JP2005235795A - Adhesive tape for processing semiconductor wafer - Google Patents
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Abstract
Description
本発明はシリコンやガリウムヒ素などの半導体ウエハを加工する際に使用するウエハ加工用の粘着テープに関するものである。 The present invention relates to an adhesive tape for wafer processing used when processing a semiconductor wafer such as silicon or gallium arsenide.
従来、半導体ウエハに貼着し、ダイシング、エキスパンド等を行い、次いで該半導体ウエハからのチップをピックアップすると同時にマウンティングする際に用いる半導体ウエハ加工用粘着テープとして、紫外線及び／又は電子線に対し透過性を有する基材上に紫外線及び／又は電子線により重合硬化反応をする粘着剤層が塗布された粘着テープを用い、ダイシング後に紫外線及び／又は電子線を粘着剤層に照射し、粘着剤層を重合硬化反応させ、粘着力を低下せしめてチップをピックアップする方法が知られている。 Conventionally, as an adhesive tape for processing semiconductor wafers used for pasting, mounting, dicing, expanding, etc., and then picking up chips from the semiconductor wafer and mounting them, it is permeable to ultraviolet rays and / or electron beams A pressure-sensitive adhesive tape in which a pressure-sensitive adhesive layer that undergoes a polymerization and curing reaction by ultraviolet rays and / or electron beams is applied onto a substrate having UV light, and the pressure-sensitive adhesive layer is irradiated with ultraviolet rays and / or electron beams after dicing. There is known a method of picking up a chip by causing a polymerization and curing reaction to reduce the adhesive force.
また、近年電子機器の小型化高性能化の進展に伴い、エキスパンド゛することによりチップの間隔を広げて易ピックアップすることが求められる。通常５〜１０％エキスパンドが一般的であるが、２０〜４０％エキスパンドする場合もある。
この時、基材がエキスパンドの伸びに追随しない場合には、エキスパンド後のチップとチップとの間が開かない問題がある。
In recent years, with the progress of downsizing and higher performance of electronic devices, it is required to expand the distance between chips by expanding and to easily pick up. Usually, 5 to 10% expand is common, but 20 to 40% expand may occur.
At this time, if the base material does not follow the expansion of the expand, there is a problem that the gap between the expanded chip and the chip does not open.
このためエキスパンドに対応する基材として、特許文献１〜３にあるようにポリエチレン、ポリプロピレン、ポリブテン、ポリブタジエン、ポリメチルペンテン、ポリ塩化ビニル、塩化ビニル共重合体、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリウレタン、エチレン酢ビ共重合体、アイオノマー、エチレン・(メタ)アクリル酸共重合体、エチレン・(メタ)アクリル酸エステル共重合体の単層あるいは積層シートが用いられてきた。 Therefore, as a base material corresponding to the expand, as disclosed in Patent Documents 1 to 3, polyethylene, polypropylene, polybutene, polybutadiene, polymethylpentene, polyvinyl chloride, vinyl chloride copolymer, polyethylene terephthalate, polybutylene terephthalate, polyurethane, A single layer or laminated sheet of an ethylene vinyl acetate copolymer, an ionomer, an ethylene / (meth) acrylic acid copolymer, or an ethylene / (meth) acrylic acid ester copolymer has been used.
しかし、エキスパンド時には、基材だけでなく粘着剤も基材に追随して伸びるために、高エキスパンド時には粘着剤が割れてしまい、その後のピックアップの際にチップ裏面への糊残りの原因となることやチップが傾きピックアップミスになることがあった。それ故、エキスパンド時に粘着剤割れが発生せずに、粘着剤が基材に追随して伸び、ピックアップ時に粘着剤残りのないテープが求められた。 However, when expanding, not only the base material but also the adhesive stretches following the base material, so the adhesive will crack at the time of high expansion, which may cause glue residue on the back of the chip during subsequent pickups. Sometimes the tip tilts and picks up mistakes. Therefore, there has been a demand for a tape that does not generate adhesive cracking at the time of expansion, the adhesive follows the base material and extends, and does not have any adhesive remaining at the time of pickup.
