JP2004537866A - 基板をスプリットする装置及び関連する方法 - Google Patents
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Abstract
−基板格納方向に配置される複数の基板をスプリッタ手段に送給するための手段と;
−基板のウエハをスプリットするためのスプリッタ手段と、このスプリッタ手段は、移動ジョーを備えることと;
−基板格納方向に実質的に平行な方向へ基板がスプリットされた後に、所定の基板ウエハの制御された変位を実行するための手段と、を備え、
それによって、装置は、複数の基板をスプリットするのに適する。
また、本発明は、関連するスプリット方法を提供する。
Description
【0001】
本発明は、概して材料を処理することに関し、より具体的には、エレクトロニクス、オプティックス又はオプトエレクトロニクスのための基板を処理することに関する。
【0002】
より正確には、本発明は、初期において互いに隣接する材料の二つのウエハのスプリット面でのスプリットを可能とする装置に関する。また、本発明は、このような装置によって実施される方法に関する。
【背景技術】
【0003】
以下で説明されるように、本発明は、結合の度合にばらつきのある隣接する材料の複数のウエハに適する。
【0004】
用語「隣接する」ウエハは、物理的に接触しているように位置される複数のウエハを意味するために使用される。
【0005】
従って、「隣接する」複数のウエハは:
構造的エレメントによって共に接続されることが出来る(以下で述べられるように、間に弱い面を画定する複数のウエハに特に適用され、この弱い面は、処理、例えば、熱処理を受けてこの弱い面のいずれかの側で二つのウエハ間に部分的なへきかいを達成する)
或いは、反対に、構造的エレメントによって共に結合されることが必要なく、隣接するが結合解除された二つのウエハの表面同士間の「サクションカップ」効果および/またはファン・デル・ワース力に対応する力のような力によって共に単独で保持される(最初に同じ基板からのウエハに特に適用され、これらのウエハの間に弱い面が画定され、この弱い面は、加熱やその他の処理を受けて、弱い面のいずれかの側に二つの材料の間に完全なへきかいが可能となる)。
【0006】
このように、二つの隣合うウエハは、以降基板と呼ばれるアセンブリを形成する。
【0007】
実際にウエハをスプリットすることに加えて、また、本発明は、ウエハがスプリットされた後にこのようなウエハを扱うことに適合する。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【0008】
本発明は、隣合い且つ制御され且つ正確な方法でスプリットされるべき材料のウエハの全てのタイプに適合することが詳述される。
【0009】
このように、本発明は、シリコンオンインシュレータ(SOI)タイプの構造、及びシリコンオンエニシング(SOA)タイプの構造、又はエニシングオンエニシング(AOA)タイプの構造を有するウエハのスプリットに適合する。
【0010】
しかしながら、本発明を制限しない例として以下に述べられる本発明の特に有利な用途は、SOIタイプ構造のウエハをスプリットすることに関することが理解されるべきである。
【0011】
スマートカット(登録商標)(Smartcut()方法という一般的用語として公知となっているSOIタイプ基板を製造する方法は、以下の基本的ステップを備える。
【0012】
−単結晶シリコンのような半導体材料の基板の所与の深さに種(イオン又は原子)をインプラントして基板に弱い面を画定するステップと、
‐例えば、表面が任意ではあるが酸化されたシリコンのような補強材に基板を固定するステップと、
インプラントされた種の層のレベルに画定された弱い面の少なくとも一部に割れ目を付すためのへきかいステップと、を備える。このように割れ目の各側に一つのウエハがある(分離され、且つ多分SOIを構成するために補強材に固定された単結晶シリコン基板の部分に対応する第1のウエハと、シリコンの残りの部分に対応する第2のウエハ)。
【0013】
幾つかの場合、弱い面の各側に位置される基板の二つのウエハ自体がある最小の強度レベルを呈するに十分な厚みである場合、補強材への固定するステップは、省略されてもよい。
【0014】
また、基板を補強材に固定する代わりに、シリコン基板を直接に補強材上に成長させることも可能である。
【0015】
このタイプの方法の一般的な記述の例は、特許文献FR2681472に見られる。
【0016】
そのタイプの方法において、へきかいステップの間に与えられた割れ目が完全であろうとただ部分的であろうと、実務において、二つのウエハは、互いに付着しているままである(ウエハの表面が極度に滑らかな場合、割れ目が完全な時は、単にサクション−カップ効果によって)。
【0017】
従って、最終的に全ての場合において、第1に最終SOI基板及び本方法でリサイクルされる第2に単結晶シリコンの残りの部分を得るために、ウエハをスプリットすることが必要なまま残される。
【0018】
また、本発明は、ウエハの一方がSOIに対応するウエハの対且つ特にスマートカット(登録商標)(Smartcut()方法によって得られるウエハの対をスプリットする場合に有利に適合するが、本発明は、この用途に制限されないことが想起される。
【0019】
このように、二つのウエハの間でのこの接着の問題(サクション−カップ効果のみによる場合でも)は、多くの二つのウエハの構造体において見られるものであり、それらをスプリットすることが必要である。このように、本発明は、SOI、SOA、又はAOAタイプのあらゆる構造のウエハをスプリットすることに適合する。
【0020】
ウエハの寸法(特に、厚み)に起因してウエハが壊れやすい場合および/またはウエハの材料が強くない場合、二つのウエハが互いから離間するように移動している時に二つのウエハが損傷される危険を冒すことを避けるために非常に大きな注意を払いながら、二つのウエハが自然にスプリットされなければならない。これは、割れ目を付与或いは仕上げながら行われることが必要である。
【0021】
これは、上述のように、SOI基板を本発明の好適ではあるが非制限用途を構成する残余の単結晶シリコンからスプリットする時に特に適合する。
【0022】
この好適な用途において、スプリット動作は、一般的に特に熟練のオペレータによって手作業で実行される。
【0023】
例えば、オペレータは、鋭いブレード等を(弱い面に対応する)へきかい面を有するシリコン基板レベルのエッジに挿入でき、従って、ウエッジ効果によってウエハをスプリットすることが出来る。
【0024】
この動作は、二つのウエハの対向面同士の衝突や擦りを導入し、その結果、それらのウエハを損傷するという危険を冒すことになる。
【0025】
更に、手作業での動作は、冗長であって且つ手間がかかり、製造処理率は、大きくその作業に依存する。
【0026】
最後に、特に、二つのウエハの間に割れ目作りが、ウエハをスプリットする処理によって仕上げられることを必要とする場合、基板に対して与えられる力が多いことが必要であり、上述の手作業での動作は、不適当となるか或いは危険とさえなる。
【0027】
このように、ウエハが迅速に、確実に且つ再現可能にスプリットされることが出来、且つウエハの面を引っかいたりウエハの面に粒子が付着することのリスクを防止するためにウエハがスプリットされている間にウエハの面同士間での接触を回避する方法と装置を提案出来ることが特に有利であることが理解される。
【0028】
本出願人名義のフランス特許出願FR98/13660号は、その必要性を満足することを求める方法と装置を記述している。
【0029】
本発明の目的は、SOI構造体のみならずSOAやAOA構造体のウエハをスプリットすることに適用可能な、そのような方法と装置に対する更なる改良を提案することである。
【0030】
特に、本発明は、(例えば、SOI基板をスプリットする時に)製造の処理量のより高いレートが達成できることを求める。
【0031】
また、本発明は、二つのウエハ間のへきかい面から離間している面に対して可能な限り僅かなストレスを付しながらウエハがスプリットされることが出来ることを求める。
【0032】
また、本発明は、スプリットされた後の各基板のウエハを扱うことの第1のステップが自動的に実行され得ることを求める。
【0033】
最後に、半導体基板からウエハをスプリットするための他の装置が公知であることが指摘される。
【0034】
例えば、ドキュメントEP0867917は、流体ジェットによってウエハをスプリットすることを求める装置を開示している。
【0035】
その方法(流体ジェット)でスプリットするために実施される技術は、特殊であり且つ非常に個別的オプションに対応するであることが認められる。
【0036】
そのオプションに関連する一つの限界は、基板のエッジに印加される流体のジェットに対して極度に正確な方法でスプリットされるべき基板を保持するための複雑な手段を提供することを必要とすることである。
【0037】
そのことは、スプリットされるべきウエハ面がウエハの構造に凸凹を発生し得るストレスを受けることを必要とする。
【0038】
更に、このドキュメントの教示は、丁度スプリットされた複数のウエハが単純な方法で扱われることを可能とする解決策を提供していない。
【0039】
JP04−010454は、流体ジェットによってウエハをスプリットすることの技術に関する。
【0040】
このドキュメントは、基板からウエハを個別にスプリットすることを求める高度に特殊なシーケンスを提案している。
【0041】
特に、所定の基板を選択的にひっくり返すための設備が作られ、それによって、スプリット方法がより複雑になっている。
【0042】
また、EP0977242は、基板からウエハをスプリットするための超音波を使用する変形を記述している。
【0043】
また、その場合、使用される技術は、非常に特殊である。
【0044】
更に、全体的に特殊な手段が設けられなければならず且つ複雑な操作方法がそのような超音波処理に関連する。
【0045】
特に、処理されるべき基板を超音波に曝すためのエンクロージャに配置し、次にそのエンクロージャから分離されたウエハを除去することが必要であり、それは手間のかかるハンドリング動作に対応する。
【0046】
情報目的で、本発明の一般的コンテキストに関連するドキュメントとしてドキュメントJP09―069552について述べるが、そのドキュメントは、ただ基板を扱うための装置を教示するものであって、ウエハをスプリットするための装置を教示しない。
【課題を解決するための手段】
【0047】
上記目的を達成するために、本発明は、第1の態様において、基板をスプリットするための装置であって、前記基板は、間にへきかい面を画定する二つの隣接ウエハを含み、前記装置は、基板格納方向に配される複数の基板をスプリッタ手段に送給するための手段と、前記基板のウエハをスプリットするためのスプリッタ手段と、前記スプリッタ手段は、移動ジョーを備えることと、所定の基板ウエハが前記基板格納方向に実質的に平行である方向にスプリットされた後に、前記所定の基板ウエハの制御された変位を実行するための手段とを備え、それによって、前記装置は、前記複数の基板をスプリットするのに適することを特徴とする、装置を提供する。
【0048】
本発明の好適ではあるが本発明を制限するものではない本装置の態様は、以下の通りである。
【0049】
スプリッタ手段は、基板のウエハが同時にスプリットされることを可能とする;
−スプリッタ手段は、基板のウエハが逐次スプリットされることを可能とする;
−基板を送給するための手段は、クレードルタイプのサポートに格納された基板をリフトするのに適するプッシャーを備える;
−マシンは、以下の態様を備える:
本装置のスプリッタ手段は、基板を収容するためのギャップの各側に位置される少なくとも二つの移動ジョーを備える第1のジョー形成コムアセンブリを備える;
これらのジョーは、一旦ジョーが基板をクランプするとそれらの基板を保持するのに適すること;
各ジョー自体は、第1と第2の部分を備える;
各ジョーの二つの部分は、基板を収容し保持するための対応する凹状ハウジングを有すること;
対応するハウジング同士の形状は、二つのジョーの第1と第2の部分が一旦基板をクランプすると、二つのジョーの第1の部分と前記二つのジョーの第2の部分のハウジングの形状同士の間で協働して各基板の二つのウエハを互いに離間するように前記第1と第2の部分が夫々付勢するのに適すること;
−第1のコムアセンブリの二つのジョーは、同一である;
−第1のコムアセンブリの各ジョーにおいて、第1と第2のジョー部分の凹状ハウジングの各々は、基板と該基板のへきかい面での係合のためのエッジのような夫々の突出エレメントを含み、この突出エレメントは、当該突出エレメントが延出する一般面を画定する;
−第1のコムアセンブリの各ジョーにおいて、
前記第1のジョー部分の各凹状ハウジングは、更に、非対称であるプロファイルを呈し、突出エレメントのいずれかの側に、
基板の第1の側と協働するために前記突出エレメントの一般面に対する第1の一般入射角で配向された第1の壁と、
基板の第2の側と協働するために前記突出エレメントの一般面に対する第2の一般入射角で配向された第2の壁と、を備え、前記第2の入射角は、第1の一般入射角よりも大きく、
第1のコムアセンブリの前記第1のジョー部分による基板のクランプの間、基板の第1の側に所定の基板のウエハが、第1の部分に相対して且つ前記突出エレメントの一般面に垂直な方向への移動の自由度を呈し、この自由度は、基板の第2の側に所定の基板ウエハによって呈される移動の自由度よりも小さく、
−第1のコムアセンブリの各ジョーにおいて、
前記第2のジョー部分の各凹状ハウジングは、更に、非対称であるプロファイルを呈し、前記突出エレメントのいずれかの側に、
基板の第2の側と協働するために前記突出エレメントの一般面に対する第1の一般入射角で配向された第1の壁と、
前記基板の第1の側と協働するために前記突出エレメントの一般面に対する第2の一般入射角で配向された第2の壁と、を備え、前記第2の入射角は、前記第1の一般入射角よりも大きく、
前記第1のコムアセンブリの前記第2のジョー部分による基板のクランプの間、前記基板の第2の側に所定の基板のウエハが、前記第2の部分に相対して且つ前記突出エレメントの一般面に垂直な方向への移動の自由度を呈し、この自由度は、前記基板の第1の側に所定の基板ウエハによって呈される移動の自由度よりも小さく、且つ
