JP2004212384A - Semiconductor integrated circuit device - Google Patents
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Abstract
Description
この発明は、RAM(Random Access Memory)等の機能ブロックと、その機能ブロックに接続されるロジック部と、それらをテストするためのテスト回路とを備えた半導体集積回路装置に関するものである。 The present invention relates to a semiconductor integrated circuit device including a functional block such as a random access memory (RAM), a logic unit connected to the functional block, and a test circuit for testing them.
図21は特許文献1に開示されたスキャンテスト機能を備えた従来の半導体集積回路装置を示す回路図である。図21に示すように、この半導体集積回路装置は、シフトモード信号SMにより制御されるセレクタ10,11,12、フリップフロップ(FF)30,31,32、テストモード信号TESTにより制御されるセレクタ50,51,52、ロジック部80,81、RAM91により構成されている。
FIG. 21 is a circuit diagram showing a conventional semiconductor integrated circuit device having a scan test function disclosed in
図21において、セレクタ10,11,12及びフリップフロップ30,31,32によりスキャンパスが構成されている。このスキャンパスは、ロジック部80の出力とRAM91の入力間の並列経路と、SI(スキャンイン)端子からSO(スキャンアウト)端子までのデータを直列に伝達するための直列シフト経路を備えた記憶回路である。
In FIG. 21, a scan path is constituted by the
次に図21に示す半導体集積回路装置の動作について説明する。
通常動作時は、シフトモード信号SM=0に設定してセレクタ10,11,12を“0”入力端に切り替え、テストモード信号TEST=0に設定してセレクタ50,51,52を“0”入力端に切り替える。すなわち、ロジック部80から出力されるデータが、セレクタ10,11,12により選択されて、フリップフロップ30,31,32を介してRAM91の入力端子DI0,DI1,DI2に入力される。ここで、図示されていないが、フリップフロップ30,31,32にはクロックが入力されているものとする。また、RAM91の出力端子DO0,DO1,DO2からのデータが、セレクタ50,51,52により選択されてロジック部81に伝達される。このように、通常動作時は、RAM91はロジック部80,81の間に挿入された状態となり、データの書き込みと読み出しが行われる。
Next, the operation of the semiconductor integrated circuit device shown in FIG. 21 will be described.
During normal operation, the shift mode signal SM is set to 0 to switch the
ロジック部80,81のスキャンテストを行う場合は、テストモード信号TEST=1に設定してセレクタ50,51,52を“1”入力端に切り替える。この状態では、セレクタ50,51,52は“1”入力端に入力されたデータを選択して出力するので、RAM91はバイパスされ、スキャンパスがロジック部80とロジック部81の間に挿入された状態になる。その状態でシフトモード信号SMを制御してロジック部80,81のスキャンテストを行う。
When performing a scan test of the
ロジック部81のスキャンテストを行う場合には、シフトモード信号SM=1に設定してセレクタ10,11,12を“1”入力端に切り替える。セレクタ10,11,12は“1”入力端に入力されたデータを選択するので、フリップフロップ30,31,32にクロックを3回与えると、SI端子からの3ビットのテストデータがシリアルシフト動作により、フリップフロップ30,31,32に格納される。テストモード信号TEST=1なので、フリップフロップ30,31,32に格納された3ビットのテストデータがロジック部81に与えられ、ロジック部81から出力されるデータを確認することでロジック部81のスキャンテストが行われる。
When performing a scan test of the
ロジック部80のスキャンテストを行う場合には、シフトモード信号SM=0に設定してセレクタ10,11,12を“0”入力端に切り替える。テストデータを入力し所定の動作を行ったロジック部80から出力される3ビットのデータがセレクタ10,11,12により選択される。フリップフロップ30,31,32にクロックを1回与えると、ロジック部80からの3ビットのデータはそれぞれフリップフロップ30,31,32に格納される。このとき、フリップフロップ32に格納された1ビットのデータはSO端子に出力される。次にシフトモード信号SM=1に設定してセレクタ10,11,12を“1”入力端に切り替える。フリップフロップ30,31,32にクロックを2回与えると、フリップフロップ30,31に格納された各1ビットのデータがシリアルシフト動作によりSO端子にシリアル出力され、ロジック部80のスキャンテストが行われる。
When performing a scan test of the
図21に示す半導体集積回路装置では、シフトモード信号SM=1の状態において、シリアルシフト動作により、RAM91の入力端子DI0,DI1,DI2にSI端子からのテストデータを設定することは可能であるが、RAM91の出力端子DO0,DO1,DO2から出力されるデータを、フリップフロップ30,31,32に取り込んでSO端子から読み出す機能はなく、RAM91単独のテストを行うことはできない。
In the semiconductor integrated circuit device shown in FIG. 21, it is possible to set the test data from the SI terminal to the input terminals DI0, DI1, and DI2 of the
図22は特許文献1に開示されたRAM91単独のテスト機能を備えた従来の半導体集積回路装置を示す回路図である。これは図21に示す半導体集積回路装置に、RAM91のテストモードを実行するために、出力選択信号SELDOにより制御されるセレクタ60,61,62と、RAMテスト信号RAMTESTにより制御されるセレクタ70,71,72が追加されている。
FIG. 22 is a circuit diagram showing a conventional semiconductor integrated circuit device having a test function for the
ここで、セレクタ60,61,62の“1”入力端には、RAM91の出力端子DO0,DO1,DO2からのデータがそれぞれ入力され、セレクタ60の“0”入力端にはSI端子からのテストデータが入力され、セレクタ61,62の“0”入力端にはそれぞれフリップフロップ30,31からのデータが入力される。また、セレクタ70,71,72の“0”入力端には、フリップフロップ30,31,32からのデータが入力され、セレクタ70,71,72の“1”入力端には、SID端子からのRAMテストデータが入力される。
Here, the data from the output terminals DO0, DO1, and DO2 of the
次に図22に示す半導体集積回路装置の動作について説明する。
通常動作時は、シフトモード信号SM=0に設定してセレクタ10,11,12を“0”入力端に切り替え、テストモード信号TEST=0に設定してセレクタ50,51,52を“0”入力端に切り替え、RAMテスト信号RAMTEST=0に設定してセレクタ70,71,72を“0”入力端に切り替える。この状態では、ロジック部80から出力されるデータが、フリップフロップ30,31,32を介してRAM91の入力端子DI0,DI1,DI2に入力される。ここで、フリップフロップ30,31,32にはクロックが入力されているものとする。また、RAM91の出力端子DO0,DO1,DO2からのデータがロジック81に伝達される。このように、通常動作時は、RAM91はロジック80,81の間に挿入された状態となり、データの書き込みと読み出しが行われる。
Next, the operation of the semiconductor integrated circuit device shown in FIG. 22 will be described.
During normal operation, the shift mode signal SM is set to 0 to switch the
ロジック部80、ロジック部81のスキャンテストを行う場合には、テストモード信号TEST=1に設定してセレクタ50,51,52を“1”入力端に切り替え、出力選択信号SELDO=0に設定してセレクタ60,61,62を“0”入力端に切り替える。この状態ではRAM91はバイパスされ、スキャンパスがロジック部80、ロジック部81の間に挿入された状態となる。その状態で、図21に示す半導体集積回路装置と同様に、シフトモード信号SMを制御してロジック部80、ロジック部81をスキャンテストする。
When performing a scan test of the
RAM91をテストする場合には、RAMテスト信号RAMTEST=1に設定してセレクタ70,71,72を“1”入力端に切り替え、SID端子からのRAMテストデータをRAM91への書き込みデータとして供給する。ここでは、1ビットのRAMテストデータを3ビットの書き込みデータとして共通にRAM91に供給している。すなわち、RAM91への書き込みデータとして“000”や“111”を瞬時に与えることができる。
When testing the
出力選択信号SELDOにより制御されるセレクタ60,61,62は、RAM91の出力端子DO0〜DO2からのテスト結果のデータをスキャンパスに取り込むためのものである。出力選択信号SELDO=1に設定してセレクタ60,61,62を“1”入力端に切り替え、シフトモード信号SM=1に設定してセレクタ10,11,12を“1”入力端に切り替え、フリップフロップ30,31,32にクロックを1回与えると、RAM91の出力端子DO0〜DO2からのテスト結果のデータをフリップフロップ30,31,32に格納する。このとき、フリップフロップ32に格納された1ビットのデータはSO端子に出力される。次に出力選択信号SELDO=0に設定してセレクタ60,61,62を“0”入力端に切り替え、フリップフロップ30,31,32にクロックを2回与えると、フリップフロップ30,31に格納された各1ビットのデータはシリアルシフト動作によりSO端子から読み出され、チップ外部のテスト装置やチップ内部のセルフテスト回路により故障判定を行う。
The
従来の半導体集積回路装置は以上のように構成されているので、図21に示す回路では、RAM91等の機能ブロック単独のテストができないという課題があった。また、図22に示す回路では、RAM91等の機能ブロックのテスト回路の規模が大きくなるという課題があった。
Since the conventional semiconductor integrated circuit device is configured as described above, the circuit shown in FIG. 21 has a problem that it is not possible to test the functional blocks such as the
この発明は上記のような課題を解決するためになされたもので、テスト回路の規模を大きくせずに、RAM91等の機能ブロック単独のテストが行える半導体集積回路装置を得ることを目的とする。
The present invention has been made to solve the above problems, and has as its object to provide a semiconductor integrated circuit device that can test a functional block alone such as the
この発明に係る半導体集積回路装置は、第1のロジック部と第2のロジック部との間に接続された機能ブロックと、第1のロジック部の出力と機能ブロックの入力間の並列経路とデータを直列に伝達するための直列シフト経路を有し、第1のロジック部の出力と直列シフト経路を切り替えて機能ブロックの入力に接続するための複数の第1のセレクタとデータを格納する複数のフリップフロップにより構成されたスキャンパスとを備えたもので、スキャンパスの直列シフト経路上に接続され、機能ブロックの出力と直列シフト経路を切り替えて第2のロジック部の入力に接続するための複数の第2のセレクタを備え、スキャンパスの直列シフト経路からテストデータを第2のセレクタを介して機能ブロックにシフトインし、第2のセレクタを切り替えて機能ブロックから出力されたデータを第2のセレクタを介して出力するものである。 A semiconductor integrated circuit device according to the present invention includes a function block connected between a first logic unit and a second logic unit, a parallel path between an output of the first logic unit and an input of the function block, and data. And a plurality of first selectors for switching between the output of the first logic unit and the serial shift path to connect to the input of the functional block, and a plurality of data for storing data. A scan path constituted by flip-flops, connected on a serial shift path of the scan path, for switching between the output of the functional block and the serial shift path and connecting to the input of the second logic unit. , And shifts test data from the serial shift path of the scan path into the functional block via the second selector. The output data from the functional block Te Toggles and outputs via a second selector.
この発明は、スキャンパスの直列シフト経路上に接続され、機能ブロックの出力と直列シフト経路を切り替えて第2のロジック部の入力に接続するための複数の第2のセレクタを備え、スキャンパスの直列シフト経路からテストデータを第2のセレクタを介して機能ブロックにシフトインし、第2のセレクタを切り替えて機能ブロックから出力されたデータを第2のセレクタを介して出力することにより、テスト回路の規模を大きくせずに機能ブロック単独でテストすることができるという効果がある。 The present invention includes a plurality of second selectors connected on the serial shift path of the scan path, for switching between the output of the functional block and the serial shift path and connecting to the input of the second logic unit. The test circuit shifts the test data from the serial shift path into the functional block via the second selector, switches the second selector, and outputs the data output from the functional block via the second selector. This has the effect that the function block can be tested alone without increasing the scale of the test.
以下、この発明の実施の一形態を説明する。
実施の形態1.
図1はこの発明の実施の形態1による半導体集積回路装置の構成を示す回路図である。図1に示すように、この半導体集積回路装置は、シフトモード信号SMにより制御されるセレクタ10,11,12(第1のセレクタ)、フリップフロップ(FF)30,31,32、テストモード信号TEST2により制御されるセレクタ60,61,62(第2のセレクタ)、ロジック部80(第1のロジック部),ロジック部81(第2のロジック部)、機能ブロック90により構成されている。ここで、機能ブロック90はRAMだけでなく、演算回路、インターフェース回路、メモリブロック等の各種の論理機能ブロックを含むものとする。
Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described.
FIG. 1 is a circuit diagram showing a configuration of a semiconductor integrated circuit device according to
図1において、セレクタ60,61,62、セレクタ10,11,12及びフリップフロップ30,31,32によりスキャンパスが構成されている。このスキャンパスは、ロジック部80の出力と機能ブロック90の入力間の並列経路と、SI(スキャンイン)端子からSO(スキャンアウト)端子までのデータを直列に伝達するための直列シフト経路を備えた記憶回路であり、セレクタ60,61,62はスキャンパスの直列シフト経路に接続されている。
In FIG. 1, a scan path is constituted by
図1では、従来の図21のセレクタ50,51,52の挿入位置を変更してセレクタ60,61,62とし、機能ブロック90の出力端子DO0,DO1,DO2から出力されるデータをスキャンパスに取り込めるようにしている。これにより、テスト回路規模の増加なしに機能ブロック90単独のテストすることが可能になる。
In FIG. 1, the insertion positions of the
次に動作について説明する。
通常動作時は、シフトモード信号SM=0に設定してセレクタ10,11,12を“0”入力端に切り替え、テストモード信号TEST2=0に設定してセレクタ60,61,62を“0”入力端に切り替える。この状態では、ロジック部80から出力されるデータが、セレクタ10,11,12により選択されて、フリップフロップ30,31,32を介して機能ブロック90の入力端子DI0,DI1,DI2に入力される。ここで、フリップフロップ30,31,32にはクロックが入力されているものとする。
Next, the operation will be described.