本発明の課題は、エキスパンド時に粘着剤割れが発生せずに、粘着剤が基材に追随して伸び、ピックアップ時に粘着剤残りのない半導体ウエハ加工用粘着テープを提供することである。 An object of the present invention is to provide a pressure-sensitive adhesive tape for processing a semiconductor wafer that does not generate a pressure-sensitive adhesive crack when expanded, the pressure-sensitive adhesive extends following the base material, and does not have a pressure-sensitive adhesive residue when picked up.
本発明は、紫外線及び／又は電子線に対し透過性を有するフィルム基材面上に、ベース樹脂、放射線重合性化合物、放射線重合性重合開始剤、並びに架橋剤からなる粘着剤を塗布してなる半導体ウエハ加工用粘着テープであって、粘着剤厚みが５〜３０μｍであり、かつ放射線硬化後のＪＩＳＫ６７３４ (１９９５)で規定される粘着剤の破断伸び率が１２〜５０％であることを特徴とする半導体ウエハ加工用粘着テープである。 The present invention is obtained by applying a pressure-sensitive adhesive comprising a base resin, a radiation polymerizable compound, a radiation polymerizable polymerization initiator, and a crosslinking agent on a film substrate surface that is transparent to ultraviolet rays and / or electron beams. A pressure-sensitive adhesive tape for processing a semiconductor wafer, characterized in that the pressure-sensitive adhesive has a thickness of 5 to 30 μm, and the elongation at break of the pressure-sensitive adhesive defined by JISK6734 (1995) after radiation curing is 12 to 50%. This is an adhesive tape for processing semiconductor wafers.
本発明の半導体ウエハ加工用粘着テープにより、ダイシング後のエキスパンドの際に高拡大率のエキスパンドが可能になる。それにより、通常５〜１０％エキスパンドが一般的であるが、２０〜４０％エキスパンドが可能になり、ピックアップ時の粘着剤割れや糊残りが低減される。 With the pressure-sensitive adhesive tape for processing a semiconductor wafer according to the present invention, it is possible to expand at a high expansion rate when expanding after dicing. As a result, an expansion of 5 to 10% is generally common, but an expansion of 20 to 40% is possible, and adhesive cracking and adhesive residue during pickup are reduced.
以下、本発明を詳細に説明する。
本発明において用いられる紫外線及び／又は電子線に対して透過性を有するフィルム基材としては、紫外線及び／又は電子線に対して透過性を有するものであれば特に限定されず、例えばポリエチレン、ポリプロピレン、ポリブテン、ポリブタジエン、ポリメチルペンテン、ポリ塩化ビニル、塩化ビニル共重合体、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリウレタン、エチレン酢ビ共重合体、アイオノマー、エチレン・(メタ)アクリル酸共重合体、エチレン・(メタ)アクリル酸エステル共重合体、ポリスチレン、ビニルポリイソプレン、ポリカーボネート等の一般的な熱可塑性樹脂からなる透明フィルムを用いることができる。さらに透明であればこれらの樹脂の混合物からなるフィルムあるいはこれらの樹脂の積層フィルムでもあってもよい。
また粘着剤との密着性を上げるために、これら基材の表面にコロナ処理を行ってもよい。
あるいはこれらの基材の物性やチップ裏面へ影響を与えない程度に、顔料、帯電防止剤、酸化防止剤などを添加してもよい。
Hereinafter, the present invention will be described in detail.
The film substrate having transparency to ultraviolet rays and / or electron beams used in the present invention is not particularly limited as long as it has transparency to ultraviolet rays and / or electron beams. For example, polyethylene, polypropylene , Polybutene, polybutadiene, polymethylpentene, polyvinyl chloride, vinyl chloride copolymer, polyethylene terephthalate, polybutylene terephthalate, polyurethane, ethylene vinyl acetate copolymer, ionomer, ethylene / (meth) acrylic acid copolymer, ethylene A transparent film made of a general thermoplastic resin such as (meth) acrylic acid ester copolymer, polystyrene, vinyl polyisoprene, and polycarbonate can be used. Further, if it is transparent, it may be a film made of a mixture of these resins or a laminated film of these resins.