第2のコムアセンブリによる基板のクランプ中に二つのウエハを離すように付勢する;
−第1のコムアセンブリの各ジョーにおいて、第1の部分は、第2の部分のいずれかの側に配置される二つの部材を備える;
−第1のコムアセンブリの各ジョーにおいて、第2の部分は、第1の部分に相対して移動可能である
−所定の基板ウエハがスプリットされた後のそれらの基板ウエハの制御された変位を達成するための前記手段は、各ジョーの第2の部分を各夫々のジョーの第1の部分に対して並行に且つ突出エレメントの一般面に垂直な方向に移動するための手段を備える;
−本装置は、第1と第2の部分から独立して、基板をクランプすることが出来るジョーを有する第2のコムアセンブリを更に備える
−第2のコムアセンブリは、幾つかのウエハを通過可能とする複数の通路を更に含む;
−本装置は、スプリットされるべき少なくとも一つの基板を収容する第1のステーションと、各々が各スプリットされた基板から夫々のウエハを収容する二つのステーションを含む三つのステーションを更に備える;
−コムアセンブリ(単数および/または複数)は、前記ステーションに対して移動するように取り付けられ、且つ各ステーションに対して位置合わせされるべきコムアセンブリ(単数および/または複数)を選択的に変位させるための手段が設けられる;
−各ステーションは、夫々のプッシャーを備える;
−第1のステーションと関連する前記プッシャーは、前記基板を収容するための複数のハウジングを有し、他のステーションに関連する前記プッシャーは、各基板をスプリットすることによって得られた複数のウエハの夫々を収容するための複数のハウジングを有する;
−第1のステーションに関連するプッシャーの各ハウジングは、前記基板と当該基板のへきかい面で係合するための中間領域に突出エレメントを更に含む;
−本装置は、以下の態様を備える:
この装置は、セパレータを含み、セパレータは、基板がこのセパレータから係合解除される位置と基板が前記セパレータによってアタックされる位置との間での移動に適し、
この装置は、更に、前記基板が前記セパレータによってアタックされた後に、基板を保持する専用の第1のコムを備えると共に少なくとも二つの移動ジョーを備え、
これらのジョーは、前記ジョーが一旦基板をクランプすると基板を保持するのに適し、
各ジョーは、前記ジョーが一旦基板をクランプすると、基板のウエハが望ましい方法で離間されるように望ましい方法で離間されるハウジングを有する;
−セパレータは、突出ウエッジの形態の断面を有する;
−本装置は、基板をスプリットする専用のステーションとスプリットされたウエハのアンロードする専用のウエハを含む、少なくとも二つのステーションを備える;
−各ステーションは、夫々のプッシャーを備える;
−基板をスプリットする専用のステーションのプッシャーは、基板を収容するためのハウジングを有し、これらのハウジングは、略V字形状のプロファイルを呈する断面の物である;
−プッシャーハウジングの詳細な形状がW字形状であり、中央エッジは、各ハウジングの底部に設けられる;
−本装置は、更に、第1と第2の部分から独立して基板をクランプするに適するジョーを有する第2のコムを備える;
−第2のコムは、更に、幾つかのウエハを通過させるための複数の通路を含む;
−本装置は、また基板を正確に位置決めするためのガイドを備える;
第2の態様において、本発明は、間にへきかい面を画定する二つの隣接するウエハを含む基板をスプリットするための方法であって、前記方法は、
基板格納方向に配される複数の基板がスプリット手段に位置合わせされるようにこれらの基板を操作するステップと、
幾つかの基板ウエハが前記基板格納方向に実質的に平行な方向にスプリットされた後にこれらの基板ウエハに対して制御された変位を付するステップと、を備えることを特徴とする。
【0050】
本発明の方法の好適ではあるが本発明を制限するものではない態様は、以下の通りである。
【0051】
−前記方法は、二つのバッチを構成するように前記スプリットされたウエハをハンドルすることと、各バッチが、各基板からの夫々のウエハを備え、前記二つのバッチの各々を夫々の位置に付着することと、を更に備える;
−この方法は、
各基板を基板収容空間に搬送するステップと、
各基板を保持し且つ前記二つのジョーの第1の部分及び前記二つのジョーの第2の部分におけるハウジングの形状同士間での協働によって各基板の二つのウエハを離すように夫々付勢するように前記第1のコムアセンブリの第1と第2のジョー部分で各基板をクランプするステップと、を備える;
−クランピング中において、前記二つのジョーの第1の部分のハウジングの形状同士間の協働によって、前記へきかい面に対して垂直な方向へ各基板の二つのウエハ間の制御オフセットが引き起こされる;
−スプリットは、前記制御されたオフセット中に発生する;
−クランピングに続いて、前記第1のコムアセンブリの第1と第2のジョー部分は、分離されたウエハを解放するように緩められ、且つ第2のコムアセンブリのジョーは、基板の幾つかのウエハのみを保持するように共にクランプされる;
−各基板の一方のウエハが保持されると共に、他方のウエハがプッシャーによって回収され、各スプリット基板に対して、第1のスプリットウエハが第1のコンテナに配され、且つ第2のスプリットウエハが第2のコンテナに配される;
−この方法は、
各基板を基板収容空間に搬送するステップと、
各基板の二つのウエハをスプリットするように各基板をセパレータ部分で共にクランプするステップと、
ウエハを保持するようにスプリットされた基板ウエハをジョーでクランプするステップと、
を備える;
−ジョーでクランプするに先立って、スプリットされたウエハは、プッシャーの略V字状のハウジング内に保持される;
−基板をスプリットするに先立って、基板は、ガイドによって保持される;
−ウエハを保持するためにジョーがクランプされた後に、他のジョーは、幾つかのウエハのみが保持されることを可能とするように同じウエハに対してクランプされる;及び
−各基板の一方のウエハが保持されると共に、他方のウエハがプッシャーによって回収され、各スプリット基板に対して、第1のスプリットウエハが第1のコンテナに配され、且つ第2のスプリットウエハが第2のコンテナに配される。
【0052】
第3の態様は、本発明は、また、スマートカット(登録商標)方法で得られる基板をスプリットするための上述の方法の使用であって、基板の第1のウエハは、SOIウエハに対応し、且つ他方のウエハは、単結晶シリコンのような半導体材料の残りのものに対応する方法の使用を提供する。
【0053】
本発明の他の態様、目的及び利点は、添付の図面を参照して本発明の好適な実施の形態の以下の記述を読むとよりよく理解される。
【発明を実施するための最良の形態】
【0054】
一方のウエハがSOIウエハ又はSOAウエハに対応し、他方のウエハが残りのシリコンに対応する、二つのウエハを画定するへきかい面を含む基板をスプリットすることに関する本発明の好適な用途を参照して、以下の記述がなされる。
【0055】
しかしながら、本発明は、この用途に制限されないことがもう一度想起される:従って、本発明は、へきかい面によって分離される二つのウエハを有する、SOI又はSOAタイプ、及びAOAタイプの構造体に対応するあらゆる基板に適合出来る(ここで、へきかいは、二つのウエハがサクション−カップ効果によって単独ではあるが隣合っているような実務的には完全であってもよい、或いは、へきかいは、結合力が二つのウエハの間に残り、この力は構造的結合の存在の結果であるので、仕上げられる必要がある)。
【0056】
また、スプリットされるべき複数の基板のウエハは、同質でもよいしそうでなくてもよいことが強調される。特に、ウエハは、電子又は電気−光学コンポーネントを含み、これらのコンポーネントは、仕上げられた状態であっても或いは中間の状態であってもよい。
【0057】
本発明の好適な出願に返って、スプリットされるべき基板の各々(即ち、スプリットされるべき二つのウエハを有する)は、典型的には、上述のSmartcut(方法に主ステップを受けている。
【0058】
このように、第1のウエハがSOIウエハに対応し、他方のウエハは、単結晶シリコンのような半導体材料の残りの部分に対応する。
【0059】
また、第1のウエハは、SOAウエハに対応し、そこでは、シリコンの微細なウエハが、へきかい面を造ることによってシリコン基板内に造られ、且つそこでは、へきかい動作は、任意のタイプ(クオーツその他)の補強材と関連する。
【0060】
いずれにしても、二つのウエハを互いからスプリットするように、へきかい面の各側に位置される二つのウエハを含む基板を処理することが望ましい。
【0061】
ここで、図1を参照すると、本発明の第1の主実施の形態に対応するマシン1の図面が見られる。
【0062】
全ての図において、垂直方向を参照することが必要な場合、方向Zによって表されることを理解すべきである。
【0063】
マシン1は、図面の下半分に示される固定ベース11を備える。ベース11には、マシンに関連する方向Xに移動可能であるアセンブリ12が置かれる。
【0064】
三つのステーションST1、ST2及びST3は、ベース11上に画定され、移動アセンブリ12は、三つのステーションを通過して移動するのに適する。
【0065】
ステーションST1は、複数の基板Sを含むのに適するクオーツボートNを収容するためである。図1の例に示されるように、ボートの典型的内容は、25枚の基板である(図1では、単に、明瞭にするために、より少なく示している)。
【0066】
基板は、200ミリメートル(mm)の直径を有してよい。
【0067】
基板Sは、基板格納方向Yにボート内で位置合わせされる。
【0068】
ハウジングは、このためにボート内に基板格納方向に沿って規則正しく分配され、それによって、基板は、所与の基準ピッチで規則正しく分配される。
【0069】
ボートNは、各基板を二つのウエハにへきかいさせるために、或いはへきかいの準備のために(ウエハの一方は、SOI又はSOAウエハであり、他方は、残りのシリコンに対応する)、基板Sが加熱処理された室から直接に取り出されてもよい。
【0070】
上述のように、このような基板の二つのウエハへのへきかいは、仕上げられることが必要である(換言すれば、二つのウエハは、互いからスプリットされることが必要である)。
【0071】
以下で説明されるように、このように、マシンは、複数の基板をスプリットすることが出来る。
【0072】
更に、これらの複数の基板は、全て、同時にスプリットされてもよいし、二つの隣接する基板のスプリット同士の間が制御された時間間隔であってもよい。いずれにしても、このことは、基板がスプリットされるレートを、従来の技術の方法及び装置に比較して顕著に改良する。
【0073】
ステーションST2とST3は、二つの夫々のカセットK2とK3を収容するためである。
【0074】
カセットK2とK3は、シリコンウエハを含み且つ搬送するために一般的に使用されるタイプの物である。
【0075】
また、これらのカセットは、ボートN内に含まれるために使用された基板をスプリットする(基板をスプリットする方法が行われる方法は以下で詳細に記述される)ことによって得られるウエハを収容するために、ボート内のハウジングに対する基準ピッチと同じピッチで内壁に沿って規則正しく離間されるハウジングを含む。
【0076】
このように、各カセットは、ボート(この場合、25個)と同じ数のハウジングを含み、カセット内の各ハウジングは、基板をスプリットすることによって得られる二つのウエハの一方を収容するように働く。
【0077】
ボートNと二つのカセットは、ボート内の基板の格納方向が二つのカセット内のウエハの格納方向に並行であるように、それらの夫々のステーション上に配置される。
【0078】
二つのカセットは、反対向きに配置される。カセットK2のH−BARは、マシンの前方に面し(即ち、図1の図面の観察者に面している)が、カセットK3のH−BARは、マシンの後方に面している。
【0079】
ボートのH−BARは、マシンの前方に面する。
【0080】
慣習により、H−BARは、コンテナ(例えば、ボートやカセット)の端を定義し、このコンテナは、コンテナ中の基板やウエハの「後面」に対応する。
【0081】
このように、このようなコンテナにおいて、基板の全てやウエハの全ては、格納方法に並列に配置され、各基板や各ウエハの後面は、コンテナのH−BAR端に向かうように向く。
【0082】
また、基板の後面がそのアクティブ面、即ち、特定の処理が実行されるべき面(電子的、工学的、...構造体を造る)とは反対の面であるある事に留意すべきである。
【0083】
ハウジングが設けられ、これらのハウジングは、ウエハを収容するためのボートNによって画定される基準ピッチに等しいピッチで各カセットにおいてウエハ格納方向に規則正しく離間される。
【0084】
各ステーションST1、ST2及びST3には、図1においてベース11内に引き込まれるプッシャーが関連される。
【0085】
各ステーションのプッシャーは、(ステーションST1のプッシャーに対する)ボートの底部にある或いは(ステーションST2とST3のプッシャーに対する)各カセットの底部にあるハウジングを運ぶ構造エレメント同士間の空のままの開口内に係合するように上方に移動されることが出来、それによって、基板やウエハが対応するボートやカセットから基板やウエハを上げる。
【0086】
このように、各プッシャーは、ボートやカセット内に含まれて使用される基板やウエハをピックアップするために、それに対応するボートやカセットを上方に「通過」出来る。
【0087】
これに関連して、また、プッシャーは、基板やウエハの格納方向に、(25個のハウジングを有する)ST1とST3に対応するプッシャーの場合は上記指定されたピッチと同じピッチで、且つST2に関連するプッシャー(このプッシャーは、50個のハウジングを有する)に対しては前記基準のピッチの半分のピッチで規則正しく離間された方法で延出する凹状のハウジングを備える。
【0088】
ステーションST1とボートNとに関連する各プッシャーハウジングの底部は、ハウジングの凹部の中間にハウジングの軸方向に沿って延出する突出エッジを含み、基板のへきかいゾーンに基板をピックアップし、このへきかいゾーンは、プッシャーエッジが係合する基板の周部に環状のくぼみを形成する。
