JP2004017171A - Electronic component and method of manufacturing the same - Google Patents

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JP2004017171A
JP2004017171A JP2002171852A JP2002171852A JP2004017171A JP 2004017171 A JP2004017171 A JP 2004017171A JP 2002171852 A JP2002171852 A JP 2002171852A JP 2002171852 A JP2002171852 A JP 2002171852A JP 2004017171 A JP2004017171 A JP 2004017171A
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Japan
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substrate
electronic component
lid
hole
forming
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JP2002171852A
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Ryuichi Kubo
久保　　竜一
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Murata Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Murata Manufacturing Co Ltd
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a small electronic component which facilitates sealing thereof, and enables flip-chip mounting, and to provide a method of manufacturing the same. <P>SOLUTION: According to the method of manufacturing the electronic component which is formed at least of a cover and an element portion, the plurality of electronic components are integrally formed as a unit, and thereafter they are cut along lines passing holes in which external electrodes are formed, respectively. Thus the external electrode is formed on a notched portion of the cover and on an exposed portion of an upper surface of an element forming substrate. <P>COPYRIGHT: (C)2004,JPO

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、封止体によって封止された電子部品、特に赤外線センサ、加速度センサ、圧力センサ、圧電共振子等の電子部品に関する。
【０００２】
【従来の技術】
本発明の従来の技術として、特開平８−１３９３３９号公報に開示される技術がある。図１２に断面図を示す。単結晶シリコンからなり、上面にエッチングなどにより形成された凹部２５を有する素子形成基板２０と、素子形成基板２０上に形成された誘電体膜２１と、前記凹部２５上にあって、前記基板２０に振動可能に支持されている、単結晶シリコンからなる振動部本体２７、下部電極２２ａ、圧電体膜２３、上部電極２２ｂがあり、単結晶シリコンからなり裏面に凹部１２を有する蓋１１によって振動部本体２７が封止されている。蓋１１にはコンタクトホール１７が形成されており、コンタクトホール１７を通して外部回路と上部電極２２ｂおよび下部電極２２ａとの電気的接続をはかる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
前記従来技術では、封止体である蓋１１と素子形成基板２０の接合部分にコンタクトホール１７が設けられており、封止が難しいコンタクトホール１７部分での封止が必要で、製造コストが上昇する。また、外部回路との接続は、コンタクトホール１７を通して下部電極２２ａおよび上部電極２２ｂと直接行うため、フリップチップ実装ができない。さらに、電極一箇所につき一つのコンタクトホール１７をあける必要があるため、加工するコンタクトホール１７の数が多くなって製造コストが上昇し、また、部品の小型化にも限界がある。
【０００４】
本発明は、蓋材の側面に外部電極を形成することにより、前記従来技術よりも封止が容易で封止の信頼性も向上し、さらに、部品の小型化および部品のフリップチップ実装も可能となる電子部品を提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
上記の問題点を解決するために本発明は、素子部と蓋とからなる電子部品であって、前記素子部は素子形成基板を有し、前記蓋の側面には切り欠き部があり、前記切り欠き部では前記素子形成基板の上面が露出しており、前記切り欠き部と前記素子形成基板の上面が露出している部分とに外部電極が形成されていることを特徴とする。蓋の側面に切り欠き部を設けて素子形成基板の上面を露出させ、切り欠き部と素子形成基板の上面の露出している部分とに外部電極を形成することにより、素子部の電極と外部電極とが面と面とで接合して接合面が大きくなり、接合強度が大きくなる。
【０００６】
前記外部電極が、前記蓋の側面と上面に形成されていることが好ましい。外部との電気的接続が容易であり、フリップチップ実装も可能となるからである。
【０００７】
前記蓋と前記素子部とを接合する接合部材が、前記外部電極よりも内側に構成されていることが好ましい。孔によって外部電極を構成した場合、孔部分での封止は難しいからである。
【０００８】
前記素子部が少なくとも１層以上の圧電体膜を有する薄膜部の上面と下面を少なくとも一対の上部電極および下部電極を対向させて挟む構造の振動部を有することが望ましい。このような振動部を有する電子部品は、振動部を封止することが必要であり、本発明の構造によれば低コストかつ信頼性の高い封止と電子部品の小型化を実現できるからである。
【０００９】
前記素子形成基板に孔または凹部が設けられており、前記振動部が前記孔または前記凹部上に位置して前記素子形成基板に振動可能に支持されて形成されていることが望ましい。このようなダイヤフラム構造を有する電子部品に本発明は有効である。
【００１０】