Moreover, in order to raise adhesiveness with an adhesive, you may perform the corona treatment on the surface of these base materials.
Or you may add a pigment, an antistatic agent, antioxidant, etc. to such an extent that the physical property of these base materials and a chip | tip back surface are not affected.
本発明に用いる粘着剤は放射線硬化後のＪＩＳ Ｋ ６７３４(１９９５)で規定される粘着剤の破断伸び率が１２〜５０％、好ましくは２０〜４５％である。下限値未満であると、エキスパンド時に粘着剤が基材の伸びに対して追随せず、破断し、粘着剤残りの原因となり好ましくない、上限値を越えると、ピックアップの際に、粘着剤がピンでの突き上げに追随し、チップと粘着剤との間に乖離が起こりにくい場合があり、ピックアップミスの原因となるので好ましくない。
また、実際のダイシングの際には、ＵＶ照射量の調整、あるいはエキスパンド温度によって破断伸び率をコントロールしてもかまわない。一般的にはＵＶ照射量を下げる、あるいはエキスパンド温度を上げることにより破断伸び率は上昇する傾向にある。
The adhesive used in the present invention has an elongation at break of 12 to 50%, preferably 20 to 45% of the adhesive defined by JIS K 6734 (1995) after radiation curing. If it is less than the lower limit, the adhesive does not follow the elongation of the base material at the time of expansion and breaks, causing an adhesive residue, which is not preferable. If the upper limit is exceeded, the adhesive is not pinned during pickup. This is not preferable because it may be difficult to cause a gap between the chip and the adhesive, resulting in a pickup error.
In actual dicing, the elongation at break may be controlled by adjusting the UV irradiation amount or by the expanding temperature. Generally, the elongation at break tends to increase by decreasing the UV irradiation amount or increasing the expanding temperature.
本発明に用いる放射線重合性化合物は、紫外線及び／又は電子線による硬化反応前には半導体ウエハに対して十分な粘着力を有し、硬化反応後には粘着力が低下し、チップのピックアップを容易に行うことができ、しかも高い凝集力を保つために、５０００以上、好ましくは８０００以上、更に好ましくは１００００以上の分子量を持つ２官能ウレタンアクリレートと５００以上１０００以下の分子量を持つ５官能以上のアクリレートモノマーとを混合したものであると良い。また、５００以上１０００以下の分子量を持つ５官能以上のアクリレートモノマーは、２種類の５官能以上アクリレートモノマーを併用しても良い。 The radiation-polymerizable compound used in the present invention has a sufficient adhesive force to the semiconductor wafer before the curing reaction with ultraviolet rays and / or electron beams, and the adhesive force is reduced after the curing reaction, so that the chip can be easily picked up. In order to maintain a high cohesive force, a bifunctional urethane acrylate having a molecular weight of 5000 or more, preferably 8000 or more, more preferably 10,000 or more, and a pentafunctional or more acrylate having a molecular weight of 500 or more and 1000 or less. It may be a mixture of monomers. Moreover, the pentafunctional or higher acrylate monomer having a molecular weight of 500 or more and 1000 or less may be used in combination of two types of pentafunctional or higher acrylate monomers.