【0089】
また、プッシャーは、下方に構造体エレメントの開口を通過することによって基板やウエハと共に戻るように下方に移動して基板やウエハを関連するボートやカセット内に置き、構造エレメントは、基板やウエハをインターセプトしてそれらを指定された方法でハウジング内に収集すると共に、プッシャーは、それがベース11内に引き込まれるまで下方に移動し続ける。
【0090】
例によれば、移動アセンブリ12は、X方向に平行に延出するレール上に取り付けられ、この部分の変位を制御するための手段が設けられる。
【0091】
この移動アセンブリ12は、アセンブリ12の中間面120の両側に対称的に配置される二つの主部121と122を備える。
【0092】
面120の各側には、各部121、122は、ジョーを備え、このジョーは、ジョーを運ぶ垂直アーム回りを回ることによって水平面(即ち、ベース11のテーブル頂部に平行な)円弧に沿って移動するに適する。
【0093】
このように、アセンブリ12の第1の部分は、二つのジョー121aと121bを有し、これらのジョーは、対応するジョーに対して直角である夫々のジョーサポート1215aと1215bを介して二つの夫々のアーム1210aと1210bに関して水平面で回転するように取付けられる。
【0094】
二つのアーム1210aと1210bは、夫々のサポートに剛性固定されるジョー121aと121bと共にサポート1215a、1215bを回転するように、夫々の対称軸回りの部分旋回だけ回転するのに適する。
【0095】
二つのアーム1210aと1210bの回転は、二つのジョー121aと121bがm常に中間面120回りに対称的に位置され、その結果、アセンブリ12に対しては固定されたままであるように、同期される。
【0096】
図2と3を参照して以下でより詳細に理解されるように、これら二つのジョー121aと121bは、図1に示されるように、ジョー121aと121bが閉鎖位置にある時に互いに対向させられることが出来る面には非常に特殊な形状のハウジングを有し、これらのハウジングは、ジョーの長手方向に上述と同じ基準ピッチで分布される。
【0097】
ジョー121aと121bにおけるハウジングは、図1の概略図には示されていない。
【0098】
より正確には、これらのジョーは、コム121の二つのヒンジ結合ジョーを構成し、これらの二つのヒンジ結合ジョーは、互いに向かって移動してコムを閉鎖したり或いは互いから離間するように移動してコムを開くことが出来る。
【0099】
これらのジョーの長手方向は、ボートとカセットが図1に示されるように配置され、且つジョー121aと121bが閉鎖位置(図1に示されるように)ある時に、基板及びウエハの格納方向に平行な水平面における方向として定義されることが明示される。
【0100】
このように、アセンブリ12は、第1のコム121を備える。
【0101】
略同様に、アセンブリ12は、第1のコム121の下方に位置される第2のコム122を備える。
【0102】
第2のコム122は、ジョー122aと122bのように水平面で回転するように取付けられるジョー121aと121bによって構成される。
【0103】
このように、ジョー122aと122bは、夫々のジョー122aと122bが剛性固定される夫々のサポート1225aと1225bを介して夫々のアーム1220aと1220bに固定される。
【0104】
これらの二つのアーム1220aと1220bは、垂直方向に延出し、且つ夫々の長手軸回りの部分的旋回だけ回転することが出来る。
【0105】
また、この場合、二つのアームの回転は、二つのジョー122aと122bが常に中間面120回りに対照的に位置されるように同期される。
【0106】
また、これらの二つのジョー122aと122bは、ジョー122aと122bが図1の閉鎖位置にある時に、互いに対向させられることが出来るそれらの面にハウジングを有し、これらのハウジング(図1の概略図には示されていない)は、ジョーの長手方向に沿って上述と同じ基準ピッチで分布される。
【0107】
しかしながら、これらのハウジングの形状は、以下でより詳細に説明されるように、コム121のジョーにおけるハウジングの特殊な形状とは異なっている。
【0108】
二つのコム121と122は、互いから独立しており、これら二つのコムの各々のジョーは、専用の制御手段によって分離して且つ独立して開放及び閉鎖されることが出来る。
【0109】
図2を参照すると、夫々のコム121と122のジョー121bと122bは、図1で定義された方向P1に沿って見える概略斜視図においてより詳細に示されている。
【0110】
アセンブリ12は、中間面120回りに対称的であるので、ジョー121bと122bの以下の記述は、ジョー121aと122aに対称的に適用される。
【0111】
また、この図は、夫々のジョー121bと122bが取付けられるアーム1210bと1220bと共に、カセットK2とK3を示す。
【0112】
ジョー121bは、以下で記述される特別な形状を有する二つのジョー部1211bと1212bを備える。
【0113】
より正確には、第1の部分1211bは、第2の部分1212bの両側に垂直方向に配置される二つの部材12111bと12112bを備える。
【0114】
また、第2の部分1212bは、第2の部分をジョーサポートに接続する、移動が制御可能な螺子12120bのような制御された並行移動変位を行うための部材を介して、ジョーサポート1215bに対するジョーの長手方向に平行な水平方向に移動するように取付けられる。
【0115】
部材12111b、12112bの各々と第2のジョー部1212bは、上述の基準ピッチで規則正しく分布された複数の凹状ハウジングを有する。
【0116】
第1と第2のジョー部のこれらの凹状ハウジングの各々は、基板のへきかい面と係合するために、ハウジングの方向に並行に延出するエッジのような中央突出エレメントを有する。
【0117】
従って、
−第1のコム121の第1のジョー部の第1の部材12111bの各ハウジングL11bは、エッジA11bを有する;
−第1のコム121の第1のジョー部の第2の部材12112bの各ハウジングL12bは、エッジA12bを有する;及び
−第1のコム121の第2のジョー部の各ハウジングL2bは、エッジA2bを有する。
【0118】
このように、各エッジは、それが延出する一般面を画定し、エッジの全ては、互いに平行である。エッジが延出する一般面は、基板をクランプするジョーの表面に対して直交する垂直面である:従って、この面は、ジョーが基板に対して閉鎖されると、基板のへきかい面と一致する。
【0119】
これらの中心エッジとそれらの機能の詳細な説明は、図3を参照して以下で行われる。
【0120】
第1のジョー部の各部材と各第2のジョー部内のハウジングの数は、図1のボートNとカセットK2とK3におけるハウジングの数と等しいことが好ましい。
【0121】
これらのハウジングは、各部材と各第2のジョー部の長手に沿って分布される。
【0122】
二つの部材12111b、12112bは、互いに対して及びジョーサポート1215bに対して固定され、これら二つの部材は、前記サポートに剛性固定される。
【0123】
部材12111bと12112bの各ハウジングは、操作されようとしている基板とウエハの長手方向に対応する略垂直方向に延出する。これと同じことが第1のコムのジョーの第2の部分1212bのハウジングに適用される。
【0124】
部材12111bの各ハウジングは、部材12112bの対応するハウジングと一直線になるように延出し、これら二つの対応するハウジングは、第1のコム121のジョーのクランプ中に同じ基板に対して閉鎖することが意図されている。
【0125】
より正確には、コムのジョーの第1の部分を構成する夫々の部材12111bと12112bの各ハウジングL11b、L12bは、対称的であって対応する中心エッジA11b、A12bの各側に以下のものを備えるプロファイルを呈する:
−ジョーが基板に対して閉鎖されるとハウジングが収容する基板の第1の側と協働するように前記突出エレメントの一般面に対する第1の一般入射角度で延出する第1の壁;と
−基板の第2の側と協働するように前記突出エレメントの一般面に対して第2の一般入射角度で延出する第2の壁と、であり、この第2の入射角度は、第1の一般入射角度よりも大きい。
【0126】
第1の一般入射角度は、小さく、2から3度のオーダーであり、従って、第1の壁は、それを支持する部材の表面に対して実際的には垂直である。
【0127】
第2の入射角度は、非常に大きく、第2の壁は、ハウジングに対してより多く「開いた」ハーフプロファイルを画定しており、第2の壁は、ハウジングの底から隣のハウジングの第1の壁の突出リムに向かって非常に漸進的に傾斜する。
【0128】
中心エッジA11b、A12bは、ハウジングによって収容される基板に基板のへきかい面で係合するように設計される(各ハウジングが基板を如何に収容するかについては、以下で説明される)。
【0129】
この係合は、第1のコムのジョーが基板をクランプすると発生する。ハウジングの凹形状と中心エッジの存在によって、第1のコム121のジョーの第1の部分が各基板の二つのウエハの間でその基板に係合出来る。
【0130】
ハウジングの非対称プロファイルのために、このクランピングが発生している間に、基板の第1の側に基板のウエハは、第1のコムの第1の部分121a、121bに対すると共に突出エレメントの一般面に垂直な方向への移動の自由度を有し、この自由度は、基板の第2の側の基板のウエハに対して得られる自由度よりも小さい。
【0131】
換言すれば、このクランピングが第1のコムの第1の部分に対して発生している間、各基板毎に、この基板の第1の側にあるウエハは、ハウジングの中心エッジとその第1の壁、即ち、ハウジングの底に対する急激なスロープである壁との間で割られる。
【0132】
同時に、基板の他方のウエハは、前記突出エレメントの一般面に対して垂直な方向、即ち、ウエハの面に対して垂直な方向に第1のコムの第1の部分に対して移動する大きな自由度を有する。
【0133】
このように、基板のウエハの一方は、それと係合する部材に対して割られると共に、他方のウエハは、潜在的に第1のウエハから離間するように移動出来る。
【0134】
第1のコムの第1の部分の第1と第2の部材のハウジングにおける壁とエッジは、垂直方向に位置合わせされており、それによって、両部材は、各基板において同じ効果を有することが明示される。
【0135】
同様に、第2のジョー部分1212bのハウジングL2bは、夫々の中心エッジA2bに対して非対称であるプロファイルを呈する。
【0136】
また、この場合、ハウジングの中心エッジは、第1のコムの第2のジョー部が基板をクランプしながら、それらのへきかい面で基板と係合するように設計される。
【0137】
このクランピングが発生している(本発明の好適な実施の形態においては、第1のコムの第1のジョー部のクランピングと同時に発生し、第1のコムのジョーは、一度に閉鎖する)間、第1のコムの第1と第2のジョー部のエッジは、垂直方向に位置合わせされている。
【0138】
また、この位置合わせは、コム121の第1と第2のジョー部の間の基準位置でのみ発生し、この基準位置は、第1のコムのジョーが共にクランプしている間のジョー部の位置であることが理解される。
【0139】
その結果、第1のコムが基板をクランプしている間、各基板は、そのへきかい面で第1のコムの第1と第2の部分のエッジによって係合される。
【0140】
第1のコムの第2のジョー部の各ハウジング毎に、エッジの一方の側に、基板の一方のウエハを割る「急勾配の」壁があり、他方の側に、第2の部分1212bに対して、割られる第1のウエハから離間されるように移動する一定の自由度を他方のウエハに与える「オープン」壁が同様に存在することが判る。
【0141】
しかしながら、第1のコムの第2の部分のハウジングは、第1のコムの第1の部分のハウジングのプロファイルに対して反転されたプロファイルである。
【0142】
従って、第1のコムの第2のジョー部のハウジングの「急勾配」壁は、第1のコムの第1のジョー部の部材の対応するハウジングの「オープン」壁と垂直に位置合わせされている。
【0143】
対称的に、第2の部分のハウジングの「オープン」壁は、第1の部分の部材の対応するハウジングの「急勾配」壁と垂直方向に位置合わせされている。
【0144】
このように、基板のその側にあり、且つ部材12111bと12112bの二つのハウジングの「急勾配」壁と中心エッジとの間の第1のジョー部1211bに対して割られる基板のウエハは、第2のジョー部1212bの対応するハウジングの中心エッジA2bから離れるように移動して同じエッジから離間するように移動する自由度を有する。
【0145】
基板の他方のウエハは、第2のジョー部に対して割られるが、第1のジョー部の部材のハウジングの中心エッジから離れるように移動する自由度を有する。
【0146】
マシン1の主構造の特徴は、本発明のマシンの第1の主実施の形態に対応して、上述された。
【0147】
このマシンの動作は、図1から4を参照して以下に記述される。
【0148】
以下の状態から開始する:
−ボートNは、25個の基板Sを含み、これらの基板の各々は、へきかいされている(このへきかい動作は、任意ではあるが、いずれにしても機械的に仕上げることが必要であり、各基板の二つのウエハは、本発明に従ってスプリットされる);
−アセンブリ12は、ステーションST1上でそれに見当合わせされている(図1の方向Xへの適切な変位にづづき);及び
−コム121と122のジョーは、離間されて開いている。
【0149】
第1の動作は、ステーションST1と関連するプッシャーを上方に移動させることである。
【0150】
このプッシャーが基板をピックアップし、各基板は、プッシャーのハウジング内に収容される(このために、基板の下にプッシャーがあり、更に、ハウジングは、基板が収容される漏斗を形成するようにV形状のスロープを備える)。
【0151】
プッシャーの各ハウジングの底は、中心エッジを有し(それによって、「W形状」プロファイルを有するハウジングを画定する)、このように、エッジは、基板のへきかい面の環状空洞内に位置される。
【0152】
用語「W形状」は、一般的に凹んだ且つ更には凹み形状の底から突出するプロファイルを含むあらゆる形状を指定することであると理解されるべきである。
【0153】