本発明において、素子部が圧電共振子あるいは赤外線センサであることが望ましい。圧電共振子あるいは赤外線センサは素子部の封止が必要であり、本発明によれば、低コストかつ信頼性の高い封止と電子部品の小型化を実現できるからである。
【００１１】
前記素子部は、裏面基板を備えることが好ましい。該裏面基板によって、前記素子形成基板に形成された素子部の封止をするとともに、素子形成基板を補強する効果が得られる。
【００１２】
前記蓋の裏面に凹部が形成されていることをが望ましい。凹部が、前記振動部の振動を許すための振動空間となるからである。
【００１３】
前記接合部材の厚みが、前記振動部の厚みよりも厚いことが望ましい。接合部材の厚みによって形成される前記蓋と前記素子形成基板との間の空間が、前記振動部の振動を許すための振動空間となるからである。
【００１４】
本発明の製造方法は、複数の蓋を一体に形成する蓋材基板に孔を形成する工程と、前記蓋材基板と素子形成基板を接合して積層体を形成する工程と、前記素子部の電極と電気的に接続する外部電極を前記孔に形成する工程と、複数個分の電子部品が一体に形成された前記積層体を前記孔上を通る線で切断して個々の電子部品を切り出す工程と、を含むことを特徴とする。複数個分の電子部品が一体に形成された前記積層体を前記孔上を通る線で切断して個々の電子部品を切り出すことにより、一つの孔が複数個の電子部品の外部電極となるから、加工する孔の数を減らすことができ、加工時間の短縮化によりコストダウンを図ることができる。また、個々の電子部品に占める孔の面積が小さくなるため、部品の小型化を図ることができる。あるいは、従来よりも口径の大きな孔を用いることも可能であり、サンドブラスト処理によって孔を形成するときには孔の口径が大きくなるほど加工速度が速くなるため、電子部品の加工時間が短縮されて加工コストが低減される。
【００１５】
前記孔に導電材を充填してビアホールとし、前記ビアホールを外部電極とする工程を含むことが好ましい。
【００１６】
前記蓋材基板と前記素子形成基板を接合する工程において、前記蓋材基板と前記素子形成基板を接合する接合部材を前記孔よりも内側に形成することが好ましい。孔より内側で封止を行うことになるので、技術的に難しい孔部分での封止を避けることができる。
【００１７】
前記素子形成基板に裏面基板を接合する工程を含むことが好ましい。該裏面基板によって、前記素子形成基板に形成された素子部の封止をするとともに、素子形成基板を補強する効果が得られる。
【００１８】
以上のような構成および製造方法により、封止が容易で封止の信頼性も高く、従来よりも小型の電子部品を提供することができる。
【００１９】
【発明の実施の形態】
本発明の実施形態を、図面を用いて以下に説明する。本実施例では、圧電薄膜共振子を例に挙げて説明する。
【００２０】
図１は、本発明の実施例における電子部品として、圧電薄膜共振子を示す断面図であり、図２は蓋材基板の工程を示す断面図であり、図３は蓋材基板の平面図を示す。パイレックスガラス（登録商標）などからなる蓋材基板１０の裏面に、図２（ａ）に示すようにレジスト１５ａを形成し、このレジスト１５ａをマスクとして蓋材基板１０にエッチングなどの方法によって図２（ｂ）に示すように凹部１２を形成する。凹部１２は、素子部に形成される振動部の振動を許すための振動空間となる。次に、蓋材基板１０の表面に図２（ｃ）に示すようにレジスト１５ｂを形成し、サンドブラスト処理などの方法より孔１３を、図２（ｄ）および図３に示すように切断線４０をまたぐように形成する。この孔１３が蓋の側面に形成される切り欠き部となり、切り欠き部に外部電極が形成されるので、一つの孔１３が複数個分の圧電薄膜共振子の外部電極となるから、加工する孔１３の数を減らすことができ、加工時間の短縮によって製造コストが低減される。また、個々の圧電薄膜共振子に占める孔１３の面積が小さくなることから、圧電薄膜共振子の微細化が可能となる。あるいは、孔１３が複数個の電子部品に分割されることになるため、従来よりも口径の大きい孔を用いることも可能となり、サンドブラスト処理によって孔１３を形成する場合には加工する孔１３の口径が大きいほど加工速度が速くなるため、電子部品の加工時間が短縮されて加工コストが低減される。
【００２１】
図４は素子部の工程を示す断面図である。素子部は、素子形成基板２０上に複数形成され、誘電体膜２１、上部電極２２ｂ、下部電極２２ａ、圧電体膜２３からなる。まず、シリコンからなる素子形成基板２０に、酸化シリコンの誘電体膜２１を形成する。図４（ａ）は素子形成基板２０と誘電体膜２１を示す。次に、素子形成基板２０の予め定められた範囲を素子形成基板２０の裏面から誘電体膜２１に至るまでエッチングし、ダイヤフラム２４を形成する。図４（ｂ）はダイヤフラム２４が形成された状態を示している。図４（ｃ）に示すように、誘電体膜２１上に下部電極２２ａ、酸化亜鉛などからなる圧電体膜２３、上部電極２２ｂを積層して振動部を形成する。下部電極２２ａおよび上部電極２２ｂはアルミニウムなどの薄膜金属からなり、切断後には素子部の端部となる切断線４０近くまで伸長して形成される。
【００２２】
蓋材と素子部をそれぞれ形成した後、蓋材基板１０と素子部が形成された素子形成基板２０とを、例えばフリットガラスや接着剤などの接合部材１４を用いて接合する。孔１３が設けられている部分では、素子形成基板２０の上面は露出している。また、図２（ｅ）に示すように、蓋１１と素子形成基板２０とを接合する接合部材１４は、孔１３よりも内側に形成する。封止のための接合領域が孔１３よりも内側に形成されることによって、ペーストなどの気密埋め込みや成膜による孔１３部分での封止を行わずにすみ、封止が容易となり、また、封止の信頼性も向上する。図５（ａ）に素子形成基板と蓋材とを接合する前の状態を示す断面図を、図５（ｂ）に蓋材基板と素子形成基板とを接合した後の状態を示す断面図をそれぞれ示す。また、図６は、蓋の裏面を示す斜視図である。接合部材１４が、凹部１２を取り囲んで形成されている状態を示す。蓋１１は、蓋材基板１０に複数個分を一体に形成し、素子部と接合した後にダイシングするが、図６では、蓋１１一個分のみを図示している。孔１３が蓋１１の側面の切り欠き部となることがわかる。
【００２３】
蓋材基板１０と素子形成基板２０を接合した後、孔１３をすず半田などの導電材で充填してビアホールとし、素子部の上部電極２２ｂおよび下部電極２２ａと電気的に接続する外部電極１６を形成する。このとき、上部電極２２ｂおよび下部電極２２ａは切断線４０付近まで引き出されて形成されているため、上部電極２２ｂあるいは下部電極２２ａと外部電極１６との接合面が大きくなり、大きな接合強度が得られる。
【００２４】
次に、振動部を裏面から封止するための裏面基板３０を、素子形成基板２０の裏面に接合する。裏面基板３０は素子形成基板２０の補強ともなる。図５（ｃ）に孔１３が導電材で充填され、裏面基板３０が接合された状態の断面図を示す。蓋材基板１０と素子形成基板２０を形成する前、あるいは外部電極１６を形成する前に裏面基板３０を接合してもよい。
【００２５】
本実施例においては、素子部が封止されてから外部電極１６を形成するため、外部電極１６の形成にあたってウェットプロセスを用いることが可能である。すなわち、例えばめっきやフォトリソグラフィーによって外部電極１６を形成したり、ウェットエッチングによって外部電極１６をパターニングすることなどができる。
【００２６】