本発明において用いる放射線重合性化合物中の２官能のウレタンアクリレートとしては、ジイソシアネート、ポリオール及びヒドロキシ（メタ）アクリレートとにより合成される化合物であり、好ましくは２個のアクリロイル基を有するウレタンアクリレートが好適に用いられる。前記のジイソシアネートとしては、例えばトルエンジイソシアネート、ジフェニルメタンジイソシアネート、ヘキサメチレンジイソシアネート、フェニレンジイソシアネート、ジシクロヘキシルメタンジイソシアネート、キシレンジイソシアネート、テトラメチルキシレンジイソシアネート、ナフタレンジイソシアネート等を挙げることができる。前記のポリオールとしては、例えばエチレングリコール、プロピレングリコール、ブタンジオール、ヘキサンジオール等を挙げることができる。前記のヒドロキシ（メタ）アクリレートとしては、例えば、２−ヒドルキシエチル（メタ）アクリレート、２−ヒドルキシプロピル（メタ）アクリレート等を挙げることができる。
また放射線重合性化合物中の５官能以上アクリレートモノマーとしては、例えばトリメチロールプロパントリアクリレート、ペンタエリスリトールトリアクリレート、ペンタエリスリトールトテトラアクリレート、ジペンタエリスリトールモノヒドロキシペンタアクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート等を挙げることができる。
The bifunctional urethane acrylate in the radiation-polymerizable compound used in the present invention is a compound synthesized with diisocyanate, polyol and hydroxy (meth) acrylate, and preferably urethane acrylate having two acryloyl groups. Used. Examples of the diisocyanate include toluene diisocyanate, diphenylmethane diisocyanate, hexamethylene diisocyanate, phenylene diisocyanate, dicyclohexylmethane diisocyanate, xylene diisocyanate, tetramethylxylene diisocyanate, and naphthalene diisocyanate. Examples of the polyol include ethylene glycol, propylene glycol, butanediol, hexanediol and the like. Examples of the hydroxy (meth) acrylate include 2-hydroxyethyl (meth) acrylate and 2-hydroxypropyl (meth) acrylate.
Examples of the pentafunctional or higher acrylate monomer in the radiation-polymerizable compound include trimethylolpropane triacrylate, pentaerythritol triacrylate, pentaerythritol tetraacrylate, dipentaerythritol monohydroxypentaacrylate, dipentaerythritol hexaacrylate, and the like. Can do.
放射線重合性重合開始剤としては、例えば、2-2-ジメトキシ-1,2-ジフェニルエタン-1-オン、ベンゾフェノン、アセトフェノン、ベンゾイン、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、ベンジルジフェニルサルファイド、テトラメチルチウラムモノサルファイド、アゾビスイソブチロニトリル、ジベンジル、ジアセチル、β-クロールアンスラキノンなどが挙げられる。 Examples of the radiation-polymerizable polymerization initiator include 2-2-dimethoxy-1,2-diphenylethane-1-one, benzophenone, acetophenone, benzoin, benzoin methyl ether, benzoin ethyl ether, benzoin isopropyl ether, benzyl diphenyl sulfide, Tetramethylthiuram monosulfide, azobisisobutyronitrile, dibenzyl, diacetyl, β-chloranthraquinone and the like can be mentioned.
架橋剤としては、具体的には多価イソシアネートのポリイソシアネート化合物およびポリイソシアート化合物の三量体、上記ポリイソシアネート化合物とポリオール化合物とを反応させて得られる末端イソシアネート化合物の三量体または末端イソシアネートウレタンプレポリマーをフェノール、オキシム類などで封鎖したブロック化ポリイソシアネート化合物が挙げられる。 Specific examples of the crosslinking agent include polyisocyanate polyisocyanate compounds and polyisocyanate compound trimers, terminal isocyanate compound trimers obtained by reacting the above polyisocyanate compounds and polyol compounds, and terminal isocyanate urethane prepolymers. Examples thereof include blocked polyisocyanate compounds in which a polymer is blocked with phenol, oximes and the like.
多価イソシアネートの具体例としては、例えば、2,4-トリレンジイソシアネート、2,6-トリレンジイソシアネート、1,3-キシリレンジイソシアネート、1,4-キシレンジイソシアネート、ジフェニルメタン-4-4’-ジイソシアネート、ジフェニルメタン-2-4’-ジイソシアネート、3-メチルジフェニルメタンジイソシアネート、ヘキサメチレンジイソシアネート、イソホロンジイソシアネート、ジシクロヘキシルメタン-4-4’-ジイソシアネート、ジシキウロヘキシルメタン-2-4’-ジイソシアネート、リジンイソシアネートなどがあげられる。 Specific examples of the polyvalent isocyanate include, for example, 2,4-tolylene diisocyanate, 2,6-tolylene diisocyanate, 1,3-xylylene diisocyanate, 1,4-xylene diisocyanate, diphenylmethane-4-4′-diisocyanate. , Diphenylmethane-2-4'-diisocyanate, 3-methyldiphenylmethane diisocyanate, hexamethylene diisocyanate, isophorone diisocyanate, dicyclohexylmethane-4-4'-diisocyanate, dicyclohexylmethane-2-4'-diisocyanate, lysine isocyanate, etc. can give.