このように、プッシャーに対する基板の位置は、形状同士間の協働(へきかい面の環状空洞が「W形状」の先端に係合し、かつプッシャーにおけるハウジングの側部の対称的スロープが十分に浅くて垂直位置に基板を保持する)によって自動的に調整される。
【0154】
このように、ステーションST1のプッシャーは、基板の中心が第1のコム121の第2の部分の垂直方向中心のセンターと同じ高さにある高い位置に基板を上げる。
【0155】
この高い位置において、基板は、コム121の二つのジョー間にあり、これらのジョーは、離間されて開放されている。
【0156】
次に、第1のコム121のジョー121aと121bは、同期して且つ対称的にクランプさせられて第1のコムのジョーを基板に対して閉鎖する。
【0157】
第1のコムのハウジングは、これらのハウジングの各々がこの閉鎖中に一つの基板を収容するように配置される。
【0158】
この閉鎖中でさえ、第1のコムの第1と第2のジョー部の形状同士間の協働によって各基板は、二つの分離されたウエハにスプリットされる。
【0159】
上で説明されたように、第1のコム121の第1と第2のジョー部が一緒にクランプしている間に、第1のコム121の種々の部分におけるハウジングの中心エッジは、基板と係合することによって固定される位置に各基板のへきかい面を維持する。
【0160】
各基板毎に、第1のウエハは、第1のコムの第1のジョー部に対して他方のウエハから離れるように移動する自由度を有し、一方、他方のウエハは、第1のコムの第2のジョー部に対する同様な自由度を有する。
【0161】
このように、第1のコム121のハウジングにおける中心エッジは、へきかい面に係合する楔として働き、そして、これらの自由度は、互いから離れるように移動する各基板の二つのウエハによって使用され、それによって、基板を完全にスプリットする。
【0162】
このように、第1のコム121のハウジングにおけるこれら中心エッジの機能の一つは、互いから離れるように移動する自由度を各基板のウエハに残しながら、第1のコム121の第1と第2の部分における各基板のへきかい面に対する一種の固定位置を定義する。
【0163】
このように、第1のコムのジョーの形状同士間の協働によって、各基板の二つのウエハが離間される。
【0164】
第1のコム121のハウジングにおけるこれら中心エッジのこの機能は、各基板の二つのウエハの離れる方向への移動を大きく促進する;二つのウエハ同士間のへきかいは、既に「完全」である(即ち、基板のウエハは、「サクション−カップ」タイプやファンデルワールス力の影響下で、もっぱら互いに隣接されたままである)時に、次に、このへきかいは、ウエハを完全に離れるように移動させ、ウエハは、それらの相対的自由度のために、互いから離れるように移動する。
【0165】
対照的に、マシンに対して提示されたウエハ同士間のへきかいがまだ「完了」されていない時、基板を正しい位置に置くためだけに働くように、エッジの一緒のクランピングのために備えることが可能である。
【0166】
このような状況下において、上述のウエハの付勢離間は、ウエハをスプリットするのに実際には十分ではなく、これは、第1のコムの第2のジョー部が、以下でより詳細に記述されるように、基準ピッチの2分の1だけ並行移動される時のみに達成される。
【0167】
また、マシンのこれらの特徴(エッジの形状、クランピング力、...)を採用することも可能であり、それによって、クランピング中に、へきかいが完成されていない基板に対してさえ、ウエハは、完全にスプリットされる。
【0168】
いずれにしても、中心エッジのプロファイルの形状とジョーのクランピング移動は、エッジの機能の両方(単独の位置決め及びウエッジ効果によるスプリットに関連する位置決め)に働くように採用されることが出来る。
【0169】
また、ウエハに対する損傷を避けるために、良好な制御下でウエハをスプリットする望ましい方法で第1のコムのジョーのクランピング移動を採用することが出来る。
【0170】
特に、基板あまりに強く抵抗する場合にジョーのクランピングを停止するために第1のコムのジョーを力センサに関連付けるように準備することが出来る。
【0171】
このような状況下において、一つ又はそれより多くの基板をスプリットすることが困難に成ると、基板を損傷することを回避するために動作を中断することが好ましい:次に、「非協働的な」基板を識別且つ除去し、その他の基板をスプリットし続けることが出来る。
【0172】
また、このようなクランピングを例えば、光学センサのような異なるタイプのセンサと関連付けて基板が適切にスプリットされていることを検証し、若しそうでない場合マシンを停止することが可能である。
【0173】
次に、ST1のプッシャーは、下降され、空にされ、ベース11に引き込まれ、それによって、基板がジョーのみによって保持される。
【0174】
スプリットする基板が補強材に接合されたシリコンのような材料層を含む場合(基板のへきかい面がシリコンに画定され且つ基板がへきかい面の各側に二つのウエハを構成する)、この層と補強材との間の接合境界は、コムのジョーが一緒にクランプを開始すると、第1のコム121のハウジングの中心エッジの良好な初期位置決めを達成するのを助けることが出来る。
【0175】
このような接合境界は、シリコン(或いは他の材料)の層と補強材のエッジでの少量の丸み(ディスク形状基板の半径方向断面において観察される丸み)の結果である環状の面取りを画定する。
【0176】
二つの丸められたエッジは、互いに対向し、従って、環状の面取りを画定する。
【0177】
出願人は、第1のコム121におけるハウジングの中心エッジが次に環状の面取りに係合することを観察した。
【0178】
この係合は、ジョークランピングの始めに、基板が基板の格納方向へ移動するための一定の自由度を有するという事実によって容易に行われる。
【0179】
第1のコムのエッジが基板と接触すると、基板は、そのような係合が接合境界において容易になるように、基板の格納方向への基板の位置を自動的に調節する。
【0180】
また、出願人は、第1のコムのジョーが基板に対するクランプを続けると、ウエハがへきかい面で実際にスプリットされることを観察した。
【0181】
その後、第1のコムの第2のジョー部が基準ピッチの半分だけ平行移動させられる。
【0182】
平行移動におけるこの制御された移動は、図3において、矢印Tの方向(即ち、基板の格納方向に対して実質的に平行な方向)に実行される、この平行移動中に、同じ基板と関連し且つ基板の両側に配置された第1と第2の部分の「急勾配」壁は更に離れるように移動する。
【0183】
その結果、第2の部分のハウジングにおける中心エッジは、前記ハウジング内で割られた各基板のウエハを基板の他方のウエハから離間するように更に移動するようにを移動する。
【0184】
上述のように、この移動は、基準ピッチの半分に対応する距離にわたって発生し;この段階で、ウエハは、基準ピッチの半分だけ規則正しく離間され、同じ基板の二つのウエハはそれらの前面やアクティブ面(へきかいされた面)を介して互いに対面する。
【0185】
しかしながら、第1のコムは、ウエハに対して閉鎖される(且つ実際に全ての他のウエハが基準ピッチの半分移動されている)ので、第1のコムは、このオフセットでウエハを保持する。
【0186】
以下で記述されるように、全ての他のウエハの制御されたオフセッティングのこの機能は、特に単純で容易な方法で複数のウエハがスプリットされた後のこれらのウエハをハンドルするステップと共に続けることを可能とする。
【0187】
当然、第1のコムの第2のジョー部ではなくて、これらのジョーの第1の部分である、矢印Tの方向に移動可能である部品を用意することが可能であり、重要な点は、これら二つの部分の間で制御された移動を得ることである。
【0188】
その後、アセンブリ12は、それがステーションST2に来るまで、このアセンブリの制御手段によって図1の方向Xへ移動される。第1のコム121は、基準ピッチの半分だけ規則正しく離間される50個のウエハを積載している。
【0189】
その後、ステーションST2に関連するプッシャーは、ウエハの底エッジと接触するように上げられ、このプッシャーの50個のハウジングが、基準ピッチの半分だけオフセットされ、各ハウジングが一つのウエハを収容する。
【0190】
この位置で、ST2に関連するプッシャーは、50個のウエハの全てを支持する。
【0191】
次に、第1のコム121のジョーが開放されるが、第2のコム122のジョーは、ウエハに対して閉鎖される(この動作中、50個全てのウエハは、プッシャーST2によって支持され続ける)。
【0192】
第2のコム122のジョー122a、122bの各々は、ジョーの長手方向に規則正しく離間される25本の歯D(図2を参照)を有し、各歯は、基準ピッチに対応する距離だけそれに続く歯から分離される。
【0193】
各歯は、一つのウエハを収容するためのハウジングを形成するフレアスロットを有する。コム122は、コム121の下方に位置される(それ自体は、基板とウエハが高い位置にある時、これらの基板とウエハの中間領域と見当合わせされている)ので、歯のスロットは、ウエハの底部を収容し、従ってそれらを支持出来ることを(特に、図1において)理解される。
【0194】
前記スロットは、ST2のプッシャーによって保持されるウエハと見当合わせされ、他の全てのウエハは、閉鎖されると、第2のコムのスロットに収容保持される。
【0195】
歯Dは、基準ピッチで規則正しく離間されたギャップE(図2を参照)自体によって分離される。
【0196】
これらのオープンギャップの寸法は、これらのギャップが、コム122のスロットに収容されていないウエハを降下することに対する障害物を形成しないようにされる。
【0197】
次に、ST2のプッシャーが下降され、ウエハの内の25個がコム122によって高い位置に保持されたままとなるが、残りの25個のウエハは、プッシャーと共に下方に移動する。
【0198】
このように、コム122は、全ての他のウエハをインターセプトする「フィルタ」として働く:第1のコムの第2のジョー部を平行移動することによってオフセットされなかったこれらのウエハのみが第2のコムのスロットに収容される。
【0199】
より正確には、このコムは、各基板からの同じ種類のウエハ(例えば、SOIウエハやSOAウエハに対応するウエハ)を常に保持し、且つ同じことは、ST2のプッシャーに適用される(この場合、シリコンの残りに対応する各基板のウエハを保持する)。
【0200】
ST2のプッシャーは、それがカセットK2中の残りのシリコンの25個のウエハの全てを置くまで下方への移動を続け、ベース11の中に引き込まれるようにカセットを通過する。
【0201】
次に、アセンブリ12は、ステーションST3と見当合わせされて移動される。このように、第2のコム122は、25個のウエハを取得してそれらがこのステーションと見当合わせされるように運ばれる。
【0202】
ST3の関連するプッシャーは、コム122によって保持された25個のウエハの各々がこのプッシャーのハウジングに収容される高位置を占めるように上方に動かされる。
【0203】
次に、第2のコム122は、25個のウエハ(この例では、SOIやSOAウエハ)を解放するように開放され、次に、これらのウエハは、ST3のプッシャーによって保持される。
【0204】
次に、このプッシャーは、降下してカセットK3を通過し、それによって、25個のSOIやSOAウエハをカセット中に堆積する。次に、ST3のプッシャーは、ベース11中に引き込まれる。
【0205】
このように、本発明は、有利な方法で且つ特に以下の利点を持って基板をスプリットすることを可能とすることが理解される。
【0206】
−処理のスループットのレートは、従来のシステムに比較してかなり上昇される。本発明は、複数の基板を同時にスプリットするように働く(この図は制限していないが、例えば、25個の基板)。
【0207】
これに関して、第1のコムのジョーの形状および/またはそれらの相対位置、および/またはそれらは、複数の基板が同時にスプリットされる(基板の全てが同時にスプリットされる)のではなくて、逐次スプリットされる(即ち、スプリットされるべき二つの隣接基板同士間で制御される時間オフセットを持って、複数の基板が一つずつスプリットされる)ように一緒にクランプされるダイナミックスを採用出来ることが明確にされるべきである。
【0208】
このために、例えば、第1のコムの両方のジョーは、それらが閉鎖位置にある時に平行ではなくて、選択された頂点で狭い角度のV形状を形成して、ジョーが一緒にクランプされると、コムのジョーが、一つずつ連続して基板と係合するように準備されることが出来る。
【0209】
このオプションは、特に、スプリットするのが困難な基板をスプリットする時に、実施されることが出来る。このような状況下において、また、(例えば、基板がジョーのクランピングの影響下においてスプリットされている時に、基板に見当合わせされるように基板格納方向に沿って移動することによって)現在スプリット中で所定の基板を観察するセンサ(光学的又はその他)を基板に対する第1のコムのジョーの一緒のクランピングに関連付けることが可能であり、それによって、スプリットする処理中のあらゆる基板上で問題が観察されると、適切なフィードバックループによってクランピングを中断することが可能となる:
−基板は、高い精度で且つウエハにとって高い安全度でスプリットされる。特に、本発明は、スプリットされたウエハの面が引っ掻かれることのリスクを回避出来る;
−また、本発明は、スプリットされたウエハを自動的に取り扱うことを可能とし、各基板の夫々のウエハは、このために設けられるカセット内に格納される;及び
−本発明の実施は、スプリットされるべき基板の機能として採用され得る。特に、基板が完全にはへきかいされず、それによって二つのウエハがスプリットされ得るように追加のエネルギーを加えることが必要な場合、基板を位置決めするように第1のコムのクランピングを実施することを決定出来、−それによって、実際にはウエハをスプリットすることはないが、引き続くスプリットが容易にされる。理由は、ジョーを一緒にクランピングすることから得られる、二つのウエハを離間するように移動する力は、ウエハを離間するように移動するには十分ではなく−基板が第1のコムの二つの部分の間の基準ピッチの半分だけのオフセットによって引き続きスプリットされ−ウエハを離すように移動するために必要な追加のエネルギーに対応するこのオフセット変位中に基板にストレスが導入されるからである。