During normal operation, the shift mode signal SM is set to 0 to switch the
また、機能ブロック90の出力端子DO0,DO1,DO2からのデータが、セレクタ60,61,62により選択されてロジック部81に伝達される。このように、通常動作時は、機能ブロック90はロジック部80,81の間に挿入された状態となり、所定の演算やデータ処理が行われる。
Further, data from the output terminals DO0, DO1, DO2 of the
ロジック部80,81のスキャンテストを行う場合は、テストモード信号TEST2=1に設定してセレクタ60,61,62を“1”入力端に切り替える。この状態では機能ブロック90はバイパスされ、スキャンパスがロジック部80とロジック部81の間に挿入された状態になる。その状態でシフトモード信号SMを制御してロジック部80,81のスキャンテストを行う。
When performing a scan test of the
ロジック部81のスキャンテストを行う場合には、シフトモード信号SM=1に設定してセレクタ10,11,12を“1”入力端に切り替え、フリップフロップ30,31,32にクロックを2回与えると、SI端子からの2ビットのテストデータが、シリアルシフト動作によりフリップフロップ30,31に格納される。
When a scan test of the
テストモード信号TEST2=1に設定されているので、SI端子の次の1ビットのテストデータはセレクタ60により選択されてロジック部81に入力され、フリップフロップ30,31に格納された各1ビットのテストデータは、それぞれセレクタ61,62により選択されてロジック部81に入力され、合計3ビットのテストデータによりロジック部81のスキャンテストが行われる。
Since the test mode signal TEST2 is set to 1, the next 1-bit test data of the SI terminal is selected by the
ロジック部80のスキャンテストを行う場合には、シフトモード信号SM=0に設定してセレクタ10,11,12を“0”入力端に切り替え、フリップフロップ30,31,32にクロックを1回与えると、テストデータを入力したロジック部80からのテスト結果の3ビットのデータが、フリップフロップ30,31,32にそれぞれ格納される。このとき、フリップフロップ32に格納された1ビットのデータはSO端子に出力される。
When performing a scan test of the
次にシフトモード信号SM=1に設定してセレクタ10,11,12を“1”入力端に切り替え、フリップフロップ30,31,32にクロックを2回与えると、フリップフロップ30,31に格納された各1ビットのデータはSO端子にシフトアウトされて、合計3ビットのデータの内容が確認される。この場合、ロジック部81に対する次のテストデータをSI端子からフリップフロップ30,31に格納することもできる。なお、このロジック部80とロジック部81のスキャンテストは、入力するテストデータを変更して複数回繰り返される。
Next, when the shift mode signal SM is set to 1 and the
機能ブロック90のテストを行う場合には、シフトモード信号SM=1に設定してセレクタ10,11,12を“1”入力端に切り替える。そして、テストモード信号TEST2=1に設定してセレクタ60,61,62を“1”入力端に切り替え、フリップフロップ30,31,32にクロックを3回与えると、SI端子からの3ビットのテストデータがシリアルシフト動作によりフリップフロップ30,31,32に格納されて、機能ブロック90の入力端子DI0,DI1,DI2に入力される。機能ブロック90は所望の動作を行ない、テスト結果のデータが出力端子DO0,DO1,DO2に出力される。
When the
次にテストモード信号TEST2=0に設定してセレクタ60,61,62を“0”入力端に切り替えて、フリップフロップ30,31,32にクロックを1回与えると、機能ブロック90の出力端子DO0,DO1,DO2からのテスト結果のデータがフリップフロップ30,31,32に格納される。このとき、フリップフロップ32に格納された1ビットのデータはSO端子に出力される。
Next, when the test mode signal TEST2 is set to 0, the
次にテストモード信号TEST2=1に設定してセレクタ60,61,62を“1”入力端に切り替えて、フリップフロップ30,31,32にクロックを2回与えると、フリップフロップ30,31に格納された各1ビットのデータはSO端子にシフトアウトされて、合計3ビットのデータの内容が確認される。なお、この機能ブロック90のテストは、SI端子から入力するテストデータを変更して複数回繰り返される。
Next, when the test mode signal TEST2 is set to 1 and the
以上のように、この実施の形態1によれば、テスト回路の規模を大きくせずに機能ブロック90単独でテストすることができるという効果が得られる。
As described above, according to the first embodiment, the effect is obtained that the test can be performed by the
実施の形態2.
図2はこの発明の実施の形態2による半導体集積回路装置の構成を示す回路図である。この実施の形態2では、図2に示すように、実施の形態1の図1における機能ブロック90をRAM91に変更し、スキャンパスの直列シフト経路にインバータ20,21,22を挿入している。このインバータ20,21,22により、RAM91に書き込むテストデータを、オール0(“000”)やオール1(“111”)に1クロックサイクルで切り替えることができる。これにより、RAM91のテストをする場合に、“000”を書き込んで次のサイクルで“111”を書き込む、又は“111”を書き込んで次のサイクルで“000”を書き込むというテストを容易に行うことができる。
Embodiment 2 FIG.
FIG. 2 is a circuit diagram showing a configuration of a semiconductor integrated circuit device according to a second embodiment of the present invention. In the second embodiment, as shown in FIG. 2, the
次に動作について説明する。
通常動作時は、インバータ20,21,22は無関係であり、実施の形態1の機能ブロック90がRAM91に変更になっているだけで実施の形態1と同様である。また、ロジック部80,81のスキャンテスト時も、基本的には実施の形態1と同様であり、テストデータ及びテスト結果のデータがインバータ20,21,22により反転又は非反転となっている点を配慮すれば良い。
Next, the operation will be described.
During normal operation, the
RAM91のテストをする場合について説明する。
まず、RAM91に対して初期データの書き込みテストを行う場合について説明する。シフトモード信号SM=1に設定してセレクタ10,11,12を“1”入力端に切り替え、テストモード信号TEST2=1に設定してセレクタ60,61,62を“1”入力端に切り替える。フリップフロップ30,31,32にクロックを3回与えると、シリアルシフト動作により、SI端子からの3ビットのテストデータがフリップフロップ30,31,32に格納される。ただし、フリップフロップ30,32には、インバータ20,21,22により反転されたテストデータが格納されるので、SI端子からテストデータ“010”をシフトインした場合には、フリップフロップ30,31,32の出力のテストデータは“111”となり、RAM91の入力端子DI0,DI1,DI2にテストデータ“111”が入力される。
A case of testing the
First, a case where a test for writing initial data to the
SI端子から後続のテストデータ“101010・・・”をシフトインすると、RAM91の入力端子DI0,DI1,DI2に入力されるテストデータは、“111”の状態と“000”の状態を繰り返す。所望のテストデータ“111”又は“000”が設定されたときに、RAM91に対して書き込みを行う。このように、RAM91に書き込むテストデータを、オール0(“000”)やオール1(“111”)に1クロックサイクルで切り替えることができる。なお、このテストデータのRAM91への書き込みは、アドレスを変更しながら複数回繰り返される。
When the subsequent test data “101010...” Is shifted in from the SI terminal, the test data input to the input terminals DI0, DI1, and DI2 of the
次にRAM91の特定のアドレスに対して読み出しテストを行う場合について説明する。シフトモード信号SM=1に設定してセレクタ10,11,12を“1”入力端に切り替え、テストモード信号TEST2=0に設定してセレクタ60,61,62を“0”入力端に切り替える。RAM91の特定のアドレスに対して読み出しテストを行うと、テスト結果のデータがRAM91の出力端子DO0,DO1,DO2に出力され、それぞれセレクタ60,61,62を介してセレクタ10,11,12から出力される。フリップフロップ30,31,32にクロックを1回与えると、テスト結果のデータがそれぞれフリップフロップ30,31,32に格納される。このとき、フリップフロップ32に格納された1ビットのデータはSO端子に出力される。
Next, a case where a read test is performed on a specific address of the
次にテストモード信号TEST2=1に設定してセレクタ60,61,62を“1”入力端に切り替える。フリップフロップ30,31,32にクロックを2回与えると、シリアルシフト動作によりフリップフロップ30,31に格納された各1ビットのデータがSO端子にシフトアウトされ、合計3ビットのデータの内容が確認される。ただし、フリップフロップ30に格納されたデータはインバータ21,22を通過し、フリップフロップ31に格納されたデータはインバータ22を通過してSO端子にシリアル出力されるので、これを配慮してテストを行う必要がある。なお、このRAM91の読み出しテストはアドレスを変更して複数回繰り返される。
Next, the test mode signal TEST2 = 1 is set, and the
また、インバータ20を省略しても良く、その場合、SI端子からシフトインするテストデータを、上記の場合と反転させれば良い。
Further, the
この実施の形態2を従来の図22と比較すると、図22のセレクタ50,51,52及びセレクタ70,71,72が不要となる。
Compared to FIG. 22, the second embodiment eliminates the need for the
以上のように、この実施の形態2によれば、テスト回路の規模を大きくせずにRAM91単独でテストすることができると共に、RAM91に書き込むテストデータを、オール0(“000”)やオール1(“111”)に1クロックサイクルで切り替えることができ、RAM91のテストを効率的に行うことができるという効果が得られる。
As described above, according to the second embodiment, the test can be performed by the
実施の形態3.
図3はこの発明の実施の形態3による半導体集積回路装置の構成を示す回路図である。この実施の形態3では、図3に示すように、実施の形態2の図2におけるインバータ20,21,22の代わりに、スキャンパスの直列シフト経路にインバータ40,41,42を挿入している。このインバータ40,41,42により、RAM91に書き込むテストデータを、オール0(“000”)やオール1(“111”)に1クロックサイクルで切り替えることができる。
FIG. 3 is a circuit diagram showing a configuration of a semiconductor integrated circuit device according to
次に動作について説明する。
通常動作時は、インバータ40,41,42は無関係であり、実施の形態1の機能ブロック90がRAM91に変更になっているだけで実施の形態1と同様である。また、ロジック部80,81のスキャンテスト時も、基本的には実施の形態1と同様であり、テストデータ及びテスト結果のデータがインバータ40,41,42により反転又は非反転となっている点を配慮すれば良い。
Next, the operation will be described.
During normal operation, the
RAM91のテストをする場合について説明する。
まず、RAM91に対して初期データの書き込みテストを行う場合について説明する。シフトモード信号SM=1に設定してセレクタ10,11,12を“1”入力端に切り替え、テストモード信号TEST2=1に設定してセレクタ60,61,62を“1”入力端に切り替える。フリップフロップ30,31,32にクロックを3回与えると、シリアルシフト動作により、SI端子からの3ビットのテストデータがフリップフロップ30,31,32に格納される。ただし、フリップフロップ30,32には、インバータ40,41,42により反転されたテストデータが格納されるので、SI端子からテストデータ“010”をシフトインした場合には、フリップフロップ30,31,32の出力のテストデータは“111”となり、RAM91の入力端子DI0,DI1,DI2にテストデータ“111”が入力される。
A case of testing the
First, a case where a test for writing initial data to the
SI端子から後続のテストデータ“101010・・・”をシフトインすると、RAM91の入力端子DI0,DI1,DI2に入力されるテストデータは、“111”の状態と“000”の状態を繰り返す。所望のテストデータ“111”又は“000”が設定されたときに、RAM91に対して書き込みを行う。このように、RAM11に書き込むテストデータを、オール0(“000”)やオール1(“111”)に1クロックサイクルで切り替えることができる。なお、このテストデータのRAM91への書き込みは、アドレスを変更しながら複数回繰り返される。
When the subsequent test data “101010...” Is shifted in from the SI terminal, the test data input to the input terminals DI0, DI1, and DI2 of the
次にRAM91の特定のアドレスに対して読み出し及び書き込みテストを行う場合について説明する。シフトモード信号SM=1に設定してセレクタ10,11,12を“1”入力端に切り替え、テストモード信号TEST2=0に設定してセレクタ60,61,62を“0”入力端に切り替える。RAM91の特定のアドレス対して読み出しテストを行うと、テスト結果のデータがRAM91の出力端子DO0,DO1,DO2に出力され、それぞれセレクタ60,61,62を介して、インバータ40,41,42により反転されてセレクタ10,11,12から出力される。フリップフロップ30,31,32にクロックを1回与えると、テスト結果の反転データがそれぞれフリップフロップ30,31,32に格納される。このとき、フリップフロップ32に格納された1ビットのデータはSO端子に出力される。
Next, a case where a read and write test is performed on a specific address of the
次にフリップフロップ30,31,32に格納されたテスト結果の反転データを、RAM91の入力端子DI0,DI1,DI2に入力し、RAM91にテスト結果の反転データを書き込む。例えば、RAM91の出力端子DO0,DO1,DO2に出力されたテスト結果のデータが“000”の場合に、次のサイクルでRAM91にテストデータ“111”を書き込む。
Next, the inverted data of the test result stored in the flip-
次にテストモード信号TEST2=1に設定してセレクタ60,61,62を“1”入力端に切り替える。フリップフロップ30,31,32にクロックを2回与えると、フリップフロップ30,31に格納された各1ビットのデータがSO端子にシフトアウトされ、合計3ビットのデータの内容が確認される。ただし、フリップフロップ30に格納されたデータはインバータ41,42を通過し、フリップフロップ31に格納されたデータはインバータ42を通過してSO端子にシフトアウトされるので、これを配慮してテストを行う必要がある。なお、このRAM91の読み出し及び書き込みテストはアドレスを変更して複数回繰り返される。
Next, the test mode signal TEST2 = 1 is set, and the
以上のように、この実施の形態3によれば、テスト回路の規模を大きくせずにRAM91単独でテストすることができると共に、RAM91に書き込むテストデータを、オール0(“000”)やオール1(“111”)に1クロックサイクルで切り替えることができ、RAM91のテストを効率的に行うことができるという効果が得られる。
As described above, according to the third embodiment, the test can be performed by the
実施の形態4.
図4はこの発明の実施の形態4による半導体集積回路装置の構成を示す回路図である。実施の形態1の図1では、フリップフロップ30,31,32の出力を機能ブロック90の入力端子DI0,DI1,DI2に入力していたが、この実施の形態4では、図4に示すように、セレクタ10,11,12の出力を機能ブロック90の入力端子DI0,DI1,DI2に入力している。
Embodiment 4 FIG.
FIG. 4 is a circuit diagram showing a configuration of a semiconductor integrated circuit device according to Embodiment 4 of the present invention. In FIG. 1 of the first embodiment, the outputs of the flip-
次に動作について説明する。
通常動作時は、シフトモード信号SM=0に設定してセレクタ10,11,12を“0”入力端に切り替え、テストモード信号TEST2=0に設定してセレクタ60,61,62を“0”入力端に切り替える。ロジック部80から出力されるデータが、セレクタ10,11,12により選択されて、直接、機能ブロック90の入力端子DI0,DI1,DI2に入力される。
Next, the operation will be described.
During normal operation, the shift mode signal SM is set to 0 to switch the
また、機能ブロック90の出力端子DO0,DO1,DO2からのデータが、セレクタ60,61,62により選択されてロジック部81に伝達される。このように、通常動作時は、機能ブロック90はロジック部80,81の間に挿入された状態となり、所定の演算やデータ処理が行われる。この実施の形態4では、通常動作時はフリップフロップ30,31,32は無関係となり、フリップフロップ30,31,32にはクロックを与えなくても良い。
Further, data from the output terminals DO0, DO1, DO2 of the
ロジック部80,81のスキャンテストについては、実施の形態1の図1と実施の形態4の図4においてスキャンパスの直列シフト経路におけるフリップフロップ30,31,32の位置は同じであるため、実施の形態1と同じである。
The scan test of the
機能ブロック90のテストを行う場合には、シフトモード信号SM=1に設定してセレクタ10,11,12を“1”入力端に切り替え、テストモード信号TEST2=1に設定してセレクタ60,61,62を“1”入力端に切り替える。フリップフロップ30,31,32にクロックを2回与えると、シリアルシフト動作により、SI端子からの2ビットのテストデータがフリップフロップ30,31に格納される。
When the test of the
SI端子からの次の1ビットのテストデータは、セレクタ60及びセレクタ10により選択されて機能ブロック90の入力端子DI0に入力され、フリップフロップ30,31に格納された各1ビットのテストデータは、それぞれセレクタ61,62及びセレクタ11,12により選択されて、機能ブロック90の入力端子DI1,DI2に入力される。機能ブロック90は所望の動作を行ない、テスト結果のデータを機能ブロック90の出力端子DO0,DO1,DO2に出力する。
The next 1-bit test data from the SI terminal is selected by the
次にテストモード信号TEST2=0に設定してセレクタ60,61,62を“0”入力端に切り替え、フリップフロップ30,31,32にクロックを1回与えると、機能ブロック90の出力端子DO0,DO1,DO2からのテスト結果のデータがフリップフロップ30,31,32に格納される。このとき、フリップフロップ32に格納された1ビットのデータはSO端子に出力される。
Next, when the test mode signal TEST2 is set to 0, the
次にテストモード信号TEST2=1に設定してセレクタ60,61,62を“1”入力端に切り替え、フリップフロップ30,31,32にクロックを2回与えると、フリップフロップ30,31に格納された各1ビットのデータはSO端子にシフトアウトされて、合計3ビットのデータの内容が確認される。なお、この機能ブロック90のテストは、SI端子から入力するテストデータを変更して複数回繰り返される。
Next, when the test mode signal TEST2 is set to 1 and the
以上のように、この実施の形態4によれば、テスト回路の規模を大きくせずに機能ブロック90単独でテストすることができると共に、通常動作時は、フリップフロップ30,31,32にはクロックを与えなくても済むという効果が得られる。
As described above, according to the fourth embodiment, the
実施の形態5.