また本発明の粘着剤には、凝集力を高めるためにロジン樹脂、テルペン樹脂、クマロン樹脂、フェノール樹脂、スチレン樹脂、脂肪族系石油樹脂、芳香族系石油樹脂、脂肪族芳香族共重合系石油樹脂等の粘着付与剤等を添加しても構わない。 The pressure-sensitive adhesive of the present invention includes a rosin resin, a terpene resin, a coumarone resin, a phenol resin, a styrene resin, an aliphatic petroleum resin, an aromatic petroleum resin, and an aliphatic aromatic copolymer petroleum to increase the cohesive force. You may add tackifiers, such as resin.
さらに上記の粘着剤中に帯電防止剤を添加することもできる。帯電防止剤を添加することにより、エキスパンド時あるいはピックアップ時に発生する静電気を抑制できるため、チップの信頼性が向上する場合がある。帯電防止剤としては、具体的にはアニオン性、カチオン性、非イオン性、ないし両イオン性の一般に公知の界面活性剤、カーボンブラック、銀、ニッケル、アンチモンドープスズ酸化物、スズドープインジウム酸化物などの粉体が用いられる。帯電防止剤は、粘着剤中に０〜３０重量部、特には０〜２０重量部の範囲で用いられることが好ましい。 Furthermore, an antistatic agent can be added to the above-mentioned pressure-sensitive adhesive. By adding an antistatic agent, static electricity generated at the time of expanding or picking up can be suppressed, so that the reliability of the chip may be improved. Specific examples of the antistatic agent include anionic, cationic, nonionic, and amphoteric surfactants, carbon black, silver, nickel, antimony-doped tin oxide, tin-doped indium oxide. Such powder is used. The antistatic agent is preferably used in the pressure-sensitive adhesive in the range of 0 to 30 parts by weight, particularly 0 to 20 parts by weight.
本発明において、前記粘着剤層の厚さは５〜３０μｍ、好ましくは１０〜２０μｍである。厚みが下限値未満であると、粘着力が充分でなくダイシング時にチップが飛散する問題があり、上限値を超えるとチップのピックアップが困難になる。
本発明において、前記粘着剤層を前記基材上に形成し、半導体ウエハ加工用粘着テープを製造するには、粘着剤層を構成する成分をそのまま、または適当な有機溶剤により溶液化し、コンマコーター、グラビアコーター、ダイコーター、リバースコーターなど一般に公知の方法に従って適宜の厚みに塗布又は散布等により基材上に塗工し、例えば８０〜１００℃、３０秒〜１０分程度加熱処理等で乾燥させることにより得ることができる。
In the present invention, the thickness of the pressure-sensitive adhesive layer is 5 to 30 μm, preferably 10 to 20 μm. If the thickness is less than the lower limit, there is a problem that the adhesive force is not sufficient and the chips are scattered during dicing, and if the thickness exceeds the upper limit, it becomes difficult to pick up the chips.
In the present invention, in order to produce the pressure-sensitive adhesive layer on the substrate and produce a pressure-sensitive adhesive tape for processing a semiconductor wafer, the components constituting the pressure-sensitive adhesive layer are dissolved as they are or with an appropriate organic solvent, and then a comma coater , A gravure coater, a die coater, a reverse coater, etc., which are coated on a substrate by coating or spraying to an appropriate thickness according to a generally known method, and dried by, for example, heat treatment at 80 to 100 ° C. for about 30 seconds to 10 minutes. Can be obtained.