【0210】
勿論、上述の本発明は、種々の異なる方法で実施され得る。
【0211】
特に、ステーションST1で実行されるスプリット分離動作に続くことが可能であり、半分のウエハ(各基板からの一方のウエハ)をステーションST2ではなくてエンドのステーションST3に降ろすことによってこの移動分離に続くウエハのグループ化解除が可能である。
【0212】
何れの場合でも、各基板の第2のウエハは、移動アセンブリ12によってステーションST2に降ろされる。
【0213】
これによって、マシンの動作サイクルを終了出来、移動アセンブリが、中間ステーションST2と見当合わせされる。
【0214】
また、これによって、基板のどちらのウエハが各ステーションに積載されるかを選択可能となる:例えば、SOIウエハを含む基板をスプリットする時に、SOIウエハをST2に配し残りのシリコンをST3に配することが望ましい。
【0215】
従って、第2のコム122が常に同じウエハを保持するので、マシンのこの動作は、降ろすために第1のステーションを選択することによって、採用されることが必要である。
【0216】
また、二つのステーションのみを使用してこのようなマシンを実施することが出来、三つのステーションは、必須ではないことに留意すべきである。
【0217】
このような状況下において、ステーションST2とST3は、ウエハがスプリットされた後にウエハを降ろすために設けられる唯一つのステーションと「一致する」。
【0218】
このような状況下において、マシンが第1のウエハを降ろした後に、オペレータは、ウエハで一杯のカセットを除去して、それを他のカセット、即ち、マシンからのもう一方のウエハを収容するための空のカセットに交換することが必要である。
【0219】
以下に図5から図8を参照して、本発明を第2の主実施の形態で実施出来る第2のマシンを記述する。
【0220】
図5は、上記にて見られた場合のような、このようなマシン2の概略的全体図である。
【0221】
この場合、同様に、マシン2は、参照番号21の固定ベース及び参照番号22の移動アセンブリを備える。
【0222】
固定ベース21は、三つの主ステーションST'1、ST'2及びST'3を有する。
【0223】
ステーションST'1は、基板をスプリットするためのステーションであり;このステーションは、図1におけるボートNと同様なボートを収容するのに適し、そしてこの例は、25個の基板が(同時に或いはその他の方法で)スプリットされる状態を繰り返し、それらの基板は、基準ピッチで位置合わせされて格納される。
【0224】
基板の格納方向は、図5において、矢印Yによって表される。
【0225】
マシン2は、同様に全てのタイプの基板(SOI、SOAタイプ基板とあらゆる他のタイプの基板;並びに任意のサイズの基板)をスプリットするのに適合される。例えば、このようなマシンは、300mmの直径を有するSOIやSOAのウエハ(しかし、この例は、発明を制限しない)をスプリットするために使用されることが出来る。
【0226】
ステーションST'2は、ウエハを降下するステーションであり;それは、上述のカセットと同様のカセットを収容するのに適する。また、このステーションは、固定され且つウエハが水平方向と垂直方向との間での傾くことが出来るカセットを収容出来る。
【0227】
ステーションST'3は、ステーションST'2に降下されたウエハを装填するためのステーションである。このステーションST'3は、二つの装填ステーションを有し、各ステーションは、フロントオープンユニファイポッド(Foup)やフロントオープンシッピングボックス(Fosb)によって占有されるのに適する。
【0228】
これらのコンテナは、カセットと同様に、所与のピッチ(この場合、「基準ピッチ」)で離間される複数のウエハを格納するように働く。
【0229】
このようなコンテナの特定の特徴の一つはそれらのコンテナが垂直ではなくて水平にウエハを格納することである。また、ウエハは、それらのアクティブ面を上方に向けて中に格納されることが理解されるべきである。
【0230】
従って、マシン2をステーションST'2でカセット中に垂直に配された複数のウエハを4分の1回転だけ回転するための手段23と関連付けることが必要であり、それによって、ウエハは、水平になるが、位置合わせされた二つの隣接するウエハ同士間に基準ピッチで位置合わせされて離間され続ける。
【0231】
アセンブリ22は、適切な制御手段の制御下においてステーションST'1とST'2の各々と見当合わせされて二つの位置の間で移動されるのに適する。このように、アセンブリ22は、図5において示される方向Xに沿って移動される。
【0232】
マシン2は、更に、ステーションST'2でアセンブリ22によって置かれ且つステーションST'2を出て4分の1だけ回転されて水平に置かれたスプリット済みウエハを転送するハンドリングロボット24を備え、ステーションST'2からステーションST'3に前進する。
【0233】
このように、ロボット24は、方向Yに平行移動可能である。また、このロボットは、ウエハがステーションST'3のコンテナ中に降ろされることが出来るように、それ自体の垂直軸240の回りに回転移動可能となっており、またZ方向に移動可能でもある。
【0234】
移動アセンブリ22は、第1のコムを備え、そのコムの二つのジョーは、アセンブリの中間面220回りに互いに対して対称的であり、複数の基板のウエハに対して閉鎖されるのに適合する。
【0235】
しかしながら、この場合、第1のコムは、基準ピッチの半分のオフセットをウエハに付するように設計されており:従って、夫々のウエハを収容するためのコムの各ジョーに規則正しく離間された様式で設けられるハウジングが基準ピッチの半分だけオフセットされる。
【0236】
第1のコム221の対向するジョー221aと221bの断面は、図6の図において概略的に示されており、アセンブリ22の主エレメントの概略的正面立面図であり、基板Sがこのアセンブリに位置されている。
【0237】
この第2のマシンにおいて、第1のコムのジョーは、垂直軸回りに回転することによっては、一緒に閉鎖せず、各ジョーを夫々の水平軸2210a、2210b回りに傾けることによって一緒に閉鎖する。
【0238】
従って、ジョー221aと221bは、基板のウエハが係合解除される位置と、ジョーがウエハを保持する位置との間で夫々の軸回りで旋回出来る(各ウエハは、ジョーの対応するハウジングに中間垂直軸のの各側で収容される)。
【0239】
この保持位置は、図6に示されている。
【0240】
この場合、同様に、二つのジョーが同期して傾けられ、それによって、二つのジョーは、中間面220の各側で対称的のままである。
【0241】
従って、第1のコム221は、ウエハがスプリットされた後、ウエハを把持する。この点は、以下で振り返られる。
【0242】
また、アセンブリ22は、中間面220の各側で夫々の水平軸2220aと2220b回りに回転するように同様に取り付けられる二つの分離エレメント222aと222bを有する。
【0243】
これら二つの分離エレメントの各々は、基準ピッチで方向Yに配される25個のブレードエレメントを有し、それらの要素の各々は、複数の基板が所定位置に置かれると、基板のへきかい面と見当合わせされる(以下の詳細の記述を参照)。
【0244】
エレメント222aの25個のブレードの各々は、エレメント222bのブレードと見当合わせされ、それによって、二つの夫々のエレメントのブレードは、二つの対向側で基板のへきかい面と係合するように対として向かい合う。
【0245】
これらの分離エレメントは、基板が係合解除される位置と各ブレードが対応する基板Sのへきかい面と係合する(図6に示されている)位置との間で傾く(同様に、対称的に)ように取付けられる。
【0246】
また、図6は、基板より上のアセンブリ222の頂部に配置されるガイド223を示す。
【0247】
このガイドは、レールのような手段2230(この明細書では、このような手段2230は、必須ではないことが示される)上を水平にスライドするように取付けられることが出来る。
【0248】
このガイドは、基板の頂部を収容するための複数のハウジングを有する。従って、ガイド223は、基準ピッチでY方向に離間される25個のハウジングを有する。
【0249】
ガイドハウジング223の詳細な形状は、図7に示される。
【0250】
この図では、各ハウジングL223は、その底部に基板Sの厚みよりも大きな幅の部分L2230及びし基板に向かって(下方へ)位置されるハウジングその部分に円錐状フレア部L2231を有する。
【0251】
図7のこの図は、勿論発明を制限しない;従って、略円錐や収斂する形状の底領域とハウジングの底領域を備え、これら二つの領域同士間の遷移が適切な形状を有するあらゆる構成が考えられうる。
【0252】
また、図6は、ステーションST'1のプッシャーPを示す。このプッシャー25は、Y方向に沿って基準ピッチで離間されるハウジングを有する。
【0253】
プッシャーの各ハウジングは基板を収容するように意図されている。プッシャーはステーションST'1上に配されるボート中の基板をピックアップし、上述のステーションST1のプッシャーに関して、プッシャーの上昇に従ってボートを通過する。
【0254】
プッシャーにおけるハウジングLPの底の詳細図は、図8に示される。この図は、ハウジングLPが略V形状断面のものであることを示している。このV形状の角度は、図においてかなり実際よりもかなり拡大されている事を特記する;実際には、この角度は、約4度である。
【0255】
より正確には、ハウジングは、W形状であり、ハウジングの対称形底は、基板がプッシャーによって上昇されている間に基板のへきかい面に係合するためのエッジAPを有する。
【0256】
従って、このエッジのこのへきかい面への係合は、ST1の上述のプッシャーと同様に働き、基板がプッシャーによって上げられると基板を自動的にセンタリングすることによって基板の位置を調整する。
【0257】
移動アセンブリ22に戻って、このアセンブリは、上述のように、第1のマシンの第2のコム122に対応する第2のコム(図面には示されていない)を有する。
【0258】
このようにコムの二つの対向するジョーの各々は、この場合において、同様に以下を含む:
−基準ピッチで離間される25個のハウジング;及び
−同じピッチで同様に離間され、且つ基準ピッチの半分のピッチで離間された1セットの50個のウエハがこのコムを下方に通過される時に、一つおきのウエハが通過させられるようにハウジング同士の間に介在される25個のギャップ。
【0259】
このコムは、コム122と同様に、或いは第1のコム221のように傾けることによって閉鎖出来る。第2のコムは、第1のコム221から独立しており、それを開放及び閉鎖するための指定の制御手段がこのコムに専用である。
【0260】
この第2のマシンが動作する方法について以下で記述される。
【0261】
この記述に先立って、第2のマシンは、可能な限り良好に制御される方法でスプリットされる基板の位置を安定化することが重要である場合において、大きな寸法の基板をスプリットするのに良好に適合することを留意すべきである。
【0262】
従って、以下で記述される様に第1のマシン1の第1のコムは、基板をスプリットするためのみならずそれらを位置決めする(種々のハウジングの中心エッジがこの結果に寄与する)ためにコムのエレメントの形状同士間の協働動作を利用することによって、同時に基板を捕獲し且つそれらをスプリットするように働くが、第2のマシン2において、基板を位置決めするため及びそれらをスプリットするための異なる手段が設けられる。
【0263】
しかしながら、この第2のマシンは、あらゆるサイズの基板をスプリットするために実施され得ることが強調される。
【0264】
最初の状況は、以下の通りである:
−ステーションST'1に存在するボートは、へきかいされた25個の基板Sを含む(この場合、へきかいが仕上げられることが必要であるが或いは既に仕上げられており、いずれにしても、本発明は、各基板の二つのウエハがスプリットされることを可能とする)。
【0265】
−アセンブリ22は、(図5において方向Xに沿って適切に移動されることによって)ステーションST'1と見当合わせされて重なる;及び
−マシンの2の第1と第2のコムのジョーが開放される。
【0266】
この動作から、ST'1のプッシャーPは、上方に移動されてボートから25個の基板をピックアップする。
【0267】
以下で説明されるように、プッシャーにおけるハウジングのW形状構成のために、各基板は、そのハウジングの中央で自動的にセンタリングされ且つ実質的に垂直に保持される。
【0268】
プッシャーは、各基板の頂部がガイド223のハウジングL223中に収容される高位置へ上がる。
【0269】
ハウジングL223の漏斗形状は、各基板の頂部が(逆さまの)ハウジングの「底」部に貫通して、基板の頂部の位置を固定することを確実にするように働く。
【0270】
また、基板の底の位置がプッシャーハウジングの底にあるエッジによって固定されるので、これは、各基板の位置を正確に制御するように働き、従って基板は、傾く或いは側方への移動の自由度を有さないことが理解される。これは、大きな寸法の基板にとって特に重要である。
【0271】
しかしながら、基板のガイド223のハウジングへの導入中において、基板が上方に向かってガイドのハウジングの底に当接されることを回避することに注意される(図7を参照)。これは、極端に緻密でもろいエレメントを構成する基板をストレスすることを回避する。
【0272】
基板が所定位置にあることが保障されると、セパレータエレメント222aと222bは、傾けられて、これらのエレメントのブレードは、基板の周部側壁と接触する。
【0273】
セパレータエレメントが傾けられる度合は、それらが基板の厚み内に侵入していないことを保障するようにこの段階で制御されることが明記される:この段階で、セパレータエレメントは、基板を保持するための追加の手段を構成するように働くに過ぎない。
【0274】
基板の位置は、この段階で完全な制御下にある。従って、基板は、望ましい方法で正確にセンタリングされる。
【0275】
