルキルエステル等の溶解抑止剤が好ましい。
[Dissolution inhibitor]
In the uppermost layer according to the present invention, an onium salt, an aromatic sulfone compound, an aromatic sulfonic acid ester compound, a polyfunctional amine compound, or the like, such as an onium salt, an aromatic sulfonic acid ester compound, or a polyfunctional amine compound is adjusted to adjust the solubility in the developer. It is preferable to add a so-called dissolution inhibitor that improves the dissolution inhibition function. Of these, dissolution inhibitors such as onium salts, o-quinonediazide compounds, and sulfonic acid alkyl esters are preferred because they are thermally decomposable and substantially reduce the solubility of the alkali-soluble resin when not decomposed. .

本発明において用いられるオニウム塩としては、例えばS.I.Schlesinger,Photogr.Sci.Eng.,18,387(1974)、T.S.Bal et al,Polymer,21,423(1980)、特開平5−158230号、同11−143064号等公報に記載のジアゾニウム塩;米国特許第4,069,055号、同第4,069,056号等明細書、特開平3−140140号、特開2002−229186号等公報に記載のアンモニウム塩;D.C.Necker et al,Macromolecules,17,2468(1984)、C.S.Wen et al,Teh,Proc.Conf.Rad.Curing ASIA,p478Tokyo,Oct(1988)、米国特許第4,069,055号、同第4,069,056号等明細書に記載のホスホニウム塩;J.V.Crivello et al,Macromorecules,10(6),1307(1977)、Chem.&Eng.News,Nov.28,p31(1988)、欧州特許第104,143号、米国特許第5,041,358号、同第4,491,628号等明細書、特開平2−150848号、特開平2−296514号等公報に記載のヨードニウム塩;J.V.Crivello et al,Polymer J.17,73(1985)、J.V.Crivello et al.J.Org.Chem.,43,3055(1978)、W.R.Watt et al,J.Polymer Sci.,Polymer Chem.Ed.,22,1789(1984)、J.V.Crivello et al,Polymer Bull.,14,279(1985)、J.V.Crivello et al,Macromorecules,14(5),1141(1981)、J.V.Crivello et al,J.Polymer Sci.,Polymer Chem.Ed.,17,2877(1979)、欧州特許第370,693号、同233,567号、同297,443号、同297,442号、米国特許第4,933,377号、同3,902,114号、同5,041,358号、同4,491,628号、同4,760,013号、同4,734,444号、同2,833,827号、独国特許第2,904,626号、同3,604,580号、同3,604,581号等明細書に記載のスルホニウム塩;J.V.Crivello et al,Macromorecules,10(6),1307(1977)、J.V.Crivello et al,J.Polymer Sci.,Polymer Chem.Ed.,17,1047(1979)に記載のセレノニウム塩;C.S.Wen et al,Teh,Proc.Conf.Rad.Curing ASIA,p478Tokyo,Oct(1988)に記載のアルソニウム塩等が挙げられる。   Examples of the onium salt used in the present invention include S.I. I. Schlesinger, Photogr. Sci. Eng. , 18, 387 (1974), T.A. S. Bal et al, Polymer, 21, 423 (1980), diazonium salts described in JP-A Nos. 5-158230 and 11-143064, etc .; US Pat. Nos. 4,069,055 and 4,069,056 Ammonium salts described in JP-A-3-140140, JP-A-2002-229186, etc .; C. Necker et al, Macromolecules, 17, 2468 (1984), C.I. S. Wen et al, Teh, Proc. Conf. Rad. Curing ASIA, p478 Tokyo, Oct (1988), U.S. Pat. Nos. 4,069,055, 4,069,056 and the like; V. Crivello et al, Macromolecules, 10 (6), 1307 (1977), Chem. & Eng. News, Nov. 28, p31 (1988), European Patent No. 104,143, US Pat. Nos. 5,041,358, 4,491,628, JP-A-2-150848, JP-A-2-296514, etc. Iodonium salts described in the Japanese Patent Publication; V. Crivello et al, Polymer J. et al. 17, 73 (1985), J. Am. V. Crivello et al. J. et al. Org. Chem. 43, 3055 (1978); R. Watt et al, J.A. Polymer Sci. , Polymer Chem. Ed. , 22, 1789 (1984), J. Am. V. Crivello et al, Polymer Bull. 14, 279 (1985), J. Am. V. Crivello et al, Macromolecules, 14 (5), 1141 (1981), J. MoI. V. Crivello et al, J.A. Polymer Sci. , Polymer Chem. Ed. 17, 2877 (1979), European Patents 370,693, 233,567, 297,443, 297,442, U.S. Pat. Nos. 4,933,377, 3,902,114 No. 5,041,358, No. 4,491,628, No. 4,760,013, No. 4,734,444, No. 2,833,827, German Patent No. 2,904 Sulfonium salts described in the specifications of No. 626, No. 3,604,580, No. 3,604,581, etc .; V. Crivello et al, Macromolecules, 10 (6), 1307 (1977), J. MoI. V. Crivello et al, J.A. Polymer Sci. , Polymer Chem. Ed. , 17, 1047 (1979); C.I. S. Wen et al, Teh, Proc. Conf. Rad. Curing ASIA, p478 Tokyo, Oct (1988).

これらのオニウム塩の中でも、溶解阻止能や熱分解性の観点から、ジアゾニウム塩及び4級アンモニウム塩が特に好ましい。特に、ジアゾニウム塩としては、特開平5−158230号公報に記載の一般式(I)で示されるジアゾニウム塩や特開平11−143064号公報に記載の一般式(1)で示されるジアゾニウム塩が好ましく、可視光領域の吸収波長が小さい特開平11−143064号公報に記載の一般式(1)で示されるジアゾニウム塩が最も好ましい。また4級アンモニウム塩としては、特開2002−229186号公報に記載の(1)〜(10)に示される4級アンモニウム塩が好ましい。   Among these onium salts, diazonium salts and quaternary ammonium salts are particularly preferable from the viewpoints of dissolution inhibition ability and thermal decomposability. In particular, the diazonium salt is preferably a diazonium salt represented by the general formula (I) described in JP-A-5-158230 or a diazonium salt represented by the general formula (1) described in JP-A-11-143064. The diazonium salt represented by the general formula (1) described in JP-A-11-143064 having a small absorption wavelength in the visible light region is most preferable. Moreover, as a quaternary ammonium salt, the quaternary ammonium salt shown by (1)-(10) of Unexamined-Japanese-Patent No. 2002-229186 is preferable.

オニウム塩の対イオンとしては、四フッ化ホウ酸、六フッ化リン酸、トリイソプロピルナフタレンスルホン酸、5−ニトロ−o−トルエンスルホン酸、5−スルホサリチル酸、2,5−ジメチルベンゼンスルホン酸、2,4,6−トリメチルベンゼンスルホン酸、2−ニトロベンゼンスルホン酸、3−クロロベンゼンスルホン酸、3−ブロモベンゼンスルホン酸、2−フルオロカプリルナフタレンスルホン酸、ドデシルベンゼンスルホン酸、1−ナフトール−5−スルホン酸、2−メトキシ−4−ヒドロキシ−5−ベンゾイル−ベンゼンスルホン酸、及びパラトルエンスルホン酸等を挙げることができる。これらの中でも特に六フッ化リン酸、トリイソプロピルナフタレンスルホン酸や2,5−ジメチルベンゼンスルホン酸のごときアルキル芳香族スルホン酸が好適である。   The counter ion of the onium salt includes tetrafluoroboric acid, hexafluorophosphoric acid, triisopropylnaphthalenesulfonic acid, 5-nitro-o-toluenesulfonic acid, 5-sulfosalicylic acid, 2,5-dimethylbenzenesulfonic acid, 2,4,6-trimethylbenzenesulfonic acid, 2-nitrobenzenesulfonic acid, 3-chlorobenzenesulfonic acid, 3-bromobenzenesulfonic acid, 2-fluorocaprylnaphthalenesulfonic acid, dodecylbenzenesulfonic acid, 1-naphthol-5-sulfone Examples include acid, 2-methoxy-4-hydroxy-5-benzoyl-benzenesulfonic acid, and paratoluenesulfonic acid. Of these, particularly preferred are alkyl aromatic sulfonic acids such as hexafluorophosphoric acid, triisopropylnaphthalenesulfonic acid and 2,5-dimethylbenzenesulfonic acid.

本発明に用いられるo−キノンジアジド化合物は、少なくとも1個のo−キノンジアジド基を有する化合物で、熱分解によりアルカリ可溶性を増すものであり、種々の構造の化合物を用いることができる。つまり、o−キノンジアジドは熱分解により結着剤の溶解抑制能を失うことと、o−キノンジアジド自身がアルカリ可溶性の物質に変化することの両方の効果により画像記録層の溶解性を助ける。本発明に用いられるo−キノンジアジド化合物としては、例えば、J.コーサー著「ライト−センシティブ・システムズ」(John Wiley&Sons.Inc.)第339〜352頁に記載の化合物が使用できるが、特に種々の芳香族ポリヒドロキシ化合物或いは芳香族アミノ化合物と反応させたo−キノンジアジドのスルホン酸エステル又はスルホン酸アミドが好適である。また、特公昭43−28403号公報に記載されているようなベンゾキノン(1,2)−ジアジドスルホン酸クロライド又はナフトキノン−(1,2)−ジアジド−5−スルホン酸クロライドとピロガロール−アセトン樹脂とのエステル、米国特許第3,046,120号及び同第3,188,210号明細書に記載されているベンゾキノン−(1,2)−ジアジドスルホン酸クロライド又はナフトキノン−(1,2)−ジアジド−5−スルホン酸クロライドとフェノール−ホルムアルデヒド樹脂とのエステルも好適に使用される。   The o-quinonediazide compound used in the present invention is a compound having at least one o-quinonediazide group, which increases alkali solubility by thermal decomposition, and compounds having various structures can be used. That is, o-quinonediazide helps the solubility of the image recording layer by both the effects of losing the ability to suppress the dissolution of the binder due to thermal decomposition and the change of o-quinonediazide itself into an alkali-soluble substance. Examples of the o-quinonediazide compound used in the present invention include J. The compounds described in pages 339 to 352 of “Light-sensitive systems” by John Coley (John Wiley & Sons. Inc.) can be used, and in particular, o-quinonediazide reacted with various aromatic polyhydroxy compounds or aromatic amino compounds. The sulfonic acid esters or sulfonic acid amides are preferred. Further, benzoquinone (1,2) -diazidosulfonic acid chloride or naphthoquinone- (1,2) -diazide-5-sulfonic acid chloride and pyrogallol-acetone resin as described in JP-B-43-28403 Esters of benzoquinone- (1,2) -diazide sulfonic acid chloride or naphthoquinone- (1,2)-described in U.S. Pat. Nos. 3,046,120 and 3,188,210. Esters of diazide-5-sulfonic acid chloride and phenol-formaldehyde resins are also preferably used.

更にナフトキノン−(1,2)−ジアジド−4−スルホン酸クロライドとフェノール−ホルムアルデヒド樹脂又はクレゾール−ホルムアルデヒド樹脂とのエステル、ナフトキノン−(1,2)−ジアジド−4−スルホン酸クロライドとピロガロール−アセトン樹脂とのエステルも同様に好適に使用される。その他の有用なo−キノンジアジド化合物としては、数多くの特許に報告され知られている。例えば特開昭47−5303号、特開昭48−63802号、特開昭48−63803号、特開昭48−96575号、特開昭49−38701号、特開昭48−13354号、特公昭41−11222号、特公昭45−9610号、特公昭49−17481号等公報、米国特許第2,797,213号、同第3,454,400号、同第3,544,323号、同第3,573,917号、同第3,674,495号、同第3,785,825号、英国特許第1,227,602号、同第1,251,345号、同第1,267,005号、同第1,329,888号、同第1,330,932号、独国特許第854,890号等明細書に記載されているものを挙げることができる。   Further, esters of naphthoquinone- (1,2) -diazido-4-sulfonic acid chloride with phenol-formaldehyde resin or cresol-formaldehyde resin, naphthoquinone- (1,2) -diazido-4-sulfonic acid chloride and pyrogallol-acetone resin Similarly, the esters are also preferably used. Other useful o-quinonediazide compounds are reported and known in numerous patents. For example, JP-A-47-5303, JP-A-48-63802, JP-A-48-63803, JP-A-48-96575, JP-A-49-38701, JP-A-48-13354, Japanese Patent Publication Nos. 41-11222, 45-9610, 49-174741, U.S. Pat. Nos. 2,797,213, 3,454,400, 3,544,323, 3,573,917, 3,674,495, 3,785,825, British Patents 1,227,602, 1,251,345, 1, No. 267,005, No. 1,329,888, No. 1,330,932, German Patent No. 854,890, and the like.

分解性溶解抑止剤として、オニウム塩及び/又はo−キノンジアジド化合物を添加する場合、その添加量は最上層の全固形分に対し、好ましくは1〜10質量%、更に好ましくは1〜5質量%、特に好ましくは1〜2質量%の範囲である。これらの化合物は単一で使用できるが、数種の混合物として使用してもよい。   When an onium salt and / or o-quinonediazide compound is added as a degradable dissolution inhibitor, the amount added is preferably 1 to 10% by mass, more preferably 1 to 5% by mass, based on the total solid content of the uppermost layer. Especially preferably, it is the range of 1-2 mass%. These compounds can be used alone, but may be used as a mixture of several kinds.

また、オニウム塩及びo−キノンジアジド化合物以外の、上記した他の分解性溶解抑止剤を添加する場合、その添加量は最上層の全固形分に対し、好ましくは0.1〜5質量%、更に好ましくは0.1〜2質量%、特に好ましくは0.1〜1.5質量%である。なお、本発明において溶解抑止剤は結着剤と、同一層へ含有させることが好ましい。   Moreover, when adding other degradable dissolution inhibitors described above other than the onium salt and the o-quinonediazide compound, the addition amount is preferably 0.1 to 5% by mass relative to the total solid content of the uppermost layer, Preferably it is 0.1-2 mass%, Most preferably, it is 0.1-1.5 mass%. In the present invention, the dissolution inhibitor is preferably contained in the same layer as the binder.