そして、ビアホール上を通っている切断線４０をダイシングなどによって切断し、個々の圧電薄膜共振子を切り出す。圧電薄膜共振子が切り出された状態を図１に示す。ビアホールを外部電極１６とし、ビアホール上を通る切断線でダイシングすることにより外部電極１６は蓋１１の側面より突出せずに形成され、外部電極１６の位置および形状の精度が高く形成される。また、外部電極１６は圧電薄膜共振子の表面にあり、蓋の側面と上面とに形成されているから、蓋１１側が実装面となり、外部回路との接続は、ワイヤボンディングによる接続だけではなく、フリップチップ実装が可能である。
【００２７】
以上、圧電薄膜共振子を例に挙げて実施の形態を説明してきたが、圧電薄膜共振子に限らず、封止を必要とする電子部品であればなんでもよく、例えば赤外線センサや加速度センサ、圧力センサ、デュプレクサなどであってもよい。
【００２８】
上記実施例では、蓋材基板１０にパイレックスガラス（登録商標）を用いているが、プラスチックやＡｌ２Ｏ３セラミックス基板、シリコン基板などを用いてもよい。凹部１２および孔１３のいずれを先に形成するかは問わない。凹部１２の形成方法は問わない。また、変形例として、図７に示したように、凹部１２を形成せず、接合部材１４の厚みによって振動部の振動を許す振動空間を確保する構造であってもよい。
【００２９】
上記実施例では孔１３はサンドブラスト処理によって形成しているが、ＣＯ２レーザやエッチングなどの方法によって形成してもよい。また、図３では、個々の電子部品に形成される外部電極の数が四個になっているが、電子部品の種類にあわせて孔１３の数を変えることによって外部電極の数を変えることができる。例えば、図８に示すように孔１３を形成すれば、個々の電子部品に設けられる外部電極の数は六個となる。
【００３０】
素子部の上部電極２２ｂおよび下部電極２２ａは、アルミニウムのほかにニッケル、金、白金、チタン、クロム、モリブデン、銅などの導電性金属であればよい。圧電体膜２３は、酸化亜鉛やチタン酸ジルコン酸鉛、窒化アルミニウムなどの圧電性を有する材料であればよい。
【００３１】
素子形成基板２０にダイヤフラム２４を形成する方法及びダイヤフラム２４の形状は上記に限らず、例えば、図９に示すような工程であってもよい。図９（ａ）に示すように、素子形成基板２０にエッチングなどの方法で凹部２５を形成したのち、素子形成基板２０の表面に誘電体膜２１を形成する。次に、図９（ｂ）に示すように、凹部を燐石英ガラスなどの下地材料２６で埋める。そして、図９（ｃ）に示すように下部電極２２ａ、圧電体膜２３および上部電極２２ｂを積層して振動部を形成したのちにエッチングなどの方法で下地材料２６を除去してダイヤフラム２４を形成する。図９（ｄ）は、ダイヤフラム２４を形成した状態をしめす。そして、上記実施例に示した工程で作成した蓋材基板１０や裏面基板３０と接合し、外部電極１６を形成したのちに切断線４０で切断して個々の圧電薄膜共振子を切り出す。図１０はこの方法で製造した圧電薄膜共振子の断面図である。この方法でダイヤフラム２４を形成する場合、裏面基板３０は接合されないこともある。
【００３２】
裏面基板３０は、素子形成基板２０にダイヤフラム２４を形成する工程の後であり、かつ個々の電子部品を切り出す工程の前であれば、どの工程の間でも素子形成基板２０と接合してもよい。
【００３３】
素子部が封止されてから外部電極１６を形成するため、外部電極１６の形成にあたってウェットプロセスを用いることが可能である。すなわち、例えばめっきやフォトリソグラフィーによって外部電極１６を形成したり、ウェットエッチングによって外部電極１６をパターニングすることなどができる。
【００３４】
孔１３を充填する導電材には、すず半田のほかに銀、銅などのペーストを用いることもできる。
【００３５】
また変形例として、孔１３をペーストで充填せずに、図１１に示すようにスパッタや蒸着などの方法によって孔１３の側面に金属膜を成膜して外部電極１６とすることもできる。
【００３６】
蓋材基板１０と素子形成基板２０を接合する前に、ペースト埋め込みや金属膜の成膜によって孔１３に外部電極１６を形成してもよい。この場合には、導電性接着剤によって外部電極１６と上部電極２２ｂおよび下部電極２２ａとの電気的接続を図る。
【００３７】
【発明の効果】
以上のように本発明によれば、孔を複数の電子部品にまたがるように形成してあるから、一つの孔が複数個の電子部品の外部電極となり、加工する孔の数が少なくなって加工コストが低減される。また、電子部品に占める孔の面積が小さくなるから、電子部品のいっそうの小型化が可能となる。
【００３８】
孔を導電材で埋めてビアホールとし、ビアホール上を通る先で切断するため、外部電極が電子部品の側面および上面に形成されているから、フリップチップ実装が可能である。
【００３９】
また、蓋材と素子部の接合部分が孔よりも内側に設けられているため、孔部分での封止を行う必要がなく、封止が容易であり、封止の信頼性も向上する。
【００４０】
また、本発明において素子部を赤外線センサあるいは圧電共振子とすることにより、小型かつ製造コストが低く、封止の信頼性も高い赤外線センサあるいは圧電共振子を得ることができる。
【００４１】
裏面基板を接合することにより、振動部を封止するとともに、素子部の強度を増すことができる。
【００４２】
本発明の製造方法によれば、複数の電子部品が一体に形成された後に個々の電子部品を切り出すから、複数の電子部品を一度に多数製造することができ、小型でかつ封止の信頼性の高い電子部品を低コストで製造できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施例である圧電薄膜共振子を示す断面図である。
【図２】本発明の蓋材基板の工程を示す断面図である。
【図３】本発明の蓋材基板を示す平面図である。
【図４】本発明の素子部の工程を示す断面図である。
【図５】本発明の工程を示す断面図である。
【図６】本発明の蓋を示す斜視図である。
【図７】本発明の実施例の変形例を示す断面図である。
【図８】本発明の蓋材基板を示す平面図である。
【図９】本発明の素子部の工程を示す断面図である。
【図１０】本発明の電子部品を示す断面図である。
【図１１】本発明の実施例の変形例を示す断面図である。
【図１２】従来の電子部品を示す断面図である。
【符号の説明】
１０　蓋材基板
１１　蓋
１２　　凹部
１３　　孔
１４　　　接合部材
１５ａ、１５ｂ　　　レジスト
１６　　　外部電極
１７　　　コンタクトホール
２０　　　素子形成基板
２１　　　誘電体膜
２２ａ　　下部電極
２２ｂ　　上部電極
２３　　　圧電体膜
２４　　　ダイヤフラム
２５　　　凹部
２６　　　下地材料
２７　　　振動部本体[0001]
TECHNICAL FIELD OF THE INVENTION
The present invention relates to electronic components sealed by a sealing body, particularly to electronic components such as an infrared sensor, an acceleration sensor, a pressure sensor, and a piezoelectric resonator.