その後、基板の頂部は、ガイド223のハウジングL223から分離される。これは、手段2230上のガイドの制御された上昇の結果、或いはプッシャーPとセパレータエレメントによって構成されるアセンブリの制御された下降の結果(次に、このような下降を実行するための手段が設けられる)である。
【0276】
また、ガイド223のようなガイドが、上記され且つ図1に示されるように、マシン1で同様に実施される。このようなガイドは、基板を正確に位置決めするのを助けることが出来る。
【0277】
いずれにしても、基板がガイドから係合解除されると、それらの基板は、プッシャーによって及びセパレータエレメントによって制御された方法でなお位置決めされている。
【0278】
次に、セパレータエレメントは、基板の内側に向かって更に傾けられて、これらのエレメントのブレードが基板のへきかい面で基板をアタックする。
【0279】
この「アタック」は、基板の周辺の厚みにミリメートルのオーダーの深さまで侵入させることを含むことが出来る。セパレータエレメントは、傾けられて望ましい深さまでの侵入を得る。
【0280】
このアタックの結果、各基板の二つのウエハがスプリットされる。これに関して、セパレータエレメントの横断面は、基板のへきかい面に差し込まれる突出ウエッジを形成するのに適合され得る。
【0281】
ガイドからの基板の係合解除することによって、二つの基板が互いから離間されるように移動することが可能である。より正確には、各基板の二つのウエハが互いからスプリットされると、それらのウエハは、プッシャーPにおける対応するハウジングの底の側面に倒れる。
【0282】
ウエハが協働するアセンブリ22の唯一のエレメントは、プッシャーPにおけるハウジングである。
【0283】
来れらのハウジングの略V形状のために、各基板の二つのウエハは、ハウジングにおいて中心エッジの各側において対応するハウジングLPの底においてV構成に配置される。
【0284】
基板が、セパレータエレメントのブレードによってアタックされている間に、力および/またはストロークを測定するためのセンサは、夫々の基板のスプリットされることに対する(および/またはブレードの前進に対する)抵抗を測定するようにこれらのエレメントに関連付けられる。
【0285】
ブレードの侵入を中断するための或いはこのような測定の関数として侵入の速度を適合するための手段が設けられてもよい。
【0286】
上述の第1のマシンの場合におけるように、(補強材や何か他のアイテムとの)接合境界を含む基板をスプリットする時に、セパレータの初期アタックは、その境界で行われ、ストレスが引き続いてへきかい面に伝達される。
【0287】
その後、第1のコムのジョーは、内方へ傾けられて、これらのジョーは、50個の分離されたウエハに対して閉鎖される。
【0288】
これらジョーの50個のハウジングは、基準ピッチの半分のピッチで離間されているので、ウエハに対する第1のコムのジョーのこの一緒のクランピングが:
−ウエハを基準ピッチの半分にオフセットさせ;且つ
−基準ピッチの半分で規則正しく離間されたウエハを逐次保持し、所与の基板からのウエハのアクティブ面が互いに向き合う(マシン1に対する場合のように)。
【0289】
ウエハがこの方法で基準ピッチの半分でオフセットされるのを可能とするために(即ち、一つ置きにウエハが、ウエハと基板の格納方向に及びジョーの長手方向に実質的に対応する−方向Yに基準ピッチの半分だけ移動しなければならない)、第1のコムのジョーにおけるハウジングの入口は、広げられる。
【0290】
この一つ置きのウエハの変位を促進する他のエレメントは、ウエハがスプリットされるとプッシャーのハウジング内にウエハが含まれ、従って方向Yへの移動の自由度を享受することの事実である。
【0291】
最後に、第1のコムのジョーの一緒のクランピングと同時に、プッシャーは、下方に移動されてウエハを漸進的に解放し、従って、ウエハが垂直に立たされる且つ基準ピッチの半分のピッチで離間されることが出来る。
【0292】
この段階で、ウエハは、第1のコムのジョーにおいて基準ピッチの半分のピッチのオフセットで規則正しく格納される。
【0293】
ST'1のプッシャーは、その下方ストロークを終了してベース21に引き込まれる。
【0294】
次に、アセンブリ22は、ステーションST'1からアセンブリが位置されるステーションST'2に移動される。
【0295】
このステーションで、ウエハは、グループ化が解除される(即ち、ウエハが一つ置きに取られてST'2のカセットの中に下方へ移動する)。
【0296】
このグループ化解除は、マシン1を参照して上述されたのと同じ方法で、この場合、第2のコムとステーションのプッシャーを使用して同様に実行される。
【0297】
従って、25個のウエハが、ST'2のカセットの中に降下されると共に、残りの25個のウエハは、第2のコムによって高位置に保持されたままである。
【0298】
次に、手段23がウエハを傾けて(それによって、これらのウエハのアクティブ面が上に向けられる)且つウエハをロボット24に提供する。
【0299】
引き続いて、このロボットは、ウエハが水平位置に保つことを確保しながらウエハをステーションST'3のコンテナの一つに置く。
【0300】
次に、他の25個のウエハが上昇されるST'2のプッシャーによって収容され、このために第2のコムが開く。
【0301】
このために、ST'2のプッシャーは、基準ピッチの半分だけオフセットされる50個のハウジングを有し、最初の25個のウエハを降下するために使用されるハウジングが残りの25個のウエハを降下するために使用されるハウジング同士間に差し込まれる。
【0302】
また、プッシャーが方向Yに平行移動出来るようにこのプッシャーを取り付け且つプッシャーをこの方向に基準ピッチの半分だけ平行移動して第2のコムに残るウエハと見当合わせすることが可能である。その場合、ST'2のプッシャーは、基準ピッチで離間された25個のハウジングを有することのみが必要である。
【0303】
その場合、Y方向に基準ピッチの半分だけ移動する第2のコムとしてプッシャーを備えることも可能である。
【0304】
同様に、ステーションST'2のカセットは、ウエハを収容するために、方向Yに基準ピッチの半分だけオフセットされることが出来る。
【0305】
次に、ウエハのこの第2のバッチは、水平位置に置かれるように手段23によって扱われると同時に、ウエハのアクティブ面が上にされるように半回転される。
【0306】
ロボット24は、ウエハの第1のバッチに対するのと同様に働き、これらの第2のウエハを運び且つそれらをステーションST'3のコンテナに配する。
【0307】
本発明のこの第2の主実施の形態において、種々のエレメントの構成を適合することが可能であり:従って、第1のコム221のジョーの回転軸とセパレータの軸は異なる向きであってもよい。更に、図6に示されるように、一対のセパレータエレメントの対するのみなら複数対に対しても、セパレータエレメントの構成が適合可能であるように準備出来る。
【0308】
この第2のマシンは、第1のマシンを参照して上述されたのと同じ利点を達成することが出来ることが理解される。
【0309】
また、この場合、形状、配置及び/コムの基板に対するクランピング速度を変更して、基板のすべてが同時にスプリットされるのではなくて逐次スプリットされる。
【0310】
更に、第2のマシンにおいて、基板を保持するための指定の手段と手段が実施される方法によって、基板が安定化され且つそれらの位置が微細に制御されることが出来、それによって、高い安全度を持って大きな寸法のの基板をスプリットすることが出来る。
【0311】
本発明の利点の一つは、一連の基板を同時に(又は、制御された時間オフセットで)処理することによって同時に多数の基板をスプリットできることであるが、本発明の他の実施の形態は、マシンの指定の構成とマシン動作の段階がそれらにとって有利である場合に、別々に取り出される個別の基板をスプリットするために実施されることが出来ることが明示される:そのような実施の形態において、スループットのレートが、基板が現在スプリットされている方法、特に、基板が手作業でスプリットされる場合、に比較して増加される。
【0312】
勿論、本発明は、上記された実施の形態に制限されないことが理解されるべきである。従って、当業者は、その技術:例えば、プッシャーと記述されたマシン中の他のエレメントとの相対移動は、プッシャーをマシンのあるエレメント(コム、...)へ向かっての上昇/下降するのではなくて、これらのエレメントを夫々下降/上昇することによって得られることが出来る。
【図面の簡単な説明】
【0313】
【図1】第1の主実施の形態において本発明を実施可能とする第1のマシンの図である。より正確には、これらの図において、第1のマシンの概略的全体正面図であり、この図において、斜め方向P1が定義される。
【図2】第1の主実施の形態において本発明を実施可能とする第1のマシンの図である。より正確には、これらの図において、P1に沿って斜めに見た第1のマシンの一部のより詳細な図である。
【図3】第1の主実施の形態において本発明を実施可能とする第1のマシンの図である。より正確には、これらの図において、図2に示されるように、第1のマシンの二つのエレメントの更により詳細な図である。
【図4】第1の主実施の形態において本発明を実施可能とする第1のマシンの図である。より正確には、これらの図において、第1のマシンの他の部分の詳細図である。
【図5】本発明の第2の主実施の形態で本発明を実施可能とする他のマシンの図である。より正確には、これらの図において、上から見た第2のマシンの概略全体立面図である。
【図6】本発明の第2の主実施の形態で本発明を実施可能とする他のマシンの図である。より正確には、これらの図において、第2のマシンのある必須エレメントに対して位置された基板の概略図である。
【図7】本発明の第2の主実施の形態で本発明を実施可能とする他のマシンの図である。より正確には、これらの図において、第2のマシンのある必須エレメントに対する基板の位置決めを示す基板の二つの概略図である。
【図8】本発明の第2の主実施の形態で本発明を実施可能とする他のマシンの図である。より正確には、これらの図において、第2のマシンのある必須エレメントに対する基板の位置決めを示す基板の二つの概略図である。
Claims (42)
- 基板(S)をスプリットするための装置(1、2)であって、前記基板は、間にへきかい面を画定する二つの隣接ウエハを含み、前記装置は、
基板格納方向に配される複数の基板をスプリッタ手段に送給するための手段と、
前記基板のウエハをスプリットするためのスプリッタ手段(121、221a、221b、222a、222b)と、前記スプリッタ手段は、移動ジョーを備えることと、
前記基板ウエハが前記基板格納方向に実質的に平行である方向にスプリットされた後に、所定の基板ウエハの制御された変位を実行するための手段(121、221a、221b)とを備え、
それによって、前記装置は、前記複数の基板をスプリットするのに適することを特徴とする、装置(1、2)。 - 前記スプリッタ手段は、前記複数の基板の複数のウエハが同時にスプリットされるのを可能とすることを特徴とする、請求項1に記載の装置。
- 前記スプリッタ手段は、前記複数の基板の複数のウエハが逐次スプリットされるのを可能とすることを特徴とする、請求項1に記載の装置。
- 前記基板を送給するための手段は、クレードルタイプのサポートに格納された基板をリフトするのに適するプッシャーを備えることを特徴とする、請求項1から3のいずれか一項に記載の装置。
- 間にへきかい面を画定する二つの隣接するウエハを含む基板をスプリットするための方法であって、前記方法は、
基板格納方向に配される複数の基板がスプリッタ手段に位置合わせされるようにこれらの基板を操作するステップと、
幾つかの基板ウエハが前記基板格納方向に実質的に平行な方向にスプリットされた後にこれらの基板ウエハに対して制御された変位を付するステップと、を備えることを特徴とする、方法。 - 前記方法は、二つのバッチを構成するように前記スプリットされたウエハをハンドルすることと、各バッチが、各基板からの夫々のウエハを備え、前記二つのバッチの各々を夫々の位置に付着することと、を更に備えることを特徴とする、先行する請求項に記載の方法。
- 前記装置の前記スプリッタ手段は、前記基板を収容するためのギャップのいずれかの側に位置される少なくとも二つの移動ジョー(121a、121b)を備える第1のジョー形成コムアセンブリ(121)を備え、
前記ジョーは、前記ジョーが一旦基板をクランプすると前記基板を保持するのに適し、
各ジョー自体は、第1と第2の部分(1211b、1212b)を備え、
各ジョーの前記二つの部分は、前記基板を収容し且つ保持するための対応する凹状ハウジング(L11b、L12b、L2b)を有し、
前記対応するハウジング同士の形状は、前記二つのジョーの前記第1と第2の部分が一旦基板をクランプすると、前記二つのジョーの第1の部分と前記二つのジョーの第2の部分のハウジングの形状同士の間で協働して各基板の前記二つのウエハを互いに離間するように前記第1と第2の部分が夫々付勢するのに適することを特徴とする、請求項1から4のいずれか一項に記載の装置(1)。 - 前記第1のコムアセンブリの前記二つのジョーは、同一であることを特徴とする、先行する請求項に記載の装置。
- 前記第1のコムアセンブリの各ジョーにおいて、前記第1と第2のジョー部分の凹状ハウジングの各々は、基板と該基板のへきかい面での係合のためのエッジのような夫々の突出エレメント(A11b、A12b、A2b)を含み、前記突出エレメントは、当該突出エレメントが延出する一般面を画定することを特徴とする、前記2個の先行する請求項のいずれか一項に記載の装置。
- 前記第1のコムアセンブリの各ジョーにおいて、
前記第1のジョー部分(1211b)の各凹状ハウジングは、更に、非対称であるプロファイルを呈し、前記突出エレメントのいずれかの側に、
基板の第1の側と協働するために前記突出エレメントの一般面に対する第1の一般入射角で配向された第1の壁と、
前記基板の第2の側と協働するために前記突出エレメントの一般面に対する第2の一般入射角で配向された第2の壁と、を備え、前記第2の入射角は、前記第1の一般入射角よりも大きく、
前記第1のコムアセンブリの前記第1のジョー部分による基板のクランプの間、前記基板の第1の側に所定の基板のウエハが、前記第1の部分に相対して且つ前記突出エレメントの一般面に垂直な方向への移動の自由度を呈し、この自由度は、前記基板の第2の側に所定の基板ウエハによって呈される移動の自由度よりも小さいことを特徴とする、先行する請求項に記載の装置。 - 前記第1のコムアセンブリの各ジョーにおいて、