また、分解性を有さない溶解抑止剤を添加してもよく、好ましい溶解抑止剤としては、特開平10−268512号公報に記載されているスルホン酸エステル、燐酸エステル、芳香族カルボン酸エステル、芳香族ジスルホン、カルボン酸無水物、芳香族ケトン、芳香族アルデヒド、芳香族アミン、芳香族エーテル等、同じく特開平11−190903号公報に記載されているラクトン骨格、N,N−ジアリールアミド骨格、ジアリールメチルイミノ骨格を有し着色剤を兼ねた酸発色性色素、同じく特開2000−105454号公報に記載されている非イオン性界面活性剤等を挙げることができる。   Further, a dissolution inhibitor having no decomposability may be added, and preferable dissolution inhibitors include sulfonic acid esters, phosphate esters, aromatic carboxylic acid esters described in JP-A-10-268512, Aromatic disulfone, carboxylic acid anhydride, aromatic ketone, aromatic aldehyde, aromatic amine, aromatic ether, etc., lactone skeleton, N, N-diarylamide skeleton, which are also described in JP-A-11-190903, Examples thereof include an acid color-forming dye having a diarylmethylimino skeleton and also serving as a colorant, and nonionic surfactants described in JP-A No. 2000-105454.

上記分解性を有さない溶解抑止剤を添加する場合には、その添加量は最上層の全固形分に対し、好ましくは0.1〜40質量%、更に好ましくは0.2〜30質量%、特に好ましくは0.5〜20質量%である。
なお、前記分解性溶解抑止剤と分解性を有さない溶解抑止剤を併用する場合には、全溶解抑止剤中における分解性溶解抑止剤の使用量は、1〜99質量%であることが好ましく、5〜95質量%であることがより好ましく、10〜90質量%であることが特に好ましい。
When the dissolution inhibitor having no decomposability is added, the addition amount is preferably 0.1 to 40% by mass, more preferably 0.2 to 30% by mass, based on the total solid content of the uppermost layer. Especially preferably, it is 0.5-20 mass%.
When the decomposable dissolution inhibitor and the dissolution inhibitor having no decomposability are used in combination, the amount of the degradable dissolution inhibitor in the total dissolution inhibitor is 1 to 99% by mass. Preferably, it is 5-95 mass%, More preferably, it is 10-90 mass%.

〔その他の添加剤〕
また、本発明における最上層に使用される添加剤としては、感度を向上させる目的で、環状酸無水物類、フェノール類、有機酸類を挙げることができる。また、後述する界面活性剤、画像着色剤、及び可塑剤等を添加することができる。
[Other additives]
Moreover, as an additive used for the uppermost layer in this invention, a cyclic acid anhydride, phenols, and organic acids can be mentioned in order to improve a sensitivity. Further, a surfactant, an image colorant, a plasticizer and the like which will be described later can be added.

環状酸無水物としては米国特許第4,115,128号明細書に記載されている無水フタル酸、テトラヒドロ無水フタル酸、3,6−エンドオキシ−4−テトラヒドロ無水フタル酸、テトラクロル無水フタル酸、無水マレイン酸、クロル無水マレイン酸、α−フェニル無水マレイン酸、無水コハク酸、無水ピロメリット酸などが使用できる。
フェノール類としては、ビスフェノールA、p−ニトロフェノール、p−エトキシフェノール、2,4,4’−トリヒドロキシベンゾフェノン、2,3,4−トリヒドロキシベンゾフェノン、4−ヒドロキシベンゾフェノン、4,4’,4’’−トリヒドロキシトリフェニルメタン、4,4’,3’’,4’’−テトラヒドロキシ−3,5,3’,5’−テトラメチルトリフェニルメタンなどが挙げられる。
有機酸類としては、特開昭60−88942号公報、特開平2−96755号公報などに記載されている、スルホン酸類、スルフィン酸類、アルキル硫酸類、ホスホン酸類、リン酸エステル類、及びカルボン酸類などが挙げられる。
上記の環状酸無水物、フェノール類、及び有機酸類の添加量は、最上層全固形分に対し、0.05〜20質量%が好ましく、より好ましくは0.1〜15質量%、特に好ましくは0.1〜10質量%である。
Examples of cyclic acid anhydrides include phthalic anhydride, tetrahydrophthalic anhydride, 3,6-endooxy-4-tetrahydrophthalic anhydride, tetrachlorophthalic anhydride described in US Pat. No. 4,115,128, Maleic anhydride, chloromaleic anhydride, α-phenylmaleic anhydride, succinic anhydride, pyromellitic anhydride and the like can be used.
As phenols, bisphenol A, p-nitrophenol, p-ethoxyphenol, 2,4,4′-trihydroxybenzophenone, 2,3,4-trihydroxybenzophenone, 4-hydroxybenzophenone, 4,4 ′, 4 '' -Trihydroxytriphenylmethane, 4,4 ′, 3 ″, 4 ″ -tetrahydroxy-3,5,3 ′, 5′-tetramethyltriphenylmethane and the like.
Examples of organic acids include sulfonic acids, sulfinic acids, alkyl sulfates, phosphonic acids, phosphate esters, and carboxylic acids described in JP-A-60-88942 and JP-A-2-96755. Is mentioned.
The addition amount of the cyclic acid anhydride, phenols, and organic acids is preferably 0.05 to 20% by mass, more preferably 0.1 to 15% by mass, particularly preferably the total solid content of the uppermost layer. It is 0.1-10 mass%.

また、これら以外にも、エポキシ化合物、ビニルエーテル類、更には特開平8−276558号公報に記載のヒドロキシメチル基を有するフェノール化合物、アルコキシメチル基を有するフェノール化合物及び本発明者らが先に提案した特開平11−160860号公報に記載のアルカリ溶解抑制作用を有する架橋性化合物等を目的に応じて適宜添加することができる。   In addition to these, epoxy compounds, vinyl ethers, and further, phenol compounds having a hydroxymethyl group, phenol compounds having an alkoxymethyl group described in JP-A-8-276558, and the inventors previously proposed. A crosslinkable compound having an alkali dissolution inhibiting action described in JP-A-11-160860 can be appropriately added depending on the purpose.

また、本発明における最上層には、現像条件に対する処理の安定性を広げるため、特開昭62−251740号公報や特開平3−208514号公報に記載されているような非イオン界面活性剤、特開昭59−121044号公報、特開平4−13149号公報に記載されているような両性界面活性剤、EP950517公報に記載されているようなシロキサン系化合物、特開平11−288093号公報に記載されているようなフッ素含有のモノマー共重合体を添加することができる。   Further, in the uppermost layer in the present invention, a nonionic surfactant as described in JP-A No. 62-251740 and JP-A No. 3-208514, in order to broaden the processing stability against development conditions, Amphoteric surfactants as described in JP-A-59-121044 and JP-A-4-13149, siloxane compounds as described in EP950517, and JP-A-11-288093 Fluorine-containing monomer copolymers as described above can be added.

非イオン界面活性剤の具体例としては、ソルビタントリステアレート、ソルビタンモノパルミテート、ソルビタントリオレート、ステアリン酸モノグリセリド、ポリオキシエチレンノニルフェニルエーテル等が挙げられる。
両面活性剤の具体例としては、アルキルジ(アミノエチル)グリシン、アルキルポリアミノエチルグリシン塩酸塩、2−アルキル−N−カルボキシエチル−N−ヒドロキシエチルイミダゾリニウムベタイン、N−テトラデシル−N,N−ベタイン型(例えば、商品名「アモーゲンK」:第一工業(株)製)等が挙げられる。
上記非イオン界面活性剤及び/又は両性界面活性剤の添加量は、最上層全固形分に対し、0.05〜15質量%が好ましく、より好ましくは0.1〜5質量%である。
Specific examples of the nonionic surfactant include sorbitan tristearate, sorbitan monopalmitate, sorbitan trioleate, stearic acid monoglyceride, polyoxyethylene nonylphenyl ether and the like.
Specific examples of the double-sided activator include alkyldi (aminoethyl) glycine, alkylpolyaminoethylglycine hydrochloride, 2-alkyl-N-carboxyethyl-N-hydroxyethylimidazolinium betaine, N-tetradecyl-N, N-betaine Type (for example, trade name “Amorgen K” manufactured by Daiichi Kogyo Co., Ltd.).
The addition amount of the nonionic surfactant and / or amphoteric surfactant is preferably 0.05 to 15% by mass, more preferably 0.1 to 5% by mass, based on the total solid content of the uppermost layer.

シロキサン系化合物としては、ジメチルシロキサンとポリアルキレンオキシドのブロック共重合体が好ましく、具体例として、(株)チッソ社製、DBE−224,DBE−621,DBE−712,DBP−732,DBP−534、独Tego社製、Tego Glide100等のポリアルキレンオキシド変性シリコーンを挙げることができる。   As the siloxane compound, a block copolymer of dimethylsiloxane and polyalkylene oxide is preferable. Specific examples include DBE-224, DBE-621, DBE-712, DBP-732, DBP-534, manufactured by Chisso Corporation. And polyalkylene oxide-modified silicones such as Tego Glide 100 manufactured by Tego, Germany.

また、露光による加熱後直ちに可視像を得るための焼き出し剤や、画像着色剤としての染料や顔料を加えることができる。
焼き出し剤としては、露光による加熱によって酸を放出する化合物(光酸放出剤)と塩を形成し得る有機染料の組合せを代表として挙げることができる。具体的には、特開昭50−36209号、同53−8128号等公報に記載されているo−ナフトキノンジアジド−4−スルホン酸ハロゲニドと塩形成性有機染料の組合せや、特開昭53−36223号、同54−74728号、同60−3626号、同61−143748号、同61−151644号及び同63−58440号等公報に記載されているトリハロメチル化合物と塩形成性有機染料の組合せを挙げることができる。係るトリハロメチル化合物としては、オキサゾール系化合物とトリアジン系化合物とがあり、どちらも経時安定性に優れ、明瞭な焼き出し画像を与える。
Further, a printing-out agent for obtaining a visible image immediately after heating by exposure, or a dye or pigment as an image colorant can be added.
Typical examples of the printing-out agent include a combination of a compound that releases an acid by heating by exposure (photoacid releasing agent) and an organic dye that can form a salt. Specifically, combinations of o-naphthoquinonediazide-4-sulfonic acid halides and salt-forming organic dyes described in JP-A-50-36209 and JP-A-53-8128, 36223, 54-74728, 60-3626, 61-143748, 61-151644, 63-58440, etc. Combinations of trihalomethyl compounds and salt-forming organic dyes Can be mentioned. Such trihalomethyl compounds include oxazole compounds and triazine compounds, both of which have excellent temporal stability and give clear printout images.

画像着色剤としては、前述の塩形成性有機染料以外に他の染料を用いることができる。塩形成性有機染料を含めて、好適な染料として油溶性染料と塩基性染料を挙げることができる。具体的にはオイルイエロー#101、オイルイエロー#103、オイルピンク#312、オイルグリーンBG、オイルブルーBOS、オイルブルー#603、オイルブラックBY、オイルブラックBS、オイルブラックT−505(以上オリエント化学工業(株)製)、ビクトリアピュアブルー、クリスタルバイオレット(CI42555)、メチルバイオレット(CI42535)、エチルバイオレット、ローダミンB(CI145170B)、マラカイトグリーン(CI42000)、メチレンブルー(CI52015)などを挙げることができる。また、特開昭62−293247号公報に記載されている染料は特に好ましい。これらの染料は、最上層全固形分に対し、0.01〜10質量%、好ましくは0.1〜3質量%の割合で最上層中に添加することができる。   As the image colorant, other dyes can be used in addition to the aforementioned salt-forming organic dyes. Examples of suitable dyes including salt-forming organic dyes include oil-soluble dyes and basic dyes. Specifically, Oil Yellow # 101, Oil Yellow # 103, Oil Pink # 312, Oil Green BG, Oil Blue BOS, Oil Blue # 603, Oil Black BY, Oil Black BS, Oil Black T-505 (oriental chemical industry) Manufactured by Co., Ltd.), Victoria Pure Blue, Crystal Violet (CI42555), Methyl Violet (CI42535), Ethyl Violet, Rhodamine B (CI145170B), Malachite Green (CI42000), Methylene Blue (CI522015), and the like. The dyes described in JP-A-62-293247 are particularly preferred. These dyes can be added to the uppermost layer in a proportion of 0.01 to 10% by mass, preferably 0.1 to 3% by mass, based on the total solid content of the uppermost layer.

更に、本発明の画像形成材料の最上層には必要に応じ、塗膜の柔軟性等を付与するために可塑剤が加えられる。例えば、ブチルフタリル、ポリエチレングリコール、クエン酸トリブチル、フタル酸ジエチル、フタル酸ジブチル、フタル酸ジヘキシル、フタル酸ジオクチル、リン酸トリクレジル、リン酸トリブチル、リン酸トリオクチル、オレイン酸テトラヒドロフルフリル、アクリル酸又はメタクリル酸のオリゴマー及びポリマー等が用いられる。   Furthermore, a plasticizer is added to the uppermost layer of the image forming material of the present invention, if necessary, in order to impart flexibility of the coating film. For example, butylphthalyl, polyethylene glycol, tributyl citrate, diethyl phthalate, dibutyl phthalate, dihexyl phthalate, dioctyl phthalate, tricresyl phosphate, tributyl phosphate, trioctyl phosphate, tetrahydrofurfuryl oleate, acrylic acid or methacrylic acid These oligomers and polymers are used.

<下層>
次に、本発明の画像形成材料の下層について説明する。
本発明に係る下層は、アルカリ可溶性樹脂を必須成分とすれば、その他に含まれる成分に特に制限はない。即ち、必要に応じて、前述の最上層において挙げたものと同様の、赤外線吸収剤や、その他の成分を含んでいてもよい。
下層に用いられるアルカリ可溶性樹脂としては、前述の最上層において挙げたものと同様のものを用いることができるが、層間の境界を明瞭にするために、下層に用いるアルカリ可溶性樹脂は、上層に用いるアルカリ可溶性樹脂とは異なるものを主成分とすることが好ましい。下層に好適に用いられるアルカリ可溶性樹脂としては、N−(p−アミノスルホニルフェニル)(メタ)アクリルアミドと(メタ)アクリル酸アルキルエステルとアクリロニトリルとの共重合体、4−マレイミドベンゼンスルホンアミドとスチレンとの共重合体、(メタ)アクリル酸とN−フェニルマレイミドと(メタ)アクリルアミドとの共重合体等の高極性なユニットを有するアルカリ可溶性樹脂等が好ましく用いられるが、本発明はこれらに限定されるものではない。
<Lower layer>
Next, the lower layer of the image forming material of the present invention will be described.
In the lower layer according to the present invention, there are no particular limitations on other components as long as the alkali-soluble resin is an essential component. That is, if necessary, it may contain an infrared absorber and other components similar to those mentioned in the uppermost layer.
As the alkali-soluble resin used for the lower layer, the same resins as those mentioned in the uppermost layer can be used. However, in order to clarify the boundary between the layers, the alkali-soluble resin used for the lower layer is used for the upper layer. It is preferable that the main component is different from the alkali-soluble resin. Examples of the alkali-soluble resin suitably used for the lower layer include a copolymer of N- (p-aminosulfonylphenyl) (meth) acrylamide, (meth) acrylic acid alkyl ester and acrylonitrile, 4-maleimidobenzenesulfonamide and styrene. Although an alkali-soluble resin having a highly polar unit such as a copolymer of (meth) acrylic acid, a copolymer of N-phenylmaleimide and (meth) acrylamide is preferably used, the present invention is not limited thereto. It is not something.