[0002]
[Prior art]
As a conventional technique of the present invention, there is a technique disclosed in JP-A-8-139339. FIG. 12 shows a sectional view. An element forming substrate 20 made of single-crystal silicon and having a concave portion 25 formed on the upper surface by etching or the like; a dielectric film 21 formed on the element forming substrate 20; There is a vibrating portion main body 27 made of single crystal silicon, a lower electrode 22a, a piezoelectric film 23, and an upper electrode 22b supported so as to be able to vibrate. The main body 27 is sealed. A contact hole 17 is formed in the lid 11, and an external circuit is electrically connected to the upper electrode 22 b and the lower electrode 22 a through the contact hole 17.
[0003]
[Problems to be solved by the invention]
In the above-described conventional technology, the contact hole 17 is provided at a joint portion between the lid 11 as a sealing body and the element forming substrate 20, and it is necessary to seal the contact hole 17 where sealing is difficult, which increases the manufacturing cost. I do. Further, since connection with an external circuit is made directly to the lower electrode 22a and the upper electrode 22b through the contact hole 17, flip-chip mounting is not possible. In addition, since it is necessary to open one contact hole 17 for each electrode, the number of contact holes 17 to be processed increases, which increases the manufacturing cost and limits the miniaturization of components.
[0004]
The present invention forms an external electrode on the side surface of the lid member, so that the sealing is easier and the reliability of the sealing is improved as compared with the related art, and furthermore, the downsizing of the component and the flip chip mounting of the component are possible. It is intended to provide an electronic component that becomes
[0005]
[Means for Solving the Problems]
In order to solve the above problems, the present invention is an electronic component comprising an element portion and a lid, wherein the element portion has an element forming substrate, a side surface of the lid has a cutout portion, An upper surface of the element forming substrate is exposed in the notch, and an external electrode is formed in the notch and a portion where the upper surface of the element forming substrate is exposed. A notch is provided on the side surface of the lid to expose the upper surface of the element forming substrate, and external electrodes are formed on the notch and the exposed portion of the upper surface of the element forming substrate. The electrodes are joined face to face, so that the joining surface becomes large, and the joining strength increases.
[0006]
It is preferable that the external electrode is formed on a side surface and an upper surface of the lid. This is because electrical connection with the outside is easy and flip-chip mounting is also possible.
[0007]
It is preferable that a joining member that joins the lid and the element unit is formed inside the external electrode. This is because, when an external electrode is formed by holes, it is difficult to seal at the holes.
[0008]
It is preferable that the element section has a vibrating section having a structure in which the upper and lower surfaces of a thin film section having at least one or more piezoelectric films are sandwiched between at least a pair of upper and lower electrodes. The electronic component having such a vibrating portion needs to seal the vibrating portion, and according to the structure of the present invention, it is possible to realize low cost and highly reliable sealing and downsizing of the electronic component. is there.
[0009]
It is preferable that a hole or a concave portion is provided in the element forming substrate, and the vibrating portion is formed on the element forming substrate so as to be vibrated and positioned on the hole or the concave portion. The present invention is effective for an electronic component having such a diaphragm structure.
[0010]
In the present invention, it is desirable that the element portion is a piezoelectric resonator or an infrared sensor. This is because the piezoelectric resonator or the infrared sensor requires sealing of the element part, and according to the present invention, low-cost and highly reliable sealing and miniaturization of electronic components can be realized.
[0011]
Preferably, the element section includes a back substrate. The back substrate seals the element portion formed on the element forming substrate and has the effect of reinforcing the element forming substrate.
[0012]
It is preferable that a concave portion is formed on the back surface of the lid. This is because the concave portion becomes a vibration space for allowing the vibration of the vibrating portion.
[0013]
It is desirable that the thickness of the joining member is larger than the thickness of the vibrating part. This is because the space between the lid and the element forming substrate formed by the thickness of the joining member becomes a vibration space for allowing the vibration of the vibration portion.
[0014]
The manufacturing method of the present invention includes a step of forming a hole in a lid material substrate that integrally forms a plurality of lids, a step of joining the lid material substrate and an element forming substrate to form a laminate, Forming an external electrode electrically connected to an electrode in the hole, and cutting out the individual electronic components by cutting the laminate in which a plurality of electronic components are integrally formed by a line passing over the hole; And a step. By cutting the laminate in which a plurality of electronic components are integrally formed with a line passing over the holes and cutting out individual electronic components, one hole becomes an external electrode of the plurality of electronic components. The number of holes to be processed can be reduced, and the cost can be reduced by shortening the processing time. Further, since the area of the hole occupying each electronic component is reduced, the size of the component can be reduced. Alternatively, it is also possible to use a hole having a larger diameter than before, and when forming a hole by sandblasting, the processing speed increases as the hole diameter increases, so that the processing time of the electronic component is shortened and the processing cost is reduced. Reduced.
[0015]
The method preferably includes a step of filling the hole with a conductive material to form a via hole, and using the via hole as an external electrode.
[0016]
In the step of bonding the lid material substrate and the element formation substrate, it is preferable that a bonding member for bonding the lid material substrate and the element formation substrate is formed inside the hole. Since sealing is performed inside the hole, it is possible to avoid sealing at a hole portion that is technically difficult.
[0017]
It is preferable to include a step of bonding a back substrate to the element forming substrate. The back substrate seals the element portion formed on the element forming substrate and has the effect of reinforcing the element forming substrate.
[0018]
With the above-described configuration and manufacturing method, it is possible to provide an electronic component that is easily sealed, has high sealing reliability, and is smaller than a conventional electronic component.
[0019]
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION
An embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings. In this embodiment, a piezoelectric thin film resonator will be described as an example.