前記第2のジョー部分(1212b)の各凹状ハウジングは、更に、非対称であるプロファイルを呈し、前記突出エレメントのいずれかの側に、
前記基板の第2の側と協働するために前記突出エレメントの一般面に対する第1の一般入射角で配向された第1の壁と、
前記基板の第1の側と協働するために前記突出エレメントの一般面に対する第2の一般入射角で配向された第2の壁と、を備え、前記第2の入射角は、前記第1の一般入射角よりも大きく、
前記第1のコムアセンブリの前記第2のジョー部分による基板のクランプの間、前記基板の第2の側に所定の基板のウエハが、前記第2の部分に相対して且つ前記突出エレメントの一般面に垂直な方向への移動の自由度を呈し、この自由度は、前記基板の第1の側に所定の基板ウエハによって呈される移動の自由度よりも小さく、且つ
第1のコムアセンブリによる基板のクランピング中に二つのウエハを離すように付勢することを特徴とする、先行する請求項に記載の装置。 - 前記第1のコムアセンブリの各ジョーにおいて、前記第1の部分は、前記第2の部分(1212b)のいずれかの側に配置される二つの部材(12111b、12112b)を備えることを特徴とする、5個の先行する請求項のいずれか一項に記載の装置。
- 前記第1のコムアセンブリの各ジョーにおいて、前記第2の部分は、前記第1の部分に相対して移動可能であることを特徴とする、4個の先行する請求項のいずれか一項に記載の装置。
- 所定の基板ウエハがスプリットされた後のそれらの基板ウエハの制御された変位を達成するための前記手段は、各ジョーの第2の部分を前記突出エレメントの一般面に垂直な方向に各夫々のジョーの第1の部分に対して平行移動するための手段を備えることを特徴とする、先行する請求項に記載の装置。
- 前記装置は、前記第1と第2の部分から独立して、基板をクランプすることが出来るジョーを有する第2のコムアセンブリ(122)を更に備えることを特徴とする、8個の先行する請求項のいずれか一項に記載の装置。
- 前記第2のコムアセンブリは、幾つかのウエハを通過可能とする複数の通路を更に含むことを特徴とする、先行する請求項に記載の装置。
- 前記装置は、スプリットされるべき少なくとも一つの基板を収容する第1のステーションと、各々が各スプリットされた基板から夫々のウエハを収容する二つのステーションを含む三つのステーションを更に備えることを特徴とする、10個の先行する請求項のいずれか一項に記載の装置。
- 前記コムアセンブリ(単数および/または複数)は、前記ステーションに対して移動するように取り付けられ、且つ各ステーションに対して位置合わせされるべき前記コムアセンブリ(単数および/または複数)を選択的に変位させるための手段が設けられることを特徴とする、先行する請求項に記載の装置。
- 各ステーションは、夫々のプッシャーを備えることを特徴とする、2個の先行する請求項のいずれか一項に記載の装置。
- 前記第1のステーションと関連する前記プッシャーは、前記基板を収容するための複数のハウジングを有し、他のステーションに関連する前記プッシャーは、各基板をスプリットすることによって得られた複数のウエハの夫々を収容するための複数のハウジングを有することを特徴とする、先行する請求項に記載の装置。
- 前記第1のステーションに関連するプッシャーの各ハウジングは、前記基板と当該基板のへきかい面で係合するための中間領域に突出エレメントを更に含むことを特徴とする、先行する請求項に記載の装置。
- 二つのウエハの間にへきかい面を有する基板のウエハを前記15個の先行する請求項のいずれか一項に記載の装置によってスプリットするための方法であって、前記方法は、
各基板を基板収容空間に搬送するステップと、
各基板を保持し且つ前記二つのジョーの第1の部分及び前記二つのジョーの第2の部分におけるハウジングの形状同士間での協働によって各基板の二つのウエハを離すように付勢するように前記第1のコムアセンブリの第1と第2のジョー部分で各基板をクランプするステップと、を備えることを特徴とする、方法。 - 前記クランピング中において、前記二つのジョーの第1の部分のハウジングの形状同士間の協働によって、前記へきかい面に対して垂直な方向へ各基板の二つのウエハ間の制御オフセットが引き起こされることを特徴とする、2個の先行する請求項のいずれか一項に記載の方法。
- スプリットは、前記制御されたオフセット中に発生することを特徴とする、先行する請求項に記載の方法。
- 前記クランピングに続いて、前記第1のコムアセンブリの第1と第2のジョー部分は、分離されたウエハを解放するように緩められ、且つ第2のコムアセンブリのジョーは、基板の幾つかのウエハのみを保持するように共にクランプされることを特徴とする、3個の先行する請求項のいずれか一項に記載の方法。
- 各基板の一方のウエハが保持されると共に、他方のウエハがプッシャーによって回収され、各スプリット基板に対して、第1のスプリットウエハが第1のコンテナに配され、且つ第2のスプリットウエハが第2のコンテナに配されることを特徴とする、先行する請求項に記載の方法。
- スマートカット(登録商標)タイプの方法で得られる基板をスプリットするための5個の先行する請求項のいずれか一項に記載の方法を使用する方法であって、基板の第1のウエハは、SOIウエハに対応し、且つ他方のウエハは、単結晶シリコンのような半導体材料の残りのものに対応する使用方法。
- 前記装置は、セパレータ(222a、222b)を含み、セパレータ(222a、222b)は、基板がこのセパレータから係合解除される位置と基板が前記セパレータによってアタックされる位置との間での移動に適し、
前記装置は、更に、前記基板が前記セパレータによってアタックされた後に、基板を保持する専用の第1のコム(221a、221b)を備えると共に少なくとも二つの移動ジョーを備え、
これらのジョーは、前記ジョーが一旦基板をクランプすると基板を保持するのに適し、
各ジョーは、前記ジョーが一旦基板をクランプすると、基板のウエハが望ましい方法で離間されるように望ましい方法で離間されるハウジングを有することを特徴とする、請求項1から4のいずれか一項に記載の装置(2)。 - 前記セパレータは、突出ウエッジの形態の断面を有することを特徴とする、先行する請求項に記載の装置。
- 前記装置は、基板をスプリットする専用のステーションとスプリットされたウエハのアンロードする専用のウエハを含む、少なくとも二つのステーションを備えることを特徴とする、2個の先行する請求項の内のいずれか一方に記載の装置。
- 各ステーションは、夫々のプッシャーを備えることを特徴とする、先行する請求項に記載の装置。
- 基板をスプリットする専用のステーションのプッシャーは、基板を収容するためのハウジングを有し、これらのハウジングは、略V字形状のプロファイルを呈する断面の物であることを特徴とする、先行する請求項に記載の装置。
- 前記プッシャーハウジングの詳細な形状がW字形状であり、中央エッジは、各ハウジングの底部に設けられることを特徴とする、先行する請求項に記載の装置。
- 前記装置は、更に、第1と第2の部分から独立して基板をクランプするに適するジョーを有する第2のコムを備えることを特徴とする、6個の先行する請求項のいずれか一項に記載の装置。
- 前記第2のコムは、更に、幾つかのウエハを通過させるための複数の通路を含むことを特徴とする、先行する請求項に記載の方法。
- 前記装置は、また基板を正確に位置決めするためのガイドを備えることを特徴とする、8個の先行する請求項のいずれか一項に記載の装置。
- 9個の先行する請求項のいずれか一項に記載の装置を使用して二つのウエハの間にへきかい面を有する基板ウエハをスプリットする方法であって、前記方法は、
各基板を基板収容空間に搬送するステップと、
各基板の二つのウエハをスプリットするように各基板をセパレータ部分で共にクランプするステップと、
ウエハを保持するようにスプリットされた基板ウエハをジョーでクランプするステップと、
を備えることを特徴とする、方法。 - ジョーでクランプするに先立って、スプリットされたウエハは、プッシャーの略V字状のハウジング内に保持されることを特徴とする、先行する請求項に記載の方法。
- 基板をスプリットするに先立って、基板は、ガイドによって保持されることを特徴とする、2個の先行する請求項のいずれか一項に記載の方法。
- ウエハを保持するためにジョーがクランプされた後に、他のジョーは、幾つかのウエハのみが保持されることを可能とするように同じウエハに対してクランプされることを特徴とする、3個の先行する請求項のいずれか一項に記載の方法。
- 各基板の一方のウエハが保持されると共に、他方のウエハがプッシャーによって回収され、各スプリット基板に対して、第1のスプリットウエハが第1のコンテナに配され、且つ第2のスプリットウエハが第2のコンテナに配されることを特徴とする、先行する請求項に記載の方法。
- スマートカット(登録商標)タイプの方法で得られる基板をスプリットするための4個の先行する請求項のいずれか一項に記載の方法の使用であって、基板の第1のウエハは、SOIウエハに対応し、且つ他方のウエハは、単結晶シリコンのような半導体材料の残りのものに対応する方法の使用。
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---|---|---|---|
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---|---|
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2015534723A (ja) * | 2012-09-07 | 2015-12-03 | ソイテックSoitec | 2つの基板を分離するための装置 |
Families Citing this family (30)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2773261B1 (fr) | 1997-12-30 | 2000-01-28 | Commissariat Energie Atomique | Procede pour le transfert d'un film mince comportant une etape de creation d'inclusions |
FR2830983B1 (fr) | 2001-10-11 | 2004-05-14 | Commissariat Energie Atomique | Procede de fabrication de couches minces contenant des microcomposants |
US7176108B2 (en) | 2002-11-07 | 2007-02-13 | Soitec Silicon On Insulator | Method of detaching a thin film at moderate temperature after co-implantation |
FR2856844B1 (fr) | 2003-06-24 | 2006-02-17 | Commissariat Energie Atomique | Circuit integre sur puce de hautes performances |
FR2857953B1 (fr) | 2003-07-21 | 2006-01-13 | Commissariat Energie Atomique | Structure empilee, et procede pour la fabriquer |
FR2861497B1 (fr) | 2003-10-28 | 2006-02-10 | Soitec Silicon On Insulator | Procede de transfert catastrophique d'une couche fine apres co-implantation |
US7772087B2 (en) | 2003-12-19 | 2010-08-10 | Commissariat A L'energie Atomique | Method of catastrophic transfer of a thin film after co-implantation |
FR2889887B1 (fr) | 2005-08-16 | 2007-11-09 | Commissariat Energie Atomique | Procede de report d'une couche mince sur un support |
FR2891281B1 (fr) | 2005-09-28 | 2007-12-28 | Commissariat Energie Atomique | Procede de fabrication d'un element en couches minces. |
FR2899378B1 (fr) | 2006-03-29 | 2008-06-27 | Commissariat Energie Atomique | Procede de detachement d'un film mince par fusion de precipites |
US8293619B2 (en) * | 2008-08-28 | 2012-10-23 | Silicon Genesis Corporation | Layer transfer of films utilizing controlled propagation |
FR2906077B1 (fr) * | 2006-09-18 | 2009-03-06 | Michel Roche | Procede et appareillages associes, destine a la fabrication de substrats semiconducteurs poly ou monocristallins minces |
FR2910179B1 (fr) | 2006-12-19 | 2009-03-13 | Commissariat Energie Atomique | PROCEDE DE FABRICATION DE COUCHES MINCES DE GaN PAR IMPLANTATION ET RECYCLAGE D'UN SUBSTRAT DE DEPART |