また、特に制限されるわけではないが、本発明においては、下層は最上層よりもアルカリ溶解性の高い層であることが好ましい。この特性を有することにより、露光部は優れた現像溶解性を発現し、例えば、活性の低下した現像液などを用いた場合でも、残膜などが発生することなく速やかに溶解する。一方、未露光部においては、最上層の浸透抑制作用により、下層が現像液と接触することがないため過剰現像の虞もない。よって、より高感度な画像形成材料を得ることができ、また、ディスクリミネーションに優れた画像を形成することができる。
上記の通り、下層には前記最上層に含有される組成物を同様に用いることができるが、溶解性の高い下層を得る目的から、一般式(I)で表される赤外線吸収剤、他の赤外線吸収剤、溶解抑止剤の好ましい含有量の範囲は、最上層の好ましい含有量の範囲と異なる。
つまり、一般式(I)で表される赤外線吸収剤、及び他の赤外線吸収剤の含有量は、下層の全固形分中、0.01〜30質量%が好ましく、0.1〜20質量%がより好ましく、0.5〜10質量%が特に好ましい。また、溶解抑止作用を発現する溶解抑止剤の含有量は、下層の全固形分中、0.1〜30質量%が好ましく、0.2〜20質量%がより好ましく、0.5〜10質量%が特に好ましい。
なお、上記赤外線吸収剤及び溶解抑止剤の好ましい例、並びに、他の組成物の好ましい例と好ましい添加量は、前記最上層の場合と同様である。
Further, although not particularly limited, in the present invention, the lower layer is preferably a layer having higher alkali solubility than the uppermost layer. By having this characteristic, the exposed portion exhibits excellent development solubility, and for example, even when a developer having reduced activity is used, the exposed portion dissolves rapidly without any remaining film. On the other hand, in the unexposed area, the lower layer does not come into contact with the developer due to the permeation suppressing action of the uppermost layer, so there is no risk of overdevelopment. Therefore, an image forming material with higher sensitivity can be obtained, and an image excellent in discrimination can be formed.
As described above, the composition contained in the uppermost layer can be used similarly for the lower layer, but for the purpose of obtaining a highly soluble lower layer, an infrared absorber represented by the general formula (I), other The preferable content range of the infrared absorber and the dissolution inhibitor is different from the preferable content range of the uppermost layer.
That is, the content of the infrared absorber represented by the general formula (I) and other infrared absorbers is preferably 0.01 to 30% by mass, and 0.1 to 20% by mass in the total solid content of the lower layer. Is more preferable, and 0.5 to 10% by mass is particularly preferable. Moreover, 0.1-30 mass% is preferable in the total solid of a lower layer, as for content of the dissolution inhibitor which expresses a dissolution inhibitory action, 0.2-20 mass% is more preferable, 0.5-10 mass % Is particularly preferred.
In addition, the preferable example of the said infrared absorber and dissolution inhibitor, and the preferable example and preferable addition amount of another composition are the same as that of the case of the said uppermost layer.

<画像記録層の形成>
本発明に係る画像記録層は、下層、最上層のそれぞれの成分を溶媒に溶かし、適当な支持体上に塗布することにより形成することができる。また、目的に応じて、後述する下塗層、保護層、バックコート層なども同様にして形成することができる。
ここで使用する溶媒としては、エチレンジクロライド、シクロヘキサノン、メチルエチルケトン、メタノール、エタノール、プロパノール、エチレングリコールモノメチルエーテル、1−メトキシ−2−プロパノール、2−メトキシエチルアセテート、1−メトキシ−2−プロピルアセテート、ジメトキシエタン、乳酸メチル、乳酸エチル、N,N−ジメチルアセトアミド、N,N−ジメチルホルムアミド、テトラメチルウレア、N−メチルピロリドン、ジメチルスルホキシド、スルホラン、γ−ブチロラクトン、トルエン等を挙げることができるがこれに限定されるものではない。これらの溶媒は単独あるいは混合して使用される。
溶媒中の上記成分(添加剤を含む全固形分)の濃度は、1〜50質量%であることが好ましい。
また塗布、乾燥後に得られる支持体上の画像記録層の塗布量(固形分)は、用途によって異なるが、一般に、下層の乾燥後の塗布量が、0.1〜5.0g/m2が好ましく、0.2〜3.0g/m2がより好ましい。また、最上層の乾燥後の塗布量としては、0.01〜5.0g/m2が好ましく、0.03〜3.0g/m2がより好ましく、0.05〜2.0mg/m2が最も好ましい。
<Formation of image recording layer>
The image recording layer according to the present invention can be formed by dissolving each component of the lower layer and the uppermost layer in a solvent and coating the solution on a suitable support. Further, depending on the purpose, an undercoat layer, a protective layer, a backcoat layer and the like, which will be described later, can be formed in the same manner.
Solvents used here include ethylene dichloride, cyclohexanone, methyl ethyl ketone, methanol, ethanol, propanol, ethylene glycol monomethyl ether, 1-methoxy-2-propanol, 2-methoxyethyl acetate, 1-methoxy-2-propyl acetate, dimethoxy Examples include ethane, methyl lactate, ethyl lactate, N, N-dimethylacetamide, N, N-dimethylformamide, tetramethylurea, N-methylpyrrolidone, dimethyl sulfoxide, sulfolane, γ-butyrolactone, and toluene. It is not limited. These solvents are used alone or in combination.
The concentration of the above components (total solid content including additives) in the solvent is preferably 1 to 50% by mass.
The coating amount (solid content) of the image recording layer on the support obtained after coating and drying varies depending on the use, but generally the coating amount after drying the lower layer is 0.1 to 5.0 g / m 2. Preferably, 0.2 to 3.0 g / m 2 is more preferable. As the coating amount after drying of the top layer is preferably 0.01~5.0g / m 2, more preferably 0.03~3.0g / m 2, 0.05~2.0mg / m 2 Is most preferred.

画像記録層用塗布液を塗布する方法としては、種々の方法を用いることができるが、例えば、バーコーター塗布、回転塗布、スプレー塗布、カーテン塗布、ディップ塗布、エアーナイフ塗布、ブレード塗布、ロール塗布等を挙げることができる。塗布量が少なくなるにつれて、見かけの感度は大になるが、画像記録層の皮膜特性は低下する。   Various methods can be used for applying the image recording layer coating solution. For example, bar coater coating, spin coating, spray coating, curtain coating, dip coating, air knife coating, blade coating, roll coating. Etc. As the coating amount decreases, the apparent sensitivity increases, but the film characteristics of the image recording layer decrease.

2つの層を分離して形成する方法としては、例えば、下層に含まれる成分と、最上層に含まれる成分との溶剤溶解性の差を利用する方法、又は、最上層を塗布した後、急速に溶剤を乾燥、除去させる方法等が挙げられる。
以下、これらの方法について述べるが、2つの層を分離して塗布する方法はこれらに限定されるものではない。
As a method for forming the two layers separately, for example, a method using a difference in solvent solubility between the component contained in the lower layer and the component contained in the uppermost layer, or after applying the uppermost layer, rapid And a method of drying and removing the solvent.
Hereinafter, although these methods are described, the method of applying the two layers separately is not limited thereto.

下層に含まれる成分と最上層に含まれる成分との溶剤溶解性の差を利用する方法としては、最上層用塗布液を塗布する際に、下層に含まれる成分のいずれもが不溶な溶剤系を用いるものである。これにより、二層塗布を行っても、各層を明確に分離して塗膜にすることが可能になる。例えば、下層成分として、最上層成分であるアルカリ可溶性樹脂を溶解するメチルエチルケトンや1−メトキシ−2−プロパノール等の溶剤に不溶な成分を選択し、該下層成分を溶解する溶剤系を用いて下層を塗布・乾燥し、その後、アルカリ可溶性樹脂を主体とする上層成分をメチルエチルケトンや1−メトキシ−2−プロパノール等で溶解し、塗布・乾燥することにより2層化が可能になる。   As a method of utilizing the difference in solvent solubility between the component contained in the lower layer and the component contained in the uppermost layer, when applying the coating solution for the uppermost layer, any of the components contained in the lower layer is insoluble. Is used. Thereby, even if it carries out 2 layer application | coating, it becomes possible to isolate | separate each layer clearly and to make a coating film. For example, as the lower layer component, a component insoluble in a solvent such as methyl ethyl ketone or 1-methoxy-2-propanol that dissolves the alkali-soluble resin that is the uppermost layer component is selected, and the lower layer is formed using a solvent system that dissolves the lower layer component. After coating and drying, the upper layer component mainly composed of an alkali-soluble resin is dissolved in methyl ethyl ketone, 1-methoxy-2-propanol or the like, and coating and drying can be performed to form two layers.

次に、2層目(最上層)を塗布後に、極めて速く溶剤を乾燥させる方法としては、ウェブの走行方向に対してほぼ直角に設置したスリットノズルより高圧エアーを吹きつける方法や、蒸気等の加熱媒体を内部に供給されたロール(加熱ロール)よりウェブの下面から伝導熱として熱エネルギーを与える方法、或いはそれらの方法の組み合わせを挙げることができる。   Next, after applying the second layer (uppermost layer), as a method of drying the solvent very quickly, a method of blowing high-pressure air from a slit nozzle installed substantially perpendicular to the web running direction, steam, etc. Examples thereof include a method in which heat energy is applied as conduction heat from the lower surface of the web from a roll (heating roll) supplied with a heating medium, or a combination of these methods.

また本発明に係る画像記録層には、塗布性を良化するための界面活性剤、例えば特開昭62−170950号公報に記載されているようなフッ素系界面活性剤を添加することができる。好ましい添加量は、最上層、下層それぞれの全固形分中0.01〜1質量%、さらに好ましくは0.05〜0.5質量%である。   The image recording layer according to the present invention may contain a surfactant for improving the coating property, for example, a fluorosurfactant as described in JP-A-62-170950. . A preferable addition amount is 0.01 to 1% by mass, more preferably 0.05 to 0.5% by mass in the total solid content of each of the uppermost layer and the lower layer.

<支持体>
本発明の画像形成材料に使用される支持体としては、寸度的に安定な板状物であり、必要な強度、可撓性などの物性を満たすものであれば特に制限はなく、例えば、紙、プラスチック(例えば、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリスチレン等)がラミネートされた紙、金属板(例えば、アルミニウム、亜鉛、銅等)、プラスチックフイルム(例えば、二酢酸セルロース、三酢酸セルロース、プロピオン酸セルロース、酪酸セルロース、酢酸酪酸セルロース、硝酸セルロース、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレン、ポリスチレン、ポリプロピレン、ポリカーボネート、ポリビニルアセタール等)、上記のごとき金属がラミネート、若しくは蒸着された紙、又はプラスチックフイルム等が挙げられる。
本発明に適用し得る支持体としては、ポリエステルフイルム又はアルミニウム板が好ましく、その中でも寸法安定性がよく、比較的安価であるアルミニウム板は特に好ましい。好適なアルミニウム板は、純アルミニウム板及びアルミニウムを主成分とし、微量の異元素を含む合金板であり、更にアルミニウムがラミネート若しくは蒸着されたプラスチックフイルムでもよい。アルミニウム合金に含まれる異元素には、ケイ素、鉄、マンガン、銅、マグネシウム、クロム、亜鉛、ビスマス、ニッケル、チタンなどがある。合金中の異元素の含有量は一般的に10質量%以下である。本発明において特に好適なアルミニウムは、純アルミニウムであるが、完全に純粋なアルミニウムは精錬技術上製造が困難であるので、僅かに異元素を含有するものでもよい。
このように本発明に適用されるアルミニウム板は、その組成が特定されるものではなく、従来より公知公用の素材のアルミニウム板を適宜に利用することができる。本発明で用いられるアルミニウム板の厚みはおよそ0.1mm〜0.6mm程度、好ましくは0.15mm〜0.4mm、特に好ましくは0.2mm〜0.3mmである。
<Support>
The support used in the image forming material of the present invention is a dimensionally stable plate-like material, and is not particularly limited as long as it satisfies physical properties such as required strength and flexibility. Paper, paper laminated with plastic (eg, polyethylene, polypropylene, polystyrene, etc.), metal plate (eg, aluminum, zinc, copper, etc.), plastic film (eg, cellulose diacetate, cellulose triacetate, cellulose propionate, butyric acid) Cellulose, cellulose acetate butyrate, cellulose nitrate, polyethylene terephthalate, polyethylene, polystyrene, polypropylene, polycarbonate, polyvinyl acetal, etc.), paper on which a metal as described above is laminated or vapor-deposited, or plastic film.
As the support applicable to the present invention, a polyester film or an aluminum plate is preferable, and among them, an aluminum plate that has good dimensional stability and is relatively inexpensive is particularly preferable. A suitable aluminum plate is a pure aluminum plate or an alloy plate containing aluminum as a main component and containing a trace amount of foreign elements, and may be a plastic film on which aluminum is laminated or vapor-deposited. Examples of foreign elements contained in the aluminum alloy include silicon, iron, manganese, copper, magnesium, chromium, zinc, bismuth, nickel, and titanium. The content of foreign elements in the alloy is generally 10% by mass or less. Particularly suitable aluminum in the present invention is pure aluminum, but completely pure aluminum is difficult to produce in the refining technique, and may contain slightly different elements.
Thus, the composition of the aluminum plate applied to the present invention is not specified, and an aluminum plate made of a publicly known material can be appropriately used. The thickness of the aluminum plate used in the present invention is about 0.1 mm to 0.6 mm, preferably 0.15 mm to 0.4 mm, and particularly preferably 0.2 mm to 0.3 mm.