[0020]
FIG. 1 is a cross-sectional view showing a piezoelectric thin-film resonator as an electronic component according to an embodiment of the present invention, FIG. 2 is a cross-sectional view showing a process of a lid substrate, and FIG. 3 is a plan view of the lid substrate. Show. As shown in FIG. 2A, a resist 15a is formed on the back surface of the lid substrate 10 made of Pyrex glass (registered trademark) or the like, and the resist 15a is used as a mask to etch the lid substrate 10 by a method such as etching. The recess 12 is formed as shown in FIG. The concave portion 12 becomes a vibration space for allowing the vibration of the vibrating portion formed in the element portion. Next, a resist 15b is formed on the surface of the lid member substrate 10 as shown in FIG. 2 (c), and the hole 13 is formed by a method such as sandblasting, as shown in FIG. 2 (d) and FIG. Is formed so as to straddle. Since this hole 13 becomes a notch formed on the side surface of the lid and an external electrode is formed in the notch, one hole 13 becomes an external electrode of a plurality of piezoelectric thin-film resonators. The number of holes 13 can be reduced, and the manufacturing cost is reduced by shortening the processing time. Further, since the area of the hole 13 occupying each of the piezoelectric thin film resonators is reduced, the size of the piezoelectric thin film resonator can be reduced. Alternatively, since the hole 13 is divided into a plurality of electronic components, it is possible to use a hole having a larger diameter than before, and when the hole 13 is formed by sandblasting, the diameter of the hole 13 to be processed is changed. Is larger, the processing speed is faster, so the processing time of the electronic component is shortened and the processing cost is reduced.
[0021]
FIG. 4 is a cross-sectional view showing the steps of the element section. A plurality of element portions are formed on the element forming substrate 20 and include a dielectric film 21, an upper electrode 22b, a lower electrode 22a, and a piezoelectric film 23. First, a silicon oxide dielectric film 21 is formed on an element forming substrate 20 made of silicon. FIG. 4A shows the element forming substrate 20 and the dielectric film 21. Next, a predetermined range of the element forming substrate 20 is etched from the back surface of the element forming substrate 20 to the dielectric film 21 to form the diaphragm 24. FIG. 4B shows a state where the diaphragm 24 is formed. As shown in FIG. 4C, a vibrating portion is formed by laminating a lower electrode 22a, a piezoelectric film 23 made of zinc oxide or the like, and an upper electrode 22b on the dielectric film 21. The lower electrode 22a and the upper electrode 22b are made of a thin film metal such as aluminum, and are formed so as to extend to near the cutting line 40 which is the end of the element portion after cutting.
[0022]
After forming the lid member and the element portion, the lid member substrate 10 and the element forming substrate 20 on which the element portion is formed are joined by using a joining member 14 such as frit glass or an adhesive. In the portion where the holes 13 are provided, the upper surface of the element forming substrate 20 is exposed. Further, as shown in FIG. 2E, the joining member 14 for joining the lid 11 and the element forming substrate 20 is formed inside the hole 13. Since the bonding region for sealing is formed inside the hole 13, it is not necessary to perform sealing at the hole 13 portion by airtight filling of a paste or the like or film formation, and sealing is facilitated. The sealing reliability is also improved. FIG. 5A is a cross-sectional view showing a state before the element forming substrate and the lid member are joined, and FIG. 5B is a cross-sectional view showing a state after the lid member substrate and the element forming substrate are joined. Shown respectively. FIG. 6 is a perspective view showing the back surface of the lid. The state where the joining member 14 is formed so as to surround the recess 12 is shown. A plurality of the lids 11 are integrally formed on the lid material substrate 10 and are diced after being joined to the element portion. FIG. 6 shows only one lid 11. It can be seen that the hole 13 becomes a cutout on the side of the lid 11.
[0023]
After bonding the lid material substrate 10 and the element forming substrate 20, the holes 13 are filled with a conductive material such as tin solder to form via holes, and the external electrodes 16 electrically connected to the upper electrode 22b and the lower electrode 22a of the element portion are formed. Form. At this time, since the upper electrode 22b and the lower electrode 22a are formed so as to be drawn out to the vicinity of the cutting line 40, the bonding surface between the upper electrode 22b or the lower electrode 22a and the external electrode 16 is increased, and a large bonding strength is obtained. .
[0024]
Next, a back substrate 30 for sealing the vibrating portion from the back surface is bonded to the back surface of the element forming substrate 20. The back substrate 30 also reinforces the element forming substrate 20. FIG. 5C is a cross-sectional view showing a state where the holes 13 are filled with a conductive material and the back substrate 30 is joined. The back substrate 30 may be joined before the lid substrate 10 and the element forming substrate 20 are formed or before the external electrodes 16 are formed.
[0025]
In this embodiment, since the external electrodes 16 are formed after the element portion is sealed, a wet process can be used for forming the external electrodes 16. That is, for example, the external electrode 16 can be formed by plating or photolithography, or the external electrode 16 can be patterned by wet etching.
[0026]
Then, the cutting line 40 passing over the via hole is cut by dicing or the like, and individual piezoelectric thin film resonators are cut out. FIG. 1 shows a state where the piezoelectric thin film resonator is cut out. The external electrode 16 is formed without protruding from the side surface of the lid 11 by dicing the via hole as the external electrode 16 and dicing with a cutting line passing over the via hole, and the position and the shape of the external electrode 16 are formed with high accuracy. Further, since the external electrode 16 is on the surface of the piezoelectric thin film resonator and is formed on the side surface and the upper surface of the lid, the lid 11 side is a mounting surface, and connection with an external circuit is not limited to connection by wire bonding. Flip chip mounting is possible.
[0027]
The embodiment has been described above by taking the piezoelectric thin-film resonator as an example. However, the present invention is not limited to the piezoelectric thin-film resonator, and may be any electronic component that requires sealing, such as an infrared sensor, an acceleration sensor, and a pressure sensor. It may be a sensor, a duplexer, or the like.
[0028]
In the above embodiment, Pyrex glass (registered trademark) is used for the lid substrate 10, but plastic, an Al 2 O 3 ceramic substrate, a silicon substrate, or the like may be used. It does not matter which of the recess 12 and the hole 13 is formed first. The method of forming the recess 12 is not limited. Further, as a modified example, as shown in FIG. 7, a structure in which the recess 12 is not formed and a vibration space that allows the vibration of the vibrating portion to be allowed by the thickness of the joining member 14 may be provided.
[0029]
In the above embodiment, the holes 13 are formed by sandblasting, but may be formed by a method such as CO 2 laser or etching. Further, in FIG. 3, the number of external electrodes formed on each electronic component is four, but it is possible to change the number of external electrodes by changing the number of holes 13 according to the type of electronic component. it can. For example, if the holes 13 are formed as shown in FIG. 8, the number of external electrodes provided on each electronic component becomes six.
[0030]
The upper electrode 22b and the lower electrode 22a of the element portion may be made of a conductive metal such as nickel, gold, platinum, titanium, chromium, molybdenum, and copper, in addition to aluminum. The piezoelectric film 23 may be any material having piezoelectricity such as zinc oxide, lead zirconate titanate, and aluminum nitride.