本発明の半導体ウエハ加工用粘着テープを使用するには公知の方法を用いることができ、例えば半導体ウエハ加工用粘着テープを半導体ウエハに貼り付けて固定した後、回転丸刃で半導体ウエハをチップに切断する。その後、前記加工用粘着テープの基材側から紫外線及び／又は電子線を照射し、次いで専用治具を用いて前記ウエハ加工用粘着テープ放射状に拡大しチップ間を一定間隔に広げた後、チップをニードル等で突き上げるとともに、真空コレット、エアピンセット等で吸着する方法等によりピックアップすると同時にマウンティングすればよい。 In order to use the semiconductor wafer processing adhesive tape of the present invention, a known method can be used. For example, after adhering the semiconductor wafer processing adhesive tape to the semiconductor wafer and fixing it, the semiconductor wafer is formed into a chip with a rotating round blade. Disconnect. Then, after irradiating ultraviolet rays and / or an electron beam from the substrate side of the processing adhesive tape, and then expanding the wafer processing adhesive tape radially using a dedicated jig to spread the chips at regular intervals. Is picked up with a needle or the like, and picked up by a method of adsorbing with a vacuum collet, air tweezers or the like and mounted at the same time.
以下、本発明を実施例及び比較例により、更に詳細に説明するが、本発明はこれらに限定するものではない。
《実施例１》
アクリル酸ブチル７０重量部とアクリル酸２−エチルヘキシル３０重量部とを共重合して得られた重量平均分子量５０００００の共重合体(A)１０重量部とアクリル酸２−エチルヘキシル３０重量部と酢酸ビニル７０重量部とを共重合して得られた重量平均分子量３０００００の共重合体(B)９０重量部からなるベース樹脂１００重量部に対し、放射線重合化合物として分子量が１１０００の２官能ウレタンアクリレート(C)を３０重量部、分子量が７００の５官能アクリレートモノマー(D)を３０重量部、放射線重合性重合開始剤(E)として２，２−ジメトキシ−２−フェニルアセトフェノンを５重量部、ポリイソシアネート系架橋剤(F)を６重量部を配合した粘着剤層となる樹脂溶液を、剥離処理した厚さ３８μｍのポリエステルフィルムに乾燥後の厚さ（粘着剤厚み）が１０μｍになるように塗工し、８０℃５分間乾燥した。その後、粘着剤の強度測定用に基材として厚さ３８μｍのポリエステルフィルムと、その他の評価用には厚さ８０μｍの塩ビフィルム(三菱化学ＭＫＶアルトロン)をラミネートし、半導体加工用粘着テープを作製した。
なお以下の評価は、粘着剤の破断伸び率測定は両面のポリエステルフィルムを剥離した後、実施し、その他の評価は剥離処理したポリエステルフィルムを剥離した後に実施した。
Hereinafter, although an example and a comparative example explain the present invention still in detail, the present invention is not limited to these.
Example 1
10 parts by weight of copolymer (A) having a weight average molecular weight of 500,000 obtained by copolymerizing 70 parts by weight of butyl acrylate and 30 parts by weight of 2-ethylhexyl acrylate, 30 parts by weight of 2-ethylhexyl acrylate and vinyl acetate A bifunctional urethane acrylate (C) having a molecular weight of 11,000 as a radiation-polymerized compound with respect to 100 parts by weight of a base resin comprising 90 parts by weight of a copolymer (B) having a weight average molecular weight of 300,000 obtained by copolymerization with 70 parts by weight. ), 30 parts by weight of pentafunctional acrylate monomer (D) having a molecular weight of 700, 5 parts by weight of 2,2-dimethoxy-2-phenylacetophenone as a radiation-polymerizable polymerization initiator (E), polyisocyanate type After drying the resin solution which becomes the pressure-sensitive adhesive layer containing 6 parts by weight of the crosslinking agent (F), the polyester film having a thickness of 38 μm is dried. Is (adhesive thickness) is applied so that the 10 [mu] m, and dried 80 ° C. 5 min. Thereafter, a 38 μm thick polyester film was laminated as a substrate for measuring the strength of the pressure sensitive adhesive, and a 80 μm thick polyvinyl chloride film (Mitsubishi Chemical MKV Altron) was laminated for other evaluations to produce an adhesive tape for semiconductor processing. .
In the following evaluation, the elongation at break of the pressure-sensitive adhesive was measured after peeling the polyester film on both sides, and the other evaluations were made after peeling the peeled polyester film.