アルミニウム板を粗面化するに先立ち、所望により、表面の圧延油を除去するための例えば界面活性剤、有機溶剤又はアルカリ性水溶液などによる脱脂処理が行われる。アルミニウム板の表面の粗面化処理は、種々の方法により行われるが、例えば、機械的に粗面化する方法、電気化学的に表面を溶解粗面化する方法及び化学的に表面を選択溶解させる方法により行われる。機械的方法としては、ボール研磨法、ブラシ研磨法、ブラスト研磨法、バフ研磨法などの公知の方法を用いることができる。また、電気化学的な粗面化法としては塩酸又は硝酸電解液中で交流又は直流により行う方法がある。また、特開昭54−63902号公報に開示されているように両者を組合せた方法も利用することができる。この様に粗面化されたアルミニウム板は、必要に応じてアルカリエッチング処理及び中和処理された後、所望により表面の保水性や耐摩耗性を高めるために陽極酸化処理が施される。アルミニウム板の陽極酸化処理に用いられる電解質としては、多孔質酸化皮膜を形成する種々の電解質の使用が可能で、一般的には硫酸、リン酸、蓚酸、クロム酸或いはそれらの混酸が用いられる。それらの電解質の濃度は電解質の種類によって適宜決められる。   Prior to roughening the aluminum plate, a degreasing treatment with, for example, a surfactant, an organic solvent, or an alkaline aqueous solution for removing rolling oil on the surface is performed as desired. The surface roughening treatment of the aluminum plate is performed by various methods. For example, a method of mechanically roughening, a method of electrochemically dissolving and roughening a surface, and a method of selectively dissolving a surface chemically. This is done by the method of As the mechanical method, a known method such as a ball polishing method, a brush polishing method, a blast polishing method, or a buff polishing method can be used. Further, as an electrochemical surface roughening method, there is a method of performing alternating current or direct current in hydrochloric acid or nitric acid electrolyte. Further, as disclosed in Japanese Patent Laid-Open No. 54-63902, a method in which both are combined can also be used. The roughened aluminum plate is subjected to alkali etching treatment and neutralization treatment as necessary, and then subjected to anodization treatment if desired in order to enhance the water retention and wear resistance of the surface. As the electrolyte used for the anodizing treatment of the aluminum plate, various electrolytes that form a porous oxide film can be used. In general, sulfuric acid, phosphoric acid, oxalic acid, chromic acid, or a mixed acid thereof is used. The concentration of these electrolytes is appropriately determined depending on the type of electrolyte.

陽極酸化の処理条件は、用いる電解質により種々変わるので一概に特定し得ないが、一般的には電解質の濃度が1〜80質量%の溶液、液温は5〜70℃、電流密度5〜60A/dm2、電圧1〜100V、電解時間10秒〜5分の範囲であれば適当である。陽極酸化皮膜の量は1.0g/m2より少ないと耐刷性が不十分であったり、印刷版の非画像部に傷が付き易くなって、印刷時に傷の部分にインキが付着する所謂「傷汚れ」が生じ易くなる。陽極酸化処理を施された後、アルミニウム表面は必要により親水化処理が施される。本発明に使用される親水化処理としては、米国特許第2,714,066号、同第3,181,461号、同第3,280,734号及び同第3,902,734号等明細書に開示されているようなアルカリ金属シリケート(例えばケイ酸ナトリウム水溶液)法がある。この方法においては、支持体がケイ酸ナトリウム水溶液で浸漬処理されるか又は電解処理される。他に特公昭36−22063号公報に開示されているフッ化ジルコン酸カリウム及び米国特許第3,276,868号、同第4,153,461号、同第4,689,272号等明細書に開示されているようなポリビニルホスホン酸で処理する方法などが用いられる。 The treatment conditions for anodization vary depending on the electrolyte used and thus cannot be specified in general. In general, however, a solution having an electrolyte concentration of 1 to 80% by mass, a liquid temperature of 5 to 70 ° C., and a current density of 5 to 60 A. / Dm 2 , voltage 1 to 100 V, electrolysis time 10 seconds to 5 minutes are suitable. When the amount of the anodized film is less than 1.0 g / m 2 , the printing durability is insufficient, or the non-image part of the printing plate is easily scratched, so that the ink adheres to the scratched part during printing. “Scratches and dirt” are likely to occur. After the anodizing treatment, the aluminum surface is subjected to a hydrophilic treatment if necessary. Examples of the hydrophilization treatment used in the present invention include U.S. Pat. Nos. 2,714,066, 3,181,461, 3,280,734 and 3,902,734. There is an alkali metal silicate (for example, aqueous sodium silicate) method as disclosed in the literature. In this method, the support is immersed in an aqueous sodium silicate solution or electrolytically treated. In addition, potassium fluoride zirconate disclosed in Japanese Patent Publication No. 36-22063 and U.S. Pat. Nos. 3,276,868, 4,153,461, 4,689,272, etc. For example, a method of treating with polyvinylphosphonic acid as disclosed in JP-A No. 1993-133.

<下塗層>
本発明の画像形成材料は、支持体上に先述したような画像記録層を設けたものであるが、必要に応じて支持体と下層との間に下塗層を設けることができる。この下塗層を設けることで、支持体と画像記録層との間の下塗層が断熱層として機能し、赤外線レーザの露光により発生した熱が支持体に拡散せず、効率よく使用されることから、高感度化が図れるという利点を有する。また、本発明に係る画像記録層は、この下塗層を設ける際にも、露光面或いはその近傍に位置するため、赤外線レーザに対する感度は良好に維持される。
なお、未露光部においては、アルカリ現像液に対して非浸透性を有する画像記録層自体が下塗層の保護層として機能するために、現像安定性が良好になるとともにディスクリミネーションに優れた画像が形成され、且つ、経時的な安定性も確保されるものと考えられ、露光部においては、溶解抑止作用が解除された画像記録層の成分が速やかに現像液に溶解、分散し、更には、支持体に隣接して存在するこの下塗層自体がアルカリ可溶性樹脂からなるものであるため、現像液に対する溶解性が良好で、例えば、活性の低下した現像液などを用いた場合でも、残膜などが発生することなく速やかに溶解し、現像性の向上にも寄与し、この下塗層は有用であると考えられる。
<Undercoat layer>
The image forming material of the present invention is provided with an image recording layer as described above on a support, but an undercoat layer can be provided between the support and the lower layer, if necessary. By providing this undercoat layer, the undercoat layer between the support and the image recording layer functions as a heat insulating layer, and the heat generated by the infrared laser exposure does not diffuse to the support and is used efficiently. Therefore, there is an advantage that the sensitivity can be increased. In addition, the image recording layer according to the present invention is located on the exposed surface or in the vicinity thereof even when the undercoat layer is provided, so that the sensitivity to the infrared laser is well maintained.
In the unexposed area, the image recording layer itself that is impervious to the alkaline developer functions as a protective layer for the undercoat layer, so that the development stability is improved and the discrimination is excellent. It is considered that an image is formed and the stability over time is ensured, and in the exposed portion, the components of the image recording layer whose dissolution inhibiting action is released are quickly dissolved and dispersed in the developer. Since the undercoat layer itself that is present adjacent to the support is made of an alkali-soluble resin, the solubility in a developer is good, for example, even when using a developer with reduced activity, It is considered that this undercoat layer is useful because it dissolves quickly without generating a residual film and contributes to improvement of developability.

下塗層成分としては種々の有機化合物が用いられ、例えば、カルボキシメチルセルロース、デキストリン、アラビアガム、2−アミノエチルホスホン酸などのアミノ基を有するホスホン酸類、置換基を有してもよいフェニルホスホン酸、ナフチルホスホン酸、アルキルホスホン酸、グリセロホスホン酸、メチレンジホスホン酸及びエチレンジホスホン酸などの有機ホスホン酸、置換基を有してもよいフェニルリン酸、ナフチルリン酸、アルキルリン酸及びグリセロリン酸などの有機リン酸、置換基を有してもよいフェニルホスフィン酸、ナフチルホスフィン酸、アルキルホスフィン酸及びグリセロホスフィン酸などの有機ホスフィン酸、グリシン、β−アラニンなどのアミノ酸類、トリエタノールアミンの塩酸塩などのヒドロキシ基を有するアミンの塩酸塩等から選ばれ、これらを1種若しくは2種以上混合して用いることができる。   Various organic compounds are used as the primer layer component. For example, phosphonic acids having an amino group such as carboxymethylcellulose, dextrin, gum arabic, 2-aminoethylphosphonic acid, and phenylphosphonic acid which may have a substituent Organic phosphonic acids such as naphthyl phosphonic acid, alkyl phosphonic acid, glycero phosphonic acid, methylene diphosphonic acid and ethylene diphosphonic acid, phenyl phosphoric acid, naphthyl phosphoric acid, alkyl phosphoric acid and glycerophosphoric acid which may have a substituent Organic phosphoric acid, optionally substituted phenylphosphinic acid, naphthylphosphinic acid, alkylphosphinic acid and glycerophosphinic acid and other aminophosphinic acids, glycine, β-alanine and other amino acids, and triethanolamine hydrochloride Having a hydroxy group such as Selected from the hydrochloride salt of amine may be used by mixing them one or two or more.

更に下記式で示される構造単位を有する有機高分子化合物群から選ばれる少なくとも1種の化合物を含む下塗層も好ましい。   Furthermore, an undercoat layer containing at least one compound selected from the group of organic polymer compounds having a structural unit represented by the following formula is also preferred.

Figure 2005283680
Figure 2005283680

R31は水素原子、ハロゲン原子又はアルキル基を表し、R32及びR33は各々独立に、水素原子、水酸基、ハロゲン原子、アルキル基、置換アルキル基、アリール基、置換アリール基、−OR34、−COOR35、−CONHR36、−COR37若しくは−CNを表すか、又はR32及びR33が結合して環を形成してもよく、R34〜R37は各々独立にアルキル基又はアリール基を表し、Vは水素原子、金属原子、NR38R39R40R41を表し、R38〜R41は各々独立に、水素原子、アルキル基、置換アルキル基、アリール基若しくは置換アリール基を表すか、又はR38及びR39が結合して環を形成してもよく、kは1〜3の整数を表す。
なお、上記置換基の具体例としては、R1〜R4、R5及びR6、並びにZ1及びZ2におけるアルキル基等、各々前述の例と同様のものを挙げることができる。
R 31 represents a hydrogen atom, a halogen atom or an alkyl group, and R 32 and R 33 each independently represent a hydrogen atom, a hydroxyl group, a halogen atom, an alkyl group, a substituted alkyl group, an aryl group, a substituted aryl group, —OR 34 , -COOR 35 , -CONHR 36 , -COR 37 or -CN, or R 32 and R 33 may be bonded to form a ring, and R 34 to R 37 are each independently an alkyl group or an aryl group. V represents a hydrogen atom, a metal atom, or N R 38 R 39 R 40 R 41 , and R 38 to R 41 each independently represents a hydrogen atom, an alkyl group, a substituted alkyl group, an aryl group or a substituted aryl group. Alternatively, R 38 and R 39 may combine to form a ring, and k represents an integer of 1 to 3.
Specific examples of the substituent include R 1 to R 4 , R 5 and R 6 , and an alkyl group in Z 1 and Z 2, and the same examples as those described above.

また、本発明における好適な下塗層成分として、特開2000−241962号公報に記載の酸基を有する構成成分とオニウム基を有する構成成分とを有する高分子化合物を挙げることができる。具体的には、酸基を有するモノマーとオニウム基を有するモノマーの共重合体が挙げられる。酸基として好ましいのは酸解離指数(pKa)が7以上の酸基であり、より好ましくは−COOH、−SO3H、−OSO3H、−PO32、−OPO32、−CONHSO2−、又は−SO2NHSO2−であり、特に好ましくは−COOHである。酸基を有するモノマーの具体例としては、アクリル酸、メタクリル酸、クロトン酸、イソクロトン酸、イタコン酸、マレイン酸、無水マレイン酸、上記酸基を有するスチレンなどが挙げられる。オニウム塩として好ましいのは、周期表V族或いは第VI族の原子からなるオニウム基であり、より好ましくは窒素原子、リン原子或いは硫黄原子から成るオニウム塩であり、特に好ましくは窒素原子から成るオニウム塩である。オニウム塩を有するモノマーの具体例としては、側鎖にアンモニウム基を有するメタクリレート、メタクリルアミド、第4級アンモニウム基などのオニウム基を含む置換基などのオニウム基を含む置換基を有するスチレン等が挙げられる。
更に、特開2000−108538号公報、特願2002−257484号公報、特願2003−78699号公報等に記載されているような化合物についても、必要に応じて用いることができる。
Moreover, as a suitable undercoat layer component in the present invention, there can be mentioned a polymer compound having a component having an acid group and a component having an onium group, as described in JP-A No. 2000-241962. Specific examples include a copolymer of a monomer having an acid group and a monomer having an onium group. The acid group is preferably an acid group having an acid dissociation index (pKa) of 7 or more, more preferably —COOH, —SO 3 H, —OSO 3 H, —PO 3 H 2 , —OPO 3 H 2 , — CONHSO 2 — or —SO 2 NHSO 2 —, particularly preferably —COOH. Specific examples of the monomer having an acid group include acrylic acid, methacrylic acid, crotonic acid, isocrotonic acid, itaconic acid, maleic acid, maleic anhydride, and styrene having the acid group. Preferred as the onium salt is an onium group comprising an atom of Group V or Group VI of the periodic table, more preferred is an onium salt comprising a nitrogen atom, a phosphorus atom or a sulfur atom, and particularly preferred is an onium salt comprising a nitrogen atom. It is salt. Specific examples of the monomer having an onium salt include styrene having a substituent containing an onium group such as a methacrylate having an ammonium group in the side chain, a methacrylamide, a substituent containing an onium group such as a quaternary ammonium group, and the like. It is done.
Furthermore, compounds described in JP-A No. 2000-108538, Japanese Patent Application No. 2002-257484, Japanese Patent Application No. 2003-78699, and the like can be used as necessary.