[0031]
The method for forming the diaphragm 24 on the element forming substrate 20 and the shape of the diaphragm 24 are not limited to the above, and may be, for example, steps shown in FIG. As shown in FIG. 9A, after the concave portion 25 is formed on the element forming substrate 20 by a method such as etching, a dielectric film 21 is formed on the surface of the element forming substrate 20. Next, as shown in FIG. 9B, the concave portions are filled with a base material 26 such as phosphor quartz glass. Then, as shown in FIG. 9C, the lower electrode 22a, the piezoelectric film 23, and the upper electrode 22b are laminated to form a vibrating portion, and then the base material 26 is removed by a method such as etching to form the diaphragm 24. I do. FIG. 9D shows a state where the diaphragm 24 is formed. Then, after bonding to the lid material substrate 10 and the back substrate 30 formed in the steps shown in the above-described embodiment, forming the external electrodes 16, and cutting along the cutting line 40, individual piezoelectric thin film resonators are cut out. FIG. 10 is a sectional view of a piezoelectric thin film resonator manufactured by this method. When the diaphragm 24 is formed by this method, the back substrate 30 may not be joined.
[0032]
The back substrate 30 may be joined to the element forming substrate 20 during any step after the step of forming the diaphragm 24 on the element forming substrate 20 and before the step of cutting out individual electronic components. .
[0033]
Since the external electrode 16 is formed after the element portion is sealed, a wet process can be used for forming the external electrode 16. That is, for example, the external electrode 16 can be formed by plating or photolithography, or the external electrode 16 can be patterned by wet etching.
[0034]
As the conductive material filling the holes 13, a paste of silver, copper, or the like can be used in addition to the tin solder.
[0035]
As a modified example, the external electrode 16 may be formed by forming a metal film on the side surface of the hole 13 by a method such as sputtering or vapor deposition as shown in FIG. 11 without filling the hole 13 with a paste.
[0036]
The external electrodes 16 may be formed in the holes 13 by embedding paste or forming a metal film before joining the lid material substrate 10 and the element forming substrate 20. In this case, the electrical connection between the external electrode 16 and the upper electrode 22b and the lower electrode 22a is made by a conductive adhesive.
[0037]
【The invention's effect】
As described above, according to the present invention, since a hole is formed so as to extend over a plurality of electronic components, one hole serves as an external electrode of a plurality of electronic components, and the number of holes to be processed is reduced, so that Cost is reduced. Further, since the area of the hole occupying the electronic component is reduced, the electronic component can be further reduced in size.
[0038]
Since the hole is filled with a conductive material to form a via hole and cut at a point passing over the via hole, flip-chip mounting is possible because external electrodes are formed on the side and top surfaces of the electronic component.
[0039]
Further, since the joining portion between the lid member and the element portion is provided inside the hole, there is no need to perform sealing at the hole portion, which facilitates sealing and improves sealing reliability.
[0040]
Further, by using an infrared sensor or a piezoelectric resonator as the element portion in the present invention, an infrared sensor or a piezoelectric resonator having a small size, low manufacturing cost, and high sealing reliability can be obtained.
[0041]
By joining the back substrate, the vibrating portion can be sealed and the strength of the element portion can be increased.
[0042]
According to the manufacturing method of the present invention, individual electronic components are cut out after a plurality of electronic components are integrally formed, so that a large number of electronic components can be manufactured at one time, and a small size and reliability of sealing are achieved. Electronic components with high cost can be manufactured at low cost.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a sectional view showing a piezoelectric thin-film resonator according to an embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a cross-sectional view showing a step of a lid material substrate of the present invention.
FIG. 3 is a plan view showing a lid member substrate of the present invention.
FIG. 4 is a cross-sectional view showing a step of the element section of the present invention.
FIG. 5 is a sectional view showing a step of the present invention.
FIG. 6 is a perspective view showing a lid of the present invention.
FIG. 7 is a sectional view showing a modification of the embodiment of the present invention.
FIG. 8 is a plan view showing a lid substrate of the present invention.
FIG. 9 is a cross-sectional view showing a step of the element section of the present invention.
FIG. 10 is a sectional view showing an electronic component of the present invention.
FIG. 11 is a sectional view showing a modification of the embodiment of the present invention.
FIG. 12 is a sectional view showing a conventional electronic component.
[Explanation of symbols]
Reference Signs List 10 cover material substrate 11 cover 12 recess 13 hole 14 joining members 15a, 15b resist 16 external electrode 17 contact hole 20 element forming substrate 21 dielectric film 22a lower electrode 22b upper electrode 23 piezoelectric film 24 diaphragm 25 recess 26 base material 27 vibration Body

Claims (18)