図5はこの発明の実施の形態5による半導体集積回路装置の構成を示す回路図である。実施の形態2の図2では、フリップフロップ30,31,32の出力をRAM91の入力端子DI0,DI1,DI2に入力していたが、この実施の形態5では、図5に示すように、セレクタ10,11,12の出力をRAM91の入力端子DI0,DI1,DI2に入力している。
FIG. 5 is a circuit diagram showing a configuration of a semiconductor integrated circuit device according to a fifth embodiment of the present invention. In FIG. 2 of the second embodiment, the outputs of the flip-
次に動作について説明する。
通常動作時は、インバータ20,21,22及びフリップフロップ30,31,32は無関係で、実施の形態4の機能ブロック90がRAM91に変更になっているだけで実施の形態4と同様であり、フリップフロップ30,31,32にはクロックを与えなくても良い。また、ロジック部80,81のスキャンテスト時も、基本的には実施の形態4と同様であり、インバータ20,21,22によりテストデータ及びテスト結果のデータが反転又は非反転となっている点を配慮すれば良い。
Next, the operation will be described.
At the time of normal operation, the
RAM91のテストをする場合について説明する。まず、RAM91に対して初期データの書き込みテストを行う場合について説明する。シフトモード信号SM=1に設定してセレクタ10,11,12を“1”入力端に切り替え、テストモード信号TEST2=1に設定してセレクタ60,61,62を“1”入力端に切り替える。フリップフロップ30,31,32にクロックを2回与えると、シリアルシフト動作により、SI端子からの2ビットのテストデータがフリップフロップ30,31に格納される。
A case of testing the
ただし、フリップフロップ30には反転されたテストデータが格納されるので、SI端子から“10”をシフトインした場合には、フリップフロップ30,31の出力は“11”になる。フリップフロップ30の出力はインバータ21を介してRAM91の入力端子DI1に入力され、フリップフロップ31の出力はインバータ22を介してRAM91の入力端子DI2に入力され、RAM91の入力端子DI1,DI2に入力されるテストデータは“00”になる。また、SI端子から後続のテストデータ“1”を与えると、インバータ20を介してRAM91の入力端子DI0に入力され、RAM91の入力端子DI0,DI1,DI2に入力されるテストデータは“000”になる。
However, since the flip-
SI端子から後続のテストデータ“101010・・・”(先頭の“1”は前述のテストデータ“1”)をシフトインすると、RAM91の入力端子DI0,DI1,DI2に入力されるテストデータは“000”の状態と、“111”の状態を交互に繰り返す。所望のデータ“000”又は“111”が入力されたときに、RAM91に対して書き込みを行う。このように、RAM91に書き込むテストデータを、オール0(“000”)やオール1(“111”)に1クロックサイクルで切り替えることができる。なお、このテストデータのRAM91への書き込みは、アドレスを変更しながら複数回繰り返される。
When the subsequent test data “101010...” (The leading “1” is the aforementioned test data “1”) is shifted in from the SI terminal, the test data input to the input terminals DI0, DI1, and DI2 of the
RAM91の特定のアドレスに対して読み出しテストを行う場合については、実施の形態2と同じである。また、実施の形態2と同様にインバータ20を省略しても良い。
The case where a read test is performed on a specific address of the
以上のように、この実施の形態5によれば、テスト回路の規模を大きくせずにRAM91単独でテストすることができ、RAM91に書き込むテストデータを、オール0(“000”)やオール1(“111”)に1クロックサイクルで切り替えることができ、RAM91のテストを効率的に行うことができると共に、通常動作時は、フリップフロップ30,31,32にはクロックを与えなくても済むという効果が得られる。
As described above, according to the fifth embodiment, the test can be performed by the
実施の形態6.
図6はこの発明の実施の形態6による半導体集積回路装置の構成を示す回路図である。実施の形態3の図3では、フリップフロップ30,31,32の出力をRAM91の入力端子DI0,DI1,DI2に入力していたが、この実施の形態6では、図6に示すように、セレクタ10,11,12の出力をRAM91の入力端子DI0,DI1,DI2に入力している。
Embodiment 6 FIG.
FIG. 6 is a circuit diagram showing a configuration of a semiconductor integrated circuit device according to Embodiment 6 of the present invention. In FIG. 3 of the third embodiment, the outputs of the flip-
次に動作について説明する。
通常動作時は、インバータ40,41,42及びフリップフロップ30,31,32は無関係で、実施の形態4の機能ブロック90がRAM91に変更になっているだけで実施の形態4と同様であり、フリップフロップ30,31,32にはクロックを与えなくても良い。また、ロジック部80,81のスキャンテスト時も、基本的には実施の形態4と同様であり、インバータ40,41,42によりテストデータ及びテスト結果のデータが反転又は非反転となっている点を配慮すれば良い。
Next, the operation will be described.
At the time of normal operation, the
RAM91のテストをする場合について説明する。RAM91に対して初期データの書き込みテストを行う場合については、インバータ20,21,22がインバータ40,41,42になっているだけで実施の形態5と同じである。
A case of testing the
次にRAM91の特定のアドレスに対して読み出し及び書き込みテストを行う場合について説明する。シフトモード信号SM=1に設定してセレクタ10,11,12を“1”入力端に切り替え、テストモード信号TEST2=0に設定してセレクタ60,61,62を“0”入力端に切り替える。RAM91の特定のアドレスに対して読み出しテストを行うと、テスト結果のデータがRAM91の出力端子DO0,DO1,DO2に出力され、それぞれセレクタ60,61,62を介してインバータ40,41,42により反転されてセレクタ10,11,12から出力される。
Next, a case where a read and write test is performed on a specific address of the
次にセレクタ10,11,12から出力されるテスト結果の反転データを、RAM91の入力端子DI0,DI1,DI2に入力し、RAM91にテスト結果の反転データを書き込む。例えば、RAM91の出力端子DO0,DO1,DO2に出力されたテスト結果のデータが“000”の場合に、次のサイクルでRAM91にテストデータ“111”を書き込む。
Next, the inverted data of the test result output from the
次にフリップフロップ30,31,32にクロックを1回与えると、セレクタ10,11,12から出力されるテスト結果の反転データがそれぞれフリップフロップ30,31,32に格納される。このとき、フリップフロップ32に格納された1ビットのデータはSO端子に出力される。
Next, when a clock is applied once to flip-
次にTEST2=1に設定してセレクタ60,61,62を“1”入力端に切り替える。フリップフロップ30,31,32にクロックを2回与えると、フリップフロップ30,31に格納された各1ビットのデータがSO端子にシフトアウトされ、合計3ビットのデータの内容が確認される。ただし、フリップフロップ30に格納されたデータはインバータ41,42を通過し、フリップフロップ31に格納されたデータはインバータ42を通過してSO端子にシフトアウトされるので、これを配慮してテストを行う必要がある。なお、このRAM91の読み出し及び書き込みテストはアドレスを変更して複数回繰り返される。
Next, TEST2 = 1 is set and the
以上のように、この実施の形態6によれば、テスト回路の規模を大きくせずにRAM91単独でテストすることができ、RAM91に書き込むテストデータを、オール0(“000”)やオール1(“111”)に1クロックサイクルで切り替えることができ、RAM91のテストを効率的に行うことができると共に、通常動作時は、フリップフロップ30,31,32にはクロックを与えなくても済むという効果が得られる。
As described above, according to the sixth embodiment, the test can be performed by the
実施の形態7.
図7はこの発明の実施の形態7による半導体集積回路装置の構成を示す回路図である。この実施の形態7では、図7に示すように、実施の形態6の図6に、SO端子へ出力されるデータをSI端子側にフィードバックするセレクタ100(第3のセレクタ)を追加している。このセレクタ100はループイネーブル信号LOOPENにより制御される。実施の形態2の図2、実施の形態3の図3、実施の形態5の図5にも、同様にセレクタ100を追加可能である。
Embodiment 7 FIG.
FIG. 7 is a circuit diagram showing a configuration of a semiconductor integrated circuit device according to Embodiment 7 of the present invention. In the seventh embodiment, as shown in FIG. 7, a selector 100 (third selector) for feeding back data output to the SO terminal to the SI terminal side is added to FIG. 6 of the sixth embodiment. . The
次に動作について説明する。
通常動作時は、シフトモード信号SM=0に設定してセレクタ10,11,12を“0”入力端に切り替え、テストモード信号TEST2=0に設定してセレクタ60,61,62を“0”入力端に切り替える。通常動作時は、インバータ40,41,42及びフリップフロップ30,31,32は無関係で、実施の形態4の機能ブロック90がRAM91に変更になっているだけで実施の形態4と同様であり、フリップフロップ30,31,32にはクロックを与えなくても良い。
Next, the operation will be described.
During normal operation, the shift mode signal SM is set to 0 to switch the
また、ロジック部80,81のスキャンテスト時は、ループイネーブル信号LOOPEN=0に設定してセレクタ100を“0”入力端に切り替え、テストモード信号TEST2=1に設定してセレクタ60,61,62を“1”入力端に切り替える。このロジック部80,81のスキャンテストも、基本的には実施の形態4と同様であり、インバータ40,41,42によりテストデータ及びテスト結果のデータが反転又は非反転となっている点を配慮すれば良い。
At the time of a scan test of the
RAM91のテストをする場合について説明する。
まず、RAM91に対して初期データの書き込みテストを行う場合について説明する。ループイネーブル信号LOOPEN=0に設定してセレクタ100を“0”入力端に切り替え、シフトモード信号SM=1に設定してセレクタ10,11,12を“1”入力端に切り替え、テストモード信号TEST2=1に設定して、セレクタ60,61,62を“1”入力端に切り替える。
A case of testing the
First, a case where a test for writing initial data to the
フリップフロップ30,31,32にクロックを3回与えると、シリアルシフト動作により、SI端子からの3ビットのテストデータがフリップフロップ30,31,32に格納される。ただし、フリップフロップ30,32には反転されたテストデータが格納されるので、SI端子から“010”をシフトインした場合には、フリップフロップ30,31,32の出力は“111”になる。この状態では、SI端子の次のテストデータがインバータ40により反転されてRAM91の入力端子DI0に伝達され、フリップフロップ30の出力のデータ“1”がインバータ41により反転されてRAM91の入力端子DI1に伝達され、フリップフロップ31の出力のデータ“1”がインバータ42により反転されてRAM91の入力端子DI2に伝達される。
When a clock is applied to flip-
次にループイネーブル信号LOOPEN=1に設定してセレクタ100を“1”入力端に切り替えると、フリップフロップ32の出力のデータ“1”がインバータ40を介してRAM91の入力端子DI0に伝達され、RAM91の入力端子DI0,DI1,DI2のデータは“000”になる。ループイネーブル信号LOOPEN=1の状態で、フリップフロップ30,31,32にクロックを与える毎に、インバータ40,41,42によりRAM91の入力端子DI0,DI1,DI2のデータは変化し、“000”の状態と“111”の状態を繰り返す。所望のテストデータ“000”又は“111”が設定されたときにRAM91に対して書き込みを行う。このテストデータのRAM91の書き込みは、アドレスを変更しながら複数回繰り返される。
Next, when the loop enable signal LOOPEN = 1 is set and the
RAM91の特定のアドレスに対して読み出し及び書き込みテストを行う場合については、実施の形態6と同じである。この場合、ループイネーブル信号LOOPENの設定はどちらでも良い。
The case where a read and write test is performed on a specific address of the
なお、この実施の形態7では、RAM91に対して初期データの書き込みテストを行う場合に、フリップフロップ30,31,32の出力が“111”になるように、SI端子からテストデータをシフトインしているが、フリップフロップ30,31,32の出力が“000”になるように、SI端子からテストデータをシフトインしても良い。
In the seventh embodiment, when a write test of initial data is performed on the
以上のように、この実施の形態7によれば、テスト回路の規模を大きくせずにRAM91単独でテストすることができ、RAM91に書き込むテストデータを、オール0(“000”)やオール1(“111”)に1クロックサイクルで切り替えることができ、RAM91のテストを効率的に行うことができると共に、通常動作時は、フリップフロップ30,31,32にはクロックを与えなくても済むという効果が得られる。
As described above, according to the seventh embodiment, the test can be performed by the
また、この実施の形態7によれば、ループイネーブル信号LOOPEN=0に設定し、SI端子からフリップフロップ30,31,32に“111”又は“000”になるようなテストデータをシフトインし、その後、ループイネーブル信号LOOPEN=1に切り替えておけば、フリップフロップ30,31,32にクロックを与える毎に、RAM91の入力端子DI0〜DI2へのデータは“111”と“000”の状態を交互に繰り返すので、SI端子から新たにテストデータを与える必要はなく、RAM91のテストを容易にすることができるという効果が得られる。
Further, according to the seventh embodiment, the loop enable signal LOOPEN = 0 is set, and test data such as “111” or “000” is shifted in from the SI terminal into the flip-
実施の形態8.
図8はこの発明の実施の形態8による半導体集積回路装置の構成を示す回路図である。この実施の形態8では、図8に示すように、実施の形態7の図7にRAM91から出力されるテスト結果のデータを短時間でモニタするためのゲート回路110を追加している。このゲート回路110はセレクタ60,61,62の出力のデータが同一値であることを検出するものである。図8ではゲート回路110としてANDゲートを使用しているが、NANDゲート、ORゲート、NORゲートのいずれかを使用しても良い。
Embodiment 8 FIG.
FIG. 8 is a circuit diagram showing a configuration of a semiconductor integrated circuit device according to an eighth embodiment of the present invention. In the eighth embodiment, as shown in FIG. 8, a
次に動作について説明する。
通常動作時及びロジック部80,81のスキャンテスト時の動作は実施の形態7と同じである。また、RAM91のテストでRAM91に対して初期データの書き込みテストを行う場合の動作も実施の形態7と同じである。
Next, the operation will be described.