これらの下塗層は次のような方法で設けることができる。即ち、メタノール、エタノール、メチルエチルケトンなどの有機溶剤、若しくは水、又はそれらの混合溶剤に上記の有機化合物を溶解させた溶液を調製し、アルミニウム板上に塗布、乾燥して設ける方法と、概溶液に、アルミニウム板を浸漬して上記化合物を吸着させ、その後水などによって洗浄、乾燥して設ける方法である。前者の方法では、上記の有機化合物の0.005〜10質量%の濃度の溶液を種々の方法で塗布できる。また後者の方法では、溶液の濃度は0.01〜20質量%、好ましくは0.05〜5質量%であり、浸漬温度は20〜90℃、好ましくは25〜50℃であり、浸漬時間は0.1秒〜20分、好ましくは2秒〜1分である。これに用いる溶液は、アンモニア、トリエチルアミン、水酸化カリウムなどの塩基性物質や、塩酸、リン酸などの酸性物質によりpH1〜12の範囲に調整することもできる。また、画像形成材料の調子再現性改良のために黄色染料を添加することもできる。下塗層の被覆量は、2〜200mg/m2が適当であり、好ましくは5〜100mg/m2である。上記の被覆量が2mg/m2よりも少ないと十分な耐刷性能が得られない。また、200mg/m2より多くても同様である。 These undercoat layers can be provided by the following method. That is, a solution in which the above organic compound is dissolved in an organic solvent such as methanol, ethanol, methyl ethyl ketone, or water, or a mixed solvent thereof is prepared, applied to an aluminum plate, and dried. In this method, an aluminum plate is immersed to adsorb the compound, and then washed and dried with water or the like. In the former method, a solution having a concentration of 0.005 to 10% by mass of the organic compound can be applied by various methods. In the latter method, the concentration of the solution is 0.01 to 20% by mass, preferably 0.05 to 5% by mass, the immersion temperature is 20 to 90 ° C., preferably 25 to 50 ° C., and the immersion time is 0.1 second to 20 minutes, preferably 2 seconds to 1 minute. The solution used for this can be adjusted to a pH range of 1 to 12 with basic substances such as ammonia, triethylamine, potassium hydroxide, and acidic substances such as hydrochloric acid and phosphoric acid. A yellow dye can also be added to improve the tone reproducibility of the image forming material. The coating amount of the undercoat layer is suitably 2 to 200 mg / m 2 , preferably 5 to 100 mg / m 2 . If the coating amount is less than 2 mg / m 2 , sufficient printing durability cannot be obtained. Moreover, even if it exceeds 200 mg / m < 2 >, it is the same.

<画像形成>
本発明の画像形成材料は熱により画像形成される。具体的には、熱記録ヘッド等による直接画像様記録、赤外線レーザによる走査露光、キセノン放電灯などの高照度フラッシュ露光や赤外線ランプ露光などが用いられるが、波長700〜1200nmの赤外線を放射する半導体レーザ、YAGレーザ等の固体高出力赤外線レーザによる露光が好適である。
<Image formation>
The image forming material of the present invention is imaged by heat. Specifically, direct image-like recording using a thermal recording head, scanning exposure using an infrared laser, high-illuminance flash exposure such as a xenon discharge lamp, infrared lamp exposure, and the like are used, but a semiconductor that emits infrared light having a wavelength of 700 to 1200 nm. Exposure by a solid high-power infrared laser such as a laser or a YAG laser is suitable.

レーザの出力は100mW以上が好ましく、露光時間を短縮するため、マルチビームレーザデバイスを用いることが好ましい。また、1画素あたりの露光時間は20μ秒以内であることが好ましく、記録材料に照射されるエネルギーは10〜500mJ/cm2であることが好ましい。 The laser output is preferably 100 mW or more, and a multi-beam laser device is preferably used in order to shorten the exposure time. The exposure time per pixel is preferably within 20 μsec, and the energy applied to the recording material is preferably 10 to 500 mJ / cm 2 .

<現像液及び現像処理>
本発明に適用することのできる現像液は、pHが9.0〜14.0の範囲、好ましくは12.0〜13.5の範囲にある現像液である。現像液(以下、補充液も含めて現像液と呼ぶ)には、従来より知られているアルカリ水溶液が使用でき、例えば、ケイ酸ナトリウム、ケイ酸カリウム、第3リン酸ナトリウム、第3リン酸カリウム、第3リン酸アンモニウム、第2リン酸ナトリウム、第2リン酸カリウム、第2リン酸アンモニウム、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、炭酸アンモニウム、炭酸水素ナトリウム、炭酸水素カリウム、炭酸水素アンモニウム、ほう酸ナトリウム、ほう酸カリウム、ほう酸アンモニウム、水酸化ナトリウム、水酸化アンモニウム、水酸化カリウム及び水酸化リチウムなどの無機アルカリ塩が挙げられる。また、モノメチルアミン、ジメチルアミン、トリメチルアミン、モノエチルアミン、ジエチルアミン、トリエチルアミン、モノイソプロピルアミン、ジイソプロピルアミン、トリイソプロピルアミン、n−ブチルアミン、モノエタノールアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン、モノイソプロパノールアミン、ジイソプロパノールアミン、エチレンイミン、エチレンジアミン、ピリジンなどの有機アルカリ剤が挙げられる。これらのアルカリ水溶液は、1種単独で用いてもよいし、2種以上を併用してもよい。
<Developer and development processing>
The developer that can be applied to the present invention is a developer having a pH in the range of 9.0 to 14.0, preferably in the range of 12.0 to 13.5. As a developer (hereinafter referred to as a developer including a replenisher), a conventionally known alkaline aqueous solution can be used. For example, sodium silicate, potassium silicate, tribasic sodium phosphate, triphosphoric acid Potassium, tribasic ammonium phosphate, dibasic sodium phosphate, dibasic potassium phosphate, dibasic ammonium phosphate, sodium carbonate, potassium carbonate, ammonium carbonate, sodium bicarbonate, potassium bicarbonate, ammonium bicarbonate, sodium borate, Examples include inorganic alkali salts such as potassium borate, ammonium borate, sodium hydroxide, ammonium hydroxide, potassium hydroxide, and lithium hydroxide. Moreover, monomethylamine, dimethylamine, trimethylamine, monoethylamine, diethylamine, triethylamine, monoisopropylamine, diisopropylamine, triisopropylamine, n-butylamine, monoethanolamine, diethanolamine, triethanolamine, monoisopropanolamine, diisopropanolamine, Organic alkali agents such as ethyleneimine, ethylenediamine, and pyridine are listed. These alkaline aqueous solutions may be used individually by 1 type, and may use 2 or more types together.

上記のアルカリ水溶液のうち、特に効果が発揮される現像液としては、塩基としてケイ酸アルカリを含有した、又は塩基にケイ素化合物を混ぜてケイ酸アルカリとしたものを含有した、所謂「シリケート現像液」と呼ばれるpH12以上のアルカリ水溶液と、ケイ酸アルカリを含有せず、非還元糖(緩衝作用を有する有機化合物)と塩基とを含有した所謂「ノンシリケート現像液」とが挙げられる。   Among the alkaline aqueous solutions described above, as a developer exhibiting particularly advantageous effects, a so-called “silicate developer” containing an alkali silicate as a base or containing an alkali silicate by mixing a silicon compound with a base. And a so-called “non-silicate developer” that does not contain an alkali silicate and contains a non-reducing sugar (an organic compound having a buffering action) and a base.

前者においては、アルカリ金属ケイ酸塩の水溶液はケイ酸塩の成分である酸化ケイ素SiO2とアルカリ金属酸化物M2Oの比率(一般に〔SiO2〕/〔M2O〕のモル比で表す)と濃度によって現像性の調節が可能であり、例えば、特開昭54−62004号公報に開示されているような、SiO2/Na2Oのモル比が1.0〜1.5(即ち〔SiO2〕/〔Na2O〕が1.0〜1.5)であって、SiO2の含有量が1〜4質量%のケイ酸ナトリウムの水溶液や、特公昭57−7427号公報に記載されているような、〔SiO2〕/〔M〕が0.5〜0.75(即ち〔SiO2〕/〔M2O〕が0.5〜0.75)であって、SiO2の濃度が1〜4質量%であり、かつ該現像液がその中に存在する全アルカリ金属のグラム原子を基準にして少なくとも20%のカリウムを含有している、アルカリ金属ケイ酸塩の水溶液が好適に用いられる。 In the former, the aqueous solution of alkali metal silicate is a ratio of silicon oxide SiO 2 which is a component of silicate and alkali metal oxide M 2 O (generally expressed as a molar ratio of [SiO 2 ] / [M 2 O]. ) And the density, the developability can be adjusted. For example, as disclosed in JP-A-54-62004, the SiO 2 / Na 2 O molar ratio is 1.0 to 1.5 (that is, [SiO 2 ] / [Na 2 O] is 1.0 to 1.5), and an aqueous solution of sodium silicate having a SiO 2 content of 1 to 4 mass% is disclosed in JP-B-57-7427. As described, [SiO 2 ] / [M] is 0.5 to 0.75 (ie, [SiO 2 ] / [M 2 O] is 0.5 to 0.75), and SiO 2 Concentration of 1 to 4% by weight, and the developer contains gram atoms of all alkali metals present therein. In the quasi containing potassium at least 20%, aqueous solution of an alkali metal silicate is preferably used.

また、後者の「ノンシリケート現像液」は、画像記録層の表面を劣化させることがなく、且つ画像記録層の着肉性を良好な状態に維持することができるため、本発明に係る現像には一層好ましい。本発明のような画像形成材料は、一般には現像ラチチュードが狭く、現像液pHによる画線幅等の変化が大きいが、ノンシリケート現像液にはpHの変動を抑える緩衝性を有する非還元糖が含まれているため、シリケートを含む現像処理液を用いた場合に比べて有利である。更に、非還元糖は、シリケートに比べて液活性度を制御するための電導度センサーやpHセンサー等を汚染し難いため、この点でも、ノンシリケート現像液は有利である。また、ディスクリミネーション向上効果が顕著であるが、これは、本発明において重要な現像液との接触(浸透)がマイルドとなり、露光部及び未露光部の差が出やすくなっているためと推定される。   Further, the latter “non-silicate developer” does not deteriorate the surface of the image recording layer and can maintain the image recording layer in a good state. Is more preferable. An image forming material such as the present invention generally has a narrow development latitude and a large change in image line width due to the pH of the developer, but non-silicate developers have a non-reducing sugar having a buffering property that suppresses fluctuations in pH. Since it is contained, it is more advantageous than the case of using a developing solution containing silicate. Furthermore, since non-reducing sugars are less likely to contaminate conductivity sensors, pH sensors and the like for controlling liquid activity compared to silicates, non-silicate developers are advantageous in this respect as well. In addition, the effect of improving the discrimination is remarkable. This is presumably because the contact (penetration) with the developer which is important in the present invention becomes mild, and the difference between the exposed portion and the unexposed portion is likely to occur. Is done.

前記非還元糖とは、遊離のアルデヒド基やケトン基を持たず、還元性を示さない糖類であり、還元基同士の結合したトレハロース型少糖類、糖類の還元基と非糖類が結合した配糖体、及び糖類に水素添加して還元した糖アルコールに分類され、何れも本発明において好適に用いることができる。なお、本発明においては、特開平8−305039号公報に記載された非還元糖を好適に使用することができる。   The non-reducing sugar is a saccharide that does not have a free aldehyde group or a ketone group and does not exhibit reducibility, and is a trehalose-type oligosaccharide in which reducing groups are bonded to each other, or a glycoside in which a reducing group and a non-saccharide are bonded to each other. And sugar alcohols reduced by hydrogenation of saccharides and sugars, both of which can be suitably used in the present invention. In the present invention, non-reducing sugars described in JP-A-8-305039 can be preferably used.

前記トレハロース型少糖類としては、例えば、サッカロース、トレハロース等が挙げられる。前記配糖体としては、例えば、アルキル配糖体、フェノール配糖体、カラシ油配糖体等が挙げられる。前記糖アルコールとしては、例えば、D,L−アラビット、リビット、キシリット、D,L−ソルビット、D,L−マンニット、D,L−イジット、D,L−タリット、ズリシット、アロズルシット等が挙げられる。更に、二糖類のマルトースに水素添加したマルチトール、オリゴ糖の水素添加で得られる還元体(還元水あめ)等が好適に挙げられる。これらの非還元糖の中でも、トレハロース型少糖類、糖アルコールが好ましく、その中でも、D−ソルビット、サッカロース、還元水あめ等が適度なpH領域に緩衝作用があり、低価格である点で好ましい。   Examples of the trehalose type oligosaccharides include saccharose and trehalose. Examples of the glycoside include alkyl glycosides, phenol glycosides, and mustard oil glycosides. Examples of the sugar alcohol include D, L-arabit, rebit, xylit, D, L-sorbit, D, L-mannit, D, L-exit, D, L-talit, zulsiit, allozulcit and the like. . Further, maltitol hydrogenated to disaccharide maltose, reduced form obtained by hydrogenation of oligosaccharide (reduced water candy), and the like are preferable. Among these non-reducing sugars, trehalose-type oligosaccharides and sugar alcohols are preferable, and among them, D-sorbitol, saccharose, reduced syrup, etc. are preferable because they have a buffering action in an appropriate pH region and are inexpensive.

これらの非還元糖は、一種単独で使用してもよいし、二種以上を併用してもよい。前記非還元糖の前記ノンシリケート現像液中における含有量としては、0.1〜30質量%が好ましく、1〜20質量%がより好ましい。前記含有量が、0.1質量%未満であると十分な緩衝作用が得られなくなる傾向があり、30質量%を越えると高濃縮化し難く、また原価も高くなる傾向がある。   These non-reducing sugars may be used alone or in combination of two or more. The content of the non-reducing sugar in the non-silicate developer is preferably 0.1 to 30% by mass, and more preferably 1 to 20% by mass. If the content is less than 0.1% by mass, a sufficient buffering effect tends to be not obtained, and if it exceeds 30% by mass, it is difficult to achieve high concentration and the cost tends to increase.