素子部と蓋とからなる電子部品であって、前記素子部は素子形成基板を有し、前記蓋の側面には切り欠き部があり、前記切り欠き部では前記素子形成基板の上面が露出しており、前記切り欠き部と前記素子形成基板の上面が露出している部分とに外部電極が形成されていることを特徴とする電子部品。An electronic component comprising an element portion and a lid, wherein the element portion has an element forming substrate, a side surface of the lid has a cutout portion, and the cutout portion exposes an upper surface of the element forming substrate. An electronic component, wherein an external electrode is formed in the notch and a portion where an upper surface of the element forming substrate is exposed. 前記外部電極が、前記蓋の側面と上面に形成されていることを特徴とする、請求項１に記載の電子部品。The electronic component according to claim 1, wherein the external electrode is formed on a side surface and an upper surface of the lid. 前記素子部と前記蓋とを接合する接合部材が、前記外部電極よりも内側に形成されていることを特徴とする、請求項１あるいは請求項２に記載の電子部品。The electronic component according to claim 1, wherein a joining member that joins the element unit and the lid is formed inside the external electrode. 前記素子部が少なくとも１層以上の圧電体膜を有する薄膜部の上面と下面を少なくとも一対の上部電極および下部電極を対向させて挟む構造の振動部を有することを特徴とする、請求項１ないし請求項３に記載の電子部品。4. The device according to claim 1, wherein the element portion has a vibrating portion having a structure in which an upper surface and a lower surface of a thin film portion having at least one or more piezoelectric films are sandwiched between at least a pair of upper and lower electrodes. The electronic component according to claim 3. 前記素子形成基板に孔または凹部が設けられており、前記振動部が前記孔または前記凹部上に位置して前記素子形成基板に振動可能に支持されて形成されていることを特徴とする、請求項４に記載の電子部品。A hole or a concave portion is provided in the element forming substrate, and the vibrating portion is formed on the element forming substrate so as to be vibrated and positioned on the hole or the concave portion. Item 5. The electronic component according to item 4. 少なくとも素子部と、蓋とからなる電子部品であって、前記素子部は素子形成基板を有し、前記蓋の少なくとも側面および前記素子形成基板上に外部電極が形成され、前記素子形成基板上の電極と前記外部電極とが電気的に接続されており、
前記素子部は少なくとも１層以上の圧電体膜を有する薄膜部の上面と下面を少なくとも一対の上部電極および下部電極を対向させて挟む構造の振動部を有し、前記素子形成基板に孔または凹部が設けられており、前記振動部が前記孔または前記凹部上に位置して前記素子形成基板に振動可能に支持されて形成されている圧電共振子あるいは赤外線センサであることを特徴とする電子部品。An electronic component comprising at least an element portion and a lid, wherein the element portion has an element formation substrate, and an external electrode is formed on at least a side surface of the lid and the element formation substrate. An electrode and the external electrode are electrically connected,
The element portion has a vibrating portion having a structure in which an upper surface and a lower surface of a thin film portion having at least one or more piezoelectric films are sandwiched with at least a pair of upper and lower electrodes opposed to each other. Wherein the vibrating portion is a piezoelectric resonator or an infrared sensor formed on the element forming substrate so as to be vibrated and positioned on the hole or the concave portion. . 前記素子部の裏面に、裏面基板を備えることを特徴とする、請求項１ないし請求項６に記載の電子部品。The electronic component according to claim 1, further comprising a back substrate on a back surface of the element unit. 前記蓋の裏面に凹部が形成されていることを特徴とする、請求項１ないし請求項７に記載の電子部品。The electronic component according to claim 1, wherein a concave portion is formed on a back surface of the lid. 前記接合部材の厚みが、前記振動部の厚みよりも厚いことを特徴とする、請求項１ないし請求項７に記載の電子部品。The electronic component according to claim 1, wherein a thickness of the joining member is greater than a thickness of the vibrating portion. 複数の蓋を一体に形成する蓋材基板に孔を形成する工程と、
前記蓋材基板と、複数の素子部が形成された素子形成基板とを接合して積層体を形成する工程と、
前記素子部の電極と電気的に接続する外部電極を前記孔に形成する工程と、
複数個分の電子部品が一体に形成された前記積層体を前記孔上を通る線で切断して個々の電子部品を切り出す工程と、
を含むことを特徴とする、電子部品の製造方法。Forming a hole in a lid material substrate integrally forming a plurality of lids,
A step of joining the lid material substrate and an element formation substrate on which a plurality of element portions are formed to form a laminate;
Forming an external electrode in the hole that is electrically connected to the electrode of the element portion;
A step of cutting out the individual electronic components by cutting the laminate in which a plurality of electronic components are integrally formed with a line passing over the hole,
A method for manufacturing an electronic component, comprising: 複数の蓋を一体に形成する蓋材基板に孔を形成する工程と、
前記孔に外部電極を形成する工程と、
前記蓋材基板と、複数の素子部が形成された素子形成基板とを接合して積層体を形成する工程と、
複数個分の電子部品が一体に形成された前記積層体を前記孔上を通る線で切断して個々の電子部品を切り出す工程と、
を含むことを特徴とする、電子部品の製造方法。Forming a hole in a lid material substrate integrally forming a plurality of lids,
Forming an external electrode in the hole;
A step of joining the lid material substrate and an element formation substrate on which a plurality of element portions are formed to form a laminate;
A step of cutting out the individual electronic components by cutting the laminate in which a plurality of electronic components are integrally formed with a line passing over the hole,
A method for manufacturing an electronic component, comprising: 前記外部電極と、素子部の電極とを電気的に接続する工程を含むことを特徴とする、請求項１１に記載の電子部品の製造方法。The method of manufacturing an electronic component according to claim 11, further comprising a step of electrically connecting the external electrode and an electrode of an element unit. 前記外部電極は、前記孔に導電材を充填したビアホールで構成されていることを特徴とする、請求項１０ないし請求項１２に記載の電子部品の製造方法。The method according to claim 10, wherein the external electrode includes a via hole in which the hole is filled with a conductive material. 前記蓋材基板と前記素子形成基板とを接合する工程において、前記蓋材基板と前記素子形成基板とを接合する接合部材を前記孔よりも内側に形成することを特徴とする、請求項１０ないし請求項１３に記載の電子部品の製造方法。The joining step of joining the lid member substrate and the element formation substrate in the step of joining the lid member substrate and the element formation substrate, wherein a joining member that joins the lid member substrate and the element formation substrate is formed inside the hole. A method for manufacturing an electronic component according to claim 13. 前記素子形成基板に、少なくとも１層以上の圧電体膜を有する薄膜部の上面と下面を少なくとも一対の上部電極および下部電極を対向させて挟む構造の振動部を形成する工程を含むことを特徴とする、請求項１０ないし請求項１３に記載の電子部品の製造方法。Forming, on the element forming substrate, a step of forming a vibrating portion having a structure in which an upper surface and a lower surface of a thin film portion having at least one or more piezoelectric films are sandwiched between at least a pair of upper electrodes and lower electrodes. The method for manufacturing an electronic component according to claim 10, wherein: 前記素子形成基板に裏面基板を接合する工程を含むことを特徴とする、請求項１０ないし請求項１５に記載の電子部品の製造方法。The method of manufacturing an electronic component according to claim 10, further comprising: bonding a back substrate to the element forming substrate. 前記蓋材基板の裏面に凹部を形成する工程を含むことを特徴とする、請求項１０ないし請求項１６に記載の電子部品の製造方法。17. The method for manufacturing an electronic component according to claim 10, further comprising a step of forming a concave portion on the back surface of the lid substrate. 前記接合部材を、前記振動部の厚みよりも厚く形成することを特徴とする、請求項１０ないし請求項１６に記載の電子部品の製造方法。17. The method according to claim 10, wherein the joining member is formed to be thicker than the thickness of the vibrating part.