《実施例２》（E）を１重量部に変えた以外は実施例１と同様の方法でサンプルを作成し、評価した。
《実施例３》（E）を１５重量部に変えた以外は実施例１と同様の方法でサンプルを作成し、評価した。
《実施例４》粘着剤厚みを８μｍに変えた以外は実施例１と同様の方法でサンプルを作成し、評価した。
《実施例５》粘着剤厚みを２０μｍに変えた以外は実施例１と同様の方法でサンプルを作成し、評価した。
Example 2 A sample was prepared and evaluated in the same manner as in Example 1 except that (E) was changed to 1 part by weight.
Example 3 A sample was prepared and evaluated in the same manner as in Example 1 except that (E) was changed to 15 parts by weight.
Example 4 A sample was prepared and evaluated in the same manner as in Example 1 except that the adhesive thickness was changed to 8 μm.
Example 5 A sample was prepared and evaluated in the same manner as in Example 1 except that the adhesive thickness was changed to 20 μm.
《比較例１》 （C）を８０重量部、 （D）を８０重量部に変えた以外は実施例１と同様の方法でサンプルを作成し、評価した。
《比較例２》 （C）を５重量部、 （D）を５重量部に変えた以外は実施例１と同様の方法でサンプルを作成し、評価した。
《比較例３》粘着剤厚みを２μｍに変えた以外は実施例１と同様の方法でサンプルを作成し、評価した。
《比較例４》粘着剤厚みを４０μｍに変えた以外は実施例１と同様の方法でサンプルを作成し、評価した。
Comparative Example 1 A sample was prepared and evaluated in the same manner as in Example 1 except that (C) was changed to 80 parts by weight and (D) was changed to 80 parts by weight.
Comparative Example 2 A sample was prepared and evaluated in the same manner as in Example 1 except that (C) was changed to 5 parts by weight and (D) was changed to 5 parts by weight.
Comparative Example 3 A sample was prepared and evaluated in the same manner as in Example 1 except that the adhesive thickness was changed to 2 μm.
Comparative Example 4 A sample was prepared and evaluated in the same manner as in Example 1 except that the pressure-sensitive adhesive thickness was changed to 40 μm.
尚、実施例及び比較例の評価は、以下の評価方法を用いた。
（１）放射線照射前粘着力
実施例あるいは比較例において得られた塗工後７日後の粘着フィルムを２３℃、６５％RHの雰囲気下で、シリコンウエハ鏡面に２ｋｇ／ｃｍゴムローラーを往復させることにより貼り付け、２０分放置した後、万能型引っ張り試験機(ＴＥＮＳＩＬＯＮ)を用いて剥離強度３００ｍｍ／ｍｉｎで180゜剥離粘着力を測定した。 ＪＩＳＺ０２３７準拠。粘着力が１．６Ｎ／２５ｍｍ幅以上のものを合格とした。１．６Ｎより低い粘着力ではダイシングの際にチップが飛散する恐れがある。
（２）放射線照射後粘着力
（１）と同様の条件で貼り付け、放置後、基材フィルム側から高圧水銀灯で85mW/cm2ライン速度5m/minで紫外線照射した後、同様に１８０゜剥離粘着力を測定した。粘着力が０．１Ｎ〜０．５Ｎ／２５ｍｍ幅のものを合格とした。０．１Ｎより低い粘着力ではチップを取る際に隣接するチップがバラける恐れがあり、また０．５Ｎより高い粘着力ではピックアップ時にチップを取ることが出来ない。
（３）粘着剤の破断伸び率測定
得られたポリエステルフィルム／粘着剤／ポリエステルフィルムの３層構成のものに放射線を200mJ/cm2照射し、両側の剥離処理したポリエステルフィルムを剥離後、粘着剤単体を得る。所定のダンベルに打ち抜き、ＪＩＳＫ６７３４(１９９５)に準じた方法で粘着剤の破断伸び率を測定した。
○：破断伸び率が、１２〜５０％のもの
×：破断伸び率が、１２〜５０％の範囲の外のもの
（４）チップ飛び
半導体ウエハを、粘着テープに保持固定し、ダイシングソー（ＤＩＳＣＯ製ＤＡＤ−２ＨＢＭ）を用いてスピンドル回転数３０，０００ｒｐｍ、カッティングスピード１２０ｍｍ／ｍｉｎ．で、５ｍｍ角のチップサイズにカット後、粘着テープより剥離したチップの総数をカウントし、評価した。
評価基準
○：５個以下
×：６個以上
（５）エキスパンド性
半導体ウエハを、粘着テープに保持固定し、ダイシングソー（ＤＩＳＣＯ製ＤＡＤ−２ＨＢＭ）を用いてスピンドル回転数３０，０００ｒｐｍ、カッティングスピード１２０ｍｍ／ｍｉｎ．で、５ｍｍ角のチップサイズにカット後、エキスパンダー(ヒューグル製)を使用し、２０ｍｍのストロークで１０分間エキスパンドを行い評価した。
評価基準
○：チップ間隔が１５０μｍ以上空いている
△：チップ間隔が１００〜１５０μｍ空いている
×：チップ間隔が１００μｍ以下空いている
以上の実施例１〜５を表１に、比較例１〜４を表２にまとめた。
In addition, the following evaluation methods were used for the evaluation of Examples and Comparative Examples.