また、前記非還元糖と組み合わせて用いられる塩基としては、従来より公知のアルカリ剤、例えば、無機アルカリ剤、有機アルカリ剤等が挙げられる。無機アルカリ剤としては、例えば、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水酸化リチウム、リン酸三ナトリウム、リン酸三カリウム、リン酸三アンモニウム、リン酸二ナトリウム、リン酸二カリウム、リン酸二アンモニウム、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、炭酸アンモニウム、炭酸水素ナトリウム、炭酸水素カリウム、炭酸水素アンモニウム、硼酸ナトリウム、硼酸カリウム、硼酸アンモニウム等が挙げられる。   Examples of the base used in combination with the non-reducing sugar include conventionally known alkali agents such as inorganic alkali agents and organic alkali agents. Examples of the inorganic alkaline agent include sodium hydroxide, potassium hydroxide, lithium hydroxide, trisodium phosphate, tripotassium phosphate, triammonium phosphate, disodium phosphate, dipotassium phosphate, diammonium phosphate, Examples thereof include sodium carbonate, potassium carbonate, ammonium carbonate, sodium hydrogen carbonate, potassium hydrogen carbonate, ammonium hydrogen carbonate, sodium borate, potassium borate, and ammonium borate.

有機アルカリ剤としては、例えば、モノメチルアミン、ジメチルアミン、トリメチルアミン、モノエチルアミン、ジエチルアミン、トリエチルアミン、モノイソプロピルアミン、ジイソプロピルアミン、トリイソプロピルアミン、n−ブチルアミン、モノエタノールアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン、モノイソプロパノールアミン、ジイソプロパノールアミン、エチレンイミン、エチレンジアミン、ピリジン等が挙げられる。   Examples of the organic alkali agent include monomethylamine, dimethylamine, trimethylamine, monoethylamine, diethylamine, triethylamine, monoisopropylamine, diisopropylamine, triisopropylamine, n-butylamine, monoethanolamine, diethanolamine, triethanolamine, monoisopropanol. Examples include amine, diisopropanolamine, ethyleneimine, ethylenediamine, and pyridine.

前記塩基は、一種単独で使用してもよいし、二種以上を併用してもよい。これらの塩基の中でも、水酸化ナトリウム、水酸化カリウムが好ましい。また、本発明においては、前記ノンシリケート現像液として、非還元糖と塩基との併用に代えて、非還元糖のアルカリ金属塩を主成分としたものを用いることもできる。   The said base may be used individually by 1 type, and may use 2 or more types together. Among these bases, sodium hydroxide and potassium hydroxide are preferable. In the present invention, as the non-silicate developer, a non-reducing sugar alkali metal salt as a main component can be used instead of the non-reducing sugar and the base.

また、前記ノンシリケート現像液に、前記非還元糖以外の弱酸と強塩基とからなるアルカリ性緩衝液を併用することができる。前記弱酸としては、解離定数(pKa)が10.0〜13.2のものが好ましく、例えば、Pergmon Press 社発行のIonization Constants of Organic Acidsin Aqueous Solution 等に記載されているものから選択できる。   In addition, an alkaline buffer composed of a weak acid other than the non-reducing sugar and a strong base can be used in combination with the non-silicate developer. The weak acid preferably has a dissociation constant (pKa) of 10.0 to 13.2, and can be selected from, for example, those described in Ionization Constants of Organic Acidsin Aqueous Solution published by Pergmon Press.

具体的には、2,2,3,3−テトラフルオロプロパノ−ル−1、トリフルオロエタノール、トリクロロエタノール等のアルコール類;ピリジン−2−アルデヒド、ピリジン−4−アルデヒド等のアルデヒド類;サリチル酸、3−ヒドロキシ−2−ナフトエ酸、カテコール、没食子酸、スルホサリチル酸、3,4−ジヒドロキシスルホン酸、3,4−ジヒドロキシ安息香酸、ハイドロキノン、ピロガロール、o−クレゾール、m−クレゾール、p−クレゾール、レゾルソノール等のフェノール性水酸基を有する化合物;アセトキシム、2−ヒドロキシベンズアルデヒドオキシム、ジメチルグリオキシム、エタンジアミドジオキシム、アセトフェノンオキシム等のオキシム類;アデノシン、イノシン、グアニン、シトシン、ヒポキサンチン、キサンチン等の核酸関連物質;その他に、ジエチルアミノメチルホスホン酸、ベンズイミダゾール、バルビツル酸等が好適に挙げられる。   Specifically, alcohols such as 2,2,3,3-tetrafluoropropanol-1, trifluoroethanol and trichloroethanol; aldehydes such as pyridine-2-aldehyde and pyridine-4-aldehyde; salicylic acid 3-hydroxy-2-naphthoic acid, catechol, gallic acid, sulfosalicylic acid, 3,4-dihydroxysulfonic acid, 3,4-dihydroxybenzoic acid, hydroquinone, pyrogallol, o-cresol, m-cresol, p-cresol, Compounds having a phenolic hydroxyl group such as resorsonol; oximes such as acetoxime, 2-hydroxybenzaldehyde oxime, dimethylglyoxime, ethanediamide dioxime, acetophenone oxime; adenosine, inosine, guanine, cytosine, hypoxanthine, chitosan Nucleic acid-related substances such as Nchin; other, diethylaminomethyl acid, benzimidazole, and the like barbituric acid is preferably exemplified.

前記現像液には、現像性の促進や抑制、現像カスの分散又は、印刷版画像部の親インキ性を高める目的で、必要に応じて、種々の界面活性剤や有機溶剤を添加できる。前記界面活性剤としては、アニオン系、カチオン系、ノニオン系及び両性界面活性剤が好ましい。更に、前記現像液には、必要に応じて、ハイドロキノン、レゾルシン、亜硫酸、亜硫酸水素酸などの無機酸のナトリウム塩、カリウム塩等の還元剤、更に有機カルボン酸、消泡剤、硬水軟化剤等を加えることができる。   Various surfactants and organic solvents can be added to the developer as necessary for the purpose of promoting or suppressing developability, dispersing development residue, or improving ink affinity of the printing plate image area. As the surfactant, anionic, cationic, nonionic and amphoteric surfactants are preferable. Furthermore, in the developer, if necessary, a reducing agent such as sodium salt or potassium salt of inorganic acid such as hydroquinone, resorcin, sulfurous acid, or bisulfite, and further organic carboxylic acid, antifoaming agent, water softener, etc. Can be added.

更に自動現像機を用いて現像する場合には、現像液よりもアルカリ強度の高い水溶液(補充液)を現像液に加えることによって、長時間現像タンク中の現像液を交換する事なく、多量の画像形成材料を処理できることが知られている。本発明においてもこの補充方式が好ましく適用される。現像液には現像性の促進や抑制、現像カスの分散及び印刷版画像部の親インキ性を高める目的で必要に応じて種々の界面活性剤や有機溶剤を添加できる。
好ましい界面活性剤としては、アニオン系、カチオン系、ノニオン系及び両性界面活性剤が挙げられる。更に現像液には必要に応じて、ハイドロキノン、レゾルシン、亜硫酸、亜硫酸水素酸などの無機酸のナトリウム塩、カリウム塩等の還元剤、更に有機カルボン酸、消泡剤、硬水軟化剤を加えることもできる。
Furthermore, when developing using an automatic developing machine, an aqueous solution (replenisher) having a higher alkali strength than that of the developer is added to the developer, so that a large amount of developer can be obtained without replacing the developer in the developer tank for a long time. It is known that imaging materials can be processed. This replenishment method is also preferably applied in the present invention. Various surfactants and organic solvents can be added to the developer as necessary for the purpose of promoting and suppressing developability, dispersing development residue, and improving ink affinity of the printing plate image area.
Preferred surfactants include anionic, cationic, nonionic and amphoteric surfactants. Furthermore, reducing agents such as hydroquinone, resorcin, sulfurous acid, bisulfite, and other inorganic acids such as sodium salts and potassium salts, organic carboxylic acids, antifoaming agents, and hard water softeners may be added to the developer as necessary. it can.

上記現像液を用いて現像処理された印刷版は水洗水、界面活性剤等を含有するリンス液、アラビアガムや澱粉誘導体を含む不感脂化液で後処理される。本発明の画像形成材料の後処理としては、これらの処理を種々組合せて用いることができる。   The printing plate developed with the developer is post-treated with a desensitizing solution containing washing water, a rinsing solution containing a surfactant and the like, gum arabic and starch derivatives. As the post-treatment of the image forming material of the present invention, these treatments can be used in various combinations.

近年、製版・印刷業界では製版作業の合理化及び標準化のため、印刷版用の自動現像機が広く用いられている。この自動現像機は、一般に現像部と後処理部からなり、印刷版を搬送する装置と各処理液槽及びスプレー装置からなり、露光済みの印刷版を水平に搬送しながら、ポンプで汲み上げた各処理液をスプレーノズルから吹き付けて現像処理するものである。また、最近は処理液が満たされた処理液槽中に液中ガイドロールなどによって印刷版を浸漬搬送させて処理する方法も知られている。このような自動処理においては、各処理液に処理量や稼働時間等に応じて補充液を補充しながら処理することができる。また、実質的に未使用の処理液で処理する所謂使い捨て処理方式も適用できる。   In recent years, automatic developing machines for printing plates have been widely used in the plate making and printing industries in order to rationalize and standardize plate making operations. This automatic developing machine is generally composed of a developing unit and a post-processing unit, and includes an apparatus for transporting the printing plate, each processing liquid tank and a spray device, and each pumped up by a pump while transporting the exposed printing plate horizontally. The processing liquid is sprayed from the spray nozzle and developed. In addition, recently, a method is also known in which a printing plate is dipped and conveyed by a submerged guide roll or the like in a processing liquid tank filled with the processing liquid. In such automatic processing, each processing solution can be processed while being supplemented with a replenisher according to the processing amount, operating time, and the like. In addition, a so-called disposable processing method in which processing is performed with a substantially unused processing solution can be applied.

本発明の画像形成材料においては、画像露光し、現像し、水洗及び/又はリンス及び/又はガム引きして得られた印刷版に不必要な画像部(例えば原画フイルムのフイルムエッジ跡など)がある場合には、その不必要な画像部の消去が行なわれる。このような消去は、例えば特公平2−13293号公報に記載されているような消去液を不必要画像部に塗布し、そのまま所定の時間放置したのちに水洗することにより行う方法が好ましいが、特開平59−174842号公報に記載されているようなオプティカルファイバーで導かれた活性光線を不必要画像部に照射したのち現像する方法も利用できる。   In the image forming material of the present invention, an image portion unnecessary for a printing plate obtained by image exposure, development, washing and / or rinsing and / or gumming (for example, a film edge mark of an original film, etc.) is present. In some cases, the unnecessary image portion is erased. Such erasing is preferably performed by applying an erasing solution as described in, for example, Japanese Patent Publication No. 2-13293 to an unnecessary image portion, leaving it for a predetermined time, and then washing with water. As described in JP-A-59-174842, a method of developing after irradiating an unnecessary image portion with an actinic ray guided by an optical fiber can also be used.

以上のようにして得られた印刷版は所望により不感脂化ガムを塗布したのち、印刷工程に供することができるが、より一層の高耐刷力印刷版としたい場合には、所望によりバーニング処理が施される。
印刷版をバーニングする場合には、バーニング前に特公昭61−2518号、同55−28062号、特開昭62−31859号、同61−159655号等公報に記載されているような整面液で処理することが好ましい。
その方法としては、該整面液を浸み込ませたスポンジや脱脂綿にて、印刷版上に塗布するか、整面液を満たしたバット中に印刷版を浸漬して塗布する方法や、自動コーターによる塗布などが適用される。また、塗布した後でスキージ、或いは、スキージローラーで、その塗布量を均一にすることは、より好ましい結果を与える。
The printing plate obtained as described above can be subjected to a printing process after applying a desensitized gum if desired. However, if a higher printing durability printing plate is desired, a burning treatment is performed as desired. Is given.
In the case of burning a printing plate, the surface-adjusting solution described in JP-B-61-2518, JP-A-55-28062, JP-A-62-31859, JP-A-61-159655, etc. is used before burning. It is preferable to treat with.
As the method, it is possible to apply on the printing plate with a sponge or absorbent cotton soaked with the surface-adjusting liquid, or by immersing the printing plate in a vat filled with the surface-adjusting liquid, Application by a coater is applied. Further, it is more preferable to make the coating amount uniform with a squeegee or a squeegee roller after coating.

整面液の塗布量は一般に0.03〜0.8g/m2(乾燥質量)が適当である。整面液が塗布された印刷版は必要であれば乾燥された後、バーニングプロセッサー(例えば富士写真フイルム(株)より販売されているバーニングプロセッサー:「BP−1300」)などで高温に加熱される。この場合の加熱温度及び時間は、画像を形成している成分の種類にもよるが、180〜300℃の範囲で1〜20分の範囲が好ましい。 In general, the amount of surface-adjusting solution applied is suitably 0.03 to 0.8 g / m 2 (dry mass). The printing plate coated with the surface-adjusting liquid is dried if necessary, and then heated to a high temperature with a burning processor (for example, burning processor “BP-1300” sold by Fuji Photo Film Co., Ltd.). . In this case, the heating temperature and time are in the range of 180 to 300 ° C. and preferably in the range of 1 to 20 minutes, although depending on the type of components forming the image.

バーニング処理された印刷版は、必要に応じて適宜、水洗、ガム引きなどの従来より行なわれている処理を施こすことができるが水溶性高分子化合物等を含有する整面液が使用された場合にはガム引きなどの所謂不感脂化処理を省略することができる。この様な処理によって得られた印刷版はオフセット印刷機等にかけられ、多数枚の印刷に用いられる。   The burned printing plate can be subjected to conventional treatments such as washing and gumming as needed, but a surface-conditioning solution containing a water-soluble polymer compound or the like was used. In some cases, so-called desensitizing treatment such as gumming can be omitted. The printing plate obtained by such processing is applied to an offset printing machine or the like and used for printing a large number of sheets.

以下、本発明を実施例に従って説明するが、本発明の範囲はこれらの実施例に限定されるものではない。
−実施例1〜8、比較例1−
〔支持体の作製〕
厚さ0.3mmのJIS−A−1050アルミニウム板を用いて、下記に示す工程を経て処理することで支持体を作製した。
EXAMPLES Hereinafter, although this invention is demonstrated according to an Example, the scope of the present invention is not limited to these Examples.
-Examples 1-8, Comparative Example 1-
(Production of support)
The support body was produced by processing through the process shown below using a JIS-A-1050 aluminum plate with a thickness of 0.3 mm.