The operation during the normal operation and the operation during the scan test of the
次にRAM91の特定のアドレスに対して読み出し及び書き込みテストを行う場合について説明する。ループイネーブル信号LOOPEN=1に設定してセレクタ100を“1”入力端に切り替え、シフトモード信号SM=1に設定してセレクタ10,11,12を“1”入力端に切り替え、テストモード信号TEST2=0に設定してセレクタ60,61,62を“0”入力端に切り替える。
Next, a case where a read and write test is performed on a specific address of the
RAM91の特定のアドレスに対して読み出しテストを行うと、テスト結果のデータがRAM91の出力端子DO0,DO1,DO2に出力され、それぞれセレクタ60,61,62を介してゲート回路110の入力に伝えられる。このとき、テスト結果のデータが“111”であれば、ゲート回路110から出力されるモニタ信号MONIは“1”になり、テスト結果のデータが“111”以外であれば、モニタ信号MONIは“0”になる。従って、モニタ信号MONIをチェックすれば、RAM91の出力端子DO0,DO1,DO2からのテスト結果のデータが“111”か否かを、SO端子からシフトアウトしなくても判定することができる。
When a read test is performed on a specific address of the
また、RAM91の出力端子DO0,DO1,DO2からのテスト結果のデータは、インバータ40,41,42により反転されてRAM91の入力端子DI0,DI1,DI2に与えられる。次にこのテスト結果の反転データを、RAM91に書き込むと同時に、フリップフロップ30,31,32にクロックを与えると、フリップフロップ30,31,32がこのテスト結果の反転データを格納する。
The test result data from the output terminals DO0, DO1, and DO2 of the
次にテストモード信号TEST2=1に設定してセレクタ60,61,62を“1”入力端に切り替えると、フリップフロップ30,31,32に格納されているテスト結果の反転データが、それぞれセレクタ60,61,62を介してゲート回路110の入力に伝えられる。テスト結果のデータが“000”であれば、ゲート回路110の入力は“111”となり、ゲート回路110から出力されるモニタ信号MONIは“1”になり、テスト結果のデータが“000”以外であれば、モニタ信号MONIは“0”になる。従って、モニタ信号MONIをチェックすることにより、RAM91の出力端子DO0,DO1,DO2から出力されるテスト結果のデータが“000”か否かを、SO端子からシフトアウトしなくても判定することができる。なお、このRAM91の読み出し及び書き込みテストはアドレスを変更して複数回繰り返される。
Next, when the test mode signal TEST2 is set to 1 and the
以上のように、この実施の形態8によれば、テスト回路の規模を大きくせずにRAM91単独でテストすることができ、RAM91に書き込むテストデータを、オール0(“000”)やオール1(“111”)に1クロックサイクルで切り替えることができ、RAM91のテストを効率的に行うことができると共に、通常動作時は、フリップフロップ30,31,32にはクロックを与えなくても済むという効果が得られる。
As described above, according to the eighth embodiment, the test can be performed by the
また、この実施の形態8によれば、ループイネーブル信号LOOPEN=0に設定し、SI端子からフリップフロップ30,31,32に“111”又は“000”になるようなテストデータをシフトインし、その後、ループイネーブル信号LOOPEN=1に切り替えておけば、フリップフロップ30,31,32にクロックを与える毎に、RAM91の入力端子DI0〜DI2は“111”と“000”の状態を交互に繰り返すので、SI端子から新たにテストデータを与える必要はなく、RAM91のテストを容易にすることができるという効果が得られる。
Further, according to the eighth embodiment, the loop enable signal LOOPEN = 0 is set, and test data such as “111” or “000” is shifted in from the SI terminal to the flip-
さらに、この実施の形態8によれば、RAM91の出力端子DO0,DO1,DO2からのテスト結果のデータが“111”であるかのテストと、“000”であるかのテストを、SO端子からシフトアウトしなくてもモニタ信号MONIのチェックだけで行えるので、RAM91のテストを容易にすることができるという効果が得られる。
Further, according to the eighth embodiment, a test as to whether the test result data from the output terminals DO0, DO1, DO2 of the
実施の形態9.
図9はこの発明の実施の形態9による半導体集積回路装置の構成を示す回路図である。この実施の形態9では、図9に示すように、実施の形態8の図8におけるゲート回路110を、セレクタ60,61,62の出力側よりインバータ40,41,42の出力側にゲート回路111として移動している。このゲート回路111はインバータ40,41,42の出力のデータが同一値であることを検出するものである。図9ではゲート回路111としてANDゲートを使用しているが、NANDゲート、ORゲート、NORゲートのいずれかを使用しても良い。
Embodiment 9 FIG.
FIG. 9 is a circuit diagram showing a configuration of a semiconductor integrated circuit device according to Embodiment 9 of the present invention. In the ninth embodiment, as shown in FIG. 9, the
次に動作について説明する。
通常動作時及びロジック部80,81のスキャンテスト時の動作は実施の形態7と同じである。また、RAM91のテストでRAM91に対して初期データの書き込みテストを行う場合の動作も実施の形態7と同じである。
Next, the operation will be described.
The operation during the normal operation and the operation during the scan test of the
次にRAM91の特定のアドレスに対して読み出し及び書き込みテストを行う場合について説明する。ループイネーブル信号LOOPEN=1に設定してセレクタ100を“1”入力端に切り替え、シフトモード信号SM=1に設定してセレクタ10,11,12を“1”入力端に切り替え、テストモード信号TEST2=0に設定してセレクタ60,61,62を“0”入力端に切り替える。
Next, a case where a read and write test is performed on a specific address of the
RAM91の特定のアドレスに対して読み出しテストを行うと、テスト結果のデータがRAM91の出力端子DO0,DO1,DO2に出力され、それぞれセレクタ60,61,62を介してインバータ40,41,42により反転されてゲート回路111の入力に伝えられる。このとき、テスト結果のデータが“000”であれば、ゲート回路111から出力されるモニタ信号MONIは“1”になり、テスト結果のデータが“000”以外であれば、モニタ信号MONIは“0”になる。従って、モニタ信号MONIをチェックすれば、RAM91の出力端子DO0,DO1,DO2からのテスト結果のデータが“000”か否かを、SO端子からシフトアウトしなくても判定することができる。
When a read test is performed for a specific address of the
また、RAM91の出力端子DO0,DO1,DO2からのテスト結果のデータは、インバータ40,41,42により反転されてRAM91の入力端子DI0,DI1,DI2に与えられる。次にこのテスト結果の反転データを、RAM91に書き込むと同時に、フリップフロップ30,31,32にクロックを1回与えると、フリップフロップ30,31,32がこのテスト結果の反転データを格納する。
The test result data from the output terminals DO0, DO1, and DO2 of the
次にテストモード信号TEST2=1に設定してセレクタ60,61,62を“1”入力端に切り替えると、フリップフロップ30,31,32に格納されたテスト結果の反転データが、それぞれセレクタ60,61,62に伝えられる。セレクタ60,61,62の出力のテスト結果の反転データは、インバータ40,41,42によりさらに反転されてゲート回路111の入力に伝えられる。テスト結果のデータが“111”であれば、ゲート回路111の入力は“111”となり、ゲート回路111から出力されるモニタ信号MONIは“1”になり、テスト結果のデータが“111”以外であれば、モニタ信号MONIは“0”になる。従って、モニタ信号MONIをチェックすることにより、RAM91の出力端子DO0,DO1,DO2からのテスト結果のデータが“111”か否かを、SO端子からシフトアウトしなくても判定することができる。なお、RAM91の読み出し及び書き込みテストはアドレスを変更して複数回繰り返される。
Next, when the test mode signal TEST2 is set to 1 and the
以上のように、この実施の形態9によれば、テスト回路の規模を大きくせずにRAM91単独でテストすることができ、RAM91に書き込むテストデータを、オール0(“000”)やオール1(“111”)に1クロックサイクルで切り替えることができ、RAM91のテストを効率的に行うことができると共に、通常動作時は、フリップフロップ30,31,32にはクロックを与えなくても済むという効果が得られる。
As described above, according to the ninth embodiment, the test can be performed by the
また、この実施の形態9によれば、ループイネーブル信号LOOPEN=0に設定し、SI端子からフリップフロップ30,31,32に“111”又は“000”になるようなテストデータをシフトインし、その後、ループイネーブル信号LOOPEN=1に切り替えておけば、フリップフロップ30,31,32にクロックを与える毎に、RAM91の入力端子DI0〜DI2は“111”と“000”の状態を交互に繰り返すので、SI端子から新たにテストデータを与える必要はなく、RAM91のテストを容易にすることができるという効果が得られる。
Further, according to the ninth embodiment, the loop enable signal LOOPEN = 0 is set, and test data such as "111" or "000" is shifted in from the SI terminal to the flip-
さらに、この実施の形態9によれば、RAM91の出力端子DO0,DO1,DO2からのテスト結果のデータが“000”であるかのテストと、“111”であるかのテストを、SO端子からシフトアウトしなくてもモニタ信号MONIのチェックだけで行えるので、RAM91のテストを容易にすることができるという効果が得られる。
Further, according to the ninth embodiment, a test as to whether the test result data from the output terminals DO0, DO1, DO2 of the
実施の形態10.
図10はこの発明の実施の形態10による半導体集積回路装置の構成を示す回路図である。この実施の形態10では、図10に示すように、実施の形態8の図8におけるゲート回路110を、セレクタ60,61,62の出力側よりセレクタ10,11,12の出力側にゲート回路112として移動している。このゲート回路112はセレクタ10,11,12の出力のデータが同一値であることを検出するものである。図10ではゲート回路112としてANDゲートを使用しているが、NANDゲート、ORゲート、NORゲートのいずれかを使用しても良い。
FIG. 10 is a circuit diagram showing a configuration of a semiconductor integrated circuit device according to
次に動作について説明する。
通常動作時及びロジック部80,81のスキャンテスト時の動作は実施の形態7と同じである。また、RAM91のテストでRAM91に対して初期データの書き込みテストを行う場合の動作も実施の形態7と同じである。さらに、RAM91の特定のアドレスに対して読み出し及び書き込みテストを行う場合については、ゲート回路112が、セレクタ10,11,12から出力されるデータにより、RAM91の出力端子DO0,DO1,DO2からのテスト結果のデータが“000”であるか、“111”であるかを判定していることを除いて、実施の形態9と同じである。
Next, the operation will be described.
The operation during the normal operation and the operation during the scan test of the
以上のように、この実施の形態10によれば実施の形態9と同様の効果が得られる。 As described above, according to the tenth embodiment, the same effects as in the ninth embodiment can be obtained.
実施の形態11.
図11はこの発明の実施の形態11による半導体集積回路装置の構成を示す回路図である。この実施の形態11では、図11に示すように、実施の形態8の図8におけるゲート回路110を、セレクタ60,61,62の出力側よりフリップフロップ30,31,32の出力側にゲート回路113として移動している。このゲート回路113はフリップフロップ30,31,32の出力のデータが同一値であることを検出するものである。図11ではゲート回路113としてANDゲートを使用しているが、NANDゲート、ORゲート、NORゲートのいずれかを使用しても良い。
FIG. 11 is a circuit diagram showing a configuration of a semiconductor integrated circuit device according to
次に動作について説明する。
通常動作時及びロジック部80,81のスキャンテスト時の動作は実施の形態7と同じである。また、RAM91のテストでRAM91に対して初期データの書き込みテストを行う場合の動作も実施の形態7と同じである。
Next, the operation will be described.
The operation during the normal operation and the operation during the scan test of the
次にRAM91の特定のアドレスに対して読み出し及び書き込みテストを行う場合について説明する。ループイネーブル信号LOOPEN=1に設定してセレクタ100を“1”入力端に切り替え、シフトモード信号SM=1に設定してセレクタ10,11,12を“1”入力端に切り替え、テストモード信号TEST2=0に設定してセレクタ60,61,62を“0”入力端に切り替える。
Next, a case where a read and write test is performed on a specific address of the
RAM91の特定のアドレスに対して読み出しテストを行うと、テスト結果のデータがRAM91の出力端子DO0,DO1,DO2に出力され、それぞれセレクタ60,61,62及びセレクタ10,11,12を介して、インバータ40,41,42により反転されて、テスト結果の反転データがフリップフロップ30,31,32の入力及びRAM91の入力端子DI0,DI1,DI2に伝えられる。
When a read test is performed on a specific address of the
次にテスト結果の反転データをRAM91に書き込むと同時に、フリップフロップ30,31,32にクロックを1回与えると、フリップフロップ30,31,32はこのテスト結果の反転データを格納し、テスト結果の反転データはゲート回路113の入力に伝えられる。
Next, when the inverted data of the test result is written into the
このとき、テスト結果のデータが“000”であれば、フリップフロップ30,31,32の出力データは“111”であり、ゲート回路113から出力されるモニタ信号MONIは“1”になり、テスト結果のデータが“000”以外であれば、モニタ信号MONIは“0”になる。従って、モニタ信号MONIをチェックすれば、RAM91の出力端子DO0,DO1,DO2からのテスト結果のデータが“000”か否かを、SO端子からシフトアウトしなくても判定することができる。
At this time, if the test result data is “000”, the output data of the flip-
次にテストモード信号TEST2=1に設定してセレクタ60,61,62を“1”入力端に切り替えると、フリップフロップ30,31,32に格納されているテスト結果の反転データが、それぞれセレクタ60,61,62に伝えられる。セレクタ60,61,62の出力のテスト結果の反転データは、インバータ40,41,42によりさらに反転されてテスト結果のデータとなり、セレクタ10,11,12を介してフリップフロップ30,31,32の入力に伝えられる。次にフリップフロップ30,31,32にクロックを1回与えると、フリップフロップ30,31,32がテスト結果のデータを格納し、ゲート回路113の入力に伝えられる。
Next, when the test mode signal TEST2 is set to 1 and the
テスト結果のデータが“111”であれば、ゲート回路113の入力は“111”となり、ゲート回路111から出力されるモニタ信号MONIは“1”になり、テスト結果のデータが“111”以外であれば、モニタ信号MONIは“0”になる。このように、モニタ信号MONIをチェックすることにより、RAM91の出力端子DO0,DO1,DO2からのテスト結果のデータが“111”か否かを、SO端子からシフトアウトしなくても判定することができる。なお、RAM91の読み出し及び書き込みテストはアドレスを変更して複数回繰り返される。
If the data of the test result is “111”, the input of the
以上のように、この実施の形態11によれば実施の形態9と同様の効果が得られる。 As described above, according to the eleventh embodiment, the same effects as in the ninth embodiment can be obtained.
実施の形態12.
図12はこの発明の実施の形態12による半導体集積回路装置の構成を示す回路図である。実施の形態4の図4では、フリップフロップ30,31,32の入力をセレクタ10,11,12の出力に接続していたが、この実施の形態12では、図12に示すように、フリップフロップ30,31,32の入力をセレクタ60,61,62の出力に接続し、フリップフロップ30,31,32の出力をロジック部81に接続し、セレクタ12の出力からSO端子の間にフリップフロップ33が追加されている。これにより、通常動作時では回路規模の増加なしで、フリップフロップ30,31,32を通常動作時の機能ブロック90の出力レジスタとして利用することができる。
FIG. 12 is a circuit diagram showing a configuration of a semiconductor integrated circuit device according to
次に動作について説明する。
通常動作時は、シフトモード信号SM=0に設定してセレクタ10,11,12を“0”入力端に切り替え、テストモード信号TEST2=0に設定してセレクタ60,61,62を“0”入力端に切り替える。ロジック部80から出力されるデータが、セレクタ10,11,12により選択されて、直接、機能ブロック90の入力端子DI0,DI1,DI2に入力される。
Next, the operation will be described.