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Cited By (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1585218A2 (en) * 2004-04-06 2005-10-12 Samsung Electronics Co., Ltd. Bulk acoustic wave resonator and methods of making the same
JPWO2005062356A1 (en) * 2003-12-24 2007-07-19 株式会社日立製作所 Apparatus and manufacturing method thereof
JP2007522730A (en) * 2004-02-05 2007-08-09 エプコス　アクチエンゲゼルシャフト Electrical component and manufacturing method
US7436272B2 (en) 2004-06-25 2008-10-14 Murata Manufacturing Co., Ltd. Piezoelectric device
US7443270B2 (en) 2005-07-28 2008-10-28 Kabushiki Kaisha Toshiba Film bulk acoustic resonator, filter circuit and method for manufacturing a film bulk acoustic resonator
US7482194B2 (en) 2004-03-31 2009-01-27 Kabushiki Kaisha Toshiba Electronic component having micro-electrical mechanical system
JP2009036627A (en) * 2007-08-01 2009-02-19 Denso Corp Semiconductor device
JP2009068863A (en) * 2007-09-10 2009-04-02 Toshiba Corp Infrared detecting element and infrared image sensor using it
US7663450B2 (en) 2004-11-23 2010-02-16 Samsung Electronics Co., Ltd. Monolithic duplexer
JP2010535641A (en) * 2007-08-07 2010-11-25 クォルコム・メムズ・テクノロジーズ・インコーポレーテッド MEMS device and wiring thereof
JP2011512260A (en) * 2008-01-23 2011-04-21 エプコス アクチエンゲゼルシャフト MEMS component, method for manufacturing MEMS component, and method for handling MEMS component
CN102297741A (en) * 2010-06-25 2011-12-28 中国科学院电子学研究所 Silicon resonant air pressure sensor based on Micro-Electro-Mechanical Systems
JP2015039204A (en) * 2014-09-29 2015-02-26 京セラ株式会社 Elastic wave device and manufacturing method of the same
JP2017512307A (en) * 2014-02-28 2017-05-18 メジャメント スペシャリティーズ， インコーポレイテッド Differential pressure detection die
JP2017112630A (en) * 2017-02-06 2017-06-22 京セラ株式会社 Acoustic wave device and method of manufacturing the same
JP2021503725A (en) * 2018-10-31 2021-02-12 ウーハン イエンシー マイクロ コンポーネンツ カンパニーリミテッド Sound wave device and its manufacturing method
JP2021133478A (en) * 2020-02-28 2021-09-13 京セラ株式会社 Mems element and piezoelectric resonance device
JP2022508120A (en) * 2018-12-29 2022-01-19 中芯集成電路（寧波）有限公司上海分公司 Integrated structure of crystal resonator and control circuit and its integrated method

Cited By (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPWO2005062356A1 (en) * 2003-12-24 2007-07-19 株式会社日立製作所 Apparatus and manufacturing method thereof
JP4838732B2 (en) * 2004-02-05 2011-12-14 エプコス アクチエンゲゼルシャフト Electrical component and manufacturing method
JP2007522730A (en) * 2004-02-05 2007-08-09 エプコス　アクチエンゲゼルシャフト Electrical component and manufacturing method
US7482194B2 (en) 2004-03-31 2009-01-27 Kabushiki Kaisha Toshiba Electronic component having micro-electrical mechanical system
EP1585218A2 (en) * 2004-04-06 2005-10-12 Samsung Electronics Co., Ltd. Bulk acoustic wave resonator and methods of making the same
US7622846B2 (en) 2004-04-06 2009-11-24 Samsung Electronics Co., Ltd. Bulk acoustic wave resonator, filter and duplexer and methods of making same
EP1585218B1 (en) * 2004-04-06 2012-04-04 Samsung Electronics Co., Ltd. Bulk acoustic wave resonator and methods of making the same
US7436272B2 (en) 2004-06-25 2008-10-14 Murata Manufacturing Co., Ltd. Piezoelectric device
US8720023B2 (en) 2004-11-23 2014-05-13 Samsung Electronics Co., Ltd. Method of manufacturing a monolithic duplexer
US7663450B2 (en) 2004-11-23 2010-02-16 Samsung Electronics Co., Ltd. Monolithic duplexer
US7443270B2 (en) 2005-07-28 2008-10-28 Kabushiki Kaisha Toshiba Film bulk acoustic resonator, filter circuit and method for manufacturing a film bulk acoustic resonator
JP2009036627A (en) * 2007-08-01 2009-02-19 Denso Corp Semiconductor device
JP2010535641A (en) * 2007-08-07 2010-11-25 クォルコム・メムズ・テクノロジーズ・インコーポレーテッド MEMS device and wiring thereof
JP2009068863A (en) * 2007-09-10 2009-04-02 Toshiba Corp Infrared detecting element and infrared image sensor using it
US8674464B2 (en) 2008-01-23 2014-03-18 Epcos Ag MEMS component, method for producing a MEMS component, and method for handling a MEMS component
JP2011512260A (en) * 2008-01-23 2011-04-21 エプコス アクチエンゲゼルシャフト MEMS component, method for manufacturing MEMS component, and method for handling MEMS component
KR101561316B1 (en) * 2008-01-23 2015-10-16 에프코스 아게 Mems component, method for producing a mems component and method for handling a mems component
CN102297741A (en) * 2010-06-25 2011-12-28 中国科学院电子学研究所 Silicon resonant air pressure sensor based on Micro-Electro-Mechanical Systems
CN102297741B (en) * 2010-06-25 2013-06-05 中国科学院电子学研究所 Silicon resonant air pressure sensor based on Micro-Electro-Mechanical Systems
JP2017512307A (en) * 2014-02-28 2017-05-18 メジャメント スペシャリティーズ， インコーポレイテッド Differential pressure detection die
JP2015039204A (en) * 2014-09-29 2015-02-26 京セラ株式会社 Elastic wave device and manufacturing method of the same
JP2017112630A (en) * 2017-02-06 2017-06-22 京セラ株式会社 Acoustic wave device and method of manufacturing the same
JP2021503725A (en) * 2018-10-31 2021-02-12 ウーハン イエンシー マイクロ コンポーネンツ カンパニーリミテッド Sound wave device and its manufacturing method
US11362633B2 (en) 2018-10-31 2022-06-14 Wuhan Yanxi Micro Components Co., Ltd. Acoustic wave device and fabrication method thereof
JP2022508120A (en) * 2018-12-29 2022-01-19 中芯集成電路（寧波）有限公司上海分公司 Integrated structure of crystal resonator and control circuit and its integrated method
JP2021133478A (en) * 2020-02-28 2021-09-13 京セラ株式会社 Mems element and piezoelectric resonance device

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