(a)機械的粗面化処理
比重1.12の研磨剤(ケイ砂)と水との懸濁液を研磨スラリー液としてアルミニウム板の表面に供給しながら、回転するローラ状ナイロンブラシにより機械的な粗面化を行った。研磨剤の平均粒径は8μm、最大粒径は50μmであった。ナイロンブラシの材質は6・10ナイロン、毛長50mm、毛の直径は0.3mmであった。ナイロンブラシはφ300mmのステンレス製の筒に穴をあけて密になるように植毛した。回転ブラシは3本使用した。ブラシ下部の2本の支持ローラ(φ200mm)の距離は300mmであった。ブラシローラはブラシを回転させる駆動モータの負荷が、ブラシローラをアルミニウム板に押さえつける前の負荷に対して7kWプラスになるまで押さえつけた。ブラシの回転方向はアルミニウム板の移動方向と同じであった。ブラシの回転数は200rpmであった。
(A) Mechanical surface roughening treatment While supplying a suspension of abrasive (silica sand) having a specific gravity of 1.12 and water as a polishing slurry liquid to a surface of an aluminum plate, it is mechanically rotated by a roller-like nylon brush. Roughening was performed. The average particle size of the abrasive was 8 μm, and the maximum particle size was 50 μm. The material of the nylon brush was 6 · 10 nylon, the hair length was 50 mm, and the hair diameter was 0.3 mm. The nylon brush was planted so as to be dense by making a hole in a stainless steel tube having a diameter of 300 mm. Three rotating brushes were used. The distance between the two support rollers (φ200 mm) at the bottom of the brush was 300 mm. The brush roller was pressed until the load of the drive motor for rotating the brush became 7 kW plus with respect to the load before the brush roller was pressed against the aluminum plate. The rotating direction of the brush was the same as the moving direction of the aluminum plate. The rotation speed of the brush was 200 rpm.

(b)アルカリエッチング処理
上記で得られたアルミニウム板に温度70℃のNaOH水溶液(濃度26質量%、アルミニウムイオン濃度6.5質量%)をスプレーしてエッチング処理を行い、アルミニウム板を6g/m2溶解した。その後、井水を用いてスプレーによる水洗を行った。
(B) Alkali etching treatment The aluminum plate obtained above was sprayed with an aqueous NaOH solution at a temperature of 70 ° C. (concentration 26 mass%, aluminum ion concentration 6.5 mass%) to carry out an etching treatment, and the aluminum plate was 6 g / m. 2 dissolved. Thereafter, washing with water was performed using well water.

(c)デスマット処理
温度30℃の硝酸濃度1質量%水溶液(アルミニウムイオンを0.5質量%含む)で、スプレーによるデスマット処理を行い、その後、スプレーで水洗した。前記デスマットに用いた硝酸水溶液は、硝酸水溶液中で交流を用いて電気化学的な粗面化を行う工程の廃液を用いた。
(C) Desmut treatment A desmut treatment was performed by spraying with a 1% by weight aqueous solution of nitric acid at a temperature of 30 ° C. (containing 0.5% by weight of aluminum ions), and then washed with water by spraying. The nitric acid aqueous solution used for the desmut was the waste liquid from the step of electrochemical surface roughening using alternating current in nitric acid aqueous solution.

(d)電気化学的粗面化処理
60Hzの交流電圧を用いて連続的に電気化学的な粗面化処理を行った。このときの電解液は、硝酸10.5g/リットル水溶液(アルミニウムイオンを5g/リットル)、温度50℃であった。交流電源波形は電流値がゼロからピークに達するまでの時間TPが0.8msec、DUTY比1:1、台形の矩形波交流を用いて、カーボン電極を対極として電気化学的な粗面化処理を行った。補助陽極にはフェライトを用いた。使用した電解槽はラジアルセルタイプのものを使用した。
電流密度は電流のピーク値で30A/dm2、電気量はアルミニウム板が陽極時の電気量の総和で220C/dm2であった。補助陽極には電源から流れる電流の5%を分流させた。
その後、井水を用いてスプレーによる水洗を行った。
(D) Electrochemical roughening treatment An electrochemical roughening treatment was carried out continuously using an alternating voltage of 60 Hz. The electrolytic solution at this time was a nitric acid 10.5 g / liter aqueous solution (aluminum ion 5 g / liter) at a temperature of 50 ° C. The AC power supply waveform is electrochemically roughened using a carbon electrode as the counter electrode, using a trapezoidal rectangular wave alternating current with a time TP of 0.8 msec until the current value reaches a peak from zero, a DUTY ratio of 1: 1. went. Ferrite was used for the auxiliary anode. The electrolytic cell used was a radial cell type.
The current density was 30 A / dm 2 at the peak current value, and the amount of electricity was 220 C / dm 2 in terms of the total amount of electricity when the aluminum plate was the anode. 5% of the current flowing from the power source was shunted to the auxiliary anode.
Thereafter, washing with water was performed using well water.

(e)アルカリエッチング処理
アルミニウム板をカセイソーダ濃度26質量%、アルミニウムイオン濃度6.5質量%でスプレーによるエッチング処理を32℃で行い、アルミニウム板を0.20g/m2溶解し、前段の交流を用いて電気化学的な粗面化を行ったときに生成した水酸化アルミニウムを主体とするスマット成分を除去し、また、生成したピットのエッジ部分を溶解してエッジ部分を滑らかにした。その後、井水を用いてスプレーによる水洗を行った。
(E) Alkali etching treatment The aluminum plate was sprayed at a caustic soda concentration of 26% by mass and an aluminum ion concentration of 6.5% by mass at 32 ° C. to dissolve the aluminum plate by 0.20 g / m 2 , The smut component mainly composed of aluminum hydroxide generated when electrochemical surface roughening was used was removed, and the edge portion of the generated pit was melted to smooth the edge portion. Thereafter, washing with water was performed using well water.

(f)デスマット処理
温度30℃の硫酸濃度15質量%水溶液(アルミニウムイオンを4.5質量%含む)で、スプレーによるデスマット処理を行い、その後、井水を用いてスプレーで水洗した。前記デスマットに用いた硝酸水溶液は、硝酸水溶液中で交流を用いて電気化学的な粗面化を行う工程の廃液を用いた。
(F) Desmut treatment Desmut treatment by spraying was performed with a 15% by weight aqueous solution of sulfuric acid at a temperature of 30 ° C. (containing 4.5% by weight of aluminum ions), and then washed with water using well water. The nitric acid aqueous solution used for the desmut was the waste liquid from the step of electrochemical surface roughening using alternating current in nitric acid aqueous solution.

(g)電気化学的粗面化処理
60Hzの交流電圧を用いて連続的に電気化学的な粗面化処理を行った。このときの電解液は、塩酸7.5g/リットル水溶液(アルミニウムイオンを5g/リットル含む)、温度35℃であった。交流電源波形は矩形波であり、カーボン電極を対極として電気化学的な粗面化処理を行った。補助アノードにはフェライトを用いた。電解槽はラジアルセルタイプのものを使用した。
電流密度は電流のピーク値で25A/dm2、電気量はアルミニウム板が陽極時の電気量の総和で50C/dm2であった。
その後、井水を用いてスプレーによる水洗を行った。
(G) Electrochemical surface roughening treatment An electrochemical surface roughening treatment was performed continuously using an alternating voltage of 60 Hz. The electrolytic solution at this time was a hydrochloric acid 7.5 g / liter aqueous solution (containing 5 g / liter of aluminum ions) at a temperature of 35 ° C. The AC power supply waveform was a rectangular wave, and an electrochemical surface roughening treatment was performed using a carbon electrode as a counter electrode. Ferrite was used for the auxiliary anode. The electrolytic cell used was a radial cell type.
The current density was 25 A / dm 2 at the peak current value, and the amount of electricity was 50 C / dm 2 in terms of the total amount of electricity when the aluminum plate was the anode.
Thereafter, washing with water was performed using well water.

(h)アルカリエッチング処理
アルミニウム板をカセイソーダ濃度26質量%、アルミニウムイオン濃度6.5質量%でスプレーによるエッチング処理を32℃で行い、アルミニウム板を0.10g/m2溶解し、前段の交流を用いて電気化学的な粗面化処理を行ったときに生成した水酸化アルミニウムを主体とするスマット成分を除去し、また、生成したピットのエッジ部分を溶解してエッジ部分を滑らかにした。その後、井水を用いてスプレーによる水洗を行った。
(H) Alkaline etching treatment An aluminum plate is etched by spraying at 32 ° C. with a caustic soda concentration of 26% by mass and an aluminum ion concentration of 6.5% by mass, and the aluminum plate is dissolved at 0.10 g / m 2 , so The smut component mainly composed of aluminum hydroxide generated during the electrochemical surface roughening treatment was removed, and the edge portion of the generated pit was melted to smooth the edge portion. Thereafter, washing with water was performed using well water.

(i)デスマット処理
温度60℃の硫酸濃度25質量%水溶液(アルミニウムイオンを0.5質量%含む。)で、スプレーによるデスマット処理を行い、その後、井水を用いてスプレーによる水洗を行った。
(I) Desmut treatment A desmut treatment by spraying was performed with a 25% by mass aqueous solution of sulfuric acid at a temperature of 60 ° C. (containing 0.5% by mass of aluminum ions), and then water washing by spraying was performed using well water.

(j)陽極酸化処理
電解液としては、硫酸を用いた。電解液は、いずれも硫酸濃度170g/リットル(アルミニウムイオンを0.5質量%含む。)、温度は43℃であった。その後、井水を用いてスプレーによる水洗を行った。
電流密度はともに約30A/dm2であった。最終的な酸化皮膜量は2.7g/m2であった。
(J) Anodizing treatment As the electrolytic solution, sulfuric acid was used. All electrolytes had a sulfuric acid concentration of 170 g / liter (containing 0.5 mass% of aluminum ions), and the temperature was 43 ° C. Thereafter, washing with water was performed using well water.
Both current densities were about 30 A / dm 2 . The final oxide film amount was 2.7 g / m 2 .

・支持体A
上記(a)〜(j)の各工程を順に行い(e)工程におけるエッチング量は3.4g/m2となるようにして支持体Aを作製した。
・ Support A
The steps (a) to (j) were sequentially performed, and the support A was produced so that the etching amount in the step (e) was 3.4 g / m 2 .

・支持体B
上記工程のうち(g)(h)(i)の工程を省略した以外は各工程を順に行い支持体Bを作製した。
・ Support B
A support B was prepared by sequentially performing the steps except for omitting the steps (g), (h), and (i) among the above steps.

・支持体C
上記工程のうち(a)及び(g)(h)(i)の工程を省略した以外は各工程を順に行い支持体Cを作製した。
・ Support C
A support C was prepared by sequentially performing the steps except that the steps (a), (g), (h), and (i) were omitted.

・支持体D
上記工程のうち(a)及び(d)(e)(f)の工程を省略した以外は各工程を順に行い、(g)工程における電気量の総和が450C/dm2となるようにして支持体Dを作製した。
上記によって得られた支持体A、B、C、Dには、引き続き下記の親水処理、下塗り処理を行った。
・ Support D
Except for omitting the process of the above step (a) and (d) (e) (f ) performs the steps in turn, supported as total amount of electricity is 450C / dm 2 in step (g) Body D was prepared.
The following supports A, B, C and D were then subjected to the following hydrophilic treatment and undercoating treatment.

(k)アルカリ金属ケイ酸塩処理
陽極酸化処理により得られたアルミニウム支持体を温度30℃の3号ケイ酸ソーダの1質量%水溶液の処理層中へ、10秒間、浸せきすることでアルカリ金属ケイ酸塩処理(シリケート処理)を行った。その後、井水を用いたスプレーによる水洗を行った。その際のシリケート付着量は3.6mg/m2であった。
(K) Alkali metal silicate treatment An aluminum support obtained by anodizing treatment was immersed in a treatment layer of a 1 mass% aqueous solution of sodium silicate No. 3 at a temperature of 30 ° C. for 10 seconds to immerse the alkali metal silica. Acid salt treatment (silicate treatment) was performed. Then, the water washing by the spray using well water was performed. The amount of silicate adhering at that time was 3.6 mg / m 2 .

〔下塗層の形成〕
上記のようにして得られたアルカリ金属ケイ酸塩処理後のアルミニウム支持体上に、下記組成の下塗層用塗布液を塗布し、80℃で15秒間乾燥した。乾燥後の被覆量は15mg/m2であった。
(Formation of undercoat layer)
On the aluminum support after the alkali metal silicate treatment obtained as described above, an undercoat layer coating solution having the following composition was applied and dried at 80 ° C. for 15 seconds. The coating amount after drying was 15 mg / m 2 .

(下塗層用塗布液)
・下記高分子化合物(I或いはII) 0.3g
・メタノール 100g
・水 1g
(Coating solution for undercoat layer)
・ The following polymer compound (I or II) 0.3 g
・ Methanol 100g
・ Water 1g

Figure 2005283680
Figure 2005283680

〔画像記録層の形成〕
次に、上記で得られた下塗層付き支持体に、下記組成の下層用塗布液Aを、ワイヤーバーで塗布したのち、140℃の乾燥オーブンで50秒間乾燥して塗布量を0.85g/m2とした。
更に、得られた下層付き支持体に、下記組成の最上層用塗布液Bをワイヤーバーで塗布した。塗布後140℃60秒間の乾燥を行い、総塗布量を1.1g/m2として実施例1〜8、及び比較例1の画像形成材料を得た。
なお、用いた支持体、下塗層に用いた高分子化合物、最上層に用いた赤外線吸収剤については表1に示す。
(Formation of image recording layer)
Next, the lower layer coating solution A having the following composition was applied to the support with the undercoat layer obtained above with a wire bar, and then dried in a drying oven at 140 ° C. for 50 seconds to obtain a coating amount of 0.85 g. / M 2 .
Furthermore, the uppermost layer coating liquid B having the following composition was applied to the obtained support with a lower layer with a wire bar. After coating, drying was performed at 140 ° C. for 60 seconds to obtain image forming materials of Examples 1 to 8 and Comparative Example 1 with a total coating amount of 1.1 g / m 2 .
The support used, the polymer compound used for the undercoat layer, and the infrared absorber used for the uppermost layer are shown in Table 1.