(1) Adhesive strength before radiation irradiation The adhesive film 7 days after coating obtained in Examples or Comparative Examples is reciprocated with a 2 kg / cm rubber roller on the mirror surface of a silicon wafer in an atmosphere of 23 ° C. and 65% RH. After being left to stand for 20 minutes, 180 ° peel strength was measured at a peel strength of 300 mm / min using a universal tensile tester (TENSILON). Conforms to JISZ0237. Those having an adhesive strength of 1.6 N / 25 mm width or more were considered acceptable. If the adhesive force is lower than 1.6N, the chips may be scattered during dicing.
(2) Adhesive strength after irradiation After pasting under the same conditions as in (1), and leaving to stand, after irradiating with UV light from the base film side with a high-pressure mercury lamp at 85 mW / cm 2 and a line speed of 5 m / min, 180 ° peeling is performed in the same manner The adhesive strength was measured. An adhesive having a width of 0.1 N to 0.5 N / 25 mm width was considered acceptable. If the adhesive strength is lower than 0.1 N, adjacent chips may be scattered when taking the chip, and if the adhesive strength is higher than 0.5 N, the chip cannot be taken at the time of pickup.
(3) Measurement of elongation at break of pressure-sensitive adhesive The obtained polyester film / pressure-sensitive adhesive / polyester film having a three-layer structure was irradiated with radiation at 200 mJ / cm2, peeled off both sides of the polyester film, and then the pressure-sensitive adhesive alone Get. A predetermined dumbbell was punched out, and the elongation at break of the pressure-sensitive adhesive was measured by a method according to JIS K6734 (1995).
○: Breaking elongation is 12 to 50% ×: Breaking elongation is outside the range of 12 to 50% (4) Chip skipping A semiconductor wafer is held and fixed to an adhesive tape, and a dicing saw (DISCO) Spindle rotation speed 30,000 rpm, cutting speed 120 mm / min. Then, after cutting into a 5 mm square chip size, the total number of chips peeled off from the adhesive tape was counted and evaluated.
Evaluation criteria ○: 5 or less ×: 6 or more (5) Expandability A semiconductor wafer is held and fixed on an adhesive tape, and a dicing saw (DISC DAD-2HBM) is used to rotate the spindle at 30,000 rpm and cutting speed 120 mm. / Min. Then, after cutting into a chip size of 5 mm square, an expander (manufactured by Hugle) was used and evaluation was performed by expanding for 10 minutes with a stroke of 20 mm.
Evaluation criteria ○: Chip spacing is 150 μm or more Δ: Chip spacing is 100 to 150 μm ×: Chip spacing is 100 μm or less Table 1 shows the above Examples 1 to 5, and Comparative Examples 1 to 4 Are summarized in Table 2.
本発明によれば、半導体ウエハ加工に際して優れたエキパンド性を示す半導体ウエハ加工用粘着テープが得られるため、ＩＣチップ、ディスクリートなどの電子部品のダイシング時に好適に使用される。 According to the present invention, since an adhesive tape for processing a semiconductor wafer that exhibits excellent expandability when processing a semiconductor wafer is obtained, it is preferably used when dicing an electronic component such as an IC chip or discrete.
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