KR100830998B1 (ko) * | 2006-12-28 | 2008-05-20 | 주식회사 실트론 | 웨이퍼 낱장 분리장치 |
WO2008088560A2 (en) * | 2007-01-18 | 2008-07-24 | Silicon Genesis Corporation | Controlled substrate cleave process and apparatus |
FR2912259B1 (fr) * | 2007-02-01 | 2009-06-05 | Soitec Silicon On Insulator | Procede de fabrication d'un substrat du type "silicium sur isolant". |
FR2919960B1 (fr) * | 2007-08-08 | 2010-05-21 | Soitec Silicon On Insulator | Procede et installation pour la fracture d'un substrat composite selon un plan de fragilisation |
DE102007056115A1 (de) * | 2007-11-15 | 2009-05-20 | Freiberger Compound Materials Gmbh | Verfahren zum Trennen von Einkristallen |
FR2925221B1 (fr) | 2007-12-17 | 2010-02-19 | Commissariat Energie Atomique | Procede de transfert d'une couche mince |
FR2947098A1 (fr) | 2009-06-18 | 2010-12-24 | Commissariat Energie Atomique | Procede de transfert d'une couche mince sur un substrat cible ayant un coefficient de dilatation thermique different de celui de la couche mince |
FR2975627A1 (fr) * | 2011-05-24 | 2012-11-30 | Soitec Silicon On Insulator | Dispositif de decollement de substrat avec detection d'obstacles |
CN102522289B (zh) * | 2011-12-30 | 2014-12-17 | 四川虹欧显示器件有限公司 | 等离子显示屏中前基板与后基板的分离方法及装置 |
FR2995440A1 (fr) * | 2012-09-07 | 2014-03-14 | Soitec Silicon On Insulator | Dispositif de separation de deux substrats |
CN105336651B (zh) * | 2014-06-10 | 2018-03-23 | 北大方正集团有限公司 | 晶片转置系统 |
CN104241186B (zh) * | 2014-09-19 | 2017-09-29 | 上海集成电路研发中心有限公司 | 一种晶圆提取装置 |
CN105235079A (zh) * | 2015-10-19 | 2016-01-13 | 天津市环欧半导体材料技术有限公司 | 一种多线切割机硅片分切模具 |
JP6682907B2 (ja) * | 2016-02-26 | 2020-04-15 | 三星ダイヤモンド工業株式会社 | 脆性基板の分断方法 |
CN108447811B (zh) * | 2018-02-27 | 2020-06-12 | 嘉兴尚能光伏材料科技有限公司 | 硅片花篮及其控制器 |
FR3093715B1 (fr) | 2019-03-15 | 2021-03-05 | Soitec Silicon On Insulator | Dispositif de maintien pour un ensemble à fracturer |
FR3093716B1 (fr) | 2019-03-15 | 2021-02-12 | Soitec Silicon On Insulator | systeme de fracture d'une pluralitÉ d'assemblages de tranches. |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0410454A (ja) * | 1990-04-26 | 1992-01-14 | Sanyo Electric Co Ltd | ウェハの移し替え装置 |
JPH07240355A (ja) * | 1994-02-28 | 1995-09-12 | Sumitomo Sitix Corp | 接着ウエーハの剥離方法及び剥離装置 |
JPH0969552A (ja) * | 1995-08-30 | 1997-03-11 | Toshiba Corp | ウェハ移し替え装置 |
EP0867917A2 (en) * | 1997-03-27 | 1998-09-30 | Canon Kabushiki Kaisha | Method and apparatus for separating composite member using fluid |
EP0977242A2 (en) * | 1998-07-27 | 2000-02-02 | Canon Kabushiki Kaisha | Sample processing apparatus and method |
Family Cites Families (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3901423A (en) * | 1973-11-26 | 1975-08-26 | Purdue Research Foundation | Method for fracturing crystalline materials |
US4244348A (en) * | 1979-09-10 | 1981-01-13 | Atlantic Richfield Company | Process for cleaving crystalline materials |
JPS62237744A (ja) * | 1986-04-07 | 1987-10-17 | Mitsubishi Electric Corp | Ic基板収納用カセツト |
FR2681472B1 (fr) * | 1991-09-18 | 1993-10-29 | Commissariat Energie Atomique | Procede de fabrication de films minces de materiau semiconducteur. |
US5738767A (en) * | 1994-01-11 | 1998-04-14 | Intevac, Inc. | Substrate handling and processing system for flat panel displays |
JP3381443B2 (ja) * | 1995-02-02 | 2003-02-24 | ソニー株式会社 | 基体から半導体層を分離する方法、半導体素子の製造方法およびsoi基板の製造方法 |
KR0165467B1 (ko) * | 1995-10-31 | 1999-02-01 | 김광호 | 웨이퍼 디본더 및 이를 이용한 웨이퍼 디본딩법 |
JPH09263500A (ja) * | 1996-01-22 | 1997-10-07 | Komatsu Electron Metals Co Ltd | 貼り合わせsoiウェーハの剥がし治具 |
FR2752332B1 (fr) * | 1996-08-12 | 1998-09-11 | Commissariat Energie Atomique | Dispositif de decollement de plaquettes et procede de mise en oeuvre de ce dispositif |
KR100304161B1 (ko) * | 1996-12-18 | 2001-11-30 | 미다라이 후지오 | 반도체부재의제조방법 |
US6146979A (en) * | 1997-05-12 | 2000-11-14 | Silicon Genesis Corporation | Pressurized microbubble thin film separation process using a reusable substrate |
FR2785217B1 (fr) * | 1998-10-30 | 2001-01-19 | Soitec Silicon On Insulator | Procede et dispositif pour separer en deux tranches une plaque de materiau notamment semi-conducteur |
US6286685B1 (en) * | 1999-03-15 | 2001-09-11 | Seh America, Inc. | System and method for wafer thickness sorting |
US6171965B1 (en) * | 1999-04-21 | 2001-01-09 | Silicon Genesis Corporation | Treatment method of cleaved film for the manufacture of substrates |
US6271060B1 (en) * | 1999-09-13 | 2001-08-07 | Vishay Intertechnology, Inc. | Process of fabricating a chip scale surface mount package for semiconductor device |
US6415843B1 (en) * | 2001-01-10 | 2002-07-09 | Anadigics, Inc. | Spatula for separation of thinned wafer from mounting carrier |
-
2001
- 2001-08-07 FR FR0110537A patent/FR2828428B1/fr not_active Expired - Lifetime
-
2002
- 2002-07-24 AT AT02794609T patent/ATE357323T1/de not_active IP Right Cessation
- 2002-07-24 KR KR1020047001956A patent/KR100784579B1/ko active IP Right Grant
- 2002-07-24 EP EP02794609A patent/EP1423244B9/fr not_active Expired - Lifetime
- 2002-07-24 WO PCT/FR2002/002646 patent/WO2003013815A1/fr active IP Right Grant
- 2002-07-24 JP JP2003518794A patent/JP4509555B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 2002-07-24 CN CNB028198581A patent/CN1329949C/zh not_active Expired - Lifetime
- 2002-07-24 DE DE60219034T patent/DE60219034T2/de not_active Expired - Lifetime
-
2004
- 2004-02-09 US US10/775,865 patent/US7017570B2/en not_active Expired - Lifetime
-
2006
- 2006-01-24 US US11/337,655 patent/US7648888B2/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0410454A (ja) * | 1990-04-26 | 1992-01-14 | Sanyo Electric Co Ltd | ウェハの移し替え装置 |
JPH07240355A (ja) * | 1994-02-28 | 1995-09-12 | Sumitomo Sitix Corp | 接着ウエーハの剥離方法及び剥離装置 |
JPH0969552A (ja) * | 1995-08-30 | 1997-03-11 | Toshiba Corp | ウェハ移し替え装置 |
EP0867917A2 (en) * | 1997-03-27 | 1998-09-30 | Canon Kabushiki Kaisha | Method and apparatus for separating composite member using fluid |
EP0977242A2 (en) * | 1998-07-27 | 2000-02-02 | Canon Kabushiki Kaisha | Sample processing apparatus and method |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2015534723A (ja) * | 2012-09-07 | 2015-12-03 | ソイテックSoitec | 2つの基板を分離するための装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
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