During normal operation, the shift mode signal SM is set to 0 to switch the
機能ブロック90の出力端子DO0,DO1,DO2からのデータは、セレクタ60,61,62により選択されてフリップフロップ30,31,32の入力に伝達され、フリップフロップ30,31,32の出力はロジック部81に接続されているので、通常動作時は、機能ブロック90とフリップフロップ30,31,32はロジック部80,81の間に挿入された状態となり、フリップフロップ30,31,32にクロックを与えることで所定の演算やデータ処理が行われる。このとき、フリップフロップ30,31,32は機能ブロック90の出力レジスタとして動作する。
Data from the output terminals DO0, DO1, DO2 of the
ロジック部80,81のスキャンテストを行う場合は、テストモード信号TEST2=1に設定してセレクタ60,61,62を“1”入力端に切り替える。この状態では機能ブロック90はバイパスされ、スキャンパスがロジック部80とロジック部81の間に挿入された状態になる。その状態でシフトモード信号SMを制御してロジック部80,81のスキャンテストを行う。
When performing a scan test of the
ロジック部81のスキャンテストを行う場合には、シフトモード信号SM=1に設定してセレクタ10,11,12を“1”入力端に切り替え、フリップフロップ30,31,32にクロックを3回与える(フリップフロップ33に与えても良い)と、SI端子からの3ビットのテストデータが、シリアルシフト動作によりフリップフロップ30,31,32に格納される。
When performing a scan test of the
このフリップフロップ30,31,32が出力する3ビットのテストデータがロジック部81に入力され、ロジック部81が所望の動作を行う。ロジック部81の出力は図示されていない他のスキャンパスやLSIの出力バッファに接続されており、従来の方法でテストされる。
The 3-bit test data output from the flip-
ロジック部80のスキャンテストを行う場合について説明する。ロジック部80の入力は図示されていない他のスキャンパスのフリップフロップ出力やLSIの入力バッファに接続されており、従来の方法でテストテストデータが与えられる。このテストデータによりロジック部80が所望の動作を行い、ロジック部80のテスト結果の出力はセレクタ10,11,12の“0”入力端に伝達される。シフトモード信号SM=0に設定してセレクタ10,11,12を“0”入力端に切り替え、フリップフロップ31,32,33にクロックを1回与える(フリップフロップ30に与えても良い)と、ロジック部80からのテスト結果の3ビットのデータがフリップフロップ31,32,33にそれぞれ格納される。このとき、フリップフロップ33に格納された1ビットのデータはSO端子に出力される。
A case where a scan test of the
次にシフトモード信号SM=1に設定してセレクタ10,11,12を“1”入力端に切り替え、フリップフロップ31,32,33にクロックを2回与える(フリップフロップ30に与えても良い)と、フリップフロップ31,32に格納された各1ビットのデータはSO端子にシフトアウトされて、合計3ビットのデータの内容が確認される。この場合、ロジック部81に対する次のテストデータをSI端子からフリップフロップ30,31に格納することもできる。なお、このロジック部80とロジック部81のスキャンテストは、入力するテストデータを変更して複数回繰り返される。
Next, the shift mode signal SM is set to 1, the
機能ブロック90のテストを行う場合には、シフトモード信号SM=1に設定してセレクタ10,11,12を“1”入力端に切り替え、テストモード信号TEST2=1に設定してセレクタ60,61,62を“1”入力端に切り替える。フリップフロップ30,31,32にクロックを3回与える(フリップフロップ33に与えても良い)と、シリアルシフト動作により、SI端子からの3ビットのテストデータがフリップフロップ30,31,32に格納される。
When the test of the
このフリップフロップ30,31,32に格納された3ビットのテストデータがセレクタ10,11,12により選択されて、機能ブロック90の入力端子DI0,DI1,DI2に入力される。機能ブロック90は所望の動作を行ない(必要であればクロックを与える)、テスト結果のデータを機能ブロック90の出力端子DO0,DO1,DO2に出力する。
The 3-bit test data stored in the flip-
次にテストモード信号TEST2=0に設定してセレクタ60,61,62を“0”入力端に切り替え、フリップフロップ30,31,32にクロックを1回与えると、機能ブロック90の出力端子DO0,DO1,DO2からのテスト結果のデータがフリップフロップ30,31,32に格納される。
Next, when the test mode signal TEST2 is set to 0, the
次にテストモード信号TEST2=1に設定してセレクタ60,61,62を“1”入力端に切り替え、フリップフロップ31,32,33にクロックを3回与える(フリップフロップ30に与えても良い)と、フリップフロップ30,31,32に格納された各1ビットのデータはSO端子にシフトアウトされて、合計3ビットのデータの内容が確認される。なお、この機能ブロック90のテストは、SI端子から入力するテストデータを変更して複数回繰り返される。
Next, the test mode signal TEST2 = 1 is set, the
以上のように、この実施の形態12によれば、テスト回路の規模を大きくせずに機能ブロック90単独でテストすることができると共に、通常動作時では回路規模の増加なしで、フリップフロップ30,31,32を通常動作時のRAM91の出力レジスタとして利用することができるという効果が得られる。
As described above, according to the twelfth embodiment, the
実施の形態13.
図13はこの発明の実施の形態13による半導体集積回路装置の構成を示す回路図である。実施の形態8の図8では、フリップフロップ30,31,32の入力をセレクタ10,11,12の出力に接続していたが、この実施の形態13では、図13に示すように、フリップフロップ30,31,32の入力をセレクタ60,61,62の出力に接続し、フリップフロップ30,31,32の出力をロジック部81に接続し、セレクタ12の出力からSO端子の間にフリップフロップ33が追加されている。これにより、通常動作時では回路規模の増加なしで、フリップフロップ30,31,32を通常動作時のRAM91の出力レジスタとして利用することができる。図13ではゲート回路110としてANDゲートを使用しているが、NANDゲート、ORゲート、NORゲートのいずれかを使用しても良い。
FIG. 13 is a circuit diagram showing a configuration of a semiconductor integrated circuit device according to
次に動作について説明する。
通常動作時は、シフトモード信号SM=0に設定してセレクタ10,11,12を“0”入力端に切り替え、テストモード信号TEST2=0に設定してセレクタ60,61,62を“0”入力端に切り替える。ロジック部80から出力されるデータが、セレクタ10,11,12により選択されて、直接、RAM91の入力端子DI0,DI1,DI2に入力される。
Next, the operation will be described.
During normal operation, the shift mode signal SM is set to 0 to switch the
RAM91の出力端子DO0,DO1,DO2からのデータは、セレクタ60,61,62により選択されてフリップフロップ30,31,32の入力に伝達され、フリップフロップ30,31,32の出力をロジック部81に接続しているので、通常動作時は、RAM91とフリップフロップ30,31,32はロジック部80,81の間に挿入された状態となり、フリップフロップ30,31,32にクロックを与えることで所定の演算やデータ処理が行われる。このとき、フリップフロップ30,31,32はRAM91の出力レジスタとして動作する。
Data from the output terminals DO0, DO1 and DO2 of the
また、ロジック部80,81のスキャンテスト時は、ループイネーブル信号LOOPEN=0に設定してセレクタ100を“0”入力端に切り替え、テストモード信号TEST2=1に設定してセレクタ60,61,62を“1”入力端に切り替える。この状態ではRAM91はバイパスされ、スキャンパスがロジック部80とロジック部81の間に挿入された状態になる。その状態でシフトモード信号SMを制御してロジック部80,81のスキャンテストを行う。
At the time of a scan test of the
ロジック部81のスキャンテストを行う場合には、シフトモード信号SM=1に設定してセレクタ10,11,12を“1”入力端に切り替え、フリップフロップ30,31,32にクロックを3回与える(フリップフロップ33に与えても良い)と、SI端子からの3ビットのテストデータが、シリアルシフト動作によりフリップフロップ30,31,32に格納される。このとき、直列シフト経路に挿入されたインバータ40,41,42に配慮して適切なテストデータを与える必要がある。
When performing a scan test of the
このフリップフロップ30,31,32が出力する3ビットのテストデータがロジック部81に入力され、ロジック部81が所望の動作を行う。ロジック部81の出力は図示されていない他のスキャンパスやLSIの出力バッファに接続されており、従来の方法でテストされる。
The 3-bit test data output from the flip-
ロジック部80のスキャンテストを行う場合について説明する。ロジック部80の入力は図示されていない他のスキャンパスのフリップフロップ出力やLSIの入力バッファに接続されており、従来の方法でテストテストデータが与えられる。このテストデータによりロジック部80が所望の動作を行い、ロジック部80のテスト結果の出力はセレクタ10,11,12の“0”入力端に伝達される。シフトモード信号SM=0に設定してセレクタ10,11,12を“0”入力端に切り替え、フリップフロップ31,32,33にクロックを1回与える(フリップフロップ30に与えても良い)と、ロジック部80からのテスト結果の3ビットのデータがフリップフロップ31,32,33にそれぞれ格納される。このとき、フリップフロップ33に格納された1ビットのデータはSO端子に出力される。
A case where a scan test of the
次にシフトモード信号SM=1に設定してセレクタ10,11,12を“1”入力端に切り替え、フリップフロップ31,32,33にクロックを2回与える(フリップフロップ30に与えても良い)と、フリップフロップ31,32に格納された各1ビットのデータはSO端子にシフトアウトされて、合計3ビットのデータの内容が確認される。この場合、ロジック部81に対する次のテストデータをSI端子からフリップフロップ30,31に格納することもできる。また、このとき、直列シフト経路に挿入されたインバータ40,41,42に配慮して適切なテストデータを与える必要がある。なお、このロジック部80とロジック部81のスキャンテストは、入力するテストデータを変更して複数回繰り返される。
Next, the shift mode signal SM is set to 1, the
RAM91のテストをする場合について説明する。
まず、RAM91に対して初期データの書き込みテストを行う場合について説明する。ループイネーブル信号LOOPEN=0に設定してセレクタ100を“0”入力端に切り替え、シフトモード信号SM=1に設定してセレクタ10,11,12を“1”入力端に切り替え、テストモード信号TEST2=1に設定して、セレクタ60,61,62を“1”入力端に切り替える。
A case of testing the
First, a case where a test for writing initial data to the
フリップフロップ30,31,32にクロックを3回与えると、シリアルシフト動作により、SI端子からの3ビットのテストデータがフリップフロップ30,31,32に格納される。ただし、フリップフロップ31には反転されたテストデータが格納されるので、SI端子から“101”をシフトインした場合には、フリップフロップ30,31,32の出力は“111”になる。フリップフロップ30,31,32の出力はインバータ40,41,42により反転され、セレクタ10,11,12により選択されて、データ“000”がRAM91の入力端子DI0,DI1,DI2に伝達される。
When a clock is applied to flip-
次にループイネーブル信号LOOPEN=1に設定してセレクタ100を“1”入力端に切り替えて、フリップフロップ30,31,32にクロックを与える毎に、インバータ40,41,42によりRAM91の入力端子DI0,DI1,DI2のデータは変化し、“000”の状態と“111”の状態を繰り返す。所望のテストデータ“000”又は“111”が設定されたときにRAM91に対して書き込みを行う。このテストデータのRAM91の書き込みは、アドレスを変更しながら複数回繰り返される。
Next, the loop enable signal LOOPEN = 1 is set, the
次にRAM91の特定のアドレスに対して読み出し及び書き込みテストを行う場合について説明する。ループイネーブル信号LOOPEN=1に設定してセレクタ100を“1”入力端に切り替え、シフトモード信号SM=1に設定してセレクタ10,11,12を“1”入力端に切り替え、テストモード信号TEST2=0に設定してセレクタ60,61,62を“0”入力端に切り替える。
Next, a case where a read and write test is performed on a specific address of the
RAM91の特定のアドレスに対して読み出しテストを行うと、テスト結果のデータがRAM91の出力端子DO0,DO1,DO2に出力され、それぞれセレクタ60,61,62を介してゲート回路110の入力に伝えられる。このとき、テスト結果のデータが“111”であれば、ゲート回路110から出力されるモニタ信号MONIは“1”になり、テスト結果のデータが“111”以外であれば、モニタ信号MONIは“0”になる。従って、モニタ信号MONIをチェックすれば、RAM91の出力端子DO0,DO1,DO2からのテスト結果のデータが“111”か否かを、SO端子からシフトアウトしなくても判定することができる。
When a read test is performed on a specific address of the
次にフリップフロップ30,31,32にクロックを1回与えると、フリップフロップ30,31,32がこのテスト結果のデータを格納する。次にテストモード信号TEST2=1に設定してセレクタ60,61,62を“1”入力端に切り替えると、フリップフロップ30,31,32に格納されているデータは、インバータ42,40,41により反転され、セレクタ12,10,11により選択されて、RAM91の入力端子DI2,DI0,DI1に伝達されると共に、セレクタ60,61,62の“1”入力端に伝達される。この場合、フリップフロップ32に格納されているデータは、セレクタ100の“1”入力端を経由する。
Next, when a clock is applied once to the flip-
このとき、RAM91のテスト結果のデータが“000”であれば、ゲート回路110から出力されるモニタ信号MONIは“1”になり、RAM91のテスト結果のデータが“000”以外であれば、モニタ信号MONIは“0”になる。従って、モニタ信号MONIをチェックすれば、RAM91の出力端子DO0,DO1,DO2からのテスト結果のデータが“000”か否かを、SO端子からシフトアウトしなくても判定することができる。
At this time, if the test result data of the
次にこのテスト結果の反転データ(故障がない場合、“000”又は“111”)をRAM91に書き込む。なお、このRAM91の読み出し及び書き込みテストはアドレスを変更して複数回繰り返される。
Next, the inverted data of the test result (“000” or “111” when no failure occurs) is written to the
以上のように、この実施の形態13によれば、テスト回路の規模を大きくせずにRAM91単独でテストすることができ、RAM91に書き込むテストデータを、オール0(“000”)やオール1(“111”)に1クロックサイクルで切り替えることができ、RAM91のテストを効率的に行うことができるという効果が得られる。
As described above, according to the thirteenth embodiment, the test can be performed by the
また、この実施の形態13によれば、ループイネーブル信号LOOPEN=0に設定し、SI端子からフリップフロップ30,31,32に“111”又は“000”になるようなテストデータをシフトインし、その後、ループイネーブル信号LOOPEN=1に切り替えておけば、フリップフロップ30,31,32にクロックを与える毎に、RAM91の入力端子DI0〜DI2は“111”と“000”の状態を交互に繰り返すので、SI端子から新たにテストデータを与える必要はなく、RAM91のテストを容易にすることができるという効果が得られる。
Further, according to the thirteenth embodiment, the loop enable signal LOOPEN = 0 is set, and test data such as “111” or “000” is shifted in from the SI terminal to the flip-
さらに、この実施の形態13によれば、RAM91の出力端子DO0,DO1,DO2からのテスト結果のデータが“111”であるかのテストと、“000”であるかのテストを、SO端子からシフトアウトしなくてもモニタ信号MONIのチェックだけで行えるので、RAM91のテストを容易にすることができるという効果が得られる。
Further, according to the thirteenth embodiment, the test whether the data of the test result from the output terminals DO0, DO1, DO2 of the
さらに、この実施の形態13によれば、通常動作時では回路規模の増加なしで、フリップフロップ30,31,32を通常動作時のRAM91の出力レジスタとして利用することができるという効果が得られる。
Further, according to the thirteenth embodiment, an effect is obtained that the flip-
実施の形態14.