(下層用塗布液A)
・N−(4−アミノスルホニルフェニル)メタクリルアミド/
アクリロニトリル/メタクリル酸メチル
(モル比36:34:30、重量平均分子量50,000) 2.13g
・シアニン染料X(下記構造) 0.134g
・ビス−p−ヒドロキシフェニルスルホン 0.126g
・テトラヒドロ無水フタル酸 0.19g
・p−トルエンスルホン酸 0.008g
・2−メトキシ−4−(N−フェニルアミノ)
ベンゼンジアゾニウム・ヘキサフルオロホスフェート 0.032g
・エチルバイオレット6−ナフタレンスルホン酸 0.078g
・フッ素系界面活性剤
(メガファックF−780、大日本インキ化学工業(株)製) 0.023g
・γ−ブチロラクトン 13.16g
・メチルエチルケトン 25.39g
・1−メトキシ−2−プロパノール 12.95g
(Lower layer coating solution A)
N- (4-aminosulfonylphenyl) methacrylamide /
Acrylonitrile / methyl methacrylate (molar ratio 36:34:30, weight average molecular weight 50,000) 2.13 g
・ Cyanine dye X (the following structure) 0.134 g
・ Bis-p-hydroxyphenylsulfone 0.126 g
・ Tetrahydrophthalic anhydride 0.19g
・ 0.008 g of p-toluenesulfonic acid
2-methoxy-4- (N-phenylamino)
Benzenediazonium hexafluorophosphate 0.032 g
・ Ethyl violet 6-naphthalenesulfonic acid 0.078g
・ Fluorine-based surfactant (Megafac F-780, manufactured by Dainippon Ink & Chemicals, Inc.) 0.023g
・ Γ-butyrolactone 13.16 g
・ Methyl ethyl ketone 25.39g
・ 1-methoxy-2-propanol 12.95 g

(最上層用塗布液B)
・m−クレゾール/p−クレゾールノボラック樹脂
(モル比60:40、重量平均分子量5,000) 0.341g
・シアニン染料A〜H、又はXのいずれか(下記構造) 0.019g
・下記構造ポリマー/MEK30%溶液(下記構造) 0.14g
・4級アンモニウム塩(下記構造) 0.004g
・フッ素系界面活性剤
(メガファックF−780、大日本インキ化学工業(株)製) 0.004g
・フッ素系界面活性剤
(メガファックF−781、大日本インキ化学工業(株)製) 0.001g
・メチルエチルケトン 2.63g
・1−メトキシ−2−プロパノール 5.27g
(Top layer coating solution B)
-M-cresol / p-cresol novolak resin (molar ratio 60:40, weight average molecular weight 5,000) 0.341 g
-Any of cyanine dyes A to H or X (the following structure) 0.019 g
・ The following structural polymer / MEK 30% solution (the following structure) 0.14 g
・ Quaternary ammonium salt (the following structure) 0.004g
・ Fluorosurfactant (Megafac F-780, manufactured by Dainippon Ink & Chemicals, Inc.) 0.004g
・ Fluorosurfactant (Megafac F-781, manufactured by Dainippon Ink & Chemicals, Inc.) 0.001g
・ Methyl ethyl ketone 2.63g
・ 1-methoxy-2-propanol 5.27g

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−比較例2−
実施例1〜8、比較例1と同様の方法で得られた下塗層付き支持体に、下記組成の画像記録層用塗布液Cをワイヤーバーで塗布したのち、140℃の乾燥オーブンで100秒間乾燥して塗布量を1.80g/m2とした比較例2の画像形成材料を得た。
-Comparative Example 2-
Examples 1 to 8 and Comparative Example 1 were applied to a support with an undercoat layer obtained by applying the image recording layer coating liquid C having the following composition with a wire bar, and then using a drying oven at 140 ° C. for 100. The image forming material of Comparative Example 2 was obtained by drying for 2 seconds and setting the coating amount to 1.80 g / m 2 .

(画像記録層用塗布液C)
・N−(4−アミノスルホニルフェニル)メタクリルアミド/アクリロニトリル/メタクリル酸メチル
(モル比36:34:30、重量平均分子量50,000) 0.75g
・m−クレゾール/p−クレゾールノボラック樹脂
(モル比60:40、重量平均分子量5,000) 0.25g
・テトラヒドロ無水フタル酸 0.03g
・シアニン染料A(上記構造) 0.017g
・ビクトリアピュアブルーBOHの対イオンを
1−ナフタレンスルホン酸アニオンにした染料 0.015g
・フッ素系界面活性剤
(メガファックF−177、大日本インキ化学工業(株)製) 0.05g
・γ−ブチロラクトン 10g
・メチルエチルケトン 10g
・1−メトキシ−2−プロパノール 1g
(Coating liquid C for image recording layer)
N- (4-aminosulfonylphenyl) methacrylamide / acrylonitrile / methyl methacrylate (molar ratio 36:34:30, weight average molecular weight 50,000) 0.75 g
-M-cresol / p-cresol novolak resin (molar ratio 60:40, weight average molecular weight 5,000) 0.25 g
・ Tetrahydrophthalic anhydride 0.03g
・ Cyanine dye A (the above structure) 0.017 g
0.015 g of a dye having 1-naphthalenesulfonic acid anion as the counter ion of Victoria Pure Blue BOH
・ Fluorine-based surfactant (Megafac F-177, manufactured by Dainippon Ink & Chemicals, Inc.) 0.05g
・ Γ-Butyrolactone 10g
・ Methyl ethyl ketone 10g
1-methoxy-2-propanol 1g

〔画像形成材料の評価〕
次に、実施例1〜8、及び、比較例1、2の画像形成材料の性能評価を行った。なお、評価試験は画像形成材料作製後25℃で14日間保存したものについて行い、現像ラチチュードの評価に関しては、更に同温度で3ヶ月間保存したものについても行った。
[Evaluation of image forming materials]
Next, performance evaluation of the image forming materials of Examples 1 to 8 and Comparative Examples 1 and 2 was performed. Note that the evaluation test was conducted on the image storage material stored for 14 days at 25 ° C., and the development latitude was further evaluated for the sample stored at the same temperature for 3 months.

(現像ラチチュードの評価)
得られた実施例1〜8、及び、比較例1、2の画像形成材料をCreo社製Trendsetter800にて、ビーム強度10.0W、ドラム回転速度250rpmの条件でテストパターンの画像状に描き込み(露光)を行った。
次に、富士写真フイルム(株)製現像液DT−2Rの水希釈(1:9)にて、電導度が37mS/cmになるまで炭酸ガスを吹き込んだ液及び富士写真フイルム(株)製フィニッシャーFG−1の水希釈(1:1)液を仕込んだ富士写真フイルム(株)製PSプロセッサーLP−940HIIを用い、液温を30度に保って現像時間12秒で現像した。その後、現像液にDT−2Rの水希釈(1:9)液を適量加え、電導度を39mS/cmに調整し、先ほどと同じくテストパターンを画像状に描き込んだ画像形成材料を現像した。更に電導度を2mS/cmずつ上げ、画像の現像による膜減りが顕著に観察されるまでこの作業を続けた。
これら現像後の画像形成材料において、各電導度で現像したものを、現像不良の非画像部残膜に起因する汚れや着色がないかを50倍のルーペで確認し、良好に現像が行えた現像液の電導度を決定した。次に、実質上耐刷に影響を及ぼさない程度に現像膜減りが維持される限界の電導度、具体的には、GRETAG反射濃度計D196(GretagMacbeth社製)を用いて測定した、現像前のベタ部の画像濃度に対する、現像後のベタ部の画像濃度の低下が0.10以内に収まる、限界の電導度を決定した。
良好に現像が行えた現像液の電導度と、実質上耐刷に影響を及ぼさない程度に現像膜減りが維持される限界の電導度との幅を現像ラチチュードとした。この数値が大きいほど現像ラチチュードが広いことを表す。結果を表1に記す。
(Evaluation of development latitude)
The obtained image forming materials of Examples 1 to 8 and Comparative Examples 1 and 2 were drawn into a test pattern image on a Trendsetter 800 manufactured by Creo under the conditions of a beam intensity of 10.0 W and a drum rotation speed of 250 rpm ( Exposure).
Next, a solution in which carbon dioxide gas was blown into the developer DT-2R manufactured by Fuji Photo Film Co., Ltd. in water (1: 9) until the electrical conductivity reached 37 mS / cm, and a finisher manufactured by Fuji Photo Film Co., Ltd. Using a PS processor LP-940HII manufactured by Fuji Photo Film Co., Ltd., in which a FG-1 aqueous dilution (1: 1) solution was charged, development was performed at a developing temperature of 12 seconds while maintaining the liquid temperature at 30 ° C. Thereafter, an appropriate amount of DT-2R diluted with water (1: 9) was added to the developer, the conductivity was adjusted to 39 mS / cm, and the image forming material in which the test pattern was drawn in the same manner as before was developed. Further, the electrical conductivity was increased by 2 mS / cm, and this operation was continued until a film loss due to image development was observed remarkably.
Of these developed image forming materials, the one developed with each conductivity was checked with a magnifier of 50 times to see if there was any stain or color caused by a poorly developed non-image area residual film, and the image was successfully developed. The conductivity of the developer was determined. Next, the electric conductivity at the limit at which the reduction in the developed film is maintained to such an extent that the printing durability is not substantially affected, specifically, measured using a GRETAG reflection densitometer D196 (manufactured by GretagMacbeth), before development. The critical conductivity was determined such that the reduction in the solid image density after development was within 0.10 relative to the solid image density.
The development latitude was defined as the range between the conductivity of the developer that was successfully developed and the limit conductivity at which the decrease in the developed film was maintained to such an extent that it did not substantially affect printing durability. The larger this value, the wider the development latitude. The results are shown in Table 1.

(感度の評価)
実施例1〜8、及び、比較例1、2の画像形成材料をCreo社製Trendsetter800にて、ドラム回転速度250rpmとし、ビーム強度を5Wから15Wまで段階的に変えて、テストパターンを画像状に書き込みを行った。その後、富士写真フイルム(株)製現像液DT−2の水希釈液(1:8)により電導度が45mS/cmとなった液をし込んだ、富士写真フイルム(株)製PSプロセッサーLP940HIIを用いて、液温30℃に保ち現像時間12秒で現像した。この現像液で非画像部が現像できる最小ビーム強度(W)を測定し、感度とした。この数値が小さいほど高感度であることを示す。結果を表1に記す。
(Evaluation of sensitivity)
The image forming materials of Examples 1 to 8 and Comparative Examples 1 and 2 were changed to a drum set speed of 250 rpm using a Trend setter 800 manufactured by Creo, and the beam intensity was changed stepwise from 5 W to 15 W, and the test pattern was imaged. I wrote. Thereafter, a PS processor LP940HII manufactured by Fuji Photo Film Co., Ltd., which was charged with a liquid having an electrical conductivity of 45 mS / cm with a water dilution (1: 8) of developer DT-2 manufactured by Fuji Photo Film Co., Ltd. The film was developed at a liquid temperature of 30 ° C. for a development time of 12 seconds. The minimum beam intensity (W) that can develop the non-image area with this developer was measured and used as the sensitivity. A smaller value indicates higher sensitivity. The results are shown in Table 1.

Figure 2005283680
Figure 2005283680

以上、実施例1〜8によれば、重層型の画像記録層を有する画像形成材料において、最上層に赤外線吸収剤として一般式(I)の構造を有する化合物を用いた場合、高感度で、
現像ラチチュードが広く、且つ、経時による性能劣化を抑制した画像形成材料を得られることが分かる。
一方、重層型の画像記録層を有する画像形成材料であっても、最上層に一般式(I)の構造を有しない赤外線吸収剤のみを用いた比較例1においては、経時による性能劣化が見られ、また、一般式(I)の構造を有する化合物を用いていても、単層型の画像記録層を有する画像形成材料である比較例2においては、現像ラチチュード、経時による性能劣化共に、本発明の画像形成材料に比べて劣っていることが分かる。
As described above, according to Examples 1 to 8, in the image forming material having the multilayer image recording layer, when the compound having the structure of the general formula (I) is used as the infrared absorber in the uppermost layer, the sensitivity is high.
It can be seen that an image forming material having a wide development latitude and suppressing performance deterioration with time can be obtained.
On the other hand, even in the case of an image forming material having a multi-layer type image recording layer, in the first comparative example using only the infrared absorber not having the structure of the general formula (I) as the uppermost layer, performance deterioration with time was observed. Even in the case where the compound having the structure of the general formula (I) is used, in Comparative Example 2 which is an image forming material having a single-layer type image recording layer, both development latitude and performance deterioration with time are present. It can be seen that it is inferior to the image forming material of the invention.

Claims (1)

支持体上に、水不溶性且つアルカリ可溶性の樹脂を含む複数の画像記録層を設け、該複数の画像記録層のうち、最上層に、下記一般式(I)で表される赤外線
吸収剤を有することを特徴とする画像形成材料。
Figure 2005283680
一般式(I)中、R1〜R4は各々独立に、水素原子、アルキル基、又はアリール基を
示す。R5及びR6は各々独立に、アルキル基、置換オキシ基、又はハロゲン原子を示す。n及びmは各々独立に0〜4の整数を示す。R1とR2、又はR3とR4は各々結合して環を形成していてもよく、また、R1及び/又はR2とR5、或いはR3及び/又はR4とR6は各々結合して環を形成していてもよく、更にn又はmが2以上の場合、複数存在するR5同士或いはR6同士が互いに結合して環を形成していてもよい。Z1及びZ2は各々独立に、水素原子、アルキル基又はアリール基を示す。Qはトリメチン基又はペンタメチン基を示し、それらは2価の有機基とともに形成した環構造を有するものであってもよい。X-はカウンターアニオンを示す。
A plurality of image recording layers containing a water-insoluble and alkali-soluble resin are provided on a support, and an infrared absorber represented by the following general formula (I) is provided as the uppermost layer among the plurality of image recording layers. An image forming material characterized by that.
Figure 2005283680
In general formula (I), R < 1 > -R < 4 > shows a hydrogen atom, an alkyl group, or an aryl group each independently. R 5 and R 6 each independently represents an alkyl group, a substituted oxy group, or a halogen atom. n and m each independently represent an integer of 0 to 4. R 1 and R 2 , or R 3 and R 4 may be bonded to each other to form a ring, and R 1 and / or R 2 and R 5 , or R 3 and / or R 4 and R 6 May be bonded to each other to form a ring, and when n or m is 2 or more, a plurality of R 5 or R 6 may be bonded to each other to form a ring. Z 1 and Z 2 each independently represent a hydrogen atom, an alkyl group or an aryl group. Q represents a trimethine group or a pentamethine group, which may have a ring structure formed with a divalent organic group. X represents a counter anion.
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