図14はこの発明の実施の形態14による半導体集積回路装置の構成を示す回路図である。この実施の形態14では、図14に示すように、実施の形態13の図13におけるゲート回路110を、セレクタ60,61,62の出力側よりインバータ40,41,42の出力側にゲート回路114として移動している。このゲート回路114はインバータ40,41,42の出力のデータが同一値であることを検出するもので、これに配慮してRAM91のテストを行えば良い。図14ではゲート回路114としてANDゲートを使用しているが、NANDゲート、ORゲート、NORゲートのいずれかを使用しても良い。また、図14では、図13と同様に、フリップフロップ30,31,32を通常動作時のRAM91の出力レジスタとして利用することができる。
Embodiment 14 FIG.
FIG. 14 is a circuit diagram showing a configuration of a semiconductor integrated circuit device according to Embodiment 14 of the present invention. In the fourteenth embodiment, as shown in FIG. 14, the
次に動作について説明する。
通常動作時及びロジック部80,81のスキャンテスト時の動作は実施の形態13と同じである。また、RAM91のテストでRAM91に対して初期データの書き込みテストを行う場合の動作も実施の形態13と同じである。
Next, the operation will be described.
The operations during the normal operation and during the scan test of the
次にRAM91の特定のアドレスに対して読み出し及び書き込みテストを行う場合について説明する。ループイネーブル信号LOOPEN=1に設定してセレクタ100を“1”入力端に切り替え、シフトモード信号SM=1に設定してセレクタ10,11,12を“1”入力端に切り替え、テストモード信号TEST2=0に設定してセレクタ60,61,62を“0”入力端に切り替える。
Next, a case where a read and write test is performed on a specific address of the
RAM91の特定のアドレスに対して読み出しテストを行うと、テスト結果のデータがRAM91の出力端子DO0,DO1,DO2に出力され、それぞれセレクタ60,61,62を介してフリップフロップ30,31,32の入力に伝えられる。フリップフロップ30,31,32にクロックを1回与えると、フリップフロップ30,31,32がこのテスト結果のデータを格納する。フリップフロップ30,31,32に格納されたテスト結果のデータは、インバータ40,41,42により反転され、ゲート回路114の入力に伝えられる。
When a read test is performed for a specific address of the
このとき、テスト結果のデータが“000”であれば、ゲート回路114から出力されるモニタ信号MONIは“1”になり、テスト結果のデータが“000”以外であれば、モニタ信号MONIは“0”になる。従って、モニタ信号MONIをチェックすれば、RAM91の出力端子DO0,DO1,DO2からのテスト結果のデータが“000”か否かを、SO端子からシフトアウトしなくても判定することができる。
At this time, if the test result data is “000”, the monitor signal MONI output from the gate circuit 114 becomes “1”. If the test result data is other than “000”, the monitor signal MONI becomes “1”. 0 ". Therefore, if the monitor signal MONI is checked, it can be determined whether or not the test result data from the output terminals DO0, DO1, DO2 of the
次にテストモード信号TEST2=1に設定してセレクタ60,61,62を“1”入力端に切り替えて、RAM91にテスト結果の反転データを書き込むと共に、フリップフロップ30,31,32にクロックを1回与えると、フリップフロップ30,31,32に格納されているデータは、インバータ42,40,41により反転され、セレクタ12,10,11により選択されて、セレクタ60,61,62の“1”入力端を経由し、フリップフロップ30,31,32に取り込まれて出力される。この場合、フリップフロップ32に格納されているデータは、セレクタ100の“1”入力端を経由する。
Next, the test mode signal TEST2 = 1 is set, the
フリップフロップ30,31,32の出力データがインバータ40,41,42により反転されてゲート回路114の入力に伝達されるので、フリップフロップ30,31,32の出力が“000”(テスト結果のデータが“111”)の場合には、ゲート回路114から出力されるモニタ信号MONIは“1”になり、RAM91のテスト結果のデータが“111”以外であれば、モニタ信号MONIは“0”になる。従って、モニタ信号MONIをチェックすれば、RAM91の出力端子DO0,DO1,DO2からのテスト結果のデータが“111”か否かを、SO端子からシフトアウトしなくても判定することができる。なお、このRAM91の読み出し及び書き込みテストはアドレスを変更して複数回繰り返される。
Since the output data of the flip-
以上のように、この実施の形態14によれば、テスト回路の規模を大きくせずにRAM91単独でテストすることができ、RAM91に書き込むテストデータを、オール0(“000”)やオール1(“111”)に1クロックサイクルで切り替えることができ、RAM91のテストを効率的に行うことができるという効果が得られる。
As described above, according to the fourteenth embodiment, the test can be performed by the
また、この実施の形態14によれば、ループイネーブル信号LOOPEN=0に設定し、SI端子からフリップフロップ30,31,32に“111”又は“000”になるようなテストデータをシフトインし、その後、ループイネーブル信号LOOPEN=1に切り替えておけば、フリップフロップ30,31,32にクロックを与える毎に、RAM91の入力端子DI0〜DI2は“111”と“000”の状態を交互に繰り返すので、SI端子から新たにテストデータを与える必要はなく、RAM91のテストを容易にすることができるという効果が得られる。
Further, according to the fourteenth embodiment, the loop enable signal LOOPEN = 0 is set, and test data such as "111" or "000" is shifted in from the SI terminal to the flip-
さらに、この実施の形態14によれば、RAM91の出力端子DO0,DO1,DO2からのテスト結果のデータが“111”であるかのテストと、“000”であるかのテストを、SO端子からシフトアウトしなくてもモニタ信号MONIのチェックだけで行えるので、RAM91のテストを容易にすることができるという効果が得られる。
Further, according to the fourteenth embodiment, a test as to whether the test result data from the output terminals DO0, DO1, DO2 of the
さらに、この実施の形態14によれば、通常動作時では回路規模の増加なしで、フリップフロップ30,31,32を通常動作時のRAM91の出力レジスタとして利用することができるという効果が得られる。
Further, according to the fourteenth embodiment, the effect is obtained that the flip-
実施の形態15.
図15はこの発明の実施の形態15による半導体集積回路装置の構成を示す回路図である。この実施の形態15では、図15に示すように、実施の形態13の図13におけるゲート回路110を、セレクタ60,61,62の出力側よりセレクタ10,11,12の出力側にゲート回路115として移動している。このゲート回路115はセレクタ10,11,12の出力のデータが同一値であることを検出するもので、これに配慮してRAM91のテストを行えば良い。図15ではゲート回路115としてANDゲートを使用しているが、NANDゲート、ORゲート、NORゲートのいずれかを使用しても良い。また、図15では、図13と同様に、フリップフロップ30,31,32を通常動作時のRAM91の出力レジスタとして利用することができる。
Embodiment 15 FIG.
FIG. 15 is a circuit diagram showing a configuration of a semiconductor integrated circuit device according to Embodiment 15 of the present invention. In the fifteenth embodiment, as shown in FIG. 15, the
次に動作について説明する。
通常動作時及びロジック部80,81のスキャンテスト時の動作は実施の形態13と同じである。また、RAM91のテストでRAM91に対して初期データの書き込みテストを行う場合の動作も実施の形態13と同じである。
Next, the operation will be described.
The operations during the normal operation and during the scan test of the
次にRAM91の特定のアドレスに対して読み出し及び書き込みテストを行う場合について説明する。ループイネーブル信号LOOPEN=1に設定してセレクタ100を“1”入力端に切り替え、シフトモード信号SM=1に設定してセレクタ10,11,12を“1”入力端に切り替え、テストモード信号TEST2=0に設定してセレクタ60,61,62を“0”入力端に切り替える。
Next, a case where a read and write test is performed on a specific address of the
RAM91の特定のアドレスに対して読み出しテストを行うと、テスト結果のデータがRAM91の出力端子DO0,DO1,DO2に出力され、それぞれセレクタ60,61,62を介してフリップフロップ30,31,32の入力に伝えられる。フリップフロップ30,31,32にクロックを1回与えると、フリップフロップ30,31,32がこのテスト結果のデータを格納する。フリップフロップ30,31,32に格納されたテスト結果のデータは、インバータ40,41,42により反転され、セレクタ10,11,12を介してゲート回路115の入力に伝えられる。
When a read test is performed for a specific address of the
このとき、テスト結果のデータが“000”であれば、ゲート回路115から出力されるモニタ信号MONIは“1”になり、テスト結果のデータが“000”以外であれば、モニタ信号MONIは“0”になる。従って、モニタ信号MONIをチェックすれば、RAM91の出力端子DO0,DO1,DO2からのテスト結果のデータが“000”か否かを、SO端子からシフトアウトしなくても判定することができる。
At this time, if the test result data is “000”, the monitor signal MONI output from the gate circuit 115 becomes “1”, and if the test result data is other than “000”, the monitor signal MONI becomes “1”. 0 ". Therefore, if the monitor signal MONI is checked, it can be determined whether or not the test result data from the output terminals DO0, DO1, DO2 of the
次にテストモード信号TEST2=1に設定してセレクタ60,61,62を“1”入力端に切り替えて、RAM91にテスト結果の反転データを書き込むと共に、フリップフロップ30,31,32にクロックを1回与えると、フリップフロップ30,31,32に格納されているデータは、インバータ42,40,41により反転され、セレクタ12,10,11により選択されて、セレクタ60,61,62の“1”入力端を経由し、フリップフロップ30,31,32に取り込まれて出力される。この場合、フリップフロップ32に格納されているデータは、セレクタ100の“1”入力端を経由する。
Next, the test mode signal TEST2 = 1 is set, the
フリップフロップ30,31,32の出力データがインバータ40,41,42により反転されてセレクタ10,11,12を介してゲート回路115の入力に伝達されるので、フリップフロップ30,31,32の出力が“000”(テスト結果のデータが“111”)の場合には、ゲート回路115から出力されるモニタ信号MONIは“1”になり、RAM91のテスト結果のデータが“111”以外であれば、モニタ信号MONIは“0”になる。従って、モニタ信号MONIをチェックすれば、RAM91の出力端子DO0,DO1,DO2からのテスト結果のデータが“111”か否かを、SO端子からシフトアウトしなくても判定することができる。なお、このRAM91の読み出し及び書き込みテストはアドレスを変更して複数回繰り返される。
The output data of the flip-
以上のように、この実施の形態15によれば、テスト回路の規模を大きくせずにRAM91単独でテストすることができ、RAM91に書き込むテストデータを、オール0(“000”)やオール1(“111”)に1クロックサイクルで切り替えることができ、RAM91のテストを効率的に行うことができるという効果が得られる。
As described above, according to the fifteenth embodiment, the test can be performed by the
また、この実施の形態15によれば、ループイネーブル信号LOOPEN=0に設定し、SI端子からフリップフロップ30,31,32に“111”又は“000”になるようなテストデータをシフトインし、その後、ループイネーブル信号LOOPEN=1に切り替えておけば、フリップフロップ30,31,32にクロックを与える毎に、RAM91の入力端子DI0〜DI2は“111”と“000”の状態を交互に繰り返すので、SI端子から新たにテストデータを与える必要はなく、RAM91のテストを容易にすることができるという効果が得られる。
Further, according to the fifteenth embodiment, the loop enable signal LOOPEN = 0 is set, and test data such as "111" or "000" is shifted in from the SI terminal to the flip-
さらに、この実施の形態15によれば、RAM91の出力端子DO0,DO1,DO2からのテスト結果のデータが“111”であるかのテストと、“000”であるかのテストを、SO端子からシフトアウトしなくてもモニタ信号MONIのチェックだけで行えるので、RAM91のテストを容易にすることができるという効果が得られる。
Further, according to the fifteenth embodiment, a test as to whether the test result data from the output terminals DO0, DO1, DO2 of the
さらに、この実施の形態15によれば、通常動作時では回路規模の増加なしで、フリップフロップ30,31,32を通常動作時のRAM91の出力レジスタとして利用することができるという効果が得られる。
Further, according to the fifteenth embodiment, an effect is obtained that the flip-
実施の形態16.
図16はこの発明の実施の形態16による半導体集積回路装置の構成を示す回路図である。この実施の形態16では、図16に示すように、実施の形態13の図13におけるゲート回路110を、セレクタ60,61,62の出力側よりフリップフロップ30,31,32の出力側にゲート回路116として移動している。このゲート回路116はフリップフロップ30,31,32の出力のデータが同一値であることを検出するもので、これに配慮してRAM91のテストを行えば良い。図16ではゲート回路116としてANDゲートを使用しているが、NANDゲート、ORゲート、NORゲートのいずれかを使用しても良い。また、図16では、図13と同様に、フリップフロップ30,31,32を通常動作時のRAM91の出力レジスタとして利用することができる。
Embodiment 16 FIG.
FIG. 16 is a circuit diagram showing a configuration of a semiconductor integrated circuit device according to Embodiment 16 of the present invention. In the sixteenth embodiment, as shown in FIG. 16, the
次に動作について説明する。
通常動作時及びロジック部80,81のスキャンテスト時の動作は実施の形態13と同じである。また、RAM91のテストでRAM91に対して初期データの書き込みテストを行う場合の動作も実施の形態13と同じである。
Next, the operation will be described.
The operations during the normal operation and during the scan test of the
次にRAM91の特定のアドレスに対して読み出し及び書き込みテストを行う場合について説明する。ループイネーブル信号LOOPEN=1に設定してセレクタ100を“1”入力端に切り替え、シフトモード信号SM=1に設定してセレクタ10,11,12を“1”入力端に切り替え、テストモード信号TEST2=0に設定してセレクタ60,61,62を“0”入力端に切り替える。
Next, a case where a read and write test is performed on a specific address of the
RAM91の特定のアドレスに対して読み出しテストを行うと、テスト結果のデータがRAM91の出力端子DO0,DO1,DO2に出力され、それぞれセレクタ60,61,62を介してフリップフロップ30,31,32の入力に伝えられる。フリップフロップ30,31,32にクロックを1回与えると、フリップフロップ30,31,32がこのテスト結果のデータを格納する。フリップフロップ30,31,32に格納されたテスト結果のデータはゲート回路116の入力に伝えられる。
When a read test is performed for a specific address of the
このとき、テスト結果のデータが“111”であれば、ゲート回路116から出力されるモニタ信号MONIは“1”になり、テスト結果のデータが“111”以外であれば、モニタ信号MONIは“0”になる。従って、モニタ信号MONIをチェックすれば、RAM91の出力端子DO0,DO1,DO2からのテスト結果のデータが“111”か否かを、SO端子からシフトアウトしなくても判定することができる。
At this time, if the test result data is "111", the monitor signal MONI output from the
次にテストモード信号TEST2=1に設定してセレクタ60,61,62を“1”入力端に切り替えて、RAM91にテスト結果の反転データを書き込むと共に、フリップフロップ30,31,32にクロックを1回与えると、フリップフロップ30,31,32に格納されているデータは、インバータ42,40,41により反転され、セレクタ12,10,11により選択されて、セレクタ60,61,62の“1”入力端を経由し、フリップフロップ30,31,32に取り込まれて出力される。この場合、フリップフロップ32に格納されているデータは、セレクタ100の“1”入力端を経由する。
Next, the test mode signal TEST2 = 1 is set, the
フリップフロップ30,31,32の出力データがゲート回路116の入力に伝達されるので、フリップフロップ30,31,32の出力が“111”(テスト結果のデータが“000”)の場合には、ゲート回路116から出力されるモニタ信号MONIは“1”になり、RAM91のテスト結果のデータが“000”以外であれば、モニタ信号MONIは“0”になる。従って、モニタ信号MONIをチェックすれば、RAM91の出力端子DO0,DO1,DO2からのテスト結果のデータが“000”か否かを、SO端子からシフトアウトしなくても判定することができる。なお、このRAM91の読み出し及び書き込みテストはアドレスを変更して複数回繰り返される。
Since the output data of the flip-
以上のように、この実施の形態16によれば、テスト回路の規模を大きくせずにRAM91単独でテストすることができ、RAM91に書き込むテストデータを、オール0(“000”)やオール1(“111”)に1クロックサイクルで切り替えることができ、RAM91のテストを効率的に行うことができるという効果が得られる。
As described above, according to the sixteenth embodiment, the test can be performed by the
また、この実施の形態16によれば、ループイネーブル信号LOOPEN=0に設定し、SI端子からフリップフロップ30,31,32に“111”又は“000”になるようなテストデータをシフトインし、その後、ループイネーブル信号LOOPEN=1に切り替えておけば、フリップフロップ30,31,32にクロックを与える毎に、RAM91の入力端子DI0〜DI2は“111”と“000”の状態を交互に繰り返すので、SI端子から新たにテストデータを与える必要はなく、RAM91のテストを容易にすることができるという効果が得られる。
Further, according to the sixteenth embodiment, the loop enable signal LOOPEN = 0 is set, and test data such as "111" or "000" is shifted in from the SI terminal into the flip-
さらに、この実施の形態16によれば、RAM91の出力端子DO0,DO1,DO2からのテスト結果のデータが“111”であるかのテストと、“000”であるかのテストを、SO端子からシフトアウトしなくてもモニタ信号MONIのチェックだけで行えるので、RAM91のテストを容易にすることができるという効果が得られる。
Further, according to the sixteenth embodiment, a test as to whether the test result data from the output terminals DO0, DO1, DO2 of the
さらに、この実施の形態16によれば、通常動作時では回路規模の増加なしで、フリップフロップ30,31,32を通常動作時のRAM91の出力レジスタとして利用することができるという効果が得られる。
Further, according to the sixteenth embodiment, an effect is obtained that the flip-
実施の形態17.
図17はこの発明の実施の形態17による半導体集積回路装置の構成を示す回路図である。この実施の形態17では、図17に示すように、実施の形態8の図8におけるセレクタ10,11,12及びセレクタ60,61,62を、AND−OR複合ゲート型セレクタ10a,11a,12a及びAND−OR複合ゲート型セレクタ60a,61a,62aに変更し、AND−OR複合ゲート型セレクタ10a,11a,12aはシフトモード信号SMA,SMBにより制御され、複合ゲート型セレクタ60a,61a,62aはテストモード信号TEST2A,2Bにより制御される。
Embodiment 17 FIG.
FIG. 17 is a circuit diagram showing a configuration of a semiconductor integrated circuit device according to Embodiment 17 of the present invention. In the seventeenth embodiment, as shown in FIG. 17, the
次に動作について説明する。
通常動作時の動作は実施の形態8と基本的に同じである。ただし、図17では、シフトモード信号SMA=0、シフトモード信号SMB=1に設定して、AND−OR複合ゲート型セレクタ10a,11a,12aはロジック80の出力を選択し、テストモード信号TEST2A=0、テストモード信号TEST2B=1に設定して、複合ゲート型セレクタ60a,61a,62aはRAM91の出力を選択してすることにより、RAM91がロジック部80とロジック部81の間に挿入された状態となる。また、通常動作時は、フリップフロップ30,31,32にクロックを与えなくても良い。
Next, the operation will be described.
The operation at the time of the normal operation is basically the same as that of the eighth embodiment. However, in FIG. 17, the shift mode signal SMA = 0 and the shift mode signal SMB = 1 are set, and the AND-OR composite
ロジック部80,81のスキャンテスト時の動作も実施の形態8と基本的に同じである。ただし、図17では、ループイネーブル信号LOOPEN=0に設定してセレクタ100を“0”入力端に切り替え、テストモード信号TEST2A=1、テストモード信号TEST2B=0に設定して、複合ゲート型セレクタ60a,61a,62aはスキャンパスを選択することにより、RAM91はバイパスされ、スキャンパスがロジック部80とロジック部81の間に挿入された状態となる。その状態でシフトモード信号SMA、SMBを制御してロジック部80,81のスキャンテストを行う。
The operation of the
ロジック部81のスキャンテストを行う場合には、シフトモード信号SMA=1、シフトモード信号SMB=0に設定して、フリップフロップ30,31,32にクロックを2回与えると、SI端子からの2ビットのテストデータが、シリアルシフト動作によりフリップフロップ30,31に格納される。
When a scan test of the
テストモード信号TEST2A=1に設定されているので、SI端子の次の1ビットのテストデータは複合ゲート型セレクタ60aにより選択されてロジック部81に入力され、フリップフロップ30,31に格納された各1ビットのテストデータは、それぞれ複合ゲート型セレクタ61a,62aにより選択されてロジック部81に入力され、合計3ビットのテストデータによりロジック部81のスキャンテストが行われる。
Since the test mode signal TEST2A is set to 1, the next 1-bit test data of the SI terminal is selected by the composite
ロジック部80のスキャンテストを行う場合には、シフトモード信号SMA=0、シフトモード信号SMB=1に設定して、フリップフロップ30,31,32にクロックを1回与えると、テストデータを入力したロジック部80からのテスト結果の3ビットのデータが、フリップフロップ30,31,32にそれぞれ格納される。このとき、フリップフロップ32に格納された1ビットのデータはSO端子に出力される。
When performing a scan test of the
次にシフトモード信号SMA=1、シフトモード信号SMB=0に設定して、フリップフロップ30,31,32にクロックを2回与えると、フリップフロップ30,31に格納された各1ビットのデータはSO端子にシフトアウトされて、合計3ビットのデータの内容が確認される。この場合、ロジック部81に対する次のテストデータをSI端子からフリップフロップ30,31に格納することもできる。なお、このロジック部80とロジック部81のスキャンテストは、入力するテストデータを変更して複数回繰り返される。
Next, when the shift mode signal SMA = 1 and the shift mode signal SMB = 0 are set and the clock is applied to the flip-
RAM91のテスト時は、シフトモード信号SMA=0、SMB=0の状態及びテストモード信号TEST2A=0、TEST2B=0の状態を活用することにより、RAM91の書き込みデータを容易に制御できる。具体的には、シフトモード信号SMA=0、SMB=0に設定することにより、RAM91の入力端子DI0,DI1,DI2への入力データを“000”の状態に設定できる。また、シフトモード信号SMA=1、テストモード信号TEST2A=0、TEST2B=0に設定することにより、RAM91の入力端子DI0,DI1,DI2への入力データを“111”の状態に設定できる。つまり、この実施の形態17では、スキャンパスの直列シフト動作による書き込みデータの設定は不要になる。
At the time of testing the
RAM91のテストでRAM91に対して初期データの書き込みテストを行う場合の動作について説明する。シフトモード信号SMA=0、SMB=0に設定することにより、RAM91の入力端子DI0,DI1,DI2への初期データを“000”の状態に設定し、初期データ“000”の書き込みを行う。また、シフトモード信号SMA=1、テストモード信号TEST2A=0、TEST2B=0に設定することにより、RAM91の入力端子DI0,DI1,DI2への初期データを“111”の状態に設定し、初期データ“111”の書き込みを行う。なお、この初期データの書き込みは動作はアドレスを変えながら複数回行う。
An operation in the case of performing a test of writing initial data to the
次にRAM91の特定のアドレスに対して読み出し及び書き込みテストを行う場合について説明する。ループイネーブル信号LOOPEN=1、シフトモード信号SMA=1,SMB=0、テストモード信号TEST2A=0、テストモード信号TEST2B=1に設定する。
Next, a case where a read and write test is performed on a specific address of the
RAM91の特定のアドレスに対して読み出しテストを行うと、テスト結果のデータがRAM91の出力端子DO0,DO1,DO2に出力され、それぞれ複合ゲート型セレクタ60a,61a,62aを介してゲート回路110の入力に伝えられる。このとき、テスト結果のデータが“111”であれば、ゲート回路110から出力されるモニタ信号MONIは“1”になり、テスト結果のデータが“111”以外であれば、モニタ信号MONIは“0”になる。従って、モニタ信号MONIをチェックすれば、RAM91の出力端子DO0,DO1,DO2からのテスト結果のデータが“111”か否かを、SO端子からシフトアウトしなくても判定することができる。
When a read test is performed for a specific address of the
また、RAM91の出力端子DO0,DO1,DO2からのテスト結果のデータは、インバータ40,41,42により反転され、AND−OR複合ゲート型セレクタ10a,11a,12aを介してRAM91の入力端子DI0,DI1,DI2に与えられる。次にこのテスト結果の反転データをRAM91に書き込むと共に、フリップフロップ30,31,32にクロック1回を与えると、フリップフロップ30,31,32がこのテスト結果の反転データを格納する。次にテストモード信号TEST2A=1、テストモード信号TEST2B=0に設定し、フリップフロップ30,31,32に格納されているテスト結果の反転データが、それぞれ複合ゲート型セレクタ60a,61a,62aを介してゲート回路110の入力に伝えられる。この場合、フリップフロップ32に格納されているデータは、セレクタ100の“1”入力端を経由する。
The test result data from the output terminals DO0, DO1 and DO2 of the
テスト結果のデータが“000”であれば、ゲート回路110の入力は“111”となり、ゲート回路110から出力されるモニタ信号MONIは“1”になり、テスト結果のデータが“000”以外であれば、モニタ信号MONIは“0”になる。従って、モニタ信号MONIをチェックすることにより、RAM91の出力端子DO0,DO1,DO2から出力されるテスト結果のデータが“000”か否かを、SO端子からシフトアウトしなくても判定することができる。なお、このRAM91の読み出し及び書き込みテストはアドレスを変更して複数回繰り返される。
If the data of the test result is “000”, the input of the
以上のように、この実施の形態17によれば、テスト回路の規模を大きくせずにRAM91単独でテストすることができ、RAM91のテスト時に、シフトモード信号SMA=0、SMB=0の状態及びテストモード信号TEST2A=0、TEST2B=0の状態を活用することにより、スキャンパスの直列シフト動作による書き込みデータの設定は不要になり、RAM91の書き込みデータを容易に制御できると共に、通常動作時は、フリップフロップ30,31,32にはクロックを与えなくても済むという効果が得られる。
As described above, according to the seventeenth embodiment, the
また、この実施の形態17によれば、RAM91の出力端子DO0,DO1,DO2からのテスト結果のデータが“111”であるかのテストと、“000”であるかのテストを、SO端子からシフトアウトしなくてもモニタ信号MONIのチェックだけで行えるので、RAM91のテストを容易にすることができるという効果が得られる。
According to the seventeenth embodiment, a test as to whether the test result data from the output terminals DO0, DO1, and DO2 of the
実施の形態18.
図18はこの発明の実施の形態18による半導体集積回路装置の構成を示す回路図である。この実施の形態18では、図18に示すように、実施の形態17の図17におけるAND−OR複合ゲート型セレクタ60a,61a,62aを、AND−NOR複合ゲート型セレクタ60b,61b,62bに変更し、図17におけるスキャンパスに挿入されているインバータ40,41,42を削除し、AND−NOR複合ゲート型セレクタ60b,61b,62cの出力からロジック部81への経路にインバータ40a,41a,42aを追加している。
FIG. 18 is a circuit diagram showing a configuration of a semiconductor integrated circuit device according to
次に動作について説明する。
AND−NOR複合ゲート型セレクタ60b,61b,62bはインバータの機能を含んでいるので、図17でスキャンパスに挿入されているインバータ40,41,42は不要になる。また、RAM91の出力端子DO0,DO1,DO2からのテスト結果のデータが反転してロジック部81に伝わらないように、AND−NOR複合ゲート型セレクタ60b,61b,62bの出力を、インバータ40a,41a,42aを介してからロジック部81に伝えている。なお、RAM91の出力端子DO0,DO1,DO2からのテスト結果のデータが反転してロジック部81に伝えても良い場合には、インバータ40a,41a,42aを削除する。その他の動作については、実施の形態17と同じである。
Next, the operation will be described.
Since the AND-NOR composite
以上のように、この実施の形態18によれば実施の形態17と同様の効果が得られる。 As described above, according to the eighteenth embodiment, the same effects as in the seventeenth embodiment can be obtained.
実施の形態19.
図19はこの発明の実施の形態19による半導体集積回路装置の構成を示す回路図である。実施の形態8の図8では3ビットのRAM91を対象としているが、この実施の形態19では、図19に示すように4ビットのRAM91aを対象としている。すなわち、RAM91aの入力端子をDI0,DI1,DI2,DI3、出力端子をDO0,DO1,DO2,DO3とし、セレクタ13、セレクタ63、フリップフロップ33、インバータ43を追加し、ロジック部80の出力端子とロジック部80の入力端子を4ビットにし、実施の形態8の図8におけるゲート回路110を、3つのゲート回路110a,110b,110cで構成している。ゲート回路110aの入力をセレクタ60,62の出力に接続し、ゲート回路110bの入力をセレクタ61,63の出力に接続し、ゲート回路110cの入力をゲート回路110a,110bの出力に接続し、ゲート回路110cの出力は図8におけるゲート回路110の出力に相当する。
FIG. 19 is a circuit diagram showing a configuration of a semiconductor integrated circuit device according to
次に動作について説明する。
例えば、RAM91aのテスト時に、テストモード信号TEST2=0の状態で、ゲート回路110aの出力MONIAをモニタすることにより、RAM91aの偶数ビット目の出力DO0,DO2に関しての故障の有無がテストできる。同様に、ゲート回路110bの出力MONIBをモニタすることにより、RAM91aの奇数ビット目の出力DO1,DO3に関しての故障の有無がテストできる。つまり、実施の形態19では、実施の形態8に比べて、RAM91aの故障位置が偶数ビットなのか奇数ビットなのかを判定できる機能が追加されているので、RAM91aのより詳細な故障診断が行なえる。その他の動作は実施の形態8と同様である。
Next, the operation will be described.
For example, by monitoring the output MONIA of the
以上のように、この実施の形態19によれば、実施の形態8の効果に他に、RAM91aのより詳細な故障診断が行えるという効果が得られる。
As described above, according to the nineteenth embodiment, in addition to the effect of the eighth embodiment, an effect is obtained that a more detailed failure diagnosis of the
実施の形態20.
図20はこの発明の実施の形態20による半導体集積回路装置の構成を示す回路図である。この実施の形態20では、図20に示すように、実施の形態8の図8に対して、フェイルフラグ生成回路(FAIL FLAG GENERATOR)120とOR回路130を追加し、RAM91の故障診断を容易にするものである。フェイルフラグ生成回路120は、インバータ121、AND回路122、OR回路123、AND回路124、フリップフロップ125により構成されている。
FIG. 20 is a circuit diagram showing a configuration of a semiconductor integrated circuit device according to
図20に示すフェイルフラグ生成回路120において、コンペアイネーブル信号CMPENは、基本的にはRAMテスト時にモニタ信号MONI=1となることが期待されている場合に、コンペアイネーブル信号CMPEN=1に設定され、モニタ信号MONIが不確定の場合や、モニタ信号MONI=0が期待されている場合は、コンペアイネーブル信号CMPEN=0に設定されて、モニタ信号MONIの比較動作はマスク状態となる。フェイルモニタ信号FAILMONIは故障の有無をリアルタイムに判定するために、例えばLSI内部に搭載されているセルフテスト制御回路に出力される。すなわち、コンベアイネーブル信号CMPEN=1に設定されている状態で、期待に反して故障が存在する場合にはモニタ信号MONI=0となり、フェイルモニタ信号FAILMONI=1が出力される。
In the fail
リセット信号RESETL=0に設定し、フリップフロップ125にクロックを与えるとフリップフロップ125は“0”にリセットされる。フェイルフラグ信号FAILFLAGは、RAMのテスト結果を判定するために、例えばLSI内部に搭載されているセルフテスト制御回路に出力され、故障がなければフェイルモニタ信号FAILMONI=0、故障があればフェイルモニタ信号FAILMONI=1になる。一度、フェイルフラグ信号FAILFLAG=1になると、その状態が保持されるように、フェイルフラグ生成回路120内にOR回路123が設けられている。
When the reset signal RESETL = 0 is set and a clock is applied to the flip-flop 125, the flip-flop 125 is reset to “0”. The fail flag signal FAILFLAG is output to, for example, a self-test control circuit mounted inside the LSI in order to determine the test result of the RAM. If there is no failure, a fail monitor signal FAILMONI = 0, and if there is a failure, the fail monitor signal FAILMONI = 0 FAILMONI = 1. Once the fail flag signal FAILFLAG = 1, an OR
OR回路130は、外部からのテストモード信号TEST2A又はフェイルフラグ信号FAILFLAGにより、セレクタ60,61,62に対するテストモード信号TEST2を出力する。
The OR
次に動作について説明する。
RAM91の故障診断時には、リセット信号RSETL=0の状態で、フェイルフラグ生成回路120内のフリップフロップ125にクロックを与えて、フェイルフラグ信号FAILFLAG=0に設定する。次にリセット信号RSETL=1に設定して実施の形態8の図8で説明したようなRAM91のテストを実行する。
Next, the operation will be described.
At the time of failure diagnosis of the
故障が存在してゲート回路110からのモニタ信号MONI=0となると、AND回路124の出力は“1”となり、フリップフロップ125にクロックを与えると、フェイルフラグ信号FAILFLAG=1となって出力されると共に、テストモード信号TEST2=1と設定され、セレクタ60,61,62を“1”入力端に切り替える。このとき、フリップフロップ30,31,32にもクロックを与えて故障データを格納する。ここで次以降のRAMテストをキャンセルし、フェイルフラグ信号FAILFLAG=1になった原因を究明するための故障解析動作が、例えばLSI内部に搭載されているセルフテスト制御回路で行われる。
When the monitor signal MONI = 0 from the
RAM91のテストのテスト時には、シフトモード信号SM=1になっているので、ループイネーブル信号LOOPEN=1、テストモード信号TEST2=1、シフトモード信号SM=1に設定されている状態で、フリップフロップ30,31,32にもクロックを与えても、この故障データは、スキャンパスの直列シフト経路の3つのフリップフロップ30,31,32のループ接続された循環シフトレジスタ内に保持されているので、与えた正確なクロック数を把握しておけば、SO端子から故障データを含むデータをシフトアウトして、どのデータビットの故障であったかを分析できる。
At the time of the test of the
例えば、RAM91の0番地、1番地、2番地、3番地・・・の順でテストを行う場合について説明する。1番地で最初の故障が検出された以降はフェイルフラグ信号FAILFLAG=1となり故障解析動作に移る。3つのフリップフロップ30,31,32のループ接続された循環シフトレジスタ内に保持されている故障データを含むデータはSO端子からシフトアウトされる。
For example, a case where the test is performed in the order of
2個目の故障を検出するテストを行う場合には、フェイルフラグ信号FAILFLAGをリセットする動作から開始する。ただし、0番地、1番地のテスト時はコンペアイネーブル信号CMPEN=0にして比較動作はマスク状態とする。コンペアイネーブル信号CMPEN=0にする制御は、例えばセルフテスト制御回路に蓄えられた最初の故障のアドレスにより行われる。0番地、1番地のテスト時はコンペアイネーブル信号CMPEN=0に設定されるので、モニタ信号MONIの値にかかわらず、フェイルモニタ信号FAILMONIは強制的に“0”となりマスク状態となる。
When the test for detecting the second failure is performed, the operation is started from the operation of resetting the fail flag signal FAILFLAG. However, when the
2番地以降のテストでは、適切にコンペアイネーブル信号CMPENを制御して比較動作を行う。例えば3番地に2つ目の故障が存在する場合には、3番地のテスト時点でフェイルフラグ信号FAILFLAG=1となり、この時点で故障解析動作に移り、3つのフリップフロップ30,31,32のループ接続された循環シフトレジスタ内に保持されている故障データを含むデータはSO端子からシフトアウトされる。
In the test after the address 2, the comparison operation is performed by appropriately controlling the compare enable signal CMPEN. For example, when the second fault exists at the
RAM91が冗長機能付RAMである場合には、これらの故障データを冗長回路の切り替え制御データとして使用することができる。
When the
以上のように、この実施の形態20によれば、実施の形態8の効果に他に、フェイルフラグ生成回路120によりフェイルフラグ信号FAILFLAGを生成して、RAM91の故障データをフリップフロップ30,31,32に格納し、テスト終了後、又はテスト中断後に、SO端子から故障データをシフトアウトすることにより、検出された故障に関する詳細な診断が行えるという効果が得られる。
As described above, according to the twentieth embodiment, in addition to the effects of the eighth embodiment, the fail flag signal FAILFLAG is generated by the fail
なお、この発明の実施は、機能ブロック90又はRAM91の入出力端子の全てに適用する必要はなく、部分的な適用によっても効果がある。例えば、機能ブロック90の入力端子数と出力端子数が異なる場合は、少ないほうに合わせてペアを作り本発明を実施すれば良い。
The embodiment of the present invention does not need to be applied to all of the input / output terminals of the
10,11,12,13 セレクタ、10a,11a,12a AND−OR複合ゲート型セレクタ、20,21,22 インバータ、30,31,32,33 フリップフロップ、40,41,42,43 インバータ、40a,41a,42a インバータ、60,61,62,63 セレクタ、60a,61a,62a AND−OR複合ゲート型セレクタ、60b,61b,62b AND−NOR複合ゲート型セレクタ、80,81 ロジック部、90 機能ブロック、91 RAM、91a RAM、100 セレクタ、110,111,112,113,114,115,116 ゲート回路、110a,110b,110c ゲート回路、120 フェイルフラグ生成回路、121 インバータ、122 AND回路、123 OR回路、124 AND回路、125 フリップフロップ125、130 OR回路。
10, 11, 12, 13 selector, 10a, 11a, 12a AND-OR composite gate type selector, 20, 21, 22, inverter, 30, 31, 32, 33 flip-flop, 40, 41, 42, 43 inverter, 40a, 41a, 42a inverter, 60, 61, 62, 63 selector, 60a, 61a, 62a AND-OR composite gate type selector, 60b, 61b, 62b AND-NOR composite gate type selector, 80, 81 logic unit, 90 functional block, 91 RAM, 91a RAM, 100 selector, 110, 111, 112, 113, 114, 115, 116 gate circuit, 110a, 110b, 110c gate circuit, 120 fail flag generation circuit, 121 inverter, 122 AND circuit, 123 OR circuit, 24 the AND circuit, 125 a flip-
Claims (18)
上記第1のロジック部と上記第2のロジック部との間に接続された機能ブロックと、
上記第1のロジック部の出力と上記機能ブロックの入力間の並列経路とデータを直列に伝達するための直列シフト経路を有し、上記第1のロジック部の出力と上記直列シフト経路を切り替えて上記機能ブロックの入力に接続するための複数の第1のセレクタと上記データを格納する複数のフリップフロップにより構成されたスキャンパスとを備えた半導体集積回路装置において、
上記スキャンパスの直列シフト経路上に接続され、上記機能ブロックの出力と上記直列シフト経路を切り替えて上記第2のロジック部の入力に接続するための複数の第2のセレクタを備え、
上記スキャンパスの直列シフト経路からテストデータを上記第2のセレクタを介して上記機能ブロックに与え、上記第2のセレクタを切り替えて上記機能ブロックから出力されたデータを上記第2のセレクタを介して出力することを特徴とする半導体集積回路装置。 First and second logic units;
A functional block connected between the first logic unit and the second logic unit;
There is a parallel path between the output of the first logic unit and the input of the functional block and a serial shift path for transmitting data in series, and switching between the output of the first logic unit and the serial shift path. A semiconductor integrated circuit device comprising: a plurality of first selectors for connecting to the input of the functional block; and a scan path including a plurality of flip-flops storing the data.
A plurality of second selectors connected on the serial shift path of the scan path, for switching between the output of the functional block and the serial shift path and connecting to the input of the second logic unit;
Test data is supplied from the serial shift path of the scan path to the function block via the second selector, and the data output from the function block is switched by switching the second selector via the second selector. A semiconductor integrated circuit device for outputting.
1回のシフト動作で上記RAMに与えるデータをオール0又はオール1に変更するためにスキャンパスの直列シフト経路上に挿入した複数のインバータと、
上記スキャンパスの直列シフト経路の出力を上記直列シフト経路の入力にフィードバックさせるための第3のセレクタ回路と、
第2のセレクタを介して出力された上記RAMからのデータが所定の値であることを検出するためのゲート回路とを備えたことを特徴とする請求項10記載の半導体集積回路装置。 When the function block is RAM,
A plurality of inverters inserted on a serial shift path of a scan path to change data given to the RAM to all 0s or all 1s in one shift operation;
A third selector circuit for feeding back the output of the serial shift path of the scan path to the input of the serial shift path;
11. The semiconductor integrated circuit device according to claim 10, further comprising: a gate circuit for detecting that the data output from the RAM via the second selector has a predetermined value.
1回のシフト動作で上記RAMに与えるデータをオール0又はオール1に変更するためにスキャンパスの直列シフト経路上に挿入した複数のインバータと、
上記スキャンパスの直列シフト経路の出力を上記直列シフト経路の入力にフィードバックさせるための第3のセレクタ回路と、
上記インバータを介して出力された上記RAMからのデータが所定の値であることを検出するためのゲート回路とを備えたことを特徴とする請求項10記載の半導体集積回路装置。 When the function block is RAM,
A plurality of inverters inserted on a serial shift path of a scan path to change data given to the RAM to all 0s or all 1s in one shift operation;
A third selector circuit for feeding back the output of the serial shift path of the scan path to the input of the serial shift path;
11. The semiconductor integrated circuit device according to claim 10, further comprising a gate circuit for detecting that the data output from said RAM via said inverter is a predetermined value.
1回のシフト動作で上記RAMに与えるデータをオール0又はオール1に変更するためにスキャンパスの直列シフト経路上に挿入した複数のインバータと、
上記スキャンパスの直列シフト経路の出力を上記直列シフト経路の入力にフィードバックさせるための第3のセレクタ回路と、
第1のセレクタを介して出力された上記RAMからのデータが所定の値であることを検出するためのゲート回路とを備えたことを特徴とする請求項10記載の半導体集積回路装置。 When the function block is RAM,
A plurality of inverters inserted on a serial shift path of a scan path to change data given to the RAM to all 0s or all 1s in one shift operation;
A third selector circuit for feeding back the output of the serial shift path of the scan path to the input of the serial shift path;
11. The semiconductor integrated circuit device according to claim 10, further comprising a gate circuit for detecting that the data output from the RAM via the first selector has a predetermined value.
1回のシフト動作で上記RAMに与えるデータをオール0又はオール1に変更するためにスキャンパスの直列シフト経路上に挿入した複数のインバータと、
上記スキャンパスの直列シフト経路の出力を上記直列シフト経路の入力にフィードバックさせるための第3のセレクタ回路と、
フリップフロップに格納されている上記RAMからのデータが所定の値であることを検出するためのゲート回路とを備えたことを特徴とする請求項10記載の半導体集積回路装置。 When the function block is RAM,
A plurality of inverters inserted on a serial shift path of a scan path to change data given to the RAM to all 0s or all 1s in one shift operation;
A third selector circuit for feeding back the output of the serial shift path of the scan path to the input of the serial shift path;
11. The semiconductor integrated circuit device according to claim 10, further comprising a gate circuit for detecting that the data from the RAM stored in the flip-flop is a predetermined value.
第1のセレクタ及び上記第2のセレクタとしてAND−OR複合ゲート型セレクタを使用することを特徴とする請求項1記載の半導体集積回路装置。 When the function block is RAM,
2. The semiconductor integrated circuit device according to claim 1, wherein an AND-OR composite gate type selector is used as the first selector and the second selector.
第1のセレクタ及び上記第2のセレクタとしてAND−OR複合ゲート型セレクタ及びAND−NOR複合ゲート型セレクタを使用することを特徴とする請求項1記載の半導体集積回路装置。 When the function block is RAM,
2. The semiconductor integrated circuit device according to claim 1, wherein an AND-OR composite gate type selector and an AND-NOR composite gate type selector are used as the first selector and the second selector.
1回のシフト動作で上記RAMに与えるデータをオール0又はオール1に変更するためにスキャンパスの直列シフト経路上に挿入した複数のインバータと、
上記スキャンパスの直列シフト経路の出力を上記直列シフト経路の入力にフィードバックさせるための第3のセレクタ回路と、
上記スキャンパスを介して出力された上記RAMからの奇数ビット目及び偶数ビット目のデータが所定の値であることを検出するためのゲート回路とを備えたことを特徴とする請求項1記載の半導体集積回路装置。 When the function block is RAM,
A plurality of inverters inserted on a serial shift path of a scan path to change data given to the RAM to all 0s or all 1s in one shift operation;
A third selector circuit for feeding back the output of the serial shift path of the scan path to the input of the serial shift path;
2. A gate circuit according to claim 1, further comprising: a gate circuit for detecting that the data of the odd-numbered bits and the data of the even-numbered bits output from the RAM via the scan path have a predetermined value. Semiconductor integrated circuit device.
1回のシフト動作で上記RAMに与えるデータをオール0又はオール1に変更するためにスキャンパスの直列シフト経路上に挿入した複数のインバータと、
上記スキャンパスの直列シフト経路の出力を上記直列シフト経路の入力にフィードバックさせるための第3のセレクタ回路と、
上記スキャンパスを介して出力された上記RAMからのデータが所定の値であることを検出するためのゲート回路と、
上記ゲート回路が上記RAMからのデータが所定の値でないことを検出した場合に、次の上記RAMのテストをキャンセルし故障解析を行うためのフェイルフラグ信号を出力すると共に、上記第2のセレクタを上記直列シフト経路に切り替えるフェイルフラグ生成回路とを備えたことを特徴とする請求項1記載の半導体集積回路装置。 When the function block is RAM,
A plurality of inverters inserted on a serial shift path of a scan path to change data given to the RAM to all 0s or all 1s in one shift operation;
A third selector circuit for feeding back the output of the serial shift path of the scan path to the input of the serial shift path;
A gate circuit for detecting that the data output from the RAM via the scan path is a predetermined value,
When the gate circuit detects that the data from the RAM is not a predetermined value, the gate circuit outputs a fail flag signal for canceling the next test of the RAM and performing a failure analysis, and sets the second selector to 2. The semiconductor integrated circuit device according to claim 1, further comprising a fail flag generation circuit for switching to the serial shift path.
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